KR102473290B1 - Led package and method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법이 개시된다. 발광소자 패키지 제조 방법은, 발광소자 유닛들을 기판 상에 실장하여 배열하는 단계, 상기 기판 상에 실장하여 배열한 상기 발광소자 유닛들 각각에 파장변환 부재를 부착하는 단계, 반사 부재를 형성하기 위해, 상기 파장변환 부재가 부착된 상기 발광소자 유닛들 사이에 반사 재료를 충전하는 단계와, 상기 파장변환 부재가 부착된 상기 발광소자 유닛들 각각을 상기 반사 재료가 둘러싸도록 수직으로 커팅함으로써 발광소자 패키지들을 형성하는, 수직 컷팅 단계를 포함한다.A light emitting device package and a method for manufacturing a light emitting device package are disclosed. A method of manufacturing a light emitting device package includes mounting and arranging light emitting device units on a substrate, attaching a wavelength conversion member to each of the light emitting device units mounted and arranged on the substrate, forming a reflective member, Filling a reflective material between the light emitting device units to which the wavelength conversion member is attached, and vertically cutting each of the light emitting device units to which the wavelength conversion member is attached so that the reflective material surrounds the light emitting device packages. Forming, including the vertical cutting step.

Description

발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법{LED PACKAGE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}Light emitting device package and light emitting device package manufacturing method {LED PACKAGE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}

본 발명은 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법에 관한 것이며, 더 구체적으로는 자동차 전조등과 같이 고휘도를 요구하는 조명 장치용도로 사용되기 위한 칩 스케일 발광소자 패키지와 이를 제조하는 방법과 관련된다.The present invention relates to a light emitting device package and a method for manufacturing a light emitting device package, and more particularly, to a chip scale light emitting device package for use in a lighting device requiring high luminance such as an automobile headlight and a method for manufacturing the same.

여러 가지 발광소자들 중 엘이디(Light Emitting Diode)는 PN 접합을 이용하여 다양한 색의 광을 구현할 수 있는 반도체 소자로서, 수명이 길고, 소형화, 경량화 및 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다.Among various light emitting devices, an LED (Light Emitting Diode) is a semiconductor device capable of implementing light of various colors by using a PN junction, and has advantages of long lifespan, miniaturization, light weight, and low-voltage driving.

또한, 엘이디는 충격과 진동에도 강하고 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 기판이나 리드 프레임에 실장되고 패키징될 수 있어 모듈화하여 조명 장치용으로 또는 디스플레이의 백라이트 유닛(Back Light Unit)용으로 적용되고 있다.In addition, LEDs are resistant to shock and vibration, do not require complicated driving, and can be mounted and packaged on boards or lead frames in various forms, so they are modularized and applied for lighting devices or back light units of displays. .

또한, 엘이디 패키지는 칩 스케일 패키지(CSP: Chip Scale Package)의 형태로도 구현되는데, 이러한 칩 스케일 패키지는 엘이디의 측면과 상부면을 둘러싸도록 투광성 재료로 도포한 형태로 제조될 수 있다. 일반적으로, 칩 스케일 패키지는 엘이디의 저면이 노출되므로, 엘이디의 전극패드를 기판에 직접 본딩하는 것이 가능하다.In addition, the LED package is also implemented in the form of a chip scale package (CSP), and such a chip scale package may be manufactured in a form coated with a light-transmitting material so as to surround side and top surfaces of the LED. In general, since the bottom surface of the LED is exposed in the chip scale package, it is possible to directly bond the electrode pad of the LED to the substrate.

다만, 일반적으로 칩 스케일 패키지 자체는 리플렉터를 포함하지 않으므로, 엘이디에서 방출되는 빛이 적절한 휘도를 가지면서 의도된 방향으로 제공되기 어려운 단점이 있다.However, in general, since a chip scale package itself does not include a reflector, it is difficult for light emitted from the LED to be provided in an intended direction while having appropriate luminance.

도 1에는 종래의 칩 스케일 패키지의 일 예가 도시되어 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 엘이디(11)가 기판(12) 상에 실장되고, 엘이디(11)에 형광체 시트(13)를 부착한 후 화이트 실리콘(white silicone)(14)을 디스펜싱함으로써 칩 스케일 패키지가 제조된다. 이러한 종래의 칩 스케일 패키지는 도시된 바와 같이 엘이디(11)의 측면이 화이트 실리콘(14)으로 둘러싸여 있고, 특히 화이트 실리콘(14)의 반사면이 수직으로 형성되어 있기 때문에 엘이디(11)의 측면으로 나가는 광이 밖으로 나가지 못하고 화이트 실리콘(14)의 측면(15)에 의해 반사되어(도 1의 화살표) 손실되므로, 칩 스케일 패키지의 전체적인 휘도가 저하된다. 뿐만 아니라, 이러한 종래의 칩 스케일 패키지 구조에서는 측면 방향으로 나가는 광이 전방(도 1에서 엘이디(11)의 상측)으로 진행되지 않아 형광체 시트를 경유하지 않게 되므로, 칩 스케일 패키지의 휘도 향상을 위해 측면 방향으로 나가는 광을 전방으로 진행시키기 위한 방안도 요구된다. 특히, 자동차의 전조등이나 기타 전방 조명을 위한 용도로 사용되는 응용 제품에 적용하기 위한 칩 스케일 패키지의 경우, 전방으로 진행하는 광의 휘도를 높이는 것이 요구되므로, 종래의 칩 스케일 패키지 구조를 개선할 필요성이 있다.1 shows an example of a conventional chip scale package. As shown in FIG. 1, the LED 11 is mounted on a substrate 12, the phosphor sheet 13 is attached to the LED 11, and then white silicone 14 is dispensed to form a chip. A scale package is manufactured. As illustrated, the side of the LED 11 is surrounded by the white silicon 14, and in particular, since the reflective surface of the white silicon 14 is formed vertically, the side of the LED 11 Since outgoing light does not go out and is reflected by the side surface 15 of the white silicon 14 (arrow in FIG. 1) and is lost, the overall luminance of the chip scale package is lowered. In addition, in this conventional chip-scale package structure, light going out in the lateral direction does not travel forward (upper side of the LED 11 in FIG. 1) and does not pass through the phosphor sheet, so to improve the luminance of the chip-scale package, A method for forwardly advancing light going out in a direction is also required. In particular, in the case of a chip scale package for application to applications used for headlights of automobiles or other front lighting, it is required to increase the luminance of light traveling forward, so there is a need to improve the conventional chip scale package structure. have.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 발광소자의 측면 방향으로 손실되는 광을 줄임으로써 휘도를 대폭 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법을 제공하는 것이다.An object to be solved by the present invention is to provide a light emitting device package capable of significantly improving luminance by reducing light lost in a lateral direction of the light emitting device and a method for manufacturing the light emitting device package.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 발광소자 패키지 제조 방법은, 발광소자 유닛들을 기판 상에 실장하여 배열하는 단계와, 상기 기판 상에 실장하여 배열한 상기 발광소자 유닛들 각각에 파장변환 부재를 부착하는 단계와, 반사 부재를 형성하기 위해, 상기 파장변환 부재가 부착된 상기 발광소자 유닛들 사이에 반사 재료를 충전하는 단계와, 상기 파장변환 부재가 부착된 상기 발광소자 유닛들 각각을 상기 반사 재료가 둘러싸도록 수직으로 커팅함으로써 발광소자 패키지들을 형성하는, 수직 컷팅 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing a light emitting device package according to an aspect of the present invention for solving the above problems includes the steps of mounting and arranging light emitting device units on a substrate, and each of the light emitting device units mounted and arranged on the substrate has a wavelength. A step of attaching a conversion member; a step of filling a reflective material between the light emitting element units to which the wavelength conversion member is attached to form a reflective member; and each of the light emitting element units to which the wavelength conversion member is attached. characterized in that it comprises a vertical cutting step of forming light emitting device packages by vertically cutting the reflective material to surround it.

일 실시예에 따라, 상기 발광소자 유닛들은, 복수 개의 발광소자들을 시트 상에 배열하는 단계와, 투광 부재를 형성하기 위해, 상기 시트 상에 배열된 발광소자들 사이에 투광 재료를 충전하는 단계와, 상기 발광소자 유닛들 각각이 하나의 발광소자와 투광 부재를 갖도록, 상기 투광 재료의 경화 후, 상기 발광소자들 각각을 기준으로 하여 상기 투광 재료를 경사지도록 커팅하는 사선 컷팅 단계에 의해 형성된다.According to an embodiment, the light emitting element units may include arranging a plurality of light emitting elements on a sheet, and filling a light transmitting material between the light emitting elements arranged on the sheet to form a light transmitting member. After curing the light-transmitting material, the light-transmitting material is cut obliquely with respect to each of the light-emitting elements so that each of the light-emitting element units has one light-emitting element and a light-transmitting member.

일 실시예에 따라, 상기 사선 컷팅 단계에서 상기 투광 재료의 경사지도록 커팅된 구간의 단면은 직선면이 되도록 커팅한다.According to an embodiment, in the oblique cutting step, the cross-section of the inclined section of the light-transmitting material is cut to be a straight plane.

일 실시예에 따라, 상기 발광소자 유닛들 각각에서 상기 투광 재료의 경사지도록 커팅된 구간과 상기 발광소자의 측면과의 간격은 하방으로 갈수록 좁아진다.According to an embodiment, in each of the light emitting element units, a distance between the inclined cut section of the light transmitting material and the side surface of the light emitting element is narrowed downward.

일 실시예에 따라, 상기 사선 컷팅 단계에서 상기 투광 재료의 경사지도록 커팅된 구간의 단면은 하방으로 볼록한 곡면이 되도록 커팅한다.According to an exemplary embodiment, in the oblique cutting step, the cross section of the inclined section of the light transmitting material is cut so as to be a convex downward curved surface.

일 실시예에 따라, 상기 사선 컷팅 단계에서, 상기 투광 재료의 전체 구간에서 경사지도록 커팅한다.According to one embodiment, in the oblique cutting step, the entire section of the light-transmissive material is cut to be inclined.

일 실시예에 따라, 상기 발광소자 유닛들 각각에서, 상기 투광 재료와 상기 발광소자의 측면과의 간격은 하방으로 갈수록 좁아진다.According to an exemplary embodiment, in each of the light emitting device units, a distance between the light transmitting material and the side surface of the light emitting device decreases downwardly.

일 실시예에 따라, 상기 사선 컷팅 단계에서, 상기 투광 재료의 전체 구간에서 하방으로 볼록한 곡면이 되도록 커팅한다.According to one embodiment, in the oblique cutting step, the entire section of the light-transmitting material is cut so as to be a downwardly convex curved surface.

일 실시예에 따라, 상기 사선 컷팅 단계에서, 상기 투광 재료의 하단은 상기 발광소자의 측면으로부터 이격되게 커팅한다.According to an embodiment, in the oblique cutting step, the lower end of the light-transmitting material is cut to be spaced apart from the side surface of the light emitting device.

일 실시예에 따라, 상기 발광소자 패키지들 각각에서, 상기 파장변환 부재의 외연은 상기 발광소자의 외연보다 넓게 형성된다.According to an exemplary embodiment, in each of the light emitting device packages, an outer edge of the wavelength conversion member is wider than an outer edge of the light emitting device.

일 실시예에 따라, 상기 반사 부재는 화이트 실리콘(white silicone) 재료로 형성된다.According to one embodiment, the reflective member is formed of a white silicone material.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 발광소자 패키지는, 기판과, 상기 기판에 실장되는 발광소자와, 상기 발광소자의 측면광을 반사시키는 반사면을 갖는, 반사 부재와, 상기 발광소자의 측면과 상기 반사 부재 사이에서 상기 발광소자의 측면광을 상기 반사 부재의 반사면 측으로 투과시키며 상기 반사부재의 광 반사면에 접하는 투광면을 갖는, 투광부재와, 상기 발광소자로부터 나오는 광 및 상기 반사 부재의 반사면에 의해 반사된 광을 파장 변환하는 파장변환 부재를 포함한다.A light emitting device package according to an aspect of the present invention for solving the above problems includes a substrate, a light emitting device mounted on the substrate, a reflective member having a reflective surface for reflecting side light of the light emitting device, and the light emitting device. A light-transmitting member having a light-transmitting surface in contact with the light-reflecting surface of the reflective member, transmitting side light of the light emitting element to the reflective surface of the reflective member between the side surface of the element and the reflective member, and light emitted from the light emitting element; and a wavelength conversion member for converting wavelengths of light reflected by the reflective surface of the reflective member.

일 실시예에 따라, 상기 투광 부재의 투광면은 적어도 일부 구간에서 상기 발광소자의 측면과의 간격이 하방으로 갈수록 좁아진다.According to an exemplary embodiment, a distance between the light-transmitting surface of the light-transmitting member and the side surface of the light-emitting element is narrowed downward in at least a portion of the section.

일 실시예에 따라, 상기 투광 부재의 투광면은 적어도 일부 구간이 하방으로 볼록한 곡면이다.According to one embodiment, the light-transmitting surface of the light-transmitting member is a curved surface in which at least a portion of the section is convex downward.

일 실시예에 따라, 상기 투광 부재의 투광면은, 전체 구간에서 상기 발광소자의 측면과의 간격이 하방으로 갈수록 좁아진다.According to an exemplary embodiment, the distance between the light-transmitting surface of the light-transmitting member and the side surface of the light-emitting element decreases downward in the entire section.

일 실시예에 따라, 상기 투광 부재의 투광면은 전체 구간에서 직선면이다.According to one embodiment, the light-transmitting surface of the light-transmitting member is a straight line in an entire section.

일 실시예에 따라, 상기 투광 부재의 투광면은 전체 구간에서 하방으로 볼록한 곡면이다.According to one embodiment, the light-transmitting surface of the light-transmitting member is a curved surface that is convex downward in an entire section.

일 실시예에 따라, 상기 투광 부재의 투광면의 하단은 상기 발광소자의 측면으로부터 이격되게 형성된다.According to an exemplary embodiment, a lower end of the light-transmitting surface of the light-transmitting member is spaced apart from a side surface of the light-emitting element.

일 실시예에 따라, 상기 파장변환 부재의 외연은 상기 발광소자의 외연보다 넓게 형성된다.According to one embodiment, the outer edge of the wavelength conversion member is formed wider than the outer edge of the light emitting element.

일 실시예에 따라, 상기 반사 부재는 화이트 실리콘(white silicone) 재료로 형성된다.According to one embodiment, the reflective member is formed of a white silicone material.

본 발명은 경사지게 형성된 투광 부재의 투광면 및 반사 부재의 반사면 구조를 갖는 발광소자 패키지 및 이를 제조하는 방법을 제공함으로써, 발광소자의 측면 방향으로 손실되는 광을 줄여 휘도가 향상되는 효과를 갖는다. 또한, 본 발명은 높은 휘도를 갖는 칩 스케일 패키지를 제공함으로써, 차량 조명 장치용으로 널리 적용될 수 있는 효과를 갖는다.The present invention has an effect of improving luminance by reducing light loss in a lateral direction of a light emitting device by providing a light emitting device package having a light emitting surface of a light emitting member and a reflective surface of a reflective member formed at an angle and a method for manufacturing the same. In addition, the present invention has an effect that can be widely applied to vehicle lighting devices by providing a chip scale package having high luminance.

도 1은 종래의 칩 스케일 패키지의 일 예이고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이고,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법을 설명하기 위한 도면이고,
도 4 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지에서 투광 부재(150)와 반사 부재(140)의 형상을 설명하기 위한 도면들이다.1 is an example of a conventional chip scale package,
2 is a view showing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention;
3 is a view for explaining a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention;
4 to 7 are views for explaining the shapes of the light transmitting member 150 and the reflective member 140 in the light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 여러 가지 실시예들을 설명한다. 첨부되는 도면들 및 이를 참조하여 설명되는 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자로 하여금 본 발명에 관한 이해를 돕기 위한 의도로 간략화되고 예시된 것임에 유의하여야 할 것이다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. It should be noted that the accompanying drawings and the embodiments described with reference to them are simplified and illustrated with the intention of helping those skilled in the art to understand the present invention.

또한, 본 명세서 내에서, 발광소자와 발광소자 유닛은 구별되는 것으로서, 발광소자에 투광부재가 추가되어 사선 컷팅된 이후의 결과물이 발광소자 유닛으로 정의된다.In addition, within the present specification, a light emitting element and a light emitting element unit are distinguished, and a light emitting element is defined as a light emitting element unit after a light emitting member is added to the light emitting element and cut diagonally.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법을 설명하기 위한 도면이고, 도 4 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지에서 투광 부재(150)와 반사 부재(140)의 형상을 설명하기 위한 도면들이다.2 is a view showing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a view for explaining a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 4 to 7 are views of the present invention. These are drawings for explaining the shapes of the light transmitting member 150 and the reflective member 140 in the light emitting device package according to an exemplary embodiment.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 발광소자(110), 기판(120), 파장변환 부재(130), 반사 부재(140) 및 투광 부재(150)를 포함한다. 도 2에서 발광소자(110)는 엘이디 칩 형태이므로, 이후의 설명에서는 엘이디를 110으로 하여 설명한다.Referring to FIG. 2 , a light emitting device package according to an embodiment of the present invention includes a light emitting device 110, a substrate 120, a wavelength conversion member 130, a reflective member 140, and a light transmitting member 150. do. Since the light emitting element 110 in FIG. 2 is in the form of an LED chip, in the following description, the LED will be referred to as 110.

엘이디(110)는 주면(primary surface), 측면(side surface) 및 실장면(mounting surface)을 가지며, 기판(120) 상에 실장면이 향하도록 실장된다. 주면은 엘이디(110)의 활성층에서 생성된 광이 주로 나가는 면으로서, 도 2에서 엘이디(110)의 상면이면서 파장변환 부재(130)와 접하는 면이다. 측면은 투광 부재(150)와 접하는 면이다. 실장면에는 전극패드(미도시)가 형성된다. 따라서, 엘이디(110)는 양극패드와 음극패드가 실장면 측에 형성되는 플립타입(flip type) 또는 래터럴타입(lateral chip)일 수 있다. The LED 110 has a primary surface, a side surface, and a mounting surface, and is mounted on the substrate 120 with the mounting surface facing. The main surface is a surface from which light generated in the active layer of the LED 110 mainly exits, and is a surface in contact with the wavelength conversion member 130 while being an upper surface of the LED 110 in FIG. 2 . The side surface is a surface in contact with the light transmitting member 150 . An electrode pad (not shown) is formed on the mounting surface. Accordingly, the LED 110 may be a flip type or a lateral chip in which an anode pad and a cathode pad are formed on the mounting surface.

기판(120)은 상부에 엘이디(110)가 실장되도록 공간을 제공하며, 엘이디(110)의 전극패드들과 전기적으로 연결되어 외부에 연결하기 위한 리드프레임이 형성된 리드프레임 타입으로서, 열전도율이 좋은 재료가 바람직하다. The substrate 120 provides a space for mounting the LED 110 thereon, and is a lead frame type in which a lead frame is formed to connect to the outside by being electrically connected to the electrode pads of the LED 110, and is a material having good thermal conductivity. is preferable

파장변환 부재(130)는, 엘이디(110)로부터 나오는 광을 파장 변환하기 위한 것으로서, 실리콘 접착제를 사용하여 엘이디(110)의 주면에 접착된다. 파장변환 부재(130)는 엘이디(110)의 주면으로부터 나오는 광 이외에도 엘이디(110)의 측면으로부터 나와 반사 부재(140)의 광 반사면(141)에 의해 반사된 광에 대하여도 파장 변환시킨다. 광 반사면(141)에 의해 반사된 광은 엘이디(110)의 주면 이외의 영역으로 나올 수 있으므로, 이와 같이 광 반사면(141)에 의해 반사된 광에 대한 파장 변환이 가능하도록, 도시된 바와 같이 파장변환 부재(130)의 외연은 엘이디(110)의 외연보다는 넓게 형성되는 것이 바람직하다. 여기서 엘이디(110)의 외연은 엘이디(110)의 주면의 외연을 의미한다. 파장변환 부재(130)의 외연이 엘이디(110)의 주면의 외연보다 작은 경우, 파장변환 불량으로 인해, 예컨대, 2차 광각 렌즈 투과후 색감 불량 현상이 발생하게 된다. The wavelength conversion member 130 is for converting the wavelength of light emitted from the LED 110, and is adhered to the main surface of the LED 110 using a silicone adhesive. The wavelength conversion member 130 converts the wavelength of light emitted from the side surface of the LED 110 and reflected by the light reflection surface 141 of the reflection member 140 in addition to the light emitted from the main surface of the LED 110 . Since the light reflected by the light reflection surface 141 may come out to an area other than the main surface of the LED 110, wavelength conversion of the light reflected by the light reflection surface 141 is possible, as shown. Likewise, the outer periphery of the wavelength conversion member 130 is preferably formed wider than the outer periphery of the LED 110 . Here, the outer edge of the LED 110 means the outer edge of the main surface of the LED 110 . When the outer periphery of the wavelength conversion member 130 is smaller than the outer periphery of the main surface of the LED 110, a defective color tone phenomenon occurs due to wavelength conversion failure, for example, after passing through a secondary wide-angle lens.

더 나아가, 광 반사면(141)에 의해 반사된 광의 경로를 고려할 때, 파장변환 부재(130)의 외연은 투광 부재(150)의 외연과 일치하게 형성하는 것이 가장 바람직하다. 또한, 파장변환 부재(130)로서, 예컨대, 일반적인 형광체 시트, 퀀텀닷 재료, PIG(Phosphor In Glass), PIS(Phosphor In Silicon) 및 PC(Phosphor Ceramic) 중 하나가 사용될 수 있으나, 이러한 재료로 국한되는 것은 아니다. PIG는 유리 분말을 형광체 분말과 혼합한 후 성형하여 플레이트 타입으로 제작된 것이고, PIS는 형광체 분말을 봉지재와 함께 혼합하여 수 마이크로미터 두께의 필름의 형태로 제작한 방식이며, PC는 분말 소결법으로 제작된 세라믹 플레이트 형광체이다.Furthermore, considering the path of light reflected by the light reflection surface 141, it is most preferable that the outer edge of the wavelength conversion member 130 coincides with the outer edge of the light transmitting member 150. In addition, as the wavelength conversion member 130, for example, one of a general phosphor sheet, quantum dot material, PIG (Phosphor In Glass), PIS (Phosphor In Silicon), and PC (Phosphor Ceramic) may be used, but limited to these materials it is not going to be PIG is produced in a plate type by mixing glass powder with phosphor powder and molding it, PIS is a method in which phosphor powder is mixed with an encapsulant and produced in the form of a film with a thickness of several micrometers, and PC is a powder sintering method. It is a manufactured ceramic plate phosphor.

반사 부재(140)는, 적어도 일부 구간이 엘이디(110)의 측면에 대하여 경사지도록 형성되어 엘이디(110)의 측면으로 나오는 광이 엘이디(110)의 파장 변환 부재(130)를 거쳐 파장 변환되어 나가도록 반사시키는 광 반사면(141)을 갖는다. 반사 부재(140)는 광 반사면(141)에 의한 반사가 잘 일어나도록 화이트 실리콘(white silicone) 재료로 형성될 수 있으나, 이러한 재료로 한정되지 않고 광 반사가 잘 일어나도록 하는 다양한 재료로 형성될 수 있다.The reflective member 140 is formed such that at least a portion of the section is inclined with respect to the side surface of the LED 110, so that the light emitted from the side surface of the LED 110 is wavelength-converted through the wavelength conversion member 130 of the LED 110. It has a light reflecting surface 141 that reflects so. The reflective member 140 may be formed of a white silicone material so that reflection by the light reflective surface 141 occurs well, but is not limited to this material and may be formed of various materials that allow light reflection to occur well. can

투광 부재(150)는 엘이디(110)의 측면과 반사 부재(140) 사이에서 엘이디(110)의 측면으로부터 나오는 광을 반사 부재(140)의 광 반사면(141) 측으로 투과시키며 반사 부재(140)의 광 반사면(141)에 접하는 투광면(151)을 갖는다. 즉, 반사 부재(140)의 광 반사면(141)과 투광 부재(150)의 투광면(151)은 서로 접해 있다.The light transmission member 150 transmits light emitted from the side surface of the LED 110 between the side surface of the LED 110 and the reflective member 140 toward the light reflecting surface 141 side of the reflective member 140, and the reflective member 140 It has a light-transmitting surface 151 in contact with the light reflecting surface 141 of . That is, the light reflecting surface 141 of the reflective member 140 and the light transmitting surface 151 of the light transmitting member 150 are in contact with each other.

투광 부재(150)와 투광 부재(150)에 접하는 반사 부재(140)의 구체적인 예는 도 4 내지 도 7에 도시되어 있으므로, 이 도면들을 참조하여 설명한다.Specific examples of the light transmitting member 150 and the reflective member 140 in contact with the light transmitting member 150 are shown in FIGS. 4 to 7 and will be described with reference to these drawings.

도 4는 투광 부재(150a)가 상광하협 구조이면서 투광 부재(150a)의 투광면(151a)과 엘이디(110)의 측면과의 간격이 하방으로 갈수록 좁아지도록 형성된 예이다. 도 4를 참조하면, 투광 부재(150a)의 상측의 두께가 두껍고 하방으로 갈수록 두께가 얇게 형성되어 있으며, 투광 부재(150a)의 전체 구간에서 직선면으로 형성되어 있다. 여기서 직선면은 하나의 평면을 의미하는 용어로서, 도 5에 예시된 곡선면과 구별하기 위해 사용된 용어이다. 투광 부재(150a)의 투광면(151a)과 반사 부재(140a)의 광 반사면(141a)이 서로 접해 있으므로, 반사 부재(140a)의 광 반사면(141a)도 직선면이며 하방으로 갈수록 엘이디(110)의 측면과의 간격이 가까워진다. 따라서, 엘이디(110)의 측면에서 나오는 광이 투광 부재(150a)를 통과하여 반사 부재(140a)의 광 반사면(141a)에 의해 반사된 후 파장 변환 재료(130)에 의해 파장 변환된다.FIG. 4 is an example in which the light transmitting member 150a has an upper and lower narrow structure and a distance between the light transmitting surface 151a of the light transmitting member 150a and the side surface of the LED 110 becomes narrower as it goes downward. Referring to FIG. 4 , the thickness of the upper side of the light transmitting member 150a is thicker and the thickness is thinner toward the lower side, and the entire section of the light transmitting member 150a is formed in a straight line. Here, the straight plane is a term meaning one plane, and is a term used to distinguish it from the curved plane illustrated in FIG. 5 . Since the light transmitting surface 151a of the light transmitting member 150a and the light reflecting surface 141a of the reflecting member 140a are in contact with each other, the light reflecting surface 141a of the reflecting member 140a is also a straight surface, and the LED ( 110) becomes closer to the side. Accordingly, light emitted from the side of the LED 110 passes through the light transmitting member 150a, is reflected by the light reflecting surface 141a of the reflecting member 140a, and then wavelength is converted by the wavelength conversion material 130.

도 5는 투광 부재(150b)가 상광하협 구조이면서 투광 부재(150b)의 투광면(151b)이 전체 구간에서 하방으로 볼록한 곡면인 예이다. 도 5를 참조하면, 엘이디(110)의 측면으로 나가는 광이 광 반사면(141b)에서 반사되어 파장 변환 부재(130) 측으로 진행하도록 투광 부재(150b)의 투광면(151b)과 반사 부재(140b)의 광 반사면(141b)이 모두 전체 구간에서 하방으로 볼록한 곡선면으로 형성된다. 두께면에서는, 도 4의 직선면 형상과 유사하게 투광 부재(150)의 상측의 두께가 두껍고 하방으로 갈수록 두께가 얇게 형성되어 있다. 광 반사면(141b)은 오목 거울 형상이 되므로, 엘이디(110)의 측면에서 나오는 광이 투광 부재(150b)를 통과하여 반사 부재(140b)의 광 반사면(141b)에 의해 반사된 후 파장 변환 재료(130)에 의해 파장 변환된다.FIG. 5 is an example in which the light transmitting member 150b has an upper and lower narrow structure and the light transmitting surface 151b of the light transmitting member 150b is a curved surface convex downward in the entire section. Referring to FIG. 5 , the light-transmitting surface 151b of the light-transmitting member 150b and the reflecting member 140b so that light exiting the side of the LED 110 is reflected at the light reflecting surface 141b and proceeds toward the wavelength conversion member 130. The light reflecting surface 141b of ) is formed as a downwardly convex curved surface in the entire section. In terms of thickness, similar to the shape of the straight surface of FIG. 4 , the thickness of the upper side of the light transmitting member 150 is thicker and the thickness is thinner toward the lower side. Since the light reflective surface 141b has a concave mirror shape, the light emitted from the side of the LED 110 passes through the light transmitting member 150b and is reflected by the light reflective surface 141b of the reflective member 140b, followed by wavelength conversion. Wavelength converted by material 130 .

도 4와 도 5에 예시된 실시예에서는 투광 부재(150a, 150b)의 투광면(151a, 151b)의 하단이 엘이디(110)의 측면에 접해 있으나, 이러한 형태 이외에도 도 6 또는 도 6에 예시된 실시예에서와 같이 투광면의 하단이 엘이디(110)의 측면으로부터 이격되게 형성될 수도 있다.In the embodiment illustrated in FIGS. 4 and 5, the lower ends of the light-transmitting surfaces 151a and 151b of the light-transmitting members 150a and 150b are in contact with the side surfaces of the LED 110, but in addition to these shapes, the light-transmitting surfaces 151a and 150b are in contact with the side surfaces of the LEDs 110. As in the embodiment, the lower end of the light-transmitting surface may be formed to be spaced apart from the side of the LED 110 .

도 6은 투광 부재(150c)의 투광면(151c)의 하단이 엘이디(110)의 측면으로부터 이격되게 형성되어 있으면서, 투광 부재(150c)가 상광하협 구조이고 투광 부재(150c)의 투광면(151c)과 엘이디(110)의 측면과의 간격이 하방으로 갈수록 좁아지도록 형성된 예이다. 이후 도 3을 참조하여 설명되는 발광소자 패키지 제조 방법에서와 같이, 투광면(151c)은 투광 재료를 엘이디(110)의 측면에 대하여 경사지게 커팅하여 형성하게 되므로, 도 4 또는 도 5에 도시된 예에서와 같이 투광면(151c)이 엘이디(110)의 측면의 하단에 접하게 커팅하는 경우에는 커팅시 엘이디(110)의 측면의 하단이 손상될 위험성이 있으므로, 도 6의 예와 같이 투광면(151c)의 하단이 엘이디(110)의 측면으로부터 이격되게 형성함으로써 엘이디(110)의 측면 하단의 손상 위험성을 제거할 수 있다. 투광 부재(150c)의 상측의 두께가 두껍고 하방으로 갈수록 얇게 형성되어 있으며, 투광 부재(150c)의 전체 구간에서 직선면으로 형성되어 있다. 투광 부재(150c)의 투광면(151c)과 반사 부재(140c)의 광 반사면(141c)이 서로 접해 있으므로, 반사 부재(140c)의 광 반사면(141c)도 직선면이며 하방으로 갈수록 엘이디(110)의 측면과의 간격이 가까워진다. 뿐만 아니라, 투광 부재(150c)의 투광면(151c)가 엘이디(110)의 측면으로부터 이격되어 있으므로, 반사 부재(140c)의 광 반사면(141c)도 또한 엘이디(110)의 측면으로부터 이격되어 있다. 이러한 형상으로 형성됨으로써, 엘이디(110)의 측면에서 나오는 광은 투광 부재(150c)를 통과하여 반사 부재(140c)의 광 반사면(141c)에 의해 반사된 후 파장 변환 재료(130)에 의해 파장 변환된다.6 shows that the lower end of the light-transmitting surface 151c of the light-transmitting member 150c is formed to be spaced apart from the side surface of the LED 110, the light-transmitting member 150c has an upper light-transmitting structure, and the light-transmitting surface 151c of the light-transmitting member 150c. ) and the side surface of the LED 110 is an example formed so as to narrow as it goes downward. As in the manufacturing method of the light emitting device package described later with reference to FIG. 3 , since the light transmitting surface 151c is formed by cutting the light transmitting material obliquely with respect to the side of the LED 110, the example shown in FIG. 4 or 5 As in, when the light transmitting surface 151c is cut in contact with the lower end of the side of the LED 110, there is a risk of damaging the lower end of the side of the LED 110 during cutting, so as in the example of FIG. 6, the light transmitting surface 151c ) By forming the lower end of the LED 110 to be spaced apart from the side of the LED 110, it is possible to eliminate the risk of damage to the lower end of the side of the LED 110. The thickness of the upper side of the light transmitting member 150c is thicker and thinner toward the lower side, and the entire section of the light transmitting member 150c is formed in a straight line. Since the light transmitting surface 151c of the light transmitting member 150c and the light reflecting surface 141c of the reflecting member 140c are in contact with each other, the light reflecting surface 141c of the reflecting member 140c is also a straight surface, and the LED ( 110) becomes closer to the side. In addition, since the light transmitting surface 151c of the light transmitting member 150c is spaced apart from the side surface of the LED 110, the light reflecting surface 141c of the reflective member 140c is also spaced apart from the side surface of the LED 110. . By being formed in such a shape, the light emitted from the side of the LED 110 passes through the light transmitting member 150c, is reflected by the light reflecting surface 141c of the reflecting member 140c, and then is converted to a wavelength by the wavelength conversion material 130. is converted

도 7은 투광 부재(150d)의 투광면(151d)의 일부 구간이 엘이디(110)의 측면에 대하여 경사지게 형성된 예이다. 즉, 투광 부재의 투광면 및 이와 접해 있는 반사 부재의 광 반사면이 전체 구간에서 직선면 또는 곡면으로 경사지게 형성된 도 4, 도 5 및 도 6의 예와는 달리, 도 7의 경우, 투광 부재(150d)의 투광면(151d)의 일부 구간이 엘이디(110)의 측면에 대하여 경사지게 형성되어 있다. 또한, 반사 부재(140)의 광 반사면(141d)이 투광 부재(150d)의 투광면(151d)과 접해 있으므로, 반사 부재(140c)의 광 반사면(141d)의 일부 구간도 엘이디(110)의 측면에 대하여 경사지게 형성된다. 광 반사면(141d) 및 투광면(151d)을 도 7과 같이 형성하는 경우에는, 엘이디(110)의 측면에서 손실되는 광이 다소 있을 수는 있으나, 광 반사면(141d)에 의해 반사된 광이 파장변환 부재(130)에 의해 파장 변환될 수 있도록 한다.7 is an example in which a portion of the light-transmitting surface 151d of the light-transmitting member 150d is inclined with respect to the side surface of the LED 110 . That is, unlike the examples of FIGS. 4, 5, and 6 in which the light-transmitting surface of the light-transmitting member and the light reflecting surface of the reflective member adjacent to the light-transmitting surface are formed to be inclined in a straight or curved surface in the entire section, in the case of FIG. 7, the light-transmitting member ( A portion of the light-transmitting surface 151d of 150d) is inclined with respect to the side of the LED 110. In addition, since the light reflective surface 141d of the reflective member 140 is in contact with the light reflective surface 151d of the light reflective member 150d, a portion of the light reflective surface 141d of the reflective member 140c is also the LED 110. It is formed obliquely with respect to the side of. When the light reflecting surface 141d and the light transmitting surface 151d are formed as shown in FIG. 7, some light may be lost from the side of the LED 110, but the light reflected by the light reflecting surface 141d The wavelength can be converted by the wavelength conversion member 130 .

다음으로, 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법에 관하여 설명한다. 여기서도 마찬가지로, 발광소자로서 엘이디(110)를 예로 들어 설명한다.Next, a method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3 . Likewise, the LED 110 as a light emitting element will be described as an example.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법은, 우선, 복수 개의 엘이디들(110)을 시트(50) 상에 배열하는 단계(도 3의 (a))로부터 시작된다. 시트(50)로서, 투명 시트가 사용될 수 있다. 복수 개의 엘이디들(110)은 시트(50) 상에 소정의 간격으로 배열되며, 엘이디들(110) 각각의 일면이 시트(50)에 접착되어 유지된다. 따라서, 예를 들어, 엘이디들(110)이 플립 타입 또는 래터럴 타입인 경우, 엘이디들(110) 각각의 전극패드(미도시)의 오염을 방지하기 위해, 전극패드가 위로 향하도록, 즉 전극패드가 형성되지 않은 면이 접착되도록 배열하는 것이 바람직하지만, 전극패드가 형성된 면이 접착되도록 배열하여도 무방하다.A method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention first starts with arranging a plurality of LEDs 110 on a sheet 50 (FIG. 3(a)). As the sheet 50, a transparent sheet may be used. The plurality of LEDs 110 are arranged at predetermined intervals on the sheet 50, and one surface of each of the LEDs 110 is adhered to and maintained on the sheet 50. Therefore, for example, when the LEDs 110 are of a flip type or a lateral type, in order to prevent contamination of the electrode pads (not shown) of each of the LEDs 110, the electrode pads face upward, that is, the electrode pads. It is preferable to arrange so that the surface on which the electrode pad is not formed is bonded, but it may be arranged so that the surface on which the electrode pad is formed is bonded.

그런 다음, 투광 부재(도 2의 150)를 형성하기 위해, 시트(50) 상에 배열된 엘이디들(110) 사이에 투광 재료를 충전한다((b)). 엘이디들(110) 사이에 충전된 투광 재료가 커팅에 의해 결국 발광소자 패키지의 투광 부재(도 2의 150)가 되므로 도 3에서는 투광 재료를 도 2의 투광 부재와 동일한 참조부호 150으로 기재하였다. 투광 재료(150)를 엘이디들(110) 사이에 충전하는 방법으로는, 디스펜싱(dispensing)이나 스퀴징(squeezing) 방법이 사용될 수 있으나, 이러한 방법으로 한정되는 것은 아니다.Then, in order to form the light transmitting member ( 150 in FIG. 2 ), a light transmitting material is filled between the LEDs 110 arranged on the sheet 50 ((b)). Since the light-transmitting material filled between the LEDs 110 eventually becomes a light-transmitting member (150 in FIG. 2 ) of the light emitting device package by cutting, the light-transmitting material is denoted by the same reference numeral 150 as the light-transmitting member of FIG. 2 in FIG. 3 . As a method of filling the light transmitting material 150 between the LEDs 110, a dispensing or squeezing method may be used, but is not limited thereto.

그런 다음, 투광 재료(150)를 경화킨 후, 복수 개의 1차 엘이디 유닛들(FLU)을 형성하는 단계((c))가 진행된다. 여기서의 1차 엘이디 유닛들(FLU)은 단지 엘이디 유닛들로도 일컬어진다. 1차 엘이디 유닛들(FLU)은, (c)에 도시된 바와 같이, 엘이디들(110) 각각을 기준으로 하여, 엘이디들(110) 각각의 측면을 둘러싸도록 투광 재료(150)를 하방으로 커팅하되, 커팅된 투광 재료(커팅되는 면은 최종 발광소자 패키지에서 투광면(도 2의 151 참조)이 됨)가 중앙에 위치한 엘이디들(110) 각각에 대하여 적어도 일부 구간이 경사지도록 커팅함으로써 형성된다. 참조부호 CL1은 커팅하는 선의 일 예이다. 따라서, 1차 엘이디 유닛들(FLU) 각각은 하나의 엘이디(110)와 투광 부재(150)를 가지며, 투광 부재(150)는 투광면(151)을 갖는다(도 2 참조). 투광 재료(150)를 커팅함에 있어서의 경사 각도(도 2의 d)(일부 구간이 경사지도록 커팅된 경우에는 그 일부 구간의 경사 각도)는 0°＜ d＜ 90°의 범위일 수 있다. 예컨대, 투광면(151)이 직선면인 경우(도 4 또는 도 6 또는 도 7 참조), 투광면(151)은 0°＜d ＜90°범위 내 임의의 각도를 갖도록 경사지게 커팅되어 형성될 수 있다. 투광면(151)이 곡면인 경우(도 5 참조), 경사 각도(d)는 곡면인 투광면 상의 임의의 점에서의 접선과 엘이디(110)의 측면이 이루는 각으로 정의되며, 투광면(151)은 0°＜d ＜90°범위 내에 있도록 커팅되어 형성될 수 있다. 뿐만 아니라, 도면으로 구체화하지는 않았으나, 투광면(151)은 여러 개의 직선면들이 연속된 형태가 되도록 커팅되어 형성될 수도 있다. 또한, 1차 엘이디 유닛들(FLU) 각각에 있어서 투광 재료(150)의 경사지도록 커팅된 구간(전체 구간인 경우, 투광면 전체)과 엘이디(110)의 측면과의 간격은 하방으로 갈수록 좁아지게 형성된다.Then, after curing the light-transmitting material 150, a step (c) of forming a plurality of primary LED units FLU is performed. The primary LED units (FLU) here are also referred to simply as LED units. As shown in (c), the primary LED units FLU cut the light-transmitting material 150 downward to surround the side surfaces of each of the LEDs 110 based on each of the LEDs 110 However, the cut light-transmitting material (the cut surface becomes the light-transmitting surface (see 151 in FIG. 2) in the final light emitting device package) is formed by cutting so that at least a part of the section is inclined with respect to each of the LEDs 110 located in the center. . Reference numeral CL1 is an example of a cutting line. Accordingly, each of the primary LED units FLU has one LED 110 and a light transmitting member 150, and the light transmitting member 150 has a light transmitting surface 151 (see FIG. 2). An inclination angle (d in FIG. 2 ) in cutting the light-transmitting material 150 (when a partial section is cut to be inclined, the inclination angle of the partial section) may be in the range of 0°<d<90°. For example, when the light-transmitting surface 151 is a straight surface (see FIG. 4 or 6 or 7), the light-transmitting surface 151 may be formed by being inclined to have an angle within the range of 0°<d<90°. have. When the light-transmitting surface 151 is a curved surface (see FIG. 5), the inclination angle d is defined as an angle between a tangent at an arbitrary point on the curved light-transmitting surface and the side surface of the LED 110, and the light-transmitting surface 151 ) may be formed by cutting to be within the range of 0°<d<90°. In addition, although not specified in the drawings, the light-transmitting surface 151 may be formed by cutting several straight surfaces into a continuous form. In addition, in each of the primary LED units (FLU), the distance between the inclined section of the light-transmitting material 150 (in the case of the entire section, the entire light-transmitting surface) and the side surface of the LED 110 becomes narrower as it goes downward. is formed

그런 다음, (c) 단계에서 경사지게 커팅되어 형성된 1차 엘이디 유닛들(FLU)을 기판(120) 상에 실장하여 재배열한다((d)). 기판(120) 상에 1차 엘이디 유닛들(FLU)을 실장하는 공정은 1차 엘이디 유닛들(FLU) 내의 엘이디에 형성된 전극패드(미도시)가 기판(120) 상의 해당영역(엘이디들 각각이 실장되는 영역)에 다이본딩되는 방식으로 진행된다. 기판(120)은, 예를 들어, 열전도율이 높은 재료인 세라믹 기판일 수 있다. 또한, 1차 엘이디 유닛들(FLU) 각각을 시트(50)로부터 분리하여 개별적으로 기판(120) 상에 실장함에 있어서, (d)에 도시된 바와 같이 시트(50)와 접착되어 있던 부분이 위로 향하도록 하여 기판(120) 상에 실장하게 된다. 즉, (a)에서 엘이디들(110) 각각의 전극패드가 형성되지 않은 면이 시트(50) 측에 접착되는 경우, 커팅하여 1차 엘이디 유닛들(FLU)을 형성한 후 기판(120) 상에 실장함에 있어서는 뒤집어서 실장하게 된다. 이와는 다르게, 전극패드가 형성된 면이 시트(50)에 접착되는 경우에는, (c)에서 1차 엘이디 유닛들(FLU)을 분리한 후 뒤집지 않고 그대로 기판(120) 상에 실장할 수도 있다.Then, in step (c), the primary LED units FLU formed by being cut obliquely are mounted on the substrate 120 and rearranged ((d)). In the process of mounting the primary LED units FLU on the substrate 120, the electrode pads (not shown) formed on the LEDs in the primary LED units FLU are applied to corresponding areas (each of the LEDs) on the substrate 120. area to be mounted) in a manner of die bonding. The substrate 120 may be, for example, a ceramic substrate that is a material with high thermal conductivity. In addition, in separating each of the primary LED units (FLU) from the sheet 50 and individually mounting them on the substrate 120, as shown in (d), the portion adhered to the sheet 50 is upward. It is mounted on the board 120 by facing it. That is, in (a), when the surface of each of the LEDs 110 on which the electrode pads are not formed is adhered to the sheet 50 side, the first LED units FLU are formed by cutting and then placed on the substrate 120. When mounting, it is mounted upside down. Alternatively, when the surface on which the electrode pads are formed is adhered to the sheet 50, the primary LED units FLU may be separated from (c) and mounted on the substrate 120 as they are without turning them over.

도 3의 (d)에서는 하나의 1차 엘이디 유닛(FLU)에 대하여만 확대하여 도시하였다. 기판(120)은 엘이디(110)의 전극패드들(미도시)과 전기적으로 연결되어 외부에 연결하기 위한 리드프레임(미도시)이 형성된 리드프레임 타입으로서, 열전도율이 좋은 재료가 바람직하다. In (d) of FIG. 3, only one primary LED unit (FLU) is shown enlarged. The substrate 120 is a lead frame type in which a lead frame (not shown) for external connection is electrically connected to electrode pads (not shown) of the LED 110, and a material having good thermal conductivity is preferable.

그런 다음, 기판(120) 상에 실장하여 재배열한 1차 엘이디 유닛들(FLU) 각각에 파장변환 부재(130)를 부착한다((e)). 예컨대, 파장변환 부재(130)는 실리콘 접착제를 사용하여 엘이디(110)의 주면에 접착된다. 파장변환 부재(130)로서, 예컨대, 일반적인 형광체 시트, 퀀텀닷 재료, PIG(Phosphor In Glass), PIS(Phosphor In Silicon) 및 PC(Phosphor Ceramic) 중 하나가 사용될 수 있으나, 이러한 예로 국한되는 것은 아니다. 엘이디(110)의 주면에서 나오는 광에 대하여 뿐만 아니라 엘이디(110)의 측면으로 나간 후 광 반사면에 의해 반사된 광에 대하여도 파장 변환을 수행하여야 하므로, 1차 엘이디 유닛들(FLU) 각각에서 파장변환 부재(130)의 외연은 엘이디(110)의 외연보다 넓게 형성되는 것이 바람직하다. 더 나아가, 광 반사면(141)에 의해 반사된 광의 경로를 고려할 때, 파장변환 부재(130)의 외연은 투광 부재(150)의 외연과 일치하게 형성하는 것이 가장 바람직하다.Then, the wavelength conversion member 130 is attached to each of the rearranged primary LED units FLU mounted on the substrate 120 ((e)). For example, the wavelength conversion member 130 is attached to the main surface of the LED 110 using a silicone adhesive. As the wavelength conversion member 130, for example, one of a general phosphor sheet, quantum dot material, PIG (Phosphor In Glass), PIS (Phosphor In Silicon), and PC (Phosphor Ceramic) may be used, but is not limited to this example. . Since wavelength conversion must be performed not only for the light emitted from the main surface of the LED 110 but also for the light reflected by the light reflecting surface after going to the side surface of the LED 110, each of the primary LED units FLU The outer periphery of the wavelength conversion member 130 is preferably formed wider than the outer periphery of the LED 110 . Furthermore, considering the path of light reflected by the light reflection surface 141, it is most preferable that the outer edge of the wavelength conversion member 130 coincides with the outer edge of the light transmitting member 150.

그런 다음, 반사 부재(도 2의 140)를 형성하기 위해, 파장변환 부재(130)가 부착된 1차 엘이디 유닛들(FLU) 사이에 반사 재료를 충전한다((f)). 충전되는 반사 재료가 1차 엘이디 유닛들(FLU) 각각을 중심으로 하여 적절한 크기로 커팅되어 최종적으로 반사 부재(140)가 되므로, 편의상 도 3의 (f)에서 반사 재료에 대하여도 참조부호 140으로 표시하였다. 반사 재료(140)를 1차 엘이디 유닛들(FLU) 사이에 충전하는 방법으로, 디스펜싱(dispensing)이나 스퀴징(squeezing) 방법이 사용될 수 있으나, 이러한 방법으로 한정되는 것은 아니다. 반사 부재로서는 화이트 실리콘(white silicone)이 사용될 수 있으나, 이러한 재료로 한정되는 것은 아니다.Then, in order to form a reflective member ( 140 in FIG. 2 ), a reflective material is filled between the primary LED units FLU to which the wavelength conversion member 130 is attached ((f)). Since the charged reflective material is cut to an appropriate size centering on each of the primary LED units (FLU) and finally becomes the reflective member 140, reference numeral 140 also applies to the reflective material in FIG. 3(f) for convenience. indicated. As a method of filling the reflective material 140 between the primary LED units FLU, a dispensing or squeezing method may be used, but is not limited thereto. White silicone may be used as the reflective member, but is not limited to this material.

그런 다음, 도 3의 (f)에 도시된 바와 같이, 파장변환 부재(130)가 부착된 1차 엘이디 유닛들(FLU) 각각을 반사 재료(150)가 더 둘러싸도록, 커팅 라인(CL2)을 따라 커팅하여, 복수 개의 2차 엘이디 유닛들(SLU)을 형성한다. 2차 엘이디 유닛들(SLU)은 본 발명의 발광소자 패키지 제조 방법에 의해 제조되는 결과물인 발광소자 패키지들이다. 결과적으로, 2차 엘이디 유닛들(SLU), 즉 발광소자 패키지들 각각은, 하나의 엘이디(110), 투광 부재(140), 파장변환 부재(130) 및 반사 부재(140)를 갖도록 형성된다.Then, as shown in (f) of FIG. 3 , the cutting line CL2 is cut so that the reflective material 150 further surrounds each of the primary LED units FLU to which the wavelength conversion member 130 is attached. By cutting along, a plurality of secondary LED units (SLU) are formed. The secondary LED units (SLU) are light emitting device packages that are the resultant products manufactured by the method of manufacturing a light emitting device package according to the present invention. As a result, each of the secondary LED units (SLU), that is, the light emitting device packages, is formed to have one LED 110, a light transmitting member 140, a wavelength conversion member 130, and a reflective member 140.

110 : 발광소자
120 : 기판
130 : 파장변환 재료
140 : 반사 부재, 반사 재료
141 : 반사면
150 : 투광 부재, 투광 재료
151 : 투광면110: light emitting element
120: substrate
130: wavelength conversion material
140: reflective member, reflective material
141: reflective surface
150: light transmitting member, light transmitting material
151: light transmission surface

Claims (20)

복수 개의 발광소자들을 시트 상에 배열하는 단계;
투광 부재를 형성하기 위해, 상기 시트 상에 배열된 상기 발광소자들 사이에 투광 재료를 충전하는 단계;
상기 투광 재료의 경화 후, 상기 발광소자들 각각을 기준으로 하여 상기 투광 재료를 경사지도록 커팅하는 사선 컷팅 단계에 의하여, 각각이 하나의 발광소자와 투광 부재를 포함하는 발광소자 유닛들을 복수개 형성하는 단계;
상기 발광소자 유닛들을 개별적으로 상기 시트로부터 분리하여 기판 상에 실장하여 배열하는 단계;
상기 기판 상에 실장하여 배열한 상기 발광소자 유닛들 각각에 파장변환 부재를 부착하는 단계;
반사 부재를 형성하기 위해, 상기 파장변환 부재가 부착된 상기 발광소자 유닛들 사이에 반사 재료를 충전하는 단계; 및
상기 파장변환 부재가 부착된 상기 발광소자 유닛들 각각을 상기 반사 재료가 둘러싸도록 수직으로 커팅함으로써 발광소자 패키지들을 형성하는, 수직 컷팅 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지 제조 방법.arranging a plurality of light emitting devices on a sheet;
filling a light-transmitting material between the light emitting elements arranged on the sheet to form a light-transmitting member;
After curing the light-transmitting material, forming a plurality of light-emitting device units each including one light-emitting device and a light-transmitting member by an oblique cutting step of cutting the light-transmitting material so as to be inclined with respect to each of the light-emitting devices. ;
individually separating the light emitting element units from the sheet and mounting and arranging them on a substrate;
attaching a wavelength conversion member to each of the light emitting device units mounted and arranged on the substrate;
filling a reflective material between the light emitting element units to which the wavelength conversion member is attached to form a reflective member; and
and a vertical cutting step of forming light emitting device packages by vertically cutting each of the light emitting device units to which the wavelength conversion member is attached so as to surround the reflective material. 삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 사선 컷팅 단계에서 상기 투광 재료의 경사지도록 커팅된 구간의 단면은 직선면이 되도록 커팅하는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지 제조 방법.The method of manufacturing a light emitting device package according to claim 1 , wherein, in the oblique cutting step, the cross section of the light transmitting material is cut to be a straight line. 청구항 3에 있어서, 상기 발광소자 유닛들 각각에서 상기 투광 재료의 경사지도록 커팅된 구간과 상기 발광소자의 측면과의 간격은 하방으로 갈수록 좁아지는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지 제조 방법.The method of manufacturing a light emitting device package according to claim 3 , wherein in each of the light emitting device units, a distance between the obliquely cut section of the light transmitting material and the side surface of the light emitting device becomes narrower as it goes downward. 청구항 1에 있어서, 상기 사선 컷팅 단계에서 상기 투광 재료의 경사지도록 커팅된 구간의 단면은 하방으로 볼록한 곡면이 되도록 커팅하는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지 제조 방법.The method of manufacturing a light emitting device package according to claim 1 , wherein, in the oblique cutting step, the cross section of the light transmitting material is cut to be a downwardly convex curved surface. 청구항 1에 있어서, 상기 사선 컷팅 단계에서, 상기 투광 재료의 전체 구간에서 경사지도록 커팅하는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지 제조 방법.The method of manufacturing a light emitting device package according to claim 1, wherein, in the oblique cutting step, the entire section of the light transmitting material is cut to be inclined. 청구항 6에 있어서, 상기 발광소자 유닛들 각각에서, 상기 투광 재료와 상기 발광소자의 측면과의 간격은 하방으로 갈수록 좁아지는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지 제조 방법.The method of manufacturing a light emitting device package according to claim 6 , wherein in each of the light emitting device units, a distance between the light transmitting material and the side surface of the light emitting device decreases downwardly. 청구항 1에 있어서, 상기 사선 컷팅 단계에서, 상기 투광 재료의 전체 구간에서 하방으로 볼록한 곡면이 되도록 커팅하는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지 제조 방법.The method of manufacturing a light emitting device package according to claim 1 , wherein, in the oblique cutting step, the entire section of the light-transmitting material is cut so as to be a downwardly convex curved surface. 청구항 7에 있어서, 상기 사선 컷팅 단계에서, 상기 투광 재료의 하단은 상기 발광소자의 측면으로부터 이격되게 커팅하는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지 제조 방법.The method of manufacturing a light emitting device package according to claim 7 , wherein, in the oblique cutting step, the lower end of the light transmitting material is cut away from the side surface of the light emitting device. 청구항 1에 있어서, 상기 발광소자 패키지들 각각에서, 상기 파장변환 부재의 외연은 상기 발광소자의 외연보다 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지 제조 방법.The method of claim 1 , wherein, in each of the light emitting device packages, an outer edge of the wavelength conversion member is formed wider than an outer edge of the light emitting device. 청구항 1에 있어서, 상기 반사 부재는 화이트 실리콘(white silicone) 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지 제조 방법.The method of claim 1 , wherein the reflective member is formed of a white silicone material. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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