KR102650553B1 - 색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 표시판은 기판, 상기 기판 위에 위치하며 반도체 나노 결정을 포함하는 색변환층, 상기 기판 위에 위치하는 투과층, 그리고 상기 기판과 상기 색변환층 사이에 위치하며, 상기 기판을 향해 돌출된 볼록부를 포함하는 청색광 차단 필터를 포함하고, 상기 투과층은 산란체를 포함하는 제1 영역 및 상기 기판을 향해 돌출된 볼록부를 포함하는 제2 영역을 포함한다.

Description

색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치{COLOR CONVERSION PANEL AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}
본 개시는 색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치로 사용되는 액정 표시 장치는 두 개의 전기장 생성 전극과 액정층, 색필터, 그리고 편광층을 포함할 수 있다. 광원에서 발생한 광은 액정층, 색필터 및 편광층을 통과하여 시청자에게 도달하게 된다. 편광층과 색필터 등에서 광손실이 발생할 수 있으며 액정 표시 장치뿐만 아니라 유기 발광 표시 장치 등의 표시 장치에서도 광손실이 발생할 수 있다.
편광층이나 색필터에서 발생하는 광손실을 줄이고 높은 색재현율을 가지는 표시 장치를 제공하기 위하여 양자점과 같은 반도체 나노 결정을 사용한 색변환 표시판을 포함하는 표시 장치가 제안되고 있다.
실시예들은 출광 효율이 향상된 색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 표시판은 기판, 상기 기판 위에 위치하며 반도체 나노 결정을 포함하는 색변환층, 상기 기판 위에 위치하는 투과층, 그리고 상기 기판과 상기 색변환층 사이에 위치하며, 상기 기판을 향해 돌출된 볼록부를 갖는 청색광 차단 필터를 포함하고, 상기 투과층은 산란체를 포함하는 제1 영역 및 상기 기판을 향해 돌출된 볼록부를 갖는 제2 영역을 포함한다.
상기 제2 영역은 산란체를 포함하지 않을 수 있다.
색변환 표시판은 상기 청색광 차단 필터와 상기 기판 사이, 그리고 상기 제2 영역과 상기 기판 사이에 위치하는 보호층을 더 포함할 수 있다.
상기 보호층은 복수의 오목부를 가질 수 있다.
상기 보호층은 상기 기판 및 상기 청색광 차단 필터의 굴절률 보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다.
상기 제1 영역 및 제2 영역은 동일 물질을 포함할 수 있다.
상기 색변환층 및 상기 투과층을 향하는 상기 기판의 일면은 복수의 오목부를 가질 수 있다.
상기 색변환층은 적색을 방출하는 제1 색변환층 및 녹색을 방출하는 제2 색변환층을 포함하고, 상기 투과층에서 청색광이 방출될 수 있다.
상기 제1 색변환층은 청색광을 적색광으로 변환하는 적색 양자점을 포함하고, 상기 제2 색변환층은 청색광을 녹색광으로 변환하는 녹색 양자점을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 색변환 표시판은 기판, 상기 기판 일면 위에 위치하며 반도체 나노 결정을 포함하는 색변환층, 상기 기판 일면 위에 위치하는 투과층을 포함하고, 상기 기판은 상기 일면과 마주하는 타면에 위치하는 복수의 볼록부를 갖는다.
상기 색변환층 및 상기 투과층 각각은 상기 복수의 볼록부 중 어느 하나와 중첩할 수 있다.
상기 색변환층 및 상기 투과층 각각은 상기 복수의 볼록부 중 적어도 2 이상과 중첩할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 박막 트랜지스터를 포함하는 하부 표시판, 상기 하부 표시판과 중첩하는 색변환 표시판, 그리고 상기 하부 표시판과 상기 색변환 표시판 사이에 위치하는 액정층을 포함하고, 상기 색변환 표시판은 기판, 상기 기판과 상기 액정층 사이에 위치하는 반도체 나노 결정을 포함하는 색변환층, 상기 기판과 상기 액정층 사이에 위치하는 투과층, 그리고 상기 기판과 상기 색변환층 사이에 위치하며, 상기 기판을 향해 돌출된 볼록부를 갖는 청색광 차단 필터를 포함하고, 상기 투과층은 산란체를 포함하는 제1 영역 및 상기 기판을 향해 돌출된 볼록부를 갖는 제2 영역을 포함하며, 상기 제1 영역에 포함되는 산란체의 부피율(volume fraction)은 제2 영역에 포함되는 산란체의 부피율 보다 크다.
상기 산란체의 부피율은 상기 제1 영역에서 상기 제2 영역으로 갈수록 감소할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 박막 트랜지스터를 포함하는 하부 표시판, 상기 하부 표시판과 중첩하는 색변환 표시판, 그리고 상기 하부 표시판과 상기 색변환 표시판 사이에 위치하는 액정층을 포함하고, 상기 색변환 표시판은 기판, 상기 기판과 상기 액정층 사이에 위치하는 반도체 나노 결정을 포함하는 색변환층, 상기 기판과 상기 액정층 사이에 위치하는 투과층, 그리고 상기 기판과 상기 색변환층 사이에 위치하며, 상기 기판을 향해 돌출된 볼록부를 갖는 청색광 차단 필터를 포함하고, 상기 투과층은 산란체를 포함하는 제1 영역 및 상기 기판을 향해 돌출된 볼록부를 갖는 제2 영역을 포함하며, 상기 제2 영역은 산란체를 포함하지 않는다.
실시예들에 따르면 색변환 표시판 및 표시 장치의 출광 효율이 향상된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부 화소에 대한 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II'선을 따라 자른 단면도이다.
도 3, 도 4, 도 5, 도 6 및 도 7 각각은 도 2의 변형 실시예에 따른 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
이하에서는 도 1 및 도 2의 실시예에 따른 색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부 화소에 대한 평면도이고, 도 2는 도 1의 II-II'선을 따라 자른 단면도이다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 라이트 유닛(500), 하부 표시판(100), 색변환 표시판(30) 및 액정층(3)을 포함한다.
라이트 유닛(500)은 제1 파장을 가지는 광을 발생시키는 광원 및 광원에서 발생한 광을 전달받아 하부 표시판(100) 및 색변환 표시판(30)이 위치하는 방향으로 광을 가이드하는 도광판(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 제1 파장은 약 400 nm 내지 약 500 nm일 수 있으며, 일 실시예에 따라 약 420 nm 내지 약 480 nm일 수 있다. 상기 광원은 청색을 방출할 수 있으며, 일 예로 청색 발광 다이오드일 수 있다.
앞에서 설명한 청색 광원을 포함하는 라이트 유닛(500) 대신에 화이트 광원이나 자외선 광원을 포함하는 라이트 유닛을 사용할 수도 있다. 다만, 이하에서는 청색 광원을 포함하는 라이트 유닛(500)을 사용한 표시 장치에 대해 설명하기로 한다.
복수의 트랜지스터를 포함하는 하부 표시판(100)과 색변환 표시판(30)은 서로 중첩하고, 이들 사이에 복수의 액정 분자(31)를 포함하는 액정층(3)이 위치한다.
본 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판(110)과 라이트 유닛(500) 사이에 위치하는 제1 편광층(12)을 포함할 수 있다. 제1 편광층(12)은 라이트 유닛(500)에서 발생한 광을 선편광시킬 수 있다.
제1 편광층(12)은 코팅형 편광층, 필름형 편광층, 와이어 그리드 편광층(wire grid polarizer) 등이 사용될 수 있다. 제1 편광층(12)은 필름 형태로 부착되거나 도포 형태로 형성되거나 프린팅을 통해 형성되는 등 다양한 방법으로 제1 기판(110)의 일면에 위치할 수 있다. 이러한 설명은 일례에 해당하며 이에 한정되지 않는다.
하부 표시판(100)은 제1 기판(110) 위에 위치하고, 제1 방향으로 연장하며 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트선(121), 게이트선(121) 위에 위치하는 게이트 절연막(140), 게이트 절연막(140) 위에 위치하는 반도체층(154)을 포함한다. 다음 게이트 절연막(140) 위에 제2 방향을 따라 뻗어 있으며 소스 전극(173)과 연결되는 데이터선(171)이 위치하고, 소스 전극(173)과 동일한 층에 드레인 전극(175)이 위치하고, 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 위에 보호막(180)이 위치한다.
게이트 전극(124) 위에 위치하는 반도체층(154)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이에 위치하는 채널을 포함하며, 게이트 전극(124), 반도체층(154), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 하나의 트랜지스터(Tr)를 이룰 수 있다.
보호막(180) 위에 화소 전극(191) 및 제1 배향막(11)이 차례로 위치한다. 화소 전극(191)은 보호막(180)이 가지는 접촉 구멍(185)을 통해 드레인 전극(175)과 전기적으로 연결된다.
화소 전극(191)은 행렬로 배치되고, 화소 전극(191)의 모양은 실시예에 따라 다양하게 변형될 수 있다. 본 명세서는 면형 화소 전극(191)을 도시하였으나 이에 제한되지 않고 슬릿형 화소 전극을 포함할 수 있다.
색변환 표시판(30)은 제1 기판(110)과 중첩하며 이격된 제2 기판(310)을 포함한다. 제2 기판(310)과 하부 표시판(100) 사이에 차광 부재(320)가 위치할 수 있다.
차광 부재(320)는 서로 인접한 제1 색변환층(330R)과 제2 색변환층(330G)사이, 제2 색변환층(330G)과 투과층(330B) 사이, 그리고 투과층(330B)과 제1 색변환층(330R) 사이에 위치한다. 차광 부재(320)는 제1 색변환층(330R), 제2 색변환층(330G) 및 투과층(330B)가 위치하는 영역을 구획할 수 있다.
차광 부재(320)는 입사되는 광을 흡수하는 물질을 포함하거나 광을 반사하는 물질을 포함할 수 있다. 일 예로 금속 물질을 포함하는 차광 부재(320)는 제1 색변환층(330R), 제2 색변환층(330G) 및 투과층(330B)에서 차광 부재(320)를 향해 입사되는 광을 다시 제1 색변환층(330R), 제2 색변환층(330G) 및 투과층(330B)으로 반사시켜 광 효율을 향상시킬 수 있다.
차광 부재(320)와 색변환층(330R, 330G), 그리고 차광 부재(320)와 투과층(330B) 사이에 제1 보호층(321)이 위치할 수 있다. 제1 보호층(321)은 제2 기판(310) 전면과 중첩할 수 있다.
제1 보호층(321)은 제2 기판(310), 청색광 차단 필터(325) 및 투과층(330B) 보다 낮은 굴절률을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 일 예로 제2 기판(310)의 굴절률은 약 1.5이고, 투과층(330B) 및 청색광 차단 필터(325)의 굴절률은 약 1.7이며, 일 실시예에 따른 제1 보호층(321)의 굴절률은 약 1.2일 수 있다.
제1 보호층(321)은 액정층(3)을 향하는 일면을 포함하고, 상기 일면은 복수의 오목부(321a)를 포함할 수 있다. 복수의 오목부(321a)는 일정한 간격을 가지며 규칙적으로 배열될 수 있다.
일 실시예에 따라 하나의 오목부(321a)는 하나의 화소와 중첩하도록 위치할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 또한 인접하게 위치하는 복수의 오목부(321a)는 서로 연결될 수 있으며 이에 제한 없이 서로 이격된 형태를 가질 수 있다. 또한 본 명세서는 일정한 곡률을 가지는 오목부(321a)를 설명하였으나 이에 제한되지 않고 요철을 포함하는 어떠한 형태도 가능함은 물론이다.
광은 일반적으로 굴절률이 큰 물질에서 굴절률이 작은 물질로 입사할 때 입사각이 어느 특정 각도 이상이면 그 경계면에서 전반사된다. 투과층(330B) 또는 청색광 차단 필터(325)를 통과한 광은 제1 보호층(321)으로 입사하게 되는데, 이는 굴절률이 큰 물질에서 작은 물질로 입사하는 것이므로, 경계면에서 임계각 이상으로 입사되는 광에 대해 전반사가 발생할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 제1 보호층(321)은 경계면에 위치하는 오목부(321a)를 포함한다. 오목부(321a)는 경계면으로 입사되는 광의 입사각을 다양하게 변화시켜 경계면에서 발생하는 전반사를 줄일 수 있다. 전반사 감소에 따라 제2 기판(310) 외측으로 방출되는 광량이 증가하므로 표시 장치의 출광 효율이 증가할 수 있다.
제1 보호층(321)과 제1 색변환층(330R) 사이, 그리고 제1 보호층(321)과 제2 색변환층(330G) 사이에 청색광 차단 필터(325)가 위치할 수 있다. 청색광 차단 필터(325)는 적색 및 녹색을 방출하는 영역에만 위치하고 청색을 방출하는 영역에는 위치하지 않는다.
청색광 차단 필터(325)는 제2 기판(310)을 향하는 복수의 볼록부(325a)를 포함할 수 있다. 복수의 볼록부(325a)는 일정한 간격을 가지며 규칙적으로 배열될 수 있다.
청색광 차단 필터(325)의 볼록부(325a)와 제1 보호층(321)의 오목부(321a)는 서로 맞물리는 형태를 가질 수 있다. 본 명세서는 청색광 차단 필터(325)가 볼록부(325a)를 포함하는 실시예를 개시하였으나, 제1 보호층(321)이 포함하는 오목부(321a)의 형태에 따라 청색광 차단 필터(325)가 포함하는 볼록부(325a)의 형태가 변경될 수 있음은 물론이다.
볼록부(325a)는 오목부(321a)와 마찬가지로 하나의 볼록부(325a)가 하나의 화소와 대응할 수 있다. 또한 인접하게 위치하는 복수의 볼록부(325a)는 서로 연결될 수 있으며 이에 제한 없이 서로 이격된 형태를 가질 수 있다. 또한 본 명세서는 일정한 곡률을 가지는 볼록부(325a)를 설명하였으나 이에 제한되지 않고 요철을 포함하는 어떠한 형태도 가능함은 물론이다.
청색광 차단 필터(325)는 라이트 유닛(500)으로부터 공급되는 청색광을 차단 또는 흡수할 수 있다. 라이트 유닛(500)으로부터 입사되는 광은 반도체 나노 결정에 의해 적색 또는 녹색으로 변환되는데, 이때 일부 청색광은 변화되지 않고 제2 기판(310)을 통과하여 출광될 수 있다. 청색광 차단 필터(325)는 이를 방지하기 위한 것으로 단일층 또는 복수층으로 적층된 구조를 가질 수 있다.
청색광 차단 필터(325)는 전술한 효과를 수행하기 위한 어떠한 물질도 포함할 수 있으며, 일 예로 황색 색필터(yellow color filter)일 수 있다. 황색 색필터를 포함하는 청색광 차단 필터(325)의 굴절률은 약 1.7일 수 있으며, 제1 보호층(321) 보다 큰 굴절률을 가질 수 있다.
굴절률이 큰 청색광 차단 필터(325)에서 굴절률이 작은 제1 보호층(321)으로 입사할 때, 입사각이 어느 특정 각도 이상이면 그 경계면에서 광은 전반사될 수 있다. 그러나 일 실시예에 따른 색변환 표시판(30)은 제1 보호층(321)과 청색광 차단 필터(325) 사이에 형성된 요철 형태의 패턴을 포함할 수 있으며, 이를 통해 광의 입사각을 변화시켜 경계면에서 발생하는 전반사를 감소시킬 수 있다.
청색광 차단 필터(325) 및 액정층(3) 사이에 제1 색변환층(330R) 및 제2 색변환층(330G)이 각각 위치할 수 있으며 제2 기판(310)과 하부 표시판(100) 사이에는 제1 영역(330B_1) 및 제2 영역(330B_2)을 포함하는 투과층(330B)이 위치할 수 있다.
제1 색변환층(330R)은 제1 반도체 나노 결정(331R)을 포함하고, 제2 색변환층(330G)은 제2 반도체 나노 결정(331G)을 포함할 수 있다. 제1 색변환층(330R)으로 입사되는 소정의 광은 제1 반도체 나노 결정(331R)에 의해 적색으로 변환되어 제1 색변환층(330R)으로부터 방출될 수 있다. 제2 색변환층(330G)으로 입사되는 소정의 광은 제2 반도체 나노 결정(331G)에 의해 녹색으로 변환되어 제2 색변환층(330G)으로부터 방출될 수 있다.
제1 반도체 나노 결정(331R)은 입사되는 청색광을 적색광으로 변환하는 형광체 및 적색 양자점(quantum dot) 중 적어도 어느 하나를 포함한다. 제2 반도체 나노 결정(331G)은 입사되는 청색광을 녹색광으로 변환하는 형광체 및 녹색 양자점 중 적어도 어느 하나를 포함한다.
상기 적색 양자점 및 상기 녹색 양자점은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, GaAlNP, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재할 수 있다.
또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
양자점의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태일 수 있으며, 일 예로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic) 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자일 수 있다.
적색을 방출하는 형광체는 (Ca, Sr, Ba)S, (Ca, Sr, Ba)2Si5N8, CaAlSiN3, CaMoO4, Eu2Si5N8 중 하나의 물질일 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다.
녹색을 방출하는 형광체는 이트륨 알루미늄 가닛(yttrium aluminum garnet, YAG), (Ca, Sr, Ba)2SiO4, SrGa2S4, 바리움마그네슘알루미네이트(BAM), 알파 사이알론(α-SiAlON), 베타 사이알론(β-SiAlON), Ca3Sc2Si3O12, Tb3Al5O12, BaSiO4, CaAlSiON 및 (Sr1-xBax)Si2O2N2 중 적어도 하나일 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 x는 0 내지 1 사이의 임의의 수일 수 있다.
투과층(330B)은 액정층(3)에 인접한 제1 영역(330B_1) 및 제1 보호층(321)에 인접하게 위치하는 제2 영역(330B_2)을 포함할 수 있다.
제2 영역(330B_2)은 전술한 청색광 차단 필터(325)와 유사하게 제1 보호층(321)의 오목부(321a)와 대응하는 볼록부(330B_2a)를 포함할 수 있다. 제2 영역(330B_2)은 제2 기판(310)을 향하는 볼록부(330B_2a)를 가질 수 있다. 제2 영역(330B_2)과 제1 보호층(321)의 계면에서는 광의 전반사가 감소될 수 있으며, 제2 기판(310) 외측으로 방출되는 광량이 증가할 수 있다.
투과층(330B)은 라이트 유닛(500)에서 방출되어 투과층(330B)으로 입사되는 광을 통과시킬 수 있다. 투과층(330B)은 라이트 유닛(500)에서 공급된 청색 광을 투과시키는 폴리머 물질을 포함할 수 있다. 청색을 방출하는 영역에 해당하는 투과층(330B)은 별도의 반도체 나노 결정을 포함하지 않으며 입사된 청색 광을 그대로 통과시킨다.
일 실시예에 따르면 제1 영역(330B_1)은 산란체(332)를 포함할 수 있으며, 제2 영역(330B_2)은 산란체(332)를 포함하지 않을 수 있다. 산란체(332)는 투과층(330B)의 제1 영역(330B_1)에 입사되는 광을 산란시켜 방출되는 광량을 증가시키거나 정면 휘도와 측면 휘도를 균일하게 만들 수 있다. 산란체(332)는 일례로써 TiO2, Al2O3 및 SiO2 중 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다. 일 실시예에 따르면 제2 영역(330B_2)은 산란체(332)를 포함하지 않음으로써 출광되기 직전의 광이 다시 액정층(3) 방향으로 되돌아가는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 제2 기판(310) 외측으로 출광되는 광량이 증가할 수 있다. 또한 실시예에 따라 제1 색변환층(330R) 및 제2 색변환층(330G) 중 적어도 하나도 산란체(332)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 제1 색변환층(330R) 및 제2 색변환층(330G)은 실질적으로 동일한 중심 지름을 가지는 산란체(332)를 포함할 수 있다. 투과층(330B)은 제1 색변환층(330R) 및 제2 색변환층(330B)이 포함하는 산란체(332) 보다 작은 중심 지름을 가지는 산란체(332)를 포함할 수 있다. 본 명세서에서 '중심 지름'은 색변환층(330R, 330G) 또는 투과층(330B)에 포함되는 복수의 산란체(332)의 지름의 평균값이며, 복수의 산란체(332)의 지름은 가우시안 분포를 이룰 수 있다.
구체적으로, 제1 색변환층(330R) 및 제2 색변환층(330G)은 약 200 내지 220 nm의 중심 지름을 가지는 산란체(332)를 포함할 수 있으며, 투과층(330B)은 약 170 내지 190 nm의 중심 지름을 가지는 산란체(332)를 포함할 수 있다. 또한 제1 색변환층(330R) 및 제2 색변환층(330G)이 포함하는 산란체(332)의 부피율(Volume Fraction)은 실질적으로 동일하며, 투과층(330B)이 포함하는 산란체(332)의 부피율은 제1 색변환층(330R) 또는 제2 색변환층(330G)이 포함하는 산란체(332)의 부피율보다 클 수 있다. 일 예로, 투과층(330B)이 포함하는 산란체(332)의 부피율은 제1 색변환층(330R)이 포함하는 제1 반도체 나노 결정(331R) 및 제1 색변환층(330R)이 포함하는 산란체(332)의 부피율의 합과 실질적으로 동일할 수 있다. 또는 투과층(330B)이 포함하는 산란체(332)의 부피율은 제2 색변환층(330G)이 포함하는 제2 반도체 나노 결정(331G) 및 제2 색변환층(330G)이 포함하는 산란체(332)의 부피율의 합과 실질적으로 동일할 수 있다.
제1 영역(330B_1) 및 제2 영역(330B_2)은 산란체(332)의 포함 여부를 제외하고 동일한 물질을 포함할 수 있다. 도 2는 층이 구분되는 제1 영역(330B_1) 및 제2 영역(330B_2)을 도시하였으나 이에 제한되지 않고 하나의 층으로 나타내질 수도 있음은 물론이다.
투과층(330B)은 청색 안료 및 염료 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 청색 안료 및 염료는 외광에 포함된 적색 광과 녹색 광 중 적어도 하나를 흡수할 수 있으므로 외광 반사에 따른 색 재현율 저하를 방지할 수 있다.
제1 색변환층(330R), 제2 색변환층(330G) 및 투과층(330B)과 액정층(3) 사이에 광필터층(340)이 위치할 수 있다. 광필터층(340)은 제2 기판(310) 전면과 중첩할 수 있다.
광필터층(340)은 제1 색변환층(330R) 및 제2 색변환층(330G)에서 발생된 광을 반사시켜 출광 효율을 높일 수 있다.
광필터층(340)은 복수의 층을 포함하고, 복수의 층은 굴절률이 서로 다른 층들이 기판(310)에 실질적으로 수직인 방향을 따라 교대 배열된 구조를 가질 수 있다. 굴절률이 서로 다른 층들이 교대 배열되어 형성된 광필터층(340)은 약 10층 내지 20층의 다층 구조를 포함할 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다. 광필터층(340)은 일 예로 산화 규소막(SiOx)과 질화 규소막(SiNy)이 교대로 배열된 구조일 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다. 이외에, 상대적으로 높은 굴절률의 예시 재료로서, 산화 티타늄, 산화 탄탈륨, 산화 하프늄 또는 산화 지르코늄 등을 사용할 수 있고, 상대적으로 낮은 굴절률의 예시 재료로서, SiCOz 등을 사용할 수 있다. SiOx, SiNy, SiCOz 에서 x, y, z는 화학조성비를 결정하는 요소로서, 막을 형성하는 공정 조건에 따라 조절될 수 있다.
광필터층(340)을 이루는 복수의 층 가운데 제1 색변환층(330R), 제2 색변환층(330G) 및 투과층(330B)과 가장 인접한 층이 질화 규소막으로 형성된 경우 상기 질화 규소막은 보호막으로 기능할 수 있다. 제1 색변환층(330R), 제2 색변환층(330G) 및 투과층(330B)을 형성한 이후의 공정들에 의해 제1 색변환층(330R), 제2 색변환층(330G) 및 투과층(330B)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 제1 색변환층(330R) 및 제2 색변환층(330G)이 포함하는 반도체 나노 결정은 수분 및 고온 공정들에 의해 손상 또는 소광될 수 있는데, 전술한 질화 규소막은 이러한 문제를 방지할 수 있다.
광필터층(340)과 액정층(3) 사이에 평탄막(350)이 위치한다. 평탄막(350)은 평탄막(350)과 제2 기판(310) 사이에 위치하는 구성요소의 일면을 평탄화시킬 수 있다.
평탄막(350)과 액정층(3) 사이에 제2 편광층(22)이 위치할 수 있다. 제2 편광층(22)은 라이트 유닛(500), 하부 표시판(100) 및 액정층(3)을 통과한 광을 편광시킨다.
제2 편광층(22)은 코팅형 편광층, 필름형 편광층, 와이어 그리드 편광층(wire grid polarizer) 등일 수 있다. 제2 편광층(22)은 금속 물질을 포함할 수 있다. 제2 편광층(22)은 실시예에 따라 바(bar) 형태의 나노 패턴을 포함하고, 각각의 나노 패턴의 폭은 수 나노 단위일 수 있다.
제2 편광층(22)과 액정층(3) 사이에는 절연층(360), 공통 전극(370) 및 제2 배향막(21)이 차례로 위치할 수 있다.
절연층(360)은 금속 재질인 제2 편광층(22)과 공통 전극(370) 사이를 절연시킬 수 있다. 제2 편광층(22)이 금속 재질이 아닌 경우 절연층(360)은 생략될 수 있다.
공통 전압을 인가받는 공통 전극(370)은 화소 전극(191)과 전계를 형성할 수 있다. 변형 실시예로 공통 전극(370)은 하부 표시판(100)에 위치할 수도 있다.
제2 배향막(21)은 제1 배향막(11)과 동일한 물질을 포함할 수 있으며 동일 공정을 통해 제조될 수 있다.
전술한 표시 장치는 청색광을 제공하는 라이트 유닛(500)과 이를 통해 적색 및 녹색을 방출하는 색변환층(330R, 330G)을 포함함으로써 색순도가 향상된 광을 제공할 수 있다. 또한 색변환 표시판(30)이 포함하는 제2 편광층(22)은 수 나노 단위의 얇은 두께로 제공되므로 광이 통과하는 경로가 짧아 광의 왜곡을 최소화할 수 있다.
또한 색변환층(330R, 330G) 및 투과층(330B)을 통과한 광이 오목하거나 볼록한 경계면을 통과함으로써 전반사가 감소될 수 있어 제2 기판(310) 외측으로 방출되는 출광량이 증가할 수 있다.
이하에서는 도 3 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 변형 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다. 도 3, 도 4, 도 5, 도 6 및 도 7 각각은 도 2의 변형 실시예에 따른 단면도이다.
우선, 도 3을 참조하면, 청색광 차단 필터(325) 및 액정층(3) 사이에 제1 색변환층(330R) 및 제2 색변환층(330G)이 각각 위치할 수 있으며 제2 기판(310)과 하부 표시판(100) 사이에는 투과층(330B)이 위치할 수 있다.
투과층(330B)은 제2 기판(310)을 향하는 볼록부(330Ba)를 포함할 수 있다. 투과층(330B)이 포함하는 볼록부(330Ba)는 제1 보호층(321)의 오목부(321a)와 맞물리는 형태를 가질 수 있다.
본 명세서는 투과층(330B)의 볼록부(330Ba)와 제1 보호층(321)의 오목부(321a)가 직접 접촉하는 실시예를 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 이들 사이에 버퍼층 등이 위치할 수 있다.
투과층(330B)은 산란체를(332)를 포함하며 색변환층(330R, 330G)과 제1 방향을 따라 중첩하는 제1 영역(R1) 및 볼록부(330Ba)를 포함하는 제2 영역(R2)을 포함할 수 있다.
투과층(330B)은 라이트 유닛(500)에서 방출되어 투과층(330B)으로 입사되는 광을 통과시킬 수 있다. 투과층(330B)은 라이트 유닛(500)에서 공급된 청색 광을 투과시키는 폴리머 물질을 포함할 수 있다. 청색을 방출하는 영역에 해당하는 투과층(330B)은 별도의 반도체 나노 결정을 포함하지 않으며 입사된 청색 광을 그대로 통과시킨다.
투과층(330B)의 제1 영역(R1) 및 제2 영역(R2)은 산란체(332)를 포함할 수 있다. 볼록부(330Ba)가 위치하는 영역에도 산란체(332)가 위치할 수 있다. 제1 영역(R1)에 포함되는 산란체(332)의 부피율은 제2 영역(R2)에 포함되는 산란체(332)의 부피율 보다 클 수 있다. 일 예로, 산란체(332)의 부피율은 제1 영역(R1)에서 제2 영역(R2)으로 갈수록 감소할 수 있으며, 제2 영역(R2)은 산란체(332)를 포함하지 않는 실시예도 가능할 수 있다.
산란체(332)는 투과층(330B)으로 입사되는 광을 산란시켜 방출되는 광량을 증가시키거나 정면 휘도와 측면 휘도를 균일하게 만들 수 있다.
다른 구성요소에 대한 설명은 도 1 및 도 2에서 설명한 구성요소와 동일하므로 이하에서는 생략하기로 한다.
다음, 도 4를 참조하면, 제2 기판(310)은 복수의 오목부(310a)를 포함할 수 있다. 특히 복수의 오목부(310a)는 액정층(3)을 향하는 제2 기판(310)의 일면에 위치할 수 있다. 복수의 오목부(310a)는 일정한 간격을 가지며 규칙적으로 배열될 수 있다.
일 실시예에 따라 하나의 오목부(310a)는 하나의 화소와 중첩하도록 위치할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 또한 인접하게 위치하는 복수의 오목부(310a)는 서로 연결될 수 있으며 이에 제한 없이 서로 이격된 형태를 가질 수 있다. 또한 본 명세서는 일정한 곡률을 가지는 오목부(310a)를 설명하였으나 이에 제한되지 않고 요철을 포함하는 어떠한 형태도 가능함은 물론이다.
광은 일반적으로 굴절률이 큰 물질에서 굴절률이 작은 물질로 입사할 때 입사각이 어느 특정 각도 이상이면 그 경계면에서 전반사된다. 투과층(330B) 또는 청색광 차단 필터(325)를 통과한 광은 제2 기판(310)으로 입사하게 되는데, 이는 굴절률이 큰 물질에서 작은 물질로 입사하는 것이므로, 경계면에서 임계각 이상으로 입사되는 광에 대해 전반사가 발생할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 오목부(310a)의 경계면에서는 광의 입사각이 상이해지므로 굴절률에 기인한 전반사 문제를 감소시킬 수 있다. 제2 기판(310) 외측으로 방출되지 못한 광을 사용자 방향으로 방출하여 표시 장치의 광 효율을 증가시킬 수 있다.
청색광 차단 필터(325)는 제2 기판(310)을 향하는 복수의 볼록부(325a)를 포함할 수 있다. 복수의 볼록부(325a)는 일정한 간격을 가지며 규칙적으로 배열될 수 있다.
청색광 차단 필터(325)의 볼록부(325a)와 제2 기판(310)의 오목부(310a)는 서로 맞물리는 형태를 가질 수 있다. 본 명세서는 청색광 차단 필터(325)가 볼록한 형태의 패턴(325a)을 포함하는 실시예를 개시하였으나, 제2 기판(310)이 포함하는 오목부(310a)의 형태에 따라 청색광 차단 필터(325)가 포함하는 볼록부(325a)의 형태가 변경될 수 있음은 물론이다.
볼록부(325a)는 오목부(310a)와 마찬가지로 하나의 볼록부(325a)가 하나의 화소와 대응할 수 있다. 또한 인접하게 위치하는 복수의 볼록부(325a)는 서로 연결될 수 있으며 이에 제한 없이 서로 이격된 형태를 가질 수 있다. 또한 본 명세서는 일정한 곡률을 가지는 볼록부(325a)를 설명하였으나 이에 제한되지 않고 요철을 포함하는 어떠한 형태도 가능함은 물론이다.
투과층(330B)은 제2 기판(310)을 향하는 볼록부(330Ba)를 포함할 수 있다. 투과층(330B)이 포함하는 볼록부(330Ba)는 제2 기판(310)의 오목부(310a)와 맞물리는 형태를 가질 수 있다. 본 명세서는 투과층(330B)의 볼록부(330Ba)와 제2 기판(310)의 오목부(310a)가 직접 접촉하는 실시예를 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 이들 사이에 버퍼층 등이 위치할 수 있다.
이를 제외한 구성요소는 전술한 도 1 내지 도 3의 구성요소의 설명을 통해 대체될 수 있으므로, 이하에서는 생략한다.
다음, 도 5를 참조하면, 일 실시예에 따른 제2 기판(310)은 제2 기판(310)에서 액정층(3)을 향하는 일면과 마주하는 타면에 위치하는 복수의 볼록부(310a)를 포함할 수 있다. 복수의 볼록부(310a)는 일정한 간격을 가지며 규칙적으로 배열될 수 있다.
일 실시예에 따라 하나의 볼록부(310a)는 하나의 화소와 중첩하도록 위치할 수 있다. 인접하게 위치하는 복수의 볼록부(310a)는 서로 연결될 수 있으며 이에 제한없이 서로 이격된 형태를 가질 수 있다. 또한 본 명세서는 일정한 곡률을 가지는 볼록부(310a)를 설명하였으나 이에 제한되지 않고 요철을 가지는 어떠한 형태도 가능함은 물론이다.
굴절률이 큰 기판(310)에서 굴절률이 작은 공기 중으로 입사할 때, 입사각이 어느 특정 각도 이상이면 그 경계면에서 광은 전반사될 수 있다. 그러나 일 실시예에 따른 색변환 표시판(30)은 기판(310)과 공기 사이의 경계면 사이에 형성된 볼록부(310a)를 포함함으로써, 경계면에 대한 광의 입사각을 변화시켜 전반사를 감소시킬 수 있다. 기판(310) 외측으로 방출되는 광량을 증가시킬 수 있다.
다음, 도 6을 참조하면, 일 실시예에 따른 제2 기판(310)에서 액정층(3)을 향하는 일면과 마주하는 타면 위에 위치하는 패턴층(311)을 포함할 수 있다. 패턴층(311)은 복수의 볼록부(311a)를 포함할 수 있다. 복수의 볼록부(311a)는 일정한 간격을 가지며 규칙적으로 배열될 수 있다.
패턴층(311)은 제2 기판(310) 상에 필름 형태로 부착되거나 도포된 이후 패터닝되거나 다양한 제조 공정에 의해 제공될 수 있다. 패턴층(311)은 볼록부(311a)를 포함하는 엠보싱 시트일 수 있으며, 볼록부(311a)를 포함하는 편광층이거나 외광 흡수 필름일 수도 있다.
패턴층(311)은 투과형 물질을 포함할 수 있으며 제2 기판(310) 보다 낮은 굴절률을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 일 예로 제2 기판(310)의 굴절률은 약 1.5이며 패턴층(311)은 이보다 낮은 굴절률을 가지는 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다.
굴절률이 큰 제2 기판(310)에서 굴절률이 작은 공기 중으로 바로 입사하는 경우 입사각이 어느 특정 각도 이상이면 그 경계면에서 광은 전반사될 수 있다. 그러나 일 실시예에 따른 색변환 표시판(30)은 제2 기판(310)과 공기 사이의 경계면 사이에 위치하며, 제2 기판(310)과 공기 사이의 굴절률을 가지는 패턴층(311)을 제공함으로써 경계면에 대한 광의 입사각을 변화시켜 전반사를 감소시키고 전반사되는 광량을 감소시킬 수 있다. 제2 기판(310) 외측으로 방출되는 광량을 증가시킬 수 있다.
다음, 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴층(311)은 일 화소에 대응하는 볼록부(311a)가 복수개일 수 있다. 즉, 일 화소는 적어도 2 이상의 볼록부(311a)와 중첩할 수 있다. 일 예로 본 명세서는 일 화소와 4 개의 볼록부(311a)가 중첩하는 실시예를 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 적정한 개수의 볼록부와 중첩할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
100: 하부 표시판
30: 색변환 표시판
325: 청색광 차단 필터
330R: 제1 색변환층
330G: 제2 색변환층
330B: 투과층

Claims (20)

  1. 기판;
    제1 반도체 나노결정을 포함하는 제1 색변환층;
    제2 반도체 나노결정을 포함하는 제2 색변환층;
    제1 투과층;
    상기 제1 색변환층과 중첩하는 제1 영역 및 상기 제2 색변환층과 중첩하는 제2 영역을 포함하는 제1 보호층; 그리고
    상기 제1 보호층과 상기 제1 색변환층 사이에 배치되며, 복수의 볼록부를 포함하는 청색광 차단 필터를 포함하고,
    상기 기판의 굴절률은 상기 청색광 차단 필터의 복수의 볼록부의 굴절률과 상기 제1 보호층의 굴절률 사이인 색변환 패널.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 보호층의 제1 영역은 상기 기판과 상기 제1 색변환층 사이에 배치되는 색변환 패널.
  3. 제1항에서,
    상기 제1 보호층의 제2 영역은 상기 기판과 상기 제2 색변환층 사이에 배치되는 색변환 패널.
  4. 제1항에서,
    상기 복수의 볼록부는 상기 제1 보호층의 제1 영역과 상기 제1 색변환층 사이에 배치되는 제1 영역, 그리고 상기 제1 보호층의 제2 영역과 상기 제2 색변환층 사이에 배치되는 제2 영역을 포함하는 색변환 패널.
  5. 제4항에서,
    상기 복수의 볼록부의 제1 영역 및 상기 복수의 볼록부의 제2 영역은 상기 기판의 수평면에 대해 평행한 색변환 패널.
  6. 제5항에서,
    상기 복수의 볼록부의 제1 영역 및 상기 복수의 볼록부의 제2 영역은 동일한 물질을 포함하는 색변환 패널.
  7. 제1항에서,
    상기 색변환 패널은
    상기 제1 보호층의 제1 영역과 상기 제1 보호층의 제2 영역 사이에 배치된 차광 부재를 더 포함하는 색변환 패널.
  8. 제1항에서,
    상기 색변환 패널은 상기 기판과 상기 제1 투과층 사이에 배치되는 제2 투과층을 더 포함하고,
    상기 제1 투과층은 산란체를 포함하고 제2 투과층은 산란체를 포함하지 않는 색변환 패널.
  9. 제1항에서,
    상기 제1 색변환층 및 상기 제2 색변환층 상에 위치하는 광필터층을 더 포함하는 색변환 패널.
  10. 제9항에서,
    상기 광필터층 상에 배치된 평탄막을 더 포함하는 색변환 패널.
  11. 복수의 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 패널; 그리고
    상기 표시 패널과 중첩하는 색변환 패널을 포함하고,
    상기 색변환 패널은,
    상기 표시 패널과 중첩하는 기판;
    제1 반도체 나노결정을 포함하는 제1 색변환층;
    제2 반도체 나노결정을 포함하는 제2 색변환층;
    제1 투과층;
    상기 제1 색변환층과 중첩하는 제1 영역 및 상기 제2 색변환층과 중첩하는 제2 영역을 포함하는 제1 보호층; 그리고
    상기 제1 보호층과 상기 제1 색변환층 사이에 배치되는 복수의 볼록부를 포함하는 청색광 차단 필터를 포함하고,
    상기 기판의 굴절률은 상기 청색광 차단 필터의 상기 복수의 볼록부의 굴절률과 상기 제1 보호층의 굴절률 사이인 표시 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 제1 보호층의 제1 영역은 상기 기판과 상기 제1 색변환층 사이에 배치되는 표시 장치.
  13. 제11항에서,
    상기 제1 보호층의 제2 영역은 상기 기판과 상기 제2 색변환층 사이에 배치되는 표시 장치.
  14. 제11항에서,
    상기 복수의 볼록부는 상기 제1 보호층의 제1 영역과 상기 제1 색변환층 사이에 배치되는 제1 영역, 그리고, 상기 제1 보호층의 제2 영역과 상기 제2 색변환층 사이에 배치되는 제2 영역을 포함하는 표시 장치.
  15. 제14항에서,
    상기 복수의 볼록부의 제1 영역 및 상기 복수의 볼록부의 제2 영역은 상기 기판의 수평면에 대해 평행한 표시 장치.
  16. 제15항에서,
    상기 복수의 볼록부의 제1 영역 및 상기 복수의 볼록부의 제2 영역은 동일한 물질을 포함하는 표시 장치.
  17. 제11항에서,
    상기 제1 보호층의 제1 영역과 상기 제1 보호층의 제2 영역 사이에 배치된 차광 부재를 더 포함하는 표시 장치.
  18. 제11항에서,
    상기 표시 장치는 상기 기판과 상기 제1 투과층 사이에 배치되는 제2 투과층을 더 포함하고,
    상기 제1 투과층은 산란체를 포함하고 제2 투과층은 산란체를 포함하지 않는 표시 장치.
  19. 제11항에서,
    상기 제1 색변환층 및 상기 제2 색변환층 상에 위치하는 광필터층, 그리고
    상기 광필터층 상에 배치된 평탄막을 더 포함하는 표시 장치.
  20. 기판;
    제1 반도체 나노결정을 포함하는 제1 색변환층;
    제2 반도체 나노결정을 포함하는 제2 색변환층;
    상기 제1 색변환층 및 상기 제2 색변환층과 중첩하는 제1 보호층; 그리고
    상기 제1 보호층과 상기 제1 색변환층 사이에 배치되며, 복수의 볼록부를 포함하는 청색광 차단 필터를 포함하고,
    상기 기판의 굴절률은 상기 청색광 차단 필터의 복수의 볼록부의 굴절률과 상기 제1 보호층의 굴절률 사이에 있는 색변환 패널.
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