KR102648901B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

유기 발광 표시 장치는 기판, 화소 전극, 대향 전극, 유기 발광층, 광발광층, 및 봉지층을 포함한다. 상기 기판은 복수의 화소 영역들을 포함한다. 상기 화소 전극은 상기 기판 상에 배치된다. 상기 대향 전극은 상기 화소 전극 상에 배치되고 광투과가 가능하도록 구비된다. 상기 유기 발광층은 상기 화소 전극과 상기 대향 전극 사이에 배치되고, 상기 대향 전극을 향해 제1 광을 출사한다. 상기 광발광층은 상기 대향 전극 상에 배치되며, 상기 제1 광의 일부를 흡수하여 발광된 제2 광을 출사한다. 상기 봉지층은 상기 광발광층 상에 배치되어 화소 전극, 대향 전극, 유기 발광층, 및 광발광층을 외부로부터 밀봉한다.

Description

표시 장치{DISPLAY APPARATUS}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 측면 시야각에서 발생하는 색 편이(color shift)가 감소된 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극 그리고 이들 사이에 형성되어 있는 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 소자를 구비하며, 정공 주입 전극에서 주입되는 정공과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 유기 발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exiton)이 여기 상태(exited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 광을 발생시키는 자발광형 표시 장치이다.
자발광형 표시 장치인 유기 발광 표시 장치는 별도의 광원이 불필요하므로 저전압으로 구동이 가능하고 경량의 박형으로 구성할 수 있으며, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트(contrast) 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성으로 인해 차세대 표시 장치로 주목받고 있다.
그러나, 상기 유기 발광 소자에서 발생된 광의 출사각에 의해 유기 발광 표시 장치의 측면 시야각에서 색 편이(color shift)가 발생하는 문제가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 과제는 측면 시야각에서 발생하는 색 편이(color shift)가 감소된 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
유기 발광 표시 장치는 기판, 화소 전극, 대향 전극, 유기 발광층, 광발광층, 및 봉지층을 포함한다. 상기 기판은 복수의 화소 영역들을 포함한다. 상기 화소 전극은 상기 기판 상에 배치된다. 상기 대향 전극은 상기 화소 전극 상에 배치되고 광투과가 가능하도록 구비된다. 상기 유기 발광층은 상기 화소 전극과 상기 대향 전극 사이에 배치되고, 상기 대향 전극을 향해 제1 광을 출사한다. 상기 광발광층은 상기 대향 전극 상에 배치되며, 상기 제1 광의 일부를 흡수하여 제2 광을 출사한다.
상기 화소 영역들은 적색 화소 영역, 녹색 화소 영역 및 청색 화소 영역을 포함하고, 상기 유기 발광층은 상기 적색 화소 영역에 구비된 제1 유기 발광층, 상기 녹색 화소 영역에 구비된 제2 유기 발광층, 및 상기 청색 화소 영역에 구비된 제3 유기 발광층을 포함한다. 상기 광발광층은 상기 적색 화소 영역에 구비된 제1 광발광층, 상기 녹색 화소 영역에 구비된 제2 광발광층, 및 상기 청색 화소 영역에 구비된 제3 광발광층을 포함한다.
상기 제1 내지 제3 유기 발광층들은 동일한 컬러를 갖는 광을 상기 제1 광으로 출력하는 물질을 포함하고, 상기 제1 내지 제3 광발광층들 중 적어도 하나는 양자 점을 포함한다.
상기 제1 내지 제3 유기 발광층들로부터 출력된 상기 제1 광은 상기 제1 내지 제3 광발광층들 중 적어도 하나로 입사되고, 상기 제1 내지 제3 광발광층은 상기 제1 내지 제3 광발광층 각각의 양자 효율에 따라 제1 광의 파장 대역보다 긴 파장 대역을 갖는 상기 제2 광을 출사한다.
상기 양자 점은 CdSe core/ZnS shell, CdSe core/CdS shell, 및 InP core/ZnS shell 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 광은 무지향성을 가질 수 있다.
상기 제1 광은, 상기 대향 전극과 상기 광발광층 사이의 계면에 대해 수직한 방향으로 상기 광발광층에 입사되는 제1 입사광, 및 상기 계면에 대해 일정 각도 기울어진 방향으로 상기 광발광층에 입사되는 제2 입사광을 포함한다. 상기 제2 광은, 상기 제1 입사광에 대한 응답으로 출사된 제1 출사광, 및 상기 제2 입사광에 대한 응답으로 출사된 제2 출사광을 포함한다.
상기 제1 출사광은 상기 제1 입사광에 비해 적색 편이된 파장 대역을 갖고, 상기 제2 출사광은 상기 제2 입사광에 비해 적색 편이된 파장 대역을 갖는다.
상기 제2 입사광 및 상기 제2 출사광 사이의 파장 대역 편차는 상기 제1 입사광 및 상기 제1 출사광 사이의 파장 대역 편차보다 크다.
상기 제2 입사광과 상기 제2 출사광 사이의 피크 파장 편차는 상기 제1 입사광과 상기 제1 출사광 사이의 피크 파장 편차보다 크다.
상기 제1 입사광으로부터 획득된 상기 제2 광의 일부인 전면광과 상기 제2 입사광으로부터 획득된 상기 제2 광의 나머지 일부인 경사광 사이의 피크 파장 편차는 상기 제1 입사광과 상기 제2 입사광 사이의 피크 파장 편차보다 작다.
상기 제1 광발광층은 측면 시야각에 따른 청색 편이를 보상할 수 있는 양자 효율을 갖고, 상기 제2 광발광층은 상기 청색 편이와 적색 및 녹색 사이의 파장 차이를 보상할 수 있는 양자 효율을 갖고, 상기 제3 광발광층은 상기 청색 편이와 적색 및 청색 사이의 파장 차이를 보상할 수 있는 양자 효율을 갖는다.
상기 화소 전극은 반사 전극 및 투명 전극을 포함한다.
상기 반사 전극은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, 또는 이들의 화합물로 형성되고, 상기 투명 전극은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상으로 형성된다.
상기 대향 전극은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, 또는 이들의 화합물로 형성된다.
상기 광발광층 상에 배치되는 봉지층을 더 포함하고, 상기 봉지층은 상기 화소 전극, 상기 대향 전극, 상기 유기 발광층 및 상기 광발광층을 밀봉한다.
본 발명의 유기 발광 표시 장치에 의하면, 측면 시야각에 따라 사용자에게 시인되는 영상의 청색 편이 현상을 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 3 개의 화소 영역을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 상기 광발광층에서 발생되는 제2 광의 발광 매커니즘을 설명하기 위한 도면이다.
도 4a는 제1 입사광의 파장별 강도를 도시한 그래프이고, 도 4b는 제2 입사광의 파장별 강도를 도시한 그래프이고, 도 4c는 도 4a 및 도 4b를 함께 도시한 그래프이다.
도 5a는 제1 일부광, 제1 출사광 및 제1 일부광 및 제1 출사광을 합한 전면광의 파장별 강도를 도시한 그래프이고, 도 5b는 제2 일부광, 제2 출사광, 및 제2 일부광 및 제2 출사광을 합한 경사광의 파장별 강도를 도시한 그래프이고, 도 5c는 도 5a의 전면광 및 도 5b의 경사광을 함께 도시한 그래프이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치(100)를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치(100)의 3 개의 화소 영역을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(120), 화소 전극(140), 유기 발광층(150), 대향 전극(160), 광발광층(170), 및 봉지층(180)을 포함한다.
상기 기판(120)은 가요성 기판일 수 있으며, 폴리에틸렌에테르프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰 및 폴리이미드 등과 같이 내열성 및 내구성이 우수한 플라스틱으로 구성될 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 상기 기판(120)은 금속이나 유리 등 다양한 소재로 구성될 수 있다.
상기 기판(120) 상에는 소자/배선층(130)이 배치될 수 있으며, 상기 소자/배선층(130)에는 상기 화소 전극(140)에 연결된 구동 박막트랜지스터(TFT), 스위칭 박막트랜지스터(미도시), 커패시터, 및 배선들(미도시)이 포함될 수있다. 상기 배선들은 상기 구동 박막트랜지스터, 상기 스위칭 박막트랜지스터, 및 상기 커패시터 사이를 연결할 수 있다.
상기 구동 박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(131)과, 게이트 전극(133)과, 소스 전극 및 드레인 전극(135a, 135b)을 포함한다.
상기 기판(120)과 상기 소자/배선층(130)의 사이에는 수분이나 산소와 같은 외부의 이물질이 상기 기판(120)을 투과하여 상기 유기 발광층(150)에 침투하는 것을 방지하기 위한 베리어막(미도시)이 더 구비될 수 있다.
상기 유기 발광 표시 장치(100)는 복수의 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)을 포함하고, 상기 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 사이에는 화소 정의막(PDL)이 형성된다. 상기 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)은 적색 광을 출광하는 제1 화소 영역(PA1), 녹색 광을 출광하는 제2 화소 영역(PA2), 및 청색 광을 출광하는 제3 화소 영역(PA3)을 포함한다.
상기 화소 전극(140)은 상기 소자/배선층(130) 상에 형성된다. 상기 화소 전극(140)은 상기 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각에 대응하게 패터닝되어 형성된다. 상기 대향 전극(160)은 상기 화소 전극(140) 상에 배치된다. 상기 유기 발광층(150)은 상기 화소 전극(140) 및 상기 대향 전극(160) 사이에 배치된다.
본 실시예에서, 상기 화소 전극(140)은 애노드(anode)이고, 상기 대향 전극(160)은 캐소드(cathode)로 구성된다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 유기 발광 표시 장치(100)의 구동 방법에 따라 상기 화소 전극(140)이 캐소드이고, 상기 대향 전극(160)이 애노드일 수도 있다. 상기 화소 전극(140) 및 상기 대향 전극(160)으로부터 각각 정공과 전자가 상기 유기 발광층(150) 내부로 주입된다. 상기 유기 발광층(150) 내부에서는 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 형성되며 상기 엑시톤이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어지면서 제1 광을 방출한다.
도 2에는 상기 소자/배선층(130)의 구조에 관하여 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 활성층(131), 상기 게이트 전극(133), 상기 소스 전극, 및 상기 드레인 전극(135a, 135b)의 위치는 다양한 형태로 변형 가능하다. 좀 더 구체적으로, 도 2에서 상기 게이트 전극(133)은 상기 활성층(131) 상에 배치되지만, 상기 게이트 전극(133)이 상기 활성층(131)의 하부에 배치될 수도 있다.
상기 화소 전극(140)은 반사 전극(140a) 및 투명 전극(140b)을 포함할 수 있다. 상기 반사 전극(140a)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, 또는 이들의 화합물 등으로 형성될 수 있다. 상기 투명 전극(140b)은 투명 또는 반투명할 수 있고, 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다.
상기 대향 전극(160)은 투명 또는 반투명할 수 있고, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, 또는 이들의 화합물을 포함하는 일함수가 작은 금속 박막으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 대향 전극(160)은 상기 금속 박막 위에 형성된 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 대향 전극(160)은 상기 유기 발광층(150)에서 방출된 광을 투과시킬 수 있다.
상기 유기 발광층(150)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어질 수 있다. 상기 유기 발광층(150)은 상기 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각에 대응하게 형성된 제1 내지 제3 유기 발광층들(151, 152, 153)을 포함할 수 있다.
상기 화소 전극(140)과 상기 대향 전극(160)의 사이에는 상기 유기 발광층(150) 이외에, 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 중간층이 선택적으로 배치될 수 있다.
상기 유기 발광층(150)에서 방출되는 광은 상기 화소 전극(140)에 의해 반사되어, 상기 대향 전극(160) 측으로 방출될 수 있다. 따라서, 상기 유기 발광 표시 장치(100)는 전면 발광형일 수 있다.
상기 봉지층(180)은 상기 광발광층(170) 상부에 배치되어, 상기 화소 전극(140), 상기 유기 발광층(150), 상기 대향 전극(160), 및 상기 광발광층(170)이 외부의 수분 및 산소 등에 노출되는 것을 차단한다.
상기 광발광층(170)은 상기 대향 전극(160) 상에 형성될 수 있다. 상기 광발광층(170)은 상기 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각에 대응하게 형성된 제1 내지 제3 광발광층들(171, 172, 173)을 포함할 수 있다.
상기 광발광층(170)은 상기 유기 발광층(150)으로부터 출사된 상기 제1 광의 일부를 흡수하여 제2 광을 발광한다.
상기 광발광층(170)은 광발광 물질을 포함할 수 있다. 상기 광발광 물질은 유기 발광 물질, 형광체(phosphor), 및 양자 점(quantum dot, QD)일 수 있다. 상기 형광체는 나노 형광체, 실리케이트 형광체(silicate phosphor), 나이트라이드 형광체(nitride phosphor), 썰파이드 형광체(sulfide phosphor) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 양자 점은 CdSe core/ZnS shell, CdSe core/CdS shell, 및 InP core/ZnS shell 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 광발광층(170)에 광발광 현상을 일으키는 높은 에너지를 갖는 여기광(예를 들어, 청색 여기 광)이 입사되면, 상기 여기 광에 의해 상기 광발광층(170)의 흡수도 및 광발광 양자 효율에 비례하여 긴 파장 대역(낮은 에너지의 파장 대역)의 제2 광이 발생된다.
상기 광발광층(170)에서 발생된 상기 제2 광은 무지향성을 가질 수 있다.
도 3은 상기 광발광층에서 발생되는 제2 광의 발광 매커니즘을 설명하기 위한 도면이다. 도 3에는 화소 전극(140), 유기 발광층(150), 대향 전극(160), 및 광발광층(170)을 도시하였다.
상기 제1 광은 상기 유기 발광층(150) 전면으로 직접 출사되거나 상기 화소 전극(140) 및 상기 대향 전극(160)에 의해 반사되어 상기 유기 발광층(150) 전면으로 출사되는 입사광을 포함한다. 상기 입사광은 계면에 대해 수직한 방향으로 상기 광발광층(170)에 입사되는 제1 입사광(L1)과 계면에 대해 일정 각도 기울어진 방향으로 상기 광발광층(170)에 입사되는 제2 입사광(L2)을 포함할 수 있다.
상기 유기 발광층(150)을 사이에 두고 상기 화소 전극(140)과 상기 대향 전극(160)이 서로 마주하는 구조는 메탈 캐비티(Metal Cavity) 모델에 해당되고, 메탈 캐비티 모델 내부에서 발생된 제1 광은 출사각에 따라 파장이 변경된다. 구체적으로, 제1 광의 수직 성분 보다 수평 성분이 커질수록(출사각이 커질수록) 파장은 짧아지고, 청색 파장 대역으로 이동된다. 사용자 관점에서 시야각이 커질수록 사용자에게 시인되는 영상의 청색 편이 현상이 발생된다.
상기 제1 입사광(L1)은 상기 광발광층(170)에 입사되고, 상기 제1 입사광(L1)의 일부인 제1 일부광(L1-1)은 상기 광발광층(170)을 투과하여 상기 제1 입사광(L1)의 입사각과 동일한 출사각으로 전면으로 출사된다. 상기 제1 입사광(L1)의 나머지 일부는 상기 광발광층(170)에 흡수되고, 상기 광발광층(170)은 흡수된 제1 입사광(L1)의 나머지 일부를 기초로 발광하여 제1 출사광(L3)을 출사한다. 상기 제1 출사광(L3)은 무지향성을 가질 수 있다.
상기 제2 입사광(L2)은 상기 광발광층(170)에 입사되고, 상기 제2 입사광(L2)의 일부인 제2 일부광(L2-1)은 상기 광발광층(170)을 투과하여 상기 제2 입사광(L2)의 입사각과 동일한 출사각으로 전면으로 출사된다. 상기 제2 입사광(L2)의 나머지 일부는 상기 광발광층(170)에 흡수되고, 상기 광발광층(170)은 흡수된 제2 입사광(L2)의 나머지 일부를 기초로 발광하여 제2 출사광(L4)을 출사한다. 상기 제2 출사광(L4)은 무지향성을 가질 수 있다.
상기 제2 입사광(L2)의 파장이 상기 제1 입사광(L1)의 파장 보다 짧아 상기 제1 입사광(L1)이 상기 제2 입사광(L2)에 비해 상기 광발광층(170)의 광발광 현상을 일으키는 높은 에너지를 갖는 여기광을 더 많이 포함한다. 또한, 상기 제2 입사광(L2)은 일정 각도의 입사각을 가지므로, 계면에 수직 방향으로 입사되는 상기 제1 입사광(L1)에 비해 상기 광발광층(170)을 통과하는 광 경로가 길다. 따라서, 상기 광발광층(170)은 상기 제2 입사광(L2)을 상기 제1 입사광(L1)에 비해 더 많이 흡수한다.
상기 제1 출사광(L3) 및 상기 제2 출사광(L4) 각각은 상기 제1 입사광(L1) 및 상기 제2 입사광(L2) 각각에 비해 적색 쪽으로 편이된 파장 대역을 갖는다.
상기 제2 입사광(L2) 및 상기 제2 출사광(L4) 사이의 파장 대역 편차는 상기 제1 입사광(L1) 및 상기 제1 출사광(L3) 사이의 파장 대역 편차 보다 클 수 있다. 그 이유는 상기 광발광층(170)에 흡수되는 입사광의 광량이 증가할수록 출사광은 입사광에 비해 더 많이 적색 편이된 파장 대역을 갖고, 상기 제2 입사광(L2)은 상기 제2 입사광(L1)에 비해 상기 광발광층(170)에 더 많이 흡수되기 때문이다.
상기 광발광층(170)은 상기 제1 출사광(L3)에 비해 상기 제2 출사광(L4)의 파장 대역을 더 많이 적색 편이시킴으로써, 시야각에 따라 사용자에게 시인되는 영상의 청색 편이 현상을 개선할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 내지 제3 유기 발광층들(151, 152, 153)은 각각 적색, 녹색, 및 청색을 발광하는 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 제1 내지 제3 광발광층들(171, 172, 173)은 서로 다른 물질로 이루어질 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 제1 내지 제3 광발광층들(171, 172, 173)은 각각 적색, 녹색, 및 청색의 측면 시야각에 따른 색 편이를 보상할 수 있는 양자 효율을 가질 수 있다. 한편, 이에 제한되는 것은 아니고, 상기 제1 내지 제3 유기 발광층들(151, 152, 153)은 모두 청색을 발광하는 물질로 이루어질 수도 있다. 이때, 상기 제1 광발광층(171)은 측면 시야각에 따른 청색 편이를 보상할 수 있는 양자 효율을 갖고, 상기 제2 광발광층(172)은 측면 시야각에 따른 청색 편이와 적색 및 녹색 사이의 파장 차이를 보상할 수 있는 양자 효율을 갖고, 상기 제3 광발광층(173)은 측면 시야각에 따른 청색 편이와 적색 및 청색 사이의 파장 차이를 보상할 수 있는 양자 효율을 가질 수 있다.
도 4a는 제1 입사광의 파장별 강도를 도시한 그래프이고, 도 4b는 제2 입사광의 파장별 강도를 도시한 그래프이고, 도 4c는 도 4a 및 도 4b를 함께 도시한 그래프이다.
도 5a는 제1 일부광, 제1 출사광 및 제1 일부광 및 제1 출사광을 합한 전면광의 파장별 강도를 도시한 그래프이고, 도 5b는 제2 일부광, 제2 출사광, 및 제2 일부광 및 제2 출사광을 합한 경사광의 파장별 강도를 도시한 그래프이고, 도 5c는 도 5a의 전면광 및 도 5b의 경사광을 함께 도시한 그래프이다.
이하, 도 4a 내지 도 5c를 참조한 설명에서 광의 최대 강도에서의 파장 값을 피크 파장이라 정의한다.
도 3, 도 4a, 및 도 4b를 참조하면, 상기 제1 입사광(L1)에 비해 상기 제2 입사광(L2)의 파장 대역이 단파장(청색 계열) 쪽으로 치우친 것을 알 수 있다. 따라서, 광발광층(도 1 내지 도 3의 170)이 없는 경우, 시야각에 따라 사용자에게 시인되는 영상의 청색 편이 현상이 발생됨을 알 수 있다. 도 4c를 참조하면, 제1 입사광(L1)의 피크 파장과 상기 제2 입사광(L2)의 피크 파장 사이는 제1 차이(W1)를 갖는다. 시뮬레이션 조건에서 상기 제1 차이(W1)는 10㎚였다.
도 3, 도 4a, 및 도 5a를 참조하면, 상기 제1 일부광(L1-1)의 피크 파장과 상기 제1 입사광(L1)의 피크 파장은 서로 동일하다. 상기 제1 출사광(L3)의 피크 파장은 상기 제1 입사광(L1)의 피크 파장 보다 장파장(적색 계열) 쪽으로 치우친 것을 알 수 있다. 상기 제1 일부광(L1-1)의 피크 파장과 상기 제1 출사광의 피크 파장 사이는 제2 차이(W2)를 갖는다.
도 3, 도 4b, 및 도 5b를 참조하면, 상기 제2 일부광(L2-1)의 피크 파장과 상기 제2 입사광(L2)의 피크 파장은 서로 동일하다. 상기 제2 출사광(L4)의 피크 파장은 상기 제2 입사광(L2)의 피크 파장 보다 장파장(적색 계열) 쪽으로 치우친 것을 알 수 있다. 상기 제2 일부광(L2-1)의 피크 파장과 상기 제2 출사광의 피크 파장 사이는 제3 차이(W3)를 갖는다. 상기 제3 차이(W3)는 상기 제2 차이(W2)에 비해 큰 것을 알 수 있다. 이로 인해 제2 출사광(L4)이 제1 출사광(L1)에 비해 더 많이 적색 편이됨을 알 수 있다.
도 3, 도 4c, 및 도 5c를 참조하면, 제1 일부광(L1-1) 및 제1 출사광(L3)을 합한 상기 전면광(L5)의 피크 파장과 상기 제2 일부광(L2-1) 및 상기 제2 출사광(L4)을 합한 상기 경사광(L6)의 피크 파장 사이는 제4 차이(W4)를 갖는다. 상기 전면광(L5)은 상기 제1 입사광(L1)으로부터 형성된 상기 제2 광의 일부이고, 상기 경사광(L6)은 상기 제2 입사광(L2)으로부터 형성된 상기 제2 광의 나머지 일부이다. 시뮬레이션 조건에서 상기 제4 차이(W4)는 2㎚ 이하였다. 상기 제4 차이(W4)는 상기 제1 차이(W1)에 비해 작은 것을 알 수 있다. 이로 인해 상기 광발광층(170)에 의해 시야각에 따라 사용자에게 시인되는 영상의 청색 편이 현상이 개선됨을 알 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 유기 발광 표시 장치 120: 기판
130: 소자/배선층 140: 화소 전극
150: 유기 발광층 160: 대향 전극
170: 광발광층 180: 봉지층

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치된 소자 배선층;
    상기 소자 배선층 상에 배치된 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극;
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 복수의 메인 발광층;
    상기 복수의 메인 발광층 상에 각각 배치된 복수의 서브 발광층을 포함하고,
    상기 복수의 메인 발광층은 동일한 파장을 갖는 제1 광을 출력하는 물질을 포함하고,
    상기 복수의 서브 발광층 중 적어도 하나는 양자 점을 포함하며,
    상기 복수의 메인 발광층으로부터 출력된 상기 제1 광은 상기 복수의 서브 발광층 중 적어도 하나로 입사되고,
    상기 복수의 서브 발광층은 서로 다른 양자 효율을 갖고, 측면 시야각에 따른 색 편이를 보상할 수 있도록 상기 복수의 서브 발광층 각각은 각자의 양자 효율에 비례하여 상기 제1 광보다 긴 파장 대역을 갖는 제2 광을 출력하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 양자 점은 CdSe core/ZnS shell, CdSe core/CdS shell, 및 InP core/ZnS shell 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 서브 발광층은 제1 서브 발광층, 제2 서브 발광층 및 제3 서브 발광층을 포함하고,
    상기 제1 내지 제3 서브 발광층들은 서로 다른 양자 효율을 가지며,
    상기 제1 내지 제3 서브 발광층들 각각의 양자 효율에 따라 상기 제1 광의 파장 대역보다 긴 파장 대역을 갖는 상기 제2 광을 출사하는 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 광은 무지향성을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제1 광은,
    상기 제2 전극과 상기 복수의 서브 발광층 사이의 계면에 대해 수직한 방향으로 상기 복수의 서브 발광층에 입사되는 제1 입사광; 및
    상기 계면에 대해 일정 각도 기울어진 방향으로 상기 복수의 서브 발광층에 입사되는 제2 입사광을 포함하고,
    상기 제2 광은,
    상기 제1 입사광에 대한 응답으로 출사된 제1 출사광, 및
    상기 제2 입사광에 대한 응답으로 출사된 제2 출사광을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 출사광은 상기 제1 입사광에 비해 적색 편이된 파장 대역을 갖고,
    상기 제2 출사광은 상기 제2 입사광에 비해 적색 편이된 파장 대역을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제2 입사광 및 상기 제2 출사광 사이의 파장 대역 편차는 상기 제1 입사광 및 상기 제1 출사광 사이의 파장 대역 편차보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제2 입사광과 상기 제2 출사광 사이의 피크 파장 편차는 상기 제1 입사광과 상기 제1 출사광 사이의 피크 파장 편차보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 제1 입사광으로부터 획득된 상기 제2 광의 일부인 전면광과 상기 제2 입사광으로부터 획득된 상기 제2 광의 나머지 일부인 경사광 사이의 피크 파장 편차는 상기 제1 입사광과 상기 제2 입사광 사이의 피크 파장 편차보다 작은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 서브 발광층들은 제1 서브 발광층, 제2 서브 발광층 및 제3 서브 발광층을 포함하고,
    상기 제1 서브 발광층은 측면 시야각에 따른 청색 편이를 보상할 수 있는 제1 양자 효율을 갖고,
    상기 제2 서브 발광층은 상기 청색 편이와 적색 및 녹색 사이의 파장 차이를 보상할 수 있는 제2 양자 효율을 갖고,
    상기 제3 서브 발광층은 상기 청색 편이와 적색 및 청색 사이의 파장 차이를 보상할 수 있는 제3 양자 효율을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 반사 전극 및 투명 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 반사 전극은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, 또는 이들의 화합물로 형성되고, 상기 투명 전극은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상으로 형성된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, 또는 이들의 화합물로 형성된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 소자 배선층은 상기 제1 전극에 연결된 구동 박막트랜지스터, 스위칭 박막트랜지스터, 커패시터, 및 배선들을 포함하는 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 구동 박막트랜지스터는 활성층, 게이트전극, 소스전극 및 드레인 전극을 포함하는 표시 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 게이트전극은 상기 활성층 상에 배치되는 표시 장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 게이트전극은 상기 활성층 하부에 배치되는 표시 장치.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 기판과 상기 소자 배선층 사이에 배치된 베리어막을 더 포함하는 표시 장치.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 메인 발광층은 청색을 발광하는 물질을 포함하는 표시 장치.
  20. 제1항에 있어서, 상기 복수의 서브 발광층 상에 배치되는 봉지층을 더 포함하고,
    상기 봉지층은 상기 제1 전극, 상기 제2 전극, 상기 복수의 메인 발광층 및 상기 복수의 서브 발광층을 밀봉하는 표시 장치.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007207633A (ja) 2006-02-03 2007-08-16 Hitachi Ltd 発光素子及び表示装置
JP2013137931A (ja) 2011-12-28 2013-07-11 Sony Corp 発光素子およびその製造方法ならびに表示装置および電子機器

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6608439B1 (en) * 1998-09-22 2003-08-19 Emagin Corporation Inorganic-based color conversion matrix element for organic color display devices and method of fabrication
US20090021148A1 (en) * 2005-05-12 2009-01-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Color converting material composition and color converting medium including same
KR101604495B1 (ko) * 2009-11-26 2016-03-17 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 이를 제조하는 방법
KR101804360B1 (ko) * 2011-03-21 2017-12-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101400058B1 (ko) * 2011-12-23 2014-05-30 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR101637171B1 (ko) * 2012-03-30 2016-07-07 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007207633A (ja) 2006-02-03 2007-08-16 Hitachi Ltd 発光素子及び表示装置
JP2013137931A (ja) 2011-12-28 2013-07-11 Sony Corp 発光素子およびその製造方法ならびに表示装置および電子機器

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