KR102464324B1 - Light emitting device package, manufacturing method thereof and light system having the same - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 발광소자 패키지는, 패키지 몸체와, 상기 패키지 몸체상에 발광소자와, 상기 발광소자를 감싸는 제1몰딩부재와, 상기 제1몰딩부재를 감싸며, 반구형 구조를 가지는 제2몰딩부재를 포함하고, 상기 제1몰딩부재는 점성물질일 수 있다. A light emitting device package according to an embodiment includes a package body, a light emitting device on the package body, a first molding member surrounding the light emitting device, and a second molding member surrounding the first molding member and having a hemispherical structure. Including, the first molding member may be a viscous material.
Description
실시예는 발광소자 패키지, 그 제조방법 및 이를 포함하는 조명시스템에 관한 것으로, 특히 플립칩 발광소자의 본딩에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package, a method of manufacturing the same, and a lighting system including the same, and particularly relates to bonding of a flip chip light emitting device.
발광소자(light emitting diode)는 전기에너지가 빛에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로서, 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 생성될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.A light emitting diode is a p-n junction diode with a characteristic in which electric energy is converted into light energy. This is possible.
발광소자는 순방향전압 인가 시 n층의 전자와 p층의 정공이 결합하여 전도대(conduction band)와 가전대(valance band)의 에너지 갭에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하고, 상기 에너지가 빛으로 발산되면 발광소자가 된다.When a forward voltage is applied, the electrons of the n-layer and the holes of the p-layer combine to emit energy corresponding to the energy gap between the conduction band and the valance band, and the energy is emitted as light. It becomes a light emitting device.
질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(blue) 발광소자, 녹색(green) 발광소자, 및 자외선(UV) 발광소자는 상용화되어 널리 사용되고 있다.Nitride semiconductors are receiving great attention in the field of developing optical devices and high-power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. In particular, a blue light emitting device, a green light emitting device, and an ultraviolet (UV) light emitting device using a nitride semiconductor have been commercialized and widely used.
플립 칩 패키지를 제조할 때, 종래의 일반적인 리플로우 방법은 플럭스(flux)라 불리는 융재를 솔더에 도포하고 열을 가하여 용융시키는 것이며, 이러한 방법은 솔더 접착시 다시 녹는 위험이 있어 솔더가 오픈되는 문제가 있다.When manufacturing a flip chip package, the conventional general reflow method is to apply a flux called flux to the solder and melt it by applying heat. there is
실시예는 플립 칩 본딩 시 솔더 사이에 에폭시(epoxy)와 플럭스(flux)가 혼합된 접착제를 배치하여 광량 손실이 적고 신뢰성이 향상된 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.The embodiment aims to provide a light emitting device package and a lighting system with reduced light loss and improved reliability by disposing an adhesive in which an epoxy and a flux are mixed between solders during flip chip bonding.
실시예에 따른 발광소자 패키지는, 기판과, 상기 기판 상에 이격되어 배치되는 제1솔더와 제2솔더와, 상기 제1솔더와 상기 제2솔더 사이에 배치되는 접착제와, 상기 제1솔더와 상기 제2솔더 상에 배치되며, 상기 제1솔더와 상기 제2솔더와 전기적으로 연결되는 플립 칩 발광소자를 포함한다.A light emitting device package according to an embodiment includes a substrate, first and second solders spaced apart from each other on the substrate, an adhesive disposed between the first solder and the second solder, and the first solder; and a flip chip light emitting device disposed on the second solder and electrically connected to the first solder and the second solder.
실시예에 따른 조명시스템은 상기 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting system according to the embodiment may include the light emitting device package.
실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법은, 기판 상에 제1솔더와 제2솔더를 이격하여 실장하는 단계와, 상기 제1솔더와 상기 제2솔더 사이에 접착제를 도포하는 단계와, 리플로우 솔더링하여 상기 제1솔더 및 상기 제2솔더와 플립 칩 발광소자를 전기적으로 연결하는 단계를 포함한다.A light emitting device package manufacturing method according to an embodiment includes the steps of mounting a first solder and a second solder to be spaced apart from each other on a substrate, applying an adhesive between the first solder and the second solder, and reflow soldering and electrically connecting the first and second solders to the flip chip light emitting device.
실시예는 플립 칩 본딩 시 솔더 사이에 에폭시(epoxy)와 플럭스(flux)가 혼합된 접착제를 배치하여 광량 손실이 적고 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.In the embodiment, an adhesive in which an epoxy and a flux are mixed between solders is disposed between the solders during flip chip bonding, so that light loss is reduced and reliability is improved.
또한, 실시예는 플립 칩 본딩 시 솔더 사이에 에폭시와 플럭스가 혼합된 접착제를 배치하여 쇼트 현상과 저전류 현상을 방지할 수 있다.In addition, in the embodiment, a short circuit phenomenon and a low current phenomenon may be prevented by disposing an adhesive in which an epoxy and a flux are mixed between solders during flip chip bonding.
또한, 실시예는 미점등되는 현상을 방지할 수 있고, 동작 전압이 향상되는 효과가 있다. In addition, the embodiment can prevent the non-lighting phenomenon, and has the effect of improving the operating voltage.
도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 2 내지 도 5는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법에 대한 단면도이다.
도 6과 도 7은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 시스템의 실시예들을 나타낸 분해 사시도이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment.
2 to 5 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment.
6 and 7 are exploded perspective views illustrating embodiments of a lighting system including a light emitting device package according to an embodiment.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of embodiments, each layer (film), region, pattern or structure is “on/over” or “under” the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case of being described as being formed on, “on/over” and “under” include both “directly” or “indirectly” formed through another layer. do. In addition, the reference for the upper / upper or lower of each layer will be described with reference to the drawings.
도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 기판(100)과, 기판 상에 이격되어 배치되는 제1솔더(210) 및 제2솔더(230)와, 제1솔더(210)와 제2 솔더(230) 사이에 배치되는 접착제(220)와, 제1솔더(210), 제2솔더(230), 및 접착제(220) 상에 배치되는 플립 칩 발광소자(300)를 포함한다.Referring to FIG. 1 , a light emitting device package according to the embodiment includes a
기판(100)은 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다. 예컨대, 기판(100)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, and Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 기판(100) 위에는 요철 구조가 형성될 수 있고, 상기 요철 구조의 단면은 원형, 타원형 또는 다각형일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
제1솔더(210) 및 제2솔더(230)는 주석(Sn)에 은(Ag), 구리(Cu), 비스무스(Bi), 인듐(In), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 납(Pb), 금(Au) 중에서 어느 하나 EH는 둘 이상이 함유된 조성의 합금으로 이루어질 수 있다.The
제1솔더(210) 및 제2솔더(230)는 진공증착, 전기도금, 무전해도금, 스퍼터링, 스크린프린팅, 전자빔 증착, 화학기상증착, MBE(molecular beam epitaxy), MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 중 적어도 하나의 방법을 사용하여 형성될 수 있다.The
접착제(220)는 비전도성 접착제일 수 있고, 이방성 전도성 접착제일 수 있다. 실시예에서는 예컨대 에폭시(epoxy)와 플럭스(flux)의 혼합 물질일 수 있으나 이에 대해 한정하는 것은 아니다.The adhesive 220 may be a non-conductive adhesive or an anisotropic conductive adhesive. In the embodiment, for example, it may be a mixed material of epoxy and flux, but is not limited thereto.
접착제(220)의 수직폭(H1)은 제1 솔더 범프(210)와 제2 솔더 범프(230)의 수직폭(H1)과 서로 동일할 수 있고, 예컨대 접착제(220)의 수직폭은 20um일 수 있으나 이에 대해 한정하는 것은 아니다.The vertical width H1 of the
제1 솔더 범프(210)와 제2 솔더 범프(230)의 수평폭(W1, W3)은 서로 동일할 수 있고, 제1 솔더 범프(210)와 제2 솔더 범프(230)의 수직폭(H1)은 서로 동일할 수 있다. 예컨대, 제1 솔더 범프(210)와 제2 솔더 범프(230)의 수직폭(H1)은 20um 일 수 있으나 이에 대해 한정하는 것은 아니다. 플립 칩 발광소자(300)는 제1 솔더 범프(210)와 제2 솔더 범프(230)와 전기적으로 연결될 수 있다.Horizontal widths W1 and W3 of the
즉, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 솔더 사이에 에폭시(epoxy)와 플럭스(flux)가 혼합된 접착제를 배치하여 플립 칩 발광소자 본딩 시 솔더 리플로우 본딩과 접착제 본딩을 동시에 적용하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다. That is, in the light emitting device package according to the embodiment, an adhesive in which an epoxy and a flux are mixed is disposed between solders to improve reliability by simultaneously applying solder reflow bonding and adhesive bonding when bonding a flip chip light emitting device. can
특히, 솔더 사이에 에폭시(epoxy)와 플럭스(flux)가 혼합된 접착제를 배치하여 광량 손실이 적고 신뢰성이 향상되는 효과가 있으며, 쇼트 현상과 저전류 현상을 방지할 수 있다.In particular, by arranging an adhesive in which an epoxy and a flux are mixed between the solders, the amount of light loss is small, the reliability is improved, and the short circuit phenomenon and the low current phenomenon can be prevented.
도 2 내지 도 5는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법에 대한 단면도이다.2 to 5 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment.
도 2를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법은 기판(100)상에 제1솔더(210)와 제2솔더(230)를 이격하여 배치하는 단계를 포함할 수 있다. 이때, 제1솔더(210)의 수평폭(W4)와 제2솔더(230)의 수평폭(W5)은 동일할 수 있고, 제1솔더(210)와 제2솔더(230)의 수직폭(H2)은 20um 일 수 있으나 이에 대해 한정하는 것은 아니다.Referring to FIG. 2 , the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment may include disposing a
도 3을 참조하면, 제1솔더(210)와 제2솔더(230) 사이에 접착제(220)를 도포하는 단계를 포함할 수 있다. 제1솔더(210)의 수평폭(W4)과 제2솔더(230)의 수평폭(W5)은 접착제(220)의 수평폭(W6)와 동일할 수 있으나 이에 대해 한정하는 것은 아니다. 제1솔더(210), 제2솔더(230), 및 접착제(220)의 상면은 원형일 수 있다. Referring to FIG. 3 , the method may include applying an adhesive 220 between the
도 4를 참조하면, 리플로우 솔더링하여 제1솔더(210) 및 제2솔더(230)와 플립 칩 발광소자(300)를 전기적으로 연결하는 단계를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , reflow soldering may include electrically connecting the
도 5(a)와 도 5(b)를 참조하면, 리플로우 솔더링에 의해 제1솔더(210) 및 제2솔더(230)가 용융되어 플립 칩 발광소자(300)와 연결될 수 있다.Referring to FIGS. 5A and 5B , the
도 6과 도 7은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 시스템의 실시예들을 나타낸 분해 사시도이다.6 and 7 are exploded perspective views illustrating embodiments of a lighting system including a light emitting device package according to an embodiment.
도 6에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 본 발명에 따른 발광소자(100) 또는 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 6 , the lighting device according to the embodiment includes a
예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the
상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. A milky white paint may be coated on the inner surface of the
상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the
상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The
상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The
상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the
상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The
상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)를 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 갖는다.The
상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The
상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.The
상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The
또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 조명 장치는 커버(3100), 광원부(3200), 방열체(3300), 회로부(3400), 내부 케이스(3500), 소켓(3600)을 포함할 수 있다. 상기 광원부(3200)는 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함할 수 있다. In addition, as shown in FIG. 7 , the lighting device according to the present invention includes a
상기 커버(3100)는 벌브(bulb) 형상을 가지며, 속이 비어 있다. 상기 커버(3100)는 개구(3110)를 갖는다. 상기 개구(3110)를 통해 상기 광원부(3200)와 부재(3350)가 삽입될 수 있다. The
상기 커버(3100)는 상기 방열체(3300)와 결합하고, 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)를 둘러쌀 수 있다. 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)의 결합에 의해, 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)는 외부와 차단될 수 있다. 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)의 결합은 접착제를 통해 결합할 수도 있고, 회전 결합 방식 및 후크 결합 방식 등 다양한 방식으로 결합할 수 있다. 회전 결합 방식은 상기 방열체(3300)의 나사홈에 상기 커버(3100)의 나사선이 결합하는 방식으로서 상기 커버(3100)의 회전에 의해 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)가 결합하는 방식이고, 후크 결합 방식은 상기 커버(3100)의 턱이 상기 방열체(3300)의 홈에 끼워져 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)가 결합하는 방식이다.The
상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)와 광학적으로 결합한다. 구체적으로 상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)의 발광 소자(3230)로부터의 광을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 상기 커버(3100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 여기서, 상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)로부터의 광을 여기시키기 위해, 내/외면 또는 내부에 형광체를 가질 수 있다. The
상기 커버(3100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 여기서, 유백색 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(3100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(3100)의 외면의 표면 거칠기보다 클 수 있다. 이는 상기 광원부(3200)로부터의 광을 충분히 산란 및 확산시키기 위함이다.A milky white paint may be coated on the inner surface of the
상기 커버(3100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(3100)는 외부에서 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)가 보일 수 있는 투명한 재질일 수 있고, 보이지 않는 불투명한 재질일 수 있다. 상기 커버(3100)는 예컨대 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the
상기 광원부(3200)는 상기 방열체(3300)의 부재(3350)에 배치되고, 복수로 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 복수의 측면들 중 하나 이상의 측면에 배치될 수 있다. 그리고, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 측면에서도 상단부에 배치될 수 있다.The
상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 6개의 측면들 중 3개의 측면들에 배치될 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니고, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 모든 측면들에 배치될 수 있다. 상기 광원부(3200)는 기판(3210)과 발광 소자(3230)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(3230)는 기판(3210)의 일 면 상에 배치될 수 있다. The
상기 기판(3210)은 사각형의 판 형상을 갖지만, 이에 한정되지 않고 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(3210)은 원형 또는 다각형의 판 형상일 수 있다. 상기 기판(3210)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. 또한, 인쇄회로기판 위에 패키지 하지 않은 LED 칩을 직접 본딩할 수 있는 COB(Chips On Board) 타입을 사용할 수 있다. 또한, 상기 기판(3210)은 광을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 광을 효율적으로 반사하는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다. 상기 기판(3210)은 상기 방열체(3300)에 수납되는 상기 회로부(3400)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 기판(3210)과 상기 회로부(3400)는 예로서 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 와이어는 상기 방열체(3300)를 관통하여 상기 기판(3210)과 상기 회로부(3400)를 연결시킬 수 있다.The
상기 발광 소자(3230)는 적색, 녹색, 청색의 광을 방출하는 발광 다이오드 칩이거나 UV를 방출하는 발광 다이오드 칩일 수 있다. 여기서, 발광 다이오드 칩은 수평형(Lateral Type) 또는 수직형(Vertical Type)일 수 있고, 발광 다이오드 칩은 청색(Blue), 적색(Red), 황색(Yellow), 또는 녹색(Green)을 발산할 수 있다.The
상기 발광 소자(3230)는 형광체를 가질 수 있다. 형광체는 가넷(Garnet)계(YAG, TAG), 실리케이드(Silicate)계, 나이트라이드(Nitride)계 및 옥시나이트라이드(Oxynitride)계 중 어느 하나 이상일 수 있다. 또는 형광체는 황색 형광체, 녹색 형광체 및 적색 형광체 중 어느 하나 이상일 수 있다.The
상기 방열체(3300)는 상기 커버(3100)와 결합하고, 상기 광원부(3200)로부터의 열을 방열할 수 있다. 상기 방열체(3300)는 소정의 체적을 가지며, 상면(3310), 측면(3330)을 포함한다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)에는 부재(3350)가 배치될 수 있다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)은 상기 커버(3100)와 결합할 수 있다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)은 상기 커버(3100)의 개구(3110)와 대응되는 형상을 가질 수 있다.The
상기 방열체(3300)의 측면(3330)에는 복수의 방열핀(3370)이 배치될 수 있다. 상기 방열핀(3370)은 상기 방열체(3300)의 측면(3330)에서 외측으로 연장된 것이거나 측면(3330)에 연결된 것일 수 있다. 상기 방열핀(3370)은 상기 방열체(3300)의 방열 면적을 넓혀 방열 효율을 향상시킬 수 있다. 여기서, 측면(3330)은 상기 방열핀(3370)을 포함하지 않을 수도 있다.A plurality of
상기 부재(3350)는 상기 방열체(3300)의 상면(3310)에 배치될 수 있다. 상기 부재(3350)는 상면(3310)과 일체일 수도 있고, 상면(3310)에 결합된 것일 수 있다. 상기 부재(3350)는 다각 기둥일 수 있다. 구체적으로, 상기 부재(3350)는 육각 기둥일 수 있다. 육각 기둥의 부재(3350)는 윗면과 밑면 그리고 6 개의 측면들을 갖는다. 여기서, 상기 부재(3350)는 다각 기둥뿐만 아니라 원 기둥 또는 타원 기둥일 수 있다. 상기 부재(3350)가 원 기둥 또는 타원 기둥일 경우, 상기 광원부(3200)의 상기 기판(3210)은 연성 기판일 수 있다.The
상기 부재(3350)의 6 개의 측면에는 상기 광원부(3200)가 배치될 수 있다. 6 개의 측면 모두에 상기 광원부(3200)가 배치될 수도 있고, 6 개의 측면들 중 몇 개의 측면들에 상기 광원부(3200)가 배치될 수도 있다. 도 11에서는 6 개의 측면들 중 3 개의 측면들에 상기 광원부(3200)가 배치되어 있다. The
상기 부재(3350)의 측면에는 상기 기판(3210)이 배치된다. 상기 부재(3350)의 측면은 상기 방열체(3300)의 상면(3310)과 실질적으로 수직을 이룰 수 있다. 따라서, 상기 기판(3210)과 상기 방열체(3300)의 상면(3310)은 실질적으로 수직을 이룰 수 있다. The
상기 부재(3350)의 재질은 열 전도성을 갖는 재질일 수 있다. 이는 상기 광원부(3200)로부터 발생되는 열을 빠르게 전달받기 위함이다. 상기 부재(3350)의 재질로서는 예를 들면, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 주석(Sn) 등과 상기 금속들의 합금일 수 있다. 또는 상기 부재(3350)는 열 전도성을 갖는 열 전도성 플라스틱으로 형성될 수 있다. 열 전도성 플라스틱은 금속보다 무게가 가볍고, 단방향성의 열 전도성을 갖는 이점이 있다.The material of the
상기 회로부(3400)는 외부로부터 전원을 제공받고, 제공받은 전원을 상기 광원부(3200)에 맞게 변환한다. 상기 회로부(3400)는 변환된 전원을 상기 광원부(3200)로 공급한다. 상기 회로부(3400)는 상기 방열체(3300)에 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 회로부(3400)는 상기 내부 케이스(3500)에 수납되고, 상기 내부 케이스(3500)와 함께 상기 방열체(3300)에 수납될 수 있다. 상기 회로부(3400)는 회로 기판(3410)과 상기 회로 기판(3410) 상에 탑재되는 다수의 부품(3430)을 포함할 수 있다. The
상기 회로 기판(3410)은 원형의 판 형상을 갖지만, 이에 한정되지 않고 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 회로 기판(3410)은 타원형 또는 다각형의 판 형상일 수 있다. 이러한 회로 기판(3410)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있다. The
상기 회로 기판(3410)은 상기 광원부(3200)의 기판(3210)과 전기적으로 연결된다. 상기 회로 기판(3410)과 상기 기판(3210)의 전기적 연결은 예로서 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 와이어는 상기 방열체(3300)의 내부에 배치되어 상기 회로 기판(3410)과 상기 기판(3210)을 연결할 수 있다. The
다수의 부품(3430)은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원부(3200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원부(3200)를 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있다.A plurality of
상기 내부 케이스(3500)는 내부에 상기 회로부(3400)를 수납한다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 회로부(3400)를 수납하기 위해 수납부(3510)를 가질 수 있다. The
상기 수납부(3510)는 예로서 원통 형상을 가질 수 있다. 상기 수납부(3510)의 형상은 상기 방열체(3300)의 형상에 따라 달라질 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 방열체(3300)에 수납될 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)의 수납부(3510)는 상기 방열체(3300)의 하면에 형성된 수납부에 수납될 수 있다. The
상기 내부 케이스(3500)는 상기 소켓(3600)과 결합될 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 소켓(3600)과 결합하는 연결부(3530)를 가질 수 있다. 상기 연결부(3530)는 상기 소켓(3600)의 나사홈 구조와 대응되는 나사산 구조를 가질 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 부도체이다. 따라서, 상기 회로부(3400)와 상기 방열체(3300) 사이의 전기적 단락을 막는다. 예로서 상기 내부 케이스(3500)는 플라스틱 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The
상기 소켓(3600)은 상기 내부 케이스(3500)와 결합될 수 있다. 구체적으로, 상기 소켓(3600)은 상기 내부 케이스(3500)의 연결부(3530)와 결합될 수 있다. 상기 소켓(3600)은 종래 재래식 백열 전구와 같은 구조를 가질 수 있다. 상기 회로부(3400)와 상기 소켓(3600)은 전기적으로 연결된다. 상기 회로부(3400)와 상기 소켓(3600)의 전기적 연결은 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 따라서, 상기 소켓(3600)에 외부 전원이 인가되면, 외부 전원은 상기 회로부(3400)로 전달될 수 있다. 상기 소켓(3600)은 상기 연결부(3550)의 나사선 구조과 대응되는 나사홈 구조를 가질 수 있다.The
100; 발광소자
210; 제1솔더
220; 접착제
230; 제2솔더
300; 플립 칩 발광소자100; light emitting device
210; first solder
220; glue
230; second solder
300; flip chip light emitting device
Claims (11)
상기 기판 상에 이격되어 배치되는 제1솔더와 제2솔더;
상기 제1솔더와 상기 제2솔더 사이에 배치되는 접착제;
상기 제1솔더와 상기 제2솔더 상에 배치되며, 상기 제1솔더와 상기 제2솔더와 전기적으로 연결되는 플립 칩 발광소자를 포함하고,
상기 접착제는 에폭시(epoxy)와 플럭스(flux)의 혼합 물질을 포함하고,
상기 제1솔더, 상기 제2솔더 및 에폭시와 플럭스의 혼합 물질을 포함하는 상기 접착제의 수직폭은 서로 동일하며,
에폭시와 플럭스의 혼합 물질을 포함하는 상기 접착제는 상기 플립 칩 발광소자 및 상기 기판에 접착되는 발광소자 패키지.Board;
first and second solders spaced apart from each other on the substrate;
an adhesive disposed between the first solder and the second solder;
a flip chip light emitting device disposed on the first solder and the second solder and electrically connected to the first solder and the second solder;
The adhesive includes a mixture of epoxy and flux,
The vertical widths of the first solder, the second solder, and the adhesive including a mixed material of epoxy and flux are equal to each other,
The light emitting device package, wherein the adhesive including a mixture of epoxy and flux is adhered to the flip chip light emitting device and the substrate.
상기 제1솔더, 상기 제2솔더 및 상기 접착제의 수직폭은 20um인 발광소자 패키지.According to claim 1,
A vertical width of the first solder, the second solder, and the adhesive is 20um in a light emitting device package.
상기 제1 및 제2솔더의 수평폭은 서로 동일한 발광소자 패키지.According to claim 1,
A light emitting device package having the same horizontal widths of the first and second solders.
상기 제1솔더와 상기 제2솔더 사이에 에폭시(epoxy)와 플럭스(flux)의 혼합 물질을 포함하는 접착제를 도포하는 단계;
리플로우 솔더링하여 상기 제1솔더 및 상기 제2솔더와 플립 칩 발광소자를 전기적으로 연결하는 단계; 그리고
에폭시와 플럭스의 혼합 물질을 포함하는 상기 접착제가 상기 플립 칩 발광소자 및 상기 기판에 접착되는 단계를 포함하고,
상기 제1솔더, 상기 제2솔더 및 에폭시와 플럭스의 혼합 물질을 포함하는 상기 접착제의 수직폭은 서로 동일한 발광소자 패키지의 제조방법.mounting the first solder and the second solder to be spaced apart from each other on a substrate;
applying an adhesive including a mixed material of epoxy and flux between the first solder and the second solder;
electrically connecting the first and second solders to the flip chip light emitting device by reflow soldering; and
and adhering the adhesive comprising a mixture of epoxy and flux to the flip chip light emitting device and the substrate,
A method of manufacturing a light emitting device package wherein the first solder, the second solder, and the adhesive including a mixed material of epoxy and flux have the same vertical width.
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