KR102492053B1 - 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 - Google Patents

반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102492053B1
KR102492053B1 KR1020170106810A KR20170106810A KR102492053B1 KR 102492053 B1 KR102492053 B1 KR 102492053B1 KR 1020170106810 A KR1020170106810 A KR 1020170106810A KR 20170106810 A KR20170106810 A KR 20170106810A KR 102492053 B1 KR102492053 B1 KR 102492053B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
image
ultraviolet light
semiconductor manufacturing
semiconductor devices
Prior art date
Application number
KR1020170106810A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190021709A (ko
Inventor
하경호
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020170106810A priority Critical patent/KR102492053B1/ko
Priority to US16/010,426 priority patent/US10622232B2/en
Priority to CN201810921362.2A priority patent/CN109427605B/zh
Publication of KR20190021709A publication Critical patent/KR20190021709A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102492053B1 publication Critical patent/KR102492053B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B23K26/359—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by providing a line or line pattern, e.g. a dotted break initiation line
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B23K26/402—Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/0053—Control means for lapping machines or devices detecting loss or breakage of a workpiece during lapping
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/10—Image acquisition modality
    • G06T2207/10141—Special mode during image acquisition
    • G06T2207/10144—Varying exposure
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/20—Special algorithmic details
    • G06T2207/20212—Image combination
    • G06T2207/20221—Image fusion; Image merging
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
    • H01L2223/5446—Located in scribe lines

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 제조 방법이 제공된다. 반도체 제조 장치는 일면에 자외선 감응층을 통해 다이 접착 필름(Die Attach Film)과 부착된 웨이퍼를 로딩하는 로딩부, 상기 다이 접착 필름과 접착된 웨이퍼의 일면을 향해 자외선 광을 조사하여 상기 자외선 감응층의 접착력을 약화시키는 자외선 광원, 및 상기 웨이퍼의 일면의 반대면인 타면으로 투과된 자외선 광을 촬상하여 웨이퍼 이미지를 생성하는 카메라를 포함한다.

Description

반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 과정에서 웨이퍼 상에 다양한 물리적 화학적 부하가 가해진다. 특히 반도체 패키징 공정 중, B/L(Back Lap), GAL(Grind After Laser) 등은 웨이퍼 상에 물리적 충격을 가함으로써 반도체 장치의 표면을 가공하기 때문에 웨이퍼 상의 결함 또는 크랙이 발생할 가능성이 문제된다.
최근에는 제품 개발의 양상에 따라 얇은 웨이퍼의 요구가 증가하여 웨이퍼 상의 물리적 결함의 발생 가능성도 늘어나고 있다. 웨이퍼에 발생한 결함을 검출하여 불량인 반도체 장치를 배제할 수 있는 검사 기술이 다양하게 제시된다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 자외선을 통한 결함 검사를 수행할 수 있는 반도체 제조 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 자외선을 통한 결함 검사를 수행할 수 있는 반도체 제조 장치를 이용한 반도체 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치는, 일면에 자외선 감응층을 통해 다이 접착 필름(Die Attach Film)과 부착된 웨이퍼를 로딩하는 로딩부, 상기 다이 접착 필름과 접착된 웨이퍼의 일면을 향해 자외선 광을 조사하여 상기 자외선 감응층의 접착력을 약화시키는 자외선 광원, 및 상기 웨이퍼의 일면의 반대면인 타면으로 투과된 자외선 광을 촬상하여 웨이퍼 이미지를 생성하는 카메라를 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치는, 스크라이브 영역에 의해 구분된 복수의 반도체 장치가 형성되고, 자외선 감응층을 통해 다이 접착 필름과 부착된 웨이퍼의 일면 상에 자외선 광을 조사하여 상기 자외선 감응층을 변형하는 자외선 광원, 상기 웨이퍼의 일면의 반대면인 타면으로 투과된 자외선에 의하여 형성된 이미지를 촬영하는 웨이퍼 이미지를 생성하는 카메라, 및 상기 웨이퍼 이미지를 제공받고, 상기 웨이퍼 이미지로부터 상기 반도체 장치의 표면에 결함이 발생하였는지 여부를 판단하는 이미지 처리부를 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, 복수의 반도체 장치가 스크라이브 영역에 의해 구분된 웨이퍼를 제공하고, 상기 웨이퍼의 일면에 자외선 감응층이 형성된 다이 접착 필름을 부착하여 로딩부에 적재하고, 상기 웨이퍼의 일면으로 자외선 광원을 조사하여 상기 자외선 감응층을 경화하고, 상기 웨이퍼의 타면으로 투과된 자외선 광원을 촬영하여 상기 웨이퍼의 이미지를 얻는 것을 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치는 스크라이브 영역에 의해 구분된 복수의 반도체 장치가 형성되고, 일면에 자외선 감응층을 통해 다이 접착 필름(Die Attach Film)과 부착된 웨이퍼의 타면을 그라인딩하는 그라인더, 상기 웨이퍼의 일면 상에 자외선 광을 조사하여 상기 자외선 감응층을 변형하는 자외선 광원, 상기 웨이퍼의 일면의 반대면인 타면으로 투과된 자외선에 의하여 형성된 이미지를 촬영하는 웨이퍼 이미지를 생성하는 카메라, 상기 웨이퍼 이미지를 제공받고, 상기 웨이퍼 이미지로부터 상기 반도체 장치의 표면에 결함이 발생하였는지 여부를 판단하는 이미지 처리부를 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 설명하기 위한 개념도이다.
도 3은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 의해 검출할 수 있는 반도체 장치의 결함을 도시한다.
도 5a는 및 도 5b는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치가 제공받는 검출한 반도체 장치의 결함을 이용하여 결함 맵 데이터의 갱신을 수행하는 것을 설명하기 위한 개념도이다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치가 노출 시간을 달리하여 생성한 웨이퍼 이미지를 도시한다.
도 7은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치가 구분된 웨이퍼의 영역에 따라 합성된 이미지를 얻는 것을 설명하기 위한 개념도이다.
도 8은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 사시도이다.
도 9는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 설명하기 위한 개념도이다.
도 10은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.
도 11은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치가 구분된 웨이퍼의 영역에 따라 합성된 이미지를 얻는 것을 설명하기 위한 개념도이다.
도 12는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 설명하기 위한 개념도이다.
도 13은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 설명하기 위한 개념도이다.
이하에서 도 1 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 제조 방법을 설명한다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 사시도이고, 도 2는 도 1의 반도체 제조 장치를 설명하기 위한 개념도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치는 로딩부(100), 카메라(200), 자외선 광원(300) 및 이미지 처리부(400) 등을 포함할 수 있다.
로딩부(100)는 웨이퍼(W)를 적재할 수 있다. 로딩부(100)는 자외선 광원(300)으로부터 조사되는 자외선 광(UV)을 투과하는 투명한 소재를 포함할 수 있으며, 구체적으로 유리를 포함할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
다른 몇몇 실시예에서, 로딩부(100)는 웨이퍼(W)에 부착되는 다이 접착 필름(30)의 일면을 자외선 광원(300)에 대하여 노출시키도록 웨이퍼(W)의 외주(40)와 인접하는 일부 영역만을 지지할 수도 있다.
로딩부(100)에 적재되는 웨이퍼(W)는 스크라이브 영역(15)으로 구분된 복수의 반도체 장치(10)를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 웨이퍼(W)는 스크라이브 영역(15)을 따라 레이저가 조사되어 형성된 손상층(damaged layer)를 포함할 수 있다. 상기 손상층은 이후 각각의 반도체 장치(10)를 분리하기 위한 칩 익스팬딩(chip expanding) 또는 소잉 공정의 수행을 위해 웨이퍼(W) 내에 물리적인 손상을 형성하는 층이다.
웨이퍼(W)는 자외선 감응층(20)이 형성된 다이 접착 필름(Die Attach Film, 30)과 접착될 수 있다. 웨이퍼(W)의 두께가 수십㎛ 내지 수백㎛으로 매우 얇기 때문에, 반도체 장치 제조 공정 중 발생할 수 있는 웨이퍼(W)의 휨(warp) 현상을 방지하기 위하여 다이 접착 필름(30)과의 접착을 통하여 충분한 두께를 확보할 수 있다.
다이 접착 필름(30)은 예를 들어, PP(Polypropylene) 필름, 에폭시 필름, 폴리이미드(Polyimide) 필름, PET(Polyethylene Terephthalate) 필름 등의 투명한 소재를 포함할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
자외선 감응층(20)은, 웨이퍼(W)와 다이 접착 필름(30) 사이를 접착시키기 위한 접착력을 제공할 수 있다. 자외선 감응층(20)은 자외선의 조사에 의하여 그 물성이 변화함으로써 접착력이 약화될 수 있으며, 특히 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 자외선 광원(300)으로부터 조사되는 자외선 광(UV)에 의해 접착력이 약화될 수 있다.
즉, 칩 익스팬딩 또는 소잉 공정의 수행이 완료된 후 다이 접착(die attach) 공정을 수행하기 위해 반도체 장치(10)를 다이 접착 필름(30)으로부터 분리할 필요가 있다. 자외선이 조사된 자외선 감응층(20)의 접착력이 약해짐에 따라 반도체 장치(10)가 다이 접착 필름(30)으로부터 용이하게 분리될 수 있다. 자외선 감응층(20)은 예를 들어, 자외선의 조사에 의해 경화되는 아크릴계 수지를 포함할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
다이 접착 필름(30)과 마찬가지로, 자외선 감응층(20)은 투명한 소재를 포함하기 때문에 자외선 광원(300)으로부터 조사된 자외선 광(UV)이 웨이퍼(W)의 일면으로 도달할 수 있다.
본 명세서에서, 웨이퍼(W)의 양면 중 다이 접착 필름(30)이 부착되어 로딩부(100)와 대향하여 적재되는 면을 웨이퍼(W)의 일면, 그 반대면을 타면으로 지칭하여 설명한다.
몇몇 실시예에서, 다이 접착 필름(30) 상에 웨이퍼(W)와 함께 링 마운트(110)가 부착될 수 있다. 링 마운트(110)는 웨이퍼(W)의 외주(40)를 둘러싸되, 웨이퍼(W)의 외주(40)와 일정 간격 이격되도록 다이 접착 필름(30) 상에 배치될 수 있다. 링 마운트(110)는 이후의 칩 익스팬드 또는 소잉 공정에서 발생하는 웨이퍼(W)의 휨 현상을 방지할 수 있다.
웨이퍼(W)가 적재된 로딩부(100)의 하면에는 자외선 광원(300)이 배치될 수 있다. 자외선 광원(300)은 웨이퍼(W) 및 다이 접착 필름(30)으로 자외선을 조사할 수 있다. 자외선 광원(300)으로부터 조사된 자외선 광(UV)은, 웨이퍼(W)와 다이 접착 필름(30) 사이의 접착력을 약화시킬 수 있으며, 카메라(200)에 의하여 촬영됨으로써 웨이퍼(W)의 표면의 결함 검사를 수행하기 위하여 이용될 수 있다.
자외선 광원(300)은 자외선 광(UV)을 발생시키는 램프(310)를 포함할 수 있다. 램프(310)는 예를 들어, CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp) 또는 LED(Light Emitting Diode) 램프를 포함할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 램프(310)는 자외선 영역, 즉 10 내지 400 nm의 파장 영역의 자외선 광(UV)를 발생시킬 수 있다.
몇몇 실시예에서, 자외선 광원(300)은 램프(310)로부터 발생한 자외선 광을 웨이퍼(W)의 표면의 전면으로 확산시키는 렌즈(305)를 포함할 수 있다. 렌즈(305)를 통과한 자외선 광(UV)은 웨이퍼(W) 또는 다이 접착 필름(30)의 전면으로 조사될 수 있다.
다이 접착 필름(30)이 부착된 웨이퍼(W)의 면을 일면이라 하면, 일면의 반대면인 타면 상에는 카메라(200)가 배치될 수 있다. 카메라(200)는 웨이퍼(W)의 타면으로 투과된 자외선 광을 촬상하여 웨이퍼(W)의 이미지를 생성할 수 있다.
카메라(200)는 렌즈(210)로 공급된 광 신호를 전기적 신호로 변환하는 CCD(Charge-Coupled Device) 이미지 센서 또는 CMOS(Complementary Metal oxide semiconductor) 이미지 센서를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 카메라(200)는, 자외선 광원(300)이 조사하는 10 내지 400nm 대역의 파장의 광을 통과시키기 위한 필터를 더 포함할 수 있다.
앞서 자외선 광원(300)이 웨이퍼(W)의 일면 전면에 대하여 자외선 광(UV)을 조사하는 것과 같이, 카메라(200)는 웨이퍼(W)의 타면 전면을 촬영하여 웨이퍼(W)의 이미지를 생성할 수 있다.
카메라(200)는 이미지 처리부(400)와 연결될 수 있다. 이미지 처리부(400)는 카메라(200)가 생성한 웨이퍼(W)의 이미지를 처리할 수 있다. 예를 들어, 이미지 처리부(400)는 웨이퍼(W) 상의 서로 다른 영역의 이미지를 합성하여 하나의 이미지를 생성할 수 있다. 이에 관련하여 자세한 설명은 후술한다.
이미지 처리부(400)는 예를 들어, 적어도 하나 이상의 CPU(Central Processing Unit), GPU(Graphic Processing Unit), 또는 AP(Application Processor)를 포함할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 이와는 달리, 이미지 처리부(400)는 FPGA(Field Programmable Gate Array) 또는 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)과 같은 특별한 목적의 논리 회로에 의해 구현되는 장치를 포함할 수도 있다.
몇몇 실시에에서, 이미지 처리부(400)는 맵 저장부(410)를 포함할 수 있다. 맵 저장부(410)는 웨이퍼(W)의 결함 여부가 표시된 맵 데이터를 저장할 수 있다. 구체적으로, 맵 데이터는 반도체 장치(10)의 제조 과정에서, 결함이 발생한 반도체 장치(10)의 위치, 결함의 종류 등에 관한 정보를 포함할 수 있다.
맵 저장부(410)는 예를 들어, 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive(SSD)), 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive(HDD))와 같은 비휘발성 저장 매체 또는, DRAM(Dynamic Random Access Memory) 등과 같은 휘발성 저장 매체를 포함할 수 있다.
이전 공정에서 웨이퍼(W) 상의 결함 정보가 저장된 맵 데이터가 이미지 처리부(400)에 제공되면, 이미지 처리부(400)는 맵 데이터를 맵 저장부(410)에 저장한다. 이후, 카메라(200)가 웨이퍼(W)의 이미지를 생성하면, 이미지 처리부(400)는 이를 기초로 반도체 장치(10)의 결함 여부에 관한 맵 데이터를 저장하여 맵 저장부(410)에 다시 저장할 수 있다. 이후, 이미지 처리부(400)는 맵 저장부(410)에 저장된 맵 데이터를 후속 공정으로 제공할 수 있다.
도 3은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 제조 장치의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 제조 장치에 의한 반도체 장치 제조 방법은, 스크라이브 영역(15)에 의해 복수의 반도체 장치(10)가 구분된 웨이퍼(W)를 제공하고(S110), 웨이퍼(W)에 자외선 감응층(20)을 포함하는 다이 접착 필름(30)을 부착하여 로딩부(100)에 적재하고(S120), 웨이퍼(W)의 일면으로 자외선 광(UV)를 조사하고(S130), 웨이퍼(W)의 타면으로 투과되는 자외선 광을 촬영하여 웨이퍼(W)의 이미지를 생성하고(S140), 웨이퍼(W) 이미지에 나타난 결함 유무를 판단하고(S150), 웨이퍼(W)의 결함 여부에 관한 맵 데이터를 갱신하는 것을 포함한다(S160).
먼저, 스크라이브 영역(15)에 의해 복수의 반도체 장치(10)가 구분된 웨이퍼(W)를 제공한다(S110). 몇몇 실시예에서, 웨이퍼(W)의 일면은 그라인딩(grinding)이 수행되어 있을 수 있다. 즉, 웨이퍼(W)는 레이저로 스크라이브 영역(15)에 물리적 데미지가 생성된 후 GAL(Grind After Laser) 공정이 수행하거나, B/L(Back Lap) 공정이 수행되어 두께가 얇아진 상태일 수 있다.
이후, 웨이퍼(W)에 자외선 감응층(20)을 포함하는 다이 접착 필름(30)을 부착하여 로딩부(100)에 적재한다(S120). 웨이퍼(W)는 다이 접착 필름(30)에 부착됨으로써 두께가 확보되어 휨 현상이 방지될 수 있다. 자외선 감응층(20)은 이후 이어지는 자외선 광(UV) 조사 과정에 의해 접착력이 약화될 수 있다.
이어서, 자외선 광원(300)은 웨이퍼(W)의 일면으로 자외선 광(UV)을 조사한다(S130). 웨이퍼(W)의 일면으로 조사된 자외선 광(UV)은 로딩부(100)를 통과하여 다이 접착 필름(30) 및 자외선 감응층(20)으로 도달할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 자외선 광원(300)은 웨이퍼(W)의 일면의 전면으로 자외선 광(UV)을 조사할 수 있다. 조사된 자외선 광(UV)에 의해, 자외선 감응층(20)이 변형되어 웨이퍼(W)와 다이 접착 필름(30) 사이의 접착력이 약화될 수 있다.
상술한 것과 같이, 로딩부(100)로 도달한 자외선 광(UV)은 투명한 소재를 포함하는 다이 접착 필름(30) 및 자외선 감응층(20)을 통과하여 웨이퍼(W)의 일면으로 도달할 수 있다.
다음으로, 카메라(200)는 웨이퍼(W)의 타면으로 투과된 자외선 광(UV)에 의한 웨이퍼의 이미지를 촬영한다(S140).
내부에 형성된 회로 구조를 포함하는 웨이퍼(W)는 일면으로 조사된 자외선 광(UV)를 차단할 수 있다. 즉, 카메라(200)에 의해 촬영된 웨이퍼(W) 이미지에 나타난 반도체 장치(10)는 미리 정한 값 이하의 밝기를 가질 수 있다.
그러나 레이저 등으로 물리적인 데미지가 형성된 스크라이브 영역(15)의 경우, 자외선 광(UV)의 적어도 일부가 투과 또는 회절됨으로써 카메라(200)에 의한 자외선 광(UV)의 인식이 가능할 수 있다. 따라서, 카메라(200)가 웨이퍼(W)의 타면을 촬영하는 경우 반도체 장치(10)의 부분은 검고, 스크라이브 영역(15)은 빛나는 이미지가 생성될 수 있다.
이어서, 이미지 처리부(400)는 카메라(200)에 의해 생성된 이미지에 기초하여 웨이퍼(W)의 결함 발생 여부를 판단한다(S150).
웨이퍼(W)를 투과한 자외선 광(UV)은 상기 스크라이브 영역(15)이 빛나는 이미지가 생성되는 한편, 웨이퍼(W) 상에 크랙(crack)이 발생한 부분 또한 빛나는 이미지가 생성될 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 의해 검출할 수 있는 반도체 장치의 결함의 예시를 도시한다.
도 4a를 참조하면, 카메라(200)에 의하여 촬영된 이미지에 기초하여 인식될 수 있는 웨이퍼(W) 상의 결함이 도시된다. 웨이퍼(W) 상에는 복수의 반도체 장치(11, 12, 13, 14, 18, 19)가 형성된다.
몇몇 실시예에서, 이미지 처리부(400)는 제1 반도체 장치(11)와 제2 반도체 장치(12) 사이의 스크라이브 영역(16)의 밝기가 미리 정한 밝기 이상인 것을 인식하고, 스크라이브 영역(16)은 정상인 것으로 판단할 수 있다.
그러나, 제3 반도체 장치(13)와 제4 반도체 장치(14) 사이의 스크라이브 영역은 웨이퍼 이미지에 표시되지 않아 이미지 처리부(400)는 이를 인식할 수 없다. 이 경우, 이미지 처리부(400)는 제3 반도체 장치(13)와 제4 반도체 장치(14)는 스크라이브 영역의 형성이 불완전한 것으로 보고 제3 반도체 장치(13)와 제4 반도체 장치(14) 사이가 분단되지 않은 결함이 발생한 것으로 판단할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제3 반도체 장치(13)과 제4 반도체 장치(14)는 레이저에 의한 데미지 형성이 되지 않았거나, 소잉 공정에 의해 충분히 분리되지 않은 것으로 인식될 수 있다.
또한, 웨이퍼 이미지에 제5 반도체 장치(18)과 제6 반도체 장치(19) 사이의 스크라이브 영역(17)은, 그 밝기가 미리 정한 밝기보다 낮게 표시된다. 이 경우 또한 이미지 처리부(400)는 제5 반도체 장치(18)와 제6 반도체 장치(19) 사이의 스크라이브 영역(17)의 형성이 불완전한 것으로 보고 제5 반도체 장치(18)와 제6 반도체 장치(19)에 결함이 발생한 것으로 판단할 수 있다.
즉, 이미지 처리부(400)는 웨이퍼 이미지에 나타난 서로 다른 두 개의 반도체 장치 사이의 스크라이브 영역이 미리 정한 밝기 이하인 경우 두 개의 반도체 장치의 분리가 완전하지 않은 결함이 발생한 것으로 판단할 수 있다.
도 4b를 참조하면, 카메라(200)에 의하여 촬영된 이미지에 기초하여 인식될 수 있는 웨이퍼(W) 상의 결함이 도시된다. 웨이퍼(W) 상에는 반도체 장치(22)를 비롯한 복수의 반도체 장치가 형성된다.
앞에서 설명한 것과 같이, 웨이퍼 이미지 상에 스크라이브 영역 내부의 반도체 장치(10) 내부 이미지가 미리 정한 값 이하의 밝기인 경우, 이미지 처리부(400)는 반도체 장치(10)에 크랙 발생이 없는 것으로 판단할 수 있다. 그러나, 웨이퍼 이미지에 반도체 장치(10) 내부에 미리 정한 값 이상의 밝기로 표시된 무늬 또는 점이 포함된 경우, 이미지 처리부(400)는 반도체 장치(10)에 크랙 결함이 발생한 것으로 판단할 수 있다.
도 4b에 도시된 웨이퍼 이미지에 표시된 미리 정한 밝기 이상의 무늬(21)에 기초하여, 이미지 처리부(400)는 반도체 장치(22)에 크랙 결함이 발생한 것으로 판단할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 웨이퍼(W) 표면의 촬영 전, 칩 익스팬드(Chip Expand) 작업이 수행될 수 있다. 즉, 웨이퍼(W)가 부착된 다이 접착 필름(30)을 웨이퍼(W)의 외주 방향으로 인장함으로써 복수의 반도체 장치(10)들을 분리할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 상기 칩 익스팬드는 웨이퍼(W)를 저온으로 유지한 상태로 수행될 수 있다.
상기 칩 익스팬드가 웨이퍼(W)에 대하여 수행되면 웨이퍼(W)에 형성된 복수의 반도체 장치(10)들이 구분되는 스크라이브 영역이나, 반도체 장치(10)에 형성된 크랙 영역을 더욱 확장시킬 수 있다. 이에 따라, 스크라이브 영역 또는 크랙 영역으로 투과되는 빛의 회절량을 증대시킬 수 있고, 카메라(200)에 의한 웨이퍼(W) 표면의 촬영 및 이미지 처리부(400)에 의한 결함 판별이 용이해질 수 있다.
이어서, 이미지 처리부(400)는 웨이퍼(W)의 결함 맵 데이터를 갱신할 수 있다(S160).
도 5a는 및 도 5b는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치가 제공받는 검출한 반도체 장치의 결함을 이용하여 결함 맵 데이터의 갱신을 수행하는 것을 설명하기 위한 개념도이다.
도 5a를 참조하면, 이미지 처리부(400)는 웨이퍼(W)에 수행되는 앞선 공정에서 생성한 제1 맵 데이터(M1)를 제공받고, 이를 맵 저장부(410)에 저장할 수 있다. 제1 맵 데이터(M1)는 웨이퍼(W) 상에 포함된 복수의 반도체 장치들 중에, 결함이 발생한 반도체 장치(51)에 관한 정보를 포함할 수 있다. 제1 맵 데이터(M1)은 예를 들어, 도 5a에 도시된 것과 같이 이미지 형태일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 이와는 달리, 제1 맵 데이터(M1)는 테이블 형태의 자료 구조를 포함할 수도 있다.
도 5b를 참조하면, 이미지 처리부(400)가 이미지 처리부(400)가 새롭게 인식한 웨이퍼(W)의 결함 정보를 추가한 제2 맵 데이터(M2)가 예시적으로 도시된다. 제2 맵 데이터(M2)는 제1 맵 데이터(M1)에 포함되었던 결함이 발생한 반도체 장치(51)에 관한 정보에 더하여, 새롭게 추가된 반도체 장치(52, 53, 54)의 결함에 관한 정보를 포함할 수 있다. 예를 들어 반도체 장치(52)는 크랙 결함이 발생한 것이고, 반도체 장치(53, 54)는 스크라이브 영역에 의해 충분히 분리되지 않은 결함이 발생한 것일 수 있다.
이미지 처리부(400)는 카메라(200)로부터 형성된 웨이퍼 이미지로부터 웨이퍼(W) 상에 발생한 결함 여부를 판단하고, 제1 맵 데이터(M1)를 갱신할 수 있다. 구체적으로, 이미지 처리부(400)는 맵 저장부(410)에 저장된 제1 맵 데이터(M1)를 읽어들이고, 카메라(200)로부터 형성된 웨이퍼 이미지에 기초하여 판단한 웨이퍼(W)의 결함 정보를 제1 맵 데이터(M1)에 추가하여 제2 맵 데이터(M2)를 생성하고, 제2 맵 데이터(M2)를 다시 맵 저장부(410)에 저장할 수 있다.
상술한 과정을 통해, 반도체 장치(10)를 다이 접착 필름(30)으로부터 분리하기 위하여 필요한 예비 작업인 상술한 반도체 장치 제조 방법이 수행되는 것과 동시에, 반도체 장치(10) 또는 웨이퍼(W)에 발생한 결함의 검사 과정이 수행될 수 있다.
반도체 장치 제조 공정에서, 정해진 시간동안 처리할 수 있는 웨이퍼(W)의 수를 나타내는 쓰루풋(throughput)은 생산성을 판단하는 것에 있어 중요한 척도이다. 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 의해 수행되는 반도체 장치 제조 과정에서, 자외선 광원(300)에 의한 조사를 통해 자외선 감응층(20)의 접착력을 약화시키는 것과 동시에 웨이퍼(W) 표면에 발생한 크랙 또는 미분리 결함이 검사될 수 있다. 따라서 반도체 제조 공정의 쓰루풋이 개선될 수 있다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치가 노출 시간을 달리하여 생성한 웨이퍼 이미지를 도시한다.
본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치는, 웨이퍼(W)에 대한 복수의 이미지를 촬영하여 생성할 수 있다. 구체적으로, 카메라(200)는 제1 노출 시간에 의하여 웨이퍼(W)의 제1 이미지를 생성하고, 제1 노출 시간과 다른 제2 노출 시간에 의하여 웨이퍼(W)의 제2 이미지를 생성할 수 있다. 도 6a는 카메라(200)에 의해 제1 노출 시간으로 촬영된 웨이퍼(W)의 제1 이미지이고, 도 6b는 제2 노출 시간으로 촬영된 웨이퍼(W)의 제2 이미지이고, 도 6c는 제3 노출 시간으로 촬영된 웨이퍼(W)의 제3 이미지이다. 제3 노출 시간은 제2 노출 시간보다 길고, 제2 노출 시간은 제1 노출 시간보다 길다. 따라서 도 6c의 제3 이미지는 도 6b의 제2 이미지보다 밝고, 도 6b의 제2 이미지는 도 6a의 제1 이미지보다 밝다.
이미지 처리부(400)는 카메라(200)에 의해 서로 다른 노출 시간으로 촬영된 복수의 이미지 중 하나를 선택하여 웨이퍼 이미지로 결정할 수 있다. 이미지 처리부(400)는 예를 들어, 카메라(200)가 촬영한 복수의 이미지 중, 이에 포함된 스크라이브 영역(15)의 이미지의 평균 밝기가 미리 정한 값에 가장 가까운 이미지를 선택하여 웨이퍼 이미지로 결정할 수 있다. 이와 같이 선택된 웨이퍼 이미지를 기초로 이미지 처리부(400)는 웨이퍼(W)의 결함 발생 여부를 판단할 수 있다.
다른 몇몇 실시예에서, 이미지 처리부(400)는 촬영된 복수의 이미지 중 하나의 이미지를 선택하는 것 대신에, 복수의 이미지를 합성하여 새로운 웨이퍼 이미지를 생성할 수도 있다. 이와 관련하여 도 7을 참조하여 더욱 자세하게 설명한다.
도 7은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치가 구분된 웨이퍼의 영역에 따라 합성된 이미지를 얻는 것을 설명하기 위한 개념도이다.
도 7을 참조하면, 이미지 처리부(400)는 예시적으로 웨이퍼(W)의 표면을 제1 내지 제3 영역(120, 121, 122)으로 구분할 수 있다. 도 7에 도시된 것과 같이, 웨이퍼(W)의 제2 영역(121) 및 제3 영역(122)은 상대적으로 외곽 영역에 해당하고, 제1 영역(120)은 제2 영역(121)과 제3 영역(122) 사이에 배치되는 중앙 영역에 해당할 수 있다.
이미지 처리부(400)는 카메라(200)가 촬영한 복수의 이미지 중, 제1 이미지의 제1 영역(120)의 부분과, 제2 이미지의 제2 영역(121)의 부분과, 제3 이미지의 제3 영역(122) 부분을 합성하여 제4 이미지를 생성할 수 있다.
더욱 구체적으로, 이미지 처리부(400)는 카메라(200)가 제1 노출 시간으로 촬영한 제1 이미지의 제1 영역(120)의 부분과, 제2 노출 시간으로 촬영한 제2 이미지의 제2 영역(121)의 부분과, 제3 노출 시간으로 촬영한 제3 이미지의 제3 영역(122)을 합성하여 새로운 제4 이미지를 생성할 수 있다.
도 6a 내지 도 6c에 도시된 것과 같이, 카메라(200)에 의하여 생성된 웨이퍼(W)의 이미지는 전면에 대하여 동일한 밝기로 표시되지 않는 경우가 있다. 즉, 자외선 광원(300)이 웨이퍼(W)의 중심부 아래에 위치하고, 웨이퍼(W) 내부에서 발생하는 자외선 광의 회절로 인해 웨이퍼(W)의 중앙부, 예를 들어 제1 영역(120)으로 투과된 자외선 광이 집중되는 현상이 발생하고, 카메라(200)에 의하여 촬영된 이미지 또한 웨이퍼의 중앙부의 밝기가 높은 형태로 생성될 수 있다.
이 경우, 투과된 자외선 광이 상대적으로 집중되지 않는 영역, 예를 들어 웨이퍼(W)의 제2 영역(121) 또는 제3 영역(122)에 발생한 결함 여부를 판단하기 위하여 카메라(200)의 노출 시간을 높여 촬영하는 경우, 제1 영역(120)의 이미지의 밝기가 지나치게 높은 상태, 즉 과포화(over saturated)된 이미지가 형성될 수 있다.
이를 해결하기 위해, 카메라(200)는 제1 노출 시간으로 웨이퍼(W)를 촬영하여 제1 이미지를 생성하고, 제2 노출 시간으로 촬영된 웨이퍼(W)의 제2 이미지를 생성하고, 제3 노출 시간으로 촬영된 웨이퍼(W)의 제3 이미지를 생성한다. 이미지 처리부(400)는 제1 이미지 중 제1 영역(120)의 부분을 선택하고, 제2 이미지 중 제2 영역(121)의 부분을 선택하고, 제3 이미지 중 제3 영역(122)의 부분을 선택하고, 선택된 영역들의 이미지를 합성함으로써 제4 이미지를 생성할 수 있다.
도 8은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 부분 사시도이고, 도 9는 도 8의 반도체 제조 장치를 설명하기 위한 개념도이다. 이하에서 앞서 설명한 실시예와 중복되는 부분의 설명은 생략하고 차이점을 중심으로 설명한다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치는 로딩부(100), 카메라(200) 및 자외선 광원(500) 등을 포함할 수 있다.
도 8에 도시된 실시예에서, 자외선 광원(500)은 앞서 설명한 실시예에 포함된 자외선 광원(300)의 형태와 다를 수 있다.
구체적으로, 자외선 광원(500)은 제1 방향(D1)으로 연장되는 막대형의 형상을 가질 수 있다. 즉, 자외선 광원(500)은 제1 방향(D1)으로 연장되는 장변과, 제1 방향(D1)과 수직인 제2 방향(D2)으로 연장되는 단변으로 구성되는 막대 형상 광원으로부터 자외선 광(UV)을 조사할 수 있다.
물론, 공기 중에서 자외선 광(UV)의 산란 등 여러 가지 요인으로 인해 자외선 광(UV)이 조사되는 웨이퍼(W) 또는 다이 접착 필름(30)의 영역이 직사각형 형상을 갖는 것은 아니다. 그러나 웨이퍼(W)의 일면 상의 자외선 조사 영역은 자외선 광원(500)의 형상과 어느 정도 유사할 수 있다.
따라서 앞서 실시예에 따른 반도체 제조 장치에서 자외선 광원(300)이 웨이퍼(W)의 일면의 전면에 자외선 광(UV)을 조사하였다면, 자외선 광원(500)은 웨이퍼(W)의 일면의 일부 영역(50)에 대하여 자외선 광(UV)을 조사한다.
앞서 설명한 실시예와 같이, 자외선 광원(500)이 조사하는 자외선 광(UV)은 자외선 감응층(20)과 다이 접착 필름(30)으로 조사될 수 있다. 따라서 자외선 광원(500)으로부터 조사된 자외선 광(UV)은 자외선 감응층(20)의 일부 영역에만 조사되고, 웨이퍼(W)와 접착된 다이 접착 필름(30)의 일부 영역의 접착력만이 약화될 수 있다.
또한, 자외선 광원(500)은 구동부(600)와 연결될 수 있다. 구동부(600)는 제1 방향(D1)과 수직인 제2 방향(D2)으로 자외선 광원(500)을 이동시킬 수 있다. 자외선 광원(500)은 제2 방향(D2)으로 이동하면서, 웨이퍼(W)의 일면에 자외선 광(UV)을 조사할 수 있다.
자외선 광원(500)으로부터 조사된 자외선 광(UV)은 카메라(200)에 의한 촬영뿐만 아니라 다이 접착 필름(30)에 포함된 자외선 감응층(20)의 접착력을 약화시키기 위하여 사용되기 때문에, 자외선 광원(500)은 하나의 위치에서 충분한 시간동안 다이 접착 필름(30)과 웨이퍼(W)로 자외선 광(UV)을 조사할 수 있다.
본 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 동작과 관련하여, 도 10을 참조하여 더욱 자세하게 설명한다.
도 10은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 의한 반도체 제조 방법은, 스크라이브 영역(15)에 의해 복수의 반도체 장치(10)가 구분된 웨이퍼(W)를 제공하고(S210), 웨이퍼(W)에 자외선 감응층(20)을 포함하는 다이 접착 필름(30)을 부착하여 로딩부(100)에 적재하고(S220), 웨이퍼(W)의 일면으로 자외선 광(UV)를 조사하고(S230), 웨이퍼(W)의 타면으로 투과되는 자외선 광을 촬영하여 웨이퍼(W)의 일부 영역의 이미지를 생성하는 것을 포함한다(S240). 또한, 상기 방법은 현재 자외선 광원(500)의 위치가 웨이퍼(W)의 끝에 위치하는지 여부를 판단하여(S250), 끝이 아닌 경우 미리 정해진 거리만큼 자외선 광원(500)을 이동시키고(S260), 끝인 경우 웨이퍼(W) 이미지에 나타난 결함 유무를 판단하고(S270), 웨이퍼(W)의 결함 여부에 관한 맵 데이터를 갱신하는 것을 포함한다(S280).
구체적으로, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 의한 반도체 제조 방법은, 앞서 도 3을 이용하여 설명한 반도체 제조 방법 중 웨이퍼(W)의 적재 단계(S120)까지 동일하게 진행된다.
이어서, 자외선 광원(500)은 웨이퍼(W)의 일면으로 자외선 광(UV)을 조사한다(S230). 앞서 설명한 것과 같이, 자외선 광원(500)이 제1 방향(D1)으로 길게 연장된 막대형을 가지기 때문에, 웨이퍼(W) 및 다이 접착 필름(30) 또한 제1 방향(D1)으로 길게 연장된 형태의 자외선 조사 영역을 가질 수 있다.
카메라(200)는 웨이퍼(W)의 타면으로 투과되는 자외선 광(UV)을 촬영하여 웨이퍼의 일부 영역의 이미지를 생성한다(S240). 카메라(200) 및 이미지 처리부(400)에 의한 웨이퍼 이미지 생성과 관련하여, 도 11을 참조하여 더욱 자세하게 설명한다.
도 11은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치가 구분된 웨이퍼의 영역에 따라 합성된 이미지를 얻는 것을 설명하기 위한 개념도이다.
도 11을 참조하면, 웨이퍼(W)의 타면이 예를 들어 제1 내지 제6 영역(50~55)으로 구분되어 도시되어 있다. 앞에서 설명한 것과 같이, 자외선 광원(500)에 의한 웨이퍼(W)의 자외선 조사 영역이 도 11에 도시된 제1 내지 제6 영역(50~55)과 같이 정확하게 구분되는 것은 아니다. 제1 내지 제6 영역(50~55)은 이미지 처리부(400)에 의하여 구분되는 웨이퍼(50)의 가상의 영역으로 상정한다. 이미지 처리부(400)는 카메라(500)가 촬영한 복수의 이미지에 대하여, 제1 내지 제6 영역(50~55)으로 나누어 처리할 수 있다.
예를 들어, 초기에 자외선 광원(500)이 웨이퍼(W)의 제1 영역(50)과 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 카메라(200)는 자외선 광원(500)이 상기 위치에 있을 때 제1 이미지를 촬영할 수 있다. 자외선 광원(500)의 위치에 의해 웨이퍼(W)의 타면으로 투과되는 자외선 광은 제1 영역(50)에 집중되고, 카메라(200)가 촬영한 웨이퍼(W)의 제1 이미지 역시 제1 영역(50)이 밝게 표시되어 생성될 수 있다.
이미지 처리부(400)는 카메라(200)에 의하여 촬영된 제1 이미지 중, 제1 영역(50)에 해당하는 부분을 분리하여 별도로 저장할 수 있다. 이후 이미지 처리부(400)는 상기 분리된 영역의 이미지를 이용하여 웨이퍼 이미지를 결정하는 것에 사용할 수 있다.
자외선 광원(500)의 현재 위치가 웨이퍼(W) 끝, 예를 들어 제6 영역(55)과 중첩되는 위치에 있는지 판단하고(S250), 그렇지 않은 경우 미리 정해진 거리만큼 자외선 광원(500)을 이동시킨다(S260). 구동부(600)는 자외선 광원(500)을 예를 들어, 제2 영역(51)과 중첩되는 위치로 이동시킬 수 있다.
이어서, 자외선 광원(500)은 이동된 위치에서 자외선 광(UV)을 웨이퍼(W)의 일면으로 조사하고, 카메라(200)는 자외선 광원(500)이 상기 위치에 있을 때 제2 이미지를 촬영할 수 있다. 이미지 처리부(400)는 카메라(200)에 의하여 촬영된 제2 이미지 중, 제2 영역(51)에 해당하는 부분을 분리하여 별도로 저장할 수 있다.
또한, 자외선 광원(500)으로부터 조사된 자외선 광(UV)은 웨이퍼(W)의 제2 영역(51)과 중첩되는 다이 접착 필름(30) 상의 영역의 접착력을 약화시킬 수 있다.
위와 같은 과정을 통해, 자외선 광원(500)이 제2 방향(D2)으로 계속 이동하여 웨이퍼(W)의 제6 영역(55)과 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 카메라(200)는 웨이퍼(W)의 제6 이미지를 촬영하고, 이미지 처리부(400)는 제6 이미지 중 제6 영역(55)에 해당하는 부분을 별도로 저장할 수 있다.
자외선 광원(500)의 현재 위치가 웨이퍼(W)의 끝에 해당하여 더 이상 이동할 필요가 없는 경우, 이미지 처리부(400)는 웨이퍼 이미지를 결정하여 상기 웨이퍼 이미지에 나타난 결함 유무를 판단한다(S270).
이미지 처리부(400)는 제1 영역 내지 제6 영역(50~55)에 해당하는 웨이퍼 이미지의 부분을 합성함으로써 제7 이미지를 생성하고, 이를 웨이퍼 이미지로 결정할 수 있다. 이와 함께, 자외선 광(UV)이 다이 접착 필름(30)의 전면에 대하여 조사가 완료되어 자외선 감응층(20)의 접착력 약화 과정이 완료될 수 있다.
이미지 처리부(400)가 웨이퍼(W) 상에 결함이 발생하였는지 여부를 판단하는 것은, 앞서 설명한 실시예의 경우와 동일하므로 이에 관한 설명은 생략한다.
도 12는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 설명하기 위한 개념도이다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예 따른 반도체 제조 장치는 연마기(150)를 포함할 수 있다. 연마기(150)는 웨이퍼(W)의 타면을 그라인딩하여 웨이퍼(W)의 두께를 감소시킬 수 있다. 연마기(150)에 의한 연마 공정은, 스크라이브 영역(15)을 따라 웨이퍼(W)에 레이저로 물리적인 데미지를 입힌 후에 수행될 수 있다. 이 경우 연마기(150)에 의하여 웨이퍼(W) 표면에 GAL 공정이 진행될 수 있다.
이와는 달리, 레이저에 의한 가공 없이, 연마기(150)에 의하여 B/L(Back Lap) 공정이 웨이퍼(W)에 수행될 수도 있다.
연마기(150)에 의한 연마 공정이 완료된 이후에, 앞서 도 1 내지 도 11을 이용하여 설명한 과정이 수행될 수 있다. 구체적으로, 연마기(150)에 의해 연마가 수행된 웨이퍼(W)에 포함된 복수의 반도체 장치(10)를 다이 접착 필름(30)으로부터 분리하기 전에, 자외선 감응층(20)의 접착력을 약화시키고 연마 공정 또는 물리적 데미지로 인한 웨이퍼(W) 상의 결함을 검사하기 위하여 상술한 과정들이 웨이퍼(W)에 대해 수행될 수 있다.
도 13은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 설명하기 위한 개념도이다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장치는 소잉 공정을 수행하는 블레이드(160)를 포함할 수 있다.
블레이드(160)는 스크라이브 영역(15)을 따라 웨이퍼(W)를 절단함으로써 웨이퍼(W)를 각각의 반도체 장치(10)로 분리할 수 있다. 상기 소잉 공정이 수행된 이후에, 앞서 도 1 내지 도 11을 이용하여 설명한 과정이 수행될 수 있다. 구체적으로, 소잉이 완료된 복수의 반도체 장치(10)를 다이 접착 필름(30)으로부터 분리하기 전에, 자외선 감응층(20)의 접착력을 약화시키고 소잉 공정으로 인한 웨이퍼(W) 상의 결함을 검사하기 위하여 상술한 과정들이 웨이퍼(W)에 대해 수행될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 로딩부 200: 카메라
300, 500: 자외선 광원 400: 이미지 처리부
600: 구동부

Claims (20)

  1. 일면에 자외선 감응층을 통해 다이 접착 필름(Die Attach Film)과 부착된 웨이퍼를 로딩하는 로딩부;
    상기 다이 접착 필름과 접착된 웨이퍼의 일면을 향해 자외선 광을 조사하여 상기 자외선 감응층의 접착력을 약화시키는 자외선 광원; 및
    상기 웨이퍼의 일면의 반대면인 타면으로 투과된 자외선 광을 촬상하여 웨이퍼 이미지를 생성하는 카메라를 포함하되,
    상기 카메라는, 제1 시간으로 노출하여 제1 웨이퍼 이미지를 생성하고, 상기 제1 시간보다 큰 제2 시간으로 노출하여 제2 웨이퍼 이미지를 생성하는 반도체 제조 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 카메라가 생성한 상기 제1 웨이퍼 이미지 및 제2 웨이퍼 이미지를 처리하는 이미지 처리부를 더 포함하는 반도체 제조 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 웨이퍼는 복수의 반도체 장치와, 상기 복수의 반도체 장치를 구분하는 스크라이브 영역을 포함하고,
    상기 이미지 처리부는 상기 제1 웨이퍼 이미지 및 상기 제2 웨이퍼 이미지로부터 상기 복수의 반도체 장치에 결함이 발생하였는지 여부를 판단하는 반도체 제조 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 이미지 처리부는, 상기 복수의 반도체 장치의 결함의 발생 여부에 관한 맵 데이터를 제공받고,
    상기 복수의 반도체 장치의 결함 형성 여부에 따라 상기 맵 데이터를 갱신하는 반도체 제조 장치.
  5. 삭제
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 이미지 처리부는, 상기 제1 웨이퍼 이미지와 상기 제2 웨이퍼 이미지를 합성하여 제3 웨이퍼 이미지를 생성하고,
    상기 제3 웨이퍼 이미지에 기초하여, 상기 웨이퍼에 형성된 복수의 반도체 장치의 결함 발생 여부를 판단하는 반도체 제조 장치.
  7. 제 2항에 있어서,
    상기 이미지 처리부는 상기 제1 웨이퍼 이미지와 상기 제2 웨이퍼 이미지 중 하나를 선택하고,
    상기 선택된 웨이퍼 이미지에 기초하여, 상기 웨이퍼에 형성된 복수의 반도체 장치의 결함 발생 여부를 판단하는 반도체 제조 장치.
  8. 제 2항에 있어서,
    상기 자외선 광원은 제1 방향으로 연장된 장변과, 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 연장된 단변을 포함하는 직사각형 형상인 반도체 제조 장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 카메라는,
    상기 자외선 광원이 제1 위치에서 상기 자외선 광을 조사하는 배치된 경우의 제3 웨이퍼 이미지를 생성하고,
    상기 자외선 광원이 상기 제2 방향으로 이동한 제2 위치에 배치된 경우의 제4 웨이퍼 이미지를 생성하는 반도체 제조 장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 이미지 처리부는, 상기 제3 웨이퍼 이미지와 상기 제4 웨이퍼 이미지를 합성하여 제5 웨이퍼 이미지를 생성하는 반도체 제조 장치.
  11. 스크라이브 영역에 의해 구분된 복수의 반도체 장치가 형성되고, 자외선 감응층을 통해 다이 접착 필름과 부착된 웨이퍼의 일면 상에 자외선 광을 조사하여 상기 자외선 감응층을 변형하는 자외선 광원;
    상기 웨이퍼의 일면의 반대면인 타면으로 투과된 자외선에 의하여 형성된 이미지를 촬영하는 웨이퍼 이미지를 생성하는 카메라; 및
    상기 웨이퍼 이미지를 제공받고, 상기 웨이퍼 이미지로부터 상기 반도체 장치의 표면에 결함이 발생하였는지 여부를 판단하는 이미지 처리부를 포함하되,
    상기 웨이퍼는 일 방향으로 나란히 배치되어 상기 웨이퍼의 타면을 구분하는 복수의 영역을 포함하고,
    상기 복수의 영역은 서로 이웃한 제1 영역 및 제2 영역을 포함하고,
    상기 자외선 광원은 상기 제1 영역에 상기 자외선 광을 조사한 후 이동하여 상기 제2 영역에 상기 자외선 광을 조사하고,
    상기 이미지 처리부는, 상기 제1 영역에 대한 웨이퍼 이미지와 상기 제2 영역에 대한 웨이퍼 이미지로부터 합성된 웨이퍼 이미지를 생성하는 반도체 제조 장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 이미지 처리부는, 상기 복수의 반도체 장치의 결함 여부에 관한 맵 데이터를 저장하고,
    상기 판단한 복수의 반도체 장치의 결함 형성 여부에 따라 상기 맵 데이터를 갱신하는 반도체 제조 장치.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 카메라는, 제1 시간으로 노출하여 제1 웨이퍼 이미지를 생성하고,
    상기 제1 시간보다 큰 제2 시간으로 노출하여 제2 웨이퍼 이미지를 생성하는 반도체 제조 장치.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 복수의 반도체 장치가 스크라이브 영역에 의해 구분된 웨이퍼를 제공하고,
    상기 웨이퍼의 일면에 자외선 감응층이 형성된 다이 접착 필름을 부착하여 로딩부에 적재하고,
    상기 웨이퍼의 일면으로 자외선 광원을 조사하여 상기 자외선 감응층을 경화하고,
    상기 웨이퍼의 타면으로 투과된 자외선 광원을 촬영하여 상기 웨이퍼의 이미지를 얻는 것을 포함하되,
    상기 웨이퍼의 이미지를 얻는 것은, 제1 시간으로 노출하여 제1 웨이퍼 이미지를 생성하고, 상기 제1 시간보다 큰 제2 시간으로 노출하여 제2 웨이퍼 이미지를 생성하는 것을 포함하는 반도체 제조 방법.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 복수의 반도체 장치가 스크라이브 영역에 의해 구분된 웨이퍼를 제공하는 것은,
    상기 스크라이브 영역을 따라 상기 웨이퍼에 레이저를 조사하고,
    상기 웨이퍼의 표면을 그라인드(grind)하는 것을 포함하는 반도체 제조 방법.
  19. 제 17항에 있어서,
    상기 제1 웨이퍼 이미지 및 상기 제2 웨이퍼 이미지로부터 상기 복수의 반도체 장치에 결함이 발생하였는지 여부를 판단하는 것을 더 포함하는 반도체 제조 방법.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 복수의 반도체 장치의 결함의 발생 여부에 관한 맵 데이터를 제공받고,
    상기 복수의 반도체 장치의 결함 형성 여부에 따라 상기 맵 데이터를 갱신하는 반도체 제조 방법.
KR1020170106810A 2017-08-23 2017-08-23 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 KR102492053B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170106810A KR102492053B1 (ko) 2017-08-23 2017-08-23 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법
US16/010,426 US10622232B2 (en) 2017-08-23 2018-06-16 Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same
CN201810921362.2A CN109427605B (zh) 2017-08-23 2018-08-14 半导体制造设备和使用其制造半导体器件的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170106810A KR102492053B1 (ko) 2017-08-23 2017-08-23 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190021709A KR20190021709A (ko) 2019-03-06
KR102492053B1 true KR102492053B1 (ko) 2023-01-25

Family

ID=65435554

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170106810A KR102492053B1 (ko) 2017-08-23 2017-08-23 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10622232B2 (ko)
KR (1) KR102492053B1 (ko)
CN (1) CN109427605B (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7478945B2 (ja) * 2020-01-17 2024-05-08 株式会社東京精密 ウェハ加工システム及びウェハ加工方法
JP7475781B2 (ja) 2020-06-29 2024-04-30 株式会社ディスコ 加工装置
CN114203560A (zh) * 2020-11-30 2022-03-18 长江存储科技有限责任公司 一种晶圆键合方法和***
KR20220149885A (ko) * 2021-04-30 2022-11-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
JP2022182232A (ja) * 2021-05-28 2022-12-08 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
CN115295458A (zh) * 2022-08-25 2022-11-04 魅杰光电科技(上海)有限公司 一种晶圆检测***及方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016519782A (ja) * 2013-03-18 2016-07-07 ケーエルエー−テンカー コーポレイション １９３ｎｍレーザ及び１９３ｎｍレーザを用いた検査システム

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3775861B2 (ja) 1996-08-14 2006-05-17 株式会社ナノシステムソリューションズ 半導体ウェーハの検査方法および検査装置
JPH10142160A (ja) 1996-11-15 1998-05-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学的検査方法とその装置
JPH10221268A (ja) 1997-02-05 1998-08-21 Advantest Corp ウェーハの表面状態検出方法および装置
JP2001235430A (ja) 2000-02-25 2001-08-31 Nikon Corp 光学式検査装置および光学式表面検査装置
JP4332933B2 (ja) 1999-06-10 2009-09-16 ソニー株式会社 検査装置
KR20040037815A (ko) * 2002-10-30 2004-05-07 삼성전자주식회사 자외선 조사 및 다이 접착 장치
WO2007055010A1 (ja) * 2005-11-10 2007-05-18 Renesas Technology Corp. 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP4575886B2 (ja) 2006-02-14 2010-11-04 シャープ株式会社 多結晶半導体ウエハの割れ検査装置および割れ検査方法
JP4856996B2 (ja) 2006-03-17 2012-01-18 大陽日酸株式会社 容器弁
CN101796398B (zh) 2007-08-31 2013-06-19 Icos视觉***股份有限公司 用于检测半导体异常的装置和方法
JP5521283B2 (ja) 2008-05-14 2014-06-11 パナソニック株式会社 基板検査装置
KR101530009B1 (ko) 2008-12-19 2015-06-22 한미반도체 주식회사 웨이퍼 비전검사장치
US7985662B2 (en) * 2009-04-14 2011-07-26 Powertech Technology Inc. Method for manufacturing dies formed with a dielectric layer
JP2013137257A (ja) 2011-12-28 2013-07-11 Sharp Corp 基板検査装置および基板検査方法
TWI512867B (zh) 2012-12-14 2015-12-11 Yayatech Co Ltd 晶圓切割道之檢測方法及其檢測治具
CN103646889A (zh) * 2013-11-29 2014-03-19 上海华力微电子有限公司 晶圆缺陷检测方法
KR102284147B1 (ko) * 2014-07-31 2021-07-30 세메스 주식회사 다이 검사 장치
JP6425939B2 (ja) * 2014-08-08 2018-11-21 東京エレクトロン株式会社 検査装置および検査方法
JP6486757B2 (ja) * 2015-04-23 2019-03-20 株式会社荏原製作所 基板処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016519782A (ja) * 2013-03-18 2016-07-07 ケーエルエー−テンカー コーポレイション １９３ｎｍレーザ及び１９３ｎｍレーザを用いた検査システム

Also Published As

Publication number Publication date
CN109427605B (zh) 2024-06-14
CN109427605A (zh) 2019-03-05
US20190067059A1 (en) 2019-02-28
KR20190021709A (ko) 2019-03-06
US10622232B2 (en) 2020-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102492053B1 (ko) 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법
JP5789802B2 (ja) 半導体チップの製造方法
TWI708300B (zh) 晶圓的加工方法
US20090196489A1 (en) High resolution edge inspection
TW201337839A (zh) 用於晶圓檢測之分段處理
JP6226319B2 (ja) 検査装置
US8460946B2 (en) Methods of processing and inspecting semiconductor substrates
TW201945720A (zh) 檢測位於具有非重複特徵的背景中之晶粒重複程式化缺陷
JP2017204574A (ja) サファイアウェーハの加工方法及びレーザー加工装置
KR20190047550A (ko) 레이저 가공 방법, 기판 다이싱 방법 및 이를 수행하기 위한 기판 가공 장치
WO2015178109A1 (ja) ウエハの位置検出装置、ウエハの位置検出方法、及び記憶媒体
JP6152013B2 (ja) ウェーハの加工方法
CN104157589B (zh) 晶圆缺陷扫描方法
JP2008172203A (ja) 半導体チップの選別装置
TWI610380B (zh) 晶粒檢測方法
KR101199619B1 (ko) 웨이퍼 맵 생성 방법
US9423359B2 (en) Wafer charging electromagnetic inspection tool and method of using
JP2006222514A (ja) 固体撮像素子の検査方法、検査用プログラム、及び電子カメラ
US10372113B2 (en) Method for defocus detection
TWI629467B (zh) 晶圓檢查方法及晶圓檢查裝置
KR20150073512A (ko) 다이 검사 장치
JP2019100968A (ja) ステージ表面上の突起物の上面を検査するマクロ検査装置
KR102575267B1 (ko) 웨이퍼의 칩핑 검사 장치 및 방법
JP2019054188A (ja) ウェーハの加工方法
JP2024079192A (ja) ウェーハの分離検出方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant