KR100579421B1 - 은 식각액 조성물 - Google Patents
은 식각액 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100579421B1 KR100579421B1 KR1020040095563A KR20040095563A KR100579421B1 KR 100579421 B1 KR100579421 B1 KR 100579421B1 KR 1020040095563 A KR1020040095563 A KR 1020040095563A KR 20040095563 A KR20040095563 A KR 20040095563A KR 100579421 B1 KR100579421 B1 KR 100579421B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- weight
- etching
- etchant
- transparent electrode
- acid
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 title abstract description 49
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid group Chemical group S(O)(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- -1 ammonium fluoroalkyl sulfone imide Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L Magnesium perchlorate Chemical compound [Mg+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 claims description 2
- OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L barium perchlorate Chemical compound [Ba+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- AXZAYXJCENRGIM-UHFFFAOYSA-J dipotassium;tetrabromoplatinum(2-) Chemical compound [K+].[K+].[Br-].[Br-].[Br-].[Br-].[Pt+2] AXZAYXJCENRGIM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 2
- MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M lithium perchlorate Chemical compound [Li+].[O-]Cl(=O)(=O)=O MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910001486 lithium perchlorate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001487 potassium perchlorate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BAZAXWOYCMUHIX-UHFFFAOYSA-M sodium perchlorate Chemical compound [Na+].[O-]Cl(=O)(=O)=O BAZAXWOYCMUHIX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910001488 sodium perchlorate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/30—Acidic compositions for etching other metallic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Description
Claims (3)
- 전체 조성물의 총중량에 대하여 1 ~ 10 중량%의 질산, 50 ~ 75 중량%의 인산, 1 ~ 11 중량%의 초산, 0.5 ~ 3 중량%의 보조 산화물 용해제, 0.001 ~ 0.01 중량%의 함불소형 탄소계 계면활성제 및 전체 조성물의 총중량이 100 중량%가 되도록 하는 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 은 식각액 조성물.
- 제 1항에 있어서,상기 보조산화물 용해제는 황산, 황산암모늄, 황산칼슘, (CH3)2SO4, (C2H5)2SO4, H3NCH2CH2NH 3SO4, (NH3OH)2SO4, [N(CH3)4 ]SO4H, [N(C2H5)4]SO4H 등의 SO4 2-화합물과 과염소산, 과염소산나트륨, 과염소산칼륨, 과염소산바륨, 과염소산마그네슘과 과염소산리튬 등의 ClO4 - 화합물에서 선택되는 어느 하나이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 은 식각액 조성물.
- 제 1항에 있어서,상기 함불소형 탄소계 계면활성제는 암모늄 플루오르알킬 술폰 이미드, CnF2n+1CH2CH2SO3 -NH4 +, CnF2n+1CH2CH2SO3H, (CnF 2n+1CH2CH2O)xPO(ONH4 +)y(OCH 2CH2OH)z, CnF2n+1CH2CH2O(OCH2CH2OH)xH, CnF2n+1SO2N(C2H5)(CH2CH2) xH, CnF2n+1CH2CH2OCH2(OH)CH2CH2 N(CnF2n+1)2, CnF2n+1CH2CH2OCH 2(OCH2CH2)nCH2CH2N(CnF 2n+1)2 [상기 식에서, n은1 내지 20의 정수이고, x, y 및 z 는 x+y+z = 3을 만족하는 실수이다]에서 선택되는 어느 하나이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 은 식각액 조성물.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040095563A KR100579421B1 (ko) | 2004-11-20 | 2004-11-20 | 은 식각액 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040095563A KR100579421B1 (ko) | 2004-11-20 | 2004-11-20 | 은 식각액 조성물 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100579421B1 true KR100579421B1 (ko) | 2006-05-12 |
Family
ID=37181480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040095563A KR100579421B1 (ko) | 2004-11-20 | 2004-11-20 | 은 식각액 조성물 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100579421B1 (ko) |
Cited By (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101302827B1 (ko) * | 2013-03-20 | 2013-09-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 또는 은합금의 배선 및 반사막 형성을 위한 식각용액 |
KR101323458B1 (ko) * | 2007-06-15 | 2013-10-29 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 식각액 조성물 |
KR20150024751A (ko) * | 2013-08-27 | 2015-03-09 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 또는 은합금의 배선 및 반사막 형성을 위한 식각용액 |
KR101518055B1 (ko) | 2008-10-30 | 2015-05-06 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 에칭액 조성물 |
KR20150100295A (ko) * | 2014-02-25 | 2015-09-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
CN104893728A (zh) * | 2015-04-10 | 2015-09-09 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种用于ITO/Ag/ITO薄膜的低张力的蚀刻液 |
KR20160084284A (ko) | 2015-01-05 | 2016-07-13 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 |
CN105808028A (zh) * | 2016-03-16 | 2016-07-27 | 意力(广州)电子科技有限公司 | 电容单元、电容屏及其制备方法 |
KR20160097754A (ko) | 2015-02-10 | 2016-08-18 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 |
KR20170054908A (ko) | 2015-11-10 | 2017-05-18 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 |
KR20170112314A (ko) * | 2016-03-31 | 2017-10-12 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 습식 식각 방법, 및 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 식각액 조성물, 및 박막트렌지스터의 제조방법 및 박막트랜지스터 |
CN107286939A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-10-24 | 江阴润玛电子材料股份有限公司 | 一种半导体芯片用镍银腐蚀液 |
KR20170121509A (ko) * | 2016-04-25 | 2017-11-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 |
KR20170123771A (ko) | 2016-04-29 | 2017-11-09 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 |
KR20180038593A (ko) | 2015-11-06 | 2018-04-17 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 |
KR20180090081A (ko) | 2017-02-02 | 2018-08-10 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시장치용 어레이기판의 제조방법 |
KR20180098781A (ko) | 2017-02-27 | 2018-09-05 | 동우 화인켐 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
KR20180109428A (ko) | 2017-03-28 | 2018-10-08 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
KR20180110744A (ko) | 2017-03-30 | 2018-10-11 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
KR20180127949A (ko) | 2017-05-22 | 2018-11-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
KR20180127902A (ko) | 2017-05-22 | 2018-11-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
KR20180130183A (ko) | 2017-05-29 | 2018-12-07 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
KR20190011984A (ko) | 2017-07-26 | 2019-02-08 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
KR20190017473A (ko) | 2017-08-11 | 2019-02-20 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
KR20190017474A (ko) | 2017-08-11 | 2019-02-20 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
KR20190024738A (ko) | 2017-08-28 | 2019-03-08 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
KR20190023172A (ko) | 2017-08-28 | 2019-03-08 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
KR20190057018A (ko) | 2017-11-17 | 2019-05-27 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 |
KR20190094842A (ko) | 2018-02-06 | 2019-08-14 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
KR20190109070A (ko) | 2018-03-16 | 2019-09-25 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시장치용 어레이기판의 제조방법 |
KR20190109215A (ko) | 2018-03-16 | 2019-09-25 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시장치용 어레이기판의 제조방법 |
KR20190109074A (ko) * | 2018-03-16 | 2019-09-25 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 박막 식각액 조성물, 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 |
KR20190111689A (ko) | 2018-03-23 | 2019-10-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시장치용 어레이기판의 제조방법 |
KR20190111596A (ko) * | 2018-03-23 | 2019-10-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 |
KR20190112621A (ko) | 2018-03-26 | 2019-10-07 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막 식각액 조성물 및 이를 이용하여 제조된 표시장치용 어레이기판 및 이의 제조방법 |
KR20190112622A (ko) | 2018-03-26 | 2019-10-07 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막 식각액 조성물 및 이를 이용하여 제조된 표시장치용 어레이기판 및 이의 제조방법 |
KR20190123377A (ko) * | 2018-04-23 | 2019-11-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 제조 방법 |
CN113150786A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-07-23 | 芯越微电子材料(嘉兴)有限公司 | 一种银复合膜层刻蚀剂及其制备方法 |
KR20230118059A (ko) | 2018-12-19 | 2023-08-10 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시장치용 어레이기판의 제조방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61270381A (ja) | 1984-11-17 | 1986-11-29 | Daikin Ind Ltd | エツチング剤組成物 |
US5496485A (en) | 1992-05-16 | 1996-03-05 | Micro-Image Technology Limited | Etching compositions |
JP2002303619A (ja) | 2001-04-03 | 2002-10-18 | Nippon Kasei Chem Co Ltd | 金属エッチングプロセスに用いる混酸液の定量分析方法 |
-
2004
- 2004-11-20 KR KR1020040095563A patent/KR100579421B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61270381A (ja) | 1984-11-17 | 1986-11-29 | Daikin Ind Ltd | エツチング剤組成物 |
US5496485A (en) | 1992-05-16 | 1996-03-05 | Micro-Image Technology Limited | Etching compositions |
JP2002303619A (ja) | 2001-04-03 | 2002-10-18 | Nippon Kasei Chem Co Ltd | 金属エッチングプロセスに用いる混酸液の定量分析方法 |
Cited By (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101323458B1 (ko) * | 2007-06-15 | 2013-10-29 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 식각액 조성물 |
KR101518055B1 (ko) | 2008-10-30 | 2015-05-06 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 에칭액 조성물 |
KR101302827B1 (ko) * | 2013-03-20 | 2013-09-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 또는 은합금의 배선 및 반사막 형성을 위한 식각용액 |
KR20150024751A (ko) * | 2013-08-27 | 2015-03-09 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 또는 은합금의 배선 및 반사막 형성을 위한 식각용액 |
KR102198129B1 (ko) * | 2013-08-27 | 2021-01-04 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 또는 은합금의 배선 및 반사막 형성을 위한 식각용액 |
KR102091541B1 (ko) | 2014-02-25 | 2020-03-20 | 동우 화인켐 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR20150100295A (ko) * | 2014-02-25 | 2015-09-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR20160084284A (ko) | 2015-01-05 | 2016-07-13 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 |
KR20160097754A (ko) | 2015-02-10 | 2016-08-18 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 |
CN104893728A (zh) * | 2015-04-10 | 2015-09-09 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种用于ITO/Ag/ITO薄膜的低张力的蚀刻液 |
CN104893728B (zh) * | 2015-04-10 | 2018-11-27 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种用于ITO/Ag/ITO薄膜的低张力的蚀刻液 |
KR20180038593A (ko) | 2015-11-06 | 2018-04-17 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 |
KR20170054908A (ko) | 2015-11-10 | 2017-05-18 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 |
CN105808028A (zh) * | 2016-03-16 | 2016-07-27 | 意力(广州)电子科技有限公司 | 电容单元、电容屏及其制备方法 |
KR20170112314A (ko) * | 2016-03-31 | 2017-10-12 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 습식 식각 방법, 및 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 식각액 조성물, 및 박막트렌지스터의 제조방법 및 박막트랜지스터 |
KR102344034B1 (ko) | 2016-03-31 | 2021-12-28 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 습식 식각 방법, 및 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 식각액 조성물, 및 박막트렌지스터의 제조방법 및 박막트랜지스터 |
KR102513168B1 (ko) | 2016-04-25 | 2023-03-23 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 |
KR20170121509A (ko) * | 2016-04-25 | 2017-11-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 |
KR20170123771A (ko) | 2016-04-29 | 2017-11-09 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 |
KR20180090081A (ko) | 2017-02-02 | 2018-08-10 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시장치용 어레이기판의 제조방법 |
KR20180098781A (ko) | 2017-02-27 | 2018-09-05 | 동우 화인켐 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
KR20180109428A (ko) | 2017-03-28 | 2018-10-08 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
KR20180110744A (ko) | 2017-03-30 | 2018-10-11 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
KR20180127949A (ko) | 2017-05-22 | 2018-11-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
KR101923546B1 (ko) | 2017-05-22 | 2019-02-27 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
KR20180127902A (ko) | 2017-05-22 | 2018-11-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
KR20180130183A (ko) | 2017-05-29 | 2018-12-07 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
CN107286939A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-10-24 | 江阴润玛电子材料股份有限公司 | 一种半导体芯片用镍银腐蚀液 |
KR20190011984A (ko) | 2017-07-26 | 2019-02-08 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
KR20190017473A (ko) | 2017-08-11 | 2019-02-20 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
KR20190017474A (ko) | 2017-08-11 | 2019-02-20 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
KR20190024738A (ko) | 2017-08-28 | 2019-03-08 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
KR20190023172A (ko) | 2017-08-28 | 2019-03-08 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
KR20190057018A (ko) | 2017-11-17 | 2019-05-27 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 |
KR20190094842A (ko) | 2018-02-06 | 2019-08-14 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
KR20190109070A (ko) | 2018-03-16 | 2019-09-25 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시장치용 어레이기판의 제조방법 |
KR20190109215A (ko) | 2018-03-16 | 2019-09-25 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시장치용 어레이기판의 제조방법 |
KR20190109074A (ko) * | 2018-03-16 | 2019-09-25 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 박막 식각액 조성물, 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 |
KR102384595B1 (ko) * | 2018-03-16 | 2022-04-08 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 박막 식각액 조성물, 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 |
KR20190111689A (ko) | 2018-03-23 | 2019-10-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시장치용 어레이기판의 제조방법 |
KR102368371B1 (ko) * | 2018-03-23 | 2022-02-28 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 |
KR20190111596A (ko) * | 2018-03-23 | 2019-10-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 |
KR20190112622A (ko) | 2018-03-26 | 2019-10-07 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막 식각액 조성물 및 이를 이용하여 제조된 표시장치용 어레이기판 및 이의 제조방법 |
KR20190112621A (ko) | 2018-03-26 | 2019-10-07 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막 식각액 조성물 및 이를 이용하여 제조된 표시장치용 어레이기판 및 이의 제조방법 |
KR20190123377A (ko) * | 2018-04-23 | 2019-11-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 제조 방법 |
KR102554816B1 (ko) * | 2018-04-23 | 2023-07-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 제조 방법 |
KR20230118059A (ko) | 2018-12-19 | 2023-08-10 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시장치용 어레이기판의 제조방법 |
CN113150786A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-07-23 | 芯越微电子材料(嘉兴)有限公司 | 一种银复合膜层刻蚀剂及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100579421B1 (ko) | 은 식각액 조성물 | |
JP4940212B2 (ja) | Tft−lcd用金属配線形成のためのエッチング液組成物 | |
JP6888318B2 (ja) | 積層透明導電膜、積層配線膜及び積層配線膜の製造方法 | |
KR100480797B1 (ko) | 구리 몰리브덴막의 식각속도를 개선한 식각용액 및 그식각방법 | |
KR20090059961A (ko) | 박막트랜지스터-액정표시장치용 금속 배선 형성을 위한식각액 조성물 | |
JPH1170610A (ja) | 透明導電膜、および透明電極の形成方法 | |
JP2006339635A (ja) | エッチング組成物 | |
JP4949416B2 (ja) | Ito膜用のエッチング液組成物、および、それを利用したito膜のエッチング方法 | |
KR20140063283A (ko) | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 | |
CN110644003B (zh) | 银薄膜蚀刻液组合物及利用其的蚀刻方法和金属图案的形成方法 | |
US5340491A (en) | Etchant for production of electrode plate structure for liquid crystal display device | |
CN113026019A (zh) | 银薄膜蚀刻液组合物、蚀刻方法和金属图案的形成方法 | |
KR101302827B1 (ko) | 은 또는 은합금의 배선 및 반사막 형성을 위한 식각용액 | |
CN109797396B (zh) | 银膜蚀刻液组合物、用它的蚀刻方法及金属图案形成方法 | |
KR20140082186A (ko) | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 | |
KR20140063284A (ko) | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 | |
JP3611618B2 (ja) | 非晶質導電膜のパターニング方法 | |
JP6870332B2 (ja) | 積層透明導電膜、積層配線膜及び積層配線膜の製造方法 | |
CN110359050B (zh) | 含银薄膜蚀刻液组合物、用其制造的用于显示装置的阵列基板及其制造方法 | |
KR102281335B1 (ko) | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 | |
CN113652693A (zh) | 银薄膜蚀刻液组合物、使用该组合物的蚀刻方法及金属图案形成方法 | |
KR20190072408A (ko) | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 | |
TWI666302B (zh) | 用於氧化銦層的蝕刻劑組合物,蝕刻方法,使用它們的液晶顯示器陣列基板及其製造方法 | |
KR101926279B1 (ko) | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 | |
KR102567796B1 (ko) | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130508 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140225 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160308 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170308 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180319 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190311 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200309 Year of fee payment: 15 |