KR102531109B1 - Light emitting device and lighting module having the same - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 38
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 27
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 184
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 15
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 5
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- -1 fluoride compound Chemical class 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015999 BaAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004709 CaSi Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017639 MgSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004122 SrSi Inorganic materials 0.000 description 1
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910019990 cerium-doped yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000002996 emotional effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical compound S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
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- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
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- H01L2924/11—Device type
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Abstract
실시 예는 발광 소자 및 조명 모듈이 개시된다. 실시 예에 개시된 발광 소자는, 서로 분리된 복수의 발광 셀; 상기 복수의 발광 셀이 각각 배치된 리세스를 갖는 몸체; 상기 몸체의 리세스 표면에서 상기 몸체와 상기 각 발광 셀 사이에 배치된 반사 부재; 상기 몸체 아래에 상기 복수의 발광 셀에 연결된 제1패드; 및 상기 몸체의 아래에 배치되며 상기 복수의 발광 셀 각각에 연결된 제2패드를 포함하며, 상기 복수의 발광 셀 각각은, 상기 제1패드에 연결된 제1도전성 반도체층, 상기 제1도전성 반도체층 아래에 활성층 및 상기 활성층 아래에 배치되며 상기 제2패드에 연결된 제2도전성 반도체층을 포함한다.The embodiment discloses a light emitting device and a lighting module. The light emitting device disclosed in the embodiment includes a plurality of light emitting cells separated from each other; a body having recesses in which the plurality of light emitting cells are respectively disposed; a reflective member disposed between the body and each of the light emitting cells on a recessed surface of the body; a first pad connected to the plurality of light emitting cells under the body; and a second pad disposed below the body and connected to each of the plurality of light emitting cells, wherein each of the plurality of light emitting cells includes a first conductive semiconductor layer connected to the first pad, and a bottom of the first conductive semiconductor layer. It includes an active layer and a second conductive semiconductor layer disposed under the active layer and connected to the second pad.
Description
실시 예는 발광 소자에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device.
실시 예는 복수의 발광 셀을 갖는 발광 소자에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device having a plurality of light emitting cells.
실시 예는 복수의 발광 셀 중 하나 이상에 형광체 필름이 배치된 발광 소자에 관한 것이다. The embodiment relates to a light emitting device in which a phosphor film is disposed on at least one of a plurality of light emitting cells.
실시 예는 복수의 발광 셀을 갖는 발광 소자들이 배열된 조명 모듈에 관한 것이다.The embodiment relates to a lighting module in which light emitting elements having a plurality of light emitting cells are arranged.
실시 예는 복수의 발광 셀의 단위 픽셀이 배열된 조명 모듈에 관한 것이다.The embodiment relates to a lighting module in which unit pixels of a plurality of light emitting cells are arranged.
다양한 종류의 휴대폰 및 TV와 같은 전자 기기들이 등장하였다. 이러한 전자 기기는 그 내부에 상기 전자 기기의 작동을 가능하게 하는 구성 요소인 여러 부품들이 실장(Mount)된 인쇄 회로 기판(PCB; Printed Circuit Board)이 구비된다. Various types of electronic devices such as mobile phones and TVs have appeared. Such an electronic device is provided with a printed circuit board (PCB) on which various parts, which are components enabling the operation of the electronic device, are mounted therein.
발광 소자 예컨대, 발광 다이오드(Light Emitting Diode, 이하, LED라 한다)는, 전류를 흘리면 소정 파장의 광을 발광하는 다이오드로서 활성층에 소수 캐리어를 주입시키면 전자가 보다 높은 에너지 준위(level)로 여기하고, 다시 안정된 상태로 되돌아 올 때 가지고 있던 에너지가 빛의 파장 대를 가진 전자파로 되어 방사되는 발광소자를 말한다. A light emitting device, for example, a light emitting diode (hereinafter, referred to as an LED) is a diode that emits light of a predetermined wavelength when an electric current is passed therethrough. When minority carriers are injected into an active layer, electrons are excited to a higher energy level. , it refers to a light emitting element that emits energy as an electromagnetic wave with the wavelength of light when it returns to a stable state.
최근 LED는 비약적인 반도체 기술의 발전에 힘입어, 저휘도의 범용제품에서 탈피하여, 고휘도, 고품질의 제품 생산이 가능해졌다. 또한, 고특성의 청색(blue)과 백색(white) 다이오드의 구현으로 인해 차세대 조명원 및 각종의 표시 장치 등으로 그 응용가치가 확대되고 있다. 이와 같은 LED를 단수 또는 복수로 접합시켜 일정한 크기로 만든 것을 LED 모듈이라 하고, 이는 각종의 표시 장치 및 화상장치에 사용되고 있다. Recently, thanks to the rapid development of semiconductor technology, LED has become possible to produce high-brightness, high-quality products by breaking away from low-brightness general-purpose products. In addition, due to the implementation of high-characteristic blue and white diodes, their application value is expanding to next-generation lighting sources and various display devices. An LED module made by bonding single or multiple LEDs to a certain size is called an LED module, and is used in various display devices and imaging devices.
실시 예는 복수의 발광 셀을 갖는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having a plurality of light emitting cells.
실시 예는 복수의 발광 셀 중 적어도 하나의 위에 형광 필름을 갖는 발광 소자를 제공한다.An embodiment provides a light emitting device having a fluorescent film on at least one of a plurality of light emitting cells.
실시 예는 복수의 발광 셀 중 적어도 하나와 형광 필름 사이에 배치된 필터층을 갖는 발광 소자를 제공한다.An embodiment provides a light emitting device having a filter layer disposed between at least one of a plurality of light emitting cells and a fluorescent film.
실시 예는 몸체 내에 복수의 발광 셀을 서로 분리시켜 주는 리세스를 갖는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having a recess separating a plurality of light emitting cells from each other in a body.
실시 예는 복수의 발광 셀을 갖는 단위 픽셀들 또는 단위 발광 영역이 배열된 조명 모듈 또는 조명 장치를 포함한다.An embodiment includes a lighting module or lighting device in which unit pixels or unit light emitting regions having a plurality of light emitting cells are arranged.
실시 예에 따른 발광 소자는, 서로 분리된 복수의 발광 셀; 상기 복수의 발광 셀이 각각 배치된 리세스를 갖는 몸체; 상기 몸체의 리세스 표면에서 상기 몸체와 상기 각 발광 셀 사이에 배치된 반사 부재; 상기 몸체 아래에 상기 복수의 발광 셀에 연결된 제1패드; 및 상기 몸체의 아래에 배치되며 상기 복수의 발광 셀 각각에 연결된 제2패드를 포함하며, 상기 복수의 발광 셀 각각은, 상기 제1패드에 연결된 제1도전성 반도체층, 상기 제1도전성 반도체층 아래에 활성층 및 상기 활성층 아래에 배치되며 상기 제2패드에 연결된 제2도전성 반도체층을 포함한다.A light emitting device according to an embodiment includes a plurality of light emitting cells separated from each other; a body having recesses in which the plurality of light emitting cells are respectively disposed; a reflective member disposed between the body and each of the light emitting cells on a recessed surface of the body; a first pad connected to the plurality of light emitting cells under the body; and a second pad disposed below the body and connected to each of the plurality of light emitting cells, wherein each of the plurality of light emitting cells includes a first conductive semiconductor layer connected to the first pad, and a bottom of the first conductive semiconductor layer. It includes an active layer and a second conductive semiconductor layer disposed under the active layer and connected to the second pad.
실시 예에 따른 조명 모듈은, 서로 분리된 복수의 발광 셀; 상기 복수의 발광 셀 각각이 배치된 리세스를 갖는 몸체; 상기 몸체의 리세스의 표면에서 상기 몸체와 상기 각 발광 셀 사이에 배치된 반사 부재; 상기 몸체 아래에 상기 복수의 발광 셀에 연결된 제1패드; 및 상기 몸체의 아래에 배치되며 상기 복수의 발광 셀 각각에 연결된 제2패드를 포함하며, 상기 복수의 발광 셀 각각은, 상기 제1패드에 연결된 제1도전성 반도체층, 상기 제1도전성 반도체층 아래에 활성층 및 상기 활성층 아래에 배치되며 상기 제2패드에 연결된 제2도전성 반도체층을 포함하며, 상기 몸체에는 상기 복수의 발광 셀을 갖는 단위 발광 영역들이 매트릭스 형태로 배열되며, 상기 단위 발광 영역에서 상기 복수의 발광 셀 중 적어도 2개의 위에 서로 다른 광을 발광하는 복수의 형광 필름을 포함한다. A lighting module according to an embodiment includes a plurality of light emitting cells separated from each other; a body having a recess in which each of the plurality of light emitting cells is disposed; a reflective member disposed between the body and each of the light emitting cells on the surface of the recess of the body; a first pad connected to the plurality of light emitting cells under the body; and a second pad disposed below the body and connected to each of the plurality of light emitting cells, wherein each of the plurality of light emitting cells includes a first conductive semiconductor layer connected to the first pad, and a bottom of the first conductive semiconductor layer. an active layer and a second conductive semiconductor layer disposed below the active layer and connected to the second pad, wherein unit light emitting regions having the plurality of light emitting cells are arranged in a matrix form on the body, and in the unit light emitting region A plurality of fluorescent films emitting different lights are included on at least two of the plurality of light emitting cells.
실시 예는 복수의 발광 셀을 갖는 발광 소자를 구비하여, 발광 셀 간의 피치를 줄일 수 있다.The embodiment includes a light emitting device having a plurality of light emitting cells, so that a pitch between light emitting cells can be reduced.
실시 예는 복수의 발광 셀을 갖는 발광 소자를 단위 픽셀로 할 경우, 픽셀 사이즈를 감소시켜 줄 수 있다. In the embodiment, when a light emitting device having a plurality of light emitting cells is used as a unit pixel, the pixel size can be reduced.
실시 예는 복수의 발광 셀을 동일 구동 전압으로 선택적으로 구동시켜 줄 수 있어, 드라이버의 회로 구성을 간단하게 할 수 있다. The embodiment can selectively drive a plurality of light emitting cells with the same driving voltage, thereby simplifying the circuit configuration of the driver.
실시 예는 복수의 발광 셀 상에 형광 필름을 갖는 발광 소자에 의해, 넓은 파장 스펙트럼으로 높은 연색성을 제공할 수 있다.In the embodiment, a light emitting device having a fluorescent film on a plurality of light emitting cells can provide high color rendering with a wide wavelength spectrum.
실시 예는 복수의 발광 셀 중 적어도 하나의 위에 녹색 형광 필름을 제공하므로, 녹색 파장의 효율이 녹색 LED 칩을 사용하는 경우에 비해 파장 효율이 개선될 수 있다.Since the embodiment provides a green fluorescent film on at least one of a plurality of light emitting cells, the efficiency of the green wavelength can be improved compared to the case of using a green LED chip.
실시 예는 복수의 발광 셀 중 적어도 하나의 위에 적색 형광 필름을 배치하여, 적색 파장에 대해 적색 LED칩을 사용하는 경우에 비해 열적 안정성을 확보할 수 있다. In the embodiment, by disposing a red fluorescent film on at least one of a plurality of light emitting cells, thermal stability can be secured compared to the case of using a red LED chip for a red wavelength.
실시 예는 복수의 중 적어도 하나와 형광 필름 사이에 필터층을 배치하여, 컬러들의 색 순도를 개선시켜 줄 수 있다.In an embodiment, the color purity of colors may be improved by disposing a filter layer between at least one of the plurality of colors and the fluorescent film.
실시 예는 복수의 발광 셀 상에 배치된 형광 필름의 형광체를 교체가 용이하므로, 다양한 컬러의 구현이 가능한 효과가 있다.In the embodiment, since it is easy to replace the phosphor of the fluorescent film disposed on a plurality of light emitting cells, various colors can be realized.
실시 예는 발광 소자 내에 성장 기판을 구비하고 있어, 반도체층의 구조적인 안정성 및 제조 공정을 단순화시켜 줄 수 있다.The embodiment includes a growth substrate inside the light emitting device, and thus can simplify the structural stability of the semiconductor layer and the manufacturing process.
실시 예는 복수의 발광 셀을 갖는 발광 소자를 단위 픽셀로 할 경우, 픽셀의 교체가 용이할 수 있다.In the embodiment, when a light emitting device having a plurality of light emitting cells is used as a unit pixel, it is possible to easily replace pixels.
실시 예는 복수의 발광 셀을 갖는 발광 소자들을 배열할 경우, 디스플레이로 구현할 수 있는 효과가 있다. In the embodiment, when arranging light emitting elements having a plurality of light emitting cells, there is an effect that can be implemented as a display.
실시 예는 복수의 발광 셀을 갖는 단위 픽셀들이 배열된 조명 모듈 및 조명 장치의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment may improve the reliability of a lighting module and a lighting device in which unit pixels having a plurality of light emitting cells are arranged.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자의 배면 사시도이다.
도 3은 도 1의 발광 소자의 A-A측 단면도이다.
도 4는 도 3의 발광 소자의 부분 확대도이다.
도 5는 도 1의 발광 소자의 B-B측 단면도이다.
도 6은 도 6의 발광 소자의 다른 예이다.
도 7은 도 1의 발광 소자의 제1변형 예를 나타낸 평면도이다.
도 8은 도 1의 발광 소자의 제2변형 예를 나타낸 평면도이다.
도 9는 도 1의 발광 소자의 제3변형 예를 나타낸 평면도이다.
도 10은 도 1의 발광 소자의 제4변형 예를 나타낸 평면도이다.
도 11은 도 3의 발광 소자 내의 반사층의 다른 예이다.
도 12는 도 3의 발광 소자 내의 반사층의 다른 예이다.
도 13은 제2실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 14는 도 13의 발광 소자의 다른 예이다.
도 15는 제3실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 16은 도 15의 발광 소자의 다른 예이다.
도 17은 실시 예에 따른 조명 모듈을 나타낸 사시도이다.
도 18은 도 17의 조명 모듈의 배면도이다.
도 19 내지 도 25는 제1실시 예에 따른 발광 소자의 제조 과정을 나타낸 도면이다.
도 26 및 도 27은 제2실시 예에 따른 발광 소자의 제조 과정의 일부를 설명하기 위한 도면이다.1 is a perspective view showing a light emitting device according to a first embodiment.
FIG. 2 is a rear perspective view of the light emitting device of FIG. 1 .
3 is an AA-side cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 1 .
4 is a partially enlarged view of the light emitting device of FIG. 3 .
5 is a BB-side cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 1;
6 is another example of the light emitting device of FIG. 6 .
FIG. 7 is a plan view illustrating a first modified example of the light emitting device of FIG. 1 .
8 is a plan view illustrating a second modified example of the light emitting device of FIG. 1 .
FIG. 9 is a plan view illustrating a third modified example of the light emitting device of FIG. 1 .
FIG. 10 is a plan view illustrating a fourth modified example of the light emitting device of FIG. 1 .
11 is another example of a reflective layer in the light emitting device of FIG. 3 .
12 is another example of a reflective layer in the light emitting device of FIG. 3 .
13 is a side cross-sectional view of a light emitting device according to a second embodiment.
FIG. 14 is another example of the light emitting device of FIG. 13 .
15 is a side cross-sectional view of a light emitting device according to a third embodiment.
FIG. 16 is another example of the light emitting device of FIG. 15 .
17 is a perspective view illustrating a lighting module according to an embodiment.
18 is a rear view of the lighting module of FIG. 17;
19 to 25 are diagrams illustrating a manufacturing process of a light emitting device according to the first embodiment.
26 and 27 are diagrams for explaining a part of the manufacturing process of the light emitting device according to the second embodiment.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. Hereinafter, embodiments will be clearly revealed through the accompanying drawings and description of the embodiments. In the description of the embodiments, each layer (film), region, pattern or structure may be "on" or "under/under" the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case of being described as being formed on ", both "on/on" and "under/under" are formed "directly" or "indirectly" through another layer. include In addition, the criterion for the upper/upper or lower/lower of each layer will be described based on the drawings. Also, like reference numerals denote like elements throughout the description of the drawings.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자를 설명한다.Hereinafter, a light emitting device according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 사시도이고, 도 2는 도 1의 발광 소자의 배면 사시도이며, 도 3은 도 1의 발광 소자의 A-A측 단면도이며, 도 4는 도 3의 발광 소자의 부분 확대도이고, 도 5는 도 1의 발광 소자의 B-B측 단면도이다. 1 is a perspective view showing a light emitting device according to a first embodiment, FIG. 2 is a rear perspective view of the light emitting device of FIG. 1, FIG. 3 is an A-A cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 1, and FIG. 4 is the light emitting device of FIG. It is a partially enlarged view of the device, and FIG. 5 is a B-B side sectional view of the light emitting device of FIG. 1 .
도 1 내지 도 5를조하면, 발광 소자(100)는 복수의 리세스(112,114,116)를 갖는 몸체(110); 상기 몸체(110)의 각 리세스(112,114,116)에 배치된 발광 셀(131,133,135); 및 상기 발광 셀(131,133,135)을 포함한다.Referring to FIGS. 1 to 5 , the
상기 몸체(110)는 절연 재질 및 반사 재질 중 적어도 하나 또는 모두를 포함한다. 상기 몸체(110)는 반사 물질을 갖는 수지 재질을 포함한다. 상기 반사 물질은 금속 산화물을 포함할 수 있으며, 예컨대 TiO2, CaCO3, BaSO4, Al2O3와 같은 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 수지 재질은 실리콘, 에폭시, 폴리 실리콘(PS) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The
상기 몸체(110)는 제1축 방향의 제1길이(X1)와 제2축 방향의 제2길이(Y1)가 서로 같거나 다를 수 있다. 상기 제1길이(X1) 또는/및 상기 제2길이(Y1)는 상기 발광 소자(100)가 픽셀로 구현된 경우, 0.8mm 이상 예컨대, 0.8mm 내지 2mm 사이의 범위일 수 있으며, 상기 범위보다 큰 경우 예컨대 픽셀 사이즈가 커질 수 있고, 상기 범위보다 작은 경우 광도가 낮아질 수 있다. 상기 발광 소자(100)가 가로등이나 차량 조명등의 조명 소자로 구현될 경우, 상기 길이(X1,Y1)는 달라질 수 있다.The
상기 몸체(110)의 바닥 면적은 발광 셀(131,133,135)들의 광 출사 면적보다 더 큰 면적일 수 있다. 상기 몸체(110)의 두께(T1)는 400㎛ 이하일 수 있으며, 예컨대 200㎛ 내지 400㎛의 범위일 수 있으며, 상기 범위보다 작은 경우 발광 셀(131,133,135)의 반도체층에 손해를 줄 수 있고, 상기 범위보다 클 경우 발광 소자(100)의 두께가 증가하게 되며 이로 인한 재료 손실이 발생될 수 있다. A bottom area of the
도 3과 같이, 상기 몸체(110)는 복수의 리세스(112,114,116)를 가지며, 상기 복수의 리세스(112,114,116)는 적어도 2개 이상 예컨대, 3개 이상이 배치될 수 있다. 상기 리세스(112,114,116)의 개수는 발광 셀(131,133,135)의 개수와 동일할 수 있다. 상기 리세스(112,114,116)의 개수는 발광 소자(100)로부터 발광되는 컬러의 개수와 동일할 수 있다. As shown in FIG. 3 , the
상기 리세스(112,114,116)의 바닥(11)은 평탄한 면이거나, 요철 구조로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 리세스(112,114,116)의 바닥(11)은 상기 몸체(110)의 바닥 면에 인접하게 배치된 영역일 수 있다. 상기 복수의 리세스(112,114,116)는 예컨대, 제1 내지 제3리세스(112,114,116)를 포함하며, 상기 제1 내지 제3리세스(112,114,116)는 서로 이격되거나 분리되어 배치된다. 상기 각 리세스(112,114,116)는 상부 너비가 바닥 너비보다 넓게 배치될 수 있다. 상기 각 리세스(112,114,116)는 바닥 면적이 각 발광 셀(131,133,135)의 상면 면적보다 작을 수 있다. The
상기 몸체(110)는 상기 복수의 리세스(112,114,116) 사이에 배치된 격벽(21)을 포함한다. 상기 격벽(21)은 인접한 리세스(112,114,116)들을 서로 분리시켜 준다. 상기 격벽(21)은 인접한 발광 셀(131,133,135)들을 서로 접촉되지 않도록 분리시켜 준다. 상기 격벽(21)은 상부로 올라갈수록 좁은 너비를 가질 수 있다.The
상기 복수의 발광 셀(131,133,135) 각각은 상기 몸체(110)의 리세스(112,114,116)에 각각 배치될 수 있다. 상기 발광 셀(131,133,135)의 상면은 상기 몸체(110)의 상면(21)보다 돌출되지 않게 배치될 수 있다. 상기 발광 셀(131,133,135)의 상면은 상기 몸체(110)의 상면(21)과 동일한 수평 면으로 배치될 수 있다. Each of the plurality of light emitting
상기 리세스(112,114,116)의 깊이(T2)는 200㎛ 이하일 수 있으며, 예컨대 150㎛ 내지 200㎛의 범위일 수 있으며, 상기 리세스(112,114,116)의 깊이(T2)가 상기 범위보다 클 경우 발광 소자(100)의 두께(T1)가 두꺼워질 수 있고, 상기 범위보다 작을 경우 상기 투광성 기판(121)의 두께가 너무 얇아지거나 상기 투광성 기판(121)이 몸체(110)보다 위로 돌출될 수 있다. 상기 투광성 기판(121)의 두께가 너무 얇아질 경우 발광 소자(100)의 제조 시 핸들링에 어려움이 있고, 상기 투광성 기판(121)이 몸체(110)보다 위로 돌출될 경우 광이 혼색되거나 광 간섭이 발생될 수 있다.The depth T2 of the
상기 몸체(110) 중에서 상기 리세스(112,114,116)의 바닥(11)과 상기 몸체(110)의 하면 사이의 바닥 영역은 상기 리세스(112,114,116)의 깊이(T2)보다 작은 두께(T3)와 다를 수 있으며, 예컨대 두께(T3)는 깊이(T2)의 수치보다 작을 수 있다. 상기 몸체(110)의 바닥 영역의 두께(T3)는 200㎛ 이하일 수 있으며, 예컨대 150㎛ 내지 200㎛의 범위일 수 있다. 상기 바닥 영역의 두께(T3)가 상기 범위보다 두꺼운 경우 비아 형성이 어렵거나 발광 소자(100)가 두꺼워질 수 있고 상기 범위보다 얇은 경우 바닥 강성이 낮아지거나 습기 침투를 억제하는 데 어려움이 있다. Of the
상기 복수의 발광 셀(131,133,135)은 서로 동일한 피크 파장을 발광할 수 있다. 상기 복수의 발광 셀(131,133,135)은 제1광을 발광하며, 상기 제1광은 자외, 근자외, 자색, 또는 청색 광이 될 수 있다. 상기 제1광은 녹색 피크 파장보다 낮은 피크 파장의 광일 수 있다. 실시 예는 하나의 발광 소자(100)에 복수의 발광 셀(131,133,135)을 배치함으로써, 별도의 LED 칩들을 탑재하는 경우에 비해 공정 및 비용을 줄일 수 있고 또한 LED 칩들의 탑재할 수 있는 공간을 확보하지 않을 수 있다. The plurality of light emitting
도 3과 같이, 발광 소자(100)는 각 발광 셀(131,133,135)의 영역을 위한 피치(P1)는 서로 동일하거나, 어느 하나의 발광 셀(131,133,135)이 더 클 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 도 1 및 도 4와 같이, 각 발광 셀(131,133,135)은 너비(D1)가 상기 몸체(110)의 제1축 방향의 제1길이(X1)의 35% 이하 예컨대, 20% 내지 30%의 범위를 가질 수 있으며, 서로 동일한 너비(D1)를 가질 수 있다. 도 1 및 도 5와 같이, 각 발광 셀(131,133,135)의 길이(D2)는 상기 몸체(110)의 제1축 방향의 길이(Y1)의 60% 이상 예컨대, 80% 내지 95%의 범위를 가질 수 있다. 상기 각 발광 셀(131,133,135)의 길이(D2)는 너비(D1)보다 클 수 있으며, 예컨대 2배 이상 클 수 있다. As shown in FIG. 3 , the
상기 발광 셀(131,133,135) 각각은 복수의 반도체층을 갖는 발광 구조물(125)을 포함한다. 상기 각 발광 셀(131,133,135)의 반도체층은 동일한 적층 구조를 포함할 수 있다. 상기 각 발광 셀(131,133,135)에서 동일 위치의 반도체층들은 동일한 반도체로 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(125)은 제1도전성 반도체층(122), 활성층(123) 및 제2도전성 반도체층(124)을 포함한다. 상기 활성층(123)은 상기 제1도전성 반도체층(122) 아래에 배치되며, 상기 제2도전성 반도체층(124)은 상기 활성층(123) 아래에 배치될 수 있다. Each of the light emitting
상기 반도체층은 II족 내지 VI족 원소의 화합물 반도체 예컨대, III족-V족 원소의 화합물 반도체 또는 II족-VI족 원소의 화합물 반도체 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 제1도전성 반도체층(122)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제1도전성 반도체층(122)이 n형 반도체인 경우, Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함한다. 상기 제1도전성 반도체층(122)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The semiconductor layer may be formed of at least one of a compound semiconductor of a group II to VI element, for example, a compound semiconductor of a group III-V element or a compound semiconductor of a group II-VI element. The first
상기 활성층(123)은 상기 제1도전성 반도체층(122) 아래에 배치되며, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조, 양자 선 구조, 양자 점 구조로 형성될 수 있다. 상기 활성층(123)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층/장벽층의 주기, 예를 들면 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, InGaN/InAlGaN 또는 InGaN/AlGaN의 주기로 형성될 수 있다. 상기 활성층(123)의 위 또는/및 아래에는 도전성 클래드층이 형성될 수 있으며, 상기 도전성 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있다. The
상기 제2도전성 반도체층(124)은 상기 활성층(123) 아래에 배치되며, 제2도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제2도전성 반도체층(124)이 p형 반도체인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 Mg, Ze 등과 같은 p형 도펀트를 포함한다. 상기 제2도전성 반도체층(124)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있고, 이에 대해 한정하지는 않는다.The second
상기 발광 셀(131,133,135)들에 배치된 제1도전형 반도체층(122)들의 두께는 서로 동일할 수 있다. 상기 발광 셀(131,133,135)들에 배치된 활성층(123)들 두께는 서로 동일할 수 있다. 상기 발광 셀(131,133,135)들에 배치된 제2도전형 반도체층들의 두께는 서로 동일할 수 있다. 이는 동일한 공정으로 제조되므로, 서로 다른 발광 셀(131,133,135)에 배치된 반도체층의 적층 구조 및 두께는 동일할 수 있다. The thicknesses of the first conductive semiconductor layers 122 disposed on the
상기 발광 구조물(125)은 제1도전성 반도체층(122) 및 제2도전성 반도체층(124) 중 적어도 하나의 상면 또는/및 하면에 다른 반도체층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 구조물(125)은 예컨대, 복수의 반도체층의 적층 구조에 의해 n-p 접합, p-n 접합, n-p-n 접합, 및 p-n-p 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In the
상기 발광 구조물(125)은 상기 제2도전형 반도체층(124)의 하면 면적보다 상기 제1도전형 반도체층(122)의 상면 면적이 더 넓게 배치될 수 있다. 상기 발광 구조물(125)의 측면은 상기 몸체(110)의 바닥 면에 대해 경사지거나 수직하게 배치될 수 있다. In the
상기 발광 구조물(125)의 반도체층 중에서 적어도 하나 또는 일부는 상기 몸체(110)의 리세스(112,114,116)의 표면에 접촉될 수 있다. 예컨대, 제1도전성 반도체층(122)은 상기 몸체(110)의 리세스(112,114,116)의 표면에 접촉될 수 있다. At least one or a portion of the semiconductor layers of the
상기 발광 셀(131,133,135) 각각은 투광성 기판(121)을 포함할 수 있다. 상기 발광 셀(131,133,135)에 배치된 복수의 투광성 기판(121)은 상기 발광 구조물(125) 상에 배치될 수 있다. 상기 투광성 기판(121)은 상기 반도체층과 다른 재질로 형성될 수 있다. 상기 투광성 기판(121)은 상기 반도체층의 굴절률과 같거나 낮은 굴절률을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 투광성 기판(121)은 상기 발광 구조물(125)의 두께보다 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 상기 투광성 기판(121)은 상기 발광 구조물(125)의 상면 면적보다 더 넓은 상면 면적을 가질 수 있다. 이에 따라 상기 투광성 기판(121)은 발광 소자의 제조 공정시 지지할 수 있는 두께를 제공할 수 있고, 보다 넓은 광 추출 면적을 제공할 수 있다.Each of the light emitting
상기 복수의 투광성 기판(121)의 둘레는 상기 리세스(112,114,116)의 표면에 접촉될 수 있다. 상기 투광성 기판(121)의 상면은 상기 몸체(110)의 상면과 동일 수평 면으로 배치될 수 있다. 상기 복수의 투광성 기판(121)은 상기 몸체(110)의 상면보다 돌출되지 않으며, 서로 물리적으로 분리되어 될 수 있다. 이러한 투광성 기판(121)이 상기 몸체(110)의 상면보다 돌출되지 않게 배치되므로, 다른 발광 셀 간의 광 간섭을 줄여줄 수 있다. Perimeters of the plurality of light-transmitting
상기 투광성 기판(121)은, 예컨대, 투광성, 절연성 기판, 또는 전도성 기판일 수 있다. 상기 투광성 기판(121)은, 예컨대 투광성 및 절연성 기판을 포함한다. 상기 투광성 기판(121)은 사파이어 기판(Al2O3), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga2O3, 그리고 GaAs으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 투광성 기판(121)은 성장 기판일 수 있다. 상기 투광성 기판(121)의 하면에는 복수의 돌출부(미도시)가 형성될 수 있으며, 상기 복수의 돌출부는 상기 기판의 식각을 통해 형성하거나, 별도의 광 추출 구조로 형성될 수 있다. 상기 돌출부는 스트라이프 형상, 반구형상, 또는 돔(dome) 형상을 포함할 수 있다. The light-transmitting
상기 투광성 기판(121)의 두께는 200㎛ 이하 예컨대, 150㎛ 내지 200㎛의 범위일 수 있고, 상기 투광성 기판(121)의 두께가 상기 범위보다 작을 경우 발광 소자의 두께가 얇아져 핸들링이 어렵고 상기 범위보다 클 경우 격벽 형성에 어려움이 있다. The thickness of the light-transmitting
상기 발광 셀(131,133,135)은 상기 발광 구조물(125) 아래에 전극층(141)을 포함할 수 있다. 상기 전극층(141)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 상기 전극층(141)은 반사 전극층으로 기능할 수 있다. 상기 전극층(141)은 반사도가 80% 이상인 높은 금속 예컨대, Ag, Au 또는 Al 중 적어도 하나 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 상기 전극층(141)은 ITO(indium tin oxide), ITON(ITO nitride), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide) 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 전극층(141)은 상기한 물질들을 선택적으로 이용하여, 금속과 비 금속의 적층 구조를 가질 수 있다.The light emitting
발광 소자(100)는 각 발광 셀(131,133,135)의 일부 표면에 배치된 반사 부재(143)를 포함할 수 있다. 상기 반사 부재(143)는 상기 각 발광 셀(131,133,135)과 상기 몸체(110) 사이에 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(143)는 각 발광 셀(131,133,135)의 표면 및 상기 리세스(112,114,116)의 표면 사이에 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(143)는 상기 리세스(112,114,116)의 표면을 따라 접촉될 수 있다. The
상기 리세스(112,114,116)의 표면은 경사진 면으로 배치되므로, 리세스(112,114,116) 내에 배치된 상기 발광 셀(131,133,135)로부터 방출된 광의 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.Since the surfaces of the
상기 반사 부재(143)는 상기 리세스(112,114,116)의 바닥(11)에 배치되어, 상기 발광 구조물(125) 또는 전극층(141)의 아래에 위치할 수 있다. 상기 반사 부재(143)는 상기 발광 구조물(125)의 둘레에 배치되어, 상기 발광 구조물(125)의 측 방향으로 진행된 광의 누설을 차단할 수 있다. 상기 반사 부재(143)의 상단은 상기 발광 구조물(125)의 상면 높이보다 낮고 상기 활성층(123)의 상면 높이보다 높게 위치할 수 있다. 상기 반사 부재(143)의 상단은 상기 제1도전성 반도체층(122)의 상면보다 낮고 하면보다 높게 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(143)가 상기 활성층(123)보다 높게 배치됨으로써, 상기 활성층(123)을 통해 측 방향으로 방출된 광을 반사시켜 주어, 광 추출 효율의 저하를 방지할 수 있다. The
여기서, 상기 리세스(112,114,116)의 경사진 면 중에서 반사 부재(143)가 배치되지 않는 표면에는 제1도전성 반도체층(122) 및 상기 투광성 기판(121)의 측면이 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 제1도전성 반도체층(122) 및 상기 투광성 기판(121)의 측면으로 진행되는 광은 상기 리세스(112,114,116)의 표면에 의해 반사될 수 있다. 즉, 이는 반사 부재(143)의 높이를 낮추어줄 수 있다.Here, side surfaces of the first
도 4와 같이, 상기 반사 부재(143)는 상기 전극층(141)의 하면 및 측면, 상기 제2도전성 반도체층(124)의 측면, 상기 활성층(123)의 측면, 상기 제1도전성 반도체층(122)의 하부 측면에 접촉될 수 있다. 상기 반사 부재(143)의 일부(143B)는 상기 제2도전성 반도체층(124)의 외측 하면에 접촉될 수 있다. 상기 반사 부재(143)의 상단(143A)은 상기 제1도전성 반도체층(122)의 하부 둘레에 배치될 수 있다.4 , the
도 3 및 도 4와 같이, 상기 리세스(112,114,116) 내에는 적어도 하나의 단차 구조(12,13)를 포함하며, 상기 단차 구조(12,13)는 상기 활성층(123)의 위치보다 높게 배치될 수 있다. 이러한 단차 구조(12,13)는 상기 발광 구조물(125)의 메사 에칭 영역이거나 반사 부재(143)의 상단(143A)와의 경계 영역일 수 있다. 상기 리세스(112,114,116)의 단차 구조(12,13) 중 적어도 하나의 위에는 상기 반사 부재(143)가 배치될 수 있어, 상기 반사 부재(143)와 상기 리세스(112,114,116) 표면과의 접착 면적을 증가시켜 줄 수 있다. 이에 따라 상기 단차 구조(12,13)는 상기 리세스(112,114,116)의 표면을 통한 습기 침투를 억제할 수 있다.As shown in FIGS. 3 and 4 , at least one stepped
상기 리세스(112,114,116)의 하부 측면의 경사 각도(R1)와 상부 측면의 경사 각도(R2)는 서로 동일하거나 다를 수 있다. 이러한 각도(R1,R2)는 발광 셀(131,133,135)의 측면이나 반사 부재(143)의 측면 각도에 따라 다를 수 있다. 상기 하부 측면은 상기 단차 구조(12,13)보다 낮은 영역이며, 상기 상부 측면은 상기 단차 구조(12,13)보다 높은 영역일 수 있다. 상기 하부 측면 또는 상부 측면의 경사 각도(R1,R2)는 예컨대, 30도 이상 예컨대, 30도 내지 89도의 범위를 가질 수 있으며, 이러한 경사진 측면에 의해 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. An inclination angle R1 of the lower side of the
상기 반사 부재(143)는 단층 또는 다층 구조의 반사 층을 포함할 수 있다. 상기 반사 부재(143)는 절연성 재질로 형성될 수 있다. 상기 반사 부재(143)는 상기 발광 셀(131,133,135)의 표면에 배치될 수 있어, 상기 발광 셀(131,133,135)로부터 입사된 광을 반사시켜 줄 수 있다. 상기 반사 부재(143)는 예컨대, 분산형 브래그 반사(distributed bragg reflector: DBR) 구조로 형성될 수 있으며, 상기 분산형 브래그 반사 구조는 서로 다른 굴절률을 갖는 두 유전체층이 교대로 배치된 구조를 포함한다. 상기 유전체층은 예컨대, SiO2층, Si3N4층, TiO2층, Al2O3층, 및 MgO층 중 서로 다른 어느 하나를 각각 포함할 수 있다. The
다른 예로서, 상기 반사 부재(143)는 분산형 브래그 반사 구조와 무지향성 반사 구조를 모두 포함할 수 있으며, 이 경우 98% 이상의 광 반사율을 갖는 부재로 제공될 수 있다. 상기 무지향성 반사(ODR: Omni Directional Reflector layer) 구조로 적층될 수 있다. 상기 무지향성 반사 구조는 낮은 굴절률을 갖는 층과 반사 금속층의 적층 구조 예컨대, ITO/Ag의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 이러한 상기 반사 부재(143)는 상기 발광 셀(131,133,135)과 상기 몸체(110) 사이의 계면에서 전 방위 반사각을 개선시켜 줄 수 있다. As another example, the
상기 발광 소자(100) 내에 복수의 발광 셀(131,133,135)이 서로 다른 영역에 배치될 수 있어, 복수의 LED 칩를 실장하는 구성에 비해 제조 공정이 단축될 수 있고 비용을 줄일 수 있다. 또한 동일한 구동 전압으로 구동될 수 있어, 드라이버의 회로 구성이 간단하게 구현될 수 있다. 또한 발광 소자(100) 내에 복수의 발광 셀(131,133,135)을 배치함으로써, 광원의 면적이 증가되는 것을 방지할 수 있고, 발광 셀(131,133,135)들의 배열이 개별 LED 칩들을 실장하는 구조에 비해 간단할 수 있다.Since the plurality of light emitting
도 1 및 도 3과 같이, 실시 예에 따른 발광 소자(100)는 복수의 발광 셀(131,133,135) 중 적어도 하나의 위에 배치된 형광 필름(151,153)을 포함할 수 있다. 상기 형광 필름(151,153)은 상기 복수의 발광 셀(131,133,135) 중 적어도 2개 또는 그 이상의 위에 배치될 수 있다. 상기 형광 필름(151,153)은 상기 복수의 발광 셀(131,133,135) 중 적어도 하나를 제외한 영역에 배치된 복수의 형광 필름(151,153)을 포함한다. 상기 형광 필름(151,153)은 동일한 제1광에 의해 서로 다른 광을 방출할 수 있다. 실시 예는 복수의 발광 셀(131,133,135) 중 제1발광 셀(131)은 형광 필름(151,153) 없이 제1광을 방출하며, 제2,3발광 셀(133,135)은 서로 다른 제2,3광을 방출할 수 있다.As shown in FIGS. 1 and 3 , the
상기 형광 필름(151,153)은, 에폭시 또는 실리콘에 형광체가 함유되어 형성된 층이거나, 또는 형광체만으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 형광체층은 투명한 실리콘, 에폭시 또는 기타 수지 재질에 형광체를 함유한 후, 이를 발광 셀(133,135) 상에 도포하여 형성할 수 있다.The
도 3 및 도 4와 같이, 상기 형광 필름(151,153)사이의 영역(21A)의 너비(A4)는 상기 격벽(21)의 너비(A3)와 같거나 좁을 수 있으며, 상기 A4<A3인 경우 형광 필름(151,153)이 격벽(21) 상에 오버랩되게 배치될 수 있다. 여기서, 격벽(21)의 너비(A3)는 몸체(110)의 외측 상면(21)의 너비(A5)의 1.5배 이상 넓을 수 있다. 3 and 4, the width A4 of the
상기 형광 필름(151,153)은 예컨대, 제1 및 제2형광 필름(151,153)을 포함하며, 상기 제1형광 필름(151)은 제2발광 셀(133) 상에 배치되며, 상기 제2형광 필름(153)은 제3발광 셀(135) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1형광 필름(151)은 제2광을 발광하며, 상기 제2형광 필름(153)은 제3광을 발광한다. 상기 제1형광 필름(151)은 상기 제1광이 여기된 제2광 예컨대, 녹색의 광을 발광할 수 있으며, 상기 제2형광 필름(153)은 상기 제2광이 여기된 제3광 예컨대, 적색의 광을 발광할 수 있다. 실시 예에 따른 발광 소자(100)는 서로 다른 광이 방출되므로, 연색성을 높여줄 수 있으며, 상기 청색 광을 여기시켜 녹색 및 적색의 광을 발광시켜 주므로 녹색 파장의 효율이 증가될 수 있고 적색 LED 칩을 이용할 경우에 비해 열적 안정성을 제공하고 적색 광의 손실을 줄일 수 있다.The
상기 제1형광 필름(151)은 녹색 형광체를 포함할 수 있다. 상기 제1형광 필름(151)은, 570nm 이하 예컨대, 500nm 내지 560nm의 피크 파장을 발광할 수 있다. 상기 제1형광 필름(151)은 녹색 형광체 예컨대, 예컨대, (Y,Gd,Lu,Tb)3(Al,Ga)5O12:Ce, (Mg,Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu, (Ca,Sr)3SiO5:Eu, (La,Ca)3Si6N11:Ce, α-SiAlON:Eu, β-SiAlON:Eu, Ba3Si6O12N2:Eu, Ca3(Sc,Mg)2Si3O12:Ce, CaSc2O4:Eu, BaAl8O13:Eu, (Ca,Sr,Ba)Al2O4:Eu, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga,In)2S4:Eu, (Ca,Sr)8(Mg,Zn)(SiO4)4Cl2:Eu/Mn, (Ca,Sr,Ba)3MgSi2O8:Eu/Mn, (Ca,Sr,Ba)2(Mg,Zn)Si2O7:Eu, Zn2SiO4:Mn, (Y,Gd)BO3:Tb, ZnS:Cu,Cl/Al, ZnS:Ag,Cl/Al, (Sr,Ca)2Si5N8:Eu, (Li,Na,K)3ZrF7:Mn, (Li,Na,K)2(Ti,Zr)F6:Mn, (Ca,Sr,Ba)(Ti,Zr)F6:Mn, Ba0.65Zr0.35F2.7:Mn, (Sr,Ca)S:Eu, (Y,Gd)BO3:Eu, (Y,Gd)(V,P)O4:Eu, Y2O3:Eu, (Sr,Ca,Ba,Mg)5(PO4)3Cl:Eu, (Ca,Sr,Ba)MgAl10O17:Eu, (Ca,Sr,Ba)Si2O2N2:Eu, 3.5MgOㆍ0.5MgF2ㆍGeO2:Mn 등 중에서 한 종류 또는 2종류 이상이 선택될 수 있다. 상기 녹색 형광체는 양자점(quantum dot)을 포함할 수 있으며, 상기 양자점은 II-VI 화합물, 또는 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 녹색 광을 발광할 수 있다. 상기 양자점은 예컨대, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS2, CuInSe2 등과 같은 것들 및 이들의 조합이 될 수 있다. The first
상기 제1형광 필름(151) 내에는 다른 종류의 형광체 예컨대, 황색이나 앰버(amber)와 같은 형광체를 상기 녹색 형광체의 함량보다 작은 함량으로 가질 수 있다.In the first
상기 제2형광 필름(153)은 적색 형광체를 포함할 수 있으며, 620nm 이상의 피크 파장 예컨대, 620nm 내지 740nm의 파장을 발광할 수 있다. 상기 적색 형광체는, 불화물(fluoride) 화합물의 형광체를 포함할 수 있으며, 예컨대 MGF계 형광체, KSF계 형광체 또는 KTF계 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 MGF계 형광체는 예컨대, Mg4Ge1-xOyF:Mn4+ x의 조성식을 가지며, 상기 x는 0.001 ≤ x ≤ 0.1를 만족하며, y는 1 ≤ y ≤5를 만족할 수 있다. 상기 KSF계 형광체 예컨대, KaSi1 - cFb:Mn4 + c의 조성식을 가질 수 있으며, 상기 a는 1 ≤ a ≤ 2.5, 상기 b는 5 ≤ b ≤ 6.5, 상기 c는 0.001 ≤ c ≤ 0.1를 만족할 수 있다. 상기 KTF계 형광체 예컨대, KdTi1 - gFe: Mn4 + g의 조성식을 가질 수 있으며, 상기 d는 1 ≤ d ≤ 2.5, 상기 e는 5 ≤ e ≤ 6.5, 상기 g는 0.001 ≤ g ≤ 0.1를 만족할 수 있다. 상기 적색 형광체는 Mn4+ 활성제 형광체인 불화물 화합물 형광체는 높은 발광 효율을 가지며 청색 피크 파장에서 강한 흡수를 갖게 된다. 상기 적색 형광체는 황화물계 형광체 예컨대, (Ca,Sr)S:Eu2+ 또는 질화물계 예컨대, CaAlSiN3:Eu2 + 형광체를 포함할 수 있다. 상기 형광체들의 활성체는 Mn4 + 등의 4가 전이금속 이온이거나, 각종 희토류 이온이나 전이금속 이온에서 선택되는 금속 이온을 필요에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면, Eu2 + , Ce3 +, Pr3+, Nd3 +, Sm3 +, Eu3 +, Gd3 +, Tb3 +, Dy3 +, Ho3 +, Er3 +, Tm3 +, Yb3 + 등의 3가 희토류금속 이온, Sm2+, Eu2 +, Yb2 + 등의 2가 희토류금속 이온, Mn2 + 등의 2가 전이금속이온, Cr3 +이나 Fe3 + 등의 3가 전이금속이온 등이다. 상기 적색 형광체는 양자점(quantum dot)을 포함할 수 있으며, 상기 양자점은 II-VI 화합물, 또는 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 녹색 광을 발광할 수 있다. 상기 양자점은 예컨대, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS2, CuInSe2 등과 같은 것들 및 이들의 조합이 될 수 있다. The second
상기 제2형광 필름(153)은 다른 종류의 형광체 예컨대, 황색이나 앰버(amber)와 같은 형광체를 상기 적색 형광체의 함량보다 작은 함량으로 가질 수 있다.The second
상기 제1형광 필름(151)의 하면 면적은 상기 제2발광 셀(133)의 상면 면적 예컨대, 투광성 기판(121)의 상면 면적과 같거나 클 수 있다. 이에 따라 상기 제1형광 필름(151)은 상기 제2발광 셀(133)로부터 방출된 제1광의 입사 효율의 저하를 방지할 수 있고 광 손실을 줄일 수 있다. 상기 제2형광 필름(153)의 하면 면적은 상기 제3발광 셀(135)의 상면 면적 예컨대, 투광성 기판(121)의 상면 면적과 같거나 클 수 있다. 이에 따라 상기 제2형광 필름(153)은 상기 제3발광 셀(135)로부터 방출된 광의 입사 효율의 저하를 방지할 수 있고 광 손실을 줄일 수 있다.The area of the lower surface of the first
실시 예에 따른 발광 소자(100)는 복수의 발광 셀(131,133,135) 중 적어도 하나 또는 2개 이상에 서로 다른 종류의 형광 필름(151,153)을 배치할 수 있어, 다양한 종류의 컬러를 발광할 수 있다. 또한 실시 예는 발광 소자(100) 내에서 형광 필름의 교체나 형광체 종류를 변경할 수 있는 효과가 있다. In the
실시 예에 따른 형광 필름(151,153)과 일부 발광 셀(133,135)의 상면 사이에는 접착층(미도시) 예컨대, 투과성 접착제가 배치될 수 있다. 상기 투광성 접착제는 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함할 수 있다. An adhesive layer (not shown), for example, a transmissive adhesive, may be disposed between the upper surfaces of the
실시 예에 따른 발광 소자(100)는, 복수의 발광 셀(131,133,135)을 통해 제1광이 방출되며, 상기 제1발광 셀(131)은 제1광을 방출하며, 상기 제1형광 필름(151)은 제2광을 방출하고, 상기 제2형광 필름(153)은 제3광을 방출하게 된다. 이때 상기 복수의 발광 셀(131,133,135)은 선택적으로 개별 구동될 수 있어, 제1내지 제3광 중 적어도 하나 또는 2개 이상이 방출될 수 있다. In the
도 2, 도 3 및 도 5와 같이, 상기 발광 소자(100)는 상기 몸체(110)의 바닥 면에 복수의 패드(171,173,175,177)를 포함하며, 상기 복수의 패드(171,173,175,177)는 상기 복수의 발광 셀(131,133,135)에 연결된 제1패드(171), 및 상기 각 발광 셀(131,133,135)에 각각 연결된 복수의 제2패드(173,175,177)를 포함한다. 상기 제1패드(171)는 상기 각 발광 셀(131,133,135)의 제2길이 방향과 직교하는 방향으로 배치될 수 있다. 상기 제1패드(171)는 복수의 발광 셀(131,133,135)과 수직 방향으로 오버랩되며, 제1축 방향(X)으로 긴 길이를 가질 수 있다. 상기 제1패드(171)는 각 발광 셀(131,133,135)의 제1도전성 반도체층(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 2, 3 and 5, the
상기 제2패드(173,175,177)는 상기 각 발광 셀(131,133,135) 예컨대, 제1,2,3발광 셀(131,133,135)과 수직 방향으로 각각 오버랩되게 배치될 수 있다. 상기 제2패드(173,175,177)들 각각은 각 발광 셀(131,133,135)에 연결되어, 각 발광 셀(131,133,135)들에 병렬로 연결될 수 있다. 상기 제1패드(171) 및 제2패드(173,175,177)는 금속 재질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1,2패드(171,173,175,177)는 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나 또는 이들의 선택적 합금으로 형성될 수 있다.The
상기 몸체(110) 중에서 상기 각 발광 셀(131,133,135) 아래의 영역에는 복수의 구멍(도 5의 180,182)이 배치될 수 있다. 상기 복수의 구멍(180,182)에는 연결 전극(181,183,185,187)이 각각 배치될 수 있다. 상기 몸체(110) 내에는 상기 제1패드(171)에 연결된 제1연결 전극(181)이 배치되며, 상기 제1연결 전극(181)은 몸체(110)의 구멍(180)에 배치되며, 상기 각 발광 셀(131,133,135)의 제1도전성 반도체층(122)과 제1패드(171)를 연결해 준다. 여기서, 상기 각 발광 셀(131,133,135)의 제1도전성 반도체층(122)에는 제1전극(181A)이 각각 배치될 수 있으며, 상기 제1전극(181A)들은 상기 제1연결 전극(181)을 통해 제1패드(171)에 공통으로 연결될 수 있다. A plurality of holes ( 180 and 182 in FIG. 5 ) may be disposed in an area of the
상기 몸체(110) 내에는 상기 제2패드(173,175,177)들 각각에 연결된 복수의 제2연결 전극(183,185,187)이 배치될 수 있다. 상기 복수의 제2연결 전극(181,185,187)은 상기 몸체(110)의 구멍(도 5의 182)에 배치되며 상기 각 발광 셀(131,133,135)의 제2도전성 반도체층(124) 또는/및 전극층(141) 중 적어도 하나에 연결될 수 있다. 상기 제1,2연결 전극(181,183,185,187)은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나 또는 이들의 선택적 합금으로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.A plurality of
다른 예로서, 도 6을 참조하면, 상기 몸체(110)의 구멍들(180,182) 중 어느 하나 예컨대, 제1연결 전극(181)이 배치된 영역에는 절연층(181A)이 배치될 수 있다. 상기 제1연결 전극(181)은 절연층(181A)에 의해 상기 발광 셀의 전극층(141) 및 제2도전성 반도체층(124)과 전기적으로 절연될 수 있다. 상기 제1연결 전극(181)은 제1도전성 반도체층(122)에 직접 연결되거나, 별도의 접촉 전극을 이용하여 연결될 수 있다. As another example, referring to FIG. 6 , an insulating
실시 예는 도 2와 같이, 발광 소자(100)의 하면 예컨대, 몸체(110)의 하면에 복수의 패드(171,173,175,177)에 의해 도 3의 복수의 발광 셀(131,133,135)들을 병렬로 연결시켜 주고, 선택 구동할 수 있다. 또한 도 2와 같이 발광 소자(100)는 하나 또는 복수개가 회로 기판(미도시) 상에 배열될 수 있고, 드라이버를 통해 구동이 제어될 수 있다. 이 경우 상기 발광 소자(100)의 패드(171,173,175,177)들에 의해 회로 기판의 본딩이 용이하고 드라이버의 회로 연결이 간단하게 구성될 수 있다. As shown in FIG. 2, the plurality of light-emitting
도 7 내지 도 10은 실시 예에 따른 형광 필름의 변형 예들을 설명한 발광 소자를 나타낸 평면도이다.7 to 10 are plan views illustrating light emitting devices illustrating modified examples of a fluorescent film according to an embodiment.
도 7를 참조하면, 발광 소자는 복수의 발광 셀(131,133,135)로부터 방출된 제1광이 근 자외 또는 자외선 광일 수 있으며, 상기 복수의 발광 셀(131,133,135) 상에는 제1내지 제3형광 필름(151,152,153)이 배치된다. 상기 제1형광 필름(151)은 녹색의 광을 방출하며, 상기 제2형광 필름(153)은 적색의 광을 방출하며, 상기 제3형광 필름(150)은 청색의 광을 방출할 수 있다. 이러한 발광 소자는 적색, 녹색 및 청색의 광을 방출할 수 있고, 발광 셀(131,133,135)들을 개별 구동으로 제어할 수 있다. 이러한 복수의 발광 셀(131,133,135)을 선택적으로 구동할 수 있고, 형광 필름(151,153,150)들에 의해 적색, 녹색 및 청색의 광이 방출될 수 있다. 이러한 발광 소자는 자외선 광을 이용한 단위 픽셀(pixel)로 제공할 수 있다. Referring to FIG. 7 , in the light emitting device, the first light emitted from the plurality of light emitting
상기 형광 필름(151,153,150) 사이의 영역(21A)의 너비(A3)는 서로 동일하거나 다를 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. Widths A3 of the
도 8 및 도 9를 참조하면, 발광 소자는 복수의 발광 셀(131,132,133,135) 예컨대, 4개 또는 그 이상의 발광 셀(131,132,133,135)을 배치하고, 제1발광 셀(131)은 청색 광을 방출하며, 나머지의 발광 셀들(132,133,135) 상에는 서로 다른 종류의 제1 내지 제3형광 필름(151,153,152)이 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제3형광 필름(151,153,152)은 녹색 형광 필름, 적색 형광 필름, 및 황색 형광 필름을 포함할 수 있다. 상기 황색 형광 필름은 황색 광을 방출하는 황색 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 황색 형광체는 N 원소를 포함하고, Mg, Ca, Sr, Ba, 및 Zn 원소로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 2개의 원소를 포함한다. 이러한 황색 형광체의 조성물에 형광체 모체로서, 예를 들면, Eu2 + 이온을 활성제로 첨가한 경우, 상기 황색 형광체의 조성물은 자외, 근자외, 자색, 청색 광으로 여기하고, 황색의 난색계의 광을 발광하게 된다. 상기 황색 형광체의 예로서, (Sr,Ba)1Si2O2N2:Eu2 +를 포함할 수 있으며, 다른 예로서, (SrXCa1-X)2Si5N8:Eu2 +, Sr2Si5N8:Eu2 +, Ca2Si5N8:Eu2 +, SrXCa1 - XSi7N10:Eu2 +, SrSi7N10:Eu2 +, CaSi7N10:Eu2 +, Ca1.5A13Si9N16:Eu2+, CaSiA12O3N2:Eu2 +, YAG:Ce로 표현되는 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.8 and 9, the light emitting device arranges a plurality of light emitting cells (131, 132, 133, 135), for example, four or more light emitting cells (131, 132, 133, 135), the first
다른 예로서, 도 8에 도시된 제3형광 필름(152)은 녹색 형광 필름이거나 적색 형광 필름을 배치하여, 동일한 형광 필름을 복수로 배치하여 컬러의 부족한 광도를 보상할 수 있다. As another example, the third
도 9와 같이, 발광 소자가 5개의 발광 셀(131,132,133,134,135)을 구비한 경우, 제1발광 셀(131)을 제외한 발광 셀(132,133,134,135)들 상에 서로 다른 제1 내지 제4형광 필름(151,153,152,154)이 배치될 수 있다. 상기 제 1내지 제4형광 필름(151,153,152,154)은, 녹색 형광 필름, 적색 형광 필름, 황색 형광 필름, 청색 형광 필름을 포함할 수 있다. 상기 황색 형광 필름은 황색 형광체를 포함하며, 상기 청색 형광 필름은 상기 발광 셀(131,132,133,134,135)로부터 방출된 광보다 장 파장의 광을 방출하는 청색 형광체를 포함할 수 있다. 상기 청색 형광체는, 450nm 이상의 청색 파장을 방출하는 형광체를 포함할 수 있으며, 황화물, 산황화물, 질화물계, 또는 산질화물계 형광체를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 9 , when the light emitting device includes five light emitting
도 10은 실시 예에 따른 발광 셀의 사이즈가 다른 예를 나타낸 도면이다. 10 is a diagram illustrating an example in which the size of a light emitting cell according to an embodiment is different.
도 10을 참조하면, 제1 내지 제3발광 셀(131,133,135)의 탑뷰 형상은 다각형 형상이며, 제1발광 셀(131)은 직사각형 형상이고 제2,3발광 셀(132,133)은 정 사각형 형상을 가질 수 있다. 상기 제1발광 셀(131)은 상기 제2,3발광 셀(133,135)의 일 측으로 긴 길이(D2)를 갖고 배치될 수 있다. 상기 제2,3발광 셀(133,135)은 서로 평행하게 배치될 수 있으며 상기 제1발광 셀(131)의 길이(D2)보다 짧은 길이(D3)를 가질 수 있으며, 상기 길이(D2)는 길이(D3)의 1.5배 이상일 수 있다. 실시 예의 발광 소자는 제2,3발광 셀(133,135) 상에 형광 필름(151,153)이 배치되어, 제1발광 셀(131)로부터 방출된 제1광과, 형광 필름(151,153)으로부터 방출된 제2,3광을 이용하여, 다색 광원을 제공할 수 있다. Referring to FIG. 10, the top view shape of the first to third light emitting
도 11은 실시 예에 따른 발광 셀의 다른 예로서, 발광 셀(131,133,135)은 발광 구조물(125) 아래에 전극층(141A)이 배치될 수 있다. 상기 전극층(141A)은 반사 금속층이 아닌, 투명 전극층으로 배치될 수 있다. 상기 투명 전극층은 실시 예에 개시된, 금속 산화물, 금속 질화물, 또는 금속 산질화물계 물질을 포함할 수 있다. 상기 전극층(141A)이 투명 전극층으로 배치된 경우, 제2도전성 반도체층(124)로 공급되는 전류를 확산시켜 줄 수 있다. 상기 전극층(141A)이 투명 전극층인 경우, 상기 전극층(141A)은 반사 부재(143)에 접촉될 수 있다. 여기서, 상기 반사 부재(143)는 상기 발광 셀(131,133,135)의 하부 및 둘레에 배치되며, 상기 발광 구조물(125)의 하부로 진행되는 광을 반사시켜 줄 수 있다.11 is another example of a light emitting cell according to an embodiment. In the
상기 발광 셀(131,133,135)의 일부 예컨대, 투광성 기판(121)의 상부 외측에는 적어도 하나의 돌출부(20)가 배치될 수 있으며, 상기 돌출부(20)는 리세스(112,114,115)의 표면보다 몸체(110)의 내부로 돌출될 수 있다. At least one
도 12는 실시 예에 따른 발광 셀의 변형 예로서, 발광 셀(131,133,135)은 하부에 전극층(141)이 투명한 전극층 또는 투명 전극층/금속 반사층의 적층 구조로 배치될 수 있으며, 발광 셀(131,133,135)의 하부 및 둘레에는 반사 부재(143)가 배치된다. 상기 반사 부재(143)는 상기 리세스(112,114,116)의 표면 전체에 배치되어, 상기 발광 구조물(125)로부터 방출된 광을 반사시켜 줄 수 있다. 상기 반사 부재(143)의 상단은 상기 발광 셀(131,133,135)과 몸체(110) 사이의 계면을 통해 노출되거나, 상기 투광성 기판(121)의 상면보다 낮게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(143)의 상단이 몸체(110)의 상면에 노출될 경우, 형광 필름(도 3의 151,153)과 접촉될 수 있으며, 상기 형광 필름의 접착력이 강화될 수 있다. 12 is a modified example of a light emitting cell according to an embodiment. In the
도 13은 제2실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 제2실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분은 제1실시 예의 설명을 참조하기로 하며, 도 1 내지 도 12에 개시된 구성과 선택적으로 병합될 수 있다.13 is a side cross-sectional view showing a light emitting device according to a second embodiment. In the description of the second embodiment, the same parts as the first embodiment will be referred to the description of the first embodiment, and the configuration disclosed in FIGS. 1 to 12 can be selectively merged.
도 13을 참조하면, 발광 소자는 복수의 리세스(112,114,116)를 갖는 몸체(110), 상기 복수의 리세스(112,114,116) 각각에 배치된 복수의 발광 셀(131,133,135), 및 상기 복수의 발광 셀(131,133,135) 중 적어도 하나의 위에 배치된 적어도 한 종류의 형광 필름(151,153), 상기 몸체(110) 상에 배치된 차단 벽(115)을 포함한다. 13, the light emitting device includes a
상기 차단 벽(115)은 상기 형광 필름(151,153)의 외측 둘레에 배치될 수 있다. 상기 차단 벽(115)은 상기 발광 셀(131,133,135)의 상면의 외측 둘레에 배치될 수 있다. 상기 차단 벽(115)은 상기 발광 셀(131,133,135)의 영역이 오픈되며, 상기 몸체(110)의 상면(22) 및 격벽(21)의 상면을 따라 배치될 수 있다. 상기 차단 벽(115)의 두께 또는 높이는 상기 형광 필름(151,153)의 두께와 같거나 두꺼울 수 있다. 이러한 차단 벽(115)은 형광 필름(151,153)으로부터 방출된 광 간의 간섭이나, 제1발광 셀(131,133,135)로부터 방출된 광과 형광 필름(151,153)을 통해 방출된 광들의 간섭을 방지할 수 있다. 상기 차단 벽(115)의 측면은 수직한 면이거나 경사진 면일 수 있으며, 상기 경사진 면에 의해 오픈 영역의 상부 너비는 하부 너비보다 더 넓을 수 있다. 이러한 차단 벽(115)이 경사진 면으로 형성됨으로써, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있고 구조물을 안정화시켜 줄 수 있다.The blocking
상기 차단 벽(115)은 반사 물질을 갖는 수지 재질로 형성되거나, 마스크 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 반사 물질은 반사 물질을 갖는 수지 재질을 포함한다. 상기 반사 물질은 금속 산화물을 포함할 수 있으며, 예컨대 TiO2, CaCO3, BaSO4, Al2O3와 같은 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 수지 재질은 실리콘, 에폭시, 폴리 실리콘(PS) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 마스크 패턴은 감광성 재질이거나 레지스트(resist) 재질로 형성될 수 있다. 상기 차단 벽(115)은 광을 반사하는 백색 재질이거나 광을 흡수하는 흑색 재질일 수 있으며, 광들 간의 간섭을 방지할 수 있다. The blocking
상기 차단 벽(115)의 너비는 상기 격벽(22)의 상면 너비(A3)와 몸체(110)의 외측 상면의 너비(A5)에 따라 달라질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 차단 벽(115)의 하면 면적은 상기 몸체(110)의 상면 면적보다 더 넓게 배치될 수 있다. 상기 차단 벽(115)은 상기 리세스(112,114,116)의 외측에 배치된 영역의 상면과 동일하거나 더 넓게 배치되어, 형광 필름(151,153)들 사이에서의 광 간섭을 줄여줄 수 있다. The width of the blocking
도 14는 도 13의 차단 벽의 변형 예로서, 차단 벽(115)의 상면은 상기 형광 필름(151,153)의 상면보다 높게 배치될 수 있다. 상기 차단 벽(115)이 상기 형광 필름(151,153)보다 높게 배치됨으로써, 형광 필름(151,153)의 측면을 통해 다른 영역을 진행하는 광들 간의 간섭을 차단하여 색 순도를 개선시켜 줄 수 있다. 상기 차단 벽(115)의 너비는 상기 격벽(22)의 상면 너비(A3) 또는 몸체(110)의 외측 상면의 너비(A5)보다 넓을 수 있다. 이러한 차단 벽(115)은 발광 셀(131,133,135)의 외측 상면과 수직 방향으로 오버랩되게 배치될 수 있다.FIG. 14 is a modified example of the blocking wall of FIG. 13 , and upper surfaces of the blocking
도 13 및 도 14에 도시된, 차단 벽(115)은 형광 필름(151,153)들의 측면을 지지하는 접착 부재일 수 있다. 상기 접착 부재는 투광성 또는 비 투광성 재료를 포함할 수 있다.The blocking
실시 예에 따른 제1,2실시 예에 개시된 발광 소자(들) 상에는 광학 부재가 더 배치될 수 있으며, 예컨대 상기 광학 부재는 확산 시트, 프리즘 시트와 같은 시트가 배치가 배치되거나, 광학 렌즈가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. According to the embodiment, an optical member may be further disposed on the light emitting device(s) disclosed in the first and second embodiments. For example, the optical member may be a sheet such as a diffusion sheet or a prism sheet, or an optical lens may be disposed. may be, but is not limited thereto.
도 15는 제3실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 도면이다. 제3실시 예를 설명함에 있어서, 제1,2실시 예에 개시된 구성과 동일한 부분은 상기의 설명을 참조하기로 한다. 상기 제3실시 예의 구성은 도 1내지 도 16에 개시된 구성과 선택적으로 결합될 수 있다.15 is a view showing a light emitting device according to a third embodiment. In describing the third embodiment, the same parts as those disclosed in the first and second embodiments will be referred to the above description. The configuration of the third embodiment may be selectively combined with the configurations disclosed in FIGS. 1 to 16 .
도 15를 참조하면, 발광 소자는 복수의 리세스(112,114,116)를 갖는 몸체(110), 상기 복수의 리세스(112,114,116) 각각에 배치된 복수의 발광 셀(131,133,135), 및 상기 복수의 발광 셀(131,133,135) 중 적어도 하나의 위에 배치된 적어도 한 종류의 형광 필름(151,153), 및 상기 형광 필름(151,153) 상에 배치된 필터층(161,163)을 포함한다. 15, the light emitting device includes a
상기 발광 소자는 상기 형광 필름(151,153) 상에 배치된 필터층(161,163)을 포함하며, 상기 필터층(161,163)은 상기 형광 필름(151,153)의 개수와 동일한 개수로 배치될 수 있다. 상기 필터층(161,163)은 형광 필름(151,153)을 통과한 광 중에서 다른 파장의 광을 반사하거나 차단하게 된다.The light emitting element includes filter layers 161 and 163 disposed on the
상기 필터층(161,163)은 특정 파장 대역의 광을 선택적으로 투과시키기 위한 필터층일 수 있다. 예를 들어, 상기 필터층(161,163)은 단파장 투과 필터층(short-wave pass filter layer), 장파장 투과 필터층(long-wave pass filter layer), 대역 투과 간섭 필터층(bandpass interference filter layer) 중 어느 하나로 구현될 수 있다. 상기 단파장 투과 필터층은 자외선광이나 청색광과 같은 단파장 대역의 광은 투과시키고, 가시광선은 반사시키는 투과특성을 가진다. 상기 장파장 투과 필터층은 자외선광이나 청색광은 반사시키고 가시광선은 투과시키는 투과 특성을 가진다. 상기 대역 투과 간섭 필터층은 단파장 투과 필터층과 장파장 투과 필터층의 특성들을 함께 가질 수 있다. 대역 투과 간섭 필터층의 장파장 측은 장파장 투과 필터층의 특성을 가질 수 있으며, 단파장 측은 단파장 투과 필터층의 특성을 가질 수 있다. The filter layers 161 and 163 may be filter layers for selectively transmitting light of a specific wavelength band. For example, the filter layers 161 and 163 may be implemented as any one of a short-wave pass filter layer, a long-wave pass filter layer, and a bandpass interference filter layer. there is. The short-wavelength transmission filter layer transmits light in a short-wavelength band such as ultraviolet light or blue light and reflects visible light. The long-wavelength transmission filter layer has transmission characteristics of reflecting ultraviolet light or blue light and transmitting visible light. The band pass interference filter layer may have characteristics of both the short wavelength pass filter layer and the long wavelength pass filter layer. The long wavelength side of the band pass interference filter layer may have characteristics of a long wavelength pass filter layer, and the short wavelength side may have characteristics of a short wavelength pass filter layer.
상기 필터층(161,163)은 발광 셀(131,133,135) 중에서 상기 형광 필름(151,153)의 아래에 배치된 발광 셀(133,135)로부터 방출된 제1광의 적어도 일부를 반사할 수 있다. 상기 필터층(161,163)은 세라믹 계열의 유전체층을 포함할 수 있으며, 복수의 층을 포함할 수 있다. 상기 필터층(161,163)이 복수의 유전체층으로 형성되는 경우, 복수의 유전체층은 서로 다른 굴절률을 가지는 적어도 2층의 페어가 반복된 구조로 형성될 수 있다. 이때, 형광 필름(151,153)과 접하는 유전체층의 굴절율이 다른 유전체층의 굴절률보다 더 클 수 있다. The filter layers 161 and 163 may reflect at least a portion of the first light emitted from the
상기 각 유전체층의 두께는 λ/(4n×cosθ)(단, λ는 빛의 파장, n은 각 유전체 층의 굴절률, θ는 빛의 기판에 대한 입사각)일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 유전체층의 적층 수는 복수의 주기로 형성될 수 있으며, 상기 유전체층들의 적층 수 또는 두께에 따라 파장의 반사율을 조절할 수 있으며, 이러한 유전체층의 재질 및 적층 수에 한정되는 것은 아니다. 상기 유전체층들은 SiO2층 및 TiO2층을 포함할 수 있다. The thickness of each dielectric layer may be λ/(4n×cosθ) (where λ is the wavelength of light, n is the refractive index of each dielectric layer, and θ is the incident angle of light to the substrate), but is not limited thereto. In addition, the number of layers of the dielectric layer may be formed in a plurality of cycles, and the reflectance of wavelengths may be adjusted according to the number or thickness of the layers of the dielectric layer, and the dielectric layer is not limited to the material and the number of layers. The dielectric layers may include a SiO 2 layer and a TiO 2 layer.
제1형광 필름(151) 상에 배치된 제1필터층(161)은 제1형광 필름(151)을 통해 방출된 광 중에서 제1광의 적어도 일부를 반사하거나 차단하게 된다. 예컨대, 상기 제1광이 청색 광이면, 상기 제1형광 필름(151)을 통해 방출된 청색 광의 적어도 일부를 반사하거나 차단하게 된다. 이에 따라 제1형광 필름(151)을 통해 방출된 제2광의 색 순도를 개선시켜 줄 수 있다. The
제2형광 필름(153) 상에 배치된 제2필터층(163)은 제2형광 필름(153)을 통해 방출된 광 중에서 제1광의 적어도 일부를 반사하거나 차단하게 된다. 예컨대, 상기 제1광이 청색 광이면, 상기 제2형광 필름(153)을 통해 방출된 청색 광의 적어도 일부를 반사하거나 차단하게 된다. 이에 따라 상기 제2형광 필름(153)을 통해 방출된 제3광의 색 순도를 개선시켜 줄 수 있다. The
상기 제1,2필터층(161,163)은 발광 셀(131,133,135)이 자외선 광을 방출하는 경우, 자외선 광을 모두 반사하거나 차단할 수 있다. 상기 형광 필름(151,153)의 외측 면에는 도 16과 같이, 차단 벽(115)이 배치되거나, 상기 필터 층(161,163)의 외측부가 연장되어 배치될 수 있다. 상기 제1,2필터층(161,163) 간의 간격은 상기 형광 필름(151,153) 간의 간격(A4)과 동일하거나 다를 수 있다. 상기 제1,2필터층(161,163) 간의 간격은 예컨대, 상기 형광 필름(151,153) 간의 간격(A4)보다 넓게 배치된 경우, 상기 형광 필름(151,153)의 외 측면을 통해 누설되는 제1광을 반사하거나 차단할 수 있다. The first and second filter layers 161 and 163 may reflect or block all UV light when the light emitting
실시 예는 상기 필터 층(161,163)이 상기 제1광에 대해 반사시켜 줌으로써, 상기 형광 필름(151,153)은 재 반사된 광을 파장 변환하게 됨으로써, 파장 변환 효율을 개선시켜 줄 수 있고, 발광 소자의 광 효율도 개선될 수 있다.In an embodiment, the filter layers 161 and 163 reflect the first light, and the
실시 예에 따른 발광 소자는 회로 기판 또는 구동 기판 상에 하나 또는 복수개가 배치될 수 있다. 상기 복수의 발광 소자는 상기 회로 기판 또는 구동 기판 상에 서로 이격되거나, 주기적으로 배열될 수 있다. 상기 복수의 발광 소자는 교대로 배열될 경우, 다색의 광 예컨대, 청색/녹색/적색의 광이 교대로 발광되는 조명이나 광원들로 배열될 수 있다.One or a plurality of light emitting devices according to the embodiment may be disposed on a circuit board or a driving board. The plurality of light emitting devices may be spaced apart from each other or periodically arranged on the circuit board or the driving board. When the plurality of light emitting elements are alternately arranged, multi-colored lights, for example, blue/green/red lights may be alternately arranged as lights or light sources.
도 17은 실시 예에 따른 조명 모듈을 나타낸 사시도이고, 도 18은 도 17의 조명 모듈의 배면도이다.17 is a perspective view illustrating a lighting module according to an embodiment, and FIG. 18 is a rear view of the lighting module of FIG. 17 .
도 17 및 도 18을 참조하면, 조명 모듈(200)은 매트릭스 형태로 배열된 복수의 리세스(도 3의 112,114,116)를 갖는 몸체(210), 상기 몸체(210)의 리세스(도 3의 112,114,116)에 배치된 복수의 발광 셀(131,133,135), 상기 복수의 발광 셀(131,133,135) 중 적어도 하나의 위에 배치된 형광 필름(151,153)을 포함한다. 17 and 18, the
상기 몸체(210)에는 도 3과 같은 리세스(112,114,116)들이 교대로 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 상기 몸체(210)의 재질은 실시 예에 개시된 재질로 형성될 수 있다. 몸체(210) 내에는 도 3과 같은 발광 셀(131,133,135)들이 주기적으로 배치될 수 있다.In the
조명 모듈(200)은 몸체(210) 상에 적어도 3개의 발광 셀(131,133,135)과 적어도 2개의 형광 필름(151,153)을 갖는 단위 발광 영역(100A)이 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 여기서, 단위 발광 영역(100A)은 적어도 3개의 발광 셀(131,133,135)과 상기 발광 셀(131,133,135) 중 적어도 2개 상에 형광 필름(151,153)이 배치된 단위 크기로 형성될 수 있다. 이러한 단위 발광 영역(100A)은 단위 픽셀 영역으로 정의할 수 있다. 상기 단위 픽셀 영역은 적어도 청색, 녹색 및 적색의 광이 방출될 수 있다. In the
실시 예에 따른 단위 발광 영역(100A)은 제1 내지 제3발광 셀(131,133,135)과 제1,2형광 필름(151,153)을 갖고, 청색, 녹색 및 적색의 광이 방출되며, 상기 제1 내지 제3발광 셀(131,133,135)이 선택적으로 구동될 수 있다. The unit
실시 예에 따른 동일한 크기(X1ⅹY1)를 갖는 단위 발광 영역(100A)은 몸체(110) 내에 제1축 방향(X)과 제2축 방향(Y)으로 2개 이상이 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 이러한 조명 모듈은 단위 발광 영역(100A) 또는 픽셀 영역이 복수로 배열됨으로써, 디스플레이와 같은 조명이나 감성 조명에 적용될 수 있다. 상기 조명 모듈(200)의 제1축 방향(X)의 길이는 2ⅹX1 이상일 수 있고, 제2축 방향(Y)의 길이는 2ⅹY1 이상일 수 있다. According to the embodiment, two or more unit
도 18과 같이, 조명 모듈(200)의 배면에는, 제1패드(271)가 복수의 발광 셀 도 17의 131,133,135들에 공통적으로 연결될 수 있고, 복수의 제2패드(273,275,277)가 각 발광 셀들(도 17의 131,133,135)에 각각 연결될 수 있다. 상기 제1패드(171)는 복수의 바 형상을 갖는 브리지 전극이 제1축 방향의 발광 셀들을 따라 평행하게 배열되고 서로 연결될 수 있다. 이에 따라 제1패드(271)와 복수의 제2패드(273,275,277)에 의해 매트릭스 구조를 갖는 복수의 발광 셀(도 17의 131,133,135)들을 선택적으로 구동할 수 있다. As shown in FIG. 18, on the rear surface of the
도 19내지 도 25는 실시 예에 따른 발광 소자의 제조 과정을 설명한 도면들이다.19 to 25 are diagrams explaining a manufacturing process of a light emitting device according to an embodiment.
도 19를 참조하면, 투광성 기판(121A) 상에 반도체층을 형성하게 된다. 상기 투광성 기판(121A)은, 투광성, 절연성 또는 도전성 재질의 기판을 포함할 수 있으며, 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3, LiGaO3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 투광성 기판(121)의 상면에는 복수의 돌출부(미도시)가 형성될 수 있으며, 상기 복수의 돌출부는 상기 기판의 식각을 통해 형성하거나, 별도의 광 추출 구조로 형성될 수 있다. 상기 돌출부는 스트라이프 형상, 반구형상, 또는 돔(dome) 형상을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 19 , a semiconductor layer is formed on the light-transmitting
상기 반도체층은 상기 기판 위에는 성장될 수 있다. 상기 반도체층은 II족-VI족 및 III족-V족 화합물 반도체 중 적어도 하나를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 복수의 화합물 반도체층 어느 한 층은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 기판은 웨이퍼일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The semiconductor layer may be grown on the substrate. The semiconductor layer may be formed using at least one of group II-VI and group III-V compound semiconductors. Any one of the plurality of compound semiconductor layers may include, for example, at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. The substrate may be a wafer, but is not limited thereto.
상기 투광성 기판(121) 위의 화합물 반도체층은 다음과 같은 성장 장비에 의해 성장될 수 있다. 상기 성장 장비는 예컨대, 전자빔 증착기, PVD(physical vapor deposition), CVD(chemical vapor deposition), PLD(plasma laser deposition), 이중형의 열증착기(dual-type thermal evaporator) 스퍼터링(sputtering), MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)에 의해 형성할 수 있으며, 이러한 장비로 한정하지는 않는다.The compound semiconductor layer on the light-
상기 반도체층은 발광 구조물(125A)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(125A)은, 도 3과 같은 제1도전성 반도체층(122), 활성층(123) 및 제2도전성 반도체층(124)을 포함할 수 있다. The semiconductor layer may include a
도 20과 같이, 발광 구조물(125A)의 개별 발광 셀(130)의 크기로 분리한 후, 각 발광 셀(130) 상에 제1전극(181A) 및 전극층(141)을 배치하게 된다. 이때 상기 발광 구조물(125A)은 에칭 공정 예컨대, 메사 에칭 공정을 통해 발광 구조물(125)들이 서로 분리될 수 있다. 여기서, 상기 발광 구조물(125A)의 제1도전성 반도체층(도 3의 122)은 공통으로 연결되거나 서로 분리될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. As shown in FIG. 20 , after the
도 21과 같이, 개별 발광 셀(130)을 따라 투광성 기판(121A)의 상부를 커팅하게 된다. 예컨대, 레이저를 이용하여 상기 투광성 기판(121A)에 대해 하프 커팅 예컨대, 상기 투광성 기판(121A)의 상부를 커팅하게 된다. 상기 레이저는 예컨대, 워터 가이드 레이저(water-guided lasers)를 이용할 수 있으며, 상기 커팅 깊이(T4)는 상기 투광성 기판(121A)의 두께의 1/3 이상 예컨대, 1/3 내지 1/2의 범위로 커팅될 수 있다. 이는 상기 투광성 기판(121A)의 상면부터 상기 투광성 기판(121A)의 두께의 1/2 이내의 깊이(T4)로 커팅하여, 각 발광 소자의 두께를 조절할 수 있다. 상기 투광성 기판(121A)의 두께는 150㎛ 이상 예컨대, 200㎛ 내지 500㎛의 범위일 수 있다. 상기 각 발광 셀(130) 영역 사이의 홈(125A)을 따라 발광 셀들(130)을 갖는 발광 소자(100B)의 영역들이 정의될 수 있다. As shown in FIG. 21 , the upper portion of the light-transmitting
도 21 및 도 22와 같이, 발광 구조물(125)상에 몸체(110A)을 형성하게 된다. 상기 몸체(110A)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질 내에 반사 물질을 첨가된 재질일 수 있다. 상기 몸체(110A)은 백색 재질일 수 있다. 상기 몸체(110A)는 실시 예에 개시된 재질일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몸체(110A)는 기판(121A)의 상면 둘레에 접촉될 수 있다. As shown in FIGS. 21 and 22 , the
도 22 및 도 23과 같이, 도 22의 구조를 뒤집은 다음, 각 발광 소자(100B)의 배면에 패드를 형성하기 위해, 상기 몸체(110A)의 배면을 통해 상기 각 발광 셀에 연결된 구멍들을 형성한 후, 상기 구멍들에 연결 전극을 형성하고, 상기 몸체(110A) 상에 패드(171,173,175,177)들을 형성하게 된다. 상기 패드(171,173,175,177)들은 상기 몸체(110A) 내의 연결 전극을 통해 각 발광 셀의 반도체층과 선택적으로 연결될 수 있다.As shown in FIGS. 22 and 23, after the structure of FIG. 22 is reversed, holes connected to each light emitting cell are formed through the rear surface of the
도 24와 같이, 상기 투광성 기판(121A)의 배면을 소정 두께를 남기고 제거하게 된다. 상기 투광성 기판(121A)의 배면 제거 공정은 폴리싱 공정으로 수행될 수 있다. 상기 투광성 기판(121A)의 배면의 제거 두께는 상기 몸체(110A)의 일부가 노출되는 깊이로 형성할 수 있다. 상기 몸체(110A)의 일부가 노출되면, 상기 발광 셀(131,133,135)들의 투광성 기판(121A)은 몸체(110A) 상에서 발광 소자 영역(100B)의 크기로 서로 분리될 수 있다. 24, the rear surface of the light-transmitting
도 25와 같이, 형광 필름(151,153)은 복수의 발광 셀(131,133,135) 중 적어도 하나 또는 2개의 영역 위에 배치될 수 있다. 그리고 도 1과 같은 개별 발광 소자 영역(100B)의 크기 또는 도 16과 같은 복수의 발광 소자를 갖는 모듈 크기로 커팅하여, 개별 발광 소자 또는 조명 모듈을 제조할 수 있다.As shown in FIG. 25 , the
도 26 및 도 27을 참조하면, 복수의 발광 셀을 갖는 발광 소자 영역(100C)의 상면 둘레에 차단 벽(115A)을 형성하고, 상기 차단 벽(115A)은 내부에 복수의 발광 셀 영역의 크기로 오픈된 영역(115B)이 매트릭스 형태로 형성될 수 있다. 상기 차단 벽(115A)은 측면이 수직한 면이거나, 경사진 면일 수 있다. 형광 필름(151,153)은 복수의 발광 셀 중 적어도 하나 또는 2개의 발광 셀 상에 배치될 수 있으며, 상기 형광 필름(151,153)의 둘레에는 차단 벽(115)이 배치될 수 있다. 상기 차단 벽(115)은 레지스트 재료를 이용하여 형성되거나, 필름 형태로 부착될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이후, 개별 발광 소자 영역의 크기로 커팅하거나, 복수의 발광 소자 크기로 커팅하여 제조할 수 있다.26 and 27, a blocking
상기에 개시된 실시 예(들)의 발광 소자는 회로 기판(PCB) 상에 복수로 배치하여 조명 모듈이나 라이트 유닛 등과 같은 조명 시스템에 제공될 수 있다. 상기 조명 모듈은 상기 개시된 발광 소자가 상기 보드(PCB) 상에 어레이될 수 있으며, 상기 회로 기판은 회로 층을 갖는 기판일 수 있다. 실시 예에 따른 발광 소자의 광 출사 측에는 도광판, 확산 시트 및 프리즘 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 조명 시스템은 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판일 수 있다.The plurality of light emitting devices of the embodiment(s) disclosed above may be disposed on a circuit board (PCB) and provided to a lighting system such as a lighting module or a light unit. In the lighting module, the disclosed light emitting devices may be arrayed on the board (PCB), and the circuit board may be a substrate having a circuit layer. At least one of a light guide plate, a diffusion sheet, and a prism sheet may be included on a light emission side of the light emitting device according to the embodiment. The lighting system may be a lighting lamp, a traffic light, a vehicle headlight, or an electric display board.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the embodiments above are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, and effects illustrated in each embodiment can be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to these combinations and variations should be construed as being included in the scope of the present invention.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, although the above has been described with a focus on the embodiments, these are only examples and do not limit the present invention, and those skilled in the art to which the present invention belongs can exemplify the above to the extent that does not deviate from the essential characteristics of the present embodiment. It will be seen that various variations and applications that have not been made are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention as defined in the appended claims.
100: 발광 소자 110: 몸체
121: 투광성 기판 122: 제1도전성 반도체층
123: 활성층 124: 제2도전성 반도체층
125: 발광 구조물 131,133,135: 발광 셀
141: 전극층 143: 반사 부재
151,153: 형광 필름 161,163: 필터층
171,173,175,177: 패드 200: 조명 모듈
100: light emitting element 110: body
121: light-transmitting substrate 122: first conductive semiconductor layer
123: active layer 124: second conductive semiconductor layer
125: light emitting structure 131,133,135: light emitting cell
141: electrode layer 143: reflective member
151,153: fluorescent film 161,163: filter layer
171,173,175,177: pad 200: lighting module
Claims (18)
상기 복수의 발광 셀 각각이 배치된 복수의 리세스를 갖는 몸체;
상기 몸체의 각 리세스 표면 일부에 배치되고, 상기 몸체와 상기 각 발광 셀 사이에 배치된 반사 부재;
상기 몸체 아래에 배치되며, 상기 복수의 발광 셀 각각에 연결된 제1패드; 및
상기 몸체의 아래에 배치되며 상기 복수의 발광 셀 각각에 연결된 제2패드를 포함하며,
상기 복수의 발광 셀 각각은, 상기 제1패드에 연결된 제1도전성 반도체층, 상기 제1도전성 반도체층 상에 투광성 기판, 상기 제1도전성 반도체층 아래에 활성층 및 상기 활성층 아래에 배치되며 상기 제2패드에 연결된 제2도전성 반도체층을 포함하며,
상기 몸체는 상기 복수의 발광 셀 각각의 둘레에 배치된 격벽을 포함하며,
상기 복수의 리세스 각각의 바닥 면적은 상기 각 발광 셀의 상면 면적보다 작은 발광 소자.a plurality of light emitting cells separated from each other;
a body having a plurality of recesses in which each of the plurality of light emitting cells is disposed;
a reflective member disposed on a portion of each recessed surface of the body and disposed between the body and each of the light emitting cells;
a first pad disposed below the body and connected to each of the plurality of light emitting cells; and
A second pad disposed under the body and connected to each of the plurality of light emitting cells;
Each of the plurality of light emitting cells includes a first conductive semiconductor layer connected to the first pad, a light-transmitting substrate on the first conductive semiconductor layer, an active layer under the first conductive semiconductor layer, and an active layer disposed below the second conductive semiconductor layer. A second conductive semiconductor layer connected to the pad;
The body includes barrier ribs disposed around each of the plurality of light emitting cells,
A bottom area of each of the plurality of recesses is smaller than an area of a top surface of each of the light emitting cells.
상기 복수의 발광 셀 중 적어도 하나를 제외한 적어도 두 발광 셀의 위에 배치된 복수의 형광 필름을 포함하며,
상기 복수의 발광 셀은 동일한 피크 파장을 발광하며,
상기 격벽 위에 배치된 차단 벽을 포함하며,
상기 차단 벽은 상기 복수의 형광필름 각각의 둘레에 배치되는 발광 소자.According to claim 1,
A plurality of fluorescent films disposed on at least two light emitting cells other than at least one of the plurality of light emitting cells,
The plurality of light emitting cells emit light of the same peak wavelength,
a blocking wall disposed above the barrier;
The blocking wall is disposed around each of the plurality of fluorescent films.
상기 복수의 발광 셀은 제1광을 발광하는 제1발광 셀, 제2발광 셀 및 제3발광 셀을 포함하며,
상기 복수의 형광 필름은 상기 제2발광 셀 상에 배치되며 제2광을 발광하는 제1형광 필름, 및 상기 제3발광 셀 상에 배치되며 제3광을 발광하는 제2형광 필름을 포함하며,
상기 제1광은 자외선 또는 청색 광을 포함하며,
상기 제1 내지 제3광은 서로 다른 피크 파장을 가지는 광을 포함하는 발광 소자.According to claim 2,
The plurality of light emitting cells include a first light emitting cell, a second light emitting cell, and a third light emitting cell emitting a first light,
The plurality of fluorescent films include a first fluorescent film disposed on the second light emitting cell and emitting a second light, and a second fluorescent film disposed on the third light emitting cell and emitting a third light,
The first light includes ultraviolet or blue light,
Wherein the first to third lights include lights having different peak wavelengths.
상기 몸체는 반사 물질을 갖는 수지 재질을 포함하며,
상기 격벽의 내면은 상기 투광성 기판과 대면하며,
상기 격벽의 상면은 상기 복수의 발광 셀의 상면과 동일 수평 면에 배치되는 발광 소자.According to any one of claims 1 to 3,
The body includes a resin material having a reflective material,
An inner surface of the barrier rib faces the light-transmitting substrate,
An upper surface of the barrier rib is disposed on the same horizontal plane as an upper surface of the plurality of light emitting cells.
상기 복수의 형광 필름 각각의 위에 배치된 복수의 필터층을 포함하며,
상기 복수의 필터 층 각각은 상기 복수의 형광 필름 각각의 아래에 배치된 발광 셀로부터 방출된 피크 파장의 광을 반사하는 발광 소자.According to claim 2 or 3,
And a plurality of filter layers disposed on each of the plurality of fluorescent films,
Each of the plurality of filter layers reflects light of a peak wavelength emitted from a light emitting cell disposed under each of the plurality of fluorescent films.
상기 몸체 내에는 상기 각 발광 셀의 제1도전성 반도체층과 상기 제1패드에 연결된 제1연결 전극, 및 상기 각 발광 셀의 제2도전성 반도체층과 상기 제2패드 각각에 연결된 복수의 제2연결 전극을 포함하며,
상기 복수의 발광 셀 각각은 상기 제2도전성 반도체층과 상기 반사 부재 사이에 반사층 및 투명 전극층 중 적어도 하나를 갖는 전극층을 포함하며,
상기 반사 부재는 서로 다른 유전체층을 포함하며,
상기 반사 부재의 상단은 상기 활성층의 상면보다 높고 상기 기판의 상면보다 낮게 배치되는 발광 소자.
According to any one of claims 1 to 3,
In the body, a first connection electrode connected to the first conductive semiconductor layer of each light emitting cell and the first pad, and a plurality of second connections connected to each of the second conductive semiconductor layer and the second pad of each light emitting cell contains electrodes,
Each of the plurality of light emitting cells includes an electrode layer having at least one of a reflective layer and a transparent electrode layer between the second conductive semiconductor layer and the reflective member,
The reflective member includes different dielectric layers,
An upper end of the reflective member is disposed higher than the upper surface of the active layer and lower than the upper surface of the substrate.
Priority Applications (1)
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| KR1020160060401A KR102531109B1 (en) | 2016-05-17 | 2016-05-17 | Light emitting device and lighting module having the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160060401A KR102531109B1 (en) | 2016-05-17 | 2016-05-17 | Light emitting device and lighting module having the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170129555A KR20170129555A (en) | 2017-11-27 |
| KR102531109B1 true KR102531109B1 (en) | 2023-05-10 |
Family
ID=60810675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160060401A KR102531109B1 (en) | 2016-05-17 | 2016-05-17 | Light emitting device and lighting module having the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102531109B1 (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102582424B1 (en) * | 2017-12-14 | 2023-09-25 | 삼성전자주식회사 | Led lighting device package and display apparatus using the same |
| CN112106207A (en) * | 2018-03-07 | 2020-12-18 | ams传感器新加坡私人有限公司 | Optoelectronic module and wafer-level method for producing an optoelectronic module |
| US11495587B2 (en) * | 2018-09-27 | 2022-11-08 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of producing light emitting device |
| KR102389956B1 (en) * | 2020-02-27 | 2022-04-25 | 주식회사 쉘파스페이스 | Wavelength conversion film and lighting apparatus using the same |
| EP4266386A1 (en) * | 2021-06-30 | 2023-10-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Inorganic light-emitting element, display module, and manufacturing method therefor |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008130721A (en) | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light-emitting device, semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing semiconductor light-emitting element |
| KR101064036B1 (en) | 2010-06-01 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device package and lighting system |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101171186B1 (en) * | 2005-11-10 | 2012-08-06 | 삼성전자주식회사 | High luminance light emitting diode and liquid crystal display panel of using the same |
| KR101154758B1 (en) * | 2008-11-18 | 2012-06-08 | 엘지이노텍 주식회사 | Semiconductor light emitting device and LED package having the same |
-
2016
- 2016-05-17 KR KR1020160060401A patent/KR102531109B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008130721A (en) | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light-emitting device, semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing semiconductor light-emitting element |
| KR101064036B1 (en) | 2010-06-01 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device package and lighting system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20170129555A (en) | 2017-11-27 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
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