KR102636147B1 - 투명표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 투과부의 개구율을 높일 수 있는 투명표시장치에 관한 것이다. 본 발명은 데이터 라인들, 데이터 라인들과 교차되는 스캔 라인들, 데이터 라인들과 나란하게 배치되며 광을 발광하는 발광부들, 및 데이터 라인들과 나란하게 배치되며 광을 투과시키는 투과부들을 구비한다. 그 결과, 본 발명은 데이터 라인들뿐만 아니라, 데이터 라인들과 나란한 전원 라인들과 기준전압 라인들을 발광부들과 중첩되게 배치할 수 있다. 이로 인해, 본 발명은 데이터 라인들, 전원 라인들, 및 기준전압 라인들 대신에 스캔 라인들과 센싱 라인들이 투과부들을 가로지르도록 형성할 수 있다. 즉, 본 발명은 투과부들을 가로지르는 라인의 개수를 줄일 수 있으므로, 투과부들의 개구율을 높일 수 있다.

Description

투명표시장치{TRANSPARENT DISPLAY DEVICE}
본 발명의 실시예는 투명표시장치에 관한 것이다.
최근 정보화 시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 여러 가지 다양한 표시장치가 개발되어 각광받고 있다. 이와 같은 표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마 표시패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device : FED), 전기발광표시장치(Electroluminescence Display device : ELD), 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Diodes : OLED) 등을 들 수 있다.
최근에는 특성상 사용자가 표시장치의 배면(背面)에 위치한 사물 또는 배경을 볼 수 있는 투명표시장치에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 투명표시장치는 공간활용성, 인테리어 및 디자인의 장점을 가지며, 다양한 응용분야를 가질 수 있다. 투명표시장치는 정보인식, 정보처리 및 정보표시의 기능을 투명한 전자기기로 구현함으로써 기존 전자기기의 공간적 및 시각적 제약을 해소할 수 있다. 예를 들어, 투명표시장치는 건물이나 자동차의 창문(window)에 적용되어 배경을 보이거나 화상을 표시하는 스마트 창(smart window)으로 구현될 수 있다.
투명표시장치는 유기발광 표시장치로 구현될 수 있다. 이 경우, 투명표시장치는 입사되는 빛을 그대로 투과시키는 투과부들와 광을 발광하는 발광부들로 구분된다. 사용자는 발광부들이 광을 발광하지 않는 경우 투과부들을 통해 투명표시장치의 뒷 배경을 볼 수 있으며, 발광부들이 광을 발광하는 경우 발광부들에 의해 표시되는 화상을 볼 수 있다.
투명표시장치의 투과부들의 개구율을 높이기 위해 투과부들에는 금속 배선이 형성되지 않는 것이 바람직하다. 하지만, 투명표시장치의 투과부들과 발광부들이 수평 방향으로 나란하게 배치되는 경우, 발광부들에 데이터 전압들을 공급하기 위한 데이터 라인들, 전원 전압을 공급하기 위한 전원 라인들, 및 기준전압 라인을 공급하기 위한 기준전압 라인들 등이 투과부들을 가로지르도록 형성된다. 이 경우, 데이터 라인들, 전원 라인들, 및 기준전압 라인들 등으로 인하여 투과부들의 개구율이 낮아지는 문제가 있다.
본 발명의 실시예는 투과부의 개구율을 높일 수 있는 투명표시장치를 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 투명표시장치는 데이터 라인들, 데이터 라인들과 교차되는 스캔 라인들, 데이터 라인들과 나란하게 배치되며 광을 발광하는 발광부들, 및 데이터 라인들과 나란하게 배치되며 광을 투과시키는 투과부들을 구비한다.
본 발명의 실시예는 발광부들과 투과부들을 데이터 라인들과 나란하게 배치한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 데이터 라인들뿐만 아니라, 데이터 라인들과 나란한 전원 라인들과 기준전압 라인들을 발광부들과 중첩되게 배치할 수 있다. 이로 인해, 본 발명의 실시예는 데이터 라인들, 전원 라인들, 및 기준전압 라인들 대신에 스캔 라인들과 센싱 라인들이 투과부들을 가로지르도록 형성할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예는 투과부들을 가로지르는 라인의 개수를 줄일 수 있으므로, 투과부들의 개구율을 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예는 투과부들을 통과하는 광이 투과부들을 가로지르는 라인에 의해 산란되는 것을 줄일 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 투과부들을 통해 보이는 투명표시장치의 뒷 배경이 광의 산란에 의해 뿌옇게 보이는 헤이즈를 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 투명표시장치를 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 제1 기판, 게이트 구동부, 소스 드라이브 IC, 연성필름, 회로보드, 및 타이밍 제어부를 보여주는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 표시영역의 일부를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3의 발광부와 투과부의 일 예를 상세히 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 4의 I-I'의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 4의 Ⅱ-Ⅱ'의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 3의 발광부와 투과부의 또 다른 예를 상세히 보여주는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시패널의 표시영역의 일부를 보여주는 평면도이다.
도 9는 도 8의 발광부와 투과부의 또 다른 예를 상세히 보여주는 평면도이다.
도 10은 도 8의 발광부와 투과부의 또 다른 예를 상세히 보여주는 평면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시패널의 표시영역의 일부를 보여주는 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
"X축 방향", "Y축 방향" 및 "Z축 방향"은 서로 간의 관계가 수직으로 이루어진 기하학적인 관계만으로 해석되어서는 아니 되며, 본 발명의 구성이 기능적으로 작용할 수 있는 범위 내에서보다 넓은 방향성을 가지는 것을 의미할 수 있다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 투명표시장치를 보여주는 사시도이다. 도 2는 도 1의 제1 기판, 게이트 구동부, 소스 드라이브 IC, 연성필름, 회로보드, 및 타이밍 제어부를 보여주는 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 투명표시장치(100)는 표시패널(110), 게이트 구동부(120), 소스 드라이브 집적회로(integrated circuit, 이하 "IC"라 칭함)(130), 연성필름(140), 회로보드(150), 및 타이밍 제어부(160)를 포함한다.
표시패널(110)은 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 포함한다. 제2 기판(112)은 봉지 기판일 수 있다. 제1 기판(111)과 제2 기판(112)은 플라스틱 또는 유리(glass)일 수 있다.
제2 기판(112)과 마주보는 제1 기판(111)의 일면 상에는 스캔 라인들, 센싱 라인들, 데이터 라인들, 전원 라인들, 기준전압 라인들이 형성된다. 스캔 라인들과 데이터 라인들은 서로 교차되도록 형성된다. 센싱 라인들은 스캔 라인들과 나란하게 형성된다. 전원 라인들과 기준전압 라인들은 데이터 라인들과 나란하게 형성된다. 또한, 제1 기판(111)의 일면 상에는 광을 발광하는 발광부들과 입사되는 광을 투과시키는 투과부들이 형성된다. 발광부들 각각에는 박막 트랜지스터들과 유기발광소자들이 형성될 수 있다. 발광부들과 투과부들에 대한 자세한 설명은 도 3 내지 도 6을 결부하여 후술한다.
표시패널(110)은 도 2와 같이 화상을 표시하는 표시영역(DA)과 화상을 표시하지 않는 비표시영역(NDA)으로 구분될 수 있다. 표시영역(DA)에는 스캔 라인들, 센싱 라인들, 데이터 라인들, 전원 라인들, 기준전압 라인들, 발광부들, 및 투과부들이 형성될 수 있으며, 비표시영역(NDA)에는 게이트 구동부(120)와 패드들이 형성될 수 있다. 표시영역(DA)에 대한 자세한 설명은 도 3, 도 8, 및 도 11을 결부하여 후술한다.
게이트 구동부(120)는 타이밍 제어부(160)로부터 입력되는 게이트 제어신호에 따라 게이트 라인들에 게이트 신호들을 공급한다. 게이트 구동부(120)는 표시패널(110)의 표시영역(DA)의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비표시영역(DA)에 GIP(gate driver in panel) 방식으로 형성되거나, 구동 칩으로 제작되어 연성필름에 실장되고 TAB(tape automated bonding) 방식으로 표시패널(110)의 표시영역(DA)의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비표시영역(DA)에 부착될 수도 있다.
소스 드라이브 IC(130)는 타이밍 제어부(160)로부터 디지털 비디오 데이터와 소스 제어신호를 입력받는다. 소스 드라이브 IC(130)는 소스 제어신호에 따라 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터전압들로 변환하여 데이터 라인들에 공급한다. 소스 드라이브 IC(130)가 구동 칩으로 제작되는 경우, COF(chip on film) 또는 COP(chip on plastic) 방식으로 연성필름(140)에 실장될 수 있다.
표시패널(110)의 비표시영역(NDA)에는 데이터 패드들과 같은 패드들이 형성될 수 있다. 연성필름(140)에는 패드들과 소스 드라이브 IC(130)를 연결하는 배선들, 패드들과 회로보드(150)의 배선들을 연결하는 배선들이 형성될 수 있다. 연성필름(140)은 이방성 도전 필름(antisotropic conducting film)을 이용하여 패드들 상에 부착되며, 이로 인해 패드들과 연성필름(140)의 배선들이 연결될 수 있다.
회로보드(150)는 연성필름(140)들에 부착될 수 있다. 회로보드(150)는 구동 칩들로 구현된 다수의 회로들이 실장될 수 있다. 예를 들어, 회로보드(150)에는 타이밍 제어부(160)가 실장될 수 있다. 회로보드(150)는 인쇄회로보드(printed circuit board) 또는 연성 인쇄회로보드(flexible printed circuit board)일 수 있다.
타이밍 제어부(160)는 외부의 시스템 보드로부터 회로보드(150)의 케이블을 통해 디지털 비디오 데이터와 타이밍 신호를 입력받는다. 타이밍 제어부(60)는 타이밍 신호에 기초하여 게이트 구동부(120)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호와 소스 드라이브 IC(130)들을 제어하기 위한 소스 제어신호를 발생한다. 타이밍 제어부(160)는 게이트 제어신호를 게이트 구동부(120)에 공급하고, 소스 제어신호를 소스 드라이브 IC(130)들에 공급한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 표시영역의 일부를 보여주는 평면도이다.
도 3을 참조하면, 표시영역(DA)에는 발광부(EA)들과 투과부(TA)들이 형성된다. 표시패널(100)은 투과부(TA)들로 인해 투명표시패널(100)의 배면(背面)에 위치한 사물 또는 배경을 볼 수 있으며, 발광부(EA)들로 인해 화상을 표시할 수 있다.
투과부(TA)는 입사되는 빛을 거의 그대로 통과시키는 영역이다. 발광부(EA)는 광을 발광하는 영역으로, 입사되는 빛을 투과시키지 않는 비투과부이다. 투과부(TA)의 면적과 발광부(EA)의 면적은 유사할 수 있다.
발광부(EA)는 복수의 서브 발광부들을 포함할 수 있다. 도 3에서는 발광부(EA)가 적색 발광부(RE), 녹색 발광부(GE), 및 청색 발광부(BE)를 포함하는 것을 예시하였다. 적색 발광부(RE)는 적색 광을 발광하는 영역이고, 녹색 발광부(GE)는 녹색 광을 발광하는 영역이고, 청색 발광부(BE)는 청색광을 발광하는 영역이다. 발광부(EA)에서 복수의 서브 발광부들은 블랙 매트릭스(BM)에 의해 구획될 수 있다.
발광부(EA)들과 투과부(TA)들은 도 3과 같이 데이터 라인들과 나란하게 Y축 방향으로 배치된다. 또한, 발광부(EA)들과 투과부(TA)들은 스캔 라인 방향으로 이웃하게 배치된다. 구체적으로, 투과부(TA)들 각각은 스캔 라인들과 나란한 X축 방향으로 이웃하는 발광부(EA)들 사이에 배치될 수 있다.
그러므로, 본 발명의 실시예는 데이터 라인들뿐만 아니라, 데이터 라인들과 나란한 전원 라인들과 기준전압 라인들을 발광부(EA)들과 중첩되게 배치할 수 있다. 이로 인해, 본 발명의 실시예는 데이터 라인들, 전원 라인들, 및 기준전압 라인들 대신에 스캔 라인들과 센싱 라인들이 투과부(TA)들을 가로지르도록 형성할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예는 투과부(TA)들을 가로지르는 라인의 개수를 줄일 수 있으므로, 투과부(TA)들의 개구율을 높일 수 있다.
또한, 데이터 라인들, 전원 라인들, 및 기준전압 라인들은 불투명 금속물질로 이루어진다. 이로 인해, 데이터 라인들, 전원 라인들, 및 기준전압 라인들이 투과부들을 가로지르도록 형성되는 경우, 투과부들을 통과하는 광의 일부가 데이터 라인들, 전원 라인들, 및 기준전압 라인들에 의해 산란될 수 있다. 이 경우, 투과부들을 통해 보이는 투명표시장치의 뒷 배경이 광의 산란에 의해 뿌옇게 보이는 헤이즈가 발생할 수 있다.
하지만, 본 발명의 실시예는 데이터 라인들뿐만 아니라, 데이터 라인들과 나란한 전원 라인들과 기준전압 라인들을 발광부(EA)들과 중첩되게 배치할 수 있다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 데이터 라인들, 전원 라인들, 및 기준전압 라인들 대신에 스캔 라인들과 센싱 라인들이 투과부(TA)들을 가로지르도록 형성된다. 즉, 본 발명의 실시예는 투과부(TA)들을 가로지르는 라인의 개수를 줄일 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 투과부들을 통과하는 광이 투과부들을 가로지르는 라인에 의해 산란되는 것을 줄일 수 있으므로, 헤이즈를 줄일 수 있다.
이하에서는, 도 4 내지 도 6을 결부하여 본 발명의 실시예에 따른 투명표시장치의 발광부와 투과부의 구조에 대하여 상세히 설명한다.
도 4는 도 3의 발광부와 투과부의 일 예를 상세히 보여주는 평면도이다. 도 4에서는 발광부가 적색 발광부, 녹색 발광부, 및 청색 발광부와 같이 3 개의 서브 발광부들을 포함하는 것을 중심으로 설명하였다.
도 4를 참조하면, 데이터 라인들(DL1, DL2, DL3), 전원 라인(EVL), 및 기준전압 라인(RL)은 발광부(EA)와 중첩되게 배치된다. 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2)은 서로 이웃하게 배치되며, 제2 및 제3 데이터 라인들(DL2, DL3) 사이에 기준전압 라인(RL)이 배치될 수 있다. 또한, 전원 라인(EVL)은 발광부(EA)의 일측 끝에 배치될 수 있다. 도 4에서는 전원 라인(EVL)이 발광부(EA)의 좌측 끝에 배치된 것을 예시하였다.
스캔 라인(SL)과 센싱 라인(SEL)은 데이터 라인들(DL1, DL2, DL3)과 교차되며, 발광부(EA)와 투과부(TA)를 가로지르도록 형성된다.
서브 발광부들 각각은 구동 트랜지스터(DT), 스캔 트랜지스터(ST), 및 센싱 트랜지스터(SET), 커패시터(Cst), 및 유기발광소자를 포함한다. 유기발광소자는 애노드 전극과 캐소드 전극을 포함하며, 도 4에서는 설명의 편의를 위해 유기발광소자의 애노드 전극만을 예시하였다.
서브 발광부들 각각은 상부 발광(top emission) 방식으로 구현된다. 이로 인해, 도 4와 같이 발광부(EA) 전체에 서브 발광부들 각각의 구동 트랜지스터(DT), 스캔 트랜지스터(ST), 및 센싱 트랜지스터(SET), 및 커패시터(Cst)를 설계할 수 있다.
구동 트랜지스터(DT)는 스캔 트랜지스터(ST)의 소스 전극에 접속된 게이트 전극(DT_GE), 유기발광소자의 애노드 전극(RAND/GAND/BAND)에 접속되는 소스 전극(DT_SE), 및 제1 브릿지(bridge) 라인(BL1)을 통해 전원 라인(EVL)에 접속되는 드레인 전극(DT_DE)을 포함한다. 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DT_GE)과 스캔 트랜지스터(ST)의 소스 전극(ST_SE)은 제5 콘택홀(C5)를 통해 서로 접속될 수 있다. 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극(DT_SE)과 드레인 전극(DT_SE) 각각은 반도체 콘택홀(C_ACT)을 통해 구동 트랜지스터(DT)의 액티브층과 접속될 수 있다.
제1 브릿지 라인(BL1)은 제1 콘택홀(C1)을 통해 전원 라인(EVL)과 접속되고, 제2 콘택홀(C2)을 통해 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DT_DE)과 접속된다. 이로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DT_DE)은 제1 브릿지 라인(BL1)을 통해 전원 라인(EVL)과 접속될 수 있다. 제1 브릿지 라인(BL1)은 데이터 라인들(D1, D2, D3) 중 적어도 하나 또는 기준전압 라인(RL)과 교차될 수 있다.
즉, 본 발명의 실시예는 데이터 라인들(DL1, DL2, DL3), 전원 라인(EVL), 및 기준전압 라인(RL)을 발광 영역(EA)과 중첩되게 배치한다. 따라서, 전원 라인(EVL)을 구동 트랜지스터(DT)들의 드레인 전극(DT_DE)들에 접속하기 위해서는 데이터 라인들(D1, D2, D3) 중 적어도 하나 또는 기준전압 라인(RL)을 점핑(jumping)할 수 있는 제1 브릿지 라인(BL1)이 필요하다.
스캔 트랜지스터(ST)는 스캔 라인(SL)에 접속된 게이트 전극(ST_GE), 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DT_GE)과 접속된 소스 전극(ST_SE), 및 데이터 라인(DL1/DL2/DL3)에 접속된 드레인 전극(ST_DE)을 포함한다. 스캔 트랜지스터(ST)의 소스 전극(ST_SE)과 드레인 전극(ST_SE) 각각은 반도체 콘택홀(C_ACT)을 통해 스캔 트랜지스터(ST)의 액티브층과 접속될 수 있다.
센싱 트랜지스터(SET)는 센싱 라인(SEL)에 접속된 게이트 전극(SET_GE), 제2 브릿지 라인(BL2)을 통해 기준전압 라인(RL)에 접속된 소스 전극(SET_SE), 및 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극(DT_SE)에 접속된 드레인 전극(SET_DE)을 포함한다. 센싱 트랜지스터(SET)의 소스 전극(SET_SE)과 드레인 전극(SET_SE) 각각은 반도체 콘택홀(C_ACT)을 통해 센싱 트랜지스터(SET)의 액티브층과 접속될 수 있다.
제2 브릿지 라인(BL2)은 제3 콘택홀(C3)을 통해 기준전압 라인(RL)과 접속되고, 제4 콘택홀(C4)을 통해 센싱 트랜지스터(SET)의 드레인 전극(SET_DE)과 접속된다. 이로 인해 센싱 트랜지스터(SET)의 드레인 전극(SET_DE)은 제2 브릿지 라인(BL2)을 통해 기준전압 라인(RL)과 접속될 수 있다. 제2 브릿지 라인(BL2)은 데이터 라인들(D1, D2, D3) 중 적어도 하나와 교차될 수 있다.
즉, 본 발명의 실시예는 데이터 라인들(DL1, DL2, DL3), 전원 라인(EVL), 및 기준전압 라인(RL)을 발광 영역(EA)과 중첩되게 배치한다. 따라서, 기준전압 라인(RL)을 센싱 트랜지스터(SET)들의 드레인 전극(SET_DE)들에 접속하기 위해서는 데이터 라인들(D1, D2, D3) 중 적어도 하나를 점핑(jumping)할 수 있는 제2 브릿지 라인(BL2)이 필요하다.
커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DT_GE)과 소스 전극(DT_SE)의 중첩 영역에 형성된다. 커패시터(Cst)의 크기는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DT_GE)과 소스 전극(DT_SE)의 중첩 영역을 변경함에 의해 조정될 수 있다.
유기발광소자의 애노드 전극(RAND/GAND/BAND)은 애노드 콘택홀(C_AND)을 통해 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DT_GE)에 접속된다.
도 5는 도 4의 I-I'의 일 예를 보여주는 단면도이고, 도 6은 도 4의 Ⅱ-Ⅱ'의 일 예를 보여주는 단면도이다. 이하에서는 도 5 및 도 6을 결부하여 본 발명의 실시예에 따른 투명표시장치의 발광부(EA)의 단면 구조를 상세히 설명한다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 제1 기판(111) 상에 제1 및 제2 브릿지 라인들(BL1, BL2)과 차광층(LS)을 포함하는 차광 금속 패턴이 형성된다. 제1 브릿지 라인(BL1)은 전원 라인(EVL)과 구동 트랜지스터(SET)들의 드레인 전극(DT_DE)들을 연결하기 위한 라인이다. 제2 브릿지 라인(BL2)은 기준전압 라인(RL)과 센싱 트랜지스터(SET)들의 드레인 전극(SET_DE)들을 연결하기 위한 라인이다. 차광층(LS)들 각각은 트랜지스터들(DT, ST, SET)의 액티브층들(DT_ACT, SET_ACT) 각각과 중첩된다. 차광층(LS)들은 트랜지스터들(DT, ST, SET)의 액티브층들(DT_ACT, SET_ACT)에 광이 입사되는 것을 방지하기 위한 층이다. 이를 위해, 차광 금속 패턴은 광을 투과시키지 않는 불투명한 금속 물질로 형성될 수 있다.
차광 금속 패턴 상에는 차광 금속 패턴을 덮도록 버퍼막(BF)이 형성된다. 버퍼막(BF)은 차광 금속 패턴과 트랜지스터들(DT, ST, SET)의 액티브층들(DT_ACT, SET_ACT)을 절연하기 위한 막이다. 버퍼막(BF)은 액티브층들(DT_ACT, SET_ACT)의 계면 접착력을 높이는 역할을 한다. 버퍼막(BF)은 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)의 단일막으로 형성되거나 산화 실리콘(SiO2)과 질화 실리콘(SiNx)의 복합막으로 형성될 수 있다.
버퍼막(BF) 상에는 트랜지스터들(DT, ST, SET)의 액티브층들(DT_ACT, SET_ACT)을 포함하는 반도체 금속 패턴이 형성된다. 트랜지스터들(DT, ST, SET)의 액티브층들(DT_ACT, SET_ACT) 각각은 채널층, 제1 전극, 및 제2 전극을 포함할 수 있으며, 불순물이 선택적으로 도핑될 수 있다. 채널층의 일측이 제1 전극에 접속되는 경우, 타측은 제2 전극에 접속될 수 있다.
반도체 금속 패턴 상에는 반도체 금속 패턴을 덮도록 층간 절연막(ILD)이 형성된다. 층간 절연막(ILD)은 반도체 금속 패턴과 트랜지스터들(DT, ST, SET)의 게이트 전극들(DT_GE, ST_GE, SET_GE)을 절연하기 위한 막이다. 층간 절연막(ILD)은 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)의 단일막으로 형성되거나 산화 실리콘(SiO2)과 질화 실리콘(SiNx)의 복합막으로 형성될 수 있다.
층간 절연막(ILD) 상에는 트랜지스터들(DT, ST, SET)의 게이트 전극들(DT_GE, ST_GE, SET_GE), 스캔 라인(SL), 및 센싱 라인(SEL)을 포함하는 게이트 금속 패턴이 형성된다. 구동 트랜지스터(DT)들 각각의 게이트 전극(DT_GE)은 스캔 트랜지스터(ST)의 소스 전극(ST_SE)에 접속되고, 스캔 트랜지스터(ST)들 각각의 게이트 전극(ST_GE)은 스캔 라인(SL)에 접속되며, 센싱 트랜지스터(SET)들 각각의 게이트 전극(SET_GE)은 센싱 라인(SEL)에 접속된다. 트랜지스터들(DT, ST, SET)의 게이트 전극들(DT_GE, ST_GE, SET_GE) 각각은 트랜지스터들(DT, ST, SET)의 액티브층들(DT_ACT, SET_ACT) 각각에 중첩된다. 게이트 금속 패턴은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu)를 재료로 이용하여 단일층(single layer) 또는 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu)의 재료 중 적어도 2개의 금속을 포함한 복층(multi layer) 구조로 형성될 수도 있다.
게이트 금속 패턴 상에는 게이트 금속 패턴을 덮도록 게이트 절연막(GI)이 형성된다. 게이트 절연막(GI)은 게이트 금속 패턴과 트랜지스터들(DT, ST, SET)의 소스 및 드레인 전극들(DT_SE, DT_DE, ST_SE, ST_DE, SET_SE, SET_DE)을 절연하기 위한 막이다. 게이트 절연막(GI)은 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)의 단일막으로 형성되거나 산화 실리콘(SiO2)과 질화 실리콘(SiNx)의 복합막으로 형성될 수 있다.
게이트 절연막(GI) 상에는 트랜지스터들(DT, ST, SET)의 소스 및 드레인 전극들(DT_SE, DT_DE, ST_SE, ST_DE, SET_SE, SET_DE), 데이터 라인들(D1, D2, D3), 전원 라인(EVL), 및 기준전압 라인(RL)을 포함하는 소스 드레인 금속 패턴이 형성된다. 소스 드레인 금속 패턴은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu)를 재료로 이용하여 단일층(single layer) 또는 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu)의 재료 중 적어도 2개의 금속을 포함한 복층(multi layer) 구조로 형성될 수도 있다.
트랜지스터들(DT, ST, SET)의 소스 전극들(DT_SE, ST_SE, SET_SE) 각각은 액티브 콘택홀(C_ACT)들 각각을 통해 트랜지스터들(DT, ST, SET)의 액티브층들(DT_ACT, ST_ACT, SET_ACT) 각각의 제1 전극에 접속된다. 트랜지스터들(DT, ST, SET)의 드레인 전극들(DT_DE, ST_DE, SET_DE) 각각은 액티브 콘택홀(C_ACT)들 각각을 통해 트랜지스터들(DT, ST, SET)의 액티브층들(DT_ACT, ST_ACT, SET_ACT) 각각의 제2 전극에 접속된다. 액티브 콘택홀(C_ACT)들 각각은 층간 절연막(ILD)과 게이트 절연막(GI)을 관통하여 트랜지스터들(DT, ST, SET)의 액티브층들(DT_ACT, ST_ACT, SET_ACT) 각각의 제1 전극 또는 제2 전극을 노출시키는 홀이다.
전원 라인(EVL)은 제1 브릿지 라인(BL1)을 통해 구동 트랜지스터(DT)들의 드레인 전극(DT_DE)들에 접속된다. 구체적으로, 전원 라인(EVL)은 제1 콘택홀(C1)을 통해 제1 브릿지 라인(BL1)과 접속된다. 제1 콘택홀(C1)은 버퍼막(BF), 층간 절연막(ILD), 및 게이트 절연막(GI)을 관통하여 제1 브릿지 라인(BL1)을 노출시키는 홀이다. 구동 트랜지스터(DT)들의 드레인 전극(DT_DE)들 각각은 제2 콘택홀(C2)들 각각을 통해 제1 브릿지 라인(BL1)과 접속된다. 제2 콘택홀(C2)들 각각은 버퍼막(BF), 층간 절연막(ILD), 및 게이트 절연막(GI)을 관통하여 제1 브릿지 라인(BL1)을 노출시키는 홀이다.
기준전압 라인(RL)은 제2 브릿지 라인(BL2)을 통해 센싱 트랜지스터(DT)들의 소스 전극(SET_SE)들에 접속된다. 구체적으로, 기준전압 라인(RL)은 제3 콘택홀(C3)을 통해 제2 브릿지 라인(BL2)과 접속된다. 제3 콘택홀(C3)은 버퍼막(BF), 층간 절연막(ILD), 및 게이트 절연막(GI)을 관통하여 제2 브릿지 라인(BL2)을 노출시키는 홀이다. 센싱 트랜지스터(DT)들의 소스 전극(SET_SE)들 각각은 제4 콘택홀(C4)들 각각을 통해 제2 브릿지 라인(BL2)과 접속된다. 제4 콘택홀(C4)들 각각은 버퍼막(BF), 층간 절연막(ILD), 및 게이트 절연막(GI)을 관통하여 제2 브릿지 라인(BL2)을 노출시키는 홀이다.
소스 드레인 금속 패턴 상에는 소스 드레인 금속 패턴을 덮도록 평탄화막(PLN)이 형성된다. 평탄화막(PNL)은 포토 아크릴(photo acryl) 및 폴리이미드(polyimide)와 같은 레진(resin)으로 형성될 수 있다.
평탄화막(PNL) 상에는 유기발광소자들(R_OLED, G_OLED, B_OLED)이 형성된다. 유기발광소자들(R_OLED, G_OLED, B_OLED) 각각은 애노드 전극(RAND/GAND/BAND), 유기발광층(OL), 캐소드 전극(CAT), 및 뱅크(BA)를 포함한다.
평탄화막(PNL) 상에는 애노드 전극들(RAND, GAND, BAND)이 형성된다. 애노드전극들(RAND, GAND, BAND) 각각은 평탄화막(PNL)을 관통하는 애노드 콘택홀(C_AND)을 통해 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DT_DE)에 접속된다.
뱅크(BA)는 애노드 전극들(RAND, GAND, BAND)을 구획한다. 뱅크(BA)는 애노드 전극들(RAND, GAND, BAND) 각각의 가장자리를 덮도록 형성된다.
애노드전극들(RAND, GAND, BAND)과 뱅크(BA) 상에는 유기발광층(OL)이 형성된다. 유기발광층(OL)은 정공 수송층(hole transporting layer), 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 이 경우, 애노드 전극(RAND/GAND/BAND)과 캐소드 전극(CAT)에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 되며, 발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다.
유기발광층(OL)은 백색 광을 발광하는 백색 발광층만을 포함할 수 있으며, 이 경우 백색 발광층은 발광부(EA) 전체에 공통층으로 형성될 수 있다. 또는, 유기발광층(OL)은 적색 광을 발광하는 적색 발광층, 녹색 광을 발광하는 녹색 발광층, 청색 광을 발광하는 청색 발광층을 포함할 수 있으며, 이 경우 적색 발광층은 적색 애노드 전극(RAND) 상에 형성되고, 녹색 발광층은 녹색 애노드 전극(GAND) 상에 형성되며, 청색 발광층은 청색 애노드 전극(BAND) 상에 형성될 수 있다.
캐소드 전극(CAT)이 유기발광층(OL)을 덮도록 형성된다. 캐소드 전극(CAT)은 발광부(EA) 전체에 공통층으로 형성될 수 있다.
상부 발광 방식에서는 마이크로 캐비티(micro cavity) 효과를 얻기 위해 애노드 전극들(RAND, GAND, BAND)이 알루미늄, 및 알루미늄과 ITO의 적층 구조와 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성되는 것이 바람직하다. 나아가, 상부 발광 방식에서는 유기발광층(OL)의 광이 제2 기판(112) 방향으로 출광되므로, 캐소드 전극(CAT)은 빛을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질로 형성되거나, 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)과 같은 반투명 금속물질로 형성될 수 있다.
캐소드 전극(CAT) 상에는 봉지막(ENC)이 형성된다. 봉지막(ENC)은 유기발광소자들(R_OLED, G_OLED, B_OLED)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 위해, 봉지막(ENC)은 제1 무기막(INL1), 유기막(ORL) 및 제2 무기막(INL2)을 포함할 수 있다.
제1 무기막(INL1)은 캐소드 전극(CAT)을 덮도록 캐소드 전극(CAT) 상에 형성된다. 유기막(ORL)은 이물들(particles)이 제1 무기막(INL1)을 뚫고 유기발광층(OL)과 캐소드 전극(CAT)에 투입되는 것을 방지하기 위해 제1 무기막(INL1) 상에 형성된다. 제1 무기막(INL1)은 유기막(ORL)을 덮도록 유기막(ORL)상에 형성된다.
제1 및 제2 무기막들(INL1, INL2) 각각은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 무기막들(INL1, INL2) 각각은 SiO2, Al2O3, SiON, SiNx으로 형성될 수 있다. 유기막(ORL)은 유기발광층(OL)으로부터 발광된 빛을 통과시키기 위해 투명하게 형성될 수 있다.
제1 기판(111)과 마주보는 제2 기판(112)의 일면 상에는 컬러필터들(RC, GC, BC)이 형성된다. 적색 컬러필터(RC)은 적색 애노드 전극(RAND)에 대응되게 배치되고, 녹색 컬러필터(GC)는 녹색 애노드 전극(GAND)에 대응되게 배치되며, 청색 컬러필터(BC)는 청색 애노드 전극(BAND)에 대응되게 배치될 수 있다. 유기발광층(OL)이 적색 광을 발광하는 적색 발광층, 녹색 광을 발광하는 녹색 발광층, 청색 광을 발광하는 청색 발광층을 포함하는 경우, 컬러필터들(RC, GC, BC)은 생략될 수 있다.
컬러필터들(RC, GC, BC)은 블랙 매트릭스(BM)에 의해 구획된다. 즉, 컬러필터들(RC, GC, BC)의 경계 상에는 블랙 매트릭스(BM)가 형성된다.
제1 기판(111)과 제2 기판(112)은 접착층(SEAL)에 의해 합착된다. 구체적으로, 접착층(SEAL)이 제1 기판(111)의 봉지막(ENC)과 제2 기판(112)의 컬러필터들(RC, GC, BC)을 접착함으로써, 제1 기판(111)과 제2 기판(112)은 서로 합착될 수 있다.
도 7은 도 3의 발광부와 투과부의 또 다른 예를 상세히 보여주는 평면도이다. 도 4에서는 발광부(EA)가 좌측에 배치되고, 투과부(TA)가 우측에 배치되며, 전원 라인(EVL)이 좌측 끝단에 배치된 것을 예시하였으나, 도 7에서는 투과부(TA)가 좌측에 배치되고, 발광부(EA)가 우측에 배치되며, 전원 라인(EVL)이 우측 끝단에 배치된 것을 예시하였다. 즉, 도 7에 도시된 발광부(EA)와 투과부(TA)는 도 4에 도시된 발광부(EA)와 투과부(TA)를 거울 대칭하여 형성된 것을 제외하고는 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 도 7의 발광부(EA)와 투과부(TA)에 대한 자세한 설명은 생략한다.
또한, 도 7의 I-I'의 단면과 Ⅱ-Ⅱ'의 단면은 도 5 및 도 6을 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 7의 I-I'의 단면과 Ⅱ-Ⅱ'의 단면에 대한 자세한 설명은 생략한다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시패널의 표시영역의 일부를 보여주는 평면도이다. 도 8에서는 발광부(EA)가 백색 광을 발광하는 백색 발광부(WE)를 더 포함하는 것을 제외하고는 도 3를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 8의 투과부(TA)와 발광부(EA)에 대한 자세한 설명은 생략한다.
도 8을 참조하면, 발광부(EA)는 복수의 서브 발광부들을 포함할 수 있다. 도 8에서는 발광부(EA)가 적색 발광부(RE), 녹색 발광부(GE), 청색 발광부(BE), 및 백색 발광부(WE)를 포함하는 것을 예시하였다. 적색 발광부(RE)는 적색 광을 발광하는 영역이고, 녹색 발광부(GE)는 녹색 광을 발광하는 영역이다. 청색 발광부(BE)는 청색 광을 발광하는 영역이고, 백색 발광부(WE)는 백색 광을 발광하는 영역이다. 발광부(EA)에서 복수의 서브 발광부들은 블랙 매트릭스(BM)에 의해 구획될 수 있다.
도 9는 도 8의 발광부와 투과부의 또 다른 예를 상세히 보여주는 평면도이다. 도 4에서는 발광부(EA)가 적색 발광부, 녹색 발광부, 및 청색 발광부와 같이 3 개의 서브 발광부들을 포함하는 것을 예시하였으나, 도 9에서는 발광부(EA)가 적색 발광부, 녹색 발광부, 청색 발광부, 및 백색 발광부와 같이 4 개의 서브 발광부들을 포함하는 것을 예시하였다. 즉, 도 9에 도시된 발광부(EA)는 하나의 서브 발광부가 추가된 것을 제외하고는 도 4를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하다.
도 9에서는 서브 발광부가 하나 추가되므로, 데이터 라인, 스캔 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 센싱 트랜지스터, 커패시터, 애노드 전극이 도 4에 비해 추가로 형성된다. 도 9에서 추가된 데이터 라인, 스캔 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 센싱 트랜지스터, 커패시터, 애노드 전극은 도 4에서 설명한 데이터 라인, 스캔 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 센싱 트랜지스터, 커패시터, 애노드 전극과 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 8의 발광부(EA)와 투과부(TA)에 대한 자세한 설명은 생략한다.
또한, 도 9의 I-I'의 단면과 Ⅱ-Ⅱ'의 단면은 도 5 및 도 6을 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 9의 I-I'의 단면과 Ⅱ-Ⅱ'의 단면에 대한 자세한 설명은 생략한다.
도 10은 도 8의 발광부와 투과부의 또 다른 예를 상세히 보여주는 평면도이다. 도 10에서는 발광부(EA)가 좌측에 배치되고, 투과부(TA)가 우측에 배치되며, 전원 라인(EVL)이 좌측 끝단에 배치된 것을 예시하였으나, 도 9에서는 투과부(TA)가 좌측에 배치되고, 발광부(EA)가 우측에 배치되며, 전원 라인(EVL)이 우측 끝단에 배치된 것을 예시하였다. 즉, 도 10에 도시된 발광부(EA)와 투과부(TA)는 도 9에 도시된 발광부(EA)와 투과부(TA)를 거울 대칭하여 형성된 것을 제외하고는 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 도 10의 발광부(EA)와 투과부(TA)에 대한 자세한 설명은 생략한다.
또한, 도 10의 I-I'의 단면과 Ⅱ-Ⅱ'의 단면은 도 5 및 도 6을 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 10의 I-I'의 단면과 Ⅱ-Ⅱ'의 단면에 대한 자세한 설명은 생략한다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시패널의 표시영역의 일부를 보여주는 평면도이다. 도 11의 투과부(TA)와 발광부(EA)는 투과부(TA)의 면적이 발광부(EA)의 면적보다 넓은 것을 제외하고는 도 3에서 설명한 바와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 11의 투과부(TA)와 발광부(EA)에 대한 자세한 설명은 생략한다.
도 11을 참조하면, 투과부(TA)의 면적이 발광부(EA)의 면적보다 넓을 수 있다. 이 경우, 투명표시장치가 화상을 표시하지 않을 때 투명표시장치의 뒷 배경이 사용자에게 보다 선명하게 보여질 수 있다. 하지만, 투과부(TA)의 면적이 넓어지는 경우 발광부(EA)의 면적이 줄어들기 때문에, 투과부(TA)의 면적이 발광부(EA)의 면적보다 너무 넓어지는 경우, 투명표시장치가 화상을 표시할 때 투과부(TA)가 사용자에게 흰색 띠로 시인되는 문제가 있을 수 있다. 즉, 투명표시장치의 화상 품질이 저하될 수 있다. 따라서, 투과부(TA)의 면적은 발광부(EA)의 면적의 2 배가 넘지 않는 것이 바람직하다. 투과부(TA)의 면적과 발광부(EA)의 면적은 투명표시장치의 뒷 배경 시인성과 화상 품질 저하를 고려하여 사전 실험을 통해 적절하게 미리 결정될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 투명표시장치 110: 표시패널
111: 하부 기판 112: 상부 기판
113: 플라스틱 필름 120: 게이트 구동부
130: 소스 드라이브 IC 140: 연성필름
150: 회로보드 160: 타이밍 콘트롤러
EA: 발광부 TA: 투과부
DT: 구동 트랜지스터 ST: 스캔 트랜지스터
SET: 센싱 트랜지스터 BL1: 제1 브릿지 라인
BL2: 제2 브릿지 라인 EVL: 전원 라인
DL1: 제1 데이터 라인 DL2: 제2 데이터 라인
DL3: 제3 데이터 라인 RL: 기준전압 라인
SL: 스캔 라인 SENL: 센싱 라인
R_OLED: 적색 유기발광소자 G_OLED: 녹색 유기발광소자
B_OLED: 청색 유기발광소자 R_AND: 적색 애노드 전극
G_AND: 녹색 애노드 전극 B_AND: 청색 애노드 전극
OL: 유기발광층 CAT: 캐소드전극
BA: 뱅크 ENC: 봉지막
RE: 적색 발광부 GE: 녹색 발광부
BE: 청색 발광부 WE: 백색 발광부
RC: 적색 컬러필터 GC: 녹색 컬러필터
BC: 청색 컬러필터 BM: 블랙 매트릭스
SEAL: 접착층

Claims (17)

  1. 제1 방향으로 진행하는 데이터 라인들;
    상기 데이터 라인들과 나란한 전원 라인;
    상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 진행하는 스캔 라인;
    상기 데이터 라인들과 나란한 상기 제1 방향으로 배열된 적어도 세 개의 서브 발광부;
    상기 데이터 라인들을 사이에 두고 상기 적어도 세 개의 서브 발광부와 인접하여 배치된 투과부; 그리고
    상기 적어도 세 개의 서브 발광부들 각각에 연결된, 적어도 세 개의 구동 소자들을 포함하며,
    상기 적어도 세 개의 구동 소자들은, 상기 적어도 세 개의 서브 발광부들 중 적어도 어느 하나와 교차하는 방향으로 중첩되게 배치되며,
    상기 데이터 라인들 및 상기 전원 라인들은 상기 적어도 세 개의 서브 발광부들과 중첩되게 배치되고,
    상기 스캔 라인은 상기 투과부를 가로 지르며,
    상기 투과부는 상기 제2 방향으로 상기 적어도 세 개의 서브 발광부에 인접하게 배치된 투명표시장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 데이터 라인들과 나란한 기준전압 라인을 더 구비하고,
    상기 기준전압 라인은 상기 적어도 세 개의 서브 발광부들과 중첩되게 배치되는 투명표시장치.
  5. 삭제
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 스캔 라인과 나란한 센싱 라인을 더 구비하고,
    상기 서브 발광부들 각각은,
    애노드 전극과 캐소드 전극을 포함하는 유기발광소자를 구비하며;
    상기 구동 소자들 각각은,
    상기 애노드 전극에 접속된 소스 전극과 상기 전원 라인에 접속된 드레인 전극을 포함하는 구동 트랜지스터;
    상기 스캔 라인에 접속된 게이트 전극, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 접속된 소스 전극, 및 상기 데이터 라인에 접속된 드레인 전극을 포함하는 스캔 트랜지스터; 및
    상기 센싱 라인에 접속된 게이트 전극, 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 접속된 소스 전극, 및 상기 기준전압 라인에 접속된 드레인 전극을 포함하는 센싱 트랜지스터를 포함하는 투명표시장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 구동 소자들 각각은,
    상기 전원 라인과 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극을 연결하는 제1 브릿지 라인을 더 구비하고,
    상기 스캔 라인들과 상기 센싱 라인들은 게이트 금속 패턴으로 형성되고,
    상기 전원 라인과 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 게이트 금속 패턴 상에 배치되는 소스 드레인 금속 패턴으로 형성되며,
    상기 제1 브릿지 라인은 상기 게이트 금속 패턴보다 아래에 배치되는 차광 금속 패턴으로 형성되는 투명표시장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 구동 소자들 각각은, 상기 기준전압 라인과 상기 센싱 트랜지스터의 드레인 전극을 연결하는 제2 브릿지 라인을 더 구비하고,
    상기 기준전압 라인과 상기 센싱 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 소스 드레인 금속 패턴으로 형성되며,
    상기 제2 브릿지 라인은 상기 차광 금속 패턴으로 형성되는 투명표시장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 스캔 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터, 및 상기 센싱 트랜지스터들 각각의 액티브층과 중첩되는 차광층을 더 구비하고,
    상기 차광층은 상기 차광 금속 패턴으로 형성되는 투명표시장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 차광 금속 패턴과 상기 게이트 금속 패턴 사이의 버퍼막과 층간 절연막; 및
    상기 게이트 금속 패턴과 상기 소스 드레인 금속 패턴 사이의 게이트 절연막을 더 구비하고,
    상기 제1 브릿지 라인은 상기 버퍼막, 상기 층간 절연막, 및 상기 게이트 절연막을 관통하는 제1 콘택홀을 통해 상기 전원 라인과 접속되며, 상기 버퍼막, 상기 층간 절연막, 및 상기 게이트 절연막을 관통하는 제2 콘택홀을 통해 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극과 접속되는 투명표시장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제2 브릿지 라인은 상기 버퍼막, 상기 층간 절연막, 및 상기 게이트 절연막을 관통하는 제3 콘택홀을 통해 상기 기준전압 라인과 접속되며, 상기 버퍼막, 상기 층간 절연막, 및 상기 게이트 절연막을 관통하는 제4 콘택홀을 통해 상기 센싱 트랜지스터의 드레인 전극과 접속되는 투명표시장치.
  12. 제1 방향을 따라 배열된 적어도 세 개의 서브 발광부들을 갖는 발광부;
    상기 적어도 세 개의 서브 발광부들의 배열 방향과 나란하게 상기 제1 방향을 따라 진행하는 적어도 세 개의 데이터 라인들, 전원 라인 및 기준 전압 라인;
    상기 발광부의 상변 및 하변 중 어느 하나에서, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 진행하는 스캔 라인;
    상기 적어도 세 개의 서브 발광부들 각각을 구동하며, 상기 제2 방향을 따라 배열된 적어도 세 개의 구동 소자들; 및
    상기 적어도 세 개의 서브 발광부들과 인접한 투과부를 포함하며,
    상기 적어도 세 개의 서브 발광부들 각각은, 상기 적어도 세 개의 데이터 라인들, 상기 전원 라인 및 상기 기준 전압 라인과 중첩하고,
    상기 스캔 라인은 상기 투과부를 가로 지르며,
    상기 적어도 세 개의 서브 발광부들의 배열 방향은, 상기 적어도 세 개의 구동 소자들의 배열 방향과 직교하는 투명표시장치.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 제 12항에 있어서,
    상기 스캔 라인과 평행하게 상기 제1 방향을 따라 진행하며, 상기 발광부의 상기 상변 및 상기 하변 중 상기 스캔 라인과 대향하여 배치된 센싱 라인을 더 포함하고,
    상기 적어도 세 개의 구동 소자 각각은,
    상기 적어도 세 개의 서브 발광부들 중 어느 하나와 상기 전원 라인 사이에 연결된 구동 트랜지스터;
    상기 스캔 라인과 상기 구동 트랜지스터 사이에 연결된 스캔 트랜지스터; 및
    상기 센싱 라인과 상기 구동 트랜지스터 사이에 연결된 센싱 트랜지스터를 포함하는 투명표시장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 적어도 세 개의 서브 발광부들 중 어느 하나는 상기 구동 트랜지스터, 상기 스캔 트랜지스터 및 상기 센싱 트랜지스터 중 어느 하나와 중첩하는 투명표시장치.
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Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102636147B1 (ko) * 2015-12-31 2024-02-08 엘지디스플레이 주식회사 투명표시장치
CN105977206B (zh) * 2016-06-27 2019-01-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板的制造方法及阵列基板
KR20180075784A (ko) * 2016-12-26 2018-07-05 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서 및 이를 구비한 표시 장치
KR102461392B1 (ko) * 2017-10-26 2022-10-31 엘지디스플레이 주식회사 Oled 표시패널 및 oled 표시장치
CN107942547B (zh) * 2017-11-21 2020-06-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 点灯回点治具及其检测面板的方法
CN108054191B (zh) * 2018-01-11 2020-02-07 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110416393B (zh) * 2018-04-27 2021-10-08 群创光电股份有限公司 电子装置
KR102531312B1 (ko) * 2018-08-24 2023-05-11 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
WO2020065710A1 (ja) * 2018-09-25 2020-04-02 シャープ株式会社 表示装置
KR20200037891A (ko) * 2018-10-01 2020-04-10 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시 장치
KR20200040046A (ko) * 2018-10-08 2020-04-17 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102583403B1 (ko) 2018-10-11 2023-09-26 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널
CN109064907A (zh) * 2018-10-24 2018-12-21 昆山国显光电有限公司 显示面板以及显示装置
KR20200087384A (ko) 2019-01-10 2020-07-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200139291A (ko) * 2019-06-03 2020-12-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2021055547A2 (en) * 2019-09-17 2021-03-25 Google Llc Suppressing scattering of light transmitted through oled displays
KR20210070091A (ko) 2019-12-04 2021-06-14 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210077862A (ko) * 2019-12-17 2021-06-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210078650A (ko) 2019-12-18 2021-06-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20210081598A (ko) * 2019-12-24 2021-07-02 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
KR20210083043A (ko) * 2019-12-26 2021-07-06 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
KR20210083804A (ko) * 2019-12-27 2021-07-07 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
KR20210083805A (ko) * 2019-12-27 2021-07-07 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
KR20210085129A (ko) * 2019-12-30 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
KR20210085902A (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
JP2023534323A (ja) * 2020-05-15 2023-08-09 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 表示パネルおよび電子装置
EP4012774A4 (en) * 2020-05-15 2022-10-12 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY PANEL AND ELECTRONIC DEVICE
CN114175133B (zh) * 2020-05-15 2023-12-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
EP4012775A4 (en) * 2020-05-15 2022-10-12 BOE Technology Group Co., Ltd. PIXEL DRIVER, DISPLAY PANEL AND ELECTRONIC DEVICE
KR20220054501A (ko) * 2020-10-23 2022-05-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US11985841B2 (en) 2020-12-07 2024-05-14 Oti Lumionics Inc. Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating
KR20220090837A (ko) * 2020-12-23 2022-06-30 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
KR20220111767A (ko) * 2021-02-01 2022-08-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
KR20230095366A (ko) * 2021-12-22 2023-06-29 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
CN115376452B (zh) * 2022-09-21 2023-09-26 惠科股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09236826A (ja) * 1995-09-28 1997-09-09 Sharp Corp 液晶表示素子およびその製造方法
US6014189A (en) * 1996-11-15 2000-01-11 International Business Machines Corporation Transmissive liquid crystal cell with trench capacitor
KR100637433B1 (ko) * 2004-05-24 2006-10-20 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치
US7382384B2 (en) * 2004-12-07 2008-06-03 Eastman Kodak Company OLED displays with varying sized pixels
US20070063192A1 (en) * 2005-09-20 2007-03-22 Toppoly Optoelectronics Corp. Systems for emitting light incorporating pixel structures of organic light-emitting diodes
US8502756B2 (en) * 2009-11-02 2013-08-06 Sony Corporation Image display device with imaging unit
KR101156434B1 (ko) * 2010-01-05 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101084181B1 (ko) * 2010-01-05 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101156435B1 (ko) * 2010-01-08 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101084189B1 (ko) * 2010-01-21 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101084195B1 (ko) * 2010-02-19 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101084198B1 (ko) * 2010-02-24 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101108170B1 (ko) * 2010-03-15 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US9336739B2 (en) * 2010-07-02 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR20120035039A (ko) * 2010-10-04 2012-04-13 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20120124224A (ko) * 2011-05-03 2012-11-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
TWI457888B (zh) * 2011-12-16 2014-10-21 Au Optronics Corp 顯示面板
KR101923173B1 (ko) * 2012-02-14 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101338251B1 (ko) * 2012-06-13 2013-12-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102010789B1 (ko) * 2012-12-27 2019-10-21 엘지디스플레이 주식회사 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102020805B1 (ko) * 2012-12-28 2019-09-11 엘지디스플레이 주식회사 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101603300B1 (ko) 2013-11-25 2016-03-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 표시패널
KR102112649B1 (ko) * 2013-11-25 2020-05-19 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 이의 리페어 방법
KR102223674B1 (ko) * 2013-11-28 2021-03-08 삼성디스플레이 주식회사 광투과도 제어가 가능한 유기 발광 표시 장치
KR102139972B1 (ko) 2013-12-31 2020-07-31 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광표시소자 및 이의 제조방법
JP6169005B2 (ja) 2014-01-17 2017-07-26 株式会社ジャパンディスプレイ 発光素子表示装置
KR102278602B1 (ko) * 2014-04-09 2021-07-19 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
TWI567971B (zh) * 2014-04-22 2017-01-21 友達光電股份有限公司 發光裝置
JP6369799B2 (ja) 2014-04-23 2018-08-08 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 画素アレイ及び電気光学装置並びに電気機器
KR102215092B1 (ko) 2014-06-05 2021-02-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102265753B1 (ko) 2014-06-13 2021-06-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102337353B1 (ko) * 2014-08-20 2021-12-09 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 패널 및 이를 포함하는 투명 유기 발광 다이오드 표시 장치
KR102253445B1 (ko) * 2014-08-28 2021-05-20 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 표시장치
KR102327085B1 (ko) * 2014-10-20 2021-11-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102356841B1 (ko) * 2014-11-21 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102636147B1 (ko) * 2015-12-31 2024-02-08 엘지디스플레이 주식회사 투명표시장치
KR101920769B1 (ko) * 2016-10-31 2018-11-22 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102531312B1 (ko) * 2018-08-24 2023-05-11 엘지디스플레이 주식회사 표시장치

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