KR102467812B1 - 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

표시 장치는 기판, 기판 상에 배치되는 화소 전극, 기판 상에 배치되고, 화소 전극을 부분적으로 커버하며, 색상 변화에 의해 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변화되는 전기 변색 물질을 포함하는 화소 정의막, 화소 전극 상에 배치되는 발광층, 그리고 발광층 및 화소 정의막 상에 배치되는 공통 전극을 포함할 수 있다.

Description

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법{DISPLAY DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICES}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전기 변색 물질을 함유하는 화소 정의막을 포함하는 표시 장치들 및 이러한 표시 장치들의 제조 방법들에 관한 것이다.
표시 장치는 정보를 전달하는 매개체로서 활용되어 왔고, 이러한 표시 장치에 대한 수요는 꾸준히 증가하고 있다. 지금까지의 표시 장치는 일 방향으로만 화상을 표시할 수 있는 불투명한 스크린을 구비하고 있다. 그러나, 최근 들어 표시 장치의 전면 및/또는 후면으로부터 입사되는 광이 상기 표시 장치를 투과하여 전면 및/또는 후면에 위치하는 대상의 이미지를 표시할 수 있는 투명 표시 장치가 개발되고 있다.
이와 같은 투명 표시 장치는 기판 상에 배치되는 화소 전극들에 대응되는 복수의 화소들을 포함하고, 상기 복수의 화소들은 화소 정의막에 의해 구분될 수 있다. 상기 화소 정의막은 대체로 상기 화소 전극의 주변부를 커버하면서 상기 화소 전극의 중앙부를 노출시킨다.
종래의 투명 표시 장치에 있어서, 상기 화소 정의막이 투명할 경우에 상기 표시 장치의 전면 및/또는 후면에 위치하는 대상의 이미지를 표시할 수 있지만, 상기 표시 장치가 표시하는 영상의 명암비가 낮아질 수 있다. 또한, 상기 화소 정의막이 불투명한 경우에는 상기 표시 장치에 의해 표시되는 영상의 명암비는 향상되지만, 상기 표시 장치의 전면 및/또는 후면에 위치하는 대상의 이미지를 표시할 수 없게 된다.
본 발명의 일 목적은 색상 변화를 통해 투명 상태와 불투명 상태 사이에서 가변적으로 변화될 수 있는 화소 정의막을 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 색상 변화를 통해 투명 상태와 불투명 상태 사이에서 가변적으로 변화될 수 있는 변화될 수 있는 화소 정의막을 포함하는 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적들이 이와 같은 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 화소 전극, 상기 기판 상에 배치되고, 상기 화소 전극을 부분적으로 커버하며, 색상 변화에 의해 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변화되는 전기 변색 물질을 포함하는 화소 정의막, 상기 화소 전극 상에 배치되는 발광층, 그리고 상기 발광층 및 상기 화소 정의막 상에 배치되는 공통 전극을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 정의막은 투명하거나 검은색으로 상기 색상 변화를 일으킬 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 화소 정의막 아래에 배치되는 제1 전극, 및 상기 화소 정의막 상에 배치되며, 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극을 더 포함하며, 상기 화소 정의막은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 발생되는 제1 전계에 의해 상기 색상 변화를 일으킬 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 전기 변색 물질은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 상기 제1 전계가 발생되지 않을 경우에는 투명하고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 상기 제1 전계가 생성될 경우에는 검은색을 나타낼 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제1 전극과 상기 화소 전극 사이에 배치되며, 상기 제1 전극과 상기 화소 전극을 전기적으로 절연시키는 제1 절연층을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 절연층은 상기 제1 전극과 상기 화소 전극 사이에 발생되는 제2 전계에 의해 투명하거나 검은색으로 색상 변화를 일으키는 전기 변색 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 절연층은 상기 화소 정의막과 일체로 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제2 전극과 상기 공통 전극 사이에 배치되며, 상기 제2 전극과 상기 공통 전극을 전기적으로 절연시키는 제2 절연층을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 절연층은 상기 제2 전극과 상기 공통 전극 사이에 발생되는 제3 전계에 의해 투명하거나 검은색으로 색상 변화를 일으키는 전기 변색 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 화소 전극은 상기 기판 상부의 동일한 레벨에 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 공통 전극의 아래에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제1 전계에 의해 상기 화소 정의막이 외광을 투과시키는 상기 투명 상태 및 상기 외광을 차단하는 상기 불투명 상태로 변화될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 전기 변색 물질은 기능기를 포함하는 고분자 화합물을 포함할 수 있으며, 상기 기능기는 퍼플루오로싸이클로부탄, 하이드록시기, 아미노기, 알킬 아미노기, 아릴 아미노기, 헤테로아릴아미노기, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아릴 알킬기, 헤테로아릴기 및 헤테로고리기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 기판을 제공한 후, 상기 기판 상에 화소 전극을 형성할 수 있다. 상기 기판 상에 상기 화소 전극을 부분적으로 커버하며, 색상 변화에 의해 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변화되는 전기 변색 물질을 포함하는 화소 정의막을 형성할 수 있다. 상기 화소 전극 상에 발광층을 형성할 수 있으며, 상기 발광층 및 상기 화소 정의막 상에 공통 전극을 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하고, 상기 화소 정의막 상에 상기 제1 전극에 대향하며, 상기 제1 전극과 사이에 전계를 발생시키는 제2 전극을 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 화소 전극 사이에 상기 제1 전극과 상기 화소 전극을 전기적으로 절연시키는 제1 절연층을 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극과 상기 공통 전극 사이에 상기 제2 전극과 상기 공통 전극을 전기적으로 절연시키는 제2 절연층을 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 전극과 상기 제1 전극은 동시에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 전기 변색 물질은 기능기를 포함하는 고분자 화합물을 포함할 수 있으며, 상기 기능기는 퍼플루오로싸이클로부탄, 하이드록시기, 아미노기, 알킬 아미노기, 아릴 아미노기, 헤테로아릴아미노기, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아릴 알킬기, 헤테로아릴기 및 헤테로고리기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 투명 상태와 불투명 상태 사이에서 가변적으로 변화될 수 있는 화소 정의막을 포함할 수 있으므로, 상기 투명 상태에서는 외광의 투과도를 증가시킬 수 있고, 상기 불투명 상태에서는 상기 표시 장치에 의해 표시되는 영상의 명암비를 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 화소 전극과 제1 전극이 동시에 형성되기 때문에, 제조 비용 및 제조 시간을 절감할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 5 내지 도 12는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치들 및 표시 장치의 제조 방법들을 보다 상세하게 설명한다. 첨부된 도면들에서 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 예를 들어, 도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 일부를 예시하는 평면도일 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치(100)는 복수의 화소들이 반복적으로 배치될 수 있는 표시 영역을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 복수의 화소들은 제1 방향 및 상기 제1 방향에 실직적으로 직교하는 제2 방향을 따라 반복적으로 배치되는 매트릭스(matrix)의 구조로 상기 표시 영역에 배열될 수 있으나, 상기 화소들의 배열은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 화소들은 상기 표시 장치(100)의 구성에 따라 다양한 방식으로 배열될 수 있다.
상기 복수의 화소들은 서로 인접하게 배치되는 적색 화소(Pr), 녹색 화소(Pg) 및 청색 화소(Pb)를 포함할 수 있다. 여기서, 적색 화소(Pr), 녹색 화소(Pg) 및 청색 화소(Pb)에서 방출되는 광들이 결합하여 상기 표시 영역에서 영상이 표시될 수 있다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도들이다. 예를 들어, 도 2 및 도 3은 도 1의 I-I' 선을 따라 취한 표시 장치를 예시하는 단면도들일 수 있다.
도 2를 참조하면, 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치(100)는 기판(110), 화소 회로, 발광 구조물, 화소 정의막(170) 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 표시 장치(100)는 제1 전극(160), 제2 전극(180), 제1 절연층(165), 제2 절연층(185) 등을 추가적으로 포함할 수 있다.
기판(110)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 플라스틱 기판 등과 같은 투명 기판을 포함할 수 있다. 선택적으로, 기판(110)은 연성을 갖는 기판(flexible substrate)으로 이루어질 수도 있다.
기판(110) 상에는 버퍼막(115)이 배치될 수 있다. 버퍼막(115)은 기판(110)으로부터 발생되는 불순물들의 확산을 방지할 수 있고, 액티브 패턴(120)의 형성을 위한 결정화 공정 시에 열의 전달 속도를 조절할 수 있다. 또한, 버퍼막(115)은 기판(110)의 표면을 실질적으로 평탄화시키는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 버퍼막(115)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy) 등과 같은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 버퍼막(115)은 실리콘 화합물을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 그러나, 이러한 버퍼막(115)이 필수적인 것은 아니며, 기판(110)의 종류, 표시 장치(100)의 공정 조건들 등을 고려하여 형성되지 않을 수도 있다.
상기 화소 회로는 상기 발광 구조물에 상기 발광 구조물로부터 광을 발생시키기 위한 전압 또는 전류를 공급할 수 있다. 예를 들어, 상기 화소 회로는 복수의 트랜지스터들 및 복수의 커패시터들을 포함할 수 있다. 도 2에는 편의상 1개의 트랜지스터가 도시되지만, 상기 화소 회로는 복수의 트랜지스터들 및 적어도 하나의 커패시터를 구비할 수 있다.
상기 트랜지스터들은 각기 액티브 패턴(120), 게이트 전극(130), 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)을 포함할 수 있다.
버퍼막(115) 상에는 액티브 패턴(120)이 배치될 수 있다. 액티브 패턴(120)은 폴리실리콘으로 이루어질 수 있다. 액티브 패턴(120)의 양측부들에는 불순물을 함유하는 소스 영역(121) 및 드레인 영역(122)이 형성될 수 있고, 소스 영역(121) 및 드레인 영역(122)의 사이에는 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(123)이 정의될 수 있다.
버퍼막(115) 상에는 액티브 패턴(120)을 실질적으로 커버하는 게이트 절연막(125)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연막(125)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 게이트 절연막(125)은 실리콘 화합물을 함유하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
게이트 절연막(125) 상에는 게이트 전극(130)이 배치될 수 있다. 여기서, 게이트 전극(130)은 액티브 패턴(120)의 적어도 일부, 예를 들면 채널 영역(123) 상부에 위치할 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(130)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc) 등과 같은 금속, 상기 금속들의 합금들 또는 상기 금속들의 질화물들을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다.
게이트 절연막(125) 상에는 게이트 전극(130)을 실질적으로 커버하는 층간 절연막(135)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 층간 절연막(135)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 층간 절연막(135)은 실리콘 화합물을 함유하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 게이트 절연막(125) 및 층간 절연막(135)에는 액티브 패턴(120)의 소스 영역(121) 및 드레인 영역(122)을 각기 노출시키는 제1 콘택 홀들이 제공될 수 있다.
층간 절연막(135) 상에는 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)이 배치될 수 있다. 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)은 각기 상기 제1 콘택 홀들을 통해 액티브 패턴(120)의 소스 영역(121) 및 드레인 영역(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)은 각기 알루미늄(Al), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc) 등과 같은 금속, 상기 금속들의 합금들 또는 상기 금속들의 질화물들을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다.
층간 절연막(135) 상에는 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)을 실질적으로 커버하는 절연막(150)이 배치될 수 있다. 절연막(150)에는 상기 트랜지스터의 드레인 전극(145)을 노출시키는 제2 콘택 홀이 제공될 수 있고, 화소 전극(155)은 이러한 제2 콘택 홀을 채우면서 드레인 전극(145)에 접촉될 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 절연막(150)에는 화소 전극(155)과 드레인 전극(145)을 전기적으로 연결시키는 비아(via) 구조가 제공될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 콘택 홀에는 도전성 물질로 구성된 콘택(도시되지 않음)이 배치될 수 있고, 화소 전극(155)과 드레인 전극(145)은 각기 상기 콘택의 상부와 하부에 접촉될 수 있다. 또한, 절연막(150)은 상부 구조물들을 위해 실질적으로 평탄화층의 역할을 수행할 수 있다. 예를 들어, 절연막(150)은 폴리이미드, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다.
상기 발광 구조물은 화소 전극(155), 발광층(175), 공통 전극(190) 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광층(175)은 유기 발광층을 포함할 수 있다.
절연막(150) 상에는 화소 전극(155)이 배치될 수 있다. 전술한 바와 같이, 화소 전극(155)은 상기 제2 콘택 홀을 채우면서 드레인 전극(145)과 접촉될 수 있거나, 상기 제2 콘택 홀 내에 제공되는 상기 콘택을 통해 드레인 전극(145)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 도 1에 도시된 바와 같이, 화소 전극(155)은 상기 각 화소 마다 독립적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 화소 전극(155)은 알루미늄, 은, 텅스텐, 구리, 니켈, 크롬, 몰리브덴, 티타늄, 백금, 탄탈륨, 네오디뮴, 스칸듐 등과 같은 금속 또는 이들 금속의 합금을 포함할 수 있다. 다른 실시예들에 따르면, 화소 전극(155)은 투명 도전성 물질을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 화소 전극(155)은 인듐 주석 화합물(ITO), 인듐 아연 화합물(IZO), 아연 산화물 또는 인듐 산화물을 포함할 수도 있다. 선택적으로는, 화소 전극(155)은 상기 투명 도전성 물질 및 상기 금속을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
절연막(150) 상에는 제1 전극(160)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 전극(160)은 상기 복수의 화소들에 인접하여 상기 복수의 화소들을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(160)은 알루미늄, 은, 텅스텐, 구리, 니켈, 크롬, 몰리브덴, 티타늄, 백금, 탄탈륨, 네오디뮴, 스칸듐 등과 같은 금속 또는 이들 금속의 합금들을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 전극(160)은 투명 도전성 물질을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제1 전극(160)은 인듐 주석 화합물(ITO), 인듐 아연 화합물(IZO), 아연 산화물 또는 인듐 산화물을 포함할 수도 있다. 선택적으로는, 제1 전극(160)은 상기 투명 도전성 물질 및 상기 금속을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 전극(160)과 화소 전극(155)은 기판(110) 상부의 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 전극(160)과 화소 전극(155)은 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
절연막(150) 상에는 제1 절연층(165)이 배치될 수 있다. 제1 절연층(165)은 제1 전극(160)과 화소 전극(155) 사이에 배치되어 제1 전극(160)과 화소 전극(155)을 전기적으로 절연시키는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 절연층(165)은 화소 전극(155)을 실질적으로 둘러싸도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(165)은 폴리이미드, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다.
제1 전극(160) 및 제1 절연층(165) 상에는 화소 전극(155)을 부분적으로 커버하는 화소 정의막(170)이 배치될 수 있다. 다시 말하면, 화소 정의막(170)의 저면 아래에는 제1 전극(160) 및 제1 절연층(165)이 위치할 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(170)은 화소 전극(155)의 주변부를 커버하면서 화소 전극(155)의 중심부를 노출시킬 수 있다. 이에 따라, 화소 정의막(170)에는 화소 전극(155)의 중심부를 노출시키는 화소 개구가 제공될 수 있다.
화소 정의막(170)은 제1 전극(160)과 후속하는 제2 전극(180) 사이에 발생되는 제1 전계에 의해 투명으로부터 실질적으로 검은색과 같이 색상 변화를 일으킬 수 있는 전기 변색 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 화소 정의막(170)은 투명 상태로부터 불투명 상태로 변화될 수 있다. 이러한 전기 변색 물질은 전기 화학적 산화 및 환원 반응에 의해 물질의 광 특성이 가역적으로 변화할 수 있다. 예를 들어, 상기 전기 변색 물질은 전기장이 인가되지 않는 경우에 투명할 수 있지만, 전기장이 인가되면 소정의 색상을 나타낼 수 있다. 또한, 상기 전기 변색 물질은 전기장이 인가되지 않는 경우에는 소정의 색상을 나타낼 수 있지만, 전기장이 인가되면 투명하게 될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 전기 변색 물질은 제1 전극(160)과 제2 전극(180) 사이에 상기 제1 전계가 발생되지 않는 경우에는 투명할 수 있고, 상기 제1 전계가 생성되는 경우에는 실질적으로 검은색을 나타낼 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 전기 변색 물질로는 상기 제1 전계에 의해 투명으로부터 실질적으로 검은색으로 색상 변화를 일으킬 수 있는 물질이면 제한 없이 사용될 수 있다. 적용 가능한 전기 변색 물질의 예로는 비올로겐(viologen) 기를 포함하는 화합물, 기능기를 포함하는 고분자 화합물을 들 수 있다. 여기서, 상기 기능기는 퍼플루오로싸이클로부탄, 하이드록시기, 아미노기, 알킬 아미노기, 아릴 아미노기, 헤테로아릴아미노기, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아릴 알킬기, 헤테로아릴기 및 헤테로고리기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.
화소 정의막(170) 상에는 제2 전극(180)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(180)은 화소 정의막(170)의 상면 상에 위치할 수 있다. 이 경우, 제2 전극(180)은 화소 정의막(170)을 개재하여 제1 전극(160)에 실질적으로 대향할 수 있다. 이에 따라, 화소 정의막(170)을 중심으로 제1 전극(160)과 제2 전극(180)이 서로 실질적으로 대응될 수 있고, 제1 전극(160) 및/또는 제2 전극(180)에 인가되는 전압에 따라 제1 전극(160)과 제2 전극(180) 사이에 상기 제1 전계가 발생될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(180)은 알루미늄, 은, 텅스텐, 구리, 니켈, 크롬, 몰리브덴, 티타늄, 백금, 탄탈륨, 네오디뮴, 스칸듐 등과 같은 금속 또는 이들 금속의 합금들을 포함할 수 있다. 다른 실시예들에 따르면, 제2 전극(180)은 투명 도전성 물질을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제2 전극(180)은 인듐 주석 화합물(ITO), 인듐 아연 화합물(IZO), 아연 산화물 또는 인듐 산화물을 포함할 수도 있다. 선택적으로는, 제2 전극(180)은 상기 투명 도전성 물질 및 상기 금속을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
예시적인 실시예들에 따른 표시 장치(100)에 있어서, 제1 전극(160)과 제2 전극(180) 사이에서 생성될 수 있는 상기 제1 전계에 의해 화소 정의막(170)이 외광을 투과시킬 수 있는 투명 상태 및 외광을 실질적으로 차단할 수 있는 불투명 상태로 변화될 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 전극(160)과 제2 전극(180) 사이에 상기 제1 전계가 발생되지 않을 경우에는 상기 전기 변색 물질을 함유하는 화소 정의막(170)이 투명할 수 있으며, 이에 따라 표시 장치(100)로 입사되는 외광이 화소 정의막(170)을 통과함으로써, 표시 장치(100)가 투명 모드로 동작할 수 있다. 또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 전극(160)과 제2 전극(180) 사이에 상기 제1 전계가 생성될 경우에는 상기 전기 변색 물질을 포함하는 화소 정의막(170)이 실질적으로 검은색을 나타낼 수 있고, 이에 따라 표시 장치(100)로 입사되는 외광이 화소 정의막(170)에 의해 실질적으로 차단됨으로써, 표시 장치(100)가 불투명 모드로 동작될 수 있다.
화소 정의막(170) 상에는 제2 전극(180)을 실질적으로 커버하는 제2 절연층(185)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(185)은 제2 전극(180)과 공통 전극(190) 사이에 배치되어 제2 전극(180)과 공통 전극(190)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 절연층(185)은 제2 전극(180)의 측면과 상면을 덮을 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(185)은 폴리이미드, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다.
화소 정의막(170)의 화소 개구에 의해 노출되는 화소 전극(155) 상에는 발광층(175)이 배치될 수 있다. 발광층(175)은 화소 전극(155) 및 공통 전극(190)으로부터 각기 주입되는 정공 및 전자가 결합하여 광이 방출되는 유기 발광층을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광층(175)은 정공 주입층(hole injection layer), 정공 수송층(hole transport layer), 전자 수송층(electron transport layer) 및 전자 주입층(electron injection layer)을 더 포함할 수 있다.
화소 전극(155) 상에는 상기 정공 주입층이 배치되고, 상기 정공 주입층 상에는 상기 정공 수송층이 배치될 수 있다. 상기 정공 수송층 상에는 상기 유기 발광층이 배치될 수 있다. 상기 유기 발광층은 정공 및 전자에 의해 여기되는 호스트(host) 물질 및 에너지의 흡수와 방출을 통해 발광 효율을 증가시키는 도펀트(dopant) 물질을 포함할 수 있다. 상기 유기 발광층 상에는 상기 전자 수송층이 배치될 수 있고, 상기 전자 수송층 상에는 상기 전자 주입층이 배치될 수 있다.
발광층(175) 및 제2 절연층(185) 상에는 공통 전극(190)이 배치될 수 있다. 이 경우, 제2 전극(180)은 공통 전극(190)의 아래에 위치할 수 있다. 공통 전극(190)은 발광층(175)을 개재하여 화소 전극(155)과 실질적으로 마주할 수 있다. 공통 전극(190)은 복수의 화소들에 의해 공유될 수 있다. 예를 들어, 공통 전극(190)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc) 등과 같은 상대적으로 낮은 일 함수를 갖는 금속 또는 이들 금속의 합금들을 포함할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 예를 들어, 도 4는 도 1의 I-I' 선을 따라 취한 표시 장치를 예시하는 단면도일 수 있다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치(200)는 기판(210), 화소 회로, 발광 구조물, 화소 정의막(270) 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 표시 장치(200)는 제1 전극(260), 제2 전극(280), 제1 절연층(265), 제2 절연층(285) 등을 추가적으로 포함할 수 있다. 도 4에 예시한 표시 장치에 있어서, 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
절연막(250) 상에는 제1 절연층(265)이 배치될 수 있다. 제1 절연층(265)은 제1 전극(260)과 화소 전극(255) 사이에 배치되어 제1 전극(260)과 화소 전극(255)을 전기적으로 절연시키는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 절연층(265)은 화소 전극(255)을 실질적으로 둘러싸도록 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 절연층(265)은 제1 전극(260) 및/또는 화소 전극(255)에 인가되는 전압에 따라 제1 전극(260)과 화소 전극(255) 사이에 발생되는 제2 전계에 의해 투명하거나 실질적으로 검은색으로 색상 변화를 일으킬 수 있는 전기 변색 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 전기 변색 물질은 제1 전극(260)과 화소 전극(255) 사이에 상기 제2 전계가 생성되지 않을 경우에는 투명할 수 있고, 상기 제2 전계가 생성될 경우에는 실질적으로 검은색을 나타낼 수 있다. 여기서, 제1 절연층(265)은 화소 정의막(270)과 실질적으로 일체로 형성될 수 있다.
화소 정의막(270) 상에는 제2 전극(280)을 실질적으로 커버하는 제2 절연층(285)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(285)은 제2 전극(280)과 공통 전극(290) 사이에 배치되어 제2 전극(280)과 공통 전극(290)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(285)은 제2 전극(280)의 측면과 상면을 덮을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제2 절연층(285)은 제2 전극(280) 및/또는 공통 전극(290)에 인가되는 전압에 따라 제2 전극(280)과 공통 전극(290) 사이에 발생되는 제3 전계에 의해 투명하거나 실질적으로 검은색으로 색상 변화를 일으킬 수 있는 전기 변색 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 전기 변색 물질은 제2 전극(280)과 공통 전극(290) 사이에 상기 제3 전계가 생성되지 않을 경우에는 투명할 수 있고, 상기 제3 전계가 발생될 경우에는 실질적으로 검은색을 나타낼 수 있다.
도 5 내지 도 12는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 5를 참조하면, 기판(110) 상에 버퍼막(115)을 형성할 수 있다. 버퍼막(115)은 화학 기상 증착(CVD) 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착(PECVD) 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착(HDP-CVD) 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(110)을 공정 챔버 내에 적재하고, 실리콘 산화물 전구체, 질소 소스 가스 캐리어 가스 등을 도입하여 기판(110) 상에 버퍼막(115)을 형성할 수 있다.
버퍼막(115) 상에는 액티브 패턴(120)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 버퍼막(115) 상에 비정질 실리콘 또는 폴리실리콘을 사용하여 반도체막을 형성한 후, 식각 공정을 통해 상기 반도체막을 패터닝함으로써, 버퍼막(115) 상에 액티브 패턴(120)을 형성할 수 있다. 선택적으로는, 상기 버퍼막(115) 상에 반도체막을 형성한 다음, 저온 폴리실리콘(LTPS) 공정 또는 레이저 결정화 공정과 같은 결정화 공정을 수행할 수 있다. 또한, 상기 액티브 패턴(120)은 IGZO, ZTO, ITZO 등과 같은 산화물 반도체를 사용하여 형성될 수도 있다.
버퍼막(115) 상에 액티브 패턴(120)을 덮으면서 게이트 절연막(125)을 형성한 다음, 게이트 절연막(125) 상에 게이트 전극(130)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연막(125) 상에 제1 도전막을 형성한 후, 식각 공정을 이용하여 상기 제1 도전막을 패터닝함으로써, 게이트 절연막(125) 상에 게이트 전극(130)을 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 도전막은 금속, 합금 또는 금속 질화물을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 도전막은 복수의 금속층을 적층하여 형성될 수도 있다. 게이트 전극(130)은 게이트 절연막(125)을 사이에 두고 액티브 패턴(120)과 실질적으로 중첩되도록 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 전극(130)을 이온 주입 마스크로 이용하여 액티브 패턴(120)에 불순물을 주입함으로써, 액티브 패턴(120)의 양측부들에 소스 영역(121) 및 드레인 영역(122)을 형성할 수 있다.
게이트 절연막(125) 상에 게이트 전극(130)을 덮는 층간 절연막(135)을 형성한 후, 층간 절연막(135) 및 게이트 절연막(125)을 부분적으로 식각하여 액티브 패턴(120)을 부분적으로 노출시키는 제1 콘택 홀들을 형성할 수 있다. 예를 들면, 마스크를 사용하는 식각 공정이나 사진 식각 공정을 이용하여 층간 절연막(135) 및 게이트 절연막(125)을 부분적으로 식각함으로써, 상기 제1 콘택 홀들을 형성할 수 있다.
층간 절연막(135) 및 게이트 절연막(125)을 관통하여 액티브 패턴(120)과 접촉하는 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 층간 절연막(135) 상에 상기 제1 콘택 홀들을 채우면서 제2 도전막을 형성한 후, 이러한 제2 도전막을 패터닝하여 소스 전극(140)과 드레인 전극(145)을 형성할 수 있다. 여기서, 상기 제2 도전막은 금속, 합금 또는 금속 질화물을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 도전막은 복수의 금속층을 적층하여 형성될 수도 있다.
층간 절연막(135) 상에 소스 전극(140)과 드레인 전극(145)을 덮으면서 절연막(150)을 형성한 후, 절연막(150)을 부분적으로 식각하여 드레인 전극(145)을 부분적으로 노출시키는 제2 콘택 홀을 형성할 수 있다. 예를 들어, 절연막(150)은 폴리이미드, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르 등과 같은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 이 경우, 절연막(150)은 실질적으로 평탄한 상면을 가지도록 충분한 두께로 형성될 수 있다. 절연막(150)은, 예를 들어, 스핀 코팅 공정 또는 프린팅 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 마스크를 사용하는 식각 공정이나 사진 식각 공정을 이용하여 절연막(150)을 부분적으로 식각함으로써, 상기 제2 콘택 홀을 형성할 수 있다.
절연막(150) 상에 상기 제2 콘택 홀을 채우면서 제3 도전막(154)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 제3 도전막(154)은 알루미늄, 은, 텅스텐, 구리, 니켈, 크롬, 몰리브덴, 티타늄, 백금, 탄탈륨, 네오디뮴, 스칸듐 등과 같은 금속 물질 또는 이들 금속의 합금을 사용하여 형성될 수 있다. 선택적으로는, 제3 도전막(154)은 ITO, IZO, 아연 산화물 또는 인듐 산화물과 같은 투명 도전성 물질을 사용하여 형성될 수도 있다.
도 6을 참조하면, 제3 도전막(154)을 패터닝하여 화소 전극(155) 및 제1 전극(160)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 식각 공정을 이용하여 제3 도전막(154)을 패터닝함으로써, 절연막(150) 상에 화소 전극(155) 및 제1 전극(160)을 동시에 형성할 수 있다. 이에 따라, 제1 전극(160)을 형성하기 위한 별도의 공정이 필요하지 않으므로, 제조 비용이 절감되고, 제조 시간이 단축될 수 있다.
도 7을 참조하면, 절연막(150) 상에 제1 전극(160)과 화소 전극(155)을 전기적으로 절연시키는 제1 절연층(165)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(165)은 폴리이미드, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르 등과 같은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 절연층(165)은 절연막(150)의 노출된 상면 및 제1 전극(160)과 화소 전극(155)의 측면을 덮도록 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 제1 전극(160) 및 제1 절연층(165) 상에는 화소 전극(155)을 부분적으로 커버하도록 화소 정의막(170)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 화소 전극(155), 제1 전극(160) 및 제1 절연층(165) 상에 제1 전극(160)과 후속하는 제2 전극(180) 사이에 발생되는 전계에 의해 투명으로부터 실질적으로 검은색과 같이 색상 변화를 일으킬 수 있는 전기 변색 물질을 사용하여 예비 화소 정의막을 형성한 후, 식각 공정을 통해 상기 예비 화소 정의막을 패터닝함으로써, 제1 전극(160) 및 제1 절연층(165) 상에 화소 정의막(170)을 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 전기 변색 물질로는 상기 제1 전계에 의해 투명으로부터 실질적으로 검은색으로 색상 변화를 일으킬 수 있는 물질이면 제한 없이 사용될 수 있다. 적용 가능한 전기 변색 물질의 예로는 비올로겐(viologen) 기를 포함하는 화합물, 기능기를 포함하는 고분자 화합물을 들 수 있다. 여기서, 상기 기능기는 퍼플루오로싸이클로부탄, 하이드록시기, 아미노기, 알킬 아미노기, 아릴 아미노기, 헤테로아릴아미노기, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아릴 알킬기, 헤테로아릴기 및 헤테로고리기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.
도 9를 참조하면, 화소 전극(155) 상에 발광층(175)을 형성할 수 있다. 발광층(175)은, 예를 들어, 적색, 녹색 또는 청색 발광을 위한 유기 발광 물질을 사용하여 화소 전극(155) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 발광층(175)은 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소가 형성될 영역을 노출시키는 개구부를 포함하는 파인 메탈 마스크(Fine Metal Mask; FMM)를 사용하여 스핀 코팅 공정, 롤 프린팅 공정, 노즐 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정 등을 통해 형성될 수 있다. 이에 따라, 각 화소 별로 상기 유기 발광 물질을 포함하는 유기 발광층이 형성될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광층을 형성하기 전에 정공 수송 물질을 사용하여 정공 수송층을 더 형성할 수 있다. 또한, 상기 유기 발광층 상에 상기 전자 수송 물질을 사용하여 전자 수송층을 더 형성할 수 있다. 상기 정공 수송층 및 상기 전자 수송층은 화소 정의막(170) 및 화소 전극(155) 표면들을 따라 형성되어 복수의 화소들에 공통으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 상기 정공 수송층 및 상기 전자 수송층은 상기 유기 발광층과 유사한 공정을 통해 각 화소 별로 패터닝될 수도 있다.
도 10을 참조하면, 화소 정의막(170) 상에 제2 전극(180)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(170) 및 발광층(175) 상에 제4 도전막을 형성한 후, 식각 공정을 이용하여 상기 제4 도전막을 패터닝함으로써, 화소 정의막(170) 상에 제2 전극(180)을 형성할 수 있다. 이 경우, 제2 전극(180)은 화소 정의막(170)을 사이에 두고 제1 전극(160)과 실질적으로 중첩되도록 위치할 수 있다.
도 11을 참조하면, 절연막(150) 상에 제2 전극(180)과 공통 전극(190)을 전기적으로 절연시키는 제2 절연층(185)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(185)은 폴리이미드, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르 등과 같은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 이 경우, 제2 절연층(185)은 제2 전극(180)의 측면과 상면을 덮도록 형성될 수 있다.
도 12를 참조하면, 상기 발광층(175) 및 제2 절연층(185) 상에는, 예를 들면, 알루미늄, 은, 텅스텐, 구리, 니켈, 크롬, 몰리브덴, 티타늄, 백금, 탄탈륨, 네오디뮴, 스칸듐 등과 같은 일 함수가 낮은 금속 물질 또는 이들 금속의 합금을 증착하여 공통 전극(190)을 형성할 수 있다. 공통 전극(190)은 상기 금속 물질을, 예를 들어, 스퍼터링 공정을 통해 증착함으로써 형성될 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치들 및 표시 장치들의 제조 방법들에 대하여 도면들을 참조하여 설명하였지만, 설시한 실시예들은 예시적인 것으로서 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
본 발명은 표시 장치를 구비한 전자 기기에 다양하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 컴퓨터, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어, 디지털 카메라, 비디오 캠코더 등에 적용될 수 있다.
100: 표시 장치 110: 기판
155: 화소 전극 160: 제1 전극
165: 제1 절연층 170: 화소 정의막
175: 발광층 180: 제2 전극
185: 제2 절연층 190: 공통 전극

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 화소 전극;
    상기 기판 상에 배치되고, 상기 화소 전극을 부분적으로 커버하며, 색상 변화에 의해 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변화되는 전기 변색 물질을 포함하는 화소 정의막;
    상기 화소 전극 상에 배치되는 발광층;
    상기 발광층 및 상기 화소 정의막 상에 배치되는 공통 전극;
    상기 기판과 상기 화소 정의막 사이의 상기 화소 전극과 같은 층에 배치되는 제1 전극; 및
    상기 화소 정의막과 상기 공통 전극 사이에 배치되고, 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 화소 정의막은 투명하거나 검은색으로 상기 색상 변화를 일으키는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 화소 정의막은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 발생되는 제1 전계에 의해 상기 색상 변화를 일으키는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 전기 변색 물질은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 상기 제1 전계가 발생되지 않을 경우에는 투명하고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 상기 제1 전계가 생성될 경우에는 검은색을 나타내는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 화소 전극 사이에 배치되며, 상기 제1 전극과 상기 화소 전극을 전기적으로 절연시키는 제1 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 절연층은 상기 제1 전극과 상기 화소 전극 사이에 발생되는 제2 전계에 의해 투명하거나 검은색으로 색상 변화를 일으키는 전기 변색 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제1 절연층은 상기 화소 정의막과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제3항에 있어서, 상기 제2 전극과 상기 공통 전극 사이에 배치되며, 상기 제2 전극과 상기 공통 전극을 전기적으로 절연시키는 제2 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2 절연층은 상기 제2 전극과 상기 공통 전극 사이에 발생되는 제3 전계에 의해 투명하거나 검은색으로 색상 변화를 일으키는 전기 변색 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제3항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 화소 전극은 상기 기판 상부의 동일한 레벨에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제3항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 공통 전극의 아래에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제3항에 있어서, 상기 제1 전계에 의해 상기 화소 정의막이 외광을 투과시키는 상기 투명 상태 및 상기 외광을 차단하는 상기 불투명 상태로 변화되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 전기 변색 물질은 기능기를 포함하는 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 기능기는 퍼플루오로싸이클로부탄, 하이드록시기, 아미노기, 알킬 아미노기, 아릴 아미노기, 헤테로아릴아미노기, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아릴 알킬기, 헤테로아릴기 및 헤테로고리기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 화소 전극을 형성하는 단계;
    상기 기판 상에 상기 화소 전극을 부분적으로 커버하며, 색상 변화에 의해 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변화되는 전기 변색 물질을 포함하는 화소 정의막을 형성하는 단계;
    상기 화소 전극 상에 발광층을 형성하는 단계;
    상기 발광층 및 상기 화소 정의막 상에 공통 전극을 형성하는 단계;
    상기 기판과 상기 화소 정의막 사이에 상기 화소 전극과 같은 층에 배치되는 제1 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 화소 정의막과 상기 공통 전극 사이에 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 제1 전극과 사이에 전계를 발생시키는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 화소 전극 사이에 상기 제1 전극과 상기 화소 전극을 전기적으로 절연시키는 제1 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 제2 전극과 상기 공통 전극 사이에 상기 제2 전극과 상기 공통 전극을 전기적으로 절연시키는 제2 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제16항에 있어서, 상기 화소 전극과 상기 제1 전극은 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제15항에 있어서, 상기 전기 변색 물질은 기능기를 포함하는 고분자 화합물을 포함하고, 상기 기능기는 퍼플루오로싸이클로부탄, 하이드록시기, 아미노기, 알킬 아미노기, 아릴 아미노기, 헤테로아릴아미노기, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아릴 알킬기, 헤테로아릴기 및 헤테로고리기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
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