KR102438254B1 - Organic light emitting display device and method for driving the same - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 유기발광 표시장치는 다수의 서브픽셀들이 배치되고, 각 서브픽셀이 유기발광 다이오드와 상기 유기발광 다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터를 포함한 표시패널과, 상기 서브픽셀들에 대한 센싱 시간을 결정하는 센싱 시간 결정부와, 상기 결정된 센싱 시간을 통해 상기 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하는 센싱부를 구비하고, 상기 센싱 시간은 구동 트랜지스터의 크기 정보에 따라 컬러 별로 독립적으로 결정된다.The organic light emitting diode display according to the present invention includes a display panel in which a plurality of sub-pixels are disposed, each sub-pixel includes an organic light-emitting diode and a driving transistor driving the organic light-emitting diode, and a sensing time for the sub-pixels is determined. and a sensing unit for sensing a characteristic value of the driving transistor through the determined sensing time, wherein the sensing time is independently determined for each color according to size information of the driving transistor.

Description

유기발광 표시장치 및 그 구동방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING THE SAME}Organic light emitting display device and driving method thereof

본 발명은 유기발광 표시장치 및 그 구동방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device and a driving method thereof.

최근, 표시장치로서 각광받고 있는 유기발광 표시장치는 스스로 발광하는 유기발광 다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 큰 장점이 있다. 유기발광 표시장치는 유기발광 다이오드가 포함된 화소를 매트릭스 형태로 배열하고 스캔 신호에 의해 선택된 화소들의 밝기를 데이터의 계조에 따라 제어한다.Recently, an organic light emitting display device, which has been in the spotlight as a display device, has advantages such as fast response speed, luminous efficiency, luminance, and viewing angle by using an organic light emitting diode (OLED) that emits light by itself. In the organic light emitting display device, pixels including organic light emitting diodes are arranged in a matrix form, and brightness of pixels selected by a scan signal is controlled according to a gray level of data.

유기발광 표시장치의 표시패널에 배치되는 각 서브픽셀은, 기본적으로, 유기발광 다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터, 구동 트랜지스터의 게이트 노드에 데이터 전압을 전달해주는 스위칭 트랜지스터, 및 스토리지 캐패시터 등을 포함하여 구성될 수 있다.Each sub-pixel disposed on the display panel of the organic light emitting diode display basically includes a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a switching transistor for transferring a data voltage to the gate node of the driving transistor, and a storage capacitor. can

구동 트랜지스터는, 구동 시간이 길어짐에 따라 열화(Degradation)가 되어 문턱전압, 이동도 등의 특성치가 변할 수 있다. 또한, 구동 트랜지스터마다 열화 정도가 다를 수 있기 때문에, 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터 간의 특성치 편차가 발생할 수 있다.The driving transistor may be degraded as the driving time increases, and thus characteristics such as threshold voltage and mobility may change. In addition, since the degree of deterioration may be different for each driving transistor, a characteristic value deviation may occur between the driving transistors in each subpixel.

구동 트랜지스터 간의 특성치 편차는, 각 서브픽셀 간 휘도 편차를 야기하여 화질 저하를 발생시킬 수 있다. 이에, 구동 트랜지스터 간의 특성치 편차를 보상해주기 위한 다양한 기술이 개발되고 있다. 특성치 편차를 보상하기 위해서는, 각 서브픽셀내의 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱해야 한다.A deviation in characteristic values between driving transistors may cause a deviation in luminance between sub-pixels to cause image quality deterioration. Accordingly, various technologies have been developed to compensate for variation in characteristic values between driving transistors. In order to compensate for the characteristic value deviation, it is necessary to sense the characteristic value of the driving transistor in each sub-pixel.

그런데, 유기발광 표시장치가 대형화 및 고해상도화 되어 감에 따라 센싱 시간이 점점 길어지고 있다. 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하는 동안에는 화상을 표시할 수 없기 때문에, 센싱 시간이 길어지면 제품 성능이 떨어진다. 반면에, 센싱 시간이 충분하지 않으면 특성치 편차 보상이 불완전하게 되어, 화질이 저하된다.However, as the organic light emitting display device becomes larger and higher in resolution, the sensing time is gradually increasing. Since an image cannot be displayed while the characteristic value of the driving transistor is being sensed, the product performance deteriorates as the sensing time increases. On the other hand, if the sensing time is not sufficient, the characteristic value deviation compensation is incomplete, and the image quality is deteriorated.

따라서, 본 발명의 목적은 구동 트랜지스터의 특성치에 대한 센싱 시간을 줄이면서도 센싱 및 보상의 신뢰성을 높일 수 있도록 한 유기발광 표시장치 및 그 구동방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide an organic light emitting display device and a driving method thereof, which can increase the reliability of sensing and compensation while reducing the sensing time for a characteristic value of a driving transistor.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 다수의 서브픽셀들이 배치되고, 각 서브픽셀이 유기발광 다이오드와 상기 유기발광 다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터를 포함한 표시패널과, 상기 서브픽셀들에 대한 센싱 시간을 결정하는 센싱 시간 결정부와, 상기 결정된 센싱 시간을 통해 상기 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하는 센싱부를 구비하고, 상기 센싱 시간은 구동 트랜지스터의 크기 정보에 따라 컬러 별로 독립적으로 결정된다.In order to achieve the above object, an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel in which a plurality of sub-pixels are disposed, each sub-pixel including an organic light emitting diode and a driving transistor for driving the organic light emitting diode; , a sensing time determining unit for determining a sensing time for the sub-pixels, and a sensing unit sensing a characteristic value of the driving transistor through the determined sensing time, wherein the sensing time is determined for each color according to size information of the driving transistor determined independently.

이 유기발광 표시장치는 상기 센싱 시간 결정부에 미리 설정된 컬러별 구동 트랜지스터의 크기 정보를 제공하는 TFT 데이터 베이스를 더 포함한다.The organic light emitting display device further includes a TFT database that provides size information of driving transistors for each color preset to the sensing time determiner.

상기 센싱 시간 결정부는 상기 구동 트랜지스터의 크기에 반비례하여 상기 센싱 시간을 결정한다.The sensing time determining unit determines the sensing time in inverse proportion to the size of the driving transistor.

본 발명은 다수의 서브픽셀들이 배치되고, 각 서브픽셀이 유기발광 다이오드와 상기 유기발광 다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터를 포함한 유기발광 표시장치의 일 구동방법으로서, 상기 서브픽셀들에 대한 센싱 시간을 결정하는 단계와, 상기 결정된 센싱 시간을 통해 상기 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하는 단계를 포함하고, 상기 센싱 시간은 구동 트랜지스터의 크기 정보에 따라 컬러 별로 독립적으로 결정된다.The present invention relates to a driving method of an organic light emitting display device in which a plurality of sub-pixels are disposed, each sub-pixel including an organic light emitting diode and a driving transistor driving the organic light emitting diode, wherein a sensing time for the sub-pixels is determined. and sensing the characteristic value of the driving transistor through the determined sensing time, wherein the sensing time is independently determined for each color according to size information of the driving transistor.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 유기발광다이오드와 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터를 각각 포함하는 다수의 서브픽셀이 배치되며, 각 센싱 라인이 K(K≥2)개의 데이터 라인마다 대응되어 각각 배치되는 유기발광표시패널과, 상기 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하는 동안, 상기 K개의 데이터 라인 중에서 S(2≤S≤K)개의 데이터 라인으로 센싱용 데이터 전압을 동시에 출력하는 데이터 드라이버와, 상기 센싱 라인의 전압을 K번 센싱하여 K개의 센싱 전압을 출력하는 아날로그 디지털 컨버터와, 상기 S개의 데이터라인에 연결된 S개 서브픽셀의 구동 트랜지스터의 전류량 비율 또는, 상기 S개 서브픽셀의 구동 트랜지스터 크기 비율로 결정되는 K×K행렬의 역행렬과, 상기 K개의 센싱 전압을 기반으로, 상기 K개의 데이터 라인에 연결된 K개의 서브픽셀 각각에 대한 구동 트랜지스터의 특성치를 산출하는 보상기를 포함한다.In an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention, a plurality of sub-pixels each including an organic light emitting diode and a driving transistor for driving the organic light emitting diode are disposed, and each sensing line includes K (K ≥ 2) data. Data for simultaneously outputting a sensing data voltage to S (2≤S≤K) data lines among the K data lines while sensing the characteristic values of an organic light emitting display panel arranged in correspondence with each line and the driving transistor a driver, an analog-to-digital converter that senses the voltages of the sensing lines K times to output K sensed voltages, and a current ratio of driving transistors of S subpixels connected to the S data lines or and a compensator for calculating characteristic values of the driving transistors for each of the K subpixels connected to the K data lines, based on the inverse of the K×K matrix determined by the size ratio of the driving transistors, and the K sensing voltages.

상기 S개의 서브픽셀은, 상기 K개의 서브픽셀 중에서 동시에 센싱되는 서브픽셀로서 선택된다.The S subpixels are selected as subpixels that are sensed simultaneously among the K subpixels.

상기 데이터 드라이버는, 상기 K개의 데이터 라인 중에서 상기 S개의 데이터 라인을 제외한 K-S개의 데이터 라인으로 비센싱용 데이터 전압으로 미리 정의된 블랙 데이터 전압을 출력한다.The data driver outputs a black data voltage predefined as a non-sensing data voltage to K-S data lines excluding the S data lines among the K data lines.

상기 구동 트랜지스터의 특성치가 상기 구동 트랜지스터의 이동도이고 상기 S가 K와 서로소인 경우, 상기 K×K 행렬에서 각 열의 각 행렬 계수들은, 상기 S개의 서브픽셀 중 해당 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를, 한번의 구동 트랜지스터 특성치를 센싱할 때마다 상기 센싱 라인을 통해 흐르는 총 전류의 전류량으로 나눈 값으로 결정된다.When the characteristic value of the driving transistor is the mobility of the driving transistor and S is disjoint from K, each matrix coefficient of each column in the K×K matrix flows through the driving transistor of the corresponding subpixel among the S subpixels. The current is determined as a value obtained by dividing the current amount of the total current flowing through the sensing line whenever a characteristic value of the driving transistor is sensed.

상기 데이터 드라이버는 상기 S개의 서브픽셀 각각의 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류가 서로 동일하도록, 각 서브픽셀에 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 용도의 데이터 전압을 출력한다.The data driver outputs a data voltage for sensing the mobility of the driving transistors to each subpixel so that currents flowing through the driving transistors of each of the S subpixels are equal to each other.

상기 구동 트랜지스터의 특성치가 상기 구동 트랜지스터의 이동도이고 상기 S가 K인 경우, 상기 K×K 행렬에서 각 열의 각 행렬 계수들은, 상기 K개의 서브픽셀 중 해당 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를, 한번의 구동 트랜지스터 특성치를 센싱할 때마다 상기 센싱 라인을 통해 흐르는 총 전류의 전류량으로 나눈 값으로 결정된다.When the characteristic value of the driving transistor is the mobility of the driving transistor and S is K, each matrix coefficient of each column in the K×K matrix represents the current flowing through the driving transistor of the corresponding subpixel among the K subpixels. , is determined as a value divided by the current amount of the total current flowing through the sensing line each time the driving transistor characteristic value is sensed.

상기 데이터 드라이버는, 하나의 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류가 다른 K-1개의 서브픽셀들의 구동 트랜지스터들을 통해 흐르는 전류들의 합과 동일하고, 상기 다른 K-1개의 서브픽셀들의 구동 트랜지스터들을 통해 흐르는 전류들이 서로 동일하도록 설정된 상기 센싱용 데이터전압을 상기 S개의 데이터 라인으로 동시에 출력한다.In the data driver, a current flowing through the driving transistor of one subpixel is equal to the sum of currents flowing through the driving transistors of the other K-1 subpixels, and the current flowing through the driving transistors of the other K-1 subpixels is The sensing data voltages set so that the flowing currents are equal to each other are simultaneously output to the S data lines.

상기 구동 트랜지스터의 특성치는 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압이며, 상기 보상기는, 상기 S개의 서브픽셀에 포함되는 구동 트랜지스터의 크기 비율을 반영하여 표현된 K×K행렬과, 상기 K개의 센싱 전압을 토대로 상기 K개의 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터의 문턱전압을 산출한다.The characteristic value of the driving transistor is a threshold voltage of the driving transistor, and the compensator is configured to include a K×K matrix expressed by reflecting a ratio of sizes of driving transistors included in the S sub-pixels and the K sensing voltages. A threshold voltage of the driving transistor in each of the K sub-pixels is calculated.

상기 구동 트랜지스터의 특성치는 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압이며, 상기 보상기는, 상기 S개의 서브픽셀에 포함되는 트랜지스터의 채널 폭의 비율과, 상기 S개의 데이터 라인 각각에 출력되는 상기 센싱용 데이터 전압이 센싱된 전압에 미치는 정도를 모두 반영하여 표현된 K×K행렬과, 상기 K개의 센싱 전압을 토대로 상기 K개의 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터의 문턱전압을 산출한다.The characteristic value of the driving transistor is a threshold voltage of the driving transistor, and the compensator senses a ratio of a channel width of a transistor included in the S subpixels and the sensing data voltage output to each of the S data lines. Threshold voltages of driving transistors in each of the K sub-pixels are calculated based on the K×K matrix expressed by reflecting all of the degree of the applied voltage and the K sensing voltages.

상기 S가 K인 경우, 상기 데이터 드라이버는, 상기 S개의 데이터 라인으로 센싱용 데이터 전압을 동시에 출력하되, 상기 S개의 데이터 라인 중 하나로 출력하는 제1 센싱용 데이터 전압이 나머지로 출력하는 제2 센싱용 데이터 전압보다 크다.When S is K, the data driver simultaneously outputs a sensing data voltage to the S data lines, and outputs a second sensing data voltage outputted to one of the S data lines as the remainder. greater than the data voltage for

상기 동시에 센싱되는 서브픽셀의 개수는 상기 K번의 센싱 동작 중의 적어도 한번에서 다르게 설정된다.The number of the sub-pixels sensed at the same time is set differently in at least one of the K sensing operations.

상기 K번 센싱 각각에 소요되는 센싱 시간은, 동시에 센싱되는 서브픽셀들의 구동 트랜지스터 크기에 반비례하게 설정된다.The sensing time required for each of the K-th sensing is set in inverse proportion to the size of the driving transistors of the sub-pixels sensed at the same time.

본 발명은 유기발광다이오드와 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터를 각각 포함하는 다수의 서브픽셀이 배치되며, 각 센싱 라인이 K(K≥2)개의 데이터 라인마다 대응되어 각각 배치되는 유기발광표시패널을 갖는 유기발광 표시장치의 다른 구동방법으로서, 상기 구동 트랜지스터 특성치를 센싱하는 동안, 상기 K개의 데이터 라인 중에서 S(2≤S≤K)개의 데이터 라인으로 센싱용 데이터 전압을 동시에 출력하는 단계와, 상기 센싱 라인의 전압을 K번 센싱하여 K개의 센싱 전압을 출력하는 단계와, 상기 S개의 데이터라인에 연결된 S개 서브픽셀의 구동 트랜지스터의 전류량 비율 또는, 상기 S개 서브픽셀의 구동 트랜지스터 크기 비율로 결정되는 K×K행렬의 역행렬과, 상기 K개의 센싱 전압을 기반으로, 상기 K개의 데이터 라인에 연결된 K개의 서브픽셀 각각에 대한 구동 트랜지스터의 특성치를 산출하는 단계를 포함한다.According to the present invention, a plurality of sub-pixels each including an organic light emitting diode and a driving transistor for driving the organic light emitting diode are disposed, and each sensing line corresponds to each of K (K ≥ 2) data lines. A method of driving an organic light emitting diode display having a panel, comprising: simultaneously outputting a sensing data voltage to S (2≤S≤K) data lines among the K data lines while sensing the driving transistor characteristic value; , sensing the voltages of the sensing lines K times and outputting K sensing voltages; and a ratio of current amounts of driving transistors of S subpixels connected to the S data lines or a ratio of sizes of driving transistors of the S subpixels. and calculating characteristic values of driving transistors for each of the K sub-pixels connected to the K data lines based on the inverse of the K×K matrix determined by , and the K sensing voltages.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 유기발광다이오드와 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터를 각각 포함하는 다수의 서브픽셀이 배치되며, 각 센싱 라인이 K(K≥1)개의 데이터 라인마다 대응되어 각각 배치되는 유기발광표시패널과, 상기 유기발광표시패널의 게이트 라인을 구동하며, 상기 구동 트랜지스터의 특성치를 측정하는 동안, L개의 게이트 라인 중에서 M(2≤M≤L)개의 게이트 라인에 동시에 스캔 신호를 출력하는 게이트 드라이버와, 상기 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하는 동안, 상기 K개의 데이터 라인 중 어느 하나로 센싱용 데이터 전압을 출력하는 데이터 드라이버와, 상기 센싱 라인의 전압을 L번 센싱하여 L개의 센싱 전압을 출력하는 아날로그 디지털 컨버터와, 상기 M개의 게이트라인에 연결된 M개 서브픽셀의 구동 트랜지스터의 전류량 비율로 결정되는 L×L행렬의 역행렬과, 상기 L개의 센싱 전압을 기반으로, 상기 L개의 게이트라인에 연결된 L개의 서브픽셀 각각에 대한 구동 트랜지스터의 특성치를 산출하는 보상기를 포함한다.In an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention, a plurality of sub-pixels each including an organic light emitting diode and a driving transistor for driving the organic light emitting diode are disposed, and each sensing line includes K (K ≥ 1) number of sensing lines. M (2≤M≤L) of the L gate lines while driving the organic light emitting display panel respectively disposed to correspond to each data line, and driving the gate line of the organic light emitting display panel and measuring the characteristic value of the driving transistor A gate driver that simultaneously outputs a scan signal to a gate line, a data driver that outputs a sensing data voltage to any one of the K data lines while sensing the characteristic value of the driving transistor, and L times the voltage of the sensing line An analog-to-digital converter that senses and outputs L sensing voltages, an inverse matrix of an L×L matrix determined by a ratio of current amounts of driving transistors of M subpixels connected to the M gate lines, and the L sensing voltages. , a compensator for calculating characteristic values of driving transistors for each of the L sub-pixels connected to the L gate lines.

상기 M개의 서브픽셀은, 상기 L개의 서브픽셀 중에서 동시에 센싱되는 서브픽셀로서 선택된다.The M sub-pixels are selected as sub-pixels sensed simultaneously from among the L sub-pixels.

상기 구동 트랜지스터의 특성치가 상기 구동 트랜지스터의 이동도이고, 상기 L×L 행렬에서 각 열의 각 행렬 계수들은, 상기 M개의 서브픽셀 중 해당 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를, 한번의 구동 트랜지스터 특성치를 센싱할 때마다 상기 센싱 라인을 통해 흐르는 총 전류의 전류량으로 나눈 값으로 결정된다.The characteristic value of the driving transistor is the mobility of the driving transistor, and each matrix coefficient of each column in the L×L matrix represents the current flowing through the driving transistor of the corresponding subpixel among the M subpixels, the driving transistor characteristic value once. It is determined as a value divided by the amount of current of the total current flowing through the sensing line each time .

본 발명은 유기발광다이오드와 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터를 각각 포함하는 다수의 서브픽셀이 배치되며, 각 센싱 라인이 K(K≥1)개의 데이터 라인마다 대응되어 각각 배치되는 유기발광표시패널을 갖는 유기발광 표시장치의 또 다른 구동방법으로서, 상기 구동 트랜지스터의 특성치를 측정하는 동안, 상기 유기발광표시패널의 L개의 게이트 라인 중에서 M(2≤M≤L)개의 게이트 라인에 동시에 스캔 신호를 출력하는 단계와, 상기 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하는 동안, 상기 K개의 데이터 라인 중 어느 하나로 센싱용 데이터 전압을 출력하는 단계와, 상기 센싱 라인의 전압을 L번 센싱하여 L개의 센싱 전압을 출력하는 단계와, 상기 M개의 게이트라인에 연결된 M개 서브픽셀의 구동 트랜지스터의 전류량 비율로 결정되는 L×L행렬의 역행렬과, 상기 L개의 센싱 전압을 기반으로, 상기 L개의 게이트라인에 연결된 L개의 서브픽셀 각각에 대한 구동 트랜지스터의 특성치를 산출하는 단계를 포함한다.According to the present invention, a plurality of sub-pixels each including an organic light emitting diode and a driving transistor for driving the organic light emitting diode are disposed, and each sensing line corresponds to each of K (K ≥ 1) data lines. As another driving method of an organic light emitting diode display having a panel, a scan signal is simultaneously applied to M (2≤M≤L) gate lines among L gate lines of the organic light emitting display panel while measuring the characteristic value of the driving transistor and outputting a sensing data voltage to any one of the K data lines while sensing the characteristic value of the driving transistor, and sensing the voltage of the sensing line L times to output L sensing voltages based on an inverse matrix of an L×L matrix determined by a ratio of current amounts of driving transistors of the M subpixels connected to the M gate lines, and the L sensing voltages, the L units connected to the L gate lines. and calculating a characteristic value of a driving transistor for each sub-pixel.

본 발명은 구동 트랜지스터의 특성치에 대한 센싱 시간을 줄이면서도 센싱 및 보상의 신뢰성을 높일 수 있다.The present invention can increase the reliability of sensing and compensation while reducing the sensing time for the characteristic value of the driving transistor.

본 발명은 컬러별 구동 트랜지스터의 크기에 따라 센싱시간을 차등 설정함으로써, 각 서브픽셀에 대해 최적으로 센싱 시간을 할당하여 센싱 시간을 효과적으로 줄일 수 있다.According to the present invention, the sensing time can be effectively reduced by optimally allocating the sensing time to each sub-pixel by differentially setting the sensing time according to the size of the driving transistor for each color.

본 발명은, 복수개의 서브픽셀들을 동시에 센싱하여 센싱 시간을 줄이면서도 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류의 전류량의 비율이 반영된 행렬식을 이용하여 개별 센싱 전압을 계산함으로써, 구동 트랜지스터의 이동도에 대한 센싱 및 보상을 정확히 수행할 수 있다. 본 발명에 따르면, 구동 트랜지스터의 전류 능력이 부족하더라도 짧은 센싱 시간 이내에 높지 않은 데이터 전압으로도 이동도 센싱을 정확히 수행할 수 있다.The present invention detects and compensates for mobility of a driving transistor by simultaneously sensing a plurality of sub-pixels to reduce the sensing time and calculating individual sensing voltages using a determinant in which the ratio of the current flowing through the driving transistor is reflected. can be performed accurately. According to the present invention, even if the current capability of the driving transistor is insufficient, it is possible to accurately perform mobility sensing even with a low data voltage within a short sensing time.

본 발명은, 복수개의 서브픽셀들을 동시에 센싱하여 센싱 시간을 줄이면서도 구동 트랜지스터의 크기 비율이 반영된 행렬식을 이용하여 개별 센싱 전압을 계산함으로써, 구동 트랜지스터의 문턱전압에 대한 센싱 및 보상을 정확히 수행할 수 있다.The present invention reduces the sensing time by simultaneously sensing a plurality of sub-pixels and calculates individual sensing voltages using a determinant in which the size ratio of the driving transistor is reflected, thereby accurately sensing and compensating for the threshold voltage of the driving transistor. have.

본 발명은, 구동 트랜지스터 크기에 반비례하게 센싱 시간을 설정하여 세츄레이션 수준을 적절히 맞춤으로써, 복수개를 동시 센싱할 때에도 노이즈 수준을 크게 경감시킬 수 있다.According to the present invention, by setting the sensing time in inverse proportion to the size of the driving transistor to appropriately adjust the saturation level, the noise level can be greatly reduced even when a plurality of sensors are simultaneously sensed.

도 1은 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 개략적인 시스템 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 서브픽셀의 등가 회로도이다.
도 3은 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 서브픽셀 보상 회로의 예시도이다.
도 4는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 문턱전압 센싱 동작 시, 센싱노드 또는 구동 트랜지스터의 제1노드의 전압 변화를 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 컬러 별 구동 트랜지스터의 크기를 비교한 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 컬러 별 센싱 시간에 따른 센싱된 구동 트랜지스터의 문턱전압(Vth) 값을 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 컬러 별 센싱 시간과 세츄레이션 시간을 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 컬러 별 서로 다른 센싱시간으로 센싱 구동하는 경우를 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 구동 방법을 제공하기 위한 컨트롤러의 블록도이다.
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 유기발광 표시장치의 컬러 별 센싱 시간을 도시한 그래프이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 컬러 별 센싱 시간을 도시한 그래프이다.
도 12는 유기발광 표시장치의 센싱 시간에 따른 화질 특성을 도시한 도면이다.
도 13은 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 구동 방법에 대한 플로챠트이다.
도 14는 본 실시예들에 따른 유기발광 표시장치의 개략적인 시스템 구성도이다.
도 15는 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널에서의 서브픽셀 보상 회로의 예시이다.
도 16은 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 구동을 나타낸 도면이다.
도 17은 본 실시예들에 따른 구동 트랜지스터의 특성치 보상 개념을 설명하기 위한 도면이다.
도 18은 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 용도의 데이터 전압의 성분들과 각각의 전압 범위를 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 19는 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 센싱 시간에 따른 센싱 라인의 전압 변화를 나타낸 도면이다.
도 20 및 도 21은 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 센싱 시간에 따른 센싱 라인의 전압 변화의 예시도들이다.
도 22는 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널에서의 센싱 라인 배치의 예시도이다.
도 23a는 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 1개의 센싱 라인에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀 중 1개의 서브픽셀만을 센싱하는 방식을 나타낸 도면이다.
도 23b는 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R(SP #4m-3), W(SP #4m-2), G(SP #4m-1), B(SP #4m)) 중 1개의 서브픽셀만을 센싱하는 경우, 이동도 센싱 단계에서 센싱값과 보상값을 예시적으로 도시한 도면이다.
도 24는 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 1개의 센싱 라인에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀 중 2개의 서브픽셀을 동시에 센싱하는 방식을 나타낸 도면이다.
도 25는 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 1개의 센싱 라인에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀 중 3개의 서브픽셀을 동시에 센싱하는 방식을 나타낸 도면이다.
도 26은 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 1개의 센싱 라인에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀 중 4개의 서브픽셀을 동시에 센싱하는 방식을 나타낸 도면이다.
도 27은 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 2개의 서브픽셀을 동시에 센싱하는 경우(S=2)와 3개의 서브픽셀을 동시에 센싱하는 경우(S=3)와 4개의 서브픽셀을 동시에 센싱하는 경우(S=4) 각각에 대한 센싱 진행 순서의 예시도들이다.
도 28a는 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 3개의 서브픽셀(R, W, G)을 동시에 센싱하는 방식을 적용한 예를 나타낸 도면이다(K=4, S=3).
도 28b는 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 3개의 서브픽셀(R, W, G)을 동시에 센싱하는 방식을 적용하는 경우, 이동도 센싱 단계에서 센싱값과 보상값을 계산하는 과정을 설명한 도면이다.
도 29a는 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 4개의 서브픽셀(R, W, G, B)을 동시에 센싱하는 방식을 적용한 예를 나타낸 도면이다(K=4, S=4).
도 29b는 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 3개의 서브픽셀(R, W, G)을 동시에 센싱하는 방식을 적용하는 경우, 이동도 센싱 단계에서 센싱값과 보상값을 예시적으로 도시한 도면이다.
도 30은, 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j+2), SP #(4m, j+3), SP #(4m, j+4)) 중 3개의 서브픽셀((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j+2), SP #(4m, j+3))을 동시에 센싱하는 방식을 나타낸 도면이다(L=4, M=3).
도 31은 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j+2), SP #(4m, j+3), SP #(4m, j+4)) 중 3개의 서브픽셀((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j+2), SP #(4m, j+3))을 동시에 센싱하는 방식을 적용하는 경우, 이동도 센싱 단계에서 센싱값과 보상값을 예시적으로 도시한 도면이다.
도 32는 본 실시예들에 따른 유기발광 표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 33은 둘 이상의 서브픽셀들, 예를 들어 두개 또는 세개의 서브픽셀들의 문턱전압을 동시에 센싱한 문턱전압 센싱은 전체적 비선형성 또는 비선형적 특성을 갖는 것을 도시하고 있다.
도 34a 내지 도 34d는 본 실시예들에 따른 문턱전압 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀들(R, W, G, B) 중에서 3개씩의 서브픽셀들(R/W/G, W/G/B, G/B/R, B/R/W)을 대상으로 동시에 센싱하는 예를 나타낸 도면이다(K=4, S=3).
도 35a 내지 도 35d는 본 실시예들에 따른 문턱전압 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀들(R, W, G, B) 중에서 2개 또는 3개의 서브픽셀들(R/W, W/G, W/B, R/G/B)을 대상으로 동시에 센싱하는 예를 나타낸 도면이다(K=4, S=2 또는 3).
도 36a 내지 도 36d는 본 실시예들에 따른 문턱전압 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀들(R, W, G, B) 중에서 1개씩 또는 2개씩의 서브픽셀들(W, R/G, G/B, R/B)을 대상으로 동시에 센싱하는 예를 나타낸 도면이다(K=4, S=1 또는 2).
도 37은 본 실시예들에 따른 문턱전압 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B)을 동시에 센싱하는 예를 나타낸 도면이다(K=4, S=4).
도 38은 센싱 시간과 노이즈 수준이 서로 트레이드 오프(trade-off) 관계임을 나타내는 도면이다. 1 is a schematic system configuration diagram of an organic light emitting display device according to the present invention.
2 is an equivalent circuit diagram of a sub-pixel of an organic light emitting diode display according to the present invention.
3 is an exemplary diagram of a sub-pixel compensation circuit of an organic light emitting diode display according to the present invention.
4 is a graph illustrating a voltage change of a sensing node or a first node of a driving transistor during a threshold voltage sensing operation of the organic light emitting diode display according to the present invention.
5 is a diagram comparing sizes of driving transistors for each color of an organic light emitting diode display according to the present invention.
6 is a diagram illustrating a threshold voltage (Vth) value of a sensed driving transistor according to a sensing time for each color of the organic light emitting diode display according to the present invention.
7 is a diagram illustrating a sensing time and a saturation time for each color of the organic light emitting diode display according to the present invention.
FIG. 8 is a diagram illustrating a case in which sensing and driving of the organic light emitting display device according to the present invention is performed with different sensing times for each color.
9 is a block diagram of a controller for providing a method of driving an organic light emitting display device according to the present invention.
10 is a graph illustrating a sensing time for each color of an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention.
11 is a graph illustrating a sensing time for each color of an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.
12 is a diagram illustrating image quality characteristics according to a sensing time of an organic light emitting display device.
13 is a flowchart of a method of driving an organic light emitting display device according to the present invention.
14 is a schematic system configuration diagram of an organic light emitting diode display according to example embodiments.
15 is an example of a sub-pixel compensation circuit in the organic light emitting display panel according to the present exemplary embodiment.
16 is a diagram illustrating mobility sensing driving according to the present embodiments.
17 is a diagram for explaining a concept of compensating a characteristic value of a driving transistor according to the present exemplary embodiment.
18 is a diagram exemplarily illustrating components and voltage ranges of data voltages used for mobility sensing according to the present embodiments.
19 is a diagram illustrating a voltage change of a sensing line according to a sensing time during mobility sensing according to the present embodiments.
20 and 21 are exemplary diagrams of a voltage change of a sensing line according to a sensing time when mobility is sensed according to the present embodiments.
22 is an exemplary diagram of the arrangement of sensing lines in the organic light emitting display panel according to the present exemplary embodiments.
23A is a diagram illustrating a method of sensing only one sub-pixel among four sub-pixels commonly connected to one sensing line during mobility sensing according to the present embodiments.
23B shows four subpixels R (SP #4m-3), W (SP #4m-2), G (SP #4m-1), B ( In the case of sensing only one sub-pixel among SP #4m)), it is a diagram exemplarily showing a sensing value and a compensation value in the mobility sensing step.
24 is a diagram illustrating a method of simultaneously sensing two subpixels among four subpixels commonly connected to one sensing line during mobility sensing according to the present embodiments.
25 is a diagram illustrating a method of simultaneously sensing three subpixels among four subpixels commonly connected to one sensing line during mobility sensing according to the present embodiments.
26 is a diagram illustrating a method of simultaneously sensing four sub-pixels among four sub-pixels commonly connected to one sensing line during mobility sensing according to the present embodiments.
27 is a diagram illustrating a case of simultaneously sensing two sub-pixels among four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m during mobility sensing according to the present embodiments. (S=2) and three sub-pixels are simultaneously sensed (S=3) and four sub-pixels are simultaneously sensed (S=4), respectively.
28A is a diagram illustrating three sub-pixels R, W, and four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m during mobility sensing according to the present embodiments. It is a diagram showing an example of applying the method of sensing G) at the same time (K=4, S=3).
28B illustrates three sub-pixels R, W, and four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m during mobility sensing according to the present embodiments. G) is a diagram for explaining a process of calculating a sensing value and a compensation value in the mobility sensing step when the method of simultaneously sensing G) is applied.
29A illustrates four sub-pixels R, W, and four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m during mobility sensing according to the present embodiments. It is a diagram showing an example of applying a method of sensing G and B) simultaneously (K=4, S=4).
29B is a diagram illustrating three sub-pixels R, W, and four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m during mobility sensing according to the present embodiments. G) is a diagram exemplarily illustrating a sensed value and a compensation value in the mobility sensing step when the method of simultaneously sensing G) is applied.
30 illustrates four sub-pixels ((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j) commonly connected to one sensing line SL #m) during mobility sensing according to the present embodiments. +2), SP #(4m, j+3), SP #(4m, j+4)) of 3 subpixels ((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j+2)) , SP #(4m, j+3)) is a diagram showing a method of simultaneously sensing (L=4, M=3).
31 illustrates four sub-pixels ((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j+) commonly connected to one sensing line SL #m) during mobility sensing according to the present embodiments. 2), SP #(4m, j+3), SP #(4m, j+4)) of 3 sub-pixels ((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j+2), In the case of applying the method of simultaneously sensing SP #(4m, j+3)), a diagram exemplarily shows a sensing value and a compensation value in the mobility sensing step.
32 is a diagram for explaining a threshold voltage sensing principle of the driving transistor DRT of the organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiment.
33 shows that the threshold voltage sensing by simultaneously sensing the threshold voltages of two or more sub-pixels, for example, two or three sub-pixels, has overall non-linearity or non-linear characteristics.
34A to 34D show three sub-pixels among four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m when the threshold voltage is sensed according to the present embodiments. It is a diagram showing an example of simultaneously sensing objects (R/W/G, W/G/B, G/B/R, B/R/W) (K=4, S=3).
35A to 35D show two or three of the four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m when the threshold voltage is sensed according to the present embodiments. It is a diagram showing an example of simultaneously sensing the sub-pixels R/W, W/G, W/B, and R/G/B (K=4, S=2 or 3).
36A to 36D show one or two of the four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m when the threshold voltage is sensed according to the present embodiments. It is a diagram showing an example of simultaneously sensing the sub-pixels W, R/G, G/B, and R/B of (K=4, S=1 or 2).
37 is a diagram illustrating an example of simultaneously sensing four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m when the threshold voltage is sensed according to the present embodiments ( FIG. K=4, S=4).
38 is a diagram illustrating a trade-off relationship between a sensing time and a noise level.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be embodied in various different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 ' ~ 만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are illustrative and the present invention is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the case in which the plural is included is included unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is interpreted as including an error range even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, ' ~ 상에', ' ~ 상부에', ' ~ 하부에', ' ~ 옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of a positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'next to', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between two parts unless 'directly' is used.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. Although first, second, etc. are used to describe various elements, these elements are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention can be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each of the embodiments can be implemented independently of each other or can be implemented together in a related relationship. may be

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)의 개략적인 시스템 구성도이다.1 is a schematic system configuration diagram of an organic light emitting display device 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 유기발광 표시장치(100)는, 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)이 배치되고, 다수의 서브픽셀(SP)이 매트릭스 타입으로 배치된 표시패널(110)과, 다수의 데이터 라인으로 데이터 전압을 공급함으로써 다수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 드라이버(120)와, 다수의 게이트 라인으로 스캔 신호를 순차적으로 공급함으로써, 다수의 게이트 라인을 순차적으로 구동하는 게이트 드라이버(130)와, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하는 컨트롤러(140) 등을 포함한다.Referring to FIG. 1 , in the organic light emitting diode display 100 according to the present invention, a plurality of data lines DL and a plurality of gate lines GL are disposed, and a plurality of subpixels SP are disposed in a matrix type. display panel 110, a data driver 120 that drives a plurality of data lines by supplying data voltages to the plurality of data lines, and a plurality of gate lines by sequentially supplying scan signals to the plurality of gate lines It includes a gate driver 130 that sequentially drives, a data driver 120 , and a controller 140 that controls the gate driver 130 .

컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 각종 제어신호(DCS, GCS)를 공급하여, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어한다. 컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터(DATA)를 출력하고, 스캔에 맞춰 데이터 구동을 통제한다. 컨트롤러(140)는 적어도 하나의 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)를 포함하여 구현될 수 있다.The controller 140 supplies various control signals DCS and GCS to the data driver 120 and the gate driver 130 to control the data driver 120 and the gate driver 130 . The controller 140 starts scanning according to the timing implemented in each frame, and converts the input image data input from the outside according to the data signal format used by the data driver 120 to convert the converted image data DATA. It outputs and controls the data drive according to the scan. The controller 140 may be implemented to include at least one timing controller.

게이트 드라이버(130)는, 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔 신호를 다수의 게이트 라인으로 순차적으로 공급하여 다수의 게이트 라인을 순차적으로 구동한다. 여기서, 게이트 드라이버(130)는 스캔 드라이버라 지칭될 수 있다. 게이트 드라이버(130)는, 구동 방식에 따라서, 도 1에서와 같이, 표시패널(110)의 일 측에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 양측에 위치할 수도 있다. 또한, 게이트 드라이버(130)는, 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로(Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다.The gate driver 130 sequentially drives the plurality of gate lines by sequentially supplying a scan signal of an on voltage or an off voltage to the plurality of gate lines under the control of the controller 140 . Here, the gate driver 130 may be referred to as a scan driver. The gate driver 130 may be positioned on only one side of the display panel 110 as shown in FIG. 1 or, in some cases, on both sides, according to a driving method. Also, the gate driver 130 may include one or more gate driver integrated circuits.

각 게이트 드라이버 집적회로는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 각 게이트 드라이버 집적회로는 쉬프트 레지스터, 레벨 쉬프터 등을 포함할 수 있다.Each gate driver integrated circuit is connected to a bonding pad of the display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method or a chip-on-glass (COG) method, or a gate in panel (GIP) method. It may be implemented as a type and disposed directly on the display panel 110 , or may be integrated and disposed on the display panel 110 in some cases. Each gate driver integrated circuit may include a shift register, a level shifter, and the like.

데이터 드라이버(120)는, 특정 게이트 라인이 열리면, 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상 데이터(DATA)를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 데이터 라인들로 공급함으로써, 다수의 데이터 라인을 구동한다. 데이터 드라이버(120)는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터 라인을 구동할 수 있다.When a specific gate line is opened, the data driver 120 converts the image data DATA received from the controller 140 into an analog data voltage and supplies it to the data lines, thereby driving a plurality of data lines. The data driver 120 may drive a plurality of data lines including at least one source driver integrated circuit.

각 소스 드라이버 집적회로는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 각 소스 드라이버 집적회로는, 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수 있다. 이 경우, 각 소스 드라이버 집적회로의 일 단은 적어도 하나의 소스인쇄회로기판(Source Printed Circuit Board)에 본딩되고, 타 단은 표시패널(110)에 본딩된다.Each source driver integrated circuit is connected to a bonding pad of the display panel 110 or connected to the display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method or a chip-on-glass (COG) method. It may be directly disposed or, in some cases, may be integrated and disposed on the display panel 110 . Each source driver integrated circuit may be implemented in a Chip On Film (COF) method. In this case, one end of each source driver integrated circuit is bonded to at least one source printed circuit board, and the other end is bonded to the display panel 110 .

각 소스 드라이버 집적회로는, 쉬프트 레지스터, 래치 회로 등을 포함하는 로직부와, 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital Analog Converter)와, 출력 버퍼 등을 포함할 수 있으며, 경우에 따라서, 서브픽셀의 특성(예: 구동 트랜지스터의 문턱전압 및 이동도, 유기발광다이오드의 문턱전압, 서브픽셀의 휘도 등)을 보상하기 위하여 서브픽셀의 특성을 센싱하기 위한 센싱부(센서)를 더 포함할 수 있다.Each source driver integrated circuit may include a logic unit including a shift register and a latch circuit, a digital analog converter (DAC), an output buffer, and the like, and in some cases, the characteristics ( Example: A sensing unit (sensor) for sensing characteristics of a sub-pixel may be further included to compensate for the threshold voltage and mobility of the driving transistor, the threshold voltage of the organic light emitting diode, the luminance of the sub-pixel, etc.).

한편, 컨트롤러(140)는, 입력 영상 데이터와 함께, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블(DE: Data Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신한다.On the other hand, the controller 140, along with the input image data, a vertical synchronization signal (Vsync), a horizontal synchronization signal (Hsync), an input data enable (DE: Data Enable) signal, various types including a clock signal (CLK), etc. Timing signals are received from the outside (eg host system).

컨트롤러(140)는, 외부로부터 입력된 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터를 출력하는 것 이외에, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 DE 신호, 클럭신호 등의 타이밍 신호를 입력받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 출력한다.The controller 140 converts the input image data input from the outside to match the data signal format used by the data driver 120 and outputs the converted image data, as well as the data driver 120 and the gate driver 130 . In order to control the data driver 120 and the gate driver 130 by receiving a timing signal such as a vertical synchronization signal (Vsync), a horizontal synchronization signal (Hsync), an input DE signal, a clock signal, etc. to generate various control signals output as

예를 들어, 컨트롤러(140)는, 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS: Gate Control Signal)를 출력한다.For example, in order to control the gate driver 130 , the controller 140 may include a gate start pulse (GSP), a gate shift clock (GSC), and a gate output enable signal (GOE). Various gate control signals (GCS: Gate Control Signal) including Gate Output Enable) are output.

여기서, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 드라이버(130)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(GSC)은 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호(게이트 펄스)의 쉬프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 타이밍 정보를 지정하고 있다.Here, the gate start pulse GSP controls the operation start timing of one or more gate driver integrated circuits constituting the gate driver 130 . The gate shift clock GSC is a clock signal commonly input to one or more gate driver integrated circuits and controls shift timing of a scan signal (gate pulse). The gate output enable signal GOE specifies timing information of one or more gate driver integrated circuits.

또한, 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS: Data Control Signal)를 출력한다.In addition, the controller 140 controls the data driver 120 , a source start pulse (SSP), a source sampling clock (SSC), and a source output enable signal (SOE: Source Output). Enable) and output various data control signals (DCS: Data Control Signal).

여기서, 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 드라이버(120)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적회로 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 드라이버(120)의 출력 타이밍을 제어한다.Here, the source start pulse SSP controls the data sampling start timing of one or more source driver integrated circuits constituting the data driver 120 . The source sampling clock SSC is a clock signal that controls sampling timing of data in each of the source driver integrated circuits. The source output enable signal SOE controls the output timing of the data driver 120 .

도 1을 참조하면, 컨트롤러(140)는, 소스 드라이버 집적회로가 본딩된 소스 인쇄회로기판과 연성 플랫 케이블(FFC: Flexible Flat Cable) 또는 연성 인쇄 회로(FPC: Flexible Printed Circuit) 등의 연결 매체를 통해 연결된 컨트롤 인쇄회로기판(Control Printed Circuit Board)에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 1 , the controller 140 connects the source printed circuit board to which the source driver integrated circuit is bonded and a connection medium such as a flexible flat cable (FFC) or a flexible printed circuit (FPC). It may be disposed on a control printed circuit board connected through the.

컨트롤 인쇄회로기판에는, 표시패널(110), 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 컨트롤러(미도시)가 더 배치될 수 있다. 전원 컨트롤러는 전원 관리 집적회로(PMIC: Power Management IC)라고도 한다. 소스 인쇄회로기판과 컨트롤 인쇄회로기판은, 하나의 인쇄회로기판으로 통합될 수도 있다.A power controller (not shown) for supplying various voltages or currents to the display panel 110 , the data driver 120 , the gate driver 130 , or controlling various voltages or currents to be supplied is further disposed on the control printed circuit board. can A power controller is also called a power management integrated circuit (PMIC). The source printed circuit board and the control printed circuit board may be integrated into one printed circuit board.

본 발명에 따른 표시패널(110)에 배치되는 다수의 서브픽셀 각각에는, 유기발광 다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 이를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(DRT: Driving Transistor) 및 스토리지 캐패시터 등의 회로 소자가 포함될 수 있다. 각 서브픽셀을 구성하는 회로 소자의 종류 및 개수는, 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 정해질 수 있다. 아래에서는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압, 이동도 등의 특성치를 센싱 및 보상하기 위한 서브픽셀 구조를 예시적으로 설명한다.In each of the plurality of sub-pixels disposed on the display panel 110 according to the present invention, an organic light emitting diode (OLED) and circuits such as a driving transistor (DRT) and a storage capacitor for driving the organic light emitting diode (OLED) Elements may be included. The type and number of circuit elements constituting each sub-pixel may be variously determined according to a provided function and a design method. Hereinafter, a sub-pixel structure for sensing and compensating characteristic values such as a threshold voltage and mobility of the driving transistor DRT will be exemplarily described.

도 2는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 서브픽셀의 등가 회로도이다.2 is an equivalent circuit diagram of a sub-pixel of an organic light emitting diode display according to the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀(SP)은, 유기발광 다이오드(OLED)와, 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT: Driving Transistor)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 데이터 라인(DL) 사이에 연결되고 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)로 데이터 전압(Vdata)을 전달하는 스위칭 트랜지스터(SWT: Switching Transistor)와, 한 프레임 시간 동안 일정 전압을 유지해주는 역할을 하는 스토리지 캐패시터(Cst: Storage Capacitor)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 기준전압(Vref)이 공급되는 기준전압라인(RVL: Reference Voltage Line) 사이에 전기적으로 연결된 센싱 트랜지스터(SENT: Sensing Transistor) 등을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , each subpixel SP disposed on the display panel 110 of the present invention includes an organic light emitting diode (OLED) and a driving transistor (DRT) for driving the organic light emitting diode (OLED). and a switching transistor SWT connected between the first node N1 of the driving transistor DRT and the data line DL and transferring the data voltage Vdata to the first node N1 of the driving transistor DRT: Switching Transistor), a storage capacitor (Cst) that maintains a constant voltage for one frame time, and a reference voltage to which the second node N2 of the driving transistor DRT and the reference voltage Vref are supplied It may include a sensing transistor (SENT) electrically connected between a reference voltage line (RVL), and the like.

유기발광다이오드(OLED)는 제1전극(예: 애노드 전극), 유기층 및 제2전극(예: 캐소드 전극)으로 이루어진다. 일 예로, 유기발광 다이오드(OLED)의 제1전극은 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 연결되고, 유기발광 다이오드(OLED)의 제2전극은 기저전압(EVSS)의 입력단에 연결될 수 있다.An organic light emitting diode (OLED) includes a first electrode (eg, an anode electrode), an organic layer, and a second electrode (eg, a cathode electrode). For example, the first electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the second node N2 of the driving transistor DRT, and the second electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the input terminal of the ground voltage EVSS. can

구동 트랜지스터(DRT)는, 유기발광 다이오드(OLED)에 구동 전류를 인가하여 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 트랜지스터로서, 게이트 노드에 해당하는 제1노드(N1)와, 소스 노드(또는 드레인 노드)에 해당하는 제2노드(N2)와, 드레인 노드(또는 소스 노드)에 해당하는 제3노드(N3)를 갖는다. 일 예로, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)는 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)는 센싱 트랜지스터(SENT)의 소스 노드(또는 드레인 노드)와도 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)는 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 노드(또는 드레인 노드)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 구동 트랜지스터(DRT)의 제3노드(N3)는 구동전압(EVDD)을 공급하는 구동전압 라인(DVL)과 전기적으로 연결될 수 있다.The driving transistor DRT is a transistor that applies a driving current to the organic light emitting diode OLED to drive the organic light emitting diode OLED, and includes a first node N1 corresponding to a gate node, and a source node (or a drain node). ) has a second node N2 corresponding to and a third node N3 corresponding to a drain node (or a source node). For example, the second node N2 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the first electrode of the organic light emitting diode OLED. Also, the second node N2 of the driving transistor DRT may be electrically connected to a source node (or a drain node) of the sensing transistor SENT. The first node N1 of the driving transistor DRT may be electrically connected to a source node (or a drain node) of the switching transistor SWT, and the third node N3 of the driving transistor DRT may have a driving voltage EVDD. ) may be electrically connected to the driving voltage line DVL supplying the .

스위칭 트랜지스터(SWT)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 데이터 전압(Vdata)을 전달해주는 트랜지스터로서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1) 와 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결된다. 스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 노드에는 스캔 신호(SCAN)가 인가되며, 이러한 스캔 신호(SCAN)에 의해 스위칭 트랜지스터(SWT)가 온/오프 될 수 있다.The switching transistor SWT is a transistor that transfers the data voltage Vdata to the first node N1 of the driving transistor DRT, and is between the first node N1 of the driving transistor DRT and the data line DL. electrically connected to A scan signal SCAN is applied to the gate node of the switching transistor SWT, and the switching transistor SWT may be turned on/off by the scan signal SCAN.

스토리지 캐패시터(Cst)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에, 전기적으로 연결될 수 있다.The storage capacitor Cst may be electrically connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT.

센싱 트랜지스터(SENT)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 센싱 라인(SL) 사이에 전기적으로 연결되고, 센싱 트랜지스터(SENT)의 게이트 노드에 인가되는 센스 신호(SENSE)에 의해 온/오프 될 수 있다. 여기서, 센싱라인(SL) 상의 임의의 지점이 센싱 노드(Ns)에 해당한다. 센싱 트랜지스터(SENT)는, 턴 온 되어, 센싱라인(SL)의 기준전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 인가한다.The sensing transistor SENT is electrically connected between the second node N2 of the driving transistor DRT and the sensing line SL, and by the sense signal SENSE applied to the gate node of the sensing transistor SENT It can be on/off. Here, any point on the sensing line SL corresponds to the sensing node Ns. The sensing transistor SENT is turned on to apply the reference voltage Vref of the sensing line SL to the second node N2 of the driving transistor DRT.

스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 노드와 센싱 트랜지스터(SENT)의 게이트 노드는, 동일한 게이트 라인에 전기적으로 연결되어 동일한 게이트 신호를 인가 받을 수 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센스 신호(SENSE)는 동일한 게이트 신호이다. The gate node of the switching transistor SWT and the gate node of the sensing transistor SENT are electrically connected to the same gate line to receive the same gate signal. In this case, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE are the same gate signal.

이와 다르게, 스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 노드와 센싱 트랜지스터(SENT)의 게이트 노드는, 서로 다른 게이트 라인에 전기적으로 연결될 수도 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센스 신호(SENSE) 각각이 서로 다른 게이트 신호이다.Alternatively, the gate node of the switching transistor SWT and the gate node of the sensing transistor SENT may be electrically connected to different gate lines. In this case, each of the scan signal SCAN and the sense signal SENSE is a different gate signal.

한편, 각 구동 트랜지스터(DRT)는, 문턱전압(Vth: Threshold Voltage), 이동도(Mobility) 등의 특성치를 갖는다. 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치는 구동 시간에 따라 열화(Degradation)에 의해 그 값이 변할 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차에는 문턱전압 편차와 이동도 편차가 포함된다.Meanwhile, each driving transistor DRT has characteristic values such as a threshold voltage (Vth) and mobility. The characteristic value of the driving transistor DRT may change due to degradation according to the driving time. The deviation of the characteristic values between the driving transistors DRT includes a deviation of a threshold voltage and a deviation of mobility.

구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차를 보상하기 위해, 본 발명에 따른 유기발광 표시장치(100)는 도 3에 도시된 바와 같이 각 서브픽셀의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 특성치(서브픽셀 특성치라고도 함)를 센싱한다. 본 발명은 서브픽셀 특성치를 센싱하기 위해 센싱부(300)를 포함한다. 센싱부(300)는 제2스위치(SW2)를 통해 센싱 라인(SL)에 연결된 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)로 구현될 수 있으며, 샘플링부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 샘플링부는 센싱 구동을 통해 특정 전압 상태가 된 센싱라인(SL) 상의 전압을 센싱하고, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 센싱된 전압을 디지털 값으로 변환하여 센싱 데이터를 출력할 수 있다. 센싱부(300)에 의해 출력된 센싱 데이터는 메모리(310)에 저장될 수 있다.In order to compensate for the variation in the characteristic values between the driving transistors DRT, the organic light emitting diode display 100 according to the present invention has a characteristic value for the driving transistor DRT of each sub-pixel (also referred to as a sub-pixel characteristic value) as shown in FIG. 3 . ) is sensed. The present invention includes the sensing unit 300 to sense the sub-pixel characteristic value. The sensing unit 300 may be implemented as an analog-to-digital converter (ADC) connected to the sensing line SL through the second switch SW2, and may further include a sampling unit (not shown). . The sampling unit may sense a voltage on the sensing line SL that has reached a specific voltage state through sensing driving, and the analog-to-digital converter ADC may convert the sensed voltage into a digital value to output sensed data. The sensing data output by the sensing unit 300 may be stored in the memory 310 .

본 발명에 따른 유기발광 표시장치(100)는, 도 3에 도시된 바와 같이 서브픽셀 특성치 편차를 보상하기 위한 보상부(320)를 포함할 수 있다. 보상부(320)는 센싱부(300)로부터 입력 받은 센싱 데이터를 이용하여 서브픽셀 특성치 편차를 보상하기 위한 보상값을 연산한다. 보상부(320)에 의해 연산된 보상값은 메모리(310)에 저장될 수 있다. 보상부(320)는 보상값을 이용하여, 해당 서브픽셀로 공급될 디지털 영상 데이터를 보정하고, 그 보정 데이터를 데이터 드라이버(120)에 공급한다. 보정 데이터는 원래의 입력 영상 데이터에 보상값이 더해지거나 또는 곱해져서 생성될 수 있다. 이에 따라, 서브픽셀 특성치 편차가 보상될 수 있다. 보상부(320)는 컨트롤러(140)의 내부에 포함될 수 있다.As shown in FIG. 3 , the organic light emitting display device 100 according to the present invention may include a compensating unit 320 for compensating for deviations in sub-pixel characteristics. The compensator 320 calculates a compensation value for compensating for the sub-pixel characteristic value deviation using the sensing data input from the sensing unit 300 . The compensation value calculated by the compensation unit 320 may be stored in the memory 310 . The compensator 320 corrects digital image data to be supplied to a corresponding sub-pixel by using the compensation value, and supplies the corrected data to the data driver 120 . The correction data may be generated by adding or multiplying the compensation value to the original input image data. Accordingly, the sub-pixel characteristic value deviation may be compensated. The compensator 320 may be included in the controller 140 .

도 4는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 문턱전압 센싱 동작시, 센싱 노드 또는 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압 변화를 나타낸 그래프이다. 도 3과 도4를 결부하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(또는 문턱전압 변화량)에 대한 센싱 원리에 대하여 간략하게 설명한다.4 is a graph illustrating a voltage change of a sensing node or a second node of a driving transistor during a threshold voltage sensing operation of the organic light emitting diode display according to the present invention. A sensing principle of the threshold voltage (or threshold voltage variation) of the driving transistor DRT will be briefly described in conjunction with FIGS. 3 and 4 .

본 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)의 문턱전압 센싱 동작은 초기화 단계(S410), 전압 팔로잉 단계(S420) 및 센싱 단계 (S430)를 포함할 수 있다.The threshold voltage sensing operation of the organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiment may include an initialization step S410 , a voltage following step S420 , and a sensing step S430 .

초기화 단계(S410)에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 각각이 데이터 전압(Vdata)과 기준전압(Vref)으로 초기화되어, 구동 트랜지스터(DRT)에 전류가 흐를 수 있는 조건을 셋팅한다. 초기화 단계(S410)에서, 스위칭 트랜지스터(SWT)는 턴 온 되어 데이터 전압(Vdata)이 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)로 인가된다. 그리고, 센싱 라인(SL)과 기준전압 공급 노드(Nref)를 연결해주는 제1스위치(SW1)와, 센싱 트랜지스터(SENT)가 턴 온 되어, 기준전압(Vref)이 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)로 인가된다. In the initialization step S410 , the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT are initialized to the data voltage Vdata and the reference voltage Vref, respectively, and a current is supplied to the driving transistor DRT. Set the conditions for flow. In the initialization step S410 , the switching transistor SWT is turned on and the data voltage Vdata is applied to the first node N1 of the driving transistor DRT. Then, the first switch SW1 connecting the sensing line SL and the reference voltage supply node Nref and the sensing transistor SENT are turned on, so that the reference voltage Vref is the second of the driving transistor DRT. It is applied to the node N2.

전압 팔로잉 단계(S420)에서 데이터 전압(Vdata)은 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 계속해서 인가되며, 구동 트랜지스터(DRT)에 전류가 흐른다. 전압 팔로잉 단계(S420)에서 제1스위치(SW1)가 턴 오프 됨으로써 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)가 플로팅(Floating)된다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)에 흐르는 전류에 의해 제2노드(N2)의 전압이 상승한다. 다시 말해, 전압 팔로잉 단계(S420)에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 제1노드(N1)의 전압(즉, 데이터 전압(Vdata))을 팔로잉(Following) 하면서, 기준전압(Vref)으로부터 데이터 전압(Vdata)을 향하여 상승하게 된다. 구동 트랜지스터(DRT)의 전류는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 및 제2 노드(N1,N2) 간의 전압차가 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)이 될 때, 오프된다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압은, 구동 트랜지스터(DRT)의 전류가 오프될 때, 세츄레이션 된다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 세츄레이션되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 및 제2 노드(N1,N2) 간의 전압차가 문턱전압(Vth)이 된다.In the voltage following step S420 , the data voltage Vdata is continuously applied to the first node N1 of the driving transistor DRT, and a current flows in the driving transistor DRT. In the voltage following step S420 , the first switch SW1 is turned off, so that the second node N2 of the driving transistor DRT is floated. Accordingly, the voltage of the second node N2 is increased by the current flowing through the driving transistor DRT. In other words, in the voltage following step S420 , the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT follows the voltage of the first node N1 (ie, the data voltage Vdata). while increasing from the reference voltage Vref toward the data voltage Vdata. The current of the driving transistor DRT is turned off when the voltage difference between the first and second nodes N1 and N2 of the driving transistor DRT becomes the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT. The voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT is saturated when the current of the driving transistor DRT is turned off. When the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT is saturated, the voltage difference between the first and second nodes N1 and N2 of the driving transistor DRT becomes the threshold voltage Vth.

센싱 단계(S430)는 세츄레이션된 이후의 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압을 센싱한다. 센싱 단계(S430)에서, 제2스위치(SW2)가 턴 온 되어, 센싱부(300)가 센싱 라인(SL)의 전압(Vdata-Vth)을 센싱한다. 센싱 단계(S430)에서, 센싱 라인(SL)의 전압은 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압과 동일하다. 이미 알고 있는 데이터 전압(Vdata)과 센싱 단계(S430)에서 획득된 센싱 전압(Vdata-Vth)을 감산하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 알 수 있다..In the sensing step S430, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT after saturation is sensed. In the sensing step S430 , the second switch SW2 is turned on, and the sensing unit 300 senses the voltage Vdata-Vth of the sensing line SL. In the sensing step S430 , the voltage of the sensing line SL is the same as the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT. By subtracting the known data voltage Vdata from the sensing voltage Vdata-Vth obtained in the sensing step S430, the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT can be found.

이러한 유기발광 표시장치의 문턱전압 센싱 동작은 컬러 단위로 개별 진행된다. 예를 들어, 문턱전압 센싱 동작은 적색(R) 서브픽셀(SP)들에 대해 완료한 후에, 백색(W) 서브픽셀(SP)들에 대해 완료하고, 이어서 녹색(G) 서브픽셀(SP)들에 대해 완료한 후에, 청색(B) 서브픽셀(SP)들에 대해 완료할 수 있다.The threshold voltage sensing operation of the organic light emitting display device is individually performed in units of colors. For example, after the threshold voltage sensing operation is completed for the red (R) sub-pixels (SP), the white (W) sub-pixels (SP) are completed, and then the green (G) sub-pixel (SP). After completing for the blue (B) subpixels (SP) can be completed.

도 5는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 컬러 별 구동 트랜지스터의 크기를 비교한 도면이고, 도 6은 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 컬러 별 센싱 시간에 따른 센싱된 구동 트랜지스터의 문턱전압(Vth) 값을 도시한 도면이며, 도 7은 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 컬러 별 센싱 시간과 세츄레이션 시간을 도시한 도면이고, 도 8은 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 컬러 별 서로 다른 센싱 시간으로 센싱 구동하는 경우를 도시한 도면이다.FIG. 5 is a diagram comparing the sizes of driving transistors for each color of the organic light emitting diode display according to the present invention, and FIG. 6 is the threshold voltage ( Vth) value, FIG. 7 is a view showing sensing time and saturation time for each color of the organic light emitting diode display according to the present invention, and FIG. 8 is a diagram showing each color of the organic light emitting display according to the present invention. It is a diagram showing a case of sensing driving with different sensing times.

도 1 내지 도 3과 함께 도 5 내지 도 8을 참조하면, 본 발명의 각 서브픽셀에는 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(DRT)가 배치되어 있는데, 적색(R), 백색(W), 녹색(G) 및 청색(B) 서브픽셀(SP)들에 배치되어 있는 구동 트랜지스터(DRT)의 크기는 서로 다른 크기를 가질 수 있다.Referring to FIGS. 5 to 8 together with FIGS. 1 to 3 , a driving transistor (DRT) for driving an organic light emitting diode (OLED) is disposed in each sub-pixel of the present invention, red (R), white ( W), green (G), and blue (B) subpixels SP may have different sizes of driving transistors DRT.

부연 설명하면, 도면에 도시된 바와 같이, 적색(R) 서브픽셀에는 적색 구동 트랜지스터(DRTr)가 배치되고, 백색(W) 서브픽셀에는 백색 구동 트랜지스터(DRTw)가 배치 되며, 녹색(G) 서브픽셀에는 녹색 구동 트랜지스터(DRTg)가 배치되고, 청색(B) 서브픽셀에는 청색 구동 트랜지스터(DRTb)가 배치된다. 각 서브픽셀들에 배치되는 구동 트랜지스터(DRT)의 크기(Size)는 컬러 별로 서로 다를 수 있다[S(DRTr)≠S(DRTw)≠S(DRTg)≠S(DRTb)]. 여기서, 구동 트랜지스터의 크기는 채널폭/채널길이로 정의될 수 있다. 구동 트랜지스터의 크기가 크면 전류 구동 능력이 좋고, 단위 시간당 흘릴 수 있는 전류량이 많아진다. 구동 트랜지스터에 흐르는 전류가 많으면, 구동 트랜지스터가 세츄레이션되는 데 걸리는 시간이 짧을 수 있다. 따라서, 구동 트랜지스터의 크기는 센싱 시간과 연관성이 크다.In detail, as shown in the drawing, a red driving transistor DRTr is disposed in a red (R) sub-pixel, a white driving transistor DRTw is disposed in a white (W) sub-pixel, and a green (G) sub-pixel is disposed. A green driving transistor DRTg is disposed in the pixel, and a blue driving transistor DRTb is disposed in the blue (B) subpixel. The size of the driving transistor DRT disposed in each subpixel may be different for each color [S(DRTr)≠S(DRTw)≠S(DRTg)≠S(DRTb)]. Here, the size of the driving transistor may be defined as a channel width/channel length. When the size of the driving transistor is large, the current driving ability is good, and the amount of current that can be passed per unit time increases. When the current flowing in the driving transistor is large, the time it takes for the driving transistor to be saturated may be short. Accordingly, the size of the driving transistor is highly correlated with the sensing time.

또한, 컬러가 다른 서브픽셀들 중 일부에서 구동 트랜지스터의 크기가 다를 수 있다. 예를 들어, 백색(W) 서브픽셀과 녹색(G) 서브픽셀에 배치되는 구동 트랜지스터(DRT)의 크기는 서로 동일[S(DRTw)=S(DRTg)]한 데 반해, 적색(R) 서브픽셀과 청색(B) 서브픽셀에 배치되는 구동 트랜지스터(DRT)의 크기는 서로 다를 수 있다.[S(DRTr)≠S(DRTb)]Also, the size of the driving transistor may be different in some of the subpixels having different colors. For example, the size of the driving transistor DRT disposed in the white (W) subpixel and the green (G) subpixel is the same [S(DRTw)=S(DRTg)], whereas the red (R) subpixel has the same size. The size of the driving transistor DRT disposed in the pixel and the blue (B) subpixel may be different from each other. [S(DRTr)≠S(DRTb)]

상기와 같이, 적어도 일부의 서브픽셀들에 배치된 구동 트랜지스터(DRT)의 크기가 다르면 이에 따라 센싱 시간도 달라져야 한다. 왜냐하면, 구동 트랜지스터(DRT)들의 크기가 다른 경우, 센싱 값(Vsen)을 획득할 수 있는 샘플링 시간도 달라질 것이기 때문이다.As described above, if the sizes of the driving transistors DRT disposed in at least some of the sub-pixels are different, the sensing time should also be changed accordingly. This is because, when the sizes of the driving transistors DRT are different, the sampling time for obtaining the sensing value Vsen will also be different.

도 6을 참조하면, 적색(R), 백색(W), 녹색(G) 및 청색(B) 서브픽셀(SP)에 대한 센싱 시간별 센싱된 구동 트랜지스터들(DRTr, DRTw, DRTg, DRTb)의 문턱전압(Vth)이 도시되어 있다. 적색(R), 백색(W), 녹색(G) 및 청색(B) 서브픽셀(SP)들에서 필요한 센싱 시간이 다른 것을 볼 수 있다. 즉, 문턱전압(Vth)을 센싱하는 데 필요한 센싱 시간이 백색(W) 서브픽셀에서 가장 길고, 그 다음 녹색(G) 서브픽셀이 길며, 적색(R)과 청색(B) 서브픽셀들은 상대적으로 짧다. 이것은 위에서 설명한 바와 같이, 적색(R), 백색(W), 녹색(G) 및 청색(B) 서브픽셀(SP)들에 각각 배치되는 구동 트랜지스터들(DRTr, DRTw, DRTg, DRTb)의 크기가 다르기 때문이다.Referring to FIG. 6 , thresholds of the sensed driving transistors DRTr, DRTw, DRTg, and DRTb for each sensing time of the red (R), white (W), green (G), and blue (B) subpixels SP. Voltage (Vth) is shown. It can be seen that the sensing time required for the red (R), white (W), green (G), and blue (B) subpixels SP is different. That is, the sensing time required to sense the threshold voltage Vth is longest in the white (W) sub-pixel, then the green (G) sub-pixel is long, and the red (R) and blue (B) sub-pixels are relatively short. As described above, this is because the sizes of the driving transistors DRTr, DRTw, DRTg, and DRTb respectively disposed in the red (R), white (W), green (G) and blue (B) subpixels SP are different. Because it's different.

도 7에 도시된 바와 같이, 적색(R), 백색(W), 녹색(G) 및 청색(B)서브픽셀(SP)에 각각 배치된 구동 트랜지스터들(DRTr, DRTw, DRTg, DRTb)의 크기가 다르기 때문에 세츄레이션되는 시점(Sat)도 각 서브픽셀 별로 서로 다르다. As shown in FIG. 7 , sizes of driving transistors DRTr, DRTw, DRTg, and DRTb respectively disposed in the red (R), white (W), green (G) and blue (B) sub-pixels SP. Since ? is different, the saturation point Sat is also different for each sub-pixel.

도면에 도시된 그래프를 참조하면, 적색(R)과 청색(B) 서브픽셀의 구동 트랜지스터(DRTr, DRTb)들의 세츄레이션(sat) 시점이 상대적으로 짧고, 백색(W)과 녹색(G) 서브픽셀의 구동 트랜지스터(DRTw, DRTg)들의 세츄레이션 시점이 상대적으로 긴 것을 볼 수 있다. 구동 크랜지스터의 크기가 작을수록 세츄레이션되는 시점(Sat)이 길어 진다.Referring to the graph shown in the figure, the saturation (sat) timing of the driving transistors DRTr and DRTb of the red (R) and blue (B) sub-pixels is relatively short, and the white (W) and green (G) sub-pixels are relatively short. It can be seen that the saturation time of the driving transistors DRTw and DRTg of the pixel is relatively long. The smaller the size of the driving transistor, the longer the saturation point Sat.

이러한 사실에 기초하여 기존의 센싱시간 동등 설정 방식과 본 발명의 센싱시간 차등 설정 방식을 비교 설명하면 다음과 같다.Based on this fact, the conventional sensing time equality setting method and the sensing time difference setting method of the present invention will be compared and described as follows.

기존의 센싱시간 동등 설정 방식에서는 컬러별 구동 트랜지스터의 크기 차이에 상관없이 적색(R), 백색(W), 녹색(G) 및 청색(B) 서브픽셀(SP)에 대한 센싱 시간을 동일하게 설정하였다. 기존의 센싱시간 동등 설정 방식은, 세츄레이션 시점(Sat)이 가장 늦은 백색(W) 서브픽셀(SP)을 기준으로 센싱 시간(Tsen)을 설정하고, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브픽셀(SP)에 대해서도 이 센싱 시간(Tsen)과 동일하게 설정하였다. 기존의 센싱시간 동등 설정 방식에 따르면, 백색(W) 구동 트랜지스터(DRTw)보다 세츄레이션 시점이 짧은 녹색(G), 적색(R) 및 청색(B) 구동 트랜지스터들(DRTg, DRTr, DRTb) 각각에 대한 센싱 시간이 불필요하게 길어져 전체적인 센싱 시간을 증가 시킨다. In the existing equivalent sensing time setting method, the sensing time for the red (R), white (W), green (G), and blue (B) sub-pixels (SP) is set the same regardless of the difference in the size of the driving transistor for each color. did. In the conventional sensing time equivalent setting method, the sensing time Tsen is set based on the white (W) sub-pixel (SP) having the latest saturation point (Sat), and the red (R), green (G) and blue (B) The sub-pixel SP was also set to be the same as the sensing time Tsen. According to the conventional sensing time equivalent setting method, each of the green (G), red (R), and blue (B) driving transistors DRTg, DRTr, and DRTb having a saturation time shorter than that of the white (W) driving transistor DRTw Sensing time is unnecessarily long, increasing the overall sensing time.

한편, 기존의 센싱시간 동등 설정 방식에서 세츄레이션 시점(Sat)이 짧은 서브픽셀을 기준으로 센싱 시간을 설정하는 경우, 세츄레이션 시점(Sat)이 긴 서브픽셀의 센싱 시간은 부족해지고, 그로 인해 센싱값의 정확도가 낮아진다.On the other hand, when the sensing time is set based on a subpixel having a short saturation time Sat in the conventional sensing time equivalent setting method, the sensing time of a subpixel having a long saturation time Sat becomes insufficient, and thus the sensing time The value accuracy is reduced.

이에 반해, 본 발명의 센싱시간 차등 설정 방식은 컬러별 구동 트랜지스터의 크기 차이를 기준으로, 적색(R), 백색(W), 녹색(G) 및 청색(B) 서브픽셀(SP)에 대한 센싱 시간을 독립적으로 설정할 수 있다. 본 발명의 센싱시간 차등 설정 방식에 따르면, 문턱전압 센싱에 할당되는 센싱 시간이 구동 트랜지스터들의 크기를 기준으로 컬러별로 다르게 설정될 수 있다. 본 발명은 구동 트랜지스터의 크기가 상대적으로 작은 컬러의 서브픽셀들에 대해서는 센싱 시간을 늘리고, 구동 트랜지스터의 크기가 상대적으로 큰 컬러의 서브픽셀들에 대해서는 센싱 시간을 줄인다. 즉, 본 발명은 구동 트랜지스터의 크기에 반비례하여 센싱 시간을 결정할 수 있다. 이를 통해 본 발명은 본 발명에서는 적색(R), 백색(W), 녹색(G) 및 청색(B) 서브픽셀(SP)들 전체에 대한 센싱 시간의 증가 없이 적색(R), 백색(W), 녹색(G) 및 청색(B) 서브픽셀(SP)들에 대해 충분한 센싱 시간을 할애 할 수 있다. 본 발명과 같이, 모든 서브픽셀들에서 각각 요구되는 센싱 시간을 충족하도록 하면 센싱 정밀도가 높아져서 보상의 신뢰성과 화질 향상에 도움이 된다. In contrast, the sensing time differential setting method of the present invention senses the red (R), white (W), green (G) and blue (B) sub-pixels (SP) based on the difference in the size of the driving transistor for each color. The time can be set independently. According to the sensing time differential setting method of the present invention, the sensing time allocated to the threshold voltage sensing may be set differently for each color based on the size of the driving transistors. According to the present invention, the sensing time is increased for subpixels of a color having a relatively small size of a driving transistor and a sensing time is decreased for subpixels of a color having a relatively large size of a driving transistor. That is, according to the present invention, the sensing time may be determined in inverse proportion to the size of the driving transistor. Through this, in the present invention, red (R), white (W), red (R), white (W) without increasing the sensing time for all of the red (R), white (W), green (G) and blue (B) sub-pixels (SP) in the present invention , a sufficient sensing time may be devoted to the green (G) and blue (B) subpixels SP. As in the present invention, when the sensing time required for each sub-pixel is satisfied, the sensing precision is increased, which helps to improve the reliability of compensation and image quality.

또한, 본 발명에서는 각 서브픽셀들에 대해 필요한 센싱 시간만을 할애하도록 하여, 적색(R), 백색(W), 녹색(G) 및 청색(B) 서브픽셀(SP)들의 전체 센싱 시간을 줄일 수 있다. 전체 센싱 시간이 줄어들면 제품 성능을 높이는 데 유리하다.In addition, in the present invention, it is possible to reduce the total sensing time of the red (R), white (W), green (G), and blue (B) sub-pixels SP by allocating only the necessary sensing time for each sub-pixel. have. Reducing the overall sensing time is beneficial for improving product performance.

도 8을 결부하여, 본 발명의 센싱시간 차등 설정 방식을 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 본 발명에서는 도 8에 도시된 바와 같이, 적색(R), 백색(W), 녹색(G) 및 청색(B) 서브픽셀(SP)에 각각 배치된 구동 트랜지스터들(DRTr,DRTw, DRTg, DRTb)의 센싱 시간(Tsen1, Tsen2, Tsen3, Tsen4)을 서로 다르게 설정한다.In connection with FIG. 8, the sensing time differential setting method of the present invention will be described in detail as follows. In the present invention, as shown in FIG. 8 , driving transistors DRTr, DRTw, DRTg, and DRTb respectively disposed in the red (R), white (W), green (G) and blue (B) subpixels SP. ), set the sensing times (Tsen1, Tsen2, Tsen3, Tsen4) differently.

적색(R) 서브픽셀에 배치되어 있는 적색(R) 구동 트랜지스터(DRTr)에 대해서는 초기화 단계(SR101), 전압 팔로잉 단계(SR102) 및 센싱 단계(SR103)로 구성된 제1 센싱 시간(Tsen1)을 할당하고, 백색(W) 서브픽셀에 배치되어 있는 백색(W) 구동 트랜지스터(DRTw)에 대해서는 초기화 단계(SW101), 전압 팔로잉 단계(SW102) 및 센싱 단계(SW103)로 구성된 제2 센싱 시간(Tsen2)을 할당하며, 녹색(G) 서브픽셀에 배치되어 있는 녹색(G) 구동 트랜지스터(DRTg)에 대해서는 초기화 단계(SG101), 전압 팔로잉 단계(SG102) 및 센싱 단계(SG103)로 구성된 제3 센싱 시간(Tsen3)을 할당하고, 청색(B) 서브픽셀에 배치되어 있는 청색(B) 구동 트랜지스터(DRTb)에 대해서는 초기화 단계(SB101), 전압 팔로잉 단계(SB102) 및 센싱 단계(SB103)로 구성된 제4 센싱 시간(Tsen4)을 할당한다.For the red (R) driving transistor DRTr disposed in the red (R) subpixel, a first sensing time Tsen1 consisting of an initialization step SR101 , a voltage following step SR102 , and a sensing step SR103 is performed. A second sensing time (SW101), a voltage following step (SW102), and a sensing step (SW103) for the white (W) driving transistor DRTw that is allocated and disposed in the white (W) subpixel Tsen2), and for the green (G) driving transistor DRTg disposed in the green (G) sub-pixel, a third step consisting of an initialization step SG101 , a voltage following step SG102 , and a sensing step SG103 . Allocating the sensing time Tsen3 and performing an initialization step SB101, a voltage following step SB102, and a sensing step SB103 for the blue (B) driving transistor DRTb disposed in the blue (B) subpixel The configured fourth sensing time Tsen4 is allocated.

도 7에서 도시한 바와 같이, 적색(R) 서브픽셀에 배치된 적색(R) 구동 트랜지스터(DRTr)와 청색(B) 서브픽셀에 배치된 청색(B) 구동 트랜지스터(DRTb)의 세츄레이션(sat) 시점이 짧기 때문에 적색(R) 및 청색(B) 서브픽셀들에 대한 제1 및 제4 센싱 시간(Tsen1, Tsen4)은 상대적으로 짧게 하여 전체적인 센싱 시간이 줄어들게 한다.7 , a saturation (sat) of a red (R) driving transistor DRTr disposed in a red (R) subpixel and a blue (B) driving transistor DRTb disposed in a blue (B) subpixel ), the first and fourth sensing times Tsen1 and Tsen4 for the red (R) and blue (B) subpixels are relatively short, so that the overall sensing time is reduced.

반면, 백색(W) 서브픽셀에 배치된 백색(W) 구동 트랜지스터(DRTw)과 녹색(G) 서브픽셀에 배치된 녹색(G) 구동 트랜지스터(DRTg)의 세츄레이션 시점이 길기 때문에 백색(W) 및 녹색(G) 서브픽셀들에 대한 제2 및 제3 센싱 시간(Tsen2, Tsen3)은 상대적으로 길게 하여 충분한 센싱이 이루어질 수 있도록 한다.On the other hand, since the saturation time of the white (W) driving transistor DRTw disposed in the white (W) subpixel and the green (G) driving transistor DRTg disposed in the green (G) subpixel is long, white (W) and the second and third sensing times Tsen2 and Tsen3 for the green (G) subpixels are relatively long so that sufficient sensing can be performed.

도 9는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 구동 방법을 제공하기 위한 컨트롤러의 블록도이고, 도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 유기발광 표시장치의 각 서브픽셀 별 센싱 시간을 도시한 그래프이며, 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 각 서브픽셀 별 센싱 시간을 도시한 그래프이다. 9 is a block diagram of a controller for providing a method of driving an organic light emitting display device according to the present invention, and FIG. 10 is a graph showing a sensing time for each subpixel of the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention. and FIG. 11 is a graph illustrating a sensing time for each sub-pixel of an organic light emitting diode display according to another embodiment of the present invention.

도 1, 도 5과 함께 도 8 내지 도 11을 참조하면, 본 발명의 유기발광 표시장치(100)의 컨트롤러(140)에는 도 5에서 설명한 바와 같이, 각 서브픽셀들에 배치되는 구동 트랜지스터들(DRT)의 정보를 포함하는 TFT 데이터 베이스(141)와, 상기 TFT 데이터 베이스(141)의 구동 트랜지스터(DRT) 정보를 이용하여 적색(R), 백색(W), 녹색(G) 및 청색(B) 서브픽셀(SP)들에 필요한 센싱 시간을 결정하는 센싱 시간 결정부(142)와, 상기 센싱 시간 결정부(142)에서 결정된 각 서브픽셀 별 센싱 시간 정보를 입력 받아 표시패널(110)을 센싱 구동하는 센싱 구동 제어부(143)와, 상기 센싱 구동 제어부(143)의 제어 하에 표시패널(110)로부터 획득한 센싱 값(Vsen)을 이용하여 데이터를 보상하기 위한 보상값을 생성하는 보상부(320)와, 상기 보상부(320)에서 획득한 보상값들을 저장하는 저장부(310)와, 상기 저장부(310)에 저장된 보상값을 기초로 표시패널(110)에 공급될 디지털 영상 데이터를 보상하는 데이터 보상부(330)를 포함한다. 도면에서는 명확하게 도시하지 않았지만, 상기 데이터 보상부(300)에서 보상된 영상 데이터는 도 1에서 설명한 데이터 드라이버(120)에 공급될 수 있다.Referring to FIGS. 8 to 11 together with FIGS. 1 and 5 , the controller 140 of the organic light emitting diode display 100 according to the present invention includes driving transistors ( Using the TFT database 141 including DRT information and the driving transistor DRT information of the TFT database 141, red (R), white (W), green (G), and blue (B) information are used. ) a sensing time determining unit 142 that determines a sensing time required for the sub-pixels SP, and sensing the display panel 110 by receiving sensing time information for each sub-pixel determined by the sensing time determining unit 142 The sensing driving control unit 143 that drives, and the compensating unit 320 generating a compensation value for compensating for data using the sensing value Vsen obtained from the display panel 110 under the control of the sensing driving control unit 143 ), a storage unit 310 for storing the compensation values obtained by the compensation unit 320 , and compensation for digital image data to be supplied to the display panel 110 based on the compensation value stored in the storage unit 310 . and a data compensator 330 to Although not clearly illustrated in the drawing, the image data compensated by the data compensator 300 may be supplied to the data driver 120 described with reference to FIG. 1 .

보다 구체적으로 설명하면, 본 발명은 도 5와 도 8에서 설명한 바와 같이, 적색(R), 백색(W), 녹색(G) 및 청색(B) 서브픽셀(SP)들에 각각 배치되어 있는 구동 트랜지스터들(DRTr, DRTw, DRTg, DRTb)의 정보를 미리 TFT 데이터 베이스(141)에 저장한다. 구동 트랜지스터들(DRTr, DRTw, DRTg, DRTb)의 정보는 구동 트랜지스터들의 크기를 정의하는 채널층의 폭과 길이와 함께, 채널층의 물질 등을 더 포함할 수 있다. 본 발명에서는 컬러 별 구동 트랜지스터(DRT)의 크기 정보에 따라 센싱 시간을 결정하는 것을 중심으로 설명하지만, 경우에 따라서는 구동 트랜지스터의 채널층의 물질 정보를 더 이용하여 센싱 시간을 결정할 수도 있다. More specifically, according to the present invention, as described with reference to FIGS. 5 and 8 , the red (R), white (W), green (G), and blue (B) sub-pixels SP are respectively disposed in driving Information on the transistors DRTr, DRTw, DRTg, and DRTb is stored in the TFT database 141 in advance. The information of the driving transistors DRTr, DRTw, DRTg, and DRTb may further include a material of the channel layer, along with the width and length of the channel layer defining the size of the driving transistors. Although the present invention focuses on determining the sensing time according to the size information of the driving transistor (DRT) for each color, in some cases, the sensing time may be further determined using material information of the channel layer of the driving transistor.

또한, 각 서브픽셀들에 배치되는 유기발광 다이오드의 크기, 각 유기층들 중 특정층의 면적 또는 두께 또는 유기발광 다이오드의 문턱전압(Vth) 등을 이용하여 센싱 시간을 결정할 수도 있다.In addition, the sensing time may be determined using the size of the organic light emitting diode disposed in each sub-pixel, the area or thickness of a specific layer among the organic layers, or the threshold voltage (Vth) of the organic light emitting diode.

상기 센싱 시간 결정부(142)는 TFT 데이터 베이스(141)로부터 적색(R), 백색(W), 녹색(G) 및 청색(B) 서브픽셀(SP)의 구동 트랜지스터들(DRTr, DRTw, DRTg, DRTb)의 크기 정보를 이용하여 컬러 별 센싱 시간을 개별적으로 결정할 수 있다. 예를 들어, 센싱 시간 결정부(142)는 도 6과 도 8에 따라 적색(R) 서브픽셀에 대해서는 제1 센싱 시간(Tsen1), 백색(W) 서브픽셀에 대해서는 제2 센싱 시간(Tsen2), 녹색(G) 서브픽셀에 대해서는 제3 센싱 시간(Tsen3) 및 청색(B) 서브픽셀에 대해서는 제4 센싱 시간(Tsen4)으로 결정할 수 있다. The sensing time determiner 142 receives the driving transistors DRTr, DRTw, and DRTg of the red (R), white (W), green (G), and blue (B) subpixels SP from the TFT database 141 . , DRTb) can be used to individually determine the sensing time for each color. For example, according to FIGS. 6 and 8 , the sensing time determiner 142 may determine a first sensing time Tsen1 for a red (R) sub-pixel and a second sensing time Tsen2 for a white (W) sub-pixel. , the third sensing time Tsen3 for the green (G) sub-pixel and the fourth sensing time Tsen4 for the blue (B) sub-pixel may be determined.

도 10에 도시된 바와 같이, 총 센싱 시간을 120[ms]로 가정했을 때, 이전에는 적색(R), 백색(W), 녹색(G) 및 청색(B) 서브픽셀(SP)들에 대해 각각 동일한 30[ms]의 센싱 시간을 할당 하였지만, 본 발명에서는 백색(W) 서브픽셀에 대해서는 센싱 시간을 34.10[ms]로 증가시키고, 청색(B) 서브픽셀에 대해서는 센싱 시간을 26.86[ms]로 감소시키며, 녹색(G) 서브픽셀에 대해서는 센싱 시간을 32.79[ms]로 증가시키고, 적색(R) 서브픽셀에 대해서는 센싱 시간을 26.24[ms]로 감소시킨다.As shown in FIG. 10, assuming that the total sensing time is 120 [ms], previously for the red (R), white (W), green (G) and blue (B) subpixels (SP) Although the same sensing time of 30 [ms] is allocated to each, in the present invention, the sensing time is increased to 34.10 [ms] for the white (W) sub-pixel, and the sensing time is increased to 26.86 [ms] for the blue (B) sub-pixel. , increases the sensing time to 32.79 [ms] for the green (G) sub-pixel, and decreases the sensing time to 26.24 [ms] for the red (R) sub-pixel.

즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱시간 차등 설정 방식은 총 센싱 시간(120[ms])을 유지하면서, 적색(R)과 청색(B) 서브픽셀에 대해서는 센싱 시간을 줄이고, 그 줄어든 시간을 백색(W)과 녹색(G) 서브픽셀에 대한 센싱 시간에 부가함으로써 모든 서브픽셀들에 대해 충분한 센싱 시간을 확보할 수 있도록 한다. 이와 같이, 이 실시예는 컬러 별 구동 트랜지스터(DRT)의 크기가 다른 것에 착안하여 센싱 시간을 다르게 함으로써, 총 센싱 시간의 증가 없이 화질 불량을 개선한 효과가 있다.That is, the sensing time differential setting method according to an embodiment of the present invention reduces the sensing time for the red (R) and blue (B) subpixels while maintaining the total sensing time (120 [ms]), and the reduced time is added to the sensing time for the white (W) and green (G) sub-pixels to ensure sufficient sensing time for all sub-pixels. As described above, this embodiment has an effect of improving image quality without increasing the total sensing time by varying the sensing time by paying attention to the fact that the size of the driving transistor DRT for each color is different.

본 발명의 다른 실시예에 따른 센싱시간 차등 설정 방식은 목표(target)로 하는 문턱전압(Vth)이 센싱될 수 있는 센싱 시간을 적색(R), 백색(W), 녹색(G) 및 청색(B) 서브픽셀(SP)들에 대해 각각 최적으로 할당함으로써, 총 센싱 시간을 줄인다. 예컨대, 이 실시예는 도 11과 같이, 백색(W) 서브픽셀에 대해서는 센싱 시간을 30[ms]로 하고, 청색(B) 서브픽셀에 대해서는 센싱 시간을 20[ms]로 하며, 녹색(G) 서브픽셀에 대해서는 센싱 시간을 30[ms]로 하고, 적색(R) 서브픽셀에 대해서는 센싱 시간을 20[ms]으로 설정하여, 총 센싱 시간을 120[ms]에서 100[ms]로 줄일 수 있다. 이러한 본 발명의 다른 실시예에서는 각각의 서브픽셀들에 필요한 센싱 시간 만을 할애 함으로써, 적색(R), 백색(W), 녹색(G) 및 청색(B) 서브픽셀(SP)들의 총 센싱 시간을 줄이고, 아울러 표시패널의 화질을 개선할 수 있는 효과가 있다.In the sensing time differential setting method according to another embodiment of the present invention, a sensing time at which a target threshold voltage (Vth) can be sensed is set to red (R), white (W), green (G) and blue ( B) By optimally allocating each of the sub-pixels SP, the total sensing time is reduced. For example, in this embodiment, as shown in FIG. 11 , the sensing time is 30 [ms] for the white (W) sub-pixel, the sensing time is 20 [ms] for the blue (B) sub-pixel, and the green (G) sub-pixel ) For the sub-pixel, the sensing time is set to 30 [ms], and for the red (R) sub-pixel, the sensing time is set to 20 [ms], so that the total sensing time can be reduced from 120 [ms] to 100 [ms]. have. In another embodiment of the present invention, the total sensing time of the red (R), white (W), green (G), and blue (B) sub-pixels SP is reduced by allocating only the sensing time required for each sub-pixel. reduced, and the image quality of the display panel can be improved.

도 12는 센싱 데이터를 기준으로 각 센싱 시간별(1ms, 8ms, 30ms, 95ms) 표시패널에 나타나는 얼룩 불량을 도시한 것이다. 12 is a diagram illustrating stain defects appearing on the display panel for each sensing time (1 ms, 8 ms, 30 ms, 95 ms) based on the sensed data.

센싱 시간이 1ms, 8ms, 30ms, 95ms 순으로 증가할수록 얼룩 불량이 점차적으로 사라지는 것을 볼 수 있다. 본 발명은 적색(R), 백색(W), 녹색(G) 및 청색(B) 서브픽셀(SP)들에 대해 도 10 및 도 11에서 설명한 바와 같이, 센싱 시간을 서브픽셀별 차등 적용할 경우, 화질 불량을 개선할 수 있다.As the sensing time increases in the order of 1ms, 8ms, 30ms, and 95ms, it can be seen that the stain defect gradually disappears. According to the present invention, as described in FIGS. 10 and 11 for the red (R), white (W), green (G), and blue (B) sub-pixels SP, when the sensing time is differentially applied to each sub-pixel , the image quality can be improved.

도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 구동 방법에 대한 플로챠트이다.13 is a flowchart of a method of driving an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment.

도 13을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치 구동 방법은, 적색(R), 백색(W), 녹색(G) 및 청색(B) 서브픽셀(SP)들에 각각 배치된 구동 트랜지스터(DRT)의 정보(크기 정보, 채널층 정보 등)를 TFT 데이터 베이스로부터 획득한 후, 컬러 별 센싱 시간을 결정한다.(S1301, S1302) Referring to FIG. 13 , in the method of driving an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention, red (R), white (W), green (G), and blue (B) sub-pixels SP are respectively disposed. After acquiring the DRT information (size information, channel layer information, etc.) from the TFT database, the sensing time for each color is determined (S1301, S1302).

센싱 시간 결정은 도 7과 도 8에서 설명한 바와 같이, 구동 트랜지스터(DRT)의 크기에 따라 상이한 세츄레이션 시점을 갖는 것을 고려하여 세츄레이션 시점이 빠른 제1 컬러 서브픽셀에 대해서는 센싱 시간을 줄이고, 세츄레이션 시점이 느린 제2 컬러 서브픽셀에 대해서는 센싱 시간을 늘리는 방식으로 이루어 진다.As described with reference to FIGS. 7 and 8 , the sensing time is determined by reducing the sensing time for the first color subpixel having a fast saturation time in consideration of having different saturation points depending on the size of the driving transistor DRT, and reducing the saturation time. The sensing time is increased for the second color subpixel having a slow time of translation.

이렇게 컬러 별 센싱 시간이 결정되면, 본 발명은 설정된 센싱 시간에 따라 각각의 서브픽셀에 대해 센싱 구동을 진행하고, 센싱 값(Vsen)을 획득한다.(S1303, 1304)When the sensing time for each color is determined in this way, the present invention performs sensing driving for each sub-pixel according to the set sensing time and obtains a sensing value Vsen. (S1303, 1304)

그런 다음, 본 발명은 센싱 값(Vsen)에 따라 영상 데이터를 보상하고, 보상된 데이터를 이용하여 표시패널을 구동한다.(S1305, S1306)Then, according to the present invention, the image data is compensated according to the sensed value Vsen, and the display panel is driven using the compensated data (S1305, S1306).

도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)의 개략적인 시스템 구성도이다.14 is a schematic system configuration diagram of an organic light emitting display device 100 according to another embodiment of the present invention.

도 14를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)는, 제1방향으로 다수의 데이터 라인(DL #1, DL #2, ... , DL #4M, M은 1 이상의 자연수)이 배치되고, 상기 제1방향과 교차되는 제2방향으로 다수의 게이트 라인(GL #1,GL #2, ... , GL #N, N은 1 이상의 자연수)이 배치되며, 다수의 서브픽셀(SP)이 매트릭스 타입으로 배치된 유기발광표시패널(110)과, 다수의 데이터 라인(DL #1, DL#2, ... , DL #4M)을 구동하는 데이터 드라이버(120)와, 다수의 게이트 라인(GL #1, GL #2, ... , GL #N)을 구동하는 게이트 드라이버(130)와, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하는 타이밍 컨트롤러(T-CON, 140) 등을 포함한다.Referring to FIG. 14 , in the organic light emitting display device 100 according to another embodiment of the present invention, a plurality of data lines DL #1, DL #2, ..., DL #4M, M in a first direction are 1 or more natural number) is disposed, and a plurality of gate lines (GL #1, GL #2, ... , GL #N, N is a natural number of 1 or more) are disposed in a second direction intersecting the first direction, The organic light emitting display panel 110 in which a plurality of sub-pixels SP are arranged in a matrix type, and a data driver 120 driving the plurality of data lines DL #1, DL#2, ..., DL #4M ), a gate driver 130 driving the plurality of gate lines GL #1, GL #2, ... , GL #N, and a timing controller controlling the data driver 120 and the gate driver 130 . (T-CON, 140) and the like.

게이트 드라이버(130)는, 타이밍 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔 신호를 다수의 게이트 라인(GL #1, GL #2, ... , GL #N)으로 순차적으로 공급하여 다수의 게이트 라인(GL #1, GL #2, ... ,GL #N)을 순차적으로 구동한다. 각 게이트 드라이버 집적회로 각각은 쉬프트 레지스터, 레벨 쉬프터 등을 포함할 수 있다.The gate driver 130 transmits a scan signal of an on voltage or an off voltage to a plurality of gate lines GL #1, GL #2, ... , GL according to the control of the timing controller 140 . #N) to sequentially drive a plurality of gate lines (GL #1, GL #2, ..., GL #N). Each gate driver integrated circuit may include a shift register, a level shifter, and the like.

데이터 드라이버(120)는, 특정 게이트 라인이 열리면, 타이밍 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상 데이터(DATA)를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 다수의 데이터 라인(DL #1, DL #2, ... , DL #4M)으로 공급함으로써, 다수의 데이터 라인(DL #1, DL #2, ... , DL #4M)을 구동한다. 데이터 드라이버(120)는, 쉬프트 레지스터, 래치 회로 등을 포함하는 로직부와, 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital Analog Converter)와, 출력 버퍼 등을 포함할 수 있으며, 경우에 따라서, 서브픽셀의 특성(예: 구동 트랜지스터의 문턱전압 및 이동도, 유기발광다이오드의 문턱전압, 서브픽셀의 휘도 등)을 보상하기 위하여 서브픽셀의 특성치를 센싱하기 위한 센싱부를 더 포함할 수 있다.When a specific gate line is opened, the data driver 120 converts the image data DATA received from the timing controller 140 into an analog data voltage to a plurality of data lines DL #1, DL #2, .. . , DL #4M) drives a plurality of data lines DL #1, DL #2, ... , DL #4M. The data driver 120 may include a logic unit including a shift register and a latch circuit, a digital-to-analog converter (DAC), an output buffer, and the like, and in some cases, the characteristics ( For example, the sensing unit may further include a sensing unit for sensing characteristic values of the sub-pixels to compensate for the threshold voltage and mobility of the driving transistor, the threshold voltage of the organic light emitting diode, the luminance of the sub-pixel, etc.).

타이밍 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 각종 제어신호를 공급하여, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어한다.The timing controller 140 supplies various control signals to the data driver 120 and the gate driver 130 to control the data driver 120 and the gate driver 130 .

타이밍 컨트롤러(140)는, 외부로부터 입력된 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상데이터를 출력하는 것 이외에, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 DE 신호, 클럭 신호 등의 타이밍 신호를 입력받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 출력한다.The timing controller 140 converts input image data input from the outside to match the data signal format used by the data driver 120 and outputs the converted image data, as well as the data driver 120 and the gate driver 130 . ), the data driver 120 and the gate driver 130 receive timing signals such as a vertical sync signal (Vsync), a horizontal sync signal (Hsync), an input DE signal, and a clock signal to generate various control signals. ) is output.

본 실시예들에 따른 유기발광 표시장치(100)에서 유기발광표시패널(110)에 배치되는 각 서브픽셀(SP)에는, 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode), 둘 이상의 트랜지스터, 적어도 하나의 캐패시터 등의 회로 소자로 구성될 수 있다. 각 서브픽셀을 구성하는 회로 소자의 종류 및 개수는, 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 정해질 수 있다.In the organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiments, each sub-pixel SP disposed on the organic light emitting display panel 110 includes an organic light emitting diode (OLED), two or more transistors, and at least one It may be composed of circuit elements such as capacitors of The type and number of circuit elements constituting each sub-pixel may be variously determined according to a provided function and a design method.

본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에서의 각 서브픽셀은 유기발광다이오드(OLED)의 특성치(예: 문턱전압 등), 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터의 특성치(예: 문턱전압, 이동도 등) 등의 서브픽셀 특성치를 보상하기 위한 회로 구조로 되어 있을 수 있다.Each sub-pixel in the organic light emitting display panel 110 according to the present exemplary embodiments has a characteristic value (eg, a threshold voltage, etc.) of an organic light emitting diode (OLED) and a characteristic value (eg, a driving transistor for driving the organic light emitting diode (OLED)). : It may have a circuit structure for compensating for sub-pixel characteristics such as threshold voltage, mobility, etc.).

도 15는 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에서의 서브픽셀 보상 회로의 예시이다. 도 16은 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 구동을 나타낸 도면이다.15 is an example of a sub-pixel compensation circuit in the organic light emitting display panel 110 according to the present exemplary embodiment. 16 is a diagram illustrating mobility sensing driving according to the present embodiments.

도 15를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에서 각 서브픽셀(SP)은, i(I=1, 2, ... , 4M)번째 서브픽셀 열에 포함된 N개의 서브픽셀 중 하나이다.Referring to FIG. 15 , in the organic light emitting display panel 110 according to the present exemplary embodiments, each sub-pixel SP includes N pixels included in an i (I=1, 2, ..., 4M)-th sub-pixel column. One of the subpixels.

도 15를 참조하면, 각 서브픽셀(SP)은 유기발광다이오드(OLED)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1) 및 제2노드(N2) 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터(Cst)와, 제1스캔신호(SCAN)에 의해 제어되며 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 해당 데이터 라인(DL #i) 사이에 전기적으로 연결된 제1트랜지스터(SWT)와, 제2스캔신호(SENSE)에 의해 제어되며 해당 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 해당 센싱 라인(SL) 사이에 전기적으로 연결된 제2트랜지스터(SENT) 등을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 15 , each subpixel SP includes an organic light emitting diode OLED, a driving transistor DRT for driving the organic light emitting diode OLED, a first node N1 of the driving transistor DRT, and The storage capacitor Cst electrically connected between the second node N2 and the first node N1 of the driving transistor DRT and the corresponding data line DL #i controlled by the first scan signal SCAN The first transistor SWT electrically connected between Two transistors (SENT) and the like may be included.

도 15를 참조하면, 유기발광다이오드(OLED)는 제1전극(예: 애노드 전극 또는 캐소드 전극), 유기층 및 제2전극(예: 캐소드 전극 또는 애노드 전극)으로 이루어진다. 일 예로, 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극은 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)가 연결되고, 유기발광다이오드(OLED)의 제2전극은 기저전압(EVSS)이 인가될 수 있다.Referring to FIG. 15 , the organic light emitting diode (OLED) includes a first electrode (eg, an anode electrode or a cathode electrode), an organic layer, and a second electrode (eg, a cathode electrode or an anode electrode). For example, the first electrode of the organic light emitting diode OLED may be connected to the second node N2 of the driving transistor DRT, and the ground voltage EVSS may be applied to the second electrode of the organic light emitting diode OLED. have.

구동 트랜지스터(DRT)는, 유기발광다이오드(OLED)로 구동 전류를 공급해주어, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 트랜지스터로서, 소스 노드(또는 드레인 노드_에 해당하는 제2노드(N2), 게이트 노드에 해당하는 제1노드(N1)와, 드레인 노드(또는 소스 노드)에 해당하는 제3노드(N3)를 갖는다. 일 예로, 이러한 구동 트랜지스터(DRT)에서, 제1노드(N1)는 제1트랜지스터(SWT)의 소스 노드(또는 드레인 노드)에 전기적으로 연결될 수 있고, 제2노드(N2)는 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극에 전기적으로 연결될 수 있으며, 제3노드(N3)는 구동전압(EVDD)을 공급하는 구동전압 라인(DVL)에 전기적으로 연결될 수 있다.The driving transistor DRT supplies a driving current to the organic light emitting diode OLED to drive the organic light emitting diode OLED, and includes a source node (or a second node N2 corresponding to a drain node_), a gate It has a first node N1 corresponding to a node and a third node N3 corresponding to a drain node (or source node) For example, in this driving transistor DRT, the first node N1 is a The first transistor SWT may be electrically connected to a source node (or drain node), the second node N2 may be electrically connected to the first electrode of the organic light emitting diode OLED, and the third node N3 may be electrically connected to the first transistor SWT. may be electrically connected to the driving voltage line DVL supplying the driving voltage EVDD.

제1트랜지스터(SWT)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)로 데이터 전압(VDATAi)을 전달해주는 트랜지스터로서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 데이터 라인(DL #i) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 노드에 인가되는 제1스캔신호(SCAN)에 의해 턴 온 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)로 데이터 전압(VDATA)을 전달해줄 수 있다.The first transistor SWT is a transistor that transfers the data voltage VDATAi to the first node N1 of the driving transistor DRT, and includes the first node N1 of the driving transistor DRT and the data line DL # i) and is turned on by the first scan signal SCAN applied to the gate node to transfer the data voltage VDATA to the first node N1 of the driving transistor DRT. .

스토리지 캐패시터(Cst)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제1노드(N1) 사이에 전기적으로 연결되어, 한 프레임 동안 일정 전압을 유지해준다.The storage capacitor Cst is electrically connected between the first node N1 and the first node N1 of the driving transistor DRT to maintain a constant voltage for one frame.

제2트랜지스터(SENT)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 센싱 라인(SL) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 노드에 인가되는 제2스캔신호(SENSE)에 의해 제어될 수 있다. 여기서, 센싱 라인(SL)은 유기발광표시패널(110) 상에 적어도 하나 배치될 수 있다. 다시 말해, 센싱 라인(SL)은 K(K≥2)개의 서브픽셀 열, 즉, K개의 데이터 라인마다 1개씩 대응되어 배치될 수 있다. 즉, 4M개의 서브픽셀 열이 있는 유기발광표시패널(110)에는 4M/K 개의 센싱 라인이 배치될 수 있다. 이러한 센싱라인(SL)은 기준전압 라인(Reference Voltage Line)이라고도 한다. 하나의 센싱 라인(SL)은 K개의 데이터 라인과 대응될 뿐, 그 배치 방향은 다양할 수 있다. 예를 들어, 센싱 라인(SL)의 배치 방향은 데이터 라인 방향과 동일할 수도 있고, 게이트라인 방향과 동일할 수도 있다.The second transistor SENT is electrically connected between the second node N2 of the driving transistor DRT and the sensing line SL, and may be controlled by a second scan signal SENSE applied to the gate node. have. Here, at least one sensing line SL may be disposed on the organic light emitting display panel 110 . In other words, the sensing lines SL may be disposed to correspond to each of K (K≧2) subpixel columns, that is, one for every K data lines. That is, 4M/K sensing lines may be disposed in the organic light emitting display panel 110 having 4M subpixel columns. This sensing line SL is also referred to as a reference voltage line. One sensing line SL only corresponds to the K data lines, and the arrangement direction thereof may vary. For example, the arrangement direction of the sensing line SL may be the same as the data line direction or the same as the gate line direction.

이러한 제2트랜지스터(SENT)는, 턴 온 되어, 센싱 라인(SL)을 통해 공급된 기준전압(VREF)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 인가해줄 수 있다. The second transistor SENT is turned on to apply the reference voltage VREF supplied through the sensing line SL to the second node N2 of the driving transistor DRT.

제1트랜지스터(SWT)의 게이트 노드와 제2트랜지스터(SENT)의 게이트 노드는 동일한 게이트 라인과 공통으로 연결될 수 있다. 이 경우, 제1스캔신호(SCAN) 및 제2스캔신호(SENSE)는 동일한 게이트 신호이다. 이와는 다르게, 제1트랜지스터(SWT)의 게이트 노드와 제2트랜지스터(SENT)의 게이트 노드는 각기 다른 게이트 라인과 연결될 수도 있다. 이 경우, 제1스캔신호(SCAN) 및 제2스캔신호(SENSE)는 다른 게이트 신호이다.The gate node of the first transistor SWT and the gate node of the second transistor SENT may be commonly connected to the same gate line. In this case, the first scan signal SCAN and the second scan signal SENSE are the same gate signal. Alternatively, the gate node of the first transistor SWT and the gate node of the second transistor SENT may be connected to different gate lines. In this case, the first scan signal SCAN and the second scan signal SENSE are different gate signals.

한편, 각 구동 트랜지스터(DRT)는 문턱전압(Vth: Threshold Voltage), 이동도(Mobility) 등의 고유한 특성치를 갖는다. 또한, 각 구동 트랜지스터(DRT)는 구동 시간에 따라 열화(Degradation)가 진행되어 고유한 특성치가 변할 수 있다. 이러한 점들 때문에, 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT) 간의 구동 시간의 차이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 열화 정도의 차이가 발생하고, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차도 발생할 수 있다.Meanwhile, each driving transistor DRT has unique characteristic values such as a threshold voltage (Vth) and mobility. In addition, each of the driving transistors DRT may be degraded according to a driving time, so that a unique characteristic value may be changed. Due to these points, depending on the difference in driving time between the driving transistors DRT in each subpixel, a difference in the degree of deterioration between the driving transistors DRT may occur, and a characteristic value deviation between the driving transistors DRT may also occur.

구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차는, 각 서브픽셀 간 휘도 편차를 야기하여 화질 저하를 발생시키는 주요 요인이 될 수 있다. The deviation of the characteristic values between the driving transistors DRT may cause a deviation in luminance between each sub-pixel, which may be a major factor causing image quality deterioration.

구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차(문턱전압 편차, 이동도 편차) 뿐만 아니라, 유기발광다이오드(OLED) 간의 특성치 편차(문턱전압 편차 등)도 존재할 수 있다. 본 명세서에서는, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차와 유기발광다이오드(OLED) 간의 특성치 편차를 모두 합하여, "서브픽셀 특성치 편차"라고 지칭한다. 화상 품질을 향상시키기 위해서, 서브픽셀 특성치 편차에 대한 보상이 필요하다. 이에, 본 실시예들에 따른 유기발광 표시장치(100)는, 도 15에 예시된 바와 같이, 서브픽셀 특성치 편차를 센싱하고 보상해줄 수 있도록 해주는 서브픽셀 구조를 갖는다.In addition to the characteristic value deviation (threshold voltage deviation, mobility deviation) between the driving transistors (DRT), there may also exist characteristic value deviation (threshold voltage deviation, etc.) between the organic light emitting diodes (OLEDs). In this specification, the deviation of the characteristic value between the driving transistors DRT and the deviation of the characteristic value between the organic light emitting diodes (OLED) is summed, and is referred to as “sub-pixel characteristic value deviation”. In order to improve the image quality, it is necessary to compensate for the sub-pixel characteristic value deviation. Accordingly, as illustrated in FIG. 15 , the organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiment has a sub-pixel structure capable of sensing and compensating for a sub-pixel characteristic value deviation.

또한, 본 실시예들에 따른 유기발광 표시장치(100)는, 각 서브픽셀에 대한 서브픽셀 특성치 편차를 센싱하기 위한 센싱 구성과, 센싱 구성에 의해 센싱된 결과를 이용하여 서브픽셀 특성치 편차를 보상해주는 보상 구성을 포함할 수 있다.In addition, the organic light emitting display device 100 according to the present exemplary embodiments compensates for the sub-pixel characteristic value deviation using a sensing configuration for sensing the sub-pixel characteristic value deviation for each sub-pixel and a result sensed by the sensing configuration. Compensation may be included.

도 15를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광 표시장치(100)는, 각 서브픽셀에 대한 서브픽셀 특성치 편차를 센싱하기 위한 센싱 구성으로서, 다수의 센싱 라인(SL) 각각에 스위치(SW)를 통해 전기적으로 연결되고, 각 센싱 라인(SL)의 전압을 센싱하는 샘플링부(미도시)와, 샘플링부에서 센싱된 전압 값을 디지털 값으로 변환하여 출력하는 적어도 하나의 아날로그 디지털 컨버터(210)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 15 , the organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiments is a sensing configuration for sensing a deviation of a subpixel characteristic value for each subpixel, and a switch SW is connected to each of the plurality of sensing lines SL. ), a sampling unit (not shown) that senses the voltage of each sensing line SL, and at least one analog-to-digital converter 210 that converts the voltage value sensed by the sampling unit into a digital value and outputs it ) may be included.

샘플링부와 아날로그 디지털 컨버터(210)는 센싱부를 구성할 수 있다. 센싱부는 데이터 드라이버(120)에 포함될 수 있다. 더 구체적으로, 데이터 드라이버 (120)에 포함된 각 소스 드라이버 집적회로의 내부에 적어도 하나의 센싱부가 포함될 수 있다. 센싱부는 각 센싱 라인(SL)의 전압을 센싱하고 센싱된 전압 값을 디지털 값으로 변환하여 센싱 데이터를 출력하는데, 출력된 센싱 데이터는 메모리(220)에 저장될 수 있다.The sampling unit and the analog-to-digital converter 210 may constitute a sensing unit. The sensing unit may be included in the data driver 120 . More specifically, at least one sensing unit may be included in each source driver integrated circuit included in the data driver 120 . The sensing unit senses the voltage of each sensing line SL and converts the sensed voltage value into a digital value to output sensing data, and the output sensing data may be stored in the memory 220 .

또한, 본 실시예들에 따른 유기발광 표시장치(100)는, 센싱부로에서 센싱된 결과(센싱 데이터)를 이용하여 서브픽셀 특성치 편차를 보상해주는 보상 구성으로서, 보상기(230)를 포함할 수 있다. 보상기(230)는 센싱 데이터를 토대로, 각 서브픽셀의 특성치 편차를 보상해주는 보상값을 결정한다. 보상기(230)는 결정된 보상값에 따라 해당 서브픽셀로 공급할 디지털 영상 데이터를 보정할 수 있다. 이러한 보상기(230)는 타이밍 컨트롤러(140)에 내장될 수 있다. 타이밍 컨트롤러(140)는 보상기(240)에 의해 보정된 영상 데이터(DATA)를 데이터 드라이버(120)의 해당 소스 드라이버 집적회로에 전송한다.In addition, the organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiments may include a compensator 230 as a compensator for compensating for a deviation in sub-pixel characteristics using a result (sensed data) sensed by the sensing unit. . The compensator 230 determines a compensation value for compensating for a characteristic value deviation of each sub-pixel based on the sensed data. The compensator 230 may correct digital image data to be supplied to a corresponding sub-pixel according to the determined compensation value. The compensator 230 may be embedded in the timing controller 140 . The timing controller 140 transmits the image data DATA corrected by the compensator 240 to the corresponding source driver integrated circuit of the data driver 120 .

소스 드라이버 집적회로의 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter, 240)는 타이밍 컨트롤러(140)로부터 수신된 영상 데이터(DATA)를 아날로그 전압 값에 해당하는 데이터 전압(VDATAi)으로 변환하여 해당 서브픽셀로 공급할 수 있다. 전술한 바와 같이, 아날로그 디지털 컨버터(210)를 이용하면, 보상기(230)가 각 서브픽셀의 특성치를 디지털 레벨에서 효과적으로 파악할 수 있다. 본 발명은 아날로그 디지털 컨버터(210)를 데이터 드라이버(120)의 내부에 구현함으로써, 서브픽셀 특성치의 센싱 구성을 별도로 유기발광표시패널(110) 또는 인쇄회로기판에 구성하지 않아도 되는 이점이 있다.A digital-to-analog converter (DAC) 240 of the source driver integrated circuit converts the image data DATA received from the timing controller 140 into a data voltage VDATAi corresponding to an analog voltage value, and converts the corresponding sub-pixel can be supplied with As described above, when the analog-to-digital converter 210 is used, the compensator 230 can effectively grasp the characteristic value of each sub-pixel at the digital level. According to the present invention, since the analog-to-digital converter 210 is implemented inside the data driver 120 , it is not necessary to separately configure the sub-pixel characteristic sensing configuration on the organic light emitting display panel 110 or the printed circuit board.

구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 보상에 대하여 도 16을 참조하여 간략하게 설명한다.The mobility compensation of the driving transistor DRT will be briefly described with reference to FIG. 16 .

도 16을 참조하면, 전류능력 특성에 해당하는 이동도(Mobility)를 센싱하기 위하여, 유기발광 표시장치(100)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 데이터 전압(VDATAi)을 인가해주고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 기준전압(VREF)을 인가해줌으로써, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2)를 초기화시켜준다. 이때, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 인가되는 데이터전압 (VDATAi)은 이동도 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs)일 수 있다.Referring to FIG. 16 , in order to sense mobility corresponding to the current capability characteristic, the organic light emitting diode display 100 applies a data voltage VDATAi to the first node N1 of the driving transistor DRT. and the reference voltage VREF to the second node N2 of the driving transistor DRT to initialize the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT. In this case, the data voltage VDATAi applied to the first node N1 of the driving transistor DRT may be the data voltage VDATAs for mobility sensing.

유기발광 표시장치(100)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2)를 초기화시켜 전류 도통을 위한 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트-소스 간 전압을 셋팅한 후, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2)를 모두 플로팅(Floating)시켜준다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)에 흐르는 전류에 의해 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 각각의 전압이 상승하게 된다. 이렇게, 전압 상승이 이루어지는 동안, 구동 트랜지스터(DRT) 및 제2트랜지스터(SENT)를 경유하여 센싱 라인(SL)으로 일정한 크기의 전류가 흐르게 되고, 이에 따라, 센싱 라인(SL) 상의 라인 캐패시터(Cline)가 충전된다. 라인 캐패시터(Cline)의 충전 속도는 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력, 즉 이동도에 따라 달라질 수 있다. The organic light emitting diode display 100 initializes the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT to set a gate-source voltage of the driving transistor DRT for current conduction. , floats both the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT. Accordingly, the voltage of each of the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT is increased by the current flowing through the driving transistor DRT. In this way, while the voltage rises, a current of a certain amount flows to the sensing line SL via the driving transistor DRT and the second transistor SENT, and accordingly, the line capacitor Cline on the sensing line SL. ) is charged. The charging rate of the line capacitor Cline may vary depending on the current capability of the driving transistor DRT, ie, mobility.

라인 캐패시터(Cline)가 충전되고 있는 동안 스위치(SW)에 의해 센싱 라인(SL)과 아날로그 디지털 컨버터(210)가 연결된다. 이때, 아날로그 디지털 컨버터(210)는, 센싱 라인(SL)의 전압, 즉, 라인 캐패시터(Cline)에 충전된 전압을 센싱한다. 보상기(230)는 아날로그 디지털 컨버터(210)로부터 입력되는 센싱 전압(Vsen)을 토대로, 구동 트랜지스터(DRT)의 전류능력(즉, 이동도)을 상대적으로 파악할 수 있고, 이를 통해 이동도 보상을 위한 보정 게인(Gain)을 구해낼 수 있다.While the line capacitor Cline is being charged, the sensing line SL and the analog-to-digital converter 210 are connected by the switch SW. At this time, the analog-to-digital converter 210 senses the voltage of the sensing line SL, that is, the voltage charged in the line capacitor Cline. The compensator 230 can relatively grasp the current capability (ie, mobility) of the driving transistor DRT based on the sensing voltage Vsen input from the analog-to-digital converter 210 , and through this, A correction gain can be obtained.

전술한 이동도 센싱은 미리 정해진 타이밍에 진행될 수 있다. 일 예로, 이동도 센싱은 화면 구동 시 일정 시간(예: 블랭크 타임 구간)을 할애하여 실시간으로 진행될 수 있다. 여기서, 블랭크 타임은 영상 데이터의 기입이 중지되는 시간이다.The aforementioned mobility sensing may be performed at a predetermined timing. For example, the mobility sensing may be performed in real time by allocating a predetermined time (eg, a blank time period) when the screen is driven. Here, the blank time is a time at which writing of image data is stopped.

도 17은 본 실시예들에 따른 구동 트랜지스터(DRT)의 특성 보상 개념을 설명하기 위한 도면으로서, 2개의 서브픽셀에 포함된 2개의 구동 트랜지스터(DRT 1, DRT 2)의 특성치 편차에 따른 Vgs에 대한 Ids의 그래프(410)와, 2개의 구동 트랜지스터(DRT 1, DRT 2)의 문턱전압 편차를 보상한 이후 Vgs에 대한 Ids의 그래프(420)와, 2개의 구동 트랜지스터(DRT 1, DRT 2)의 문턱전압 편차 및 이동도 편차를 모두 보상 한 이후 Vgs에 대한 Ids의 그래프(430)를 나타낸 도면이다.FIG. 17 is a diagram for explaining the concept of compensation for characteristics of the driving transistors DRT according to the present exemplary embodiments. A graph 410 of Ids for Vgs after compensating for the threshold voltage deviation of the two driving transistors DRT 1 and DRT 2 , a graph 420 of Ids for Vgs, and two driving transistors DRT 1 and DRT 2 It is a diagram showing a graph 430 of Ids versus Vgs after compensating for both the threshold voltage deviation and the mobility deviation of .

도 17에서 문턱전압 편차 및 이동도 편차를 보상하기 이전의 그래프(410)를 참조하면, 2개의 구동 트랜지스터(DRT 1, DRT 2) 간의 문턱전압 편차 및 이동도 편차로 인해, 2개의 서브픽셀에서의 유기발광다이오드(OLED)로 구동전류가 흐르는 시점과 전류량이 달라질 수 있다. 이에 따라, 2개의 서브픽셀에서의 휘도 편차가 발생하여 화상 품질이 저하될 수 있다.Referring to the graph 410 before compensating for the threshold voltage deviation and mobility deviation in FIG. 17 , due to the threshold voltage deviation and mobility deviation between the two driving transistors DRT 1 and DRT 2 , the two sub-pixels The timing at which the driving current flows through the organic light emitting diode (OLED) and the amount of current may vary. Accordingly, a luminance deviation in the two sub-pixels may occur, and image quality may be deteriorated.

도 17에서 문턱전압 편차만을 보상한 이후의 그래프(420)를 참조하면, 2개의 구동 트랜지스터(DRT 1, DRT 2) 간의 문턱전압 편차가 보상되더라도 2개의 구동 트랜지스터(DRT 1, DRT 2) 간의 전류 능력 차이, 즉, 이동도 편차는 여전히 존재한다. 이동도 편차에 의해, 2개의 서브픽셀에서의 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 구동 전류의 전류량이 다를 수 있다. 이에 따라, 2개의 서브픽셀에서의 휘도 편차가 발생하여 화상 품질이 저하될 수 있다.Referring to the graph 420 after compensating only the threshold voltage deviation in FIG. 17 , even if the threshold voltage deviation between the two driving transistors DRT 1 and DRT 2 is compensated, the current between the two driving transistors DRT 1 and DRT 2 . Capability differences, i.e. mobility variances, still exist. Due to the mobility deviation, the amount of current of the driving current flowing from the two sub-pixels to the organic light emitting diode (OLED) may be different. Accordingly, a luminance deviation in the two sub-pixels may occur, and image quality may be deteriorated.

도 17에서 문턱전압 편차 및 이동도 편차를 모두 보상한 이후의 그래프(430)를 참조하면, 2개의 구동 트랜지스터(DRT 1, DRT 2) 간의 문턱전압 편차와 이동도 편차가 모두 줄어들 수 있다. 이에 따라, 2개의 서브픽셀에서의 휘도 편차가 감소하여 화상 품질이 향상될 수 있다.Referring to the graph 430 after compensating for both the threshold voltage deviation and the mobility deviation in FIG. 17 , both the threshold voltage deviation and the mobility deviation between the two driving transistors DRT 1 and DRT 2 may be reduced. Accordingly, the luminance deviation in the two sub-pixels can be reduced, so that the image quality can be improved.

도 18은 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs)의 성분들과 각각의 전압 범위를 예시적으로 나타낸 도면이다. 도 19는 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 센싱 시간에 따른 센싱 라인(SL)의 전압 변화를 나타낸 도면이다. 도 20 및 도 21은 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 센싱 시간에 따른 센싱 라인(SL)의 전압 변화의 예시도들이다.18 is a diagram exemplarily illustrating components and voltage ranges of data voltages VDATAs for mobility sensing according to the present embodiments. 19 is a diagram illustrating a voltage change of a sensing line SL according to a sensing time during mobility sensing according to the present embodiments. 20 and 21 are exemplary diagrams of a voltage change of the sensing line SL according to a sensing time when the mobility is sensed according to the present embodiments.

도 18을 참조하면, 이동도 센싱 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에는 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs)이 인가되어야 한다. 이를 위해, 데이터 드라이버(120)의 해당 소스 드라이버 집적회로는 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs)을 출력한다. 이동도 센싱 시, 각 소스 드라이버 집적회로는 자신의 출력 전압 범위 이내에서 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs)을 출력할 수 있다. 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs)은 이동도 센싱을 위한 전압 성분(VDATAms)과 문턱전압 보상을 위한 전압 성분(Vth_COMP)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 18 , data voltages VDATAs for sensing should be applied to the first node N1 of the driving transistor DRT during mobility sensing. To this end, the corresponding source driver integrated circuit of the data driver 120 outputs data voltages VDATAs for sensing purposes. During mobility sensing, each source driver integrated circuit may output data voltages VDATAs for sensing within its own output voltage range. The data voltage VDATAs for sensing may include a voltage component VDATAms for mobility sensing and a voltage component Vth_COMP for threshold voltage compensation.

한편, 문턱전압 센싱 및 보상은 이동도 센싱 이전 단계 또는 이동도 센싱 이후 단계에서 이동도 센싱과 별개로 진행될 수 있다. Meanwhile, the threshold voltage sensing and compensation may be performed separately from the mobility sensing in a stage before or after the mobility sensing.

도 19을 참조하면, 유기발광표시패널(110)에서의 해당 서브픽셀에 대하여, 아날로그 디지털 컨버터(210)는 센싱 라인(SL)의 전압을 센싱하여 센싱된 전압 값을 디지털 값으로 변환한다. 이때, 아날로그 디지털 컨버터(210)는 아날로그 전압 값에 대한 디지털 값의 변환 범위(즉, 하한치(DL)와 상한치(UL)로 정의되는 ADC 센싱 범위)를 갖는다. Referring to FIG. 19 , for a corresponding sub-pixel in the organic light emitting display panel 110 , the analog-to-digital converter 210 senses the voltage of the sensing line SL and converts the sensed voltage value into a digital value. In this case, the analog-to-digital converter 210 has a conversion range of a digital value for an analog voltage value (ie, an ADC sensing range defined by a lower limit value DL and an upper limit value UL).

도 19에 도시된 센싱 시간에 대한 센싱 라인(SL)의 전압 변화 그래프에서, 센싱 시간이 증가함에 따라 센싱 라인(SL)의 전압이 상승하는 기울기(k1,k2, k3)는 각 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력에 달라질 수 있다. 가장 큰 기울기(k3)로 센싱 라인(SL)의 전압 상승이 이루어지는 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력(이동도)이 가장 높고, 가장 작은 기울기(k1)로 센싱 라인(SL)의 전압 상승이 이루어지는 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력(이동도)이 가장 낮다.In the voltage change graph of the sensing line SL with respect to the sensing time shown in FIG. 19 , the slopes k1, k2, and k3 at which the voltage of the sensing line SL rises as the sensing time increases are the respective driving transistors DRT. ) may vary depending on the current capability. The current capability (mobility) of the driving transistor DRT in which the voltage of the sensing line SL increases with the largest slope k3 is the highest, and the voltage of the sensing line SL increases with the smallest slope k1. The current capability (mobility) of the driving transistor DRT is the lowest.

일정 시간 동안 센싱 라인(SL)의 전압이 변화한 이후, 실제로 센싱된 전압(Vsen)이 구동 트랜지스터(DRT) 간의 이동도 편차를 제거 또는 줄여주기 위한 타겟 센싱 전압(REF. TARGET)보다 높거나 낮은 경우, 센싱 전압이 타겟 센싱 전압(REF. TARGET)이 되도록 이동도 보상이 수행될 수 있다.After the voltage of the sensing line SL is changed for a predetermined time, the actually sensed voltage Vsen is higher or lower than the target sensing voltage REF. TARGET for removing or reducing the mobility deviation between the driving transistors DRT. In this case, mobility compensation may be performed so that the sensing voltage becomes the target sensing voltage REF. TARGET.

한편, 이동도 보상을 정확하게 해주기 위해서는, 모든 서브픽셀에 대하여 센싱 전압 값의 분포(이동도 분포)가 도 20의 첫 번째 그래프(710)와 같이, ADC 센싱 범위 이내에 포함되어야 한다. 하지만, 이동도(전류 능력)가 낮은 구동 트랜지스터(DRT)를 포함한 서브픽셀들의 경우, 센싱 전압 값의 분포(이동도 분포)가 도 20의 두 번째 그래프(720)와 같이, ADC 센싱 범위를 벗어나 언더 플로우될 수 있다. 이 경우, 잘못된 센싱 결과로 인해 이동도 보상이 왜곡될 수 있다.Meanwhile, in order to accurately compensate for mobility, the distribution (mobility distribution) of sensing voltage values for all sub-pixels should be included within the ADC sensing range as shown in the first graph 710 of FIG. 20 . However, in the case of subpixels including a driving transistor (DRT) having low mobility (current capability), the distribution (mobility distribution) of the sensing voltage is out of the ADC sensing range, as shown in the second graph 720 of FIG. 20 . It can be underflowed. In this case, the mobility compensation may be distorted due to an erroneous sensing result.

구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력이 부족한 상황은 고 해상도 및 고 개구울을 위해 구동 트랜지스터(DRT)의 크기를 작게 설계하는 것에 기인할 수 있다. 따라서, 구동 트랜지스터(DRT)의 크기를 증가시키지 않는 범위에서, 유기발광표시패널(110)에서의 모든 서브픽셀에 대한 이동도 분포를 도 20의 첫 번째 그래프(710)에서와 같은 정상적인 이동도 분포로 보정해줄 수 있는 방안이 필요하다. 이동도 분포를 언더 플로우 상태에서 정상 상태로 보정하기 위해, 도 21의 첫 번째 그래프(810)에서와 같이 센싱 시간을 늘려주는 방법과, 도 21의 두 번째 그래프(820)에서와 같이 전류량을 증가시켜 주는 방법(구동 트랜지스터(DRT)의 바이어스 전압(Vgs)을 높여주는 방법)을 고려해 볼 수 있다.The insufficient current capability of the driving transistor DRT may be caused by designing the driving transistor DRT to have a small size for high resolution and high aperture. Accordingly, in the range in which the size of the driving transistor DRT is not increased, the mobility distribution for all sub-pixels in the organic light emitting display panel 110 is shown as the normal mobility distribution as in the first graph 710 of FIG. 20 . You need a way to correct it. In order to correct the mobility distribution from the underflow state to the normal state, a method of increasing the sensing time as in the first graph 810 of FIG. 21 and increasing the amount of current as in the second graph 820 of FIG. A method (a method of increasing the bias voltage (Vgs) of the driving transistor (DRT)) may be considered.

하지만, 도 21의 첫 번째 그래프(810)에서와 같이 센싱 시간을 늘려 주는 방법은, 이동도 센싱이 화상 구동 중의 아주 짧은 시간 내에서 이뤄져야 한다는 점을 감안할 때, 센싱 가용 시간의 제한으로 유효하지 않다. 또한, 도 21의 두 번째 그래프(820)에서와 같이 전류량을 증가시켜 주는 방법(구동 트랜지스터(DRT)의 바이어스 전압(Vgs)을 높여주는 방법)의 경우, 각 소스 드라이버 집적회로가 보다 높은 데이터 전압(VDATAs)을 출력해야만 하는데, 이는 데이터 드라이버(120)의 소스 드라이버 집적회로의 능력(즉, 출력 전압 범위)을 높여야 하는 것으로서 한계가 있다.However, the method of increasing the sensing time as in the first graph 810 of FIG. 21 is not effective due to the limitation of the available sensing time, considering that mobility sensing must be performed within a very short time during image driving. . Also, in the case of a method of increasing the amount of current (a method of increasing the bias voltage Vgs of the driving transistor DRT) as in the second graph 820 of FIG. 21 , each source driver integrated circuit has a higher data voltage (VDATAs) must be output, which has a limitation in that the capability (ie, output voltage range) of the source driver integrated circuit of the data driver 120 must be increased.

따라서, 고 해상도 및 고 개구울을 위해, 구동 트랜지스터(DRT)의 크기가 작고, 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력이 부족할 수밖에 없는 상황에서, 짧은 센싱 시간에 낮은 센싱용 데이터 전압(VDATAs)을 이용하여 이동도 센싱을 정확하게 수행하는 것이 중요하다. 이에, 본 실시예들은, 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력이 부족할 수밖에 없는 상황에서, 짧은 센싱 시간에 낮은 이동도 센싱용 데이터 전압(VDATAs)을 이용하여 이동도 보상을 정확하게 수행할 수 있는 방안을 제공한다.Therefore, in a situation where the size of the driving transistor DRT is small and the current capability of the driving transistor DRT is insufficient for high resolution and high aperture, a low sensing data voltage VDATAs is used for a short sensing time. Therefore, it is important to accurately perform mobility sensing. Accordingly, the present embodiments provide a method for accurately performing mobility compensation using low mobility sensing data voltages VDATAs in a short sensing time in a situation in which the current capability of the driving transistor DRT is insufficient. to provide.

본 실시예들에서, 유기발광표시패널(110)에 배치된 다수의 센싱 라인은 1개의 서브픽셀 열(Sub Pixel Column)마다 각각 배치될 수도 있고, 2개 이상의 서브픽셀 열마다 각각 배치될 수도 있다. 다시 말해, 1개의 서브픽셀 열마다 1개의 센싱 라인(SL)이 배치될 수도 있고, 2개 이상의 서브픽셀 열마다 1개의 센싱 라인(SL)이 배치될 수도 있다. 만약, 2개 이상의 서브픽셀 열마다 1개의 센싱 라인(SL)이 배치되는 경우, 센싱 라인 배치 단위를 K(K≥2)라고 할 때, 다수의 센싱 라인은 K개의 서브픽셀 열마다 각각 배치된다고 할 수 있다.In the present exemplary embodiments, the plurality of sensing lines disposed on the organic light emitting display panel 110 may be respectively disposed in one sub-pixel column or in each of two or more sub-pixel columns. . In other words, one sensing line SL may be disposed in one subpixel column, or one sensing line SL may be disposed in two or more subpixel columns. If one sensing line SL is disposed in every two or more sub-pixel columns, a plurality of sensing lines are respectively disposed in each of K sub-pixel columns, assuming that a sensing line arrangement unit is K (K ≥ 2). can do.

도 22는 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에서의 센싱 라인배치의 예시도로서, 도 14에 도시된 바와 같이 유기발광표시패널(110)에 4M개의 서브픽셀 열이 존재할 때, 4개의 서브픽셀 열마다 1개의 센싱 라인이 배치된 경우이다. 다시 말해, 도 22는 센싱 라인 배치 단위인 K가 4인 경우로서, M(=4M/K=4M/4=M)개의 센싱 라인(SL #1, SL #2, ... , SL #M)이 4개의 서브픽셀 열마다 각각 배치되는 경우를 도시한 배치도이다. 이와 같이, M개의 센싱 라인(SL #1, SL #2, ... , SL #M)이 4개의 서브픽셀 열마다 각각 배치되는 경우, M개의 센싱 라인(SL #1, SL #2, ... , SL #M) 각각은 1개의 픽셀(P)이 4개의 서브픽셀(SP)로 구성된 픽셀 구조 하에서 1개의 픽셀 열마다 각각 배치되는 것으로 볼 수 있다. 이때, 1개의 서브픽셀 행(Sub Pixel Row)에서 볼 때, 1개의 센싱 라인은 4개의 서브픽셀과 공통으로 연결된다. 예를 들어, 센싱 라인 SL #2는, j=N인 서브픽셀 행에서, i=5인 서브픽셀(SP #5), i=6인 서브픽셀(SP #6), i=7인 서브픽셀(SP #7) 및 i=8인 서브픽셀(SP #8)과 공통으로 연결된다.22 is an exemplary diagram of the arrangement of sensing lines in the organic light emitting display panel 110 according to the present embodiments. As shown in FIG. 14 , when 4M sub-pixel columns exist in the organic light emitting display panel 110, This is a case in which one sensing line is disposed for every four subpixel columns. In other words, FIG. 22 shows a case where K, which is a sensing line arrangement unit, is 4, and M (=4M/K=4M/4=M) sensing lines SL #1, SL #2, ... , SL #M ) is a layout diagram illustrating a case where each of the four sub-pixel columns is disposed. As such, when the M sensing lines SL #1, SL #2, ... , SL #M are respectively disposed in each of the four subpixel columns, the M sensing lines SL #1, SL #2, . Each of .. , SL #M) can be viewed as being arranged in each column of one pixel under a pixel structure in which one pixel P is composed of four sub-pixels SP. At this time, when viewed from one sub-pixel row (Sub Pixel Row), one sensing line is commonly connected to four sub-pixels. For example, the sensing line SL #2 is, in a subpixel row with j=N, a subpixel with i=5 (SP #5), a subpixel with i=6 (SP #6), and a subpixel with i=7 (SP #7) and the sub-pixel (SP #8) with i=8 are commonly connected.

아래에서는, K=4인 것으로 가정하여, 즉, M개의 센싱 라인(SL #1,SL #2, ... , SL #M)이 4개의 서브픽셀 열마다 각각 배치되는 것으로 가정하여, 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 방법을 설명한다. In the following, it is assumed that K=4, that is, M sensing lines SL #1, SL #2, ..., SL #M are respectively arranged in each of the four sub-pixel columns. A mobility sensing method according to examples will be described.

도 23a는 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 임의의 1개의 센싱라인(SL #m, m=1, 2, ... , M)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R(SP #4m-3),W(SP #4m-2), G(SP #4m-1), B(SP #4m)) 중 1개의 서브픽셀만을 센싱하는 방식을 나타낸 도면이다. 여기서, 하나의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 K개의 서브픽셀(예컨대, R, W, G, B)은 1개의 픽셀을 구성할 수 있다.23A is a diagram illustrating four sub-pixels R (SP # 4m-3), W (SP #4m-2), G (SP #4m-1), B (SP #4m)) is a diagram showing a method of sensing only one sub-pixel. Here, K sub-pixels (eg, R, W, G, B) commonly connected to one sensing line SL #m may constitute one pixel.

임의의 1개의 센싱 라인(SL #m, m=1, 2, ... , M)은 4개의 서브픽셀(R(SP #4m-3), W(SP #4m-2), G(SP #4m-1), B(SP #4m))과 공통으로 연결된다. 더 구체적으로는, 임의의 1개의 센싱 라인(SL #m, m=1, 2, ... , M)은 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 각각에서의 제2트랜지스터(SENT)와 센싱 노드(Ns)에서 공통으로 연결된다. 이동도 센싱 시, 임의의 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R(SP #4m-3), W(SP #4m-2), G(SP #4m-1), B(SP #4m)) 중 1개의 서브픽셀만이 센싱될 수 있다.Any 1 sensing line (SL #m, m=1, 2, ... , M) has 4 subpixels (R(SP #4m-3), W(SP #4m-2), G(SP) #4m-1) and B (SP #4m)) are commonly connected. More specifically, any one sensing line SL #m, m=1, 2, ... , M is connected to the second transistor SENT in each of the four sub-pixels R, W, G, B. ) and the sensing node (Ns) are commonly connected. For mobility sensing, 4 subpixels (R(SP #4m-3), W(SP #4m-2), G(SP #4m-1) commonly connected to any one sensing line (SL #m) ) and B (SP #4m)), only one subpixel can be sensed.

도 23a는 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R(SP #4m-3), W(SP #4m-2), G(SP #4m-1), B(SP #4m)) 중 W 서브픽셀 만이 이동도 센싱 구동이 이루어지는 것을 예시적으로 나타낸 도면이다. 이 경우, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R(SP #4m-3), W(SP #4m-2), G(SP #4m-1), B(SP #4m)) 중 W 서브픽셀의 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에만 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_W)이 인가된다. 그리고, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R(SP #4m-3), W(SP #4m-2), G(SP #4m-1), B(SP #4m)) 중 이동도 센싱 구동이 이루어지지 않는 R 서브픽셀, G 서브픽셀 및 B 서브픽셀 각각의 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)로는 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs)이 아닌 블랙 데이터 전압(VDATA_BLACK)이 인가된다. 여기서, 블랙데이터 전압(VDATA_BLACK)은 구동 트랜지스터(DRT)를 오프 시킬 수 있는 전압이다. 블랙데이터 전압(VDATA_BLACK)은 블랙데이터 전압(VDATA_BLACK)에서 기준전압(VREF)을 뺀 값이 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압보다 같거나 작게 되도록 미리 정의된 전압값이다. 일 예로, 블랙데이터 전압(VDATA_BLACK)은 0V 전압값을 갖거나 경우에 따라서는 0V보다 낮은 전압값(예: -0.5V, -1V 등) 또는 OV보다 높은 전압값(예: 0.5V, 1V 등)을 가질 수도 있다. 23A shows four sub-pixels R (SP #4m-3), W (SP #4m-2), G (SP #4m-1), B ( SP #4m)) is a diagram exemplarily showing that the mobility sensing driving is performed only for the W sub-pixel. In this case, 4 subpixels (R(SP #4m-3), W(SP #4m-2), G(SP #4m-1), B( SP #4m)), the data voltage VDATAs_W for sensing is applied only to the first node N1 of the driving transistor DRT of the W sub-pixel. And, 4 sub-pixels (R(SP #4m-3), W(SP #4m-2), G(SP #4m-1), B(SP) commonly connected to one sensing line (SL #m) #4m)), the first node N1 of the driving transistor DRT of each of the R subpixel, G subpixel, and B subpixel in which mobility sensing driving is not performed is black, not the data voltage VDATAs for sensing purposes. A data voltage VDATA_BLACK is applied. Here, the black data voltage VDATA_BLACK is a voltage capable of turning off the driving transistor DRT. The black data voltage VDATA_BLACK is a voltage value predefined so that a value obtained by subtracting the reference voltage VREF from the black data voltage VDATA_BLACK is equal to or smaller than the threshold voltage of the driving transistor DRT. For example, the black data voltage VDATA_BLACK has a voltage value of 0V, or in some cases a voltage value lower than 0V (eg, -0.5V, -1V, etc.) or a voltage value higher than OV (eg, 0.5V, 1V, etc.) ) may have

도 23a에서, 이동도 센싱을 위해 센싱 라인(SL #m)으로 흐르는 총 전류 (Ids_Total)는 이동도 센싱이 이루어지는 W 서브픽셀에서 흐르는 전류(Ids_W)와 동일하다. 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B)중에서 동시에 이동도 센싱이 진행되는 서브픽셀 개수를 S라고 할 때, 도 23a는 S=1인 경우이다.In FIG. 23A , the total current Ids_Total flowing to the sensing line SL #m for mobility sensing is the same as the current Ids_W flowing in the W subpixel for mobility sensing. When the number of subpixels simultaneously performing mobility sensing among the four subpixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m is S, FIG. 23A shows that S=1. is the case

도 23b는 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R(SP #4m-3), W(SP #4m-2), G(SP #4m-1), B(SP #4m)) 중 1개의 서브픽셀만을 센싱하는 경우, 이동도 센싱 단계에서 센싱값과 보상값을 예시적으로 도시한 도면이다.23B shows four subpixels R (SP #4m-3), W (SP #4m-2), G (SP #4m-1), B ( In the case of sensing only one sub-pixel among SP #4m)), it is a diagram exemplarily showing a sensing value and a compensation value in the mobility sensing step.

도 23b를 참조하면 R, G, B, W 서브픽셀들 각각의 이동도 특성이 1, 1.1, 0.9, 1.2라고 할 때 최초 이동도 센싱 단계에서 이동도 보상값은 동일한 값인 1을 인가하게 된다. 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R(SP #4m-3), W(SP #4m-2), G(SP #4m-1), B(SP #4m)) 중 1개의 서브픽셀만을 센싱하는 경우 이동도 센싱용 데이터 전압으로 9V를 해당 서브픽셀에 인가하면 4번의 구동트랜지스터 특성치를 측정하는 동안 R, G, B, W 서브픽셀들 각각의 센싱된 전압이 9V, 8V, 9V, 10V라고 할 때 R, G, B, W 서브픽셀들 각각의 이동도 센싱값은 1, 1.1, 0.9, 1.2가 된다. 신규 이동도 보상값은 이동도 센싱값의 역수의 루트인 것으로 가정할 때 R, G, B, W 서브픽셀들 각각의 신규 이동도 보상값은 1, 0.95, 1.05, 0.91이 된다.Referring to FIG. 23B , when the mobility characteristics of each of the R, G, B, and W subpixels are 1, 1.1, 0.9, and 1.2, the same value of 1 as the mobility compensation value is applied in the first mobility sensing step. 4 subpixels (R(SP #4m-3), W(SP #4m-2), G(SP #4m-1), B(SP #4m) commonly connected to one sensing line (SL #m) )), when 9V is applied to the corresponding subpixel as the data voltage for mobility sensing, the sensed voltage of each of the R, G, B, and W subpixels while measuring the characteristic values of the driving transistor 4 times When the values are 9V, 8V, 9V, and 10V, the respective mobility sensing values of the R, G, B, and W subpixels are 1, 1.1, 0.9, and 1.2. Assuming that the new mobility compensation value is the root of the reciprocal of the mobility sensing value, the new mobility compensation values of each of the R, G, B, and W subpixels are 1, 0.95, 1.05, and 0.91.

다음 번의 이동도 센싱 단계에서, R, G, B, W 서브픽셀들 각각의 이동도 보상값은 이전 회차의 이동도 센싱 단계에서 계산된 1, 0.95, 1.05, 0.91이 된다. 전술한 바와 동일하게 4번의 구동트랜지스터 특성치를 측정하는 동안 R, G, B, W 서브픽셀들 각각의 센싱된 전압이 9V, 7.6V, 9.45V, 9.1V라고 할 때 R, G, B, W 서브픽셀들 각각의 이동도 센싱값은 1, 1, 1, 1이 된다. R, G, B, W 서브픽셀들 각각의 신규 이동도 보상값은 1, 0.95, 1.05, 0.91이 된다.In the next mobility sensing step, the respective mobility compensation values of the R, G, B, and W subpixels become 1, 0.95, 1.05, and 0.91 calculated in the previous mobility sensing step. When the sensed voltage of each of the R, G, B, and W sub-pixels is 9V, 7.6V, 9.45V, and 9.1V while measuring the driving transistor characteristic values in the same manner as described above, R, G, B, W Mobility sensing values of each of the sub-pixels are 1, 1, 1, and 1. The new mobility compensation values of each of the R, G, B, and W subpixels are 1, 0.95, 1.05, and 0.91.

전술한 바와 같이, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 1개의 서브픽셀만을 센싱하는 경우, 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력(이동도)이 부족한 경우, 센싱 라인(SL #m)으로 흐르는 총 전류(Ids_Total)의 전류량이 부족하여 이동도 센싱 및 보상이 정확하게 수행되지 못할 수 있다.As described above, when sensing only one sub-pixel among the four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m, the driving transistor DRT in each sub-pixel If the current capability (mobility) of ' is insufficient, the current amount of the total current (Ids_Total) flowing through the sensing line SL #m is insufficient, and thus mobility sensing and compensation may not be accurately performed.

또한, 예를 들어 유기발광 표시장치(100)가 RWGB 픽셀 구조이고 3840×2160 해상도를 가지며 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 1개의 서브픽셀만을 센싱하는 경우, 1개의 서브픽셀만 센싱하는 데 0.1ms가 소요된다고 가정할 때 이동도 센싱에 총 0.1ms×2160×4 = 0.864s가 필요하다. 센싱 라인을 통해 센싱된 전압의 상승 속도는 센싱 라인의 캐패시턴스와 구동 트랜지스터의 전류로 결정된다(Q = CV 및 Q = It). 1920x1080 해상도를 갖는 유기발광 표시장치와 비교하면, 3840×2160 고해상도를 갖는 유기발광 표시장치(100)는 기생 캐패시턴스를 만드는 센싱 라인의 교차부의 개수가 2배가 되고, 픽셀 면적에 비례하는 구동 트랜지스터의 전류 구동 능력이 1/4정도이므로 센싱 라인을 통해 센싱된 전압의 상승 속도는 1/8정도가 될 수 있다. In addition, for example, the organic light emitting display device 100 has a RWGB pixel structure, has a resolution of 3840×2160, and among four sub-pixels R, W, G, B commonly connected to one sensing line SL #m. In the case of sensing only one subpixel, assuming that it takes 0.1ms to sense only one subpixel, a total of 0.1ms×2160×4 = 0.864s is required for mobility sensing. The rising rate of the voltage sensed through the sensing line is determined by the capacitance of the sensing line and the current of the driving transistor (Q = CV and Q = It). Compared with the organic light emitting diode display having a resolution of 1920x1080, the organic light emitting display 100 having a high resolution of 3840x2160 doubles the number of intersections of sensing lines that create parasitic capacitance, and the current of the driving transistor is proportional to the pixel area. Since the driving ability is about 1/4, the rising speed of the voltage sensed through the sensing line may be about 1/8.

결국 고해상도를 갖는 유기발광 표시장치(100)에서는 전류 구동 능력이 낮으므로 1개의 서브픽셀만 센싱하는 방식을 채택하기 어렵다. 짧은 센싱 시간 내에서 낮은 센싱용 데이터 전압(VDATAs)을 이용하여 이동도 센싱을 정확하게 수행하기 위해서는, 적어도 2개 이상의 서브픽셀을 동시에 센싱하는 방식을 고려해야 한다.As a result, since the high-resolution organic light emitting diode display 100 has low current driving capability, it is difficult to adopt a method of sensing only one sub-pixel. In order to accurately perform mobility sensing using low sensing data voltages (VDATAs) within a short sensing time, it is necessary to consider a method of simultaneously sensing at least two or more subpixels.

따라서, 본 실시예들에 따른 유기발광 표시장치(100)는, 도 24 내지 도 26에 도시된 바와 같이, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 2개 이상의 서브픽셀을 동시에 센싱할 수 있다. 즉, 동시에 이동도 센싱이 진행되는 서브픽셀 개수 S는 2 이상이고 K이하일 수 있다(2 ≤S≤K).Accordingly, in the organic light emitting diode display 100 according to the present embodiments, as shown in FIGS. 24 to 26 , four subpixels R, W, and Two or more sub-pixels among G and B) can be sensed simultaneously. That is, the number of subpixels S for which mobility sensing is simultaneously performed may be 2 or more and K or less (2 ≤ S ≤ K).

도 24은 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 2개의 서브픽셀(W, G)을 동시에 센싱하는 방식을 나타낸 도면이다(K=4, S=2). 도 25는 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W,G, B) 중 3개의 서브픽셀(R, W, G)을 동시에 센싱하는 방식을 나타낸 도면이다(K=4, S=3). 도 26은 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL # m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 4개의 서브픽셀(R, W, G, B)을 동시에 센싱하는 방식을 나타낸 도면이다(K=4, S=4).24 is a diagram illustrating two sub-pixels (W, G) among four sub-pixels (R, W, G, and B) commonly connected to one sensing line (SL #m) during mobility sensing according to the present embodiments. It is a diagram showing a method of simultaneously sensing (K=4, S=2). 25 is a diagram illustrating three sub-pixels R, W, and four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m during mobility sensing according to the present embodiments. G) is a diagram showing a method of simultaneously sensing (K=4, S=3). 26 is a diagram illustrating four sub-pixels R, W, and four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL # m during mobility sensing according to the present embodiments. It is a diagram showing a method of simultaneously sensing G and B) (K=4, S=4).

도 24 내지 도 26에서, S개의 서브픽셀(도 24의 경우, 2개의 서브픽셀(G, B), 도 25의 경우, 3개의 서브픽셀(R, G, B), 도 26의 경우, 4개의 서브픽셀(R, W, G, B))은 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 K개의 서브픽셀 중에서 동시에서 센싱되는 서브픽셀로서 선택된 서브픽셀이다.24 to 26, S sub-pixels (two sub-pixels (G, B) in the case of FIG. 24, 3 sub-pixels (R, G, B) in the case of FIG. 25, 4 in the case of FIG. The sub-pixels R, W, G, and B are selected as sub-pixels sensed simultaneously from among K sub-pixels commonly connected to the sensing line SL #m.

도 24 내지 도 26을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광 표시장치(100)에서, 구동 트랜지스터 특성치를 센싱하는 동안, 하나의 서브픽셀 행에서 각 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 K(K=4)개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 S(2≤S≤K, K=4인 경우, S=2 또는 3 또는 4)개의 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터(DRT)는 블랙 데이터 전압(VDATA_BLACK)이 아닌 센싱용 데이터 전압(VDATAs)을 제1노드(N1)로 동시에 인가 받을 수 있다.24 to 26 , in the organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiments, while sensing the driving transistor characteristic, one subpixel row is commonly connected to each sensing line SL #m. Driving transistors ( DRT) may receive the data voltage VDATAs for sensing, not the black data voltage VDATA_BLACK, to the first node N1 at the same time.

이를 위해, 데이터 드라이버(120)는, 구동 트랜지스터 특성치를 센싱하는 동안, 각 센싱 라인(SL #m)과 공통으로 연결된 K(예: K=4)개의 서브픽셀(예: R, W, G, B) 중 S(2≤S≤K, 예: K=4인 경우, S=2 또는 3 또는 4)개의 서브픽셀 각각에 연결된 데이터 라인으로 센싱용 데이터 전압을 출력할 수 있다.To this end, the data driver 120 includes K (eg, K=4) sub-pixels (eg, R, W, G, In B), a data voltage for sensing may be output to a data line connected to each of S (2≤S≤K, eg, S=2 or 3 or 4) subpixels when K=4.

데이터 드라이버(120)는, S(2≤S≤K, 예: K=4인 경우, S=2 또는 3 또는 4)개의 서브픽셀 각각에 연결된 데이터 라인으로 센싱용 데이터 전압을 출력하는 동안, K-S개의 서브픽셀 각각에 연결된 데이터 라인으로 비센싱용 데이터 전압으로서 미리 정의된 블랙 데이터 전압을 출력할 수 있다. 다시 말해, 데이터 드라이버(120)는, 구동 트랜지스터 특성치를 센싱하는 동안, 하나의 센싱 라인(SL #m)과 대응되는 K개의 데이터 라인 중에서 S개의 데이터 라인으로 센싱용 데이터 전압을 출력할 수 있고, K개의 데이터 라인 중에서 S개의 데이터 라인을 제외한 K-S개의 데이터라인으로 블랙 데이터 전압을 출력할 수 있다. 여기서, S개의 데이터 라인과 연결된 S개의 서브픽셀은 K개의 서브픽셀 중에서 동시에 센싱되는 서브픽셀로서 선택된 것이다.The data driver 120 outputs a sensing data voltage to a data line connected to each of S (2≤S≤K, for example, S=2 or 3 or 4, when K=4) subpixels, K-S A black data voltage predefined as a data voltage for non-sensing may be output to a data line connected to each of the sub-pixels. In other words, the data driver 120 may output a sensing data voltage to S data lines among K data lines corresponding to one sensing line SL #m while sensing the driving transistor characteristic value, A black data voltage may be output to K-S data lines excluding the S data lines among the K data lines. Here, the S subpixels connected to the S data lines are selected as subpixels sensed simultaneously from among the K subpixels.

이러한 센싱 대상이 되는 서브픽셀의 선택은 타이밍 컨트롤러(140)에 의해 이루어질 수 있다. 타이밍 컨트롤러(140)는 하나의 센싱 라인과 공통으로 연결된 K개의 서브픽셀 중 동시에 센싱 하고자 하는 S개의 서브픽셀을 선택하고, 선택된 S개의 서브픽셀에 센싱용 데이터 전압이 공급될 수 있도록, 선택된 S개의 서브픽셀에 해당하는 데이터를 센싱용 데이터로 만들어 데이터 드라이버(120)로 제공한다. 또한, 타이밍 컨트롤러(140)는, 하나의 센싱 라인과 공통으로 연결된 K개의 서브픽셀 중에서 센싱 대상이 아닌 K-S개의 서브픽셀로는 미 센싱용 데이터 전압이 공급될 수 있도록, K-S개의 서브픽셀에 해당하는 데이터를 블랙 데이터로 만들어 데이터 드라이버(120)로 제공한다.The selection of the sub-pixel to be the sensing target may be made by the timing controller 140 . The timing controller 140 selects S sub-pixels to be sensed simultaneously from among K sub-pixels commonly connected to one sensing line, and selects S selected S sub-pixels so that a sensing data voltage can be supplied to the selected S sub-pixels. The data corresponding to the sub-pixel is created as data for sensing and provided to the data driver 120 . In addition, the timing controller 140 is configured to provide a data voltage for non-sensing to the K-S sub-pixels that are not to be sensed among the K sub-pixels commonly connected to one sensing line, corresponding to the K-S sub-pixels. The data is converted to black data and provided to the data driver 120 .

여기서, 센싱용 데이터 전압(VDATAs)은 이동도 센싱 용도의 데이터전압 또는 문턱전압 센싱 용도의 데이터 전압일 수 있다. 다만, 아래에서는, 설명의 편의를 위해, 센싱용 데이터 전압(VDATAs)을 이동도 센싱 용도의 데이터 전압이라고 가정한다.Here, the sensing data voltage VDATAs may be a data voltage for mobility sensing or a data voltage for threshold voltage sensing. However, hereinafter, for convenience of description, it is assumed that the sensing data voltages VDATAs are the data voltages for mobility sensing.

한편, S개의 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)로 센싱용 데이터 전압(VDATAs)이 "동시에" 인가된다는 것과 관련하여, S개의 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)로 센싱용 데이터 전압(VDATAs)이 인가되는 시점이 완전하게 동일할 수도 있지만, 실질적으로는, 약간의 인가 시점의 차이가 발생할 수도 있다. 이와 관련하여, S개의 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)로 센싱용 데이터 전압(VDATAs)이 "동시에" 인가된다는 것은, 아날로그 디지털 컨버터(210)의 1차례의 전압 센싱 처리를 위한 1차례의 센싱 구동 구간에서, S개의 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)로 센싱용 데이터 전압(VDATAs)이 함께 인가된다는 것을 의미할 수도 있다.Meanwhile, in relation to that the sensing data voltages VDATAs are “simultaneously” applied to the first node N1 of the driving transistor DRT in each of the S subpixels, the driving transistor DRT in each of the S subpixels ) at which the sensing data voltages VDATAs are applied to the first node N1 may be completely the same, but in reality, a slight difference in application timing may occur. In this regard, the application of the sensing data voltages VDATAs “simultaneously” to the first node N1 of the driving transistor DRT in each of the S sub-pixels means that the analog-to-digital converter 210 is one time voltage. It may mean that the sensing data voltages VDATAs are applied together to the first node N1 of the driving transistor DRT in each of the S subpixels in one sensing driving period for sensing processing.

도 24를 참조하면, S=2인 경우, W 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에는 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_W)이 인가되고, 이와 동시에 G 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에도 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_G)이 인가된다.Referring to FIG. 24 , when S=2, the data voltage VDATAs_W for sensing is applied to the first node N1 of the driving transistor DRT in the W subpixel, and at the same time driving in the G subpixel The data voltage VDATAs_G for sensing is also applied to the first node N1 of the transistor DRT.

이 경우, 센싱 라인(SL #m)으로 흐르는 총 전류(Ids_Total)의 전류량은 W 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류(Ids_W)와 G 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류(Ids_G)의 전류량 합과 같다. 따라서, W 서브픽셀 및 G 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력(이동도)은 센싱 라인(SL #m)으로 흐르는 총 전류(Ids_Total)의 전류량의 1/2로 보면 된다. 결과적으로 이동도 센싱 시간을 1 서브픽셀씩 센싱할 때의 1/2로 단축할 수 있다. 즉, W 서브픽셀 및 G 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력(이동도)은 센싱 라인(SL #m)의 센싱 전압(Vsen)을 토대로 파악된 전류능력(이동도)의 절반에 해당하며, 이에 맞게 이동도 보상을 위한 게인을 결정할 수 있다.In this case, the amount of the total current Ids_Total flowing to the sensing line SL #m is the current Ids_W flowing through the driving transistor DRT in the W subpixel and the driving transistor DRT in the G subpixel. It is equal to the sum of the currents of the flowing currents Ids_G. Accordingly, the current capability (mobility) of the driving transistor DRT in each of the W subpixel and the G subpixel is considered to be 1/2 of the current amount of the total current Ids_Total flowing through the sensing line SL #m. As a result, the mobility sensing time can be shortened to 1/2 of that of sensing one subpixel at a time. That is, the current capability (mobility) of the driving transistor DRT in each of the W subpixel and the G subpixel is half of the current capability (mobility) determined based on the sensing voltage Vsen of the sensing line SL #m. , and a gain for compensating for mobility may be determined accordingly.

도 24에 도시된 바와 같이, 2개의 서브픽셀을 동시에 센싱하면, 1개의 서브픽셀만을 센싱할 때에 생겼던 전류량 부족 현상과, 전류 부족에 따른 이동도 센싱 및 보상이 왜곡되는 문제점들을 해결할 수 있다.As shown in FIG. 24 , when two sub-pixels are simultaneously sensed, it is possible to solve problems of insufficient current that occurs when only one sub-pixel is sensed, and distortion of mobility sensing and compensation due to insufficient current.

도 25를 참조하면, S=3인 경우, R 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에는 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_R)이 인가되고, W 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에도 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_W)이 인가되고, G 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에도 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_G)이 인가된다. B 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에는 블랙 데이터 전압(VDATA_BLACK)이 인가된다.Referring to FIG. 25 , when S=3, the data voltage VDATAs_R for sensing is applied to the first node N1 of the driving transistor DRT in the R subpixel, and the driving transistor (VDATAs_R) in the W subpixel The data voltage VDATAs_W for sensing is also applied to the first node N1 of the DRT, and the data voltage VDATAs_G for sensing is also applied to the first node N1 of the driving transistor DRT in the G subpixel. do. A black data voltage VDATA_BLACK is applied to the first node N1 of the driving transistor DRT in the B subpixel.

이 경우, 센싱 라인(SL #m)으로 흐르는 총 전류(Ids_Total)의 전류량은 R 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류(Ids_R)와 W 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류(Ids_W)와 G 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류(Ids_G)의 전류량 합과 같다. 따라서, R 서브픽셀, W 서브픽셀 및 G 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력(이동도)은 센싱 라인(SL #m)으로 흐르는 총 전류(Ids_Total)의 전류량의 1/3로 보면 된다. 결과적으로 이동도 센싱 시간을 1 서브픽셀씩 센싱할 때의 1/3로 단축할 수 있다. 즉, R 서브픽셀, W 서브픽셀 및 G 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력(이동도)은 센싱 라인(SL #m)의 센싱 전압(Vsen)을 토대로 파악된 전류 능력(이동도)의 1/3에 해당하며, 이에 맞게 이동도 보상을 위한 게인을 결정할 수 있다.In this case, the amount of the total current Ids_Total flowing to the sensing line SL #m is the current Ids_R flowing through the driving transistor DRT in the R subpixel and the driving transistor DRT in the W subpixel. It is equal to the sum of the current flowing through the current Ids_W and the current flowing through the driving transistor DRT in the G subpixel Ids_G. Therefore, the current capability (mobility) of the driving transistor DRT in each of the R subpixel, W subpixel and G subpixel is 1/3 of the current amount of the total current Ids_Total flowing into the sensing line SL #m. you can see As a result, the mobility sensing time can be shortened to 1/3 of that of sensing one subpixel at a time. That is, the current capability (mobility) of the driving transistor DRT in each of the R subpixel, W subpixel, and G subpixel is determined based on the sensing voltage Vsen of the sensing line SL #m (movement). It corresponds to 1/3 of the figure), and a gain for mobility compensation can be determined accordingly.

한편 S개의 서브픽셀 각각의 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류가 서로 동일하도록, 해당 구동 트랜지스터의 제1노드(N1)에 인가되는 센싱 용도의 데이터 전압들의 레벨을 제어할 수도 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 구동 능력(전류 능력)은 구동 트랜지스터(DRT)의 채널 폭(W)에 비례하고, 채널 길이(L)에 반비례한다. 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 구동 능력(전류 능력)은 W/L에 의해 결정된다. 따라서, 구동 트랜지스터의 제1노드(N1)에 인가되는 센싱 용도의 데이터 전압들의 크기는 구동 트랜지스터의 크기(W/L)에 의해 결정될 수도 있다.Meanwhile, the level of the sensing data voltages applied to the first node N1 of the corresponding driving transistor may be controlled so that currents flowing through the driving transistors of each of the S subpixels are equal to each other. The current driving capability (current capability) of the driving transistor DRT is proportional to the channel width W of the driving transistor DRT and inversely proportional to the channel length L. That is, the current driving capability (current capability) of the driving transistor DRT is determined by W/L. Accordingly, the size of the data voltages for sensing applied to the first node N1 of the driving transistor may be determined by the size W/L of the driving transistor.

이 경우, R 서브픽셀, W 서브픽셀, G 서브픽셀 및 B 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력(이동도)은 센싱 라인(SL #m)의 센싱 전압(Vsen)을 토대로 파악된 전류 능력(이동도)의 1/3에 해당하며, 이에 맞게 이동도 보상을 위한 게인을 결정할 수 있다. 다만, 3개의 서브픽셀 각각의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류를 하나의 서브픽셀 각각의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류의 1/3이 아니라 m/n(m, n은 0보다 큰 실수)이 되도록 할 수 있다. 또한, 3개의 서브픽셀 각각의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류들이 서로 동일한 것으로 전술하였으나, 서로 상이할 수도 있다.In this case, the current capability (mobility) of the driving transistor DRT in each of the R subpixel, W subpixel, G subpixel and B subpixel is determined based on the sensing voltage Vsen of the sensing line SL #m. It corresponds to 1/3 of the current capability (mobility), and a gain for mobility compensation can be determined accordingly. However, the current flowing through the driving transistors DRT of each of the three subpixels is not 1/3 of the current flowing through the driving transistors DRT of each of the subpixels, but m/n (m, n is greater than 0) error) can be made. Also, although the currents flowing through the driving transistors DRT of each of the three sub-pixels have been described above as being the same, they may be different from each other.

도 25에 도시된 바와 같이, 3개의 서브픽셀을 동시에 센싱하면, 1개의 서브픽셀만을 센싱할 때에 생겼던 전류량 부족 현상과, 전류 부족에 따른 이동도 센싱 및 보상이 왜곡되는 문제점들을 보다 효과적으로 해결할 수 있다.As shown in FIG. 25 , when three sub-pixels are sensed at the same time, it is possible to more effectively solve the problem of insufficient current that occurs when sensing only one sub-pixel and distortion of mobility sensing and compensation due to insufficient current. .

도 26을 참조하면, S=4인 경우, R 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에는 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_R)이 인가되고, W 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에는 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_W)이 인가되고, G 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에는 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_G)이 인가되고, B 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에는 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_B)이 인가된다.Referring to FIG. 26 , when S=4, the data voltage VDATAs_R for sensing is applied to the first node N1 of the driving transistor DRT in the R subpixel, and the driving transistor (VDATAs_R) in the W subpixel The data voltage VDATAs_W for sensing is applied to the first node N1 of the DRT, and the data voltage VDATAs_G for sensing is applied to the first node N1 of the driving transistor DRT in the G subpixel. and a data voltage VDATAs_B for sensing is applied to the first node N1 of the driving transistor DRT in the B sub-pixel.

이 경우, 센싱 라인(SL #m)으로 흐르는 총 전류(Ids_Total)의 전류량은 R 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류(Ids_R)와 W 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류(Ids_W)와 G 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류(Ids_G)와 B 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류(Ids_B)의 전류량 합과 같다. 따라서, R 서브픽셀, W 서브픽셀, G 서브픽셀 및 B 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력(이동도)은 센싱 라인(SL #m)으로 흐르는 총 전류(Ids_Total)의 전류량의 1/4로 보면 된다. 즉, R 서브픽셀, W 서브픽셀, G 서브픽셀 및 B 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력(이동도)은 센싱 라인(SL #m)의 센싱 전압(Vsen)을 토대로 파악된 전류 능력(이동도)의 1/4에 해당하며, 이에 맞게 이동도 보상을 위한 게인을 결정할 수 있다.In this case, the amount of the total current Ids_Total flowing to the sensing line SL #m is the current Ids_R flowing through the driving transistor DRT in the R subpixel and the driving transistor DRT in the W subpixel. It is equal to the sum of the amount of current Ids_W flowing through the driving transistor DRT in the G sub-pixel (Ids_G) and the current flowing through the driving transistor DRT in the B sub-pixel Ids_B. Therefore, the current capability (mobility) of the driving transistor DRT in each of the R subpixel, W subpixel, G subpixel and B subpixel is the amount of current of the total current Ids_Total flowing into the sensing line SL #m. It looks like 1/4. That is, the current capability (mobility) of the driving transistor DRT in each of the R subpixel, W subpixel, G subpixel and B subpixel is determined based on the sensing voltage Vsen of the sensing line SL #m. It corresponds to 1/4 of the current capability (mobility), and a gain for mobility compensation can be determined accordingly.

한편 하나의 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류(Ids_1)가 다른 3개의 서브픽셀들의 구동 트랜지스터들을 통해 흐르는 전류들(Ids_2, Ids_3, Ids_4)의 합과 동일하고 다른 3개의 서브픽셀들의 구동 트랜지스터들을 통해 흐르는 전류들(Ids_2, Ids_3, Ids_4)이 서로 동일하도록, 각 서브픽셀에 구동 트랜지스터의 제1노드(N1)에는 이동도 센싱 용도의 데이터 전압들을 인가할 수도 있다.Meanwhile, the current Ids_1 flowing through the driving transistor of one sub-pixel is equal to the sum of the currents Ids_2, Ids_3, and Ids_4 flowing through the driving transistors of the other three sub-pixels, and the driving transistors of the other three sub-pixels are Data voltages for mobility sensing may be applied to the first node N1 of the driving transistor to each subpixel so that the currents Ids_2 , Ids_3 , and Ids_4 flowing through are equal to each other.

이 경우, 센싱 라인(SL #m)으로 흐르는 총 전류(Ids_Total)의 전류량은 하나의 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류(Ids_1)의 2배가 될 수 있다. 따라서, R 서브픽셀, W 서브픽셀, G 서브픽셀 및 B 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력(이동도)은 센싱 라인(SL #m)으로 흐르는 총 전류(Ids_Total)의 전류량의 1/2로 보면 된다. 즉, R 서브픽셀, W 서브픽셀, G 서브픽셀 및 B 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력(이동도)은 센싱 라인(SL #m)의 센싱 전압(Vsen)을 토대로 파악된 전류 능력(이동도)의 1/2에 해당하며, 이에 맞게 이동도 보상을 위한 게인을 결정할 수 있다.In this case, the amount of the total current Ids_Total flowing through the sensing line SL #m may be twice the current Ids_1 flowing through the driving transistor of one sub-pixel. Therefore, the current capability (mobility) of the driving transistor DRT in each of the R subpixel, W subpixel, G subpixel and B subpixel is the amount of current of the total current Ids_Total flowing into the sensing line SL #m. Think of it as 1/2. That is, the current capability (mobility) of the driving transistor DRT in each of the R subpixel, W subpixel, G subpixel and B subpixel is determined based on the sensing voltage Vsen of the sensing line SL #m. It corresponds to 1/2 of the current capability (mobility), and accordingly, a gain for mobility compensation can be determined.

대신에 나머지 3개의 서브픽셀 각각의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류를 하나의 서브픽셀의 각각의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류의 1/3이 아니라 m/n(m, n은 0보다 큰 실수)이 되도록 할 수 있다. 예를 들어 나머지 3개의 서브픽셀 각각의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류를 하나의 서브픽셀의 각각의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류의1/2(m=1, n=2)로 하면 센싱 라인(SL #m)으로 흐르는 총 전류(Ids_Total)의 전류량은 1+(1/2)×3 = 2.5배가 돼서 센싱 시간을 0.4배로 단축할 수 있다. 또한, 나머지 3개의 서브픽셀 각각의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류를 하나의 서브픽셀의 각각의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류들이 서로 동일한 것으로 전술하였으나, 서로 상이할 수도 있다.Instead, the current flowing through the driving transistors DRT of each of the remaining three subpixels is not 1/3 of the current flowing through each driving transistor DRT of one subpixel, but m/n (m, n is 0) could be a bigger mistake). For example, the current flowing through the driving transistors DRT of each of the remaining three subpixels is converted to 1/2 (m=1, n=2) of the current flowing through each driving transistor DRT of one subpixel. If the current amount of the total current Ids_Total flowing through the sensing line SL #m is 1+(1/2)×3 = 2.5 times, the sensing time can be shortened by 0.4 times. In addition, although the current flowing through the driving transistors DRT of each of the remaining three subpixels is the same as the currents flowing through each of the driving transistors DRT of one subpixel, they may be different from each other.

도 24 내지 도 26에 도시된 바와 같이, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 2개 이상의 서브픽셀을 동시에 이동도 센싱하는 경우, 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력 부족으로 인해 전류가 부족해지는 현상을 방지할 수 있다. 본 발명은 고 해상도 및 고 개구울을 위해, 구동 트랜지스터(DRT)의 크기가 작고, 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력이 부족할 수밖에 없는 상황에서도, 짧은 센싱 시간에 낮은 이동도 센싱용 데이터 전압(VDATAs)을 이용하여 이동도 센싱 및 보상을 정확하게 수행할 수 있다.As shown in FIGS. 24 to 26 , in the case of simultaneously sensing mobility of two or more sub-pixels among four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m. , it is possible to prevent a phenomenon in which current becomes insufficient due to insufficient current capability of the driving transistor DRT in each sub-pixel. The present invention provides a low mobility sensing data voltage (VDATAs) in a short sensing time even in a situation where the size of the driving transistor DRT is small and the current capability of the driving transistor DRT is insufficient for high resolution and high aperture. ) can be used to accurately perform mobility sensing and compensation.

한편, 전술한 바와 같이, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 K개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중에서 2개 이상의 서브픽셀을 동시에 센싱 하면, 그 센싱 결과는 각 구동 트랜지스터(DRT)의 개별적인 전류 능력을 반영하지 못하고, 약간의 오차가 발생할 수 있다. 이로 인해, 이동도 센싱 및 보상의 정밀도가 낮아질 수 있다.Meanwhile, as described above, when two or more sub-pixels among the K sub-pixels R, W, G, B commonly connected to one sensing line SL #m are simultaneously sensed, the sensing result is It does not reflect the individual current capability of the transistor DRT, and some errors may occur. Due to this, the precision of mobility sensing and compensation may be lowered.

이러한 점을 보완해주기 위하여, 본 발명은 각 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 K개의 서브픽셀 중에서 둘 이상의 서브픽셀을 동시에 이동도 센싱하되, K개의 서브픽셀 각각의 이동도 센싱을 여러 차례 진행하고, K개의 서브픽셀 각각의 이동도 센싱 횟수 또한 균등하게 해줄 수 있다. 즉, 각 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 K개의 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터(DRT)는, 일정 시간 동안, 블랙 데이터 전압(VDATA_BLACK)이 아닌 데이터 전압(VDATAs)을 동일 횟수만큼 제1노드(N1)로 인가받을 수 있다. 이를 통해, 각 구동 트랜지스터(DRT)의 개별적인 전류 능력을 더욱 정확하게 센싱할 수 있다.To compensate for this, the present invention simultaneously senses the mobility of two or more sub-pixels among K sub-pixels commonly connected to each sensing line SL #m, and performs the mobility sensing of each of the K sub-pixels several times. In addition, the number of times of sensing the mobility of each of the K sub-pixels may also be made equal. That is, the driving transistor DRT in each of the K sub-pixels commonly connected to each sensing line SL #m suppresses the data voltage VDATAs, not the black data voltage VDATA_BLACK, the same number of times for a predetermined time. It can be authorized as one node (N1). Through this, the individual current capability of each driving transistor DRT can be more accurately sensed.

한편, S개의 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터(DRT)는, 해당 센싱 라인의 전압 센싱 시, 게이트 노드와 소스 노드 간의 전위차(Vgs)가 동일할 수 있다.Meanwhile, the driving transistor DRT in each of the S subpixels may have the same potential difference (Vgs) between the gate node and the source node when the voltage of the corresponding sensing line is sensed.

도 27은 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 2개의 서브픽셀을 동시에 센싱하는 경우(S=2)와 3개의 서브픽셀을 동시에 센싱하는 경우(S=3)와 4개의 서브픽셀을 동시에 센싱하는 경우(S=4) 각각에 대한 센싱 진행 순서의 예시도들이다.27 is a diagram illustrating a case of simultaneously sensing two sub-pixels among four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m during mobility sensing according to the present embodiments. (S=2) and three sub-pixels are simultaneously sensed (S=3) and four sub-pixels are simultaneously sensed (S=4), respectively.

도 27에서, S=2인 경우에 대한 센싱 진행 순서에 따른 각 서브픽셀의 이동도 센싱 횟수를 살펴보면, 총 4번의 이동도 센싱 시간 동안, 4가지 서브픽셀(R, W, G, B) 각각은 동일하게 2차례의 이동도 센싱이 이루어진다. 도 27에서, S=3인 경우에 대한 센싱 진행 순서에 따른 각 서브픽셀의 이동도 센싱 횟수를 살펴보면, 총 4번의 이동도 센싱 시간 동안, 4가지 서브픽셀(R, W, G, B) 각각은 동일하게 3차례의 이동도 센싱이 이루어진다. 도 27에서, S=4인 경우에 대한 센싱 진행 순서에 따른 각 서브픽셀의 이동도 센싱 횟수를 살펴보면, 총 4번의 이동도 센싱 시간 동안, 4가지 서브픽셀(R, W, G, B) 각각은 동일하게 4차례의 이동도 센싱이 이루어진다.In FIG. 27 , looking at the number of mobility sensing of each sub-pixel according to the sensing sequence for the case of S=2, each of the four sub-pixels R, W, G, and B during a total of four mobility sensing times. In the same way, the mobility is sensed twice. In FIG. 27 , looking at the number of mobility sensing times of each subpixel according to the sensing sequence for the case of S=3, each of the four subpixels R, W, G, and B during a total of four mobility sensing times. In the same way, the mobility is sensed three times. In FIG. 27 , looking at the number of mobility sensing times of each sub-pixel according to the sensing sequence for the case of S=4, each of the four sub-pixels R, W, G, and B during a total of four mobility sensing times. Similarly, mobility sensing is performed four times.

전술한 바와 같이 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중에서 2개 이상의 서브픽셀을 동시에 이동도 센싱함에 있어서, 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 각각에 대한 이동도 센싱을 다수회 균등하게 해주는 것은, 타이밍 컨트롤러(140)의 제어에 따라 이루어진다.As described above, in simultaneously sensing the mobility of two or more sub-pixels among the four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m, the four sub-pixels R , W, G, B) equalizing the mobility sensing for each of a plurality of times is performed under the control of the timing controller 140 .

전술한 바와 같이, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 K개의 서브픽셀중에서 2개 이상의 서브픽셀을 동시에 이동도 센싱함에 있어서, K개의 서브픽셀 각각에 대한 이동도 센싱을 S차례 진행하고, K개의 서브픽셀 각각의 이동도 센싱 횟수 또한 균등하게 해줌으로써, 각 구동 트랜지스터(DRT)의 개별적인 전류 능력을 더욱 정확하게 센싱할 수 있다.As described above, in simultaneously sensing the mobility of two or more subpixels among K subpixels commonly connected to one sensing line SL #m, the mobility sensing for each of the K subpixels is performed S turns. Also, the number of times of sensing the mobility of each of the K sub-pixels is also equalized, so that the individual current capability of each driving transistor DRT can be more accurately sensed.

유기발광 표시장치(100)는, K번의 구동 트랜지스터 이동도를 센싱하는 동안, K개의 데이터 라인 각각에 센싱용 데이터 전압을 서로 동일 횟수만큼 출력하고, 하나의 센싱 라인의 전압을 K번 센싱하여 디지털 값으로 변환하여 출력한다. 또한 유기발광 표시장치(100)는, S개의 데이터 라인 각각에 출력되는 센싱용 데이터 전압과 S개의 서브픽셀에 포함되는 트랜지스터의 채널 폭, S개의 데이터 라인 각각에 출력되는 센싱용 데이터 전압이 센싱 값에 미치는 정도를 반영하여 표현된 K×K행렬의 역행렬과, K번의 센싱 값을 토대로 K개의 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터의 특성치를 산출한다. 유기발광 표시장치(100)는, S개의 데이터 라인 각각에 출력되는 센싱용 데이터 전압의 비율을 반영하여 표현된 K×K행렬과, K번의 센싱 값을 토대로 상기 K개의 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터의 이동도를 산출할 수 있다.The organic light emitting display device 100 outputs the sensing data voltage to each of the K data lines the same number of times while sensing the mobility of the driving transistor K times, and senses the voltage of one sensing line K times to digitally Converts it to a value and outputs it. Also, in the organic light emitting diode display 100 , a sensing data voltage output to each of the S data lines, a channel width of a transistor included in the S subpixels, and a sensing data voltage output to each of the S data lines are sensed values. The characteristic values of the driving transistors in each of the K sub-pixels are calculated based on the inverse of the K×K matrix expressed by reflecting the degree to which it has an effect and the K-th sensing value. The organic light emitting diode display 100 includes a driving transistor in each of the K subpixels based on a K×K matrix expressed by reflecting the ratio of the sensing data voltages output to each of the S data lines and the K sensing values. mobility can be calculated.

구체적으로, K번의 구동 트랜지스터 이동도를 측정하는 동안, 데이터 드라이버(120)는 K개의 데이터 라인 각각에 상기 센싱용 데이터 전압을 서로 동일 횟수만큼 출력하고, 아날로그 디지털 컨버터(210)는 하나의 센싱 라인의 전압을 K번 센싱하여 디지털 값으로 변환하여 출력하고, 보상기(230)는, S개의 서브픽셀에 포함되는 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류의 전류량의 비율 또는 S개의 서브픽셀에 포함되는 구동 트랜지스터의 채널 폭의 비율로 결정되는 K×K행렬의 역행렬과, K번의 센싱된 전압을 토대로 K개의 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터의 이동도를 산출할 수 있다.Specifically, while measuring the mobility of the driving transistor K times, the data driver 120 outputs the sensing data voltage to each of the K data lines the same number of times, and the analog-to-digital converter 210 uses one sensing line. The voltage is sensed K times, converted into a digital value, and outputted, and the compensator 230 is configured to control the ratio of the amount of current flowing through the driving transistor included in the S subpixels or the channel of the driving transistor included in the S subpixels. The mobility of the driving transistor in each of the K sub-pixels may be calculated based on the inverse of the K×K matrix determined by the ratio of the width and the voltage sensed K times.

이하에서 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 3개의 서브픽셀(R, W, G)을 동시에 센싱하는 방식을 적용한 예(K=4, S=3)에서, 3개의 데이터 라인 각각에 출력되는 센싱용 데이터 전압의 비율을 반영하여 표현된 4×4행렬과, 4번의 센싱 값을 토대로 4개의 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터의 이동도를 산출하는 방법을 구체적으로 설명한다. 이하에서 K=4, S=3인 경우를 예시적으로 설명하나 S가 K와 서로소인 모든 경우(예를 들어 K=3, S=2)에도 동일하게 적용할 수 있다. 여기서 S가 K와 서로소이란 S와 K의 공약수가 1이라는 것이고 K=4, S=3인 경우 또는 K=3, S=2인 경우 등이 해당한다. S가 K-1인 경우는 S와 K는 반드시 서로소이다.　한편 K=4, S=2인 경우는 S와 K의 공약수가 2라서 서로소가 아니다.Hereinafter, when the mobility is sensed according to the present embodiments, three sub-pixels R, W, G among the four sub-pixels R, W, G, B commonly connected to one sensing line SL #m ) is applied at the same time (K=4, S=3), the 4×4 matrix expressed by reflecting the ratio of the sensing data voltage output to each of the three data lines, and the A method of calculating the mobility of the driving transistor in each of the four sub-pixels based on the detailed description will be given. Hereinafter, the case of K=4 and S=3 will be described as an example, but the same can be applied to all cases where S is mutually prime with K (eg, K=3, S=2). Here, when S is dissimilar to K, the common divisor of S and K is 1, and this corresponds to the case of K=4, S=3, or the case of K=3, S=2. If S is K-1, then S and K must be mutually prime. On the other hand, in the case of K = 4 and S = 2, the common divisors of S and K are 2, so they are not mutually prime.

도 28a는 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 3개의 서브픽셀(R, W, G)을 동시에 센싱하는 방식을 적용한 예를 나타낸 도면이다(K=4, S=3).28A is a diagram illustrating three sub-pixels R, W, and four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m during mobility sensing according to the present embodiments. It is a diagram showing an example of applying the method of sensing G) at the same time (K=4, S=3).

도 28a를 참조하면, S가 K와 서로소인 경우, K번의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 유기발광 표시장치(100)는 S개의 데이터 라인으로 동일한 센싱용 데이터 전압을 동시에 출력한다. 또한 유기발광 표시장치(100)는 K개의 데이터 라인 중에서 센싱용 데이터 전압이 출력되는 S개의 데이터 라인을 제외한 K-S개의 데이터 라인으로 비센싱용 데이터 전압으로 정의된 미리 정의된 블랙 데이터 전압을 출력한다.Referring to FIG. 28A , when S is equal to K, the organic light emitting diode display 100 simultaneously outputs the same sensing data voltage to the S data lines while measuring the characteristic values of the driving transistors K times. In addition, the organic light emitting display device 100 outputs a predefined black data voltage defined as a non-sensing data voltage to K-S data lines excluding the S data lines to which the sensing data voltage is output among the K data lines.

즉, S=3인 경우, R 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_R)과 W 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_W), G 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_G)은 각각 9V이고 B 서브픽셀의 블랙 데이터 전압(VDATA_BLACK)은 OV일 수 있다. 한편, R, W, B 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압이 동일하지 않고 하나의 서브픽셀, 예를 들어 W 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압((VDATAs_W=10V)이 다른 R, B 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_R= VDATAs_G=9V)보다 클 수도 있다.That is, when S=3, the data voltage (VDATAs_R) for sensing of the R subpixel, the data voltage (VDATAs_W) for sensing of the W subpixel, and the data voltage (VDATAs_G) for sensing of the G subpixel are 9V, respectively. The black data voltage VDATA_BLACK of the B subpixel may be OV. On the other hand, the data voltages of the R, W, and B subpixels for sensing are not the same and the data voltages ((VDATAs_W=10V) of one subpixel, for example, the W subpixel, for sensing purposes are different from those of the R and B subpixels. It may be larger than the data voltage for sensing (VDATAs_R=VDATAs_G=9V).

동일한 방식으로 2번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 3개의 서브픽셀(R, G, B)을 동시에 센싱한다. 다음으로, 3번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 3개의 서브픽셀(W, G, B)을 동시에 센싱한다, 다음으로, 4번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 3개의 서브픽셀(R, W, G)을 동시에 센싱한다.While measuring the characteristic value of the second driving transistor in the same way, three sub-pixels (R, G, B) is sensed simultaneously. Next, while measuring the characteristic value of the third driving transistor, three sub-pixels (W, G, B) is simultaneously sensed. Next, while measuring the characteristic value of the fourth driving transistor, three of the four sub-pixels (R, W, G, B) commonly connected to one sensing line (SL #m) are The sub-pixels R, W, and G are simultaneously sensed.

1개의 센싱 라인(SL #m)을 통해 센싱된 전압에는 당연히 3개 서브픽셀의 이동도 특성이 섞여서 나온다. R, G, B, W 서브픽셀 각각을 하나씩 센싱하는 대신에 R/G/B, G/B/W, B/W/R, W/R/G와 같이 3개의 서브픽셀을 동시에 센싱하면 그만큼 전류가 섞이기 때문에 이동도 센싱값은 아래 수학식 1과 같은 4×4행렬로 표현할 수 있다.The voltage sensed through one sensing line (SL #m) is of course mixed with the mobility characteristics of the three sub-pixels. Instead of sensing each of the R, G, B, and W sub-pixels one by one, if three sub-pixels such as R/G/B, G/B/W, B/W/R, and W/R/G are sensed at the same time, the Because currents are mixed, the mobility sensing value can be expressed in a 4×4 matrix as in Equation 1 below.

[수학식 1] [Equation 1]

Figure 112016084361845-pat00001
Figure 112016084361845-pat00001

수학식 1에서 VsenRGB, VsenGBW, VsenBWR, VsenWRG는 R/G/B, G/B/W, B/W/R, W/R/G 서브픽셀을 동시에 센싱할 때 1개의 센싱 라인(SL #m)을 통해 센싱된 센싱 전압들이며, VsenR, VsenG, VsenB, VsenW는 R, G, B, W 서브픽셀에 포함되는 구동 트랜지스터의 이동도 센싱값이다. 여기서 R, G, B, W라는 순서는 일 예이고 본 발명은 이 순서에 한정되지 않는다. R, G, B, W를 다른 순서로 한 구조에도 본 발명은 적용될 수 있다.In Equation 1, VsenRGB, VsenGBW, VsenBWR, and VsenWRG are one sensing line (SL #m) when simultaneously sensing R/G/B, G/B/W, B/W/R, and W/R/G subpixels. ) are sensed voltages, and VsenR, VsenG, VsenB, and VsenW are mobility sensing values of driving transistors included in the R, G, B, and W subpixels. Here, the order of R, G, B, and W is an example and the present invention is not limited to this order. The present invention can also be applied to a structure in which R, G, B, and W are arranged in a different order.

따라서 센싱된 전압으로 R, G, B, W 서브픽셀 각각에 대한 실제 이동도 특성값을 구하기 위해서는 아래 수학식 2와 같은 역행렬을 사용하면 된다. 이렇게 계산함으로써 센싱 시간을 줄이면서 실제 이동도 특성 값을 정확히 구할 수 있다.Therefore, in order to obtain the actual mobility characteristic values for each of the R, G, B, and W subpixels using the sensed voltage, an inverse matrix as shown in Equation 2 below may be used. By calculating in this way, the actual mobility characteristic value can be accurately obtained while reducing the sensing time.

[수학식 2] [Equation 2]

Figure 112016084361845-pat00002
Figure 112016084361845-pat00002

이때 수학식 1에서 4×4 행렬에서 각 열의 각 행렬계수들은, 각각의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, R, G, B, W 서브픽셀 중 3개의 서브픽셀에 포함되는 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류의 전류량의 비율로 결정한다.At this time, in Equation 1, each matrix coefficient of each column in the 4×4 matrix is the current flowing through the driving transistor included in three subpixels among the R, G, B, and W subpixels while measuring each driving transistor characteristic value. is determined by the ratio of the amount of current of

이를 일반화하면, K×K 행렬에서 각 열의 각 행렬 계수들은 아래 수학식 3과 같이 S개의 서브픽셀 중 해당 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를 한번의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안마다 하나의 센싱 라인을 통해 흐르는 총 전류의 전류량으로 나눈 값으로 결정할 수 있다.To generalize this, each matrix coefficient of each column in the K×K matrix senses a current flowing through the driving transistor of the corresponding sub-pixel among the S sub-pixels as shown in Equation 3 below each time the driving transistor characteristic value is measured. It can be determined as the amount of current divided by the total current flowing through the line.

[수학식 3] [Equation 3]

Xij=Ids_i/ Ids_TotalXij=Ids_i/ Ids_Total

수학식 3에서 Xij는 K×K행렬에서 (i, j) 행렬계수(i, j=1 내지 K의 자연수)의 값을 의미하고, Ids_i는 S개의 서브픽셀 중 i번째 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를 의미하고, Ids_Total는 한번의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안마다 하나의 센싱 라인을 통해 흐르는 총 전류의 전류량을 의미한다. 전술한 바와 같이 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류 또는 전류 구동 능력은 구동 트랜지스터의 크기(W/L)로 결정될 수 있다.In Equation 3, Xij denotes a value of (i, j) matrix coefficients (i, j=a natural number of 1 to K) in a K×K matrix, and Ids_i denotes the driving transistor of the i-th sub-pixel among the S sub-pixels. Means the current flowing through the sensor, and Ids_Total represents the amount of total current flowing through one sensing line whenever the driving transistor characteristic value is measured. As described above, the current flowing through the driving transistor of the subpixel or the current driving ability may be determined by the size (W/L) of the driving transistor.

도 28b는 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 3개의 서브픽셀(R, W, G)을 동시에 센싱하는 방식을 적용하는 경우, 이동도 센싱 단계에서 센싱값과 보상값을 계산하는 과정을 설명한 도면이다.28B illustrates three sub-pixels R, W, and four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m during mobility sensing according to the present embodiments. G) is a diagram for explaining a process of calculating a sensing value and a compensation value in the mobility sensing step when the method of simultaneously sensing G) is applied.

도 28b를 참조하면 R, G, B, W 서브픽셀들 각각의 이동도 특성이 전술한 바와 동일하게 1, 1.1, 0.9, 1.2라고 할 때 최초 이동도 센싱 단계에서 이동도 보상값은 동일한 값인 1을 인가하게 된다.Referring to FIG. 28B , when the mobility characteristics of each of the R, G, B, and W subpixels are 1, 1.1, 0.9, and 1.2 as described above, the mobility compensation value in the first mobility sensing step is 1, which is the same value. will be authorized

1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 1개의 서브픽셀만을 센싱하는 경우 이동도 센싱용 전압으로 9V를 해당 서브픽셀에 인가하면 4번의 구동트랜지스터 특성치를 측정하는 동안 R, G, B, W 서브픽셀들 각각의 센싱된 전압이 9V, 8V, 9V, 10V라고 할 때 R, G, B, W 서브픽셀들각각의 이동도 센싱값은 1, 1.068, 1.033, 1.1이 된다.When sensing only one sub-pixel among the four sub-pixels (R, W, G, B) commonly connected to one sensing line (SL #m), when 9V is applied to the corresponding sub-pixel as a voltage for mobility sensing, 4 When the sensed voltage of each of the R, G, B, and W subpixels is 9V, 8V, 9V, and 10V while measuring the driving transistor characteristic value at becomes 1, 1.068, 1.033, 1.1.

수학식 2를 이용하여 R, G, B, W 서브픽셀들 각각의 이동도 센싱값은 1, 1.1, 0.9, 1.2가 된다. 신규 이동도 보상값은 이동도 센싱값의 역수의 루트인 것으로 가정할 때 R, G, B, W 서브픽셀들 각각의 신규 이동도 보상값은 1, 0.95, 1.05, 0.91이 된다.Using Equation 2, the respective mobility sensing values of the R, G, B, and W subpixels become 1, 1.1, 0.9, and 1.2. Assuming that the new mobility compensation value is the root of the reciprocal of the mobility sensing value, the new mobility compensation values of each of the R, G, B, and W subpixels are 1, 0.95, 1.05, and 0.91.

이하에서 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 4개의 서브픽셀(R, W, B, G)을 동시에 센싱하는 방식을 적용한 예(K=4, S=4)에서, 4개의 데이터 라인 각각에 출력되는 센싱용 데이터 전압의 비율을 반영하여 표현된 4×4행렬과, 4번의 센싱된 전압을 토대로 4개의 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터의 이동도를 산출하는 방법을 구체적으로 설명한다. 이하에서 K=4, S=4인 경우를 예시적으로 설명하나 S가 K인 모든 경우(예를 들어 K=3, S=3)에도 동일하게 적용할 수 있다.Hereinafter, during mobility sensing according to the present embodiments, four sub-pixels R, W, B among the four sub-pixels R, W, G, B commonly connected to one sensing line SL #m , G) in the example (K=4, S=4), a 4×4 matrix expressed by reflecting the ratio of the sensing data voltage output to each of the 4 data lines, and the 4th sensing A method of calculating the mobility of the driving transistor in each of the four sub-pixels based on the obtained voltage will be described in detail. Hereinafter, a case in which K = 4 and S = 4 will be exemplarily described, but the same may be applied to all cases in which S is K (eg, K = 3, S = 3).

도 29a은 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 4개의 서브픽셀(R, W, G, B)을 동시에 센싱하는 방식을 적용한 예를 나타낸 도면이다(K=4, S=4). 도 29b는 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 4개의 서브픽셀(R, W, G, B)을 동시에 센싱하는 방식을 적용하는 경우, 이동도 센싱 단계에서 센싱값과 보상값을 예시적으로 도시한 도면이다.29A illustrates four sub-pixels R, W, and four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m during mobility sensing according to the present embodiments. It is a diagram showing an example of applying a method of sensing G and B) simultaneously (K=4, S=4). 29B illustrates four sub-pixels R, W, and four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m during mobility sensing according to the present embodiments. It is a diagram exemplarily illustrating a sensing value and a compensation value in the mobility sensing step when the method of simultaneously sensing G and B) is applied.

도 29a를 참조하면, S가 K인 경우, K번의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 유기발광 표시장치(100)는, 하나의 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류가 다른 K-1개의 서브픽셀들의 구동 트랜지스터들을 통해 흐르는 전류들의 합과 동일하고 다른 K-1개의 서브픽셀들의 구동 트랜지스터들을 통해 흐르는 전류들이 서로 동일하도록, S개의 데이터 라인으로 센싱용 데이터 전압을 동시에 출력한다.Referring to FIG. 29A , when S is K, while measuring the characteristic value of the driving transistor K times, the organic light emitting diode display 100 includes K-1 subpixels having different currents flowing through the driving transistor of one subpixel. The sensing data voltages are simultaneously output to the S data lines so that the sum of the currents flowing through the driving transistors is equal to the sum of the currents flowing through the driving transistors of the other K-1 subpixels.

즉, S=4인 경우, 예를 들어 R 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류(Ids_R)이 다른 3개의 W, G, B 서브픽셀들의 구동 트랜지스터들을 통해 흐르는 전류들(Ids_W, Ids_G, Ids_B)의 합과 동일하고 다른 3개의 서브픽셀들의 구동 트랜지스터들을 통해 흐르는 전류들이 서로 동일(Ids_W=Ids_G=Ids_B)하도록, R 서브픽셀의 이동도 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_R)과 W 서브픽셀의 이동도 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_W), B 서브픽셀의 블랙 데이터 전압(VDATAs_B), G 서브픽셀의 이동도 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_G)을 결정할 수 있다. 예를 들어 R 서브픽셀의 이동도 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_R)과 W 서브픽셀의 이동도 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_W), B 서브픽셀의 블랙 데이터 전압(VDATAs_B), G 서브픽셀의 이동도 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_G)은 각각 9V, 5.77V, 5.2V, 4.62V일 수 있다.That is, when S=4, for example, currents Ids_R flowing through the driving transistor of the R subpixel differ from currents Ids_W, Ids_G, and Ids_B flowing through the driving transistors of the three W, G, and B subpixels. The data voltage (VDATAs_R) for mobility sensing of the R subpixel and the mobility of the W subpixel are equal to the sum of The data voltage VDATAs_W for sensing, the black data voltage VDATAs_B of the B sub-pixel, and the data voltage VDATAs_G for the mobility sensing of the G sub-pixel may be determined. For example, the data voltage (VDATAs_R) for the mobility sensing of the R subpixel, the data voltage (VDATAs_W) for the mobility sensing of the W subpixel, the black data voltage (VDATAs_B) of the B subpixel, and the mobility of the G subpixel The data voltages VDATAs_G for sensing may be 9V, 5.77V, 5.2V, and 4.62V, respectively.

동일한 방식으로, 2 내지 4번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 4개의 서브픽셀(R, W, G, B)을 동시에 센싱한다.In the same way, while measuring the characteristic values of the second to fourth driving transistors, four subpixels R among the four subpixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m. , W, G, B) are sensed simultaneously.

1개의 센싱 라인(SL #m)을 통해 센싱된 전압에는 당연히 4개 서브픽셀의 이동도 특성이 섞여서 나온다. R, G, B, W 서브픽셀 각각을 하나씩 센싱하는 대신에 R, W, G, B 서브픽셀을 동시에 센싱하면 그만큼 전류가 섞이기 때문에 이동도 센싱값은 아래 수학식 4와 같은 4×4행렬로 표현할 수 있다.The voltage sensed through one sensing line (SL #m) is naturally mixed with the mobility characteristics of the four sub-pixels. Instead of sensing each of R, G, B, and W sub-pixels one by one, if R, W, G, and B sub-pixels are sensed at the same time, the current is mixed accordingly, so the mobility sensing value is a 4×4 matrix as shown in Equation 4 below. can be expressed as

[수학식 4] [Equation 4]

Figure 112016084361845-pat00003
Figure 112016084361845-pat00003

수학식 4에서 V'senR, V'senG, V'senB, V'senW는 각각 R, G, B, W 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류가 다른 3개의 서브픽셀들의 구동 트랜지스터들을 통해 흐르는 전류들의 합과 동일하고 다른 3개의 서브픽셀들의 구동 트랜지스터들을 통해 흐르는 전류들이 서로 동일하도록, 이동도 센싱용 데이터 전압을 인가한 경우 1개의 센싱 라인(SL #m)을 통해 센싱한 센싱 전압(Vsen)이다. 그리고, VsenR, VsenG, VsenB, VsenW는 R, G, B, W 서브픽셀에 포함되는 구동 트랜지스터의 이동도 센싱값이다. 여기서 R, G, B, W라는 순서는 일 예이고 본 발명은 이 순서에 한정되지 않는다. R, G, B, W를 다른 순서로 한 구조도 본 발명에 포함되며, 따라서 이동도 센싱값을 표현한 4×4 행렬은 수학식 4로 표현되는 행렬의 행 순서를 바꾼 행렬일 수 있다.In Equation 4, V'senR, V'senG, V'senB, and V'senW are currents flowing through the driving transistors of the three subpixels having different currents flowing through the driving transistors of the R, G, B, and W subpixels, respectively. The sensing voltage Vsen sensed through one sensing line SL #m when the data voltage for mobility sensing is applied so that the currents flowing through the driving transistors of the other three sub-pixels are equal to the sum of to be. In addition, VsenR, VsenG, VsenB, and VsenW are mobility sensing values of driving transistors included in the R, G, B, and W sub-pixels. Here, the order of R, G, B, and W is an example and the present invention is not limited to this order. A structure in which R, G, B, and W are arranged in a different order is also included in the present invention, and therefore, the 4×4 matrix expressing the mobility sensing value may be a matrix in which the row order of the matrix expressed by Equation 4 is changed.

센싱된 전압으로 실제 이동도 특성값을 구하기 위해서는 아래 수학식 5와 같은 역행렬을 사용하면 된다. 이렇게 계산함으로써 센싱 시간을 줄이면서 실제 이동도 특성 값을 정확히 구할 수 있다.In order to obtain an actual mobility characteristic value using the sensed voltage, an inverse matrix as shown in Equation 5 below may be used. By calculating in this way, the actual mobility characteristic value can be accurately obtained while reducing the sensing time.

[수학식 5] [Equation 5]

Figure 112016084361845-pat00004
Figure 112016084361845-pat00004

전술한 바와 같이, 나머지 3개의 서브픽셀 각각의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류를 하나의 서브픽셀의 각각의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류의 1/3이 아니라 m/n(m, n은 0보다 큰 실수), 예를 들어 1/2(m=1, n=2)이 되도록 할 수 있다. 또한, 나머지 3개의 서브픽셀 각각의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류를 하나의 서브픽셀의 각각의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류들이 서로 동일한 것으로 전술하였으나, 서로 상이할 수도 있다. 일반적으로 행렬 계수가 커지면 노이즈 영향이 커지기 때문에 행렬 계수가 작도록 하나의 서브픽셀의 각각의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류를 최대한 작게 하고 나머지 3개의 서브픽셀 각각의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류를 서로 동일하게 하는 것이 좋을 수 있다.As described above, the current flowing through the driving transistors DRT of each of the remaining three subpixels is not 1/3 of the current flowing through each driving transistor DRT of one subpixel, but m/n(m, n is a real number greater than 0), for example 1/2 (m=1, n=2). In addition, although the current flowing through the driving transistors DRT of each of the remaining three subpixels is the same as the currents flowing through each of the driving transistors DRT of one subpixel, they may be different from each other. In general, since the noise effect increases when the matrix coefficient increases, the current flowing through each driving transistor DRT of one sub-pixel is made as small as possible so that the matrix coefficient is small, and the current flowing through each driving transistor DRT of each of the remaining three sub-pixels is reduced as much as possible. It may be desirable to equalize the current flowing to each other.

더불어 K개의 서브픽셀 모두를 동시에 센싱하는 방식은 블랙 데이터 전압이 인가된 서브픽셀이 없어서 누설 전류(leakage current)와 같은 문제가 생기지 않는 효과가 있다.In addition, the method of simultaneously sensing all K sub-pixels has an effect that a problem such as leakage current does not occur because there is no sub-pixel to which a black data voltage is applied.

이때 수학식 4에서 4×4 행렬에서 각 열의 각 행렬계수들은, 각각의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, R, G, B, W 서브픽셀에 포함되는 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류의 전류량의 비율로 결정한다. 예를 들어 나머지 3 개의 서브픽셀 각각의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류를 하나의 서브픽셀의 각각의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류의 1/2인 경우 4×4 행렬은 아래 수학식 6과 같이 표현할 수 있다.At this time, each matrix coefficient of each column in the 4×4 matrix in Equation 4 is a ratio of the amount of current flowing through the driving transistors included in the R, G, B, and W subpixels while measuring the characteristic values of the driving transistors. decide For example, if the current flowing through the driving transistors DRT of each of the remaining three subpixels is 1/2 of the current flowing through each driving transistor DRT of one subpixel, the 4×4 matrix is expressed by the following equation 6 can be expressed as

[수학식 6] [Equation 6]

Figure 112016084361845-pat00005
Figure 112016084361845-pat00005

이를 일반화하면, K×K 행렬에서 각 열의 각 행렬 계수들은 아래 수학식 7과 같이 K개의 서브픽셀 중 해당 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를 한번의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안마다 하나의 센싱 라인을 통해 흐르는 총 전류의 전류량으로 나눈 값으로 결정할 수 있다.To generalize this, each matrix coefficient of each column in the K×K matrix senses a current flowing through the driving transistor of the corresponding subpixel among the K subpixels as shown in Equation 7 below, one sensing each time the driving transistor characteristic value is measured. It can be determined as the amount of current divided by the total current flowing through the line.

[수학식 7] [Equation 7]

Xij=Ids_i/ Ids_TotalXij=Ids_i/ Ids_Total

수학식 7에서 Xij는 K×K행렬에서 (i, j) 행렬계수(i, j=1 내지 K의 자연수)의 값을 의미하고, Ids_i는 K개의 서브픽셀 중 i번째 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를 의미하고, Ids_Total는 한번의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안마다 하나의 센싱 라인을 통해 흐르는 총 전류의 전류량을 의미한다.In Equation 7, Xij denotes a value of (i, j) matrix coefficients (i, j=a natural number of 1 to K) in a K×K matrix, and Ids_i denotes the driving transistor of the i-th sub-pixel among the K sub-pixels. Means the current flowing through the sensor, and Ids_Total represents the amount of total current flowing through one sensing line whenever the driving transistor characteristic value is measured.

전술한 실시예에서 하나의 센싱 라인에 연결된 K개의 서브픽셀 중 S개의 서브픽셀들을 동시에 센싱하는 방식을 설명하였으나, 이하에서 하나의 센싱라인과 하나의 데이터 라인에 동시에 연결된 L개의 서브픽셀 중 M개의 서브픽셀들을 동시에 센싱하는 방식을 설명한다.Although the method for simultaneously sensing S subpixels among K subpixels connected to one sensing line has been described in the above embodiment, M number of L subpixels simultaneously connected to one sensing line and one data line will be described below. A method of simultaneously sensing sub-pixels will be described.

구체적으로 L개의 게이트 라인이 L개의 서브픽셀들에 연결되어, 게이트 드라이버(130)는, 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, L개의 게이트 라인 중 M(2≤M≤L)개의 게이트 라인에 동시에 스캔 신호를 출력한다. 데이터 드라이버(120)는, 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 하나의 센싱 라인과 대응되는 K개(K≥1)의 데이터 라인 중에서 한개의 데이터 라인으로 센싱용 데이터 전압을 출력한다. 아날로그 디지털 컨버터(220)는 하나의 센싱 라인에 전기적으로 연결되고 하나의 센싱 라인의 전압을 센싱하여 디지털 값으로 변환하여 출력한다. 보상기(230)는 아날로그 디지털 컨버터로부터 수신된 디지털 값으로부터 확인된 하나의 센싱 라인의 센싱 값을 토대로 L개의 게이트 라인과 연결된 M개의 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터의 특성치를 보상해주는 보상 프로세스를 수행한다.Specifically, the L gate lines are connected to the L sub-pixels, and the gate driver 130 simultaneously scans M (2≤M≤L) gate lines among the L gate lines while measuring the driving transistor characteristic value. output a signal. The data driver 120 outputs a sensing data voltage to one data line among K data lines (K≧1) corresponding to one sensing line while measuring the driving transistor characteristic value. The analog-to-digital converter 220 is electrically connected to one sensing line, senses a voltage of one sensing line, converts it into a digital value, and outputs the sensed voltage. The compensator 230 performs a compensation process for compensating the characteristic value of the driving transistor in each of the M sub-pixels connected to the L gate lines based on the sensing value of one sensing line identified from the digital value received from the analog-to-digital converter. .

이때 L번의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 아날로그 디지털 컨버터(210)는 하나의 센싱 라인의 전압을 L번 센싱하여 디지털 값으로 변환하여 출력하고, 보상기(230)는, M개의 서브픽셀에 포함되는 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류의 전류량의 비율로 결정되는 L×L행렬의 역행렬과, L번의 센싱된 전압을 토대로 L개의 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터의 특성치를 산출한다.At this time, while measuring the L-th driving transistor characteristic value, the analog-to-digital converter 210 senses the voltage of one sensing line L times, converts it into a digital value and outputs it, and the compensator 230 includes the M sub-pixels. A characteristic value of the driving transistor in each of the L sub-pixels is calculated based on the inverse of the L×L matrix, which is determined by the ratio of the amount of current flowing through the driving transistor, and the L-th sensed voltage.

L번의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안마다, 동시에 스캔신호를 출력하는 M개의 게이트 라인에 연결된 M개의 서브픽셀은, L개의 게이트 라인에 연결된 L개의 서브픽셀 중 동시에 센싱되는 서브픽셀로서 선택된다. L번의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 데이터 드라이버(120)는, K개의 데이터 라인 중에서 센싱용 데이터 전압이 출력되는 한 개의 데이터 라인을 제외한 K-1개의 데이터 라인으로 미센싱용 데이터 전압으로 정의된 블랙 데이터 전압을 출력한다. 보상기(230)는, 한 개의 데이트 라인에 L번 출력되는 센싱용 데이터 전압의 비율을 반영하여 표현된 L×L행렬과, 상기 L번의 센싱된 전압을 토대로 상기 L개의 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터의 이동도를 산출한다.During each L-th driving transistor characteristic value measurement, M subpixels connected to the M gate lines simultaneously outputting scan signals are selected as subpixels to be sensed simultaneously among the L subpixels connected to the L gate lines. While measuring the characteristic value of the L-th driving transistor, the data driver 120 includes K-1 data lines, except for one data line to which the sensing data voltage is output, from among the K data lines defined as non-sensing data voltages. Outputs the black data voltage. The compensator 230 is a driving transistor in each of the L sub-pixels based on an L×L matrix expressed by reflecting the ratio of the sensing data voltages output L times to one data line and the L sensed voltages. Calculate the mobility of

이하에서 L가 4이고, M가 3인 경우, L번의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 데이터 드라이버(120)가 한개의 데이터 라인으로 동일한 센싱용 데이터 전압을 동시에 출력하는 경우를 예시적으로 설명한다. 이하에서 L=4, M=3인 경우를 예시적으로 설명하나 M이 L-1인 모든 경우(예를 들어 L=3, M=2)에도 동일하게 적용할 수 있다.Hereinafter, when L is 4 and M is 3, a case in which the data driver 120 simultaneously outputs the same sensing data voltage to one data line while measuring the characteristic value of the driving transistor L will be described as an example. . Hereinafter, the case of L=4 and M=3 will be exemplarily described, but the same may be applied to all cases where M is L-1 (eg, L=3, M=2).

도 30은, 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j+2), SP #(4m, j+3), SP #(4m, j+4)) 중 3개의 서브픽셀((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j+2), SP #(4m, j+3))을 동시에 센싱하는 방식을 나타낸 도면이다(L=4, M=3). 도 30에서, M개(M=3)의 서브픽셀은 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 L개(L=4)의 서브픽셀 중에서 동시에서 센싱되는 서브픽셀로서 선택된 서브픽셀이다.30 illustrates four sub-pixels ((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j) commonly connected to one sensing line SL #m) during mobility sensing according to the present embodiments. +2), SP #(4m, j+3), SP #(4m, j+4)) of 3 subpixels ((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j+2)) . m) is a sub-pixel selected as a sub-pixel sensed at the same time among L (L=4) sub-pixels commonly connected to m).

도 30을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광 표시장치(100)에서, 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 즉, 센싱 동작이 진행되는 동안, 하나의 서브픽셀 행에서 각 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 L(L=4)개의 서브픽셀((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j+2), SP #(4m, j+3), SP #(4m, j+4)) 중 M(2≤M≤L, L=4인 경우, M=3)개의 서브픽셀((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j+2), SP #(4m, j+3)) 각각에서의 구동 트랜지스터(DRT)는 센싱용 데이터 전압(VDATAs)을 제1노드(N1)로 동시에 인가 받을 수 있다. 이때 L개의 서브픽셀((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j+2), SP #(4m, j+3), SP #(4m, j+4))은 동일한 색깔의 서브픽셀일 수 있다.Referring to FIG. 30 , in the organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiments, each sensing line SL # in one sub-pixel row while a driving transistor characteristic value is measured, that is, a sensing operation is in progress. L(L=4) subpixels ((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j+2), SP #(4m, j+3), SP #() commonly connected to m) 4m, j+4)) of M(2≤M≤L, L=4, M=3) subpixels ((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j+2) , SP #(4m, j+3)), the driving transistor DRT may simultaneously receive the sensing data voltage VDATAs to the first node N1 At this time, the L sub-pixels (SP # (4m, j+1), SP #(4m, j+2), SP #(4m, j+3), SP #(4m, j+4)) may be subpixels of the same color.

이하에서 서브픽셀((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j+2), SP #(4m, j+3), SP #(4m, j+4))을 R 서브픽셀인 것으로 가정할 때, 서브픽셀((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j+2), SP #(4m, j+3), SP #(4m, j+4))을 각각 R1, R2, R3, R4 서브픽셀로 지칭될 수 있다. 본 발명은 다른 컬러의 서브픽셀에 대해서도 동일하게 적용될 수 있다.Hereinafter, subpixels ((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j+2), SP #(4m, j+3), SP #(4m, j+4)) are referred to as R subpixels. Subpixel((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j+2), SP #(4m, j+3), SP #(4m, j+4)) may be referred to as R1, R2, R3, and R4 subpixels, respectively, The present invention can be equally applied to subpixels of other colors.

게이트 드라이버(130)는, 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 각 센싱 라인(SL #m)과 공통으로 연결된 L(예: L=4)개의 서브픽셀(R1, R2, R3, R4) 중 M개의 서브픽셀(R1, R2, R3) 각각에 연결된 게이트 라인으로 스캔 신호(SCAN(j+1), SCAN(j+2), SCAN(j+3))를 출력할 수 있다. 그리고, M개의 서브픽셀 각각에 연결된 데이터 라인으로 센싱용 데이터 전압이 출력되는 동안, 게이트 드라이버(130)는 L-M개의 서브픽셀 각각에 연결된 게이트 라인으로 스캔 신호(SCAN(j+4))를 출력하지 않는다. 여기서, M개의 게이트 라인과 연결된 M개의 서브픽셀은, 하나의 센싱 라인과 대응되는 L개의 게이트 라인과 연결된 L개의 서브픽셀 중에서 동시에 센싱되는 서브픽셀로서 선택된 것이다. 이러한 센싱 대상이 되는 서브픽셀의 선택은 타이밍 컨트롤러(140)에 의해 이루어질 수 있다.While measuring the driving transistor characteristic, the gate driver 130 includes M number of subpixels R1, R2, R3, and R4 of L (eg, L=4) commonly connected to each sensing line SL #m. The scan signals SCAN(j+1), SCAN(j+2), and SCAN(j+3) may be output to the gate lines connected to each of the subpixels R1, R2, and R3. And, while the data voltage for sensing is output to the data line connected to each of the M subpixels, the gate driver 130 does not output the scan signal SCAN(j+4) to the gate line connected to each of the L-M subpixels. does not Here, the M subpixels connected to the M gate lines are selected as subpixels simultaneously sensed from among the L subpixels connected to the L gate lines corresponding to one sensing line. The selection of the sub-pixel to be the sensing target may be made by the timing controller 140 .

도 30을 참조하면, 센싱 라인(SL #m)으로 흐르는 총 전류(Ids_Total)의 전류량은 R1 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류(Ids_1)와 R2 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류(Ids_2)와 R3 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 흐르는 전류(Ids_3)의 전류량 합과 같다. 이 경우, R1 서브픽셀, R2 서브픽셀 및 R3 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력(이동도)은 센싱 라인(SL #m)으로 흐르는 총 전류(Ids_Total)의 전류량의 1/3로 보면 된다. 결과적으로 이동도 센싱 시간을 1/3로 단축할 수 있다. 즉, R1 서브픽셀, R2 서브픽셀 및 R3 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력(이동도)은 센싱 라인(SL #m)의 센싱 전압(Vsen)을 토대로 파악된 전류 능력(이동도)의 1/3에 해당하며, 이에 맞게 이동도 보상을 위한 게인을 결정할 수 있다.Referring to FIG. 30 , the amount of the total current Ids_Total flowing through the sensing line SL #m is the current Ids_1 flowing through the driving transistor DRT in the R1 subpixel and the driving transistor DRT in the R2 subpixel. ) is equal to the sum of the amount of current Ids_2 flowing through the R3 subpixel and the current Ids_3 flowing through the driving transistor DRT in the R3 subpixel. In this case, the current capability (mobility) of the driving transistor DRT in each of the R1 subpixel, R2 subpixel, and R3 subpixel is 1/3 of the current amount of the total current Ids_Total flowing into the sensing line SL #m can be viewed as As a result, the mobility sensing time can be reduced by 1/3. That is, the current capability (mobility) of the driving transistor DRT in each of the R1 subpixel, R2 subpixel, and R3 subpixel is determined based on the sensing voltage Vsen of the sensing line SL #m (movement). It corresponds to 1/3 of the figure), and a gain for mobility compensation can be determined accordingly.

이를 통해 본 발명은 고 해상도 및 고 개구울을 위해, 구동 트랜지스터(DRT)의 크기가 작고, 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력이 부족할 수밖에 없는 상황에서도, 짧은 센싱 시간에 낮은 센싱용 데이터 전압(VDATAs)을 이용하여 이동도 센싱 및 보상을 정확하게 수행할 수 있다.Through this, the present invention provides a low sensing data voltage (VDATAs) in a short sensing time even in a situation where the size of the driving transistor DRT is small and the current capability of the driving transistor DRT is insufficient for high resolution and high aperture. ) can be used to accurately perform mobility sensing and compensation.

도 31은 본 실시예들에 따른 이동도 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j+2), SP #(4m, j+3), SP #(4m, j+4)) 중 3개의 서브픽셀((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j+2), SP #(4m, j+3))을 동시에 센싱하는 방식을 적용하는 경우, 이동도 센싱 단계에서 센싱값과 보상값을 예시적으로 도시한 도면이다.31 illustrates four sub-pixels ((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j+) commonly connected to one sensing line SL #m) during mobility sensing according to the present embodiments. 2), SP #(4m, j+3), SP #(4m, j+4)) of 3 sub-pixels ((SP #(4m, j+1), SP #(4m, j+2), In the case of applying the method of simultaneously sensing SP #(4m, j+3)), a diagram exemplarily shows a sensing value and a compensation value in the mobility sensing step.

도 30 및 도 31을 참조하면, M=3인 경우, 4번의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 하나의 데이터 라인에 R1, R2, R3, R4 서브픽셀의 이동도 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs)을 9V로 인가하고, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R1, R2, R3, R4) 중 3개의 서브픽셀(R1, R2, R3)을 동시에 센싱한다.30 and 31 , when M=3, data voltages (VDATAs) for mobility sensing of R1, R2, R3, and R4 sub-pixels in one data line while measuring the characteristic values of the driving transistor No. 4 is applied to 9V, and three sub-pixels R1, R2, and R3 among the four sub-pixels R1, R2, R3, and R4 commonly connected to one sensing line SL #m are simultaneously sensed.

1개의 센싱 라인(SL #m)을 통해 센싱된 전압에는 당연히 3개 서브픽셀(R1, R2, R3)의 이동도 특성이 섞여서 나온다. 서브픽셀 각각을 하나씩 센싱하는 대신에 R1/R2/R3, R2/R3/R4, R3/R4/R1, R4/R1/R2 서브픽셀을 동시에 센싱하면 그만큼 전류가 섞이기 때문에 이동도 센싱값은 아래 수학식 8과 같은 4×4행렬로 표현할 수 있다.Of course, the mobility characteristics of the three sub-pixels R1, R2, and R3 are mixed in the voltage sensed through one sensing line SL #m. If R1/R2/R3, R2/R3/R4, R3/R4/R1, R4/R1/R2 sub-pixels are sensed at the same time instead of sensing each sub-pixel one by one, the current is mixed accordingly, so the mobility sensing value is below. It can be expressed as a 4×4 matrix as in Equation 8.

[수학식 8] [Equation 8]

Figure 112016084361845-pat00006
Figure 112016084361845-pat00006

수학식 8에서 Vsen123, Vsen234, Vsen341, Vsen412는 각각 R1/R2/R3, R2/R3/R4, R3/R4/R1, R4/R1/R2 서브픽셀을 동시에 센싱할 때 1개의 센싱라인(SL #m)을 통해 센싱된 센싱 전압들이며, Vsen1, Vsen2, Vsen3, Vsen4는 R1, R2, R3, R4 서브픽셀에 포함되는 구동 트랜지스터의 이동도 센싱값이다. 여기서 1, 2, 3, 4라는 순서는 센싱 순서를 의미하고 실제 유기발광 표시패널(110) 상 서브픽셀 위치를 의미하지 않는다. 다시 말해 이동도 센싱값을 표현한 4×4 행렬은 수학식 8로 표현되는 행렬의 행 순서를 바꾼 행렬일 수 있다.In Equation 8, when Vsen123, Vsen234, Vsen341, and Vsen412 are simultaneously sensing R1/R2/R3, R2/R3/R4, R3/R4/R1, R4/R1/R2 subpixels, one sensing line (SL # m) are sensed voltages, and Vsen1, Vsen2, Vsen3, and Vsen4 are mobility sensing values of driving transistors included in the R1, R2, R3, and R4 sub-pixels. Here, the order of 1, 2, 3, and 4 means a sensing order and does not mean a sub-pixel position on the organic light emitting display panel 110 . In other words, the 4×4 matrix expressing the mobility sensing value may be a matrix in which the row order of the matrix expressed by Equation 8 is changed.

센싱된 전압으로 실제 이동도 특성값을 구하기 위해서는 아래 수학식 9와 같은 역행렬을 사용하면 된다. 이렇게 계산함으로써 센싱 시간을 줄이면서 실제 이동도 특성 값을 정확히 구할 수 있다.In order to obtain an actual mobility characteristic value using the sensed voltage, an inverse matrix as shown in Equation 9 below may be used. By calculating in this way, the actual mobility characteristic value can be accurately obtained while reducing the sensing time.

[수학식 9] [Equation 9]

Figure 112016084361845-pat00007
Figure 112016084361845-pat00007

수학식 9에서 4×4 행렬에서 각 열의 각 행렬계수들은, 각각의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, R1, R2, R3, R4 서브픽셀 중 3개의 서브픽셀에 포함되는 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류의 전류량의 비율로 결정한다.In Equation 9, each matrix coefficient of each column in the 4×4 matrix represents the value of the current flowing through the driving transistor included in three subpixels among the R1, R2, R3, and R4 subpixels while measuring the driving transistor characteristic values. It is determined by the ratio of the amount of current.

이를 일반화하면, L×L 행렬에서 각 열의 각 행렬 계수들은 아래 수학식 10과 같이 M개의 서브픽셀 중 해당 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를 한번의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안마다 하나의 센싱 라인을 통해 흐르는 총 전류의 전류량으로 나눈 값으로 결정할 수 있다.To generalize this, each matrix coefficient of each column in the L×L matrix senses the current flowing through the driving transistor of the corresponding subpixel among the M subpixels as shown in Equation 10 below, one sensing each time the driving transistor characteristic value is measured. It can be determined as the amount of current divided by the total current flowing through the line.

[수학식 10] [Equation 10]

Xij=Ids_j/ Ids_TotalXij=Ids_j/ Ids_Total

수학식 10에서 Xij는 L×L행렬에서 (i, j) 행렬계수(i, j=1 내지 K의 자연수)의 값을 의미하고, Ids_i는 L개의 게이트 라인 중 M개의 게이트 라인과 연결된 M개의 서브픽셀 중 j번째 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를 의미하고, Ids_Total는 한번의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안마다 하나의 센싱 라인을 통해 흐르는 총 전류의 전류량을 의미한다.In Equation 10, Xij denotes a value of (i, j) matrix coefficients (i, j=a natural number of 1 to K) in an L×L matrix, and Ids_i denotes M number of gate lines connected to M gate lines among L gate lines. It means the current flowing through the driving transistor of the j-th subpixel among the subpixels, and Ids_Total refers to the amount of total current flowing through one sensing line during one measurement of the driving transistor characteristic value.

이상 본 실시예들에 따라 이동도 센싱 및 보상하는 것을 설명하였다. 이하에서 본 실시예에 따라 문턱전압 센싱 및 보상하는 것을 설명한다.As described above, sensing and compensating for mobility according to the present embodiments has been described. Hereinafter, threshold voltage sensing and compensation according to the present embodiment will be described.

도 32는 본 실시예들에 따른 유기발광 표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 원리를 설명하기 위한 도면이다.32 is a diagram for explaining a threshold voltage sensing principle of the driving transistor DRT of the organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiment.

도 32를 참조하면, 문턱전압 센싱 원리는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드 (N1), 예를 들어 소스 노드의 전압(Vs)이 게이트 노드(N2)의 전압(Vg)을 팔로잉(Following) 하는 소스 팔로잉(Source Following) 동작을 하도록 만들어 주고, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N1)의 전압(Vs)이 세츄레이션한 이후, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N1)의 전압(Vs)을 센싱 전압(Vsense)으로서 센싱한다. 그리고, 센싱 전압(Vsense)을 토대로 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 변동을 파악한다. 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N2)에 인가된 전압(Vg)은 해당 소스 드라이버 집적회로에서 공급된 데이터전압(Vdata)이다.Referring to FIG. 32 , the threshold voltage sensing principle is that the voltage Vs of the first node N1 of the driving transistor DRT, for example, the voltage Vs of the source node, follows the voltage Vg of the gate node N2. Following), it makes the source following operation, and after the voltage Vs of the source node N1 of the driving transistor DRT is saturated, the source node N1 of the driving transistor DRT is The voltage Vs is sensed as the sensing voltage Vsense. Then, the threshold voltage variation of the driving transistor DRT is determined based on the sensing voltage Vsense. The voltage Vg applied to the gate node N2 of the driving transistor DRT is the data voltage Vdata supplied from the corresponding source driver integrated circuit.

이러한 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱은, 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프(Turn-Off) 될 때까지 기다려야 하므로 센싱 속도가 느리다는 특징이 있다. 따라서, 문턱전압 센싱 모드를 슬로우 모드(S-Mode)라고도 한다. 본 발명은 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱에 소요되는 센싱 시간을 줄이기 위해, 복수의 서브픽셀들을 동시에 센싱하는 방식을 제안한다. 다시 말해, 본 발명은, 도 24 내지 도 31을 참조하여 둘 이상의 서브픽셀들의 구동 트랜지스터의 이동도를 동시에 센싱하는 방법과 동일 또는 유사한 방식으로 둘 이상의 서브픽셀들의 구동 트랜지스터의 문턱전압를 동시에 센싱할 수 있다.Sensing the threshold voltage of the driving transistor DRT is characterized in that the sensing speed is slow because it has to wait until the driving transistor DRT is turned off. Accordingly, the threshold voltage sensing mode is also referred to as a slow mode (S-Mode). The present invention proposes a method of simultaneously sensing a plurality of sub-pixels in order to reduce the sensing time required for sensing the threshold voltage of the driving transistor DRT. In other words, according to the present invention, the threshold voltages of the driving transistors of two or more subpixels can be simultaneously sensed in the same or similar manner to the method of simultaneously sensing the mobility of the driving transistors of two or more subpixels with reference to FIGS. 24 to 31 . have.

1개의 센싱 라인(SL #m)을 통해 센싱된 전압에는 당연히 S개 서브픽셀의 문턱전압 특성이 섞여서 나온다. S개 서브픽셀들의 문턱전압을 동시에 센싱하는 경우에는 전술한 이동도 센싱과 달리 도 33에 도시한 바와 같이 전체적 비선형성 또는 비선형적 특성이 크다. 복수의 서브픽셀의 문턱전압을 동시에 센싱할 때 나타나는 도 33의 비선형적 특성은, 문턱전압 변화량(ΔVth), 즉 현재 실제 문턱전압(Vth)과 마지막에 센싱된 문턱전압(Vth)의 차이가 작은 서브픽셀에서 두드러진다. 비선형성은 센싱 및 보상의 정확도를 떨어뜨릴 수 있다.Of course, the threshold voltage characteristics of the S sub-pixels are mixed in the voltage sensed through one sensing line SL #m. When the threshold voltages of the S sub-pixels are simultaneously sensed, as shown in FIG. 33 , unlike the aforementioned mobility sensing, overall non-linearity or non-linear characteristics are large. The nonlinear characteristic of FIG. 33 that appears when the threshold voltages of a plurality of sub-pixels are simultaneously sensed is that the threshold voltage change amount ΔVth, that is, the difference between the current actual threshold voltage Vth and the last sensed threshold voltage Vth is small. It stands out in subpixels. Nonlinearities can reduce the accuracy of sensing and compensation.

본 발명은 이러한 비선형성을 줄이기 위해, 유기발광 표시장치(100)는 S개의 서브픽셀에 포함되는 구동 트랜지스터의 크기의 비율을 반영하여 표현된 K×K행렬과, K번의 센싱된 전압을 토대로 K개의 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터의 문턱전압을 산출할 수 있다. 문턱전압 센싱은 구동 트랜지스터의 크기에 영향을 받는다. 문턱전압 센싱은 구동 트랜지스터의 채널 길이(L)가 동일할 경우, 구동 트랜지스터의 채널 폭(W)에 주로 영향을 받는다. 본 발명은 구동 트랜지스터의 채널 길이(L)가 다른 경우 구동 트랜지스터의 크기의 비율을 반영하여 K×K 행렬을 계산할 수 있다.According to the present invention, in order to reduce such nonlinearity, the organic light emitting display device 100 uses a K×K matrix expressed by reflecting the ratio of sizes of driving transistors included in the S sub-pixels and K based on the K sensed voltages K times. The threshold voltage of the driving transistor in each of the sub-pixels may be calculated. Threshold voltage sensing is affected by the size of the driving transistor. Threshold voltage sensing is mainly affected by the channel width W of the driving transistor when the channel length L of the driving transistor is the same. In the present invention, when the channel length L of the driving transistor is different, the K×K matrix can be calculated by reflecting the ratio of the size of the driving transistor.

본 발명은 동시에 센싱되는 서브픽셀의 개수 S를 K개 이내에서 다양하게 설정할 수 있다. 본 발명은 동시에 센싱되는 서브픽셀의 개수 S를 K번 각각에서 동일하게 설정할 수도 있고, K번 중 적어도 한번에서 다르게 설절할 수도 있다. 이하의 도 34a 내지 도 34d, 및 도 37에서는 동시에 센싱되는 서브픽셀의 개수 S가 K번 각각에서 동일하게 설정된 예를 보여주고, 도 35a 내지 도 35d, 및 도 36a 내지 도 36d에서는 동시에 센싱되는 서브픽셀의 개수 S가 K번 중 적어도 한번에서 다르게 설정된 예들을 보여준다. According to the present invention, the number S of subpixels sensed at the same time can be variously set within K. According to the present invention, the number S of the sub-pixels sensed at the same time may be set to be the same in each of the K times, or may be set differently in at least one of the K times. The following FIGS. 34A to 34D and 37 show examples in which the number S of subpixels sensed at the same time is set to be the same in each of K times, and FIGS. 35A to 35D and 36A to 36D show subpixels sensed simultaneously Examples are shown in which the number S of pixels is set differently in at least one of K times.

본 발명은 이러한 예시 구성에 한정되지 않는다. The present invention is not limited to these exemplary configurations.

예를 들어, 본 발명은 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀들(R, W, G, B) 중에서 2개씩의 서브픽셀들(R/W, W/G, W/B, R/G)을 대상으로 동시에 센싱하는 방법에 적용될 수도 있다. 본 발명은 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀들(R, W, G, B) 중에서 2개 또는 3개의 서브픽셀들(R/W, W/G, G/B, R/W/G)을 대상으로 동시에 센싱하는 방법에 적용될 수도 있다. 본 발명은 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀들(R, W, G, B) 중에서 1개 또는 2개의 서브픽셀들(W, G, R/W, G/B)을 대상으로 동시에 센싱하는 방법에 적용될 수도 있다. 본 발명은 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 3개의 서브픽셀들(R, G, B) 중에서 1개 또는 2개의 서브픽셀들(G, R/G, G/B)을 대상으로 동시에 센싱하는 방법에 적용될 수도 있다. 본 발명은 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 3개의 서브픽셀들(R, G, B) 중에서 2개 또는 3개의 서브픽셀들(R/G, G/B, R/G/B)을 대상으로 동시에 센싱하는 방법에 적용될 수도 있다. 이외에도 다양한 변형이 가능하다.For example, in the present invention, two sub-pixels R/W, W/G, It can also be applied to a method of simultaneously sensing W/B and R/G). In the present invention, two or three sub-pixels (R/W, W/G, G/ B, R/W/G) may be applied to a method of simultaneously sensing the target. In the present invention, one or two sub-pixels (W, G, R/W, G/) among four sub-pixels (R, W, G, B) commonly connected to one sensing line (SL #m) It can also be applied to a method of simultaneously sensing B). The present invention targets one or two sub-pixels (G, R/G, G/B) among three sub-pixels (R, G, B) commonly connected to one sensing line (SL #m). It can also be applied to a method of sensing simultaneously. In the present invention, two or three sub-pixels R/G, G/B, R/G/ among three sub-pixels R, G, B commonly connected to one sensing line SL #m. It can also be applied to a method of simultaneously sensing B). In addition, various modifications are possible.

도 34a 내지 도 34d는 본 실시예들에 따른 문턱전압 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀들(R, W, G, B) 중에서 3개씩의 서브픽셀들(R/W/G, W/G/B, G/B/R, B/R/W)을 대상으로 동시에 센싱하는 예를 나타낸 도면이다(K=4, S=3).34A to 34D show three sub-pixels among four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m when the threshold voltage is sensed according to the present embodiments. It is a diagram showing an example of simultaneously sensing objects (R/W/G, W/G/B, G/B/R, B/R/W) (K=4, S=3).

도 34a 내지 도 34d를 참조하면, 4번의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 유기발광 표시장치(100)는 3개의 데이터 라인으로 동일한 센싱용 데이터 전압을 동시에 출력한다. 또한 유기발광 표시장치(100)는 4개의 데이터 라인중에서 센싱용 데이터 전압이 출력되는 3개의 데이터 라인을 제외한 1개의 데이터 라인으로 미센싱용 데이터 전압으로 정의된 블랙 데이터 전압을 출력한다.Referring to FIGS. 34A to 34D , while measuring the characteristic value of the driving transistor No. 4, the organic light emitting diode display 100 simultaneously outputs the same sensing data voltage to three data lines. Also, the organic light emitting diode display 100 outputs a black data voltage defined as a non-sensing data voltage to one data line from among the four data lines except for three data lines to which the sensing data voltage is output.

도 34a와 같이 1번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, R 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_R), W 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_W), G 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_G)은 각각 5V이고 B 서브픽셀의 블랙데이터 전압(VDATA_BLACK)은 OV일 수 있다. 1번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 3개의 서브픽셀(R, W, G)을 동시에 센싱한다.As shown in FIG. 34A , during the measurement of the first driving transistor characteristic value, the data voltage (VDATAs_R) for sensing the R sub-pixel, the data voltage (VDATAs_W) for the sensing of the W sub-pixel, and the data voltage for the sensing of the G sub-pixel (VDATAs_G) may be 5V, respectively, and the black data voltage VDATA_BLACK of the B subpixel may be OV. While measuring the first driving transistor characteristic value, three sub-pixels (R, W, G) among the four sub-pixels (R, W, G, B) commonly connected to one sensing line (SL #m) are sense at the same time.

도 34b와 같이 2번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, W 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_W), G 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_G), B 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_B)은 각각 5V이고 R 서브픽셀의 블랙데이터 전압(VDATA_BLACK)은 OV일 수 있다. 2번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 3개의 서브픽셀(W, G,B)을 동시에 센싱한다.As shown in FIG. 34B , while measuring the characteristic value of the second driving transistor, the data voltage (VDATAs_W) for sensing the W sub-pixel, the data voltage (VDATAs_G) for the sensing of the G sub-pixel, and the data voltage for sensing the B sub-pixel (VDATAs_B) may be 5V, respectively, and the black data voltage VDATA_BLACK of the R subpixel may be OV. While measuring the characteristic value of the second driving transistor, three sub-pixels (W, G, B) among the four sub-pixels (R, W, G, B) commonly connected to one sensing line (SL #m) are sense at the same time.

도 34c와 같이 3번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, R 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_R), G 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_G), B 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_B)은 각각 5V이고 W 서브픽셀의 블랙데이터 전압(VDATA_BLACK)은 OV일 수 있다. 3번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 3개의 서브픽셀(R, G,B)을 동시에 센싱한다.As shown in FIG. 34C , while measuring the characteristic value of the third driving transistor, the data voltage (VDATAs_R) for sensing the R sub-pixel, the data voltage (VDATAs_G) for the sensing of the G sub-pixel, and the data voltage for the sensing of the B sub-pixel (VDATAs_B) may be 5V, respectively, and the black data voltage VDATA_BLACK of the W subpixel may be OV. While measuring the characteristic value of the third driving transistor, three sub-pixels (R, G, B) among the four sub-pixels (R, W, G, B) commonly connected to one sensing line (SL #m) sense at the same time.

도 34d와 같이 4번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, R 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_R), W 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_W), B 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_B)은 각각 5V이고 G 서브픽셀의 블랙데이터 전압(VDATA_BLACK)은 OV일 수 있다. 4번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 3개의 서브픽셀(R, W,B)을 동시에 센싱한다.As shown in FIG. 34D , while measuring the characteristic value of the fourth driving transistor, the data voltage (VDATAs_R) for sensing the R sub-pixel, the data voltage (VDATAs_W) for the sensing of the W sub-pixel, and the data voltage for the sensing of the B sub-pixel (VDATAs_B) may be 5V, respectively, and the black data voltage VDATA_BLACK of the G subpixel may be OV. While measuring the characteristic value of the fourth driving transistor, three sub-pixels (R, W, B) among the four sub-pixels (R, W, G, B) commonly connected to one sensing line (SL #m) are sense at the same time.

도 34a 내지 도 34d에 도시된 것처럼, R, G, B, W 서브픽셀 각각을 하나씩 센싱하는 대신에 R/G/B, G/B/W, B/W/R, W/R/G와 같이 3개의 서브픽셀을 동시에 센싱하면 그만큼 전류가 섞이기 때문에 문턱전압 센싱값은 아래 수학식 11과 같은 4×4행렬로 표현할 수 있다.34A to 34D, instead of sensing each of the R, G, B, and W subpixels one by one, R/G/B, G/B/W, B/W/R, W/R/G and Similarly, when three sub-pixels are simultaneously sensed, the current is mixed accordingly, so the threshold voltage sensing value can be expressed in a 4×4 matrix as shown in Equation 11 below.

[수학식 11] [Equation 11]

Figure 112016084361845-pat00008
Figure 112016084361845-pat00008

수학식 11에서 VsenRGB, VsenGBW, VsenBWR, VsenWRG는 R/G/B, G/B/W, B/W/R, W/R/G 서브픽셀을 동시에 센싱할 때 1개의 센싱 라인(SL #m)을 통해 센싱된 센싱 전압들이며, VsenR, VsenG, VsenB, VsenW는 R, G, B, W 서브픽셀에 포함되는 구동 트랜지스터의 문턱전압 센싱값이다. 그리고, W1,W2,W3,W4는 각각 R, G, B, W 서브픽셀에 포함되는 구동 트랜지스터의 채널 폭을 지시한다. 여기서 R, G, B, W라는 순서는 일 예이고 본 발명은 이 순서에 한정되지 않는다. R, G, B, W를 다른 순서로 한 구조도 포함한다. 다시 말해 문턱전압 센싱값을 표현한 4×4 행렬은 수학식 11로 표현되는 행렬의 행 순서를 바꾼 행렬일 수 있다.In Equation 11, VsenRGB, VsenGBW, VsenBWR, and VsenWRG are one sensing line (SL #m) when simultaneously sensing R/G/B, G/B/W, B/W/R, and W/R/G subpixels. ) are sensed voltages, and VsenR, VsenG, VsenB, and VsenW are threshold voltage sensing values of driving transistors included in the R, G, B, and W sub-pixels. In addition, W1, W2, W3, and W4 indicate channel widths of driving transistors included in the R, G, B, and W subpixels, respectively. Here, the order of R, G, B, and W is an example and the present invention is not limited to this order. Structures in which R, G, B, and W are arranged in a different order are also included. In other words, the 4×4 matrix expressing the threshold voltage sensing value may be a matrix in which the row order of the matrix expressed by Equation 11 is changed.

R, G, B, W의 구동 트랜지스터의 채널 폭(W1,W2,W3,W4)이 26μm, 18μm, 24μm, 14μm이고 RGB, GBW, BWR, WRG 서브픽셀을 동시에 센싱할 경우 문턱전압 센싱값은 대략 아래 수학식 12와 같은 행렬로 표현할 수 있다.When the channel widths (W1, W2, W3, W4) of the driving transistors of R, G, B, and W are 26 μm, 18 μm, 24 μm, and 14 μm, and RGB, GBW, BWR, and WRG subpixels are simultaneously sensed, the threshold voltage sensing value is It can be roughly expressed as a matrix as in Equation 12 below.

[수학식 12] [Equation 12]

Figure 112016084361845-pat00009
Figure 112016084361845-pat00009

따라서 센싱된 전압으로 실제 문턱전압 특성값을 구하기 위해서는 아래 수학식 13과 같은 역행렬을 사용하면 된다.Therefore, in order to obtain an actual threshold voltage characteristic value using the sensed voltage, an inverse matrix as shown in Equation 13 below may be used.

[수학식 13] [Equation 13]

Figure 112016084361845-pat00010
Figure 112016084361845-pat00010

이렇게 계산함으로써 문턱전압 센싱 시간을 줄이면서 실제 문턱전압 특성 값을 정확히 구할 수 있다.By calculating in this way, the actual threshold voltage characteristic value can be accurately obtained while reducing the threshold voltage sensing time.

도 35a 내지 도 35d는 본 실시예들에 따른 문턱전압 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀들(R, W, G, B) 중에서 2개 또는 3개의 서브픽셀들(R/W, W/G, W/B, R/G/B)을 대상으로 동시에 센싱하는 예를 나타낸 도면이다(K=4, S=2 또는 3).35A to 35D show two or three of the four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m when the threshold voltage is sensed according to the present embodiments. It is a diagram showing an example of simultaneously sensing the sub-pixels R/W, W/G, W/B, and R/G/B (K=4, S=2 or 3).

도 35a 내지 도 35d를 참조하면, 4번의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 유기발광 표시장치(100)는 2개 또는 3개의 데이터 라인으로 동일한 센싱용 데이터 전압을 동시에 출력한다. 또한 유기발광 표시장치(100)는 4개의 데이터 라인중에서 센싱용 데이터 전압이 출력되는 2개 또는 3개의 데이터 라인을 제외한 1개 또는 2개의 데이터 라인으로 미센싱용 데이터 전압으로 정의된 블랙 데이터 전압을 출력한다.35A to 35D , the organic light emitting diode display 100 simultaneously outputs the same sensing data voltage to two or three data lines while measuring the characteristic value of the driving transistor No. 4 . In addition, the organic light emitting diode display 100 applies a black data voltage defined as a non-sensing data voltage to one or two data lines excluding two or three data lines from which a sensing data voltage is output among the four data lines. print out

도 35a와 같이 1번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, R 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_R), W 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_W)은 각각 5V이고 G 및 B 서브픽셀의 블랙데이터 전압(VDATA_BLACK)은 OV일 수 있다. 1번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 2개의 서브픽셀(R, W)을 동시에 센싱한다.As shown in FIG. 35A , during the measurement of the first driving transistor characteristic value, the data voltage VDATAs_R for sensing of the R subpixel and the data voltage VDATAs_W for the sensing purpose of the W subpixel are 5V, respectively, and The black data voltage VDATA_BLACK may be OV. While measuring the first driving transistor characteristic, two sub-pixels (R, W) are simultaneously sensed among the four sub-pixels (R, W, G, B) commonly connected to one sensing line (SL #m) do.

도 35b와 같이 2번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, W 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_W), G 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_G)은 각각 5V이고 R 및 B 서브픽셀의 블랙데이터 전압(VDATA_BLACK)은 OV일 수 있다. 2번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 2개의 서브픽셀(W, G)을 동시에 센싱한다.As shown in FIG. 35B , while measuring the characteristic value of the second driving transistor, the data voltage (VDATAs_W) for sensing of the W sub-pixel and the data voltage (VDATAs_G) for sensing of the G sub-pixel are 5V, respectively, and The black data voltage VDATA_BLACK may be OV. Simultaneously sensing two sub-pixels (W, G) among four sub-pixels (R, W, G, B) commonly connected to one sensing line (SL #m) while measuring the second driving transistor characteristic value do.

도 35c와 같이 3번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, W 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_W), B 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_B)은 각각 5V이고 R 및 W 서브픽셀의 블랙데이터 전압(VDATA_BLACK)은 OV일 수 있다. 3번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 2개의 서브픽셀(W,B)을 동시에 센싱한다.As shown in FIG. 35C , while measuring the characteristic value of the third driving transistor, the data voltage (VDATAs_W) for sensing of the W sub-pixel and the data voltage (VDATAs_B) for sensing of the B sub-pixel are 5V, respectively, and The black data voltage VDATA_BLACK may be OV. Simultaneously sensing two sub-pixels (W, B) among four sub-pixels (R, W, G, B) commonly connected to one sensing line (SL #m) while measuring the third driving transistor characteristic value do.

도 35d와 같이 4번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, R 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_R), G 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_G), B 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_B)은 각각 5V이고 W 서브픽셀의 블랙데이터 전압(VDATA_BLACK)은 OV일 수 있다. 4번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 3개의 서브픽셀(R, G,B)을 동시에 센싱한다.As shown in FIG. 35D , while measuring the characteristic value of the fourth driving transistor, the data voltage (VDATAs_R) for sensing the R sub-pixel, the data voltage (VDATAs_G) for sensing the G sub-pixel, and the data voltage for the sensing of the B sub-pixel (VDATAs_B) may be 5V, respectively, and the black data voltage VDATA_BLACK of the W subpixel may be OV. While measuring the characteristic value of the fourth driving transistor, three sub-pixels (R, G, B) among the four sub-pixels (R, W, G, B) commonly connected to one sensing line (SL #m) are sense at the same time.

도 35a 내지 도 35d에 도시된 것처럼, R, G, B, W 서브픽셀 각각을 하나씩 센싱하는 대신에 R/W, W/G, W/B, R/G/B 같이 2개 또는 3개의 서브픽셀을 동시에 센싱하면 그만큼 전류가 섞인다. R, W, G, B의 구동 트랜지스터의 채널 폭이 각각 22μm, 14μm, 22μm, 17μm 인 경우 문턱전압 센싱값은 아래 수학식 14와 같은 4×4 역행렬로 표현할 수 있다. 35A to 35D, instead of sensing each of R, G, B, and W subpixels one by one, two or three sub-pixels such as R/W, W/G, W/B, R/G/B When pixels are sensed at the same time, that amount of current is mixed. When the channel widths of the driving transistors of R, W, G, and B are 22 μm, 14 μm, 22 μm, and 17 μm, respectively, the threshold voltage sensing value may be expressed as a 4×4 inverse matrix as shown in Equation 14 below.

[수학식 14] [Equation 14]

Figure 112016084361845-pat00011
Figure 112016084361845-pat00011

수학식 14에서 VsenR, VsenG, VsenB, VsenW는 R, G, B, W 서브픽셀에 포함되는 구동 트랜지스터의 문턱전압 센싱값이고, VsenRW, VsenWG, VsenWB, VsenRGB는 각각 R/W, W/G, W/B, R/G/B 서브픽셀을 동시에 센싱할 때 1개의 센싱 라인(SL #m)을 통해 센싱된 센싱 전압들이다. 이렇게 계산함으로써 문턱전압 센싱 시간을 줄이면서 실제 문턱전압 특성 값을 정확히 구할 수 있다.In Equation 14, VsenR, VsenG, VsenB, and VsenW are threshold voltage sensing values of driving transistors included in the R, G, B, and W subpixels, and VsenRW, VsenWG, VsenWB, and VsenRGB are R/W, W/G, These are sensing voltages sensed through one sensing line SL #m when W/B and R/G/B sub-pixels are simultaneously sensed. By calculating in this way, the actual threshold voltage characteristic value can be accurately obtained while reducing the threshold voltage sensing time.

도 36a 내지 도 36d는 본 실시예들에 따른 문턱전압 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀들(R, W, G, B) 중에서 1개씩 또는 2개씩의 서브픽셀들(W, R/G, G/B, R/B)을 대상으로 동시에 센싱하는 예를 나타낸 도면이다(K=4, S=1 또는 2).36A to 36D show one or two of the four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m when the threshold voltage is sensed according to the present embodiments. It is a diagram showing an example of simultaneously sensing the sub-pixels W, R/G, G/B, and R/B of (K=4, S=1 or 2).

도 36a 내지 도 36d를 참조하면, 4번의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 유기발광 표시장치(100)는 1개 또는 2개의 데이터 라인으로 동일한 센싱용 데이터 전압을 동시에 출력한다. 또한 유기발광 표시장치(100)는 4개의 데이터 라인중에서 센싱용 데이터 전압이 출력되는 1개 또는 2개의 데이터 라인을 제외한 2개 또는 3개의 데이터 라인으로 미센싱용 데이터 전압으로 정의된 블랙 데이터 전압을 출력한다.Referring to FIGS. 36A to 36D , while measuring the characteristic value of the driving transistor No. 4, the organic light emitting diode display 100 simultaneously outputs the same sensing data voltage to one or two data lines. In addition, the organic light emitting diode display 100 uses two or three data lines excluding one or two data lines to which a sensing data voltage is output from among the four data lines, and applies a black data voltage defined as a non-sensing data voltage. print out

도 36a와 같이 1번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, W 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_W)은 5V이고 R, G 및 B 서브픽셀의 블랙데이터 전압(VDATA_BLACK)은 OV일 수 있다. 1번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 1개의 서브픽셀(W)을 센싱한다.As shown in FIG. 36A , while measuring the characteristic value of the first driving transistor, the data voltage VDATAs_W for sensing of the W subpixel may be 5V and the black data voltage VDATA_BLACK of the R, G, and B subpixels may be OV. While measuring the first characteristic value of the driving transistor, one sub-pixel W among the four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m is sensed.

도 36b와 같이 2번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, R 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_R), G 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_G)은 각각 5V이고 W 및 B 서브픽셀의 블랙데이터 전압(VDATA_BLACK)은 OV일 수 있다. 2번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 2개의 서브픽셀(R, G)을 동시에 센싱한다.As shown in FIG. 36B , while measuring the characteristic value of the second driving transistor, the data voltage (VDATAs_R) for sensing of the R subpixel and the data voltage (VDATAs_G) for sensing of the G subpixel are 5V, respectively, and The black data voltage VDATA_BLACK may be OV. Simultaneously sensing two sub-pixels (R, G) among four sub-pixels (R, W, G, B) commonly connected to one sensing line (SL #m) while measuring the second driving transistor characteristic value do.

도 36c와 같이 3번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, G 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_G), B 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_B)은 각각 5V이고 R 및 W 서브픽셀의 블랙데이터 전압(VDATA_BLACK)은 OV일 수 있다. 3번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 2개의 서브픽셀(G,B)을 동시에 센싱한다.As shown in FIG. 36C , while measuring the characteristic value of the third driving transistor, the data voltage (VDATAs_G) for sensing of the G subpixel and the data voltage (VDATAs_B) for the sensing purpose of the B subpixel are 5V, respectively, and the values of the R and W subpixels are The black data voltage VDATA_BLACK may be OV. While measuring the characteristic value of the third driving transistor, two sub-pixels (G, B) among the four sub-pixels (R, W, G, B) commonly connected to one sensing line (SL #m) are simultaneously sensed do.

도 36d와 같이 4번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, R 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_R), B 서브픽셀의 센싱 용도의 데이터 전압(VDATAs_B)은 각각 5V이고 W 및 G 서브픽셀의 블랙데이터 전압(VDATA_BLACK)은 OV일 수 있다. 4번째의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 2개의 서브픽셀(R, B)을 동시에 센싱한다.As shown in FIG. 36D , while measuring the characteristic value of the fourth driving transistor, the data voltage (VDATAs_R) for sensing of the R subpixel and the data voltage (VDATAs_B) for the sensing purpose of the B subpixel are 5V, respectively, and the values of the W and G subpixels are The black data voltage VDATA_BLACK may be OV. While measuring the characteristic value of the fourth driving transistor, two sub-pixels (R, B) among the four sub-pixels (R, W, G, B) commonly connected to one sensing line (SL #m) are simultaneously sensed do.

도 36a 내지 도 36d에 도시된 것처럼, R, G, B, W 서브픽셀 각각을 하나씩 센싱하는 대신에 W, R/G, G/B, R/B와 같이 1개 또는 2개의 서브픽셀을 동시에 센싱하면 그만큼 전류가 섞인다. R, W, G, B의 구동 트랜지스터의 채널 폭이 각각 22μm, 14μm, 22μm, 17μm 인 경우 문턱전압 센싱값은 아래 수학식 15와 같은 4×4 역행렬로 표현할 수 있다. As shown in FIGS. 36A to 36D , instead of sensing each of R, G, B, and W subpixels one by one, one or two subpixels such as W, R/G, G/B, and R/B are simultaneously sensed. When it is sensed, the amount of current is mixed. When the channel widths of the driving transistors of R, W, G, and B are 22 μm, 14 μm, 22 μm, and 17 μm, respectively, the threshold voltage sensing value may be expressed as a 4×4 inverse matrix as shown in Equation 15 below.

[수학식 15] [Equation 15]

Figure 112016084361845-pat00012
Figure 112016084361845-pat00012

수학식 15에서 VsenR, VsenG, VsenB, VsenW는 R, G, B, W 서브픽셀에 포함되는 구동 트랜지스터의 문턱전압 센싱값이고, VsenW, VsenRG, VsenGB, VsenBR는 각각 W, R/G, G/B, B/R 서브픽셀을 동시에 센싱할 때 1개의 센싱 라인(SL #m)을 통해 센싱된 센싱 전압들이다. 이렇게 계산함으로써 문턱전압 센싱 시간을 줄이면서 실제 문턱전압 특성 값을 정확히 구할 수 있다.In Equation 15, VsenR, VsenG, VsenB, and VsenW are threshold voltage sensing values of driving transistors included in the R, G, B, and W subpixels, and VsenW, VsenRG, VsenGB, and VsenBR are W, R/G, G/ These are sensing voltages sensed through one sensing line SL #m when the B and B/R sub-pixels are simultaneously sensed. By calculating in this way, the actual threshold voltage characteristic value can be accurately obtained while reducing the threshold voltage sensing time.

도 37은 본 실시예들에 따른 문턱전압 센싱 시, 1개의 센싱 라인(SL #m)에 공통으로 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B)을 동시에 센싱하는 방식을 적용한 예를 나타낸 도면이다(K=4, S=4). 이하에서 K=4, S=4인 경우를 예시적으로 설명하나 S가 K와 서로소가 아닌 모든 경우(예를 들어 K=3, S=3)에도 동일하게 적용할 수 있다.37 illustrates an example of applying a method of simultaneously sensing four sub-pixels R, W, G, and B commonly connected to one sensing line SL #m when sensing the threshold voltage according to the present embodiments. It is a drawing (K=4, S=4). Hereinafter, the case of K=4 and S=4 will be exemplarily described, but the same can be applied to all cases where S is not mutually prime with K (eg, K=3, S=3).

도 37을 참조하면, 이러한 문턱전압 변화량(ΔVth)의 비선형적 특성을 해결할 수 있는 다른 방법으로는 K번의 구동 트랜지스터 특성치를 측정하는 동안, 상기 데이터 드라이버는, S개의 데이터 라인으로 센싱용 데이터 전압을 동시에 출력하는데, S개의 데이터 라인 중 하나로 출력하는 센싱용 데이터 전압이 나머지로 출력하는 나머지 센싱용 데이터 전압보다 크게 한다. 예를 들어 R, G, B, W 서브픽셀을 동시에 센싱할 때 어느 한 센싱용 데이터 전압을 나머지 3개에 비해 크게 하여, 센싱 라인을 통해 센싱된 전압에 미치는 정도를 다르게 할 수 있다. 이때 센싱된 문턱전압 변화량(ΔVth)에 대한 영향은 비선형 특성을 가지므로, 실험을 통해서 계수를 결정해야 한다.Referring to FIG. 37 , as another method for solving the non-linear characteristic of the threshold voltage change amount ΔVth, while measuring the characteristic value of the driving transistor K times, the data driver uses S data lines to generate the sensing data voltage. Simultaneously, the sensing data voltage output to one of the S data lines is greater than the remaining sensing data voltage output to the rest. For example, when R, G, B, and W sub-pixels are simultaneously sensed, one sensing data voltage may be increased compared to the other three, so that the degree to which it affects the voltage sensed through the sensing line may be different. At this time, since the effect on the sensed threshold voltage variation (ΔVth) has a non-linear characteristic, the coefficient must be determined through an experiment.

K가 4인 경우, 구동 트랜지스터의 채널 폭과 센싱된 문턱전압 변화량(ΔVth)에 대한 비선형적 영향을 반영한 계수를 반영한 K×K행렬을 아래 수학식 16으로 표현할 수 있다.When K is 4, a K×K matrix reflecting a coefficient reflecting a nonlinear effect on the channel width of the driving transistor and the sensed threshold voltage change ΔVth can be expressed by Equation 16 below.

[수학식 16] [Equation 16]

Figure 112016084361845-pat00013
Figure 112016084361845-pat00013

수학식 16에서 ,

Figure 112016084361845-pat00014
,
Figure 112016084361845-pat00015
In Equation 16,
Figure 112016084361845-pat00014
,
Figure 112016084361845-pat00015

Figure 112016084361845-pat00016
,
Figure 112016084361845-pat00017
,
Figure 112016084361845-pat00018
,
Figure 112016084361845-pat00019
,
Figure 112016084361845-pat00020
,
Figure 112016084361845-pat00021
이고, W1 내지 W4는 각각 1번째 내지 4번째 서브픽셀에 포함되는 구동 트랜지스터의 채널 폭을 의미하며, Xmain은 센싱된 전압에 주로 영향을 주는 서브픽셀이 센싱된 전압에 영향을 주는 정도이며, Xsub는 다른 서브픽셀들이 센싱된 전압에 영향을 주는 정도를 의미한다. 여기서 R, G, B, W라는 순서는 일 예이고 본 발명은 이 순서에 한정되지 않는다. R, G, B, W를 다른 순서로 한 구조도 포함한다. 다시 말해 문턱전압 센싱값을 표현한 4×4 행렬은 수학식 14로 표현되는 행렬의 행 순서를 바꾼 행렬일 수 있다.
Figure 112016084361845-pat00016
,
Figure 112016084361845-pat00017
,
Figure 112016084361845-pat00018
,
Figure 112016084361845-pat00019
,
Figure 112016084361845-pat00020
,
Figure 112016084361845-pat00021
, W1 to W4 mean the channel widths of driving transistors included in the first to fourth subpixels, respectively, Xmain is the degree to which a subpixel that mainly affects the sensed voltage affects the sensed voltage, Xsub denotes a degree to which other sub-pixels affect the sensed voltage. Here, the order of R, G, B, and W is an example and the present invention is not limited to this order. Structures in which R, G, B, and W are arranged in a different order are also included. In other words, the 4×4 matrix expressing the threshold voltage sensing value may be a matrix in which the row order of the matrix expressed by Equation 14 is changed.

주로 영향을 주는 서브픽셀의 데이터 전압이 5V이고 다른 서브픽셀들의 데이터 전압이 4.5V일 경우 시뮬레이션 결과 주로 영향을 주는 서브픽셀이 67%의 영향을 주고 나머지 3개는 각각 11%의 영향을 주는 것으로 확인할 수 있었다. 이때 문턱전압의 센싱 시간은 1/2 정도일 수 있다.If the data voltage of the mainly affected sub-pixel is 5V and the data voltage of the other sub-pixels is 4.5V, the simulation results show that the predominantly-influencing sub-pixel has an influence of 67% and the other three have an influence of 11% each. could check In this case, the sensing time of the threshold voltage may be about 1/2.

R, G, B, W의 구동 트랜지스터의 채널 폭(W)이 26μm, 18μm, 24μm, 14μm인 경우 문턱전압 센싱값은 대략 아래 수학식 17과 같은 행렬로 표현할 수 있다.When the channel widths (W) of the driving transistors of R, G, B, and W are 26 μm, 18 μm, 24 μm, and 14 μm, the threshold voltage sensing value may be approximately expressed as a matrix as in Equation 17 below.

[수학식 17] [Equation 17]

Figure 112016084361845-pat00022
Figure 112016084361845-pat00022

따라서 센싱된 전압으로 실제 문턱전압 특성값을 구하기 위해서는 아래 수학식 18과 같은 역행렬을 사용하면 된다. 이렇게 계산함으로써 센싱 시간을 줄이면서 실제 문턱전압 특성 값을 정확히 구할 수 있다.Therefore, in order to obtain an actual threshold voltage characteristic value using the sensed voltage, an inverse matrix as shown in Equation 18 below may be used. By calculating in this way, the actual threshold voltage characteristic value can be accurately obtained while reducing the sensing time.

[수학식 18] [Equation 18]

Figure 112016084361845-pat00023
Figure 112016084361845-pat00023

도 38은 센싱 시간과 노이즈 수준이 서로 트레이드 오프(trade-off) 관계임을 나타내는 도면이다.38 is a diagram illustrating a trade-off relationship between a sensing time and a noise level.

전술한 바와 같이, 본 발명은 구동 트랜지스터의 특성치(이동도, 문턱전압)를 센싱하는 데 소요되는 센싱 시간을 줄이기 위해 둘 이상의 서브픽셀들을 대상으로 동시에 다수회 센싱하는 방법을 제안하였다.As described above, the present invention proposes a method of simultaneously sensing two or more sub-pixels a plurality of times in order to reduce the sensing time required to sense the characteristic values (mobility and threshold voltage) of the driving transistor.

이하에서는, 센싱 시간을 줄이면서도 센싱 및 보상의 정확도를 더욱 높이기 위해, 동시에 센싱되는 서브픽셀들의 구동 트랜지스터 크기에 반비례하게 센싱 시간을 설정하는 방법을 추가로 제안한다. 여기서, 구동 트랜지스터의 채널 길이가 같다고 가정할 때, 구동 트랜지스터의 크기는 구동 트랜지스터의 채널폭이 될 수 있다.Hereinafter, in order to further increase the accuracy of sensing and compensation while reducing the sensing time, a method of setting the sensing time in inverse proportion to the size of the driving transistors of the sub-pixels sensed at the same time is additionally proposed. Here, assuming that the channel lengths of the driving transistors are the same, the size of the driving transistor may be the channel width of the driving transistor.

구동 트랜지스터 크기에 반비례하게 센싱 시간을 설정하는 방법은 문턱전압 센싱뿐만 아니라 이동도 센싱에도 적용 가능하다. 다만, 이하에서는 센싱 시간 설정 방법을 문턱전압 센싱을 위주로 하여 설명한다. The method of setting the sensing time in inverse proportion to the size of the driving transistor is applicable not only to the threshold voltage sensing but also to the mobility sensing. However, in the following, a method for setting the sensing time will be mainly described with respect to threshold voltage sensing.

R, W, G, B의 구동 트랜지스터의 채널 폭이 각각 22μm, 14μm, 22μm, 17μm 이고, 컬러 단위로 문턱전압을 센싱하는 데 30ms씩이 소요된다고 가정하면, k는 542.6ms*um이 된다(k/22 + k/14 + k/22 + k/17 = 30×4, ∴ k = 542.6). 여기서, k는 구동 트랜지스터의 채널 폭에 대한 역수[1/um]　당 센싱 시간 [ms]을 지시하는 것으로, 그 단위는 ms*um이 된다.Assuming that the channel widths of the driving transistors of R, W, G, and B are 22 μm, 14 μm, 22 μm, and 17 μm, respectively, and it takes 30 ms to sense the threshold voltage in units of color, k becomes 542.6 ms*um ( k /22 + k /14 + k /22 + k /17 = 30×4, ∴ k = 542.6). Here, k indicates the sensing time [ms] per reciprocal [1/um] of the channel width of the driving transistor, and the unit is ms*um.

이러한 k를 도 34a 내지 도 34d의 서브픽셀 3개씩 동시 센싱 구조에 적용하면, 아래의 표 1과 같이 R/W/G 동시 센싱에는 542.6ms*um / (22um　+ 14um + 22um)에 따라 9.4ms의 센싱 시간이 할당될 수 있다. 그리고, W/G/B 동시 센싱에는 542.6ms*um / (14um　+ 22um + 17um)에 따라 10.2ms의 센싱 시간이 할당될 수 있다. 그리고, G/B/R 동시 센싱에는 542.6ms*um / (22um　+ 17um + 22um)에 따라 8.9ms의 센싱 시간이 할당될 수 있다. 그리고, B/R/W 동시 센싱에는 542.6ms*um / (17um　+ 22um + 14um)에 따라 10.2ms의 센싱 시간이 할당될 수 있다. 따라서, 4회 센싱에 따른 총 센싱 시간은 38.7ms가 되며, 이는 1개씩 개별 센싱을 위한 총 센싱 시간(120ms) 대비 32.3%로 줄어든다.If this k is applied to the simultaneous sensing structure of 3 sub-pixels in FIGS. 34A to 34D, as shown in Table 1 below, 9.4ms according to 542.6ms*um / (22um　+14um+22um) for R/W/G simultaneous sensing A sensing time of may be allocated. In addition, a sensing time of 10.2ms may be allocated to W/G/B simultaneous sensing according to 542.6ms*um / (14um　+22um+17um). In addition, a sensing time of 8.9 ms may be allocated to G/B/R simultaneous sensing according to 542.6 ms*um / (22um　+ 17um + 22um). In addition, a sensing time of 10.2ms may be allocated to B/R/W simultaneous sensing according to 542.6ms*um / (17um　+22um+14um). Therefore, the total sensing time according to the four sensing is 38.7 ms, which is reduced to 32.3% compared to the total sensing time (120 ms) for individual sensing one by one.

또한, 상기 k를 도 35a 내지 도 35d의 서브픽셀 2개 또는 3개를 동시 센싱 구조에 적용하면, 아래의 표 1과 같이 R/W 동시 센싱에는 542.6ms*um / (22um　+ 14um)에 따라 15.1ms의 센싱 시간이 할당될 수 있다. 그리고, W/G 동시 센싱에는 542.6ms*um / (14um　+ 22um)에 따라 15.1ms의 센싱 시간이 할당될 수 있다. 그리고, W/B 동시 센싱에는 542.6ms*um / (14um　+ 17um)에 따라 17.5ms의 센싱 시간이 할당될 수 있다. 그리고, R/G/B 동시 센싱에는 542.6ms*um / (22um　+ 22um + 17um)에 따라 8.9ms의 센싱 시간이 할당될 수 있다. 따라서, 4회 센싱에 따른 총 센싱 시간은 56.5ms가 되며, 이는 1개씩 개별 센싱을 위한 센싱 시간(120ms) 대비 47.1%로 줄어든다.In addition, when k is applied to the simultaneous sensing structure of two or three sub-pixels of FIGS. 35A to 35D, as shown in Table 1 below, R/W simultaneous sensing is performed according to 542.6ms*um / (22um　+14um) A sensing time of 15.1 ms may be allocated. In addition, a sensing time of 15.1ms may be allocated to W/G simultaneous sensing according to 542.6ms*um / (14um　+22um). In addition, a sensing time of 17.5ms may be allocated to W/B simultaneous sensing according to 542.6ms*um / (14um　+17um). In addition, a sensing time of 8.9 ms may be allocated to R/G/B simultaneous sensing according to 542.6 ms*um / (22um　+ 22um + 17um). Accordingly, the total sensing time according to the four sensing times becomes 56.5 ms, which is reduced to 47.1% compared to the sensing time (120 ms) for individual sensing one by one.

또한, 상기 k를 도 36a 내지 도 36d의 서브픽셀 1개 또는 2개를 동시 센싱 구조에 적용하면, 아래의 표 1과 같이 W 동시 센싱에는 542.6ms*um / 14um에 따라 38.8ms의 센싱 시간이 할당될 수 있다. 그리고, R/G 동시 센싱에는 542.6ms*um / (22um　+ 22um)에 따라 12.3ms의 센싱 시간이 할당될 수 있다. 그리고, G/B 동시 센싱에는 542.6ms*um / (22um　+ 17um)에 따라 13.9ms의 센싱 시간이 할당될 수 있다. 그리고, R/B 동시 센싱에는 542.6ms*um / (22um　+ 17um)에 따라 13.9ms의 센싱 시간이 할당될 수 있다. 따라서, 4회 센싱에 따른 총 센싱 시간은 78.9ms가 되며, 이는 1개씩 개별 센싱을 위한 센싱 시간(120ms) 대비 65.8%로 줄어든다.In addition, if k is applied to the simultaneous sensing structure of one or two sub-pixels of FIGS. 36A to 36D, as shown in Table 1 below, the sensing time of 38.8 ms according to 542.6 ms*um / 14um is required for W simultaneous sensing. can be assigned. In addition, a sensing time of 12.3ms may be allocated to R/G simultaneous sensing according to 542.6ms*um / (22um　+22um). In addition, a sensing time of 13.9ms may be allocated to G/B simultaneous sensing according to 542.6ms*um / (22um　+17um). In addition, a sensing time of 13.9ms may be allocated to R/B simultaneous sensing according to 542.6ms*um / (22um　+17um). Therefore, the total sensing time according to the four sensing times becomes 78.9 ms, which is reduced to 65.8% compared to the sensing time (120 ms) for individual sensing one by one.

센싱 시간 [ms]Sensing time [ms] 시간비율time rate 1개씩
개별 센싱1 each
individual sensing RR 25.025.0 120.0120.0 100%100% WW 39.039.0 GG 24.024.0 BB 32.032.0 3개씩
동시 센싱3 each
Simultaneous sensing R/W/GR/W/G 9.49.4 38.738.7 32.3%32.3% W/G/BW/G/B 10.210.2 R/G/B R/G/B 8.98.9 R/W/BR/W/B 10.210.2 2개 또는 3개를 동시 센싱Simultaneous sensing of 2 or 3 R/WR/W 15.115.1 56.556.5 47.1%47.1% W/GW/G 15.115.1 W/BW/B 17.517.5 R/G/BR/G/B 8.98.9 1개 또는 2개를 동시 센싱Simultaneous sensing of 1 or 2 WW 38.838.8 78.978.9 65.8%65.8% R/GR/G 12.312.3 G/BG/B 13.913.9 R/BR/B 13.913.9

이렇게 복수의 서브픽셀을 동시에 센싱할 때, 구동 트랜지스터 크기에 반비례하게 센싱 시간을 설정하여 세츄레이션 수준을 서브픽셀 조합에 맞게 최적화하면, 센싱의 정확도가 향상되고, 그에 따라 보상의 정확도가 높아질 수 있다. 도 38에는 센싱 시간과 노이즈 수준이 서로 트레이드 오프(trade-off) 관계임이 나타나 있다. 각각 포인트는 RWGB를 센싱하는 조합을 뜻한다. 동시에 센싱되는 서브픽셀 개수를 늘릴수록 노이즈 수준이 증가하여 센싱의 정확도가 떨어지는데, 본 발명과 같이 구동 트랜지스터 크기에 반비례하게 센싱 시간을 설정하여 세츄레이션 수준을 적절히 맞추면, 복수개를 동시 센싱할 때에도 노이즈 수준이 크게 경감될 수 있다. 도 34a 내지 도 34d에 도시된 R/G/B, G/B/W, B/W/R, W/R/G를 센싱하는 방식이나 도 35a 내지 도 35d에 도시된 R/W, W/G, W/B, R/G/B를 센싱하는 방식은 비교적으로 노이즈 수준이 작은 것을 알 수 있다.When sensing a plurality of subpixels at the same time, by setting the sensing time in inverse proportion to the size of the driving transistor and optimizing the saturation level for the subpixel combination, the sensing accuracy can be improved, and thus the compensation accuracy can be increased. . 38 shows that the sensing time and the noise level have a trade-off relationship with each other. Each point means a combination of sensing RWGB. As the number of sub-pixels sensed at the same time increases, the noise level increases and the accuracy of sensing decreases. This can be greatly alleviated. The method of sensing R/G/B, G/B/W, B/W/R, and W/R/G shown in FIGS. 34A to 34D and R/W, W/ shown in FIGS. 35A to 35D It can be seen that the method of sensing G, W/B, and R/G/B has a relatively low noise level.

이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description and the accompanying drawings are merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can combine configurations within a range that does not depart from the essential characteristics of the present invention. , various modifications and variations such as separation, substitution and alteration will be possible. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the equivalent range should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 유기발광 표시장치 110: 유기발광표시패널
120: 데이터 드라이버 130: 게이트 드라이버
140: 타이밍 컨트롤러100: organic light emitting display device 110: organic light emitting display panel
120: data driver 130: gate driver
140: timing controller

Claims (22)

다수의 서브픽셀들이 배치되고, 각 서브픽셀이 유기발광 다이오드와 상기 유기발광 다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터를 포함한 표시패널과,
상기 서브픽셀들에 대한 센싱 시간을 결정하는 센싱 시간 결정부와,
상기 결정된 센싱 시간을 통해 상기 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하는 센싱부를 구비하고,
상기 센싱 시간은 구동 트랜지스터의 크기 정보에 따라 컬러 별로 독립적으로 결정되는 유기발광 표시장치.a display panel in which a plurality of sub-pixels are disposed, each sub-pixel including an organic light emitting diode and a driving transistor for driving the organic light emitting diode;
a sensing time determining unit for determining a sensing time for the sub-pixels;
A sensing unit for sensing the characteristic value of the driving transistor through the determined sensing time,
The sensing time is independently determined for each color according to size information of a driving transistor. 제1항에 있어서,
상기 센싱 시간 결정부에 미리 설정된 컬러별 구동 트랜지스터의 크기 정보를 제공하는 TFT 데이터 베이스를 더 포함하는 유기발광 표시장치.According to claim 1,
The organic light emitting display device further comprising a TFT database for providing information on the size of the driving transistor for each color preset to the sensing time determiner. 제1항에 있어서,
상기 센싱 시간 결정부는 상기 구동 트랜지스터의 크기에 반비례하여 상기 센싱 시간을 결정하는 유기발광 표시장치.According to claim 1,
The sensing time determining unit determines the sensing time in inverse proportion to a size of the driving transistor. 다수의 서브픽셀들이 배치되고, 각 서브픽셀이 유기발광 다이오드와 상기 유기발광 다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터를 포함한 유기발광 표시장치의 구동방법에 있어서,
상기 서브픽셀들에 대한 센싱 시간을 결정하는 단계와,
상기 결정된 센싱 시간을 통해 상기 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하는 단계를 포함하고,
상기 센싱 시간은 구동 트랜지스터의 크기 정보에 따라 컬러 별로 독립적으로 결정되는 유기발광 표시장치의 구동방법.A method of driving an organic light emitting display device in which a plurality of sub-pixels are disposed, each sub-pixel including an organic light emitting diode and a driving transistor for driving the organic light emitting diode, the method comprising:
determining a sensing time for the sub-pixels;
Sensing the characteristic value of the driving transistor through the determined sensing time,
The sensing time is independently determined for each color according to size information of the driving transistor. 유기발광다이오드와 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터를 각각 포함하는 다수의 서브픽셀이 배치되며, 각 센싱 라인이 K(K≥2)개의 데이터 라인마다 대응되어 각각 배치되는 유기발광표시패널;
상기 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하는 동안, 상기 K개의 데이터 라인 중에서 S(2≤S≤K)개의 데이터 라인으로 센싱용 데이터 전압을 동시에 출력하는 데이터 드라이버;
상기 센싱 라인의 전압을 K번 센싱하여 K개의 센싱 전압을 출력하는 아날로그 디지털 컨버터; 및
상기 S개의 데이터라인에 연결된 S개 서브픽셀의 구동 트랜지스터의 전류량 비율 또는, 상기 S개 서브픽셀의 구동 트랜지스터 크기 비율로 결정되는 K×K행렬의 역행렬과, 상기 K개의 센싱 전압을 기반으로, 상기 K개의 데이터 라인에 연결된 K개의 서브픽셀 각각에 대한 구동 트랜지스터의 특성치를 산출하는 보상기를 포함하는 유기발광 표시장치.an organic light emitting display panel in which a plurality of sub-pixels each including an organic light emitting diode and a driving transistor for driving the organic light emitting diode are disposed, each sensing line corresponding to each of K (K ≥ 2) data lines;
a data driver for simultaneously outputting a sensing data voltage to S (2≤S≤K) data lines among the K data lines while sensing the characteristic value of the driving transistor;
an analog-to-digital converter that senses the voltage of the sensing line K times and outputs K sensed voltages; and
Based on an inverse matrix of a K×K matrix determined by a ratio of current amounts of driving transistors of the S subpixels connected to the S data lines or a ratio of sizes of driving transistors of the S subpixels, and the K sensing voltages, the An organic light emitting display device comprising: a compensator for calculating characteristic values of driving transistors for each of K subpixels connected to K data lines. 제5항에 있어서,
상기 S개의 서브픽셀은, 상기 K개의 서브픽셀 중에서 동시에 센싱되는 서브픽셀로서 선택된 유기발광 표시장치.6. The method of claim 5,
The S sub-pixels are selected as sub-pixels sensed simultaneously from among the K sub-pixels. 제5항에 있어서,
상기 데이터 드라이버는, 상기 K개의 데이터 라인 중에서 상기 S개의 데이터 라인을 제외한 K-S개의 데이터 라인으로 비센싱용 데이터 전압으로 미리 정의된 블랙 데이터 전압을 출력하는 유기발광 표시장치.6. The method of claim 5,
The data driver outputs a black data voltage predefined as a non-sensing data voltage to KS data lines excluding the S data lines among the K data lines. 제5항에 있어서,
상기 구동 트랜지스터의 특성치가 상기 구동 트랜지스터의 이동도이고 상기 S가 K와 서로소인 경우,
상기 K×K 행렬에서 각 열의 각 행렬 계수들은, 상기 S개의 서브픽셀 중 해당 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를, 한번의 구동 트랜지스터 특성치를 센싱할 때마다 상기 센싱 라인을 통해 흐르는 총 전류의 전류량으로 나눈 값으로 결정되는 유기발광 표시장치.6. The method of claim 5,
When the characteristic value of the driving transistor is the mobility of the driving transistor and the S is mutually exclusive with K,
In the K×K matrix, each matrix coefficient of each column represents the current flowing through the driving transistor of the corresponding subpixel among the S subpixels, the total current flowing through the sensing line whenever the driving transistor characteristic value is sensed once. An organic light emitting display device determined by a value divided by an amount of current. 제8항에 있어서,
상기 데이터 드라이버는 상기 S개의 서브픽셀 각각의 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류가 서로 동일하도록, 각 서브픽셀에 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 용도의 데이터 전압을 출력하는 유기발광 표시장치.9. The method of claim 8,
The data driver outputs a data voltage for sensing the mobility of the driving transistors to each subpixel such that currents flowing through the driving transistors of each of the S subpixels are equal to each other. 제5항에 있어서,
상기 구동 트랜지스터의 특성치가 상기 구동 트랜지스터의 이동도이고 상기 S가 K와 서로소가 아닌 경우,
상기 K×K 행렬에서 각 열의 각 행렬 계수들은, 상기 K개의 서브픽셀 중 해당 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를, 한번의 구동 트랜지스터 특성치를 센싱할 때마다 상기 센싱 라인을 통해 흐르는 총 전류의 전류량으로 나눈 값으로 결정되는 유기발광 표시장치.6. The method of claim 5,
When the characteristic value of the driving transistor is the mobility of the driving transistor and S is not mutually exclusive with K,
In the K×K matrix, each matrix coefficient of each column represents the current flowing through the driving transistor of the corresponding subpixel among the K subpixels, the total current flowing through the sensing line whenever the driving transistor characteristic value is sensed once. An organic light emitting display device determined by a value divided by an amount of current. 제10항에 있어서,
상기 데이터 드라이버는, 하나의 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류가 다른 K-1개의 서브픽셀들의 구동 트랜지스터들을 통해 흐르는 전류들의 합과 동일하고, 상기 다른 K-1개의 서브픽셀들의 구동 트랜지스터들을 통해 흐르는 전류들이 서로 동일하도록 설정된 상기 센싱용 데이터전압을 상기 S개의 데이터 라인으로 동시에 출력하는 유기발광 표시장치.11. The method of claim 10,
In the data driver, a current flowing through the driving transistor of one subpixel is equal to the sum of currents flowing through the driving transistors of the other K-1 subpixels, and the current flowing through the driving transistors of the other K-1 subpixels is An organic light emitting display device for simultaneously outputting the sensing data voltage set so that the flowing currents are equal to each other to the S data lines. 제5항에 있어서,
상기 구동 트랜지스터의 특성치는 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압이며,
상기 보상기는, 상기 S개의 서브픽셀에 포함되는 구동 트랜지스터의 크기 비율을 반영하여 표현된 K×K행렬과, 상기 K개의 센싱 전압을 토대로 상기 K개의 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터의 문턱전압을 산출하는 유기발광 표시장치.6. The method of claim 5,
The characteristic value of the driving transistor is a threshold voltage of the driving transistor,
The compensator calculates a threshold voltage of a driving transistor in each of the K subpixels based on a K×K matrix expressed by reflecting a ratio of sizes of driving transistors included in the S subpixels and the K sensing voltages. organic light emitting display device. 제5항에 있어서,
상기 구동 트랜지스터의 특성치는 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압이며,
상기 보상기는, 상기 S개의 서브픽셀에 포함되는 트랜지스터의 채널 폭의 비율과, 상기 S개의 데이터 라인 각각에 출력되는 상기 센싱용 데이터 전압이 센싱된 전압에 미치는 정도를 모두 반영하여 표현된 K×K행렬과, 상기 K개의 센싱 전압을 토대로 상기 K개의 서브픽셀 각각에서의 구동 트랜지스터의 문턱전압을 산출하는 유기발광 표시장치.6. The method of claim 5,
The characteristic value of the driving transistor is a threshold voltage of the driving transistor,
The compensator is K×K expressed by reflecting both a ratio of a channel width of a transistor included in the S sub-pixels and a degree to which the sensing data voltage output to each of the S data lines affects the sensed voltage. An organic light emitting display device for calculating a threshold voltage of a driving transistor in each of the K subpixels based on a matrix and the K sensing voltages. 제13항에 있어서,
상기 데이터 드라이버는, 상기 S개의 데이터 라인으로 센싱용 데이터 전압을 동시에 출력하되, 상기 S개의 데이터 라인 중 하나로 출력하는 제1 센싱용 데이터 전압이 나머지로 출력하는 제2 센싱용 데이터 전압보다 큰 유기발광 표시장치.14. The method of claim 13,
The data driver simultaneously outputs a sensing data voltage to the S data lines, wherein a first sensing data voltage output to one of the S data lines is greater than a second sensing data voltage output as the remaining organic light emitting diodes. display device. 제6항에 있어서,
상기 동시에 센싱되는 서브픽셀의 개수는 상기 K번의 센싱 동작 중의 적어도 한번에서 다르게 설정되는 유기발광 표시장치.7. The method of claim 6,
The number of the sub-pixels sensed at the same time is set differently in at least one of the K sensing operations. 제5항에 있어서,
상기 K번 센싱 각각에 소요되는 센싱 시간은, 동시에 센싱되는 서브픽셀들의 구동 트랜지스터 크기에 반비례하게 설정되는 유기발광 표시장치.6. The method of claim 5,
The sensing time required for each of the K-th sensing is set in inverse proportion to the size of driving transistors of the sub-pixels sensed at the same time. 유기발광다이오드와 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터를 각각 포함하는 다수의 서브픽셀이 배치되며, 각 센싱 라인이 K(K≥2)개의 데이터 라인마다 대응되어 각각 배치되는 유기발광표시패널을 갖는 유기발광 표시장치의 구동방법에 있어서,
상기 구동 트랜지스터 특성치를 센싱하는 동안, 상기 K개의 데이터 라인 중에서 S(2≤S≤K)개의 데이터 라인으로 센싱용 데이터 전압을 동시에 출력하는 단계;
상기 센싱 라인의 전압을 K번 센싱하여 K개의 센싱 전압을 출력하는 단계; 및
상기 S개의 데이터라인에 연결된 S개 서브픽셀의 구동 트랜지스터의 전류량 비율 또는, 상기 S개 서브픽셀의 구동 트랜지스터 크기 비율로 결정되는 K×K행렬의 역행렬과, 상기 K개의 센싱 전압을 기반으로, 상기 K개의 데이터 라인에 연결된 K개의 서브픽셀 각각에 대한 구동 트랜지스터의 특성치를 산출하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 구동방법.A plurality of sub-pixels each including an organic light emitting diode and a driving transistor for driving the organic light emitting diode are disposed, and each sensing line corresponds to each of K (K ≥ 2) data lines. A method of driving an organic light emitting display device, comprising:
simultaneously outputting a sensing data voltage to S (2≤S≤K) data lines among the K data lines while sensing the driving transistor characteristic value;
sensing the voltage of the sensing line K times and outputting K sensed voltages; and
Based on an inverse matrix of a K×K matrix determined by a ratio of current amounts of driving transistors of the S subpixels connected to the S data lines or a ratio of sizes of driving transistors of the S subpixels, and the K sensing voltages, the A method of driving an organic light emitting display device comprising the step of calculating characteristic values of driving transistors for each of the K subpixels connected to the K data lines. 제17항에 있어서,
상기 K번 센싱 각각에 소요되는 센싱 시간은, 동시에 센싱되는 서브픽셀들의 구동 트랜지스터 크기에 반비례하게 설정되는 유기발광 표시장치의 구동방법.18. The method of claim 17,
The sensing time required for each of the K-th sensing is set in inverse proportion to the size of driving transistors of the sub-pixels sensed at the same time. 유기발광다이오드와 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터를 각각 포함하는 다수의 서브픽셀이 배치되며, 각 센싱 라인이 K(K≥1)개의 데이터 라인마다 대응되어 각각 배치되는 유기발광표시패널;
상기 유기발광표시패널의 게이트 라인을 구동하며, 상기 구동 트랜지스터의 특성치를 측정하는 동안, L개의 게이트 라인 중에서 M(2≤M≤L)개의 게이트 라인에 동시에 스캔 신호를 출력하는 게이트 드라이버;
상기 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하는 동안, 상기 K개의 데이터 라인 중 어느 하나로 센싱용 데이터 전압을 출력하는 데이터 드라이버;
상기 센싱 라인의 전압을 L번 센싱하여 L개의 센싱 전압을 출력하는 아날로그 디지털 컨버터; 및
상기 M개의 게이트라인에 연결된 M개 서브픽셀의 구동 트랜지스터의 전류량 비율로 결정되는 L×L행렬의 역행렬과, 상기 L개의 센싱 전압을 기반으로, 상기 L개의 게이트라인에 연결된 L개의 서브픽셀 각각에 대한 구동 트랜지스터의 특성치를 산출하는 보상기를 포함하는 유기발광 표시장치.an organic light emitting display panel in which a plurality of sub-pixels each including an organic light emitting diode and a driving transistor for driving the organic light emitting diode are disposed, each sensing line corresponding to each of K (K ≥ 1) data lines;
a gate driver driving a gate line of the organic light emitting display panel and simultaneously outputting a scan signal to M (2≤M≤L) gate lines among the L gate lines while measuring the characteristic value of the driving transistor;
a data driver outputting a sensing data voltage to one of the K data lines while sensing the characteristic value of the driving transistor;
an analog-to-digital converter that senses the voltage of the sensing line L times and outputs L sensed voltages; and
Based on the inverse matrix of the L×L matrix determined by the ratio of the current amount of the driving transistors of the M subpixels connected to the M gate lines and the L sensing voltages, each of the L subpixels connected to the L gate lines is applied. An organic light emitting diode display including a compensator for calculating a characteristic value of a driving transistor. 제19항에 있어서,
상기 M개의 서브픽셀은, 상기 L개의 서브픽셀 중에서 동시에 센싱되는 서브픽셀로서 선택된 유기발광 표시장치.20. The method of claim 19,
The M subpixels are selected as subpixels simultaneously sensed from among the L subpixels. 제20항에 있어서,
상기 구동 트랜지스터의 특성치가 상기 구동 트랜지스터의 이동도이고,
상기 L×L 행렬에서 각 열의 각 행렬 계수들은, 상기 M개의 서브픽셀 중 해당 서브픽셀의 구동 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를, 한번의 구동 트랜지스터 특성치를 센싱할 때마다 상기 센싱 라인을 통해 흐르는 총 전류의 전류량으로 나눈 값으로 결정되는 유기발광 표시장치.21. The method of claim 20,
The characteristic value of the driving transistor is the mobility of the driving transistor,
In the L×L matrix, each matrix coefficient of each column represents the current flowing through the driving transistor of the corresponding subpixel among the M subpixels, the total current flowing through the sensing line whenever the driving transistor characteristic value is sensed once. An organic light emitting display device determined by a value divided by an amount of current. 유기발광다이오드와 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터를 각각 포함하는 다수의 서브픽셀이 배치되며, 각 센싱 라인이 K(K≥1)개의 데이터 라인마다 대응되어 각각 배치되는 유기발광표시패널을 갖는 유기발광 표시장치의 구동방법에 있어서,
상기 구동 트랜지스터의 특성치를 측정하는 동안, 상기 유기발광표시패널의 L개의 게이트 라인 중에서 M(2≤M≤L)개의 게이트 라인에 동시에 스캔 신호를 출력하는 단계;
상기 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하는 동안, 상기 K개의 데이터 라인 중 어느 하나로 센싱용 데이터 전압을 출력하는 단계;
상기 센싱 라인의 전압을 L번 센싱하여 L개의 센싱 전압을 출력하는 단계; 및
상기 M개의 게이트라인에 연결된 M개 서브픽셀의 구동 트랜지스터의 전류량 비율로 결정되는 L×L행렬의 역행렬과, 상기 L개의 센싱 전압을 기반으로, 상기 L개의 게이트라인에 연결된 L개의 서브픽셀 각각에 대한 구동 트랜지스터의 특성치를 산출하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 구동방법.A plurality of sub-pixels each including an organic light emitting diode and a driving transistor for driving the organic light emitting diode are disposed, and each sensing line corresponds to each of K (K ≥ 1) data lines. A method of driving an organic light emitting display device, comprising:
simultaneously outputting a scan signal to M (2≤M≤L) gate lines among the L gate lines of the organic light emitting display panel while measuring the characteristic value of the driving transistor;
outputting a sensing data voltage to one of the K data lines while sensing the characteristic value of the driving transistor;
sensing the voltage of the sensing line L times and outputting L sensed voltages; and
Based on the inverse matrix of the L×L matrix determined by the ratio of the current amount of the driving transistors of the M subpixels connected to the M gate lines and the L sensing voltages, each of the L subpixels connected to the L gate lines is applied. A method of driving an organic light emitting display device comprising the step of calculating a characteristic value of a driving transistor.
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