KR102485495B1 - Manufacturing method of electronic device including light emitting element and electronic device thereof - Google Patents

Manufacturing method of electronic device including light emitting element and electronic device thereof Download PDF

Info

Publication number
KR102485495B1
KR102485495B1 KR1020210108182A KR20210108182A KR102485495B1 KR 102485495 B1 KR102485495 B1 KR 102485495B1 KR 1020210108182 A KR1020210108182 A KR 1020210108182A KR 20210108182 A KR20210108182 A KR 20210108182A KR 102485495 B1 KR102485495 B1 KR 102485495B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting chip
resin
light
electronic device
Prior art date
Application number
KR1020210108182A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
홍용택
윤형수
정수진
Original Assignee
서울대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울대학교산학협력단 filed Critical 서울대학교산학협력단
Priority to KR1020210108182A priority Critical patent/KR102485495B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102485495B1 publication Critical patent/KR102485495B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Provided are a manufacturing method of an electronic device including a light emitting chip and an electronic device thereof. The manufacturing method of the electronic device may include preparing a first substrate including an electrode pattern on one surface, placing a resin mixed with conductive particles and a light emitting chip array on the electrode pattern, emitting at least one light emitting chip of the light emitting chip array, and curing a portion of the resin by light emission from the light emitting chip to bond the light emitting chip to the electrode pattern.

Description

발광 칩을 포함한 전자 장치의 제조 방법 및 그 전자 장치{Manufacturing method of electronic device including light emitting element and electronic device thereof}Manufacturing method of electronic device including light emitting element and electronic device thereof

개시된 실시예들은 발광 칩을 포함한 전자 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. Disclosed embodiments relate to an electronic device including a light emitting chip and a manufacturing method thereof.

현재 LED(Light-Emitting Diode)는 높은 휘도와 긴 수명, 외부 환경에 강한 특징을 바탕으로 차세대 디스플레이에 적용되는 기술로 각광받고 있다. 한편, LED 크기가 작아짐에 따라 LED 를 효율적으로 전사하는 기술, 전사한 발광 다이오드 중 불량 LED 를 교체하는 방법에 관한 기술이 중요한 이슈로 여겨지고 있다.Currently, LED (Light-Emitting Diode) is in the limelight as a technology applied to next-generation displays based on its characteristics of high brightness, long lifespan, and resistance to external environments. On the other hand, as the size of the LED decreases, a technique for efficiently transferring the LED and a technique for replacing a defective LED among the transferred light emitting diodes are regarded as important issues.

LED 전사 공정에서 가장 문제가 되는 부분은 불량 LED를 정상 LED로 교체하는 방법이다. 기존에 발표된 연구 중에는 불량 LED를 사전에 점검하여 불량 LED를 제외한 정상 LED만을 선택적으로 전사하는 방식이 있다. 이와 같은 방식은 LED의 불량만을 고려할 수 있는데, 실제로 전자 장치를 제작하는 단계에서 LED 불량 뿐만 아니라, 전극과의 LED간의 전기적 연결 불량 등의 추가적인 문제가 있을 수 있다. The most problematic part of the LED transfer process is how to replace a bad LED with a good one. Among previously published studies, there is a method of selectively transferring only normal LEDs excluding defective LEDs by inspecting defective LEDs in advance. In this method, only the defect of the LED can be considered, but there may be additional problems such as a defect in the electrical connection between the electrode and the LED as well as the defect in the LED in the actual manufacturing stage of the electronic device.

발광 칩에 방출된 광을 이용하여 발광 칩과 전극 패턴을 본딩시키는 전자 장치의 제조 방법 및 그 전자 장치를 제공한다. A method for manufacturing an electronic device in which a light emitting chip and an electrode pattern are bonded using light emitted from the light emitting chip and the electronic device are provided.

일 유형에 따른 전자 장치의 제조 방법은, 일 표면에 전극 패턴을 포함하는 제1 기판을 준비하는 단계; 상기 전극 패턴상에 전도성 입자들이 혼합된 레진 및 발광 칩 어레이를 배치시키는 단계; 상기 발광 칩 어레이 중 적어도 하나의 발광 칩을 발광시키는 단계; 및 상기 발광 칩의 발광에 의해 상기 레진 중 일부 영역이 경화되어 발광된 발광 칩을 상기 전극 패턴에 본딩시키는 단계;를 포함한다. A manufacturing method of an electronic device according to one type includes preparing a first substrate including an electrode pattern on one surface; disposing a resin in which conductive particles are mixed and a light emitting chip array on the electrode pattern; emitting light from at least one light emitting chip of the light emitting chip array; and bonding the light emitting chip, which is light emitting by curing a partial region of the resin by light emission of the light emitting chip, to the electrode pattern.

그리고, 상기 발광 칩 어레이는 발광된 제1 발광 칩과 비발광된 제2 발광 칩을 포함하고, 상기 레진 중 상기 제1 발광 칩과 상기 전극 패턴 사이의 적어도 일부 영역은 경화되고, 상기 제2 발광 칩과 상기 전극 패턴 사이의 영역은 경화되지 않을 수 있다.In addition, the light emitting chip array includes a first light emitting chip that emits light and a second light emitting chip that does not emit light, and at least a part of the resin between the first light emitting chip and the electrode pattern is cured, and the second light emitting chip is cured. A region between the chip and the electrode pattern may not be hardened.

또한, 상기 제2 발광 칩을 상기 제1 기판으로부터 제거하는 단계;를 더 포함할 수 있다. The method may further include removing the second light emitting chip from the first substrate.

그리고, 상기 제1 기판 중 상기 제2 발광 칩이 제거된 영역에 새로운 발광 칩인 제3 발광 칩을 배치시키는 단계; 및 상기 제3 발광 칩을 발광시켜 상기 제3 발광 칩을 상기 전극 패턴에 본딩시키는 단계;를 더 포함할 수 있다.and disposing a third light emitting chip, which is a new light emitting chip, in an area of the first substrate from which the second light emitting chip is removed; and bonding the third light emitting chip to the electrode pattern by emitting light from the third light emitting chip.

또한, 상기 전도성 입자들은 이방성 강자성 특성을 갖고, 상기 전도성 입자들에 자기장을 인가하여 상기 전도성 입자들을 일정 방향으로 배향시키는 단계;를 더 포함할 수 있다.The conductive particles may have an anisotropic ferromagnetic property, and a step of orienting the conductive particles in a predetermined direction by applying a magnetic field to the conductive particles may be further included.

그리고, 상기 발광시키는 단계는, 상기 전극 패턴을 통해 전기적 신호를 인가함으로써 상기 적어도 하나의 발광 칩을 발광시킬 수 있다.In the light-emitting step, the at least one light-emitting chip may emit light by applying an electrical signal through the electrode pattern.

또한, 상기 레진은 가시광선 영역의 광에 의해 경화되는 물질을 포함할 수 있다.In addition, the resin may include a material that is cured by light in the visible ray region.

그리고, 상기 레진에는 광 산란제가 더 혼합되어 있을 수 있다.In addition, a light scattering agent may be further mixed with the resin.

또한, 상기 레진에 대한 상기 전도성 입자들의 질량비는 10wt% 내지 50wt% 일 수 있다. In addition, the mass ratio of the conductive particles to the resin may be 10wt% to 50wt%.

그리고, 상기 발광 칩 어레이는 복수 개의 마이크로 발광 다이오드를 포함할 수 있다.Also, the light emitting chip array may include a plurality of micro light emitting diodes.

그리고, 상기 발광 칩 어레이 중 적어도 하나의 발광 칩은, 광을 방출할 수 있는 반도체 물질을 포함하는 몸체; 및 상기 몸체 중 상기 레진과 접하는 표면상에 배치되는 하나 이상의 전극;을 포함할 수 있다.In addition, at least one light emitting chip of the light emitting chip array may include a body including a semiconductor material capable of emitting light; and one or more electrodes disposed on a surface of the body in contact with the resin.

또한, 적어도 하나의 상기 전극 패턴은 투명 전극을 포함하는 것일 수 있다. In addition, at least one electrode pattern may include a transparent electrode.

그리고, 상기 제1 기판은, 상기 발광 칩 어레이 중 적어도 하나의 발광 칩을 구동시키는 구동층을 포함할 수 있다.The first substrate may include a driving layer for driving at least one light emitting chip of the light emitting chip array.

또한, 상기 전극 패턴에 본딩된 발광 칩을 덮는 평탄화층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다. The method may further include forming a planarization layer covering the light emitting chip bonded to the electrode pattern.

한편, 일 실시예에 따른 전자 장치는, 표면에 전극 패턴을 포함하는 기판; 상기 전극 패턴상에 배열된 발광 칩 어레이; 상기 전극 패턴과 상기 발광 칩 어레이 사이에 배치되며, 전도성 입자들이 혼합된 레진;을 포함하고, 상기 레진은 상기 발광 어레이에서 방출된 광에 의해 경화되는 물질을 포함할 수 있다.Meanwhile, an electronic device according to an embodiment includes a substrate including an electrode pattern on a surface; a light emitting chip array arranged on the electrode pattern; and a resin disposed between the electrode pattern and the light emitting chip array and in which conductive particles are mixed, and the resin may include a material that is cured by light emitted from the light emitting array.

그리고, 상기 발광 칩 어레이는 복수 개의 마이크로 발광 다이오드를 포함할 수 있다.Also, the light emitting chip array may include a plurality of micro light emitting diodes.

또한, 상기 전도성 입자들은, 이방성 강자성 특성을 가질 수 있다. In addition, the conductive particles may have anisotropic ferromagnetic properties.

그리고, 상기 레진에는 광 산란제가 더 혼합되어 있을 수 있다.In addition, a light scattering agent may be further mixed with the resin.

또한, 상기 레진에 대한 상기 전도성 입자들의 질량비는 10wt% 내지 50wt% 일 수 있다. 그리고, 상기 발광 칩 어레이를 덮는 평탄화층;을 더 포함할 수 있다.
한편, 또 다른 일 실시예에 따르는 전자 장치는, 표면에 다수의 전극 패턴을 포함하는 기판; 상기 전극 패턴 각각에 대응되도록 이격 형성된 복수 개의 발광 칩 어레이; 및 상기 전극 패턴과 상기 발광 칩 어레이 각각의 사이에서 이격된 공간을 채우며 경화된 복수 개의 레진 연결부;를 포함하고, 상기 복수 개의 레진 연결부 중 적어도 하나의 레진 연결부는 제1 레진을 포함하고, 상기 복수 개의 레진 연결부 중 적어도 하나의 다른 레진 연결부는, 제2 레진을 포함하는 것이고, 상기 제2 레진을 포함하는 레진 연결부는, 적어도 일부가 상기 전극 패턴과 직접 닿아있도록 형성되어 있는 제2-1 레진과, 적어도 일부가 상기 발광 칩 어레이에 직접 닿아있도록 형성되는 제2-2 레진이 혼합되며 접합된 것이고, 상기 복수 개의 레진 연결부는 상기 전극 패턴과 상기 발광 칩 어레이를 전기적으로 연결하도록 방향성을 가지고 배열된 전도성 입자들을 포함;하는 것일 수 있다.In addition, the mass ratio of the conductive particles to the resin may be 10wt% to 50wt%. In addition, a planarization layer covering the light emitting chip array may be further included.
Meanwhile, an electronic device according to another embodiment includes a substrate including a plurality of electrode patterns on a surface; a plurality of light emitting chip arrays spaced apart to correspond to each of the electrode patterns; and a plurality of resin connecting parts filling spaces spaced apart between the electrode pattern and each of the light emitting chip arrays and hardening, wherein at least one resin connecting part among the plurality of resin connecting parts includes a first resin, and the plurality of resin connecting parts include a first resin. At least one other resin connecting part among the two resin connecting parts includes a second resin, and at least a part of the resin connecting part including the second resin is in direct contact with the electrode pattern, and the 2-1 resin , At least a part of the 2-2 resin formed to directly contact the light emitting chip array is mixed and bonded, and the plurality of resin connecting parts are arranged in a directionality so as to electrically connect the electrode pattern and the light emitting chip array. It may include; conductive particles.

일 실시예에 따른 전자 장치의 제조 방법 및 장치는, 발광 칩에서 방출되는 광을 이용하여 정상적인 발광 칩만 선택적으로 전극 패턴에 본딩시킬 수 있다. In the method and apparatus for manufacturing an electronic device according to an embodiment, only normal light emitting chips may be selectively bonded to electrode patterns using light emitted from the light emitting chips.

또한, 발광 칩이 정상일 때 뿐만 아니라, 발광 칩이 전극 패턴에 전기적으로 연결된 경우에 한하여 발광 칩이 전극 패턴에 본딩되기 때문에 구성요소들간의 전기적 연결 여부도 함께 점검할 수 있다. In addition, since the light emitting chip is bonded to the electrode pattern only when the light emitting chip is electrically connected to the electrode pattern, as well as when the light emitting chip is normal, electrical connection between components can be checked together.

더 나아가 일정 양 이상의 광을 방출하는 발광 칩을 전자 장치에 전사시키고자 하는 경우, 레진의 경화 조건 등을 조절함으로써 특정 조건을 만족하는 발광 칩만을 본딩시킬 수 있다. Furthermore, when it is desired to transfer a light emitting chip that emits more than a certain amount of light to an electronic device, only light emitting chips that satisfy specific conditions may be bonded by adjusting curing conditions of resin.

또한, 일 실시예에 따른 전자 장치의 제조 방법 및 장치는, LED 소자 크기가 작아 불량 LED를 정상 LED로 일일이 교체 및 수리하기가 어려운 마이크로 LED 공정에서 효과적으로 사용될 수 있다.In addition, the method and apparatus for manufacturing an electronic device according to an embodiment can be effectively used in a micro LED process in which it is difficult to individually replace and repair defective LEDs with normal LEDs due to the small size of LED elements.

일 실시예에 따른 발광 칩의 광 방출에 의한 본딩 방식은 전자 장치의 국부적인 영역에만 광이 방출되어 전자 장치의 다른 구성요소에 대한 영향을 최소화할 수 있다. In the bonding method by light emission of the light emitting chip according to an exemplary embodiment, light is emitted only in a local area of the electronic device, thereby minimizing the effect on other components of the electronic device.

일 실시예에 따른 광 경화에 의한 본딩 방식은 기존의 솔더링 방식처럼 높은 온도가 필요하지 않고, 유리, 실리콘 뿐만 아니라, 플라스틱 유연기판 (PI, PEN, PET 등)과 신축성 기판(PDMS, ecoflex 등) 등도 전사 기판으로 사용할 수 있기 때문에 다양한 전자 장치에 적용될 수 있다.The bonding method by light curing according to an embodiment does not require a high temperature like the conventional soldering method, and can be applied to plastic flexible substrates (PI, PEN, PET, etc.) and stretchable substrates (PDMS, ecoflex, etc.) as well as glass and silicon. Since it can also be used as a transfer substrate, it can be applied to various electronic devices.

도 1은 일 실시예에 따른 전자 장치의 제조 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 전극 패턴이 형성된 제1 기판을 도시한 도면이다.
도 3는 일 실시예에 따른 발광 칩 어레이가 배치된 제2 기판을 도시한 도면이다.
도 4는 일 실시예에 따른 강자성 레진이 일면에 형성된 제3 기판을 도시한 도면이다.
도 5는 일 실시예에 따라 발광 칩 어레이에 강자성 레진을 코팅하는 방법을 설명하는 참조도면이다.
도 6은 일 실시예에 따른 발광 칩 어레이에 강자성 레진이 코팅된 상태를 도시한 도면이다.
도 7은 일 실시예에 따른 제2 기판과 제1 기판이 마주보는 상태를 도시한 도면이다.
도 8은 일 실시예에 따른 발광 칩 어레이에 자기장 및 전기적 신호를 인가한 상태를 도시한 도면이다.
도 9는 일 실시예에 따른 광을 방출하지 않는 제2 발광 칩을 제거하는 참조 도면이다.
도 10은 일 실시예에 따른 발광 칩을 리페어하는 참조 도면이다.
도 11은 일 실시예에 따른 평탄화층을 포함하는 전자 장치를 도시한 도면이다.
도 12는 일 실시예에 따른 색변환층을 포함하는 전자 장치를 도시한 도면이다.
도 13은 일 실시예에 따른 광 산란제를 이용하여 발광 칩을 전극 패턴에 본딩시키는 과정을 설명하는 참조도면이다.
도 14는 일 실시예에 따른 제1 기판상에 전도성 입자들이 혼합된 레진 및 수직형 발광 칩이 배열된 상태를 도시한 참조도면이다. 1 is a flowchart illustrating a manufacturing method of an electronic device according to an exemplary embodiment.
2 is a diagram illustrating a first substrate on which an electrode pattern is formed according to an exemplary embodiment.
3 is a view illustrating a second substrate on which a light emitting chip array is disposed according to an exemplary embodiment.
4 is a view showing a third substrate on which a ferromagnetic resin is formed on one surface according to an embodiment.
5 is a reference view illustrating a method of coating a ferromagnetic resin on a light emitting chip array according to an exemplary embodiment.
6 is a diagram illustrating a state in which ferromagnetic resin is coated on a light emitting chip array according to an exemplary embodiment.
7 is a view showing a state in which the second substrate and the first substrate face each other according to an embodiment.
8 is a diagram illustrating a state in which a magnetic field and an electrical signal are applied to a light emitting chip array according to an exemplary embodiment.
9 is a reference view of removing a second light emitting chip that does not emit light according to an exemplary embodiment.
10 is a reference diagram for repairing a light emitting chip according to an exemplary embodiment.
11 is a diagram illustrating an electronic device including a planarization layer according to an exemplary embodiment.
12 is a diagram illustrating an electronic device including a color conversion layer according to an exemplary embodiment.
13 is a reference diagram explaining a process of bonding a light emitting chip to an electrode pattern using a light scattering agent according to an exemplary embodiment.
14 is a reference view illustrating a state in which a resin in which conductive particles are mixed and a vertical light emitting chip are arranged on a first substrate according to an exemplary embodiment.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 설명되는 실시예는 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 실시예들로부터 다양한 변형이 가능하다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다. Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The described embodiments are merely illustrative, and various modifications are possible from these embodiments. In the following drawings, the same reference numerals denote the same components, and the size of each component in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of description.

이하에서, "상부" 나 "상"이라고 기재된 것은 접촉하여 바로 위에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위에 있는 것도 포함할 수 있다.Hereinafter, what is described as "above" or "above" may include not only what is directly on top of contact but also what is on top of non-contact.

제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 이러한 용어들은 구성 요소들의 물질 또는 구조가 다름을 한정하는 것이 아니다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but are used only for the purpose of distinguishing one component from another. These terms are not intended to limit the difference in material or structure of the components.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In addition, when a certain component is said to "include", this means that it may further include other components without excluding other components unless otherwise stated.

또한, 명세서에 기재된 “...부”, “모듈” 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어 또는 소프트웨어로 구현되거나 하드웨어와 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.In addition, terms such as "...unit" and "module" described in the specification mean a unit that processes at least one function or operation, which may be implemented as hardware or software or a combination of hardware and software. .

“상기”의 용어 및 이와 유사한 지시 용어의 사용은 단수 및 복수 모두에 해당하는 것일 수 있다. The use of the term “above” and similar denoting terms may correspond to both singular and plural.

방법을 구성하는 단계들은 설명된 순서대로 행하여야 한다는 명백한 언급이 없다면, 적당한 순서로 행해질 수 있다. 또한, 모든 예시적인 용어(예를 들어, 등등)의 사용은 단순히 기술적 사상을 상세히 설명하기 위한 것으로서 청구항에 의해 한정되지 않는 이상 이러한 용어로 인해 권리 범위가 한정되는 것은 아니다.Steps comprising a method may be performed in any suitable order, unless expressly stated that they must be performed in the order described. In addition, the use of all exemplary terms (for example, etc.) is simply for explaining technical ideas in detail, and the scope of rights is not limited due to these terms unless limited by claims.

도 1은 일 실시예에 따른 전자 장치의 제조 방법을 설명하는 흐름도이다. 도 1을 참조하면, 전자 장치의 제조 방법은, 일 표면에 전극 패턴(230)을 포함하는 제1 기판(200)을 준비하는 단계(S110), 전극 패턴(230)상에 강자성 레진(600) 및 발광 칩 어레이(400A)를 배치시키는 단계(S120), 발광 칩 어레이(400A)에 중 적어도 하나의 발광 칩(400)을 발광시키는 단계(S130) 및 발광 칩(400)의 발광에 의해 레진(620) 중 일부 영역이 경화되어 발광된 발광 칩(400)을 전극 패턴(230)에 본딩시키는 단계(S140)를 포함할 수 있다. 발광 칩 어레이(400A) 중 발광된 발광 칩(400)만이 선택적으로 전극 패턴(230)에 본딩되는 바, 본딩 과정에서 정상 발광 칩(400)과 불량 발광 칩(400)이 구분될 수 있다. 1 is a flowchart illustrating a manufacturing method of an electronic device according to an exemplary embodiment. Referring to FIG. 1 , a method of manufacturing an electronic device includes preparing a first substrate 200 having an electrode pattern 230 on one surface (S110), ferromagnetic resin 600 on the electrode pattern 230 and disposing the light emitting chip array 400A (S120), emitting light from at least one light emitting chip 400 in the light emitting chip array 400A (S130), and resin ( 620), a step of bonding the light emitting chip 400, in which a partial area is cured and emits light, to the electrode pattern 230 (S140). Among the light emitting chip array 400A, only the light emitting chips 400 that emit light are selectively bonded to the electrode pattern 230, and thus, normal light emitting chips 400 and defective light emitting chips 400 can be distinguished during the bonding process.

이하 도면을 참조하여 보다 구체적으로 설명한다. It will be described in more detail with reference to the drawings below.

도 2는 일 실시예에 따른 전극 패턴(230)이 형성된 제1 기판(200)을 도시한 도면이다. 제1 기판(200)은 베이스층(210) 및 구동층(220)을 포함할 수 있다. 베이스층(210)은 유리, 유기 고분자, 수정 등과 같은 절연성 재료를 포함할 수 있다. 또한, 베이스층(210)은 휘거나 접힘이 가능하도록 가연성(flexibility)을 갖는 재료로 이루어질 수 있고, 단층 구조나 다층 구조를 가질 수 있다. 구동층(220)는 발광 칩(400)들을 구동시키는 트랜지스터(미도시), 전극 패턴(230) 등을 포함할 수 있다. 전극 패턴(230)은 스트라이프 타입의 복수 개의 전극을 포함할 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않는다. FIG. 2 is a diagram illustrating a first substrate 200 on which an electrode pattern 230 is formed according to an exemplary embodiment. The first substrate 200 may include a base layer 210 and a driving layer 220 . The base layer 210 may include an insulating material such as glass, organic polymer, or quartz. In addition, the base layer 210 may be made of a material having flexibility so as to be bent or folded, and may have a single-layer structure or a multi-layer structure. The driving layer 220 may include a transistor (not shown) driving the light emitting chips 400 , an electrode pattern 230 , and the like. The electrode pattern 230 may include a plurality of electrodes of a stripe type. However, it is not limited thereto.

도 3는 일 실시예에 따른 발광 칩 어레이(400A)가 배치된 제2 기판(300)을 도시한 도면이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 기판(300)에는 복수의 발광 칩(400)이 어레이 형태로 배열된 상태이다. 도 3에 도시된 복수의 발광 칩(400)은 일 예시에 해당하며, 복수의 발광 칩(400)의 개수 및 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 기판(300)에 배열된 발광 칩 어레이(400A)는 전자 장치의 제작을 위해 다른 구성들이 형성된 제1 기판(200)으로 한번에 전사(transfer)될 수 있다. 3 is a diagram illustrating a second substrate 300 on which a light emitting chip array 400A according to an exemplary embodiment is disposed. As shown in FIG. 3 , a plurality of light emitting chips 400 are arranged in an array form on the second substrate 300 . The plurality of light emitting chips 400 shown in FIG. 3 corresponds to one example, and the number and configuration of the plurality of light emitting chips 400 are not limited thereto. The light emitting chip array 400A arranged on the second substrate 300 may be transferred at once to the first substrate 200 on which other components are formed for manufacturing an electronic device.

발광 칩(400)는 무기물 기반의 발광 다이오드(Light Emitting Diode)일 수 있다. 발광 칩(400)는 발광 칩(400)에 포함된 물질에 따라 특정 파장의 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 발광 칩(400)은 가시 광선 대역의 광을 방출할 수 있다. 일 실시예에 따른 발광 칩(400)는 마이크로 사이즈일 수 있다. 예를 들어, 발광 칩(400)의 폭은 약 500㎛ 이하일 수 있고, 또는 약 100㎛ 이하일 수 있다.The light emitting chip 400 may be an inorganic material-based light emitting diode. The light emitting chip 400 may emit light of a specific wavelength according to materials included in the light emitting chip 400 . For example, the light emitting chip 400 may emit light in a visible light band. The light emitting chip 400 according to an embodiment may have a micro size. For example, the width of the light emitting chip 400 may be about 500 μm or less, or about 100 μm or less.

발광 칩(400) 각각은 복수 개의 반도체층을 포함하는 몸체(410)와 몸체(410)에 전기적 신호를 인가하는 전극부(420)를 포함할 수 있다. Each of the light emitting chips 400 may include a body 410 including a plurality of semiconductor layers and an electrode unit 420 for applying an electrical signal to the body 410 .

몸체(410)는 도펀트 타입이 다른 제1 및 제2 반도체층, 제1 및 제2 반도체층 사이에 배치되며 전자와 정공이 결합하면서 광을 발생시킬 수 있는 활성층을 포함할 수 있다. 활성층의 물질 성분에 따라 방출되는 광의 파장이 달라질 수 있다. 발광 칩(400) 각각은 동일한 파장 대역의 광을 방출할 수도 있고, 발광 어레이 중 인접한 발광 칩(400)은 서로 다른 파장 대역의 광을 방출할 수도 있다. The body 410 may include first and second semiconductor layers having different dopant types, and an active layer disposed between the first and second semiconductor layers and capable of generating light while electrons and holes are coupled thereto. The wavelength of emitted light may vary according to material components of the active layer. Each of the light emitting chips 400 may emit light of the same wavelength band, and adjacent light emitting chips 400 in the light emitting array may emit light of different wavelength bands.

전극부(420)는 몸체(410)의 표면상에 배치되며, 각각이 제1 및 제2 반도체층과 접하는 제1 및 제2 전극(422, 424)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 전극(422, 424)은 투명 전극일 수 있다. 제1 및 제2 전극(422, 424)은 몸체(410)의 동일한 표면상에 배치되는 경우, 발광 칩(400)은 수평형 발광 칩(400)이라고 칭할 수 있다. 도 3에서는 수평형 발광 칩이 도시되어 있다. The electrode unit 420 is disposed on the surface of the body 410 and may include first and second electrodes 422 and 424 contacting the first and second semiconductor layers, respectively. The first and second electrodes 422 and 424 may be transparent electrodes. When the first and second electrodes 422 and 424 are disposed on the same surface of the body 410, the light emitting chip 400 may be referred to as a horizontal type light emitting chip 400. 3 shows a horizontal light emitting chip.

제2 기판(300)은 유리 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 기판(300)은 발광 칩 어레이(400A)를 제1 기판(200)에 전달하기 위한 캐리어 기판일 수 있으며, 후술하는 공정이 끝난 이후 제거될 수 있다. 제2 기판(300)과 발광 칩 어레이(400A)는 접착층(미도시)을 통해 임시적으로 연결된 상태일 수 있다. The second substrate 300 may be a glass substrate, but is not limited thereto. The second substrate 300 may be a carrier substrate for transferring the light emitting chip array 400A to the first substrate 200 and may be removed after a process to be described later is completed. The second substrate 300 and the light emitting chip array 400A may be temporarily connected through an adhesive layer (not shown).

도 4는 일 실시예에 따른 강자성 레진(600)이 일면에 형성된 제3 기판(500)을 도시한 도면이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 제3 기판(500)은 유리 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 블레이드 코팅 등을 통해 레진(620)는 제3 기판(500)의 일면에 도포될 수 있다. 레진(620)은 발광 칩 어레이(400A)의 전체 면적에 대응되는 면적을 가지도록 제3 기판(500)의 일면에 형성된 상태일 수 있다. 예시적으로, 레진(620)의 전체 면적은 발광 칩 어레이(400A)의 전체 면적보다 넓을 수 있다. 4 is a view showing a third substrate 500 having a ferromagnetic resin 600 formed on one surface according to an exemplary embodiment. As shown in FIG. 4 , the third substrate 500 may be a glass substrate, but is not limited thereto. The resin 620 may be applied to one surface of the third substrate 500 through blade coating or the like. The resin 620 may be formed on one surface of the third substrate 500 to have an area corresponding to the entire area of the light emitting chip array 400A. For example, the entire area of the resin 620 may be larger than the entire area of the light emitting chip array 400A.

레진(620)는 광 경화성 레진일 수 있으며, 특정 파장에 의해 형상이 경화될 수 있다. 레진(620)은 발광 칩(400)에서 방출되는 광에 의해 경화되는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 레진(620)은 Camphorquinone (CQ), 10-methacryloyl-oxy-camphorquinone (MCQ), 1-phenyl-1,2-propanedione (PPD), Acrylphosphine oxide (APO), Bisacrylphosphine oxide (Ir819), Bisacylphosphine oxide (BAPO), 7,7-dimethyl-2,3-dioxobicyclo[2.2.1]heptane-1-carbonyldiphenyl phosphine oxide (CQ-APO), Benzoyltrimethylgermane (DBTMGe), Dibenzoyldiethylgermane (DBDEGe), N,N'-dimethyl,-N,N'-di(methacryloxyethyl)-1,6-hexanediamine (NDMH), Tris(2,2'-bipyridine)ruthenium(II) (Ru(II)bpy32+), 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenylphosphine oxide (TPO), 9,10-Phenanthrenequinone (9,10-PQ), 9-(2,4,6-trimethylbenzoyl)-9-oxytho-9-phosphafuluorene, 9-(p-toluyl)-9-oxytho-9-phosphafuluorene, Dibenzoyl germanium (Ivocerin) 등을 포함할 수 있다. 레진(620)를 통해 구성 요소들 간의 물리적 연결, 결합이 가능할 수 있다. 즉, 레진(620)는 발광 칩(400)을 전극 패턴(230)에 고정하는 접착 기능을 제공할 수 있다. 또한, 레진(620)은 비전도성 레진일 수 있다. The resin 620 may be a photocurable resin, and may be cured in shape by a specific wavelength. The resin 620 may include a material that is cured by light emitted from the light emitting chip 400 . For example, the resin 620 is camphorquinone (CQ), 10-methacryloyl-oxy-camphorquinone (MCQ), 1-phenyl-1,2-propanedione (PPD), acrylphosphine oxide (APO), bisacrylphosphine oxide (Ir819), Bisacylphosphine oxide (BAPO), 7,7-dimethyl-2,3-dioxobicyclo[2.2.1]heptane-1-carbonyldiphenyl phosphine oxide (CQ-APO), Benzoyltrimethylgermane (DBTMGe), Dibenzoyldiethylgermane (DBDEGe), N,N'- dimethyl,-N,N'-di(methacryloxyethyl)-1,6-hexanediamine (NDMH), Tris(2,2'-bipyridine)ruthenium(II) (Ru(II)bpy32+), 2,4,6-trimethylbenzoyl -diphenylphosphine oxide (TPO), 9,10-Phenanthrenequinone (9,10-PQ), 9-(2,4,6-trimethylbenzoyl)-9-oxytho-9-phosphafuluorene, 9-(p-toluyl)-9- oxytho-9-phosphafuluorene, Dibenzoyl germanium (Ivocerin), and the like. Physical connection and coupling between components may be possible through the resin 620 . That is, the resin 620 may provide an adhesive function for fixing the light emitting chip 400 to the electrode pattern 230 . Also, the resin 620 may be a non-conductive resin.

레진(620) 내부에 분포된 전도성 입자(610)는 전기적 특성 뿐만 아니라 이방성 강자성 특성을 가질 수 있다. 전도성 입자(610)들은 제1 및 제2 전극(422, 424) 간의 간격보다 작은 크기를 가질 수 있다. 전도성 입자(610)들은 장축이 자기장 방향으로 배열되고 단축이 자기장 방향과 수직한 방향으로 배열되는 막대 형상(rod-like shape)일 수 있있다. The conductive particles 610 distributed inside the resin 620 may have electrical properties as well as anisotropic ferromagnetic properties. The conductive particles 610 may have a smaller size than the distance between the first and second electrodes 422 and 424 . The conductive particles 610 may have a rod-like shape in which a long axis is arranged in a direction of the magnetic field and a short axis is arranged in a direction perpendicular to the direction of the magnetic field.

레진(620)에 대한 전도성 입자(610)들의 질량비는 50wt%이하일 수 있다. 전도성 입자(610)들의 농도가 너무 높은 경우, 수직방향 뿐만 아니라 수평 방향으로도 전도 특성을 보여 수평 방향으로 전기적 쇼트가 발생할 수 있다. 또한, 전도성 입자입자(610)들의 농도가 너무 높으면 전도성 입자(610)들끼리 뭉쳐서 분산성이 떨어질 수도 있다. 레진(620)에 대한 전도성 입자(610)들의 질량비는 약 10wt% 내지 50wt%일 있다. 또는 레진(620)에 대한 전도성 입자(610)들의 질량비는 약 20wt% 내지 30wt%일 있다. A mass ratio of the conductive particles 610 to the resin 620 may be 50 wt% or less. If the concentration of the conductive particles 610 is too high, conduction properties are shown not only in the vertical direction but also in the horizontal direction, and an electrical short may occur in the horizontal direction. Also, if the concentration of the conductive particles 610 is too high, the conductive particles 610 may clump together, resulting in poor dispersibility. A mass ratio of the conductive particles 610 to the resin 620 may be about 10wt% to about 50wt%. Alternatively, the mass ratio of the conductive particles 610 to the resin 620 may be about 20wt% to about 30wt%.

예를 들어, 외부 자기장이 형성되지 않는 경우, 전도성 입자(610)들은 랜덤하게 배열되어 강자성 레진(600)은 전기적 특성을 갖지 않을 수 있다. 한편, 자기장이 인가되면, 전도성 입자(610)들은 자기장의 방향을 따라 배향되면서 자기장 방향으로 배열된 전도성 입자(610)들이 서로 연결될 수 있다. 그리하여, 강자성 레진(600)은 자기장 방향으로 전기적 특성을 가질 수 있다. 이하 설명의 편의를 도모하기 위해 강자성의 전도성 입자들(610)들이 혼합된 레진(620)을 강자성 레진이라고 칭할 수 있다. For example, when an external magnetic field is not formed, the conductive particles 610 are randomly arranged so that the ferromagnetic resin 600 may not have electrical characteristics. Meanwhile, when a magnetic field is applied, the conductive particles 610 may be oriented along the direction of the magnetic field and the conductive particles 610 arranged in the direction of the magnetic field may be connected to each other. Thus, the ferromagnetic resin 600 may have electrical characteristics in the direction of the magnetic field. For convenience of description below, the resin 620 in which the ferromagnetic conductive particles 610 are mixed may be referred to as a ferromagnetic resin.

다음으로, 제2 기판(300)의 발광 칩 어레이(400A)와 제3 기판(500)의 레진(620)을 접촉시켜 상기 발광 칩 어레이(400A)에 강자성 레진(600)을 코팅할 수 있다. 스탬핑 공정에 의해 발광 칩 어레이(400A)에 강자성 레진(600)을 코팅할 수 있다. Next, the ferromagnetic resin 600 may be coated on the light emitting chip array 400A by bringing the light emitting chip array 400A of the second substrate 300 into contact with the resin 620 of the third substrate 500 . The ferromagnetic resin 600 may be coated on the light emitting chip array 400A by a stamping process.

도 5는 일 실시예에 따라 발광 칩 어레이(1400A)에 강자성 레진(600)을 코팅하는 방법을 설명하는 참조도면이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 발광 칩 어레이(400A)의 전극부(420)가 강자성 레진(600)을 마주하도록 제2 기판(300)과 제3 기판(500)을 위치시키고, 제2 기판(300) 및 제3 기판(500)간의 거리가 가까워지도록 제2 기판(300) 및 제3 기판(500) 중 적어도 하나를 이동시킬 수 있다. 5 is a reference diagram explaining a method of coating a ferromagnetic resin 600 on a light emitting chip array 1400A according to an exemplary embodiment. As shown in FIG. 5, the second substrate 300 and the third substrate 500 are positioned such that the electrode portion 420 of the light emitting chip array 400A faces the ferromagnetic resin 600, and the second substrate ( 300) and the third substrate 500, at least one of the second substrate 300 and the third substrate 500 may be moved.

제2 기판(300)과 제3 기판(500)의 거리가 가까워짐에 따라, 강자성 레진(600)이 제2 기판(300)의 발광 칩 어레이(400A)에 코팅될 수 있다. 즉, 제3 기판(500)의 강자성 레진(600) 중 일부가 발광 칩 어레이(400A)와 결합되어 이동될 수 있다. 충분한 양의 강자성 레진(600)이 발광 칩 어레이(400A)의 표면으로 이동된 이후, 제2 기판(300)과 제3 기판(500) 중 적어도 하나를 이동시켜 제2 기판(300)과 제3 기판(500)의 거리가 멀어지게 할 수 있다.As the distance between the second substrate 300 and the third substrate 500 decreases, ferromagnetic resin 600 may be coated on the light emitting chip array 400A of the second substrate 300 . That is, a portion of the ferromagnetic resin 600 of the third substrate 500 may be combined with the light emitting chip array 400A and moved. After a sufficient amount of the ferromagnetic resin 600 is moved to the surface of the light emitting chip array 400A, at least one of the second substrate 300 and the third substrate 500 is moved so that the second substrate 300 and the third substrate 300 are moved. The distance of the substrate 500 may be increased.

도 6은 일 실시예에 따른 발광 칩 어레이(400A)에 강자성 레진(600)이 코팅된 상태를 도시한 도면이다. 강자성 레진(600)은 발광 칩 어레이(400A)의 전체 면적에 대응하는 면적 또는 발광 칩 어레이(400A)의 전체 면적을 커버할 수 있는 면적을 가지므로, 발광 칩 어레이(400A)에 포함된 모든 발광 칩(400)은 한 번의 스탬핑 공정으로 레진(620)이 코팅될 수 있다. 즉, 발광 칩 어레이(400A)에 포함된 미세한 크기의 발광 칩(400)에 대한 개별적인 코팅 공정이 불필요하며, 한번의 스탬핑 공정으로 발광 칩(400)에 대한 강자성 레진(600)의 코팅 및 도포가 가능하다.6 is a view showing a state in which a ferromagnetic resin 600 is coated on a light emitting chip array 400A according to an exemplary embodiment. Since the ferromagnetic resin 600 has an area corresponding to the entire area of the light emitting chip array 400A or an area capable of covering the entire area of the light emitting chip array 400A, all light emitting elements included in the light emitting chip array 400A The chip 400 may be coated with the resin 620 in a single stamping process. That is, a separate coating process for the fine-sized light emitting chip 400 included in the light emitting chip array 400A is unnecessary, and the coating and coating of the ferromagnetic resin 600 on the light emitting chip 400 is performed in one stamping process. It is possible.

강자성 레진(600)이 코팅된 발광 칩 어레이(400A)을 전극 패턴(230)상에 배치시킬 수 있다. 도 7은 일 실시예에 따른 제2 기판(300)과 제1 기판(200)이 마주보는 상태를 도시한 도면이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 전극 패턴(230)상에 강자성 레진(600) 및 발광 칩 어레이(400A)가 순차적으로 배열되도록 제1 기판(200)상에 제2 기판(300)을 정렬할 수 있다. The light emitting chip array 400A coated with the ferromagnetic resin 600 may be disposed on the electrode pattern 230 . 7 is a view showing a state in which the second substrate 300 and the first substrate 200 face each other according to an embodiment. As shown in FIG. 7 , the second substrate 300 may be arranged on the first substrate 200 so that the ferromagnetic resin 600 and the light emitting chip array 400A are sequentially arranged on the electrode pattern 230 . there is.

제1 및 제2 기판(200, 300) 사이에 자기장이 형성되지 않은 경우 전도성 입자(610)들은 랜덤한 방향으로 배열되기 때문에 발광 칩 어레이(400A)와 전극 패턴(230)은 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. When a magnetic field is not formed between the first and second substrates 200 and 300, the light emitting chip array 400A and the electrode pattern 230 are not electrically connected because the conductive particles 610 are arranged in a random direction. can

도 8은 일 실시예에 따른 발광 칩 어레이(400A)에 자기장 및 전기적 신호를 인가한 상태를 도시한 도면이다. 8 is a diagram illustrating a state in which a magnetic field and an electrical signal are applied to a light emitting chip array 400A according to an exemplary embodiment.

강자성 레진(600)과 제2 기판(300)의 전극 패턴(230)을 접촉시킨 후, 발광 칩 어레이(400A) 중 적어도 하나의 발광 칩(400)을 발광시킬 수 있다. 전극 패턴(230)을 통해 발광 칩 어레이(400A)에 전기적 신호를 인가할 수 있다. After the ferromagnetic resin 600 is brought into contact with the electrode pattern 230 of the second substrate 300 , at least one light emitting chip 400 of the light emitting chip array 400A may emit light. An electrical signal may be applied to the light emitting chip array 400A through the electrode pattern 230 .

제1 기판(200)에서 제2 기판(300) 방향인 수직 방향으로 자기장이 형성되면, 전도성 입자(610)들은 자기장 방향에 대응하여 레진(620) 내에서 일정 방향으로 배향될 수 있다. 예를 들어, 전도성 입자(610)들은 자기장 방향과 나란한 방향으로 자기 정렬될 수 있다. 수직 방향으로 배향된 전도성 입자(610)들은 수직 방향으로 밀도가 증가하여 수직 방향으로 인접한 전도성 입자(610)들끼리 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 그리하여, 전도성 입자(610)들을 통해 발광 칩 어레이(400A)와 전극 패턴(230)은 전기적으로 연결될 수 있다. When a magnetic field is formed in a vertical direction from the first substrate 200 to the second substrate 300, the conductive particles 610 may be oriented in a predetermined direction within the resin 620 corresponding to the direction of the magnetic field. For example, the conductive particles 610 may be self-aligned in a direction parallel to the direction of the magnetic field. The density of the conductive particles 610 oriented in the vertical direction increases in the vertical direction so that conductive particles 610 adjacent to each other in the vertical direction may be electrically connected to each other. Thus, the light emitting chip array 400A and the electrode pattern 230 may be electrically connected through the conductive particles 610 .

한편, 수직 방향으로 배향된 전도성 입자(610)들은 수평 방향으로 밀도가 감소하여 수평 방향으로 인접한 전도성 입자(610)들끼리 서로 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. 전도성 입자(610)들이 수평 방향으로 전기적으로 연결되지 않는 바, 제1 및 제2 전극(422, 424)간에 단락이 발생하지 않을 수 있다. Meanwhile, since the density of the conductive particles 610 oriented in the vertical direction decreases in the horizontal direction, the conductive particles 610 adjacent in the horizontal direction may not be electrically connected to each other. Since the conductive particles 610 are not electrically connected in the horizontal direction, a short circuit may not occur between the first and second electrodes 422 and 424 .

전도성 입자(610)들이 수직 방향으로 배향된 상태에서 전극 패턴(230)을 통해 발광 칩 어레이(400A)에 전기적 신호를 인가할 수 있다. 발광 칩 어레이(400A) 중 적어도 하나의 발광 칩(400)은 광을 방출할 수 있다. 발광 칩(400)이 광을 방출하기 위해서는 전극 패턴(230)과 발광 칩(400)이 전도성 입자(610)들에 의해 전기적으로 연결될 뿐만 아니라, 발광 칩(400)이 정상적으로 동작할 수 있어야 한다. An electrical signal may be applied to the light emitting chip array 400A through the electrode pattern 230 in a state in which the conductive particles 610 are vertically oriented. At least one light emitting chip 400 in the light emitting chip array 400A may emit light. In order for the light emitting chip 400 to emit light, not only the electrode pattern 230 and the light emitting chip 400 are electrically connected by the conductive particles 610, but also the light emitting chip 400 needs to operate normally.

반면에, 전극 패턴(230) 자체에 문제가 있거나, 발광 칩(400)과 전극 패턴(230)이 얼라인되지 않거나, 전도성 입자(610)들의 밀도가 너무 적거나 많은 등의 이유로 전극 패턴(230)과 발광 칩(400)이 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. 또는, 발광 칩(400) 자체에 결함 등이 있어 광을 방출하지 않을 수 있다. 그러면, 해당 발광 칩(400)은 광을 방출하지 않는다. On the other hand, the electrode pattern 230 may have a problem with the electrode pattern 230 itself, the light emitting chip 400 and the electrode pattern 230 may not be aligned, or the density of the conductive particles 610 may be too small or too high. ) and the light emitting chip 400 may not be electrically connected. Alternatively, the light emitting chip 400 itself may not emit light due to a defect or the like. Then, the light emitting chip 400 does not emit light.

발광 칩(400)의 발광에 의해 레진(620) 중 일부 영역이 경화되어 발광된 발광 칩(400)을 전극 패턴(230)에 본딩시킬 수 있다. 발광 칩 어레이(400A) 중 일부의 발광 칩(400)을 발광할 수 있고, 일부 발광 칩(400)은 발광하지 않을 수 있다. 광을 방출하는 발광 칩(400)을 제1 발광 칩(400a)이라고 칭하고, 광을 방출하지 않는 발광 칩(400)을 제2 발광 칩(400b)이라고 칭할 수 있다. 도 8에 도시된 제2 발광 칩(400b) 는 발광 칩 자체의 불량으로 광을 방출하지 않는 것으로 도시되어 있다. A portion of the resin 620 is cured by light emission of the light emitting chip 400 , and the light emitting chip 400 may be bonded to the electrode pattern 230 . Some of the light emitting chips 400 in the light emitting chip array 400A may emit light, and some light emitting chips 400 may not emit light. A light emitting chip 400 that emits light may be referred to as a first light emitting chip 400a, and a light emitting chip 400 that does not emit light may be referred to as a second light emitting chip 400b. The second light emitting chip 400b shown in FIG. 8 does not emit light due to a defect in the light emitting chip itself.

제1 발광 칩(400a)의 발광에 의해 제1 발광 칩(400a)과 전극 패턴(230) 사이에 있는 레진(620)은 경화되어 제1 발광 칩(400a)은 전극 패턴(230)에 본딩될 수 있다. 그러나, 제2 발광 칩(400b)은 발광하지 않는 바, 제2 발광 칩(400b)과 전극 패턴(230) 사이에 있는 레진(620)은 경화되지 않는다. 제1 발광 칩(400a)에서 방출된 광은 다양한 방향으로 방출될 수도 있다. 그러나, 제1 발광 칩(400a)과 제2 발광 칩(400b) 사이의 공간은 유전 상수가 낮은 매질, 예를 들어, 공기 등으로 채워져 있기 때문에 제1 발광 칩(400a)에서 발생된 광은 공기에 의해 전반사되어 제2 발광 칩(400b) 또는 제2 발광 칩(400b)과 인접한 레진(620)으로 입사되는 확률은 낮다. 따라서, 제1 발광 칩(400a)에서 방출된 광은 제1 발광 칩(400a)과 전극 패턴(230)에 사이에 있는 레진(620)만을 국부적으로 경화됨으로써 제1 발광 칩(400a)이 전극 패턴(230)에 본딩될 수 있다. The resin 620 between the first light emitting chip 400a and the electrode pattern 230 is cured by the light emission of the first light emitting chip 400a, and the first light emitting chip 400a is bonded to the electrode pattern 230. can However, since the second light emitting chip 400b does not emit light, the resin 620 between the second light emitting chip 400b and the electrode pattern 230 is not cured. Light emitted from the first light emitting chip 400a may be emitted in various directions. However, since the space between the first light emitting chip 400a and the second light emitting chip 400b is filled with a medium having a low dielectric constant, such as air, the light generated from the first light emitting chip 400a is air. The probability of being totally reflected and incident on the second light emitting chip 400b or the resin 620 adjacent to the second light emitting chip 400b is low. Therefore, the light emitted from the first light emitting chip 400a locally cures only the resin 620 between the first light emitting chip 400a and the electrode pattern 230, so that the first light emitting chip 400a forms an electrode pattern. (230).

본딩 단계에서 제1 및 제2 기판(200, 300) 간의 거리가 가까워지도록 제1 및 제2 기판(200, 300) 중 적어도 하나를 압착할 수 있다. 압착을 통해 전도성 입자(610)들의 전기적 연결을 보다 강화될 수 있고, 경화된 레진(620)에 의한 제1 발광 칩(400a)과 전극 패턴(230)간의 물리적 연결을 보다 강화될 수 있다. In the bonding step, at least one of the first and second substrates 200 and 300 may be pressed so that the distance between the first and second substrates 200 and 300 becomes closer. Electrical connection between the conductive particles 610 may be further strengthened through compression, and physical connection between the first light emitting chip 400a and the electrode pattern 230 may be further strengthened by the cured resin 620 .

또한, 압착 과정에서 제1 및 제2 기판(200, 300)이 맞닿으면서 제1 발광 칩(400a) 등에 물리적 손상을 방지하기 위해 제1 및 제2 기판(200, 300) 사이에 특정 두께의 스페이서(미도시)를 더 배치시킬 수 있다. 제1 및 제2 기판(200, 300) 중 적어도 하나에 압착이 가해지더라도 스페이서의 두께만큼 제1 및 제2 기판(200, 300) 사이의 간격이 유지되는 바, 제1 발광 칩(400a) 등의 물리적 손상을 방지할 수 있다. In addition, in order to prevent physical damage to the first light emitting chip 400a or the like while the first and second substrates 200 and 300 come into contact during the compression process, a thickness of a specific thickness is provided between the first and second substrates 200 and 300. A spacer (not shown) may be further disposed. Even if compression is applied to at least one of the first and second substrates 200 and 300, the distance between the first and second substrates 200 and 300 is maintained by the thickness of the spacer, so that the first light emitting chip 400a, etc. physical damage can be prevented.

제2 발광 칩(400b)은 제1 기판(200)으로부터 제거될 수 있다. 도 9는 일 실시예에 따른 광을 방출하지 않는 제2 발광 칩(400b)을 제거하는 참조 도면이다. 제2 발광 칩(400b)과 전극 패턴(230) 사이에 있는 레진(620)은 경화되지 않는 바, 제2 기판(300)을 제1 기판(200)으로 멀리 이동시키는 것만으로 제2 발광 칩(400b)은 제1 기판(200)으로부터 제거될 수 있다. The second light emitting chip 400b may be removed from the first substrate 200 . 9 is a reference view of removing the second light emitting chip 400b that does not emit light according to an exemplary embodiment. Since the resin 620 between the second light emitting chip 400b and the electrode pattern 230 is not cured, the second light emitting chip ( 400b) may be removed from the first substrate 200 .

제1 발광 칩(400a)에서 방출된 광은 제1 발광 칩(400a)과 전극 패턴(230) 사이의 레진(620)을 경화시켜, 제1 발광 칩(400a)과 전극 패턴(230)간의 접착력이 제1 발광칩(400a)와 제1 기판(200)간의 접착력보다 강할 수 있다. 또는 제1 발광 칩(400a)에서 방출된 광은 제1 발광 칩(400a)과 전극 패턴(230) 사이의 레진(620)을 경화시킬 뿐만 아니라, 제2 기판(300)과 제1 발광 칩(400a) 사이의 접착층(미도시)을 용해시킬 수 있다. 그리하여, 제2 기판(300)을 제1 기판(200)으로부터 멀리 이동시킬 때 제1 발광 칩(400a)은 제2 기판(300)으로부터 분리될 수 있다. The light emitted from the first light emitting chip 400a cures the resin 620 between the first light emitting chip 400a and the electrode pattern 230, thereby increasing the adhesion between the first light emitting chip 400a and the electrode pattern 230. The adhesive force between the first light emitting chip 400a and the first substrate 200 may be stronger. Alternatively, the light emitted from the first light emitting chip 400a not only hardens the resin 620 between the first light emitting chip 400a and the electrode pattern 230, but also hardens the second substrate 300 and the first light emitting chip ( 400a) may dissolve an adhesive layer (not shown) between them. Thus, when the second substrate 300 is moved away from the first substrate 200 , the first light emitting chip 400a may be separated from the second substrate 300 .

반면에 제2 발광 칩(400b)은 광을 방출하지 않는 바, 제2 발광 칩(400b)은 제1 기판(200)에 본딩되지 않고, 제2 발광 칩(400b)은 접착층에 의해 제2 기판(300)과 여전히 물리적으로 연결될 수 있다. 그리하여, 제2 기판(300)을 제1 기판(200)으로부터 멀리 이동시킬 때 제2 발광 칩(400b)은 제1 기판(200)으로부터 분리될 수 있다. On the other hand, since the second light emitting chip 400b does not emit light, the second light emitting chip 400b is not bonded to the first substrate 200, and the second light emitting chip 400b is attached to the second substrate by an adhesive layer. 300 can still be physically connected. Thus, when the second substrate 300 is moved away from the first substrate 200 , the second light emitting chip 400b may be separated from the first substrate 200 .

제2 발광 칩(400b)이 제거된 영역에 리페어 공정을 수행할 수 있다. 도 10은 일 실시예에 따른 발광 칩을 리페어하는 참조 도면이다. 도 10에 도시된 바와 같이, 제2 발광 칩(400b)이 제거된 영역상에 새로운 발광 칩인 제3 발광 칩(400c)을 배치시킬 수 있다. 제3 발광 칩(400c)이 정상적인 발광 칩이면서 전극 패턴(230)에 전기적으로 연결된 경우에 한하여, 제3 발광 칩(400c)은 광을 방출할 수 있다. 방출된 광은 레진(620)을 경화시켜 제3 발광 칩(400c)을 전극 패턴(230)에 본딩시킬 수 있다. A repair process may be performed on a region where the second light emitting chip 400b is removed. 10 is a reference diagram for repairing a light emitting chip according to an exemplary embodiment. As shown in FIG. 10 , a third light emitting chip 400c, which is a new light emitting chip, may be disposed on the area where the second light emitting chip 400b is removed. Only when the third light emitting chip 400c is a normal light emitting chip and is electrically connected to the electrode pattern 230, the third light emitting chip 400c can emit light. The emitted light hardens the resin 620 to bond the third light emitting chip 400c to the electrode pattern 230 .

상기와 같이, 발광 칩(400a)이 본딩된 제1 기판(200)은 디스플레이 장치로 동작할 수 있다. 이후에도 전자 장치의 용도에 따라 추가적인 층이 더 형성될 수 있다. 도 11은 일 실시예에 따른 평탄화층을 포함하는 전자 장치를 도시한 도면이다. 도 11에 도시된 바와 같이, 복수 개의 발광 칩(400)상에 평탄화층을 형성할 수 있다. 평탄화층(700)은 발광 칩(400)를 덮으면서 상부 표면이 평평할 수 있다. 평탄화층(700)은 평탄화층(700) 아래에 배치된 구성 요소들에 의해 발생된 단차를 완화시키고, 발광 칩(400)로 산소 및 수분 등이 침투되는 것을 방지할 수도 있다. 평탄화층(700)은 절연 물질로 형성될 수 있다. 평탄화층(700)은 유기절연막(아크릴 또는 실리콘 기반의 폴리머) 또는 무기절연막(SiO2, SiN, Al2O3 또는 TiO2) 등을 포함할 수 있지만 이에 한정되지는 않는다. 평탄화층(700)은 유전 상수가 다른 복수 개의 절연 물질이 다층 구조로 형성될 수도 있다.As described above, the first substrate 200 to which the light emitting chip 400a is bonded may operate as a display device. Even after that, additional layers may be further formed according to the use of the electronic device. 11 is a diagram illustrating an electronic device including a planarization layer according to an exemplary embodiment. As shown in FIG. 11 , a planarization layer may be formed on the plurality of light emitting chips 400 . The top surface of the planarization layer 700 may be flat while covering the light emitting chip 400 . The planarization layer 700 may alleviate a level difference generated by components disposed under the planarization layer 700 and prevent oxygen and moisture from penetrating into the light emitting chip 400 . The planarization layer 700 may be formed of an insulating material. The planarization layer 700 may include, but is not limited to, an organic insulating film (acrylic or silicon-based polymer) or an inorganic insulating film (SiO2, SiN, Al2O3, or TiO2). The planarization layer 700 may be formed in a multilayer structure of a plurality of insulating materials having different dielectric constants.

발광 칩(400) 각각은 화소에 대응하는 파장 대역의 광을 방출할 수 있다. 발광 칩(400)인 동일한 파장의 광을 방출하는 경우, 전자 장치는 색 변환층을 더 포함할 수 있다. Each of the light emitting chips 400 may emit light in a wavelength band corresponding to a pixel. When emitting light of the same wavelength as the light emitting chip 400, the electronic device may further include a color conversion layer.

도 12는 일 실시예에 따른 색변환층을 포함하는 전자 장치를 도시한 도면이다. 색 변환층(800)은 발광 칩(400)에서 발생된 광을 소정의 파장의 광으로 변환시키는 제1 내지 제3 색 변환 패턴(810, 820, 830)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 내지 제3 색 변환 패턴(810, 820, 830) 각각은 각 서브 화소에 대응될 수 있다. 예를 들어, 제1 색 변환 패턴(810)은 제1 서브 화소(SP1)에 대응되고, 제2 색 변환 패턴(820)은 제2 서브 화소(SP2)에 대응되며, 제3 색 변환 패턴(830)은 제3 서브 화소(SP3)에 대응될 수 있다. 12 is a diagram illustrating an electronic device including a color conversion layer according to an exemplary embodiment. The color conversion layer 800 may include first to third color conversion patterns 810 , 820 , and 830 that convert light generated from the light emitting chip 400 into light of a predetermined wavelength. Here, each of the first to third color conversion patterns 810, 820, and 830 may correspond to each sub-pixel. For example, the first color conversion pattern 810 corresponds to the first sub-pixel SP1, the second color conversion pattern 820 corresponds to the second sub-pixel SP2, and the third color conversion pattern ( 830) may correspond to the third sub-pixel SP3.

일 실시예에 따른 강자성 레진(600)은 입사된 광을 산란시키는 광 산란제(630)를 더 포함할 수 있다. 도 13은 일 실시예에 따른 광 산란제(630)를 이용하여 발광 칩(400)을 전극 패턴(230)에 본딩시키는 과정을 설명하는 참조도면이다. 광 산란제(630)는 발광 칩(400)에서 방출되어 입사된 광을 다양한 방향으로 산란시키는 바, 레진(620)의 경화 속도를 증가시킬 수 있다. 따라서, 짧은 시간내 또는 저전력으로 발광 칩(400)을 전극 패턴(230)에 본딩시킬 수 있다. The ferromagnetic resin 600 according to an embodiment may further include a light scattering agent 630 that scatters incident light. 13 is a reference diagram explaining a process of bonding a light emitting chip 400 to an electrode pattern 230 using a light scattering agent 630 according to an exemplary embodiment. The light scattering agent 630 scatters the incident light emitted from the light emitting chip 400 in various directions, thereby increasing the curing speed of the resin 620 . Accordingly, the light emitting chip 400 can be bonded to the electrode pattern 230 within a short period of time or with low power.

또한, 레진(620)에 광 산란제(630)가 포함되어 있으면, 발광 칩(400)에 배치된 제1 및 제2 전극(422, 424)이 반사 특성을 갖는다 하더라도 레진(620)은 잘 경화될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전극(422, 424)은 반사 또는 반투과 전극일 수 있다. 제1 및 제2 전극(422, 424)의 물질 또는 두께에 따라 제1 및 제2 전극(422, 424)은 반사 특성을 가질 수 있다. 제1 및 제2 전극(422, 424)이 반사 특성을 갖는다 하더라도 몸체(410) 중 제1 및 제2 전극(422, 424)과 중첩되지 않은 영역을 통해 레진(620)으로 입사된 광은 광 산란제(630)를 통해 레진(620)의 다양한 영역으로 산란될 수 있다. 따라서, 산란된 광에 의해 레진(620)은 경화될 수 있다. In addition, when the light scattering agent 630 is included in the resin 620, the resin 620 is well cured even if the first and second electrodes 422 and 424 disposed on the light emitting chip 400 have reflective characteristics. It can be. For example, the first and second electrodes 422 and 424 may be reflective or transflective electrodes. Depending on the material or thickness of the first and second electrodes 422 and 424, the first and second electrodes 422 and 424 may have reflective characteristics. Even if the first and second electrodes 422 and 424 have reflective characteristics, light incident to the resin 620 through an area of the body 410 that does not overlap with the first and second electrodes 422 and 424 is light. It can be scattered to various regions of the resin 620 through the scattering agent 630 . Accordingly, the resin 620 may be cured by the scattered light.

도 4 내지 도 7에서는 스탬핑 공정에 의해 제1 기판(200)에서 강자성 레진(600) 및 발광 칩 어레이(400A)를 배치시킨다고 하였으나, 이에 한정되지 않는다. 전극 패턴(230)상에 강자성 레진(600)을 코팅하고, 자기 조립(fluidic self-assembly), 픽앤 플레이스(Pick and Place) 방식 등으로 강자성 레진(600)상에 발광 칩 어레이(400A)를 배치시킬 수도 있다. 예를 들어, 전극 패턴(230)상에 강자성 레진(600)을 패터닝하고, 자기장을 형성한 상태에서 발광 칩(400)들을 전사시키면, 발광 칩(400)의 전극부(420)가 전도성 입자(610)들과 마주하도록 자기 정렬될 수도 있다. In FIGS. 4 to 7 , the ferromagnetic resin 600 and the light emitting chip array 400A are disposed on the first substrate 200 by a stamping process, but it is not limited thereto. The ferromagnetic resin 600 is coated on the electrode pattern 230, and the light emitting chip array 400A is placed on the ferromagnetic resin 600 in a fluidic self-assembly or pick and place method. You can do it. For example, when the ferromagnetic resin 600 is patterned on the electrode pattern 230 and the light emitting chips 400 are transferred in a state in which a magnetic field is formed, the electrode portion 420 of the light emitting chip 400 is conductive particles ( 610) may be self-aligned.

지금까지 수평형 발광 칩을 이용하여 전자 장치를 제조하는 방법을 설명하였다. 그러나, 이에 한정되지 않는다. 수직형 발광 칩도 발광 칩에서 방출된 광에 의해 전극 패턴과 본딩할 수 있다. So far, a method of manufacturing an electronic device using a horizontal light emitting chip has been described. However, it is not limited thereto. A vertical light emitting chip can also be bonded to an electrode pattern by light emitted from the light emitting chip.

도 14는 일 실시예에 따른 제1 기판(200a)상에 전도성 입자(610a)들이 혼합된 레진(620) 및 수직형 발광 칩(900)이 배열된 상태를 도시한 참조도면이다. 발광 칩(900)은 서로 마주하는 면에 제1 및 제2 전극(922, 924)이 배치되는 수직형 발광 칩일 수 있다. 도 13에 도시된 바와 같이, 제1 기판(200a) 상에는 전도성 입자(610a)들이 혼합된 레진(620), 제1 전극(922), 몸체(910) 및 제2 전극(924)이 순차적으로 배열될 수 있다. 14 is a reference diagram illustrating a state in which a resin 620 in which conductive particles 610a are mixed and a vertical light emitting chip 900 are arranged on a first substrate 200a according to an exemplary embodiment. The light emitting chip 900 may be a vertical light emitting chip in which first and second electrodes 922 and 924 are disposed on surfaces facing each other. 13, a resin 620 mixed with conductive particles 610a, a first electrode 922, a body 910, and a second electrode 924 are sequentially arranged on the first substrate 200a. It can be.

수직형 발광 칩(900)을 전극 패턴(230a)에 본딩시킬 때, 전도성 입자(610)들은 이방성 강자성 특성을 갖지 않아도 무방하다. 수평형 발광 칩(400)에서는 제1 및 제2 전극(422, 424)간의 단락을 방지하기 위해 이방성 강자성 특성을 갖는 전도성 입자(610)들을 이용하였다, 그러나, 수직형 발광 칩(900)은 제1 및 제2 전극(922, 924)이 서로 다른 면에 배치되기 때문에 제1 및 제2 전극(922, 924)간의 전기적 단락이 문제되지 않는다. 따라서, 전도성 입자(610a)들은 자성 특성을 갖지 않아도 무방하고, 자성 특성을 갖는다 하더라도 그 특성이 약하여도 무방하다. 또한, 전도성 입자(610a)는 레진(620)에 대한 체적 밀도의 상한 범위도 제한되지 않을 수 있다. When the vertical light emitting chip 900 is bonded to the electrode pattern 230a, the conductive particles 610 may not have anisotropic ferromagnetic properties. In the horizontal type light emitting chip 400, conductive particles 610 having an anisotropic ferromagnetic property are used to prevent a short circuit between the first and second electrodes 422 and 424. However, the vertical type light emitting chip 900 Since the first and second electrodes 922 and 924 are disposed on different surfaces, an electrical short between the first and second electrodes 922 and 924 is not a problem. Accordingly, the conductive particles 610a may not have magnetic characteristics, and even if they have magnetic characteristics, they may have weak magnetic characteristics. Also, the upper limit range of the volume density of the conductive particle 610a with respect to the resin 620 may not be limited.

일 실시예에 따른 전자 장치의 제조 방법 및 장치는, 발광 칩에서 방출되는 광을 이용하여 정상적인 발광 칩만 선택적으로 전극 패턴에 본딩시킬 수 있다. In the method and apparatus for manufacturing an electronic device according to an embodiment, only normal light emitting chips may be selectively bonded to electrode patterns using light emitted from the light emitting chips.

또한, 발광 칩이 정상일 때 뿐만 아니라, 발광 칩이 전극 패턴에 전기적으로 연결된 경우에 한하여 발광 칩이 전극 패턴에 본딩되기 때문에 구성요소들간의 전기적 연결 여부도 함께 점검할 수 있다. In addition, since the light emitting chip is bonded to the electrode pattern only when the light emitting chip is electrically connected to the electrode pattern, as well as when the light emitting chip is normal, electrical connection between components can be checked together.

더 나아가 일정 양 이상의 광을 방출하는 발광 칩을 전자 장치에 전사시키고자 하는 경우, 레진의 경화 조건 등을 조절함으로써 특정 조건을 만족하는 발광 칩만을 본딩시킬 수 있다. Furthermore, when it is desired to transfer a light emitting chip that emits more than a certain amount of light to an electronic device, only light emitting chips that satisfy specific conditions may be bonded by adjusting curing conditions of resin.

일 실시예에 따른 발광 칩의 광 방출에 의한 본딩 방식은 전자 장치의 국부적인 영역에만 광이 방출되어 전자 장치의 다른 구성요소에 대한 영향을 최소화할 수 있다. In the bonding method by light emission of the light emitting chip according to an exemplary embodiment, light is emitted only in a local area of the electronic device, thereby minimizing the effect on other components of the electronic device.

일 실시예에 따른 광 경화에 의한 본딩 방식은 기존의 솔더링 방식처럼 높은 온도가 필요하지 않고, 유리, 실리콘 뿐만 아니라, 플라스틱 유연기판 (PI, PEN, PET 등)과 신축성 기판(PDMS, ecoflex 등) 등도 전사 기판으로 사용할 수 있기 때문에 다양한 전자 장치에 적용될 수 있다. 뿐만 아니라, 본딩 과정에서 스페이서를 추가적으로 적용함으로써 압력에 취약한 유연 기판, 신축성 기판에도 발광 칩을 용이하게 본딩할 수 있다.
한편, 또 다른 일 실시예에 따르는 전자 장치는, 표면에 다수의 전극 패턴을 포함하는 기판; 상기 전극 패턴 각각에 대응되도록 이격 형성된 복수 개의 발광 칩 어레이; 및 상기 전극 패턴과 상기 발광 칩 어레이 각각의 사이에서 이격된 공간을 채우며 경화된 복수 개의 레진 연결부;를 포함하고, 상기 복수 개의 레진 연결부 중 적어도 하나의 레진 연결부는 제1 레진을 포함하고, 상기 복수 개의 레진 연결부 중 적어도 하나의 다른 레진 연결부는, 제2 레진을 포함하는 것이고, 상기 제2 레진을 포함하는 레진 연결부는, 적어도 일부가 상기 전극 패턴과 직접 닿아있도록 형성되어 있는 제2-1 레진과, 적어도 일부가 상기 발광 칩 어레이에 직접 닿아있도록 형성되는 제2-2 레진이 혼합되며 접합된 것이고, 상기 전극 패턴과 상기 발광 칩 어레이를 전기적으로 연결하도록 방향성을 가지고 배열된 전도성 입자들을 포함;하는 것일 수 있다.The bonding method by light curing according to an embodiment does not require a high temperature like the conventional soldering method, and can be applied to plastic flexible substrates (PI, PEN, PET, etc.) and stretchable substrates (PDMS, ecoflex, etc.) as well as glass and silicon. Since it can also be used as a transfer substrate, it can be applied to various electronic devices. In addition, by additionally applying a spacer during the bonding process, the light emitting chip can be easily bonded to a flexible substrate or a stretchable substrate vulnerable to pressure.
Meanwhile, an electronic device according to another embodiment includes a substrate including a plurality of electrode patterns on a surface; a plurality of light emitting chip arrays spaced apart to correspond to each of the electrode patterns; and a plurality of resin connecting parts filling spaces spaced apart between the electrode pattern and each of the light emitting chip arrays and hardening, wherein at least one resin connecting part among the plurality of resin connecting parts includes a first resin, and the plurality of resin connecting parts include a first resin. At least one other resin connecting part among the two resin connecting parts includes a second resin, and at least a part of the resin connecting part including the second resin is in direct contact with the electrode pattern, and the 2-1 resin , at least a portion of which is formed to directly contact the light emitting chip array, wherein the 2-2 resin is mixed and bonded, and includes conductive particles arranged in a direction so as to electrically connect the electrode pattern and the light emitting chip array; it could be

상술한 발광 칩(400, 900)을 포함한 전자 장치는 디스플레이 장치로 동작할 수 있다. 예를 들어, 디스플레이 장치는 텔레비젼, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), 내비게이션, 스마트 워치와 같은 각종 웨어러블 기기 등에 적용될 수 있다. 뿐만 아니라, 디스플레이 장치는 AR, VR 및 차량용 디스플레이, 플렉서블, 스트레처블 디스플레이 등 미래 디스플레이에도 적용될 수 있다. An electronic device including the aforementioned light emitting chips 400 and 900 may operate as a display device. For example, the display device may be applied to various wearable devices such as televisions, laptop computers, mobile phones, smart phones, smart pads, PMPs, PDAs, navigation devices, and smart watches. In addition, the display device can be applied to future displays such as AR, VR, vehicle displays, flexible and stretchable displays.

상술한 전자 장치의 제조 방법 및 전자 장치는 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 상술한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 구체적인 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 권리 범위는 따라서 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.Although the manufacturing method and electronic device described above have been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is only exemplary, and various modifications and other equivalent embodiments can be made by those skilled in the art. will understand that Although many matters have been specifically described in the foregoing description, they should be interpreted as examples of specific embodiments rather than limiting the scope of the invention. Therefore, the scope of rights should not be determined by the described embodiments, but by the technical idea described in the claims.

200: 제1 기판
210: 베이스층
220: 구동층
230: 전극 패턴
300: 제2 기판
400: 발광 칩
400: 몸체
420: 전극부
500: 제3 기판
600: 강자성 레진
610: 전도성 입자
620: 레진200: first substrate
210: base layer
220: driving layer
230: electrode pattern
300: second substrate
400: light emitting chip
400: body
420: electrode part
500: third substrate
600: ferromagnetic resin
610: conductive particles
620: resin

Claims (20)

일 표면에 전극 패턴을 포함하는 제1 기판을 준비하는 단계;
상기 전극 패턴상에 전도성 입자들이 혼합된 레진 및 발광 칩 어레이를 배치시키는 단계;
상기 발광 칩 어레이 중 적어도 하나의 발광 칩을 발광시키는 단계; 및
상기 발광 칩의 발광에 의해 상기 레진 중 일부 영역이 경화되어 발광된 발광 칩을 상기 전극 패턴에 본딩시키는 단계;를 포함하는 전자 장치의 제조 방법. preparing a first substrate including an electrode pattern on one surface;
disposing a resin in which conductive particles are mixed and a light emitting chip array on the electrode pattern;
emitting light from at least one light emitting chip of the light emitting chip array; and
The method of manufacturing an electronic device, comprising: bonding a light emitting chip, in which a partial region of the resin is cured by light emission of the light emitting chip, to the electrode pattern. 제 1항에 있어서,
상기 발광 칩 어레이는 발광된 제1 발광 칩과 비발광된 제2 발광 칩을 포함하고,
상기 레진 중 상기 제1 발광 칩과 상기 전극 패턴 사이의 적어도 일부 영역은 경화되고, 상기 제2 발광 칩과 상기 전극 패턴 사이의 영역은 경화되지 않은 전자 장치의 제조 방법. According to claim 1,
The light emitting chip array includes a first light emitting chip that emits light and a second light emitting chip that does not emit light,
In the resin, at least a partial region between the first light emitting chip and the electrode pattern is cured, and a region between the second light emitting chip and the electrode pattern is not cured. 제 2항에 있어서,
상기 제2 발광 칩을 상기 제1 기판으로부터 제거하는 단계;를 더 포함하는 전자 장치의 제조 방법. According to claim 2,
The method of manufacturing an electronic device further comprising removing the second light emitting chip from the first substrate. 제 2항에 있어서,
상기 제1 기판 중 상기 제2 발광 칩이 제거된 영역에 새로운 발광 칩인 제3 발광 칩을 배치시키는 단계; 및
상기 제3 발광 칩을 발광시켜 상기 제3 발광 칩을 상기 전극 패턴에 본딩시키는 단계;를 더 포함하는 전자 장치의 제조 방법. According to claim 2,
disposing a third light emitting chip, which is a new light emitting chip, in an area of the first substrate from which the second light emitting chip is removed; and
The method of manufacturing an electronic device further comprising the step of bonding the third light emitting chip to the electrode pattern by emitting light from the third light emitting chip. 제 1항에 있어서,
상기 전도성 입자들은 이방성 강자성 특성을 갖고,
상기 전도성 입자들에 자기장을 인가하여 상기 전도성 입자들을 일정 방향으로 배향시키는 단계;를 더 포함하는 전자 장치의 제조 방법. According to claim 1,
The conductive particles have anisotropic ferromagnetic properties,
Orienting the conductive particles in a predetermined direction by applying a magnetic field to the conductive particles. 제 1항에 있어서,
상기 발광시키는 단계는,
상기 전극 패턴을 통해 전기적 신호를 인가함으로써 상기 적어도 하나의 발광 칩을 발광시키는 전자 장치의 제조 방법. According to claim 1,
In the step of emitting light,
A method of manufacturing an electronic device in which the at least one light emitting chip emits light by applying an electrical signal through the electrode pattern. 제 1항에 있어서,
상기 레진은
가시광선 영역의 광에 의해 경화되는 물질을 포함하는 전자 장치의 제조 방법. According to claim 1,
The resin is
A method of manufacturing an electronic device including a material that is cured by light in a visible ray region. 제 1항에 있어서,
상기 레진에는
광 산란제가 더 혼합되어 있는 전자 장치의 제조 방법. According to claim 1,
In the resin
A method for manufacturing an electronic device in which a light scattering agent is further mixed. 제 1항에 있어서,
상기 레진에 대한 상기 전도성 입자들의 질량비는 10 wt%이상 50wt% 이하인 전자 장치의 제조 방법. According to claim 1,
The mass ratio of the conductive particles to the resin is 10 wt% or more and 50 wt% or less. 제 1항에 있어서,
상기 발광 칩 어레이는
복수 개의 마이크로 발광 다이오드를 포함하는 전자 장치의 제조 방법. According to claim 1,
The light emitting chip array
A method of manufacturing an electronic device including a plurality of micro light emitting diodes. 제 1항에 있어서,
상기 발광 칩 어레이 중 적어도 하나의 발광 칩은,
광을 방출할 수 있는 반도체 물질을 포함하는 몸체; 및
상기 몸체 중 상기 레진과 접하는 표면상에 배치되는 하나 이상의 전극;을 포함하는 전자 장치의 제조 방법. According to claim 1,
At least one light emitting chip of the light emitting chip array,
A body including a semiconductor material capable of emitting light; and
A method of manufacturing an electronic device including one or more electrodes disposed on a surface of the body in contact with the resin. 제 1항에 있어서,
적어도 하나의 상기 전극 패턴은 투명 전극을 포함하는 것인, 전자 장치의 제조 방법.According to claim 1,
The method of manufacturing an electronic device, wherein the at least one electrode pattern includes a transparent electrode. 제 1항에 있어서,
상기 제1 기판은,
상기 발광 칩 어레이 중 적어도 하나의 발광 칩을 구동시키는 구동층을 포함하는 전자 장치의 제조 방법. According to claim 1,
The first substrate,
A method of manufacturing an electronic device comprising a driving layer driving at least one light emitting chip of the light emitting chip array. 제 1항에 있어서,
상기 전극 패턴에 본딩된 발광 칩을 덮는 평탄화층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 전자 장치의 제조 방법.

According to claim 1,
The method of manufacturing an electronic device further comprising forming a planarization layer covering the light emitting chip bonded to the electrode pattern.

 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020210108182A 2021-08-17 2021-08-17 Manufacturing method of electronic device including light emitting element and electronic device thereof KR102485495B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210108182A KR102485495B1 (en) 2021-08-17 2021-08-17 Manufacturing method of electronic device including light emitting element and electronic device thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210108182A KR102485495B1 (en) 2021-08-17 2021-08-17 Manufacturing method of electronic device including light emitting element and electronic device thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102485495B1 true KR102485495B1 (en) 2023-01-04

Family

ID=84924909

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210108182A KR102485495B1 (en) 2021-08-17 2021-08-17 Manufacturing method of electronic device including light emitting element and electronic device thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102485495B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101255775B1 (en) * 2011-04-29 2013-04-17 중앙대학교 산학협력단 Anisotropic conductive adhesive and method for packaging semiconductors using the same
US20160254244A1 (en) * 2013-05-31 2016-09-01 Sunray Scientific, Llc Systems and Methods Utilizing Anisotropic Conductive Adhesives
KR20190096256A (en) * 2018-02-08 2019-08-19 한국과학기술원 Active-Matrix RGB vertical microLED display using transfer member and selective-transferring method
KR20200137978A (en) * 2019-05-29 2020-12-09 서울대학교산학협력단 Electronic device and method of transferring electronic element using stamping and magnetic field alignment

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101255775B1 (en) * 2011-04-29 2013-04-17 중앙대학교 산학협력단 Anisotropic conductive adhesive and method for packaging semiconductors using the same
US20160254244A1 (en) * 2013-05-31 2016-09-01 Sunray Scientific, Llc Systems and Methods Utilizing Anisotropic Conductive Adhesives
KR20190096256A (en) * 2018-02-08 2019-08-19 한국과학기술원 Active-Matrix RGB vertical microLED display using transfer member and selective-transferring method
KR20200137978A (en) * 2019-05-29 2020-12-09 서울대학교산학협력단 Electronic device and method of transferring electronic element using stamping and magnetic field alignment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190075869A (en) Display device using micro led and manufacturing method thereof
TWI685961B (en) Optoelectronic semiconductor device
KR101723436B1 (en) Fabricating method of display apparatus using semiconductor light emitting device
TWI821301B (en) Electronic apparatus including display panel
KR20190106885A (en) Display device using micro led and manufacturing method thereof
CN109962082A (en) Electronic Packaging unit and its manufacturing method and electronic device
KR20190099164A (en) Method for manufacturing display device and substrate for manufacturing display device
US10672829B2 (en) Manufacturing method of LED display device
CN111508989B (en) Display substrate and preparation method thereof, display panel and preparation method thereof
KR102659865B1 (en) Display module, method of manufacturing display module
KR102227086B1 (en) Display device using semiconductor light emitting device
KR20190092331A (en) Display device using micro led and manufacturing method thereof
KR20210043236A (en) Display module and manafacturing method thereof
KR20180120527A (en) Method for manufacturing display device using semiconductor light emitting device
KR20190099163A (en) Method for manufacturing display device and transfer substrate for manufacturing display device
KR20190057681A (en) Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
KR20200095210A (en) Semiconductor light emitting device, manufacturing method thereof, and display device including the same
CN106816547A (en) Organic light-emitting display device and its manufacture method
US8330053B2 (en) Optoelectronic device and method for producing an optoelectronic device
US20210391510A1 (en) Substrate for manufacturing display device, display device and manufacturing method thereof
KR102485495B1 (en) Manufacturing method of electronic device including light emitting element and electronic device thereof
US11876081B2 (en) Electronic device and manufacturing method thereof
KR20180115135A (en) Micro light emitting diode module and its manufacturing method
TW202131508A (en) Display panel and manufacturing method thereof
CN108987382A (en) A kind of electroluminescent device and preparation method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
AMND Amendment
AMND Amendment
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant