KR102634693B1 - Silicon carbide part manufacturing device, deposition nozzle therefor, and method for manufacturing silicon carbide part using the same - Google Patents

Silicon carbide part manufacturing device, deposition nozzle therefor, and method for manufacturing silicon carbide part using the same Download PDF

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Abstract

탄화규소 부품의 제조 방법은, 챔버, 서로 다른 높이에서 상기 챔버에 장착되는 복수 개의 증착 노즐들 및 상기 챔버의 내부에서 서로 다른 높이에 위치하는 증착 베이스들을 포함하는 탄화규소 부품 제조 장치 내에서, 상기 증착 노즐들 각각은 제1 노즐 및 제2 노즐을 포함하고, 상기 증착 노즐들 각각으로부터 상기 챔버의 상기 내부의 상기 증착 베이스들을 향해 증착 소스 물질을 분사하는 단계; 및 상기 증착 노즐들 각각에 증착 방지 물질을 제공하는 단계를 포함한다. 상기 증착 소스 물질은 상기 제1 노즐을 통해 분사된다. 상기 증착 방지 물질은 상기 제2 노즐의 내부에 제공된다.The method for manufacturing silicon carbide parts includes: a chamber, a plurality of deposition nozzles mounted on the chamber at different heights, and deposition bases located at different heights inside the chamber, Each of the deposition nozzles includes a first nozzle and a second nozzle, and spraying a deposition source material from each of the deposition nozzles toward the deposition bases inside the chamber; and providing an anti-deposition material to each of the deposition nozzles. The deposition source material is sprayed through the first nozzle. The deposition prevention material is provided inside the second nozzle.

Figure R1020220189786
Figure R1020220189786

Description

탄화규소 부품 제조 장치, 이의 증착 노즐, 및 이를 이용한 탄화규소 부품의 제조 방법{Silicon carbide part manufacturing device, deposition nozzle therefor, and method for manufacturing silicon carbide part using the same}Silicon carbide part manufacturing device, deposition nozzle therefor, and method for manufacturing silicon carbide part using the same}

본 발명은 건식 식각 공정에서 웨이퍼 등의 기판을 이용하여 반도체 소자를 제조하기 위한 탄화규소 부품 제조 장치, 이의 증착 노즐 및 이를 이용한 탄화규소 부품의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 복수의 탄화규소 부품들을 동시에 생산할 수 있는 탄화규소 부품 제조 장치, 이의 증착 노즐 및 이를 이용한 탄화규소 부품의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a silicon carbide parts manufacturing apparatus for manufacturing semiconductor devices using a substrate such as a wafer in a dry etching process, a deposition nozzle thereof, and a method of manufacturing silicon carbide parts using the same. More specifically, it relates to a method of manufacturing silicon carbide parts using the same. It relates to a silicon carbide parts manufacturing device capable of simultaneously producing parts, a deposition nozzle thereof, and a method of manufacturing silicon carbide parts using the same.

일반적으로, 반도체 제조공정에서 사용되는 플라즈마 처리 기법은, 건식 식각 공정 중 하나로서, 가스를 사용하여 대상을 식각하는 방법이다. 이는, 식각 가스를 반응용기 내로 주입시키고, 이온화시킨 후, 웨이퍼 표면으로 가속시켜, 웨이퍼 표면을 물리적, 화학적으로 제거하는 공정을 따른다. 이 방법은 식각의 조절이 용이하고, 생산성이 높으며, 수십 nm 수준의 미세 패턴형성이 가능하여 널리 사용되고 있다.Generally, the plasma processing technique used in the semiconductor manufacturing process is one of the dry etching processes and is a method of etching an object using gas. This follows the process of injecting an etching gas into a reaction vessel, ionizing it, and then accelerating it to the wafer surface to physically and chemically remove the wafer surface. This method is widely used because it is easy to control etching, has high productivity, and can form fine patterns at the level of several tens of nm.

플라즈마 식각에서의 균일한 식각을 위하여 고려되어야 할 변수(parameter)들로는 식각할 층의 두께와 밀도, 식각 가스의 에너지 및 온도, 포토레지스트의 접착성과 웨이퍼 표면의 상태 및 식각 가스의 균일성 등을 들 수 있다. 특히, 식각 가스를 이온화시키고, 이온화된 식각 가스를 웨이퍼 표면으로 가속시켜 식각을 수행하는 원동력이 되는 고주파(RF: Radio frequency)의 조절은 중요한 변수가 될 수 있으며, 또한 실제 식각 과정에서 직접적으로 그리고 용이하게 조절할 수 있는 변수로 고려된다.Parameters to be considered for uniform etching in plasma etching include the thickness and density of the layer to be etched, the energy and temperature of the etching gas, the adhesion of the photoresist, the condition of the wafer surface, and the uniformity of the etching gas. You can. In particular, the control of radio frequency (RF), which is the driving force for etching by ionizing the etching gas and accelerating the ionized etching gas to the wafer surface, can be an important variable, and can also be directly and indirectly used in the actual etching process. It is considered a variable that can be easily controlled.

실제로 건식 식각 장치 내에서 식각이 이루어지는 웨이퍼를 기준으로 볼 때, 웨이퍼 표면 전체에 대한 균일한 에너지 분포를 갖도록 하는 고른 고주파의 적용은 필수적이며, 이러한 고주파의 적용시의 균일한 에너지 분포의 적용은 고주파의 출력의 조절만으로는 달성될 수 없으며, 이를 해결하기 위하여는 고주파를 웨이퍼에 인가하는데 사용되는 고주파 전극으로서의 스테이지와 애노우드의 형태 및 실질적으로 웨이퍼를 고정시키는 기능을 하는 포커스링을 비롯한 반도체 제조용 부품들에 의하여 크게 좌우된다.When looking at wafers that are actually etched in a dry etching device, it is essential to apply even high frequency to have uniform energy distribution over the entire surface of the wafer. This cannot be achieved by simply adjusting the output of the wafer, and to solve this problem, the stage as a high-frequency electrode used to apply high frequency to the wafer and the shape of the anode and the focus ring that actually functions to fix the wafer are used for semiconductor manufacturing. It is greatly influenced by

건식 식각 장치 내의 포커스링을 비롯한 다양한 반도체 제조용 부품들은 플라즈마가 존재하는 가혹한 조건의 반응용기 내에서 식각 처리가 이루어지는 웨이퍼 주변에 플라즈마가 집중되도록 하는 역할들을 수행하며 부품 스스로도 플라즈마에 노출되어 손상되게 된다. 따라서, 반도체 제조용 부품의 내 플라즈마 특성을 증가시키기 위한 연구는 지속적으로 수행되어 왔다. 그 중 하나로서, 실리콘 재질 대신 탄화규소(SiC, Silicon Carbide) 재질의 포커스링이나 전극 등의 부품을 제조하는 방법에 대한 연구가 있다.Various semiconductor manufacturing components, including the focus ring in a dry etching device, play a role in concentrating plasma around the wafer where etching is performed in a reaction vessel under harsh conditions where plasma is present, and the components themselves are exposed to plasma and are damaged. Therefore, research to increase the anti-plasma properties of semiconductor manufacturing components has been continuously conducted. As one of them, there is research on methods of manufacturing parts such as focus rings and electrodes made of silicon carbide (SiC) instead of silicon.

종래의 기술은 공정 효율 및 고른 증착을 위해 복수 개의 증착 노즐들을 챔버에 구성하였다. 그러나, 증착 노즐들을 통해 분사되는 증착 소스 물질이 자신 또는 다른 증착 노즐들의 분사구에 증착됨으로써, 공정 중에 증착 노즐들의 분사구를 막아 생산성이 떨어지는 등의 문제가 있었다. 이를 해결하기 위해, 복수 개의 증착 노즐들을 복수 개의 군들(group)로 나누어, 각 군 별로 시간차를 두고 증착 공정을 진행하는 방법 등이 제시되었으나, 이러한 방식으로는 탄화규소 부품의 생산성 및 품질을 향상시키는데 한계가 있어왔다.In the prior art, a plurality of deposition nozzles were installed in the chamber for process efficiency and even deposition. However, there was a problem in that the deposition source material sprayed through the deposition nozzles was deposited on the injection ports of the deposition nozzles or other deposition nozzles, thereby blocking the injection ports of the deposition nozzles during the process and reducing productivity. To solve this problem, a method of dividing a plurality of deposition nozzles into a plurality of groups and performing the deposition process at a time difference for each group has been proposed. However, this method does not improve the productivity and quality of silicon carbide parts. There have been limits.

본 발명이 이루고자 하는 일 기술적 과제는 생산성 및 품질이 향상된 탄화규소 부품 제조 장치, 이의 증착 노즐, 및 이를 이용한 탄화규소 부품의 제조 방법을 제공하는데 있다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide an apparatus for manufacturing silicon carbide parts with improved productivity and quality, a deposition nozzle thereof, and a method for manufacturing silicon carbide parts using the same.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 발명에 따른 탄화규소 부품의 제조 방법은, 챔버, 서로 다른 높이에서 상기 챔버에 장착되는 복수 개의 증착 노즐들 및 상기 챔버의 내부에서 서로 다른 높이에 위치하는 증착 베이스들을 포함하는 탄화규소 부품 제조 장치 내에서, 상기 증착 노즐들 각각은 제1 노즐 및 제2 노즐을 포함하고, 상기 증착 노즐들 각각으로부터 상기 챔버의 상기 내부의 상기 증착 베이스들을 향해 증착 소스 물질을 분사하는 단계; 및 상기 증착 노즐들 각각에 증착 방지 물질을 제공하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 증착 소스 물질은 상기 제1 노즐을 통해 분사될 수 있다. 상기 증착 방지 물질은 상기 제2 노즐의 내부에 제공될 수 있다.The method of manufacturing silicon carbide parts according to the present invention includes a silicon carbide parts manufacturing apparatus including a chamber, a plurality of deposition nozzles mounted on the chamber at different heights, and deposition bases located at different heights inside the chamber. wherein each of the deposition nozzles includes a first nozzle and a second nozzle, spraying a deposition source material from each of the deposition nozzles toward the deposition bases inside the chamber; and providing a deposition prevention material to each of the deposition nozzles. The deposition source material may be injected through the first nozzle. The deposition prevention material may be provided inside the second nozzle.

본 발명에 따른 탄화규소 부품 제조 장치의 증착 노즐은, 제1 노즐; 상기 제1 노즐의 외벽 상의 제2 노즐; 및 상기 제2 노즐에 증착 방지 물질을 제공하는 플랜지를 포함할 수 있다. 제1 통로가 증착 소스 물질의 통로로써 상기 제1 노즐의 내부에 제공될 수 있다. 제2 통로가 상기 증착 방지 물질의 통로로써 상기 제2 노즐에 의해 정의될 수 있다. 상기 플랜지는 상기 제2 통로를 향해 상기 증착 방지 물질을 제공할 수 있다.The deposition nozzle of the silicon carbide parts manufacturing device according to the present invention includes a first nozzle; a second nozzle on an outer wall of the first nozzle; And it may include a flange that provides an anti-deposition material to the second nozzle. A first passage may be provided inside the first nozzle as a passage for a deposition source material. A second passage may be defined by the second nozzle as a passage for the deposition prevention material. The flange may provide the anti-deposition material toward the second passageway.

본 발명에 따른 탄화규소 부품 제조 장치는, 챔버; 상기 챔버의 내부에서 서로 다른 높이에 위치하는 증착 베이스들; 및 서로 다른 높이에서 상기 챔버에 장착되는 복수 개의 증착 노즐들을 포함할 수 있다. 상기 증착 노즐들 각각은: 제1 노즐; 상기 제1 노즐의 외벽 상의 제2 노즐; 및 상기 제2 노즐을 상기 제1 노즐에 체결시키는 플랜지를 포함할 수 있다. 제1 통로가 증착 소스 물질의 통로로써 상기 제1 노즐의 내부에 제공될 수 있다. 제2 통로가 증착 방지 물질의 통로로써 상기 제2 노즐에 의해 정의될 수 있다. 상기 플랜지는 상기 제2 통로를 향해 상기 증착 방지 물질을 제공할 수 있다.An apparatus for manufacturing silicon carbide parts according to the present invention includes a chamber; deposition bases located at different heights within the chamber; and a plurality of deposition nozzles mounted on the chamber at different heights. Each of the deposition nozzles includes: a first nozzle; a second nozzle on an outer wall of the first nozzle; And it may include a flange that couples the second nozzle to the first nozzle. A first passage may be provided inside the first nozzle as a passage for a deposition source material. A second passage may be defined by the second nozzle as a passage for an anti-deposition material. The flange may provide the anti-deposition material toward the second passageway.

본 발명의 개념에 따르면, 탄화규소 부품의 제조 시 증착 방지 물질이 제공됨으로써, 서로 다른 높이에 위치하는 복수의 증착 노즐들이 증착 소스 물질에 의해 막히지 않고 동시에 증착 소스 물질의 분사를 수행할 수 있다. 그 결과, 최종적으로 탄화규소 부품의 생산성 및 품질이 향상될 수 있다.According to the concept of the present invention, by providing a deposition prevention material during the manufacturing of silicon carbide parts, a plurality of deposition nozzles located at different heights can simultaneously spray the deposition source material without being blocked by the deposition source material. As a result, the productivity and quality of silicon carbide parts can ultimately be improved.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 탄화규소 부품 제조 장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 선에 대응하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 탄화규소 부품 제조 장치의 증착 노즐을 나타내는 사시도이다.
도 4는 도 3의 B-B' 선에 대응하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 탄화규소 부품 제조 장치의 증착 노즐을 나타내는 사시도이다.
도 6은 도 5의 D-D' 선에 대응하는 단면도이다.
도 7 내지 도 9는 각각 도 4의 C-C' 선 또는 도 5의 E-E' 선에 대응하는 단면도들이다.1 is a perspective view showing an apparatus for manufacturing silicon carbide parts according to some embodiments of the present invention.
Figure 2 is a cross-sectional view corresponding to line AA' in Figure 1.
Figure 3 is a perspective view showing a deposition nozzle of a silicon carbide part manufacturing device according to some embodiments of the present invention.
Figure 4 is a cross-sectional view corresponding to line BB' in Figure 3.
Figure 5 is a perspective view showing a deposition nozzle of a silicon carbide part manufacturing device according to some embodiments of the present invention.
Figure 6 is a cross-sectional view corresponding to line DD' in Figure 5.
Figures 7 to 9 are cross-sectional views corresponding to line CC' in Figure 4 or line EE' in Figure 5, respectively.

본 발명의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지 형태로 구현될 수 있고 다양한 변경을 가할 수 있다. 단지, 본 실시예들의 설명을 통해 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 구성 요소들은 설명의 편의를 위하여 그 크기가 실제보다 확대하여 도시한 것이며, 각 구성 요소의 비율은 과장되거나 축소될 수 있다.In order to fully understand the configuration and effects of the present invention, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the attached drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various forms and various changes can be made. However, the description of the present embodiments is provided to ensure that the disclosure of the present invention is complete and to fully inform those skilled in the art of the present invention of the scope of the invention. In the attached drawings, the components are shown enlarged in size for convenience of explanation, and the proportions of each component may be exaggerated or reduced.

명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이 는 어떤 부재가 다른 부재에 접해있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout the specification, when a member is said to be located “on” another member, this includes not only cases where a member is in contact with another member, but also cases where another member exists between the two members.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 설명이 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is said to “include” a certain element, this means that it may further include other elements rather than excluding other elements, unless specifically stated to the contrary.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 탄화규소 부품 제조 장치를 나타내는 사시도이다. 도 2는 도 1의 A-A' 선에 대응하는 단면도이다.1 is a perspective view showing an apparatus for manufacturing silicon carbide parts according to some embodiments of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view corresponding to line A-A' in FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 탄화규소 부품 제조 장치(100)는 챔버(1), 증착 베이스(20) 및 증착 노즐(10)을 포함할 수 있다. 탄화규소 부품 제조 장치(100)를 통해 탄화규소(SiC) 부품이 제조될 수 있다. 탄화규소 성분은 강한 공유결합 물질로 다른 세라믹 재료에 비해 열전도율, 경도, 내산화성, 내마모성, 내부식성을 비롯하여 뛰어난 내플라즈마성을 보유한 소재로서, 가혹한 조건에서 정밀한 공정을 필요로 하는 반도체 제조용 소재로 우수한 특성을 보유하는 재료이다.Referring to FIGS. 1 and 2 , the silicon carbide component manufacturing apparatus 100 may include a chamber 1, a deposition base 20, and a deposition nozzle 10. Silicon carbide (SiC) parts can be manufactured through the silicon carbide parts manufacturing apparatus 100. Silicon carbide is a strong covalent substance that has excellent thermal conductivity, hardness, oxidation resistance, wear resistance, corrosion resistance, and plasma resistance compared to other ceramic materials. It is an excellent material for semiconductor manufacturing that requires precise processes under harsh conditions. It is a material that possesses properties.

챔버(1)는 원통 형상으로 도시되었으나, 이에 제한되지 않는다. 일 예로, 챔버(1) 다면체 형상을 가질 수 있다.The chamber 1 is shown as a cylindrical shape, but is not limited thereto. As an example, the chamber 1 may have a polyhedral shape.

증착 노즐(10)이 챔버(1)에 장착될 수 있다. 증착 노즐(10)은 챔버(1)의 외벽 상에 장착될 수 있고, 챔버(1)의 내부(1i)를 향해 연결될 수 있다. 증착 노즐(10)은 복수 개로 제공될 수 있다. 복수 개의 증착 노즐들(10)은 서로 같은 높이 또는 서로 다른 높이에 위치할 수 있다. 일 예로, 복수 개의 증착 노즐들(10) 중 일부들은 서로 같은 높이에 위치하고, 다른 일부들과는 서로 다른 높이에 위치할 수 있다. 다만 이에 제한되는 것은 아니다.A deposition nozzle 10 may be mounted in the chamber 1. The deposition nozzle 10 may be mounted on the outer wall of the chamber 1 and may be connected toward the interior 1i of the chamber 1. A plurality of deposition nozzles 10 may be provided. The plurality of deposition nozzles 10 may be located at the same height or at different heights. For example, some of the plurality of deposition nozzles 10 may be located at the same height, and other portions may be located at different heights. However, it is not limited to this.

증착 베이스(20)가 챔버(1)의 내부(1i)에 위치할 수 있다. 증착 베이스(20)는 복수 개로 제공될 수 있다. 복수 개의 증착 베이스들(20)은 서로 같은 높이 또는 다른 높이에 위치할 수 있다. 일 예로, 복수 개의 증착 베이스들(20) 중 일부들은 서로 같은 높이에 위치하고, 다른 일부들과는 서로 다른 높이에 위치할 수 있다. 다만 이에 제한되는 것은 아니다.The deposition base 20 may be located inside (1i) of the chamber (1). A plurality of deposition bases 20 may be provided. The plurality of deposition bases 20 may be located at the same height or different heights. For example, some of the plurality of deposition bases 20 may be located at the same height, and other portions may be located at different heights. However, it is not limited to this.

탄화규소 부품 제조 시, 증착 노즐(10)을 통해 증착 베이스(20) 상에 탄화규소 물질이 증착될 수 있다. 일 예로, 증착 베이스(20)는 탄화규소 물질이 증착되는 모재일 수 있다. 다른 예로, 증착 베이스(20)는 별도의 모재(미도시)가 거치되는 지그(jig)일 수 있다. 또 다른 예로, 증착 베이스(20)는 모재 및 모재가 거치된 지그를 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.When manufacturing silicon carbide parts, silicon carbide material may be deposited on the deposition base 20 through the deposition nozzle 10. As an example, the deposition base 20 may be a base material on which a silicon carbide material is deposited. As another example, the deposition base 20 may be a jig on which a separate base material (not shown) is mounted. As another example, the deposition base 20 may include a base material and a jig on which the base material is mounted. However, it is not limited to this.

이하에서, 도 3 내지 도 9를 참조하여, 본 발명의 개념에 따른 증착 노즐(10)의 다양한 실시예들에 관하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to FIGS. 3 to 9 , various embodiments of the deposition nozzle 10 according to the concept of the present invention will be described in more detail.

도 3은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 탄화규소 부품 제조 장치의 증착 노즐을 나타내는 사시도이다. 도 4는 도 3의 B-B' 선에 대응하는 단면도이다.Figure 3 is a perspective view showing a deposition nozzle of a silicon carbide part manufacturing device according to some embodiments of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view corresponding to line B-B' in FIG. 3.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 증착 노즐(10)은 제1 노즐(12) 및 제2 노즐(14)을 포함할 수 있다. 제1 노즐(12) 및 제2 노즐(14)의 형태, 배치 및 개수 등은 다양하게 변경될 수 있다. 일 예로, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 하나의 제2 노즐(14)이 하나의 제1 노즐(12)의 외벽 상에서 상기 제1 노즐(12)을 둘러쌀 수 있다.Referring to FIGS. 2 to 4 , the deposition nozzle 10 may include a first nozzle 12 and a second nozzle 14. The shape, arrangement, and number of the first nozzle 12 and the second nozzle 14 may be changed in various ways. For example, as shown in FIGS. 3 and 4, one second nozzle 14 may surround the first nozzle 12 on the outer wall of the first nozzle 12.

제1 노즐(12)은 속이 빈 실린더 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 제1 노즐(12)은 그 내부에 제1 통로(12s)를 포함할 수 있다. 제1 통로(12s)의 양 끝은 외부와 연결될 수 있다. 제1 노즐(12)은 챔버(1) 상에 배치될 수 있다. 제1 통로(12s)의 한 쪽 끝은 챔버(1)의 내부(1i)에 연결될 수 있다. 제1 통로(12s)의 한 쪽 끝은 후술하는 플랜지(17)와 대향하는 영역에 위치할 수 있다. 탄화규소 부품의 제조 시, 제1 통로(12s)를 따라 증착 소스 물질(SM)이 제공될 수 있다. 제1 통로(12s)를 따라 제공된 증착 소스 물질(SM)은 통해 제1 노즐(12)로부터 챔버(1)의 내부(1i)를 향해 분사될 수 있다. 증착 소스 물질(SM)이 증착 베이스(20) 상에 증착됨으로써, 탄화규소 부품이 제조될 수 있다. 일 예로, 증착 소스 물질(SM)은 메틸트리클로로실란(MTS, Methyltrichlorosialne)을 포함할 수 있다.The first nozzle 12 may have a hollow cylinder shape. Accordingly, the first nozzle 12 may include a first passage 12s therein. Both ends of the first passage 12s may be connected to the outside. The first nozzle 12 may be disposed on the chamber 1. One end of the first passage 12s may be connected to the interior 1i of the chamber 1. One end of the first passage 12s may be located in an area opposite to the flange 17, which will be described later. When manufacturing silicon carbide components, deposition source material SM may be provided along the first passage 12s. The deposition source material SM provided along the first passage 12s may be injected from the first nozzle 12 toward the interior 1i of the chamber 1. By depositing a deposition source material (SM) on the deposition base 20, a silicon carbide component can be manufactured. As an example, the deposition source material (SM) may include methyltrichlorosilane (MTS).

제2 노즐(14)은, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 속이 빈 실린더 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 제2 노즐(14)은 양 끝이 외부와 연결된 제2 통로(14s)를 포함할 수 있다. 제2 통로(14s)는 제2 노즐(14)에 의해 정의될 수 있다. 일 예로, 제2 통로(14s)는 제2 노즐(14)과 제1 노즐(12) 사이의 빈 공간으로 정의될 수 있다.The second nozzle 14 may have a hollow cylinder shape, as shown in FIGS. 3 and 4 . Accordingly, the second nozzle 14 may include a second passage 14s at both ends of which are connected to the outside. The second passage 14s may be defined by the second nozzle 14. For example, the second passage 14s may be defined as an empty space between the second nozzle 14 and the first nozzle 12.

제2 통로(14s)의 형태는 제2 노즐(14)의 형태에 따라 다양하게 변할 수 있다. 일 예로, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제2 통로(14s)의 한 쪽 끝은 외부를 향해 노출될 수 있다. 증착 노즐(10)이 챔버(1)에 체결되는 경우, 제2 통로(14s)의 상기 한 쪽 끝은 챔버(1)의 내부(1i)에 연결될 수 있다. 제2 통로(14s)의 상기 한 쪽 끝은 후술하는 플랜지(17)와 대향하는 영역에 위치할 수 있다. 제2 통로(14s)의 다른 쪽 끝은 플랜지(17)에 직접 또는 다른 구성을 통해 연결될 수 있다. 탄화규소 부품의 제조 시, 제2 통로(14s)를 따라 증착 방지 물질(ADM)이 제공될 수 있다. 일 예로, 제2 통로(14s)를 따라 제공된 증착 방지 물질(ADM)은 챔버(1)의 내부(1i)를 향해 분사될 수 있다. 일 예로, 증착 방지 물질(ADM)은 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar) 등과 같은 비활성 기체, 수소(H) 기체, 또는 질소(N) 기체를 포함할 수 있다.The shape of the second passage 14s may vary depending on the shape of the second nozzle 14. For example, as shown in FIGS. 3 and 4, one end of the second passage 14s may be exposed to the outside. When the deposition nozzle 10 is fastened to the chamber 1, one end of the second passage 14s may be connected to the interior 1i of the chamber 1. One end of the second passage 14s may be located in an area opposite to the flange 17, which will be described later. The other end of the second passage 14s may be connected to the flange 17 directly or through another configuration. When manufacturing silicon carbide components, an anti-deposition material (ADM) may be provided along the second passageway 14s. As an example, the deposition prevention material (ADM) provided along the second passage 14s may be sprayed toward the interior 1i of the chamber 1. As an example, the deposition prevention material (ADM) may include an inert gas such as helium (He), neon (Ne), argon (Ar), hydrogen (H) gas, or nitrogen (N) gas.

본 발명의 개념에 따르면, 탄화규소 부품 제조 시 제2 노즐(14)을 포함하는 증착 노즐(10)을 사용함으로써, 탄화규소 부품의 생산성 및 품질이 향상될 수 있다. 보다 자세하게는, 증착 노즐(10)을 통해 분사되는 증착 소스 물질(SM)이 다른 증착 노즐들(10)의 분사구(예를 들어, 챔버(1)의 내부(1i)에 연결되는 제1 통로(12s)의 한 쪽 끝)에 증착되는 현상을 증착 방지 물질(ADM)이 방지할 수 있다. 이에 따라, 복수 개의 증착 노즐들(10)이 동시에(또는 시간차가 거의 없이) 증착 소스 물질(SM)을 분사할 수 있고, 그 결과, 탄화규소 부품의 생산성 및 품질이 향상될 수 있다.According to the concept of the present invention, the productivity and quality of silicon carbide parts can be improved by using the deposition nozzle 10 including the second nozzle 14 when manufacturing silicon carbide parts. More specifically, the deposition source material SM sprayed through the deposition nozzle 10 is connected to the injection port of the other deposition nozzles 10 (for example, the first passage connected to the interior 1i of the chamber 1). Deposition prevention material (ADM) can prevent deposition on one end of 12s). Accordingly, the plurality of deposition nozzles 10 can spray the deposition source material SM simultaneously (or with little time difference), and as a result, productivity and quality of silicon carbide parts can be improved.

증착 노즐(10)은 플랜지(17)를 더 포함할 수 있다. 플랜지(17)는 제1 노즐(12)을 둘러쌀 수 있다. 플랜지(17)는 직접 또는 후술하는 노즐 어댑터(16)를 통해 제2 노즐(14)에 연결될 수 있다. 플랜지(17)의 내부는 직접 또는 노즐 어댑터(16)를 통해 제2 노즐(14)의 제2 통로(14s)에 연결될 수 있다. 플랜지(17)의 상기 내부는 제1 노즐(12)의 외벽에 의해 제1 통로(12s)와 단절될 수 있다.The deposition nozzle 10 may further include a flange 17. The flange 17 may surround the first nozzle 12. The flange 17 may be connected to the second nozzle 14 directly or through a nozzle adapter 16 described later. The inside of the flange 17 may be connected to the second passage 14s of the second nozzle 14 directly or through the nozzle adapter 16. The inside of the flange 17 may be cut off from the first passage 12s by the outer wall of the first nozzle 12.

플랜지(17)는 주입구(17p)를 포함할 수 있다. 탄화규소 부품의 제조 시, 플랜지(17)의 주입구(17p)를 통해 증착 방지 물질(ADM)이 주입될 수 있다. 증착 방지 물질(ADM)은 플랜지(17)의 내부를 거쳐 제2 통로(14s)에 제공될 수 있다. 증착 방지 물질(ADM)은 제1 노즐(12)의 외벽에 의해 제1 통로(12s)와 단절될 수 있다.The flange 17 may include an injection port 17p. When manufacturing silicon carbide parts, anti-deposition material (ADM) may be injected through the injection hole 17p of the flange 17. Deposition prevention material (ADM) may be provided to the second passage 14s through the inside of the flange 17. The deposition prevention material (ADM) may be cut off from the first passage 12s by the outer wall of the first nozzle 12.

증착 노즐(10)은 노즐 어댑터(16)를 더 포함할 수 있다. 노즐 어댑터(16)는 플랜지(17)와 제2 노즐(14)을 연결할 수 있다. 노즐 어댑터(16)는 다양한 형태를 가질 수 있다. 일 예로, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 노즐 어댑터(16)는 제1 노즐(12) 및 제2 노즐(14)을 둘러싸는 속이 빈 원통형일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 플랜지(17) 내부의 증착 방지 물질(ADM)은 노즐 어댑터(16) 내부의 빈 공간을 거쳐 제2 노즐(14)의 제2 통로(14s)로 제공될 수 있다.The deposition nozzle 10 may further include a nozzle adapter 16. The nozzle adapter 16 can connect the flange 17 and the second nozzle 14. The nozzle adapter 16 may have various forms. For example, as shown in FIGS. 3 and 4, the nozzle adapter 16 may have a hollow cylindrical shape surrounding the first nozzle 12 and the second nozzle 14, but is not limited thereto. The deposition prevention material (ADM) inside the flange 17 may be provided to the second passage 14s of the second nozzle 14 through the empty space inside the nozzle adapter 16.

증착 노즐(10)은 슬리브(18)를 더 포함할 수 있다. 슬리브(18)는 증착 노즐(10)을 챔버(1)와 같은 외부 장치에 체결시킬 수 있다. 슬리브(18)의 형태 및 위치는 그 목적을 유지하면서 다양하게 변형될 수 있다. 일 예로, 슬리브(18)는 제1 노즐(12)의 한 쪽 끝에 인접하도록 배치될 수 있고, 제1 노즐(12)의 상기 한 쪽 끝은 플랜지(17)와 대향하는 영역에 위치할 수 있다.The deposition nozzle 10 may further include a sleeve 18. The sleeve 18 may couple the deposition nozzle 10 to an external device such as the chamber 1. The shape and position of the sleeve 18 can be modified in various ways while maintaining its purpose. For example, the sleeve 18 may be disposed adjacent to one end of the first nozzle 12, and the one end of the first nozzle 12 may be located in an area opposite the flange 17. .

도 5는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 탄화규소 부품 제조 장치의 증착 노즐을 나타내는 사시도이다. 도 6은 도 5의 D-D' 선에 대응하는 단면도이다.Figure 5 is a perspective view showing a deposition nozzle of a silicon carbide part manufacturing device according to some embodiments of the present invention. FIG. 6 is a cross-sectional view corresponding to line D-D' in FIG. 5.

도 2, 도 5 및 도 6을 참조하면, 도 3의 실시예들과는 달리 제2 통로(14s)의 한 쪽 끝은 외부와 단절될 수 있다. 이에 따라, 증착 노즐(10)이 챔버(1)에 연결되더라도, 제2 통로(14s)의 상기 한 쪽 끝은 챔버(1)의 내부(1i)와 단절될 수 있다. 제2 통로(14s)의 상기 한 쪽 끝은 후술하는 플랜지(17)와 대향하는 영역에 위치할 수 있다. 제2 통로(14s)의 다른 쪽 끝은 플랜지(17)에 직접 또는 다른 구성을 통해 연결될 수 있다.Referring to FIGS. 2, 5, and 6, unlike the embodiments of FIG. 3, one end of the second passage 14s may be cut off from the outside. Accordingly, even if the deposition nozzle 10 is connected to the chamber 1, one end of the second passage 14s may be disconnected from the interior 1i of the chamber 1. One end of the second passage 14s may be located in an area opposite to the flange 17, which will be described later. The other end of the second passage 14s may be connected to the flange 17 directly or through another configuration.

제2 통로(14s)의 상기 한 쪽 끝이 외부와 단절됨으로써, 탄화규소 부품 제조 시 증착 방지 물질(ADM) 또한 챔버(1)의 내부(1i)와 단절될 수 있다. 일 예로, 탄화규소 부품 제조 시, 증착 방지 물질(ADM)은 챔버(1)의 내부(1i)에 분사되지 않을 수 있고, 제2 통로(14s) 및 플랜지(17)의 내부 등에 머무르거나 순환될 수 있다. 증착 방지 물질(ADM)은 증착 노즐(10)의 분사구에서의 공정 조건(예를 들어, 온도, 압력 등)을 변화시킴으로써, 증착 소스 물질(SM)이 증착 노즐(10)에 증착되는 것을 방지할 수 있다. 일 예로, 증착 방지 물질(ADM)은 냉각수를 포함할 수 있고, 분사구에서의 공정 온도를 낮춤으로써 증착 소스 물질(SM)이 증착 노즐(10)에 증착되는 것을 방지할 수 있다. 이 때, 사용 가능한 증착 방지 물질(ADM)은 도 3 및 도 4의 증착 노즐(10)에서 사용 가능한 증착 방지 물질(ADM)과 서로 같거나, 또는 다를 수 있다.As the one end of the second passage 14s is disconnected from the outside, the deposition prevention material (ADM) may also be disconnected from the interior 1i of the chamber 1 when manufacturing silicon carbide parts. For example, when manufacturing silicon carbide parts, the anti-deposition material (ADM) may not be injected into the interior 1i of the chamber 1, and may remain or circulate inside the second passage 14s and the flange 17. It can be. The deposition prevention material (ADM) prevents the deposition source material (SM) from being deposited on the deposition nozzle 10 by changing the process conditions (e.g., temperature, pressure, etc.) at the injection port of the deposition nozzle 10. You can. As an example, the deposition prevention material (ADM) may include cooling water and can prevent the deposition source material (SM) from being deposited on the deposition nozzle 10 by lowering the process temperature at the injection nozzle. At this time, the deposition prevention material (ADM) usable may be the same as or different from the deposition prevention material (ADM) usable in the deposition nozzle 10 of FIGS. 3 and 4 .

도 7 내지 도 9는 각각 도 4의 C-C' 선 또는 도 5의 E-E' 선에 대응하는 단면도들이다.FIGS. 7 to 9 are cross-sectional views corresponding to line C-C' in FIG. 4 or line E-E' in FIG. 5, respectively.

도 7 내지 도 9를 참조하면, 제2 노즐(14)의 위치, 형태 및 개수는 다양하게 제공될 수 있다. 이에 따라, 제2 통로(14s)의 위치, 형태 및 개수 또한 다양하게 제공될 수 있다.Referring to FIGS. 7 to 9 , the location, shape, and number of the second nozzles 14 may be provided in various ways. Accordingly, the location, shape, and number of the second passages 14s may also be provided in various ways.

일 예로, 도 7에 도시된 바와 같이, 제2 노즐(14)은 제1 노즐(12)을 둘러싸는 원형의 단면을 가질 수 있다. 제2 노즐(14)의 내경(inner diameter)은 제1 노즐(12)의 외경(outer diameter)보다 클 수 있고, 이에 따라 제2 노즐(14)과 제1 노즐(12)의 사이에서 제2 통로(14s)가 정의될 수 있다.For example, as shown in FIG. 7, the second nozzle 14 may have a circular cross-section surrounding the first nozzle 12. The inner diameter of the second nozzle 14 may be larger than the outer diameter of the first nozzle 12, and accordingly, the second nozzle 14 and the first nozzle 12 may have a second inner diameter. A passageway 14s may be defined.

다른 예로, 도 8에 도시된 바와 같이, 복수 개의 제2 노즐들(14)이 제1 노즐(12)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 복수 개의 제2 노즐들(14) 각각은 제2 통로(14s)를 포함할 수 있다.As another example, as shown in FIG. 8, a plurality of second nozzles 14 may be arranged to surround the first nozzle 12. Each of the plurality of second nozzles 14 may include a second passage 14s.

또 다른 예로, 도 9에 도시된 바와 같이, 제2 노즐(14)은 제1 노즐(12)과 나란히 이웃하여 배치될 수 있다. 제2 노즐(14)의 직경은 제1 노즐(12)의 직경과 서로 같거나 다를 수 있다.As another example, as shown in FIG. 9, the second nozzle 14 may be arranged adjacent to the first nozzle 12. The diameter of the second nozzle 14 may be the same as or different from the diameter of the first nozzle 12.

다만, 도 7 내지 도 9의 실시예들은 예시적인 것에 불과하며, 제1 노즐(12) 및 제2 노즐(14)의 위치, 형태 및 개수는 통상의 기술자가 변형 가능한 범위 내에서 다양하게 실시될 수 있다.However, the embodiments of FIGS. 7 to 9 are merely illustrative, and the positions, shapes, and numbers of the first nozzle 12 and the second nozzle 14 can be implemented in various ways within the scope of modifications by those skilled in the art. You can.

이하에서, 도 1 내지 도 4를 함께 참조하여, 본 발명의 탄화규소 부품 제조 장치(100)를 이용한 탄화규소 부품의 제조 방법의 실시예에 관하여 설명한다. 설명의 간소화를 위해, 전술한 내용과 중복되는 내용의 설명은 생략한다Hereinafter, an embodiment of a method for manufacturing silicon carbide parts using the silicon carbide parts manufacturing apparatus 100 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4. To simplify the explanation, descriptions of content that overlaps with the above are omitted.

본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 탄화규소 부품의 제조 방법은 복수의 증착 노즐들(10) 각각으로부터 챔버(1)의 내부(1i)에 위치하는 증착 베이스들(20)을 향해 증착 소스 물질(SM)을 분사하는 단계, 및 증착 노즐들(10) 각각에 증착 방지 물질(ADM)을 제공하는 단계를 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present invention, a method of manufacturing a silicon carbide part includes depositing a deposition source material from each of the plurality of deposition nozzles 10 toward the deposition bases 20 located in the interior 1i of the chamber 1. It may include spraying (SM) and providing an anti-deposition material (ADM) to each of the deposition nozzles 10.

복수의 증착 노즐들(10)은 서로 같은 높이 또는 서로 다른 높이에 위치할 수 있다. 복수의 증착 베이스들(20) 역시 서로 같은 높이 또는 서로 다른 높이에 위치할 수 있다.The plurality of deposition nozzles 10 may be located at the same height or at different heights. The plurality of deposition bases 20 may also be located at the same height or at different heights.

증착 소스 물질(SM)의 분사 단계에서, 서로 다른 높이에 위치하는 증착 노즐들(10)은, 서로 다른 높이에 위치하는 증착 베이스들(20)을 향해 증착 소스 물질(SM)을 분사할 수 있다. 서로 다른 높이에 위치하는 증착 노즐들(10)은 동시에 증착 소스 물질(SM)을 분사할 수 있다. 일 예로, 서로 다른 높이에 위치하는 증착 노즐들(10)은 탄화규소 부품의 제조 전 공정에 걸쳐 동시에 증착 소스 물질(SM)을 분사할 수 있다. 이를 통해, 증착 소스 물질(SM)은 서로 다른 높이에 위치하는 증착 베이스들(20)의 각각의 상에 동시에 증착될 수 있다. 증착 소스 물질(SM)은 증착 노즐(10)의 제1 노즐(12)을 통해 분사될 수 있다.In the step of spraying the deposition source material SM, the deposition nozzles 10 located at different heights may spray the deposition source material SM toward the deposition bases 20 located at different heights. . The deposition nozzles 10 located at different heights may simultaneously spray the deposition source material SM. For example, the deposition nozzles 10 located at different heights may simultaneously spray the deposition source material SM throughout the entire manufacturing process of silicon carbide parts. Through this, the deposition source material SM can be simultaneously deposited on each of the deposition bases 20 located at different heights. The deposition source material SM may be injected through the first nozzle 12 of the deposition nozzle 10 .

증착 방지 물질(ADM)이 복수의 증착 노즐들(10) 각각에 제공될 수 있다. 증착 방지 물질(ADM)은 복수의 증착 노즐들(10) 각각의 제2 노즐(14)의 내부에 제공될 수 있다. 증착 방지 물질(ADM)은 증착 소스 물질(SM)의 분사 단계 이전, 이후 또는 분사와 동시에 복수의 증착 노즐들(10) 각각에 제공될 수 있다. 증착 방지 물질(ADM)이 증착 노즐들(10)에 제공됨으로써, 증착 소스 물질(SM)이 증착 베이스들(20)이 아닌 증착 노즐들(10)에 증착되는 현상이 방지될 수 있다. 이를 통해, 복수의 증착 노즐들(10)이 증착 소스 물질(SM)에 의해 막히지 않고, 동시에 분사 단계를 수행할 수 있다. 그 결과, 최종적으로 탄화규소 부품의 생산성 및 품질이 향상될 수 있다.An deposition prevention material (ADM) may be provided to each of the plurality of deposition nozzles 10 . The deposition prevention material (ADM) may be provided inside the second nozzle 14 of each of the plurality of deposition nozzles 10 . The deposition prevention material (ADM) may be provided to each of the plurality of deposition nozzles 10 before, after, or simultaneously with the injection step of the deposition source material SM. By providing the deposition prevention material (ADM) to the deposition nozzles 10, deposition of the deposition source material SM on the deposition nozzles 10 rather than on the deposition bases 20 can be prevented. Through this, the injection step can be performed simultaneously without the plurality of deposition nozzles 10 being blocked by the deposition source material SM. As a result, the productivity and quality of silicon carbide parts can ultimately be improved.

일 예로, 증착 방지 물질(ADM)을 제공하는 단계는, 증착 방지 물질(ADM)을 증착 노즐들(10) 각각으로부터 챔버(1)의 내부(1i)를 향해 분사하는 것을 포함할 수 있다. 증착 방지 물질(ADM)의 분사를 위해, 도 3 및 도 4와 같이 제2 통로(14s)의 한 쪽 끝이 챔버(1)의 내부(1i)와 연결된 형태의 증착 노즐(10)이 이용될 수 있다. 증착 베이스(20) 상에서 증착 소스 물질(SM)이 효과적으로 증착됨과 동시에, 증착 노즐(10) 상의 증착을 방지하기 위하여, 증착 방지 물질(ADM)의 물질, 분사량, 분사 시간, 분사 간격 등이 다양하게 조절될 수 있다.As an example, the step of providing the deposition prevention material (ADM) may include spraying the deposition prevention material (ADM) from each of the deposition nozzles 10 toward the interior 1i of the chamber 1. To spray the anti-deposition material (ADM), a deposition nozzle 10 in which one end of the second passage 14s is connected to the interior 1i of the chamber 1, as shown in FIGS. 3 and 4, will be used. You can. In order to effectively deposit the deposition source material (SM) on the deposition base 20 and at the same time prevent deposition on the deposition nozzle 10, the material, injection amount, injection time, injection interval, etc. of the deposition prevention material (ADM) are varied. It can be adjusted.

다른 예로, 증착 방지 물질(ADM)을 제공하는 단계는, 증착 방지 물질(ADM)을 증착 노즐들(10) 각각의 내부에서 순환시키는 것을 포함할 수 있다. 증착 방지 물질(ADM)의 순환을 위해, 도 5 및 도 6과 같이 제2 통로(14s)의 한 쪽 끝이 챔버(1)의 내부(1i)와 단절된 형태의 증착 노즐(10)이 이용될 수 있다. 증착 베이스(20) 상에서 증착 소스 물질(SM)이 효과적으로 증착됨과 동시에, 증착 노즐(10) 상의 증착을 방지하기 위하여, 증착 방지 물질(ADM)의 물질, 유량, 온도, 제공 간격 등이 다양하게 조절될 수 있다.As another example, providing the deposition prevention material (ADM) may include circulating the deposition prevention material (ADM) within each of the deposition nozzles 10 . To circulate the deposition prevention material (ADM), a deposition nozzle 10 in which one end of the second passage 14s is disconnected from the interior 1i of the chamber 1, as shown in FIGS. 5 and 6, may be used. You can. In order to effectively deposit the deposition source material (SM) on the deposition base 20 and at the same time prevent deposition on the deposition nozzle 10, the material, flow rate, temperature, and provision interval of the deposition prevention material (ADM) are variously adjusted. It can be.

또 다른 예로, 증착 방지 물질(ADM)을 제공하는 단계는, 증착 방지 물질(ADM)을 증착 노즐들(10) 중 일부로부터 챔버(1)의 내부(1i)를 향해 분사하는 것, 및 증착 방지 물질(ADM)을 증착 노즐들(10) 중 다른 일부의 내부에서 순환시키는 것을 포함할 수 있다. 이를 위해, 복수의 증착 노즐들(10)의 종류는 서로 같거나 다를 수 있다. 예를 들어, 증착 방지 물질(ADM)을 분사하는 증착 노즐들(10) 중 일부는 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한 형태의 증착 노즐(10)일 수 있고, 증착 방지 물질(ADM)을 순환시키는 증착 노즐들(10) 중 다른 일부는 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한 형태의 증착 노즐(10)일 수 있다. 서로 다른 형태를 가지는 증착 노즐들(10)의 개수, 위치, 배열상태 등은 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 하나의 제조 장치 내에서 서로 다른 형태의 증착 노즐들(10)이 이용됨으로써, 서로 다른 물질을 포함하는 증착 방지 물질들(ADM)이 이용될 수 있다. 일 예로, 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한 증착 방지 물질(ADM)과, 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한 증착 방지 물질(ADM) 각각이 증착 방지 물질(ADM)의 제공 단계에서 모두 이용될 수 있다.As another example, the step of providing an anti-deposition material (ADM) includes spraying the anti-deposition material (ADM) from some of the deposition nozzles 10 toward the interior 1i of the chamber 1, and preventing deposition. This may include circulating material (ADM) within another portion of the deposition nozzles 10 . To this end, the types of the plurality of deposition nozzles 10 may be the same or different from each other. For example, some of the deposition nozzles 10 that spray the anti-deposition material (ADM) may be the deposition nozzles 10 of the type described with reference to FIGS. 3 and 4, and may circulate the anti-deposition material (ADM). Other portions of the deposition nozzles 10 may be the deposition nozzles 10 of the type described with reference to FIGS. 5 and 6 . The number, location, arrangement, etc. of deposition nozzles 10 having different shapes can be changed in various ways. Additionally, by using different types of deposition nozzles 10 in one manufacturing device, deposition prevention materials (ADMs) containing different materials can be used. As an example, the deposition prevention material (ADM) described with reference to FIGS. 3 and 4 and the deposition prevention material (ADM) described with reference to FIGS. 5 and 6 may each be used in the step of providing the deposition prevention material (ADM). You can.

증착 노즐(10)을 통해 증착 소스 물질(SM)이 증착 베이스들(20)의 상에 증착된 이후, 통상의 제조 방법(가공 단계 등)을 통하여 탄화규소 부품이 최종적으로 형성될 수 있다. 탄화규소 부품은 서로 다른 높이에 위치하는 증착 베이스들(20)의 각각의 상에서 동시에 형성될 수 있다.After the deposition source material SM is deposited on the deposition bases 20 through the deposition nozzle 10, a silicon carbide part can be finally formed through a normal manufacturing method (processing step, etc.). Silicon carbide components can be formed simultaneously on each of the deposition bases 20 located at different heights.

이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명은 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수도 있다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the attached drawings, the present invention may be implemented in other specific forms without changing the technical idea or essential features. Therefore, the embodiments described above should be understood as illustrative in all respects and not restrictive.

1: 챔버 10: 증착 노즐
12: 제1 노즐 12s: 제1 통로
14: 제2 노즐 14s: 제2 통로
16: 어댑터 17: 플랜지
18: 슬리브 20: 증착 베이스
100: 탄화규소 부품 제조 장치1: Chamber 10: Deposition nozzle
12: first nozzle 12s: first passage
14: second nozzle 14s: second passage
16: adapter 17: flange
18: sleeve 20: deposition base
100: Silicon carbide parts manufacturing device

Claims (20)

챔버, 서로 다른 높이에서 상기 챔버에 장착되는 복수 개의 증착 노즐들 및 상기 챔버의 내부에서 서로 다른 높이에 위치하는 증착 베이스들을 포함하는 탄화규소 부품 제조 장치를 이용한 탄화규소 부품의 제조 방법으로써,
상기 증착 노즐들 각각은:
제1 노즐;
상기 제1 노즐의 외벽 상의 제2 노즐; 및
상기 제2 노즐에 증착 방지 물질을 제공하는 플랜지를 포함하고,
상기 증착 노즐들 각각의 상기 제1 노즐 내부의 제1 통로로부터 상기 챔버의 상기 내부의 상기 증착 베이스들을 향해 증착 소스 물질을 분사하는 단계; 및
상기 증착 노즐들 각각의 상기 제2 노즐에 의해 정의되는 제2 통로를 통해 증착 방지 물질을 분사하는 단계를 포함하되,
상기 제2 통로의 한 쪽 끝은 상기 챔버의 상기 내부에 연결되고, 다른 쪽 끝은 상기 플랜지에 연결되는 탄화규소 부품의 제조 방법.A method of manufacturing silicon carbide parts using a silicon carbide part manufacturing apparatus including a chamber, a plurality of deposition nozzles mounted on the chamber at different heights, and deposition bases located at different heights inside the chamber, comprising:
Each of the deposition nozzles:
first nozzle;
a second nozzle on an outer wall of the first nozzle; and
a flange providing an anti-deposition material to the second nozzle;
spraying a deposition source material from a first passage inside the first nozzle of each of the deposition nozzles toward the deposition bases inside the chamber; and
Injecting an anti-deposition material through a second passage defined by the second nozzle of each of the deposition nozzles,
One end of the second passage is connected to the interior of the chamber, and the other end of the second passage is connected to the flange. 제 1항에 있어서,
상기 증착 방지 물질의 상기 분사 단계는 상기 증착 소스 물질의 상기 분사 단계의 이전, 이후, 또는 상기 분사 단계와 동시에 수행되는 탄화규소 부품의 제조 방법.According to clause 1,
The method of claim 1 , wherein the step of spraying the deposition prevention material is performed before, after, or simultaneously with the step of spraying the deposition source material. 제 1항에 있어서,
상기 증착 소스 물질의 상기 분사 단계는, 상기 증착 노즐들이 동시에 증착 소스 물질을 분사하는 것을 포함하는 탄화규소 부품의 제조 방법.According to clause 1,
The spraying step of the deposition source material includes the deposition nozzles simultaneously spraying the deposition source material. 제 1항에 있어서,
상기 플랜지는 상기 제2 통로의 상기 다른 쪽 끝에 직접 연결되는 탄화규소 부품의 제조 방법.According to clause 1,
The method of claim 1 , wherein the flange is directly connected to the other end of the second passageway. 제 1항에 있어서,
상기 제2 노즐과 상기 플랜지를 연결하는 노즐 어댑터를 더 포함하는 탄화규소 부품의 제조 방법.According to clause 1,
A method of manufacturing a silicon carbide part further comprising a nozzle adapter connecting the second nozzle and the flange. 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 증착 소스 물질의 상기 분사 단계를 통해, 서로 다른 높이에 위치하는 상기 증착 베이스들 각각의 상에서 상기 증착 소스 물질이 동시에 증착되는 탄화규소 부품의 제조 방법.According to clause 1,
A method of manufacturing a silicon carbide part in which the deposition source material is simultaneously deposited on each of the deposition bases located at different heights through the spraying step of the deposition source material. 제1 노즐;
상기 제1 노즐의 외벽 상의 제2 노즐; 및
상기 제2 노즐에 증착 방지 물질을 제공하는 플랜지를 포함하되,
제1 통로가 증착 소스 물질의 통로로써 상기 제1 노즐의 내부에 제공되고,
제2 통로가 상기 증착 방지 물질의 통로로써 상기 제2 노즐에 의해 정의되고,
상기 제2 통로는 상기 플랜지와 대향하는 영역에서 외부를 향해 노출되고,
상기 플랜지는 상기 제2 통로를 통해 상기 증착 방지 물질을 상기 외부로 제공하는 탄화규소 부품 제조 장치의 증착 노즐.first nozzle;
a second nozzle on an outer wall of the first nozzle; and
A flange providing an anti-deposition material to the second nozzle,
A first passage is provided inside the first nozzle as a passage for a deposition source material,
A second passage is defined by the second nozzle as a passage for the deposition prevention material,
The second passage is exposed to the outside in an area opposite the flange,
The flange is a deposition nozzle of a silicon carbide parts manufacturing apparatus that provides the deposition prevention material to the outside through the second passage. 제 9항에 있어서,
상기 제2 노즐은 상기 제1 노즐을 둘러싸고,
상기 제2 통로는 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이에서 정의되는 탄화규소 부품 제조 장치의 증착 노즐.According to clause 9,
The second nozzle surrounds the first nozzle,
The second passage is a deposition nozzle of a silicon carbide component manufacturing apparatus wherein the second passage is defined between the first nozzle and the second nozzle. 제 9항에 있어서,
상기 플랜지의 내부는 상기 제2 통로에 직접 연결되는 탄화규소 부품 제조 장치의 증착 노즐.According to clause 9,
The inside of the flange is a deposition nozzle of a silicon carbide parts manufacturing device that is directly connected to the second passage. 삭제delete 제 9항에 있어서,
상기 제2 노즐은 단수 또는 복수 개로 제공되는 탄화규소 부품 제조 장치의 증착 노즐.According to clause 9,
The second nozzle is a deposition nozzle of a silicon carbide parts manufacturing device provided in single or plural numbers. 제 9항에 있어서,
상기 제2 노즐과 상기 플랜지를 연결하는 노즐 어댑터를 더 포함하는 탄화규소 부품 제조 장치의 증착 노즐.According to clause 9,
A deposition nozzle of a silicon carbide component manufacturing apparatus further comprising a nozzle adapter connecting the second nozzle and the flange. 제 9항에 있어서,
상기 제1 노즐을 외부 장치에 체결시키는 슬리브를 더 포함하는 탄화규소 부품 제조 장치의 증착 노즐.According to clause 9,
A deposition nozzle of a silicon carbide component manufacturing apparatus further comprising a sleeve for fastening the first nozzle to an external device. 챔버;
상기 챔버의 내부에서 서로 다른 높이에 위치하는 증착 베이스들; 및
서로 다른 높이에서 상기 챔버에 장착되는 복수 개의 증착 노즐들을 포함하되,
상기 증착 노즐들 각각은:
제1 노즐;
상기 제1 노즐의 외벽 상의 제2 노즐; 및
상기 제2 노즐을 상기 제1 노즐에 체결시키는 플랜지를 포함하고,
제1 통로가 증착 소스 물질의 통로로써 상기 제1 노즐의 내부에 제공되고,
제2 통로가 증착 방지 물질의 통로로써 상기 제2 노즐에 의해 정의되고,
상기 제2 통로는 상기 플랜지와 대향하는 영역에서 상기 챔버의 상기 내부와 연결되고,
상기 플랜지는 상기 제2 통로를 통해 상기 증착 방지 물질을 상기 챔버의 상기 내부로 제공하는 탄화규소 부품 제조 장치.chamber;
deposition bases located at different heights within the chamber; and
Includes a plurality of deposition nozzles mounted in the chamber at different heights,
Each of the deposition nozzles:
first nozzle;
a second nozzle on an outer wall of the first nozzle; and
It includes a flange for fastening the second nozzle to the first nozzle,
A first passage is provided inside the first nozzle as a passage for a deposition source material,
A second passage is a passage for an anti-deposition material and is defined by the second nozzle,
The second passage is connected to the interior of the chamber in an area opposite the flange,
The flange provides the anti-deposition material to the interior of the chamber through the second passage. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 16항에 있어서,
상기 제1 노즐은 상기 챔버의 상기 내부의 상기 증착 베이스들을 향해 상기 증착 소스 물질을 분사하는 탄화규소 부품 제조 장치.
According to clause 16,
The first nozzle sprays the deposition source material toward the deposition bases inside the chamber.
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