KR102544424B1 - Laminate substrate, conductive substrate, method for manufacturing a laminate substrate, and method for manufacturing a conductive substrate - Google Patents

Laminate substrate, conductive substrate, method for manufacturing a laminate substrate, and method for manufacturing a conductive substrate Download PDF

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Abstract

투명 기재와, 상기 투명 기재의 적어도 한쪽면 측에 형성된 적층체를 포함하고, 상기 적층체는, 구리와 니켈을 함유하는 저반사율 합금층과, 구리층을 포함하며, 상기 저반사율 합금층에 포함되는 상기 구리 및 상기 니켈 중 상기 니켈의 비율이 30 질량% 이상 85 질량% 이하인 적층체 기판을 제공한다.It includes a transparent substrate and a laminate formed on at least one side of the transparent substrate, wherein the laminate includes a low reflectance alloy layer containing copper and nickel, and a copper layer, included in the low reflectance alloy layer. It provides a laminate substrate in which the ratio of the nickel among the copper and the nickel is 30% by mass or more and 85% by mass or less.

Description

적층체 기판, 도전성 기판, 적층체 기판 제조방법 및 도전성 기판 제조방법Laminate substrate, conductive substrate, method for manufacturing a laminate substrate, and method for manufacturing a conductive substrate

본 발명은 적층체 기판, 도전성 기판, 적층체 기판 제조방법 및 도전성 기판 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a laminate substrate, a conductive substrate, a method for manufacturing a laminate substrate, and a method for manufacturing a conductive substrate.

특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같이, 투명한 고분자 필름 등의 투명 기재(基材)의 표면에 투명 도전막으로서 ITO(산화인듐-주석) 막을 형성한 터치 패널용 투명 도전성 필름이 종래부터 사용되고 있다.As disclosed in Patent Literature 1, a transparent conductive film for a touch panel in which an ITO (indium-tin oxide) film is formed as a transparent conductive film on the surface of a transparent substrate such as a transparent polymer film has conventionally been used.

그런데, 근래에 터치 패널을 구비한 디스플레이의 대화면화가 진행되고 있고, 이에 대응하여 터치 패널용 투명 도전성 필름 등의 도전성 기판에 대해서도 대면적화가 요구되고 있다. 그러나, ITO는 전기 저항값이 커서 도전성 기판의 대면적화에 대응할 수 없다는 문제가 있었다.By the way, in recent years, a display having a touch panel has been made larger, and in response to this, a larger area is also required for a conductive substrate such as a transparent conductive film for a touch panel. However, ITO has a problem in that it has a large electrical resistance value and cannot cope with the large area of the conductive substrate.

이에, 예를 들어 특허문헌 2,3에 개시되어 있는 바와 같이, ITO 배선 대신에 구리 등의 배선을 사용하는 것이 검토되어 있다. 그러나, 예를 들어, 배선에 구리를 사용하는 경우, 구리는 금속 광택을 가지므로, 반사에 의해 디스플레이의 시인성(視認性)이 저하된다는 문제가 있다.Therefore, as disclosed in Patent Literatures 2 and 3, for example, using copper wiring instead of ITO wiring has been studied. However, for example, when copper is used for wiring, there is a problem that the visibility of the display is lowered due to reflection because copper has a metallic luster.

그리하여, 구리 등의 배선에 더하여, 배선에 있어 투명 기재 표면에 평행한 면에 흑색 재료로 구성되는 흑화(黑化)층을 형성한 도전성 기판이 검토되어 있다.Therefore, in addition to wiring of copper or the like, a conductive substrate in which a blackening layer composed of a black material is formed on a surface parallel to the surface of the transparent substrate in the wiring is studied.

일본국 공개특허공보 특개2003-151358호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-151358 일본국 공개특허공보 특개2011-018194호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-018194 일본국 공개특허공보 특개2013-069261호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-069261

그런데, 투명 기재 상에 구리 배선을 구비한 도전성 기판은, 투명 기재 표면에 구리층을 형성한 적층체 기판을 얻은 후에, 원하는 배선 패턴이 되도록 구리층을 에칭하여 구리 배선을 형성함으로써 얻을 수 있다. 또한, 투명 기재 상에 흑화층과 구리 배선을 갖는 도전성 기판은, 투명 기재 표면에 흑화층과 구리층의 순서로 적층한 적층체 기판을 얻은 후에, 원하는 배선 패턴이 되도록 흑화층과 구리층을 에칭하여 배선을 형성함으로써 얻을 수 있다.Incidentally, a conductive substrate provided with copper wiring on a transparent substrate can be obtained by obtaining a laminate substrate in which a copper layer is formed on the surface of the transparent substrate, then etching the copper layer to form a desired wiring pattern to form copper wiring. Further, the conductive substrate having the blackening layer and the copper wiring on the transparent substrate is obtained by laminating the blackening layer and the copper layer in this order on the surface of the transparent substrate, and then etching the blackening layer and the copper layer so as to form a desired wiring pattern. It can be obtained by forming a wiring by doing.

흑화층 및 구리층을 에칭함으로써, 예를 들어 도 1a에 나타내는 바와 같이, 투명 기재(1) 상에 패턴화된 흑화층(2)과 구리층을 패턴화한 구리 배선(3)이 적층된 도전성 기판으로 할 수 있다. 이 경우, 패턴화된 흑화층(2)의 폭(WA)과 구리 배선(3)의 폭(WB)을 대략 동일하게 하는 것이 바람직하다.By etching the blackening layer and the copper layer, for example, as shown in FIG. 1A, the blackening layer 2 patterned on the transparent base material 1 and the copper wiring 3 patterned copper layer are laminated to form conductivity. You can do it with a substrate. In this case, it is preferable to make the width (W A ) of the patterned blackening layer 2 and the width (W B ) of the copper wiring 3 substantially the same.

그러나, 에칭액에 대한 반응성이 구리층과 흑화층에서 크게 다르다는 문제가 있었다. 즉, 구리층과 흑화층을 동시에 에칭하려고 하면, 어느 한 쪽의 층에 대해서는 도 1a에 나타내는 것과 같이 목표로 하는 형상으로 에칭할 수 없다는 문제가 있었다.However, there was a problem that the reactivity to the etching solution was greatly different between the copper layer and the blackening layer. That is, if the copper layer and the blackening layer were to be etched simultaneously, there was a problem that either layer could not be etched into a target shape as shown in FIG. 1A.

예를 들어, 구리층에 비해 흑화층의 에칭 속도가 크게 느린 경우에는, 도 1b에 나타내는 바와 같이, 패턴화된 구리층인 구리 배선(3)에게 그 측면이 에칭되는 이른바 "사이드 에칭"이 발생한다. 그리하여, 구리 배선(3)의 단면 형상은 아래쪽이 넓은 사다리꼴이 되기 쉬우며, 구리 배선(3) 간의 전기적 절연성을 확보할 때까지 에칭하면 배선 피치의 폭이 지나치게 넓어지는 문제가 있었다.For example, when the etching rate of the blackening layer is significantly slower than that of the copper layer, as shown in Fig. 1B, so-called "side etching" in which the side surface of the copper wiring 3 that is the patterned copper layer is etched occurs. do. Thus, the cross-sectional shape of the copper wires 3 tends to be a trapezoid with a wide bottom, and there is a problem that the width of the wiring pitch becomes excessively wide if etching is performed until electrical insulation between the copper wires 3 is secured.

그리고, 구리층에 비해 흑화층의 에칭 속도가 많이 빠른 경우에는, 도 1c에 나타내는 바와 같이, 패턴화된 흑화층(2)의 폭(저부 폭, WA)이 구리 배선(3)의 폭(WB)보다 작게 된 상태, 이른바, 언더컷이 발생하는 경우가 있다. 이렇게 언더컷이 발생하여 그 정도에 따라서는, 소정의 구리 배선(3)의 폭(WB)에 대해 투명 기재(1)로의 밀착 폭인 패턴화된 흑화층(2)의 저부 폭(WA)이 작아져서, 밀착 폭의 비율이 필요 이상으로 저하되면 충분한 배선 밀착 강도를 얻을 수 없다는 문제가 있었다.And, when the etching rate of the blackening layer is much faster than that of the copper layer, as shown in FIG. 1C, the width (bottom width, W A ) of the patterned blackening layer 2 is the width of the copper wiring 3 ( A state smaller than W B ), so-called undercutting, may occur. Undercut occurs in this way, and depending on the extent, the bottom width (W A ) of the patterned blackening layer 2, which is the width of adhesion to the transparent substrate 1, relative to the predetermined width (W B ) of the copper wiring 3 is There was a problem that sufficient wiring adhesion strength could not be obtained if the ratio of the adhesion width decreased more than necessary.

또한, 구리층과 흑화층을 동시에 에칭하지 않고 구리층의 에칭과 흑화층의 에칭을 별도의 공정에서 실시하는 경우, 공정의 수가 증가한다는 문제가 있었다.In addition, in the case where etching of the copper layer and etching of the blackening layer are performed in separate steps without simultaneously etching the copper layer and the blackening layer, there is a problem that the number of steps increases.

상기 종래 기술의 문제점을 고려하여, 본 발명은 동시에 에칭 처리를 할 수 있는 구리층과 저반사율 합금층을 구비한 적층체 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.In view of the problems of the prior art, an object of the present invention is to provide a laminated substrate having a copper layer and a low-reflectance alloy layer capable of simultaneous etching treatment.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 투명 기재와, 상기 투명 기재의 적어도 한쪽면 측에 형성된 적층체를 포함하고, 상기 적층체는, 구리와 니켈을 함유하는 저반사율 합금층과, 구리층을 포함하며, 상기 저반사율 합금층에 포함되는 상기 구리 및 상기 니켈 중 상기 니켈의 비율이 30 질량% 이상 85 질량% 이하인 적층체 기판을 제공한다.The present invention for solving the above problems includes a transparent substrate and a laminate formed on at least one side of the transparent substrate, wherein the laminate includes a low reflectivity alloy layer containing copper and nickel, and a copper layer. Including, the ratio of the nickel of the copper and the nickel contained in the low-reflectance alloy layer is 30% by mass or more and 85% by mass or less to provide a laminate substrate.

본 발명에 의하면, 동시에 에칭 처리를 할 수 있는 구리층과 저반사율 합금층을 갖는 적층체 기판을 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the laminate board|substrate which has a copper layer and a low reflectance alloy layer which can be etched simultaneously can be provided.

도 1a는 종래의 도전성 기판에 있어서 구리층과 흑화층을 동시에 에칭한 경우의 설명도이다.
도 1b는 종래의 도전성 기판에 있어서 구리층과 흑화층을 동시에 에칭한 경우의 설명도이다.
도 1c는 종래의 도전성 기판에 있어서 구리층과 흑화층을 동시에 에칭한 경우의 설명도이다.
도 2a는 본 발명 실시형태에 따른 적층체 기판의 단면도이다.
도 2b는 본 발명 실시형태에 따른 적층체 기판의 단면도이다.
도 3a는 본 발명 실시형태에 따른 적층체 기판의 단면도이다.
도 3b는 본 발명 실시형태에 따른 적층체 기판의 단면도이다.
도 4는 본 발명 실시형태에 따른 메쉬 형상 배선을 구비한 도전성 기판의 상면도이다.
도 5는 도 4의 A-A`선에서의 단면도이다.
도 6는 롤 투 롤 스퍼터링 장치의 설명도이다.1A is an explanatory diagram in the case where a copper layer and a blackening layer are simultaneously etched in a conventional conductive substrate.
1B is an explanatory diagram in the case where a copper layer and a blackening layer are simultaneously etched in a conventional conductive substrate.
Fig. 1C is an explanatory view of a case where a copper layer and a blackening layer are etched simultaneously in a conventional conductive substrate.
2A is a cross-sectional view of a laminate substrate according to an embodiment of the present invention.
2B is a cross-sectional view of a laminate substrate according to an embodiment of the present invention.
3A is a cross-sectional view of a laminate substrate according to an embodiment of the present invention.
3B is a cross-sectional view of a laminate substrate according to an embodiment of the present invention.
4 is a top view of a conductive substrate with mesh-shaped wiring according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view along line AA′ of FIG. 4 .
6 is an explanatory diagram of a roll-to-roll sputtering device.

이하에서 본 발명의 적층체 기판, 도전성 기판, 적층체 기판 제조방법 및 도전성 기판 제조방법의 일 실시형태에 대해 설명한다.Hereinafter, an embodiment of a laminate substrate, a conductive substrate, a method for manufacturing a laminate substrate, and a method for manufacturing a conductive substrate according to the present invention will be described.

(적층체 기판, 도전성 기판)(Laminate board, conductive board)

본 실시형태의 적층체 기판은, 투명 기재와, 투명 기재의 적어도 한쪽면 측에 형성된 적층체를 구비할 수 있다. 그리고, 적층체가, 구리와 니켈을 함유하는 저반사율 합금층과, 구리층을 포함하고, 저반사율 합금층에 포함되는 구리 및 니켈 중 니켈의 비율을 30 질량% 이상 85 질량% 이하로 할 수 있다. The laminate substrate of the present embodiment may include a transparent substrate and a laminate formed on at least one side of the transparent substrate. Then, the laminate includes a low-reflectivity alloy layer containing copper and nickel, and a copper layer, and the ratio of nickel among the copper and nickel contained in the low-reflectivity alloy layer can be 30% by mass or more and 85% by mass or less. .

한편, 본 실시형태에서의 적층체 기판이란, 투명 기재의 표면에, 패터닝하기 전의 구리층, 저반사율 합금층을 갖는 기판이다. 또한, 도전성 기판이란, 투명 기재의 표면에, 패터닝되어 배선 형상으로 된 구리 배선층, 저반사율 합금 배선층을 갖는 배선 기판이다.On the other hand, the laminate substrate in this embodiment is a substrate having a copper layer before patterning and a low reflectance alloy layer on the surface of a transparent substrate. In addition, a conductive board|substrate is a wiring board which has the copper wiring layer and the low reflectance alloy wiring layer which were patterned and became wiring shape on the surface of a transparent base material.

여기에서는 우선, 본 실시형태의 적층체 기판에 포함되는 각 부재에 대해 이하에서 설명한다.Here, first, each member included in the laminate substrate of the present embodiment will be described below.

투명 기재로는 특별히 한정되지는 않으며, 바람직하게는, 가시광을 투과시키는 고분자 필름, 유리 기판 등을 사용할 수 있다.The transparent substrate is not particularly limited, and preferably, a polymer film that transmits visible light, a glass substrate, or the like can be used.

가시광을 투과시키는 고분자 필름으로는, 바람직하게는, 예를 들어, 폴리아미드계 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트계 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트계 필름, 시클로올레핀계 필름, 폴리이미드계 필름, 폴리카보네이트계 필름 등의 수지 필름을 사용할 수 있다.As the polymer film that transmits visible light, preferably, for example, a polyamide-based film, a polyethylene terephthalate-based film, a polyethylene naphthalate-based film, a cycloolefin-based film, a polyimide-based film, a polycarbonate-based film, etc. A resin film can be used.

투명 기재의 두께에 대해서는, 특별히 한정되지는 않으며, 도전성 기판으로 한 경우에 요구되는 강도, 광 투과율 등에 따라 임의로 선택할 수 있다. 투명 기재의 두께로는, 예를 들어, 10㎛ 이상 250㎛ 이하로 할 수 있다. 특히, 터치 패널의 용도로 사용하는 경우, 20㎛ 이상 200㎛ 이하인 것이 바람직하며, 20㎛ 이상 120㎛ 이하이면 보다 바람직하다. 터치 패널의 용도로 사용하는 경우로 예를 들어, 특히 디스플레이 전체의 두께를 얇게 할 것이 요구되는 용도에서는, 투명 기재의 두께는 20㎛ 이상 100㎛ 이하인 것이 바람직하다.The thickness of the transparent substrate is not particularly limited, and can be arbitrarily selected depending on the strength, light transmittance, etc. required when used as a conductive substrate. As thickness of a transparent base material, it can be 10 micrometers or more and 250 micrometers or less, for example. In particular, when using for the use of a touch panel, it is preferable that it is 20 micrometers or more and 200 micrometers or less, and it is more preferable in it being 20 micrometers or more and 120 micrometers or less. In the case of use in a touch panel application, for example, in applications requiring a thin thickness of the entire display, the thickness of the transparent substrate is preferably 20 μm or more and 100 μm or less.

이어서, 적층체에 대해 설명한다. 적층체는 투명 기재의 적어도 한쪽면 측에 형성되며, 저반사율 합금층과 구리층을 가질 수 있다.Next, the laminate is described. The laminate is formed on at least one side of the transparent substrate, and may have a low reflectance alloy layer and a copper layer.

여기에서는 우선 구리층에 대해 설명한다.Here, the copper layer is first described.

구리층에 대해서도 특별히 한정되지는 않으나, 광 투과율을 저감시키지 않도록, 구리층과 투명 기재의 사이 또는 구리층과 저반사율 합금층의 사이에 접착제를 배치하지 않는 것이 바람직하다. 즉, 구리층은 다른 부재의 상면에 직접 형성되어 있는 것이 바람직하다.Although the copper layer is not particularly limited, it is preferable not to dispose an adhesive between the copper layer and the transparent substrate or between the copper layer and the low-reflectance alloy layer so as not to reduce the light transmittance. That is, it is preferable that the copper layer is directly formed on the upper surface of the other member.

다른 부재의 상면에 구리층을 직접 형성하므로 스퍼터링법, 이온플레이팅법, 증착법 등의 건식 도금법을 이용하여 구리 박막층을 형성하고, 당해 구리 박막층을 구리층으로 할 수 있다.Since the copper layer is directly formed on the upper surface of another member, the copper thin film layer can be formed as a copper layer by using a dry plating method such as a sputtering method, an ion plating method, or a vapor deposition method.

또한, 구리층을 보다 두껍게 하는 경우에는, 건식 도금법으로 구리 박막층을 형성한 후에 습식 도금법을 이용하는 것이 바람직하다. 즉, 예를 들어, 투명 기재 또는 저반사율 합금층 상에, 건식 도금법으로 구리 박막층을 형성하고, 당해 구리 박막층을 급전층으로 하여, 습식 도급법으로 구리 도금층을 형성할 수 있다. 이 경우, 구리층은 구리 박막층과 구리 도금층을 가지게 된다.Moreover, when making a copper layer thicker, it is preferable to use the wet plating method after forming a copper thin film layer by the dry plating method. That is, for example, a copper thin film layer can be formed on a transparent substrate or a low reflectivity alloy layer by a dry plating method, and the copper plating layer can be formed by a wet coating method using the copper thin film layer as a power supply layer. In this case, the copper layer has a copper thin film layer and a copper plating layer.

전술한 바와 같이, 건식 도금법만으로 또는 건식 도금법과 습식 도금법을 조합하여 구리층을 형성함으로써, 투명 기재 또는 저반사율 합금층 상에 접착제를 통하지 않고 직접 구리층을 형성할 수 있어서 바람직하다.As described above, by forming the copper layer only by the dry plating method or by combining the dry plating method and the wet plating method, the copper layer can be directly formed on the transparent substrate or the low-reflectance alloy layer without using an adhesive, which is preferable.

구리층의 두께는 특별히 한정되지는 않으며, 구리층을 배선으로 사용하는 경우 당해 배선의 전기 저항값, 배선 폭 등에 따라 임의로 선택할 수 있다. 특히, 충분히 전류가 흐르도록, 구리층은 두께가 50㎚ 이상인 것이 바람직하고, 60㎚ 이상이면 보다 바람직하며, 150㎚ 이상이면 더 바람직하다. 구리층 두께의 상한값은 특별히 한정되지는 않으나, 구리층이 두꺼우면 배선을 형성하기 위해 에칭할 때에 에칭에 시간이 걸리므로 사이드 에칭이 발생하여 에칭 도중에 레지스트가 박리되는 등의 문제가 일어나기 쉽다. 그러므로, 구리층의 두께는 5000㎚ 이하인 것이 바람직하고, 3000㎚ 이하이면 보다 바람직하다. 또한, 구리층이 전술한 바와 같이 구리 박막층과 구리 도금층을 가지는 경우에는, 구리 박막층의 두께와 구리 도금층의 두께의 합이 상기 범위 안에 있음이 바람직하다.The thickness of the copper layer is not particularly limited, and when the copper layer is used as a wiring, it may be arbitrarily selected depending on the electrical resistance value of the wiring, the width of the wiring, and the like. In particular, the copper layer preferably has a thickness of 50 nm or more, more preferably 60 nm or more, and even more preferably 150 nm or more so that current flows sufficiently. The upper limit of the thickness of the copper layer is not particularly limited, but if the copper layer is thick, it takes time to etch to form a wiring, so problems such as side etching occur and peeling of the resist during etching are likely to occur. Therefore, the thickness of the copper layer is preferably 5000 nm or less, more preferably 3000 nm or less. Further, when the copper layer has the copper thin film layer and the copper plating layer as described above, it is preferable that the sum of the thickness of the copper thin film layer and the thickness of the copper plating layer is within the above range.

이어서, 저반사율 합금층에 대해 설명한다.Next, the low-reflectance alloy layer is described.

구리층은 금속 광택을 가지므로, 투명 기재 상에 구리층을 에칭하여 배선인 구리 배선층을 형성하는 것만으로는, 전술한 바와 같이 구리가 광을 반사하여, 예를 들어, 터치 패널용 배선 기판으로 사용한 경우에 디스플레이의 시인성이 저하되는 문제점이 있었다. 이에 흑화층을 설치하는 방법이 검토되어 왔으나, 흑화층이 에칭액에 대한 반응성을 충분히 가지고 있지 않은 경우가 있어서, 구리층과 흑화층을 동시에 원하는 형상으로 에칭하는 것은 곤란하였다.Since the copper layer has a metallic luster, simply forming a copper wiring layer, which is a wiring, by etching the copper layer on a transparent substrate causes the copper to reflect light as described above and, for example, to be used as a wiring board for a touch panel. When used, there is a problem in that the visibility of the display is lowered. Accordingly, a method of providing a blackening layer has been studied, but there are cases where the blackening layer does not have sufficient reactivity to the etchant, and it is difficult to simultaneously etch the copper layer and the blackening layer into a desired shape.

이에 대해, 본 실시형태의 적층체 기판에 배치된 저반사율 합금층은 구리 및 니켈을 함유하고 있다. 그리하여, 본 실시형태의 적층체 기판에 배치된 저반사율 합금층의 에칭액에 대한 반응성은, 구리층의 에칭액에 대한 반응성과 거의 차이가 없고 에칭성도 양호하였다. 따라서, 본 실시형태의 적층체 기판에서는, 구리층과, 구리 및 니켈을 함유하는 저반사율 합금층을 동시에 에칭할 수 있다.In contrast, the low-reflectance alloy layer disposed on the laminate substrate of the present embodiment contains copper and nickel. Thus, the reactivity of the low-reflectivity alloy layer disposed on the laminate substrate of the present embodiment to the etchant was almost the same as the reactivity of the copper layer to the etchant, and the etching property was also good. Therefore, in the laminate substrate of this embodiment, the copper layer and the low-reflectance alloy layer containing copper and nickel can be etched simultaneously.

본 실시형태의 적층체 기판에 배치된 저반사율 합금층을 구리층과 동시에 에칭할 수 있는 점에 대해서는 이하에서 설명한다.The fact that the low-reflectivity alloy layer disposed on the laminate substrate of the present embodiment can be etched simultaneously with the copper layer will be described below.

본 발명의 발명자들은 처음에, 구리층 표면의 광 반사를 억제할 수 있는 흑화층으로서, 구리층의 일부를 산화시킨 산화구리의 층을 형성하는 방법에 대해 검토하였다. 그랬더니, 구리층의 일부를 산화시켜 흑화층으로 한 경우, 당해 흑화층에는 부정비(不定比)의 구리 산화물, 산화되지 않은 구리 등이 포함되어 있는 경우가 있음을 발견하였다.The inventors of the present invention first studied a method of forming a copper oxide layer in which a part of the copper layer was oxidized as a blackening layer capable of suppressing light reflection on the surface of the copper layer. Then, when a part of the copper layer was oxidized to form a blackening layer, it was found that the blackening layer sometimes contained copper oxides of indefinite proportions, unoxidized copper, and the like.

구리층과 흑화층을 구비한 적층체 기판에 있어 구리층과 흑화층을 동시에 에칭하는 경우, 에칭액으로서, 예를 들어 구리층을 에칭할 수 있는 에칭액을 필요에 따라 적절히 사용할 수 있다. 그리고, 본 발명의 발명자들의 검토에 따르면, 흑화층이 부정비(不定比)의 구리 산화물을 함유하는 경우, 구리층을 에칭할 수 있는 에칭액에 용출(溶出)되기 쉽다. In the case where the copper layer and the blackening layer are simultaneously etched in the laminate substrate provided with the copper layer and the blackening layer, as the etchant, for example, an etchant capable of etching the copper layer can be appropriately used as needed. And according to examination by the inventors of this invention, when a blackening layer contains copper oxide of an indefinite ratio, it is easy to elute in the etchant which can etch a copper layer.

이와 같이 흑화층이 에칭액에 대해 용출되기 쉬운 부정비(不定比)의 구리 산화물을 함유하는 경우, 흑화층은 에칭액에 대한 반응성이 좋아서 구리층에 비해 흑화층의 에칭 속도가 크게 빨라진다. 그러므로, 구리층과 흑화층을 동시에 에칭 처리하는 경우, 흑화층은 언더컷이 되기 쉬웠다.In this way, when the blackening layer contains an indefinite ratio of copper oxide that is easily eluted with respect to the etching solution, the blackening layer has good reactivity to the etching solution, and the etching rate of the blackening layer is greatly increased compared to the copper layer. Therefore, when the copper layer and the blackened layer are etched simultaneously, the blackened layer tends to be undercut.

그래서, 본 실시형태의 적층체 기판에서는, 언더 컷을 억제하기 위해, 흑화층은, 산소를 사용하지 않고, 구리에 더하여, 에칭액에 용해되기 어려운 니켈 성분을 함유하는 저반사율 합금층으로 할 수 있다. 이와 같이, 본 실시형태 적층체 기판의 저반사율 합금층이, 산소를 사용하지 않고, 구리 및 니켈을 함유함으로써, 에칭액으로의 반응성을 구리층과 동등하게 할 수 있어서, 저반사율 합금층과 구리층을 동시에 에칭하는 것이 가능해진다. 한편, 저반사율 합금층에서는 산소를 사용하지 않으므로 산소를 함유하지 않으나, 불가피한 성분으로서 극소량을 함유하는 것을 배제하는 것은 아니다.Therefore, in the laminate substrate of the present embodiment, in order to suppress undercutting, the blackening layer can be made of a low-reflectance alloy layer containing a nickel component that is difficult to dissolve in an etchant in addition to copper without using oxygen. . In this way, the low reflectance alloy layer of the laminate substrate of the present embodiment contains copper and nickel without using oxygen, so that the reactivity to the etchant can be made equal to that of the copper layer, and the low reflectance alloy layer and the copper layer It becomes possible to etch simultaneously. On the other hand, since oxygen is not used in the low-reflectance alloy layer, it does not contain oxygen, but it is not excluded that it contains a very small amount as an unavoidable component.

저반사율 합금층에 포함되는 구리와 니켈 중 니켈의 비율은 특별히 한정되지는 않으나, 저반사율 합금층에 포함되는 구리와 니켈 중 니켈의 비율은 30 질량% 이상 85 질량% 이하인 것이 바람직하다. 한편, 니켈의 비율이란, 전술한 바와 같이, 저반사율 합금층 중 구리와 니켈 함유량의 합계를 100 질량%로 한 경우의 비율을 나타낸다.The ratio of nickel among copper and nickel contained in the low reflectance alloy layer is not particularly limited, but the ratio of nickel among copper and nickel contained in the low reflectance alloy layer is preferably 30% by mass or more and 85% by mass or less. On the other hand, the ratio of nickel shows the ratio at the time of making the sum of copper and nickel content into 100 mass % in a low-reflectance alloy layer as mentioned above.

이것은, 저반사율 합금층에 포함되는 구리와 니켈 중 니켈의 비율이 30 질량% 미만인 경우에는, 파장이 400㎚ 이상 700㎚ 이하인 광의 정반사율 평균을 55% 이하로 할 수 없기 때문이다.This is because the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less cannot be 55% or less when the ratio of nickel among copper and nickel contained in the low reflectance alloy layer is less than 30% by mass.

한편, 저반사율 합금층에 포함되는 구리와 니켈 중 니켈의 비율이 85 질량%를 초과하여 배합되면, 니켈 과잉으로 되어, 저반사율 합금층을 에칭하기 어려워지기 때문이다. 즉, 저반사율 합금층이 에칭액으로 용해되는 속도가 구리층에 비해 느려서, 구리층과 동시에 에칭할 수 있는 저반사율 합금층으로 할 수 없기 때문이다. 또한, 후술하는 바와 같이 저반사율 합금층은 예를 들어 스퍼터링법으로 형성할 수 있으나, 니켈의 비율이 85 질량%를 초과하면 마그네트론 스퍼터링 성막이 불가능해지는 경우가 있기 때문이다.On the other hand, if the ratio of nickel among the copper and nickel contained in the low-reflectance alloy layer exceeds 85% by mass, the amount of nickel is excessive, making it difficult to etch the low-reflectance alloy layer. That is, it is because the rate at which the low-reflectance alloy layer is dissolved in the etchant is slower than that of the copper layer, and it cannot be used as a low-reflectance alloy layer that can be etched simultaneously with the copper layer. In addition, as will be described later, the low-reflectance alloy layer can be formed by, for example, sputtering, but if the nickel ratio exceeds 85% by mass, magnetron sputtering may become impossible in some cases.

또한, 적층체 기판에서는, 후술하는 바와 같이, 투명 기재 상에 저반사율 합금층과 구리층을 적층할 수 있고, 당해 저반사율 합금층, 구리층을 패터닝함으로써 도전성 기판으로 할 수 있다. 그리고, 저반사율 합금층에 포함되는 구리와 니켈 중 니켈의 비율이 85 질량%를 초과하면, 저반사율 합금층과 구리층을 에칭하여 개구부를 형성할 때에 에칭에 의한 제거가 충분히 이루어지지 않아, 투명 기재의 표면이 황색으로 변색된 것처럼 보이는 경우가 있다. 그러므로, 전술한 바와 같이, 저반사율 합금층에 포함되는 구리와 니켈 중 니켈의 비율은 85 질량% 이하인 것이 바람직하다.In the laminate substrate, as will be described later, a low reflectance alloy layer and a copper layer can be laminated on a transparent substrate, and the low reflectance alloy layer and the copper layer can be patterned to form a conductive substrate. And, if the ratio of nickel among the copper and nickel contained in the low-reflectivity alloy layer exceeds 85% by mass, when the low-reflectivity alloy layer and the copper layer are etched to form openings, removal by etching is not sufficiently performed, and transparent In some cases, the surface of the substrate may appear discolored to yellow. Therefore, as described above, it is preferable that the ratio of nickel among the copper and nickel included in the low-reflectivity alloy layer is 85% by mass or less.

저반사율 합금층은 금속종(種)으로서 구리와 니켈을 함유할 수 있고, 저반사율 합금층이 함유하는 금속종은, 구리와 니켈만으로 구성될 수도 있으나, 구리와 니켈만으로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 저반사율 합금층은, 금속종으로서 1 질량% 이하의 불순물이 불가피하게 더 존재할 수도 있다.The low reflectance alloy layer may contain copper and nickel as metal species, and the metal species contained in the low reflectance alloy layer may consist of only copper and nickel, but are not limited to only copper and nickel. For example, the low-reflectivity alloy layer may inevitably further contain impurities of 1% by mass or less as metal species.

또한, 저반사율 합금층은 구리와 니켈을 함유하고 있으면 되며, 각 성분이 어떠한 상태로 포함되어 있는지는 특별히 한정되지 않는다.In addition, the low-reflectance alloy layer should just contain copper and nickel, and the state in which each component is contained is not specifically limited.

본 실시형태의 적층체 기판에서 얻어지는 도전성 기판의 구리 배선층과 저반사율 합금 배선층은, 각각 본 실시형태 적층체 기판의 구리층과 저반사율 합금층의 특징이 유지된다.The copper wiring layer and the low reflectance alloy wiring layer of the conductive substrate obtained from the laminate substrate of the present embodiment maintain the characteristics of the copper layer and the low reflectance alloy layer of the laminate substrate of the present embodiment, respectively.

본 실시형태의 도전성 기판에 배치되는 저반사율 합금층의 성막 방법은 특별히 한정되지는 않는다. 저반사율 합금층은, 예를 들어, 스퍼터링법 등의 건식 성막법에 의해 형성하는 것이 바람직하다.The film formation method of the low-reflectivity alloy layer arrange|positioned on the conductive substrate of this embodiment is not specifically limited. It is preferable to form the low-reflectance alloy layer by dry film-forming methods, such as a sputtering method, for example.

저반사율 합금층을 스퍼터링법에 의해 성막하는 경우, 예를 들어, 구리-니켈 합금 타겟을 이용하며, 스퍼터링 가스로 사용되는 불활성 가스를 챔버 안으로 공급하면서 성막할 수 있다.In the case of forming the low-reflectance alloy layer by the sputtering method, for example, a copper-nickel alloy target may be used, and the film may be formed while supplying an inert gas used as a sputtering gas into the chamber.

스퍼터링시에 구리-니켈 합금 타겟을 사용하는 경우, 구리-니켈 합금 중에 포함되는 구리와 니켈 중 니켈의 비율은 30 질량% 이하 85 질량% 이하인 것이 바람직하다. 이것은, 성막되는 저반사율 합금층에 포함되는 구리와 니켈 중 니켈의 비율과, 당해 저반사율 합금층을 성막할 때에 사용하는 구리-니켈 합금 타겟의 구리-니켈 합금 중에 포함되는 구리와 니켈 중 니켈의 비율이 같아지기 때문이다.When using a copper-nickel alloy target at the time of sputtering, it is preferable that the ratio of nickel among copper and nickel contained in a copper-nickel alloy is 30 mass % or less and 85 mass % or less. This is the ratio of nickel among copper and nickel contained in the low-reflectance alloy layer to be formed, and nickel among copper and nickel contained in the copper-nickel alloy of the copper-nickel alloy target used when forming the low-reflectivity alloy layer. because the ratio is the same.

한편, 저반사율 합금층을 성막할 때의 불활성 가스로는 특별히 한정되지는 않으며, 예를 들어 아르곤 가스, 크세논 가스 등을 사용할 수 있으나, 아르곤 가스를 필요에 따라 적절히 사용할 수 있다.On the other hand, the inert gas at the time of forming the low reflectivity alloy layer is not particularly limited, and for example, argon gas, xenon gas, etc. can be used, but argon gas can be used appropriately as needed.

본 실시형태의 적층체 기판에서 형성되는 저반사율 합금층의 두께는 특별히 한정되지는 않으며, 예를 들어 구리층 표면에서의 광 반사를 억제하는 정도 등에 따라 임의로 선택할 수 있다.The thickness of the low-reflectivity alloy layer formed on the laminate substrate of the present embodiment is not particularly limited, and can be arbitrarily selected depending on, for example, the degree of suppression of light reflection on the surface of the copper layer.

저반사율 합금층의 두께의 하한값은, 예를 들어 10㎚ 이상인 것이 바람직하고, 15㎚ 이상이면 보다 바람직하다. 상한값은, 예를 들어 70㎚ 이하인 것이 바람직하고, 50㎚ 이하이면 보다 바람직하다. It is preferable that it is 10 nm or more, for example, and, as for the lower limit of the thickness of a low reflectivity alloy layer, it is more preferable in it being 15 nm or more. The upper limit is preferably, for example, 70 nm or less, and more preferably 50 nm or less.

저반사율 합금층은 전술한 바와 같이 구리층 표면에서의 광 반사를 억제하는 층으로서 기능하지만, 저반사율 합금층의 두께가 얇은 경우에는 구리층에 의한 광 반사를 충분히 억제할 수 없는 경우가 있다. 이에 대해 저반사율 합금층의 두께를 10㎚ 이상으로 함으로써, 구리층 표면에서의 광 반사를 보다 확실하게 억제할 수 있다.The low-reflectance alloy layer functions as a layer that suppresses light reflection on the surface of the copper layer as described above. However, when the thickness of the low-reflectivity alloy layer is thin, light reflection by the copper layer may not be sufficiently suppressed. In contrast, by setting the thickness of the low-reflectance alloy layer to 10 nm or more, light reflection on the surface of the copper layer can be more reliably suppressed.

저반사율 합금층의 두께의 상한값은 특별히 한정되지는 않으나, 필요 이상으로 두껍게 하면, 성막에 필요한 시간, 배선을 형성할 때에 에칭에 필요한 시간 등이 길어져서 비용 상승을 초래하게 된다. 그러므로, 저반사율 합금층의 두께는 70㎚ 이하로 하는 것이 바람직하며, 50㎚ 이하로 하면 보다 바람직하다.The upper limit of the thickness of the low-reflectance alloy layer is not particularly limited, but if it is thicker than necessary, the time required for film formation, the time required for etching when forming wiring, and the like will increase, resulting in an increase in cost. Therefore, the thickness of the low-reflectivity alloy layer is preferably 70 nm or less, more preferably 50 nm or less.

이어서, 본 실시형태 적층체 기판의 구성예에 대해 설명한다.Next, a configuration example of the laminate substrate of the present embodiment will be described.

전술한 바와 같이, 본 실시형태의 적층체 기판은, 투명 기재와, 구리층 및 저반사율 합금층을 갖는 적층체를 포함할 수 있다. 이 때, 적층체 내의 구리층과 저반사율 합금층을 투명 기재 상에 배치하는 순서, 층의 갯수 등은 특별히 한정되지는 않는다. 즉, 예를 들어, 투명 기재의 적어도 한쪽면 측에 구리층과 저반사율 합금층을 한층씩 임의의 순서로 적층할 수도 있다. 또한, 적층체 안에서 구리층 및/또는 저반사율 합금층을 복수 개의 층으로 형성할 수도 있다.As described above, the laminate substrate of the present embodiment may include a laminate having a transparent substrate, a copper layer, and a low reflectivity alloy layer. At this time, the order of arranging the copper layer and the low-reflectivity alloy layer in the laminate on the transparent substrate, the number of layers, and the like are not particularly limited. That is, for example, a copper layer and a low-reflectivity alloy layer may be stacked in an arbitrary order on at least one side of the transparent substrate. In addition, the copper layer and/or the low-reflectivity alloy layer may be formed as a plurality of layers in the laminate.

다만, 적층체 안에서 구리층과 저반사율 합금층을 배치할 때에, 구리층 표면에서의 광 반사를 억제하기 위해, 구리층 표면 중 광 반사를 특히 억제하고 싶은 면에 저반사율 합금층이 배치되는 것이 바람직하다.However, when arranging the copper layer and the low reflectance alloy layer in the laminate, in order to suppress light reflection on the surface of the copper layer, the low reflectance alloy layer is disposed on the surface of the copper layer on which light reflection is particularly desired to be suppressed. desirable.

특히, 저반사율 합금층이 구리층 표면에 형성된 적층 구조를 갖는 것이 보다 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 적층체는, 저반사율 합금층으로서 제1 저반사율 합금층과 제2 저반사율 합금층을 가지고, 구리층은 제1 저반사율 합금층과 제2 저반사율 합금층의 사이에 배치되는 것이 바람직하다.In particular, it is more preferable to have a laminated structure in which the low-reflectance alloy layer is formed on the surface of the copper layer. Specifically, for example, the laminate has a first low reflectance alloy layer and a second low reflectance alloy layer as the low reflectance alloy layer, and the copper layer is composed of the first low reflectance alloy layer and the second low reflectance alloy layer. It is preferable to arrange between them.

구체적인 구성예에 대해, 이하에서 도 2a, 도 2b, 도 3a, 도 3b를 이용하여 설명한다. 도 2a, 도 2b, 도 3a, 도 3b는, 본 실시형태 적층체 기판의 투명 기재, 구리층, 저반사율 합금층의 적층 방향에 평행한 면에서의 단면도의 예를 나타내고 있다.A specific configuration example will be described below using FIGS. 2A, 2B, 3A, and 3B. 2A, 2B, 3A, and 3B show examples of cross-sectional views taken along a plane parallel to the stacking direction of the transparent substrate, the copper layer, and the low-reflectivity alloy layer of the laminate substrate of the present embodiment.

예를 들어, 도 2a에 나타낸 적층체 기판(10A)과 같이, 투명 기재(11)의 한쪽면(11a) 측에 구리층(12)과 저반사율 합금층(13)의 순서로 한층씩 적층할 수 있다. 또한, 도 2b에 나타낸 적층체 기판(10B)과 같이, 투명 기재(11)의 한쪽면(11a) 측과 다른 한쪽면(다른쪽면,11b) 측에 각각 구리층(12A,12B), 저반사율 합금층(13A,13B)의 순서로 한층씩 적층할 수 있다. 한편, 구리층(12:12A,12B)과 저반사율 합금층(13:13A,13B)을 적층하는 순서는, 도 2a, 도2b의 예에 한정되지 않으며, 투명 기재(11) 쪽에서부터 저반사율 합금층(13:13A,13B), 구리층(12:12A,12B)의 순서로 적층할 수도 있다.For example, as in the laminate substrate 10A shown in FIG. 2A, the copper layer 12 and the low-reflectivity alloy layer 13 are laminated layer by layer on one side 11a of the transparent substrate 11 in this order. can In addition, as in the laminate substrate 10B shown in FIG. 2B, copper layers 12A and 12B are provided on one surface 11a side and the other surface (the other surface 11b) side of the transparent substrate 11, respectively, and low reflectivity. The alloy layers 13A and 13B may be laminated one by one in the order. On the other hand, the order of laminating the copper layers 12:12A and 12B and the low-reflectivity alloy layers 13:13A and 13B is not limited to the example of FIGS. 2A and 2B, and the low-reflectivity starting from the transparent substrate 11 side. The alloy layers (13: 13A, 13B) and the copper layers (12: 12A, 12B) may be laminated in this order.

또한, 앞서 설명한 바와 같이, 예를 들어, 저반사율 합금층을 투명 기재(11)의 하나의 면 쪽에 복수 개의 층으로 구비한 구성으로 할 수도 있다. 예를 들어, 도 3a에 나타낸 적층체 기판(20A)과 같이, 투명 기재(11)의 한쪽면(11a) 측에 제1 저반사율 합금층(131), 구리층(12), 제2 저반사율 합금층(132)의 순서로 적층할 수 있다.In addition, as described above, for example, a low-reflectance alloy layer may be provided with a plurality of layers on one surface side of the transparent substrate 11 . For example, as in the laminated substrate 20A shown in FIG. 3A, the first low-reflectance alloy layer 131, the copper layer 12, and the second low-reflectance on one side 11a of the transparent substrate 11. The alloy layers 132 may be stacked in order.

이와 같이 저반사율 합금층으로서, 제1 저반사율 합금층(131)과 제2 저반사율 합금층(132)을 구비하고, 구리층(12)을 제1 저반사율 합금층(131)과 제2 저반사율 합금층(132)의 사이에 배치함으로써, 구리층(12)의 상면측 및 하면측으로부터 입사하는 광의 반사를 보다 확실하게 억제하는 것이 가능해진다.As such, as the low reflectance alloy layer, the first low reflectance alloy layer 131 and the second low reflectance alloy layer 132 are provided, and the copper layer 12 is provided with the first low reflectance alloy layer 131 and the second low reflectance alloy layer 131. By disposing between the reflectance alloy layers 132, reflection of light incident from the upper and lower surfaces of the copper layer 12 can be suppressed more reliably.

이 경우에도 투명 기재(11)의 양면에 구리층, 제1 저반사율 합금층, 제2 저반사율 합금층을 적층한 구성으로 할 수 있다. 구체적으로는, 도 3b에 나타낸 적층체 기판(20B)과 같이, 투명 기재(11)의 한쪽면(11a) 측과 다른 한쪽면(다른쪽면,11b) 측에 각각 제1 저반사율 합금층(131A,131B), 구리층(12A,12B), 제2 저반사율 합금층(132A,132B)의 순서로 적층할 수 있다.Also in this case, a structure in which a copper layer, a first low-reflectance alloy layer, and a second low-reflectance alloy layer are laminated on both sides of the transparent substrate 11 can be employed. Specifically, as in the laminated substrate 20B shown in FIG. 3B, the first low-reflectivity alloy layer 131A on one side 11a side and the other side (the other side 11b) side of the transparent substrate 11, respectively. , 131B), the copper layers 12A and 12B, and the second low-reflectivity alloy layers 132A and 132B may be stacked in this order.

한편, 제1 저반사율 합금층(131:131A,131B)과 제2 저반사율 합금층(132:132A,132B) 모두, 구리와 니켈을 함유하는 저반사율 합금층으로 할 수 있으며, 동일한 제조방법에 의해 제조할 수 있다.On the other hand, both the first low-reflectance alloy layer (131: 131A, 131B) and the second low-reflectance alloy layer (132: 132A, 132B) may be a low-reflectance alloy layer containing copper and nickel, and the same manufacturing method can be produced by

투명 기재의 양면에 구리층과 저반사율 합금층을 적층한 도 2b, 도 3b의 구성예에서는, 투명 기재(11)를 대칭면으로 하여 투명 기재(11)의 상하에 적층한 층이 대칭이 되도록 배치한 예를 나타내었으나, 이러한 형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도 3b에서, 투명 기재(11)의 한쪽면(11a) 측의 구성을, 도 2b의 구성과 마찬가지로 구리층(12A), 저반사율 합금층(13A)의 순서로 적층한 형태로 하고, 다른 한쪽면(다른쪽면,11b) 측을, 제1 저반사율 합금층(131B), 구리층(12B), 제2 저반사율 합금층(132B)의 순서로 적층한 형태로 하여, 투명 기재(11)의 상하에 적층한 층을 비대칭 구성으로 할 수도 있다.In the configuration examples of FIGS. 2B and 3B in which a copper layer and a low-reflectivity alloy layer are laminated on both sides of a transparent substrate, the layers laminated on top and bottom of the transparent substrate 11 are arranged symmetrically with the transparent substrate 11 as a symmetry plane Although an example has been shown, it is not limited to this form. For example, in FIG. 3B, the configuration on one side 11a of the transparent substrate 11 is in the form of stacking a copper layer 12A and a low-reflectivity alloy layer 13A in this order, similar to the configuration in FIG. 2B. And, on the other side (the other side, 11b), the first low-reflectivity alloy layer 131B, the copper layer 12B, and the second low-reflectivity alloy layer 132B are laminated in this order. Transparent substrate Layers laminated on top and bottom of (11) can also be made into an asymmetric configuration.

본 실시형태 적층체 기판의 광 반사 정도는, 특별히 한정되지는 않으나, 예를 들어, 파장이 400㎚ 이상 700㎚ 이하인 광의 정반사율 평균은 55% 이하인 것이 바람직하고, 40% 이하이면 보다 바람직하며, 30% 이하이면 더 바람직하다. 이것은, 파장이 400㎚ 이상 700㎚ 이하인 광의 정반사율 평균이 55% 이하인 경우, 예를 들어, 본 실시형태의 적층체 기판을 터치 패널용 도전성 기판으로서 사용한 경우에도, 디스플레이의 시인성이 저하되는 것을 크게 억제할 수 있기 때문이다. The degree of light reflection of the laminate substrate of this embodiment is not particularly limited, but, for example, the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is preferably 55% or less, more preferably 40% or less, It is more preferable in it being 30 % or less. This greatly reduces the visibility of the display when the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is 55% or less, for example, even when the laminate substrate of the present embodiment is used as a conductive substrate for a touch panel. because it can be suppressed.

적층체 기판의 정반사율 측정은, 저반사율 합금층에 광을 조사하도록 하여 측정할 수 있다. 즉, 적층체 기판에 포함되는 구리층과 저반사율 합금층 중, 저반사율 합금층 쪽으로부터 광을 조사하여 측정할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 도 2a에서와 같이 투명 기재(11)의 한쪽면(11a)에 구리층(12), 저반사율 합금층(13)의 순서로 적층한 경우, 저반사율 합금층(13)에 광을 조사할 수 있도록, 저반사율 합금층(13)의 표면(A)에 대해 광을 조사하여 측정할 수 있다. 또한, 도 2a의 경우로부터 구리층(12)과 저반사율 합금층(13)의 배치를 바꾸어, 투명 기재(11)의 한쪽면(11a)에 저반사율 합금층(13), 구리층(12)의 순서로 적층한 경우, 저반사율 합금층(13)에 광을 조사할 수 있도록, 투명 기재(11)의 면(11b) 쪽에서부터 저반사율 합금층으로 광을 조사하여 정반사율을 측정할 수 있다.The regular reflectance of the laminate substrate can be measured by irradiating light to the low-reflectivity alloy layer. That is, it can measure by irradiating light from the low-reflectivity alloy layer side among the copper layer and low-reflectivity alloy layer contained in a laminate board|substrate. Specifically, for example, when the copper layer 12 and the low reflectance alloy layer 13 are laminated in this order on one side 11a of the transparent substrate 11 as shown in FIG. 2A, the low reflectance alloy layer ( 13), it can be measured by irradiating light to the surface (A) of the low-reflectivity alloy layer 13 so that it can be irradiated with light. Further, the arrangement of the copper layer 12 and the low reflectance alloy layer 13 is changed from the case of FIG. 2A, and the low reflectance alloy layer 13 and the copper layer 12 are formed on one side 11a of the transparent substrate 11. When laminated in the order of, regular reflectance can be measured by irradiating light to the low reflectance alloy layer from the surface 11b side of the transparent substrate 11 so that light can be irradiated to the low reflectance alloy layer 13. .

또한, 파장이 400㎚ 이상 700㎚ 이하인 광의 정반사율 평균이란, 400㎚ 이상 700㎚ 이하의 범위 내에서 파장을 변화시켜 가며 측정했을 때의 측정 결과 평균값을 의미한다. 측정할 때에 파장을 변화시키는 폭은 특별히 한정되지는 않으나, 예를 들어, 10㎚ 마다 파장을 변화시켜 가며 상기 파장 범위의 광에 대해 측정하는 것이 바람직하며, 1㎚ 마다 파장을 변화시켜 가며 상기 파장 범위의 광에 대해 측정하면 보다 바람직하다.In addition, the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less means an average value of a measurement result when the wavelength is changed and measured within a range of 400 nm or more and 700 nm or less. The width of changing the wavelength at the time of measurement is not particularly limited, but, for example, it is preferable to measure the light in the above wavelength range while changing the wavelength at every 10 nm, and changing the wavelength at every 1 nm. It is more preferable to measure with respect to the light of the range.

한편, 후술하는 바와 같이, 적층체 기판은, 구리층과 저반사율 합금층을 에칭에 의해 배선 가공함으로써, 금속 세선(細線)을 형성하여 도전성 기판으로 제조할 수 있다. 도전성 기판에서의 광 정반사율이란, 투명 기재를 제외하면 가장 바깥쪽 표면에 배치되어 있는 저반사율 합금층의, 광이 입사하는 쪽 표면에서의 정반사율을 의미한다.On the other hand, as will be described later, the laminate substrate can be manufactured as a conductive substrate by forming fine metal wires by wiring the copper layer and the low-reflectance alloy layer by etching. The regular reflectance of light in a conductive substrate means the regular reflectance of the low-reflectance alloy layer disposed on the outermost surface except for the transparent substrate on the surface on the side where light enters.

그러므로, 에칭 처리한 후의 도전성 기판이라면, 구리층과 저반사율 합금층이 잔존해 있는 부분에서의 측정 결과의 평균값이 상기 범위를 만족하는 것이 바람직하다.Therefore, in the case of a conductive substrate after etching treatment, it is preferable that the average value of the measurement results in the portion where the copper layer and the low-reflectivity alloy layer remain satisfies the above range.

이어서, 본 실시형태 도전성 기판에 대해 설명한다.Next, the conductive substrate of this embodiment will be described.

본 실시형태의 도전성 기판은, 투명 기재와, 투명 기재의 적어도 한쪽면 측에 형성된 금속 세선을 구비할 수 있다. 그리고, 금속 세선은, 구리와 니켈을 함유하는 저반사율 합금 배선층과, 구리 배선층을 구비한 적층체이며, 저반사율 합금 배선층에 포함되는 구리와 니켈 중 니켈의 비율을 30 질량% 이상 85 질량% 이하로 할 수 있다.The conductive substrate of this embodiment may include a transparent substrate and a thin metal wire formed on at least one side of the transparent substrate. Further, the fine metal wire is a laminate comprising a low reflectance alloy wiring layer containing copper and nickel and a copper wiring layer, wherein the ratio of nickel among the copper and nickel contained in the low reflectance alloy wiring layer is 30% by mass or more and 85% by mass or less. can be done with

본 실시형태의 도전성 기판은, 예를 들어, 앞서 설명한 적층체 기판을 배선 가공하여 얻을 수 있다. 그리고, 본 실시형태의 도전성 기판에 있어서는, 투명 기재 상에 구리 배선층과 저반사율 합금 배선층을 구비하므로, 구리 배선층에 의한 광 반사를 억제할 수 있다. 따라서, 저반사율 합금 배선층을 구비함으로써, 예를 들어, 터치 패널 등에 사용한 경우에 양호한 디스플레이 시인성을 가질 수 있다.The conductive substrate of this embodiment can be obtained, for example, by wiring the laminated substrate described above. And in the conductive substrate of this embodiment, since a copper wiring layer and a low-reflectivity alloy wiring layer are provided on a transparent base material, light reflection by a copper wiring layer can be suppressed. Therefore, by providing the low-reflectivity alloy wiring layer, for example, good display visibility can be obtained when used in a touch panel or the like.

본 실시형태의 도전성 기판은, 예를 들어, 바람직하게는, 터치 패널용 도전성 기판으로서 사용할 수 있다. 이 경우, 도전성 기판은, 앞서 설명한 적층체 기판에서의 구리층과 저반사율 합금층에 개구부를 구비함으로써 형성된 배선 패턴을 갖는 구성으로 할 수 있다. 보다 바람직하게는, 메쉬 형상의 배선 패턴을 구비하는 구성으로 할 수 있다.The conductive substrate of the present embodiment can be preferably used as a conductive substrate for a touch panel, for example. In this case, the conductive substrate can be configured to have a wiring pattern formed by providing openings in the copper layer and the low-reflectivity alloy layer in the above-described laminate substrate. More preferably, it can be set as the structure provided with a mesh-shaped wiring pattern.

개구부를 구비한 배선 패턴이 형성된 도전성 기판은, 이제까지 설명한 적층체 기판의 구리층과 저반사율 합금층을 에칭함으로써 얻을 수 있다. 그리고, 예를 들어, 2층의 금속 세선에 의해 메쉬 형상의 배선 패턴을 갖는 도전성 기판으로 할 수 있다. 구체적인 구성예를, 도 4에 나타낸다. 도 4는 메쉬 형상의 배선 패턴을 구비하는 도전성 기판(30)을, 구리 배선층과 저반사율 합금 배선층의 적층 방향 상면측에서 본 도면을 나타내고 있다. 도 4에 나타낸 도전성 기판(30)은, 투명 기재(11)와, 도면상 X축 방향에 평행한 복수의 구리 배선층(31B)과, Y축 방향에 평행한 구리 배선층(31A)을 가진다. 한편, 구리 배선층(31A,31B)은, 앞서 설명한 적층체 기판을 에칭함으로서 형성할 수 있으며, 구리 배선층(31A,31B)의 상면 및/또는 하면에는 저반사율 합금 배선층(미도시)이 형성되어 있다. 또한, 저반사율 합금 배선층은 구리 배선층(31A,31B)과 거의 동일한 형상으로 에칭되어 있다.The conductive substrate on which the wiring pattern with openings is formed can be obtained by etching the copper layer and the low-reflectance alloy layer of the above-described laminate substrate. And, for example, a conductive substrate having a mesh-like wiring pattern of two layers of thin metal wires can be obtained. A specific configuration example is shown in FIG. 4 . Fig. 4 shows a view of the conductive substrate 30 provided with a mesh-shaped wiring pattern, viewed from the upper surface side in the stacking direction of the copper wiring layer and the low-reflectivity alloy wiring layer. The conductive substrate 30 shown in FIG. 4 has a transparent substrate 11, a plurality of copper wiring layers 31B parallel to the X-axis direction in the drawing, and a copper wiring layer 31A parallel to the Y-axis direction. Meanwhile, the copper wiring layers 31A and 31B may be formed by etching the above-described laminated substrate, and a low-reflectance alloy wiring layer (not shown) is formed on the upper and/or lower surfaces of the copper wiring layers 31A and 31B. . In addition, the low-reflectance alloy wiring layer is etched in substantially the same shape as the copper wiring layers 31A and 31B.

투명 기재(11)와 구리 배선층(31A,31B)의 배치는, 특별히 한정되지는 않는다. 투명 기재(11)와 구리 배선층의 배치에 관한 구성예를, 도 5에 나타낸다. 도 5는 도 4의 A-A`선에서의 단면도에 해당한다.The arrangement of the transparent substrate 11 and the copper wiring layers 31A and 31B is not particularly limited. An example of the configuration of the arrangement of the transparent substrate 11 and the copper wiring layer is shown in FIG. 5 . FIG. 5 corresponds to a cross-sectional view taken along line A-A` of FIG. 4 .

예를 들어, 도 5에 나타내는 바와 같이, 투명 기재(11)의 상하면에 각각 구리 배선층(31A,31B)이 배치되어 있을 수도 있다. 한편, 도 5에 나타낸 도전성 기판의 경우, 구리 배선층(31A,31B)의 투명 기재(11) 쪽에는 구리 배선층(31A,31B)과 거의 동일한 형상으로 에칭된 제1 저반사율 합금 배선층(321A,321B)이 배치되어 있다. 또한, 구리 배선층(31A,31B)의 투명 기재(11)와는 반대쪽 면에는, 제2 저반사율 합금 배선층(322A,322B)이 배치되어 있다.For example, as shown in FIG. 5 , copper wiring layers 31A and 31B may be disposed on the upper and lower surfaces of the transparent substrate 11, respectively. On the other hand, in the case of the conductive substrate shown in FIG. 5 , on the transparent substrate 11 side of the copper wiring layers 31A and 31B, the first low-reflectivity alloy wiring layers 321A and 321B etched into substantially the same shape as the copper wiring layers 31A and 31B. ) is placed. Further, on the surface of the copper wiring layers 31A and 31B opposite to the transparent base material 11, second low-reflectance alloy wiring layers 322A and 322B are disposed.

따라서, 도 5에 나타낸 도전성 기판에서는, 금속 세선은, 저반사율 합금 배선층으로서 제1 저반사율 합금 배선층(321A,321B)과 제2 저반사율 합금 배선층(322A,322B)을 가지며, 구리 배선층(31A,31B)은, 제1 저반사율 합금 배선층(321A,321B)과 제2 저반사율 합금 배선층(322A,322B)의 사이에 배치되는 것으로 되어 있다.Therefore, in the conductive substrate shown in Fig. 5, the thin metal wire has the first low-reflectance alloy wiring layers 321A and 321B and the second low-reflectance alloy wiring layers 322A and 322B as the low-reflectance alloy wiring layers, and the copper wiring layer 31A, 31B) is disposed between the first low-reflectivity alloy wiring layers 321A and 321B and the second low-reflectivity alloy wiring layers 322A and 322B.

한편, 여기에서는, 제1 저반사율 합금 배선층과 제2 저반사율 합금 배선층을 구비한 예를 나타내었으나, 이러한 형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 저반사율 합금 배선층과 제2 저반사율 합금 배선층의 어느 한쪽만을 구비할 수도 있다.On the other hand, here, although the example provided with the 1st low-reflectance alloy wiring layer and the 2nd low-reflectance alloy wiring layer was shown, it is not limited to this form. For example, only either one of a 1st low-reflectance alloy wiring layer and a 2nd low-reflectance alloy wiring layer may be provided.

도 4에 나타낸 메쉬 형상의 배선을 갖는 도전성 기판은, 예를 들어, 도 2b, 도 3b에서와 같이 투명 기재(11)의 양면에 구리층(12A,12B)과 저반사율 합금층(13A,13B:131A,132A,131B,132B)을 구비한 적층체 기판으로부터 형성할 수 있다.The conductive substrate having mesh-shaped wiring shown in FIG. 4 includes, for example, copper layers 12A and 12B and low-reflectivity alloy layers 13A and 13B on both sides of the transparent substrate 11 as shown in FIGS. 2B and 3B. : 131A, 132A, 131B, 132B).

한편, 예를 들어, 도 5에 나타낸 제1 저반사율 합금 배선층과 제2 저반사율 합금 배선층을 구비한 도전성 기판은, 도 3b에 나타낸 적층체 기판으로부터 형성할 수 있다.On the other hand, for example, the conductive substrate provided with the 1st low-reflectivity alloy wiring layer and the 2nd low-reflectivity alloy wiring layer shown in FIG. 5 can be formed from the laminated board shown in FIG. 3B.

그래서, 도 3b의 적층체 기판을 사용하여 형성한 경우를 예로 들어 설명하기로 한다.Therefore, a case of forming using the laminate substrate of FIG. 3B will be described as an example.

우선, 투명 기재(11)의 한쪽면(11a) 측의 구리층(12A), 제1 저반사율 합금층(131A), 제2 저반사율 합금층(132A)을, 도 3b에서의 Y축 방향에 평행한 복수 개의 선 모양의 패턴이 X축 방향을 따라 소정 간격을 두고 배치되도록 에칭한다. 한편, 도 3b에서의 Y축 방향이란 지면에 수직인 방향을 의미한다. 또한, 도 3b에서의 X축 방향이란 각 층의 폭 방향에 평행한 방향을 의미한다.First, the copper layer 12A, the first low-reflectance alloy layer 131A, and the second low-reflectance alloy layer 132A on one side 11a side of the transparent substrate 11 are placed in the Y-axis direction in FIG. 3B. Etching is performed so that a plurality of parallel line-shaped patterns are arranged at predetermined intervals along the X-axis direction. Meanwhile, the Y-axis direction in FIG. 3B means a direction perpendicular to the ground. In addition, the X-axis direction in FIG. 3B means a direction parallel to the width direction of each layer.

그리고, 투명 기재(11)의 다른 한쪽면(11b) 측의 구리층(12B), 제1 저반사율 합금층(131B), 제2 저반사율 합금층(132B)을, 도 3b 에서의 X축 방향에 평행한 복수 개의 선 모양의 패턴이 Y축 방향을 따라 소정 간격을 두고 배치되도록 에칭한다.Then, the copper layer 12B, the first low-reflectance alloy layer 131B, and the second low-reflectance alloy layer 132B on the other side 11b of the transparent substrate 11 are disposed in the X-axis direction in FIG. 3B. Etching is performed such that a plurality of line-shaped patterns parallel to are arranged at predetermined intervals along the Y-axis direction.

이상의 조작에 의해, 도 4, 도 5에 나타낸 메쉬 형상의 배선을 갖는 도전성 기판을 형성할 수 있다. 한편, 투명 기재(11)의 양면 에칭은 동시에 할 수도 있다. 즉, 구리층(12A,12B), 제1 저반사율 합금층(131A,131B), 제2 저반사율 합금층(132A,132B)의 에칭을 동시에 할 수도 있다.Through the above operation, it is possible to form a conductive substrate having mesh-like wiring shown in FIGS. 4 and 5 . On the other hand, both sides of the transparent substrate 11 may be etched simultaneously. That is, the copper layers 12A and 12B, the first low-reflectivity alloy layers 131A and 131B, and the second low-reflectivity alloy layers 132A and 132B may be etched simultaneously.

도 4에 나타낸 메쉬 형상 배선을 갖는 도전성 기판은, 도 2a 또는 도 3a에 나타낸 적층체 기판을 2개 이용함으로써 형성할 수도 있다. 도 3a의 도전성 기판을 이용한 경우를 예로 들어 설명하면, 도 3a에 나타낸 도전성 기판 2개에 대해 각각 구리층(12)과 제1 저반사율 합금층(131), 제2 저반사율 합금층(132)을, X축 방향에 평행한 복수 개의 선 모양 패턴이 Y축 방향을 따라 소정 간격을 두고 배치되도록 에칭한다. 그리고, 상기 에칭 처리에 의해 각 도전성 기판에 형성된 선 모양의 패턴이 서로 교차하도록 방향을 맞추어 2개의 도전성 기판을 붙여 맞춤으로써, 메쉬 형상 배선을 구비한 도전성 기판으로 할 수 있다. 2개의 도전성 기판을 붙여 맞출 때에 맞춤면은 특별히 한정되는 것은 아니다.The conductive substrate with mesh-shaped wiring shown in FIG. 4 can also be formed by using two laminated substrates shown in FIG. 2A or 3A. Referring to the case where the conductive substrate of FIG. 3A is used as an example, the copper layer 12, the first low reflectance alloy layer 131, and the second low reflectance alloy layer 132 are respectively applied to the two conductive substrates shown in FIG. 3A. is etched so that a plurality of linear patterns parallel to the X-axis direction are arranged at predetermined intervals along the Y-axis direction. Then, by aligning the directions so that the linear patterns formed on the respective conductive substrates by the above-mentioned etching process intersect each other, the two conductive substrates are bonded together, so that a conductive substrate having mesh-like wiring can be obtained. When bonding two conductive substrates together, the alignment surface is not particularly limited.

예를 들어, 2개의 도전성 기판에 대해, 도 3a에서의 투명 기재(11)에 있어 구리층(12) 등이 적층되어 있지 않은 면(11b) 끼리를 붙여 맞춤으로써, 도 5에 나타낸 구성으로 할 수 있다.For example, the configuration shown in FIG. 5 can be obtained by attaching the surfaces 11b on which the copper layer 12 or the like is not laminated to each other in the transparent substrate 11 in FIG. 3A for two conductive substrates. can

한편, 도 4에 나타낸 메쉬 형상 배선을 갖는 도전성 기판에 있어 금속 세선의 폭, 금속 세선 간 거리 등은 특별히 한정되지는 않으며, 예를 들어, 금속 세선에 필요한 전기 저항값 등에 따라 선택할 수 있다. On the other hand, in the conductive substrate having the mesh-shaped wiring shown in FIG. 4, the width of the fine metal wires, the distance between the fine metal wires, etc. are not particularly limited, and can be selected, for example, according to the electrical resistance required for the fine metal wires.

다만, 투명 기재와 금속 세선이 충분한 밀착성을 가지도록, 금속 세선의 폭 등을 선택하는 것이 바람직하다.However, it is preferable to select the width and the like of the fine metal wire so that the transparent substrate and the fine metal wire have sufficient adhesion.

본 실시형태의 도전성 기판은, 앞서 설명한 적층체 기판을 배선 가공하여 적층체 기판에서의 구리층과 저반사율 합금층에 개구부를 구비시킴으로써 형성된 배선 패턴을 가진다. 그리하여, 배선 패턴에 포함되는 금속 세선의 사이에는, 투명 기재를 노출시키는 개구부가 구비되어 있다.The conductive substrate of the present embodiment has a wiring pattern formed by wiring the above-described laminate substrate and providing openings in the copper layer and the low-reflectivity alloy layer in the laminate substrate. Therefore, an opening through which the transparent substrate is exposed is provided between the thin metal wires included in the wiring pattern.

그리고, 당해 개구부에 있어 파장이 400㎚ 이상 700㎚ 이하인 광의 투과율 평균이, 투명 기재에 있어 파장이 400㎚ 이상 700㎚ 이하인 광의 투과율 평균에 비해 감소한 감소율이 3.0% 이하인 것이 바람직하다.It is preferable that the average transmittance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less in the opening is reduced by 3.0% or less compared to the average transmittance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less in the transparent substrate.

이것은, 상기 개구부에 있어 파장이 400㎚ 이상 700㎚ 이하인 광의 투과율 평균이, 적층체 기판에 제공하는 투명 기재에 있어 파장이 400㎚ 이상 700㎚ 이하인 광의 투과율 평균에 비해 감소한 감소율이 3.0%를 초과하면, 투명 기재를 육안으로 관찰했을 때 황색으로 변색되어 보이는 경우가 있기 때문이다. 상기 감소율이 3.0%를 초과하는 것은, 저반사율 합금층과 구리층을 에칭할 때에 저반사율 합금층의 에칭 속도가 늦어서 저반사율 합금층과 구리층을 동시에 에칭할 수 없기 때문이다. 그러므로, 앞서 설명한 바와 같이, 저반사율 합금층에 포함되는 구리와 니켈 중 니켈의 비율을 85 질량% 이하로 하는 것이 바람직하다.This is when the average transmittance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less in the opening is reduced by more than 3.0% compared to the average transmittance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less in the transparent substrate provided to the laminate substrate. , This is because the transparent substrate may be discolored in yellow when observed with the naked eye. The reason why the reduction rate exceeds 3.0% is that the etching rate of the low-reflectivity alloy layer is slow when etching the low-reflectivity alloy layer and the copper layer, so that the low-reflectivity alloy layer and the copper layer cannot be etched simultaneously. Therefore, as described above, it is preferable to set the ratio of nickel among the copper and nickel contained in the low-reflectivity alloy layer to 85% by mass or less.

한편, 저반사율 합금층 대신에, 니켈과, 화학적으로 부정비(不定比)로 되어 있는 구리 산화물을 포함하는 흑화층을 사용한 경우, 니켈과 구리의 함유 비율, 이들의 산화 상태에 따라 에칭성이 저하되고 상기 감소율이 3.0%를 초과하여, 투명 기재를 육안으로 관찰하면 황색으로 변색되어 보이는 경우도 있다. 이와 같이, 화학적으로 부정비(不定比)인 산화물을 사용한 흑화층을 갖는 적층체 기판은, 흑화층 성막시에 스퍼터링 분위기를 제어할 필요가 있으므로, 제조 조건을 최적화하기가 어려운 경우도 있다.On the other hand, when a blackening layer containing nickel and copper oxide having a chemically indefinite ratio is used instead of the low-reflectance alloy layer, the etching property depends on the content ratio of nickel and copper and their oxidation state. and the reduction rate exceeds 3.0%, and the transparent substrate may be discolored to yellow when observed with the naked eye. In this way, in a laminate substrate having a blackening layer using an oxide having a chemically indefinite ratio, since it is necessary to control the sputtering atmosphere at the time of forming the blackening layer, it is sometimes difficult to optimize the manufacturing conditions.

이에 대해, 본 실시형태에 따른 적층체 기판은, 흑화층으로 저반사율 합금층을 사용하므로, 니켈과 구리의 조성만을 제어하면 되어서, 제조 조건을 최적화하는 것이 용이하다.In contrast, since the laminate substrate according to the present embodiment uses a low-reflectivity alloy layer as the blackening layer, only the composition of nickel and copper needs to be controlled, so that it is easy to optimize the manufacturing conditions.

또한, 본 실시형태 도전성 기판의 광 반사 정도는, 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 파장이 400㎚ 이상 700㎚ 이하인 광의 정반사율 평균은 55% 이하인 것이 바람직하고, 40% 이하이면 보다 바람직하며, 30% 이하이면 더 바람직하다. 이것은, 파장이 400㎚ 이상 700㎚ 이하인 광의 정반사율 평균이 55% 이하인 경우, 예를 들어, 터치 패널용 도전성 기판으로 사용한 경우에도 디스플레이의 시인성 저하를 크게 억제할 수 있기 때문이다.Further, the degree of light reflection of the conductive substrate of the present embodiment is not particularly limited, but, for example, the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is preferably 55% or less, more preferably 40% or less, , it is more preferable if it is 30% or less. This is because when the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is 55% or less, for example, even when used as a conductive substrate for a touch panel, deterioration in display visibility can be greatly suppressed.

여기까지 설명한 본 실시형태의 2층 배선으로 구성되는 메쉬 형상 배선을 갖는 도전성 기판은, 바람직하게는, 예를 들어, 투영형 정전용량 방식의 터치 패널용 도전성 기판으로 사용할 수 있다.The conductive substrate having mesh-shaped wiring composed of the two-layer wiring of the present embodiment described so far can be preferably used as, for example, a conductive substrate for a projected capacitive touch panel.

(적층체 기판 제조방법, 도전성 기판 제조방법)(Laminate substrate manufacturing method, conductive substrate manufacturing method)

이어서, 본 실시형태의 적층체 기판 제조방법의 구성예에 대해 설명한다.Next, a configuration example of the method for manufacturing a laminate substrate of the present embodiment will be described.

본 실시형태의 적층체 기판 제조방법은, 투명 기재를 준비하는 투명 기재 준비 공정과, 투명 기재의 적어도 한쪽면 측에 적층체를 형성하는 적층체 형성 공정을 가질 수 있다.The method for manufacturing a laminate substrate of the present embodiment may include a transparent substrate preparation step for preparing a transparent substrate and a laminate formation step for forming a laminate on at least one side of the transparent substrate.

그리고, 상기 적층체 형성 공정은, 구리를 퇴적시키는 구리층 성막 수단에 의해 구리층을 형성하는 구리층 형성 단계와, 구리와 니켈을 함유하는 저반사율 합금층을 퇴적시키는 저반사율 합금층 성막 수단에 의해 저반사율 합금층을 성막하는 저반사율 합금층 형성 단계를 포함할 수 있다.And, the laminate forming step includes a copper layer forming step of forming a copper layer by a copper layer film forming means for depositing copper, and a low reflectance alloy layer film forming means for depositing a low reflectance alloy layer containing copper and nickel. A low reflectance alloy layer forming step of forming a low reflectance alloy layer may be included.

그리고, 저반사율 합금층 형성 단계는, 감압 분위기 하에서 실시되는 것이 바람직하다. 또한, 저반사율 합금층에 포함되는 구리와 니켈 중 니켈의 비율이 30 질량% 이상 85 질량% 이하인 것이 바람직하다.And, it is preferable that the low-reflectance alloy layer forming step is performed under a reduced pressure atmosphere. Moreover, it is preferable that the ratio of nickel among copper and nickel contained in a low reflectance alloy layer is 30 mass % or more and 85 mass % or less.

이하에서 본 실시형태의 적층체 기판 제조방법에 대해 설명하나, 이하에서 설명하는 점 이외에 대해서는, 전술한 적층체 기판의 경우와 마찬가지의 구성으로 할 수 있으므로 설명을 생략한다.The method for manufacturing the laminate substrate of the present embodiment will be described below, but other than the points described below, the description will be omitted since the configuration can be the same as that of the above-described laminate substrate.

전술한 바와 같이, 본 실시형태의 적층체 기판에서는, 구리층과 저반사율 합금층을 투명 기재 상에 배치할 때의 적층 순서는 특별히 한정되지는 않는다. 또한, 구리층과 저반사율 합금층은 각각 복수 개의 층으로 형성될 수도 있다. 그러므로, 상기 구리층 형성 단계와 저반사율 합금층 형성 단계를 실시하는 순서, 실시하는 횟수 등에 대해서는, 특별히 한정되지 않으며, 형성할 적층체 기판의 구조에 맞추어 임의의 횟수, 타이밍에서 실시할 수 있다.As described above, in the laminate substrate of the present embodiment, the lamination order when arranging the copper layer and the low-reflectivity alloy layer on the transparent substrate is not particularly limited. In addition, each of the copper layer and the low-reflectivity alloy layer may be formed of a plurality of layers. Therefore, the order of performing the copper layer forming step and the low-reflectivity alloy layer forming step, the number of times of performing them, etc. are not particularly limited, and can be performed at any number of times and timing according to the structure of the laminate substrate to be formed.

투명 기재를 준비하는 공정은, 예를 들어, 가시광을 투과시키는 고분자 필름, 유리 기판 등에 의해 구성된 투명 기재를 준비하는 공정이며, 구체적인 조작이 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 나중의 각 공정, 단계에 제공하기 위해, 필요에 따라 임의의 크기로 절단 등을 할 수 있다. 한편, 가시광을 투과시키는 고분자 필름으로서 필요에 따라 적절히 사용할 수 있는 것에 대해서는, 앞서 설명하였으므로 여기에서는 설명을 생략한다. The process of preparing a transparent substrate is a process of preparing a transparent substrate composed of, for example, a polymer film that transmits visible light, a glass substrate, or the like, and specific operations are not particularly limited. For example, it can be cut into any size as needed to be used in each subsequent process or step. On the other hand, since the polymer film that can be used appropriately as needed as a polymer film that transmits visible light has been described above, the description is omitted here.

이어서, 적층체 형성 공정에 대해 설명한다. 적층체 형성 공정은, 투명 기재의 적어도 한쪽면 측에 적층체를 형성하는 공정이며, 구리층 형성 단계와 저반사율 합금층 형성 단계를 가진다. 그리고, 각 단계에 대해서는 이하에서 설명한다.Next, the laminated body formation process is demonstrated. The laminate forming step is a step of forming a laminate on at least one surface side of a transparent substrate, and has a copper layer forming step and a low reflectance alloy layer forming step. In addition, each step is described below.

우선, 구리층 형성 단계에 대해 설명한다.First, the copper layer formation step is described.

구리층 형성 단계에서는, 투명 기재의 적어도 한쪽면 측에 구리를 퇴적시키는 구리층 성막 수단에 의해 구리층을 형성할 수 있다.In the copper layer forming step, a copper layer can be formed by a copper layer film forming means for depositing copper on at least one side of the transparent substrate.

구리층 형성 단계에서는, 건식 도금법을 이용하여 구리 박막층을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 구리층을 보다 두껍게 하는 경우에는, 건식 도금법에 의해 구리 박막층을 형성한 후에, 습식 도금법을 이용하여 구리 도금층을 더 형성하는 것이 바람직하다. In the copper layer formation step, it is preferable to form the copper thin film layer using a dry plating method. Moreover, when making a copper layer thicker, it is preferable to further form a copper plating layer using the wet plating method, after forming the copper thin film layer by the dry plating method.

그러므로, 구리층 형성 단계에서는, 예를 들어, 건식 도금법에 의해 구리 박막층을 형성하는 단계를 가질 수 있다. 또한, 구리층 형성 단계는, 건식 도금법에 의해 구리 박막층을 형성하는 단계와, 당해 구리 박막층을 급전층으로 하여 습식 도금법에 의해 구리 도금층을 형성하는 단계를 가질 수도 있다.Therefore, the copper layer forming step may include, for example, a step of forming a copper thin film layer by a dry plating method. Further, the copper layer forming step may include a step of forming a copper thin film layer by a dry plating method, and a step of forming a copper plating layer by a wet plating method using the copper thin film layer as a power supply layer.

따라서, 전술한 구리층 성막 수단으로는, 하나의 성막 수단에 한정되지는 않으며, 복수의 성막 수단을 조합하여 사용할 수도 있다.Therefore, the copper layer film forming means described above is not limited to one film forming means, and a plurality of film forming means may be used in combination.

전술한 바와 같이, 건식 도금법 만으로 또는 건식 도금법과 습식 도금법을 조합하여 구리층을 형성함으로써, 투명 기재 또는 저반사율 합금층 상에 접착제를 통하지 않고 직접 구리층을 형성할 수 있어서 바람직하다.As described above, by forming the copper layer only by the dry plating method or by combining the dry plating method and the wet plating method, the copper layer can be directly formed on the transparent substrate or the low-reflectivity alloy layer without using an adhesive, which is preferable.

건식 도금법으로는, 특별히 한정되는 것은 아니나, 바람직하게는, 감압 분위기 하에서 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 증착법 등을 이용할 수 있다. The dry plating method is not particularly limited, but preferably, a sputtering method, an ion plating method, a vapor deposition method, or the like can be used under a reduced pressure atmosphere.

특히, 구리 박막층의 형성에 이용하는 건식 도금법으로는, 용이하게 두께를 제어할 수 있다는 점에서 스퍼터링법을 이용하는 것이 보다 바람직하다. 즉, 이 경우, 구리층 형성 단계에서 구리를 퇴적시키는 구리층 성막 수단으로서, 바람직하게는, 스퍼터링 성막 수단(스퍼터링 성막법)을 이용할 수 있다.In particular, as the dry plating method used for forming the copper thin film layer, it is more preferable to use the sputtering method because the thickness can be easily controlled. That is, in this case, as the copper layer film formation means for depositing copper in the copper layer formation step, sputtering film formation means (sputtering film formation method) can be preferably used.

구리 박막층은, 예를 들어, 도 6에 나타낸 롤 투 롤 스퍼터링 장치(60)를 이용하여 필요에 따라 적절히 성막할 수 있다. 이하에서, 롤 투 롤(roll to roll) 스퍼터링 장치를 이용한 경우를 예로 들어, 구리 박막층을 형성하는 공정을 설명한다.The copper thin film layer can be appropriately formed as needed using, for example, the roll-to-roll sputtering device 60 shown in FIG. 6 . Hereinafter, a process of forming a copper thin film layer will be described by taking a case in which a roll to roll sputtering device is used as an example.

도 6은 롤 투 롤 스퍼터링 장치(60)의 일 구성예를 나타내고 있다. 롤 투 롤 스퍼터링 장치(60)는 그 구성 부품의 대부분을 수납하는 케이스(61)를 구비하고 있다. 도 6에서 케이스(61)의 형상은 직방체 형상으로 나타내고 있으나, 케이스(61)의 형상은 특별히 한정되는 것은 아니며, 내부에 수용할 장치, 설치 장소, 내압 성능 등에 따라 임의의 형상으로 할 수 있다. 예를 들어, 케이스(61)의 형상은 원통 형상으로 할 수도 있다. 다만, 성막이 개시될 때에 성막에 관계 없는 잔류 가스를 제거하기 위해, 케이스(61) 내부는 1Pa 이하까지 감압될 수 있는 것이 바람직하고, 10-3Pa 이하까지 감압될 수 있으면 보다 바람직하며, 10-4Pa 이하까지 감압될 수 있으면 더 바람직하다. 한편, 케이스(61) 내부 전체가 상기 압력까지 감압될 수 있을 필요는 없고, 스퍼터링을 행하는, 후술하는 캔 롤(can roll, 63)이 배치된 도면상 하측 영역만이 상기 압력까지 감압될 수 있도록 구성할 수도 있다.6 shows an example of the configuration of a roll-to-roll sputtering device 60. The roll-to-roll sputtering device 60 has a case 61 that houses most of its constituent parts. In FIG. 6, the shape of the case 61 is shown as a rectangular parallelepiped, but the shape of the case 61 is not particularly limited, and can be any shape depending on the device to be accommodated therein, the installation location, the pressure resistance performance, and the like. For example, the shape of the case 61 can also be made into a cylindrical shape. However, in order to remove residual gas unrelated to film formation when film formation is started, it is preferable that the pressure inside the case 61 can be reduced to 1 Pa or less, and more preferably to 10 -3 Pa or less. It is more preferable if the pressure can be reduced to -4 Pa or less. On the other hand, it is not necessary that the entire inside of the case 61 can be depressurized to the pressure, and only the lower region in the drawing where the can roll 63 to be described later, which performs sputtering, is disposed, can be decompressed to the pressure. can also be configured.

케이스(61) 내에는, 구리 박막층을 성막할 기재(基材)를 공급하는 권출 롤(62), 캔 롤(63), 스퍼터링 캐소드(64a∼64d), 앞 피드 롤(65a), 뒤 피드 롤(65b), 텐션 롤(66a,66b), 권취 롤(67)을 배치할 수 있다. 또한, 구리 박막층을 성막할 기재의 반송 경로 상에는, 상기 각 롤 이외에 임의로 가이드 롤(68a∼68h), 히터(69) 등을 구비할 수도 있다.Inside case 61, there are unwinding rolls 62, can rolls 63, sputtering cathodes 64a to 64d, front feed rolls 65a, and rear feed rolls for supplying a base material on which to form a copper thin film layer. (65b), the tension rolls 66a and 66b, and the take-up roll 67 can be arranged. Further, guide rolls 68a to 68h, heaters 69, and the like may be optionally provided in addition to the above rolls on the conveyance path of the substrate on which the copper thin film layer is to be formed.

권출 롤(62), 캔 롤(63), 앞 피드 롤(65a), 권취 롤(67)에는 서보 모터에 의한 동력을 구비시킬 수 있다. 권출 롤(62), 권취 롤(67)은, 파우더 클러치 등에 의한 토크 제어에 의해, 구리 박막층을 성막할 기재의 장력 밸런스가 유지되도록 되어 있다.The unwinding roll 62, the can roll 63, the front feed roll 65a, and the take-up roll 67 can be powered by servo motors. In the unwinding roll 62 and the winding roll 67, the tension balance of the substrate on which the copper thin film layer is to be formed is maintained by torque control by a powder clutch or the like.

캔 롤(63)의 구성에 대해서도, 특별히 한정되지는 않으나, 예를 들어, 그 표면이 경질 크롬 도금으로 처리되어 있고 그 내부에는 케이스(61)의 외부로부터 공급되는 냉매나 온매가 순환하여 일정한 온도로 조정될 수 있도록 구성되는 것이 바람직하다.The configuration of the can roll 63 is not particularly limited, either. For example, the surface is treated with hard chrome plating, and a refrigerant or warm medium supplied from the outside of the case 61 circulates inside the can roll 63 to maintain a constant temperature. It is preferable to be configured so that it can be adjusted to .

텐션 롤(66a,66b)은, 예를 들어, 표면이 경질 크롬 도금으로 처리되어 있고 장력 센서가 구비되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 앞 피드 롤(65a), 뒤 피드 롤(65b), 가이드 롤(68a∼68h) 등에 대해서도, 표면이 경질 크롬 도금으로 처리되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the tension rolls 66a and 66b have surfaces treated with, for example, hard chrome plating and are equipped with tension sensors. Also, the surfaces of the front feed roll 65a, the rear feed roll 65b, and the guide rolls 68a to 68h are preferably treated with hard chrome plating.

스퍼터링 캐소드(64a∼64d)는 마그네트론 캐소드 방식으로 캔 롤(63)에 대향하여 배치하는 것이 바람직하다. 스퍼터링 캐소드(64a∼64d)의 크기는 특별히 한정되지는 않으나, 스퍼터링 캐소드(64a∼64d)의 구리 박막층을 성막할 기재의 폭방향 치수는, 대향하는 구리 박막층을 성막할 기재의 폭보다 넓은 것이 바람직하다.The sputtering cathodes 64a to 64d are preferably disposed facing the can roll 63 in a magnetron cathode manner. Although the size of the sputtering cathodes 64a to 64d is not particularly limited, it is preferable that the width direction of the substrate on which the copper thin film layer of the sputtering cathode 64a to 64d is to be formed is wider than the width of the substrate on which the opposing copper thin film layer is to be formed. do.

구리 박막층을 성막할 기재는, 롤 투 롤 진공 성막 장치인 롤 투 롤 스퍼터링 장치(60) 안으로 반송되어, 캔 롤(63)에 대향하는 스퍼터링 캐소드(64a∼64d)에서 구리 박막층이 성막된다.The substrate on which the copper thin film layer is to be formed is conveyed into the roll-to-roll sputtering device 60, which is a roll-to-roll vacuum film forming device, and the copper thin film layer is formed on the sputtering cathodes 64a to 64d facing the can roll 63.

롤 투 롤 스퍼터링 장치(60)를 이용하여 구리 박막층을 성막하는 방법에 대해 설명한다.A method of forming a copper thin film layer using the roll-to-roll sputtering device 60 will be described.

먼저, 구리 타겟을 스퍼터링 캐소드(64a∼64d)에 장착하고, 구리 박막층을 성막할 기재를 권출 롤(62)에 세팅한 케이스(61) 안을, 진공 펌프(70a,70b)에 의해 진공 배기시킨다. First, a copper target is attached to the sputtering cathodes 64a to 64d, and the inside of the case 61 in which the substrate on which the copper thin film layer is to be formed is set on the unwinding roll 62 is evacuated by vacuum pumps 70a and 70b.

그리고, 그 후 불활성 가스, 예를 들어, 아르곤 등의 스퍼터링 가스를 기체 공급 수단(71)에 의해 케이스(61) 안으로 도입한다. 한편, 기체 공급 수단(71)의 구성은 특별히 한정되지는 않으나, 기체 저장 탱크(미도시)를 가질 수 있다. 그리고, 기체 저장 탱크와 케이스(61)의 사이에, 가스종(種)마다 질량 유량 제어기(MFC: 711a,711b), 밸브(712a,712b)를 구비하여, 각 가스가 케이스(61) 안으로 공급되는 양을 제어하도록 구성할 수 있다. 도 6에서는, 질량 유량 제어기와 밸브를 2세트 구비한 예를 나타내고 있으나, 설치 갯수는 특별히 한정되지 않으며, 사용하는 가스종의 갯수에 따라 설치 갯수를 선택할 수 있다.Then, an inert gas, for example, a sputtering gas such as argon, is introduced into the case 61 by means of the gas supply means 71 . Meanwhile, the configuration of the gas supply means 71 is not particularly limited, but may have a gas storage tank (not shown). Then, a mass flow controller (MFC: 711a, 711b) and valves 712a, 712b are provided for each gas type between the gas storage tank and the case 61, so that each gas is supplied into the case 61. It can be configured to control the amount of 6 shows an example in which two sets of mass flow controllers and valves are provided, but the number of installations is not particularly limited, and the number of installations can be selected according to the number of types of gases used.

그리고, 기체 공급 수단(71)에 의해 스퍼터링 가스를 케이스(61) 안으로 공급했을 때에, 스퍼터링 가스의 유량과, 진공 펌프(70b)와 케이스(61) 사이에 구비된 압력 조정 밸브(72)의 개방도를 조정하여, 장치 안을, 예를 들어, 0.13Pa 이상 1.3Pa 이하로 유지하고 성막을 실시하는 것이 바람직하다.Then, when the sputtering gas is supplied into the case 61 by the gas supply means 71, the flow rate of the sputtering gas and the opening of the pressure regulating valve 72 provided between the vacuum pump 70b and the case 61 It is preferable to adjust the degree and perform film formation while maintaining the inside of the device at, for example, 0.13 Pa or more and 1.3 Pa or less.

이 상태에서 권출 롤(72)로부터 기재를, 예를 들어, 분당 1m 이상 20m 이하의 속도로 반송하면서, 스퍼터링 캐소드(64a∼64d)에 접속된 스퍼터링용 직류 전원으로부터 전력을 공급하여 스퍼터링 방전을 실시한다. 이로써, 기재 상에 원하는 구리 박막층을 연속 성막할 수 있다.In this state, sputtering discharge is performed by supplying electric power from a DC power supply for sputtering connected to sputtering cathodes 64a to 64d while transporting the base material from the unwinding roll 72 at a speed of, for example, 1 m or more and 20 m or less per minute. do. Thereby, a desired copper thin film layer can be continuously formed on the substrate.

한편, 롤 투 롤 스퍼터링 장치(60)에는, 전술한 것 이외에도 필요에 따라 각종 부재를 배치할 수 있다. 예를 들어, 케이스(61) 안의 압력을 측정하기 위한 압력계(73a,73b), 벤트 밸브(74a,74b) 등을 구비할 수도 있다.On the other hand, in the roll-to-roll sputtering device 60, various members other than those described above can be disposed as necessary. For example, pressure gauges 73a and 73b and vent valves 74a and 74b may be provided to measure the pressure in the case 61 .

또한, 앞서 설명한 바와 같이, 건식 도금 후에 습식 도금법을 이용하여 구리층(구리 도금층)을 더 성막할 수 있다.In addition, as described above, a copper layer (copper plating layer) may be further formed using a wet plating method after dry plating.

습식 도금법에 의해 구리 도금층을 성막하는 경우, 전술한 건식 도금에 의해 성막된 구리 박막층을 급전층으로 할 수 있다. 그리고, 이 경우, 구리층 형성 단계에서 구리를 퇴적시키는 구리층 성막 수단으로서, 바람직하게는, 전기 도금 성막 수단을 사용할 수 있다.In the case of forming a copper plating layer by a wet plating method, the copper thin film layer formed by the dry plating method described above can be used as a power supply layer. In this case, as the copper layer film formation means for depositing copper in the copper layer formation step, preferably, an electroplating film formation means can be used.

구리 박막층을 급전층으로 하여, 습식 도금법에 의해 구리 도금층을 형성하는 공정에서의 조건, 즉, 전기 도금 처리 조건은, 특별히 한정되지는 않으며, 통상의 방법에 따른 제 조건을 채용하면 된다. 예를 들어, 구리 도금액을 넣은 도금조에, 구리 박막층을 형성한 기재를 공급하고, 전류 밀도, 기재 반송 속도 등을 제어함으로써 구리 도금층을 형성할 수 있다.Conditions in the process of forming a copper plating layer by a wet plating method using a copper thin film layer as a power supply layer, ie, electroplating treatment conditions, are not particularly limited, and various conditions according to a conventional method may be employed. For example, a copper plating layer can be formed by supplying a base material on which a copper thin film layer is formed to a plating bath containing a copper plating solution, and controlling current density, base material transport speed, and the like.

이어서, 저반사율 합금층 형성 단계에 대해 설명한다.Next, the low-reflectance alloy layer forming step is described.

저반사율 합금층 형성 단계는, 앞서 설명한 바와 같이, 투명 기재의 적어도 한쪽면 측에 구리와 니켈을 함유하는 저반사율 합금층을 성막하는 저반사율 합금층 성막 수단에 의해 저반사율 합금층을 성막하는 단계이다. 저반사율 합금층 형성 단계에 있어 구리와 니켈을 함유하는 저반사율 합금층을 퇴적시키는 저반사율 합금층 성막 수단은, 특별히 한정되지는 않으나, 예를 들어, 감압 분위기 하에서의 스퍼터링 성막 수단, 즉, 스퍼터링 성막법인 것이 바람직하다.As described above, the low-reflectance alloy layer forming step is a step of forming a low-reflectance alloy layer into a film by a low-reflectance alloy layer forming means for forming a low-reflectance alloy layer containing copper and nickel on at least one side of the transparent substrate. am. In the low-reflectance alloy layer forming step, the low-reflectance alloy layer film forming means for depositing the low-reflectance alloy layer containing copper and nickel is not particularly limited, but is, for example, sputtering film-forming means under a reduced pressure atmosphere, that is, sputtering film-forming corporate is preferred.

저반사율 합금층은, 예를 들어, 도 6에 나타낸 롤 투 롤 스퍼터링 장치(60)를 이용하여 필요에 따라 적절히 성막할 수 있다. 롤 투 롤 스퍼터링 장치의 구성에 대해서는, 앞서 설명하였으므로, 여기에서는 설명을 생략한다.The low-reflectance alloy layer can be appropriately formed as needed using, for example, the roll-to-roll sputtering device 60 shown in FIG. 6 . Since the configuration of the roll-to-roll sputtering device has been described above, the description is omitted here.

롤 투 롤 스퍼터링 장치(60)를 이용하여 저반사율 합금층을 성막하는 방법의 구성예에 대해 설명한다.A configuration example of a method for forming a low-reflectance alloy layer using the roll-to-roll sputtering device 60 will be described.

먼저, 구리-니켈 합금 타겟을 스퍼터링 캐소드(64a∼64d)에 장착하고, 저반사율 합금층을 성막할 기재를 권출 롤(62)에 세팅한 케이스(61) 안을 진공 펌프(70a,70b)에 의해 진공 배기시킨다. 그 후, 불활성 가스, 예를 들어, 아르곤으로 이루어지는 스퍼터링 가스를 기체 공급 수단(71)에 의해 케이스(61) 안으로 도입한다. 이 때, 스퍼터링 가스의 유량과, 진공 펌프(70b)와 케이스(61)의 사이에 구비된 압력 조정 밸브(72)의 개방도를 조정하여, 케이스(61) 안을, 예를 들어, 0.13Pa 이상 13Pa 이하로 유지한 상태에서 성막을 실시하는 것이 바람직하다.First, copper-nickel alloy targets are attached to the sputtering cathodes 64a to 64d, and the inside of the case 61 in which the substrate on which the low-reflectivity alloy layer is to be formed is set on the unwinding roll 62 by vacuum pumps 70a and 70b. evacuate the vacuum After that, a sputtering gas made of an inert gas, for example argon, is introduced into the case 61 by means of the gas supply means 71 . At this time, by adjusting the flow rate of the sputtering gas and the opening degree of the pressure regulating valve 72 provided between the vacuum pump 70b and the case 61, the inside of the case 61 is, for example, 0.13 Pa or more. It is preferable to perform film formation in a state maintained at 13 Pa or less.

이 상태에서 권출 롤(62)로부터 기재를, 예를 들어, 분당 0.5m 이상 10m 이하 정도의 속도로 반송하면서, 스퍼터링 캐소드(64a∼64d)에 접속된 스퍼터링용 직류 전원으로부터 전력을 공급하여 스퍼터링 방전을 실시한다. 이로써, 기재 상에 원하는 저반사율 합금층을 연속 성막할 수 있다.In this state, electric power is supplied from the DC power supply for sputtering connected to the sputtering cathodes 64a to 64d while conveying the base material from the unwinding roll 62 at a speed of, for example, 0.5 m or more and 10 m or less per minute to discharge sputtering. carry out In this way, a desired low-reflectivity alloy layer can be continuously formed on the substrate.

여기까지 본 실시형태의 적층체 기판 제조방법에 포함되는 각 공정, 단계에 대해 설명하였다.Up to this point, each process and step included in the method for manufacturing a laminate substrate of the present embodiment has been described.

본 실시형태의 적층체 기판 제조방법에 의해 얻어지는 적층체 기판은, 앞서 설명한 적층체 기판과 마찬가지로, 구리층의 두께가 50㎚ 이상인 것이 바람직하고, 60㎚ 이상이면 보다 바람직하며, 150㎚ 이상이면 더 바람직하다. 구리층 두께의 상한값은, 특별히 한정되지는 않으나, 구리층의 두께는 5000㎚ 이하인 것이 바람직하고, 3000㎚ 이하이면 보다 바람직하다. 한편, 구리층이, 전술한 바와 같이, 구리 박막층과 구리 도금층을 가지는 경우에는, 구리 박막층의 두께와 구리 도금층의 두께의 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.In the laminate substrate obtained by the method for manufacturing a laminate substrate of the present embodiment, the thickness of the copper layer is preferably 50 nm or more, more preferably 60 nm or more, and even more preferably 150 nm or more, similarly to the laminate substrate described above. desirable. The upper limit of the thickness of the copper layer is not particularly limited, but the thickness of the copper layer is preferably 5000 nm or less, more preferably 3000 nm or less. On the other hand, when a copper layer has a copper thin film layer and a copper plating layer as mentioned above, it is preferable that the sum total of the thickness of a copper thin film layer and the thickness of a copper plating layer is the said range.

또한, 저반사율 합금층의 두께는, 특별히 한정되지는 않으나, 예를 들어, 10㎚ 이상인 것이 바람직하고, 15㎚ 이상으로 하면 보다 바람직하다. 저반사율 합금층 두께의 상한값은, 특별히 한정되지는 않으나, 70㎚ 이하인 것이 바람직하고, 50㎚ 이하로 하면 보다 바람직하다. In addition, the thickness of the low-reflectance alloy layer is not particularly limited, but is preferably 10 nm or more, and more preferably 15 nm or more, for example. The upper limit of the thickness of the low-reflectance alloy layer is not particularly limited, but is preferably 70 nm or less, and more preferably 50 nm or less.

또한, 본 실시형태의 적층체 기판 제조방법에 의해 얻어지는 적층체 기판은, 파장이 400㎚ 이상 700㎚ 이하인 광의 정반사율 평균이 55% 이하인 것이 바람직하고, 40% 이하이면 보다 바람직하며, 30% 이하이면 더 바람직하다.In the laminate substrate obtained by the method for manufacturing a laminate substrate of the present embodiment, the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is preferably 55% or less, more preferably 40% or less, and 30% or less. It is more preferable if

본 실시형태의 적층체 기판 제조방법에 의해 얻어지는 적층체 기판을 이용하여, 구리층 및 저반사율 합금층에 개구부를 구비시킨 배선 패턴이 형성된 도전성 기판으로 제조할 수 있다. 도전성 기판은, 보다 바람직하게는, 메쉬 형상 배선을 구비한 구성으로 할 수 있다.Using the laminate substrate obtained by the method for manufacturing a laminate substrate of the present embodiment, a conductive substrate having a wiring pattern provided with openings in the copper layer and the low-reflectivity alloy layer can be manufactured. The conductive substrate may more preferably have a structure provided with mesh-like wiring.

이러한 본 실시형태의 도전성 기판 제조방법은, 전술한 적층체 기판 제조방법에 의해 얻어진 적층체 기판의 구리층과 저반사율 합금층을 에칭하여, 구리 배선층과 저반사율 합금 배선층을 구비한 적층체인 금속 세선을 갖는 배선 패턴을 형성하는 에칭 공정을 포함할 수 있다. 그리고, 이러한 에칭 공정에 의해 구리층과 저반사율 합금층에 개구부를 형성할 수 있다. In the conductive substrate manufacturing method of this embodiment, the copper layer and the low-reflectivity alloy layer of the laminate substrate obtained by the above-described laminate substrate manufacturing method are etched to form a thin metal wire, which is a laminate comprising a copper wiring layer and a low-reflectivity alloy wiring layer. It may include an etching process of forming a wiring pattern having. Further, openings may be formed in the copper layer and the low-reflectivity alloy layer by such an etching process.

에칭 공정에서는, 예를 들어, 우선, 에칭에 의해 제거할 부분에 대응하는 개구부를 갖는 레지스트를, 적층체 기판의 가장 바깥쪽 표면에 형성한다. 예를 들어, 도 2a에 나타낸 적층체 기판(10A)의 경우, 적층체 기판(10A)에 배치된 저반사율 합금층(13)의 노출된 표면(A) 상에 레지스트를 형성할 수 있다. 한편, 에칭에 의해 제거할 부분에 대응하는 개구부를 갖는 레지스트의 형성 방법은, 특별히 한정되지는 않으나, 예를 들어, 포토리소그래피법에 의해 형성할 수 있다.In the etching step, for example, first, a resist having an opening corresponding to a portion to be removed by etching is formed on the outermost surface of the laminate substrate. For example, in the case of the laminate substrate 10A shown in FIG. 2A, a resist may be formed on the exposed surface A of the low-reflectivity alloy layer 13 disposed on the laminate substrate 10A. On the other hand, the method of forming a resist having an opening corresponding to a portion to be removed by etching is not particularly limited, but can be formed by, for example, a photolithography method.

이어서, 레지스트 상면으로부터 에칭액을 공급함으로써, 구리층(12), 저반사율 합금층(13)의 에칭을 실시할 수 있다.Then, the copper layer 12 and the low-reflectivity alloy layer 13 can be etched by supplying an etchant from the upper surface of the resist.

한편, 도 2b에서와 같이 투명 기재(11)의 양면에 구리층, 저반사율 합금층을 배치한 경우에는, 적층체 기판의 표면(A) 및 표면(B)에 각각 소정 형상의 개구부를 갖는 레지스트를 형성하여, 투명 기재(11)의 양면에 형성된 구리층, 저반사율 합금층을 동시에 에칭할 수도 있다. 또한, 투명 기재(11)의 양쪽에 형성된 구리층 및 저반사율 합금층에 대해, 한쪽씩 에칭 처리할 수도 있다. 즉, 예를 들어, 구리층(12A)과 저반사율 합금층(13A)의 에칭을 실시한 후에, 구리층(12B)과 저반사율 합금층(13B)의 에칭을 실시할 수도 있다.On the other hand, when the copper layer and the low-reflectivity alloy layer are disposed on both sides of the transparent substrate 11 as shown in FIG. 2B, the resist having openings of a predetermined shape on the surface A and B of the laminate substrate, respectively By forming, the copper layer and the low reflectance alloy layer formed on both sides of the transparent substrate 11 may be etched simultaneously. In addition, the copper layer and the low-reflectance alloy layer formed on both sides of the transparent substrate 11 may be etched individually. That is, for example, after etching the copper layer 12A and the low reflectance alloy layer 13A, the copper layer 12B and the low reflectance alloy layer 13B may be etched.

본 실시형태의 적층체 기판 제조방법으로 형성되는 저반사율 합금층은, 구리층과 마찬가지의 에칭액 반응성을 나타낸다. 그러므로, 에칭 공정에서 사용하는 에칭액은 특별히 한정되지 않으며, 바람직하게는, 일반적으로 구리층의 에칭에 사용되는 에칭액을 사용할 수 있다.The low-reflectance alloy layer formed by the method for manufacturing the laminate substrate of the present embodiment exhibits the same etchant reactivity as the copper layer. Therefore, the etchant used in the etching process is not particularly limited, and preferably, an etchant generally used for etching a copper layer can be used.

에칭 공정에 사용하는 에칭액으로는, 보다 바람직하게는, 예를 들어, 황산, 과산화수소수, 염산, 염화제이구리 및 염화제이철에서 선택된 1종류를 포함하는 수용액, 또는 상기 황산 등에서 선택된 2종류 이상을 포함하는 혼합 수용액을 사용할 수 있다. 에칭액 중 각 성분의 함유량은 특별히 한정되지는 않는다.The etchant used in the etching step is more preferably, for example, an aqueous solution containing one selected from sulfuric acid, hydrogen peroxide solution, hydrochloric acid, cupric chloride and ferric chloride, or two or more selected from the sulfuric acid and the like. A mixed aqueous solution may be used. Content of each component in etching liquid is not specifically limited.

에칭액은 실온에서 사용할 수도 있으나, 반응성을 높이기 위해 온도를 높여 두는 것이 바람직하며, 예를 들어, 40℃ 이상 50℃ 이하로 가열하여 사용하는 것이 바람직하다.The etchant may be used at room temperature, but it is preferable to raise the temperature to increase the reactivity, and it is preferable to use it after heating to, for example, 40 ° C. or more and 50 ° C. or less.

전술한 에칭 공정에 의해 얻어지는 메쉬 형상 배선의 구체적인 형태에 대해서는, 앞서 설명한 바와 같으므로, 여기에서는 설명을 생략한다.Since the specific form of the mesh-shaped wiring obtained by the above-mentioned etching process is as described above, description is omitted here.

또한, 도 2a, 도 3a에 나타낸, 투명 기재(11)의 한쪽면 측에 구리층, 저반사율 합금층을 갖는 2개의 적층체 기판을 에칭 공정에 제공하여 도전성 기판을 제조한 후, 2개의 도전성 기판을 붙여 맞추어 메쉬 형상 배선을 구비한 도전성 기판을 제조하는 경우, 도전성 기판을 붙여 맞추는 공정을 더 구비할 수 있다. 이 때, 2개의 도전성 기판을 붙여 맞추는 방법은, 특별히 한정되지는 않으며, 예를 들어, 광학 접착제(OCA) 등을 이용하여 접착할 수 있다.2A and 3A, two laminated substrates having a copper layer and a low-reflectivity alloy layer on one side of the transparent substrate 11 are subjected to an etching process to manufacture a conductive substrate, and then two conductive substrates are formed. In the case of manufacturing a conductive substrate with mesh-shaped wiring by gluing substrates together, a step of gluing conductive substrates together can be further included. At this time, the method of bonding the two conductive substrates is not particularly limited, and can be bonded using, for example, an optical adhesive (OCA) or the like.

한편, 본 실시형태의 도전성 기판 제조방법에 의해 얻어지는 도전성 기판은, 파장이 400㎚ 이상 700㎚ 이하인 광의 정반사율 평균이 55% 이하인 것이 바람직하고, 40% 이하이면 보다 바람직하며, 30% 이하이면 더 바람직하다.On the other hand, in the conductive substrate obtained by the conductive substrate manufacturing method of the present embodiment, the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is preferably 55% or less, more preferably 40% or less, and even more preferably 30% or less. desirable.

이것은, 파장이 400㎚ 이상 700㎚ 이하인 광의 정반사율 평균이 55% 이하인 경우, 예를 들어, 터치 패널용 도전성 기판으로 사용한 경우에도 디스플레이의 시인성 저하를 크게 억제할 수 있기 때문이다.This is because when the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is 55% or less, for example, even when used as a conductive substrate for a touch panel, deterioration in display visibility can be greatly suppressed.

이상에서 본 실시형태의 적층체 기판, 도전성 기판, 적층체 기판 제조방법 및 도전성 기판 제조방법에 대해 설명하였다. 이러한 적층체 기판 또는 적층체 기판 제조방법에 의해 얻어지는 적층체 기판에 의하면, 구리층과 저반사율 합금층이 에칭액에 대해 거의 같은 반응성을 나타낸다. 그리하여, 동시에 에칭 처리를 할 수 있는 구리층과 저반사율 합금층을 구비한 적층체 기판을 제공할 수 있다. 그리고, 구리층과 저반사율 합금층을 동시에 에칭할 수 있으므로 원하는 형상의 구리 배선층과 저반사율 합금 배선층을 용이하게 형성할 수 있다.In the above, the laminate substrate, the conductive substrate, the laminate substrate manufacturing method, and the conductive substrate manufacturing method of the present embodiment have been described. According to such a laminate substrate or a laminate substrate obtained by the laminate substrate manufacturing method, the copper layer and the low-reflectivity alloy layer exhibit substantially the same reactivity to the etching solution. Thus, it is possible to provide a laminate substrate comprising a copper layer and a low-reflectance alloy layer capable of etching at the same time. In addition, since the copper layer and the low-reflectivity alloy layer can be etched simultaneously, the copper wiring layer and the low-reflectivity alloy wiring layer having a desired shape can be easily formed.

또한, 저반사율 합금 배선층을 구비함으로써, 구리 배선층에 의한 광 반사를 억제할 수 있어서, 예를 들어, 터치 패널용 도전성 기판으로 한 경우에 시인성 저하를 억제할 수 있다. 그리하여, 저반사율 합금 배선층을 구비함으로써 양호한 시인성을 갖는 도전성 기판으로 할 수 있다.Moreover, by providing a low-reflectivity alloy wiring layer, light reflection by a copper wiring layer can be suppressed, and, for example, when it is set as the conductive substrate for touch panels, the decrease in visibility can be suppressed. Thus, by providing the low-reflectivity alloy wiring layer, a conductive substrate having good visibility can be obtained.

[실시예][Example]

이하에서 본 발명의 실시예 및 비교예에 의해 본 발명을 더 상세하게 설명하나, 본 발명은 이들 실시예에 의해 어떠한 한정도 되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by examples and comparative examples of the present invention, but the present invention is not limited in any way by these examples.

(평가 방법) (Assessment Methods)

(1) 정반사율(1) Specular reflectance

이하의 각 실시예, 비교예에서 제작된 적층체 기판에 대해 정반사율을 측정하였다.Specular reflectance was measured for the laminate substrates produced in each of the following Examples and Comparative Examples.

측정은, 자외 가시 분광 광도계((주)시마즈 제작소 제조, 형식: UV-2550)에 반사율 측정 유닛을 설치하여 실시하였다.The measurement was carried out by installing a reflectance measurement unit in a spectrophotometer for ultraviolet and visible light (manufactured by Shimadzu Corporation, type: UV-2550).

각 실시예에서 도 3a의 구조를 갖는 적층체 기판을 제작하였는 바, 반사율의 측정은, 도 3a에서 제2 저반사율 합금층(132)의 외부로 노출된 표면(C)에 대해, 입사각 5°, 수광각 5°로 하여 파장이 400㎚ 이상 700㎚ 이하의 범위인 광을 조사하여 실시하였다. 한편, 적층체 기판에 조사하는 광에 있어서는, 파장이 400㎚ 이상 700㎚ 이하인 범위에서 파장을 1㎚씩 변화시켜 가며 각 파장의 광에 대해 정반사율을 측정하고, 측정 결과의 평균을 당해 적층체 기판의 정반사율 평균으로 하였다.In each embodiment, a laminate substrate having the structure of FIG. 3A was manufactured, and the measurement of the reflectance was performed at an incident angle of 5° with respect to the externally exposed surface C of the second low-reflectivity alloy layer 132 in FIG. 3A. , It was carried out by irradiating light with a wavelength in the range of 400 nm or more and 700 nm or less at a light reception angle of 5 °. On the other hand, in the case of light irradiated to the laminate substrate, the regular reflectance is measured for light of each wavelength while changing the wavelength by 1 nm in the range of 400 nm or more and 700 nm or less, and the average of the measurement results is The regular reflectance of the substrate was averaged.

(2) 개구부의 전체 광선 투과율의 감소율(2) Decrease rate of the total light transmittance of the aperture

각 실시예, 비교예에서 제작된 도전성 기판의 투명 기재를 노출시키는, 금속 세선 사이의 개구부에 대해 전체 광선 투과율을 측정하였다.The total light transmittance was measured for the opening between the thin metal wires exposing the transparent substrate of the conductive substrate fabricated in each Example and Comparative Example.

측정은, 정반사율을 측정했을 때의 자외 가시 분광 광도계에 적분구 부속 장치를 설치하여 실시하였다. 조사하는 광에 있어서는, 파장이 400㎚ 이상 700㎚ 이하인 범위에서 파장을 1㎚씩 변화시켜 가며 각 파장의 광에 대해 투과율을 측정하고, 측정 결과의 평균을 당해 도전성 기판의 개구부의 전체 광선 투과율 평균으로 하였다.The measurement was carried out by attaching an integrating sphere attachment to the spectrophotometer for ultraviolet and visible spectrophotometers when the specular reflectance was measured. For the light to be irradiated, the transmittance is measured for each wavelength of light while changing the wavelength by 1 nm in the range of 400 nm or more and 700 nm or less, and the average of the measurement results is the average of the total light transmittance of the opening of the conductive substrate made it

또한, 적층체 기판을 제조할 때에 사용한 투명 기재에 대해, 마찬가지로 하여 전체 광선 투과율 평균을 미리 측정하여 두었다.In addition, about the transparent base material used when manufacturing a laminate board|substrate, the average of the total light transmittance was measured in advance in the same way.

그리고, 각 실시예, 비교예에서 제작된 도전성 기판의 개구부에 있어 전체 광선 투과율 평균이, 투명 기재에 있어 전체 광선 투과율 평균으로부터 감소한 감소율(이하 및 표1에서는 "개구부의 전체 광선 투과율 감소율"라고도 함)을 산출하였다.In addition, the rate of decrease in which the average of the total light transmittance in the opening of the conductive substrate manufactured in each Example and Comparative Example is reduced from the average of the total light transmittance in the transparent substrate (hereinafter, also referred to as "the total light transmittance reduction rate of the opening" in Table 1) ) was calculated.

(시료의 제작 조건)(Conditions for sample production)

실시예, 비교예로서, 이하에서 설명하는 조건에서 적층체 기판과 도전성 기판을 제작하고 전술한 평가 방법에 의해 평가하였다.As examples and comparative examples, laminate substrates and conductive substrates were prepared under the conditions described below and evaluated by the above-described evaluation method.

[실시예 1][Example 1]

도 3a에 나타낸 구조를 가지는 적층체 기판을 제작하였다.A laminate substrate having the structure shown in FIG. 3A was fabricated.

우선, 투명 기재 준비 공정을 실시하였다.First, a transparent substrate preparation step was performed.

구체적으로는, 폭 500㎜, 두께 100㎛인 광학용 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지(PET) 제의 투명 기재를 준비하였다.Specifically, a transparent substrate made of polyethylene terephthalate resin (PET) for optical use having a width of 500 mm and a thickness of 100 µm was prepared.

이어서, 적층체 형성 공정을 실시하였다.Next, a layered product formation step was performed.

적층체 형성 공정으로서, 제1 저반사율 합금층 형성 단계, 구리층 형성 단계, 제2 저반사율 합금층 형성 단계를 실시하였다. 이하에서 구체적으로 설명한다.As the laminate forming process, the first low-reflectance alloy layer forming step, the copper layer forming step, and the second low-reflectance alloy layer forming step were performed. It is explained in detail below.

먼저, 제1 저반사율 합금층 형성 단계를 실시하였다.First, the first low-reflectance alloy layer forming step was performed.

준비한 투명 기재를, 도 6에 나타낸 롤 투 롤 스퍼터링 장치(60)에 세팅하였다. 또한, 스퍼터링 캐소드(64a∼64d)에 구리-30 질량% Ni 합금 타겟((주)스미토모 금속광산 제조)을 장착하였다.The prepared transparent substrate was set in a roll-to-roll sputtering device 60 shown in FIG. 6 . Further, a copper-30 mass% Ni alloy target (manufactured by Sumitomo Metal Mining Co., Ltd.) was attached to the sputtering cathodes 64a to 64d.

그리고, 롤 투 롤 스퍼터링 장치(60)의 히터(69)를 100℃로 가열함으로써 투명 기재를 가열하여 기재 중에 포함되는 수분을 제거하였다.Then, by heating the heater 69 of the roll-to-roll sputtering device 60 at 100°C, the transparent substrate was heated to remove moisture contained in the substrate.

이어서, 케이스(61) 안을 진공 펌프(70a,70b)에 의해 1×10-4Pa까지 배기시킨 후, 기체 공급 수단(71)에 의해 아르곤 가스의 유량이 240sccm이 되도록 하여 아르곤 가스를 케이스(61) 안으로 도입하였다. 그리고, 투명 기재를 권출 롤(62)로부터 분당 2m의 속도로 반송하면서, 스퍼터링 캐소드(64a∼64d)에 접속된 스퍼터링용 직류 전원으로부터 전력을 공급하여 스퍼터링 방전을 실시하여, 기재 상에 원하는 제1 저반사율 합금층을 연속 성막하였다. 이러한 조작에 의해, 투명 기재 상에 제1 저반사율 합금층(131)을 두께 20㎚가 되도록 형성하였다.Next, after exhausting the inside of the case 61 to 1× 10-4 Pa by the vacuum pumps 70a and 70b, the flow rate of the argon gas is set to 240 sccm by the gas supply means 71 to supply argon gas to the case 61. ) was introduced into Then, while conveying the transparent substrate from the unwinding roll 62 at a speed of 2 m per minute, sputtering discharge is performed by supplying electric power from a DC power source for sputtering connected to the sputtering cathodes 64a to 64d to perform sputtering discharge. The low-reflectance alloy layer was continuously formed. By this operation, the first low-reflectivity alloy layer 131 was formed on the transparent substrate to have a thickness of 20 nm.

이어서, 구리층 형성 단계를 실시하였다.Subsequently, a copper layer forming step was performed.

구리층 형성 단계에서는, 마그네트론 스퍼터링 캐소드에 장착하는 타겟을 구리 타겟((주)스미토모 금속광산 제조)으로 변경한 점 이외에는, 제1 저반사율 합금층의 경우와 마찬가지로 하여 제1 저반사율 합금층의 상면에 구리층을 두께 200㎚가 되도록 형성하였다.In the copper layer forming step, except that the target mounted on the magnetron sputtering cathode is changed to a copper target (manufactured by Sumitomo Metal Mining Co., Ltd.), the upper surface of the first low-reflectance alloy layer is the same as in the case of the first low-reflectance alloy layer Then, a copper layer was formed to a thickness of 200 nm.

한편, 구리층을 형성할 기재로는, 제1 저반사율 합금층 형성 공정에서 투명 기재 상에 제1 저반사율 합금층을 형성한 기재를 사용하였다. On the other hand, as the substrate on which the copper layer is to be formed, a substrate on which the first low reflectance alloy layer was formed on the transparent substrate in the first low reflectance alloy layer forming step was used.

그리고, 이어서, 제2 저반사율 합금층 형성 단계를 실시하였다.Then, a step of forming a second low-reflectivity alloy layer was performed.

제2 저반사율 합금층 형성 단계에서는, 제1 저반사율 합금층(131)과 같은 조건에서 구리층(12)의 상면에 제2 저반사율 합금층(132)을 형성하였다(도 3a 참조).In the step of forming the second low reflectance alloy layer, the second low reflectance alloy layer 132 was formed on the upper surface of the copper layer 12 under the same conditions as the first low reflectance alloy layer 131 (see FIG. 3A ).

제작된 적층체 기판에 있어, 파장이 400㎚ 이상 700㎚ 이하인 광의 정반사율 평균을, 전술한 방법에 의해 측정하였더니, 파장이 400㎚ 이상 700㎚ 이하인 광의 정반사율 평균은 55%이었다.In the fabricated laminate substrate, when the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less was measured by the method described above, the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less was 55%.

또한, 얻어진 적층체 기판에 대해 정반사율을 측정한 후, 에칭 공정을 실시하여 도전성 기판을 제작하였다.Further, after measuring the regular reflectance of the obtained laminate substrate, an etching step was performed to prepare a conductive substrate.

에칭 공정에서는, 우선, 에칭에 의해 제거할 부분에 대응하는 개구부를 갖는 레지스트를, 제작된 적층체 기판의 도 3a에서의 표면(C) 상에 형성하였다. 그리고, 염화제이철 10중량%와 염산 10중량%와 나머지 부분이 물로 이루어지는 에칭액에 1분간 침지시켜 도전성 기판을 제작하였다.In the etching process, first, a resist having an opening corresponding to a portion to be removed by etching was formed on the surface C in FIG. 3A of the fabricated laminate substrate. Then, it was immersed for 1 minute in an etchant composed of 10% by weight of ferric chloride, 10% by weight of hydrochloric acid, and the remainder being water to prepare a conductive substrate.

제작된 도전성 기판에 대해 개구부의 전체 광선 투과율을 측정하였다.The total light transmittance of the opening was measured for the fabricated conductive substrate.

평가 결과를 표 1에 나타낸다.Table 1 shows the evaluation results.

[실시예 2∼실시예 6][Example 2 to Example 6]

제1, 제2 저반사율 합금층을 성막할 때에 사용한 스퍼터링 타겟의 조성을 표 1에 나타낸 바와 같이 변경한 점 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층체 기판을 제작하고 평가하였다.Except for changing the composition of the sputtering target used when forming the 1st and 2nd low-reflectance alloy layers as shown in Table 1, it carried out similarly to Example 1, and produced and evaluated the laminate board|substrate.

또한, 제작된 적층체 기판으로부터 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전성 기판을 제작하고 평가하였다.In addition, a conductive substrate was prepared and evaluated from the produced laminate substrate in the same manner as in Example 1.

결과를 표 1에 나타낸다.The results are shown in Table 1.

[비교예 1∼비교예 3][Comparative Example 1 to Comparative Example 3]

비교예 1에서는, 제1, 제2 저반사율 합금층을 성막할 때에 사용하는 스퍼터링 타겟의 조성을 표 1에 나타낸 바와 같이 변경한 점 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층체 기판을 제작하고 평가하였다.In Comparative Example 1, except that the composition of the sputtering target used when forming the first and second low-reflectivity alloy layers was changed as shown in Table 1, a laminate substrate was produced and evaluated in the same manner as in Example 1.

또한, 비교예 2, 3에서는, 제1, 제2 저반사율 합금층 대신에, 제1, 제2 흑화층을 형성하였다. 제1, 제2 흑화층은, 성막할 때에 사용하는 스퍼터링 타겟의 조성을 표 1에 나타낸 바와 같이 변경한 점 그리고 흑화층 성막시에 아르곤 가스에 더해 산소를 공급한 점 이외에는, 실시예 1의 저반사율 합금층의 경우와 마찬가지로 하여 성막하였다. 또한, 흑화층 이외의 것에 대해서는 실시예 1의 경우와 마찬가지로 하여 적층체 기판을 제작하였다.In Comparative Examples 2 and 3, instead of the first and second low-reflectivity alloy layers, first and second blackening layers were formed. The first and second blackening layers have low reflectivity of Example 1 except that the composition of the sputtering target used when forming the film is changed as shown in Table 1 and that oxygen is supplied in addition to argon gas during film formation of the blackening layer. A film was formed in the same manner as in the case of the alloy layer. In addition, with respect to other than the blackening layer, a laminate substrate was produced in the same manner as in Example 1.

한편, 비교예 2, 3에서는, 저반사율 합금층을 성막할 때에 표 1에 나타낸 산소 공급량이 되도록 산소를 공급하였다.On the other hand, in Comparative Examples 2 and 3, when the low-reflectance alloy layer was formed, oxygen was supplied so as to supply the amount of oxygen shown in Table 1.

비교예 1∼비교예 3에서 제작된 적층체 기판으로부터 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전성 기판을 제작하고 평가하였다.Conductive substrates were produced and evaluated in the same manner as in Example 1 from the laminate substrates produced in Comparative Examples 1 to 3.

결과를 표 1에 나타낸다.The results are shown in Table 1.

Figure 112018022593891-pct00001
Figure 112018022593891-pct00001

표 1에 나타낸 결과에 의하면, 실시예 1∼실시예 6에 대해서는, 개구부의 전체 광선 투과율의 감소율이 3.0% 이하였다. 즉, 구리층과 제1, 제2 저반사율 합금층을 동시에 에칭할 수 있었다.According to the results shown in Table 1, the reduction rate of the total light transmittance of the opening was 3.0% or less for Examples 1 to 6. That is, the copper layer and the first and second low-reflectivity alloy layers could be etched simultaneously.

이는, 제1, 제2 저반사율 합금층을 성막할 때에 사용한 스퍼터링 타겟에 포함되는 구리 및 니켈 중 니켈의 비율이 30 질량% 이상 85 질량% 이하이며, 성막된 저반사율 합금층에 있어서도 마찬가지의 조성이었기 때문이라 생각할 수 있다. 즉, 저반사율 합금층의 에칭액에 대한 반응성을 구리층과 동등하게 할 수 있었기 때문이라고 생각된다.This is because the ratio of nickel among copper and nickel contained in the sputtering target used when forming the first and second low-reflectivity alloy layers is 30% by mass or more and 85% by mass or less, and the composition of the low-reflectivity alloy layer formed is the same. You might think it was because it was. That is, it is considered that the reactivity of the low-reflectance alloy layer to the etchant was made equal to that of the copper layer.

이에 대해 비교예 1은, 저반사율 합금층을 성막할 때에 사용한 스퍼터링 타겟에 포함되는 구리 및 니켈 중 니켈의 비율이 30 질량% 미만이며, 성막된 저반사율 합금층에 있어서도 마찬가지의 조성이었다. 그리하여, 정반사율이 55%를 초과하였다.On the other hand, in Comparative Example 1, the ratio of nickel among copper and nickel contained in the sputtering target used when forming the low reflectance alloy layer was less than 30% by mass, and the low reflectance alloy layer formed was also the same composition. Thus, the specular reflectance exceeded 55%.

또한, 비교예 2에서는 개구부의 전체 광선 투과율의 감소율이 3.0%를 초과하여, 구리층에 비해 흑화층의 에칭 속도가 느림이 확인되었고, 그리하여 개구부의 전체 광선 투과율의 감소율이 3.5%이어서 육안으로 노랗게 보임이 확인되었다.In addition, in Comparative Example 2, the reduction rate of the total light transmittance of the openings exceeded 3.0%, and it was confirmed that the etching rate of the blackening layer was slower than that of the copper layer, and thus the reduction rate of the total light transmittance of the openings was 3.5%, making it yellow to the naked eye. visibility was confirmed.

비교예 3에서는 언더컷이 확인되었으며, 구리층에 비해 흑화층의 에칭 속도가 빠름이 확인되었다.In Comparative Example 3, undercutting was confirmed, and it was confirmed that the etching rate of the blackened layer was faster than that of the copper layer.

그리하여, 비교예 2, 3에 대해서는, 동시에 에칭 처리를 할 수 있는 구리층과 흑화층을 형성할 수 없음이 확인되었다.Then, about Comparative Examples 2 and 3, it was confirmed that the copper layer and blackening layer which can be etched at the same time cannot be formed.

이상에서 적층체 기판, 도전성 기판, 적층체 기판 제조방법, 도전성 기판 제조방법을 실시형태 및 실시예 등으로 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시형태 및 실시예 등에 한정되지 않는다. 청구범위에 기재된 본 발명 요지의 범위 내에서 다양한 변형, 변경이 가능하다.In the above, the laminate substrate, the conductive substrate, the laminate substrate manufacturing method, and the conductive substrate manufacturing method have been described as embodiments and examples, but the present invention is not limited to the above embodiments and examples. Various modifications and changes are possible within the scope of the subject matter of the present invention described in the claims.

본 출원은 2015년 9월 28일에 일본국 특허청에 출원된 특원2015-189936호에 기초한 우선권을 주장하는 것으로서, 특원2015-189936호의 전체 내용을 본 국제출원에 원용한다.This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2015-189936 filed with the Japan Patent Office on September 28, 2015, and the entire contents of Japanese Patent Application No. 2015-189936 are incorporated herein by reference.

10A,10B,20A,20B 적층체 기판
11 투명 기재
12,12A,12B 구리층
13,13A,13B,131,132,131A,131B, 132A, 132B 저반사율 합금층
30 도전성 기판
31A,31B 구리 배선층
321A,321B,322A,322B 저반사율 합금 배선층10A, 10B, 20A, 20B laminate board
11 transparent substrate
12,12A,12B copper layer
13, 13A, 13B, 131, 132, 131A, 131B, 132A, 132B low reflectance alloy layer
30 conductive substrate
31A, 31B copper wiring layer
321A, 321B, 322A, 322B low reflectivity alloy wiring layer

Claims (11)

투명 기재와,
상기 투명 기재의 적어도 한쪽면 측에 직접 형성된 적층체를 포함하고,
상기 적층체는, 구리와 니켈을 함유하며, 또한, 구리 산화물을 함유하지 않는 흑화층인 저반사율 합금층과, 구리층으로 이루어지고,
상기 저반사율 합금층에 포함되는 상기 구리 및 상기 니켈 중 상기 니켈의 비율이 30 질량% 이상 85 질량% 이하인 적층체 기판.a transparent substrate,
Including a laminate formed directly on at least one side of the transparent substrate,
The laminate is composed of a low reflectivity alloy layer, which is a blackening layer containing copper and nickel and not containing copper oxide, and a copper layer,
A laminate substrate wherein a ratio of the nickel among the copper and the nickel included in the low reflectance alloy layer is 30% by mass or more and 85% by mass or less. 제1항에 있어서,
상기 적층체는 상기 저반사율 합금층으로서 제1 저반사율 합금층과 제2 저반사율 합금층을 포함하며,
상기 구리층은 상기 제1 저반사율 합금층과 상기 제2 저반사율 합금층의 사이에 배치된 것인 적층체 기판.According to claim 1,
The laminate includes a first low reflectance alloy layer and a second low reflectance alloy layer as the low reflectance alloy layer,
The copper layer is a laminate substrate that is disposed between the first low-reflectance alloy layer and the second low-reflectance alloy layer. 제1항 또는 제2항에 있어서,
파장이 400㎚ 이상 700㎚ 이하인 광의 정반사율 평균이 55% 이하인 적층체 기판.According to claim 1 or 2,
A laminate substrate having an average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less of 55% or less. 투명 기재와,
상기 투명 기재의 적어도 한쪽면 측에 직접 형성된 금속 세선을 포함하고,
상기 금속 세선은, 구리와 니켈을 함유하며, 또한, 구리 산화물을 함유하지 않는 흑화 배선층인 저반사율 합금 배선층과, 구리 배선층으로 이루어지는 적층체이며,
상기 저반사율 합금 배선층에 포함되는 상기 구리 및 상기 니켈 중 상기 니켈의 비율이 30 질량% 이상 85 질량% 이하인 도전성 기판.a transparent substrate,
A thin metal wire formed directly on at least one side of the transparent substrate,
The thin metal wire is a laminate comprising a low-reflectivity alloy wiring layer, which is a blackened wiring layer containing copper and nickel and not containing copper oxide, and a copper wiring layer,
A conductive substrate wherein a ratio of the nickel among the copper and the nickel included in the low reflectance alloy wiring layer is 30% by mass or more and 85% by mass or less. 제4항에 있어서,
상기 금속 세선은 상기 저반사율 합금 배선층으로서 제1 저반사율 합금 배선층과 제2 저반사율 합금 배선층을 포함하며,
상기 구리 배선층은 상기 제1 저반사율 합금 배선층과 상기 제2 저반사율 합금 배선층의 사이에 배치된 것인 도전성 기판.According to claim 4,
The thin metal wire includes a first low reflectance alloy wiring layer and a second low reflectance alloy wiring layer as the low reflectance alloy wiring layer,
The copper wiring layer is a conductive substrate disposed between the first low reflectance alloy wiring layer and the second low reflectance alloy wiring layer. 제4항 또는 제5항에 있어서,
상기 금속 세선의 사이에는 상기 투명 기재를 노출시키는 개구부가 형성되어 있고,
상기 개구부에 있어 파장이 400㎚ 이상 700㎚ 이하인 광의 투과율 평균이, 상기 투명 기재에 있어 파장이 400㎚ 이상 700㎚ 이하인 광의 투과율 평균으로부터 감소한 감소율이 3.0% 이하인 도전성 기판.According to claim 4 or 5,
An opening exposing the transparent substrate is formed between the thin metal wires,
The conductive substrate, wherein the average transmittance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less in the opening is reduced by 3.0% or less from the average transmittance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less in the transparent substrate. 투명 기재를 준비하는 투명 기재 준비 공정과,
상기 투명 기재의 적어도 한쪽면 측에 직접 적층체를 형성하는 적층체 형성 공정을 포함하고,
상기 적층체 형성 공정은,
구리를 퇴적시키는 구리층 성막 수단에 의해 구리층을 형성하는 구리층 형성 단계와,
구리와 니켈을 함유하며, 또한, 구리 산화물을 함유하지 않는 흑화층인 저반사율 합금층을 퇴적시키는 저반사율 합금층 성막 수단에 의해 저반사율 합금층을 성막하는 저반사율 합금층 형성 단계로 이루어지고,
상기 저반사율 합금층 형성 단계는 감압 분위기 하에서 실시되며, 상기 저반사율 합금층에 포함되는 상기 구리 및 상기 니켈 중 상기 니켈의 비율이 30 질량% 이상 85 질량% 이하인 적층체 기판 제조방법.A transparent substrate preparation step for preparing a transparent substrate;
A laminate forming step of forming a laminate directly on at least one side of the transparent substrate,
In the step of forming the laminate,
a copper layer forming step of forming a copper layer by a copper layer film forming means for depositing copper;
A low reflectance alloy layer forming step of forming a low reflectance alloy layer into a film by a low reflectance alloy layer film forming means for depositing a low reflectance alloy layer containing copper and nickel and being a blackening layer containing no copper oxide,
The low-reflectance alloy layer forming step is carried out under a reduced pressure atmosphere, and the ratio of the nickel among the copper and the nickel contained in the low-reflectivity alloy layer is 30% by mass or more and 85% by mass or less. 제7항에 있어서,
상기 저반사율 합금층 성막 수단이 스퍼터링 성막법인 적층체 기판 제조방법.According to claim 7,
The method of manufacturing a laminate substrate in which the low-reflectivity alloy layer film forming means is a sputtering film forming method. 제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 저반사율 합금층은 두께가 10㎚ 이상인 적층체 기판 제조방법.According to claim 7 or 8,
The low-reflectance alloy layer is a method of manufacturing a laminate substrate having a thickness of 10 nm or more. 제7항 또는 제8항에 기재된 적층체 기판 제조방법에 의해 얻어진 적층체 기판의 상기 구리층과 상기 저반사율 합금층을 에칭하여, 구리 배선층과 저반사율 합금 배선층을 구비한 적층체인 금속 세선을 갖는 배선 패턴을 형성하는 에칭 공정을 포함하고,
상기 에칭 공정에 의해 상기 구리층 및 상기 저반사율 합금층에 개구부를 형성하는 도전성 기판 제조방법.Etching the copper layer and the low-reflectivity alloy layer of the laminate substrate obtained by the method for manufacturing a laminate substrate according to claim 7 or 8, and having a thin metal wire, which is a laminate comprising a copper wiring layer and a low-reflectivity alloy wiring layer. Including an etching process for forming a wiring pattern,
A method of manufacturing a conductive substrate in which openings are formed in the copper layer and the low-reflectivity alloy layer by the etching process. 제10항에 있어서,
얻어지는 도전성 기판에 있어 파장이 400㎚ 이상 700㎚ 이하인 광의 정반사율 평균이 55% 이하인 도전성 기판 제조방법.According to claim 10,
A method for manufacturing a conductive substrate in which the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less in the obtained conductive substrate is 55% or less.
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