KR102474203B1 - 디스플레이 장치 제조방법 및 이에 따라 제조된 디스플레이 장치 - Google Patents

디스플레이 장치 제조방법 및 이에 따라 제조된 디스플레이 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 제조 공정을 단순화할 수 있는 디스플레이 장치 제조방법 및 이에 따라 제조된 디스플레이 장치를 위하여, 디스플레이영역과 디스플레이영역 외측의 패드영역을 갖는 기판을 준비하는 단계와, 패드영역에 희생층을 형성하는 단계와, 디스플레이영역과 패드영역에 걸쳐 봉지층을 형성하는 단계와, 희생층의 적어도 일부의 부피를 증가시키거나 희생층의 적어도 일부를 기화 또는 증발시킴으로써 희생층 상의 봉지층의 적어도 일부에 크랙을 형성하는 단계와, 패드영역 상의 봉지층의 적어도 일부를 제거하는 단계를 포함하는, 디스플레이 장치 제조방법 및 이에 따라 제조된 디스플레이 장치를 제공한다.

Description

디스플레이 장치 제조방법 및 이에 따라 제조된 디스플레이 장치{Method for manufacturing display apparatus and display apparatus manufactured using the same}
본 발명의 실시예들은 디스플레이 장치 제조방법 및 이에 따라 제조된 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 제조 공정을 단순화할 수 있는 디스플레이 장치 제조방법 및 이에 따라 제조된 디스플레이 장치에 관한 것이다.
일반적으로 디스플레이 장치는 기판 상에 위치한 복수개의 디스플레이 소자들 및 이들에 전기적으로 연결된 패드를 갖는다. 이러한 디스플레이 소자들에는 다양한 전기적 신호가 인가되게 되는데, 외부로부터의 전기적 신호는 패드를 통해 디스플레이 소자들에 인가된다.
한편, 디스플레이 소자들을 보호하기 위해, 디스플레이 장치는 디스플레이 소자들을 덮는 봉지층을 가질 수 있다. 이러한 봉지층을 형성할 시, 외부로부터의 전기적 신호가 인가될 패드는 봉지층에 의해 덮이지 않도록 할 필요가 있다. 따라서 봉지층을 형성할 시 기판의 사전설정된 영역에만 봉지층이 형성되도록 해야 하며, 그 결과 마스크를 사용해야만 한다.
그러나 이러한 종래의 디스플레이 장치 제조방법에 있어서 봉지층을 형성할 시 사용하는 마스크는 반복사용됨에 따라 손상될 수밖에 없어, 디스플레이 장치들의 제조를 계속함에 따라 주기적으로 교체될 수밖에 한다. 따라서 종래의 디스플레이 장치 제조방법의 경우 제조비용이 증가하며, 또한 제조 과정에서도 마스크와 기판을 정확하게 얼라인하는 공정을 거쳐야만 한다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 제조 공정을 단순화할 수 있는 디스플레이 장치 제조방법 및 이에 따라 제조된 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 디스플레이영역과 디스플레이영역 외측의 패드영역을 갖는 기판을 준비하는 단계와, 패드영역에 희생층을 형성하는 단계와, 디스플레이영역과 패드영역에 걸쳐 봉지층을 형성하는 단계와, 희생층의 적어도 일부의 부피를 증가시키거나 희생층의 적어도 일부를 기화 또는 증발시킴으로써 희생층 상의 봉지층의 적어도 일부에 크랙을 형성하는 단계와, 패드영역 상의 봉지층의 적어도 일부를 제거하는 단계를 포함하는, 디스플레이 장치 제조방법이 제공된다.
디스플레이영역 상에 유기층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 희생층을 형성하는 단계는 상기 유기층을 형성하는 단계와 동시에 진행될 수 있다.
디스플레이영역 상에 화소전극과, 화소전극 상의 중간층과, 중간층 상의 대향전극을 포함하는 디스플레이 소자를 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 희생층을 형성하는 단계는 상기 디스플레이 소자를 형성하는 단계에서 중간층을 형성할 시 동시에 진행될 수 있다.
디스플레이영역 상에 디스플레이소자를 형성하는 단계와, 디스플레이소자를 덮는 유기물을 포함하는 캐핑층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 희생층을 형성하는 단계는 상기 캐핑층을 형성하는 단계와 동시에 진행될 수 있다.
상기 크랙을 형성하는 단계는, 희생층 상의 봉지층의 적어도 일부에 레이저빔을 조사하는 단계일 수 있다. 이 경우, 무기물에서의 흡수율보다 유기물에서의 흡수율이 더 높은 레이저빔을 이용할 수 있다.
한편, 상기 봉지층을 형성하는 단계는 무기물층을 형성하는 단계일 수 있다.
희생층 상의 봉지층의 부분에 힘을 인가하여, 크랙이 형성된 면적을 늘리는 단계를 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 크랙이 형성된 면적을 늘리기 위해 롤러를 이용할 수 있다.
상기 봉지층을 형성하는 단계는, 디스플레이영역과 패드영역에 걸쳐 제1봉지무기층을 형성하는 단계와, 제1봉지무기층 상에 디스플레이영역에 대응하는 제1부분과 제1부분으로부터 이격되며 패드영역에 대응하는 제2부분을 갖는 봉지유기층을 형성하는 단계와, 봉지유기층의 제1부분과 제2부분을 덮도록 디스플레이영역과 패드영역에 걸쳐 제2봉지무기층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
이때, 제1봉지무기층과 봉지유기층 사이의 접합력은 희생층과 제1봉지무기층 사이의 접합력보다 크도록 할 수 있다. 한편, 상기 봉지층의 적어도 일부를 제거하는 단계는, 패드영역 상의 제1봉지무기층의 적어도 일부와, 봉지유기층의 제2부분 전체와, 패드영역 상의 제2봉지무기층의 적어도 일부를 제거하는 단계일 수 있다.
희생층 상의 봉지층의 적어도 일부 상에 추가유기층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 봉지층의 적어도 일부를 제거하는 단계는, 패드영역 상의 봉지층의 적어도 일부와 추가유기층 전체를 제거하는 단계일 수 있다. 이 경우, 봉지층과 추가유기층 사이의 접합력은 희생층과 봉지층 사이의 접합력보다 크도록 할 수 있다.
본 발명의 다른 일 관점에 따르면, 디스플레이영역과 디스플레이영역 외측의 패드영역을 갖는 기판과, 디스플레이영역에 배치된 디스플레이소자들과, 디스플레이소자들을 덮도록 디스플레이영역을 덮으며 패드영역 방향의 제1단부면의 거칠기가 패드영역 방향의 반대방향의 제2단부면의 거칠기보다 큰 봉지층을 구비하는, 디스플레이 장치가 제공된다.
이때, 상기 봉지층은, 상기 디스플레이소자들을 덮는 제1봉지무기층과, 상기 제1봉지유기층의 면적보다 좁은 면적을 갖도록 상기 제1봉지무기층 상에 위치한 봉지유기층과, 상기 봉지유기층 상에 위치하며 상기 봉지유기층 외측에서 상기 제1봉지무기층과 컨택하는 제2봉지무기층을 구비하고, 상기 봉지층의 상기 제1단부면은, 상기 기판에 최인접한 하부단부면과, 상기 기판에서 가장 먼 상부단부면과, 상기 하부단부면과 상기 상부단부면 사이에 위치한 중간단부면을 포함하며, 상기 하부단부면의 거칠기와 상기 상부단부면의 거칠기는 상기 중간단부면의 거칠기보다 크도록 할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 특허청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제조 공정을 단순화할 수 있는 디스플레이 장치 제조방법 및 이에 따라 제조된 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 공정들을 개략적으로 도시하는 단면도들 또는 평면도들이다.
도 10은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 일 공정을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 공정들을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 일 공정을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서 층, 막, 영역, 판 등의 각종 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 사이에 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
도 1 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 공정들을 개략적으로 도시하는 단면도들 또는 평면도들이다.
본 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법에 따르면, 먼저 기판(100)을 준비한다. 도 1의 기판(100)은 복수개의 디스플레이 장치들을 동시에 제조하는데 사용되는 모기판(mother substrate)으로 이해될 수 있다. 후술하는 바와 같이 도 1의 기판(100)은 커팅되어, 복수개의 디스플레이 장치들의 기판들(101, 102, 103)이 될 수 있다. 기판(100)은 도 2에 도시된 것과 같이 디스플레이영역(DA)과 디스플레이영역(DA) 외측의 패드영역(PA)을 갖는다. 구체적으로, 기판(100)은 추후 상호 분리될 복수개의 영역들 각각에 디스플레이영역(DA)과 그 외측의 패드영역(PA)을 갖는다. 이러한 기판(100)은 폴리이미드와 같은 플라스틱재로 형성된 것일 수도 있고, 다른 물질로 형성된 것일 수도 있다.
이와 같은 기판(100)을 준비한 후, 디스플레이영역(DA)에는 디스플레이소자(300)를 형성하고 패드영역(PA)에는 패드(410)를 형성한다. 도 3은 디스플레이영역(DA)의 일부와 패드영역(PA)의 적어도 일부를 도시하는 단면도로서, 도 2의 II-II 선을 따라 취한 단면도로 이해될 수 있다. 물론 이 경우 도 2에서는 디스플레이영역(DA)이나 패드영역(PA) 상에 형성되는 구성요소들이 생략된 것으로 이해될 수 있다.
기판(100)의 디스플레이영역(DA)에는 디스플레이소자(300) 외에도, 도 3에 도시된 것과 같이 디스플레이소자(300)가 전기적으로 연결되는 박막트랜지스터(210)도 형성할 수 있다. 도 3에서는 디스플레이소자(300)로서 유기발광소자(300)가 형성된 것을 도시하고 있다. 이러한 유기발광소자(300)가 박막트랜지스터(210)에 전기적으로 연결된다는 것은, 화소전극(310)이 박막트랜지스터(210)에 전기적으로 연결되는 것으로 이해될 수 있다. 물론 필요에 따라 기판(100)의 주변영역(PA)에도 박막트랜지스터(미도시)가 배치될 수 있다. 이러한 주변영역(PA)에 위치하는 박막트랜지스터는 예컨대 디스플레이영역(DA) 내에 인가되는 전기적 신호를 제어하기 위한 회로부의 일부일 수 있다.
박막트랜지스터(210)는 비정질실리콘, 다결정실리콘 또는 유기반도체물질을 포함하는 반도체층(211), 게이트전극(213), 소스전극(215) 및 드레인전극(217)을 포함할 수 있다. 반도체층(211)과 게이트전극(213)과의 절연성을 확보하기 위해, 실리콘옥사이드 및/또는 실리콘나이트라이드 등으로 형성되는 게이트절연층(120)이 반도체층(211)과 게이트전극(213) 사이에 개재될 수 있다. 아울러 게이트전극(213)의 상부에는 실리콘옥사이드 또는 실리콘나이트라이드 등의 물질을 포함하는 층간절연층(130)이 배치될 수 있으며, 소스전극(215) 및 드레인전극(217)은 그러한 층간절연층(130) 상에 배치될 수 있다.
이러한 구조의 박막트랜지스터(210) 등의 보호를 위해 박막트랜지스터(210)를 덮는 보호막(미도시)이 배치될 수 있다. 보호막은 예컨대 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물로 형성될 수 있다. 이러한 보호막은 단층일 수도 있고 다층일 수도 있다. 그리고 보호막 상에는 평탄화층(140)이 배치될 수 있다. 예컨대 도 3에 도시된 것과 같이 박막트랜지스터(210) 상부에 유기발광소자(300)가 배치될 경우, 평탄화층(140)은 박막트랜지스터(210)를 덮는 보호막 상부를 대체로 평탄화하는 역할을 할 수 있다. 이러한 평탄화층(140)은 예컨대 아크릴계 유기물 또는 BCB(Benzocyclobutene) 등으로 형성될 수 있다. 도 3에서는 평탄화층(140)이 단층으로 도시되어 있으나, 다층일 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다. 물론 본 실시예에 따른 디스플레이 장치는 보호막과 평탄화층(140)을 모두 가질 수도 있고 필요에 따라 이들 중 어느 하나만을 가질 수도 있다.
기판(100)의 디스플레이영역(DA) 내에 있어서, 평탄화층(140) 상에는, 화소전극(310), 대향전극(330) 및 그 사이에 개재되며 발광층을 포함하는 중간층(320)을 갖는 유기발광소자(300)가 위치할 수 있다. 화소전극(310)은 도 3에 도시된 것과 같이 평탄화층(140) 등에 형성된 개구부를 통해 소스전극(215) 및 드레인전극(217) 중 어느 하나와 컨택하여 박막트랜지스터(210)와 전기적으로 연결된다.
평탄화층(140) 상부에는 화소정의막(150)이 배치될 수 있다. 이 화소정의막(150)은 각 부화소들에 대응하는 개구, 즉 적어도 화소전극(310)의 중앙부가 노출되도록 하는 개구를 가짐으로써 화소를 정의하는 역할을 한다. 또한, 도 3에 도시된 바와 같은 경우, 화소정의막(150)은 화소전극(310)의 가장자리와 화소전극(310) 상부의 대향전극(330)과의 사이의 거리를 증가시킴으로써 화소전극(310)의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다. 이와 같은 화소정의막(150)은 예컨대 폴리이미드 등과 같은 유기물로 형성될 수 있다.
유기발광소자(300)의 중간층(320)은 저분자 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 저분자 물질을 포함할 경우 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층된 구조를 가질 수 있으며, 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양한 유기물질을 포함할 수 있다. 이러한 층들은 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다.
중간층(320)이 고분자 물질을 포함할 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 이 때, 홀 수송층은 PEDOT을 포함하고, 발광층은 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 물질을 포함할 수 있다. 이러한 중간층(320)은 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법, 레이저열전사방법(LITI; Laser induced thermal imaging) 등으로 형성할 수 있다.
물론 중간층(320)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 구조를 가질 수도 있음은 물론이다. 그리고 중간층(320)은 복수개의 화소전극(310)들에 걸쳐서 일체인 층을 포함할 수도 있고, 복수개의 화소전극(310)들 각각에 대응하도록 패터닝된 층을 포함할 수도 있다.
대향전극(330)은 디스플레이영역(DA) 상부에 배치되는데, 도 3에 도시된 것과 같이 디스플레이영역(DA)을 덮도록 배치될 수 있다. 즉, 대향전극(330)은 복수개의 유기발광소자(300)들에 있어서 일체(一體)로 형성되어 복수개의 화소전극(310)들에 대응할 수 있다.
기판(100)의 주변영역(PA) 상에는 복수개의 패드(410)들이 배치된다. 이 복수개의 패드(410)들은 도 3에 도시된 것과 같이 예컨대 소스전극(215) 및 드레인전극(217)과 동일층 상에, 즉 층간절연층(130) 상에 위치할 수 있다. 이 경우 복수개의 패드(410)들은 소스전극(215) 및 드레인전극(217)과 동일 물질을 포함하며, 제조 과정에서 복수개의 패드(410)들은 소스전극(215) 및 드레인전극(217)과 동시에 형성될 수 있다. 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 게이트전극(213)과 동일 물질로 동시에 패드(410)를 형성할 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
이와 같이 기판(100)의 디스플레이영역(DA)에 디스플레이소자(300)를 형성하고 패드영역(PA)에 패드(410)를 형성한 후, 도 3에 도시된 것과 같이 패드영역(PA)에 희생층(420)을 형성한다. 이 희생층(420)은 패드영역(PA)을 모두 덮을 수도 있고, 패드영역(PA)의 일부만을 덮을 수도 있다. 도 3에서는 패드영역(PA) 내의 패드(410)를 덮도록 희생층(420)을 형성하는 것으로 도시하고 있다.
이러한 희생층(420)은 디스플레이 장치의 다른 구성요소와 관계없이 형성할 수도 있지만, 다른 구성요소를 형성할 시 동시에 형성할 수도 있다. 예컨대 디스플레이영역(DA)에 중간층(320)을 형성할 시, 동일 물질로 동시에 패드영역(PA)에 희생층(420)을 형성할 수 있다. 구체적으로, 디스플레이영역(DA)에 홀 주입층(HIL)이나 전자 수송층(ETL) 등을 형성할 시, 동일 물질로 동시에 패드영역(PA)에 희생층(420)을 형성할 수 있다.
이후, 도 4에 도시된 것과 같이 디스플레이영역(DA)과 패드영역(PA)에 걸쳐 봉지층(500)을 형성한다. 이러한 봉지층(500)은 단층구조로 형성할 수도 있고 다층구조로 형성할 수도 있다. 단층구조일 경우 무기물층으로 형성할 수 있고, 다층구조일 경우 무기물층과 유기물층을 포함할 수 있다. 무기물층의 경우 증착법을 이용해 실리콘나이트라이드, 실리콘옥사이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등으로 형성할 수도 있고, 산화금속, 질화금속, 산화질화 금속 또는 탄화금속 등으로 형성할 수 있다. 유기물층의 경우 폴리아크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌, 폴리아릴레이트 및/또는 에폭시를 포함할 수 있다.
이와 같이 봉지층(500)을 형성한 후, 기판(100)을 커팅하여 복수개의 디스플레이 장치들을 형성한다. 기판(100)의 커팅은 도 2에 도시된 것과 같은 커팅라인(CL1, CL2, CL3, CL4)들을 따라 이루어질 수 있는데, 예컨대 레이저빔을 커팅라인(CL1, CL2, CL3, CL4)들을 따라 조사함으로써 기판(100)을 커팅할 수 있다. 이때, 도 2에 도시된 것과 같이 커팅라인(CL1, CL2)들과 커팅라인(CL3)은 패드영역(PA)의 적어도 일부를 지나는바, 이에 따라 레이저빔 조사 시 해당 레이저빔이 패드영역(PA) 내의 희생층(420)의 적어도 일부를 지나가도록 할 수 있다. 도 5에서는 커팅라인(CL3)이 희생층(420)을 지나가는 것을 도시하고 있다.
레이저빔을 커팅라인(CL1, CL2, CL3)들을 따라 조사하여 희생층(420)에도 레이저빔이 조사되도록 함으로써, 희생층(420)의 적어도 일부의 부피를 증가시키거나 희생층(420)의 적어도 일부를 기화 또는 증발시킬 수 있다. 이때, 희생층(420)의 적어도 일부의 부피가 증가되거나 희생층(420)의 적어도 일부가 기화 또는 증발하면서, 희생층(420) 상의 봉지층(500)의 적어도 일부에 크랙(CR)이 형성되도록 할 수 있다. 즉, 레이저빔이 희생층(420)에 조사됨에 따라 희생층(420)의 레이저빔이 조사된 부분의 부피가 증가되거나 해당 부분이 기화 또는 증발됨에 따라, 희생층(420)의 그러한 부분에 대응하는 봉지층(500)의 부분에 크랙(CR)이 형성되도록 할 수 있다. 이를 위해 봉지층(500)이 무기물층을 포함하도록 할 필요가 있다. 무기물층의 경우 그 하부층의 부피 변화나 형상의 변형 등이 발생할 시 크랙(CR)이 용이하게 발생하기 때문이다.
단면도인 도 5에서는 희생층(420)의 일부분의 부피가 증가한 것을 도시하고 있으며, 기판(100)이 커팅된 이후를 개략적으로 도시하는 평면 개념도인 6에서는 디스플레이영역(DA)과 패드영역(PA)을 덮는 봉지층(500)의 패드영역(PA) 내의 부분에서 크랙(CR)이 발생한 것을 도시하고 있다. 도 2에서 도시한 것과 같이 커팅라인(CL1, CL2, CL3)들이 패드영역(PA)을 지남에 따라, 봉지층(500)의 그러한 커팅라인(CL1, CL2, CL3)들 인근 영역들로서 그 하부에 희생층(420)이 존재하는 부분에 크랙(CR)이 발생하게 된다. 참고로 도 5에서는 기판(100)이 커팅라인(CL3)을 따라 절단되지 않은 것으로 도시하고 있으나 이는 편의상 그와 같이 도시한 것이며, 기판(100)은 커팅라인(CL3)을 따라 절단된다.
물론 레이저빔은 희생층(420) 상의 봉지층(500)의 적어도 일부에 조사되지만, 적외선 레이저빔 등을 이용하게 되면 봉지층(500)의 무기물층을 대부분 통과하여 유기물로 형성된 희생층(420)에 도달하게 되며, 그 결과 희생층(420)의 레이저빔이 조사된 부분의 부피가 증가되거나 해당 부분이 기화 또는 증발되도록 할 수 있다. 만일 레이저빔이 봉지층(500)의 무기물층에서 대부분 흡수된다면, 봉지층(500)에는 크랙(CR)이 형성되지 않고 봉지층(500) 자체가 커팅되게 된다. 이 경우 봉지층(500)에 크랙(CR)이 형성된다 하더라도 크랙(CR)이 형성된 면적이 매우 좁게 되며, 그 결과 후술하는 것과 같이 패드영역(PA)에서 봉지층(500)에 형성된 크랙(CR)이 성장하도록 하는 것이 용이하지 않게 된다. 따라서, 기판(100)의 커팅 시 사용하는 레이저빔은 무기물에서의 흡수율보다 유기물에서의 흡수율이 더 높은 레이저빔인 것이 바람직하다.
한편, 레이저빔을 이용하여 기판(100)을 커팅할 시 레이저빔이 봉지층(500)의 무기물층에 흡수되어 봉지층(500)이 커팅된다 하더라도, 그와 동시에 레이저빔이 희생층(420)에도 흡수되어 희생층(420)의 적어도 일부의 부피를 증가시키거나 희생층(420)의 적어도 일부를 기화 또는 증발시킬 수 있다면, 이를 통해 봉지층(500)에 크랙(CR)이 발생하도록 할 수 있다.
봉지층(500)에 형성되는 크랙(CR)의 양은 많으면 많을수록, 후술하는 것과 같이 크랙(CR)을 성장시켜 크랙(CR)이 형성된 면적을 넓히는 것이 용이할 수 있다. 따라서 희생층(420)을 형성할 시 희생층(420)의 길이방향(y축 방향)의 폭이 디스플레이영역(DA)의 (y축 방향의) 폭보다 크게 함으로써, 도 2에 도시된 것과 같이 희생층(420)의 길이방향(y축 방향)으로 연장된 커팅라인(CL3) 뿐만 아니라 그와 교차하는 방향(x축 방향)으로 연장된 커팅라인(CL1, CL2)들도 희생층(420)을 지나가도록 하는 것이 바람직하다. 이에 따라 도 6에 도시된 것과 같이 평면도를 기준으로 패드영역(PA)의 대략 세 변 가장자리를 따라 크랙(CR)이 형성되도록 할 수 있다.
이와 같이 희생층(420) 상의 봉지층(500)의 적어도 일부에 크랙(CR)을 형성한 후, 패드영역(PA) 상의 봉지층(500)의 적어도 일부를 제거한다. 이에 앞서, 도 7에 도시된 것과 같이 희생층(420) 상의 봉지층(500)의 부분에 힘을 인가하여, 크랙(CR)이 형성된 면적을 늘릴 수도 있다. 예컨대 도 7에 도시된 것과 같이 롤러(RL)를 패드영역(PA) 내에서, 디스플레이영역(DA) 방향의 부분에서 기판(100)의 가장자리 방향(-x 방향)인 화살표(AR1) 방향으로 이동시킬 수 있다. 이때 기판(100) 방향(-z 방향)으로 힘을 인가하면서 롤러(RL)를 이동시킴에 따라, 봉지층(500)에 이미 형성된 크랙(CR)이 패드영역(PA) 내에서 성장하여, 크랙(CR)이 형성된 면적이 늘어나도록 할 수 있다.
이때 롤러(RL)를 패드영역(PA) 내에서, 이미 크랙(CR)이 다수 형성된 기판(100)의 가장자리 근방에서 디스플레이영역(DA) 방향(-x 방향)으로 이동시키는 것이 아니라, 디스플레이영역(DA) 방향의 부분에서 기판(100)의 가장자리 방향(-x 방향)인 화살표(AR1) 방향으로 이동시킨다. 전자의 경우, 이미 형성된 크랙(CR)이 지나치게 성장하여 디스플레이영역(DA) 내부로까지 성장하여 봉지층(500)의 성능을 저하시키고 불량을 야기할 수 있기 때문이다.
이후 롤러(RL)를 도 7에 도시된 것과 같이 기판(100)의 패드영역(PA)의 가장자리에 평행한 방향인 화살표(AR2) 방향으로 이동시키게 되면, 패드영역(PA) 내에서 크랙(CR)이 형성되어 약해진 봉지층(500)의 부분이 기판(100)으로부터 분리된다. 즉, 롤러(RL)를 화살표(AR1) 방향으로 이동시킬 시에는 롤러(RL)를 굴리는 것이지만 롤러(RL)를 화살표(AR2) 방향으로 이동시킬 시에는 롤러(RL)를 굴리는 것이 아니기에, 롤러(RL)에 의해 인가되는 힘에 의해 희생층(420) 상의 크랙(CR)이 형성된 봉지층(500)의 부분이 밀리면서 봉지층(500)의 적어도 일부분이 기판(100)으로부터 분리되어 상방(+z 방향)으로 볼록하게 솟아오르게 된다. 이러한 과정을 거쳐 도 8에 도시된 단면 및 도 9에 도시된 평면 개념도에서처럼, 기판(100)의 패드영역(PA)에서 봉지층(500)의 적어도 일부를 제거할 수 있다. 이에 따라 패드(410)가 봉지층(500)에 의해 덮이지 않도록 하여, 인쇄회로기판이나 전자칩 등이 패드(410)에 전기적으로 연결될 수 있도록 한다.
물론 기판(100)의 패드영역(PA)에서 봉지층(500)의 적어도 일부를 제거하는 것은 상술한 것과 같은 롤러(RL)를 이용하는 방법에 국한되지 않다. 예컨대 접착테이프를 이용하여 크랙(CR)이 형성된 봉지층(500)의 부분을 제거할 수도 있는 등 다양한 방법을 이용할 수 있다.
이와 같은 본 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법에 따르면, 봉지층(500)을 형성할 시 패드영역(PA)에 봉지층(500)이 형성되지 않도록 하기 위해, 별도의 마스크 등을 사용할 필요가 없게 된다. 이에 따라 제조 과정에서 봉지층(500) 형성 시 마스크를 사용하지 않음에 따라 마스크와 기판(100)을 상호 정렬하는 과정 등도 거칠 필요가 없게 되며, 그 결과 제조비용을 절감하면서도 제조 공정을 단순화할 수 있다.
한편, 크랙(CR)이 형성된 봉지층(500)의 부분이 기판(100), 구체적으로 봉지층(500) 하부의 구성요소들로부터 용이하게 분리되도록 할 필요가 있다. 이를 위해 희생층(420)이 그 하부의 구성요소들과의 접합력이 낮도록 하는 것이 바람직하다. 전술한 것과 같은 정공 주입층이나 전자 수송층 등과 같은 유기물의 경우 금속을 포함하는 패드(410)나 무기물을 포함하는 층간절연층(130) 등과의 접합력이 낮기에, 희생층(420)을 그러한 층들과 동일 물질로 동시에 형성함으로써 제조 공정을 단순화하면서도 패드영역(PA)에서의 봉지층(500)의 제거가 용이하게 이루어지도록 할 수 있다.
이와 같이 제조된 유기발광 디스플레이 장치의 경우, 봉지층(500)의 패드영역(PA) 방향(+x 방향)의 제1단부면(501ES, 도 8 및 도 9 참조)의 거칠기가, 봉지층(500)의 패드영역(PA) 방향의 반대방향(-x 방향)의 제2단부면(502ES, 도 9 참조)의 거칠기나 다른 방향의 제3,4단부면(503ES, 504ES)의 거칠기보다 크게 된다. 이는 봉지층(500)의 패드영역(PA) 상의 부분은 봉지층(500)에 크랙(CR)이 형성되고 이 크랙(CR)이 성장된 후 제거되기에 제1단부면(501ES)의 거칠기가 크게 되고, 그 외의 제2-4단부면(502ES, 503ES, 504ES)의 경우에는 레이저빔 조사에 의해 봉지층(500)이 커팅되기에 그 거칠기가 상대적으로 작게 된다. 예컨대 봉지층(500)의 제1단부면(501ES)의 거칠기는 RMS 값으로 대략 18.85 마이크로미터에 이를 수 있다.
참고로 봉지층(500)의 제2-4단부면(502ES, 503ES, 504ES)의 경우, 레이저빔이 봉지층(500)을 통과한 후 그 하부의 기판(100)을 커팅하게 되는바, 이 기판(100)이 커팅되면서 발생되는 열에 의해 봉지층(500) 등도 상대적으로 깔끔하게 커팅된다.
도 10은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 일 공정을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 본 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 경우, 디스플레이소자(300)를 형성한 후 봉지층(500)을 형성하기에 앞서 디스플레이영역(DA) 상에 유기물을 포함하는 캐핑층(160)을 형성한다. 이 캐핑층(160)은 레이저빔이 조사될 시 부피가 증가되거나 기화 또는 증발되는 유기물로 형성할 수 있다. 이러한 캐핑층(160)은 디스플레이영역(DA)을 평탄화하는 역할을 할 수 있다.
이때, 희생층(420)은 이 캐핑층(160)을 형성할 시 동일 물질로 동시에 형성할 수 있다. 이후 봉지층(500)을 디스플레이영역(DA)과 패드영역(PA)에 있어서 일체로 형성하고, 레이저빔 조사를 통해 기판(100)을 커팅하면서 희생층(420) 상의 봉지층(500)의 적어도 일부에 크랙(CR)을 형성할 수 있다.
이처럼 전술한 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법이나 본 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법에서처럼, 기판(100)의 디스플레이영역(DA) 상에 중간층(320)이나 캐핑층(160) 등과 같은 유기층을 형성하는 과정을 거치고, 그러한 유기층을 형성할 시 동일 물질로 동시에 기판(100)의 패드영역(PA) 상에 희생층(420)을 형성할 수 있다. 이를 통해 제조 과정을 단순화할 수 있다. 물론 희생층(420)은 중간층(320)이나 캐핑층(160)을 형성할 시에만 형성할 수 있는 것은 아니고, 기판(100)의 디스플레이영역(DA)에 유기층을 형성하는 과정이 있다면 그 유기층을 형성할 시 동일 물질로 동시에 형성할 수 있다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 공정들을 개략적으로 도시하는 단면도들이다. 본 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 경우, 봉지층(500)을 형성할 시 디스플레이영역(DA)과 패드영역(PA)에 걸쳐 일체(一體)인 제1봉지무기층(510)을 형성하고, 제1봉지무기층(510) 상에 봉지유기층(520)을 형성한다. 봉지유기층(520)은 디스플레이영역(DA)에 대응하는 제1부분(521)과 제1부분(521)으로부터 이격되며 패드영역(PA)에 대응하는 제2부분(522)을 갖는다. 여기서 제2부분(522)이 패드영역(PA)에 대응한다고 함은, 제2부분(522)이 패드영역(PA)의 적어도 일부에 대응한다는 것을 의미한다. 이러한 제1부분(521)과 제2부분(522)을 갖는 봉지유기층(520)은 예컨대 잉크젯 프린팅법 등으로 형성할 수 있다.
이후, 봉지유기층(520)의 제1부분(521)과 제2부분(522)을 덮도록 디스플레이영역(DA)과 패드영역(PA)에 걸쳐 일체인 제2봉지무기층(530)을 형성한다. 제1봉지무기층(510) 및/또는 제2봉지무기층(530)의 경우 증착법을 이용해 실리콘나이트라이드, 실리콘옥사이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등으로 형성할 수도 있고, 산화금속, 질화금속, 산화질화 금속 또는 탄화금속 등으로 형성할 수 있다. 봉지유기층(520)의 경우 폴리아크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌, 폴리아릴레이트 및/또는 에폭시를 포함할 수 있다. 물론 제조 과정에서 봉지유기층(520)은 모노머를 이용해 형성하고 이후 이를 폴리머로 변화시킬 수도 있다.
이때, 상기와 같은 봉지층(500)에 있어서, 제1봉지무기층(510)과 봉지유기층(520) 사이의 접합력은 희생층(420)과 제1봉지무기층(510) 사이의 접합력보다 크도록 할 수 있다. 이 경우 기판(100)을 커팅하기 위해 레이저빔을 조사함에 따라 희생층(420)의 적어도 일부의 부피를 증가시키거나 희생층(420)의 적어도 일부를 기화 또는 증발시키도록 하고 이어 제1봉지무기층(510) 및/또는 제2봉지무기층(530)에 형성된 크랙(CR)을 성장시킨 후 패드영역(PA) 상의 봉지층(500)의 적어도 일부를 제거할 시, 제1봉지무기층(510), 봉지유기층(520) 및 제2봉지무기층(530)의 희생층(420) 상의 부분이 상호 분리되는 것을 최소화하면서 희생층(420)이나 그 하부층으로부터 거의 일시에 도 12에 도시된 단면도에서와 같이 분리되도록 할 수 있다.
이때, 봉지유기층(520)을 형성할 시 봉지유기층(520)의 제2부분(522)이 대략 희생층(420)에 대응하도록 할 수 있다. 이 경우 봉지층(500)의 패드영역(PA) 상의 적어도 일부를 제거할 시, 패드영역(PA) 상의 제1봉지무기층(510)의 적어도 일부와, 봉지유기층(520)의 제2부분(522) 전체와, 패드영역(PA) 상의 제2봉지무기층(530)의 적어도 일부를 함께 제거할 수 있다.
이 경우, 도 12에 도시된 것과 같이 봉지층(500)의 제1단부면(501ES)은, 기판(100)에 최인접한 하부단부면(501LES)과, 기판(100)에서 가장 먼 상부단부면(501UES)과, 하부단부면(501LES)과 상부단부면(501UES) 사이에 위치한 중간단부면(501MES)을 포함하게 된다. 이때 중간단부면(501MES)은 봉지유기층(520)의 제2부분(522)에 컨택하고 있던 제2봉지무기층(530)의 일부로 이해될 수 있다. 이 경우, 하부단부면(501LES)의 거칠기와 상부단부면(501UES)의 거칠기는 중간단부면(501MES)의 거칠기보다 크게 된다. 이는 중간단부면(501MES)이 봉지유기층(520)의 제2부분(522)에 컨택하고 있던 제2봉지무기층(530)의 일부이기에 그 부분은 상대적으로 매끈하고, 상부단부면(501UES)과 하부단부면(LES)은 제1봉지무기층(510)과 제2봉지무기층(530)에 형성된 크랙(CR)이 성장된 후 제거되기에 그 거칠기가 상대적으로 크게 될 수밖에 없기 때문이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 일 공정을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 본 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 경우, 봉지층(500)을 형성한 후 희생층(420) 상의 봉지층(500)의 적어도 일부 상에 추가유기층(430)을 형성한다. 그리고 봉지층(500)에 도 5를 참조하여 전술한 것과 같이 크랙(CR)이 형성되도록 하고 이 크랙(CR)을 성장시킨 후 패드영역(PA)에서 봉지층(500)의 적어도 일부를 제거할 시, 패드영역(PA) 상의 봉지층(500)의 적어도 일부와 추가유기층(430) 전체를 동시에 제거할 수 있다.
봉지층(500)에 크랙(CR)이 형성되도록 하고 이 크랙(CR)을 성장시킨 후 패드영역(PA)에서 봉지층(500)의 적어도 일부를 제거할 시, 봉지층(500)의 일부분으로서 제거되어야 할 부분임에도 제거되지 않고 패드영역(PA)에 잔존하는 부분이 존재할 수 있다. 이는 특히 봉지층(500)에 크랙(CR)이 형성되고 크랙(CR)이 성장되는 과정에서, 봉지층(500)의 제거될 일부가 봉지층(500)의 제거될 다른 부분과 물리적으로 분리되면서, 제거되지 않고 기판(100)의 패드영역(PA) 잔존하면서 발생할 수도 있다.
하지만 본 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 경우 추가유기층(430)이 봉지층(500) 상에 존재하여, 크랙(CR)이 성장되는 과정에서 봉지층(500)의 제거될 일부가 봉지층(500)의 제거될 다른 부분과 물리적으로 분리되더라도, 추가유기층(430)이 마치 접착제와 유사하게 기능하여 봉지층(500)의 제거될 모든 영역들을 서로 연결하는 역할을 할 수 있다. 이에 따라 봉지층(500)의 제거될 부분이 일거에 제거되도록 할 수 있다. 물론 이를 위해, 봉지층(500)과 추가유기층(430) 사이의 접합력이 희생층(420)과 봉지층(500) 사이의 접합력보다 크도록 할 수 있다. 이러한 추가유기층(430)은 폴리아크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌, 폴리아릴레이트 및/또는 에폭시로 형성할 수 있다. 특히, 이러한 추가유기층(430)은 희생층(420)에 대응하도록 형성할 수 있는데, 이 과정에서 잉크젯 프린팅 법 등을 이용할 수 있다. 이와 같은 추가유기층(430)을 형성하는 것은 본 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법 뿐만 아니라 전술한 실시예들 및 그 변형예들에 따른 디스플레이 장치 제조방법에도 적용될 수 있다.
물론, 상술한 것과 같은 실시예들에 있어서 봉지층(500)의 일부를 제거한 후, 패드영역(PA)을 세정하는 과정을 더 거칠 수도 있다. 이 경우 CO2 건식 세정공정을 이용할 수 있다.
지금까지는 디스플레이소자가 유기발광소자(300)인 경우에 대해 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되지 않음은 물론이다. 예컨대 다른 디스플레이소자를 기판(100)의 디스플레이영역(DA)에 형성하더라도 상술한 것과 같은 방법으로 기판(100)의 패드영역(PA)에서의 봉지층(500)의 적어도 일부를 제거할 수 있다.
한편, 본 발명은 디스플레이 장치 제조방법에 국한되지 않으며, 이와 같은 방법으로 제조된 디스플레이 장치 역시 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다. 그러한 디스플레이 장치의 경우, 도 8 및 도 9를 참조하여 전술한 것과 같이, 디스플레이소자들을 덮도록 디스플레이영역(DA)을 덮으며, 패드영역(PA) 방향의 제1단부면(501ES)의 거칠기가 패드영역(PA) 방향의 반대방향(-x 방향)의 제2단부면(502ES)이나 다른 제3,4단부면(503ES, 504ES)의 거칠기보다 큰 봉지층(500)을 구비한다.
또한, 본 발명의 범위에 포함되는 디스플레이 장치의 경우, 봉지층(500)이 도 12에 도시된 것과 같이 제1봉지무기층(510), 봉지유기층(520) 및 제2봉지무기층(530)을 구비한다면, 봉지층(500)의 제1단부면(501ES)은, 기판(100)에 최인접한 하부단부면(501LES)과, 기판(100)에서 가장 먼 상부단부면(501UES)과, 하부단부면(501LES)과 상부단부면(501UES) 사이에 위치한 중간단부면(501MES)을 포함하게 된다. 그리고 하부단부면(501LES)의 거칠기와 상부단부면(501UES)의 거칠기가 중간단부면(501MES)의 거칠기보다 크게 된다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 기판 120: 게이트절연층
130: 층간절연층 140: 평탄화층
150: 화소정의막 160: 캐핑층
210: 박막트랜지스터 211: 반도체층
213: 게이트전극 215: 소스전극
217: 드레인전극 300: 디스플레이소자
310: 화소전극 320: 중간층
330: 대향전극 410: 패드
420: 희생층 430: 추가유기층
500: 봉지층 510: 제1봉지무기층
520: 유기봉지층 530: 제2봉지무기층

Claims (16)

  1. 디스플레이영역과 디스플레이영역 외측의 패드영역을 갖는 기판을 준비하는 단계;
    패드영역에 희생층을 형성하는 단계;
    디스플레이영역과 패드영역에 걸쳐 봉지층을 형성하는 단계;
    희생층의 적어도 일부의 부피를 증가시키거나 희생층의 적어도 일부를 기화 또는 증발시킴으로써, 희생층 상의 봉지층의 적어도 일부에 크랙을 형성하는 단계;
    희생층 상의 봉지층의 부분에 힘을 인가하여, 크랙이 형성된 면적을 늘리는 단계; 및
    패드영역 상의 봉지층의 적어도 일부를 제거하는 단계;
    를 포함하는, 디스플레이 장치 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    디스플레이영역 상에 유기층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 희생층을 형성하는 단계는 상기 유기층을 형성하는 단계와 동시에 진행되는, 디스플레이 장치 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    디스플레이영역 상에 화소전극과, 화소전극 상의 중간층과, 중간층 상의 대향전극을 포함하는 디스플레이 소자를 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 희생층을 형성하는 단계는 상기 디스플레이 소자를 형성하는 단계에서 중간층을 형성할 시 동시에 진행되는, 디스플레이 장치 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    디스플레이영역 상에 디스플레이소자를 형성하는 단계와, 디스플레이소자를 덮는 유기물을 포함하는 캐핑층을 형성하는 단계를 더 포함하며,
    상기 희생층을 형성하는 단계는 상기 캐핑층을 형성하는 단계와 동시에 진행되는, 디스플레이 장치 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 크랙을 형성하는 단계는, 희생층 상의 봉지층의 적어도 일부에 레이저빔을 조사하는 단계인, 디스플레이 장치 제조방법.
  6. 삭제
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 봉지층을 형성하는 단계는 무기물층을 형성하는 단계를 포함하는, 디스플레이 장치 제조방법.
  8. 삭제
  9. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 크랙이 형성된 면적을 늘리는 단계는 롤러를 이용하는 단계인, 디스플레이 장치 제조방법.
  10. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 봉지층을 형성하는 단계는,
    디스플레이영역과 패드영역에 걸쳐 제1봉지무기층을 형성하는 단계;
    제1봉지무기층 상에, 디스플레이영역에 대응하는 제1부분과 제1부분으로부터 이격되며 패드영역에 대응하는 제2부분을 갖는 봉지유기층을 형성하는 단계; 및
    봉지유기층의 제1부분과 제2부분을 덮도록 디스플레이영역과 패드영역에 걸쳐 제2봉지무기층을 형성하는 단계;
    를 포함하는, 디스플레이 장치 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    제1봉지무기층과 봉지유기층 사이의 접합력은 희생층과 제1봉지무기층 사이의 접합력보다 큰, 디스플레이 장치 제조방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 봉지층의 적어도 일부를 제거하는 단계는, 패드영역 상의 제1봉지무기층의 적어도 일부와, 봉지유기층의 제2부분 전체와, 패드영역 상의 제2봉지무기층의 적어도 일부를 제거하는 단계인, 디스플레이 장치 제조방법.
  13. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    희생층 상의 봉지층의 적어도 일부 상에 추가유기층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 봉지층의 적어도 일부를 제거하는 단계는, 패드영역 상의 봉지층의 적어도 일부와 추가유기층 전체를 제거하는 단계인, 디스플레이 장치 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    봉지층과 추가유기층 사이의 접합력은 희생층과 봉지층 사이의 접합력보다 큰, 디스플레이 장치 제조방법.
  15. 디스플레이영역과 디스플레이영역 외측의 패드영역을 갖는 기판;
    디스플레이영역에 배치된 디스플레이소자들; 및
    디스플레이소자들을 덮도록 디스플레이영역을 덮으며, 패드영역 방향의 제1단부면의 거칠기가 패드영역 방향의 반대방향의 제2단부면의 거칠기보다 큰, 봉지층;
    을 구비하고,
    상기 봉지층의 상기 제1단부면은, 상기 기판에 최인접한 하부단부면과, 상기 기판에서 가장 먼 상부단부면과, 상기 하부단부면과 상기 상부단부면 사이에 위치한 중간단부면을 포함하며,
    상기 하부단부면의 거칠기와 상기 상부단부면의 거칠기는 상기 중간단부면의 거칠기보다 큰, 디스플레이 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 봉지층은, 상기 디스플레이소자들을 덮는 제1봉지무기층과, 상기 제1봉지무기층의 면적보다 좁은 면적을 갖도록 상기 제1봉지무기층 상에 위치한 봉지유기층과, 상기 봉지유기층 상에 위치하며 상기 봉지유기층 외측에서 상기 제1봉지무기층과 컨택하는 제2봉지무기층을 구비하는, 디스플레이 장치.
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