KR102567674B1 - 유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 - Google Patents

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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Abstract

신규 유기 화합물을 제공한다. 즉, 소자 특성이나 신뢰성을 높이는 데에 효과적인 신규 유기 화합물을 제공한다. 안트라센 골격 및 카바졸 골격을 가지고, 하기 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 화합물이다. (식 중, Ar은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴렌기를 나타내고, 아릴렌기가 치환기를 가지는 경우, 상기 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. 또한, Cz는 치환 또는 비치환된 카바졸 골격을 나타낸다. 또한, R1 내지 R9, 및 R11 내지 R17은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 6의 사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, R12와 R13, R14와 R15, R15와 R16, 및 R16과 R17 중 적어도 하나는 축합하여도 좋다.)

Description

유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
본 발명의 일 형태는 유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치에 관한 것이다. 다만, 본 발명의 일 형태는 상술한 기술분야에 한정되지 않는다. 즉, 본 발명의 일 형태는 물건, 방법, 제작 방법, 또는 구동 방법에 관한 것이다. 또는, 본 발명의 일 형태는 공정(process), 기계(machine), 제품(manufacture), 또는 조성물(composition of matter)에 관한 것이다. 또한, 구체적으로는 반도체 장치, 표시 장치, 액정 표시 장치 등을 일례로서 들 수 있다.
한 쌍의 전극 사이에 EL층을 끼워 이루어진 발광 소자(유기 EL 소자라고도 함)는 박형 경량, 입력 신호에 대한 고속 응답성, 저소비전력 등의 특성을 가지기 때문에, 이들이 적용된 디스플레이는 차세대 플랫 패널 디스플레이로서 주목을 받고 있다.
발광 소자는 한 쌍의 전극 사이에 전압을 인가함으로써, 각 전극으로부터 주입된 전자 및 정공이 EL층에서 재결합하여, EL층에 포함되는 발광 물질(유기 화합물)이 여기 상태가 되고, 그 여기 상태가 기저 상태로 되돌아갈 때 발광한다. 또한, 여기 상태의 종류로서는, 단일항 여기 상태(S*)와 삼중항 여기 상태(T*)가 있고, 단일항 여기 상태로부터의 발광이 형광, 삼중항 여기 상태로부터의 발광이 인광이라고 불리고 있다. 또한, 발광 소자에서의 그들의 통계적인 생성 비율은 S*:T*=1:3인 것으로 생각된다. 발광 물질로부터 얻어지는 발광 스펙트럼은 그 발광 물질 특유의 것이고, 상이한 종류의 유기 화합물을 발광 물질로서 사용함으로써, 다양한 발광색의 발광 소자를 얻을 수 있다.
이와 같은 발광 소자에 관해서는, 그 소자 특성을 향상시키기 위하여, 소자 구조의 개선이나 재료 개발 등이 활발하게 진행되고 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
일본 공개특허공보 특개2010-182699호
발광 소자의 개발에 있어서, 발광 소자에 사용하는 유기 화합물은 그 특성이나 신뢰성을 높이는 데에 매우 중요하다. 그러므로, 본 발명의 일 형태에서는 신규 유기 화합물을 제공한다. 즉, 소자 특성이나 신뢰성을 높이는 데에 효과적인 신규 유기 화합물을 제공한다. 또한, 본 발명의 일 형태에서는 발광 소자에 사용할 수 있는 신규 유기 화합물을 제공한다. 또한, 본 발명의 일 형태에서는, 발광 소자의 EL층에 사용할 수 있는 신규 유기 화합물을 제공한다. 또한, 본 발명의 일 형태인 신규 유기 화합물을 사용한, 고효율이고 신뢰성이 높은 신규 발광 소자를 제공한다. 또한, 신규 발광 장치, 신규 전자 기기, 또는 신규 조명 장치를 제공한다. 또한, 이들 과제의 기재는 다른 과제의 존재를 방해하는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 일 형태는 이들 과제 모두를 반드시 해결할 필요는 없다. 또한, 이들 외의 과제는 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 저절로 명백해지는 것이며, 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 이들 외의 과제를 추출할 수 있다.
본 발명의 일 형태는 안트라센 골격 및 카바졸 골격을 가지고, 하기 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 화합물이다.
[화학식 1]
또한, 일반식(G1)에서 Ar은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴렌기를 나타내고, 아릴렌기가 치환기를 가지는 경우, 상기 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. 또한, Cz는 치환 또는 비치환된 카바졸 골격을 나타낸다. 또한, R1 내지 R9, 및 R11 내지 R17은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 6의 사이클로알킬기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, R12와 R13, R14와 R15, R15와 R16, 또는 R16과 R17 중 적어도 하나는 축합하여도 좋다.
또한, 본 발명의 다른 일 형태는, 상기 일반식(G1) 중에서 Cz로 나타내어진 카바졸 골격의 9위치, 3위치, 또는 2위치가 카바졸 골격과 결합하는 유기 화합물이다.
또한, 본 발명의 다른 일 형태는, 상기 일반식(G1) 중에서 Ar이 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 혹은 치환 또는 비치환된 바이페닐다이일기인 유기 화합물이다.
또한, 본 발명의 다른 일 형태는, 상기 일반식(G1) 중에서 R5가 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기인 유기 화합물이다.
상술한 본 발명의 일 형태인 유기 화합물은 안트라센 골격 및 카바졸 골격을 가진다. 또한, 안트라센 골격을 가지는 유기 화합물은 바이폴러성을 가지는 형광 호스트 재료로서 수많이 개발되고 있지만, 본 발명의 일 형태인 유기 화합물은 안트라센 골격에 더하여 카바졸 골격을 가짐으로써 안트라센 골격만으로 구성된 유기 화합물과 비교하여 양호한 홀(정공) 수송성을 나타내는 형광 호스트 재료이다.
또한, 본 발명의 일 형태인 유기 화합물은, 안트라센 골격 및 바이카바졸 골격을 가지는 형광 호스트 재료이다. 또한, 이와 같은 유기 화합물의 경우, HOMO 궤도는 바이카바졸 골격에 있고, 안트라센 골격에 HOMO 궤도가 있는 경우와 비교하여, HOMO 준위가 얕아지는 경향을 보인다. 이와 같은 HOMO 준위가 얕은 형광 호스트 재료를 발광층에 사용하면 발광층과 접하여 형성되는 홀 수송층과의 HOMO 준위의 차이가 작아져 홀 수송층으로부터 발광층으로의 홀의 주입 장벽이 완화됨으로써 홀 수송층으로부터 발광층으로의 홀의 주입성이 향상된다. 따라서, 구동 전압의 저감이나 발광 효율의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 상술한 본 발명의 일 형태인 유기 화합물은, 안트라센 골격 및 카바졸 골격을 가지지만, 안트라센 골격과 결합하는 제 1 카바졸 골격의 2위치와, 이에 결합하는 제 2 카바졸 골격과의 결합 위치를 원하는 위치로 함으로써, 제 1 카바졸 골격의 3위치와 제 2 카바졸 골격이 결합하는 경우와 비교하여 스토크스 시프트가 작고, 높은 단일항 여기 에너지를 가질 수 있기 때문에, 더 단파장인 게스트 재료로의 에너지 이동이 용이해진다. 따라서, 발광 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 일 형태인 유기 화합물은, 안트라센 골격과 결합하는 제 1 카바졸 골격의 2위치와, 제 2 카바졸 골격의 9위치 또는 3위치 또는 2위치가 결합함으로써 합성이 용이해져 바람직하다.
본 발명의 다른 일 형태는, 구조식(200), 구조식(220), 구조식(221), 구조식(252), 또는 구조식(253)으로 나타내어지는 유기 화합물이다.
[화학식 2]
본 발명의 다른 일 형태는 안트라센 골격 및 카바졸 골격을 가지는 유기 화합물을 사용한 발광 소자이다. 또한, 상기 유기 화합물에 더하여 게스트 재료를 가지는 발광 소자도 본 발명에 포함된다.
본 발명의 다른 일 형태는 상술한 본 발명의 일 형태인 유기 화합물을 사용한 발광 소자이다. 또한, 한 쌍의 전극간에 가지는 EL층이나, EL층에 포함되는 발광층에 본 발명의 일 형태인 유기 화합물을 사용하여 형성된 발광 소자도 본 발명에 포함되는 것으로 한다. 또한, 상기 발광 소자에 더하여, 트랜지스터, 기판 등을 가지는 발광 장치도 발명의 범주에 포함된다. 또한, 이들 발광 장치에 더하여, 마이크로폰, 카메라, 조작용 버튼, 외부 접속부, 하우징, 커버, 지지대, 또는 스피커 등을 가지는 전자 기기나 조명 장치도 발명의 범주에 포함된다.
또한, 본 발명의 일 형태는 발광 소자를 가지는 발광 장치를 포함하고, 또한 발광 장치를 가지는 조명 장치도 범주에 포함되는 것으로 한다. 따라서, 본 명세서에서 발광 장치란, 화상 표시 디바이스 또는 광원(조명 장치를 포함함)을 가리킨다. 또한, 발광 장치에 커넥터, 예를 들어 FPC(Flexible Printed Circuit) 또는 TCP(Tape Carrier Package)가 장착된 모듈, TCP 끝에 인쇄 배선판이 제공된 모듈, 혹은 발광 소자에 COG(Chip On Glass) 방식으로 IC(집적 회로)가 직접 실장된 모듈도 모두 발광 장치에 포함되는 것으로 한다.
본 발명의 일 형태는, 신규 유기 화합물을 제공할 수 있다. 즉, 소자 특성이나 신뢰성을 높이는 데에 효과적인 신규 유기 화합물을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 형태에서는 발광 소자에 사용할 수 있는 신규 유기 화합물을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 형태에서는, 발광 소자의 EL층에 사용할 수 있는 신규 유기 화합물을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 형태인 신규 유기 화합물을 사용한, 고효율이고 신뢰성이 높은 신규 발광 소자를 제공할 수 있다. 또한, 신규 발광 장치, 신규 전자 기기, 또는 신규 조명 장치를 제공할 수 있다. 또한, 이들 과제의 기재는 다른 효과의 존재를 방해하는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 일 형태는 이들 과제 모두를 반드시 해결할 필요는 없다. 또한, 이들 외의 효과는 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 저절로 명백해지는 것이며, 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 이들 외의 효과를 추출할 수 있다.
도 1은 발광 소자의 구조에 대하여 설명하기 위한 도면.
도 2는 발광 장치에 대하여 설명하기 위한 도면.
도 3은 발광 장치에 대하여 설명하기 위한 도면.
도 4는 전자 기기에 대하여 설명하기 위한 도면.
도 5는 전자 기기에 대하여 설명하기 위한 도면.
도 6은 자동차에 대하여 설명하기 위한 도면.
도 7은 조명 장치에 대하여 설명하기 위한 도면.
도 8은 조명 장치에 대하여 설명하기 위한 도면.
도 9는 구조식(200)으로 나타낸 유기 화합물의 1H-NMR 차트.
도 10은 구조식(200)으로 나타낸 유기 화합물의 자외·가시 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼.
도 11은 구조식(221)으로 나타낸 유기 화합물의 1H-NMR 차트.
도 12는 구조식(221)으로 나타낸 유기 화합물의 자외·가시 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼.
도 13은 발광 소자의 구조에 대하여 설명하기 위한 도면.
도 14는 발광 소자 1 및 비교 발광 소자 2의 전류 밀도-휘도 특성을 나타낸 도면.
도 15는 발광 소자 1 및 비교 발광 소자 2의 전압-휘도 특성을 나타낸 도면.
도 16은 발광 소자 1 및 비교 발광 소자 2의 휘도-전류 효율 특성을 나타낸 도면.
도 17은 발광 소자 1 및 비교 발광 소자 2의 전압-전류 특성을 나타낸 도면.
도 18은 발광 소자 1 및 비교 발광 소자 2의 발광 스펙트럼을 나타낸 도면.
도 19는 발광 소자 1 및 비교 발광 소자 2의 신뢰성을 나타낸 도면.
도 20은 구조식(252)으로 나타낸 유기 화합물의 1H-NMR 차트.
도 21은 구조식(252)으로 나타낸 유기 화합물의 자외·가시 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼.
도 22는 구조식(253)으로 나타낸 유기 화합물의 1H-NMR 차트.
도 23은 구조식(253)으로 나타낸 유기 화합물의 자외·가시 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼.
도 24는 구조식(220)으로 나타낸 유기 화합물의 1H-NMR 차트.
도 25는 구조식(220)으로 나타낸 유기 화합물의 자외·가시 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼.
도 26은 발광 소자 3의 전류 밀도-휘도 특성을 나타낸 도면.
도 27은 발광 소자 3의 전압-휘도 특성을 나타낸 도면.
도 28은 발광 소자 3의 휘도-전류 효율 특성을 나타낸 도면.
도 29는 발광 소자 3의 전압-전류 특성을 나타낸 도면.
도 30은 발광 소자 3의 발광 스펙트럼을 나타낸 도면.
도 31은 9-클로로-7H-벤조[c]카바졸의 1H-NMR 차트.
도 32는 PCcBCz의 1H-NMR 차트.
도 33은 PCcBCz-02의 1H-NMR 차트.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 사용하여 자세히 설명한다. 다만, 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 취지 및 그 범위에서 벗어남이 없이 그 형태 및 자세한 사항을 다양하게 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명은 이하의 실시형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다.
또한, 도면 등에 나타낸 각 구성의 위치, 크기, 범위 등은 이해하기 쉽게 하기 위하여 실제의 위치, 크기, 범위 등을 나타내지 않은 경우가 있다. 따라서, 개시(開示)하는 발명은 도면 등에 나타낸 위치, 크기, 범위 등에 반드시 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 명세서 등에서 도면을 사용하여 발명의 구성을 설명하는 데 있어서, 같은 것을 가리키는 부호는 상이한 도면 간에서도 공통적으로 사용한다.
(실시형태 1)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물에 대하여 설명한다.
또한, 본 실시형태에서 나타내는 유기 화합물은, 안트라센 골격 및 카바졸 골격을 가지는 하기 일반식(G1)으로 나타내어지는 구조를 가진다.
[화학식 3]
또한, 일반식(G1)에서 Ar은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴렌기를 나타내고, 아릴렌기가 치환기를 가지는 경우, 상기 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. 또한, Cz는 치환 또는 비치환된 카바졸 골격을 나타낸다. 또한, R1 내지 R9, 및 R11 내지 R17은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 6의 사이클로알킬기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, R12와 R13, R14와 R15, R15와 R16, 또는 R16과 R17 중 적어도 하나는 축합하여도 좋다.
또한, 상기 일반식(G1)에서 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 카바졸 골격, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 6의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기 중 어느 것이 치환기를 가지는 경우, 상기 치환기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, 뷰틸기, 아이소뷰틸기, sec-뷰틸기, tert-뷰틸기, 펜틸기, 헥실기 등의 탄소수 1 내지 6의 알킬기나, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 1-노보닐기, 2-노보닐기 등의 탄소수 5 내지 7의 사이클로알킬기나, 페닐기, 바이페닐기 등의 탄소수 6 내지 12의 아릴기를 들 수 있다.
또한, 상기 일반식(G1)에서 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴렌기의 구체적인 예로서는 페닐렌기, 2,5-다이메틸-1,4-페닐렌기, 나프탈렌다이일기, 바이페닐다이일기, 9,9-다이메틸플루오렌다이일기, 9,9-다이페닐플루오렌다이일기, 9,9'-스파이로바이플루오렌다이일기 등을 들 수 있다.
또한, 상기 일반식(G1)에서 치환 또는 비치환된 카바졸 골격의 구체적인 예로서는, 벤조[a]카바졸, 벤조[b]카바졸, 벤조[c]카바졸, 다이벤조[a,c]카바졸, 다이벤조[a,g]카바졸, 다이벤조[c,g]카바졸, 다이벤조[b,g]카바졸, 나프토[2,3-c]카바졸, 나프토[1,2-c]카바졸 등을 들 수 있다.
또한, 상기 일반식(G1)에서, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기의 구체적인 예로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, 뷰틸기, sec-뷰틸기, 아이소뷰틸기, tert-뷰틸기, 펜틸기, 아이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 아이소헥실기, sec-헥실기, tert-헥실기, 네오헥실기, 3-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 2-에틸뷰틸기, 1,2-다이메틸뷰틸기, 2,3-다이메틸뷰틸기 등을 들 수 있다.
또한, 상기 일반식(G1)에서 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기의 구체적인 예로서는 페닐기, 나프틸기(1-나프틸기, 2-나프틸기), 톨릴기(o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기), 바이페닐기(바이페닐-2-일기, 바이페닐-3-일기, 바이페닐-4-일기) 등을 들 수 있다.
일반식(G1)으로 나타낸 본 발명의 일 형태인 유기 화합물은 안트라센 골격 및 카바졸 골격을 가진다. 또한, 안트라센 골격을 가지는 유기 화합물은 바이폴러성을 가지는 형광 호스트 재료로서 수많이 개발되고 있지만, 일반식(G1)으로 나타낸 유기 화합물은 안트라센 골격 및 카바졸 골격을 가짐으로써, 안트라센 골격만으로 구성되는 유기 화합물과 비교하여 양호한 홀(정공) 수송성을 나타내는 형광 호스트 재료이다.
또한, 일반식(G1)으로 나타낸 본 발명의 일 형태인 유기 화합물은 안트라센 골격 및 바이카바졸 골격을 가지는 형광 호스트 재료이다. 또한, 이와 같은 유기 화합물의 경우, HOMO 궤도는 바이카바졸 골격에 있고, 안트라센 골격에 HOMO 궤도가 있는 경우와 비교하여 HOMO 준위가 얕아지는 경향을 보인다. 이와 같은 HOMO 준위가 얕은 형광 호스트 재료를 발광층에 사용하면 발광층과 접하여 형성되는 홀 수송층과의 HOMO 준위의 차이가 작아져 홀 수송층으로부터 발광층으로의 홀의 주입 장벽이 완화됨으로써 홀 수송층으로부터 발광층으로의 홀의 주입성이 향상된다. 따라서, 구동 전압의 저감이나 발광 효율의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 형태인 유기 화합물은 안트라센 골격 및 카바졸 골격을 가지지만, 안트라센 골격과 결합하는 제 1 페닐 카바졸의 3위치와 결합하는 제 2 페닐 카바졸의 결합 위치를 원하는 위치로 함으로써 발광 효율이나 이것을 사용한 발광 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 제 1 페닐 카바졸의 3위치와 결합하는 제 2 페닐 카바졸의 결합 위치로서는 일반식(G1)으로 나타낸 바와 같이 제 2 페닐 카바졸의 2위치로 하는 것이 바람직하다.
다음으로, 상술한 본 발명의 일 형태인 유기 화합물의 구체적인 구조식을 이하에 나타낸다. 다만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다.
[화학식 4]
[화학식 5]
[화학식 6]
[화학식 7]
[화학식 8]
[화학식 9]
[화학식 10]
[화학식 11]
또한, 상기 구조식(200) 내지 구조식(260)으로 나타내어지는 유기 화합물은 상기 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 화합물의 일례이고, 본 발명의 일 형태인 유기 화합물은 이에 한정되지 않는다.
다음으로 본 발명의 일 형태이며, 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 화합물의 합성 방법의 일례에 대하여 설명한다.
<<일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 화합물의 합성 방법>>
우선, 하기 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 화합물의 합성 방법의 일례에 대하여 설명한다.
[화학식 12]
일반식(G1)에서 Ar은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴렌기를 나타내고, 아릴렌기가 치환기를 가지는 경우, 상기 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. 또한, Cz는 치환 또는 비치환된 카바졸 골격을 나타낸다. 또한, R1 내지 R9, 및 R11 내지 R17은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 6의 사이클로알킬기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, R12와 R13, R14와 R15, R15와 R16, 및 R16과 R17 중 적어도 하나는 축합하여도 좋다.
상기 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 화합물은 이하에 나타낸 합성 스킴(A-1)으로 합성할 수 있다. 즉, 안트라센 유도체의 할로젠화물(화합물1)과 카바졸 유도체 또는 축합다환계 카바졸 유도체의 유기 붕소 화합물 또는 보론산(화합물2)을 스즈키·미야우라 반응(the Suzuki-Miyaura reaction)에 의하여 커플링시킴으로써 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 화합물을 얻을 수 있다.
[화학식 13]
또한, 상기 합성 스킴(A-1)에서 Ar은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴렌기를 나타내고, 아릴렌기가 치환기를 가지는 경우 상기 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. 또한, Cz는 치환 또는 비치환된 카바졸 골격을 나타낸다. 또한, R1 내지 R9, 및 R11 내지 R17은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 6의 사이클로알킬기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, R12와 R13, R14와 R15, R15와 R16, 또는 R16과 R17 중 적어도 하나는 축합하여도 좋다. 또한, R50 및 R51은 수소, 및 탄소수 1 내지 6의 알킬기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, R50과 R51은 서로 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. 또한, X1은 할로젠 또는 트라이플레이트기를 나타낸다.
상기 합성 스킴(A-1)에서 사용할 수 있는 팔라듐 촉매로서는 아세트산 팔라듐(II), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0), 비스(트라이페닐포스핀)팔라듐(II)다이클로라이드 등을 들 수 있지만 사용할 수 있는 팔라듐 촉매는 이들에 한정되는 것은 아니다. 합성 스킴(A-1)에서 사용할 수 있는 팔라듐 촉매의 배위자로서는 트라이(오쏘-톨릴)포스핀이나, 트라이페닐포스핀이나, 트라이사이클로헥실포스핀 등을 들 수 있다. 사용할 수 있는 팔라듐 촉매의 배위자는 이들에 한정되는 것은 아니다. 합성 스킴(A-1)에서 사용할 수 있는 염기로서는 소듐 tert-뷰톡사이드 등의 유기 염기나 탄산 포타슘, 탄산 소듐 등의 무기 염기 등을 들 수 있지만, 사용할 수 있는 염기는 이들에 한정되는 것은 아니다. 합성 스킴(A-1)에서 사용할 수 있는 용매로서는 톨루엔과 물의 혼합 용매, 톨루엔과 에탄올 등의 알코올과 물의 혼합 용매, 자일렌과 물의 혼합 용매, 자일렌과 에탄올 등의 알코올과 물의 혼합 용매, 벤젠과 물의 혼합 용매, 벤젠과 에탄올 등의 알코올과 물의 혼합 용매, 에틸렌글라이콜다이메틸에터 등의 에터류와 물의 혼합 용매 등을 들 수 있다. 다만, 사용할 수 있는 용매는 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 톨루엔과 물, 또는 톨루엔과 에탄올과 물의 혼합 용매, 에틸렌글라이콜다이메틸에터 등의 에터류와 물의 혼합 용매가 더 바람직하다.
또한, 상기 합성 스킴(A-1)에서의 화합물2는 유기 붕소 화합물 또는 보론산 이외에도 유기 알루미늄 화합물이나 유기 지르코늄 화합물, 유기 아연 화합물, 유기 주석 화합물 등을 사용할 수 있다.
또한, 합성 스킴(A-1)으로 나타낸 반응 이외의 커플링 반응으로서 합성 스킴(A-2)으로 나타낸 커플링 반응을 사용할 수도 있다. 즉, 합성 스킴(A-2)으로 나타낸 커플링 반응에서는 안트라센 유도체의 할로젠화물(화합물3)과 카바졸 유도체(화합물4)를 염기 존재하에서 금속 촉매, 금속, 또는 금속 화합물에 의하여 커플링시킴으로써, 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 화합물을 얻을 수 있다.
[화학식 14]
또한, 상기 합성 스킴(A-2)에서 Ar은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴렌기를 나타내고, 아릴렌기가 치환기를 가지는 경우 상기 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. 또한, Cz는 치환 또는 비치환된 카바졸 골격을 나타낸다. 또한, R1 내지 R9, 및 R11 내지 R17은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 6의 사이클로알킬기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, R12와 R13, R14와 R15, R15와 R16, 및 R16과 R17 중 적어도 하나는 축합하여도 좋다. 또한, X2는 할로젠을 나타내고, 할로젠으로서는 아이오딘과 브로민, 염소가 더 바람직하다.
상기 합성 스킴(A-2)에서 하트위그-부흐발트 반응(the Hartwig-Buchwald reaction)을 행하는 경우에 사용할 수 있는 팔라듐 촉매로서는 비스(다이벤질리덴아세톤)팔라듐(0), 아세트산 팔라듐(II) 등을 들 수 있다. 또한, 합성 스킴(A-2)에서 사용할 수 있는 팔라듐 촉매의 배위자로서는 트라이(tert-뷰틸)포스핀이나, 트라이(n-헥실)포스핀이나, 트라이사이클로헥실포스핀 등을 들 수 있다. 합성 스킴(A-2)에서 사용할 수 있는 염기로서는 소듐 tert-뷰톡사이드 등의 유기 염기나, 탄산 포타슘 등의 무기 염기 등을 들 수 있다. 또한, 합성 스킴(A-2)에서 사용할 수 있는 용매로서는 톨루엔, 자일렌, 벤젠, 테트라하이드로퓨란 등을 들 수 있다. 또한, 하트위그 부흐발트 반응 이외에도 울만(Ullmann) 반응 등을 사용하여도 좋고, 이들에 한정되는 것은 아니다.
이상이 본 발명의 일 형태이고, 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 화합물의 합성 방법에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고, 다른 합성 방법으로 합성하여도 좋다.
또한, 상술한 본 발명의 일 형태인 유기 화합물은 전자 수송성 및 정공 수송성을 가지기 때문에 발광층의 호스트 재료로서, 또는 전자 수송층, 정공 수송층에도 사용할 수 있다. 또한, 형광을 발광하는 물질(형광 재료)과 조합하여 호스트 재료로서 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 형광 발광을 나타내기 때문에 그 자체를 발광 소자의 발광 물질로서 사용할 수도 있다. 따라서, 이들의 유기 화합물을 포함하는 발광 소자도 본 발명의 일 형태에 포함된다.
또한, 본 발명의 일 형태인 유기 화합물을 사용함으로써 발광 효율이 높은 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 또는 조명 장치를 실현할 수 있다. 또한, 소비전력이 낮은 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 또는 조명 장치를 실현할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서 본 발명의 일 형태에 대하여 설명하였다. 또한, 다른 실시형태에서 본 발명의 일 형태에 대하여 설명한다. 다만, 본 발명의 일 형태는 이들에 한정되지 않는다. 즉, 본 실시형태 및 다른 실시형태에는 다양한 발명의 형태가 기재되어 있기 때문에, 본 발명의 일 형태는 특정한 형태에 한정되지 않는다.
본 실시형태에서 나타낸 구성은, 다른 실시형태에서 나타낸 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는, 실시형태 1에서 나타낸 유기 화합물을 사용한 발광 소자에 대하여 도 1을 사용하여 설명한다.
<<발광 소자의 기본적인 구조>>
우선, 발광 소자의 기본적인 구조에 대하여 설명한다. 도 1의 (A)에는 한 쌍의 전극 사이에 발광층을 포함하는 EL층을 가지는 발광 소자를 도시하였다. 구체적으로는, 제 1 전극(101)과 제 2 전극(102) 사이에 EL층(103)이 끼워진 구조를 가진다.
또한, 도 1의 (B)에는 한 쌍의 전극 사이에 복수(도 1의 (B)에서는 2층)의 EL층(103a 및 103b)을 가지고, EL층 사이에 전하 발생층(104)을 가지는 적층 구조(탠덤 구조)의 발광 소자를 도시하였다. 탠덤 구조의 발광 소자는 저전압 구동이 가능하고 소비전력이 낮은 발광 장치를 실현할 수 있다.
전하 발생층(104)은 제 1 전극(101)과 제 2 전극(102)에 전압이 인가되었을 때에, EL층(103a) 및 EL층(103b) 중 한쪽에 전자를 주입하고, 다른 쪽에 정공을 주입하는 기능을 가진다. 따라서, 도 1의 (B)에서 제 1 전극(101)의 전위가 제 2 전극(102)의 전위보다 높아지도록 전압을 인가하면 전하 발생층(104)으로부터 EL층(103a)에 전자가 주입되고, EL층(103b)에 정공이 주입된다.
또한, 전하 발생층(104)은 광 추출 효율의 관점에서 가시광에 대하여 투광성을 가지는(구체적으로는, 전하 발생층(104)에 대한 가시광의 투과율이 40% 이상) 것이 바람직하다. 또한, 전하 발생층(104)은 제 1 전극(101)이나 제 2 전극(102)보다 도전율이 낮아도 기능한다.
또한, 도 1의 (C)에는 본 발명의 일 형태인 발광 소자의 EL층(103)의 적층 구조를 도시하였다. 다만, 이 경우에는 제 1 전극(101)은 양극으로서 기능하는 것으로 한다. EL층(103)은 제 1 전극(101) 위에 정공 주입층(111), 정공(홀) 수송층(112), 발광층(113), 전자 수송층(114), 전자 주입층(115)이 순차적으로 적층된 구조를 가진다. 또한, 도 1의 (B)에 도시된 탠덤 구조와 같이 복수의 EL층을 가지는 경우에도, 각 EL층이 양극 측으로부터 상술한 바와 같이 순차적으로 적층되는 구조로 한다. 또한, 제 1 전극(101)이 음극이고 제 2 전극(102)이 양극인 경우, 적층 순서는 반대가 된다.
EL층(103, 103a, 103b)에 포함되는 발광층(113)은 각각 발광 물질이나 복수의 물질을 적절히 조합하여 가지고 있고, 원하는 발광색을 나타내는 형광 발광이나 인광 발광을 얻을 수 있는 구성으로 할 수 있다. 또한, 발광층(113)을 발광색이 상이한 적층 구조로 하여도 좋다. 또한, 이 경우 적층된 각 발광층에 사용되는 발광 물질이나 기타 물질은 각각 상이한 재료를 사용하면 좋다. 또한, 도 1의 (B)에 도시된 복수의 EL층(103a, 103b)으로부터 각각 상이한 발광색이 얻어지는 구성으로 하여도 좋다. 이 경우에도 각 발광층에 사용되는 발광 물질이나 기타 물질을 상이한 재료로 하면 좋다.
또한, 본 발명의 일 형태인 발광 소자에서 예를 들어 도 1의 (C)에 도시된 제 1 전극(101)을 반사 전극으로 하고 제 2 전극(102)을 반투과·반반사 전극으로 하여 미소광 공진기(마이크로캐비티) 구조로 함으로써, EL층(103)에 포함되는 발광층(113)으로부터 얻어지는 발광을 양쪽 전극 사이에서 공진시켜 제 2 전극(102)으로부터 얻어지는 발광을 강하게 할 수 있다.
또한, 발광 소자의 제 1 전극(101)이 반사성을 가지는 도전성 재료와 투광성을 가지는 도전성 재료(투명 도전막)의 적층 구조로 이루어지는 반사 전극인 경우, 투명 도전막의 막 두께를 제어함으로써 광학 조정을 행할 수 있다. 구체적으로는, 발광층(113)으로부터 얻어지는 광의 파장 λ에 대하여 제 1 전극(101)과 제 2 전극(102)의 전극 간 거리가 mλ/2(다만, m은 자연수) 근방이 되도록 조정하는 것이 바람직하다.
또한, 발광층(113)으로부터 얻어지는 원하는 광(파장: λ)을 증폭시키기 위하여 제 1 전극(101)으로부터 발광층(113)의 원하는 광이 얻어지는 영역(발광 영역)까지의 광학 거리와, 제 2 전극(102)으로부터 발광층(113)의 원하는 광이 얻어지는 영역(발광 영역)까지의 광학 거리를 각각 (2m'+1)λ/4(다만, m'는 자연수) 근방이 되도록 조절하는 것이 바람직하다. 또한, 여기서 발광 영역이란 발광층(113)에서의 정공(홀)과 전자와의 재결합 영역을 말한다.
이와 같은 광학 조정을 행함으로써 발광층(113)으로부터 얻어지는 특정한 단색광의 스펙트럼을 협선화(狹線化)시켜 색 순도가 좋은 발광을 얻을 수 있다.
다만, 상술한 경우에 제 1 전극(101)과 제 2 전극(102) 사이의 광학 거리는 엄밀하게는 제 1 전극(101)에서의 반사 영역으로부터 제 2 전극(102)에서의 반사 영역까지의 두께를 합친 것이라고 할 수 있다. 그러나, 제 1 전극(101)이나 제 2 전극(102)에서의 반사 영역을 엄밀하게 결정하는 것은 어렵기 때문에, 제 1 전극(101)과 제 2 전극(102)의 임의의 위치를 반사 영역으로 가정함으로써 상술한 효과를 충분히 얻을 수 있는 것으로 한다. 또한, 제 1 전극(101)과, 원하는 광이 얻어지는 발광층의 광학 거리는, 엄밀하게는 제 1 전극(101)에서의 반사 영역과, 원하는 광이 얻어지는 발광층에서의 발광 영역의 광학 거리라고 할 수 있다. 그러나, 제 1 전극(101)에서의 반사 영역이나, 원하는 광이 얻어지는 발광층에서의 발광 영역을 엄밀하게 결정하는 것은 어렵기 때문에, 제 1 전극(101)의 임의의 위치를 반사 영역으로, 원하는 광이 얻어지는 발광층의 임의의 위치를 발광 영역으로 가정함으로써 상술한 효과를 충분히 얻을 수 있는 것으로 한다.
도 1의 (C)에 도시된 발광 소자는 마이크로캐비티 구조를 가지기 때문에, 같은 EL층을 가지더라도 파장이 다른 광(단색광)을 추출할 수 있다. 따라서, 다른 발광색을 얻기 위한 구분 착색(예를 들어, RGB)이 불필요하게 된다. 따라서, 고정세(高精細)화를 구현하는 것이 용이하다. 또한, 착색층(컬러 필터)과 조합할 수도 있다. 또한, 특정 파장의 정면 방향의 발광 강도를 높일 수 있기 때문에, 저소비전력화를 도모할 수 있다.
도 1의 (E)에 도시된 발광 소자는, 도 1의 (B)에 도시된 탠덤 구조의 발광 소자의 일례이며, 도면에 도시된 바와 같이 3개의 EL층(103a, 103b, 103c)이 전하 발생층(104a, 104b)을 개재(介在)하여 적층되는 구조를 가진다. 또한, 3개의 EL층(103a, 103b, 103c)은 각각 발광층(113a, 113b, 113c)을 가지고, 각 발광층의 발광색은 자유로이 조합할 수 있다. 예를 들어, 발광층(113a)을 청색으로, 발광층(113b)을 적색, 녹색, 및 황색 중 어느 것으로, 그리고 발광층(113c)을 청색으로 할 수 있지만, 발광층(113a)을 적색으로, 발광층(113b)을 청색, 녹색, 및 황색 중 어느 것으로, 그리고 발광층(113c)을 적색으로 할 수도 있다.
또한, 상술한 본 발명의 일 형태인 발광 소자에서 제 1 전극(101) 및 제 2 전극(102) 중 적어도 한쪽을 투광성을 가지는 전극(투명 전극, 반투과·반반사 전극 등)으로 한다. 투광성을 가지는 전극이 투명 전극인 경우, 투명 전극의 가시광의 투과율은 40% 이상으로 한다. 또한, 반투과·반반사 전극인 경우, 반투과·반반사 전극의 가시광의 반사율은 20% 이상 80% 이하, 바람직하게는 40% 이상 70% 이하로 한다. 또한, 이들 전극은 저항률이 1×10-2Ωcm 이하인 것이 바람직하다.
또한, 상술한 본 발명의 일 형태인 발광 소자에서 제 1 전극(101) 및 제 2 전극(102) 중 한쪽이 반사성을 가지는 전극(반사 전극)인 경우, 반사성을 가지는 전극의 가시광의 반사율은 40% 이상 100% 이하, 바람직하게는 70% 이상 100% 이하로 한다. 또한, 이 전극은 저항률이 1×10-2Ωcm 이하인 것이 바람직하다.
<<발광 소자의 구체적인 구조 및 제작 방법>>
다음으로, 본 발명의 일 형태인 발광 소자의 구체적인 구조 및 제작 방법에 대하여 도 1을 사용하여 설명한다. 또한, 여기서는 도 1의 (B)에 도시된 탠덤 구조를 가지며 마이크로캐비티 구조를 가지는 발광 소자에 대해서도 도 1의 (D)를 사용하여 설명한다. 도 1의 (D)에 도시된 발광 소자가 마이크로캐비티 구조를 가지는 경우에는, 제 1 전극(101)을 반사 전극으로서 형성하고, 제 2 전극(102)을 반투과·반반사 전극으로서 형성한다. 따라서, 원하는 전극 재료를 하나 또는 복수 사용하여 단층으로 또는 적층하여 형성할 수 있다. 또한, 제 2 전극(102)은 EL층(103b)을 형성한 후에 상술한 바와 같이 재료를 선택하여 형성한다. 또한, 이들 전극의 제작에는 스퍼터링법이나 진공 증착법을 사용할 수 있다.
<제 1 전극 및 제 2 전극>
제 1 전극(101) 및 제 2 전극(102)을 형성하는 재료로서는, 상술한 양쪽 전극의 기능을 만족시킬 수 있다면 이하에 나타내는 재료를 적절히 조합하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 금속, 합금, 전기 전도성 화합물, 및 이들의 혼합물 등을 적절히 사용할 수 있다. 구체적으로는, In-Sn 산화물(ITO라고도 함), In-Si-Sn 산화물(ITSO라고도 함), In-Zn 산화물, In-W-Zn 산화물을 들 수 있다. 그 외에 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti), 크로뮴(Cr), 망가니즈(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 아연(Zn), 인듐(In), 주석(Sn), 몰리브데넘(Mo), 탄탈럼(Ta), 텅스텐(W), 팔라듐(Pd), 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 이트륨(Y), 네오디뮴(Nd) 등의 금속, 및 이들을 적절히 조합하여 포함하는 합금을 사용할 수도 있다. 그 외에, 위에서 예시하지 않은 원소 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소(예를 들어, 리튬(Li), 세슘(Cs), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr)), 유로퓸(Eu), 이터븀(Yb) 등의 희토류 금속 및 이들을 적절히 조합하여 포함하는 합금, 기타 그래핀 등을 사용할 수 있다.
도 1의 (D)에 도시된 발광 소자에서 제 1 전극(101)이 양극인 경우, 제 1 전극(101) 위에 EL층(103a)의 정공 주입층(111a) 및 정공 수송층(112a)이 진공 증착법으로 순차적으로 적층 형성된다. EL층(103a) 및 전하 발생층(104)이 형성된 후, 전하 발생층(104) 위에 EL층(103b)의 정공 주입층(111b) 및 정공 수송층(112b)이 마찬가지로 순차적으로 적층 형성된다.
<정공 주입층 및 정공 수송층>
정공 주입층(111, 111a, 111b)은, 양극인 제 1 전극(101)이나 전하 발생층(104)으로부터 EL층(103, 103a, 103b)에 정공(홀)을 주입하는 층이며, 정공 주입성이 높은 재료를 포함하는 층이다.
정공 주입성이 높은 재료로서는, 몰리브데넘 산화물이나 바나듐 산화물, 루테늄 산화물, 텅스텐 산화물, 망가니즈 산화물 등의 전이 금속 산화물을 들 수 있다. 그 외에는, 프탈로사이아닌(약칭: H2Pc)이나 구리 프탈로사이아닌(약칭: CuPC) 등의 프탈로사이아닌계 화합물, 4,4'-비스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: DPAB), N,N'-비스{4-[비스(3-메틸페닐)아미노]페닐}-N,N'-다이페닐-(1,1'-바이페닐)-4,4'-다이아민(약칭: DNTPD) 등의 방향족 아민 화합물, 또는 폴리(3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜)/폴리(스타이렌설폰산)(약칭: PEDOT/PSS) 등의 고분자 화합물 등을 사용할 수 있다.
또한, 정공 주입성이 높은 재료로서는 정공 수송성 재료와 억셉터성 재료(전자 수용성 재료)를 포함하는 복합 재료를 사용할 수도 있다. 이 경우, 억셉터성 재료에 의하여 정공 수송성 재료로부터 전자가 추출되어 정공 주입층(111, 111a, 111b)에서 정공이 발생되고, 정공 수송층(112, 112a, 112b)을 통하여 발광층(113, 113a, 113b)에 정공이 주입된다. 또한, 정공 주입층(111, 111a, 111b)은 정공 수송성 재료와 억셉터성 재료(전자 수용성 재료)를 포함하는 복합 재료로 이루어지는 단층으로 형성하여도 좋지만, 정공 수송성 재료와 억셉터성 재료(전자 수용성 재료)를 각각 다른 층으로 적층하여 형성하여도 좋다.
정공 수송층(112, 112a, 112b)은 정공 주입층(111, 111a, 111b)에 의하여 제 1 전극(101)이나 전하 발생층(104)으로부터 주입된 정공을 발광층(113, 113a, 113b)으로 수송하는 층이다. 또한, 정공 수송층(112, 112a, 112b)은 정공 수송성 재료를 포함하는 층이다. 정공 수송층(112, 112a, 112b)에 사용되는 정공 수송성 재료는, 특히 정공 주입층(111, 111a, 111b)과 동일한 HOMO 준위, 또는 가까운 HOMO 준위를 가지는 것을 사용하는 것이 바람직하다.
정공 주입층(111, 111a, 111b)에 사용되는 억셉터성 재료로서는, 원소 주기율표에서 4족 내지 8족에 속하는 금속의 산화물을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 산화 몰리브데넘, 산화 바나듐, 산화 나이오븀, 산화 탄탈럼, 산화 크로뮴, 산화 텅스텐, 산화 망가니즈, 산화 레늄을 들 수 있다. 그 중에서도, 산화 몰리브데넘은 대기 중에서도 안정적이고 흡습성이 낮으며 취급하기 쉽기 때문에 특히 바람직하다. 그 외에, 퀴노다이메테인 유도체나 클로라닐 유도체, 헥사아자트라이페닐렌 유도체 등의 유기 억셉터를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 7,7,8,8-테트라사이아노-2,3,5,6-테트라플루오로퀴노다이메테인(약칭: F4-TCNQ), 클로라닐, 2,3,6,7,10,11-헥사사이아노-1,4,5,8,9,12-헥사아자트라이페닐렌(약칭: HAT-CN) 등을 사용할 수 있다. 특히, HAT-CN과 같이 헤테로 원자를 복수로 가지는 축합 방향족 고리에 전자 흡인기가 결합하는 화합물이, 열적으로 안정적이므로 바람직하다. 또한, 전자 흡인기(특히 플루오로기와 같은 할로젠기나 사이아노기)를 가지는 [3]라디알렌 유도체는 전자 수용성이 매우 높으므로 바람직하고, 구체적으로는 α,α',α''-1,2,3-사이클로프로페인트라이일리덴트리스[4-사이아노-2,3,5,6-테트라플루오로벤젠아세토나이트릴], α,α',α''-1,2,3-사이클로프로페인트라이일리덴트리스[2,6-다이클로로-3,5-다이플루오로-4-(트라이플루오로메틸)벤젠아세토나이트릴], α,α',α''-1,2,3-사이클로프로페인트라이일리덴트리스[2,3,4,5,6-펜타플루오로벤젠아세토나이트릴] 등을 들 수 있다.
정공 주입층(111, 111a, 111b) 및 정공 수송층(112, 112a, 112b)에 사용하는 정공 수송성 재료로서는 정공 이동도가 10-6cm2/Vs 이상인 물질이 바람직하다. 또한, 전자보다 정공의 수송성이 높은 물질이면 이들 외의 물질을 사용할 수 있다.
정공 수송성 재료로서는 π전자 과잉형 헤테로 방향족 화합물(예를 들어, 카바졸 유도체나 인돌 유도체)이나 방향족 아민 화합물이 바람직하고, 구체적인 예로서는, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: NPB 또는 α-NPD), N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-다이페닐-[1,1'-바이페닐]-4,4'-다이아민(약칭: TPD), 4,4'-비스[N-(스파이로-9,9'-바이플루오렌-2-일)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: BSPB), 4-페닐-4'-(9-페닐플루오렌-9-일)트라이페닐아민(약칭: BPAFLP), 4-페닐-3'-(9-페닐플루오렌-9-일)트라이페닐아민(약칭: mBPAFLP), 4-페닐-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBA1BP), 3-[4-(9-페난트릴)-페닐]-9-페닐-9H-카바졸(약칭: PCPPn), N-(4-바이페닐)-N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카바졸-3-아민(약칭: PCBiF), N-(1,1'-바이페닐-4-일)-N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]-9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-아민(약칭: PCBBiF), 4,4'-다이페닐-4''-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBBi1BP), 4-(1-나프틸)-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBANB), 4,4'-다이(1-나프틸)-4''-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBNBB), 9,9-다이메틸-N-페닐-N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]플루오렌-2-아민(약칭: PCBAF), N-페닐-N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]스파이로-9,9'-바이플루오렌-2-아민(약칭: PCBASF), 4,4',4''-트리스(카바졸-9-일)트라이페닐아민(약칭: TCTA), 4,4',4''-트리스(N,N-다이페닐아미노)트라이페닐아민(약칭: TDATA), 4,4',4''-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트라이페닐아민(약칭: MTDATA) 등의 방향족 아민 골격을 가지는 화합물, 1,3-비스(N-카바졸릴)벤젠(약칭: mCP), 4,4'-다이(N-카바졸릴)바이페닐(약칭: CBP), 3,6-비스(3,5-다이페닐페닐)-9-페닐카바졸(약칭: CzTP), 3,3'-비스(9-페닐-9H-카바졸)(약칭: PCCP), 3-[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCA1), 3,6-비스[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCA2), 3-[N-(1-나프틸)-N-(9-페닐카바졸-3-일)아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCN1), 1,3,5-트리스[4-(N-카바졸릴)페닐]벤젠(약칭: TCPB), 9-[4-(10-페닐-9-안트라센일)페닐]-9H-카바졸(약칭: CzPA) 등의 카바졸 골격을 가지는 화합물, 4,4',4''-(벤젠-1,3,5-트라이일)트라이(다이벤조싸이오펜)(약칭: DBT3P-II), 2,8-다이페닐-4-[4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]다이벤조싸이오펜(약칭: DBTFLP-III), 4-[4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]-6-페닐다이벤조싸이오펜(약칭: DBTFLP-IV) 등의 싸이오펜 골격을 가지는 화합물, 4,4',4''-(벤젠-1,3,5-트라이일)트라이(다이벤조퓨란)(약칭: DBF3P-II), 4-{3-[3-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]페닐}다이벤조퓨란(약칭: mmDBFFLBi-II) 등의 퓨란 골격을 가지는 화합물을 들 수 있다.
또한, 폴리(N-바이닐카바졸)(약칭: PVK), 폴리(4-바이닐트라이페닐아민)(약칭: PVTPA), 폴리[N-(4-{N'-[4-(4-다이페닐아미노)페닐]페닐-N'-페닐아미노}페닐)메타크릴아마이드](약칭: PTPDMA), 폴리[N,N'-비스(4-뷰틸페닐)-N,N'-비스(페닐)벤지딘](약칭: Poly-TPD) 등의 고분자 화합물을 사용할 수도 있다.
다만, 정공 수송성 재료는 상기에 한정되지 않고, 공지의 다양한 재료를 한 종류 또는 복수 종류 조합하여 정공 수송성 재료로서 정공 주입층(111, 111a, 111b) 및 정공 수송층(112, 112a, 112b)에 사용할 수 있다. 또한, 정공 수송층(112, 112a, 112b)은 각각 복수의 층으로 형성되어도 좋다. 즉, 예를 들어 제 1 정공 수송층과 제 2 정공 수송층이 적층되어도 좋다.
도 1의 (D)에 도시된 발광 소자에서는, EL층(103a)의 정공 수송층(112a) 위에 발광층(113a)이 진공 증착법으로 형성된다. 또한, EL층(103a) 및 전하 발생층(104)이 형성된 후, EL층(103b)의 정공 수송층(112b) 위에 발광층(113b)이 진공 증착법으로 형성된다.
<발광층>
발광층(113, 113a, 113b, 113c)은 발광 물질을 포함하는 층이다. 또한, 발광 물질로서는 청색, 자색, 청자색, 녹색, 황록색, 황색, 주황색, 적색 등의 발광색을 나타내는 물질을 적절히 사용한다. 또한, 복수의 발광층(113a, 113b, 113c)에 상이한 발광 물질을 사용함으로써 상이한 발광색을 나타내는 구성(예를 들어, 보색 관계에 있는 발광색을 조합하여 얻어지는 백색 발광)으로 할 수 있다. 또한, 하나의 발광층이 상이한 발광 물질을 가지는 적층 구조이어도 좋다.
또한, 발광층(113, 113a, 113b, 113c)은 발광 물질(게스트 재료)에 더하여 한 종류 또는 복수 종류의 유기 화합물(호스트 재료, 어시스트 재료)을 가져도 좋다. 또한, 한 종류 또는 복수 종류의 유기 화합물로서는 본 실시형태에서 설명하는 정공 수송성 재료 및 전자 수송성 재료 중 한쪽 또는 양쪽을 사용할 수 있다.
또한, 발광층(113, 113a, 113b, 113c)에 사용할 수 있는 발광 물질로서는, 단일항 여기 에너지를 가시광 영역의 발광으로 변환하는 발광 물질, 또는 삼중항 여기 에너지를 가시광 영역의 발광으로 변환하는 발광 물질 등을 사용할 수 있다.
또한, 다른 발광 물질로서는 예를 들어 다음과 같은 물질을 들 수 있다.
단일항 여기 에너지를 발광으로 변환하는 발광 물질로서는, 형광을 발하는 물질(형광 재료)을 들 수 있고, 예를 들어 피렌 유도체, 안트라센 유도체, 트라이페닐렌 유도체, 플루오렌 유도체, 카바졸 유도체, 다이벤조싸이오펜 유도체, 다이벤조퓨란 유도체, 다이벤조퀴녹살린 유도체, 퀴녹살린 유도체, 피리딘 유도체, 피리미딘 유도체, 페난트렌 유도체, 나프탈렌 유도체 등을 들 수 있다. 특히 피렌 유도체는 발광 양자 수율이 높아 바람직하다. 피렌 유도체의 구체적인 예로서는, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스[3-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]피렌-1,6-다이아민(약칭: 1,6mMemFLPAPrn), N,N'-다이페닐-N,N'-비스[4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]피렌-1,6-다이아민(약칭: 1,6FLPAPrn), N,N'-비스(다이벤조퓨란-2-일)-N,N'-다이페닐피렌-1,6-다이아민(약칭: 1,6FrAPrn), N,N'-비스(다이벤조싸이오펜-2-일)-N,N'-다이페닐피렌-1,6-다이아민(약칭: 1,6ThAPrn), N,N'-(피렌-1,6-다이일)비스[(N-페닐벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란)-6-아민](약칭: 1,6BnfAPrn), N,N'-(피렌-1,6-다이일)비스[(N-페닐벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란)-8-아민](약칭: 1,6BnfAPrn-02), N,N'-(피렌-1,6-다이일)비스[(6,N-다이페닐벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란)-8-아민](약칭: 1,6BnfAPrn-03) 등을 들 수 있다.
그 이외에도, 5,6-비스[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-2,2'-바이피리딘(약칭: PAP2BPy), 5,6-비스[4'-(10-페닐-9-안트릴)바이페닐-4-일]-2,2'-바이피리딘(약칭: PAPP2BPy), N,N'-비스[4-(9H-카바졸-9-일)페닐]-N,N'-다이페닐스틸벤-4,4'-다이아민(약칭: YGA2S), 4-(9H-카바졸-9-일)-4'-(10-페닐-9-안트릴)트라이페닐아민(약칭: YGAPA), 4-(9H-카바졸-9-일)-4'-(9,10-다이페닐-2-안트릴)트라이페닐아민(약칭: 2YGAPPA), N,9-다이페닐-N-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸-3-아민(약칭: PCAPA), 4-(10-페닐-9-안트릴)-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBAPA), 4-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBAPBA), 페릴렌, 2,5,8,11-테트라(tert-뷰틸)페릴렌(약칭: TBP), N,N''-(2-tert-뷰틸안트라센-9,10-다이일다이-4,1-페닐렌)비스[N,N',N'-트라이페닐-1,4-페닐렌다이아민](약칭: DPABPA), N,9-다이페닐-N-[4-(9,10-다이페닐-2-안트릴)페닐]-9H-카바졸-3-아민(약칭: 2PCAPPA), N-[4-(9,10-다이페닐-2-안트릴)페닐]-N,N',N'-트라이페닐-1,4-페닐렌다이아민(약칭: 2DPAPPA) 등을 사용할 수 있다.
또한, 삼중항 여기 에너지를 발광으로 변환하는 발광 물질로서는, 예를 들어 인광을 발하는 물질(인광 재료)이나 열 활성화 지연 형광을 발하는 열 활성화 지연 형광(Thermally activated delayed fluorescence: TADF) 재료를 들 수 있다.
인광 재료로서는 유기 금속 착체, 금속 착체(백금 착체), 희토류 금속 착체 등을 들 수 있다. 이들은 물질마다 다른 발광색(발광 피크)을 나타내기 때문에 필요에 따라 적절히 선택하여 사용한다.
청색 또는 녹색을 나타내고 발광 스펙트럼의 피크 파장이 450nm 이상 570nm 이하인 인광 재료로서는 다음과 같은 물질을 들 수 있다.
예를 들어, 트리스{2-[5-(2-메틸페닐)-4-(2,6-다이메틸페닐)-4H-1,2,4-트라이아졸-3-일-κN2]페닐-κC}이리듐(III)(약칭: [Ir(mpptz-dmp)3]), 트리스(5-메틸-3,4-다이페닐-4H-1,2,4-트라이아졸레이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(Mptz)3]), 트리스[4-(3-바이페닐)-5-아이소프로필-3-페닐-4H-1,2,4-트라이아졸레이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(iPrptz-3b)3]), 트리스[3-(5-바이페닐)-5-아이소프로필-4-페닐-4H-1,2,4-트라이아졸레이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(iPr5btz)3]) 등의 4H-트라이아졸 골격을 가지는 유기 금속 착체, 트리스[3-메틸-1-(2-메틸페닐)-5-페닐-1H-1,2,4-트라이아졸레이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(Mptz1-mp)3]), 트리스(1-메틸-5-페닐-3-프로필-1H-1,2,4-트라이아졸레이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(Prptz1-Me)3]) 등의 1H-트라이아졸 골격을 가지는 유기 금속 착체, fac-트리스[1-(2,6-다이아이소프로필페닐)-2-페닐-1H-이미다졸]이리듐(III)(약칭: [Ir(iPrpmi)3]), 트리스[3-(2,6-다이메틸페닐)-7-메틸이미다조[1,2-f]페난트리디네이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(dmpimpt-Me)3]) 등의 이미다졸 골격을 가지는 유기 금속 착체, 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C2']이리듐(III)테트라키스(1-피라졸릴)보레이트(약칭: FIr6), 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C2']이리듐(III)피콜리네이트(약칭: FIrpic), 비스{2-[3',5'-비스(트라이플루오로메틸)페닐]피리디네이토-N,C2'}이리듐(III)피콜리네이트(약칭: [Ir(CF3ppy)2(pic)]), 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C2']이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: FIr(acac)) 등의 전자 흡인기를 가지는 페닐피리딘 유도체를 배위자로 하는 유기 금속 착체 등을 들 수 있다.
녹색 또는 황색을 나타내고 발광 스펙트럼의 피크 파장이 495nm 이상 590nm 이하인 인광 재료로서는 다음과 같은 물질을 들 수 있다.
예를 들어, 트리스(4-메틸-6-페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(mppm)3]), 트리스(4-t-뷰틸-6-페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(tBuppm)3]), (아세틸아세토네이토)비스(6-메틸-4-페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(mppm)2(acac)]), (아세틸아세토네이토)비스(6-tert-뷰틸-4-페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(tBuppm)2(acac)]), (아세틸아세토네이토)비스[6-(2-노보닐)-4-페닐피리미디네이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(nbppm)2(acac)]), (아세틸아세토네이토)비스[5-메틸-6-(2-메틸페닐)-4-페닐피리미디네이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(mpmppm)2(acac)]), (아세틸아세토네이토)비스{4,6-다이메틸-2-[6-(2,6-다이메틸페닐)-4-피리미딘일-κN3]페닐-κC}이리듐(III)(약칭: [Ir(dmppm-dmp)2(acac)]), (아세틸아세토네이토)비스(4,6-다이페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(dppm)2(acac)]) 등의 피리미딘 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체, (아세틸아세토네이토)비스(3,5-다이메틸-2-페닐피라지네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(mppr-Me)2(acac)]), (아세틸아세토네이토)비스(5-아이소프로필-3-메틸-2-페닐피라지네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(mppr-iPr)2(acac)]) 등의 피라진 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체, 트리스(2-페닐피리디네이토-N,C2')이리듐(III)(약칭: [Ir(ppy)3]), 비스(2-페닐피리디네이토-N,C2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(ppy)2(acac)]), 비스(벤조[h]퀴놀리네이토)이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(bzq)2(acac)]), 트리스(벤조[h]퀴놀리네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(bzq)3]), 트리스(2-페닐퀴놀리네이토-N,C2')이리듐(III)(약칭: [Ir(pq)3]), 비스(2-페닐퀴놀리네이토-N,C2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(pq)2(acac)]) 등의 피리딘 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체, 비스(2,4-다이페닐-1,3-옥사졸레이토-N,C2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(dpo)2(acac)]), 비스{2-[4'-(퍼플루오로페닐)페닐]피리디네이토-N,C2'}이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(p-PF-ph)2(acac)]), 비스(2-페닐벤조싸이아졸레이토-N,C2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(bt)2(acac)]) 등의 유기 금속 착체 외에 트리스(아세틸아세토네이토)(모노페난트롤린)터븀(III)(약칭: [Tb(acac)3(Phen)]) 등의 희토류 금속 착체를 들 수 있다.
황색 또는 적색을 나타내고 발광 스펙트럼의 피크 파장이 570nm 이상 750nm 이하인 인광 재료로서는 다음과 같은 물질을 들 수 있다.
예를 들어, (다이아이소뷰티릴메타네이토)비스[4,6-비스(3-메틸페닐)피리미디네이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(5mdppm)2(dibm)]), 비스[4,6-비스(3-메틸페닐)피리미디네이토](다이피발로일메타네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(5mdppm)2(dpm)]), (다이피발로일메타네이토)비스[4,6-다이(나프탈렌-1-일)피리미디네이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(d1npm)2(dpm)]) 등의 피리미딘 골격을 가지는 유기 금속 착체, (아세틸아세토네이토)비스(2,3,5-트라이페닐피라지네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(tppr)2(acac)]), 비스(2,3,5-트라이페닐피라지네이토)(다이피발로일메타네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(tppr)2(dpm)]), 비스{4,6-다이메틸-2-[3-(3,5-다이메틸페닐)-5-페닐-2-피라진일-κN]페닐-κC}(2,6-다이메틸-3,5-헵테인다이오네이토-κ2O,O')이리듐(III)(약칭: [Ir(dmdppr-P)2(dibm)]), 비스{4,6-다이메틸-2-[5-(4-사이아노-2,6-다이메틸페닐)-3-(3,5-다이메틸페닐)-2-피라진일-κN]페닐-κC}(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵테인다이오네이토-κ2O,O')이리듐(III)(약칭: [Ir(dmdppr-dmCP)2(dpm)]), (아세틸아세토네이토)비스[2-메틸-3-페닐퀴녹살리네이토-N,C2']이리듐(III)(약칭: [Ir(mpq)2(acac)]), (아세틸아세토네이토)비스(2,3-다이페닐퀴녹살리네이토-N,C2')이리듐(III)(약칭: [Ir(dpq)2(acac)]), (아세틸아세토네이토)비스[2,3-비스(4-플루오로페닐)퀴녹살리네이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(Fdpq)2(acac)]) 등의 피라진 골격을 가지는 유기 금속 착체나, 트리스(1-페닐아이소퀴놀리네이토-N,C2')이리듐(III)(약칭: [Ir(piq)3]), 비스(1-페닐아이소퀴놀리네이토-N,C2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(piq)2(acac)]) 등의 피리딘 골격을 가지는 유기 금속 착체, 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타에틸-21H,23H-포르피린백금(II)(약칭: [PtOEP]) 등의 백금 착체, 트리스(1,3-다이페닐-1,3-프로페인다이오네이토)(모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: [Eu(DBM)3(Phen)]), 트리스[1-(2-테노일)-3,3,3-트라이플루오로아세토네이토](모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: [Eu(TTA)3(Phen)]) 등의 희토류 금속 착체를 들 수 있다.
발광층(113, 113a, 113b, 113c)에 사용하는 유기 화합물(호스트 재료, 어시스트 재료)로서는 발광 물질(게스트 재료)의 에너지 갭보다 큰 에너지 갭을 가지는 물질을 한 종류 또는 복수 종류 선택하여 사용하면 좋다.
발광 물질이 형광 재료인 경우, 호스트 재료로서는 단일항 여기 상태의 에너지 준위가 크고, 삼중항 여기 상태의 에너지 준위가 작은 유기 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 안트라센 유도체나 테트라센 유도체를 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 9-페닐-3-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸(약칭: PCzPA), 3-[4-(1-나프틸)-페닐]-9-페닐-9H-카바졸(약칭: PCPN), 9-[4-(10-페닐-9-안트라센일)페닐]-9H-카바졸(약칭: CzPA), 7-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-7H-다이벤조[c,g]카바졸(약칭: cgDBCzPA), 6-[3-(9,10-다이페닐-2-안트릴)페닐]-벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란(약칭: 2mBnfPPA), 9-페닐-10-{4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)바이페닐-4'-일}안트라센(약칭: FLPPA), 5,12-다이페닐테트라센, 5,12-비스(바이페닐-2-일)테트라센 등을 들 수 있다.
발광 물질이 인광 재료인 경우, 호스트 재료로서는 발광 물질의 삼중항 여기 에너지(기저 상태와 삼중항 여기 상태의 에너지 차)보다 삼중항 여기 에너지가 큰 유기 화합물을 선택하면 좋다. 또한, 이 경우에는 아연이나 알루미늄계 금속 착체 외에 옥사다이아졸 유도체, 트라이아졸 유도체, 벤즈이미다졸 유도체, 퀴녹살린 유도체, 다이벤조퀴녹살린 유도체, 다이벤조싸이오펜 유도체, 다이벤조퓨란 유도체, 피리미딘 유도체, 트라이아진 유도체, 피리딘 유도체, 바이피리딘 유도체, 페난트롤린 유도체 등 외에, 방향족 아민이나 카바졸 유도체 등을 사용할 수도 있다.
호스트 재료로서, 더 구체적으로는 예를 들어, 다음의 정공 수송성 재료 및 전자 수송성 재료를 사용할 수 있다.
이들 정공 수송성이 높은 호스트 재료의 예로서는, N,N'-다이(p-톨릴)-N,N'-다이페닐-p-페닐렌다이아민(약칭: DTDPPA), 4,4'-비스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: DPAB), N,N'-비스{4-[비스(3-메틸페닐)아미노]페닐}-N,N'-다이페닐-(1,1'-바이페닐)-4,4'-다이아민(약칭: DNTPD), 1,3,5-트리스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]벤젠(약칭: DPA3B) 등의 방향족 아민 화합물을 들 수 있다.
또한, 3-[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzDPA1), 3,6-비스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzDPA2), 3,6-비스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-(1-나프틸)아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzTPN2), 3-[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCA1), 3,6-비스[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCA2), 3-[N-(1-나프틸)-N-(9-페닐카바졸-3-일)아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCN1) 등의 카바졸 유도체를 들 수 있다. 또한, 카바졸 유도체로서는, 상술한 것 외에, 4,4'-다이(N-카바졸릴)바이페닐(약칭: CBP), 1,3,5-트리스[4-(N-카바졸릴)페닐]벤젠(약칭: TCPB), 1,4-비스[4-(N-카바졸릴)페닐]-2,3,5,6-테트라페닐벤젠 등을 사용할 수도 있다.
또한, 정공 수송성이 높은 호스트 재료로서는, 예를 들어, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: NPB 또는 α-NPD)이나 N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-다이페닐-[1,1'-바이페닐]-4,4'-다이아민(약칭: TPD), 4,4',4''-트리스(카바졸-9-일)트라이페닐아민(약칭: TCTA), 4,4',4''-트리스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]트라이페닐아민(약칭: 1'-TNATA), 4,4',4''-트리스(N,N-다이페닐아미노)트라이페닐아민(약칭: TDATA), 4,4',4''-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트라이페닐아민(약칭: m-MTDATA), 4,4'-비스[N-(스파이로-9,9'-바이플루오렌-2-일)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: BSPB), 4-페닐-4'-(9-페닐플루오렌-9-일)트라이페닐아민(약칭: BPAFLP), 4-페닐-3'-(9-페닐플루오렌-9-일)트라이페닐아민(약칭: mBPAFLP), N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)-N-{9,9-다이메틸-2-[N'-페닐-N'-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)아미노]-9H-플루오렌-7-일}페닐아민(약칭: DFLADFL), N-(9,9-다이메틸-2-다이페닐아미노-9H-플루오렌-7-일)다이페닐아민(약칭: DPNF), 2-[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]스파이로-9,9'-바이플루오렌(약칭: DPASF), 4-페닐-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBA1BP), 4,4'-다이페닐-4''-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBBi1BP), 4-(1-나프틸)-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBANB), 4,4'-다이(1-나프틸)-4''-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBNBB), 4-페닐다이페닐-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)아민(약칭: PCA1BP), N,N'-비스(9-페닐카바졸-3-일)-N,N'-다이페닐벤젠-1,3-다이아민(약칭: PCA2B), N,N',N''-트라이페닐-N,N',N''-트리스(9-페닐카바졸-3-일)벤젠-1,3,5-트라이아민(약칭: PCA3B), N-(4-바이페닐)-N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카바졸-3-아민(약칭: PCBiF), N-(1,1'-바이페닐-4-일)-N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]-9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-아민(약칭: PCBBiF), 9,9-다이메틸-N-페닐-N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]플루오렌-2-아민(약칭: PCBAF), N-페닐-N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]스파이로-9,9'-바이플루오렌-2-아민(약칭: PCBASF), 2-[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]스파이로-9,9'-바이플루오렌(약칭: PCASF), 2,7-비스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]-스파이로-9,9'-바이플루오렌(약칭: DPA2SF), N-[4-(9H-카바졸-9-일)페닐]-N-(4-페닐)페닐아닐린(약칭: YGA1BP), N,N'-비스[4-(카바졸-9-일)페닐]-N,N'-다이페닐-9,9-다이메틸플루오렌-2,7-다이아민(약칭: YGA2F) 등의 방향족 아민 화합물 등을 사용할 수 있다. 또한, 3-[4-(1-나프틸)-페닐]-9-페닐-9H-카바졸(약칭: PCPN), 3-[4-(9-페난트릴)-페닐]-9-페닐-9H-카바졸(약칭: PCPPn), 3,3'-비스(9-페닐-9H-카바졸)(약칭: PCCP), 1,3-비스(N-카바졸릴)벤젠(약칭: mCP), 3,6-비스(3,5-다이페닐페닐)-9-페닐카바졸(약칭: CzTP), 4-{3-[3-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]페닐}다이벤조퓨란(약칭: mmDBFFLBi-II), 4,4',4''-(벤젠-1,3,5-트라이일)트라이(다이벤조퓨란)(약칭: DBF3P-II), 1,3,5-트라이(다이벤조싸이오펜-4-일)벤젠(약칭: DBT3P-II), 2,8-다이페닐-4-[4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]다이벤조싸이오펜(약칭: DBTFLP-III), 4-[4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]-6-페닐다이벤조싸이오펜(약칭: DBTFLP-IV), 4-[3-(트라이페닐렌-2-일)페닐]다이벤조싸이오펜(약칭: mDBTPTp-II) 등의 카바졸 화합물, 싸이오펜 화합물, 퓨란 화합물, 플루오렌 화합물, 트라이페닐렌 화합물, 페난트렌 화합물 등을 사용할 수 있다.
전자 수송성이 높은 호스트 재료로서는 예를 들어 트리스(8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)(약칭: Alq), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)(약칭: Almq3), 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리네이토)베릴륨(II)(약칭: BeBq2), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)(4-페닐페놀레이토)알루미늄(III)(약칭: BAlq), 비스(8-퀴놀리놀레이토)아연(II)(약칭: Znq) 등, 퀴놀린 골격 또는 벤조퀴놀린 골격을 가지는 금속 착체 등이 있다. 또한, 그 외에 비스[2-(2-벤즈옥사졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnPBO), 비스[2-(2-벤조싸이아졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnBTZ) 등의 옥사졸계, 싸이아졸계 배위자를 가지는 금속 착체 등을 사용할 수도 있다. 또한, 금속 착체 외에도 2-(4-바이페닐릴)-5-(4-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸(약칭: PBD)이나, 1,3-비스[5-(p-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7), 9-[4-(5-페닐-1,3,4-옥사다이아졸-2-일)페닐]-9H-카바졸(약칭: CO11) 등의 옥사다이아졸 유도체나, 3-(4-바이페닐릴)-4-페닐-5-(4-tert-뷰틸페닐)-1,2,4-트라이아졸(약칭: TAZ) 등의 트라이아졸 유도체나, 2,2',2''-(1,3,5-벤젠트라이일)트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸)(약칭: TPBI), 2-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-1-페닐-1H-벤즈이미다졸(약칭: mDBTBIm-II) 등의 이미다졸 골격을 가지는 화합물(특히, 벤즈이미다졸 유도체)이나, 4,4'-비스(5-메틸벤즈옥사졸-2-일)스틸벤(약칭: BzOs) 등의 옥사졸 골격을 가지는 화합물(특히, 벤즈옥사졸 유도체)이나, 바소페난트롤린(약칭: Bphen), 바소큐프로인(약칭: BCP), 2,9-비스(나프탈렌-2-일)-4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린(약칭: NBphen) 등의 페난트롤린 유도체나, 2-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mDBTPDBq-II), 2-[3'-(다이벤조싸이오펜-4-일)바이페닐-3-일]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mDBTBPDBq-II), 2-[3'-(9H-카바졸-9-일)바이페닐-3-일]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mCzBPDBq), 2-[4-(3,6-다이페닐-9H-카바졸-9-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2CzPDBq-III), 7-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 7mDBTPDBq-II), 및 6-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 6mDBTPDBq-II), 4,6-비스[3-(페난트렌-9-일)페닐]피리미딘(약칭: 4,6mPnP2Pm), 4,6-비스[3-(4-다이벤조싸이엔일)페닐]피리미딘(약칭: 4,6mDBTP2Pm-II), 4,6-비스[3-(9H-카바졸-9-일)페닐]피리미딘(약칭: 4,6mCzP2Pm) 등의 다이아진 골격을 가지는 헤테로 고리 화합물이나, 2-{4-[3-(N-페닐-9H-카바졸-3-일)-9H-카바졸-9-일]페닐}-4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진(약칭: PCCzPTzn) 등의 트라이아진 골격을 가지는 헤테로 고리 화합물이나, 3,5-비스[3-(9H-카바졸-9-일)페닐]피리딘(약칭: 35DCzPPy), 1,3,5-트라이[3-(3-피리딜)페닐]벤젠(약칭: TmPyPB) 등의 피리딘 골격을 가지는 헤테로 고리 화합물도 사용할 수 있다. 또한, 폴리(2,5-피리딘다이일)(약칭: PPy), 폴리[(9,9-다이헥실플루오렌-2,7-다이일)-co-(피리딘-3,5-다이일)](약칭: PF-Py), 폴리[(9,9-다이옥틸플루오렌-2,7-다이일)-co-(2,2'-바이피리딘-6,6'-다이일)](약칭: PF-BPy) 등의 고분자 화합물을 사용할 수도 있다.
또한, 호스트 재료로서 안트라센 유도체, 페난트렌 유도체, 피렌 유도체, 크리센 유도체, 다이벤조[g,p]크리센 유도체 등의 축합 다환 방향족 화합물을 들 수 있고, 구체적으로는, 9,10-다이페닐안트라센(약칭: DPAnth), N,N-다이페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸-3-아민(약칭: CzA1PA), 4-(10-페닐-9-안트릴)트라이페닐아민(약칭: DPhPA), YGAPA, PCAPA, N,9-다이페닐-N-{4-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]페닐}-9H-카바졸-3-아민(약칭: PCAPBA), 2PCAPA, 6,12-다이메톡시-5,11-다이페닐크리센, DBC1, 9-[4-(10-페닐-9-안트라센일)페닐]-9H-카바졸(약칭: CzPA), 3,6-다이페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸(약칭: DPCzPA), 9,10-비스(3,5-다이페닐페닐)안트라센(약칭: DPPA), 9,10-다이(2-나프틸)안트라센(약칭: DNA), 2-tert-뷰틸-9,10-다이(2-나프틸)안트라센(약칭: t-BuDNA), 9,9'-바이안트릴(약칭: BANT), 9,9'-(스틸벤-3,3'-다이일)다이페난트렌(약칭: DPNS), 9,9'-(스틸벤-4,4'-다이일)다이페난트렌(약칭: DPNS2), 1,3,5-트라이(1-피렌일)벤젠(약칭: TPB3) 등을 사용할 수 있다.
또한, 발광층(113, 113a, 113b, 및 113c)에 복수의 유기 화합물을 사용하는 경우, 여기 복합체를 형성하는 2종류의 화합물(제 1 화합물 및 제 2 화합물)과, 유기 금속 착체를 혼합시켜 사용하여도 좋다. 이 경우, 다양한 유기 화합물을 적절히 조합하여 사용할 수 있지만, 여기 복합체를 효율적으로 형성하기 위해서는, 정공을 받기 쉬운 화합물(정공 수송성 재료)과, 전자를 받기 쉬운 화합물(전자 수송성 재료)을 조합하는 것이 특히 바람직하다. 또한, 정공 수송성 재료 및 전자 수송성 재료로서는, 구체적으로 본 실시형태에서 설명하는 재료를 사용할 수 있다. 이 구성에 의하여, 고효율, 저전압, 장수명을 동시에 실현할 수 있다.
TADF 재료란, 삼중항 여기 상태를 미량의 열 에너지에 의하여 단일항 여기 상태로 업 컨버트(역 항간 교차)할 수 있고, 단일항 여기 상태로부터의 발광(형광)을 효율적으로 나타내는 재료를 말한다. 또한, 열 활성화 지연 형광이 효율적으로 얻어지는 조건으로서는 삼중항 여기 상태의 에너지 준위와 단일항 여기 상태의 에너지 준위의 에너지 차가 0eV 이상 0.2eV 이하, 바람직하게는 0eV 이상 0.1eV 이하인 것을 들 수 있다. 또한, TADF 재료에서의 지연 형광이란, 일반적인 형광과 마찬가지의 스펙트럼을 가지면서도 수명이 현저히 긴 발광을 말한다. 그 수명은 10-6초 이상, 바람직하게는 10-3초 이상이다.
TADF 재료로서는, 예를 들어, 풀러렌이나 그 유도체, 프로플라빈 등의 아크리딘 유도체, 에오신 등을 들 수 있다. 또한, 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 주석(Sn), 백금(Pt), 인듐(In), 또는 팔라듐(Pd) 등을 포함하는 금속 함유 포르피린을 들 수 있다. 금속 함유 포르피린으로서는, 예를 들어, 프로토포르피린-플루오린화 주석 착체(약칭: SnF2(Proto IX)), 메소포르피린-플루오린화 주석 착체(약칭: SnF2(Meso IX)), 헤마토포르피린-플루오린화 주석 착체(약칭: SnF2(Hemato IX)), 코프로포르피린테트라메틸에스터-플루오린화 주석 착체(약칭: SnF2(Copro III-4Me)), 옥타에틸포르피린-플루오린화 주석 착체(약칭: SnF2(OEP)), 에티오포르피린-플루오린화 주석 착체(약칭: SnF2(Etio I)), 옥타에틸포르피린-염화 백금 착체(약칭: PtCl2OEP) 등을 들 수 있다.
그 외에도, 2-(바이페닐-4-일)-4,6-비스(12-페닐인돌로[2,3-a]카바졸-11-일)-1,3,5-트라이아진(약칭: PIC-TRZ), 2-{4-[3-(N-페닐-9H-카바졸-3-일)-9H-카바졸-9-일]페닐}-4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진(약칭: PCCzPTzn), 2-[4-(10H-페녹사진-10-일)페닐]-4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진(약칭: PXZ-TRZ), 3-[4-(5-페닐-5,10-다이하이드로페나진-10-일)페닐]-4,5-다이페닐-1,2,4-트라이아졸(약칭: PPZ-3TPT), 3-(9,9-다이메틸-9H-아크리딘-10-일)-9H-크산텐-9-온(약칭: ACRXTN), 비스[4-(9,9-다이메틸-9,10-다이하이드로아크리딘)페닐]설폰(약칭: DMAC-DPS), 10-페닐-10H,10'H-스파이로[아크리딘-9,9'-안트라센]-10'-온(약칭: ACRSA) 등의 π전자 과잉형 헤테로 방향 고리 및 π전자 부족형 헤테로 방향 고리를 가지는 헤테로 고리 화합물을 사용할 수 있다. 또한, π전자 과잉형 헤테로 방향 고리와 π전자 부족형 헤테로 방향 고리가 직접 결합된 물질은 π전자 과잉형 헤테로 방향 고리의 도너성과 π전자 부족형 헤테로 방향 고리의 억셉터성이 모두 강해져, 단일항 여기 상태와 삼중항 여기 상태의 에너지 차가 작아지기 때문에 특히 바람직하다.
또한, TADF 재료를 사용하는 경우, 다른 유기 화합물과 조합하여 사용할 수도 있다.
도 1의 (D)에 도시된 발광 소자에서는, EL층(103a)의 발광층(113a) 위에 전자 수송층(114a)이 진공 증착법으로 형성된다. 또한, EL층(103a) 및 전하 발생층(104)이 형성된 후, EL층(103b)의 발광층(113b) 위에 전자 수송층(114b)이 진공 증착법으로 형성된다.
<전자 수송층>
전자 수송층(114, 114a, 114b)은 전자 주입층(115, 115a, 115b)에 의하여 제 2 전극(102)이나 전하 발생층(104)으로부터 주입된 전자를 발광층(113, 113a, 113b)에 수송하는 층이다. 또한, 전자 수송층(114, 114a, 114b)은 전자 수송성 재료를 포함하는 층이다. 전자 수송층(114, 114a, 114b)에 사용하는 전자 수송성 재료는 1×10-6cm2/Vs 이상의 전자 이동도를 가지는 물질이 바람직하다. 또한, 정공보다 전자의 수송성이 높은 물질이면, 이들 외의 물질을 사용할 수 있다.
전자 수송성 재료로서는 퀴놀린 배위자, 벤조퀴놀린 배위자, 옥사졸 배위자, 또는 싸이아졸 배위자를 가지는 금속 착체, 옥사다이아졸 유도체, 트라이아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 피리딘 유도체, 바이피리딘 유도체 등을 들 수 있다. 그 외에, 함질소 헤테로 방향족 화합물과 같은 π전자 부족형 헤테로 방향족 화합물을 사용할 수도 있다.
구체적으로는, Alq3, 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(약칭: Almq3), 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리네이토)베릴륨(약칭: BeBq2), BAlq, 비스[2-(2-하이드록시페닐)벤즈옥사졸레이토]아연(II)(약칭: Zn(BOX)2), 비스[2-(2-하이드록시페닐)벤조싸이아졸레이토]아연(II)(약칭: Zn(BTZ)2) 등의 금속 착체, 2-(4-바이페닐릴)-5-(4-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸(약칭: PBD), OXD-7, 3-(4'-tert-뷰틸페닐)-4-페닐-5-(4''-바이페닐)-1,2,4-트라이아졸(약칭: TAZ), 3-(4-tert-뷰틸페닐)-4-(4-에틸페닐)-5-(4-바이페닐릴)-1,2,4-트라이아졸(약칭: p-EtTAZ), 바소페난트롤린(약칭: Bphen), 바소큐프로인(약칭: BCP), 4,4'-비스(5-메틸벤즈옥사졸-2-일)스틸벤(약칭: BzOs) 등의 헤테로 방향족 화합물, 2-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mDBTPDBq-II), 2-[3'-(다이벤조싸이오펜-4-일)바이페닐-3-일]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mDBTBPDBq-II), 2-[4-(3,6-다이페닐-9H-카바졸-9-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2CzPDBq-III), 7-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 7mDBTPDBq-II), 6-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 6mDBTPDBq-II) 등의 퀴녹살린 또는 다이벤조퀴녹살린 유도체를 사용할 수 있다.
또한, 폴리(2,5-피리딘다이일)(약칭: PPy), 폴리[(9,9-다이헥실플루오렌-2,7-다이일)-co-(피리딘-3,5-다이일)](약칭: PF-Py), 폴리[(9,9-다이옥틸플루오렌-2,7-다이일)-co-(2,2'-바이피리딘-6,6'-다이일)](약칭: PF-BPy) 등의 고분자 화합물을 사용할 수도 있다.
또한, 전자 수송층(114, 114a, 114b)은 단층뿐만 아니라, 상기 물질로 이루어지는 층이 2층 이상 적층된 구조이어도 좋다.
도 1의 (D)에 도시된 발광 소자에서는, EL층(103a)의 전자 수송층(114a) 위에 전자 주입층(115a)이 진공 증착법으로 형성된다. 그 후, EL층(103a) 및 전하 발생층(104)이 형성되고, EL층(103b)의 전자 수송층(114b)까지 형성된 후, 그 위에 전자 주입층(115b)이 진공 증착법으로 형성된다.
<전자 주입층>
전자 주입층(115, 115a, 115b)은 전자 주입성이 높은 물질을 포함하는 층이다. 전자 주입층(115, 115a, 115b)에는 플루오린화 리튬(LiF), 플루오린화 세슘(CsF), 플루오린화 칼슘(CaF2), 리튬 산화물(LiOx) 등의 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 또는 그들의 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 플루오린화 어븀(ErF3) 등의 희토류 금속 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 전자 주입층(115, 115a, 115b)에 전자화물(electride)을 사용하여도 좋다. 전자화물로서는, 예를 들어, 칼슘과 알루미늄의 혼합 산화물에 전자를 고농도로 첨가한 물질 등을 들 수 있다. 또한, 상술한 전자 수송층(114, 114a, 114b)을 구성하는 물질을 사용할 수도 있다.
또한, 전자 주입층(115, 115a, 115b)에, 유기 화합물과 전자 공여체(도너)를 혼합하여 이루어지는 복합 재료를 사용하여도 좋다. 이와 같은 복합 재료는, 전자 공여체에 의하여 유기 화합물에 전자가 발생하기 때문에, 전자 주입성 및 전자 수송성이 우수하다. 이 경우, 유기 화합물로서는 발생한 전자의 수송이 우수한 재료인 것이 바람직하고, 구체적으로는 예를 들어 상술한 전자 수송층(114, 114a, 114b)에 사용하는 전자 수송성 재료(금속 착체나 헤테로 방향족 화합물 등)를 사용할 수 있다. 전자 공여체로서는, 유기 화합물에 대하여 전자 공여성을 나타내는 물질이면 좋다. 구체적으로는, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 및 희토류 금속이 바람직하고, 리튬, 세슘, 마그네슘, 칼슘, 어븀, 이터븀 등을 들 수 있다. 또한, 알칼리 금속 산화물이나 알칼리 토금속 산화물이 바람직하고, 리튬 산화물, 칼슘 산화물, 바륨 산화물 등을 들 수 있다. 또한, 산화 마그네슘 등의 루이스 염기를 사용할 수도 있다. 또한, 테트라싸이아풀발렌(약칭: TTF) 등의 유기 화합물을 사용할 수도 있다.
또한, 예를 들어, 발광층(113b)으로부터 얻어지는 광을 증폭시키는 경우에는 제 2 전극(102)과 발광층(113b)의 광학 거리가, 발광층(113b)이 나타내는 광의 파장에 대하여 λ/4 미만이 되도록 하는 것이 바람직하다. 이 경우, 전자 수송층(114b) 또는 전자 주입층(115b)의 두께를 변화시킴으로써 광학 거리를 조정할 수 있다.
<전하 발생층>
전하 발생층(104)은, 제 1 전극(양극)(101)과 제 2 전극(음극)(102) 사이에 전압을 인가하였을 때, EL층(103a)에 전자를 주입하고 EL층(103b)에 정공을 주입하는 기능을 가진다. 또한, 전하 발생층(104)은 정공 수송성 재료에 전자 수용체(억셉터)가 첨가된 구성이어도 좋고, 전자 수송성 재료에 전자 공여체(도너)가 첨가된 구성이어도 좋다. 또한, 이들 양쪽 구성이 적층되어도 좋다. 또한, 상술한 재료를 사용하여 전하 발생층(104)을 형성함으로써, EL층이 적층된 경우의 구동 전압 상승을 억제할 수 있다.
전하 발생층(104)에서 정공 수송성 재료에 전자 수용체가 첨가된 구성으로 하는 경우, 정공 수송성 재료로서는 본 실시형태에서 설명한 재료를 사용할 수 있다. 또한, 전자 수용체로서는, 7,7,8,8-테트라사이아노-2,3,5,6-테트라플루오로퀴노다이메테인(약칭: F4-TCNQ), 클로라닐 등을 들 수 있다. 또한, 원소 주기율표에서 4족 내지 8족에 속하는 금속의 산화물을 들 수 있다. 구체적으로는, 산화 바나듐, 산화 나이오븀, 산화 탄탈럼, 산화 크로뮴, 산화 몰리브데넘, 산화 텅스텐, 산화 망가니즈, 산화 레늄 등을 들 수 있다.
전하 발생층(104)에서, 전자 수송성 재료에 전자 공여체가 첨가된 구성으로 하는 경우, 전자 수송성 재료로서는 본 실시형태에서 나타낸 재료를 사용할 수 있다. 또한, 전자 공여체로서는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 또는 희토류 금속 또는 원소 주기율표에서 2족, 13족에 속하는 금속 및 그 산화물, 탄산염을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 리튬(Li), 세슘(Cs), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 이터븀(Yb), 인듐(In), 산화 리튬, 탄산 세슘 등을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 테트라싸이아나프타센 등의 유기 화합물을 전자 공여체로서 사용하여도 좋다.
또한, 도 1의 (E)의 EL층(103c)은 상술한 EL층(103, 103a, 103b)과 같은 구성으로 하면 좋다. 또한, 전하 발생층(104a, 104b)도 상술한 전하 발생층(104)과 같은 구성으로 하면 좋다.
<기판>
본 실시형태에서 나타낸 발광 소자는 다양한 기판 위에 형성할 수 있다. 또한, 기판의 종류는 특정한 것에 한정되지 않는다. 기판의 일례로서는 반도체 기판(예를 들어, 단결정 기판 또는 실리콘 기판), SOI 기판, 유리 기판, 석영 기판, 플라스틱 기판, 금속 기판, 스테인리스강 기판, 스테인리스강 포일을 가지는 기판, 텅스텐 기판, 텅스텐·포일을 가지는 기판, 가요성 기판, 접합 필름, 섬유상의 재료를 포함하는 종이, 또는 기재 필름 등을 들 수 있다.
또한, 유리 기판의 일례로서는 바륨보로실리케이트 유리, 알루미노보로실리케이트 유리, 또는 소다석회 유리 등을 들 수 있다. 또한, 가요성 기판, 접합 필름, 기재 필름 등의 일례로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에터설폰(PES)으로 대표되는 플라스틱, 아크릴 등의 합성 수지, 폴리프로필렌, 폴리에스터, 폴리플루오린화바이닐, 폴리염화바이닐, 폴리아마이드, 폴리이미드, 아라미드, 에폭시, 무기 증착 필름, 또는 종이류 등을 들 수 있다.
또한, 본 실시형태에서 나타낸 발광 소자의 제작에는 증착법 등의 진공 프로세스나, 스핀 코팅법, 잉크젯법 등의 용액 프로세스를 사용할 수 있다. 증착법을 사용하는 경우에는, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 이온 빔 증착법, 분자선 증착법, 진공 증착법 등의 물리 증착법(PVD법)이나, 화학 증착법(CVD법) 등을 사용할 수 있다. 특히, 발광 소자의 EL층에 포함되는 기능층(정공 주입층(111, 111a, 111b), 정공 수송층(112, 112a, 112b), 발광층(113, 113a, 113b, 113c), 전자 수송층(114, 114a, 114b), 전자 주입층(115, 115a, 115b)), 및 전하 발생층(104, 104a, 104b)에 대해서는 증착법(진공 증착법 등), 코팅법(딥 코팅법, 다이 코팅법, 바 코팅법, 스핀 코팅법, 스프레이 코팅법 등), 인쇄법(잉크젯법, 스크린(공판 인쇄)법, 오프셋(평판 인쇄)법, 플렉소 인쇄(철판 인쇄)법, 그라비어법, 마이크로 콘택트 인쇄법 등) 등의 방법으로 형성할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서 나타낸 발광 소자의 EL층(103, 103a, 103b)을 구성하는 각 기능층(정공 주입층(111, 111a, 111b), 정공 수송층(112, 112a, 112b), 발광층(113, 113a, 113b, 113c), 전자 수송층(114, 114a, 114b), 전자 주입층(115, 115a, 115b))이나 전하 발생층(104, 104a, 104b)은 상술한 재료에 한정되지 않고, 각 층의 기능을 만족시킬 수 있는 것이라면, 상술한 재료 외의 재료를 조합하여 사용할 수 있다. 일례로서는, 고분자 화합물(올리고머, 덴드리머, 폴리머 등), 중분자 화합물(저분자와 고분자의 중간 영역의 화합물: 분자량 400 내지 4000), 무기 화합물(퀀텀닷(quantum dot) 재료 등) 등을 사용할 수 있다. 또한, 퀀텀닷 재료로서는, 콜로이드상 퀀텀닷 재료, 합금형 퀀텀닷 재료, 코어·셸형 퀀텀닷 재료, 코어형 퀀텀닷 재료 등을 사용할 수 있다.
본 실시형태에서 나타낸 구성은 다른 실시형태에서 나타내는 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있는 것으로 한다.
(실시형태 3)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태인 발광 장치에 대하여 설명한다. 또한, 도 2의 (A)에 도시된 발광 장치는 제 1 기판(201) 위의 트랜지스터(FET)(202)와 발광 소자(203R, 203G, 203B, 203W)가 전기적으로 접속되어 이루어지는 액티브 매트릭스형 발광 장치이고, 복수의 발광 소자(203R, 203G, 203B, 203W)는 공통의 EL층(204)을 가지고, 각 발광 소자의 발광색에 따라 각 발광 소자의 전극 사이의 광학 거리가 조정된 마이크로캐비티 구조를 가진다. 또한, EL층(204)으로부터 얻어진 발광이, 제 2 기판(205)에 형성된 컬러 필터(206R, 206G, 206B)를 통하여 사출되는 톱 이미션형 발광 장치이다.
도 2의 (A)에 도시된 발광 장치는 제 1 전극(207)이 반사 전극으로서 기능하도록 형성된다. 또한, 제 2 전극(208)이 반투과·반반사 전극으로서 기능하도록 형성된다. 또한, 제 1 전극(207) 및 제 2 전극(208)을 형성하는 전극 재료로서는 다른 실시형태의 기재를 참조하여 적절히 사용하면 좋다.
또한, 도 2의 (A)에서, 예를 들어 발광 소자(203R)를 적색 발광 소자로, 발광 소자(203G)를 녹색 발광 소자로, 발광 소자(203B)를 청색 발광 소자로, 그리고 발광 소자(203W)를 백색 발광 소자로 하는 경우, 도 2의 (B)에 도시된 바와 같이, 발광 소자(203R)는 제 1 전극(207)과 제 2 전극(208) 사이가 광학 거리(200R)가 되도록 조정되고, 발광 소자(203G)는 제 1 전극(207)과 제 2 전극(208) 사이가 광학 거리(200G)가 되도록 조정되고, 발광 소자(203B)는 제 1 전극(207)과 제 2 전극(208) 사이가 광학 거리(200B)가 되도록 조정된다. 또한, 도 2의 (B)에 도시된 바와 같이, 발광 소자(203R)에서 도전층(207R)을 제 1 전극(207)에 적층하고, 발광 소자(203G)에서 도전층(207G)을 적층함으로써 광학 조정을 행할 수 있다.
제 2 기판(205)에는 컬러 필터(206R, 206G, 206B)가 형성되어 있다. 또한, 컬러 필터는 가시광 중 특정 파장 영역의 광을 투과시키고 특정 파장 영역의 광을 막는 필터이다. 따라서, 도 2의 (A)에 도시된 바와 같이, 발광 소자(203R)와 중첩되는 위치에 적색의 파장 영역의 광만을 투과시키는 컬러 필터(206R)를 제공함으로써, 발광 소자(203R)로부터 적색 발광을 얻을 수 있다. 또한, 발광 소자(203G)와 중첩되는 위치에 녹색의 파장 영역의 광만을 투과시키는 컬러 필터(206G)를 제공함으로써, 발광 소자(203G)로부터 녹색 발광을 얻을 수 있다. 또한, 발광 소자(203B)와 중첩되는 위치에 청색의 파장 영역의 광만을 투과시키는 컬러 필터(206B)를 제공함으로써, 발광 소자(203B)로부터 청색 발광을 얻을 수 있다. 다만, 발광 소자(203W)는 컬러 필터를 제공하지 않아도 백색 발광을 얻을 수 있다. 또한, 한 종류의 컬러 필터의 단부에는 흑색층(블랙 매트릭스)(209)이 제공되어도 좋다. 또한, 컬러 필터(206R, 206G, 206B)나 흑색층(209)은 투명한 재료를 사용한 오버코트층으로 덮여 있어도 좋다.
도 2의 (A)에는 제 2 기판(205) 측으로 발광을 추출하는 구조(톱 이미션형)의 발광 장치를 도시하였지만, 도 2의 (C)에 도시된 바와 같이 FET(202)가 형성되어 있는 제 1 기판(201) 측으로 광을 추출하는 구조(보텀 이미션형)의 발광 장치로 하여도 좋다. 또한, 보텀 이미션형 발광 장치의 경우에는, 제 1 전극(207)이 반투과·반반사 전극으로서 기능하도록 형성되고, 제 2 전극(208)이 반사 전극으로서 기능하도록 형성된다. 또한, 제 1 기판(201)에는 적어도 투광성의 기판을 사용한다. 또한, 컬러 필터(206R', 206G', 206B')는 도 2의 (C)에 도시된 바와 같이 발광 소자(203R, 203G, 203B)보다 제 1 기판(201) 측에 제공하면 좋다.
또한, 도 2의 (A)에서 발광 소자가 적색 발광 소자, 녹색 발광 소자, 청색 발광 소자, 백색 발광 소자인 경우에 대하여 설명하였지만, 본 발명의 일 형태인 발광 소자는 그 구성에 한정되지 않고, 황색의 발광 소자나 주황색의 발광 소자를 가지는 구성이어도 좋다. 또한, 이들 발광 소자를 제작하기 위하여 EL층(발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전하 발생층 등)에 사용하는 재료로서는 다른 실시형태의 기재를 참조하여 적절히 사용하면 좋다. 또한, 그 경우에는 발광 소자의 발광색에 따라 컬러 필터를 적절히 선택할 필요가 있다.
상술한 구성으로 함으로써, 복수의 발광색을 나타내는 발광 소자를 구비한 발광 장치를 얻을 수 있다.
또한, 본 실시형태에서 나타낸 구성은 다른 실시형태에서 나타내는 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있는 것으로 한다.
(실시형태 4)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태인 발광 장치에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 형태인 발광 소자의 소자 구성을 적용함으로써, 액티브 매트릭스형 발광 장치나 패시브 매트릭스형 발광 장치를 제작할 수 있다. 또한, 액티브 매트릭스형 발광 장치는 발광 소자와 트랜지스터(FET)를 조합한 구성을 가진다. 따라서, 패시브 매트릭스형 발광 장치 및 액티브 매트릭스형 발광 장치는 양쪽 모두 본 발명의 일 형태에 포함된다. 또한, 본 실시형태에서 나타내는 발광 장치에는 다른 실시형태에서 설명한 발광 소자를 적용할 수 있다.
본 실시형태에서는 액티브 매트릭스형 발광 장치에 대하여 도 3을 사용하여 설명한다.
또한, 도 3의 (A)는 발광 장치를 도시한 상면도이고, 도 3의 (B)는 도 3의 (A)를 쇄선 A-A'를 따라 자른 단면도이다. 액티브 매트릭스형 발광 장치는 제 1 기판(301) 위에 제공된 화소부(302), 구동 회로부(소스선 구동 회로)(303), 및 구동 회로부(게이트선 구동 회로)(304a, 304b)를 가진다. 화소부(302) 및 구동 회로부(303, 304a, 304b)는 실재(305)에 의하여 제 1 기판(301)과 제 2 기판(306) 사이에 밀봉된다.
또한, 제 1 기판(301) 위에는 리드 배선(307)이 제공된다. 리드 배선(307)은 외부 입력 단자인 FPC(308)와 접속된다. 또한, FPC(308)는 구동 회로부(303, 304a, 304b)에 외부로부터의 신호(예를 들어, 비디오 신호, 클럭 신호, 스타트 신호, 리셋 신호 등)나 전위를 전달한다. 또한, FPC(308)에는 인쇄 배선 기판(PWB)이 장착되어도 좋다. 또한, 이들 FPC나 PWB가 제공된 상태는 발광 장치에 포함된다.
다음으로, 도 3의 (B)에 단면 구조를 도시하였다.
화소부(302)는 FET(스위칭용 FET)(311), FET(전류 제어용 FET)(312), 및 FET(312)와 전기적으로 접속된 제 1 전극(313)을 가지는 복수의 화소로 형성된다. 또한, 각 화소가 가지는 FET의 개수는 특별히 한정되지 않고, 필요에 따라 적절히 제공할 수 있다.
FET(309, 310, 311, 312)는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 스태거형이나 역 스태거형 등의 트랜지스터를 적용할 수 있다. 또한, 톱 게이트형이나 보텀 게이트형 등의 트랜지스터 구조이어도 좋다.
또한, 이들 FET(309, 310, 311, 312)에 사용할 수 있는 반도체의 결정성에 대해서는 특별히 한정되지 않고, 비정질 반도체, 결정성을 가지는 반도체(미결정 반도체, 다결정 반도체, 단결정 반도체, 또는 일부에 결정 영역을 가지는 반도체) 중 어느 것을 사용하여도 좋다. 또한, 결정성을 가지는 반도체를 사용함으로써 트랜지스터 특성의 열화를 억제할 수 있어 바람직하다.
또한, 이들 반도체로서는 예를 들어 14족 원소, 화합물 반도체, 산화물 반도체, 유기 반도체 등을 사용할 수 있다. 대표적으로는, 실리콘을 포함하는 반도체, 갈륨 비소를 포함하는 반도체, 인듐을 포함하는 산화물 반도체 등을 적용할 수 있다.
구동 회로부(303)는 FET(309)와 FET(310)를 가진다. 또한, FET(309)와 FET(310)는 단극성(N형 및 P형 중 어느 한쪽만)의 트랜지스터를 포함하는 회로로 형성되어도 좋고, N형 트랜지스터와 P형 트랜지스터를 포함하는 CMOS 회로로 형성되어도 좋다. 또한, 외부에 구동 회로를 가지는 구성으로 하여도 좋다.
제 1 전극(313)의 단부는 절연물(314)로 덮여 있다. 또한, 절연물(314)에는 네거티브형 감광성 수지나 포지티브형 감광성 수지(아크릴 수지) 등의 유기 화합물이나, 산화 실리콘, 산화 질화 실리콘, 질화 실리콘 등의 무기 화합물을 사용할 수 있다. 절연물(314)의 상단부 또는 하단부에는 곡률을 가지는 곡면이 형성되는 것이 바람직하다. 이로써, 절연물(314) 상층에 형성되는 막의 피복성을 양호한 것으로 할 수 있다.
제 1 전극(313) 위에는 EL층(315) 및 제 2 전극(316)이 적층 형성된다. EL층(315)은 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전하 발생층 등을 가진다.
또한, 본 실시형태에서 나타내는 발광 소자(317)의 구성에는 다른 실시형태에서 설명한 구성이나 재료를 적용할 수 있다. 또한, 여기서는 도시하지 않았지만, 제 2 전극(316)은 외부 입력 단자인 FPC(308)에 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 도 3의 (B)에 도시된 단면도에서는 발광 소자(317)를 하나만 도시하였지만, 화소부(302)에서는 복수의 발광 소자가 매트릭스 형태로 배치되어 있는 것으로 한다. 화소부(302)에는 3종류(R, G, B)의 발광이 얻어지는 발광 소자를 각각 선택적으로 형성하여 풀 컬러 표시가 가능한 발광 장치를 형성할 수 있다. 또한, 3종류(R, G, B)의 발광이 얻어지는 발광 소자 외에, 예를 들어 백색(W), 황색(Y), 마젠타(M), 시안(C) 등의 발광이 얻어지는 발광 소자를 형성하여도 좋다. 예를 들어, 3종류(R, G, B)의 발광이 얻어지는 발광 소자에 상술한 여러 종류의 발광이 얻어지는 발광 소자를 추가함으로써, 색 순도의 향상, 소비전력의 저감 등의 효과를 얻을 수 있다. 또한, 컬러 필터와 조합함으로써 풀 컬러 표시가 가능한 발광 장치로 하여도 좋다. 또한, 컬러 필터의 종류로서는 적색(R), 녹색(G), 청색(B), 시안(C), 마젠타(M), 황색(Y) 등을 사용할 수 있다.
제 1 기판(301) 위의 FET(309, 310, 311, 312)나 발광 소자(317)는, 제 2 기판(306)과 제 1 기판(301)을 실재(305)에 의하여 접합함으로써, 제 1 기판(301), 제 2 기판(306), 및 실재(305)로 둘러싸인 공간(318)에 제공된 구조를 가진다. 또한, 공간(318)에는 불활성 가스(질소나 아르곤 등)나 유기물(실재(305)를 포함함)이 충전되어 있어도 좋다.
실재(305)에는 에폭시계 수지나 유리 프릿을 사용할 수 있다. 또한, 실재(305)에는 수분이나 산소를 가능한 한 투과시키지 않는 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 제 2 기판(306)에는 제 1 기판(301)에 사용할 수 있는 것을 마찬가지로 사용할 수 있다. 따라서, 다른 실시형태에서 설명한 다양한 기판을 적절히 사용할 수 있는 것으로 한다. 기판으로서는, 유리 기판이나 석영 기판 외에, FRP(Fiber-Reinforced Plastics), PVF(Polyvinyl Fluoride), 폴리에스터, 또는 아크릴 등으로 이루어지는 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 실재로서 유리 프릿을 사용하는 경우에는, 접착성의 관점에서 제 1 기판(301) 및 제 2 기판(306)은 유리 기판인 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 액티브 매트릭스형 발광 장치를 얻을 수 있다.
또한, 액티브 매트릭스형 발광 장치를 가요성 기판에 형성하는 경우, 가요성 기판 위에 FET와 발광 소자를 직접 형성하여도 좋지만, 박리층을 가지는 다른 기판에 FET와 발광 소자를 형성한 후에, 열, 힘을 가하거나 레이저 조사 등을 행함으로써 FET와 발광 소자를 박리층에서 박리하여 가요성 기판으로 전치하여 형성하여도 좋다. 또한, 박리층으로서는 예를 들어, 텅스텐막과 산화 실리콘막의 무기막 적층이나, 폴리이미드 등의 유기 수지막 등을 사용할 수 있다. 또한, 가요성 기판으로서는 트랜지스터를 형성할 수 있는 기판에 더하여, 종이 기판, 셀로판 기판, 아라미드 필름 기판, 폴리이미드 필름 기판, 직물 기판(천연 섬유(비단, 솜, 삼), 합성 섬유(나일론, 폴리우레탄, 폴리에스터), 또는 재생 섬유(아세테이트, 큐프라, 레이온, 재생 폴리에스터) 등을 포함함), 피혁 기판, 또는 고무 기판 등을 들 수 있다. 이들 기판을 사용함으로써, 내구성이나 내열성이 우수하고, 경량화 및 박형화를 도모할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서 나타낸 구성은, 다른 실시형태에서 나타내는 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있다.
(실시형태 5)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태인 발광 장치, 본 발명의 일 형태인 발광 소자를 가지는 표시 장치를 적용하여 완성시킨 다양한 전자 기기나 자동차의 일례에 대하여 설명한다.
도 4의 (A) 내지 (E)에 도시된 전자 기기는 하우징(7000), 표시부(7001), 스피커(7003), LED 램프(7004), 조작 키(7005)(전원 스위치 또는 조작 스위치를 포함함), 접속 단자(7006), 센서(7007)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 광, 액체, 자기, 온도, 화학 물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경사도, 진동, 냄새, 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 것), 마이크로폰(7008, 7019) 등을 가질 수 있다.
도 4의 (A)는 모바일 컴퓨터를 도시한 것이며, 상술한 것 외에 스위치(7009) 및 적외선 포트(7010) 등을 가질 수 있다.
도 4의 (B)는 기록 매체를 가지는 휴대형 화상 재생 장치(예를 들어, DVD 재생 장치)를 도시한 것이며, 상술한 것 외에 제 2 표시부(7002), 기록 매체 판독부(7011) 등을 가질 수 있다.
도 4의 (C)는 고글형 디스플레이를 도시한 것이며, 상술한 것 외에 제 2 표시부(7002), 지지부(7012), 이어폰(7013) 등을 가질 수 있다.
도 4의 (D)는 텔레비전 수상 기능을 가지는 디지털 카메라를 도시한 것이며, 상술한 것 외에 안테나(7014), 셔터 버튼(7015), 수상부(7016) 등을 가질 수 있다.
도 4의 (E)는 휴대 전화기(스마트폰을 포함함)를 도시한 것이며, 하우징(7000)에, 표시부(7001), 마이크로폰(7019), 스피커(7003), 카메라(7020), 외부 접속부(7021), 조작용 버튼(7022) 등을 가질 수 있다.
도 4의 (F)는 대형 텔레비전 장치(텔레비전 또는 텔레비전 수신기라고도 함)를 도시한 것이며, 하우징(7000), 표시부(7001), 스피커(7003) 등을 가질 수 있다. 또한, 여기서는 스탠드(7018)에 의하여 하우징(7000)을 지지한 구성을 나타낸다.
도 4의 (A) 내지 (F)에 도시된 전자 기기는 다양한 기능을 가질 수 있다. 예를 들어, 다양한 정보(정지 화상, 동영상, 텍스트 화상 등)를 표시부에 표시하는 기능, 터치 패널 기능, 달력, 날짜 또는 시각 등을 표시하는 기능, 다양한 소프트웨어(프로그램)에 의하여 처리를 제어하는 기능, 무선 통신 기능, 무선 통신 기능을 사용하여 다양한 컴퓨터 네트워크에 접속하는 기능, 무선 통신 기능을 사용하여 다양한 데이터를 송수신하는 기능, 기록 매체에 기록되어 있는 프로그램 또는 데이터를 판독하여 표시부에 표시하는 기능 등을 가질 수 있다. 또한, 복수의 표시부를 가지는 전자 기기에서는 하나의 표시부에서 주로 화상 정보를 표시하고, 다른 하나의 표시부에서 주로 문자 정보를 표시하는 기능, 또는 복수의 표시부에 시차(視差)를 고려한 화상을 표시함으로써 입체적인 화상을 표시하는 기능 등을 가질 수 있다. 또한, 수상부를 가지는 전자 기기에서는 정지 화상을 촬영하는 기능, 동영상을 촬영하는 기능, 촬영한 화상을 자동 또는 수동으로 보정하는 기능, 촬영한 화상을 기록 매체(외부 또는 카메라에 내장)에 저장하는 기능, 촬영한 화상을 표시부에 표시하는 기능 등을 가질 수 있다. 또한, 도 4의 (A) 내지 (F)에 도시된 전자 기기가 가질 수 있는 기능은 이들에 한정되지 않고, 다양한 기능을 가질 수 있다.
도 4의 (G)는 스마트 워치를 도시한 것이며, 하우징(7000), 표시부(7001), 조작용 버튼(7022, 7023), 접속 단자(7024), 밴드(7025), 버클(7026) 등을 가진다.
베젤 부분을 겸하는 하우징(7000)에 탑재된 표시부(7001)는 비직사각형의 표시 영역을 가진다. 표시부(7001)는 시각을 나타내는 아이콘(7027), 기타 아이콘(7028) 등을 표시할 수 있다. 또한, 표시부(7001)는 터치 센서(입력 장치)를 탑재한 터치 패널(입출력 장치)이어도 좋다.
또한, 도 4의 (G)에 도시된 스마트 워치는 다양한 기능을 가질 수 있다. 예를 들어, 다양한 정보(정지 화상, 동영상, 텍스트 화상 등)를 표시부에 표시하는 기능, 터치 패널 기능, 달력, 날짜 또는 시각 등을 표시하는 기능, 다양한 소프트웨어(프로그램)에 의하여 처리를 제어하는 기능, 무선 통신 기능, 무선 통신 기능을 사용하여 다양한 컴퓨터 네트워크에 접속하는 기능, 무선 통신 기능을 사용하여 다양한 데이터를 송수신하는 기능, 기록 매체에 기록되어 있는 프로그램 또는 데이터를 판독하여 표시부에 표시하는 기능 등을 가질 수 있다.
또한, 하우징(7000) 내부에 스피커, 센서(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 광, 액체, 자기, 온도, 화학 물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경사도, 진동, 냄새, 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 것), 마이크로폰 등을 가질 수 있다.
또한, 본 발명의 일 형태인 발광 장치 및 본 발명의 일 형태인 발광 소자를 가지는 표시 장치는, 본 실시형태에서 나타낸 전자 기기의 각 표시부에 사용할 수 있어, 색 순도가 높은 표시가 가능하게 된다.
또한, 발광 장치를 적용한 전자 기기로서, 도 5의 (A) 내지 (C)에 도시된 바와 같은 접을 수 있는 휴대 정보 단말을 들 수 있다. 도 5의 (A)에는 펼친 상태의 휴대 정보 단말(9310)을 도시하였다. 또한, 도 5의 (B)에는 펼친 상태로부터 접은 상태로, 또는 그 반대로 변화되는 도중의 상태의 휴대 정보 단말(9310)을 도시하였다. 또한, 도 5의 (C)에는 접은 상태의 휴대 정보 단말(9310)을 도시하였다. 접은 상태의 휴대 정보 단말(9310)은 가반성(可搬性)이 우수하고, 펼친 상태의 휴대 정보 단말(9310)은 이음매가 없는 넓은 표시 영역으로 표시의 일람성이 우수하다.
표시부(9311)는 힌지(9313)로 연결된 3개의 하우징(9315)에 의하여 지지되어 있다. 또한, 표시부(9311)는 터치 센서(입력 장치)가 탑재된 터치 패널(입출력 장치)이어도 좋다. 또한, 표시부(9311)는 힌지(9313)를 개재하여 2개의 하우징(9315) 사이를 굴곡시킴으로써, 휴대 정보 단말(9310)을 펼친 상태로부터 접은 상태로 가역적으로 변형시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 표시부(9311)에 사용할 수 있다. 또한, 색 순도가 높은 표시가 가능하게 된다. 표시부(9311)의 표시 영역(9312)은, 휴대 정보 단말(9310)을 접은 상태로 하였을 때에 측면에 위치하는 표시 영역이다. 표시 영역(9312)에는 정보 아이콘이나 사용 빈도가 높은 애플리케이션 및 프로그램의 바로가기 등을 표시할 수 있어, 정보의 확인이나 애플리케이션 등의 기동을 원활하게 행할 수 있다.
또한, 발광 장치를 적용한 자동차에 대하여 도 6의 (A), (B)에 도시하였다. 즉, 발광 장치를 자동차와 일체로 하여 제공할 수 있다. 구체적으로는, 도 6의 (A)에 도시된 자동차 외측의 라이트(5101)(차체 뒷부분도 포함함), 타이어의 휠(5102), 도어(5103)의 일부 또는 전체 등에 적용할 수 있다. 또한, 도 6의 (B)에 도시된 자동차 내측의 표시부(5104), 핸들(5105), 시프트 레버(5106), 좌석 시트(5107), 백미러(inner rearview mirror)(5108) 등에 적용할 수 있다. 그 외에, 유리창의 일부에 적용하여도 좋다.
이로써, 본 발명의 일 형태인 발광 장치나 표시 장치를 적용한 전자 기기나 자동차를 얻을 수 있다. 또한, 그 경우에는 색 순도가 높은 표시가 가능하게 된다. 또한, 적용할 수 있는 전자 기기나 자동차는 본 실시형태에서 나타낸 것에 한정되지 않고, 다양한 분야에서 적용할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서 나타낸 구성은 다른 실시형태에서 나타내는 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있다.
(실시형태 6)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태인 발광 장치, 또는 그 일부인 발광 소자를 적용하여 제작되는 조명 장치의 구성에 대하여 도 7을 사용하여 설명한다.
도 7의 (A), (B), (C), (D)에는 조명 장치의 단면도의 일례를 도시하였다. 또한, 도 7의 (A), (B)는 기판 측으로 광을 추출하는 보텀 이미션형 조명 장치를 도시한 것이고, 도 7의 (C), (D)는 밀봉 기판 측으로 광을 추출하는 톱 이미션형 조명 장치를 도시한 것이다.
도 7의 (A)에 도시된 조명 장치(4000)는 기판(4001) 위에 발광 소자(4002)를 가진다. 또한, 기판(4001) 외측에, 요철을 가지는 기판(4003)을 가진다. 발광 소자(4002)는 제 1 전극(4004), EL층(4005), 및 제 2 전극(4006)을 가진다.
제 1 전극(4004)은 전극(4007)과 전기적으로 접속되고, 제 2 전극(4006)은 전극(4008)과 전기적으로 접속된다. 또한, 제 1 전극(4004)과 전기적으로 접속되는 보조 배선(4009)을 제공하여도 좋다. 또한, 보조 배선(4009) 위에는 절연층(4010)이 형성된다.
또한, 기판(4001)과 밀봉 기판(4011)은 실재(4012)로 접착된다. 또한, 밀봉 기판(4011)과 발광 소자(4002) 사이에는 건조제(4013)가 제공되는 것이 바람직하다. 또한, 기판(4003)은 도 7의 (A)와 같은 요철을 가지기 때문에, 발광 소자(4002)에서 발생한 광의 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 기판(4003) 대신에, 도 7의 (B)에 도시된 조명 장치(4100)와 같이 기판(4001) 외측에 확산판(4015)을 제공하여도 좋다.
도 7의 (C)에 도시된 조명 장치(4200)는 기판(4201) 위에 발광 소자(4202)를 가진다. 발광 소자(4202)는 제 1 전극(4204), EL층(4205), 및 제 2 전극(4206)을 가진다.
제 1 전극(4204)은 전극(4207)과 전기적으로 접속되고, 제 2 전극(4206)은 전극(4208)과 전기적으로 접속된다. 또한, 제 2 전극(4206)과 전기적으로 접속되는 보조 배선(4209)을 제공하여도 좋다. 또한, 보조 배선(4209) 하부에 절연층(4210)을 제공하여도 좋다.
기판(4201)과, 요철을 가지는 밀봉 기판(4211)은 실재(4212)로 접착된다. 또한, 밀봉 기판(4211)과 발광 소자(4202) 사이에 배리어막(4213) 및 평탄화막(4214)을 제공하여도 좋다. 또한, 밀봉 기판(4211)은 도 7의 (C)와 같은 요철을 가지기 때문에, 발광 소자(4202)에서 발생한 광의 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 밀봉 기판(4211) 대신에, 도 7의 (D)에 도시된 조명 장치(4300)와 같이 발광 소자(4202) 위에 확산판(4215)을 제공하여도 좋다.
또한, 본 실시형태에서 나타낸 바와 같이, 본 발명의 일 형태인 발광 장치, 또는 그 일부인 발광 소자를 적용함으로써, 원하는 색도를 가지는 조명 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서 나타낸 구성은 다른 실시형태에서 나타내는 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있다.
(실시형태 7)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태인 발광 장치, 또는 그 일부인 발광 소자를 적용하여 제작되는 조명 장치의 응용예에 대하여 도 8을 사용하여 설명한다.
실내의 조명 장치로서는, 천장등(ceiling light)(8001)으로서 응용할 수 있다. 천장등(8001)에는 천장 직부형이나 천장 매립형이 있다. 또한, 이와 같은 조명 장치는 발광 장치를 하우징이나 커버와 조합함으로써 구성된다. 그 외에도, 코드 펜던트형(천장에서 코드로 매다는 방식)으로도 응용할 수 있다.
또한, 풋라이트(foot light)(8002)는 바닥에 빛을 조사하여 발밑의 안전성을 높일 수 있다. 예를 들어, 침실, 계단, 또는 통로 등에 사용하는 것이 효과적이다. 그 경우, 방의 넓이나 구조에 따라 크기나 형상을 적절히 변경할 수 있다. 또한, 발광 장치와 지지대를 조합하여 구성되는 거치형 조명 장치로 할 수도 있다.
또한, 시트형 조명(8003)은 얇은 시트형의 조명 장치이다. 벽면에 붙여서 사용하기 때문에, 장소를 차지하지 않고 폭넓은 용도에 사용할 수 있다. 또한, 대면적화도 용이하다. 또한, 곡면을 가지는 벽면이나 하우징에 사용할 수도 있다.
또한, 광원으로부터의 광을 원하는 방향으로만 제어하는 조명 장치(8004)를 사용할 수도 있다.
또한, 상기 외에도 실내에 설치된 가구의 일부에 본 발명의 일 형태인 발광 장치, 또는 그 일부인 발광 소자를 적용함으로써, 가구로서의 기능을 가지는 조명 장치로 할 수 있다.
상술한 바와 같이, 발광 장치를 적용한 다양한 조명 장치를 얻을 수 있다. 또한, 이들 조명 장치는 본 발명의 일 형태에 포함되는 것으로 한다.
또한, 본 실시형태에 나타낸 구성은 다른 실시형태에 나타내는 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있다.
(실시예 1)
<<합성예 1>>
본 실시예에서는 실시형태 1의 구조식(200)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 9'-페닐-9'-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-2,3'-바이-9H-카바졸(약칭: PCCPA-02)의 합성 방법에 대하여 설명한다. 또한, PCCPA-02의 구조를 이하에 나타낸다.
[화학식 15]
200mL 3구 플라스크에 9-(4-브로모페닐)-10-페닐안트라센 1.2g(3.0mmol), 9'-페닐-2,3'-바이-9H-카바졸 1.2g(3.0mmol), 소듐 tert-뷰톡사이드 0.60g(6.2mmol)을 첨가하여 플라스크 내를 질소 치환하였다. 이 혼합물에 자일렌 30mL를 첨가하고, 감압하에서 교반함으로써 탈기하였다. 이 혼합물에, 트라이(tert-뷰틸)포스핀 0.4mL, 비스(다이벤질리덴아세톤)팔라듐(0) 48mg(83μmol)을 첨가하고, 질소 기류하 150℃에서 6시간 환류하였다.
교반 후, 이 혼합물에 물을 첨가하여 물층을 톨루엔으로 추출하였다. 얻어진 유기층을, 포화 탄산 수소 소듐 수용액, 포화 식염수로 세정하고, 유기층을 황산 마그네슘으로 건조시켰다. 얻어진 혼합물을 자연 여과하여 여과액을 농축함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 유상 물질의 톨루엔 용액을 셀라이트, 알루미나를 통과시켜 흡인 여과하여 여과액을 농축함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 톨루엔으로 재결정한 결과, 목적물의 담황색 고체를 수량 1.1g, 수율 49%로 얻었다. 상기 합성 방법의 합성 스킴을 하기 식(a)에 나타낸다.
[화학식 16]
얻어진 담황색 고체 1.1g을 트레인 서블리메이션법으로 승화 정제하였다. 승화 정제는 압력 3.1Pa, 아르곤 유량 5.0mL/min의 조건으로, 9'-페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-2,3'-바이-9H-카바졸을 335℃에서 가열하여 행하였다. 승화 정제 후, 담황색 고체를 1.0g, 회수율 92%로 얻었다.
얻어진 황색 고체의 핵자기 공명 분광법(1H-NMR)에 의한 분석 결과를 이하에 나타낸다. 또한, 1H-NMR 차트를 도 9의 (A), (B)에 나타낸다. 또한, 도 9의 (B)는 도 9의 (A)에서의 7.0ppm 내지 9.0ppm의 범위를 확대하여 나타낸 차트이다. 이 결과로부터, 본 실시예에서 상술한 구조식(200)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, PCCPA-02가 얻어진 것을 알았다.
1H NMR(CDCl3, 300MHz):δ=7.29-7.81(m, 27H), 7.85-7.94(m, 5H), 8.24(d, J=7.8Hz, 2H), 8.30(d, J=7.8Hz, 1H), 8.48(d, J=1.2Hz, 1H).
다음에, PCCPA-02의 톨루엔 용액 및 고체 박막의 자외 가시 흡수 스펙트럼(이하, 단순히 '흡수 스펙트럼'이라고 함) 및 발광 스펙트럼을 측정하였다. 고체 박막은 석영 기판 위에 진공 증착법으로 제작하였다. 흡수 스펙트럼의 측정에는, 자외 가시 분광 광도계(용액: JASCO Corporation 제조, V-550, 박막: Hitachi High-Technologies Corporation 제조, U-4100)를 사용하였다. 또한 용액의 흡수 스펙트럼은 석영 셀에 톨루엔만을 넣고 측정한 흡수 스펙트럼을 빼어 산출하고, 박막의 흡수 스펙트럼은 기판을 포함한 투과율과 반사율로부터 구한 흡광도(-log10 [%T/(100-%R)]로 산출하였다. 또한, %T는 투과율, %R는 반사율을 나타낸다. 또한, 발광 스펙트럼의 측정에는, 형광 광도계(Hamamatsu Photonics K.K. 제조, FS920)를 사용하였다.
얻어진 톨루엔 용액의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 10의 (A)에 나타내었다. 가로축은 파장, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다. 또한, 고체 박막의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 10의 (B)에 나타내었다. 가로축은 파장, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다.
도 10의 (A)의 결과로부터 PCCPA-02의 톨루엔 용액에서는 396nm, 376nm, 322nm, 304nm 부근에 흡수 피크가 확인되고, 422nm, 433nm(여기 파장 377nm)에 발광 파장의 피크가 확인되었다. 또한, 도 10의 (B)의 결과로부터 PCCPA-02의 고체 박막에서는 399nm, 377nm, 353nm, 325nm, 304nm 부근에 흡수 피크가 확인되고, 445nm 부근(여기 파장 380nm)에 발광 파장의 피크가 확인되었다.
또한, PCCPA-02는 청색으로 발광하는 것을 확인하였다. 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, PCCPA-02는 발광 물질이나 가시 영역의 형광 발광 물질의 호스트로서도 이용할 수 있다. 또한, PCCPA-02의 박막은 대기하에서도 쉽게 응집하지 않는 양호한 막질인 것을 알았다.
사이클릭 볼타메트리(CV) 측정을 바탕으로 PCCPA-02의 HOMO 준위 및 LUMO 준위를 산출하였다. 산출 방법을 이하에 나타낸다.
측정 장치로서는 전기 화학 애널라이저(BAS Inc. 제조, 형식 번호: ALS 모델 600A 또는 600C)를 사용하였다. CV 측정에서의 용액은 용매로서 탈수 다이메틸폼아마이드(DMF)(Sigma-Aldrich Inc. 제조, 99.8%, 카탈로그 번호; 22705-6)를 사용하고, 지지 전해질인 과염소산 테트라-n-뷰틸암모늄(n-Bu4NClO4)(Tokyo Chemical Industry Co., Ltd. 제조, 카탈로그 번호; T0836)을 100mmol/L의 농도가 되도록 용해시키고, 또한 측정 대상을 2mmol/L의 농도가 되도록 용해시켜 조제하였다.
또한, 작용 전극으로서는 백금 전극(BAS Inc. 제조, PTE 백금 전극)을 사용하고, 보조 전극으로서는 백금 전극(BAS Inc. 제조, VC-3용 Pt 카운터 전극(5cm))을 사용하고, 참조 전극으로서는 Ag/Ag+ 전극(BAS Inc. 제조, RE7 비수용매계 참조 전극)을 사용하였다. 또한, 측정은 실온(20℃ 이상 25℃ 이하)에서 행하였다.
또한, CV 측정 시의 스캔 속도는 0.1V/sec로 통일하고, 참조 전극에 대한 산화 전위 Ea[V] 및 환원 전위 Ec[V]를 측정하였다. Ea는 산화-환원파의 중간 전위로 하고, Ec는 환원-산화파의 중간 전위로 하였다. 여기서, 본 실시예에서 사용하는 참조 전극의 진공 준위에 대한 퍼텐셜 에너지는 -4.94[eV]인 것이 알려져 있기 때문에, HOMO 준위[eV]=-4.94-Ea, LUMO 준위[eV]=-4.94-Ec라는 수학식으로 HOMO 준위 및 LUMO 준위를 각각 구할 수 있다.
또한, CV 측정을 100번 반복하여 행하고, 100번째 사이클의 측정에서의 산화-환원파와, 첫 번째 사이클의 산화-환원파를 비교하여 화합물의 전기적 안정성을 조사하였다.
이 결과로부터 PCCPA-02의 산화 전위 Ea[V]의 측정에서, HOMO 준위는 -5.69eV인 것을 알 수 있었다. 한편으로, 환원 전위 Ec[V]의 측정에서, LUMO 준위는 -2.72eV인 것을 알았다. 또한, 산화-환원파의 반복 측정에서 첫 번째 사이클의 파형과 100번째 사이클 후의 파형을 비교한 결과, Ea 측정에서는 83%, Ec 측정에서는 87%의 피크 강도를 유지한 것으로 PCCPA-02는 산화 및 환원에 대한 내성이 매우 양호한 것으로 확인되었다.
(실시예 2)
<<합성예 2>>
본 실시예에서는, 실시형태 1의 구조식(221)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 9-페닐-9'-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-2,2'-바이-9H-카바졸(약칭: PCCPA-03)의 합성 방법에 대하여 설명한다. 또한, PCCPA-03의 구조를 이하에 나타낸다.
[화학식 17]
100mL 3구 플라스크에 9-(4-브로모페닐)-10-페닐안트라센 1.2g(3.0mmol), 9-페닐-2,2'-바이-9H-카바졸 1.3g(3.1mmol), 소듐 tert-뷰톡사이드 0.59g(6.1mmol)을 첨가하고, 플라스크 내를 질소 치환하였다. 이 혼합물에 자일렌 30mL를 첨가하고, 감압하에서 교반함으로써 탈기하였다. 이 혼합물에, 트라이(tert-뷰틸)포스핀의 10wt% 헥세인 용액 0.4mL, 비스(다이벤질리덴아세톤)팔라듐(0) 85mg(0.15mmol)을 첨가하고, 질소 기류하 140℃에서 6시간 환류하였다.
교반 후, 얻어진 혼합물을 물, 포화 탄산 수소 소듐 수용액, 포화 식염수로 세정하고 유기층을 황산 마그네슘으로 건조하였다. 이 혼합물을 자연 여과하여 여과액을 농축하였다. 얻어진 유상 물질을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔:헥세인=1:2)로 정제하고, 또한 톨루엔으로 재결정한 결과, 목적물의 담황색 고체를 수량 1.6g, 수율 71%로 얻었다. 상기 합성 방법의 합성 스킴을 하기 식(b)에 나타낸다.
[화학식 18]
얻어진 담황색 고체 1.6g을 트레인 서블리메이션법에 의하여 승화 정제하였다. 승화 정제는 압력 3.2Pa, 아르곤 유량 5.0mL/min의 조건으로 320℃, 18시간 가열하여 행하였다. 승화 정제 후, 담황색 고체를 1.4g, 회수율 93%로 얻었다.
얻어진 담황색 고체의 핵자기 공명 분광법(1H-NMR)에 의한 분석 결과를 이하에 나타낸다. 또한, 1H-NMR 차트를 도 11의 (A), (B)에 나타내었다. 또한, 도 11의 (B)는 도 11의 (A)에서의 7.0ppm 내지 8.5ppm의 범위를 확대하여 나타낸 차트이다. 이 결과로부터, 본 실시예에서 상술한 구조식(221)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, PCCPA-03이 얻어진 것을 알았다.
1H NMR(1,1,2,2-테트라클로로에테인-d2, 300MHz):δ=7.31-7.95(m, 32H), 8.19(d, J=7.5Hz, 1H), 8.23-8.28(m, 3H).
다음에, PCCPA-03의 톨루엔 용액 및 고체 박막의 자외 가시 흡수 스펙트럼(이하, 단순히 '흡수 스펙트럼'이라고 함) 및 발광 스펙트럼을 측정하였다. 고체 박막은 석영 기판 위에 진공 증착법으로 제작하였다. 흡수 스펙트럼의 측정에는 분광 광도계(용액: JASCO Corporation 제조, V-550, 박막: Hitachi High-Technologies Corporation 제조, U-4100)를 사용하였다. 또한 용액의 흡수 스펙트럼은 석영 셀에 톨루엔만을 넣고 측정한 흡수 스펙트럼을 빼어 산출하고, 박막의 흡수 스펙트럼은 기판을 포함한 투과율과 반사율로부터 구한 흡광도(-log10 [%T/(100-%R)]로 산출하였다. 또한, %T는 투과율, %R는 반사율을 나타낸다. 또한, 발광 스펙트럼의 측정에는 형광 광도계(Hamamatsu Photonics K.K. 제조, FS920)를 사용하였다.
얻어진 톨루엔 용액의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 12의 (A)에 나타내었다. 가로축은 파장, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다. 또한, 고체 박막의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 12의 (B)에 나타내었다. 가로축은 파장, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다.
도 12의 (A)의 결과로부터, PCCPA-03의 톨루엔 용액은 396nm, 375nm, 326nm 부근에 흡수 피크가 확인되고, 423nm(여기 파장 376nm)에 발광 파장의 피크가 확인되었다. 또한, 도 12의 (B)의 결과로부터, PCCPA-03의 고체 박막에서는 401nm, 380nm, 356nm, 335nm 부근에 흡수 피크가 확인되고, 446nm 부근(여기 파장 360nm)에 발광 파장의 피크가 확인되었다.
또한, PCCPA-03은 청색으로 발광하는 것을 확인하였다. 본 발명의 일 형태의 화합물은 발광 물질이나 가시 영역의 형광 발광 물질의 호스트로서도 이용할 수 있다. 또한, PCCPA-03의 박막은 대기하에서도 쉽게 응집하지 않는 양호한 막질인 것을 알았다.
(실시예 3)
본 실시예에서는, 본 발명의 일 형태인 발광 소자로서 실시예 1에서 설명한 PCCPA-02(구조식(200))를 발광층에 사용한 발광 소자 1, 비교하는 유기 화합물, PCCPA(구조식(300))를 발광층에 사용한 비교 발광 소자 2에 대하여 이들의 소자 구조, 제작 방법 및 그 특성에 대하여 설명한다. 또한, 본 실시예에서 사용하는 발광 소자의 소자 구조를 도 13에 도시하고, 구체적인 구성에 대하여 표 1에 나타낸다. 또한, 본 실시예에서 사용하는 재료의 화학식을 이하에 나타낸다.
[표 1]
[화학식 19]
<<발광 소자의 제작>>
본 실시예에서 나타내는 발광 소자는 도 13에 도시된 바와 같이, 기판(900) 위에 형성된 제 1 전극(901) 위에 정공 주입층(911), 정공 수송층(912), 발광층(913), 전자 수송층(914), 전자 주입층(915)이 순차적으로 적층되고, 전자 주입층(915) 위에 제 2 전극(903)이 적층된 구조를 가진다.
우선, 기판(900) 위에 제 1 전극(901)을 형성하였다. 전극 면적은 4mm2(2mm×2mm)로 하였다. 또한, 기판(900)에는 유리 기판을 사용하였다. 또한, 제 1 전극(901)은 산화 실리콘을 포함하는 인듐 주석 산화물(ITSO)을 스퍼터링법에 의하여 70nm의 두께로 성막하여 형성하였다.
여기서, 전(前) 처리로서 기판 표면을 물로 세정하고 200℃에서 1시간 소성한 후, UV 오존 처리를 370초 동안 수행하였다. 그 후, 약 10-4Pa까지 내부가 감압된 진공 증착 장치에 기판을 도입하고, 진공 증착 장치 내의 가열실에서 170℃에서 60분 동안 진공 소성을 행한 후, 기판을 약 30분 동안 방랭하였다.
다음으로, 제 1 전극(901) 위에 정공 주입층(911)을 형성하였다. 정공 주입층(911)은 진공 증착 장치 내를 10-4Pa까지 감압한 후, 3-[4-(9-페난트릴)-페닐]-9-페닐-9H-카바졸(약칭: PCPPn)과 산화 몰리브데넘을 PCPPn:산화 몰리브데넘=4:2(질량비)로 하고, 두께가 10nm가 되도록 각각 공증착하여 형성하였다.
다음에, 정공 주입층(911) 위에 정공 수송층(912)을 형성하였다. 정공 수송층(912)은 PCPPn을 사용하고, 막 두께가 30nm가 되도록 증착하여 형성하였다.
다음에, 정공 수송층(912) 위에 발광층(913)을 형성하였다.
발광층(913)은 발광 소자 1의 경우에는, 호스트 재료로서 PCCPA-02를 사용하고, 게스트 재료로서 N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스[3-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]-피렌-1,6-다이아민(약칭: 1,6mMemFLPAPrn)을 사용하고, 중량비가 PCCPA-02:1,6mMemFLPAPrn=1:0.03이 되도록 공증착하였다. 또한, 막 두께는 25nm로 하였다.
발광층(913)은 비교 발광 소자 2의 경우에는 호스트 재료로서는 PCCPA를 사용하고, 게스트 재료로서는 1,6mMemFLPAPrn을 사용하고, 중량비가 PCCPA:1,6mMemFLPAPrn=1:0.03이 되도록 공증착하였다. 또한, 막 두께는 25nm로 하였다.
다음에, 발광층(913) 위에 전자 수송층(914)을 형성하였다. 전자 수송층(914)은 발광 소자 1의 경우에는 PCCPA-02의 막 두께가 10nm, 바소페난트롤린(약칭: Bphen)의 막 두께가 15nm가 되도록 순차적으로 증착하여 형성하였다. 또한, 비교 발광 소자 2의 경우에는 PCCPA의 막 두께가 10nm, 바소페난트롤린(약칭: Bphen)의 막 두께가 15nm가 되도록 순차적으로 증착하여 형성하였다.
다음으로, 전자 수송층(914) 위에 전자 주입층(915)을 형성하였다. 전자 주입층(915)은 플루오린화 리튬(LiF)을 사용하고, 두께가 1nm가 되도록 증착하여 형성하였다.
다음으로, 전자 주입층(915) 위에 제 2 전극(903)을 형성하였다. 제 2 전극(903)은 알루미늄을 사용하여 두께가 200nm가 되도록 증착법으로 형성하였다. 또한, 본 실시예에서 제 2 전극(903)은 음극으로서 기능한다.
상술한 공정을 거쳐, 한 쌍의 전극 사이에 EL층을 끼워 형성되는/끼운/끼워 제공되는 발광 소자를 기판(900) 위에 형성하였다. 또한, 상기 공정에서 설명한 정공 주입층(911), 정공 수송층(912), 발광층(913), 전자 수송층(914), 전자 주입층(915)은 본 발명의 일 형태에 따른 EL층을 구성하는 기능층이다. 또한, 상술한 제작 방법에서의 증착 공정에서는, 모두 저항 가열법에 의한 증착법을 사용하였다.
또한, 상술한 바와 같이 제작한 발광 소자는 다른 기판(미도시)으로 밀봉된다. 또한, 다른 기판(도시하지 않았음)을 사용한 밀봉은, 질소 분위기의 글러브 박스 내에서 밀봉재/실재를 사용하여 다른 기판(도시하지 않았음)을 기판(900) 위에 고정하고, 기판(900) 위에 형성된 발광 소자의 주위에 실재를 도포하고, 밀봉 시에는 365nm의 자외광을 6J/cm2 조사하여 80℃에서 1시간 열처리함으로써 행하였다.
<<발광 소자의 동작 특성>>
제작한 각 발광 소자의 동작 특성에 대하여 측정하였다. 또한, 측정은 실온에서 행하였다. 또한, 도 14 내지 도 17에 결과를 나타내었다.
또한, 1000cd/m2 부근에서의 각 발광 소자의 주된 초기 특성 값을 이하의 표 2에 나타낸다.
[표 2]
상기 결과로부터, 본 실시예에서 제작한 발광 소자 1은 양호한 전류 효율과 높은 외부 양자 효율을 나타낸 것을 알 수 있다. 이 결과로부터 안트라센 골격과 결합한 제 1 카바졸 골격과, 제 1 카바졸 골격과 결합한 제 2 카바졸 골격의 결합 위치를 변화시킴으로써 발광 재료로의 에너지 이동이 원활하게 행해져 양호한 소자특성을 얻을 수 있다는 것을 알 수 있다.
또한, 발광 소자 1 및 비교 발광 소자 2에 12.5mA/cm2의 전류 밀도로 전류를 흘렸을 때의 발광 스펙트럼을 도 18에 나타내었다. 도 18에 나타낸 바와 같이, 발광 소자 1 및 비교 발광 소자 2의 발광 스펙트럼은 모두 466nm 부근에 피크를 가지고, 발광층(913)에 포함되는 1,6mMemFLPAPrn의 발광에서 유래하는 것이 시사된다.
다음에, 발광 소자 1 및 비교 발광 소자 2에 대한 신뢰성 시험을 행하였다. 신뢰성 시험의 결과를 도 19에 나타내었다. 도 19에서, 세로축은 초기 휘도를 100%로 하였을 때의 정규화 휘도(%)를 나타내고, 가로축은 소자의 구동 시간(h)을 나타낸다. 또한, 신뢰성 시험은, 2mA에서의 정전류 구동 시험을 행하였다.
이들의 결과로부터, 본 발명의 일 형태인 발광 소자(발광 소자 1)는 전류 효율이나 외부 양자 효율에서 비교 소자인 비교 발광 소자 2보다 양호한 특성을 나타내고, 또한 신뢰성의 관점에서도 본 발명의 일 형태인 발광 소자(발광 소자 1)가 더 우수한 것을 알았다.
(실시예 4)
<<합성예 3>>
본 실시예에서는 실시형태 1의 구조식(252)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 7-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)-7H-벤조[c]카바졸(약칭: PCcBCzPA)의 합성 방법에 대하여 설명한다. 또한, PCcBCzPA의 구조를 이하에 나타낸다.
[화학식 20]
100mL 3구 플라스크에 9-(4-브로모페닐)-10-페닐안트라센 1.8g(4.4mmol), 9-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)-7H-벤조[c]카바졸 2.0g(4.4mmol), 소듐 tert-뷰톡사이드 0.85g(8.8mmol)을 첨가하고, 플라스크 내를 질소 치환하였다. 이 혼합물에 자일렌 22mL, 트라이(tert-뷰틸)포스핀의 10wt% 헥세인 용액 0.9mL를 첨가하고, 감압하에서 교반함으로써 탈기하였다. 이 혼합물에, 비스(다이벤질리덴아세톤)팔라듐(0) 0.13g(0.22mmol)을 첨가하고, 질소 기류하, 160℃에서 6시간 환류하였다.
교반 후, 이 혼합물에 물을 첨가하여 고체를 여과하였다. 얻어진 고체의 톨루엔 용액을 셀라이트, 알루미나, 플로리실을 통과시켜 흡인 여과하여, 여과액을 농축함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔)로 정제하고, 또한 톨루엔으로 재결정한 결과, 목적물의 담황색 고체를 수량 2.2g, 수율 63%로 얻었다. 상기 합성 방법의 합성 스킴을 하기 식(c)에 나타낸다.
[화학식 21]
얻어진 담황색 고체 0.95g을 트레인 서블리메이션법으로 승화 정제하였다. 승화 정제는 압력 1.3×10-2Pa의 조건으로 담황색 고체를 300℃에서 가열하여 행하였다. 승화 정제 후, 담황색 고체를 0.74g, 회수율 78%로 얻었다.
얻어진 담황색 고체의 핵자기 공명 분광법(1H-NMR)에 의한 분석 결과를 이하에 나타낸다. 또한, 1H-NMR 차트를 도 20의 (A), (B)에 나타내었다. 또한, 도 20의 (B)는 도 20의 (A)에서의 7.0ppm 내지 9.0ppm의 범위를 확대하여 나타낸 차트이다. 이 결과로부터, 본 실시예에서 상술한 구조식(252)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, PCcBCzPA가 얻어진 것을 알았다.
1H NMR(CDCl3, 300MHz):δ=7.29-7.97(m, 32H), 8.03(d, J=1.5Hz, 1H), 8.08(d, J=7.8Hz, 1H), 8.25(d, J=7.8Hz, 1H), 8.51(d, J=1.5Hz, 1H), 8.79(d, J=8.4Hz, 1H), 8.95(d, J=8.1Hz, 1H).
다음에, PCcBCzPA의 톨루엔 용액 및 고체 박막의 자외 가시 흡수 스펙트럼(이하, 단순히 '흡수 스펙트럼'이라고 함) 및 발광 스펙트럼을 측정하였다. 고체 박막은 석영 기판 위에 진공 증착법으로 제작하였다. 흡수 스펙트럼의 측정에는 자외 가시 분광 광도계(용액: JASCO Corporation 제조, V-550, 박막: Hitachi High-Technologies Corporation 제조, U-4100)를 사용하였다. 또한 용액의 흡수 스펙트럼은, 석영 셀에 톨루엔만을 넣고 측정한 흡수 스펙트럼을 빼어 산출하고, 박막의 흡수 스펙트럼은 기판을 포함한 투과율과 반사율로부터 구한 흡광도(-log10 [%T/(100-%R)]로 산출하였다. 또한 %T는 투과율, %R는 반사율을 나타낸다. 또한, 발광 스펙트럼의 측정에는 형광 광도계(Hamamatsu Photonics K.K. 제조, FS920)를 사용하였다.
얻어진 톨루엔 용액의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 21의 (A)에 나타내었다. 가로축은 파장, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다. 또한, 고체 박막의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 21의 (B)에 나타내었다. 가로축은 파장, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다.
도 21의 (A)의 결과로부터 PCcBCzPA의 톨루엔 용액에서는 396nm, 375nm, 355nm, 341nm 부근에 흡수 피크가 확인되고, 422nm, 434nm(여기 파장 375nm)에 발광 파장의 피크가 확인되었다. 또한, 도 21의 (B)의 결과로부터, PCcBCzPA의 고체 박막에서는 402nm, 380nm, 359nm, 345nm, 305nm 부근에 흡수 피크가 확인되고, 446nm 부근(여기 파장 370nm)에 발광 파장의 피크가 확인되었다.
또한, PCcBCzPA는 청색으로 발광하는 것을 확인하였다. 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, PCcBCzPA는 발광 물질이나 가시 영역의 형광 발광 물질의 호스트로서도 이용할 수 있다. 또한, PCcBCzPA의 박막은 대기하에서도 쉽게 응집하지 않으므로 형태의 변화가 작은 양호한 막질인 것을 알았다.
사이클릭 볼타메트리(CV) 측정를 바탕으로 PCcBCzPA의 HOMO 준위 및 LUMO 준위를 산출하였다. 산출 방법을 이하에 나타낸다.
측정 장치로서는 전기 화학 애널라이저(BAS Inc. 제조, 형식 번호: ALS 모델 600A 또는 600C)를 사용하였다. CV 측정에서의 용액은, 용매로서 탈수 다이메틸폼아마이드(DMF)(Sigma-Aldrich Inc. 제조, 99.8%, 카탈로그 번호; 22705-6)를 사용하고, 지지 전해질인 과염소산 테트라-n-뷰틸암모늄(n-Bu4NClO4)(Tokyo Chemical Industry Co., Ltd. 제조, 카탈로그 번호; T0836)을 100mmol/L의 농도가 되도록 용해시키고, 또한 측정 대상을 2mmol/L의 농도가 되도록 용해시켜 조제하였다.
또한, 작용 전극으로서는 백금 전극(BAS Inc. 제조, PTE 백금 전극)을 사용하고, 보조 전극으로서는 백금 전극(BAS Inc. 제조, VC-3용 Pt 카운터 전극(5cm))을 사용하고, 참조 전극으로서는 Ag/Ag+ 전극(BAS Inc. 제조, RE7 비수용매계 참조 전극)을 사용하였다. 또한, 측정은 실온(20℃ 이상 25℃ 이하)에서 행하였다.
또한, CV 측정 시의 스캔 속도는 0.1V/sec로 통일하고, 참조 전극에 대한 산화 전위 Ea[V] 및 환원 전위 Ec[V]를 측정하였다. Ea는 산화-환원파의 중간 전위로 하고, Ec는 환원-산화파의 중간 전위로 하였다. 여기서, 본 실시예에서 사용하는 참조 전극의 진공 준위에 대한 퍼텐셜 에너지는 -4.94[eV]인 것이 알려져 있기 때문에 HOMO 준위[eV]=-4.94-Ea, LUMO 준위[eV]=-4.94-Ec라는 수학식으로 HOMO 준위 및 LUMO 준위를 각각 구할 수 있다.
또한, CV 측정을 100번 반복하여 행하고, 100번째 사이클의 측정에서의 산화-환원파와, 첫 번째 사이클의 산화-환원파를 비교함으로써 화합물의 전기적 안정성을 조사하였다.
이 결과로부터, PCcBCzPA의 산화 전위 Ea[V]의 측정에서 HOMO 준위는 -5.64eV인 것을 알았다. 한편으로, 환원 전위 Ec[V]의 측정에서 LUMO 준위는 -2.73eV인 것을 알았다. 또한, 산화-환원파의 반복 측정에서 1변째 사이클의 파형과 100번째 사이클 후의 파형을 비교한 결과, Ea 측정에서는 85%, Ec 측정에서는 71%의 피크 강도를 유지한 것으로 PCcBCzPA는 산화 및 환원에 대한 내성이 매우 양호한 것으로 확인되었다.
(실시예 5)
<<합성예 4>>
본 실시예에서는 실시형태 1의 구조식(253)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 7-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9-(9-페닐-9H-카바졸-2-일)-7H-벤조[c]카바졸(약칭: PCcBCzPA-02)의 합성 방법에 대하여 설명한다. 또한, PCcBCzPA-02의 구조를 이하에 나타낸다.
[화학식 22]
100mL 3구 플라스크에 9-(4-브로모페닐)-10-페닐안트라센 0.80g(2.0mmol), 9-(9-페닐-9H-카바졸-2-일)-7H-벤조[c]카바졸 0.90g(2.0mmol), 소듐 tert-뷰톡사이드 0.38g(4.0mmol)을 첨가하고, 플라스크 내를 질소 치환하였다. 이 혼합물에 자일렌 10mL, 트라이(tert-뷰틸)포스핀의 10wt% 헥세인 용액 0.4mL를 첨가하고, 감압하에서 교반함으로써 탈기하였다. 이 혼합물에, 비스(다이벤질리덴아세톤)팔라듐(0) 58mg(0.10mmol)을 첨가하고, 질소 기류하, 150℃에서 6시간 환류하였다.
교반 후, 이 혼합물을 여과하고, 고체를 물로 세정하였다. 이 여과액을 포화 식염수로 세정하고, 유기층을 황산 마그네슘으로 건조하였다. 이 혼합물을 자연 여과하여, 여과액을 농축하였다. 얻어진 유상 물질과 고체를 합쳐 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔:헥세인=1:2)로 정제하고, 또한 톨루엔/헥세인으로 재결정한 결과, 목적물의 백색 고체를 수량 0.70g, 수율 59%로 얻었다. 상기 합성 방법의 합성 스킴을 하기 식(d)에 나타낸다.
[화학식 23]
얻어진 백색 고체 0.50g을 트레인 서블리메이션법으로 승화 정제하였다. 승화 정제는 압력 3.2×10-2Pa의 조건으로, 300℃에서 가열하여 행하였다. 승화 정제 후, 황색 고체를 0.40g, 회수율 80%로 얻었다.
얻어진 황색 고체의 핵자기 공명 분광법(1H-NMR)에 의한 분석 결과를 이하에 나타낸다. 또한, 1H-NMR 차트를 도 22의 (A), (B)에 나타내었다. 또한, 도 22의 (B)는 도 22의 (A)에서의 7.0ppm 내지 9.0ppm의 범위를 확대하여 나타낸 차트이다. 이 결과로부터, 본 실시예에서 상술한 구조식(253)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, PCcBCzPA-02가 얻어진 것을 알았다.
1H NMR(CDCl3, 300MHz):δ=7.28-7.91(m, 31H), 7.95(d, J=9.3Hz, 1H), 7.99(d, J=1.5Hz, 1H), 8.08(d, J=7.8Hz, 1H), 8.18(d, J=7.5Hz, 1H), 8.26(d, J=7.8Hz, 1H), 8.73(d, J=8.1Hz, 1H), 8.91(d, J=8.7Hz, 1H).
다음에, PCcBCzPA-02의 톨루엔 용액 및 고체 박막의 자외 가시 흡수 스펙트럼(이하, 단순히 '흡수 스펙트럼'이라고 함) 및 발광 스펙트럼을 측정하였다. 고체 박막은 석영 기판 위에 진공 증착법으로 제작하였다. 흡수 스펙트럼의 측정에는 분광 광도계(용액: JASCO Corporation 제조, V-550, 박막: Hitachi High-Technologies Corporation 제조, U-4100)를 사용하였다. 또한 용액의 흡수 스펙트럼은 석영 셀에 톨루엔만을 넣고 측정한 흡수 스펙트럼을 빼어 산출하고, 박막의 흡수 스펙트럼은 기판을 포함한 투과율과 반사율로부터 구한 흡광도(-log10 [%T/(100-%R)]로 산출하였다. 또한, %T는 투과율, %R는 반사율을 나타낸다. 또한, 발광 스펙트럼의 측정에는 형광 광도계(Hamamatsu Photonics K.K. 제조, FS920)를 사용하였다.
얻어진 톨루엔 용액의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 23의 (A)에 나타내었다. 가로축은 파장, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다. 또한, 고체 박막의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 23의 (B)에 나타내었다. 가로축은 파장, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다.
도 23의 (A)의 결과로부터, PCcBCzPA-02의 톨루엔 용액은 396nm, 376nm, 355nm, 343nm, 320nm 부근에 흡수 피크가 확인되고, 422nm(여기 파장 376nm)에 발광 파장의 피크가 확인되었다. 또한, 도 23의 (B)의 결과로부터 PCcBCzPA-02의 고체 박막에서는 401nm, 381nm, 358nm, 343nm, 323nm 부근에 흡수 피크가 확인되고, 445nm 부근(여기 파장 370nm)에 발광 파장의 피크가 확인되었다.
또한, PCcBCzPA-02는 청색으로 발광하는 것을 확인하였다. 본 발명의 일 형태의 화합물은 발광 물질이나 가시 영역의 형광 발광 물질의 호스트로서도 이용할 수 있다. 또한, PCcBCzPA-02의 박막은 대기하에서도 쉽게 응집하지 않는 양호한 막질인 것을 알았다.
사이클릭 볼타메트리(CV) 측정을 바탕으로 PCcBCzPA-02의 HOMO 준위 및 LUMO 준위를 산출하였다. 산출 방법을 이하에 나타낸다.
측정 장치로서는 전기 화학 애널라이저(BAS Inc. 제조, 형식 번호: ALS 모델 600A 또는 600C)를 사용하였다. CV 측정에서의 용액은 용매로서 탈수 다이메틸폼아마이드(DMF)(Sigma-Aldrich Inc. 제조, 99.8%, 카탈로그 번호; 22705-6)를 사용하고, 지지 전해질인 과염소산 테트라-n-뷰틸암모늄(n-Bu4NClO4)(Tokyo Chemical Industry Co., Ltd. 제조, 카탈로그 번호; T0836)을 100mmol/L의 농도가 되도록 용해시키고, 또한 측정 대상을 2mmol/L의 농도가 되도록 용해시켜 조제하였다.
또한, 작용 전극으로서는 백금 전극(BAS Inc. 제조, PTE 백금 전극)을 사용하고, 보조 전극으로서는 백금 전극(BAS Inc. 제조, VC-3용 Pt카운터 전극(5cm))을 사용하고, 참조 전극으로서는 Ag/Ag+ 전극(BAS Inc. 제조, RE7 비수용매계 참조 전극)을 사용하였다. 또한, 측정은 실온(20℃ 이상 25℃ 이하)에서 행하였다.
또한, CV 측정 시의 스캔 속도는 0.1V/sec로 통일하고, 참조 전극에 대한 산화 전위 Ea[V] 및 환원 전위 Ec[V]를 측정하였다. Ea는 산화-환원파의 중간 전위로 하고, Ec는 환원-산화파의 중간 전위로 하였다. 여기서, 본 실시예에서 사용하는 참조 전극의 진공 준위에 대한 퍼텐셜 에너지는 -4.94[eV]인 것이 알려져 있기 때문에 HOMO 준위[eV]=-4.94-Ea, LUMO 준위[eV]=-4.94-Ec라는 수학식으로 HOMO 준위 및 LUMO 준위를 각각 구할 수 있다.
또한, CV 측정을 100번 반복하여 행하고, 100번째 사이클의 측정에서의 산화-환원파와, 첫 번째 사이클의 산화-환원파를 비교하여 화합물의 전기적 안정성을 조사하였다.
이 결과로부터, PCcBCzPA-02의 산화 전위 Ea[V]의 측정에서 HOMO 준위는 -5.73eV인 것을 알았다. 한편으로, 환원 전위 Ec[V]의 측정에서 LUMO 준위는 -2.74eV인 것을 알았다. 또한, 산화-환원파의 반복 측정에서 첫 번째 사이클의 파형과 100번째 사이클 후의 파형을 비교한 결과, Ea 측정에서는 78%의 피크 강도를 유지한 것으로, PCcBCzPA-02는 산화에 대한 내성이 매우 양호한 것으로 확인되었다.
(실시예 6)
<<합성예 5>>
본 실시예에서는 실시형태 1의 구조식(220)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-2,9'-바이-9H-카바졸(약칭: CzCzPA-02)의 합성 방법에 대하여 설명한다. 또한, CzCzPA-02의 구조를 이하에 나타낸다.
[화학식 24]
100mL 3구 플라스크에 9-(4-브로모페닐)-10-페닐안트라센 0.65g(1.6mmol), 2,9'-바이-9H-카바졸 0.54g(1.6mmol), 소듐 tert-뷰톡사이드 0.32g(3.3mmol)을 첨가하고, 플라스크 내를 질소 치환하였다. 이 혼합물에 자일렌 10mL를 첨가하고, 감압하에서 교반함으로써 탈기하였다. 이 혼합물에 트라이(tert-뷰틸)포스핀의 10w% 헥세인 용액 0.4mL, 비스(다이벤질리덴아세톤)팔라듐(0) 34mg(59μmol)을 첨가하고, 질소 기류하, 120℃에서 6시간 교반하였다.
교반 후, 얻어진 혼합물을 물, 포화 식염수로 세정하고, 유기층을 황산 마그네슘으로 건조하였다. 이 혼합물을 자연 여과하여, 여과액을 농축하였다. 얻어진 유상 물질을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔:헥세인=1:2)와 고속 액체 크로마토그래피(전개 용매: 클로로폼)로 정제하고, 또한 톨루엔으로 재결정한 결과, 목적물의 백색 고체를 수량 0.66g, 수율 63%로 얻었다. 상기 합성 방법의 합성 스킴을 하기 식(e)에 나타낸다.
[화학식 25]
얻어진 백색 고체 0.69g을 트레인 서블리메이션법으로 승화 정제하였다. 승화 정제는 압력 3.4Pa, 아르곤 유량 5.0mL/min의 조건으로, 300℃, 22시간 가열하여 행하였다. 승화 정제 후, 담황색 고체를 0.61g, 회수율 88%로 얻었다.
얻어진 담황색 고체의 핵자기 공명 분광법(1H-NMR)에 의한 분석 결과를 이하에 나타낸다. 또한, 1H-NMR 차트를 도 24의 (A), (B)에 나타내었다. 또한, 도 24의 (B)는 도 24의 (A)에서의 7.0ppm 내지 9.0ppm의 범위를 확대하여 나타낸 차트이다. 이 결과로부터, 본 실시예에서, 상술한 구조식(220)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, CzCzPA-02가 얻어진 것을 알았다.
1H NMR(DMSO-d6, 300MHz):δ=7.31(dt, J=0.9Hz, 7.8Hz, 2H), 7.40-7.76(m, 23H), 7.82(d, J=1.5Hz, 1H), 8.02(d, J=8.4Hz, 2H), 8.28(d, J=7.8Hz, 2H), 8.45(d, J=7.5Hz, 1H), 8.61(d, J=8.1Hz, 1H).
다음에 CzCzPA-02의 톨루엔 용액 및 고체 박막의 자외 가시 흡수 스펙트럼(흡수 스펙트럼) 및 발광 스펙트럼을 측정하였다. 고체 박막은 석영 기판 위에 진공 증착법으로 제작하였다. 흡수 스펙트럼의 측정에는 분광 광도계(용액: JASCO Corporation 제조, V-550, 박막: Hitachi High-Technologies Corporation 제조, U-4100)를 사용하였다. 또한 용액의 흡수 스펙트럼은 석영 셀에 톨루엔만을 넣고 측정한 흡수 스펙트럼을 빼어 산출하고, 박막의 흡수 스펙트럼은 기판을 포함한 투과율과 반사율로부터 구한 흡광도(-log10 [%T/(100-%R)]로 산출하였다. 또한, %T는 투과율, %R는 반사율을 나타낸다. 또한, 발광 스펙트럼의 측정에는 형광 광도계(Hamamatsu Photonics K.K. 제조, FS920)를 사용하였다.
얻어진 톨루엔 용액의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 25의 (A)에 나타내었다. 가로축은 파장, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다. 또한, 고체 박막의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 25의 (B)에 나타내었다. 가로축은 파장, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다.
도 25의 (A)의 결과로부터, CzCzPA-02의 톨루엔 용액은 396nm, 376nm, 356nm, 334nm, 322nm 부근에 흡수 피크가 확인되고, 419nm, 434nm(여기 파장 376nm)에 발광 파장의 피크가 확인되었다. 또한, 도 25의 (B)의 결과로부터 CzCzPA-02의 고체 박막에서는 402nm, 380nm, 335nm 부근에 흡수 피크가 확인되고, 440nm 부근(여기 파장 345nm)에 발광 파장의 피크가 확인되었다.
또한, CzCzPA-02는 청색으로 발광하는 것을 확인하였다. 본 발명의 일 형태의 화합물은 발광 물질이나 가시 영역의 형광 발광 물질의 호스트로서도 이용할 수 있다. 또한, CzCzPA-02의 박막은 대기하에서도 쉽게 응집하지 않는 양호한 막질인 것을 알았다.
(실시예 7)
본 실시예에서는, 본 발명의 일 형태인 발광 소자로서 실시예 6에서 설명한 CzCzPA-02(구조식(220))를 발광층에 사용한 발광 소자 3을 제작하고, 그 특성에 대하여 측정한 결과를 나타낸다.
또한, 본 실시예에서 사용하는 발광 소자의 소자 구조는 실시예 3에서 나타낸 도 13과 마찬가지의 구조이지만, 소자 구조를 구성하는 각층의 구체적인 구성에 대해서는 표 3에 나타낸 바와 같다. 또한, 본 실시예에서 사용하는 재료의 화학식을 이하에 나타낸다.
[표 3]
[화학식 26]
<<발광 소자의 동작 특성>>
제작한 발광 소자 3의 동작 특성에 대하여 측정하였다. 또한, 측정은 실온에서 행하였다. 또한, 결과를 도 26 내지 도 29에 나타내었다.
또한, 1000cd/m2 부근에서의 발광 소자의 주된 초기 특성 값을 이하의 표 4에 나타낸다.
[표 4]
상기 결과로부터, 본 실시예에서 제작한 발광 소자 3은 저전압 구동이고, 또한, 색도가 좋은 청색이면서 양호한 효율을 나타내는 것을 알 수 있다.
또한, 발광 소자 3에 12.5mA/cm2의 전류 밀도로 전류를 흘렸을 때의 발광 스펙트럼을 도 30에 나타내었다. 도 30에 나타낸 바와 같이, 발광 소자의 발광 스펙트럼은 발광층(913)에 포함되는 발광 물질의 발광에서 유래하는 것으로 시사된다.
(실시예 8)
본 실시예에서는, 실시예 4에 나타낸 PCcBCzPA(구조식(252))의 합성에 사용한 9-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)-7H-벤조[c]카바졸(PCcBCz(구조식(400))), 및 실시예 5에 나타낸 PCcBCzPA-02(구조식(253))의 합성에 사용한 9-(9-페닐-9H-카바졸-2-일)-7H-벤조[c]카바졸(PCcBCz-02(구조식(401)))의 합성 방법에 대하여 설명한다. 또한, PCcBCz 및 PCcBCz-02의 구조를 이하에 나타낸다.
[화학식 27]
<단계 1: 9-클로로-7H-벤조[c]카바졸의 합성>
200mL 3구 플라스크에 1-(4-클로로페닐)-2-나이트로나프탈렌 2.9g(10mmol), 트라이페닐포스핀 11g(40mmol), o-다이클로로벤젠 50mL를 넣고, 질소 기류하, 180℃에서 10시간 교반하였다. 반응 후, 이 혼합물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔:헥세인=1:1)로 정제한 결과, 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 헥세인으로 세정한 결과, 목적물의 백색 고체를 수량 2.0g, 수율 80%로 얻었다. 단계 1의 합성 스킴을 하기 식(f-1)에 나타낸다.
[화학식 28]
얻어진 백색 고체의 핵자기 공명 분광법(1H-NMR)에 의한 분석 결과를 이하에 나타낸다. 또한, 1H-NMR 차트를 도 31의 (A), (B)에 나타내었다. 또한, 도 31의 (B)는 도 31의 (A)에서의 7.0ppm 내지 9.0ppm의 범위를 확대하여 나타낸 차트이다. 이 결과로부터, 상기 식(f-1)에서의 목적물인 9-클로로-7H-벤조[c]카바졸이 얻어진 것을 알았다.
1H NMR(CDCl3, 300MHz):δ=7.34(dd, J1=9.0Hz, J2=1.8Hz, 1H), 7.47-7.52(m, 1H), 7.54(d, J=2.1Hz, 1H), 7.61(d, J=8.7Hz, 1H), 7.68-7.74(m, 1H), 7.87(d, J=8.7Hz, 1H), 8.00(d, J=7.8Hz, 1H), 8.43-8.46(m, 2H), 8.69(d, J=8.4Hz, 1H).
<단계 2-1: PCcBCz의 합성>
본 단계 2-1에서는, 상기 단계 1에서 합성한 9-클로로-7H-벤조[c]카바졸을 사용하여, PCcBCz를 합성하는 방법에 대하여 설명한다.
200mL 3구 플라스크에, 상기 단계 1에서 합성한 9-클로로-7H-벤조[c]카바졸 1.8g(7.1mmol), 9-페닐-9H-카바졸-3-보론산 2.2g(7.1mmol), 다이(1-아다만틸)-n-뷰틸포스핀 0.25g(0.70mmol), 인산 삼포타슘 4.6g(22mmol), tert-뷰틸알코올 1.6g(22mmol), 및 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터 35mL를 넣고, 이 혼합물을 감압하면서 교반함으로써 탈기하였다.
이 혼합물에 79mg(0.35mmol)의 아세트산 팔라듐(II)을 첨가하고, 질소 기류하, 160℃에서 13시간 교반하였다. 반응 후, 이 혼합물로부터 흡인 여과에 의하여 고체를 제거하여, 얻어진 여과액을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피(클로로폼:헥세인=1:2)로 정제하고, 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 헥세인으로 세정하고, 목적물의 담갈색 고체를 수량 2.0g, 수율 61%로 얻었다. 상기 합성 방법의 합성 스킴을 하기 식(f-2-1)에 나타낸다.
[화학식 29]
얻어진 담갈색 고체의 핵자기 공명 분광법(1H-NMR)에 의한 분석 결과를 이하에 나타낸다. 또한, 1H-NMR 차트를 도 32의 (A), (B)에 나타내었다. 또한, 도 32의 (B)는 도 32의 (A)에서의 7.0ppm 내지 9.0ppm의 범위를 확대하여 나타낸 차트이다. 이 결과로부터, 상기 식(f-2-1)에서의 목적물인 PCcBCz(구조식(400))가 얻어진 것을 알았다.
1H NMR(CDCl3, 300MHz):δ=7.30-7.36(m, 1H), 7.44-7.53(m, 5H), 7.60-7.66(m, 5H), 7.71-7.81(m, 3H), 7.86-7.89(m, 2H), 8.02(d, J=7.8Hz, 1H), 8.23-8.25(m, 1H), 8.47-8.49(m, 2H), 8.63(d, J=8.1Hz, 1H), 8.82(d, J=8.4Hz, 1H).
<단계 2-2: PCcBCz-02의 합성>
본 단계 2-2에서는, 상기 단계 1에서 합성한 9-클로로-7H-벤조[c]카바졸을 사용하여, PCcBCz-02를 합성하는 방법에 대하여 설명한다.
200mL 3구 플라스크에, 상기 단계 1에서 합성한 9-클로로-7H-벤조[c]카바졸 1.0g(4.0mmol), 9-페닐-9H-카바졸-2-보론산 1.2g(4.0mmol), 다이(1-아다만틸)-n-뷰틸포스핀 29mg(0.080mmol), 인산 삼포타슘 2.5g(12mmol), tert-뷰틸알코올 0.90g(12mmol), 및 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터 20mL를 넣고, 이 혼합물을 감압하면서 교반함으로써 탈기하였다.
이 혼합물에 9.0mg(0.040mmol)의 아세트산 팔라듐(II)을 첨가하고, 질소 기류하, 120℃에서 20시간 교반하였다. 반응 후, 이 혼합물로부터 흡인 여과에 의하여 고체를 제거하여, 얻어진 여과액을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔:헥세인=1:2)로 정제하고, 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 헥세인으로 세정하고, 목적물의 담갈색 고체를 수량 0.91g, 수율 50%로 얻었다. 상기 합성 방법의 합성 스킴을 하기 식(f-2-2)에 나타낸다.
[화학식 30]
얻어진 담갈색 고체의 핵자기 공명 분광법(1H-NMR)에 의한 분석 결과를 이하에 나타낸다. 또한, 1H-NMR 차트를 도 33의 (A), (B)에 나타내었다. 또한, 도 33의 (B)는 도 33의 (A)에서의 7.0ppm 내지 9.0ppm의 범위를 확대하여 나타낸 차트이다. 이 결과로부터, 목적물인 PCcBCz-02(구조식(401))가 얻어진 것을 알았다.
1H NMR(CDCl3, 300MHz):δ=7.27-7.33(m, 1H), 7.40-7.52(m, 4H), 7.61-7.73(m, 9H), 7.81(d, J=1.5Hz, 1H), 7.86(d, J=8.7Hz, 1H), 7.99(d, J=8.4Hz, 1H), 8.17(d, J=7.8Hz, 1H), 8.23(d, J=9.0Hz, 1H), 8.41(s, 1H), 8.57(d, J=8.4Hz, 1H), 8.77(d, J=7.8Hz, 1H).
101: 제 1 전극
102: 제 2 전극
103: EL층
103a, 103b: EL층
104: 전하 발생층
111, 111a, 111b: 정공 주입층
112, 112a, 112b: 정공 수송층
113, 113a, 113b: 발광층
114, 114a, 114b: 전자 수송층
115, 115a, 115b: 전자 주입층
201: 제 1 기판
202: 트랜지스터(FET)
203R, 203G, 203B, 203W: 발광 소자
204: EL층
205: 제 2 기판
206R, 206G, 206B: 컬러 필터
206R', 206G', 206B': 컬러 필터
207: 제 1 전극
208: 제 2 전극
209: 흑색층(블랙 매트릭스)
210R, 210G: 도전층
301: 제 1 기판
302: 화소부
303: 구동 회로부(소스선 구동 회로)
304a, 304b: 구동 회로부(게이트선 구동 회로)
305: 실재
306: 제 2 기판
307: 리드 배선
308: FPC
309: FET
310: FET
311: FET
312: FET
313: 제 1 전극
314: 절연물
315: EL층
316: 제 2 전극
317: 발광 소자
318: 공간
900: 기판
901: 제 1 전극
902: EL층
903: 제 2 전극
911: 정공 주입층
912: 정공 수송층
913: 발광층
914: 전자 수송층
915: 전자 주입층
4000: 조명 장치
4001: 기판
4002: 발광 소자
4003: 기판
4004: 제 1 전극
4005: EL층
4006: 제 2 전극
4007: 전극
4008: 전극
4009: 보조 배선
4010: 절연층
4011: 밀봉 기판
4012: 실재
4013: 건조제
4015: 확산판
4100: 조명 장치
4200: 조명 장치
4201: 기판
4202: 발광 소자
4204: 제 1 전극
4205: EL층
4206: 제 2 전극
4207: 전극
4208: 전극
4209: 보조 배선
4210: 절연층
4211: 밀봉 기판
4212: 실재
4213: 배리어막
4214: 평탄화막
4215: 확산판
4300: 조명 장치
5101: 라이트
5102: 휠
5103: 도어
5104: 표시부
5105: 핸들
5106: 시프트 레버
5107: 좌석 시트
5108: 백미러
7000: 하우징
7001: 표시부
7002: 제 2 표시부
7003: 스피커
7004: LED 램프
7005: 조작 키
7006: 접속 단자
7007: 센서
7008: 마이크로폰
7009: 스위치
7010: 적외선 포트
7011: 기록 매체 판독부
7012: 지지부
7013: 이어폰
7014: 안테나
7015: 셔터 버튼
7016: 수상부
7018: 스탠드
7019: 마이크로폰
7020: 카메라
7021: 외부 접속부
7022, 7023: 조작용 버튼
7024: 접속 단자
7025: 밴드
7026: 버클
7027: 시각을 나타내는 아이콘
7028: 기타 아이콘
8001: 조명 장치
8002: 조명 장치
8003: 조명 장치
8004: 조명 장치
9310: 휴대 정보 단말
9311: 표시부
9312: 표시 영역
9313: 힌지
9315: 하우징

Claims (11)

  1. 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 화합물.

    (식 중, Ar은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴렌기를 나타내고, 상기 아릴렌기가 치환기를 가지는 경우, 상기 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. 또한, Cz는 치환 또는 비치환된 카바졸 골격을 나타낸다. 또한, R5는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기를 나타내고, R1 내지 R4, R6 내지 R9, 및 R11 내지 R17은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 혹은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기 중 어느 것을 나타낸다.)
  2. 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 화합물.

    (식 중, Ar은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴렌기를 나타내고, 상기 아릴렌기가 치환기를 가지는 경우, 상기 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. 또한, Cz는 치환 또는 비치환된 카바졸 골격을 나타낸다. 또한, R5는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기를 나타내고, R1 내지 R4, R6 내지 R9, 및 R11 내지 R17은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 혹은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, R12와 R13, R14와 R15, R15와 R16, 및 R16과 R17 중 적어도 하나는 축합한다.)
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 일반식(G1) 중에서 카바졸 골격과 결합한 Cz의 결합 위치는 상기 Cz로 나타내어지는 카바졸 골격의 9위치, 3위치, 또는 2위치인 것을 특징으로 하는, 유기 화합물.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 일반식(G1) 중에서 Ar은 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 혹은 치환 또는 비치환된 바이페닐다이일기인, 유기 화합물.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 일반식(G1) 중에서 R5는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기인, 유기 화합물.
  6. 구조식(200), 구조식(220), 구조식(221), 구조식(252), 또는 구조식(253)으로 나타내어지는, 유기 화합물.
  7. 제 1 항, 제 2 항, 및 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 유기 화합물을 사용한, 발광 소자.
  8. 발광 소자로서,
    한 쌍의 전극 사이에 EL층을 포함하고,
    상기 EL층은 제 1 항, 제 2 항, 및 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 유기 화합물을 포함하는, 발광 소자.
  9. 발광 소자로서,
    한 쌍의 전극 사이에 EL층을 포함하고,
    상기 EL층은 발광층을 포함하고,
    상기 발광층은 제 1 항, 제 2 항, 및 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 유기 화합물을 포함하는, 발광 소자.
  10. 발광 장치로서,
    제 7 항에 기재된 발광 소자와,
    트랜지스터 및 기판 중 적어도 하나를 포함하는, 발광 장치.
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    R1 내지 R4, R6 내지 R9, 및 R11 내지 R17은 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내는, 유기 화합물.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102567674B1 (ko) * 2017-02-09 2023-08-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
DE102018213078B4 (de) * 2018-08-06 2020-06-18 Zf Friedrichshafen Ag Verdunkelungsvorrichtung für eine ADAS-Kamera, Steuergerät für ein ADAS-Kamerasystem, ADAS-Kamerasystem und Fahrzeug mit einem ADAS-Kamerasystem

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200541401A (en) 2004-02-13 2005-12-16 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent device
KR20070094817A (ko) 2004-12-28 2007-09-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 안트라센 유도체, 이를 사용하는 발광 소자 및 이를사용하는 발광 디바이스
US7732064B2 (en) 2004-12-28 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anthracene derivative, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance using the same
KR101356093B1 (ko) 2005-03-28 2014-01-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 안트라센 유도체, 발광소자용 재료, 발광소자, 발광장치 및전자기기
KR101324758B1 (ko) 2005-07-14 2013-11-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 카르바졸 유도체, 및 그것을 사용하여 얻어진 발광소자용재료, 발광소자, 전자기기
JP4945146B2 (ja) 2006-02-27 2012-06-06 富士フイルム株式会社 光電変換素子及び固体撮像素子
WO2008026614A1 (en) 2006-08-30 2008-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for synthesizing anthracene derivative and anthracene derivative, light emitting element, light emitting device, electronic device
US7723722B2 (en) 2007-03-23 2010-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic compound, anthracene derivative, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic device using anthracene derivative
TWI524567B (zh) 2007-09-27 2016-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光元件，照明裝置，發光裝置，與電子裝置
TWI479712B (zh) * 2007-10-19 2015-04-01 Semiconductor Energy Lab 發光裝置
KR101299608B1 (ko) 2007-12-21 2013-08-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 화합물
JP5352304B2 (ja) 2008-04-02 2013-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 アントラセン誘導体、発光材料、発光素子用材料、塗布用組成物、発光素子、及び発光装置
WO2009131199A1 (en) 2008-04-24 2009-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anthracene derivative, light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance
JP5501656B2 (ja) 2008-05-16 2014-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 組成物、薄膜の作製方法、及び発光素子の作製方法
EP2120275A3 (en) * 2008-05-16 2012-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Light-emitting element, lighting apparatus, light-emitting device, electronic appliance, and display
CN102089282A (zh) 2008-07-08 2011-06-08 株式会社半导体能源研究所 咔唑衍生物、发光元件用材料、发光元件以及发光装置
ATE517088T1 (de) * 2008-09-19 2011-08-15 Semiconductor Energy Lab Carbazolderivat und herstellungsverfahren dafür
JP6117465B2 (ja) 2010-10-29 2017-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 カルバゾール化合物、有機半導体材料および発光素子用材料
CN103204796B (zh) 2011-07-22 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 二苯并[c,g]咔唑化合物、发光元件、发光装置、显示装置、照明装置以及电子设备
WO2014057659A1 (ja) * 2012-10-12 2014-04-17 出光興産株式会社 化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI602901B (zh) 2012-12-11 2017-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光元件，發光裝置，電子裝置，與照明裝置
KR102061571B1 (ko) * 2012-12-24 2020-01-02 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
US10439156B2 (en) 2013-05-17 2019-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, lighting device, and electronic device
KR102116496B1 (ko) 2013-08-26 2020-05-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
JP6047109B2 (ja) * 2014-02-14 2016-12-21 富士フイルム株式会社 光電変換素子、光センサおよび撮像素子
KR102248158B1 (ko) * 2014-09-05 2021-05-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR101778371B1 (ko) * 2014-09-19 2017-09-14 주식회사 엘지화학 함질소 다환 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자
WO2016048109A1 (en) * 2014-09-26 2016-03-31 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Organic electroluminescent compound, and organic electroluminescent material and organic electroluminescent device comprising the same
US10236448B2 (en) 2014-10-31 2019-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Benzo[a] anthracene compound, light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device
CN106631981A (zh) 2015-10-30 2017-05-10 株式会社半导体能源研究所 二苯并咔唑化合物、发光元件、发光装置、显示装置、电子设备及照明装置
US20170125704A1 (en) 2015-10-30 2017-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic Compound, Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device
KR20170101128A (ko) 2016-02-26 2017-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR20180010136A (ko) 2016-07-20 2018-01-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR102567674B1 (ko) * 2017-02-09 2023-08-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR20210098332A (ko) * 2020-01-31 2021-08-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 디바이스, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치

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