KR102538201B1 - 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 - Google Patents

히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 Download PDF

Info

Publication number
KR102538201B1
KR102538201B1 KR1020197024545A KR20197024545A KR102538201B1 KR 102538201 B1 KR102538201 B1 KR 102538201B1 KR 1020197024545 A KR1020197024545 A KR 1020197024545A KR 20197024545 A KR20197024545 A KR 20197024545A KR 102538201 B1 KR102538201 B1 KR 102538201B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heat sink
thickness
power module
substrate
metal layer
Prior art date
Application number
KR1020197024545A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190121769A (ko
Inventor
료헤이 유모토
소타로 오이
Original Assignee
미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 filed Critical 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
Publication of KR20190121769A publication Critical patent/KR20190121769A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102538201B1 publication Critical patent/KR102538201B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
    • H05K3/0061—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates onto a metallic substrate, e.g. a heat sink
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/142—Metallic substrates having insulating layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C04B35/645—Pressure sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
    • C04B37/023—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used
    • C04B37/026—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used consisting of metals or metal salts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
    • H01L21/4882—Assembly of heatsink parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/562—Protection against mechanical damage
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/9607—Thermal properties, e.g. thermal expansion coefficient
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/125—Metallic interlayers based on noble metals, e.g. silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/126—Metallic interlayers wherein the active component for bonding is not the largest fraction of the interlayer
    • C04B2237/127—The active component for bonding being a refractory metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/36—Non-oxidic
    • C04B2237/366—Aluminium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/40—Metallic
    • C04B2237/407—Copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/66—Forming laminates or joined articles showing high dimensional accuracy, e.g. indicated by the warpage
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C04B2237/704—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the ceramic layers or articles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C04B2237/706—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the metallic layers or articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15—Ceramic or glass substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3511—Warping
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0116—Porous, e.g. foam

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

파워 모듈용 기판과, 탄화규소로 이루어지는 다공질체에 알루미늄 등을 함침하여 형성된 알루미늄 함침 탄화규소 다공질체로 이루어지는 히트 싱크를 구비하고, 회로층의 내력을 σ1 (㎫), 회로층의 두께를 t1 (㎜), 회로층과 세라믹스 기판의 접합 면적을 A1 (㎟), 금속층의 내력을 σ2 (㎫), 금속층의 두께를 t2 (㎜), 금속층과 세라믹스 기판의 접합 면적을 A2 (㎟) 로 했을 때, 두께 t1 이 0.1 ㎜ 이상 3.0 ㎜ 이하로 형성되고, 두께 t2 가 0.15 ㎜ 이상 5.0 ㎜ 이하로 형성됨과 함께, 두께 t2 가 두께 t1 보다 크게 형성되고, 비율 {(σ2 × t2 × A2)/(σ1 × t1 × A1)} 이 1.5 이상 15 이하의 범위 내가 된다.

Description

히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판
본 발명은, 대전류, 고전압을 제어하는 반도체 장치에 사용되는 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판에 관한 것이다.
본원은 2017년 3월 7일에 출원된 일본 특허출원 2017-42543 에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판으로서, 예를 들어 특허문헌 1 또는 특허문헌 2 에 기재되는 바와 같이, 절연층이 되는 세라믹스 기판의 일방의 면에 구리 등으로 이루어지는 회로층이 형성되고, 세라믹스 기판의 타방의 면에 구리 등으로 이루어지는 금속층이 형성되고, 이 금속층의 세라믹스 기판과는 반대측의 면에 알루미늄이나 구리 등으로 이루어지는 히트 싱크 (방열판) 가 접합된 구성의 것이 알려져 있다. 이와 같이 구성되는 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판의 회로층의 표면 (상면) 에, 반도체 소자 등의 전자 부품이 솔더링 (실장) 됨으로써, 파워 모듈이 제조된다.
알루미늄이나 구리로 이루어지는 히트 싱크는, 파워 모듈용 기판과의 선팽창률차가 크다. 이 때문에, 전자 부품의 실장 공정에서 가열되거나, 파워 모듈의 사용 환경에 있어서의 온도 변화에 노출됨으로써, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판에 휨이 발생한다. 예를 들어, 전자 부품의 실장 공정에서 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판에 휨이 발생하면, 전자 부품의 위치 어긋남이 발생하거나, 솔더 접합부에 변형이나 크랙 등이 발생하여 접합 신뢰성이 저해되거나 할 우려가 있다.
또, 파워 모듈의 사용 환경에 있어서 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판에 휨이 발생하면, 히트 싱크와 냉각기 사이에 개재하는 열도전성 그리스가 펌프 아웃 현상에 의해 흘러나옴으로써, 히트 싱크와 냉각기의 밀착성이 저해되어, 열저항의 증가를 초래하는 경우가 있다. 나아가서는, 이와 같이 반복해서 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판에 휨이 발생함으로써, 세라믹스 기판에 크랙이 발생할 우려가 있다.
그래서, 이런 종류의 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판에 있어서, 알루미늄이나 구리 대신에, 저열팽창이고 고열전도율의 알루미늄 함침 탄화규소 다공질체에 의해 히트 싱크를 형성함으로써, 파워 모듈용 기판과 히트 싱크의 선팽창차에서 기인하는 휨을 저감시키는 시도가 이루어지고 있다.
알루미늄 함침 탄화규소 다공질체는, 특허문헌 3 또는 특허문헌 4 에 기재되는 바와 같이, 주로 탄화규소 (SiC) 로 이루어지는 다공질체 중에 알루미늄 (Al) 또는 알루미늄 합금이 함침됨과 함께, 그 다공질체의 표면에 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 피복층이 형성된 알루미늄과 탄화규소의 복합체이다.
일본 공개특허공보 평10-270596호 일본 공개특허공보 2016-51778호 일본 공개특허공보 2014-143351호 일본 공개특허공보 2003-306730호
특허문헌 3 또는 특허문헌 4 에 기재되는 바와 같이, 종전은, 히트 싱크를 저열팽창이고 고열전도율의 알루미늄 함침 탄화규소 다공질체에 의해 형성함으로써, 파워 모듈용 기판과 히트 싱크의 선팽창차를 작게 하여, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판에 발생하는 휨의 저감을 도모하고 있었다. 그러나, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판에 발생하는 휨량의 저감은 충분하다고는 할 수 없어, 추가적인 개선이 요구되고 있다.
본 발명은 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 파워 사이클이나 냉열 사이클에 대한 신뢰성이 높은 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판은, 세라믹스 기판의 일방의 면에 구리 또는 구리 합금으로 이루어지는 회로층이 배치 형성되고, 상기 세라믹스 기판의 타방의 면에 구리 또는 구리 합금으로 이루어지는 금속층이 배치 형성된 파워 모듈용 기판과, 상기 파워 모듈용 기판의 상기 금속층에 접합되고, 탄화규소로 이루어지는 다공질체에 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 함침된 알루미늄 함침 탄화규소 다공질체로 이루어지는 히트 싱크를 구비하고, 상기 회로층의 내력을 σ1 (㎫), 상기 회로층의 두께를 t1 (㎜), 상기 회로층과 상기 세라믹스 기판의 접합 면적을 A1 (㎟) 로 하고, 상기 금속층의 내력을 σ2 (㎫), 상기 금속층의 두께를 t2 (㎜), 상기 금속층과 상기 세라믹스 기판의 접합 면적을 A2 (㎟) 로 했을 때, 상기 두께 t1 이 0.1 ㎜ 이상 3.0 ㎜ 이하로 형성되고, 상기 두께 t2 가 0.15 ㎜ 이상 5.0 ㎜ 이하로 형성됨과 함께, 상기 두께 t2 가 상기 두께 t1 보다 크게 형성되어 있고, 비율 {(σ2 × t2 × A2)/(σ1 × t1 × A1)} 이 1.5 이상 15 이하의 범위 내로 되어 있다.
히트 싱크를 형성하는 알루미늄 함침 탄화규소 다공질체는, 세라믹스 기판에 가까운 선팽창률을 가지고 있지만, 약간이지만 선팽창률에 차가 있다. 이 때문에, 금속층이 얇으면, 세라믹스 기판과 히트 싱크의 선팽창률차에서 기인하는 휨이 발생한다.
본 발명의 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판에서는, 강성이 높은 구리 또는 구리 합금으로 이루어지는 금속층의 두께 t2 를 회로층의 두께 t1 보다 크게 (두껍게) 하였으므로, 금속층의 표리면을 따른 응력차에 대해 금속층의 저항력이 지배적이 된다. 이 때문에, 세라믹스 기판과 히트 싱크의 선팽창차에서 기인하는 휨을 저감시킬 수 있어, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판에 발생하는 휨을 더욱 저감시킬 수 있다.
단, 금속층의 두께 t2 를 지나치게 크게 하면, 냉열 사이클시의 금속층의 열신축에 의해, 세라믹스 기판에 균열 (크랙) 이 발생할 우려가 있다. 또, 회로층의 두께 t1 이 금속층의 두께 t2 보다 크면, 회로층의 열신축의 영향이 커지기 때문에, 휨이 발생한다. 그래서, 회로층과 금속층을 소정 두께의 범위 내에서 형성하고, 회로층과 금속층의 관계를 비율 {(σ2 × t2 × A2)/(σ1 × t1 × A1)} 이 1.5 이상 15 이하의 범위 내로 조정한다. 이로써, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판의 전체의 휨을 저감시킬 수 있어, 파워 사이클이나 냉열 사이클에 대한 신뢰성이 높은 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판을 형성할 수 있다.
또한, 회로층의 두께 t1 이 0.1 ㎜ 미만에서는, 세라믹스 기판과 회로층의 접합에 사용한 접합재가 가열시에 회로층의 표면에 스며나올 우려가 있다. 또, 회로층의 두께 t1 이 3.0 ㎜ 를 초과하면, 예를 들어, 반도체 소자를 접합하는 경우 등에 있어서, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판을 가열했을 때, 세라믹스 기판에 균열이 발생할 우려가 있다.
금속층의 두께 t2 가 0.15 ㎜ 미만에서는, 금속층의 두께 t2 를 크게 한 것에 의한, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판에 발생하는 휨의 저감 효과를 충분히 발휘할 수 없다. 또, 금속층의 두께 t2 가 5.0 ㎜ 를 초과하면, 예를 들어, 반도체 소자를 접합하는 경우 등에 있어서, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판을 가열했을 때, 세라믹스 기판에 균열이 발생할 우려가 있다.
본 발명의 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판의 바람직한 실시양태로서, 상기 히트 싱크의 하면에 있어서, 상기 히트 싱크와 상기 금속층의 접합면의 중심 위치를 측정 범위의 중심으로 하고, 그 측정 범위의 최대 길이를 L (㎜) 로 하고, 상기 측정 범위에 있어서의 상기 히트 싱크의 변형량을 Z (㎜) 로 하고, 285 ℃ 로 가열했을 때의 휨 (Z/L2) 의 값을 X 로 하고, 상기 285 ℃ 로 가열한 후에 30 ℃ 까지 냉각시켰을 때의 휨 (Z/L2) 의 값을 Y 로 했을 때, 상기 휨 X 와 상기 휨 Y 의 차분 (Y - X) 이 -18.0 × 10-6 (㎜-1) 이상 18.0 × 10-6 (㎜-1) 이하가 된다. 여기서, 변형량 Z 는, 회로층측에 볼록한 변형을 정 (正), 히트 싱크 하면측에 볼록한 변형을 부 (負) 로 한다.
285 ℃ 가열시에 있어서의 휨 X 와, 그 가열 후에 285 ℃ 에서 30 ℃ 까지 냉각시켰을 때의 휨 Y 의 차분 (Y - X) 이 -18.0 × 10-6 (㎜-1) 이상 18.0 × 10-6 (㎜-1) 이하가 되는 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판은, 저온시 (30 ℃) 와 고온시 (285 ℃) 에 발생하는 휨의 변화도 작다. 이와 같은 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판에서는, 전자 부품을 회로층에 솔더링이나 와이어 본딩 등을 실시할 때에 발생하는 휨이나, 파워 모듈의 냉열 사이클 부하시에 발생하는 휨이 작기 때문에, 전자 부품의 솔더링 등의 제조 공정에 있어서의 작업성의 향상이나, 가열에 의한 세라믹스 기판의 균열을 방지할 수 있다.
본 발명의 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판의 바람직한 실시양태로서, 상기 휨 X 가 -50 × 10-6 (㎜-1) 이상 50 × 10-6 (㎜-1) 이하이고, 상기 휨 Y 가 -50 × 10-6 (㎜-1) 이상 50 × 10-6 (㎜-1) 이하이면 된다.
휨 X 및 Y 가 50 × 10-6 (㎜-1) 을 초과하는 경우에서는, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판을 수랭식 냉각기 등에 체결했을 때, 히트 싱크와 수랭식 냉각기 사이에 사용하는 그리스의 양이 많이 필요해져, 열저항이 상승할 우려가 있다. 또, 휨 X 및 Y 가 -50 × 10-6 (㎜-1) 미만이 되었을 경우, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판을 수랭식 냉각기 등에 체결했을 때, 세라믹스 기판에 부하가 가해져, 균열 등이 발생할 우려가 있다.
본 발명의 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판의 바람직한 실시양태로서, 상기 금속층과 상기 히트 싱크 사이에, 알루미늄과 구리의 금속간 화합물을 갖는 확산층이 형성되어 있으면 된다.
파워 모듈용 기판의 금속층과 히트 싱크 사이에, 알루미늄과 구리의 금속간 화합물을 갖는 확산층을 형성하고, 금속층과 히트 싱크를 확산층을 개재하여 접합함으로써, 금속층과 히트 싱크를 밀착시켜 강고하게 접합할 수 있다.
본 발명의 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판에 의하면, 온도 변화에 수반하는 세라믹스 기판의 균열의 발생을 억제할 수 있어, 파워 사이클이나 냉열 사이클에 대한 신뢰성을 높일 수 있다.
도 1 은, 본 발명의 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판을 나타내는 단면도이다.
도 2 는, 파워 모듈용 기판의 사시도이다.
도 3 은, 히트 싱크의 주요부 단면도이다.
도 4 는, 도 1 에 나타내는 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판의 제조 방법의 일부를 설명하는 도면이고, 파워 모듈용 기판의 제조 공정을 설명하는 단면도이다.
도 5 는, 도 1 에 나타내는 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판의 제조 방법의 일부를 설명하는 도면이고, 파워 모듈용 기판과 히트 싱크의 접합 공정을 설명하는 단면도이다.
도 6 은, 휨의 측정 범위를 설명하는 모식도이고, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판의 히트 싱크의 하면의 평면도이다.
도 7a 는, 휨의 측정 방법을 설명하는 모식도이고, 측정 범위의 평면도를 나타낸다.
도 7b 는, 도 7a 에 나타내는 측정 범위에 있어서, 휨이 정일 때의 측정 범위의 대각선 상의 단면도를 나타낸다.
도 7c 는, 도 7a 에 나타내는 측정 범위에 있어서, 휨이 부일 때의 측정 범위의 대각선 상의 단면도를 나타낸다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1 에, 본 실시형태의 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 (101) 을 나타낸다. 이 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 (101) 은, 파워 모듈용 기판 (10) 과, 파워 모듈용 기판 (10) 에 접합된 히트 싱크 (20) 를 구비한다.
파워 모듈용 기판 (10) 은, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 절연층을 구성하는 세라믹스 기판 (11) 과, 이 세라믹스 기판 (11) 의 일방의 면 (도 1 에 있어서 상면) 에 배치 형성된 회로층 (12) 과, 세라믹스 기판 (11) 의 타방의 면 (도 1 에 있어서 하면) 에 배치 형성된 금속층 (13) 을 구비한다.
세라믹스 기판 (11) 은, 회로층 (12) 과 금속층 (13) 사이의 전기적 접속을 방지하는 것이다. 세라믹스 기판 (11) 은, 예를 들어 AlN (질화알루미늄), Si3N4 (질화규소), Al2O3 (알루미나), SiC (탄화규소) 등의 절연성이 높은 세라믹스로 형성되고, 두께 t3 이 0.32 ㎜ 이상 1.0 ㎜ 이하의 범위 내에 형성되어 있다.
회로층 (12) 은, 세라믹스 기판 (11) 의 일방의 면에, 구리 또는 구리 합금 (바람직하게는 무산소동 : OFC) 의 구리판이 접합됨으로써 형성되어 있다. 회로층 (12) 은, 에칭 등에 의해 소정의 회로 패턴이 형성되어 있다. 회로층 (12) 의 두께 t1 (구리판의 두께) 은, 0.1 ㎜ 이상 3.0 ㎜ 이하의 범위 내에 형성되어 있다.
금속층 (13) 은, 세라믹스 기판 (11) 의 타방의 면에, 구리 또는 구리 합금 (바람직하게는 무산소동 : OFC) 의 구리판이 접합됨으로써 형성되어 있다. 금속층 (13) 의 두께 t2 (구리판의 두께) 는, 0.15 ㎜ 이상 5.0 ㎜ 이하의 범위 내에 형성되어 있다.
파워 모듈용 기판 (10) 에 있어서, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 회로층 (12) 의 내력을 σ1 (㎫), 회로층 (12) 의 두께를 t1 (㎜), 회로층 (12) 과 세라믹스 기판 (11) 의 접합 면적을 A1 (㎟) 로 하고, 금속층 (13) 의 내력을 σ2 (㎫), 금속층 (13) 의 두께를 t2 (㎜), 금속층 (13) 과 세라믹스 기판 (11) 의 접합 면적을 A2 (㎟) 로 했을 때, 회로층 (12) 의 두께 t1 보다 금속층 (13) 의 두께 t2 가 크게 (두껍게) 형성되어 있고, 회로층 (12) 과 금속층 (13) 의 관계가, 비율 {(σ2 × t2 × A2)/(σ1 × t1 × A1)} 이 1.5 이상 15 이하의 범위 내가 되도록 조정되어 있다.
또한, 회로층 (12) 에는 회로 패턴이 형성되어 있고, 복수로 분할된 패턴 형상을 갖는 경우에는, 각 패턴 형상의 접합 면적의 총합이 접합 면적 A1 (㎟) 이 되고, 회로층 (12) 의 접합 면적 A1 은, 통상은 금속층 (13) 의 접합 면적 A2 의 90 ％ 정도의 면적이 된다. 또, 회로층 (12) 의 내력 σ1 과, 금속층 (13) 의 내력 σ2 는, 조질 (질별) 기호 「O」 의 25 ℃ 에 있어서의 내력이 된다.
히트 싱크 (20) 는, 파워 모듈용 기판 (10) 을 냉각시키기 위한 것이다. 히트 싱크 (20) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 금속층 (13) 의 하면에 접합되어 있다. 히트 싱크 (20) 는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 탄화규소 (SiC) 로 이루어지는 다공질체 (21) 에 알루미늄 (Al) 또는 알루미늄 합금이 함침되고, 다공질체 (21) 의 표면에, 내부에 함침된 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 피복층 (22) 이 형성된 알루미늄 함침 탄화규소 다공질체로 이루어지고, 평판상으로 형성되어 있다.
히트 싱크 (20) 의 다공질체 (21) 에 함침되는 알루미늄으로는, 순도가 99 질량％ 이상인 알루미늄 (2N-Al) 이나 순도가 99.99 질량％ 인 알루미늄 (4N-Al) 등의 순알루미늄, 혹은 Al : 80 질량％ 이상 99.99 질량％ 이하, Si : 0.01 질량％ 이상 12.6 질량％ 이하, Mg : 0.03 질량％ 이상 5.0 질량％ 이하, 잔부 : 불순물의 조성을 갖는 알루미늄 합금을 사용할 수 있다. 또, ADC12 나 A356 등의 알루미늄 합금을 사용할 수도 있다.
히트 싱크 (20) 의 두께 t4 는, 0.5 ㎜ 이상 5.0 ㎜ 이하로 할 수 있다. 히트 싱크 (20) 의 두께 t4 는, 다공질체 (21) 의 양면을 피복하는 피복층 (22) 의 두께 t141 을 포함한 두께이다. 피복층 (22) 의 편면당의 두께 t141 은, 히트 싱크 (20) 의 두께 t4 의 0.01 배 이상 0.1 배 이하로 하는 것이 바람직하다.
다공질체 (21) 의 표면에 피복층 (22) 이 형성된 히트 싱크 (20) 는, 예를 들어, 다공질체 (21) 를, 그 주위에 소정의 간극을 갖도록 형성된 형 내에 배치해 두고, 그 형 내에 가열 용융한 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 압입하고, 가압된 상태에서 냉각시킴으로써 제조된다. 이와 같이, 알루미늄 등을 압입함으로써, 알루미늄 등과의 젖음성이 나쁜 탄화규소의 다공질체 (21) 의 내부에 알루미늄 합금을 함침시킬 수 있고, 또한 다공질체 (21) 의 주위의 간극에 알루미늄 등을 충전하고, 다공질체 (21) 의 표면에 소정 두께의 피복층 (22) 을 형성할 수 있다. 또한, 형성된 피복층 (22) 을 절삭 가공함으로써, 피복층 (22) 의 두께 t141 을 조정해도 된다.
또, 파워 모듈용 기판 (10) 의 금속층 (13) 과 히트 싱크 (20) 사이에는, 금속층 (13) 의 구리 원자와 히트 싱크 (20) 의 알루미늄 원자가 상호 확산됨으로써, 구리와 알루미늄으로 이루어지는 금속간 화합물을 갖는 확산층 (31) 이 형성되어 있다. 확산층 (31) 의 두께 t131 은, 피복층 (22) 의 두께 t141 의 범위 내에 있어서, 2 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하의 범위 내에 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시형태의 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 (101) 의 바람직한 조합예로서, 파워 모듈용 기판 (10) 의 각 부재는, 예를 들어 세라믹스 기판 (11) 이 두께 t3 = 0.635 ㎜ 의 AlN (질화알루미늄), 회로층 (12) 이 두께 t1 = 0.3 ㎜ 의 OFC (무산소동, 내력 σ1 : 200 ㎫), 금속층 (13) 이 두께 t2 = 2.0 ㎜의 OFC (무산소동, 내력 σ2 : 200 ㎫) 에 의해 구성된다. 접합 면적 A1 이 1369 ㎟, 접합 면적 A2 가 1369 ㎟ 인 경우, 비율 {(σ2 × t2 × A2)/(σ1 × t1 × A1)} = 8.21 이 된다. 또, 히트 싱크 (20) 는, 함침되는 알루미늄 등이 Al-Si 계 합금으로 구성되고, 전체의 두께 t4 가 5.0 ㎜ 이고, 피복층 (22) 의 두께 t141 이 100 ㎛ 정도로 구성된다. 확산층 (31) 의 두께 t131 은 25 ㎛ 정도가 된다.
또한, 각 부재의 선팽창률은, AlN 으로 이루어지는 세라믹스 기판 (11) 이 4.5 × 10-6/K, OFC 로 이루어지는 회로층 (12) 및 금속층 (13) 이 17.7 × 10-6/K, Al-Si 계 합금을 함침한 알루미늄 함침 탄화규소 다공질체로 이루어지는 히트 싱크 (20) 가 8.5 × 10-6/K 가 된다.
이와 같이 구성되는 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 (101) 의 회로층 (12) 의 상면에 반도체 소자 등의 전자 부품 (30) 이 탑재되고, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 파워 모듈 (201) 이 제조된다. 전자 부품 (30) 은, 회로층 (12) 의 상면에 Sn-Cu, Sn-Cu-Ni 등의 솔더링재에 의해 솔더 접합되고, 도시는 생략하지만, 전자 부품 (30) 과 회로층 (12) 사이에는, 두께 50 ㎛ ∼ 200 ㎛ 정도의 솔더 접합부가 형성된다.
이하, 본 실시형태의 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 (101) 의 제조 공정을 설명한다.
먼저, 회로층 (12) 이 되는 구리판과 세라믹스 기판 (11) 과, 금속층 (13) 이 되는 구리판과 세라믹스 기판 (11) 을 접합한다. 회로층 (12) 이 되는 구리판 및 금속층 (13) 이 되는 구리판과, 세라믹스 기판 (11) 의 접합은, 이른바 활성 금속 브레이징법에 의해 실시한다.
상세하게는, 세라믹스 기판 (11) 의 상면에 Ag-Cu-Ti 나 Ag-Ti 등의 활성 금속 브레이징재 (도시 생략) 를 개재하여 회로층 (12) 이 되는 구리판을 적층함과 함께, 세라믹스 기판 (11) 의 하면에도 동일한 활성 금속 브레이징재를 개재하여 금속층 (13) 이 되는 구리판을 적층한다. 그리고, 이들 구리판, 활성 금속 브레이징재, 세라믹스 기판 (11) 을 적층한 적층체를, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 그 적층 방향으로 0.1 ㎫ 이상 3.5 ㎫ 이하의 범위 내에서 가압한 상태에서 가열하고, 회로층 (12) 이 되는 구리판과 세라믹스 기판 (11), 금속층 (13) 이 되는 구리판과 세라믹스 기판 (11) 을 각각 접합하여, 파워 모듈용 기판 (10) 을 제조한다. 이 때의 가열 조건은, 예를 들어 가열 온도가 850 ℃, 가열 시간이 10 분이 된다.
다음으로, 파워 모듈용 기판 (10) 의 금속층 (13) 의 하면에, 히트 싱크 (20) 를 접합한다. 파워 모듈용 기판 (10) 과 히트 싱크 (20) 의 접합에는, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 볼록 곡면상의 가압면 (51a) 을 갖는 가압판 (51) 과, 오목 곡면상의 가압면 (52a) 을 갖는 가압판 (52) 을 갖는 가압 지그 (50) 를 사용하는 것이 바람직하다. 2 장의 가압판 (51, 52) 에는, 각각 대향하는 가압면 (51a, 52a) 을, 곡률 반경 R 이 3000 ㎜ ∼ 7000 ㎜ 가 되는 곡면을 갖는 오목면 또는 볼록면으로 형성하면 된다. 이 경우, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 히트 싱크 (20) 의 하면을 적층 방향으로 가압하는 가압판 (52) 의 가압면 (52a) 이 오목면으로 형성되고, 파워 모듈용 기판 (10) 의 상면 (회로층 (12) 의 상면) 을 적층 방향으로 가압하는 가압판 (51) 의 가압면 (51a) 이 볼록면으로 형성되어 있다. 또한, 도시는 생략하지만, 가압 지그 (50) 에는, 가압판 (51, 52) 을 적층 방향으로 탄성 지지하여 가압력을 부여하는 스프링 등의 탄성 지지 수단이 구비되어 있다. 또한, 가압판 (51, 52) 으로서, 평판을 사용할 수도 있다.
이와 같이 구성되는 가압 지그 (50) 의 가압판 (51) 과 가압판 (52) 사이에, 파워 모듈용 기판 (10) 및 히트 싱크 (20) 를 겹쳐 배치하고, 이들을 적층 방향으로 끼운 상태로 한다. 이 때, 파워 모듈용 기판 (10) 과 히트 싱크 (20) 의 적층체는, 가압판 (51) 의 가압면 (51a) 과 가압판 (52) 의 가압면 (52a) 에 의해, 적층 방향 (두께 방향) 으로 가압되고, 히트 싱크 (20) 의 하면을 하방을 향하여 볼록상으로 하는 변형 (휨) 을 발생시킨 상태로 유지된다. 파워 모듈용 기판 (10) 과 히트 싱크 (20) 의 적층체를, 가압 지그 (50) 에 의한 가압 상태에서 가열함으로써, 파워 모듈용 기판 (10) 의 금속층 (13) 의 하면과 히트 싱크 (20) 의 상면 (피복층 (22)) 을 고상 확산 접합에 의해 접합한다.
이 경우, 고상 확산 접합은, 진공 분위기 중에서, 가압 하중 (가압력) 0.1 ㎫ ∼ 3.5 ㎫, 가열 온도 450 ℃ 이상 548 ℃ 미만의 가열 온도에서, 5 분 ∼ 240 분 유지함으로써 실시한다. 이로써, 파워 모듈용 기판 (10) 의 금속층 (13) 과 히트 싱크 (20) (피복층 (22)) 는, 금속층 (13) 의 구리 원자와, 히트 싱크 (20) (피복층 (22)) 의 알루미늄 원자가 상호 확산된다. 이로써, 금속층 (13) 과 히트 싱크 (20) 사이에 구리와 알루미늄의 금속간 화합물을 갖는 확산층 (31) 을 형성하고, 파워 모듈용 기판 (10) 과 히트 싱크 (20) 가 확산층 (31) 을 개재하여 접합된다. 또한, 확산층 (31) 의 두께 t131 은, 접합 시간에 따라 증가한다.
확산층 (31) 은, 알루미늄 원자와 구리 원자의 존재 비율에 따라 복수의 조성의 금속간 화합물이, 금속층 (13) 과 히트 싱크 (20) 의 계면을 따라 적층된 구성이 된다. 요컨대, 확산층 (31) 의 히트 싱크 (20) 측의 영역에서는, 알루미늄 원자의 존재 비율이 높아, 알루미늄의 함유량이 많은 금속간 화합물상이 형성된다. 한편, 확산층 (31) 의 금속층 (13) 측의 영역에서는, 구리 원자의 존재 비율이 높아, 구리의 함유량이 많은 금속간 화합물상이 형성된다. 이로써, 금속층 (13) 과 히트 싱크 (20) 를 서로 밀착시켜 강고하게 접합할 수 있다.
확산층 (31) 은, 금속층 (13) 과 히트 싱크 (20) 의 접합 계면에 있어서, 알루미늄 (Al) 농도가 90 atm％ 미만이고, 또한 구리 (Cu) 농도가 99 atm％ 미만이 되는 지점이다. 예를 들어, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 (101) 의 종단면을, 금속층 (13) 과 히트 싱크 (20) 의 접합 계면의 두께 방향으로 EPMA (닛폰 전자 주식회사 제조 JXA-8530F, 가속 전압 : 15 ㎸, 스폿 직경 : 1 ㎛ 이하, 배율 : 500 배, 간격 : 0.3 ㎛) 에 의한 라인 분석을 실시함으로써 측정할 수 있다. 라인 분석에 있어서, 알루미늄 농도가 90 atm％ 미만이고, 또한 구리 (Cu) 농도가 99 atm％ 미만이 되는 지점의 두께가 확산층의 두께 t131 이 된다.
다음으로, 이 파워 모듈용 기판 (10) 과 히트 싱크 (20) 의 접합체를, 가압 지그 (50) 에 장착한 상태, 요컨대, 가압한 상태에서, 30 ℃ 까지 냉각시킨다. 이 경우, 파워 모듈용 기판 (10) 과 히트 싱크 (20) 의 접합체는, 가압 지그 (50) 에 의해 두께 방향으로 가압되고, 히트 싱크 (20) 의 하면을 하방을 향한 볼록상의 휨으로 하는 변형을 발생시킨 상태로 구속되어 있다. 이 때문에, 냉각에 수반하는 접합체의 형상은 외관상은 변화가 없는 것처럼 보이지만, 응력에 저항하여 가압되어, 냉각시에 휨으로서의 변형을 할 수 없는 상태로 구속되어 있는 결과, 소성 변형이 발생한다. 그리고, 30 ℃ 까지 냉각시킨 후에, 가압 지그 (50) 에 의한 가압을 해방하여 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 (101) 을 제조한다.
히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 (101) 에서는, 강성이 높은 구리 또는 구리 합금으로 이루어지는 금속층 (13) 의 두께 t2 를 회로층 (12) 의 두께 t1 보다 크게 (두껍게) 하였으므로, 금속층 (13) 의 표리면 (상하면) 을 따른 응력차에 대해 금속층 (13) 의 저항력이 지배적이 된다. 이 때문에, 세라믹스 기판 (11) 과, 히트 싱크 (20) 를 형성하는 알루미늄 함침 탄화규소 다공질체는, 약간이지만 선팽창률에 차가 있지만, 세라믹스 기판 (11) 과 히트 싱크 (20) 의 선팽창차에서 기인하는 휨을 저감시킬 수 있다. 따라서, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 (101) 의 전체에 발생하는 휨을 저감시킬 수 있다.
단, 금속층 (13) 의 두께 t2 를 지나치게 크게 하면, 예를 들어, 반도체 소자의 접합 등, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 (101) 을 가열했을 때, 금속층 (13) 의 열신축에 의해, 세라믹스 기판 (11) 에 균열 (크랙) 이 생길 우려가 있다. 또, 회로층 (12) 의 두께 t1 이 금속층 (13) 의 두께 t2 보다 크면, 회로층 (12) 의 열신축의 영향이 커지기 때문에, 휨이 발생한다.
그래서, 본 실시형태의 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 (101) 에서는, 회로층 (12) 의 두께 t1 을 0.1 ㎜ 이상 3.0 ㎜ 이하의 범위 내에서 형성하고, 금속층 (13) 의 두께 t2 를 두께 t1 보다 크게 형성함과 함께 0.15 ㎜ 이상 5.0 ㎜ 이하의 범위 내에서 형성하고, 또한 회로층 (12) 과 금속층 (13) 의 관계를 비율 {(σ2 × t2 × A2)/(σ1 × t1 × A1)} 이 1.5 이상 15 이하가 되는 범위 내로 조정함으로써, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 (101) 전체적인 밸런스를 도모하여, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 (101) 의 전체의 휨을 저감시키고 있다.
이와 같이 구성되는 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 (101) 에서는, 히트 싱크 (20) 의 하면 (이면) 에 있어서, 도 6 및 도 7a∼ 도 7c 에 나타내는 바와 같이, 히트 싱크 (20) 와 금속층 (13) 의 접합면의 중심 위치 C 를 측정 범위 E 의 중심으로 하고, 그 측정 범위 E 의 최대 길이를 L 로 하고, 측정 범위 E 에 있어서의 히트 싱크 (20) 의 변형량을 Z 로 하고, 285 ℃ 로 가열했을 때의 휨 (Z/L2) 의 값을 X 로 하고, 285 ℃ 로 가열한 후에 30 ℃ 까지 냉각시켰을 때의 휨 (Z/L2) 의 값을 Y 로 했을 때, 이들 휨 X 와 휨 Y 의 차분 (Y - X) 이 -18.0 × 10-6 (㎜-1) 이상 18.0 × 10-6 (㎜-1) 이하가 되어, 고온시 (285 ℃) 와 저온시 (30 ℃) 의 휨의 변화량을 작게 할 수 있다. 여기서, 히트 싱크 (20) 의 변형량 Z 는, 회로층측에 볼록한 변형을 정, 히트 싱크 (20) 의 하면측에 볼록한 변형을 부로 하였다.
또, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 (101) 은, 285 ℃ 로 가열했을 때의 휨 (Z/L2) 의 값 X 가 -50 × 10-6 (㎜-1) 이상 50 × 10-6 (㎜-1) 이하가 되고, 285 ℃ 로 가열한 후에 30 ℃ 까지 냉각시켰을 때의 휨 (Z/L2) 의 값 Y 가 -50 × 10-6 (㎜-1) 이상 50 × 10-6 (㎜-1) 이하가 된다.
휨 X 및 Y 가 50 × 10-6 (㎜-1) 을 초과하는 경우에서는, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 (101) 을 수랭식 냉각기 등에 체결했을 때, 히트 싱크 (20) 와 수랭식 냉각기 사이에 사용하는 그리스의 양이 많이 필요해져, 열저항이 상승할 우려가 있다. 또, 휨 X 및 Y 가 -50 × 10-6 (㎜-1) 미만이 되었을 경우, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 (101) 을 수랭식 냉각기 등에 체결했을 때, 세라믹스 기판 (11) 에 부하가 가해져, 균열 등이 발생할 우려가 있다.
이상 설명한 바와 같이, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 (101) 에서는, 파워 모듈의 제조시에 발생하는 휨을 저감시킬 수 있고, 열처리 과정에 있어서의 휨 변형을 억제할 수 있으므로, 전자 부품 (30) 의 솔더링 등의 제조 공정에 있어서의 작업성의 향상이나, 파워 모듈의 냉열 사이클 부하에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 회로층의 두께 t1 이 0.1 ㎜ 미만에서는, 세라믹스 기판 (11) 과 회로층 (12) 의 접합에 사용한 접합재가 가열시에 회로층 (12) 의 표면에 스며나올 우려가 있다. 또, 회로층 (12) 의 두께 t1 이 3.0 ㎜ 를 초과하면, 예를 들어 반도체 소자를 접합할 때 등에 있어서 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 (101) 을 가열했을 때, 세라믹스 기판 (11) 에 균열이 발생할 우려가 있다.
또, 금속층 (13) 의 두께 t2 가 0.15 ㎜ 미만에서는, 금속층 (13) 의 두께 t2 를 크게 한 것에 의한, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 (101) 에 발생하는 휨의 저감 효과를 충분히 발휘할 수 없다. 또, 금속층 (13) 의 두께 t2 가 5.0 ㎜ 를 초과하면, 예를 들어 반도체 소자를 접합할 때 등에 있어서 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 (101) 을 가열했을 때, 세라믹스 기판 (11) 에 균열이 발생할 우려가 있다.
또한, 본 발명은, 상기 실시형태의 것에 한정되는 것은 아니며, 세부 구성에 있어서는, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에 있어서 여러 가지 변경을 가하는 것이 가능하다.
실시예
이하, 본 발명의 효과를 확인하기 위해서 실시한 실시예에 대해 설명한다. 표 1 에 기재된 바와 같이, 회로층의 재질 (내력 σ1), 회로층의 두께 t1 및 접합 면적 A1 과, 금속층의 재질 (내력 σ2), 금속층의 두께 t2 및 접합 면적 A2 를 변경한 파워 모듈용 기판을 복수 제조하였다. 그리고, 각 파워 모듈용 기판의 금속층과 히트 싱크를 고상 확산 접합하고, 금속층과 히트 싱크 사이에 확산층을 형성한 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판의 시료를 제조하였다.
회로층이 되는 구리판에는, 표 1 에 나타내는 바와 같이, OFC (선팽창률 : 17.7 × 10-6/K, 내력 : 200 ㎫) 나 ZC (선팽창률 : 17.7 × 10-6/K, 내력 : 270 ㎫) 로 이루어지는 평면 사이즈가 37 ㎜ × 37 ㎜ 인 사각형판을 사용하였다. 금속층이 되는 구리판에는, OFC (선팽창률 : 17.7 × 10-6/K, 내력 : 200 ㎫) 나 ZC (선팽창률 : 17.7 × 10-6/K, 내력 : 270 ㎫) 로 이루어지는 평면 사이즈가 37 ㎜ × 37 ㎜ 인 사각형판을 사용하였다. 세라믹스 기판은, AlN (선팽창률 : 4.5 × 10-6/K) 으로 이루어지는 두께 t3 = 0.635 ㎜, 평면 사이즈 40 ㎜ × 40 ㎜ 의 사각형판을 사용하였다.
각 구리판과 세라믹스 기판의 접합에는 Ag-Ti 계 활성 금속 브레이징재를 사용하여, 구리판, 활성 금속 브레이징재, 세라믹스 기판을 적층하고, 적층 방향으로 가압 하중 0.1 ㎫, 가열 온도 850 ℃, 가열 시간 10 분으로 가압하면서 가열하고, 회로층이 되는 구리판과 세라믹스 기판, 금속층이 되는 구리판과 세라믹스 기판을 각각 접합하여, 파워 모듈용 기판을 제조하였다.
표 1 의 접합 면적 A1 과 접합 면적 A2 는, 각각 회로층 또는 금속층이 되는 구리판의 평면 사이즈로부터 산출한 값이고, 이들 값을 사용하여 표 2 에 나타내는 비율 S = {(σ2 × t2 × A2)/(σ1 × t1 × A1)} 을 산출하였다.
히트 싱크는, 탄화규소 (SiC) 에 Al-Si 계 합금을 함침한 알루미늄 함침 탄화규소 다공질체 (선팽창률 : 8.5 × 10-6/K) 로 이루어지고, 전체의 두께 t4 = 5.0 ㎜, 평면 사이즈 50 ㎜ × 60 ㎜ 의 사각형판이 되고, 표리면의 피복층의 두께 t141 이 100 ㎛ 로 형성된 것을 사용하였다. 그리고, 파워 모듈용 기판과 히트 싱크의 고상 확산 접합은, 표 2 에 기재한 바와 같이, 곡률 반경 R 의 가압면을 갖는 가압판을 사용하여, 진공 분위기 중에서, 가압 하중 2.1 ㎫, 가열 온도 510 ℃, 가열 시간 150 분 동안 가압·가열하여 실시하였다. 또한, 곡률 반경 R 이 「∞」 인 경우에는, 가압면이 평면인 것을 나타낸다.
얻어진 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판의 각 시료에 대해, 「변형량 Z」, 「세라믹스 균열」, 「소자 위치 어긋남」 을, 각각 평가하였다.
변형량 Z 의 측정은, (1) 285 ℃ 가열시, (2) 285 ℃ 가열 후에 30 ℃ 까지 냉각시켰을 때의 측정을 실시하였다. 그리고, 각 시점에 있어서의 히트 싱크 하면 (이면) 의 평면도의 변화를, JESD22-B112 나 JEITA ED-7306 에 준거하는 모아레 간섭법에 의해 측정하였다.
모아레 간섭법은, 일정한 피치, 폭으로 형성된 회절 격자를 개재하여 측정광을 측정면에 조사하고, 그 측정면에서 산란한 산란광을 회절 격자를 개재하여 촬상부에서 촬상함으로써, 모아레 간섭 무늬를 얻고, 그 모아레 간섭 무늬와 회절 격자의 피치나 폭 등의 정보에 기초하여, 측정면의 변형량을 측정하는 방법이다. 또한, 측정 장치는, AkroMetrix 사 제조의 Thermoire PS200 을 사용하였다.
본 실시예에서는, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 히트 싱크 (20) 와 금속층 (13) 의 접합면의 중심 위치 C 를 측정 범위 E 의 중심으로 하고, 그 측정 범위 E (도 7a∼ 도 7c 참조) 에 있어서의 히트 싱크의 하면의 변형량 Z 를 측정하였다. 또, 변형량 Z 는, 회로층측에 볼록한 변형을 정으로 하고, 히트 싱크 하면측에 볼록한 변형을 부로 하였다.
측정 범위 E 는, 도 6 및 도 7a 에 나타내는 바와 같이, W : 36 ㎜ × H : 36 ㎜ 의 사각형상의 범위이고, 이 경우, 측정 범위 E 의 대각선의 길이가 최대 길이 L 이 된다. 또, 변형량 Z 는, 도 7b 또는 도 7c 에 나타내는 바와 같이, 측정 범위 E 의 대각선 상에 있어서의 측정값의 최대값과 최소값의 차이다. 그리고, 변형량 Z 와 최대 길이 L 로부터 휨 (Z/L2) 을 산출하였다.
세라믹스 균열은, 상기 가열 시험 후에 초음파 탐상기에 의해 세라믹스 기판을 관찰하고, 세라믹스 기판에 크랙이 발생하고 있으면 불합격으로 하고, 크랙이 발생하지 않으면 합격으로 판정하였다. 또, 소자 위치 어긋남은, 전자 부품을 회로층에 솔더링한 후에, 그 솔더링 위치를 계측함으로써, 위치 어긋남 발생의 유무를, 시료를 30 개 제조하여 확인하였다. 그리고, 0.2 ㎜ 이상의 위치 어긋남이 발생했을 경우를 불합격으로 하고, 0.2 ㎜ 미만의 위치 어긋남의 경우에는 합격으로 평가하였다.
그리고, 각각 시료 30 개에 대해 실시한 각 평가에 있어서, 합격의 비율이 90 ％ 이상인 경우를 「양호」, 합격의 비율이 90 ％ 미만인 경우를 「불량」 으로 평가하였다. 표 3 에 결과를 나타낸다.
Figure 112019086030719-pct00001
Figure 112019086030719-pct00002
Figure 112019086030719-pct00003
표 1∼ 3 으로부터 알 수 있는 바와 같이, 두께 t1 이 0.1 ㎜ 이상 3.0 ㎜ 이하, 두께 t2 가 0.15 ㎜ 이상 5.0 ㎜ 이하, 두께 t2 가 두께 t1 보다 크게 형성되고, 비율 {(σ2 × t2 × A2)/(σ1 × t1 × A1)} 이 1.5 이상 15 이하의 범위 내가 되는 No.2∼ 14 의 시료에 대해서는, 차분 (Y - X) 이 -18.0 × 10-6 (㎜-1) 이상 18.0 × 10-6 (㎜-1) 이하가 되었다. 그리고, 이들 No.1∼ 14 의 시료에 있어서는, 「세라믹스 균열」, 「소자 위치 어긋남」 중 어느 평가에 있어서도 양호한 결과가 얻어졌다.
한편, 비율 {(σ2 × t2 × A2)/(σ1 × t1 × A1)} 의 조건이, 상기 범위에서 벗어나는 No.15, 16, 19 의 시료에 대해서는, 차분 (Y - X) 이 -18 × 10-6 (㎜-1) 이상 18.0 × 10-6 (㎜-1) 이하의 범위에서 벗어나, 휨의 변화량이 크고, 「소자 위치 어긋남」 이 발생하였다. 또, 두께 t2 가 5.0 ㎜ 를 초과하는 No.17 의 시료에서는, 휨의 변화량이 커져, 285 ℃ 가열 후에 세라믹스 기판에 균열이 발생한 시료가 확인되었다. 두께 t1 이 3.0 ㎜ 를 초과하고, 두께 t2 가 5.0 ㎜ 를 초과하는 No.18 에서는, 휨의 변화량은 작지만, 285 ℃ 가열 후에 세라믹스 기판에 균열이 발생한 시료가 확인되었다.
온도 변화에 수반하는 세라믹스 기판의 균열의 발생을 억제할 수 있고, 파워 사이클이나 냉열 사이클에 대한 신뢰성을 높일 수 있다.
10 파워 모듈용 기판
11 세라믹스 기판
12 회로층
13 금속층
20 히트 싱크
21 다공질체
22 피복층
30 전자 부품
50 가압 지그
51, 52 가압판
101 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판
201 파워 모듈

Claims (4)

  1. 세라믹스 기판의 일방의 면에 구리 또는 구리 합금으로 이루어지는 회로층이 배치 형성되고, 상기 세라믹스 기판의 타방의 면에 구리 또는 구리 합금으로 이루어지는 금속층이 배치 형성된 파워 모듈용 기판과,
    상기 파워 모듈용 기판의 상기 금속층에 접합되고, 탄화규소로 이루어지는 다공질체에 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 함침된 알루미늄 함침 탄화규소 다공질체로 이루어지는 히트 싱크를 구비하고,
    상기 회로층의 내력을 σ1 (㎫), 상기 회로층의 두께를 t1 (㎜), 상기 회로층과 상기 세라믹스 기판의 접합 면적을 A1 (㎟) 로 하고, 상기 금속층의 내력을 σ2 (㎫), 상기 금속층의 두께를 t2 (㎜), 상기 금속층과 상기 세라믹스 기판의 접합 면적을 A2 (㎟) 로 했을 때,
    상기 두께 t1 이 0.1 ㎜ 이상 3.0 ㎜ 이하로 형성되고,
    상기 두께 t2 가 0.15 ㎜ 이상 5.0 ㎜ 이하로 형성됨과 함께, 상기 두께 t2 가 상기 두께 t1 보다 크게 형성되어 있고,
    비율 {(σ2 × t2 × A2)/(σ1 × t1 × A1)} 이 1.5 이상 15 이하의 범위 내로 되어 있고,
    상기 히트 싱크의 하면에 있어서,
    상기 히트 싱크와 상기 금속층의 접합면의 중심 위치를 측정 범위의 중심으로 하고, 그 측정 범위의 최대 길이를 L (㎜) 로 하고, 상기 측정 범위에 있어서의 상기 히트 싱크의 변형량을 Z (㎜) 로 하고,
    285 ℃ 에 가열했을 때의 휨 (Z/L2) 을 X 로 하고,
    상기 285 ℃ 로 가열한 후에 30 ℃ 까지 냉각시켰을 때의 휨 (Z/L2) 을 Y 로 했을 때,
    상기 휨 X 와 상기 휨 Y 의 차분 (Y - X) 이 -18.0 × 10-6 (㎜-1) 이상 18.0 × 10-6 (㎜-1) 이하가 되고,
    상기 휨 X 가 -50 × 10-6 (㎜-1) 이상 50 × 10-6 (㎜-1) 이하이고, 상기 휨 Y가 -50 × 10-6 (㎜-1) 이상 50 × 10-6 (㎜-1) 이하인 것을 특징으로 하는 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속층과 상기 히트 싱크 사이에, 알루미늄과 구리의 금속간 화합물을 갖는 확산층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판.
  3. 삭제
  4. 삭제
KR1020197024545A 2017-03-07 2018-02-23 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 KR102538201B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2017-042543 2017-03-07
JP2017042543A JP6776953B2 (ja) 2017-03-07 2017-03-07 ヒートシンク付パワーモジュール用基板
PCT/JP2018/006746 WO2018163865A1 (ja) 2017-03-07 2018-02-23 ヒートシンク付パワーモジュール用基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190121769A KR20190121769A (ko) 2019-10-28
KR102538201B1 true KR102538201B1 (ko) 2023-05-30

Family

ID=63448127

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197024545A KR102538201B1 (ko) 2017-03-07 2018-02-23 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11462456B2 (ko)
EP (1) EP3595003A4 (ko)
JP (1) JP6776953B2 (ko)
KR (1) KR102538201B1 (ko)
CN (1) CN110383469B (ko)
TW (1) TWI750332B (ko)
WO (1) WO2018163865A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017205813A1 (de) * 2017-04-05 2018-10-11 Mahle International Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Kühlvorrichtung, eine Kühlvorrichtung und eine Kühlanordnung
JP7363613B2 (ja) 2020-03-13 2023-10-18 三菱マテリアル株式会社 ヒートシンク一体型絶縁回路基板
CN111755413A (zh) * 2020-07-07 2020-10-09 深圳基本半导体有限公司 一种高导热率碳化硅器件封装结构及方法
DE102021132945A1 (de) * 2021-12-14 2023-06-15 Rogers Germany Gmbh Trägersubstrat für elektrische Bauteile und Verfahren zur Herstellung eines solchen Trägersubstrats

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013229545A (ja) * 2012-03-30 2013-11-07 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール、及びパワーモジュール用基板の製造方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6033787A (en) * 1996-08-22 2000-03-07 Mitsubishi Materials Corporation Ceramic circuit board with heat sink
JP3171234B2 (ja) 1997-03-26 2001-05-28 三菱マテリアル株式会社 ヒートシンク付セラミック回路基板
JP3573955B2 (ja) * 1998-04-20 2004-10-06 三菱電機株式会社 パワー半導体装置及びその製造方法
JP2003306730A (ja) 2002-04-16 2003-10-31 Hitachi Metals Ltd Ａｌ−ＳｉＣ系複合体および放熱部品
DE102004056879B4 (de) * 2004-10-27 2008-12-04 Curamik Electronics Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates
EP1926142A1 (en) * 2005-09-15 2008-05-28 Mitsubishi Materials Corporation Insulating circuit board and insulating circuit board provided with cooling sink section
JP5061442B2 (ja) * 2005-09-15 2012-10-31 三菱マテリアル株式会社 絶縁回路基板および冷却シンク部付き絶縁回路基板
JP4893096B2 (ja) * 2006-05-01 2012-03-07 日立金属株式会社 回路基板およびこれを用いた半導体モジュール
JP4744385B2 (ja) * 2006-07-28 2011-08-10 京セラ株式会社 放熱基板およびこれを用いた電子装置
JP2008205344A (ja) * 2007-02-22 2008-09-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱伝導基板とその製造方法及びこれを用いた回路モジュール
JP5439729B2 (ja) * 2008-03-10 2014-03-12 日立金属株式会社 窒化珪素基板及びその製造方法並びにそれを使用した窒化珪素回路基板及び半導体モジュール
EP2265099B1 (en) * 2009-06-04 2013-11-27 Honda Motor Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
EP2447990B1 (en) * 2010-11-02 2020-12-23 ABB Power Grids Switzerland AG Base plate
US8945466B2 (en) * 2011-07-15 2015-02-03 Nippon Light Metal Company, Ltd. Composite material for heat dissipating plate and method of production of same
JP5738226B2 (ja) * 2012-03-22 2015-06-17 三菱電機株式会社 電力用半導体装置モジュール
JP2013229579A (ja) 2012-03-30 2013-11-07 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール
JP2014112732A (ja) * 2012-03-30 2014-06-19 Mitsubishi Materials Corp ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール
WO2013191065A1 (ja) * 2012-06-18 2013-12-27 東京エレクトロン株式会社 マンガン含有膜の形成方法
IN2015DN03283A (ko) * 2012-10-16 2015-10-09 Mitsubishi Materials Corp
JP6307832B2 (ja) * 2013-01-22 2018-04-11 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール
JP6024477B2 (ja) 2013-01-25 2016-11-16 三菱マテリアル株式会社 ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法
WO2014208690A1 (ja) * 2013-06-28 2014-12-31 古河電気工業株式会社 接続構造体、及び半導体装置
WO2015053316A1 (ja) * 2013-10-10 2015-04-16 三菱マテリアル株式会社 ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法
JP6011552B2 (ja) * 2014-01-08 2016-10-19 三菱マテリアル株式会社 ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法
EP3104406B1 (en) * 2014-02-03 2019-04-03 Denka Company Limited Power module
JP6201827B2 (ja) * 2014-03-10 2017-09-27 三菱マテリアル株式会社 放熱板付パワーモジュール用基板の製造方法
TWI579986B (zh) 2014-04-25 2017-04-21 Mitsubishi Materials Corp A power module substrate with heat sink
JP6384112B2 (ja) * 2014-04-25 2018-09-05 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュール用基板
CN106463477B (zh) * 2014-07-04 2019-03-12 三菱综合材料株式会社 功率模块用基板单元及功率模块
JP6488917B2 (ja) * 2014-07-04 2019-03-27 三菱マテリアル株式会社 放熱板付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール
JP6435711B2 (ja) * 2014-08-21 2018-12-12 三菱マテリアル株式会社 放熱板付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール
JP2016051778A (ja) 2014-08-29 2016-04-11 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 金属−セラミックス接合基板
JP6417834B2 (ja) * 2014-10-02 2018-11-07 三菱マテリアル株式会社 冷却器付パワーモジュール用基板及び冷却器付パワーモジュール用基板の製造方法
JP6692299B2 (ja) * 2015-02-02 2020-05-13 株式会社東芝 窒化珪素回路基板およびそれを用いた電子部品モジュール
JP6795291B2 (ja) 2015-08-28 2020-12-02 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 面ファスナー用ループ部材及び大人用おむつ

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013229545A (ja) * 2012-03-30 2013-11-07 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール、及びパワーモジュール用基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110383469B (zh) 2023-06-02
JP6776953B2 (ja) 2020-10-28
EP3595003A4 (en) 2021-03-17
US20200027815A1 (en) 2020-01-23
CN110383469A (zh) 2019-10-25
US11462456B2 (en) 2022-10-04
TW201836093A (zh) 2018-10-01
WO2018163865A1 (ja) 2018-09-13
EP3595003A1 (en) 2020-01-15
TWI750332B (zh) 2021-12-21
JP2018148064A (ja) 2018-09-20
KR20190121769A (ko) 2019-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102434878B1 (ko) 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판
KR102538201B1 (ko) 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판
KR102224535B1 (ko) 파워 모듈용 기판의 제조 방법
KR102422607B1 (ko) 접합체, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판, 히트 싱크, 및 접합체의 제조 방법, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판의 제조 방법, 히트 싱크의 제조 방법
US7355853B2 (en) Module structure and module comprising it
KR102219145B1 (ko) 접합체 및 파워 모듈용 기판
KR102220852B1 (ko) 접합체의 제조 방법 및 파워 모듈용 기판의 제조 방법
KR20180066134A (ko) 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 및 파워 모듈
KR102154369B1 (ko) 파워 모듈
KR20170046649A (ko) 접합체, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판, 히트 싱크, 접합체의 제조 방법, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판의 제조 방법, 및 히트 싱크의 제조 방법
JP5141566B2 (ja) 絶縁回路基板の製造方法及び絶縁回路基板並びにパワーモジュール用基板
JP4104429B2 (ja) モジュール構造体とそれを用いたモジュール
JP5786569B2 (ja) パワーモジュール用基板の製造方法
KR102524698B1 (ko) 접합체, 파워 모듈용 기판, 파워 모듈, 접합체의 제조 방법 및 파워 모듈용 기판의 제조 방법
KR102363709B1 (ko) 구리/티탄/알루미늄 접합체, 절연 회로 기판, 히트싱크가 부착된 절연 회로 기판, 파워 모듈, led 모듈, 열전 모듈
KR20200135960A (ko) 히트 싱크가 부착된 절연 회로 기판의 제조 방법
JP2005044832A (ja) セラミックス回路基板
JP2002050841A (ja) 金属ベース板付Ａｌ回路基板

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant