JP6729007B2 - Laminated substrate, conductive substrate, laminated substrate manufacturing method, and conductive substrate manufacturing method - Google Patents
Laminated substrate, conductive substrate, laminated substrate manufacturing method, and conductive substrate manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP6729007B2 JP6729007B2 JP2016112241A JP2016112241A JP6729007B2 JP 6729007 B2 JP6729007 B2 JP 6729007B2 JP 2016112241 A JP2016112241 A JP 2016112241A JP 2016112241 A JP2016112241 A JP 2016112241A JP 6729007 B2 JP6729007 B2 JP 6729007B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- blackened
- copper
- blackening
- nickel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
本発明は、積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a laminated substrate, a conductive substrate, a laminated substrate manufacturing method, and a conductive substrate manufacturing method.
特許文献１に開示されているように、透明な高分子フィルム等の透明基材の表面に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが従来から用いられている。
As disclosed in
ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。 By the way, in recent years, a display having a touch panel has been increasing in screen size, and in response to this, a conductive substrate such as a transparent conductive film for a touch panel is also required to have a large area. However, since ITO has a high electric resistance value, there is a problem that it cannot cope with the increase in the area of the conductive substrate.
このため、例えば特許文献２、３に開示されているようにＩＴＯ膜の配線に替えて、銅等の金属箔を加工した金属配線を用いることが検討されている。しかし、例えば金属配線に銅を用いた場合、銅は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。
Therefore, for example, as disclosed in
そこで、銅等の金属配線と共に、金属配線の透明基材の表面と平行な面に黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。 Therefore, a conductive substrate in which a blackened layer made of a black material is formed on a surface of the metal wiring parallel to the surface of the transparent base material is being studied together with the metal wiring such as copper.
ところで、透明基材上に金属配線を備えた導電性基板は、透明基材の表面に金属層を形成した積層体基板を得た後に、所望の配線パターンとなるように金属層をエッチングして金属配線を形成することで得られる。また、透明基材上に黒化層と金属配線とを有する導電性基板は、透明基材の表面に黒化層と金属層とをその順に積層した積層体基板を得た後に、所望の配線パターンとなるように黒化層と金属層とをエッチングして金属配線を形成することで得られる。 By the way, a conductive substrate provided with a metal wiring on a transparent base material is obtained by obtaining a laminate substrate in which a metal layer is formed on the surface of the transparent base material, and then etching the metal layer so as to have a desired wiring pattern. It is obtained by forming metal wiring. In addition, the conductive substrate having the blackened layer and the metal wiring on the transparent base material has a desired wiring after obtaining a laminate substrate in which the blackened layer and the metal layer are laminated in that order on the surface of the transparent base material. It is obtained by etching the blackened layer and the metal layer so as to form a pattern to form a metal wiring.
黒化層、及び金属層をエッチングすることで、例えば、図１（ａ）に示すように、透明基材１上にパターン化された黒化層２と、金属層をパターン化した金属配線３とが積層された導電性基板とすることができる。この場合、パターン化された黒化層２の幅ＷＡと、金属配線３の幅ＷＢとを略同一とすることが好ましい。
By etching the blackened layer and the metal layer, for example, as shown in FIG. 1A, the blackened layer 2 patterned on the
しかし、エッチング液に対する反応性が金属層と黒化層とで大きく異なるという問題があった。すなわち、金属層と黒化層とを同時にエッチングしようとすると、いずれかの層が図１（ａ）に示したような目的の形状にエッチングできないという問題であった。 However, there is a problem in that the reactivity with respect to the etching solution differs greatly between the metal layer and the blackened layer. That is, if an attempt is made to simultaneously etch the metal layer and the blackened layer, one of the layers cannot be etched into the desired shape as shown in FIG.
例えば、金属層と比較して、黒化層のエッチング速度が大幅に遅い場合は、図１（ｂ）
に示すように、パターン化した黒化層２の幅（底部幅）ＷＡが、パターン化された金属層である金属配線３の幅ＷＢよりも大きくなる場合がある。そして、金属配線３はその側面がエッチングされる、いわゆるサイドエッチングが生じる。このため、金属配線３の断面形状が裾広がりの台形になり易く、金属配線３間の電気的絶縁性を確保するまでエッチングを行うと配線ピッチ幅が広くなり過ぎてしまうという問題であった。
For example, in the case where the etching rate of the blackened layer is significantly slower than that of the metal layer, as shown in FIG.
As shown, there is a case where patterned blackening layer 2 having a width (bottom width) W A is larger than the width W B of the
また、金属層と比較して、黒化層のエッチング速度が大幅に速い場合は、図１（ｃ）に示すようにパターン化した黒化層２の幅（底部幅）ＷＡが金属配線３の幅ＷＢよりも小さくなった状態、いわゆるアンダーカットが発生する場合がある。このようなアンダーカットが発生し、その程度によっては、所定の金属配線３の幅ＷＢに対して、透明基材１への密着幅である、パターン化した黒化層２の底部幅ＷＡが小さくなり、密着幅の比率が必要以上に低下すると充分な配線密着強度が得られないという問題があった。
In comparison with the metal layer, if the etch rate of the blackening layer is faster significantly, the Figure 1 patterned blackening layer 2 having a width as shown in (c) (bottom width) W A metal wiring 3 There is a case where a so-called undercut occurs, which is smaller than the width W B of Such an undercut occurs, and depending on the degree thereof, the bottom width W A of the patterned blackening layer 2 which is the adhesion width to the
さらに、黒化層のエッチング速度を金属層のエッチング速度に揃えても、エッチング後に露出した透明基材、すなわちの開口部の表面に黒化層のエッチング残渣が存在し、開口部が目視で黄色く見えることもあった。 Furthermore, even if the etching rate of the blackening layer is matched with the etching rate of the metal layer, the etching residue of the blackening layer is present on the surface of the transparent substrate exposed after etching, that is, the opening becomes yellow visually. It was sometimes visible.
上記従来技術の問題に鑑み、本発明は同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた積層体基板を提供することを目的とする。 In view of the above-mentioned problems of the prior art, it is an object of the present invention to provide a laminate substrate provided with a copper layer that can be simultaneously etched and a blackening layer.
上記課題を解決するため本発明は、
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、
前記積層体は、
酸素と、銅とを含有する第１黒化層と、
前記第１黒化層上に設けられ、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する第２黒化層と、
銅層と、を備え、
前記第２黒化層に含まれる銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合が１１質量％以上６０質量％以下であり、
波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５５％以下である積層体基板を提供する。
To solve the above problems, the present invention provides
A transparent substrate,
A laminate formed on at least one surface side of the transparent substrate,
The laminate is
A first blackening layer containing oxygen and copper;
A second blackening layer provided on the first blackening layer, the second blackening layer containing oxygen, copper, and nickel;
And a copper layer,
Copper contained in the second blackened layer, and among the nickel state, and are
Provided is a laminate substrate having an average regular reflectance of 55% or less for light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less .
本発明によれば、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた積層体基板を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the laminated body board|substrate provided with the copper layer which can be simultaneously etched and a blackening layer can be provided.
以下、本発明の積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、および導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（積層体基板、導電性基板）
本実施形態の積層体基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備えることができる。また、積層体は、酸素と、銅とを含有する第１黒化層と、第１黒化層上に設けられ、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する第２黒化層と、銅層と、を備えることができる。
そして、第２黒化層に含まれる銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合を１１質量％以上６０質量％以下とすることができる。
Hereinafter, an embodiment of the laminated body substrate, the conductive substrate, the method for producing the laminated body substrate, and the method for producing the conductive substrate according to the present invention will be described.
(Layered substrate, conductive substrate)
The laminated body substrate of the present embodiment can include a transparent base material and a laminated body formed on at least one surface side of the transparent base material. The laminated body is provided on the first blackening layer containing oxygen and copper, the second blackening layer containing oxygen, copper and nickel, and the second blackening layer containing copper. And layers.
Then, of copper and nickel contained in the second blackened layer, the proportion of nickel can be 11% by mass or more and 60% by mass or less.
なお、本実施形態における積層体基板とは、透明基材の表面に、パターニングする前の銅層や黒化層を有する基板である。また、導電性基板とは、透明基材の表面に、パターニングして配線の形状にした銅配線層や黒化配線層を有する配線基板である。 The laminate substrate in the present embodiment is a substrate having a copper layer or a blackening layer before patterning on the surface of a transparent base material. Further, the conductive substrate is a wiring substrate having a copper wiring layer or a blackened wiring layer which is patterned into a wiring shape on the surface of the transparent base material.
ここでまず、本実施形態の積層体基板に含まれる各部材について以下に説明する。 Here, first, each member included in the laminate substrate of the present embodiment will be described below.
透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する高分子フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。 The transparent substrate is not particularly limited, and a polymer film that transmits visible light, a glass substrate, or the like can be preferably used.
可視光を透過する高分子フィルムとしては例えば、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム、ポリイミド系フィルム、ポリカーボネート系フィルム等の樹脂フィルムを好ましく用いることができる。 As the polymer film that transmits visible light, a resin film such as a polyamide film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a cycloolefin film, a polyimide film, a polycarbonate film can be preferably used.
透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２５０μｍ以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、２０μｍ以上２００μｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２０μｍ以上１２０μｍ以下である。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。 The thickness of the transparent base material is not particularly limited, and can be arbitrarily selected according to the strength required for the conductive substrate, the light transmittance, and the like. The thickness of the transparent substrate can be, for example, 10 μm or more and 250 μm or less. Particularly when it is used for a touch panel, the thickness is preferably 20 μm or more and 200 μm or less, more preferably 20 μm or more and 120 μm or less. In the case of being used for a touch panel, for example, especially when the thickness of the entire display is required to be thin, the thickness of the transparent substrate is preferably 20 μm or more and 100 μm or less.
次に積層体について説明する。積層体は、透明基材の少なくとも一方の面側に形成され、第１黒化層と、第２黒化層と、銅層とを有することができる。なお、積層体基板に含まれる黒化層をまとめて指す場合には、以下、単に「黒化層」とも記載する。 Next, the laminated body will be described. The laminated body is formed on at least one surface side of the transparent substrate, and can have a first blackening layer, a second blackening layer, and a copper layer. In addition, when collectively referring to the blackening layers included in the laminate substrate, the blackening layers will be simply referred to as “blackening layers” hereinafter.
ここではまず銅層について説明する。 Here, the copper layer will be described first.
銅層についても特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、銅層と透明基材との間、または銅層と黒化層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち銅層は、他の部材の上面に直接形成されていることが好ましい。 The copper layer is also not particularly limited, but it is preferable not to dispose an adhesive between the copper layer and the transparent base material or between the copper layer and the blackening layer in order not to reduce the light transmittance. That is, the copper layer is preferably formed directly on the upper surface of another member.
他の部材の上面に銅層を直接形成するため、スパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等の乾式めっき法を用いて銅薄膜層を形成し、該銅薄膜層を銅層とすることができる。 In order to form a copper layer directly on the upper surface of another member, a copper thin film layer may be formed by using a dry plating method such as a sputtering method, an ion plating method or a vapor deposition method, and the copper thin film layer may be a copper layer. it can.
また銅層をより厚くする場合には、乾式めっき法で銅薄膜層を形成した後に湿式めっき法を用いることが好ましい。すなわち、例えば透明基材または黒化層上に、乾式めっき法により銅薄膜層を形成し、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成することができる。この場合、銅層は銅薄膜層と、銅めっき層とを有することになる。 When making the copper layer thicker, it is preferable to use the wet plating method after forming the copper thin film layer by the dry plating method. That is, for example, a copper thin film layer can be formed by a dry plating method on a transparent substrate or a blackened layer, and a copper plating layer can be formed by a wet plating method using the copper thin film layer as a power supply layer. In this case, the copper layer will have a copper thin film layer and a copper plating layer.
上述のように乾式めっき法のみ、または乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて銅層を形成することにより透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できるため好ましい。 As described above, the copper layer can be directly formed on the transparent substrate or the blackened layer without an adhesive by forming the copper layer only by the dry plating method or by combining the dry plating method and the wet plating method. preferable.
銅層の厚さは特に限定されるものではなく、銅層を配線として用いた場合に、該配線の電気抵抗値や配線幅等に応じて任意に選択することができる。特に充分に電気が流れるように銅層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上とすることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅層が厚くなると、配線を形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチングが生じ、エッチングの途中でレジストが剥離する等の問題を生じ易くなる。このため、銅層の厚さは５０００ｎｍ以下であることが好ましく、３０００ｎｍ以下であることがより好ましい。なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層とを有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。 The thickness of the copper layer is not particularly limited, and when the copper layer is used as the wiring, it can be arbitrarily selected according to the electric resistance value of the wiring, the wiring width, and the like. In particular, the thickness of the copper layer is preferably 50 nm or more, more preferably 60 nm or more, and further preferably 150 nm or more so that electricity can sufficiently flow. Although the upper limit of the thickness of the copper layer is not particularly limited, when the copper layer becomes thick, side etching occurs because it takes time to perform etching when forming the wiring, and the resist peels off during the etching. It becomes easy to cause problems such as. Therefore, the thickness of the copper layer is preferably 5000 nm or less, more preferably 3000 nm or less. When the copper layer has the copper thin film layer and the copper plating layer as described above, the total thickness of the copper thin film layer and the copper plating layer is preferably within the above range.
次に、黒化層について説明する。 Next, the blackened layer will be described.
銅層は金属光沢を有するため、透明基材上に銅層をエッチングした配線である銅配線層を形成したのみでは上述のように銅が光を反射し、例えばタッチパネル用の配線基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。そこで、黒化層を設ける方法が検討されてきたが、黒化層がエッチング液に対する反応性を充分に有していない場合があり、銅層と黒化層とを同時に所望の形状にエッチングすることは困難であったり、黒化層のエッチング残渣が生じる問題があった。 Since the copper layer has a metallic luster, only by forming a copper wiring layer which is a wiring obtained by etching the copper layer on a transparent substrate, copper reflects light as described above, and was used as a wiring board for a touch panel, for example. In this case, there is a problem that the visibility of the display is lowered. Therefore, a method of providing a blackening layer has been studied, but the blackening layer may not have sufficient reactivity with an etching solution in some cases, and the copper layer and the blackening layer are simultaneously etched into a desired shape. However, there is a problem that etching residue of the blackening layer is generated.
また、本発明の発明者らは当初、銅層表面の光の反射を抑制できる黒化層として、銅層の一部を酸化した酸化銅の層を形成する方法について検討を行った。そして、銅層の一部を酸化して黒化層とした場合、係る黒化層には不定比の銅酸化物や、酸化されていない銅が含まれている場合があることを見出した。 Further, the inventors of the present invention initially investigated a method of forming a copper oxide layer obtained by oxidizing a part of the copper layer as a blackening layer capable of suppressing the reflection of light on the surface of the copper layer. Then, it has been found that when a part of the copper layer is oxidized to form a blackened layer, the blackened layer may contain non-stoichiometric copper oxide or unoxidized copper.
銅層、及び黒化層を備えた積層体基板の銅層、及び黒化層を同時にエッチングする場合、エッチング液として例えば銅層をエッチング可能なエッチング液を好適に用いることができる。そして、本発明の発明者らの検討によれば、黒化層が不定比の銅酸化物を含有する場合、銅層をエッチング可能なエッチング液に溶出しやすい。 When simultaneously etching the copper layer and the blackened layer of the laminate substrate provided with the copper layer and the blackened layer, for example, an etchant capable of etching the copper layer can be preferably used as the etchant. According to the studies of the inventors of the present invention, when the blackened layer contains a non-stoichiometric copper oxide, the copper layer is likely to be eluted in an etching solution capable of etching.
このように、黒化層がエッチング液に対して溶出しやすい不定比の銅酸化物を含有する場合、黒化層はエッチング液に対する反応性が高く、銅層と比較して、黒化層のエッチング速度が大幅に速くなる。このため、銅層と黒化層とを同時にエッチング処理した場合、黒化層はアンダーカットになりやすかった。 As described above, when the blackening layer contains a non-stoichiometric copper oxide that is easily eluted with respect to the etching solution, the blackening layer has high reactivity with the etching solution, and the blackening layer has a higher reactivity than the copper layer. The etching rate is significantly increased. Therefore, when the copper layer and the blackening layer are simultaneously etched, the blackening layer is likely to be undercut.
そこで、本発明の発明者らは、同一のエッチング液により、一つの工程で銅層と、黒化層とを、アンダーカットの発生、及び開口部への黒化層の残渣の発生を抑制しつつ、エッチングできる黒化層について、鋭意検討を行い、本発明を完成させた。 Therefore, the inventors of the present invention suppress the generation of undercuts of the copper layer and the blackening layer and the generation of the residue of the blackening layer in the opening in one step with the same etching solution. Meanwhile, the present invention has been completed by earnestly examining a blackened layer that can be etched.
本実施形態の積層体基板が有する黒化層は、複層構造であり、少なくとも２層構造で、第１黒化層と、第１黒化層上、すなわち第１黒化層の表面に設けられる第２黒化層とを備えている。 The blackening layer included in the laminate substrate of the present embodiment has a multi-layer structure, and has at least a two-layer structure, and is provided on the first blackening layer and the first blackening layer, that is, on the surface of the first blackening layer. And a second blackened layer that is provided.
そして、同一のエッチング液によりエッチングを行った場合に、第１黒化層は、第２黒化層よりもエッチング液への反応性が高い層とすることができる。すなわち、第１黒化層は第２黒化層よりもエッチング液に溶解しやすく、別な言い方をすれば、第１黒化層はエッチングされやすい層とすることができる。 Then, when etching is performed with the same etching solution, the first blackened layer can be a layer having higher reactivity with the etching solution than the second blackened layer. That is, the first blackened layer is more easily dissolved in the etching liquid than the second blackened layer, and in other words, the first blackened layer can be a layer that is easily etched.
具体的には、本実施形態の積層体基板が有する第２黒化層は、酸素、および銅に加えて、エッチング液で溶解しにくいニッケル成分を所定の割合で含有することができる。これに対して、第１黒化層はエッチング液で溶解させる為、酸素と、銅とを含有することができる。 Specifically, the second blackening layer included in the laminate substrate of the present embodiment can contain, in addition to oxygen and copper, a nickel component that is difficult to dissolve in an etching solution in a predetermined ratio. On the other hand, since the first blackened layer is dissolved by the etching solution, it can contain oxygen and copper.
すなわち、第１黒化層は酸素、及び銅を含有することができる。 That is, the first blackened layer can contain oxygen and copper.
一方、第２黒化層は酸素、銅、及びニッケルを含有することができ、含有する金属種、例えば銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合を１１質量％以上６０質量％以下とすることができる。 On the other hand, the second blackened layer may contain oxygen, copper, and nickel, and the proportion of nickel in the contained metal species, for example, copper and nickel, may be 11% by mass or more and 60% by mass or less. it can.
この様に第１黒化層、第２黒化層が所定の成分を含有するため、本実施形態の積層体基板が有する黒化層のエッチング液に対する反応性の差を生じ、上述のように第１黒化層の方が、第２黒化層よりもエッチング液に対する反応性を高くすることができる。また、第２黒化層のエッチング液への反応性は、銅層と同時にエッチングできるものとすることができる。なお、第２黒化層のエッチング液の反応性が、銅層と同時にエッチングができるとは、第２黒化層のエッチング液への反応性が銅層よりも低い場合もあることを含んでいる。本実施形態の積層体基板において、第２黒化層の厚さは、銅層の厚さに比べて、はるかに薄くすることが好ましい。このため、第２黒化層のエッチング液への反応性が、銅層よりも低くても、銅層と同時にエッチングできる反応性を有すればよいのである。 As described above, since the first blackening layer and the second blackening layer contain a predetermined component, a difference in reactivity of the blackening layer of the laminate substrate of the present embodiment with respect to the etching liquid occurs, and as described above. The first blackened layer can have higher reactivity with the etching solution than the second blackened layer. Further, the reactivity of the second blackening layer to the etching solution can be such that it can be etched simultaneously with the copper layer. The fact that the reactivity of the etching solution for the second blackening layer can be simultaneously etched with the copper layer includes that the reactivity of the second blackening layer for the etching solution may be lower than that of the copper layer. There is. In the laminated body substrate of the present embodiment, it is preferable that the thickness of the second blackening layer be much smaller than the thickness of the copper layer. Therefore, even if the reactivity of the second blackening layer with respect to the etching solution is lower than that of the copper layer, it is sufficient that the second blackening layer has a reactivity capable of being etched simultaneously with the copper layer.
本実施形態の積層体基板によれば、上述のように第１黒化層がエッチングされやすいことから、例えば透明基材の表面の黒化層のエッチング残渣を少なくすることができる。そして、黒化層のエッチング残渣を少なくできることから、エッチングにより露出した透明基材の全光線透過率の減少率、言い換えれば開口部の全光線透過率の減少率を少なく抑えることができる。 According to the laminated body substrate of the present embodiment, the first blackening layer is easily etched as described above, so that the etching residue of the blackening layer on the surface of the transparent substrate can be reduced, for example. Since the etching residue of the blackening layer can be reduced, the reduction rate of the total light transmittance of the transparent substrate exposed by the etching, in other words, the reduction rate of the total light transmittance of the opening can be suppressed to be small.
ただし、第１黒化層のエッチング液への反応性が高いため、第１黒化層のみを黒化層として用いた場合であれば、アンダーカットの発生が懸念される。しかし、本実施形態の積層体基板においては、第１黒化層上に第２黒化層を配置しているため、第１黒化層は、第１黒化層よりエッチングされにくい第２黒化層に覆われている。 However, since the first blackening layer has high reactivity with the etching liquid, undercut may occur if only the first blackening layer is used as the blackening layer. However, in the laminated substrate of the present embodiment, since the second blackening layer is arranged on the first blackening layer, the first blackening layer is less likely to be etched than the first blackening layer. It is covered with a chemical layer.
このため、第２黒化層がエッチングで除去されなければ、第１黒化層はエッチングで除去されないので、アンダーカットの発生を確実に抑制できる。さらには上述の通り、第１黒化層がエッチングされやすいので、エッチング後の透明基材の表面に黒化層のエッチング残渣が残りにくい。 Therefore, unless the second blackened layer is removed by etching, the first blackened layer is not removed by etching, so that the occurrence of undercut can be reliably suppressed. Furthermore, as described above, since the first blackening layer is easily etched, the etching residue of the blackening layer is unlikely to remain on the surface of the transparent substrate after etching.
以上のように、本実施形態の積層体基板においては、銅層と、黒化層と、を同時にエッチングすることができる。 As described above, in the laminated body substrate of this embodiment, the copper layer and the blackening layer can be simultaneously etched.
なお、銅層と、黒化層と、を同時にエッチングできるとは、同一のエッチング液により、一つの工程で銅層と、黒化層とを、アンダーカットの発生、及び開口部への黒化層の残渣の発生を抑制しつつ、エッチングできることを意味している。 Note that the copper layer and the blackening layer can be simultaneously etched means that the copper layer and the blackening layer are undercut and blackened in the opening in one step with the same etching solution. This means that etching can be performed while suppressing the generation of residue on the layer.
ただし、本実施形態の積層体基板においては、銅層と黒化層とは異なるエッチング液で配線加工することも可能であり、銅層を選択的に除去できるエッチング液と黒化層を選択的に除去できるエッチング液を使い分け、より精細な金属細線を備えた導電性基板を作製することも可能である。特に、第１黒化層は第２黒化層よりもエッチング液への反応性が高いので、透明基材の面に黒化層の残渣なく精細な金属細線の形成が可能となる。 However, in the laminate substrate of the present embodiment, it is possible to perform wiring processing with an etching solution different from the copper layer and the blackening layer, and the etching solution and the blackening layer that can selectively remove the copper layer can be selectively used. It is also possible to prepare a conductive substrate having finer metal fine wires by properly selecting an etching solution that can be removed. In particular, since the first blackened layer has higher reactivity to the etching liquid than the second blackened layer, it is possible to form fine metal wires on the surface of the transparent substrate without the residue of the blackened layer.
上述のように、第１黒化層は金属種として銅を含有することが望ましい。特に、第１黒化層は含有する金属種のうち銅を９０質量％以上含むことがより望ましい。なお、第１黒化層が含有する金属種は、銅のみの構成とすることもできるが、銅のみに限定されるものではない。第１黒化層は、金属種として銅の他に、ニッケルやチタンから選択された１種類以上を含有することもでき、この場合第１黒化層は、例えば含有する金属種のうちニッケルを１０質量％以下含むことができる。また、第１黒化層は、例えば含有する金属種のうちチタンを３．５質量％以下含むこともできる。第１黒化層は、金属種としてさらに１質量％以下の不可避不純物を含有していてもよい。 As described above, the first blackening layer preferably contains copper as a metal species. In particular, it is more preferable that the first blackening layer contains 90 mass% or more of copper among the metal species contained therein. The metal species contained in the first blackening layer may be made of only copper, but is not limited to copper. The first blackening layer may contain, in addition to copper, one or more kinds selected from nickel and titanium as the metal species. In this case, the first blackening layer may contain nickel among the metal species contained, for example. It can be contained in an amount of 10 mass% or less. In addition, the first blackening layer can also contain, for example, 3.5 mass% or less of titanium among the contained metal species. The first blackened layer may further contain 1 mass% or less of unavoidable impurities as a metal species.
これは、第１黒化層がニッケルを含有する場合において、第１黒化層の金属種のうちニッケルの含有率（含有割合）が１０質量％を超える場合、第１黒化層と、第２黒化層との間で、エッチング液に対する溶解性に差がなくなる恐れがあるからである。特に、第１黒化層がニッケルを含有する場合、第１黒化層の金属種のうちのニッケル含有率と第２黒化層の金属種のうちのニッケル含有率とは１０質量％以上の差を有することが好ましい。 This is because when the first blackened layer contains nickel and the content rate (content ratio) of nickel among the metal species of the first blackened layer exceeds 10% by mass, the first blackened layer, This is because there is a possibility that there will be no difference in solubility in the etching solution between the two blackened layers. In particular, when the first blackened layer contains nickel, the nickel content of the metal species of the first blackened layer and the nickel content of the metal species of the second blackened layer are 10% by mass or more. It is preferable to have a difference.
また、第１黒化層がチタンを含有する場合において、第１黒化層の金属種のうちチタンの含有率が３．５質量％を超えると、チタンが銅と合金化しないためである。さらに、第１黒化層の金属種のうちチタンの含有率が３．５質量％以下ならば、第１黒化層は第２黒化層よりも、特にエッチング液で溶解しやすくなるからである。 Further, in the case where the first blackening layer contains titanium, if the content of titanium in the metal species of the first blackening layer exceeds 3.5 mass %, titanium will not alloy with copper. Furthermore, if the content of titanium in the metal species of the first blackening layer is 3.5% by mass or less, the first blackening layer is more easily dissolved in the etching solution than the second blackening layer. is there.
なお、第１黒化層は、ニッケル、及びチタンを任意の成分として含有することができるため、その含有率の下限値は、例えば第１黒化層の金属種のうち、それぞれ０以上とすることができる。 Since the first blackening layer can contain nickel and titanium as arbitrary components, the lower limit of the content rate is, for example, 0 or more among the metal species of the first blackening layer. be able to.
一方、上述のように、第２黒化層は金属種として銅及びニッケルを含有することが望ましく、第２黒化層が含有する金属種は、銅及びニッケルのみから構成することもできるが、銅、及びニッケルのみに限定されるものではない。例えば第２黒化層は、金属種としてさらに１質量％以下の不可避不純物が存在していてもよい。 On the other hand, as described above, it is desirable that the second blackening layer contains copper and nickel as metal species, and the metal species contained in the second blackening layer may be composed only of copper and nickel. It is not limited to copper and nickel. For example, the second blackened layer may further contain unavoidable impurities of 1 mass% or less as a metal species.
また、第１黒化層は、酸素及び銅が含まれていればよく、各成分がどのような状態で含まれているかは特に限定されるものではない。例えば少なくとも一部の銅は酸化され、不定比の銅酸化物等を形成し、第１黒化層に含まれていても良い。 Further, the first blackened layer only needs to contain oxygen and copper, and the state in which each component is contained is not particularly limited. For example, at least a part of copper may be oxidized to form a non-stoichiometric copper oxide or the like and contained in the first blackening layer.
第２黒化層についても、酸素、銅、及びニッケルを含有していればよく、各成分がどのような状態で含まれているかは特に限定されるものではない。例えば少なくとも一部の銅や、ニッケルは酸化され、不定比の銅酸化物や、ニッケル酸化物を形成し、黒化層に含まれていても良い。 The second blackened layer also needs to contain oxygen, copper, and nickel, and the state of each component is not particularly limited. For example, at least a part of copper or nickel may be oxidized to form a nonstoichiometric copper oxide or nickel oxide, and may be contained in the blackening layer.
これは、本実施形態の積層体基板の第２黒化層はニッケルを含有しているため、黒化層が不定比の銅酸化物を含有していても、エッチング液に対する反応性を銅層とほぼ同様とすることができるからである。このため、本実施形態の積層体基板においては、銅層と黒化層とを同時にエッチングすることができる。 This is because the second blackened layer of the laminate substrate of the present embodiment contains nickel, and therefore, even if the blackened layer contains a non-stoichiometric copper oxide, the reactivity with respect to the etching solution is not affected by the copper layer. This is because it can be almost the same as. Therefore, in the laminate substrate of this embodiment, the copper layer and the blackening layer can be etched at the same time.
なお、第１及び第２黒化層が含有する酸素の量は特に限定されるものではない。ただし、各黒化層が含有する酸素の量は、積層体基板や、該積層体基板を用いて作製した導電性基板の光の反射率に影響を与える場合がある。このため、積層体基板や、該積層体基板を用いて作製する導電性基板において要求される光の反射率の程度や、黒化層の色調等に応じて、黒化層が含有する酸素の量、さらには黒化層を成膜する際に添加する酸素の量を選択することが好ましい。 The amount of oxygen contained in the first and second blackened layers is not particularly limited. However, the amount of oxygen contained in each blackening layer may affect the light reflectance of the laminate substrate or a conductive substrate manufactured using the laminate substrate. Therefore, depending on the degree of light reflectance required for the laminate substrate and the conductive substrate manufactured using the laminate substrate, the color tone of the blackening layer, and the like, the oxygen content of the blackening layer can be reduced. It is preferable to select the amount, and further the amount of oxygen added when forming the blackened layer.
第２黒化層に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合は特に限定されるものではないが、第２黒化層に含まれる金属種、すなわち例えば銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合は１１質量％以上６０質量％以下であることが好ましい。なお、ここでのニッケルの割合とは、黒化層中の銅と、ニッケルとの含有量の合計を１００質量％とした場合の割合を示している。 The proportion of nickel in copper and nickel contained in the second blackening layer is not particularly limited, but the proportion of nickel in the metal species contained in the second blackening layer, that is, for example, in copper and nickel, is It is preferably 11% by mass or more and 60% by mass or less. Note that the nickel ratio here means a ratio when the total content of copper and nickel in the blackened layer is 100% by mass.
これは、第２黒化層に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合を１１質量％以上とすることで、第１黒化層とのエッチング液に対する反応性の差、すなわち反応速度の差を十分確保することができるからである。 This is because the difference in the reactivity of the first blackening layer with respect to the etching solution, that is, the difference in the reaction rate, is set by setting the proportion of nickel to be 11 mass% or more of the copper and nickel contained in the second blackening layer. This is because it is possible to sufficiently secure
ただし、第２黒化層に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合が６０質量％を超えて配合されるとニッケルが過剰で、第２黒化層のエッチングが困難になる恐れがある。すなわち第２黒化層のエッチング液への溶解速度が銅層と比較して遅く、銅層と同時にエッチングできる第２黒化層とすることができない恐れがある。このため、上述のように、第２黒化層に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合は、６０質量％以下であることが好ましい。 However, if the proportion of nickel out of the copper and nickel contained in the second blackening layer exceeds 60% by mass, the amount of nickel will be excessive and it may be difficult to etch the second blackening layer. That is, the dissolution rate of the second blackening layer in the etching solution is slower than that of the copper layer, and there is a possibility that the second blackening layer that cannot be etched at the same time as the copper layer cannot be formed. Therefore, as described above, the proportion of nickel in the copper and nickel contained in the second blackening layer is preferably 60 mass% or less.
また、第２黒化層に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合を１１質量％以上６０質量％以下とすることで、積層体基板、及び該積層体基板から形成した導電性基板の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均を５５％以下とすることができる。このため、係る導電性基板をタッチパネル等の用途に用いた場合でも、ディスプレイの視認性の低下を抑制できるため、この点でも好ましい。 In addition, the wavelength of the laminate substrate and the conductive substrate formed from the laminate substrate is adjusted by setting the proportion of nickel to 11% by mass or more and 60% by mass or less of copper and nickel contained in the second blackened layer. The average specular reflectance of light of 400 nm or more and 700 nm or less can be set to 55% or less. Therefore, even when such a conductive substrate is used for a touch panel or the like, it is possible to suppress deterioration of the visibility of the display, which is also preferable in this respect.
さらに、第２黒化層は、金属種として銅を必須として含み、且つ含有する金属種、例えば銅及びニッケルのうち銅の含有率は８９質量％以下であることが望ましい。なお、この場合、第２黒化層は銅を必須として含むことができるから、含有する金属種のうちの銅の含有率は０質量％より多くすることができる。 Furthermore, it is desirable that the second blackening layer essentially contains copper as a metal species, and that the content rate of the metal species contained therein, for example, copper and nickel is 89 mass% or less. In this case, since the second blackened layer can contain copper as an essential component, the content ratio of copper in the contained metal species can be more than 0 mass %.
本実施形態の積層体基板においては、後述のように透明基材上に、第１黒化層、第２黒化層、及び銅層を積層することができ、係る第１および第２黒化層、銅層をパターニングすることで導電性基板とすることができる。 In the laminate substrate of the present embodiment, a first blackening layer, a second blackening layer, and a copper layer can be laminated on a transparent base material as described later, and the first and second blackening layers can be formed. A conductive substrate can be obtained by patterning the layer and the copper layer.
このため、本実施形態の積層体基板から得られる導電性基板の銅配線層と各黒化配線層とはそれぞれ、本実施形態の積層体基板の銅層と各黒化層との特徴が維持される。 Therefore, the copper wiring layer and each blackened wiring layer of the conductive substrate obtained from the laminated board of the present embodiment maintain the characteristics of the copper layer and each blackened layer of the laminated board of the present embodiment, respectively. To be done.
本実施形態の導電性基板に配置する各黒化層の成膜方法は特に限定されるものではない。黒化層は例えば、スパッタリング法等の乾式成膜法により形成することが好ましい。 The film formation method of each blackened layer arranged on the conductive substrate of the present embodiment is not particularly limited. The blackened layer is preferably formed by a dry film forming method such as a sputtering method.
各黒化層をスパッタリング法により成膜する場合、例えば第１黒化層を成膜するならば銅ターゲットを用い、第２黒化層を成膜するならば銅−ニッケル合金のターゲットを用いて、チャンバー内にスパッタリングガスとして用いられる不活性ガス以外に、酸素ガスを供給しながら成膜することができる。 When each blackening layer is formed by a sputtering method, for example, a copper target is used to form the first blackening layer, and a copper-nickel alloy target is used to form the second blackening layer. The film can be formed while supplying oxygen gas in addition to the inert gas used as the sputtering gas in the chamber.
なお、第１黒化層が銅以外にニッケルやチタンから選ばれた１種類以上の金属を含有する場合、例えば銅と、係る選択した金属との合金のターゲットを用いることもできる。この場合、ターゲット中に含まれる金属種のうち、ニッケルの含有率は１０質量％以下であることが好ましい。また、ターゲットに含まれる金属種のうち、チタンの含有率は３．５質量％以下であることが好ましい。これは成膜する第１黒化層に含まれる金属種のうちの、ニッケル、チタンの割合と、該黒化層を成膜する際に用いたターゲットの合金中に含まれる金属種のうちのニッケル、チタンの割合と、が同じになるためである。 When the first blackened layer contains at least one kind of metal selected from nickel and titanium in addition to copper, it is also possible to use a target of an alloy of copper and the selected metal. In this case, the content of nickel in the metal species contained in the target is preferably 10% by mass or less. In addition, the content of titanium in the metal species contained in the target is preferably 3.5 mass% or less. This is the ratio of nickel and titanium among the metal species contained in the first blackened layer to be formed and the metal species contained in the alloy of the target used in forming the blackened layer. This is because the proportions of nickel and titanium are the same.
第２黒化層の成膜で、スパッタリング時に銅−ニッケル合金のターゲットを用いた場合、銅−ニッケル合金中に含まれる金属種、例えば銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合は１１質量％以上６０質量％以下であることが好ましい。これは成膜する黒化層に含まれる銅及びニッケルのうちの、ニッケルの割合と、該黒化層を成膜する際に用いた銅−ニッケル合金のターゲットの、銅−ニッケル合金中に含まれる銅及びニッケルのうちのニッケルの割合と、が同じになるためである。 When a target of copper-nickel alloy is used at the time of sputtering in the formation of the second blackening layer, the proportion of nickel in the metal species contained in the copper-nickel alloy, for example, copper and nickel, is 11 mass% or more 60 It is preferably not more than mass %. This is contained in the copper-nickel alloy of the ratio of nickel among copper and nickel contained in the blackened layer to be formed and the target of the copper-nickel alloy used when forming the blackened layer. This is because the ratio of nickel to the total amount of copper and nickel is the same.
スパッタリング法により各黒化層を成膜する際、チャンバー内に供給する酸素ガスの供給量を調整する方法は特に限定されるものではない。例えば酸素分圧が所望の分圧となるように予め酸素ガスと、不活性ガスとを混合した混合ガスを用いることもできる。また、チャンバー内に不活性ガス及び酸素ガスをそれぞれ同時に供給し、各ガスの供給量を調整することで、チャンバー内の酸素ガスの分圧を調整することもできる。特に後者の方が必要に応じてチャンバー内の各ガスの分圧を調整できることから好ましい。 When forming each blackened layer by the sputtering method, the method of adjusting the supply amount of the oxygen gas supplied into the chamber is not particularly limited. For example, a mixed gas in which oxygen gas and an inert gas are mixed in advance so that the partial pressure of oxygen becomes a desired partial pressure can be used. Further, the partial pressure of the oxygen gas in the chamber can be adjusted by simultaneously supplying the inert gas and the oxygen gas into the chamber and adjusting the supply amount of each gas. The latter is particularly preferable because the partial pressure of each gas in the chamber can be adjusted if necessary.
なお、各黒化層を成膜する際の不活性ガスとしては特に限定されるものではなく、例えばアルゴンガスやキセノンガスを用いることができるが、アルゴンガスを好適に用いることができる。また、各黒化層は、金属以外の成分として酸素以外に、水素、炭素から選ばれた１種類以上の成分もあわせて含有することもできる。このため、各黒化層を成膜する際のガスは、酸素ガス、及び不活性ガス以外に、水蒸気、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガスから選択される１種類以上のガスを含んでいてもよい。 The inert gas used for forming each blackening layer is not particularly limited, and for example, argon gas or xenon gas can be used, but argon gas can be preferably used. Further, each blackened layer can also contain one or more kinds of components selected from hydrogen and carbon, in addition to oxygen as a component other than metal. Therefore, the gas for forming each blackened layer may include one or more kinds of gas selected from water vapor, carbon monoxide gas, and carbon dioxide gas, in addition to the oxygen gas and the inert gas. Good.
上述のように不活性ガスと、酸素ガスとを、チャンバーに供給しながらスパッタリング法により各黒化層を成膜する際、チャンバー内に供給する不活性ガスと、酸素ガスとの比は限定されるものではない。積層体基板や導電性基板に要求される光の反射率や、各黒化層の色調の程度等に応じて任意に選択することができる。 As described above, when forming each blackened layer by the sputtering method while supplying the inert gas and the oxygen gas to the chamber, the ratio of the inert gas and the oxygen gas supplied to the chamber is limited. Not something. It can be arbitrarily selected according to the light reflectance required for the laminate substrate or the conductive substrate, the degree of color tone of each blackening layer, and the like.
本実施形態の積層体基板において形成する各黒化層の合計の厚さは特に限定されるものではなく、例えば銅層表面での光の反射を抑制する程度等に応じて任意に選択することができる。 The total thickness of each blackened layer formed in the laminate substrate of the present embodiment is not particularly limited, and may be arbitrarily selected depending on, for example, the degree of suppressing light reflection on the copper layer surface. You can
第１黒化層の厚さと、第２黒化層の厚さとの合計は、下限値は例えば１０ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上であることがより好ましい。 The total lower limit of the thickness of the first blackened layer and the thickness of the second blackened layer is preferably 10 nm or more, and more preferably 15 nm or more.
黒化層は上述のように銅層表面における光の反射を抑制する層として機能するが、黒化層の厚さが薄い場合には、銅層による光の反射を充分に抑制できない場合がある。これに対して、上述のように、第１黒化層と、第２黒化層との厚さの合計を１０ｎｍ以上とすることにより、銅層表面における光の反射をより確実に抑制できる。 The blackening layer functions as a layer that suppresses the reflection of light on the surface of the copper layer as described above, but when the thickness of the blackening layer is small, the reflection of light by the copper layer may not be sufficiently suppressed. .. On the other hand, as described above, by setting the total thickness of the first blackened layer and the second blackened layer to 10 nm or more, it is possible to more reliably suppress light reflection on the copper layer surface.
第１黒化層の厚さと、第２黒化層の厚さとの合計の上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要す
る時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、第１黒化層の厚さと、第２黒化層の厚さとの合計は７０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。
The upper limit of the total of the thickness of the first blackened layer and the thickness of the second blackened layer is not particularly limited, but the time required for film formation and the formation of wiring even if the thickness is made thicker than necessary. In this case, the time required for etching becomes long, which causes an increase in cost. Therefore, the total thickness of the first blackened layer and the second blackened layer is preferably 70 nm or less, and more preferably 50 nm or less.
なお、第１黒化層の厚さは、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下が望ましい。これは、第１黒化層の厚さを５ｎｍ以上とすることで、積層体基板の反射率を十分に抑制できるからである。ただし、第１黒化層はエッチングされやすいことから、第１黒化層の厚さが１５ｎｍを超えると、エッチング時間等のエッチング条件によってはアンダーカットが生じるおそれがあるため、上述のように１５ｎｍ以下が好ましい。 The thickness of the first blackened layer is preferably 5 nm or more and 15 nm or less. This is because the reflectance of the laminate substrate can be sufficiently suppressed by setting the thickness of the first blackened layer to 5 nm or more. However, since the first blackened layer is easily etched, if the thickness of the first blackened layer exceeds 15 nm, undercut may occur depending on etching conditions such as etching time. The following are preferred.
一方、第２黒化層の厚さは、第１黒化層と、第２黒化層との合計の厚さが上記範囲になるように適宜選択できる。 On the other hand, the thickness of the second blackened layer can be appropriately selected so that the total thickness of the first blackened layer and the second blackened layer falls within the above range.
また、本実施形態の積層体基板は、第１黒化層、及び第２黒化層以外にも第３黒化層を有することもできる。第３黒化層を有する場合、第３黒化層の構成は特に限定されるものではなく、例えば第１黒化層、および／または第２黒化層と同様の構成とすることができる。すなわち、第３黒化層は、例えば銅と、酸素と、を含有することができる。また、場合によってはさらにニッケルを含有することができる。従って、第３黒化層は銅および酸素、または銅、ニッケル、および酸素を含有することができる。 Moreover, the laminated body substrate of the present embodiment may have a third blackened layer in addition to the first blackened layer and the second blackened layer. When the third blackening layer is included, the structure of the third blackening layer is not particularly limited, and may be the same as that of the first blackening layer and/or the second blackening layer, for example. That is, the third blackened layer can contain, for example, copper and oxygen. Moreover, nickel can be further contained depending on the case. Therefore, the third blackened layer can contain copper and oxygen, or copper, nickel, and oxygen.
そして、第３黒化層は、第３黒化層中の金属種のうち、ニッケルの割合が０以上６０質量％以下であることが好ましい。なお、ここでの第３黒化層中の金属種とは、第３黒化層が第１黒化層と同様に銅と酸素とを含有する場合は、銅となり、第３黒化層が第２黒化層と同様に銅とニッケルと酸素とを含有する場合、銅及びニッケルとなる。また、第３黒化層は、後述のように複層構造とすることもでき、例えば金属種として銅を含有する層と、金属種として銅及びニッケルを含有する層とを有する構成とすることもできる。 The ratio of nickel in the third blackened layer is preferably 0 or more and 60% by mass or less of the metal species in the third blackened layer. In addition, the metal species in the third blackening layer here means copper when the third blackening layer contains copper and oxygen as in the first blackening layer, and the third blackening layer is When copper, nickel, and oxygen are contained similarly to the second blackened layer, they become copper and nickel. The third blackening layer may have a multi-layer structure as described later, and has a configuration including, for example, a layer containing copper as a metal species and a layer containing copper and nickel as metal species. Can also
第３黒化層の膜厚は特に限定されないが、例えば下限値は５ｎｍ以上とすることができる。また、上限値は例えば７０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。 The thickness of the third blackening layer is not particularly limited, but the lower limit value can be set to 5 nm or more, for example. The upper limit value is preferably 70 nm or less, and more preferably 50 nm or less.
次に、本実施形態の積層体基板の構成例について説明する。 Next, a configuration example of the laminated body substrate of this embodiment will be described.
上述のように、本実施形態の積層体基板は透明基材と、銅層及び各黒化層を有する積層体と、を有することができる。この際、積層体内で第１黒化層上に第２黒化層を設けること以外は銅層と各黒化層とを透明基材上に配置する順番や、その層の数は特に限定されるものではない。つまり、例えば透明基材の少なくとも一方の面側に、銅層と第１黒化層と第２黒化層とを二層ずつ積層することもできる。また、積層体内で第１黒化層と第２黒化層とをその順に積層しさえすれば銅層および／または黒化層は複数層形成することもできる。 As described above, the laminate substrate of the present embodiment can have a transparent base material and a laminate having a copper layer and each blackening layer. At this time, the order of arranging the copper layer and each blackening layer on the transparent substrate and the number of the layers are not particularly limited except that the second blackening layer is provided on the first blackening layer in the laminate. Not something. That is, for example, two layers of the copper layer, the first blackening layer, and the second blackening layer can be laminated on at least one surface side of the transparent substrate. Further, a plurality of copper layers and/or blackening layers can be formed as long as the first blackening layer and the second blackening layer are stacked in that order in the stack.
ただし、積層体内で銅層と、黒化層とを配置する際、銅層表面での光の反射の抑制のため、銅層の表面のうち光の反射を特に抑制したい面に黒化層が配置されていることが好ましい。 However, when arranging the copper layer and the blackening layer in the laminated body, the blackening layer is provided on the surface of the copper layer where light reflection is particularly desired to be suppressed in order to suppress reflection of light on the copper layer surface. It is preferably arranged.
特に黒化層が銅層の表面に形成された積層構造を有することがより好ましい、具体的には例えば、積層体は、黒化層として、第１、第２黒化層以外にさらに第３黒化層を有し、銅層は第２の黒化層と、第３の黒化層との間に配置された構成とすることができる。より具体的には例えば、透明基材側から、第１黒化層、第２黒化層、銅層、第３黒化層の順に積層することができる。 In particular, it is more preferable that the blackened layer has a laminated structure formed on the surface of the copper layer. Specifically, for example, the laminated body further includes a third blackened layer as the blackened layer in addition to the first and second blackened layers. The copper layer may have a blackened layer, and the copper layer may be disposed between the second blackened layer and the third blackened layer. More specifically, for example, the first blackening layer, the second blackening layer, the copper layer, and the third blackening layer can be stacked in this order from the transparent substrate side.
第３黒化層を設ける場合、第３黒化層を複層構造とするか、一層の黒化層から構成するかは適宜選択すればよく、特に限定されない。例えば、第１黒化層、及び第２黒化層を含む複層構造の黒化層と、第３黒化層との色調を合わせる目的で、第３黒化層を第１黒化層、及び第２黒化層を有する複層構造とすることもできる。 When the third blackening layer is provided, it may be appropriately selected whether the third blackening layer has a multilayer structure or a single blackening layer, and is not particularly limited. For example, for the purpose of matching the color tone between the third blackening layer and the blackening layer having a multilayer structure including the first blackening layer and the second blackening layer, the third blackening layer is a first blackening layer, Also, a multi-layer structure having a second blackening layer may be used.
また、第３黒化層は、例えば第１黒化層、または第２黒化層と同様の構成とすることもできる。すなわち第３黒化層は、銅と、酸素とを含有することができる。そして、この場合、第３黒化層中の、金属種のうち、ニッケルの割合は、０以上６０質量％以下であることが好ましい。これは、第３黒化層が金属種として銅、場合によってはさらにニッケルを含有する場合に、銅と、ニッケルとの含有量の合計を１００質量％とした場合に、ニッケルの割合が６０質量％を超えるとニッケルが過剰で、第３黒化層のエッチングが困難になる恐れがあるからである。 Further, the third blackened layer may have the same structure as the first blackened layer or the second blackened layer, for example. That is, the third blackened layer can contain copper and oxygen. In this case, the proportion of nickel in the metal species in the third blackened layer is preferably 0 or more and 60 mass% or less. This is because when the third blackened layer contains copper as a metal species, and nickel in some cases, and when the total content of copper and nickel is 100 mass %, the proportion of nickel is 60 mass. This is because if the content exceeds %, nickel may be excessive and etching of the third blackening layer may be difficult.
本実施形態の積層体基板の具体的な構成例について、図２、図３を用いて以下に説明する。図２および、図３は、本実施形態の積層体基板の、透明基材、銅層、及び黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。 A specific configuration example of the laminate substrate of this embodiment will be described below with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. 2 and FIG. 3 show examples of cross-sectional views of the laminate substrate of this embodiment on a plane parallel to the laminating direction of the transparent base material, the copper layer, and the blackening layer.
例えば、図２（ａ）に示した積層体基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に第１黒化層１３１、第２黒化層１３２と、銅層１２とを一層ずつその順に積層することができる。すなわち、透明基材１１の表面に設けられる第１黒化層１３１と、第１黒化層１３１の表面に設けられる第２黒化層１３２と、第２黒化層１３２の表面に設けられる銅層１２とを備えた構成とすることができる。
For example, as in the
また、図２（ｂ）に示した積層体基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ第１黒化層１３１Ａ、１３１Ｂ、第２黒化層１３２Ａ、１３２Ｂと、銅層１２Ａ、１２Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。
Further, as in the
また、既述のように、本実施形態の積層体基板は、透明基材１１の少なくとも一方の面側に第１黒化層、第２黒化層以外の黒化層を設け、連続して積層されていない複数の黒化層を有することもできる。例えば図３（ａ）に示した積層体基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、第１黒化層１３１と、第２黒化層１３２と、銅層１２と、第３黒化層１３３と、をその順に積層することができる。
Further, as described above, the laminated body substrate of the present embodiment is provided with the blackened layers other than the first blackened layer and the second blackened layer on at least one surface side of the
このように黒化層として、第１黒化層１３１、第２黒化層１３２、及び第３黒化層１３３を有し、銅層１２を第２黒化層１３２と、第３黒化層１３３との間に配置することで、銅層１２の上面側、及び下面側から入射する光の反射をより確実に抑制することが可能になる。
As described above, the blackened layer includes the first blackened
この場合も透明基材１１の両面に銅層、第１黒化層、第２黒化層、第３黒化層を積層した構成とすることができる。具体的には図３（ｂ）に示した積層体基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ第１黒化層１３１Ａ、１３１Ｂ、第２黒化層１３２Ａ、１３２Ｂと、銅層１２Ａ、１２Ｂと、第３黒化層１３３Ａ、１３３Ｂと、をその順に積層できる。
Also in this case, the
なお、第３黒化層１３３（１３３Ａ、１３３Ｂ）の製造方法は特に限定されるものではない。例えば、第２黒化層１３２（１３２Ａ、１３２Ｂ）と、第３黒化層１３３（１３３Ａ、１３３Ｂ）とは、共に酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層とすることができ、同じ製造方法により製造することができる。また、第３黒化層１３３（１３３Ａ、１３３Ｂ）は、第１黒化層１３１（１３１Ａ、１３１Ｂ）と共に酸素と、銅とを含有する黒化層とすることもでき、同じ製造方法により製造することもできる。 The method for manufacturing the third blackened layer 133 (133A, 133B) is not particularly limited. For example, the second blackened layer 132 (132A, 132B) and the third blackened layer 133 (133A, 133B) can both be blackened layers containing oxygen, copper, and nickel. It can be manufactured by the same manufacturing method. Further, the third blackened layer 133 (133A, 133B) may be a blackened layer containing oxygen and copper together with the first blackened layer 131 (131A, 131B), and is manufactured by the same manufacturing method. You can also
透明基材１１の両面に銅層と、黒化層と、を積層した、図２（ｂ）、図３（ｂ）の構成例においては、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。
In the configuration example of FIG. 2B and FIG. 3B in which the copper layer and the blackening layer are laminated on both surfaces of the
例えば、図３（ｂ）において、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図２（ｂ）の構成と同様に、第１黒化層１３１Ａと、第２黒化層１３２Ａと、銅層１２Ａとをその順に積層した形態とすることができる。そして、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側の構成を、第１黒化層１３１Ｂと、第２黒化層１３２Ｂと、銅層１２Ｂと、第３黒化層１３３Ｂと、をその順に積層した形態として、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。
For example, in FIG. 3B, the configuration on the one
本実施形態の積層体基板の光の反射の程度は特に限定されるものではないが、例えば波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均は５５％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。これは波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５５％以下の場合、例えば本実施形態の積層体基板を、タッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下を特に抑制できるためである。 The degree of light reflection of the laminate substrate of this embodiment is not particularly limited, but for example, the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is preferably 55% or less, and 40% or less. Is more preferable, and 30% or less is further preferable. This means that when the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is 55% or less, for example, the visibility of the display is reduced even when the laminate substrate of this embodiment is used as a conductive substrate for a touch panel. This is because it can be suppressed particularly.
積層体基板の正反射率の測定は、黒化層に光を照射するようにして測定を行うことができる。すなわち、積層体基板に含まれる黒化層及び銅層のうち、黒化層側から光を照射して測定を行うことができる。具体的には例えば図２（ａ）のように透明基材１１の一方の面１１ａに第１黒化層１３１、第２黒化層１３２、銅層１２の順に積層した場合、第１黒化層１３１に光を照射できるように、透明基材１１の面１１ｂ側から、第１黒化層１３１の透明基材１１と対向する側の表面に対して光を照射して測定できる。
The regular reflectance of the laminate substrate can be measured by irradiating the blackened layer with light. That is, the measurement can be performed by irradiating light from the blackening layer side of the blackening layer and the copper layer included in the laminate substrate. Specifically, for example, when the
また、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均とは、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲内で波長を変化させて測定を行った際の測定結果の平均値を意味している。測定の際、波長を変化させる幅は特に限定されないが、例えば、１０ｎｍ毎に波長を変化させて上記波長範囲の光について測定を行うことが好ましく、１ｎｍ毎に波長を変化させて上記波長範囲の光について測定を行うことがより好ましい。 The average specular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less means the average value of the measurement results when the measurement is performed while changing the wavelength within the range of 400 nm or more and 700 nm or less. At the time of measurement, the range of changing the wavelength is not particularly limited, but for example, it is preferable to change the wavelength every 10 nm and measure the light in the above wavelength range. More preferably, the measurement is performed on light.
なお、後述のように積層体基板は銅層及び黒化層をエッチングによって配線加工することにより金属細線を形成して導電性基板とすることができる。導電性基板における光の正反射率とは、透明基材を除いた場合に、最表面に配置されている黒化層の、光が入射する側の表面における正反射率を意味する。 As will be described later, the laminated substrate can be used as a conductive substrate by forming a metal thin wire by processing a wiring by etching a copper layer and a blackened layer. The regular reflectance of light in the conductive substrate means the regular reflectance of the surface of the blackened layer disposed on the outermost surface on the side on which light is incident, when the transparent base material is excluded.
このため、エッチング処理を行った後の導電性基板であれば、銅層及び黒化層が残存している部分での測定値が上記範囲を満たしていることが好ましい。 Therefore, in the case of the conductive substrate after the etching treatment, it is preferable that the measured value in the portion where the copper layer and the blackening layer remain satisfy the above range.
次に、本実施形態の導電性基板について説明する。 Next, the conductive substrate of this embodiment will be described.
本実施形態の導電性基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面側に形成された金属細線とを備えることができる。そして、金属細線は、酸素と銅を含有する第１黒化配線層と、第１黒化配線層上に設けられ、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する第２黒化配線層と、銅配線層とを備えた積層体とすることができる。また、第２黒化配線層に含まれる金属種、すなわち例えば銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合を１１質量％以上６０質量％以下とすることができる。 The conductive substrate of the present embodiment can include a transparent base material and a thin metal wire formed on at least one surface side of the transparent base material. The thin metal wire is provided on the first blackened wiring layer containing oxygen and copper, and the second blackened wiring layer containing oxygen, copper and nickel is provided on the first blackened wiring layer, A laminated body including a copper wiring layer can be provided. Further, the proportion of nickel in the metal species contained in the second blackened wiring layer, that is, copper and nickel, for example, can be 11% by mass or more and 60% by mass or less.
なお、本実施形態の導電性基板は、既述の積層体基板の第１および第２黒化層、銅層をパターニングすることで得られる。 The conductive substrate of the present embodiment can be obtained by patterning the first and second blackening layers and the copper layer of the above-mentioned laminated substrate.
このため、本実施形態の導電性基板の銅配線層と各黒化配線層とはそれぞれ、既述の積層体基板の銅層と各黒化層との特徴が維持される。 Therefore, the copper wiring layer and each blackened wiring layer of the conductive substrate of the present embodiment maintain the characteristics of the copper layer and each blackened layer of the laminate substrate described above.
本実施形態の導電性基板の第１黒化配線層は、上述のように、金属種として銅を含有することが望ましい。特に第１黒化配線層は、含有する金属種のうち銅を９０質量％以上含むことがより望ましい。なお、第１黒化配線層が含有する金属種は、銅のみの構成とすることもできるが、銅のみに限定されるものではない。第１黒化配線層は、金属種として銅の他に、ニッケルやチタンから選択された１種類以上を含有することもでき、第１黒化配線層は、例えば含有する金属種のうちニッケルを１０質量％以下含むことができる。また、第１黒化配線層は、例えば含有する金属種のうちチタンを３．５質量％以下含むこともできる。第１黒化配線層は、金属種としてさらに１質量％以下の不可避不純物を含有していてもよい。 As described above, it is desirable that the first blackened wiring layer of the conductive substrate of the present embodiment contains copper as a metal species. In particular, the first blackened wiring layer more preferably contains 90% by mass or more of copper among the contained metal species. The metal species contained in the first blackened wiring layer may be composed of only copper, but is not limited to copper. The first blackened wiring layer may contain, in addition to copper, one or more kinds selected from nickel and titanium as a metal species, and the first blackened wiring layer may include nickel among the contained metal species. It can be contained in an amount of 10 mass% or less. The first blackened wiring layer can also contain titanium in an amount of, for example, 3.5% by mass or less of the contained metal species. The first blackened wiring layer may further contain 1 mass% or less of unavoidable impurities as a metal species.
これは、第１黒化配線層がニッケルを含有する場合において、第１黒化配線層の含有する金属種のうちニッケルの含有率が１０質量％を超える場合、該第１黒化配線層を形成する際に、パターニングに供した積層体基板の第１黒化層と、第２黒化層との間で、エッチング液に対する溶解性に差がなくなり、所望の形状にすることができない場合があるからである。 This is because when the first blackened wiring layer contains nickel and the nickel content of the metal species contained in the first blackened wiring layer exceeds 10 mass %, the first blackened wiring layer is At the time of formation, there may be no difference in solubility in the etching solution between the first blackened layer and the second blackened layer of the laminate substrate used for patterning, and it may not be possible to form a desired shape. Because there is.
特に、第１黒化配線層がニッケルを含有する場合、第１黒化配線層の含有する金属種のうちのニッケル含有率と第２黒化配線層の含有する金属種のうちのニッケル含有率とは１０質量％以上の差を有することが好ましい。 Particularly, when the first blackened wiring layer contains nickel, the nickel content rate of the metal species contained in the first blackened wiring layer and the nickel content rate of the metal species contained in the second blackened wiring layer Preferably has a difference of 10% by mass or more.
また、第１黒化配線層がチタンを含有する場合において、第１黒化配線層の含有する金属種のうちチタンの含有率が３．５質量％を超えると、チタンが銅と合金化しないためである。さらに、第１黒化配線層の含有する金属種のうちチタンの含有率が３．５質量％以下ならば、第１黒化配線層を形成する際にパターニングに供した積層体基板の第１黒化層は第２黒化層よりもエッチング液で溶解しやすいからである。 Further, in the case where the first blackened wiring layer contains titanium and the content of titanium in the metal species contained in the first blackened wiring layer exceeds 3.5 mass %, titanium does not alloy with copper. This is because. Furthermore, if the content of titanium in the metal species contained in the first blackened wiring layer is 3.5 mass% or less, the first laminated body substrate used for patterning when the first blackened wiring layer is formed. This is because the blackened layer is more easily dissolved by the etching solution than the second blackened layer.
なお、第１黒化配線層は、ニッケル、及びチタンを任意の成分として含有することができるため、その含有率の下限値は、例えば第１黒化配線層の含有する金属種のうち、それぞれ０以上とすることができる。 Since the first blackened wiring layer can contain nickel and titanium as arbitrary components, the lower limit of the content rate is, for example, among the metal species contained in the first blackened wiring layer. It can be 0 or more.
また、上述のように、本実施形態の導電性基板の第２黒化配線層は、含有する金属種、すなわち例えば銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合は１１質量％以上６０質量％以下であることが好ましい。さらに、第２黒化配線層は、金属種として銅を必須として含み、且つその含有量は含有する金属種のうち８９質量％以下であることが好ましい。なお、この場合、第２黒化配線層は金属種として銅を必須として含むことができるから、含有する金属種のうちの銅の含有率は０質量％より多くすることができる。 In addition, as described above, the second blackened wiring layer of the conductive substrate of the present embodiment contains 11% by mass or more and 60% by mass or less of nickel in the contained metal species, that is, for example, copper and nickel. It is preferable. Further, it is preferable that the second blackened wiring layer essentially contains copper as a metal species, and the content thereof is 89 mass% or less of the contained metal species. In this case, since the second blackened wiring layer can essentially contain copper as a metal species, the content rate of copper in the metal species contained can be more than 0 mass %.
本実施形態の導電性基板は、例えば既述の積層体基板を配線加工して得ることができる。そして、本実施形態の導電性基板においては、透明基材上に銅配線層と、複層構造の黒化配線層と、を設けているため、銅配線層による光の反射を抑制することができる。従って、黒化配線層を設けることにより、例えばタッチパネル等に用いた場合に良好なディスプレイの視認性を有することができる。 The conductive substrate of this embodiment can be obtained, for example, by wiring the above-described laminated substrate. Further, in the conductive substrate of the present embodiment, since the copper wiring layer and the blackened wiring layer of the multilayer structure are provided on the transparent base material, it is possible to suppress the reflection of light by the copper wiring layer. it can. Therefore, by providing the blackened wiring layer, good visibility of the display can be obtained when the blackened wiring layer is used in, for example, a touch panel.
本実施形態の導電性基板は例えばタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合、導電性基板は既述の積層体基板における銅層、及び黒化層に開口部を設けることで形成した配線パターンを有する構成とすることができる。より好ましくは、メッシュ状の配線パターンを備えた構成とすることができる。 The conductive substrate of this embodiment can be preferably used as a conductive substrate for a touch panel, for example. In this case, the conductive substrate can be configured to have a wiring pattern formed by providing openings in the copper layer and the blackening layer in the above-described laminated body substrate. More preferably, it can be configured to have a mesh-shaped wiring pattern.
開口部を備えた配線パターンが形成された導電性基板は、ここまで説明した積層体基板の銅層と、第１黒化層と、第２黒化層と、をエッチングすることにより得ることができる。そして、例えば二層の金属細線によりメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板とすることができる。具体的な構成例を図４に示す。 The conductive substrate on which the wiring pattern having the openings is formed can be obtained by etching the copper layer, the first blackened layer, and the second blackened layer of the laminate substrate described above. it can. Then, for example, a conductive substrate having a mesh-shaped wiring pattern can be obtained by using two layers of thin metal wires. A specific configuration example is shown in FIG.
図４はメッシュ状の配線パターンを備えた導電性基板３０を銅配線層と、第１黒化配線層と、第２黒化配線層との積層方向の上面側から見た図を示している。図４に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｘ軸方向に平行な複数の銅配線層３１ＢとＹ軸方向に平行な銅配線層３１Ａとを有している。なお、銅配線層３１Ａ、３１Ｂは、既述の積層体基板をエッチングすることで形成でき、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの上面および／または下面には図示しない第１黒化配線層、及び第２黒化配線層が形成されている。また、第１黒化配線層、及び第２黒化配線層は、透明基材１１の主表面、すなわち透明基材１１の銅配線層３１Ａ、３１Ｂ等を積層している面と平行な面での断面形状が、銅配線層３１Ａ、３１Ｂとほぼ同じ形状となるようにエッチングされている。
FIG. 4 shows a view of the
透明基材１１と銅配線層３１Ａ、３１Ｂとの配置は特に限定されない。透明基材１１と銅配線層との配置の構成例を図５に示す。図５は図４のＡ−Ａ´線での断面図に当たる。
The arrangement of the
例えば、図５に示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ銅配線層３１Ａ、３１Ｂが配置されていてもよい。なお、図５に示した導電性基板の場合、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの透明基材１１側には、第１黒化配線層３２１Ａ、３２１Ｂ、及び第２黒化配線層３２２Ａ、３２２Ｂが配置されている。第１黒化配線層３２１Ａ、３２１Ｂ、及び第２黒化配線層３２２Ａ、３２２Ｂは、透明基材１１の主表面と平行な面での断面形状を、銅配線層３１Ａ、３１Ｂとほぼ同じ形状とすることができる。
For example, as shown in FIG. 5,
また、図５に示したように、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの透明基材１１とは反対側の面には、第３黒化配線層３２３Ａ、３２３Ｂを配置することもできる。この場合、第３黒化配線層３２３Ａ、３２３Ｂについても、透明基材１１の主表面と平行な面での断面形状が、銅配線層３１Ａ、３１Ｂとほぼ同じ形状とすることができる。
Further, as shown in FIG. 5, third blackened
すなわち、図５に示した導電性基板においては、ここまで説明したように、金属細線は、黒化層として、第１黒化配線層３２１Ａ、３２１Ｂ、及び第２黒化配線層３２２Ａ、３２２Ｂに加えてさらに、第３黒化配線層３２３Ａ、３２３Ｂを有することができる。そして、銅配線層３１Ａ、３１Ｂは、第２黒化配線層３２２Ａ、３２２Ｂと、第３黒化配線層３２３Ａ、３２３Ｂとの間に配置された構成を有することができる。
That is, in the conductive substrate shown in FIG. 5, as described above, the thin metal wires are used as the blackening layers in the first
第３黒化配線層は、既述の第３黒化層をエッチングすることにより形成することができる。このため、第３黒化配線層は、エッチングによりパターン化した点以外は既述の第３黒化層と同様の構成を有することができる。従って、第３黒化配線層は、例えば第１黒化配線層、および／または第２黒化配線層と同様の構成とすることができる。 The third blackened wiring layer can be formed by etching the above-described third blackened layer. Therefore, the third blackened wiring layer can have the same structure as the above-described third blackened layer except that it is patterned by etching. Therefore, the third blackened wiring layer can have the same structure as the first blackened wiring layer and/or the second blackened wiring layer, for example.
具体的には、第３黒化配線層は、例えば銅と、酸素と、を含有することができる。また、場合によってはさらにニッケルを含有することができる。すなわち、第３黒化配線層は銅および酸素、または銅、ニッケル、および酸素を含有することができる。そして、第３黒化配線層は、第３黒化配線層中の金属種のうち、ニッケルの割合が０以上６０質量％以下であることが好ましい。なお、ここでの第３黒化配線層中の金属種とは、第３黒化配線層が第１黒化配線層と同様に銅と酸素とを含有する場合は銅となり、第３黒化配線層が第２黒化配線層と同様に銅とニッケルと酸素とを含有する場合、銅及びニッケルとなる。また、第３黒化配線層は、複層構造とすることもでき、例えば金属種として銅を含有する層と、金属種として銅及びニッケルを含有する層とを有する構成とすることもできる。 Specifically, the third blackened wiring layer can contain, for example, copper and oxygen. Moreover, nickel can be further contained depending on the case. That is, the third blackened wiring layer can contain copper and oxygen, or copper, nickel, and oxygen. In the third blackened wiring layer, it is preferable that the proportion of nickel in the metal species in the third blackened wiring layer is 0 or more and 60 mass% or less. It should be noted that the metal species in the third blackened wiring layer here is copper when the third blackened wiring layer contains copper and oxygen as in the first blackened wiring layer, and is the third blackened. When the wiring layer contains copper, nickel and oxygen as in the case of the second blackened wiring layer, it becomes copper and nickel. Further, the third blackened wiring layer may have a multi-layer structure, and may have a structure having, for example, a layer containing copper as a metal species and a layer containing copper and nickel as a metal species.
なお、ここでは第１黒化配線層、及び第２黒化配線層に加えて、第３黒化配線層を設けた例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば黒化層として、第１黒化層と、第２黒化配線層とのみを有する導電性基板とすることもできる。 Here, an example in which the third blackened wiring layer is provided in addition to the first blackened wiring layer and the second blackened wiring layer is shown, but the present invention is not limited to this form. For example, the blackened layer may be a conductive substrate having only the first blackened layer and the second blackened wiring layer.
図４に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は例えば、図２（ｂ）、図３（ｂ）のように透明基材１１の両面に銅層１２Ａ、１２Ｂと、第１黒化層１３１Ａ、１３１Ｂと、第２黒化層１３２Ａ、１３２Ｂとを備えた積層体基板から形成することができる。
The conductive substrate having the mesh-shaped wiring shown in FIG. 4 is, for example, as shown in FIGS. 2B and 3B, the
なお、例えば図５に示した第１の黒化配線層、第２の黒化配線層、及び第３黒化配線層を備えた導電性基板は、図３（ｂ）に示した積層体基板から形成することができる。 Note that, for example, the conductive substrate including the first blackened wiring layer, the second blackened wiring layer, and the third blackened wiring layer shown in FIG. 5 is the laminated substrate shown in FIG. 3B. Can be formed from.
そこで、図３（ｂ）の積層体基板を用いて形成した場合を例に説明する。 Therefore, description will be made by taking as an example the case where the laminated body substrate of FIG.
まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の銅層１２Ａ、第１黒化層１３１Ａ、第２黒化層１３２Ａ及び第３黒化層１３３Ａを、図３（ｂ）中Ｙ軸方向に平行な複数の線状のパターンが、Ｘ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングする。なお、図３（ｂ）中のＹ軸方向とは、紙面と垂直な方向を指す。また、図３（ｂ）中のＸ軸方向とは各層の幅方向と平行な方向を意味している。
First, the
そして、透明基材１１のもう一方の面１１ｂ側の銅層１２Ｂ、第１黒化層１３１Ｂ、第２黒化層１３２Ｂ、及び第３黒化層１３３Ｂを、図３（ｂ）中Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンがＹ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。
Then, the
以上の操作により図４、図５に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、銅層１２Ａ、１２Ｂ、第１黒化層１３１Ａ、１３１Ｂ、第２黒化層１３２Ａ、１３２Ｂ、及び第３黒化層１３３Ａ、１３３Ｂのエッチングは同時に行ってもよい。
By the above operation, the conductive substrate having the mesh-shaped wiring shown in FIGS. 4 and 5 can be formed. It should be noted that etching of both surfaces of the
また、図２（ｂ）に示した積層体基板を用いて、同様にエッチングを行うことで、第３黒化配線層３２３Ａ、３２３Ｂを有しない点以外は、図４、図５に示した導電性基板と同様の構成を有する導電性基板を形成することができる。
Further, by using the laminate substrate shown in FIG. 2B and performing the same etching, except that the third blackened
図４に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は、図２（ａ）または図３（ａ）に示した積層体基板を２枚用いることにより形成することもできる。図２（ａ）の導電性基板を用いた場合を例に説明すると、図２（ａ）に示した導電性基板２枚についてそれぞれ
、銅層１２、第１黒化層１３１、及び第２黒化層１３２を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンがＹ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではない。
The conductive substrate having the mesh-shaped wiring shown in FIG. 4 can also be formed by using two laminated body substrates shown in FIG. 2A or 3A. 2A is used as an example, the
例えば、２枚の導電性基板について、図２（ａ）における透明基材１１の銅層１２等が積層されていない面１１ｂ同士を貼り合せることで、図５に示した構成とすることができる。
For example, with respect to two conductive substrates, the
なお、図４に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板における金属細線の幅や、金属細線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、金属細線に必要な電気抵抗値等に応じて選択することができる。 It should be noted that the width of the metal fine wires and the distance between the metal fine wires in the conductive substrate having the mesh-shaped wiring shown in FIG. 4 are not particularly limited, and, for example, depending on the electric resistance value required for the metal fine wires and the like. Can be selected.
ただし、透明基材と、金属細線とが十分な密着性を有するように、以下のアンダーカット量比率が所定の範囲にあることが好ましい。 However, it is preferable that the following undercut amount ratio is within a predetermined range so that the transparent substrate and the thin metal wire have sufficient adhesion.
ここで、図６を用いてアンダーカット量比率について説明する。図６は、透明基材１１上に、黒化配線層６１、銅配線層６２がその順に積層された導電性基板の、黒化配線層及び銅配線層の積層方向に沿った面における断面図を示している。なお、図６においては黒化配線層６１が１層と、銅配線層６２が１層とにより金属細線が構成された例を示している。
Here, the undercut amount ratio will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a cross-sectional view of a conductive substrate in which a blackened
導電性基板を構成する層のうち、透明基材に接する層が、透明基材に接する層の上面に形成された層よりもエッチング速度が速い場合、透明基材に接する層のパターン幅が、透明基材に接する層上に形成された層のパターン幅よりも狭くなる場合がある。すなわち、アンダーカットが発生する場合がある。 Of the layers constituting the conductive substrate, the layer in contact with the transparent substrate, if the etching rate is faster than the layer formed on the upper surface of the layer in contact with the transparent substrate, the pattern width of the layer in contact with the transparent substrate, It may become narrower than the pattern width of the layer formed on the layer in contact with the transparent substrate. That is, undercut may occur.
図６に示した構成例において、透明基材に接する黒化層のエッチング速度が、黒化層の上面に形成された銅層のエッチング速度よりも速い場合、アンダーカットが発生する場合がある。図６に示した構成例においてアンダーカットが発生した場合、金属細線の底部幅となる、透明基材１１に接する黒化配線層６１の幅（Ｗ２）が、金属細線のパターン幅となる黒化配線層６１上に形成された銅配線層６２の幅（Ｗ１）よりも狭くなる。
In the configuration example shown in FIG. 6, undercutting may occur when the etching rate of the blackened layer in contact with the transparent substrate is faster than the etching rate of the copper layer formed on the upper surface of the blackened layer. When an undercut occurs in the configuration example shown in FIG. 6, the width (W 2 ) of the blackened
この場合、アンダーカット量比率は、金属細線の底部幅（Ｗ２）と、金属細線のパターン幅（Ｗ１）とにより、（Ｗ１−Ｗ２）／２Ｗ１の式で表される。 In this case, the undercut amount ratio is represented by the formula (W 1 −W 2 )/2W 1 by the bottom width (W 2 ) of the metal thin wire and the pattern width (W 1 ) of the metal thin wire.
そして、アンダーカット量比率は（Ｗ１−Ｗ２）／２Ｗ１≦０．０７５の関係を有することが好ましい。これはアンダーカット量比率が上記関係を充足することで、黒化層と、銅層とを同時にエッチングし、所望のパターンにパターニングできているといえ、透明基材１１と金属細線との密着性を高める観点からも好ましいからである。 The undercut amount ratio preferably has a relationship of (W 1 −W 2 )/2W 1 ≦0.075. It can be said that the blackening layer and the copper layer can be simultaneously etched and patterned into a desired pattern when the ratio of the undercut amount satisfies the above relationship. This is also preferable from the viewpoint of increasing
ここまで図４、図５においては、直線形状の金属細線を組み合わせてメッシュ状の配線パターンを形成した例を示したが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する金属細線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する金属細線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。 So far, FIGS. 4 and 5 show an example in which linear metal thin wires are combined to form a mesh-shaped wiring pattern, but the invention is not limited to such a form, and the metal thin wires forming the wiring pattern are It can have any shape. For example, the shape of the thin metal wires forming the mesh-shaped wiring pattern may be various shapes such as jagged lines (zigzag straight lines) so as not to generate moire (interference fringes) with the image on the display. ..
本実施形態の導電性基板は、既述の積層体基板を配線加工し、積層体基板における銅層、及び黒化層に開口部を設けることで形成した配線パターンを有する。このため、配線パターンに含まれる金属細線間には透明基材を露出する開口部が設けられている。 The conductive substrate of the present embodiment has a wiring pattern formed by wiring the above-described laminated substrate and forming openings in the copper layer and the blackening layer in the laminated substrate. Therefore, an opening exposing the transparent base material is provided between the thin metal wires included in the wiring pattern.
そして、該開口部の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率の平均の、透明基材の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率の平均からの減少率は、３．０％以下であることが好ましい。 The reduction rate of the average transmittance of light having a wavelength of 400 nm to 700 nm in the opening from the average transmittance of light having a wavelength of 400 nm to 700 nm of the transparent substrate is 3.0% or less. Is preferred.
これは、上記開口部の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率の平均の、積層体基板に供する透明基材の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率の平均からの減少率が３．０％を超えると、透明基材を目視で観察すると黄色に変色して見える場合があるからである。上記減少率が３．０％を超えるのは、第１黒化層を設けない場合であって、第２黒化層、及び銅層をエッチングする際に第２黒化層のエッチング速度が遅く第２黒化層と銅層とを同時にエッチングできていないためである。このため、既述のように、第２黒化層よりもエッチングされやすい第１黒化層を設けることが必要である。 This means that the average transmittance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less in the opening is 3.0% lower than the average transmittance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less of the transparent substrate used for the laminate substrate. This is because when it exceeds %, the transparent base material may appear yellow when it is visually observed. The reduction rate exceeds 3.0% when the first blackening layer is not provided, and the etching rate of the second blackening layer is low when the second blackening layer and the copper layer are etched. This is because the second blackened layer and the copper layer cannot be etched at the same time. Therefore, as described above, it is necessary to provide the first blackened layer that is more easily etched than the second blackened layer.
また、本実施形態の導電性基板の光の反射の程度は特に限定されるものではないが、例えば波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均は５５％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。これは波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５５％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下を特に抑制できるためである。 The degree of light reflection of the conductive substrate of this embodiment is not particularly limited, but for example, the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is preferably 55% or less, and 40 % Or less is more preferable, and 30% or less is further preferable. This is because when the average specular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is 55% or less, it is possible to particularly suppress deterioration of visibility of the display even when used as a conductive substrate for a touch panel.
ここまで説明した本実施形態の２層の配線から構成されるメッシュ状の配線を有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。
（積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法）
次に本実施形態の積層体基板の製造方法の構成例について説明する。
The conductive substrate having the mesh-shaped wiring composed of the two-layer wiring of the present embodiment described so far can be preferably used as a conductive substrate for a projected capacitive touch panel, for example.
(Method for manufacturing laminated substrate, method for manufacturing conductive substrate)
Next, a configuration example of the method for manufacturing the laminated body substrate of the present embodiment will be described.
本実施形態の積層体基板の製造方法は、以下の工程を有することができる。
透明基材を準備する透明基材準備工程。
透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する積層体形成工程。
そして、上記積層体形成工程は以下のステップを含むことができる。
銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成する銅層形成ステップ。
酸素と、銅とを含有する第１黒化層を堆積する第１黒化層成膜手段により第１黒化層を成膜する第１黒化層形成ステップ。
第１黒化層上に、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する第２黒化層を堆積する第２黒化層成膜手段により第２黒化層を成膜する第２黒化層形成ステップ。
The method for manufacturing the laminated body substrate of the present embodiment can include the following steps.
A transparent substrate preparing step of preparing a transparent substrate.
A laminate forming step of forming a laminate on at least one surface side of the transparent substrate.
And the said laminated body formation process can include the following steps.
A copper layer forming step of forming a copper layer by a copper layer forming means for depositing copper.
A first blackened layer forming step of forming a first blackened layer by a first blackened layer forming means for depositing a first blackened layer containing oxygen and copper.
A second blackened layer for forming a second blackened layer by a second blackened layer forming means for depositing a second blackened layer containing oxygen, copper and nickel on the first blackened layer. Forming step.
そして、第１黒化層形成ステップ、及び第２黒化層形成ステップは減圧雰囲気下において実施することが好ましい。また、第２黒化層に含まれる金属種、すなわち例えば銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合が１１質量％以上６０質量％以下であることが好ましい。 Then, it is preferable that the first blackening layer forming step and the second blackening layer forming step are performed in a reduced pressure atmosphere. In addition, it is preferable that the proportion of nickel is 11% by mass or more and 60% by mass or less of the metal species contained in the second blackened layer, that is, for example, copper and nickel.
以下に本実施形態の積層体基板の製造方法について説明するが、以下に説明する点以外については上述の積層体基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略している。 The method for manufacturing the laminated substrate of the present embodiment will be described below, but the explanation is omitted because the configuration is the same as that of the laminated substrate described above except for the points described below.
上述のように、本実施形態の積層体基板は透明基材と、銅層及び各黒化層を有する積層体と、を有することができる。この際、積層体内で第１黒化層上に第２黒化層を設けること以外は銅層と各黒化層とを透明基材上に配置する順番や、その層の数は特に限定されるものではない。つまり、例えば透明基材の少なくとも一方の面側に、銅層と第１黒化層と第２黒化層とをそれぞれ複数層積層することもできる。 As described above, the laminate substrate of the present embodiment can have a transparent base material and a laminate having a copper layer and each blackening layer. At this time, the order of arranging the copper layer and each blackening layer on the transparent substrate and the number of the layers are not particularly limited except that the second blackening layer is provided on the first blackening layer in the laminate. Not something. That is, for example, a plurality of copper layers, a first blackening layer, and a second blackening layer may be laminated on at least one surface side of the transparent substrate.
このため、上記銅層形成ステップと、第１黒化層形成ステップと、第２黒化層形成ステップとは、第１黒化層形成ステップの直後に第２黒化層形成ステップを実施する点以外は、その実施する順番や、実施する回数については特に限定されるものではない。従って、形成する積層体基板の構造に合わせて任意の回数、タイミングで実施することができる。 Therefore, in the copper layer forming step, the first blackening layer forming step, and the second blackening layer forming step, the second blackening layer forming step is performed immediately after the first blackening layer forming step. Other than that, the order of execution and the number of times of execution are not particularly limited. Therefore, it can be carried out any number of times and at any timing according to the structure of the laminate substrate to be formed.
透明基材を準備する工程は、例えば可視光を透過する高分子フィルムや、ガラス基板等により構成された透明基材を準備する工程であり、具体的な操作は特に限定されるものではない。例えば後段の各工程、ステップに供するため必要に応じて任意のサイズに切断等を行うことができる。なお、可視光を透過する高分子フィルムとして好適に用いることができるものについては既述のため、ここでは説明を省略する。 The step of preparing a transparent base material is a step of preparing a transparent base material composed of, for example, a polymer film that transmits visible light or a glass substrate, and the specific operation is not particularly limited. For example, it can be cut into an arbitrary size, if necessary, for use in the subsequent steps and steps. It should be noted that what can be suitably used as the polymer film that transmits visible light has already been described, and the description thereof will be omitted here.
次に積層体形成工程について説明する。積層体形成工程は透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する工程であり、第１黒化層形成ステップと、第２黒化層形成ステップと、銅層形成ステップとを有することができる。各ステップについて以下に説明する。 Next, the laminated body forming step will be described. The laminated body forming step is a step of forming a laminated body on at least one surface side of the transparent base material, and has a first blackened layer forming step, a second blackened layer forming step, and a copper layer forming step. You can Each step will be described below.
まず、第１黒化層形成ステップ、及び第２黒化層形成ステップについて説明する。 First, the first blackened layer forming step and the second blackened layer forming step will be described.
第１黒化層形成ステップは、透明基材の少なくとも一方の面側に、酸素と銅とを含有する第１黒化層を堆積する第１黒化層成膜手段により第１黒化層を成膜するステップである。 In the first blackened layer forming step, the first blackened layer forming means for depositing the first blackened layer containing oxygen and copper on at least one surface side of the transparent substrate forms the first blackened layer. This is a step of forming a film.
また、第２黒化層形成ステップは、第１黒化層上に、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する第２黒化層を堆積する第２黒化層成膜手段により第２黒化層を成膜するステップである。 In the second blackening layer forming step, the second blackening layer forming means for depositing a second blackening layer containing oxygen, copper and nickel on the first blackening layer is used to form the second blackening layer. This is a step of forming a chemical conversion layer.
第１黒化層形成ステップにおける酸素と、銅とを含有する第１黒化層を堆積する第１黒化層成膜手段、及び第２黒化層形成ステップにおける酸素と、銅と、ニッケルとを含有する第２黒化層を堆積する第２黒化層成膜手段は特に限定されるものではないが、乾式めっき法であることが望ましい。 First blackened layer forming means for depositing a first blackened layer containing oxygen and copper in the first blackened layer forming step, and oxygen, copper and nickel in the second blackened layer forming step The second blackened layer forming means for depositing the second blackened layer containing is not particularly limited, but a dry plating method is preferable.
なお、本実施形態の積層体基板は、第３黒化層を有することもでき、この場合、積層体形成工程は、第３黒化層形成ステップを有することができる。第３黒化層形成ステップでは、第３黒化層を堆積する第３黒化層成膜手段により第３黒化層を成膜することができる。第３黒化層成膜手段についても特に限定されるものではないが、乾式めっき法であることが好ましい。 The laminated body substrate of the present embodiment may have a third blackened layer, and in this case, the laminated body forming step may have a third blackened layer forming step. In the third blackened layer forming step, the third blackened layer can be formed by the third blackened layer forming means for depositing the third blackened layer. The means for forming the third blackened layer is not particularly limited either, but dry plating is preferable.
乾式めっき法としては特に限定されるものではないが、減圧雰囲気下において、スパッタリング法、イオンプレーティング法を用いることができる。特に黒化層の組成や厚さの制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。すなわち、第１黒化層成膜手段、及び第２黒化層成膜手段はスパッタリング成膜法であることが好ましい。また、第３黒化層も成膜する場合には、第３黒化層成膜手段はスパッタリング成膜法であることが好ましい。 The dry plating method is not particularly limited, but a sputtering method or an ion plating method can be used under a reduced pressure atmosphere. In particular, the sputtering method is more preferable because the composition and thickness of the blackened layer can be easily controlled. That is, it is preferable that the first blackened layer forming means and the second blackened layer forming means are sputtering film forming methods. When the third blackened layer is also formed, the third blackened layer forming means is preferably a sputtering film forming method.
第１黒化層、及び第２黒化層等は例えば図７に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置７０を用いて好適に成膜することができる。
The first blackened layer, the second blackened layer and the like can be suitably formed by using, for example, the roll-to-
図７はロール・ツー・ロールスパッタリング装置７０の一構成例を示している。ロール・ツー・ロールスパッタリング装置７０は、その構成部品のほとんどを収納した筐体７１を備えている。図７において筐体７１の形状は直方体形状として示しているが、筐体７１の形状は特に限定されるものではなく、内部に収容する装置や、設置場所、耐圧性能等に応じて任意の形状とすることができる。例えば筐体７１の形状は円筒形状とすることもできる。ただし、成膜開始時に成膜に関係ない残留ガスを除去するため、筐体７１内部は１Ｐａ以下まで減圧できることが好ましく、１０−３Ｐａ以下まで減圧できることがより好ましく、１０−４Ｐａ以下まで減圧できることがさらに好ましい。なお、筐体７１内部全てが上記圧力まで減圧できる必要はなく、スパッタリングを行う、後述するキャンロール７３が配置された図中下側の領域のみが上記圧力まで減圧できるように構成することもできる。
FIG. 7 shows a configuration example of the roll-to-
筐体７１内には、第１黒化層または第２黒化層を成膜する基材を供給する巻出ロール７２、キャンロール７３、スパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄ、前フィードロール７５ａ、後フィードロール７５ｂ、テンションロール７６ａ、７６ｂ、巻取ロール７７を配置することができる。また、第１黒化層または第２黒化層を成膜する基材の搬送経路上には、上記各ロール以外に任意にガイドロール７８ａ〜７８ｈや、ヒーター７９等を設けることもできる。
In the
巻出ロール７２、キャンロール７３、前フィードロール７５ａ、巻取ロール７７にはサーボモータによる動力を備えることができる。巻出ロール７２、巻取ロール７７は、パウダークラッチ等によるトルク制御によって銅薄膜層を成膜する基材の張力バランスが保たれるようになっていることが好ましい。
The unwinding
キャンロール７３の構成についても特に限定されないが、例えばその表面が硬質クロムめっきで仕上げられ、その内部には筐体７１の外部から供給される冷媒や温媒が循環し、一定の温度に調整できるように構成されていることが好ましい。
Although the structure of the can roll 73 is not particularly limited, for example, the surface thereof is finished by hard chrome plating, and the refrigerant and the heating medium supplied from the outside of the
テンションロール７６ａ、７６ｂは例えば、表面が硬質クロムめっきで仕上げられ張力センサーが備えられていることが好ましい。また、前フィードロール７５ａや、後フィードロール７５ｂ、ガイドロール７８ａ〜７８ｈについても表面が硬質クロムめっきで仕上げられていることが好ましい。
The tension rolls 76a and 76b preferably have a surface finished with hard chrome plating and a tension sensor, for example. Further, the
スパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄは、マグネトロンカソード式でキャンロール７３に対向して配置することが好ましい。スパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄのサイズは特に限定されないが、スパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄの第１黒化層または第２黒化層を成膜する基材の巾方向の寸法は、対向する第１黒化層または第２黒化層を成膜する基材の巾より広いことが好ましい。
The sputtering
第１黒化層または第２黒化層を成膜する基材は、ロール・ツー・ロール真空成膜装置であるロール・ツー・ロールスパッタリング装置７０内を搬送される。そして、キャンロール７３上であって、スパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄと対向する位置を通過する際に第１黒化層または第２黒化層が成膜される。ロール・ツー・ロールスパッタリング装置７０を用いて第２黒化層を成膜する場合の手順の構成例について説明する。
The base material on which the first blackened layer or the second blackened layer is formed is conveyed in a roll-to-
まず、例えば銅−ニッケル合金ターゲットをスパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄに装着し、黒化層を成膜する基材を巻出ロール７２にセットした筐体７１内を真空ポンプ８０ａ、８０ｂにより真空排気する。
First, for example, a copper-nickel alloy target is attached to the
なお、形成する第２黒化層に含まれる金属種、例えば銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合は１１質量％以上６０質量％以下であることが好ましい。また、既述のように第２黒化層は、金属種として銅を必須として含み、且つその含有率は金属種のうち８９質量％以下であることが好ましい。 The proportion of nickel is preferably 11% by mass or more and 60% by mass or less of the metal species contained in the second blackened layer to be formed, for example, copper and nickel. Further, as described above, it is preferable that the second blackening layer essentially contains copper as a metal species, and the content rate thereof is 89 mass% or less of the metal species.
そして、黒化層を成膜する際に用いるターゲットが含有する金属種の組成と、成膜した黒化層が含有する金属種の組成とは同じになる。このため、第２黒化層を成膜する際に用いる銅−ニッケル合金ターゲットについても、銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合が１１質量％以上６０質量％以下であることが好ましい。また、該銅−ニッケル合金ターゲットに含まれる銅、及びニッケルのうち、銅の含有率が８９質量％以下とすることが好ましい。 The composition of the metal species contained in the target used when forming the blackened layer is the same as the composition of the metal species contained in the formed blackened layer. Therefore, also in the copper-nickel alloy target used when forming the second blackened layer, the proportion of nickel in copper and nickel is preferably 11% by mass or more and 60% by mass or less. Further, it is preferable that the copper content rate of the copper and nickel contained in the copper-nickel alloy target be 89% by mass or less.
そしてその後、不活性ガス、例えばアルゴンと、酸素とからなるスパッタリングガスを気体供給手段８１により筐体７１内に導入することができる。なお、気体供給手段８１の構成は特に限定されないが、図示しない気体貯蔵タンクを有することができる。そして、気体貯蔵タンクと筐体７１との間に、ガス種ごとにマスフローコントローラー（ＭＦＣ）８１１ａ、８１１ｂ、及びバルブ８１２ａ、８１２ｂを設け、各ガスの筐体７１内への供給量を制御できるように構成できる。図７ではマスフローコントローラーと、バルブとを２組設けた例を示しているが、設置する数は特に限定されず、用いるガス種の数に応じて設置する数を選択することができる。
Then, thereafter, a sputtering gas composed of an inert gas such as argon and oxygen can be introduced into the
この際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ８０ｂと筐体７１との間に設けられた圧力調整バルブ８２の開度とを調整して筐体７１内を例えば０．１３Ｐａ以上１３Ｐａ以下に保持して成膜を実施することが好ましい。
At this time, the flow rate of the sputtering gas and the opening degree of the
なお、不活性ガス、酸素ガスは予め混合したガスを筐体７１内に供給することもできるが、それぞれ個別に筐体７１に供給し、筐体７１内でそれぞれのガスが所望の分圧となるようにその供給量、圧力を調整することもできる。また、スパッタリングガスは、既述のように不活性ガスと、酸素とからなるガスに限定されるものではなく、水蒸気、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガスから選択される１種類以上のガスをさらに含んでいてもよい。
It should be noted that although the inert gas and the oxygen gas may be mixed in advance and supplied to the
この状態で、巻出ロール７２から基材を例えば毎分０．５ｍ以上１０ｍ以下程度の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の第２黒化層を連続成膜することができる。
In this state, while the substrate is conveyed from the unwinding
なお、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置７０には上述した以外にも必要に応じて各種部材を配置できる。例えば筐体７１内の圧力を測定するための圧力計８３ａ、８３ｂや、ベントバルブ８４ａ、８４ｂを設けることもできる。
Various members other than those described above can be arranged in the roll-to-
第１黒化層は、銅−ニッケル合金ターゲットに替えて、例えば銅ターゲットをスパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄに装着する点以外は上述の第２黒化層の場合と同様にして成膜することができる。
The first blackening layer can be formed in the same manner as in the case of the second blackening layer described above except that, for example, a copper target is attached to the
積層体基板に関する説明で既述のように、第１黒化層は金属種として銅を含有することが望ましい。特に第１黒化層は、含有する金属種のうち銅を９０質量％以上含むことがより望ましい。なお、第１黒化層が含有する金属種は、銅のみの構成とすることもできるが、銅のみに限定されるものではない。第１黒化層は、金属種として銅の他に、ニッケルやチタンから選択された１種類以上を含有することもでき、第１黒化層は、含有する金属種のうちニッケルを１０質量％以下含むことができる。また、第１黒化層は含有する金属種のうちチタンを３．５質量％以下含むこともできる。第１黒化層は、金属種としてさらに１質量％以下の不可避不純物を含有していてもよい。 As already described in the description of the laminated substrate, the first blackening layer preferably contains copper as a metal species. In particular, the first blackened layer more preferably contains 90% by mass or more of copper among the contained metal species. The metal species contained in the first blackening layer may be made of only copper, but is not limited to copper. The first blackening layer can contain, in addition to copper, one or more kinds selected from nickel and titanium as a metal species, and the first blackening layer contains 10 mass% of nickel among the metal species contained. It can include: Further, the first blackening layer may contain titanium in an amount of 3.5% by mass or less of the contained metal species. The first blackened layer may further contain 1 mass% or less of unavoidable impurities as a metal species.
なお、第１黒化層は、ニッケル、及びチタンを任意の成分として含有することができるため、その含有率の下限値は、例えば第１黒化層が含有する金属種のうち、それぞれ０以上とすることができる。 Since the first blackening layer can contain nickel and titanium as arbitrary components, the lower limit of the content is, for example, 0 or more among the metal species contained in the first blackening layer. Can be
このため、第１黒化層を成膜する際に用いるターゲットは、第１黒化層の目的とする組成にあわせて、上述の銅ターゲットに限定されず、例えば銅と、ニッケル及びチタンから選択された１種類以上の金属とを含む合金ターゲットを用いることもできる。 Therefore, the target used when forming the first blackening layer is not limited to the copper target described above in accordance with the target composition of the first blackening layer, and is selected from, for example, copper, nickel and titanium. It is also possible to use an alloy target containing one or more kinds of the above-mentioned metals.
また、既述のように、本実施形態の積層体基板は、第１黒化層、第２黒化層以外に、第３黒化層を有することもできる。このように、第３黒化層を成膜する場合には、第３黒化層の目的とする組成に応じたターゲットをスパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄに装着する以外は、上述の第２黒化層の場合と同様にして成膜することができる。
Further, as described above, the laminated body substrate of the present embodiment may have the third blackened layer in addition to the first blackened layer and the second blackened layer. As described above, when the third blackening layer is formed, the second blackening layer described above is used except that a target according to the intended composition of the third blackening layer is attached to the
そして、第１黒化層形成ステップ、及び第２黒化層形成ステップは減圧雰囲気下において実施することが好ましい。また、第３黒化層形成ステップを行う場合には同様に減圧雰囲気下で実施することが好ましい。 Then, it is preferable that the first blackening layer forming step and the second blackening layer forming step are performed in a reduced pressure atmosphere. Further, when the third blackened layer forming step is performed, it is preferable to similarly perform the step in a reduced pressure atmosphere.
次に、銅層形成ステップについて説明する。 Next, the copper layer forming step will be described.
銅層形成ステップでは透明基材の少なくとも一方の面側に銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成することができる。 In the copper layer forming step, the copper layer can be formed by a copper layer forming means for depositing copper on at least one surface side of the transparent substrate.
銅層形成ステップでは、乾式めっき法を用いて銅薄膜層を形成することが好ましい。また銅層をより厚くする場合には、乾式めっき法により銅薄膜層を形成後に湿式めっき法を用いてさらに銅めっき層を形成することが好ましい。 In the copper layer forming step, it is preferable to form the copper thin film layer using a dry plating method. When making the copper layer thicker, it is preferable to form a copper thin film layer by a dry plating method and then further form a copper plating layer by a wet plating method.
このため、銅層形成ステップは、例えば乾式めっき法により銅薄膜層を形成するステップを有することができる。また、銅層形成ステップは、乾式めっき法により銅薄膜層を形成するステップと、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成するステップと、を有していてもよい。 Therefore, the copper layer forming step can include a step of forming a copper thin film layer by, for example, a dry plating method. Further, the copper layer forming step may include a step of forming a copper thin film layer by a dry plating method and a step of forming a copper plating layer by a wet plating method using the copper thin film layer as a power feeding layer. ..
従って、上述の銅層成膜手段としては１つの成膜手段に限定されるものではなく、複数の成膜手段を組み合わせて用いることもできる。 Therefore, the above-mentioned copper layer film forming means is not limited to one film forming means, and a plurality of film forming means may be used in combination.
上述のように乾式めっき法のみ、又は乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて銅層を形成することにより透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できるため好ましい。 Since the copper layer can be directly formed on the transparent substrate or the blackened layer without an adhesive by forming the copper layer only by the dry plating method or by combining the dry plating method and the wet plating method as described above. preferable.
上述のように、銅層形成ステップでは、例えば乾式めっき法により銅薄膜層を形成することができる。 As described above, in the copper layer forming step, the copper thin film layer can be formed by, for example, the dry plating method.
乾式めっき法としては特に限定されるものではないが、減圧雰囲気下において、スパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。 The dry plating method is not particularly limited, but a sputtering method, an ion plating method, a vapor deposition method or the like can be preferably used in a reduced pressure atmosphere.
特に、銅薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、厚さの制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。すなわちこの場合、銅層形成ステップにおける銅を堆積させる銅層成膜手段としてスパッタリング成膜手段（スパッタリング成膜法）を好ましく用いることができる。 In particular, as the dry plating method used for forming the copper thin film layer, the sputtering method is more preferable because the thickness can be easily controlled. That is, in this case, the sputtering film forming means (sputtering film forming method) can be preferably used as the copper layer forming means for depositing copper in the copper layer forming step.
銅薄膜層は、例えば図７に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置７０を用いて好適に成膜することができる。なお、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置７０の構成については既述のため、ここでは説明を省略する。
The copper thin film layer can be suitably formed by using, for example, the roll-to-
以下にロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いた場合を例に銅薄膜層を形成する工程を説明する。 The process of forming a copper thin film layer will be described below by taking the case of using a roll-to-roll sputtering device as an example.
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置７０を用いて銅薄膜層を成膜する場合の手順について説明する。
A procedure for forming a copper thin film layer using the roll-to-
まず、銅ターゲットをスパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄに装着し、銅薄膜層を成膜する基材を巻出ロール７２にセットした筐体７１内を真空ポンプ８０ａ、８０ｂにより真空排気する。
First, a copper target is attached to the
その後、不活性ガス、例えばアルゴン等のスパッタリングガスを気体供給手段８１により筐体７１内に導入することができる。
After that, an inert gas, for example, a sputtering gas such as argon can be introduced into the
そして、気体供給手段８１によりスパッタリングガスを筐体７１内に供給した際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ８０ｂと筐体７１との間に設けられた圧力調整バルブ８２の開度と、を調整して装置内を例えば０．１３Ｐａ以上１．３Ｐａ以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。
Then, when the sputtering gas is supplied into the
この状態で、巻出ロール７２から基材を例えば毎分１ｍ以上２０ｍ以下の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の銅薄膜層を連続成膜することができる。
In this state, while the substrate is conveyed from the unwinding
また、既述のように乾式めっき後に湿式めっき法を用いてさらに銅層（銅めっき層）を成膜することができる。 Further, as described above, a copper layer (copper plating layer) can be further formed by using a wet plating method after dry plating.
湿式めっき法により銅めっき層を成膜する場合、上述した乾式めっきにより成膜した銅薄膜層を給電層とすることができる。そしてこの場合、銅層形成ステップにおける銅を堆積させる銅層成膜手段として、電気めっき成膜手段を好ましく用いることができる。 When the copper plating layer is formed by the wet plating method, the copper thin film layer formed by the above dry plating can be used as the power feeding layer. In this case, electroplating film forming means can be preferably used as the copper layer forming means for depositing copper in the copper layer forming step.
銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、銅めっき液を入れためっき槽に銅薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、銅めっき層を形成できる。 The conditions in the step of forming the copper plating layer by the wet plating method, that is, the conditions of the electroplating treatment using the copper thin film layer as the power feeding layer are not particularly limited, and various conditions according to a conventional method may be adopted. For example, the copper plating layer can be formed by supplying the base material on which the copper thin film layer is formed to a plating tank containing a copper plating solution and controlling the current density and the transfer speed of the base material.
ここまで、本実施形態の積層体基板の製造方法に含まれる各工程、ステップについて説明した。 Up to this point, each process and step included in the method for manufacturing the laminated body substrate of the present embodiment has been described.
本実施形態の積層体基板の製造方法により得られる積層体基板は、既述の積層体基板と同様に、銅層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上とすることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅層の厚さは５０００ｎｍ以下であることが好ましく、３０００ｎｍ以下であることがより好ましい。なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層を有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。 In the laminated body substrate obtained by the laminated body substrate manufacturing method of the present embodiment, the thickness of the copper layer is preferably 50 nm or more, and more preferably 60 nm or more, as in the already described laminated body substrate. , 150 nm or more is more preferable. The upper limit of the thickness of the copper layer is not particularly limited, but the thickness of the copper layer is preferably 5000 nm or less, more preferably 3000 nm or less. When the copper layer has the copper thin film layer and the copper plating layer as described above, the total thickness of the copper thin film layer and the copper plating layer is preferably in the above range.
また、第１黒化層の厚さと、第２黒化層の厚さとの合計は特に限定されるものではないが、下限値は例えば１０ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上であることがより好ましい。 The total of the thickness of the first blackened layer and the thickness of the second blackened layer is not particularly limited, but the lower limit value is preferably 10 nm or more, more preferably 15 nm or more. preferable.
第１黒化層の厚さと、第２黒化層の厚さとの合計の上限値は７０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。 The upper limit of the total thickness of the first blackened layer and the second blackened layer is preferably 70 nm or less, and more preferably 50 nm or less.
なお、第１黒化層の厚さは、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下が望ましい。 The thickness of the first blackened layer is preferably 5 nm or more and 15 nm or less.
一方、第２黒化層の厚さは、第１黒化層と、第２黒化層との合計の厚さが上記範囲になるように適宜選択できる。 On the other hand, the thickness of the second blackened layer can be appropriately selected so that the total thickness of the first blackened layer and the second blackened layer falls within the above range.
第３黒化層の膜厚は、例えば下限値は５ｎｍ以上とすることができる。また、上限値は例えば７０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。 The lower limit of the thickness of the third blackened layer can be, for example, 5 nm or more. The upper limit value is preferably 70 nm or less, and more preferably 50 nm or less.
さらに、本実施形態の積層体基板の製造方法により得られる積層体基板は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均は５５％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。 Furthermore, in the laminate substrate obtained by the method for producing a laminate substrate of the present embodiment, the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is preferably 55% or less, and 40% or less. It is more preferably 30% or less.
本実施形態の積層体基板の製造方法により得られる積層体基板を用いて、銅層、第１黒化層、及び第２黒化層に開口部を備えた配線パターンが形成された導電性基板とすることができる。導電性基板は、より好ましくは、メッシュ状の配線を備えた構成とすることができる。 A conductive substrate in which a wiring pattern having openings in the copper layer, the first blackened layer, and the second blackened layer is formed by using the laminated substrate obtained by the method for manufacturing a laminated substrate of the present embodiment Can be More preferably, the conductive substrate can be configured to have a mesh-shaped wiring.
係る本実施形態の導電性基板の製造方法は、上述の積層体基板の製造方法により得られた積層体基板の銅層と、第１黒化層と、第２黒化層とをエッチングし、銅配線層と、第１黒化配線層と、第２黒化配線層とを備えた積層体である金属細線を有する配線パターンを
形成するエッチング工程を有することができる。そして、係るエッチング工程により、銅層、第１黒化層、及び第２黒化層に開口部を形成できる。
The method for manufacturing a conductive substrate according to the present embodiment involves etching the copper layer, the first blackening layer, and the second blackening layer of the laminate substrate obtained by the above-described laminate substrate manufacturing method, An etching step of forming a wiring pattern having a thin metal wire that is a laminated body including a copper wiring layer, a first blackened wiring layer, and a second blackened wiring layer can be included. Then, by the etching process, openings can be formed in the copper layer, the first blackened layer, and the second blackened layer.
エッチング工程では例えばまず、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストを、積層体基板の最表面に形成する。例えば、図２（ａ）に示した積層体基板の場合、積層体基板に配置した銅層１２の露出した表面Ａ上にレジストを形成することができる。なお、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストの形成方法は特に限定されないが、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。
In the etching step, for example, first, a resist having an opening corresponding to a portion to be removed by etching is formed on the outermost surface of the laminate substrate. For example, in the case of the laminated substrate shown in FIG. 2A, a resist can be formed on the exposed surface A of the
次いで、レジスト上面からエッチング液を供給することにより、銅層１２、第１黒化層１３１、及び第２黒化層１３２のエッチングを実施することができる。
Then, the
なお、図２（ｂ）のように透明基材１１の両面に銅層、黒化層を配置した場合には、積層体基板の表面Ａ及び表面Ｂにそれぞれ所定の形状の開口部を有するレジストを形成し、透明基材１１の両面に形成した銅層、第１黒化層、及び第２黒化層を同時にエッチングしてもよい。また、透明基材１１の両側に形成された銅層、第１黒化層、及び第２黒化層について、一方の側ずつエッチング処理を行うこともできる。すなわち、例えば、銅層１２Ａ及び第２黒化層１３２Ａ、第１黒化層１３１Ａのエッチングを行った後に、銅層１２Ｂ及び第２黒化層１３２Ｂ、第１黒化層１３１Ｂのエッチングを行うこともできる。
When a copper layer and a blackening layer are arranged on both sides of the
本実施形態の積層体基板の製造方法で形成する第２黒化層は、銅層と同様のエッチング液への反応性を示す。また、第１黒化層は、係るエッチング液に対する反応性が第２黒化層よりも高い。このため、エッチング工程で用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、一般的に銅層のエッチングに用いられるエッチング液を好ましく用いることができる。 The second blackened layer formed by the method for manufacturing a laminated body substrate of the present embodiment exhibits reactivity to an etching solution similar to that of the copper layer. Further, the first blackened layer has a higher reactivity with respect to the etching solution than the second blackened layer. Therefore, the etching liquid used in the etching step is not particularly limited, and the etching liquid generally used for etching the copper layer can be preferably used.
エッチング工程で用いるエッチング液としては例えば、硫酸、過酸化水素水、塩酸、塩化第二銅、及び塩化第二鉄から選択された１種類を含む水溶液、または上記硫酸等から選択された２種類以上を含む混合水溶液をより好ましく用いることができる。エッチング液中の各成分の含有量は、特に限定されるものではない。 The etching solution used in the etching step is, for example, an aqueous solution containing one type selected from sulfuric acid, hydrogen peroxide solution, hydrochloric acid, cupric chloride, and ferric chloride, or two or more types selected from the sulfuric acid and the like. A mixed aqueous solution containing is more preferably used. The content of each component in the etching solution is not particularly limited.
エッチング液は室温で用いることもできるが、反応性を高めるため加温して用いることもできる、例えば４０℃以上５０℃以下に加熱して用いることができる。 The etching solution can be used at room temperature, but can also be used by heating to enhance reactivity, for example, can be used by heating to 40° C. or higher and 50° C. or lower.
上述したエッチング工程により得られるメッシュ状の配線の具体的な形態については、既述のとおりであるため、ここでは説明を省略する。 Since the specific form of the mesh-shaped wiring obtained by the above-described etching process is as described above, the description thereof is omitted here.
また、図２（ａ）、図３（ａ）に示した透明基材１１の一方の面側に銅層、第１黒化層、及び第２黒化層を有する２枚の積層体基板をエッチング工程に供して導電性基板とした後、２枚の導電性基板を貼り合せてメッシュ状の配線を備えた導電性基板とする場合、導電性基板を貼り合せる工程をさらに設けることができる。この際、２枚の導電性基板を貼り合せる方法は特に限定されるものではなく、例えば光学接着剤（ＯＣＡ）等を用いて接着することができる。
In addition, two laminate substrates having a copper layer, a first blackened layer, and a second blackened layer on one surface side of the
なお、本実施形態の導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均は５５％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。 The conductive substrate obtained by the method for manufacturing a conductive substrate of the present embodiment preferably has an average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less of 55% or less, and 40% or less. It is more preferably 30% or less.
これは波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５５％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下を特に抑制できるためである。 This is because when the average specular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is 55% or less, it is possible to particularly suppress deterioration of visibility of the display even when used as a conductive substrate for a touch panel.
以上に本実施形態の積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、及び導電性基板の製造方法について説明した。係る積層体基板、または積層体基板の製造方法により得られる積層体基板によれば、銅層と黒化層とがエッチング液に対してほぼ同じ反応性を示す。このため、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層とを備えた積層体基板を提供することができる。そして、銅層と黒化層とを同時にエッチングすることができるため、容易に所望の形状の銅配線層、及び黒化配線層を形成することができる。 The laminate substrate, the conductive substrate, the method for producing the laminate substrate, and the method for producing the conductive substrate according to this embodiment have been described above. According to such a laminate substrate or a laminate substrate obtained by the method for producing a laminate substrate, the copper layer and the blackening layer exhibit substantially the same reactivity with respect to the etching solution. Therefore, it is possible to provide a laminate substrate including a copper layer that can be simultaneously etched and a blackening layer. Since the copper layer and the blackened layer can be etched at the same time, the copper wiring layer and the blackened wiring layer having a desired shape can be easily formed.
また、黒化配線層を設けることで銅配線層による光の反射を抑制することができ、例えばタッチパネル用の導電性基板とした場合に、視認性の低下を抑制することができる。このため、黒化配線層を設けることで良好な視認性を有する導電性基板とすることができる。 Further, by providing the blackened wiring layer, reflection of light by the copper wiring layer can be suppressed, and when the conductive substrate for a touch panel is used, for example, reduction in visibility can be suppressed. Therefore, by providing the blackened wiring layer, a conductive substrate having good visibility can be obtained.
以下に、本発明の実施例及び比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によって、なんら限定されるものではない。
（評価方法）
（１）正反射率
以下の各実施例、比較例において作製した積層体基板について正反射率の測定を行った。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples of the present invention, but the present invention is not limited to these Examples.
(Evaluation method)
(1) Regular reflectance The regular reflectance was measured about the laminated body board produced in the following Examples and Comparative Examples.
測定は、紫外可視分光光度計（株式会社 島津製作所製 型式：ＵＶ−２５５０）に反射率測定ユニットを設置して行った。 The measurement was carried out by installing a reflectance measuring unit in an ultraviolet-visible spectrophotometer (Shimadzu Corporation model: UV-2550).
各実施例で図３（ａ）の構造を有する積層体基板を作製したが、反射率の測定は図３（ａ）における第１黒化層１３１の透明基材１１と対向する側の表面１３１ａに対して、透明基材１１の面１１ｂ側から、透明基材１１を通じて入射角５°、受光角５°として、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲の光を照射して実施した。なお、積層体基板に照射した光は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲内で、１ｎｍ毎に波長を変化させて各波長の光について正反射率の測定を行い、測定結果の平均を該導電性基板の正反射率の平均とした。なお、表１中では反射率として示している。
（２）金属細線のアンダーカット量比率
アンダーカット量比率は、各実施例、比較例で作製した導電性基板の配線の断面をＳＥＭで観察し、金属細線のパターン幅Ｗ１及び金属細線の底部幅Ｗ２を求めて算出した。なお、金属細線のパターン幅Ｗ１、金属細線の底部幅Ｗ２については図６を用いて既に説明した通りである。
（３）開口部の全光線透過率の減少率
各実施例、比較例で作製した導電性基板の透明基材を露出する金属細線間の開口部について、全光線透過率の測定を行った。
A laminate substrate having the structure of FIG. 3A was produced in each example, and the reflectance was measured by measuring the
(2) Undercut amount ratio of the metal fine wire The undercut amount ratio is determined by observing the cross section of the wiring of the conductive substrate manufactured in each of the examples and comparative examples with an SEM, and determining the pattern width W 1 of the metal thin wire and the bottom of the metal thin wire. The width W 2 was calculated and calculated. The pattern width W 1 of the thin metal wire and the bottom width W 2 of the thin metal wire are as described above with reference to FIG. 6.
(3) Reduction rate of total light transmittance of openings The total light transmittance was measured for the openings between the metal thin wires that expose the transparent base material of the conductive substrate prepared in each of the examples and comparative examples.
測定は、正反射率を測定した際の紫外可視分光光度計に積分球付属装置を設置して行った。照射した光は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲内で、１ｎｍ毎に波長を変化させて各波長の光について透過率の測定を行い、測定結果の平均を該導電性基板の開口部の全光線透過率の平均とした。 The measurement was performed by installing an integrating sphere accessory device in the UV-visible spectrophotometer at the time of measuring the regular reflectance. The irradiated light has a wavelength in the range of 400 nm or more and 700 nm or less, and the transmittance is measured for each wavelength of light by changing the wavelength at every 1 nm, and the average of the measurement results is averaged for all rays of the opening of the conductive substrate. The average of the transmittance was used.
また、予め積層体基板を製造する際に用いた透明基材について、同様にして全光線透過率の平均を測定しておいた。 Further, with respect to the transparent base material used in manufacturing the laminate substrate in advance, the average of all light transmittances was similarly measured.
そして、各実施例、比較例で作製した導電性基板の開口部の全光線透過率の平均の、透明基材の全光線透過率の平均からの減少率である、開口部の全光線透過率の減少率を算出した。
（試料の作製条件）
実施例、比較例として、以下に説明する条件で積層体基板、及び導電性基板を作製し、上述の評価方法により評価を行った。
［実施例１］
図３（ａ）に示した構造を有する積層体基板を作製した。
（透明基材準備工程）
まず、透明基材準備工程を実施した。
Then, each example, the average of the total light transmittance of the openings of the conductive substrate prepared in Comparative Example, is the reduction rate from the average of the total light transmittance of the transparent substrate, the total light transmittance of the opening Was calculated.
(Sample preparation conditions)
As an example and a comparative example, a laminate substrate and a conductive substrate were prepared under the conditions described below and evaluated by the above-described evaluation method.
[Example 1]
A laminate substrate having the structure shown in FIG. 3A was produced.
(Transparent substrate preparation process)
First, a transparent base material preparation step was performed.
具体的には、幅５００ｍｍ、厚さ１００μｍの光学用ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材を準備した。
（積層体形成工程）
次に、積層体形成工程を実施した。
Specifically, a transparent base material made of optical polyethylene terephthalate resin (PET) having a width of 500 mm and a thickness of 100 μm was prepared.
(Layered body forming process)
Next, a laminated body forming step was performed.
積層体形成工程として、第１黒化層形成ステップ、第２の黒化層形成ステップ、銅層形成ステップ、第３黒化層形成を実施した。以下に具体的に説明する。
（１）第１黒化層形成ステップ
まず第１黒化層形成ステップを実施した。
As the laminated body forming step, a first blackened layer forming step, a second blackened layer forming step, a copper layer forming step, and a third blackened layer forming step were carried out. This will be specifically described below.
(1) First Blackened Layer Forming Step First, the first blackened layer forming step was performed.
準備した透明基材を図７に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置７０にセットした。また、スパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄに、銅ターゲット、（住友金属鉱山（株）製）を装着した。
The prepared transparent substrate was set in the roll-to-
そして、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置７０のヒーター７９を１００℃に加熱し、透明基材を加熱し、基材中に含まれる水分を除去した。
Then, the
続いて筐体７１内を１×１０−４Ｐａまで真空ポンプ８０ａ、８０ｂにより排気した後、気体供給手段８１によりアルゴンガスの流量が２４０ｓｃｃｍ、酸素ガスの流量が４０ｓｃｃｍとなるようにしてアルゴンガスと酸素ガスとを筐体７１内に導入した。そして、透明基材を巻出ロール７２から毎分２ｍの速さで搬送しながら、スパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、透明基材上に所望の第１黒化層を連続成膜した。係る操作により透明基材上に第１黒化層１３１を厚さ１０ｎｍとなるように形成した。
（２）第２黒化層形成ステップ
次に第２黒化層形成ステップを実施した。
Subsequently, the inside of the
(2) Second Blackened Layer Forming Step Next, a second blackened layer forming step was performed.
第２の黒化層形成ステップでは、スパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄに装着するターゲットを、銅−ニッケル合金ターゲット（住友金属鉱山（株）製）とした点以外は、第１黒化層形成ステップと同様にして第２黒化層を成膜した。なお、基材としては、第１黒化層形成ステップで、透明基材上に第１黒化層を形成した基材を用い、第１黒化層上に第２黒化層を成膜している。
In the second blackening layer forming step, the target to be mounted on the
また、銅−ニッケル合金ターゲットとしては、表１に示すように、Ｎｉを１１質量％、Ｃｕを８９質量％含有するターゲットを用いた。
（３）銅層形成ステップ
続いて、銅層形成ステップを実施した。
Further, as the copper-nickel alloy target, as shown in Table 1, a target containing 11 mass% of Ni and 89 mass% of Cu was used.
(3) Copper Layer Forming Step Subsequently, a copper layer forming step was performed.
銅層形成ステップでは、スパッタリングカソードに装着するターゲットを銅ターゲット（住友金属鉱山（株）製）に変え、筐体７１内を排気後、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置７０の筐体７１内にアルゴンガスのみを導入した点以外は第１黒化層の場合と同様にして第２黒化層の上面に銅層を厚さ２００ｎｍとなるように形成した。
In the copper layer forming step, the target attached to the sputtering cathode is changed to a copper target (manufactured by Sumitomo Metal Mining Co., Ltd.), the inside of the
なお、銅層を形成する基材としては、第１黒化層形成ステップと、第２黒化層形成ステップとで、透明基材上に、第１黒化層、及び第２黒化層をその順に形成した基材を用いた。
（４）第３黒化層形成ステップ
続いて、第３黒化層形成ステップを実施した。
As a base material for forming the copper layer, the first blackened layer and the second blackened layer are formed on the transparent base material in the first blackened layer forming step and the second blackened layer forming step. The base material formed in that order was used.
(4) Third Blackened Layer Forming Step Subsequently, a third blackened layer forming step was performed.
第３黒化層形成ステップでは、第１黒化層形成ステップと、第２黒化層形成ステップと、銅層形成ステップとで、透明基材上に、第１黒化層、第２黒化層、及び銅層をその順に形成した基材を用いた点と膜厚を２０ｎｍとした以外は第２黒化層形成ステップと同様にして、第３黒化層を形成した。 In the third blackening layer forming step, the first blackening layer forming step, the second blackening layer forming step, and the copper layer forming step include the first blackening layer and the second blackening layer on the transparent substrate. A third blackened layer was formed in the same manner as the second blackened layer forming step except that a layer and a base material on which a copper layer was formed in that order were used and the film thickness was set to 20 nm.
作製した積層体基板の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均を、上述の手順により測定したところ、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均は５５％であった。 The average specular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less of the produced laminate substrate was measured by the above-mentioned procedure, and the average specular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less was 55%.
また、得られた積層体基板について正反射率測定を行った後、エッチング工程を行い、導電性基板を作製した。 Further, after performing regular reflectance measurement on the obtained laminated substrate, an etching step was performed to manufacture a conductive substrate.
エッチング工程ではまず、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストを、作製した積層体基板の図３（ａ）における表面Ｃ上に形成した。そして、塩化第二鉄１０質量％と、塩酸１０質量％と、残部が水と、からなるエッチング液に１分間浸漬して導電性基板を作製した。 In the etching step, first, a resist having an opening corresponding to a portion to be removed by etching was formed on the surface C in FIG. 3A of the manufactured laminated body substrate. Then, a conductive substrate was prepared by immersing in an etching solution composed of ferric chloride 10% by mass, hydrochloric acid 10% by mass, and the balance being water for 1 minute.
作製した導電性基板について、金属細線のアンダーカット量比率、及び開口部の全光線透過率の測定を行った。 With respect to the produced conductive substrate, the undercut amount ratio of the thin metal wires and the total light transmittance of the openings were measured.
評価結果を表１に示す。
［実施例２］
第１黒化層、第２黒化層を成膜する際に筐体内に供給した酸素の供給量を表１に示したように変更した点以外は実施例１と同様にして積層体基板、及び導電性基板を作製し、評価を行った。
The evaluation results are shown in Table 1.
[Example 2]
A laminated body substrate in the same manner as in Example 1 except that the supply amount of oxygen supplied into the housing when forming the first blackened layer and the second blackened layer was changed as shown in Table 1. Also, a conductive substrate was prepared and evaluated.
なお、第３黒化層形成ステップにおいても、本実施例の第２黒化層形成ステップと同様に酸素の供給量を実施例１の際の条件から変更している。 Also in the third blackened layer forming step, the supply amount of oxygen is changed from the conditions in the first embodiment, as in the second blackened layer forming step of the present embodiment.
評価結果を表１に示す。
［実施例３〜実施例１０］
第２黒化層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットである、銅−ニッケル合金ターゲットの組成を表１に示したように変更した点、及び実施例８〜１０では第１黒化層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットの組成を表１に示したように変更した点以外は実施例１と同様にして積層体基板、及び導電性基板を作製し、評価を行った。
The evaluation results are shown in Table 1.
[Examples 3 to 10]
The composition of the copper-nickel alloy target, which is the sputtering target used when forming the second blackened layer, was changed as shown in Table 1, and in Examples 8 to 10, the first blackened layer was formed. A laminate substrate and a conductive substrate were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the composition of the sputtering target used when forming the film was changed as shown in Table 1.
なお、第３黒化層形成ステップにおいても、各実施例の第２黒化層形成ステップと同様に銅−ニッケル合金ターゲットの組成を実施例１の際の組成から変更している。 Also in the third blackening layer forming step, the composition of the copper-nickel alloy target is changed from the composition in the first embodiment as in the second blackening layer forming step of each example.
評価結果を表１に示す。
［比較例１］
第１黒化層を形成せず、第２黒化層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットで
ある、銅−ニッケル合金ターゲットの組成、及び膜厚を表１に示したように変更した点以外は実施例１と同様にして積層体基板、及び導電性基板を作製し、評価を行った。
The evaluation results are shown in Table 1.
[Comparative Example 1]
The composition and the film thickness of the copper-nickel alloy target, which is the sputtering target used when forming the second blackened layer without forming the first blackened layer, were changed as shown in Table 1. A laminate substrate and a conductive substrate were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except for the above.
なお、第３黒化層形成ステップにおいても、本比較例の第２黒化層形成ステップと同様に銅−ニッケル合金ターゲットの組成を実施例１の際の組成から変更している。 Also in the third blackened layer forming step, the composition of the copper-nickel alloy target was changed from the composition in Example 1 as in the second blackened layer forming step of this comparative example.
評価結果を表１に示す。
［比較例２］
第２黒化層を形成せず、第１黒化層の膜厚を２０ｎｍとした点と、第１黒化層形成ステップと同様にして、第３黒化層形成ステップを実施し、第３黒化層を形成した点以外は実施例１と同様にして積層体基板、及び導電性基板を作製し、評価を行った。
The evaluation results are shown in Table 1.
[Comparative example 2]
The third blackening layer forming step is performed in the same manner as the first blackening layer forming step in that the second blackening layer is not formed and the thickness of the first blackening layer is 20 nm. A laminate substrate and a conductive substrate were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the blackened layer was formed.
評価結果を表１に示す。
［比較例３］
第１黒化層、及び第２の黒化層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットの組成を表１に示したように変更した点と、第１黒化層形成ステップと同様にして第３黒化層形成ステップを実施し、第３黒化層を形成した点以外は実施例１と同様にして積層体基板、及び導電性基板を作製し、評価を行った。
［比較例４］
第１黒化層、及び第２の黒化層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットの組成、及び膜厚を表１に示したように変更した点と、第３黒化層の膜厚を８ｎｍとし、第３黒化層形成ステップを膜厚以外は本比較例の第２黒化層形成ステップと同様の条件で実施し、第３黒化層を形成した点以外は実施例１と同様にして積層体基板、及び導電性基板を作製し、評価を行った。
The evaluation results are shown in Table 1.
[Comparative Example 3]
The composition of the sputtering target used in forming the first blackened layer and the second blackened layer was changed as shown in Table 1, and the same procedure as in the first blackened layer forming step was used. A laminated body substrate and a conductive substrate were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the third blackened layer forming step was performed and the third blackened layer was formed.
[Comparative Example 4]
The composition and film thickness of the sputtering target used when forming the first blackened layer and the second blackened layer were changed as shown in Table 1, and the film thickness of the third blackened layer. Is 8 nm, and the third blackened layer forming step is performed under the same conditions as the second blackened layer forming step of this comparative example except for the film thickness, and the third blackened layer is formed as in Example 1 except that the third blackened layer is formed. Similarly, a laminated body substrate and a conductive substrate were produced and evaluated.
評価結果を表１に示す。 The evaluation results are shown in Table 1.
これは、第２の黒化層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットに含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合が１１質量％以上６０質量％以下であり、成膜した黒化層においても同様の組成であったためと考えられる。すなわち、第２黒化層のエッチング液に対する反応性を銅層と同等にすることができたためと考えられる。 This is because the proportion of nickel is 11% by mass or more and 60% by mass or less of copper and nickel contained in the sputtering target used when forming the second blackening layer, and It is thought that this is because the same composition was obtained. That is, it is considered that the reactivity of the second blackening layer with respect to the etching solution could be made equal to that of the copper layer.
そして、第１黒化層については、酸素と銅とを含有する層とすることで、第２黒化層よりもエッチング液に対する反応性が高く、残渣を残すことなく除去できたためと考えられる。 It is considered that the first blackened layer, which is a layer containing oxygen and copper, has higher reactivity with the etching solution than the second blackened layer and can be removed without leaving a residue.
これに対して、比較例１は、開口部の全光線透過率の減少率が３．０％を超えており、銅層と比較して黒化層のエッチング速度が遅かったことが確認できた。 On the other hand, in Comparative Example 1, the reduction rate of the total light transmittance of the opening exceeded 3.0%, and it was confirmed that the etching rate of the blackened layer was slower than that of the copper layer. ..
比較例２は、金属細線のアンダーカット量比率が０．１２と、０．０７５を大きく超えており、銅層と比較して黒化層のエッチング速度が速かったことが確認できた。 In Comparative Example 2, the undercut amount ratio of the thin metal wire was 0.12, which was much higher than 0.075, and it was confirmed that the etching rate of the blackened layer was higher than that of the copper layer.
このように、第１黒化層、第２黒化層いずれかをのみを有する比較例１、２については、第１黒化層、及び第２黒化層を、銅層と同時にエッチングできないことが確認できた。 As described above, in Comparative Examples 1 and 2 having only the first blackened layer or the second blackened layer, the first blackened layer and the second blackened layer cannot be etched simultaneously with the copper layer. Was confirmed.
１０Ａ、１０Ｂ、２０Ａ、２０Ｂ 積層体基板
１１ 透明基材
１２、１２Ａ、１２Ｂ 銅層
１３１、１３１Ａ、１３１Ｂ 第１黒化層
１３２、１３２Ａ、１３２Ｂ 第２黒化層
１３３、１３３Ａ、１３３Ｂ 第３黒化層
３０ 導電性基板
３１Ａ、３１Ｂ、６２ 銅配線層
３２１Ａ、３２１Ｂ 第１黒化配線層
３２２Ａ、３２２Ｂ 第２黒化配線層
３２３Ａ、３２３Ｂ 第３黒化配線層
10A, 10B, 20A, 20B Laminated
Claims (17)
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、
前記積層体は、
酸素と、銅とを含有する第１黒化層と、
前記第１黒化層上に設けられ、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する第２黒化層と、
銅層と、を備え、
前記第２黒化層に含まれる銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合が１１質量％以上６０質量％以下であり、
波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５５％以下である積層体基板。 A transparent substrate,
A laminate formed on at least one surface side of the transparent substrate,
The laminate is
A first blackening layer containing oxygen and copper;
A second blackening layer which is provided on the first blackening layer and which contains oxygen, copper and nickel;
And a copper layer,
Copper contained in the second blackened layer, and among the nickel state, and are percentage 11 mass% to 60 mass% of nickel,
A laminate substrate having an average regular reflectance of 55% or less for light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less .
前記銅層は、前記第２黒化層と、前記第３黒化層との間に配置され、
前記第３黒化層は、銅と、酸素と、を含有し、
前記第３黒化層中の、金属種のうち、ニッケルの割合が０以上６０質量％以下である請求項１に記載の積層体基板。 The laminate further has a third blackening layer,
The copper layer is disposed between the second blackening layer and the third blackening layer,
The third blackened layer contains copper and oxygen,
The laminate substrate according to claim 1, wherein the ratio of nickel in the metal species in the third blackened layer is 0 or more and 60% by mass or less.
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された金属細線とを備え、
前記金属細線が、
酸素と、銅とを含有する第１黒化配線層と、
前記第１黒化配線層上に設けられ、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する第２黒化配線層と、
銅配線層とを備えた積層体であり、
前記第２黒化配線層に含まれる銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合が１１質量％以上６０質量％以下であり、
前記金属細線間には前記透明基材を露出する開口部が設けられており、
前記開口部の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率の平均の、前記透明基材の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率の平均からの減少率が、３．０％以下である導電性基板。 A transparent substrate,
A thin metal wire formed on at least one surface side of the transparent substrate,
The thin metal wire is
A first blackened wiring layer containing oxygen and copper;
A second blackened wiring layer which is provided on the first blackened wiring layer and contains oxygen, copper, and nickel;
A laminated body including a copper wiring layer,
Copper contained in the second blackened wiring layers, and among the nickel state, and are percentage 11 mass% to 60 mass% of nickel,
An opening for exposing the transparent substrate is provided between the thin metal wires,
The conductivity of the average transmittance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less of the opening from the average of the transmittance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less of the transparent substrate is 3.0% or less . substrate.
前記銅配線層は、前記第２黒化配線層と、前記第３黒化配線層との間に配置され、
前記第３黒化配線層は、銅と、酸素と、を含有し、
前記第３黒化配線層中の、金属種のうち、ニッケルの割合が０以上６０質量％以下である請求項６に記載の導電性基板。 The thin metal wire further has a third blackened wiring layer,
The copper wiring layer is disposed between the second blackened wiring layer and the third blackened wiring layer,
The third blackened wiring layer contains copper and oxygen,
The conductive substrate according to claim 6 , wherein a ratio of nickel in the metal species in the third blackened wiring layer is 0 or more and 60% by mass or less.
前記透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する積層体形成工程とを有し、
前記積層体形成工程は、
銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成する銅層形成ステップと、
酸素と、銅とを含有する第１黒化層を堆積する第１黒化層成膜手段により前記第１黒化層を成膜する第１黒化層形成ステップと、
前記第１黒化層上に、酸素と、銅と、ニッケルと含有する第２黒化層を堆積する第２黒化層成膜手段により前記第２黒化層を成膜する第２黒化層形成ステップと、を含み、
前記第１黒化層形成ステップ、及び前記第２黒化層形成ステップは減圧雰囲気下において実施し、前記第１黒化層が、含有する金属種のうち銅を９０質量％以上含み、前記第２黒化層に含まれる銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合が１１質量％以上６０質量％以下である積層体基板の製造方法。 A transparent substrate preparing step of preparing a transparent substrate,
A laminate forming step of forming a laminate on at least one surface side of the transparent substrate,
In the laminated body forming step,
A copper layer forming step of forming a copper layer by a copper layer forming means for depositing copper,
And oxygen, the first blackened layer forming step of forming the first blackened layer by first blackened layer forming means for depositing the first blackened layer containing copper,
The first blackened layer, oxygen, copper and, second blackening of forming the second black layer by the second blackened layer forming means for depositing a second blackened layer containing nickel A layer forming step,
The first blackened layer forming step, and the second blackened layer forming step is performed in a reduced pressure atmosphere, wherein the first blackened layer is more than 90 wt% of copper in the metal species containing the first 2. A method for manufacturing a laminated body substrate, wherein the proportion of nickel is 11% by mass or more and 60% by mass or less of copper and nickel contained in the blackened layer.
前記透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する積層体形成工程とを有し、
前記積層体形成工程は、
銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成する銅層形成ステップと、
酸素と、銅とを含有する第１黒化層を堆積する第１黒化層成膜手段により前記第１黒化層を成膜する第１黒化層形成ステップと、
前記第１黒化層上に、酸素と、銅と、ニッケルと含有する第２黒化層を堆積する第２黒化層成膜手段により前記第２黒化層を成膜する第２黒化層形成ステップと、を含み、
前記第１黒化層形成ステップ、及び前記第２黒化層形成ステップは減圧雰囲気下において実施し、前記第２黒化層に含まれる銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合が１１質量％以上６０質量％以下である積層体基板の製造方法により得られた積層体基板の前記銅層と、前記第１黒化層と、前記第２黒化層とをエッチングし、銅配線層と、第１黒化配線層と、第２黒化配線層とを備えた積層体である金属細線を有する配線パターンを形成するエッチング工程を有し、
前記エッチング工程により、前記銅層、前記第１黒化層、及び前記第２黒化層に開口部を形成し、
得られる導電性基板の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５５％以下である導電性基板の製造方法。 A transparent substrate preparing step of preparing a transparent substrate,
A laminate forming step of forming a laminate on at least one surface side of the transparent substrate,
In the laminated body forming step,
A copper layer forming step of forming a copper layer by a copper layer forming means for depositing copper,
A first blackened layer forming step of forming the first blackened layer by a first blackened layer forming means for depositing a first blackened layer containing oxygen and copper;
A second blackening layer is formed by a second blackening layer forming means for depositing a second blackening layer containing oxygen, copper and nickel on the first blackening layer. A layer forming step,
The first blackening layer forming step and the second blackening layer forming step are performed under a reduced pressure atmosphere, and the proportion of nickel is 11% by mass or more of copper and nickel contained in the second blackening layer. The copper layer, the first blackened layer, and the second blackened layer of the laminate substrate obtained by the method for producing a laminate substrate of 60% by mass or less are etched to form a copper wiring layer and a 1 has an etching step of forming a wiring pattern having a thin metal wire which is a laminated body including a blackened wiring layer and a second blackened wiring layer,
Forming an opening in the copper layer, the first blackened layer, and the second blackened layer by the etching step ,
A method for producing a conductive substrate, wherein the average of the regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less of the obtained conductive substrate is 55% or less.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016014841 | 2016-01-28 | ||
| JP2016014841 | 2016-01-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017136818A JP2017136818A (en) | 2017-08-10 |
| JP6729007B2 true JP6729007B2 (en) | 2020-07-22 |
Family
ID=59565495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016112241A Active JP6729007B2 (en) | 2016-01-28 | 2016-06-03 | Laminated substrate, conductive substrate, laminated substrate manufacturing method, and conductive substrate manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6729007B2 (en) |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4867261B2 (en) * | 2005-09-30 | 2012-02-01 | 大日本印刷株式会社 | Electromagnetic wave shielding sheet |
| JP2006117955A (en) * | 2006-01-06 | 2006-05-11 | Toyobo Co Ltd | Polyamide-based resin film |
| US9766652B2 (en) * | 2012-08-31 | 2017-09-19 | Lg Chem, Ltd. | Conductive structure and method for manufacturing same |
| JP2015103223A (en) * | 2013-11-28 | 2015-06-04 | グンゼ株式会社 | Conductive substrate, touch panel and electromagnetic shield |
| JP2015125628A (en) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | 大日本印刷株式会社 | Film sensor, display device with touch position detection function, and laminate for manufacturing film sensor |
| CN203941516U (en) * | 2014-07-16 | 2014-11-12 | 欣永立企业有限公司 | Touch-control electrode structure |
| US9122336B1 (en) * | 2014-08-05 | 2015-09-01 | T-Kingdom Co., Ltd. | Conductive electrode structure |
| JP5837160B1 (en) * | 2014-08-25 | 2015-12-24 | 欣永立企業有限公司 | Conductive electrode |
| WO2016140073A1 (en) * | 2015-03-04 | 2016-09-09 | 株式会社カネカ | Substrate with conductive layers, substrate with touch-panel transparent electrodes, and method for fabricating same |
-
2016
- 2016-06-03 JP JP2016112241A patent/JP6729007B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2017136818A (en) | 2017-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6555341B2 (en) | Conductive substrate | |
| JP6601137B2 (en) | Laminated body substrate, laminated body substrate manufacturing method, conductive substrate, and conductive substrate manufacturing method | |
| JP6687033B2 (en) | Conductive substrate | |
| JP6447388B2 (en) | LAMINATED BOARD, CONDUCTIVE SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING LAMINATED SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING CONDUCTIVE SUBSTRATE | |
| JP6455366B2 (en) | LAMINATED BOARD, CONDUCTIVE SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING LAMINATED SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING CONDUCTIVE SUBSTRATE | |
| JP6823363B2 (en) | Conductive substrate, manufacturing method of conductive substrate | |
| JP7049759B2 (en) | Laminated board, conductive board, method of manufacturing laminated board, method of manufacturing conductive board | |
| JP6729007B2 (en) | Laminated substrate, conductive substrate, laminated substrate manufacturing method, and conductive substrate manufacturing method | |
| JP6417964B2 (en) | LAMINATED BOARD, WIRING BOARD AND METHOD FOR PRODUCING THEM | |
| JP6983068B2 (en) | Conductive substrate | |
| JP6531596B2 (en) | Laminate substrate, conductive substrate, method of producing laminate substrate, method of producing conductive substrate | |
| JP6932908B2 (en) | Laminated board, conductive board, method of manufacturing laminated board, method of manufacturing conductive board | |
| JP6365422B2 (en) | Method for manufacturing conductive substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190524 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200206 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200218 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200415 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200602 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200615 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6729007 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |