JP2006294364A - Manufacturing method of organic electroluminescent device, organic electroluminescent device, and electronic equipment - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent device equipped with an organic functional layer formed in a uniform film thickness such as the one formed by a liquid phase method, and thereby capable of obtaining uniform and high-grade light emission. <P>SOLUTION: The manufacturing method of the organic electroluminescent device comprises a process of forming a first protrusion group consisting of a plurality of first protrusions 143P on a base body P, a process of forming a first electrode 141 on the first protrusion group, and a process of arranging a liquid material containing a forming material of an organic functional layer 140 on the first electrode 141 with a second protrusion group formed on the surface consisting of a plurality of second protrusions 141P in correspondence with convex and concave shapes of the first protrusion group. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing an organic electroluminescence device, an organic electroluminescence device, and an electronic apparatus.

近年、自発光素子である有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を画素として用いた有機ＥＬ装置の開発が進められている。有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に発光層等の有機機能層を挟持した構成を備えており、最近では、有機物材料を溶解した液体材料をインクジェット法によって基板上パターン配置する方法を採用した有機ＥＬ装置の開発が行われている。このような有機ＥＬ装置では、画素毎を区画する隔壁部材を基板上に設け、この隔壁部材で囲まれた領域内に上記液体材料を吐出することで、基板上に正確に有機機能層を形成することができる。
有機ＥＬ装置は、発光層からの光取り出し方向の違いにより、基板側から光を取り出すボトムエミッション型と、封止部材側から光を取り出すトップエミッション型とに分類される。近年では、画素の高開口率化、高効率化を実現するのに有利なトップエミッション型の有機ＥＬ装置の開発が盛んに行われている（例えば特許文献１参照）。
特開平１１−２８３７５１号公報 In recent years, organic EL devices using organic EL (electroluminescence) elements, which are self-luminous elements, as pixels have been developed. Organic EL devices have a structure in which an organic functional layer such as a light-emitting layer is sandwiched between an anode and a cathode. Recently, a liquid material in which an organic material is dissolved is used to place a pattern on a substrate by an inkjet method. An organic EL device has been developed. In such an organic EL device, a partition member for partitioning each pixel is provided on the substrate, and the liquid material is discharged into a region surrounded by the partition member, so that an organic functional layer is accurately formed on the substrate. can do.
Organic EL devices are classified into a bottom emission type in which light is extracted from the substrate side and a top emission type in which light is extracted from the sealing member side, depending on the direction of light extraction from the light emitting layer. In recent years, a top emission type organic EL device that is advantageous for realizing a high aperture ratio and high efficiency of pixels has been actively developed (for example, see Patent Document 1).
Japanese Patent Laid-Open No. 11-283951

このような有機ＥＬ装置においては、均一且つ高輝度の発光を得るために、液体材料を電極上に均一に配置することが必要となる。通常、トップエミッション型の構造を作り込む場合には、画素の下地にＴＦＴや配線等、凹凸のある構造が入っているため、たとえ平坦化膜を設けたとしても、完全に凹凸を取り除くことはできない。そのため、インクジェット法等の液相法を用いて有機機能層を成膜すると、低い場所に液体材料が流れて膜厚が厚くなり、発光が不均一になるという課題を有していた。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液相法により形成された有機機能層を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置であって、均一な膜厚に形成された有機機能層を具備し、もって均一かつ高度の発光が得られる有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法を提供することを目的とする。また、このような有機エレクトロルミネッセンス装置を備えた高輝度、高コントラストの高画質表示が可能な電子機器を提供することを目的とする。 In such an organic EL device, in order to obtain uniform and high-luminance light emission, it is necessary to uniformly dispose the liquid material on the electrode. Normally, when a top emission type structure is built, since there are uneven structures such as TFT and wiring on the base of the pixel, even if a flattening film is provided, it is not possible to completely remove the unevenness Can not. Therefore, when the organic functional layer is formed by using a liquid phase method such as an ink jet method, there is a problem that the liquid material flows in a low place, the film thickness is increased, and light emission is not uniform.
The present invention has been made in view of such circumstances, and is an organic electroluminescence device including an organic functional layer formed by a liquid phase method, wherein an organic functional layer formed with a uniform film thickness is provided. It is an object of the present invention to provide an organic electroluminescence device that has uniform and high light emission and a method for manufacturing the same. It is another object of the present invention to provide an electronic apparatus that can display a high-brightness and high-contrast image with such an organic electroluminescence device.

基体上に第１電極と有機機能層と第２電極とを積層してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記基体上に複数の第１突起からなる第１突起群を形成する工程と、前記第１突起群の上に前記第１電極を形成する工程と、前記第１突起群の凹凸形状に対応して、表面に複数の第２突起からなる第２突起群が形成された前記第１電極の上に、前記有機機能層の形成材料を含む液体材料を配置する工程とを備えたことを特徴とする。
液相法により前記有機機能層を形成する場合、第１電極上に有機機能層を形成するための形成材料と溶媒とを含む液体材料を配し、乾燥固化させることで有機機能層を形成する。ここで、本発明では、前記第１電極の表面に第２突起からなる第２突起群が形成されているので、前記液体材料を乾燥固化させる際に、前記第２突起群により前記液体材料が第１電極上で流動するのを堰き止めることができる。これにより、液体材料が偏った状態で固化されることが防止され、有機機能層が均一な膜厚、膜質を有して形成されるようになる。また、膜厚が均一であることから、電極間での短絡も良好に防止され、信頼性に優れた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置が得られる。さらに、第１電極の表面に凹凸形状が付与されていると、第１電極と有機機能層との界面が広がるので、発光効率も向上する。また、有機機能層の膜厚が凹凸によって微視的に不均一となるため、光の干渉条件が凹凸のある部分とない部分とで異なったものとなり、表示光を取り出す際の色味の視角依存性が緩和される。 A method of manufacturing an organic electroluminescence device in which a first electrode, an organic functional layer, and a second electrode are stacked on a substrate, wherein a first protrusion group including a plurality of first protrusions is formed on the substrate. And forming the first electrode on the first projection group, and forming a second projection group consisting of a plurality of second projections on the surface corresponding to the uneven shape of the first projection group. And disposing a liquid material containing the material for forming the organic functional layer on the first electrode.
When the organic functional layer is formed by a liquid phase method, a liquid material including a forming material for forming the organic functional layer and a solvent is disposed on the first electrode, and the organic functional layer is formed by drying and solidifying. . Here, in the present invention, since the second projection group consisting of the second projections is formed on the surface of the first electrode, when the liquid material is dried and solidified, the second projection group causes the liquid material to flow. The flow on the first electrode can be blocked. Thereby, it is prevented that the liquid material is solidified in a biased state, and the organic functional layer is formed with a uniform film thickness and film quality. Moreover, since the film thickness is uniform, a short circuit between the electrodes can be prevented well, and an organic EL (electroluminescence) device having excellent reliability can be obtained. Furthermore, if the surface of the first electrode is provided with a concavo-convex shape, the interface between the first electrode and the organic functional layer is widened, so that the light emission efficiency is also improved. In addition, since the thickness of the organic functional layer is microscopically uneven due to the unevenness, the light interference conditions differ between the uneven portion and the uneven portion, and the viewing angle of the color when the display light is extracted Dependency is relaxed.

本発明においては、前記第２突起は、概ね一定のピッチで規則的に配列されているものとすることができる。ここで、前記第２突起はドット状に形成されるものとすることができる。この場合、前記突起のサイズは２μｍ以上１０μｍ以下であり、前記突起の高さは５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、前記突起の配置ピッチは５μｍ以上２００μｍ以下であることが望ましい。
この方法によれば、液体材料をより良好に保持することができ、また第２突起による表示への影響も抑えることができる。 In the present invention, the second protrusions may be regularly arranged at a substantially constant pitch. Here, the second protrusion may be formed in a dot shape. In this case, it is preferable that the size of the protrusions is 2 μm or more and 10 μm or less, the height of the protrusions is 50 nm or more and 200 nm or less, and the arrangement pitch of the protrusions is 5 μm or more and 200 μm or less.
According to this method, the liquid material can be held better, and the influence on the display by the second protrusion can be suppressed.

本発明においては、前記第２突起は、前記基体と前記第１電極との間に配置される構造物（駆動素子、配線等）によって形成された段差の上面部分にのみ形成されているものとすることができる。
液体材料は低い場所に向けて流動する。このため、第１電極の表面に段差が形成されている場合には、少なくともその段差の上面部分に第２突起群が形成されていればよい。突起の設置面積を小さくすることで、表示への影響を最小限に抑えることができる。 In the present invention, the second protrusion is formed only on an upper surface portion of a step formed by a structure (driving element, wiring, etc.) disposed between the base and the first electrode. can do.
The liquid material flows toward a low place. For this reason, when the level | step difference is formed in the surface of the 1st electrode, the 2nd protrusion group should just be formed in the upper surface part of the level | step difference at least. By reducing the installation area of the protrusion, the influence on the display can be minimized.

本発明においては、前記第１突起は、前記基体と前記第１電極との間に配置される構造物（駆動素子、配線等）を形成する際に同時に形成されるものとすることができる。
この方法によれば、第１突起を形成するための新たな工程が必要なくなるため、プロセスが簡略化され、製造コストも抑えることができる。 In the present invention, the first protrusion may be formed simultaneously with the formation of a structure (driving element, wiring, etc.) disposed between the base and the first electrode.
According to this method, since a new process for forming the first protrusion is not required, the process is simplified and the manufacturing cost can be suppressed.

本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、基体上に第１電極と有機機能層と第２電極とを積層してなる有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記基体と前記第１電極との間には、複数の第１突起からなる第１突起群が設けられており、前記第１電極の表面には、前記第１突起群の凹凸形状に対応して、複数の第２突起からなる第２突起群が形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、均一な発光が得られ、発光効率も高く、色味の視角依存性も少ない有機ＥＬ装置を提供することができる。 The organic electroluminescence device of the present invention is an organic electroluminescence device formed by laminating a first electrode, an organic functional layer, and a second electrode on a substrate, and between the substrate and the first electrode, A first projection group comprising a plurality of first projections is provided, and a second projection group comprising a plurality of second projections is provided on the surface of the first electrode, corresponding to the concavo-convex shape of the first projection group. Is formed.
According to this configuration, it is possible to provide an organic EL device that can obtain uniform light emission, has high light emission efficiency, and has less color viewing angle dependency.

本発明においては、前記第２突起は、概ね一定のピッチで規則的に配列されているものとすることができる。
この構成によれば、有機機能層を液相法で形成する場合に、第１電極の上に配置される液体材料を第２突起群によって良好に保持することができ、第１電極上での液体材料の均一配置、並びに形成される有機機能層の膜厚の均一化という効果を得ることができる。この場合、前記第２突起のサイズを２μｍ以上１０μｍ以下、前記第２突起の高さを５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、前記第２突起の配置ピッチを５μｍ以上２００μｍ以下とすることで、前記効果をより良好なものとすると共に、突起に起因した表示不良の発生も確実に防止することができる。 In the present invention, the second protrusions may be regularly arranged at a substantially constant pitch.
According to this configuration, when the organic functional layer is formed by a liquid phase method, the liquid material disposed on the first electrode can be favorably retained by the second protrusion group, The effects of uniform arrangement of the liquid material and uniform thickness of the organic functional layer to be formed can be obtained. In this case, the size of the second protrusion is 2 μm or more and 10 μm or less, the height of the second protrusion is 50 nm or more and 200 nm or less, and the arrangement pitch of the second protrusion is 5 μm or more and 200 μm or less. In addition, it is possible to reliably prevent the occurrence of display defects due to the protrusions.

本発明においては、前記第２突起は、前記基体と前記第１電極との間に配置される構造物（駆動素子、配線等）によって形成された段差の上面部分にのみ形成されているものとすることができる。
この構成によれば、開口率が高く、明るい表示が可能な有機ＥＬ装置を提供することができる。 In the present invention, the second protrusion is formed only on an upper surface portion of a step formed by a structure (driving element, wiring, etc.) disposed between the base and the first electrode. can do.
According to this configuration, an organic EL device having a high aperture ratio and capable of bright display can be provided.

本発明の電子機器は、前述した本発明の製造方法により製造されてなる有機エレクトロルミネッセンス装置又は前述した本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、高輝度、高コントラストの高画質表示が可能な表示部を備えた電子機器を提供することができる。また、均一な発光が可能であることから、ラインプリンタの露光手段等、表示装置以外の電子機器の光源としても好適に用いることができる。 The electronic apparatus of the present invention is characterized by including the organic electroluminescence device manufactured by the manufacturing method of the present invention described above or the organic electroluminescence device of the present invention described above.
According to this configuration, it is possible to provide an electronic apparatus including a display unit capable of high-luminance and high-contrast high-quality display. Moreover, since uniform light emission is possible, it can be suitably used as a light source for electronic devices other than display devices, such as exposure means for line printers.

（有機ＥＬ装置）
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。以下の実施の形態では、有機ＥＬ素子を画素として基体上に配列してなるトップエミッション型の有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）を例示して説明する。この有機ＥＬ装置は、例えば電子機器等の表示手段として好適に用いることができるものである。 (Organic EL device)
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following embodiments, a top emission type organic EL device (organic electroluminescence device) formed by arranging organic EL elements as pixels on a substrate will be described as an example. This organic EL device can be suitably used as display means for electronic devices, for example.

＜第１の実施形態＞
図１は本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ装置の回路構成図、図２は、同有機ＥＬ装置に備えられた各画素７１の平面構造を示す図であって、（ａ）は画素７１のうち、主にＴＦＴ等の画素駆動部分を示す図、（ｂ）は画素間を区画するバンク（隔壁部材）等を示す図である。また図３は、図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面構成を示す図である <First Embodiment>
FIG. 1 is a circuit configuration diagram of the organic EL device according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing a planar structure of each pixel 71 provided in the organic EL device, where FIG. 71 is a diagram mainly showing a pixel driving portion such as a TFT, and FIG. 7B is a diagram showing a bank (partition wall member) that partitions pixels. FIG. 3 is a diagram showing a cross-sectional configuration along the line AA in FIG.

図１に示すように、有機ＥＬ装置７０は、透明の基板上に、複数の走査線（配線、電力導通部）１３１と、これら走査線１３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線（配線、電力導通部）１３２と、これら信号線１３２に並列に延びる複数の共通給電線（配線、電力導通部）１３３とがそれぞれ配線されたもので、走査線１３１及び信号線１３２の各交点毎に、画素（画素領域）７１が設けられて構成されたものである。   As shown in FIG. 1, the organic EL device 70 includes a plurality of scanning lines (wiring, power conduction unit) 131 and a plurality of signal lines (in a direction intersecting with the scanning lines 131) on a transparent substrate. Wiring and power conducting portion) 132 and a plurality of common power supply lines (wiring and power conducting portions) 133 extending in parallel to the signal lines 132 are respectively wired at each intersection of the scanning line 131 and the signal line 132. In addition, a pixel (pixel region) 71 is provided.

信号線１３２に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチ等を備えるデータ側駆動回路７２が設けられている。一方、走査線１３１に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタ等を備える走査側駆動回路７３が設けられている。また、画素領域７１の各々には、走査線１３１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１４２と、このスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１４２を介して信号線１３２から供給される画像信号（電力）を保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１４３と、この駆動用ＴＦＴ１４３を介して共通給電線１３３に電気的に接続したときに共通給電線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極１４１と、この画素電極１４１と共通電極１５４との間に挟み込まれる発光部１４０と、が設けられている。そして、前記画素電極（第１電極）１４１と共通電極（第２電極）１５４と、有機機能層からなる発光部１４０とによって構成される素子が、本発明に係る有機ＥＬ素子である。   For the signal line 132, a data side driving circuit 72 including a shift register, a level shifter, a video line, an analog switch, and the like is provided. On the other hand, for the scanning line 131, a scanning side driving circuit 73 including a shift register, a level shifter, and the like is provided. Further, each of the pixel regions 71 is supplied from a switching TFT (thin film transistor) 142 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode through the scanning line 131 and from the signal line 132 through the switching TFT (thin film transistor) 142. A storage capacitor cap for holding the image signal (power) to be generated, a driving TFT 143 to which the image signal held by the storage capacitor cap is supplied to the gate electrode, and the common feeding line 133 via the driving TFT 143 A pixel electrode 141 into which a drive current flows from the common power supply line 133 when connected to the light-emitting element, and a light emitting unit 140 sandwiched between the pixel electrode 141 and the common electrode 154 are provided. And the element comprised by the said pixel electrode (1st electrode) 141, the common electrode (2nd electrode) 154, and the light emission part 140 which consists of an organic functional layer is an organic EL element which concerns on this invention.

このような構成のもとに、走査線１３１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１４２がオンとなると、そのときの信号線１３２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１４３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１４３のチャネルを介して共通給電線１３３から画素電極１４１に電流が流れ、さらに発光部１４０を通じて共通電極１５４に電流が流れることにより、発光部１４０は、これを流れる電流量に応じて発光するようになる。   Under such a configuration, when the scanning line 131 is driven and the switching TFT 142 is turned on, the potential of the signal line 132 at that time is held in the holding capacitor cap, and depending on the state of the holding capacitor cap, The on / off state of the driving TFT 143 is determined. Then, a current flows from the common power supply line 133 to the pixel electrode 141 through the channel of the driving TFT 143, and further a current flows to the common electrode 154 through the light emitting unit 140, so that the light emitting unit 140 corresponds to the amount of current flowing therethrough. Will start to emit light.

次に、図２（ａ）に示す画素７１の平面構造をみると、画素７１は、平面視略矩形状の画素電極１４１の四辺が、信号線１３２、共通給電線１３３、走査線１３１及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。また図３に示す画素７１の断面構造をみると、基板（基体）Ｐ上に、駆動用ＴＦＴ１４３が設けられており、駆動用ＴＦＴ１４３を覆って形成された複数の絶縁膜を介した基板Ｐ上に、有機ＥＬ素子２００が形成されている。有機ＥＬ素子２００は、基板Ｐ上に立設されたバンク（隔壁部材）１５０に囲まれる領域内に設けられた有機機能層１４０を主体として構成され、この有機機能層１４０を、画素電極１４１と共通電極１５４との間に挟持した構成を備える。   Next, when viewing the planar structure of the pixel 71 shown in FIG. 2A, the pixel 71 has four sides of a pixel electrode 141 having a substantially rectangular shape in plan view, the signal line 132, the common power supply line 133, the scanning line 131, and the figure. The arrangement is surrounded by scanning lines for other pixel electrodes that are not. Further, in the cross-sectional structure of the pixel 71 shown in FIG. 3, the driving TFT 143 is provided on the substrate (base) P, and the substrate P is interposed on the substrate P through the plurality of insulating films formed to cover the driving TFT 143. In addition, an organic EL element 200 is formed. The organic EL element 200 is mainly composed of an organic functional layer 140 provided in a region surrounded by a bank (partition wall member) 150 standing on the substrate P. The organic functional layer 140 is connected to the pixel electrode 141. A structure sandwiched between the common electrode 154 is provided.

ここで、図２（ｂ）に示す平面構造をみると、バンク１５０は、画素電極１４１の形成領域に対応した平面視略矩形状の開口部１５１を有しており、この開口部１５１に先の有機機能層１４０が形成されるようになっている。また、図２（ｂ）及び図３に示すように、画素電極１４１の表面には、下地の凹凸形状に対応して、平面視ドット状の複数の突起１４１Ｐが形成されている。   Here, looking at the planar structure shown in FIG. 2B, the bank 150 has an opening 151 having a substantially rectangular shape in plan view corresponding to the region where the pixel electrode 141 is formed. The organic functional layer 140 is formed. Further, as shown in FIGS. 2B and 3, a plurality of dot-like projections 141 </ b> P in a plan view are formed on the surface of the pixel electrode 141 corresponding to the uneven shape of the base.

図３に示すように、駆動用ＴＦＴ１４３は、半導体膜２１０に形成されたソース領域１４３ａ、ドレイン領域１４３ｂ、及びチャネル領域１４３ｃと、半導体層表面に形成されたゲート絶縁膜２２０を介してチャネル領域１４３ｃに対向するゲート電極１４３Ａとを主体として構成されている。半導体膜２１０及びゲート絶縁膜２２０を覆う第１層間絶縁膜２３０が形成されており、この第１層間絶縁膜２３０を貫通して半導体膜２１０に達するコンタクトホール２３２，２３４内に、それぞれドレイン電極２３６、ソース電極２３８が埋設され、各々の電極はドレイン領域１４３ｂ、ソース領域１４３ａに導電接続されている。第１層間絶縁膜２３０には、第２層間絶縁膜２４０が形成されており、この第２層間絶縁膜２４０に貫設されたコンタクトホールに画素電極１４１の一部が埋設されている。そして画素電極１４１とドレイン電極２３６とが導電接続されることで、駆動用ＴＦＴ１４３と画素電極１４１（有機ＥＬ素子２００）とが電気的に接続されている。画素電極１４１の周縁部に一部乗り上げるようにして無機絶縁材料からなる無機バンク（第１隔壁層）１４９が形成されている。無機バンク１４９上には、有機材料からなるバンク（第２隔壁層）１５０が積層され、この有機ＥＬ装置における隔壁部材を成している。   As shown in FIG. 3, the driving TFT 143 includes a channel region 143c via a source region 143a, a drain region 143b and a channel region 143c formed in the semiconductor film 210, and a gate insulating film 220 formed on the surface of the semiconductor layer. And a gate electrode 143A facing the main body. A first interlayer insulating film 230 is formed to cover the semiconductor film 210 and the gate insulating film 220. The drain electrodes 236 are respectively formed in the contact holes 232 and 234 that penetrate the first interlayer insulating film 230 and reach the semiconductor film 210. The source electrode 238 is buried, and each electrode is conductively connected to the drain region 143b and the source region 143a. A second interlayer insulating film 240 is formed in the first interlayer insulating film 230, and a part of the pixel electrode 141 is embedded in a contact hole penetrating through the second interlayer insulating film 240. The pixel electrode 141 and the drain electrode 236 are conductively connected, so that the driving TFT 143 and the pixel electrode 141 (organic EL element 200) are electrically connected. An inorganic bank (first partition wall layer) 149 made of an inorganic insulating material is formed so as to partially ride on the peripheral edge of the pixel electrode 141. On the inorganic bank 149, a bank (second partition layer) 150 made of an organic material is stacked, and forms a partition member in the organic EL device.

ゲート絶縁膜２２０上には、ドット状をなす多数の微細な突起（第１突起）１４３Ｐからなる突起群（第１突起群）が設けられている。突起１４３Ｐは、有機機能層１４０が形成される領域全体に概ね一定のピッチで規則的に配列されている。これらの突起１４３Ｐは、例えば、ゲート電極１４３Ａを形成する際に同時に形成される。第１層間絶縁膜２３０及び第２層間絶縁膜２４０の表面には、それぞれ突起１４３Ｐの凹凸形状に対応して、多数の微細な突起２３０Ｐ及び突起２４０Ｐからなる突起群が形成されている。さらに、第２層間絶縁膜２４０に形成された突起２４０Ｐの凹凸形状に対応して、画素電極１４１の表面には、有機機能層１４０側に突出する多数の微細な突起（第２突起）１４１Ｐからなる突起群（第２突起群）が形成されている。なお、突起１４３Ｐは、ＳｉＮ等の材料を用いて、ゲート電極１４３Ａとは別個の工程で形成することも可能である。   On the gate insulating film 220, a projection group (first projection group) including a large number of dot-shaped fine projections (first projections) 143P is provided. The protrusions 143P are regularly arranged at a substantially constant pitch over the entire region where the organic functional layer 140 is formed. These protrusions 143P are formed simultaneously with the formation of the gate electrode 143A, for example. On the surface of the first interlayer insulating film 230 and the second interlayer insulating film 240, a plurality of fine projections 230P and projection groups consisting of the projections 240P are formed corresponding to the uneven shape of the projections 143P. Further, corresponding to the uneven shape of the protrusion 240P formed on the second interlayer insulating film 240, the surface of the pixel electrode 141 has a large number of fine protrusions (second protrusions) 141P protruding toward the organic functional layer 140 side. A projection group (second projection group) is formed. Note that the protrusion 143P can be formed using a material such as SiN in a separate step from the gate electrode 143A.

上記有機ＥＬ素子２００は、画素電極１４１上に、正孔注入層（電荷輸送層）１４０Ａと発光層１４０Ｂとを積層し、この発光層１４０Ｂとバンク１５０とを覆う共通電極１５４を形成することにより構成されている。正孔注入層１４０Ａは、画素電極１４１を覆って形成されており、その周端部は、バンク１５０の下層側に設けられた無機バンク１４９のうち、バンク１５０から画素電極１４１中央側に突出して配置された部分も覆って形成されている。   In the organic EL element 200, a hole injection layer (charge transport layer) 140A and a light emitting layer 140B are stacked on the pixel electrode 141, and a common electrode 154 covering the light emitting layer 140B and the bank 150 is formed. It is configured. The hole injection layer 140 </ b> A is formed so as to cover the pixel electrode 141, and the peripheral end portion of the inorganic bank 149 provided on the lower layer side of the bank 150 protrudes from the bank 150 toward the center of the pixel electrode 141. The arranged part is also covered.

基板Ｐとしては、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の場合、有機ＥＬ素子２００が配設された側から光を取り出す構成であるので、ガラス等の透明基板のほか、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。
画素電極１４１は、基板Ｐを介して光を取り出すボトムエミッション型の場合には、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性導電材料により形成されるが、トップエミッション型の場合には透光性である必要はなく、金属材料等の適宜な導電材料によって形成できる。 In the case of a so-called top emission type organic EL device, the substrate P is configured to extract light from the side where the organic EL element 200 is disposed. Therefore, in addition to a transparent substrate such as glass, an opaque substrate can also be used. . Examples of opaque substrates include ceramics such as alumina, metal sheets such as stainless steel that have been subjected to insulation treatment such as surface oxidation, thermosetting resins and thermoplastic resins, and films thereof (plastic films). It is done.
The pixel electrode 141 is formed of a light-transmitting conductive material such as ITO (indium tin oxide) in the case of the bottom emission type that extracts light through the substrate P, but in the case of the top emission type, the light transmission is performed. It is not necessary to have a property, and it can be formed of an appropriate conductive material such as a metal material.

共通電極１５４は、発光層１４０Ｂとバンク１５０の上面、さらにはバンク１５０の側面部を形成する壁面を覆った状態で基板Ｐ上に形成される。この共通電極１５４を形成するための材料としては、トップエミッション型の場合、透明導電材料が用いられる。透明導電材料としてはＩＴＯが好適であるが、他の透光性導電材料であっても構わない。   The common electrode 154 is formed on the substrate P in a state of covering the light emitting layer 140 </ b> B, the upper surface of the bank 150, and the wall surface forming the side surface of the bank 150. As a material for forming the common electrode 154, in the case of the top emission type, a transparent conductive material is used. ITO is suitable as the transparent conductive material, but other translucent conductive materials may be used.

共通電極１５４の上層側には、陰極保護層を形成してもよい。係る陰極保護層を設けることで、製造プロセス時に共通電極１５４が腐食されるのを防止する効果が得られ、無機化合物、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン窒酸化物等のシリコン化合物により形成できる。共通電極１５４を無機化合物からなる陰極保護層で覆うことにより、無機酸化物からなる共通電極１５４への酸素等の侵入を良好に防止することができる。
なお、このような陰極保護層は、共通電極１５４の平面領域の外側の基板上まで、１０ｎｍから３００ｎｍ程度の厚みに形成される。 A cathode protective layer may be formed on the upper layer side of the common electrode 154. By providing such a cathode protective layer, an effect of preventing the common electrode 154 from being corroded during the manufacturing process can be obtained, and an inorganic compound such as silicon oxide, silicon nitride, silicon nitride oxide or the like can be used. Can be formed. By covering the common electrode 154 with a cathode protective layer made of an inorganic compound, intrusion of oxygen or the like into the common electrode 154 made of an inorganic oxide can be satisfactorily prevented.
Note that such a cathode protective layer is formed to a thickness of about 10 nm to 300 nm on the substrate outside the plane region of the common electrode 154.

上記構成を備えた本実施形態の有機ＥＬ装置では、画素電極１４１の表面に多数の微細な突起１４１Ｐからなる突起群が形成されており、この突起群を覆って有機機能層１４０が形成されている。突起１４１Ｐは、有機機能層１４０を液相法で形成する際に、液体材料が画素内の低い部分に流れ出さないように保持する機能を果たすものである。すなわち、図３では、駆動用ＴＦＴ１４３と有機ＥＬ素子２００とは基板Ｐの法線方向において重なり合わないように配置されているが、発光層からの光を基板Ｐと反対側から取り出すトップエミッション型の構造では、画素電極１４１の下層側の構造物（駆動用ＴＦＴ１３２や各種配線等）によって開口率が低下することはないので、通常は、これらの構造物と有機ＥＬ素子２００とは重なり合うように配置される。画素電極１４１の下地にこのような構造物が存在すると、その構造物の凹凸形状が画素電極１４１の表面に転写されて、画素電極１４１の表面に段差部が形成されてしまう。このような段差は、第１層間絶縁膜２３０や第２層間絶縁膜２４０によって多少は緩和されるものの、完全には取り除くことはできない。そのため、インクジェット法等の液相法を用いて有機機能層１４０を成膜すると、段差の高い場所から低い場所に液体材料が流れて、膜厚が不均一になることがある。そこで、本実施形態では、画素電極１４１の表面に突起１４１Ｐからなる突起群を形成し、この突起群によって液体材料の流動を抑止するようにしている。   In the organic EL device of the present embodiment having the above-described configuration, a projection group including a number of fine projections 141P is formed on the surface of the pixel electrode 141, and the organic functional layer 140 is formed to cover the projection group. Yes. The protrusion 141P functions to hold the liquid material so that it does not flow out to a low part in the pixel when the organic functional layer 140 is formed by the liquid phase method. That is, in FIG. 3, the driving TFT 143 and the organic EL element 200 are arranged so as not to overlap in the normal direction of the substrate P, but a top emission type in which light from the light emitting layer is extracted from the side opposite to the substrate P. In this structure, since the aperture ratio is not lowered by the structure on the lower layer side of the pixel electrode 141 (driving TFT 132, various wirings, etc.), the structure and the organic EL element 200 are usually overlapped with each other. Be placed. If such a structure exists on the base of the pixel electrode 141, the uneven shape of the structure is transferred to the surface of the pixel electrode 141, and a stepped portion is formed on the surface of the pixel electrode 141. Such a step is somewhat mitigated by the first interlayer insulating film 230 and the second interlayer insulating film 240, but cannot be completely removed. For this reason, when the organic functional layer 140 is formed using a liquid phase method such as an ink jet method, the liquid material may flow from a place with a high step to a low place, and the film thickness may become non-uniform. Therefore, in this embodiment, a projection group including projections 141P is formed on the surface of the pixel electrode 141, and the flow of the liquid material is suppressed by the projection group.

この構成においては、第２突起群による流れ止めの効果によって有機機能層１４０の膜厚や膜質が均一化され、発光輝度のばらつきのない均一な発光が得られる。また、電極間での短絡も防止されるため、信頼性の向上にも寄与することができる。また、突起１４１Ｐは、下地の凹凸によって画素電極１４１の表面に付与されたものであるため、例えば画素電極１４１の表面に樹脂等を用いて突起を形成する場合と異なり、有機機能層１４０への電荷注入性に悪影響を及ぼすことはない。
また、画素電極１４１の表面に凹凸形状が付与されていると、画素電極１４１と有機機能層１４０との界面が広がるので、発光効率も向上する。また、有機機能層１４０の膜厚が凹凸によって微視的に不均一となるため、光の干渉条件が凹凸のある部分とない部分とで異なったものとなり、表示光を取り出す際の色味の視角依存性が緩和される。 In this configuration, the film thickness and film quality of the organic functional layer 140 are made uniform by the flow blocking effect by the second protrusion group, and uniform light emission with no variation in light emission luminance can be obtained. Moreover, since a short circuit between electrodes is also prevented, it can contribute to the improvement of reliability. Further, since the protrusion 141P is provided on the surface of the pixel electrode 141 by the unevenness of the base, for example, unlike the case where the protrusion is formed on the surface of the pixel electrode 141 using a resin or the like, the protrusion 141P is formed on the surface of the pixel electrode 141. The charge injection property is not adversely affected.
In addition, if the surface of the pixel electrode 141 is provided with a concavo-convex shape, the interface between the pixel electrode 141 and the organic functional layer 140 is widened, so that the light emission efficiency is also improved. In addition, since the film thickness of the organic functional layer 140 is microscopically uneven due to the unevenness, the light interference condition is different between the uneven portion and the uneven portion, and the color tone when the display light is extracted is different. The viewing angle dependency is alleviated.

突起１４１Ｐの突出高さは、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが望ましい。突起１４１Ｐの高さが２００ｎｍ以上であると、突起１４１Ｐ上の発光層の膜厚が薄くなりすぎて短絡し易くなる。また、有機機能層１４０内での膜厚差が大きくなることから、有機ＥＬ素子の平面領域で発光むらを生じるおそれがある。突起１４１Ｐの高さが５０ｎｍ以下であると、液体材料の流れ止めの効果が得られなくなる。
突起１４１Ｐのサイズ（径）は２μｍ以上１０μｍ以下であることが望ましい。突起１４１Ｐの平面サイズが１０μｍ×１０μｍ以上であると、ブロードな構造体として認識されるため、流れ止めの効果が得られなくなる。突起１４１Ｐの平面サイズが２μｍ×２μｍ以下では、逆にサイズが小さくなりすぎて、やはり流れ止めの効果が得られなくなる。また、このような小さなサイズのものはパターニングも困難となる。
突起１４１Ｐの配置ピッチは、５μｍ以上１０μｍ以下であることが望ましい。また、突起１４１Ｐのある部分とない部分が等ピッチで配置されることが望ましい。このような構成とすることで、より大きな流れ止めの効果が得られるようになる。 The protrusion height of the protrusion 141P is desirably 50 nm or more and 200 nm or less. When the height of the protrusion 141P is 200 nm or more, the film thickness of the light emitting layer on the protrusion 141P becomes too thin, and it is easy to short-circuit. Moreover, since the film thickness difference in the organic functional layer 140 becomes large, there is a risk of uneven light emission in the planar region of the organic EL element. If the height of the protrusion 141P is 50 nm or less, the effect of preventing the flow of the liquid material cannot be obtained.
The size (diameter) of the protrusion 141P is desirably 2 μm or more and 10 μm or less. When the planar size of the protrusion 141P is 10 μm × 10 μm or more, it is recognized as a broad structure, and thus the effect of preventing flow cannot be obtained. If the planar size of the protrusion 141P is 2 μm × 2 μm or less, the size is too small and the effect of preventing the flow cannot be obtained. Moreover, patterning is difficult for such a small size.
The arrangement pitch of the protrusions 141P is desirably 5 μm or more and 10 μm or less. In addition, it is desirable that the portion with and without the protrusion 141P be arranged at an equal pitch. By adopting such a configuration, a larger flow stopping effect can be obtained.

なお、突起１４１Ｐの形状は特に限定されることなく、円柱状、多角柱状、円錐状、多角錐状、円錐台状、多角錐台状等の種々の形状を適用することができる。また、平面視ないし側面視で対称形状となっていなくてもよい。さらに、突起１４１Ｐ（突起１４３Ｐ）を平面視略ストライプ状に形成することもできる。
また、図２（ｂ）では、突起１４１Ｐを画素領域全体に設けたが、突起１４１Ｐの配置は必ずしもこれに限定されない。下地の構造物によって形成された段差の上面部分にのみ突起１４１Ｐを設ける構成としてもよい。突起１４３Ｐの設置面積を小さくすることで、表示への影響を最小限に抑えることができる。
また、図２（ｂ）では、突起１４１Ｐを一定のピッチで配列したが、突起１４１Ｐの配置ピッチは必ずしも一定である必要はない。液体材料の溜まり易い部分と溜まりにくい部分とで密度差を設けることも可能である。 The shape of the protrusion 141P is not particularly limited, and various shapes such as a columnar shape, a polygonal column shape, a conical shape, a polygonal pyramid shape, a truncated cone shape, and a polygonal frustum shape can be applied. Moreover, it does not need to be a symmetrical shape in planar view or side view. Further, the protrusion 141P (protrusion 143P) can be formed in a substantially stripe shape in plan view.
In FIG. 2B, the protrusion 141P is provided in the entire pixel region, but the arrangement of the protrusion 141P is not necessarily limited thereto. The protrusion 141P may be provided only on the upper surface portion of the step formed by the underlying structure. By reducing the installation area of the protrusion 143P, the influence on the display can be minimized.
In FIG. 2B, the protrusions 141P are arranged at a constant pitch, but the arrangement pitch of the protrusions 141P is not necessarily constant. It is also possible to provide a density difference between a portion where the liquid material easily accumulates and a portion where the liquid material hardly accumulates.

（有機ＥＬ装置の製造方法）
以下、本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。本実施形態では、図１から図３に示した構成を備えた有機ＥＬ装置を、液滴吐出法（インクジェット法）を用いて製造する方法を例示して説明する。なお、以下に示す手順や液体材料の材料構成は一例であってこれに限定されるものではない。また、液滴吐出装置については公知のものを用いることができる。 (Method for manufacturing organic EL device)
Hereinafter, a method for manufacturing an organic EL device according to the present invention will be described with reference to the drawings. In the present embodiment, a method for manufacturing the organic EL device having the configuration shown in FIGS. 1 to 3 by using a droplet discharge method (ink jet method) will be described as an example. In addition, the procedure shown below and the material structure of a liquid material are examples, and are not limited to this. Moreover, a well-known thing can be used about a droplet discharge device.

以下、上記有機ＥＬ装置７０に備えられる有機ＥＬ素子の製造方法について図４及び図５を参照しながら説明する。尚、図４、図５には、説明を簡略化するために単一の画素７１のみが図示されている。   Hereinafter, the manufacturing method of the organic EL element provided in the organic EL device 70 will be described with reference to FIGS. 4 and 5 show only a single pixel 71 for the sake of simplicity.

まず、図４（ａ）に示すように、基板Ｐ上に駆動用ＴＦＴ１４３を形成する。トップエミッション型では、基板は不透明であってもよいため、アルミナ等のセラミックス、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂なども用いることができるが、従来から液晶装置等に用いられているガラス基板であってもよい。   First, as shown in FIG. 4A, the driving TFT 143 is formed on the substrate P. In the top emission type, the substrate may be opaque, so ceramics such as alumina, metal sheets such as stainless steel that have been subjected to insulation treatment such as surface oxidation, thermosetting resins, thermoplastic resins, etc. may be used. However, it may be a glass substrate conventionally used in a liquid crystal device or the like.

上記駆動用ＴＦＴ１４３の作製手順は、例えば以下のような工程による。
まず、基板Ｐに対し、必要に応じてＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約２００〜５００ｎｍのシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）を形成しておく。その後、基板温度を３５０℃程度に設定して基板Ｐの表面にプラズマＣＶＤ法により厚さ約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコン膜を形成し、公知のフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることで半導体膜２１０を形成する。そしてこの半導体膜２１０を、レーザアニールまたは固相成長法などによる結晶化工程に供することで結晶化してポリシリコン膜とする。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザであってビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用いることができ、その出力強度は例えば２００ｍＪ／ｃｍ^２である。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。 The manufacturing procedure of the driving TFT 143 is, for example, according to the following process.
First, a base protective film (not shown) made of a silicon oxide film having a thickness of about 200 to 500 nm is formed on the substrate P by plasma CVD using TEOS (tetraethoxysilane) or oxygen gas as a raw material as necessary. Keep it. Thereafter, the substrate temperature is set to about 350 ° C., an amorphous silicon film having a thickness of about 30 to 70 nm is formed on the surface of the substrate P by plasma CVD, and patterning is performed using a known photolithography technique, whereby the semiconductor film 210 is formed. Form. Then, the semiconductor film 210 is crystallized by being subjected to a crystallization process such as laser annealing or solid phase growth to form a polysilicon film. In the laser annealing method, for example, an excimer laser and a line beam having a beam length of 400 mm can be used, and its output intensity is, for example, 200 mJ / cm ² . With respect to the line beam, the line beam is scanned so that a portion corresponding to 90% of the peak value of the laser intensity in the short dimension direction overlaps each region.

次いで、半導体膜２１０及び基板Ｐの表面に対して、ＴＥＯＳや酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約６０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜または窒化膜からなるゲート絶縁膜２２０を形成する。なお、半導体膜２１０は、図１に示した駆動用ＴＦＴ１４３のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となるものであるが、異なる断面位置においてはスイッチング用ＴＦＴ１４２のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となる半導体膜も形成されている。つまり、図４（ａ）に示す駆動用ＴＦＴ１４３を作製する工程では、２種類のトランジスタ１４２、１４３が同時に作製される。   Next, a gate insulating film 220 made of a silicon oxide film or a nitride film having a thickness of about 60 to 150 nm is formed on the surface of the semiconductor film 210 and the substrate P by plasma CVD using TEOS or oxygen gas as a raw material. The semiconductor film 210 serves as the channel region and the source / drain region of the driving TFT 143 shown in FIG. 1, but the semiconductor film serves as the channel region and the source / drain region of the switching TFT 142 at different cross-sectional positions. Is also formed. That is, in the process of manufacturing the driving TFT 143 shown in FIG. 4A, two types of transistors 142 and 143 are manufactured at the same time.

次に、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属膜、ないしこれらの積層膜からなる導電膜をスパッタ法等により形成した後、パターニングすることで、ゲート電極１４３Ａを形成する。この際、ゲート電極１４３Ａと同時に突起１４３Ｐからなる突起群も形成する。突起１４３Ｐは、画素全体に形成してもよいし、画素電極１４１と基板Ｐとの間に配置される構造物（駆動素子、配線等）によって該画素電極１４１の表面に段差が形成される場合には、この段差の上面部分に対応する領域にのみ形成するようにしてもよい。
なお、突起１４３Ｐは、ゲート電極１４３Ａとは別に形成することも可能である。例えば、ゲート電極１４３Ａを形成した後に、ＳｉＮ等の材料を１００ｎｍ程度成膜し、これをパターニングすることによって、突起１４３Ｐを形成することができる。突起１４３Ｐの材料は、ＳｉＮに限らず、均一に成膜できて精密にパターニングできる材料であればよい。 Next, after forming a metal film of aluminum, tantalum, molybdenum, titanium, tungsten, or the like, or a conductive film including a stacked film of these by sputtering or the like, the gate electrode 143A is formed by patterning. At this time, a projection group including projections 143P is formed simultaneously with the gate electrode 143A. The protrusion 143P may be formed on the entire pixel, or a step is formed on the surface of the pixel electrode 141 by a structure (a driving element, a wiring, etc.) disposed between the pixel electrode 141 and the substrate P. Alternatively, it may be formed only in a region corresponding to the upper surface portion of the step.
Note that the protrusion 143P can be formed separately from the gate electrode 143A. For example, the protrusion 143P can be formed by forming a gate electrode 143A and then depositing a material such as SiN on the order of 100 nm and patterning it. The material of the protrusion 143P is not limited to SiN, and any material can be used as long as it can be uniformly formed and can be precisely patterned.

続いて、半導体膜２１０に対して、高濃度のリンイオンを打ち込むことで、ゲート電極１４３Ａに対して自己整合的にソース・ドレイン領域１４３ａ、１４３ｂを形成する。このとき、ゲート電極１４３Ａにより遮蔽されて不純物が導入されなかった部分がチャネル領域１４３ｃとなる。   Subsequently, high concentration phosphorus ions are implanted into the semiconductor film 210 to form source / drain regions 143a and 143b in a self-aligned manner with respect to the gate electrode 143A. At this time, a channel region 143c is a portion which is shielded by the gate electrode 143A and no impurity is introduced.

次に、図４（ｂ）に示すように、半導体膜２１０及び基板Ｐ表面を覆う第１層間絶縁膜２３０を形成する。この第１層間絶縁膜２３０の表面には、突起１４３Ｐからなる突起群の凹凸形状に対応して、突起２３０Ｐからなる突起群が形成される。続いて、第１層間絶縁膜２３０を貫通するコンタクトホール２３２及び２３４を形成し、これらコンタクトホール２３２及び２３４内にドレイン電極２３６及びソース電極２３８を埋め込むように形成し、駆動用ＴＦＴ１４３を得る。ここで、第１層間絶縁膜２３０上においてソース電極２３８に接続するように、不図示の共通給電線（配線）や走査線も形成しておく。   Next, as shown in FIG. 4B, a first interlayer insulating film 230 covering the semiconductor film 210 and the surface of the substrate P is formed. On the surface of the first interlayer insulating film 230, a projection group consisting of projections 230P is formed corresponding to the uneven shape of the projection group consisting of projections 143P. Subsequently, contact holes 232 and 234 penetrating the first interlayer insulating film 230 are formed, and a drain electrode 236 and a source electrode 238 are formed in the contact holes 232 and 234 to obtain a driving TFT 143. Here, a common power supply line (wiring) and a scanning line (not shown) are also formed on the first interlayer insulating film 230 so as to be connected to the source electrode 238.

次に、第１層間絶縁膜２３０、及び各配線の上面を覆うように第２層間絶縁膜２４０を形成し、この第２層間絶縁膜２４０を貫通してドレイン電極２３６に達するコンタクトホール２４０ａを貫設する。第２層間絶縁膜２４０の表面には、突起２３０Ｐからなる突起群の凹凸形状に対応して、突起２４０Ｐからなる突起群が形成される。   Next, a second interlayer insulating film 240 is formed so as to cover the upper surface of the first interlayer insulating film 230 and each wiring, and the contact hole 240a that penetrates the second interlayer insulating film 240 and reaches the drain electrode 236 is penetrated. Set up. On the surface of the second interlayer insulating film 240, a projection group made of the projection 240P is formed corresponding to the uneven shape of the projection group made of the projection 230P.

上記の工程によって駆動用ＴＦＴ１４３を形成したら、次に、図４（ｃ）に示すように、コンタクトホール２４０ａを含む領域に、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて画素電極１４１をパターン形成する。これにより、先の図２（ａ）に示したような信号線、共通給電線、及び走査線に囲まれた位置に、ドレイン電極２３６を介して駆動用ＴＦＴ１４３のドレイン領域１４３ａと導電接続された画素電極１４１が形成される。この画素電極１４１の表面には、突起２４０Ｐからなる突起群の凹凸形状に対応して、突起１４１Ｐからなる突起群が形成される。   After the driving TFT 143 is formed by the above steps, next, as shown in FIG. 4C, a pixel electrode 141 is patterned in a region including the contact hole 240a using a known photolithography technique. Thus, the drain region 143a of the driving TFT 143 is conductively connected to the position surrounded by the signal line, the common power supply line, and the scanning line as shown in FIG. A pixel electrode 141 is formed. On the surface of the pixel electrode 141, a projection group composed of the projection 141P is formed corresponding to the uneven shape of the projection group composed of the projection 240P.

本実施形態の場合、有機ＥＬ装置はトップエミッション型であるため、画素電極１４１は透明導電膜である必要はなく、金属材料により形成することができる。画素電極１４１をアルミニウム、銀、金、プラチナ等の光反射性の金属膜を含む構成とすれば、この画素電極に入射した光を反射させて観察者側へ射出できるようになる。本有機ＥＬ装置では、画素電極１４１は陽極として機能するので、仕事関数が４．８ｅＶ以上の材料で形成することが好ましく、具体例を挙げるならば、ＩＴＯ／Ａｌの積層膜、金、プラチナ等からなる金属膜で形成するのがよい。   In this embodiment, since the organic EL device is a top emission type, the pixel electrode 141 does not need to be a transparent conductive film and can be formed of a metal material. If the pixel electrode 141 includes a light-reflective metal film such as aluminum, silver, gold, or platinum, light incident on the pixel electrode can be reflected and emitted to the viewer side. In this organic EL device, since the pixel electrode 141 functions as an anode, it is preferably formed of a material having a work function of 4.8 eV or more. For example, an ITO / Al laminated film, gold, platinum, etc. It is preferable to form a metal film made of

尚、この画素電極１４１の形成に先立って、平坦化絶縁膜２４０の表面を清浄化する処理（例えば酸素プラズマ処理、ＵＶ照射処理、オゾン処理等）を施しておいてもよい。これにより、画素電極１４１と平坦化絶縁膜２４０との密着性を向上させることができる。   Prior to the formation of the pixel electrode 141, a process for cleaning the surface of the planarization insulating film 240 (for example, an oxygen plasma process, a UV irradiation process, an ozone process, or the like) may be performed. Thereby, the adhesion between the pixel electrode 141 and the planarization insulating film 240 can be improved.

次に、図４（ｄ）に示すように、画素電極１４１の周縁部と一部平面的に重なるように、酸化シリコン等の無機絶縁材料からなる無機バンク（第１隔壁層）１４９を形成する。具体的には、画素電極１４１及び平坦化絶縁膜２４０を覆うように酸化シリコン膜を形成した後、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて酸化シリコン膜をパターニングし、画素電極１４１の表面を部分的に開口させることで形成できる。
なお、図４及び図５では、図面を見易くするために、突起群を４つの突起によって図示しているが、実際には多数の突起が形成されている。 Next, as shown in FIG. 4D, an inorganic bank (first partition wall layer) 149 made of an inorganic insulating material such as silicon oxide is formed so as to partially overlap the peripheral portion of the pixel electrode 141 in a planar manner. . Specifically, after a silicon oxide film is formed so as to cover the pixel electrode 141 and the planarization insulating film 240, the silicon oxide film is patterned using a known photolithography technique, and the surface of the pixel electrode 141 is partially covered. It can be formed by opening.
In FIG. 4 and FIG. 5, in order to make the drawings easy to see, the protrusion group is illustrated by four protrusions, but in reality, a large number of protrusions are formed.

次に、図４（ｄ）に示すように、無機バンク１４９上に、アクリル、ポリイミド等の有機絶縁材料からなるバンク（第２隔壁層）１５０を形成する。バンク１５０の高さは、例えば１〜２μｍ程度に設定され、基板Ｐ上で有機ＥＬ素子の仕切部材として機能する。このような構成のもと、有機ＥＬ素子の正孔注入層や発光層の形成場所、すなわちこれらの形成材料の塗布位置とその周囲のバンク１５０との間に十分な高さの段差からなる開口部１５１が形成される。
また、このバンク１５０を形成するに際しては、バンク１５０の開口部１５１の壁面を、無機バンク１４９の開口部１４９ｂから若干外側へ後退させて形成するのがよい。このようにバンク１５０の開口部１５１内に無機バンク１４９を一部露出させておくことで、バンク１５０内での液体材料の濡れ広がりを良好なものとすることができる。 Next, as shown in FIG. 4D, a bank (second partition layer) 150 made of an organic insulating material such as acrylic or polyimide is formed on the inorganic bank 149. The height of the bank 150 is set to about 1 to 2 μm, for example, and functions as a partition member for the organic EL element on the substrate P. With such a configuration, the hole injection layer and the light emitting layer of the organic EL element are formed, that is, an opening having a sufficiently high step between the application position of these forming materials and the surrounding bank 150. A portion 151 is formed.
Further, when forming the bank 150, it is preferable that the wall surface of the opening 151 of the bank 150 is slightly retracted outward from the opening 149b of the inorganic bank 149. In this way, by partially exposing the inorganic bank 149 in the opening 151 of the bank 150, the wetting and spreading of the liquid material in the bank 150 can be improved.

バンク１５０を形成したならば、次に、バンク１５０及び画素電極１４１を含む基体上の領域に対して撥液処理を施す。バンク１５０は、有機ＥＬ素子を区画する仕切部材として機能するので、液滴吐出ヘッド２０（図５（ａ）参照）から吐出される液体材料に対して非親和性（撥液性）を示すものであることが好ましく、前記撥液処理により、バンク１５０に選択的に非親和性を発現させることができる。
係る撥液処理として、例えばバンクの表面をフッ素系化合物などで表面処理するといった方法を採用できる。フッ素化合物としては、例えばＣＦ_４、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３などがあり、表面処理としては、例えばプラズマ処理、ＵＶ照射処理などが挙げられる。 After the bank 150 is formed, a liquid repellent treatment is performed on the region on the substrate including the bank 150 and the pixel electrode 141. Since the bank 150 functions as a partition member for partitioning the organic EL element, the bank 150 exhibits non-affinity (liquid repellency) with respect to the liquid material ejected from the droplet ejection head 20 (see FIG. 5A). It is preferable that non-affinity can be selectively expressed in the bank 150 by the liquid repellent treatment.
As such liquid repellent treatment, for example, a method of treating the surface of the bank with a fluorine compound or the like can be employed. Examples of the fluorine compound include CF ₄ , SF ₆ , and CHF ₃ , and examples of the surface treatment include plasma treatment and UV irradiation treatment.

このような撥液処理では、基体の一面側全体に処理を施したとしても、ＩＴＯ膜や金属膜からなる無機材料の画素電極１４１表面は有機材料からなるバンク１５０の表面よりも撥液化されにくく、バンク１５０の表面のみが選択的に撥液化され、バンク１５０に囲まれる領域内に液体材料に対する親和性の異なる複数の領域が形成される。   In such a liquid repellent treatment, the surface of the pixel electrode 141 made of an inorganic material made of an ITO film or a metal film is less liable to be made liquid repellent than the surface of the bank 150 made of an organic material, even if the entire surface of the substrate is treated. Only the surface of the bank 150 is selectively lyophobic, and a plurality of regions having different affinity for the liquid material are formed in the region surrounded by the bank 150.

次に、図５（ａ）に示すように、基板Ｐの上面を上に向けた状態で正孔注入層形成材料を含む液体材料１１４ａを液滴吐出ヘッド２０によりバンク１５０に囲まれた塗布位置に選択的に塗布する。正孔注入層を形成するための液体材料１１４ａは、正孔注入層形成材料及び溶媒を含む。   Next, as shown in FIG. 5A, the application position where the liquid material 114a containing the hole injection layer forming material is surrounded by the bank 150 by the droplet discharge head 20 with the upper surface of the substrate P facing upward. Apply selectively. The liquid material 114a for forming the hole injection layer includes a hole injection layer forming material and a solvent.

正孔注入層形成材料としては、ポリマー前駆体がポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム、ポリスチレンスルフォン酸、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルフォン酸との混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等を例示することができる。また、溶媒としては、イソプロピルアルコール、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−イミダゾリノン等の極性溶媒を例示することができる。   As the hole injection layer forming material, polyphenylene vinylene whose polymer precursor is polytetrahydrothiophenylphenylene, 1,1-bis- (4-N, N-ditolylaminophenyl) cyclohexane, tris (8-hydroxyquinolinol) Examples thereof include aluminum, polystyrene sulfonic acid, a mixture of polyethylene dioxythiophene and polystyrene sulfonic acid (PEDOT / PSS), and the like. Examples of the solvent include polar solvents such as isopropyl alcohol, N-methylpyrrolidone, and 1,3-dimethyl-imidazolinone.

上述した正孔注入層形成材料を含む液体材料１１４ａが液滴吐出ヘッド２０より基板Ｐ上に吐出されると、流動性が高いため水平方向に広がろうとするが、塗布された位置を囲んでバンク１５０が形成されているので、液体材料１１４ａはバンク１５０を越えてその外側に広がらないようになっている。また、画素電極１４１の表面に下地の凹凸による段差が形成されている場合には、段差の高い場所から低い場所に液体材料１１４ａが流れて、膜厚が不均一になることがあるが、本実施形態では、このような流動が画素電極１４１の表面の突起群によって堰き止められるので、段差の高い部分にも液体材料１１４ａが良好に保持され、バンク１５０内に均一に液体材料１１４ａが満たされるようになる。   When the liquid material 114a including the hole injection layer forming material described above is ejected from the droplet ejection head 20 onto the substrate P, it tends to spread in the horizontal direction due to its high fluidity, but surrounds the applied position. Since the bank 150 is formed, the liquid material 114a does not spread beyond the bank 150 to the outside thereof. In addition, in the case where a step due to the unevenness of the base is formed on the surface of the pixel electrode 141, the liquid material 114a may flow from a place where the step is high to a place where the step is low, and the film thickness may be nonuniform. In the embodiment, since such a flow is blocked by the projection group on the surface of the pixel electrode 141, the liquid material 114 a is well held even in a portion having a high step, and the liquid material 114 a is uniformly filled in the bank 150. It becomes like this.

続いて、加熱あるいは光照射により液体材料１１４ａの溶媒を蒸発させて画素電極１４１上に固形の正孔注入層１４０Ａを形成する。または、大気環境下又は窒素ガス雰囲気下において所定温度及び時間（一例として２００℃、１０分）焼成するようにしてもよい。あるいは大気圧より低い圧力環境下（減圧環境下）に配置することで溶媒を除去するようにしてもよい。この際、乾燥の進行に伴って、液体材料１１４ａの液面はバンク界面での表面張力によってバンク側に引っ張られるような形状となる。このとき液面とともに液体材料１１４ａの内部でもバンク１５０側へ向かって液体が流動し、溶質（正孔注入層形成材料）がバンク１５０側へ移動する。ここで突起１４１Ｐが設けられていないとすれば、液体材料１１４ａは画素電極１４１の外周部に偏ることになり、得られる正孔注入層１４０Ａも外周側で膜厚が大きいものとなるが、突起１４１Ｐが設けられていれば、液体材料１１４ａの流動を阻害するように機能するので、液体材料１１４ａが画素電極１４１上で偏在するのを効果的に防止することができ、従って得られる正孔注入層１４０Ａも膜厚、膜質が均一であり、その表面の平坦性にも優れたものとなる。   Subsequently, the solvent of the liquid material 114 a is evaporated by heating or light irradiation to form a solid hole injection layer 140 A on the pixel electrode 141. Alternatively, firing may be performed at a predetermined temperature and time (for example, 200 ° C., 10 minutes) in an air environment or a nitrogen gas atmosphere. Or you may make it remove a solvent by arrange | positioning in the pressure environment (under pressure reduction environment) lower than atmospheric pressure. At this time, as the drying progresses, the liquid surface of the liquid material 114a is shaped to be pulled toward the bank side by the surface tension at the bank interface. At this time, the liquid flows toward the bank 150 side in the liquid material 114a together with the liquid surface, and the solute (hole injection layer forming material) moves to the bank 150 side. If the protrusion 141P is not provided here, the liquid material 114a is biased toward the outer peripheral portion of the pixel electrode 141, and the resulting hole injection layer 140A has a large thickness on the outer peripheral side. If 141P is provided, it functions to inhibit the flow of the liquid material 114a, so that the liquid material 114a can be effectively prevented from being unevenly distributed on the pixel electrode 141, and thus the hole injection obtained The layer 140A is uniform in film thickness and film quality, and has excellent surface flatness.

続いて、図５（ｂ）に示すように、基板Ｐの上面を上に向けた状態で液滴吐出ヘッド２０より発光層形成材料と溶媒とを含む液体材料１１４ｂをバンク１５０内の正孔注入層１４０Ａ上に選択的に塗布する。
この発光層形成材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の高分子発光材料である、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン（ＰＤＡＦ）、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール（ＰＦＢＴ）、ポリアルキルチオフェン（ＰＡＴ）や、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系などを好適に用いることができる。また、これらの発光材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。 Subsequently, as shown in FIG. 5B, the liquid material 114 b containing the light emitting layer forming material and the solvent is injected from the droplet discharge head 20 with the upper surface of the substrate P facing upward to inject holes into the bank 150. Selectively apply on layer 140A.
As this light emitting layer forming material, polyfluorene derivatives (PF), polyparaphenylene vinylene derivatives (PPV), polyphenylene derivatives (PP), polyphenylene derivatives (PF), which are known polymer light emitting materials capable of emitting fluorescence or phosphorescence. Polysilanes such as paraphenylene derivatives (PPP), polyvinylcarbazole (PVK), polythiophene derivatives, polydialkylfluorene (PDAF), polyfluorenebenzothiadiazole (PFBT), polyalkylthiophene (PAT), and polymethylphenylsilane (PMPS) Etc. can be used suitably. In addition, these light-emitting materials include polymer materials such as perylene dyes, coumarin dyes, rhodamine dyes, rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, Nile red, coumarin 6, quinacridone, and the like. It is also possible to use a low molecular weight material doped.

前記発光層形成材料については、極性溶媒に溶解または分散させて液体材料とし、この液体材料を液滴吐出ヘッド２０から吐出するのが好ましい。極性溶媒は、前記発光材料等を容易に溶解または均一に分散させることができるため、液滴吐出ヘッド２０のノズル孔での発光層形成材料中の固型分が付着したり目詰りを起こすのを防止することができる。
このような極性溶媒として具体的には、水、メタノール、エタノール等の水と相溶性のあるアルコール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルイミダゾリン（ＤＭＩ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、２，３−ジヒドロベンゾフラン等の有機溶媒または無機溶媒が挙げられ、これらの溶媒を２種以上適宜混合したものであってもよい。 The light emitting layer forming material is preferably dissolved or dispersed in a polar solvent to form a liquid material, and the liquid material is discharged from the droplet discharge head 20. Since the polar solvent can easily dissolve or uniformly disperse the light emitting material or the like, the solid component in the light emitting layer forming material in the nozzle holes of the droplet discharge head 20 may adhere or become clogged. Can be prevented.
Specific examples of such a polar solvent include water, alcohols compatible with water such as methanol and ethanol, N, N-dimethylformamide (DMF), N-methylpyrrolidone (NMP), dimethylimidazoline (DMI), Examples include organic solvents or inorganic solvents such as dimethyl sulfoxide (DMSO), xylene, cyclohexylbenzene, and 2,3-dihydrobenzofuran, and two or more of these solvents may be appropriately mixed.

上記、液体材料１１４ｂを液滴吐出ヘッド２０から吐出することによる発光層の形成は、赤色の発色光を発光する発光層形成材料を含む液体材料、緑色の発色光を発光する発光層形成材料を含む液体材料、青色の発色光を発光する発光層形成材料を含む液体材料を、それぞれ対応する画素７１（開口部１５１）に吐出し塗布することによって行う。なお、各色に対応する画素７１は、これらが規則的な配置となるように予め決められている。   The formation of the light emitting layer by discharging the liquid material 114b from the droplet discharge head 20 is performed by using a liquid material including a light emitting layer forming material that emits red colored light and a light emitting layer forming material that emits green colored light. The liquid material containing and the liquid material containing the light emitting layer forming material that emits blue colored light are discharged and applied to the corresponding pixels 71 (openings 151). The pixels 71 corresponding to the respective colors are determined in advance so that they are regularly arranged.

このようにして各色の発光層形成材料を含む液体材料１１４ｂを吐出し塗布したならば、液体材料１１４ｂ中の溶媒を蒸発させる。この工程により、図５（ｃ）に示すように正孔注入層１４０Ａ上に固形の発光層１４０Ｂが形成され、これにより正孔注入層１４０Ａと発光層１４０Ｂとからなる有機機能層１４０が得られる。ここで、発光層形成材料を含む液体材料１１４ｂ中の溶媒の蒸発については、必要に応じて加熱あるいは減圧等の処理を行うが、発光層形成材料は通常乾燥性が良好で速乾性であることから、特にこのような処理を行うことなく、したがって各色の発光層形成材料を順次吐出塗布することにより、その塗布順に各色の発光層１４０Ｂを形成することができる。また先に記載のように、液体材料１１４ｂが配される正孔注入層１４０Ａの表面は良好に平坦化されているので、その上に形成される発光層１４０Ｂも良好な平坦性を持って形成され、膜厚及び膜質が均一なものとなる。従って、均一かつ良好な発光特性、信頼性を備えた発光層となる。   When the liquid material 114b containing the light emitting layer forming material of each color is discharged and applied in this manner, the solvent in the liquid material 114b is evaporated. By this step, as shown in FIG. 5C, a solid light emitting layer 140B is formed on the hole injection layer 140A, and thereby an organic functional layer 140 composed of the hole injection layer 140A and the light emitting layer 140B is obtained. . Here, regarding the evaporation of the solvent in the liquid material 114b containing the light emitting layer forming material, treatment such as heating or decompression is performed as necessary. However, the light emitting layer forming material usually has a good drying property and a fast drying property. Therefore, the light emitting layer 140B of each color can be formed in the order of application by sequentially discharging and applying the light emitting layer forming material of each color without performing such a process. Further, as described above, since the surface of the hole injection layer 140A on which the liquid material 114b is disposed is satisfactorily flattened, the light emitting layer 140B formed thereon is also formed with good flatness. Thus, the film thickness and film quality are uniform. Therefore, the light emitting layer has uniform and good light emitting characteristics and reliability.

その後、図５（ｃ）に示すように、基板Ｐの表面全体に、あるいはストライプ状に、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる共通電極１５４を形成する。こうして、有機ＥＬ素子２００を製造することができる。尚、本実施形態において有機ＥＬ素子２００は画素電極１４１と正孔注入層１４０Ａと発光層１４０Ｂと共通電極１５４とを含むものである。   Thereafter, as shown in FIG. 5C, a common electrode 154 made of a transparent conductive material such as ITO is formed on the entire surface of the substrate P or in a stripe shape. Thus, the organic EL element 200 can be manufactured. In the present embodiment, the organic EL element 200 includes a pixel electrode 141, a hole injection layer 140A, a light emitting layer 140B, and a common electrode 154.

このような有機ＥＬ素子の製造方法において、正孔注入層１４０Ａや発光層１４０Ｂといった有機ＥＬ素子の構成要素となる薄膜は液滴吐出装置により製造されるので、正孔注入層１４０Ａや発光層１４０Ｂの形成材料となる液体材料のロスは少なく、正孔注入層１４０Ａや発光層１４０Ｂは比較的安価にしかも安定して形成される。   In such a method for manufacturing an organic EL element, a thin film that is a constituent element of the organic EL element such as the hole injection layer 140A and the light emitting layer 140B is manufactured by a droplet discharge device. The loss of the liquid material used as the forming material is small, and the hole injection layer 140A and the light emitting layer 140B are formed relatively inexpensively and stably.

以上説明したように、本発明に係る製造方法によれば、基板Ｐ上にバンク１５０及び有機ＥＬ素子２００を形成するに際して、画素電極１４１の表面に多数の突起１４１Ｐからなる突起群を形成しておき、その後バンク１５０の内部に液体材料１１４ａを配するので、画素電極１４１表面で液体材料が均一に濡れ広がり、かつ均一な膜厚にて乾燥固化することができる。これにより、画素７１内で均一な発光特性が得られ、また膜厚が均一であることから電極間の短絡も生じ難い、信頼性に優れた有機ＥＬ素子２００を製造することができる。   As described above, according to the manufacturing method of the present invention, when the bank 150 and the organic EL element 200 are formed on the substrate P, a projection group including a plurality of projections 141P is formed on the surface of the pixel electrode 141. After that, since the liquid material 114a is disposed inside the bank 150, the liquid material can be uniformly spread on the surface of the pixel electrode 141, and can be dried and solidified with a uniform film thickness. Thereby, uniform light emission characteristics can be obtained in the pixel 71, and since the film thickness is uniform, a short circuit between the electrodes hardly occurs, and the organic EL element 200 having excellent reliability can be manufactured.

また、画素電極１４１に凹凸形状を付与するための突起群が、ゲート電極１４３Ａを形成する際に同時に形成される場合には、新たに突起群を形成するための工程が必要なくなるため、プロセスが簡略化され、製造コストも低減される。なお、突起１４３Ｐからなる突起群は、ゲート電極１４３Ａ以外の構造物と同時に形成することも可能である。例えばソース電極やドレイン電極等の各種配線や、ＴＦＴ等の素子を構成する部材の形成と同時に形成することができる。   Further, in the case where the projection group for imparting the uneven shape to the pixel electrode 141 is formed at the same time as the formation of the gate electrode 143A, a process for newly forming the projection group is not necessary, and thus the process is performed. It is simplified and the manufacturing cost is reduced. Note that the protrusion group including the protrusions 143P can be formed at the same time as the structure other than the gate electrode 143A. For example, it can be formed simultaneously with the formation of various wirings such as a source electrode and a drain electrode, and members constituting elements such as TFTs.

なお、上記実施形態では、液滴吐出装置を用いた液滴吐出法により液体材料を塗布することで有機機能層１４０を形成する場合について説明したが、液滴吐出法に限らず、例えばスピンコート法、スリットコート（或いはカーテンコート）、ダイコート法など他の塗布方法を用いることもできる。
また、上記実施形態では、特に有機ＥＬ装置の構造をトップエミッション型とした。これは、トップエミッション型の有機ＥＬ装置においては、画素電極の平面領域内に配線等の構造物が形成されることが多く、より本発明の効果が発揮され易いからである。しかし、ボトムエミッション型の構造であっても、下地の構造物によっては画素電極の表面に段差等の凹凸形状が形成されることがあり、このような場合には、前述した本発明の構成を採用することで、上記と同様の効果を得ることができる。 In the above embodiment, the case where the organic functional layer 140 is formed by applying a liquid material by a droplet discharge method using a droplet discharge device is described. However, the present invention is not limited to the droplet discharge method. Other coating methods such as a method, slit coating (or curtain coating), and die coating can also be used.
In the above embodiment, the structure of the organic EL device is particularly a top emission type. This is because, in a top emission type organic EL device, structures such as wiring are often formed in the planar region of the pixel electrode, and the effects of the present invention are more easily exhibited. However, even in a bottom emission type structure, an uneven shape such as a step may be formed on the surface of the pixel electrode depending on the underlying structure. In such a case, the configuration of the present invention described above is used. By adopting, the same effects as described above can be obtained.

（電子機器）
図６は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視構成図である。
図６に示す映像モニタ１２００は、先の実施形態の有機ＥＬ装置を備えた表示部１２０１と、筐体１２０２と、スピーカ１２０３等を備えて構成されている。そして、この映像モニタ１２００は、先の有機ＥＬ装置により高画質で、均一な明るさの表示が可能である。特に大型のパネルでは画素が大型であるため、発光部である有機機能層を均一に形成するのが困難になるが、本発明に係る有機ＥＬ装置では、任意の大きさの有機機能層を均一に形成できるため、大型のパネルに用いて好適な有機ＥＬ装置となっている。
上記各実施の形態の有機ＥＬ装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、高画質表示が可能になっている。さらに、本発明の有機ＥＬ装置は、ラインプリンタの露光手段として使用する等、表示装置以外の電子機器にも広く適用可能である。 (Electronics)
FIG. 6 is a perspective configuration diagram showing an example of an electronic apparatus according to the present invention.
A video monitor 1200 illustrated in FIG. 6 includes a display unit 1201 including the organic EL device of the previous embodiment, a housing 1202, a speaker 1203, and the like. The video monitor 1200 can display images with high image quality and uniform brightness using the organic EL device. Particularly in a large panel, since the pixels are large, it is difficult to uniformly form an organic functional layer that is a light emitting portion. However, in the organic EL device according to the present invention, an organic functional layer of an arbitrary size is uniformly formed. Therefore, the organic EL device is suitable for use in a large panel.
The organic EL device of each of the above embodiments is not limited to the above mobile phone, but is an electronic book, personal computer, digital still camera, viewfinder type or monitor direct view type video tape recorder, car navigation device, pager, electronic notebook, calculator It can be suitably used as an image display means for a word processor, a workstation, a videophone, a POS terminal, a device equipped with a touch panel, etc., and any electronic device can display a high image quality. Furthermore, the organic EL device of the present invention can be widely applied to electronic devices other than display devices, such as being used as exposure means for line printers.

第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の回路構成図。1 is a circuit configuration diagram of an organic EL device according to a first embodiment. 同、平面構成図。FIG. 図２のＡ−Ａ線に沿う断面構成図。The cross-sectional block diagram which follows the AA line of FIG. 実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面構成図。The cross-sectional block diagram which shows the manufacturing process of the organic electroluminescent apparatus which concerns on embodiment. 実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面構成図。The cross-sectional block diagram which shows the manufacturing process of the organic electroluminescent apparatus which concerns on embodiment. 電子機器の一例を示す斜視構成図。FIG. 11 is a perspective configuration diagram illustrating an example of an electronic device.

符号の説明Explanation of symbols

７０…有機ＥＬ装置、１１４ａ，１１４ｂ…液体材料、１４０…有機機能層、１４１…画素電極（第１電極）、１４１Ｐ…第２突起、１４３Ｐ…第１突起、１４９…無機バンク（第１隔壁層）、１５０…バンク（第２隔壁層；隔壁部材）、１５４…共通電極（第２電極）、Ｐ…基板（基体）

DESCRIPTION OF SYMBOLS 70 ... Organic EL device, 114a, 114b ... Liquid material, 140 ... Organic functional layer, 141 ... Pixel electrode (first electrode), 141P ... Second protrusion, 143P ... First protrusion, 149 ... Inorganic bank (first partition layer) ), 150 ... Bank (second partition layer; partition member), 154 ... Common electrode (second electrode), P ... Substrate (base)

Claims (8)

基体上に第１電極と有機機能層と第２電極とを積層してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記基体上に複数の第１突起からなる第１突起群を形成する工程と、
前記第１突起群の上に前記第１電極を形成する工程と、
前記第１突起群の凹凸形状に対応して、表面に複数の第２突起からなる第２突起群が形成された前記第１電極の上に、前記有機機能層の形成材料を含む液体材料を配置する工程とを備えたことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 A method for producing an organic electroluminescence device comprising a first electrode, an organic functional layer, and a second electrode laminated on a substrate,
Forming a first projection group consisting of a plurality of first projections on the substrate;
Forming the first electrode on the first protrusion group;
A liquid material containing a material for forming the organic functional layer is formed on the first electrode on the surface of which the second protrusion group including a plurality of second protrusions is formed corresponding to the uneven shape of the first protrusion group. And a step of arranging the organic electroluminescence device. 前記第２突起は、概ね一定のピッチで規則的に配列されていることを特徴とする、請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。   2. The method of manufacturing an organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the second protrusions are regularly arranged at a substantially constant pitch. 前記第２突起は、前記基体と前記第１電極との間に配置される構造物によって形成された段差の上面部分にのみ形成されていることを特徴とする、請求項１又は２記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。   The organic material according to claim 1, wherein the second protrusion is formed only on an upper surface portion of a step formed by a structure disposed between the base body and the first electrode. A method for manufacturing an electroluminescence device. 前記第１突起は、前記基体と前記第１電極との間に配置される構造物を形成する際に同時に形成されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかの項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。   The said 1st processus | protrusion is formed simultaneously when forming the structure arrange | positioned between the said base | substrate and the said 1st electrode, The Claim 1 characterized by the above-mentioned A method for manufacturing an organic electroluminescence device. 基体上に第１電極と有機機能層と第２電極とを積層してなる有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記基体と前記第１電極との間には、複数の第１突起からなる第１突起群が設けられており、前記第１電極の表面には、前記第１突起群の凹凸形状に対応して、複数の第２突起からなる第２突起群が形成されていることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス装置。 An organic electroluminescence device in which a first electrode, an organic functional layer, and a second electrode are stacked on a substrate,
A first projection group consisting of a plurality of first projections is provided between the base and the first electrode, and the surface of the first electrode corresponds to the uneven shape of the first projection group. An organic electroluminescence device, wherein a second projection group comprising a plurality of second projections is formed. 前記第２突起は、概ね一定のピッチで規則的に配列されていることを特徴とする、請求項５記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。   6. The organic electroluminescence device according to claim 5, wherein the second protrusions are regularly arranged at a substantially constant pitch. 前記第２突起は、前記基体と前記第１電極との間に配置される構造物によって形成された段差の上面部分にのみ形成されていることを特徴とする、請求項５又は６記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。   The organic material according to claim 5 or 6, wherein the second protrusion is formed only on an upper surface portion of a step formed by a structure disposed between the base and the first electrode. Electroluminescence device. 請求項１〜４のいずれかの項に記載の製造方法により製造されてなる有機エレクトロルミネッセンス装置又は請求項５〜７のいずれかの項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする、電子機器。

An organic electroluminescence device manufactured by the manufacturing method according to any one of claims 1 to 4 or the organic electroluminescence device according to any one of claims 5 to 7 is provided. ,Electronics.

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