KR102486914B1 - Method for forming zirconia film of bracket - Google Patents
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Abstract
브라켓의 지르코니아 박막을 형성하는 방법은 챔버 내에 기판을 배치하는 단계, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판의 표면에 대한 전처리를 수행하는 단계 및 플라즈마 강화 원자층 증착법(PEALD)에 의하여 상기 기판의 표면에 지르코니아 박막을 증착하는 단계를 포함한다.A method of forming a zirconia thin film of a bracket includes placing a substrate in a chamber, performing pretreatment on the surface of the substrate using oxygen plasma, and depositing zirconia on the surface of the substrate by plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD). Depositing a thin film.
Description
본 발명은 브라켓의 지르코니아 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a zirconia thin film of a bracket.
미용 또는 치료의 목적으로 교정 장치의 수요가 증가하고 있다. 교정 장치는 부식이 일어나기 쉬운 구내 환경에서 장기간 사용되는 특성상 화학적 안정성과 생체 친화성이 요구된다. 또한, 심미적인 목적상 교정 장치의 변색을 방지하고 투명성을 유지하는 것이 요구된다.BACKGROUND OF THE INVENTION There is an increasing demand for orthodontic devices for cosmetic or therapeutic purposes. Orthodontic devices require chemical stability and biocompatibility due to the nature of long-term use in an intraoral environment where corrosion is likely to occur. In addition, for aesthetic purposes, it is required to prevent discoloration of the orthodontic device and to maintain transparency.
종래의 교정 장치의 소재로 많이 이용되는 금속 재료는, 비교적 저렴하고 치아 교정 효과도 뛰어나지만, 교정 장치 착용시에 심미적인 이유 및 사용상의 불편감이 있다는 단점이 있었다.Metal materials, which are widely used as materials for conventional orthodontic devices, are relatively inexpensive and have excellent orthodontic effects, but have disadvantages such as aesthetic reasons and inconvenience in use when wearing the orthodontic devices.
최근에는 교정 장치의 소재로 세라믹과 레진이 많이 활용되고 있다. 세라믹 소재의 브라켓은 변색이 잘 발생하지 않지만, 가격대가 높고 브라켓을 제거한 후에 치아에 잔여물이 남는다는 단점이 있었다. 레진 소재의 브라켓은 비교적 저렴하지만 변색이 잘 되고 마모가 쉽게 발생한다는 단점이 있었다.Recently, ceramics and resins have been widely used as materials for orthodontic devices. Although ceramic brackets do not easily discolor, they are expensive and leave residues on teeth after brackets are removed. Resin brackets are relatively inexpensive, but have the disadvantage of being easily discolored and easily worn.
지르코니아는 내화학성 및 내식성이 우수하고, 생체 불활성소재로 알레르기가 발생할 가능성이 적고, 심미적인 이유로 치과용 재료로 널리 사용되는 소재이다.Zirconia has excellent chemical resistance and corrosion resistance, is less likely to cause allergies as a bioinactive material, and is widely used as a dental material for aesthetic reasons.
종래의 지르코니아 박막을 증착시키는 방법으로는, 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition), 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), 금속 유기 화학 기상 증착법 (Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 펄스 레이저 증착법(Pulsed Laser Deposition), 원자층 증착법(Ato mic Layer Deposition; ALD), 플라즈마 강화 원자층 증착법(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition; PEALD), 스퍼터링법(Sputtering), RF 마그네트론 스퍼터링법(RF Magnetron Sputtering) 등이 있다.Conventional methods for depositing zirconia thin films include physical vapor deposition, chemical vapor deposition, metal organic chemical vapor deposition, and pulsed laser deposition. , atomic layer deposition (ALD), plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD), sputtering, and RF magnetron sputtering.
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 산소 플라즈마를 이용하여 기판의 표면에 대한 전처리를 수행하고, 플라즈마 강화 원자층 증착법(PEALD)에 의하여 기판의 표면에 지르코니아 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 브라켓의 지르코니아 박막 형성 방법을 제공하고자 한다.The present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, performing pretreatment on the surface of the substrate using oxygen plasma, and depositing a zirconia thin film on the surface of the substrate by plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD). It is intended to provide a method of forming a characterized bracket zirconia thin film.
브라켓의 화학적 안정성 및 생체 적합성을 향상시키는 방법을 제공하고자 한다.It is intended to provide a method for improving the chemical stability and biocompatibility of brackets.
심미성 및 강도가 우수한 교정용 브라켓을 제공하고자 한다.It is intended to provide an orthodontic bracket with excellent aesthetics and strength.
다만, 본 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제들로 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들이 존재할 수 있다.However, the technical problem to be achieved by the present embodiment is not limited to the technical problems described above, and other technical problems may exist.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 수단으로서, 본 발명의 일 실시예는, 브라켓의 지르코니아 박막을 형성하는 방법에 있어서, 챔버 내에 기판을 배치하는 단계, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판의 표면에 대한 전처리를 수행하는 단계 및 플라즈마 강화 원자층 증착법(PEALD)에 의하여 상기 기판의 표면에 지르코니아 박막을 증착하는 단계를 포함할 수 있다.As a means for achieving the above-described technical problem, one embodiment of the present invention is a method of forming a zirconia thin film of a bracket, disposing a substrate in a chamber, pretreatment of the surface of the substrate using oxygen plasma and depositing a zirconia thin film on the surface of the substrate by plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD).
일 실시예에서, 상기 지르코니아 박막을 증착하는 단계는 상기 챔버 내로 금속 전구체를 도입하는 단계, 비반응성 기체에 의해 퍼지하는 단계 및 상기 챔버 내로 반응체를 도입하는 단계를 포함할 수 있다.In one embodiment, depositing the zirconia thin film may include introducing a metal precursor into the chamber, purging with a non-reactive gas, and introducing a reactant into the chamber.
일 실시예에서, 상기 기판은 폴리카보네이트(Polycarbonate) 기판이고, 상기 금속 전구체는 테트라키스 에틸메틸아미노 지르코늄(TEMAZ)이고, 상기 반응체는 산소 플라즈마일 수 있다.In one embodiment, the substrate may be a polycarbonate substrate, the metal precursor may be tetrakis ethylmethylamino zirconium (TEMAZ), and the reactant may be oxygen plasma.
일 실시예에서, 상기 지르코니아 박막을 증착하는 단계는 상기 챔버 내의 온도를 100℃ 이하로 유지하는 것일 수 있다.In one embodiment, the depositing of the zirconia thin film may be maintaining a temperature in the chamber at 100° C. or less.
일 실시예에서, 상기 지르코니아 박막을 50 nm 이하의 두께로 형성하는 것일 수 있다.In one embodiment, the zirconia thin film may be formed to a thickness of 50 nm or less.
상술한 과제 해결 수단은 단지 예시적인 것으로서, 본 발명을 제한하려는 의도로 해석되지 않아야 한다. 상술한 예시적인 실시예 외에도, 도면 및 발명의 상세한 설명에 기재된 추가적인 실시예가 존재할 수 있다.The above-described means for solving the problems is only illustrative and should not be construed as limiting the present invention. In addition to the exemplary embodiments described above, there may be additional embodiments described in the drawings and detailed description.
전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 산소 플라즈마를 이용하여 기판의 표면에 대한 전처리를 수행하고, 플라즈마 강화 원자층 증착법(PEALD)에 의하여 기판의 표면에 지르코니아 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 브라켓의 지르코니아 박막 형성 방법을 제공할 수 있다.According to any one of the above-mentioned problem solving means of the present invention, pretreatment is performed on the surface of the substrate using oxygen plasma, and a zirconia thin film is deposited on the surface of the substrate by plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD). It is possible to provide a method of forming a zirconia thin film of a bracket.
또한, 브라켓의 화학적 안정성 및 생체 적합성을 향상시킬 수 있다. 심미성 및 강도가 우수한 교정용 브라켓을 제공할 수 있다.In addition, the chemical stability and biocompatibility of the bracket can be improved. An orthodontic bracket having excellent aesthetics and strength can be provided.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 전처리를 수행하는 방법을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 지르코니아 박막을 증착하는 방법을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 지르코니아 박막의 두께에 따른 광 투과도를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 지르코니아 박막의 두께에 따른 접촉각을 나타내는 그래프를 도시한다.
도 5a 및 도 5b는 지르코니아 박막의 두께에 따른 부식 정도를 설명하기 위한 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 지르코니아 박막의 두께에 따른 현미경 관찰 데이터를 도시한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 지르코니아 박막이 형성된 교정용 브라켓에 대한 부식 실험의 결과를 도시한다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 지르코니아 박막 형성 방법의 순서도이다.1 is an exemplary diagram for explaining a method of performing preprocessing according to an embodiment of the present invention.
2 is an exemplary view for explaining a method of depositing a zirconia thin film according to an embodiment of the present invention.
3A and 3B are views for explaining light transmittance according to the thickness of a zirconia thin film.
Figure 4 shows a graph showing the contact angle according to the thickness of the zirconia thin film.
5A and 5B are views for explaining the degree of corrosion according to the thickness of the zirconia thin film.
6A and 6B show microscopic observation data according to the thickness of the zirconia thin film.
7 shows the results of a corrosion test on an orthodontic bracket on which a zirconia thin film is formed according to an embodiment of the present invention.
8 is a flowchart of a method of forming a zirconia thin film according to an embodiment of the present invention.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily practice the present invention with reference to the accompanying drawings. However, the present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. And in order to clearly explain the present invention in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and similar reference numerals are attached to similar parts throughout the specification.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 중간에 다른 부재를 개재하여 연결되어 있는 경우와, 중간에 다른 소자를 사이에 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 나아가, 본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout the specification, when a certain component is said to "include", it means that it may further include other components without excluding other components unless otherwise stated. In addition, when a part is said to be "connected" to another part throughout the specification, this is not only directly connected but also connected through another member in the middle, and electrically connected to another element in the middle. Including when connected. Furthermore, throughout the present specification, when a member is said to be located “on” another member, this includes not only a case where a member is in contact with another member, but also a case where another member exists between the two members.
본 발명에 따른 박막 형성 방법은 플라즈마 처리 장치를 이용하여 수행될 수 있다. 플라즈마 처리 장치는 예를 들어, 플라즈마 강화 원자층 증착법(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition; PEALD) 장치일 수 있다.The method of forming a thin film according to the present invention may be performed using a plasma processing device. The plasma processing device may be, for example, a plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) device.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 전처리를 수행하는 방법을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.1 is an exemplary diagram for explaining a method of performing preprocessing according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 챔버(10) 내에 기판(110)이 배치될 수 있다. 기판(110)은 에어로 세척될 수 있다.Referring to FIG. 1 , a
기판(110)은 고분자 재료로 구성된 것일 수 있다. 바람직하게, 기판(110)은 폴리카보네이트(Polycarbonate) 기판일 수 있다. 폴리카보네이트는 광을 투과하는 투명한 소재일 수 있다.The
챔버(10) 내의 환경을 진공 상태로 유지할 수 있다. 예를 들어 챔버 내의 압력을 1 mTorr로 하고, 온도를 80 ℃로 설정할 수 있다.The environment in the
전처리를 수행하기 전에, 챔버(10) 내의 수분 및 불순물을 제거하고, 기판(110)의 온도가 80 ℃가 되도록 기설정된 시간을 대기할 수 있다. 예를 들어, 기설정된 시간은 600 초 또는 1200 초일 수 있다.Before performing the pretreatment, moisture and impurities in the
기판(110)의 표면에 대한 전처리는, 산소 플라즈마(120)를 이용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 기판의 표면은 다공성이고 산소 플라즈마를 이용하여 기판의 표면을 전처리함으로써, 이후에 기판 상에 형성될 박막의 밀착력 및 막질을 향상하는 데에 기여할 수 있다.Pretreatment of the surface of the
전처리는 예를 들어, 180 초 동안 전처리 사이클을 36 회 반복함으로써 수행될 수 있다.Pre-treatment can be performed, for example, by repeating the pre-treatment cycle 36 times for 180 seconds.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 지르코니아 박막을 증착하는 방법을 설명하기 위한 예시적인 도면이다. 지르코니아 박막은, 예를 들어 플라즈마 강화 원자층 증착법(PEALD)에 의하여 기판의 표면 상에 증착될 수 있다.2 is an exemplary view for explaining a method of depositing a zirconia thin film according to an embodiment of the present invention. The zirconia thin film may be deposited on the surface of the substrate by, for example, plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD).
플라즈마 강화 원자층 증착법은, 다른 박막 형성 방법과 비교하여 상대적으로 낮은 공정 온도에서 박막의 증착을 수행할 수 있다. 플라즈마 강화 원자층 증착법에 의하면, 박막의 두께를 정교하게 조절하는 것이 가능하고, 평면 구조가 아닌 복잡한 3 차원 구조 상에도 균일하고 고품질의 박막을 증착하는 것이 가능하다.The plasma enhanced atomic layer deposition method can perform thin film deposition at a relatively low process temperature compared to other thin film formation methods. According to the plasma-enhanced atomic layer deposition method, it is possible to precisely control the thickness of a thin film, and it is possible to deposit a uniform and high-quality thin film even on a complex three-dimensional structure rather than a flat structure.
플라즈마 강화 원자층 증착법에 의하면, 비교적 낮은 공정 온도에서 박막의 증착을 수행하므로, 기판의 변형이 발생하는 것을 방지할 수 있다.According to the plasma enhanced atomic layer deposition method, since a thin film is deposited at a relatively low process temperature, deformation of the substrate can be prevented.
예를 들어, 증착 공정은 챔버 내의 압력을 1~1.1 Torr로 하고, 온도를 100 ℃ 이하로 한 상태에서 수행될 수 있다. 증착 공정에서 기판의 온도는 폴리카보네이트의 녹는점 또는 비가역 상변화 온도보다 낮은 약 80 ℃로 유지될 수 있다.For example, the deposition process may be performed in a state where the pressure in the chamber is 1 to 1.1 Torr and the temperature is 100 °C or less. In the deposition process, the temperature of the substrate may be maintained at about 80° C. lower than the melting point or irreversible phase change temperature of polycarbonate.
지르코니아 박막은 복수의 단계를 포함하는 증착 사이클을 적어도 한 회 이상 반복함으로써 기판의 표면 상에 형성될 수 있다.The zirconia thin film may be formed on the surface of the substrate by repeating a deposition cycle including a plurality of steps at least once.
지르코니아 박막의 두께는, 증착 사이클의 반복 횟수에 기초하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 증착 사이클을 300 회 반복함으로써, 지르코니아 박막이 50 nm의 두께로 형성될 수 있다. 즉, 증착 사이클의 반복 횟수를 조정함으로써 기판의 표면 상에 형성되는 지르코니아 박막의 두께를 조절하는 것이 가능하다.The thickness of the zirconia thin film may be determined based on the number of repetitions of the deposition cycle. For example, by repeating the
도 2를 참조하면, 증착 사이클은 예를 들어, 챔버 내로 금속 전구체(210)를 도입하는 단계, 챔버 내를 비반응성 기체에 의해 퍼지(purge)하는 단계, 챔버 내로 반응체(220)를 포함하는 기체를 도입하는 단계 및 챔버 내를 비반응성 기체에 의해 퍼지하는 단계를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the deposition cycle includes, for example, introducing a
예를 들어, 금속 전구체는 테트라키스 에틸메틸아미노 지르코늄(TEMAZ)이고, 반응체는 산소 플라즈마일 수 있다.For example, the metal precursor may be tetrakis ethylmethylamino zirconium (TEMAZ) and the reactant may be oxygen plasma.
비반응성 기체는 예를 들어, 아르콘, 크립톤, 질소, 수소 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 증착 사이클의 각 퍼지하는 단계는 동일 또는 상이한 비반응성 기체를 도입하여 수행될 수 있다. 퍼지에 의하여 증착 후에 발생하는 잔여물을 제거할 수 있다.The non-reactive gas may include, for example, at least one of argon, krypton, nitrogen, and hydrogen. Each purging step of the deposition cycle may be performed by introducing the same or a different non-reactive gas. Residues generated after deposition can be removed by purging.
반응체를 포함하는 기체는 예를 들어, 물, 산소, 오존, 과산화수소, 산소 플라즈마, NH3 플라즈마를 포함하는 기체일 수 있다.The gas containing the reactant may be, for example, a gas containing water, oxygen, ozone, hydrogen peroxide, oxygen plasma, or NH 3 plasma.
도 3a 및 도 3b는 지르코니아 박막의 두께에 따른 광 투과도를 설명하기 위한 도면이다. 도 3a는 증착 사이클을 0 회 시행한 기판(Bare PC), 증착 사이클을 100 회, 200 회 또는 300 회 반복하여 박막을 형성한 경우에 있어서, 광의 파장에 따른 투과도를 나타내는 그래프를 도시한다.3A and 3B are views for explaining light transmittance according to the thickness of a zirconia thin film. FIG. 3A shows a graph showing transmittance according to the wavelength of light in the case of forming a thin film by repeating 100, 200, or 300 deposition cycles on a substrate (Bare PC) subjected to 0 deposition cycles.
도 3a를 참조하면, 박막이 형성되지 않은 기판에 파장이 400 nm 이상의 광을 조사한 경우에 광 투과율이 약 90 %로 나타났다. 증착 사이클의 반복 횟수가 증가함에 따라, 광 투과율이 저하되는 경향이 나타나지만, 광 투과율이 70 % 이상으로 나타남을 확인하였다.Referring to FIG. 3A , when light having a wavelength of 400 nm or more was irradiated onto a substrate on which a thin film was not formed, the light transmittance was about 90%. As the number of repetitions of the deposition cycle increased, the light transmittance tended to decrease, but it was confirmed that the light transmittance was 70% or more.
도 3b를 참조하면, 증착 사이클을 100 회 반복한 경우에는 박막이 16-17 nm 의 두께로 형성되고, 증착 사이클을 200 회 반복한 경우에는 박막이 32-34 nm 의 두께로 형성되고, 증착 사이클을 300 회 반복한 경우에는 박막이 50 nm의 두께로 형성되었다.Referring to FIG. 3B, when the deposition cycle is repeated 100 times, a thin film is formed to a thickness of 16-17 nm, and when the deposition cycle is repeated 200 times, a thin film is formed to a thickness of 32-34 nm, and the deposition cycle When was repeated 300 times, a thin film was formed with a thickness of 50 nm.
도 3b에 도시된 바와 같이, 증착 사이클의 반복 횟수가 증가함에 따라, 광 투과율이 저하되는 경향이 나타나지만, 박막이 투명하게 형성되고, 투명도가 육안으로는 거의 차이가 없는 것을 확인할 수 있었다. 이에 의하여, 투명한 박막을 형성함으로써 교정용 브라켓의 심미성을 저하시키지 않을 수 있다.As shown in FIG. 3B, as the number of repetitions of the deposition cycle increases, the light transmittance tends to decrease, but the thin film is formed transparently, and it can be seen that there is little difference in transparency to the naked eye. Accordingly, by forming a transparent thin film, aesthetics of the orthodontic bracket may not be deteriorated.
도 4는 지르코니아 박막의 두께에 따른 접촉각을 나타내는 그래프를 도시한다. 도 4의 그래프에는 증착 사이클의 반복 횟수에 따른 수분 접촉각이 나타난다.Figure 4 shows a graph showing the contact angle according to the thickness of the zirconia thin film. The graph of FIG. 4 shows the water contact angle according to the number of repetitions of the deposition cycle.
도 4에 도시된 바와 같이, 증착 사이클을 50 회 반복한 경우에는 수분 접촉각이 94 °로 나타났다. 폴리카보네이트 기판 및 지르코니아는 소수성을 가진다.As shown in FIG. 4 , when the deposition cycle was repeated 50 times, the water contact angle was 94°. Polycarbonate substrates and zirconia are hydrophobic.
산소 플라즈마를 이용하여 기판의 표면에 대한 전처리를 수행한 후에 증착된 지르코니아 박막은 친수성이 향상될 수 있다. 도 4를 참조하면, 증착 사이클을 100 회 반복한 경우에는 수분 접촉각이 22 °이고, 200 회 반복한 경우에는 13 °이고, 300 회 반복한 경우에는 22 °로 나타났다.The hydrophilicity of the zirconia thin film deposited after pretreatment of the surface of the substrate using oxygen plasma may be improved. Referring to FIG. 4 , when the deposition cycle was repeated 100 times, the water contact angle was 22 °, 13 ° when the deposition cycle was repeated 200 times, and 22 ° when the deposition cycle was repeated 300 times.
증착 사이클을 200 회 반복한 경우에 수분 접촉각이 가장 작게 나타나, 가장 높은 친수성을 가지는 것을 확인하였다. 교정용 브라켓은 구강 내의 환경에서 수 개월에서 수 년 동안 사용되므로, 생체 적합성을 갖춰야 한다. 산소 플라즈마를 이용한 전처리를 통해 친수성을 증가시킴으로써 생체 적합성을 향상시킬 수 있다.When the deposition cycle was repeated 200 times, it was confirmed that the water contact angle was the smallest and had the highest hydrophilicity. Since orthodontic brackets are used for several months to several years in an oral environment, they must be biocompatible. Biocompatibility can be improved by increasing hydrophilicity through pretreatment using oxygen plasma.
도 5a 및 도 5b는 지르코니아 박막의 두께에 따른 부식 정도를 설명하기 위한 도면이다. 도 5a는 증착 사이클의 반복 횟수에 따른 지르코니아 박막이 형성된 샘플 및 지르코니아 박막이 형성되고 아세톤에 담근 후의 샘플의 광 투과도를 비교하여 나타내는 그래프이다. 아세톤 담금 실험을 통해 샘플의 화학적 저항성을 확인할 수 있었다.5A and 5B are views for explaining the degree of corrosion according to the thickness of the zirconia thin film. 5A is a graph showing a comparison of light transmittance of a sample having a zirconia thin film and a sample after being immersed in acetone after forming a zirconia thin film according to the number of repetitions of deposition cycles. The chemical resistance of the sample was confirmed through an acetone immersion experiment.
도 5a를 참조하면, 증착 사이클을 300 회 반복한 경우에 아세톤 담금 전후의 광투과도 차이가 가장 작게 나타났다. 증착 사이클의 반복 횟수가 증가할수록, 즉 지르코니아 박막이 두껍게 형성될수록 아세톤 담금 전후의 광투과도의 차이가 작아지는 것을 확인하였다.Referring to FIG. 5A , when the deposition cycle was repeated 300 times, the difference in light transmittance before and after immersion in acetone was the smallest. It was confirmed that the difference in light transmittance before and after immersion in acetone decreased as the number of repetitions of the deposition cycle increased, that is, as the zirconia thin film was formed thicker.
도 5b에 도시된 바와 같이, 증착 사이클을 0 회 수행하여 지르코니아 박막이 형성되지 않은 샘플을 아세톤에 담근 경우에는 부식에 의해 투명도가 저하되는 것을 확인하였다. 이와 비교하여, 지르코니아 박막이 형성된 샘플을 아세톤에 담근 경우에는 부식이 방지되어 투명도가 유지되는 것을 확인할 수 있었다.As shown in FIG. 5B , it was confirmed that the transparency was lowered due to corrosion when the sample in which the zirconia thin film was not formed was immersed in acetone by performing the
기판의 표면 상에 형성된 지르코니아 박막이 아세톤에 의한 부식을 방지할 수 있음을 확인하였다. 따라서, 부식이 쉽게 일어날 수 있는 구강 내 환경에서 교정용 브라켓에 지르코니아 박막을 형성함으로써 색소 침착을 방지하고, 내구성을 향상시키는 효과가 있다.It was confirmed that the zirconia thin film formed on the surface of the substrate could prevent corrosion by acetone. Therefore, by forming a zirconia thin film on the orthodontic bracket in an oral environment where corrosion can easily occur, there is an effect of preventing pigmentation and improving durability.
도 6a 및 도 6b는 지르코니아 박막의 두께에 따른 현미경 관찰 데이터를 도시한다.6A and 6B show microscopic observation data according to the thickness of the zirconia thin film.
도 6a는 증착 사이클의 반복 횟수에 따라, 지르코니아 박막이 형성된 샘플 및 지르코니아 박막이 형성되고 아세톤에 담근 후의 샘플을 전계방사형 주사전자현미경(FE-SEM)에 의해 관찰한 데이터를 도시한다. 도 6a를 참조하면, 나노 구조에서는 크랙이 관찰되지 않았다.FIG. 6A shows data observed by a field emission scanning electron microscope (FE-SEM) for a sample on which a zirconia thin film was formed and a sample after the zirconia thin film was formed and immersed in acetone according to the number of repetitions of the deposition cycle. Referring to FIG. 6A , cracks were not observed in the nanostructure.
도 6b는 증착 사이클의 반복 횟수에 따라, 지르코니아 박막이 형성된 샘플 및 지르코니아 박막이 형성되고 아세톤에 담근 후의 샘플을 광학 현미경(optical microscope)에 의해 관찰한 데이터를 도시한다. 도 6b를 참조하면, 지르코니아 박막이 두껍게 형성될수록 부식의 정도가 감소하는 것을 확인하였다.FIG. 6B shows data observed by an optical microscope for a sample on which a zirconia thin film was formed and a sample after a zirconia thin film was formed and then immersed in acetone according to the number of repetitions of the deposition cycle. Referring to FIG. 6B, it was confirmed that the degree of corrosion decreased as the zirconia thin film was formed thicker.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 지르코니아 박막이 형성된 교정용 브라켓에 대한 부식 실험의 결과를 도시한다.7 shows the results of a corrosion test on an orthodontic bracket on which a zirconia thin film is formed according to an embodiment of the present invention.
도 7의 (1) 및 (3)의 데이터를 비교하면, 광학 현미경 관찰 데이터 및 사진 데이터에서, 지르코니아 박막의 형성 여부와 무관하게 외관상으로는 거의 차이가 나타나지 않는다. Comparing the data of (1) and (3) of FIG. 7, in the optical microscope observation data and the photographic data, there is almost no difference in appearance regardless of whether or not the zirconia thin film is formed.
도 7의 (2), (3) 및 (4)의 데이터를 참조하면, 지르코니아 박막은 부식을 방지하는 효과가 있음을 확인할 수 있다. 또한, 원자층 증착법에 의하여 박막을 형성함으로써 박막의 균일성이 우수하게 나타나고, 단차피복성을 가질 수 있으며, 기판이 아닌 입체적 구조에서도 균일하게 증착 가능한 것으로 나타났다.Referring to the data of (2), (3) and (4) of FIG. 7, it can be confirmed that the zirconia thin film has an effect of preventing corrosion. In addition, by forming the thin film by the atomic layer deposition method, the uniformity of the thin film is excellent, it can have step coverage, and it has been shown that it can be deposited uniformly even in a three-dimensional structure other than a substrate.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 지르코니아 박막 형성 방법의 순서도이다.8 is a flowchart of a method of forming a zirconia thin film according to an embodiment of the present invention.
도 8을 참조하면, 단계 S810에서 챔버 내에 기판을 배치할 수 있다. 기판은 에어로 세척된 것일 수 있다.Referring to FIG. 8 , in step S810, a substrate may be placed in a chamber. The substrate may be cleaned with air.
전처리를 수행하기 전에, 챔버 내부의 압력을 1 mTorr로 하고, 온도를 80 ℃로 설정할 수 있다.Before performing the pretreatment, the pressure inside the chamber may be set to 1 mTorr and the temperature may be set to 80 °C.
전처리를 수행하기 전에, 챔버 (10) 내의 수분 및 불순물을 제거하고, 기판(110)의 온도가 80 ℃가 되도록 기설정된 시간을 대기할 수 있다. 예를 들어, 기설정된 시간은 600 초일 수 있다.Before performing the pretreatment, moisture and impurities in the
단계 S820에서 산소 플라즈마를 이용하여 기판의 표면에 대한 전처리를 수행할 수 있다. 전처리는 180 초 동안 전처리 사이클을 36 회 반복함으로써 수행될 수 있다.In step S820, the surface of the substrate may be pretreated using oxygen plasma. Pretreatment may be performed by repeating the pretreatment cycle 36 times for 180 seconds.
단계 S830에서 플라즈마 강화 원자층 증착법(PEALD)에 의하여 기판의 표면에 지르코니아 박막을 증착할 수 있다.In step S830, a zirconia thin film may be deposited on the surface of the substrate by plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD).
교정용 브라켓에 적용하기 위한 지르코니아 박막은, 폴리카보네이트 기판의 표면 상에 30~50 nm 의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.The zirconia thin film for application to the orthodontic bracket is preferably formed to a thickness of 30 to 50 nm on the surface of the polycarbonate substrate.
예를 들어, 증착 사이클을 300 회 반복함으로써 기판의 표면 상에 지르코니아 박막을 50 nm의 두께로 형성할 수 있다.For example, a zirconia thin film with a thickness of 50 nm can be formed on the surface of the substrate by repeating the
증착을 수행한 후에, 잔여물을 제거하는 퍼지를 120 초동안 실시할 수 있다. 퍼지를 수행한 후에, 챔버 내부를 진공으로 유지하기 위해 펌핑을 60 초동안 실시할 수 있다.After performing the deposition, a purge to remove residues may be performed for 120 seconds. After performing the purge, pumping may be performed for 60 seconds to maintain a vacuum inside the chamber.
상술한 설명에서, 단계 S810 내지 S830은 본 발명의 구현예에 따라서, 추가적인 단계들로 더 분할되거나, 더 적은 단계들로 조합될 수 있다. 또한, 일부 단계는 필요에 따라 생략될 수도 있고, 단계 간의 순서가 전환될 수도 있다.In the foregoing description, steps S810 to S830 may be further divided into additional steps or combined into fewer steps, depending on an embodiment of the present invention. Also, some steps may be omitted as needed, and the order of steps may be switched.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The above description of the present invention is for illustrative purposes, and those skilled in the art can understand that it can be easily modified into other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. will be. Therefore, the embodiments described above should be understood as illustrative in all respects and not limiting. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may be implemented in a combined form.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description above, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention. do.
10: 챔버
110: 기판
120: 산소 플라즈마
210: 전구체
220: 반응체10: chamber
110: substrate
120: oxygen plasma
210: precursor
220: reactant
Claims (5)
챔버 내에 투명한 폴리카보네이트(Polycarbonate) 기판을 배치하는 단계;
산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판의 표면에 대한 전처리를 수행하는 단계; 및
플라즈마 강화 원자층 증착법(PEALD)에 의하여 상기 기판의 표면에 지르코니아 박막을 상기 기판의 투명도가 유지되도록 증착하는 단계
를 포함하는 것인, 박막 형성 방법.
In the method of forming the zirconia thin film of the bracket,
Placing a transparent polycarbonate substrate in the chamber;
performing a pretreatment on the surface of the substrate using oxygen plasma; and
Depositing a zirconia thin film on the surface of the substrate by plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) to maintain transparency of the substrate
That is, a thin film forming method comprising a.
상기 지르코니아 박막을 증착하는 단계는
상기 챔버 내로 금속 전구체를 도입하는 단계;
비반응성 기체에 의해 퍼지하는 단계; 및
상기 챔버 내로 반응체를 도입하는 단계
를 포함하는 것인, 박막 형성 방법.
According to claim 1,
Depositing the zirconia thin film
introducing a metal precursor into the chamber;
purging with a non-reactive gas; and
introducing a reactant into the chamber
That is, a thin film forming method comprising a.
상기 금속 전구체는 테트라키스 에틸메틸아미노 지르코늄(TEMAZ)이고,
상기 반응체는 산소 플라즈마인 것인, 박막 형성 방법.
According to claim 2,
The metal precursor is tetrakis ethylmethylamino zirconium (TEMAZ),
The reactant is an oxygen plasma, a thin film forming method.
상기 지르코니아 박막을 증착하는 단계는 상기 챔버 내의 온도를 100℃ 이하로 유지하는 것인, 박막 형성 방법.
According to claim 1,
The depositing of the zirconia thin film is to maintain the temperature in the chamber at 100 ° C. or less, thin film forming method.
상기 지르코니아 박막을 50 nm 이하의 두께로 형성하는 것인, 박막 형성 방법.According to claim 1,
The thin film forming method of forming the zirconia thin film to a thickness of 50 nm or less.
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006192199A (en) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Chikami Miltec Inc | Dental metal wire, method for forming thin film on dental metal appliance, and dental wire and dental appliance formed with thin film by this method |
| KR101435158B1 (en) | 2013-03-04 | 2014-08-29 | (주)오티앤티 | Forming method of coating layer for dental prosthesis using antibacterial alloy and dental prosthesis |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090109204A (en) | 2008-04-15 | 2009-10-20 | 주식회사 씨엠코 | Preparation of Surface-Coated Brackets for Orthodontics |
| KR101119670B1 (en) * | 2009-04-22 | 2012-03-16 | 조선대학교산학협력단 | Deposition method of zirconia film improved optical properties |
| KR101898161B1 (en) * | 2017-02-07 | 2018-09-12 | 연세대학교 산학협력단 | Method of forming a metal oxide comprising buffer layer |
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006192199A (en) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Chikami Miltec Inc | Dental metal wire, method for forming thin film on dental metal appliance, and dental wire and dental appliance formed with thin film by this method |
| KR101435158B1 (en) | 2013-03-04 | 2014-08-29 | (주)오티앤티 | Forming method of coating layer for dental prosthesis using antibacterial alloy and dental prosthesis |
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