KR102505962B1

KR102505962B1 - Sensor Mounted Wafer And Manufacturing Method Thereof

Info

Publication number: KR102505962B1
Application number: KR1020200143579A
Authority: KR
Inventors: 전호승; 조문성; 황성주; 장래원
Original assignee: 이트론 주식회사
Priority date: 2020-10-30
Filing date: 2020-10-30
Publication date: 2023-03-03
Also published as: KR20220058151A

Abstract

본 발명은 안착홈이 형성되는 하부 케이스와, 높이가 다른 복수의 전자 부품을 실장하며 안착홈에 배치되는 회로 기판과, 깊이가 다른 복수의 삽입홈이 형성되며 복수의 삽입홈에 복수의 전자 부품이 삽입되도록 하부 케이스와 합착되는 상부 케이스와, 안착홈 및 복수의 삽입홈 사이에 배치되는 접착층을 포함하고, 삽입홈은 복수의 전자 부품의 높이에 따라 그 깊이가 다르게 형성되는 반도체 공정 진단 센서 장치를 제공한다.In the present invention, a lower case in which a seating groove is formed, a circuit board for mounting a plurality of electronic components having different heights and disposed in the seating groove, and a plurality of insertion grooves having different depths are formed, and a plurality of electronic components are formed in the plurality of insertion grooves. A semiconductor process diagnostic sensor device including an upper case bonded to the lower case so as to be inserted, an adhesive layer disposed between the seating groove and the plurality of insertion grooves, and the insertion groove having a different depth depending on the height of the plurality of electronic components. provides

Description

반도체 공정 진단 센서 장치 및 이의 제조 방법{Sensor Mounted Wafer And Manufacturing Method Thereof}Semiconductor process diagnostic sensor device and manufacturing method thereof {Sensor Mounted Wafer And Manufacturing Method Thereof}

본 발명은 반도체 공정 진단 센서 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 센서 장치의 휨 현상을 방지할 수 있는 반도체 공정 진단 센서 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor process diagnosis sensor device and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a semiconductor process diagnosis sensor device capable of preventing warping of the sensor device and a method for manufacturing the same.

반도체 제조에는 일반적으로 광학, 증착과 성장 및 식각 공정 등 다수의 공정을 거친다.Semiconductor manufacturing typically involves multiple processes, including optical, deposition and growth, and etching processes.

반도체 제조 공정에는 각 공정에서 공정 조건과 장비의 작동 상태를 주의 깊게 모니터링해야 한다. 예를 들면, 챔버나 웨이퍼의 온도, 가스 주입 상태, 압력 상태 또는 플라스마 밀도나 노출 거리 등을 제어하면서 최적의 반도체 수율을 위해 정밀한 모니터링이 필수적이다.The semiconductor manufacturing process requires careful monitoring of process conditions and equipment operating conditions in each process. For example, precise monitoring is essential for optimal semiconductor yield while controlling the temperature, gas injection state, pressure state, or plasma density or exposure distance of a chamber or wafer.

온도, 플라즈마, 압력, 유량 및 가스 등과 관련된 공정 조건에 오차가 발생하거나 장비가 오동작 하는 경우에는 불량이 다수 발생하여 전체 수율에 치명적이다.When errors occur in process conditions related to temperature, plasma, pressure, flow rate, and gas, or when equipment malfunctions, a number of defects occur, which is fatal to the overall yield.

한편, 종래 기술에서는 반도체 제조에서 챔버 내의 공정 조건을 간접적으로 측정하였으나 반도체 수율 향상을 위해 챔버의 내부 조건이나 그 챔버에 로딩된 웨이퍼의 상태 등을 직접 측정하기 위한 연구가 개발되고 있다. 그 중 하나가 웨이퍼의 온도 센싱 기술로서 SOW(Sensor On Wafer)가 개발 되었다.On the other hand, in the prior art, process conditions in a chamber are indirectly measured in semiconductor manufacturing, but research is being developed for directly measuring the internal conditions of a chamber or the state of a wafer loaded into the chamber to improve semiconductor yield. One of them is SOW (Sensor On Wafer) as a wafer temperature sensing technology.

일반적으로 SOW는 테스트용 웨이퍼 2 장 사이에 복수의 센서 및 전자 부품을 장착하고, 장착된 센서를 이용하여 반도체 제조 공정 조건을 챔버 내에서 직접 센싱한다.In general, SOW mounts a plurality of sensors and electronic components between two test wafers, and directly senses semiconductor manufacturing process conditions in a chamber using the mounted sensors.

그러나, 종래의 SOW는 복수의 센서 및 전자 부품의 높이가 각기 다름에도 불구하고, 모두 동일한 깊이로 웨이퍼에 캐비티를 형성하고, 이 캐비티에 복수의 센서 및 전자 부품을 실장하였다.However, in the conventional SOW, although the heights of the plurality of sensors and electronic components are different, cavities are formed in the wafer with the same depth, and the plurality of sensors and electronic components are mounted in the cavities.

이와 종래의 SOW에 따르면, 복수의 센서 및 전자 부품이 웨이퍼 내에서 밀착 접촉되지 않아 내구성이 떨어질 뿐 만 아니라 온도 상승 시 센서 장치의 휨 현상이 발생하는 문제점이 있다.According to this conventional SOW, a plurality of sensors and electronic components do not come into close contact within the wafer, resulting in poor durability and a problem in that the sensor device warps when the temperature rises.

본 발명은, 센서 장치의 내구성을 향상시켜 온도 상승 시 센서 장치의 휨 현상을 방지할 수 있는 반도체 공정 진단 센서 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a semiconductor process diagnosis sensor device capable of preventing warping of the sensor device when the temperature rises by improving durability of the sensor device.

본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problems to be achieved in the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description below. There will be.

본 발명은 전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 안착홈이 형성되는 하부 케이스와, 높이가 다른 복수의 전자 부품을 실장하며 안착홈에 배치되는 회로 기판과, 깊이가 다른 복수의 삽입홈이 형성되며 복수의 삽입홈에 복수의 전자 부품이 삽입되도록 하부 케이스와 합착되는 상부 케이스와, 안착홈 및 복수의 삽입홈 사이에 배치되는 접착층을 포함하고, 삽입홈은 복수의 전자 부품의 높이에 따라 그 깊이가 다르게 형성되는 반도체 공정 진단 센서 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a lower case in which a seating groove is formed, a circuit board for mounting a plurality of electronic components having different heights and disposed in the seating groove, and a plurality of insertion grooves having different depths. It is formed and includes an upper case bonded to the lower case so that a plurality of electronic components are inserted into the plurality of insertion grooves, and an adhesive layer disposed between the seating groove and the plurality of insertion grooves, and the insertion groove is formed according to the height of the plurality of electronic components. A semiconductor process diagnosis sensor device having different depths is provided.

여기서, 복수의 삽입홈은, 복수의 전자 부품의 높이에 대응하는 깊이로 형성된다.Here, the plurality of insertion grooves are formed to a depth corresponding to the height of the plurality of electronic components.

또한, 복수의 전자 부품은, 기준 높이 보다 높은 높이를 갖는 복수의 제1 전자 부품과, 기준 높이 보다 낮은 높이를 갖는 복수의 제2 전자 부품을 포함한다.Also, the plurality of electronic components include a plurality of first electronic components having a height higher than the standard height and a plurality of second electronic components having a height lower than the standard height.

또한, 복수의 삽입홈은, 복수의 제1 전자 부품 중 가장 높은 높이를 갖는 전자 부품의 높이에 대응하는 깊이로 형성되는 제1 삽입홈과, 복수의 제2 전자 부품 중 가장 높은 높이를 갖는 전자 부품의 높이에 대응하는 깊이로 형성되는 제2 삽입홈을 포함한다.In addition, the plurality of insertion grooves include a first insertion groove formed to a depth corresponding to the height of the electronic component having the highest height among the plurality of first electronic components, and an electronic component having the highest height among the plurality of second electronic components. It includes a second insertion groove formed to a depth corresponding to the height of the component.

또한, 복수의 전자 부품의 하부는 안착홈 내부에 위치하고, 복수의 전자 부품의 상부는 복수의 삽입홈 내부에 위치한다.In addition, lower portions of the plurality of electronic components are located inside the seating grooves, and upper portions of the plurality of electronic components are located inside the plurality of insertion grooves.

또한, 안착홈은 복수의 전자 부품의 하부가 안착되는 부분이 그 이외의 부분 보다 깊이가 더 깊다.Further, in the seating groove, a portion where lower portions of the plurality of electronic components are seated is deeper than other portions.

또한, 안착홈은 복수의 전자 부품의 하부 가장자리에 대응하여 경사면이 형성된다.In addition, the seating groove has inclined surfaces corresponding to lower edges of the plurality of electronic components.

또한, 복수의 전자 부품은 센서, IC(Integrated Circuit) 칩 및 배터리 중 적어도 하나를 포함한다.Also, the plurality of electronic components include at least one of a sensor, an integrated circuit (IC) chip, and a battery.

또한, 안착홈은 회로 기판과 대응하는 형상으로 형성되고, 복수의 삽입홈은 복수의 전자 부품과 대응하는 형상으로 형성된다.In addition, the seating groove is formed in a shape corresponding to a circuit board, and the plurality of insertion grooves are formed in a shape corresponding to a plurality of electronic components.

또한, 본 발명은, 회로 기판에 높이가 다른 복수의 전자 부품을 실장하는 단계와, 상부 케이스에 복수의 전자 부품과 대응하는 형상으로 깊이가 다른 복수의 삽입홈을 형성하는 단계와, 복수의 삽입홈에 접착제를 도포하는 단계와, 복수의 삽입홈에 복수의 전자 부품을 삽입하고 접착제를 경화하는 단계와, 허부 케이스에 회로 기판과 대응하는 형상으로 안착홈을 형성하는 단계와, 안착홈에 접착제를 도포하고, 안착홈에 회로 기판이 안착되도록 하부 케이스 및 상부 케이스를 합착하는 단계를 포함하고, 복수의 삽입홈을 형성하는 단계는 복수의 전자 부품의 높이에 따라 그 깊이를 다르게 형성하는 단계인 반도체 공정 진단 센서 장치 제조 방법을 제공한다.In addition, the present invention includes the steps of mounting a plurality of electronic components having different heights on a circuit board, forming a plurality of insertion grooves having different depths in a shape corresponding to the plurality of electronic components in an upper case, and Applying adhesive to the grooves, inserting a plurality of electronic components into the plurality of insertion grooves and curing the adhesive, forming seating grooves in the hollow case in a shape corresponding to the circuit board, and attaching the adhesive to the mounting grooves. and attaching the lower case and the upper case so that the circuit board is seated in the seating groove, and forming a plurality of insertion grooves is a step of forming different depths according to the heights of the plurality of electronic components. A method for manufacturing a semiconductor process diagnostic sensor device is provided.

또한, 안착홈을 형성하는 단계는, 복수의 전자 부품의 하부가 안착되는 부분이 그 이외의 부분 보다 깊이가 더 깊도록 안착홈을 형성하는 단계이다.Also, the forming of the seating groove is a step of forming the seating groove so that a portion where the lower portions of the plurality of electronic components are seated is deeper than other portions.

또한, 안착홈을 형성하는 단계는, 복수의 전자 부품의 하부 가장자리에 대응하여 경사면이 형성되도록 안착홈을 형성하는 단계이다.In addition, the forming of the seating groove is a step of forming the seating groove so that inclined surfaces are formed corresponding to lower edges of the plurality of electronic components.

또한, 하부 케이스 및 상부 케이스를 합착하는 단계는, 안착홈은 위를 향하도록 하고, 복수의 삽입홈은 아래를 향하도록 하여 하부 케이스 및 상부 케이스를 합착하는 단계이다.In addition, the attaching the lower case and the upper case is a step of attaching the lower case and the upper case with the seating groove facing upward and the plurality of insertion grooves facing downward.

또한, 본 발명의 반도체 공정 진단 센서 장치 제조 방법은, 하부 케이스 및 상부 케이스를 합착하는 단계는 합착 과정에서 회로 기판으로 인해 안착홈에 도포된 접착제가 하부 케이스 및 상부 케이스의 합착면으로 퍼지는 단계와, 합착면으로 퍼진 접착제를 경화하는 단계를 포함한다.In addition, in the semiconductor process diagnostic sensor device manufacturing method of the present invention, the bonding of the lower case and the upper case includes the steps of spreading the adhesive applied to the seating groove due to the circuit board to the bonding surfaces of the lower case and the upper case during the bonding process. , curing the adhesive spread to the bonding surface.

본 발명에 따르면, 복수의 전자 부품이 삽입되는 복수의 삽입홈의 깊이를 복수의 전자 부품의 높이에 따라 다르게 형성하여, 복수의 전자 부품이 각각의 삽입홈에 밀착 접촉할 수 있어 센서 장치의 내구성이 향상되어 온도 상승 시 센서 장치의 휨 현상을 방지할 수 있다.According to the present invention, the depth of the plurality of insertion grooves into which the plurality of electronic components are inserted is formed differently according to the height of the plurality of electronic components, so that the plurality of electronic components can come into close contact with the respective insertion grooves, thereby increasing the durability of the sensor device. This improvement can prevent the bending of the sensor device when the temperature rises.

또한, 본 발명에 따르면, 회로 기판이 안착되는 안착홈에 복수의 전자 부품의 하부 가장자리에 대응하여 경사면을 형성하여, 이 경사면을 따라 복수의 전자 부품의 하부 가장자리에 대응한 회로 기판도 완만히 구부러져 저항을 감소시킬 수 있다.In addition, according to the present invention, an inclined surface corresponding to the lower edge of the plurality of electronic components is formed in the seating groove in which the circuit board is seated, and the circuit board corresponding to the lower edge of the plurality of electronic components is gently bent along the inclined surface to resist resistance. can reduce

본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects obtainable in the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description below. will be.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치에 구비된 회로 기판의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치의 하부 케이스의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치의 상부 케이스의 평면도이다.
도 5는 도 3의 하부 케이스에 안착된 회로 기판을 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치의 단면도로서, 도 5의 Ⅵ-Ⅵ을 따라 절단한 단면도이다.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치 제조 방법의 순서도이다.1 is a perspective view of a semiconductor process diagnosis sensor device according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view of a circuit board included in a semiconductor process diagnosis sensor device according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view of a lower case of a semiconductor process diagnosis sensor device according to an embodiment of the present invention.
4 is a plan view of an upper case of a semiconductor process diagnosis sensor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a view showing a circuit board seated in the lower case of FIG. 3 .
FIG. 6 is a cross-sectional view of a semiconductor process diagnostic sensor device according to an embodiment of the present invention, taken along line VI-VI of FIG. 5 .
7A to 7E are flowcharts of a method of manufacturing a semiconductor process diagnosis sensor device according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시 형태를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 첨부된 도면과 함께 이하에 개시될 상세한 설명은 본 발명의 예시적인 실시형태를 설명하고자 하는 것이며, 본 발명이 실시될 수 있는 유일한 실시형태를 나타내고자 하는 것이 아니다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략할 수 있고, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용할 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The detailed description set forth below in conjunction with the accompanying drawings is intended to describe exemplary embodiments of the present invention and is not intended to represent the only embodiments in which the present invention may be practiced. In order to clearly describe the present invention in the drawings, parts irrelevant to the description may be omitted, and the same reference numerals may be used for the same or similar components throughout the specification.

본 발명의 일 실시 예에서, “또는”, “적어도 하나” 등의 표현은 함께 나열된 단어들 중 하나를 나타내거나, 또는 둘 이상의 조합을 나타낼 수 있다. 예를 들어, “A 또는 B”, “A 및 B 중 적어도 하나”는 A 또는 B 중 하나만을 포함할 수 있고, A와 B를 모두 포함할 수도 있다.In one embodiment of the present invention, expressions such as “or” and “at least one” may represent one of the words listed together, or a combination of two or more. For example, "A or B" and "at least one of A and B" may include only one of A or B, or may include both A and B.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치의 사시도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치에 구비된 회로 기판의 평면도이다.1 is a perspective view of a semiconductor process diagnosis sensor device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of a circuit board included in the semiconductor process diagnosis sensor device according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치는 하부 케이스(100), 회로 기판(200) 및 상부 케이스(300)을 포함하여 구성할 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2 , a semiconductor process diagnosis sensor device according to an embodiment of the present invention may include a lower case 100 , a circuit board 200 and an upper case 300 .

하부 케이스(100) 및 상부 케이스(300)는 동일한 재질로 이루어질 수 있으며, 전기적 특성이 우수한 재질로서 실리콘(Si) 및 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 포함할 수 있다.The lower case 100 and the upper case 300 may be made of the same material, and may include silicon (Si) and gallium arsenide (GaAs) as materials having excellent electrical characteristics.

회로 기판(200)은, 높이가 다른 복수의 전자 부품(240)을 실장하며, 하부 케이스(100) 및 상부 케이스(300) 사이에 배치된다. 또한, 회로 기판(200)은, 안테나 기판(210), 센서 기판(220) 및 제어 기판(250)을 포함하여 구성될 수 있다. 여기서, 전자 부품(240)은 전자 회로의 구성품으로서, 센서(241), IC(Integrated Circuit) 칩(242, 243, 244) 및 배터리(도 5의 245) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The circuit board 200 mounts a plurality of electronic components 240 having different heights and is disposed between the lower case 100 and the upper case 300 . In addition, the circuit board 200 may include an antenna board 210 , a sensor board 220 and a control board 250 . Here, the electronic component 240 is a component of an electronic circuit, and may include at least one of a sensor 241 , integrated circuit (IC) chips 242 , 243 , and 244 , and a battery ( 245 in FIG. 5 ).

또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 회로 기판(200)은, PCB(Printed Circuit Board)로서, 센서(241), IC칩(242, 243, 244) 및 배터리(도 5의 245)가 전기적으로 연결되도록 배선이 인쇄되어 있다.In addition, although not shown in the drawings, the circuit board 200 is a PCB (Printed Circuit Board), and the sensor 241, the IC chips 242, 243, and 244 and the battery (245 in FIG. 5) are electrically connected. Wiring is printed.

안테나 기판(210)은 회로 기판(200) 중앙에 동심원 형태로 구비될 수 있다. 이와 같은, 안테나 기판(210)의 내측원(212)에는 충전 안테나(231)가 구비되고, 외측원(211)에는 통신 안테나(232)가 구비될 수 있다. 또한, 충전 안테나(231) 및 통신 안테나(232)는 안테나 기판(210)에 인쇄된 형태로 형성될 수 있다.The antenna board 210 may be provided in a concentric circle shape at the center of the circuit board 200 . As such, the charging antenna 231 may be provided on the inner circle 212 of the antenna substrate 210, and the communication antenna 232 may be provided on the outer circle 211. In addition, the charging antenna 231 and the communication antenna 232 may be formed in a printed form on the antenna substrate 210 .

센서 기판(220)은, 복수 개로 구비되어, 안테나 기판(210)의 외측원(211)에서 외측으로 연장되며 방사형으로 배열될 수 있다. 그리고, 센서 기판(220)에는 복수의 센서(241)가 구비될 수 있다.The sensor substrate 220 is provided in plurality, extends outward from the outer circle 211 of the antenna substrate 210 and may be arranged radially. In addition, a plurality of sensors 241 may be provided on the sensor substrate 220 .

여기서, 복수의 센서(241)는 반도체 공정 진단 센서 장치의 정해진 센싱 위치에 내장되어 해당 위치에서 반도체 공정 모니터링을 위한 센싱을 수행한다. 구체적으로, 센서(241)는 센서 기판(220)의 일단(안테나 기판(210)과 연결되는 지점)에서 타단까지 일정 간격으로 배치될 수 있다. Here, the plurality of sensors 241 are embedded in a predetermined sensing position of the semiconductor process diagnosis sensor device and perform sensing for semiconductor process monitoring at the corresponding position. Specifically, the sensors 241 may be disposed at regular intervals from one end of the sensor substrate 220 (a point connected to the antenna substrate 210) to the other end.

이와 달리, 도 2에 도시한 바와 같이, 센서 기판(220)을 일단부, 타단부 및 중앙부로 구분하였을 때, 일단부, 중앙부 및 타단부에 센서(241)가 구비된 제1 센서 기판과, 일단부를 제외한 중앙부 및 타단부에 센서(241)가 구비된 제2 센서 기판이 교대로 배열될 수 있다. 이와 같이 제1 센서 기판 및 제2 센서 기판이 교대로 배열되기 위해 센서 기판(220)은 짝수 개로 구비될 수 있다.Unlike this, as shown in FIG. 2, when the sensor substrate 220 is divided into one end, the other end, and the center, a first sensor substrate having a sensor 241 at one end, the center, and the other end; The second sensor substrate provided with the sensor 241 may be alternately arranged on the central portion and the other end except for one end portion. In this way, an even number of sensor substrates 220 may be provided so that the first sensor substrate and the second sensor substrate are alternately arranged.

또한, 센서(241)는 반도체 공정 진단 센서 장치 중심에서의 온도를 센싱하기 위해 회로 기판(200) 중심에 추가로 구비될 수 있다.In addition, the sensor 241 may be additionally provided at the center of the circuit board 200 to sense the temperature at the center of the semiconductor process diagnosis sensor device.

또한, 센서(241)는 온도 센서 및 압력 센서 등을 포함할 수 있으며 다양한 반도체 공정 환경을 센싱할 수 있다. 예를 들어, 센서(241)는 반도체 공정 진단 센서 장치가 로딩된 챔버 내부 상태(온도, 압력 및 기체 등)나 챔버에 로딩된 반도체 공정 진단 센서 장치의 자체 상태(온도 등)를 센싱할 수 있다.In addition, the sensor 241 may include a temperature sensor and a pressure sensor, and may sense various semiconductor processing environments. For example, the sensor 241 may sense an internal state (temperature, pressure, gas, etc.) of a chamber loaded with a semiconductor process diagnostic sensor device or a state (temperature, etc.) of a semiconductor process diagnostic sensor device loaded in the chamber. .

제어 기판(250)은, 안테나 기판(210)이 배치된 반도체 공정 진단 센서 장치 중앙에 배치될 경우 통신 교란 또는 충전 방해를 일으킬 수 있기 때문에, 반도체 공정 진단 센서 장치 중앙 보다는 센서 기판(220)이 안테나 기판(210)에서 연장되는 영역에 배치되는 것이 바람직하다.If the control board 250 is disposed in the center of the semiconductor process diagnosis sensor device where the antenna board 210 is disposed, it may cause communication disturbance or charging interference. It is preferable to be disposed in a region extending from the substrate 210 .

이와 같은, 제어 기판(250)에는 제어 IC(Integrated Circuit)칩(242), 통신 IC칩(243), 충전 IC칩(미도시) 및 메모리(244) 중 적어도 하나를 구비할 수 있다.The control board 250 may include at least one of a control integrated circuit (IC) chip 242 , a communication IC chip 243 , a charger IC chip (not shown), and a memory 244 .

통신 IC칩(243)은 외부와의 무선 통신을 위한 구성으로 센서(241)에 의해 센싱된 센싱 정보를 무선으로 송신하고, 센서(241)의 동작을 제어하기 위한 제어 정보를 무선으로 수신한다. The communication IC chip 243 is a component for wireless communication with the outside, wirelessly transmits sensing information sensed by the sensor 241, and wirelessly receives control information for controlling the operation of the sensor 241.

여기서, 제어 정보는 반도체 공정 진단 센서 장치가 사용될 공정과 그 공정에 요구되는 조건을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제어 정보는 반도체 공정 진단 센서 장치가 어느 공정에 사용되는지를 정의하고, 그 정의된 공정에서의 센싱 온도, 센싱 시간 및 센싱 방식 등에 대한 설정 값을 포함할 수 있다.Here, the control information may include a process in which the semiconductor process diagnosis sensor device is to be used and conditions required for the process. For example, the control information may define a process in which the semiconductor process diagnosis sensor device is used, and may include set values for sensing temperature, sensing time, and sensing method in the defined process.

제어 IC(242)는 제어 정보를 이용하여 센서(241)의 동작을 제어할 수 있다. 즉, 제어 IC(242)는 제어 정보에 포함된 설정 값에 기반하여 센서(241)가 동작하도록 제어할 수 있다.The control IC 242 may control the operation of the sensor 241 using control information. That is, the control IC 242 may control the sensor 241 to operate based on the setting value included in the control information.

통신 IC칩(243)은 외부와 무선 통신을 수행하기 위해 통신 안테나(232)에 연결된다. 여기서, 통신 안테나(232)는 나선 루프의 코일 형태로 이루어지며 회로 기판(200)의 중앙에 고리 형상으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The communication IC chip 243 is connected to the communication antenna 232 to perform wireless communication with the outside. Here, the communication antenna 232 is formed in the form of a spiral loop coil and may be formed in a ring shape at the center of the circuit board 200, but is not limited thereto.

센서 기판(220)은 배터리(도 5의 245)가 장착되는 배터리 단자(245a)를 구비할 수 있다. 여기서, 배터리(도 5의 245)는, 센서(241), 통신 IC칩(243) 및 제어 IC칩(242)을 포함하여 반도체 공정 진단 센서 장치에 구비되는 구성 요소들의 구동을 위한 전원을 공급한다.The sensor substrate 220 may include a battery terminal 245a to which a battery ( 245 in FIG. 5 ) is mounted. Here, the battery (245 in FIG. 5) supplies power for driving components included in the semiconductor process diagnosis sensor device, including the sensor 241, the communication IC chip 243, and the control IC chip 242. .

충전 IC칩(미도시)은 배터리(도 5의 245)에 대한 무선 충전을 수행하며, 무선 충전을 위해 충전 안테나(231)와 연결된다. 여기서, 충전 안테나(231)는 나선 루프의 코일 형태로 이루어지며, 회로 기판(200)의 중앙에 원형으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The charging IC chip (not shown) performs wireless charging of the battery (245 in FIG. 5) and is connected to the charging antenna 231 for wireless charging. Here, the charging antenna 231 is formed in the form of a spiral loop coil, and may be formed in a circular shape at the center of the circuit board 200, but is not limited thereto.

메모리(244)는 센서(241)의 동작을 제어하기 위한 제어 정보를 저장하고, 센서(241)에 의해 센싱된 센싱 정보를 저장할 수 있다. 또한, 메모리(244)는 반도체 공정 진단 센서 장치가 사용된 공정을 기록한 로그 데이터를 저장할 수 있다.The memory 244 may store control information for controlling the operation of the sensor 241 and may store sensing information sensed by the sensor 241 . Also, the memory 244 may store log data recording a process in which the semiconductor process diagnosis sensor device is used.

여기서, 로그 데이터는 반도체 공정 진단 센서 장치가 어떤 공정에서 어떤 조건으로 사용되었는지에 대한 정보를 포함할 수 있다.Here, the log data may include information on which process and under which conditions the semiconductor process diagnosis sensor device was used.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치의 하부 케이스의 평면도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치의 상부 케이스의 평면도이고, 도 5는 도 3의 하부 케이스에 안착된 회로 기판을 도시한 도면이다.3 is a plan view of a lower case of a semiconductor process diagnosis sensor device according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a plan view of an upper case of a semiconductor process diagnosis sensor device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a plan view of FIG. It is a drawing showing the circuit board seated in the lower case.

도 3 및 도 5를 참조하면, 하부 케이스(100)는, 회로 기판(200)이 안착되는 안착홈(110)이 회로 기판(200)과 대응하는 형상으로 형성된다. 구체적으로, 안착홈(110)은, 동심원 형태의 안테나 기판(210)의 하부면과 대응하는 형상과, 방사형의 센서 기판(220)의 하부면과 대응하는 형상과, 제어 기판(250)의 하부면과 대응하는 형상으로 각각 형성될 수 있다.Referring to FIGS. 3 and 5 , in the lower case 100 , a seating groove 110 in which the circuit board 200 is seated is formed in a shape corresponding to the circuit board 200 . Specifically, the seating groove 110 has a shape corresponding to the lower surface of the concentric antenna substrate 210, a shape corresponding to the lower surface of the radial sensor substrate 220, and a lower portion of the control substrate 250. Each may be formed in a shape corresponding to the surface.

도 4 및 도 5를 참조하면, 상부 케이스(300)는, 전자 부품(240)이 삽입되는 복수의 삽입홈(310)이 복수의 전자 부품(240)과 대응하는 형상으로 형성된다. 구체적으로, 삽입홈(310)은 회로 기판(200)에 전자 부품(240)이 실장된 위치에 전자 부품(240) 상부면과 대응하는 형상으로 형성될 수 있다.Referring to FIGS. 4 and 5 , in the upper case 300 , a plurality of insertion grooves 310 into which electronic components 240 are inserted are formed in a shape corresponding to the plurality of electronic components 240 . Specifically, the insertion groove 310 may be formed in a shape corresponding to an upper surface of the electronic component 240 at a position where the electronic component 240 is mounted on the circuit board 200 .

전술한 안착홈(110) 및 삽입홈(310)은 에칭(Wet etching) 기법으로 형성되는 것이 바람직하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.The above-described seating groove 110 and insertion groove 310 are preferably formed by a etching (wet etching) technique, but are not limited thereto.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치의 단면도로서, 도 5의 Ⅵ-Ⅵ을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 6 is a cross-sectional view of a semiconductor process diagnostic sensor device according to an embodiment of the present invention, taken along line VI-VI of FIG. 5 .

도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치는, 하부 케이스(100), 회로 기판(200), 상부 케이스(300) 및 제1 접착층(121)을 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 6 , the semiconductor process diagnosis sensor device according to an embodiment of the present invention may include a lower case 100, a circuit board 200, an upper case 300, and a first adhesive layer 121. there is.

하부 케이스(100)는 안착홈(110)이 형성되며, 이 안착홈(110)에 전자 부품(240)을 실장한 회로 기판(200)이 배치된다. 여기서, 전자 부품(240)은 회로 기판(200)의 배선에 솔더링(Soldering)되고, 회로 기판(200)은 접착제에 의해 하부 케이스(100)의 안착홈(110)에 부착될 수 있다.In the lower case 100, a seating groove 110 is formed, and a circuit board 200 on which an electronic component 240 is mounted is disposed in the seating groove 110. Here, the electronic component 240 may be soldered to the wiring of the circuit board 200, and the circuit board 200 may be attached to the seating groove 110 of the lower case 100 by an adhesive.

상부 케이스(300)는, 깊이가 다른 복수의 삽입홈(310)이 형성되며, 이 복수의 삽입홈(310)에 전자 부품(240)이 삽입되도록 하부 케이스(100)와 합착된다. 그리고, 제1 접착층(121)은 안착홈(110) 및 복수의 삽입홈(310) 내부에 배치된다. 여기서, 제1 접착층(121)은 경도가 shore A40 이하이고, 연신률이 30% 이상인 Si 계열 물질로 이루어질 수 있다.The upper case 300 has a plurality of insertion grooves 310 having different depths, and is bonded to the lower case 100 so that the electronic component 240 is inserted into the plurality of insertion grooves 310 . Also, the first adhesive layer 121 is disposed inside the seating groove 110 and the plurality of insertion grooves 310 . Here, the first adhesive layer 121 may be made of a Si-based material having a hardness of shore A40 or less and an elongation of 30% or more.

복수의 삽입홈(310)은 복수의 전자 부품(240)의 높이에 따라 그 깊이가 다르게 형성된다. 이에 따라, 복수의 전자 부품(240)이 각각의 삽입홈(310)에 밀착 접촉할 수 있어 센서 장치의 내구성이 향상되어 온도 상승 시 센서 장치의 휨 현상을 방지할 수 있다.The plurality of insertion grooves 310 are formed to have different depths according to the heights of the plurality of electronic components 240 . Accordingly, since the plurality of electronic components 240 can come into close contact with each insertion groove 310, the durability of the sensor device can be improved, thereby preventing the sensor device from bending when the temperature rises.

하부 케이스(100) 및 상부 케이스(300)가 합착되면, 제1 접착층(121)은 안착홈(110) 및 삽입홈(310)에 완전히 채워져 전자 부품(240)을 감싸는 형태로 배치됨으로써, 하부 케이스(100)와 상부 케이스(300)가 합착된 상태에서, 안착홈(110) 및 삽입홈(310) 내부에 기공이 포함되지 않도록 하는 것을 특징으로 한다.When the lower case 100 and the upper case 300 are bonded together, the first adhesive layer 121 completely fills the seating groove 110 and the insertion groove 310 and is disposed to surround the electronic component 240, so that the lower case In a state in which the 100 and the upper case 300 are bonded, it is characterized in that pores are not included in the seating groove 110 and the insertion groove 310.

이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치는 안착홈(110) 및 삽입홈(310) 내부에 기공이 포함되지 않도록 제1 접착층(121)을 배치함으로써, 온도 상승에 따른 기공 팽창으로 인해 발생하는 센서 장치 휨(Warpage) 현상을 방지할 수 있다.As such, the semiconductor process diagnostic sensor device according to the embodiment of the present invention arranges the first adhesive layer 121 so that pores are not included in the seating groove 110 and the insertion groove 310, so that the pores expand according to the temperature rise. It is possible to prevent the sensor device warpage caused by this.

또한, 제1 접착층(121)은 열팽창계수가 하부 케이스(100) 및 상부 케이스(300) 보다 작거나 하부 케이스(100) 및 상부 케이스(300)와 동일한 것을 특징으로 한다.In addition, the first adhesive layer 121 is characterized in that the coefficient of thermal expansion is smaller than that of the lower case 100 and the upper case 300 or equal to that of the lower case 100 and the upper case 300 .

이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치는 열팽창계수가 비교적 작은 제1 접착층(121)을 안착홈(110) 및 삽입홈(310) 사이에 배치함으로써, 온도 상승에 따른 제1 접착층(121) 팽창으로 인해 발생하는 센서 장치 휨(Warpage) 현상을 방지할 수 있다.As described above, the semiconductor process diagnosis sensor device according to the embodiment of the present invention disposes the first adhesive layer 121 having a relatively small thermal expansion coefficient between the seating groove 110 and the insertion groove 310, so that the first adhesive layer 121 according to the temperature rise Warpage of the sensor device caused by expansion of the adhesive layer 121 may be prevented.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치는, 전자 부품(240)이 실장된 영역 즉, 솔더링 영역에 배치되는 제2 접착층(122)을 더 포함하여 구성될 수 있다. 여기서, 솔더링 영역은 회로 기판(200)과 전자 부품(240) 사이의 빈 공간을 포함하게 되는데, 제2 접착층(122)은 이 빈 공간에 접착제를 언더필(Underfill) 공정으로 채워 넣어 형성된 것으로, 회로 기판(200)에 전자 부품(240)을 견고하게 고정하는 역할을 수행함으로써, 센서 장치 휨 현상으로 인해 발생되는 전자 부품(240)의 박리를 방지할 수 있다.The semiconductor process diagnosis sensor device according to an embodiment of the present invention may further include a second adhesive layer 122 disposed in a region where the electronic component 240 is mounted, that is, a soldering region. Here, the soldering area includes an empty space between the circuit board 200 and the electronic component 240, and the second adhesive layer 122 is formed by filling the empty space with an adhesive through an underfill process. By performing a role of firmly fixing the electronic component 240 to the substrate 200, separation of the electronic component 240 caused by bending of the sensor device may be prevented.

제2 접착층(122)은 경도 shore D50 이상이고, 연신률이 5% 이하인 접촉 에폭시 물질로 이루어질 수 있다.The second adhesive layer 122 may be made of a contact epoxy material having a hardness of shore D50 or more and an elongation of 5% or less.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치는 제1 접착층(121)의 열전도도가 제2 접착층(122) 보다 더 높은 것을 특징으로 한다. 예를 들어, 제1 접착층(121)의 열전도도는 0.8W/m*K 이상일 수 있다. 이를 위해, 제1 접착층(121)은 별도의 열전도성 물질을 포함할 수 있다, 그리고, 이 열전도성 물질은 전자 부품(240)의 쇼트(Shrot)를 방지하기 위해 도전성이 없는 물질인 것이 바람직하다.In the semiconductor process diagnosis sensor device according to an embodiment of the present invention, the thermal conductivity of the first adhesive layer 121 is higher than that of the second adhesive layer 122 . For example, the thermal conductivity of the first adhesive layer 121 may be 0.8 W/m*K or more. To this end, the first adhesive layer 121 may include a separate thermally conductive material, and it is preferable that the thermally conductive material is a non-conductive material in order to prevent the electronic component 240 from being shorted. .

구체적으로, 제1 접착층(121)은 안착홈(110) 및 삽입홈(310)에 완전히 채워진 형태로 배치되어 센서(241)를 감싸게 되는데, 열전도도가 비교적 높은 제1 접착층(121)을 이와 같은 형태로 배치함으로써, 반도체 공정 진단 센서 장치가 로딩된 챔버 내부 온도나 챔버에 로딩된 반도체 공정 진단 센서 장치의 자체 온도를 정밀하게 센싱할 수 있게 된다. 반면, 제2 접착층(122)은 센서(241)의 온도 센싱을 정밀하게 하는 구성이 아니라 전자 부품(240)을 회로 기판(200)에 견고히 고정시키는 역할을 수행하는 구성으로 열전도도가 비교적 낮더라도 무방하다.Specifically, the first adhesive layer 121 is disposed in a form completely filled in the seating groove 110 and the insertion groove 310 to surround the sensor 241, and the first adhesive layer 121 having relatively high thermal conductivity is used as such. By arranging the semiconductor process diagnosis sensor device, it is possible to precisely sense the internal temperature of the chamber in which the semiconductor process diagnosis sensor device is loaded or the temperature of the semiconductor process diagnosis sensor device loaded into the chamber. On the other hand, the second adhesive layer 122 is not a component that accurately senses the temperature of the sensor 241, but a component that serves to firmly fix the electronic component 240 to the circuit board 200, even if its thermal conductivity is relatively low. free

복수의 삽입홈(310)은 복수의 전자 부품(240)의 높이에 대응하는 깊이로 형성될 수 있다. 예를 들어, 통신 IC칩(243)이 삽입되는 삽입홈(310)의 깊이(h1)는 통신 IC칩(243)의 높이에 대응하여 비교적 깊게 형성할 수 있고, 센서(241)가 삽입되는 삽입홈(310)의 깊이(h2)는 센서(241)의 높이에 대응하여 비교적 얕게 형성할 수 있다. The plurality of insertion grooves 310 may be formed to a depth corresponding to the height of the plurality of electronic components 240 . For example, the depth h1 of the insertion groove 310 into which the communication IC chip 243 is inserted can be formed relatively deep corresponding to the height of the communication IC chip 243, and the sensor 241 is inserted into the insertion hole. The depth h2 of the groove 310 may be formed relatively shallow to correspond to the height of the sensor 241 .

복수의 전자 부품(240)은, 기준 높이 보다 높은 높이를 갖는 복수의 제1 전자 부품과, 기준 높이 보다 낮은 높이를 갖는 복수의 제2 전자 부품을 포함할 수 있다.The plurality of electronic components 240 may include a plurality of first electronic components having a height higher than the standard height and a plurality of second electronic components having a height lower than the standard height.

여기서, 복수의 삽입홈(310)은 복수의 제1 전자 부품 중 가장 높은 높이를 갖는 전자 부품(240)의 높이에 대응하는 깊이로 형성되는 제1 삽입홈과, 복수의 제2 전자 부품 중 가장 높은 높이를 갖는 전자 부품(240)의 높이에 대응하는 깊이로 형성되는 제2 삽입홈을 포함할 수 있다.Here, the plurality of insertion grooves 310 are the first insertion groove formed to a depth corresponding to the height of the electronic component 240 having the highest height among the plurality of first electronic components, and the largest among the plurality of second electronic components. A second insertion groove formed to a depth corresponding to the height of the electronic component 240 having a high height may be included.

이와 같이, 기준 높이를 기준으로 높이가 다른 2개의 삽입홈(310)을 형성함에 따라 전자 부품(240)의 깊이 마다 삽입홈(310)을 다르게 형성하는 것 대비 제조 공정을 줄여 제조 비용을 절감할 수 있다.In this way, as the two insertion grooves 310 having different heights are formed based on the standard height, manufacturing costs can be reduced by reducing the manufacturing process compared to forming the insertion grooves 310 differently for each depth of the electronic component 240. can

도 6을 참조하면, 하부 케이스(100)와 상부 케이스(200)가 합착되고 나면, 전자 부품(240)의 하부는 하부 케이스(100)의 안착홈(110) 내부에 위치하게 되고, 전자 부품(240)의 상부는 상부 케이스(300)의 삽입홈(310) 내부에 위치할 수 있다.Referring to FIG. 6 , after the lower case 100 and the upper case 200 are bonded, the lower portion of the electronic component 240 is positioned inside the seating groove 110 of the lower case 100, and the electronic component ( 240) may be located inside the insertion groove 310 of the upper case 300.

안착홈(110)은 복수의 전자 부품(240)의 하부가 안착되는 부분이 그 이외의 부분 보다 깊이가 더 깊게 형성될 수 있다. 여기서, 안착홈(110)의 깊이 차이로 인해 단차가 발생하면 상부 케이스(300) 및 하부 케이스(100) 합착 시 복수의 전자 부품(240)의 하부 가장자리에 대응한 회로 기판(200)도 단차(급격한 구부러짐)가 발생하여 저항이 증가하는 문제점이 발생한다.In the seating groove 110, a portion where the lower portions of the plurality of electronic components 240 are seated may be formed deeper than other portions. Here, if a step occurs due to a difference in depth of the seating groove 110, when the upper case 300 and the lower case 100 are bonded, the circuit board 200 corresponding to the lower edge of the plurality of electronic components 240 also has a step ( sudden bending) occurs, resulting in an increase in resistance.

이와 같은 문제점을 해소하기 위해, 안착홈(110)은 복수의 전자 부품(240)의 하부 가장자리에 대응하여 경사면이 형성되는 것이 바람직하다. In order to solve this problem, it is preferable that the seating groove 110 has an inclined surface corresponding to the lower edges of the plurality of electronic components 240 .

이에 따라, 안착홈(110)에 형성된 경사면을 따라 복수의 전자 부품(240)의 하부 가장자리에 대응한 회로 기판(200)도 완만히 구부러져 저항을 감소시키게 된다.Accordingly, the circuit board 200 corresponding to the lower edge of the plurality of electronic components 240 is also gently bent along the inclined surface formed in the seating groove 110 to reduce resistance.

도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치 제조 방법의 순서도이다.7A to 7E are flowcharts of a method of manufacturing a semiconductor process diagnosis sensor device according to an embodiment of the present invention.

이하, 도 1 내지 도 7e를 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치 제조 방법을 설명하되, 전술한 본 발명의 실시예에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치와 동일한 내용에 대해서는 생략하겠다.Hereinafter, a method of manufacturing a semiconductor process diagnosis sensor device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. .

먼저, 도 2를 참조하면, 동심원 형태를 갖는 안테나 기판(210)과, 안테나 기판(210)의 외측원에서 외측으로 연장되며 방사형으로 배열되는 복수의 센서 기판(220)과, 센서 기판(220)이 안테나 기판(210)에서 연장되는 영역에 제어 기판(250)을 포함하는 회로 기판(200)을 생성한다.First, referring to FIG. 2, an antenna substrate 210 having a concentric circle shape, a plurality of sensor substrates 220 extending outward from an outer circle of the antenna substrate 210 and arranged radially, and a sensor substrate 220 A circuit board 200 including a control board 250 is created in a region extending from the antenna board 210 .

다음, 회로 기판(200) 상부에 센서(241), IC(Integrated Circuit) 칩(242, 234, 244) 및 배터리(245) 중 적어도 하나를 포함하며 높이가 다른 복수의 전자 부품(240)을 실장한다. 즉, 전자 부품(240)을 회로 기판(200)의 배선에 솔더링(Soldering)한다.Next, a plurality of electronic components 240 having different heights including at least one of a sensor 241, integrated circuit (IC) chips 242, 234, and 244, and a battery 245 are mounted on the circuit board 200. do. That is, the electronic component 240 is soldered to the wiring of the circuit board 200 .

구체적으로, 안테나 기판(210)의 내측원(212)에 코일 형태의 충전 안테나(231)를 형성하고, 안테나 기판(210)의 외측원(211)에 코일 형태의 통신 안테나(232)를 형성하고, 복수의 센서 기판(220)에 복수의 센서(241)를 실장하고, 제어 기판(250)에 제어 IC(Integrated Circuit)칩(242), 통신 IC칩(243) 및 메모리(244) 중 적어도 하나를 실장한다.Specifically, a coil-shaped charging antenna 231 is formed on the inner circle 212 of the antenna substrate 210, and a coil-shaped communication antenna 232 is formed on the outer circle 211 of the antenna substrate 210. , A plurality of sensors 241 are mounted on a plurality of sensor boards 220, and at least one of a control IC (Integrated Circuit) chip 242, a communication IC chip 243, and a memory 244 is mounted on the control board 250. mount the

다음, 도 7a에 도시한 바와 같이, 상부 케이스(300)에 복수의 전자 부품(240)과 대응하는 형상으로 깊이가 다른 복수의 삽입홈(310)을 형성한다. 이 때, 삽입홈(310)은 에칭(Wet etching) 기법으로 형성될 수 있다.Next, as shown in FIG. 7A , a plurality of insertion grooves 310 having different depths in a shape corresponding to the plurality of electronic components 240 are formed in the upper case 300 . At this time, the insertion groove 310 may be formed by a etching (wet etching) technique.

여기서, 복수의 삽입홈(310)은 복수의 전자 부품(240)의 높이에 따라 그 깊이가 다르게 형성된다. 이에 따라, 복수의 전자 부품(240)이 각각의 삽입홈(310)에 밀착 접촉할 수 있어 센서 장치의 내구성이 향상되어 온도 상승 시 센서 장치의 휨 현상을 방지할 수 있다.Here, the plurality of insertion grooves 310 are formed to have different depths according to the heights of the plurality of electronic components 240 . Accordingly, since the plurality of electronic components 240 can come into close contact with each insertion groove 310, the durability of the sensor device can be improved, thereby preventing the sensor device from bending when the temperature rises.

또한, 복수의 삽입홈(310)은 복수의 전자 부품(240)의 높이에 대응하는 깊이로 형성될 수 있다.In addition, the plurality of insertion grooves 310 may be formed to a depth corresponding to the height of the plurality of electronic components 240 .

또한, 복수의 전자 부품(240)은, 기준 높이 보다 높은 높이를 갖는 복수의 제1 전자 부품과, 기준 높이 보다 낮은 높이를 갖는 복수의 제2 전자 부품을 포함할 수 있다.Also, the plurality of electronic components 240 may include a plurality of first electronic components having a height higher than the standard height and a plurality of second electronic components having a height lower than the standard height.

다음, 도 7b에 도시한 바와 같이, 상부 케이스(300)에 형성된 복수의 삽입홈(310)에 제1 접착제(121a)를 도포하고, 복수의 삽입홈(310)에 복수의 전자 부품(240)을 삽입하고 제1 접착제(121a)를 경화한다.Next, as shown in FIG. 7B, the first adhesive 121a is applied to the plurality of insertion grooves 310 formed in the upper case 300, and the plurality of electronic components 240 are applied to the plurality of insertion grooves 310. is inserted and the first adhesive 121a is cured.

다음, 도 7c에 도시한 바와 같이, 하부 케이스(100)에 회로 기판(200)과 대응하는 형상으로 안착홈(110)을 형성한다. 이 때, 안착홈(110)은 에칭(Wet etching) 기법으로 형성될 수 있다.Next, as shown in FIG. 7C , a seating groove 110 is formed in the lower case 100 in a shape corresponding to that of the circuit board 200 . At this time, the seating groove 110 may be formed by a etching (wet etching) technique.

여기서, 안착홈(110)은 복수의 전자 부품(240)의 하부가 안착되는 부분이 그 이외의 부분 보다 깊이가 더 깊게 형성될 수 있다. Here, the seating groove 110 may be formed deeper in a portion where the lower portions of the plurality of electronic components 240 are seated than in other portions.

다음, 도 7d에 도시한 바와 같이, 안착홈(110)에 제1 접착제(121a)를 도포하고, 안착홈(110)에 회로 기판(200)이 안착되도록 하부 케이스(100) 및 상부 케이스(300)를 합착한다.Next, as shown in FIG. 7D, the first adhesive 121a is applied to the seating groove 110, and the lower case 100 and the upper case 300 are seated on the seating groove 110 so that the circuit board 200 is seated. ) to coalesce.

여기서, 하부 케이스(100)의 안착홈(110)은 위를 향하도록 하고, 상부 케이스(300)의 삽입홈(310)은 아래를 향하도록 하여 하부 케이스(100) 및 상부 케이스(300)를 합착한다. 이는, 하부 케이스(100)의 안착홈(110)을 아래로 향하도록 하여 합착하게 되면, 합착 과정에서 아직 경화되지 않은 제1 접착제(121a)가 중력에 의해 아래로 흘러 내리기 때문에 이를 방지하기 위함이다.Here, the seating groove 110 of the lower case 100 faces upward and the insertion groove 310 of the upper case 300 faces downward so that the lower case 100 and the upper case 300 are bonded together. do. This is to prevent the uncured first adhesive 121a from flowing down due to gravity during the bonding process when bonding is performed with the seating groove 110 of the lower case 100 facing downward. .

전술한 바와 같이, 안착홈(110)의 깊이 차이로 인해 단차가 발생하면 상부 케이스(300) 및 하부 케이스(100) 합착 시 복수의 전자 부품(240)의 하부 가장자리에 대응한 회로 기판(200)도 단차(급격한 구부러짐)가 발생하여 저항이 증가하는 문제점이 발생한다.As described above, when a step difference occurs due to a difference in depth of the seating groove 110, the circuit board 200 corresponding to the lower edge of the plurality of electronic components 240 when the upper case 300 and the lower case 100 are bonded. Also, there is a problem in that a step difference (abrupt bending) occurs and resistance increases.

다음, 도 7e에 도시한 바와 같이, 전술한 합착 과정에서 회로 기판(200)으로 인해 안착홈(110)에 도포된 제1 접착제(121a)가 하부 케이스(100) 및 상부 케이스(300)의 합착면으로 퍼지게 되고, 합착면으로 퍼진 제1 접착제(121a)를 경화하면 하부 케이스(100) 및 상부 케이스(300)는 합착되고, 제1 접착층(121)이 전자 부품(240)을 감싸는 형태로 형성된다.Next, as shown in FIG. 7E, the first adhesive 121a applied to the seating groove 110 due to the circuit board 200 in the above-described bonding process is bonded to the lower case 100 and the upper case 300. When the first adhesive 121a spreads to the bonding surface and cures, the lower case 100 and the upper case 300 are bonded together, and the first adhesive layer 121 is formed to surround the electronic component 240. do.

지금까지 본 발명의 바람직한 실시 예에 대해 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위 내에서 변형된 형태로 구현할 수 있을 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described so far, those skilled in the art will be able to implement them in a modified form without departing from the essential characteristics of the present invention.

본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시 예들은 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 본 발명의 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것일 뿐이며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 따라서 본 발명의 범위는 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상을 바탕으로 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Embodiments of the present invention disclosed in the present specification and drawings are only presented as specific examples to easily explain the technical content of the present invention and help understanding of the present invention, and are not intended to limit the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should be construed as including all changes or modifications derived based on the technical idea of the present invention in addition to the embodiments disclosed herein.

100: 하부 케이스
110: 안착홈
121: 제1 접착층
122: 제2 접착층
200: 회로 기판
240: 전자 부품
300: 상부 기판
310: 삽입홈100: lower case
110: seating groove
121: first adhesive layer
122: second adhesive layer
200: circuit board
240: electronic component
300: upper board
310: insertion groove

Claims

안착홈이 형성되는 하부 케이스;
높이가 다른 복수의 전자 부품을 실장하며 상기 안착홈에 배치되는 회로 기판;
깊이가 다른 복수의 삽입홈이 형성되며 상기 복수의 삽입홈에 상기 복수의 전자 부품이 삽입되도록 상기 하부 케이스와 합착되는 상부 케이스; 및
상기 안착홈 및 상기 복수의 삽입홈 사이에 배치되는 접착층을 포함하고,
상기 삽입홈은
상기 복수의 전자 부품의 높이에 따라 그 깊이가 다르게 형성되고,
상기 복수의 전자 부품은
기준 높이 보다 높은 높이를 갖는 복수의 제1 전자 부품; 및
상기 기준 높이 보다 낮은 높이를 갖는 복수의 제2 전자 부품을 포함하고,
상기 복수의 삽입홈은
상기 복수의 제1 전자 부품 중 가장 높은 높이를 갖는 전자 부품의 높이에 대응하는 깊이로 형성되는 제1 삽입홈; 및
상기 복수의 제2 전자 부품 중 가장 높은 높이를 갖는 전자 부품의 높이에 대응하는 깊이로 형성되는 제2 삽입홈을 포함하는
반도체 공정 진단 센서 장치.
a lower case in which a seating groove is formed;
a circuit board on which a plurality of electronic components having different heights are mounted and disposed in the seating groove;
an upper case formed with a plurality of insertion grooves having different depths and bonded to the lower case so that the plurality of electronic components are inserted into the plurality of insertion grooves; and
An adhesive layer disposed between the seating groove and the plurality of insertion grooves,
The insertion groove is
The depth is formed differently according to the height of the plurality of electronic components,
The plurality of electronic components
a plurality of first electronic components having a height higher than a reference height; and
a plurality of second electronic components having a height lower than the reference height;
The plurality of insertion grooves
a first insertion groove formed to a depth corresponding to the height of the electronic component having the highest height among the plurality of first electronic components; and
And a second insertion groove formed to a depth corresponding to the height of the electronic component having the highest height among the plurality of second electronic components.
Semiconductor process diagnostic sensor device.

제 1 항에 있어서,
상기 복수의 삽입홈은
상기 복수의 전자 부품의 높이에 대응하는 깊이로 형성되는
반도체 공정 진단 센서 장치.
According to claim 1,
The plurality of insertion grooves
Formed to a depth corresponding to the height of the plurality of electronic components
Semiconductor process diagnostic sensor device.

삭제delete

제 1 항에 있어서,
상기 복수의 전자 부품의 하부는 상기 안착홈 내부에 위치하고,
상기 복수의 전자 부품의 상부는 상기 복수의 삽입홈 내부에 위치하는
반도체 공정 진단 센서 장치.
According to claim 1,
Lower portions of the plurality of electronic components are located inside the seating groove,
Upper portions of the plurality of electronic components are located inside the plurality of insertion grooves.
Semiconductor process diagnostic sensor device.

제 5 항에 있어서,
상기 안착홈은
상기 복수의 전자 부품의 하부가 안착되는 부분이 그 이외의 부분 보다 깊이가 더 깊은
반도체 공정 진단 센서 장치.
According to claim 5,
The seating groove is
The part where the lower portions of the plurality of electronic components are seated is deeper than other parts.
Semiconductor process diagnostic sensor device.

제 6 항에 있어서,
상기 안착홈은
상기 복수의 전자 부품의 하부 가장자리에 대응하여 경사면이 형성되는
반도체 공정 진단 센서 장치.
According to claim 6,
The seating groove is
Inclined surfaces are formed corresponding to the lower edges of the plurality of electronic components.
Semiconductor process diagnostic sensor device.

제 1 항에 있어서,
상기 복수의 전자 부품은
센서, IC(Integrated Circuit) 칩 및 배터리 중 적어도 하나를 포함하는
반도체 공정 진단 센서 장치.
According to claim 1,
The plurality of electronic components
At least one of a sensor, an integrated circuit (IC) chip, and a battery
Semiconductor process diagnostic sensor device.

제 1 항에 있어서,
상기 안착홈은
상기 회로 기판과 대응하는 형상으로 형성되고,
상기 복수의 삽입홈은
상기 복수의 전자 부품과 대응하는 형상으로 형성되는
반도체 공정 진단 센서 장치.
According to claim 1,
The seating groove is
It is formed in a shape corresponding to the circuit board,
The plurality of insertion grooves
Formed in a shape corresponding to the plurality of electronic components
Semiconductor process diagnostic sensor device.

회로 기판에 높이가 다른 복수의 전자 부품을 실장하는 단계;
상부 케이스에 상기 복수의 전자 부품과 대응하는 형상으로 깊이가 다른 복수의 삽입홈을 형성하는 단계;
상기 복수의 삽입홈에 접착제를 도포하는 단계;
상기 복수의 삽입홈에 상기 복수의 전자 부품을 삽입하고 상기 접착제를 경화하는 단계;
하부 케이스에 상기 회로 기판과 대응하는 형상으로 안착홈을 형성하는 단계; 및
상기 안착홈에 상기 접착제를 도포하고, 상기 안착홈에 상기 회로 기판이 안착되도록 상기 하부 케이스 및 상부 케이스를 합착하는 단계를 포함하고,
상기 복수의 삽입홈을 형성하는 단계는
상기 복수의 전자 부품의 높이에 따라 그 깊이를 다르게 형성하는 단계이고,
상기 복수의 전자 부품은
기준 높이 보다 높은 높이를 갖는 복수의 제1 전자 부품; 및
상기 기준 높이 보다 낮은 높이를 갖는 복수의 제2 전자 부품을 포함하고,
상기 복수의 삽입홈을 형성하는 단계는
상기 복수의 제1 전자 부품 중 가장 높은 높이를 갖는 전자 부품의 높이에 대응하는 깊이로 형성되는 제1 삽입홈; 및
상기 복수의 제2 전자 부품 중 가장 높은 높이를 갖는 전자 부품의 높이에 대응하는 깊이로 형성되는 제2 삽입홈을 형성하는 단계인
반도체 공정 진단 센서 장치 제조 방법.
mounting a plurality of electronic components having different heights on a circuit board;
forming a plurality of insertion grooves having different depths in a shape corresponding to the plurality of electronic components in the upper case;
applying an adhesive to the plurality of insertion grooves;
inserting the plurality of electronic components into the plurality of insertion grooves and curing the adhesive;
Forming a seating groove in a lower case in a shape corresponding to the circuit board; and
Applying the adhesive to the seating groove and bonding the lower case and the upper case together so that the circuit board is seated in the seating groove;
Forming the plurality of insertion grooves
Forming the depth differently according to the height of the plurality of electronic components,
The plurality of electronic components
a plurality of first electronic components having a height higher than a reference height; and
a plurality of second electronic components having a height lower than the reference height;
Forming the plurality of insertion grooves
a first insertion groove formed to a depth corresponding to the height of the electronic component having the highest height among the plurality of first electronic components; and
Forming a second insertion groove formed to a depth corresponding to the height of the electronic component having the highest height among the plurality of second electronic components
A method for manufacturing a semiconductor process diagnostic sensor device.

제 10 항에 있어서,
상기 안착홈을 형성하는 단계는
상기 복수의 전자 부품의 하부가 안착되는 부분이 그 이외의 부분 보다 깊이가 더 깊도록 상기 안착홈을 형성하는 단계인
반도체 공정 진단 센서 제조 방법.
According to claim 10,
The step of forming the seating groove is
Forming the seating groove so that a portion where the lower portions of the plurality of electronic components are seated is deeper than other portions,
Manufacturing method of semiconductor process diagnostic sensor.

제 11 항에 있어서,
상기 안착홈을 형성하는 단계는
상기 복수의 전자 부품의 하부 가장자리에 대응하여 경사면이 형성되도록 상기 안착홈을 형성하는 단계인
반도체 공정 진단 센서 제조 방법.
According to claim 11,
The step of forming the seating groove is
Forming the seating groove so that inclined surfaces are formed corresponding to the lower edges of the plurality of electronic components
Manufacturing method of semiconductor process diagnostic sensor.

제 10 항에 있어서,
상기 하부 케이스 및 상부 케이스를 합착하는 단계는
상기 안착홈은 위를 향하도록 하고, 상기 복수의 삽입홈은 아래를 향하도록 하여 상기 하부 케이스 및 상부 케이스를 합착하는 단계인
반도체 공정 진단 센서 장치 제조 방법.
According to claim 10,
The step of bonding the lower case and the upper case
The seating groove is directed upward and the plurality of insertion grooves are directed downward to attach the lower case and the upper case.
A method for manufacturing a semiconductor process diagnostic sensor device.

제 10 항에 있어서,
상기 하부 케이스 및 상부 케이스를 합착하는 단계는
상기 합착 과정에서 상기 회로 기판으로 인해 상기 안착홈에 도포된 상기 접착제가 상기 하부 케이스 및 상부 케이스의 합착면으로 퍼지는 단계; 및
상기 합착면으로 퍼진 상기 접착제를 경화하는 단계를 포함하는
반도체 공정 진단 센서 장치 제조 방법.

According to claim 10,
The step of bonding the lower case and the upper case
Spreading the adhesive applied to the seating groove to bonding surfaces of the lower case and the upper case due to the circuit board during the bonding process; and
Curing the adhesive spread to the bonding surface
A method for manufacturing a semiconductor process diagnostic sensor device.