KR102455084B1 - 발광소자 패키지 및 이를 갖는 표시장치 - Google Patents

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Abstract

실시 예는 발광소자 패키지 및 표시장치에 관한 것이다.
실시 예의 발광소자 패키지는 기판과, 기판 위에 배치된 적색 파장을 발광하는 제1 발광소자와, 제1 발광소자와 제1 방향으로 나란하게 배치된 청색 또는 녹색 파장을 발광하는 제2 발광소자와, 제1 및 제2 발광소자와 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 나란하게 배치된 녹색 또는 청색 파장을 발광하는 제3 발광소자, 및 제1 내지 제3 발광소자를 덮는 몰딩부를 포함하고, 기판 위에는 제1 발광소자와 접속된 제1 상부 전극, 제2 발광소자와 접속된 제2 상부 전극, 제3 발광소자와 접속된 제3 상부 전극 및 제1 내지 제3 발광소자와 공통으로 접속된 제4 상부 전극을 포함하고, 제1 내지 제3 발광소자는 제1 방향으로 엇갈리게 배치되고, 제1 내지 제3 발광소자의 중심은 기판의 중심으로부터 250㎛의 곡률 반경을 갖는 곡률 범위 내에 배치될 수 있다. 실시 예의 발광소자 패키지는 풀 컬러를 제공할 수 있고, 균일한 컬러 및 균일한 휘도를 구현할 수 있을 뿐만 아니라 몰딩부와 기판의 결합력을 향상시킬 수 있다. 실시 예는 구성을 간소화할 수 있고, 슬림화를 구현할 수 있다.

Description

발광소자 패키지 및 이를 갖는 표시장치{LIGHT EMITTING PACKAGE AND DISPLAY DEVICE HAVING THEREOF}
실시 예는 발광소자 패키지 및 표시장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류가 인가되면 광을 방출하는 발광 소자 중 하나이다. 발광 다이오드는 저 전압으로 고효율의 광을 방출할 수 있어 에너지 절감 효과가 뛰어나다. 최근, 발광 다이오드의 휘도 문제가 크게 개선되어, 액정표시장치의 백라이트 유닛(Backlight Unit), 전광판, 표시기, 가전 제품 등과 같은 각종 기기에 적용되고 있다.
일반적인 액정표시장치는 발광 다이오드가 실장된 복수의 발광소자 패키지의 광 및 액정의 투과율을 제어하여 컬러필터를 통과하는 빛으로 이미지 또는 영상을 표시한다.
최근에는 HD 이상의 고화질 및 100인치 이상의 표시장치가 요구되고 있으나, 일반적으로 주로 사용되고 있는 복잡한 구성들을 갖는 액정표시장치 및 유기전계 표시장치는 수율 및 비용에 의해 고화질의 100인치 이상의 표시장치를 구현하기에 어려움이 있었다.
실시 예는 풀 컬러를 제공할 수 있는 발광소자 패키지 및 표시장치를 제공한다.
실시 예는 균일한 컬러 및 균일한 휘도를 구현할 수 있는 발광소자 패키지 및 표시장치를 제공한다.
실시 예는 구성을 간소화할 수 있고, 슬림화에 유리한 발광소자 패키지 및 표시장치를 제공한다.
실시 예는 구성간의 결합력을 향상시켜 신뢰성을 개선할 수 있는 발광소자 패키지 및 표시장치를 제공한다.
실시 예는 이미지 및 영상의 직진성이 우수한 표시장치를 제공한다.
실시 예는 고해상도의 대형 표시장치를 구현할 수 있는 표시장치를 제공한다.
실시 예는 색순도(color purity) 및 색재현성(color reproduction)이 우수한 표시장치를 제공한다.
실시 예의 발광소자 패키지는 기판과, 기판 위에 배치된 적색 파장을 발광하는 제1 발광소자와, 제1 발광소자와 제1 방향으로 나란하게 배치된 청색 또는 녹색 파장을 발광하는 제2 발광소자와, 제1 및 제2 발광소자와 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 나란하게 배치된 녹색 또는 청색 파장을 발광하는 제3 발광소자, 및 제1 내지 제3 발광소자를 덮는 몰딩부를 포함하고, 기판 위에는 제1 발광소자와 접속된 제1 상부 전극, 제2 발광소자와 접속된 제2 상부 전극, 제3 발광소자와 접속된 제3 상부 전극 및 제1 내지 제3 발광소자와 공통으로 접속된 제4 상부 전극을 포함하고, 제1 내지 제3 발광소자는 제1 방향으로 엇갈리게 배치되고, 제1 내지 제3 발광소자의 중심은 기판의 중심으로부터 250㎛의 곡률 반경을 갖는 곡률 범위 내에 배치될 수 있다. 실시 예의 발광소자 패키지는 풀 컬러를 제공할 수 있고, 균일한 컬러 및 균일한 휘도를 구현할 수 있을 뿐만 아니라 몰딩부와 기판의 결합력을 향상시킬 수 있다. 실시 예는 구성을 간소화할 수 있고, 슬림화를 구현할 수 있다.
실시 예의 표시장치는 상기 발광소자 패키지를 포함하는 다수의 발광소자 패키지; 다수의 발광소자 패키지와 전기적으로 연결되는 구동기판; 및 상기 다수의 발광소자 패키지의 외측면을 감싸는 매트릭스 구조의 블랙 매트릭스를 포함할 수 있다. 실시 예는 표시장치의 구성을 간소화할 수 있고, 슬림화에 유리하고, 이미지 및 영상의 직진성이 우수하고, 100인치 이상의 대형 표시장치에 고해상도를 구현할 수 있다. 실시 예는 색순도(color purity) 및 색재현성(color reproduction)이 우수한 표시장치를 구현할 수 있다.
실시 예는 플립 칩 타입의 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)가 개별 구동되어 풀 컬러를 제공할 수 있다.
실시 예는 동일한 높이를 갖는 제1 내지 제3 발광소자가 100㎛ 이하의 사파이어 기판을 포함하고, 상기 사파이어 기판보다 낮은 높이를 갖는 발광소자 위의 몰딩부 두께에 의해 슬림화를 구현할 수 있고, 볼륨 발광을 구현할 수 있다. 또한, 실시 예는 이상의 구조에 의해 균일한 컬러 및 균일한 휘도를 구현할 수 있다.
실시 예는 기판의 외측면과 일정 간격 이격된 측부들을 갖는 상부 전극 구조에 의해 몰딩부와 기판의 결합력을 향상시켜 신뢰성을 개선할 수 있다.
실시 예의 표시장치는 구성을 간소화할 수 있고, 슬림화에 유리한 장점을 가질 수 있다.
실시 예의 표시장치는 이미지 및 영상의 직진성이 우수하여 100인치 이상의 대형 표시장치에 고해상도를 구현할 수 있다.
실시 예의 표시장치는 풀 컬러 발광소자 패키지의 이미지 및 영상 구현으로 색순도(color purity) 및 색재현성(color reproduction)이 우수한 표시장치를 구현할 수 있다.
도 1은 제1 실시 예의 발광소자 패키지를 도시한 사시도이다.
도 2는 제1 실시 예의 기판 및 복수의 발광소자를 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광소자 패키지를 도시한 평면도이다.
도 4는 제1 실시 예의 기판의 하부면을 도시한 평면도이다.
도 5는 제1 실시 예의 단위 기판을 제조하는 베이스 기판을 도시한 평면도이다.
도 6은 제2 실시 예의 발광소자 패키지를 도시한 평면도이다.
도 7은 제3 실시 예의 발광소자 패키지를 도시한 평면도이다.
도 8은 제4 실시 예의 발광소자 패키지를 도시한 평면도이다.
도 9는 실시 예의 표시장치를 도시한 사시도이다.
도 10은 실시 예의 표시장치를 도시한 평면도이다.
도 11은 실시 예의 발광소자 패키지의 하부 전극과 구동기판의 솔더 패드를 도시한 평면도이다.
실시예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도 1은 제1 실시 예의 발광소자 패키지를 도시한 사시도이고, 도 2는 제1 실시 예의 기판 및 복수의 발광소자를 도시한 평면도이고, 도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광소자 패키지를 도시한 평면도이고, 도 4는 제1 실시 예의 기판의 하부면을 도시한 평면도이다.
도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 실시 예의 발광소자 패키지(100)는 풀 컬러를 표시할 수 있고, 표시장치의 하나의 화소와 대응될 수 있다. 이를 위해 발광소자 패키지(100)는 기판(120), 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153), 몰딩부(170)를 포함할 수 있다.
상기 기판(120)은 다각형 구조일 수 있다. 예컨대 상기 기판(120)은 4개의 모서리 및 4개의 외측면을 포함할 수 있고, 상부면 및 하부면이 평평한 판 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 실시 예의 기판(120)은 제1 내지 제4 모서리(Corner, 125, 126, 127, 128)와, 제1 내지 제4 외측면(121, 122, 123, 124)을 포함할 수 있다.
상기 제1 외측면(121)은 제2 외측면(122)과 서로 나란하게 대칭될 수 있다. 상기 제3 외측면(123)은 제4 외측면(124)과 서로 나란하게 대칭될 수 있다. 상기 제1 및 제2 외측면(121, 122)은 상기 제3 및 제4 외측면(123, 124)으로부터 직교하는 방향으로 배치될 수 있다.
상기 기판(120)은 탑뷰가 정사각형 구조일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 기판(120)의 탑뷰는 표시장치의 화소구조와 대응될 수 있다. 예컨대 상기 기판(120)의 탑뷰는 직사각형, 다각형, 타원형, 원형 등 다양하게 변경될 수 있다. 제1 실시 예의 상기 기판(120)은 0.8㎜ x 0.8㎜의 화소를 기준으로 0.6㎜ x 0.6㎜ 일 수 있다. 여기서, 화소는 가장자리를 따라 0.1㎜ 너비의 블랙 매트릭스를 포함할 수 있다. 즉, 상기 기판(120)은 제1 내지 제4 외측면(121, 122, 123, 124)의 너비가 모두 0.6㎜ 서로 같을 수 있다.
상기 제1 모서리(125)는 상기 제1 외측면(121)과 상기 제3 외측면(123)이 만나는 영역에 배치될 수 있다. 상기 제2 모서리(126)는 상기 제2 외측면(122)과 제3 외측면(123)이 만나는 영역에 배치될 수 있다. 상기 제3 모서리(127)는 상기 제1 외측면(121)과 제4 외측면(124)이 만나는 영역에 배치될 수 있다. 상기 제4 모서리(128)는 상기 제2 외측면(122)과 제4 외측면(124)이 만나는 영역에 배치될 수 있다.
상기 기판(120)은 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코어(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판을 포함할 수 있다. 제1 실시 예의 상기 기판(120)은 금속층을 갖는 인쇄회로기판을 포함할 수 있다. 상기 기판(120)은 절연부(120S), 상부 전극 패턴(131, 132, 133, 134), 하부 전극 패턴(141, 142, 143, 144), 제1 내지 제3 연결 전극(161, 162, 163)을 포함할 수 있다.
상기 상부 전극 패턴(131, 132, 133, 134)은 상기 절연부(120S) 위에 배치될 수 있다. 상기 하부 전극 패턴(141, 142, 143, 144)은 상기 절연부(120S) 아래에 배치될 수 있다. 상기 상부 전극 패턴(131, 132, 133, 134) 및 하부 전극 패턴(141, 142, 143, 144)은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나 또는 이들의 선택적 합금으로 형성될 수 있으며, 단일 층 또는 다중 층으로 형성될 수 있다. 상기 상부 전극 패턴(131, 132, 133, 134)은 제1 상부 전극(131), 제2 상부 전극(132), 제3 상부 전극(133), 제4 상부 전극(134)을 포함할 수 있다. 상기 하부 전극 패턴(141, 142, 143, 144)은 제1 하부 전극(141), 제2 하부 전극(142), 제3 하부 전극(143), 제4 하부 전극(144)을 포함할 수 있다.
상기 제1 상부 전극(131)은 상기 제1 모서리(125)로부터 연장될 수 있다. 상기 제1 상부 전극(131)은 상기 제2 및 제4 상부 전극(132, 134)으로부터 일정 간격 이격될 수 있다. 상기 제1 상부 전극(131)은 제1 방향(X-X')으로 상기 제2 상부 전극(132)과 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제1 상부 전극(131)은 상기 제1 방향(X-X')으로 상기 제2 상부 전극(132)과 일정 간격 이격될 수 있다. 상기 제1 상부 전극(131)은 상기 제2 상부 전극(132)으로부터 제1 간격(D1)을 갖고 이격될 수 있다. 상기 제1 간격(D1)은 75㎛ 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 상부 전극(131)은 제2 방향(Y-Y')으로 상기 제4 상부 전극(134)과 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제1 상부 전극(131)은 상기 제2 방향(Y-Y')으로 상기 제4 상부 전극(134)과 일정 간격 이격될 수 있다. 상기 제1 상부 전극(131)은 상기 제4 상부 전극(134)으로부터 제4 간격(D4)을 갖고 이격될 수 있다. 상기 제4 간격(D4)은 75㎛ 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 여기서, 상기 제1 방향(X-X')은 상기 제1 및 제2 외측면(121, 122)과 직교하는 방향일 수 있다. 상기 제2 방향(Y-Y')은 상기 제1 방향(X-X')과 직교하는 방향일 수 있고, 상기 제3 및 제4 외측면(123, 124)과 직교하는 방향일 수 있다.
상기 제1 상부 전극(131)은 상기 제2 방향(Y-Y')으로 제1 너비(131W)를 가질 수 있다. 상기 제1 너비(131W)는 100㎛ 이상일 수 있고, 상기 제1 외측면(121) 너비의 16% 이상일 수 있다. 제1 실시 예의 상기 제1 너비(131W)는 150㎛ 이하일 수 있고, 제1 외측면(121) 너비의 25% 이하일 수 있다. 상기 제1 너비(131W)는 상기 제1 상부 전극(131)과 제1 하부 전극(141)을 연결하는 비아 홀의 면적 및 제1 발광소자(151)의 실장 면적을 확보할 수 있다. 상기 제1 너비(131W)를 갖는 제1 실시 예의 제1 상부 전극(131)은 기판(120)의 상기 제1 상부 전극(131)과 제1 하부 전극(141) 사이의 물리적 신뢰성 및 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 상기 제1 너비(131W)를 갖는 제1 실시 예의 제1 상부 전극(131)은 상기 제1 발광소자(151)와 기판(120) 사이의 물리적 신뢰성 및 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상기 제2 상부 전극(132)은 상기 제2 모서리(126)로부터 연장될 수 있다. 상기 제2 상부 전극(132)은 상기 제1 및 제4 상부 전극(131, 134)으로부터 일정 간격 이격될 수 있다. 상기 제2 상부 전극(132)은 제1 방향(X-X')으로 상기 제1 상부 전극(131)과 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제2 상부 전극(132)은 상기 제1 방향(X-X')으로 상기 제1 상부 전극(131)과 일정 간격 이격될 수 있다.
상기 제2 상부 전극(132)은 제2 끝단(132a)을 포함할 수 있고, 상기 제2 끝단(132a)은 상기 제1 상부 전극(131)의 제1 끝단(131a)과 마주볼 수 있다. 상기 제1 및 제2 끝단(131a, 132a) 사이의 간격은 제1 간격(D1)과 대응될 수 있다.
상기 제2 상부 전극(132)은 제2 방향(Y-Y')으로 상기 제4 상부 전극(134)과 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제2 상부 전극(132)은 상기 제2 방향(Y-Y')으로 상기 제4 상부 전극(134)과 일정 간격 이격될 수 있다. 상기 제2 상부 전극(132)은 상기 제4 상부 전극(134)으로부터 제2 간격(D2)을 갖고 이격될 수 있다. 상기 제1 간격(D1)은 75㎛ 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제2 상부 전극(132)은 상기 제2 방향(Y-Y')으로 제2 너비(132W)를 가질 수 있다. 상기 제2 너비(132W)는 100㎛ 이상일 수 있고, 상기 제2 외측면(122) 너비의 16% 이상일 수 있다. 제1 실시 예의 상기 제2 너비(132W)는 150㎛ 이하일 수 있고, 제2 외측면(122) 너비의 25% 이하일 수 있다. 상기 제2 너비(132W)는 상기 제2 상부 전극(132)과 제2 하부 전극(142)을 연결하는 비아 홀의 면적 및 제2 발광소자(152)의 실장 면적을 확보할 수 있다. 상기 제2 너비(132W)를 갖는 제1 실시 예의 제2 상부 전극(132)은 기판(120)의 상기 제2 상부 전극(132)과 제2 하부 전극(142) 사이의 물리적 신뢰성 및 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 상기 제2 너비(132W)를 갖는 제1 실시 예의 제2 상부 전극(132)은 상기 제2 발광소자(152)와 기판(120) 사이의 물리적 신뢰성 및 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상기 제2 상부 전극(132)은 제1 측부(132b)를 포함할 수 있다. 상기 제1 측부(132b)는 상기 기판(120)의 제3 외측면(123)으로부터 내측 방향으로 배치될 수 있다. 상기 제1 측부(132b)는 제2 끝단(132a)과 인접하고, 상기 제3 외측면(122)과 인접하고, 상기 제3 외측면(123)과 대면되게 배치될 수 있다.
제1 실시 예는 상기 제1 측부(132b) 및 상기 제3 외측면(123) 사이의 제5 간격(D5)을 가질 수 있다. 상기 제5 간격(D5)은 5㎛ 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제5 간격(D5)은 상기 몰딩부(170)와 기판(120)의 제2 상부 전극(132) 및 절연부(120S) 사이의 접촉 면적을 넓게 확보함으로써, 몰딩부(170)와 기판(120)의 결합력을 향상시킬 수 있다. 제1 실시 예의 상기 제5 간격(D5)은 10㎛일 수 있다. 예컨대 상기 제5 간격(D5)은 제2 간격(132W)의 3% 이상일 수 있다.
상기 제1 측부(132b)의 제4 너비(W4)는 제2 모서리(126)으로부터 상기 제3 외측면(123)을 따라 노출된 제2 상부 전극(132)의 제5 너비(W5)보다 클 수 있다. 예컨대 상기 제4 및 제5 너비(W4, W5)의 합은 260㎛ 이하일 수 있고, 상기 제4 너비(W4)는 130㎛ 이상일 수 있다. 상기 제4 너비(W4)는 상기 제4 및 제5 너비(W4, W5)의 합의 50% 이상일 수 있다. 제1 실시 예는 상기 제4 너비(W4)가 상기 제5 너비(W5)보다 크게 설계되어 몰딩부(170)외 기판(120)의 결합력을 보다 더 향상시킬 수 있다.
상기 제3 상부 전극(133)은 상기 제3 모서리(127)로부터 연장될 수 있다. 상기 제3 상부 전극(133)은 상기 제4 상부 전극(134)으로부터 일정 간격 이격될 수 있다. 상기 제3 상부 전극(133)은 상기 제4 상부 전극(134)으로부터 제3 간격(D3)을 갖고 이격될 수 있다. 상기 제3 간격(D3)은 75㎛ 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제3 상부 전극(133)은 제1 및 제2 방향(Y-Y')으로 상기 제4 상부 전극(134)과 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제3 상부 전극(133)은 제3 끝단(133a)을 포함할 수 있고, 상기 제3 끝단(133a)은 상기 제4 상부 전극(134)과 마주볼 수 있다.
상기 제3 상부 전극(133)은 상기 제2 방향(Y-Y')으로 제3 너비(133W)를 가질 수 있다. 상기 제3 너비(133W)는 100㎛ 이상일 수 있고, 상기 제1 외측면(121) 너비의 16% 이상일 수 있다. 제1 실시 예의 상기 제3 너비(133W)는 150㎛ 이하일 수 있고, 제1 외측면(121) 너비의 25% 이하일 수 있다. 상기 제3 너비(133W)는 상기 제3 상부 전극(133)과 제3 하부 전극(143)을 연결하는 비아 홀의 면적 및 제3 발광소자(153)의 실장 면적을 확보할 수 있다. 상기 제3 너비(133W)를 갖는 제1 실시 예의 제3 상부 전극(133)은 기판(120)의 상기 제3 상부 전극(133)과 제3 하부 전극(143) 사이의 물리적 신뢰성 및 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 상기 제3 너비(133W)를 갖는 제1 실시 예의 제3 상부 전극(133)은 상기 제3 발광소자(153)와 기판(120) 사이의 물리적 신뢰성 및 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상기 제3 상부 전극(133)은 제2 측부(133b)를 포함할 수 있다. 상기 제2 측부(133b)는 상기 기판(120)의 제4 외측면(124)으로부터 내측 방향으로 배치될 수 있다. 상기 제2 측부(133b)는 제3 끝단(133a)과 인접하고, 상기 제4 외측면(124)과 인접하고, 상기 제4 외측면(124)과 대면되게 배치될 수 있다.
제1 실시 예는 상기 제2 측부(133b) 및 상기 제4 외측면(124) 사이의 제6 간격(D6)을 갖는다. 상기 제6 간격(D6)은 5㎛ 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제6 간격(D6)은 상기 몰딩부(170)와 기판(120)의 제3 상부 전극(133) 및 절연부(120S) 사이의 접촉 면적을 넓게 확보함으로써, 몰딩부(170)와 기판(120)의 결합력을 향상시킬 수 있다. 제1 실시 예의 상기 제6 간격(D6)은 10㎛일 수 있다. 예컨대 상기 제6 간격(D6)은 제3 간격(133W)의 3% 이상일 수 있다.
상기 제2 측부(133b)의 제6 너비(W6)는 제3 모서리(127)으로부터 상기 제4 외측면(124)을 따라 노출된 제3 상부 전극(133)의 제7 너비(W7)보다 클 수 있다. 예컨대 상기 제6 및 제7 너비(W6, W7)의 합은 430㎛ 이하일 수 있고, 상기 제6 너비(W6)는 215㎛ 이상일 수 있다. 상기 제6 너비(W6)는 상기 제6 및 제7 너비(W6, W7)의 합의 50% 이상일 수 있다. 제1 실시 예는 상기 제6 너비(W6)가 상기 제7 너비(W7)보다 크게 설계되어 몰딩부(170)외 기판(120)의 결합력을 보다 더 향상시킬 수 있다.
상기 제4 상부 전극(134)은 상기 제4 모서리(128)로부터 연장될 수 있다. 상기 제4 상부 전극(134)은 상기 제1 내지 제3 상부 전극(131, 133)으로부터 일정 간격 이격될 수 있다. 상기 제4 상부 전극(134)은 상기 제4 모서리(128)로부터 상기 제1 외측면(121)에 인접하게 연장될 수 있다. 상기 제4 상부 전극(134)은 제2 방향(Y-Y')으로 기판(120)의 중심을 지나는 중심 축(C)을 직교할 수 있다. 상기 제4 상부 전극(134)은 상기 제4 모서리(128)로부터 제2 방향(Y-Y')으로 연장되고, 기판(120)의 중심 축(C)을 직교하는 제1 방향(X-X')으로 구부러지는 형상을 가질 수 있다. 상기 제4 상부 전극(134)은 상기 제1 및 제3 상부 전극(131, 133) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제4 상부 전극(134)은 상기 제2 및 제3 상부 전극(132, 133) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제4 상부 전극(134)은 공통 전극 기능을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 제4 상부 전극(134)은 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 애노드와 접속될 수 있고, 제1 내지 제3 상부 전극(133) 각각은 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 각각의 캐소드와 연결될 수 있다.
상기 제4 상부 전극(134)은 상기 제2 방향(Y-Y')으로 제4 너비(134W)를 가질 수 있다. 상기 제4 너비(134W)는 100㎛ 이상일 수 있고, 상기 제1 외측면(121) 너비의 16% 이상일 수 있다. 제1 실시 예의 상기 제4 너비(134W)는 150㎛ 이하일 수 있고, 제1 외측면(121) 너비의 25%일 수 있다. 상기 제4 너비(134W)는 상기 제4 상부 전극(134)과 제4 하부 전극(144)을 연결하는 비아 홀의 면적 및 제3 발광소자(153)의 실장 면적을 확보할 수 있다. 상기 제4 너비(134W)를 갖는 제1 실시 예의 제4 상부 전극(134)은 기판(120)의 상기 제4 상부 전극(134)과 제4 하부 전극(144) 사이의 물리적 신뢰성 및 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 상기 제4 너비(134W)를 갖는 제1 실시 예의 제4 상부 전극(134)은 상기 제3 발광소자(153)와 기판(120) 사이의 물리적 신뢰성 및 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상기 제4 상부 전극(134)은 제3 측부(134b)를 포함할 수 있다. 상기 제3 측부(134b)는 상기 기판(120)의 제2 외측면(122)으로부터 내측 방향으로 배치될 수 있다. 상기 제3 측부(134b)는 제4 모서리(128)로부터 일정 간격 이격되고, 상기 제2 외측면(122)과 인접하고, 상기 제2 외측면(122)과 대면되게 배치될 수 있다. 제1 실시 예는 상기 제3 측부(134b) 및 상기 제2 외측면(122) 사이의 제7 간격(D7)을 가질 수 있다. 상기 제4 상부 전극(134)은 제4 끝단(134a)을 포함할 수 있고, 상기 제4 끝단(134a)은 상기 제1 외측면(121)과 대면될 수 있다.
제1 실시 예는 상기 제4 끝단(134a) 및 상기 제1 외측면(121) 사이의 제8 간격(D8)을 가질 수 있다. 상기 제7 및 제8 간격(D7, D8)은 5㎛ 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제7 및 제8 간격(D7, D8)은 상기 몰딩부(170)와 기판(120)의 제4 상부 전극(134) 및 절연부(120S) 사이의 접촉 면적을 넓게 확보함으로써, 몰딩부(170)와 기판(120)의 결합력을 향상시킬 수 있다. 제1 실시 예의 상기 제7 및 제8 간격(D7, D8)은 10㎛일 수 있다. 예컨대 상기 제7 및 제8 간격(D7)은 제4 간격(134W)의 3% 이상일 수 있다.
상기 제3 측부(134b)의 제8 너비(W8)는 제4 모서리(128)으로부터 상기 제2 외측면(122)을 따라 노출된 제4 상부 전극(134)의 제9 너비(W9)보다 클 수 있다. 예컨대 상기 제8 및 제9 너비(W8, W9)의 합은 375㎛ 이하일 수 있고, 상기 제8 너비(W8)는 188㎛ 이상일 수 있다. 상기 제8 너비(W8)는 상기 제8 및 제9 너비(W8, W9)의 합의 50% 이상일 수 있다. 제1 실시 예는 상기 제8 너비(W8)가 상기 제9 너비(W9)보다 크게 설계되어 몰딩부(170)외 기판(120)의 결합력을 보다 더 향상시킬 수 있다.
제1 실시 예의 제1 내지 제4 너비(131W, 132W, 133W, 134W)는 서로 같을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제1 내지 제4 너비(131W, 132W, 133W, 134W) 각각은 상기 제1 내지 제4 너비(131W, 132W, 133W, 134W)의 평균의 ±10% 범위 이내 일 수 있다.
상기 하부 전극 패턴(141, 142, 143, 144)은 제1 하부 전극(141), 제2 하부 전극(142), 제3 하부 전극(143), 제4 하부 전극(144)을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제4 하부 전극(141, 142, 143, 144)은 모두 동일한 면적을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제1 내지 제4 하부 전극(141, 142, 143, 144)은 200㎛의 너비를 가질 수 있다. 상기 제1 내지 제4 하부 전극(141, 142, 143, 144)의 각각의 너비는 상기 제1 내지 제4 하부 전극(141, 142, 143, 144)의 평균의 ±10% 범위 이내 일 수 있다.
상기 제1 하부 전극(141)은 상기 제1 모서리(125)로부터 연장될 수 있다. 상기 제1 하부 전극(141)은 탑뷰가 4개의 측부를 갖는 사각형 구조일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 하부 전극(141)은 적어도 2개의 측부가 상기 기판(120)의 측면으로부터 노출될 수 있다. 상기 제1 하부 전극(141)은 제1 방향(X-X')으로 상기 제2 하부 전극(142)과 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제1 하부 전극(141)은 상기 제1 방향(X-X')으로 상기 제2 하부 전극(142)과 일정 간격 이격될 수 있다. 예컨대 상기 제1 및 제2 하부 전극(141, 142) 사이의 간격은 상기 제1 하부 전극(141)의 너비와 대응될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제1 및 제2 하부 전극(141, 142) 사이의 간격은 제1 및 제2 하부 전극(141, 142) 각각의 너비보다 작을 수 있다.
상기 제1 하부 전극(141)은 제2 방향(Y-Y')으로 상기 제3 하부 전극(143)과 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제1 하부 전극(141)은 상기 제2 방향(Y-Y')으로 상기 제3 하부 전극(143)과 일정 간격 이격될 수 있다. 예컨대 상기 제1 및 제3 하부 전극(141, 143) 사이의 간격은 상기 제1 하부 전극(141)의 너비의 대응될 수 있다. 예컨대 상기 제1 및 제3 하부 전극(141, 143) 사이의 간격은 제1 및 제3 하부 전극(141, 143) 각각의 너비보다 작을 수 있다. 상기 제1 및 제3 하부 전극(141, 143) 사이의 간격은 200㎛ 일 수 있다.
상기 제2 하부 전극(142)은 상기 제2 모서리(126)로부터 연장될 수 있다. 상기 제2 하부 전극(142)은 탑뷰가 4개의 측부를 갖는 사각형 구조일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 하부 전극(142)은 적어도 2개의 측부가 상기 기판(120)의 측면으로부터 노출될 수 있다.
상기 제2 하부 전극(142)은 제1 방향(X-X')으로 상기 제1 하부 전극(141)과 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제2 하부 전극(142)은 상기 제1 방향(X-X')으로 상기 제1 하부 전극(141)과 일정 간격 이격될 수 있다.
상기 제2 하부 전극(142)은 제2 방향(Y-Y')으로 상기 제4 하부 전극(144)과 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제2 하부 전극(142)은 상기 제2 방향(Y-Y')으로 상기 제4 하부 전극(144)과 일정 간격 이격될 수 있다. 예컨대 상기 제2 및 제4 하부 전극(142, 144) 사이의 간격은 상기 제2 하부 전극(142)의 너비와 대응될 수 있다. 상기 제2 및 제4 하부 전극(142, 144) 사이의 간격은 200㎛ 일 수 있다. 예컨대 상기 제2 및 제4 하부 전극(142, 144) 사이의 간격은 제2 및 제4 하부 전극(142, 144) 각각의 너비보다 작을 수 있다.
상기 제3 하부 전극(143)은 상기 제3 모서리(127)로부터 연장될 수 있다. 상기 제3 하부 전극(143)은 탑뷰가 4개의 측부를 갖는 사각형 구조일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제3 하부 전극(143)은 적어도 2개의 측부가 상기 기판(120)의 측면으로부터 노출될 수 있다.
상기 제3 하부 전극(143)은 제1 방향(X-X')으로 상기 제4 하부 전극(144)과 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제3 하부 전극(143)은 상기 제1 방향(X-X')으로 상기 제4 하부 전극(144)과 일정 간격 이격될 수 있다.
상기 제3 하부 전극(143)은 제2 방향(Y-Y')으로 상기 제1 하부 전극(141)과 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제3 하부 전극(143)은 상기 제2 방향(Y-Y')으로 상기 제1 하부 전극(141)과 일정 간격 이격될 수 있다. 예컨대 상기 제3 및 제1 하부 전극(143, 141) 사이의 간격은 상기 제3 하부 전극(143)의 너비와 대응될 수 있다. 상기 제3 및 제1 하부 전극(143, 141) 사이의 간격은 200㎛ 일 수 있다. 예컨대 상기 제3 및 제1 하부 전극(143, 141) 사이의 간격은 제3 및 제1 하부 전극(143, 141) 각각의 너비보다 작을 수 있다.
상기 제4 하부 전극(144)은 상기 제2 모서리(128)로부터 연장될 수 있다. 상기 제4 하부 전극(144)은 탑뷰가 4개의 측부를 갖는 사각형 구조일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제4 하부 전극(144)은 적어도 2개의 측부가 상기 기판(120)의 측면으로부터 노출될 수 있다. 상기 제4 하부 전극(144)은 제1 방향(X-X')으로 상기 제3 하부 전극(143)과 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제4 하부 전극(144)은 상기 제1 방향(X-X')으로 상기 제3 하부 전극(143)과 일정 간격 이격될 수 있다.
상기 제4 하부 전극(144)은 제2 방향(Y-Y')으로 상기 제2 하부 전극(142)과 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제4 하부 전극(144)은 상기 제2 방향(Y-Y')으로 상기 제2 하부 전극(142)과 일정 간격 이격될 수 있다. 예컨대 상기 제4 및 제2 하부 전극(144, 142) 사이의 간격은 상기 제4 하부 전극(144)의 너비와 대응될 수 있다. 상기 제4 및 제2 하부 전극(144, 142) 사이의 간격은 200㎛ 일 수 있다. 예컨대 상기 제4 및 제2 하부 전극(144, 142) 사이의 간격은 제4 및 제2 하부 전극(144, 142) 각각의 너비보다 작을 수 있다.
상기 제1 연결 전극(161)은 상기 절연부(120S)를 관통하는 비아 홀에 형성되어 상기 제1 상부 전극(131)과 제1 하부 전극(141) 사이를 연결시킬 수 있다. 상기 제2 연결 전극(162)은 상기 절연부(120S)를 관통하는 비아 홀에 형성되어 상기 제2 상부 전극(132)과 제2 하부 전극(142) 사이를 연결시킬 수 있다. 상기 제3 연결 전극(163)은 상기 절연부(120S)를 관통하는 비아 홀에 형성되어 상기 제3 상부 전극(133)과 제3 하부 전극(143) 사이를 연결시킬 수 있다. 상기 제1 내지 제3 연결 전극(161, 162, 163)은 각각 제1 내지 제3 단면너비(W1, W2, W3)를 가질 수 있다. 상기 제1 내지 제3 단면너비(W1, W2, W3)는 제1 내지 제3 너비(131W, 132W, 133W)보다 작을 수 있다. 예컨대 상기 제1 내지 제3 단면 너비(W1, W2, W3)는 100㎛ 미만일 수 있다. 도면에는 도시되지 않았지만, 제1 실시 예는 상기 제4 상부 전극(134)과 상기 제4 하부 전극(144) 사이를 연결시키는 제4 연결 전극(미도시)를 포함할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 서로 다른 컬러를 발광할 수 있다. 예컨대 제1 발광소자(151)는 적색 파장의 광을 발광할 수 있고, 제2 발광소자(152)는 녹색 파장의 광을 발광할 수 있고, 제3 발광소자(153)는 청색 파장의 광을 발광할 수 있다. 상기 제1 발광소자(151)는 상기 제2 및 제3 발광소자(151)와 물성 차이에 의해 동작전압이 상이할 수 있다. 제1 실시 예의 제1 발광소자(151)는 상기 제4 상부 전극(134)과 접하는 제4 모서리(128)와 대각선에 배치될 수 있다. 예컨대 상기 제1 발광소자(151)는 공통전극 기능을 갖는 제4 상부 전극(134)과 접하는 제4 모서리(128)로부터 대각선 제1 모서리(125)에 배치될 수 있다. 상기 제1 발광소자(151)는 상기 제4 상부 전극(134)과 접하는 제4 모서리(128)로부터 대각선 제1 모서리(125)에 배치함으로써, 실장 공정에서의 편의성이 향상될 수 있다.
다른 예로 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 UV 발광층과 형광층을 포함할 수도 있다. 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 사파이어 기판(51), 발광층(53), 제1 및 제2 발광소자전극(57, 59)을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 상기 제1 및 제2 발광소자전극(57, 59)이 하부에 배치되어 기판(120)에 직접 실장되는 플립 칩 구조일 수 있다.
제1 실시 예의 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)로부터 발광된 광이 혼합되어 풀 컬러를 구현할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 높이는 서로 같을 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 각각은 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 평균의 ±10% 범위 이내 일 수 있다.
상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 서로 같은 높이를 가지며, 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 사파이어 기판(51)은 100㎛ 이상일 수 있다. 제1 실시 예는 100㎛ 이상의 사파이어 기판(51) 및 동일한 높이의 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)에 의해 광 혼합을 향상시키고, 볼륨 발광을 구현할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 서로 일정한 간격을 두고 배치될 수 있다. 상기 제1 발광소자(151)는 상기 제1 모서리(125)와 인접하게 배치되고, 상기 제2 발광소자(152)는 제2 모서리(126)와 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제3 발광소자(153)는 상기 제1 내지 제2 발광소자(151, 152) 사이에 배치되고, 상기 중심축(C)을 상에 배치될 수 있다. 상기 제3 발광소자(153)는 상기 제4 외측면(124)에 인접하게 배치될 수 있다.
상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 50㎛이상의 간격을 두고 배치될 수 있다. 예컨대 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 사이의 간격은 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 각각의 단축 너비의 30% 이상일 수 있다. 여기서, 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 각각은 0.6㎜ x 0.6㎜의 기판(120) 기준으로 250㎛ x 150㎛의 장축 및 단축 너비를 가질 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 50㎛이상의 간격을 두고 배치됨으로써, 실장 공정에서 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 마찰에 의한 파손을 개선할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 50㎛이상의 간격을 두고 배치됨으로써, 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 각각의 광이 서로 간섭되어 손실되는 광 손실을 개선할 수 있다.
상기 제3 발광소자(153)는 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 152)와 중첩될 수 있다. 예컨대 상기 제3 발광소자(153)는 상기 제1 발광소자(151)와 제2 방향(Y-Y')으로 중첩된 제1 중첩영역(O1)을 가질 수 있다. 상기 제3 발광소자(153)는 상기 제2 발광소자(152)와 제2 방향(Y-Y')으로 중첩된 제2 중첩영역(O2)을 가질 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 중첩영역을 최소화하여 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 각각의 광이 서로 간섭되어 손실되는 광 손실을 개선할 수 있다. 상기 제1 및 제2 중첩영역(O1, O2)은 상기 제2 방향(Y-Y')의 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 각각의 너비의 절반 이하일 수 있다. 상기 제1 및 제2 중첩영역(O1, O2)은 상기 제2 방향(Y-Y')의 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 각각의 너비의 1/3 이하일 수 있다. 상기 제1 및 제2 중첩영역(O1, O2)은 상기 제2 방향(Y-Y')의 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 각각의 너비의 1/2이하일 수 있고, 바람직하게는 1/4 이하일 수 있다. 상기 제1 및 제2 중첩영역(O1, O2)은 제2 방향(Y-Y')으로 270㎛의 너비를 갖는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)를 기준으로 135㎛ 내지 35㎛일 수 있다.
제1 실시 예는 상기 제3 발광소자(153)는 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 152)와 중첩된 제1 및 제2 중첩영역(O1, O2)을 갖는 구조를 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 서로 중첩된 영역을 갖지 않을 수 있다.
제1 실시 예는 상기 기판(120)의 중심으로부터 일정한 곡률 범위 내에 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)가 배치될 수 있다. 실시 예의 곡률 반경은 250㎛일 수 있다. 발광소자 패키지(100)의 중심으로부터 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 제1 내지 제3 중심부(151c, 152c, 153c)를 포함하는 영역의 곡률 반경은 화소에 의해 결정되고, 화소 크기의 50% 이내일 수 있고, 제1 실시 예에서는 화소 크기의 31%일 수 있다. 구체적으로 250㎛의 곡률 반경을 갖는 곡률 범위 내에 상기 제1 발광소자(151)의 중심부, 제2 발광소자(152)의 중심부 및 제3 발광소자(153)의 중심부가 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 중심부가 상기 곡률 범위를 벗어나는 경우, 광 혼합 및 불균일한 휘도에 의해 볼륨 발광이 저하될 수 있다.
상기 몰딩부(170)는 상기 기판(120) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(170)의 탑뷰는 상기 기판(120)의 탑뷰 형상과 대응될 수 있다. 예컨대 상기 몰딩부(170) 및 기판(120)은 전체가 중첩될 수 있다. 상기 몰딩부(170)는 블랙 필러(filler, 171)를 포함할 수 있다. 상기 블랙 필러(171)는 발광소자 패키지(100)의 비발광 시에 블랙 컬러를 구현함으로써, 외관 품질을 향상시킬 수 있다. 예컨대 상기 발광소자 패키지(100)는 표시장치에 포함되는 경우, 표시장치의 구동 정지 시에 블랙 컬러의 화면을 구현함으로써, 외관 품질을 향상시킬 수 있다.
상기 몰딩부(170)는 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)를 보호하고, 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)로부터의 광 손실을 개선할 수 있는 두께를 가질 수 있다. 예컨대, 상기 몰딩부(170)의 상부면과 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 상부면 사이의 제2 높이(H2)는 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 각각의 사파이어 기판(51)의 제1 높이(H1)와 같거나 낮을 수 있다. 예컨대 상기 제1 높이(H1)는 100㎛일 수 있고, 제2 높이(H2)는 100㎛ 이하일 수 있다. 상기 제2 높이(H2)는 50㎛이하일 수 있다. 상기 제2 높이(H2)는 사파이어 기판(51)의 100% 이하, 더 작게는 상기 사파이어 기판(51)의 50% 이하일 수 있다. 제1 실시 예는 상기 제1 높이(H1)와 같거나 낮은 높이를 갖는 제2 높이(H2)의 몰딩부(170)를 포함하여 광의 혼합 및 직진성을 개선할 수 있다. 여기서, 100㎛의 상기 사파이어 기판(51)의 제1 높이(H1)는 각각의 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)로부터의 볼륨 발광을 위한 높이일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제1 높이(H1)는 100㎛이하일 수도 있다.
상기 몰딩부(170)는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)와 인접한 측면 사이에 일정한 제9 간격(D9)을 포함할 수 있다. 상기 제9 간격(D9)은 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)와 가장 인접한 상기 몰딩부(170)의 측면 사이의 간격일 수 있다. 상기 제9 간격(D9)은 25㎛ 이상일 수 있다. 예컨대 상기 제9 간격(D9)은 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 단축 너비의 16% 이상일 수 있다. 여기서, 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 각각은 0.6㎜ x 0.6㎜의 기판(120) 기준으로 250㎛ x 150㎛의 장축 및 단축 너비를 가질 수 있다. 상기 제9 간격(D9)은 몰딩부(170)를 형성한 후에 단위 발광소자 패키지(100)로 분리하는 쏘잉(sawing) 공정 시에 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 손상을 방지할 수 있다.
제1 실시 예는 기판(120) 상에 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)가 배치되고, 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 제1 내지 제3 상부 전극(133)에 개별 접속되고, 제4 상부 전극(134)에 공통으로 접속되어 개별 구동될 수 있다. 제1 실시 예는 플립 칩 타입의 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)가 개별 구동되어 풀 컬러를 제공할 수 있다.
제1 실시 예는 동일한 높이를 갖는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)가 100㎛ 이하의 사파이어 기판(51)을 포함하고, 상기 사파이어 기판(51)보다 낮은 높이를 갖는 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 위의 몰딩부(170) 두께에 의해 발광소자 패키지(100)의 슬림화를 구현함과 동시에 볼륨 발광을 구현할 수 있다. 또한, 제1 실시 예는 이상의 구조에 의해 균일한 컬러 및 균일한 휘도를 구현할 수 있다.
제1 실시 예는 제2 내지 제4 상부 전극(134)과 기판(120)의 제1 내지 제4 외측면들(121, 122, 123, 124) 사이에 이격된 제5 내지 제8 간격(D5, D6, D7, D8)을 갖는 구조에 의해 몰딩부(170)와 기판(120)의 결합력을 향상시켜 신뢰성을 개선할 수 있다.
도 5는 제1 실시 예의 단위 기판을 제조하는 베이스 기판을 도시한 평면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제1 실시 예는 베이스 기판(20) 상에 인접한 단위 발광소자 패키지들(120a 내지 120d) 사이를 공유하는 상부전극패턴(130)을 포함할 수 있다.
상기 상부전극패턴(130)은 제1 발광소자 패키지(120a)의 제3 상부 전극(133), 제2 발광소자 패키지(120b)의 제4 상부 전극(134), 제3 발광소자 패키지(120c)의 제1 상부 전극(131) 및 제4 발광소자 패키지(120d)의 제2 상부 전극(132)을 포함할 수 있다. 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 베이스 기판(20)의 하부면에는 상기 단위 발광소자 패키지(120a 내지 120d)의 제1 내지 제4 하부 전극을 포함하는 하부전극패턴(미도시)를 포함할 수 있다.
제1 실시 예는 상기 베이스 기판(20) 상에 발광소자들을 실장하고, 몰딩부를 형성한 후에 쏘잉 공정을 통해서 상기 단위 발광소자 패키지(120a 내지 120d)를 각각 분리하여 발광소자 패키지 제조공정을 완료할 수 있다.
도 6은 제2 실시 예의 발광소자 패키지를 도시한 평면도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제2 실시 예는 기판(220) 및 제1 내지 제3 발광소자(151, 153, 155)를 포함할 수 있다. 제2 실시 예는 제1 상부 전극(231)을 포함할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 153, 155)는 도 1 내지 도 5를 참조하여 제1 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 상기 제2 내지 제4 상부 전극(132, 133, 134)은 제1 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 도면에는 도시되지 않았지만, 제2 실시 예는 몰딩부를 포함할 수 있고, 상기 몰딩부는 제1 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다.
상기 제1 상부 전극(231)은 상기 제1 모서리(125)로부터 연장될 수 있다. 상기 제1 상부 전극(231)은 상기 제2 및 제4 상부 전극(132, 134)으로부터 일정 간격 이격될 수 있다. 상기 제1 상부 전극(231)은 제1 방향(X-X')으로 상기 제2 상부 전극(132)과 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제1 상부 전극(231)은 상기 제1 방향(X-X')으로 상기 제2 상부 전극(132)과 일정 간격 이격될 수 있다.
상기 제1 상부 전극(231)은 제1 끝단(231a)을 포함할 수 있고, 상기 제1 끝단(231a)은 상기 제2 상부 전극(132)의 제2 끝단(132a)과 마주볼 수 있다. 상기 제1 및 제2 끝단(231a. 132a) 사이의 간격은 75㎛ 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 상부 전극(231)은 제2 방향(Y-Y')으로 상기 제4 상부 전극(134)과 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제1 상부 전극(231)은 상기 제2 방향(Y-Y')으로 상기 제4 상부 전극(134)과 일정 간격 이격될 수 있다. 상기 제1 상부 전극(231)은 상기 제2 방향(Y-Y')으로 100㎛ 이상의 너비를 가질 수 있다. 상기 제1 상부 전극(231)의 너비는 제1 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다.
상기 제1 상부 전극(231)은 제4 측부(231b)를 포함할 수 있다. 상기 제4 측부(231b)는 상기 기판(120)의 제3 외측면(123)으로부터 내측 방향으로 배치될 수 있다. 상기 제4 측부(231b)는 제4 끝단(231a)과 인접하고, 상기 제3 외측면(123)과 인접하고, 대면되게 배치될 수 있다.
제2 실시 예는 상기 제4 측부(231b) 및 상기 제3 외측면(123) 사이의 제12 간격(D12)을 가질 수 있다. 상기 제12 간격(D12)은 5㎛ 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제12 간격(D12)은 상기 몰딩부와 기판(220)의 제1 상부 전극(231) 및 절연부 사이의 접촉 면적을 넓게 확보함으로써, 몰딩부와 기판(220)의 결합력을 향상시킬 수 있다. 제2 실시 예의 상기 제12 간격(D12)은 0.6㎜ x 0.6㎜의 기판(220) 기준으로 10㎛일 수 있다.
제2 실시 예는 기판(220) 상에 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)가 배치되고, 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 제1 내지 제3 상부 전극(231, 132, 133)에 개별 접속되고, 제4 상부 전극(134)에 공통으로 접속되어 개별 구동될 수 있다. 제2 실시 예는 플립 칩 타입의 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)가 개별 구동되어 풀 컬러를 제공할 수 있다.
제2 실시 예는 일정한 높이를 갖는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)가 100㎛ 이하의 사파이어 기판을 포함하고, 상기 사파이어 기판 보다 낮은 높이를 갖는 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 위의 몰딩부 두께에 의해 발광소자 패키지의 슬림화를 구현함과 동시에 볼륨 발광을 구현할 수 있다. 또한, 제2 실시 예는 이상의 구조에 의해 균일한 컬러 및 균일한 휘도를 구현할 수 있다.
제2 실시 예는 제1 내지 제4 상부 전극(231, 132, 133, 134)과 기판(220)의 제1 내지 제4 외측면들(121, 122, 123, 124) 사이에 이격된 제5 내지 제8 간격(D1, D2, D3, D4), 제12 간격(D12)을 갖는 구조에 의해 몰딩부와 기판(220)의 결합력을 향상시켜 신뢰성을 개선할 수 있다.
도 7은 제3 실시 예의 발광소자 패키지를 도시한 평면도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 제3 실시 예는 기판(320) 및 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 353)를 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 발광소자(151, 152)는 도 1 내지 도 5를 참조하여 제1 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 상기 기판(320)은 제1 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 도면에는 도시되지 않았지만, 제3 실시 예는 몰딩부를 포함할 수 있고, 상기 몰딩부는 제1 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다.
상기 제3 발광소자(353)는 제3 및 제4 상부 전극(133, 134) 상에 실장될 수 있다. 상기 제3 발광소자(353)는 제3 모서리(128)와 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제3 발광소자(353)는 제1 방향(X-X')으로 이격된 제3 및 제4 상부 전극(133, 134) 상에 배치될 수 있다. 여기서, 상기 제1 발광소자(151)는 제2 방향(Y-Y')으로 이격된 제1 및 제4 상부 전극(131, 134) 상에 배치되고, 상기 제2 발광소자(152)는 제2 방향(Y-Y')으로 이격된 제2 및 제4 상부 전극(132, 134) 상에 배치될 수 있다.
상기 제3 발광소자(353)는 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 152)와 제2 방향(Y-Y')으로 일정 간격 이격될 수 있다. 제3 실시 예는 상기 제3 발광소자(353)의 배치 구조를 제1 방향(X-X')으로 이격된 제3 및 제4 상부 전극(133, 134) 상에 배치하여 제2 방향(Y-Y')으로 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 152)와 중첩되지 않는다. 따라서, 제3 실시 예는 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 353) 사이의 중첩영역을 제거하여 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 353) 사이에서 빛의 간섭을 개선할 수 있다. 제3 실시 예는 빛의 간섭에 의한 광 손실을 개선하여 광효율을 향상시킬 수 있다.
제3 실시 예는 기판(320) 상에 제1 내지 제3 발광소자(353)가 배치되고, 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 353)는 제1 내지 제3 상부 전극(131, 132, 133)에 개별 접속되고, 제4 상부 전극(134)에 공통으로 접속되어 개별 구동될 수 있다. 제3 실시 예는 플립 칩 타입의 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 353)가 개별 구동되어 풀 컬러를 제공할 수 있다.
제3 실시 예는 동일한 높이를 갖는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 353)가 100㎛ 이하의 사파이어 기판을 포함하고, 상기 사파이어 기판 보다 낮은 높이를 갖는 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 353) 위의 몰딩부 두께에 의해 발광소자 패키지의 슬림화를 구현함과 동시에 볼륨 발광을 구현할 수 있다. 또한, 제3 실시 예는 이상의 구조에 의해 균일한 컬러 및 균일한 휘도를 구현할 수 있다.
제3 실시 예는 제2 내지 제4 상부 전극(132, 133, 134)의 구조에 의해 몰딩부와 기판(320)의 결합력을 향상시켜 신뢰성을 개선할 수 있다.
도 8은 제4 실시 예의 발광소자 패키지를 도시한 평면도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 제4 실시 예는 기판(420) 및 제1 내지 제3 발광소자(451, 152, 153)를 포함할 수 있다.
상기 제2 및 제3 발광소자(152, 153)는 도 1 내지 도 5를 참조하여 제1 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 상기 기판(420)은 제1 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 도면에는 도시되지 않았지만, 제3 실시 예는 몰딩부를 포함할 수 있고, 상기 몰딩부는 제1 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다.
상기 제1 발광소자(451)는 제1 상부 전극(431) 상에 실장될 수 있다. 상기 제1 발광소자(451)는 상하에 각각 발광소자전극이 배치된 수직 타입일 수 있다. 상기 제1 발광소자(451)는 적색 발광소자일 수 있다. 상기 적색 발광소자는 광 추출 효율이 우수한 수직 타입으로 제공할 수 있다. 상기 제1 발광소자(451)는 광 추출 효율 및 신뢰도를 향상시키기 위해 수직 타입일 수 있다. 상기 제1 발광소자(451)는 상부에 노출되는 발광소자전극(미도시)과 제4 상부 전극(431)을 연결하는 와이어(451W)를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제4 상부 전극(431, 132, 133, 434)은 수직 타입의 상기 제1 발광소자(451)의 구조적 특징에 따라 형상이 변경될 수 있다. 예컨대 상기 제1 상부 전극(431)은 제1 실시 예보다 면적이 넓어질 수 있고, 제4 상부 전극(434)은 제1 실시 예보다 면적이 좁아질 수 있다.
제4 실시 예는 수직 타입의 적색 발광소자의 제1 발광소자(451)를 포함하여 광 추출 효율 및 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
제4 실시 예는 기판(420) 상에 제1 내지 제3 발광소자(451, 152, 153)가 배치되고, 상기 제1 내지 제3 발광소자(451, 152, 153)는 제1 내지 제3 상부 전극(431, 132, 133)에 개별 접속되고, 제4 상부 전극(434)에 공통으로 접속되어 개별 구동될 수 있다. 제4 실시 예는 플립 칩 타입의 제2 및 제3 발광소자(152, 153)와, 수직 타입의 제1 발광소자(451)가 개별 구동되어 풀 컬러를 제공할 수 있다.
제4 실시 예는 제2 내지 제4 상부 전극(132, 133, 434)의 구조에 의해 몰딩부와 기판(420)의 결합력을 향상시켜 신뢰성을 개선할 수 있다.
도 9는 실시 예의 표시장치를 도시한 사시도이고, 도 10은 실시 예의 표시장치를 도시한 평면도이고, 도 11은 실시 예의 발광소자 패키지의 하부 전극과 구동기판의 솔더 패드를 도시한 평면도이다.
도 9 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 실시 예의 표시장치(1000)는 이미지 또는 영상을 디스플레이할 수 있으나, 이에 한정하지 않고, 조명 유닛, 백라이트 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등, 차량용 조명장치, 차량용 표시장치, 스마트 시계 등에 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시 예의 표시장치(1000)는 전광판과 같은 100인치 이상의 대형 표시장치를 일 예로 설명하도록 한다.
상기 표시장치(1000)는 다수의 발광소자 패키지(100), 블랙 매트릭스(BM) 및 구동기판(1010)을 포함할 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(BM)는 빛샘을 방지하고, 외관 품질을 개선하는 기능을 포함할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 불투명한 유기물질일 수 있다. 예컨대 상기 블랙 매트릭스(BM)는 블랙 레진일 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 하나의 화소와 대응되는 개구부(1001)를 포함할 수 있다. 하나의 개구부(1001)는 하나의 화소와 대응되고, 하나의 발광소자 패키지(100)를 수용할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)의 두께는 상기 발광소자 패키지(100)의 두께와 같을 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 다수의 발광소자 패키지(100)의 외측면을 모두 감싸는 매트릭스 구조일 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 인접한 발광소자 패키지(100) 사이의 빛의 간섭을 차단하고, 표시장치(1000)의 구동 정지 시에 블랙 컬러의 화면을 제공함으로써, 외관 품질을 향상시킬 수 있다.
상기 다수의 발광소자 패키지(100) 각각은 제1 실시 예의 발광소자 패키지의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 상기 발광소자 패키지(100)는 상기 개구부(1001)와 대응되는 화소의 중심(P)으로부터 일정한 곡률 범위(R) 내에 제1 내지 제3 발광소자(100)가 배치될 수 있다. 실시 예의 곡률 반경은 0.8㎜ x 0.8㎜의 화소 사이즈 기준으로 250㎛일 수 있다. 발광소자 패키지(100)의 중심으로부터 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 제1 내지 제3 중심부(151c, 152c, 153c)를 포함하는 영역의 곡률 반경은 화소에 의해 결정되고, 화소 크기의 50% 이내일 수 있고, 제1 실시 예에서는 화소 크기의 31%일 수 있다. 상기 제1 내지 제3 중심부(151c, 152c, 153c)가 곡률 범위(R)를 벗어나는 경우, 해당 화소의 광 혼합 및 불균일한 휘도에 의해 볼륨 발광이 저하될 수 있다.
상기 구동기판(1010)은 상기 다수의 발광소자 패키지(100)와 전기적으로 연결되는 솔더 패드(SP)를 포함할 수 있다. 상기 솔더 패드(SP)는 상기 발광소자 패키지(100)의 제1 내지 제4 하부 전극(141, 142, 143, 144)과 1 대 1 대응될 수 있다. 상기 솔더 패드(SP)는 상기 제1 내지 제4 하부 전극(141, 142, 143, 144) 각각의 면적보다 큰 면적을 가질 수 있다. 상기 솔더 패드(SP)의 중심부(SC)는 상기 제1 내지 제4 하부 전극(141, 142, 143, 144) 내에 위치할 수 있다. 상기 제1 내지 제4 하부 전극(141, 142, 143, 144) 각각은 상기 솔더 패드(SP)와 완전히 중첩될 수 있다. 상기 솔더 패드(SP)는 0.6㎜ x 0.6㎜의 발광소자 패키지(100) 사이즈 기준으로 350㎛ x 350㎛일 수 있고, 상기 제1 내지 제4 하부 전극(141, 142, 143, 144)은 각각 200㎛ x 200㎛일 수 있다. 상기 솔더 패드(SP)의 내측부(IS1)는 상기 제1 내지 제4 하부 전극(141, 142, 143, 144) 각각의 내측부(IS2)와 중첩되거나, 일정 간격 이격된 제11 간격(D11)을 가질 수 있다. 상기 제11 간격(D11)은 0 내지 50㎛ 일 수 있다. 상기 제11 간격(D11)는 구동기판(1010) 상에 발광소자 패키지(100)를 실장하는 솔더 공정에서 접속 불량을 방지하고, 인접한 전극들의 간섭을 개선할 수 있다. 상기 제11 간격(D11)이 50㎛를 초과하는 경우, 인접한 하부 전극과 쇼트 등을 야기할 수 있다. 상기 제1 내지 제4 하부 전극(141, 142, 143, 144)의 일부가 상기 솔더 패드(SP)와 중첩되지 않는 경우, 접속 불량을 야기할 수 있다.
도면이는 도시되지 않았지만, 실시 예의 표시장치(1000)는 구동기판(1010)의 아래에 배치된 방열부재(미도시)를 더 포함할 수 있다.
실시 예의 표시장치(1000)는 풀 컬러를 제공할 수 있는 발광소자 패키지(100) 및 블랙 매트릭스(BM) 및 구동기판(1010)을 포함하여, 표시장치의 구성을 간소화함과 동시에 슬림화를 구현할 수 있다.
실시 예는 발광소자 패키지(100)를 이용하여 영상 및 이미지를 구현하므로 색순도(color purity) 및 색재현성(color reproduction)이 우수한 장점을 갖는다.
실시 예는 직진성이 우수한 발광소자 패키지를 이용하여 영상 및 이미지를 구현하므로 선명한 100인치 이상의 대형 표시장치를 구현할 수 있다.
실시 예는 저비용으로 고해상도의 100인치 이상의 대형 표시장치를 구현할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 표시장치뿐만 아니라 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등, 차량용 조명장치, 차량용 표시장치, 스마트 시계 등에 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 발광소자 패키지
120: 기판
131: 제1 상부 전극
132: 제2 상부 전극
133: 제3 상부 전극
134: 제4 상부 전극
141: 제1 하부 전극
142: 제2 하부 전극
143: 제3 하부 전극
144: 제4 하부 전극
151: 제1 발광소자
151c: 제1 중심부
152: 제2 발광소자
152c: 제2 중심부
153: 제3 발광소자
153c: 제3 중심부
170: 몰딩부
BM: 블랙 매트릭스

Claims (19)

  1. 기판;
    상기 기판 위에 배치된 적색 파장을 발광하는 제1 발광소자;
    상기 제1 발광소자와 제1 방향으로 나란하게 배치된 청색 또는 녹색 파장을 발광하는 제2 발광소자;
    상기 제1 및 제2 발광소자와 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 나란하게 배치된 녹색 또는 청색 파장을 발광하는 제3 발광소자; 및
    상기 제1 내지 제3 발광소자를 덮는 몰딩부를 포함하고,
    상기 기판 위에는 상기 제1 발광소자와 접속된 제1 상부 전극, 상기 제2 발광소자와 접속된 제2 상부 전극, 상기 제3 발광소자와 접속된 제3 상부 전극 및 상기 제1 내지 제3 발광소자와 공통으로 접속된 제4 상부 전극을 포함하고,
    상기 제1 내지 제3 발광소자는 상기 제1 방향으로 엇갈리게 배치되고,
    상기 제1 내지 제3 발광소자의 중심은 상기 기판의 중심으로부터 250㎛ 반경을 갖는 곡률 범위 내에 배치되며,
    상기 제3 발광소자는 상기 제1 및 제2 발광소자 중 적어도 하나와 상기 제2 방향으로 중첩된 제1 중첩영역 및 제2 중첩영역을 갖고, 상기 제1 중첩영역 및 상기 제2 중첩영역은 상기 제1 방향으로 상기 제1 및 제2 발광소자 사이에 있는 발광소자 패키지.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 발광소자는 서로 같은 높이를 갖는 플립 칩 타입인 발광소자 패키지.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 발광소자 각각은 사파이어 기판을 포함하고, 상기 몰딩부와 상기 사파이어 기판 사이의 높이는 상기 사파이어 기판의 높이보다 낮은 발광소자 패키지.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 상부 전극은 상기 기판의 제1 모서리로부터 연장되고, 상기 제2 상부전극은 상기 기판의 제2 모서리로부터 연장되고, 상기 제3 상부전극은 상기 기판의 제3 모서리로부터 연장되고, 상기 제4 상부전극은 상기 기판의 제4 모서리로부터 연장되고, 상기 제1 및 제2 모서리는 상기 제1 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제3 및 제4 모서리는 상기 제1 방향으로 나란하게 배치된 발광소자 패키지.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제4 상부전극 사이의 간격은 75㎛ 이상인 발광소자 패키지.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제4 상부전극은 상기 제2 방향으로 100㎛ 이상의 너비를 갖는 발광소자 패키지.
  7. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제4 상부전극은 상기 기판의 외측면으로부터 이격된 측부를 포함하고, 상기 측부와 상기 기판의 외측면 사이의 간격은 5㎛ 이상인 발광소자 패키지.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 발광소자는 서로 50㎛이상의 간격을 두고 배치된 발광소자 패키지.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 중첩영역 및 상기 제2 중첩영역은 상기 제3 발광소자의 상기 제2 방향으로의 너비의 절반 이하인 발광소자 패키지.
  10. 제4 항에 있어서,
    상기 제3 발광소자는 상기 제3 모서리에 인접하고, 상기 제1 방향으로 이격되는 상기 제3 및 제4 상부 전극 상에 배치되고, 상기 제2 방향으로 상기 제1 및 제2 발광소자와 일정 간격 이격된 발광소자 패키지.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 발광소자는 수직 타입인 발광소자 패키지.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 몰딩부는 블랙 필러를 포함하는 발광소자 패키지.
  13. 기판;
    상기 기판 위에 배치된 플립 칩 타입의 적색 발광소자;
    상기 기판 위에 상기 적색 발광소자와 제1 방향으로 나란하게 배치된 플립 칩 타입의 녹색 발광소자;
    상기 기판 위에 상기 적색 및 녹색 발광소자와 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 나란하게 배치된 플립 칩 타입의 청색 발광소자; 및
    상기 적색, 녹색 및 청색 발광소자를 덮는 몰딩부를 포함하고,
    상기 기판에는 상기 적색, 녹색 및 청색 발광소자를 개별 구동시키는 상부전극, 연결전극 및 하부전극을 포함하고,
    상기 적색, 녹색 및 청색 발광소자는 상기 제1 방향으로 엇갈리게 배치되고,
    상기 적색, 녹색 및 청색 발광소자 각각은 사파이어 기판 및 발광층을 포함하고,
    상기 몰딩부와 상기 사파이어 기판 사이의 높이는 상기 사파이어 기판의 높이보다 작으며,
    상기 청색 발광소자는 상기 적색 및 녹색 발광소자 중 적어도 하나와 상기 제2 방향으로 중첩된 제1 중첩영역 및 제2 중첩영역을 갖고, 상기 제1 중첩영역 및 상기 제2 중첩영역은 상기 제1 방향으로 상기 제1 및 제2 발광소자 사이에 있는 발광소자 패키지.
  14. 제1 내지 제13 항 중 어느 하나의 발광소자 패키지를 포함하는 다수의 발광소자 패키지;
    상기 다수의 발광소자 패키지와 전기적으로 연결되는 구동기판; 및
    상기 다수의 발광소자 패키지의 외측면을 감싸는 매트릭스 구조의 블랙 매트릭스를 포함하는 표시장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스는 하나의 화소와 대응되는 개구부를 포함하고, 상기 블랙 매트릭스의 두께는 상기 발광소자 패키지의 두께와 같은 표시장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 발광소자 패키지는 상기 개구부와 대응되는 화소의 중심으로부터 250㎛의 곡률 반경을 갖는 곡률 범위 내에 제1 내지 제3 발광소자의 중심부가 배치된 표시장치.
  17. 제14 항에 있어서,
    상기 구동기판 상에는 상기 발광소자 패키지와 전기적으로 접속되는 솔더패드를 포함하고, 상기 솔더패드의 중심부는 상기 발광소자 패키지의 하부에 노출된 하부전극과 중첩된 영역 내에 배치된 표시장치.
  18. 기판과, 상기 기판 위에 적색 파장을 발광하는 제1 발광소자, 상기 기판 위에 상기 제1 발광소자와 제1 방향으로 나란하게 배치된 청색 또는 녹색 파장을 발광하는 제2 발광소자와, 상기 기판 위에 상기 제1 및 제2 발광소자와 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 나란하게 배치된 녹색 또는 청색 파장을 발광하는 제3 발광소자와, 상기 제1 내지 제3 발광소자를 덮는 몰딩부를 포함하는 복수의 발광소자 패키지;
    상기 복수의 발광소자 패키지와 전기적으로 연결되는 구동기판; 및
    상기 복수의 발광소자 패키지의 외측면을 감싸는 매트릭스 구조의 블랙 매트릭스를 포함하고,
    상기 제1 내지 제3 발광소자는 제1 방향으로 엇갈리게 배치되고,
    상기 발광소자 패키지의 중심으로부터 상기 제1 내지 제3 발광소자의 중심부들을 포함하는 영역의 곡률 반경은 화소에 의해 결정되고, 화소 크기의 50% 이내이며,
    상기 제3 발광소자는 상기 제1 및 제2 발광소자 중 적어도 하나와 상기 제2 방향으로 중첩된 제1 중첩영역 및 제2 중첩영역을 갖고, 상기 제1 중첩영역 및 상기 제2 중첩영역은 상기 제1 방향으로 상기 제1 및 제2 발광소자 사이에 있는 표시장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 발광소자는 서로 같은 높이를 갖고, 상기 제1 내지 제3 발광소자 각각은 사파이어 기판을 포함하고, 상기 몰딩부와 상기 사파이어 기판 사이의 높이는 상기 사파이어 기판의 높이보다 낮은 표시장치.
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