KR101638183B1 - 이미지 센서 - Google Patents

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KR101638183B1
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Abstract

이미지 센서는 복수의 광 감지 소자들, 절연층, 복수의 컬러 필터들 및 복수의 마이크로 렌즈들을 포함한다. 복수의 광 감지 소자들은 입사광에 상응하는 전기 신호를 생성한다. 절연층은 반도체 기판의 후면 상에 형성되고, 복수의 광 감지 소자들 사이의 영역 상에 형성된 복수의 광 차단 영역들을 포함한다. 복수의 컬러 필터들은 절연층 상에 복수의 광 감지 소자들에 각각 대응하여 형성된다. 복수의 마이크로 렌즈들은 복수의 컬러 필터들 상에 복수의 광 감지 소자들에 각각 대응하여 형성된다. 이미지 센서는 전체 면적에서 광 감지 영역이 차지하는 비율의 악화 없이 광학적 크로스토크를 억제할 수 있다.

Description

이미지 센서{IMAGE SENSOR}
본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 후면 수광 이미지 센서에 관한 것이다.
이미지 센서는 입사광에 반응하는 반도체의 성질을 이용하여 이미지를 획득하는 장치로서, 입사광을 전기적 신호로 변환하는 광전 변환부 및 전기적 신호를 처리하여 데이터화하는 로직 회로부를 포함한다. 이미지 센서는 상기 광전 변환부에 집광하도록 상기 광전 변환부의 외부 영역으로 입사되는 광의 경로를 변경하는 마이크로 렌즈 어레이를 채용하여 광 감도를 향상시킬 수 있다.
종래의 이미지 센서에서는 하나의 단위 픽셀에 상응하는 마이크로 렌즈로 입사된 광이 상기 마이크로 렌즈에서의 회절(diffraction)로 인하여 인접한 단위 픽셀에 도달하는 광학적 크로스토크(optical crosstalk)가 발생할 수 있는 문제가 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 목적은 광학적 크로스토 크(optical crosstalk)를 억제할 수 있는 이미지 센서를 제공하는 것이다.
본 발명의 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서는 복수의 광 감지 소자들, 절연층, 복수의 컬러 필터들 및 복수의 마이크로 렌즈들을 포함한다.
상기 복수의 광 감지 소자들은 입사광에 상응하는 전기 신호를 생성한다. 상기 절연층은 상기 반도체 기판의 후면 상에 형성되고, 상기 복수의 광 감지 소자들 사이의 영역 상에 형성된 복수의 광 차단 영역들을 포함한다. 상기 복수의 컬러 필터들은 상기 절연층 상에 상기 복수의 광 감지 소자들에 각각 대응하여 형성된다. 상기 복수의 마이크로 렌즈들은 상기 복수의 컬러 필터들 상에 상기 복수의 광 감지 소자들에 각각 대응하여 형성된다. 상기 절연층은 상기 복수의 컬러 필터들의 경계선들에 인접한 복수의 홈들을 가지고, 상기 복수의 컬러 필터들은 상기 절연층의 상기 복수의 홈들에 상응하는 복수의 독출부들을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 광 차단 영역들은 복수의 금속 배선들을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 금속 배선들은 상기 입사광이 상기 복수의 마이크로 렌즈들에 의해 회절될 때 생성되는 상기 입사광의 회절 성분을 반사할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 금속 배선들은 그리드(grid) 형태로 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 금속 배선들은 접지 배선일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 광 차단 영역들은 복수의 금속 배선들과 상기 반도체 기판을 연결하는 복수의 콘택들을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 광 차단 영역들은 상기 복수의 컬러 필터들이 상기 절연층 내로 연장되어 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 광 차단 영역들은 상기 입사광이 상기 복수의 마이크로 렌즈들에 의해 회절될 때 생성되는 상기 입사광의 회절 성분을 적어도 두 번 필터링하여 상기 회절 성분을 감소시킬 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 광 차단 영역들 각각은 상기 입사광의 서로 다른 컬러 성분들을 투과하는 적어도 두개의 컬러 필터들을 포함할 수 있다.
삭제
본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서는 광학적 크로스토크(optical crosstalk)를 효율적으로 억제할 수 있다. 또한, 이미지 센서의 전체 면적에서 광 감지 영역이 차지하는 비율(fill factor)의 악화 없이 크로스토크를 억제하여 이미지 품질을 향상시킬 수 있다.
본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 된다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것 으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성 요소에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호를 사용한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 이미지 센서(100)는, 반도체 기판(110), 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123), 제1 절연층(130), 제2 절연층(140), 제1 내지 제3 컬러 필터(151, 152, 153) 및 제1 내지 제3 마이크로 렌즈(161, 162, 163)를 포함한다.
반도체 기판(110)은 전면(110a) 및 후면(110b)을 가진다. 이미지 센서(100) 는 반도체 기판(110)의 후면(110b)을 통해 입사되는 광에 응답하여 이미지 데이터를 생성하는 후면 수광 이미지 센서(backside illuminated image sensor; BIS)일 수 있다. 반도체 기판(110)은 에피택셜(epitaxial) 공정을 통해 형성된 반도체층을 포함할 수 있으며, p형 불순물들이 도핑된 반도체 기판일 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서(100)에 있어서, 입사되는 광에 상응하는 전기 신호를 전송 및 증폭하는 복수의 게이트 구조물들(도시되지 않음)이 반도체 기판(110)의 전면(110a) 상에 배치된다. 또한, 광이 입사되는 제1 내지 제3 컬러 필터(151, 152, 153)와 제1 내지 제3 마이크로 렌즈(161, 162, 163)가 반도체 기판(110)의 후면(110b) 상에 형성된다. 이에 따라, 이미지 센서(100)는 제1 내지 제3 마이크로 렌즈(161, 162, 163)로부터 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)까지의 거리가 상대적으로 짧으며, 복수의 게이트 구조물들 및 복수의 배선들에 기인하는 광의 난반사 또는 가려짐이 없기 때문에 향상된 수광 효율 및 광 감도를 가질 수 있다.
제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)는 반도체 기판(110) 내에 배치된다. 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)는 각기 입사되는 광에 상응하는 전기 신호를 생성할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)에는 입사광에 상응하는 전자-정공 쌍(electron-hole pair)이 생성되며, 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)은 이러한 전자 또는 정공을 수집할 수 있다.
제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)는 각기 포토 다이오드(photo diode), 포토 트랜지스터(photo transistor), 포토 게이트(photo gate), 핀드 포토 다이오드(pinned photo diode, PPD), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)는 반도체 기판(110)에 매트릭스 형태로 배치된 광 감지 소자 어레이에 포함될 수 있다.
제1 절연층(130)은 반도체 기판(110)의 전면(110a) 상에 형성되며, 제1 절연층(130)에는 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)에서 생성된 상기 전기 신호를 처리하는 복수의 게이트 구조물들이 배치될 수 있다. 이러한 복수의 게이트 구조물들은 상기 전기 신호를 전송, 증폭 또는 출력할 수 있다. 예를 들어, 반도체 기판(110)의 전면(110a) 상에는 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)로부터 플로팅 확산(floating diffusion) 노드들에 전하들을 전송하는 전송 게이트들(transfer gates), 상기 플로팅 확산 노드들을 방전하는 리셋 게이트들(reset gates), 상기 플로팅 확산 노드들의 전압들을 증폭하는 구동 게이트들(drive gates), 선택 신호에 응답하여 상기 증폭된 전압들을 출력하는 선택 트랜지스터들(select gates) 등이 형성될 수 있다.
제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)와 복수의 게이트 구조물들은 단위 픽셀들을 구성할 수 있다. 이와 같은 단위 픽셀들은 각기 1-트랜지스터 구조, 3-트랜지스터 구조, 4-트랜지스터 구조 또는 5-트랜지스터 구조를 가질 수 있다. 또한, 상기 단위 픽셀들은 일부 트랜지스터들은 공유하는 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 있어서, 제1 절연층(130)에는 복수의 배선들이 배치될 수 있다. 이러한 복수의 배선들은 콘택이나 플러그를 통해 복수의 게이트 구조물들에 전기적으로 연결되거나, 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 절연층(140)은 반도체 기판(110)의 후면(110b) 상에 형성된다. 제2 절연층(140)에는 제1 및 제2 광 차단 영역(141a, 142a)이 마련된다. 제1 및 제2 광 차단 영역(141a, 142a)은 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123) 사이에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 광 차단 영역(141a, 142a)은 각기 광학적 크로스토크를 억제할 수 있다. 예를 들어, 제2 광 차단 영역(142a)은 제2 광 감지 소자(122)에 상응하는 제2 마이크로 렌즈(162)로 입사되는 입사광(170)이 제3 광 감지 소자(123)에 도달하는 것을 방지할 수 있다.
제1 내지 제3 컬러 필터(151, 152, 153)는 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)에 각기 대응하여 제2 절연층(140) 상에 형성된다. 예를 들어, 제1 컬러 필터(151)는 제1 광 감지 소자(121)에 대응하여 형성되고, 제2 컬러 필터(152)는 제2 광 감지 소자(122)에 대응하여 형성되며, 제3 컬러 필터(153)는 제3 광 감지 소자(123)에 대응하여 형성될 수 있다. 제1 내지 제3 컬러 필터(151, 152, 153)는 매트릭스 형태로 배열된 컬러 필터 어레이에 포함될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 컬러 필터 어레이는 레드 필터, 그린 필터 및 블루 필터를 포함하는 베이어 패턴(Bayer pattern)을 가질 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 컬러 필터 어레이는 옐로우 필터, 마젠타 필터 및 시안 필터를 포함할 수 있다. 또한, 상기 컬러 필터 어레이는 화이트 필터를 추가적으로 구비할 수 있다.
제1 내지 제3 마이크로 렌즈(161, 162, 163)는 제1 내지 제3 컬러 필터(151, 152, 153) 상에 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)에 각각 대응하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 마이크로 렌즈(161)는 제1 광 감지 소자(121)에 대응 하여 형성되고, 제2 마이크로 렌즈(162)는 제2 광 감지 소자(122)에 대응하여 형성되며, 제3 마이크로 렌즈(163)는 제3 광 감지 소자(123)에 대응하여 형성될 수 있다.
제1 내지 제3 마이크로 렌즈(161, 162, 163)는 제1 내지 제3 마이크로 렌즈(161, 162, 163)에 입사되는 광이 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123) 중 상응하는 광 감지 소자에 집광될 수 있도록 입사광의 경로를 조절할 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 마이크로 렌즈(161, 162, 163)는 매트릭스 형태로 배열된 마이크로 렌즈 어레이에 포함될 수 있다.
실시예들에 있어서, 이미지 센서(100)는 상기 전기 신호로부터 이미지 데이터를 생성하는 로직 회로들을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 이미지 센서(100)는 타이밍 발생기, 행 디코더, 행 드라이버, 상관 이중 샘플러, 아날로그 디지털 컨버터, 래치부, 열 디코더 등을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 타이밍 발생기는 상기 행 디코더 및 상기 열 디코더에 타이밍 신호 및 제어 신호를 제공할 수 있다. 상기 행 드라이버는 상기 행 디코더에서 디코딩된 결과에 따라 단위 픽셀들에 구동 신호들을 제공할 수 있다. 상기 상관 이중 샘플러는 상기 단위 픽셀들로부터 수신된 상기 전기 신호를 샘플링 및 유지할 수 있다. 상기 아날로그 디지털 컨버터는 상기 전기 신호를 아날로그 신호에서 디지털 신호로 변환할 수 있다. 상기 래치부는 상기 디지털 신호를 래치하고, 래치된 신호는 상기 열 디코더의 디코딩 결과에 따라 순차적으로 출력될 수 있다.
제2 절연층(140)에 형성된 제1 및 제2 광 차단 영역(141a, 142a)에는 제1 및 제2 금속 배선(143, 144)이 각기 형성될 수 있다. 제1 및 제2 금속 배선(143, 144)은 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123) 사이의 영역 상에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 금속 배선(143, 144)을 포함하는 복수의 금속 배선들은 행 방향 및 열 방향을 가지는 그리드 형태로 배치될 수 있다.
제1 및 제2 금속 배선(143, 144)은 제2 절연층(140)의 두께보다 작거나 실질적으로 동일한 높이를 가질 수 있다. 제1 및 제2 금속 배선(143, 144)은 제2 광 감지 소자(122)에 상응하는 제2 마이크로 렌즈(162)로 입사되는 입사광(170)이 제2 광 감지 소자(122)에 인접하는 제1 및 제3 광 감지 소자(121, 123)에 도달하는 것을 방지할 수 있다. 제1 및 제2 금속 배선(143, 144)은 입사광(170)이 제2 마이크로 렌즈(162)에 의해 회절될 때 생성되는 입사광(170)의 회절 성분(172)을 반사할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 있어서, 제1 및 제2 금속 배선(143, 144)은 접지 배선일 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)는 입사광(170)에 의해 생성되는 전자-정공 쌍 중 전자를 수집하고, 제1 및 제2 금속 배선(143, 144)은 이러한 전자-정공 쌍 중 정공의 드레인 역할을 수행할 수 있다.
제1 및 제2 광 차단 영역(141a, 142a)에는 제1 및 제2 금속 배선(143, 144)을 반도체 기판(110)에 연결하는 제1 및 제2 콘택(145, 146)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 기판(110)에서 생성된 정공은 제1 및 제2 콘택(145, 146)을 통하여 제1 및 제2 금속 배선(143, 144)으로 배출될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 및 제2 금속 배선(143, 144)은 적어도 하나의 패드 에 연결되며, 제1 및 제2 금속 배선(143, 144)에는 외부 장치로부터 상기 적어도 하나의 패드를 통하여 접지 전압이 인가될 수 있다.
입사광(170)은 제2 광 감지 소자(122)에 입사되도록 제2 마이크로 렌즈(162)에 의해 경로가 조절되며, 입사광(170)의 주 성분(171)은 제2 광 감지 소자(122)에 도달할 수 있다. 입사광(170)이 제2 마이크로 렌즈(162)에서 회절되는 경우, 입사광(170)의 회절 성분(172)은 제3 광 감지 소자(123)로 향할 수 있다. 제2 절연층(140) 내에 형성된 제2 금속 배선(144)은 회절 성분(172)이 제3 광 감지 소자(123)에 도달하지 않도록 회절 성분(172)을 반사할 수 있다. 회절 성분(172)이 제2 금속 배선(144)에 의해 반사된 성분인 반사 광 성분(173)은 제2 광 감지 소자(122)에 도달할 수 있다.
전술한 바와 같이, 이미지 센서(100)에서 제2 절연층(140)에 형성된 제1 및 제2 금속 배선(143, 144)이 입사광(170)의 회절 성분을 반사함으로써, 광학적 크로스토크를 효율적으로 억제할 수 있다. 또한, 이미지 센서(100)는 제1 및 제2 금속 배선(143, 144)이 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123) 사이의 영역 상에 형성되어 전체 면적에서 광 감지 영역이 차지하는 비율(fill factor)의 저하 없이 크로스토크를 억제할 수 있다.
도 2는 도 1의 이미지 센서에 포함되는 복수의 금속 배선들을 나타내는 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 및 제2 금속 배선(143, 144)을 포함하는 복수의 금속 배선들은 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123) 사이의 영역 및/또는 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)의 외곽 영역 상에 형성될 수 있다. 상기 복수의 금속 배선들은 행 방향 및 열 방향을 가지는 그리드(grid)(190) 형태로 배치될 수 있다. 금속 배선들의 그리드(190)를 포함하는 제2 절연층(140) 상에는 제1 내지 제3 컬러 필터(151, 152, 153)와 제1 내지 제3 마이크로 렌즈(161, 162, 163)가 배치될 수 있다. 이미지 센서(100)는 제1 및 제2 금속 배선(143, 144)이 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123) 사이의 영역 상에 금속 배선 그리드(190)로서 형성되어 전체 면적에서 광 감지 영역이 차지하는 비율의 악화 없이 크로스토크를 억제할 수 있다.
도 3a 내지 도 3j는 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3a를 참조하면, p형 벌크(bulk) 실리콘 기판(101) 상에 p형 에피택셜(epitaxial)층(102)을 형성한다. 에피택셜층(102)은 실리콘 소스 가스 등을 이용하여 벌크 실리콘 기판(101)과 실질적으로 동일한 결정 구조로 성장될 수 있다. 예를 들어, 에피택셜층(102)을 형성하기 위한 실리콘 소스 가스는 실란(silane), DCS(dichlorosilane), TCS(trichlorosilane), HCS(hexachlorosilane), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 에피택셜층(102)의 형성에 따라 반도체 기판(110)(도 3d 참조)은 전면(110a)과 후면(110b)을 가지게 된다.
도 3b를 참조하면, 에피택셜층(102)에 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)를 형성한다. 예를 들어, 이온 주입(ion implantation) 공정을 이용하여 에피택셜층(102)에 포토 다이오드를 구성하는 n형 영역들을 형성함으로써, 제1 내지 제 3 광 감지 소자(121, 122, 123)를 마련할 수 있다. 본 발명의 실시예들에 있어서, 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)는 각기 포토 다이오드(photo diode), 포토 트랜지스터(photo transistor), 포토 게이트(photo gate), 핀드 포토 다이오드(pinned photo diode, PPD), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123) 사이의 에피택셜층(102)에는 반도체 기판(110)의 전면(110a)에서 내부로 소자 분리 영역들이 형성될 수 있다. 상기 소자 분리 영역들은 STI(shallow trench isolation) 공정 또는 LOCOS(local oxidation of silicon) 공정을 통해 형성된 필드 산화막일 수 있다.
도 3c를 참조하면, 에피택셜층(102)의 전면, 즉 반도체 기판(110)의 전면(110a) 상에 제1 절연층(130)을 형성한다. 제1 절연층(130)은 상대적으로 우수한 유동성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(130)은 HDP(High Density Plasma) 산화물, TOSZ(Tonen SilaZene), SOG(Spin On Glass), USG(Undoped Silica Glass) 등을 사용하여 형성될 수 있다.
제1 절연층(130)에는 복수의 게이트 구조물들 및 다층 금속 배선들이 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 게이트 구조물들은 에피택셜층(102)의 전면 상에 게이트 절연막 및 게이트 도전막을 적층한 후, 적층된 게이트 절연막 및 게이트 도전막을 패터닝하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 금속 배선들은 구리, 텅스텐, 티타늄, 알루미늄 등과 같은 금속을 포함하는 도전층을 적층하고 패터닝하는 방식을 통해 형성될 수 있다. 여기서, 상기 게이트 절연막은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 질화물(SiNx), 게르마늄 산질화물(GeOxNy), 게르마늄 실리콘 산화물(GeSixOy) 또는 고유전율을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 한편, 이러한 고유전율 물질로는 하프늄 산화물(HfOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 알루미늄 산화물(AlOx), 탄탈륨 산화물(TaOx), 하프늄 실리케이트(HfSix), 지르코늄 실리케이트(ZrSix) 등을 들 수 있다. 또한, 상기 게이트 절연막은 전술한 물질들 중에서 2 이상의 선택된 물질로 이루어진 다층 구조로 형성될 수 있으며, 상기 게이트 도전막은 폴리실리콘, 금속 및/또는 금속 화합물을 사용하여 형성될 수 있다.
도 3d를 참조하면, 에피택셜층(102)이 형성된 벌크 실리콘 기판(101)을 그라인딩(grinding)하여 반도체 기판(110)을 형성한다. 예를 들면, 화학 기계적 연마(CMP) 공정을 통해 벌크 실리콘 기판(101)을 그 후면으로부터 소정의 두께만큼 제거할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 반도체 기판(110)은 에피택셜층(102)이 형성된 벌크 실리콘 기판(101)에서 벌크 실리콘 기판(101)을 제거함으로써, 에피택셜층(102)만을 포함할 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 반도체 기판(110)은 제1 절연층(130) 상에 형성된 추가적인 반도체 기판에 의해 지지될 수 있다. 또한, 반도체 기판(110)의 후면(110b)에 대하여 오염을 제거하기 위하여 습식 식각 공정이 수행될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 있어서, 반도체 기판(110)의 후면(110b)과 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123) 사이에는 p형 불순물이 상대적으로 높게 도핑된 후면 도핑층이 형성될 수 있다. 또한, 반도체 기판(110)의 후면(110b) 상에는 입사광이 반도체 기판(110)의 후면(110b)에서 반사되는 것을 방지하는 반사 방지층(anti-reflection layer; ARL)이 형성될 수 있다.
도 3e를 참조하면, 반도체 기판(110)의 후면(110b) 상에 절연막(140a)을 형성한다. 절연막(140a)은 HDP 산화물, TOSZ, SOG, USG 또는 이들의 조합을 사용하여 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 절연막(140a)은 반도체 기판(110) 내에 광전 변환이 일어나지 않는 영역인 차광 영역(optical black area)으로 광이 입사되는 것을 방지하기 위한 차광막(optical shielding layer)을 포함할 수 있다. 절연막(140a)은 후속하여 형성되는 추가 절연막과 함께 제2 절연층(140)(도 3h 참조)을 구성할 수 있다.
도 3f를 참조하면, 절연막(140a)을 관통하여 반도체 기판(110)의 후면(110b)에 접촉되는 제1 및 제2 콘택(145, 146)을 형성한다. 제1 및 제2 콘택(145, 146)은 반도체 기판(110)과 후속하여 형성되는 제1 및 제2 금속 배선(143, 144)을 전기적으로 연결할 수 있고, 정공의 드레인 역할을 수행할 수 있다.
제1 및 제2 콘택(145, 146)은 각기 절연막(140a)을 부분적으로 식각하여 관통홀들을 형성한 후, 이러한 관통홀들에 도전 물질을 매립하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 콘택(145, 146)은 각기 텅스텐, 알루미늄, 티타늄, 구리, 탄탈륨, 텅스텐 질화물, 알루미늄 질화물, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
도 3g를 참조하면, 제1 및 제2 콘택들(145, 146)이 형성된 절연막(140a) 상에 제1 및 제2 금속 배선(143, 144)을 형성한다. 제1 및 제2 금속 배선(143, 144)은 절연막(140a) 상에 텅스텐, 알루미늄, 구리, 티타늄 등의 금속을 증착하여 도전막을 형성한 다음, 제1 및 제2 콘택(145, 146) 상에 제1 및 제2 금속 배선(143, 144)이 각기 위치하도록 상기 도전막을 패터닝하여 형성될 수 있다.
제1 및 제2 금속 배선(143, 144)은 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123) 사이의 영역들 상에 형성되어 반도체 기판(110)의 전체 면적에서 광 감지 영역이 차지하는 비율을 저하시키지 않을 수 있다. 일 실시예에 있어서, 절연막(140a)과 상기 도전막 사이에는 식각 저지막이 추가적으로 형성될 수 있다.
도 3h를 참조하면, 제2 절연층(140)을 반도체 기판(110)의 후면(110b) 상에 형성한다. 제2 절연층(140)은 절연막(140a) 상에 우수한 유동성을 갖는 물질을 사용하여 추가 절연막을 형성함으로써, 절연막(140a)과 추가 절연막을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 여기서, 추가 절연막은 USG, SOG, TOSZ, HDP 산화물 FOX(flowable oxide)등을 사용하여 형성될 수 있다.
도 3i를 참조하면, 제2 절연층(140) 상에 제1 내지 제3 컬러 필터(151, 152, 153)를 각기 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)에 대응하도록 배치한다. 제1 내지 제3 컬러 필터(151, 152, 153)는 염색 공정, 안료 분산 공정, 인쇄 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
제1 내지 제3 컬러 필터(151, 152, 153)는 염색된 포토레지스트 등의 감광성 물질을 도포하고, 노광 및 현상 공정을 수행하여 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 내지 제3 컬러 필터(151, 152, 153)와 제1 내지 제3 마이크로 렌즈(161, 162, 163)(도 3j 참조) 사이에는 오버 코팅 레이어(over-coating layer; OCL)와 같은 평탄화층이 형성될 수 있다.
도 3j를 참조하면, 제1 내지 제3 컬러 필터(151, 152, 153) 상에 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)에 각기 대응되는 제1 내지 제3 마이크로 렌즈(161, 162, 163)를 형성한다. 예를 들어, 광 투과성 포토레지스트를 이용하여 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)에 각각 대응하는 패턴들을 형성하고, 상기 패턴들을 리플로우 시켜 일정한 곡률을 가지고 상부를 향해 볼록한 형태를 갖는 제1 내지 제3 마이크로 렌즈(161, 162, 163)를 형성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 내지 제3 마이크로 렌즈(161, 162, 163)가 포토 레지스트를 포함하는 경우, 제1 내지 제3 마이크로 렌즈(161, 162, 163)가 그 형상을 유지하도록 베이킹 공정을 수행할 수 있다.
상술한 바에 따르면, 도 3a 내지 도 3j를 참조하여 이미지 센서의 제조 방법을 설명하였으나, 본 발명에 따른 이미지 센서의 제조 방법은 이에 한정되는 것이 아니며 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서를 포함하는 시스템을 나타내는 블록도이다.
도 4를 참조하면, 시스템(300)은 이미지 센서(100), 프로세서(310), 메모리 장치(320), 저장 장치(330), 입출력 장치(340) 및 전원 장치(350)를 포함한다.
프로세서(310)는 특정 계산들 또는 태스크들을 실행하는 특정 소프트웨어를 실행하는 것과 같이 다양한 컴퓨팅 기능들을 실행할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(310)는 마이크로프로세서 또는 중앙 처리 장치일 수 있다. 프로세서(310)는 어드레스 버스, 제어 버스 및/또는 데이터 버스를 통하여 메모리 장치(320)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 메모리 장치(320)는 동적 랜덤 액세스 메모리(dynamic random access memory; DRAM), 정적 랜덤 액세스 메모리(static random access memory; SRAM), 또는 이피롬(erasable programmable read-only memory; EPROM), 이이피롬(electrically erasable programmable read-only memory; EEPROM) 및 플래시 메모리 장치를 포함하는 모든 형태의 비휘발성 메모리일 수 있다. 또한, 프로세서(310)는 주변 구성요소 상호 연결(peripheral component interconnect; PCI) 버스와 같은 확장 버스에 연결될 수 있다. 이에 따라, 프로세서(310)는 키보드, 키패드 또는 마우스와 같은 하나 이상의 입력 장치(340), 프린터 또는 디스플레이 장치와 같은 하나 이상의 출력 장치(340), 또는 솔리드 스테이트 드라이브(solid state drive), 하드 디스크 드라이브 또는 CD-ROM과 같은 하나 이상의 저장 장치(330)를 제어할 수 있다. 또한, 프로세서(310)는 버스 또는 다른 통신 링크를 통해서 이미지 센서(100a)와 통신할 수 있다. 컴퓨터 시스템(300)은 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신하거나, 다른 시스템과 통신할 수 있는 포트를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 이미지 센서(100)는 마이크로프로세서, 중앙 처리 장치, 또는 디지털 신호 처리기와 같은 프로세서(310)과 함께 집적될 수 있고, 메모리 장치(320)가 함께 집적될 수도 있다. 다른 실시예에서, 이미지 센서(300)와 프로세서(310)는 서로 다른 칩에 집적될 수 있다. 시스템(300)은 동작 전압을 공급하기 위한 전원(350)을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 시스템(300)은 컴퓨터, 디지털 카메라, 3차원 카메라, 휴대폰, PDA, 스캐너, 차량용 네비게이션, 비디오 폰, 감시 시스템, 자동 포커스 시스템, 추적 시스템, 동작 감지 시스템, 이 미지 안정화 시스템, 또는 이 외의 이미지 센서를 이용하는 시스템일 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 이미지 센서를 나타내는 단면도이다.
도 5를 참조하면, 이미지 센서(200)는, 반도체 기판(110), 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123), 제1 절연층(130), 제2 절연층(140), 제1 내지 제3 컬러 필터(151, 152, 153) 및 제1 내지 제3 마이크로 렌즈(161, 162, 163)를 구비한다.
반도체 기판(110)은 전면(110a) 및 후면(110b)을 가진다. 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)는 반도체 기판(110) 내에 형성될 수 있다. 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)는 입사광(170)에 상응하는 전기 신호를 생성할 수 있다. 제1 절연층(130)은 반도체 기판(110)의 전면(110a) 상에 형성될 수 있다. 제1 절연층(130)은 상기 전기 신호를 처리하는 전송 및 증폭하는 복수의 게이트들을 포함할 수 있다. 제2 절연층(140)은 반도체 기판(110)의 후면(110b) 상에 형성될 수 있다. 제2 절연층(140)은 제1 및 제2 광 차단 영역(141b, 142b)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 광 차단 영역(141b, 142b)은 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123) 사이의 영역 상에 형성될 수 있다. 제1 내지 제3 컬러 필터(151, 152, 153)는 제2 절연층(140) 상에 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)에 각각 대응하여 형성될 수 있다. 제1 내지 제3 마이크로 렌즈(161, 162, 163)는 제1 내지 제3 컬러 필터(151, 152, 153) 상에 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)에 각각 대응하여 형성될 수 있다.
제2 절연층(140) 내에 형성된 제1 및 제2 광 차단 영역(141b, 142b)은 제1 내지 제3 컬러 필터(151, 152, 153)가 제2 절연층(140) 내로 연장되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(140)은 제1 내지 제3 컬러 필터(151, 152, 153)의 경계선들에 인접한 제1 및 제2 홈(147, 148)을 가지고, 제1 내지 제3 컬러 필터(151, 152, 153)가 제2 절연층(140)의 제1 및 제2 홈들(147, 148)에 채워질 수 있다. 제2 절연층(140)의 제1 및 제2 홈(147, 148)은 제2 절연층(140)의 두께보다 작거나 실질적으로 동일한 깊이를 가지도록 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 이미지 센서(200)는 종래의 이미지 센서 제조 공정에 비하여 제2 절연층(140)에 제1 및 제2 홈(147, 148)을 형성하는 식각(etching)하는 공정만을 추가하여 제조될 수 있다.
제2 절연층(140)의 제1 및 제2 홈(147, 148)에는 서로 다른 컬러 성분들을 투과하는 적어도 두개의 컬러 필터들이 채워질 수 있다. 제1 및 제2 광 차단 영역(141b, 142b)의 상기 적어도 두개의 컬러 필터들은 입사광이 제1 내지 제3 마이크로 렌즈(161, 162, 163)에 의해 회절될 때 생성되는 상기 입사광의 회절 성분을 적어도 두 번 필터링하여 상기 회절 성분을 감소시킬 수 있다.
입사광(170)은 제2 광 감지 소자(122)에 입사되도록 제2 마이크로 렌즈(162)에 의해 경로가 조절되고, 입사광(170)의 주 성분(171)은 제2 광 감지 소자(122)에 도달할 수 있다. 입사광(170)이 제2 마이크로 렌즈(162)에서 회절되는 경우, 입사광(170)의 회절 성분(172)은 제3 광 감지 소자(123)로 향할 수 있다. 제2 절연층(140) 내로 연장된 컬러 필터들(152, 153)은 회절 성분(172)을 두 번 필터링하여 회절 성분(172)을 감소시킬 수 있다. 회절 성분(172)이 제2 차단 영역(142b)에 의해 감소된 성분인 감소 광 성분(174)은 무시할만한 세기를 가지고, 제3 광 감지 소 자(123)의 전하 수집에 실질적으로 영향을 미치지 않을 수 있다.
전술한 바와 같이, 이미지 센서(200)는 제2 절연층(140) 내로 연장된 제1 내지 제3 컬러 필터들(151, 152, 153)이 입사광(170)의 회절 성분을 감소시킴으로써, 광학적 크로스토크를 효율적으로 억제할 수 있다. 또한, 이미지 센서(200)는 전체 면적에서 광 감지 영역이 차지하는 비율의 악화 없이 저비용의 공정 추가만으로 크로스토크를 효율적으로 억제할 수 있다.
도 6은 도 5의 이미지 센서에 포함되는 복수의 컬러 필터들의 분광 특성을 나타내는 그래프이다. 도 6에는 도 5의 제1 내지 제3 컬러 필터(151, 152, 153)의 파장에 따른 광의 투과율이 도시되어 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 제1 내지 제3 컬러 필터(151, 152, 153)는 각기 블루 필터(210), 그린 필터(220) 또는 레드 필터(230) 중 어느 하나의 필터일 수 있다. 블루 필터(210), 그린 필터(220) 및 레드 필터(230)는 파장에 따라 서로 다른 투과율을 가진다. 예를 들어, 제2 광 감지 소자(122)에 상응하는 컬러 필터(152)가 그린 필터(220)이고, 제3 광 감지 소자(123)에 상응하는 컬러 필터(153)가 블루 필터(210)인 경우, 입사광(170)의 회절 성분(172)은 그린 필터(220)에 의해 필터링되고, 그린 필터(220)에 의해 필터링된 회절 성분(172)이 블루 필터(210)에 의해 다시 필터링된다. 이에 따라, 회절 성분(172)이 그린 필터(220) 및 블루 필터(210)에 의해 필터링되어 감소 광 성분(174)은 무시할만한 세기를 가지고, 제3 광 감지 소자(123)의 전하 수집에 실질적으로 영향을 미치지 않을 수 있다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 이미지 센서의 제조 방 법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 7a를 참조하면, 도 3d에 도시된 전면(110a)에 제1 절연층(130)이 형성된 반도체 기판(110)의 후면(110b) 상에 제2 절연층(140)을 형성한다. 제2 절연층(140)은 HDP 산화물, TOSZ, SOG, USG 또는 이들의 조합을 사용하여 형성될 수 있다.
도 7b를 참조하면, 제2 절연층(140)에 제1 및 제2 홈(147, 148)을 형성한다. 제1 및 제2 홈(147, 148)은 마스크를 이용하여 제2 절연층(140)을 식각(etching)함으로써 형성될 수 있다. 제1 및 제2 홈(147, 148)은 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123) 사이의 영역 상에 형성될 수 있다. 제1 및 제2 홈(147, 148)은 제2 절연층(140)의 두께보다 작거나 실질적으로 동일한 깊이를 가지도록 형성될 수 있다.
도 7c를 참조하면, 제2 절연층(140) 상에 제1 내지 제3 컬러 필터(151, 152, 153)를 각기 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)에 대응하도록 배치한다. 제1 내지 제3 컬러 필터(151, 152, 153)는 제2 절연층(140)의 제1 및 제2 홈(147, 148)을 채우도록 형성될 수 있다. 제1 홈(147)에는 제1 컬러 필터(151) 및 제2 컬러 필터(152)가 연장되어 채워지고, 제2 홈(148)에는 제2 컬러 필터(152) 및 제3 컬러 필터(153)가 연장되어 채워질 수 있다. 이에 따라, 입사광이 제1 내지 제3 마이크로 렌즈(161, 162, 163)에 의해 회절될 때 생성되는 상기 입사광의 회절 성분을 적어도 두 번 필터링하여 상기 회절 성분을 감소시킬 수 있다.
도 7d를 참조하면, 제1 내지 제3 컬러 필터(151, 152, 153) 상에 제1 내지 제3 광 감지 소자(121, 122, 123)에 각기 대응되는 제1 내지 제3 마이크로 렌즈(161, 162, 163)를 형성한다. 이와 같이, 도 5의 이미지 센서(200)는 종래의 이미지 센서 제조 공정에 대하여 제2 절연층(140)에 제1 및 제2 홈(147, 148)을 형성하는 식각 공정만을 추가하여 광학적 크로스토크를 효율적으로 억제할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서는 전체 면적에서 광 감지 영역이 차지하는 비율(fill factor)의 악화 없이 광학적 크로스토크(optical crosstalk)를 효율적으로 억제하여 이미지 품질을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 임의의 후면 수광 이미지 센서 및 상기 이미지 센서를 포함하는 시스템에 유용하게 이용될 수 있다. 또한, 본 발명은 컴퓨터, 디지털 카메라, 3차원 카메라, 휴대폰, PDA, 스캐너, 차량용 네비게이션, 비디오 폰, 감시 시스템, 자동 포커스 시스템, 추적 시스템, 동작 감지 시스템, 이미지 안정화 시스템 등에 유용하게 이용될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 이미지 센서에 포함되는 복수의 금속 배선들을 나타내는 평면도이다.
도 3a 내지 도 3j는 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4는 도 1의 이미지 센서를 포함하는 시스템을 나타내는 블록도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 이미지 센서를 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 5의 이미지 센서에 포함되는 복수의 컬러 필터들의 분광 특성을 나타내는 그래프이다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100, 200: 이미지 센서
121, 122, 123: 광 감지 소자
140: 절연층
141a, 142a, 141b, 142b: 광 차단 영역
151, 152, 153: 컬러 필터
161, 162, 163: 마이크로 렌즈
143, 144: 금속 배선
145, 146: 콘택
147, 148: 홈
300: 시스템

Claims (10)

  1. 입사광에 상응하는 전기 신호를 생성하는 복수의 광 감지 소자들;
    반도체 기판의 후면 상에 형성되고, 상기 복수의 광 감지 소자들 사이의 영역 상에 형성된 복수의 광 차단 영역들을 포함하는 절연층;
    상기 절연층 상에 상기 복수의 광 감지 소자들에 각각 대응하여 형성되는 복수의 컬러 필터들; 및
    상기 복수의 컬러 필터들 상에 상기 복수의 광 감지 소자들에 각각 대응하여 형성되는 복수의 마이크로 렌즈들을 포함하고,
    상기 절연층은 상기 복수의 컬러 필터들의 경계선들에 인접한 복수의 홈들을 가지고,
    상기 복수의 컬러 필터들은 상기 절연층의 상기 복수의 홈들에 상응하는 복수의 돌출부들을 가지는 이미지 센서.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 광 차단 영역들은 복수의 금속 배선들을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 복수의 금속 배선들은 상기 입사광이 상기 복수의 마이크로 렌즈들에 의해 회절될 때 생성되는 상기 입사광의 회절 성분을 반사하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 복수의 금속 배선들은 그리드(grid) 형태로 배치된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 복수의 금속 배선들은 접지 배선인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 복수의 광 차단 영역들은 복수의 금속 배선들과 상기 반도체 기판을 연결하는 복수의 콘택들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 광 차단 영역들은 상기 복수의 컬러 필터들이 상기 절연층 내로 연장되어 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 복수의 광 차단 영역들은 상기 입사광이 상기 복수의 마이크로 렌즈들에 의해 회절될 때 생성되는 상기 입사광의 회절 성분을 적어도 두 번 필터링하여 상기 회절 성분을 감소시키는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 복수의 광 차단 영역들 각각은 상기 입사광의 서로 다른 컬러 성분들을 투과하는 적어도 두개의 컬러 필터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  10. 삭제
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