KR102616578B1 - 박막 증착용 마스크 어셈블리와, 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
박막 증착용 마스크 어셈블리와, 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 제 1 면과, 제 1 면에 반대되는 제 2 면을 가지는 글래스 마스크;와, 글래스 마스크의 제 1 면에 패턴화된 제 1 금속층;과, 글래스 마스크의 제 2 면에 패턴화된 제 2 금속층;을 포함하되, 글래스 마스크에는 복수의 증착 영역이 배치되며, 증착 영역에는 복수의 슬릿을 가지는 증착 패턴부가 패턴화될 수 있다.
Description
본 발명은 박막 증착용 마스크 어셈블리와, 이의 제조 방법에 관한 것이다.
통상적으로, 디스플레이 장치는 스마트 폰, 랩 탑 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 휴대 정보 단말기, 노트북, 태블릿 퍼스널 컴퓨터와 같은 모바일 장치나, 데스크 탑 컴퓨터, 텔레비전, 옥외 광고판, 전시용 디스플레이 장치와 같은 전자 장치에 이용할 수 있다.
디스플레이 장치는 발광층과 같은 박막을 형성하기 위하여 다양한 방법이 있을 수 있다. 증착법은 증착시키고자 하는 박막과 동일한 패턴을 가지는 마스크를 이용하여 증착 물질을 기판 상에 증착하는 방법이다.
마스크는 마스크 프레임에 장착할 수 있다. 장착시, 마스크에 소정의 압력이 인가되는데, 마스크에는 변형이 발생할 수 있다. 이에 따라, 마스크와 기판의 위치 정렬이 쉽지 않으며, 정밀한 패터닝을 할 수 없다.
본 발명의 실시예들은 정밀한 증착 패턴이 가능한 박막 증착용 마스크 어셈블리와, 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 박막 증착용 마스크 어셈블리는, 제 1 면과, 상기 제 1 면에 반대되는 제 2 면을 가지는 글래스 마스크;와, 상기 글래스 마스크의 제 1 면에 패턴화된 제 1 금속층;과, 상기 글래스 마스크의 제 2 면에 패턴화된 제 2 금속층;을 포함하되, 상기 글래스 마스크에는 복수의 증착 영역이 배치되며, 상기 증착 영역에는 복수의 슬릿을 가지는 증착 패턴부가 패턴화될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 복수의 증착 영역은 상기 글래스 마스크를 관통한 개구에 각각 배치되며, 상기 글래스 마스크에 이격되게 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 증착 영역은 증착 물질이 증착되는 대상물인 기판의 액티브 영역에 대응되며, 상기 각 증착 패턴부의 복수의 슬릿 패턴은 상기 액티브 영역에 패턴화된 복수의 발광층 패턴에 대응될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 1 금속층은 상기 글래스 마스크의 제 1 면으로부터 상기 증착 영역으로 연장되며, 복수의 슬릿은 상기 증착 영역에 대응되는 제 1 금속층에 패턴화될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 글래스 마스크의 제 2 면에서의 개구의 크기는 상기 글래스 마스크의 제 1 면에서의 개구의 크기보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 글래스 마스크의 제 1 면에서의 개구의 크기는 상기 증착 영역의 크기에 대응될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 글래스 마스크의 제 2 면에서의 개구의 제 2 간격은 상기 글래스 마스크의 제 1 면에서의 개구의 제 1 간격보다 넓을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 개구를 둘러싸는 글래스 마스크의 내주벽은 경사지게 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 글래스 마스크의 내주벽의 간격은 상기 글래스 마스크의 제 1 면으로부터 제 2 면으로 갈수록 넓어질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 이웃하는 증착 영역 사이에는 상기 글래스 마스크의 부분들을 서로 연결하는 리브가 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 1 금속층은 복수의 도전층이 적층된 구조일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 글래스 마스크의 제 1 면은 증착 물질이 증착되는 대상물인 기판이 마주보는 면이며, 상기 글래스 마스크의 제 2 면은 증착원으로부터 방출된 증착 물질이 입사되는 면일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 글래스 마스크의 하부에는 서포트 스틱이 더 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 글래스 마스크는 복수의 증착 영역에 복수의 증착 패턴부가 배치된 원장 마스크일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 글래스 마스크는 복수의 스틱 마스크를 포함하며, 각 스틱 마스크에는 복수의 증착 영역에 복수의 증착 패턴부가 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 박막 증착용 마스크 어셈블리의 제조 방법은, 글래스 마스크를 준비하는 단계;와, 상기 글래스 마스크의 양 면에 금속층을 패턴화하여 복수의 증착 패턴부를 형성하는 단계;와, 상기 글래스 마스크의 일부를 제거하여서, 상기 증착 패턴부가 패턴화된 증착 영역의 대응되는 영역에 개구를 형성하는 단계;를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 글래스 마스크의 제 1 면에 제 1 금속층을 형성하고, 상기 글래스 마스크의 제 2 면에 제 2 금속층을 형성하는 단계;와, 상기 제 1 금속층 및 제 2 금속층을 각각 에칭하는 단계;와, 상기 제 1 금속층에 형성될 각 증착 패턴부의 대응 영역에 복수의 슬릿을 패턴화시키고, 상기 제 2 금속층에 상기 증착 영역보다 더 큰 개구를 가지도록 에칭하는 단계;를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 1 금속층 및 제 2 금속층은 도금, 또는, 스퍼터링에 의하여 패턴화될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 글래스 마스크의 제 2 면으로부터 상기 글래스 마스크를 에칭하여, 상기 제 2 금속층이 에칭된 영역을 통하여 상기 증착 영역의 크기보다 더 큰 개구를 형성할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 이웃하는 증착 영역을 둘러싸는 글래스 마스크의 부분들은 서로 연결할 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 박막 증착용 마스크 어셈블리와, 이의 제조 방법은 글래스 마스크의 열적 변형에 따른 위치 변화를 최소화할 수 있으므로, 마스크와 기판의 위치 정밀도를 향상시킬 수 있다. 게다가, 글래스 마스크 상에 배치된 금속층의 패턴 두께를 용이하게 제어할 수 있으므로, 정밀한 패터닝이 가능할 수 있다. 본 발명의 효과는 상술한 내용 이외에도, 도면을 참조하여 이하에서 설명할 내용으로부터도 도출될 수 있음은 물론이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 액티브 영역에 배치된 발광층을 개략적으로 확대 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ' 선을 따라 절개 도시한 단면도이다.
도 5는 도 3의 마스크 어셈블리를 이용하여 증착하는 것을 도시한 구성도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 어셈블리를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 마스크 어셈블리를 절개 도시한 단면도이다.
도 8a 내지 도 8d는 도 3의 마스크 어셈블리를 제조하는 과정을 순차적으로 도시한 것으로서,
도 8a는 도 3의 글래스 마스크가 준비된 이후의 상태를 도시한 단면도이다.
도 8b는 도 8a의 글래스 마스크의 양 면에 금속층을 형성한 이후의 상태를 도시한 단면도이다.
도 8c는 도 8b의 금속층에 패턴을 형성한 이후의 상태를 도시한 단면도이다.
도 8d는 도 8b의 마스크에 개구를 형성한 이후의 상태를 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 액티브 영역에 배치된 발광층을 개략적으로 확대 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ' 선을 따라 절개 도시한 단면도이다.
도 5는 도 3의 마스크 어셈블리를 이용하여 증착하는 것을 도시한 구성도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 어셈블리를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 마스크 어셈블리를 절개 도시한 단면도이다.
도 8a 내지 도 8d는 도 3의 마스크 어셈블리를 제조하는 과정을 순차적으로 도시한 것으로서,
도 8a는 도 3의 글래스 마스크가 준비된 이후의 상태를 도시한 단면도이다.
도 8b는 도 8a의 글래스 마스크의 양 면에 금속층을 형성한 이후의 상태를 도시한 단면도이다.
도 8c는 도 8b의 금속층에 패턴을 형성한 이후의 상태를 도시한 단면도이다.
도 8d는 도 8b의 마스크에 개구를 형성한 이후의 상태를 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고, 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성 요소들은 용어들에 의하여 한정되어서는 안된다. 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, “포함한다” 또는 “가지다” 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 본 발명에 따른 박막 증착용 마스크 어셈블리와, 이의 제조 방법의 일 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)를 개략적으로 도시한 평면도이며, 도 2는 도 1의 액티브 영역(AA)에 배치된 발광층을 개략적으로 확대 도시한 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 기판(101)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 상기 기판(101)은 SiO2를 주성분으로 하는 글래스로 형성할 수 있다. 상기 기판(101)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플라스틱으로 형성할 수 있다.
상기 기판(101) 상에는 화상을 표시하는 액티브 영역(active area, AA)과, 상기 액티브 영역(AA)의 바깥으로 연장된 비액티브 영역(inactive area, IAA)을 포함한다.
상기 액티브 영역(AA)에는 복수의 픽셀(P)들이 배치될 수 있다. 복수의 픽셀(P)들은 데이터 라인(DL)과 스캔 라인(SL)의 교차 영역에 위치할 수 있다. 각각의 픽셀(P)에는 적색 발광층(102R), 녹색 발광층(102G), 청색 발광층(102B)이 배치될 수 있다. 상기 발광층은 다양한 색상의 조합이 가능할 수 있다.
한편, 상기 비액티브 영역(IAA)에는 전원 공급 장치(미도시), 또는, 신호 생성 장치(미도시)로부터 전기적 신호를 액티브 영역(AA)으로 전달하는 패드부(103)가 배치될 수 있다.
상기 액티브 영역(AA)에 패턴화된 복수의 적색 발광층(102R), 복수의 녹색 발광층(102G), 복수의 백색 발광층(102B)은 증착 마스크를 이용하여 패턴화시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리(300)를 개략적으로 도시한 평면도이며, 도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ' 선을 따라 절개 도시한 단면도이며, 도 5는 도 3의 마스크 어셈블리(300)를 이용하여 증착하는 것을 도시한 구성도이다.
도 3, 도 4, 및 도 4를 참조하면, 마스크 어셈블리(300)는 글래스 마스크(310)를 포함한다. 상기 글래스 마스크(310)는 글래스로 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 글래스 마스크(310)는 증착하고자 하는 대상물인 기판(101)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 글래스 마스크(310)는 실리콘 웨이퍼로 형성될 수 있다.
상기 글래스 마스크(310)는 제 1 면(311)과, 상기 제 1 면(311)에 반대되는 제 2 면(312)을 가진다. 상기 글래스 마스크(310)의 제 1 면(311)은 증착 물질이 증착되는 기판(101)이 마주보는 면일 수 있다. 상기 글래스 마스크(310)의 제 2 면(312)은 증착원(510)으로부터 방출된 증착 물질이 입사되는 면일 수 있다. 상기 글래스 마스크(310)의 제 1 면(311)에는 제 1 금속층(330)이 패턴화될 수 있다.상기 글래스 마스크(310)의 제 2 면(311)에는 제 2 금속층(340)이 패턴화될 수 있다.
상기 글래스 마스크(310)에는 복수의 증착 영역(320)이 배치될 수 있다. 상기 증착 영역(320)은 상기 글래스 마스크(310)의 X 방향 및 Y 방향으로 소정 간격 이격되게 배치될 수 있다. 상기 증착 영역(320)은 상기 증착원(510)으로부터 방출된 증착 물질이 증착되는 대상물인 기판(101)의 액티브 영역(도 1의 AA)에 대응될 수 있다.
상기 증착 영역(320)에는 증착 패턴부(350)가 형성될 수 있다. 상기 증착 패턴부(350)에는 복수의 슬릿(351)이 패턴화될 수 있다. 복수의 슬릿(351)은 상기 기판(101)의 액티브 영역(AA)에 패턴화된 복수의 발광층(도 2의 102R, 102G, 102B) 패턴에 대응될 수 있다.
상기 글래스 마스크(310)에는 복수의 개구(313)가 형성될 수 있다. 상기 개구(313)는 글래스 마스크(310)의 두께 방향으로 관통할 수 있다. 상기 개구(313)는 상기 글래스 마스크(310)의 X 방향 및 Y 방향으로 소정 간격 이격되게 배치될 수 있다. 상기 증착 영역(320)은 상기 개구(313)에 배치될 수 있다.
상기 제 1 금속층(330)은 상기 글래스 마스크(310)의 제 1 면(311)으로부터 상기 증착 영역(320)으로 연장될 수 있다. 예컨대, 상기 제 1 금속층(330)은 상기 글래스 마스크(310)의 제 1 면(311)을 덮을 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 제 1 금속층(330)은 상기 글래스 마스크(310)의 제 1 면(311)의 전체 영역을 덮을 수 있다. 상기 증착 영역(320)으로 연장된 제 1 금속층(330)에는 슬릿(351)이 패턴화될 수 있다. 상기 슬릿(351)은 습식 에칭, 또는, 건식 에칭에 의하여 패턴화될 수 있다.
상기 제 2 금속층(330)은 상기 글래스 마스크(310)의 제 2 면(312) 아래에 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 제 2 금속층(330)은 상기 제 2 면(312)의 전체 영역을 덮을 수 있다.
상기 글래스 마스크(310)의 제 2 면(312)에서의 개구(313)의 크기는 상기 글래스 마스크(310)의 제 1 면(311)에서의 개구(313)의 크기보다 클 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 글래스 마스크(310)의 개구(313)의 형상은 도트형, 또는, 스트라이프형일 수 있다. 상기 개구(313)는 상기 글래스 마스크(310)의 제 1 면(311)에서보다 제 2 면(312)에서 더 크게 형성될 수 있다.
예컨대, 상기 글래스 마스크(310)의 제 2 면(312)에서의 개구(313)의 제 2 간격(d2)은 상기 글래스 마스크(310)의 제 1 면(311)에서의 개구(313)의 제 1 간격(d1)보다 넓을 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 글래스 마스크(310)의 제 1 면(311)에서의 개구(313)의 크기는 상기 증착 영역(320)에 대응될 수 있다.
상기 제 2 면(312)에서의 개구(313)의 크기가 상기 증착 영역(320)에 대응되는 제 1 면(311)에서의 개구(313)의 크기보다 크게 형성되므로, 상기 증착원(510)으로부터 방출된 증착 물질의 일부가 상기 개구(313)를 통하여 진행하는 동안에 상기 글래스 마스크(310)의 바라지 않는 영역에 증착되더라도, 상기 기판(101) 상의 액티브 영역(AA)에는 소망하는 패턴을 가지도록 증착될 수 있다.
상기 개구(313)를 둘러싸는 글래스 마스크(310)의 내주벽(314)은 경사지게 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 글래스 마스크(310)의 제 1 면(311)에서의 개구(313)의 간격(d1)이 상기 글래스 마스크(310)의 제 2 면(312)에서의 개구(313)의 간격(d2)보다 좁으므로, 상기 글래스 마스크(310)의 내주벽(314)은 소정의 각도로 경사질 수 있다. 예컨대, 상기 글래스 마스크(310)의 내주벽(314)의 간격은 상기 글래스 마스크(310)의 제 1 면(311)으로부터 상기 글래스 마스크(310)의 제 2 면(312)으로 갈수록 넓어질 수 있다.
상기 증착 영역(320)은 상기 글래스 마스크(310)의 전체 영역에 걸쳐서 배치될 수 있다. 상기 증착 영역(320)은 글래스 마스크(310)의 개구(313)에 배치되는데, 이웃하는 증착 영역(320) 사이에는 상기 글래스 마스크(310)의 부분들을 서로 연결하기 위한 리브(360)가 배치될 수 있다. 상기 글래스 마스크(310)는 리브(360)에 의하여 강성을 유지할 수 있다.
상기 리브(360)는 Y 방향으로 이격되게 배치된 이웃하는 증착 영역(320) 사이를 가로지르는 복수의 제 1 리브(361)와, X 방향으로 이격되게 배치된 이웃하는 증착 영역(320) 사이를 가로지르는 복수의 제 2 리브(362)을 포함한다. 복수의 제 1 리브(361)와, 복수의 제 2 리브(362)는 서로 연결될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 글래스 마스크(310)는 복수의 증착 영역(320)에 복수의 증착 패턴부(350)가 패턴화된 원장 마스크(mother mask)일 수 있다. 각각의 증착 패턴부(350)가 형성된 증착 영역(320)은 개별적인 디스플레이 장치의 액티브 영역(AA)에 해당될 수 있다. 제조의 편의상, 복수의 디스플레이 장치를 동시에 제조하기 위하여 하나의 원장 마스크에 복수의 증착 패턴부(350)가 형성된 복수의 증착 영역(320)이 패턴화될 수 있다.
다른 일 실시예에 있어서, 상기 글래스 마스크는 스틱 마스크일 수 있다. 도 6을 참조하면, 글래스 마스크(610)는 복수의 스틱 마스크(611)를 포함한다.
복수의 스틱 마스크(610)는 폭 방향(X 방향)으로 연속적으로 배치될 수 있다. 상기 각 스틱 마스크(610)에는 길이 방향(Y 방향)으로 이격되게 증착 영역(620)이 배치될 수 있다. 상기 증착 영역(620)에는 증착 패턴부(650)가 형성될 수 있다. 상기 증착 패턴부(650)에는 복수의 슬릿(651)이 패턴화될 수 있다.
또 다른 일 실시예에 있어서, 상기 글래스 마스크 상에 패턴화된 금속층은 복수의 도전층이 적층된 구조일 수 있다.
도 7을 참조하면, 글래스 마스크(710)에는 증착 영역(720)이 배치될 수 있다. 상기 증착 영역(720)은 상기 글래스 마스크(710)를 관통한 개구(711)에 배치될 수 있다. 상기 증착 영역(720)에는 복수의 슬릿(751)이 패턴화된 증착 패턴부(750)가 형성될 수 있다.
상기 글래스 마스크(710)의 제 1 면(711)에는 제 1 금속층(730)이 배치될 수 있다. 상기 글래스 마스크(710)의 제 2 면(712)에는 제 2 금속층(740)이 배치될 수 있다. 상기 글래스 마스크(710)의 제 1 면(711) 상에는 증착 물질이 증착되는 대상물인 기판(도 5의 101) 및 기판(101) 상에 배치된 마그넷(도 5의 520)이 설치될 수 있다.
상기 제 1 금속층(730)은 상기 글래스 마스크(710)의 제 1 면(711) 상에 패턴화된 제 1 도전층(731), 상기 제 1 도전층(731) 상에 패턴화된 제 2 도전층(732), 및 제 2 도전층(732) 상에 패턴화된 제 3 도전층(733)을 포함한다.
상기 제 1 도전층(731), 제 2 도전층(732), 및 제 3 도전층(733)은 마스크 어셈블리(700)의 다양한 기능을 수행하는 층일 수 있다. 예컨대, 상기 제 1 금속층(730)은 글래스 마스크(710)의 에칭 공정동안 제 1 금속층(730)의 부식을 방지하기 위한 도전층(731)이나, 상기 글래스 마스크(710) 상에 증착이 용이한 도전층(732)이나, 상기 마그넷(520)과의 결합이 용이한 도전층(733) 등을 포함할 수 있다. 복수의 도전층(731 내지 733)을 구비하는 제 1 금속층(731)은 다양한 기능층의 조합이 가능할 수 있다.
다시 도 3, 도 4, 및 도 5를 참조하여 상기 마스크 어셈블리(300)를 이용하은 증착하는 과정을 설명하면 다음과 같다.
상기 마스크 어셈블리(300)에는 유기 발광 디스플레이 장치의 유기 발광층과 같은 박막을 증착하기 위한 진공 챔버(500)가 마련된다.
상기 진공 챔버(500) 내의 하부에는 증착원(510)이 위치할 수 있다. 상기 증착원(510) 상에는 마스크 어셈블리(300)가 설치될 수 있다. 상기 마스크 어셈블리(300)는 원장의 글래스 마스크(310), 및 상기 글래스 마스크(310)의 양면에 패턴화된 제 1 금속층(310)과, 제 2 금속층(320)을 포함한다. 종래와 달리, 상기 마스크 어셈블리(300)는 마스크 프레임이 요구되지 않는다. 상기 마스크 어셈블리(300)는 상기 챔버(500) 내에 설치된 서포트 블록(530) 상에 장착될 수 있다.
상기 마스크 어셈블리(300) 상에는 증착용 기판(101)이 위치할 수 있다. 상기 증착용 기판(101) 상에는 상기 마스크 어셈블리(300)가 증착용 기판(101)에 밀착할 수 있도록 자력을 발생시키는 마그넷(520)이 설치될 수 있다.
상기 글래스 마스크(310)의 하부에는 상기 글래스 마스크(310)가 처지는 것을 방지하기 위하여 서포트 스틱(540)이 설치될 수 있다. 상기 서포트 스틱(540)은 상기 글래스 마스크(310)의 리브(360)에 위치할 수 있다.
상기 증착원(510)으로부터 증착 물질을 상기 마스크 어셈블리(300)를 향하여 분사하게 되면, 글래스 마스크(310)의 개구(313)를 통하여 진행하는 증착 물질은 상기 증착 영역(320)에 형성된 증착 패턴부(350)의 슬릿(351)을 통과하여 상기 증착용 기판(101)의 일면에 소망하는 패턴을 가지도록 증착될 수 있다.
도 8a 내지 도 8d는 도 3의 마스크 어셈블리(300)를 제조하는 과정을 순차적으로 도시한 것이다.
도 8a를 참조하면, 상기 글래스 마스크(310)를 준비하게 된다. 상기 글래스 마스크(310)는 글래스 물질일 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 글래스 마스크(310)는 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 상기 글래스 마스크(I310)는 원장 마스크일 수 있다.
이어서, 도 8b에 도시된 바와 같이, 상기 글래스 마스크(310)의 양 면에 금속층(330a)(340a)을 형성하게 된다. 상기 글래스 마스크(310)의 제 1 면(311)에는 제 1 금속층(330a)을 형성하고, 상기 글래스 마스크(310)의 제 2 면(312)에는 제 2 금속층(340b)을 형성하게 된다. 상기 제 1 금속층(330a)과, 제 2 금속층(340b)은 도금, 또는, 스퍼터링에 의하여 형성시킬 수 있다.
다음으로, 도 8c에 도시된 바와 같이, 상기 글래스 마스크(310)의 양 면에 포토 리소그래피 공정에 의하여 제 1 금속층(330)과, 제 2 금속층(340)을 패턴화한다. 예컨대, 상기 글래스 마스크(310)의 제 1 면(311)에 제 1 금속층(330)을 에칭하여 상기 제 1 금속층(330)에 형성될 각 증착 패턴부(350)의 대응되는 영역에 복수의 슬릿(351)을 패턴화시키게 된다. 또한, 상기 글래스 마스크(310)의 제 2 면(312)에는 상기 증착 영역(320)보다 더 큰 개구를 가지도록 제 2 금속층(340)을 에칭하게 된다.
이어서, 도 8d에 도시된 바와 같이, 상기 글래스 마스크(310)의 일부를 제거하여 상기 증착 영역(320)의 대응되는 영역에 개구(313)를 형성하게 된다. 에칭 공정시, 에칭액은 상기 글래스 마스크(310)의 제 2 면(312)으로부터 상기 글래스 마스크(310)를 에칭하게 된다. 상기 글래스 마스크(310)의 제 2 면(312)에는 상기 증착 영역(320)보다 더 큰 개구를 가지는 제 2 금속층(340)이 패턴화되어 있으므로, 에칭액은 상기 제 2 금속층(340)이 에칭된 영역을 통하여 상기 증착 영역(320)의 크기보다 더 큰 개구(313)를 형성할 수 있다. 에칭 속도를 조절하는 것에 의하여, 상기 글래스 마스크(310)의 제 2 면(312)에서의 개구(313)의 제 2 간격(d2)은 상기 글래스 마스크(310)의 제 1 면(311)에서의 개구(313)의 제 1 간격(d1)보다 넓게 형성될 수 있다.
게다가, 이웃하는 증착 영역(320) 사이는 상기 글래스 마스크(310)의 부분들을 서로 연결하기 위한 제 1 리브(361) 및 제 2 리브(362)에 의하여 서로 연결된다.
100...디스플레이 장치 101...기판
300...마스크 어셈블리 310...글래스 마스크
311...제 1 면 312...제 2 면
313...개구 314...내주벽
320...증착 영역 330...제 1 금속층
340...제 2 금속층 350...증착 패턴부
351...슬릿 360...리브
300...마스크 어셈블리 310...글래스 마스크
311...제 1 면 312...제 2 면
313...개구 314...내주벽
320...증착 영역 330...제 1 금속층
340...제 2 금속층 350...증착 패턴부
351...슬릿 360...리브
Claims (20)
- 제 1 면과, 상기 제 1 면에 반대되는 제 2 면을 가지는 글래스 마스크;
상기 글래스 마스크의 제 1 면에 패턴화된 제 1 금속층; 및
상기 글래스 마스크의 제 2 면에 패턴화된 제 2 금속층;을 포함하되,
상기 글래스 마스크에는 복수의 증착 영역이 배치되며,
상기 복수의 증착 영역에는 복수의 슬릿을 가지는 복수의 증착 패턴부가 각각 패턴화되며,
상기 복수의 증착 영역은 상기 글래스 마스크를 관통한 복수의 개구에 각각 배치되고, 상기 글래스 마스크에 이격되게 배치되며,
상기 제 1 금속층은 상기 복수의 증착 패턴부의 각 증착 패턴부를 정의하는 복수의 제 1 개구를 구비하며,
상기 제 2 금속층은 상기 글래스 마스크의 제 2 면에서의 상기 복수의 개구에 각각 대응하는 복수의 제 2 개구를 구비하며,
상기 복수의 제 2 개구 각각의 크기는 상기 복수의 제 1 개구 각각의 크기보다 더 큰 박막 증착용 마스크 어셈블리. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 증착 영역은 증착 물질이 증착되는 대상물인 기판의 액티브 영역에 대응되며, 상기 각 증착 패턴부의 복수의 슬릿 패턴은 상기 액티브 영역에 패턴화된 복수의 발광층 패턴에 대응되는 박막 증착용 마스크 어셈블리. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 금속층은 상기 글래스 마스크의 제 1 면으로부터 상기 증착 영역으로 연장되며, 복수의 슬릿은 상기 증착 영역에 대응되는 제 1 금속층에 패턴화된 박막 증착용 마스크 어셈블리. - 제 1 항에 있어서,
상기 글래스 마스크의 제 2 면에서의 개구의 크기는 상기 글래스 마스크의 제 1 면에서의 개구의 크기보다 큰 박막 증착용 마스크 어셈블리. - 제 5 항에 있어서,
상기 글래스 마스크의 제 1 면에서의 개구의 크기는 상기 증착 영역의 크기에 대응되는 박막 증착용 마스크 어셈블리. - 제 5 항에 있어서,
상기 글래스 마스크의 제 2 면에서의 개구의 제 2 간격은 상기 글래스 마스크의 제 1 면에서의 개구의 제 1 간격보다 넓은 박막 증착용 마스크 어셈블리. - 제 6 항에 있어서,
상기 개구를 둘러싸는 글래스 마스크의 내주벽은 경사지게 배치된 박막 증착용 마스크 어셈블리. - 제 8 항에 있어서,
상기 글래스 마스크의 내주벽의 간격은 상기 글래스 마스크의 제 1 면으로부터 제 2 면으로 갈수록 넓어지는 박막 증착용 마스크 어셈블리. - 제 1 항에 있어서,
이웃하는 증착 영역 사이에는 상기 글래스 마스크의 부분들을 서로 연결하는 리브가 배치된 박막 증착용 마스크 어셈블리. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 금속층은 복수의 도전층이 적층된 구조인 박막 증착용 마스크 어셈블리. - 제 1 항에 있어서,
상기 글래스 마스크의 제 1 면은 증착 물질이 증착되는 대상물인 기판이 마주보는 면이며, 상기 글래스 마스크의 제 2 면은 증착원으로부터 방출된 증착 물질이 입사되는 면인 박막 증착용 마스크 어셈블리. - 제 1 항에 있어서,
상기 글래스 마스크의 하부에는 서포트 스틱이 더 배치된 박막 증착용 마스크 어셈블리. - 제 1 항에 있어서,
상기 글래스 마스크는 복수의 증착 영역에 복수의 증착 패턴부가 배치된 원장 마스크인 박막 증착용 마스크 어셈블리. - 제 1 항에 있어서,
상기 글래스 마스크는 복수의 스틱 마스크를 포함하며,
각 스틱 마스크에는 복수의 증착 영역에 복수의 증착 패턴부가 배치된 박막 증착용 마스크 어셈블리. - 글래스 마스크를 준비하는 단계;
상기 글래스 마스크의 제 1 면에 제 1 금속층을 형성하는 단계;
상기 글래스 마스크의 제 2 면에 제 2 금속층을 형성하는 단계;
상기 제 1 금속층을 에칭하여 상기 제 1 금속층에 형성될 각 증착 패턴부의 대응 영역에 복수의 슬릿을 패턴화하는 단계;
증착 영역보다 더 큰 개구를 가지도록 상기 제 2 금속층을 에칭하는 단계; 및
상기 글래스 마스크의 일부를 제거하여서, 상기 증착 패턴부가 패턴화된 증착 영역의 대응되는 영역에 개구를 형성하는 단계;를 포함하는 박막 증착용 마스크 어셈블리의 제조 방법. - 삭제
- 제 16 항에 있어서,
상기 제 1 금속층 및 제 2 금속층은 도금, 또는, 스퍼터링에 의하여 패턴화되는 박막 증착용 마스크 어셈블리. - 제 16 항에 있어서,
상기 글래스 마스크의 제 2 면으로부터 상기 글래스 마스크를 에칭하여, 상기 제 2 금속층이 에칭된 영역을 통하여 상기 증착 영역의 크기보다 더 큰 개구를 형성하는 박막 증착용 마스크 어셈블리의 제조 방법. - 제 19 항에 있어서,
이웃하는 증착 영역을 둘러싸는 글래스 마스크의 부분들은 서로 연결하는 박막 증착용 마스크 어셈블리의 제조 방법.
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CN110783493A (zh) * | 2018-07-26 | 2020-02-11 | 永恒光实业股份有限公司 | 掩模结构及其制造方法及工作件加工*** |
KR102669513B1 (ko) * | 2018-11-05 | 2024-05-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 캐리어, 이를 포함하는 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
CN109440061B (zh) * | 2018-11-12 | 2021-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板、掩膜装置、掩膜板的制备方法 |
KR20200106589A (ko) | 2019-03-04 | 2020-09-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
US11557635B2 (en) * | 2019-12-10 | 2023-01-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device, mask assembly, and apparatus for manufacturing the display device |
KR102497695B1 (ko) * | 2020-05-19 | 2023-02-10 | 주식회사 오플렉스 | 대면적 증착 마스크, 마스크 프레임 어셈블리, 및 이를 이용하여 제조된 유기 발광 다이오드 소자 |
JPWO2023145951A1 (ko) * | 2022-01-31 | 2023-08-03 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006188732A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Seiko Epson Corp | マスク、マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
US20090151630A1 (en) | 2006-05-10 | 2009-06-18 | Advantech Global, Ltd. | Tensioned aperture mask and method of mounting |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002220656A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-08-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 蒸着用マスクおよびその製造方法 |
KR20020082962A (ko) | 2001-04-24 | 2002-11-01 | 오리온전기 주식회사 | 칼라음극선관용 새도우 마스크 |
KR100418035B1 (ko) | 2001-05-31 | 2004-02-11 | 엘지전자 주식회사 | 개선된 새도우마스크를 가지는 평면 브라운관 |
KR20030081736A (ko) | 2002-04-12 | 2003-10-22 | 엘지전자 주식회사 | 글래스 쉐도우 마스크 및 그를 이용한 유기 el 표시소자 |
KR100813832B1 (ko) * | 2002-05-31 | 2008-03-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 증착용 마스크 프레임 조립체와 이의 제조방법 |
KR20050038386A (ko) | 2003-10-22 | 2005-04-27 | 주식회사 멤스웨어 | 유기 전계발광소자용 섀도우 마스크 및 그 제조방법 |
JP4870963B2 (ja) | 2004-10-19 | 2012-02-08 | 株式会社ブリヂストン | 電磁波シールド性光透過窓材の製造方法及びその方法に用いられるメッキ装置 |
KR100971753B1 (ko) | 2007-11-23 | 2010-07-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판 표시장치의 박막 증착용 마스크 조립체 |
KR101015841B1 (ko) | 2008-03-13 | 2011-02-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 마스크 프레임 조립체 |
KR101450903B1 (ko) | 2008-05-29 | 2014-10-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판표시장치의 박막 증착용 마스크 |
KR101117645B1 (ko) * | 2009-02-05 | 2012-03-05 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 마스크 조립체 및 이를 이용한 평판표시장치용 증착 장치 |
KR101135544B1 (ko) * | 2009-09-22 | 2012-04-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 마스크 조립체, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 평판표시장치용 증착 장치 |
KR101833234B1 (ko) * | 2011-06-21 | 2018-03-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착용 마스크 프레임 어셈블리 |
KR101480113B1 (ko) | 2013-05-08 | 2015-01-07 | (주)화인솔루션 | 유기 발광 소자 제조용 마스크 및 그 제조 방법 |
KR102273049B1 (ko) * | 2014-07-04 | 2021-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착용 마스크 프레임 어셈블리 |
KR102273050B1 (ko) | 2014-09-17 | 2021-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착용 마스크 어셈블를 포함하는 증착 장치 및 증착 방법 |
-
2016
- 2016-06-24 KR KR1020160079281A patent/KR102616578B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-06-22 US US15/630,206 patent/US10266935B2/en active Active
- 2017-06-26 CN CN201710491660.8A patent/CN107541698B/zh active Active
-
2019
- 2019-03-14 US US16/352,832 patent/US10626492B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006188732A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Seiko Epson Corp | マスク、マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
US20090151630A1 (en) | 2006-05-10 | 2009-06-18 | Advantech Global, Ltd. | Tensioned aperture mask and method of mounting |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10626492B2 (en) | 2020-04-21 |
US10266935B2 (en) | 2019-04-23 |
KR20180001639A (ko) | 2018-01-05 |
CN107541698A (zh) | 2018-01-05 |
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US20170369983A1 (en) | 2017-12-28 |
US20190233932A1 (en) | 2019-08-01 |
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