KR102573504B1 - 스테이지 및 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

[과제] 설정 가능한 온도의 레인지가 넓고, 또한, 기판의 면내 온도 분포를 미세하게 제어 가능한 플라즈마 처리 장치용의 스테이지를 제공한다.
[해결수단] 일실시형태의 스테이지는 정전 척을 구비한다. 정전 척은 베이스 및 척 본체를 갖는다. 척 본체는 베이스 상에 설치되어 있고, 기판을 정전 인력에 의해 유지하도록 구성되어 있다. 척 본체는 복수의 제1 히터 및 복수의 제2 히터를 갖는다. 복수의 제2 히터의 개수는 복수의 제1 히터의 개수보다 많다. 제1 히터 컨트롤러가, 제1 전원으로부터의 교류 또는 직류의 출력에 의해 복수의 제1 히터를 구동시킨다. 제2 히터 컨트롤러가, 제1 전원으로부터의 출력의 전력보다 낮은 전력을 갖는 제2 전원으로부터의 교류 또는 직류의 출력에 의해 복수의 제2 히터를 구동시킨다.

Description

스테이지 및 플라즈마 처리 장치{STAGE AND PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 개시의 실시형태는, 스테이지 및 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스와 같은 전자 디바이스의 제조에 있어서는, 플라즈마 처리 장치가 이용되고 있다. 플라즈마 처리 장치는, 일반적으로 챔버 본체 및 스테이지를 구비하고 있다. 챔버 본체는, 그 내부 공간을 챔버로서 제공하고 있다. 스테이지는 챔버 내에 설치되어 있다. 스테이지는, 그 위에 재치되는 기판을 지지하도록 구성되어 있다.
스테이지는 정전 척을 포함한다. 정전 척은 베이스 및 척 본체를 갖는다. 베이스에는 고주파 전원이 접속되어 있다. 척 본체는 베이스 상에 설치되어 있다. 척 본체는, 상기 척 본체와 그 위에 재치되는 기판의 사이에서 정전 인력을 발생시키고, 발생한 정전 인력에 의해 기판을 유지하도록 구성되어 있다.
플라즈마 처리 장치를 이용하여 행해지는 플라즈마 처리에 있어서는, 기판의 면내 온도 분포가 중요하다. 따라서, 스테이지에는, 기판의 면내 온도 분포를 제어하는 것이 요구된다. 기판의 면내 온도 분포를 제어하기 위해, 척 본체 내에는 복수의 히터(저항 발열 히터)가 설치되어 있다. 복수의 히터는 각각 교류 전원에 의해 교류 구동된다. 이러한 스테이지를 갖는 플라즈마 처리 장치는, 특허문헌 1에 기재되어 있다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2016-6875호 공보
기판의 면내 온도 분포의 제어성을 높이기 위해서는, 척 본체 내에 다수의 히터를 설치할 필요가 있다. 히터의 개수가 많은 경우에는, 히터에 교류 출력을 공급하는 급전선의 수가 많아지고, 각 급전선의 정격 전류가 작아진다. 따라서, 각 히터에 공급되는 교류 출력의 파워가 작아지고, 각 히터에 의해 설정 가능한 온도의 레인지가 좁아진다. 이러한 배경에서, 설정 가능한 온도의 레인지가 넓고, 또한, 기판의 면내 온도 분포를 미세하게 제어 가능한 스테이지가 요구되고 있다.
일양태에 있어서는, 플라즈마 처리 장치용의 스테이지가 제공된다. 스테이지는 급전부 및 정전 척을 구비한다. 급전부는, 고주파 전원으로부터의 고주파를 전송하는 전송로를 제공한다. 정전 척은 베이스 및 척 본체를 갖는다. 베이스는, 도전성을 가지며, 급전부 상에 설치되어 있고, 급전부에 전기적으로 접속되어 있다. 척 본체는, 베이스 상에 설치되어 있고, 기판을 정전 인력에 의해 유지하도록 구성되어 있다. 척 본체는, 복수의 제1 히터 및 복수의 제2 히터를 갖는다. 복수의 제1 히터는, 척 본체의 중심축선에 직교하는 상기 척 본체 내의 면 위에서 분포되도록 상기 척 본체 내에 설치되어 있다. 복수의 제2 히터의 개수는 복수의 제1 히터의 개수보다 많다. 복수의 제2 히터는, 척 본체의 중심축선에 직교하는 상기 척 본체 내의 별도의 면 위에서 분포되도록 상기 척 본체 내에 설치되어 있다. 스테이지는, 제1 히터 컨트롤러 및 제2 히터 컨트롤러를 더 구비한다. 제1 히터 컨트롤러는, 제1 전원으로부터의 교류 또는 직류의 출력에 의해, 복수의 제1 히터를 구동시키도록 구성되어 있다. 제2 히터 컨트롤러는, 제1 전원으로부터의 출력의 전력보다 낮은 전력을 갖는 제2 전원으로부터의 교류 또는 직류의 출력에 의해, 복수의 제2 히터를 구동시키도록 구성되어 있다.
일양태에 관한 스테이지에서는, 제1 히터의 개수가 제2 히터의 개수보다 소수이다. 즉, 제1 히터의 개수가 비교적 적다. 따라서, 복수의 제1 히터용의 급전선의 개수가 적어지고, 각 급전선의 정격 전류가 커진다. 그 때문에, 복수의 제1 히터의 각각에 공급되는 출력의 설정 가능한 전력의 레인지가 넓어지고, 설정 가능한 온도의 레인지가 넓어진다. 또한, 비교적 다수의 제2 히터의 각각은, 비교적 작은 전력을 갖는 출력에 의해 구동 가능하다. 따라서, 복수의 제2 히터의 각각이 설정 가능한 온도의 레인지는 좁지만, 복수의 제2 히터는 기판의 면내 온도 분포를 미세하게 제어 가능하다. 일양태에 관한 스테이지는 이러한 복수의 제1 히터 및 복수의 제2 히터를 갖기 때문에, 상기 스테이지가 설정 가능한 온도의 레인지는 넓고, 또한, 상기 스테이지는 기판의 면내 온도 분포를 미세하게 제어 가능하다.
일실시형태에 있어서, 제1 히터 컨트롤러는, 제1 전원으로부터의 교류 출력에 의해 복수의 제1 히터를 교류 구동시키도록 구성되어 있다. 제2 히터 컨트롤러는, 제2 전원으로부터의 직류 출력에 의해 복수의 제2 히터를 각각 직류 구동시키도록 구성되어 있다.
일실시형태에 있어서, 복수의 제1 히터는, 척 본체의 중심축선에 대하여 동축으로 설치되어 있다. 복수의 제2 히터는, 척 본체의 중심축선에 교차하는 중심의 존, 및 상기 중심의 존을 둘러싸고, 또한, 척 본체의 중심축선에 대하여 동축의 복수의 영역 내에서 둘레 방향으로 나열된 복수의 존 내에 각각 설치되어 있다. 이 실시형태에 의하면, 복수의 제1 히터에 의해 기판의 직경 방향의 온도 분포가 제어되고, 복수의 제2 히터에 의해 기판의 직경 방향 및 둘레 방향의 온도 분포가 제어된다.
일실시형태에 있어서, 척 본체는, 베이스측의 표면인 이면, 및 상기 이면과는 반대측의 표면인 상면을 갖는다. 복수의 제2 히터는, 복수의 제1 히터와 상기 상면의 사이에 설치되어 있다. 이 실시형태에서는, 복수의 제2 히터가 복수의 제1 히터보다 척 본체의 상면, 즉 그 위에 기판이 재치되는 면의 근처에 설치되어 있다. 따라서, 기판의 면내 온도 분포의 제어성을 더욱 높일 수 있다.
일실시형태에 있어서, 스테이지는, 복수의 제1 급전선 및 복수의 제2 급전선을 더 구비한다. 복수의 제1 급전선은, 복수의 제1 히터에 각각 전기적으로 접속되어 있다. 복수의 제2 급전선은, 복수의 제2 히터에 각각 전기적으로 접속되어 있다. 제1 히터 컨트롤러는, 제1 전원으로부터의 출력을 분배하여 복수의 제1 출력을 생성하고, 개별로 조정된 전력량을 갖는 복수의 제1 출력을, 복수의 제1 급전선을 통해 복수의 제1 히터의 각각에 공급하도록 구성되어 있다. 제2 히터 컨트롤러는, 제2 전원으로부터의 출력을 분배하여 복수의 제2 출력을 생성하고, 개별로 조정된 전력량을 갖는 복수의 제2 출력을, 복수의 제2 급전선을 통해 복수의 제2 히터의 각각에 공급하도록 구성되어 있다. 급전부는, 전송로에 의해 둘러싸인 수용 공간을 구획한다. 복수의 제1 급전선, 제1 히터 컨트롤러, 복수의 제2 급전선 및 제2 히터 컨트롤러는, 수용 공간 내에 배치되어 있다. 이 실시형태에 의하면, 전송로에 의해 둘러싸인 수용 공간 내에 있어서 복수의 제1 히터에 출력이 분배되기 때문에, 스테이지로부터 제1 전원에 고주파가 유입되는 것을 억제하기 위한 필터의 개수를 삭감할 수 있다. 또한, 전송로에 의해 둘러싸인 수용 공간 내에 있어서 복수의 제2 히터에 출력이 분배되기 때문에, 스테이지로부터 제2 전원에 고주파가 유입되는 것을 억제하기 위한 필터의 개수를 삭감할 수 있다. 따라서, 필터의 임피던스 특성의 저하가 억제되고 또한 고주파의 손실이 억제된다.
일실시형태에 있어서, 복수의 제1 출력의 전력은 실질적으로 동일하고 또한 일정하며, 제1 히터 컨트롤러는, 복수의 제1 출력이 각각 복수의 제1 히터에 공급되는 공급 시간 길이의 미리 정해진 시간 길이 중의 비율인 복수의 제1 듀티비를 제어하도록 구성되어 있다. 복수의 제2 출력의 전력은 실질적으로 동일하고 또한 일정하며, 제2 히터 컨트롤러는, 복수의 제2 출력이 각각 복수의 제2 히터에 공급되는 공급 시간 길이의 미리 정해진 시간 길이 중의 비율인 복수의 제2 듀티비를 제어하도록 구성되어 있다. 이 실시형태에서는, 복수의 제1 히터를 각각 구동시키는 복수의 제1 출력의 전력량이 복수의 제1 듀티비에 의해 각각 조정되고, 복수의 제2 히터를 각각 구동시키는 복수의 제2 출력의 전력량이 복수의 제2 듀티비에 의해 각각 조정된다. 이 실시형태에 의하면, 다수의 전력 제어 회로(예컨대 DC/DC 컨버터)를 제2 히터 컨트롤러에 탑재하지 않고, 복수의 제2 히터를 각각 구동시키는 복수의 제2 출력의 전력량을 조정하는 것이 가능해진다.
일실시형태에 있어서, 스테이지는, 복수의 제1 히터가 각각 배치되어 있는 복수의 존의 각각의 온도를 측정하도록 설치된 복수의 온도 센서를 더 구비한다. 제1 히터 컨트롤러는, 복수의 온도 센서의 각각에 의해 측정된 온도의 측정치와 목표 온도 사이의 오차, 또는 복수의 온도 센서의 각각에 의해 측정된 온도의 측정치의 시계열로부터 구해지는 이동 평균치와 목표 온도 사이의 오차를 감소시키도록, 복수의 제1 듀티비를 조정하도록 구성되어 있다. 제2 히터 컨트롤러는, 복수의 제2 출력의 각각의 전력의 측정치와 복수의 제2 듀티비 중 대응의 제2 듀티비의 곱과 목표치 사이의 오차, 또는 복수의 제2 출력의 각각의 전력의 측정치와 대응하는 제2 듀티비의 곱의 시계열로부터 구해지는 이동 평균치와 목표치 사이의 오차를 감소시키도록, 복수의 제2 듀티비를 조정하도록 구성되어 있다. 이 실시형태에서는, 복수의 제2 히터에 공급되는 복수의 제2 출력이, 복수의 제2 히터가 각각 배치되어 있는 존의 각각의 온도의 측정치에 기초하여 제어되는 것은 아니며, 전술한 전력의 측정치와 제2 듀티비의 곱 또는 이동 평균치에 기초하여 제어된다. 따라서, 스테이지에 구비되는 온도 센서의 개수가 적어진다.
일실시형태에 있어서, 척 본체는, 그 위에 기판이 재치되는 기판 탑재 영역, 및 중심축선에 대하여 직경 방향에 있어서 외측으로부터 기판 탑재 영역을 둘러싸는 외주 영역을 갖는다. 복수의 제1 급전선 및 복수의 제2 급전선이 전기적으로 접속되는 복수의 단자는, 외주 영역에 설치되어 있다. 이들 복수의 단자는, 기판의 온도 제어에 있어서 바람직하지 않은 온도의 특이점이다. 이 실시형태에서는, 이러한 복수의 단자가 외주 영역에 설치되어 있고, 기판 탑재 영역에 설치되어 있지 않기 때문에, 기판의 온도 제어에 대한 복수의 단자에 의한 영향이 억제된다.
일실시형태에 있어서, 복수의 단자는, 외주 영역의 전체 둘레에 걸쳐 분산되어 있다.
일실시형태에 있어서, 복수의 제2 히터는 기판 탑재 영역 내에 설치되어 있고, 복수의 제1 히터 중 일부는 적어도 외주 영역 내에 설치되어 있다.
다른 양태에 있어서는, 플라즈마 처리 장치가 제공된다. 플라즈마 처리 장치는, 챔버를 제공하는 챔버 본체, 전술한 양태 및 여러가지 실시형태 중의 어느 스테이지, 및 고주파 전원을 구비한다. 정전 척은 챔버 내에 설치되어 있다. 고주파 전원은, 급전부에 전기적으로 접속되어 있다.
일실시형태에 있어서는, 플라즈마 처리 장치는 제1 필터 및 제2 필터를 더 구비한다. 제1 필터는, 제1 전원에 대한 고주파의 유입을 억제한다. 제1 필터는, 제1 전원과 제1 히터 컨트롤러 사이의 급전선을 부분적으로 구성하고, 수용 공간에 대하여 급전부의 외측에 설치되어 있다. 제2 필터는, 제2 전원에 대한 고주파의 유입을 억제한다. 제2 필터는, 제2 전원과 제2 히터 컨트롤러 사이의 급전선을 부분적으로 구성하고, 수용 공간에 대하여 급전부의 외측에 설치되어 있다.
이상 설명한 바와 같이, 설정 가능한 온도의 레인지가 넓고, 또한, 기판의 면내 온도 분포를 미세하게 제어 가능한 스테이지가 제공된다.
도 1은 일실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 일실시형태에 관한 스테이지의 단면도이다.
도 3은 일실시형태에 관한 스테이지를, 플라즈마 처리 장치의 다른 구성 부품과 함께 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 도 2에 나타내는 스테이지의 복수의 제1 히터의 레이아웃의 예를 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 2에 나타내는 스테이지의 복수의 제2 히터의 레이아웃의 예를 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 2에 나타내는 스테이지의 척 본체의 이면에서의 단자의 레이아웃의 예를 나타내는 평면도이다.
도 7은 도 2에 나타내는 스테이지의 제어에 관련된 구성을 나타내는 도면이다.
도 8은 복수의 제2 히터 각각에 의한 온도 상승량을, 복수의 제2 히터 각각에 공급되는 복수의 제2 출력의 미리 정해진 시간당의 전력량으로 변환하는 함수를 구하는 수법을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 여러가지 실시형태에 관해 상세히 설명한다. 또, 각 도면에 있어서 동일 또는 상당하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이는 것으로 한다.
도 1은, 일실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 1에는, 일실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치(10)의 종단면에서의 구조가 개략적으로 나타나 있다. 도 1에 나타내는 플라즈마 처리 장치(10)는, 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치이다.
플라즈마 처리 장치(10)는 챔버 본체(12)를 구비하고 있다. 챔버 본체(12)는 대략 원통형상을 갖고 있다. 챔버 본체(12)는 그 내부 공간을 챔버(12c)로서 제공하고 있다. 챔버 본체(12)는, 예컨대 알루미늄으로 구성되어 있다. 챔버 본체(12)는 접지 전위에 접속되어 있다. 챔버 본체(12)의 내벽면, 즉, 챔버(12c)를 구획하는 벽면에는, 내플라즈마성을 갖는 막이 형성되어 있다. 이 막은, 양극 산화 처리에 의해 형성된 막, 또는 산화이트륨으로 형성된 막과 같은 세라믹제의 막일 수 있다. 챔버 본체(12)의 측벽에는 통로(12g)가 형성되어 있다. 기판(W)이 챔버(12c)에 반입될 때, 또한, 기판(W)이 챔버(12c)로부터 반출될 때에, 기판(W)은 통로(12g)를 통과한다. 챔버 본체(12)의 측벽에는 게이트 밸브(14)가 부착되어 있다. 통로(12g)는, 게이트 밸브(14)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다.
챔버(12c) 내에서는, 지지부(15)가 챔버 본체(12)의 바닥부로부터 상측으로 연장되어 있다. 지지부(15)는, 대략 원통형상을 갖고 있고, 석영과 같은 절연 재료로 형성되어 있다. 지지부(15) 상에는 스테이지(16)가 탑재되어 있다. 스테이지(16)는 지지부(15)에 의해 지지되어 있다.
스테이지(16)는, 챔버(12c) 내에 있어서 기판(W)을 지지하도록 구성되어 있다. 스테이지(16)는, 급전부(18) 및 정전 척(20)을 포함하고 있다. 급전부(18)는, 후술하는 고주파 전원으로부터의 고주파를 전송하는 전송로를 제공한다. 정전 척(20)은 급전부(18) 상에 설치되어 있다. 정전 척(20)은 베이스(22) 및 척 본체(26)를 포함하고 있다. 베이스(22)는, 도전성을 가지며, 하부 전극을 구성하고 있다. 베이스(22)는, 급전부(18) 상에 설치되어 있고, 급전부(18)에 전기적으로 접속되어 있다.
베이스(22) 내에는 유로(22f)가 설치되어 있다. 유로(22f)는 열교환 매체용의 유로이다. 열교환 매체는 예컨대 냉매이다. 유로(22f)에는, 챔버 본체(12)의 외부에 설치된 칠러 유닛(TU)으로부터 열교환 매체가 공급된다. 유로(22f)에 공급된 열교환 매체는 칠러 유닛(TU)으로 복귀된다. 이와 같이, 유로(22f)에는, 상기 유로(22f)와 칠러 유닛의 사이에서 순환하도록 열교환 매체가 공급된다.
척 본체(26)는 베이스(22) 상에 설치되어 있다. 척 본체(26)는, 베이스(22)에 예컨대 접착제를 통해 고정되어 있다. 척 본체(26)는, 기판(W)을 정전 인력에 의해 유지하도록 구성되어 있다. 척 본체(26) 내에는 전극(26a)이 설치되어 있다(도 2 참조). 전극(26a)은 막형의 전극이다. 전극(26a)에는 스위치(SWC)를 통해 직류 전원(DSC)이 접속되어 있다. 직류 전원(DSC)으로부터의 전압이 전극(26a)에 인가되면, 척 본체(26) 상에 재치된 기판(W)과 척 본체(26)의 사이에서 정전 인력이 발생한다. 발생한 정전 인력에 의해, 기판(W)은 척 본체(26)에 끌어당겨지고, 상기 척 본체(26)에 의해 유지된다. 또한, 플라즈마 처리 장치(10)는, 척 본체(26)의 상면과 기판(W)의 이면 사이에, 가스 공급 기구로부터의 전열 가스, 예컨대 He 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 제공한다.
챔버 본체(12)의 바닥부로부터는, 통형부(28)가 상측으로 연장되어 있다. 통형부(28)는, 지지부(15)의 외주를 따라서 연장되어 있다. 통형부(28)는, 도전성을 가지며, 대략 원통형상을 갖고 있다. 통형부(28)는 접지 전위에 접속되어 있다. 지지부(15) 상에는 절연부(29)가 설치되어 있다. 절연부(29)는, 절연성을 가지며, 석영과 같은 세라믹으로 형성되어 있다. 절연부(29)는, 대략 원통형상을 갖고 있고, 급전부(18)의 외주 및 정전 척(20)의 외주를 따라서 연장되어 있다. 베이스(22) 및 척 본체(26)의 외주 영역 상에는 포커스링(FR)이 탑재된다. 포커스링(FR)은, 대략 고리형 판형상을 갖고 있고, 예컨대 실리콘 또는 산화실리콘으로 형성되어 있다. 포커스링(FR)은, 척 본체(26)의 기판 탑재 영역의 엣지 및 기판(W)의 엣지를 둘러싸도록 설치된다.
플라즈마 처리 장치(10)는 상부 전극(30)을 더 구비하고 있다. 상부 전극(30)은 스테이지(16)의 상측에 설치되어 있다. 상부 전극(30)은, 부재(32)와 함께 챔버 본체(12)의 상부 개구를 폐쇄하고 있다. 부재(32)는 절연성을 갖고 있다. 상부 전극(30)은, 이 부재(32)를 통해 챔버 본체(12)의 상부에 지지되어 있다.
상부 전극(30)은 상부판(34) 및 지지체(36)를 포함하고 있다. 상부판(34)의 하면은 챔버(12c)를 구획하고 있다. 상부판(34)에는 복수의 가스 토출 구멍(34a)이 형성되어 있다. 복수의 가스 토출 구멍(34a)은 각각, 상부판(34)을 판두께 방향(수직 방향)으로 관통하고 있다. 이 상부판(34)은, 한정되는 것은 아니지만, 예컨대 실리콘으로 형성되어 있다. 또는, 상부판(34)은, 알루미늄제의 모재의 표면에 내플라즈마성의 막을 설치한 구조를 가질 수 있다. 이 막은, 양극 산화 처리에 의해 형성된 막, 또는 산화이트륨으로 형성된 막과 같은 세라믹제의 막일 수 있다.
지지체(36)는, 상부판(34)을 착탈 가능하게 지지하는 부품이다. 지지체(36)는, 예컨대 알루미늄과 같은 도전성 재료로 형성될 수 있다. 지지체(36)의 내부에는 가스 확산실(36a)이 설치되어 있다. 가스 확산실(36a)로부터는, 복수의 가스 구멍(36b)이 하측으로 연장되어 있다. 복수의 가스 구멍(36b)은 복수의 가스 토출 구멍(34a)에 각각 연통하고 있다. 지지체(36)에는 가스 확산실(36a)로 가스를 유도하는 가스 도입구(36c)가 형성되어 있고, 이 가스 도입구(36c)에는 가스 공급관(38)이 접속되어 있다.
가스 공급관(38)에는, 밸브군(42) 및 유량 제어기군(44)을 통해 가스 소스군(40)이 접속되어 있다. 가스 소스군(40)은 복수의 가스 소스를 포함하고 있다. 밸브군(42)은 복수의 밸브를 포함하고 있고, 유량 제어기군(44)은 복수의 유량 제어기를 포함하고 있다. 유량 제어기군(44)의 복수의 유량 제어기 각각은, 매스플로우 컨트롤러 또는 압력 제어식의 유량 제어기이다. 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스는 각각, 밸브군(42)의 대응하는 밸브 및 유량 제어기군(44)의 대응하는 유량 제어기를 통해, 가스 공급관(38)에 접속되어 있다. 플라즈마 처리 장치(10)는, 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스 중 선택된 1 이상의 가스 소스로부터의 가스를, 개별로 조정된 유량으로 챔버(12c)에 공급하는 것이 가능하다.
통형부(28)와 챔버 본체(12)의 측벽의 사이에는, 배플 플레이트(48)가 설치되어 있다. 배플 플레이트(48)는, 예컨대, 알루미늄제의 모재에 산화이트륨 등의 세라믹을 피복함으로써 구성될 수 있다. 이 배플 플레이트(48)에는 다수의 관통 구멍이 형성되어 있다. 배플 플레이트(48)의 하측에 있어서는, 배기관(52)이 챔버 본체(12)의 바닥부에 접속되어 있다. 이 배기관(52)에는 배기 장치(50)가 접속되어 있다. 배기 장치(50)는, 자동 압력 제어 밸브와 같은 압력 제어기, 및 터보 분자 펌프와 같은 진공 펌프를 갖고 있고, 챔버(12c)를 감압할 수 있다.
플라즈마 처리 장치(10)는 제1 고주파 전원(62)을 더 구비하고 있다. 제1 고주파 전원(62)은, 플라즈마 생성용의 제1 고주파를 발생시키는 전원이다. 제1 고주파는, 27∼100 MHz의 범위 내의 주파수, 예컨대 60 MHz의 주파수를 갖는다. 제1 고주파 전원(62)은, 정합기(63)를 통해 상부 전극(30)에 접속되어 있다. 정합기(63)는, 제1 고주파 전원(62)의 출력 임피던스와 부하측(상부 전극(30)측)의 임피던스를 정합시키기 위한 회로를 갖고 있다. 또, 제1 고주파 전원(62)은, 정합기(63)를 통해 급전부(18)에 접속되어 있어도 좋다. 제1 고주파 전원(62)이 급전부(18)에 접속되어 있는 경우에는, 상부 전극(30)은 접지 전위에 접속된다.
플라즈마 처리 장치(10)는 제2 고주파 전원(64)을 더 구비하고 있다. 제2 고주파 전원(64)은, 기판(W)에 이온을 인입하기 위한 바이어스용의 제2 고주파를 발생시키는 전원이다. 제2 고주파의 주파수는 제1 고주파의 주파수보다 낮다. 제2 고주파의 주파수는, 400 kHz∼13.56 MHz의 범위 내의 주파수이며, 예컨대 400 kHz이다. 제2 고주파 전원(64)은, 정합기(65) 및 급전체(66)를 통해 급전부(18)에 접속되어 있다. 정합기(65)는, 제2 고주파 전원(64)의 출력 임피던스와 부하측(급전부(18)측)의 임피던스를 정합시키기 위한 회로를 갖고 있다.
일실시형태에 있어서는, 플라즈마 처리 장치(10)는 주제어부(MC)를 더 구비할 수 있다. 주제어부(MC)는, 프로세서, 기억 장치, 입력 장치, 표시 장치 등을 구비하는 컴퓨터이며, 플라즈마 처리 장치(10)의 각 부를 제어한다. 구체적으로, 주제어부(MC)는, 기억 장치에 기억되어 있는 제어 프로그램을 실행하고, 상기 기억 장치에 기억되어 있는 레시피 데이터에 기초하여 플라즈마 처리 장치(10)의 각 부를 제어한다. 이에 따라, 플라즈마 처리 장치(10)는, 레시피 데이터에 의해 지정된 프로세스를 실행하도록 되어 있다.
이하, 스테이지(16)에 관해 상세히 설명한다. 도 2는, 일실시형태에 관한 스테이지의 단면도이다. 도 3은, 일실시형태에 관한 스테이지를, 플라즈마 처리 장치의 다른 구성 부품과 함께 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 스테이지(16)는 급전부(18) 및 정전 척(20)을 갖고 있다.
급전부(18)는, 전술한 바와 같이, 고주파 전원(예컨대 제2 고주파 전원(64))으로부터의 고주파의 전송로를 제공한다. 급전부(18)는, 도전성을 갖고 있고, 예컨대 금속으로 형성되어 있다. 급전부(18)에는, 전술한 급전체(66)가 접속되어 있다. 급전부(18)는, 일실시형태에서는, 그 내부 공간을 수용 공간(18s)으로서 제공하고 있다.
일실시형태에 있어서, 급전부(18)는, 제1 부재(18a), 제2 부재(18b) 및 제3 부재(18c)를 갖고 있다. 제1 부재(18a), 제2 부재(18b) 및 제3 부재(18c)는, 도전성을 갖고 있고, 예컨대 금속으로 형성되어 있다. 제1 부재(18a)는, 평면에서 보면 대략 원형의 부재이며, 그 중앙 부분에 있어서 하측으로 돌출되어 있다. 제1 부재(18a)의 중앙 부분에는 급전체(66)가 접속되어 있다. 제2 부재(18b)는, 제1 부재(18a) 상에 탑재되어 있고, 상기 제1 부재(18a)에 접속되어 있다. 제2 부재(18b)는 대략 링형상을 갖고 있다. 제3 부재(18c)는, 제2 부재(18b) 상에 탑재되어 있고, 제2 부재(18b)에 접속되어 있다. 제3 부재(18c)는 대략 원반형상을 갖고 있다. 제1 부재(18a), 제2 부재(18b) 및 제3 부재(18c)는, 고주파의 전송로를 구성하고 있다. 제1 부재(18a), 제2 부재(18b) 및 제3 부재(18c)로 구성된 조립체는, 수용 공간(18s)을 구획하고 있다.
정전 척(20)은 급전부(18) 상에 설치되어 있다. 정전 척(20)은, 전술한 바와 같이, 베이스(22) 및 척 본체(26)를 갖고 있다. 베이스(22)는 대략 원반형상을 갖고 있다. 전술한 바와 같이, 베이스(22) 내에는 열교환 매체용의 유로(22f)가 형성되어 있다. 베이스(22)는, 도전성을 갖고 있고, 알루미늄과 같은 금속으로 형성되어 있다. 베이스(22)는, 급전부(18) 상에 설치되어 있고, 급전부(18)에 전기적으로 접속되어 있다. 베이스(22)는, 플라즈마 처리 장치(10)의 하부 전극을 구성하고 있다.
척 본체(26)는 베이스(22) 상에 설치되어 있다. 척 본체(26)는, 베이스(22)의 상면에, 예컨대 접착제를 통해 고정되어 있다. 척 본체(26)는 세라믹 본체(260)를 갖고 있다. 세라믹 본체(260)는, 세라믹으로 형성되어 있고, 대략 원반형상을 갖고 있다.
세라믹 본체(260)는, 기판 탑재 영역(260a) 및 외주 영역(260b)을 갖고 있다. 기판 탑재 영역(260a)은 대략 원반형상의 영역이다. 기판 탑재 영역(260a)의 상면은, 그 위에 기판(W)이 재치되는 척 본체(26)의 상면이다. 외주 영역(260b)은, 대략 고리형 판형상의 영역이며, 기판 탑재 영역(260a)을 둘러싸도록 연장되어 있다. 즉, 외주 영역(260b)은, 기판 탑재 영역(260a)의 외측에서, 척 본체(26) 및 세라믹 본체(260)의 중심축선(AX)에 대하여 둘레 방향으로 연장되어 있다. 기판 탑재 영역(260a) 및 외주 영역(260b)은, 척 본체(26)의 연속하는 평탄한 하면(이면)을 제공하고 있다. 외주 영역(260b)의 상면은, 기판 탑재 영역(260a)의 상면보다, 척 본체(26)의 이면 근처에 있어서 연장되어 있다. 외주 영역(260b) 상에는 도 1에 나타낸 바와 같이 포커스링(FR)이 탑재된다.
척 본체(26)는, 전극(26a), 복수의 제1 히터(26b) 및 복수의 제2 히터(26c)를 갖고 있다. 전극(26a)은, 기판 탑재 영역(260a) 내에 있어서 중심축선(AX)에 직교하는 방향으로 연장되어 있다. 복수의 제1 히터(26b) 및 복수의 제2 히터(26c)의 각각은 박막 저항 히터이다. 복수의 제1 히터(26b) 및 복수의 제2 히터(26c)는, 세라믹 본체(260) 내에 설치되어 있다. 복수의 제1 히터(26b) 및 복수의 제2 히터(26c)는, 전극(26a)과 척 본체(26)의 이면 사이에 설치되어 있다. 복수의 제1 히터(26b)는, 중심축선(AX)에 직교하는 척 본체(26) 내의 면 위에서 분포되어 있다. 복수의 제2 히터(26c)의 개수는 복수의 제1 히터(26b)의 개수보다 많다. 복수의 제2 히터(26c)는, 중심축선(AX)에 직교하는 척 본체(26) 내의 별도의 면 위에서 분포되어 있다.
도 4는, 도 2에 나타내는 스테이지의 복수의 제1 히터의 레이아웃의 예를 나타내는 평면도이다. 도 4는, 중심축선(AX)에 직교하는 면내에서의 복수의 제1 히터(26b)의 레이아웃을 예시하고 있다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 일실시형태에 있어서, 복수의 제1 히터(26b)는, 중심축선(AX)에 대하여 동축으로 설치되어 있다. 구체적으로, 복수의 제1 히터(26b) 중 중앙에 설치되어 있는 제1 히터(26b)의 평면형상은 원형이다. 다른 제1 히터(26b)는, 중앙에 설치되어 있는 제1 히터(26b)를 둘러싸는 고리형상을 갖고 있다. 즉, 중앙에 설치되어 있는 제1 히터(26b) 이외의 제1 히터(26b)는, 둘레 방향으로 연장하는 띠형상을 이루고 있다. 일실시형태에 있어서, 복수의 제1 히터(26b) 중 일부의 히터는 적어도 외주 영역(260b) 내에 설치되어 있다. 예컨대, 복수의 제1 히터(26b) 중 중심축선(AX)에 대하여 가장 외측에서 연장하는 제1 히터(26b)는, 외주 영역(260b) 내에 설치되어 있고, 다른 제1 히터(26b)는, 기판 탑재 영역(260a) 내에 설치되어 있다. 복수의 제1 히터(26b)는, 상기 복수의 제1 히터(26b)가 각각 배치되어 있는 복수의 존(Z1)을 가열한다.
또, 복수의 제1 히터(26b)는, 또한 중심축선(AX)에 대하여 둘레 방향을 따라서 배열되어 있어도 좋다. 즉, 복수의 존(Z1)은, 중심의 존, 및 상기 중심의 존의 외측의 동축의 복수의 영역 내에 있어서 둘레 방향으로 나열된 복수의 존을 포함하고 있어도 좋고, 이들 복수의 존(Z1) 내에 복수의 제1 히터(26b)가 각각 설치되어 있어도 좋다.
도 5는, 도 2에 나타내는 스테이지의 복수의 제2 히터의 레이아웃의 예를 나타내는 평면도이다. 도 5는, 중심축선(AX)에 직교하는 면내에서의 복수의 제2 히터(26c)의 레이아웃을 예시하고 있다. 복수의 제2 히터(26c)는, 기판 탑재 영역(260a) 내에서 분포되도록 설치되어 있다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 일례에 있어서는, 복수의 제2 히터(26c)는, 복수의 존(Z2) 내에 각각 설치되어 있다. 복수의 존(Z2)은, 중심축선(AX)에 교차하는 중심의 존, 및 중심축선(AX)에 대하여 동축의 복수의 영역 내에서 둘레 방향으로 나열된 복수의 존을 포함한다. 또, 복수의 존(Z2)의 각각, 즉, 복수의 제2 히터(26c)는, 복수의 존(Z1)의 어느 것 중에 내포된다.
도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 복수의 제2 히터(26c)는, 척 본체(26)의 상면(즉, 기판 탑재 영역(260a)의 상면)과 복수의 제1 히터(26b) 사이에 설치되어 있다. 즉, 복수의 제2 히터(26c)는, 복수의 제1 히터(26b)에 대하여 상측에 설치되어 있다. 또, 복수의 제2 히터(26c)는, 복수의 제1 히터(26b)에 대하여 하측에 설치되어 있어도 좋다.
복수의 제1 히터(26b)는, 제1 전원(80)으로부터의 출력에 의해 구동됨으로써 발열한다. 제1 전원(80)의 출력은 교류 또는 직류의 출력이다. 즉, 제1 전원(80)의 출력은, 교류 출력 및 직류 출력의 어느 것이어도 좋다. 복수의 제2 히터(26c)는, 제2 전원(82)으로부터의 출력에 의해 구동됨으로써 발열한다. 제2 전원(82)의 출력은 교류 또는 직류의 출력이다. 즉, 제2 전원(82)의 출력은, 교류 출력 및 직류 출력의 어느 것이어도 좋다. 일실시형태에서는, 복수의 제1 히터(26b)는 제1 전원으로부터의 교류 출력에 의해 교류 구동되고, 복수의 제2 히터(26c)는 제2 전원으로부터의 직류 출력에 의해 직류 구동된다. 복수의 제1 히터(26b) 및 복수의 제2 히터(26c)의 구동을 위해, 스테이지(16)는 제1 히터 컨트롤러(71) 및 제2 히터 컨트롤러(72)를 갖고 있다. 이하, 도 2 및 도 3과 함께, 도 6 및 도 7을 참조한다. 도 6은, 도 2에 나타내는 스테이지의 척 본체의 이면에서의 단자의 레이아웃의 예를 나타내는 평면도이다. 도 7은, 도 2에 나타내는 스테이지의 제어에 관련된 구성을 나타내는 도면이다.
복수의 제1 히터(26b)의 각각에는 복수의 제1 급전선(73)이 전기적으로 접속되어 있다. 복수의 제1 히터(26b)의 각각에는 한쌍의 제1 급전선(73)이 접속되어 있다. 복수의 제2 히터(26c)의 각각에는 복수의 제2 급전선(74)이 전기적으로 접속되어 있다. 복수의 제2 히터(26c)의 각각에는 한쌍의 제2 급전선(74)이 접속되어 있다. 일실시형태에 있어서, 복수의 제2 급전선(74)은 복수의 플렉시블 프린터 회로 기판에 의해 제공될 수 있다. 복수의 플렉시블 프린터 회로 기판 각각은, 복수의 제2 급전선(74) 중 대응하는 몇 개의 제2 급전선(74)을 제공하고 있다. 일실시형태에 있어서, 제1 히터 컨트롤러(71), 복수의 제1 급전선(73), 제2 히터 컨트롤러(72) 및 복수의 제2 급전선(74)은, 수용 공간(18s) 내에 설치되어 있다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 척 본체(26)의 이면에는 복수의 단자(26e) 및 복수의 단자(26f)가 설치되어 있다. 복수의 단자(26e)에는 복수의 제1 급전선(73)이 각각 접속되어 있다. 복수의 단자(26e)는, 척 본체(26) 내의 내부 배선을 통해 복수의 제1 히터(26b)에 접속되어 있다. 복수의 단자(26f)에는 복수의 제2 급전선(74)이 접속되어 있다. 복수의 제2 급전선(74)이 복수의 플렉시블 프린터 회로 기판에 의해 제공되어 있는 경우에는, 복수의 단자(26f)는 복수의 단자군으로 그룹화되어 있다. 복수의 단자(26f)는, 척 본체(26) 내의 내부 배선을 통해 복수의 제2 히터(26c)에 접속되어 있다. 일실시형태에 있어서, 복수의 단자(26e) 및 복수의 단자(26f)는 외주 영역(260b) 내에 설치되어 있다. 일실시형태에 있어서, 복수의 단자(26e) 및 복수의 단자(26f)(또는 복수의 단자군)는, 외주 영역(260b)의 전체 둘레에 걸쳐 둘레 방향으로 분산되어 있다.
복수의 제1 급전선(73)은 제1 히터 컨트롤러(71)에 접속되어 있다. 제1 히터 컨트롤러(71)는 제1 전원(80)에 접속되어 있다. 제1 히터 컨트롤러(71)는, 제1 전원(80)으로부터의 출력에 의해 복수의 제1 히터(26b)를 구동시키도록 구성되어 있다. 일실시형태에서는, 제1 히터 컨트롤러(71)는, 제1 전원(80)으로부터의 출력을 분배함으로써 생성한 복수의 제1 출력에 의해 복수의 제1 히터(26b)를 각각 구동시키도록 구성되어 있다. 복수의 제1 히터(26b)를 구동시키기 위해, 제1 히터 컨트롤러(71)는, 복수의 제1 급전선(73)을 통해, 복수의 제1 히터(26b)에 복수의 제1 출력을 각각 공급한다. 제1 히터 컨트롤러(71)는, 복수의 제1 히터(26b)에 각각 공급되는 복수의 제1 출력의 전력량을 개별로 조정하도록 구성되어 있다. 일실시형태에서는, 제1 전원(80)으로부터의 출력은 교류 출력이고, 제1 히터 컨트롤러(71)는, 각각이 교류 출력인 복수의 제1 출력에 의해, 복수의 제1 히터(26b)를 교류 구동시키도록 구성되어 있다.
복수의 제2 급전선(74)은 제2 히터 컨트롤러(72)에 접속되어 있다. 제2 히터 컨트롤러(72)는 제2 전원(82)에 접속되어 있다. 제2 히터 컨트롤러(72)는, 제2 전원(82)으로부터의 출력에 의해 복수의 제2 히터(26c)를 구동시키도록 구성되어 있다. 일실시형태에서는, 제2 히터 컨트롤러(72)는, 제2 전원(82)으로부터의 출력을 분배함으로써 생성한 복수의 제2 출력에 의해 복수의 제2 히터(26c)를 각각 구동시키도록 구성되어 있다. 복수의 제2 히터(26c)를 구동시키는 전력은 복수의 제1 히터(26b)를 구동시키는 전력보다 낮다. 복수의 제2 히터(26c)를 구동시키기 위해, 제2 히터 컨트롤러(72)는, 복수의 제2 급전선(74)을 통해, 복수의 제2 히터(26c)에 복수의 제2 출력을 각각 공급한다. 제2 히터 컨트롤러(72)는, 복수의 제2 히터(26c)에 각각 공급되는 복수의 제2 출력의 전력량을 개별로 조정하도록 구성되어 있다.
일실시형태에서는, 제2 전원(82)으로부터의 출력은 직류 출력이고, 제2 히터 컨트롤러(72)는, 각각이 직류 출력인 복수의 제2 출력에 의해, 복수의 제2 히터(26c)를 직류 구동시키도록 구성되어 있다. 제1 전원(80)이 교류 전원이고, 제2 전원(82)이 직류 전원인 경우에는, 제2 전원(82)은, 도시된 바와 같이 제1 전원(80)에 접속된다. 이 경우에, 제2 전원(82)은, 제1 전원(80)으로부터의 교류 출력을 직류로 변환하는 AC/DC 컨버터이며, 예컨대 스위칭 전원이다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 제1 히터 컨트롤러(71) 내에는 복수의 배선(71f) 및 복수의 배선(71r)이 설치되어 있다. 복수의 배선(71f)의 각각의 일단은, 복수의 제1 급전선(73) 중 대응하는 제1 급전선(73)을 통해, 복수의 제1 히터(26b) 중 대응하는 제1 히터(26b)에 접속되어 있다. 복수의 배선(71r)의 각각의 일단은, 복수의 제1 급전선(73) 중 대응하는 제1 급전선(73)을 통해, 복수의 제1 히터(26b) 중 대응하는 제1 히터(26b)에 접속되어 있다.
복수의 배선(71f)의 각각의 타단은, 필터(F11)(제1 필터)를 통해 제1 전원(80)에 접속되어 있다. 구체적으로는, 복수의 배선(71f)의 타단은 도 2에 나타내는 단자(ET11)에 접속하고 있고, 상기 단자(ET11)는 필터 유닛(FU)의 단자(FT11)에 접속하고 있다. 필터 유닛(FU)은, 필터(F11), 필터(F12)(제1 필터), 필터(F21)(제2 필터) 및 필터(F22)(제2 필터)를 갖고 있다. 필터(F11), 필터(F12), 필터(F21) 및 필터(F22)를 포함하는 필터 유닛(FU)은, 전술한 수용 공간(18s)에 대하여 급전부(18)의 외측에 설치되어 있다.
단자(FT11)는 필터(F11)에 접속되어 있다. 필터(F11)는 제1 전원(80)에 대한 고주파의 유입을 억제한다. 필터(F11)는 예컨대 LC 필터이다. 필터(F11)의 코일의 일단에는 단자(FT11)가 접속되어 있다. 필터(F11)의 코일은, 제1 전원(80)과 제1 히터 컨트롤러(71) 사이의 급전선을 부분적으로 구성하고 있다. 필터(F11)의 코일의 타단은, 상기 필터(F11)의 콘덴서를 통해 그라운드에 접속되어 있다.
복수의 배선(71r)의 각각의 타단은, 필터(F12)를 통해 제1 전원(80)에 접속되어 있다. 구체적으로는, 복수의 배선(71r)의 타단은 도 2에 나타내는 단자(ET12)에 접속하고 있고, 상기 단자(ET12)는 필터 유닛(FU)의 단자(FT12)에 접속하고 있다. 단자(FT12)는 필터(F12)에 접속되어 있다. 필터(F12)는 제1 전원(80)에 대한 고주파의 유입을 억제한다. 필터(F12)는 예컨대 LC 필터이다. 필터(F12)의 코일의 일단에는 단자(FT12)가 접속되어 있다. 필터(F12)의 코일은, 제1 전원(80)과 제1 히터 컨트롤러(71) 사이의 배선을 부분적으로 구성하고 있다. 필터(F12)의 코일의 타단은, 상기 필터(F12)의 콘덴서를 통해 그라운드에 접속되어 있다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 제2 히터 컨트롤러(72) 내에는, 복수의 배선(72p) 및 복수의 배선(72g)이 설치되어 있다. 복수의 배선(72p)의 각각의 일단은, 복수의 제2 급전선(74) 중 대응하는 제2 급전선(74)을 통해, 복수의 제2 히터(26c) 중 대응하는 제2 히터(26c)에 접속되어 있다. 복수의 배선(72g)의 각각의 일단은, 복수의 제2 급전선(74) 중 대응하는 제2 급전선(74)을 통해, 복수의 제2 히터(26c) 중 대응하는 제2 히터(26c)에 접속되어 있다.
복수의 배선(72p)의 각각의 타단은, 필터(F21)를 통해 제2 전원(82)에 접속되어 있다. 구체적으로는, 복수의 배선(72p)의 타단은 도 2에 나타내는 단자(ET21)에 접속하고 있고, 상기 단자(ET21)는 필터 유닛(FU)의 단자(FT21)에 접속하고 있다. 단자(FT21)는 필터(F21)에 접속되어 있다. 필터(F21)는 제2 전원(82)에 대한 고주파의 유입을 억제한다. 필터(F21)는 예컨대 LC 필터이다. 필터(F21)의 코일의 일단에는 단자(FT21)가 접속되어 있다. 필터(F21)의 코일은, 제2 전원(82)과 제2 히터 컨트롤러(72) 사이의 급전선을 부분적으로 구성하고 있다. 필터(F21)의 코일의 타단은, 상기 필터(F21)의 콘덴서를 통해 그라운드에 접속되어 있다.
복수의 배선(72g)의 각각의 타단은, 필터(F22)를 통해 제2 전원(82)에 접속되어 있다. 구체적으로는, 복수의 배선(72g)의 타단은 별도의 단자에 접속하고 있고, 상기 별도의 단자는 필터 유닛(FU)의 별도의 단자에 접속하고 있다. 필터 유닛(FU)의 상기 별도의 단자는 필터(F22)에 접속되어 있다. 필터(F22)는, 제2 전원(82)에 대한 고주파의 유입을 억제하기 위한 필터이다. 필터(F22)는 예컨대 LC 필터이다. 필터(F22)의 코일의 일단에는, 필터 유닛(FU)의 상기 별도의 단자가 접속되어 있다. 필터(F22)의 코일은, 제2 전원(82)의 그라운드와 제2 히터 컨트롤러(72) 사이의 배선을 부분적으로 구성하고 있다. 필터(F22)의 코일의 타단은, 상기 필터(F22)의 콘덴서를 통해 그라운드에 접속되어 있다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 제1 히터 컨트롤러(71)는 제어 회로(71c) 및 복수의 스위칭 소자(SWA)를 갖고 있다. 복수의 스위칭 소자(SWA)는 복수의 배선(71f) 상에 각각 설치되어 있다. 복수의 스위칭 소자(SWA)의 각각은 반도체 스위칭 소자일 수 있고, 예컨대 트라이액일 수 있다. 제1 히터 컨트롤러(71)는, 제1 전원(80)으로부터의 출력(예컨대 AC200V의 교류 출력)을 받아, 복수의 제1 히터(26b)의 각각에 대한 복수의 제1 출력(예컨대 AC200V의 교류 출력)을 생성한다. 제1 히터 컨트롤러(71)에서는, 복수의 스위칭 소자(SWA)의 상태가 도통 상태와 차단 상태의 사이에서 전환되는 것에 의해, 복수의 제1 히터(26b)의 각각에 대한 복수의 제1 출력의 공급과 공급 정지가 전환된다. 복수의 스위칭 소자(SWA)의 상태는, 제어 회로(71c)에 의해 설정된다. 제어 회로(71c)는, 예컨대 FPGA(field-programmable gate array) 또는 전용 회로로 구성될 수 있다.
도 3 및 도 7에 나타낸 바와 같이, 스테이지(16)에는 복수의 온도 센서(TS)가 설치되어 있다. 복수의 온도 센서(TS)는, 척 본체(26)의 복수의 존(Z1)의 각각의 온도를 측정하도록 스테이지(16)에 부착되어 있다. 예컨대, 복수의 온도 센서(TS)는, 복수의 존(Z1)의 각각의 온도를 척 본체(26)의 이면에서 측정한다. 복수의 온도 센서(TS)의 각각은, 예컨대 형광식 온도 센서이다. 복수의 온도 센서(TS)는 센서 회로(TC)에 접속되어 있다. 복수의 온도 센서(TS) 각각의 출력은, 센서 회로(TC)에 있어서 디지털의 전기 신호, 즉, 복수의 존(Z1)의 각각의 온도의 측정치로 변환된다. 복수의 존(Z1)의 각각의 온도의 측정치는 상위 컨트롤러(UC)에 부여된다.
제2 히터 컨트롤러(72)는, 내부 컨트롤러(72f), 제어 회로(72c) 및 복수의 스위칭 소자(SWD)를 갖고 있다. 복수의 스위칭 소자(SWD)는 복수의 배선(72p) 상에 각각 설치되어 있다. 복수의 스위칭 소자(SWD)의 각각은 반도체 스위칭 소자일 수 있고, 예컨대 포토 MOS 릴레이일 수 있다. 제2 히터 컨트롤러(72)는, 제2 전원(82)으로부터 출력(예컨대 DC 15 V의 직류 출력)을 받아, 복수의 제2 히터(26c)의 각각에 대한 복수의 제2 출력을 생성한다. 제2 히터 컨트롤러(72)에서는, 복수의 스위칭 소자(SWD)의 상태가 도통 상태와 차단 상태의 사이에서 전환되는 것에 의해, 복수의 제2 히터(26c)의 각각에 대한 복수의 제2 출력의 공급과 공급 정지가 전환된다. 복수의 스위칭 소자(SWD)의 상태는 제어 회로(72c)에 의해 설정된다. 제어 회로(72c)는, 예컨대 FPGA 또는 전용 회로로 구성될 수 있다.
복수의 배선(72p) 상에는 복수의 저항 소자(72r)가 각각 설치되어 있다. 제2 히터 컨트롤러(72)는 복수의 측정기(72m)를 더 갖고 있다. 복수의 측정기(72m)는, 복수의 저항 소자(72r)의 양단 사이의 전압을 각각 측정하고, 복수의 배선(72p)을 흐르는 전류를 각각 측정한다. 복수의 측정기(72m)에 의해 취득된 전압의 측정치 및 전류의 측정치는, 제어 회로(72c), 내부 컨트롤러(72f) 및 광브릿지(OB)를 통해 상위 컨트롤러(UC)에 부여된다.
제2 히터 컨트롤러(72)의 내부 컨트롤러(72f)는 광브릿지(OB)를 통해 상위 컨트롤러(UC)에 접속되어 있다. 내부 컨트롤러(72f)는, 예컨대 CPU와 같은 프로세서 또는 FPGA로 구성될 수 있다. 내부 컨트롤러(72f)는, 광브릿지(OB)를 통해 상위 컨트롤러(UC)와 통신하고, 제어 회로(71c) 및 제어 회로(72c)에 제어 신호를 송출한다. 상위 컨트롤러(UC)는, CPU와 같은 프로세서 및 메모리와 같은 기억 장치를 구비하는 마이크로컴퓨터로 구성될 수 있다. 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 주제어부(MC)로부터 상위 컨트롤러(UC)에 기판(W)의 면내 온도 분포의 설정 데이터가 부여된다.
상위 컨트롤러(UC)는, 기판(W)의 면내 온도 분포의 설정 데이터로부터, 복수의 존(Z1) 각각의 목표 온도 및 복수의 제2 출력 각각의 미리 정해진 시간당의 전력량의 목표치를 결정한다. 상위 컨트롤러(UC)는, 복수의 존(Z1) 각각의 목표 온도에 따른 전력량(미리 정해진 시간당의 전력량)의 복수의 제1 출력이 복수의 제1 히터(26b)에 각각 공급되도록, 광브릿지(OB) 및 내부 컨트롤러(72f)를 통해 제어 회로(71c)를 제어한다. 제어 회로(71c)는, 상위 컨트롤러(UC) 및 내부 컨트롤러(72f)에 의한 제어에 응답하여, 복수의 제1 히터(26b)에 각각 공급되는 복수의 제1 출력의 전력량을 제어한다.
상위 컨트롤러(UC)는, 복수의 온도 센서(TS) 및 센서 회로(TC)에 의해 취득되는 복수의 존(Z1)의 각각의 온도의 측정치와 복수의 존(Z1)의 각각의 목표 온도 사이의 오차를 감소시키도록, 복수의 제1 히터(26b)에 각각 공급되는 복수의 제1 출력의 전력량의 피드백 제어를 실행한다. 복수의 제1 히터(26b)에 각각 공급되는 복수의 제1 출력의 전력량의 피드백 제어는, 예컨대 PID 제어이다. 또, 상위 컨트롤러(UC)는, 복수의 제1 히터(26b)에 각각 공급되는 복수의 제1 출력의 전력량의 피드백 제어에 있어서, 복수의 존(Z1)의 각각의 온도의 측정치의 시계열로부터 구해지는 복수의 존(Z1)의 각각의 온도의 이동 평균치와 복수의 존(Z1)의 각각의 목표 온도 사이의 오차를 구해도 좋다.
일실시형태에서는, 제1 히터 컨트롤러(71)의 복수의 제1 출력의 전력은 실질적으로 동일하고 또한 일정하다. 이 실시형태에 있어서, 제1 히터 컨트롤러(71)는 복수의 제1 듀티비를 제어하도록 구성되어 있다. 복수의 제1 듀티비는, 복수의 제1 출력이 각각 복수의 제1 히터(26b)에 공급되는 공급 시간 길이의 미리 정해진 시간 길이(예컨대 100 밀리초) 중의 비율이다. 상위 컨트롤러(UC)는, 복수의 제1 듀티비를, 광브릿지(OB) 및 내부 컨트롤러(72f)를 통해 제어 회로(71c)에 지정한다. 제어 회로(71c)는, 지정된 복수의 제1 듀티비에 따라서, 미리 정해진 시간 내에서의 복수의 스위칭 소자(SWA) 각각의 상태(도통 상태와 차단 상태)를 전환한다. 이에 따라, 복수의 제1 히터(26b)의 각각에 대한 복수의 제1 출력의 공급과 공급 정지가 교대로 전환된다.
상위 컨트롤러(UC)는, 복수의 온도 센서(TS) 및 센서 회로(TC)에 의해 취득되는 복수의 존(Z1)의 각각의 온도의 측정치와 복수의 존(Z1)의 각각의 목표 온도 사이의 오차를 감소시키도록 복수의 제1 듀티비를 조정한다. 즉, 상위 컨트롤러(UC)는 복수의 제1 듀티비의 피드백 제어를 실행한다. 복수의 제1 듀티비의 피드백 제어는 예컨대 PID 제어이다. 또, 상위 컨트롤러(UC)는, 복수의 제1 듀티비의 피드백 제어에 있어서, 복수의 존(Z1)의 각각의 온도의 측정치의 시계열로부터 구해지는 복수의 존(Z1)의 각각의 온도의 이동 평균치와 복수의 존(Z1)의 각각의 목표 온도 사이의 오차를 구해도 좋다.
상위 컨트롤러(UC)는, 기판(W)의 면내 온도 분포의 설정 데이터에 기초하여 결정한 미리 정해진 시간당의 전력량의 목표치에 따른 복수의 제2 출력이 복수의 제2 히터(26c)에 각각 공급되도록, 광브릿지(OB) 및 내부 컨트롤러(72f)를 통해 제어 회로(72c)를 제어한다. 제어 회로(72c)는, 상위 컨트롤러(UC) 및 내부 컨트롤러(72f)에 의한 제어에 응답하여, 복수의 제2 히터(26c)에 각각 공급되는 복수의 제2 출력의 전력량(미리 정해진 시간당의 전력량)을 제어한다.
상위 컨트롤러(UC)는, 복수의 전력의 측정치에 기초하여 복수의 제2 출력의 전력량의 피드백 제어를 실행한다. 복수의 제2 출력의 전력량의 피드백 제어는 예컨대 PID 제어이다. 복수의 전력의 측정치의 각각은, 복수의 측정기(72m) 중 대응하는 측정기(72m)에 의해 취득된 전압의 측정치와 전류의 측정치의 곱이다. 또, 복수의 제2 출력의 각각이 교류 출력인 경우에는, 복수의 전력의 측정치의 각각은, 복수의 측정기(72m) 중 대응하는 측정기(72m)에 의해 취득된 전압의 측정치와 전류의 측정치의 곱으로부터 구해지는 실효치일 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 복수의 제2 출력의 전력량의 각각은, 복수의 측정기(72m) 중 대응하는 측정기(72m)에 의해 취득된 전압의 측정치와 전류의 측정치의 곱의 시계열의 이동 평균치에 기초하여 제어되어도 좋다. 또, 복수의 제2 출력의 각각이 교류 출력인 경우에는, 복수의 전력의 측정치의 각각은, 복수의 측정기(72m) 중 대응하는 측정기(72m)에 의해 취득된 전압의 측정치와 전류의 측정치의 곱으로부터 구해지는 실효치의 시계열의 이동 평균치일 수 있다.
일실시형태에서는, 제2 히터 컨트롤러(72)의 복수의 제2 출력의 전력은 실질적으로 동일하고 또한 일정하다. 이 실시형태에 있어서, 제2 히터 컨트롤러(72)는 복수의 제2 듀티비를 제어하도록 구성되어 있다. 복수의 제2 듀티비는, 복수의 제2 출력이 각각 복수의 제2 히터(26c)에 공급되는 공급 시간 길이의 미리 정해진 시간 길이(예컨대 100 밀리초) 중의 비율이다. 상위 컨트롤러(UC)는, 복수의 제2 듀티비를, 광브릿지(OB) 및 내부 컨트롤러(72f)를 통해 제어 회로(71c)에 지정한다. 제어 회로(72c)는, 지정된 복수의 제2 듀티비에 따라서, 미리 정해진 시간 내에서의 복수의 스위칭 소자(SWD) 각각의 상태(도통 상태와 차단 상태)를 전환한다. 이에 따라, 복수의 제2 히터(26c)의 각각에 대한 복수의 제2 출력의 공급과 공급 정지가 교대로 전환된다.
상위 컨트롤러(UC)는, 복수의 제2 출력의 각각의 전력의 측정치와 복수의 제2 듀티비 중 대응하는 제2 듀티비의 곱과 전력량의 목표치 사이의 오차를 감소시키도록, 복수의 제2 듀티비를 조정한다. 즉, 상위 컨트롤러(UC)는 복수의 제2 듀티비의 피드백 제어를 실행한다. 복수의 제2 듀티비의 피드백 제어는 예컨대 PID 제어이다. 또, 상위 컨트롤러는, 복수의 제2 듀티비의 피드백 제어에 있어서, 복수의 제2 출력의 각각의 전력의 측정치와 대응하는 제2 듀티비의 곱의 시계열의 이동 평균치와 목표치의 오차를 구해도 좋다.
전술한 바와 같이, 상위 컨트롤러(UC)는, 기판(W)의 면내 온도 분포의 설정 데이터로부터, 복수의 제2 출력 각각의 미리 정해진 시간당의 전력량의 목표치를 결정한다. 구체적으로, 상위 컨트롤러(UC)는, 기판(W)의 면내 온도 분포의 설정 데이터로부터, 복수의 제2 히터(26c) 각각에 의한 목표 온도 상승량을 결정하고, 상기 목표 온도 상승량으로부터, 복수의 제2 히터(26c) 각각에 공급되는 제2 출력의 미리 정해진 시간당의 전력량의 목표치를 결정한다. 이 때문에, 상위 컨트롤러(UC)는, 복수의 제2 히터(26c) 각각에 의한 온도 상승량을, 복수의 제2 히터(26c) 각각에 공급되는 제2 출력의 미리 정해진 시간당의 전력량으로 변환하는 함수를 미리 유지하고 있다. 이하, 도 8을 참조하여, 복수의 제2 히터(26c) 각각에 의한 온도 상승량을, 복수의 제2 히터(26c) 각각에 공급되는 제2 출력의 미리 정해진 시간당의 전력량으로 변환하는 함수를 구하는 수법에 관해 설명한다.
이 함수를 구할 때에는, 복수의 제2 히터(26c) 중, 이들의 하측에 온도 센서(TS)(이하, 「특정한 온도 센서(TS)」라고 함)가 배치되어 있는 특정한 제2 히터(26c)에 제2 출력이 부여된다. 또, 특정한 제2 히터(26c)의 개수는, 도 8에 나타내는 예에서는 3개이다. 그리고, 상기 특정한 제2 히터(26c)의 상측의 척 본체(26)의 상면 내의 특정한 영역의 적외선 에너지가, 적외선 카메라(IRC)에 의해 취득된다. 또, 상기 특정한 영역의 개수는, 특정한 제2 히터(26c)의 개수와 동수이다. 적외선 카메라(IRC)에 의해 취득된 특정한 영역의 적외선 에너지의 측정치는 컴퓨터(PC)에 입력된다. 컴퓨터(PC)에는, 특정한 온도 센서(TS)로부터의 온도의 측정치도 입력된다. 그리고, 컴퓨터(PC)에 있어서, 특정한 온도 센서(TS)로부터의 온도의 측정치와 적외선 카메라(IRC)로부터의 특정한 영역의 적외선 에너지의 측정치로부터, 적외선 에너지의 측정치를 온도로 변환하는 변환 계수가 작성된다.
변환 계수가 작성된 후, 특정한 제2 히터(26c)에 제2 출력이 부여된다. 그리고, 특정한 영역의 적외선 에너지가 적외선 카메라(IRC)에 의해 측정된다. 적외선 카메라(IRC)에 의해 취득된 특정한 영역의 적외선 에너지의 측정치는 컴퓨터(PC)에 입력된다. 그리고, 컴퓨터(PC)에 있어서, 변환 계수를 이용하여, 특정한 영역의 적외선 에너지의 측정치로부터 상기 특정한 영역의 온도가 계산된다. 이러한 처리가, 전술한 제2 듀티비를 변경함으로써 제2 출력의 미리 정해진 시간당의 전력량을 변경하면서, 반복된다. 그리고, 계산된 특정한 영역의 온도로부터 얻어지는 온도 상승량과, 부여된 제2 출력의 미리 정해진 시간당의 전력량의 관계로부터, 특정한 제2 히터(26c)의 각각에 관해, 온도 상승량을 제2 출력의 미리 정해진 시간당의 전력량으로 변환하는 함수가 구해진다.
상위 컨트롤러(UC)는, 목표 온도 상승량에 대응하는 제2 출력의 미리 정해진 시간당의 전력량을, 구해진 대응 함수를 이용하여 특정함으로써, 복수의 제2 히터(26c) 각각에 공급되는 제2 출력의 미리 정해진 시간당의 전력량의 목표치를 결정한다. 또, 특정한 제2 히터(26c) 중 임의의 하나의 제2 히터(26c)와 동일한 존(Z1)에 내포되는 다른 제2 히터(26c)에 공급되는 제2 출력의 미리 정해진 시간당의 전력량의 목표치를 결정할 때에는, 상기 임의의 하나의 제2 히터(26c)를 이용하여 구해진 함수가 이용된다.
전술한 스테이지(16)에서는, 제1 히터(26b)의 개수가 제2 히터(26c)의 개수보다 소수이다. 즉, 제1 히터(26b)의 개수가 비교적 적다. 따라서, 복수의 제1 히터(26b)용의 급전선의 개수가 적어지고, 각 급전선의 정격 전류가 커진다. 그 때문에, 복수의 제1 히터(26b)의 각각에 공급되는 제1 출력의 설정 가능한 전력의 레인지가 넓어지고, 설정 가능한 온도의 레인지가 넓어진다. 또한, 비교적 다수의 제2 히터(26c)의 각각은, 비교적 작은 전력을 갖는 제2 출력에 의해 구동 가능하다. 따라서, 복수의 제2 히터(26c)의 각각이 설정 가능한 온도의 레인지는 좁지만, 복수의 제2 히터(26c)는 기판(W)의 면내 온도 분포를 미세하게 제어 가능하다. 스테이지(16)는 이러한 복수의 제1 히터(26b) 및 복수의 제2 히터(26c)를 갖기 때문에, 상기 스테이지(16)가 설정 가능한 온도의 레인지는 넓고, 또한, 상기 스테이지(16)는 기판(W)의 면내 온도 분포를 미세하게 제어 가능하다.
일실시형태에 있어서, 복수의 제1 히터(26b)는 중심축선(AX)에 대하여 동축으로 설치되어 있다. 복수의 제2 히터(26c)는 복수의 존(Z2) 내에 각각 설치되어 있다. 복수의 존(Z2)은, 중심축선(AX)에 교차하는 중심의 존, 및 상기 중심의 존을 둘러싸고, 또한, 중심축선(AX)에 대하여 동축의 복수의 영역 내에서 둘레 방향으로 나열된 복수의 존에 각각 설치되어 있다. 이 실시형태에 의하면, 복수의 제1 히터(26b)에 의해 기판(W)의 직경 방향의 온도 분포가 제어되고, 복수의 제2 히터(26c)에 의해 기판(W)의 직경 방향 및 둘레 방향의 온도 분포가 제어된다.
일실시형태에 있어서, 복수의 제2 히터(26c)가 복수의 제1 히터(26b)보다 척 본체(26)의 상면, 즉, 그 위에 기판(W)이 재치되는 면의 근처에 설치되어 있다. 따라서, 기판(W)의 면내 온도 분포의 제어성을 더욱 높일 수 있다.
일실시형태에서는, 복수의 제1 급전선(73), 제1 히터 컨트롤러(71), 복수의 제2 급전선(74) 및 제2 히터 컨트롤러(72)는, 수용 공간(18s) 내에 배치되어 있다. 이 실시형태에 의하면, 고주파의 전송로에 의해 둘러싸인 수용 공간(18s) 내에 있어서 복수의 제1 히터(26b)에 출력이 분배되기 때문에, 스테이지(16)로부터 제1 전원(80)에 고주파가 유입되는 것을 억제하기 위한 필터의 개수를 삭감할 수 있다. 또한, 수용 공간(18s) 내에 있어서 복수의 제2 히터(26c)에 출력이 분배되기 때문에, 스테이지(16)로부터 제2 전원(82)에 고주파가 유입되는 것을 억제하기 위한 필터의 개수를 삭감할 수 있다. 따라서, 필터의 임피던스 특성의 저하가 억제되고 또한 고주파의 손실이 억제된다.
일실시형태에서는, 복수의 제1 히터(26b)를 각각 구동시키는 복수의 제1 출력의 전력량이 제1 듀티비에 의해 조정되고, 복수의 제2 히터(26c)를 각각 구동시키는 복수의 제2 출력의 전력량이 제2 듀티비에 의해 조정된다. 이 실시형태에 의하면, 다수의 전력 제어 회로(예컨대 DC/DC 컨버터)를 제2 히터 컨트롤러(72)에 탑재하지 않고, 복수의 제2 히터(26c)를 각각 구동시키는 복수의 제2 출력의 전력량을 조정하는 것이 가능해진다.
일실시형태에서는, 복수의 제2 히터(26c)에 공급되는 복수의 제2 출력이, 복수의 제2 히터(26c)가 각각 배치되어 있는 존(Z2)의 각각의 온도의 측정치에 기초하여 제어되는 것은 아니며, 전술한 전력의 측정치와 제2 듀티비의 곱 또는 이동 평균치에 기초하여 제어된다. 따라서, 스테이지(16)에 구비되는 온도 센서의 개수가 적어진다.
일실시형태에서는, 복수의 단자(26e) 및 복수의 단자(26f)가, 기판 탑재 영역(260a)에 설치되어 있지 않고, 외주 영역(260b)에 설치되어 있다. 따라서, 기판(W)의 온도 제어에 대한 복수의 단자(26e) 및 복수의 단자(26f)에 의한 영향이 억제된다.
이상, 여러가지 실시형태에 관해 설명했지만, 전술한 실시형태에 한정되지 않고 여러가지 변형 양태를 구성할 수 있다. 전술한 여러가지 실시형태 중의 어느 스테이지를 구비하는 플라즈마 처리 장치는, 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치, 마이크로파와 같은 표면파를 이용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 처리 장치와 같은 임의의 플라즈마 처리 장치이어도 좋다.
10 : 플라즈마 처리 장치, 12 : 챔버 본체, 12c : 챔버, 16 : 스테이지, 18 : 급전부, 18s : 수용 공간, 20 : 정전 척, 22 : 베이스, 22f : 유로, 26 : 척 본체, 26a : 전극, 26b : 제1 히터, 26c : 제2 히터, 26e, 26f : 단자, 62 : 제1 고주파 전원, 64 : 제2 고주파 전원, 71 : 제1 히터 컨트롤러, 72 : 제2 히터 컨트롤러, 72 m : 측정기, 73 : 제1 급전선, 74 : 제2 급전선, 80 : 제1 전원, 82 : 제2 전원, 260 : 세라믹 본체, 260a : 기판 탑재 영역, 260b : 외주 영역, AX : 중심축선, F11, F12, F21, F22 : 필터, MC : 주제어부, TS : 온도 센서, TU : 칠러 유닛, UC : 상위 컨트롤러.

Claims (15)

  1. 플라즈마 처리 장치용의 스테이지로서,
    고주파 전원으로부터의 고주파를 전송하는 전송로를 제공하는 급전부와,
    도전성을 가지며, 상기 급전부 상에 설치되고, 상기 급전부에 전기적으로 접속된 베이스, 및 상기 베이스 상에 설치되고, 기판을 정전 인력에 의해 유지하도록 구성된 척 본체를 갖는 정전 척
    을 구비하고,
    상기 척 본체는,
    그 위에 기판이 탑재되는 기판 탑재 영역과, 상기 척 본체의 중심축선에 대해 직경 방향에서 외측으로부터 상기 기판 탑재 영역을 둘러싸는 포커스 링이 그 위에 탑재되는 외주 영역이며, 상기 기판 탑재 영역의 상면보다도 상기 척 본체의 이면에 가깝게 연장되는 상면을 포함하는 상기 외주 영역을 가지고, 세라믹으로 형성된 세라믹 본체와,
    상기 척 본체의 상기 중심축선에 직교하는 상기 척 본체 내의 면 위에서 분포되도록 상기 세라믹 본체 내에 설치된 복수의 제1 히터이며, 상기 복수의 제1 히터 중 일부가 적어도 상기 외주 영역 내에 설치되어 있는, 상기 복수의 제1 히터와,
    상기 복수의 제1 히터의 개수보다 다수인 복수의 제2 히터이며, 상기 중심축선에 직교하는 상기 척 본체 내의 별도의 면 위에서 분포되도록 상기 세라믹 본체 내의 상기 기판 탑재 영역 내에 설치되어 있는, 상기 복수의 제2 히터
    를 가지며,
    상기 스테이지는,
    제1 전원으로부터의 교류 또는 직류의 출력에 의해, 상기 복수의 제1 히터를 구동시키도록 구성된 제1 히터 컨트롤러와,
    상기 제1 전원으로부터의 상기 출력의 전력보다 낮은 전력을 갖는 제2 전원으로부터의 교류 또는 직류의 출력에 의해, 상기 복수의 제2 히터를 구동시키도록 구성된 제2 히터 컨트롤러
    를 더 구비하는 것인 스테이지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 히터 컨트롤러는, 상기 제1 전원으로부터의 교류 출력에 의해, 상기 복수의 제1 히터를 교류 구동시키도록 구성되고,
    상기 제2 히터 컨트롤러는, 상기 제2 전원으로부터의 직류 출력에 의해, 상기 복수의 제2 히터를 각각 직류 구동시키도록 구성되는 것인 스테이지.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 제1 히터는, 상기 중심축선에 대하여 동축으로 설치되고,
    상기 복수의 제2 히터는, 상기 중심축선에 교차하는 중심의 존, 및 상기 중심의 존을 둘러싸고, 상기 중심축선에 대하여 동축의 복수의 영역 내에서 둘레 방향으로 나열된 복수의 존에 각각 설치되는 것인 스테이지.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 척 본체는, 상기 베이스측의 표면인 이면, 및 상기 이면과는 반대측의 표면인 상면을 가지며,
    상기 복수의 제2 히터는, 상기 복수의 제1 히터와 상기 상면의 사이에 설치되는 것인 스테이지.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 제1 히터에 각각 전기적으로 접속된 복수의 제1 급전선과,
    상기 복수의 제2 히터에 각각 전기적으로 접속된 복수의 제2 급전선
    을 더 구비하고,
    상기 제1 히터 컨트롤러는, 상기 제1 전원으로부터의 상기 출력을 분배하여 복수의 제1 출력을 생성하고, 개별로 조정된 전력량을 갖는 상기 복수의 제1 출력을, 상기 복수의 제1 급전선을 통해 상기 복수의 제1 히터의 각각에 공급하도록 구성되고,
    상기 제2 히터 컨트롤러는, 상기 제2 전원으로부터의 상기 출력을 분배하여 복수의 제2 출력을 생성하고, 개별로 조정된 전력량을 갖는 상기 복수의 제2 출력을, 상기 복수의 제2 급전선을 통해 상기 복수의 제2 히터의 각각에 공급하도록 구성되고,
    상기 급전부는, 상기 전송로에 의해 둘러싸인 수용 공간을 구획하고,
    상기 복수의 제1 급전선, 상기 제1 히터 컨트롤러, 상기 복수의 제2 급전선 및 상기 제2 히터 컨트롤러는, 상기 수용 공간 내에 설치되는 것인 스테이지.
  6. 제5항에 있어서, 상기 복수의 제1 출력의 전력은 동일하고 일정하며, 상기 제1 히터 컨트롤러는, 상기 복수의 제1 출력이 각각 상기 복수의 제1 히터에 공급되는 공급 시간 길이의 미리 정해진 시간 길이 중의 비율인 복수의 제1 듀티비를 제어하도록 구성되고,
    상기 복수의 제2 출력의 전력은 동일하고 일정하며, 상기 제2 히터 컨트롤러는, 상기 복수의 제2 출력이 각각 상기 복수의 제2 히터에 공급되는 공급 시간 길이의 미리 정해진 시간 길이 중의 비율인 복수의 제2 듀티비를 제어하도록 구성되는 것인 스테이지.
  7. 플라즈마 처리 장치용의 스테이지로서,
    고주파 전원으로부터의 고주파를 전송하는 전송로를 제공하는 급전부와,
    도전성을 가지며, 상기 급전부 상에 설치되고, 상기 급전부에 전기적으로 접속된 베이스, 및 상기 베이스 상에 설치되고, 기판을 정전 인력에 의해 유지하도록 구성된 척 본체를 갖는 정전 척
    을 구비하고,
    상기 척 본체는,
    상기 척 본체의 중심축선에 직교하는 상기 척 본체 내의 면 위에서 분포되도록 상기 척 본체 내에 설치된 복수의 제1 히터와,
    상기 복수의 제1 히터의 개수보다 다수인 복수의 제2 히터이며, 상기 중심축선에 직교하는 상기 척 본체 내의 별도의 면 위에서 분포되도록 상기 척 본체 내에 설치된 복수의 제2 히터
    를 가지며,
    상기 스테이지는,
    제1 전원으로부터의 교류 또는 직류의 출력에 의해, 상기 복수의 제1 히터를 구동시키도록 구성된 제1 히터 컨트롤러와,
    상기 제1 전원으로부터의 상기 출력의 전력보다 낮은 전력을 갖는 제2 전원으로부터의 교류 또는 직류의 출력에 의해, 상기 복수의 제2 히터를 구동시키도록 구성된 제2 히터 컨트롤러와,
    상기 복수의 제1 히터에 각각 전기적으로 접속된 복수의 제1 급전선과,
    상기 복수의 제2 히터에 각각 전기적으로 접속된 복수의 제2 급전선과,
    상기 복수의 제1 히터가 각각 배치되는 복수의 존의 각각의 온도를 측정하도록 설치된 복수의 온도 센서를 더 구비하고,
    상기 제1 히터 컨트롤러는, 상기 제1 전원으로부터의 상기 출력을 분배하여 복수의 제1 출력을 생성하고, 개별로 조정된 전력량을 갖는 상기 복수의 제1 출력을, 상기 복수의 제1 급전선을 통해 상기 복수의 제1 히터의 각각에 공급하도록 구성되고,
    상기 제2 히터 컨트롤러는, 상기 제2 전원으로부터의 상기 출력을 분배하여 복수의 제2 출력을 생성하고, 개별로 조정된 전력량을 갖는 상기 복수의 제2 출력을, 상기 복수의 제2 급전선을 통해 상기 복수의 제2 히터의 각각에 공급하도록 구성되고,
    상기 급전부는, 상기 전송로에 의해 둘러싸인 수용 공간을 구획하고,
    상기 복수의 제1 급전선, 상기 제1 히터 컨트롤러, 상기 복수의 제2 급전선 및 상기 제2 히터 컨트롤러는, 상기 수용 공간 내에 설치되고,
    상기 복수의 제1 출력의 전력은 동일하고 일정하며, 상기 제1 히터 컨트롤러는, 상기 복수의 제1 출력이 각각 상기 복수의 제1 히터에 공급되는 공급 시간 길이의 미리 정해진 시간 길이 중의 비율인 복수의 제1 듀티비를 제어하도록 구성되고,
    상기 복수의 제2 출력의 전력은 동일하고 일정하며, 상기 제2 히터 컨트롤러는, 상기 복수의 제2 출력이 각각 상기 복수의 제2 히터에 공급되는 공급 시간 길이의 미리 정해진 시간 길이 중의 비율인 복수의 제2 듀티비를 제어하도록 구성되고,
    상기 제1 히터 컨트롤러는, 상기 복수의 온도 센서의 각각에 의해 측정된 온도의 측정치와 목표 온도 사이의 오차, 또는 상기 복수의 온도 센서의 각각에 의해 측정된 온도의 측정치의 시계열로부터 구해지는 이동 평균치와 상기 목표 온도 사이의 오차를 감소시키도록, 상기 복수의 제1 듀티비를 조정하도록 구성되고,
    상기 제2 히터 컨트롤러는, 상기 복수의 제2 출력의 각각의 전력의 측정치와 상기 복수의 제2 듀티비 중 대응하는 제2 듀티비의 곱과 목표치 사이의 오차, 또는 상기 복수의 제2 출력의 각각의 전력의 측정치와 상기 대응하는 제2 듀티비의 곱의 시계열로부터 구해지는 이동 평균치와 상기 목표치 사이의 오차를 감소시키도록, 상기 복수의 제2 듀티비를 조정하도록 구성되는 것인 스테이지.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 히터 컨트롤러는, 상기 제1 전원으로부터의 교류 출력에 의해, 상기 복수의 제1 히터를 교류 구동시키도록 구성되고,
    상기 제2 히터 컨트롤러는, 상기 제2 전원으로부터의 직류 출력에 의해, 상기 복수의 제2 히터를 각각 직류 구동시키도록 구성되는 것인 스테이지.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 복수의 제1 히터는, 상기 중심축선에 대하여 동축으로 설치되고,
    상기 복수의 제2 히터는, 상기 중심축선에 교차하는 중심의 존, 및 상기 중심의 존을 둘러싸고, 상기 중심축선에 대하여 동축의 복수의 영역 내에서 둘레 방향으로 나열된 복수의 존에 각각 설치되는 것인 스테이지.
  10. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 척 본체는, 상기 베이스측의 표면인 이면, 및 상기 이면과는 반대측의 표면인 상면을 가지며,
    상기 복수의 제2 히터는, 상기 복수의 제1 히터와 상기 상면의 사이에 설치되는 것인 스테이지.
  11. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 척 본체는, 그 위에 기판이 배치되는 기판 탑재 영역, 및 상기 중심축선에 대하여 직경 방향에 있어서 외측으로부터 상기 기판 탑재 영역을 둘러싸는 외주 영역을 가지며,
    상기 복수의 제1 급전선 및 상기 복수의 제2 급전선이 전기적으로 접속되는 복수의 단자가 상기 외주 영역에 설치되는 것인 스테이지.
  12. 제11항에 있어서, 상기 복수의 단자는, 상기 외주 영역의 전체 둘레에 걸쳐 분산되는 것인 스테이지.
  13. 제11항에 있어서, 상기 복수의 제2 히터는, 상기 기판 탑재 영역 내에 설치되고,
    상기 복수의 제1 히터 중 일부는, 적어도 상기 외주 영역 내에 설치되는 것인 스테이지.
  14. 챔버를 제공하는 챔버 본체와,
    제1항, 제2항, 제7항 및 제8항 중 어느 한 항에 기재된 스테이지로서, 적어도 상기 정전 척이 상기 챔버 내에 설치된 상기 스테이지와,
    상기 급전부에 전기적으로 접속된 고주파 전원
    을 구비하는 플라즈마 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 전원으로의 고주파의 유입을 억제하기 위한 제1 필터로서, 상기 제1 전원과 상기 제1 히터 컨트롤러 사이의 급전선을 부분적으로 구성하고, 상기 수용 공간에 대하여 상기 급전부의 외측에 설치된 상기 제1 필터와,
    상기 제2 전원에 대한 고주파의 유입을 억제하기 위한 제2 필터이며, 상기 제2 전원과 상기 제2 히터 컨트롤러 사이의 급전선을 부분적으로 구성하고, 상기 수용 공간에 대하여 상기 급전부의 외측에 설치된 상기 제2 필터
    를 더 구비하는 플라즈마 처리 장치.
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