KR102590819B1 - Ultra-thin flexible transparent absorber - Google Patents

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이학주
김재현
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Abstract

본 발명의 일실시예는 유연하고 투명할 뿐만 아니라, 두께가 얇고, 5G 밀리미터파 대역에서 우수한 흡수 성능을 가지는 초박형 유연 투명 흡수체를 제공한다. 여기서, 초박형 유연 투명 흡수체는 유전체의 투명한 유연 베이스 기판, 투명한 유연 반사층 그리고 흡수층을 포함한다. 유연 반사층은 유연 베이스 기판의 일면에 구비되고, 유연 베이스 기판을 투과하는 입사파를 반사시킨다. 흡수층은 베이스 기판의 타면에 구비되고, 제1슬릿 간격으로 배치되는 복수 개의 패턴을 가지며, 유연 반사층에서 반사되는 반사파를 흡수한다. 패턴은 적어도 한 종류의 다각형 형상이고, 내부가 모두 채워지도록 형성되며, 흡수층은 그래핀층이다.One embodiment of the present invention provides an ultra-thin flexible transparent absorber that is not only flexible and transparent, but also thin and has excellent absorption performance in the 5G millimeter wave band. Here, the ultra-thin flexible transparent absorber includes a dielectric transparent flexible base substrate, a transparent flexible reflective layer, and an absorption layer. The flexible reflective layer is provided on one side of the flexible base substrate and reflects incident waves that pass through the flexible base substrate. The absorption layer is provided on the other side of the base substrate, has a plurality of patterns arranged at first slit intervals, and absorbs reflected waves reflected from the flexible reflective layer. The pattern has at least one type of polygonal shape, is formed so that the entire inside is filled, and the absorption layer is a graphene layer.

Description

초박형 유연 투명 흡수체{ULTRA-THIN FLEXIBLE TRANSPARENT ABSORBER}Ultra-thin flexible transparent absorber {ULTRA-THIN FLEXIBLE TRANSPARENT ABSORBER}

본 발명은 초박형 유연 투명 흡수체에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 5G 밀리미터파 대역에서 우수한 흡수 성능을 가지는 초박형 유연 투명 흡수체에 관한 것이다.The present invention relates to an ultra-thin flexible transparent absorber, and more specifically, to an ultra-thin flexible transparent absorber with excellent absorption performance in the 5G millimeter wave band.

전자통신 산업에 사용되고 있는 각종 전기전자 기기 및 구성 부품들의 사용 주파수 대역은 광대역화와 동시에 높은 주파수 영역까지 확장되고 있으며, 많은 부품들이 좁은 공간에 밀집되는 추세이다. 이로 인해 기기들 사이에 유발되는 전자파 간섭으로 기기의 오작동과 같은 기능 이상이 발생하는 경우가 생기고 있다.The frequency bands used by various electrical and electronic devices and components used in the electronic communications industry are expanding to high frequency ranges at the same time as broadband, and many components are crowded into small spaces. As a result, electromagnetic interference between devices may cause functional abnormalities such as device malfunction.

특히 이동통신 분야에서는 휴대의 간편성 및 장시간 사용을 위해 관련기기들이 경량, 박형, 소형화, 저전력화, 디지털화되고 있기 때문에 외부로부터 유입되는 전자파 간섭 영향에 매우 취약하다. 또한 각종 통신장비 및 고압 전력선 등으로부터 발생되는 불요전자파의 인체 유해여부 등이 전자파 분야의 관심사 중의 하나이다.In particular, in the mobile communication field, related devices are becoming lighter, thinner, smaller, lower power, and digital for ease of portability and long-term use, making them very vulnerable to electromagnetic interference from the outside. In addition, whether unnecessary electromagnetic waves generated from various communication equipment and high-voltage power lines are harmful to the human body is one of the concerns in the electromagnetic wave field.

기존 방식의 전파흡수체는 흡수 기구에 따라 공진형 흡수체(Resonant Absorber)와 임피던스 정합형 흡수체(Impedance Matched Absorber)로 구분된다. 공진형 전파흡수체 설계에 있어서 지금까지 사용된 가장 보편적인 방식은 1/4 파장(λ/4) 두께의 Salisbury 스크린이다.Conventional radio wave absorbers are divided into resonant absorbers and impedance matched absorbers depending on the absorption mechanism. The most common method used to date in the design of resonant radio wave absorbers is the Salisbury screen with a thickness of 1/4 wavelength (λ/4).

도 1은 종래의 전자파 흡수체의 일 예인 Salisbury 스크린을 나타낸 예시도이다.Figure 1 is an exemplary diagram showing a Salisbury screen, an example of a conventional electromagnetic wave absorber.

도 1에서 보는 바와 같이, Salisbury 스크린은 공진형 흡수체의 종류 중 하나로 저항성 시트(20)가 금속판(21)에서 1/4 파장(λ/4) 지점 앞에 위치된다. As shown in FIG. 1, the Salisbury screen is one of the types of resonant absorbers, and the resistive sheet 20 is located in front of the 1/4 wavelength (λ/4) point on the metal plate 21.

입사파(10) 중 일부는 저항성 시트(20)에서 1차 반사(11)되고 입사파(10) 중 저항성 시트(20)를 투과한 투과파(12)는 금속판(21)에서 2차 반사(13)된다. Salisbury 스크린에서는 1차 반사(11)되는 반사파와 2차 반사(13)되는 반사파의 위상차가 180도가 되면서 전자파가 소멸되게 된다. 그러나, 이 기술은 유전체 두께가 λ/4를 만족해야 하므로, 두께를 줄이는데 한계가 있다.Some of the incident wave 10 is primarily reflected (11) from the resistive sheet 20, and the transmitted wave 12 that has passed through the resistive sheet 20 among the incident waves 10 is secondaryly reflected (11) by the metal plate 21. 13) It becomes. In the Salisbury screen, the phase difference between the first reflected wave (11) and the second reflected wave (13) becomes 180 degrees, causing the electromagnetic waves to disappear. However, this technology has limitations in reducing the thickness because the dielectric thickness must satisfy λ/4.

따라서, 전자기기에 부착함으로써 전자기파 간섭 현상을 제거할 수 있으며, 유연하고 투명할 뿐만 아니라, 두께가 얇고, 5G 밀리미터파 대역에서 우수한 흡수 성능을 가지는 전자기파 흡수체가 요구된다.Therefore, an electromagnetic wave absorber that can eliminate electromagnetic wave interference by attaching it to an electronic device, is not only flexible and transparent, but is also thin, and has excellent absorption performance in the 5G millimeter wave band is required.

대한민국 공개특허공보 제2011-0064028호(2011.06.15. 공개)Republic of Korea Patent Publication No. 2011-0064028 (published on June 15, 2011)

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 유연하고 투명할 뿐만 아니라, 두께가 얇고, 5G 밀리미터파 대역에서 우수한 흡수 성능을 가지는 초박형 유연 투명 흡수체를 제공하는 것이다.In order to solve the above problems, the technical problem to be achieved by the present invention is to provide an ultra-thin flexible transparent absorber that is not only flexible and transparent, but also thin and has excellent absorption performance in the 5G millimeter wave band.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is not limited to the technical problem mentioned above, and other technical problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description below. There will be.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 유전체의 투명한 유연 베이스 기판; 상기 유연 베이스 기판의 일면에 구비되고, 상기 유연 베이스 기판을 투과하는 입사파를 반사시키는 투명한 유연 반사층; 그리고 상기 유연 베이스 기판의 타면에 구비되고, 제1슬릿 간격으로 배치되는 복수 개의 패턴을 가지며, 상기 유연 반사층에서 반사되는 반사파를 흡수하는 흡수층을 포함하고, 상기 패턴은 적어도 한 종류의 다각형 형상이고, 내부가 모두 채워지도록 형성되며, 상기 흡수층은 그래핀층인 것을 특징으로 하는 초박형 유연 투명 흡수체를 제공한다.In order to achieve the above technical problem, an embodiment of the present invention includes a dielectric transparent flexible base substrate; A transparent flexible reflective layer provided on one side of the flexible base substrate and reflecting incident waves passing through the flexible base substrate; And an absorption layer provided on the other side of the flexible base substrate, having a plurality of patterns arranged at first slit intervals, and absorbing reflected waves reflected from the flexible reflective layer, wherein the pattern has at least one type of polygonal shape, An ultra-thin, flexible, transparent absorber is provided so that the entire inside is filled, and the absorbent layer is a graphene layer.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 유연 베이스 기판은 상기 제1슬릿에 대응되도록 형성되는 제2슬릿을 가지고, 상기 흡수층에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the flexible base substrate may have a second slit formed to correspond to the first slit and may be formed in a shape corresponding to the absorption layer.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 유연 반사층의 일면에 구비되는 제1보호층 및 상기 흡수층의 일면에 구비되는 제2보호층을 더 포함하고, 상기 제2보호층은 상기 제1슬릿에 대응되도록 형성되는 제3슬릿을 가지고, 상기 흡수층에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the method further includes a first protective layer provided on one side of the flexible reflective layer and a second protective layer provided on one side of the absorbent layer, wherein the second protective layer corresponds to the first slit. It may have a third slit formed and be formed in a shape corresponding to the absorption layer.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 흡수층은, 상기 제1슬릿에 구비되고 이웃하는 상기 패턴을 서로 연결하는 투명 전극을 가질 수 있다.In an embodiment of the present invention, the absorption layer may have a transparent electrode provided in the first slit and connecting the neighboring patterns to each other.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 유연 베이스 기판은 상기 제1슬릿에 대응되도록 형성되는 제2슬릿 및 상기 투명 전극에 대응되도록 형성되는 제1연결부를 가지고, 상기 흡수층에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the flexible base substrate has a second slit formed to correspond to the first slit and a first connection part formed to correspond to the transparent electrode, and may be formed in a shape corresponding to the absorbing layer. there is.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 유연 반사층의 일면에 구비되는 제1보호층 및 상기 흡수층의 일면에 구비되는 제2보호층을 더 포함하고, 상기 제2보호층은 상기 제1슬릿에 대응되도록 형성되는 제3슬릿 및 상기 투명 전극에 대응되도록 형성되는 제2연결부를 가지고, 상기 흡수층에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the method further includes a first protective layer provided on one side of the flexible reflective layer and a second protective layer provided on one side of the absorbent layer, wherein the second protective layer corresponds to the first slit. It may have a third slit formed and a second connection part formed to correspond to the transparent electrode, and may be formed in a shape corresponding to the absorption layer.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 패턴은 육각형 형상일 수 있다.In an embodiment of the present invention, the pattern may have a hexagonal shape.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1슬릿은 동일한 폭으로 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the first slit may be formed to have the same width.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 그래핀층은 다층으로 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the graphene layer may be formed as a multilayer.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 유연 반사층은 ITO(Indium Tin Oxide), 그래핀, 은나노 와이어, 구리 나노 와이어, CNT(Carbon Nano Tube) 투명전극, AZO(Aluminum-doped Zinc Oxide) 투명전극, FTO(Fluorine-doped Tin dioxide) 투명전극 및 메탈 메시(Metal-Mesh) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the flexible reflective layer is ITO (Indium Tin Oxide), graphene, silver nanowire, copper nanowire, CNT (Carbon Nano Tube) transparent electrode, AZO (Aluminum-doped Zinc Oxide) transparent electrode, FTO (Fluorine-doped Tin dioxide) It may be formed of at least one of a transparent electrode and a metal mesh.

본 발명의 실시예에 따르면, 흡수층이 육각형 형상의 패턴을 가짐으로써 전자파의 편파특성 및 입사파의 입사 각도에 크게 영향을 받지 않고 모든 편파 및 입사각도에서도 우수한 흡수성능이 유지될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, since the absorption layer has a hexagonal pattern, it is not significantly affected by the polarization characteristics of electromagnetic waves and the angle of incidence of the incident wave, and excellent absorption performance can be maintained at all polarizations and angles of incidence.

또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 초박형 유연 투명 흡수체는 시인성이 확보되며, 얇고 휘어질 수 있도록 형성될 수 있다.Additionally, according to an embodiment of the present invention, the ultra-thin flexible transparent absorber ensures visibility and can be formed to be thin and bendable.

본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The effects of the present invention are not limited to the effects described above, and should be understood to include all effects that can be inferred from the configuration of the invention described in the detailed description or claims of the present invention.

도 1은 종래의 전자파 흡수체의 일 예인 Salisbury 스크린을 나타낸 예시도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체를 나타낸 단면 예시도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 흡수층의 패턴을 나타낸 평면 예시도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체 제조방법의 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 임피던스를 설명하기 위한 등가회로이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 다른 예를 나타낸 단면 예시도이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 또 다른 예를 나타낸 단면 예시도이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 성능 실험을 위한 구성(Set-up)을 나타낸 예시도이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 면저항에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다.
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 편파에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다.
도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 입사각 변화에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다.
도 12는 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 단면에 대한 전기장 분포를 나타낸 분포도이다.
도 13은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 평면에 대한 전기장 분포를 나타낸 분포도이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 베이스 기판 및 흡수층의 두께와 면저항에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 편파에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 입사각 변화에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 면저항에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다.
도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 편파에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다.
도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 베이스 기판 및 흡수층의 두께와 면저항에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다.Figure 1 is an exemplary diagram showing a Salisbury screen, an example of a conventional electromagnetic wave absorber.
Figure 2 is a cross-sectional illustration showing an ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a plan view showing the pattern of the absorbent layer of an ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a flow chart of a method for manufacturing an ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 is an equivalent circuit for explaining the impedance of an ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
Figure 6 is a cross-sectional illustration showing another example of an ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
Figure 7 is a cross-sectional illustration showing another example of an ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
Figure 8 is an exemplary diagram showing the configuration (set-up) for performance testing of an ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
Figure 9 is a graph showing the absorbency according to sheet resistance of an ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
Figure 10 is a graph showing the absorption according to polarization of an ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
Figure 11 is a graph showing the absorption according to the change in incident angle of the ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
Figure 12 is a distribution diagram showing the electric field distribution across the cross section of an ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
Figure 13 is a distribution diagram showing the electric field distribution on the plane of an ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.
Figure 14 is a graph showing the absorbency according to the thickness and sheet resistance of the base substrate and absorber layer of an ultra-thin flexible transparent absorber according to another embodiment of the present invention.
Figure 15 is a graph showing the absorption according to polarization of an ultra-thin flexible transparent absorber according to another embodiment of the present invention.
Figure 16 is a graph showing the absorption according to the change in incident angle of an ultra-thin flexible transparent absorber according to another embodiment of the present invention.
Figure 17 is a graph showing the absorbency according to sheet resistance of an ultra-thin flexible transparent absorber according to another embodiment of the present invention.
Figure 18 is a graph showing the absorption according to polarization of an ultra-thin flexible transparent absorber according to another embodiment of the present invention.
Figure 19 is a graph showing the absorbency according to the thickness and sheet resistance of the base substrate and absorbent layer of an ultra-thin flexible transparent absorber according to another embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the attached drawings. However, the present invention may be implemented in various different forms and, therefore, is not limited to the embodiments described herein. In order to clearly explain the present invention in the drawings, parts that are not related to the description are omitted, and similar parts are given similar reference numerals throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(접속, 접촉, 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is said to be "connected (connected, contacted, combined)" with another part, this means not only "directly connected" but also "indirectly connected" with another member in between. "Includes cases where it is. Additionally, when a part is said to “include” a certain component, this does not mean that other components are excluded, but that other components can be added, unless specifically stated to the contrary.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used herein are only used to describe specific embodiments and are not intended to limit the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, terms such as “comprise” or “have” are intended to indicate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but are not intended to indicate the presence of one or more other features. It should be understood that this does not exclude in advance the possibility of the existence or addition of elements, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체를 나타낸 단면 예시도이고, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 흡수층의 패턴을 나타낸 평면 예시도이다.Figure 2 is a cross-sectional illustration showing an ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention, and Figure 3 is a plan view showing the pattern of the absorption layer of the ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3에서 보는 바와 같이, 초박형 유연 투명 흡수체는 유연 베이스 기판(100), 유연 반사층(200) 그리고 흡수층(300)을 포함할 수 있다.As shown in Figures 2 and 3, the ultra-thin flexible transparent absorber may include a flexible base substrate 100, a flexible reflective layer 200, and an absorption layer 300.

유연 베이스 기판(100)은 유전체 기판일 수 있으며, 투명하게 형성될 수 있다. 유연 베이스 기판(100)은 폴리머 소재 및 유리 소재 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 폴리머 소재로는 예를 들면, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)가 사용될 수 있다. 유연 베이스 기판(100)은 필름 형태로 형성될 수 있다. 유연 베이스 기판(100)은 수백 내지 수천 ㎛의 두께로 형성될 수 있다.The flexible base substrate 100 may be a dielectric substrate and may be made transparent. The flexible base substrate 100 may be formed of at least one of a polymer material and a glass material. As a polymer material, for example, polyethylene terephthalate (PET) can be used. The flexible base substrate 100 may be formed in a film form. The flexible base substrate 100 may be formed to have a thickness of hundreds to thousands of μm.

유연 반사층(200)은 유연 베이스 기판(100)의 일면에 구비될 수 있으며, 투명하게 형성될 수 있다. 유연 반사층(200)은 전자파가 입사되는 방향의 반대방향에 구비될 수 있다. 도 2를 기준으로 했을 때, 입사파(10)는 유연 베이스 기판(100)의 상측에서 입사되므로, 유연 반사층(200)은 유연 베이스 기판(100)의 하면에 구비될 수 있다.The flexible reflective layer 200 may be provided on one side of the flexible base substrate 100 and may be transparent. The flexible reflective layer 200 may be provided in a direction opposite to the direction in which electromagnetic waves are incident. Based on Figure 2, since the incident wave 10 is incident from the upper side of the flexible base substrate 100, the flexible reflective layer 200 may be provided on the lower surface of the flexible base substrate 100.

유연 반사층(200)은 유연 베이스 기판(100)을 투과하는 입사파(10)를 반사시킬 수 있다. 유연 반사층(200)은 전도성을 가진 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면 유연 반사층(200)은 ITO(Indium Tin Oxide), 그래핀, 은나노 와이어, 구리 나노 와이어, CNT(Carbon Nano Tube) 투명전극, AZO(Aluminum-doped Zinc Oxide) 투명전극, FTO(Fluorine-doped Tin dioxide) 투명전극 및 메탈 메시(Metal-Mesh) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 유연 반사층(200)은 수 내지 수십 nm 두께로 형성될 수 있다.The flexible reflective layer 200 may reflect the incident wave 10 passing through the flexible base substrate 100. The flexible reflective layer 200 may be formed of a conductive material. For example, the flexible reflective layer 200 is made of Indium Tin Oxide (ITO), graphene, silver nanowire, copper nanowire, Carbon Nano Tube (CNT) transparent electrode, Aluminum-doped Zinc Oxide (AZO) transparent electrode, and Fluorine-doped (FTO). It may be formed of at least one of a doped tin dioxide transparent electrode and a metal mesh. The flexible reflective layer 200 may be formed to have a thickness of several to tens of nm.

흡수층(300)은 유연 베이스 기판(100)의 타면에 구비될 수 있다. 흡수층(300)은 그래핀으로 형성되는 그래핀층일 수 있다. 그래핀층은 다층으로 형성되고, 수 내지 수십 nm 두께로 형성될 수 있다.The absorption layer 300 may be provided on the other side of the flexible base substrate 100. The absorption layer 300 may be a graphene layer made of graphene. The graphene layer is formed as a multi-layer and can be formed with a thickness of several to tens of nm.

입사파(10)에서 유연 베이스 기판(100)을 투과하는 투과파(14)는 유연 반사층(200)에서 반사되며, 흡수층(300)은 유연 반사층(200)에서 반사되는 반사파(15)를 흡수할 수 있다.The transmitted wave 14 passing through the flexible base substrate 100 from the incident wave 10 is reflected from the flexible reflective layer 200, and the absorption layer 300 absorbs the reflected wave 15 reflected from the flexible reflective layer 200. You can.

흡수층(300)은 복수 개의 패턴(310)을 가질 수 있다. The absorption layer 300 may have a plurality of patterns 310 .

패턴(310)은 제1슬릿(320)에 의해 이격되어 타일 형태로 배열될 수 있다. 즉, 패턴(310)은 제1슬릿(320) 간격으로 배치될 수 있다. The patterns 310 may be spaced apart by the first slit 320 and arranged in a tile shape. That is, the patterns 310 may be arranged at intervals of the first slits 320 .

제1슬릿(320)은 동일한 폭(W)으로 형성될 수 있으며, 이에 따라 각각의 패턴(310)은 동일한 간격을 이루면서 배치될 수 있다. 다시 말하면, 각각의 패턴(310)은, 패턴(310) 간의 틈새가 동일한 폭(W)으로 형성되도록 배열될 수 있다.The first slit 320 may be formed to have the same width (W), and accordingly, each pattern 310 may be arranged at equal intervals. In other words, each pattern 310 may be arranged so that the gap between the patterns 310 is formed to have the same width (W).

패턴(310)은 원형으로 형성되면 가장 이상적일 수 있지만, 패턴(310)이 원형으로 형성되면 패턴(310) 간의 빈 공간이 많아지고, 동일한 폭을 이루면서 배치되도록 하는 배열화가 곤란하다. 이에 따라, 패턴(310)은 원형에 근접한 다각형 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 패턴(310)은 삼각형 형상(도 3의 (a) 참조), 또는 사각형 형상(도 3의 (b) 참조)으로 형성될 수 있다. The pattern 310 may be ideal if it is formed in a circle, but if the pattern 310 is formed in a circle, the empty space between the patterns 310 increases, and it is difficult to arrange them so that they have the same width. Accordingly, the pattern 310 may be formed in a polygonal shape close to a circle. For example, the pattern 310 may be formed in a triangular shape (see (a) of FIG. 3) or a square shape (see (b) of FIG. 3).

나아가 패턴(310)은 두 종류 이상의 다각형이 혼합된 형상으로 형성될 수도 있다. 예를 들면, 패턴(310)은 사각형 형상의 패턴(311) 및 삼각형 형상의 패턴(312)이 혼합된 형상(도 3의 (c) 참조)으로 형성될 수도 있다. 즉, 패턴(310)은 적어도 한 종류의 다각형 형상으로 형성될 수 있다. 도 3의 (c)에서와 같이 패턴(310)이 다각형의 조합으로 형성되면 이중대역, 다중대역 또는 광대역 특성이 개선될 수 있다. Furthermore, the pattern 310 may be formed as a mixture of two or more types of polygons. For example, the pattern 310 may be formed as a mixture of the square-shaped pattern 311 and the triangular-shaped pattern 312 (see (c) of FIG. 3). That is, the pattern 310 may be formed in at least one type of polygonal shape. If the pattern 310 is formed as a combination of polygons as shown in (c) of FIG. 3, dual-band, multi-band, or broadband characteristics can be improved.

그러나 패턴(310)의 가장 바람직한 형상은 육각형 형상(도 3의 (d) 참조)일 수 있다. 이에 따르면, 패턴(310)은 벌집(Honeycomb) 형태를 가질 수 있다. 패턴(310)이 보다 원에 가까운 육각형 형상으로 형성됨으로써, 동일한 간격을 이루면서 배열될 수 있을 뿐만 아니라, 전자파의 편파특성 및 입사파의 입사 각도에 크게 영향을 받지 않고 모든 편파 및 입사각도에서도 우수한 흡수성능을 구현할 수 있다.However, the most desirable shape of the pattern 310 may be a hexagonal shape (see (d) of FIG. 3). According to this, the pattern 310 may have a honeycomb shape. Since the pattern 310 is formed in a hexagonal shape closer to a circle, not only can it be arranged at equal intervals, but it is also not significantly affected by the polarization characteristics of electromagnetic waves and the angle of incidence of the incident wave, and can provide excellent absorption at all polarizations and angles of incidence. Performance can be achieved.

그리고, 패턴(310)은 내부가 모두 채워지도록 형성될 수 있다. 따라서, 흡수층(300)에서는 패턴(310)이 형성된 부분만 그래핀이 마련되게 되며, 각각의 패턴(310) 사이에 형성되는 제1슬릿(320)에는 그래핀이 마련되지 않게 될 수 있다.Additionally, the pattern 310 may be formed so that its entire interior is filled. Accordingly, in the absorption layer 300, graphene is provided only in the portion where the pattern 310 is formed, and graphene may not be provided in the first slit 320 formed between each pattern 310.

유연 베이스 기판(100) 및 흡수층(300)은, 흡수층(300)이 패턴(310)을 가짐에도 불구하고 흡수층(300)에 의한 아른거림이 육안으로 구별되지 않도록 형성될 수 있으며, 이에 대해서는 후술한다.The flexible base substrate 100 and the absorption layer 300 may be formed so that the shimmer caused by the absorption layer 300 is not visible to the naked eye even though the absorption layer 300 has the pattern 310, which will be described later. .

그리고, 초박형 유연 투명 흡수체는 제1보호층(400) 및 제2보호층(450)을 더 포함할 수 있다. In addition, the ultra-thin flexible transparent absorber may further include a first protective layer 400 and a second protective layer 450.

제1보호층(400)은 유연 반사층(200)의 일면에 구비되어 유연 반사층(200)을 보호할 수 있다.The first protective layer 400 may be provided on one side of the flexible reflective layer 200 to protect the flexible reflective layer 200.

그리고, 제2보호층(450)은 흡수층(300)의 일면에 구비되어 흡수층(300)을 보호할 수 있다. 제1보호층(400) 및 제2보호층(450)은 투명하고 유연성을 가질 수 있으며, 예를 들면, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)로 형성될 수 있다. 제1보호층(400) 및 제2보호층(450)은 필름 형태로 형성될 수 있으며, 수십 ㎛의 두께로 형성될 수 있다.Additionally, the second protective layer 450 is provided on one side of the absorption layer 300 to protect the absorption layer 300. The first protective layer 400 and the second protective layer 450 may be transparent and flexible, and may be formed of, for example, polyethylene terephthalate (PET). The first protective layer 400 and the second protective layer 450 may be formed in the form of a film and may be formed with a thickness of several tens of μm.

따라서, 초박형 유연 투명 흡수체는 투명하여 시인성이 확보될 수 있고, 종래의 흡수체보다 얇게 형성될 수 있으며, 유연성을 가져 잘 휘어질 수 있도록 형성될 수 있다. Therefore, the ultra-thin flexible transparent absorber is transparent and can ensure visibility, can be formed thinner than a conventional absorber, and can be formed to be flexible and bendable.

이하에서는, 이러한 초박형 유연 투명 흡수체를 제조하기 위한 제조방법에 대해서 설명한다.Below, a manufacturing method for manufacturing such an ultra-thin flexible transparent absorber will be described.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체 제조방법의 흐름도이고, 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 임피던스를 설명하기 위한 등가회로이다.Figure 4 is a flowchart of a method for manufacturing an ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention, and Figure 5 is an equivalent circuit for explaining the impedance of the ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.

도 4 및 도 5에서 보는 바와 같이, 초박형 유연 투명 흡수체 제조방법은 유연 베이스 기판 마련단계(S610), 유연 반사층 마련단계(S620) 그리고 흡수층 마련단계(S630)를 포함할 수 있다.As shown in Figures 4 and 5, the method of manufacturing an ultra-thin flexible transparent absorber may include a flexible base substrate preparation step (S610), a flexible reflective layer preparation step (S620), and an absorption layer preparation step (S630).

유연 베이스 기판 마련단계(S610)는 유전체의 유연 베이스 기판(100)을 마련하는 단계일 수 있다.The flexible base substrate preparation step (S610) may be a step of preparing the dielectric flexible base substrate 100.

유연 반사층 마련단계(S620)는 유연 베이스 기판(100)의 일면에, 유연 베이스 기판(100)을 투과하는 입사파를 반사시키는 유연 반사층(200)을 마련하는 단계일 수 있다.The flexible reflective layer preparation step (S620) may be a step of providing a flexible reflective layer 200 that reflects the incident wave passing through the flexible base substrate 100 on one surface of the flexible base substrate 100.

그리고, 흡수층 마련단계(S630)는 유연 베이스 기판(100)의 타면에, 복수 개의 패턴(310)을 가지며, 유연 반사층(200)에서 반사되는 반사파를 흡수하는 흡수층(300)을 마련하는 단계일 수 있다.And, the absorption layer preparation step (S630) may be a step of providing an absorption layer 300 on the other side of the flexible base substrate 100, which has a plurality of patterns 310 and absorbs reflected waves reflected from the flexible reflective layer 200. there is.

흡수층 마련단계(S630)에서, 입사파의 전기장의 편파 각도 또는 입사파의 입사 각도의 변화에도 5G 밀리미터파 대역에서 흡수성능이 유지되도록, 패턴(310)은 적어도 한 종류의 다각형 형상이고, 내부가 모두 채워지도록 형성될 수 있으며, 각각의 패턴(310)은 제1슬릿(320)에 의해 동일한 간격을 이루면서 배치되도록 마련될 수 있다.In the absorption layer preparation step (S630), the pattern 310 has at least one type of polygonal shape so that the absorption performance is maintained in the 5G millimeter wave band even when the polarization angle of the electric field of the incident wave or the incident angle of the incident wave changes. It can be formed so that it is all filled, and each pattern 310 can be arranged to be arranged at equal intervals by the first slit 320.

5G 대역은 sub-6 GHz 주파수 대역의 Frequency Range 1(FR1) 및 mmWave 대역(24-100GHz) 주파수 대역의 Frequency Range 2(FR2)로 나뉠 수 있는데, 본 발명에서, 5G 밀리미터파 대역은 FR2(한국) 주파수 대역인 26.5~28.9 GHz 일 수 있다.The 5G band can be divided into Frequency Range 1 (FR1) in the sub-6 GHz frequency band and Frequency Range 2 (FR2) in the mmWave band (24-100GHz) frequency band. In the present invention, the 5G mmWave band is FR2 (Korea ) It may be a frequency band of 26.5 to 28.9 GHz.

흡수층(300)은 패턴(310)을 가지도록 형성되어 저항(R), 인덕턴스(L) 및 커패시턴스(C)가 형성될 수 있다.The absorption layer 300 may be formed to have a pattern 310 to form resistance (R), inductance (L), and capacitance (C).

전송선로 및 주파수 선택표면(FSS) 이론을 기반으로 하면, 전체 임피던스(Zt)는 아래 식(1)로 표현될 수 있다.Based on transmission line and frequency selective surface (FSS) theory, the total impedance (Zt) can be expressed as equation (1) below.

Zt = ZA + Zd --- 식(1)Zt = ZA + Zd --- Equation (1)

여기서, ZA는 흡수층(300)의 입력 임피던스이고, Zd는 전송선로 이론을 기반으로 했을 때, 단락된 상태로 볼 수 있는 유연 반사층(200)에 의한 유전체(Dielectric)의 비유전율이다. Here, ZA is the input impedance of the absorption layer 300, and Zd is the dielectric constant of the flexible reflective layer 200, which can be viewed as short-circuited based on transmission line theory.

흡수층 마련단계(S630)에서는, 전체 임피던스(Zt)가 목표주파수 대역인 5G 밀리미터파 대역에서 자유공간 임피던스인 377 Ohm을 만족하도록 패턴(310)의 크기 및 패턴(310) 사이의 간격, 즉 제1슬릿(320)의 폭(W)이 설정될 수 있다. 전체 임피던스(Zt)가 자유공간 임피던스인 377 Ohm을 만족하게 되면, 임피던스 정합으로 인해 반사되는 전자파가 없는 현상이 발생할 수 있으며, 이를 통해 초박형 유연 투명 흡수체의 두께는 종래의 흡수체의 두께 한계치를 넘어 λ/20 이하의 얇은 두께로 형성될 수 있다. 즉, 5G 밀리미터파 대역인 26.5~28.9 GHz에서 가장 낮은 주파수 대역인26.5 GHz를 기준으로 했을 때, 26.5 GHz의 파장(λ)은 11.31mm인데, 종래의 흡수체두께안 1/4 파장(λ/4) 두께는 2.82mm이다. 반면, 본 발명에 따른 초박형 유연 투명 흡수체는 1/20 파장(λ/20)의 두께, 즉, 565㎛의 두께로 형성될 수 있기 때문에, 초박형화가 가능하다. 이와 같이 제조되는 유연 투명 흡수체는 기본적인 흡수체 기능을 가지고, 휘어질 수 있을 뿐만 아니라, 초박형이기 때문에 다양한 분야에서 활용이 가능할 수 있다.In the absorption layer preparation step (S630), the size of the pattern 310 and the gap between the patterns 310, that is, the first The width (W) of the slit 320 may be set. When the total impedance (Zt) satisfies the free space impedance of 377 Ohm, a phenomenon in which there are no reflected electromagnetic waves can occur due to impedance matching, and through this, the thickness of the ultra-thin flexible transparent absorber exceeds the thickness limit of the conventional absorber by λ. It can be formed with a thin thickness of /20 or less. In other words, based on 26.5 GHz, the lowest frequency band in the 5G millimeter wave band of 26.5~28.9 GHz, the wavelength (λ) of 26.5 GHz is 11.31 mm, which is 1/4 wavelength (λ/4) within the thickness of the conventional absorber. ) The thickness is 2.82mm. On the other hand, the ultra-thin flexible transparent absorber according to the present invention can be formed to a thickness of 1/20 wavelength (λ/20), that is, 565㎛, so it can be made ultra-thin. The flexible transparent absorber manufactured in this way not only has a basic absorber function and can be bent, but is also ultra-thin, so it can be used in various fields.

흡수층 마련단계(S630)에서는, 패턴(310)이 육각형 형상으로 형성됨으로써, 흡수층(300)의 넓은 면적에 같은 면저항 값이 골고루 분포되도록 할 수 있으며, 이를 통해, 전술한 기능 및 효과가 만족되도록 할 수 있다.In the absorption layer preparation step (S630), the pattern 310 is formed in a hexagonal shape, so that the same sheet resistance value can be evenly distributed over a large area of the absorption layer 300, and through this, the above-described functions and effects can be satisfied. You can.

한편, 각각의 패턴(310) 사이의 간격, 다시 말하면 각각의 제1슬릿(320)의 폭(W)은 흡수층(300)을 바라보는 관찰자의 눈 및 흡수층(300) 사이의 거리(L)의 함수일 수 있다.Meanwhile, the spacing between each pattern 310, that is, the width (W) of each first slit 320, is the distance (L) between the absorbing layer 300 and the observer's eye looking at the absorbing layer 300. It can be a function.

일반적으로 시력 1.0을 기준으로 했을 때, 사람의 눈은 각도로 1/60 도를 구분할 수 있다. 따라서, 사람의 눈으로부터 L 만큼 떨어진 곳에 있는 두 점 사이의 간격이 1/60 도가 되도록 하는 것이 필요하다. 이에 따르면, 각각의 패턴(310) 사이의 간격, 즉, 제1슬릿(320)의 폭(W)은 아래 식(2)와 같이 표현될 수 있다.In general, based on visual acuity of 1.0, the human eye can distinguish 1/60 degrees in angle. Therefore, it is necessary to ensure that the interval between two points located at a distance of L from the human eye is 1/60 degrees. According to this, the gap between each pattern 310, that is, the width (W) of the first slit 320, can be expressed as equation (2) below.

W ≤ (π×L) / (60×180) --- 식(2) W ≤ (π×L) / (60×180) --- Equation (2)

식(2)에 따르면, 사람의 눈으로부터 거리 L에 위치한 초박형 유연 투명 흡수체에서 제1슬릿(320)의 폭은 (π×L) / (60×180) 보다 작은 것이 바람직하다. 예를 들어, 흡수층(300)이 0.344 m 떨어진 지점에서 관찰되는 경우, 제1슬릿(320)의 폭(W)은 100 ㎛ 이하로 설정됨이 바람직하다. 위 식은 시력 1.0을 기준으로 했을 때에 적용될 수 있고, 시력에 따라 사람의 눈이 구분할 수 있는 각도도 달라질 수 있기 때문에, 시력에 따라 각각의 패턴 사이의 간격, 즉, 제1슬릿(320)의 폭(W)은 다르게 적용될 수 있지만, 흡수층(300)의 관찰 거리인 0.344 m는 일반적인 관찰 거리로는 충분할 수 있기 때문에, 본 발명에서는 각각의 패턴(310) 사이의 간격, 즉, 제1슬릿(320)의 폭(W)은 100 ㎛ 이하로 설정됨이 바람직하다.According to equation (2), the width of the first slit 320 in the ultra-thin flexible transparent absorber located at a distance L from the human eye is preferably smaller than (π × L) / (60 × 180). For example, when the absorption layer 300 is observed from a distance of 0.344 m, the width (W) of the first slit 320 is preferably set to 100 ㎛ or less. The above equation can be applied based on visual acuity 1.0, and since the angle that the human eye can distinguish may vary depending on visual acuity, the interval between each pattern, that is, the width of the first slit 320, depends on visual acuity. (W) may be applied differently, but since 0.344 m, which is the observation distance of the absorption layer 300, may be sufficient as a general observation distance, in the present invention, the interval between each pattern 310, that is, the first slit 320 ) is preferably set to 100 ㎛ or less.

또한, 제1슬릿(320)의 폭(W)을 100 ㎛ 이하로 설정한 뒤에는, 흡수층(300)의 전체 면적이 그래핀으로 채워져 있는 것과 같이 보이도록 하기 위해, 즉, 동일 광투과도를 가지도록 하기 위해, 패턴(310)의 크기 조절을 통한 패턴(310)의 주기(Period) 조절 및 패턴(310)과 유연 반사층(200) 사이의 유연 베이스 기판(100)의 두께를 조절하여 목표 주파수 대역에서의 흡수성능을 만족하기 위한 최적화 작업이 진행될 수 있다.In addition, after setting the width (W) of the first slit 320 to 100 ㎛ or less, the entire area of the absorption layer 300 is made to appear as if it is filled with graphene, that is, to have the same light transmittance. In order to do this, the period of the pattern 310 is adjusted by adjusting the size of the pattern 310 and the thickness of the flexible base substrate 100 between the pattern 310 and the flexible reflective layer 200 is adjusted to maintain the target frequency band. Optimization work can be done to satisfy the absorption performance.

구체적으로, 흡수층 마련단계(S630)에서, 유연 베이스 기판(100) 및 흡수층(300)의 투과도 차이에 기인한 아른거림이 육안으로 구별되지 않도록, 유연 베이스 기판(100)에 대한 흡수층(300)의 면적비는 아래 식(3)을 통해 설정될 수 있다.Specifically, in the absorption layer preparation step (S630), the absorption layer 300 on the flexible base substrate 100 is not distinguished by the naked eye due to the difference in transmittance between the flexible base substrate 100 and the absorption layer 300. The area ratio can be set through equation (3) below.

ILfull - (ILfull × ARTEM ) < T --- 식(3)IL full - (IL full × ARTEM ) < T --- Equation (3)

식(3)에서, ILfull 은 유연 베이스 기판(100) 전체에 전도성 물질이 마련되었을 때 가시광 삽입 손실이고, ARTEM은 면적비이고, T는 유연 베이스 기판(100) 및 흡수층(300)의 투과도 차이에 기인한 아른거림이 육안으로 구별되지 않도록 하기 위해 얻고자 하는 투과도 차이이다.In equation (3), IL full is the visible light insertion loss when a conductive material is provided throughout the flexible base substrate 100, ARTEM is the area ratio, and T is the difference in transmittance between the flexible base substrate 100 and the absorption layer 300. This is the difference in transmittance that we want to achieve so that the resulting shimmer cannot be distinguished by the naked eye.

투과도 차이는 유연 베이스 기판(100)의 소재 및 흡수층(300)의 소재에 따라 결정될 수 있으나, 바람직하게는 1 % 이하일 수 있다. 즉, 유연 베이스 기판(100)의 투과도 및 흡수층(300)의 투과도의 차이가 1 % 이하가 되면, 흡수층(300)의 형상이 육안으로 식별되지 않고, 따라서 흡수층(300)에 의한 아른거림도 육안으로 구별되지 않을 수 있다.The difference in transmittance may be determined depending on the material of the flexible base substrate 100 and the material of the absorption layer 300, but is preferably 1% or less. That is, when the difference between the transmittance of the flexible base substrate 100 and the transmittance of the absorbing layer 300 is 1% or less, the shape of the absorbing layer 300 cannot be discerned with the naked eye, and therefore the shimmer caused by the absorbing layer 300 is also visible to the naked eye. may not be distinguished.

ILfull 은 유연 베이스 기판(100)의 소재 및 패턴의 종류에 따라 결정될 수 있는데, 예를 들어, PET 소재의 유연 베이스 기판(100)의 일면 전체에 그래핀이 패턴으로 마련되는 경우 ILfull 은 5 % 이고, 투과도 차이가 1 % 라고 하면, 면적비(ARTEM)는 0.8 초과 일 수 있다. 그리고, 유연 베이스 기판(100)의 전면에 마련되는 흡수층(300)은 빈 공간(즉, 틈새)을 가지기 때문에, 면적비는 1.0 미만일 수 있으며, 따라서, 면적비는 0.8 초과, 1.0 미만일 수 있다.IL full may be determined depending on the type of material and pattern of the flexible base substrate 100. For example, when graphene is provided in a pattern on the entire surface of the flexible base substrate 100 made of PET, IL full is 5. %, and if the difference in transmittance is 1%, the area ratio (ARTEM) may be greater than 0.8. And, since the absorption layer 300 provided on the front surface of the flexible base substrate 100 has an empty space (i.e., gap), the area ratio may be less than 1.0, and therefore, the area ratio may be greater than 0.8 and less than 1.0.

그리고, 초박형 유연 투명 흡수체 제조방법은 보호층 마련단계(S640)를 더 포함할 수 있다. 보호층 마련단계(S640)는 반사층(200)의 일면 및 흡수층(300)의 일면에 각각 보호층(400,450)을 더 마련하는 단계일 수 있다.In addition, the ultra-thin flexible transparent absorber manufacturing method may further include a protective layer preparation step (S640). The protective layer preparation step (S640) may be a step of further providing protective layers 400 and 450 on one side of the reflective layer 200 and one side of the absorbent layer 300, respectively.

이와 같이 제조되는 초박형 유연 투명 흡수체는 시인성이 확보될 수 있는 면저항이 사용되고, 시인성 향상을 위한 물리적 구조 및 원하는 주파수 대역에서 흡수성능을 얻을 수 있는 것이 동시에 만족될 수 있다. The ultra-thin flexible transparent absorber manufactured in this way uses a sheet resistance that can ensure visibility, and can simultaneously satisfy the physical structure to improve visibility and the absorption performance in the desired frequency band.

도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 다른 예를 나타낸 단면 예시도이다.Figure 6 is a cross-sectional illustration showing another example of an ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.

도 6에서 보는 바와 같이, 유연 베이스 기판(100)은 흡수층(300)의 제1슬릿(320)에 대응되도록 형성되는 제2슬릿(110)을 더 가질 수 있고, 흡수층(300)에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 이렇게 되면, 유연 베이스 기판(100)의 유연성이 더욱 증가될 수 있기 때문에, 초박형 유연 투명 흡수체의 유연성도 증가될 수 있다.As shown in FIG. 6, the flexible base substrate 100 may further have a second slit 110 formed to correspond to the first slit 320 of the absorption layer 300, and has a shape corresponding to the absorption layer 300. can be formed. In this way, since the flexibility of the flexible base substrate 100 can be further increased, the flexibility of the ultra-thin flexible transparent absorber can also be increased.

나아가, 제2보호층(450)도 흡수층(300)의 제1슬릿(320)에 대응되도록 형성되는 제3슬릿(451)을 더 가질 수 있고, 흡수층(300)에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 이렇게 되면, 제2보호층(450)까지도 유연성이 증가될 수 있기 때문에, 결과적으로 초박형 유연 투명 흡수체의 유연성은 더욱 증가될 수 있다.Furthermore, the second protective layer 450 may further have a third slit 451 formed to correspond to the first slit 320 of the absorption layer 300, and may be formed in a shape corresponding to the absorption layer 300. there is. In this way, the flexibility of even the second protective layer 450 can be increased, and as a result, the flexibility of the ultra-thin flexible transparent absorber can be further increased.

도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 또 다른 예를 나타낸 단면 예시도이다.Figure 7 is a cross-sectional illustration showing another example of an ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 7의 (a)에서 보는 바와 같이, 유연 베이스 기판(100)이 제2슬릿이 형성되지 않은 형태이고, 제2보호층(450)도 제3슬릿이 형성되지 않은 형태일 상태에서, 흡수층(300)은 투명 전극(330)을 가질 수 있다. As shown in (a) of FIGS. 1 and 7, the flexible base substrate 100 is in a form in which the second slit is not formed, and the second protective layer 450 is also in a form in which the third slit is not formed. , the absorption layer 300 may have a transparent electrode 330.

투명 전극(330)은 제1슬릿(320)에 구비되어 이웃하는 패턴(310)을 서로 연결할 수 있다. 투명 전극(330)은 그래핀으로 형성될 수 있으며, 패턴(310)과 일체로 형성될 수 있다.The transparent electrode 330 is provided in the first slit 320 to connect neighboring patterns 310 to each other. The transparent electrode 330 may be made of graphene and may be formed integrally with the pattern 310.

패턴(310)은 투명 전극(330)에 의해 모두 연결될 수 있으며, 이를 통해, 패턴(310)에 전류가 인가되면 히팅될 수 있고, 결과적으로 흡수층(300)이 전체적으로 히팅될 수 있어 김서림, 성애 등도 효과적으로 제거될 수 있다. The patterns 310 can all be connected by the transparent electrode 330, and through this, when a current is applied to the pattern 310, it can be heated. As a result, the absorption layer 300 can be heated as a whole, preventing fogging, frost, etc. can be removed effectively.

한편, 도 6 및 도 7에서 보는 바와 같이, 흡수층(300)의 패턴(310)이 투명 전극(330)을 가질 때, 유연 베이스 기판(100) 및 제2보호층(450)도 흡수층(300)에 대응되도록 형성될 수도 있다.Meanwhile, as shown in FIGS. 6 and 7, when the pattern 310 of the absorption layer 300 has the transparent electrode 330, the flexible base substrate 100 and the second protective layer 450 also have the absorption layer 300. It may be formed to correspond to .

즉, 유연 베이스 기판(100)은 제1슬릿(320)에 대응되도록 형성되는 제2슬릿(110)과 함께, 투명 전극(330)에 대응되도록 형성되는 제1연결부(120)를 더 가지도록 형성될 수 있다. 그리고, 제2보호층(450)도 제1슬릿(320)에 대응되도록 형성되는 제3슬릿(451)과 함께, 투명 전극(330)에 대응되도록 형성되는 제2연결부(452)를 더 가지도록 형성될 수 있으며, 이를 통해, 초박형 유연 투명 흡수체는 히팅 기능을 가지면서도 높은 유연성을 가질 수 있다.That is, the flexible base substrate 100 is formed to further include a second slit 110 formed to correspond to the first slit 320 and a first connection portion 120 formed to correspond to the transparent electrode 330. It can be. In addition, the second protective layer 450 also has a third slit 451 formed to correspond to the first slit 320, and a second connection portion 452 formed to correspond to the transparent electrode 330. Through this, an ultra-thin flexible transparent absorber can have a heating function and high flexibility.

이하에서는, 초박형 유연 투명 흡수체의 성능 실험 결과를 설명한다. Below, the performance test results of the ultra-thin flexible transparent absorber will be described.

도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 성능 실험을 위한 구성(Set-up)을 나타낸 예시도이다.Figure 8 is an exemplary diagram showing the configuration (set-up) for performance testing of an ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.

도 8에서 보는 바와 같이, 초박형 유연 투명 흡수체의 성능 실험을 위한 구성(Set-up)은 제1포트(500), 유연 베이스 기판(100), 패턴(310) 및 제2포트(510)를 포함할 수 있다. As shown in Figure 8, the set-up for performance testing of the ultra-thin flexible transparent absorber includes a first port 500, a flexible base substrate 100, a pattern 310, and a second port 510. can do.

위 구성을 이용하여, 제1포트(500)에서 입사된 입사파(10)가 패턴(310) 및 유연 베이스 기판(100)을 투과(14)한 후, 제2포트(510)에 얼마큼 도달하는지에 대한 지표(S21, 투과도)와, 제1포트(500)에서 입사된 신호가 반사(15)되어 제1포트(500)로 되돌아오는 지표(S11, 반사도)를 활용하여 흡수성능(A) = 1-S11 2-S21 2 으로 표현 가능하다.Using the above configuration, how far does the incident wave 10 incident from the first port 500 reach the second port 510 after passing through the pattern 310 and the flexible base substrate 100 (14)? The absorption performance ( A ) = 1-S 11 2 -S 21 2 .

패턴(310)은 단위 패턴으로서, 육각형 형태로 형성되었다. 또한, 패턴(310)은 시뮬레이션 시간 단축 및 평면파 환경을 만들어 내기 위해 무한주기구조(PBC, Periodic boundary condition) 상태에서 실험되었다. The pattern 310 is a unit pattern and is formed in a hexagonal shape. Additionally, the pattern 310 was tested in an infinite periodic boundary condition (PBC) state to shorten the simulation time and create a plane wave environment.

그리고, 제1포트(500)에 표시된 k는 전기장(E)과 자기장(H)에 수직한 방향으로 진행하는 파수 벡터이다.And, k displayed on the first port 500 is a wave vector traveling in a direction perpendicular to the electric field (E) and magnetic field (H).

도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 면저항에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이고, 도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 편파에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이고, 도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 입사각 변화에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다.Figure 9 is a graph showing the absorbance according to sheet resistance of the ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention, and Figure 10 is a graph showing the absorbance according to polarization of the ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention. , and Figure 11 is a graph showing the absorbance according to the change in incident angle of the ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention.

도 9 내지 도 11에서, 흡수층(300)은 10층의 그래핀층으로 형성되고, 두께는 3nm였으며, 유연 베이스 기판(100)의 두께는 0.5mm 였다. 다만, 도 9에서는, 흡수층(300)의 면저항을 다르게 하여 진행되었고, 도 10 및 도 11에서는 흡수층(300)의 면저항이 25 ohm/sq 였다.9 to 11, the absorption layer 300 was formed of a 10-layer graphene layer, the thickness was 3 nm, and the thickness of the flexible base substrate 100 was 0.5 mm. However, in Figure 9, the sheet resistance of the absorption layer 300 was changed, and in Figures 10 and 11, the sheet resistance of the absorption layer 300 was 25 ohm/sq.

도 9를 참고하면, 흡수층(300)의 면저항이 20 ohm/sq 내지 40 ohm/sq 사이로 변화되어도 5G 주파수 대역인 26.5~28.9 GHz 대역에서 90% 이상의 흡수성능을 가지는 것을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 9, it can be seen that even if the sheet resistance of the absorption layer 300 changes between 20 ohm/sq and 40 ohm/sq, it has an absorption performance of more than 90% in the 26.5-28.9 GHz band, which is the 5G frequency band.

그리고, 도 10에서 보는 바와 같이, 제1포트(500)로 입사되는 입사파(10)의 전기장(E-field)의 편파에 따른 흡수율 특성을 확인한 결과, 패턴(310)이 육각형 형상으로 형성됨으로써, 전기장이 Theta 만큼 기울어지더라도 거의 모든 각도에서 유사한 성능을 나타냄을 알 수 있다.As shown in FIG. 10, as a result of checking the absorption rate characteristics according to the polarization of the electric field (E-field) of the incident wave 10 incident on the first port 500, the pattern 310 was formed in a hexagonal shape. , it can be seen that similar performance is shown at almost all angles even if the electric field is tilted as much as Theta.

또한, 도 11에서 보는 바와 같이, 제1포트(500)에 수직한 가상의 선(VL)을 기준으로 파수 벡터(k)의 각도가 Theta 만큼 기울어져서 입사되고, 입사 각도가 0 ~ 30 도 사이로 변화되더라도, 5G 주파수 대역인 26.5~28.9 GHz 대역에서 90% 이상의 흡수성능을 가지는 것을 확인할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 11, the angle of the wave vector (k) is inclined by Theta based on the virtual line (VL) perpendicular to the first port 500, and the incident angle is between 0 and 30 degrees. Even if it changes, it can be confirmed that it has an absorption performance of more than 90% in the 26.5~28.9 GHz band, which is the 5G frequency band.

다음으로, 도 12는 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 단면에 대한 전기장 분포를 나타낸 분포도이고, 도 13은 본 발명의 일실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 평면에 대한 전기장 분포를 나타낸 분포도이다.Next, Figure 12 is a distribution diagram showing the electric field distribution on the cross section of the ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention, and Figure 13 is the electric field distribution on the plane of the ultra-thin flexible transparent absorber according to an embodiment of the present invention. This is a distribution chart showing .

도 12는 위쪽에서 아래쪽으로 전자파가 입사되었을 경우의 전기장 분포를 단면으로 나타낸 모습인데, 도 12를 참조하면, 공기층(30)과 흡수층(300)의 경계면에서 가장 강한 전기장 필드가 분포함을 알 수 있다. 즉, 흡수층(300)의 패턴(310)은 전기장 분포가 가장 강하게 형성되도록 할 수 있고, 전기장을 상쇄 및 정합시켜 전자파를 흡수할 수 있다.Figure 12 is a cross-sectional view of the electric field distribution when electromagnetic waves are incident from top to bottom. Referring to Figure 12, it can be seen that the strongest electric field is distributed at the interface between the air layer 30 and the absorption layer 300. there is. That is, the pattern 310 of the absorption layer 300 can create the strongest electric field distribution and absorb electromagnetic waves by offsetting and matching the electric fields.

도 13은 전자파가 흡수층(300)을 뚫고 들어가는 방향으로 진행하였을 경우 전기장 분포를 나타내는데, 도 13을 참조하면, 입사되는 전기장 편파가 수직이기 때문에 육각형 구조의 패턴(310)의 위쪽 틈새 및 아래 틈새 부분에서 강한 전기장 분포가 나타남을 확인할 수 있다.Figure 13 shows the electric field distribution when the electromagnetic wave proceeds in the direction of penetrating the absorption layer 300. Referring to Figure 13, since the incident electric field polarization is vertical, the upper and lower gaps of the hexagonal pattern 310 It can be seen that a strong electric field distribution appears.

도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 베이스 기판 및 흡수층의 두께와 면저항에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이고, 도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 편파에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이고, 도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 입사각 변화에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다. 본 실시예에서는 전술한 실시예에서보다 흡수층(300)의 그래핀층수가 적어 두께가 얇은 대신, 유연 베이스 기판(100)의 두께는 더 두껍다는 점에서 차이가 있다.Figure 14 is a graph showing the absorbency according to the thickness and sheet resistance of the base substrate and absorbent layer of an ultra-thin flexible transparent absorber according to another embodiment of the present invention, and Figure 15 is a polarization graph of an ultra-thin flexible transparent absorber according to another embodiment of the present invention. It is a graph showing the absorbance according to , and Figure 16 is a graph showing the absorbance according to the change in incident angle of the ultra-thin flexible transparent absorber according to another embodiment of the present invention. This embodiment differs from the above-described embodiment in that the absorption layer 300 has a smaller number of graphene layers, making it thinner, but the thickness of the flexible base substrate 100 is thicker.

구체적으로, 도 14 내지 도 16에서, 흡수층(300)은 2층의 그래핀층으로 형성되고, 두께는 0.5nm였으며, 유연 베이스 기판(100)의 두께는 1.1mm 였다. 다만, 도 14에서는 흡수층(300)의 면저항을 다르게 하여 진행되었고, 도 15 및 도 16에서는 흡수층(300)의 면저항이 200 ohm/sq 였다.Specifically, in FIGS. 14 to 16, the absorption layer 300 was formed of two layers of graphene, the thickness was 0.5 nm, and the thickness of the flexible base substrate 100 was 1.1 mm. However, in Figure 14, the sheet resistance of the absorption layer 300 was changed, and in Figures 15 and 16, the sheet resistance of the absorption layer 300 was 200 ohm/sq.

도 14에서 보는 바와 같이, 흡수층(300)의 면저항이 160 ohm/sq 내지 240 ohm/sq 사이로 변화되어도 5G 주파수 대역인 26.5~28.9 GHz 대역에서 90% 이상의 흡수성능을 가지는 것을 확인할 수 있다.As shown in FIG. 14, even if the sheet resistance of the absorption layer 300 changes between 160 ohm/sq and 240 ohm/sq, it can be confirmed that it has an absorption performance of more than 90% in the 26.5-28.9 GHz band, which is the 5G frequency band.

도 9 및 도 14를 비교했을 때, 흡수층을 10층에서 2층으로 변경하여 그래핀층의 개수를 줄이고, 면저항을 높게 하더라도 5G 주파수 대역인 26.5~28.9 GHz 대역에서 90% 이상의 흡수성능을 가지는 것을 확인할 수 있다. 이처럼, 동일한 형태의 패턴을 형성하되, 그래핀층의 개수를 줄이게 되면, 전제 두께가 증가하게 될 수는 있지만, 비용적인 측면과 제조공정적인 측면, 그리고 시인성 부분에서 장점을 가질 수 있다.When comparing Figures 9 and 14, it can be seen that even if the absorption layer is changed from 10 layers to 2 layers to reduce the number of graphene layers and increase the sheet resistance, it has an absorption performance of more than 90% in the 26.5 to 28.9 GHz band, which is the 5G frequency band. You can. In this way, if the same type of pattern is formed but the number of graphene layers is reduced, the overall thickness may increase, but it can have advantages in terms of cost, manufacturing process, and visibility.

그리고, 도 15에서 보는 바와 같이, 제1포트(500)로 입사되는 입사파(10)의 전기장(E-field)의 편파에 따른 흡수율 특성을 확인한 결과, 패턴(310)이 육각형 형상으로 형성됨으로써, 전기장이 Theta 만큼 기울어지더라도 거의 모든 각도에서 유사한 성능을 나타냄을 알 수 있다.As shown in FIG. 15, as a result of checking the absorption rate characteristics according to the polarization of the electric field (E-field) of the incident wave 10 incident on the first port 500, the pattern 310 was formed in a hexagonal shape. , it can be seen that similar performance is shown at almost all angles even if the electric field is tilted as much as Theta.

또한, 도 16에서 보는 바와 같이, 제1포트(500)에 수직한 가상의 선(VL)을 기준으로 파수 벡터(k)의 각도가 Theta 만큼 기울어져서 입사되고, 입사 각도가 0 ~ 30 도 사이로 변화되더라도, 5G 주파수 대역인 26.5~28.9 GHz 대역에서 90% 이상의 흡수성능을 가지는 것을 확인할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 16, the angle of the wave vector (k) is inclined by Theta based on the virtual line (VL) perpendicular to the first port 500, and the incident angle is between 0 and 30 degrees. Even if it changes, it can be confirmed that it has an absorption performance of more than 90% in the 26.5~28.9 GHz band, which is the 5G frequency band.

도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 면저항에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이고, 도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 편파에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다. 본 실시예에서는 반사층도 그래핀층으로 형성된다는 점에서 차이가 있다.Figure 17 is a graph showing the absorbance according to sheet resistance of an ultra-thin flexible transparent absorber according to another embodiment of the present invention, and Figure 18 is a graph showing the absorbance according to polarization of an ultra-thin flexible transparent absorber according to another embodiment of the present invention. This is the graph shown. This embodiment is different in that the reflective layer is also formed of a graphene layer.

구체적으로, 도 17 및 도 18에서는, 반사층이 그래핀층으로 형성되고, 반사층의 면저항은 25 ohm/sq 였다. Specifically, in Figures 17 and 18, the reflective layer was formed of a graphene layer, and the sheet resistance of the reflective layer was 25 ohm/sq.

도 17에 따르면, 흡수층(300)의 면저항이 220 ohm/sq 내지 260 ohm/sq 사이로 변화되어도 5G 주파수 대역인 26.5~28.9 GHz 대역에서 90% 이상의 흡수성능을 가지는 것을 확인할 수 있다.According to FIG. 17, it can be confirmed that even if the sheet resistance of the absorption layer 300 changes between 220 ohm/sq and 260 ohm/sq, it has an absorption performance of more than 90% in the 26.5-28.9 GHz band, which is the 5G frequency band.

그리고, 도 18에서 보는 바와 같이, 제1포트로 입사되는 입사파의 전기장(E-field)의 편파에 따른 흡수율 특성을 확인한 결과, 전기장이 15도 각도 만큼씩 기울어지더라도 거의 모든 각도에서 유사한 성능을 나타냄을 알 수 있다.And, as shown in Figure 18, as a result of checking the absorption rate characteristics according to the polarization of the electric field (E-field) of the incident wave incident on the first port, the performance was similar at almost all angles even if the electric field was tilted by 15 degrees. It can be seen that it represents .

즉, 흡수층 및 반사층이 모두 그래핀으로 형성되더라도 5G 주파수 대역인 26.5~28.9 GHz 대역에서 90% 이상의 흡수성능을 가질 수 있다.In other words, even if both the absorption layer and the reflection layer are formed of graphene, it can have an absorption performance of more than 90% in the 26.5~28.9 GHz band, which is the 5G frequency band.

도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 초박형 유연 투명 흡수체의 베이스 기판 및 흡수층의 두께와 면저항에 따른 흡수도를 나타낸 그래프이다.Figure 19 is a graph showing the absorbency according to the thickness and sheet resistance of the base substrate and absorber layer of an ultra-thin flexible transparent absorber according to another embodiment of the present invention.

실험 조건으로는, 도 19의 (a)에서는, 흡수층(300)은 10층의 그래핀층으로 형성되고, 25 ohm/sq 의 면저항을 가지며, 두께는 3nm였다. 그리고, 유연 베이스 기판(100)은 PET이고, 두께는 0.5mm 였다. 그리고, 도 19의 (b) 내지 (d)에서는, 흡수층(300)은 2층의 그래핀층으로 형성되고, 각각 180 ohm/sq, 200 ohm/sq 및 220 ohm/sq 의 면저항을 가지며, 두께는 0.5nm였다. 그리고, 유연 베이스 기판(100)은 PET이고, 두께는 1.1mm 였다.As for the experimental conditions, in (a) of FIG. 19, the absorption layer 300 was formed of 10 layers of graphene, had a sheet resistance of 25 ohm/sq, and had a thickness of 3 nm. And, the flexible base substrate 100 was PET and had a thickness of 0.5 mm. And, in Figures 19 (b) to (d), the absorption layer 300 is formed of two layers of graphene, has sheet resistance of 180 ohm/sq, 200 ohm/sq, and 220 ohm/sq, respectively, and has a thickness of It was 0.5nm. And, the flexible base substrate 100 was PET and had a thickness of 1.1 mm.

이러한 상태에서, 유연 반사층이 그래핀(Gr), ITO 또는 구리로 형성되었을 때(여기에서, 그래핀의 면저항은 25 ohm/sq, ITO의 면저항은 10 ohm/sq으로 가정) 흡수율을 비교해보면, 흡수층의 패턴의 면저항이 증가할수록 베이스 기판의 두께가 증가하는 추세를 보임을 알 수 있다. In this state, when comparing the absorption rate when the flexible reflective layer is formed of graphene (Gr), ITO, or copper (here, assuming that the sheet resistance of graphene is 25 ohm/sq and that of ITO is 10 ohm/sq), It can be seen that as the sheet resistance of the absorption layer pattern increases, the thickness of the base substrate tends to increase.

그리고, 가장 좋은 흡수 성능을 보이는 유연 베이스 기판의 두께는 0.5T, 1.0T, 1.1T, 1.2T 순이며, 모든 케이스가 목표 주파수 대역인 26.5 ~ 28.9 GHz 에서 90% 이상의 흡수성능을 가지는 것으로 나타났다. 이를 통해 볼 때, 그래핀 Layer를 줄이고 면저항을 높이면, 유연 베이스 기판의 두께가 증가될 수는 있지만, 공정 절차 및 비용 적인 면에서 장점이 있고 상대적으로 낮은 면저항을 사용하는 것보다 광대역 특성을 얻어낼 수 있는 장점이 있다.In addition, the thickness of the flexible base substrate showing the best absorption performance was 0.5T, 1.0T, 1.1T, and 1.2T, and all cases were found to have absorption performance of more than 90% in the target frequency band of 26.5 ~ 28.9 GHz. From this, reducing the graphene layer and increasing the sheet resistance may increase the thickness of the flexible base substrate, but it has advantages in terms of process procedure and cost, and can achieve broadband characteristics compared to using a relatively low sheet resistance. There are advantages to this.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The description of the present invention described above is for illustrative purposes, and those skilled in the art will understand that the present invention can be easily modified into other specific forms without changing the technical idea or essential features of the present invention. will be. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive. For example, each component described as unitary may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may also be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 후술하는 청구범위에 의하여 나타내어지며, 청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is indicated by the claims described below, and all changes or modified forms derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 유연 베이스 기판
110: 제2슬릿
120: 제1연결부
200: 유연 반사층
300: 흡수층
310: 패턴
320: 제1슬릿
330: 투명 전극
400: 제1보호층
450: 제2보호층
451: 제3슬릿
452: 제2연결부100: Flexible base substrate
110: second slit
120: first connection part
200: Flexible reflective layer
300: absorption layer
310: pattern
320: first slit
330: transparent electrode
400: first protective layer
450: second protective layer
451: Third slit
452: second connection part

Claims (10)

유전체의 투명한 유연 베이스 기판;
상기 유연 베이스 기판의 일면에 구비되고, 상기 유연 베이스 기판을 투과하는 입사파를 반사시키는 투명한 유연 반사층;
상기 유연 베이스 기판의 타면에 구비되고, 제1슬릿 간격으로 배치되는 복수 개의 패턴을 가지며, 상기 유연 반사층에서 반사되는 반사파를 흡수하는 흡수층;
상기 유연 반사층의 일면에 구비되는 제1보호층; 및
상기 흡수층의 일면에 구비되는 제2보호층을 포함하고,
상기 흡수층은 그래핀층이며,
상기 패턴은 적어도 한 종류의 다각형 형상이고, 내부가 모두 채워지도록 형성되어 상기 흡수층에서는 상기 패턴이 형성된 부분만 그래핀이 마련되고,
각각의 상기 패턴은, 그래핀이 마련되지 않고 동일한 폭으로 형성되는 상기 제1슬릿에 의해 동일한 간격을 이루면서 배치되도록 마련되며,
상기 유연 베이스 기판은 상기 제1슬릿에 대응되도록 형성되는 제2슬릿을 가지고, 상기 제2보호층은 상기 제1슬릿에 대응되도록 형성되는 제3슬릿을 가짐으로써 상기 유연 베이스 기판 및 상기 제2보호층이 상기 흡수층에 대응되는 형상으로 형성되어 유연성이 증가되는 것을 특징으로 하는 초박형 유연 투명 흡수체.Dielectric transparent flexible base substrate;
A transparent flexible reflective layer provided on one side of the flexible base substrate and reflecting incident waves passing through the flexible base substrate;
An absorption layer provided on the other side of the flexible base substrate, having a plurality of patterns arranged at first slit intervals, and absorbing reflected waves reflected from the flexible reflective layer;
A first protective layer provided on one side of the flexible reflective layer; and
It includes a second protective layer provided on one side of the absorbent layer,
The absorption layer is a graphene layer,
The pattern has at least one type of polygonal shape, and is formed so that the entire interior is filled, so that only the portion where the pattern is formed is provided with graphene in the absorption layer,
Each of the patterns is arranged at equal intervals by the first slit, which is formed with the same width without graphene,
The flexible base substrate has a second slit formed to correspond to the first slit, and the second protective layer has a third slit formed to correspond to the first slit, thereby providing the flexible base substrate and the second protection. An ultra-thin flexible transparent absorber, characterized in that the layer is formed in a shape corresponding to the absorbent layer, thereby increasing flexibility. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 흡수층은, 상기 제1슬릿에 구비되고 이웃하는 상기 패턴을 서로 연결하는 투명 전극을 가지는 것을 특징으로 하는 초박형 유연 투명 흡수체.According to paragraph 1,
The absorption layer is an ultra-thin flexible transparent absorber, characterized in that it has a transparent electrode provided in the first slit and connecting the neighboring patterns to each other. 제4항에 있어서,
상기 유연 베이스 기판은 상기 투명 전극에 대응되도록 형성되는 제1연결부를 가지고, 상기 흡수층에 대응되는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 초박형 유연 투명 흡수체.According to paragraph 4,
The flexible base substrate has a first connection portion formed to correspond to the transparent electrode, and is formed in a shape corresponding to the absorbing layer. 제4항에 있어서,
상기 제2보호층은 상기 투명 전극에 대응되도록 형성되는 제2연결부를 가지고, 상기 흡수층에 대응되는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 초박형 유연 투명 흡수체.According to paragraph 4,
The second protective layer has a second connection portion formed to correspond to the transparent electrode, and is formed in a shape corresponding to the absorbent layer. 제1항에 있어서,
상기 패턴은 육각형 형상인 것을 특징으로 하는 초박형 유연 투명 흡수체.According to paragraph 1,
An ultra-thin flexible transparent absorber, characterized in that the pattern has a hexagonal shape. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 그래핀층은 다층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 초박형 유연 투명 흡수체.According to paragraph 1,
An ultra-thin flexible transparent absorber, characterized in that the graphene layer is formed as a multi-layer. 제1항에 있어서,
상기 유연 반사층은 ITO(Indium Tin Oxide), 그래핀, 은나노 와이어, 구리 나노 와이어, CNT(Carbon Nano Tube) 투명전극, AZO(Aluminum-doped Zinc Oxide) 투명전극, FTO(Fluorine-doped Tin dioxide) 투명전극 및 메탈 메시(Metal-Mesh) 중 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 초박형 유연 투명 흡수체.According to paragraph 1,
The flexible reflective layer includes ITO (Indium Tin Oxide), graphene, silver nanowire, copper nanowire, CNT (Carbon Nano Tube) transparent electrode, AZO (Aluminum-doped Zinc Oxide) transparent electrode, and FTO (Fluorine-doped Tin dioxide) transparent electrode. An ultra-thin flexible transparent absorber characterized by being formed of at least one of an electrode and a metal mesh (Metal-Mesh).
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