KR102474708B1 - 빔 스티어링 소자 및 이를 포함하는 시스템 - Google Patents

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Abstract

빔 스티어링 소자 및 이를 포함하는 시스템이 개시된다. 개시된 빔 스티어링 소자는 광 조사에 의하여 광 조사에 의하여 굴절율이 변환되는 변환층, 다수의 패턴을 포함하는 패턴층 및 상기 변환층에 광을 조사하는 광 조사부를 포함한다. 상기 패턴층은 메타표면 형상으로 형성되어 외부의 레이저를 반사할 수 있다. 또한, 상기 광 조사부는 서로 다른 특성의 광을 조사할 수 있다.

Description

빔 스티어링 소자 및 이를 포함하는 시스템{Beam steering apparatus and system comprising the same}
본 개시는 빔 스티어링 소자 및 이를 포함하는 시스템에 관한 것이다.
레이저(laser)와 같은 빔을 원하는 위치로 조향, 즉 스티어링(steering)시키기 위해서 다음과 같은 방법이 사용되고 있다. 예를 들어, 레이저 조사 부분을 기계적으로 회전시켜주거나, 또는 여러 픽셀(pixel) 또는 광도파(waveguide) 형태의 레이저 다발의 간섭을 이용하는 것이다. 이러한 방법을 사용하는 경우, 픽셀(pixel) 또는 광도파 형상은 전기적 또는 열적으로 제어(control)될 수 있으며, 이에 의하여 레이저(laser)와 같은 빔이 스티어링 될 수 있다.
위와같이 기계적으로 레이저를 구동하기 위해서는 모터 또는 멤스(MEMS) 구조가 적용되어야 한다. 그러나, 이 경우 전체 장치의 부피가 커지고, 부품 가격이 상승할 수 있다. 또한 모터의 경우 소음이 발생할 수 있으며 멤스(MEMS) 구조를 적용할 경우 진동 등의 이슈로 인해 다양한 부분에서 응용이 제한된다.
본 개시의 일 측면에서는 간단한 구조를 지닌 빔 스티어링 소자를 제공한다.
또한, 변환층의 영역 별로 서로 다른 방향으로 빔 스티어링이 가능한 빔스티어링 소자를 제공한다.
빔 스티어링 소자에 있어서,
광 조사에 의하여 굴절율이 변환되는 변환층;
상기 변환층 상에 형성되며, 다수의 패턴을 포함하는 패턴층; 및
상기 변환층 하부에 형성된 광 조사부;를 포함하는 빔 스티어링 소자를 제공한다.
상기 패턴층은 메타표면 형상을 지닐 수 있다.
상기 패턴층은 Ag, Au, Al 또는 이들 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 합금으로 형성될 수 있다.
상기 패턴층은 TiN 또는 TaN으로 형성될 수 있다.
상기 패턴층은 원형, 타원형, 또는 다각형 형상으로 형성될 수 있다.
상기 패턴층은 상기 패턴층에 조사되는 빔의 파장보다 작은 크기 또는 간격을 지니며 형성될 수 있다.
상기 변환층은 산화물 반도체를 포함하여 형성될 수 있다.
상기 변환층은 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), GIZO(Ga-In-Zn-Oxide), AZO(Al-Zn-Oxide), GZO(Ga-Zn-Oxide) 및 ZnO 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
상기 변환층의 전하 농도는 1*1015 ~ 1*1023 /cm3의 범위를 지닐 수 있다.
상기 광 조사부는 서로 다른 파장 또는 광량을 지닌 광을 조사하는 적어도 2개 이상의 광 조사부를 포함할 수 있다.
상기 변환층은 서로 다른 파장 또는 광량이 입사되는 영역들 사이에 형성된 분리막을 포함할 수 있다.
상기 광 조사부는 한 개로 구성되며, 서로 다른 파장 또는 광량을 지닌 광을 조사할 수 있다.
상기 광 조사부는 한 개로 구성되며, 상기 변환층의 영역 별로 서로 다른 파장 또는 광량을 지닌 광을 조사할 수 있다.
상기 변환층은 서로 다른 두께를 지닌 영역들을 포함할 수 있다.
상기 광 조사부는 가시광선 또는 자외선을 상기 변환층에 조사할 수 있다.
또한, 상기 빔 스티어링 소자에 입사광을 조사하는 광원;
상기 빔 스티어링 소자에 의해 스티어링된 빔을 검출하는 디텍터; 및
상기 빔 스티어링 소자 또는 상기 디텍터를 제어하는 구동회로를 포함하는 시스템을 제공한다.
본 개시에 따르면, 광 조사에 의하여 굴절율을 변환할 수 있는 변환층을 포함하는 간단한 구조의 빔 스티어링 소자를 제공할 수 있다. 또한, 변환층의 영역 별로 굴절율 조절이 가능한 빔 스티어링 소자를 제공할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 빔 스티어링 소자를 나타낸 단면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 빔 스티어링 소자의 동작 방법을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3a는 도 1의 빔 스티어링 소자에서 다수의 광 조사부를 포함하는 빔 스티어링 소자를 나타낸 도면이다.
도 3b는 도 3a의 빔 스티어링 소자의 변환층 내에 적어도 하나 이상의 분리막이 형성된 구조를 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3a의 빔 스티어링 소자의 동작 방법을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 개시에 따른 빔 스티어링 소자의 변환층 상에 형성된 패턴층의 형성 형태를 나타낸 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 실시예에 따른 빔 스티어링 소자의 변환층의 두께가 다른 영역을 포함하는 구조를 나타낸 도면이다.
도 7은 실시예에 따른 빔 스티어링 소자를 포함하는 시스템을 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여, 본 발명의 구현예들에 따른 빔 스티어링 소자 및 이를 포함하는 시스템에 대하여 상세하게 설명한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다.
또한, 이하에 설명되는 구현예는 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 구현예들로부터 다양한 변형이 가능하다. 또한 이하에서 설명하는 층 구조에서, "상부" 또는 "상"이라고 기재된 표현은 접촉하여 바로 위에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위에 있는 것도 포함할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 빔 스티어링 소자를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 개시에 따른 빔 스티어링 소자(100)는 변환층(10) 및 변환층(10) 상에 형성된 패턴층(12)을 포함한다. 그리고, 변환층(10) 하부에는 변환층(10)에 광을 조사하는 광조사부(14)를 포함한다. 패턴층(12)은 다수의 패턴들을 포함하는 메타표면(metasurface) 형상을 지닐 수 있다. 메타 표면은 패턴 사이의 거리가 입사되는 빔의 파장의 절반보다 작은 경우의 패턴들로 표면이 구성된 경우를 의미한다. 광조사부(14)는 변환층(10) 하부에서 변환층(10)과 접촉하는 형태로 형성될 수 있으며, 또한, 광조사부(14)는 변환층(10)과 이격되어 변환층(10)에 광을 조사할 수 있다. 광조사부(14)는 변환층(10)의 후면에 위치하여 백라이트일 수 있다.
도 2는 일 실시예에 따른 빔 스티어링 소자의 동작 방법을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 빔 스티어링 소자(100)의 변환층(10) 하부의 광조사부(14)로부터 변환층(10)에 대해 광(L0)을 조사한다. 광조사부(14)로부터 변환층(10)으로 조사된 광(L0)은 변환층(10)의 캐리어 농도를 변화시킬 수 있다. 이에 따라 변환층(10)을 구성하는 물질의 굴절율이 변화(n0->n1)될 수 있다. 이에 따라, 변환층(10)을 구성하는 물질의 굴절율을 원하는 크기로 조절할 수 있다. 변환층(10)의 굴절율이 변환된 뒤, 빔 스티어링 소자(100)의 변환층(10) 및 변환층(10) 상의 패턴층(12)에 대해 외부의 광원(S)으로부터 입사광(R11)이 조사된다. 변환층(10)을 구성하는 물질의 굴절율이 변환된 상태에서 외부의 광원(S)으로부터 조사된 광(R11)은 패턴층(12) 표면에서 반사되어 원하는 각도로 방출되는 방출광(R12)이 될 수 있다.
광조사부(14)는 적어도 하나 이상으로 구성될 수 있다. 광조사부(14)는 한 개로 구성되어 서로 다른 파장 또는 광량을 조사할 수 있다. 그리고, 변환층(10)의 영역에 따라 서로 다른 파장 또는 광량을 조사할 수 있다. 또한, 광조사부(14)는 2개 이상으로 구성되어 각각의 광조사부(14)는 서로 다른 파장 또는 광량을 지닌 광을 조사할 수 있다.
도 3a는 도 1의 빔 스티어링 소자에서 다수의 광 조사부를 포함하는 빔 스티어링 소자를 나타낸 도면이다.
도 3a를 참조하면, 개시에 따른 빔 스티어링 소자는 변환층(20) 및 변환층(20) 상에 형성된 패턴층(22a, 22b, 22c, 22d)을 포함한다. 변환층(20) 하부에는 변환층(20)에 광을 조사하는 광조사부(24a, 24b, 24c, 24d)를 포함한다. 광 조사부(24a, 24b, 24c, 24d)는 서로 다른 특성의 광을 조사할 수 있는 적어도 두 개 이상의 복수의 단위 광조사부(24a, 24b, 24c, 24d)를 포함할 수 있다. 도 3a에서는 빔 스티어링 소자가 4개의 단위 광 조사부(24a, 24b, 24c, 24d)를 포함하는 것을 나타내었으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 여기서 서로 다른 특성의 광이라 함은 서로 다른 광 조사부(24a, 24b, 24c, 24d)에서 방출되는 광의 파장 또는 광량이 서로 다르다는 것을 의미한다. 예를 들어, 제 1광 조사부(24a)와 제 2광조사부(24b)에서 방출되는 광은 파장 또는 광량 중 적어도 하나가 서로 다를 수 있다. 광 조사부(24a, 24b, 24c, 24d) 모두 서로 다른 특성의 광을 발광할 필요는 없다.
예를 들어 제 1 내지 제 3광조사부(24a, 24b, 24c)는 서로 동일한 파장 및 광량을 지닌 광을 방출하고, 제 4광조사부(24d)는 제 1 내지 제 3광조사부(24a, 24b, 24c)에서 방출하는 광의 파장 또는 광량 중 하나가 다를 수 있다.
제 1 내지 제 4광조사부(24a, 24b, 24c, 24d)는 그 상부의 변환층(20)의 굴절율을 원하는 크기의 굴절율로 변환시킬 수 있다. 이에 따라 변환층(20) 상부의 패턴층(22a, 22b, 22c, 22d)에서 반사되는 광의 방출 방향을 제어할 수 있다. 이에 대해서는 후술하고자 한다.
도 3b는 도 3a의 빔 스티어링 소자의 변환층 내에 적어도 하나 이상의 분리막이 형성된 구조를 나타낸 도면이다.
도 3a 및 3b를 참조하면, 개시에 따른 빔 스티어링 소자는 적어도 2개 이상의 다수의 광조사부(24a, 24b, 24c, 24d)를 포함할 수 있으며, 다수의 광 소자부(24a, 24b, 24c, 23d)들 사이의 영역에 대응되도록 변환층(20)에는 분리막(26a, 26b, 26c)이 형성될 수 있다. 즉, 제 1광조사부(24a) 및 제 2광조사부(24b) 사이에는 제 1분리막(26a)이 형성될 수 있으며, 제 2광조사부(24b) 및 제 3광조사부(24c) 사이에는 제 2분리막(26b)이 형성될 수 있다. 그리고, 제 3광조사부(24c) 및 제 4광조사부(24b) 사이에는 제 3분리막(26c)이 형성될 수 있다.
이처럼 분리막(26a, 26b, 26c)은 서로 다른 특성을 지닌 광, 즉 서로 다른 파장 또는 광량이 입사되는 영역들 사이의 변환층(20) 내에 형성될 수 있다.
분리막(26a, 26b, 26c)은 선택적인 것으로, 분리막(26a, 26b, 26c)이 형성됨으로써, 다수의 광조사부(24a, 24b, 24c, 24d)에 대응되는 변환층(30)의 영역을 각각 제 1 내지 제 4변환층(30a, 30b, 30c, 30d)으로 나눌 수 있다. 변환층(30)은 그 하부의 광조사부(24a, 24b, 24c, 24d)에서 방출되는 광의 특성, 즉 파장 또는 광량에 따라 굴절율이 변환되는 영역으로서 분리막(26a, 26b, 26c)이 형성되는 경우 다른 영역의 광 조사부(24a, 24b, 24c, 24d)의 영향을 받지 않을 수 있다.
예를 들어, 제 1광조사부(24a) 및 제 2광조사부(24b)에서 방출되는 광의 특성이 서로 다른 경우, 그 상부의 제 1변환층(30a)은 제 2광조사부(24b)에서 방출되는 광의 영향이 제 1분리막(26a)에 의해 차단되므로 제 1광조사부(24a)에서 방출되는 광의 특성에 의해서만 굴절율이 제어될 수 있다.
도 4는 도 3a의 빔 스티어링 소자의 동작 방법을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3a 및 도 4를 참조하면, 빔 스티어링 소자(200)의 변환층(20) 하부의 광조사부(24a, 24b, 24c, 24d)로부터 변환층(20)에 대해 광(L1, L2, L3, L4)을 조사한다. 변환층(20) 하부에는 서로 다른 특성의 광을 조사할 수 있는 다수의 단위 광조사부(24a, 24b, 24c, 24d)가 형성될 수 있다. 각각의 광 조사부(24a, 24b, 24c, 24d)는 그 상부의 변환층(20)의 대응되는 영역에 대해 광을 조사한다. 구체적으로 제 1광조사부(24a)는 제 1변환층(20a)에 대해 광(L1)을 조사하며, 제 2광조사부(24b)는 제 2변환층(20b)에 대해 광(L2)을 조사한다. 그리고, 제 3광조사부(24c)는 제 3변환층(20c)에 대해 광(L3)을 조사하며, 제 4광조사부(24d)는 제 4변환층(20d)에 대해 광(L4)을 조사한다. 여기서 광 L1, L2, L3, L4 중 적어도 하나는 다른 광에 비해 파장 또는 광량 중 적어도 하나가 다른 광일 수 있다.
변환층(20)에 대해 광 조사부(24a, 24b, 24c, 24d)로부터 광(L1, L2, L3, L4)이 조사되면, 변환층(20)의 각 영역(20a, 20b, 20c, 20d)의 전하 농도가 변할 수 있다. 변환층(20)의 캐리어 농도 또는 전하 농도는 예를 들어, 1*1015 ~ 1*1023 /cm3의 범위에서 변할 수 있다. 이에 따라 변환층(10)을 구성하는 물질의 굴절율이 변화(n0->n2)될 수 있다. 변환층(20)의 각 영역(20a, 20b, 20c, 20d)의 조사되는 광(L1, L2, L3, L4)의 특성이 서로 다른 경우, 변환층(20)의 영역(20a, 20b, 20c, 20d)별로 캐리어의 농도(E)는 모두 다를 수 있다. 이 경우, 변환층(20)의 영역(20a, 20b, 20c, 20d)별로 각각 서로 다른 굴절율(n21, n22, n23, n24)을 지닐 수 있다. 결과적으로, 변환층(20)을 구성하는 물질의 굴절율을 원하는 크기로 조절할 수 있다. 변환층(20)의 굴절율이 변환된 뒤, 빔 스티어링 소자(200)의 변환층(20) 및 변환층(20) 상의 패턴층(22a, 22b, 22c, 22d)에 대해 외부의 광원(S)으로부터 입사광(R21)이 조사된다. 변환층(20)을 구성하는 물질의 굴절율이 변환된 상태에서 외부의 광원(S)으로부터 조사된 광(R21)은 패턴층(22a, 22b, 22c, 22d) 표면에서 반사되어 원하는 각도로 방출되는 방출광(R22)이 될 수 있다.
도 5a 내지 도 5c는 개시에 따른 빔 스티어링 소자의 변환층 상에 형성된 패턴층의 형태를 나타낸 도면이다.
도 5a를 참조하면, 개시에 따른 빔 스티어링 소자의 변환층(30)은 투명 전도성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 변환층(30)은 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), GIZO(Ga-In-Zn-Oxide), AZO(Al-Zn-Oxide), GZO(Ga-Zn-Oxide) 및 ZnO 중 적어도 하나의 물질을 포함하여 형성될 수 있다.
그리고, 변환층(30) 상에 형성되는 패턴층(32)은 메타표면(metasurface) 형상일 수 있다. 패턴층(32)은 Ag, Au, Al 또는 Pt 등의 금속이나 합금으로 형성될 수 있으며, 또한 TiN이나 TaN 등의 금속 질화물로 형성될 수 있다. 패턴층(32)은 안테나 패턴층일 수 있다.
패턴층(32)은 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 도 5a에 나타낸 바와 같이 패턴층(32)은 평면도를 기준으로 하여 직사각형 형태로 일정한 간격을 지니도록 정렬되어 형성될 수 있다. 다만, 패턴층(32)의 형태 및 배열 형상은 이에 한정되지 않으며, 도 5b에 나타낸 바와 같이 패턴층(34)은 원형 또는 타원형상으로 형성될 수 있다. 패턴층(32)의 형태는 이에 한정되지 않으며, 다양한 형태를 지닐 수 있다. 예를 들어, 패턴층(32)은 삼각형, 사각형 등 다각형 형상, 타원형 또는 기타 불규칙적인 형상을 지닌 패턴들을 포함할 수 있다. 그리고, 패턴층(32)의 배열 형상은 도 5a 및 도 5b에 나타낸 바와 같이 각각의 패턴들이 일정한 간격을 지니도록 정렬될 수 있으나, 도 5c에 나타낸 바와 같이 패턴층(36)의 간격은 랜덤하게 설정되어 패턴들이 불규칙적으로 배열될 수 있다. 본 개시에 따른 빔 스티어링 소자의 패턴층(32, 34, 36)의 패턴들의 피치, 즉 패턴들의 간격, 직경, 길이는 도 2에 나타낸 광원으로부터 패턴층(12)에 입사되는 입사광(R11)의 파장의 1/2 또는 1/3보다 작을 수 있다. 예를 들어, 입사광(R11)의 파장이 1500nm라면, 패턴층(12)의 패턴들의 피치는 500nm 이하일 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 개시에 따른 빔 스티어링 소자가 변환층의 두께가 다른 영역 복수의 영역을 포함하는 구조를 나타낸 도면이다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 본 개시에 따른 빔 스티어링 소자의 변환층(40, 50)은 다양한 두께를 가지는 복수의 영역으로 형성될 수 있으며, 제 1변환층(40a) 내지 제 4변환층(40b)의 두께는 서로 다를 수 있다. 예를 들어 도 6a에 나타낸 바와 같이, 제 1변환층(40a)으로부터 제 4변환층(40d)으로 갈수록 그 두께는 점차 증가할 수 있다. 그리고, 도 6b에 나타낸 바와 같이, 제 1변환층(50a)으로부터 제 3변환층(50c)으로 갈수록 그 두께가 점차 증가하다가, 제 4변환층(50d)에서 그 두께가 다시 감소할 수 있다.
다시, 도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 개시에 따른 빔 스티어링 소자의 광 조사부(14, 24)는 가시광선 또는 자외선(ultraviolet)을 방출할 수 있다. 변환층(10, 20, 30)은 예를 들어 ITO와 같은 투명 전도성 산화물로 형성될 수 있다. 이러한 물질은 넓은 밴드갭(wide band gap)을 지니면서 밴드갭 내에 여러 에너지 상태(state)가 존재할 수 있다. 광 조사부(14, 24)에서 방출되는 가시광선 내지 UV 영역의 광에 의해 변환층(10, 20, 30)의 캐리어(carrier) 농도가 변할 수 있다. 이에 따라 변환층(10, 20, 30)의 굴절률이 변화될 수 있으며, 광 소스(S)에서 배출되는 입사광(R11, 21)은 적외선 또는 가시광선 영역의 레이저광일 수 있으며, 변환층(10, 20, 30)의 굴절율의 변화에 따라 패턴층(12, 22)에서의 반사 각도가 달라질 수 있다.
이처럼 본 개시에 따른 빔 스티어링 소자는 변환층(10, 20, 30) 상에 메타표면 형상의 패턴층(12, 22)을 포함하고 변환층(10, 20, 30)에 조사된 광에 의하여 변환층(10, 20, 30)의 굴절율을 변환시킴으로써 빔을 스티어링시킬 수 있다.
도 7은 실시예에 따른 빔 스티어링 소자를 포함하는 시스템을 나타낸 도면이다.
도 7을 참조하면, 실시예에 따른 빔 스티어링 소자(100)를 포함하는 시스템은, 빔 스티어링 소자(100)와 빔 스티어링 소자(100)에 광을 조사하는 광원(S), 빔 스티어링 소자(100)에 의해 스티어링된 빔을 검출하는 디텍터(200) 및 광 소스(S), 빔 스티어링 소자(100)와 디텍터(200)를 각각 제어할 수 있는 구동회로(300)를 포함할 수 있다.
이와 같은 빔 스티어링 소자(100)를 포함하는 시스템은 예를 들어, 광학적으로 빔을 스티어링하고, 스티어링된 빔에 의하여 스캐닝된 주변 객체(object)를 인식하는 고체 상 메타 레이다 (Solid State Meta LiDAR) 시스템으로 사용될 수 있다.
지금까지, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 빔 스티어링 소자에 대한 예시적인 실시예가 설명되고 첨부된 도면에 도시되었다. 그러나, 이러한 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이고 이를 제한하지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 그리고 본 발명은 도시되고 설명된 설명에 국한되지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 이는 다양한 다른 변형이 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일어날 수 있기 때문이다.
100, 200: 빔 스티어링 소자, 10, 20, 30, 40, 50: 변환층
12, 22, 32, 34, 36: 패턴층, 14, 24: 광조사부
200: 디텍터, 300: 구동회로
S: 광원

Claims (16)

  1. 빔 스티어링 소자에 있어서,
    광 조사에 의하여 굴절율이 변환되는 변환층;
    상기 변환층 상에 형성되며, 다수의 패턴을 포함하는 패턴층; 및
    상기 변환층 하부에 형성된 광 조사부;를 포함하고,
    상기 광 조사부는 상기 변환층 하부에서 상기 변환층과 접촉하도록 배치된, 빔 스티어링 소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 패턴층은 메타표면 형상을 지닌 빔 스티어링 소자.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 패턴층은 Ag, Au, Al 또는 이들 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 합금으로 형성된 빔 스티어링 소자.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 패턴층은 TiN 또는 TaN으로 형성된 빔 스티어링 소자.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 패턴층은 원형, 타원형, 또는 다각형 형상으로 형성된 빔 스티어링 소자.
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 패턴층은 상기 패턴층에 조사되는 빔의 파장의 절반보다 작은 크기 또는 간격을 지니며 형성된 빔 스티어링 소자.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 변환층은 산화물 반도체를 포함하여 형성된 빔 스티어링 소자.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 변환층은 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), GIZO(Ga-In-Zn-Oxide), AZO(Al-Zn-Oxide), GZO(Ga-Zn-Oxide) 및 ZnO 중 적어도 하나를 포함하여 형성된 빔 스티어링 소자.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 변환층의 전하 농도는 1*1015 ~ 1*1023 /cm3의 범위를 지닌 빔 스티어링 소자.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 광 조사부는 제 1광 조사부, 제 2광 조사부 및 제 3광 조사부를 포함하고,
    상기 변환층은 상기 제 1광 조사부, 제 2광 조사부 및 제 3광 조사부에 각각 대응하는 제 1변환층, 제 2변환층 및 제 3변환층을 포함하며,
    상기 제 1광 조사부는 상기 제 1변환층에 제 1광을 조사하고, 상기 제 2광 조사부는 상기 제 2변환층에 제 2광을 조사하고, 상기 제 3광 조사부는 상기 제 3변환층에 제 3광을 조사하고,
    상기 제 1광, 제 2광 및 제 3광 중 적어도 하나는 다른 광과 상이한 광량을 갖는 빔 스티어링 소자.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 제 1광 조사부와 제 2광 조사부 사이의 영역에 대응하는 변환층의 영역에 배치된 제1 분리막, 및 상기 제 2광 조사부와 제 3광 조사부 사이의 영역에 대응하는 변환층의 영역에 배치된 제2 분리막을 더 포함하며,
    상기 제1 분리막은 상기 제 2광 조사부에서 방출된 광이 상기 제1 변환층에 영향 주는 것을 차단하는 빔 스티어링 소자.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 광 조사부는 한 개로 구성되며, 서로 다른 파장 또는 광량을 지닌 광을 조사하는 빔 스티어링 소자.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 광 조사부는 한 개로 구성되며, 상기 변환층의 영역 별로 서로 다른 파장 또는 광량을 지닌 광을 조사하는 빔 스티어링 소자.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 광 조사부는 제 1광 조사부, 제 2광 조사부 및 제 3광 조사부를 포함하고,
    상기 변환층은 상기 제 1광 조사부, 제 2광 조사부 및 제 3광 조사부에 각각 대응하는 제 1변환층, 제 2변환층 및 제 3변환층을 포함하며,
    상기 제 1변환층의 두께와 상기 제 2변환층의 두께가 상이하고, 상기 제 2변환층의 두께와 상기 제 3변환층의 두께가 상이한 빔 스티어링 소자.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 광 조사부는 가시광선 또는 자외선을 상기 변환층에 조사하는 빔 스티어링 소자.
  16. 제 1항의 빔 스티어링 소자;
    상기 빔 스티어링 소자에 입사광을 조사하는 광원;
    상기 빔 스티어링 소자에 의해 스티어링된 빔을 검출하는 디텍터; 및
    상기 빔 스티어링 소자 또는 상기 디텍터를 제어하는 구동회로를 포함하는 시스템.
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