KR20200057162A - Thermal plasmatron - Google Patents

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KR20200057162A
KR20200057162A KR1020180141035A KR20180141035A KR20200057162A KR 20200057162 A KR20200057162 A KR 20200057162A KR 1020180141035 A KR1020180141035 A KR 1020180141035A KR 20180141035 A KR20180141035 A KR 20180141035A KR 20200057162 A KR20200057162 A KR 20200057162A
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KR
South Korea
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anode
thermal plasma
hole
arc
discharge gas
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KR1020180141035A
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Korean (ko)
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박현우
김우일
성준경
이계광
윤규호
차우병
박진호
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엘지전자 주식회사
(주)플라즈마텍
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Abstract

The present invention relates to a thermal plasma generator capable of properly controlling the length of an arc and rotating the arc evenly. According to an embodiment of the present invention, the thermal plasma generator includes: a cathode located in the center; a first cylinder type anode surrounding the circumference of the cathode, and including a first hole provided in the center; a second cylinder type anode spaced below the first anode, and including a second hole provided in the center to be connected to the first hole; a cylinder type nozzle spaced below the second anode, and including a third hole provided in the center to be connected to the second hole; a first discharge gas injection part provided above the first anode, and injecting discharge gas inwards in a rotating direction; a treatment gas injection part provided above the second anode to surround the circumference of the first anode, and injecting treatment gas inwards in a rotating direction; and a second discharge gas injection part provided between the second anode and the nozzle, and injecting discharge gas inwards in a rotating direction.

Description

열플라즈마 발생장치 {Thermal plasmatron}Thermal plasma generator {Thermal plasmatron}

본 발명은 아크를 균일하게 회전시키고, 아크의 길이를 적절하게 조절할 수 있는 열플라즈마 발생장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thermal plasma generator capable of uniformly rotating an arc and properly adjusting the length of the arc.

일반적으로, 열플라즈마(Thermal plasma)는 주로 아크 방전에 의해 발생시킨 전자, 이온, 중성입자(원자 및 분자)로 구성된 부분 이온화된 기체로서, 국소열평형(Local Thermodynamic Equilibrium) 상태를 유지하여 구성 입자가 모두 수천에서 수만도에 이르는 같은 온도를 갖는 고속의 제트 불꽃 형태를 이루고 있다. In general, a thermal plasma is a partially ionized gas composed mainly of electrons, ions, and neutral particles (atoms and molecules) generated by arc discharge, and maintains a local thermodynamic equilibrium state. All form a high-speed jet flame with the same temperature ranging from thousands to tens of thousands of degrees.

이렇게 고온, 고열용량, 고속, 다량의 활성입자를 갖는 열플라스마의 특성을 이용하여, 여러 산업분야에서 첨단기술에 활용되고 있다.As such, by utilizing the characteristics of a thermal plasma having high temperature, high heat capacity, high speed, and a large amount of active particles, it is used in high technology in various industries.

최근 특정 산업폐기물의 환경오염이 사회적 문제로 대두되면서, 반도체/디스플레이 등 전자산업에서 배출되는 유해가스 및 온실가스 제거를 목적으로 열플라즈마를 이용한 처리기술에 대한 관심이 높아지고 있다. Recently, as the environmental pollution of certain industrial wastes has emerged as a social problem, interest in treatment technologies using thermal plasma has been increasing for the purpose of removing harmful gases and greenhouse gases emitted from the electronics industry such as semiconductors / displays.

전기 에너지를 이용한 열플라즈마(thermal plasma) 발생장치(plasma torch, plasmatron)는 처리 대상물의 분해 등에 사용할 수 있는 다량의 열에너지로 전환시키는 장치이다. A thermal plasma generator using electrical energy (plasma torch, plasmatron) is a device that converts a large amount of heat energy that can be used for decomposition of an object to be treated.

고온의 열플라즈마 발생은 가스 이온화를 위한 충분한 에너지가 두 개의 전극에 공급되면, 두 개의 전극에서 전기적으로 아크가 발생되고, 방전가스를 고온의 아크 사이에 통과시키면, 방전가스가 플라즈마 상태로 전이되면서 열플라즈마 제트를 발생시킨다. When a high temperature thermal plasma is generated, when sufficient energy for gas ionization is supplied to two electrodes, an arc is generated electrically at the two electrodes, and when the discharge gas is passed between the high temperature arcs, the discharge gas is transferred to a plasma state. Generate a thermal plasma jet.

한국등록특허 제967016호(출원일 : 2007.09.20)에는 장치 바디부;와, 그 내측에 구비되는 캐소드와 전방의 애노드를 포함하는 전극부;와, 상기 장치 바디부에 각각 일체로 구비되고 전극부 측에 가스를 공급토록 제공된 바디 일체형 가스통로와 장치를 냉각토록 제공된 바디 일체형 냉각수통로; 및, 상기 전극부 주변에 각각 배치되는 가스 트위스팅 수단과, 자석수단 중 적어도 어느 하나;를 포함하고, 상기 장치 바디부는, 장치외연을 형성하는 제1 바디와 상기 제1 바디의 내측에 조립되되 애노드를 지지하면서 전기를 인가하는 하우징 및, 상기 제1 바디의 일측에 조립되면서 애노드를 고정하는 제1 케이싱을 포함하는 제1 금속바디부;와, 상기 제1 바디와 하우징에 걸쳐서 그 내측에 조립되는 제1 절연바디 및, 상기 제1 바디와 제1 절연바디의 일측에 고정 조립되는 제2 케이싱으로 구성되는 제2 절연바디를 포함하여 조립 구성된 절연바디부; 및, 상기 제1,2 절연바디에 걸쳐서 그 내측에 조립되되 캐소드에 전기를 인가토록 조립 고정되는 제2 바디 및, 상기 제2 바디와 조립되되 상기 캐소드의 내측에 체결되는 전기인가편을 포함하는 제2 금속바디부;를 포함하여 조립 구성될 수 있는 플라즈마 토치장치가 개시된다. Korean Registered Patent No. 967016 (application date: 2007.09.20) includes a device body part; and an electrode part including a cathode provided inside and a front anode; and an electrode part integrally provided with the device body part, respectively. A body-integrated gas passage provided to supply gas to the side and a body-integrated cooling water passage provided to cool the device; And at least one of a gas twisting means and a magnet means respectively disposed around the electrode part, wherein the device body part is assembled inside the first body and the first body forming the device outer edge. A first metal body portion including a housing for applying electricity while supporting the anode and a first casing fixing the anode while being assembled on one side of the first body; and assembled inside the first body and the housing. An insulated body comprising an insulated first insulated body and a second insulated body composed of a second casing fixedly assembled to one side of the first body and the first insulated body; And a second body assembled on the inside of the first and second insulating bodies to be assembled and fixed to apply electricity to the cathode, and an electric applying piece assembled to the second body and fastened to the inside of the cathode. Disclosed is a plasma torch device including a second metal body portion.

상기와 같이, 상기 전극부가 아크를 형성하면, 상기 가스 트위스팅 수단이 방전가스를 회전 주입함으로, 아크점을 이동시켜 전극부 마모를 방지하고, 상기 자석수단이 자기장을 형성함으로, 전자 흐름을 조정하여 열플라즈마 방전 안정성을 향상시킨다. As described above, when the electrode part forms an arc, the gas twisting means rotates and injects discharge gas, moves the arc point to prevent wear of the electrode part, and the magnetic means forms a magnetic field, thereby adjusting electron flow. To improve thermal plasma discharge stability.

그러나, 상기의 종래 기술에 따르면, 처리 가스를 고온의 열플라즈마 제트 내부로 공급하기 위한 별도의 구조가 적용되지 않고, 음극과 양극으로 구성된 전극부가 적용됨에 따라 아크의 길이가 한정된다. However, according to the prior art, a separate structure for supplying the processing gas into the high-temperature thermal plasma jet is not applied, and the length of the arc is limited as the electrode part composed of the cathode and the anode is applied.

따라서, 처리 가스를 공급하는 구조가 적용되더라도 처리 가스가 상대적으로 온도가 낮은 열플라즈마 제트의 표면 지나게 됨으로, 처리 가스의 열분해 효과를 높이는데 한계가 있고, 요구되는 소비 전력이 높아지는 문제점이 있다. Therefore, even if the structure for supplying the processing gas is applied, the processing gas passes through the surface of the thermal plasma jet having a relatively low temperature, thereby limiting the effect of increasing the thermal decomposition of the processing gas, and there is a problem in that the required power consumption is increased.

한국등록특허 제1573844호(출원일 : 2013.11.11)에는 일 방향으로 돌출되고 전압이 인가되는 전극, 절연부재를 개재하여 상기 전극을 수용하고 상기 전극과의 사이에 방전기체를 공급하는 제1통로를 형성하며, 1차로 접지되어 생성되는 아크를 제1토출구로 토출하는 제1하우징, 및 상기 제1하우징의 선단을 수용하여 처리기체를 공급하는 제2통로를 형성하고, 2차로 접지되어 상기 아크를 연장하여 상기 처리기체에 포함된 처리 대상물질을 연소시킨 아크 화염을 제2토출구로 토출하는 제2하우징을 포함하는 플라즈마 토치가 개시된다.Korean Registered Patent No. 1573844 (application date: November 11, 2013) protrudes in one direction and provides a first passage for receiving the electrode via an electrode and an insulating member and supplying a discharge gas between the electrode. To form, a first housing for discharging the arc generated by being firstly grounded to a first discharge port, and a second passage for receiving a tip of the first housing and supplying a processing gas, and being secondarily grounded to form the arc Disclosed is a plasma torch comprising a second housing that extends and discharges an arc flame that has burned a target material contained in the processing gas to a second discharge port.

상기와 같이, 상기 제1하우징과 제2하우징에서 아크가 형성됨으로, 아크의 길이를 연장시킬 수 있고, 상기 제2하우징 내측에 형성된 나사선을 통하여 아크를 회전시킬 수 있으며, 처리기체를 공급하여 고온의 열플라즈마 제트 중심부를 통과하여 처리기체가 효과적으로 처리되도록 한다. As described above, since the arc is formed in the first housing and the second housing, the length of the arc can be extended, the arc can be rotated through a thread formed inside the second housing, and a high temperature is supplied by supplying a processing gas. It passes through the central part of the thermal plasma jet to ensure that the processing gas is effectively processed.

그러나, 상기의 종래 기술에 따르면, 제2하우징의 나사산을 통하여 아크를 회전시키는데 한계가 있어 편심된 아크를 발생시키고, 이러한 편심된 아크가 전극 표면을 부분적으로 손상 및 파손시킴으로, 전극 수명이 짧아지는 문제점이 있다.However, according to the above prior art, there is a limit in rotating the arc through the threads of the second housing to generate an eccentric arc, and the eccentric arc partially damages and breaks the electrode surface, resulting in shortening of electrode life. There is a problem.

또한, 처리기체가 유입되는 주입구와 전극이 모두 제2하우징에 형성됨에 따라 제2하우징의 길이가 길어지기 때문에 제1하우징 측의 아크를 제2하우징 측의 아크까지 이송시키기 어렵고, 구조를 개선하여 아크의 길이를 연장시키더라도 아크가 제2하우징의 전극 표면에 유지할 수 있는 별도의 구조가 반영되지 않아, 아크 길이를 제어할 수 없는 문제가 있다. 따라서, 제2하우징 내측에 한정되도록 하는 것이 필요하다.In addition, since both the inlet and the electrode into which the processing gas flows are formed in the second housing, the length of the second housing becomes longer, so it is difficult to transfer the arc on the first housing side to the arc on the second housing side, and the structure is improved. Even if the length of the arc is extended, a separate structure capable of maintaining the arc on the electrode surface of the second housing is not reflected, so there is a problem in that the arc length cannot be controlled. Therefore, it is necessary to be limited to the inside of the second housing.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 아크를 균일하게 회전시키고, 아크의 길이를 적절하게 조절할 수 있는 열플라즈마 발생장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the problems of the prior art described above, and has an object to provide a thermal plasma generator capable of uniformly rotating an arc and properly adjusting the length of the arc.

본 발명의 일 실시예에 따른 열플라즈마 발생장치는 중심에 위치된 음극; 상기 음극 둘레를 감싸고, 제1홀이 중심에 구비된 실린더 타입의 제1양극; 상기 제1양극 하측에 이격되고, 상기 제1홀과 연통된 제2홀이 중심에 구비된 실린더 타입의 제2양극; 상기 제2양극 하측에 이격되고, 상기 제2홀과 연통된 제3홀이 중심에 구비된 실린더 타입의 노즐; 상기 제1양극 상측에 구비되고, 방전가스를 내측에 회전 방향으로 주입하는 제1방전가스 주입부; 상기 제1양극 둘레를 감싸도록 상기 제2양극 상측에 구비되고, 처리하고자 하는 처리가스를 내측에 회전 방향으로 주입하는 처리가스 주입부; 및 상기 제2양극과 노즐 사이에 구비되고, 방전가스를 내측에 회전 방향으로 주입하는 제2방전가스 주입부;를 포함한다.A thermal plasma generator according to an embodiment of the present invention includes a cathode positioned at the center; A first anode of a cylinder type surrounding the cathode and having a first hole at the center; A second anode of a cylinder type spaced below the first anode and having a second hole communicating with the first hole at the center; A cylinder-type nozzle spaced below the second anode and having a third hole in communication with the second hole; A first discharge gas injection unit provided on the first anode and injecting discharge gas in a rotational direction inside; A processing gas injection unit provided on an upper side of the second anode so as to surround the first anode, and injecting a processing gas to be processed in a rotational direction inside; And a second discharge gas injection unit provided between the second anode and the nozzle and injecting discharge gas in a rotational direction inside.

또한, 본 발명에서, 상기 제1양극은, 상기 음극 둘레를 감싸는 음극 수용부와, 상기 수용부 하측에 연속되고 전기적으로 제1아크가 생성되는 제1아크 생성부로 구성되는 것이 바람직하다.Further, in the present invention, the first positive electrode is preferably composed of a negative electrode receiving portion surrounding the negative electrode, and a first arc generating portion continuously and electrically generating a first arc below the receiving portion.

이때, 상기 제1홀의 직경은, 상기 음극 수용부의 하측으로 갈수록 점차 작아지고, 상기 제1아크 생성부의 하측으로 갈수록 점차 커지며, 상기 음극 수용부와 제1아크 생성부 사이에서 가장 작게 구성될 수 있다.At this time, the diameter of the first hole, gradually decreases toward the lower side of the negative electrode receiving portion, gradually increases toward the lower side of the first arc generating portion, and may be configured to be the smallest between the negative electrode receiving portion and the first arc generating portion. .

또한, 본 발명에서, 상기 제2양극은, 상기 처리가스 주입부에서 주입되는 반응가스 및 처리가스를 상기 제2홀의 중심부로 안내하는 가이드부와, 상기 가이드부 하측에 연속되고 전기적으로 제2아크가 형성되는 제2아크 생성부로 구성되는 것이 바람직하다.In addition, in the present invention, the second anode, a guide portion for guiding the reaction gas and the treatment gas injected from the treatment gas injection portion to the center of the second hole, and continuously and electrically under the guide portion of the second arc It is preferably composed of a second arc generating portion is formed.

이때, 상기 제2홀의 직경은, 상기 제1홀의 직경 보다 크게 구성되고, 상기 가이드부의 하측으로 갈수록 점차 작아지며, 상기 제2아크 생성부에서 일정하게 구성될 수 있다.At this time, the diameter of the second hole is configured to be larger than the diameter of the first hole, and gradually decreases toward the lower side of the guide portion, and may be constant in the second arc generating portion.

또한, 본 발명에서, 상기 노즐은, 상기 음극과 제1,2양극에 의해 생성된 열플라즈마 제트를 통과시키는 연장부와, 상기 연장부 하측에 연속되고 열플라즈마 제트를 외부로 토출하는 토출부로 구성되는 것이 바람직하다.In addition, in the present invention, the nozzle is composed of an extension portion for passing the thermal plasma jet generated by the cathode and the first and second anodes, and a discharge portion for continuously discharging the thermal plasma jet to the outside under the extension portion. It is desirable to be.

이때, 상기 제3홀의 직경은, 상기 연장부에서 일정하게 구성되고, 상기 토출부의 하측으로 갈수록 점차 작아질 수 있다.At this time, the diameter of the third hole is configured to be constant in the extension portion, and may gradually decrease toward the lower side of the discharge portion.

또한, 본 발명에서, 상기 제1,2방전가스 주입부는, 방전가스를 동일한 회전 방향으로 주입하도록 구성되는 것이 바람직하다.In addition, in the present invention, it is preferable that the first and second discharge gas injection units are configured to inject discharge gas in the same rotational direction.

실시예에 따르면, 상기 제1방전가스 주입부는, 상기 제1홀과 연통되는 원통 형상이고, 반경 방향으로 소정 두께를 가지는 제1본체부와, 상기 제1본체부의 내/외주면을 관통하고, 상기 제1본체부의 내주면을 따라 회전 방향으로 방전가스를 주입하는 복수개의 제1주입구로 구성될 수 있다.According to an embodiment, the first discharge gas injection portion, the first body portion having a predetermined thickness in the radial direction, the cylindrical shape communicating with the first hole, and penetrates the inner / outer peripheral surface of the first body portion, the It may be composed of a plurality of first injection port for injecting the discharge gas in the rotational direction along the inner peripheral surface of the first body portion.

이때, 상기 제1주입구는, 상기 제1본체부의 내주면과 접선 방향을 기준으로 0 ~ 60°범위 내에서 구성될 수 있으며, 상기 제1본체부의 원주 방향으로 일정 간격을 두고 4 ~ 6 개가 구비될 수 있다.At this time, the first injection port may be configured within a range of 0 to 60 ° based on the tangential direction with the inner circumferential surface of the first body part, and 4 to 6 pieces may be provided at regular intervals in the circumferential direction of the first body part. Can be.

실시예에 따르면, 상기 제2방전가스 주입부는, 상기 제2홀과 연통되는 원통 형상이고, 반경 방향으로 소정 두께를 가지는 제2본체부와, 상기 제2본체부의 내/외주면을 관통하고, 상기 제2본체부의 내주면을 따라 회전 방향으로 방전가스를 주입하는 복수개의 제2주입구로 구성될 수 있다.According to an embodiment, the second discharge gas injection unit is a cylindrical shape communicating with the second hole, penetrating through the inner / outer circumferential surfaces of the second body unit and the second body unit having a predetermined thickness in the radial direction, the It may be composed of a plurality of second injection port for injecting the discharge gas in the rotational direction along the inner peripheral surface of the second body portion.

이때, 상기 제2주입구는, 상기 제2본체부의 내주면과 접선 방향을 기준으로 0 ~ 60°범위 내에서 구성될 수 있으며, 상기 제2본체부의 원주 방향으로 일정 간격을 두고 6 ~ 12 개가 구비될 수 있다.At this time, the second injection port may be configured within a range of 0 to 60 ° based on the tangential direction with the inner circumferential surface of the second body part, and 6 to 12 pieces may be provided at regular intervals in the circumferential direction of the second body part. Can be.

또한, 본 발명에서, 상기 처리가스 주입부는, 처리가스를 상기 제1,2방전가스 주입부에서 주입되는 방전가스와 동일한 회전 방향으로 주입하도록 구성되는 것이 바람직하다.Further, in the present invention, it is preferable that the processing gas injection unit is configured to inject the processing gas in the same rotational direction as the discharge gas injected from the first and second discharge gas injection units.

실시예에 따르면, 상기 처리가스 주입부는, 상기 제1양극과 제1방전가스 주입부를 감싸고 상기 제2홀과 연통되는 원통 형상의 본체부와, 상기 본체부의 내측과 연통하고, 상기 본체부의 내주면을 따라 회전 방향으로 반응가스 및 처리가스를 주입하는 복수개의 주입관으로 구성될 수 있다.According to the embodiment, the processing gas injection unit, the first positive electrode and the first discharge gas injection unit surrounding the cylindrical body portion that communicates with the second hole, the inner body portion and the communication, the inner peripheral surface of the body portion Accordingly, it may be composed of a plurality of injection pipes for injecting the reaction gas and the processing gas in the rotation direction.

이때, 상기 주입관은, 상기 본체부의 내주면과 접선 방향을 기준으로 0 ~ 50°범위 내에서 구성될 수 있으며, 상기 본체부의 원주 방향으로 일정 간격을 두고 2 ~ 4 개가 구비될 수 있다.At this time, the injection tube may be configured within a range of 0 to 50 ° based on the tangential direction with the inner circumferential surface of the body portion, and 2 to 4 pieces may be provided at regular intervals in the circumferential direction of the body portion.

또한, 본 발명은, 상기 제2양극 둘레에 구비되고, 자기장을 생성하는 자석부;를 더 포함한다. In addition, the present invention further includes a magnet portion provided around the second anode and generating a magnetic field.

상기 처리가스 주입부가 상기 제2양극 내측에 처리가스를 시계 방향으로 주입하는 경우, 상기 자석부는, 상기 제2양극을 감싸도록 장착된 N극부와, 상기 N극부을 감싸도록 장착된 S극부로 구성될 수 있다.When the processing gas injection part injects the processing gas in the clockwise direction inside the second anode, the magnet part is composed of an N-pole part mounted to surround the second anode and an S-pole part mounted to surround the N-pole part. Can be.

상기 처리가스 주입부가 상기 제2양극 내측에 처리가스를 반시계 방향으로 주입하는 경우, 상기 자석부는, 상기 제2양극을 감싸도록 장착된 S극부와, 상기 S극부을 감싸도록 장착된 N극부로 구성될 수 있다.When the processing gas injection unit injects the processing gas counterclockwise inside the second anode, the magnet unit includes an S-pole unit mounted to surround the second anode and an N-pole unit mounted to surround the S-pole portion. Can be configured.

실시예에 따르면, 상기 N극부 및 S극부는 원통 형상으로 구성될 수 있다.According to an embodiment, the N-pole portion and the S-pole portion may be configured in a cylindrical shape.

본 발명에 따른 열플라즈마 발생장치는, 제1양극 상측에 제1방전가스 주입부가 구비되고, 제2양극 상측에 제1양극을 감싸도록 처리가스 주입부가 구비되며, 제2양극 하측에 제2방전가스 주입부가 구비되며, 제2양극 주변에 자석부가 구비된다.In the thermal plasma generator according to the present invention, a first discharge gas injection portion is provided on the upper side of the first positive electrode, a processing gas injection portion is provided on the upper side of the second positive electrode, and a second gas discharge portion is provided on the lower side of the second positive electrode. A gas injection part is provided, and a magnet part is provided around the second anode.

따라서, 제1방전가스 주입부에 의해 주입된 방전가스가 제1양극 측의 제1아크를 제1양극 표면에 균일하게 회전시키도록 위치시키고 아크의 회전을 원활하게 형성시킴으로서, 주변 구성 요소들의 사용 수명을 늘릴 수 있다.Therefore, the discharge gas injected by the first discharge gas injection unit is positioned to uniformly rotate the first arc on the first anode side on the surface of the first anode and smoothly rotates the arc, thereby using surrounding components. Life can be extended.

또한, 제1방전가스 주입부에 의해 주입된 방전가스가 제1아크를 제2아크까지 이동 또는 연장시켜 아크의 길이를 늘림으로서, 처리가스가 고온의 아크 중심에 접촉되도록 하여 열분해 성능을 높이고, 처리가스를 분해하는데 필요한 소비 전력을 저감시킬 수 있다.In addition, the discharge gas injected by the first discharge gas injection unit moves or extends the first arc to the second arc to increase the length of the arc, thereby increasing the thermal decomposition performance by making the treatment gas contact the center of the high temperature arc, It is possible to reduce the power consumption required to decompose the processing gas.

또한, 제2방전가스 주입부에 의해 주입된 방전가스가 제2아크점의 위치를 제어함으로서, 전체 아크의 길이를 적절하게 조절할 수 있다.In addition, by controlling the position of the second arc point of the discharge gas injected by the second discharge gas injection unit, it is possible to appropriately adjust the length of the entire arc.

또한, 자석부에 의해 형성된 자기장이 제2양극 측의 제2아크의 회전을 향상시키는 동시에 열플라즈마 제트를 중심부에 균일하게 위치시킴으로서, 열플라즈마 제트에 의한 주변 구성 요소들의 사용 수명을 늘릴 수 있다.In addition, the magnetic field formed by the magnet portion improves the rotation of the second arc on the second anode side, and at the same time, the thermal plasma jet is uniformly positioned in the center, thereby increasing the service life of peripheral components by the thermal plasma jet.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 열플라즈마 발생장치가 도시된 정단면도.
도 2는 도 1에 적용된 제1방전가스 주입부의 일예가 도시된 평단면도.
도 3은 도 1에 적용된 처리가스 주입부의 일예가 도시된 평단면도.
도 4는 도 1에 적용된 제2방전가스 주입부의 일예가 도시된 평단면도.
도 5는 도 1에 적용된 자석부의 일예가 도시된 평단면도.
도 6은 도 1에 적용된 자석부의 다른 일예가 도시된 평단면도.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 열플라즈마 발생장치의 작동 상태가 도시된 정단면도.1 is a front sectional view showing a thermal plasma generator according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a sectional plan view showing an example of a first discharge gas injection unit applied to FIG. 1;
3 is a plan cross-sectional view showing an example of the processing gas injection unit applied to FIG. 1;
4 is a cross-sectional plan view showing an example of the second discharge gas injection unit applied to FIG. 1;
Figure 5 is a cross-sectional plan view showing an example of a magnet applied to Figure 1;
Figure 6 is a cross-sectional plan view showing another example of the magnet applied to Figure 1;
7 is a front sectional view showing an operating state of the thermal plasma generator according to an embodiment of the present invention.

이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다. Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the scope of the spirit of the invention possessed by the present embodiment may be determined from the details disclosed by the present embodiment, and the spirit of the invention possessed by the present embodiment may be performed by adding, deleting, or modifying components with respect to the proposed embodiment. It will be said to include variations.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 열플라즈마 발생장치가 도시된 정단면도이고, 도 2 내지 도 6은 도 1에 적용된 각 구성 요소의 일예가 도시된 평단면도이다.1 is a front cross-sectional view showing a thermal plasma generator according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 6 are plan cross-sectional views showing an example of each component applied to FIG. 1.

본 발명의 일 실시예에 따른 열플라즈마 발생장치는 도 1에 도시된 바와 같이 음극(110)과, 제1양극(120)과, 제2양극(130)과, 노즐(140)과, 제1방전가스 주입부(150)와, 처리가스 주입부(160)와, 제2방전가스 주입부(170)와, 자석부(180)를 포함한다. The thermal plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention, as shown in Figure 1, the cathode 110, the first anode 120, the second anode 130, the nozzle 140, and the first It includes a discharge gas injection unit 150, a processing gas injection unit 160, a second discharge gas injection unit 170, and a magnet unit 180.

상기 음극(110)은 중심에 위치한 버튼 타입으로 구성될 수 있으나, 한정되지 아니한다. The cathode 110 may be configured as a button type located at the center, but is not limited.

실시예에 따르면, 상기 음극(110)은 고전압이 걸릴 수 있는 토륨(Th)이 함유된 텅스텐(W) 재질로 구성될 수 있으나, 한정되지 아니한다.According to an embodiment, the cathode 110 may be made of tungsten (W) material containing thorium (Th), which may be subjected to high voltage, but is not limited.

상기 제1양극(120)은 상기 음극(110)을 감싸는 제1홀(120h)이 중심에 위치된 실린더 타입으로 구성될 수 있으나, 이에 한정되지 아니한다. The first positive electrode 120 may be configured as a cylinder type in which a first hole 120h surrounding the negative electrode 110 is located at the center, but is not limited thereto.

그리고, 상기 음극(110)과 제1양극(120)에 고전압이 걸리면, 상기 제1홀(120h)에 제1아크가 발생된다. 실시예에 따르면, 상기 제1양극(120)은 고전압이 걸린 경우 아크를 생성시킬 수 있는 구리(Cu) 또는 텅스텐(W) 재질로 구성될 수 있으나, 한정되지 아니한다. Then, when a high voltage is applied to the cathode 110 and the first anode 120, a first arc is generated in the first hole 120h. According to an embodiment, the first anode 120 may be made of a copper (Cu) or tungsten (W) material capable of generating an arc when a high voltage is applied, but is not limited.

상세하게, 상기 제1양극(120)은, 상기 음극(110) 둘레를 감싸는 음극 수용부(121)와, 상기 음극 수용부(121) 하측에 연속되고 전기적으로 제1아크가 생성되는 제1아크 생성부(122)로 구성되는 것이 바람직하다. In detail, the first positive electrode 120 includes a negative electrode receiving portion 121 surrounding the negative electrode 110 and a first arc continuously and electrically generating a first arc under the negative electrode receiving portion 121. It is preferably composed of a generator (122).

또한, 상기 음극 수용부(121)의 하측으로 갈수록 상기 제1홀(120h)의 직경(a)이 점차 작아지고, 상기 제1아크 생성부(122)의 하측으로 갈수록 상기 제1홀(120h)의 직경(a)이 점차 커질 수 있으며, 상기 음극 수용부(121)와 제1아크 생성부(122) 사이에서 상기 제1홀(120h)의 직경(a)이 가장 작게 구성될 수 있다.In addition, the diameter (a) of the first hole (120h) gradually decreases toward the lower side of the cathode accommodating part (121), and the first hole (120h) toward the lower side of the first arc generating unit (122). The diameter (a) of may be gradually increased, and the diameter (a) of the first hole (120h) between the cathode accommodating part 121 and the first arc generating part 122 may be configured to be the smallest.

따라서, 하기에서 설명된 제1방전가스 주입부(150)에 의해 주입된 방전가스가 상기 제1양극(120)의 제1홀(120h)을 통과할 때, 상기 음극 수용부(121)와 제1아크 생성부(122) 사이를 통과하면서 가압됨에 따라 그 속도가 증대된다. Therefore, when the discharge gas injected by the first discharge gas injection unit 150 described below passes through the first hole 120h of the first positive electrode 120, the negative electrode receiving unit 121 and the first The speed increases as it is pressed while passing between the 1 arc generating parts 122.

이와 같이, 속도가 빨라진 방전가스가 상기 제1양극(120) 측에서 생성된 제1아크를 하기에서 설명될 제2양극(130)으로 이동시켜 줄 수 있으며, 상기 제2양극(130)까지 이동된 아크를 제2아크로 명명한다.In this way, the discharge gas having a faster speed may move the first arc generated at the side of the first anode 120 to the second anode 130 to be described below, and move to the second anode 130. The arc is called the second arc.

상기 제2양극(130)은 상기 제1양극(120)과 마찬가지로 고전압이 걸릴 수 있는 전극으로서, 상기 제1양극(120) 하측에 이격되고, 상기 제1홀(120h)과 연통될 수 있는 제2홀(130h)이 중심에 위치된 실린더 타입으로 구성될 수 있다. The second positive electrode 130 is an electrode that can be subjected to high voltage as in the first positive electrode 120, is spaced under the first positive electrode 120, and is capable of communicating with the first hole 120h. The two holes 130h may be of a cylinder type located at the center.

그리고, 상기 제2양극(130)에 고전압이 걸리면, 상기 제2홀(120h)에 제2아크를 발생된다. 물론, 상기 제2양극(130)은 상기 제1양극(120)와 동일한 소재로 구성될 수 있으나, 한정되지 아니한다. In addition, when a high voltage is applied to the second anode 130, a second arc is generated in the second hole 120h. Of course, the second anode 130 may be made of the same material as the first anode 120, but is not limited.

상세하게, 상기 제2양극(130)은 하기에서 설명될 처리가스 주입부(160)에서 주입되는 처리가스를 상기 제2홀(130h)의 중심부로 안내하는 가이드부(131)와, 상기 가이드부(131) 하측에 연속되고 전기적으로 제2아크가 형성되는 제2아크 생성부(132)로 구성되는 것이 바람직하다.In detail, the second anode 130 has a guide unit 131 for guiding the processing gas injected from the processing gas injection unit 160 to be described below to the center of the second hole 130h, and the guide unit (131) It is preferably composed of a second arc generating unit 132, which is continuously and electrically formed on the lower side of the second arc.

또한, 상기 제2홀(130h)의 직경은, 상기 가이드부(131)의 하측으로 갈수록 점차 좁아지고, 상기 제2아크 생성부(132)에서 일정하게 구성될 수 있다.In addition, the diameter of the second hole (130h) is gradually narrowed toward the lower side of the guide portion 131, it may be configured to be constant in the second arc generating portion (132).

이때, 상기 제2홀(130h)의 직경을 상기 제1홀(120h)의 직경보다 크게 구성함으로, 제2아크가 상기 제2홀(130h)에서 상기 제1홀(120h)로 이송되지 않도록 유도하고, 제1아크가 제2아크까지 안정적으로 이동 또는 연장될 수 있도록 한다. At this time, the diameter of the second hole (130h) is configured to be larger than the diameter of the first hole (120h), so that the second arc is not transferred from the second hole (130h) to the first hole (120h) Then, the first arc can be stably moved or extended to the second arc.

상기 노즐(140)은 상기 제1,2아크에 의해 생성된 열플라즈마 제트를 통과시키는 공간으로서, 상기 제2양극(130) 하측에 이격되고, 상기 제2홀(130h)과 연통될 수 있는 제3홀(140h)이 중심에 위치된 실린더 타입으로 구성된다. The nozzle 140 is a space through which the thermal plasma jet generated by the first and second arcs passes, and is spaced below the second anode 130 and is capable of communicating with the second hole 130h. The three-hole (140h) is composed of a cylinder type located at the center.

실시예에 따르면, 상기 노즐(140)은 구리(Cu), 텅스텐(W), 탄화텅스텐(WC), 질화붕소(BN) 등으로 구성될 수 있으나, 한정되지 아니한다.According to an embodiment, the nozzle 140 may be made of copper (Cu), tungsten (W), tungsten carbide (WC), boron nitride (BN), and the like, but is not limited.

상세하게, 상기 노즐(140)은 상기 제1,2아크에 의해 생성된 열플라즈마 제트를 통과시키는 연장부(141)와, 상기 연장부(141) 하측에 연속되고 열플라즈마 제트를 외부로 토출하는 토출부(142)로 구성되는 것이 바람직하다.In detail, the nozzle 140 is an extension portion 141 through which the thermal plasma jet generated by the first and second arcs passes, and is continuous below the extension portion 141 and discharges the thermal plasma jet to the outside. It is preferable to be configured as a discharge portion (142).

또한, 상기 제3홀(140h)의 직경은, 상기 제2홀(130h)의 직경과 같거나, 소정 간극을 크게 구성함으로, 제2아크가 상기 제2홀(130h)에서 상기 제3홀(140h)로 이송되지 않도록 유도한다. In addition, the diameter of the third hole (140h), the same as the diameter of the second hole (130h), or by configuring a large gap, the second arc in the second hole (130h) the third hole ( 140h).

이때, 상기 제3홀(140h)의 직경은, 상기 연장부(141)에서 일정하게 구성되고, 상기 토출부(142)의 하측으로 갈수록 점차 좁아지게 구성될 수 있으며, 상기 토출부(142)의 최하단에서 상기 제3홀의 직경(b)이 가장 작게 형성될 수 있다.At this time, the diameter of the third hole (140h), the constant configuration in the extension portion 141, may be configured to gradually narrow toward the lower side of the discharge portion 142, the discharge portion 142 The diameter (b) of the third hole at the bottom may be formed to be the smallest.

따라서, 상기 노즐(140) 내부에서 처리가스와 열플라즈마 제트가 효과적으로 혼합될 수 있고, 아크가 상기 노즐(140) 외부로 노출되는 것을 방지할 수 있다.Therefore, the processing gas and the thermal plasma jet can be effectively mixed inside the nozzle 140, and arc can be prevented from being exposed outside the nozzle 140.

상기 제1방전가스 주입부(150)는 플라즈마를 형성시키기 위한 방전가스를 공급하는 것으로서, 상기 제1양극(120) 상측에 구비된 절연 재질로 구성되고, 방전가스를 상기 제1홀(130h) 내측에 회전 방향으로 공급하도록 구성된다.The first discharge gas injection unit 150 is to supply a discharge gas for forming a plasma, is made of an insulating material provided on the upper side of the first anode 120, the discharge gas to the first hole (130h) It is configured to supply the inside in the direction of rotation.

상기 제1방전가스 주입부(150)에 주입되는 방전가스는 반응성이 없는 질소(N2), 아르곤(Ar) 등의 가스로 구성될 수 있다.The discharge gas injected into the first discharge gas injection unit 150 may be composed of gas such as nitrogen (N 2 ) or argon (Ar) that is not reactive.

상세하게, 상기 제1방전가스 주입부(150)는 도 2에 도시된 바와 같이 원통 형상의 제1본체부(150B)와, 상기 제1본체부(150B)의 내/외주면을 수평하게 관통하는 복수개의 제1주입구(151~154)로 구성된다.In detail, the first discharge gas injection part 150 horizontally penetrates the inner / outer circumferential surfaces of the cylindrical first body part 150B and the first body part 150B as shown in FIG. 2. It is composed of a plurality of first inlets (151 to 154).

상기 제1본체부(150B)는 상기 제1홀(120)의 상측에 연통되는 홀(150h)이 중심에 구비된 원통 형상으로서, 반경 방향으로 소정 폭을 가질 뿐 아니라 높이 방향으로 소정 두께를 가지도록 구성된다.The first body portion 150B is a cylindrical shape provided at the center of the hole 150h communicating with the upper side of the first hole 120, and has a predetermined thickness in the height direction as well as a predetermined width in the radial direction. It is configured to.

상기 제1주입구(151~154)는 상기 제1본체부(150B)의 내주면을 따라 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전하도록 방전가스를 주입하도록 구성된다.The first injection holes 151 to 154 are configured to inject discharge gas to rotate clockwise or counterclockwise along the inner circumferential surface of the first body portion 150B.

실시예에 따르면, 상기 제1주입구(151~154)는 상기 제1본체부(150B)의 내주면과 접선 방향을 기준으로 0 ~ 60°범위 내에서 소정 각도(α)를 이루도록 구성될 수 있으며, 상기 제1본체부(150B)의 원주 방향으로 일정 간격을 두고 4 ~ 6 개가 구비될 수 있다.According to an embodiment, the first injection holes 151 to 154 may be configured to form a predetermined angle α within a range of 0 to 60 ° based on a tangent direction with an inner circumferential surface of the first main body 150B, Four to six may be provided at regular intervals in the circumferential direction of the first body portion 150B.

따라서, 상기 제1방전가스 주입부(150)에 의해 방전가스가 내주면을 따라 회전 방향으로 공급되면, 방전가스의 유동 방향의 영향으로 제1아크가 편심되지 않도록 상기 제1양극(120)의 중심부에 위치하게 되고, 제1아크가 제2아크까지 이동 또는 연장될 수 있다.Therefore, when the discharge gas is supplied in the rotational direction along the inner circumferential surface by the first discharge gas injection unit 150, the center portion of the first anode 120 is not eccentric due to the influence of the flow direction of the discharge gas. The first arc can be moved or extended to the second arc.

상기 처리가스 주입부(160)는 열 분해하고자 하는 처리가스 및 이와 화학 반응하는 반응가스를 공급하기 위한 것으로서, 상기 제1양극(120) 둘레를 감싸도록 상기 제2양극(130) 상측에 구비되고, 처리가스 및 반응가스를 상기 제2홀(130h) 내측에 회전 방향으로 공급하도록 구성된다.The processing gas injection unit 160 is for supplying a processing gas to be thermally decomposed and a reaction gas chemically reacting therewith, and is provided on the upper side of the second anode 130 to surround the first anode 120. , It is configured to supply the processing gas and the reaction gas in the rotational direction inside the second hole (130h).

상기 처리가스는 처리하고자 하는 온실 가스 등과 같은 유해 가스로서, PFCs 가스(CF4, SF6, C2F6, NF3 등) 등이 혼합된 N2 가스일 수 있고, 상기 반응가스는 상기와 같은 처리가스와 화학 반응하여 처리가스를 분해시킬 수 있는 무해한 가스로서, Air, H2O 등이 될 수 있으며, 한정되지 아니한다.The treatment gas is a harmful gas such as greenhouse gas to be treated, and may be an N 2 gas in which PFCs gas (CF 4 , SF 6 , C 2 F 6 , NF 3, etc.) is mixed, and the reaction gas is It is a harmless gas capable of decomposing a treatment gas by chemical reaction with the same treatment gas, and may be Air, H 2 O, etc., and is not limited.

상세하게, 상기 처리가스 주입부(160)는 도 3에 도시된 바와 같이 원통 형상의 본체부(160B)와, 상기 본체부(160B)의 내측과 연통되도록 상기 본체부(160B) 외측에 수평하게 구비된 복수개의 주입관(161,162)으로 구성될 수 있다.In detail, the processing gas injection unit 160 is horizontally outside the body unit 160B so as to communicate with the inside of the body unit 160B of the cylindrical shape, as shown in Figure 3, the body unit 160B. It may be composed of a plurality of injection pipes (161,162) provided.

상기 본체부(160B)는 상기 제1양극(120)과 제1방전가스 주입부(150)를 감싸는 큰 홀(160h)이 중심에 구비된 원통 형상으로서, 상기 제2홀(130h)의 상측에 연통된다.The body portion 160B is a cylindrical shape having a large hole 160h surrounding the first anode 120 and the first discharge gas injection unit 150 at the center, and is located above the second hole 130h. Communicate.

상기 주입관(161,162)은 상기 본체부(160B)의 내주면을 따라 시계 방향 또는 반시계 방향으로 처리가스 및 반응가스를 주입하도록 구성된다. The injection pipes 161 and 162 are configured to inject process gas and reaction gas in a clockwise or counterclockwise direction along the inner circumferential surface of the body portion 160B.

실시예에 따르면, 상기 주입관(161,162)은 상기 본체부(160B)의 내주면과 접선 방향을 기준으로 0 ~ 50°범위 내에서 소정 각도(β)를 이루도록 구성될 수 있으며, 상기 본체부(160B)의 원주 방향으로 일정 간격을 두고 2 ~ 6 개가 구비될 수 있다.According to an embodiment, the injection pipes 161 and 162 may be configured to form a predetermined angle β within a range of 0 to 50 ° based on a tangential direction with an inner circumferential surface of the body portion 160B, and the body portion 160B ) May be provided at 2 to 6 at regular intervals in the circumferential direction.

처리가스를 아크의 중심부까지 원활하게 도달시키기 위하여, 상기 주입관(161,162)에 의해 주입되는 처리가스의 회전 방향은, 상기에서 설명한 제1주입구(151~154)에 의해 주입되는 방전가스의 회전방향과 일치하도록 구성되는 것이 바람직하다.In order to smoothly reach the processing gas to the center of the arc, the rotation direction of the processing gas injected by the injection pipes 161 and 162 is the rotational direction of the discharge gas injected by the first injection ports 151 to 154 described above. It is preferably configured to match.

보통, 처리가스가 아크의 상측에서 공급될 경우, 아크의 길이가 짧으면, 처리가스가 상대적으로 온도가 낮은 아크의 표면과 접촉하게 된다.Usually, when the processing gas is supplied from the upper side of the arc, if the length of the arc is short, the processing gas comes into contact with the surface of the arc having a relatively low temperature.

하지만, 본 발명에 따르면, 상기 제1방전가스 주입부(150)가 주입한 방전가스에 의해 제1,2아크의 길이를 합한 전체 아크의 길이가 길어질 수 있고, 처리가스 주입에 의해서도 아크의 길이가 길어질 수 있다. However, according to the present invention, the length of the entire arc, which is the sum of the lengths of the first and second arcs, may be increased by the discharge gas injected by the first discharge gas injection unit 150. Can be long.

따라서, 상기 처리가스 주입부(160)에 의해 처리가스가 회전 방향으로 아크의 상측에서 공급되면, 처리가스가 상대적으로 온도가 높은 아크의 중심부와 접촉하게 되고, 처리가스의 열분해 성능을 높일 수 있다.Therefore, when the processing gas is supplied from the upper side of the arc in the rotational direction by the processing gas injection unit 160, the processing gas comes into contact with the center of the arc having a relatively high temperature, and can improve the thermal decomposition performance of the processing gas. .

상기 제2방전가스 주입부(170)는 아크의 길이를 제지할 수 있는 방전가스의 유동을 형성시키기 위한 것으로서, 상기 제2양극(130) 하측에 구비된 절연 재질로 구성되고, 방전가스를 상기 제3홀(140h) 내측에 회전 방향으로 공급하도록 구성된다.The second discharge gas injection unit 170 is for forming a flow of discharge gas that can restrain the length of the arc, and is made of an insulating material provided under the second anode 130, and the discharge gas is It is configured to supply in the rotational direction inside the third hole 140h.

상기 제2방전가스 주입부(170)에 주입되는 방전가스는 반응성이 없는 질소(N2), 아르곤(Ar) 등의 가스 또는 공기(Air), 산소(O2) 등의 가스로 구성될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.The discharge gas injected into the second discharge gas injection unit 170 may be composed of a gas such as nitrogen (N 2 ) or argon (Ar) that is not reactive, or a gas such as air (Air) or oxygen (O 2 ). However, it is not limited to this.

상세하게, 상기 제2방전가스 주입부(170)는 도 4에 도시된 바와 같이 원통 형상의 제2본체부(170B)와, 상기 제2본체부(170B)의 내/외주면을 수평하게 관통하는 복수개의 제2주입구(171~178)로 구성될 수 있다.In detail, the second discharge gas injection part 170 horizontally penetrates the inner / outer circumferential surfaces of the cylindrical second body part 170B and the second body part 170B, as shown in FIG. 4. It may be composed of a plurality of second inlet (171 ~ 178).

상기 제2본체부(170B)는 상기 제2,3홀(130h,140h) 사이에 연통되는 홀(170h)이 중심에 구비된 원통 형상으로서, 반경 방향으로 소정 폭을 가질 뿐 아니라 높이 방향으로 소정 두께를 가지도록 구성된다.The second body portion 170B is a cylindrical shape provided with a hole 170h in the center communicating between the second and third holes 130h and 140h, as well as having a predetermined width in the radial direction and a predetermined height direction. It is configured to have a thickness.

상기 제2주입구(171~178)는 상기 제2본체부(170B)의 내주면을 따라 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전하도록 방전가스를 주입하도록 구성된다.The second injection holes 171 to 178 are configured to inject discharge gas to rotate clockwise or counterclockwise along the inner circumferential surface of the second body portion 170B.

실시예에 따르면, 상기 제2주입구(171~178)는 상기 제2본체부(170B)의 내주면과 접선 방향을 기준으로 0 ~ 60°범위 내에서 소정 각도(θ)를 이루도록 구성될 수 있으며, 상기 제2본체부(170B)의 원주 방향으로 일정 간격을 두고 6 ~ 12 개가 구비될 수 있다.According to an embodiment, the second injection holes 171 to 178 may be configured to form a predetermined angle θ within a range of 0 to 60 ° based on a tangent direction with an inner circumferential surface of the second main body 170B, 6 to 12 may be provided at regular intervals in the circumferential direction of the second body portion 170B.

상기 제2주입구(171~179)에 의해 주입되는 처리가스의 회전 방향은, 상기에서 설명한 제1주입구(151~154)에 의해 주입되는 방전가스의 회전방향과 주입관(161,162)에 의해 주입되는 처리가스의 회전방향과 일치하도록 구성되는 것이 바람직하다.The rotational direction of the processing gas injected by the second injection ports 171 to 179 is injected by the rotational direction of the discharge gas injected by the first injection ports 151 to 154 and the injection pipes 161 and 162 described above. It is preferably configured to match the direction of rotation of the processing gas.

따라서, 상기 제2방전가스 주입부(170)에 의해 회전 방향으로 수평하게 방전가스가 공급되면, 수직 방향으로 형성된 제2아크의 길이가 더 이상 연장되는 것을 방지할 수 있다.Therefore, when the discharge gas is supplied horizontally in the rotational direction by the second discharge gas injection unit 170, it is possible to prevent the length of the second arc formed in the vertical direction from extending further.

상기 자석부(180)는 아크의 회전을 돕기 위해 아크 주변에 자기장을 형성하는 것으로서, 상기 제2양극(130) 둘레에 구비되고, 영구자석 형태로 구성된다.The magnet unit 180 is to form a magnetic field around the arc to assist the rotation of the arc, is provided around the second anode 130, it is configured in the form of a permanent magnet.

상기 처리가스 주입부(160)가 상기 제2양극(130) 내측에 처리가스를 시계 방향으로 주입하는 경우, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 자석부(180)는, 상기 제2양극(130)을 감싸도록 장착된 N극부(181)와, 상기 N극부(181)를 감싸도록 장착된 S극부(182)로 구성될 수 있다.When the processing gas injection unit 160 injects the processing gas in the clockwise direction inside the second anode 130, as shown in Figure 5, the magnet unit 180, the second anode 130 ) May be composed of an N-pole portion 181 mounted to surround, and an S-pole portion 182 mounted to surround the N-pole portion 181.

상기 제2양극(130)이 실린더 형태로 구성되면, 상기 N극부(181) 및 S극부(182)는 원통 형상으로 구성될 수 있다. When the second anode 130 is configured in a cylinder shape, the N-pole portion 181 and the S-pole portion 182 may be configured in a cylindrical shape.

물론, 상기 N극부(181) 및 S극부(182)는 상기 제2양극(130)의 형상에 따라 다르게 구성될 수 있다.Of course, the N-pole portion 181 and the S-pole portion 182 may be configured differently according to the shape of the second positive electrode 130.

반대로, 상기 처리가스 주입부(160)가 상기 제2양극(130) 내측에 처리가스를 반시계 방향으로 주입하는 경우, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 자석부(180)는, 상기 제2양극(130)을 감싸도록 장착된 S극부(182)와, 상기 S극부(182)를 감싸도록 장착된 N극부(181)로 구성될 수 있다.Conversely, when the processing gas injection unit 160 injects the processing gas counterclockwise inside the second anode 130, as shown in FIG. 6, the magnet unit 180, the second It may be composed of an S pole portion 182 mounted to surround the anode 130, and an N pole portion 181 mounted to surround the S pole portion 182.

따라서, 상기 자석부(180)에 의해 형성된 자기장의 영향으로 상기 제2양극(130) 내측의 제2아크의 회전을 향상시킬 수 있고, 상기 제2아크의 회전을 통하여 열플라즈마 제트가 편심되지 않고 상기 제2양극(130)의 중심부에 위치시킬 수 있다. Therefore, it is possible to improve the rotation of the second arc inside the second anode 130 under the influence of the magnetic field formed by the magnet unit 180, and through the rotation of the second arc, the thermal plasma jet is not eccentric. It may be located in the center of the second anode 130.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 열플라즈마 발생장치의 작동 상태가 도시된 정단면도이다.7 is a front sectional view showing an operating state of the thermal plasma generator according to an embodiment of the present invention.

상기 음극(110)과 제1양극(120) 및 제2양극(130)에 고전압이 걸리면, 상기 음극(110)과 제1양극(120) 사이에 제1아크(A1)가 발생되고, 상기 제1아크(A)가 제2양극(130)으로 이동하여, 상기 음극(110)과 제2양극(130) 사이에 제2아크(A2)가 발생된다. When a high voltage is applied to the negative electrode 110, the first positive electrode 120, and the second positive electrode 130, a first arc A1 is generated between the negative electrode 110 and the first positive electrode 120. 1 arc (A) is moved to the second anode 130, a second arc (A2) is generated between the cathode 110 and the second anode (130).

상기 제1방전가스 주입부(150)를 통하여 제1방전가스가 회전 방향으로 공급되면, 제1방전가스가 회전하는 동시에 상기 제1,2양극(120,130) 및 노즐(140)을 따라 하향 이동된다.When the first discharge gas is supplied in the rotational direction through the first discharge gas injection unit 150, the first discharge gas rotates and moves downward along the first and second anodes 120 and 130 and the nozzle 140. .

따라서, 제1방전가스가 제1,2아크(A1,A2)와 접촉하면서 열플라즈마 제트를 형성하고, 회전 및 하향 이동한다.Accordingly, the first discharge gas forms a thermal plasma jet while contacting the first and second arcs A1 and A2, and rotates and moves downward.

이때, 제1방전가스의 회전 흐름이 제1아크(A1)를 더욱 회전시킬 수 있고, 제1아크(A1)의 회전에 의해 열플라즈마 제트가 편심되지 않고 상기 제1양극(120)의 중심부에 위치하게 되고, 열플라즈마 제트에 의해 상기 제1양극(120) 및 주변의 다른 구성 요소가 손상되는 것을 방지할 수 있다.At this time, the rotational flow of the first discharge gas can further rotate the first arc (A1), and the thermal plasma jet is not eccentric by rotation of the first arc (A1), and is located in the center of the first anode (120). Positioning, it is possible to prevent damage to the first positive electrode 120 and other components around the thermal plasma jet.

또한, 제1방전가스의 하향 흐름에 의해 제1아크(A1)가 제2아크(A2)까지 연장 또는 이동되고, 열플라즈마 제트를 더욱 길게 형성시킬 수 있다. In addition, the first arc A1 is extended or moved to the second arc A2 by the downward flow of the first discharge gas, and the thermal plasma jet can be formed longer.

상기 처리가스 주입부(160)를 통하여 처리가스가 제1방전가스와 같은 회전 방향으로 제2아크(A2) 상측에서 공급되면, 처리가스가 회전하는 동시에 상기 제2양극(130) 및 노즐(140)을 따라 하향 이동된다.When the processing gas is supplied from the upper side of the second arc A2 in the same rotational direction as the first discharge gas through the processing gas injection unit 160, the processing gas rotates while the second anode 130 and the nozzle 140 ).

따라서, 처리가스가 약 10000℃ 인 열플라즈마 제트의 중심부와 접촉하고, 열 분해 성능을 더욱 높일 수 있다.Therefore, the processing gas is in contact with the center of the thermal plasma jet having a temperature of about 10000 ° C, and the thermal decomposition performance can be further improved.

상기 제2방전가스 주입부(160)를 통하여 제2방전가스가 회전 방향으로 공급되면, 제2방전가스가 제1방전가스 및 처리가스와 동알한 방향으로 회전한다.When the second discharge gas is supplied in the rotational direction through the second discharge gas injection unit 160, the second discharge gas rotates in the same direction as the first discharge gas and the processing gas.

따라서, 제2방전가스가 수평 방향으로 공급됨에 따라 수직 방향으로 형성되는 제2아크의 길이를 제어할 수 있고, 제2아크가 상기 노즐(140) 외부로 노출되는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, as the second discharge gas is supplied in the horizontal direction, the length of the second arc formed in the vertical direction can be controlled, and the second arc can be prevented from being exposed outside the nozzle 140.

또한, 상기 자석부(180)가 상기 제2양극(130) 주변에 자기장을 형성한다.In addition, the magnet unit 180 forms a magnetic field around the second anode 130.

따라서, 상기 자석부(180)의 자기장이 제2아크를 더욱 회전시킬 수 있고, 제2아크의 회전에 의해 열플라즈마 제트가 편심되지 않고 상기 제2양극(130)의 중심부에 위치하게 되고, 열플라즈마 제트에 의해 상기 제2양극(130) 및 주변의 다른 구성 요소가 손상되는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, the magnetic field of the magnet unit 180 can further rotate the second arc, and the thermal plasma jet is not eccentric by the rotation of the second arc, and is located in the center of the second anode 130, and the heat It is possible to prevent the second anode 130 and other components of the surroundings from being damaged by the plasma jet.

상기와 같이, 처리가스와 열플라즈마 제트가 상기 노즐(140)에 혼합되도록 하고, 처리가스가 열플라즈마 제트에 의해 열분해되는 시간을 더욱 늘릴 수 있다. As described above, the processing gas and the thermal plasma jet are mixed with the nozzle 140, and the time during which the processing gas is thermally decomposed by the thermal plasma jet can be further increased.

110 : 음극 120 : 제1양극
130 : 제2양극 140 : 노즐
150 : 제1방전가스 주입부 160 : 처리가스 주입부
170 : 제2방전가스 주입부 180 : 자석부110: cathode 120: first anode
130: second anode 140: nozzle
150: first discharge gas injection unit 160: treatment gas injection unit
170: second discharge gas injection unit 180: magnet unit

Claims (22)

중심에 위치된 음극;
상기 음극 둘레를 감싸고, 제1홀이 중심에 구비된 실린더 타입의 제1양극;
상기 제1양극 하측에 이격되고, 상기 제1홀과 연통된 제2홀이 중심에 구비된 실린더 타입의 제2양극;
상기 제2양극 하측에 이격되고, 상기 제2홀과 연통된 제3홀이 중심에 구비된 실린더 타입의 노즐;
상기 제1양극 상측에 구비되고, 방전가스를 내측에 회전 방향으로 주입하는 제1방전가스 주입부;
상기 제1양극 둘레를 감싸도록 상기 제2양극 상측에 구비되고, 처리하고자 하는 처리가스를 내측에 회전 방향으로 주입하는 처리가스 주입부; 및
상기 제2양극과 노즐 사이에 구비되고, 방전가스를 내측에 회전 방향으로 주입하는 제2방전가스 주입부;를 포함하는 열플라즈마 발생장치.A cathode located at the center;
A first anode of a cylinder type surrounding the cathode and having a first hole at the center;
A second anode of a cylinder type spaced below the first anode and having a second hole communicating with the first hole at the center;
A cylinder-type nozzle spaced below the second anode and having a third hole in communication with the second hole;
A first discharge gas injection unit provided on the first anode and injecting discharge gas in a rotational direction inside;
A processing gas injection unit provided on an upper side of the second anode so as to surround the first anode, and injecting a processing gas to be processed in a rotational direction inside; And
And a second discharge gas injection unit provided between the second anode and the nozzle and injecting discharge gas in a rotational direction inside. 제1항에 있어서,
상기 제1양극은,
상기 음극 둘레를 감싸는 음극 수용부와,
상기 음극 수용부 하측에 연속되고 전기적으로 제1아크가 생성되는 제1아크 생성부로 구성되는 열플라즈마 발생장치.According to claim 1,
The first positive electrode,
A cathode accommodating part surrounding the cathode,
A thermal plasma generator comprising a first arc generating unit that continuously and electrically generates a first arc below the cathode receiving unit. 제2항에 있어서,
상기 제1홀의 직경은,
상기 음극 수용부의 하측으로 갈수록 점차 작아지고,
상기 제1아크 생성부의 하측으로 갈수록 점차 커지며,
상기 음극 수용부와 제1아크 생성부 사이에서 가장 작게 구성되는 열플라즈마 발생장치.According to claim 2,
The diameter of the first hole,
It gradually decreases toward the lower side of the negative electrode accommodating portion,
It gradually increases toward the lower side of the first arc generating unit,
A thermal plasma generator having the smallest configuration between the cathode accommodating part and the first arc generating part. 제1항에 있어서,
상기 제2양극은,
상기 처리가스 주입부에서 주입되는 반응가스 및 처리가스를 상기 제2홀의 중심부로 안내하는 가이드부와,
상기 가이드부 하측에 연속되고 전기적으로 제2아크가 형성되는 제2아크 생성부로 구성되는 열플라즈마 발생장치.According to claim 1,
The second anode,
A guide unit for guiding the reaction gas and the processing gas injected from the processing gas injection unit to the center of the second hole,
A thermal plasma generating device comprising a second arc generating unit that is continuously and electrically formed with a second arc below the guide unit. 제4항에 있어서,
상기 제2홀의 직경은,
상기 제1홀의 직경 보다 크게 구성되고,
상기 가이드부의 하측으로 갈수록 점차 작아지며,
상기 제2아크 생성부에서 일정하게 구성되는 열플라즈마 발생장치.The method of claim 4,
The diameter of the second hole,
It is configured to be larger than the diameter of the first hole,
It gradually decreases toward the lower side of the guide portion,
A thermal plasma generator configured to be constant in the second arc generator. 제1항에 있어서,
상기 노즐은,
상기 음극과 제1,2양극에 의해 생성된 열플라즈마 제트를 통과시키는 연장부와,
상기 연장부 하측에 연속되고 열플라즈마 제트를 외부로 토출하는 토출부로 구성되는 열플라즈마 발생장치.According to claim 1,
The nozzle,
An extension for passing the thermal plasma jet generated by the cathode and the first and second anodes;
A thermal plasma generating device that is continuous below the extension portion and is composed of a discharge portion that discharges a thermal plasma jet to the outside. 제6항에 있어서,
상기 제3홀의 직경은,
상기 연장부에서 일정하게 구성되고,
상기 토출부의 하측으로 갈수록 점차 작아지는 열플라즈마 발생장치.The method of claim 6,
The diameter of the third hole,
Constantly configured in the extension,
A thermal plasma generating device that gradually decreases toward the lower side of the discharge portion. 제1항에 있어서,
상기 제1,2방전가스 주입부는,
방전가스를 동일한 회전 방향으로 주입하도록 구성되는 열플라즈마 발생장치.According to claim 1,
The first and second discharge gas injection unit,
A thermal plasma generator configured to inject discharge gas in the same rotational direction. 제8항에 있어서,
상기 제1방전가스 주입부는
상기 제1홀과 연통되는 원통 형상이고, 반경 방향으로 소정 두께를 가지는 제1본체부와,
상기 제1본체부의 내/외주면을 관통하고, 상기 제1본체부의 내주면을 따라 회전 방향으로 방전가스를 주입하는 복수개의 제1주입구로 구성되는 열플라즈마 발생장치.The method of claim 8,
The first discharge gas injection unit
A first body portion having a predetermined thickness in a radial direction and having a cylindrical shape communicating with the first hole,
A thermal plasma generator comprising a plurality of first inlets penetrating the inner / outer circumferential surfaces of the first body part and injecting discharge gas in a rotational direction along the inner circumferential surfaces of the first body part. 제9항에 있어서,
상기 제1주입구는,
상기 제1본체부의 내주면과 접선 방향을 기준으로 0 ~ 60°범위 내에서 구성되는 열플라즈마 발생장치.The method of claim 9,
The first inlet,
Thermal plasma generator configured within the range of 0 ~ 60 ° based on the tangential direction with the inner peripheral surface of the first body portion. 제9항에 있어서,
상기 제1주입구는,
상기 제1본체부의 원주 방향으로 일정 간격을 두고 4 ~ 6 개가 구비되는 열플라즈마 발생장치.The method of claim 9,
The first inlet,
A thermal plasma generator having 4 to 6 spaced apart in a circumferential direction of the first main body. 제8항에 있어서,
상기 제2방전가스 주입부는
상기 제2홀과 연통되는 원통 형상이고, 반경 방향으로 소정 두께를 가지는 제2본체부와,
상기 제2본체부의 내/외주면을 관통하고, 상기 제2본체부의 내주면을 따라 회전 방향으로 방전가스를 주입하는 복수개의 제2주입구로 구성되는 열플라즈마 발생장치.The method of claim 8,
The second discharge gas injection unit
A second body portion having a predetermined thickness in a radial direction and in a cylindrical shape communicating with the second hole,
A thermal plasma generator comprising a plurality of second injection holes penetrating the inner / outer circumferential surface of the second body portion and injecting discharge gas in a rotational direction along the inner circumferential surface of the second body portion. 제12항에 있어서,
상기 제2주입구는,
상기 제2본체부의 내주면과 접선 방향을 기준으로 0 ~ 60°범위 내에서 구성되는 열플라즈마 발생장치.The method of claim 12,
The second inlet,
Thermal plasma generator configured within the range of 0 ~ 60 ° based on the tangential direction with the inner peripheral surface of the second body portion. 제12항에 있어서,
상기 제2주입구는,
상기 제2본체부의 원주 방향으로 일정 간격을 두고 6 ~ 12 개가 구비되는 열플라즈마 발생장치.The method of claim 12,
The second inlet,
Thermal plasma generating device is provided with 6 to 12 spaced apart in the circumferential direction of the second body portion. 제1항에 있어서,
상기 처리가스 주입부는,
처리가스를 상기 제1,2방전가스 주입부에서 주입되는 방전가스와 동일한 회전 방향으로 주입하도록 구성되는 열플라즈마 발생장치.According to claim 1,
The processing gas injection unit,
Thermal plasma generating device configured to inject the processing gas in the same rotational direction as the discharge gas injected from the first and second discharge gas injection units. 제15항에 있어서,
상기 처리가스 주입부는,
상기 제1양극과 제1방전가스 주입부를 감싸고 상기 제2홀과 연통되는 원통 형상의 본체부와,
상기 본체부의 내측과 연통하고, 상기 본체부의 내주면을 따라 회전 방향으로 반응가스 및 처리가스를 주입하는 복수개의 주입관으로 구성되는 열플라즈마 발생장치.The method of claim 15,
The processing gas injection unit,
A cylindrical body part surrounding the first anode and the first discharge gas injection part and communicating with the second hole,
A thermal plasma generator comprising a plurality of injection pipes that communicate with the inside of the body portion and inject reaction gas and process gas in a rotational direction along the inner circumferential surface of the body portion. 제16항에 있어서,
상기 주입관은,
상기 본체부의 내주면과 접선 방향을 기준으로 0 ~ 50°범위 내에서 구성되는 열플라즈마 발생장치.The method of claim 16,
The injection tube,
Thermal plasma generator configured within the range of 0 ~ 50 ° based on the tangential direction with the inner peripheral surface of the main body. 제16항에 있어서,
상기 주입관은,
상기 본체부의 원주 방향으로 일정 간격을 두고 2 ~ 6 개가 구비되는 열플라즈마 발생장치.The method of claim 16,
The injection tube,
A thermal plasma generator having 2 to 6 spaced apart circumferential directions of the main body. 제1항에 있어서,
상기 제2양극 둘레에 구비되고, 자기장을 생성하는 자석부;를 더 포함하는 열플라즈마 발생장치.According to claim 1,
A thermal plasma generator further comprising a magnet unit provided around the second anode and generating a magnetic field. 제19항에 있어서,
상기 처리가스 주입부가 상기 제2양극 내측에 처리가스를 시계 방향으로 주입하는 경우,
상기 자석부는,
상기 제2양극을 감싸도록 장착된 N극부와,
상기 N극부을 감싸도록 장착된 S극부로 구성되는 열플라즈마 발생장치.The method of claim 19,
When the processing gas injection unit injects the processing gas in the clockwise direction inside the second anode,
The magnet portion,
An N-pole portion mounted to surround the second anode,
A thermal plasma generator comprising an S-pole mounted to surround the N-pole. 제19항에 있어서,
상기 처리가스 주입부가 상기 제2양극 내측에 처리가스를 반시계 방향으로 주입하는 경우,
상기 자석부는,
상기 제2양극을 감싸도록 장착된 S극부와,
상기 S극부를 감싸도록 장착된 N극부로 구성되는 열플라즈마 발생장치.The method of claim 19,
When the processing gas injection unit injects the processing gas counterclockwise inside the second anode,
The magnet portion,
S pole portion mounted to surround the second positive electrode,
Thermal plasma generator comprising an N-pole mounted to surround the S-pole. 제20항 또는 제21항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 N극부 및 S극부는 원통 형상으로 구성되는 열플라즈마 발생장치.
The method of any one of claims 20 or 21,
The N-pole part and the S-pole part are thermal plasma generators having a cylindrical shape.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220036829A (en) * 2020-09-16 2022-03-23 한국기계연구원 Plasma torch, and s plasma torch operating method
KR20220036830A (en) * 2020-09-16 2022-03-23 한국기계연구원 Plasma torch, and s plasma torch operating method
KR20220036828A (en) * 2020-09-16 2022-03-23 한국기계연구원 Scrubber, scrubber system including the same, and scrubber operating method

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