KR102194805B1 - Light emitting device - Google Patents
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Abstract
신뢰성이 향상된 발광소자가 개시된다.
일 실시예에 따른 발광소자는 복수 개의 발광 셀; 및 인접한 두 개의 발광 셀을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극;을 포함하고, 상기 복수 개의 발광 셀은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조물과, 상기 제1 도전형 반도체층 상의 제1 전극과, 상기 제2 도전형 반도체층 상의 제2 전극을 각각 포함하며, 상기 브릿지 전극은 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극보다 두꺼운 부분을 갖는다.A light emitting device with improved reliability is disclosed.
A light emitting device according to an embodiment includes a plurality of light emitting cells; And a bridge electrode electrically connecting two adjacent light emitting cells, wherein the plurality of light emitting cells include a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity A light emitting structure including an active layer between the type semiconductor layers, a first electrode on the first conductivity type semiconductor layer, and a second electrode on the second conductivity type semiconductor layer, wherein the bridge electrode is the first electrode Alternatively, it has a portion thicker than the second electrode.
Description
실시 예는 발광 소자에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device.
반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.Light-emitting devices such as light emitting diodes and laser diodes using semiconductor materials of Group 3-5 or Group 2-6 compound are developed in various colors such as red, green, blue and ultraviolet light through the development of thin film growth technology and device materials. It is possible to implement white light with good efficiency by using fluorescent materials or by combining colors, and has low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. Has an advantage.
따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a light emitting diode backlight that replaces the cold cathode fluorescent lamp (CCFL) that constitutes the transmission module of the optical communication means, the backlight of the LCD (Liquid Crystal Display) display, and white light that can replace fluorescent or incandescent bulbs. Applications are expanding to diode lighting devices, automobile headlights and traffic lights.
직렬 또는 병렬 연결된 복수 개의 발광 셀을 포함하는 발광소자에는 인접한 발광 셀 사이를 전기적으로 연결하는 브릿지 전극(bridge electrode)이 존재한다. 복수 개의 발광 셀을 포함하는 발광소자에서는, 발광소자의 작동시 좁은 면적의 브릿지 전극으로 전류가 집중되면서 브릿지 전극이 타버리는 등 신뢰성 문제가 초래되기도 한다.In a light emitting device including a plurality of light emitting cells connected in series or in parallel, a bridge electrode electrically connecting adjacent light emitting cells exists. In a light-emitting device including a plurality of light-emitting cells, when the light-emitting device is operated, current is concentrated to a bridge electrode having a narrow area, and the bridge electrode is burned, resulting in reliability problems.
실시예는 신뢰성이 향상된 발광소자를 제공하고자 한다.The embodiment is to provide a light emitting device with improved reliability.
일 실시예에 따른 발광소자는 복수 개의 발광 셀; 및 인접한 두 개의 발광 셀을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극;을 포함하고, 상기 복수 개의 발광 셀은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조물과, 상기 제1 도전형 반도체층 상의 제1 전극과, 상기 제2 도전형 반도체층 상의 제2 전극을 각각 포함하며, 상기 브릿지 전극은 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극보다 두꺼운 부분을 갖는다.A light emitting device according to an embodiment includes a plurality of light emitting cells; And a bridge electrode electrically connecting two adjacent light emitting cells, wherein the plurality of light emitting cells include a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity A light emitting structure including an active layer between the type semiconductor layers, a first electrode on the first conductivity type semiconductor layer, and a second electrode on the second conductivity type semiconductor layer, wherein the bridge electrode is the first electrode Alternatively, it has a portion thicker than the second electrode.
상기 브릿지 전극의 폭이 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극의 폭보다 클 수 있다.A width of the bridge electrode may be greater than a width of the first electrode or the second electrode.
상기 발광 구조물은 일부가 식각되어 상기 제1 도전형 반도체층을 노출하는 식각 영역을 포함하고, 상기 제1 전극은 노출된 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치될 수 있다.The light emitting structure may include an etching region in which a portion is etched to expose the first conductivity type semiconductor layer, and the first electrode may be disposed on the exposed first conductivity type semiconductor layer.
상기 브릿지 전극은 인접한 두 개의 발광 셀 중 어느 하나의 발광 셀의 제1 전극과 접하는 제1 부분, 다른 하나의 발광 셀의 제2 전극과 접하는 제2 부분, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이의 제3 부분을 포함할 수 있다.The bridge electrode includes a first portion in contact with a first electrode of any one of two adjacent light-emitting cells, a second portion in contact with a second electrode of another light-emitting cell, and between the first portion and the second portion. May include a third part of.
상기 브릿지 전극은 상기 제3 부분의 두께가 가장 클 수 있다.The bridge electrode may have the largest thickness of the third portion.
상기 제3 부분은 인접한 두 개의 발광 셀의 사이에 배치될 수 있다.The third portion may be disposed between two adjacent light emitting cells.
상기 브릿지 전극은 상기 제1 부분 또는 상기 제2 부분에서 각각 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극과 높이가 같을 수 있다.The bridge electrode may have the same height as the first electrode or the second electrode in the first portion or the second portion, respectively.
상기 브릿지 전극은 복수 개 존재할 수 있다.There may be a plurality of bridge electrodes.
상기 제1 부분의 일부가 상기 제1 전극의 상부에 배치되고, 상기 제2 부분의 일부가 상기 제2 전극의 상부에 배치될 수 있다.A portion of the first portion may be disposed above the first electrode, and a portion of the second portion may be disposed above the second electrode.
상기 브릿지 전극은 상기 제1 부분과 상기 제3 부분의 사이 및 상기 제2 부분과 상기 제3 부분의 사이에 배치되는 제4 부분을 더 포함하고, 상기 제4 부분의 두께가 상기 제1 부분, 상기 제2 부분 또는 상기 제3 부분 각각의 두께보다 작을 수 있다.The bridge electrode further includes a fourth portion disposed between the first portion and the third portion and between the second portion and the third portion, and the thickness of the fourth portion is the first portion, It may be smaller than the thickness of each of the second portion or the third portion.
다른 실시예에 따른 발광소자는 복수 개의 발광 셀; 및 인접한 두 개의 발광 셀을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극;을 포함하고, 상기 복수 개의 발광 셀은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조물을 각각 포함하며, 상기 브릿지 전극은 인접한 두 개의 발광 셀 중 어느 하나의 발광 셀의 제1 도전형 반도체층과 다른 하나의 발광 셀의 제2 도전형 반도체층을 전기적으로 연결하고, 상기 브릿지 전극은 인접한 두 개의 발광 셀 사이에 복수 개 존재한다.A light emitting device according to another embodiment includes a plurality of light emitting cells; And a bridge electrode electrically connecting two adjacent light emitting cells, wherein the plurality of light emitting cells include a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity Each includes a light emitting structure including an active layer between the type semiconductor layers, wherein the bridge electrode is a first conductive type semiconductor layer of one light emitting cell among two adjacent light emitting cells and a second conductive type semiconductor layer of the other light emitting cell The layers are electrically connected, and a plurality of bridge electrodes are present between two adjacent light emitting cells.
상기 복수 개의 발광 셀은 제1 도전형 반도체층 상의 제1 전극 및 상기 제2 도전형 반도체층 상의 제2 전극을 각각 더 포함하고, 상기 브릿지 전극은 인접한 두 개의 발광 셀 중 어느 하나의 발광 셀의 제1 전극과 다른 하나의 발광 셀의 제2 전극 사이에 복수 개가 이격되어 배치될 수 있다.Each of the plurality of light emitting cells further includes a first electrode on a first conductive type semiconductor layer and a second electrode on the second conductive type semiconductor layer, and the bridge electrode is a light emitting cell of any one of two adjacent light emitting cells. A plurality of the first electrode and the second electrode of the other light emitting cell may be spaced apart and disposed.
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 제1 방향의 길이 방향을 갖고, 상기 복수 개의 브릿지 전극은 상기 제1 방향과 같은 길이 방향을 가질 수도 있고 상기 제1 방향과 다른 제2 방향의 길이 방향을 가질 수 있다.The first electrode and the second electrode may have a length direction in a first direction, and the plurality of bridge electrodes may have the same length direction as the first direction, or a length direction in a second direction different from the first direction. Can have.
상기 복수 개의 브릿지 전극은 인접한 두 개의 발광 셀 중 어느 하나의 발광 셀의 제1 도전형 반도체층 상의 제1 부분, 다른 하나의 발광 셀의 제2 도전형 반도체층 상의 제2 부분, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이의 제3 부분을 각각 포함할 수 있다.The plurality of bridge electrodes may include a first portion on a first conductivity type semiconductor layer of one of two adjacent light emitting cells, a second portion on a second conductivity type semiconductor layer of the other light emitting cell, and the first portion And a third portion between the and the second portion, respectively.
상기 제1 부분 또는 상기 제2 부분 각각의 두께가 상기 제3 부분의 두께와 동일할 수 있다.The thickness of each of the first portion or the second portion may be the same as the thickness of the third portion.
상기 복수의 브릿지 전극들 각각의 폭은 상기 제1 전극의 폭 또는 상기 제2 전극의 폭보다 넓을 수 있다.The width of each of the plurality of bridge electrodes may be greater than the width of the first electrode or the width of the second electrode.
상기 발광 소자는 상기 복수의 발광 셀 아래에 배치되는 기판; 및 인접하는 발광 셀들 사이에 위치하는 상기 기판의 상부면의 일 영역에 형성되는 제1 요철을 더 포함할 수 있다.The light emitting device may include a substrate disposed under the plurality of light emitting cells; And first irregularities formed in a region of the upper surface of the substrate positioned between adjacent light emitting cells.
상기 브릿지 전극의 제3 부분은 상기 인접하는 발광 셀들 사이에 위치하는 상기 기판의 상부면의 상기 일 영역 상에 배치되고, 상기 브릿지 전극의 제3 부분의 상부면에는 상기 제1 요철에 대응하는 제2 요철이 형성될 수 있다.The third portion of the bridge electrode is disposed on the one region of the upper surface of the substrate positioned between the adjacent light emitting cells, and a third portion corresponding to the first irregularities on the upper surface of the third portion of the
상기 기판의 상부면을 기준으로 상기 브릿지 전극의 제3 부분의 상부면의 높이는 상기 브릿지 전극의 제1 부분의 상부면의 높이보다 낮거나 동일할 수 있다.The height of the upper surface of the third portion of the bridge electrode may be lower than or equal to the height of the upper surface of the first portion of the bridge electrode with respect to the upper surface of the substrate.
실시예에 따르면 브릿지 전극으로 전류가 집중되는 현상을 개선함으로써 신뢰성이 향상된 발광소자를 제작할 수 있다. 또한 저항이 높은 부분에서의 저항을 감소시켜 효율을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment, a light emitting device having improved reliability can be manufactured by improving a phenomenon in which current is concentrated to a bridge electrode. In addition, it is possible to improve the efficiency by reducing the resistance in the portion with high resistance.
도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자의 평면도.
도 2는 도 1의 일부분을 확대하여 나타낸 평면도.
도 3은 도 2를 AA 방향으로 절단하여 정면에서 바라본 단면도.
도 4는 제2 실시예에 따른 발광소자의 일부분을 확대하여 나타낸 평면도.
도 5는 제3 실시예에 따른 발광소자의 일부분을 확대하여 나타낸 평면도.
도 6은 제4 실시예에 따른 발광소자의 일부분을 확대하여 나타낸 평면도.
도 7은 도 6을 AA 방향으로 절단하여 정면에서 바라본 단면도.
도 8은 제5 실시예에 따른 발광소자의 일부분의 측 단면도.
도 9는 제6 실시예에 따른 발광소자의 일부분의 측 단면도.
도 10은 제7 실시예에 따른 발광소자의 평면도.
도 11은 도 9의 일부분을 확대하여 나타낸 평면도.
도 12는 도 11을 BB 방향으로 절단하여 정면에서 바라본 단면도.
도 13은 제8 실시예에 따른 발광소자의 일부분의 측 단면도.
도 14는 제9 실시예에 따른 발광소자의 일부분의 측 단면도.
도 15는 제10 실시예에 따른 발광소자의 평면도.
도 16은 도 15의 일부분을 확대하여 나타낸 평면도.
도 17은 도 16을 BB 방향으로 절단하여 바라본 단면도.
도 18은 제11 실시예에 따른 발광소자의 일부분의 측 단면도.
도 19는 제12 실시 예에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 20은 제13 실시 예에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 21은 실시예들에 따른 발광소자를 포함한 발광소자 패키지의 일실시예를 도시한 도면.
도 22는 실시예들에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지가 배치된 헤드램프의 일실시예를 도시한 도면.
도 23은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일실시예를 도시한 도면.1 is a plan view of a light emitting device according to a first embodiment.
2 is a plan view showing an enlarged portion of FIG. 1;
Figure 3 is a cross-sectional view viewed from the front by cutting Figure 2 in the AA direction.
4 is an enlarged plan view of a part of a light emitting device according to the second embodiment.
5 is an enlarged plan view of a part of a light emitting device according to the third embodiment.
6 is an enlarged plan view of a part of a light emitting device according to the fourth embodiment.
7 is a cross-sectional view as viewed from the front by cutting FIG. 6 in the AA direction.
8 is a side cross-sectional view of a portion of a light emitting device according to a fifth embodiment.
9 is a side cross-sectional view of a portion of a light emitting device according to the sixth embodiment.
10 is a plan view of a light emitting device according to a seventh embodiment.
11 is a plan view showing an enlarged portion of FIG. 9;
12 is a cross-sectional view of FIG. 11 viewed from the front by cutting in the BB direction.
13 is a side cross-sectional view of a portion of a light emitting device according to the eighth embodiment.
14 is a side cross-sectional view of a portion of a light emitting device according to the ninth embodiment.
15 is a plan view of a light emitting device according to a tenth embodiment.
16 is a plan view showing an enlarged portion of FIG. 15;
17 is a cross-sectional view of FIG. 16 cut in the BB direction.
18 is a side cross-sectional view of a portion of a light emitting device according to an eleventh embodiment.
19 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a twelfth embodiment.
20 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a thirteenth embodiment.
21 is a view showing an embodiment of a light emitting device package including a light emitting device according to the embodiments.
22 is a view showing an embodiment of a headlamp in which a light emitting device or a light emitting device package is disposed according to the embodiments.
23 is a diagram illustrating an embodiment of a display device in which a light emitting device package according to the embodiment is disposed.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.Hereinafter, embodiments will be clearly revealed through the accompanying drawings and descriptions of the embodiments. In the description of the embodiment, each layer (film), region, pattern, or structure is "on" or "under" of the substrate, each layer (film), region, pad or patterns. In the case of being described as being formed in, "on" and "under" includes both "directly" or "indirectly" formed do. In addition, the standards for the top/top or bottom/bottom of each layer will be described based on the drawings.
도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.In the drawings, sizes are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. Also, the size of each component does not fully reflect the actual size. Also, the same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings.
도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자의 평면도이고, 도 2는 도 1의 일부분을 확대하여 나타낸 평면도이고, 도 3은 도 2를 AA 방향으로 절단하여 정면에서 바라본 단면도이다.FIG. 1 is a plan view of a light emitting device according to a first embodiment, FIG. 2 is an enlarged plan view of a part of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view of FIG. 2 cut in AA direction and viewed from the front.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 제1 실시예에 따른 발광소자(200A)는 복수 개의 발광 셀(light emitting cell, 100) 및 인접한 두 개의 발광 셀(100)을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극(bridge electrode, 150)을 포함한다.1 to 3, the
복수 개의 발광 셀(100)은 복수의 화합물 반도체층, 예를 들어 3족-5족 또는 2족-6족 원소의 반도체층을 이용한 LED(Light Emitting Diode)를 포함하며, LED는 청색, 녹색 또는 적색 등과 같은 광을 방출하는 유색 LED이거나, 백색 LED 또는 UV LED일 수 있다. LED의 방출광은 반도체층을 이루는 물질의 종류 및 농도를 변형하여 다양하게 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting
복수 개의 발광 셀(100)의 하부에 기판(110)이 배치된다. 복수 개의 발광 셀(100)은 기판(110)에 의해 지지되며, 기판(110) 상에 서로 이격되어 배치된다.The
기판(110)은 반도체 물질 성장에 적합한 재료, 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있다. 기판(110)은 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, and Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 기판(110)에 대해 습식세척 또는 플라즈마 처리를 하여 표면의 불순물을 제거할 수 있다.The
복수 개의 발광 셀(100)은 제1 도전형 반도체층(122), 제2 도전형 반도체층(126), 제1 도전형 반도체층(122)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이의 활성층(124)을 포함하는 발광 구조물(120)과, 제1 도전형 반도체층(122) 상의 제1 전극(130)과, 제2 도전형 반도체층(126) 상의 제2 전극(140)을 각각 포함한다.The plurality of light emitting
발광 구조물(120)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
제1 도전형 반도체층(122)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며, 예를 들어 3족-5족 또는 2족-6족 등의 화합물 반도체로 형성될 수 있다. 또한 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(122)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서 Si, Ge, Sn, Se, Te 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 제1 도전형 반도체층(122)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있으나 이에 한정하지 않는다.The first conductivity
제1 도전형 반도체층(122)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)은 Ga, N, In, Al, As, P 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함할 수 있으며, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductivity
제2 도전형 반도체층(126)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며, 예를 들어 3족-5족 또는 2족-6족 등의 화합물 반도체로 형성될 수 있다. 또한 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제2 도전형 반도체층(126)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서 Si, Ge, Sn, Se, Te 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The second conductivity
제2 도전형 반도체층(126)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 Ga, N, In, Al, As, P 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함할 수 있으며, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The second conductivity
이하에서는, 제1 도전형 반도체층(122)이 n형 반도체층, 제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우를 예로 들어 설명한다.Hereinafter, a case where the first conductivity-
상기 제2 도전형 반도체층(126) 상에는 상기 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 반도체, 예컨대 상기 제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층일 경우 n형 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광 구조물은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.On the second conductivity-
제1 도전형 반도체층(122)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이에 활성층(124)이 배치된다.An
활성층(124)은 전자와 정공이 서로 만나서 활성층(발광층) 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다. 제1 도전형 반도체층(122)이 n형 반도체층이고 제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 반도체층(122)으로부터 전자가 주입되고 상기 제2 도전형 반도체층(126)으로부터 정공이 주입될 수 있다.The
활성층(124)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(124)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자 우물 구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The
활성층(124)이 다중 우물 구조로 형성되는 경우, 활성층(124)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 작은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.When the
발광 구조물(120)과 기판(110) 사이에는 버퍼층(112)이 배치될 수 있다. 버퍼층(112)은 발광 구조물(120)과 기판(110)의 재료의 격자 부정합 및 열팽창 계수의 차이를 완화하기 위한 목적일 수 있다. 버퍼층(112)의 재료는 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체일 수 있으며, 예를 들어, GaN, InN, AlN, InGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.A
기판(110)과 제1 도전형 반도체층(122) 사이에 언도프트 반도체층(114)이 배치될 수도 있다. 언도프트 반도체층(114)은 제1 도전형 반도체층(122)의 결정성 향상을 위해 형성되는 층으로, 제1 반도체층(122)과 동일한 물질 또는 제1 반도체층(122)과 다른 물질로 형성될 수 있다. 언도프트 반도체층(114)은 제1 도전형 도펀트가 도핑되지 않아 제1 도전형 반도체층(122)에 비해 낮은 전기 전도성을 나타낸다. 언도프트 반도체층(114)은 버퍼층(112)의 상부에서 제1 도전형 반도체층(122)과 접하여 배치될 수 있다. 언도프트 반도체층(114)은 버퍼층(112)의 성장 온도보다 높은 온도에서 성장되며, 버퍼층(112)에 비해 좋은 결정성을 나타낸다.An
실시예에 따라, 발광 구조물(120)은 측면이 경사면을 포함할 수 있다. 발광 구조물(120)의 측면이 경사면을 포함하는 경우, 경사면인 측면은 기판(110)과 둔각을 이룰 수 있다.Depending on the embodiment, the
발광 구조물(120)은 일부가 식각되어 제1 도전형 반도체층(122)을 노출하는 식각 영역(E)을 포함한다. 즉, 발광 구조물(120)의 제2 도전형 반도체층(126), 활성층(124) 및 제1 도전형 반도체층(122)의 일부가 선택적으로 식각되어 제1 도전형 반도체층(122)의 일부가 노출된다. 제1 전극(130)은 식각 영역(E)에 의해 노출된 제1 도전형 반도체층(122) 상에 배치되며, 제2 전극(140)은 식각되지 않은 제2 도전형 반도체층(126) 상에 배치된다. 제1 전극(122)은 제1 도전형 반도체층(122)과 전기적으로 연결되며, 제2 전극(140)은 제2 도전형 반도체층(126)과 전기적으로 연결된다.The
제1 전극(130)과 제2 전극(140)은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 금(Au), 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti), 백금(Pt), 바나듐(V), 텅스텐(W), 납(Pd), 구리(Cu), 로듐(Rh) 또는 이리듐(Ir) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The
제2 전극(140)이 형성되기 전 제2 도전형 반도체층(126) 상에는 투명 전극층(142)이 배치될 수 있다.Before the
실시예에 따라, 제2 도전형 반도체층(126)이 노출되도록 투명 전극층(142)의 일부가 오픈되어 제2 도전형 반도체층(126)과 제2 전극(140)이 접할 수 있다.According to an exemplary embodiment, a part of the
또는, 도 3에 도시된 바와 같이, 투명 전극층(142)을 사이에 두고 제2 도전형 반도체층(126)과 제2 전극(140)이 전기적으로 연결될 수도 있다.Alternatively, as shown in FIG. 3, the second conductivity
투명 전극층(142)은 제2 도전형 반도체층(126)의 전기적 특성을 향상시키고 제2 전극(140)과의 전기적 접촉을 개선하기 위한 것으로, 층 또는 복수의 패턴으로 형성될 수 있다.The
투명 전극층(142)에는 투광성 전도층과 금속이 선택적으로 사용될 수 있으며, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 이러한 재료에 한정되지 않는다.The
인접한 두 개의 발광 셀(100) 사이에 브릿지 전극(150)이 배치된다. 브릿지 전극(150)은 인접한 두 개의 발광 셀(100)을 전기적으로 연결한다. 브릿지 전극(150)은, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 인접한 두 개의 발광 셀(100) 중 어느 하나의 발광 셀(100)의 제1 전극(130)과 다른 하나의 발광 셀(100)의 제2 전극(140)을 연속되게 연결함으로써 복수 개의 발광 셀(100)을 직렬 연결할 수 있다. 또는, 브릿지 전극(150)은, 도시하지는 않았으나, 인접한 두 개의 발광 셀(100) 중 어느 하나의 발광 셀(100)과 다른 하나의 발광 셀(100)에서 동일한 극성의 전극(130과 130; 140과 140)을 연결함으로써 복수 개의 발광 셀(100)을 병렬 연결할 수도 있다.A
일 예로서, 도 3을 참조하면, 브릿지 전극(150)은 인접한 두 개의 발광 셀(100)을 직렬 연결한다. 구체적으로, 브릿지 전극(150)은 인접한 두 개의 발광 셀(100) 중에서 어느 하나의 발광 셀(100)의 제2 전극(140)에서부터 발광 셀(100)의 측면 및 다른 하나의 발광 셀(100)의 측면을 따라 상기 다른 하나의 발광 셀(100)의 제1 전극(130)까지 연장되어 배치됨으로써, 인접한 두 개의 발광 셀(100)을 직렬 연결할 수 있다.As an example, referring to FIG. 3, the
브릿지 전극(150)은 제1 전극(130) 또는 제2 전극(140)과 동일한 물질을 포함하여 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 금(Au), 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti), 백금(Pt), 바나듐(V), 텅스텐(W), 납(Pd), 구리(Cu), 로듐(Rh) 또는 이리듐(Ir) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The
발광 구조물(120)의 측면에는 절연층(160)이 배치된다. 절연층(160)은, 브릿지 전극(150)이 존재하는 부분에서는 발광 셀(100)과 브릿지 전극(150)의 사이에 배치된다.An insulating
절연층(160)은 인접한 발광 셀(100) 사이 또는 브릿지 전극(150)과 발광 셀(100) 사이를 전기적으로 분리하는 역할을 한다. 절연층(160)에 의해, 이웃하는 발광 셀(100) 사이의 전기적 쇼트를 막을 수 있고, 하나의 발광 셀(100)에서는 제1 도전형 반도체층(122)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이의 전기적 쇼트를 방지할 수 있다.The insulating
절연층(160)은 비전도성 산화물 또는 질화물로 이루어질 수 있으며, 일 예로서, 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있으나 이에 한정하지 않는다.The insulating
브릿지 전극(150)은 전체적으로 두께가 일정하지 않을 수 있다. 브릿지 전극(150)은 제1 전극(130) 또는 제2 전극(140)보다 두꺼운 부분을 가질 수 있다.The overall thickness of the
브릿지 전극(150)은 인접한 두 개의 발광 셀(100) 중 어느 하나의 발광 셀(100)의 제1 전극(130)과 접하는 제1 부분(151), 다른 하나의 발광 셀(100)의 제2 전극(140)과 접하는 제2 부분(152), 상기 제1 부분(151)과 상기 제2 부분(152) 사이의 제3 부분(153)을 포함할 수 있으며 제1 부분(151)과 제3 부분(153) 또는 제2 부분(152)과 제3 부분(153)의 사이를 전기적으로 연결하여 발광 셀(100)의 측면 상에 위치하는 제4 부분(154)를 포함할 수 있다.The
상기 제1 부분(151)은 인접한 두 개의 발광 셀(100) 중 어느 하나의 발광 셀(100)의 제1 전극(130)과 접하면서 제1 도전형 반도체층(122) 상에 배치되며, 상기 제2 부분(152)은 다른 하나의 발광 셀(100)의 제2 전극(140)과 접하면서 제2 도전형 반도체층(126) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 부분(151)은 발광 구조물(120)의 식각 영역(E)에 의해 노출된 제1 도전형 반도체층(122) 상에 배치된 부분일 수 있다. The
또한 상기 제1 부분(151)은, 인접한 두 개의 발광 셀(100) 중 어느 하나의 발광 셀(100)의 제1 전극(130) 상에 위치할 수 있으며, 동시에 제1 도전형 반도체층(122) 상에 배치된다. 상기 제2 부분(152)은 다른 하나의 발광 셀(100)의 제2 전극(140) 상에 위치할 수 있으며 또한 제2 도전형 반도체층(126) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 부분(151)은 발광 구조물(120)의 식각 영역(E)에 의해 노출된 제1 도전형 반도체층(122) 상에 배치된 부분일 수 있다.In addition, the
상기 제3 부분(153)은 인접한 두 개의 발광 셀(100)의 사이에 배치되며, 기판(110) 상에 배치된다. 즉, 상기 제3 부분(153)은, 기판(110) 상에 배치된 인접한 두 개의 발광 셀(100) 사이의 이격 공간에 배치될 수 있다.The
상기 제1 부분(151)과 제3 부분(153) 사이 및 제2 부분(152)과 제3 부분(153) 사이의 측면에는 브릿지 전극(150)의 제4 부분(154)이 배치될 수 있다. 상기 제4 부분(154)은 제1 부분(151)과 제3 부분(153) 및 제2 부분과 제3 부분을 전기적으로 연결해준다.A
브릿지 전극(150)은 상기 제3 부분(153)의 두께(TB3)가 제1 전극(130)의 두께(T1) 또는 제2 전극(140)의 두께(T2)보다 클 수 있다. 브릿지 전극(150)은 전체적으로 두께가 일정하지 않으며, 상기 제3 부분(153)의 두께(TB3)가 상기 제1 부분(151) 또는 제2 부분(152)의 두께보다 클 수 있다. 또한, 브릿지 전극(150)은 상기 제4 부분(154)의 두께(TB4)가 상기 제1 부분(151) 또는 제2 부분(152)의 두께와 동일하거나, 상기 제1 부분(151) 또는 제2 부분(152)의 두께보다 작을 수 있다. 브릿지 전극(150)은 상기 제3 부분(153)의 두께(TB3)가 가장 클 수 있다.In the
실시예에 따르면, 브릿지 전극(150)의 적어도 일부를 제1 전극(130) 또는 제2 전극(140)보다 두껍게 형성하여 브릿지 전극(150)의 면적을 넓힘으로써, 발광소자의 동작 중 좁은 면적의 브릿지 전극(150)으로 전류가 집중되어 브릿지 전극(150)이 타버리는 등의 신뢰성 저하 문제를 개선할 수 있다.According to the embodiment, by forming at least a portion of the
실시예에 따라, 브릿지 전극(150)은 상기 제1 부분(151) 또는 상기 제2 부분(152)의 두께가 각각 제1 전극(130) 또는 제2 전극(140)의 두께와 같을 수 있다.According to an embodiment, the thickness of the
또는, 브릿지 전극(150)은 상기 제1 부분(151) 또는 상기 제2 부분(152)에서 각각 제1 전극(130) 또는 제2 전극(140)과 높이가 같을 수 있다. 즉, 브릿지 전극(150)은 제1 부분(151)의 표면에서 제1 전극(130)과 단차를 갖지 않고 제1 전극(130)과 접하며, 제2 부분(152)의 표면에서 제2 전극(140)과 단차를 갖지 않고 제2 전극(140)과 접할 수 있다.Alternatively, the
다시 도 1을 참조하면, 복수 개의 발광 셀(100)의 배열에서 일 단부에 배치되는 발광 셀(100Z1)은 제2 전극(140)이 제2 전극 패드(140P)를 포함하여 와이어 본딩을 위한 면적을 확보할 수 있다. 마찬가지로, 복수 개의 발광 셀(100)의 배열에서 다른 단부에 배치되는 발광 셀(100Z2)은 제1 전극(130)이 제1 전극 패드(130P)를 포함하여 와이어 본딩을 위한 면적을 확보할 수 있다.Referring back to FIG. 1, in an array of a plurality of light emitting
도 4는 제2 실시예에 따른 발광소자의 일부분을 확대하여 나타낸 평면도이다. 상술한 실시예와 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다. 도 4를 AA 방향으로 절단하여 정면에서 바라본 단면도는 도 3과 같으므로 도 3을 같이 참조한다.4 is an enlarged plan view of a part of a light emitting device according to the second embodiment. Contents overlapping with the above-described embodiments will not be described again, and the following will focus on differences. A cross-sectional view of FIG. 4 cut in the AA direction and viewed from the front is the same as FIG. 3, so that FIG. 3 is referred to.
도 4를 참조하면, 제2 실시예에 따른 발광소자(200B)는 복수 개의 발광 셀(100) 및 인접한 두 개의 발광 셀(100)을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극(150)을 포함한다.Referring to FIG. 4, the
브릿지 전극(150)은 전체적으로 두께가 일정하지 않다. 브릿지 전극(150)은 제1 전극(130) 또는 제2 전극(140)보다 두꺼운 부분을 갖는다.The overall thickness of the
브릿지 전극(150)은 인접한 두 개의 발광 셀(100) 중 어느 하나의 발광 셀(100)의 제1 전극(130)과 접하는 제1 부분(151), 다른 하나의 발광 셀(100)의 제2 전극(140)과 접하는 제2 부분(152), 상기 제1 부분(151)과 상기 제2 부분(152) 사이의 제3 부분(153)을 포함할 수 있으며 제1 부분(151)과 제3 부분(153) 또는 제2 부분(152)과 제3 부분(153)의 사이를 전기적으로 연결하여 발광 셀(100)의 측면 상에 위치하는 제4 부분(154)를 포함할 수 있다.The
브릿지 전극(150)은 상기 제3 부분(153)의 두께(TB3)가 제1 전극(130)의 두께(T1) 또는 제2 전극(140)의 두께(T2)보다 클 수 있다. 브릿지 전극(150)은 전체적으로 두께가 일정하지 않으며, 상기 제3 부분(153)의 두께(TB3)가 상기 제1 부분(151) 또는 제2 부분(152)의 두께보다 클 수 있다. 또한, 브릿지 전극(150)은 상기 제4 부분(154)의 두께(TB4)가 상기 제1 부분(151) 또는 제2 부분(152)의 두께와 동일하거나, 상기 제1 부분(151) 또는 제2 부분(152)의 두께보다 작을 수 있다. 브릿지 전극(150)은 상기 제3 부분(153)의 두께(TB3)가 가장 클 수 있다.In the
제2 실시예에 따른 발광소자(200B)가 제1 실시예에 따른 발광소자(200A)와 다른 점은, 브릿지 전극(150)의 폭(WB)이 제1 전극(130)의 폭(W1) 또는 제2 전극(140)의 폭(W2)보다 크다는 점이다.The difference between the light emitting
브릿지 전극(150)의 폭(WB)은 25㎛ ~ 35㎛일 수 있다. 예컨대, 브릿지 전극(50)의 폭(WB)은 30㎛일 수 있다. 또한 제1 전극(130)의 폭(W1) 또는 제2 전극(140)의 폭(W2)은 5㎛ ~ 10㎛일 수 있다. 예컨대, 제1 전극(130)의 폭(W1) 또는 제2 전극(140)의 폭(W2)은 7㎛일 수 있으며, 제1 전극(130)의 폭(W1)은 제2 전극폭(W2)보다 좁거나 동일할 수 있다.The width W B of the
제2 실시예에 따르면, 브릿지 전극(150)의 폭(WB)을 제1 전극(130)의 폭(W1) 또는 제2 전극(140)의 폭(W2)보다 넓혀서 브릿지 전극(150)의 면적을 넓힘으로써 신뢰성을 더욱 더 향상시킬 수 있으며 브릿지 전극(150)의 단선 불량 등의 문제를 개선할 수 있다. 브릿지 전극(150)은 발광 셀(100)의 에지 부분에 배치되기 때문에 브릿지 전극(150)의 폭(WB) 증가에 의한 광 흡수를 최소화할 수 있다.According to the second embodiment, the width of the bridge electrode (150) (W B) of the width of the first electrode (130) (W 1) or the second width of the electrode (140) (W 2) than the widen bridge electrode (150 By increasing the area of ), reliability may be further improved, and problems such as disconnection of the
도 5는 제3 실시예에 따른 발광소자의 일부분을 확대하여 나타낸 평면도이다. 상술한 실시예들과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다. 도 5를 AA 방향으로 절단하여 정면에서 바라본 단면도는 도 3과 같으므로 도 3을 같이 참조한다.5 is a plan view showing an enlarged portion of a light emitting device according to the third embodiment. Contents overlapping with the above-described embodiments will not be described again, and the following will focus on differences. A cross-sectional view of FIG. 5 cut in the AA direction and viewed from the front is the same as FIG. 3, so that FIG. 3 is also referred to.
도 5를 참조하면, 제3 실시예에 따른 발광소자(200C)는 복수 개의 발광 셀(100) 및 인접한 두 개의 발광 셀(100)을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극(150)을 포함한다.Referring to FIG. 5, a
제3 실시예에 따른 발광소자(200C)가 제1 실시예에 따른 발광소자(200A)와 다른 점은, 인접한 두 개의 발광 셀(100) 사이에 브릿지 전극(150)이 복수 개 배치된다는 점이다.The difference between the light emitting
예컨대, 인접한 두 개의 발광 셀(100) 사이에는 서로 이격하는 2개의 브릿지 전극들(150)이 배치될 수 있다.For example, two
서로 이격하는 2개의 브릿지 전극들(150) 각각의 폭은 제1 전극(130)의 폭 또는 제2 전극(140)의 폭보다 클 수 있다.The width of each of the two
서로 이격하는 2개의 브릿지 전극들(150) 각각의 폭은 15㎛ ~ 25㎛일 수 있다. 예컨대, 2개의 브릿지 전극들(150) 각각의 폭은 20㎛일 수 있다. 또한 제1 전극(130)의 폭 또는 제2 전극(140)의 폭은 도 4에서 설명한 바와 동일할 수 있다.Each of the two
브릿지 전극(150)은 전체적으로 두께가 일정하지 않다. 각각의 브릿지 전극(150)은 제1 전극(130) 또는 제2 전극(140)보다 두꺼운 부분을 갖는다.The overall thickness of the
브릿지 전극(150)은 인접한 두 개의 발광 셀(100) 중 어느 하나의 발광 셀(100)의 제1 전극(130)과 접하는 제1 부분(151), 다른 하나의 발광 셀(100)의 제2 전극(140)과 접하는 제2 부분(152), 상기 제1 부분(151)과 상기 제2 부분(152) 사이의 제3 부분(153)을 각각 포함할 수 있으며 제1 부분(151)과 제3 부분(153) 또는 제2 부분(152)과 제3 부분(153)의 사이를 전기적으로 연결하여 발광 셀(100)의 측면 상에 위치하는 제4 부분(154)를 포함할 수 있다.The
브릿지 전극(150)은 상기 제3 부분(153)의 두께(TB3)가 제1 전극(130)의 두께(T1) 또는 제2 전극(140)의 두께(T2)보다 클 수 있다. 브릿지 전극(150)은 전체적으로 두께가 일정하지 않으며, 상기 제3 부분(153)의 두께(TB3)가 상기 제1 부분(151) 또는 제2 부분(152)의 두께보다 클 수 있다. 또한, 브릿지 전극(150)은 상기 제4 부분(154)의 두께(TB4)가 상기 제1 부분(151) 또는 제2 부분(152)의 두께와 동일하거나, 상기 제1 부분(151) 또는 제2 부분(152)의 두께보다 작을 수 있다. 브릿지 전극(150)은 상기 제3 부분(153)의 두께(TB3)가 가장 클 수 있다.In the
제3 실시예에 따르면, 인접한 두 개의 발광 셀(100) 사이에 브릿지 전극(150)을 복수 개 배치하여 결과적으로 브릿지 전극(150)의 면적을 넓힐 수 있으며, 어느 하나의 브릿지 전극(150)이 단선되더라도 다른 브릿지 전극(150)에 의해 단선 불량을 해소할 수 있으므로 신뢰성이 향상될 수 있다. 브릿지 전극(150)은 발광 셀(100)의 에지 부분에 배치되기 때문에 브릿지 전극(150)의 개수 증가에 의한 광 흡수를 최소화할 수 있다.According to the third embodiment, by disposing a plurality of
도 6은 제4 실시예에 따른 발광소자의 일부분을 확대하여 나타낸 평면도이고, 도 7은 도 6을 AA 방향으로 절단하여 정면에서 바라본 단면도이다. 상술한 실시예들과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.6 is an enlarged plan view of a part of the light emitting device according to the fourth embodiment, and FIG. 7 is a cross-sectional view of FIG. 6 taken in the AA direction and viewed from the front. Contents overlapping with the above-described embodiments will not be described again, and the following will focus on differences.
도 6 및 도 7을 참조하면, 제4 실시예에 따른 발광소자(200D)는 복수 개의 발광 셀(100) 및 인접한 두 개의 발광 셀(100)을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극(150)을 포함한다.6 and 7, the
브릿지 전극(150)은 전체적으로 두께가 일정하지 않을 수 있다. 브릿지 전극(150)은 제1 전극(130) 또는 제2 전극(140)보다 두꺼운 부분을 가질 수 있다.The overall thickness of the
브릿지 전극(150)은 인접한 두 개의 발광 셀(100) 중 어느 하나의 발광 셀(100)의 제1 전극(130)과 접하는 제1 부분(151), 다른 하나의 발광 셀(100)의 제2 전극(140)과 접하는 제2 부분(152), 상기 제1 부분(151)과 상기 제2 부분(152) 사이의 제3 부분(153)을 포함할 수 있으며 제1 부분(151)과 제3 부분(153) 또는 제2 부분(152)과 제3 부분(153)의 사이를 전기적으로 연결하여 발광 셀(100)의 측면 상에 위치하는 제4 부분(154)를 포함할 수 있다.The
상기 제1 부분(151)은 인접한 두 개의 발광 셀(100) 중 어느 하나의 발광 셀(100)의 제1 전극(130)의 상면과 접한다. 즉, 상기 제1 부분(151)은, 일부는, 인접한 두 개의 발광 셀(100) 중 어느 하나의 발광 셀(100)의 제1 도전형 반도체층(122)의 상부에 배치되고, 또 다른 일부는, 상기 어느 하나의 발광 셀(100)의 제1 전극(130)의 상부에 배치된다. 또한, 상기 제2 부분(152)은 다른 하나의 발광 셀(100)의 제2 전극(140)의 상면과 접한다. 즉, 상기 제2 부분(152)은, 일부는, 상기 다른 하나의 발광 셀(100)의 제2 도전형 반도체층(126)의 상부에 배치되고, 또 다른 일부는, 상기 다른 하나의 발광 셀(100)의 제2 전극(140)의 상부에 배치된다.The
브릿지 전극(150)은 상기 제3 부분(153)의 두께(TB3)가 제1 전극(130)의 두께(T1) 또는 제2 전극(140)의 두께(T2)보다 클 수 있다. 브릿지 전극(150)은 전체적으로 두께가 일정하지 않으며, 상기 제3 부분(153)의 두께(TB3)가 상기 제1 부분(151) 또는 제2 부분(152)의 두께보다 클 수 있다. 또한, 브릿지 전극(150)은 상기 제4 부분(154)의 두께(TB4)가 상기 제1 부분(151) 또는 제2 부분(152)의 두께와 동일하거나, 상기 제1 부분(151) 또는 제2 부분(152)의 두께보다 작을 수 있다. 브릿지 전극(150)은 상기 제3 부분(153)의 두께(TB3)가 가장 클 수 있다. 실시예에 따르면, 발광 셀(100)의 전극(130, 140)과 브릿지 전극(150)의 연결부와 같이 저항이 큰 부분에서 브릿지 전극(150)의 면적을 넓힘으로써, 발광소자의 동작 중 좁은 면적의 브릿지 전극(150)으로 전류가 집중되어 브릿지 전극(150)이 타버리는 등의 신뢰성 저하 문제를 개선할 수 있다.In the
도 8은 제5 실시예에 따른 발광소자의 일부분의 측 단면도이다. 상술한 실시예들과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다. 도 8의 평면도는 도 6과 같으므로 도 6을 같이 참조한다.8 is a side cross-sectional view of a portion of a light emitting device according to the fifth embodiment. Contents overlapping with the above-described embodiments will not be described again, and the following will focus on differences. Since the plan view of FIG. 8 is the same as that of FIG. 6, reference is made to FIG. 6.
도 8을 참조하면, 제5 실시예에 따른 발광소자(200E)는 복수 개의 발광 셀(100) 및 인접한 두 개의 발광 셀(100)을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극(150)을 포함한다.Referring to FIG. 8, the
브릿지 전극(150)은 인접한 두 개의 발광 셀(100) 중 어느 하나의 발광 셀(100)의 제1 전극(130)과 접하는 제1 부분(151), 다른 하나의 발광 셀(100)의 제2 전극(140)과 접하는 제2 부분(152), 상기 제1 부분(151)과 상기 제2 부분(152) 사이의 제3 부분(153)을 포함할 수 있으며 제1 부분(151)과 제3 부분(153) 또는 제2 부분(152)과 제3 부분(153)의 사이를 전기적으로 연결하여 발광 셀(100)의 측면 상에 위치하는 제4 부분(154)를 포함할 수 있다.상기 제1 부분(151)은 제1 전극(130)의 상면 및 적어도 일 측면과 접할 수 있다. 상기 제1 부분(151)은 제1 전극(130)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 부분(152)은 제2 전극(140)의 상면 및 적어도 일 측면과 접할 수 있다. 상기 제2 부분(152)은 제2 전극(140)을 둘러싸도록 배치될 수 있다.The
상기 제1 부분(151)은 제1 도전형 반도체층(122) 상에 위치하는 부분의 두께(TB11)와 제1 전극(130) 상에 위치하는 부분의 두께(TB12)가 실질적으로 동일할 수 있다. 또한, 상기 제2 부분(152)은 제2 도전형 반도체층(126) 상에 위치하는 부분의 두께(TB21)와 제2 전극(140) 상에 위치하는 부분의 두께(TB22)가 실질적으로 동일할 수 있다.The
도 9는 제6 실시예에 따른 발광소자의 일부분의 측 단면도이다. 상술한 실시예들과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.9 is a side cross-sectional view of a portion of a light emitting device according to the sixth embodiment. Contents overlapping with the above-described embodiments will not be described again, and the following will focus on differences.
도 9를 참조하면, 제6 실시예에 따른 발광소자(200F)는 복수 개의 발광 셀(100) 및 인접한 두 개의 발광 셀(100)을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극(150)을 포함한다.Referring to FIG. 9, a
발광소자(200F)는 브릿지 전극(152)과 제1 전극(130)이 전기적으로 연결되는 부분 및 브릿지 전극(152)과 제2 전극(140)이 전기적으로 연결되는 부분을 제외하고, 발광소자(200F)의 표면에 패시베이션층(160)이 배치될 수 있다.The light-emitting
도 10은 제7 실시예에 따른 발광소자의 평면도이고, 도 11은 도 9의 일부분을 확대하여 나타낸 평면도이고, 도 12는 도 11을 BB 방향으로 절단하여 정면에서 바라본 단면도이다. 상술한 실시예들과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.10 is a plan view of a light emitting device according to the seventh embodiment, FIG. 11 is a partially enlarged plan view of FIG. 9, and FIG. 12 is a cross-sectional view of FIG. 11 cut in the BB direction and viewed from the front. Contents overlapping with the above-described embodiments will not be described again, and the following will focus on differences.
도 10 내지 도 12를 참조하면, 제7 실시예에 따른 발광소자(300A)는 복수 개의 발광 셀(100) 및 인접한 두 개의 발광 셀(100)을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극(150)을 포함한다.10 to 12, the
복수 개의 발광 셀(100)의 하부에 기판(110)이 배치된다. 복수 개의 발광 셀(100)은 기판(110)에 의해 지지되며, 기판(110) 상에 서로 이격되어 배치된다.The
인접한 두 개의 발광 셀(100) 사이에 복수 개의 브릿지 전극(150)이 배치된다. 브릿지 전극(150)은 인접한 두 개의 발광 셀(100)을 전기적으로 연결한다.A plurality of
브릿지 전극(150)은 인접한 두 개의 발광 셀(100) 중 어느 하나의 발광 셀(100)의 제1 도전형 반도체층(122)과 다른 하나의 발광 셀(100)의 제2 도전형 반도체층(126)을 전기적으로 연결할 수 있다.The
제4 실시예에 따르면, 인접한 두 개의 발광 셀(100) 사이에 브릿지 전극(150)을 복수 개 배치하여 결과적으로 브릿지 전극(150)의 면적을 넓힐 수 있으며, 어느 하나의 브릿지 전극(150)이 단선되더라도 다른 브릿지 전극(150)에 의해 단선 불량을 해소할 수 있으므로 신뢰성이 향상될 수 있다.According to the fourth embodiment, by disposing a plurality of
복수 개의 브릿지 전극(150)은 인접한 두 개의 발광 셀(100) 중 어느 하나의 발광 셀(100)의 제1 도전형 반도체층(122) 상의 제1 부분(151), 다른 하나의 발광 셀(100)의 제2 도전형 반도체층(126) 상의 제2 부분(152), 상기 제1 부분(151)과 상기 제2 부분(152) 사이의 제3 부분(153)을 각각 포함할 수 있다. 상기 제1 부분(151)은 발광 구조물(120)의 식각 영역(E)에 의해 노출된 제1 도전형 반도체층(122) 상에 배치된 부분일 수 있다.The plurality of
상기 제3 부분(153)은 인접한 두 개의 발광 셀(100)의 사이에 배치되며, 기판(110) 상에 배치된다. 즉, 상기 제3 부분(153)은, 기판(110) 상에 배치된 인접한 두 개의 발광 셀(100) 사이의 이격 공간에 배치될 수 있다.The
상기 제1 부분(151)과 제3 부분(153) 사이의 브릿지 전극(150) 및 제2 부분(152)과 제3 부분(153) 사이의 브릿지 전극(150)은 발광 구조물(120)의 측면에 배치된 부분일 수 있다.The
제7 실시예에서, 브릿지 전극(150)은 별도의 제1 전극 또는 제2 전극 없이 발광 셀(100)의 제1 도전형 반도체층(122) 및 제2 도전형 반도체층(126)과 직접 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 브릿지 전극(150)은 인접한 두 개의 발광 셀(100) 중 어느 하나의 발광 셀(100)의 제1 도전형 반도체층(122)과 제1 부분(151)이 접하고, 다른 하나의 발광 셀(100)의 제2 도전형 반도체층(126)과 제2 부분(152)이 접할 수 있다.In the seventh embodiment, the
도 10을 참조하면, 복수 개의 발광 셀(100)의 배열에서 일 단부에 배치되는 발광 셀(100Z1)은 제2 도전형 반도체층(126) 상에 제2 전극 패드(140P)가 배치되어 와이어 본딩을 위한 면적을 확보할 수 있다. 마찬가지로, 복수 개의 발광 셀(100)의 배열에서 다른 단부에 배치되는 발광 셀(100Z2)은 제1 도전형 반도체층(122) 상에 제1 전극 패드(130P)가 배치되어 와이어 본딩을 위한 면적을 확보할 수 있다.Referring to FIG. 10, a
도 13은 제8 실시예에 따른 발광소자의 일부분의 측 단면도이다. 상술한 실시예들과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다. 도 13의 평면도는 도 11과 같으므로 도 11을 같이 참조한다.13 is a side cross-sectional view of a portion of a light emitting device according to the eighth embodiment. Contents overlapping with the above-described embodiments will not be described again, and the following will focus on differences. Since the plan view of FIG. 13 is the same as that of FIG. 11, reference is made to FIG.
도 13을 참조하면, 제8 실시예에 따른 발광소자(300B)는 복수 개의 발광 셀(100) 및 인접한 두 개의 발광 셀(100)을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극(150)을 포함한다.Referring to FIG. 13, a
제8 실시예에 따른 발광소자(300B)가 제7 실시예에 따른 발광소자(300A)와 다른 점은, 브릿지 전극(150)의 두께가 전체적으로 일정하지 않다는 점이다.The difference between the light emitting
브릿지 전극(150)은 인접한 두 개의 발광 셀(100) 중 어느 하나의 발광 셀(100)의 제1 도전형 반도체층(122) 상의 제1 부분(151), 다른 하나의 발광 셀(100)의 제2 도전형 반도체층(126) 상의 제2 부분(152), 상기 제1 부분(151)과 상기 제2 부분(152) 사이의 제3 부분(153)을 포함할 수 있으며 제1 부분(151)과 제3 부분(153) 또는 제2 부분(152)과 제3 부분(153)의 사이를 전기적으로 연결하여 발광 셀(100)의 측면 상에 위치하는 제4 부분(154)를 포함할 수 있다. 상기 제1 부분(151)은 발광 구조물(120)의 식각 영역(E)에 의해 노출된 제1 도전형 반도체층(122) 상에 배치된 부분일 수 있다.The
상기 제3 부분(153)은 인접한 두 개의 발광 셀(100)의 사이에 배치되며, 기판(110) 상에 배치된다. 즉, 상기 제3 부분(153)은, 기판(110) 상에 배치된 인접한 두 개의 발광 셀(100) 사이의 이격 공간에 배치될 수 있다.The
상기 제1 부분(151)과 제3 부분(153) 사이 및 제2 부분(152)과 제3 부분(153) 사이의 측면에는 브릿지 전극(150)의 제4 부분(154)이 배치될 수 있다. 상기 제4 부분(154)은 제1 부분(151)과 제3 부분(153) 및 제2 부분과 제3 부분을 전기적으로 연결해준다.A
브릿지 전극(150)은 상기 제3 부분(153)의 두께(TB3)가 상기 제1 부분(151)의 두께(TB1) 또는 상기 제2 부분(152)의 두께(TB2)보다 클 수 있다. 또한, 브릿지 전극(150)은 상기 제4 부분(154)의 두께(TB4)가 상기 제1 부분(151) 또는 제2 부분(152)의 두께와 동일하거나, 상기 제1 부분(151) 또는 제2 부분(152)의 두께보다 작을 수 있다. 브릿지 전극(150)은 상기 제3 부분(153)의 두께(TB3)가 가장 클 수 있다.The
제8 실시예에 따르면, 브릿지 전극(150)의 적어도 일부를 두껍게 형성하여 브릿지 전극(150)의 면적을 넓힘으로써, 발광소자의 동작 중 좁은 면적의 브릿지 전극(150)으로 전류가 집중되어 브릿지 전극(150)이 타버리는 등의 신뢰성 저하 문제를 개선할 수 있다.According to the eighth embodiment, by forming at least a part of the
도 14는 제9 실시예에 따른 발광소자의 일부분의 측 단면도이다. 상술한 실시예들과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다. 도 14의 평면도는 도 11과 같으므로 도 11을 같이 참조한다.14 is a side cross-sectional view of a portion of a light emitting device according to the ninth embodiment. Contents overlapping with the above-described embodiments will not be described again, and the following will focus on differences. Since the plan view of FIG. 14 is the same as that of FIG. 11, reference is made to FIG. 11 as well.
도 14를 참조하면, 제9 실시예에 따른 발광소자(300C)는 복수 개의 발광 셀(100) 및 인접한 두 개의 발광 셀(100)을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극(150)을 포함한다.Referring to FIG. 14, the
브릿지 전극(150)은 인접한 두 개의 발광 셀(100) 중 어느 하나의 발광 셀(100)의 제1 도전형 반도체층(122) 상의 제1 부분(151), 다른 하나의 발광 셀(100)의 제2 도전형 반도체층(126) 상의 제2 부분(152), 상기 제1 부분(151)과 상기 제2 부분(152) 사이의 제3 부분(153)을 포함할 수 있으며 제1 부분(151)과 제3 부분(153) 또는 제2 부분(152)과 제3 부분(153)의 사이를 전기적으로 연결하여 발광 셀(100)의 측면 상에 위치하는 제4 부분(154)를 포함할 수 있다. 상기 제1 부분(151)은 발광 구조물(120)의 식각 영역(E)에 의해 노출된 제1 도전형 반도체층(122) 상에 배치된 부분일 수 있다.The
제9 실시예에 따른 발광소자(300C)가 제8 실시예에 따른 발광소자(300B)와 다른 점은, 제1 부분(151)의 두께(TB1) 또는 제2 부분(152)의 두께(TB2)가 상기 제4 부분(154)의 두께(TB4)보다 크다는 것이다. 상기 제1 부분(151)의 두께(TB1) 또는 제2 부분(152)의 두께(TB2)는 상기 제3 부분(153)의 두께(TB3)보다 작거나, 상기 제3 부분(153)의 두께(TB3)와 같거나 비슷할 수 있다.The difference between the light emitting
실시예에 따르면, 발광 셀(100)의 제1,2 도전형 반도체층(122, 126)과 브릿지 전극(150)의 연결부와 같이 저항이 큰 부분에서 브릿지 전극(150)의 면적을 넓힘으로써, 발광소자의 동작 중 좁은 면적의 브릿지 전극(150)으로 전류가 집중되어 브릿지 전극(150)이 타버리는 등의 신뢰성 저하 문제를 개선할 수 있다.According to the embodiment, by increasing the area of the
도 15는 제10 실시예에 따른 발광소자의 평면도이고, 도 16은 도 15의 일부분을 확대하여 나타낸 평면도이고, 도 17은 도 16을 BB 방향으로 절단하여 바라본 단면도이다. 상술한 실시예들과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.15 is a plan view of a light emitting device according to the tenth embodiment, FIG. 16 is a partially enlarged plan view of FIG. 15, and FIG. 17 is a cross-sectional view of FIG. 16 cut in the BB direction. Contents overlapping with the above-described embodiments will not be described again, and the following will focus on differences.
도 15 내지 도 17를 참조하면, 제10 실시예에 따른 발광소자(300D)는 복수 개의 발광 셀(100) 및 인접한 두 개의 발광 셀(100)을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극(150)을 포함한다.15 to 17, the
복수 개의 발광 셀(100)의 하부에 기판(110)이 배치된다. 복수 개의 발광 셀(100)은 기판(110)에 의해 지지되며, 기판(110) 상에 서로 이격되어 배치된다.The
인접한 두 개의 발광 셀(100) 사이에 복수 개의 브릿지 전극(150)이 배치된다. 브릿지 전극(150)은 인접한 두 개의 발광 셀(100)을 전기적으로 연결한다.A plurality of
브릿지 전극(150)은 인접한 두 개의 발광 셀(100) 중 어느 하나의 발광 셀(100)의 제1 전극(130)과 다른 하나의 발광 셀(100)의 제2 전극(140) 사이에 복수 개가 이격되어 배치된다.A plurality of
브릿지 전극(150)은 인접한 두 개의 발광 셀(100) 중 어느 하나의 발광 셀(100)의 제1 전극(130)과 접하는 제1 부분(151), 다른 하나의 발광 셀(100)의 제2 전극(140)과 접하는 제2 부분(152), 상기 제1 부분(151)과 상기 제2 부분(152) 사이의 제3 부분(153)을 포함할 수 있다.The
상기 제1 부분(151)은 인접한 두 개의 발광 셀(100) 중 어느 하나의 발광 셀(100)의 제1 전극(130)과 접하면서 제1 도전형 반도체층(122) 상에 배치되며, 상기 제2 부분(152)은 다른 하나의 발광 셀(100)의 제2 전극(140)과 접하면서 제2 도전형 반도체층(126) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 부분(151)은 발광 구조물(120)의 식각 영역(E)에 의해 노출된 제1 도전형 반도체층(122) 상에 배치된 부분일 수 있다.The
상기 제3 부분(153)은 인접한 두 개의 발광 셀(100)의 사이에 배치되며, 기판(110) 상에 배치된다. 즉, 상기 제3 부분(153)은, 기판(110) 상에 배치된 인접한 두 개의 발광 셀(100) 사이의 이격 공간에 배치될 수 있다.The
상기 제1 부분(151)과 제3 부분(153) 사이의 브릿지 전극(150) 및 제2 부분(152)과 제3 부분(153) 사이의 브릿지 전극(150)은 발광 구조물(120)의 측면에 배치된 부분일 수 있다.The
도 16을 참조하면, 제1 전극(130) 및 제2 전극(140)은 제1 방향의 길이 방향을 갖도록 배열될 수 있다. 복수 개의 브릿지 전극(150)은 상기 제1 방향과 다른 제2 방향의 길이 방향을 각각 가질 수 있다. 일 예로서, 제1 방향과 제2 방향은 직교할 수 있다.Referring to FIG. 16, the
실시예에 따라, 브릿지 전극(150)은 제1 방향의 길이 방향을 갖도록 배열된 제1 전극(130)과 제1 방향의 길이 방향을 갖도록 배열된 제2 전극(140)의 사이에서 제2 방향의 길이 방향을 갖도록 복수 개가 이격되어 배치될 수 있다. 이때, 복수 개의 브릿지 전극(150) 각각은 제1 부분(151)이 제1 전극(130)과 접하고 제2 부분(152)이 제2 전극(130)과 접한다.According to the embodiment, the
실시예에 따라, 브릿지 전극(150)은 상기 제1 부분(151) 또는 상기 제2 부분(152)의 두께가 각각 제1 전극(130) 또는 제2 전극(140)의 두께와 같을 수 있다.According to an embodiment, the thickness of the
또는, 브릿지 전극(150)은 상기 제1 부분(151) 또는 상기 제2 부분(152)에서 각각 제1 전극(130) 또는 제2 전극(140)과 높이가 같을 수 있다. 즉, 브릿지 전극(150)은 제1 부분(151)의 표면에서 제1 전극(130)과 단차를 갖지 않고 제1 전극(130)과 접하며, 제2 부분(152)의 표면에서 제2 전극(140)과 단차를 갖지 않고 제2 전극(140)과 접할 수 있다.Alternatively, the
다시 도 15를 참조하면, 복수 개의 발광 셀(100)의 배열에서 일 단부에 배치되는 발광 셀(100Z1)은 제2 전극(140)이 제2 전극 패드(140P)를 포함하여 와이어 본딩을 위한 면적을 확보할 수 있다. 마찬가지로, 복수 개의 발광 셀(100)의 배열에서 다른 단부에 배치되는 발광 셀(100Z2)은 제1 전극(130)이 제1 전극 패드(130P)를 포함하여 와이어 본딩을 위한 면적을 확보할 수 있다.Referring back to FIG. 15, in the array of the plurality of light emitting
도 18은 제11 실시예에 따른 발광소자의 일부분의 측 단면도이다. 상술한 실시예들과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다. 도 18의 평면도는 도 16과 같으므로 도 16을 같이 참조한다.18 is a side cross-sectional view of a portion of a light emitting device according to an eleventh embodiment. Contents overlapping with the above-described embodiments will not be described again, and the following will focus on differences. Since the plan view of FIG. 18 is the same as that of FIG. 16, reference is made to FIG. 16.
도 18을 참조하면, 제11 실시예에 따른 발광소자(300E)는 복수 개의 발광 셀(100) 및 인접한 두 개의 발광 셀(100)을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극(150)을 포함한다.Referring to FIG. 18, the
제11 실시예에 따른 발광소자(300E)가 제10 실시예에 따른 발광소자(300D)와 다른 점은, 브릿지 전극(150)의 두께가 전체적으로 일정하지 않다는 점이다.The difference between the light emitting
브릿지 전극(150)은 인접한 두 개의 발광 셀(100) 중 어느 하나의 발광 셀(100)의 제1 도전형 반도체층(122) 상의 제1 부분(151), 다른 하나의 발광 셀(100)의 제2 도전형 반도체층(126) 상의 제2 부분(152), 상기 제1 부분(151)과 상기 제2 부분(152) 사이의 제3 부분(153)을 포함할 수 있으며 제1 부분(151)과 제3 부분(153) 또는 제2 부분(152)과 제3 부분(153)의 사이를 전기적으로 연결하여 발광 셀(100)의 측면 상에 위치하는 제4 부분(154)를 포함할 수 있다. 상기 제1 부분(151)은 발광 구조물(120)의 식각 영역(E)에 의해 노출된 제1 도전형 반도체층(122) 상에 배치된 부분일 수 있다.The
상기 제3 부분(153)은 인접한 두 개의 발광 셀(100)의 사이에 배치되며, 기판(110) 상에 배치된다. 즉, 상기 제3 부분(153)은, 기판(110) 상에 배치된 인접한 두 개의 발광 셀(100) 사이의 이격 공간에 배치될 수 있다.The
상기 제1 부분(151)과 제3 부분(153) 사이 및 제2 부분(152)과 제3 부분(153) 사이의 측면에는 브릿지 전극(150)의 제4 부분(154)이 배치될 수 있다. 상기 제4 부분(154)은 제1 부분(151)과 제3 부분(153) 및 제2 부분과 제3 부분을 전기적으로 연결해준다.A
브릿지 전극(150)은 상기 제3 부분(153)의 두께(TB3)가 제1 전극(130)의 두께(T1) 또는 제2 전극(140)의 두께(T2)보다 클 수 있다. 브릿지 전극(150)은 전체적으로 두께가 일정하지 않으며, 상기 제3 부분(153)의 두께(TB3)가 상기 제1 부분(151) 또는 제2 부분(152)의 두께보다 클 수 있다. 또한, 브릿지 전극(150)은 상기 제4 부분(154)의 두께(TB4)가 상기 제1 부분(151) 또는 제2 부분(152)의 두께와 동일하거나, 상기 제1 부분(151) 또는 제2 부분(152)의 두께보다 작을 수 있다. 브릿지 전극(150)은 상기 제3 부분(153)의 두께(TB3)가 가장 클 수 있다.In the
제11 실시예에 따르면, 브릿지 전극(150)의 적어도 일부를 두껍게 형성하여 브릿지 전극(150)의 면적을 넓힘으로써, 발광소자의 동작 중 좁은 면적의 브릿지 전극(150)으로 전류가 집중되어 브릿지 전극(150)이 타버리는 등의 신뢰성 저하 문제를 개선할 수 있다.According to the eleventh embodiment, by forming at least a part of the
실시예에 따라, 브릿지 전극(150)은 상기 제1 부분(151) 또는 상기 제2 부분(152)의 두께가 각각 제1 전극(130) 또는 제2 전극(140)의 두께와 같을 수 있다.According to an embodiment, the thickness of the
또는, 브릿지 전극(150)은 상기 제1 부분(151) 또는 상기 제2 부분(152)에서 각각 제1 전극(130) 또는 제2 전극(140)과 높이가 같을 수 있다. 즉, 브릿지 전극(150)은 제1 부분(151)의 표면에서 제1 전극(130)과 단차를 갖지 않고 제1 전극(130)과 접하며, 제2 부분(152)의 표면에서 제2 전극(140)과 단차를 갖지 않고 제2 전극(140)과 접할 수 있다.Alternatively, the
도 19는 제12 실시 예에 따른 발광 소자(400A)의 단면도이다. 도 3과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다.19 is a cross-sectional view of a
도 19를 참조하면, 기판(110)의 상부 표면에는 발광 구조물(120)로부터 조사되는 광을 산란시켜, 광 추출을 향상시키는 요철(110a)이 형성될 수 있다. 예컨대, 기판(110)은 PSS(Patterned Sapphire Substrate)일 수 있다.Referring to FIG. 19, an
요철(110a)은 인접하는 발광 셀들 사이에 위치하는 기판(110)의 상부면의 일 영역(이하 "기판(110)의 제1 영역(S1)"이라 한다)에도 형성될 수 있다. The
기판(110)의 제1 영역(S1)에 형성되는 요철(110a) 상에 배치되는 절연층(160)의 일부는 요철(110a)에 대응하는 곡면을 가질 수 있으며, 절연층(160)의 곡면의 형상은 요철(110a)의 외주면의 형상과 동일할 수 있다.A portion of the insulating
또한 기판(110)의 제1 영역(S1)에 위치하는 절연층(160) 상에 배치되는 브릿지 전극(150)의 제3 부분(153)의 상부면에는 기판(110)의 요철(110a)에 대응하는 요철(153a)이 형성될 수 있다. 브릿지 전극(150)의 제3 부분(153)의 요철(153a)은 브릿지 전극(150)의 제3 부분(153)의 상부면으로부터 돌출되는 복수의 돌출부들을 포함할 수 있다. In addition, on the upper surface of the
브릿지 전극(150)의 제3 부분(153)의 두께(TB3)는 브릿지 전극(150)의 제1 부분(151) 또는 제2 부분(152)의 두께보다 클 수 있다. The thickness T B3 of the
또한 브릿지 전극(150)의 제3 부분(153)의 두께(TB3)는 브릿지 전극(150)의 제1 부분(151)의 두께와 제1 두께(T5)의 합보다 작거나 같을 수 있다. 제1 두께(T5)는 버퍼층(115), 언도프트 반도체층(114), 및 발광 구조물(120)의 식각 영역(E)의 두께의 합일 수 있다.In addition, the thickness T B3 of the
즉 기판(110)의 상부면을 기준으로 브릿지 전극(150)의 제3 부분(153)의 상부면의 높이는 브릿지 전극(150)의 제1 부분(151)의 상부면의 높이보다 낮거나 동일할 수 있다.That is, the height of the upper surface of the
도 20은 제13 실시 예에 따른 발광 소자(400B)의 단면도이다. 도 12와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다.20 is a cross-sectional view of a
도 20일 참조하면, 기판(110)의 제1 영역(S1)에 위치하는 절연층(160) 상에 배치되는 브릿지 전극(150)의 제3 부분(153)은 기판(110)의 요철(110a)에 대응하는 요철(153a)을 구비할 수 있다. 브릿지 전극(150)의 제3 부분(153)의 요철(153a)은 브릿지 전극(150)의 제3 부분(153)의 상부면으로부터 돌출되는 복수의 돌출부들을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 20, the
제12 실시 예와 비교할 때 다른 점은 제13 실시 예는 브릿지 전극(150)의 제1 부분 내지 제3 부분들(151,152,153) 각각의 두께가 모두 동일하다는 점이다.Compared to the twelfth embodiment, the thirteenth embodiment is that the first to
도 21은 실시예들에 따른 발광소자를 포함한 발광소자 패키지의 일실시예를 도시한 도면이다.21 is a diagram illustrating an embodiment of a light emitting device package including a light emitting device according to the embodiments.
일실시예에 따른 발광소자 패키지(400)는 몸체(410)와, 상기 몸체(410)에 배치된 제1 리드 프레임(421) 및 제2 리드 프레임(422)과, 상기 몸체(410)에 배치되어 상기 제1 리드 프레임(421) 및 제2 리드 프레임(422)과 전기적으로 연결되는 상술한 실시예들에 따른 발광소자(200; 300)와, 상기 캐비티에 형성된 몰딩부(440)를 포함한다. 상기 몸체(410)에는 캐비티가 형성될 수 있다. 발광소자(200; 300)는 상술한 바와 같이 직렬 또는 병렬 연결된 복수 개의 발광 셀이 하나의 칩으로 형성된 것이다.The light emitting
상기 몸체(410)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 몸체(410)가 금속 재질 등 도전성 물질로 이루어지면, 도시되지는 않았으나 상기 몸체(410)의 표면에 절연층이 코팅되어 상기 제1,2 리드 프레임(421, 422) 간의 전기적 단락을 방지할 수 있다.The body 410 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material. When the body 410 is made of a conductive material such as a metal material, although not shown, an insulating layer is coated on the surface of the body 410 to prevent an electrical short between the first and second lead frames 421 and 422. I can.
상기 제1 리드 프레임(421) 및 제2 리드 프레임(422)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자(200; 300)에 전류를 공급한다. 또한, 상기 제1 리드 프레임(421) 및 제2 리드 프레임(422)은 상기 발광소자(200; 300)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광소자(200; 300)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다.The
상기 발광소자(200; 300)는 상기 몸체(410) 상에 배치되거나 상기 제1 리드 프레임(421) 또는 제2 리드 프레임(422) 상에 배치될 수 있다. 본 실시예에서는 제1 리드 프레임(421)과 발광소자(200; 300)가 직접 통전되고, 제2 리드 프레임(422)과 상기 발광소자(200; 300)는 와이어(430)를 통하여 연결되어 있다. 발광소자(200; 300)는 와이어 본딩 방식 외에 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 등에 의하여 리드 프레임(421, 422)과 연결될 수 있다.The light emitting device 200 or 300 may be disposed on the body 410 or may be disposed on the
상기 몰딩부(440)는 상기 발광소자(200; 300)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(440) 상에는 형광체(450)가 포함되어, 상기 발광소자(200; 300)로부터 방출되는 빛의 파장을 변화시킬 수 있다.The
형광체(450)는 가넷(Garnet)계 형광체, 실리케이트(Silicate)계 형광체, 니트라이드(Nitride)계 형광체, 또는 옥시니트라이드(Oxynitride)계 형광체를 포함할 수 있다.The
예를 들어, 상기 가넷계 형광체는 YAG(Y3Al5O12:Ce3 +) 또는 TAG(Tb3Al5O12:Ce3 +)일 수 있고, 상기 실리케이트계 형광체는 (Sr,Ba,Mg,Ca)2SiO4:Eu2 +일 수 있고, 상기 니트라이드계 형광체는 SiN을 포함하는 CaAlSiN3:Eu2 +일 수 있고, 상기 옥시니트라이드계 형광체는 SiON을 포함하는 Si6 - xAlxOxN8 -x:Eu2 +(0<x<6)일 수 있다.For example, the garnet-based phosphor may be YAG (Y 3 Al 5 O 12 :Ce 3 + ) or TAG (Tb 3 Al 5 O 12 :Ce 3 + ), and the silicate-based phosphor is (Sr,Ba, Mg, Ca) 2 SiO 4:
상기 발광소자(200; 300)에서 방출된 제1 파장 영역의 광이 상기 형광체(350)에 의하여 여기되어 제2 파장 영역의 광으로 변환되고, 상기 제2 파장 영역의 광은 렌즈(미도시)를 통과하면서 광경로가 변경될 수 있다.Light in the first wavelength region emitted from the light emitting device 200; 300 is excited by the phosphor 350 and converted into light in the second wavelength region, and the light in the second wavelength region is a lens (not shown) The light path may change while passing through.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 반도체 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.A plurality of light emitting device packages according to the embodiment may be arranged on a substrate, and an optical member, such as a light guide plate, a prism sheet, and a diffusion sheet, may be disposed on an optical path of the light emitting device package. Such a light emitting device package, a substrate, and an optical member may function as a light unit. Another embodiment may be implemented as a display device, an indication device, and a lighting system including the semiconductor light emitting device or the light emitting device package described in the above-described embodiments, and for example, the lighting system may include a lamp and a street light. .
이하에서는 상술한 발광소자 또는 발광소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일실시예로서, 헤드램프와 백라이트 유닛을 설명한다.Hereinafter, a headlamp and a backlight unit will be described as an embodiment of a lighting system in which the above-described light emitting device or light emitting device package is disposed.
도 22는 실시예들에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지가 배치된 헤드램프의 일실시예를 도시한 도면이다.22 is a diagram illustrating an embodiment of a headlamp in which a light emitting device or a light emitting device package is disposed according to the embodiments.
도 22를 참조하면, 실시예들에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지가 배치된 발광 모듈(710)에서 방출된 빛이 리플렉터(720)와 쉐이드(730)에서 반사된 후 렌즈(740)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다.Referring to FIG. 22, light emitted from the light emitting device or the
상기 발광 모듈(710)은 회로기판 상에 발광소자가 복수 개로 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지 않는다.The light-emitting
도 23은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일실시예를 도시한 도면이다.23 is a diagram illustrating an embodiment of a display device in which a light emitting device package according to the embodiment is disposed.
도 23을 참조하면, 실시예에 따른 표시장치(800)는 발광 모듈(830, 835)과, 바텀 커버(810) 상의 반사판(820)과, 상기 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 발광 모듈에서 방출되는 빛을 표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(840)과, 상기 도광판(840)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(850)와 제2 프리즘시트(860)와, 상기 제2 프리즘시트(860)의 전방에 배치되는 패널(870)과 상기 패널(870)의 전반에 배치되는 컬러필터(880)를 포함하여 이루어진다.Referring to FIG. 23, a
발광 모듈은 회로 기판(830) 상의 상술한 발광소자 패키지(835)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(835)는 실시 예들 중 어느 하나일 수 있다.The light emitting module includes the above-described light
상기 바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 상기 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 상기 도광판(840)의 후면이나, 상기 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The
여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.Here, the
도광판(840)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(830)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 그리고, 도광판이 생략되어 반사시트(820) 위의 공간에서 빛이 전달되는 에어 가이드 방식도 가능하다.The
상기 제1 프리즘 시트(850)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The
상기 제2 프리즘 시트(860)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(870)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 860, a direction of a floor and a valley on one side of the support film may be perpendicular to a direction of a floor and a valley on one side of the support film in the
본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(850)과 제2 프리즘시트(860)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In this embodiment, the
상기 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.The
상기 패널(870)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.The
표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.A liquid crystal display panel used in a display device is an active matrix type, and uses a transistor as a switch for controlling a voltage supplied to each pixel.
상기 패널(870)의 전면에는 컬러 필터(880)가 구비되어 상기 패널(870)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.A
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the embodiments above are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment may be combined or modified for other embodiments by a person having ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Accordingly, contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the present invention.
100: 발광 셀 110: 기판
120: 발광 구조물 122: 제1 도전형 반도체층
124: 활성층 126: 제2 도전형 반도체층
130: 제1 전극 140: 제2 전극
150: 브릿지 전극 151: 제1 부분
152: 제2 부분 153: 제3 부분
160: 절연층 200A~200C, 300A~300D: 발광소자
310: 패키지 몸체 321, 322: 제1,2 리드 프레임
330: 와이어 340: 몰딩부
350: 형광체 710: 발광 모듈
720: 리플렉터 730: 쉐이드
800: 표시장치 810: 바텀 커버
820: 반사판 840: 도광판
850: 제1 프리즘시트 860: 제2 프리즘시트
870: 패널 880: 컬러필터100: light emitting cell 110: substrate
120: light emitting structure 122: first conductivity type semiconductor layer
124: active layer 126: second conductivity type semiconductor layer
130: first electrode 140: second electrode
150: bridge electrode 151: first part
152: second part 153: third part
160: insulating
310: package body 321, 322: first and second lead frames
330: wire 340: molding part
350: phosphor 710: light emitting module
720: reflector 730: shade
800: display device 810: bottom cover
820: reflector 840: light guide plate
850: first prism sheet 860: second prism sheet
870: panel 880: color filter
Claims (20)
상기 기판 상에 배치되는 복수 개의 발광 셀들;
상기 복수 개의 발광 셀들 중 인접한 두 개의 발광 셀들을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극;
상기 복수의 발광 셀들과 상기 브릿지 전극 사이에 배치되는 절연층을 포함하고,
상기 복수의 발광 셀들 각각은,
제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조물;
상기 제1 도전형 반도체층 상의 제1 전극; 및
상기 제2 도전형 반도체층 상의 제2 전극을 포함하며,
인접하는 발광 셀들 사이에 위치하는 상기 기판의 상면의 제1 영역에는 제1 요철이 형성되고,
상기 브릿지 전극은,
상기 인접하는 두 개의 발광 셀들 중 어느 하나의 발광 셀의 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되고 상기 어느 하나의 발광 셀의 상기 제1 전극과 접하는 제1 부분;
상기 인접하는 두 개의 발광 셀들 중 나머지 다른 하나의 발광 셀의 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되고 상기 나머지 다른 하나의 발광 셀의 상기 제2 전극에 접촉하는 제2 부분;
상기 기판의 상면의 제1 영역 상에 배치되는 제3 부분; 및
상기 제1 부분과 상기 제3 부분의 일단 사이를 연결하고 상기 제2 부분과 상기 제3 부분의 타단 사이를 연결하는 제4 부분을 포함하고,
상기 제3 부분의 두께는 상기 제1 부분의 두께, 상기 제2 부분의 두께, 및 상기 제4 부분의 두께보다 크고, 상기 제3 부분은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극보다 두껍고,
상기 제3 부분의 상면에는 상기 제1 요철에 대응되는 제2 요철이 형성되고, 상기 제2 요철은 상기 활성층의 하면보다 아래에 위치하는 발광 소자.Board;
A plurality of light emitting cells disposed on the substrate;
A bridge electrode electrically connecting two adjacent light emitting cells among the plurality of light emitting cells;
Including an insulating layer disposed between the plurality of light emitting cells and the bridge electrode,
Each of the plurality of light emitting cells,
A light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer;
A first electrode on the first conductivity type semiconductor layer; And
And a second electrode on the second conductivity type semiconductor layer,
First unevenness is formed in the first region of the upper surface of the substrate positioned between adjacent light emitting cells,
The bridge electrode,
A first portion disposed on the first conductivity-type semiconductor layer of any one of the two adjacent light-emitting cells and in contact with the first electrode of the one light-emitting cell;
A second portion disposed on the second conductivity type semiconductor layer of the other one of the two adjacent light emitting cells and contacting the second electrode of the other light emitting cell;
A third portion disposed on the first area of the upper surface of the substrate; And
And a fourth portion connecting between one end of the first portion and the third portion and connecting between the second portion and the other end of the third portion,
A thickness of the third portion is greater than a thickness of the first portion, a thickness of the second portion, and a thickness of the fourth portion, the third portion is thicker than the first electrode and the second electrode,
A light emitting device having a second unevenness corresponding to the first unevenness formed on an upper surface of the third portion, and the second unevenness being positioned below a lower surface of the active layer.
상기 브릿지 전극의 폭은 상기 제1 전극의 폭 또는 상기 제2 전극의 폭보다 큰 발광 소자.The method of claim 1,
The width of the bridge electrode is larger than the width of the first electrode or the width of the second electrode.
상기 절연층은 상기 기판의 상면의 제1 영역과 상기 제3 부분 사이에 배치되는 제1 부분을 포함하고, 상기 절연층의 제1 부분은 상기 제1 요철의 외주면과 동일한 형상을 갖는 곡면을 포함하고,
상기 제3 부분의 두께는 상기 절연층의 제1 부분의 두께보다 큰 발광 소자.The method of claim 1,
The insulating layer includes a first portion disposed between the first region and the third portion of the upper surface of the substrate, and the first portion of the insulating layer includes a curved surface having the same shape as an outer circumferential surface of the first irregularities. and,
The thickness of the third portion is greater than the thickness of the first portion of the insulating layer.
상기 브릿지 전극은 상기 인접한 두 개의 발광셀들 사이에 복수 개가 존재하는 발광 소자.The method of claim 1,
A light emitting device in which a plurality of bridge electrodes are present between the two adjacent light emitting cells.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| X091 | Application refused [patent] | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |