KR102595983B1 - 점착 시트, 및 점착 시트의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

기재 또는 박리재 상에 주성분으로서 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지를 포함하는 수지 부분 (X) 와 실리카 입자를 포함하는 미립자로 이루어지는 입자 부분 (Y) 를 포함하는 수지층을 갖고, 표면 (α) 가 점착성을 갖고, 표면 (α) 에, 오목부 및 평탄면이 존재하고, 소정의 단면 (P1) 의 표면 (α) 측에, 소정의 최대 고저차를 갖는 오목부와, 영역 (P) 내에 평탄면의 절단 부분에 상당하고 수지층과 접촉한 표면과 대략 평행한 평탄부가 존재하고, 단면에 존재하는 1 개의 오목부 아래에 위치하는 소정의 영역 (S) 에 대해, EDX 로 측정되는 규소 원자에서 유래한 피크 강도와 탄소 원자에서 유래한 피크 강도의 강도비와, 단면에 존재하는 1 개의 평탄부의 아래에 위치하는 소정의 영역 (T) 에 대해, EDX 를 사용하여 측정되는 상기 강도비의 값의 비의 절대값이 0.2 이하인, 점착 시트를 제공한다.

Description

점착 시트, 및 점착 시트의 제조 방법

본 발명은 점착 시트, 및 점착 시트의 제조 방법에 관한 것이다.

일반적인 점착 시트는, 기재와, 그 기재 상에 형성된 점착제층과, 필요에 따라 그 점착제층 상에 형성된 박리재로 구성되어 있고, 사용 시에는, 박리재가 형성되어 있는 경우에는, 그 박리재를 박리하고, 점착제층을 피착체에 맞닿게 하여 첩부 (貼付) 한다.

그런데, 예를 들어 식별·장식용, 도장 마스킹용, 금속판 등의 표면 보호용 등에 사용하는, 첩부 면적이 큰 점착 시트는, 피착체에 첩부할 때에, 점착제층과 피착체 사이에 공기 고임이 발생하기 쉽고, 그 부분이 「팽창」이 되어, 점착 시트가 피착체에 깔끔하게 첩부되기 어렵다는 문제가 있다.

이와 같은 문제를 해결하기 위해서, 예를 들어 특허문헌 1 에는, 점착제층의 표면에, 미세한 엠보스 패턴을 갖는 박리재를 접촉시켜, 점착제층의 표면에, 특정 형상의 홈을, 소정 패턴으로 인공적으로 배치시켜 이루어지는 점착 시트가 개시되어 있다.

이와 같은 점착 시트를 사용함으로써, 피착체와의 첩부 시에 발생한 「공기 고임」은, 점착제층의 표면에 인공적으로 형성된 홈을 통하여, 외부로 빠져나갈 수 있다고 되어 있다.

일본 공표특허공보 2001-507732호

그러나, 특허문헌 1 등에 기재된 바와 같은, 특정 형상의 홈이 소정 패턴으로 배치된 점착제층을 갖는 점착 시트는, 홈의 폭이 좁으면 공기가 방출되기 어렵고, 홈의 폭이 넓으면 표면 기재가 움푹 패여 외관이 열등할 뿐만 아니라, 점착력이 저하한다는 문제가 있다.

또, 당해 점착 시트는, 홈이 소정 패턴으로 배치되어 있기 때문에, 홈이 배치된 지점의 점착력은 국소적으로 열등하여, 당해 점착 시트를 피착체에 첩부했을 때, 당해 지점으로부터 벗겨짐이 발생할 가능성이 있다.

한편, 당해 점착 시트를 피착체에 첩부 후에 재박리할 때, 당해 점착 시트의 점착 특성이 국소적으로 상이하므로, 점착 시트의 박리하는 방향에 따라서는, 피착체에 풀 잔존이 생길 우려가 있다. 예를 들어, 격자상으로 홈이 배치된 점착제층을 갖는 점착 시트의 경우, 경사 방향으로 박리하면, 피착체에 풀 잔존이 생길 가능성이 있다.

또한, 당해 점착 시트에 대해 펀칭 가공을 실시하는 경우, 홈의 배치 패턴과 펀칭 가공의 패턴이 겹칠 우려가 있다. 그 경우, 절입 깊이에 편차가 생겨, 적절히 점착 시트에 절입을 형성할 수 없다는 등의 문제가 있다.

또, 일반적으로 점착 시트에 형성된 박리재를 박리하기 쉽게 하기 위해서, 박리재에만 절입을 실시하여, 박리의 개시부를 형성하는 공정 (이른바 백 슬릿 가공) 을 실시하는 경우가 있다. 당해 공정을 실시하는 경우, 점착 시트로부터 박리재를 일단 박리하고, 박리재에 절입을 실시한 후, 재차 박리재와 점착 시트의 점착제층을 라미네이트하는 것이 일반적이다.

그러나, 특허문헌 1 에 기재된 점착 시트에서는, 엠보스 라이너를 박리재로서 사용하고 있으므로, 재차 박리재와 점착제층을 라미네이트할 때에, 박리재의 엠보스 패턴에 추종하기 어렵기 때문에, 엠보스 가공이 실시되어 있지 않은 다른 박리재를 준비할 필요가 생긴다.

또한, 특허문헌 1 에서는, 점착제층에 미세 구조를 형성하기 위해서, 일단 엠보스 라이너에 점착제를 도포하여 점착제층을 형성하고 나서, 당해 점착제층과 기재를 라미네이트하는 방법 (이른바 전사 도포법) 을 채용하고 있다. 그러나, 상기 기재로서, 폴리올레핀계 기재 등의 저극성 표면을 갖는 기재를 사용하면, 당해 방법으로는, 기재와 점착제층의 계면에 충분한 밀착성이 얻어지지 않는다.

또한, 종이로 이루어지는 박리재와 달리, 수지 필름으로 이루어지는 박리재에서는, 점착제층에 대해 미세한 엠보스 패턴의 형성이 어렵다.

그 밖에도, 특허문헌 1 에 기재된 점착 시트는, 내블리스터성이 열등하므로, 고온하에서 사용한 경우에, 블리스터가 발생하기 쉽다는 등의 문제가 있다.

본 발명은, 피착체에 첩부했을 때에 생길 수 있는 공기 고임을 용이하게 제거할 수 있는 우수한 에어 방출성을 가짐과 함께, 내블리스터성, 및 점착 특성도 양호한, 점착 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자는, 주성분으로서 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지를 포함하는 수지 부분 (X) 와, 실리카 입자를 포함하는 미립자로 이루어지는 입자 부분 (Y) 를 포함하고, 점착성을 갖는 표면에 오목부 및 평탄면이 존재하는 수지층을 갖고, 오목부 및 평탄면을 갖는 평탄부의 각각의 소정의 영역, 혹은 오목부의 소정의 영역의 실리카 입자의 비율을 특정 범위로 하는 점착 시트가, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.

즉, 본 발명은, 하기 [1] ∼ [24] 를 제공하는 것이다.

[1] 기재 또는 박리재 상에, 주성분으로서 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지를 포함하는 수지 부분 (X) 와, 실리카 입자를 포함하는 미립자로 이루어지는 입자 부분 (Y) 를 포함하는 수지층을 갖고, 적어도 상기 기재 또는 박리재가 형성된 측과는 반대측의 상기 수지층의 표면 (α) 가 점착성을 갖는 점착 시트로서,

표면 (α) 에, 오목부 및 평탄면이 존재하고,

표면 (α) 상의 한 변 5 mm 의 정방형으로 둘러싸인 영역 (P) 를 임의로 선택하고, 당해 정방형의 2 개의 대각선의 각각을 지나고, 표면 (α) 상의 영역 (P) 에 대해 수직이 되는 평면으로 두께 방향으로 상기 점착 시트를 절단하여 얻어지는 2 개의 단면 중, 적어도 1 개의 단면 (P1) 에 있어서,

당해 단면 (P1) 의 표면 (α) 측에, 상기 수지층의 총두께의 40 ％ 이상의 최대 고저차를 갖는 오목부와, 영역 (P) 내에 존재하는 상기 평탄면의 절단 부분에 상당하고, 상기 기재 또는 박리재의 상기 수지층과 접촉한 표면과 대략 평행한 평탄부가 존재하고,

당해 단면 (P1) 에 존재하는 1 개의 상기 오목부의 두께 방향으로 아래에 위치하는 소정의 영역 (S) 에 대해, 에너지 분산형 X 선 분석을 이용하여 측정되는 규소 원자에서 유래한 피크 강도 (Si) 와 탄소 원자에서 유래한 피크 강도 (C) 의 강도비 Si/C 의 값 (S_EDX) 과,

당해 단면 (P1) 에 존재하는 1 개의 상기 평탄부의 두께 방향으로 아래에 위치하고, 영역 (S) 와 수평 방향의 길이가 동일한 소정의 영역 (T) 에 대해, 에너지 분산형 X 선 분석을 분석을 이용하여 측정되는 상기 강도비 Si/C 의 값 (T_EDX) 의 비 (S_EDX/T_EDX) 의 절대값이 0.2 이하인, 점착 시트.

[2] 상기 소정의 영역 (S) 에 있어서의 Si/C 의 값 (S_EDX) 이 0.01 이하인, [1] 에 기재된 점착 시트.

[3] 기재 또는 박리재 상에, 주성분으로서 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지를 포함하는 수지 부분 (X) 와, 실리카 입자를 포함하는 미립자로 이루어지는 입자 부분 (Y) 를 포함하는 수지층을 갖고, 적어도 상기 기재 또는 박리재가 형성된 측과는 반대측의 상기 수지층의 표면 (α) 가 점착성을 갖는 점착 시트로서,

표면 (α) 에, 오목부 및 평탄면이 존재하고,

표면 (α) 상의 한 변 5 mm 의 정방형으로 둘러싸인 영역 (P) 를 임의로 선택하고, 당해 정방형의 2 개의 대각선의 각각을 지나고, 표면 (α) 상의 영역 (P) 에 대해 수직이 되는 평면으로 두께 방향으로 상기 점착 시트를 절단하여 얻어지는 2 개의 단면 중, 적어도 1 개의 단면 (P1) 에 있어서,

당해 단면 (P1) 의 표면 (α) 측에, 상기 수지층의 총두께의 40 ％ 이상의 최대 고저차를 갖는 오목부와, 영역 (P) 내에 존재하는 상기 평탄면의 절단 부분에 상당하고, 상기 기재 또는 박리재의 상기 수지층과 접촉한 표면과 대략 평행한 평탄부가 존재하고,

당해 단면 (P1) 에 존재하는 1 개의 상기 오목부의 두께 방향으로 아래에 위치하는 소정의 영역 (S) 에 대해, 에너지 분산형 X 선 분석을 이용하여 측정되는 규소 원자에서 유래한 피크 강도 (Si) 와 탄소 원자에서 유래한 피크 강도 (C) 의 강도비 Si/C 의 값 (S_EDX) 이 0.01 이하인, 점착 시트.

[4] 상기 소정의 영역 (S) 의 Si/C 의 값 (S_EDX) 과, 상기 단면 (P1) 에 존재하는 1 개의 상기 평탄부의 두께 방향으로 아래에 위치하고, 영역 (S) 와 수평 방향의 길이가 동일한 소정의 영역 (T) 에 대해, 에너지 분산형 X 선 분석에 의해 측정되는 상기 강도비 Si/C 의 값 (T_EDX) 의 비 (S_EDX/T_EDX) 의 절대값이 0.2 이하인, [3] 에 기재된 점착 시트.

[5] 상기 소정의 영역 (T) 의 Si/C 의 값 (T_EDX) 이 0.01 보다 큰, [1] ∼ [4] 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

[6] 단면 (P1) 의 표면 (α) 측에, 상기 수지층의 총두께의 40 ％ 이상의 최대 고저차를 갖는 오목부가 복수 있고, 각각의 형상이 서로 상이한 [1] ∼ [5] 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

[7] 표면 (α) 측으로부터 관찰한 상기 평탄면의 형상이 부정형인, [1] ∼ [6] 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

[8] 상기 단면 (P1) 에 있어서, 표면 (α) 측에 복수의 평탄부가 존재하는, [1] ∼ [7] 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

[9] 상기 단면 (P1) 에 있어서, 표면 (α) 측에 존재하는 상기 복수의 평탄부의 위치가 주기성을 갖지 않는, [8] 에 기재된 점착 시트.

[10] 상기 단면 (P1) 에 있어서, 표면 (α) 측에 존재하는 상기 복수의 평탄부의 각각의 상기 기재 또는 박리재까지의 거리가 대략 동일한, [8] 또는 [9] 에 기재된 점착 시트.

[11] 상기 오목부가, 0.5 ㎛ 이상의 최대 고저차를 갖는, [1] ∼ [10] 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

[12] 상기 수지층의 표면 (α) 에, 적어도 직경 100 ㎛ 의 원으로 둘러싸인 영역을 선택 가능한 넓이를 갖는 평탄면 (f1) 이 1 개 이상 존재하는, [1] ∼ [11] 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

[13] 상기 수지층의 표면 (α) 에, 0.2 ㎟ 이상의 면적을 갖는 평탄면 (f2) 가 1 개 이상 존재하는, [1] ∼ [12] 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

[14] 상기 오목부가, 엠보스 패턴을 갖는 박리재를 사용하여 형성된 것이 아닌, [1] ∼ [13] 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

[15] 상기 수지층을 800 ℃ 에서 30 분간 가열한 후의 질량 유지율이 3 ∼ 90 질량％ 인, [13] 또는 [14] 에 기재된 점착 시트.

[16] 수지 부분 (X) 에 포함되는 상기 탄소 원자 함유 수지가, 점착성 수지를 포함하는, [13] ∼ [15] 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

[17] 수지 부분 (X) 가, 추가로 금속 킬레이트계 가교제 및 에폭시계 가교제에서 선택되는 1 종 이상을 포함하는, [1] ∼ [16] 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

[18] 상기 기재 또는 박리재가 형성된 측의 상기 수지층의 표면 (β) 가 점착성을 갖는, [1] ∼ [17] 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

[19] 상기 박리재 상에 상기 수지층을 갖는, [18] 에 기재된 점착 시트.

[20] 상기 수지층이, 기재 또는 박리재가 형성된 측으로부터, 주성분으로서 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지를 포함하는 수지 부분 (X) 를 주로 포함하는 층 (Xβ), 실리카 입자를 포함하는 미립자로 이루어지는 입자 부분 (Y) 를 15 질량％ 이상 포함하는 층 (Y1), 및 주성분으로서 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지를 포함하는 수지 부분 (X) 를 주로 포함하는 층 (Xα) 를 이 순서로 적층한 다층 구조체인, [1] ∼ [19] 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

[21] 층 (Xβ) 가, 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지를 포함하고, 실리카 입자의 함유량이 15 질량％ 미만인 조성물 (xβ) 로 형성된 층이고,

층 (Y1) 이, 실리카 입자를 15 질량％ 이상 포함하는 조성물 (y) 로 형성된 층이고,

층 (Xα) 가, 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지를 포함하고, 실리카 입자의 함유량이 15 질량％ 미만인 조성물 (xα) 로 형성된 층인, [20] 에 기재된 점착 시트.

[22] [1] ∼ [19] 중 어느 하나에 기재된 점착 시트를 제조하는 방법으로서, 적어도 하기 공정 (1) 및 (2) 를 갖는, 점착 시트의 제조 방법.

공정 (1) : 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지를 포함하고, 실리카 입자의 함유량이 15 질량％ 미만인 조성물 (x) 로 이루어지는 도막 (x'), 및 실리카 입자를 15 질량％ 이상 포함하는 조성물 (y) 로 이루어지는 도막 (y') 를 형성하는 공정

공정 (2) : 공정 (1) 에서 형성한 도막 (x') 및 도막 (y') 를 동시에 건조시키는 공정

[23] [21] 에 기재된 점착 시트를 제조하는 방법으로서, 적어도 하기 공정 (1A) 및 (2A) 를 갖는, 점착 시트의 제조 방법.

공정 (1A) : 기재 또는 박리재 상에, 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지를 포함하고, 실리카 입자의 함유량이 15 질량％ 미만인 조성물 (xβ) 로 이루어지는 도막 (xβ'), 상기 실리카 입자를 15 질량％ 이상 포함하는 조성물 (y) 로 이루어지는 도막 (y'), 및 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지를 포함하고, 실리카 입자의 함유량이 15 질량％ 미만인 조성물 (xα) 로 이루어지는 도막 (xα') 를 이 순서로 적층하여 형성하는 공정

공정 (2A) : 공정 (1A) 에서 형성한 도막 (xβ'), 도막 (y'), 및 도막 (xα') 를 동시에 건조시키는 공정

[24] [21] 에 기재된 점착 시트를 제조하는 방법으로서, 적어도 하기 공정 (1B) 및 (2B) 를 갖는, 점착 시트의 제조 방법.

공정 (1B) : 기재 또는 박리재 상에 형성된, 주로 수지 부분 (X) 를 포함하는 층 (Xβ) 상에, 상기 실리카 입자를 15 질량％ 이상 포함하는 조성물 (y) 로 이루어지는 도막 (y'), 및 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지를 포함하고, 실리카 입자의 함유량이 15 질량％ 미만인 조성물 (xα) 로 이루어지는 도막 (xα') 를 이 순서로 적층하여 형성하는 공정

공정 (2B) : 공정 (1B) 에서 형성한 도막 (y') 및 도막 (xα') 를 동시에 건조시키는 공정

본 발명의 점착 시트는, 피착체에 첩부했을 때에, 생길 수 있는 공기 고임을 용이하게 제거할 수 있는 우수한 에어 방출성을 가짐과 함께, 점착 특성도 양호하다.

도 1 은 본 발명의 점착 시트의 구성의 일례를 나타내는, 그 점착 시트의 단면 모식도이다.
도 2 는 본 발명의 점착 시트가 갖는 수지층의 표면 (α) 측으로부터 관찰했을 때의 표면 (α) 의 평면 모식도이다.
도 3 은 본 발명의 점착 시트가 갖는 수지층의 표면 (α) 측의 형상의 일례를 나타내는, 그 수지층의 단면 모식도이다.
도 4 는 본 발명에서 규정하는 「점착 시트의 2 개의 단면」을 취득하는 방법을 설명하기 위한 도면으로서, 본 발명의 일 양태의 점착 시트의 사시도이다.
도 5 는 본 발명에서 규정하는 단면 (P1) 의 모식도의 일례이다.
도 6 은 실시예 및 비교예에서 제작한 점착 시트의 수지층의 표면 (α) 의 관찰에 사용한, 측정 샘플의 단면 모식도이다.
도 7 은 본 발명의 일 양태의 점착 시트에 대해, 단면의 모식도의 일례로, 오목부 및 평탄부에 있어서의 실리카 입자의 존재 상태를 설명하는 모식도이다.
도 8 의 (a) 는 실시예 1 에서 제작한 점착 시트의 수지층의 표출되어 있는 표면 (α) 의 임의로 선택한 세로 8 mm × 가로 10 mm 의 장방형으로 둘러싸인 영역 (D) 를, 디지털 현미경을 사용하여 표면 (α) 측으로부터 촬영하여 얻은 화상의 2 치화 화상이다. 또한, 당해 2 치화 화상의 흑색 부분이 평탄면, 백색 부분이 오목부에 해당한다. (b) 는 실시예 1 에서 제작한 점착 시트의 단면을 주사형 현미경을 사용하여 관찰해 취득한 단면 화상이다.
도 9 는 실시예 2 에서 제작한 점착 시트의 수지층의 표출되어 있는 표면 (α) 의 임의로 선택한 세로 8 mm × 가로 10 mm 의 장방형으로 둘러싸인 영역 (D) 를, 디지털 현미경을 사용하여 표면 (α) 측으로부터 촬영하여 얻은 화상의 2 치화 화상이다. 또한, 당해 2 치화 화상의 흑색 부분이 평탄면, 백색 부분이 오목부에 해당한다.
도 10 은 실시예 3 에서 제작한 점착 시트의 수지층의 표출되어 있는 표면 (α) 의 임의로 선택한 세로 8 mm × 가로 10 mm 의 장방형으로 둘러싸인 영역 (D) 를, 디지털 현미경을 사용하여 표면 (α) 측으로부터 촬영하여 얻은 화상의 2 치화 화상이다. 또한, 당해 2 치화 화상의 흑색 부분이 평탄면, 백색 부분이 오목부에 해당한다.
도 11 은 실시예 4 에서 제작한 점착 시트의 수지층의 표출되어 있는 표면 (α) 의 임의로 선택한 세로 8 mm × 가로 10 mm 의 장방형으로 둘러싸인 영역 (D) 를, 디지털 현미경을 사용하여 표면 (α) 측으로부터 촬영하여 얻은 화상의 2 치화 화상이다. 또한, 당해 2 치화 화상의 흑색 부분이 평탄면, 백색 부분이 오목부에 해당한다.
도 12 는 비교예 1 에서 제작한 점착 시트의 수지층의 표출되어 있는 표면 (α) 의 임의로 선택한 세로 8 mm × 가로 10 mm 의 장방형으로 둘러싸인 영역 (D) 를, 디지털 현미경을 사용하여 표면 (α) 측으로부터 촬영하여 얻은 화상의 2 치화 화상이다. 또한, 당해 2 치화 화상의 흑색 부분이 평탄면, 백색 부분이 오목부에 해당한다.
도 13 은 비교예 2 에서 제작한 점착 시트의 수지층의 표출되어 있는 표면 (α) 의 임의로 선택한 세로 8 mm × 가로 10 mm 의 장방형으로 둘러싸인 영역 (D) 를, 디지털 현미경을 사용하여 표면 (α) 측으로부터 촬영하여 얻은 화상의 2 치화 화상이다. 또한, 당해 2 치화 화상의 흑색 부분이 평탄면, 백색 부분이 오목부에 해당한다.
도 14 는 비교예 3 에서 제작한 점착 시트의 수지층의 표출되어 있는 표면 (α) 의 임의로 선택한 세로 8 mm × 가로 10 mm 의 장방형으로 둘러싸인 영역 (D) 를, 디지털 현미경을 사용하여 표면 (α) 측으로부터 촬영하여 얻은 화상의 2 치화 화상이다. 또한, 당해 2 치화 화상의 흑색 부분이 평탄면, 백색 부분이 오목부에 해당한다.
도 15 는 비교예 4 에서 제작한 점착 시트의 수지층의 표출되어 있는 표면 (α) 의 임의로 선택한 세로 8 mm × 가로 10 mm 의 장방형으로 둘러싸인 영역 (D) 를, 디지털 현미경을 사용하여 표면 (α) 측으로부터 촬영하여 얻은 화상의 2 치화 화상이다. 또한, 당해 2 치화 화상의 흑색 부분이 평탄면, 백색 부분이 오목부에 해당한다.

본 발명에 있어서, 예를 들어 「주성분으로서 XX 성분을 포함하는 YY」나 「주로 XX 성분으로 이루어지는 YY」라는 기재는, 「YY 에 포함되는 성분 중, 가장 함유량이 많은 성분은 XX 성분이다」라는 것을 의미하고 있다. 당해 기재에 있어서의 구체적인 XX 성분의 함유량으로는, YY 의 전체량 (100 질량％) 에 대해, 통상 50 질량％ 이상, 바람직하게는 65 ∼ 100 질량％, 보다 바람직하게는 75 ∼ 100 질량％, 더욱 바람직하게는 85 ∼ 100 질량％ 이다.

또, 본 발명에 있어서 예를 들어, 「(메트)아크릴산」이란, 「아크릴산」과「메타크릴산」쌍방을 나타내고, 다른 유사 용어도 동일하다.

또한, 바람직한 수치 범위 (예를 들어, 함유량 등의 범위) 에 대해, 단계적으로 기재된 하한값 및 상한값은, 각각 독립적으로 조합할 수 있다. 예를 들어, 「바람직하게는 10 ∼ 90, 보다 바람직하게는 30 ∼ 60」이라는 기재로부터, 「바람직한 하한값 (10)」과「보다 바람직한 상한값 (60)」을 조합하여, 「10 ∼ 60」이라고 할 수도 있다.

또한, 본 발명에 있어서, 「구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지 (이하, 간단히 「탄소 원자 함유 수지」라고도 한다)」로는, 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자 이외의 원자를 갖는 수지 (예를 들어, 우레탄계 수지 등) 는 포함되지만, 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖지 않는 수지 (예를 들어, 실리콘계 수지 등) 는 포함되지 않는다.

〔본 발명의 점착 시트의 구성〕

본 발명의 점착 시트는, 기재 또는 박리재 상에 수지층을 갖고, 적어도 상기 기재 또는 박리재가 형성된 측과는 반대측의 상기 수지층의 표면 (α) 가 점착성을 갖는 점착 시트로서, 표면 (α) 에는, 오목부 및 평탄면이 존재한다.

도 1 은, 본 발명의 점착 시트의 구성의 일례를 나타내는, 당해 점착 시트의 단면 모식도이다.

본 발명의 일 양태의 점착 시트로는, 예를 들어 도 1(a) 에 나타내는 바와 같은, 기재 (11) 상에, 수지층 (12) 을 갖는 점착 시트 (1a) 나, 도 1(b) 에 나타내는 바와 같은, 박리재 (21) 상에, 수지층 (12) 을 갖는 점착 시트 (1b) 를 들 수 있다.

본 발명의 점착 시트는, 적어도 기재 (11) 또는 박리재 (21) 가 형성된 측과는 반대측의 수지층 (12) 의 표면 (α)(12a)(이하, 간단히 「표면 (α)」라고도 한다) 는 점착성을 갖고, 오목부 (13) 및 평탄면 (14) 이 존재한다.

그 때문에, 취급성의 관점에서 본 발명의 다른 일 양태의 점착 시트로는, 도 1 에 나타내는 점착 시트 (1a, 1b) 에 대해, 수지층 (12) 의 표면 (α)(12a) 상에 추가로 박리재 (22) 를 형성한, 도 1(c) 또는 (d) 에 나타내는 바와 같은, 점착 시트 (2a, 2b) 와 같은 구성을 갖는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 일 양태의 점착 시트에 있어서, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 수지층 (12) 이, 주성분으로서 탄소 원자 함유 수지를 포함하는 수지 부분 (X) 와, 실리카 입자를 포함하는 미립자로 이루어지는 입자 부분 (Y) 를 포함하는 것이 바람직하다.

수지층 (12) 중에 입자 부분 (Y) 를 포함함으로써, 첩부 후의 형상 유지성을 향상시킬 수 있고, 얻어지는 점착 시트를 고온하에서 사용한 경우에, 블리스터의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.

주성분으로서 탄소 원자 함유 수지를 포함하는 수지 부분 (X) 및 입자 부분 (Y) 의 자세한 것은 후술하는 바와 같다.

또, 본 발명의 일 양태인 점착 시트에 있어서, 기재 (11) 또는 박리재 (21) 가 형성된 측의 수지층 (12) 의 표면 (β)(12b)(이하, 간단히 「표면 (β)」라고도 한다) 도 점착성을 가지고 있어도 된다.

표면 (β) 도 점착성을 가짐으로써, 도 1(a) 및 (c) 에 나타내는 점착 시트 (1a, 2a) 이면, 수지층 (12) 과 기재 (11) 의 밀착성이 양호해지고, 도 1(b) 및 (d) 에 나타내는 점착 시트 (1b, 2b) 이면, 양면 점착 시트로 할 수 있다.

〔표면 (α) 에 존재하는 오목부 및 평탄면에 관한 요건〕

본 발명의 점착 시트는, 도 1(a) ∼ (d) 에 나타내는 바와 같이, 수지층 (12) 의 표면 (α)(12a) 에는 오목부 (13) 및 평탄면 (14) 이 존재한다.

표면 (α) 에 존재하는 오목부 (13) 는, 본 발명의 점착 시트의 수지층의 표면 (α) 를 피착체에 첩부할 때에 생기는 「공기 고임」을 외부로 빠져나가게 하기 위한 공기 배출 통로로서의 역할을 담당하는 것이다.

한편, 표면 (α) 에 존재하는 평탄면 (14) 은, 피착체와의 첩합 (貼合) 시에, 피착체와 직접 접촉하여 밀착되는 면이고, 점착 시트의 점착력에 영향을 미치는 지점이다.

도 2 는, 본 발명의 점착 시트가 갖는 수지층의 표면 (α) 측으로부터 관찰했을 때의 표면 (α) 의 평면 모식도이다.

수지층의 표면 (α) 에 존재하는 오목부는, 도 2 에 나타내는 바와 같은, 부정형의 오목부 (13) 인 것이 바람직하지만, 정형의 오목부가 존재하고 있어도 된다.

단, 본 발명의 일 양태에 있어서, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 수지층 (12) 의 표면 (α)(12a) 에, 부정형의 오목부 (13) 가 1 개 이상 존재하고 있는 것이 바람직하고, 부정형의 오목부 (13) 가 복수 존재하고 있는 것이 보다 바람직하다.

수지층의 표면 (α) 에 부정형의 오목부가 존재하고 있음으로써, 에어 방출성 및 점착 특성을 밸런스 양호하게, 더욱 향상시킨 점착 시트로 할 수 있다.

또, 부정형의 오목부가 복수 존재함으로써, 일정 방향으로부터의 압력이 가해져, 표면 (α) 에 존재하는 오목부의 일부의 형상이 붕괴된 경우에 있어서도, 표면 (α) 에는 형상이 유지된 오목부 (13) 가 존재하기 쉬워, 에어 방출의 경로가 소실되는 것을 방지할 수 있다.

또한, 표면 (α) 에 존재하는 오목부 (13) 를 평면으로 본 경우에 있어서의 당해 오목부 (13) 의 길이는, 특별히 제한은 없다. 요컨대, 오목부 (13) 는, 비교적 긴 홈 형상의 것이나, 비교적 짧은 오목 형상의 것이 포함된다.

본 발명의 일 양태에 있어서, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 수지층 (12) 의 표면 (α)(12a) 측으로부터 관찰한 평탄면 (14) 의 형상이 부정형인 것이 바람직하다.

또한, 수지층의 표면 (α) 에 존재하는 평탄면은, 부정형의 평탄면 (14) 과 함께, 정형의 평탄면이 존재하고 있어도 되지만, 부정형의 평탄면 (14) 이 복수 존재하고 있는 것이 바람직하다.

수지층의 표면 (α) 에 부정형의 평탄면이 존재하고 있음으로써, 일반적인 엠보스 패턴을 갖는 박리 시트를 사용하여 형성된 점착제층의 표면과 달리, 국소 적으로 점착력이 약한 지점이나 에어 방출성이 열등한 지점의 존재를 한없이 적게 할 수 있다. 그 결과, 수지층의 표면 (α) 에 대해, 균일하게 우수한 에어 방출성 및 점착 특성을 발현시킬 수 있다.

또한, 본 발명에 있어서 「부정형」이란, 원이나 타원 등의 중심을 작도 가능한 도형, 및 다각형 등과 같은 정형의 형상을 갖지 않고, 형태에 규칙성이 없고, 개개의 형상에 유사성이 보이지 않는 형상을 가리키고, 구체적으로는 도 2 에 나타내는 오목부 (13) 및 평탄면 (14) 의 형상이 해당된다.

한편, 「부정형」이 아닌 「정형」의 것으로는, 원이나 타원 및 다각형 등을 들 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 「다각형」이란, 그 내부에 (외부로는 돌출되지 않고) 대각선을 작도 가능한 도형으로서, 내각의 합이 180 × n (도)(n 은 자연수) 의 직선으로 둘러싸인 도형를 가리킨다. 당해 다각형은, 그 각부 (角部) 가 라운드상의 만곡 형상인 것도 포함된다.

또, 본 발명에 있어서, 수지층의 표면 (α) 에 「부정형」의 오목부 또는 평탄면이 존재하고 있는지 여부의 판단은, 수지층의 표면 (α) 측으로부터, 관찰 대상인 평탄면 또는 오목부의 형상을 육안 또는 디지털 현미경 (배율 : 30 ∼ 100 배) 으로 관찰하고 판단하는 것이 원칙이다.

또한, 디지털 현미경을 사용하는 경우에는, 예를 들어 도 6 에 나타내는 바와 같이, 표면 (α)(12a) 상의 육안으로 평탄면이 존재한다고 생각되는 지점의 상방으로부터 A 방향으로 서서히 초점을 이동하고, 처음으로 초점이 맞은 부분을 평탄면으로서 관찰하는 것이 적당하다.

또, 상기 방법으로 초점이 정해지지 않는 경우에는, 도 6(b) 와 같이, 수지층의 표면 (α)(12a) 상에 평활면 (100a) 을 갖는 투광성 피착체 (100) 를 가능한 한 하중을 가하지 않도록 스퀴지를 사용하여 부착하고, W 방향으로부터 디지털 현미경을 사용하여 투광성 피착체 (100) 를 개재하여 수지층의 표면 (α)(12a) 를 관찰하고, 오목부 및 평탄면이 존재하고 있는지 여부를 확인하는 방법으로 판단해도 된다. 요컨대, 평활면 (100a) 과 접촉하는 표면 (α) 의 지점을 「평탄면」으로 판단하고, 평활면 (100a) 과 접촉하고 있지 않는 표면 (α) 의 지점을 「오목부」로 판단할 수 있다.

단, 표면 (α) 상의 임의로 선택된 세로 8 mm × 가로 10 mm 의 장방형으로 둘러싸인 영역 (D) 를 1 ∼ 10 영역 선택하고, 선택한 각 영역 (D) 내에 존재하는 오목부 또는 평탄면의 형상을 표면 (α) 측으로부터 육안 또는 디지털 현미경 (배율 : 30 ∼ 100 배) 으로 관찰하고 판단해도 된다. 요컨대, 선택한 어느 영역에 있어서도, 부정형의 오목부 또는 평탄면이 존재하고 있으면, 「표면 (α) 에, 부정형의 오목부 또는 평탄면이 존재한다」라고 간주할 수도 있다. 마찬가지로, 선택한 어느 영역에 있어서도, 부정형의 오목부 또는 평탄면이 복수 존재하고 있으면, 「표면 (α) 에, 부정형의 오목부 또는 평탄면이 복수 존재한다」라고 간주할 수도 있다.

영역 (D) 의 관찰 시에는, 디지털 현미경을 사용하여, 저배율로 선택한 영역 (D) 의 전체면을 한 번에 관찰해도 된다.

또, 디지털 현미경을 사용하여, 고배율로, 선택한 영역 (D) 를 관찰해도 되지만, 고배율로 관찰하고 있으므로, 당해 영역 (D) 가, 디지털 현미경의 촬영 가능 영역보다 커지는 경우가 있다. 이와 같은 경우에는, 디지털 현미경의 화상 연결 기능을 사용하여, 임의로 선택한 서로 이웃하는 영역을 촬영하여 인접하는 복수의 화상을 취득하고, 당해 복수의 화상을 연결하여 연결 화상으로 하고, 당해 연결 화상으로부터 임의로 선택한 세로 8 mm × 가로 10 mm 의 장방형으로 둘러싸인 부분을 영역 (D) 으로 하여, 상기 판단에 사용해도 된다.

또한, 이하에 기재에 있어서, 어느 요건을 만족하고 있는지 여부의 판단을 실시하기 위해서, 선택한 영역 내를 디지털 현미경을 사용하여 관찰하는 경우에 있어서도, 상기와 마찬가지로 연결 화상으로부터, 당해 요건을 만족하고 있는지 여부의 판단을 해도 된다.

또한, 본 명세서의 기재에서, 각종 형상의 관찰을 실시할 때에 사용하는 디지털 현미경으로는, 예를 들어 키엔스사 제조의 제품명 「디지털 마이크로스코프 VHX-1000」이나 「디지털 마이크로스코프 VHX-5000」등을 들 수 있다.

또, 각종 형상을 관찰할 때에는, 표면 (α) 를 상기 배율로 직접 디지털 현미경으로 관찰하는 방법이라도 되고, 상기 배율로 디지털 현미경을 사용하여 화상을 취득하고, 당해 화상에 나타난 오목부 및 평탄부의 형상을 육안으로 관찰하는 방법이라도 된다.

또, 표면 (α) 에 존재하는 부정형의 오목부의 형상이, 표면 (α) 측으로부터 육안에 의해 시인할 수 있는 것이 바람직하다.

마찬가지로, 표면 (α) 에 존재하는 부정형의 평탄면의 형상이, 표면 (α) 측으로부터 육안에 의해 시인할 수 있는 것이 바람직하다.

또한, 도 1(c) 또는 (d) 에 나타내는 바와 같은, 수지층 (12) 의 표면 (α)(12a) 상에 박리재 (22) 가 적층된 점착 시트 (2a, 2b) 에 있어서는, 당해 박리재 (22) 를 제거했을 때에, 표출된 표면 (α)(12a) 를 육안으로 관찰하는 것으로 한다.

본 발명의 일 양태에 있어서, 표면 (α) 에는, 부정형의 오목부 (13) 와 함께, 정형의 오목부가 존재하고 있어도 된다.

단, 표면 (α) 에 존재하는 오목부의 전체 면적 100 ％ 에 대한, 표면 (α) 에 존재하는 부정형의 오목부가 차지하는 면적 비율로는, 바람직하게는 80 ∼ 100 ％, 보다 바람직하게는 90 ∼ 100 ％, 더욱 바람직하게는 95 ∼ 100 ％, 보다 더욱 바람직하게는 100 ％ 이다.

또, 본 발명의 일 양태에 있어서, 표면 (α) 의 전체 면적 100 ％ 에 대한, 표면 (α) 에 존재하는 오목부가 차지하는 면적 비율로는, 바람직하게는 10 ∼ 80 ％, 보다 바람직하게는 20 ∼ 70 ％, 더욱 바람직하게는 30 ∼ 60 ％, 보다 더욱 바람직하게는 35 ∼ 55 ％ 이다.

마찬가지로, 본 발명의 일 양태에 있어서, 표면 (α) 에는, 부정형의 평탄면 (14) 과 함께, 정형의 평탄면이 존재하고 있어도 된다.

단, 표면 (α) 에 존재하는 평탄면의 전체 면적 100 ％ 에 대한, 표면 (α) 에 존재하는 부정형의 평탄면이 차지하는 면적 비율로는, 바람직하게는 80 ∼ 100 ％, 보다 바람직하게는 90 ∼ 100 ％, 더욱 바람직하게는 95 ∼ 100 ％, 보다 더욱 바람직하게는 100 ％ 이다.

또, 본 발명의 일 양태에 있어서, 표면 (α) 의 전체 면적 100 ％ 에 대한, 표면 (α) 에 존재하는 평탄면이 차지하는 면적 비율로는, 바람직하게는 20 ∼ 90 ％, 보다 바람직하게는 30 ∼ 80 ％, 더욱 바람직하게는 40 ∼ 70 ％, 보다 더욱 바람직하게는 45 ∼ 65 ％ 이다.

또한, 상기 「오목부 또는 평탄면이 차지하는 면적 비율」은, 디지털 현미경 (배율 : 30 ∼ 100 배) 을 사용하여, 표면 (α) 의 화상을 취득하고, 당해 화상에 대해 화상 처리 (2 치화 처리) 를 실시하여 산출할 수 있다.

또, 표면 (α) 상의 임의로 선택된 세로 8 mm × 가로 10 mm 의 장방형으로 둘러싸인 영역 (D) 를 1 ∼ 10 영역 선택하고, 디지털 현미경 (배율 : 30 ∼ 100 배) 을 사용하여, 당해 영역의 화상을 취득하고, 당해 화상으로부터 각 영역의 「오목부 또는 평탄면이 차지하는 면적 비율」의 값을 산출하고, 선택한 1 ∼ 10 영역의 당해 값의 평균을, 대상이 되는 점착 시트의 수지층의 표면 (α) 에 존재하는 「오목부 또는 평탄면이 차지하는 면적 비율」로 간주할 수도 있다.

본 발명의 일 양태에 있어서, 보다 에어 방출이나 점착 특성 등의 각종 특성을 밸런스 양호하게 향상시킨 점착 시트로 하는 관점에서, 수지층의 표면 (α) 에 존재하는 오목부 및 평탄면의 형상이, 일정한 반복 단위가 되는 형상을 갖는 것이 아닌 것이 바람직하다.

또, 본 발명의 일 양태에 있어서, 보다 에어 방출이나 점착 특성 등의 각종 특성을 밸런스 양호하게 향상시킨 점착 시트로 하는 관점에서, 수지층의 표면 (α) 에 복수의 오목부가 존재하고, 당해 복수의 오목부가 존재하는 위치가 주기성을 갖지 않는 것이 바람직하다. 또, 동일한 관점에서, 수지층의 표면 (α) 에 복수의 평탄면이 존재하고, 당해 복수의 평탄면이 존재하는 위치가 주기성을 갖지 않는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 「복수의 오목부 또는 평탄면이 존재하는 위치가 주기성을 갖지 않는다」란, 수지층의 표면 (α) 상에 있어서, 복수의 오목부 또는 평탄면이 존재하는 위치가, 동일한 반복 패턴을 가지지 않고, 불규칙 (랜덤) 한 상태를 의미한다.

또한, 「오목부 및 평탄면의 형상이, 일정한 반복 단위가 되는 형상을 갖는 것이 아니다」인지 여부의 판단, 그리고 「복수의 오목부 또는 평탄면이 존재하는 위치가 주기성을 갖지 않는다」인지 여부의 판단은, 상기 서술한 「수지층의 표면 (α) 에, 부정형의 오목부 또는 평탄면이 존재하고 있는지 여부」의 판단 방법과 동일한 방법으로 판단할 수 있다.

이하, 표면 (α) 에 존재하는 오목부 및 평탄면에 관한 특유의 요건에 대해 설명한다.

＜표면 (α) 에 존재하는 오목부에 관한 특유의 요건＞

본 발명의 일 양태에 있어서, 수지층의 표면 (α) 상의 임의로 선택된 한 변 1 mm 의 정방형으로 둘러싸인 영역 (Q) 내에, 상기 오목부가 1 개 이상 존재하는 것이 바람직하고, 상기 오목부가 복수 존재하고 있는 것이 보다 바람직하다.

상기 서술한 영역 (Q) 내에 오목부가 1 개 이상 존재함으로써, 에어 방출성이나 점착 특성 등의 각종 특성을 밸런스 양호하게 향상시킨 점착 시트로 할 수 있다.

본 발명의 일 양태에 있어서, 수지층 (12) 의 표면 (α)(12a) 에 존재하는 오목부 (13) 는, 0.5 ㎛ 이상의 최대 고저차를 갖는 것이 바람직하다.

여기서 규정하는 「오목부」는, 0.5 ㎛ 이상의 최대 고저차를 갖는 함몰을 가리키고, 0.5 ㎛ 이상의 고저차를 갖는 지점이 오목부의 어느 부분에 존재하고 있으면 되고, 당해 오목부의 전체 영역에 걸쳐서, 0.5 ㎛ 이상의 고저차를 가지고 있을 필요는 없다.

도 3 은, 본 발명의 점착 시트가 갖는 수지층의 표면 (α) 측의 형상의 일례를 나타내는, 그 수지층의 단면 모식도이다.

도 3(a) 에 나타낸 오목부 (13) 와 같이, 통상적인 오목부의 형상으로는, 2 개의 산 부분 (M₁), (M₂) 과, 계곡 부분 (N) 을 갖는다. 본 발명에 있어서 오목부의 「최대 고저차」란, 수지층 (12) 의 두께 방향에 대해, 2 개의 산 부분 (M₁), (M₂) 중 가장 높은 위치 (m)(도 3(a) 에서는 산 부분 (M₁) 의 극대점) 와, 가장 낮은 위치 (n)(도 3(a) 에서는 계곡 부분 (N) 의 극소점) 의 차 (h) 의 길이를 의미한다.

또, 도 3(b) 와 같은 경우는, 2 개의 산 부분 (M₁₁), (M₁₂) 과, 계곡 부분 (N₁) 을 갖는 오목부 (131) 와, 2 개의 산 부분 (M₁₂), (M₁₃) 과, 계곡 부분 (N₂) 을 갖는 오목부 (132) 의 2 개의 오목부를 가지고 있다고 생각된다. 이 경우, 산 부분 (M₁₁) 의 극대점과 계곡 부분 (N₁) 의 극소점의 차 (h₁) 의 길이가 오목부 (131) 의 최대 고저차를 나타내고, 산 부분 (M₁₃) 의 극대점과 계곡 부분 (N₂) 의 극소점의 차 (h₂) 의 길이가 오목부 (132) 의 최대 고저차를 나타낸다.

1 개의 오목부의 최대 고저차로는, 점착 시트의 에어 방출성 향상의 관점, 점착 시트의 외관을 양호하게 유지하는 관점, 그리고 점착 시트의 형상 안정성의 관점에서, 보다 바람직하게는 1.0 ㎛ 이상 수지층의 두께 이하이고, 더욱 바람직하게는 3.0 ㎛ 이상 수지층의 두께 이하, 보다 더욱 바람직하게는 5.0 ㎛ 이상 수지층의 두께 이하이다.

또, 당해 오목부의 폭의 평균값으로는, 점착 시트의 에어 방출성 향상의 관점, 그리고 점착 시트의 점착성을 양호하게 하는 관점에서, 바람직하게는 1 ∼ 500 ㎛, 보다 바람직하게는 3 ∼ 400 ㎛, 더욱 바람직하게는 5 ∼ 300 ㎛ 이다.

또한, 본 발명에 있어서, 당해 오목부의 폭이란, 2 개의 산 부분의 극대점 간의 거리를 의미하고, 도 3(a) 에 나타낸 오목부 (13) 에 있어서는, 산 부분 (M₁) 과 산 부분 (M₂) 의 거리 L 을 가리킨다. 또, 도 3(b) 에 나타낸 오목부 (131) 에 있어서는, 산 부분 (M₁₁) 과 산 부분 (M₁₂) 의 거리 L₁ 을 가리키고, 오목부 (132) 에 있어서는, 산 부분 (M₁₃) 과 산 부분 (M₁₂) 의 거리 L₂ 를 가리킨다.

또, 본 발명의 점착 시트를 평면으로 봤을 때에 (바로 위로부터 봤을 때에), 오목부가 장변과 단변을 갖는 경우에는, 단변을 폭으로 한다.

당해 1 개의 오목부의 최대 고저차와 폭의 평균값의 비〔최대 고저차/폭의 평균값〕(도 3(a) 에 나타낸 오목부 (13) 에 있어서는, 「h/L」을 가리킨다) 로는, 점착 시트의 에어 방출성 향상의 관점, 그리고 점착 시트의 점착성을 양호하게 하는 관점에서, 바람직하게는 1/500 ∼ 100/1, 보다 바람직하게는 3/400 ∼ 70/3, 더욱 바람직하게는 1/60 ∼ 10/1 이다.

＜표면 (α) 에 존재하는 평탄면에 관한 특유의 요건＞

본 발명의 일 양태에 있어서, 수지층의 표면 (α) 에, 적어도 직경 100 ㎛ (바람직하게는 직경 150 ㎛, 보다 바람직하게는 직경 200 ㎛) 의 원으로 둘러싸인 영역을 선택 가능한 넓이를 갖는 평탄면 (f1) 이 1 개 이상 존재하는 것이 바람직하고, 당해 평탄면 (f1) 이 복수 존재하는 것이 보다 바람직하다.

표면 (α) 에 평탄면 (f1) 이 존재함으로써, 표면 (α) 상의 피착체와의 접착 부분이 충분하기 때문에, 피착체와의 밀착성을 향상시킬 수 있어, 보다 점착력이 높은 점착 시트로 할 수 있다.

또, 본 발명의 상기 실시양태에 있어서, 수지층의 표면 (α) 상의 임의로 선택된 세로 8 mm × 가로 10 mm 의 장방형으로 둘러싸인 영역 (D) 에 있어서, 평탄면 (f1) 이 1 개 이상을 존재하는 것이 바람직하고, 당해 평탄면 (f1) 이 복수 존재하는 것이 보다 바람직하다.

또한, 상기 서술한 실시양태에 있어서, 수지층의 표면 (α) 혹은 영역 (D) 에 존재하는 평탄면 전부가, 평탄면 (f1) 에 해당하고 있을 필요는 없고, 표면 (α) 혹은 영역 (D) 에 존재하는 평탄면이, 평탄면 (f1) 을 포함하는 것이면 된다.

또, 본 발명의 다른 일 양태에 있어서, 상기 수지층의 표면 (α) 에, 0.2 ㎟ 이상 (바람직하게는 0.3 ㎟ 이상, 보다 바람직하게는 0.4 ㎟ 이상) 의 면적을 갖는 평탄면 (f2) 가 1 개 이상 존재하는 것이 바람직하고, 당해 평탄면 (f2) 가 복수 존재하는 것이 보다 바람직하다.

표면 (α) 에 평탄면 (f2) 가 존재함으로써, 표면 (α) 상의 피착체와의 접착 부분이 충분하기 때문에, 피착체와의 밀착성을 향상시킬 수 있어, 보다 점착력이 높은 점착 시트로 할 수 있다.

또, 본 발명의 상기 양태에 있어서, 수지층의 표면 (α) 상의 임의로 선택된 세로 8 mm × 가로 10 mm 의 장방형으로 둘러싸인 영역 (D) 에 있어서, 평탄면 (f2) 가 1 개 이상을 존재하는 것이 바람직하고, 당해 평탄면 (f2) 가 복수 존재하는 것이 보다 바람직하다.

또한, 상기 서술한 상기 양태에 있어서, 수지층의 표면 (α) 혹은 영역 (D) 에 존재하는 평탄면 전부가, 평탄면 (f2) 에 해당하고 있을 필요는 없고, 표면 (α) 혹은 영역 (D) 에 존재하는 평탄면이, 평탄면 (f2) 를 포함하는 것이면 된다.

또, 수지층의 표면 (α) 혹은 표면 (α) 상의 임의로 선택된 세로 8 mm × 가로 10 mm 의 장방형으로 둘러싸인 영역 (D) 에, 상기 서술한 평탄면 (f1) 및 (f2) 쌍방 모두에 해당하는 평탄면 (f12) 가 1 개 이상 존재하는 것이 바람직하고, 당해 평탄면 (f12) 가 복수 존재하는 것이 보다 바람직하다.

또한, 본 발명에 있어서, 표면 (α) 혹은 영역 (D) 에 상기 서술한 평탄면 (f1), (f2), (f12) 가 존재하고 있는지 여부의 판단은, 대상이 되는 점착 시트의 수지층의 표면 (α) 혹은 영역 (D) 에 존재하는 평탄면을 디지털 현미경 (배율 : 30 ∼ 100 배) 을 사용하여 관찰한 화상을 취득하고, 당해 화상을 기초로, 화상 해석 소프트를 사용하여, 직경 100 ㎛ 의 원으로 둘러싸인 영역을 선택 가능한지 여부의 판단이나, 평탄면의 면적의 산출을 실시해도 된다.

〔단면 (P1) 에 관한 요건〕

본 발명의 점착 시트는, 수지층의 표면 (α) 상의 한 변 5 mm 의 정방형으로 둘러싸인 영역 (P) 를 임의로 선택하고, 당해 정방형의 2 개의 대각선의 각각을 지나고, 표면 (α) 에 대해 수직이 되는 평면으로 두께 방향으로 상기 점착 시트를 절단하여 얻어지는 2 개의 단면 중, 적어도 1 개의 단면 (P1) 에 있어서, 하기 요건 (I) 을 만족하는 오목부와, 하기 요건 (II) 를 만족하는 평탄부가 존재한다.

·요건 (I) : 상기 단면 (P1) 의 표면 (α) 측에, 상기 수지층의 총두께의 40 ％ 이상의 최대 고저차를 갖는 오목부가 존재한다.

·요건 (II) : 상기 단면 (P1) 의 표면 (α) 측에, 영역 (P) 내에 존재하는 상기 평탄면의 절단 부분에 상당하고, 상기 기재 또는 박리재의 상기 수지층과 접촉한 표면과 대략 평행한 평탄부가 존재한다.

먼저, 도 4 를 적절히 참조하여, 상기 서술한 「점착 시트의 2 개의 단면」을 취득할 때까지의 흐름에 대해 설명한다.

도 4 는, 본 발명에서 규정하는 「점착 시트의 2 개의 단면」을 취득하는 방법을 설명하기 위한 도면으로서, 본 발명의 일 양태의 점착 시트의 사시도이다. 도 4 에서는, 일례로서 도 1(a) 에 나타내는 점착 시트 (1a) 와 동일한 구성을 갖는 점착 시트 (11a) 의 사시도를 나타내고 있고, 수지층 (12) 의 표면 (α)(12a) 에 존재하는 오목부 및 평탄면의 기재는 생략하고 있다.

최초로, 수지층 (12) 의 표면 (α)(12a) 상에, 한 변 5 mm 의 정방형 (50) 으로 둘러싸인 영역 (P) 를 임의로 선택한다. 이때, 선택하는 영역 (P) 에 대해, 표면 (α)(12a) 상에서의 선택 위치나 선택한 영역 (P) 를 구성하는 정방형 (50) 의 방향 등의 제한은 없다.

그리고, 영역 (P) 를 구성하는 정방형 (50) 의 2 개의 대각선 (51, 52) 의 각각을 지나고, 표면 (α)(12a) 에 대해 수직이 되는 평면으로 두께 방향으로 상기 점착 시트를 절단하여 얻어지는 2 개의 단면 (61, 62) 을 생각한다.

요컨대, 대각선 (51) 을 지나도록, 두께 방향 A 를 따라, 표면 (α)(12a) 에 대해 수직이 되는 평면으로, 상기 점착 시트를 절단한 경우에는, 단면 (61) 이 얻어진다.

한편, 대각선 (52) 을 지나도록, 두께 방향 A 를 따라, 표면 (α)(12a) 에 대해 수직이 되는 평면으로, 상기 점착 시트를 절단한 경우에는, 단면 (62) 이 얻어진다.

본 발명에서는, 이와 같이 하여 취득된 점착 시트의 2 개의 단면 (61, 62) 에 대해, 상기 요건 (I) 을 만족하는 복수의 오목부와, 상기 요건 (II) 를 만족하는 평탄부가 존재하는 단면을 「단면 (P1)」로 나타낸다.

요컨대, 본 발명에 있어서는, 단면 (61, 62) 의 적어도 1 개가, 상기 요건 (I) 을 만족하는 복수의 오목부와, 상기 요건 (II) 를 만족하는 평탄부가 존재하는 단면 (P1) 인 것을 필요로 한다.

또한, 본 발명의 일 양태에 있어서, 2 개의 단면 (61, 62) 모두가, 단면 (P1) 에 해당하는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 2 개의 단면 (61, 62) 이, 상기 요건 (I) 을 만족하는 복수의 오목부와, 상기 요건 (II) 를 만족하는 평탄부가 존재하는 단면 (P1) 에 해당하는지 여부의 판단, 그리고 상기 단면 (P1) 에 있어서의, 후술하는 각종 요건을 만족하고 있는지 여부의 판단은, 대상이 되는 단면을 주사형 전자현미경 (배율 : 100 ∼ 1000 배) 을 사용하여 취득한 화상으로부터 판단한다.

도 5 는, 본 발명에서 규정하는 단면 (P1) 의 모식도의 일례이다.

상기 방법에 의해 얻어진 단면 (P1)(60) 은, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 단면 (P1)(60) 의 표면 (α)(12a) 측에는, 적어도 오목부 (13a) 와, 평탄부 (14a) 가 존재한다.

또한, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 단면 (P1)(60) 의 표면 (α)(12a) 측에, 평탄부 (14a) 보다 융기하여, 수지층 (12) 과 접촉하는 기재 (11)(또는 박리재) 의 표면을 지나는 직선 e_β 와 대략 평행으로는 되지 않는 볼록부 (15) 가 존재하고 있어도 된다.

상기 단면 (P1)(60) 에 있어서, 상기 요건 (I) 과 같이, 상기 단면의 표면 (α)(12a) 측에는, 상기 수지층 (12) 의 총두께의 40 ％ 이상의 최대 고저차를 갖는 오목부가 존재한다.

당해 오목부는, 복수 존재하는 것이 바람직하고, 당해 복수의 오목부는, 절단 부분의 형상이 서로 상이한 것이 보다 바람직하다.

수지층 (12) 의 총두께의 40 ％ 이상의 최대 고저차를 갖는 오목부 (13a) 는, 점착 시트의 에어 방출성에 크게 영향을 미치는, 공기 배출 통로로서의 역할을 담당하는 지점이다.

이와 같은 복수의 오목부 (13a) 의 절단 부분의 형상이 서로 상이함으로써, 점착 시트의 첩부 전후에 관계없이, 일정한 방향성이 있는 힘이 점착 시트에 가해졌을 때에, 모든 오목부가 동일하게 변형되어, 공기 배출 통로로서의 역할을 완수하는 홈이 소실되어 버리는 상황을 방지할 수 있다. 그 결과, 에어 방출성이 매우 우수한 점착 시트로 할 수 있다.

또, 상기 관점에서, 본 발명의 일 양태에 있어서, 상기 단면 (P1)(60) 에 있어서, 요건 (I) 에서 규정하는, 표면 (α)(12a) 측에는, 절단 부분의 형상이 부정형인 오목부가 존재하는 것이 바람직하고, 절단 부분의 형상이 부정형인 오목부가 복수 존재하고 있는 것이 보다 바람직하다.

또한, 여기서 말하는 「부정형」이란, 상기와 동일한 의미를 나타낸다.

본 발명에 있어서, 「수지층 (12) 의 총두께의 40 ％ 이상의 최대 고저차를 갖는 오목부에 해당하는지 여부」의 판단, 「복수의 오목부의 절단 부분의 형상이 서로 상이한지 여부」, 그리고 「절단 부분의 형상이 부정형인 오목부에 해당하는지 여부」의 판단은, 상기 서술한 바와 같이 상기 단면 (P1)(60) 을 디지털 현미경이나 주사형 전자현미경을 사용하여 취득한 화상으로부터 판단한다.

또한, 상기 중 「복수의 오목부의 절단 부분의 형상이 서로 상이한지 여부」의 판단은, 예를 들어 상기 화상에 나타난 대상이 되는 2 개의 오목부의 폭의 길이 및 최대 고저차가 서로 상이한 경우, 「이 2 개의 오목부는 절단 부분의 형상이 서로 상이하다」라고 판단해도 된다.

상기 단면 (P1)(60) 에 있어서, 상기 요건 (II) 와 같이, 상기 단면의 표면 (α)(12a) 측에는, 도 2 에 나타내는 바와 같은 영역 (P) 내에 존재하는 상기 평탄면 (14) 의 절단 부분에 상당하고, 상기 기재 또는 박리재의 상기 수지층 (12) 과 접촉한 표면과 대략 평행한 평탄부 (14a) 가 존재한다.

평탄부 (14a) 는, 표면 (α) 에 존재하는 평탄면 (14) 의 절단면에 상당하고, 단면 (P1)(60) 에 있어서는, 상기 기재 또는 박리재의 표면과 대략 평행한 부분에 대응한다.

요컨대, 도 5 에 나타내는 단면 (P1)(60) 에 있어서, 평탄부 (14a) 를 지나는 직선 e_α 는, 수지층 (12) 과 접촉하는 기재 (11) 의 표면을 지나는 직선 e_β 와 대략 평행이다. 그 때문에, 평탄부 (14a) 는, 도 5 에 나타내는 바와 같은, 직선 e_α 에 대해 상방으로 융기되도록 형성된 볼록부 (15) 와는 구별된다.

또한, 본 발명에서 말하는 「대략 평행」이란, 당해 단면 (P1) 의 표면 (α) 측에 존재하는 평탄부 (14a) 를 통과하는 직선과, 수지층과 접촉하는 기재 또는 박리재의 표면을 지나는 직선이 이루는 각도가 0 도가 되는 경우는 물론이고, 당해 이루는 각도가 실질적으로 평행이라고 간주할 수 있는 정도의 약간의 경사를 갖는 경우 (예를 들어, 당해 이루는 각도가 5 도 이하, 바람직하게는 2 도 이하인 경우) 를 포함한다.

또, 에어 방출성 및 점착 특성을 밸런스 양호하게 향상시킨 점착 시트로 하는 관점에서, 상기 단면 (P1)(60) 에 있어서, 상기 평탄부 (14a) 가, 당해 단면 (P1)(60) 의 표면 (α)(12a) 측에 복수 존재하는 것이 바람직하고, 표면 (α)(12a) 측에 존재하는 상기 복수의 평탄부 (14a) 의 위치가 주기성을 갖지 않는 것이 보다 바람직하다.

또한, 「평탄부의 위치가 주기성을 갖지 않는다」란, 복수의 평탄부가 존재하는 위치가, 동일한 반복 패턴을 가지지 않고, 불규칙 (랜덤) 한 상태를 의미한다.

또, 상기 단면 (P1)(60) 에 있어서, 당해 단면 (P1)(60) 의 표면 (α)(12a) 측에 평탄부 (14a) 가 복수 존재하는 경우, 표면 (α)(12a) 측에 존재하는 상기 복수의 평탄부 (14a) 의 각각의 상기 기재 또는 박리재까지의 거리가 대략 동일한 것이 바람직하다.

이것은, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 복수의 평탄부 (14a) 가 하나의 직선 e_α 로 연결할 수 있고, 직선 e_α 와, 수지층과 접촉하는 기재 또는 박리재의 수지층 (12) 과 접촉하고 있는 표면을 지나는 직선 e_β 가 대략 평행인 것을 나타내고 있다.

이와 같이 함으로써, 복수의 평탄부 (14a) 의 두께 방향에 있어서의 위치가 대략 동일해지기 때문에, 피착체의 피착면에 충분히 접촉시켜, 점착력의 향상에 기여하는 것이 될 수 있다.

또한, 본 발명에 있어서, 「복수의 평탄부의 각각의 상기 기재 또는 박리재까지의 거리가 대략 동일」이란, 대상이 되는 2 개의 평탄부의 기재 또는 박리재까지의 거리의 차가, 당해 거리의 평균값에 대해, 5 ％ 미만 (바람직하게는 2 ％ 미만) 인 범위를 포함하는 것이다.

또, 본 발명의 일 양태에 있어서, 에어 방출성 및 점착 특성을 밸런스 양호하게 향상시킨 점착 시트로 하는 관점에서, 상기 단면 (P1) 을 복수 취득했을 때, 각각의 단면 (P1) 에 있어서의 표면 (α) 측에 존재하는 평탄부의 형성 위치 및 형성 길이가, 취득한 복수의 단면 (P1) 에 있어서 서로 상이한 것이 바람직하다.

요컨대, 취득한 단면 (P1) 에 있어서 표면 (α) 측에 존재하는 평탄부의 형성 위치 및 형성 길이는, 다른 단면 (P1) 의 것과는 상이한 것이고, 동일한 단면 (P1) 로는 되지 않는 것을 나타내고 있다.

〔본 발명에 관련된 제 1 점착 시트 및 제 2 점착 시트에 관한 요건〕

본 발명의 점착 시트로는, 예를 들어 하기 요건 (III) 을 만족하는 제 1 양태 (「제 1 점착 시트」라고도 한다) 와, 하기 요건 (IV) 를 만족하는 제 2 양태 (「제 2 점착 시트」라고도 한다) 를 들 수 있다.

또한, 제 1 점착 시트에 있어서, 하기 요건 (III) 과 함께, 하기 요건 (IV) 를 만족하는 것이 바람직하다. 또, 제 2 점착 시트에 있어서, 하기 요건 (IV) 와 함께, 하기 요건 (III) 을 만족하는 것이 바람직하다.

·요건 (III) : 상기 단면 (P1) 에 존재하는 1 개의 상기 오목부의 두께 방향으로 아래에 위치하는 소정의 영역 (S) 에 대해, 에너지 분산형 X 선 분석 (이하, 「EDX」라고 표기하는 경우가 있다) 을 사용하여 측정되는 규소 원자에서 유래한 피크 강도 (Si) 와 탄소 원자에서 유래한 피크 강도 (C) 의 강도비 Si/C 의 값 (S_EDX) 과, 당해 단면 (P1) 에 존재하는 1 개의 상기 평탄부의 두께 방향으로 아래에 위치하고, 영역 (S) 와 수평 방향의 길이가 동일한 소정의 영역 (T) 에 대해, 에너지 분산형 X 선 분석을 이용하여 측정되는 상기 강도비 Si/C 의 값 (T_EDX) 의 비 (S_EDX/T_EDX) 의 절대값이 0.2 이하이다.

·요건 (IV) : 상기 단면 (P1) 에 존재하는 1 개의 상기 오목부의 두께 방향으로 당해 오목부의 아래에 위치하는 소정의 영역 (S) 에 대해, 에너지 분산형 X 선 분석을 이용하여 측정되는 규소 원자에서 유래한 피크 강도 (Si) 와, 탄소 원자에서 유래한 피크 강도 (C) 의 강도비 Si/C 의 값 (S_EDX) 이 0.01 이하이다.

요건 (III) 및 (IV) 에서 규정한 EDX 에 의해 측정되는 「강도비 Si/C (S_EDX)」 나 「강도비 Si/C (T_EDX)」는, 영역 (S) 또는 (T) 에 있어서의, 입자 부분 (Y) 를 구성하는 실리카 입자와, 수지 부분 (X) 를 구성하는 탄소 원자 함유 수지의 존재 비율을 간접적으로 나타낸 것이다.

요컨대, 강도비 Si/C 의 값이 클수록, 당해 영역 내의 실리카 입자를 포함하는 미립자로 이루어지는 입자 부분 (Y) 의 함유 비율이 많고, 한편 강도비 Si/C 의 값이 작을수록, 당해 영역 내의 실리카 입자를 포함하는 미립자로 이루어지는 입자 부분 (Y) 의 함유 비율이 적다.

본 발명의 제 1 및 제 2 점착 시트는, 수지층의 표면 (α) 에 존재하는 상기 오목부의 두께 방향으로 아래에 위치하는 소정의 영역 (S) 에서는, 실리카 입자를 포함하는 미립자로 이루어지는 입자 부분 (Y) 의 함유 비율이 매우 적은 것이고, 그것을 상기 요건 (III) 및 (IV) 에서 규정하고 있다.

또한, 영역 (S) 의 입자 부분 (Y) 의 함유 비율이 매우 적어지는 이유로는, 후술과 같은 수지층의 표면 (α) 에 오목부가 형성 과정에 있어서, 당해 오목부의 두께 방향으로 아래에 위치하는 영역 (S) 에 분포하고 있던 실리카 입자가, 오목부의 형성이 진행됨과 함께, 당해 오목부가 형성되어 있지 않은 지점 (평탄부의 두께 방향으로 아래에 위치하는 영역) 으로 유동하는 것에서 기인한다고 생각된다.

요컨대, 상기 요건 (III) 및 (IV) 에서 규정은, 수지층의 표면 (α) 에 존재하는 오목부가, 수지층의 자기 형성화에 의해 형성된 것인 취지를 규정하고 있다고도 할 수 있다.

요건 (III) 에서 규정하는 비 (S_EDX/T_EDX) 의 절대값은, 오목부의 아래에 위치하는 영역 (S) 와, 평탄부의 아래에 위치하는 영역 (T) 의, 실리카 입자를 포함하는 미립자로 이루어지는 입자 부분 (Y) 의 함유 비율의 비율을 간접적으로 나타내고 있다. 당해 비 (S_EDX/T_EDX) 가 작을수록, 오목부의 아래에 위치하는 영역 (S) 에 존재하는 입자 부분 (Y) 는, 평탄부의 아래에 위치하는 영역 (T) 에 존재하는 입자 부분 (Y) 에 비해 적다고 할 수 있다.

또한, 비 (S_EDX/T_EDX) 에 있어서 절대값을 취하는 이유는 하기와 같다. 즉, Si 를 함유하지 않는 경우, S_EDX 및 T_EDX 의 각각이 마이너스의 값이 되는 경우가 있지만, 이것은 장치의 측정 오차에서 기인하고 있으므로 측정 오차의 영향을 배제하기 위해서이다.

요건 (III) 에서 규정하는 비 (S_EDX/T_EDX) 의 절대값은 0.2 이하이지만, 바람직하게는 0.150 이하, 보다 바람직하게는 0.100 이하, 더욱 바람직하게는 0.080 이하이며, 또 바람직하게는 0.001 이상, 보다 바람직하게는 0.002 이상, 더욱 바람직하게는 0.005 이상이다.

당해 비 (S_EDX/T_EDX) 가 0.2 이하이면, 수지층의 자기 형성화에 의해 형성되는 영역 (S) 상의 오목부는, 공기 배출 통로로서 기능하기 위해서 충분한 깊이를 갖는 것이 되어, 얻어지는 점착 시트의 에어 방출성을 양호하게 할 수 있다. 또, 영역 (T) 에 존재하는 입자 부분 (Y) 를 구성하는 미립자의 비율도 많음으로써, 영역 (T) 상에 위치하는 평탄부의 첩부 후의 형상 유지성을 향상시킬 수 있고, 얻어지는 점착 시트를 고온하에서 사용한 경우에, 블리스터의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.

또, 요건 (IV) 에서 규정하는 영역 (S) 의 강도비 Si/C 의 값 (S_EDX) 이 0.01 이하이지만, 바람직하게는 0.008 이하, 보다 바람직하게는 0.007 이하, 더욱 바람직하게는 0.006 이하이며, 또 바람직하게는 -0.01 이상, 보다 바람직하게는 0.000001 이상, 더욱 바람직하게는 0.00001 이상, 보다 더욱 바람직하게는 0.0001 이상이다.

당해 강도비 Si/C 의 값 (S_EDX) 이 0.01 이하이면, 수지층의 자기 형성화에 의해 형성되는 영역 (S) 상의 오목부는, 공기 배출 통로로서 기능하기 위해서 충분한 깊이를 갖는 것이 되어, 얻어지는 점착 시트의 에어 방출성을 양호하게 할 수 있다.

또한, 영역 (T) 의 강도비 Si/C 의 값 (T_EDX) 으로는, 통상 0.01 보다 크고, 바람직하게는 0.02 이상, 보다 바람직하게는 0.03 이상, 더욱 바람직하게는 0.04 이상이며, 또 통상 1.00 이하이다.

＜영역 (S), 영역 (T), 강도비 Si/C 의 값의 측정법＞

여기서, 도 7 을 참조하여, 상기 EDX 의 측정 방법을 설명한다.

요건 (III) 및 (IV) 에서 규정하는 「상기 단면 (P1) 에 존재하는 1 개의 상기 오목부의 두께 방향으로 아래에 위치하는 소정의 영역 (S)」는, 도 7 에 나타내는 바와 같은, 대상이 되는 오목부 (13a) 의 가장 낮은 위치 (N_a) 를 지나고, 세로의 길이 (연직 방향의 길이) 가 수지층 (12) 의 총두께 (h) 와 오목부 (13a) 의 최대 고저차 (ha) 의 차이 (h - ha) 이며, 가로의 길이 (연직 방향과 수직인 수평 방향의 길이) 가 S_L 로 나타내지는 장방형이다.

또한, 본 발명의 점착 시트에 있어서는, 단면 (P1) 의 표면 (α) 측에, 최대 고저차 (ha) 와 수지층 (12) 의 총두께 (h) 의 비〔ha/h〕가 0.4 이상이 되는 오목부가 존재한다.

또, 영역 (S) 를 구성하는 장방형의 가로길이 S_L 은, 대상이 되는 오목부 (13a) 의 가장 낮은 위치인 점 N_a 를 지나는 연직 방향으로 신장되는 직선 g_a 로부터, 연직 방향과 수직인 수평 좌측 방향으로, 오목부 (13a) 의 폭 L_a 의 10 ％ 의 길이 S_L1 만큼 떨어진 직선 g₁ 과, 직선 g_a 로부터, 연직 방향과 수직인 수평 우측 방향으로, 오목부 (13a) 의 폭 L_a 의 10 ％ 의 길이 S_L2 만큼 떨어진 직선 g₂ 의 거리에 대응한다.

요컨대, 도 7 중, 길이 S_L 은, 오목부 (13a) 의 폭 L_a 의 20 ％ 의 길이에 상당한다. 또, 영역 (S) 를 구성하는 장방형은, 오목부 (13a) 와는 점 N_a 에서 접한다.

이와 같이 하여, 측정 대상인 선택한 1 개의 오목부 (13a) 에 대해, 상기와 같이 하여 영역 (S) 를 결정할 수 있다.

한편, 요건 (III) 에서 규정한 비 (S_EDX/T_EDX) 를 산출할 때에 선택되는 영역 (T) 에 대해서는, 이하와 같이 선택된다.

먼저, 단면 (P1) 에 존재하는 1 개의 상기 평탄부를 임의로 선택한다.

그리고, 선택한 평탄부의 폭 L_b 의 중점이 되는 점 N_T 를 지나고, 두께 방향으로 아래에 위치하고, 영역 (S) 와 수평 방향의 길이가 동일한 영역 (T) 를 정한다.

도 7 에 나타내는 바와 같이, 영역 (T) 는, 세로의 길이 (연직 방향의 길이) 가 수지층 (12) 의 표면 (α) 와 표면 (β) 의 거리 (요컨대, 수지층 (12) 의 총두께 (h)) 이며, 가로 길이 (연직 방향과 수직인 수평 방향의 길이) 가, 비교 대상이 되는 오목부 (13a) 에 대해 상기 서술한 방법에 의해 규정한 영역 (S) 의 가로 길이 S_L 이 되는 장방형이다.

또한, 점 N_T 가, 영역 (T) 를 구성하는 장방형의 가로의 변의 중점에 위치하도록 영역 (T) 는 선택된다.

이와 같이 하여 선택된 영역 (S) 및 (T) 에 있어서의 강도비 Si/C 의 값은, 당해 영역의 전체면에 있어서 EDX 측정을 실시함으로써 산출할 수 있다.

EDX 는 예를 들어, 옥스포드 인스트루먼츠 주식회사 제조, 제품명 「INCAEnergy」, 타입 : E2H 를 사용할 수 있다. 또한, 구체적인 측정 조건으로는, 후술의 실시예를 따라 측정하는 것이 바람직하다.

본 발명의 일 양태에 있어서, 상기 서술한 단면에 있어서, 상기 요건 (I) 에서 규정한 복수의 오목부, 및 상기 요건 (II) 를 만족하는 평탄부가 존재하고, 상기 비 (S_EDX/T_EDX) 나 Si/C 의 값 (S_EDX) 을 소정값 이하로 조정한 점착 시트로 하는 관점에서, 상기 오목부가, 엠보스 패턴을 갖는 박리재를 사용하여 형성된 것이 아닌 것이 바람직하다.

또한, 「엠보스 패턴을 갖는 박리재를 사용하여 형성된 오목부」란, 예를 들어 이하와 같은 것을 들 수 있고, 상기 양태의 오목부와는 구별된다.

·점착제 조성물로 형성한 점착제층이 갖는 평탄한 표면에, 엠보스 패턴이 실시된 박리 시트를 가압하고, 엠보스 패턴의 전사에 의해 형성된 오목부.

·박리 처리면에 엠보스 패턴이 실시된 박리 시트를 사용하여, 당해 박리 처리면에 점착제 조성물을 도포하여 점착제층을 형성한 후, 당해 박리 시트를 제거했을 때에 당해 점착제층의 표면에 표출되는 오목부.

이와 같은 오목부는, 전술한 특허문헌 1 에 기재된 점착 시트에 관한 문제점으로서 열거한 바와 같은 수많은 문제가 생긴다.

본 발명의 일 양태에 있어서, 수지층의 표면 (α) 에 상기 서술한 요건을 만족하는 오목부 및 평탄면을 형성한 점착 시트로 하는 관점에서, 상기 오목부는, 상기 수지층의 자기 형성화에 의해 형성된 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서 「자기 형성화」란, 수지층의 자율적인 형성 과정에 있어서, 자연스럽게 무질서한 형상을 만들어 내는 현상을 의미하고, 보다 상세하게는 수지층의 형성 재료인 조성물로 형성된 도막을 건조시키고, 수지층의 자율적인 형성 과정에 있어서, 자연스럽게 무질서한 형상을 만들어 내는 현상을 의미한다.

또한, 이와 같이 수지층의 자기 형성화에 의해 형성된 오목부의 형상은, 건조 조건이나 수지층의 형성 재료인 조성물 중의 성분의 종류나 함유량을 조정함으로써, 어느 정도의 조정은 가능하기는 하지만, 엠보스 패턴의 전사에 의해 형성되는 홈과는 달리, 「완전히 동일한 형상의 것을 재현하는 것은 사실상 가능하지 않다」라고 말할 수 있다. 그 때문에, 수지층의 자기 형성화에 의해 형성된 오목부는 부정형이라고 말할 수 있다.

또, 부정형의 오목부가 형성됨으로써, 평탄면의 형상도 부정형이 된다.

수지층의 자기 형성화에 의해 형성된 오목부의 형성 과정은, 이하와 같이 생각된다.

먼저, 수지층의 형성 재료가 되는 조성물로 이루어지는 도막의 형성 시에 있어서, 도막을 건조시키는 공정에서, 도막 내부에 수축 응력이 발생하여, 수지의 결합력이 약해진 부분에서, 도막 내에서 균열이 생긴다. 그리고, 이 균열 부분 주변의 수지가, 균열에 의해 일시적으로 생긴 공간으로 유입됨으로써, 수지층의 표면 (α) 상에 오목부가 형성된다고 생각된다.

수지의 함유량이 상이한 2 층의 도막을 형성한 후, 당해 2 층의 도막을 동시에 건조시킴으로써, 건조시킬 때에 도막 내부에 수축 응력차가 발생하여, 도막의 균열을 일으키기 쉬워진다고 생각된다.

또한, 오목부를 형성하기 쉽게 하는 관점에서, 이하의 사항을 적절히 고려 후, 조정하는 것이 바람직하다. 이들 사항에 의한 요인이 복합적으로 작용하여, 오목부가 형성되기 쉬워지는 것이라고 생각된다. 덧붙여서, 오목부를 형성하기 쉽게 하기 위한 각 사항의 바람직한 양태는, 후술하는 해당 항목에서 기재된 바와 같다.

·도막의 형성 재료인 조성물 중에 포함되는 수지의 종류, 구성 모노머, 분자량, 함유량.

·도막의 형성 재료인 조성물 중에 포함되는 가교제의 종류, 용매의 종류.

·도막의 형성 재료인 조성물의 점도, 고형분 농도.

·형성하는 도막의 두께. (복층의 경우에는, 각 도막의 두께)

·형성한 도막의 건조 온도, 건조 시간.

또한, 일반적인 점착 시트의 점착제층의 형성에 있어서는, 평탄한 표면을 갖는 점착제층을 형성하는 것을 목적으로 하여, 상기 사항을 적절히 설정하고 있는 경우가 많다.

한편, 본 발명에서는, 점착 시트의 에어 방출성의 향상에 기여할 수 있는 오목부가 의도적으로 형성되도록 상기 사항을 설정하고 있어, 일반적인 점착 시트의 점착제층의 설계 방법과는 완전히 상이하다.

상기 사항은, 형성되는 도막 중에 포함되는 수지의 유동성 등을 고려하여, 적절히 설정되는 것이 바람직하다.

예를 들어, 조성물 중에 실리카 입자를 포함하는 경우, 실리카 입자를 많이 포함하는 조성물로 이루어지는 도막의 점도를 적당한 범위로 조정함으로써, 도막 중에서의 실리카 입자의 소정의 유동성을 유지하면서도, 다른 도막 (수지를 많이 포함하는 도막) 과의 뒤섞임을 적당히 억제할 수 있다. 이와 같이 조정함으로써, 수지를 많이 포함하는 도막에 있어서, 수평 방향으로 균열이 생겨, 오목부가 형성되기 쉬워지는 경향이 있다.

그 결과, 표면 (α) 상에 있어서의, 형성되는 오목부가 차지하는 비율을 증가시킬 수 있음과 함께, 서로 연결되어 있는 오목부의 비율도 증가하여, 보다 우수한 에어 방출성을 갖는 점착 시트로 할 수 있다.

또, 상기 사항 중에서도, 수지를 많이 포함하는 도막에 포함되는 수지가 적당한 점탄성을 갖도록, 당해 수지의 종류, 구성 모노머, 분자량, 수지의 함유량을 적절히 조정하는 것이 바람직하다.

요컨대, 도막의 경도 (수지의 점탄성, 도포액의 점도 등의 인자에 의해 정해지는 경도) 를 적당히 단단하게 함으로써, 수지 부분 (X) 의 수축 응력이 강해져, 오목부가 형성되기 쉬워진다. 당해 도막의 경도가 단단할수록 수축 응력이 강해져, 오목부가 발생하기 쉬워지지만, 지나치게 단단하면 도포 적성이 저하한다. 또, 수지의 탄성을 지나치게 높이면, 도막으로 형성되는 수지층의 점착력이 저하하는 경향이 있다. 그 점을 고려하여, 수지의 점탄성을 적당히 조정하는 것이 바람직하다.

또, 조성물이나 도막 중에 실리카 입자를 포함하는 경우, 실리카 입자의 분산 상태를 적절화함으로써, 실리카 입자에 의한 수지층의 두께의 부풀어오름의 정도나, 오목부의 자기 형성력을 조절하고, 결과적으로 표면 (α) 상에 오목부를 형성하기 쉽게 조정할 수 있는 것이라고 생각된다.

또한, 형성한 도막 (혹은 형성 재료인 조성물) 의 가교 속도를 고려하여, 상기 사항을 적절히 설정하는 것이 바람직하다.

요컨대, 도막의 가교 속도가 지나치게 빠른 경우에는, 오목부가 형성되기 전에 도막이 경화하여 버릴 우려가 있다. 또, 도막의 균열의 크기 및 오목부의 크기에도 영향을 미친다.

도막의 가교 속도는, 형성 재료인 조성물 중의 가교제의 종류 및 용매의 종류나, 도막의 건조 시간 및 건조 온도를 적절히 설정함으로써 조정 가능하다.

또한, 수지층이, 수지를 포함하는 수지 부분 (X) 와, 실리카 입자를 포함하는 미립자로 이루어지는 입자 부분 (Y) 를 포함하는 층인 경우, 상기 서술한 자기 형성화에 의해 형성된 수지층에 있어서, 도 1(a) ∼ (d) 나 도 5, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 입자 부분 (Y) 는, 표면 (α) 상에 오목부가 존재하는 지점에 있어서는, 입자 부분 (Y) 가 차지하는 비율이 다른 곳에 비하여 적어지는 분포가 되는 경향이 있다.

이것은, 수지층의 자기 형성화의 과정에 있어서, 수지층의 표면 (α) 에 오목부가 형성될 때에, 오목부가 형성된 위치에 존재하고 있던 실리카 입자가 이동함으로써, 이와 같은 분포가 된 것이라고 생각된다.

이하, 본 발명의 점착 시트의 각 구성에 대해 설명한다.

〔기재〕

본 발명의 일 양태에서 사용하는 기재로는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 종이 기재, 수지 필름 또는 시트, 종이 기재를 수지로 라미네이트한 기재 등을 들 수 있고, 본 발명의 일 양태의 점착 시트의 용도에 따라 적절히 선택할 수 있다.

종이 기재를 구성하는 종이로는, 예를 들어 박엽지, 중질지, 상질지, 함침지, 코트지, 아트지, 황산지, 글라신지 등을 들 수 있다.

수지 필름 또는 시트를 구성하는 수지로는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀 수지 ; 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리비닐알코올, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-비닐알코올 공중합체 등의 비닐계 수지 ; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르계 수지 ; 폴리스티렌 ; 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체 ; 3 아세트산셀룰로오스 ; 폴리카보네이트 ; 폴리우레탄, 아크릴 변성 폴리우레탄 등의 우레탄 수지 ; 폴리메틸펜텐 ; 폴리술폰 ; 폴리에테르에테르케톤 ; 폴리에테르술폰 ; 폴리페닐렌술파이드 ; 폴리에테르이미드, 폴리이미드 등의 폴리이미드계 수지 ; 폴리아미드계 수지 ; 아크릴 수지 ; 불소계 수지 등을 들 수 있다.

종이 기재를 수지로 라미네이트한 기재로는, 상기 종이 기재를, 폴리에틸렌 등의 열가소성 수지로 라미네이트한 라미네이트지 등을 들 수 있다.

이들 기재 중에서도, 수지 필름 또는 시트가 바람직하고, 폴리에스테르계 수지로 이루어지는 필름 또는 시트가 보다 바람직하며, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 로 구성되는 필름 또는 시트가 더욱 바람직하다.

또, 본 발명의 점착 시트를 내열성이 요구되는 용도에 사용하는 경우에는, 폴리에틸렌나프탈레이트 및 폴리이미드계 수지에서 선택되는 수지로 구성되는 필름 또는 시트가 바람직하고, 내후성이 요구되는 용도에 사용하는 경우에는, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 아크릴 수지, 및 불소 수지에서 선택되는 수지로 구성되는 필름 또는 시트가 바람직하다.

기재의 두께는, 본 발명의 점착 시트의 용도에 따라 적절히 설정되지만, 취급성 및 경제성의 관점에서, 바람직하게는 5 ∼ 1000 ㎛, 보다 바람직하게는 10 ∼ 500 ㎛, 더욱 바람직하게는 12 ∼ 250 ㎛, 보다 더욱 바람직하게는 15 ∼ 150 ㎛ 이다.

또한, 기재에는, 추가로 자외선 흡수제, 광 안정제, 산화 방지제, 대전 방지제, 슬립제, 안티 블로킹제, 착색제 등의 각종 첨가제를 함유하고 있어도 된다.

또, 본 발명의 일 양태에서 사용하는 기재는, 얻어지는 점착 시트의 내블리스터성 향상의 관점에서, 비통기성 기재인 것이 바람직하고, 구체적으로는 상기 서술한 수지 필름 또는 시트의 표면 상에 금속층을 갖는 기재가 바람직하다.

당해 금속층에 포함되는 금속으로는, 예를 들어 알루미늄, 주석, 크롬, 티탄 등의 금속 광택을 갖는 금속 등을 들 수 있다.

당해 금속층의 형성 방법으로는, 예를 들어 상기 금속을 진공 증착, 스퍼터링, 이온 플레이팅 등의 PVD 법에 의해 증착하는 방법, 또는 상기 금속으로 이루어지는 금속박을 일반적인 점착제를 사용하여 첩부하는 방법 등을 들 수 있지만, 상기 금속을 PVD 법에 의해 증착하는 방법이 바람직하다.

또한, 기재로서 수지 필름 또는 시트를 사용하는 경우, 이들 수지 필름 또는 시트 상에 적층하는 수지층과의 밀착성을 향상시키는 관점에서, 수지 필름 또는 시트의 표면에 대해, 산화법이나 요철화법 등에 의한 표면 처리, 혹은 프라이머 처리를 실시해도 된다.

산화법으로는, 예를 들어 코로나 방전 처리, 플라즈마 방전 처리, 크롬산 처리 (습식), 열풍 처리, 오존, 및 자외선 조사 처리 등을 들 수 있고, 요철화법으로는, 예를 들어 샌드 블라스트법, 용제 처리법 등을 들 수 있다.

〔박리재〕

본 발명의 일 양태에서 사용하는 박리재로는, 양면 박리 처리가 된 박리 시트나, 편면 박리 처리된 박리 시트 등이 이용되고, 박리재용의 기재 상에 박리제를 도포한 것 등을 들 수 있다.

또한, 당해 박리 처리면은, 요철 형상이 형성되어 있지 않고, 평탄한 박리재 (예를 들어, 엠보스 패턴이 실시되어 있지 않은 박리재) 가 바람직하다.

박리재용의 기재로는, 예를 들어 본 발명의 일 양태의 점착 시트가 갖는 기재로서 사용되는 상기 서술한 종이 기재, 수지 필름 또는 시트, 종이 기재를 수지로 라미네이트한 기재 등을 들 수 있다.

박리제로는, 예를 들어 실리콘계 수지, 올레핀계 수지, 이소프렌계 수지, 부타디엔계 수지 등의 고무계 엘라스토머, 장사슬 알킬계 수지, 알키드계 수지, 불소계 수지 등을 들 수 있다.

박리재의 두께는, 특별히 제한 없지만, 바람직하게는 10 ∼ 200 ㎛, 보다 바람직하게는 25 ∼ 170 ㎛, 더욱 바람직하게는 35 ∼ 80 ㎛ 이다.

〔수지층〕

도 1 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 점착 시트가 갖는 수지층 (12) 은, 수지를 포함하는 수지 부분 (X) 와, 실리카 입자를 포함하는 미립자로 이루어지는 입자 부분 (Y) 를 포함하는 것이 바람직하다.

수지 부분 (X) 는, 수지층 중에 포함되는 실리카 입자 이외의 성분을 포함하는 부분을 나타낸다. 요컨대, 수지층 중에 포함되는, 수지뿐만 아니라, 점착 부여제, 가교제, 범용 첨가제 등의 미립자 이외의 성분은 「수지 부분 (X)」에 포함된다.

한편, 입자 부분 (Y) 는, 수지층 중에 포함되는 실리카 입자를 포함하는 미립자로 이루어지는 부분을 나타낸다.

수지층 중에 입자 부분 (Y) 가 포함됨으로써, 첩부 후의 형상 유지성을 향상시킬 수 있고, 얻어지는 점착 시트를 고온하에서 사용한 경우에, 블리스터의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.

수지층 (12) 중의 수지 부분 (X) 와 입자 부분 (Y) 의 분포의 구성으로는, 수지 부분 (X) 와 입자 부분 (Y) 가 대략 균등하게 분포한 구성이어도 되고, 국소 적으로 주로 수지 부분 (X) 로 이루어지는 지점과, 주로 입자 부분 (Y) 로 이루어지는 지점으로 나누어지는 구성이어도 된다.

본 발명의 일 양태의 점착 시트가 갖는 수지층은, 수지 부분 (X) 및 입자 부분 (Y) 이외에, 추가로 공극 부분 (Z) 를 갖는 것이 바람직하다. 수지층 중에 공극 부분 (Z) 를 가짐으로써, 점착 시트의 내블리스터성을 향상시킬 수 있다.

이 공극 부분 (Z) 는, 상기 실리카 입자끼리의 사이에 존재하는 공극이나, 상기 실리카 입자가 2 차 입자인 경우, 당해 2 차 입자 내에 존재하는 공극 등도 포함된다.

또한, 당해 수지층이 다층 구조를 갖는 경우, 수지층의 형성 과정이나 형성 직후에 있어서, 공극 부분 (Z) 가 존재하고 있었다고 해도, 공극 부분 (Z) 에 수지 부분 (X) 가 유입되고, 공극이 소실되어, 공극 부분 (Z) 가 없는 수지층이 되는 경우도 있다.

그러나, 이와 같이 수지층 중에 일시기 존재하고 있던 공극 부분 (Z) 가 소실된 경우라도, 본 발명의 일 양태인 점착 시트는, 수지층의 표면 (α) 에 오목부가 존재하기 때문에, 에어 방출성은 양호하고, 수지층이 입자 부분 (Y) 를 가지므로, 내블리스터성도 우수하다.

또, 본 발명의 일 양태의 점착 시트가 갖는 수지층의 100 ℃ 에 있어서의 전단 저장 탄성률은, 점착 시트의 에어 방출성 및 내블리스터성 향상의 관점에서, 바람직하게는 9.0 × 10³ Pa 이상, 보다 바람직하게는 1.0 × 10⁴ Pa 이상, 더욱 바람직하게는 2.0 × 10⁴ Pa 이상이다.

또한, 본 발명에 있어서, 수지층의 100 ℃ 에 있어서의 전단 저장 탄성률은, 점탄성 측정 장치 (예를 들어, Rheometrics 사 제조, 장치명 「DYNAMIC ANALYZER RDA II」) 를 사용하여, 주파수 1 Hz 로 측정함으로써 측정한 값을 의미한다.

수지층의 총두께는, 바람직하게는 1 ∼ 300 ㎛, 보다 바람직하게는 5 ∼ 150 ㎛, 더욱 바람직하게는 10 ∼ 75 ㎛ 이다.

본 발명의 점착 시트는, 적어도 기재 또는 박리재가 형성된 측과는 반대측의 당해 수지층의 표면 (α) 가 점착성을 가지고 있지만, 기재 또는 박리재가 형성된 측의 당해 수지층의 표면 (β) 도 점착성을 가지고 있어도 된다.

본 발명의 일 양태의 점착 시트의 수지층의 표면 (α) 에 있어서의 점착력으로는, 바람직하게는 0.5 N/25 mm 이상, 보다 바람직하게는 2.0 N/25 mm 이상, 보다 바람직하게는 3.0 N/25 mm 이상, 더욱 바람직하게는 4.0 N/25 mm 이상, 보다 더욱 바람직하게는 7.0 N/25 mm 이상이다.

또, 수지층의 표면 (β) 도 점착성을 갖는 경우, 표면 (β) 에 있어서의 점착력은, 상기 범위에 속하는 것이 바람직하다.

또한, 점착 시트의 당해 점착력의 값은, 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값을 의미한다.

＜수지층의 다층 구조체＞

수지층으로는, 2 종 이상의 층으로 구성된 다층 구조체여도 된다.

이와 같은 다층 구조체인 수지층으로는, 도 1 의 점착 시트 (1a) 등과 같은, 기재 또는 박리재가 형성된 측으로부터, 주로 수지 부분 (X) 를 포함하는 층 (Xβ), 입자 부분 (Y) 를 15 질량％ 이상 포함하는 층 (Y1), 및 주로 수지 부분 (X) 를 포함하는 층 (Xα) 를 이 순서로 적층한 다층 구조체를 들 수 있다.

또한, 수지층의 다층 구조체의 구성에 있어서는, 적층하는 2 개의 층의 경계가 판별되지 않고, 혼층된 상태여도 된다.

요컨대, 도 1 의 점착 시트 (1a) 가 갖는 수지층 (12) 에 있어서는, 층 (Xβ) 와 층 (Y1) 의 경계, 및/또는 층 (Y1) 과 층 (Xα) 의 경계가 판별되지 않고, 혼층된 구성이어도 된다.

이하, 도 1 의 점착 시트 (1a) 가 갖는, 층 (Xβ), 층 (Y1), 및 층 (Xα) 의 3 층으로 구성된 수지층 (12) 을 일례로 하여, 다층 구조체인 수지층의 구성에 대해 설명한다.

층 (Xβ) 및 층 (Xα) 는, 주로 수지 부분 (X) 를 포함하는 층이지만, 입자 부분 (Y) 를 포함하고 있어도 된다. 단, 층 (Xβ) 및 층 (Xα) 중의 입자 부분 (Y) 의 함유량은, 각각 독립적으로 층 (Xβ) 또는 층 (Xα) 의 전체 질량 (100 질량％) 에 대해, 바람직하게는 15 질량％ 미만이고, 또한 층 (Xβ) 또는 층 (Xα) 중의 수지의 함유량보다 적다.

요컨대, 입자 부분 (Y) 의 함유량의 점에 있어서, 층 (Xβ) 및 층 (Xα) 와, 층 (Y1) 은 구별된다.

또한, 층 (Xβ) 및 층 (Xα) 는, 수지 부분 (X) 및 입자 부분 (Y) 이외에, 추가로 상기 서술한 공극 부분 (Z) 를 가져도 된다.

층 (Xβ) 및 층 (Xα) 중의 수지 부분 (X) 의 함유량으로는, 각각 독립적으로 층 (Xβ) 또는 층 (Xα) 의 전체 질량 (100 질량％) 에 대해, 통상 85 질량％ 초과이고, 바람직하게는 87 ∼ 100 질량％, 보다 바람직하게는 90 ∼ 100 질량％, 더욱 바람직하게는 95 ∼ 100 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 100 질량％ 이다.

또한, 상기 「수지 부분 (X) 의 함유량」은, 층 (Xβ) 또는 층 (Xα) 중에 포함되는 수지 부분 (X) 를 구성하는, 수지, 점착 부여제, 가교제, 및 범용 첨가제 등의 실리카 입자 이외의 성분의 합계 함유량을 의미한다.

층 (Xβ) 및 층 (Xα) 중의 입자 부분 (Y) 를 구성하는 실리카 입자의 함유량으로는, 각각 독립적으로 층 (Xβ) 또는 층 (Xα) 의 전체 질량 (100 질량％) 에 대해, 통상 15 질량％ 미만이지만, 바람직하게는 0 ∼ 13 질량％, 보다 바람직하게는 0 ∼ 10 질량％, 더욱 바람직하게는 0 ∼ 5 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 0 질량％ 이다.

또한, 본 발명에 있어서 「층 (Xβ) 및 층 (Xα) 중의 실리카 입자의 함유량」은, 당해 층 (Xβ) 또는 층 (Xα) 의 형성 재료인 수지 조성물의 전체량 (100 질량％ (단, 희석 용매를 제외한다)) 중의 실리카 입자의 함유량으로 간주할 수도 있다.

층 (Xα) 중의 수지의 함유량으로는, 층 (Xα) 의 전체 질량 (100 질량％) 에 대해, 통상 30 ∼ 100 질량％, 바람직하게는 40 ∼ 100 질량％, 보다 바람직하게는 50 ∼ 100 질량％, 더욱 바람직하게는 60 ∼ 100 질량％ 이다.

한편, 층 (Xβ) 중의 수지의 함유량으로는, 층 (Xβ) 의 전체 질량 (100 질량％) 에 대해, 통상 50 ∼ 100 질량％, 바람직하게는 65 ∼ 100 질량％, 보다 바람직하게는 75 ∼ 100 질량％, 더욱 바람직하게는 85 ∼ 100 질량％ 이다.

또한, 본 발명에 있어서 「층 (Xβ) 및 층 (Xα) 중의 수지의 함유량」은, 당해 층 (Xβ) 또는 층 (Xα) 의 형성 재료인 수지 조성물의 전체량 (100 질량％ (단, 희석 용매를 제외한다)) 중의 수지의 함유량으로 간주할 수 있다.

층 (Y1) 은, 입자 부분 (Y) 만으로 이루어지는 층이어도 되고, 입자 부분 (Y) 와 함께 수지 부분 (X) 를 포함하는 층이어도 되고, 추가로 공극 부분 (Z) 를 갖는 층이어도 된다.

층 (Y1) 중의 입자 부분 (Y) 를 구성하는 실리카 입자의 함유량으로는, 층 (Y1) 의 전체 질량 (100 질량％) 에 대해, 15 질량％ 이상이지만, 바람직하게는 20 ∼ 100 질량％, 보다 바람직하게는 25 ∼ 90 질량％, 더욱 바람직하게는 30 ∼ 85 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 35 ∼ 80 질량％ 이다.

층 (Y1) 중의 수지의 함유량으로는, 층 (Y1) 의 전체 질량 (100 질량％) 에 대해, 통상 0 ∼ 85 질량％, 바람직하게는 1 ∼ 80 질량％, 보다 바람직하게는 5 ∼ 75 질량％, 더욱 바람직하게는 10 ∼ 70 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 20 ∼ 65 질량％ 이다.

또한, 본 발명에 있어서 「층 (Y1) 중의 실리카 입자의 함유량」 및 「층 (Y1) 중의 수지의 함유량」은, 당해 층 (Y1) 의 형성 재료인 조성물의 전체량 (100 질량％ (단, 희석 용매를 제외한다)) 중의 미립자 또는 수지의 함유량으로 간주할 수도 있다.

본 발명의 일 양태에 있어서, 층 (Xα) 는, 수지를 포함하고, 실리카 입자의 함유량이 15 질량％ 미만인 조성물 (xα) 로 형성된 층인 것이 바람직하다.

마찬가지로, 층 (Xβ) 도, 수지를 포함하고, 실리카 입자의 함유량이 15 질량％ 미만인 조성물 (xβ) 로 형성된 층인 것이 바람직하다.

또, 상기 층 (Y1) 은, 실리카 입자를 15 질량％ 이상 포함하는 조성물 (y) 로 형성된 층인 것이 바람직하다.

또한, 조성물 (xα), 조성물 (xβ), 및 조성물 (y) 의 바람직한 양태 (함유 성분, 함유량 등) 에 대해서는, 후술하는 바와 같다.

＜수지 부분 (X)＞

수지층을 구성하는 수지 부분 (X) 는, 수지층 중에 포함되는 실리카 입자 이외의 성분을 포함하는 부분으로서, 그 점에서 입자 부분 (Y) 와는 구별된다.

수지 부분 (X) 는, 수지와 함께, 점착 부여제, 가교제, 범용 첨가제 등이 포함되어 있어도 된다.

수지 부분 (X) 중의 수지의 함유량은, 수지 부분 (X) 의 전체량 (100 질량％) 에 대해, 통상 30 질량％ 이상, 바람직하게는 40 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 50 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 55 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 60 질량％ 이상, 보다 더욱 바람직하게는 70 질량％ 이상이며, 또 바람직하게는 100 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 99.9 질량％ 이하이다.

또한, 본 발명에 있어서, 수지 부분 (X) 의 형성 재료가 되는 수지 조성물 중의 수지의 함유량의 값을, 상기 「수지 부분 (X) 중의 수지의 함유량」으로 간주할 수도 있다.

수지 부분 (X) 에 포함되는 상기 수지로는, 형성되는 수지층의 표면 (α) 에 점착성을 발현시키는 관점에서, 점착성 수지를 포함하는 것이 바람직하다.

특히, 도 1(a) 의 점착 시트 (1a) 등과 같이, 수지층이, 기재 또는 박리재가 형성된 측으로부터, 층 (Xβ), 층 (Y1), 및 층 (Xα) 를 이 순서로 적층한 다층 구조를 갖는 경우에는, 상기 관점에서, 적어도 층 (Xα) 는, 점착성 수지를 포함하는 것이 바람직하다.

또, 양면 점착 시트의 구성으로 하는 관점, 그리고 기재와의 밀착성을 향상시키는 관점에서, 적어도 층 (Xα) 및 층 (Xβ) 가, 점착성 수지를 포함하는 것이 바람직하다.

당해 점착성 수지로는, 예를 들어 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 고무계 수지 등을 들 수 있다.

이들 점착성 수지 중에서도, 점착 특성 및 내후성이 양호하고, 수지층의 표면 (α) 에 오목부를 형성하기 쉽게 하는 관점에서, 아크릴계 수지를 포함하는 것이 바람직하다.

아크릴계 수지의 함유량은, 수지 부분 (X) 에 포함되는 상기 수지의 총량 (100 질량％) 에 대해, 바람직하게는 25 ∼ 100 질량％, 보다 바람직하게는 50 ∼ 100 질량％, 더욱 바람직하게는 70 ∼ 100 질량％, 더욱 바람직하게는 80 ∼ 100 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 100 질량％ 이다.

또, 수지층의 표면 (α) 에 오목부를 형성하기 쉽게 하는 관점에서, 수지 부분 (X) 가, 관능기를 갖는 수지를 포함하는 것이 바람직하고, 관능기를 갖는 아크릴계 수지를 포함하는 것이 보다 바람직하다.

특히, 도 1(a) 의 점착 시트 (1a) 등과 같이, 수지층이, 기재 또는 박리재가 형성된 측으로부터, 층 (Xβ), 층 (Y1), 및 층 (Xα) 를 이 순서로 적층한 다층 구조체인 경우에는, 상기 관점에서, 적어도 층 (Y1) 은, 관능기를 갖는 수지를 포함하는 것이 바람직하다.

당해 관능기는, 가교제와의 가교 기점이 되는 기로서, 예를 들어 하이드록시기, 카르복시기, 에폭시기, 아미노기, 시아노기, 케토기, 알콕시실릴기 등을 들 수 있지만, 카르복시기가 바람직하다.

수지 부분 (X) 는, 상기 관능기를 갖는 수지와 함께, 추가로 가교제를 함유하는 것이 바람직하다. 특히, 수지층이 상기 서술한 다층 구조체인 경우에는, 적어도 층 (Y1) 은, 상기 관능기를 갖는 수지와 함께, 가교제를 함유하는 것이 바람직하다.

당해 가교제로는, 예를 들어 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 아지리딘계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제 등을 들 수 있다.

이소시아네이트계 가교제는, 예를 들어 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 폴리이소시아네이트 ; 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족 폴리이소시아네이트 ; 이소포론디이소시아네이트, 수소 첨가 디페닐메탄디이소시아네이트 등의 지환식 폴리이소시아네이트 ; 그리고, 이들 화합물의 뷰렛체, 이소시아누레이트체, 및 저분자 활성 수소 함유 화합물 (에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 트리메틸올프로판, 피마자유 등) 과의 반응물인 어덕트체 ; 등을 들 수 있다.

에폭시계 가교제로는, 예를 들어 에틸렌글리콜글리시딜에테르, 1,3-비스(N,N-디글리시딜아미노메틸)시클로헥산, N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-자일릴렌디아민, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 트리메틸올프로판디글리시딜에테르, 디글리시딜아닐린, 디글리시딜아민 등을 들 수 있다.

아지리딘계 가교제로는, 예를 들어 디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카복사미드), 트리메틸올프로판트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 테트라메틸올메탄트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카복사미드), 트리에틸렌멜라민, 비스이소프탈로일-1-(2-메틸아지리딘), 트리스-1-(2-메틸아지리딘)포스핀, 트리메틸올프로판트리-β-(2-메틸아지리딘)프로피오네이트 등을 들 수 있다.

금속 킬레이트계 가교제에는, 금속 원자가 알루미늄, 지르코늄, 티타늄, 아연, 철, 주석 등인 킬레이트 화합물을 들 수 있지만, 수지층의 표면 (α) 에 오목부를 형성하기 쉽게 하는 관점에서, 알루미늄 킬레이트계 가교제가 바람직하다.

알루미늄 킬레이트계 가교제로는, 예를 들어 디이소프로폭시알루미늄모노올레일아세토아세테이트, 모노이소프로폭시알루미늄비스올레일아세토아세테이트, 모노이소프로폭시알루미늄모노올리에이트모노에틸아세토아세테이트, 디이소프로폭시알루미늄모노라우릴아세토아세테이트, 디이소프로폭시알루미늄모노스테아릴아세토아세테이트, 디이소프로폭시알루미늄모노이소스테아릴아세토아세테이트 등을 들 수 있다.

또한, 이들 가교제는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.

이들 중에서도, 수지층의 표면 (α) 에 오목부를 형성하기 쉽게 하는 관점에서, 수지 부분 (X) 가, 금속 킬레이트계 가교제 및 에폭시계 가교제에서 선택되는 1 종 이상을 포함하는 것이 바람직하고, 금속 킬레이트계 가교제를 포함하는 것이 보다 바람직하며, 알루미늄 킬레이트계 가교제를 포함하는 것이 더욱 바람직하다.

수지 부분 (X) 중의 가교제의 함유량은, 수지 부분 (X) 에 포함되는 관능기를 갖는 수지 100 질량부에 대해, 바람직하게는 0.01 ∼ 15 질량부, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 10 질량부, 더욱 바람직하게는 0.3 ∼ 7.0 질량부이다.

또, 본 발명의 일 양태로는, 수지층의 표면 (α) 에 오목부를 형성하기 쉽게 하는 관점에서, 수지 부분 (X) 가, 금속 킬레이트계 가교제 및 에폭시계 가교제를 함께 포함하는 것이 바람직하다.

수지 부분 (X) 가 금속 킬레이트계 가교제 및 에폭시계 가교제를 함께 포함하는 경우, 상기 관점에서, 수지 부분 (X) 중의 금속 킬레이트계 가교제와 에폭시계 가교제의 함유비 [금속 킬레이트계 가교제/에폭시계 가교제] 로는, 질량비로, 바람직하게는 10/90 ∼ 99.5/0.5, 보다 바람직하게는 50/50 ∼ 99.0/1.0, 더욱 바람직하게는 65/35 ∼ 98.5/1.5, 보다 더욱 바람직하게는 75/25 ∼ 98.0/2.0 이다.

수지 부분 (X) 는, 표면 (α) 의 점착 특성을 보다 향상시키는 관점에서, 점착성 수지와 함께, 추가로 점착 부여제를 함유하는 것이 바람직하다. 특히, 수지층이 상기 서술한 다층 구조체인 경우에는, 층 (Xα) 가, 점착성 수지 및 점착 부여제를 함유하는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명에서 사용하는 점착 부여제는, 점착성 수지의 점착력을 보조적으로 향상시키는 성분으로서, 질량 평균 분자량 (Mw) 이 통상 1 만 미만인 올리고머를 가리키고, 상기 서술한 점착성 수지와는 구별되는 것이다.

점착 부여제의 질량 평균 분자량 (Mw) 은, 바람직하게는 400 ∼ 8000, 보다 바람직하게는 500 ∼ 5000, 보다 바람직하게는 800 ∼ 3500 이다.

점착 부여제로는, 예를 들어 로진 수지, 로진에스테르 수지, 로진 변성 페놀 수지 등의 로진계 수지 ; 이들 로진계 수지를 수소화한 수소화로진계 수지 ; 테르펜 수지, 방향족 변성 테르펜 수지, 테르펜페놀계 수지 등의 테르펜계 수지 ; 이들 테르펜계 수지를 수소화한 수소화테르펜계 수지 ; α-메틸스티렌 또는 β-메틸스티렌 등의 스티렌계 모노머와 지방족계 모노머를 공중합하여 얻어지는 스티렌계 수지 ; 이들 스티렌계 수지를 수소화한 수소화스티렌계 수지 ; 석유 나프타의 열분해로 생성되는 펜텐, 이소프렌, 피페린, 1,3-펜타디엔 등의 C5 유분을 공중합하여 얻어지는 C5 계 석유 수지 및 이 C5 계 석유 수지의 수소화석유 수지 ; 석유 나프타의 열분해로 생성되는 인덴, 비닐톨루엔 등의 C9 유분을 공중합하여 얻어지는 C9 계 석유 수지 및 이 C9 계 석유 수지의 수소화석유 수지 ; 등을 들 수 있다.

본 발명에서 사용하는 점착 부여제는, 단독으로 또는 연화점이나 구조가 상이한 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.

점착 부여제의 연화점으로는, 바람직하게는 80 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 80 ∼ 180 ℃, 더욱 바람직하게는 83 ∼ 170 ℃, 보다 더욱 바람직하게는 85 ∼ 150 ℃ 이다.

또한, 본 발명에 있어서 점착 부여제의 「연화점」은, JIS K 2531 에 준거하여 측정한 값을 의미한다.

또, 2 종 이상의 복수의 점착 부여제를 사용하는 경우, 그것들 복수의 점착 부여제의 연화점의 가중평균이, 상기 범위에 속하는 것이 바람직하다.

수지 부분 (X) 중에 점착 부여제를 함유하는 경우에 있어서의, 점착 부여제의 함유량은, 수지 부분 (X) 에 포함되는 점착성 수지 100 질량부에 대해, 바람직하게는 1 질량부 이상, 보다 바람직하게는 1 ∼ 200 질량부, 더욱 바람직하게는 3 ∼ 150 질량부, 보다 더욱 바람직하게는 5 ∼ 90 질량부이다.

또, 수지 부분 (X) 에는, 상기 서술한 가교제나 점착 부여제 이외의 범용 첨가제를 함유하고 있어도 된다.

범용 첨가제로는, 예를 들어 산화 방지제, 연화제 (가소제), 방청제, 안료, 염료, 지연제, 반응 촉진제, 자외선 흡수제 등을 들 수 있다.

또한, 이들 범용 첨가제는, 각각 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.

이들 범용 첨가제를 함유하는 경우, 각각의 범용 첨가제의 함유량은, 수지 100 질량부에 대해, 바람직하게는 0.0001 ∼ 60 질량부, 보다 바람직하게는 0.001 ∼ 50 질량부이다.

수지 부분 (X) 에 포함되는 상기 수지는, 1 종만이라도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.

본 발명의 점착 시트가 갖는 수지층의 수지 부분 (X) 의 형성 재료로는, 관능기를 갖는 점착성 수지를 포함하는 점착제인 것이 바람직하고, 관능기를 갖는 아크릴계 수지 (A)(이하, 간단히 「아크릴계 수지 (A)」라고도 한다) 를 포함하는 아크릴계 점착제인 것이 보다 바람직하며, 관능기를 갖는 아크릴계 수지 (A) 및 가교제 (B) 를 포함하는 아크릴계 점착제인 것이 더욱 바람직하다.

당해 아크릴계 점착제는, 용매형, 에멀션형 중 어느 것이라도 된다.

이하, 수지 부분 (X) 의 형성 재료로서 바람직한, 상기 아크릴계 점착제에 대해 설명한다.

당해 아크릴계 점착제 중에 포함되는 아크릴계 수지 (A) 로는, 예를 들어 직사슬 또는 분기 사슬의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위를 갖는 중합체, 고리형 구조를 갖는 (메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위를 갖는 중합체 등을 들 수 있다.

아크릴계 수지 (A) 의 질량 평균 분자량 (Mw) 으로는, 바람직하게는 5 만 ∼ 150 만, 보다 바람직하게는 15 만 ∼ 130 만, 더욱 바람직하게는 25 만 ∼ 110 만, 보다 더욱 바람직하게는 35 만 ∼ 90 만이다.

아크릴계 수지 (A) 로는, 탄소수 1 ∼ 18 의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트 (a1')(이하, 「모노머 (a1')」라고도 한다) 에서 유래하는 구성 단위 (a1), 및 관능기 함유 모노머 (a2')(이하, 「모노머 (a2')」라고도 한다) 에서 유래하는 구성 단위 (a2) 를 갖는 아크릴계 공중합체 (A1) 을 포함하는 것이 바람직하고, 아크릴계 공중합체 (A1) 인 것이 보다 바람직하다.

아크릴계 공중합체 (A1) 의 함유량은, 아크릴계 점착제 중의 아크릴계 수지 (A) 의 전체량 (100 질량％) 에 대해, 바람직하게는 50 ∼ 100 질량％, 보다 바람직하게는 70 ∼ 100 질량％, 더욱 바람직하게는 80 ∼ 100 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 90 ∼ 100 질량％ 이다.

또한, 아크릴계 공중합체 (A1) 의 공중합의 형태는, 특별히 한정되지 않고, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 그래프트 공중합체 중 어느 것이라도 된다.

모노머 (a1') 가 갖는 알킬기의 탄소수로는, 점착 특성 향상의 관점에서, 보다 바람직하게는 4 ∼ 12, 더욱 바람직하게는 4 ∼ 8, 보다 더욱 바람직하게는 4 ∼ 6 이다.

모노머 (a1') 로는, 예를 들어 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 트리데실(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트가 바람직하고, 부틸(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.

구성 단위 (a1) 의 함유량은, 아크릴계 공중합체 (A1) 의 전체 구성 단위 (100 질량％) 에 대해, 바람직하게는 50 ∼ 99.5 질량％, 보다 바람직하게는 60 ∼ 99 질량％, 더욱 바람직하게는 70 ∼ 95 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 80 ∼ 93 질량％ 이다.

모노머 (a2') 로는, 예를 들어 하이드록시기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 시아노기 함유 모노머, 케토기 함유 모노머, 알콕시실릴기 함유 모노머 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 카르복시기 함유 모노머가 보다 바람직하다.

카르복시기 함유 모노머로는, (메트)아크릴산, 말레산, 푸마르산, 이타콘산 등을 들 수 있고, (메트)아크릴산이 바람직하다.

구성 단위 (a2) 의 함유량은, 아크릴계 공중합체 (A1) 의 전체 구성 단위 (100 질량％) 에 대해, 바람직하게는 0.5 ∼ 50 질량％, 보다 바람직하게는 1 ∼ 40 질량％, 더욱 바람직하게는 5 ∼ 30 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 7 ∼ 20 질량％ 이다.

또한, 아크릴계 공중합체 (A1) 은, 상기 모노머 (a1') 및 (a2') 이외의 기타 모노머 (a3') 에서 유래하는 구성 단위 (a3) 을 가지고 있어도 된다.

기타 모노머 (a3') 으로는, 예를 들어 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메트)아크릴레이트, 이미드(메트)아크릴레이트 등의 고리형 구조를 갖는 (메트)아크릴레이트, 아세트산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 등을 들 수 있다.

구성 단위 (a3) 의 함유량은, 아크릴계 공중합체 (A1) 의 전체 구성 단위 (100 질량％) 에 대해, 바람직하게는 0 ∼ 30 질량％, 보다 바람직하게는 0 ∼ 20 질량％, 더욱 바람직하게는 0 ∼ 10 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 0 ∼ 5 질량％ 이다.

또한, 상기 서술한 모노머 (a1') ∼ (a3') 는, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용해도 된다.

아크릴계 공중합체 (A1) 성분의 합성 방법에 대해서는, 특별히 한정되는 것이 아니고, 예를 들어 원료 모노머를 용매 중에 용해하고, 중합 개시제, 연쇄 이동제 등의 존재하에서 용액 중합하는 방법이나, 유화제, 중합 개시제, 연쇄 이동제, 분산제 등의 존재하에서, 원료 모노머를 사용하여 수계로 에멀션 중합하는 방법으로 제조된다.

상기 아크릴계 점착제 중에 포함되는 가교제 (B) 로는, 상기 서술한 것을 들 수 있지만, 점착 특성을 양호하게 하는 관점, 그리고 수지층의 표면 (α) 에 오목부를 형성하기 쉽게 하는 관점에서, 금속 킬레이트계 가교제 및 에폭시계 가교제에서 선택되는 1 종 이상을 포함하는 것이 바람직하고, 금속 킬레이트계 가교제를 포함하는 것이 보다 바람직하며, 알루미늄 킬레이트계 가교제를 포함하는 것이 더욱 바람직하다.

또, 본 발명의 일 양태로는, 수지층의 표면 (α) 에 존재하는 복수의 오목부의 형상 유지성을 향상시키는 관점에서, 가교제 (B) 로는, 금속 킬레이트계 가교제 및 에폭시계 가교제를 함께 포함하는 것이 바람직하다.

가교제 (B) 의 함유량은, 상기 아크릴계 점착제 중의 아크릴계 수지 (A) 100 질량부에 대해, 바람직하게는 0.01 ∼ 15 질량부, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 10 질량부, 더욱 바람직하게는 0.3 ∼ 7.0 질량부이다.

금속 킬레이트계 가교제 및 에폭시계 가교제를 병용하는 경우, 금속 킬레이트계 가교제와 에폭시계 가교제의 함유비 [금속 킬레이트계 가교제/에폭시계 가교제] 로는, 질량비로, 바람직하게는 10/90 ∼ 99.5/0.5, 보다 바람직하게는 50/50 ∼ 99.0/1.0, 더욱 바람직하게는 65/35 ∼ 98.5/1.5, 보다 더욱 바람직하게는 75/25 ∼ 98.0/2.0 이다.

본 발명의 일 양태에서 사용하는 아크릴계 점착제에는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 범용 첨가제를 함유해도 된다. 범용 첨가제로는, 상기 서술한 것을 들 수 있고, 또 당해 범용 첨가제의 함유량도, 상기 서술한 바와 같다.

또, 본 발명의 일 양태에서 사용하는 아크릴계 점착제는, 표면 (α) 의 점착 특성을 보다 향상시키는 관점에서, 추가로 점착 부여제를 함유하는 것이 바람직하다. 점착 부여제로는, 상기 서술한 것을 들 수 있고, 또 당해 점착 부여제의 함유량도, 상기 서술한 바와 같다.

본 발명의 일 양태에서 사용하는 아크릴계 점착제에는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 아크릴계 수지 (A) 이외의 점착성 수지 (예를 들어, 우레탄계 수지, 고무계 수지 등) 를 함유하고 있어도 된다.

아크릴계 점착제 중의 아크릴계 수지 (A) 의 함유량은, 아크릴계 점착제에 포함되는 점착성 수지의 총량 (100 질량％) 에 대해, 바람직하게는 50 ∼ 100 질량％, 보다 바람직하게는 70 ∼ 100 질량％, 더욱 바람직하게는 80 ∼ 100 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 100 질량％ 이다.

＜입자 부분 (Y)＞

본 발명의 일 양태의 점착 시트가 갖는 수지층에 있어서는, 실리카 입자를 포함하는 미립자로 이루어지는 입자 부분 (Y) 를 포함한다.

실리카 입자의 평균 입경으로는, 점착 시트의 에어 방출성 및 내블리스터성 향상의 관점, 그리고 수지층의 표면 (α) 에 오목부 및 평탄면을 형성하기 쉽게 하는 관점에서, 바람직하게는 0.01 ∼ 100 ㎛, 보다 바람직하게는 0.05 ∼ 25 ㎛, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 10 ㎛ 이다.

본 발명의 일 양태에서 사용하는 실리카 입자는, 건식 실리카 및 습식 실리카 중 어느 것이라도 된다.

또, 본 발명의 일 양태에서 사용하는 실리카 입자는, 반응성 관능기를 갖는 유기 화합물 등으로 표면 수식된 유기 수식 실리카, 알루민산나트륨이나 수산화나트륨 등의 무기 화합물로 표면 처리된 무기 수식 실리카, 그리고 이들의 유기 화합물 및 무기 화합물로 표면 처리된 유기 무기 수식 실리카, 실란 커플링제 등의 유기 무기 하이브리드 재료로 표면 처리된 유기 무기 수식 실리카 등이어도 된다.

또한, 이들 실리카 입자는, 2 종 이상으로 이루어지는 혼합물이어도 된다.

실리카 입자 중에 있어서의 실리카의 질량 농도는, 실리카 입자의 전체량 (100 질량％) 에 대해, 바람직하게는 70 ∼ 100 질량％, 보다 바람직하게는 85 ∼ 100 질량％, 더욱 바람직하게는 90 ∼ 100 질량％ 이다.

또, 본 발명의 일 양태에서 사용하는 실리카 입자의 체적 평균 2 차 입자경은, 점착 시트의 에어 방출성 및 내블리스터성 향상의 관점, 그리고 수지층의 표면 (α) 에 오목부 및 평탄면을 형성하기 쉽게 하는 관점에서, 바람직하게는 0.5 ∼ 10 ㎛, 보다 바람직하게는 1 ∼ 8 ㎛, 더욱 바람직하게는 1.5 ∼ 5 ㎛ 이다.

또한, 본 발명에 있어서 실리카 입자의 체적 평균 2 차 입자경의 값은, 멀티사이저 쓰리기 등을 사용하여, 쿨터 카운터법에 의한 입도 분포의 측정을 실시함으로써 구한 값이다.

실리카 입자 이외의 미립자로는, 예를 들어 산화금속 입자, 황산바륨, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 유리 비즈, 스멕타이트 등의 무기 입자나, 아크릴 비즈 등의 유기 입자 등을 들 수 있고, 산화금속 입자 및 스멕타이트에서 선택되는 1 종 이상이 바람직하다.

산화금속 입자로는, 예를 들어 산화티탄, 알루미나, 베마이트, 산화크롬, 산화니켈, 산화구리, 산화티탄, 산화지르코늄, 산화인듐, 산화아연, 및 이들의 복합 산화물에서 선택되는 산화금속으로 이루어지는 입자 등을 들 수 있고, 이들 산화금속으로 이루어지는 졸 입자도 포함된다.

스멕타이트로는, 예를 들어 몬모릴로나이트, 바이델라이트, 헥토라이트, 사포나이트, 스티븐사이트, 논트로나이트, 소코나이트 등을 들 수 있다.

미립자 중의 실리카 입자의 함유 비율은, 입자 부분 (Y) 를 구성하는 미립자의 전체량 (100 질량％) 에 대해, 바람직하게는 60 ∼ 100 질량％, 보다 바람직하게는 70 ∼ 100 질량％, 더욱 바람직하게는 80 ∼ 100 질량％, 더욱 바람직하게는 90 ∼ 100 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 100 질량％ 이다.

본 발명의 일 양태의 점착 시트가 갖는 수지층을 800 ℃ 에서 30 분간 가열한 후의 질량 유지율은, 바람직하게는 3 ∼ 90 질량％, 보다 바람직하게는 5 ∼ 80 질량％, 더욱 바람직하게는 7 ∼ 70 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 9 ∼ 60 질량％ 이다.

당해 질량 유지율은, 수지층 중에 포함되는 실리카 입자의 함유량 (질량％) 을 나타낸다고 간주할 수 있다.

당해 질량 유지율이 3 질량％ 이상이면, 에어 방출성 및 내블리스터성이 우수한 점착 시트가 될 수 있다. 또, 본 발명의 점착 시트의 제조 시에 있어서, 수지층의 표면 (α) 에 오목부가 형성되기 쉬워진다.

한편, 당해 질량 유지율이 90 질량％ 이하이면, 수지층의 막강도가 높아, 내수성이나 내약품성이 우수한 점착 시트가 될 수 있다. 또, 본 발명의 점착 시트의 제조 시에 있어서, 수지층의 표면 (α) 에 평탄면이 형성되기 쉬워진다.

〔점착 시트의 제조 방법〕

다음으로, 본 발명의 점착 시트의 제조 방법에 대해 설명한다.

본 발명의 점착 시트의 제조 방법으로는, 특별히 제한은 없지만, 생산성의 관점, 그리고 수지층의 표면 (α) 에 오목부 및 평탄면을 형성하기 쉽게 하는 관점에서, 적어도 하기 공정 (1) 및 (2) 를 갖는 방법이 바람직하다.

공정 (1) : 수지를 포함하고, 실리카 입자의 함유량이 15 질량％ 미만인 조성물 (x) 로 이루어지는 도막 (x'), 및 실리카 입자를 15 질량％ 이상 포함하는 조성물 (y) 로 이루어지는 도막 (y') 를 형성하는 공정

공정 (2) : 공정 (1) 에서 형성한 도막 (x') 및 도막 (y') 를 동시에 건조시키는 공정

＜공정 (1)＞

공정 (1) 은, 수지를 포함하고, 실리카 입자의 함유량이 15 질량％ 미만인 조성물 (x) 로 이루어지는 도막 (x'), 및 실리카 입자를 15 질량％ 이상 포함하는 조성물 (y) 로 이루어지는 도막 (y') 를 형성하는 공정이다.

조성물 (x) 는, 수지 부분 (X) 의 형성 재료이고, 상기 서술한 수지와 함께, 가교제를 함유하는 것이 바람직하고, 추가로 점착 부여제나 상기 서술한 범용 첨가제를 함유해도 된다.

또, 조성물 (y) 는, 입자 부분 (Y) 의 형성 재료가 되지만, 추가로 수지나 가교제, 점착 부여제, 및 상기 서술한 범용 첨가제가 포함되어 있어도 된다. 이들 수지 등의 실리카 입자 이외의 성분이 포함되어 있는 조성물 (y) 는, 입자 부분 (Y) 의 형성 재료임과 함께, 수지 부분 (X) 의 형성 재료로도 된다.

(조성물 (x))

조성물 (x) 중에 함유하는 수지로는, 상기 서술한 수지 부분 (X) 를 구성하는 수지를 들 수 있고, 관능기를 갖는 점착성 수지가 바람직하고, 상기 서술한 관능기를 갖는 아크릴계 수지 (A) 가 보다 바람직하며, 상기 서술한 아크릴계 공중합체 (A1) 이 더욱 바람직하다.

조성물 (x) 중의 수지의 함유량은, 조성물 (x) 의 전체량 (100 질량％ (단, 희석 용매를 제외한다)) 에 대해, 통상 30 질량％ 이상, 바람직하게는 40 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 50 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 55 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 60 질량％ 이상, 보다 더욱 바람직하게는 70 질량％ 이상이고, 또 바람직하게는 100 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 99.9 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 95 질량％ 이하이다.

또, 조성물 (x) 중에 함유하는 가교제로는, 상기 서술한 수지 부분 (X) 중에 함유하는 가교제를 들 수 있지만, 조성물 (x) 가, 금속 킬레이트계 가교제 및 에폭시계 가교제에서 선택되는 1 종 이상을 포함하는 것이 바람직하고, 금속 킬레이트계 가교제를 포함하는 것이 보다 바람직하다.

또한, 본 발명의 일 양태로는, 수지층의 표면 (α) 에 존재하는 복수의 오목부의 형상 유지성을 향상시키는 관점에서, 조성물 (x) 가, 금속 킬레이트계 가교제 및 에폭시계 가교제를 함께 포함하는 것이 바람직하다.

조성물 (x) 가 금속 킬레이트계 가교제 및 에폭시계 가교제를 함께 포함하는 경우, 조성물 (x) 중의 금속 킬레이트계 가교제와 에폭시계 가교제의 함유비 [금속 킬레이트계 가교제/에폭시계 가교제] 로는, 질량비로, 바람직하게는 10/90 ∼ 99.5/0.5, 보다 바람직하게는 50/50 ∼ 99.0/1.0, 더욱 바람직하게는 65/35 ∼ 98.5/1.5, 보다 더욱 바람직하게는 75/25 ∼ 98.0/2.0 이다.

가교제의 함유량은, 조성물 (x) 중에 함유하는 수지 100 질량부에 대해, 바람직하게는 0.01 ∼ 15 질량부, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 10 질량부, 더욱 바람직하게는 0.3 ∼ 7.0 질량부이다.

조성물 (x) 로는, 상기 서술한 관능기를 갖는 아크릴계 수지 (A) 및 가교제 (B) 를 포함하는 아크릴계 점착제인 것이 바람직하고, 상기 서술한 아크릴계 공중합체 (A1) 및 가교제 (B) 를 포함하는 아크릴계 점착제인 것이 보다 바람직하다. 또, 당해 아크릴계 점착제는, 추가로 점착 부여제나 범용 첨가제를 함유해도 된다.

또한, 상기 아크릴계 점착제의 자세한 것은, 상기 서술한 바와 같다.

조성물 (x) 는, 상기 서술한 실리카 입자를 함유하고 있어도 된다.

단, 조성물 (x) 중의 당해 실리카 입자의 함유량은, 15 질량％ 미만이고, 또한 조성물 (x) 중에 포함되는 수지의 함유량보다 적다.

구체적인 조성물 (x) 중의 실리카 입자의 함유량으로는, 조성물 (x) 의 전체량 (100 질량％ (단, 희석 용매를 제외한다)) 에 대해, 15 질량％ 미만이지만, 바람직하게는 0 ∼ 13 질량％, 보다 바람직하게는 0 ∼ 10 질량％, 더욱 바람직하게는 0 ∼ 5 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 0 질량％ 이다.

(조성물 (y))

조성물 (y) 는, 입자 부분 (Y) 의 형성 재료이고, 적어도 상기 서술한 실리카 입자를 15 질량％ 이상 포함하지만, 실리카 입자 분산성의 관점에서, 실리카 입자와 함께, 수지를 함유하는 것이 바람직하고, 추가로 당해 수지와 함께 가교제를 함유하는 것이 보다 바람직하다. 또, 조성물 (y) 는, 추가로 점착 부여제나 범용 첨가제를 포함해도 된다.

또한, 조성물 (y) 중에 포함되는, 실리카 입자 이외의 성분 (수지, 가교제, 점착 부여제 및 범용 첨가제) 은, 수지 부분 (X) 의 형성 재료가 된다.

조성물 (y) 에는, 상기 서술한 실리카 입자 이외의 미립자를 포함할 수 있다.

조성물 (y) 중의 실리카 입자의 함유량은, 수지층의 표면 (α) 상에, 수지층의 자기 형성화에 의해 형성되는 부정형의 오목부 및 평탄면을 형성하기 쉽게 하는 관점에서, 조성물 (y) 의 전체량 (100 질량％ (단, 희석 용매를 제외한다)) 에 대해, 15 질량％ 이상이지만, 바람직하게는 20 ∼ 100 질량％, 보다 바람직하게는 25 ∼ 90 질량％, 더욱 바람직하게는 30 ∼ 85 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 35 ∼ 80 질량％ 이다.

조성물 (y) 중에 포함되는 수지로는, 상기 서술한 조성물 (x) 에 포함되는 수지와 동일한 것을 들 수 있고, 조성물 (x) 와 동일한 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 이들 수지는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.

또, 조성물 (y) 중에 포함되는 보다 구체적인 수지로는, 관능기를 갖는 수지가 바람직하고, 상기 서술한 관능기를 갖는 아크릴계 수지 (A) 가 보다 바람직하며, 상기 서술한 아크릴계 공중합체 (A1) 이 더욱 바람직하다.

조성물 (y) 중의 수지의 함유량은, 조성물 (y) 의 전체량 (100 질량％ (단, 희석 용매를 제외한다)) 에 대해, 통상 0 ∼ 85 질량％, 바람직하게는 1 ∼ 80 질량％, 보다 바람직하게는 5 ∼ 75 질량％, 더욱 바람직하게는 10 ∼ 70 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 20 ∼ 65 질량％ 이다.

또, 조성물 (y) 중에 함유하는 가교제로는, 상기 서술한 수지 부분 (X) 중에 함유하는 가교제와 동일한 것을 들 수 있다. 이들 중에서도, 조성물 (y) 는, 금속 킬레이트계 가교제 및 에폭시계 가교제에서 선택되는 1 종 이상을 포함하는 것이 바람직하고, 금속 킬레이트계 가교제를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 발명의 일 양태로는, 조성물 (y) 가, 금속 킬레이트계 가교제 및 에폭시계 가교제를 함께 포함하는 것이 바람직하다.

또한, 조성물 (y) 가 금속 킬레이트계 가교제 및 에폭시계 가교제를 함께 포함하는 경우, 조성물 (y) 중의 금속 킬레이트계 가교제와 에폭시계 가교제의 바람직한 함유비 (질량비) 의 범위는, 상기 서술한 조성물 (x) 와 동일하다.

조성물 (y) 중의 가교제의 함유량은, 조성물 (y) 중에 함유하는 수지 100 질량부에 대해, 바람직하게는 0.01 ∼ 15 질량부, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 10 질량부, 더욱 바람직하게는 0.3 ∼ 7.0 질량부이다.

(도막 (x'), (y') 의 형성 방법)

또한, 도막을 형성할 때에, 도막을 형성하기 쉽게 하기 위해, 조성물 (x) 및 (y) 에, 용매를 배합하여, 조성물 용액의 형태로 하는 것이 바람직하다.

이와 같은 용매로는, 물이나 유기 용매 등을 들 수 있다.

당해 유기 용매로는, 예를 들어 톨루엔, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올, t-부탄올, s-부탄올, 아세틸아세톤, 시클로헥산온, n-헥산, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 또한, 이들 용매는, 단독으로 또는 2 종 이상을 병용해도 된다.

본 공정에서 형성되는 도막 (x') 및 (y') 의 적층하는 순서는 특별히 한정되지 않지만, 도막 (y') 상에 도막 (x') 가 적층되도록 형성되는 것이 바람직하다.

도막 (x') 및 (y') 의 형성 방법으로는, 도막 (y') 를 형성한 후, 도막 (y') 상에, 도막 (x') 를 축차 형성하는 방법이라도 되고, 또 생산성의 관점에서, 도막 (y') 및 도막 (x') 를 다층 코터로 동시 도포하여 형성하는 방법이라도 된다.

축차 형성할 때에 사용하는 코터로는, 예를 들어 스핀 코터, 스프레이 코터, 바 코터, 나이프 코터, 롤 코터, 나이프 롤 코터, 블레이드 코터, 그라비어 코터, 커튼 코터, 다이 코터 등을 들 수 있다.

다층 코터로 동시 도포할 때에 사용하는 코터로는, 예를 들어 커튼 코터, 다이 코터 등을 들 수 있지만, 이들 중에서도 조작성의 관점에서 다이 코터가 바람직하다.

또한, 본 공정 (1) 에 있어서, 도막 (x') 및 도막 (y') 의 적어도 일방의 형성 후에, 공정 (2) 로 이행되기 전에, 당해 도막의 경화 반응이 진행되지 않을 정도의 프리건조 처리를 실시해도 된다.

본 공정 (1) 에 있어서의, 당해 프리건조 처리를 실시할 때의 건조 온도로는, 통상은 형성한 도막의 경화가 진행되지 않을 정도의 온도 범위로 적절히 설정되지만, 바람직하게는 공정 (2) 에서의 건조 온도 미만이다. 「공정 (2) 에서의 건조 온도 미만」이라는 규정이 나타내는 구체적인 건조 온도로는, 바람직하게는 10 ∼ 45 ℃, 보다 바람직하게는 10 ∼ 34 ℃, 더욱 바람직하게는 15 ∼ 30 ℃ 이다.

＜공정 (2)＞

공정 (2) 는, 공정 (1) 에서 형성한 도막 (x') 및 도막 (y') 를 동시에 건조시키는 공정이다.

본 공정에서, 형성한 도막 (x') 및 도막 (y') 를 동시에 건조시킴으로써, 수지 부분 (X) 와 입자 부분 (Y) 를 포함하는 수지층이 형성됨과 함께, 당해 수지층의 표면 (α) 에는, 복수의 오목부 및 평탄면이 형성된다.

본 공정에 있어서의 건조 온도로는, 수지층의 표면 (α) 에 오목부 및 평탄면을 형성하기 쉽게 하는 관점에서, 바람직하게는 35 ∼ 200 ℃, 보다 바람직하게는 60 ∼ 180 ℃, 더욱 바람직하게는 70 ∼ 160 ℃, 보다 더욱 바람직하게는 80 ∼ 140 ℃ 이다.

당해 건조 온도가 35 ℃ 이상이면, 에어 방출성이 양호한 점착 시트를 얻을 수 있다. 한편, 당해 건조 온도가 200 ℃ 이하이면, 점착 시트가 갖는 기재나 박리재가 수축한다는 문제를 억제할 수 있다.

또한, 당해 건조 온도가 낮을수록, 형성되는 오목부의 고저차가 커지지만, 형성되는 오목부의 수가 감소하는 경향이 있다.

또한, 본 공정에 의해 형성되는 수지층의 입자 부분 (Y) 의 주변에 있어서, 공극 부분 (Z) 가 형성되기 쉽다.

공극 부분 (Z) 는, 상기 서술한 조성물 (y) 중에 함유하는 실리카 입자에 의해, 용이하게 형성할 수 있다.

또, 도 1(a) 의 점착 시트 (1a) 등과 같이, 주로 수지 부분 (X) 를 포함하는 층 (Xβ), 입자 부분 (Y) 를 15 질량％ 이상 포함하는 층 (Y1), 및 주로 수지 부분 (X) 를 포함하는 층 (Xα) 를 이 순서로 적층한 다층 구조체를 형성하여 이루어지는 수지층을 갖는 점착 시트를 제조하는 경우에는, 이하에 나타내는 제 1 및 제 2 양태의 제조 방법이 바람직하다.

또한, 이하의 제 1 및 제 2 양태의 제조 방법의 기재에 있어서, 「조성물 (xβ)」 및 「조성물 (xα)」는, 특별히 기재가 없는 한 상기 서술한 조성물 (x) 와 동일하고, 조성물 (xβ) 또는 (xα) 중에 포함되는 각 성분 (수지, 가교제, 점착 부여제, 범용 첨가제, 희석 용매 등) 의 상세 (각 성분의 구체적인 예시, 바람직한 성분, 성분의 함유량, 고형분 농도 등) 도, 상기 서술한 조성물 (x) 와 동일하다. 또, 「조성물 (y)」도, 상기 서술한 바와 같다.

〔제 1 양태의 제조 방법〕

제 1 양태의 제조 방법으로는, 적어도 하기 공정 (1A) 및 (2A) 를 갖는다.

공정 (1A) : 기재 또는 박리재 상에, 수지를 포함하고, 실리카 입자의 함유량이 15 질량％ 미만인 조성물 (xβ) 로 이루어지는 도막 (xβ'), 상기 실리카 입자를 15 질량％ 이상 포함하는 조성물 (y) 로 이루어지는 도막 (y'), 및 수지를 포함하고, 실리카 입자의 함유량이 15 질량％ 미만인 조성물 (xα) 로 이루어지는 도막 (xα') 를 이 순서로 적층하여 형성하는 공정

공정 (2A) : 공정 (1A) 에서 형성한 도막 (xβ'), 도막 (y'), 및 도막 (xα') 를 동시에 건조시키는 공정

공정 (1A) 에 있어서도, 조성물 (xβ), 조성물 (y), 및 조성물 (xα) 에는, 상기 서술한 용매를 배합하여, 조성물 용액의 형태로 한 후, 도포하는 것이 바람직하다.

도막 (xβ'), 도막 (y'), 및 도막 (xα') 의 형성 방법으로는, 기재 또는 박리재 상에, 도막 (xβ') 를 형성한 후, 도막 (xβ') 상에 도막 (y') 를 형성하고, 또한 도막 (y') 상에 도막 (xα') 를 형성한다고 하는 바와 같이, 상기 서술한 코터를 사용하여 축차 형성하는 방법이라도 되고, 도막 (xβ'), 도막 (y') 및 도막 (xα') 를, 상기 서술한 다층 코터를 사용하여 동시 도포하여 형성하는 방법이라도 된다.

또한, 본 공정 (1A) 에 있어서, 도막 (xβ'), 도막 (y'), 및 도막 (xα') 의 1 층 이상의 도막을 형성 후에, 공정 (2A) 로 이행하기 전에, 당해 도막의 경화 반응이 진행되지 않을 정도의 프리건조 처리를 실시해도 된다.

예를 들어, 도막 (xβ'), 도막 (y'), 및 도막 (xα') 의 각각의 도막의 형성 후에, 그때마다 상기 프리건조 처리를 실시해도 되고, 도막 (xβ') 및 도막 (y') 의 형성 후에, 일괄하여 상기 프리건조 처리를 실시한 후, 도막 (xα') 를 형성해도 된다.

본 공정 (1A) 에 있어서의, 당해 프리건조 처리를 실시할 때의 건조 온도로는, 통상은 형성한 도막의 경화가 진행되지 않을 정도의 온도 범위에서 적절히 설정되지만, 바람직하게는 공정 (2A) 에서의 건조 온도 미만이다. 「공정 (2A) 에서의 건조 온도 미만」이라는 규정이 나타내는 구체적인 건조 온도로는, 바람직하게는 10 ∼ 45 ℃, 보다 바람직하게는 10 ∼ 34 ℃, 더욱 바람직하게는 15 ∼ 30 ℃ 이다.

공정 (2A) 는, 공정 (1A) 에서 형성한 도막 (xβ'), 도막 (y'), 및 도막 (xα') 를 동시에 건조시키는 공정이지만, 본 공정에 있어서의 건조 온도의 바람직한 범위는, 상기 서술한 공정 (2) 와 동일하다. 본 공정에 의해, 수지 부분 (X) 와 입자 부분 (Y) 를 포함하는 수지층이 형성된다.

〔제 2 양태의 제조 방법〕

제 2 양태의 제조 방법으로는, 적어도 하기 공정 (1B) 및 (2B) 를 갖는다.

공정 (1B) : 기재 또는 박리재 상에 형성된, 주로 수지 부분 (X) 를 포함하는 층 (Xβ) 상에, 상기 실리카 입자를 15 질량％ 이상 포함하는 조성물 (y) 로 이루어지는 도막 (y'), 및 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지를 포함하고, 실리카 입자의 함유량이 15 질량％ 미만인 조성물 (xα) 로 이루어지는 도막 (xα') 를 이 순서로 적층하여 형성하는 공정

공정 (2B) : 공정 (1B) 에서 형성한 도막 (y') 및 도막 (xα') 를 동시에 건조시키는 공정

공정 (1B) 에 있어서, 「주로 수지 부분 (X) 를 포함하는 층 (Xβ)」는, 상기 서술한 주성분으로서 수지를 포함하는 조성물 (xβ) 로 이루어지는 도막 (xβ') 를 건조시켜 형성할 수 있다.

층 (Xβ) 가 조성물 (xβ) 로 형성되기 때문에, 층 (Xβ) 에는, 수지 이외에도 가교제나 범용 첨가제 등이 함유되어 있어도 된다. 층 (Xβ) 중의 수지 부분 (X) 의 함유량으로는, 상기 서술한 바와 같다.

층 (Xβ) 의 형성 방법으로는, 기재 또는 박리재 상에, 주성분으로서 수지를 포함하는 조성물 (xβ) 로 이루어지는 도막 (xβ') 를 형성하고, 그 도막 (xβ') 를 건조시켜 형성할 수 있다.

이때의 건조 온도로는, 특별히 제한은 없고, 바람직하게는 35 ∼ 200 ℃, 보다 바람직하게는 60 ∼ 180 ℃, 더욱 바람직하게는 70 ∼ 160 ℃, 보다 더욱 바람직하게는 80 ∼ 140 ℃ 이다.

또한, 본 양태에 있어서는, 도막 (xβ') 상이 아니라, 건조 후에 얻어진 층 (Xβ) 상에, 도막 (y') 및 도막 (xα') 를 이 순서로 형성하는 점에서, 상기 서술한 제 1 양태와는 상이하다.

공정 (1B) 에 있어서도, 조성물 (y) 및 조성물 (xα) 에는, 상기 서술한 용매를 배합하여, 조성물 용액의 형태로 한 후, 도포하는 것이 바람직하다.

도막 (y') 및 도막 (xα') 의 형성 방법으로는, 층 (Xβ) 상에, 도막 (y') 를 형성한 후, 도막 (y') 상에 도막 (xα') 를 형성한다고 하는 바와 같이, 상기 서술한 코터를 사용하여 축차 형성하는 방법이라도 되고, 도막 (y') 및 도막 (xα') 를, 상기 서술한 다층 코터를 사용하여 동시 도포하여 형성하는 방법이라도 된다.

또한, 본 공정 (1B) 에 있어서, 도막 (y') 의 형성 후, 혹은 도막 (y') 및 도막 (xα') 의 형성 후에, 공정 (2B) 로 이행하기 전에, 당해 도막의 경화 반응이 진행되지 않을 정도의 프리건조 처리를 실시해도 된다.

본 공정 (1B) 에 있어서의, 당해 프리건조 처리를 실시할 때의 건조 온도로는, 통상은 형성한 도막의 경화가 진행되지 않을 정도의 온도 범위로 적절히 설정되지만, 바람직하게는 공정 (2B) 에서의 건조 온도 미만이다. 「공정 (2B) 에서의 건조 온도 미만」이라는 규정이 나타내는 구체적인 건조 온도로는, 바람직하게는 10 ∼ 45 ℃, 보다 바람직하게는 10 ∼ 34 ℃, 더욱 바람직하게는 15 ∼ 30 ℃ 이다.

공정 (2B) 는, 공정 (1B) 에서 형성한 도막 (y') 및 도막 (xα') 를 동시에 건조시키는 공정이지만, 본 공정에 있어서의 건조 온도의 바람직한 범위는, 상기 서술한 공정 (2) 와 동일하다. 본 공정에 의해, 수지 부분 (X) 와 입자 부분 (Y) 를 포함하는 수지층이 형성된다.

실시예

본 발명에 대해, 이하의 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되는 것이 아니다. 또한, 이하의 제조예 및 실시예에 있어서의 물성값은, 이하의 방법에 의해 측정한 값이다.

＜질량 평균 분자량 (Mw)＞

겔 침투 크로마토그래프 장치 (토소 주식회사 제조, 제품명 「HLC-8020」) 를 사용하여, 하기 조건하에서 측정하고, 표준 폴리스티렌 환산으로 측정한 값을 사용하였다.

(측정 조건)

·칼럼 : 「TSK guard column HXL-L」 「TSK gel G2500HXL」 「TSK gel G2000HXL」 「TSK gel G1000HXL」(모두 토소 주식회사 제조) 을 순차 연결한 것

·칼럼 온도 : 40 ℃

·전개 용매 : 테트라하이드로푸란

·유속 : 1.0 mL/min

＜실리카 입자의 체적 평균 2 차 입자경의 측정＞

실리카 입자의 체적 평균 2 차 입자경은, 멀티사이저 쓰리기 (베크만 쿨터사 제조) 를 사용하여, 쿨터 카운터법에 의한 입도 분포의 측정을 실시함으로써 구하였다.

＜수지층의 두께의 측정＞

주식회사 테크록 제조의 정압 두께 측정기 (모델 : 「PG-02J」, 표준 규격 : JIS K6783, Z1702, Z1709 에 준거) 를 사용하여 측정하였다.

구체적으로는, 측정 대상인 점착 시트의 총두께를 측정한 다음, 미리 측정한 기재 혹은 박리 시트의 두께를 뺀 값을 「수지층의 두께」로 하였다.

제조예 x-1 ∼ x-4

(수지 조성물의 용액 (xβ-1) ∼ (xβ-2) 및 (xα-1) ∼ (xα-2) 의 조제)

표 1 에 기재된 종류 및 고형분량의 점착성 수지인 아크릴계 수지의 용액에 대해, 표 1 에 기재된 종류 및 배합량의 가교제, 및 점착 부여제를 첨가하였다. 그리고, 표 1 에 기재된 희석 용매를 사용하여 희석하여, 표 1 에 기재된 고형분 농도를 갖는 수지 조성물의 용액 (xβ-1) ∼ (xβ-2) 및 (xα-1) ∼ (xα-2) 를 각각 조제하였다.

또한, 수지 조성물의 용액 (xβ-1) ∼ (xβ-2) 및 (xα-1) ∼ (xα-2) 의 조제에 사용한 표 1 에 기재된 각 성분의 자세한 것은 이하와 같다.

＜아크릴계 수지의 용액＞

·용액 (i) : 아크릴계 수지 (x-i)(BA/AA = 90/10 (질량％) 으로 이루어지는 원료 모노머에서 유래한 구성 단위를 갖는 아크릴계 공중합체, Mw : 63 만) 을 함유하는 고형분 농도 34.0 질량％ 의 톨루엔과 아세트산에틸의 혼합 용액.

·용액 (ii) : 아크릴계 수지 (x-ii)(BA/AA = 90/10 (질량％) 으로 이루어지는 원료 모노머에서 유래한 구성 단위를 갖는 아크릴계 공중합체, Mw : 47 만) 를 함유하는 고형분 농도 37.0 질량％ 의 톨루엔과 아세트산에틸의 혼합 용액.

·용액 (iii) : 아크릴계 수지 (x-iii)(2EHA/VAc/AA = 75/23/2 (질량％) 로 이루어지는 원료 모노머에서 유래한 구성 단위를 갖는 아크릴계 공중합체, Mw : 66 만) 을 함유하는 고형분 농도 37.0 질량％ 의 톨루엔과 이소프로필알코올 (IPA) 의 혼합 용액.

·용액 (iv) : 아크릴계 수지 (x-iv)(BA/AA/HEA = 94/3/3 (질량％) 으로 이루어지는 원료 모노머에서 유래한 구성 단위를 갖는 아크릴계 공중합체, Mw : 100 만) 를 함유하는 고형분 농도 37.0 질량％ 의 아세트산에틸의 용액.

또한, 상기 아크릴계 공중합체의 구성하는 원료 모노머의 약칭은, 이하와 같다.

·BA : n-부틸아크릴레이트

·2EHA : 2-에틸헥실아크릴레이트

·AA : 아크릴산

·VAc : 아세트산비닐

·HEA : 2-하이드록시에틸아크릴레이트

＜가교제＞

·Al 계 가교제 : 제품명 「M-5A」, 소켄 화학 주식회사 제조, 알루미늄 킬레이트계 가교제, 고형분 농도 = 4.95 질량％.

·에폭시계 가교제 : 「TETRAD-C」(제품명, 미츠비시 가스 화학 주식회사 제조) 를 톨루엔으로 희석하여, 고형분 농도 5 질량％ 로 한 에폭시계 가교제의 용액.

＜점착 부여제＞

·로진에스테르계 TF : 로진에스테르계 중합체, Mw : 1 만 미만, 연화점 : 85 ℃.

·스티렌계 TF : 스티렌계 모노머와 지방족계 모노머의 공중합체, Mw : 1 만 미만, 연화점 : 95 ℃

＜희석 용매＞

·혼합 용매 (1) : 톨루엔/이소프로필알코올 (IPA) = 65/35 (질량비) 로 혼합하여 이루어지는 혼합 용매.

·혼합 용매 (2) : 아세트산에틸/IPA = 86/14 (질량비) 로 혼합하여 이루어지는 혼합 용매.

제조예 f-1

(미립자 분산액 (f-1) 의 조제)

상기 서술한 아크릴계 수지 (x-i) 을 포함하는 아크릴계 수지의 용액 (i)(부틸아크릴레이트 (BA) 및 아크릴산 (AA) 에서 유래하는 구성 단위를 갖는 아크릴계 공중합체, BA/AA = 90/10 (질량％), Mw : 63 만) 을 함유하는 고형분 농도 34.0 질량％ 의 톨루엔과 아세트산에틸의 혼합 용액 100 질량부 (고형분 : 34.0 질량부) 에 대해, 미립자로서, 실리카 입자 (제품명 「닙실 E-200A」, 토소 실리카사 제조, 체적 평균 2 차 입자경 : 3 ㎛) 를 51.0 질량부 (고형분 : 51.0 질량부) 및 톨루엔을 첨가하고, 미립자를 분산시켜, 아크릴계 수지 및 실리카 입자를 포함하는 고형분 농도 27 질량％ 의 미립자 분산액 (f-1) 을 조제하였다.

제조예 f-2

(미립자 분산액 (f-2) 의 조제)

용액 (i) 대신에, 상기 서술한 아크릴계 수지 (x-ii) 를 포함하는 용액 (ii)(부틸아크릴레이트 (BA) 및 아크릴산 (AA) 에서 유래하는 구성 단위를 갖는 아크릴계 공중합체, BA/AA = 90/10 (질량％), Mw : 47 만) 를 함유하는 고형분 농도 37.0 질량％ 의 톨루엔과 아세트산에틸의 혼합 용액 100 질량부 (고형분 : 37.0 질량부) 에 대해, 미립자로서, 실리카 입자 (제품명 「닙실 E-200A」, 토소 실리카사 제조, 체적 평균 2 차 입자경 : 3 ㎛) 를 55.5 질량부 (고형분 : 55.5 질량부) 및 톨루엔을 첨가하고, 미립자를 분산시켜, 아크릴계 수지 및 실리카 입자를 포함하는 고형분 농도 30 질량％ 의 미립자 분산액 (f-2) 를 조제하였다.

제조예 y-1 ∼ y-2

(도막 (y') 형성용 도포액 (y-1) ∼ (y-2) 의 조제)

표 2 에 기재된 종류 및 배합량의 미립자 분산액, 아크릴계 수지의 용액, 가교제, 및 희석 용매를 첨가하여, 표 2 에 기재된 고형분 농도의 도막 (y') 형성용 도포액 (y-1) ∼ (y-2) 를 각각 조제하였다.

또한, 도막 (y') 형성용 도포액 (y-1) ∼ (y-2) 의 조제에 사용한 표 2 에 기재된 각 성분의 자세한 것은 이하와 같다.

＜미립자 분산액＞

·분산액 (f-1) : 제조예 f-1 에서 조제한, 아크릴계 수지 (x-i) 및 실리카 입자를 포함하는 고형분 농도 27 질량％ 의 미립자 분산액 (f-1).

·분산액 (f-2) : 제조예 f-2 에서 조제한, 아크릴계 수지 (x-ii) 및 실리카 입자를 포함하는 고형분 농도 30 질량％ 의 미립자 분산액 (f-2).

＜아크릴계 수지의 용액＞

·용액 (i) : 아크릴계 수지 (x-i)(BA/AA = 90/10 (질량％) 으로 이루어지는 원료 모노머에서 유래한 구성 단위를 갖는 아크릴계 공중합체, Mw : 63 만) 을 함유하는 고형분 농도 34.0 질량％ 의 톨루엔과 아세트산에틸의 혼합 용액.

·용액 (ii) : 아크릴계 수지 (x-ii)(BA/AA = 90/10 (질량％) 으로 이루어지는 원료 모노머에서 유래한 구성 단위를 갖는 아크릴계 공중합체, Mw : 47 만) 를 함유하는 고형분 농도 37.0 질량％ 의 톨루엔과 아세트산에틸의 혼합 용액.

＜가교제＞

·Al 계 가교제 : 제품명 「M-5A」, 소켄 화학 주식회사 제조, 알루미늄 킬레이트계 가교제, 고형분 농도 = 4.95 질량％.

·에폭시계 가교제 : 「TETRAD-C」(제품명, 미츠비시 가스 화학 주식회사 제조) 를 톨루엔으로 희석하여, 고형분 농도 5 질량％ 로 한 에폭시계 가교제의 용액.

＜희석 용매＞

·IPA/CHN : 이소프로필알코올 (IPA) 및 시클로헥산온 (CHN) 으로 이루어지는 혼합 용매 (IPA/CHN = 95/5 (질량비)).

실시예 1 ∼ 2

(1) 도막의 형성

제 1 박리재인 박리 필름 (린텍 주식회사 제조, 제품명 「SP-PET381031」, 두께 38 ㎛, PET 필름의 편면에 실리콘계 박리제층을 형성한 것) 의 박리제층 상에, 표 3 과 같이, 기재의 제조예 x-1 에서 조제한 수지 조성물의 용액 (xβ-1) 과, 제조예 y-1 에서 조제한 도막 (y') 형성용 도포액 (y-1) 과, 도막 (xα') 형성용으로서, 제조예 x-1 에서 조제한 수지 조성물의 용액 (xβ-1) 을, 박리제층 상으로부터 이 순서로 다층 다이 코터 (폭 : 250 mm) 를 사용하여 동시에 도포하여, 도막 (xβ'), 도막 (y') 및 도막 (xα') 의 순서로 동시에 형성하였다.

또한, 도막 (xβ'), 도막 (y') 및 도막 (xα') 를 형성하기 위한 각 용액 (도포액) 의 도포 속도 및 각 도막의 도포량은, 표 3 에 기재된 바와 같다.

(2) 건조 처리

그리고, 3 층의 도막 (xβ'), 도막 (y') 및 도막 (xα') 를, 건조 온도 100 ℃ 에서 2 분간, 동시에 건조시켜, 수지 부분 (X) 와 입자 부분 (Y) 를 포함하는, 표 3 에 나타내는 두께의 수지층을 형성하였다.

또한, 실시예 1 ∼ 2 의 어느 것에 있어서도, 형성한 수지층의 표면 (α) 에는, 복수의 오목부와 평탄면이 육안에 의해서도 확인되었다.

(3) 기재가 없는 점착 시트 및 기재가 부착된 점착 시트의 제작

형성한 수지층의 표면 (α) 에, 제 2 박리재인 박리 필름 (린텍 주식회사 제조, 제품명 「SP-PET386040」) 의 박리제층의 표면과 첩합하도록 라미네이트하여, 기재가 없는 점착 시트를 제작하였다.

또, 동일하게 제작한, 상기 기재가 없는 점착 시트를 23 ℃ 환경하에서 1 주간 가만히 정지시킨 후, 제 1 박리재를 제거하고, 표출된 수지층의 표면 (β) 와, 기재인, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 (토오레 주식회사 제조, 제품명 「루미러 T60 ＃50」, 두께 50 ㎛) 과 첩합하도록 라미네이트하여, 기재가 부착된 점착 시트를 제작하였다.

실시예 3 ∼ 4

(1) 도막의 형성

편면에 알루미늄 증착층을 형성한 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 (린텍 주식회사 제조, 「FNS 무광 N50」, 두께 50 ㎛) 의 알루미늄 증착층의 표면 상에, 표 3 에 기재된 바와 같이, 제조예 x-2 에서 조제한 수지 조성물의 용액 (xβ-2) 와, 제조예 y-2 에서 조제한 도막 (y') 형성용 도포액 (y-2) 와, 제조예 x-3 ∼ x-4 에서 조제한 수지 조성물의 용액 (xα-1) 또는 (xα-2) 를, 알루미늄 증착층 상으로부터 이 순서로 다층 다이 코터 (폭 : 250 mm) 를 사용하여 동시에 도포하여, 도막 (xβ'), 도막 (y') 및 도막 (xα') 의 순서로 동시에 형성하였다.

또한, 도막 (xβ'), 도막 (y') 및 도막 (xα') 를 형성하기 위한 각 용액 (도포액) 의 도포 속도 및 각 도막의 도포량은, 표 3 에 기재된 바와 같다.

(2) 건조 처리

그리고, 3 층의 도막 (xβ'), 도막 (y') 및 도막 (xα') 를, 건조 온도 100 ℃ 에서 2 분간, 동시에 건조시켜, 수지 부분 (X) 와 입자 부분 (Y) 를 포함하는, 표 3 에 나타내는 두께의 수지층을 형성하였다.

또한, 실시예 3 ∼ 4 의 어느 것에 있어서도, 형성한 수지층의 표면 (α) 에는, 복수의 오목부와 평탄면이 육안에 의해서도 확인되었다.

(3) 기재가 부착된 점착 시트의 제작

박리 필름 (린텍 주식회사 제조, 제품명 「SP-PET381031」) 의 박리제층의 표면과 첩합하도록 라미네이트하여, 기재가 부착된 점착 시트를 얻었다.

비교예 1 ∼ 4

(1) 엠보스 박리지의 제작

상질지의 편면에 저밀도 폴리에틸렌 수지 (스미토모 화학 주식회사 제조, 제품명 「스미카센 (L705)」, 융점 106 ℃) 로 이루어지는 두께 25 ㎛ 의 수지막을 형성하였다. 그리고, 당해 수지막의 표면에 금속 조각판의 요철 형성면을 밀착시키고, 그 상태에서, 115 ℃ 로 가열한 2 개의 회전하는 실리콘 고무 롤러 사이에 끼워 넣어, 당해 수지막의 표면에 엠보스 가공을 실시하였다.

엠보스 가공 후의 수지막의 표면 상에, 실리콘계 박리재 (린텍사 제조, 제품명 「SP-PET1031 과 동일한 박리재」) 를 도포한 후, 100 ℃ 에서 1 분간 건조시켜, 두께 110 ㎛ 의 엠보스 박리지를 제작하였다.

또한, 금속 조각판의 요철 형성면은, 비교예 1 ∼ 4 에서 제작하는 점착 시트의 수지층의 표면 (α) 에, 각각의 형상의 오목부 및 평탄면이 형성되도록 가공된 것을 사용하였다.

(2) 기재가 부착된 점착 시트의 제작

상기 (1) 에서 제작한 엠보스 박리지의 박리제층 상에, 표 1 에 기재된 제조예 x-1 에서 조제한 수지 조성물의 용액 (xβ-1) 을, 애플리케이터를 사용하여 도포하고, 그 후 100 ℃ 에서 1 분간 건조시켜, 표 3 의 실시예 1 에 기재된 도포 속도 및 각 도막의 도포량이 되도록 수지층을 형성하였다. 그리고, 수지층의 표면 (α) 에 PET 필름 (토오레 주식회사 제조, 제품명 「루미러 T60 ＃50」, 두께 50 ㎛) 을 첩합하도록 라미네이트하여, 기재가 부착된 점착 시트를 제작하였다.

실시예 및 비교예에서 제작한 기재가 없는 점착 시트 또는 기재가 부착된 점착 시트를 사용하여, 당해 점착 시트가 갖는 수지층 및 당해 점착 시트의 특성에 대해, 이하의 방법에 의해 측정 또는 관찰을 실시하였다. 이들의 결과를 표 4 에 나타낸다.

(1) 측정 샘플의 제작

도 6(a) 에 나타내는 바와 같이, 점착 시트의 굴곡 등의 영향을 배제하기 위해, 평활면을 갖는 피착체 (101) 인 무알칼리 유리 (제품명 「이글 XG」, 코닝 주식회사 제조) 와, 실시예 및 비교예에서 제작한 점착 시트의 기재를, 양면 테이프를 개재하여 첩부하였다.

그리고, 당해 점착 시트의 수지층의 표면 (α) 상에 적층되어 있는 박리재를 제거하여, 수지층의 표면 (α) 가 표출된 것을 측정 샘플로 하였다.

＜오목부 및 평탄면을 육안으로 확인할 수 있는지 여부＞

·평가 항목 (a) : 상기 측정 샘플의 표출되어 있는 수지층의 표면 (α) 를 육안으로 관찰하고, 표면 (α) 상의 오목부 및 평탄면의 존재가 육안에 의해 확인할 수 있는지 여부를, 이하의 기준에 의해 평가하였다.

A : 표면 (α) 상의 오목부 및 평탄면의 존재가, 육안에 의해 확인할 수 있다.

F : 표면 (α) 상의 오목부 및 평탄면의 존재가, 육안에 의해서는 확인할 수 없다.

(2) 표면 (α) 상의 영역 (D) 및 영역 (Q) 의 화상의 취득

상기 측정 샘플의 표출되어 있는 수지층의 표면 (α) 를, 디지털 현미경 (배율 50 배) 을 사용하여, 표면 (α) 상의 임의로 선택한 서로 이웃하는 범위를, 도 6(a) 의 A 방향으로부터 촬영하고, 인접하는 복수의 화상을, 디지털 현미경의 화상 연결 기능에 의해 연결한 연결 화상을 취득하였다.

또한, 당해 촬영 시에, 보다 구체적으로는 도 6(a) 의 A 방향으로부터 육안으로 평탄면이라고 판단한 부위의 상방으로부터 순서대로 초점을 이동하고, 처음으로 초점이 맞았던 부분을 평탄면으로서 촬영하였다.

그리고, 취득한 연결 화상에 있어서, 세로 8 mm × 가로 10 mm 의 장방형으로 둘러싸인 영역 (D) 를 1 영역 임의로 선택하고, 이것을 「영역 (D) 의 화상」으로 하였다.

또, 취득한 연결 화상에 있어서, 한 변 1 mm 의 정방형으로 둘러싸인 영역 (Q) 를 1 영역 임의로 선택하고, 이것을 「영역 (Q) 의 화상」으로 하였다.

또한, 상기 (2) 에 있어서의 디지털 현미경의 촬영 조건은 이하와 같다.

(측정 기기)

주식회사 키엔스 제조, 제품명 「디지털 마이크로스코프 VHX-5000」, 고해상도 줌 렌즈 VHX-ZST 100 배

(측정 조건)

·낙사 (落射) 조명 : ON

·스테이지 투과 조명 : OFF

·조명 변경 : 동축 낙사

·에지 강조 : OFF

＜오목부 및 평탄면의 형상 등에 관한 평가＞

상기 (2) 에서 취득한 「영역 (D) 의 화상」 또는 「영역 (Q) 의 화상」으로부터, 이하의 평가 항목 (b1) ∼ (b4) 및 (c1) ∼ (c4) 에 관한 관찰을 실시하고, 각각의 기준에 의한 평가를 실시하였다. 이들의 평가 결과를 표 4 에 나타낸다.

(영역 (D) 에 존재하는 평탄면의 형상 및 위치에 관한 평가 항목)

·평가 항목 (b1) : 취득한 「영역 (D) 의 화상」으로부터, 당해 영역 (D) 에 부정형의 평탄면이 존재하는지 여부를, 이하의 기준에 의해 평가하였다.

A : 부정형의 평탄면이 복수 존재한다.

B : 부정형의 평탄면이 1 개만 존재한다.

C : 부정형의 평탄면이 존재하지 않는다.

·평가 항목 (b2) : 취득한 「영역 (D) 의 화상」으로부터, 당해 영역 (D) 에 직경 100 ㎛ 이상의 원으로 둘러싸인 영역을 선택 가능한 넓이를 갖는 평탄면이 존재하는지 여부를, 이하의 기준에 의해 평가하였다.

A＋ : 영역 (D) 에, 직경 200 ㎛ 의 원으로 둘러싸인 영역을 선택 가능한 넓이를 갖는 평탄면이 존재한다.

A : 영역 (D) 에, 직경 150 ㎛ 의 원으로 둘러싸인 영역을 선택 가능한 넓이를 갖는 평탄면이 존재한다.

B : 영역 (D) 에, 직경 100 ㎛ 의 원으로 둘러싸인 영역을 선택 가능한 넓이를 갖는 평탄면이 존재한다.

C : 영역 (D) 에, 직경 100 ㎛ 의 원으로 둘러싸인 영역을 선택 가능한 넓이를 갖는 평탄면이 존재하지 않는다.

·평가 항목 (b3) : 취득한 「영역 (D) 의 화상」으로부터, 당해 영역 (D) 의 복수의 평탄면이 존재하는 위치가 주기성을 갖는지 여부를, 이하의 기준에 의해 평가하였다.

A : 복수의 평탄면이 존재하는 위치가 주기성을 가지지 않는다.

F : 복수의 평탄면이 존재하는 위치가 주기성을 갖거나, 혹은 영역 (D) 에 복수의 평탄면이 존재하지 않는다.

·평가 항목 (b4) : 취득한 「영역 (D) 의 화상」으로부터, 당해 영역 (D) 에 존재하는 평탄면의 형상이, 일정한 반복 단위가 되는 형상을 갖는지 여부를, 이하의 기준에 의해 평가하였다.

A : 평탄면의 형상이, 일정한 반복 단위가 되는 형상을 가지지 않는다.

F : 평탄면의 형상이, 일정한 반복 단위가 되는 형상을 갖는다.

(영역 (D) 에 존재하는 오목부의 형상 및 위치에 관한 평가 항목)

·평가 항목 (c1) : 취득한 「영역 (D) 의 화상」으로부터, 당해 영역 (D) 에 부정형의 오목부가 존재하는지 여부를, 이하의 기준에 의해 평가하였다.

A : 부정형의 오목부가 복수 존재한다.

B : 부정형의 오목부가 1 개만 존재한다.

C : 부정형의 오목부가 존재하지 않는다.

·평가 항목 (c2) : 취득한 「영역 (D) 의 화상」으로부터, 당해 영역 (D) 에 복수의 오목부가 존재하고, 복수의 오목부가 존재하는 위치가 주기성을 갖는지 여부를, 이하의 기준에 의해 평가하였다.

A : 복수의 오목부가 존재하는 위치가 주기성을 가지지 않는다.

F : 복수의 오목부가 존재하는 위치가 주기성을 갖거나, 혹은 영역 (D) 에 복수의 오목부가 존재하지 않는다.

·평가 항목 (c3) : 취득한 「영역 (D) 의 화상」으로부터, 당해 영역 (D) 에 존재하는 오목부의 형상이, 일정한 반복 단위가 되는 형상을 갖는지 여부를, 이하의 기준에 의해 평가하였다.

A : 오목부의 형상이, 일정한 반복 단위가 되는 형상을 가지지 않는다.

F : 오목부의 형상이, 일정한 반복 단위가 되는 형상을 갖는다.

(영역 (Q) 에 있어서의 부정형의 오목부의 존재의 유무에 관한 평가 항목)

·평가 항목 (c4) : 취득한 「영역 (Q) 의 화상」으로부터, 당해 영역 (Q) 에 부정형의 오목부가 존재하는지 여부를, 이하의 기준에 의해 평가하였다.

A : 영역 (Q) 에, 부정형의 오목부가 복수 존재한다.

B : 영역 (Q) 에, 부정형의 오목부가 1 개만 존재한다.

C : 영역 (Q) 에, 부정형의 오목부가 존재하지 않는다.

(3) 영역 (D) 에 존재하는 오목부 및 평탄면의 면적의 측정

상기 (2) 에서 취득한 「영역 (D) 의 화상」을 기초로, 상기와 동일한 디지털 현미경을 사용하고, 자동 면적 계측을 실시하여, 영역 (D) 에 존재하는 각 오목부 및 각 평탄면의 면적을 각각 얻었다.

또한, 자동 면적 계측은, 영역 (D) 에 존재하는 평탄면과 오목부를, 디지털 현미경 및 필요에 따라 육안에 의한 화상 처리로 2 치화한 후, 얻어진 2 치화 화상의 수치 (면적) 의 계측을 실시하고, 각 오목부 및 각 평탄면의 면적을 각각 측정하였다. 오목부와 평탄면이 각각 복수 존재하는 경우에는, 각각의 오목부와 평탄면의 면적의 계측을 실시하였다.

자동 면적 계측의 조건은, 이하와 같다.

(자동 면적 계측 조건)

·추출 모드 : 휘도 (노이즈 제거 약)

·추출 영역 : 수치 지정 (사각형) 으로 세로 8 mm × 가로 10 mm 의 장방형을 추출

·추출 영역의 정형 : 입 (粒) 제거 (면적 100 ㎛² 이하 제거)

또, 화상의 육안으로, 평탄면인지 여부를 판단할 수 없는 경우에는, 수지층의 표면 (α) 에 평활면을 갖는 투광성 피착체를 가능한 한 하중을 가하지 않도록 스퀴지로 수동 부착하고, 도 6(b) 의 W 방향으로부터, 투광성 피착체 (100) 의 평활면 (100a) 과 수지층 (12) 의 표면 (α)(12a) 의 계면을 촬영하고, 표면 (α)(12a) 중, 평활면 (100a) 과 첩부된 부분을 평탄면이라고 판단하였다.

또한, 평활면 (100a) 을 갖는 투광성 피착체 (100) 는, 「평활면을 갖는 피착체」와 마찬가지로, 무알칼리 유리 (제품명 「이글 XG」, 코닝 주식회사 제조) 를 사용하였다.

얻어진 각 오목부의 면적 및 각 평탄면의 면적의 데이터로부터, 그래프 소프트 (닛폰 마이크로소프트 주식회사 제조, 엑셀) 를 사용하여, 각종 측정값 (평균값, 표준 편차, 최대값, 최소값 등) 을 산출하였다.

＜평탄면 또는 오목부가 차지하는 면적 비율＞

영역 (D) 의 전체 면적에 대한, 「평탄면이 차지하는 면적 비율 (％)」 및 「오목부가 차지하는 면적 비율 (％)」을 산출하였다. 당해 평가의 결과를 표 4 에 나타낸다.

또, 이하의 평가 항목 (d1) ∼ (d2) 및 (e1) ∼ (e2) 에 관한 물성값의 산출 또는 평가도 실시하였다. 이들의 평가 결과를 표 4 에 나타낸다.

＜영역 (D) 에 존재하는 평탄면 및 오목부의 면적에 관한 평가＞

·평가 항목 (d1) : 영역 (D) 에 면적이 0.2 ㎟ 이상인 평탄면이 존재하는지 여부를, 이하의 기준에 의해 평가하였다.

A＋ : 면적이 0.4 ㎟ 이상인 평탄면이 복수 존재한다.

A : 면적이 0.4 ㎟ 이상인 평탄면이 1 개 존재하고, 별도로 면적이 0.2 ㎟ 이상 0.4 ㎟ 미만인 평탄면이 복수 존재한다.

B＋ : 면적이 0.2 ㎟ 이상 0.4 ㎟ 미만인 평탄면이 복수 존재한다.

B : 면적이 0.2 ㎟ 이상 0.4 ㎟ 미만인 평탄면이 1 개 존재한다.

C : 영역 (D) 에 존재하는 평탄면의 면적의 최대값이 0.2 ㎟ 미만이다.

·평가 항목 (d2) : 영역 (D) 에 존재하는 평탄면의 전체 면적에 대한, 영역 (D) 에 존재하는 부정형의 평탄면이 차지하는 면적 비율을 산출하고, 이하의 기준에 의해 평가하였다.

A＋ : 부정형의 평탄면이 차지하는 면적 비율이 100 ％ 이다.

A : 부정형의 평탄면이 차지하는 면적 비율이 90 ％ 이상 100 ％ 미만이다.

B : 부정형의 평탄면이 차지하는 면적 비율이 80 ％ 이상 90 ％ 미만이다.

C : 부정형의 평탄면이 차지하는 면적 비율이 80 ％ 미만이다.

·평가 항목 (e1) : 영역 (D) 에 존재하는 오목부의 전체 면적에 대한, 영역 (D) 내에서 최대 면적을 갖는 오목부가 차지하는 면적 비율을 하기 식으로부터 산출하였다.

[최대 면적을 갖는 오목부가 차지하는 면적 비율 (％)] = [최대 면적을 갖는 오목부의 면적]/[오목부의 총면적] × 100

·평가 항목 (e2) : 영역 (D) 에 존재하는 오목부의 전체 면적에 대한, 영역 (D) 에 존재하는 부정형의 오목부가 차지하는 면적 비율을 산출하고, 이하의 기준에 의해 평가하였다.

A＋ : 부정형의 오목부가 차지하는 면적 비율이 100 ％ 이다.

A : 부정형의 오목부가 차지하는 면적 비율이 90 ％ 이상 100 ％ 미만이다.

B : 부정형의 오목부가 차지하는 면적 비율이 80 ％ 이상 90 ％ 미만이다.

C : 부정형의 오목부가 차지하는 면적 비율이 80 ％ 미만이다.

＜영역 (P) 의 단면에 관한 평가＞

도 4 에 나타내는 바와 같이, 실시예 및 비교예에서 제작하고, 박리재를 제거한 기재가 부착된 점착 시트의 수지층 (12) 의 표면 (α)(12a) 상의 한 변 5 mm 의 정방형 (50) 으로 둘러싸인 영역 (P) 를 임의로 선택하였다.

그리고, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 영역 (P) 의 정방형 (50) 의 2 개의 대각선 (51, 52) 의 각각을 지나고, 표면 (α)(12a) 상의 영역 (P) 에 대해 수직이 되는 평면으로, 두께 방향으로 점착 시트를 절단하여 얻어진 2 개의 단면 (61, 62) 을, 주사형 전자현미경 (주식회사 히타치 제작소 제조, 제품명 「S-4700」) 을 사용하여, 가속 전압 5 kV, 배율 500 배의 조건에서 관찰하고, 2 개의 단면 화상을 취득하였다.

이 2 개의 단면 화상을 사용하여, 이하의 평가 항목 (f), (g1) ∼ (g2), 및 (h1) ∼ (h3) 의 평가를 실시하였다. 이들의 결과를 표 4 에 나타낸다.

·평가 항목 (f) : 상기 (4) 에서 취득한 2 개의 단면 화상의 표면 (α) 측에, 하기 요건 (I) 에서 규정한 복수의 오목부, 그리고 하기 요건 (II) 에서 규정한 평탄부가 존재하고 있는지 여부를, 이하의 기준에 의해 평가하였다.

·요건 (I) : 취득한 단면 화상의 표면 (α)(12a) 측에, 수지층 (12) 의 총두께의 40 ％ 이상의 최대 고저차를 갖고, 절단 부분의 형상이 서로 상이한 복수의 오목부가 존재한다.

·요건 (II) : 취득한 단면 화상의 표면 (α)(12a) 측에, 영역 (P) 내에 존재하는 상기 평탄면의 절단 부분에 상당하고, 기재 (11) 의 상기 수지층 (12) 과 접촉한 표면과 대략 평행한 평탄부가 존재한다.

(평가 기준)

A : 취득한 2 개의 단면 화상 모두가, 요건 (I) 및 (II) 를 함께 만족하는 것이었다.

B : 취득한 2 개의 단면 화상 중 하나만이, 요건 (I) 및 (II) 를 함께 만족하는 것이었다.

C : 취득한 2 개의 단면 화상 중, 요건 (I) 및 (II) 를 함께 만족하는 단면 화상은 확인할 수 없었다.

또, 상기 평가 항목 (f) 에서 「A」평가 혹은 「C」평가였던 점착 시트에 대해, 2 개의 단면 화상으로부터 하나의 단면 화상을 선택하고, 이하의 평가 항목 (g), 및 (h1) ∼ (h3) 의 평가를 실시하고 있다. 한편, 상기 평가 항목 (f) 에서 「B」평가였던 점착 시트에 있어서는, 요건 (I) 및 (II) 를 함께 만족하는 단면 화상을 사용하여, 평가를 실시하였다.

(단면의 표면 (α) 측에 존재하는 오목부에 관한 요건)

·평가 항목 (g1) : 도 5 에 나타내는 바와 같이, 취득한 단면 화상에 있어서, 표면 (α)(12a) 측의 수지층 (12) 의 수평 방향의 폭 (E_α)(100) 에 대한, 표면 (α)(12a) 에 존재하는 상기 오목부 (13a) 의 폭의 합계가 차지하는 비율 (％) 을 산출하였다.

·평가 항목 (g2) : 취득한 단면 화상에 있어서, 표면 (α)(12a) 측에, 0.5 ㎛ 이상의 최대 고저차를 갖는 오목부가 존재하는지 여부를, 이하의 기준에 의해 평가하였다.

A : 0.5 ㎛ 이상의 최대 고저차를 갖는 오목부가 존재한다.

F : 0.5 ㎛ 이상의 최대 고저차를 갖는 오목부가 존재하지 않는다.

(단면의 표면 (α) 측에 존재하는 평탄부에 관한 요건)

·평가 항목 (h1) : 도 5 에 나타내는 바와 같이, 취득한 단면 화상에 있어서, 표면 (α)(12a) 측의 수지층 (12) 의 수평 방향의 폭 (E_α)(100) 에 대한, 표면 (α)(12a) 에 존재하는 상기 평탄부 (14a) 가 차지하는 비율 (％) 을 산출하였다.

·평가 항목 (h2) : 취득한 단면 화상에 있어서, 표면 (α)(12a) 측에 복수의 평탄부 (14a) 가 존재하는지 여부, 및 복수의 평탄부 (14a) 가 존재하는 위치가 주기성을 갖는지 여부를, 이하의 기준에 의해 평가하였다.

A : 복수의 평탄부가 존재함과 함께, 복수의 평탄부가 존재하는 위치가 주기성을 가지지 않는다.

B : 복수의 평탄부가 존재하지만, 복수의 평탄부가 존재하는 위치가 주기성을 갖는다.

C : 복수의 평탄면이 존재하지 않는다.

·평가 항목 (h3) : 취득한 단면 화상에 있어서, 표면 (α)(12a) 측에 복수의 평탄부 (14a) 가 존재하는지 여부, 및 복수의 평탄부 (14a) 의 각각의 기재 (11) 까지의 거리가 대략 동일한지 여부를, 이하의 기준에 의해 평가하였다.

A : 복수의 평탄부가 존재함과 함께, 복수의 평탄부의 각각의 기재까지의 거리가 대략 동일하다.

B : 복수의 평탄부가 존재하지만, 복수의 평탄부의 각각의 기재까지의 거리가 서로 상이하다.

C : 복수의 평탄면이 존재하지 않는다.

＜수지층에 있어서의 강도비〔Si/C〕의 측정＞

(1) 측정 시료에 대해

실시예 및 비교예에서 제작한 기재가 부착된 점착 시트의 표면 (α) 상의 박리재를 제거한 것을 측정 시료로서 사용하였다.

(2) 수지층에 있어서의 S_EDX, T_EDX, 이들의 비 (S_EDX/T_EDX) 의 측정 장치, 측정 조건

주사형 전자현미경 (주식회사 히타치 제작소 제조, 제품명 「S-4700」) 을 사용하여, 측정 시료의 두께 방향에 있어서의 단면을 관찰하고, 에너지 분산형 X 선 분석 장치 (옥스포드 인스트루먼츠 주식회사 제조, 제품명 「INCA Energy」, 타입 : E2H) 를 사용하여, 상기 측정 시료의 영역 (S) 와 영역 (T) 에 대해, 에어리어 분석에 의해 각 원자의 피크 강도를 검출하고, 각 소정의 강도비〔Si/C〕를 산출하였다.

이하에, 측정 순서를 나타낸다.

(i) 영역 (S) 의 결정

도 7 에 나타내는 바와 같은, 최대 고저차 (ha) 와 수지층 (12) 의 총두께 (h) 의 비〔ha/h〕가 0.4 이상이 되는 오목부 (13a) 를 선택하고, 가장 낮은 위치 (N_a) 를 지나고, 세로의 길이 (연직 방향의 길이) 가 수지층 (12) 의 총두께 (h) 와 오목부 (13a) 의 최대 고저차 (ha) 의 차 (h - ha) 이고, 가로의 길이 (연직 방향과 수직인 수평 방향의 길이) 가 S_L 로 나타내어지는 장방형의 영역을, 영역 (S) 로 하였다.

또한, 영역 (S) 를 구성하는 장방형의 가로의 길이 S_L 은, 대상이 되는 오목부 (13a) 의 가장 낮은 위치인 점 N_a 를 지나는 연직 방향의 신장하는 직선 g_a 로부터, 연직 방향과 수직인 수평 좌측 방향으로, 오목부 (13a) 의 폭 L_a 의 10 ％ 의 길이 S_L1 만큼 떨어진 직선 g₁ 과, 직선 g_a 로부터, 연직 방향과 수직인 수평 우측 방향으로, 오목부 (13a) 의 폭 L_a 의 10 ％ 의 길이 S_L2 만큼 떨어진 직선 g₂ 의 거리에 대응하고 있다.

(ii) 영역 (T) 의 결정

도 7 에 나타내는 바와 같이, 영역 (S) 에 대응하는 오목부 (13a) 에 인접하고 있고 선택한 평탄부의 폭 L_b 의 중점이 되는 점 N_T 를 지나고, 두께 방향으로 아래에 위치하고, 영역 (S) 와 수평 방향의 길이가 동일한 영역 (T) 를 정하였다. 도 7 에 나타내는 바와 같이, 영역 (T) 는, 세로의 길이 (연직 방향의 길이) 가 수지층 (12) 의 표면 (α) 와 표면 (β) 의 거리 (요컨대, 수지층 (12) 의 총두께 (h)) 이고, 가로의 길이 (연직 방향과 수직인 수평 방향의 길이) 가, 비교 대상이 되는 오목부 (13a) 에 대해 상기 서술한 방법에 의해 규정한 영역 (S) 의 가로 길이 S_L 이 되는 장방형이다.

또한, 점 N_T 가, 영역 (T) 를 구성하는 장방형의 가로의 변의 중점에 위치하도록, 영역 (T) 는 선택하였다.

(iii) S_EDX, T_EDX, 이들의 비 (S_EDX/T_EDX)

상기와 같이 하여 결정한 영역 (S) 및 영역 (T) 의 각각에 대해, 에너지 분산형 X 선 분석을 이용하여 측정되는 규소 원자에서 유래한 피크 강도 (Si) 와 탄소 원자에서 유래한 피크 강도 (C) 의 강도비 Si/C 의 값인, S_EDX 및 T_EDX 를 구하였다. 또, 구한 S_EDX 와 T_EDX 로부터 이들의 비 (S_EDX/T_EDX) 의 절대값을 구하였다.

이하에 에너지 분산형 X 선 분석의 구체적인 측정 조건을 나타낸다.

또한, 측정은 각 영역에 있어서 각 2 회 실시하고, 각 회의 측정에 있어서, 영역 S 와 영역 T 의 영역마다 측정된 각 원자의 피크 강도로부터 산출한 상기 강도비〔Si/C〕비의 2 회의 측정의 평균값을 표 4 에는 기재하고 있다.

(측정 조건)

·배율 : 500 배

·대물 가동 조리개 : 2

·콘덴서 렌즈 1 : 사용·2

·콘덴서 렌즈 2 : 사용

·가속 전압 : 10 kV

·이미션 전류 : 10.5 ㎂

·워킹 디스텐스 : 12.5 mm

(에너지 분산형 X 선 분석 조건)

·프로세스 타임 : 5

·라인 스캔 듀얼 타임 : 2000 ㎲

·프리셋 : 엔드리스

·측정 시간 : 180 s

＜점착 시트의 수지층의 질량 유지율＞

점착 시트로부터 수지층의 단체를 얻은 후, 가열 전의 수지층의 질량을 측정하였다. 그리고, 당해 수지층을 머플로 (덴켄 주식회사 제조, 제품명 「KDF-P90」) 내에 투입하고, 800 ℃ 에서 30 분간 가열하였다. 그리고, 가열 후의 수지층의 질량을 측정하고, 하기 식에 의해, 수지층의 질량 유지율을 산출하였다. 그 값을 표 4 에 나타낸다.

수지층의 질량 유지율 (％) = [가열 후의 수지층의 질량]/[가열 전의 수지층의 질량] × 100

＜에어 방출성＞

세로 50 mm × 가로 50 mm 의 크기로 한 기재가 부착된 점착 시트를, 공기 고임이 생기도록, 피착체인 멜라민 도장판에 첩부하고, 스퀴지로 공기 고임 주변을 강하게 압착한 경우와, 약하게 압착한 경우의 2 종류의 것을 제작하였다. 그리고, 스퀴지를 사용하여 공기 고임을 제거하려고 첩부한 후의 공기 고임의 유무를 관찰하고, 이하의 기준에 의해 각 점착 시트의 에어 방출성을 평가하였다. 그 평가 결과를 표 4 에 나타낸다.

5 : 약하게 압착한 경우, 및 강하게 압착한 경우의 어느 경우에 있어서도, 공기 고임이 소실된다.

4 : 약하게 압착한 경우에는, 공기 고임이 소실된다. 강하게 압착한 경우에는, 공기 고임의 대부분이 소실되고, 남은 공기 고임도 재차 압착하면 소실된다.

3 : 약하게 압착한 경우에는, 공기 고임이 소실된다. 한편, 강하게 압착한 경우에는, 일부 공기 고임이 남아 있는 지점이 존재한다.

2 : 약하게 압착한 경우에는, 공기 고임의 대부분이 소실되고, 남은 공기 고임도 재차 압착하면 소실된다. 한편, 강하게 압착한 경우에는, 공기 고임이 남아있다.

1 : 약하게 압착한 경우, 및 강하게 압착한 경우의 어느 경우에 있어서도, 공기 고임이 남아 있다.

＜점착력＞

실시예 및 비교예에서 제작한 기재가 부착된 점착 시트를 세로 25 mm × 가로 300 mm 의 크기로 절단한 후, 당해 점착 시트의 수지층의 표면 (α) 를, 23 ℃, 50 ％RH (상대습도) 의 환경하에서, 스테인리스판 (SUS304, 360 번 연마) 에 첩부하고, 동일한 환경하에서 24 시간 가만히 정지시켰다. 가만히 정지시킨 후, JIS Z0237 : 2000 에 기초하고, 180°박리법에 의해, 인장 속도 300 mm/분으로, 각 점착 시트의 점착력을 측정하였다. 그 측정 결과를 표 4 에 나타낸다.

＜내블리스터성＞

세로 50 mm × 가로 50 mm 의 크기로 한 기재가 부착된 점착 시트를, 세로 70 mm × 가로 150 mm × 두께 2 mm 의 폴리메틸메타크릴레이트판 (미츠비시 레이온 주식회사 제조, 제품명 「아크릴라이트 L001」) 에 첩부하고, 스퀴지를 사용하여 강하게 압착하여, 시험 샘플을 제작하였다.

이 시험 샘플을, 23 ℃ 에서 12 시간 가만히 정지시킨 후, 80 ℃ 의 열풍 건조기 내에 1.5 시간 가만히 정지시키고, 추가로 90 ℃ 의 열풍 건조기 내에 1.5 시간 가만히 정지시키고, 가열 촉진 후의 블리스터의 발생 상태를 육안에 의해 관찰하고, 이하의 기준에 의해 각 점착 시트의 내블리스터성을 평가하였다. 그 평가 결과를 표 4 에 나타낸다.

A : 블리스터가 전혀 확인되지 않았다.

B : 부분적으로 블리스터가 확인되었다.

C : 전체면에 블리스터가 확인되었다.

실시예 1 ∼ 4 에서는, S_EDX, 및 (S_EDX/T_EDX) 가 소정의 범위에 있음으로써, 우수한 에어 방출성을 가짐과 함께, 내블리스터성 및 점착 특성도 양호하였다.

또한, 비교예 1 ∼ 4 는 수지층에 실리카를 함유하지 않음에도 불구하고, S_EDX 및 T_EDX 가 산출되었지만, 이것은 장치의 측정 오차에서 기인하는 것이다.

도 8(a) 및 도 9 ∼ 15 는, 각각 실시예 1 ∼ 4 및 비교예 1 ∼ 4 에서 제작한 점착 시트의 수지층의 표출되어 있는 표면 (α) 의 임의로 선택한 세로 8 mm × 가로 10 mm 의 장방형으로 둘러싸인 영역 (D) 를, 디지털 현미경을 사용하여 표면 (α) 측으로부터 촬영하여 얻은 화상의 2 치화 화상이다.

요컨대, 도 8(a) 및 도 9 ∼ 15 의 장방형의 화상의 세로가 「8 mm」, 가로가 「10 mm」에 해당한다.

또, 이들 2 치화 화상에 있어서, 흑색 부분이 평탄면이고, 백색 부분이 오목부에 해당한다.

도 8(b) 는, 실시예 1 에서 제작한 점착 시트의 단면을 주사형 현미경을 사용하여 관찰해 취득한 단면 화상이다. 또한, 실시예 2 ∼ 4 의 점착 시트의 단면에 대해서도, 도 5 의 단면 화상과 유사하다.

본 발명의 일 양태의 점착 시트는, 식별 또는 장식용, 도장 마스킹용, 금속판 등의 표면 보호용 등에 사용하는, 첩부 면적이 큰 점착 시트로서 유용하다.

1a, 1b, 2a, 2b : 점착 시트
11 : 기재
12 : 수지층
12a : 표면 (α)
12b : 표면 (β)
(X) : 수지 부분 (X)
(Y) : 입자 부분 (Y)
(Xβ) : 주로 수지 부분 (X) 를 포함하는 층 (Xβ)
(Xα) : 주로 수지 부분 (X) 를 포함하는 층 (Xα)
(Y1) : 입자 부분 (Y) 를 15 질량％ 이상 포함하는 층 (Y1)
13, 13a, 131, 132 : 오목부
14 : 평탄면
14a : 평탄부
15 : 볼록부
21, 22 ; 박리재
50 : 정방형
51, 52 : 대각선
60 : 단면 (P1)
61, 62 : 단면
100 : 투광성 피착체
100a : 평활면
101 : 피착체

Claims (24)

1. 기재 또는 박리재 상에, 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지를 수지 부분 (X) 의 전체량 (100 질량%) 에 대해 50 질량% 이상 포함하는 수지 부분 (X) 와, 평균 입경 0.01 ∼ 100 ㎛ 의 실리카 입자를 포함하는 입자 부분 (Y) 를 포함하는 수지층을 갖고, 적어도 상기 기재 또는 박리재가 형성된 측과는 반대측의 상기 수지층의 표면 (α) 가 점착성을 갖는 점착 시트로서,
   표면 (α) 에, 오목부 및 평탄면이 존재하고,
   표면 (α) 상의 한 변 5 mm 의 정방형으로 둘러싸인 영역 (P) 를 임의로 선택하고, 당해 정방형의 2 개의 대각선의 각각을 지나고, 표면 (α) 상의 영역 (P) 에 대해 수직이 되는 평면으로 두께 방향으로 상기 점착 시트를 절단하여 얻어지는 2 개의 단면 중, 적어도 1 개의 단면 (P1) 에 있어서,
   당해 단면 (P1) 의 표면 (α) 측에, 상기 수지층의 총두께의 40 ％ 이상의 최대 고저차를 갖는 오목부와, 영역 (P) 내에 존재하는 상기 평탄면의 절단 부분에 상당하고, 상기 기재 또는 박리재의 상기 수지층과 접촉한 표면과 이루는 각도가 5 도 이하인 평탄부가 존재하고,
   당해 단면 (P1) 에 존재하는 1 개의 상기 오목부의 두께 방향으로 아래에 위치하는 소정의 영역 (S) 에 대해, 에너지 분산형 X 선 분석을 이용하여 측정되는 규소 원자에서 유래한 피크 강도 (Si) 와 탄소 원자에서 유래한 피크 강도 (C) 의 강도비 Si/C 의 값 (S_EDX) 과,
   당해 단면 (P1) 에 존재하는 1 개의 상기 평탄부의 두께 방향으로 아래에 위치하고, 영역 (S) 와 수평 방향의 길이가 동일한 소정의 영역 (T) 에 대해, 에너지 분산형 X 선 분석을 이용하여 측정되는 상기 강도비 Si/C 의 값 (T_EDX) 의 비 (S_EDX/T_EDX) 의 절대값이 0.2 이하인, 점착 시트.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 소정의 영역 (S) 에 있어서의 Si/C 의 값 (S_EDX) 이 0.01 이하인, 점착 시트.
3. 기재 또는 박리재 상에, 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지를 수지 부분 (X) 의 전체량 (100 질량%) 에 대해 50 질량% 이상 포함하는 수지 부분 (X) 와, 평균 입경 0.01 ∼ 100 ㎛ 의 실리카 입자를 포함하는 입자 부분 (Y) 를 포함하는 수지층을 갖고, 적어도 상기 기재 또는 박리재가 형성된 측과는 반대측의 상기 수지층의 표면 (α) 가 점착성을 갖는 점착 시트로서,
   표면 (α) 에, 오목부 및 평탄면이 존재하고,
   표면 (α) 상의 한 변 5 mm 의 정방형으로 둘러싸인 영역 (P) 를 임의로 선택하고, 당해 정방형의 2 개의 대각선의 각각을 지나고, 표면 (α) 상의 영역 (P) 에 대해 수직이 되는 평면으로 두께 방향으로 상기 점착 시트를 절단하여 얻어지는 2 개의 단면 중, 적어도 1 개의 단면 (P1) 에 있어서,
   당해 단면 (P1) 의 표면 (α) 측에, 상기 수지층의 총두께의 40 ％ 이상의 최대 고저차를 갖는 오목부와, 영역 (P) 내에 존재하는 상기 평탄면의 절단 부분에 상당하고, 상기 기재 또는 박리재의 상기 수지층과 접촉한 표면과 이루는 각도가 5 도 이하인 평탄부가 존재하고,
   당해 단면 (P1) 에 존재하는 1 개의 상기 오목부의 두께 방향으로 아래에 위치하는 소정의 영역 (S) 에 대해, 에너지 분산형 X 선 분석을 이용하여 측정되는 규소 원자에서 유래한 피크 강도 (Si) 와 탄소 원자에서 유래한 피크 강도 (C) 의 강도비 Si/C 의 값 (S_EDX) 이 0.01 이하인, 점착 시트.
4. 제 3 항에 있어서,
   상기 소정의 영역 (S) 의 Si/C 의 값 (S_EDX) 과, 상기 단면 (P1) 에 존재하는 1 개의 상기 평탄부의 두께 방향으로 아래에 위치하고, 영역 (S) 와 수평 방향의 길이가 동일한 소정의 영역 (T) 에 대해, 에너지 분산형 X 선 분석에 의해 측정되는 상기 강도비 Si/C 의 값 (T_EDX) 의 비 (S_EDX/T_EDX) 의 절대값이 0.2 이하인, 점착 시트.
5. 제 1 항에 있어서,
   상기 소정의 영역 (T) 의 Si/C 의 값 (T_EDX) 이 0.01 보다 큰, 점착 시트.
6. 제 1 항에 있어서,
   단면 (P1) 의 표면 (α) 측에, 상기 수지층의 총두께의 40 ％ 이상의 최대 고저차를 갖는 오목부가 복수 있고, 각각의 형상이 서로 상이한 점착 시트.
7. 제 1 항에 있어서,
   표면 (α) 측으로부터 관찰한 상기 평탄면의 형상이 부정형인, 점착 시트.
8. 제 1 항에 있어서,
   상기 단면 (P1) 에 있어서, 표면 (α) 측에 복수의 평탄부가 존재하는, 점착 시트.
9. 제 8 항에 있어서,
   상기 단면 (P1) 에 있어서, 표면 (α) 측에 존재하는 상기 복수의 평탄부의 위치가 주기성을 갖지 않는, 점착 시트.
10. 제 8 항에 있어서,
    상기 단면 (P1) 에 있어서, 표면 (α) 측에 존재하는 상기 복수의 평탄부 중 어느 2 개의 평탄부의 상기 기재 또는 박리재까지의 거리의 차는 상기 복수의 평탄부 중 어느 2 개의 평탄부의 상기 기재 또는 박리재까지의 거리의 평균값에 대해, 5 % 미만인, 점착 시트.
11. 제 1 항에 있어서,
    상기 오목부가, 0.5 ㎛ 이상의 최대 고저차를 갖는, 점착 시트.
12. 제 1 항에 있어서,
    상기 수지층의 표면 (α) 에, 적어도 직경 100 ㎛ 의 원으로 둘러싸인 영역을 선택 가능한 넓이를 갖는 평탄면 (f1) 이 1 개 이상 존재하는, 점착 시트.
13. 제 1 항에 있어서,
    상기 수지층의 표면 (α) 에, 0.2 ㎟ 이상의 면적을 갖는 평탄면 (f2) 가 1 개 이상 존재하는, 점착 시트.
14. 제 1 항에 있어서,
    상기 오목부가, 엠보스 패턴을 갖는 박리재를 사용하여 형성된 것이 아닌, 점착 시트.
15. 제 13 항에 있어서,
    상기 수지층을 800 ℃ 에서 30 분간 가열한 후의 질량 유지율이 3 ∼ 90 질량％ 인, 점착 시트.
16. 제 13 항에 있어서,
    수지 부분 (X) 에 포함되는 상기 탄소 원자 함유 수지가, 점착성 수지를 포함하는, 점착 시트.
17. 제 1 항에 있어서,
    수지 부분 (X) 가, 추가로 금속 킬레이트계 가교제 및 에폭시계 가교제에서 선택되는 1 종 이상을 포함하는, 점착 시트.
18. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재 또는 박리재가 형성된 측의 상기 수지층의 표면 (β) 가 점착성을 갖는, 점착 시트.
19. 제 18 항에 있어서,
    상기 박리재 상에 상기 수지층을 갖는, 점착 시트.
20. 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지층이, 기재 또는 박리재가 형성된 측으로부터, 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지를 수지 부분 (X) 의 전체량 (100 질량%) 에 대해 50 질량% 이상 포함하는 수지 부분 (X) 를 포함하는 층 (Xβ), 평균 입경 0.01 ∼ 100 ㎛ 의 실리카 입자를 포함하는 입자 부분 (Y) 를 15 질량％ 이상 포함하는 층 (Y1), 및 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지를 수지 부분 (X) 의 전체량 (100 질량%) 에 대해 50 질량% 이상 포함하는 수지 부분 (X) 를 포함하는 층 (Xα) 를 이 순서로 적층한 다층 구조체이고,
    상기 층 (Xβ) 중의 상기 수지 부분 (X) 의 함유량은, 상기 층 (Xβ) 의 전체량 (100 질량％) 에 대해, 50 질량％ 이상이고,
    상기 층 (Xα) 중의 상기 수지 부분 (X) 의 함유량은, 상기 층 (Xα) 의 전체량 (100 질량％) 에 대해, 50 질량％ 이상인, 점착 시트.
21. 제 20 항에 있어서,
    층 (Xβ) 가, 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지를 포함하고, 실리카 입자의 함유량이 15 질량％ 미만인 조성물 (xβ) 로 형성된 층이고,
    층 (Y1) 이, 실리카 입자를 15 질량％ 이상 포함하는 조성물 (y) 로 형성된 층이고,
    층 (Xα) 가, 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지를 포함하고, 실리카 입자의 함유량이 15 질량％ 미만인 조성물 (xα) 로 형성된 층인, 점착 시트.
22. 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 기재된 점착 시트를 제조하는 방법으로서, 적어도 하기 공정 (1) 및 (2) 를 갖는, 점착 시트의 제조 방법.
    공정 (1) : 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지를 포함하고, 실리카 입자의 함유량이 15 질량％ 미만인 조성물 (x) 로 이루어지는 도막 (x'), 및 실리카 입자를 15 질량％ 이상 포함하는 조성물 (y) 로 이루어지는 도막 (y') 를 형성하는 공정
    공정 (2) : 공정 (1) 에서 형성한 도막 (x') 및 도막 (y') 를 동시에 건조시키는 공정
23. 제 21 항에 기재된 점착 시트를 제조하는 방법으로서, 적어도 하기 공정 (1A) 및 (2A) 를 갖는, 점착 시트의 제조 방법.
    공정 (1A) : 기재 또는 박리재 상에, 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지를 포함하고, 실리카 입자의 함유량이 15 질량％ 미만인 조성물 (xβ) 로 이루어지는 도막 (xβ'), 상기 실리카 입자를 15 질량％ 이상 포함하는 조성물 (y) 로 이루어지는 도막 (y'), 및 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지를 포함하고, 실리카 입자의 함유량이 15 질량％ 미만인 조성물 (xα) 로 이루어지는 도막 (xα') 를 이 순서로 적층하여 형성하는 공정
    공정 (2A) : 공정 (1A) 에서 형성한 도막 (xβ'), 도막 (y'), 및 도막 (xα') 를 동시에 건조시키는 공정
24. 제 21 항에 기재된 점착 시트를 제조하는 방법으로서, 적어도 하기 공정 (1B) 및 (2B) 를 갖는, 점착 시트의 제조 방법.
    공정 (1B) : 기재 또는 박리재 상에 형성된, 상기 층 (Xβ) 상에, 상기 실리카 입자를 15 질량％ 이상 포함하는 조성물 (y) 로 이루어지는 도막 (y'), 및 구성 단위의 주사슬에 탄소 원자를 갖는 탄소 원자 함유 수지를 포함하고, 실리카 입자의 함유량이 15 질량％ 미만인 조성물 (xα) 로 이루어지는 도막 (xα') 를 이 순서로 적층하여 형성하는 공정
    공정 (2B) : 공정 (1B) 에서 형성한 도막 (y') 및 도막 (xα') 를 동시에 건조시키는 공정