KR102546796B1 - Etchant composition - Google Patents
Etchant composition Download PDFInfo
- Publication number
- KR102546796B1 KR102546796B1 KR1020160059331A KR20160059331A KR102546796B1 KR 102546796 B1 KR102546796 B1 KR 102546796B1 KR 1020160059331 A KR1020160059331 A KR 1020160059331A KR 20160059331 A KR20160059331 A KR 20160059331A KR 102546796 B1 KR102546796 B1 KR 102546796B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- etchant composition
- film
- indium oxide
- oxide film
- acid
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/30—Acidic compositions for etching other metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/32—Alkaline compositions
- C23F1/40—Alkaline compositions for etching other metallic material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
본 발명에 따른 식각액 조성물은 질산, 카르복실기를 포함하면서 탄소수가 4 내지 8인 화합물, 고리형 아민 화합물 및 물을 특정 함량으로 포함함으로써, 은이온의 환원반응이 발생하지 않고, 잔사 및 과침식을 제어할 수 있다.The etchant composition according to the present invention contains nitric acid, a compound having 4 to 8 carbon atoms while containing a carboxyl group, a cyclic amine compound, and water in specific amounts, thereby preventing silver ion reduction and controlling residue and over-erosion. can do.
Description
본 발명은 잔사 및 과침식이 발생하는 것을 방지할 수 있는 식각액 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to an etchant composition capable of preventing residue and over-erosion from occurring.
최근 디스플레이 패널의 대면적화 및 고해상도화에 따라, 화소 전극이 형성되는 픽셀(pixel)의 개수도 증가하고 있다. 한정된 공간에 많은 수의 화소 전극을 형성하기 위해서는, 화소 전극을 형성하는 패턴의 크기를 감소시켜야 하지만, 단순히 패턴의 크기를 감소시키는 것에는 한계가 있으므로, 화소 전극의 식각 속도를 조절하여, 화소 전극을 형성하는 방법도 사용되고 있다. 한편, 상기 화소 전극을 구동시키기 위한 박막 트랜지스터(thinfilm transistor, TFT) 회로가 상기 화소 전극과 중첩되어 형성된다. 여기서, 상기 화소 전극은 일반적으로 인듐산화막으로 이루어지고, 상기 화소 전극과 중첩되는 박막 트랜지스터의 게이트 및 소스-드레인 전극은 몰리브덴, 티타늄, 구리, 은, 알루미늄 등의 금속막으로 이루어진다. [0003] As display panels have become larger in size and higher in resolution, the number of pixels in which pixel electrodes are formed is also increasing. In order to form a large number of pixel electrodes in a limited space, it is necessary to reduce the size of the pattern forming the pixel electrodes. However, since there is a limit to simply reducing the size of the pattern, the etching rate of the pixel electrodes is adjusted to reduce the size of the pixel electrodes. A method of forming is also used. Meanwhile, a thin film transistor (TFT) circuit for driving the pixel electrode is overlapped with the pixel electrode. Here, the pixel electrode is generally made of an indium oxide film, and the gate and source-drain electrodes of the thin film transistor overlapping the pixel electrode are made of a metal film such as molybdenum, titanium, copper, silver, or aluminum.
이때, 금속막으로는 일반적으로 알루미늄을 많이 사용하는데, 순수한 알루미늄은 화학약품에 대한 내식성이 약하고 후속공정에서 배선 결함문제를 야기할 수도 있으므로, 이를 보완하기 위해 알루미늄 합금을 사용하거나 알루미늄 또는 알루미늄 합금 위에 또 다른 금속층 예를 들어 몰리브덴, 크롬, 텅스텐, 주석 등의 금속층을 적층시킨 다중층을 사용하기도 한다.At this time, aluminum is generally used as the metal film. Pure aluminum has weak corrosion resistance to chemicals and may cause wiring defects in subsequent processes. To compensate for this, aluminum alloy is used or aluminum or aluminum alloy is Another metal layer, for example, may use a multi-layer stacked with metal layers such as molybdenum, chromium, tungsten, and tin.
그러나 근래에 들어 액정표시장치의 고해상도 및 대형화에 대한 요구가 증대되어 왔으며, 이를 실현하기 위해서 알루미늄 보다 낮은 저항을 가지는 금속막을 사용하고자 하는 연구가 계속되어 왔다. 이에 따라 알루미늄(비저항: 2.65μΩcm) 보다 낮은 저항을 가지는 은(비저항: 1.59μΩcm)을 사용하여 배선을 형성하는 기술이 진행되어 왔다.However, in recent years, the demand for high resolution and large size of the liquid crystal display device has increased, and in order to realize this, research to use a metal film having a lower resistance than aluminum has been continued. Accordingly, a technique of forming a wire using silver (resistivity: 1.59 μΩ cm) having a lower resistance than aluminum (resistivity: 2.65 μΩ cm) has been progressing.
또한, 화소전극으로 사용되는 인듐산화막은 빛에 대한 투과율이 비교적 뛰어나고, 도전성을 갖고, 예를 들면, 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide, 이하 'IZO'로 칭함)막, 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide, 이하 'ITO'로 칭함)막 등을 들 수 있다.In addition, the indium oxide film used as the pixel electrode has relatively excellent light transmittance and conductivity, and is, for example, an indium zinc oxide (hereinafter referred to as 'IZO') film or an indium tin oxide (Indium Tin Oxide) film. , hereinafter referred to as 'ITO') films and the like.
이러한 인듐 산화막을 가지고 화소전극을 형성하는 방법은 스퍼터링(sputtering)법을 이용하여 유리 기판 위에 인듐산화막(IZO막 또는 ITO막)을 마련하고, 그 위에 포토레지스트(photoresist)를 코팅하고 노광 및 현상 공정을 통하여 패턴을 형성한 다음, 인듐산화막을 식각하여 전극을 형성하게 된다.A method of forming a pixel electrode with such an indium oxide film is to prepare an indium oxide film (IZO film or ITO film) on a glass substrate using a sputtering method, coat photoresist thereon, and perform exposure and development processes. After forming a pattern through, the indium oxide film is etched to form an electrode.
그러나, 비교적 얇은 100Å 두께 이하의 인듐산화막을 식각하거나 금속막 및 인듐산화막의 이중막 식각 시에는 금속막의 팁(tip)이 발생하여, 테이퍼 각(taper Angle) 등의 불량을 발생할 수도 있으며, 화학반응으로 식각이 용이하지 않은 물질임에 따라, 잔사, 잔막 등의 석출물을 발생시키는 문제점이 있다.However, when etching a relatively thin indium oxide film with a thickness of less than 100 Å or etching a double layer of a metal film and an indium oxide film, a tip of the metal film may occur, and defects such as a taper angle may occur, and chemical reactions may occur. As it is a material that is not easily etched, there is a problem of generating precipitates such as residues and residual films.
대한민국 공개특허 제10-2012-0093499호는 인듐 산화막의 비할로겐성 식각액 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법에 관한 것으로, 비할로겐성 식각액은 질산, 황산, 암모늄을 포함하는 부식 방지제, 고리형 아민 화합물 및 물을 포함하고 있다.Republic of Korea Patent Publication No. 10-2012-0093499 relates to a non-halogen etchant for indium oxide film and a method for manufacturing a display substrate using the same, wherein the non-halogen etchant is nitric acid, sulfuric acid, a corrosion inhibitor including ammonium, and a cyclic amine compound and water.
그러나, 상기 선행문헌은 100Å 두께 이하의 인듐산화막을 식각할 때, 과식각 불량 및 잔사가 발생하거나, 은 합금막과 인듐산화막의 다층막을 식각할 시 식각액 내의 황산에 의해 난용성의 황화은이 발생할 수 있는 문제점이 있다.However, in the prior literature, when etching an indium oxide film having a thickness of 100 Å or less, overetching defects and residues may occur, or when etching a multilayer film of a silver alloy film and an indium oxide film, poorly soluble silver sulfide may be generated by sulfuric acid in the etchant. There is a problem with
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로서, 질산, 카르복실기를 포함하는 탄소수가 4 내지 8인 화합물, 고리형 아민 화합물 및 물을 특정 함량으로 포함함으로써, 잔사 및 과침식이 발생하는 것을 방지할 수 있는 식각액 조성물을 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the above problems, and it is possible to prevent residue and excessive erosion by including nitric acid, a compound having 4 to 8 carbon atoms including a carboxyl group, a cyclic amine compound, and water in specific amounts. The purpose is to provide an etchant composition that can be.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 식각액 조성물은 질산 5 내지 10중량%; 카르복실기를 포함하는 탄소수 4 내지 8인 화합물 0.1 내지 5중량%; 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5중량%; 및 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 한다.An etchant composition according to the present invention for achieving the above object includes 5 to 10% by weight of nitric acid; 0.1 to 5% by weight of a compound having 4 to 8 carbon atoms including a carboxyl group; 0.1 to 5% by weight of a cyclic amine compound; And characterized in that it comprises a residual amount of water.
상기한 바와 같이 본 발명에 따른 식각액 조성물은 질산, 카르복실기를 포함하고 탄소수가 4 내지 8인 화합물, 고리형 아민 화합물 및 물을 특정 함량으로 포함함으로써, 잔사 및 과침식이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.As described above, the etchant composition according to the present invention includes nitric acid, a compound containing a carboxyl group and having 4 to 8 carbon atoms, a cyclic amine compound, and water in a specific amount, thereby preventing residue and excessive erosion. It works.
도 1은 실시예 1, 실시예 2, 비교예 1 및 비교예 4의 식각액 조성물에 따른 식각 유무/잔사, 과침식 및 하부막 손상(damage)을 나타낸 SEM 사진을 나타낸 것이다.1 shows SEM images showing the presence/absence of etching/residue, over-erosion, and damage to the lower film according to the etchant compositions of Examples 1, 2, Comparative Example 1, and Comparative Example 4.
본 발명에 따른 식각액 조성물은 은과 인듐산화막으로 이루어진 다층 박막 금속층에서 인듐산화막을 선택적으로 식각하는 것으로, 질산 5 내지 10중량%; 카르복실기를 포함하는 탄소수 4 내지 8인 화합물 0.1 내지 5중량%; 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5중량%; 및 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 한다.The etchant composition according to the present invention selectively etches an indium oxide film in a multi-layer thin metal layer composed of silver and an indium oxide film, 5 to 10% by weight of nitric acid; 0.1 to 5% by weight of a compound having 4 to 8 carbon atoms including a carboxyl group; 0.1 to 5% by weight of a cyclic amine compound; And characterized in that it comprises a residual amount of water.
본 발명의 다층 박막 금속층은 막의 구성성분 중에 인듐산화막이 포함되는 것으로서, 인듐산화막의 단일막; 및 은 및 은 합금막 중에서 선택되는 하나 이상의 막과 인듐산화막으로 이루어진 다층막을 포함한다. 상기 다층막의 예로는, 은/인듐산화막, 은 합금막/인듐산화막, 인듐산화막/은 합금막/인듐산화막 등의 2중막 또는 3중막을 들 수 있다.The multi-layer thin metal layer of the present invention includes an indium oxide film among the components of the film, and includes a single film of the indium oxide film; and a multilayer film composed of at least one film selected from silver and silver alloy films and an indium oxide film. Examples of the multilayer film include double or triple films such as a silver/indium oxide film, a silver alloy film/indium oxide film, an indium oxide film/silver alloy film/indium oxide film, and the like.
상기 질산은 인듐을 포함하는 인듐 금속 산화막을 식각하는 주성분으로서 인듐산화막을 산화시켜 습식 식각하는 역할을 할 수 있으며, 인듐 산화막의 잔사 발생을 최소화할 수 있다.The nitrate is a main component for etching the indium metal oxide film containing indium, and may play a role of wet etching by oxidizing the indium oxide film, and may minimize the generation of residues of the indium oxide film.
상기 질산은 식각액 조성물의 총 중량%에 대하여 5 내지 10중량%를 포함하는 것이 바람직하며, 질산의 함량이 상기 범위 미만이면 인듐을 포함하는 금속 산화막의 식각이 안되거나 식각속도가 아주 느리며, 상기 범위를 초과할 경우에는 식각 속도는 전체적으로 빨라지지만 식각공정을 컨트롤하는 것이 어려워지거나, 전체 질산량이 증가하여 폐수처리량이 증가할 수 있다.It is preferable to include 5 to 10% by weight based on the total weight% of the silver nitrate etchant composition, and if the content of nitric acid is less than the above range, the metal oxide film containing indium may not be etched or the etching rate is very slow, and the above range If it is exceeded, the etching rate increases overall, but it becomes difficult to control the etching process, or the total amount of nitric acid increases, which may increase the amount of wastewater treatment.
상기 카르복실기를 포함하는 탄소수 4 내지 8인 화합물은 인듐산화막의 잔사를 제거하면서, 은 합금막을 포함한 이중막 또는 삼중막에서 상하부 인듐산화막의 과침식을 제어할 수 있다. 이때, 탄소수가 4 미만일 경우에는 잔사를 제거하는 효과는 있으나 과침식 제어가 불가할 수 있으며, 탄소수가 8을 초과할 경우에는 인듐산화막의 식각속도가 현저히 저하될 수 있다.The compound having 4 to 8 carbon atoms including a carboxyl group can control over-erosion of the upper and lower indium oxide layers in the double or triple layer including the silver alloy layer while removing residues of the indium oxide layer. At this time, if the carbon number is less than 4, the effect of removing the residue may be effective, but over-erosion control may not be possible, and if the carbon number exceeds 8, the etching rate of the indium oxide film may be significantly reduced.
이때, 상기 카르복실기를 포함하는 탄소수 4 내지 8인 화합물은 타타르산(Tartaric acid), 말산(Malic acid), 말레산(Maleic acid), 시트르산(Citric acid), 석신산(Succinic acid) 및 아디프산(adipic acid)으로 이루어진 군으로 부터 적어도 하나 이상을 포함하는 것이 바람직하다.At this time, the compound having 4 to 8 carbon atoms including a carboxyl group is tartaric acid, malic acid, maleic acid, citric acid, succinic acid and adipic acid. It is preferable to include at least one or more from the group consisting of (adipic acid).
상기 카르복실기를 포함하는 탄소수 4 내지 8인 화합물은 식각액 조성물의 총 중량%에 대하여 0.1 내지 5중량%를 포함하는 것이 바람직하며, 카르복실기를 포함하는 탄소수 4 내지 8인 화합물이 상기 범위 미만일 경우에는 인듐산화막의 과침식이 발생하여 인듐산화막이 상부에 있을 경우 포토레지스트의 이탈이 발생하거나 하부에 있을 경우 금속막의 들뜸이 발생할 수 있다. 또한, 카르복실기를 포함하는 탄소수 4 내지 8인 화합물이 상기 범위를 초과할 경우 인듐산화막의 식각속도가 느려질 수 있다. It is preferable to include 0.1 to 5% by weight of the compound having 4 to 8 carbon atoms including the carboxyl group based on the total weight% of the etchant composition, and when the compound having 4 to 8 carbon atoms including the carboxyl group is less than the above range, the indium oxide film If the indium oxide film is on the upper part due to excessive erosion, the photoresist may be separated, or the metal film may be lifted when the indium oxide film is on the lower part. In addition, when the compound having 4 to 8 carbon atoms including a carboxyl group exceeds the above range, the etching rate of the indium oxide film may be slowed down.
상기 고리형 아민 화합물은 식각액으로 식각하고자 하는 막질의 하부에 구리, 알루미늄, 몰리브덴, 티타늄 등의 하부막이 존재할 시 식각액에 의해 발생할 수 있는 하부막의 손상 발생률을 낮출 수 있다.The cyclic amine compound can reduce the rate of damage to the lower layer that can be caused by the etchant when there is a lower layer of copper, aluminum, molybdenum, titanium, etc. under the layer to be etched with the etchant.
상기 고리형 아민 화합물은 피롤(pyrrole)계, 피라졸(pyrazole)계, 이미다졸(imidazole)계, 트리아졸(triazole)계, 테트라졸(tetrazole)계, 펜타졸(pentazole)계, 옥사졸(oxazole)계, 이소옥사졸(isoxazole)계, 티아졸(thiazole)계, 이소티아졸(isothiazole) 계로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 트리아졸계로서는 벤조트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸, 톨리트리아졸에서 선택되는 1종 이상인 것이 보다 바람직하다. 테트라졸계로서는 3-메틸테트라졸, 3-아미노테트라졸, 5-메틸테트라졸 및 5-아미노테트라졸에서 선택되는 1종 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 발명에서는 벤조트리아졸인 것이 가장 바람직하다.The cyclic amine compound is a pyrrole-based, pyrazole-based, imidazole-based, triazole-based, tetrazole-based, pentazole-based, oxazole ( It is preferable to include at least one selected from the group consisting of oxazole, isoxazole, thiazole, and isothiazole. Moreover, as a triazole type, it is more preferable that it is 1 or more types chosen from benzotriazole, 1,2,4-triazole, 3-amino-1,2,4-triazole, and tolytriazole. The tetrazole type is more preferably at least one selected from 3-methyltetrazole, 3-aminotetrazole, 5-methyltetrazole and 5-aminotetrazole. Further, in the present invention, benzotriazole is most preferred.
상기 고리형 아민 화합물은 식각액 조성물의 총 중량%에 대하여 0.1 내지 5중량%를 포함하는 것이 바람직하며, 고리형 아민 화합물이 상기 범위 미만일 경우에는 하부막의 손상 발생률을 낮추기 어렵고, 상기 범위를 초과할 경우에는 인듐산화막의 식각력이 감소되므로 인듐산화막의 식각 후 잔사 발생률을 증가시킬 수 있으며, 식각 속도가 저하될 수 있다.The cyclic amine compound preferably includes 0.1 to 5% by weight based on the total weight% of the etchant composition, and when the cyclic amine compound is less than the above range, it is difficult to lower the rate of damage to the lower film. Since the etching power of the indium oxide film is reduced in the case of the indium oxide film, the generation rate of residue after etching the indium oxide film may be increased, and the etching rate may be reduced.
상기 물은 탈이온수(Delonized water)인 것이 바람직하며, 이, 물은 물속에서 이온이 제거된 정도를 보여주는 물의 비저항값이 18MΩ·㎝이상인 탈이온수를 사용하는 것이 보다 바람직하다.The water is preferably deionized water, and it is more preferable to use deionized water having a specific resistance value of 18 MΩ·cm or more, which shows the degree to which ions are removed from the water.
상기 물은 식각액 조성물 총 중량%에 대하여, 잔량으로 포함되는 것이 바람직하다.The water is preferably included in a residual amount based on the total weight % of the etchant composition.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다. 또한, 이하에서 함유량을 나타내는 "%" 및 "부"는 특별히 언급하지 않는 한 중량 기준이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail through examples. However, the following examples are intended to explain the present invention in more detail, and the scope of the present invention is not limited by the following examples. The following examples may be appropriately modified or changed by those skilled in the art within the scope of the present invention. In addition, "%" and "parts" indicating content below are based on weight unless otherwise specified.
실시예Example 1 내지 5 및 1 to 5 and 비교예comparative example 1 내지 8 1 to 8
하기 표 1 의 성분 및 조성(중량%)를 포함하는 식각액 조성물 10kg을 제조하였다.10 kg of an etchant composition containing the ingredients and compositions (% by weight) of Table 1 was prepared.
실험예Experimental example
실시예 1 내지 5, 비교예 1 내지 8의 식각액 조성물을 각각 사용하여 식각 공정을 실시하였다. 식각 공정은 분사식 식각 방식의 실험장비(모델명: ETCHER(TFT), SEMES사)를 이용하였고, 식각 공정시 식각액 조성물의 온도는 40℃로 하였으며, 총 식각 시간은 에칭 공정에서 40초로 진행하였다. An etching process was performed using the etchant compositions of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 8, respectively. The etching process used spray etching type experimental equipment (model name: ETCHER (TFT), SEMES), the temperature of the etchant composition during the etching process was set to 40 ° C, and the total etching time was 40 seconds in the etching process.
상기 식각 공정에서 식각된 금속막의 프로파일을 단면 SEM(Hitachi사 제품, 모델명 S-4700)을 사용하여 검사하였다. The profile of the metal film etched in the etching process was inspected using a cross-sectional SEM (manufactured by Hitachi, model name: S-4700).
식각 유무 및 잔사는 식각공정에 사용된 인듐산화막의 경우 a-ITO 단일막을 이용하였다. 또한, 과침식은 a-ITO/Ag/a-ITO 삼중막의 상부 a-ITO와 은(Ag)을 에칭한 후 하부의 a-ITO를 본 발명의 식각액으로 식각하여 판단하였다. 마지막으로 하부막 손상은 티타늄(Ti)과 알루미늄(Al) 금속막을 5분간 식각하여 판단하였다. In the case of the indium oxide film used in the etching process, a-ITO single film was used for the presence or absence of etching and residue. In addition, over-erosion was determined by etching the upper a-ITO and silver (Ag) of the a-ITO/Ag/a-ITO triple layer and then etching the lower a-ITO with the etchant of the present invention. Finally, damage to the lower film was determined by etching the titanium (Ti) and aluminum (Al) metal films for 5 minutes.
이때, 식각 유무, 잔사, 과침식 및 하부막 손상은 모두 육안으로 확인하였으며, 평가 기준은 하기와 같으며, 하기 표 2에 기재하였다.At this time, the presence or absence of etching, residue, over-erosion, and damage to the lower film were all visually confirmed, and the evaluation criteria were as follows, and are listed in Table 2 below.
<평가 기준> <Evaluation Criteria>
식각유무Etching presence or absence
○: SEM 사진에서 배선의 형성을 확인 할 수 있음○: The formation of wiring can be confirmed in the SEM picture
X: SEM 사진에서 배선의 형성을 확인 할 수 없음 (배선이 형성되지 않음)X: The formation of wiring could not be confirmed in the SEM picture (no wiring was formed)
잔사residue
○: SEM 사진에서 배선부가 아닌 부분(식각부)에 인듐산화막의 잔사가 남음○: Residues of the indium oxide film remain in the part (etching part) other than the wiring part in the SEM picture
X: SEM 사진에서 배선부가 아닌 부분(식각부)에 인듐산화막의 잔사가 없이 깨끗함X: In the SEM picture, the part (etching part) that is not the wiring part is clean with no residue of the indium oxide film.
과침식overerosion
○: SEM 사진에서 a-ITO/Ag/a-ITO 삼중막의 상하부 a-ITO가 과식각 되어 Ag막이 들뜨는 현상이 발생○: In the SEM picture, a-ITO on the top and bottom of the a-ITO/Ag/a-ITO triple layer is over-etched, causing the Ag film to be lifted.
X: SEM 사진에서 a-ITO/Ag/a-ITO 삼중막의 상하부 a-ITO가 과식각 되지 않음X: In the SEM picture, the upper and lower a-ITO of the a-ITO/Ag/a-ITO triple layer is not overetched.
하부막lower membrane 손상 damaged
○: SEM 사진에서 Ti/Al/Ti 삼중막의 Al이 식각됨○: Al of the Ti/Al/Ti triple film is etched in the SEM picture
X: SEM 사진에서 Ti/Al/Ti 삼중막의 Al이 식각되지 않음X: Al in the Ti/Al/Ti triple film is not etched in the SEM picture
상기 표 2 및 하기 도면 1을 참조하면, 실시예 1 내지 5의 경우 모두 식각 되었으며, a-ITO 단일막에서 잔사가 발생하지 않았으며, 과침식 및 하부막 손상이 모두 발생하지 않은 것을 알 수 있다.Referring to Table 2 and Figure 1 below, it can be seen that all of Examples 1 to 5 were etched, no residue was generated in the a-ITO single layer, and neither over-erosion nor damage to the lower layer occurred. .
그러나, 비교예 1의 경우에는 a-ITO 단일막에서 식각되지 않았으나, 과침식이나 하부막 손상은 발생하지 않은 것을 알 수 있다. 또한, 비교예 2의 경우에는 a-ITO 단일막에서 잔사가 발생하였으며 하부 과침식이 발생하여 금속막이 들뜨는 현상이 발생한 것을 알 수 있다. 또한, 비교예 3 내지 8은 잔사, 과침식 및 하부막 손상 중 적어도 하나 이상은 발생한 것을 알 수 있다.However, in the case of Comparative Example 1, although the a-ITO single layer was not etched, it can be seen that over-erosion or damage to the lower layer did not occur. In addition, in the case of Comparative Example 2, it can be seen that residues were generated in the a-ITO single film, and the metal film was lifted due to the occurrence of over-erosion at the bottom. In addition, it can be seen that in Comparative Examples 3 to 8, at least one of residue, over-erosion, and lower film damage occurred.
Claims (8)
카르복실기를 포함하는 탄소수 4 내지 8인 화합물 0.1 내지 5중량%;
고리형 아민 화합물 0.1 내지 5중량%; 및
물 잔량을 포함하며,
상기 카르복실기를 포함하는 탄소수 4 내지 8인 화합물은, 타타르산, 말산, 말레산, 시트르산, 석신산 및 아디프산으로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 이상을 포함하며,
상기 식각액 조성물은, 은 및 은 합금막 중에서 선택되는 하나 이상의 막과 인듐산화막을 포함하는 다층막에서 인듐산화막을 선택적으로 식각하기 위한 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.5 to 10% by weight of nitric acid;
0.1 to 5% by weight of a compound having 4 to 8 carbon atoms including a carboxyl group;
0.1 to 5% by weight of a cyclic amine compound; and
Including the residual amount of water,
The compound having 4 to 8 carbon atoms including a carboxyl group includes at least one from the group consisting of tartaric acid, malic acid, maleic acid, citric acid, succinic acid and adipic acid,
The etchant composition is an etchant composition, characterized in that for selectively etching the indium oxide film in a multilayer film comprising at least one film selected from silver and silver alloy films and an indium oxide film.
상기 고리형 아민 화합물은
피롤(pyrrole)계, 피라졸(pyrazole)계, 이미다졸(imidazole)계, 트리아졸(triazole)계, 테트라졸(tetrazole)계, 펜타졸(pentazole)계, 옥사졸(oxazole)계, 이소옥사졸(isoxazole)계, 티아졸(thiazole)계, 이소티아졸(isothiazole)계로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.According to claim 1,
The cyclic amine compound is
Pyrrole, pyrazole, imidazole, triazole, tetrazole, pentazole, oxazole, isoxa An etchant composition comprising at least one selected from the group consisting of isoxazole, thiazole, and isothiazole.
상기 트리아졸계는
벤조트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸, 톨리트리아졸로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.According to claim 3,
The triazole type
An etchant composition comprising at least one selected from the group consisting of benzotriazole, 1,2,4-triazole, 3-amino-1,2,4-triazole, and tolytriazole.
상기 테트라졸계는
3-메틸테트라졸, 3-아미노테트라졸, 5-메틸테트라졸 및 5-아미노테트라졸로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.According to claim 3,
The tetrazole system
An etchant composition comprising at least one selected from the group consisting of 3-methyltetrazole, 3-aminotetrazole, 5-methyltetrazole and 5-aminotetrazole.
상기 물은 탈이온수인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.According to claim 1,
The water is an etchant composition, characterized in that deionized water.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160059331A KR102546796B1 (en) | 2016-05-16 | 2016-05-16 | Etchant composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160059331A KR102546796B1 (en) | 2016-05-16 | 2016-05-16 | Etchant composition |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170128819A KR20170128819A (en) | 2017-11-24 |
KR102546796B1 true KR102546796B1 (en) | 2023-06-22 |
Family
ID=60810280
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160059331A KR102546796B1 (en) | 2016-05-16 | 2016-05-16 | Etchant composition |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102546796B1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102554816B1 (en) | 2018-04-23 | 2023-07-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | Echant composition and manufacturing method of metal pattern using the same |
KR102659176B1 (en) | 2020-12-28 | 2024-04-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | Etching composition for thin film containing silver, method for forming pattern and method for manufacturing a display device using the same |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101774484B1 (en) | 2011-02-15 | 2017-09-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | Non-halogenated etchant for etching an indium oxide layer and method of manufacturing a display substrate using the non-halogenated etchant |
KR20130025614A (en) * | 2011-09-02 | 2013-03-12 | 동우 화인켐 주식회사 | An etching solution composition for metal layer containing copper/metal oxide layer containing gallium |
KR102009250B1 (en) * | 2011-09-09 | 2019-08-12 | 동우 화인켐 주식회사 | Method for manufacturing display device and an etching solution composition for metal layer containing copper/metal oxide layer |
KR101766775B1 (en) * | 2011-12-26 | 2017-08-10 | 동우 화인켐 주식회사 | An etching solution composition for metal layer containing copper/metal oxide layer containing gallium |
KR20140082186A (en) * | 2012-12-24 | 2014-07-02 | 동우 화인켐 주식회사 | Etchant composition for Ag thin layer and method for fabricating metal pattern using the same |
KR101960342B1 (en) * | 2013-02-28 | 2019-03-21 | 동우 화인켐 주식회사 | Echaing composition, method of preparing metal line and method of manufacturing array substrate using the same |
-
2016
- 2016-05-16 KR KR1020160059331A patent/KR102546796B1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20170128819A (en) | 2017-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5841772B2 (en) | Multi-layer etching solution composition and etching method thereof | |
KR20170120504A (en) | Etching composition for mono-layed film or multi-layed film, and etching method using the same | |
KR102293675B1 (en) | Etching solution composition for copper-based metal layer and method for etching copper-based metal layer using the same | |
TWI632670B (en) | Method of manufacturing array substrate for liquid crystal display | |
KR102269327B1 (en) | Etchant composition and manufacturing method of an array for liquid crystal display | |
KR102546796B1 (en) | Etchant composition | |
KR102603630B1 (en) | Manufacturing method of an array substrate for a display divice | |
KR102412268B1 (en) | Manufacturing method of an array substrate for crystal display | |
CN108342734B (en) | Etching solution composition, method for manufacturing array substrate for display device and array substrate | |
KR102269325B1 (en) | Etching solution composition for molybdenum-containing layer and manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display using the same | |
CN111172542B (en) | Silver thin film etching solution composition, etching method and metal pattern forming method | |
KR102459685B1 (en) | Etchant for cupper-based metat layer, manufacturing method of an array substrate for display using the same and an array substrate for display | |
KR102368365B1 (en) | Etchant for cupper-based metat layer and manufacturing method of thin film transistor array substrate using the same and a thin film transistor array substrate | |
KR102384564B1 (en) | Composition for Etching Indium Oxide Layer and Molybdenum Layer | |
KR102400569B1 (en) | Etching solution composition for indium oxide layer and manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display using the same | |
KR100595910B1 (en) | Etchant composition for pixel layer of FPD | |
KR100595913B1 (en) | Etchant composition for pixel layer of FPD | |
KR102680504B1 (en) | Etchant composition and manufacturing method of an array substrate for display device using the same | |
KR102371075B1 (en) | Composition for Etching Aluminum-Containing Metal Layer | |
KR102303076B1 (en) | Etching solution composition for indium oxide layer and manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display using the same | |
KR102265897B1 (en) | Etching solution composition for molybdenum-containing layer and manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display using the same | |
KR102513169B1 (en) | Etchant composition for etching an indium oxide layer and method of manufacturing a display substrate using the etchant composition | |
KR102310095B1 (en) | Manufacturing method of an array for liquid crystal display | |
KR102367814B1 (en) | Etching solution composition for molybdenum-containing layer and manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display using the same | |
KR102169571B1 (en) | Manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |