KR102597940B1 - Tape expansion apparatus and tape expansion method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 익스팬드 테이프를 확장하여 웨이퍼의 분할을 행하는 가공에 있어서, 엣지 치핑 등을 억제한 양호한 분할을 실현하는 것을 과제로 한다.
환형 프레임(11)에 장착된 익스팬드 테이프(12)를 확장시켜 웨이퍼(13)를 분할하는 테이프 확장 장치에 있어서, 익스팬드 테이프에 점착된 웨이퍼가 연직 하향을 향한 상태로 환형 프레임을 상면에 유지하는 프레임 유지 수단(22)과, 프레임 유지 수단과 웨이퍼의 바깥 둘레 가장자리 사이에서 익스팬드 테이프를 상방으로부터 환형으로 압박하여 확장하여, 분할 기점(15)을 따라 웨이퍼를 분할하는 압박 수단(23)과, 압박 수단의 안쪽 둘레측에 승강 가능하게 배치되어, 익스팬드 테이프를 통해 웨이퍼 전체면에 걸쳐 접촉하는 접촉면에 흡인 구멍을 갖는 냉각 테이블(24)과, 프레임 유지 수단과 웨이퍼의 바깥 둘레 가장자리 사이에서 신장한 익스팬드 테이프를 가열하여 수축시키는 가열 수단(27)을 구비한다.The object of the present invention is to achieve good division with suppressed edge chipping, etc. in a process of dividing a wafer by expanding an expand tape.
In the tape expansion device that divides the wafer 13 by expanding the expand tape 12 mounted on the annular frame 11, the annular frame is maintained on the upper surface with the wafer adhered to the expand tape facing vertically downward. a frame holding means 22 that presses and expands the expand tape annularly from above between the frame holding means and the outer peripheral edge of the wafer, and a pressing means 23 that divides the wafer along the division starting point 15; , a cooling table 24 disposed to be able to be raised and lowered on the inner peripheral side of the pressing means and having a suction hole on the contact surface that contacts the entire surface of the wafer through the expand tape, and between the frame holding means and the outer peripheral edge of the wafer. A heating means 27 is provided to heat the expanded expand tape and shrink it.

Description

테이프 확장 장치 및 테이프 확장 방법{TAPE EXPANSION APPARATUS AND TAPE EXPANSION METHOD}Tape expansion device and tape expansion method {TAPE EXPANSION APPARATUS AND TAPE EXPANSION METHOD}

본 발명은 접착 필름(DAF: Die Attach Film)이 점착된 반도체 웨이퍼 등의 판형의 피가공물을 다수의 반도체 칩 등으로 분할할 때에 이용하는 테이프 확장 장치 및 테이프 확장 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a tape expansion device and a tape expansion method used when dividing a plate-shaped workpiece, such as a semiconductor wafer, to which an adhesive film (DAF: Die Attach Film) is attached, into a plurality of semiconductor chips.

반도체 디바이스 제조 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼 등의 판형의 피가공물을 분할하는 분할 장치가 이용된다. 이 종류의 분할 장치로서, 피가공물의 내부에 분할 예정 라인을 따르는 개질층을 레이저 가공에 의해 연속적으로 형성하고, 외력을 가함으로써, 강도가 저하하고 있는 개질층을 기점으로 하여 피가공물을 분할하는 것이 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).In the semiconductor device manufacturing process, a dividing device is used to divide a plate-shaped workpiece such as a semiconductor wafer. In this type of splitting device, a modified layer along a line scheduled to be divided is continuously formed inside the workpiece by laser processing, and an external force is applied to divide the workpiece using the modified layer whose strength is decreasing as a starting point. This is known (for example, see Patent Document 1).

피가공물의 분할 시에 외력을 가하는 수단으로서, 피가공물의 이면에 점착한 익스팬드 테이프를 확장시키는 테이프 확장 장치가 알려져 있다. 익스팬드 테이프의 확장에 의해 피가공물에 대하여 확장 방향의 힘이 가해져, 피가공물이 분할 예정 라인을 따라 파단된다. 이 종류의 확장 장치에서, 익스팬드 테이프의 점착제를 냉각 경화시킨 상태로 익스팬드 테이프의 확장과 피가공물의 분할을 행하고, 계속해서, 가열 수단에 반송하여, 확장에 의해 늘어진 익스팬드 테이프를 가열하여 수축시키는 것이 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 2 참조). 특히, 다이 본딩용의 접착 필름인 DAF가 점착되어 있는 피가공물에서는, 냉각에 의해 DAF를 경화시킴으로써, 익스팬드 테이프 확장 시의 분할 효율이 현저히 향상한다.As a means of applying an external force when dividing a workpiece, a tape expansion device that expands an expand tape adhered to the back side of the workpiece is known. As the expand tape expands, a force in the expansion direction is applied to the workpiece, causing the workpiece to break along the line along which it is scheduled to be divided. In this type of expansion device, the expand tape is expanded and the workpiece is divided in a state in which the adhesive of the expand tape is cooled and hardened, and then the expand tape is conveyed to a heating means and the expanded tape stretched by the expansion is heated. It is known to cause shrinkage (for example, see Patent Document 2). In particular, in the case of a workpiece to which DAF, an adhesive film for die bonding, is adhered, the division efficiency when expanding the expand tape is significantly improved by hardening the DAF by cooling.

특허문헌 1: 일본 특허 제3408805호 공보Patent Document 1: Japanese Patent No. 3408805 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2010-206136호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Publication No. 2010-206136

상기와 같은 익스팬드 테이프의 확장 장치나 확장 방법에서는, 피가공물의 분할 후에 익스팬드 테이프가 늘어진 상태로 가열 수단까지 반송되기 때문에, 분리된 상태의 디바이스(반도체 칩 등)가 반송 시에 움직여 상호 간섭하여, 엣지 치핑이 발생하여 버릴 우려가 있었다.In the expansion device or expansion method of the expand tape described above, the expand tape is transported to the heating means in a stretched state after the workpiece is divided, so the separated devices (semiconductor chips, etc.) move during transportation and cause mutual interference. Therefore, there was a risk of edge chipping occurring and being discarded.

본 발명은 이러한 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 익스팬드 테이프를 확장하여 웨이퍼의 분할을 행하는 테이프 확장 장치 및 테이프 확장 방법으로, 엣지 치핑 등을 억제한 양호한 분할을 실현하는 것을 목적으로 한다.The present invention was made in view of these problems, and is a tape expansion device and tape expansion method for dividing a wafer by expanding an expand tape, and aims to realize good division with suppressed edge chipping, etc.

본 발명은 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 영역에 복수의 디바이스가 형성된 웨이퍼가 점착되며 바깥 둘레부가 환형 프레임에 장착된 익스팬드 테이프를 확장하기 위한 테이프 확장 장치로서, 익스팬드 테이프에 점착된 웨이퍼가 연직 하향을 향한 상태로 환형 프레임을 상면에 유지하는 프레임 유지 수단과, 프레임 유지 수단과 웨이퍼의 바깥 둘레 가장자리 사이에서 익스팬드 테이프를 상방으로부터 환형으로 압박하여 확장하여, 분할 기점을 따라 웨이퍼를 분할하는 압박 수단과, 환형의 압박 수단의 안쪽 둘레측에 승강 가능하게 배치되어, 익스팬드 테이프를 통해 웨이퍼 전체면에 걸쳐 접촉하는 접촉면에 흡인 구멍을 갖는 냉각 테이블과, 프레임 유지 수단과 웨이퍼의 바깥 둘레 가장자리 사이에서 신장한 익스팬드 테이프를 가열하여 수축시키는 가열 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.The present invention is a tape expansion device for expanding an expand tape in which a wafer on which a plurality of devices is formed is adhered to an area divided by a plurality of division lines and the outer circumference is mounted on an annular frame. The wafer adhered to the expand tape is provided. a frame holding means for holding the annular frame on the upper surface in a vertically downward direction; an expand tape is pressed and expanded annularly from above between the frame holding means and the outer peripheral edge of the wafer to divide the wafer along the division starting point; a cooling table disposed on the inner circumferential side of the annular pressing means so as to be capable of being raised and lowered and having a suction hole on the contact surface that contacts the entire surface of the wafer via an expand tape, a frame holding means and an outer circumference of the wafer; It is characterized by comprising a heating means for heating and shrinking the expanded tape stretched between the edges.

본 발명은 또한, 상기 테이프 확장 장치를 이용하는 테이프 확장 방법으로서, 웨이퍼가 연직 하향을 향한 상태로, 냉각 테이블의 접촉면의 하방에 익스팬드 테이프의 이면이 위치하도록 환형 프레임을 유지하는 유지 단계와, 유지 단계를 실시한 후에, 냉각 테이블의 접촉면에 익스팬드 테이프의 이면을 접촉시켜, 흡인 구멍에 흡인력을 작용시켜 익스팬드 테이프를 냉각하는 익스팬드 테이프 냉각 단계와, 프레임 유지 수단과 압박 수단을 상대 이동시켜 익스팬드 테이프를 확장하는 익스팬드 테이프 확장 단계와, 냉각 테이블의 접촉면을 익스팬드 테이프 이면에 접촉시켜 흡인 구멍에 흡인력을 작용시킨 상태로, 프레임 유지 수단과 웨이퍼의 바깥 둘레 가장자리 사이에서 신장한 익스팬드 테이프를 가열 수단에 의해 가열하여 수축시키는 가열 단계를 갖는 것을 특징으로 한다.The present invention also provides a tape expansion method using the tape expansion device, comprising the steps of maintaining the annular frame so that the back side of the expanded tape is positioned below the contact surface of the cooling table with the wafer facing vertically downward; After performing the step, the expand tape cooling step is to cool the expand tape by bringing the back side of the expand tape into contact with the contact surface of the cooling table and applying a suction force to the suction hole, and moving the frame holding means and pressing means relative to each other to expand the expand tape. An expand tape expansion step of expanding the expand tape, and an expand tape stretched between the frame holding means and the outer peripheral edge of the wafer with the contact surface of the cooling table in contact with the back side of the expand tape and applying suction force to the suction hole. It is characterized by having a heating step of shrinking by heating by a heating means.

이상의 테이프 확장 장치 및 테이프 확장 방법에 따르면, 냉각 테이블에 의해 익스팬드 테이프를 냉각시켜 웨이퍼를 분할하는 공정부터, 익스팬드 테이프의 늘어짐을 가열 수축으로 감소시키는 공정까지를, 냉각 테이블이나 프레임 유지 수단을 구비하는 공통의 스테이지에서 행한다. 그 때문에, 익스팬드 테이프가 늘어진 상태에서의 웨이퍼의 반송을 행하지 않아도 되어, 엣지 치핑 등의 원인이 되는 디바이스의 움직임을 극력 억제할 수 있다. 또한, 익스팬드 테이프에 대한 냉각 분할용과 가열 수축용의 스테이지를 공통으로 함으로써 장치의 풋프린트를 작게 할 수 있어, 스페이스 효율의 향상을 도모할 수 있다.According to the above tape expansion device and tape expansion method, from the step of dividing the wafer by cooling the expand tape using a cooling table to the step of reducing the sagging of the expand tape by heat shrinkage, the cooling table or frame holding means are used. It is performed on a common stage provided. Therefore, there is no need to transport the wafer while the expand tape is stretched, and movement of the device that causes edge chipping can be suppressed as much as possible. Additionally, by sharing the stages for cooling and dividing the expanded tape and heating and shrinking, the footprint of the device can be reduced and space efficiency can be improved.

이상과 같이, 본 발명의 테이프 확장 장치 및 테이프 확장 방법에 따르면, 웨이퍼에 대하여, 엣지 치핑 등을 억제한 양호한 분할을 실현할 수 있다.As described above, according to the tape expansion device and tape expansion method of the present invention, it is possible to achieve good division of the wafer with edge chipping suppressed.

도 1은 본 실시형태의 테이프 확장 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 테이프 확장 장치에 의한 유지 단계와 익스팬드 테이프 냉각 단계를 나타내는 단면도이다.
도 3은 테이프 확장 장치에 의한 익스팬드 테이프 냉각 단계를 나타내는 단면도이다.
도 4는 테이프 확장 장치에 의한 익스팬드 테이프 확장 단계를 나타내는 단면도이다.
도 5는 테이프 확장 장치에 의한 가열 단계를 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 1의 VI-VI선을 따르는 위치에서 테이프 확장 장치를 상면에서 본 도면이다.1 is a cross-sectional view showing the tape expansion device of this embodiment.
Figure 2 is a cross-sectional view showing the holding step and the expanded tape cooling step by the tape expansion device.
Figure 3 is a cross-sectional view showing the expansion tape cooling step by the tape expansion device.
Figure 4 is a cross-sectional view showing the expand tape expansion step by the tape expansion device.
Figure 5 is a cross-sectional view showing the heating step by the tape expansion device.
FIG. 6 is a top view of the tape expansion device from a position along line VI-VI in FIG. 1.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 실시형태에 따른 테이프 확장 장치 및 테이프 확장 방법에 대해서 설명한다. 도 1 내지 도 5는 테이프 확장 장치에 있어서의 각 공정을 순서대로 나타낸 것이고, 도 6은 테이프 확장 장치의 일부의 구성 요소를 상면에서 본 것이다. 이하의 설명에서는, 연직 상향의 방향을 상방, 연직 하향의 방향을 하방으로 한다. 또한, 테이프 확장 장치는 이 구성에 한정되는 것이 아니고, 발명의 요지의 범위 내에서 적절하게 변경하는 것이 가능하다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a tape expansion device and a tape expansion method according to this embodiment will be described. Figures 1 to 5 show each process in the tape expansion device in order, and Figure 6 is a top view of some components of the tape expansion device. In the following description, the vertically upward direction is assumed to be upward, and the vertically downward direction is assumed to be downward. Additionally, the tape expansion device is not limited to this configuration and can be appropriately modified within the scope of the gist of the invention.

본 실시형태의 테이프 확장 장치(20)는, 웨이퍼 유닛(10)을 구성하는 환형 프레임(11)을 유지하고, 환형 프레임(11)이 지지하는 익스팬드 테이프(12)를 확장시킴으로써, 익스팬드 테이프(12)에 점착된 DAF(Die Attach Film)(17) 및 웨이퍼(13)를 분할시키는 것이다. DAF(17)는 점착성을 갖는 접착 필름이고, 웨이퍼(13)의 이면측에 적층되어 있다. 웨이퍼(13)는 DAF(17)를 통해 익스팬드 테이프(12)에 점착된다. 익스팬드 테이프(12) 중 웨이퍼(13) 및 DAF(17)가 지지되는 측을 표면, 그 반대측을 이면으로 한다.The tape expansion device 20 of the present embodiment holds the annular frame 11 constituting the wafer unit 10 and expands the expand tape 12 supported by the annular frame 11, thereby expanding the expand tape 12. The DAF (Die Attach Film) 17 and the wafer 13 attached to (12) are divided. DAF 17 is an adhesive film with adhesive properties, and is laminated on the back side of the wafer 13. The wafer 13 is adhered to the expand tape 12 through the DAF 17. The side of the expand tape 12 on which the wafer 13 and the DAF 17 are supported is the front side, and the opposite side is the back side.

환형 프레임(11)은 금속으로 형성된 환형체이고, 환형 프레임(11)의 중앙에는, 탄성 변형 가능한 익스팬드 테이프(12)에 의해 덮어지는 원형상의 개구(14)가 형성되어 있다. 익스팬드 테이프(12)의 바깥 둘레 부분이 환형 프레임(11)의 이면측에 고정되어 있고, 환형 프레임(11)과 중첩되지 않는 개구(14)의 내측 영역에서, 익스팬드 테이프(12)가 웨이퍼(13)의 이면측의 DAF(17)에 점착되어 있다. 웨이퍼(13)의 바깥 둘레 가장자리와 환형 프레임(11)의 안쪽 둘레 가장자리[개구(14)의 가장자리부] 사이에 직경 방향의 간극이 있다.The annular frame 11 is a circular body made of metal, and a circular opening 14 is formed in the center of the annular frame 11, which is covered by an elastically deformable expand tape 12. The outer peripheral portion of the expand tape 12 is fixed to the back side of the annular frame 11, and in the inner area of the opening 14 that does not overlap the annular frame 11, the expand tape 12 is attached to the wafer. It is adhered to the DAF (17) on the back side of (13). There is a radial gap between the outer peripheral edge of the wafer 13 and the inner peripheral edge of the annular frame 11 (edge portion of the opening 14).

웨이퍼(13)는 반도체 디바이스 웨이퍼 등이다. 웨이퍼(13)의 표면에는 격자형으로 교차하는 복수의 분할 예정 라인(도시 생략)이 마련되어 있고, 분할 예정 라인에 의해 구획된 각 영역에 반도체 칩 등의 디바이스가 형성되어 있다. 또한, 웨이퍼(13)의 내부에는, 분할 예정 라인을 따라 분할 기점이 되는 개질층(15)(도 1 내지 도 3 참조)이 형성되어 있다. 개질층(15)은, 레이저의 조사에 의해 웨이퍼(13)의 내부의 밀도, 굴절률, 기계적 강도나 그 밖의 물리적 특성이 주위와 상이한 상태가 되어, 주위보다 강도가 저하한 영역이다. 또한, 본 실시형태에서는 분할 기점으로서 개질층(15)을 예시하지만, 분할 기점은 웨이퍼(13)의 강도를 저하시켜 분할 시의 기점이 되면 좋고, 예컨대, 레이저 가공홈, 절삭홈, 스크라이브 라인이어도 좋다.The wafer 13 is a semiconductor device wafer or the like. A plurality of division lines (not shown) that intersect in a grid are provided on the surface of the wafer 13, and devices such as semiconductor chips are formed in each area partitioned by the division lines. Additionally, inside the wafer 13, a modified layer 15 (see FIGS. 1 to 3) serving as a division starting point is formed along the division line. The modified layer 15 is a region where the density, refractive index, mechanical strength and other physical properties inside the wafer 13 are different from those of the surrounding area due to laser irradiation, and the intensity is lower than that of the surrounding area. In addition, in this embodiment, the modified layer 15 is exemplified as the starting point of division, but the starting point of division may be a starting point for division by lowering the strength of the wafer 13, and may be, for example, a laser processing groove, a cutting groove, or a scribing line. good night.

도 1 내지 도 5에 나타내는 바와 같이, 테이프 확장 장치(20)는, 베이스(21)와, 프레임 유지 수단(22)과, 압박 수단(23)과, 냉각 테이블(24)과, 가배치 스테이지(25)와, 프레임 파지 갈고리(26)와, 가열 수단(27)을 구비하고 있다. 베이스(21)는 테이프 확장 장치(20)의 각 부분을 지지하는 비가동 부분이고, 도 1 내지 도 5에 나타내는 상방 베이스부(21A)와 하방 베이스부(21B)는 베이스(21) 전체의 일부를 구성하는 것이다.1 to 5, the tape expansion device 20 includes a base 21, a frame holding means 22, a pressing means 23, a cooling table 24, and a provisional stage ( 25), a frame gripping hook 26, and a heating means 27. The base 21 is a non-movable part that supports each part of the tape expansion device 20, and the upper base portion 21A and lower base portion 21B shown in FIGS. 1 to 5 are parts of the entire base 21. It constitutes.

프레임 유지 수단(22)은, 웨이퍼 유닛(10)의 환형 프레임(11)을 하방으로부터 유지 가능한 상면(30)과, 환형 프레임(11)의 개구(14)에 대응하는 크기의 개구(31)를 구비한 환형의 형상을 가지고 있다. 프레임 유지 수단(22)은, 승강 구동 기구(32)를 통해 상하 방향으로 승강 가능하게 지지되어 있다. 승강 구동 기구(32)는 하방 베이스부(21B)에 지지되어 있고, 상방을 향하여 연장된 지지 로드(33)의 선단에 프레임 유지 수단(22)을 지지하고 있다. 승강 구동 기구(32)에 내장한 모터나 액츄에이터의 구동에 의해 지지 로드(33)의 돌출량을 변화시켜, 프레임 유지 수단(22)을 승강시킬 수 있다.The frame holding means 22 has an upper surface 30 capable of holding the annular frame 11 of the wafer unit 10 from below, and an opening 31 of a size corresponding to the opening 14 of the annular frame 11. It has a circular shape. The frame holding means 22 is supported so as to be able to be raised and lowered in the vertical direction through a lift drive mechanism 32 . The lifting drive mechanism 32 is supported on the lower base portion 21B, and supports the frame holding means 22 at the tip of a support rod 33 extending upward. The frame holding means 22 can be raised and lowered by changing the protruding amount of the support rod 33 by driving a motor or actuator built into the lifting drive mechanism 32.

압박 수단(23)은 웨이퍼(13)보다 대직경이며 또한 환형 프레임(11)의 개구(14)의 안쪽 둘레 가장자리보다 소직경인 환형의 형상을 가지고, 선단을 하방을 향하여 상방 베이스부(21A)에 지지되어 있다. 압박 수단(23)은 상방 베이스부(21A)에 대하여 고정되어 있고, 상하 방향으로의 이동을 행하지 않는다. 압박 수단(23)의 하면(선단)에는, 복수의 롤러(35)가 전체 둘레에 걸쳐 회전 가능하게 마련되어 있다.The pressing means 23 has an annular shape with a larger diameter than the wafer 13 and a smaller diameter than the inner peripheral edge of the opening 14 of the annular frame 11, and has its tip directed downward to the upper base portion 21A. It is supported. The pressing means 23 is fixed to the upper base portion 21A and does not move in the vertical direction. On the lower surface (tip) of the pressing means 23, a plurality of rollers 35 are provided so as to be rotatable over the entire circumference.

냉각 테이블(24)은 환형의 압박 수단(23)의 안쪽 둘레측에 위치하고 있고, 상측에 위치하는 상부 지지체(36)와, 하측에 위치하는 하부 지지체(37)를 중첩하여 구성되어 있다. 도 1 중에 냉각 테이블(24)의 일부를 확대하여 나타내었다. 상부 지지체(36)의 하면에는, 하방을 향하여 돌출하는 원환형의 돌출부인 환형 돌출부(36a)가 형성되어 있다. 환형 돌출부(36a)의 안쪽 둘레측에는 원형상의 오목부(36b)가 형성되어 있다. 상부 지지체(36)와 하부 지지체(37)는, 환형 돌출부(36a)를 하부 지지체(37)의 상면에 접촉시킨 상태로 조합된다. 오목부(36b)가 존재하는 직경 방향의 중앙 부분에서는, 상부 지지체(36)와 하부 지지체(37)가 서로 이격하여 간극이 형성된다.The cooling table 24 is located on the inner circumferential side of the annular pressing means 23, and is configured by overlapping an upper support body 36 located above and a lower support body 37 located below. In Figure 1, a part of the cooling table 24 is shown in an enlarged scale. An annular protrusion 36a, which is an annular protrusion protruding downward, is formed on the lower surface of the upper support body 36. A circular concave portion 36b is formed on the inner circumferential side of the annular protruding portion 36a. The upper support body 36 and the lower support body 37 are combined with the annular protrusion 36a in contact with the upper surface of the lower support body 37. In the radial central portion where the concave portion 36b exists, the upper support body 36 and the lower support body 37 are spaced apart from each other, forming a gap.

냉각 테이블(24)에 있어서의 하부 지지체(37)의 하면측에는 판형 메쉬재(38)가 마련된다. 판형 메쉬재(38)의 직경은 웨이퍼(13)의 직경과 대략 동일하고, 판형 메쉬재(38)의 전체에 복수의 미세한 흡인 구멍(38a)[도 1에 있어서의 냉각 테이블(24)의 확대 부분을 참조]이 형성되어 있다. 또한, 하부 지지체(37)의 하면에는, 판형 메쉬재(38)의 바깥 둘레측의 영역에, 환형의 흡인홈(39)이 형성되어 있다.A plate-shaped mesh material 38 is provided on the lower surface side of the lower support body 37 in the cooling table 24. The diameter of the plate-shaped mesh material 38 is approximately the same as the diameter of the wafer 13, and a plurality of fine suction holes 38a are formed throughout the plate-shaped mesh material 38 (enlarged view of the cooling table 24 in FIG. 1 [see section] is formed. Additionally, on the lower surface of the lower support body 37, an annular suction groove 39 is formed in an area on the outer peripheral side of the plate-shaped mesh material 38.

냉각 테이블(24)을 구성하는 상부 지지체(36)와 하부 지지체(37)와 판형 메쉬재(38)는 각각 열 전도성이 우수한 금속에 의해 형성된다. 본 실시형태에 있어서의 상부 지지체(36)와 하부 지지체(37)는 알루미늄으로 형성되고, 판형 메쉬재(38)는 스테인리스강재로 형성되어 있다. 또한, 냉각 테이블(24)을 구성하는 각 부의 재질은 이에 한정되는 것이 아니다.The upper support body 36, the lower support body 37, and the plate-shaped mesh material 38 constituting the cooling table 24 are each made of metal with excellent thermal conductivity. In this embodiment, the upper support body 36 and the lower support body 37 are formed of aluminum, and the plate-shaped mesh material 38 is formed of stainless steel material. Additionally, the material of each part constituting the cooling table 24 is not limited to this.

냉각 테이블(24)의 하면(접촉면)측에 흡인력을 작용시키는 흡인 수단(40)과 흡인 수단(41)을 구비한다. 흡인 수단(40)은, 흡인원(40a)으로부터 판형 메쉬재(38)까지 계속되는 흡인로를 가지고, 그 흡인로의 도중에 제어 밸브(40b)를 구비하고 있다. 흡인원(40a)을 구동시켜 제어 밸브(40b)를 연통 상태로 만들면, 판형 메쉬재(38)의 복수의 흡인 구멍(38a)에 흡인력이 작용한다. 제어 밸브(40b)를 비연통 상태로 하면, 판형 메쉬재(38)의 흡인 구멍(38a)에는 흡인력이 작용하지 않게 된다. 흡인 수단(41)은, 흡인원(41a)으로부터 흡인홈(39)까지 계속되는 흡인로를 가지고, 그 흡인로의 도중에 제어 밸브(41b)를 구비하고 있다. 흡인원(41a)을 구동시켜 제어 밸브(41b)를 연통 상태로 만들면, 흡인홈(39)에 흡인력이 작용한다. 제어 밸브(41b)를 비연통 상태로 하면, 흡인홈(39)에는 흡인력이 작용하지 않게 된다. 즉, 냉각 테이블(24)에서는 판형 메쉬재(38)와 흡인홈(39)에 대하여 개별로 흡인력의 온/오프를 행할 수 있다.A suction means 40 and a suction means 41 that apply a suction force to the lower surface (contact surface) side of the cooling table 24 are provided. The suction means 40 has a suction path extending from the suction source 40a to the plate-shaped mesh material 38, and is provided with a control valve 40b in the middle of the suction path. When the suction source 40a is driven to bring the control valve 40b into a communicating state, a suction force acts on the plurality of suction holes 38a of the plate-shaped mesh material 38. When the control valve 40b is placed in a non-communicating state, no suction force acts on the suction hole 38a of the plate-shaped mesh material 38. The suction means 41 has a suction path extending from the suction source 41a to the suction groove 39, and is provided with a control valve 41b in the middle of the suction path. When the suction source 41a is driven to bring the control valve 41b into a communicating state, a suction force acts on the suction groove 39. When the control valve 41b is placed in a non-communicating state, no suction force acts on the suction groove 39. That is, in the cooling table 24, the suction force can be individually turned on/off for the plate-shaped mesh material 38 and the suction groove 39.

냉각 테이블(24)은 냉각 수단(42)에 의해 냉각된다. 냉각 수단(42)은, 상부 지지체(36)의 상면 중앙에 접속하는 냉각 전달부(43)를 가지고, 냉각원(도시 생략)에 의해 냉각 전달부(43)를 냉각(저온) 상태로 만들 수 있다. 냉각 수단(42)에 있어서의 냉각원은 어떠한 것이어도 좋다. 예컨대, 냉각 방식으로서, 압축기를 이용하는 타입이나 펠티에 소자를 이용하는 타입 등을 적절하게 선택 가능하다. 또한, 냉각원을 마련하는 위치는, 냉각 전달부(43)의 상부여도 좋고, 냉각 전달부(43)로부터 떨어진 위치여도 좋다. 냉각 전달부(43)로부터 떨어진 위치에 냉각원을 배치하는 경우는, 냉각원으로부터 냉각 전달부(43)까지 관로를 통하여 냉기를 유도할 수 있다.The cooling table 24 is cooled by the cooling means 42 . The cooling means 42 has a cooling delivery unit 43 connected to the center of the upper surface of the upper support 36, and can put the cooling delivery unit 43 in a cooled (low temperature) state by a cooling source (not shown). there is. The cooling source in the cooling means 42 may be any type. For example, as a cooling method, a type using a compressor or a type using a Peltier element can be appropriately selected. Additionally, the location where the cooling source is provided may be the upper part of the cooling transmission unit 43 or may be a position away from the cooling transmission unit 43. When the cooling source is placed at a location away from the cooling transmission unit 43, cold air can be introduced from the cooling source to the cooling transmission unit 43 through a pipe.

냉각 수단(42)에 있어서 냉각 전달부(43)가 냉각되면, 냉각 전달부(43)가 접속하는 상부 지지체(36)의 중앙 부근으로부터 상부 지지체(36)의 바깥 둘레 방향을 향하여 방사형으로 냉각 상태가 전파되고, 상부 지지체(36)의 바깥 둘레 근처에 위치하는 환형 돌출부(36a)를 통하여 하부 지지체(37)에 냉각 상태가 전파된다. 하부 지지체(37)에서는 상부 지지체(36)와 반대로, 환형 돌출부(36a)에 접촉하고 있는 바깥 둘레측으로부터 중앙을 향하여 냉각 상태가 전파된다. 따라서, 냉각 테이블(24)에서는 직경 방향의 대략 전체를 균등하게 냉각시킬 수 있다. 하부 지지체(37)의 냉각에 따라, 하부 지지체(37)의 하면에 마련한 판형 메쉬재(38)도 냉각된다. 상부 지지체(36)와 하부 지지체(37)와 판형 메쉬재(38)는 각각 열 전도성이 우수한 금속으로 형성되어 있기 때문에, 신속하게 또한 효율적으로 냉각할 수 있다.When the cooling transmission unit 43 is cooled in the cooling means 42, it is cooled radially from the vicinity of the center of the upper support body 36 to which the cooling transmission unit 43 is connected toward the outer circumference of the upper support body 36. propagates, and the cooling state is propagated to the lower support 37 through the annular protrusion 36a located near the outer periphery of the upper support 36. In the lower support body 37, contrary to the upper support body 36, the cooling state propagates from the outer peripheral side in contact with the annular protrusion 36a toward the center. Therefore, the cooling table 24 can cool substantially the entire radial direction evenly. As the lower support 37 cools, the plate-shaped mesh material 38 provided on the lower surface of the lower support 37 also cools. Since the upper support body 36, the lower support body 37, and the plate-shaped mesh material 38 are each formed of metal with excellent thermal conductivity, they can be cooled quickly and efficiently.

냉각 테이블(24)은, 승강 구동 기구(50)를 통해 상하 방향으로 승강 가능하게 지지되어 있다. 승강 구동 기구(50)는 상방 베이스부(21A)의 하면측에 지지되어 있고, 하방을 향하여 연장된 지지 로드(51)의 선단에 냉각 테이블(24)을 지지하고 있다. 승강 구동 기구(50)에 내장한 모터나 액츄에이터의 구동에 의해 지지 로드(51)의 돌출량을 변화시켜, 냉각 테이블(24)을 승강시킬 수 있다. 냉각 테이블(24)을 상방으로 이동시키면, 도 4에 나타내는 바와 같이, 환형인 압박 수단(23)의 내측으로 냉각 테이블(24)이 인입되어, 판형 메쉬재(38)의 하면을 롤러(35)의 선단(하단)보다 상방에 위치시킬 수 있다. 냉각 수단(42)의 냉각 전달부(43)는, 냉각 테이블(24)과 함께 승강한다.The cooling table 24 is supported so as to be able to be raised and lowered in the vertical direction through a lift drive mechanism 50 . The lifting drive mechanism 50 is supported on the lower surface of the upper base portion 21A, and supports the cooling table 24 at the tip of a support rod 51 extending downward. The cooling table 24 can be raised and lowered by changing the protruding amount of the support rod 51 by driving a motor or actuator built into the lifting drive mechanism 50. When the cooling table 24 is moved upward, as shown in FIG. 4, the cooling table 24 is drawn inside the annular pressing means 23, and the lower surface of the plate-shaped mesh material 38 is pressed by the roller 35. It can be placed above the tip (bottom) of the. The cooling transmission portion 43 of the cooling means 42 moves up and down together with the cooling table 24 .

상하 방향에 있어서의 상방 베이스부(21A)와 하방 베이스부(21B) 사이의 위치에 한쌍의 가배치 스테이지(25)가 마련되어 있다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 각 가배치 스테이지(25)는, 수평 방향으로 연장되는 가늘고 긴 형상을 가지고 있고, 서로 대략 평행하게 배치되어 있다. 한쌍의 가배치 스테이지(25)는 각각, 스테이지 구동 기구(55)에 의해, 수평 방향과 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 도면에서는 스테이지 구동 기구(55)를 모식적으로 나타내고 있지만, 스테이지 구동 기구(55)는 수평 방향 구동용의 액츄에이터와 상하 방향 구동용의 액츄에이터 등을 구비하고 있다. 수평 방향의 이동에 의해 한쌍의 가배치 스테이지(25)의 간격이 변경되어, 도 1 및 도 6에 나타내는 접근 위치에 있는 한쌍의 가배치 스테이지(25) 상에, 웨이퍼 유닛(10)의 환형 프레임(11)을 지지할 수 있다. 각 가배치 스테이지(25)는 환형 프레임(11)의 바깥 가장자리부를 지지 가능한 상하 2단의 지지 단차부를 가지고 있다. 각 지지 단차부는 환형 프레임(11)을 하방으로부터 지지하는 지지면(25a, 25b)을 가지고 있고, 지지면(25a, 25b)의 측방에 상하 방향으로 연장되는 벽부(25c)가 형성되어 있다. 한쌍의 가배치 스테이지(25)의 벽부(25c) 사이에 환형 프레임(11)을 협지함으로써, 웨이퍼 유닛(10)의 수평 방향의 위치를 정할 수 있다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 프레임 유지 수단(22)은, 접근 위치에 있는 한쌍의 가배치 스테이지(25)에 대하여 간섭하지 않고 승강 가능한 형상을 가지고 있다.A pair of temporary placement stages 25 are provided at a position between the upper base portion 21A and the lower base portion 21B in the vertical direction. As shown in FIG. 6, each provisional stage 25 has an elongated shape extending in the horizontal direction and is arranged substantially parallel to each other. The pair of temporary placement stages 25 can be moved in the horizontal direction and the vertical direction by the stage driving mechanism 55, respectively. Although the stage drive mechanism 55 is schematically shown in the drawing, the stage drive mechanism 55 includes an actuator for horizontal drive and an actuator for vertical drive. By moving in the horizontal direction, the spacing between the pair of temporary placement stages 25 is changed, and the annular frame of the wafer unit 10 is placed on the pair of temporary placement stages 25 at the approach positions shown in FIGS. 1 and 6. (11) can be supported. Each temporary arrangement stage 25 has two upper and lower support steps capable of supporting the outer edge of the annular frame 11. Each support step has support surfaces 25a and 25b that support the annular frame 11 from below, and wall portions 25c extending in the vertical direction are formed on the sides of the support surfaces 25a and 25b. By sandwiching the annular frame 11 between the wall portions 25c of the pair of temporary placement stages 25, the horizontal position of the wafer unit 10 can be determined. As shown in Fig. 6, the frame holding means 22 has a shape that can be raised and lowered without interfering with the pair of temporary placement stages 25 at the approach position.

도시를 생략하는 반입출 기구를 이용하여, 테이프 확장 장치(20)에의 웨이퍼 유닛(10)의 반입과 테이프 확장 장치(20)로부터의 웨이퍼 유닛(10)의 반출을 행한다. 반입 및 반출 시에는, 반입출 기구와 가배치 스테이지(25) 사이에서 웨이퍼 유닛(10)의 전달이 행해진다.The wafer unit 10 is loaded into the tape expansion device 20 and the wafer unit 10 is unloaded from the tape expansion device 20 using a loading and unloading mechanism not shown. During loading and unloading, the wafer unit 10 is transferred between the loading and unloading mechanism and the temporary placement stage 25 .

프레임 파지 갈고리(26)는 둘레 방향에 위치를 상이하게 하여 복수 마련되어 있다. 개개의 프레임 파지 갈고리(26)는 베이스(21)에 대하여 회동 가능에 지지되어 있고, 회동에 의해 파지 해제 위치(도 1, 도 2, 도 4, 도 5, 도 6의 일점 쇄선)와 파지 위치(도 3, 도 6의 실선)로 동작할 수 있다. 프레임 파지 갈고리(26)는, 파지 해제 위치에서는 웨이퍼 유닛(10)의 유지에 관여하지 않고, 파지 위치에서는 환형 프레임(11)의 바깥 가장자리 부근을 하방으로부터 유지 가능해진다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 둘레 방향 중 프레임 파지 갈고리(26)가 존재하고 있는 영역에서는, 환형을 이루는 프레임 유지 수단(22)이 부분적으로 절결된 형상으로 되어 있고, 프레임 유지 수단(22)은 프레임 파지 갈고리(26)와 간섭하지 않고 승강 가능하다.A plurality of frame gripping hooks 26 are provided at different positions in the circumferential direction. Each frame gripping hook 26 is rotatably supported with respect to the base 21, and is rotated to a grip release position (dashed and dotted lines in FIGS. 1, 2, 4, 5, and 6) and a grip position. (solid lines in FIGS. 3 and 6). The frame gripping claws 26 do not participate in holding the wafer unit 10 in the gripping release position, and can hold the vicinity of the outer edge of the annular frame 11 from below in the gripping position. As shown in FIG. 6, in the area where the frame gripping hooks 26 exist in the circumferential direction, the frame holding means 22 forming an annular shape is partially cut out, and the frame holding means 22 is shaped like a frame. It can be lifted up and down without interfering with the grip hook (26).

가열 수단(27)은, 상단 부분으로부터 고온의 온풍을 분출함으로써 익스팬드 테이프(12)에 대한 열 공급을 행하는 온풍 히터이다. 둘레 방향에 위치를 상이하게 하여 복수의 가열 수단(27)이 배치되어 있다. 각 가열 수단(27)은, 직경 방향에 있어서, 프레임 유지 수단(22)보다 내직경측 또한 냉각 테이블(24)보다 외직경측에 위치하고 있고, 상하 방향에는 압박 수단(23)이나 냉각 테이블(24)보다 하방에 위치하고 있다. 각 가열 수단(27)은, 승강 구동 기구(56)를 통해 상하 방향으로 승강 가능하게 지지되어 있다. 승강 구동 기구(56)는 하방 베이스부(21B)에 지지되어 있고, 상방을 향하여 연장된 지지 로드(57)의 선단에 가열 수단(27)을 지지하고 있다. 승강 구동 기구(56)에 내장한 모터나 액츄에이터의 구동에 의해 지지 로드(57)의 돌출량을 변화시켜, 가열 수단(27)을 승강시킬 수 있다.The heating means 27 is a warm air heater that supplies heat to the expanded tape 12 by blowing out high-temperature warm air from the upper end. A plurality of heating means 27 are arranged at different positions in the circumferential direction. Each heating means 27 is located on the inner diameter side of the frame holding means 22 and the outer diameter side of the cooling table 24 in the radial direction, and the pressing means 23 and the cooling table 24 are located in the vertical direction. It is located further down. Each heating means 27 is supported so as to be able to be raised and lowered in the vertical direction through a lift drive mechanism 56 . The lifting drive mechanism 56 is supported on the lower base portion 21B, and supports the heating means 27 at the tip of a support rod 57 extending upward. The heating means 27 can be raised and lowered by changing the protruding amount of the support rod 57 by driving a motor or actuator built into the lifting drive mechanism 56.

이상의 구성을 구비한 테이프 확장 장치(20)에 의해 웨이퍼(13)의 분할을 행하는 공정을 설명한다. 먼저, 분할 기점이 되는 개질층(15)을 미리 레이저 가공 등에 의해 웨이퍼(13)에 형성한 뒤에, 도시를 생략하는 반입출 기구를 이용하여 웨이퍼 유닛(10)을 테이프 확장 장치(20)에 반송한다. 이때, 도 1에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 유닛(10)은, DAF(17)를 통해 익스팬드 테이프(12)에 점착된 웨이퍼(13)를 연직 하향으로 한 상태로, 접근 위치에 있는 한쌍의 가배치 스테이지(25)의 하측의 지지 단차부[지지면(25a)]에 환형 프레임(11)이 지지된다. 한쌍의 가배치 스테이지(25)의 벽부(25c)에 의해 환형 프레임(11)의 외연부가 끼워져 웨이퍼 유닛(10)의 위치가 정해진다. 보다 자세히는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 환형 프레임(11)의 개구(14)와 웨이퍼(13)의 외연부 사이의 환형의 영역[익스팬드 테이프(12)가 환형 프레임(11)과 웨이퍼(13) 및 DAF(17) 중 어디에도 점착되어 있지 않은 영역]이, 환형의 압박 수단(23)의 하방에 위치한다. 또한, 환형 프레임(11)의 하방에 프레임 유지 수단(22)의 상면(30)이 위치하고, 환형 프레임(11)과 웨이퍼(13) 사이의 익스팬드 테이프(12)의 노출 부분의 하방에 가열 수단(27)이 위치한다. 프레임 유지 수단(22)과 가열 수단(27)은 각각, 웨이퍼 유닛(10)에 대하여 하방으로 이격한 대기 상태의 위치에 유지되어 있다. 냉각 테이블(24)은, 판형 메쉬재(38)의 하면이 롤러(35)의 선단과 대략 동일한 상하 방향 위치가 되도록 위치 설정된다.A process for dividing the wafer 13 using the tape expansion device 20 having the above configuration will be described. First, the modified layer 15, which serves as the starting point of division, is formed in advance on the wafer 13 by laser processing or the like, and then the wafer unit 10 is transferred to the tape expansion device 20 using a loading/unloading mechanism (not shown). do. At this time, as shown in FIG. 1, the wafer unit 10 is positioned vertically downward with the wafer 13 adhered to the expand tape 12 via the DAF 17, and a pair of wafers at an approach position are positioned. The annular frame 11 is supported on the support step (support surface 25a) below the arrangement stage 25. The outer edge of the annular frame 11 is sandwiched between the wall portions 25c of the pair of temporary placement stages 25 to determine the position of the wafer unit 10. More specifically, as shown in FIG. 1, the annular area between the opening 14 of the annular frame 11 and the outer edge of the wafer 13 (the expand tape 12 is connected to the annular frame 11 and the wafer ( 13) and the area not adhered to any of the DAF 17] is located below the annular pressing means 23. In addition, the upper surface 30 of the frame holding means 22 is located below the annular frame 11, and a heating means is located below the exposed portion of the expand tape 12 between the annular frame 11 and the wafer 13. (27) is located. The frame holding means 22 and the heating means 27 are each held in a standby position spaced downward with respect to the wafer unit 10 . The cooling table 24 is positioned so that the lower surface of the plate-shaped mesh material 38 is at approximately the same vertical position as the tip of the roller 35.

계속해서, 유지 단계를 실시한다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 유지 단계에서는, 승강 구동 기구(32)를 구동시켜, 프레임 유지 수단(22)을 도 1에 나타내는 하방의 대기 위치로부터 상방으로 이동시킨다. 프레임 유지 수단(22)은 접근 위치에 있는 한쌍의 가배치 스테이지(25)와는 중첩되지 않는 형상을 가지고 있기 때문에(도 6 참조), 가배치 스테이지(25)에 방해받지 않고 프레임 유지 수단(22)을 상승시킬 수 있다. 그리고, 프레임 유지 수단(22)의 상면(30)이 환형 프레임(11)의 하면에 접촉하여, 프레임 유지 수단(22)이 웨이퍼 유닛(10)을 상방으로 밀어올린다. 프레임 유지 수단(22)에 의한 환형 프레임(11)의 밀어올림이 행해지는 단계에서, 스테이지 구동 기구(55)를 구동시켜 한쌍의 가배치 스테이지(25)를 수평 방향으로 이격시킨다(도 2 참조). 프레임 유지 수단(22)은, 익스팬드 테이프(12)의 이면이 냉각 테이블(24)의 하면에 접촉하는 위치까지 상승된다. 프레임 유지 수단(22)이 그 위치까지 상승하였다면, 프레임 파지 갈고리(26)를 파지 해제 위치로부터 파지 위치로 회동시킨다. 이에 의해, 프레임 파지 갈고리(26)가 환형 프레임(11)을 하방으로부터 유지한 상태가 된다(도 3 참조). 환형 프레임(11)의 유지를 프레임 파지 갈고리(26)에 전달하였다면, 승강 구동 기구(32)를 구동시켜 프레임 유지 수단(22)을 하방으로 미리 정해진 양 이동시킨다(도 3 참조).Subsequently, a maintenance step is performed. As shown in FIG. 2 , in the holding step, the lifting drive mechanism 32 is driven to move the frame holding means 22 upward from the downward standby position shown in FIG. 1 . Since the frame holding means 22 has a shape that does not overlap with the pair of temporary placement stages 25 at the approach position (see FIG. 6), the frame holding means 22 is maintained without being disturbed by the temporary placement stages 25. can increase. Then, the upper surface 30 of the frame holding means 22 contacts the lower surface of the annular frame 11, and the frame holding means 22 pushes the wafer unit 10 upward. At the stage in which the annular frame 11 is pushed up by the frame holding means 22, the stage driving mechanism 55 is driven to space the pair of temporary placement stages 25 in the horizontal direction (see Fig. 2). . The frame holding means 22 is raised to a position where the rear surface of the expand tape 12 contacts the lower surface of the cooling table 24. If the frame holding means 22 has risen to that position, the frame gripping hook 26 is rotated from the grip release position to the grip position. As a result, the frame holding claws 26 hold the annular frame 11 from below (see Fig. 3). Once the holding of the annular frame 11 has been transferred to the frame holding hook 26, the lifting drive mechanism 32 is driven to move the frame holding means 22 downward by a predetermined amount (see Fig. 3).

익스팬드 테이프(12)의 이면이 냉각 테이블(24)의 하면에 접촉하는 상태(도 2, 도 3)에서 익스팬드 테이프 냉각 단계를 실시한다. 익스팬드 테이프 냉각 단계에서는, 흡인 수단(40)과 흡인 수단(41)을 각각 흡인 상태로 하면서, 냉각 수단(42)에 의해 냉각 테이블(24)을 냉각한다. 구체적으로는, 흡인원(40a, 41a)을 구동시켜 제어 밸브(40b, 41b)를 연통 상태로 함으로써, 흡인 수단(40)에 의한 흡인력이 판형 메쉬재(38)의 흡인 구멍(38a)에 작용하고, 흡인 수단(41)에 의한 흡인력이 흡인홈(39)에 작용한다. 냉각 테이블(24)의 하면을 구성하는 판형 메쉬재(38)는 웨이퍼(13)와 대략 동직경이고, 판형 메쉬재(38)의 하면 전체가, 익스팬드 테이프(12) 중 웨이퍼(13) 및 DAF(17)에의 점착 영역의 이면측에 접촉한다. 바꾸어 말하면, 판형 메쉬재(38)의 하면이, 익스팬드 테이프(12)를 통해 웨이퍼(13) 및 DAF(17)의 전체면에 걸쳐 접촉한다. 흡인홈(39)은, 웨이퍼(13) 및 DAF(17)의 주연 영역에서 익스팬드 테이프(12)의 이면에 대향한다. 그리고, 판형 메쉬재(38)의 흡인 구멍(38a)과 흡인홈(39)의 각각에 작용하는 흡인 수단(40)과 흡인 수단(41)의 흡인력에 의해, 익스팬드 테이프(12)의 이면이 냉각 테이블(24)의 하면에 흡착 유지된다.The expand tape cooling step is performed in a state where the back surface of the expand tape 12 is in contact with the bottom surface of the cooling table 24 (FIGS. 2 and 3). In the expanded tape cooling step, the cooling table 24 is cooled by the cooling means 42 while the suction means 40 and 41 are each in a suction state. Specifically, by driving the suction sources 40a and 41a to bring the control valves 40b and 41b into a communicating state, the suction force by the suction means 40 acts on the suction hole 38a of the plate-shaped mesh material 38. And, the suction force by the suction means (41) acts on the suction groove (39). The plate-shaped mesh material 38 constituting the lower surface of the cooling table 24 has approximately the same diameter as the wafer 13, and the entire lower surface of the plate-shaped mesh material 38 is covered with the wafer 13 and the expanded tape 12. It contacts the back side of the adhesive area to the DAF 17. In other words, the lower surface of the plate-shaped mesh material 38 contacts the entire surface of the wafer 13 and the DAF 17 via the expand tape 12. The suction groove 39 faces the back surface of the expand tape 12 in the peripheral area of the wafer 13 and the DAF 17. Then, due to the suction force of the suction means 40 and 41 acting on each of the suction hole 38a and the suction groove 39 of the plate-shaped mesh material 38, the back side of the expand tape 12 is It is adsorbed and held on the lower surface of the cooling table 24.

웨이퍼 유닛(10)의 익스팬드 테이프(12), 웨이퍼(13) 및 DAF(17)는, 냉각 상태에 있는 냉각 테이블(24)의 하면에 흡착 유지됨으로써 냉각된다. 앞서 서술한 바와 같이, 냉각 테이블(24)은 직경 방향의 대략 전체에 걸쳐 균등하게 냉각되는 구성을 가지고 있다. 또한, 냉각 테이블(24)의 하면에 마련한 판형 메쉬재(38)의 흡인 구멍(38a)과 흡인홈(39)에 대하여 흡인력을 끼침으로써, 냉각 테이블(24)의 하면의 대략 전체에 걸쳐 익스팬드 테이프(12)가 밀착한다. 이에 의해, 익스팬드 테이프(12)와 웨이퍼(13)와 DAF(17)를 치우침 없이 효율적으로 냉각할 수 있다. 냉각에 의해, 분할 대상인 웨이퍼(13)와 DAF(17)의 신축성 등의 물성이 변화하고, 또한 익스팬드 테이프(12)의 점착제와 DAF(17)가 경화되어, 후술하는 분할 공정[익스팬드 테이프(12)의 확장 단계]에서 웨이퍼(13)와 DAF(17)를 분할시키기 쉬워진다. 냉각 테이블(24)의 냉각 상태(온도)는, 익스팬드 테이프(12)나 웨이퍼(13)나 DAF(17) 재질이나 종류에 따른 최적의 분할 효율이 얻어지도록 미리 설정되어 있다.The expand tape 12, wafer 13, and DAF 17 of the wafer unit 10 are cooled by being adsorbed and held on the lower surface of the cooling table 24 in a cooled state. As described above, the cooling table 24 has a configuration in which it is cooled evenly over approximately the entire radial direction. In addition, by applying a suction force to the suction holes 38a and suction grooves 39 of the plate-shaped mesh material 38 provided on the lower surface of the cooling table 24, the cooling table 24 expands over approximately the entire lower surface. The tape 12 adheres closely. As a result, the expand tape 12, the wafer 13, and the DAF 17 can be cooled efficiently without bias. By cooling, the physical properties such as elasticity of the wafer 13 and DAF 17, which are to be divided, change, and the adhesive of the expand tape 12 and the DAF 17 harden, resulting in the division process described later [expand tape]. In the expansion step of (12)], it becomes easy to divide the wafer 13 and the DAF 17. The cooling state (temperature) of the cooling table 24 is set in advance to obtain optimal division efficiency depending on the material and type of the expand tape 12, wafer 13, and DAF 17.

도 2나 도 3에 나타내는 바와 같이, 익스팬드 테이프 냉각 단계에서는, 냉각 테이블(24)의 하면과 압박 수단(23)에 마련한 복수의 롤러(35)의 하단이 대략 동일한 높이 위치에 있고, 각 롤러(35)는, 익스팬드 테이프(12)의 이면[환형 프레임(11)의 개구(14)의 내연부와 웨이퍼(13)의 외연부 사이의 영역]에 대하여 가볍게 접촉한 상태에 있다. 또한, 프레임 파지 갈고리(26)는, 웨이퍼(13)와 동일한 높이 위치에 환형 프레임(11)을 유지하고 있다. 따라서, 익스팬드 테이프(12)는, 웨이퍼(13)에 점착되는 중앙 부분으로부터 환형 프레임(11)에 점착되는 바깥 둘레부까지의 전체가 평탄하게 유지되고, 익스팬드 테이프(12)를 확장시키는 외력은 작용하지 않는다.2 or 3, in the expanded tape cooling step, the lower surface of the cooling table 24 and the lower ends of the plurality of rollers 35 provided on the pressing means 23 are at approximately the same height, and each roller 35 is in a state of lightly contacting the back surface of the expand tape 12 (the area between the inner edge of the opening 14 of the annular frame 11 and the outer edge of the wafer 13). Additionally, the frame gripping hook 26 holds the annular frame 11 at the same height as the wafer 13. Accordingly, the entire expand tape 12 is maintained flat from the central portion adhered to the wafer 13 to the outer peripheral portion adhered to the annular frame 11, and the external force that expands the expand tape 12 is maintained flat. does not work.

익스팬드 테이프(12)와 웨이퍼(13)와 DAF(17)가 충분히 냉각되었다면, 익스팬드 테이프 확장 단계(도 4)를 실시한다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 익스팬드 테이프 확장 단계에서는, 제어 밸브(40b)와 제어 밸브(41b)를 각각 비연통 상태로 하여 흡인 수단(40)과 흡인 수단(41)에 의한 흡인을 해제한다. 또한, 승강 구동 기구(50)를 구동시켜, 냉각 테이블(24)을 상방으로 이동시켜 익스팬드 테이프(12)의 이면으로부터 이격시킨다. 이에 의해, 냉각 테이블(24)에의 흡착이 해제된 상태로, 익스팬드 테이프(12)를 확실하게 확장시킬 수 있다.Once the expand tape 12, wafer 13, and DAF 17 have cooled sufficiently, the expand tape expansion step (FIG. 4) is performed. As shown in Fig. 4, in the expand tape expansion step, the control valve 40b and the control valve 41b are placed in a non-communicating state, respectively, and suction by the suction means 40 and 41 is released. Additionally, the lifting drive mechanism 50 is driven to move the cooling table 24 upward and away from the back surface of the expanded tape 12. As a result, the expand tape 12 can be reliably expanded in a state in which adsorption to the cooling table 24 is released.

별도의 형태로서, 흡인 수단(40)과 흡인 수단(41)을 각각, 흡인에 더하여 공기의 분출이 가능한 구성으로 한 뒤에, 도 4와 같이 냉각 테이블(24)을 상방으로 이동시키지 않고, 흡인 구멍(38a)과 흡인홈(39)으로부터 공기를 분출시키면서 익스팬드 테이프 확장 단계를 실시하는 것도 가능하다. 공기의 분출에 의해 냉각 테이블(24)에의 익스팬드 테이프(12)의 밀착을 막을 수 있다.As a separate form, the suction means 40 and 41 are each configured to allow air to be ejected in addition to suction, and then the cooling table 24 is not moved upward as shown in FIG. 4, but the suction hole is It is also possible to carry out the expand tape expansion step while blowing air from (38a) and the suction groove (39). Adhesion of the expand tape 12 to the cooling table 24 can be prevented by blowing out air.

그리고, 승강 구동 기구(32)를 구동시켜, 프레임 유지 수단(22)을 도 3에 나타내는 위치로부터 상방으로 고속으로 이동시킨다. 프레임 유지 수단(22)이 미리 정해진 양 상승하면, 환형 프레임(11)에 대하여 하방으로부터 상면(30)이 접촉하여, 프레임 유지 수단(22)으로부터 환형 프레임(11)에 힘이 전해지는 상태가 된다. 프레임 파지 갈고리(26)로 유지되어 있는 환형 프레임(11)에 대하여 하방으로 이격한 위치(도 3)로부터 프레임 유지 수단(22)의 상승을 개시시킴으로써, 환형 프레임(11)에 대한 프레임 유지 수단(22)으로부터의 밀어올림을 고속으로 기세 좋게 행하게 할 수 있다. 앞서 서술한 바와 같이, 프레임 유지 수단(22)은 프레임 파지 갈고리(26)와는 간섭하지 않는 형상으로 되어 있기 때문에, 도 3과 같이 프레임 파지 갈고리(26)로 환형 프레임(11)을 유지한 채의 상태로, 프레임 유지 수단(22)의 상면(30)을 환형 프레임(11)에 접촉시킬 수 있다. 프레임 유지 수단(22)에 의해 환형 프레임(11)이 밀어올려지는 상태가 되면, 프레임 파지 갈고리(26)가 파지 위치로부터 파지 해제 위치로 회동된다.Then, the lifting drive mechanism 32 is driven to move the frame holding means 22 upward at high speed from the position shown in FIG. 3 . When the frame holding means 22 rises by a predetermined amount, the upper surface 30 contacts the annular frame 11 from below, resulting in a state in which force is transmitted from the frame holding means 22 to the annular frame 11. . By starting to raise the frame holding means 22 from a position (FIG. 3) spaced downward with respect to the annular frame 11 held by the frame holding hook 26, the frame holding means ( The push up from 22) can be performed with high speed and force. As described above, the frame holding means 22 is shaped so as not to interfere with the frame holding hook 26, so the annular frame 11 can be held with the frame holding hook 26 as shown in FIG. 3. In this state, the upper surface 30 of the frame holding means 22 can be brought into contact with the annular frame 11. When the annular frame 11 is pushed up by the frame holding means 22, the frame gripping hook 26 is rotated from the gripping position to the gripping release position.

도 4에 나타내는 바와 같이, 환형 프레임(11)에 상면(30)을 접촉시킨 상태의 프레임 유지 수단(22)이 더욱 상방으로 이동하면, 환형 프레임(11)이 밀어올려지는 데 대하여, 익스팬드 테이프(12) 중 환형 프레임(11)의 내측에 위치하고 있는 영역은, 환형의 압박 수단(23)의 롤러(35)에 압박되어 상방으로의 이동이 제한된다[압박 수단(23)으로부터 환형으로 압박력을 받는다]. 이 프레임 유지 수단(22)과 압박 수단(23)의 상대 이동에 의해, 익스팬드 테이프(12)에 있어서의 DAF(17) 및 웨이퍼(13)의 점착 영역이 인장되어 직경 방향으로 확장(신장)된다. 그렇게 되면, 웨이퍼(13)와 DAF(17)에 대하여 직경 확장 방향으로의 외력이 작용하여, 웨이퍼(13) 내에 형성한 개질층(15)(도 1 내지 도 3)을 기점으로 하여, 웨이퍼(13)와 DAF(17)의 두께 방향으로 크랙이 생긴다. 크랙이 웨이퍼(13)의 표면으로부터 DAF(17)의 이면[익스팬드 테이프(12)에 점착되는 면]을 관통할 때까지 외력을 부여함으로써, 분할 예정 라인을 따르는 개개의 칩(16) 및 DAF(17)로 분할된다(도 4 참조). 전술한 바와 같이, 냉각에 의해 웨이퍼(13)와 DAF(17)의 분할 효율이 향상하고 있어, 분할 예정 라인을 따르는 확실한 분할을 행할 수 있다. 특히, 상온에서는 분할시키기 어려운 DAF(17)를 냉각에 의해 경화시키는 것이, 분할 효율의 향상에 매우 유효하다.As shown in FIG. 4, when the frame holding means 22 with the upper surface 30 in contact with the annular frame 11 moves further upward, the annular frame 11 is pushed up, while the expand tape (12) The area located inside the annular frame 11 is pressed by the roller 35 of the annular pressing means 23, and upward movement is restricted (pressing force is applied annularly from the pressing means 23). Receive]. Due to the relative movement of the frame holding means 22 and the pressing means 23, the adhesive area of the DAF 17 and the wafer 13 in the expand tape 12 is stretched and expanded (stretched) in the radial direction. do. In that case, an external force in the direction of diameter expansion acts on the wafer 13 and the DAF 17, starting from the modified layer 15 (FIGS. 1 to 3) formed in the wafer 13, and the wafer ( Cracks occur in the thickness direction of 13) and DAF (17). By applying an external force until the crack penetrates from the surface of the wafer 13 to the back surface of the DAF 17 (the surface adhered to the expand tape 12), individual chips 16 and DAF are separated along the line to be divided. It is divided into (17) (see Figure 4). As described above, the division efficiency of the wafer 13 and the DAF 17 is improved by cooling, and division can be performed reliably along the division line. In particular, hardening the DAF 17, which is difficult to split at room temperature, by cooling is very effective in improving the splitting efficiency.

웨이퍼(13)의 분할을 행하면, 분할 예정 라인을 따라 파단된 부분으로부터 분할 부스러기가 발생한다. 웨이퍼(13)와 DAF(17)가 연직 하향으로 설치되어 있기 때문에, 분할 부스러기는 하방으로 자연 낙하하여, 분할 후의 칩(16)(도 4)의 표면이나 익스팬드 테이프(12)에의 분할 부스러기의 부착을 막을 수 있다. 낙하한 분할 부스러기는, 도시를 생략하는 회수 수단에 의해 회수된다.When the wafer 13 is divided, division debris is generated from the broken portion along the division line. Since the wafer 13 and the DAF 17 are installed vertically downward, the divided debris naturally falls downward, and the divided debris falls on the surface of the divided chip 16 (FIG. 4) or the expand tape 12. It can prevent adhesion. The fallen divided waste is recovered by a recovery means not shown.

웨이퍼(13)와 DAF(17)의 분할이 완료하였다면, 앞의 익스팬드 테이프 확장 단계(도 4 참조)에서 상방으로 인상되어 있던 냉각 테이블(24)을, 냉각 테이블(24)의 하면이 압박 수단(23)의 복수의 롤러(35)의 하단 위치와 대략 일치하는 높이 위치까지 하강시킨다. 그렇게 하면, 하부 지지체(37)와 판형 메쉬재(38)의 하면이 익스팬드 테이프(12)의 이면에 접촉한다. 이 상태로, 제어 밸브(40b)와 제어 밸브(41b)를 연통 상태로 전환하여 흡인 수단(40)과 흡인 수단(41)에 의해 흡인 구멍(38a)과 흡인홈(39)에 흡인력을 작용시켜, 하부 지지체(37)와 판형 메쉬재(38)의 하면에 익스팬드 테이프(12)를 밀착시킨다. 익스팬드 테이프(12)가 냉각 테이블(24)측에 밀착됨으로써, 분할된 각 칩(16) 및 DAF(17)가 이격된 상태가 유지된다. 또한, 이 단계에서는 냉각 수단(42)에 의한 냉각 테이블(24)의 냉각은 행하지 않고, 냉각 테이블(24)은 익스팬드 테이프(12)의 흡착을 위해서만 이용한다.Once the division of the wafer 13 and the DAF 17 has been completed, the cooling table 24, which was pulled upward in the previous expand tape expansion step (see FIG. 4), is pressed against the lower surface of the cooling table 24. It is lowered to a height position that roughly coincides with the lower end position of the plurality of rollers 35 (23). Then, the lower surface of the lower support body 37 and the plate-shaped mesh material 38 contacts the rear surface of the expand tape 12. In this state, the control valve 40b and the control valve 41b are switched to a communication state, and a suction force is applied to the suction hole 38a and the suction groove 39 by the suction means 40 and 41. , the expand tape 12 is brought into close contact with the lower surfaces of the lower support body 37 and the plate-shaped mesh material 38. As the expand tape 12 is in close contact with the cooling table 24 side, the divided chips 16 and DAF 17 are maintained spaced apart. Additionally, at this stage, the cooling table 24 is not cooled by the cooling means 42, and the cooling table 24 is used only for adsorption of the expanded tape 12.

계속해서 승강 구동 기구(32)를 구동시켜 프레임 유지 수단(22)을 하강시켜, 익스팬드 테이프(12)에 대한 확장 방향의 외력 부여를 해제한다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 익스팬드 테이프 확장 단계에서 신장한 후의 익스팬드 테이프(12)에는 늘어짐이 생긴다. 이 익스팬드 테이프(12)의 늘어짐은, 흡인 구멍(38a)과 흡인홈(39)으로부터의 흡인력으로 냉각 테이블(24)에 밀착하고 있는 영역의 외측, 즉 분할 후의 칩(16) 및 DAF(17)보다 바깥 가장자리측의 영역에서, 환형 프레임(11)에 대하여 자기 중량으로 하방을 향하여 현수되는 형상으로서 출현한다.Subsequently, the lifting drive mechanism 32 is driven to lower the frame holding means 22, thereby releasing the external force applied to the expand tape 12 in the expansion direction. As shown in Fig. 5, sagging occurs in the expand tape 12 after stretching in the expand tape expansion step. The sagging of the expand tape 12 is outside the area that is in close contact with the cooling table 24 due to the suction force from the suction hole 38a and the suction groove 39, that is, the chip 16 and DAF 17 after division. ) appears as a shape that is suspended downward by its own weight with respect to the annular frame 11 in the area on the outer edge side.

계속해서, 익스팬드 테이프 확장 단계에서 신장한 익스팬드 테이프(12)를 가열 수축시키는 가열 단계(도 5 참조)를 실시한다. 가열 수단(27)은 익스팬드 테이프(12)의 늘어진 부분의 하방에 위치하고 있고, 가열에 있어서 승강 구동 기구(56)를 구동시켜 가열 수단(27)을 상승시켜 익스팬드 테이프(12)에 근접시킨다. 그리고, 도 5와 같이 익스팬드 테이프(12)와의 거리를 적절하게 한 상태로, 가열 수단(27)으로부터 고온(일례로서 100℃ 이상)의 온풍을 익스팬드 테이프(12)의 늘어진 부분을 향하여 분출시킨다. 이 온풍으로 가열된 익스팬드 테이프(12)가 열 수축하여 늘어짐이 감소한다.Subsequently, a heating step (see FIG. 5) is performed to heat-shrink the expand tape 12 stretched in the expand tape expansion step. The heating means 27 is located below the stretched portion of the expand tape 12, and in heating, the lifting and lowering drive mechanism 56 is driven to raise the heating means 27 to approach the expand tape 12. . Then, as shown in FIG. 5, with an appropriate distance from the expand tape 12, warm air of high temperature (for example, 100°C or higher) is blown from the heating means 27 toward the stretched portion of the expand tape 12. I order it. The expand tape 12 heated by this warm air undergoes thermal contraction and sagging is reduced.

이때, 냉각 테이블(24)의 하면의 대략 전체에 걸쳐 흡인력이 작용하고 있기 때문에, 적어도 흡인홈(39)이 마련되어 있는 부분보다 내직경측의 영역에서는, 익스팬드 테이프(12)는 하방을 향하여 현수되지 않고 냉각 테이블(24)측에 밀착되어 있다. 따라서, 열 수축의 대상이 되는 익스팬드 테이프(12)의 현수를, 가열 수단(27)에 의해 효율적으로 가열할 수 있는 영역[웨이퍼(13)보다 외직경측의 영역]에 확실하게 위치시킬 수 있다. 또한, 분할 후의 칩(16) 및 DAF(17)가 점착되어 있는 익스팬드 테이프(12)의 중앙 부분은, 냉각 테이블(24)에 밀착되어 있어 가열에 의한 열 수축의 영향을 받기 어렵기 때문에, 가열 시에 있어서의 칩(16)끼리의 불규칙한 간섭 등을 막을 수 있다.At this time, since the suction force is acting over approximately the entire lower surface of the cooling table 24, the expand tape 12 hangs downward, at least in the area on the inner diameter side of the portion where the suction groove 39 is provided. and is in close contact with the cooling table 24 side. Therefore, the suspension of the expand tape 12, which is subject to heat shrinkage, can be reliably positioned in an area that can be efficiently heated by the heating means 27 (an area on the outer diameter side of the wafer 13). . In addition, the central portion of the expand tape 12 to which the divided chip 16 and DAF 17 are adhered is in close contact with the cooling table 24 and is unlikely to be affected by heat shrinkage due to heating. Irregular interference between chips 16 during heating can be prevented.

또한, 익스팬드 테이프(12)의 늘어짐이 큰 경우에는, 익스팬드 테이프(12)에 대한 흡인 영역을 변화시키면서 단계적으로 가열을 행하여도 좋다. 구체적으로는, 먼저 흡인 구멍(38a)과 흡인홈(39)의 양방에 흡인력을 작용시킨 상태로, 가열 수단(27)에 의한 제1 단계의 가열을 행한다. 계속해서, 흡인 수단(41)에 의한 흡인홈(39)에의 흡인을 해제하면, 냉각 테이블(24)에 의한 익스팬드 테이프(12)의 흡착 영역의 감소에 따라, 제1 단계의 가열에서는 완전히 제거하지 못한 익스팬드 테이프(12)의 늘어진 잔여 부분이 하방으로의 현수로서 나타난다. 익스팬드 테이프(12)의 해당 부분에 대하여, 가열 수단(27)에 의한 제2 단계의 가열을 행한다. 이와 같이 단계적으로 익스팬드 테이프(12)를 가열하면, 익스팬드 테이프(12)의 늘어짐이 큰 경우라도, 익스팬드 테이프(12)를 효율적으로 또한 확실하게 열 수축시킬 수 있다.Additionally, when the expand tape 12 has a large amount of sagging, heating may be performed in stages while changing the suction area for the expand tape 12. Specifically, first stage heating is performed by the heating means 27 with a suction force applied to both the suction hole 38a and the suction groove 39. Subsequently, when the suction to the suction groove 39 by the suction means 41 is released, the adsorption area of the expanded tape 12 by the cooling table 24 is reduced, and the first stage heating is completely removed. The remaining stretched portion of the expand tape 12 that was not completed appears as a hanging downward. The corresponding portion of the expand tape 12 is subjected to second-stage heating by the heating means 27. By heating the expand tape 12 in steps like this, the expand tape 12 can be heat-shrinked efficiently and reliably even when the expand tape 12 has a large amount of sagging.

가열 수단(27)에는, 상방을 향하여 취출되는 온풍의 범위가 확산되는 것 같은 노즐을 마련하여도 좋다. 또한, 온풍의 취출 방향을 변화시키는 것이 가능한 가변 방향 노즐을 가열 수단(27)에 구비하여도 좋다. 이들 구성에 의해, 가열 수단(27)에 의한 최적의 가열 범위를 적절하게 설정할 수 있다.The heating means 27 may be provided with a nozzle that spreads the range of the warm air blown upward. Additionally, the heating means 27 may be equipped with a variable direction nozzle capable of changing the blowing direction of warm air. With these structures, the optimal heating range by the heating means 27 can be appropriately set.

또한, 본 실시형태에서는, 둘레 방향에 위치를 상이하게 하여 복수의 가열 수단(27)을 마련함으로써, 익스팬드 테이프(12)에 대하여 둘레 방향의 넓은 범위에서의 가열을 실현하고 있다. 변형예로서, 베이스(21)에 대하여, 승강 이동뿐만 아니라 둘레 방향으로도 이동 가능하도록 가열 수단(27)을 지지시켜도 좋다. 이에 의해, 환형의 압박 수단(23)에 대응하는 환형의 영역 전체에서 익스팬드 테이프(12)를 가열하여 쉬워진다.Furthermore, in this embodiment, heating of the expanded tape 12 over a wide range in the circumferential direction is realized by providing a plurality of heating means 27 at different positions in the circumferential direction. As a modified example, the heating means 27 may be supported on the base 21 so that it can move not only up and down, but also in the circumferential direction. This makes it easy to heat the expand tape 12 over the entire annular area corresponding to the annular pressing means 23.

가열 단계가 완료한 후, 테이프 확장 장치(20)로부터 외부에 웨이퍼 유닛(10)을 반출한다. 반출 시는, 냉각 테이블(24)의 흡인 구멍(38a)과 흡인홈(39)으로부터 익스팬드 테이프(12)에의 흡인을 해제한다. 그리고, 한쌍의 가배치 스테이지(25)를 접근 위치(도 1, 도 6)로 하여, 승강 구동 기구(32)를 구동시켜 프레임 유지 수단(22)을 도 5의 위치로부터 하강시킨다. 그렇게 하면, 가공이 끝난 웨이퍼 유닛(10)이 프레임 유지 수단(22)을 따라 하강하여, 환형 프레임(11)이 한쌍의 가배치 스테이지(25)의 상측의 지지 단차부[지지면(25b)]에 지지된다. 계속해서, 도시를 생략하는 반입출 기구에 의해, 가배치 스테이지(25) 상으로부터 테이프 확장 장치(20)의 외부에 가공이 끝난 웨이퍼 유닛(10)이 반출된다. 먼저 실시한 가열 단계에서 익스팬드 테이프(12)의 늘어짐이 감소되어 있기 때문에, 테이프 확장 장치(20)로부터의 반출 시에 웨이퍼 유닛(10) 상의 복수의 칩(16)이 서로 움직이기 어려워, 분할 가공 후의 엣지 치핑 등을 방지할 수 있다.After the heating step is completed, the wafer unit 10 is taken out from the tape expansion device 20. At the time of unloading, suction to the expand tape 12 is released from the suction hole 38a and the suction groove 39 of the cooling table 24. Then, with the pair of temporary placement stages 25 set at the approach position (FIGS. 1 and 6), the lifting and lowering drive mechanism 32 is driven to lower the frame holding means 22 from the position in FIG. 5. Then, the processed wafer unit 10 is lowered along the frame holding means 22, and the annular frame 11 is placed on the upper support step (support surface 25b) of the pair of temporary placement stages 25. is supported by Subsequently, the processed wafer unit 10 is unloaded from the temporary placement stage 25 to the outside of the tape expansion device 20 by a loading/unloading mechanism (not shown). Since the sagging of the expand tape 12 is reduced in the heating step performed first, it is difficult for the plurality of chips 16 on the wafer unit 10 to move against each other when unloaded from the tape expansion device 20, so that they are processed separately. Edge chipping can be prevented later.

가공이 끝난 웨이퍼 유닛(10)을 한쌍의 가배치 스테이지(25)의 상측의 지지 단차부[지지면(25b)]로부터 외부에 반출할 때에, 한쌍의 가배치 스테이지(25)의 하측의 지지 단차부[지지면(25a)]에, 테이프 확장 장치(20)에 의한 가공 전의(다음에 가공할) 웨이퍼 유닛(10)을 반입할 수 있다. 외부에의 웨이퍼 유닛(10)의 반출과 외부로부터의 웨이퍼 유닛(10)의 반입을 한번에 행하기 때문에, 장치의 다운 타임을 극력 저감할 수 있다. 각 웨이퍼 유닛(10)의 반입과 반출이 완료하면 도 1에 나타내는 상태가 되어, 이상에서 설명한 일련의 단계를 반복하여 실행할 수 있다.When the processed wafer unit 10 is carried out to the outside from the upper support step (support surface 25b) of the pair of temporary placement stages 25, the support step below the pair of temporary placement stages 25 The wafer unit 10 before processing by the tape expansion device 20 (to be processed next) can be brought into the area (support surface 25a). Since the wafer unit 10 is carried out to the outside and the wafer unit 10 is brought in from the outside at the same time, the downtime of the device can be reduced as much as possible. When the loading and unloading of each wafer unit 10 is completed, the state shown in FIG. 1 is reached, and the series of steps described above can be repeatedly executed.

이상과 같이, 본 실시형태의 테이프 확장 장치(20)에서는, 웨이퍼(13)와 DAF(17)의 분할 전에 실시하는 익스팬드 테이프(12)의 냉각부터, 웨이퍼(13)와 DAF(17)의 분할 후에 실시하는 익스팬드 테이프(12)의 가열까지를, 프레임 유지 수단(22)이나 냉각 테이블(24)을 구비한 공통의 스테이지 상에서 행하고 있다. 즉, 익스팬드 테이프(12)의 늘어짐이 생긴 상태로 웨이퍼 유닛(10)을 별도 설치된 가열 장치까지 반송할 필요가 없어, 칩(16)의 상호 이동에 기인하는 엣지 치핑 등을 방지하여 양호한 분할을 실현할 수 있다. 또한, 웨이퍼 유닛(10)을 별도 설치된 가열 장치까지 반송하기 위한 시간을 생략하여, 웨이퍼 분할 가공 전체에 있어서의 스루풋 향상에도 기여한다. 또한, 익스팬드 테이프(12)에 대한 냉각과 가열을 공통의 스테이지에서 실시함으로써, 장치 전체의 풋프린트를 작게 하여, 설치 스페이스의 효율화를 도모할 수 있다.As described above, in the tape expansion device 20 of the present embodiment, from the cooling of the expand tape 12 performed before dividing the wafer 13 and the DAF 17, the separation of the wafer 13 and the DAF 17 The heating of the expand tape 12 after division is performed on a common stage equipped with the frame holding means 22 and the cooling table 24. In other words, there is no need to transport the wafer unit 10 to a separately installed heating device with the expand tape 12 sagging, thereby preventing edge chipping due to mutual movement of the chips 16 and ensuring good division. It can be realized. In addition, the time required to transport the wafer unit 10 to a separately installed heating device is omitted, which also contributes to improving throughput in the entire wafer division processing. Additionally, by performing cooling and heating of the expanded tape 12 on a common stage, the footprint of the entire device can be reduced, thereby improving the efficiency of the installation space.

본 실시형태의 테이프 확장 장치(20)는, 익스팬드 테이프 확장 단계(도 4)에 있어서, 압박 수단(23)을 이동시키지 않고 프레임 유지 수단(22)을 상승시키고 있지만, 압박 수단(23)을 하강시켜 익스팬드 테이프(12)를 확장시키는 구성을 채용하는 것도 가능하다. 즉, 압박 수단과 프레임 유지 수단의 상대 이동에 의해 테이프 확장을 행하게 하는 구성이면 좋다.In the tape expansion device 20 of the present embodiment, in the expand tape expansion step (FIG. 4), the frame holding means 22 is raised without moving the pressing means 23. However, the pressing means 23 is used to raise the frame holding means 22. It is also possible to adopt a configuration in which the expand tape 12 is expanded by lowering it. In other words, any structure that allows the tape to expand by relative movement of the pressing means and the frame holding means is sufficient.

본 실시형태에서는, 익스팬드 테이프(12)에 대하여 고온의 온풍을 분무하는 가열 수단(27)을 이용하고 있지만, 가열 수단의 구성은 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 익스팬드 테이프에 대하여 직접적으로 접촉 가능한 접촉 부분을 구비하고, 그 접촉 부분을 가열하는 타입의 가열 수단을 구비하여도 좋다.In this embodiment, a heating means 27 that sprays high-temperature warm air onto the expand tape 12 is used, but the configuration of the heating means is not limited to this. For example, a contact portion that can be directly contacted with the expand tape may be provided, and a heating means of a type that heats the contact portion may be provided.

본 발명을 적용하여 분할되는 웨이퍼(피가공물)의 재질이나 웨이퍼 상에 형성되는 디바이스의 종류 등은 한정되지 않는다. 예컨대, 피가공물로서, 반도체 디바이스 웨이퍼 이외에, 광 디바이스 웨이퍼, 패키지 기판, 반도체 기판, 무기 재료 기판, 산화물 웨이퍼, 생세라믹스 기판, 압전 기판 등의 각종 워크가 이용되어도 좋다. 반도체 디바이스 웨이퍼로서는, 디바이스 형성 후의 실리콘 웨이퍼나 화합물 반도체 웨이퍼가 이용되어도 좋다. 광 디바이스 웨이퍼로서는, 디바이스 형성 후의 사파이어 웨이퍼나 실리콘 카바이드 웨이퍼가 이용되어도 좋다. 또한, 패키지 기판으로서는 CSP(Chip Size Package) 기판, 반도체 기판으로서는 실리콘이나 갈륨비소 등, 무기 재료 기판으로서는 사파이어, 세라믹스, 유리 등이 이용되어도 좋다. 또한, 산화물 웨이퍼로서는, 디바이스 형성 후 또는 디바이스 형성 전의 리튬탄탈레이트, 리튬나이오베이트가 이용되어도 좋다.The material of the wafer (workpiece) divided by applying the present invention or the type of device formed on the wafer is not limited. For example, in addition to semiconductor device wafers, various works such as optical device wafers, package substrates, semiconductor substrates, inorganic material substrates, oxide wafers, raw ceramic substrates, and piezoelectric substrates may be used as the workpiece. As the semiconductor device wafer, a silicon wafer or a compound semiconductor wafer after device formation may be used. As the optical device wafer, a sapphire wafer or silicon carbide wafer after device formation may be used. Additionally, a CSP (Chip Size Package) substrate may be used as the package substrate, silicon or gallium arsenide, etc. may be used as the semiconductor substrate, and sapphire, ceramics, glass, etc. may be used as the inorganic material substrate. Additionally, as the oxide wafer, lithium tantalate or lithium niobate may be used after device formation or before device formation.

또한, 본 발명의 각 실시형태를 설명하였지만, 본 발명의 다른 실시형태로서, 상기 실시형태 및 변형예를 전체적 또는 부분적으로 조합한 것이어도 좋다.In addition, although each embodiment of the present invention has been described, as another embodiment of the present invention, the above embodiments and modifications may be combined in whole or in part.

또한, 본 발명의 실시형태는 상기 실시형태 및 변형예에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 기술적 사상의 취지를 일탈하지 않는 범위에 있어서 여러 가지로 변경, 치환, 변형되어도 좋다. 또한, 기술의 진보 또는 파생하는 별도 기술에 의해, 본 발명의 기술적 사상을 별도의 방법으로 실현할 수 있으면, 그 방법을 이용하여 실시되어도 좋다. 따라서, 청구범위는, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에 포함될 수 있는 모든 실시형태를 커버하고 있다.In addition, the embodiments of the present invention are not limited to the above-described embodiments and modified examples, and various changes, substitutions, and modifications may be made without departing from the spirit of the technical idea of the present invention. Additionally, if the technical idea of the present invention can be realized in a separate method due to technological progress or derived separate technology, it may be implemented using that method. Accordingly, the claims cover all embodiments that can be included within the scope of the technical idea of the present invention.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 테이프 확장 장치 및 테이프 확장 방법에 따르면, 웨이퍼 분할 후의 엣지 치핑 등을 막아, 디바이스의 제조 에러 저감 및 생산성 향상에 기여할 수 있다.As described above, according to the tape expansion device and tape expansion method of the present invention, edge chipping after wafer division can be prevented, contributing to reducing device manufacturing errors and improving productivity.

10: 웨이퍼 유닛
11: 환형 프레임
12: 익스팬드 테이프
13: 웨이퍼
15: 개질층
16: 칩
17: DAF
20: 테이프 확장 장치
21: 베이스
22: 프레임 유지 수단
23: 압박 수단
24: 냉각 테이블
25: 가배치 스테이지
26: 프레임 파지 갈고리
27: 가열 수단
35: 롤러
36: 상부 지지체
37: 하부 지지체
38: 판형 메쉬재
38a: 흡인 구멍
39: 흡인홈
40: 흡인 수단
41: 흡인 수단
42: 냉각 수단
43: 냉각 전달부10: wafer unit
11: Annular frame
12: Expand tape
13: wafer
15: Modified layer
16: Chip
17: DAF
20: Tape extension device
21: base
22: Frame holding means
23: means of compression
24: cooling table
25: Temporary deployment stage
26: Frame gripping hook
27: Heating means
35: roller
36: upper support
37: lower support
38: Plate mesh material
38a: suction hole
39: Suction groove
40: Suction means
41: Suction means
42: Cooling means
43: Cooling transmission unit

Claims (4)

복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 영역에 복수의 디바이스가 형성된 웨이퍼가 점착되며 바깥 둘레부가 환형 프레임에 장착된 익스팬드 테이프를 확장하기 위한 테이프 확장 장치에 있어서,
상기 익스팬드 테이프에 점착된 상기 웨이퍼가 연직 하향을 향한 상태로, 상기 환형 프레임을 상기 테이프 확장 장치에 반입하는 반입출 기구와,
상기 익스팬드 테이프에 점착된 상기 웨이퍼가 연직 하향을 향한 상태로 상기 환형 프레임을 상면에 유지하는 프레임 유지 수단과,
상기 프레임 유지 수단과 상기 웨이퍼의 바깥 둘레 가장자리 사이에서 상기 익스팬드 테이프를 상방으로부터 환형으로 압박하여 확장하여, 분할 기점을 따라 상기 웨이퍼를 분할하는 압박 수단과,
환형의 상기 압박 수단의 안쪽 둘레측에 승강 가능하게 배치되어, 상기 익스팬드 테이프를 통해 상기 웨이퍼 전체면에 걸쳐 접촉하는 접촉면에 흡인 구멍을 갖는 냉각 테이블과,
상기 프레임 유지 수단과 상기 웨이퍼의 바깥 둘레 가장자리 사이에서 신장한 상기 익스팬드 테이프를 가열하여 수축시키는 가열 수단
을 포함하는 것을 특징으로 하는 테이프 확장 장치.A tape expansion device for expanding an expand tape on which a wafer on which a plurality of devices is formed is adhered to an area divided by a plurality of division lines and the outer circumference is mounted on an annular frame, comprising:
a loading and unloading mechanism for loading the annular frame into the tape expansion device with the wafer adhered to the expand tape facing vertically downward;
Frame holding means for holding the annular frame on its upper surface with the wafer adhered to the expand tape facing vertically downward;
Pressing means for pressing and expanding the expand tape in an annular shape from above between the frame holding means and the outer peripheral edge of the wafer to split the wafer along a dividing starting point;
a cooling table disposed to be capable of being raised and lowered on an inner circumferential side of the annular pressing means and having a suction hole on a contact surface that contacts the entire surface of the wafer through the expand tape;
Heating means for heating and shrinking the expand tape stretched between the frame holding means and the outer peripheral edge of the wafer.
A tape expansion device comprising: 제1항의 테이프 확장 장치를 사용하는 테이프 확장 방법에 있어서,
상기 웨이퍼가 연직 하향을 향한 상태로, 상기 냉각 테이블의 상기 접촉면의 하방에 상기 익스팬드 테이프의 이면이 위치하도록 상기 환형 프레임을 유지하는 유지 단계와,
상기 유지 단계를 실시한 후에, 상기 냉각 테이블의 상기 접촉면에 상기 익스팬드 테이프의 이면을 접촉시키고, 상기 흡인 구멍에 흡인력을 작용시켜 상기 익스팬드 테이프를 냉각하는 익스팬드 테이프 냉각 단계와,
상기 프레임 유지 수단과 상기 압박 수단을 상대 이동시켜 상기 익스팬드 테이프를 확장하는 익스팬드 테이프 확장 단계와,
상기 냉각 테이블의 상기 접촉면을 상기 익스팬드 테이프 이면에 접촉시켜 상기 흡인 구멍에 흡인력을 작용시킨 상태로, 상기 프레임 유지 수단과 상기 웨이퍼의 바깥 둘레 가장자리 사이에서 신장한 상기 익스팬드 테이프를 상기 가열 수단에 의해 가열하여 수축시키는 가열 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 테이프 확장 방법.In the tape expansion method using the tape expansion device of claim 1,
A holding step of maintaining the annular frame so that the back surface of the expand tape is positioned below the contact surface of the cooling table with the wafer facing vertically downward;
After performing the holding step, an expanded tape cooling step of cooling the expanded tape by contacting the back surface of the expanded tape with the contact surface of the cooling table and applying a suction force to the suction hole;
an expand tape expansion step of expanding the expand tape by moving the frame holding means and the pressing means relative to each other;
The expand tape stretched between the frame holding means and the outer peripheral edge of the wafer is placed on the heating means while the contact surface of the cooling table is brought into contact with the rear surface of the expand tape and a suction force is applied to the suction hole. Heating step of shrinking by heating
A tape expansion method comprising: 제2항에 있어서, 상기 냉각 테이블을 상기 익스팬드 테이프로부터 이격시켜, 상기 익스팬드 테이프 확장 단계를 행하고,
상기 냉각 테이블을 상기 익스팬드 테이프를 향해 이동시키고, 상기 냉각 테이블의 상기 접촉면을 상기 익스팬드 테이프 이면에 접촉시켜, 상기 가열 단계를 행하는 것을 특징으로 하는 테이프 확장 방법.3. The method of claim 2, wherein the step of expanding the expand tape is performed by spaced the cooling table away from the expand tape,
A method of expanding a tape, characterized in that the heating step is performed by moving the cooling table toward the expand tape and bringing the contact surface of the cooling table into contact with the back surface of the expand tape. 제2항에 있어서, 상기 익스팬드 테이프 확장 단계에서, 상기 냉각 테이블을 이동시키지 않고, 상기 냉각 테이블의 상기 접촉면에 상기 익스팬드 테이프의 이면이 접촉하는 위치에서 상기 흡인 구멍으로부터 공기를 분출하면서, 상기 익스팬드 테이프를 확장하는 것을 특징으로 하는 테이프 확장 방법.
The method of claim 2, wherein in the step of expanding the expand tape, without moving the cooling table, blowing air from the suction hole at a position where the back surface of the expand tape contacts the contact surface of the cooling table, Expand A tape expansion method characterized by expanding the tape.
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