KR102577233B1 - 전계발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 소자의 성능, 효율, 및 수명이 저하되는 것을 방지할 수 있는 전계발광 표시 장치를 제공하는 것으로, 복수의 화소들이 구비된 액티브 영역을 포함하는 기판, 기판 상에 배치되는 회로 소자층, 회로 소자층 상에 배치되는 제1 전극, 회로 소자층 상에 배치되며 제1 전극과 이격되어 배치되는 보조 전극, 제1 전극 상에 배치되는 제1 발광층, 제1 발광층 상에 배치되는 버퍼층, 버퍼층 및 보조 전극 상에 배치되는 제2 발광층, 및 제2 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함한다.
이러한, 본 발명의 전계발광 표시 장치는 제1 발광층 상에 버퍼층을 잉크젯 공정을 통해 형성함으로써, 버퍼층을 제1 발광층 상에만 형성할 수 있어, 버퍼층을 비도전성 물질로 형성할 수 있으며, 따라서 청색 화소의 소자 성능을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

전계발광 표시 장치{Electroluminescent Display Device}
본 발명은 전계발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 소자의 성능, 효율, 및 수명이 저하되는 것을 방지할 수 있는 전계발광 표시 장치에 관한 것이다.
전계발광 표시 장치는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 구조로 이루어져, 상기 두 개의 전극 사이의 전계에 의해 상기 발광층이 발광함으로써 화상을 표시하는 장치이다.
상기 발광층은 전자와 정공의 결합에 의해 엑시톤(exciton)이 생성되고 생성된 엑시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 발광을 하는 유기물로 이루어질 수도 있고, 퀀텀 도트(quantum dot)와 같은 무기물로 이루어질 수도 있다.
이하, 도면을 참조로 하여 종래의 전계발광 표시 장치에 대해서 설명하기로 한다.
도 1은 종래의 전계발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 1에서 알 수 있듯이, 종래의 전계발광 표시 장치는 기판(10), 회로 소자층(20), 제1 전극(30), 보조 전극(35), 뱅크(40), 발광층(50), 및 제2 전극(60)을 포함한다.
상기 회로 소자층(20)은 상기 기판(10) 상에 형성된다. 회로 소자층(20)에는 각종 신호 배선들, 박막 트랜지스터, 커패시터, 평탄화층 등이 형성된다.
상기 제1 전극(30)은 회로 소자층(20) 상에 형성된다. 제1 전극(30)은 화소 별로 패턴 형성되어 있으며, 전계발광 표시 장치의 양극(anode)으로 기능한다.
상기 보조 전극(35)은 제1 전극(30)과 이격되어, 회로 소자층(20) 상에 형성된다. 보조 전극(35)은 제2 전극(60)과 전기적으로 연결되어 제2 전극(60)의 저항을 줄이는 역할을 한다.
상기 뱅크(40)는 매트릭스 구조로 형성되어 발광 영역을 정의한다.
상기 발광층(50)은 제1 전극(30) 상에 형성되며, 제1 발광층(51) 및 제2 발광층(52)을 포함한다.
상기 제1 발광층(51)은 잉크젯(inkjet) 공정을 통해서 뱅크(40)에 의해 정의된 발광 영역에 형성된다. 이러한 제1 발광층(51)은 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 및 발광 물질층(EML)을 포함한다.
상기 제2 발광층(52)은 증착 공정을 통해서 기판(10) 상에 전체적으로 형성된다. 이러한 제2 발광층(52)은 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)을 포함한다.
상기 제2 전극(60)은 제2 발광층(52) 상에 형성된다. 제2 전극(60)은 화소의 공통층으로 형성되어 있으며, 전계발광 표시 장치의 음극(cathode)으로 기능한다.
이와 같은 종래의 전계발광 표시 장치는 제2 발광층(52)의 전자 수송층(ETL)이 금속으로 이루어져, 증착 공정을 통해서 기판(10) 상에 전체적으로 형성하기 때문에, 제1 전극(30)뿐만 아니라 보조 전극(35) 상에도 형성된다.
따라서, 종래의 전계발광 표시 장치는 보조 전극(35)과 제2 전극(60)을 전기적으로 연결하기 위해서, 보조 전극(35)과 제2 전극(60) 사이에 형성되는 전자 수송층(ETL)을 도전성 물질로만 형성할 수 있다. 이에 따라 종래의 전계발광 표시 장치는 전자 수송층(ETL)을 비도전성 물질로는 적용할 수 없기 때문에 소자 성능 향상이 제한적이다.
또한, 종래의 전계발광 표시 장치는 잉크젯 공정으로 형성되는 발광 물질층(EML) 상에 전자 수송층(ETL)을 증착 공정으로 형성하기 때문에, 발광 물질층(EML)과 전자 수송층(ETL) 계면간에 이슈가 발생하여 소자의 효율과 수명을 저하시키는 요인이 될 수 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 소자의 성능, 효율, 및 수명이 저하되는 것을 방지할 수 있는 전계발광 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은 복수의 화소들이 구비된 액티브 영역을 포함하는 기판, 기판 상에 배치되는 회로 소자층, 회로 소자층 상에 배치되는 제1 전극, 회로 소자층 상에 배치되며 제1 전극과 이격되어 배치되는 보조 전극, 제1 전극 상에 배치되는 제1 발광층, 제1 발광층 상에 배치되는 버퍼층, 버퍼층 및 보조 전극 상에 배치되는 제2 발광층, 및 제2 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하는 전계발광 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 제1 발광층 상에 버퍼층을 잉크젯 공정을 통해 형성함으로써, 버퍼층을 제1 발광층 상에만 형성할 수 있어, 버퍼층을 비도전성 물질로 형성할 수 있으며, 따라서 청색 화소의 소자 성능을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 제1 발광층 상에 버퍼층을 잉크젯 공정을 통해 형성함으로써, 잉크젯 공정으로 형성되는 제1 발광층과 증착 공정으로 형성되는 제2 발광층의 계면간 이슈를 감소시켜 유기발광소자의 효율 및 수명이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 종래의 전계발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 액티브 영역 및 더미 영역의 화소들을 도시한 개략적인 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 단면도로서, 도 3의 I-I’의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 유기발광소자를 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 6은 종래의 전계발광 표시 장치와 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 구동 전압을 비교하는 그래프이다.
도 7은 종래의 전계발광 표시 장치와 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 전류 효율을 비교하는 그래프이다.
도 8은 종래의 전계발광 표시 장치와 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 수명을 비교하는 그래프이다.
도 9는 종래의 전계발광 표시 장치와 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 파장별 광세기를 비교하는 그래프이다.
본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제 1", "제 2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. "적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다. "상에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.
이하에서는 본 발명에 따른 전계발광 표시 장치의 바람직한 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 액티브 영역(AA), 더미 영역(DA), 및 패드 영역(PA)을 포함한다.
상기 액티브 영역(AA)은 화상을 표시하는 표시 영역으로 기능한다. 액티브 영역(AA)에는 복수의 화소들이 배치되고, 복수의 화소 각각에는 발광 영역이 마련된다.
구체적으로, 액티브 영역(AA)에 배치된 화소에는 게이트 배선(gate line), 데이터 배선(data line), 전원 배선(power line), 및 기준 배선(reference line) 등의 신호 배선이 형성된다. 또한, 액티브 영역(AA)에 배치된 화소에는 상기 신호 배선을 통해 인가되는 신호의 전달을 스위칭하기 위한 복수의 박막 트랜지스터가 형성되며, 상기 복수의 박막 트랜지스터에 의해 구동되어 발광하는 발광소자가 형성된다.
상기 더미 영역(DA)은 액티브 영역(AA)을 둘러싸도록 배치된다.
구체적으로, 더미 영역(DA)은 액티브 영역(AA)의 상하좌우 외곽에 배치된다. 더미 영역(DA)에는 복수의 더미 화소가 배치되고, 복수의 더미 화소 각각에는 더미 발광 영역이 마련된다. 더미 영역(DA)은 화상을 표시하는 표시 영역이 아니기 때문에, 더미 영역(DA)에 배치된 더미 화소는 액티브 영역(AA)에 배치된 화소와는 상이한 구조로 이루어진다. 예를 들어, 더미 영역(DA)에 구비된 더미 화소는 신호 배선, 박막 트랜지스터, 및 발광소자 중 적어도 하나를 구비하지 않거나 또는 불완전하게 구비함으로써, 더미 영역(DA)에 구비된 더미 화소에서는 발광이 일어나지 않는다. 더미 영역(DA)에서 발광이 일어나면 더미 영역(DA)에서 발생된 누설 광에 의해서 전계발광 표시 장치의 화상품질이 저하될 수 있다.
이와 같은 더미 영역(DA)은 액티브 영역(AA)의 중앙부와 외곽부 사이의 공정 오차 발생을 방지하는 역할을 한다. 이에 대해서 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
액티브 영역(AA)에 복수의 화소를 형성하기 위해서는 다수의 적층 공정과 다수의 마스크 공정이 수행된다. 상기 적층 공정은 물리적 증착 공정, 화학적 증착 공정, 코팅 공정, 또는 잉크젯 공정 등을 통해서 소정의 절연층, 금속층, 또는 유기층 등을 형성하는 공정이고, 상기 마스크 공정은 적층 공정에 의해 형성된 절연층, 금속층, 또는 유기층 등을 당업계에 공지된 포토리소그라피 공정을 통해 소정의 형태로 패턴 형성하는 공정이다.
이와 같이 액티브 영역(AA)에 다수의 적층 공정과 다수의 마스크 공정을 수행할 경우 공정 특성상 액티브 영역(AA)의 중앙부와 가장자리 사이에 공정 오차가 발생할 가능성이 있다. 따라서, 액티브 영역(AA)의 가장자리에 더미 영역(DA)을 형성함으로써, 오차가 발생한다 하더라도 그 오차가 액티브 영역(AA) 내부에 발생하지 않고 더미 영역(DA)에 발생하도록 한다.
특히, 발광소자 내의 발광층을 잉크젯 공정으로 형성할 경우, 발광층의 건조가 기판의 중앙부와 가장자리 사이에서 차이가 발생할 수 있는데, 이 경우에 더미 영역(DA)이 마련되지 있지 않으면, 액티브 영역(AA)의 중앙부와 가장자리 사이의 발광이 균일하지 않게 되는 문제가 발생할 수 있다.
따라서, 액티브 영역(AA)의 외곽에 더미 영역(DA)이 형성됨으로써, 발광소자 내의 발광층을 잉크젯 공정으로 형성하는 경우에 있어서, 액티브 영역(AA)과 더미 영역(DA) 사이에 발광층의 건조가 불 균일하게 될 수는 있지만 액티브 영역(AA) 내부에서는 전체적으로 발광층의 건조가 균일하게 될 수 있다.
상기 패드 영역(PA)은 더미 영역(DA)의 외곽에 배치된다.
상기 패드 영역(PA)에는 게이트 구동부 또는 데이터 구동부 등의 회로 구동부가 마련되어 있다. 상기 회로 구동부는 더미 영역(DA)의 상하좌우 중 적어도 하나의 외곽에 형성될 수 있다. 패드 영역(PA)에 마련되는 회로 구동부는 더미 영역(DA)을 경유하여 액티브 영역(AA) 내에 회로 소자에 연결되어 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 액티브 영역 및 더미 영역의 화소들을 도시한 개략적인 평면도이다.
도 3에서 알 수 있듯이, 기판(100) 상에는 액티브 영역(AA)이 배치되고, 액티브 영역(AA)의 외곽에는 더미 영역(DA)이 배치된다. 상기 더미 영역(DA)의 외곽에는 패드 영역(PA)이 배치되며, 패드들이 배치된다. 도 3은 상기 기판(100)의 좌상측 영역을 간략하게 도시한 것이다.
상기 액티브 영역(AA)에는 복수의 화소(P)들이 배치된다. 상기 복수의 화소(P)들은 적색의 광을 방출하는 적색 화소, 녹색의 광을 방출하는 녹색 화소, 및 청색의 광을 방출하는 청색 화소를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
이러한, 복수의 화소(P)들은 뱅크(400)에 의해서 발광 영역이 정의된다. 상기 뱅크(400)는 복수의 화소(P)들의 가장자리를 둘러싸도록 배치된다. 이때, 복수의 화소(P)들 사이에는 제2 전극과 보조 전극을 전기적으로 연결하기 위한 컨택부(CNT)가 마련된다. 상기 컨택부(CNT)는 뱅크(400)에 홀을 마련함으로써 보조 전극이 노출되는 영역이다.
복수의 화소(P)들은 도 3에 도시된 바와 같이 행렬로 배열될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 당업계에 공지된 다양한 형태로 변경될 수 있다.
상기 더미 영역(DA)에는 복수의 더미 화소(DP)들이 배치된다. 복수의 더미 화소(DP) 중 일부는 화소(P)가 배열된 열과 상이한 열에 배열될 수 있다. 또한, 복수의 더미 화소(DP) 중 일부는 화소(P)가 배열된 열과 동일한 열에 배열될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 단면도로서, 도 3의 I-I’의 단면도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 유기발광소자를 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 4에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 기판(100) 상에 배치된 액티브 영역(AA), 더미 영역(DA), 및 패드 영역(PA)을 포함한다.
상기 기판(100)은 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 기판(100)은 투명한 재료로 이루어질 수도 있고 불투명한 재료로 이루어질 수도 있다.
기판(100) 상에는 차광층(110)이 배치될 수 있다. 상기 차광층(110)은 기판(100)과 액티브층(210) 사이에 추가로 구비되어 액티브층(210)으로 광이 진입하는 것을 차단함으로써 액티브층(210)이 열화되는 것을 방지할 수 있다. 이러한 차광층(110)은 하부 차광층(111) 및 상부 차광층(112)을 포함할 수 있다.
상기 하부 차광층(111)은 기판(100)과 상부 차광층(112) 사이에 형성되어, 기판(100)과 상부 차광층(112) 사이의 접착력을 증진시키는 역할을 할 수 있다. 또한, 하부 차광층(111)은 상부 차광층(112)의 하면을 보호함으로써, 상부 차광층(112)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 하부 차광층(111)의 산화도는 상부 차광층(112)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 하부 차광층(111)을 이루는 물질이 상부 차광층(112)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다. 이와 같이, 상부 차광층(112)은 접착력 증진층 또는 부식 방지층의 역할을 수행하는 것으로서, 몰리브덴과 티타늄의 합금(MoTi) 또는 티타늄(Ti)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 상부 차광층(112)은 하부 차광층(111) 상에 형성된다. 상부 차광층(112)은 저항이 낮은 금속인 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상부 차광층(112)은 하부 차광층(111)에 비하여 상대적으로 저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 상부 차광층(112)은 드레인 전극(265)과 연결될 수 있으며, 드레인 전극(265)의 저항을 줄이기 위해서 상부 차광층(112)의 두께는 하부 차광층(111)의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 바람직할 수 있다.
또한, 기판(100) 상에는 버퍼막(120)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼막(120)은 투습에 취약한 기판(100)을 통해 침투하는 수분으로부터 박막 트랜지스터를 보호하기 위해 기판(100) 및 차광층(110) 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 발광된 광이 상부 쪽으로 방출되는 상부 발광(Top emisison) 방식으로 이루어질 수 있으며, 이 경우 기판(100)의 재료로 투명한 재료뿐만 아니라 불투명한 재료가 이용될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 발광된 광이 하부쪽으로 방출되는 하부 발광(Bottom emisison) 방식으로 이루어질 수 있으며, 이 경우 기판(100)의 재료로 투명한 재료가 이용될 수 있다.
기판(100) 상의 액티브 영역(AA)에는 회로 소자층(200), 제1 전극(310), 보조 전극(320), 뱅크(400), 발광층(500), 및 제2 전극(600)이 형성된다.
상기 회로 소자층(200)은 기판(100) 상에 형성된다. 회로 소자층(200)은 액티브층(210), 게이트 절연막(220), 게이트 전극(230), 보조 배선(240), 층간 절연막(250), 소스 전극(260), 드레인 전극(265), 연결 배선(270), 패시베이션층(280), 및 평탄화층(290)을 포함할 수 있다.
상기 액티브층(210)은 기판(100) 상에 형성된다. 액티브층(210)은 실리콘계 반도체 물질 또는 산화물 반도체 물질로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 게이트 절연막(220)은 액티브층(210) 상에 형성되어, 액티브층(210)과 게이트 전극(230)을 절연시킨다.
상기 게이트 전극(230)은 게이트 절연막(220) 상에 형성된다. 이러한 게이트 전극(230)은 하부 게이트 전극(231) 및 상부 게이트 전극(232)을 포함할 수 있다.
상기 하부 게이트 전극(231)은 게이트 절연막(220)과 상부 게이트 전극(232) 사이에 형성되어, 게이트 절연막(220)과 상부 게이트 전극(232) 사이의 접착력을 증진시키는 역할을 할 수 있다. 또한, 하부 게이트 전극(231)은 상부 게이트 전극(232)의 하면을 보호함으로써, 상부 게이트 전극(232)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 하부 게이트 전극(231)의 산화도는 상부 게이트 전극(232)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 하부 게이트 전극(231)을 이루는 물질이 상부 차광층(112)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다. 이와 같이, 상부 게이트 전극(232)은 접착력 증진층 또는 부식 방지층의 역할을 수행하는 것으로서, 몰리브덴과 티타늄의 합금(MoTi) 또는 티타늄(Ti)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 상부 게이트 전극(232)은 하부 게이트 전극(231) 상에 형성된다. 상부 게이트 전극(232)은 저항이 낮은 금속인 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상부 게이트 전극(232)은 하부 게이트 전극(231)에 비하여 상대적으로 저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 게이트 전극(230)의 저항을 줄이기 위해서 상부 게이트 전극(232)의 두께는 하부 게이트 전극(231)의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 바람직할 수 있다.
상기 보조 배선(240)은 게이트 전극(230)과 동일한 층에 배치되며, 게이트 전극(230)과 이격되어 배치된다. 보조 배선(240)은 게이트 전극(230)과 동일한 공정을 통하여 동시에 형성될 수 있으며, 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 보조 배선(240)은 하부 보조 배선(241) 및 상부 보조 배선(242)을 포함할 수 있으며, 상기 하부 보조 배선(241) 및 상부 보조 배선(242)은 하부 게이트 전극(231) 및 상부 게이트 전극(232)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
보조 배선(240)은 후술될 보조 전극(320)과 전기적으로 연결된다. 보조 배선(240)이 보조 전극(320)과 전기적으로 연결됨으로써 보조 전극(320) 및 제2 전극(600)의 저항을 낮출 수 있다.
상기 층간 절연막(250)은 게이트 전극(230) 상에 형성되어, 게이트 전극(230)을 소스 및 드레인 전극(260, 265)과 절연시킨다.
상기 소스 전극(260)과 상기 드레인 전극(265)은 층간 절연막(250) 상에서 서로 마주하면서 이격된다. 소스 전극(260)과 드레인 전극(265)은 각각 층간 절연막(250)에 마련된 콘택홀을 통해서 액티브층(210)의 일단과 타단에 연결된다. 이러한 소스 전극(260)은 하부 소스 전극(261), 중부 소스 전극(262), 및 상부 소스 전극(263)을 포함할 수 있으며, 드레인 전극(265)은 하부 드레인 전극(266), 중부 드레인 전극(267), 및 상부 드레인 전극(268)을 포함할 수 있다.
상기 하부 소스 및 드레인 전극(261, 266)은 층간 절연막(150)과 중부 소스 및 드레인 전극(262, 267) 사이에 형성되어, 층간 절연막(150)과 중부 소스 및 드레인 전극(262, 267) 사이의 접착력을 증진시키는 역할을 할 수 있다. 또한, 하부 소스 및 드레인 전극(261, 266)은 중부 소스 및 드레인 전극(262, 267)의 하면을 보호함으로써 중부 소스 및 드레인 전극(262, 267)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 하부 소스 및 드레인 전극(261, 266)의 산화도는 중부 소스 및 드레인 전극(262, 267)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 하부 소스 및 드레인 전극(261, 266)을 이루는 물질이 중부 소스 및 드레인 전극(262, 267)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다. 이와 같이, 하부 소스 및 드레인 전극(261, 266)은 접착력 증진층 또는 부식 방지층의 역할을 수행하는 것으로서, 몰리브덴과 티타늄의 합금(MoTi)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 중부 소스 및 드레인 전극(262, 267)은 하부 소스 및 드레인 전극(261, 266)과 상부 소스 및 드레인 전극(263, 268) 사이에 형성된다. 중부 소스 및 드레인 전극(262, 267)은 저항이 낮은 금속인 구리(Cu)로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 중부 소스 및 드레인 전극(262, 267)은 하부 소스 및 드레인 전극(261, 266)에 비하여 상대적으로 저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 소스 및 드레인 전극(260, 265)의 전체 저항을 줄이기 위해서 중부 소스 및 드레인 전극(262, 267)의 두께는 하부 소스 및 드레인 전극(261, 266)의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 바람직할 수 있다.
상기 상부 소스 및 드레인 전극(263, 268)은 중부 소스 및 드레인 전극(262, 267)과 패시베이션층(280) 사이에 형성되어 중부 소스 및 드레인 전극(262, 267)과 패시베이션층(280) 사이의 접착력을 증진시키는 역할을 할 수 있다. 또한, 상부 소스 및 드레인 전극(263, 268)은 중부 소스 및 드레인 전극(262, 267)의 상면을 보호함으로써 중부 소스 및 드레인 전극(262, 267)의 상면이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 상부 소스 및 드레인 전극(263, 268)의 산화도는 중부 소스 및 드레인 전극(262, 267)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상부 소스 및 드레인 전극(263, 268)을 이루는 물질이 중부 소스 및 드레인 전극(262, 267)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다. 이와 같이, 상부 소스 및 드레인 전극(263, 268)은 접착력 증진층 또는 부식 방지층의 역할을 수행하는 것으로서, ITO와 같은 투명 도전물로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 연결 배선(270)은 소스 및 드레인 전극(260, 265)과 동일한 층에 배치되며, 소스 및 드레인 전극(260, 265)과 이격되어 배치된다. 연결 배선(270)은 소스 및 드레인 전극(260, 265)과 동일한 공정을 통하여 동시에 형성될 수 있으며, 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 연결 배선(270)은 하부 연결 배선(271), 중부 연결 배선(272), 및 상부 연결 배선(273)을 포함할 수 있다.
상기 하부 연결 배선(271)은 하부 소스 및 드레인 전극(261, 266)과 동일한 물질 및 동일한 두께로 형성될 수 있고, 상기 중부 연결 배선(272)은 중부 소스 및 드레인 전극(262, 267)과 동일한 물질 및 동일한 두께로 형성될 수 있다. 또한, 상기 상부 연결 배선(273)은 상부 소스 및 드레인 전극(263, 268)과 동일한 물질 및 동일한 두께로 형성될 수 있는데, 이 경우 연결 배선(270)과 소스 및 드레인 전극(260, 265)을 동일한 공정을 통해 동시에 형성할 수 있는 장점이 있다.
이러한 연결 배선(270)은 후술될 보조 전극(320)과 전기적으로 연결된다. 연결 배선(270)이 보조 전극(320)과 전기적으로 연결됨으로써 보조 전극(320) 및 제2 전극(600)의 저항을 낮출 수 있다.
상기 패시베이션층(280)은 소스 전극(260), 드레인 전극(265), 및 연결 배선(270) 상에 형성되어, 박막 트랜지스터를 보호한다.
상기 평탄화층(290)은 패시베이션층(280) 상에 형성되어 기판(100) 위의 표면을 평탄화시킨다.
이와 같이, 회로 소자층(200)은 액티브층(210), 게이트 전극(230), 소스 전극(260), 및 드레인 전극(265)을 구비한 박막 트랜지스터를 포함한다. 도 4에는 게이트 전극(230)이 액티브층(210)의 위에 형성되는 탑 게이트(Top Gate) 구조의 박막 트랜지스터를 도시하였지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 게이트 전극(230)이 액티브층(210)의 아래에 형성되는 바텀 게이트(Bottom Gate) 구조의 박막 트랜지스터가 상기 회로 소자층(200)에 형성될 수도 있다.
상기 회로 소자층(200)에는 각종 신호 배선들, 박막 트랜지스터, 및 커패시터 등을 포함하는 회로 소자가 화소 별로 배치된다. 상기 신호 배선들은 게이트 배선, 데이터 배선, 전원 배선, 및 기준 배선을 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터 및 센싱 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 도 4에 도시된 박막 트랜지스터는 구동 박막 트랜지스터에 해당한다.
상기 스위칭 박막 트랜지스터는 게이트 배선에 공급되는 게이트 신호에 따라 스위칭되어 데이터 배선으로부터 공급되는 데이터 전압을 구동 박막 트랜지스터에 공급하는 역할을 한다.
상기 구동 박막 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터로부터 공급되는 데이터 전압에 따라 스위칭되어 전원 배선에서 공급되는 전원으로부터 데이터 전류를 생성하여 제1 전극(310)에 공급하는 역할을 한다.
상기 센싱 박막 트랜지스터는 화질 저하의 원인이 되는 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압 편차를 센싱하는 역할을 하는 것으로서, 게이트 배선 또는 별도의 센싱 배선에서 공급되는 센싱 제어 신호에 응답하여 상기 구동 박막 트랜지스터의 전류를 상기 기준 배선으로 공급한다.
상기 커패시터는 구동 박막 트랜지스터에 공급되는 데이터 전압을 한 프레임 동안 유지시키는 역할을 하는 것으로서, 구동 박막 트랜지스터의 게이트 단자 및 소스 단자에 각각 연결된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치가 상부 발광 방식인 경우, 박막 트랜지스터가 발광층(500)의 하부에 배치되더라도 박막 트랜지스터에 의해 광 방출이 영향을 받지 않기 때문에, 박막 트랜지스터가 발광층(500)의 하부에 배치될 수 있다.
상기 제1 전극(310)은 회로 소자층(200) 상에 형성된다. 제1 전극(310)은 복수의 화소(P)들 별로 패턴 형성되며, 전계발광 표시 장치의 양극(Anode)으로 기능할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치가 상부 발광 방식인 경우, 제1 전극(310)은 발광층(500)에서 발광된 광을 상부쪽으로 반사시키기 위한 반사물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 전극(310)은 투명한 도전물질과 반사물질의 적층구조로 이루어질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치가 하부 발광 방식인 경우, 제1 전극(310)은 투명한 도전물질로 이루어진다.
제1 전극(310)은 평탄화층(290)과 패시베이션층(280)에 마련된 콘택홀을 통해서 박막 트랜지스터의 드레인 전극(265)과 연결된다. 제1 전극(310)이 평탄화층(290)과 패시베이션층(280)에 마련된 콘택홀을 통해서 박막 트랜지스터의 소스 전극(260)과 연결되는 것도 가능하다.
상기 보조 전극(320)은 제1 전극(310)과 동일한 층에 배치되며, 제1 전극(310)과 이격되어 배치된다. 보조 전극(320)은 제1 전극(310)과 동일한 공정을 통하여 동시에 형성될 수 있으며, 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
보조 전극(320)은 제2 전극(600)과 전기적으로 연결된다. 보조 전극(320)은 제2 전극(600)과 전기적으로 연결됨으로써 제2 전극(600)의 저항을 낮출 수 있다.
이러한, 보조 전극(320)은 하부 보조 전극(321), 중부 보조 전극(322), 및 상부 보조 전극(323)을 포함할 수 있으며, 제1 전극(310)은 하부 제1 전극(311), 중부 제1 전극(312), 및 상부 제1 전극(313)을 포함할 수 있다.
상기 하부 제1 전극(311) 및 하부 보조 전극(321) 각각은 평탄화층(290)과 중부 제1 전극(312) 및 중부 보조 전극(322) 사이에 형성되어, 평탄화층(290)과 중부 제1 전극(312) 및 중부 보조 전극(322) 사이의 접착력을 증진시키는 역할을 할 수 있다. 또한, 하부 제1 전극(311) 및 하부 보조 전극(321) 각각은 중부 제1 전극(312) 및 중부 보조 전극(322)의 하면을 보호함으로써 중부 제1 전극(312) 및 중부 보조 전극(322)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 하부 제1 전극(311) 및 하부 보조 전극(321)의 산화도는 중부 제1 전극(312) 및 중부 보조 전극(322)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 하부 제1 전극(311) 및 하부 보조 전극(321)을 이루는 물질이 중부 제1 전극(312) 및 중부 보조 전극(322)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다. 이와 같이, 하부 제1 전극(311) 및 하부 보조 전극(321)은 접착력 증진층 또는 부식 방지층의 역할을 수행하는 것으로서, 몰리브덴과 티타늄의 합금(MoTi)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 중부 제1 전극(312) 및 중부 보조 전극(322) 각각은 하부 제1 전극(311) 및 하부 보조 전극(321)과 상부 제1 전극(313) 및 상부 보조 전극(323) 사이에 형성된다. 중부 제1 전극(312) 및 중부 보조 전극(322)은 저항이 낮은 금속인 구리(Cu)로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 중부 제1 전극(312) 및 중부 보조 전극(322)은 하부 제1 전극(311) 및 하부 보조 전극(321)에 비하여 상대적으로 저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 제1 전극(310) 및 보조 전극(320)의 전체 저항을 줄이기 위해서 중부 제1 전극(312) 및 중부 보조 전극(322)의 두께는 하부 제1 전극(311) 및 하부 보조 전극(321)의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 바람직할 수 있다.
상기 상부 제1 전극(313) 및 상부 보조 전극(323)은 중부 제1 전극(312) 및 중부 보조 전극(322)의 상면을 보호함으로써 중부 제1 전극(312) 및 중부 보조 전극(322)의 상면이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 상부 제1 전극(313) 및 상부 보조 전극(323)의 산화도는 중부 제1 전극(312) 및 중부 보조 전극(322)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상부 제1 전극(313) 및 상부 보조 전극(323)을 이루는 물질이 중부 제1 전극(312) 및 중부 보조 전극(322)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다. 이와 같이, 상부 제1 전극(313) 및 상부 보조 전극(323)은 접착력 증진층 또는 부식 방지층의 역할을 수행하는 것으로서, ITO와 같은 투명 도전물로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 뱅크(400)는 복수의 화소(P)들 사이에 형성된다. 뱅크(400)는 전체적으로 매트릭스 구조로 형성되면서 개별 화소(P) 내에 발광 영역을 정의한다. 뱅크(400)는 제1 전극(310) 및 보조 전극(320) 각각의 양끝 단을 가리면서 평탄화층(290) 상에 형성된다. 따라서, 복수의 화소(P) 별로 패턴 형성된 복수의 제1 전극(310) 및 보조 전극(320)들이 뱅크(400)에 의해 절연될 수 있다.
상기 발광층(500)은 제1 전극(310) 상에 형성된다. 발광층(500)은 복수의 화소(P)들마다 서로 상이한 색상의 광을 발광하도록 마련될 수 있다. 예로서, 발광층(500)은 적색의 광, 녹색의 광, 및 청색의 광을 발광하도록 마련될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 발광층(500)은 백색(White)의 광을 발광하도록 마련될 수도 있으며, 이 경우에는 발광층(500)에서 발광된 광의 진행경로에 복수의 화소(P)별로 컬러 필터가 추가로 구비될 수 있다.
도 5를 참조하면, 이와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광층(500)은 제1 발광층(510), 버퍼층(520), 및 제2 발광층(530)을 포함한다.
상기 제1 발광층(510)은 제1 전극(310) 상에 형성된다. 제1 발광층(510)은 뱅크(400)에 의해 정의된 발광 영역에 형성된다. 제1 발광층(510)은 정공 주입층(Hole Injecting Layer; HIL), 정공 수송층(Hole Transporting Layer; HTL), 및 발광 물질층(Emitting Material Layer; EML)을 포함할 수 있다. 상기 발광 물질층(EML)은 적색 화소에서 적색의 광을 방출하는 적색 발광 물질층(EML(R))이고, 녹색 화소에서 녹색의 광을 방출하는 녹색 발광 물질층(EML(G))이며, 청색 화소에서 청색의 광을 방출하는 청색 발광 물질층(EML(B))이다. 이러한 제1 발광층(510)은 잉크젯 공정으로 형성된다. 구체적으로, 제1 발광층(510)은 잉크젯 장비 등을 이용한 잉크젯 공정으로 마스크 없이 복수의 화소(P) 별로 패턴 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(520)은 제1 발광층(510) 상에 형성된다. 버퍼층(520)은 뱅크(400)에 의해 정의된 발광 영역에 형성된다. 버퍼층(520)은 잉크젯 장비 등을 이용한 잉크젯 공정으로 마스크 없이 복수의 화소(P) 별로 패턴 형성될 수 있다. 즉, 버퍼층(520)은 보조 전극(320)과 제2 전극(600) 사이에 형성되지 않으며, 제1 발광층(510) 상부에만 형성되기 때문에, 전도성 물질로 형성할 필요가 없다. 이러한 버퍼층(520)은 비전도성 물질로 이루어질 수 있기 때문에 소자 성능 향상에 제한이 없으며, 따라서 화소의 특성에 따라 필요한 기능을 가진 기능층 역할을 할 수 있다.
특히, 버퍼층(520)은 청색 화소에 배치되며, 따라서 청색 발광 물질층(EML(B)) 상에 배치된다. 청색 발광 물질층(EML(B))은 낮은 T1 전압 레벨로 인하여 결합한 엑시톤, 전자, 또는 정공들이 인접한 수송층들로 전이되어, 적색 발광 물질층(EML(R)) 및 녹색 발광 물질층(EML(G)) 보다 발광효율이 저하되는 특성이 있다. 따라서, 버퍼층(520)은 청색 발광 물질층(EML(B)) 보다 높은 T1 전압 레벨을 가지며, 낮은 Homo(Highest Occupied Molecular Orbital) 레벨 값을 가진 물질로 이루어지며, 청색 발광 물질층(EML(B)) 상에 형성되어 청색 발광 물질층(EML(B))의 소자 성능을 향상시킨다.
이러한, 버퍼층(520)은 카바졸(Carbazole)을 포함하는 물질 또는 플루오렌(Fluorene)이나 아크리딘(Acridine)을 포함하는 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 버퍼층(520)은 아릴아민 염기 계열(Arylamine Base)이나, 스탈버스트 아로메틱 아민 계열(Starbust aromatic amine), 스파이로 타입(Spiro type)의 물질로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질, 또는 하나 이상의 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
또한, 버퍼층(520)은 폴리머(polymer), 올리고머(oligomer), 또는 분자량이 800이상인 모노머(monomer)로 이루어질 수 있으며, 알킬기를 가진 물질로 이루어질 수 있다. 상기 폴리머(polymer), 올리고머(oligomer), 모노머(monomer), 및 알킬기를 가진 물질은 증착 공정을 통해서는 사용할 수 없는 재료들로, 버퍼층(520)은 잉크젯 공정으로 형성된다. 이와 같이, 잉크젯 공정으로 형성된 제1 발광층(510) 상에 증착 공정이 아닌 잉크젯 공정으로 버퍼층(520)을 형성하기 때문에, 제1 발광층(510)과 버퍼층(520) 계면간의 이슈를 최소화 할 수 있다.
또한, 버퍼층(520)은 상부 표면의 거칠기(roughness)가 작게 이루어지는 물질로 이루어진다. 따라서, 버퍼층(520) 상에 증착 공정을 통해 제2 발광층(530)이 형성되더라도, 계면간의 이슈를 감소시킬 수 있다. 또한, 제1 발광층(510) 상에 제2 발광층(530)을 증착 형성하지 않고, 제1 발광층(510) 상에 버퍼층(520)을 잉크젯 공정으로 형성한 뒤에, 버퍼층(520) 상에 제2 발광층(530)을 증착 공정으로 형성하기 때문에 제1 발광층(510) 상면을 보호할 수 있다.
한편, 버퍼층(520)은 전자 수송층(Electron Transporting Layer; ETL)로 기능할 수도 있다.
상기 제2 발광층(530)은 버퍼층(520) 및 보조 전극(320) 상에 형성된다. 제2 발광층(530)은 패드 영역(PA)을 제외하고, 기판(100) 상에 전체적으로 증착 공정을 통해 형성될 수 있다. 따라서, 제2 발광층(530)은 뱅크(400)의 상면에도 형성될 수 있다. 제2 발광층(530)은 보조 전극(320)과 제2 전극(600) 사이에 배치되기 때문에, 보조 전극(320)과 제2 전극(600)을 전기적으로 연결하기 위해서 도전성 물질로 이루어지며, 일 예로 금속으로 이루어질 수 있다. 따라서, 보조 전극(320)은 제2 발광층(530)을 통해서 제2 전극(600)과 전기적으로 연결된다. 이러한, 제2 발광층(530)은 전자 주입층(Electron Injecting Layer; EIL)을 포함할 수 있다.
상기 제2 전극(600)은 발광층(500) 상에 형성되며, 보다 구체적으로는 제2 발광층(530) 상에 형성된다. 제2 전극(600)은 전계발광 표시 장치의 음극(Cathode)으로 기능할 수 있다. 제2 전극(600)은 발광층(500) 뿐만 아니라 뱅크(400) 상에도 형성될 수 있다. 따라서, 제2 전극(600)은 복수의 화소(P)에 공통된 전압을 인가하는 공통 전극으로 기능할 수 있다.
제2 전극(600) 상에는 봉지층(미도시)이 형성될 수 있다. 봉지층은 액티브 영역(AA)을 덮도록 배치되며, 더미 영역(DA)까지 덮도록 배치될 수 있다. 봉지층은 박막 트랜지스터 및 발광층(500)등에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 위해, 봉지층은 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다.
기판(100) 상의 더미 영역(DA)에는 회로 소자층(200), 뱅크(400), 더미 발광층(500), 및 제2 전극(600)이 형성될 수 있다.
상기 더미 영역(DA)에 형성된 회로 소자층(200)은 액티브 영역(AA)에 형성된 회로 소자층(200)과 동일한 구조로 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다.
다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 더미 영역(DA)에 형성된 회로 소자층(200)은 게이트 배선, 데이터 배선, 전원 배선, 및 기준 배선 등의 신호 배선 중 일부가 구비되지 않거나 또는 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터 중 일부가 구비되지 않을 수 있으며, 그에 따라 더미 영역(DA)에서 발광이 일어나지 않을 수 있다. 경우에 따라, 더미 영역(DA)에 형성된 회로 소자층(200)은 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터 중 어느 하나가 동작하지 않도록 불완전하게 구성될 수도 있다.
상기 더미 영역(DA)에 형성된 뱅크(400)는 복수의 더미 화소(DP)들 사이에 형성된다. 더미 영역(DA)에 형성된 뱅크(400)는 개별 더미 화소(DP) 내에 더미 발광 영역을 정의한다. 도면에는 더미 영역(DA)에 하나의 더미 화소(DP)만을 도시하였지만, 더미 영역(DA)에는 복수의 더미 화소(DP)가 형성된다.
더미 영역(DA)에 형성된 뱅크(400)는 액티브 영역(AA)에 형성된 뱅크(400)와 유사하게 전체적으로 매트릭스 구조로 형성되어 개별 더미 화소(DP) 내에 더미 발광 영역을 정의한다. 결국, 뱅크(400)는 액티브 영역(AA)과 더미 영역(DA) 전체에서 매트릭스 구조로 형성된다.
상기 더미 영역(DA)에 형성된 더미 발광층(500)은 회로 소자층(200) 상에 형성된다. 더미 영역(DA)에 배치된 더미 발광층(500)은 액티브 영역(AA)에 배치된 발광층(500)과 동일한 물질로 동일한 두께로 형성될 수 있다.
더미 영역(DA)은 화상을 표시하는 표시 영역이 아니기 때문에, 더미 영역(DA)에 배치된 더미 화소(DP)는 발광이 일어나지 않도록 구성된다. 더미 영역(DA)에서 발광이 일어나면 더미 영역(DA)에서 발생된 누설광에 의해서 전계발광 표시 장치의 표시품질이 저하될 수 있다.
이와 같이 더미 화소(DP)에서 발광이 일어나지 않도록 하기 위해서, 더미 영역(DA)에 배치된 회로 소자층(200)에 박막 트랜지스터를 구성하지 않거나, 더미 영역(DA)에 제1 전극을 배치하지 않을 수 있다.
상기 더미 영역(DA)에 형성된 제2 전극(600)은 액티브 영역(AA)에 형성된 제2 전극(600)에서 연장된 구조로 형성될 수 있다. 다만, 더미 영역(DA)에는 제2 전극(600)이 형성되지 않을 수도 있으며, 그에 따라 상기 더미 영역(DA)에서 발광이 일어나지 않을 수 있다.
기판(100) 상의 패드 영역(PA)에는 패드(700)가 형성된다. 상기 패드(700)는 신호 패드(710) 및 패드 전극(720)을 포함할 수 있다.
상기 신호 패드(710)는 절연막(225) 상에 형성될 수 있다. 신호 패드(710)는 액티브 영역(AA)의 게이트 전극(230)과 동일한 층에 형성될 수 있다. 이러한 신호 패드(710)는 하부 신호 패드(711) 및 상부 신호 패드(712)를 포함할 수 있다.
상기 하부 신호 패드(711)은 하부 게이트 전극(231)과 동일한 물질 및 동일한 두께로 형성될 수 있고, 상기 상부 신호 패드(712)은 상부 게이트 전극(232)과 동일한 물질 및 동일한 두께로 형성될 수 있다. 이 경우, 신호 패드(710)와 게이트 전극(230)은 동일한 공정을 통해 동시에 형성될 수 있는 장점이 있다.
상기 패드 전극(720)은 층간 절연막(250) 상에 형성된다. 패드 전극(720)은 액티브 영역(AA)의 소스 및 드레인 전극(260, 265)과 동일한 층에 형성될 수 있다. 패드 전극(720)은 컨택홀을 통하여 신호 패드(710)와 연결된다. 패드 전극(720)은 외부로 노출되어 외부의 구동부와 연결된다. 이러한 패드 전극(720)은 하부 패드 전극(721), 중부 패드 전극(722), 및 상부 패드 전극(723)을 포함할 수 있다.
상기 하부 패드 전극(721)은 하부 소스 및 드레인 전극(261, 266)과 동일한 물질 및 동일한 두께로 형성될 수 있고, 상기 중부 패드 전극(722)은 중부 소스 및 드레인 전극(262, 267)과 동일한 물질 및 동일한 두께로 형성될 수 있으며, 상기 상부 패드 전극(723)은 상부 소스 및 드레인 전극(263, 268)과 동일한 물질 및 동일한 두께로 형성될 수 있다. 이 경우, 패드 전극(720)과 소스 및 드레인 전극(260, 265)은 동일한 공정을 통해 동시에 형성될 수 있는 장점이 있다.
이와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 제1 발광층(510) 상에 버퍼층(520)을 잉크젯 공정을 통해 형성함으로써, 버퍼층(520)을 제1 발광층(510) 상에만 형성할 수 있어, 버퍼층(520)을 비도전성 물질로 형성할 수 있으며, 따라서 청색 화소의 소자 성능을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 제1 발광층(510) 상에 버퍼층(520)을 잉크젯 공정을 통해 형성함으로써, 잉크젯 공정으로 형성되는 제1 발광층(510)과 증착 공정으로 형성되는 제2 발광층(530)의 계면간 이슈를 감소시켜 유기발광소자의 효율 및 수명이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
도 6 내지 도 9는 종래의 전계발광 표시 장치와 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치를 비교하는 그래프이다.
종래의 전계발광 표시 장치는 유기발광소자가 버퍼층 없이 제1 전극, 제1 발광층, 제2 발광층, 및 제2 전극으로 이루어진다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 도 4 및 도 5에서 전술한 바와 같이, 유기발광소자가 제1 전극, 제1 발광층, 버퍼층, 제2 발광층, 및 제2 전극으로 이루어진다.
도 6은 종래의 전계발광 표시 장치와 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 구동 전압을 비교하는 그래프이다.
도 6을 참조하면, 종래의 전계발광 표시 장치는 전류밀도가 0~50(mA/cm2)일 때, 전압이 약 3~7(V)의 범위를 가진다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 전류밀도가 0~50(mA/cm2)일 때, 전압이 약 3~7.2(V)의 범위를 가진다. 이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 종래의 전계발광 표시 장치 보다 버퍼층(520)이 추가로 더 배치되지만, 구동 전압에는 거의 차이가 없다.
도 7은 종래의 전계발광 표시 장치와 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 전류 효율을 비교하는 그래프이다.
도 7을 참조하면, 패널 휘도가 0~2000(Cd/m2)일 때, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 전류 효율이 종래의 전계발광 표시 장치의 전류 효율보다 현저히 높다.
도 8은 종래의 전계발광 표시 장치와 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 수명을 비교하는 그래프이다.
도 8을 참조하면, 종래의 전계발광 표시 장치는 시간이 경과함에 따라, 발광도가 약 101(%)에서 약 83(%)까지 저하된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 종래의 전계발광 표시 장치와 같은 시간을 경과시키는 경우, 발광도가 약 101(%)에서 약 86(%)까지 저하된다. 이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 종래의 전계발광 표시 장치 보다 수명이 증가한다.
도 9는 종래의 전계발광 표시 장치와 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 파장별 광세기를 비교하는 그래프이다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 종래의 전계발광 표시 장치 보다 버퍼층(520)이 추가로 더 배치되지만, 파장별 광세기가 거의 유사하다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 기판 200: 회로 소자층
310: 제1 전극 320: 보조 전극
400: 뱅크 500: 발광층
600: 제2 전극 700: 패드

Claims (15)

  1. 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소들이 구비된 액티브 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 회로 소자층 및 보조 배선;
    상기 보조 배선 상에 배치된 연결 배선;
    상기 회로 소자층 상에 배치되는 제1 전극;
    상기 회로 소자층 상에 배치되며, 상기 제1 전극과 이격되어 배치되는 보조 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치되며, 발광 물질층을 포함하는 제1 발광층;
    상기 제1 발광층 상에 배치되며, 전자 수송층으로 기능하는 버퍼층;
    상기 버퍼층 및 상기 보조 전극 상에 배치되는 제2 발광층; 및
    상기 제2 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하며,
    상기 연결 배선을 통해 상기 보조 배선과 보조 전극이 전기적으로 연결되고,
    상기 연결 배선 및 보조 전극은 순서대로 적층된 하부층, 중부층 및 상부층을 포함하며, 상기 하부층 및 상부층의 산화도는 상기 중부층의 산화도보다 작고,
    상기 발광 물질층은 상기 적색 화소에 형성된 적색 발광 물질층, 상기 녹색 화소에 형성된 녹색 발광 물질층 및 상기 청색 화소에 형성된 청색 발광 물질층을 포함하고,
    상기 버퍼층은 상기 적색 및 녹색 발광 물질층 상면에는 배치되지 않고, 상기 청색 발광 물질층 상면에만 배치되고,
    상기 발광 물질층 및 상기 버퍼층은 잉크젯 공정으로 형성된, 전계발광 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 버퍼층은 비도전성 물질로 이루어진 전계발광 표시 장치.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 버퍼층은 상기 청색 발광 물질층 보다 높은 T1 전압 레벨을 가지며, 낮은 Homo 레벨 값을 가진 전계발광 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 버퍼층은 폴리머, 올리고머, 또는 분자량이 800이상인 모노머로 이루어진 전계발광 표시 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 버퍼층은 알킬기를 가진 물질로 이루어진 전계발광 표시 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 버퍼층은 카바졸을 포함하는 물질 또는 플루오렌이나 아크리딘 을 포함하는 물질로 이루어진 전계발광 표시 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 버퍼층은 아릴아민 염기 계열이나, 스탈버스트 아로메틱 아민 계열, 스파이로 타입의 물질로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질, 또는 하나 이상의 물질로 이루어진 전계발광 표시 장치.
  9. 삭제
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 발광층은 잉크젯 공정으로 형성되고, 상기 제2 발광층은 증착 공정으로 형성되는 전계발광 표시 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 발광층은 정공 주입층 및 정공 수송층을 더 포함하고,
    상기 제2 발광층은 전자 주입층을 포함하는 전계발광 표시 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 발광층은 도전성 물질로 이루어지며, 상기 보조 전극과 상기 제2 전극은 전기적으로 연결되는 전계발광 표시 장치.
  13. 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소들이 구비된 액티브 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치된 보조 배선;
    상기 보조 배선 상에 배치된 연결 배선
    상기 연결 배선 상에 서로 이격되어 배치된 제1 전극 및 보조 전극;
    상기 제1 전극 및 상기 보조 전극의 가장자리에 배치되어 상기 액티브 영역에 발광 영역을 정의하는 뱅크;
    상기 제1 전극 상에 마련된 발광 영역에 배치되며, 발광 물질층을 포함하는 제1 발광층;
    상기 제1 발광층 상에 배치되며, 전자 수송층으로 기능하는 버퍼층;
    상기 버퍼층 및 상기 보조 전극 상에 배치되는 제2 발광층; 및
    상기 제2 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하며,
    상기 연결 배선을 통해 상기 보조 배선과 보조 전극이 전기적으로 연결되고,
    상기 연결 배선 및 보조 전극은 순서대로 적층된 하부층, 중부층 및 상부층을 포함하며, 상기 하부층 및 상부층의 산화도는 상기 중부층의 산화도보다 작고,
    상기 버퍼층은 상기 청색 화소에 배치되고,
    상기 발광 물질층은 상기 적색 화소에 형성된 적색 발광 물질층, 상기 녹색 화소에 형성된 녹색 발광 물질층 및 상기 청색 화소에 형성된 청색 발광 물질층을 포함하고,
    상기 버퍼층은 상기 적색 및 녹색 발광 물질층 상면에는 배치되지 않고, 상기 청색 발광 물질층 상면에만 배치되고,
    상기 발광 물질층 및 버퍼층은 상기 잉크젯 공정으로 형성된, 전계발광 표시 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 버퍼층은 비도전성 물질로 이루어진 전계발광 표시 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 제1 발광층은 정공 주입층 및 정공 수송층을 더 포함하고,
    상기 제2 발광층은 전자 주입층을 포함하며,
    상기 제1 발광층은 잉크젯 공정으로 형성되고, 상기 제2 발광층은 증착 공정으로 형성되는 전계발광 표시 장치.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019008962A (ja) * 2017-06-23 2019-01-17 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法
KR102506035B1 (ko) * 2017-12-27 2023-03-03 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
WO2021062588A1 (zh) * 2019-09-30 2021-04-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板和显示装置
KR20210077097A (ko) * 2019-12-16 2021-06-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN111063716A (zh) * 2019-12-20 2020-04-24 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN113574678A (zh) * 2019-12-20 2021-10-29 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
CN111682057B (zh) * 2020-07-07 2021-09-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示面板的制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5884224B2 (ja) 2011-02-23 2016-03-15 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネルおよび有機ｅｌ表示装置

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004047215A (ja) * 2002-07-10 2004-02-12 Toshiba Corp 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ表示装置
GB2426376B (en) * 2005-05-19 2008-12-03 Cdt Oxford Ltd Light-emitting device
WO2010070798A1 (ja) * 2008-12-18 2010-06-24 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JP5819069B2 (ja) * 2011-01-20 2015-11-18 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示装置
JP5809234B2 (ja) * 2011-02-25 2015-11-10 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネルおよび有機ｅｌ表示装置
CN102884650A (zh) * 2011-05-11 2013-01-16 松下电器产业株式会社 有机el显示面板及有机el显示装置
WO2012169033A1 (ja) * 2011-06-09 2012-12-13 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスパネル及びその製造方法
WO2013031076A1 (ja) * 2011-09-02 2013-03-07 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネルおよびその製造方法
US9882143B2 (en) * 2012-02-07 2018-01-30 Samsung Display Co., Ltd. Amine-based compound and organic light-emitting diode including the same
KR101703343B1 (ko) * 2012-02-13 2017-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102098061B1 (ko) * 2012-03-19 2020-04-08 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR101560272B1 (ko) 2013-02-25 2015-10-15 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조 방법
DE102013103156B4 (de) * 2013-03-27 2017-09-14 Osram Oled Gmbh Strahlungsemittierende organisch-elektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden organisch-elektronischen Vorrichtung
KR102079254B1 (ko) * 2013-06-24 2020-02-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102104637B1 (ko) * 2013-06-28 2020-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
KR102084400B1 (ko) * 2013-08-30 2020-03-04 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광장치 및 그 제조방법
CN104418907A (zh) * 2013-09-03 2015-03-18 海洋王照明科技股份有限公司 一种蓝光有机电致发光材料及其制备方法和应用
JP6136890B2 (ja) * 2013-11-26 2017-05-31 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
KR102104978B1 (ko) * 2013-12-02 2020-04-27 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US10003041B2 (en) * 2014-08-21 2018-06-19 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode and organic light emitting display device including the same
KR102356592B1 (ko) * 2014-11-03 2022-01-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102313362B1 (ko) * 2014-12-02 2021-10-18 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102453043B1 (ko) * 2014-12-19 2022-10-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법
KR102258673B1 (ko) 2014-12-29 2021-05-31 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자와 그 제조 방법 및 그를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치
KR102288225B1 (ko) 2014-12-31 2021-08-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자와 그 제조 방법 및 그를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치
KR20160099979A (ko) * 2015-02-13 2016-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102452176B1 (ko) * 2015-05-29 2022-10-07 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 그 제조 방법
KR102516496B1 (ko) * 2015-07-23 2023-04-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR102334750B1 (ko) * 2015-08-10 2021-12-02 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102390441B1 (ko) * 2015-10-15 2022-04-26 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20180004488A (ko) * 2016-07-04 2018-01-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN107359256B (zh) * 2016-12-22 2019-03-12 广东聚华印刷显示技术有限公司 抗蓝光衰减的显示器件及显示装置
EP3425692B1 (en) * 2017-07-07 2023-04-05 Novaled GmbH Organic electroluminescent device comprising an electron injection layer with zero-valent metal
CN107785381B (zh) * 2017-10-13 2020-12-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板的制作方法及oled面板
US10756292B2 (en) * 2017-10-13 2020-08-25 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method of manufacturing an OLED panel and an OLED panel
KR102412455B1 (ko) * 2017-11-02 2022-06-24 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102617812B1 (ko) * 2018-05-10 2023-12-27 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5884224B2 (ja) 2011-02-23 2016-03-15 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネルおよび有機ｅｌ表示装置

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GB2570789B (en) 2020-06-17
GB201820512D0 (en) 2019-01-30
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CN110010660B (zh) 2023-06-20
US10727292B2 (en) 2020-07-28
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GB2570789A (en) 2019-08-07

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