KR102442451B1 - 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치 및 이를 이용한 파우더 트랩의 세정 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치 및 이를 이용한 파우더 트랩의 세정 방법에 관한 것으로 반도체 제조 설비의 프로세스 챔버에서 배출되는 반응 가스에 포함된 파우더를 포집하는 파우더 트랩의 내부에 쌓인 파우더를 세정가스 공급부를 통해 공급되는 세정가스로 기체로 변환시켜 제거함으로써 파우더 트랩의 교체 없이 파우더 트랩의 세정이 가능하여 파우더 트랩의 세정 시에도 반도체 제조 설비가 지속적으로 운영될 수 있고, 이로써 반도체 제조 공정의 생산 효율성을 극대화하며 파우더 트랩의 세정 작업 시 소요되는 비용을 크게 줄이고, 시간을 크게 단축시킨다.
Description
본 발명은 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치 및 이를 이용한 파우더 트랩의 세정 방법에 관한 것으로 더 상세하게 파우더 트랩의 교체 없이 파우더 트랩의 세정이 가능한 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치 및 이를 이용한 파우더 트랩의 세정 방법에 관한 발명이다.
일반적으로, 반도체 제조 설비는 진공상태로 공정이 수행되는 프로세스 챔버 외에 이 프로세스 챔버와 인접하여 설치된 기타 챔버를 구비하고 있다.
즉, 반도체 제조장치는 이퍼가공 공정이 수행되는 프로세스 챔버, 가공을 위한 웨이퍼를 로드 또는 언로드 하는 로드락 챔버 그리고 프로세스 챔버와 로드락 챔버 사이에 설치되어 웨이퍼를 이송시키는 트랜스퍼 챔버로 되어 있다.
그리고, 트랜스 챔버에는 챔버 내에서 반응이 이루어진 반응 가스를 배출하기 위한 가스 배기 라인부가 연결되고, 가스 배기 라인부에는 챔버에서 반응되지 않고 남은 잔류 가스에 포함된 파우더를 제거하는 파우더 트랩이 설치된다.
즉, 통상적으로 프로세스 챔버에서는 산화 및 확산(OXIDATION / DIFFUSION)공정, 박막증착(CVD / ION IMPLANTATION METALIZATION)공정, 식각(WET / DRY ETCH)공정 및 사진(PHOTO LITHOGRAPHY)공정 등이 진공 상태에서 이루어지고, 산화 및 확산(OXIDATION / DIFFUSION)공정, 박막증착(CVD / ION IMPLANTATION METALIZATION)공정 등에서 챔버 내에 잔류되는 반응 가스를 가스 배기 라인부를 통해 배출하고 있다.
파우더 트랩은 반응 가스를 정화시켜 배출하는 과정에서 발생되는 파우더 및 반응 가스 내에 포함된 파우더를 제거한다.
파우더 트랩은 장기간 사용 중 파우더가 기설정된 량 이상으로 내부에 쌓이게 되면 반도체 제조장치의 작동을 중지시키고 다른 파우더 트랩으로 교체된 후 별도의 세정 작업을 거쳐 내부에 쌓인 파우더를 제거하고 있다.
즉, 종래에는 파우더 트랩을 세정하기 위해서 기설치된 파우더 트랩을 가스 배기 라인부에서 분리하고 새 파우더 트랩으로 교체한 후 기설치된 파우더 트랩 내에 쌓인 파우더를 제거하는 세정 작업을 수행하고 있다.
그러나, 종래의 파우더 트랩의 세정 작업은 기설치된 파우더 트랩을 분리하고, 새 파우더 트랩을 설치해야 하므로 파우더 트랩 교체 작업 중 반도체 제조 설지의 가동이 중지되어 반도체 생산 효율이 저하되는 문제점이 있었다.
또한, 종래의 파우더 트랩의 세정 작업은 파우더 트랩 교체 작업 및 분리된 파우더 트랩을 세정하는 별도의 세정작업을 위한 작업 인원과 시간이 소요되는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 파우더 트랩 내 파우더를 세정 가스로 제거하여 파우더 트랩의 교체 없이 파우더 트랩의 세정이 가능한 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치 및 이를 이용한 파우더 트랩의 세정 방법을 제공하는 데 있다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 일 실시예는 반도체 제조 설비의 프로세스 챔버에서 배출되는 반응 가스에 포함된 파우더를 포집하는 파우더 트랩의 내부를 세정하는 파우더 트랩용 세정장치이며, 상기 파우더 트랩으로 파우더를 제거할 수 있는 세정가스를 공급하는 세정가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 세정가스 공급부는 상기 파우더 트랩과 직접 연결된 세정가스 공급라인부를 통해 상기 파우더 트랩의 내부로 파우더를 제거하는 세정가스를 공급할 수 있다.
본 발명에서 상기 세정가스는 플루오린 계열 결합 가스 종류 및 공정진행에 발생하는 부산물에 세정되는 반응성 가스로 파우더를 기체로 변환시켜 제거할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 일 실시예는 상기 프로세스 챔버에서 가스를 배기하는 가스 배기 라인부의 유로를 개폐하는 메인 배기유로 개폐밸브, 상기 세정가스 공급라인부의 유로를 개폐하는 세정가스 공급유로 개폐밸브 및 상기 세정가스 공급부와 상기 메인 배기유로 개폐밸브의 작동을 제어하는 세정 작업용 제어부를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 일 실시예는 상기 세정가스 공급라인부에 위치되어 세정가스를 가열하는 가스 가열부를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 일 실시예는 상기 세정가스 공급라인부를 통해 파우더 트랩의 내부로 공급되는 세정가스의 온도를 감지하는 가스 온도감지부를 더 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 세정 작업용 제어부는 상기 프로세스 챔버 내에서 웨이퍼의 가공공정 중에 상기 세정가스 공급유로 개폐밸브를 닫고, 상기 메인 배기유로 개폐밸브를 열어 상기 프로세스 챔버 내의 반응가스를 상기 가스 배기 라인부를 통해 배기하고, 상기 프로세스 챔버 내에서 웨이퍼의 가공공정이 정지되고 웨이퍼가 언로딩 또는 로딩 공정이 진행될 때 상기 메인 배기유로 개폐밸브를 닫고 상기 세정가스 공급유로 개폐밸브를 열어 세정가스를 상기 파우더 트랩의 내부로 직접 공급하여 웨이퍼의 언로딩 또는 로딩 공정 중 상기 파우더 트랩 내의 파우더를 가스로 변환시켜 제거할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 일 실시예는 상기 가스 배기 라인부에서 분기되어 상기 파우더 트랩의 세정 작업 시 상기 프로세스 챔버의 분압을 안정시키기 위한 우회 배기 라인부, 상기 우회 배기 라인부에 장착되어 상기 우회 배기 라인부를 통해 상기 프로세스 챔버 내의 가스를 배출시키는 보조 배기 펌프부 및 상기 우회 배기 라인부의 유로를 개폐하는 우회 유로 개폐밸브를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 일 실시예는 상기 가스 배기 라인부에 연결되어 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급부를 더 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 불활성 가스 공급부는 상기 메인 배기유로 개폐밸브와 상기 프로세스 챔버 사이에서 상기 가스 배기 라인부에 연결되는 불활성 가스 공급라인부 및 상기 불활성 가스 공급라인부의 유로를 개폐하는 불활성 가스 공급유로 개폐밸브를 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 세정 작업용 제어부는 상기 프로세스 챔버 내에서 웨이퍼의 가공공정이 정지되고 웨이퍼가 언로딩 또는 로딩 공정이 진행될 때 상기 메인 배기유로 개폐밸브가 닫히고 상기 세정가스 공급유로 개폐밸브가 열려 세정 가스를 세정가스 공급라인부를 통해 파우더 트랩에 공급함과 동시에 상기 우회 유로 개폐밸브를 열고, 상기 보조 배기 펌프부를 작동시킴과 아울러 상기 불활성 가스 공급유로 개폐밸브를 열어 상기 불활성 가스 공급라인부를 통해 불활성 가스를 상기 가스 배기 라인부로 공급하여 상기 불활성 가스가 우회 배기 라인부를 따라 흐르게 할 수 있다.
본 발명에서 상기 우회 배기 라인부는 다른 프로세스 챔버의 다른 가스 배기 라인부에 연결될 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 일 실시예는 상기 우회 배기 라인부에 위치되어 상기 우회 배기 라인부를 통해 배출되는 상기 프로세스 챔버의 배기가스에 잔류된 파우더를 제거하는 보조 파우더 트랩을 더 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 파우더 트랩의 세정방법의 일 실시예는 반도체 제조 설비의 프로세스 챔버에서 배출되는 반응 가스에 포함된 파우더를 포집하는 파우더 트랩의 내부를 세정하는 파우더 트랩의 세정방법이며, 파우더 트랩의 내부에 쌓이는 파우더와 반응하여 파우더를 기체로 변환시켜 제거할 수 있는 세정가스를 파우더 트랩의 내부로 공급하는 세정가스 공급단계를 포함함으로로써 파우더 트랩의 내부를 세정한다.
본 발명에서 상기 세정가스 공급단계는 TiN의 성분의 파우더를 제거하기 위해 상기 파우더 트랩의 내부에 ClF3(삼불화염소) 가스를 공급하여 하기의 화학식 2의 반응을 통해 파우더를 기체로 변환하여 제거할 수 있다.
[화학식 2]
8ClF3(기체) + 6TiN → 6TiF4(기체) + 4Cl2(기체) + 3N2(기체)
본 발명에서 상기 세정가스 공급단계는 상기 프로세스 챔버의 내부에서 웨이퍼의 언로딩 또는 로딩 작업 시 상기 프로세스 챔버의 가스 배기 라인부를 닫고 세정가스를 파우더 트랩의 내부로 공급하여 상기 파우더 트랩 내의 파우더를 제거할 수 있다.
본 발명에서 상기 세정가스 공급단계는 가스 가열부에 의해 가열된 세정가스를 공급하여 상기 파우더 트랩의 내부에서 세정가스와 파우더의 반응성을 높일 수 있다.
본 발명에서 상기 세정가스 공급단계는 세정가스가 파우더 트랩의 내부로 공급될 때 상기 가스 배기 라인부에 연결된 우회 배기 라인부를 열고 우회 배기 펌프부를 작동시켜 상기 우회 배기 라인부를 통해 상기 프로세스 챔버의 가스를 배출시킬 수 있다.
본 발명에서 상기 세정가스 공급단계는 우회 배기 라인부를 통해 프로세스 챔버의 가스를 배출시키는 중에 우회 배기 라인부로 불활성 가스를 공급하여 불활성 가스와 함께 프로세스 챔버 내의 가스를 배출시킬 수 있다.
본 발명은 파우더 트랩 내 파우더를 세정 가스로 제거하여 파우더 트랩의 교체 없이 파우더 트랩의 세정이 가능하여 파우더 트랩의 세정 시에도 반도체 제조 설비가 지속적으로 운영될 수 있고, 이로써 반도체 제조 공정의 생산 효율성을 극대화하는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 파우더 트랩의 교체 작업없이 파우더 트랩의 세정 작업을 수행하므로 파우더 트랩의 세정 작업 시 소요되는 비용을 크게 줄이고, 시간을 크게 단축시키는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 일 실시예를 도시한 개략도.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 다른 실시예를 도시한 개략도.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 또 다른 실시예를 도시한 개략도.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 다른 실시예를 도시한 개략도.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 또 다른 실시예를 도시한 개략도.
본 발명을 더욱 상세히 설명한다.
본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 본 발명의 상세한 설명에 앞서, 이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니된다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 일 실시예를 도시한 개략도이고, 도 1을 참고하여 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 일 실시예를 하기에서 상세하게 설명한다.
본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 일 실시예는 반도체 제조 설비에서 프로세스 챔버(10)에서 배출되는 반응 가스에 포함된 파우더를 포집하는 파우더 트랩(30)의 내부를 세정하는 파우더 트랩용 세정장치이다.
반도체 제조 설비는 이퍼가공 공정이 수행되는 프로세스 챔버(10), 가공을 위한 웨이퍼를 로드 또는 언로드 하는 로드락 챔버(미도시) 그리고 프로세스 챔버(10)와 로드락 챔버 사이에 설치되어 웨이퍼를 이송시키는 트랜스퍼 챔버(40)를 포함하고, 프로세스 챔버(10), 로드락 챔버, 트랜스퍼 챔버(40)는 반도체 제조 설비에서 공지된 장비이므로 더 상세한 설명은 생략함을 밝혀둔다.
프로세스 챔버(10)에는 프로세스 챔버(10) 내 반도체 제조 공정 중 발생되는 반응 가스를 배출하는 가스 배기 라인부(20)가 연결된다.
가스 배기 라인부(20)에는 반응 가스를 배출시키기 위한 배기 펌프(21)가 장착되고, 반응 가스 내 파우더를 포집하는 파우더 트랩(30)이 설치된다.
파우더 트랩(30)은 트랩 하우징 내에 파우더를 포집할 수 있는 복수의 포집용 망체가 다층 구조로 이격되어 적층된 구조를 가지는 것을 일 예로 하며 반도체 제조 설비에서 가스 내에 포함된 파우더를 포집하는 공지의 파우더 트랩(30)으로 다양하게 변형되어 실시될 수 있는 바 더 상세한 설명은 생략함을 밝혀둔다.
본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 일 실시예는 파우더 트랩(30)으로 파우더를 제거할 수 있는 세정가스를 공급하는 세정가스 공급부(100)를 포함한다.
세정가스 공급부(100)는 세정가스 공급라인부(110)를 통해 파우더 트랩(30)의 내부로 파우더를 제거하는 세정가스를 공급하는 것을 일 예로 한다.
세정가스 공급라인부(110)는 파우더 트랩(30)과 직접 연결되어 파우더 트랩(30)의 내부로 세정가스를 공급하며 세정가스는 ClF3(삼불화염소) 가스이고, 파우더의 성분은 TiN인 것을 일 예로 한다.
그리고, 파우더 트랩(30)의 내부에서 파우더가 제거되는 화학식은 아래 화학식1을 참고함을 밝혀둔다.
[화학식 1]
8ClF3(기체) + 6TiN → 6TiF4(기체) + 4Cl2(기체) + 3N2(기체)
파우더 분말 즉, TiN 분말은 세정가스인 ClF3(삼불화염소) 가스와 반응하여 TiF4 가스, Cl2 가스, N2 가스로 변환되어 간단하게 제거될 수 있다.
세정가스는 플루오린 계열 결합 가스 종류 및 공정진행에 발생하는 부산물에 세정되는 반응성 가스인 것을 일 예로 하고, 파우더의 성분에 따라 파우더와 반응하여 기체로 변환시켜 제거할 수 있는 다른 가스로 변형되어 실시될 수 있고, 파우더의 성분에 따라 다양하게 다양하게 변형되어 실시될 수 있음을 밝혀둔다.
한편, 프로세스 챔버(10) 내에서 실행되는 공정이 완료되면 트랜스퍼 챔버(40)를 통해 공정이 완료된 웨이퍼를 프로세스 챔버(10) 내에서 언로딩하고, 다시 새 웨이퍼를 로딩하는 과정이 이루어지게 된다.
본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 일 실시예에서 파우더 트랩(30)의 파우더 트랩(30)의 세정작업은 웨이퍼가 로딩 및 언로딩하는 시간에 이루어지며, 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 일 실시예는 가스 배기 라인부(20)의 유로를 개폐하는 메인 배기유로 개폐밸브(200), 세정가스 공급라인부(110)의 유로를 개폐하는 세정가스 공급유로 개폐밸브(300) 및 세정가스 공급부(100)와 메인 배기유로 개폐밸브(200)의 작동을 제어하는 세정 작업용 제어부(400)를 더 포함한다.
본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 일 실시예는 세정가스 공급라인부(110)에 위치되어 세정가스를 가열하는 가스 가열부(500)를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 일 실시예는 세정가스 공급라인부(110)를 통해 파우더 트랩(30)의 내부로 공급되는 세정가스의 온도를 감지하는 가스 온도감지부(600)를 더 포함한다.
가스 온도감지부(600)는 파우더 트랩(30)에서 세정가스가 내부로 유입되는 세정가스 유입구 측 즉, 세정 가스 공급라인부의 출구 측에 위치되어 세정 가스 공급라인부를 통해 파우더 트랩(30)의 내부로 공급되는 세정가스의 온도를 감지한다.
가스 가열부(500)와 가스 온도감지부(600)는 세정 작업용 제어부(400)와 연결되고, 세정 작업용 제어부(400)는 가스 온도감지부(600)에서 감지된 가스 온도를 통해 가스 가열부(500)의 작동을 제어하여 세정가스가 파우더와 반응하기 적합한 온도로 세정가스의 온도를 유지한다.
가스 가열부(500)는 전기 전원을 공급받아 가열되는 전열선을 포함한 히터 구조를 가지는 것을 일 예로 하고, 이외에도 공지의 히터 구조를 이용하여 다양하게 변형되어 실시될 수 있음을 밝혀둔다.
가스 가열부(500)는 세정가스가 파우더와 효율적으로 반응할 수 있는 온도로 세정가스를 가열하여 파우더의 세정 효율 즉, 파우더의 제거 효율을 향상시킬 수 있다.
세정 작업용 제어부(400)는 프로세스 챔버(10) 내에서 웨이퍼의 가공공정 중에 세정가스 공급유로 개폐밸브(300)를 닫고, 메인 배기유로 개폐밸브(200)를 열어 프로세스 챔버(10) 내의 반응가스를 가스 배기 라인부(20)를 통해 배기하고, 웨이퍼의 가공공정이 정지되고, 웨이퍼의 언로딩 또는 로딩 공정이 진행될 때 메인 배기유로 개폐밸브(200)를 닫고 세정가스 공급유로 개폐밸브(300)를 열어 세정가스를 파우더 트랩(30)의 내부로 직접 공급하여 웨이퍼의 언로딩 또는 로딩 공정 중 파우더 트랩(30) 내의 파우더를 가스로 변환시켜 제거한다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 일 실시예는 가스 배기 라인부(20)에서 분기되어 파우더 트랩(30)의 세정 작업 시 프로세스 챔버(10)의 분압을 안정시키기 위한 우회 배기 라인부(700), 우회 배기 라인부(700)에 장착되어 우회 배기 라인부(700)를 통해 프로세스 챔버(10) 내의 가스를 배출시키는 보조 배기 펌프부(800), 우회 배기 라인부(700)의 유로를 개폐하는 우회 유로 개폐밸브(900)를 더 포함할 수 있다.
세정 작업용 제어부(400)는 메인 배기유로 개폐밸브(200)가 닫히고 세정가스 공급유로 개폐밸브(300)가 열려 세정 가스를 세정가스 공급라인부(110)를 통해 파우더 트랩(30)에 공급할 때 우회 유로 개폐밸브(900)를 열고, 보조 배기 펌프부(800)를 작동시켜 파우더 트랩(30)의 세정 작업 시 프로세스 챔버(10)의 분압이 안정적으로 유지될 수 있도록 한다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 일 실시예는 가스 배기 라인부(20)에 연결되어 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급부(1000)를 더 포함한다.
불활성 가스 공급부(1000)는 메인 배기유로 개폐밸브(200)와 프로세스 챔버(10) 사이에서 가스 배기 라인부(20)에 연결되는 불활성 가스 공급라인부(1100), 불활성 가스 공급라인부(1100)의 유로를 개폐하는 불활성 가스 공급유로 개폐밸브(1200)를 포함한다.
세정 작업용 제어부(400)는 메인 배기유로 개폐밸브(200)가 닫히고 세정가스 공급유로 개폐밸브(300)가 열려 세정 가스를 세정가스 공급라인부(110)를 통해 파우더 트랩(30)에 공급할 때 우회 유로 개폐밸브(900)를 열고, 보조 배기 펌프부(800)를 작동시킴과 아울러 불활성 가스 공급유로 개폐밸브(1200)를 열어 불활성 가스 공급라인부(1100)를 통해 불활성 가스를 가스 배기 라인부(20)로 공급하여 불활성 가스가 우회 배기 라인부(700)를 따라 흐를 수 있게 한다.
불활성 가스 공급부(1000)는 파우더 트랩(30)의 세정 작업 시 우회 배기 라인부(700)를 통해 불활성 가스가 흘러 배출되도록하여 파우더 트랩(30)의 세정 작업 시 또는 웨이퍼가 로딩 및 언로딩하는 중에 프로세스 챔버(10)의 분압이 안정적으로 유지될 수 있도록 한다.
한편, 도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 다른 실시예를 도시한 개략도이고, 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 다른 실시예에서 우회 배기 라인부(700)는 다른 프로세스 챔버(10')의 다른 가스 배기 라인부(20')에 연결될 수 있다.
즉, 우회 배기 라인부(700)는 복수의 프로세스 챔버(10, 10'))의 복수의 가스 배기 라인부(20)에 각각 연결되어 각 가스 배기 라인부(20, 20')에서 파우더 트랩(30)의 세정 작업 시 또는 웨이퍼가 로딩 및 언로딩하는 중에 프로세스 챔버(10)의 분압이 안정적으로 유지될 수 있도록 한다.
한편, 도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치의 다른 실시예를 도시한 개략도이고, 도 3을 참고하면 우회 배기 라인부(700)에 위치되어 우회 배기 라인부(700)를 통해 배출되는 프로세스 챔버(10)의 배기가스에 잔류된 파우더를 제거하는 보조 파우더 트랩(710)을 더 포함할 수 있다.
보조 파우더 트랩(710)은 파우더 트랩(30) 즉, 프로세스 챔버(10)의 가스 배기 라인부(20)에 설치된 파우더 트랩(30) 내에 세정가스를 공급하여 파우더 트랩(30)의 내부를 세정할 때 프로세스 챔버(10)의 분압을 유지하기 위해 우회 배기 라인부(700)를 통해 배출되는 프로세스 챔버(10)의 배기가스에 잔류된 파우더를 제거한다.
보조 파우더 트랩(710)은 프로세스 챔버(10)의 정상 작동 중에 즉, 프로세스 챔버(10) 내에서 웨이퍼의 가공 공정이 이루어지고, 가스 배기 라인부(20)에 설치된 파우더 트랩(30)에서 파우더가 포집되는 중에 우회 배기 라인부(700)에서 교체되는 방법 등을 이용하여 세정될 수 있음을 밝혀둔다.
한편, 본 발명에 따른 파우더 트랩의 세정방법의 일 실시예는 반도체 제조 설비의 프로세스 챔버(10)에서 배출되는 반응 가스에 포함된 파우더를 포집하는 파우더 트랩(30)의 내부를 세정하는 파우더 트랩의 세정방법이며, 파우더 트랩(30)의 내부에 쌓이는 파우더와 반응하여 파우더를 기체로 변환시켜 제거할 수 있는 세정가스를 파우더 트랩(30)의 내부로 공급하는 세정가스 공급단계를 포함함으로로써 파우더 트랩(30)의 내부를 세정한다.
그리고, 세정가스 공급단계는 TiN의 성분의 파우더를 제거하기 위해 파우더 트랩(30)의 내부에 ClF3(삼불화염소) 가스를 공급하여 하기의 화학식 2의 반응을 통해 파우더를 기체로 변환하여 제거하는 것을 일 예로 한다.
[화학식 2]
8ClF3(기체) + 6TiN → 6TiF4(기체) + 4Cl2(기체) + 3N2(기체)
즉, 파우더 트랩(30) 내에 쌓인 파우더 분말 즉, TiN 분말은 세정가스 공급단계를 통해 파우더 트랩(30)의 내부로 공급되는 세정가스인 ClF3(삼불화염소) 가스와 반응하여 TiF4 가스, Cl2 가스, N2 가스로 변환되어 간단하게 제거될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 파우더 트랩의 세정방법의 일 실시예에서 세정가스 공급단계는 프로세스 챔버(10)의 내부에서 웨이퍼의 언로딩 또는 로딩 작업 시 프로세스 챔버(10)의 가스 배기 라인부(20)를 닫고 세정가스를 파우더 트랩(30)의 내부로 공급하여 파우더 트랩(30) 내의 파우더를 제거한다.
또한, 세정가스 공급단계는 가스 가열부(500)에 의해 가열된 세정가스를 공급하여 파우더 트랩(30)의 내부에서 세정가스와 파우더의 반응성을 높여 파우더의 제거 효율 즉, 파우더의 세정 효율을 높일 수 있다.
세정가스 공급단계는 가스 배기 라인부(20)가 닫혀지고, 세정가스를 파우더 트랩(30)의 내부로 공급하여 파우더 트랩(30)의 내부를 세정하는 중에 가스 배기 라인부(20)에 연결된 우회 배기 라인부(700)를 열고 우회 배기 펌프부를 작동시켜 우회 배기 라인부(700)를 통해 프로세스 챔버(10)의 가스를 배출시킨다.
세정가스 공급단계는 가스 배기 라인부(20)가 닫혀지고, 세정가스를 파우더 트랩(30)의 내부로 공급하여 파우더 트랩(30)의 내부를 세정하는 중에 우회 배기 라인부(700)를 통해 프로세스 챔버(10)의 가스를 배출시켜 프로세스 챔버(10) 내의 분압을 유지할 수 있다.
또한, 세정가스 공급단계는 우회 배기 라인부(700)를 통해 프로세스 챔버(10)의 가스를 배출시키는 중에 우회 배기 라인부(700)로 불활성 가스를 공급하여 불활성 가스와 함께 프로세스 챔버(10) 내의 가스를 배출시킴으로써 프로세스 챔버(10) 내의 분압을 안정적으로 유지할 수 있다.
본 발명은 파우더 트랩(30) 내 파우더를 세정 가스로 제거하여 파우더 트랩(30)의 교체 없이 파우더 트랩(30)의 세정이 가능하여 파우더 트랩(30)의 세정 시에도 반도체 제조 설비가 지속적으로 운영될 수 있고, 이로써 반도체 제조 공정의 생산 효율성을 극대화할 수 있다.
또한, 본 발명은 파우더 트랩(30)의 교체 작업없이 파우더 트랩(30)의 세정 작업을 수행하므로 파우더 트랩(30)의 세정 작업 시 소요되는 비용을 크게 줄이고, 시간을 크게 단축시킬 수 있다.
본 발명은 상기한 실시 예에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 요지에 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있으며 이는 본 발명의 구성에 포함됨을 밝혀둔다.
10 : 프로세스 챔버 20 : 가스 배기 라인부
30 : 파우더 트랩 40 : 트랜스퍼 챔버
100 : 세정가스 공급부 110 : 세정가스 공급라인부
200 : 메인 배기유로 개폐밸브
300 : 세정가스 공급유로 개폐밸브
400 : 세정 작업용 제어부 500 : 가스 가열부
600 : 가스 온도감지부 700 : 우회 배기 라인부
710 : 보조 파우더 트랩
800 : 보조 배기 펌프부 900 : 우회 유로 개폐밸브
1000 : 불활성 가스 공급부 1100 : 불활성 가스 공급라인부
1200 : 불활성 가스 공급유로 개폐밸브
30 : 파우더 트랩 40 : 트랜스퍼 챔버
100 : 세정가스 공급부 110 : 세정가스 공급라인부
200 : 메인 배기유로 개폐밸브
300 : 세정가스 공급유로 개폐밸브
400 : 세정 작업용 제어부 500 : 가스 가열부
600 : 가스 온도감지부 700 : 우회 배기 라인부
710 : 보조 파우더 트랩
800 : 보조 배기 펌프부 900 : 우회 유로 개폐밸브
1000 : 불활성 가스 공급부 1100 : 불활성 가스 공급라인부
1200 : 불활성 가스 공급유로 개폐밸브
Claims (19)
- 반도체 제조 설비의 프로세스 챔버에서 배출되는 반응 가스에 포함된 파우더를 포집하는 파우더 트랩의 내부를 세정하는 파우더 트랩용 세정장치이며,
상기 파우더 트랩으로 파우더를 제거할 수 있는 세정가스를 공급하는 세정가스 공급부;
상기 세정가스 공급부에 위치되어 세정가스를 가열하는 가스 가열부; 및
상기 세정가스 공급부를 통해 상기 파우더 트랩의 내부로 공급되는 세정가스의 온도를 감지하는 가스 온도감지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치.
- 청구항 1에 있어서,
상기 세정가스 공급부는,
상기 파우더 트랩과 직접 연결되어 상기 파우더 트랩의 내부로 상기 세정가스를 공급하는 세정가스 공급라인부를 포함하며,
상기 가스 가열부는 상기 세정가스 공급라인부에 위치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치.
- 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 세정가스는 플루오린 계열 결합 가스 종류 및 공정진행에 발생하는 부산물에 세정되는 반응성 가스로 파우더를 기체로 변환시켜 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치.
- 청구항 2에 있어서,
상기 프로세스 챔버에서 가스를 배기하는 가스 배기 라인부의 유로를 개폐하는 메인 배기유로 개폐밸브;
상기 세정가스 공급라인부의 유로를 개폐하는 세정가스 공급유로 개폐밸브; 및
상기 세정가스 공급부와 상기 메인 배기유로 개폐밸브의 작동을 제어하는 세정 작업용 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치.
- 삭제
- 삭제
- 청구항 4에 있어서,
상기 세정 작업용 제어부는 상기 프로세스 챔버 내에서 웨이퍼의 가공공정 중에 상기 세정가스 공급유로 개폐밸브를 닫고, 상기 메인 배기유로 개폐밸브를 열어 상기 프로세스 챔버 내의 반응가스를 상기 가스 배기 라인부를 통해 배기하고, 상기 프로세스 챔버 내에서 웨이퍼의 가공공정이 정지되고 웨이퍼가 언로딩 또는 로딩 공정이 진행될 때 상기 메인 배기유로 개폐밸브를 닫고 상기 세정가스 공급유로 개폐밸브를 열어 세정가스를 상기 파우더 트랩의 내부로 직접 공급하여 웨이퍼의 언로딩 또는 로딩 공정 중 상기 파우더 트랩 내의 파우더를 가스로 변환시켜 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치.
- 반도체 제조 설비의 프로세스 챔버에서 배출되는 반응 가스에 포함된 파우더를 포집하는 파우더 트랩의 내부를 세정하는 파우더 트랩용 세정장치이며,
상기 파우더 트랩으로 파우더를 제거할 수 있는 세정가스를 공급하는 세정가스 공급라인부를 포함하는 세정가스 공급부;
상기 프로세스 챔버에서 가스를 배기하는 가스 배기 라인부의 유로를 개폐하는 메인 배기유로 개폐밸브;
상기 세정가스 공급라인부의 유로를 개폐하는 세정가스 공급유로 개폐밸브;
상기 세정가스 공급부와 상기 메인 배기유로 개폐밸브의 작동을 제어하는 세정 작업용 제어부;
상기 가스 배기 라인부에서 분기되어 상기 파우더 트랩의 세정 작업 시 상기 프로세스 챔버의 분압을 안정시키기 위한 우회 배기 라인부;
상기 우회 배기 라인부에 장착되어 상기 우회 배기 라인부를 통해 상기 프로세스 챔버 내의 가스를 배출시키는 보조 배기 펌프부; 및
상기 우회 배기 라인부의 유로를 개폐하는 우회 유로 개폐밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치.
- 청구항 8에 있어서,
상기 가스 배기 라인부에 연결되어 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치.
- 청구항 9에 있어서,
상기 불활성 가스 공급부는,
상기 메인 배기유로 개폐밸브와 상기 프로세스 챔버 사이에서 상기 가스 배기 라인부에 연결되는 불활성 가스 공급라인부; 및
상기 불활성 가스 공급라인부의 유로를 개폐하는 불활성 가스 공급유로 개폐밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치.
- 청구항 10에 있어서,
상기 세정 작업용 제어부는 상기 프로세스 챔버 내에서 웨이퍼의 가공공정이 정지되고 웨이퍼가 언로딩 또는 로딩 공정이 진행될 때 상기 메인 배기유로 개폐밸브가 닫히고 상기 세정가스 공급유로 개폐밸브가 열려 세정 가스를 세정가스 공급라인부를 통해 파우더 트랩에 공급함과 동시에 상기 우회 유로 개폐밸브를 열고, 상기 보조 배기 펌프부를 작동시킴과 아울러 상기 불활성 가스 공급유로 개폐밸브를 열어 상기 불활성 가스 공급라인부를 통해 불활성 가스를 상기 가스 배기 라인부로 공급하여 상기 불활성 가스가 우회 배기 라인부를 따라 흐르게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치.
- 청구항 8에 있어서,
상기 우회 배기 라인부는 다른 프로세스 챔버의 다른 가스 배기 라인부에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치.
- 청구항 8에 있어서,
상기 우회 배기 라인부에 위치되어 상기 우회 배기 라인부를 통해 배출되는 상기 프로세스 챔버의 배기가스에 잔류된 파우더를 제거하는 보조 파우더 트랩을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치.
- 반도체 제조 설비의 프로세스 챔버에서 배출되는 반응 가스에 포함된 파우더를 포집하는 파우더 트랩의 내부를 세정하는 파우더 트랩의 세정방법이며,
상기 파우더 트랩의 내부에 쌓이는 파우더와 반응하여 파우더를 기체로 변환시켜 제거할 수 있는 세정가스를 파우더 트랩의 내부로 공급하는 세정가스 공급단계를 포함하며,
상기 세정가스 공급단계는,
상기 세정가스가 상기 파우더 트랩의 내부로 공급될 때 상기 프로세스 챔버의 가스 배기 라인부에 연결된 우회 배기 라인부를 열고 우회 배기 펌프부를 작동시켜 상기 우회 배기 라인부를 통해 상기 프로세스 챔버의 가스를 배출시키며,
상기 우회 배기 라인부를 통해 상기 프로세스 챔버의 가스를 배출시키는 중에 상기 우회 배기 라인부로 불활성 가스를 공급하여 불활성 가스와 함께 상기 프로세스 챔버 내의 가스를 배출시키는 것을 특징으로 하는 파우더 트랩의 세정방법.
- 청구항 14에 있어서,
상기 세정가스 공급단계는 TiN의 성분의 파우더를 제거하기 위해 상기 파우더 트랩의 내부에 ClF3(삼불화염소) 가스를 공급하여 하기의 화학식 2의 반응을 통해 파우더를 기체로 변환하여 제거하는 것을 특징으로 하는 파우더 트랩의 세정방법.
[화학식 2]
8ClF3(기체) + 6TiN → 6TiF4(기체) + 4Cl2(기체) + 3N2(기체)
- 청구항 14에 있어서,
상기 세정가스 공급단계는 상기 프로세스 챔버의 내부에서 웨이퍼의 언로딩 또는 로딩 작업 시 상기 가스 배기 라인부를 닫고 세정가스를 파우더 트랩의 내부로 공급하여 상기 파우더 트랩 내의 파우더를 제거하는 것을 특징으로 하는 파우더 트랩의 세정방법.
- 청구항 14에 있어서,
상기 세정가스 공급단계는 가스 가열부에 의해 가열된 세정가스를 공급하여 상기 파우더 트랩의 내부에서 세정가스와 파우더의 반응성을 높이는 것을 특징으로 하는 파우더 트랩의 세정방법.
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Citations (1)
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Patent Citations (1)
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