KR102470033B1 - 덴드라이트형 금속입자를 포함하는 소자실장소결접합재 및 반도체 소자 패키지 - Google Patents
덴드라이트형 금속입자를 포함하는 소자실장소결접합재 및 반도체 소자 패키지 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102470033B1 KR102470033B1 KR1020200179660A KR20200179660A KR102470033B1 KR 102470033 B1 KR102470033 B1 KR 102470033B1 KR 1020200179660 A KR1020200179660 A KR 1020200179660A KR 20200179660 A KR20200179660 A KR 20200179660A KR 102470033 B1 KR102470033 B1 KR 102470033B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- metal particles
- dendrite
- semiconductor device
- type metal
- substrate
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
소결 후 치밀한 접합부 형성이 가능하여 신뢰성이 향상된 우수한 반도체 패키지 제조가 가능한 덴드라이트형 금속입자를 포함하는 소자실장소결접합재 및 반도체 소자 패키지가 제안된다. 본 소자실장소결접합재는 소자를 기판에 소결접합시키기 위한 소자실장소결접합재로서, 일방향으로 긴 입자의 줄기에 측면으로 가지가 뻗어있는 형상의 덴드라이트형 금속입자; 구형 금속입자; 및 바인더;를 포함한다.
Description
본 발명은 덴드라이트형 금속입자를 포함하는 소자실장소결접합재 및 반도체 소자 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 소결 후 치밀한 접합부 형성이 가능하여 신뢰성이 향상된 우수한 반도체 패키지 제조가 가능한 덴드라이트형 금속입자를 포함하는 소자실장소결접합재 및 반도체 소자 패키지에 관한 것이다.
최근 전자산업은 전자기기의 소형화, 박형화를 위해 부품 실장시 고밀도화, 고집적화가 가능한 반도체 패키지 기판을 이용한 실장기술이 요구되고 있다. 이러한 부품의 고밀도화, 고집적화 추세에 있어, 반도체 패키지 기판 제조의 정확성 및 완전성이 요구되며, 특히 반도체칩과 기판 간의 접합 신뢰성은 매우 중요한 요인이 되고 있다.
아울러, 스마트폰이나 MP3 등 휴대용 멀티미디어 기기가 보급화됨에 따라, 사용되는 반도체 패키지 기판의 경우 외부충격에 대한 안전성의 요구가 점차 커지고 있다.
도 1은 종래 반도체 소자 패키지의 단면도이고, 도 2는 반도체 소자 및 기판 사이의 소자실장소결접합재의 단면광학이미지이다. 종래의 반도체 소자 패키지(10) 제조시, 반도체 소자(12)를 기판(11)에 접합시키기 위한 소자실장소결접합재는 원형의 금속분말(14)을 페이스트 형태로 접합층(13)으로 형성한 후, 가열하여 소결접합(Sintering bonding)을 유도하는 방식을 사용하였다.
그러나, 소자실장소결접합재 내의 원형분말 간에는 빈 공간이 발생하므로, 소결 후 치밀하지 못한 조직을 유도하여 접합성능이 낮고, 충격시 균열발생이 용이한 구조이므로 반도체 소자 패키지의 신뢰성에 악영향을 미친다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 소결 후 치밀한 접합부 형성이 가능하여 신뢰성이 향상된 우수한 반도체 패키지 제조가 가능한 덴드라이트형 금속입자를 포함하는 소자실장소결접합재 및 반도체 소자 패키지를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 소자실장소결접합재는 소자를 기판에 소결접합시키기 위한 소자실장소결접합재로서, 일방향으로 긴 입자의 줄기에 측면으로 가지가 뻗어있는 형상의 덴드라이트형 금속입자; 구형 금속입자; 및 바인더;를 포함한다.
소자실장소결접합재의 소결 후의 공극률은 구형 금속입자 및 바인더를 포함하는 소자실장접합재의 소결 후의 공극률보다 작을 수 있다.
구형 금속입자는 덴드라이트형 금속입자의 가지 사이에 채워지는 것일 수 있다.
바인더는 셀룰로오스계 수지, 폴리 염화비닐수지, 공중합 수지, 폴리비닐알코올계 수지, 폴리비닐피롤리돈계 수지, 아크릴 수지, 아세트산비닐-아크릴산에스테르 공중합 수지, 부티랄 수지, 알키드 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 로진에스테르 수지, 폴리에스테르 수지, 실리콘 수지 및 히드록실기, 카르복실기, 아민계, 티올계 화합물을 포함하는 단분자 화함물 또는 고분자 화합물 중 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판; 및 기판 상에 실장된 반도체 소자를 포함하고, 반도체 소자는 기판 상에, 일방향으로 긴 입자의 줄기에 측면으로 가지가 뻗어있는 형상의 덴드라이트형 금속입자, 구형 금속입자 및 바인더를 포함하는 소자실장소결접합재가 소결되어 접합된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지가 제공된다.
덴드라이트형 금속입자는 줄기의 말단이 반도체 소자 표면 또는 기판 표면에 위치하여, 반도체 소자 및 기판과의 접합성능을 향상시킬 수 있다.
기판은 표면에 덴드라이트형 금속입자의 줄기 말단 형상의 요철을 포함할 수 있다.
기판은 표면에 덴드라이트형 금속입자의 가지 말단 형상의 요철을 포함할 수 있다.
소자실장소결접합재층은 1㎛ 내지 1,000㎛일 수 있다.
본 발명의 또다른 측면에 따르면, 기판 상에, 일방향으로 긴 입자의 줄기에 측면으로 가지가 뻗어있는 형상의 덴드라이트형 금속입자, 구형 금속입자 및 바인더를 포함하는 소자실장소결접합재층을 형성하는 단계; 소자를 실장시킬 영역에 위치시키는 단계; 및 소자가 위치한 기판을 소결시키는 단계;를 포함하는 반도체 소자실장방법이 제공된다.
본 발명의 또다른 측면에 따르면, 소자를 기판에 소결접합시키기 위한 소자실장소결접합재로서, 일방향으로 긴 입자의 줄기에 측면으로 가지가 뻗어있는 형상의 덴드라이트형 금속입자; 및 바인더;를 포함하고, 2이상의 덴드라이트형 금속입자는 제1덴드라이트형 금속입자의 가지가 제2덴드라이트형 금속입자의 가지와 얽혀 소결 후 접합성능이 향상되는 것을 특징으로 하는 소자실장소결접합재가 제공된다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 소자실장소결접합재에 구형 금속입자 이외에 덴드라이트형 금속입자를 사용하여 덴드라이트형 금속입자 가지 사이에 구형 금속입자를 분포시켜 치밀한 조직의 접합층 형성이 가능하므로 반도체 소자의 기판과의 접합성능을 향상시켜 균열발생을 억제된 고신뢰성을 갖는 반도체 패키지 제조가 가능한 효과가 있다.
본 발명에 따라 접합성능이 향상된 소자는 일반 메모리 소자나 로직 IC칩과 같은 초미세피치 IC 접합이나 고전력을 요구하는 파워 반도체 접합 및 일반 반도체 패키지의 보드 실장까지 포함하여 접합공정이 진행되는 모든 영역에 적용가능하다.
도 1은 종래 반도체 소자 패키지의 단면도이고, 도 2는 반도체 소자 및 기판 사이의 소자실장소결접합재의 단면광학이미지이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 패키지의 단면도이고, 도 4a는 구형 금속입자만으로 구성된 소자실장소결접합재의 분말간 접합면을 도시한 도면이고, 도 4b는 덴드라이트형 금속입자 및 구형 금속입자를 포함하는 소자실장소결접합재의 분말간 접합면을 도시한 도면이다.
도 5는 구형 금속입자의 광학이미지이고, 도 6은 덴드라이트형 금속입자의 광학이미지이며, 도 7a는 덴드라이트형 금속입자 및 구형 금속입자를 포함하는 소자실장소결접합재의 광학이미지이고, 도 7b는 도 7a의 확대도이며, 도 7c는 페이스트 형태의 소자실장소결접합재의 이미지이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 소자실장소결접합재의 소결 후 균열이 전파되는 경향을 도시한 도면이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 반도체 소자 패키지에서 요철에 형성된 기판 및 기판의 요철에 덴드라이트형 금속입자가 체결된 것을 도시한 도면들이다.
도 11은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 반도체 소자 패키지의 단면광학이미지이고, 도 12a는 도 11에 표시된 영역의 확대이미지이고, 도 12b는 도 12a에 표시된 영역의 확대이미지이며, 도 13은 도 11의 반도체 소자-소자실장소결접합재층-기판의 확대이미지이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 패키지의 단면도이고, 도 4a는 구형 금속입자만으로 구성된 소자실장소결접합재의 분말간 접합면을 도시한 도면이고, 도 4b는 덴드라이트형 금속입자 및 구형 금속입자를 포함하는 소자실장소결접합재의 분말간 접합면을 도시한 도면이다.
도 5는 구형 금속입자의 광학이미지이고, 도 6은 덴드라이트형 금속입자의 광학이미지이며, 도 7a는 덴드라이트형 금속입자 및 구형 금속입자를 포함하는 소자실장소결접합재의 광학이미지이고, 도 7b는 도 7a의 확대도이며, 도 7c는 페이스트 형태의 소자실장소결접합재의 이미지이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 소자실장소결접합재의 소결 후 균열이 전파되는 경향을 도시한 도면이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 반도체 소자 패키지에서 요철에 형성된 기판 및 기판의 요철에 덴드라이트형 금속입자가 체결된 것을 도시한 도면들이다.
도 11은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 반도체 소자 패키지의 단면광학이미지이고, 도 12a는 도 11에 표시된 영역의 확대이미지이고, 도 12b는 도 12a에 표시된 영역의 확대이미지이며, 도 13은 도 11의 반도체 소자-소자실장소결접합재층-기판의 확대이미지이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 특정 패턴을 갖도록 도시되거나 소정두께를 갖는 구성요소가 있을 수 있으나, 이는 설명 또는 구별의 편의를 위한 것이므로 특정패턴 및 소정두께를 갖는다고 하여도 본 발명이 도시된 구성요소에 대한 특징만으로 한정되는 것은 아니다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 패키지의 단면도이고, 도 4a는 구형 금속입자만으로 구성된 소자실장소결접합재의 분말간 접합면을 도시한 도면이고, 도 4b는 덴드라이트형 금속입자 및 구형 금속입자를 포함하는 소자실장소결접합재의 분말간 접합면을 도시한 도면이다.
본 발명에 따른 소자실장소결접합재는 소자를 기판에 소결접합시키기 위한 소자실장소결접합재로서, 일방향으로 긴 입자의 줄기에 측면으로 가지가 뻗어있는 형상의 덴드라이트형 금속입자; 구형 금속입자; 및 바인더;를 포함한다. 본 발명에 따른 소자실장소결접합재는 반도체 소자(120)를 기판(110)에 접합하여 실장하기 위한 접합재로서, 구형 금속입자(131) 및 덴드라이트형 금속입자(132)를 포함한다.
덴드라이트형 금속입자(132)는 일방향으로 긴 입자의 줄기에 측면으로 가지가 뻗어있는 형상을 갖는다. 덴드라이트는 금속결정제조시 금속이 용융된 용액에서 금속핵 생성 후에 줄기형상으로 뻗어나가면서 줄기에서 가지가 자라 나뭇가지 형상으로 생성되는 금속결정이다.
도 4a와 같이 구형 금속입자(131)만 포함하는 경우, 구형의 특성상 입자간의 접촉면적이 매우 적고 공극률이 크다. 그러나, 도 4b에서와 같이 구형 금속입자(131) 및 덴드라이트형 금속입자(132)를 포함하는 경우, 덴드라이트형 금속입자(132)의 가지 사이에 구형 금속입자(131)가 채워져 입자가 접촉면적이 크고, 공극률이 작다. 따라서, 소자실장소결접합재를 소결하면, 소결 후의 공극률은 구형 금속입자 및 바인더를 포함하는 소자실장접합재, 즉 덴드라이트형 금속입자를 포함하지 않는 소자실장소결접합재의 소결 후의 공극률보다 작을 수 있다.
본 발명에 따른 소자실장소결접합재를 이용한 반도체 소자 패키지(100)는 기판(110); 및 기판(110)상에 실장된 반도체 소자(120)를 포함하고, 반도체 소자(120)는 기판(110) 상에, 일방향으로 긴 입자의 줄기에 측면으로 가지가 뻗어있는 형상의 덴드라이트형 금속입자(132), 구형 금속입자(131) 및 바인더를 포함하는 소자실장소결접합재가 소결되어 접합된다. 소자실장소결접합재가 소결되어 형성된 소자실장소결접합재층(130)은 1㎛ 내지 1,000㎛일 수 있다.
도 5는 구형 금속입자의 광학이미지이고, 도 6은 덴드라이트형 금속입자의 광학이미지이며, 도 7a는 덴드라이트형 금속입자 및 구형 금속입자를 포함하는 소자실장소결접합재의 광학이미지이고, 도 7b는 도 7a의 확대도이며, 도 7c는 페이스트 형태의 소자실장소결접합재의 이미지이다.
구형의 금속입자(도 5)와 덴드라이트형 금속입자(도 6)가 혼합되면, 도 7a와 같이 구형 금속입자가 덴드라이트형 금속입자 사이의 가지내부에 들어가 빈공간을 채우게 된다.
아울러, 소자실장소결접합재는 구형 금속입자 및 덴드라이트형 금속입자 이외에도 바인더를 더 포함하여, 도 7c와 같은 페이스트 형태로 구현될 수 있다. 바인더는 셀룰로오스계 수지, 폴리 염화비닐수지, 공중합 수지, 폴리비닐알코올계 수지, 폴리비닐피롤리돈계 수지, 아크릴 수지, 아세트산비닐-아크릴산에스테르 공중합 수지, 부티랄 수지, 알키드 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 로진에스테르 수지, 폴리에스테르 수지, 실리콘 수지 및 히드록실기, 카르복실기, 아민계, 티올계 화합물을 포함하는 단분자 화함물 또는 고분자 화합물 중 적어도 하나일 수 있다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 소자실장소결접합재의 소결 후 균열이 전파되는 경향을 도시한 도면이다. 도 8에서, 소자실장소결접합재층(130)에 균열이 발생하면, 균열(하늘색 화살표)은 소자실장소결접합재층(130)의 입자를 따라 진행하다가 덴드라이트형 금속입자의 가지부분에 도달하여 진행방향이 바뀌게 되고 균열이 억제될 수 있다. 이와 달리, 구형 금속입자만을 이용한 소자실장소결접합재층에서는 구형 금속입자 및 기판 사이에서 균열이 직선적으로 성장하여 균열에 의해 반도체 소자 및 기판의 분리가 발생할 수 있다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 반도체 소자 패키지에서 요철에 형성된 기판 및 기판의 요철에 덴드라이트형 금속입자가 체결된 것을 도시한 도면들이다.
기판(110)은 표면에 덴드라이트형 금속입자(132)의 줄기 말단의 형상이나 가지 말단 형상의 요철을 포함하여, 기판(110) 및 덴드라이트형 금속입자(132)가 서로 체결되어 소자실장소결접합재층(130)의 접합성능을 높일 수 있다.
덴드라이트형 금속입자(132)의 줄기의 말단이 반도체 소자(120) 표면 또는 기판(110)의 표면을 향하게 되는 경우, 별도의 요철이 없어도 덴드라이트형 금속입자(132)의 가지가 반도체 소자(120)의 표면이나 기판(110) 표면에 걸리거나 박히게 될 수 있어 이 경우에도 접합성능을 높일 수 있다.
도 11은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 반도체 소자 패키지의 단면광학이미지이고, 도 12a는 도 11에 표시된 영역의 확대이미지이고, 도 12b는 도 12a에 표시된 영역의 확대이미지이며, 도 13은 도 11의 반도체 소자-소자실장소결접합재층-기판의 확대이미지이다.
기판(110) 상에는 소자실장소결접합재층(130)을 매개로 반도체 소자(120)가 위치하는데, 도 12a 및 도 12b를 참조하면 소결 후에 공극이 적고 치밀한 조직이 형성된 소자실장소결접합재층(130)을 얻었음을 확인할 수 있다. 또한, 반도체 소자(120) 및 소자실장소결접합재층(130) 사이, 그리고 소자실장소결접합재층(130) 및 기판(110) 사이에서도 구형 금속입자만 사용한 경우의 소자실장소결접합재층보다 접촉면적이 넓은 것을 확인할 수 있다(도 13). 이에 따라, 본 발명에 따른 소자실장소결접합재를 이용하여 반도체 소자를 실장시키면, 소자실장소결접합재층 내부에서도 공극률이 작고 입자간 접촉면적이 넓어지며, 소자실장소결접합재층과 반도체 소자 및 기판 간에도 접촉면적이 넓어져 접합성능이 뛰어난 것을 알 수 있다.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 소자를 기판에 소결접합시키기 위한 소자실장소결접합재로서, 일방향으로 긴 입자의 줄기에 측면으로 가지가 뻗어있는 형상의 덴드라이트형 금속입자; 및 바인더;를 포함하고, 2이상의 덴드라이트형 금속입자는 제1덴드라이트형 금속입자의 가지가 제2덴드라이트형 금속입자의 가지와 얽혀 소결 후 접합성능이 향상되는 것을 특징으로 하는 소자실장소결접합재가 제공된다. 본 실시예에 따른 소자실장소결접합재는 덴드라이트형 금속입자를 포함하고, 덴드라이트형 금속입자는 서로 가자가 얽히게 되어 구형 금속입자만을 사용한 경우에 비해 접합성능이 높아지게 된다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.
10, 100: 반도체 소자 패키지
11, 110: 기판
12, 120: 반도체 소자
13, 130: 소자실장소결접합재층
14, 131: 구형 금속입자
132: 덴드라이트형 금속입자
11, 110: 기판
12, 120: 반도체 소자
13, 130: 소자실장소결접합재층
14, 131: 구형 금속입자
132: 덴드라이트형 금속입자
Claims (12)
- 기판; 및 기판 상에 실장된 반도체 소자;를 포함하고,
반도체 소자는 기판 상에, 일방향으로 긴 입자의 줄기에 측면으로 가지가 뻗어있는 형상의 덴드라이트형 금속입자, 구형 금속입자 및 바인더를 포함하는 소자실장소결접합재가 소결되어 접합된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지로서,
기판은 표면에 덴드라이트형 금속입자의 줄기 말단 형상의 요철을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지. - 기판; 및 기판 상에 실장된 반도체 소자;를 포함하고,
반도체 소자는 기판 상에, 일방향으로 긴 입자의 줄기에 측면으로 가지가 뻗어있는 형상의 덴드라이트형 금속입자, 구형 금속입자 및 바인더를 포함하는 소자실장소결접합재가 소결되어 접합된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지로서,
기판은 표면에 덴드라이트형 금속입자의 가지 말단 형상의 요철을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지. - 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
소자실장소결접합재의 소결 후의 공극률은 구형 금속입자 및 바인더를 포함하는 소자실장접합재의 소결 후의 공극률보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지. - 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
구형 금속입자는 덴드라이트형 금속입자의 가지 사이에 채워지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지. - 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
바인더는 셀룰로오스계 수지, 폴리 염화비닐수지, 공중합 수지, 폴리비닐알코올계 수지, 폴리비닐피롤리돈계 수지, 아크릴 수지, 아세트산비닐-아크릴산에스테르 공중합 수지, 부티랄 수지, 알키드 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 로진에스테르 수지, 폴리에스테르 수지, 실리콘 수지 및 히드록실기, 카르복실기, 아민계, 티올계 화합물을 포함하는 단분자 화함물 또는 고분자 화합물 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지. - 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
덴드라이트형 금속입자는 줄기의 말단이 반도체 소자 표면 또는 기판 표면에 위치하여, 반도체 소자 및 기판과의 접합성능을 향상시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지. - 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
소자실장소결접합재층은 1㎛ 내지 1,000㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지. - 기판 상에, 일방향으로 긴 입자의 줄기에 측면으로 가지가 뻗어있는 형상의 덴드라이트형 금속입자, 구형 금속입자 및 바인더를 포함하는 소자실장소결접합재층을 형성하는 단계;
소자를 실장시킬 영역에 위치시키는 단계; 및
소자가 위치한 기판을 소결시키는 단계;를 포함하는 반도체 소자실장방법으로서,
기판은 표면에 덴드라이트형 금속입자의 줄기 말단 형상의 요철을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자실장방법. - 기판 상에, 일방향으로 긴 입자의 줄기에 측면으로 가지가 뻗어있는 형상의 덴드라이트형 금속입자, 구형 금속입자 및 바인더를 포함하는 소자실장소결접합재층을 형성하는 단계;
소자를 실장시킬 영역에 위치시키는 단계; 및
소자가 위치한 기판을 소결시키는 단계;를 포함하는 반도체 소자실장방법으로서,
기판은 표면에 덴드라이트형 금속입자의 가지 말단 형상의 요철을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자실장방법. - 기판; 및 기판 상에 실장된 반도체 소자;를 포함하고,
반도체 소자는 기판 상에, 일방향으로 긴 입자의 줄기에 측면으로 가지가 뻗어있는 형상의 덴드라이트형 금속입자; 및 바인더;를 포함하고, 2이상의 덴드라이트형 금속입자는 제1덴드라이트형 금속입자의 가지가 제2덴드라이트형 금속입자의 가지와 얽혀 소결 후 접합성능이 향상되는 소자실장소결접합재가 소결되어 접합된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지로서,
기판은 표면에 덴드라이트형 금속입자의 줄기 말단 형상의 요철을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지. - 기판; 및 기판 상에 실장된 반도체 소자;를 포함하고,
반도체 소자는 기판 상에, 일방향으로 긴 입자의 줄기에 측면으로 가지가 뻗어있는 형상의 덴드라이트형 금속입자; 및 바인더;를 포함하고, 2이상의 덴드라이트형 금속입자는 제1덴드라이트형 금속입자의 가지가 제2덴드라이트형 금속입자의 가지와 얽혀 소결 후 접합성능이 향상되는 소자실장소결접합재가 소결되어 접합된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지로서,
기판은 표면에 덴드라이트형 금속입자의 가지 말단 형상의 요철을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지. - 청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,
소자실장소결접합재의 소결 후의 공극률은 구형 금속입자 및 바인더를 포함하는소자실장접합재의 소결 후의 공극률보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200179660A KR102470033B1 (ko) | 2020-12-21 | 2020-12-21 | 덴드라이트형 금속입자를 포함하는 소자실장소결접합재 및 반도체 소자 패키지 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200179660A KR102470033B1 (ko) | 2020-12-21 | 2020-12-21 | 덴드라이트형 금속입자를 포함하는 소자실장소결접합재 및 반도체 소자 패키지 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220089228A KR20220089228A (ko) | 2022-06-28 |
| KR102470033B1 true KR102470033B1 (ko) | 2022-11-23 |
Family
ID=82268259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200179660A KR102470033B1 (ko) | 2020-12-21 | 2020-12-21 | 덴드라이트형 금속입자를 포함하는 소자실장소결접합재 및 반도체 소자 패키지 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102470033B1 (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020035721A (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | 京セラ株式会社 | ペースト組成物、半導体装置及び電気・電子部品 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3162466A4 (en) * | 2014-06-25 | 2018-02-21 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Copper powder, and copper paste, electrically conductive coating material and electrically conductive sheet each produced using said copper powder |
| JP7314801B2 (ja) * | 2017-12-28 | 2023-07-26 | 株式会社レゾナック | 接続構造体及びその製造方法 |
-
2020
- 2020-12-21 KR KR1020200179660A patent/KR102470033B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020035721A (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | 京セラ株式会社 | ペースト組成物、半導体装置及び電気・電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20220089228A (ko) | 2022-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6713844B2 (en) | Semiconductor-chip mounting substrate having at least one projection thereon and a pressure holding means | |
| JP4610616B2 (ja) | ダイスタック型デバイスを提供するための方法及び装置 | |
| JP5036563B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2008028325A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US8618648B1 (en) | Methods for flip chip stacking | |
| JP5117169B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR101590453B1 (ko) | 휨 개선을 위한 반도체 칩 다이 구조 및 방법 | |
| US20110248408A1 (en) | Package substrate and fabricating method thereof | |
| US20110079926A1 (en) | Method of manufacturing substrate for flip chip and substrate for flip chip manufactured using the same | |
| KR102561718B1 (ko) | 인터포저 지지 구조 메커니즘을 갖는 집적 회로 패키징 시스템 및 그 제조 방법 | |
| US8179686B2 (en) | Mounted structural body and method of manufacturing the same | |
| CN107946280B (zh) | 半导体封装 | |
| KR101847162B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| KR102470033B1 (ko) | 덴드라이트형 금속입자를 포함하는 소자실장소결접합재 및 반도체 소자 패키지 | |
| JP6802314B2 (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
| US8227271B1 (en) | Packaging method of wafer level chips | |
| CN105023910B (zh) | 导电盲孔结构及其制法 | |
| CN115332224A (zh) | 3d封装结构及其制作方法 | |
| KR102244899B1 (ko) | 소자실장방법 | |
| CN105304507A (zh) | 扇出晶圆级封装方法 | |
| KR102512688B1 (ko) | 소자접합성능향상방법 | |
| JP5934057B2 (ja) | プリント回路基板 | |
| CN106206516B (zh) | 带有悬臂式焊盘的叠层半导体封装体 | |
| US6399422B1 (en) | Radiating plate structure and method for manufacturing semiconductor devices using the same structure | |
| US20080251910A1 (en) | Fabricating method of semiconductor package and heat-dissipating structure applicable thereto |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |