KR102521378B1 - Scrubber, scrubber system including the same, and scrubber operating method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 아크의 집중을 방지하고 하우징의 식각을 최소화할 수 있는 스크러버한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버는 구동 전압이 인가되는 전극, 및 상기 전극을 감싸며 방전 공간을 형성하는 하우징을 포함하고, 상기 하우징은 플라즈마를 배출시키는 토출구와 상기 토출구와 연결되며 하부로 갈수록 외측으로 확장된 확장부를 포함할 수 있다.The present invention is a scrubber capable of preventing arc concentration and minimizing etching of a housing. A scrubber according to an embodiment of the present invention includes an electrode to which a driving voltage is applied, and a housing surrounding the electrode and forming a discharge space, and the housing is connected to an outlet for discharging plasma and the outlet, and the outer It may include an extension extended to .

Description

스크러버, 이를 포함하는 스크러버 시스템, 및 스크러버의 구동 방법{SCRUBBER, SCRUBBER SYSTEM INCLUDING THE SAME, AND SCRUBBER OPERATING METHOD}Scrubber, scrubber system including the same, and scrubber driving method

본 발명은 반도체 제조 공정 등에서 발생되는 다량의 파우더와 함께 배출되는 과불화화합물(PFCs)이나 휘발성 유기화합물(VOC)을 제거하는 스크러버, 스크러버 시스템, 및 스크러버 구동 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a scrubber, a scrubber system, and a scrubber driving method for removing perfluorinated compounds (PFCs) or volatile organic compounds (VOCs) discharged together with a large amount of powder generated in a semiconductor manufacturing process.

알려진 바에 따르면, 플라즈마로 고온의 반응을 유도하거나 고온의 환경을 만들어 주기 위해, 아크 플라즈마(Arc Plasma), 마이크로웨이브 플라즈마(Microwave Plasma), 용량결합 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma) 및 유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma) 등의 기술이 사용된다. 이 기술들은 각 기술에 따른 장점과 단점 및 플라즈마 발생을 위한 반응기에서 구조적인 차이점을 가진다.As is known, arc plasma, microwave plasma, capacitively coupled plasma, and inductively coupled plasma are used to induce a high-temperature reaction with plasma or to create a high-temperature environment. Plasma) is used. These technologies have advantages and disadvantages according to each technology and structural differences in a reactor for generating plasma.

스크러버에서 고전압으로 대전된 전극과 접지된 하우징 사이에 아크가 형성되는데, 아크로 인하여 하우징이 과도하게 식각되면 하우징이 손상되고 하우징 내부에 저장된 냉각수가 유출되는 문제가 발생할 수 있다. In the scrubber, an arc is formed between the electrode charged with high voltage and the grounded housing. If the housing is excessively etched due to the arc, the housing may be damaged and the coolant stored inside the housing may leak.

본 발명의 목적은 아크의 집중을 방지하고 하우징의 식각을 최소화할 수 있는 스크러버를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 아크를 안정적으로 회전시킬 수 있는 스크러버를 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 아크가 플라즈마 발생기 외부로 이탈되는 것을 방지할 수 있는 스크러버를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a scrubber capable of preventing arc concentration and minimizing etching of a housing. Another object of the present invention is to provide a scrubber capable of stably rotating an arc. Another object of the present invention is to provide a scrubber capable of preventing an arc from escaping to the outside of a plasma generator.

본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버는 구동 전압이 인가되는 전극, 및 상기 전극을 감싸며 방전 공간을 형성하는 하우징을 포함하고, 상기 하우징은 플라즈마를 배출시키는 토출구와 상기 토출구와 연결되며 하부로 갈수록 외측으로 확장된 확장부를 포함할 수 있다.A scrubber according to an embodiment of the present invention includes an electrode to which a driving voltage is applied, and a housing surrounding the electrode and forming a discharge space, and the housing is connected to an outlet for discharging plasma and the outlet, and the outer It may include an extension extended to .

본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버는 상기 하우징에 하부에 고정 설치되며 아크를 회전시키는 자석을 더 포함할 수 있다.The scrubber according to an embodiment of the present invention may further include a magnet that is fixed to the lower portion of the housing and rotates an arc.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 확장부의 하단에는 내측으로 돌출된 아크유지 돌기가 형성되며, 상기 아크유지 돌기는 상기 하우징의 둘레방향으로 이어져 형성될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, an arc holding protrusion protruding inward is formed at a lower end of the extension part, and the arc holding protrusion may be formed in a circumferential direction of the housing.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 확장부의 내면은 상기 하우징의 중심축에 대하여 5도 내지 45도로 경사지게 형성될 수 있다.An inner surface of the extension part according to an embodiment of the present invention may be inclined at an angle of 5 degrees to 45 degrees with respect to the central axis of the housing.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 확장부에서 상기 아크는 상기 하우징의 중심축에 대하여 경사지게 휘어질 수 있다.In the extension part according to an embodiment of the present invention, the arc may be bent obliquely with respect to the central axis of the housing.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 하우징은 상기 전극을 감싸는 전극 수용부와 상기 전극 수용부의 하부에 연결되며 하부로 갈수록 좁아지는 도입부와 상기 도입부와 상기 확장부를 연결하는 아크 통로를 포함할 수 있다.The housing according to an embodiment of the present invention may include an electrode accommodating portion surrounding the electrode, an introduction portion connected to a lower portion of the electrode accommodating portion and narrowing downward, and an arc passage connecting the introduction portion and the expansion portion.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 하우징은 냉각수가 수용된 냉각부를 더 포함하고, 상기 냉각부는 상기 아크 통로에서 상기 확장부까지 이어져 형성될 수 있다.The housing according to an embodiment of the present invention may further include a cooling part containing cooling water, and the cooling part may be formed to extend from the arc passage to the expansion part.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 전극 수용부에는 플라즈마를 유도하는 반응가스가 유입되는 반응가스 공급구와 과불화화합물을 포함하는 처리가스가 유입되는 처리가스 공급구가 연결될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a reaction gas supply port through which a reaction gas for inducing plasma is introduced and a processing gas supply port through which a processing gas containing a perfluorinated compound is introduced may be connected to the electrode accommodating part.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 확장부의 하단의 직경은 상기 전극 수용부의 직경보다 더 크게 형성될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a diameter of a lower end of the expansion part may be formed to be larger than a diameter of the electrode accommodating part.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 자석은 상기 확장부를 향하는 경사면을 갖고 하부로 갈수록 폭이 점진적으로 감소하도록 형성될 수 있다.The magnet according to an embodiment of the present invention may have an inclined surface toward the expansion part and may be formed such that a width gradually decreases toward a lower part.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 자석은 상기 확장부를 이루는 벽면 내부에 삽입되며, 상기 하우징의 중심축에 대하여 경사지게 배치될 수 있다.The magnet according to an embodiment of the present invention may be inserted into a wall surface constituting the expansion part and may be inclined with respect to a central axis of the housing.

본 발명의 다른 실시예에 따른 스크러버 시스템은, 플라즈마 아크를 발생시켜 토출하는 스크러버, 상기 스크러버로부터 가스를 전달받아 물을 분사하여 습식 처리하는 습식 처리부를 포함하며, 상기 스크러버는, 구동전압이 인가된 전극, 상기 전극을 감싸며 방전 공간을 형성하는 하우징, 및 상기 하우징에 하부에 고정 설치되며 아크를 회전시키는 자석을 포함하고, 상기 하우징은 플라즈마를 배출시키는 토출구와 상기 토출구와 연결되며 하부로 갈수록 외측으로 확장된 확장부를 포함할 수 있다.A scrubber system according to another embodiment of the present invention includes a scrubber that generates and discharges a plasma arc, and a wet treatment unit that receives gas from the scrubber and sprays water for wet treatment. An electrode, a housing surrounding the electrode and forming a discharge space, and a magnet fixedly installed at a lower portion of the housing and rotating an arc, the housing is connected to an outlet for discharging plasma and the outlet, and moves toward the outside toward the bottom. An extended extension may be included.

본 발명의 다른 실시예에 따른 상기 확장부의 내면은 상기 하우징의 중심축에 대하여 5도 내지 45도로 경사지게 형성될 수 있다.An inner surface of the extension part according to another embodiment of the present invention may be inclined at an angle of 5 degrees to 45 degrees with respect to the central axis of the housing.

본 발명의 다른 실시예에 따른 상기 확장부에서 상기 아크는 상기 하우징의 중심축에 대하여 경사지게 휘어질 수 있다.In the extension part according to another embodiment of the present invention, the arc may be bent obliquely with respect to the central axis of the housing.

본 발명의 다른 실시예에 따른 스크러버의 구동 방법은 전극에 구동 전압을 인가하여 아크를 생성하는 아크 생성 단계, 반응가스를 상기 전극이 삽입된 하우징 내부로 공급하여 플라즈마를 생성시키는 플라즈마 생성 단계, 처리가스를 회전 유동시키면서 상기 하우징 내부로 공급하여 상기 아크를 연장시키며 상기 하우징의 중심축에 경사지게 배치된 확장부까지 상기 아크를 연장하여 상기 아크의 회전 반경을 증가시키는 아크 연장 단계, 및 자석을 이용하여 상기 아크를 회전시키는 아크 회전 단계를 포함할 수 있다.A scrubber driving method according to another embodiment of the present invention includes an arc generating step of generating an arc by applying a driving voltage to an electrode, a plasma generating step of generating plasma by supplying a reaction gas into a housing into which the electrode is inserted, and processing An arc extension step of extending the arc by supplying gas to the inside of the housing while rotating and flowing the gas and increasing the radius of rotation of the arc by extending the arc to an extension part disposed obliquely to the central axis of the housing, and using a magnet An arc rotation step of rotating the arc may be included.

본 발명의 다른 실시예에 따른 상기 아크 연장 단계는 확장부의 하단에서 내측으로 돌출된 아크유지 돌기까지 아크를 연장시킬 수 있다.In the arc extending step according to another embodiment of the present invention, the arc may be extended from the lower end of the extension part to the arc holding protrusion protruding inward.

상기한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버, 스크러버 시스템, 및 스크러버 구동 방법은 확장부와 자석을 구비하여 확장부에 의하여 아크가 하우징의 중심에서 이탈되어 회전 반경이 증가될 수 있으며 이에 따라 자석에 의한 로렌쯔의 힘이 증가하여 아크를 안정적으로 회전시킬 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따르면 확장부와 자석을 이용하여 아크를 안정적으로 회전시켜서 아크에 의한 하우징의 식각을 현저히 감소시킬 수 있다. As described above, the scrubber, scrubber system, and scrubber driving method according to an embodiment of the present invention include an extension portion and a magnet so that the arc is separated from the center of the housing by the extension portion, thereby increasing the radius of rotation. The Lorentz force by the magnet is increased so that the arc can be rotated stably. That is, according to one embodiment of the present invention, the etching of the housing by the arc can be remarkably reduced by stably rotating the arc using the extension and the magnet.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 스크러버 시스템을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 스크러버를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 스크러버의 구동 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 스크러버를 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 스크러버를 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 스크러버를 도시한 단면도이다.1 is a diagram showing a scrubber system according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing a scrubber according to a first embodiment of the present invention.
3 is a flowchart illustrating a method of driving a scrubber according to a first embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view showing a scrubber according to a second embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view showing a scrubber according to a third embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view showing a scrubber according to a fourth embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예를 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can apply various transformations and have various embodiments, specific embodiments will be exemplified and described in detail in the detailed description. However, it should be understood that this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and includes all transformations, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

본 발명에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 발명에서, '포함하다' 또는 '가지다' 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. Terms used in the present invention are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present invention, terms such as 'include' or 'having' are intended to designate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, but one or more other features It should be understood that the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이 때, 첨부된 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타내고 있음에 유의한다. 또한, 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략할 것이다. 마찬가지 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 개략적으로 도시되었다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. At this time, it should be noted that in the accompanying drawings, the same components are indicated by the same reference numerals as much as possible. In addition, detailed descriptions of well-known functions and configurations that may obscure the gist of the present invention will be omitted. For the same reason, in the accompanying drawings, some components are exaggerated, omitted, or schematically illustrated.

이하에서는 본 발명의 제1 실시예에 따른 스크러버 시스템에 대해서 설명한다. Hereinafter, a scrubber system according to a first embodiment of the present invention will be described.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 스크러버 시스템을 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 스크러버를 도시한 단면도이다.1 is a view showing a scrubber system according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing a scrubber according to a first embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하여 설명하면, 본 제1 실시예에 따른 스크러버 시스템(1000)은 스크러버(100), 습식 처리부(300), 습식 타워(400)를 포함할 수 있다.1 and 2, the scrubber system 1000 according to the first embodiment may include a scrubber 100, a wet processing unit 300, and a wet tower 400.

본 실시예에 따른 스크러버 시스템(1000)은 스크러버(100)에서 발생시킨 고온의 플라즈마를 이용하여 반도체 제조공정에서 발생되는 과불화화합물을 포함하는 처리가스를 열분해시킨다. 그리고, 습식 처리부(300)와 습식 타워(400)에서 열분해된 처리가스에 포함되어 있는 수용성 유해 가스와 이물 입자가 포집된 후에 무해 가스만 외부로 배출된다.The scrubber system 1000 according to the present embodiment uses the high-temperature plasma generated by the scrubber 100 to thermally decompose processing gas containing perfluorinated compounds generated in a semiconductor manufacturing process. In addition, after the water-soluble harmful gas and foreign matter particles included in the process gas thermally decomposed in the wet treatment unit 300 and the wet tower 400 are collected, only the harmless gas is discharged to the outside.

습식 처리부(300)는 노즐과 수조를 포함할 수 있으며, 스크러버(100)에서 전달된 가스에 물을 분사하여 가스에 포함된 불화 수소 등의 불순물을 포집하고, 용해시킨다. 습식 타워(400)는 필터와 노즐을 포함하여 추가적으로 전달된 가스에 물을 분사하여 불순물을 포집, 용해시킨다.The wet processing unit 300 may include a nozzle and a water tank, and collects and dissolves impurities such as hydrogen fluoride contained in the gas by injecting water into the gas delivered from the scrubber 100 . The wet tower 400 collects and dissolves impurities by injecting water into the additionally delivered gas, including filters and nozzles.

스크러버(100)는 아크와 반응가스에 의하여 형성되는 고온의 플라즈마를 이용하여 처리가스를 분해한다. 스크러버(100)는 구동 전압으로 대전된 전극(120)과 전극(120)을 감싸며 내부에 아크가 발생되는 방전 공간을 제공하는 하우징(110)과 하우징(110)의 하단에 연결된 반응기(160)와 하우징(110)의 하부에 고정된 자석(141)을 포함할 수 있다.The scrubber 100 decomposes the processing gas using high-temperature plasma formed by an arc and a reaction gas. The scrubber 100 includes an electrode 120 charged with a driving voltage, a housing 110 that surrounds the electrode 120 and provides a discharge space in which an arc is generated, and a reactor 160 connected to the lower end of the housing 110. A magnet 141 fixed to the lower portion of the housing 110 may be included.

전극(120)은 막대 형상으로 이루어지며 내부에는 냉각수가 이동하는 냉각수 통로(121)가 형성될 수 있다. 전극(120)에는 전원이 연결되며 전극(120)은 구동전압이 인가될 수 있다. 여기서 전원은 교류 전원으로 이루어질 수 있을 뿐만 아니라 직류 전원으로 이루어질 수 있으며, 구동전압은 아크의 형성을 위한 충분한 전압으로 이루어질 수 있다.The electrode 120 is formed in a rod shape, and a cooling water passage 121 through which cooling water moves may be formed therein. Power is connected to the electrode 120 and a driving voltage may be applied to the electrode 120 . Here, the power source may include AC power as well as DC power, and the driving voltage may be a voltage sufficient for arc formation.

전극(120)은 하우징(110) 내부에 삽입되어 하우징(110)의 높이방향으로 이어져 형성되며, 전극(120)에는 전극(120) 내부로 냉각수를 공급하기 위한 냉각수 포트(123)가 형성될 수 있다.The electrode 120 is inserted into the housing 110 and formed to continue in the height direction of the housing 110, and a cooling water port 123 for supplying cooling water to the inside of the electrode 120 may be formed in the electrode 120. there is.

하우징(110)은 내부 공간을 갖는 원통 형상으로 이루어질 수 있으며, 전극(120)의 외표면과 하우징(110)의 내표면 사이에서 방전갭(G1)을 형성한다. 하우징(110)은 전기적으로 접지될 수 있으며, 이를 위해서 하우징(110)의 상부에는 세라믹으로 이루어진 절연부재(117)가 설치될 수 있다. 하우징(110)의 하부에는 처리가스가 배출되는 토출구(118)가 형성된다.The housing 110 may have a cylindrical shape having an inner space, and a discharge gap G1 is formed between the outer surface of the electrode 120 and the inner surface of the housing 110 . The housing 110 may be electrically grounded, and for this purpose, an insulating member 117 made of ceramic may be installed on the upper portion of the housing 110 . A discharge port 118 through which processing gas is discharged is formed at a lower portion of the housing 110 .

하우징(110)은 전극(120)을 감싸는 전극 수용부(111)와 전극 수용부(111)의 하부에 연결되며 하부로 갈수록 좁아지는 도입부(112)와 도입부(112)의 하부에 형성된 아크 통로(113)와 아크 통로(113)의 하부에 형성된 확장부(114)를 포함할 수 있다. 전극 수용부(111)는 원통형으로 이루어지고, 방전갭(G1)을 두고 전극(120)에서 이격된다. 도입부(112)는 전극 수용부(111)의 하부에 연결되며 하부로 갈수록 직경이 점진적으로 감소하도록 형성될 수 있다. 아크 통로(113)는 원형의 관으로 이루어지며 도입부(112)와 확장부(114)를 연결한다. The housing 110 includes an electrode accommodating portion 111 surrounding the electrode 120, an inlet portion 112 connected to the lower portion of the electrode accommodating portion 111 and narrowing toward the bottom, and an arc passage formed in the lower portion of the inlet portion 112 ( 113) and an extension 114 formed under the arc passage 113. The electrode accommodating portion 111 has a cylindrical shape and is spaced apart from the electrode 120 with a discharge gap G1 therebetween. The introduction part 112 is connected to the lower part of the electrode accommodating part 111 and may be formed such that its diameter gradually decreases toward the lower part. The arc passage 113 is made of a circular tube and connects the introduction part 112 and the expansion part 114.

확장부(114)는 하우징(110)의 하부에 형성되며 확장부의 하단에 토출구(118)가 형성된다. 확장부(114)는 하부로 갈수록 외측으로 확장되어 확장부(114)의 내경은 하부로 갈수록 점진적으로 증가하도록 형성된다. 또한, 확장부(114)의 내면은 하우징(110)의 중심축(X1)에 대하여 경사각(A1)을 갖도록 경사지게 형성된다. 여기서 경사각(A1)은 5도 내지 45도로 이루어질 수 있다. 경사각(A1)이 5도 보다 더 작으면 아크(AC)가 하우징(110)의 중심축에서 충분한 거리로 이격되지 못하는 문제가 있으며, 경사각(A1)이 45도 보다 더 크면 아크(AC)의 하단에 형성되는 아크점이 확장부의 하부까지 이동하지 못하고 확장부(114)와 아크 통로(113)가 연결된 모서리에 위치할 수 있다.The expansion part 114 is formed in the lower part of the housing 110, and the discharge port 118 is formed in the lower part of the extension part. The extension 114 expands outward toward the bottom, so that the inner diameter of the extension 114 gradually increases toward the bottom. In addition, the inner surface of the expansion part 114 is inclined to have an inclination angle A1 with respect to the central axis X1 of the housing 110 . Here, the inclination angle A1 may be made of 5 degrees to 45 degrees. If the inclination angle A1 is less than 5 degrees, there is a problem in that the arc AC cannot be separated from the central axis of the housing 110 by a sufficient distance, and if the inclination angle A1 is greater than 45 degrees, the lower end of the arc AC The arc point formed in the arc does not move to the lower part of the expansion part and may be located at a corner where the expansion part 114 and the arc passage 113 are connected.

확장부(114)의 하단의 직경(D2)은 전극 수용부(111)의 직경(D1)보다 더 크게 형성될 수 있으며, 이에 따라 아크(AC)가 하우징(110)의 중심에서 충분히 이격될 수 있다. 또한, 확장부(114)의 길이는 아크 통로(113)의 길이의 1/2보다 더 길게 형성될 수 있으며, 확장부(114)의 길이는 아크 통로(113)의 길이보다 더 길게 형성될 수도 있다. 확장부(114)가 충분히 길게 형성되면 아크(AC)의 길이가 길어져서 효율이 향상될 뿐만 아니라 아크(AC)가 하우징(110)의 중앙에서 보다 멀리 이격될 수 있다. The diameter D2 of the lower end of the extension 114 may be larger than the diameter D1 of the electrode accommodating part 111, and thus the arc AC may be sufficiently spaced from the center of the housing 110. there is. In addition, the length of the extension part 114 may be formed longer than 1/2 of the length of the arc passage 113, and the length of the extension part 114 may be formed longer than the length of the arc passage 113. there is. If the expansion part 114 is formed to be sufficiently long, the length of the arc AC can be increased so that efficiency is improved and the arc AC can be spaced farther from the center of the housing 110 .

하우징(110)은 냉각수가 수용된 냉각부(116)를 더 포함할 수 있으며, 냉각부(116)는 도입부(112)에서 확장부(114)의 외측에 형성될 수 있다. 냉각부(116)는 도입부(112), 아크 통로(113), 확장부(114)의 외측에 형성되어 하우징(110)을 냉각한다. 하우징(110)에는 냉각수 입구(138)와 냉각수 출구(139)가 형성되며 냉각수 입구(138)와 냉각수 출구(139)는 냉각부(116)와 연결된다. 냉각부(116)가 확장부(114)까지 이어지면 아크점이 위치하는 확장부(114)를 안정적으로 냉각시킬 수 있다.The housing 110 may further include a cooling unit 116 containing cooling water, and the cooling unit 116 may be formed outside the expansion unit 114 in the introduction unit 112 . The cooling unit 116 is formed outside the introduction unit 112 , the arc passage 113 , and the expansion unit 114 to cool the housing 110 . A cooling water inlet 138 and a cooling water outlet 139 are formed in the housing 110 , and the cooling water inlet 138 and the cooling water outlet 139 are connected to the cooling unit 116 . When the cooling unit 116 extends to the expansion unit 114, the expansion unit 114 where the arc point is located can be stably cooled.

또한 하우징(110)에는 반응가스 통로(131), 반응가스 분사홀(132), 반응가스 공급구(136)가 형성될 수 있다. 반응가스 공급구(136)는 전극 수용부(111)에 연결되며, 하우징(110)에 플라즈마 생성을 위한 반응가스를 공급한다. 여기서 반응가스는 질소, 이산화탄소 등의 불활성 가스로 이루어질 수 있으며 반응 가스는 아크 방전 과정을 통하여 플라즈마를 형성한다. In addition, a reaction gas passage 131 , a reaction gas injection hole 132 , and a reaction gas supply port 136 may be formed in the housing 110 . The reaction gas supply port 136 is connected to the electrode accommodating part 111 and supplies a reaction gas for plasma generation to the housing 110 . Here, the reaction gas may be composed of an inert gas such as nitrogen or carbon dioxide, and the reaction gas forms plasma through an arc discharge process.

반응가스 통로(131)는 전극 수용부(111)의 둘레 방향으로 이어져 형성되며, 반응가스 분사홀(132)은 반응가스 통로와 하우징(110)의 내부 공간을 연결한다. 복수의 반응가스 분사홀(132)은 하우징의 둘레 방향으로 이격 배치되며, 반응가스 분사홀(132)은 회전 유동을 유도할 수 있도록 하우징(110)의 중심에 대하여 편심된 방향으로 이어질 수 있다.The reaction gas passage 131 is formed in a circumferential direction of the electrode accommodating part 111 , and the reaction gas injection hole 132 connects the reaction gas passage to the inner space of the housing 110 . The plurality of reaction gas injection holes 132 are spaced apart from each other in the circumferential direction of the housing, and the reaction gas injection holes 132 may lead in a direction eccentric with respect to the center of the housing 110 so as to induce rotational flow.

자석(141)은 하우징(110)에 하부에 설치되며 아크(AC)를 회전시킨다. 자석(141)은 영구자석으로 이루어질 수 있으며, 고리 형상으로 이루어지거나 하우징(110)의 둘레 방향으로 복수의 자석(141)이 이격 배치될 수 있다. 또한, 자석(141)은 확장부(114)의 외측에서 냉각부(116)의 하부에 위치할 수 있다. The magnet 141 is installed at the bottom of the housing 110 and rotates the arc AC. The magnet 141 may be made of a permanent magnet, and may be formed in a ring shape or a plurality of magnets 141 spaced apart in the circumferential direction of the housing 110 . In addition, the magnet 141 may be located below the cooling part 116 outside the expansion part 114 .

아크(AC)는 최초 도입부(112) 또는 전극 수용부(111)와 전극(120) 사이에 형성되며, 가스의 이동에 따라 점차 연장되어 확장부(114)까지 이동할 수 있다. 확장부(114)에서 아크(AC)는 하우징(110)의 중심축에 대하여 경사지게 휘어지며, 이에 따라 아크(AC)와 하우징(110)의 중심축(X1) 사이의 거리가 증가한다.The arc (AC) is initially formed between the introduction part 112 or the electrode accommodating part 111 and the electrode 120, and may gradually extend and move to the expansion part 114 according to the movement of the gas. In the expansion part 114, the arc AC is bent obliquely with respect to the central axis of the housing 110, and accordingly, the distance between the arc AC and the central axis X1 of the housing 110 increases.

자석(141)에 의하여 아크(AC)에는 로렌츠의 힘이 작용하며, 아크(AC)의 반경이 증가할수록 아크(AC)에는 더 큰 힘이 작용한다. 확장부(114)가 형성되지 않으면 아크(AC)의 회전 반경이 작거나 0에 가까워질 수 있어 아크(AC)가 회전하지 못하고 집중되어 하우징(110)이 과도하게 식각될 수 있다. 그러나 본 제1 실시예와 같이 확장부(114)가 형성되면 아크(AC)의 회전 반경(r1)이 증가하여 아크(AC)가 보다 안정적으로 회전할 수 있다. 또한, 확장부(114)만 형성되고 자석(141)이 설치되지 않으면 회전 반경(r1)이 증가하더라도 아크(AC)가 회전할 수 없어서 과도한 식각을 피할 수 없으나, 본 실시예에 따르면 확장부(114)가 형성되고, 자석(141)이 설치되므로 아크(AC)가 안정적으로 회전하여 아크(AC)에 의한 손상을 최소화할 수 있다.A Lorentz force acts on the arc AC by the magnet 141, and a greater force acts on the arc AC as the radius of the arc AC increases. If the expansion portion 114 is not formed, the radius of rotation of the arc AC may be small or close to 0, and the arc AC may not rotate and be concentrated, and the housing 110 may be excessively etched. However, when the expansion portion 114 is formed as in the first embodiment, the arc AC can rotate more stably by increasing the rotation radius r1. In addition, if only the extension 114 is formed and the magnet 141 is not installed, the arc AC cannot rotate even if the rotation radius r1 increases, so excessive etching cannot be avoided. However, according to the present embodiment, the extension ( 114) is formed, and since the magnet 141 is installed, the arc AC can stably rotate and damage caused by the arc AC can be minimized.

반응기(160)는 대략 원통 형상으로 이루어지며 토출구(118)에 연결된다. 본 제1 실시예에서는 하우징(110)의 하부에 반응기(160)가 연결된 것으로 예시하고 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 하우징(110)이 충분히 길게 형성된 경우에는 반응기(160)가 생략될 수도 있다. 이 경우에는 하우징(110)이 직접 습식 처리부(300)와 연결된다.The reactor 160 has a substantially cylindrical shape and is connected to the outlet 118 . In the first embodiment, the reactor 160 is illustrated as being connected to the lower portion of the housing 110, but the present invention is not limited thereto, and when the housing 110 is formed long enough, the reactor 160 may be omitted. may be In this case, the housing 110 is directly connected to the wet processing unit 300 .

반응기(160)는 처리가스가 분해되는 공간을 제공하며 반응기에는 처리가스가 공급되는 처리가스 공급구(137)가 형성될 수 있다. 여기서 처리가스는 과불화화합물을 포함하는 분해대상 가스를 의미한다. 하우징(110)에서 배출되는 고온의 플라즈마는 처리가스를 가열하여 화염을 형성하며, 반응기(160) 내부에서 처리가스는 분해될 수 있다. 반응기(160)에서 배출된 가스는 습식 처리부(300)로 이동한다. 반응기(160)의 외측에는 반응기의 냉각을 위한 냉각부가 형성될 수 있다.The reactor 160 provides a space in which the processing gas is decomposed, and a processing gas supply port 137 through which the processing gas is supplied may be formed in the reactor. Here, the processing gas means a gas to be decomposed including a perfluorinated compound. The high-temperature plasma discharged from the housing 110 heats the processing gas to form a flame, and the processing gas may be decomposed inside the reactor 160 . The gas discharged from the reactor 160 moves to the wet processing unit 300 . A cooling unit for cooling the reactor may be formed outside the reactor 160 .

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 스크러버의 구동 방법을 설명하기 위한 순서도이다.3 is a flowchart illustrating a method of driving a scrubber according to a first embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하여 설명하면, 본 제1 실시예에 따른 스크러버 구동 방법은 전극(120)에 구동 전압을 인가하여 아크(AC)를 생성하는 아크 생성 단계(S101), 반응가스를 전극(120)이 삽입된 하우징(110) 내부로 공급하여 플라즈마를 생성시키는 플라즈마 생성 단계(S102), 처리가스를 회전 유동시키면서 하우징(110) 내부로 공급하여 아크(AC)를 연장시키며 확장부(114)까지 아크(AC)를 연장하여 아크(AC)의 회전 반경을 증가시키는 아크 연장 단계(S103), 및 자석(141)을 이용하여 아크(AC)를 회전시키는 아크 회전 단계(S104)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3, the scrubber driving method according to the first embodiment includes an arc generation step (S101) of generating an arc (AC) by applying a driving voltage to the electrode 120, and supplying the reaction gas to the electrode A plasma generating step (S102) of generating plasma by supplying the plasma to the inside of the housing 110 into which 120 is inserted, supplying the processing gas to the inside of the housing 110 while rotating it to extend the arc AC, and extending the expansion unit 114 ) to extend the arc AC to increase the radius of rotation of the arc AC (S103), and an arc rotation step (S104) to rotate the arc AC using a magnet 141. can

아크 생성 단계(S101)는 고전압으로 대전된 전극(120)과 접지된 하우징(110)을 이용하여 전극(120)의 외주면과 하우징(110)의 내주면 사이에 아크(AC)를 생성한다. In the arc generating step (S101), an arc (AC) is generated between the outer circumferential surface of the electrode 120 and the inner circumferential surface of the housing 110 using the electrode 120 charged with a high voltage and the housing 110 grounded.

플라즈마 생성 단계(S102)는 질소 등의 반응 가스를 하우징(110) 내부로 공급하여 고온의 플라즈마를 생성시킨다. In the plasma generating step ( S102 ), high-temperature plasma is generated by supplying a reaction gas such as nitrogen into the housing 110 .

아크 연장 단계(S103)는 하우징(110)의 하부에 형성된 확장부(114)까지 아크(AC)를 연장하여 아크(AC)의 하부가 하우징(110)의 중심축에 대하여 경사지게 휘어지도록 한다. 이에 따라 아크 연장 단계(S103)에서 아크(AC)의 하부의 회전 반경이 증가할 수 있다. 아크 연장 단계(S103)에서 하나의 아크점은 전극(120)의 하단에 위치하고, 다른 아크점은 확장부(114)의 하단에 위치할 수 있다.In the arc extension step ( S103 ), the arc AC is extended to the expansion part 114 formed at the lower part of the housing 110 so that the lower part of the arc AC is bent obliquely with respect to the central axis of the housing 110 . Accordingly, in the arc extending step ( S103 ), the rotation radius of the lower part of the arc AC may be increased. In the arc extension step ( S103 ), one arc point may be located at the lower end of the electrode 120 and the other arc point may be located at the lower end of the extension part 114 .

아크 회전 단계(S104)는 하우징(110)에 설치된 자석(141)을 이용하여 아크(AC)에 로렌츠의 힘을 작용시켜서 아크(AC)를 회전시킨다. 이에 따라 아크(AC)의 회전에 의하여 하우징(110)이 과도하게 식각되는 것을 방지할 수 있다.In the arc rotation step ( S104 ), the arc AC is rotated by applying a Lorentz force to the arc AC using the magnet 141 installed in the housing 110 . Accordingly, it is possible to prevent the housing 110 from being excessively etched by the rotation of the arc AC.

이하에서는 본 발명의 제2 실시예에 따른 스크러버에 대해서 설명한다. 도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 스크러버를 도시한 단면도이다.Hereinafter, a scrubber according to a second embodiment of the present invention will be described. 4 is a cross-sectional view showing a scrubber according to a second embodiment of the present invention.

도 4를 참조하여 설명하면, 본 실시예에 따른 스크러버(100)는 아크유지 돌기(151)를 제외하고는 상기한 제1 실시예에 따른 스크러버와 동일한 구조로 이루어지므로 동일한 구성에 대한 중복 설명은 생략한다. Referring to FIG. 4, the scrubber 100 according to the present embodiment has the same structure as the scrubber according to the first embodiment except for the arc holding protrusion 151, so redundant description of the same structure omit

확장부(114)의 하단에는 내측으로 돌출된 아크유지 돌기(151)가 형성된다. 아크유지 돌기(151)는 하우징(110)의 둘레 방향으로 이어져 형성되며 하우징(110)의 중심과 하부를 향하여 경사지게 돌출될 수 있다. 아크유지 돌기(151)는 고리 형상으로 이루어지며 하우징(110)에 착탈 가능하게 결합될 수 있다. An arc holding protrusion 151 protruding inward is formed at the lower end of the extension part 114 . The arc holding protrusion 151 is formed to continue in the circumferential direction of the housing 110 and may protrude obliquely toward the center and lower portion of the housing 110 . The arc holding protrusion 151 has a ring shape and can be detachably coupled to the housing 110 .

이와 같이 아크유지 돌기(151)가 형성되면 아크점이 아크유지 돌기(151) 상에 형성되어 아크(AC)가 확장부(114)의 외측으로 이탈하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 아크유지 돌기(151)가 다른 부분보다 더 두껍게 형성되므로 하우징(110)의 손상을 최소화할 수 있다. 또한 아크유지 돌기(151)가 착탈 가능하게 결합되므로 아크유지 돌기(151)가 손상되면 아크유지 돌기(151)만 분리하여 교체할 수 있다.When the arc holding protrusion 151 is formed in this way, an arc point is formed on the arc holding protrusion 151 to prevent the arc AC from escaping to the outside of the expansion part 114 . In addition, since the arc holding protrusion 151 is formed to be thicker than other parts, damage to the housing 110 can be minimized. In addition, since the arc holding protrusion 151 is detachably coupled, if the arc holding protrusion 151 is damaged, only the arc holding protrusion 151 can be separated and replaced.

한편, 본 제2 실시예에 따른 스크러버 구동 방법은 아크 생성 단계, 플라즈마 생성 단계, 아크 연장 단계, 및 아크 회전 단계를 포함할 수 있으며, 아크 연장 단계 및 아크 회전 단계에서 아크의 하단은 아크유지 돌기(151) 상에 위치할 수 있다.On the other hand, the scrubber driving method according to the second embodiment may include an arc generating step, a plasma generating step, an arc extending step, and an arc rotating step, and in the arc extending step and the arc rotating step, the lower end of the arc is an arc holding protrusion. (151).

이하에서는 본 발명의 제3 실시예에 따른 스크러버에 대해서 설명한다. 도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 스크러버를 도시한 단면도이다.Hereinafter, a scrubber according to a third embodiment of the present invention will be described. 5 is a cross-sectional view showing a scrubber according to a third embodiment of the present invention.

도 5를 참조하여 설명하면, 본 실시예에 따른 스크러버(100)는 자석(142) 및 처리가스 공급구(137)를 제외하고는 상기한 제1 실시예에 따른 스크러버와 동일한 구조로 이루어지므로 동일한 구성에 대한 중복 설명은 생략한다. Referring to FIG. 5, the scrubber 100 according to the present embodiment has the same structure as the scrubber according to the first embodiment except for the magnet 142 and the processing gas supply port 137. Redundant description of the configuration will be omitted.

자석(142)은 하우징(110)에 하부에 고정 설치되며 아크(AC)를 회전시킨다. 자석(142)은 영구자석으로 이루어질 수 있으며, 고리 형상으로 이루어지거나 하우징(110)의 둘레 방향으로 복수의 자석(142)이 이격 배치될 수 있다. 또한, 자석(142)은 확장부(114)의 외측에서 냉각부(116)의 하부에 위치할 수 있다. The magnet 142 is fixed to the lower part of the housing 110 and rotates the arc AC. The magnet 142 may be made of a permanent magnet, and may be formed in a ring shape or a plurality of magnets 142 spaced apart in the circumferential direction of the housing 110 . In addition, the magnet 142 may be positioned below the cooling part 116 outside the expansion part 114 .

자석(142)은 확장부(114)를 향하는 경사면(142a)을 갖고, 하부로 갈수록 폭이 점진적으로 감소하도록 형성될 수 있다. 이에 따라 자석(142)은 확장부(114)에 밀착되어 아크(AC)에 더 큰 회전력을 부여할 수 있다. The magnet 142 may have an inclined surface 142a toward the expansion part 114 and may be formed such that its width gradually decreases toward the bottom. Accordingly, the magnet 142 may be in close contact with the expansion part 114 to provide a greater rotational force to the arc AC.

한편, 하우징(110)에는 처리가스 공급구(137), 처리가스 통로(134), 및 처리가스 분사홀(135)이 형성될 수 있다. 처리가스 공급구(137)는 처리가스 공급구(136)의 하부에서 전극 수용부(111)에 연결된다. 여기서 처리가스는 과불화화합물을 포함하는 분해대상 가스를 의미한다. 처리가스 통로(134)는 전극 수용부(111)의 둘레 방향으로 이어져 형성되며, 처리가스 분사홀(135)은 처리가스 통로(134)와 하우징(110)의 내부 공간을 연결한다. 복수의 처리가스 분사홀(135)은 하우징(110)의 둘레 방향으로 이격 배치되며, 처리가스 분사홀(135)은 회전 유동을 유도할 수 있도록 하우징(110)의 중심에 대하여 편심된 방향으로 이어질 수 있다.Meanwhile, a processing gas supply port 137 , a processing gas passage 134 , and a processing gas injection hole 135 may be formed in the housing 110 . The processing gas supply port 137 is connected to the electrode accommodating part 111 at the lower part of the processing gas supply port 136 . Here, the processing gas means a gas to be decomposed including a perfluorinated compound. The processing gas passage 134 is formed in a circumferential direction of the electrode accommodating part 111 , and the processing gas injection hole 135 connects the processing gas passage 134 to the inner space of the housing 110 . A plurality of processing gas injection holes 135 are spaced apart from each other in the circumferential direction of the housing 110, and the processing gas injection holes 135 lead in a direction eccentric with respect to the center of the housing 110 to induce rotational flow. can

처리가스 분사홀(135)은 전극(120)의 외주면을 향해서 처리가스를 분사하므로 종래의 반응기로 처리가스가 공급되는 경우에 비하여 고온 영역에 처리가스가 유입되어 플라즈마와 접촉하고, 처리가스가 고온 영역에 있는 시간이 증가하므로 처리가스가 보다 효율적으로 분해될 수 있다. 또한, 처리가스와 반응가스가 회전 운동을 유발하면서 공급되므로 처리가스와 분사가스에 의하여 아크의 회전력이 증가할 수 있을 뿐만 아니라 토출구(118)로 배출되는 가스의 양이 많으므로 아크의 길이가 안정적으로 유지될 수 있다.Since the process gas injection hole 135 injects the process gas toward the outer circumferential surface of the electrode 120, the process gas is introduced into a high-temperature region and contacted with the plasma, compared to the case where the process gas is supplied to the conventional reactor. The time in the zone is increased so that the process gas can be broken down more efficiently. In addition, since the processing gas and the reaction gas are supplied while inducing rotational motion, the rotational force of the arc can be increased by the processing gas and the injection gas, and the length of the arc is stable because the amount of gas discharged through the outlet 118 is large. can be maintained as

이하에서는 본 발명의 제4 실시예에 따른 스크러버에 대해서 설명한다. 도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 스크러버를 도시한 단면도이다.Hereinafter, a scrubber according to a fourth embodiment of the present invention will be described. 6 is a cross-sectional view showing a scrubber according to a fourth embodiment of the present invention.

도 6을 참조하여 설명하면, 본 실시예에 따른 스크러버(100)는 자석(143)과 냉각부(116)와 반응기(160)를 제외하고는 상기한 제1 실시예에 따른 스크러버와 동일한 구조로 이루어지므로 동일한 구성에 대한 중복 설명은 생략한다. Referring to FIG. 6, the scrubber 100 according to the present embodiment has the same structure as the scrubber according to the first embodiment described above except for the magnet 143, the cooling unit 116, and the reactor 160. Therefore, redundant description of the same configuration will be omitted.

자석(143)은 하우징(110)의 하부에 고정 설치되며 아크(AC)를 회전시킨다. 자석(143)은 영구자석으로 이루어질 수 있으며, 고리 형상으로 이루어지거나 하우징(110)의 둘레 방향으로 복수의 자석(143)이 이격 배치될 수 있다. The magnet 143 is fixedly installed on the lower part of the housing 110 and rotates the arc AC. The magnet 143 may be made of a permanent magnet, and may be formed in a ring shape or a plurality of magnets 143 spaced apart in the circumferential direction of the housing 110 .

자석(143)은 확장부(114)를 이루는 벽면 내부에 고정 설치되고 하우징(110)의 중심축(X1)에 대하여 경사지게 배치될 수 있다. 냉각부(116)는 확장부(114)의 하부까지 이어지되 자석(143)의 외측에까지 형성될 수 있다. 이에 따라 자석(143)과 아크(AC)의 거리가 가까워질 수 있으며, 냉각부(116)에 의하여 하우징(110)의 하부까지 충분히 냉각될 수 있다.The magnet 143 may be fixedly installed inside the wall surface constituting the extension part 114 and inclined with respect to the central axis X1 of the housing 110 . The cooling unit 116 extends to the lower portion of the expansion unit 114 and may be formed to the outer side of the magnet 143 . Accordingly, the distance between the magnet 143 and the arc AC can be reduced, and the lower portion of the housing 110 can be sufficiently cooled by the cooling unit 116 .

한편, 처리가스 공급구(137)는 반응기(160)의 외벽에 연결되고, 반응기(160)의 외측에는 반응기(160)의 둘레방향으로 이어진 처리가스 통로(134)가 형성될 수 있다. 또한, 반응기(160)에는 처리가스 통로(134)와 반응기(160)의 내부 공간을 연결하는 처리가스 분사홀(135)이 형성되며, 처리가스 분사홀(135)은 회전 유동을 유도할 수 있도록 반응기(160)의 중심에 대하여 편심된 방향으로 이어질 수 있다. 이에 따라 처리가스가 반응기(160) 내부에서 스월을 형성하면서 분사될 수 있다.Meanwhile, the processing gas supply port 137 is connected to an outer wall of the reactor 160, and a processing gas passage 134 extending in a circumferential direction of the reactor 160 may be formed outside the reactor 160. In addition, a processing gas injection hole 135 connecting the processing gas passage 134 and the inner space of the reactor 160 is formed in the reactor 160, and the processing gas injection hole 135 induces a rotational flow. It may run in an eccentric direction with respect to the center of the reactor 160 . Accordingly, the processing gas may be injected while forming a swirl inside the reactor 160 .

이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.Although one embodiment of the present invention has been described above, those skilled in the art can add, change, delete, or add components within the scope not departing from the spirit of the present invention described in the claims. The present invention can be variously modified and changed by the like, and this will also be said to be included within the scope of the present invention.

1000: 스크러버 시스템 100: 스크러버
110: 하우징 111: 전극 수용부
112: 도입부 113: 아크 통로
114: 확장부 116: 냉각부
117: 절연부재 118: 토출구
120: 전극 121: 냉각수 통로
123: 냉각수 포트 131: 반응가스 통로
132: 반응가스 분사홀 134: 처리가스 통로
135: 처리가스 분사홀 136: 반응가스 공급구
137: 처리가스 공급구 141, 142, 143: 자석
151: 아크유지 돌기 160: 반응기
300: 습식 처리부 400: 습식 타워1000: scrubber system 100: scrubber
110: housing 111: electrode receiving portion
112: introductory part 113: arc passage
114: expansion part 116: cooling part
117: insulating member 118: discharge port
120: electrode 121: cooling water passage
123: cooling water port 131: reaction gas passage
132: reaction gas injection hole 134: process gas passage
135: processing gas injection hole 136: reaction gas supply port
137: processing gas supply port 141, 142, 143: magnet
151: arc holding protrusion 160: reactor
300: wet processing unit 400: wet tower

Claims (17)

구동 전압이 인가되는 전극; 및
상기 전극을 감싸며 아크가 발생되는 방전 공간을 형성하는 하우징;
을 포함하고,
상기 하우징은 플라즈마를 배출시키는 토출구와 상기 토출구와 연결되며 하부로 갈수록 외측으로 확장된 확장부를 포함하며,
상기 하우징은 상기 전극을 감싸는 전극 수용부와 상기 전극 수용부의 하부에 연결되며 하부로 갈수록 좁아지는 도입부와 상기 도입부와 상기 확장부를 연결하되 원형의 관으로 이루어진 아크 통로를 더 포함하고, 상기 도입부와 상기 확장부 사이에는 모서리가 형성되며,
상기 확장부의 내면은 상기 하우징의 중심축에 대하여 5도 내지 45도로 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 스크러버.an electrode to which a driving voltage is applied; and
a housing surrounding the electrode and forming a discharge space in which an arc is generated;
including,
The housing includes an outlet for discharging plasma and an expansion portion connected to the outlet and extending outward toward the bottom,
The housing further includes an electrode accommodating portion surrounding the electrode, an introductory portion connected to a lower portion of the electrode accommodating portion and narrowing toward the bottom, and an arc passage formed of a circular tube connecting the inlet portion and the expansion portion, A corner is formed between the extensions,
Scrubber, characterized in that the inner surface of the extension is formed inclined at 5 degrees to 45 degrees with respect to the central axis of the housing. 제1 항에 있어서,
상기 하우징에 하부에 고정 설치되며 상기 아크를 회전시키는 자석을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스크러버.According to claim 1,
Scrubber further comprising a magnet fixed to the lower portion of the housing and rotating the arc. 제1 항에 있어서,
상기 확장부의 하단에는 내측으로 돌출된 아크유지 돌기가 형성되며, 상기 아크유지 돌기는 상기 하우징의 둘레방향으로 이어져 형성된 것을 특징으로 하는 스크러버.According to claim 1,
An arc holding protrusion protruding inward is formed at the lower end of the expansion part, and the arc holding protrusion is formed in a circumferential direction of the housing. 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 확장부에서 상기 아크는 상기 하우징의 중심축에 대하여 경사지게 휘어지는 것을 특징으로 하는 스크러버.According to claim 1,
Scrubber, characterized in that the arc in the expansion portion is bent obliquely with respect to the central axis of the housing. 제1 항에 있어서,
상기 하우징은 상기 전극을 감싸는 전극 수용부와 상기 전극 수용부의 하부에 연결되며 하부로 갈수록 좁아지는 도입부와 상기 도입부와 상기 확장부를 연결하는 아크 통로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스크러버.According to claim 1,
The scrubber, characterized in that the housing further comprises an electrode accommodating portion surrounding the electrode, an inlet portion connected to a lower portion of the electrode accommodating portion and narrowing toward the bottom, and an arc passage connecting the inlet portion and the expansion portion. 제6 항에 있어서,
상기 하우징은 냉각수가 수용된 냉각부를 더 포함하고, 상기 냉각부는 상기 아크 통로에서 상기 확장부까지 이어져 형성된 것을 특징으로 하는 스크러버.According to claim 6,
The scrubber, characterized in that the housing further comprises a cooling portion in which the cooling water is received, and the cooling portion is formed extending from the arc passage to the expansion portion. 제6 항에 있어서,
상기 전극 수용부에는 플라즈마를 유도하는 반응가스가 유입되는 반응가스 공급구와 과불화화합물을 포함하는 처리가스가 유입되는 처리가스 공급구가 연결된 것을 특징으로 하는 스크러버.According to claim 6,
The scrubber, characterized in that the electrode receiving portion is connected to a reaction gas supply port through which a reaction gas for inducing plasma is introduced and a processing gas supply port through which a processing gas containing a perfluorinated compound is introduced. 제6 항에 있어서,
상기 확장부의 하단의 직경은 상기 전극 수용부의 직경보다 더 크게 형성된 것을 특징으로 하는 스크러버.According to claim 6,
Scrubber, characterized in that the diameter of the lower end of the expansion portion is formed larger than the diameter of the electrode receiving portion. 제2 항에 있어서,
상기 자석은 상기 확장부를 향하는 경사면을 갖고 하부로 갈수록 폭이 점진적으로 감소하도록 형성된 것을 특징으로 하는 스크러버.According to claim 2,
The magnet is characterized in that the scrubber is formed to have a slope toward the expansion portion and gradually decrease in width toward the bottom. 제2 항에 있어서,
상기 자석은 상기 확장부를 이루는 벽면 내부에 삽입되며, 상기 하우징의 중심축에 대하여 경사지게 배치된 것을 특징으로 하는 스크러버.According to claim 2,
The scrubber, characterized in that the magnet is inserted into the inside of the wall surface constituting the expansion part, and disposed obliquely with respect to the central axis of the housing. 플라즈마 아크를 발생시켜 토출하는 스크러버;
상기 스크러버로부터 가스를 전달받아 물을 분사하여 습식 처리하는 습식 처리부와 습식 타워를 포함하며,
상기 스크러버는,
구동전압이 인가된 전극, 및
상기 전극을 감싸며 아크가 발생되는 방전 공간을 형성하는 하우징,
을 포함하고,
상기 하우징은 플라즈마를 배출시키는 토출구와 상기 토출구와 연결되며 하부로 갈수록 외측으로 확장된 확장부를 포함하며,
상기 하우징은 상기 전극을 감싸는 전극 수용부와 상기 전극 수용부의 하부에 연결되며 하부로 갈수록 좁아지는 도입부와 상기 도입부와 상기 확장부를 연결하되 원형의 관으로 이루어진 아크 통로를 더 포함하고, 상기 도입부와 상기 확장부 사이에는 모서리가 형성되며,
상기 확장부의 내면은 상기 하우징의 중심축에 대하여 5도 내지 45도로 경사지게 형성된 스크러버 시스템.A scrubber generating and discharging a plasma arc;
It includes a wet treatment unit and a wet tower for wet treatment by spraying water by receiving gas from the scrubber,
The scrubber,
An electrode to which a driving voltage is applied, and
A housing surrounding the electrode and forming a discharge space in which an arc is generated;
including,
The housing includes an outlet for discharging plasma and an expansion portion connected to the outlet and extending outward toward the bottom,
The housing further includes an electrode accommodating portion surrounding the electrode, an introductory portion connected to a lower portion of the electrode accommodating portion and narrowing toward the bottom, and an arc passage formed of a circular tube connecting the inlet portion and the expansion portion, A corner is formed between the extensions,
The inner surface of the extension is inclined at 5 to 45 degrees with respect to the central axis of the housing. 제12 항에 있어서,
상기 하우징에 하부에 고정 설치되며 상기 아크를 회전시키는 자석을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스크러버 시스템.According to claim 12,
The scrubber system further comprises a magnet fixed to the lower portion of the housing and rotating the arc. 삭제delete 제12 항에 있어서,
상기 확장부에서 상기 아크는 상기 하우징의 중심축에 대하여 경사지게 휘어지는 것을 특징으로 하는 스크러버 시스템.According to claim 12,
The scrubber system, characterized in that the arc in the expansion portion is bent obliquely with respect to the central axis of the housing. 삭제delete 삭제delete
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