KR102440998B1 - Double side patterned anti-slip pad for temporary bonding between substrates - Google Patents

Double side patterned anti-slip pad for temporary bonding between substrates Download PDF

Info

Publication number
KR102440998B1
KR102440998B1 KR1020200046104A KR20200046104A KR102440998B1 KR 102440998 B1 KR102440998 B1 KR 102440998B1 KR 1020200046104 A KR1020200046104 A KR 1020200046104A KR 20200046104 A KR20200046104 A KR 20200046104A KR 102440998 B1 KR102440998 B1 KR 102440998B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
slip pad
temporary bonding
groove
pattern
pattern portion
Prior art date
Application number
KR1020200046104A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20210128549A (en
Inventor
장동준
이승원
Original Assignee
주식회사 글린트머티리얼즈
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 글린트머티리얼즈 filed Critical 주식회사 글린트머티리얼즈
Priority to KR1020200046104A priority Critical patent/KR102440998B1/en
Priority to PCT/KR2020/018286 priority patent/WO2021210751A1/en
Publication of KR20210128549A publication Critical patent/KR20210128549A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102440998B1 publication Critical patent/KR102440998B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support

Abstract

본 발명의 실시예에 따른 템포러리 본딩용 미끄럼 방지 패드는 베이스부, 상기 베이스부의 상면에 형성되며 하나 이상의 미세패턴을 포함하는 제1 패턴부, 및 상기 베이스부의 하면에 형성되며 하나 이상의 미세패턴을 포함하는 제2 패턴부를 포함하고, 상기 기판들 사이에 상기 미끄럼 방지 패드가 장착되어 미끄러짐이 방지됨으로써, 기판의 디본딩 과정에서 과도한 물리적 힘을 가하거나 열적 충격을 가하지 않아도 기판들이 용이하게 분리될 수 있도록 하여, 기판들의 훼손, 파손 및 오염을 방지하여 공정 안정성을 향상시킬 수 있도록 한다.An anti-skid pad for temporary bonding according to an embodiment of the present invention includes a base portion, a first pattern portion formed on an upper surface of the base portion and including one or more fine patterns, and one or more fine patterns formed on a lower surface of the base portion. It includes a second pattern portion including a, and the non-slip pad is mounted between the substrates to prevent slipping, so that the substrates can be easily separated without applying excessive physical force or thermal shock during the debonding process of the substrate. Thus, it is possible to improve process stability by preventing damage, breakage, and contamination of substrates.

Description

양면 패턴부를 포함하는 템포러리 본딩용 미끄럼 방지 패드{DOUBLE SIDE PATTERNED ANTI-SLIP PAD FOR TEMPORARY BONDING BETWEEN SUBSTRATES}Non-slip pad for temporary bonding including double-sided pattern part {DOUBLE SIDE PATTERNED ANTI-SLIP PAD FOR TEMPORARY BONDING BETWEEN SUBSTRATES}

본 발명은 반도체 소자 제조 공정에서 기판들 사이의 템포러리 본딩을 위한 미끄럼 방지 패드에 관한 것이다. The present invention relates to an anti-skid pad for temporary bonding between substrates in a semiconductor device manufacturing process.

최근 모바일이나 IoT 기기와 같은 IT 기기, 데이터 서버, 전기자동차 및 헬스케어/의료기기 등 다양한 분야에 걸쳐 데이터의 고속 처리, 저장 용량 확대 및 고품질 센싱 이미지 등에 대한 수요가 폭증하고 있다. 폭증하는 수요를 해결하기 위한 반도체 소자 제조에 있어 수많은 최신 공정들이 등장하고 있고, 해당 공정 중에는 기판 또는 웨이퍼들을 임시로 본딩(bonding) 후 공정을 수행하고 후공정을 위해 디본딩(debonding)을 하는 템포러리 본딩(temporary bonding) 공정이 수반될 수 있다.Recently, demand for high-speed data processing, storage capacity expansion, and high-quality sensing images is increasing in various fields such as IT devices such as mobile and IoT devices, data servers, electric vehicles, and healthcare/medical devices. Numerous latest processes are emerging in semiconductor device manufacturing to solve the explosive demand, and during the process, the substrate or wafers are temporarily bonded and then the process is performed and the tempo is debonding for the post process. A temporary bonding process may be involved.

구체적으로 메모리 소자 용량 증대, 데이터 고속 처리를 위해 회로 기판들의 3차원 집적(3D integration)이 시도되고 있고, 이를 위해 TSV(Through Silicon Via) 패키징 공정이 적용되며, 이 과정에서 기판의 연마 또는 박막화 공정을 진행한다. 또한, 초소형 반도체 소자 제조를 위해 하나의 칩을 PCB가 아닌 기판에 직접 실장하는 웨이퍼 레벨 패키징(fan-out wafer level package) 공정 등에도 기판의 연마 또는 박막화 공정이 필요하다. 이러한 연마 또는 박막화 공정을 위해 캐리어 기판 또는 희생 기판을 이용한 템포러리 공정이 필요하다.Specifically, 3D integration of circuit boards has been attempted to increase memory device capacity and process data at high speed. For this purpose, a TSV (Through Silicon Via) packaging process is applied, and in this process, a substrate polishing or thin film process is performed. proceed with In addition, polishing or thinning of the substrate is also required in a fan-out wafer level package process in which a single chip is directly mounted on a substrate instead of a PCB for manufacturing a micro semiconductor device. For the polishing or thinning process, a temporary process using a carrier substrate or a sacrificial substrate is required.

한편, 파워 소자, 적외선 센서 등 고순도 반도체 소자 제조를 위해 사용하는 화합물 반도체 기판은 부서지기 쉬운 특성을 갖고 있으며, 이러한 화합물 반도체 기판의 안정적인 핸들링을 위해서도 템포러리 본딩 공정이 필요하다.On the other hand, compound semiconductor substrates used for manufacturing high-purity semiconductor devices, such as power devices and infrared sensors, have brittle characteristics, and a temporary bonding process is also required for stable handling of the compound semiconductor substrates.

일반적으로 템포러리 본딩은 패턴이 형성된 회로 기판을 희생 기판 또는 캐리어 기판에 접착제를 이용하여 본딩하고 공정 완료 후, 디본딩을 위해서는 두 기판을 물리적으로 분리하거나 열을 가하여 분리하게 된다. 분리 후 기판에는 접착제의 잔존물이 남을 수 있고, 용매 등을 이용하여 제거하게 된다. 따라서, 분리 과정에서 물리적 또는 열적인 자극에 의해 기판이 파손되거나 훼손되는 문제가 발생할 수 있고, 잔존물 제거를 위한 화학약품 사용으로 추가적인 비용, 환경 문제가 발생할 수 있다.In general, in temporary bonding, a circuit board on which a pattern is formed is bonded to a sacrificial substrate or a carrier substrate using an adhesive, and after the process is completed, the two substrates are physically separated or separated by applying heat for debonding. Residues of the adhesive may remain on the substrate after separation, and are removed using a solvent or the like. Therefore, in the separation process, a problem in which the substrate is damaged or damaged by physical or thermal stimulation may occur, and additional costs and environmental problems may occur due to the use of chemicals to remove residues.

관련 선행기술로는, 대한민국특허 공개번호 10-2017-0051530호(발명의 명칭: 박형 웨이퍼 핸들링을 위한 다중 본딩 층) 등이 있다. As a related prior art, there is Korean Patent Publication No. 10-2017-0051530 (Title of the Invention: Multiple Bonding Layers for Thin Wafer Handling) and the like.

본 발명의 실시예는 템포러리 본딩 공정을 수행함에 있어 디본딩 과정에서 물리적 또는 열적인 충격을 가하지 않아서 기판의 훼손을 방지하고, 접착 잔여물이 남지 않아 용액을 이용한 잔여물 제거 공정이 불필요하도록 하는 미끄럼 방지 패드를 제공한다. An embodiment of the present invention prevents damage to the substrate by not applying a physical or thermal shock in the debonding process in performing the temporary bonding process, and does not leave adhesive residues so that the residue removal process using a solution is unnecessary Non-slip pads are provided.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제(들)로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제(들)는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the problem(s) mentioned above, and another problem(s) not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 웨이퍼(wafer)들 사이의 본딩(bonding) 및 디본딩(debonding)이 가능하도록 템포러리 본딩(temporary bonding)을 위한 미끄럼 방지 패드에 있어서, 베이스부; 상기 베이스부의 상면에 형성되며 하나 이상의 미세패턴을 포함하는 제1 패턴부; 및 상기 베이스부의 하면에 형성되며 하나 이상의 미세패턴을 포함하는 제2 패턴부;를 포함하고, 상기 웨이퍼들 사이에 상기 미끄럼 방지 패드가 장착되고, 상기 웨이퍼들은 Si, Quartz, SiC, SiGe, Ge, AlSb, Al2O3, AlGaAs, AlN, BeTe, BeSe, CdS, CdSe, CdTe, CdS, CuInSe2, CuInS2, CuInGaS2, CuInGaSe2, GaN, GaAs, GaP, GaS, GaSe, GaSb, GaTe, HgCdTe, HgS, InS, InAs, InSe, InSb, InTe, InP, InN, InGaAs, InGaP, InGaN, InGaAlSbAs, InAlP, InAlSb, LiNbO3, PbS, PbTe, TiO2, ZnSe, ZnTe, ZnS, ZnO, 폴리이미드(PI), 폴리페닐렌 옥사이드(polyphenylene oxide: PPO), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate: PETE), 폴리부틸렌테레프탈레이트(polybutylene terephthalate: PBT), 폴리디히드록시메틸사이클로헥실 테레프탈레이트(polydihydroxymethylcyclohexyl terephthalate), 셀룰로오스 에스테르(cellulose esters), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC) 또는 폴리아미드(polyamide: PA)를 포함할 수 있다.In the non-slip pad for temporary bonding to enable bonding and debonding between wafers for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, the non-slip pad comprising: a base; a first pattern part formed on the upper surface of the base part and including one or more fine patterns; and a second pattern part formed on a lower surface of the base part and including one or more fine patterns, wherein the anti-slip pad is mounted between the wafers, and the wafers are Si, Quartz, SiC, SiGe, Ge, AlSb, Al 2 O 3 , AlGaAs, AlN, BeTe, BeSe, CdS, CdSe, CdTe, CdS, CuInSe 2 , CuInS 2 , CuInGaS 2 , CuInGaSe 2 , GaN, GaAs, GaP, GaS, GaSe, GaSb, GaTe, HgCdTe , HgS, InS, InAs, InSe, InSb, InTe, InP, InN, InGaAs, InGaP, InGaN, InGaAlSbAs, InAlP, InAlSb, LiNbO 3 , PbS, PbTe, TiO 2 , ZnSe, ZnTe, ZnS, ZnO, Polyimide PI), polyphenylene oxide (PPO), polyethylene terephthalate (PETE), polybutylene terephthalate (PBT), polydihydroxymethylcyclohexyl terephthalate (polydihydroxymethylcyclohexyl terephthalate), cellulose esters, polycarbonate (PC) or polyamide (PA).

본 발명의 실시예에 따른 템포러리 본딩용 미끄럼 방지 패드는 제1 패턴부의 하나 이상의 미세패턴은 기둥 형상으로 형성되며, 상기 기둥의 단면 형상은 다각형, 원 또는 타원이며, 상기 기둥의 높이는 10㎚ 내지 1000㎛이고, 상기 기둥의 직경은 10㎚ 내지 1000㎛일 수 있다.In the anti-skid pad for temporary bonding according to an embodiment of the present invention, one or more fine patterns of the first pattern portion are formed in a columnar shape, and the cross-sectional shape of the column is a polygon, a circle, or an ellipse, and the height of the column is 10 nm to 1000 μm, and the diameter of the pillar may be 10 nm to 1000 μm.

본 발명의 실시예에 따른 템포러리 본딩용 미끄럼 방지 패드는 제2 패턴부의 하나 이상의 미세패턴은 기둥 형상으로 형성되며, 상기 기둥의 단면 형상은 다각형, 원 또는 타원이며, 상기 기둥의 높이는 10㎚ 내지 1000㎛이고, 상기 기둥의 직경은 10㎚ 내지 1000㎛일 수 있다.In the non-slip pad for temporary bonding according to an embodiment of the present invention, one or more fine patterns of the second pattern part are formed in a columnar shape, and the cross-sectional shape of the column is a polygon, a circle or an ellipse, and the height of the column is 10 nm to 1000 μm, and the diameter of the pillar may be 10 nm to 1000 μm.

본 발명의 실시예에 따른 템포러리 본딩용 미끄럼 방지 패드는 제 1패턴부의 하나 이상의 미세패턴은 홈 형상으로 형성되며, 상기 홈의 단면 형상은 다각형, 원 또는 타원이며, 상기 홈의 깊이는 10㎚ 내지 1000㎛이고, 상기 홈의 너비는 10㎚ 내지 1000㎛일 수 있다.In the non-slip pad for temporary bonding according to an embodiment of the present invention, one or more fine patterns of the first pattern part are formed in a groove shape, the cross-sectional shape of the groove is a polygon, a circle, or an ellipse, and the depth of the groove is 10 nm to 1000 μm, and the width of the groove may be 10 nm to 1000 μm.

본 발명의 실시예에 따른 템포러리 본딩용 미끄럼 방지 패드는 제 2패턴부의 하나 이상의 미세패턴은 홈 형상으로 형성되며, 상기 홈의 단면 형상은 다각형, 원 또는 타원이며, 상기 홈의 깊이는 10㎚ 내지 1000㎛이고, 상기 홈의 너비는 10㎚ 내지 1000㎛일 수 있다.In the non-slip pad for temporary bonding according to an embodiment of the present invention, one or more fine patterns of the second pattern part are formed in a groove shape, the cross-sectional shape of the groove is a polygon, a circle, or an ellipse, and the depth of the groove is 10 nm to 1000 μm, and the width of the groove may be 10 nm to 1000 μm.

본 발명의 실시예에 따른 템포러리 본딩용 미끄럼 방지 패드는 상기 기판들과 제1패턴부 또는 제2패턴부 사이에는 반데르발스 힘(Van der Waals)에 의한 장착력이 발생될 수 있다.In the non-slip pad for temporary bonding according to an embodiment of the present invention, a mounting force by a Van der Waals force may be generated between the substrates and the first pattern portion or the second pattern portion.

본 발명의 실시예에 따른 템포러리 본딩용 미끄럼 방지 패드는 상기 베이스부, 제1패턴부 및 제2패턴부는 신축성이 있는 탄성중합체(elastomer), 실리콘계 탄성중합체(Si based elastomer), 플루오르엘라스토머(FKM, fluoroelastomer), 퍼플루오르엘라스토머(FFKM, perfluoroelastomer) 또는 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE, polytetrafluoroethylene)을 포함할 수 있다.In the non-slip pad for temporary bonding according to an embodiment of the present invention, the base part, the first pattern part, and the second pattern part have an elastic polymer (elastomer), a silicone-based elastomer (Si based elastomer), a fluoroelastomer (FKM) , fluoroelastomer), perfluoroelastomer (FFKM, perfluoroelastomer) or polytetrafluoroethylene (PTFE, polytetrafluoroethylene).

삭제delete

삭제delete

본 발명의 실시예에 따르면, 상하 양면으로 패턴이 형성된 미끄럼 방지 패드를 기판 사이에 장착하여 기판들과의 사이에서 장착력이 발생하여 미끄러짐을 방지하고, 디본딩 과정에서 과도한 물리적인 힘을 가하거나 열적인 충격을 가하지 않아도 기판들이 용이하게 분리될 수 있도록 함으로써, 기판들의 훼손, 파손 및 오염을 방지하여 공정 안정성을 향상시킬 수 있도록 한다.According to an embodiment of the present invention, an anti-skid pad having a pattern formed on both upper and lower sides is mounted between the substrates to prevent slipping by generating a mounting force between the substrates, and to apply excessive physical force during the debonding process or By allowing the substrates to be easily separated without applying a thermal shock, damage, breakage, and contamination of the substrates are prevented, thereby improving process stability.

도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 템포러리 본딩용 미끄럼 방지 패드를 사용하여 본딩된 기판을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 템포러리 본딩용 미끄럼 방지 패드를 설명하기 위한 도면이다.
도 4 내지 도 11은 본 발명의 실시예에 따른 양면 패턴이 형성된 템포러리 본딩용 미끄럼 방지 패드를 설명하기 위한 도면이다.1 and 2 are diagrams schematically illustrating a substrate bonded using an anti-skid pad for temporary bonding according to an embodiment of the present invention.
3 is a view for explaining an anti-slip pad for temporary bonding according to an embodiment of the present invention.
4 to 11 are views for explaining the non-slip pad for temporary bonding formed with a double-sided pattern according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및/또는 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.Advantages and/or features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be embodied in various different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 템포러리 본딩용 미끄럼 방지 패드를 사용하여 본딩된 기판을 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a diagram schematically illustrating a substrate bonded using an anti-skid pad for temporary bonding according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 후공정이 필요한 제1기판(20)과 해당 후공정을 용이하고 안정적으로 수행하기 위해 사용되는 제2기판(30)은 미끄럼 방지 패드(10)에 의해 템포러리 본딩이 형성될 수 있다. 각각의 두 기판(20, 30)과 미끄럼 방지 패드(10) 사이에 발생되는 본딩 장착력은 기판의 질량에 따른 수직항력에 대응하여 발생되는 수평방향 마찰력이나, 후술하는 미세패턴에 의해 발생되는 반데르발스 힘(Van der Waals)일 수 있다.Referring to FIG. 1 , a temporary bonding is formed by an anti-slip pad 10 on a first substrate 20 requiring a post-process and a second substrate 30 used to easily and stably perform the post-process. can be The bonding mounting force generated between each of the two substrates 20 and 30 and the anti-slip pad 10 is a horizontal friction force generated in response to a vertical drag according to the mass of the substrate, or a counterweight generated by a fine pattern to be described later. It may be a Van der Waals force.

도 2를 참조하면, 트랜지스터 및 배선 등 회로가 패터닝된 제1기판(20)의 후면을 박막화하기 위해 제2기판(30)에 정렬하여 장착한다. 두 기판의 본딩을 위해, 제1기판(20)의 상면 즉, 회로가 패터닝된 면에 본 발명에 따른 템포러리 본딩용 미끄럼 방지 패드(10)를 먼저 장착한 후, 미끄럼 방지 패드(10) 상면에 제2기판(30)을 장착한다. 이해를 돕기 위해 도 2에서는 제1기판(20)을 하부에, 제2기판(30)을 상부에 배치하여 본딩하는 것으로 도시하였으나, 두 기판 사이의 상하 관계는 변경될 수 있다. 또한, 미끄럼 방지 패드(10)를 장착하는 순서도 제2기판(30)에 먼저 장착 후 제1기판(20)에 장착하는 것으로 변경될 수 있다. 박막화 공정의 경우, 제1기판(20)에서 회로가 패터닝된 면을 미끄럼 방지 패드와 접촉하도록 장착하고, 타면에 대해 화학적/기계적 연마를 통해 박막화를 진행한다. Referring to FIG. 2 , in order to thin the rear surface of the first substrate 20 on which circuits such as transistors and wiring are patterned, the second substrate 30 is aligned and mounted. For bonding the two substrates, the anti-skid pad 10 for temporary bonding according to the present invention is first mounted on the upper surface of the first substrate 20, that is, the circuit patterned surface, and then the anti-slip pad 10 upper surface The second substrate 30 is mounted on the 2 , the first substrate 20 is disposed on the lower portion and the second substrate 30 is placed on the upper portion for bonding. However, the vertical relationship between the two substrates may be changed. In addition, the order of mounting the anti-slip pad 10 may be changed to first mounting on the second substrate 30 and then mounting on the first substrate 20 . In the case of the thin film process, the circuit-patterned surface of the first substrate 20 is mounted so as to be in contact with the non-slip pad, and the other surface is subjected to chemical/mechanical polishing to form a thin film.

회로 기판의 후면 박막화 이외에도, 화합물 반도체나 이미 박막으로 제작된 기판과 같이 충격에 매우 취약한 기판을 핸들링하는 경우에도 본 발명에 따른 미끄럼 방지 패드(10)를 적용할 수 있다. 예를 들어, 화합물 반도체 기판(제1기판)에 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅과 같이 움직임이 수반되는 공정 수행 시, 파손 등을 방지 하기 위해 제2기판(30) 위에 미끄럼 방지 패드(10)를 사이에 두고 두 기판(20, 30)을 템포러리 본딩 후 해당 공정을 수행할 수 있다. In addition to thinning the back surface of the circuit board, the anti-slip pad 10 according to the present invention can be applied even when handling a substrate that is very vulnerable to impact, such as a compound semiconductor or a substrate already made of a thin film. For example, when performing a process involving movement such as spin coating or spray coating on the compound semiconductor substrate (first substrate), an anti-skid pad 10 is placed on the second substrate 30 to prevent damage. After the two substrates 20 and 30 are temporally bonded, the corresponding process may be performed.

OLED에 적용되는 유기 반도체 소자용 기판이나, 최근 웨어러블, 롤러블 기기에 적용되는 플렉서블 반도체 소자용 기판을 핸들링하는 경우에도 본 발명에 따른 미끄럼 방지 패드(10)를 적용할 수 있다.The non-slip pad 10 according to the present invention can be applied even when handling a substrate for an organic semiconductor device applied to an OLED or a substrate for a flexible semiconductor device applied to a wearable or rollable device recently.

제1기판(20) 및 제2기판(30)은 무기물 기반의 기판으로서, Si, Quartz, SiC, SiGe, Ge, AlSb, Al2O3, AlGaAs, AlN, BeTe, BeSe, CdS, CdSe, CdTe, CdS, CuInSe2, CuInS2, CuInGaS2, CuInGaSe2, GaN, GaAs, GaP, GaS, GaSe, GaSb, GaTe, HgCdTe, HgS, InS, InAs, InSe, InSb, InTe, InP, InN, InGaAs, InGaP, InGaN, InGaAlSbAs, InAlP, InAlSb, LiNbO3, PbS, PbTe, TiO2, ZnSe, ZnTe, ZnS 또는 ZnO을 포함하여 형성된 기판일 수 있다.The first substrate 20 and the second substrate 30 are inorganic substrates, and are Si, Quartz, SiC, SiGe, Ge, AlSb, Al2O3, AlGaAs, AlN, BeTe, BeSe, CdS, CdSe, CdTe, CdS, CuInSe2, CuInS2, CuInGaS2, CuInGaSe2, GaN, GaAs, GaP, GaS, GaSe, GaSb, GaTe, HgCdTe, HgS, InS, InAs, InSe, InSb, InTe, InP, InN, InGaAs, InGaP, InGaN, InGaAlSbAs, InGaAlSb The substrate may be formed of InAlSb, LiNbO3, PbS, PbTe, TiO2, ZnSe, ZnTe, ZnS, or ZnO.

또한, 제1기판(20) 및 제2기판(30)은 유기물 기반의 기판으로서, 폴리이미드(PI), 폴리페닐렌 옥사이드(polyphenylene oxide: PPO), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate: PETE), 폴리부틸렌테레프탈레이트(polybutylene terephthalate: PBT), 폴리디히드록시메틸사이클로헥실 테레프탈레이트(polydihydroxymethylcyclohexyl terephthalate), 셀룰로오스 에스테르(cellulose esters), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC) 또는 폴리아미드(polyamide: PA)를 포함하여 형성된 기판일 수 있다.In addition, the first substrate 20 and the second substrate 30 are organic material-based substrates, such as polyimide (PI), polyphenylene oxide (PPO), polyethylene terephthalate (PETE), and poly including butylene terephthalate (PBT), polydihydroxymethylcyclohexyl terephthalate, cellulose esters, polycarbonate (PC) or polyamide (PA) It may be a formed substrate.

이하에서 본 발명에 따른 미끄럼 방지 패드(10)에 대해 보다 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, the anti-slip pad 10 according to the present invention will be described in more detail.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 템포러리 본딩용 미끄럼 방지 패드(10)를 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining the non-slip pad 10 for temporary bonding according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 미끄럼 방지 패드(10)는 베이스부(11), 베이스부(11)의 상면에 형성되며 하나 이상의 미세패턴을 포함하는 제1패턴부(13) 및 베이스부(11)의 하면에 형성되며 하나 이상의 미세패턴을 포함하는 제2패턴부(15)를 포함할 수 있다. 제1기판 및 제2기판은 각각 제1패턴부(13) 또는 제2패턴부(15)에 접촉하여 장착될 수 있다. 즉, 미끄럼 방지 패드(10)는 제1패턴부(13)의 일면과 제2패턴부(15)의 일면으로 구성된 양면으로 형성되며, 이러한 미끄럼 방지 패드(10)의 양면에 두 기판들이 각각 장착될 수 있다.Referring to FIG. 3 , the anti-slip pad 10 is formed on the base part 11 , the upper surface of the base part 11 , and includes at least one fine pattern of the first pattern part 13 and the base part 11 . It is formed on the lower surface and may include a second pattern part 15 including one or more fine patterns. The first substrate and the second substrate may be mounted in contact with the first pattern part 13 or the second pattern part 15 , respectively. That is, the anti-slip pad 10 is formed on both sides composed of one surface of the first pattern portion 13 and one surface of the second pattern portion 15 , and two substrates are mounted on both surfaces of the anti-slip pad 10 , respectively. can be

베이스부(11), 제1패턴부(13) 및 제2패턴부(15)는 일체로 동시에 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 순차적으로 형성되거나 별도로 형성된 후 결합될 수도 있다. 베이스부(11), 제1패턴부(13) 및 제2패턴부(15)가 일체로 형성되는 경우 미리 제작된 몰드를 이용해 일체로 형성될 수 있다. 베이스부(11), 제1패턴부(13) 및 제2패턴부(15)는 동일한 소재로 형성될 수 있다. 베이스부(11), 제1패턴부(13) 및 제2패턴부(15)는 고분자 소재로 형성될 수 있으며, 그래핀, 탄소나노튜브 등의 탄소계 소재와 고분자 소재를 혼합하여 형성될 수도 있다. 베이스부(11), 제1패턴부(13) 및 제2패턴부(15)는 신축성이 있는 탄성중합체(elastomer), 실리콘계 탄성중합체(Si based elastomer), 플루오르엘라스토머(FKM, fluoroelastomer), 퍼플루오르엘라스토머(FFKM, perfluoroelastomer) 또는 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE, polytetrafluoroethylene)을 포함하여 형성될 수 있다.The base portion 11 , the first pattern portion 13 , and the second pattern portion 15 may be integrally and simultaneously formed, but are not limited thereto, and may be formed sequentially or separately formed and then combined. When the base portion 11 , the first pattern portion 13 , and the second pattern portion 15 are integrally formed, they may be integrally formed using a pre-fabricated mold. The base part 11 , the first pattern part 13 , and the second pattern part 15 may be formed of the same material. The base portion 11, the first pattern portion 13, and the second pattern portion 15 may be formed of a polymer material, and may be formed by mixing a polymer material with a carbon-based material such as graphene and carbon nanotubes. have. The base portion 11, the first pattern portion 13, and the second pattern portion 15 include an elastic polymer (elastomer), a silicone-based elastomer (Si based elastomer), a fluoroelastomer (FKM, fluoroelastomer), and perfluorine. It may be formed of an elastomer (FFKM, perfluoroelastomer) or polytetrafluoroethylene (PTFE, polytetrafluoroethylene).

도 4 내지 도 11은 본 발명의 실시예에 따른 양면 패턴이 형성된 템포러리 본딩용 미끄럼 방지 패드(10)를 설명하기 위한 도면이다.4 to 11 are views for explaining the non-slip pad 10 for temporary bonding formed with a double-sided pattern according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 베이스부(11)는 제1패턴부(13) 및 제2패턴부(15)를 지지하도록 형성되며, 제1패턴부(13) 및 제2패턴부(15)는 각각 하나 이상의 기둥 또는 돌기(131, 151)를 포함할 수 있다. 하나 이상의 기둥 또는 돌기(131, 151)는 베이스부(11)의 양면에 대해 수직으로 연장되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 수직이 아닌 소정의 각도를 이루며 형성될 수도 있으며, 각각의 기둥 또는 돌기(131, 151)들이 베이스부(11)의 양면과 이루는 각도는 동일하지 않을 수 있다. Referring to FIG. 4 , the base part 11 is formed to support the first pattern part 13 and the second pattern part 15 , and the first pattern part 13 and the second pattern part 15 are respectively It may include one or more pillars or protrusions 131 and 151 . One or more pillars or protrusions 131 and 151 may be formed to extend vertically with respect to both surfaces of the base portion 11, but is not limited thereto and may be formed at a predetermined angle rather than vertical. The angles formed by the protrusions 131 and 151 with both surfaces of the base 11 may not be the same.

하나 이상의 기둥 또는 돌기(131, 151)들이 일직선으로 형성되는 것을 예로 들어 설명하지만, 이에 한정되지 않고 휘어진 형태로 형성될 수도 있다.Although one or more pillars or protrusions 131 and 151 are described as an example of being formed in a straight line, the present invention is not limited thereto and may be formed in a curved shape.

하나 이상의 기둥 또는 돌기(131, 151)들은 이격되게 배치되며, 이격 거리는 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다. 하나 이상의 기둥 또는 돌기(131, 151)들은 원기둥 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 단면이 삼각형, 사각형 또는 오각형 등의 다각형이거나 타원형 등 다양한 단면 형상으로 형성될 수도 있다. 하나 이상의 기둥 또는 돌기(131, 151)들의 상부 끝단은 평평할 수도 있지만, 라운딩 형상으로 형성될 수도 있다.One or more pillars or protrusions 131 and 151 are disposed to be spaced apart, and the spacing distance may be the same or different. The one or more pillars or protrusions 131 and 151 may be formed in a cylindrical shape, but the cross-section is not limited thereto and may be formed in various cross-sectional shapes such as a polygonal shape such as a triangle, a square, or a pentagon, or an ellipse. The upper ends of the one or more pillars or protrusions 131 and 151 may be flat or may be formed in a rounded shape.

하나 이상의 기둥 또는 돌기(131, 151)들은 10㎚ 내지 1000㎛의 높이로 형성될 수 있으며, 각각의 기둥 또는 돌기(131, 151)들은 동일한 높이로 형성될 수 있지만 이에 한정되지 않고 상이한 높이로 형성될 수도 있다. One or more pillars or protrusions 131 and 151 may be formed to have a height of 10 nm to 1000 μm, and each of the pillars or protrusions 131 and 151 may be formed to have the same height, but is not limited thereto and formed to have different heights. it might be

하나 이상의 기둥 또는 돌기(131, 151)들은 10㎚ 내지 1000㎛의 직경 또는 두께로 형성될 수 있으며, 각각의 기둥 또는 돌기(131, 151)들은 동일한 직경 또는 두께로 형성될 수 있지만 이에 한정되지 않고 상이한 직경 또는 두께로 형성될 수도 있다. 도 4를 참조하면, 제1패턴부(13)의 하나 이상의 기둥 또는 돌기(131)들의 두께와 제2패턴부(15)의 하나 이상의 기둥 또는 돌기(151)들의 두께가 동일한 예를 도시하였지만, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 제1패턴부(13)의 하나 이상의 기둥 또는 돌기(131)들의 두께와 제2패턴부(15)의 하나 이상의 기둥 또는 돌기(151)들의 두께는 상이할 수도 있다. 또한, 제1패턴부(13)의 하나 이상의 기둥 또는 돌기(131)들의 높이와 제2패턴부(15)의 하나 이상의 기둥 또는 돌기(151)들의 높이는 상이할 수도 있다.One or more pillars or protrusions 131 and 151 may be formed with a diameter or thickness of 10 nm to 1000 μm, and each of the pillars or protrusions 131 and 151 may be formed with the same diameter or thickness, but is not limited thereto. They may be formed in different diameters or thicknesses. 4, the thickness of the one or more pillars or projections 131 of the first pattern part 13 and the thickness of the one or more pillars or projections 151 of the second pattern part 15 are the same, but an example is shown. 5 and 6 , the thickness of the one or more pillars or protrusions 131 of the first pattern part 13 is different from the thickness of the one or more pillars or projections 151 of the second pattern part 15 . You may. Also, the height of the one or more pillars or protrusions 131 of the first pattern part 13 may be different from the height of the one or more pillars or protrusions 151 of the second pattern part 15 .

도 7을 참조하면, 제1패턴부(13) 및 제2패턴부(15)는 각각 하나 이상의 홈 또는 홀(133, 153)을 포함할 수 있다. 하나 이상의 홈 또는 홀(133, 153)은 베이스부(11)의 양면을 향해 수직으로 연장되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 수직이 아닌 소정의 각도를 이루며 형성될 수도 있으며, 각각의 홈 또는 홀(133, 153)들이 베이스부(11)의 양면과 이루는 각도는 동일하지 않을 수 있다.Referring to FIG. 7 , the first pattern part 13 and the second pattern part 15 may include one or more grooves or holes 133 and 153 , respectively. One or more grooves or holes 133 and 153 may be formed to extend vertically toward both sides of the base 11, but are not limited thereto and may be formed at a predetermined angle rather than vertical. The angles formed by the holes 133 and 153 with both surfaces of the base part 11 may not be the same.

하나 이상의 홈 또는 홀(133, 153)들이 일직선으로 형성되는 것을 예로 들어 설명하지만, 이에 한정되지 않고 휘어진 형태로 형성될 수도 있다.The one or more grooves or holes 133 and 153 are described as an example in which they are formed in a straight line, but the present invention is not limited thereto and may be formed in a curved shape.

하나 이상의 홈 또는 홀(133, 153)들은 이격되게 배치되며, 이격 거리는 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다. 하나 이상의 홈 또는 홀(133, 153)들은 단면이 원형의 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 단면이 삼각형, 사각형 또는 오각형 등의 다각형이거나 타원형 등 다양한 단면 형상으로 형성될 수도 있다. 하나 이상의 홈 또는 홀(133, 153)들의 바닥은 평평할 수도 있지만, 라운딩 형상으로 형성될 수도 있다.The one or more grooves or holes 133 and 153 are spaced apart from each other, and the spacing distance may be the same or different. The one or more grooves or holes 133 and 153 may be formed in a circular cross-section, but the cross-section is not limited thereto, and the cross-section may be formed in various cross-sectional shapes, such as a polygonal shape such as a triangle, a square, or a pentagon, or an oval. The bottom of the one or more grooves or holes 133 and 153 may be flat or may be formed in a rounded shape.

하나 이상의 홈 또는 홀(133, 153)들은 10㎚ 내지 1000㎛의 깊이로 형성될 수 있으며, 각각의 홈 또는 홀(133, 153)들은 동일한 깊이로 형성될 수 있지만 이에 한정되지 않고 상이한 깊이로 형성될 수도 있다. One or more grooves or holes 133 and 153 may be formed to a depth of 10 nm to 1000 μm, and each of the grooves or holes 133 and 153 may be formed to have the same depth, but is not limited thereto and formed to have different depths. it might be

하나 이상의 홈 또는 홀(133, 153)들은 10㎚ 내지 1000㎛의 너비로 형성될 수 있으며, 각각의 홈 또는 홀(133, 153)들은 동일한 너비로 형성될 수 있지만 이에 한정되지 않고 상이한 너비로 형성될 수도 있다. 도 7을 참조하면, 제1패턴부(13)의 하나 이상의 홈 또는 홀(133)들의 너비와 제2패턴부(15)의 하나 이상의 홈 또는 홀(153)들의 너비가 동일한 예를 도시하였지만, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 제1패턴부(13)의 하나 이상의 홈 또는 홀(133)들의 너비와 제2패턴부(15)의 하나 이상의 홈 또는 홀(153)들의 너비는 상이할 수도 있다. 또한, 제1패턴부(13)의 하나 이상의 홈 또는 홀(133)들의 깊이와 제2패턴부(15)의 하나 이상의 홈 또는 홀(153)들의 깊이는 상이할 수도 있다.The one or more grooves or holes 133 and 153 may be formed to have a width of 10 nm to 1000 μm, and each of the grooves or holes 133 and 153 may be formed to have the same width, but is not limited thereto and may have different widths. it might be Referring to FIG. 7 , an example in which the width of one or more grooves or holes 133 of the first pattern part 13 and the width of one or more grooves or holes 153 of the second pattern part 15 is the same is illustrated, 8 and 9 , the width of the one or more grooves or holes 133 of the first pattern part 13 is different from the width of the one or more grooves or holes 153 of the second pattern part 15 . You may. Also, the depth of the one or more grooves or holes 133 of the first pattern part 13 may be different from the depth of the one or more grooves or holes 153 of the second pattern part 15 .

도 4 내지 도 9에서 제1패턴부(13) 및 제2패턴부(15)가 기둥 또는 돌기 형상이거나, 홈 또는 홀 형상으로 형성된 예를 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 제1패턴부(13) 및 제2패턴부(15)의 형상은 상이할 수 있다. 도 10을 참조하면, 제1패턴부(13)는 하나 이상의 기둥 또는 돌기(131)를 포함할 수 있고, 제2패턴부(15)는 하나 이상의 홈 또는 홀(153)을 포함할 수 있다. 도 11을 참조하면, 제1패턴부(13)는 하나 이상의 홈 또는 홀(133)을 포함할 수 있고, 제2패턴부(15)는 하나 이상의 기둥 또는 돌기(151)를 포함할 수 있다. In FIGS. 4 to 9 , the first pattern part 13 and the second pattern part 15 have a pillar or protrusion shape, or an example formed in a groove or hole shape, but the present invention is not limited thereto, and the first pattern part 13 is not limited thereto. And the shape of the second pattern portion 15 may be different. Referring to FIG. 10 , the first pattern part 13 may include one or more pillars or protrusions 131 , and the second pattern part 15 may include one or more grooves or holes 153 . Referring to FIG. 11 , the first pattern part 13 may include one or more grooves or holes 133 , and the second pattern part 15 may include one or more pillars or protrusions 151 .

본 발명에 따른 미끄럼 방지 패드(10)의 제1패턴부(13) 및 제2패턴부(15)는 기판의 중력에 의한 수직항력에 대응하여 고마찰력을 제공함으로써 제1기판 및 제2기판이 서로 미끄러지지 않고 안정적으로 장착될 수 있도록 한다. 또한, 제1패턴부(13) 및 제2패턴부(15)와 기판들 사이에는 반데르발스 힘(Van der Waals force)에 의한 인력이 장착력으로 발생될 수 있다. 본 발명에 따른 미끄럼 방지 패드(10)에 의한 템포러리 본딩 장착력으로 수평방향의 외력에 대해 미끄러짐 없이 본딩 상태가 유지되지만, 수직방향 성분의 외력이 가해져도 본딩 상태가 적절히 유지될 수 있다.The first pattern portion 13 and the second pattern portion 15 of the anti-skid pad 10 according to the present invention provide high frictional force in response to the vertical drag caused by the gravity of the substrate, so that the first and second substrates are Make sure they are mounted securely without slipping on each other. In addition, an attractive force by a Van der Waals force may be generated as a mounting force between the first pattern part 13 and the second pattern part 15 and the substrates. Although the bonding state is maintained without slipping against the external force in the horizontal direction by the temporary bonding mounting force by the anti-slip pad 10 according to the present invention, the bonding state can be properly maintained even when the external force of the vertical component is applied.

또한, 템포러리 본딩으로 후공정이 완료된 후, 디본딩 과정에서 접착제 등을 사용하여 잔여물이 남는 것과는 달리 잔여물이 전혀 남지 않기 때문에 물리적인 분리만으로 매우 용이하고 청정한 공정을 수행할 수 있다.In addition, after the post-process is completed by temporary bonding, unlike the residue left by using an adhesive or the like in the debonding process, since no residue is left at all, a very easy and clean process can be performed only by physical separation.

지금까지 본 발명에 따른 구체적인 실시예에 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 특허 청구의 범위뿐만 아니라 이 특허 청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Although specific embodiments according to the present invention have been described so far, various modifications are possible without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined by the claims described below as well as the claims and equivalents.

이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 이는 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명 사상은 아래에 기재된 특허청구범위에 의해서만 파악되어야 하고, 이의 균등 또는 등가적 변형 모두는 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.As described above, although the present invention has been described with reference to the limited embodiments and drawings, the present invention is not limited to the above embodiments, which are various modifications and Transformation is possible. Accordingly, the spirit of the present invention should be understood only by the claims described below, and all equivalents or equivalent modifications thereof will fall within the scope of the spirit of the present invention.

10: 미끄럼 방지 패드
11: 베이스부
13: 제1패턴부
15: 제2패턴부
131, 151: 기둥 또는 돌기
133, 153: 홈 또는 홀
20: 제1기판
30: 제2기판10: non-slip pad
11: base part
13: first pattern part
15: second pattern part
131, 151: pillars or projections
133, 153: groove or hole
20: first substrate
30: second substrate

Claims (9)

반도체 소자 제조용 웨이퍼(wafer)들 사이의 본딩(bonding) 및 디본딩(debonding)이 가능하도록 템포러리 본딩(temporary bonding)을 위한 미끄럼 방지 패드에 있어서,
베이스부;
상기 베이스부의 상면에 형성되며 하나 이상의 미세패턴을 포함하는 제1 패턴부; 및
상기 베이스부의 하면에 형성되며 하나 이상의 미세패턴을 포함하는 제2 패턴부;를 포함하고,
상기 웨이퍼들 사이에 상기 미끄럼 방지 패드가 장착되고,
상기 웨이퍼들은 Si, Quartz, SiC, SiGe, Ge, AlSb, Al2O3, AlGaAs, AlN, BeTe, BeSe, CdS, CdSe, CdTe, CdS, CuInSe2, CuInS2, CuInGaS2, CuInGaSe2, GaN, GaAs, GaP, GaS, GaSe, GaSb, GaTe, HgCdTe, HgS, InS, InAs, InSe, InSb, InTe, InP, InN, InGaAs, InGaP, InGaN, InGaAlSbAs, InAlP, InAlSb, LiNbO3, PbS, PbTe, TiO2, ZnSe, ZnTe, ZnS, ZnO, 폴리이미드(PI), 폴리페닐렌 옥사이드(polyphenylene oxide: PPO), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate: PETE), 폴리부틸렌테레프탈레이트(polybutylene terephthalate: PBT), 폴리디히드록시메틸사이클로헥실 테레프탈레이트(polydihydroxymethylcyclohexyl terephthalate), 셀룰로오스 에스테르(cellulose esters), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC) 또는 폴리아미드(polyamide: PA)를 포함하는 것을 특징으로 하는 템포러리 본딩용 미끄럼 방지 패드.
In the non-slip pad for temporary bonding to enable bonding and debonding between wafers for semiconductor device manufacturing,
base part;
a first pattern part formed on the upper surface of the base part and including one or more fine patterns; and
a second pattern portion formed on a lower surface of the base portion and including one or more fine patterns;
The anti-skid pad is mounted between the wafers,
The wafers are Si, Quartz, SiC, SiGe, Ge, AlSb, Al 2 O 3 , AlGaAs, AlN, BeTe, BeSe, CdS, CdSe, CdTe, CdS, CuInSe 2 , CuInS 2 , CuInGaS 2 , CuInGaSe 2 , GaN, GaAs, GaP, GaS, GaSe, GaSb, GaTe, HgCdTe, HgS, InS, InAs, InSe, InSb, InTe, InP, InN, InGaAs, InGaP, InGaN, InGaAlSbAs, InAlP, InAlSb, LiNbO 3 , PbS, PbTe 2 , ZnSe, ZnTe, ZnS, ZnO, polyimide (PI), polyphenylene oxide (PPO), polyethylene terephthalate (PETE), polybutylene terephthalate (PBT), poly Anti-slip pad for temporary bonding, characterized in that it comprises dihydroxymethylcyclohexyl terephthalate (polydihydroxymethylcyclohexyl terephthalate), cellulose esters, polycarbonate (PC) or polyamide (PA).
 제1항에 있어서,
제1 패턴부의 하나 이상의 미세패턴은 기둥 형상으로 형성되며,
상기 기둥의 단면 형상은 다각형, 원 또는 타원이며,
상기 기둥의 높이는 10㎚ 내지 1000㎛이고,
상기 기둥의 두께는 10㎚ 내지 1000㎛인 것을 특징으로 하는 템포러리 본딩용 미끄럼 방지 패드.
According to claim 1,
One or more fine patterns of the first pattern portion are formed in a columnar shape,
The cross-sectional shape of the pillar is a polygon, a circle or an ellipse,
The height of the pillar is 10 nm to 1000 μm,
The anti-slip pad for temporary bonding, characterized in that the pillar has a thickness of 10 nm to 1000 μm.
 제1항에 있어서,
제2 패턴부의 하나 이상의 미세패턴은 기둥 형상으로 형성되며,
상기 기둥의 단면 형상은 다각형, 원 또는 타원이며,
상기 기둥의 높이는 10㎚ 내지 1000㎛이고,
상기 기둥의 두께는 10㎚ 내지 1000㎛인 것을 특징으로 하는 템포러리 본딩용 미끄럼 방지 패드.
According to claim 1,
One or more fine patterns of the second pattern part are formed in a columnar shape,
The cross-sectional shape of the pillar is a polygon, a circle or an ellipse,
The height of the pillar is 10 nm to 1000 μm,
The anti-slip pad for temporary bonding, characterized in that the pillar has a thickness of 10 nm to 1000 μm.
 제1항에 있어서,
제 1패턴부의 하나 이상의 미세패턴은 홈 형상으로 형성되며,
상기 홈의 단면 형상은 다각형, 원 또는 타원이며,
상기 홈의 깊이는 10㎚ 내지 1000㎛이고,
상기 홈의 너비는 10㎚ 내지 1000㎛인 것을 특징으로 하는 템포러리 본딩용 미끄럼 방지 패드.
According to claim 1,
One or more fine patterns of the first pattern portion are formed in a groove shape,
The cross-sectional shape of the groove is a polygon, a circle or an ellipse,
The depth of the groove is 10 nm to 1000 μm,
The non-slip pad for temporary bonding, characterized in that the width of the groove is 10nm to 1000㎛.
 제1항에 있어서,
제 2패턴부의 하나 이상의 미세패턴은 홈 형상으로 형성되며,
상기 홈의 단면 형상은 다각형, 원 또는 타원이며,
상기 홈의 깊이는 10㎚ 내지 1000㎛이고,
상기 홈의 너비는 10㎚ 내지 1000㎛인 것을 특징으로 하는 템포러리 본딩용 미끄럼 방지 패드.
According to claim 1,
One or more fine patterns of the second pattern part are formed in a groove shape,
The cross-sectional shape of the groove is a polygon, a circle or an ellipse,
The depth of the groove is 10 nm to 1000 μm,
The non-slip pad for temporary bonding, characterized in that the width of the groove is 10nm to 1000㎛.
 제1항에 있어서,
상기 웨이퍼들과 제1패턴부 또는 상기 웨이퍼들과 제2패턴부 사이에는 반데르발스 힘(Van der Waals)에 의한 장착력이 발생되는 것을 특징으로 하는 템포러리 본딩용 미끄럼 방지 패드.
According to claim 1,
An anti-slip pad for temporary bonding, characterized in that a mounting force is generated between the wafers and the first pattern portion or the wafers and the second pattern portion by a Van der Waals force.
 제1항에 있어서,
상기 베이스부, 제1패턴부 및 제2패턴부는 신축성이 있는 탄성중합체(elastomer), 실리콘계 탄성중합체(Si based elastomer), 플루오르엘라스토머(FKM, fluoroelastomer), 퍼플루오르엘라스토머(FFKM, perfluoroelastomer) 또는 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE, polytetrafluoroethylene)을 포함하는 것을 특징으로 하는 템포러리 본딩용 미끄럼 방지 패드.
According to claim 1,
The base portion, the first pattern portion, and the second pattern portion are elastic polymer (elastomer), silicone-based elastomer (Si based elastomer), fluoroelastomer (FKM, fluoroelastomer), perfluoroelastomer (FFKM, perfluoroelastomer) or polytetra Anti-slip pad for temporary bonding, characterized in that it contains fluoroethylene (PTFE, polytetrafluoroethylene).
 삭제delete 삭제delete
KR1020200046104A 2020-04-16 2020-04-16 Double side patterned anti-slip pad for temporary bonding between substrates KR102440998B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200046104A KR102440998B1 (en) 2020-04-16 2020-04-16 Double side patterned anti-slip pad for temporary bonding between substrates
PCT/KR2020/018286 WO2021210751A1 (en) 2020-04-16 2020-12-14 Anti-slip pad for temporary bonding, including pattern part on both sides thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200046104A KR102440998B1 (en) 2020-04-16 2020-04-16 Double side patterned anti-slip pad for temporary bonding between substrates

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210128549A KR20210128549A (en) 2021-10-27
KR102440998B1 true KR102440998B1 (en) 2022-09-13

Family

ID=78084284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200046104A KR102440998B1 (en) 2020-04-16 2020-04-16 Double side patterned anti-slip pad for temporary bonding between substrates

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102440998B1 (en)
WO (1) WO2021210751A1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100864732B1 (en) * 2007-03-21 2008-10-23 (주)바로텍 chuck using nano-scale cilium, fabricating method and chucking/de-chucking method for the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7327037B2 (en) * 2004-04-01 2008-02-05 Lucent Technologies Inc. High density nanostructured interconnection
JP4240499B2 (en) * 2006-02-09 2009-03-18 日本航空電子工業株式会社 Connecting member
KR20140122861A (en) * 2013-04-11 2014-10-21 (주)엠프리시젼 Adhesion pad and method of manufacturing the same
CN114133918A (en) * 2015-12-28 2022-03-04 日立造船株式会社 Carbon nanotube composite material and method for producing carbon nanotube composite material

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100864732B1 (en) * 2007-03-21 2008-10-23 (주)바로텍 chuck using nano-scale cilium, fabricating method and chucking/de-chucking method for the same

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021210751A1 (en) 2021-10-21
KR20210128549A (en) 2021-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10252514B2 (en) Apparatus and methods for micro-transfer-printing
TWI581355B (en) Method of transferring micro-device
TWI692123B (en) Structure with micro device
US7560817B2 (en) Interconnect including a pliable surface and use thereof
WO2018032621A1 (en) Micro component transfer method and apparatus, and electronic device
US10748804B2 (en) Structure with micro device having holding structure
US20150279718A1 (en) Heat Assisted Handling of Highly Warped Substrates Post Temporary Bonding
US20210020490A1 (en) Support substrates, methods of fabricating semiconductor packages using the same, and methods of fabricating electronic devices using the same
US20140183728A1 (en) Wafer supporting structure, intermediate structure of a semiconductor package including the wafer supporting structure
TW201944512A (en) Transfer substrate and chip carrier board
US10797029B2 (en) Structure with micro device
KR102440998B1 (en) Double side patterned anti-slip pad for temporary bonding between substrates
US20090159208A1 (en) Method of forming temporary carrier structure and associated release techniques
KR102656505B1 (en) Die-to-wafer bonding utilizing micro-transfer printing
CN111628053B (en) Miniature LED carrier plate
TWM613900U (en) Semiconductor processing apparatus
KR102615699B1 (en) Retention method of semiconductor wafer and fabrication method of semiconductor device
US10373856B2 (en) Transfer head array
TWI471990B (en) Carrier member for fastening semiconductor package and method of forming semiconductor package
KR20230147713A (en) Transfer of micro devices
KR102343984B1 (en) Semiconductor wafer transfer anti-slip pad removing popping problem and robot arm mounted with the same
TWI695532B (en) Method for manufacturing side wall barrier package structure
US20240014063A1 (en) Method of manufacturing a semiconductor device
TWI719009B (en) Cap layer, polishing pad with cap layer, method for avoiding polishing pad deformation and polishing method
TWM646755U (en) Protection tape

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant