KR102508464B1 - Mass measurement device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 질량 측정 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼의 질량을 보다 정밀하게 측정하여 반도체 공정의 수율을 향상시킬 수 있고, 효율성을 향상시킬 수 있는 질량 측정 장치게 관한 것이다.The present invention relates to a mass measuring device, and more particularly, to a mass measuring device capable of improving the yield and efficiency of a semiconductor process by more precisely measuring the mass of a wafer.

Description

질량 측정 장치{MASS MEASUREMENT DEVICE}Mass measuring device {MASS MEASUREMENT DEVICE}

본 발명은 질량 측정 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼의 질량을 보다 정밀하게 측정하여 반도체 공정의 수율을 향상시킬 수 있고, 효율성을 향상시킬 수 있는 질량 측정 장치게 관한 것이다.The present invention relates to a mass measuring device, and more particularly, to a mass measuring device capable of improving the yield and efficiency of a semiconductor process by more precisely measuring the mass of a wafer.

하나의 반도체를 생산하기 위해서는 수백 개의 공정을 거치게 되는데, 이러한 공정들은 크게 8개의 공정으로 나눠진다.Hundreds of processes are required to produce one semiconductor, and these processes are largely divided into eight processes.

반도체의 8개 공정을 요약하면, 웨이퍼 제조 공정, 웨이퍼 산화 공정, 웨이퍼 위에 반도체 회로를 그려 넣는 포토 공정(Photo Lithography), 필요한 패턴을 제외한 나머지 부분을 제거하는 식각 공정(Etching), 박막을 쌓는 증착 공정(Deposition), 반도체의 회로 패턴을 따라 금속선을 이어주는 금속 배선 공정 및, 테스트와 패키징 공정이 있다.Summarizing the 8 semiconductor processes, the wafer manufacturing process, the wafer oxidation process, the photo lithography process of drawing semiconductor circuits on the wafer, the etching process that removes parts other than necessary patterns, and the deposition that builds thin films. There are a deposition process, a metal wiring process that connects metal lines along the semiconductor circuit pattern, and a test and packaging process.

상기한 식각 공정과 증착 공정은 무수히 반복 수행되는데, 이러한 공정 수행 중 불량이 발생할 경우 불량 생산의 원인이 되는 공정을 특정하기 어려워 공정을 개선하여 수율을 향상시키기 어렵다는 문제점이 있었다.The above-described etching process and deposition process are repeatedly performed, and when a defect occurs during these processes, it is difficult to identify a process that causes defective production, and it is difficult to improve the yield by improving the process.

특히 최근에는 반도체 장치의 고속 동작 및 대용량의 저장능력이 요구됨에 따라 소자의 집적도, 신뢰성 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 반도체의 제조기술이 발전 되어 왔다. 또한, 최근에 반도체 트렌드가 PC용에서 모바일용으로 패러다임이 전환됨에 따라, 점차 얇은 제품들이 지속적으로 요구되고 있다. 그러한 요구에 부응하여, 반도체 패키지의 두께는 계속 얇아지고 있는 추세이며, 그에 따라 칩 두께가 극한으로 얇아지고 있어 반도체 제조 공정에서 불량 절감을 위한 노력이 필요한 실정이다.In particular, semiconductor manufacturing technology has been developed in the direction of improving the degree of integration, reliability, and response speed of devices in accordance with the recent demand for high-speed operation and large-capacity storage capacity of semiconductor devices. In addition, as the semiconductor trend has recently shifted from PC-use to mobile-use paradigms, increasingly thin products are continuously required. In response to such demand, the thickness of the semiconductor package continues to become thinner, and accordingly, the thickness of the chip is extremely thin, requiring efforts to reduce defects in the semiconductor manufacturing process.

본원의 배경이 되는 기술은 한국등록특허공보 제10-1709586호, 등록실용신안공보 제20-0211257호 및 등록실용신안공보 제20-0198419호에 개시되어 있다.The background technology of the present application is disclosed in Korean Patent Registration No. 10-1709586, Utility Model Registration No. 20-0211257, and Utility Model Registration No. 20-0198419.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 반도체 제조 공정에서 효율적으로 수율을 향상시킬 수 있는 질량 측정 장치의 제공을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a mass measuring device capable of efficiently improving yield in a semiconductor manufacturing process.

또한 본 발명은 웨이퍼의 질량을 보다 정확하게 측정할 수 있도록 하는 질량 측정 장치의 제공을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a mass measuring device capable of more accurately measuring the mass of a wafer.

상기 과제의 해결을 목적으로 하는 본 발명은 다음의 구성 및 특징을 갖는다.The present invention for the purpose of solving the above problems has the following configuration and characteristics.

웨이퍼를 기 설정된 온도 이하로 냉각하는 냉각부, 상기 냉각부 후단에 구비되고, 상기 웨이퍼를 기 설정된 시간 동안 유지시키는 안정화부 및 상기 안정화부의 후단에 구비되고, 상기 웨이퍼의 무게를 측정하는 무게측정파트를 포함하는 측정부 및 상기 웨이퍼의 온도를 측정하는 온도측정파트를 포함하고, 상기 웨이퍼의 온도가 상기 기 설정된 온도를 초과할 경우 상기 냉각부로 투입하고, 상기 기 설정된 온도 이하일 경우 상기 안정화부로 투입하는 이송부를 포함한다.A cooling unit cooling the wafer to a predetermined temperature or less, a stabilization unit provided at the rear end of the cooling unit and maintaining the wafer for a predetermined time, and a weighing part provided at the rear end of the stabilization unit and measuring the weight of the wafer A measuring unit including a measuring unit and a temperature measuring part for measuring the temperature of the wafer, inputting the wafer into the cooling unit when the temperature of the wafer exceeds the predetermined temperature, and inputting into the stabilizing unit when the temperature of the wafer is lower than the predetermined temperature. Including transport.

또한 상기 측정부는, 측정 챔버, 상기 측정 챔버에 구비되고, 상기 웨이퍼가 안착되는 거치파트, 상기 측정 챔버 내측에 연결되고, 상기 웨이퍼를 지지하는 지지파트 및 상기 측정 챔버 내측에 연결되는 고정부분 및 상기 고정부분에서 수평방향으로 이동하는 이동부분을 포함하되, 상기 지지파트를 기준으로 양 측에 각각 구비되는 다수의 센터링파트를 포함할 수 있다.In addition, the measurement unit may include a measurement chamber, a mounting part provided in the measurement chamber and on which the wafer is seated, a support part connected to the inside of the measurement chamber and supporting the wafer, a fixing portion connected to the inside of the measurement chamber, and the It may include a movable part that moves in a horizontal direction from the fixed part, and may include a plurality of centering parts respectively provided on both sides of the support part.

또한 상기 지지파트는 상기 거치파트에 안착되는 상기 웨이퍼의 중심선을 기준으로 일 측에 배치되고, 상기 센터링파트는 상기 중심선을 기준으로 타 측에 배치되고, 상기 이동부분 단부는 상기 웨이퍼에서 접촉 하는 부분의 접선 방향과 평행 할 수 있다.In addition, the support part is disposed on one side based on the center line of the wafer seated on the mounting part, the centering part is disposed on the other side based on the center line, and the end of the moving part is a part in contact with the wafer may be parallel to the tangential direction of

또한 상기 거치파트는, 상기 측정 챔버의 커버의 하단에서 하측으로 돌출 구비되는 수직부분 및 상기 수직부분의 하단에서 수평 방향으로 연장되는 수평부분을 포함할 수 있다.In addition, the mounting part may include a vertical part protruding downward from a lower end of the cover of the measurement chamber and a horizontal part extending in a horizontal direction from a lower end of the vertical part.

또한 상기 수평부분은 상부에서 상측으로 만곡 되게 돌출 구비되는 돌기를 포함할 수 있다.In addition, the horizontal portion may include a protrusion protruding curved upward from the top.

또한 상기 측정부는, 상기 측정 챔버의 내측에 구비되어 상기 측정 챔버 내측의 온도, 습도, 압력 중 적어도 하나를 측정하여 조건정보를 생성하는 센서파트, 상기 조건정보를 이용하여 대기부력을 연산하는 부력연산파트 및 상기 무게측정파트에서 측정된 상기 웨이퍼의 무게를 상기 대기부력으로 보상하여 보상질량을 산출하는 보상파트를 포함할 수 있다.In addition, the measurement unit is provided inside the measurement chamber and measures at least one of temperature, humidity, and pressure inside the measurement chamber to generate condition information, and a buoyancy calculation method for calculating atmospheric buoyancy using the condition information. It may include a part and a compensating part that calculates a compensation mass by compensating for the weight of the wafer measured by the weighing part with the atmospheric buoyancy.

또한 상기 냉각부는, 상부에서 하측으로 함몰 형성된 언더컷을 포함하고, 상부에 상기 웨이퍼가 안착되는 플레이트, 상기 플레이트 내부에 구비되고, 냉각수가 순환되는 순환파트, 상기 플레이트 내부에 구비되고, 상기 순환파트보다 상측에 배치되는 쿨링팬 및 상기 플레이트 또는 상기 플레이트에 안착되는 상기 웨이퍼의 온도를 측정하는 감지파트를 포함할 수 있다.In addition, the cooling unit includes an undercut recessed from the top to the bottom, a plate on which the wafer is seated, a circulation part provided inside the plate and circulating cooling water, provided inside the plate, and It may include a cooling fan disposed on the upper side and a sensing part for measuring the temperature of the plate or the wafer seated on the plate.

상기 구성 및 특징을 갖는 본 발명은 반도체 제조 공정에서 효율적으로 수율을 향상시킬 수 있다는 효과를 갖는다.The present invention having the above configuration and characteristics has an effect of efficiently improving yield in a semiconductor manufacturing process.

또한 본 발명은 웨이퍼의 질량을 보다 정확하고 정밀하게 측정할 수 있다는 효과를 갖는다.In addition, the present invention has an effect of being able to more accurately and precisely measure the mass of the wafer.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 질량 측정 장치를 설명하기 위한 개략적인 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 질량 측정 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 냉각부를 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 순환파트를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 안정화부 및 파지파트를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 측정부를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 측정부의 거치파트 및 센터링파트를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 웨이퍼를 센터링 하는 지지파트 및 센터링파트를 설명하기 위한 평면도이다.
도 9는 측정부의 부력연산파트 및 보상파트를 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic block diagram for explaining a mass measuring device according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram for explaining a mass measuring device according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view for explaining a cooling unit.
4 is a diagram for explaining a circulation part.
5 is a view for explaining a stabilizing part and a gripping part.
6 is a diagram for explaining a measurement unit.
7 is a view for explaining a mounting part and a centering part of a measuring unit.
8 is a plan view for explaining a support part and a centering part for centering a wafer.
9 is a view for explaining the buoyancy calculation part and the compensation part of the measuring unit.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 구현예(態樣, aspect)(또는 실시예)들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can have various changes and various forms, the implementation examples (or embodiments) will be described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to a specific form disclosed, and should be understood to include all modifications, equivalents, or substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 구현예(태양, 態樣, aspect)(또는 실시예)를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, ~포함하다~ 또는 ~이루어진다~ 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Terms used in this specification are only used to describe a specific embodiment (aspect, aspect, aspect) (or embodiment), and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, terms such as ~comprising~ or ~consisting of are intended to designate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, but one or more other features It should be understood that it does not preclude the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and unless explicitly defined in the present application, they should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning. don't

본 명세서에서 기재한 ~제1~, ~제2~ 등은 서로 다른 구성 요소들임을 구분하기 위해서 지칭할 것일 뿐, 제조된 순서에 구애받지 않는 것이며, 발명의 상세한 설명과 청구범위에서 그 명칭이 일치하지 않을 수 있다.~First~, ~Second~, etc. described in this specification will only be referred to to distinguish different components from each other, regardless of the manufacturing order, and the names in the detailed description and claims of the invention may not match.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결(물리적 연결, 전기적 연결)" 되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "간접적으로 연결(물리적 연결, 전기적 연결)"되어 있는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when a part is said to be “connected” to another part, this is not only when it is “directly connected (physical connection, electrical connection)”, but also “indirectly” with another element in between. It also includes cases where it is connected (physical connection, electrical connection).

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 질량 측정 장치를 설명하기 위한 개략적인 블록도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 질량 측정 장치를 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic block diagram for explaining a mass measuring device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram for explaining a mass measuring device according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 질량 측정 장치(D)는 반도체 공정에서 수율 향상을 위하여 웨이퍼(W)의 질량을 정밀하게 측정하기 위한 장치로서, 이하에서는 설명의 편의상 '본 장치'라 칭하기로 한다.A mass measuring device D according to an embodiment of the present invention is a device for precisely measuring the mass of a wafer W to improve yield in a semiconductor process, and will be referred to as 'the present device' for convenience of description below. .

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 장치(본 발명의 일 실시예에 따른 질량 측정 장치(D))는 냉각부(1), 안정화부(2), 측정부(3) 및 이송부(4)를 포함한다.1 and 2, the present device (mass measuring device D according to an embodiment of the present invention) includes a cooling unit 1, a stabilization unit 2, a measuring unit 3 and a transfer unit 4 includes

도 3은 냉각부를 설명하기 위한 평면도이고, 도 4는 순환파트를 설명하기 위한 도면이다.3 is a plan view for explaining a cooling unit, and FIG. 4 is a view for explaining a circulation part.

도 1 내지 도 4를 참조하여, 냉각부(1)(Temp Cooler Chamber, TCC)를 보다 구체적으로 설명하기로 한다. 냉각부(1)는 반도체 공정에서 예시적으로 식각 공정, 증착 공정 등을 수행하는 장치(이하 가공장치)의 후단에 구비될 수 있으며, 식각 공정, 증착 공정 등을 거친 웨이퍼(W)를 후술하는 측정부(3)로 투입하기 전에 웨이퍼(W)를 기 설정된 온도 이하로 냉각한다.Referring to FIGS. 1 to 4 , the cooling unit 1 (Temp Cooler Chamber, TCC) will be described in more detail. The cooling unit 1 may be provided at a rear end of a device (hereinafter referred to as a processing device) that exemplarily performs an etching process, a deposition process, etc. in a semiconductor process, and the wafer (W) that has undergone an etching process, a deposition process, etc. will be described later. The wafer (W) is cooled to a predetermined temperature or less before being introduced into the measuring unit (3).

냉각부(1)는 내측에 수용 공간이 형성된 냉각 챔버(11), 상부에서 하측으로 함몰 형성된 언더컷(121)(함몰홈)을 포함하고 상부에 상기 웨이퍼(W)가 안착되는 플레이트(12)를 포함할 수 있다.The cooling unit 1 includes a cooling chamber 11 with an accommodation space formed therein, an undercut 121 (dented groove) recessed from the top to the bottom, and a plate 12 on which the wafer W is seated. can include

상기 플레이트(12)는 상기 냉각 챔버(11)에 내측 수용 공간에 구비될 수 있으며, 상기 가공장치에서는 웨이퍼(W)는 후술하는 이송부(4)의 파지파트(42)에 의해 상기 냉각 챔버(11)로 이동되어 상기 플레이트(12) 상에 안착될 수 있다. 상기 파지파트(42)는 END EFFECTOR와 상응하는 구성일 수 있다.The plate 12 may be provided in an inner accommodating space of the cooling chamber 11, and in the processing device, the wafer W is moved to the cooling chamber 11 by a holding part 42 of a transfer unit 4 to be described later. ) and can be seated on the plate 12. The holding part 42 may have a structure corresponding to the END EFFECTOR.

상기한 상부(상측, 상단, 상면 등)는 도 2를 기준으로 상부(상측, 상단, 상면 등)를 의미하고, 하부(하측, 하단, 하면 등)는 도 2를 기준으로 하부(하측, 하단, 하면 등)를 의미하는데, 이하의 설명에서 동일하게 적용하기로 한다.The upper part (upper side, upper end, upper surface, etc.) means the upper part (upper side, upper end, upper surface, etc.) with reference to FIG. 2, and the lower part (lower side, lower part, lower surface, etc.) , If, etc.), the same will be applied in the following description.

상기 플레이트(12)의 언더컷(121)은 상기한 파지파트(42)가 내삽 될 수 있는 공간을 제공한다.The undercut 121 of the plate 12 provides a space into which the gripping part 42 can be inserted.

냉각부(1)는 예시적으로 상기 플레이트(12)에 안착되는 웨이퍼(W)의 배치 상태를 교정하기 위한 중심파트(16)를 포함할 수 있는데, 상기 중심파트(16)는 후술하는 센터링파트(35) 및 지지파트(34)에 상응하는 구성을 포함할 수 있어 후술하는 센터링파트(35) 및 지지파트(34)의 설명으로 대체하기로 한다.The cooling unit 1 may illustratively include a central part 16 for correcting the disposition of the wafer W seated on the plate 12. The central part 16 is a centering part to be described later. (35) and the support part 34 may include a configuration corresponding to the description of the centering part 35 and support part 34 to be described later will be replaced.

냉각부(1)는 예시적으로 플레이트(12) 상부에 구비되는 흡착파트(14)(Vac line)를 포함할 수 있다. 흡착파트(14)는 공기를 흡입하여 플레이트(12) 상부에 안착되는 웨이퍼(W)를 플레이트(12) 상에 고정시킬 수 있다. 흡착파트(14)는 해당 분야에서 통상적으로 사용되는 것으로서, 보다 구체적인 설명은 생략하기로 한다.The cooling unit 1 may include, for example, an adsorption part 14 (Vac line) provided above the plate 12 . The suction part 14 may suck air to fix the wafer W to be seated on the plate 12 on the plate 12 . The adsorption part 14 is commonly used in the field, and a detailed description thereof will be omitted.

냉각부(1)는 플레이트(12) 내부에 구비되고, 냉각수가 순환되는 순환파트(13)를 포함할 수 있다. 상기 순환파트(13)는 예시적으로 파이프일 수 있고, 본 장치에 구비되는 칠러(Chiller)와 연통되도록 연결될 수 있다. 순환파트(13)는 내부에 냉각수가 순환될 수 있고, 플레이트(12) 상부에 안착되는 웨이퍼(W)와 열 교환을 수행한다. 예시적으로 상기 냉각수는 DI Water 일 수 있다.The cooling unit 1 is provided inside the plate 12 and may include a circulation part 13 through which cooling water is circulated. The circulation part 13 may be illustratively a pipe and may be connected to communicate with a chiller provided in the apparatus. The circulation part 13 can circulate cooling water therein, and performs heat exchange with the wafer W seated on the plate 12 . Illustratively, the cooling water may be DI water.

또한 냉각부(1)는 플레이트(12) 내부에 구비되고, 상기 순환파트(13)보다 상측(도 3을 기준으로 평면측)에 배치되는 쿨링팬(미도시)을 포함할 수 있음은 물론이다.In addition, of course, the cooling unit 1 may include a cooling fan (not shown) provided inside the plate 12 and disposed above the circulation part 13 (planar side with reference to FIG. 3). .

예시적으로 냉각부(1)에서 상기 웨이퍼(W)는 약 30초미만 동안 냉각 될 수 있다.Illustratively, in the cooling unit 1, the wafer W may be cooled for less than about 30 seconds.

냉각부(1)에서 웨이퍼(W)는 기 설정된 온도 이하로 냉각된다고 하였는데, 상기 기 설정된 온도는 후술하는 측정부(3)의 내부 온도에 상응할 수 있으며, 예시적으로 상기 기 설정된 온도는 상온일 수 있으며 바람직하게는 약 24℃ 일 수 있다.In the cooling unit 1, it is said that the wafer W is cooled below a preset temperature, and the preset temperature may correspond to the internal temperature of the measurement unit 3, which will be described later. For example, the preset temperature is room temperature. It may be, and preferably about 24 ℃.

상기 냉각 챔버(11)는 후술하는 측정부(3)의 측정 챔버(31)의 습도, 압력 등의 조건과 상응하는 것이 바람직하다.It is preferable that the cooling chamber 11 corresponds to conditions such as humidity and pressure of the measurement chamber 31 of the measurement unit 3 to be described later.

이와 같이, 본 장치에서 냉각부(1)는 상기 가공장치에서 웨이퍼(W)를 냉각하여 보다 균일한 상태의 웨이퍼(W)를 후술하는 측정부(3)로 제공하여 측정부(3)에서 웨이퍼(W)의 질량을 보다 정밀하게 측정할 수 있도록 하는 역할을 수행할 수 있다.In this way, in this apparatus, the cooling unit 1 cools the wafer (W) in the processing apparatus and provides the wafer (W) in a more uniform state to the measurement unit 3 to be described later, and the wafer (W) in the measurement unit 3 It can play a role in enabling the mass of (W) to be measured more precisely.

냉각부(1)는 플레이트(12) 또는 플레이트(12)에 안착되는 웨이퍼(W)의 온도를 측정하는 감지파트(15)를 포함할 수 있고, 상기 감지파트(15)에서 측정한 웨이퍼(W)의 온도가 기 설정된 온도 이하일 경우 상기 이송부(4)가 상기 냉각부(1)에 플레이트(12)에 안착된 웨이퍼(W)를 파지하여, 후술하는 저장부(5)로 이송시킬 수 있다.The cooling unit 1 may include a sensing part 15 that measures the temperature of the plate 12 or the wafer W placed on the plate 12, and the temperature of the wafer W measured by the sensing part 15 When the temperature of ) is less than or equal to a predetermined temperature, the transfer unit 4 may hold the wafer W seated on the plate 12 in the cooling unit 1 and transfer it to the storage unit 5 described later.

상기 감지파트(15)는 예시적으로 적외선 센서(Infrared Ray Sensor)일 수 있다.The sensing part 15 may be, for example, an infrared ray sensor.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 장치는 상기 냉각부(1) 후단에 구비되는 저장부(5)(Master wafer Storage Chamber, MSC))를 포함할 수 있다. 상기 저장부(5)는 저장 챔버를 포함할 수 있으며, 상기 냉각부(1)에서 이송된 웨이퍼(W)를 저장 보관하는 역할을 수행할 수 있다. 본 장치에서 상기 저장부(5)는 생략 가능할 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2 , the apparatus may include a storage unit 5 (Master Wafer Storage Chamber, MSC) provided at a rear end of the cooling unit 1 . The storage unit 5 may include a storage chamber and may serve to store and store the wafers W transferred from the cooling unit 1 . In this device, the storage unit 5 may be omitted.

도 5는 안정화부 및 파지파트를 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining a stabilizing part and a gripping part.

도 1, 도 2 및 도 5를 참조하면, 안정화부(2)는 상기 냉각부(1) 후단에 구비되고, 상기 웨이퍼(W)를 기 설정된 시간 동안 유지시킨다. 예시적으로 상기 안정화부(2)는 상기한 저장부(5)의 후단에 구비될 수 있다.Referring to FIGS. 1, 2 and 5, the stabilization unit 2 is provided at the rear end of the cooling unit 1 and maintains the wafer W for a predetermined time. Illustratively, the stabilization unit 2 may be provided at the rear end of the storage unit 5 .

상기 냉각부(1) 또는 저장부(5)에서 웨이퍼(W)는 이송부(4)에 의해 인출되어 상기 안정화부(2)에 투입될 수 있다.In the cooling unit 1 or the storage unit 5 , the wafer W may be taken out by the transfer unit 4 and put into the stabilization unit 2 .

예시적으로 안정화부(2)(Stabilizer Plate Chamber, SPC)는 내측에 수용 공간을 형성하는 안정화 챔버(21), 상기 안정화 챔버(21) 내측에 구비되는 플레이트(23)를 포함할 수 있다.Illustratively, the stabilizer 2 (Stabilizer Plate Chamber, SPC) may include a stabilization chamber 21 forming an accommodation space therein and a plate 23 provided inside the stabilization chamber 21 .

상기 플레이트(23)는 마찬가지로 하측으로 함몰된 언더컷을 포함할 수 있으며, 냉각부(1)의 중심파트(16)와 상응하는 중심파트(22)를 포함할 수 있음은 물론이다.The plate 23 may similarly include an undercut recessed downward, and may include a center part 22 corresponding to the center part 16 of the cooling unit 1, of course.

상기 안정화 챔버(21)는 예시적으로 알루미늄 챔버일 수 있으며, 무전해 니켈이 도금된 것일 수 있다. 웨이퍼(W)는 안정화 챔버(21)에 인입되어 약 20초에서 60 동안 유지될 수 있으며, 이를 통해 정전기 발생을 억제하고 유전율 등 웨이퍼(W)의 특성을 일관되게 유지토록 하여 후술하는 측정부(3)에서 웨이퍼(W)의 질량 측정 시 오차 발생을 최소화 할 수 있다.The stabilization chamber 21 may illustratively be an aluminum chamber, and may be plated with electroless nickel. The wafer W may be introduced into the stabilization chamber 21 and maintained for about 20 seconds to 60 seconds, thereby suppressing the generation of static electricity and maintaining the characteristics of the wafer W such as permittivity consistently, so that the measuring unit (described later) In 3), it is possible to minimize the occurrence of errors when measuring the mass of the wafer (W).

도 1, 도 2 및 도 5를 참조하면, 이송부(4)는 상기 웨이퍼(W)의 온도를 측정하는 온도측정파트(41)를 포함할 수 있다. 상기 온도측정파트(41)는 예시적으로 상기 냉각부(1)의 선단에 구비되어 상기 가공장치에서 이송된 웨이퍼(W)의 온도를 측정할 수 있다. 상기 온도측정파트(41)는 예시적으로 적외선 센서(IR 센서)일 수 있다.Referring to FIGS. 1 , 2 and 5 , the transfer unit 4 may include a temperature measurement part 41 for measuring the temperature of the wafer W. The temperature measurement part 41 is illustratively provided at the front end of the cooling unit 1 to measure the temperature of the wafer W transferred from the processing device. The temperature measurement part 41 may be, for example, an infrared sensor (IR sensor).

또한 이송부(4)는 상술하였듯이 END EFFECTOR와 상응하는 구성인 파티파트(42)를 포함할 수 있다고 하였는데, 상기 이송부(4)는 상기 온도측정파트(41)에 의해 감지된 웨이퍼(W)의 온도가 기 설정된 온도를 초과할 경우 웨이퍼(W)를 냉각부(1)로 투입하고, 온도측정파트(41)에 의해 감지된 웨이퍼(W)의 온도가 기 설정된 온도를 이하일 경우 웨이퍼(W)를 상기 안정화부(2)로 투입한다. 상기 파지파트(42)는 로봇암 또는 구동부 등에 연결될 수 있는데, 이는 해당 분야에서 통상적인 것으로 보다 구체적인 설명은 생략하기로 한다.In addition, it was said that the transfer unit 4 may include the party part 42, which is a component corresponding to the END EFFECTOR, as described above. The transfer unit 4 measures the temperature of the wafer W detected by the temperature measuring part 41. If the temperature of the wafer (W) is higher than the preset temperature, the wafer (W) is put into the cooling unit (1), and if the temperature of the wafer (W) sensed by the temperature measurement part (41) is less than the preset temperature, the wafer (W) is It is put into the stabilization part (2). The gripping part 42 may be connected to a robot arm or a driving unit, which is common in the field, and a detailed description thereof will be omitted.

이를 통해, 웨이퍼(W)의 온도가 기 설정된 이하일 경우 웨이퍼(W)를 냉각부(1)로 투입하지 않고, 바로 안정화부(2)로 투입할 수 있어 본 장치에 의한 웨이퍼(W)의 질량 측정 공정을 보다 간략히 할 수 있기 때문에 효율이 향상된다는 이점이 있다.Through this, when the temperature of the wafer (W) is below the predetermined temperature, the wafer (W) can be directly put into the stabilization unit 2 without being put into the cooling unit 1, and the mass of the wafer (W) by the present device Since the measurement process can be further simplified, there is an advantage in that the efficiency is improved.

도 6은 측정부를 설명하기 위한 도면이다.6 is a diagram for explaining a measurement unit.

도 1, 도 2 및 도 6을 참조하면, 측정부(3)(Mass Measurement Loadcell Chamber, MLC)는 안정화부(2)에 후단에 구비되고, 웨이퍼(W)의 무게를 측정하는 무게측정파트(32)를 포함한다. 예시적으로 무게측정파트(32)는 마이크로 밸런스 로드 셀(Micro Balance Load Cell)일 수 있다.1, 2 and 6, the measuring unit 3 (Mass Measurement Loadcell Chamber, MLC) is provided at the rear end of the stabilization unit 2 and measures the weight of the wafer W. 32). Illustratively, the weighing part 32 may be a micro balance load cell.

측정부(3)를 보다 구체적으로 설명하면, 측정부(3)는 내측에 수용 공간이 형성된 측정 챔버(31)를 포함할 수 있다. 상기 측정 챔버(31)는 내측에 상기 무게측정파트(32)가 설치되고 웨이퍼(W)가 인입되는 내측 공간을 포함하는 케이스(312)와 상기 케이스(312)의 상부 개구를 개폐하는 커버(311)를 포함할 수 있다.To describe the measurement unit 3 in more detail, the measurement unit 3 may include a measurement chamber 31 having an accommodation space formed therein. The measurement chamber 31 includes a case 312 including an inner space in which the weight measurement part 32 is installed and a wafer W is inserted therein, and a cover 311 that opens and closes an upper opening of the case 312. ) may be included.

또한 측정부(3)는 상기 케이스(312)와 커버(311)에 연결되어 커버(311)를 케이스(312)에 대하여 승강 시켜, 커버(311)가 상승될 경우 케이스(312)의 상부 개구를 개방토록 하고 커버(311)가 하강될 경우 케이스(312)의 상부 개구를 덮도록 하는 승강수단(313)을 포함할 수 있다. 케이스(312)의 내측 공간은 커버(311)에 의해 상부 개구가 덮어지는 경우 수용 공간을 형성할 수 있다. 승강수단(313)은 다양한 구성을 포함할 수 있는데, 예시적으로 모터 및, 모터에 의해 회동하는 리프트 샤프트(lift shaft) 등을 포함할 수 있다.In addition, the measurement unit 3 is connected to the case 312 and the cover 311 to lift the cover 311 relative to the case 312, so that when the cover 311 is raised, the upper opening of the case 312 is opened. It may include a lifting means 313 to open and to cover the upper opening of the case 312 when the cover 311 is lowered. The inner space of the case 312 may form an accommodation space when the upper opening is covered by the cover 311 . The lifting means 313 may include various configurations, and may include, for example, a motor and a lift shaft rotated by the motor.

도 7은 측정부의 거치파트 및 센터링파트를 설명하기 위한 도면이고, 도 8은 웨이퍼를 센터링 하는 지지파트 및 센터링파트를 설명하기 위한 평면도이다.7 is a view for explaining a mounting part and a centering part of a measuring unit, and FIG. 8 is a plan view for explaining a support part and a centering part for centering a wafer.

도 6 내지 도 8을 참조하면, 측정부(3)는 상기 측정 챔버(31)에 구비되고, 상기 웨이퍼(W)가 안착되는 거치파트(33)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 6 to 8 , the measurement unit 3 is provided in the measurement chamber 31 and may include a mounting part 33 on which the wafer W is seated.

거치파트(33)는 상기 측정 챔버(31)의 커버(311)의 하단(하면)에서 하측으로 돌출 구비되는 수직부분(331) 및 상기 수직부분(331)의 하단에서 수평 방향으로 연장되는 수평부분(332)을 포함할 수 있다.The mounting part 33 includes a vertical part 331 protruding downward from the lower end (lower surface) of the cover 311 of the measuring chamber 31 and a horizontal part extending horizontally from the lower end of the vertical part 331. (332).

즉, 상기 웨이퍼(W)는 상기 이송부(4)에 의해 상기 수평부분(332)에 안착될 수 있다.That is, the wafer W may be seated on the horizontal portion 332 by the transfer unit 4 .

측정부(3)는 상기 측정 챔버(31) 내측에 연결되고, 상기 웨이퍼(W)를 지지하는 지지파트(34)를 포함할 수 있고, 또한 상기 측정 챔버(31) 내측에 연결되는 고정부분(351) 및 고정부분(351)에서 수평방향으로 이동하는 이동부분(352)을 포함하는 센터링파트(35)를 포함할 수 있다.The measuring unit 3 may include a support part 34 connected to the inside of the measuring chamber 31 and supporting the wafer W, and a fixing part connected to the inside of the measuring chamber 31 ( 351) and a centering part 35 including a movable part 352 moving in a horizontal direction from the fixing part 351.

상술하였듯이, 거치파트(33)는 수직부분(331) 및 수평부분(332)을 포함한다고 하였는데, 상기 지지파트(34)와 고정부분(351)이 거치파트(33)에 설치되어 구조적 안정성을 부가할 수 있다. 예를 들어 상기한 지지파트(34)와 고정부분(351)은 하부가 수평부분(332)에 지지된 상태로 단부가 상기 수직부분(331)에지지(도 7 참조)되어 구조적으로 안정적일 수 있다.As described above, the mounting part 33 includes a vertical part 331 and a horizontal part 332, and the support part 34 and the fixing part 351 are installed on the mounting part 33 to add structural stability can do. For example, the support part 34 and the fixing part 351 can be structurally stable as the lower part is supported by the vertical part 331 (see FIG. 7) while the lower part is supported by the horizontal part 332. there is.

예시적으로 고정부분(351)은 솔레노이드일 수 있고, 상기 이동부분(352)은 상기 솔레노이드의 전류 방향에 따라 수평 방향(도 6을 기준으로 좌우 방향)으로 왕복이동 하는 전기자일 수 있다. 즉, 상기 이동부분(352)은 적어도 일부가 고정부분(351)에 내삽 될 수 있는 것이다. 센터링파트(35)의 구성은 예시적으로 설명한 것으로 이로 한정하지 않으며 다양한 구성이 상기한 구성을 대체하거나 추가적으로 포함될 수 있음은 물론이다.Illustratively, the fixed part 351 may be a solenoid, and the moving part 352 may be an armature reciprocating in a horizontal direction (left-right direction based on FIG. 6) according to the current direction of the solenoid. That is, at least a part of the moving part 352 can be interpolated into the fixed part 351. The configuration of the centering part 35 is not limited to this as described by way of example, and various components may be included in addition to or replace the above configuration, of course.

도 8을 참조하면, 지지파트(34)는 상기 거치파트(33)에 안착되는 웨이퍼(W)의 중심선(W1)을 기준으로 일 측(도 7에서 중심선(W1)을 기준으로 상측)에 배치될 수 있고, 센터링파트(35)는 상기 중심선(W1)을 기준으로 반대되는 타 측(도 7에서 중심선(W1)을 기준으로 하측)에 구비될 수 있다. 즉, 지지파트(34) 및 거치파트(33)는 중심선(W1)을 기준으로 양 측에 구비될 수 있다.Referring to FIG. 8 , the support part 34 is disposed on one side of the wafer W seated on the mounting part 33 based on the center line W1 (upper side of the center line W1 in FIG. 7 ). and the centering part 35 may be provided on the other side opposite to the center line W1 (lower side with respect to the center line W1 in FIG. 7). That is, the support part 34 and the mounting part 33 may be provided on both sides of the center line W1.

또한 센터링파트(35)는 다수 구비될 수 있는데, 지지파트(34)를 기준으로 양 측에 각각 구비될 수 있다. 도 8을 참조하면, 상기 중심선(W1)과 평면상에서 교차되는 교차선(W2)을 기준으로 다수의 센터링파트(35)가 양 측에 각각 구비될 수 있는 다. 상기 교차선(W2)은 예시적으로 평면상에서 봤을 때 지지파트(34)의 길이 방향과 일치할 수 있다.In addition, a plurality of centering parts 35 may be provided, and may be provided on both sides of the support part 34, respectively. Referring to FIG. 8 , a plurality of centering parts 35 may be provided on both sides based on an intersection line W2 intersecting the center line W1 on a plane. The cross line W2 may exemplarily coincide with the longitudinal direction of the support part 34 when viewed from a plane.

또한 도 8을 참조하면, 상기 이동부분(352)의 단부(웨이퍼(W)와 접촉하는 단부)는 웨이퍼(W)(거치파트(33) 상에 안착된 웨이퍼(W))에서 이동부분(352)이 접촉하는 부분의 접선 방향과 평행할 수 있다.Referring also to FIG. 8 , the end of the movable part 352 (the end in contact with the wafer W) is the movable part 352 in the wafer W (the wafer W placed on the mounting part 33). ) may be parallel to the tangential direction of the contacting part.

도 6 내지 도 8을 참조하면, 이송부(4)에 의해 웨이퍼(W)는 거치파트(33)에 안착되게 되고, 상기 교차선(W2)을 중심으로 양 측에 각각 구비되는 센터링파트(35) 각각의 이동부분(352)은 기 설정된 거리만큼 각각 중심선(W1) 측으로 이동할 수 있다. 6 to 8, the wafer W is seated on the mounting part 33 by the transfer unit 4, and the centering part 35 provided on both sides of the intersection line W2 as a center Each of the moving parts 352 may move toward the center line W1 by a predetermined distance.

상기 고정부분(351)이 솔레노이드일 경우 상기 기 설정된 거리는 솔레노이드에 인가되는 전류의 양으로부터 결정될 수 있다.When the fixing part 351 is a solenoid, the preset distance may be determined from the amount of current applied to the solenoid.

이를 통해 거치파트(33)에 안착되는 웨이퍼(W)는 중심선(W1)과 평행한 방향으로 이동되는 동시에, 이동부분(352)의 단부가 웨이퍼(W)와 접촉하는 부분의 접선 방향과 평행하여 상기 웨이퍼(W)를 지지파트(34) 측으로 이동시켜 웨이퍼(W)의 위치를 조정(캘리브레이션, calibration) 할 수 있다.Through this, the wafer W seated on the mounting part 33 is moved in a direction parallel to the center line W1, and the end of the moving part 352 is parallel to the tangential direction of the part in contact with the wafer W. The position of the wafer (W) may be adjusted (calibrated) by moving the wafer (W) toward the support part (34).

이때 도 7을 참조하면, 상기 수평부분(332)은 상부에서 상측으로 만곡 되게 돌출 구비되는 돌기(332a)를 포함할 수 있는데, 상기 웨이퍼(W)는 상기 돌기(332a)의 상부에 안착될 수 있다. 돌기(332a)가 상측으로 만곡 되게 돌출 구비되므로 돌기(332a)와 웨이퍼(W)의 접촉 면적을 최소화 할 수 있기 때문에 센터링파트(35)에 의해 웨이퍼(W)가 용이하게 이동되도록 할 수 있다는 이점이 있다.At this time, referring to FIG. 7 , the horizontal portion 332 may include a protrusion 332a protruding curved upward from the top, and the wafer W may be seated on top of the protrusion 332a. there is. Since the protrusion 332a is provided so as to be curved upward, the contact area between the protrusion 332a and the wafer W can be minimized, so that the wafer W can be easily moved by the centering part 35. there is

도 9는 측정부의 부력연산파트 및 보상파트를 설명하기 위한 도면이다.9 is a view for explaining the buoyancy calculation part and the compensation part of the measuring unit.

도 6 및 도 9를 참조하면, 상술하였듯이, 상기 거치파트(33)는 상기 커버(311)에 구비되고, 상기 커버(311)는 승강수단(313)에 의해 승강된다고 하였다. 따라서 웨이퍼(W) 또한 승강하게 되고, 웨이퍼(W)가 하측으로 이동함에 따라 케이스(312)에 설치되는 무게측정파트(32)에 얹어져 무게가 측정될 수 있다.Referring to FIGS. 6 and 9 , as described above, the mounting part 33 is provided on the cover 311 , and the cover 311 is moved up and down by the lifting means 313 . Therefore, the wafer (W) also rises and falls, and as the wafer (W) moves downward, it can be placed on the weighing part 32 installed in the case 312 and its weight can be measured.

이때 측정부(3)는 측청 챔버(31) 내측에 구비되어 측정 챔버(31) 내측의 온도, 습도, 압력 중 적어도 하나를 측정하여 조건정보를 생성하는 센서파트(36)를 포함할 수 있다. 센서파트(36)는 온도센서, 습도센서, 압력센서 중 적어도 하나를 포함할 수 있는데, 온도센서, 습도센서, 압력센서 각각은 해당 분야에서 통상적으로 사용되는 것이 적용될 수 있다.At this time, the measurement unit 3 may include a sensor part 36 provided inside the measurement chamber 31 and generating condition information by measuring at least one of temperature, humidity, and pressure inside the measurement chamber 31 . The sensor part 36 may include at least one of a temperature sensor, a humidity sensor, and a pressure sensor, and each of the temperature sensor, humidity sensor, and pressure sensor may be applied to those commonly used in the corresponding field.

상기한 센서파트(36)는 상기 커버(311)가 승강수단(313)에 의해 케이스(312)의 상부 개구를 덮어 상기 수용 공간을 형성할 경우, 상기 조건정보를 생성하고, 동시에 웨이퍼(W)가 무게측정파트(32)에 얹어져 웨이퍼(W)의 무게가 측정된다.The above sensor part 36 generates the condition information when the cover 311 covers the upper opening of the case 312 by the lifting means 313 to form the accommodation space, and at the same time, the wafer (W) is placed on the weighing part 32 to measure the weight of the wafer (W).

측정부(3)는 상기 조건정보를 이용하여 대기부력을 연산하는 부력연산파트(37) 및 상기 무게측정파트(32)에서 측정된 웨이퍼(W)의 무게를 상기 대기부력으로 보상하여 보상질량(질량)을 산출하는 보상파트(38)를 포함할 수 있다.The measurement unit 3 compensates the weight of the wafer W measured by the buoyancy calculation part 37 and the weight measurement part 32 for calculating atmospheric buoyancy using the condition information with the atmospheric buoyancy to obtain a compensation mass ( mass) may be included.

부력연산파트(37) 및 보상파트(38) 각각에는 통상의 기술자에게 알려진 다양한 제어 구성(예를 들면, 컴퓨터, 프로세서 등의 다양한 전자 장치 또는 전자 모듈)이 적용될 수 있다. 예시적으로, 부력연산파트(37) 및 보상파트(38) 각각은 그에 포함된 프로그램이나 알고리즘에 따라 생성된 신호나 상호 주고 받거나 상기 대기부력, 보상질량을 나타내는 데이터를 출력장치(예시적으로 출력 단말 등)에 전달하는 구성일 수 있다. 예를 들어, 부력연산파트(37) 및 보상파트(38) 각각은 상기 센서파트(36)에 포함되거나, 센서파트(36)와 이웃하는 위치에 센서파트(36)와는 별도로 구비되어 센서파트(36), 상기 출력장치, 무게측정파트(32) 등과 유선 또는 무선으로 연결될 수 있다(부력연산파트(37) 및 보상파트(38)가 상호 유선 또는 무선으로 연결될 수 있음은 물론이다).Each of the buoyancy calculation part 37 and the compensation part 38 may be applied with various control configurations known to those skilled in the art (eg, various electronic devices or electronic modules such as computers and processors). Illustratively, each of the buoyancy calculation part 37 and the compensation part 38 exchanges signals generated according to programs or algorithms included therein, mutually exchanges or outputs data representing the atmospheric buoyancy and compensation mass to an output device (exemplarily output terminal, etc.). For example, each of the buoyancy calculation part 37 and the compensation part 38 is included in the sensor part 36 or is provided separately from the sensor part 36 at a position adjacent to the sensor part 36, so that the sensor part ( 36), the output device, the weighing part 32, etc. can be wired or wirelessly connected (of course, the buoyancy calculation part 37 and the compensation part 38 can be wired or wirelessly connected to each other).

부력연산파트(37)는 상기 센서파트(36)로부터 상기 조건정보를 수신하여 하기 식 1 및 식 2 의해 대기부력을 연산할 수 있다. 하기 식 1 및 식 2는 공지된 것일 수 있다.The buoyancy calculation part 37 may receive the condition information from the sensor part 36 and calculate atmospheric buoyancy by Equations 1 and 2 below. Equations 1 and 2 below may be known ones.

[식 1][Equation 1]

Figure 112021038302621-pat00001
Figure 112021038302621-pat00001

위 식 1에서 "B"는 상기 대기부력을 의미하고, "ρair"는 냉각 챔버(11) 수용 공간의 공기밀도를 의미하고, "Ww"는 상기 무게측정파트(32)에서 측정된 웨이퍼(W)의 무게를 의미하고, "ρw"는 상기 웨이퍼(W)의 밀도 값을 의미하고, "ρc"는 전자저울(무게측정파트(32))을 내부 교정했던 분동의 밀도를 의미한다.In Equation 1 above, "B" means the atmospheric buoyancy, "ρ air " means the air density of the cooling chamber 11 accommodating space, and "Ww" is the wafer measured in the weighing part 32 ( W), "ρ w " means the density value of the wafer (W), and "ρ c " means the density of the weight that internally calibrated the electronic scale (weighing part 32) .

또한 부력연산파트(37)는 하기 식 2에 의해 "ρair"를 산출할 수 있다.In addition, the buoyancy calculation part 37 can calculate "ρ air " by the following Equation 2.

[식 2][Equation 2]

Figure 112021038302621-pat00002
Figure 112021038302621-pat00002

위 식 2에서 "ρ"는 식 1에서 "ρair"를 의미하고, "t"는 측정 챔버(31) 수용 공간의 온도(℃)를 의미하고, "h"는 측정 챔버(31) 수용 공간의 상대습도(%R.H.)를 의미하고, "p"는 측정 챔버(31) 수용 공간의 압력(Pa)을 의미한다.In Equation 2 above, “ρ” means “ρ air ” in Equation 1, “t” means the temperature (℃) of the measuring chamber 31 accommodating space, and “h” means the measuring chamber 31 accommodating space means the relative humidity (%RH) of, and “p” means the pressure (Pa) in the receiving space of the measuring chamber 31 .

측정 챔버(31)의 수용 공간의 온도는 상기 기 설정된 온도에 상응하는 것으로 약 24℃일 수 있다고 하였는데, 따라서 식 2는 온도 범위가 20℃~30℃일 때 "ρair"를 구할 수 있는 식이다.It was said that the temperature of the accommodation space of the measuring chamber 31 corresponds to the preset temperature and may be about 24 ° C. Therefore, Equation 2 is an equation for obtaining “ρ air ” when the temperature range is 20 ° C to 30 ° C. am.

보상파트(38)는 상기 무게측정파트(32)에서 측정된 웨이퍼(W)의 무게를 부력연산파트(37)에서 연산된 대기부력으로 보상하여 보상질량을 산출한다. 측정 챔버(31)에서 웨이퍼(W)는 얇고 가벼워 측정 챔버(31)에서 공기에 의해 부상하여 웨이퍼(W)의 무게 또는 질량을 정확하고 정밀하게 측정하기 어렵다.The compensation part 38 calculates the compensation mass by compensating the weight of the wafer W measured by the weight measurement part 32 with the atmospheric buoyancy calculated by the buoyancy calculation part 37. In the measurement chamber 31, the wafer W is thin and light, so it is difficult to accurately and precisely measure the weight or mass of the wafer W because it is floated by air in the measurement chamber 31.

따라서 공기밀도가 커질수록 웨이퍼(W)는 부상하여 무게측정파트(32)에서 측정되는 웨이퍼(W)의 무게가 감소하게 되고, 공기밀도가 작아질수록 웨이퍼(W)의 부상 정도는 감소되어 무게측정파트(32)에서 측정되는 웨이퍼(W)의 무게가 증가하게 되는데, 이렇게 공기밀도에 따라 측정되는 웨이퍼(W)의 무게가 상이하면 웨이퍼(W)의 불량 정도를 정확하게 판정할 수 없게 한다.Therefore, as the air density increases, the wafer (W) floats and the weight of the wafer (W) measured in the weighing part 32 decreases, and as the air density decreases, the degree of floating of the wafer (W) decreases, The weight of the wafer (W) measured by the measurement part 32 increases. If the weight of the wafer (W) measured according to the air density is different in this way, the degree of defect of the wafer (W) cannot be accurately determined.

이때 상술한 바와 같이, 본 장치는 부력연산파트(37)를 통해 측정 챔버(31) 수용 공간의 대기부력을 연산하고, 무게측정파트(32)에서 측정된 웨이퍼(W)의 무게를 상기 대기부력으로 보상하여 보상질량을 산출함으로써, 보다 정확하고 정밀하게 웨이퍼(W)의 질량을 측정할 수 있도록 한다. 즉, 웨이퍼(W)의 불량을 정밀하게 파악하여 공정의 문제점을 정밀하게 파악할 수 있도록 하여 수율 향상에 기여할 수 있는 것이다.At this time, as described above, the apparatus calculates the atmospheric buoyancy of the measuring chamber 31 accommodating space through the buoyancy calculation part 37, and calculates the weight of the wafer W measured in the weight measuring part 32 as the atmospheric buoyancy Compensation is performed to calculate the compensation mass, so that the mass of the wafer W can be more accurately and precisely measured. That is, it is possible to contribute to yield improvement by precisely identifying defects of the wafer W and precisely identifying problems in the process.

상기 보상질량 데이터는 상기한 출력장치에 전송되고, 출력장치는 상기 보상질량 데이터를 수신하여 출력할 수 있다.The compensation mass data is transmitted to the output device, and the output device may receive and output the compensation mass data.

이후에 커버(311)는 승강수단(313)에 의해 상측으로 이동하여 케이스(312)의 상부 개구를 개방하며, 웨이퍼(W)가 거치된 거치파트(33)를 상측으로 들어 올리게 되고, 상기 이송부(4)는 상기 거치파트(33) 상에 안착된 웨이퍼를 파지하여 인출하여 후공정으로 이송시킬 수 있다.Thereafter, the cover 311 is moved upward by the lifting means 313 to open the upper opening of the case 312, and the mounting part 33 on which the wafer W is mounted is lifted upward, and the transfer unit In (4), the wafer seated on the mounting part 33 can be gripped and taken out to be transferred to a subsequent process.

이상에서 첨부된 도면을 참조하여 설명한 본 발명은 통상의 기술자에 의하여 다양한 변형 및 변경이 가능하고, 이러한 변형 및 변경은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The present invention described above with reference to the accompanying drawings can be variously modified and changed by those skilled in the art, and these modifications and changes should be construed as being included in the scope of the present invention.

질량 측정 장치: D
냉각부: 1 냉각 챔버: 11
플레이트: 12 언더컷: 121
순환파트: 13 흡착파트: 14
감지파트: 15 중심파트: 16
안정화부: 2 안정화 챔버: 21
중심파트: 22 플레이트: 23
측정부: 3 측정 챔버: 31
커버: 311 케이스: 312
승강수단: 313 무게측정파트: 32
거치파트: 33 수직부분: 331
수평부분: 332 돌기: 332a
지지파트: 34 센터링파트: 35
고정부분: 351 이동부분: 352
센서파트: 36 부력연산파트: 37
보상파트: 38 이송부: 4
온도측정파트: 41 파지파트: 42
저장부: 5 웨이퍼: WMass measuring device: D
Cooling section: 1 Cooling chamber: 11
Plate: 12 Undercut: 121
Circulation part: 13 Adsorption part: 14
Sensing part: 15 Central part: 16
Stabilization part: 2 Stabilization chamber: 21
Center part: 22 Plate: 23
Measuring part: 3 Measuring chamber: 31
Cover: 311 Case: 312
Elevating means: 313 Weighing parts: 32
Standing part: 33 Vertical part: 331
Horizontal part: 332 projection: 332a
Support part: 34 Centering part: 35
Fixed part: 351 Moving part: 352
Sensor part: 36 Buoyancy calculation part: 37
Compensation part: 38 Transfer part: 4
Temperature measurement part: 41 Grip part: 42
Reservoir: 5 Wafers: W

Claims (7)

웨이퍼를 기 설정된 온도 이하로 냉각하는 냉각부;
상기 냉각부 후단에 구비되고, 상기 웨이퍼를 기 설정된 시간 동안 유지시키는 안정화부; 및
상기 안정화부의 후단에 구비되고, 상기 웨이퍼의 무게를 측정하는 무게측정파트를 포함하는 측정부; 및
상기 웨이퍼의 온도를 측정하는 온도측정파트를 포함하고, 상기 웨이퍼의 온도가 상기 기 설정된 온도를 초과할 경우 상기 냉각부로 투입하고, 상기 기 설정된 온도 이하일 경우 상기 안정화부로 투입하는 이송부;
를 포함하고,
상기 측정부는,
측정 챔버;
상기 측정 챔버에 구비되고, 상기 웨이퍼가 안착되는 거치파트;
상기 측정 챔버 내측에 연결되고, 상기 웨이퍼를 지지하는 지지파트; 및
상기 측정 챔버 내측에 연결되는 고정부분 및 상기 고정부분에서 수평방향으로 이동하는 이동부분을 포함하되, 상기 지지파트를 기준으로 양 측에 각각 구비되는 다수의 센터링파트;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질량 측정 장치.a cooling unit that cools the wafer to a predetermined temperature or less;
a stabilization unit provided at a rear end of the cooling unit and maintaining the wafer for a predetermined time; and
a measurement unit provided at a rear end of the stabilization unit and including a weighing part for measuring the weight of the wafer; and
a transfer unit including a temperature measuring part for measuring the temperature of the wafer, inputting the wafer to the cooling unit when the temperature of the wafer exceeds the preset temperature, and inputting the stabilizer to the stabilization unit when the temperature of the wafer is lower than the preset temperature;
including,
The measuring unit,
measuring chamber;
a mounting part provided in the measurement chamber and on which the wafer is seated;
a support part connected to the inside of the measurement chamber and supporting the wafer; and
A plurality of centering parts including a fixed part connected to the inside of the measuring chamber and a moving part moving in a horizontal direction from the fixed part, each provided on both sides of the support part;
Mass measuring device characterized in that it further comprises. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 지지파트는 상기 거치파트에 안착되는 상기 웨이퍼의 중심선을 기준으로 일 측에 배치되고, 상기 센터링파트는 상기 중심선을 기준으로 타 측에 배치되고,
상기 이동부분 단부는 상기 웨이퍼에서 접촉 하는 부분의 접선 방향과 평행한 것을 특징으로 하는 질량 측정 장치.The method of claim 1,
The support part is disposed on one side based on the center line of the wafer seated on the mounting part, and the centering part is disposed on the other side based on the center line.
The mass measuring device, characterized in that the end of the moving portion is parallel to the tangential direction of the contacting portion of the wafer. 청구항 1에 있어서,
상기 거치파트는,
상기 측정 챔버의 커버의 하단에서 하측으로 돌출 구비되는 수직부분; 및
상기 수직부분의 하단에서 수평 방향으로 연장되는 수평부분;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 질량 측정 장치.The method of claim 1,
The supporting part,
a vertical portion protruding downward from the lower end of the cover of the measuring chamber; and
a horizontal portion extending in a horizontal direction from a lower end of the vertical portion;
A mass measuring device comprising a. 청구항 4에 있어서,
상기 수평부분은 상부에서 상측으로 만곡 되게 돌출 구비되는 돌기를 포함하는 것을 특징으로 하는 질량 측정 장치.The method of claim 4,
The mass measuring device, characterized in that the horizontal portion comprises a protrusion protruding curved upward from the top. 청구항 1에 있어서,
상기 측정부는,
상기 측정 챔버의 내측에 구비되어 상기 측정 챔버 내측의 온도, 습도, 압력 중 적어도 하나를 측정하여 조건정보를 생성하는 센서파트;
상기 조건정보를 이용하여 대기부력을 연산하는 부력연산파트; 및
상기 무게측정파트에서 측정된 상기 웨이퍼의 무게를 상기 대기부력으로 보상하여 보상질량을 산출하는 보상파트;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질량 측정 장치.The method of claim 1,
The measuring unit,
a sensor part provided inside the measurement chamber to measure at least one of temperature, humidity, and pressure inside the measurement chamber to generate condition information;
a buoyancy calculation part that calculates atmospheric buoyancy using the condition information; and
a compensation part for calculating a compensation mass by compensating for the weight of the wafer measured by the weight measurement part with the atmospheric buoyancy;
Mass measuring device characterized in that it further comprises. 웨이퍼를 기 설정된 온도 이하로 냉각하는 냉각부;
상기 냉각부 후단에 구비되고, 상기 웨이퍼를 기 설정된 시간 동안 유지시키는 안정화부; 및
상기 안정화부의 후단에 구비되고, 상기 웨이퍼의 무게를 측정하는 무게측정파트를 포함하는 측정부; 및
상기 웨이퍼의 온도를 측정하는 온도측정파트를 포함하고, 상기 웨이퍼의 온도가 상기 기 설정된 온도를 초과할 경우 상기 냉각부로 투입하고, 상기 기 설정된 온도 이하일 경우 상기 안정화부로 투입하는 이송부;
를 포함하고,
상기 냉각부는,
상부에서 하측으로 함몰 형성된 언더컷을 포함하고, 상부에 상기 웨이퍼가 안착되는 플레이트;
상기 플레이트 내부에 구비되고, 냉각수가 순환되는 순환파트;
상기 플레이트 내부에 구비되고, 상기 순환파트보다 상측에 배치되는 쿨링팬; 및
상기 플레이트 또는 상기 플레이트에 안착되는 상기 웨이퍼의 온도를 측정하는 감지파트;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 질량 측정 장치.a cooling unit that cools the wafer to a predetermined temperature or lower;
a stabilization unit provided at a rear end of the cooling unit and maintaining the wafer for a predetermined time; and
a measurement unit provided at a rear end of the stabilization unit and including a weighing part for measuring the weight of the wafer; and
a transfer unit including a temperature measuring part for measuring the temperature of the wafer, inputting the wafer to the cooling unit when the temperature of the wafer exceeds the preset temperature, and inputting the stabilizer to the stabilization unit when the temperature of the wafer is lower than the preset temperature;
including,
the cooling unit,
a plate including an undercut recessed from the top to the bottom and on which the wafer is seated;
a circulation part provided inside the plate and through which cooling water is circulated;
a cooling fan provided inside the plate and disposed above the circulation part; and
a sensing part for measuring the temperature of the plate or the wafer placed on the plate;
A mass measuring device comprising a.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001358045A (en) 2000-06-09 2001-12-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing device
JP2005026468A (en) 2003-07-02 2005-01-27 Tokyo Electron Ltd Forming method of low dielectric constant insulating film for semiconductor device, and semiconductor device and low dielectric constant insulating film forming device by means thereof
WO2020064470A1 (en) * 2018-09-28 2020-04-02 Metryx Limited Method and apparatus for controlling the temperature of a semiconductor wafer

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