KR102575861B1 - Method for manufacturing heavey copper printed circuit board - Google Patents
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Abstract
고중량 동박 인쇄회로기판의 제조방법은 고중량 동박을 마련하고, 고중량 동박의 두께에 따른 에칭 공정 조건에 따라 상기 고중량 동박의 하부면을 하프 에칭하고, 하프 에칭된 고중량 동박의 하부 에칭면에 프리 프레그 및 기판을 적층한 후 고온 가압하고, 하부 에칭면에 대응하는 상기 고중량 동박의 상부면을 하프 에칭하고, 하프 에칭된 고중량 동박의 상부 에칭면에 수지를 충진하는 것을 포함하고, 고중량 동박의 하부면과 상부면에 대한 하프 에칭은, 고중량 동박의 두께가 미리 설정된 두께보다 얇은 경우, 에칭 시스템의 제1 농도의 에칭액, 제1 컨베이어 이송속도, 제1 분사노즐압력이 적용된 제1 에칭 공정 조건에 따른 제1 에칭모드를 이용하여 에칭하고, 고중량 동박의 두께가 미리 설정된 두께보다 두꺼운 경우, 제2 농도의 에칭액, 제2 컨베이어 이송속도, 제2 분사노즐압력이 적용된 제2 에칭 공정 조건에 따른 제2 에칭모드를 이용하여 에칭하되, 에칭액의 제2 농도는 제1 농도보다 높은 농도값을 가지고, 제2 컨베이어 이송속도는 제1 컨베이어 이송속도보다 낮은 속도값을 가지며, 제2 분사노즐압력은 제1 분사노즐압력보다 높은 압력값을 가진다.The method of manufacturing a high-weight copper foil printed circuit board is to prepare a high-weight copper foil, half-etch the lower surface of the heavy-weight copper foil according to etching process conditions depending on the thickness of the heavy-weight copper foil, and apply a prepreg to the lower etched surface of the half-etched high-weight copper foil. And after laminating the substrate, high-temperature pressing, half-etching the upper surface of the heavy-weight copper foil corresponding to the lower etched surface, and filling the upper etched surface of the half-etched heavy-weight copper foil with resin, the lower surface of the heavy-weight copper foil And half-etching on the upper surface is performed according to the first etching process conditions to which the first concentration of the etchant of the etching system, the first conveyor transfer speed, and the first injection nozzle pressure are applied when the thickness of the heavy copper foil is thinner than the preset thickness. When etching is performed using the first etching mode, and the thickness of the heavy copper foil is thicker than the preset thickness, the second etching process conditions according to the second etching process conditions to which the etching solution of the second concentration, the second conveyor transfer speed, and the second injection nozzle pressure are applied. Etching is performed using an etching mode, where the second concentration of the etching solution has a higher concentration than the first concentration, the second conveyor transfer speed has a lower speed than the first conveyor transfer speed, and the second injection nozzle pressure is equal to the first concentration. It has a higher pressure value than the spray nozzle pressure.
Description
본 발명은 고중량 동박을 사용하는 고중량 동박 인쇄회로기판의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a high-weight copper foil printed circuit board using high-weight copper foil.
동박이 적용된 인쇄회로기판을 제조할 때 고중량 동박에 에칭 레지스터를 형성하고 노광한 후 현상, 에칭, 레지스터 박리 등을 연속해서 수행하게 되어 있다.When manufacturing a printed circuit board to which copper foil is applied, an etching resist is formed on heavy copper foil, exposed, and then development, etching, and resist peeling are performed continuously.
에칭 공정에서는 동박을 수평으로 컨베이어를 통해 이송하면서 에칭조를 통과시킨다. 에칭조에서는 수평으로 이동하는 동박의 상면에 에칭액을 분사한다.In the etching process, the copper foil is horizontally transported through a conveyor and passed through an etching bath. In the etching tank, an etchant is sprayed onto the upper surface of the copper foil that moves horizontally.
에칭액의 분사압력은 거의 일정하게 관리되고 동박의 두께가 바뀔 경우에는 컨베이어 이송속도를 변경시켜 분사시간을 조절하여 에칭하고 있다.The spraying pressure of the etching liquid is managed almost constantly, and when the thickness of the copper foil changes, the conveyor transfer speed is changed to adjust the spraying time for etching.
통상적으로, 인쇄회로기판에서 사용되는 동박은 0.5 ∼ 2.0 온스(Oz)의 규격이 사용되는데, 이 경우 동박의 두께는 약 18㎛ ∼ 70㎛ 정도가 된다. 예를 들어, 고전류가 필요한 인쇄회로기판의 경우 내층의 동박의 단면적을 크게 하는 것이 바람직하다. 동박의 단면적을 크게 하기 위해서는 인쇄회로기판의 동박의 두께를 두껍게 하여야 하며, 보통 약 4 온스 및 그 이상의 고중량 동박(heavy copper)이 인쇄회로기판에 적용된다.Typically, the copper foil used in printed circuit boards is 0.5 to 2.0 ounces (Oz), and in this case, the thickness of the copper foil is about 18㎛ to 70㎛. For example, in the case of a printed circuit board that requires high current, it is desirable to increase the cross-sectional area of the copper foil in the inner layer. In order to increase the cross-sectional area of the copper foil, the thickness of the copper foil of the printed circuit board must be increased, and heavy copper foil of about 4 ounces or more is usually applied to the printed circuit board.
하지만, 약 4 온스 정도의 고중량 동박이 사용되는 경우, 그 두께가 약 140㎛ 정도가 되는데, 기존에는 이와 같이 두께가 두꺼운 고중량 동박에 대한 에칭 공정 조건이 0.5 ∼ 2.0 온스의 상대적으로 두께가 얇은 동박에 대한 에칭 공정 조건과 동일하기 때문에 에칭 후에 잔동이 남는다. 즉, 두께가 두꺼운 고중량 동박의 에칭 공정에서도 기존의 얇은 두께의 동박의 에칭 공정에서 사용되는 에칭액 분사압력과 컨베이어 이송속도가 동일하게 적용되기 때문에 의도하지 않은 횡방향으로의 사이드 에칭량이 증가하여 오버에칭 등의 회로패턴의 불량이 발생할 수 있고 미세한 회선패턴을 구현하기 어렵다. 고중량 동박의 상부와 하부를 각각 하프 에칭하는 경우 더욱 그러한 문제가 발생한다.However, when high-weight copper foil of about 4 ounces is used, the thickness is about 140㎛. Previously, the etching process conditions for this thick heavy-weight copper foil were used for relatively thin copper foils of 0.5 to 2.0 ounces. Because the etching process conditions are the same, residual residue remains after etching. In other words, even in the etching process of thick, heavy copper foil, the etchant injection pressure and conveyor transfer speed used in the existing etching process of thin copper foil are applied the same, resulting in an unintended increase in the amount of side etching in the lateral direction, resulting in overetching. Circuit pattern defects such as these may occur and it is difficult to implement fine circuit patterns. This problem occurs even more when half-etching the top and bottom of heavy copper foil, respectively.
일 측면은 고중량 동박이 적용된 인쇄회로기판의 에칭 공정에서 의도하지 않은 의도하지 않는 횡방향으로의 사이드 에칭량을 줄여 회로패턴의 불량을 방지하고 미세한 회로패턴을 구현할 수 있는 고중량 동박 인쇄회로기판의 제조방법을 제공한다.One aspect is the manufacture of high-weight copper foil printed circuit boards that can prevent circuit pattern defects and implement fine circuit patterns by reducing the amount of unintended side etching in the lateral direction during the etching process of printed circuit boards to which heavy-weight copper foil is applied. Provides a method.
일 측면에 따른 고중량 동박 인쇄회로기판의 제조방법은, 동박을 마련하고, 상기 동박의 두께에 따른 에칭 공정 조건에 따라 상기 동박의 하부면을 하프 에칭 하고, 상기 하프 에칭된 동박의 하부 에칭면에 프리 프레그 및 기판을 적층한 후 고온 가압하고, 상기 하부 에칭면에 대응하는 상기 동박의 상부면을 하프 에칭하고, 상기 하프 에칭된 동박의 상부 에칭면에 수지를 충진하는 것을 포함하고, 상기 동박의 하부면과 상부면에 대한 하프 에칭은, 에칭 시스템에 의해, 사용자로부터 상기 동박의 두께를 입력받고, 상기 입력된 동박의 두께와 미리 설정된 두께를 비교하고, 비교결과 상기 입력된 동박의 두께가 미리 설정된 두께보다 얇은 경우, 상기 입력된 동박을 비 고중량 동박으로 판단하고, 동박의 두께별로 그에 해당하는 에칭액의 농도, 컨베이어 이송속도 및 분사노즐 압력이 미리 맵핑된 맵핑테이블을 이용하여 상기 비 고중량 동박을 에칭하기 위한 에칭모드를 에칭 시스템의 제1 농도의 에칭액, 제1 컨베이어 이송속도, 제1 분사노즐압력이 적용된 제1 에칭 공정 조건에 따른 제1 에칭모드로 판단하고, 상기 제1 에칭모드를 이용하여 상기 비 고중량 동박을 에칭하고, 상기 입력된 동박의 두께가 상기 미리 설정된 두께보다 두꺼운 경우, 상기 입력된 동박을 고중량 동박으로 판단하고, 상기 맵핑테이블을 이용하여 상기 고중량 동박을 에칭하기 위한 에칭모드를 제2 농도의 에칭액, 제2 컨베이어 이송속도, 제2 분사노즐압력이 적용된 제2 에칭 공정 조건에 따른 제2 에칭모드로 판단하고, 상기 제2 에칭모드를 이용하여 상기 고중량 동박을 에칭하는 것을 포함하고, 상기 에칭액의 상기 제2 농도는 상기 제1 농도보다 높은 농도값을 가지고, 상기 제2 컨베이어 이송속도는 상기 제1 컨베이어 이송속도보다 낮은 속도값을 가지며, 상기 제2 분사노즐압력은 상기 제1 분사노즐압력보다 높은 압력값을 가지고, 상기 제1 에칭모드의 제1 에칭 공정 조건은 상기 비 고중량 동박의 두께가 미리 설정된 두께보다 얇은 범위 내에서 상기 비 고중량 동박의 두께가 달라지더라도 상기 에칭액의 제1 농도, 상기 제1 분사노즐압력은 동일하고, 상기 제1 컨베이어 이송속도만이 미세 조정되는 것을 포함하고, 제2 에칭모드의 제2 에칭 공정 조건은 상기 고중량 동박의 두께가 미리 설정된 두께보다 두꺼운 범위 내에서 상기 고중량 동박의 두께가 두꺼워지면, 그 두께증가에 따라 상기 에칭액의 제2 농도와 상기 제2 분사노즐압력은 증가되고, 상기 제2 컨베이어 이송속도는 상기 제1 컨베이어 이송속도의 미세 조정폭보다 큰 폭으로 감소되는 것을 포함하고, 상기 미리 설정된 두께는 4oz 및 140㎛이고, 상기 에칭액은 염산과 염소산을 포함하고, 상기 에칭액의 상기 제1 농도는 비중 1.35, 염산농도 2.0mol/l, 염소산농도 5.4mol/l이고, 상기 제1 컨베이어 이송속도는 3.3m/min이며, 상기 제1 분사노즐압력은 상부측 분사노즐의 경우 3kg/cm2, 하부측 분사노즐의 경우 2.5kg/cm2 일 수 있다.A method of manufacturing a high-weight copper foil printed circuit board according to one aspect includes preparing copper foil, half-etching the lower surface of the copper foil according to etching process conditions depending on the thickness of the copper foil, and forming a lower etched surface of the half-etched copper foil. After laminating the prepreg and the substrate, pressing at high temperature, half-etching the upper surface of the copper foil corresponding to the lower etched surface, and filling the upper etched surface of the half-etched copper foil with resin, the copper foil In the half-etching of the lower and upper surfaces, the thickness of the copper foil is input from the user by an etching system, the input thickness of the copper foil is compared with a preset thickness, and as a result of the comparison, the input thickness of the copper foil is If it is thinner than the preset thickness, the input copper foil is judged as a non-heavy weight copper foil, and the non-heavy weight copper foil is generated using a mapping table in which the concentration of the etchant, conveyor transfer speed, and spray nozzle pressure corresponding to each thickness of the copper foil are pre-mapped. The etching mode for etching is determined as the first etching mode according to the first etching process conditions to which the etching solution of the first concentration, the first conveyor transfer speed, and the first spray nozzle pressure of the etching system are applied, and the first etching mode is Etching the non-high weight copper foil using, and if the thickness of the input copper foil is thicker than the preset thickness, determining the input copper foil as high weight copper foil, and etching the high weight copper foil using the mapping table. The mode is determined to be a second etching mode according to the second etching process conditions in which the etching solution of the second concentration, the second conveyor transfer speed, and the second injection nozzle pressure are applied, and the heavy copper foil is etched using the second etching mode. It includes, the second concentration of the etching liquid has a concentration value higher than the first concentration, the second conveyor transfer speed has a lower speed value than the first conveyor transfer speed, and the second injection nozzle pressure is With a pressure value higher than the first injection nozzle pressure, the first etching process conditions of the first etching mode are set even if the thickness of the non-heavy-weight copper foil varies within a range where the thickness of the non-heavy-weight copper foil is smaller than a preset thickness. The first concentration of the etching solution and the first injection nozzle pressure are the same, and only the first conveyor transfer speed is finely adjusted, and the second etching process conditions of the second etching mode are such that the thickness of the heavy copper foil is predetermined. When the thickness of the heavy-duty copper foil increases within a range thicker than the set thickness, the second concentration of the etchant and the second injection nozzle pressure increase as the thickness increases, and the second conveyor transfer speed increases with the first conveyor transfer speed. The preset thickness is 4 oz and 140 μm, the etching solution includes hydrochloric acid and chloric acid, and the first concentration of the etching solution has a specific gravity of 1.35 and a hydrochloric acid concentration of 2.0 mol. /l, the chloric acid concentration is 5.4mol/l, the first conveyor transfer speed is 3.3m/min, and the first spray nozzle pressure is 3kg/cm2 for the upper spray nozzle and 2.5kg/cm2 for the lower spray nozzle. It can be cm2.
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일 측면에 따른 에칭 시스템은, 동박의 두께에 따른 에칭 공정 조건에 따라 상기 동박의 하부면을 하프 에칭하고, 상기 하프 에칭된 동박의 하부 에칭면에 프리 프레그 및 기판을 적층한 후 고온 가압하고, 상기 하부 에칭면에 대응하는 상기 동박의 상부면을 하프 에칭하고, 상기 하프 에칭된 동박의 상부 에칭면에 수지를 충진하는 것을 포함하는 고중량 동박 인쇄회로기판의 제조방법 중 하프 에칭 공정에 적용되는 에칭 시스템에 있어서, 외관을 형성하는 에칭조; 상기 에칭조 내에 마련되고, 에칭하고자 하는 동박의 표면에 에칭액을 분사하는 분사노즐; 상기 에칭조 내에서 상기 동박을 상기 분사노즐 측으로 이송시키는 컨베이어; 사용자로부터 에칭 대상물인 동박의 두께를 입력받는 입력부; 상기 분사노즐로 분사되는 에칭액의 농도를 조절하는 농도조절부; 상기 에칭액을 상기 분사노즐로 공급하는 에칭액공급부, 및 전반적인 에칭을 제어하는 제어부;를 포함하고, 상기 제어부는 적어도 하나의 프로세서와 메모리를 포함하고, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 사용자로부터 상기 동박의 두께를 입력받고, 상기 입력된 동박의 두께와 미리 설정된 두께를 비교하고, 비교결과 상기 입력된 동박의 두께가 미리 설정된 두께보다 얇은 경우, 상기 입력된 동박을 비 고중량 동박으로 판단하고, 동박의 두께별로 그에 해당하는 에칭액의 농도, 컨베이어 이송속도 및 분사노즐 압력이 미리 맵핑된 맵핑테이블을 이용하여 상기 비 고중량 동박을 에칭하기 위한 에칭모드를 에칭 시스템의 제1 농도의 에칭액, 제1 컨베이어 이송속도, 제1 분사노즐압력이 적용된 제1 에칭 공정 조건에 따른 제1 에칭모드로 판단하고, 상기 제1 에칭모드를 이용하여 상기 비 고중량 동박을 에칭하고, 상기 입력된 동박의 두께가 상기 미리 설정된 두께보다 두꺼운 경우, 상기 입력된 동박을 고중량 동박으로 판단하고, 상기 맵핑테이블을 이용하여 상기 고중량 동박을 에칭하기 위한 에칭모드를 제2 농도의 에칭액, 제2 컨베이어 이송속도, 제2 분사노즐압력이 적용된 제2 에칭 공정 조건에 따른 제2 에칭모드로 판단하고, 상기 제2 에칭모드를 이용하여 상기 고중량 동박을 에칭하고, 상기 에칭액의 상기 제2 농도는 상기 제1 농도보다 높은 농도값을 가지고, 상기 제2 컨베이어 이송속도는 상기 제1 컨베이어 이송속도보다 낮은 속도값을 가지며, 상기 제2 분사노즐압력은 상기 제1 분사노즐압력보다 높은 압력값을 가지고, 상기 제1 에칭모드의 제1 에칭 공정 조건은 상기 비 고중량 동박의 두께가 미리 설정된 두께보다 얇은 범위 내에서 상기 비 고중량 동박의 두께가 달라지더라도 상기 에칭액의 제1 농도, 상기 제1 분사노즐압력은 동일하고, 상기 제1 컨베이어 이송속도만이 미세 조정되는 것을 포함하고, 제2 에칭모드의 제2 에칭 공정 조건은 상기 고중량 동박의 두께가 미리 설정된 두께보다 두꺼운 범위 내에서 상기 고중량 동박의 두께가 두꺼워지면, 그 두께증가에 따라 상기 에칭액의 제2 농도와 상기 제2 분사노즐압력은 증가되고, 상기 제2 컨베이어 이송속도는 상기 제1 컨베이어 이송속도의 미세 조정폭보다 큰 폭으로 감소되는 것을 포함하고, 상기 미리 설정된 두께는 4oz 및 140㎛이고, 상기 에칭액은 염산과 염소산을 포함하고, 상기 에칭액의 상기 제1 농도는 비중 1.35, 염산농도 2.0mol/l, 염소산농도 5.4mol/l이고, 상기 제1 컨베이어 이송속도는 3.3m/min이며, 상기 제1 분사노즐압력은 상부측 분사노즐의 경우 3kg/cm2, 하부측 분사노즐의 경우 2.5kg/cm2 일 수 있다.An etching system according to one aspect includes half-etching the lower surface of the copper foil according to etching process conditions depending on the thickness of the copper foil, stacking prepreg and a substrate on the lower etched surface of the half-etched copper foil, and then pressing at high temperature. , half-etching the upper surface of the copper foil corresponding to the lower etched surface, and filling the upper etched surface of the half-etched copper foil with resin, which is applied to the half-etching process among the manufacturing methods of a high-weight copper foil printed circuit board. 1. An etching system comprising: an etching bath forming an appearance; A spray nozzle provided in the etching tank and spraying an etchant onto the surface of the copper foil to be etched; a conveyor that transports the copper foil within the etching tank toward the injection nozzle; An input unit that receives the thickness of the etching object, copper foil, from the user; a concentration control unit that adjusts the concentration of the etching solution sprayed through the spray nozzle; an etchant supply unit that supplies the etchant to the injection nozzle, and a control unit that controls overall etching, wherein the control unit includes at least one processor and a memory, and the at least one processor controls the thickness of the copper foil from a user. receives an input, compares the thickness of the input copper foil with a preset thickness, and as a result of the comparison, if the thickness of the input copper foil is thinner than the preset thickness, the input copper foil is judged to be a non-heavy weight copper foil, and The etching mode for etching the non-heavy weight copper foil is set to the first concentration of the etching solution, the first conveyor transport speed, and the first concentration of the etching system using a mapping table in which the corresponding concentration of the etching solution, conveyor transport speed, and injection nozzle pressure are pre-mapped. 1 Determine the first etching mode according to the first etching process conditions to which the injection nozzle pressure is applied, etch the non-heavy weight copper foil using the first etching mode, and determine that the thickness of the input copper foil is thicker than the preset thickness. In this case, the input copper foil is determined to be a heavy copper foil, and the etching mode for etching the heavy copper foil using the mapping table is set to a second etching solution using a second concentration of etching solution, a second conveyor transfer speed, and a second injection nozzle pressure. The second etching mode is determined according to the etching process conditions, the heavy copper foil is etched using the second etching mode, the second concentration of the etching solution has a higher concentration value than the first concentration, and the second etching solution The conveyor transfer speed has a speed value lower than the first conveyor transfer speed, the second injection nozzle pressure has a pressure value higher than the first injection nozzle pressure, and the first etching process conditions of the first etching mode are the above. Even if the thickness of the non-heavy-weight copper foil varies within a range that is thinner than the preset thickness, the first concentration of the etchant and the first injection nozzle pressure are the same, and only the first conveyor transfer speed is fine. The second etching process conditions of the second etching mode include adjusting the thickness of the heavy copper foil within a range thicker than a preset thickness, and the second etching solution of the etching solution according to the increase in thickness. The concentration and the second spray nozzle pressure are increased, the second conveyor transfer speed is reduced by a greater amount than the fine adjustment range of the first conveyor transfer speed, and the preset thickness is 4 oz and 140 ㎛, The etching liquid contains hydrochloric acid and chloric acid, the first concentration of the etching liquid is specific gravity 1.35, hydrochloric acid concentration 2.0 mol/l, chloric acid concentration 5.4 mol/l, the first conveyor transfer speed is 3.3 m/min, and the first concentration 1 The spray nozzle pressure can be 3kg/cm2 for the upper spray nozzle and 2.5kg/cm2 for the lower spray nozzle.
본 발명은 고중량 동박이 적용된 인쇄회로기판의 에칭 공정에서 의도하지 않은 의도하지 않는 횡방향으로의 사이드 에칭량을 줄여 회로패턴의 불량을 방지하고 미세한 회로패턴을 구현할 수 있다.The present invention can prevent circuit pattern defects and implement fine circuit patterns by reducing the amount of unintended side etching in the lateral direction in the etching process of printed circuit boards to which heavy copper foil is applied.
도 1은 실시예에 따른 고중량 동박 인쇄회로기판의 제조방법의 제어흐름도이다.
도 2는 실시예에 따른 고중량 동박 인쇄회로기판의 제조방법 중 하프 에칭 공정에 적용되는 에칭 시스템의 구성도이다.
도 3은 도 2의 에칭 시스템의 제1 에칭모드와 제2 에칭모드를 설명하기 위한 도면이다.
도 4 내지 도 8은 실시예에 따른 고중량 동박 인쇄회로기판의 제조과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 실시예에 따른 고중량 동박 인쇄회로기판의 제조방법에서 제1 에칭 공정 조건과 제2 에칭 공정 조건이 적용된 고중량 동박의 사이드 에칭 차이를 설명한다.Figure 1 is a control flow diagram of a method for manufacturing a high-weight copper foil printed circuit board according to an embodiment.
Figure 2 is a configuration diagram of an etching system applied to the half-etching process in the manufacturing method of a high-weight copper foil printed circuit board according to an embodiment.
FIG. 3 is a diagram for explaining the first etching mode and the second etching mode of the etching system of FIG. 2.
Figures 4 to 8 are diagrams for explaining the manufacturing process of a heavy copper foil printed circuit board according to an embodiment.
Figure 9 illustrates the difference in side etching of the heavy copper foil to which the first etching process conditions and the second etching process conditions are applied in the manufacturing method of the heavy copper foil printed circuit board according to the embodiment.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다. 본 명세서가 실시예들의 모든 요소들을 설명하는 것은 아니며, 개시된 발명이 속하는 기술분야에서 일반적인 내용 또는 실시예들 간에 중복되는 내용은 생략한다. 명세서에서 사용되는 ‘부, 모듈, 부재, 블록’이라는 용어는 소프트웨어 또는 하드웨어로 구현될 수 있으며, 실시예들에 따라 복수의 ‘부, 모듈, 부재, 블록’이 하나의 구성요소로 구현되거나, 하나의 ‘부, 모듈, 부재, 블록’이 복수의 구성요소들을 포함하는 것도 가능하다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. This specification does not describe all elements of the embodiments, and general content or overlapping content between the embodiments in the technical field to which the disclosed invention pertains is omitted. The term 'unit, module, member, block' used in the specification may be implemented as software or hardware, and depending on the embodiment, a plurality of 'unit, module, member, block' may be implemented as a single component, or It is also possible for one 'part, module, member, or block' to include multiple components.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 “연결”되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라, 간접적으로 연결되어 있는 경우를 포함하고, 간접적인 연결은 무선 통신망을 통해 연결되는 것을 포함한다.Throughout the specification, when a part is said to be “connected” to another part, this includes not only direct connection but also indirect connection, and indirect connection includes connection through a wireless communication network. do.
또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In addition, when a part is said to “include” a certain component, this does not mean that other components are excluded, but that it can further include other components, unless specifically stated to the contrary.
명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에”위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout the specification, when a member is said to be located “on” another member, this includes not only the case where a member is in contact with another member, but also the case where another member exists between the two members.
제1, 제2 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로, 구성요소가 전술된 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 예외가 있지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.Terms such as first and second are used to distinguish one component from another component, and the components are not limited by the above-mentioned terms. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly makes an exception.
각 단계들에 있어 식별부호는 설명의 편의를 위하여 사용되는 것으로 식별부호는 각 단계들의 순서를 설명하는 것이 아니며, 각 단계들은 문맥상 명백하게 특정 순서를 기재하지 않는 이상 명기된 순서와 다르게 실시될 수 있다.The identification code for each step is used for convenience of explanation. The identification code does not explain the order of each step, and each step may be performed differently from the specified order unless a specific order is clearly stated in the context. there is.
도 1은 실시예에 따른 고중량 동박 인쇄회로기판의 제조방법의 제어흐름도이다.Figure 1 is a control flow diagram of a method for manufacturing a high-weight copper foil printed circuit board according to an embodiment.
도 1을 참조하면, 고중량 동박 인쇄회로기판의 제조방법은 고중량 동박을 마련하는 과정(100), 고중량 동박의 에칭 공정 조건에 따라 고중량 동박의 하부면을 하프 에칭하는 과정(102), 하프 에칭된 고중량 동박의 하부 에칭면에 프리 프레그 및 기판을 적층한 후 고온 가압하는 프레스(press) 과정(104), 고중량 동박의 에칭 공정 조건에 따라 고중량 동박의 하부 에칭면에 대응하는 상부면을 하프 에칭하는 과정(106) 및 고중량 동박의 상부 에칭면에 수지를 충진하는 과정(108)을 포함할 수 있다.Referring to Figure 1, the method of manufacturing a high-weight copper foil printed circuit board includes a process of preparing a high-weight copper foil (100), a process of half-etching the lower surface of the heavy-weight copper foil according to the etching process conditions of the heavy-weight copper foil (102), and a half-etched copper foil. A press process (104) in which prepreg and a substrate are stacked on the lower etched surface of the heavy copper foil and then pressed at high temperature, and the upper surface corresponding to the lower etched surface of the heavy copper foil is half-etched according to the etching process conditions of the heavy copper foil. It may include a
고중량 동박의 하부면과 상부면을 각각 하프 에칭할 때 에칭 시스템의 에칭 공정 조건을 비 고중량 동박(일반 동박)의 에칭 공정 조건 대신에 고중량 동박의 에칭에 맞게 설정된 고중량 동박의 에칭 공정 조건으로 변경하여 에칭 공정을 수행한다.When half-etching the lower and upper surfaces of heavy copper foil, the etching process conditions of the etching system are changed to the etching process conditions of heavy copper foil set for the etching of high weight copper foil instead of the etching process conditions of non-high weight copper foil (general copper foil). Perform an etching process.
도 2는 실시예에 따른 고중량 동박 인쇄회로기판의 제조방법 중 하프 에칭 공정에 적용되는 에칭 시스템의 구성도이다.Figure 2 is a configuration diagram of an etching system applied to the half-etching process in the manufacturing method of a high-weight copper foil printed circuit board according to an embodiment.
도 2를 참조하면, 에칭 시스템(200)은 외관을 형성하는 에칭조(210)와, 이 에칭조 내에 마련되고, 에칭하고자 하는 에칭 대상물인 고중량 동박(10)의 표면에 에칭액을 분사하는 분사노즐(220)과, 에칭조(210) 내에서 고중량 동박(10)을 분사노즐(210) 측으로 이송시키는 컨베이어(230)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the
하프 에칭 공정에서는 컨베이어(230)가 고중량 동박(10)을 수평으로 이송시켜 에칭조(210)를 통과시킨다. 에칭조(210) 내에 마련된 분사노즐(220)에서는 컨베이어(230)에 의해 수평으로 이동하는 고중량 동박(10)의 상면에 에칭액을 분사한다. 분사된 에칭액과 접촉된 고중량 동박 상면 사이에 화학적 반응이 일어나게 되고, 이에 의해 에칭이 수행된다.In the half-etching process, the
상기한 실시예에서는 분사노즐(220)이 에칭조(210) 내에서 에칭 대상물인 고중량 동박(10)의 상부에 위치하는 것으로 설명하고 있지만, 이에 한정되지 않으며, 분사노즐(220)이 하부에 위치할 수 있고, 상부와 하부에 각각 위치할 수도 있다.In the above-described embodiment, the
도 3은 도 2의 에칭 시스템의 제1 에칭모드와 제2 에칭모드를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 3 is a diagram for explaining the first etching mode and the second etching mode of the etching system of FIG. 2.
도 3을 참조하면, 에칭 시스템(200)에는 동박의 두께에 따라 서로 다른 에칭 조건이 적용되는 2개의 에칭모드가 설정되어 있다.Referring to FIG. 3, the
에칭 시스템(200)은 동박의 두께가 미리 설정된 두께(일예로, 140㎛, 4oz)보다 낮으면 비 고중량 동박인 일반 동박으로 판단하고, 동박의 두께가 미리 설정된 두께보다 높으면 고중량 동박으로 판단한다.If the thickness of the copper foil is lower than the preset thickness (for example, 140㎛, 4oz), the
에칭 시스템(200)은 에칭 대상물이 일반 동박인 경우, 제1 에칭 공정 조건이 적용되는 제1 에칭모드를 수행하고, 고중량 동박인 경우, 제1 에칭 공정 조건과 다른 제2 에칭 공정 조건이 적용되는 제2 에칭모드를 수행한다.When the etching object is a general copper foil, the
제1 에칭모드는 제1 농도의 에칭액, 제1 컨베이어 이송속도, 제1 분사노즐압력이 적용된 제1 에칭 공정 조건에 따라 에칭을 수행하는 모드이다. 예를 들면, 에칭액은 염산과 염소산을 포함하고, 에칭액의 제1 농도는 비중 1.35, 염산농도 2.0mol/l, 염소산농도 5.4mol/l이고, 제1 컨베이어 이송속도는 3.3m/min이며, 제1 분사노즐압력은 상부측 분사노즐의 경우 3kg/cm2, 하부측 분사노즐의 경우 2.5kg/cm2 일 수 있다.The first etching mode is a mode in which etching is performed according to the first etching process conditions to which an etchant of the first concentration, a first conveyor transfer speed, and a first spray nozzle pressure are applied. For example, the etching liquid contains hydrochloric acid and chloric acid, the first concentration of the etching liquid is specific gravity 1.35, hydrochloric acid concentration 2.0 mol/l, chloric acid concentration 5.4 mol/l, the first conveyor transfer speed is 3.3 m/min, 1 The spray nozzle pressure can be 3 kg/cm 2 for the upper spray nozzle and 2.5 kg/cm 2 for the lower spray nozzle.
제1 에칭모드에서는 일반 동박의 두께가 달라지더라도 에칭액의 제1 농도, 제1 분사노즐압력은 동일하고, 제1 컨베이어 이송속도만이 미세 조정될 수 있다.In the first etching mode, even if the thickness of the general copper foil is different, the first concentration of the etchant and the first spray nozzle pressure are the same, and only the first conveyor transfer speed can be finely adjusted.
제2 에칭모드는 제2 농도의 에칭액, 제2 컨베이어 이송속도, 제2 분사노즐압력이 적용된 제2 에칭 공정 조건에 따라 에칭을 수행하는 모드이다.The second etching mode is a mode in which etching is performed according to the second etching process conditions in which the etching solution of the second concentration, the second conveyor transfer speed, and the second spray nozzle pressure are applied.
제2 농도의 에칭액은 제1 농도의 에칭액보다 높은 농도값을 가진다. 예를 들면, 염산농도값 및/또는 염소산농도값이 높은 에칭액일 수 있다.The etchant of the second concentration has a higher concentration value than the etchant of the first concentration. For example, it may be an etching solution with a high hydrochloric acid concentration value and/or a high chloric acid concentration value.
제2 컨베이어 이송속도는 제1 컨베이어 이송속도보다 낮은 속도값을 가진다. 즉, 제2 컨베이어 이송속도는 제1 컨베이어 이송속도보다 느린 속도이다.The second conveyor transfer speed has a lower speed value than the first conveyor transfer speed. That is, the second conveyor transfer speed is slower than the first conveyor transfer speed.
제2 분사노즐압력은 제1 분사노즐압력보다 높은 압력값을 가진다.The second injection nozzle pressure has a higher pressure value than the first injection nozzle pressure.
제2 에칭모드에서는 고중량 동박의 두께에 따라 에칭액의 제2 농도, 제2 컨베이어 이송속도 및 제2 분사노즐압력이 달라진다. 고중량 동박의 두께가 두꺼울수록 에칭액의 제2 농도 및 제2 분사노즐압력은 증가하고, 제2 컨베이어 이송속도는 감소한다. 고중량 동박의 두께가 미리 설정된 두께(일예로, 140㎛, 4oz)보다 두꺼운 범위 내에서 고중량 동박의 두께가 두꺼워지면, 그 두께 증가에 따라 에칭액의 제2 농도와 분사노즐압력은 증가되고, 제2 컨베이어 이송속도는 제1 컨베이어 이송속도의 미세 조정폭보다 큰 폭으로 감소된다. 고중량 동박의 두께별로 그에 해당하는 에칭액의 농도, 컨베이어 이송속도 및 분사노즐압력이 미리 맵핑되어 있다.In the second etching mode, the second concentration of the etching solution, the second conveyor transfer speed, and the second injection nozzle pressure vary depending on the thickness of the heavy copper foil. As the thickness of the heavy copper foil increases, the second concentration of the etchant and the second injection nozzle pressure increase, and the second conveyor transfer speed decreases. When the thickness of the heavy-duty copper foil increases within a range thicker than the preset thickness (for example, 140㎛, 4oz), the second concentration and injection nozzle pressure of the etching solution increase according to the increase in thickness, and the second The conveyor transfer speed is reduced to a greater extent than the fine adjustment range of the first conveyor transfer speed. For each thickness of heavy copper foil, the corresponding etchant concentration, conveyor transfer speed, and spray nozzle pressure are mapped in advance.
한편, 에칭 시스템(200)은 전반적인 에칭을 제어하는 제어부와, 사용자로부터 에칭 대상물의 정보를 포함하는 명령을 입력받는 입력부, 에칭액의 농도를 조절하는 농도조절부, 에칭액을 분사노즐(210)로 공급하는 에칭액공급부, 에칭과 관련된 정보를 표시하는 표시부 등을 포함할 수 있다.Meanwhile, the
제어부는 적어도 하나의 프로세서와 메모리를 포함할 수 있다.The control unit may include at least one processor and memory.
제어부는 각종 장치들을 제어하여 제1 에칭모드와 제2 에칭모드 중 어느 하나를 선택적으로 수행할 수 있다.The control unit can control various devices to selectively perform either the first etching mode or the second etching mode.
도 4 내지 도 8은 실시예에 따른 고중량 동박 인쇄회로기판의 제조과정을 설명하기 위한 도면이다.Figures 4 to 8 are diagrams for explaining the manufacturing process of a heavy copper foil printed circuit board according to an embodiment.
도 4를 참조하면, 먼저 인쇄회로기판에 사용되는 동박으로 고중량 동박(10)을 마련한다. 고중량 동박(10)은 약 4 온스이거나 그 이상으로 그 두께가 약 140㎛ 이상인 동박이다.Referring to Figure 4, first, a
도 5를 참조하면, 고중량 동박(10)의 에칭 공정 조건에 따라 고중량 동박(10)의 하부면을 하프 에칭하여 하부 에칭면(11)을 형성한다.Referring to FIG. 5 , the lower surface of the
에칭 시스템(200)은 에칭 대상물인 동박의 두께가 미리 설정된 두께(일예로, 140㎛, 4oz)보다 두꺼우므로 제2 에칭모드를 이용하여 고중량 동박(10)의 하부면을 하프 에칭하여 하부 에칭면(11)을 형성한다.Since the thickness of the copper foil, which is the etching object, is thicker than the preset thickness (for example, 140㎛, 4oz), the
상술한 바와 같이, 제2 에칭모드는 제1 에칭 공정 조건이 적용되는 제1 에칭모드와 달리 제2 에칭 공정 조건이 적용된다. 제2 에칭 공정 조건은 제2 농도의 에칭액, 제2 컨베이어 이송속도, 제2 분사노즐압력이 적용된다. 제2 농도의 에칭액은 제1 농도의 에칭액보다 높은 농도값을 가지고, 제2 컨베이어 이송속도는 제1 컨베이어 이송속도보다 낮은 속도값을 가지며, 제2 분사노즐압력은 제1 분사노즐압력보다 높은 압력값을 가진다. 이때, 고중량 동박(10)의 두께별로 그에 해당하는 에칭액의 농도, 컨베이어 이송속도 및 분사노즐압력이 미리 맵핑되어 있다. 맵핑 테이블에서 고중량 동박의 두께가 두꺼울수록 에칭액의 제2 농도 및 제2 분사노즐압력은 증가하고, 제2 컨베이어 이송속도는 감소한다.As described above, in the second etching mode, unlike the first etching mode in which the first etching process conditions are applied, the second etching process conditions are applied. The second etching process conditions include an etchant of a second concentration, a second conveyor transfer speed, and a second spray nozzle pressure. The etchant of the second concentration has a higher concentration value than the etchant of the first concentration, the second conveyor transfer speed has a speed value lower than the first conveyor transfer speed, and the second injection nozzle pressure is higher than the first injection nozzle pressure. It has value. At this time, the concentration of the etchant, conveyor transfer speed, and spray nozzle pressure corresponding to each thickness of the
이와 같은 제2 에칭모드의 제2 에칭 공정 조건에 따라 고중량 동박(10)의 하부면을 하프 에칭하여 횡방향으로 퍼진 그릇 모양인 보울(bowl) 모양의 하부 에칭면(11)을 형성한다.According to the second etching process conditions of the second etching mode, the lower surface of the
도 6을 참조하면, 하프 에칭된 고중량 동박(10)의 하부 에칭면(11)에 프리 프레그(20) 및 기판(30)을 적층한 후 고온 가압한다.Referring to FIG. 6, the
도 7을 참조하면, 고중량 동박(10)의 에칭 공정 조건에 따라 고중량 동박(10)의 하부 에칭면(11)에 대응하는 상부면을 하프 에칭하여 상부 에칭면(12)를 형성한다. 고중량 동박(10)의 하부 에칭면(11)을 형성할 때와 동일하게 제2 에칭모드를 이용하여 고중량 동박(10)의 하부 에칭면(11)에 대응하는 상부면을 하프 에칭한다.Referring to FIG. 7, the upper surface corresponding to the lower etched
도 8을 참조하면, 하프 에칭된 고중량 동박(10)의 상부 에칭면(12)에 수지(40)를 충진시킨다.Referring to FIG. 8, the upper etched
도 9는 실시예에 따른 고중량 동박 인쇄회로기판의 제조방법에서 제1 에칭 공정 조건과 제2 에칭 공정 조건이 적용된 고중량 동박의 사이드 에칭 차이를 설명한다.Figure 9 illustrates the difference in side etching of the heavy copper foil to which the first etching process conditions and the second etching process conditions are applied in the manufacturing method of the heavy copper foil printed circuit board according to the embodiment.
도 9를 참조하면, 도 8의 A 영역이 나타나 있다.Referring to FIG. 9, area A of FIG. 8 is shown.
점선(300)은 기존의 제1 에칭 공정 조건이 적용된 고중량 동박의 형태를 나타내고, 실선(310)은 제2 에칭 공정 조건이 적용된 고중량 동박의 형태를 나타낸다.The dotted
고중량 동박의 에칭시 에칭이 수직방향으로만 진행되는 것은 아니고 횡방향으로도 진행되어, 횡방향으로 퍼진 그릇 모양인 보울 모양이 되어 버린다.When etching heavy copper foil, the etching proceeds not only in the vertical direction but also in the transverse direction, resulting in a bowl shape that spreads out in the transverse direction.
고중량 동박을 기존의 제1 에칭 공정 조건으로 에칭한 경우, 점선(300)과 같이 위아래로 횡방향으로 상대적으로 넓게 퍼진 보울 모양의 하부 에칭면과 상부 에칭면이 형성된다. 이와 같은 회로패턴이 형성되면 프리 프레그(20)가 노출한 부분에 대하여 고중량 동박의 표면에 남는 부분이 좁아져서 회로 불량이 발생할 수 있고 미세한 회로패턴을 형성하는 어렵다. 즉, 이와 같은 의도하지 않는 횡방향으로의 사이드에칭량이 증가하여 회로불량이 발생할 수 있고 미세한 회로패턴을 구현하기 어렵다.When the heavy copper foil is etched under the existing first etching process conditions, a bowl-shaped lower etching surface and an upper etching surface are formed that are relatively wide in the horizontal direction up and down as shown in the dotted
하지만, 고중량 동박을 고중량 동박에 맞는 제2 에칭 공정 조건으로 에칭한 경우, 실선(310)과 같이 위아래로 횡방향으로 상대적으로 좁게 퍼진 보울 모양의 하부 에칭면과 상부 에칭면이 형성된다. 제2 에칭 공정 조건은 제1 에칭 공정 조건에 대비하여 에칭액의 농도도 진하고 컨베이어 이송속도도 느리며, 분사노즐압력도높기 때문에 에칭속도, 에칭시간 및 에칭성능 등을 높일 수 있어 기존보다 상대적으로 좁은 보울 형상의 에칭면으로 에칭이 가능하다. 이와 함께 동일한 조건에서 상단 회로폭(및/또는 하단 회로폭)이 W1에서 W2로 증가되어 양호한 에칭팩터를 구현할 수 있고 허용전류 및 임피던스를 만족시킬 수 있다. 이로 인해 의도하지 않은 횡방향으로 사이드에칭량을 줄일 수 있어 회로불량을 방지할 수 있고 전체적으로 미세한 회로패턴을 구현할 수 있다.However, when the high-weight copper foil is etched under the second etching process conditions suitable for the high-weight copper foil, a bowl-shaped lower etched surface and an upper etched surface that spread relatively narrowly in the horizontal direction up and down, as shown in the
한편, 전술한 제어부 및/또는 그 구성요소는 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드/알고리즘/소프트웨어를 저장하는 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체와 결합된 하나 이상의 프로세서/마이크로프로세서(들)를 포함할 수 있다. 프로세서/마이크로프로세서(들)는 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체에 저장된 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드/알고리즘/소프트웨어를 실행하여 전술한 기능, 동작, 단계 등을 수행할 수 있다.Meanwhile, the above-described control unit and/or its components may include one or more processors/microprocessor(s) combined with a computer-readable recording medium storing computer-readable code/algorithm/software. The processor/microprocessor(s) may perform the above-described functions, operations, steps, etc. by executing computer-readable code/algorithm/software stored in a computer-readable recording medium.
상술한 제어부 및/또는 그 구성요소는 컴퓨터로 읽을 수 있는 비 일시적 기록 매체 또는 컴퓨터로 읽을 수 있는 일시적인 기록 매체로 구현되는 메모리를 더 포함할 수 있다. 메모리는 전술한 제어부 및/또는 그 구성요소에 의해 제어될 수 있으며, 전술한 제어부 및/또는 그 구성요소에 전달되거나 그로부터 수신되는 데이터를 저장하도록 구성되거나 전술한 제어부 및/또는 그 구성요소에 의해 처리되거나 처리될 데이터를 저장하도록 구성될 수 있다.The above-described control unit and/or its components may further include a memory implemented as a computer-readable non-transitory recording medium or a computer-readable temporary recording medium. The memory may be controlled by the above-described control unit and/or its components and is configured to store data transmitted to or received from the above-described control unit and/or its components. It may be configured to store data that has been or will be processed.
10: 고중량 동박 11: 하부 에칭면
12: 상부 에칭면 20: 프리 프레그
30: 기판 40: 수지
200: 에칭 시스템 210: 에칭조
220: 분사노즐 230: 컨베이어10: Heavy copper foil 11: Lower etched surface
12: upper etched surface 20: prepreg
30: substrate 40: resin
200: Etching system 210: Etching tank
220: spray nozzle 230: conveyor
Claims (5)
상기 동박의 두께에 따른 에칭 공정 조건에 따라 상기 동박의 하부면을 하프 에칭하고,
상기 하프 에칭된 동박의 하부 에칭면에 프리 프레그 및 기판을 적층한 후 고온 가압하고,
상기 하부 에칭면에 대응하는 상기 동박의 상부면을 하프 에칭하고,
상기 하프 에칭된 동박의 상부 에칭면에 수지를 충진하는 것을 포함하고,
상기 동박의 하부면과 상부면에 대한 하프 에칭은,
에칭 시스템에 의해,
사용자로부터 상기 동박의 두께를 입력받고,
상기 입력된 동박의 두께와 미리 설정된 두께를 비교하고,
비교결과 상기 입력된 동박의 두께가 미리 설정된 두께보다 얇은 경우, 상기 입력된 동박을 비 고중량 동박으로 판단하고,
동박의 두께별로 그에 해당하는 에칭액의 농도, 컨베이어 이송속도 및 분사노즐 압력이 미리 맵핑된 맵핑테이블을 이용하여 상기 비 고중량 동박을 에칭하기 위한 에칭모드를 에칭 시스템의 제1 농도의 에칭액, 제1 컨베이어 이송속도, 제1 분사노즐압력이 적용된 제1 에칭 공정 조건에 따른 제1 에칭모드로 판단하고,
상기 제1 에칭모드를 이용하여 상기 비 고중량 동박을 에칭하고,
상기 입력된 동박의 두께가 상기 미리 설정된 두께보다 두꺼운 경우, 상기 입력된 동박을 고중량 동박으로 판단하고,
상기 맵핑테이블을 이용하여 상기 고중량 동박을 에칭하기 위한 에칭모드를 제2 농도의 에칭액, 제2 컨베이어 이송속도, 제2 분사노즐압력이 적용된 제2 에칭 공정 조건에 따른 제2 에칭모드로 판단하고, 상기 제2 에칭모드를 이용하여 상기 고중량 동박을 에칭하는 것을 포함하고,
상기 에칭액의 상기 제2 농도는 상기 제1 농도보다 높은 농도값을 가지고, 상기 제2 컨베이어 이송속도는 상기 제1 컨베이어 이송속도보다 낮은 속도값을 가지며, 상기 제2 분사노즐압력은 상기 제1 분사노즐압력보다 높은 압력값을 가지고,
상기 제1 에칭모드의 제1 에칭 공정 조건은 상기 비 고중량 동박의 두께가 미리 설정된 두께보다 얇은 범위 내에서 상기 비 고중량 동박의 두께가 달라지더라도 상기 에칭액의 제1 농도, 상기 제1 분사노즐압력은 동일하고, 상기 제1 컨베이어 이송속도만이 미세 조정되는 것을 포함하고,
제2 에칭모드의 제2 에칭 공정 조건은 상기 고중량 동박의 두께가 미리 설정된 두께보다 두꺼운 범위 내에서 상기 고중량 동박의 두께가 두꺼워지면, 그 두께증가에 따라 상기 에칭액의 제2 농도와 상기 제2 분사노즐압력은 증가되고, 상기 제2 컨베이어 이송속도는 상기 제1 컨베이어 이송속도의 미세 조정폭보다 큰 폭으로 감소되는 것을 포함하고,
상기 미리 설정된 두께는 4oz 및 140㎛이고, 상기 에칭액은 염산과 염소산을 포함하고, 상기 에칭액의 상기 제1 농도는 비중 1.35, 염산농도 2.0mol/l, 염소산농도 5.4mol/l이고, 상기 제1 컨베이어 이송속도는 3.3m/min이며, 상기 제1 분사노즐압력은 상부측 분사노즐의 경우 3kg/cm2, 하부측 분사노즐의 경우 2.5kg/cm2 인 고중량 동박 인쇄회로기판의 제조방법.Prepare the copper foil,
Half-etching the lower surface of the copper foil according to etching process conditions depending on the thickness of the copper foil,
A prepreg and a substrate are stacked on the lower etched surface of the half-etched copper foil and then pressed at high temperature,
Half-etching the upper surface of the copper foil corresponding to the lower etched surface,
Including filling the upper etched surface of the half-etched copper foil with resin,
Half etching of the lower and upper surfaces of the copper foil,
By etching system,
Receive input of the thickness of the copper foil from the user,
Compare the input thickness of the copper foil with the preset thickness,
As a result of the comparison, if the thickness of the input copper foil is thinner than the preset thickness, the input copper foil is judged to be a non-heavy weight copper foil,
Using a mapping table in which the concentration of the etching solution, conveyor transfer speed, and spray nozzle pressure corresponding to each thickness of the copper foil are pre-mapped, the etching mode for etching the non-heavy weight copper foil is set to the etching solution of the first concentration of the etching system and the first conveyor. Determine the first etching mode according to the first etching process conditions to which the transfer speed and first injection nozzle pressure are applied,
Etching the non-heavy weight copper foil using the first etching mode,
If the thickness of the input copper foil is thicker than the preset thickness, the input copper foil is determined to be a heavy copper foil,
Using the mapping table, the etching mode for etching the heavy copper foil is determined to be a second etching mode according to the second etching process conditions to which the etching solution of the second concentration, the second conveyor transfer speed, and the second injection nozzle pressure are applied, Including etching the heavy copper foil using the second etching mode,
The second concentration of the etchant has a higher concentration than the first concentration, the second conveyor transfer speed has a lower speed than the first conveyor transfer speed, and the second injection nozzle pressure is higher than the first injection nozzle pressure. With a pressure value higher than the nozzle pressure,
The first etching process conditions of the first etching mode are the first concentration of the etchant and the first injection nozzle pressure even if the thickness of the non-heavy weight copper foil varies within a range where the thickness of the non-heavy weight copper foil is thinner than a preset thickness. is the same and includes that only the first conveyor transfer speed is finely adjusted,
The second etching process condition of the second etching mode is that when the thickness of the heavy copper foil increases within a range thicker than a preset thickness, the second concentration of the etchant and the second spray according to the increase in thickness. The nozzle pressure is increased, and the second conveyor transfer speed is reduced by a greater amount than the fine adjustment range of the first conveyor transfer speed,
The preset thickness is 4 oz and 140 μm, the etching solution includes hydrochloric acid and chloric acid, the first concentration of the etching solution is a specific gravity of 1.35, a hydrochloric acid concentration of 2.0 mol/l, and a chloric acid concentration of 5.4 mol/l, and the first The conveyor transfer speed is 3.3 m/min, and the first injection nozzle pressure is 3 kg/cm2 for the upper injection nozzle and 2.5 kg/cm2 for the lower injection nozzle. A method of manufacturing a high-weight copper foil printed circuit board.
외관을 형성하는 에칭조;
상기 에칭조 내에 마련되고, 에칭하고자 하는 동박의 표면에 에칭액을 분사하는 분사노즐;
상기 에칭조 내에서 상기 동박을 상기 분사노즐 측으로 이송시키는 컨베이어;
사용자로부터 에칭 대상물인 동박의 두께를 입력받는 입력부;
상기 분사노즐로 분사되는 에칭액의 농도를 조절하는 농도조절부;
상기 에칭액을 상기 분사노즐로 공급하는 에칭액공급부, 및
전반적인 에칭을 제어하는 제어부;를 포함하고,
상기 제어부는 적어도 하나의 프로세서와 메모리를 포함하고,
상기 적어도 하나의 프로세서는,
사용자로부터 상기 동박의 두께를 입력받고, 상기 입력된 동박의 두께와 미리 설정된 두께를 비교하고, 비교결과 상기 입력된 동박의 두께가 미리 설정된 두께보다 얇은 경우, 상기 입력된 동박을 비 고중량 동박으로 판단하고, 동박의 두께별로 그에 해당하는 에칭액의 농도, 컨베이어 이송속도 및 분사노즐 압력이 미리 맵핑된 맵핑테이블을 이용하여 상기 비 고중량 동박을 에칭하기 위한 에칭모드를 에칭 시스템의 제1 농도의 에칭액, 제1 컨베이어 이송속도, 제1 분사노즐압력이 적용된 제1 에칭 공정 조건에 따른 제1 에칭모드로 판단하고, 상기 제1 에칭모드를 이용하여 상기 비 고중량 동박을 에칭하고, 상기 입력된 동박의 두께가 상기 미리 설정된 두께보다 두꺼운 경우, 상기 입력된 동박을 고중량 동박으로 판단하고, 상기 맵핑테이블을 이용하여 상기 고중량 동박을 에칭하기 위한 에칭모드를 제2 농도의 에칭액, 제2 컨베이어 이송속도, 제2 분사노즐압력이 적용된 제2 에칭 공정 조건에 따른 제2 에칭모드로 판단하고, 상기 제2 에칭모드를 이용하여 상기 고중량 동박을 에칭하고,
상기 에칭액의 상기 제2 농도는 상기 제1 농도보다 높은 농도값을 가지고, 상기 제2 컨베이어 이송속도는 상기 제1 컨베이어 이송속도보다 낮은 속도값을 가지며, 상기 제2 분사노즐압력은 상기 제1 분사노즐압력보다 높은 압력값을 가지고,
상기 제1 에칭모드의 제1 에칭 공정 조건은 상기 비 고중량 동박의 두께가 미리 설정된 두께보다 얇은 범위 내에서 상기 비 고중량 동박의 두께가 달라지더라도 상기 에칭액의 제1 농도, 상기 제1 분사노즐압력은 동일하고, 상기 제1 컨베이어 이송속도만이 미세 조정되는 것을 포함하고,
제2 에칭모드의 제2 에칭 공정 조건은 상기 고중량 동박의 두께가 미리 설정된 두께보다 두꺼운 범위 내에서 상기 고중량 동박의 두께가 두꺼워지면, 그 두께증가에 따라 상기 에칭액의 제2 농도와 상기 제2 분사노즐압력은 증가되고, 상기 제2 컨베이어 이송속도는 상기 제1 컨베이어 이송속도의 미세 조정폭보다 큰 폭으로 감소되는 것을 포함하고,
상기 미리 설정된 두께는 4oz 및 140㎛이고, 상기 에칭액은 염산과 염소산을 포함하고, 상기 에칭액의 상기 제1 농도는 비중 1.35, 염산농도 2.0mol/l, 염소산농도 5.4mol/l이고, 상기 제1 컨베이어 이송속도는 3.3m/min이며, 상기 제1 분사노즐압력은 상부측 분사노즐의 경우 3kg/cm2, 하부측 분사노즐의 경우 2.5kg/cm2 인 에칭 시스템.The lower surface of the copper foil is half-etched according to the etching process conditions depending on the thickness of the copper foil, a prepreg and a substrate are laminated on the lower etched surface of the half-etched copper foil, and then pressurized at high temperature, and a layer corresponding to the lower etched surface is formed. In the etching system applied to the half-etching process in the method of manufacturing a high-weight copper foil printed circuit board, which includes half-etching the upper surface of the copper foil and filling the upper etched surface of the half-etched copper foil with resin,
Etching bath to form the appearance;
A spray nozzle provided in the etching tank and spraying an etchant onto the surface of the copper foil to be etched;
a conveyor that transports the copper foil within the etching tank toward the injection nozzle;
An input unit that receives the thickness of the etching object, copper foil, from the user;
a concentration control unit that adjusts the concentration of the etching solution sprayed through the spray nozzle;
an etching solution supply unit that supplies the etching solution to the spray nozzle, and
Includes a control unit that controls overall etching,
The control unit includes at least one processor and memory,
The at least one processor,
The thickness of the copper foil is input from the user, the input thickness of the copper foil is compared with a preset thickness, and as a result of the comparison, if the input thickness of the copper foil is thinner than the preset thickness, the input copper foil is determined to be a non-heavy weight copper foil. And, using a mapping table in which the concentration of the etching solution, conveyor transfer speed, and injection nozzle pressure corresponding to each thickness of the copper foil are pre-mapped, the etching mode for etching the non-high weight copper foil is set to an etching solution of the first concentration of the etching system, 1 Conveyor transfer speed and first injection nozzle pressure are determined as the first etching mode according to the applied first etching process conditions, the non-heavy weight copper foil is etched using the first etching mode, and the input thickness of the copper foil is If it is thicker than the preset thickness, the input copper foil is determined to be a heavy copper foil, and an etching mode for etching the heavy copper foil using the mapping table is set to an etching solution of a second concentration, a second conveyor transfer speed, and a second injection. Determining a second etching mode according to the second etching process conditions to which nozzle pressure is applied, and etching the heavy copper foil using the second etching mode,
The second concentration of the etchant has a higher concentration than the first concentration, the second conveyor transfer speed has a lower speed than the first conveyor transfer speed, and the second injection nozzle pressure is higher than the first injection nozzle pressure. With a pressure value higher than the nozzle pressure,
The first etching process conditions of the first etching mode are the first concentration of the etchant and the first injection nozzle pressure even if the thickness of the non-heavy weight copper foil varies within a range where the thickness of the non-heavy weight copper foil is thinner than a preset thickness. is the same and includes that only the first conveyor transfer speed is finely adjusted,
The second etching process condition of the second etching mode is that when the thickness of the heavy copper foil increases within a range thicker than a preset thickness, the second concentration of the etchant and the second spray according to the increase in thickness. The nozzle pressure is increased, and the second conveyor transfer speed is reduced by a greater amount than the fine adjustment range of the first conveyor transfer speed,
The preset thickness is 4 oz and 140 μm, the etching solution includes hydrochloric acid and chloric acid, the first concentration of the etching solution is a specific gravity of 1.35, a hydrochloric acid concentration of 2.0 mol/l, and a chloric acid concentration of 5.4 mol/l, and the first The conveyor transfer speed is 3.3 m/min, and the first injection nozzle pressure is 3 kg/cm2 for the upper injection nozzle and 2.5 kg/cm2 for the lower injection nozzle.
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