KR102482208B1 - Organic light emitting diodes improving display quality - Google Patents

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Abstract

본 발명은 OLED에 관한 것으로, 특히 액상의 유기발광물질을 통해 유기발광층을 형성하는 OLED에 관한 것이다.
본 발명의 특징은 양극(anode)인 제 1 전극을 제 1 금속층과 나노금속층 그리고 나노금속층에 의해 표면이 불규칙한 요철형상을 갖는 제 2 금속층으로 형성하는 것이다.
이를 통해, 유기발광층의 파일업(pile-up) 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있어, 유기발광층의 두께에 따른 발광효율 차이에 의해 하나의 화소영역 내에서 휘도 차이가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 하나의 화소영역 내에서 휘도 불균일에 의한 얼룩 불량이 억제되어 표시품질을 향상시킬 수 있으며, 유기발광층의 두께 균일도가 향상됨으로서 유기발광층의 열화를 억제하여 수명을 연장시킬 수 있다. 또한, 화소영역 내의 모든 영역이 발광영역을 이루게 되므로, OLED의 전체적인 개구율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 제 1 전극의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다. The present invention relates to an OLED, and particularly to an OLED in which an organic light emitting layer is formed through a liquid organic light emitting material.
A feature of the present invention is that the first electrode, which is an anode, is formed of a first metal layer, a nanometal layer, and a second metal layer having an irregular surface formed by the nanometal layer.
Through this, it is possible to prevent a pile-up phenomenon of the organic light emitting layer from occurring, and thus, a difference in luminance within one pixel area due to a difference in luminous efficiency according to a thickness of the organic light emitting layer can be prevented. .
Therefore, it is possible to improve display quality by suppressing spot defects due to luminance non-uniformity within one pixel area, and to suppress deterioration of the organic light emitting layer by improving the thickness uniformity of the organic light emitting layer, thereby prolonging the lifetime. In addition, since all areas within the pixel area form the light emitting area, it is possible to prevent the overall aperture ratio from deteriorating.
In addition, electrical characteristics of the first electrode may be improved.

Description

표시품질이 향상된 유기발광소자{Organic light emitting diodes improving display quality}Organic light emitting diodes improving display quality

본 발명은 OLED에 관한 것으로, 특히 액상의 유기발광물질을 통해 유기발광층을 형성하는 OLED에 관한 것이다.
The present invention relates to an OLED, and particularly to an OLED in which an organic light emitting layer is formed through a liquid organic light emitting material.

유기발광소자(organic light emitting diodes : OLED)는 정공주입전극과 유기발광층 및 전자주입전극으로 구성되며, 유기발광층 내부에 전자와 정공이 결합하여 생성된 여기자(exciton)가 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발생하는 에너지에 의해 발광이 이루어진다.Organic light emitting diodes (OLEDs) consist of a hole injection electrode, an organic light emitting layer, and an electron injection electrode. Excitons generated by combining electrons and holes inside the organic light emitting layer fall from an excited state to a ground state Light is emitted by the energy generated when

이러한 원리로 OLED는 자발광 특성을 가지며, 액정표시장치와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, OLED는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 휴대용 전자 기기의 차세대 표시장치로 여겨지고 있다.Due to this principle, OLED has a self-luminous property and, unlike a liquid crystal display device, does not require a separate light source, so its thickness and weight can be reduced. In addition, since OLED exhibits high quality characteristics such as low power consumption, high luminance and high response speed, it is considered as a next-generation display device for portable electronic devices.

한편, 이러한 일반적인 유기발광소자는 유기발광층을 쉐도우 마스크를 이용한 열증착법에 의해 형성하는데, 최근 표시장치의 대형화에 의해 쉐도우 마스크의 처짐 등이 심하게 발생되어 증착 불량이 증가함에 따라 대면적의 기판에 대해서는 쉐도우 마스크의 적용이 점점 어려워지고 있다. On the other hand, in such a general organic light emitting device, the organic light emitting layer is formed by a thermal evaporation method using a shadow mask. Recently, due to the large-sized display device, the shadow mask drastically sags and the deposition defect increases. The application of shadow masks is becoming increasingly difficult.

또한, 쉐도우 마스크를 이용한 열증착의 경우 쉐도우 이팩트(shadow effect) 등이 발생됨으로서, 현 기술력으로는 250PPI 이상의 고해상도를 갖는 유기발광소자를 제조하는데 무리가 있다.In addition, since a shadow effect is generated in the case of thermal deposition using a shadow mask, it is difficult to manufacture an organic light emitting device having a high resolution of 250 PPI or more with current technology.

따라서, 대면적의 유기발광소자를 제조하기 위해 쉐도우 마스크를 이용한 열증착 공정을 대체하여, 액상의 유기발광물질을 잉크젯 장치 또는 노즐 코팅장치를 통해 격벽으로 둘러싸인 영역에 분사 또는 도포 한 후 경화시키는 OLED에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. Therefore, in order to manufacture a large-area organic light emitting device, an OLED that replaces the thermal evaporation process using a shadow mask, sprays or applies a liquid organic light emitting material to the area surrounded by barrier ribs through an inkjet device or a nozzle coating device, and then cures it. Research on this is actively progressing.

그러나, 액상의 유기발광물질을 통해 유기발광층을 형성하는 OLED는 유기발광층을 형성하는 과정에서, 유기발광층이 격벽으로 둘러싸인 영역 내의 중앙부 대비 격벽과 인접하는 가장자리 부분의 두께가 두껍게 형성되는 파일업(pile-up) 현상이 발생되게 된다. However, in OLED, which forms an organic light emitting layer through a liquid organic light emitting material, in the process of forming the organic light emitting layer, the pile-up (pile-up) thickness of the edge portion adjacent to the barrier rib is formed thick compared to the central portion in the area where the organic light emitting layer is surrounded by the barrier rib. -up) phenomenon occurs.

이는 경화되는 과정에서 중앙부로부터 경화가 이루어지면서 내부적으로 유기발광물질이 가장자리 부분으로 이동하게 되기 때문이다. This is because the curing is performed from the central portion during the curing process, and the organic light emitting material is internally moved to the edge portion.

따라서, 이러한 현상에 의해 각 화소영역 내에서도 중앙부와 격벽에 인접한 가장자리 부분하고의 발광효율의 차이가 발생되며, 이로 인해 실질적으로 화소영역의 면적이 좁아져 유기발광소자의 개구율을 저하시키게 되는 문제점을 야기하게 된다.
Therefore, this phenomenon causes a difference in luminous efficiency between the central portion and the edge portion adjacent to the barrier rib even within each pixel area, which causes a problem in that the area of the pixel area is substantially narrowed and the aperture ratio of the organic light emitting device is lowered. will do

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, OLED의 파일업(pile-up) 현상이 발생하는 것을 방지하는 것을 제 1 목적으로 한다. The present invention is to solve the above problems, and a first object is to prevent the pile-up phenomenon of OLED from occurring.

이를 통해, 개구율이 향상된 OLED를 제공하는 것을 제 2 목적으로 한다.
Through this, the second object is to provide an OLED having an improved aperture ratio.

전술한 바와 같이 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 다수의 화소영역을 갖는 표시영역이 정의되며, 각 화소영역 별로 구동 박막트랜지스터를 포함하는 기판과 상기 구동 박막트랜지스터와 연결되며, 상기 각 화소영역 별로 형성되며, 제 1 금속층과, 나노금속층 그리고 제 2 금속층이 순차적으로 위치하는 제 1 전극과 상기 제 1 전극 상부로 위치하는 유기발광층과 상기 유기발광층 상부로 상기 표시영역 전면에 위치하는 제 2 전극을 포함하며, 상기 제 2 금속층은 상기 나노금속층에 의해 표면이 불규칙한 요철형상을 갖는 유기발광소자를 제공한다. In order to achieve the object as described above, the present invention defines a display area having a plurality of pixel areas, each pixel area is connected to a substrate including a driving thin film transistor and the driving thin film transistor, and each pixel area is connected to the substrate. formed, a first electrode on which a first metal layer, a nanometal layer, and a second metal layer are sequentially positioned, an organic light emitting layer positioned on top of the first electrode, and a second electrode positioned on the front surface of the display area on top of the organic light emitting layer The second metal layer provides an organic light emitting device having an irregular surface formed by the nanometal layer.

이때, 상기 나노금속층은 은(Ag), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 금(Au), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo) 중 선택된 하나의 금속으로 이루어지며, 나노사이즈의 막대형, 와이어형, 다면체형 등 다양한 형태의 나노금속으로 이루어지며, 상기 제 1 금속층은 상기 구동 박막트랜지스터와 연결된다. At this time, the nano-metal layer is made of one metal selected from among silver (Ag), chromium (Cr), titanium (Ti), gold (Au), nickel (Ni), aluminum (Al), and molybdenum (Mo). It is made of nano-metal in various shapes such as a rod shape, a wire shape, a polyhedron shape, and the like, and the first metal layer is connected to the driving thin film transistor.

그리고, 상기 제 1 및 제 2 금속층은 ITO, ZTO, IZO, IZTO, GZO, AZO, NbTiO2, FTO, ATO, BZO 중 어느 하나로 이루어지며, 상기 제 1 전극의 가장자리와 중첩하며 상기 각 화소영역을 둘러싸는 뱅크를 포함한다. In addition, the first and second metal layers are made of any one of ITO, ZTO, IZO, IZTO, GZO, AZO, NbTiO2, FTO, ATO, and BZO, and overlap the edge of the first electrode and surround each pixel area. contains a bank.

이때, 상기 유기발광층은 액상의 유기발광물질을 상기 뱅크로 둘러싸인 영역 내부로 도포 또는 분사 한 후 경화하여 구성한다.
At this time, the organic light emitting layer is configured by applying or spraying a liquid organic light emitting material into the area surrounded by the bank and then curing the organic light emitting material.

위에 상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 양극(anode)인 제 1 전극을 제 1 금속층과 나노금속층 그리고 나노금속층에 의해 표면이 불규칙한 요철형상을 갖는 제 2 금속층으로 형성함으로써, 유기발광층의 파일업(pile-up) 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있어, 유기발광층의 두께에 따른 발광효율 차이에 의해 하나의 화소영역 내에서 휘도 차이가 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다. As described above, according to the present invention, the first electrode, which is an anode, is formed of a first metal layer, a nanometal layer, and a second metal layer having an irregular concave-convex shape by the nanometal layer, thereby forming the pile-up of the organic light emitting layer ( It is possible to prevent the pile-up phenomenon from occurring, and thus, there is an effect of preventing a difference in luminance within one pixel area due to a difference in luminous efficiency according to the thickness of the organic light emitting layer.

따라서, 하나의 화소영역 내에서 휘도 불균일에 의한 얼룩 불량이 억제되어 표시품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있으며, 유기발광층의 두께 균일도가 향상됨으로서 유기발광층의 열화를 억제하여 수명을 연장시킬 수 있는 효과가 있다. Therefore, there is an effect of improving display quality by suppressing spot defects due to luminance non-uniformity within one pixel area, and suppressing deterioration of the organic light emitting layer by improving the thickness uniformity of the organic light emitting layer to extend the lifespan. there is

또한, 화소영역 내의 모든 영역이 발광영역을 이루게 되므로, OLED의 전체적인 개구율이 저하되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다. In addition, since all areas within the pixel area form the light emitting area, there is an effect of preventing the overall aperture ratio of the OLED from deteriorating.

또한, 제 1 전극의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
In addition, there is an effect of improving the electrical characteristics of the first electrode.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 OLED의 단면을 개략적으로 도시한 단면도.
도 2는 종래의 제 1 전극이 단일층 구조로 이루어지는 OLED 와, 본 발명의 실시예에 따른 OLED의 발광영역을 비교하기 위한 단면도.
도 3a는 종래의 OLED의 하나의 화소영역을 찍은 사진.
도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 OLED의 하나의 화소영역을 찍은 사진.1 is a cross-sectional view schematically showing a cross-section of an OLED according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view for comparing light emitting areas of a conventional OLED in which a first electrode has a single layer structure and an OLED according to an embodiment of the present invention.
3A is a photograph of one pixel area of a conventional OLED;
3B is a photograph of one pixel area of an OLED according to an embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 OLED의 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a cross-section of an OLED according to an embodiment of the present invention.

이때, 구동 박막트랜지스터(DTr)는 각 화소영역(P) 별로 형성되지만 도면에 있어서는, 설명의 편의를 위하여 하나의 화소영역(P)에 대해서만 도시하도록 하였다.In this case, the driving thin film transistor DTr is formed for each pixel region P, but in the drawings, only one pixel region P is shown for convenience of description.

그리고, 설명에 앞서 OLED(100)는 발광된 빛의 투과방향에 따라 상부 발광방식(top emission type)과 하부 발광방식(bottom emission type)으로 나뉘게 되는데, 하부 발광방식은 안정성 및 공정이 자유도가 높아, 하부 발광방식에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 이하 본 발명의 OLED(100)는 하부 발광방식이다. Prior to the description, the OLED 100 is divided into a top emission type and a bottom emission type according to the transmission direction of the emitted light. The bottom emission type has high stability and freedom in processing. , Research on the bottom light emission method is being actively conducted. Hereinafter, the OLED 100 of the present invention is a bottom emission method.

도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 OLED(100)는 액상의 유기발광물질을 잉크젯 장치 또는 노즐 코팅장치를 통해 뱅크(119)로 둘러싸인 영역에 분사 또는 도포 한 후 경화시켜 형성하는 OLED(100)로, 구동 박막트랜지스터(DTr)와 액상의 유기발광물질을 통해 유기발광층(220)이 형성되는 발광다이오드(E)가 형성된 기판(101)이 인캡기판(102)에 의해 인캡슐레이션(encapsulation)된다. 즉, 기판(101) 상의 화소영역(P)에는 반도체층(103)이 형성되는데, 반도체층(103)은 실리콘으로 이루어지며 그 중앙부는 채널을 이루는 액티브영역(103a) 그리고 액티브영역(103a) 양측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 소스 및 드레인영역(103b, 103c)으로 구성된다. As shown, the OLED 100 according to the present invention is an OLED 100 formed by spraying or applying a liquid organic light emitting material to the area surrounded by the bank 119 through an inkjet device or a nozzle coating device and then curing the liquid organic light emitting material. The substrate 101 on which the light emitting diode E is formed, on which the organic light emitting layer 220 is formed through the driving thin film transistor DTr and the liquid organic light emitting material, is encapsulated by the encapsulation substrate 102. That is, the semiconductor layer 103 is formed in the pixel region P on the substrate 101. The semiconductor layer 103 is made of silicon, and the central portion thereof includes the active region 103a constituting a channel and both sides of the active region 103a. It consists of source and drain regions 103b and 103c doped with high-concentration impurities.

이러한 반도체층(103) 상부로는 게이트절연막(105)이 형성되어 있다. A gate insulating film 105 is formed above the semiconductor layer 103 .

게이트절연막(105) 상부로는 반도체층(103)의 액티브영역(103a)에 대응하여 게이트전극(107)과 도면에 나타내지 않았지만 일방향으로 연장하는 게이트배선이 형성되어 있다. A gate electrode 107 and a gate wiring extending in one direction (not shown) are formed above the gate insulating layer 105 to correspond to the active region 103a of the semiconductor layer 103 .

또한, 게이트전극(107)과 게이트배선(미도시) 상부 전면에 제 1 층간절연막(109a)이 형성되어 있으며, 이때 제 1 층간절연막(109a)과 그 하부의 게이트절연막(105)은 액티브영역(103a) 양측면에 위치한 소스 및 드레인영역(103b, 103c)을 각각 노출시키는 제 1, 2 반도체층 콘택홀(116)을 구비한다.　 In addition, a first interlayer insulating film 109a is formed on the entire upper surface of the gate electrode 107 and the gate wiring (not shown). 103a) first and second semiconductor layer contact holes 116 exposing source and drain regions 103b and 103c located on both sides, respectively.

다음으로, 제 1, 2 반도체층 콘택홀(116)을 포함하는 제 1 층간절연막(109a) 상부로는 서로 이격하며 제 1, 2 반도체층 콘택홀(116)을 통해 노출된 소스 및 드레인영역(103b, 103c)과 각각 접촉하는 소스 및 드레인전극(110a, 110b)이 형성되어 있다. Next, on the top of the first interlayer insulating film 109a including the first and second semiconductor layer contact holes 116, the source and drain regions spaced apart from each other and exposed through the first and second semiconductor layer contact holes 116 ( Source and drain electrodes 110a and 110b contacting 103b and 103c, respectively, are formed.

그리고, 소스 및 드레인전극(110a, 110b)과 두 전극(110a, 110b) 사이로 노출된 제 1 층간절연막(109a) 상부로 드레인전극(110b)을 노출시키는 드레인콘택홀(117)을 갖는 제 2 층간절연막(109b)이 형성되어 있다. A second interlayer having a drain contact hole 117 exposing the drain electrode 110b above the first interlayer insulating film 109a exposed between the source and drain electrodes 110a and 110b and the two electrodes 110a and 110b. An insulating film 109b is formed.

이때, 소스 및 드레인전극(110a, 110b)과 이들 전극(110a, 110b)과 접촉하는 소스 및 드레인영역(103b, 103c)을 포함하는 반도체층(103)과 반도체층(103) 상부에 형성된 게이트절연막(105) 및 게이트전극(107)은 구동 박막트랜지스터(DTr)를 이루게 된다. At this time, the semiconductor layer 103 including the source and drain electrodes 110a and 110b and the source and drain regions 103b and 103c in contact with the electrodes 110a and 110b and a gate insulating film formed on the semiconductor layer 103 105 and the gate electrode 107 form a driving thin film transistor (DTr).

이때, 게이트배선(미도시)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터배선(130)이 형성되어 있다. 그리고, 도면상에 도시하지는 않았지만 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 구동 박막트랜지스터(DTr)와 동일한 구조로, 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결된다. At this time, a data line 130 intersecting with a gate line (not shown) to define the pixel region P is formed. And, although not shown in the drawing, the switching thin film transistor (not shown) has the same structure as the driving thin film transistor DTr and is connected to the driving thin film transistor DTr.

그리고, 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 및 구동 박막트랜지스터(DTr)는 도면에서는 반도체층(103)이 폴리실리콘 반도체층으로 이루어진 코플라나(co-planar) 타입을 예로서 보이고 있으며, 이의 변형예로서 순수 및 불순물의 비정질질실리콘으로 이루어진 보텀 케이트(bottom gate) 타입으로 형성될 수도 있다. In addition, the switching thin film transistor (not shown) and the driving thin film transistor (DTr) are shown as an example of a co-planar type in which the semiconductor layer 103 is made of a polysilicon semiconductor layer in the drawing, and as a modification thereof, pure And it may be formed as a bottom gate type made of amorphous silicon of impurities.

또한, 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인전극(110b)과 연결되며 제 2 층간절연막(109b) 상부로는 실질적으로 화상을 표시하는 영역에 예를 들어 일함수 값이 비교적 높은 물질로 발광다이오드(E)를 구성하는 일 구성요소로서 양극(anode)을 이루는 제 1 전극(210)이 형성되어 있다. In addition, it is connected to the drain electrode 110b of the driving thin film transistor (DTr), and a light emitting diode (E ) As one component constituting the anode, the first electrode 210 constituting the anode is formed.

이러한 제 1 전극(210)은 각 화소영역(P) 별로 형성되는데, 각 화소영역(P) 별로 형성된 제 1 전극(210) 사이에는 뱅크(bank : 119)가 위치한다. The first electrode 210 is formed for each pixel region P, and a bank 119 is positioned between the first electrodes 210 formed for each pixel region P.

즉, 뱅크(119)를 각 화소영역(P) 별 경계부로 하여 제 1 전극(210)이 화소영역(P) 별로 분리된 구조로 형성되어 있다.　 That is, the first electrode 210 is formed in a structure in which the first electrode 210 is separated for each pixel region P by using the bank 119 as a boundary for each pixel region P.

여기서, 제 1 전극(210)은 제 1 금속층(211)과, 나노금속층(213) 그리고 제 2 금속층(215)이 순차적으로 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 한다. Here, the first electrode 210 is characterized in that the first metal layer 211, the nano metal layer 213, and the second metal layer 215 are sequentially stacked.

여기서, 제 1 및 제 2 금속층(211, 215)은 일 함수 값이 비교적 큰 즉, 4.8eV 내지 5.2eV 정도의 일함수 값을 갖는 투명 도전성 물질 예를 들면 ITO, ZTO, IZO, IZTO, GZO, AZO, NbTiO2, FTO, ATO, BZO 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. Here, the first and second metal layers 211 and 215 are transparent conductive materials having a relatively large work function value, that is, a work function value of about 4.8 eV to 5.2 eV, for example, ITO, ZTO, IZO, IZTO, GZO, It may be made of any one of AZO, NbTiO2, FTO, ATO, and BZO.

그리고, 나노금속층(213)은 은(Ag), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 금(Au), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나의 금속으로 이루어지며, 나노사이즈의 막대형, 와이어형, 다면체형 등 다양한 형태의 나노금속으로 이루어진다. And, the nano-metal layer 213 is made of any one metal among silver (Ag), chromium (Cr), titanium (Ti), gold (Au), nickel (Ni), aluminum (Al), and molybdenum (Mo) , nano-sized rods, wires, and polyhedrons, etc.

이때, 나노금속층(213) 상부로 위치하는 제 2 금속층(215)은 나노금속층(213)의 표면을 따라 불규칙한 요철형상의 표면을 갖도록 형성된다. At this time, the second metal layer 215 positioned above the nano-metal layer 213 is formed to have an irregular concave-convex surface along the surface of the nano-metal layer 213 .

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 OLED(100)는 제 1 전극(210)의 전기적 특성이 향상됨과 동시에, OLED(100)의 파일업(pile-up) 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. Therefore, the OLED 100 according to the embodiment of the present invention can improve the electrical characteristics of the first electrode 210 and prevent the pile-up of the OLED 100 from occurring.

또한 파일업(pile-up) 현상이 발생하는 것을 방지함으로써 본 발명의 실시예에 따른 OLED(100)의 개구율 또한 향상되게 된다. 이에 대해 추후 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다. In addition, the aperture ratio of the OLED 100 according to the embodiment of the present invention is also improved by preventing the pile-up phenomenon from occurring. We will look into this in more detail later.

이러한 제 1 및 제 2 금속층(211, 215)과 나노금속층(213)으로 이루어지는 제 1 전극(210)의 상부에 유기발광층(220)이 형성되어 있다. An organic emission layer 220 is formed on the first electrode 210 including the first and second metal layers 211 and 215 and the nanometal layer 213 .

이때, 유기발광층(220)은 액상의 유기발광물질을 잉크젯 장치 또는 노즐 코팅장치를 통해 뱅크(119) 내부로 분사 또는 도포 한 후 경화시켜 형성하게 된다. 이러한 유기발광층(220)은 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transport layer), 발광층(emitting material layer), 전자수송층(electron transport layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다. At this time, the organic light emitting layer 220 is formed by spraying or coating a liquid organic light emitting material into the bank 119 through an inkjet device or a nozzle coating device and then curing the organic light emitting material. The organic light emitting layer 220 may be composed of a single layer made of a light emitting material, and may include a hole injection layer, a hole transport layer, an emitting material layer, and an electron transport layer to increase light emitting efficiency. It may be composed of multiple layers of an electron transport layer and an electron injection layer.

유기발광층(220)은 적(R), 녹(G), 청(B)의 색을 표현하게 된다. The organic light emitting layer 220 expresses red (R), green (G), and blue (B) colors.

여기서, 유기발광층(220)의 하부로 위치하는 제 1 전극(210)은 나노금속층(213)에 의해 제 2 금속층(215)이 불규칙한 요철형상의 표면을 갖도록 형성됨에 따라, 제 1 전극(210) 상부 더욱 정확하게는 제 2 금속층(215) 상부로 위치하는 유기발광층(220)은 제 2 금속층(215)의 불규칙한 요철형상에 의해 유동이 억제되어, 각 화소영역(P) 별로 평탄화된 표면을 갖도록 형성된다. Here, the first electrode 210 positioned under the organic light emitting layer 220 is formed by the nanometal layer 213 so that the second metal layer 215 has an irregular concavo-convex surface, so that the first electrode 210 Upper, more precisely, the organic light emitting layer 220 positioned above the second metal layer 215 is formed to have a flattened surface for each pixel region P, as the flow is suppressed by the irregular concavo-convex shape of the second metal layer 215. do.

이를 통해, 본 발명의 실시예에 따른 OLED(100)는 파일업(pile-up) 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 이를 통해, 개구율 또한 향상되게 된다.Through this, the OLED 100 according to the embodiment of the present invention can prevent a pile-up phenomenon from occurring, and through this, an aperture ratio is also improved.

즉, 유기발광층(220)은 액상의 유기발광물질을 잉크젯 장치 또는 노즐 코팅장치를 통해 뱅크(119)로 둘러싸인 영역의 제 1 전극(210) 상에 분사 또는 도포한 후 경화시켜 형성하게 된다. That is, the organic light emitting layer 220 is formed by spraying or coating a liquid organic light emitting material on the first electrode 210 in the area surrounded by the bank 119 through an inkjet device or a nozzle coating device and then curing the organic light emitting material.

이때, 액상의 유기발광물질이 경화되는 과정에서, 유기발광물질은 중앙부로부터 가장자리 부분으로 경화가 진행되므로, 경화가 진행되는 과정에서 유기발광물질이 중앙부로부터 뱅크(119)에 인접하는 가장자리 부분으로 이동하게 된다. At this time, in the process of curing the liquid organic light emitting material, since the organic light emitting material is cured from the central portion to the edge portion, the organic light emitting material moves from the central portion to the edge portion adjacent to the bank 119 during the curing process. will do

이를 통해, 유기발광물질이 중앙부에 비해 뱅크(119)와 인접하는 가장자리 부분에서의 두께가 두껍게 형성되는 파일업(pile-up) 현상이 발생되게 된다. Through this, a pile-up phenomenon occurs in which the thickness of the organic light emitting material is thicker at the edge portion adjacent to the bank 119 than in the central portion.

파일업(pile-up) 현상에 의해 유기발광층(220)의 두께에 따른 발광효율 차이를 야기하게 되므로, 하나의 화소영역(P) 내에서 휘도 차이를 발생시키게 된다. Since a difference in luminous efficiency according to the thickness of the organic light emitting layer 220 is caused by the pile-up phenomenon, a difference in luminance occurs within one pixel region P.

또한, 유기발광층(220)의 평탄한 부분을 이루는 영역이 실질적으로 사용자가 바라보게 되는 발광영역(EA2)이 되므로, 뱅크(119)에 인접한 가장자리 부분을 제외한 화소영역(P)의 중앙부에 해당하는 발광영역(EA1, 도 2 참조) 만을 갖게 되어, OLED의 전체적인 개구율을 저하시키게 된다. In addition, since the area forming the flat portion of the organic light emitting layer 220 substantially becomes the light emitting area EA2 viewed by the user, light emission corresponding to the central portion of the pixel area P excluding the edge portion adjacent to the bank 119 Having only the area EA1 (see FIG. 2), the overall aperture ratio of the OLED is reduced.

이에 반해, 본 발명의 실시예에 따른 OLED(100)는 불규칙한 요철형상을 갖는 제 1 전극(210) 상부로 유기발광층(220)을 형성하게 됨으로써, 액상의 유기발광물질을 경화하는 과정에서 제 1 전극(210)의 불규칙한 요철형상의 표면을 통해 유기발광물질의 이동이 억제되어, 유기발광층(220)의 파일업(pile-up) 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. In contrast, in the OLED 100 according to the embodiment of the present invention, the organic light emitting layer 220 is formed on the first electrode 210 having an irregular concavo-convex shape, so that in the process of curing the liquid organic light emitting material, the first Movement of the organic light emitting material is suppressed through the irregular surface of the electrode 210 , so that a pile-up phenomenon of the organic light emitting layer 220 may be prevented from occurring.

따라서, 하나의 화소영역(P) 전면으로 유기발광층(220)이 평탄한 표면을 갖게 되어, 유기발광층(220)의 두께에 따른 발광효율 차이에 의해 하나의 화소영역(P) 내에서 휘도 차이가 발생하는 것을 방지할 수 있다. Therefore, the organic light emitting layer 220 has a flat surface on the entire surface of one pixel area P, and a difference in luminance occurs within one pixel area P due to a difference in luminous efficiency according to the thickness of the organic light emitting layer 220. can prevent doing so.

이를 통해, 하나의 화소영역(P) 내에서 휘도 불균일에 의한 얼룩 불량이 억제되어 표시품질을 향상시킬 수 있다.Through this, it is possible to suppress spot defects due to luminance non-uniformity within one pixel area P, thereby improving display quality.

또한, 유기발광층(220)의 두께 균일도가 향상됨으로서 유기발광층(220)의 열화를 억제하여 수명을 연장시킬 수 있다. In addition, since the thickness uniformity of the organic light emitting layer 220 is improved, deterioration of the organic light emitting layer 220 can be suppressed and lifespan can be extended.

그리고, 화소영역(P) 내의 모든 영역이 발광영역(EA2)을 이루게 되므로, OLED(100)의 전체적인 개구율이 저하되는 것을 방지할 수 있다. In addition, since all areas in the pixel area P form the light emitting area EA2, it is possible to prevent the overall aperture ratio of the OLED 100 from deteriorating.

이와 같이, 화소영역(P) 상에 평탄한 표면을 갖도록 형성되는 유기발광층(220)의 상부로는 전면에 음극(cathode)을 이루는 제 2 전극(230)이 형성되어 있다. As such, the second electrode 230 forming a cathode is formed on the entire surface of the organic light emitting layer 220 formed to have a flat surface on the pixel region P.

이때, 제 2 전극(230)은 불투명한 도전성물질로 이루어질 수 있는데, 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질인 예를 들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 알루미늄 마그네슘 합금(AlMg) 중에서 선택된 하나의 물질로 형성하는 것이 바람직하다. At this time, the second electrode 230 may be made of an opaque conductive material, for example, a metal material having a relatively low work function value, such as aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), silver (Ag), or magnesium (Mg). , Gold (Au), aluminum magnesium alloy (AlMg) is preferably formed of one material selected.

이때, 제 1 전극(210)과 유기발광층(220) 그리고 제 2 전극(230)은 발광다이오드(E)를 이룬다.At this time, the first electrode 210, the organic light emitting layer 220, and the second electrode 230 form a light emitting diode (E).

이러한 OLED(100)는 선택된 색 신호에 따라 제 1 전극(210)과 제 2 전극(230)으로 소정의 전압이 인가되면, 제 1 전극(210)으로부터 주입된 정공과 제 2 전극(230)으로부터 제공된 전자가 유기발광층(220)으로 수송되어 엑시톤(exciton)을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 천이 될 때 빛이 발생되어 가시광선의 형태로 방출된다. When a predetermined voltage is applied to the first electrode 210 and the second electrode 230 according to the selected color signal, the OLED 100 receives holes injected from the first electrode 210 and from the second electrode 230. The provided electrons are transported to the organic light emitting layer 220 to form excitons, and when these excitons transition from an excited state to a ground state, light is generated and emitted in the form of visible light.

이때, 발광된 빛은 투명한 제 1 전극(210)을 통과하여 외부로 나가게 되므로, OLED(100)는 임의의 화상을 구현하게 된다. At this time, since the emitted light passes through the transparent first electrode 210 and goes out, the OLED 100 implements an arbitrary image.

그리고, 이러한 구동 박막트랜지스터(DTr)와 발광다이오드(E) 상부에는 인캡슐레이션을 위한 인캡기판(102)이 구비되고 있다. In addition, an encapsulation substrate 102 for encapsulation is provided above the driving thin film transistor DTr and the light emitting diode E.

여기서, 기판(101)과 인캡기판(102)은 그 가장자리를 따라 실란트 또는 프릿으로 이루어진 접착제(미도시)가 구비되고 있으며, 이러한 접착제(미도시)에 의해 기판(101)과 인캡기판(102)은 합착되어 패널상태를 유지하게 된다. Here, the substrate 101 and the encap substrate 102 are provided with an adhesive (not shown) made of a sealant or frit along their edges, and the substrate 101 and the encap substrate 102 are formed by this adhesive (not shown). is bonded to maintain the panel state.

이때, 서로 이격하는 기판(101)과 인캡기판(102) 사이에는 진공의 상태를 갖거나 또는 불활성 기체로 채워짐으로써 불활성 가스 분위기를 가질 수 있다. At this time, a vacuum state may be formed between the substrate 101 and the encap substrate 102 spaced apart from each other, or an inert gas atmosphere may be obtained by being filled with an inert gas.

이러한 기판(101)과 인캡기판(102)은 유리, 플라스틱 재질, 스테인리스 스틸(stainless steel), 금속호일(metal foil) 등을 재료로 하여 형성할 수 있다. The substrate 101 and the encapsulation substrate 102 may be made of glass, plastic, stainless steel, metal foil, or the like.

여기서, 기판(101)과 인캡기판(102)을 금속호일로 형성할 경우, 5 ~ 100㎛의 두께를 갖도록 형성할 수 있어, 기판(101)과 인캡기판(102)을 유리 또는 압연방식으로 형성하는 경우에 비해 얇은 두께로 형성할 수 있어, OLED(100)의 전체적인 두께를 줄일 수 있다. Here, when the substrate 101 and the encapsulation substrate 102 are formed with metal foil, they can be formed to have a thickness of 5 to 100 μm, and the substrate 101 and the encapsulation substrate 102 are formed by a glass or rolling method. It can be formed with a thinner thickness compared to the case of making it possible to reduce the overall thickness of the OLED (100).

또한, OLED(100)의 두께를 줄임에도 불구하고 OLED(100) 자체의 강성 및 내구성을 향상시킬 수 있다. In addition, although the thickness of the OLED 100 is reduced, the rigidity and durability of the OLED 100 itself can be improved.

한편, 전술한 실시예에 따른 OLED(100)는 기판(101)과 마주하며 이격하는 형태로 인캡슐레이션을 위한 인캡기판(102)이 구비된 것을 설명 및 도시하였으나, 변형예로서 인캡기판(102)은 점착층(미도시)을 포함하는 필름 형태로 기판(101)의 최상층에 구비된 제 2 전극(230)과 접촉하도록 구성될 수도 있다. On the other hand, the OLED 100 according to the above-described embodiment has been described and illustrated that the encapsulation substrate 102 for encapsulation is provided in a form facing and spaced apart from the substrate 101, but as a modified example, the encapsulation substrate 102 ) may be configured to contact the second electrode 230 provided on the uppermost layer of the substrate 101 in the form of a film including an adhesive layer (not shown).

또한, 본 발명의 실시예에 따른 또 다른 변형예로서 제 2 전극(230) 상부로 유기절연막 또는 무기절연막이 더욱 구비되어 캡핑막(미도시)이 형성될 수 있으며, 유기절연막 또는 무기절연막은 그 자체로 인캡슐레이션 막(미도시)으로 이용될 수도 있으며, 이 경우 인캡기판(102)은 생략할 수도 있다.
In addition, as another modified example according to the embodiment of the present invention, an organic insulating film or an inorganic insulating film may be further provided on the second electrode 230 to form a capping film (not shown), and the organic insulating film or inorganic insulating film may be formed thereon. It may be used as an encapsulation film (not shown) by itself, and in this case, the encapsulation substrate 102 may be omitted.

전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 OLED(100)는 제 1 전극(210)을 제 1 금속층(211)과 나노금속층(213) 그리고 나노금속층(213)에 의해 표면이 불규칙한 요철형상을 갖도록 형성되는 제 2 금속층(215)으로 형성함으로써, 액상의 유기발광물질을 통해 유기발광층(220)을 형성하는 과정에서, 유기발광층(220)의 파일업(pile-up) 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. As described above, in the OLED 100 according to an embodiment of the present invention, the first electrode 210 has an irregular surface formed by the first metal layer 211, the nanometal layer 213, and the nanometal layer 213. In the process of forming the organic light emitting layer 220 through the liquid organic light emitting material, the pile-up phenomenon of the organic light emitting layer 220 is prevented from occurring. can do.

따라서, 하나의 화소영역(P) 내에서 유기발광층(220)이 평탄한 표면을 갖게 되어, 유기발광층(220)의 두께에 따른 발광효율 차이에 의해 하나의 화소영역(P) 내에서 휘도 차이가 발생하는 것을 방지할 수 있다. Therefore, the organic light emitting layer 220 has a flat surface within one pixel area P, and a difference in luminance occurs within one pixel area P due to a difference in luminous efficiency according to the thickness of the organic light emitting layer 220. can prevent doing so.

이를 통해, 하나의 화소영역(P) 내에서 휘도 불균일에 의한 얼룩불량이 억제되어 표시품질을 향상시킬 수 있으며, 또한, 유기발광층(220)의 두께 균일도가 향상됨으로서 유기발광층(220)의 열화를 억제하여 수명을 연장시킬 수 있다. Through this, it is possible to improve display quality by suppressing spot defects due to luminance non-uniformity within one pixel area P, and also to improve the thickness uniformity of the organic light emitting layer 220, thereby preventing deterioration of the organic light emitting layer 220. Inhibition can prolong life.

그리고, 화소영역(P) 내의 모든 영역이 발광영역(EA2)을 이루게 되므로, OLED(100)의 전체적인 개구율이 저하되는 것을 방지할 수 있다. In addition, since all areas in the pixel area P form the light emitting area EA2, it is possible to prevent the overall aperture ratio of the OLED 100 from deteriorating.

또한, 제 1 전극(210)이 제 1 금속층(211)과 나노금속층(213) 그리고 제 2 금속층(215)으로 이루어짐에 따라, 제 1 전극(210)의 전기적 특성이 향상되는 효과를 갖는다. In addition, as the first electrode 210 is formed of the first metal layer 211, the nanometal layer 213, and the second metal layer 215, the electrical characteristics of the first electrode 210 are improved.

이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 제 1 및 제 2 금속층(211, 215)은 4.8eV 내지 5.2eV 정도의 일함수 값을 갖는 ITO와 같은 투명 도전성 물질로 이루어지는데, 이러한 투명 도전성 물질은 광의 파장이 550nm일 때 광 투과도 94% 기준 600 Ω/sq의 저항을 갖는다. Looking at this in more detail, the first and second metal layers 211 and 215 are made of a transparent conductive material such as ITO having a work function value of about 4.8 eV to 5.2 eV. When the light transmittance is 94%, it has a resistance of 600 Ω/sq.

여기서, 하부 발광방식의 OLED(100)에서 제 1 전극(210)을 ITO와 같은 투명 도전성 물질로 형성하고자 할 경우, 투명 도전성 물질은 높은 투과율을 가지면서도 낮은 저항을 가져야 하는데, 투과율을 높일 경우 저항이 커지게 되고, 저항을 낮출 경우 투과율이 커지게 된다. Here, when the first electrode 210 is to be formed of a transparent conductive material such as ITO in the bottom emission type OLED 100, the transparent conductive material must have high transmittance and low resistance. becomes larger, and when the resistance is lowered, the transmittance increases.

이에 반해, 나노금속층(213)은 90% 이상의 투과도와 투명 도전성 물질 보다 우수한 전기전도 특성을 갖는다. 일예로 은(Ag) 나노와이어의 경우, 광의 파장이 550nm일 때 광 투과도 94% 기준 18 Ω/sq의 저항을 가지며, 투명 도전성 물질 보다 우수한 전기적 특성을 갖는다. In contrast, the nano-metal layer 213 has a transmittance of 90% or more and electrical conductivity superior to that of a transparent conductive material. For example, silver (Ag) nanowires have a resistance of 18 Ω/sq based on a light transmittance of 94% when the wavelength of light is 550 nm, and have electrical properties superior to those of transparent conductive materials.

은(Ag) 나노와이어를 사용한 전극은 은(Ag) 나노와이어들이 네트워크화되어 서로 그물망처럼 연결되어 형성되어, 높은 전기전도도 특성과 80 ~ 90% 이상의 투명도 특성을 유지할 수 있는 장점이 있다.An electrode using silver (Ag) nanowires is formed by networking silver (Ag) nanowires and connecting them to each other like a net, and has the advantage of maintaining high electrical conductivity characteristics and transparency characteristics of 80 to 90% or more.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 OLED(100)는 제 1 전극(210)을 ITO와 같은 투명 도전성 물질로 이루어지는 제 1 및 제 2 금속층(211, 215)과, 제 1 및 제 2 금속층(211, 215) 사이로 나노금속층(213)이 개재되도록 함으로써, 제 1 전극(210)의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 것이다. Therefore, in the OLED 100 according to an embodiment of the present invention, the first electrode 210 includes first and second metal layers 211 and 215 made of a transparent conductive material such as ITO, and the first and second metal layers 211 , 215), the electrical characteristics of the first electrode 210 can be improved by interposing the nanometal layer 213 between them.

특히, 나노금속층(213)을 제 1 및 제 2 금속층(211, 215) 사이로 위치하도록 함으로써, 제 1 전극(210)의 전기적 특성을 보다 향상시킬 수 있으면서도, 제 1 금속층(211)을 통해 제 1 전극(211)과 제 2 층간절연막(109b) 사이의 접착력을 향상시키게 되고, 또한 제 2 금속층(215)을 통해 제 1 전극(211)과 유기발광층(220) 사이의 접착력을 향상시키게 된다. In particular, by positioning the nano-metal layer 213 between the first and second metal layers 211 and 215, the electrical characteristics of the first electrode 210 can be further improved, while the first metal layer 211 through the first metal layer 211 The adhesive force between the electrode 211 and the second interlayer insulating layer 109b is improved, and the adhesive force between the first electrode 211 and the organic light emitting layer 220 is improved through the second metal layer 215.

또한, 제 1 금속층(211)을 통해 제 1 전극(210)은 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인전극(110b)과 연결되어, 발광다이오드(E)의 양극(anode)을 이루게 된다.
In addition, the first electrode 210 is connected to the drain electrode 110b of the driving thin film transistor DTr through the first metal layer 211 to form an anode of the light emitting diode E.

도 2는 종래의 제 1 전극이 단일층 구조로 이루어지는 OLED 와, 본 발명의 실시예에 따른 OLED의 발광영역을 비교하기 위한 단면도이다. 2 is a cross-sectional view for comparing light emitting areas of an OLED in which a conventional first electrode has a single-layer structure and an OLED according to an embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 동일한 크기의 화소영역이 구비되는 경우, 화소영역은 실질적으로 게이트배선(미도시)과 데이터배선(30, 130)에 의해 포획되는 영역이라 정의되지만, 설명의 편의를 위해 본 발명의 실시예에 따른 OLED(100)에 있어서는 제 1 폭을 갖는 뱅크(25, 119)로 둘러싸인 영역이 새로운 화소영역(SP)이라 가정하도록 하겠다. As shown, when a pixel area having the same size is provided, the pixel area is defined as an area substantially captured by a gate line (not shown) and data lines 30 and 130, but for convenience of description, the present invention In the OLED 100 according to the embodiment, it is assumed that the area surrounded by the banks 25 and 119 having the first width is a new pixel area SP.

이 경우, 종래의 OLED(10)와 본 발명의 실시예에 따른 OLED(100)는 동일한 크기의 화소영역(SP)을 가짐을 알 수 있다. In this case, it can be seen that the conventional OLED 10 and the OLED 100 according to the embodiment of the present invention have pixel areas SP of the same size.

하지만, 각 화소영역(SP) 내에서의 발광영역(EA1, EA2)의 크기는 본 발명의 실시예에 따른 OLED(100)가 더 큼(EA1 < EA2)을 알 수 있다. However, it can be seen that the size of the light emitting areas EA1 and EA2 in each pixel area SP is greater in the OLED 100 according to the embodiment of the present invention (EA1 < EA2).

비교예에 따른 종래의 제 1 전극(21)이 단일층 구조로 이루어지는 OLED(10)는 뱅크(25)로 둘러싸인 화소영역(SP) 전면이 발광영역이 되지 않고, 뱅크(25)를 기준으로 소정폭 즉, 유기발광층(22)의 표면이 평탄한 상태를 이루는 부분이 발광영역(EA1)이 된다. In the OLED 10 in which the conventional first electrode 21 has a single-layer structure according to the comparative example, the entire surface of the pixel region SP surrounded by the bank 25 does not become a light emitting region, and a predetermined The width, that is, the portion where the surface of the organic light emitting layer 22 is flat becomes the light emitting area EA1.

따라서, 비교예에 따른 제 1 전극(21)이 단일층 구조로 이루어지는 OLED(10)는 유기발광물질이 경화되는 과정에서 중앙부에 비해 뱅크(25)와 인접하는 가장자리 부분에서의 두께가 두껍게 형성되는 파일업(pile-up) 현상이 발생되어, 화소영역(SP) 내부에 화소영역(SP) 보다 작은 면적을 갖는 발광영역(EA1)이 형성되게 된다. Therefore, in the OLED 10 in which the first electrode 21 according to the comparative example has a single layer structure, the edge portion adjacent to the bank 25 is thicker than the central portion in the process of curing the organic light emitting material. A pile-up phenomenon occurs, so that an emission area EA1 having an area smaller than that of the pixel area SP is formed inside the pixel area SP.

이는 유기발광층(22)을 경화시키는 과정에서, 유기발광물질이 중앙부로부터 경화가 이루어지면서 뱅크(25)에 인접하는 가장자리 부분으로 이동하여, 파일업(pile-up) 현상이 발생하기 때문이다. This is because, in the process of curing the organic light emitting layer 22, the organic light emitting material is cured from the central portion and moves to the edge portion adjacent to the bank 25, resulting in a pile-up phenomenon.

하지만, 본 발명의 실시예에 따른 OLED(100)는 제 1 전극(210)을 제 1 금속층(211)과 나노금속층(213) 그리고 나노금속층(213)에 의해 표면이 불규칙한 요철형상을 갖도록 형성되는 제 2 금속층(215)으로 형성함으로써, 유기발광물질이 경화되는 과정에서 제 2 금속층(215)의 불규칙한 요철형상에 의해 유동이 억제되어 유기발광층(220)의 파일업(pile-up) 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.However, in the OLED 100 according to an embodiment of the present invention, the first electrode 210 is formed to have an irregular surface by the first metal layer 211, the nanometal layer 213, and the nanometal layer 213. By forming the second metal layer 215, the flow is suppressed by the irregular concave-convex shape of the second metal layer 215 during the curing process of the organic light emitting material, resulting in a pile-up phenomenon of the organic light emitting layer 220. can prevent doing so.

따라서, 이러한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 OLED(100)는 뱅크(119)로 둘러싸인 전 면적에 대응하여 평탄한 표면을 갖는 유기발광층(220)이 형성됨으로서, 뱅크(119)로 둘러싸인 전 면적이 발광영역(EA2)이 된다. Therefore, in the organic light emitting layer 220 having a flat surface corresponding to the entire area surrounded by the banks 119 in the OLED 100 according to the embodiment of the present invention having such a configuration, the entire area surrounded by the banks 119 is formed. This becomes the light emitting area EA2.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 OLED(100)는 종래의 OLED(10) 대비 각 화소영역(SP) 내에서의 발광영역(EA2)이 확대되어, 이에 의해 개구율이 향상되는 효과를 가짐을 알 수 있다.
Therefore, it can be seen that the OLED 100 according to the embodiment of the present invention has an effect in that the light emitting area EA2 in each pixel area SP is enlarged compared to the conventional OLED 10, thereby improving the aperture ratio. can

도 3a는 종래의 OLED의 하나의 화소영역을 찍은 사진이며, 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 OLED의 하나의 화소영역을 찍은 사진이다. 3A is a picture taken of one pixel area of a conventional OLED, and FIG. 3B is a picture taken of one pixel area of an OLED according to an embodiment of the present invention.

도 3a를 참조하면, 하나의 화소영역(도 2의 SP) 내에서 파일업(pile-up) 현상에 의해 뱅크(도 2의 25) 주변으로 유기발광층(도 2의 22)이 평탄한 표면을 갖지 못하고 타 영역 대비 두껍게 형성된 부분이 어둡게 나타나는 것을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 3A, an organic light emitting layer (22 in FIG. 2) around a bank (25 in FIG. 2) has a flat surface due to a pile-up phenomenon in one pixel area (SP in FIG. 2). It can be seen that the part formed thicker than the other areas appears dark.

여기서 어둡게 나타나는 부분은 사용자가 바라볼 때 얼룩처럼 느끼게 되므로, 이렇게 두껍게 형성되는 부분에 대해서는 이를 사용자에게 보이지 않도록 하여 실질적인 발광영역이 되지 않도록 한다. Here, since the dark part feels like a stain when the user looks at it, the thick part is not visible to the user so that it does not become an actual light emitting area.

따라서, 사용자가 실질적으로 바라보게 되는 하나의 화소영역(도 2의 SP)은 뱅크(도 2의 25)로 둘러싸인 영역 전면이 아니라, 유기발광층(도 2의 22)이 평탄한 표면을 가지며 형성되어 균일한 휘도를 가지며 발광되는 영역으로, 종래의 OLED(도 2의 10)는 개구율이 매우 낮은 실정이다. Therefore, one pixel area (SP in FIG. 2 ) that the user actually looks at is not the entire area surrounded by the bank (25 in FIG. 2 ), but the organic light emitting layer ( 22 in FIG. 2 ) is formed with a flat surface and is uniform. As a region that emits light with one luminance, the conventional OLED (10 in FIG. 2) has a very low aperture ratio.

이에 반해, 본 발명의 실시예에 따른 OLED(도 2의 100)는 화소영역(도 2의 SP) 내에서 유기발광층(도 2의 220)이 평탄한 표면을 가지므로, 밝고 어두운 부분없이 고른 휘도 특성을 가지며 발광되는 것을 확인할 수 있다. In contrast, in the OLED (100 in FIG. 2 ) according to an embodiment of the present invention, the organic light emitting layer ( 220 in FIG. 2 ) has a flat surface within the pixel area (SP in FIG. 2 ), and therefore has uniform luminance characteristics without bright and dark areas. It can be confirmed that it has and emits light.

이를 통해, 본 발명의 실시예에 따른 OLED(도 2의 100)는 화소영역(도 2의 SP) 내에서 발광영역(도 2의 EA2)이 확대되었음을 알 수 있으며, 이를 통해, 개구율이 향상되었음을 알 수 있다.
Through this, it can be seen that the light emitting area (EA2 in FIG. 2) is enlarged in the pixel area (SP in FIG. 2) of the OLED (100 in FIG. 2) according to the embodiment of the present invention, and through this, the aperture ratio is improved. Able to know.

전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 OLED(100)는 제 1 전극(도 2의 210)을 제 1 금속층(도 2의 211)과 나노금속층(도 2의 213) 그리고 나노금속층(도 2의 213)에 의해 표면이 불규칙한 요철형상을 갖도록 형성되는 제 2 금속층(도 2의 215)으로 형성함으로써, 유기발광층(도 2의 220)의 파일업(pile-up) 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. As described above, the OLED 100 according to an embodiment of the present invention includes a first electrode (210 in FIG. 2), a first metal layer (211 in FIG. 2), a nanometal layer (213 in FIG. 2), and a nanometal layer (see FIG. By forming the second metal layer (215 in FIG. 2) formed to have an irregular surface by 213 of 2), the pile-up phenomenon of the organic light emitting layer (220 in FIG. 2) is prevented from occurring. can do.

따라서, 하나의 화소영역(도 2의 SP) 내의 전면에서 유기발광층(도 2의 220)이 평탄한 표면을 갖게 되어, 유기발광층(도 2의 220)의 두께에 따른 발광효율 차이에 의해 하나의 화소영역(도 2의 SP) 내에서 휘도 차이가 발생하는 것을 방지할 수 있다. Therefore, the organic light emitting layer (220 in FIG. 2) has a flat surface on the entire surface within one pixel area (SP in FIG. It is possible to prevent a luminance difference from occurring within the region (SP in FIG. 2).

이를 통해, 하나의 화소영역(도 2의 SP) 내에서 휘도 불균일에 의한 얼룩 불량이 억제되어 표시품질을 향상시킬 수 있으며, 유기발광층(도 2의 220)의 두께 균일도가 향상됨으로서 유기발광층(도 2의 220)의 열화를 억제하여 수명을 연장시킬 수 있다. Through this, it is possible to improve display quality by suppressing spot defects due to luminance non-uniformity within one pixel area (SP in FIG. 2), and improving the thickness uniformity of the organic light emitting layer (220 in FIG. 2 of 220) can suppress deterioration and extend its life.

그리고, 화소영역(도 2의 SP) 내의 모든 영역이 발광영역(도 2의 EA2)을 이루게 되므로, OLED(도 2의 100)의 전체적인 개구율이 저하되는 것을 방지할 수 있다. In addition, since all areas in the pixel area (SP in FIG. 2) form the light emitting area (EA2 in FIG. 2), the overall aperture ratio of the OLED (100 in FIG. 2) can be prevented from being lowered.

또한, 제 1 전극(도 2의 210)이 제 1 금속층(도 2의 211)과 나노금속층(도 2의 213) 그리고 제 2 금속층(도 2의 215)으로 이루어짐에 따라, 제 1 전극(도 2의 210)의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다. In addition, as the first electrode (210 in FIG. 2) is composed of a first metal layer (211 in FIG. 2), a nano-metal layer (213 in FIG. 2), and a second metal layer (215 in FIG. 2), the first electrode (215 in FIG. 2 of 210) can improve the electrical characteristics.

본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
The present invention is not limited to the above embodiments, and can be practiced with various changes without departing from the spirit of the present invention.

100 : OLED
101, 102 : 기판, 인캡기판
103 : 반도체층(103a : 액티브영역, 103b, 103c : 소스 및 드레인영역)
105 : 게이트절연막
107 : 게이트전극
109a, 109b : 제 1 및 제 2 층간절연막
110a, 110b : 소스 및 드레인전극
116 : 제 1 및 제 2 반도체층 콘택홀
117 : 드레인콘택홀
119 : 뱅크
130 : 데이터배선
210 : 제 1 전극(211 : 제 1 금속층, 213 : 나노금속층, 215 : 제 2 금속층)
220 : 유기발광층
230 : 제 2 전극
E : 발광다이오드
DTr : 구동 박막트랜지스터
P : 화소영역
EA2 : 발광영역100: OLED
101, 102: substrate, encap substrate
103: semiconductor layer (103a: active region, 103b, 103c: source and drain regions)
105: gate insulating film
107: gate electrode
109a, 109b: first and second interlayer insulating films
110a, 110b: source and drain electrodes
116: first and second semiconductor layer contact holes
117: drain contact hole
119: bank
130: data wiring
210: first electrode (211: first metal layer, 213: nano metal layer, 215: second metal layer)
220: organic light emitting layer
230: second electrode
E: light emitting diode
DTr: driving thin film transistor
P: pixel area
EA2: light emitting area

Claims (6)

다수의 화소영역을 갖는 표시영역이 정의되며, 각 화소영역 별로 구동 박막트랜지스터를 포함하는 기판과;
상기 박막트랜지스터 상부에, 평탄한 표면을 가지는 절연막과;
상기 절연막 상부에, 상기 구동 박막트랜지스터와 연결되며, 제 1 금속층과, 나노금속층 그리고 제 2 금속층이 순차적으로 위치하는 제 1 전극과;
상기 제 1 전극 상부로 위치하는 유기발광층과;
상기 유기발광층 상부로 상기 표시영역 전면에 위치하는 제 2 전극
을 포함하며, 상기 제 2 금속층은 상기 나노금속층에 의해 표면이 불규칙한 요철형상을 가지며,
상기 유기발광층은 상기 제 2 금속층 상부로 위치하며, 평탄한 표면을 가지며,
상기 나노금속층은 은(Ag)으로 이루어지며, 80 ~ 90%의 투명도 특성을 갖고,
상기 나노금속층은 요부와 철부를 가지며, 상기 제 1 금속층의 두께는 상기 나노금속층의 철부의 두께보다 크고,
상기 제 1 전극의 가장자리와 중첩하며 상기 각 화소영역을 둘러싸는 뱅크를 포함하고, 상기 유기발광층은 액상의 유기발광물질을 상기 뱅크로 둘러싸인 영역 내부의 상기 불규칙한 요철 형상을 가지는 상기 제 2 금속층 상부로 도포 또는 분사 한 후 경화하여 구성되는 유기발광소자.
a substrate defining a display area having a plurality of pixel areas and including a driving thin film transistor for each pixel area;
an insulating film having a flat surface on the thin film transistor;
a first electrode connected to the driving thin film transistor and having a first metal layer, a nano metal layer, and a second metal layer sequentially disposed on the insulating film;
an organic light emitting layer positioned above the first electrode;
a second electrode located on the front surface of the display area above the organic light emitting layer;
Including, the second metal layer has an irregular concavo-convex shape due to the nano-metal layer,
The organic light emitting layer is positioned above the second metal layer and has a flat surface,
The nanometal layer is made of silver (Ag) and has a transparency of 80 to 90%,
The nano-metal layer has a concave portion and a convex portion, and the thickness of the first metal layer is greater than the thickness of the convex portion of the nano-metal layer;
and a bank overlapping an edge of the first electrode and enclosing each of the pixel areas, wherein the organic light emitting layer directs a liquid organic light emitting material onto the second metal layer having the irregular concavo-convex shape inside the area surrounded by the bank. An organic light emitting device formed by curing after coating or spraying.
 제 1 항에 있어서,
상기 나노금속층은 나노사이즈의 막대형, 와이어형, 다면체형 등 다양한 형태의 나노금속으로 이루어지는 유기발광소자.
According to claim 1,
The nano-metal layer is an organic light emitting device made of nano-metal in various shapes such as a nano-sized rod shape, a wire shape, a polyhedral shape, and the like.
 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 금속층은 상기 구동 박막트랜지스터와 연결되는 유기발광소자.
According to claim 1,
The first metal layer is an organic light emitting device connected to the driving thin film transistor.
 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 금속층은 ITO, ZTO, IZO, IZTO, GZO, AZO, NbTiO2, FTO, ATO, BZO 중 어느 하나로 이루어지는 유기발광소자.
According to claim 1,
The first and second metal layers are organic light emitting devices made of any one of ITO, ZTO, IZO, IZTO, GZO, AZO, NbTiO2, FTO, ATO, and BZO.
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