KR102379393B1 - Organic light emitting display device - Google Patents

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Abstract

본 실시예들은, 블랭크 타임 구간 동안, 구동 트랜지스터 간의 특성치 센싱 동작을 실시간으로 진행할 수 있도록 해주는 유기발광표시장치 및 그 구동방법에 관한 것이다. The present embodiments relate to an organic light emitting diode display device capable of performing a characteristic value sensing operation between driving transistors in real time during a blank time period, and a driving method thereof.

Figure R1020150096831
Figure R1020150096831

Description

유기발광표시장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}Organic light emitting display device {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}

본 실시예들은 영상을 표시하는 유기발광표시장치에 관한 것이다. The present embodiments relate to an organic light emitting display device that displays an image.

최근, 표시장치로서 각광받고 있는 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 명암비(Contrast Ration), 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 크다는 장점이 있다. Recently, an organic light emitting display device, which has been spotlighted as a display device, uses an organic light emitting diode (OLED) that emits light by itself, so that the response speed is fast and the contrast ratio, luminous efficiency, luminance, and viewing angle are large. There are advantages.

이러한 유기발광표시장치의 각 서브픽셀은 유기발광다이오드와 이를 구동하는 구동 트랜지스터 등을 포함하여 구성될 수 있다. 이러한 유기발광표시장치의 각 서브픽셀은 유기발광다이오드와 이를 구동하는 구동 트랜지스터 등을 포함하여 구성될 수 있다. Each sub-pixel of the organic light emitting display device may include an organic light emitting diode and a driving transistor driving the same. Each sub-pixel of the organic light emitting display device may include an organic light emitting diode and a driving transistor driving the same.

한편, 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터는 문턱전압, 이동도 등의 고유한 특성치를 갖는다. 또한, 각 구동 트랜지스터는 구동 시간에 따라 열화(Degradation)가 진행되어 문턱전압, 이동도 등의 고유한 특성치가 변할 수 있다. Meanwhile, the driving transistor in each sub-pixel has unique characteristics such as threshold voltage and mobility. In addition, each driving transistor is degraded according to the driving time, so that unique characteristic values such as threshold voltage and mobility may change.

이러한 점들 때문에, 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터 간의 구동 시간의 차이에 따라, 구동 트랜지스터 간의 열화 정도의 차이가 발생하고, 구동 트랜지스터 간의 특성치 편차도 발생할 수 있다. Due to these points, depending on the difference in driving time between the driving transistors in each subpixel, a difference in the degree of deterioration between the driving transistors may occur, and a variation in characteristic values between the driving transistors may also occur.

이러한 구동 트랜지스터 간의 특성치 편차는, 각 서브픽셀 간 휘도 편차를 야기하여 화질 저하를 발생시키는 주요 요인이 될 수 있다. The deviation of the characteristic values between the driving transistors may cause a luminance deviation between the respective sub-pixels, which may be a major factor causing image quality deterioration.

이에, 구동 트랜지스터 간의 특성치 편차를 보상해주기 위한 다양한 기술이 개발되었다. Accordingly, various technologies have been developed to compensate for variation in characteristic values between driving transistors.

한편, 구동 트랜지스터 간의 특성치 편차를 보상하기 위해, 특성치 또는 특성치 변화량을 센싱하기 위한 센싱 구동이 진행되는데, 이러한 센싱 구동이 꽤 오래 시간이 걸리기 때문에, 유기발광표시패널 상의 서브픽셀들에 대하여 센싱 구동을 하는데 매우 많은 시간이 필요하다. Meanwhile, in order to compensate for the characteristic value deviation between the driving transistors, a sensing operation for sensing a characteristic value or a change amount of a characteristic value is performed. Since this sensing operation takes quite a long time, the sensing operation is performed on the sub-pixels on the organic light emitting display panel. It takes a lot of time to do it.

따라서, 전원이 켜져 있는 동안, 즉, 화상 구동이 되고 있는 동안에, 구동 트랜지스터 간의 특성치 센싱 동작을 실시간으로 진행할 수 없는 문제점이 있어왔다. Accordingly, there has been a problem in that the characteristic value sensing operation between the driving transistors cannot be performed in real time while the power is on, that is, while the image is being driven.

본 실시예들의 목적은, 블랭크 타임 구간 동안, 구동 트랜지스터 간의 특성치 센싱 동작을 실시간으로 진행할 수 있도록 해주는 유기발광표시장치를 제공하는 데 있다. It is an object of the present exemplary embodiments to provide an organic light emitting diode display capable of performing a characteristic value sensing operation between driving transistors in real time during a blank time period.

본 실시예들의 목적은, 전원 오프 신호 발생 후 구동 트랜지스터 간의 특성치 센싱 동작을 수행하지 않거나 수행하는 시간을 최소화하는 유기발광표시장치를 제공하는 데 있다.It is an object of the present exemplary embodiments to provide an organic light emitting diode display that does not perform or minimizes a time for not performing or performing a characteristic value sensing operation between driving transistors after a power-off signal is generated.

일 실시예는, 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인이 배치되고, 다수의 서브픽셀이 배치된 유기발광표시패널과, 다수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 드라이버와, 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 드라이버와, 데이터 드라이버 및 게이트 드라이버를 제어하는 컨트롤러 등을 포함하는 유기발광표시장치를 제공할 수 있다. According to an exemplary embodiment, an organic light emitting display panel in which a plurality of data lines and a plurality of gate lines are disposed and a plurality of subpixels are disposed, a data driver driving the plurality of data lines, and a gate driving the plurality of gate lines It is possible to provide an organic light emitting display device including a driver, a controller for controlling the data driver and the gate driver, and the like.

이러한 유기발광표시패널의 서브픽셀들 내 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하기 위하여 n(n≥2)차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들이 존재하고, n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 전부 또는 일부는 블랭크 타임 구간에 포함할 수 있다. In order to sense the threshold voltage of the driving transistor in the subpixels of the organic light emitting display panel, n (n≥2) times of threshold voltage real-time sensing driving periods exist, and all of the n times of threshold voltage real-time sensing driving periods or Some may be included in the blank time interval.

다른 실시예는, 유기발광다이오드와 구동 트랜지스터를 포함하는 다수의 서브픽셀이 배치된 유기발광표시패널 및 전부 또는 일부가 블랭크 타임 구간에 포함되는 n(n≥2)차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 동안 유기발광표시패널의 서브픽셀들 내 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하는 센싱부를 포함하는 유기발광표시장치를 제공할 수 있다. According to another embodiment, an organic light emitting display panel in which a plurality of subpixels including an organic light emitting diode and a driving transistor are disposed and n (n≥2) times of threshold voltage real-time sensing driving period in which all or part of the sub-pixels are disposed in a blank time period It is possible to provide an organic light emitting display device including a sensing unit for sensing a threshold voltage of a driving transistor in sub-pixels of an organic light emitting display panel during operation.

이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 블랭크 타임 구간 동안, 구동 트랜지스터 간의 특성치 센싱 동작을 실시간으로 진행할 수 있도록 해주는 유기발광표시장치를 제공할 수 있다. According to the present exemplary embodiments as described above, it is possible to provide an organic light emitting diode display capable of performing a characteristic value sensing operation between driving transistors in real time during a blank time period.

또한, 본 실시예들에 의하면, 전원 오프 신호 발생 후 구동 트랜지스터 간의 특성치 센싱 동작을 수행하지 않거나 수행하는 시간을 최소화할 수 있는 유기발광표시장치를 제공할 수 있다. Also, according to the present exemplary embodiments, it is possible to provide an organic light emitting diode display capable of minimizing the time for not performing or performing a characteristic value sensing operation between driving transistors after a power-off signal is generated.

도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 개략적인 시스템 구성도이다.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 구조의 예시도이다.
도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 보상 회로의 예시도이다.
도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 문턱전압 센싱 동작 시, 센싱 노드 또는 구동 트랜지스터의 제1노드의 전압 변화를 나타낸 그래프이다.
도 5 및 도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 초기 문턱전압 센싱과 문턱전압 변화량 센싱을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 1번의 센싱 구동을 통해 문턱전압을 센싱하는 경우, 센싱 노드 또는 구동 트랜지스터의 제1노드의 전압 변화를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 문턱전압 센싱 타이밍의 예시도이다.
도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동을 통해 문턱전압을 실시간 센싱하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 블랭크 타임 구간 동안 문턱전압 실시간 센싱 구동의 타이밍을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 11은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 블랭크 타임 구간 동안 문턱전압 실시간 센싱 구동의 타이밍을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 12는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치가 유기발광표시패널의 서브픽셀들 내 구동 트랜지스터의 문턱전압 센싱에 대하여 n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동을 진행하는 타이밍의 예시도이다.
도 13은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 문턱전압 실시간 센싱 구동에 문턱전압을 실시간 센싱하는 개념도이다.
도 14는 도 13의 문턱전압 실시간 센싱 구동에 문턱전압을 실시간 센싱할 때, 센싱 노드의 전압 변화를 나타낸 그래프이다.
도 15는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 문턱전압 실시간 센싱 구동의 개념도이다.
도 16은 도 15의 문턱전압 실시간 센싱 구동 동안 n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 시, 센싱 노드(Ns)의 전압 변화를 나타낸 그래프이다.
도 17은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 문턱전압 실시간 센싱 구동을 이용한 센싱 및 보상을 개념적으로 나타낸 도면이다.
도 19 내지 도 23은 유기발광표시패널의 전 영역의 문턱전압에 대해 블랭크 타임 구간 동안 문턱전압 실시간 센싱하는 순서들을 도시하고 있다. 1 is a schematic system configuration diagram of an organic light emitting diode display according to example embodiments.
2 is an exemplary diagram of a sub-pixel structure of an organic light emitting diode display according to example embodiments.
3 is an exemplary diagram of a sub-pixel compensation circuit of an organic light emitting diode display according to example embodiments.
4 is a graph illustrating a voltage change of a sensing node or a first node of a driving transistor during a threshold voltage sensing operation of the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment.
5 and 6 are diagrams illustrating an initial threshold voltage sensing and sensing a threshold voltage change amount of the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiments.
7 is a diagram illustrating a voltage change of a sensing node or a first node of a driving transistor when a threshold voltage is sensed through one sensing operation in the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiments.
8 is an exemplary diagram of a threshold voltage sensing timing in the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiments.
FIG. 9 is a diagram for explaining a method of sensing a threshold voltage in real time through n times of threshold voltage real-time sensing driving in the organic light emitting diode display according to the present embodiments.
10 is a diagram schematically illustrating timing of a threshold voltage real-time sensing operation during a blank time period in the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiments.
11 is a diagram schematically illustrating timing of a threshold voltage real-time sensing operation during a blank time period in the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiments.
12 is a diagram illustrating timing of n times of real-time threshold voltage sensing driving with respect to threshold voltage sensing of a driving transistor in sub-pixels of an organic light emitting display panel according to the present exemplary embodiment.
13 is a conceptual diagram of real-time sensing of a threshold voltage in a threshold voltage real-time sensing driving in the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiments.
14 is a graph illustrating a voltage change of a sensing node when the threshold voltage is sensed in real time in the threshold voltage real-time sensing driving of FIG. 13 .
15 is a conceptual diagram of a threshold voltage real-time sensing driving in the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiments.
16 is a graph illustrating a voltage change of the sensing node Ns when the threshold voltage real-time sensing operation is performed n times during the threshold voltage real-time sensing operation of FIG. 15 .
17 is a diagram conceptually illustrating sensing and compensation using the threshold voltage real-time sensing driving of the organic light emitting diode display according to the present embodiments.
19 to 23 illustrate the sequence of real-time sensing of the threshold voltage for the threshold voltage of the entire region of the organic light emitting display panel during the blank time period.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In adding reference numerals to components of each drawing, the same components may have the same reference numerals as much as possible even though they are indicated in different drawings. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description may be omitted.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In addition, in describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), (b), etc. may be used. These terms are only for distinguishing the elements from other elements, and the essence, order, order, or number of the elements are not limited by the terms. When it is described that a component is “connected”, “coupled” or “connected” to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, but other components may be interposed between each component. It should be understood that each component may be “interposed” or “connected”, “coupled” or “connected” through another component.

도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 개략적인 시스템 구성도이다.1 is a schematic system configuration diagram of an organic light emitting display device 100 according to the present exemplary embodiment.

도 1을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)이 배치되고, 다수의 서브픽셀(SP)이 매트릭스 타입으로 배치된 유기발광표시패널(110)과, 다수의 데이터 라인으로 데이터 전압을 공급함으로써 다수의 데이터 라인을 구동 데이터 드라이버(120)와, 다수의 게이트 라인으로 스캔 신호를 순차적으로 공급함으로써, 다수의 게이트 라인을 순차적으로 구동하는 게이트 드라이버(130)와, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하는 컨트롤러(140) 등을 포함한다. Referring to FIG. 1 , in the organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiments, a plurality of data lines DL and a plurality of gate lines GL are disposed, and a plurality of subpixels SP are of a matrix type. A plurality of data lines are sequentially supplied to the driving data driver 120 by supplying data voltages to the organic light emitting display panel 110 arranged as It includes a gate driver 130 that sequentially drives the gate lines, a data driver 120 , and a controller 140 that controls the gate driver 130 .

컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 각종 제어신호(DCS, GCS)를 공급하여, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어한다. The controller 140 supplies various control signals DCS and GCS to the data driver 120 and the gate driver 130 to control the data driver 120 and the gate driver 130 .

이러한 컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터(DATA)를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다. The controller 140 starts scanning according to the timing implemented in each frame, and converts the input image data input from the outside according to the data signal format used by the data driver 120 to convert the converted image data DATA. output and control the data operation at an appropriate time according to the scan.

이러한 컨트롤러(140)는 적어도 하나의 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)를 포함하여 구현될 수 있다. The controller 140 may be implemented by including at least one timing controller.

게이트 드라이버(130)는, 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔 신호를 다수의 게이트 라인으로 순차적으로 공급하여 다수의 게이트 라인을 순차적으로 구동한다. The gate driver 130 sequentially drives the plurality of gate lines by sequentially supplying a scan signal of an on voltage or an off voltage to the plurality of gate lines under the control of the controller 140 .

게이트 드라이버(130)는, 구동 방식에 따라서, 도 1에서와 같이, 유기발광표시패널(110)의 일 측에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 양측에 위치할 수도 있다. The gate driver 130 may be positioned on only one side of the organic light emitting display panel 110 as shown in FIG. 1 or, in some cases, on both sides, depending on a driving method.

또한, 게이트 드라이버(130)는, 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로(Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다. Also, the gate driver 130 may include one or more gate driver integrated circuits.

각 게이트 드라이버 집적회로는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. Each gate driver integrated circuit is connected to a bonding pad of the organic light emitting display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method or a chip-on-glass (COG) method, or a gate in (GIP) method. Panel) type and may be directly disposed on the organic light emitting display panel 110 , or may be integrated and disposed on the organic light emitting display panel 110 in some cases.

각 게이트 드라이버 집적회로는 쉬프트 레지스터, 레벨 쉬프터 등을 포함할 수 있다. Each gate driver integrated circuit may include a shift register, a level shifter, and the like.

데이터 드라이버(120)는, 특정 게이트 라인이 열리면, 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상 데이터(DATA)를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 데이터 라인들로 공급함으로써, 다수의 데이터 라인을 구동한다. When a specific gate line is opened, the data driver 120 converts the image data DATA received from the controller 140 into an analog data voltage and supplies it to the data lines, thereby driving a plurality of data lines.

데이터 드라이버(120)는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터 라인을 구동할 수 있다. The data driver 120 may include at least one source driver integrated circuit to drive a plurality of data lines.

각 소스 드라이버 집적회로는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. Each source driver integrated circuit is connected to a bonding pad of the organic light emitting display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method or a chip-on-glass (COG) method, or the organic light emitting display panel. It may be directly disposed on the 110 , or may be integrated and disposed on the organic light emitting display panel 110 in some cases.

각 소스 드라이버 집적회로는, 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수 있다. Each source driver integrated circuit may be implemented in a Chip On Film (COF) method.

이 경우, 각 소스 드라이버 집적회로의 일 단은 적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(Source Printed Circuit Board)에 본딩되고, 타 단은 유기발광표시패널(110)에 본딩된다. In this case, one end of each source driver integrated circuit is bonded to at least one source printed circuit board, and the other end is bonded to the organic light emitting display panel 110 .

각 소스 드라이버 집적회로는, 쉬프트 레지스터, 래치 회로 등을 포함하는 로직부와, 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital Analog Converter)와, 출력 버퍼 등을 포함할 수 있으며, 경우에 따라서, 서브픽셀의 특성(예: 구동 트랜지스터의 문턱전압 및 이동도, 유기발광다이오드의 문턱전압, 서브픽셀의 휘도 등)을 보상하기 위하여 서브픽셀의 특성을 센싱하기 위한 센싱부(센서)를 더 포함할 수 있다. Each source driver integrated circuit may include a logic unit including a shift register and a latch circuit, a digital analog converter (DAC), an output buffer, and the like, and in some cases, the characteristics ( Example: A sensing unit (sensor) for sensing characteristics of a sub-pixel may be further included to compensate for the threshold voltage and mobility of the driving transistor, the threshold voltage of the organic light emitting diode, the luminance of the sub-pixel, etc.).

한편, 컨트롤러(140)는, 입력 영상 데이터와 함께, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블(DE: Data Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신한다. On the other hand, the controller 140, along with the input image data, a vertical synchronization signal (Vsync), a horizontal synchronization signal (Hsync), an input data enable (DE: Data Enable) signal, various types including a clock signal (CLK), etc. Timing signals are received from the outside (eg host system).

컨트롤러(140)는, 외부로부터 입력된 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터를 출력하는 것 이외에, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 DE 신호, 클럭 신호 등의 타이밍 신호를 입력받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 출력한다. The controller 140 converts the input image data input from the outside to match the data signal format used by the data driver 120 and outputs the converted image data, as well as the data driver 120 and the gate driver 130 . In order to control the data driver 120 and the gate driver 130 by receiving a timing signal such as a vertical synchronization signal (Vsync), a horizontal synchronization signal (Hsync), an input DE signal, and a clock signal to generate various control signals output as

예를 들어, 컨트롤러(140)는, 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS: Gate Control Signal)를 출력한다. For example, in order to control the gate driver 130 , the controller 140 includes a gate start pulse (GSP), a gate shift clock (GSC), and a gate output enable signal (GOE: Various gate control signals (GCS: Gate Control Signal) including Gate Output Enable) are output.

여기서, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 드라이버(130)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(GSC)은 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호(게이트 펄스)의 쉬프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 타이밍 정보를 지정하고 있다. Here, the gate start pulse GSP controls the operation start timing of one or more gate driver integrated circuits constituting the gate driver 130 . The gate shift clock GSC is a clock signal commonly input to one or more gate driver integrated circuits, and controls shift timing of a scan signal (gate pulse). The gate output enable signal GOE specifies timing information of one or more gate driver integrated circuits.

또한, 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS: Data Control Signal)를 출력한다. In addition, the controller 140 controls the data driver 120 , a source start pulse (SSP), a source sampling clock (SSC), and a source output enable signal (SOE: Source Output). Enable) and output various data control signals (DCS: Data Control Signal).

여기서, 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 드라이버(120)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적회로 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 드라이버(120)의 출력 타이밍을 제어한다. Here, the source start pulse SSP controls the data sampling start timing of one or more source driver integrated circuits constituting the data driver 120 . The source sampling clock SSC is a clock signal that controls sampling timing of data in each of the source driver integrated circuits. The source output enable signal SOE controls the output timing of the data driver 120 .

도 1을 참조하면, 컨트롤러(140)는, 소스 드라이버 집적회로가 본딩된 소스 인쇄회로기판과 연성 플랫 케이블(FFC: Flexible Flat Cable) 또는 연성 인쇄 회로(FPC: Flexible Printed Circuit) 등의 연결 매체를 통해 연결된 컨트롤 인쇄회로기판(Control Printed Circuit Board)에 배치될 수 있다. Referring to FIG. 1 , the controller 140 connects the source printed circuit board to which the source driver integrated circuit is bonded and a connection medium such as a flexible flat cable (FFC) or a flexible printed circuit (FPC). It may be disposed on a control printed circuit board connected through the.

이러한 컨트롤 인쇄회로기판에는, 유기발광표시패널(110), 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 컨트롤러(미도시)가 더 배치될 수 있다. 이러한 전원 컨트롤러는 전원 관리 집적회로(PMIC: Power Management IC)라고도 한다.The control printed circuit board includes a power controller (not shown) for supplying various voltages or currents to the organic light emitting display panel 110 , the data driver 120 , and the gate driver 130 , or controlling various voltages or currents to be supplied. more can be placed. Such a power controller is also referred to as a power management integrated circuit (PMIC).

위에서 언급한 소스 인쇄회로기판과 컨트롤 인쇄회로기판은, 하나의 인쇄회로기판으로 되어 있을 수도 있다. The source printed circuit board and the control printed circuit board mentioned above may be a single printed circuit board.

본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에 배치되는 다수의 서브픽셀 각각에는, 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 이를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(DRT: Driving Transistor) 및 스토리지 캐패시터 등의 회로 소자를 기본적으로 포함할 수 있다. In each of the plurality of sub-pixels disposed on the organic light emitting display panel 110 according to the present embodiments, an organic light emitting diode (OLED), a driving transistor (DRT) and storage for driving the organic light emitting diode (OLED) A circuit element such as a capacitor may be basically included.

각 서브픽셀을 구성하는 회로 소자의 종류 및 개수는, 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 정해질 수 있다. The type and number of circuit elements constituting each sub-pixel may be variously determined according to a provided function, a design method, and the like.

아래에서는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압, 이동도 등의 특성치를 센싱 및 보상하기 위한 서브픽셀 구조를 예시적으로 설명한다. Hereinafter, a sub-pixel structure for sensing and compensating characteristic values such as a threshold voltage and mobility of the driving transistor DRT will be exemplarily described.

도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀 구조의 예시도이다. 2 is an exemplary diagram of a sub-pixel structure of the organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiments.

도 2를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀(SP)은, 유기발광다이오드(OLED)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT: Driving Transistor)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 데이터 라인(DL) 사이에 연결되고 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)로 데이터 전압(Vdata)을 전달하는 스위칭 트랜지스터(SWT: Switching Transistor)와, 한 프레임 시간 동안 일정 전압을 유지해주는 역할을 하는 스토리지 캐패시터(Cst: Storage Capacitor)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 기준전압(Vref)을 공급하는 기준전압 라인(RVL: Reference Voltage Line) 사이에 전기적으로 연결된 센싱 트랜지스터(SENT: Sensing Transistor) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2 , each subpixel SP disposed in the organic light emitting display panel 110 according to the present exemplary embodiments includes an organic light emitting diode (OLED) and a driving transistor ( DRT: A driving transistor connected between the second node N2 of the driving transistor DRT and the data line DL and transferring the data voltage Vdata to the second node N2 of the driving transistor DRT. A switching transistor (SWT), a storage capacitor (Cst) that maintains a constant voltage for one frame time, a first node (N1) and a reference voltage (Vref) of the driving transistor (DRT) may include a sensing transistor (SENT) electrically connected between a reference voltage line (RVL) for supplying the .

도 2를 참조하면, 유기발광다이오드(OLED)는 제1전극(예: 애노드 전극 또는 캐소드 전극), 유기층 및 제2전극(예: 캐소드 전극 또는 애노드 전극)으로 이루어진다. Referring to FIG. 2 , an organic light emitting diode (OLED) includes a first electrode (eg, an anode electrode or a cathode electrode), an organic layer, and a second electrode (eg, a cathode electrode or an anode electrode).

일 예로, 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극은 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 연결되고, 유기발광다이오드(OLED)의 제2전극은 기저전압(EVSS)을 공급하는 부분과 연결될 수 있다. As an example, the first electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the first node N1 of the driving transistor DRT, and the second electrode of the organic light emitting diode OLED supplies the base voltage EVSS. can be connected with

도 2를 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)는, 유기발광다이오드(OLED)로 구동 전류를 공급해주어, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 트랜지스터로서, 소스 노드 또는 드레인 노드에 해당하는 제1노드(N1)와, 게이트 노드에 해당하는 제2노드(N2)와, 드레인 노드 또는 소스 노드에 해당하는 제3노드(N3)를 갖는다. Referring to FIG. 2 , the driving transistor DRT supplies a driving current to the organic light emitting diode OLED to drive the organic light emitting diode OLED, and a first node corresponding to a source node or a drain node ( N1), a second node N2 corresponding to a gate node, and a third node N3 corresponding to a drain node or a source node.

일 예로, 이러한 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)는 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극 또는 제2전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)는 센싱 트랜지스터(SENT)의 소스 노드 또는 드레인 노드와도 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)는 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 노드 또는 드레인 노드가 전기적으로 연결될 수 있으며, 제3노드(N3)는 구동전압(EVDD)을 공급하는 구동전압 라인(DVL)과 전기적으로 연결될 수 있다. For example, the first node N1 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the first electrode or the second electrode of the organic light emitting diode OLED. Also, the first node N1 of the driving transistor DRT may be electrically connected to a source node or a drain node of the sensing transistor SENT. The second node N2 of the driving transistor DRT may be electrically connected to a source node or a drain node of the switching transistor SWT, and the third node N3 is a driving voltage line supplying the driving voltage EVDD. DVL) and may be electrically connected.

도 2를 참조하면, 스위칭 트랜지스터(SWT)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드에 해당하는 N2 노드로 데이터 전압(Vdata)을 전달해주는 트랜지스터로서, 구동 트랜지스터(DRT)의 N2 노드와 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 노드에 인가되는 스캔 신호(SCAN)에 의해 턴 온 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 N2 노드로 데이터 전압(Vdata)을 전달해줄 수 있다. Referring to FIG. 2 , the switching transistor SWT is a transistor that transfers a data voltage Vdata to an N2 node corresponding to the gate node of the driving transistor DRT, and includes the N2 node and the data line ( DL) and may be turned on by the scan signal SCAN applied to the gate node to transfer the data voltage Vdata to the N2 node of the driving transistor DRT.

도 2를 참조하면, 스토리지 캐패시터(Cst)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에, 전기적으로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 2 , the storage capacitor Cst may be electrically connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT.

도 2를 참조하면, 센싱 트랜지스터(SENT)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드와 기준전압 라인(RVL) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 노드에 인가되는 스캔 신호의 일종인 센스 신호(SENSE)에 의해 제어될 수 있다. 여기서, 기준전압 라인(RVL) 상의 임의의 지점이 센싱 노드(Ns)에 해당한다. Referring to FIG. 2 , the sensing transistor SENT is electrically connected between the first node of the driving transistor DRT and the reference voltage line RVL, and is a type of a scan signal applied to the gate node, the sense signal SENSE. ) can be controlled by Here, any point on the reference voltage line RVL corresponds to the sensing node Ns.

이러한 센싱 트랜지스터(SENT)는, 턴 온 되어, 기준전압 라인(RVL)을 통해 공급된 기준전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 인가해줄 수 있다. The sensing transistor SENT is turned on to apply the reference voltage Vref supplied through the reference voltage line RVL to the first node N1 of the driving transistor DRT.

도 2를 참조하면, 스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 노드와 센싱 트랜지스터(SENT)의 게이트 노드는, 동일한 게이트 라인에 전기적으로 연결되어 동일한 게이트 신호를 인가받을 수 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센스 신호(SENSE)는 동일한 게이트 신호이다. Referring to FIG. 2 , the gate node of the switching transistor SWT and the gate node of the sensing transistor SENT may be electrically connected to the same gate line to receive the same gate signal. In this case, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE are the same gate signal.

이와는 다르게, 스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 노드와 센싱 트랜지스터(SENT)의 게이트 노드는, 서로 다른 게이트 라인에 전기적으로 연결될 수도 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센스 신호(SENSE) 각각이 서로 다른 게이트 라인 신호이다. Alternatively, the gate node of the switching transistor SWT and the gate node of the sensing transistor SENT may be electrically connected to different gate lines. In this case, each of the scan signal SCAN and the sense signal SENSE is a different gate line signal.

한편, 각 구동 트랜지스터(DRT)는, 문턱전압(Vth: Threshold Voltage), 이동도(Mobility) 등의 특성치를 갖는다. 또한, 구동 트랜지스터(DRT)는 구동 시간에 따라 열화(Degradation)가 진행되어 특성치가 변할 수 있다. Meanwhile, each driving transistor DRT has characteristic values such as a threshold voltage (Vth) and mobility. Also, the characteristic value of the driving transistor DRT may be changed as deterioration proceeds according to the driving time.

이러한 점 때문에, 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT) 간에는 열화 정도의 차이가 존재할 수 있고, 각 화소 내 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차가 존재할 수 있다. For this reason, a difference in the degree of deterioration may exist between the driving transistors DRT in each sub-pixel, and a deviation in characteristic values between the driving transistors DRT in each pixel may exist.

각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차는, 각 서브픽셀 간 휘도 편차를 야기하여 화질 저하를 발생시키는 주요 요인이 될 수 있다.A characteristic value deviation between the driving transistors DRT in each sub-pixel may cause a luminance deviation between the respective sub-pixels, which may be a major factor causing image quality deterioration.

이러한 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차(문턱전압 편차, 이동도 편차) 뿐만 아니라, 유기발광다이오드(OLED) 간의 특성치 편차(문턱전압 편차 등)도 존재할 수 있다. In addition to deviations in characteristic values between the driving transistors DRT (threshold voltage deviation, mobility deviation), as well as deviations in characteristic values between the organic light emitting diodes (OLEDs) (threshold voltage deviation, etc.) may exist.

본 명세서에서는, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차와 유기발광다이오드(OLED) 간의 특성치 편차를 모두 합하여, "서브픽셀 특성치 편차"라고도 한다. In the present specification, the deviation of the characteristic value between the driving transistors DRT and the deviation of the characteristic value between the organic light emitting diodes (OLED) is also referred to as “sub-pixel characteristic value deviation”.

따라서, 화상 품질을 향상시키기 위해서, 서브픽셀 특성치 편차에 대한 보상이 필요하다. Accordingly, in order to improve the image quality, compensation for the sub-pixel characteristic value deviation is required.

이에, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 서브픽셀 특성치 편차를 센싱할 수 있도록 하는 센싱 구성과 보상 구성을 포함하며, 이러한 센싱 구성 및 보상 구성을 이용하여 센싱 구동 방법 및 보상 방법을 제공할 수 있다. Accordingly, as shown in FIG. 3 , the organic light emitting display device 100 according to the present exemplary embodiments includes a sensing configuration and a compensation configuration for sensing the sub-pixel characteristic value deviation, and the sensing configuration and compensation configuration can be used to provide a sensing driving method and a compensation method.

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 서브픽셀 특성치 편차(서브픽셀 특성치 변화량이라고도 함)를 센싱하기 위한 센싱 구성으로서, 기준전압 라인(RVL)과 제2스위치(SW2)를 통해 연결되어, 센싱 구동을 통해 특정 전압 상태가 된 기준전압 라인(RVL) 상의 전압을 센싱하여 센싱된 전압을 디지털 값으로 변환하여 센싱 데이터를 출력하는 센싱부(300)를 포함할 수 있다. As shown in FIG. 3 , the organic light emitting display device 100 according to the present exemplary embodiments is a sensing configuration for sensing a sub-pixel characteristic value variation (also referred to as a sub-pixel characteristic value change amount), and includes a reference voltage line RVL and A sensing unit 300 that is connected through the second switch SW2, senses a voltage on the reference voltage line RVL that has become a specific voltage state through sensing driving, converts the sensed voltage into a digital value, and outputs sensed data. may include

이러한 센싱부(300)는 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)로 구현될 수 있다. The sensing unit 300 may be implemented as an analog-to-digital converter (ADC).

도 3을 참조하면, 센싱부(300)에 의해 출력된 센싱 데이터는 메모리(310)에 저장될 수 있다. Referring to FIG. 3 , sensing data output by the sensing unit 300 may be stored in the memory 310 .

또한, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 서브픽셀 특성치 편차를 보상하기 위한 보상 구성으로서, 센싱부(300)에 의해 출력된 센싱 데이터를 이용하여 서브픽셀 특성치 편차를 보상하기 위한 보상값을 연산하는 보상부(320)를 포함할 수 있다. In addition, as shown in FIG. 3 , the organic light emitting display device 100 according to the present exemplary embodiment uses the sensed data output by the sensing unit 300 as a compensation configuration for compensating for sub-pixel characteristic value deviation. Thus, a compensation unit 320 that calculates a compensation value for compensating for the sub-pixel characteristic value deviation may be included.

보상부(320)에 의해 연산된 보상값은 메모리(310)에 저장될 수 있다. The compensation value calculated by the compensation unit 320 may be stored in the memory 310 .

보상부(320) 또는 컨트롤러(140)는 보상부(320)에 의해 연산된 보상값을 이용하여, 해당 서브픽셀로 공급할 데이터를 변경하여 변경된 데이터를 데이터 드라이버(120)로 공급한다. 이에 따라, 서브픽셀 특성치 편차 보상이 실제로 이루어지게 된다. The compensator 320 or the controller 140 uses the compensation value calculated by the compensator 320 to change data to be supplied to the corresponding sub-pixel and supplies the changed data to the data driver 120 . Accordingly, sub-pixel characteristic value deviation compensation is actually performed.

예를 들어, 변경된 데이터는 원래의 데이터에 보상값(예: 문턱전압 또는 문턱전압 변화량(문턱전압 편차) 등)을 더하여 생성될 수 있다. For example, the changed data may be generated by adding a compensation value (eg, a threshold voltage or a threshold voltage variation (threshold voltage deviation), etc.) to the original data.

보상부(320)는 컨트롤러(140)의 내부에 포함될 수 있다. The compensator 320 may be included in the controller 140 .

아래에서는, 도 4를 참조하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(또는 문턱전압 변화량)에 대한 센싱 원리에 대하여 간략하게 설명한다. Hereinafter, a sensing principle of the threshold voltage (or threshold voltage variation) of the driving transistor DRT will be briefly described with reference to FIG. 4 .

도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 문턱전압 센싱 동작 시, 센싱 노드(Ns) 또는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압 변화를 나타낸 그래프이다. 4 is a graph illustrating a voltage change of the sensing node Ns or the first node N1 of the driving transistor DRT during the threshold voltage sensing operation of the organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiment.

도 4를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 문턱전압 센싱 동작은 초기화 단계(S410), 전압 팔로잉 단계(S420) 및 센싱 단계(S430) 등으로 진행될 수 있다. 여기서, Referring to FIG. 4 , the threshold voltage sensing operation of the organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiments may be performed through an initialization step S410 , a voltage following step S420 , and a sensing step S430 . here,

도 4를 참조하면, 초기화 단계(S410)에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 각각이 데이터 전압(Vdata)과 기준전압(Vref)으로 초기화된다. Referring to FIG. 4 , in the initialization step S410 , the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT are initialized to the data voltage Vdata and the reference voltage Vref, respectively.

초기화 단계(S410)에서, 스위칭 트랜지스터(SWT)는 턴 온 되어 데이터 전압(Vdata)이 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)로 인가된다. 그리고, 기준전압 라인(RVL)과 기준전압 공급 노드(Nref)를 연결해주는 제1스위치(SW1)는 온(On) 됨으로써, 기준전압 라인(RVL)과 턴 온 된 센싱 트랜지스터(SENT)를 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)로 기준전압(Vref)이 인가된다. In the initialization step S410 , the switching transistor SWT is turned on and the data voltage Vdata is applied to the second node N2 of the driving transistor DRT. And, the first switch SW1 connecting the reference voltage line RVL and the reference voltage supply node Nref is turned on, and is driven through the reference voltage line RVL and the turned-on sensing transistor SENT. The reference voltage Vref is applied to the first node N1 of the transistor DRT.

도 4를 참조하면, 전압 팔로잉 단계(S420)에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)를 플로팅(Floating) 시켜준다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 제2노드(N2)의 전압을 팔로잉(Following) 하면서, 상승하게 된다. Referring to FIG. 4 , in the voltage following step S420 , the first node N1 of the driving transistor DRT is made to float. Accordingly, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT increases while following the voltage of the second node N2.

이러한 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압은 상승하다가 일정 시간이 지나면 포화하게 된다. The voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT rises and becomes saturated after a certain period of time.

센싱 단계(S430)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 상승하다고 포화되면 진행되는 단계이다. The sensing step S430 is a step performed when the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT is saturated due to an increase.

센싱 단계(S430)에서, 제2스위치(SW2)가 온 이 되어, 센싱부(300)가 기준전압 라인(RVL)의 전압을 센싱한다. In the sensing step S430 , the second switch SW2 is turned on, and the sensing unit 300 senses the voltage of the reference voltage line RVL.

이때 센싱된 센싱 전압(Vsen)은, 이미 알고 있는 데이터 전압(Vdata)과 알고자 하는 문턱전압(Vth)으로 표현될 수 있다(Vsen=Vdata- Vth). In this case, the sensed sensing voltage Vsen may be expressed as a known data voltage Vdata and a desired threshold voltage Vth (Vsen=Vdata-Vth).

도 5 및 도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 초기 문턱전압 센싱과 문턱전압 변화량 센싱을 나타낸 도면이다. 5 and 6 are diagrams illustrating initial threshold voltage sensing and threshold voltage variation sensing of the organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiments.

도 5를 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 최초로 센싱하는 경우, 즉, 초기 문턱전압 센싱의 경우, 도 4의 문턱전압 센싱 동작에 따르면, 센싱부(300)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은 Vdata-Vth이다.Referring to FIG. 5 , when the threshold voltage of the driving transistor DRT is first sensed, that is, in the case of initial threshold voltage sensing, according to the threshold voltage sensing operation of FIG. 4 , the voltage sensed by the sensing unit 300 ( Vsen) is Vdata-Vth.

도 5과 같이, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 최초로 센싱한 이후, 구동 트랜지스터(DRT)가 더 열화되는 경우, 초기의 문턱전압(Vth)에서 변할 수 있다. 5 , after the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT is first sensed, when the driving transistor DRT is further deteriorated, the initial threshold voltage Vth may be changed.

이와 같이, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 변화에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압이 Vth에서 Vth'로 변했다고 할 때, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 변화량(△Vth=Vth'-Vth)이 발생했다고 할 때, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 변화량(△Vth)을 센싱하기 위하여, 초기화 단계(S410)에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)로 인가되는 데이터 전압(Vdata')은 Vdata에 이전에 센싱된 문턱전압(즉, 초기 문턱전압(Vth)을 더한 전압이다(Vdata'=Vdata+Vth). As described above, when the threshold voltage of the driving transistor DRT changes from Vth to Vth' according to the change in the threshold voltage of the driving transistor DRT, that is, the threshold voltage change amount (ΔVth=Vth) of the driving transistor DRT When '-Vth) occurs, in order to sense the threshold voltage change ΔVth of the driving transistor DRT, in the initialization step S410 , the applied to the second node N2 of the driving transistor DRT is applied. The data voltage Vdata' is a voltage obtained by adding a previously sensed threshold voltage (ie, an initial threshold voltage Vth) to Vdata (Vdata'=Vdata+Vth).

도 4의 문턱전압 센싱 동작에 따르면, 문턱전압 변화량 센싱 시, 즉, 초기 문턱전압 센싱이 아닌 문턱전압 재 센싱 시, 센싱부(300)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은 다음의 수학식 1과 같이 표현될 수 있다.According to the threshold voltage sensing operation of FIG. 4 , when the threshold voltage variation is sensed, that is, when the threshold voltage is re-sensed instead of the initial threshold voltage sensing, the voltage Vsen sensed by the sensing unit 300 is expressed by the following Equation 1 and can be expressed together.

Figure 112015065922172-pat00001
Figure 112015065922172-pat00001

상기 수학식 1에서, Vth는 초기 센싱에 따라 메모리(310)에 저장된 Vth_memory이고, Vth'는 현 센싱 시 구동 트랜지스터(DRT)의 실제 문턱전압인 Vth_real이다. In Equation 1, Vth is Vth_memory stored in the memory 310 according to initial sensing, and Vth' is Vth_real, which is an actual threshold voltage of the driving transistor DRT during current sensing.

따라서, 수학식 1을 하기 수학식 2로 다시 표현할 수 있다. Therefore, Equation 1 can be expressed again as Equation 2 below.

Figure 112015065922172-pat00002
Figure 112015065922172-pat00002

도 7은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 1번의 센싱 구동을 통해 문턱전압을 센싱하는 경우, 센싱 노드(Ns) 또는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압 변화를 나타낸 도면이다. 7 is a diagram illustrating a sensing node Ns or a first node N1 of a driving transistor DRT when a threshold voltage is sensed through one sensing operation in the organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiments. It is a diagram showing the voltage change.

문턱전압 센싱 동작 시, 전압 팔로잉 단계(S420)는 초기화 단계(S410)에 비해 상당히 오랜 시간이 걸린다. In the threshold voltage sensing operation, the voltage following step ( S420 ) takes considerably longer than the initialization step ( S410 ).

따라서, 문턱전압 센싱 동작 시, 센싱 노드(Ns) 또는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압 변화 그래프는, 도 7에 도시된 바와 같이, 초기화 단계(S410)에서의 전압 상태는 무시될 수 있을 것이다. Accordingly, in the threshold voltage sensing operation, the voltage change graph of the sensing node Ns or the first node N1 of the driving transistor DRT is, as shown in FIG. 7 , the voltage state in the initialization step S410 is could be ignored.

도 7에서는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 인가되는 초기화 전압(Vref)이 0[V]인 것으로 가정하였다. In FIG. 7 , it is assumed that the initialization voltage Vref applied to the first node N1 of the driving transistor DRT is 0 [V].

도 7을 참조하면, 문턱전압 변화량 센싱 시, 즉, 초기 문턱전압 센싱이 아닌 문턱전압 재 센싱 시, 센싱부(300)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은 상기 수학식 2와 같이 표현될 수 있다. Referring to FIG. 7 , when the threshold voltage variation is sensed, that is, when the threshold voltage is re-sensed instead of the initial threshold voltage sensing, the voltage Vsen sensed by the sensing unit 300 may be expressed as Equation 2 above. .

도 7을 참조하면, 문턱전압 변화량(△Vth)은 포지티브 값일 수도 있고 네거티브 값일 수도 있다. Referring to FIG. 7 , the threshold voltage variation ΔVth may be a positive value or a negative value.

한편, 문턱전압 센싱 동작 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 상승하다가 포화하는데 상당한 시간이 걸린다. 이로 인해, 문턱전압 센싱에 필요한 총 센싱 구동 시간(Ts)은 상당히 길 수밖에 없다. Meanwhile, during the threshold voltage sensing operation, it takes a considerable time for the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT to saturate while rising. For this reason, the total sensing driving time (Ts) required for sensing the threshold voltage is inevitably long.

이는, 고해상도에 따라 서브픽셀 개수가 더욱 많아지는 경우, 유기발광표시패널(110)에 배치된 서브픽셀에 대한 문턱전압을 센싱하기 위해서, 매운 긴 시간(대략 수 분에서 수 십분 정도)이 걸릴 수밖에 없다. 즉 고해상도 구현을 위한 작은 화소 크기에 맞추어 구동 트랜지스터의 크기도 줄어들게 된다. 이때 구동 트랜지스터의 전류 능력 저하로, 예를 들어 센싱 라인 캐패시터 차징 시간 증가 등으로 증가 문턱 전압 센싱 시간이 기존 대비 길어질 수 밖에 없다.This is because, when the number of sub-pixels increases according to the high resolution, it takes a very long time (approximately several minutes to several tens of minutes) to sense the threshold voltage of the sub-pixels disposed on the organic light emitting display panel 110 . none. That is, the size of the driving transistor is also reduced to match the small pixel size for realizing high resolution. At this time, due to a decrease in the current capability of the driving transistor, for example, an increase in the charging time of the sensing line capacitor, the increased threshold voltage sensing time is inevitably longer than in the prior art.

따라서, 도 8에 도시된 바와 같이, 문턱전압 센싱은, 사용자의 시청을 방해하지 않기 위해서, 유기발광표시장치(100)의 전원 오프 신호가 발생한 경우 진행될 수 있을 것이다. Accordingly, as shown in FIG. 8 , the threshold voltage sensing may be performed when a power-off signal of the organic light emitting display device 100 is generated in order not to interfere with the user's viewing.

이와 같이, 전원 오프 신호 발생 시, 유기발광표시패널(110)에 대한 문턱전압 센싱을 하는 경우, 문턱전압 보상이 적시에 이루어지지 못하는 단점이 있다. As such, when the threshold voltage is sensed for the organic light emitting display panel 110 when the power-off signal is generated, there is a disadvantage in that the threshold voltage compensation is not performed in a timely manner.

또한 전원 오프 신호 발생 시, 유기발광표시패널(110)에 대한 문턱전압 센싱을 하는 경우 강제적으로 전원 코드를 분리하는 경우 문턱 전압 센싱을 하지 못하는 단점이 있다.In addition, when the power-off signal is generated, when the threshold voltage is sensed for the organic light emitting display panel 110, there is a disadvantage in that the threshold voltage cannot be sensed when the power cord is forcibly disconnected.

이에, 본 실시예들은, 전원이 켜져 있는 동안, 예를 들어, 블랭크 타임(Blank Time) 구간 동안, 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 문턱전압을 실시간으로 센싱할 수 있는 문턱전압 실시간 문턱전압 실시간 센싱 구동 방법과 이를 이용한 센싱 및 보상 방법을 제공할 수 있다. Accordingly, the present embodiments provide a real-time sensing driving method for threshold voltage real-time capable of sensing the threshold voltage of a driving transistor in a sub-pixel in real time while power is on, for example, during a blank time period. and a sensing and compensation method using the same can be provided.

여기서, 블랭크 타임(Blank Time) 구간 동안, 문턱전압 실시간 센싱 구동 방법은, 유기발광표시패널(110)의 서브픽셀들 내 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하기 위하여 필요한 총 센싱 구동 기간을 블랭크 타임(Blank Time) 구간 동안 몇 개의 문턱전압 실시간 센싱 구동 기간으로 문턱전압을 실시간 센싱하기 위해 해당 유기발광표시패널(110)을 구동하는 것이다. Herein, during the blank time period, the threshold voltage real-time sensing driving method determines the total sensing driving period required to sense the threshold voltage of the driving transistors in the subpixels of the organic light emitting display panel 110 as the blank time. Time), the corresponding organic light emitting display panel 110 is driven to sense the threshold voltage in real time for several threshold voltage real-time sensing driving periods.

다시 말해 유기발광표시패널(110)의 서브픽셀들 내 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하기 위하여 n(n≥2)차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들이 존재하고, n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 전부 또는 일부는 블랭크 타임 구간에 포함될 수 있다. In other words, in order to sense the threshold voltage of the driving transistor in the subpixels of the organic light emitting display panel 110 , there are n (n≥2) times of threshold voltage real-time sensing driving periods, and n times of threshold voltage real-time sensing driving periods. All or some of them may be included in the blank time interval.

도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 블랭크 타임 구간 동안문턱전압 실시간 문턱전압 실시간 센싱 구동을 통해 문턱전압을 실시간 센싱하는 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 블랭크 타임 구간 동안 문턱전압 실시간 센싱 구동의 타이밍을 개략적으로 나타낸 도면이다. FIG. 9 is a diagram for explaining a method of real-time sensing a threshold voltage through real-time sensing driving of the threshold voltage during a blank time period in the organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiments. FIG. 10 is a diagram schematically illustrating timing of threshold voltage real-time sensing driving during a blank time period in the organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiments.

도 9 및 도 10을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 블랭크 타임 구간 동안 유기발광표시패널(110)의 전 영역을 문턱전압을 실시간 센싱하는 동안, 2개 이상의 블랭크 타임 구간 동안 2 이상의 값을 갖는 n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #1, PSD #2, ... , PSD #n, n≥2)이 존재한다. 9 and 10 , in the organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiment, while the threshold voltage is sensed over the entire area of the organic light emitting display panel 110 in real time during the blank time period, two or more During the blank time period, there are n threshold voltage real-time sensing driving periods (PSD #1, PSD #2, ... , PSD #n, n≥2) having a value of 2 or more.

n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #1, PSD #2, ... , PSD #n)에서, 각 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간 동안, 적어도 하나의 센싱 대상 서브픽셀 각각에서는, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 센싱(예: 문턱전압 센싱)을 위한 구동이 일어난다. In the n-time threshold voltage real-time sensing driving period (PSD #1, PSD #2, ..., PSD #n), during each threshold voltage real-time sensing driving period, in each of at least one sensing target subpixel, a driving transistor ( DRT) is driven for characteristic value sensing (eg, threshold voltage sensing).

즉, n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #1, PSD #2, ... , PSD #n)에서, 각 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간 동안, 적어도 하나의 센싱 대상 서브픽셀 각각에서는, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에서는 전압 상승이 이루어지고 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N1)에는 정전압이 인가된다.That is, in the n-time threshold voltage real-time sensing driving period (PSD #1, PSD #2, ..., PSD #n), during each threshold voltage real-time sensing driving period, each of at least one sensing target sub-pixel, A voltage is increased at the first node N1 of the driving transistor DRT for driving the light emitting diode OLED, and a constant voltage is applied to the second node N1 of the driving transistor DRT.

도 9 및 도 10을 참조하면, 도 8에 도시한 바와 같이 전원 오프 신호 발생 시, 유기발광표시패널(110)에 대한 문턱전압 센싱을 하는 경우 문턱전압 실시간Ts 시간이 필요하다고 할 때, 유기발광표시패널(110)의 필요한(또는 모든) 서브픽셀들 내 구동 트랜지스터의 문턱전압 센싱에 대하여, n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 각각에 필요한 시간(T1, T2, ... , TN)을 모두 합하면, Ts 시간과 동일하거나 비슷한 값이 된다. Referring to FIGS. 9 and 10 , when a threshold voltage sensing for the organic light emitting display panel 110 is performed when a power-off signal is generated as shown in FIG. 8 , when a threshold voltage real time Ts time is required, organic light emitting diodes are emitted. With respect to the threshold voltage sensing of the driving transistor in the necessary (or all) sub-pixels of the display panel 110 , if the time (T1, T2, ..., TN) required for each of the n times of threshold voltage real-time sensing driving is added , which is equal to or similar to Ts time.

전술한 블랭크 타임 구간 동안 문턱전압 실시간 센싱 구동 방법을 이용하면, 전원이 켜져 있는 동안에는 불가능했던 문턱전압 센싱을 가능하게 할 수 있다. 즉, 유기발광표시패널(110)의 서브픽셀들 내 구동 트랜지스터의 문턱전압 센싱에 대한 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간을 둘 이상의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간으로 나누어 진행함으로써, 전원이 켜져 있는 동안, 즉 블랭크 타임 구간 동안에도, 장시간의 센싱 구동을 요하는 문턱전압 센싱을 실시간으로 진행할 수 있게 된다. By using the threshold voltage real-time sensing driving method during the blank time period described above, it is possible to enable threshold voltage sensing that was impossible while the power is on. That is, by dividing the threshold voltage real-time sensing driving period for the threshold voltage sensing of the driving transistor in the sub-pixels of the organic light emitting display panel 110 into two or more threshold voltage real-time sensing driving periods, while the power is on, that is, blank Even during the time period, it is possible to perform threshold voltage sensing, which requires a long sensing operation, in real time.

도 11은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 블랭크 타임 구간 동안 문턱전압 실시간 센싱 구동의 타이밍을 개략적으로 나타낸 도면이다.11 is a diagram schematically illustrating timing of a threshold voltage real-time sensing operation during a blank time period in the organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiments.

도 11을 참조하면, 유기발광표시패널(110)의 서브픽셀들 내 구동 트랜지스터의 문턱전압 센싱은 블랭크 타임 구간 동안에만 진행되는 것이 아니라 블랭크 타임 구간 동안 유기발광표시패널(110)의 서브픽셀들 내 구동 트랜지스터의 문턱전압 센싱이 완료되지 않은 경우 유기발광표시패널(110)의 일부 영역에 대한 문턱전압 센싱은 전원 오프 신호가 발생된 이후에도 진행될 수 있다.Referring to FIG. 11 , the sensing of the threshold voltage of the driving transistor in the subpixels of the organic light emitting display panel 110 is not performed only during the blank time period, but within the subpixels of the organic light emitting display panel 110 during the blank time period. When the threshold voltage sensing of the driving transistor is not completed, the threshold voltage sensing for a partial region of the organic light emitting display panel 110 may be performed even after the power-off signal is generated.

유기발광표시패널(110)의 일부 서브픽셀들 내 구동 트랜지스터의 문턱전압 센싱을 전원 오프 신호가 발생된 이후 진행하더라도 도 8에 도시한 바와 같이 유기발광표시표시패널(110)의 서브픽셀들 내 구동 트랜지스터의 문턱전압 센싱을 전원 오프 신호가 발생된 이후에 진행하는 것보다 전원 오프 후 센싱 구동 시간을 낮출 수 있다. 이하에서 문턱전압 실시간 센싱이 블랭크 타임 구간 동안 진행되는 것으로 설명하나 본 명세서에서 도 11에 도시한 바와 같이 유기발광표시패널(110)의 일부 서브픽셀들 내 구동 트랜지스터의 문턱전압 센싱을 전원 오프 신호가 발생된 이후 진행되는 것도 문턱전압 실시간 센싱을 의미할 수 있다.Even when the threshold voltage sensing of the driving transistor in some subpixels of the organic light emitting display panel 110 is performed after the power-off signal is generated, as shown in FIG. 8 , the driving in the subpixels of the organic light emitting display panel 110 is performed. The sensing driving time after power-off may be lower than that of sensing the threshold voltage of the transistor after the power-off signal is generated. Hereinafter, it will be described that the threshold voltage real-time sensing is performed during the blank time period, but as shown in FIG. 11 in this specification, the threshold voltage sensing of the driving transistor in some sub-pixels of the organic light emitting display panel 110 is performed by the power-off signal. A process that is performed after the generation of the threshold voltage may mean real-time sensing of the threshold voltage.

이러한 현상에 따르면, n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #1, PSD #2, ... , PSD #n) 중에서 1번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간 내지 N-1 번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간 각각이 끝나는 시점에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압은 포화되지 않은 상태이고, n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #1, PSD #2, ... , PSD #n) 중에서, 마지막 n번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압은 포화된 상태가 된다. According to this phenomenon, the first threshold voltage real-time sensing driving period to the N-1th threshold voltage real-time sensing driving period among n threshold voltage real-time sensing driving periods (PSD #1, PSD #2, ... , PSD #n) At the end of each period, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT is in a non-saturated state, and n threshold voltage real-time sensing driving periods PSD #1, PSD #2, ... , PSD #n), the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT is saturated in the last nth threshold voltage real-time sensing driving period.

전술한 바와 같이, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)가 문턱전압을 반영하는 전압 상태가 되도록 하는 센싱 구동(문턱전압 센싱 구동)을 n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동으로 나누어 진행하기 때문에, 나중에 진행되는 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간일수록 전압 상승 폭이 서서히 작아지다가, 가장 마지막 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 비로소 포화 상태가 되는 것이다. As described above, the sensing driving (threshold voltage sensing driving) that causes the first node N1 of the driving transistor DRT to be in a voltage state reflecting the threshold voltage is divided into n times of threshold voltage real-time sensing driving. , the voltage rise gradually decreases as the threshold voltage real-time sensing driving period proceeds later, and the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT finally becomes saturated in the last threshold voltage real-time sensing driving period.

아래에서는, 도 12를 참조하여, 유기발광표시패널(110)의 서브픽셀들 내 구동 트랜지스터의 문턱전압 센싱에 대한 n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동이 진행되는 타이밍에 대하여 설명한다.Hereinafter, with reference to FIG. 12 , a timing at which threshold voltage sensing driving is performed n times for threshold voltage sensing of driving transistors in subpixels of the organic light emitting display panel 110 will be described.

도 12는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)가 유기발광표시패널(110)의 서브픽셀들 내 구동 트랜지스터의 문턱전압 센싱에 대하여 n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동을 진행하는 타이밍의 예시도이다. 12 is a timing diagram illustrating the timing of the threshold voltage sensing operation of the organic light emitting display device 100 according to the present exemplary embodiments for threshold voltage sensing of the driving transistor in the subpixels of the organic light emitting display panel 110 in real time n times. It is also an example.

한편, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 도 12에 도시된 바와 같이, n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 각각을 수직 동기 신호(VSYNC)를 기준으로 블랭크 타임(Black Time) 동안 진행할 수 있다. Meanwhile, in the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments, as shown in FIG. 12 , each of n threshold voltage real-time sensing operations is performed for a blank time based on the vertical synchronization signal VSYNC. can proceed while

따라서, 하나의 서브픽셀에 대한 n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #1, PSD #2, ... , PSD #n)에서 각 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간은 블랭크 타임(Blank Time) 구간에 포함될 수 있다. Therefore, in the n-time threshold voltage real-time sensing driving period (PSD #1, PSD #2, ... , PSD #n) for one sub-pixel, each threshold voltage real-time sensing driving period is a blank time period. can be included in

도 12의 예시는, 4개의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #1, PSD #2, PSD #3, PSD #4)이 4개의 프레임 시간 내 4개의 블랭크 타임 구간에 포함되는 경우를 나타낸 것이다. The example of FIG. 12 illustrates a case in which four threshold voltage real-time sensing driving periods PSD #1, PSD #2, PSD #3, and PSD #4 are included in four blank time periods within four frame times.

전술한 바와 같이, n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동을 블랭크 타임 구간마다 진행함으로써, n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동이 화상 구동에 영향을 끼치지 않는다. As described above, since the n times of the threshold voltage real-time sensing operation is performed for each blank time interval, the n times of the threshold voltage real-time sensing operation do not affect the image operation.

도 13은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 문턱전압 실시간 센싱 구동에 문턱전압을 실시간 센싱하는 개념도이다. 도 14는 도 13의 문턱전압 실시간 센싱 구동에 문턱전압을 실시간 센싱할 때, 센싱 노드의 전압 변화를 나타낸 그래프이다. 13 is a conceptual diagram of real-time sensing of a threshold voltage in a threshold voltage real-time sensing driving in the organic light emitting display device 100 according to the present exemplary embodiments. 14 is a graph illustrating a voltage change of a sensing node when the threshold voltage is sensed in real time in the threshold voltage real-time sensing driving of FIG. 13 .

우선, 문턱전압 센싱 구동 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)는 초기화 전압(Vref 또는 Vini)으로 초기화된 이후, 플로팅 되어 전압 상승이 일어난다. First, during threshold voltage sensing driving, the first node N1 of the driving transistor DRT is initialized to the initialization voltage Vref or Vini, and then floats to increase the voltage.

이에 따라, 도 13에 도시된 바와 같이, 임의의 i-1(i=2, ... , n)번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #i-1)이 시작하는 시점(초기화 단계(S410)에 해당하는 시점)에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)는 해당 초기화 전압 V1(i-1)로 초기화된 이후, 플로팅에 따라 전압 상승이 일어난다. Accordingly, as shown in FIG. 13 , an arbitrary i-1 (i=2, ... , n)-th threshold voltage real-time sensing driving period (PSD #i-1) starts at a time point (initialization step S410) )), the first node N1 of the driving transistor DRT is initialized to the corresponding initialization voltage V1(i-1), and then the voltage rises according to floating.

실시간 센싱 구동 구간(PSD #i-1)이 끝나는 시점에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압에 해당하는 V1B(i-1)는, 포화 전압(Saturation Voltage)에 해당한다. At the end of the real-time sensing driving period PSD #i-1, V1B(i-1) corresponding to the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT corresponds to the saturation voltage .

도 13을 참조하면, 문턱전압 실시간 센싱 구동에 따른 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압 변화를 도 14를 참조하여 살펴본다. 단, 도 14에서는 포지티브 문턱전압 변화량(Positive △Vth)을 갖는 경우, 네거티브 문턱전압 변화량(Negative △Vth)을 갖는 경우, 포지티브 문턱전압 변화량(Positive △Vth)과 네거티브 문턱전압 변화량(Negative △Vth) 사이의 문턱전압 변화량(△Vth)을 갖는 경우에 대하여 전압 변화를 나타낸다. Referring to FIG. 13 , the voltage change of the first node N1 of the driving transistor DRT according to the threshold voltage real-time sensing driving will be described with reference to FIG. 14 . However, in FIG. 14 , when a positive threshold voltage change amount (Positive ΔVth) is present and a negative threshold voltage change amount (Negative ΔVth) is present, a positive threshold voltage change amount (Positive ΔVth) and a negative threshold voltage change amount (Negative ΔVth) The voltage change is shown for the case of having the threshold voltage change amount ΔVth between .

도 14를 참조하면, 하나의 서브픽셀에 대한 문턱전압 센싱을 위해, 문턱전압 실시간 센싱 구동이 진행된다고 할 때, i-1번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #i-1)이 시작하면, 초기화 단계가 진행되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에는 V1(i-1)에 해당하는 초기화 전압(Vini)이 인가되고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에는 V2(i-1)에 해당하는 정전압(Vdata+Vini)이 인가된다. Referring to FIG. 14 , when the threshold voltage real-time sensing driving is in progress for threshold voltage sensing for one sub-pixel, the i-1th threshold voltage real-time sensing driving period PSD #i-1 starts, In the initialization step, an initialization voltage Vini corresponding to V1(i-1) is applied to the first node N1 of the driving transistor DRT, and the second node N2 of the driving transistor DRT is applied. A constant voltage (Vdata+Vini) corresponding to V2(i-1) is applied.

이후, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)가 플로팅 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압 상승이 일어난다. i-1번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #i-1)의 길이(T1)만큼 시간이 지난 후, i-1번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #i-1)이 끝나게 되는데, 이때, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압은 V1B(i-1)이 된다. Thereafter, the first node N1 of the driving transistor DRT floats, so that the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT rises. After the length T1 of the i-1th threshold voltage real-time sensing driving section PSD #i-1 has elapsed, the i-1th threshold voltage real-time sensing driving section PSD #i-1 ends. , the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT becomes V1B(i-1).

i-1번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #i-1)이 끝나는 시점에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압에 해당하는 V1B(i-1)는, 포화 전압(Saturation Voltage)에 해당한다. At the end of the i-1th threshold voltage real-time sensing driving period PSD #i-1, V1B(i-1) corresponding to the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT is the saturation voltage ( Saturation Voltage).

따라서, 센싱부(300)는 i-1번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #i-1)이 끝나는 시점에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 포화 전압에 해당하는 V1B(i-1)를 기준전압 라인(RVL) 또는 센싱 노드(Ns)를 통해 최종적으로 센싱한다. 이때 센싱된 전압(Vsen)은 문턱전압(Vth) 또는 문턱전압 변화량(△Vth, 문턱전압 편차)을 포함하는 전압형태로 표현될 수 있다. Accordingly, at the end of the i-1th threshold voltage real-time sensing driving period PSD #i-1, the sensing unit 300 generates V1B ( i-1) is finally sensed through the reference voltage line RVL or the sensing node Ns. In this case, the sensed voltage Vsen may be expressed in a voltage form including a threshold voltage Vth or a threshold voltage variation (ΔVth, threshold voltage deviation).

보상부(320)는, 센싱된 전압(Vsen)을 토대로 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 또는 문턱전압 변화량(문턱전압 편차)을 보상해줄 수 있다. The compensator 320 may compensate a threshold voltage or a threshold voltage variation (threshold voltage deviation) of the driving transistor DRT based on the sensed voltage Vsen.

도 13 및 도 14에서 i-1번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #i-1)에 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)는 초기화 전압(Vref 또는 Vini)으로 초기화된 이후, 플로팅 되어 전압 상승이 일어나다가, 실시간 센싱 구동 구간(PSD #i-1)이 끝나는 시점에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압에 해당하는 V1B(i-1)는, 포화 전압(Saturation Voltage)에 도달하게 된다. 하나의 블랭크 타임 구간이 짧거나 해당 블랭크 타임 구간에 다른 보상 동작을 수행해야 하므로 i-1번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #i-1)에 하나의 서브픽셀에 대한 문턱전압 센싱을 완료하지 못할 수 있다. 13 and 14, the first node N1 of the driving transistor DRT is initialized to the initialization voltage Vref or Vini in the i-1th threshold voltage real-time sensing driving period PSD #i-1, and then floating The voltage rise occurs, and at the end of the real-time sensing driving period PSD #i-1, V1B(i-1) corresponding to the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT is a saturation voltage (Saturation Voltage) is reached. Threshold voltage sensing for one subpixel is not completed in the i-1th threshold voltage real-time sensing driving period (PSD #i-1) because one blank time period is short or another compensation operation needs to be performed during the blank time period. can't

따라서, 하나의 서브픽셀에 대한 센싱 구동 구간을 둘 이상의 블랭크 타임 구간으로 나누어 진행함으로써, 전원이 켜져 있는 동안에도, 장시간의 센싱 구동을 요하는 문턱전압 센싱을 실시간으로 진행할 수 있다. 이하 도 15 및 도 16을 참조하여 하나의 서브픽셀에 대한 센싱 구동 구간을 둘 이상의 블랭크 타임 구간으로 나누어 진행하는 과정을 설명한다. Accordingly, by dividing the sensing driving period for one sub-pixel into two or more blank time periods, threshold voltage sensing, which requires long-time sensing driving, can be performed in real time even while the power is turned on. Hereinafter, a process of dividing a sensing driving period for one subpixel into two or more blank time periods will be described with reference to FIGS. 15 and 16 .

도 15는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 문턱전압 실시간 센싱 구동의 개념도이다. 도 16은 도 15의 문턱전압 실시간 센싱 구동 동안 n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 시, 센싱 노드(Ns)의 전압 변화를 나타낸 그래프이다. 여기서, 센싱 노드(Ns)의 전압 변화는 기준전압 라인(RVL)의 전압 변화이고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압 변화일 수도 있다. 15 is a conceptual diagram of a threshold voltage real-time sensing driving in the organic light emitting display device 100 according to the present exemplary embodiments. FIG. 16 is a graph illustrating a voltage change of the sensing node Ns when the threshold voltage real-time sensing operation is performed n times during the threshold voltage real-time sensing operation of FIG. 15 . Here, the voltage change of the sensing node Ns may be a voltage change of the reference voltage line RVL, or may be a voltage change of the first node N1 of the driving transistor DRT.

우선, 문턱전압 센싱 구동 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)는 초기화 전압(Vref 또는 Vini)으로 초기화된 이후, 플로팅 되어 전압 상승이 일어난다. First, during threshold voltage sensing driving, the first node N1 of the driving transistor DRT is initialized to the initialization voltage Vref or Vini, and then floats to increase the voltage.

이에 따라, 도 15에 도시된 바와 같이, 임의의 i-1(i=2, ... , n)번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #i-1)이 시작하는 시점(초기화 단계(S410)에 해당하는 시점)에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)는 해당 초기화 전압 V1(i-1)로 초기화된 이후, 플로팅에 따라 전압 상승이 일어난다. Accordingly, as shown in FIG. 15 , an arbitrary i-1 (i=2, ... , n)-th threshold voltage real-time sensing driving period (PSD #i-1) starts at a time point (initialization step S410). )), the first node N1 of the driving transistor DRT is initialized to the corresponding initialization voltage V1(i-1), and then the voltage rises according to the floating.

구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)는, 전압 상승이 일어나다가, i-1(i=2, ... , n)번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #i-1)이 끝나는 시점(전압 팔로잉 단계(S420)에 해당하는 시간 구간 중 중간 지점)에서, 상승된 전압 V1B(i-1)이 된다(V1(i-1)<V1B(i-1)). At the first node N1 of the driving transistor DRT, a voltage rise occurs, and then the i-1 (i=2, ... , n)th threshold voltage real-time sensing driving period PSD #i-1 ends. At a time point (middle point in the time interval corresponding to the voltage following step S420 ), the increased voltage V1B(i-1) becomes (V1(i-1)<V1B(i-1)).

각 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2, 예: 게이트 노드)에 인가되는 데이터 전압은 정전압으로서 서로 동일하다. During each threshold voltage real-time sensing driving period, data voltages applied to the second node N2 (eg, a gate node) of the driving transistor DRT are constant voltages and are equal to each other.

도 15를 참조하면, 임의의 i(i=2, ... , n)번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #i) 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 인가되는 정전압(V2(i))은, 이전의 i-1번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #i-1) 동안 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 인가되는 정전압(V2(i-1))과 동일하다(V2(i-1)=V2(i)).15 , a constant voltage applied to the second node N2 of the driving transistor DRT during an arbitrary i (i=2, ... , n)th threshold voltage real-time sensing driving period PSD #i (V2(i)) is a constant voltage V2(i-1) applied to the second node N2 of the driving transistor DRT during the previous i-1th threshold voltage real-time sensing driving period PSD #i-1 )) (V2(i-1)=V2(i)).

위와 같을 때, i-1번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #i-1)이 끝나는 시점에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N1)와 제1노드(N1) 간의 전위차(V21)와, i번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #i)이 시작하는 시점에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N1)와 제1노드(N1) 간의 전위차(V21)가 동일하게 유지되기 위해서, i번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #i)이 시작하는 시점(초기화 단계(S410)에 해당하는 시점)에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 인가되는 초기화 전압(V1(i))은, 이전의 i-1번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #i-1)이 끝나는 시점(전압 팔로잉 단계(S420)에 해당하는 시간 구간의 중간 지점)에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 상승된 전압(V1B(i-1))과 동일해야만 한다. As above, at the end of the i-1th threshold voltage real-time sensing driving period PSD #i-1, the potential difference V21 between the second node N1 and the first node N1 of the driving transistor DRT is , in order to maintain the same potential difference V21 between the second node N1 and the first node N1 of the driving transistor DRT at the start of the i-th threshold voltage real-time sensing driving period PSD #i, The initialization voltage V1 (i) applied to the first node N1 of the driving transistor DRT at a time point at which the i-th threshold voltage real-time sensing driving period PSD #i starts (a time point corresponding to the initialization step S410) )) at the end of the previous i-1th threshold voltage real-time sensing driving period PSD #i-1 (the middle point of the time period corresponding to the voltage following step S420), the driving transistor DRT It must be equal to the increased voltage V1B(i-1) of the first node N1 of .

이에 따르면, i번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #i)이 시작하는 시점(초기화 단계(S410)에 해당하는 시점)에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 인가되는 초기화 전압(V1(i))은, 이전의 i-1번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #i-1)이 시작하는 시점(초기화 단계(S410)에 해당하는 시점)에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 인가되는 초기화 전압(V1(i-1))과 다를 수 있다(V1(i)≠V1(i-1)). According to this, the initialization voltage ( V1(i)) is the first time of the driving transistor DRT at the start of the previous i-1th threshold voltage real-time sensing driving period PSD #i-1 (a time point corresponding to the initialization step S410). It may be different from the initialization voltage V1(i-1) applied to the first node N1 (V1(i)≠V1(i-1)).

구체적으로는, i번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #i)이 시작하는 시점(초기화 단계(S410)에 해당하는 시점)에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 인가되는 초기화 전압(V1(i))은, 이전의 i-1번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #i-1)이 시작하는 시점(초기화 단계(S410)에 해당하는 시점)에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 인가되는 초기화 전압(V1(i-1))보다 높을 수 있다(V1(i)>V1(i-1)). Specifically, the initialization applied to the first node N1 of the driving transistor DRT at the start of the i-th threshold voltage real-time sensing driving period PSD #i (the time point corresponding to the initialization step S410) The voltage V1(i) is the driving transistor DRT at the start of the previous i-1th threshold voltage real-time sensing driving period PSD #i-1 (a time point corresponding to the initialization step S410). It may be higher than the initialization voltage V1(i-1) applied to the first node N1 (V1(i)>V1(i-1)).

구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 정전압은 고정시키고, 대신, 각 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간이 시작하는 시점에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 인가되는 초기화 전압을 서로 다르게 조절하되, 새롭게 시작할 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간이 시작하는 시점에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 인가되는 초기화 전압을 이전 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간이 끝나는 시점에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 상승된 전압과 동일하게 조절함으로써, 문턱전압 실시간 센싱 구동 간의 상태를 유지할 수 있다(V21 유지). 이에 따라, n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동은, 실제로는 시간상으로 분리되어 진행되지만, 마치, 하나의 센싱 구동처럼 진행될 수 있다. The constant voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT is fixed, and instead, the initialization voltage applied to the first node N1 of the driving transistor DRT at the start of each threshold voltage real-time sensing driving period is applied. However, the threshold voltage to be newly started is adjusted differently from the initializing voltage applied to the first node N1 of the driving transistor DRT at the start of the real-time sensing driving period to the driving transistor at the end of the previous threshold voltage real-time sensing driving period. By adjusting the voltage to be equal to the raised voltage of the first node N1 of the DRT), a state between the threshold voltage real-time sensing operations can be maintained (V21 is maintained). Accordingly, the n-times of the threshold voltage real-time sensing operation is actually performed separately in time, but may be performed as if a single sensing operation.

n=4인 경우, 4차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동에 따른 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압 변화를 도 14를 참조하여 살펴본다. 단, 도 16에서는 포지티브 문턱전압 변화량(Positive △Vth)을 갖는 경우, 네거티브 문턱전압 변화량(Negative △Vth)을 갖는 경우, 포지티브 문턱전압 변화량(Positive △Vth)과 네거티브 문턱전압 변화량(Negative △Vth) 사이의 문턱전압 변화량(△Vth)을 갖는 경우에 대하여 전압 변화를 나타낸다. When n=4, the voltage change of the first node N1 of the driving transistor DRT according to the threshold voltage real-time sensing operation 4 times will be described with reference to FIG. 14 . However, in FIG. 16 , when a positive threshold voltage change amount (Positive ΔVth) is present and a negative threshold voltage change amount (Negative ΔVth) is obtained, a positive threshold voltage change amount (Positive ΔVth) and a negative threshold voltage change amount (Negative ΔVth) The voltage change is shown for the case of having the threshold voltage change amount ΔVth between .

도 16을 참조하면, 4차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #1, PSD #2, PSD #3, PSD #4) 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에는 동일한 정전압(Vdata+Vini)이 인가된다. 즉, V2(1)=V2(2)=V2(3)=V2(4) 이다. Referring to FIG. 16 , during the four threshold voltage real-time sensing driving periods (PSD #1, PSD #2, PSD #3, PSD #4), the same constant voltage ( Vdata+Vini) is applied. That is, V2(1)=V2(2)=V2(3)=V2(4).

도 16을 참조하면, 하나의 서브픽셀에 대한 문턱전압 센싱을 위해, 4차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동이 진행된다고 할 때, 1번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #1)이 시작하면, 초기화 단계가 진행되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에는 V1(1)에 해당하는 초기화 전압(Vini)이 인가되고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에는 V2(1)에 해당하는 정전압(Vdata+Vini)이 인가된다. Referring to FIG. 16 , when a first threshold voltage real-time sensing driving period (PSD #1) starts, assuming that the threshold voltage real-time sensing driving is performed 4 times for threshold voltage sensing for one sub-pixel, initialization is performed As the step progresses, the initialization voltage Vini corresponding to V1(1) is applied to the first node N1 of the driving transistor DRT, and V2(1) is applied to the second node N2 of the driving transistor DRT. ), a constant voltage (Vdata+Vini) is applied.

이후, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)가 플로팅 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압 상승이 일어난다. 1번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #1)의 길이(T1)만큼 시간이 지난 후, 1번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #1)이 끝나게 되는데, 이때, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압은 V1B(1)이 된다. Thereafter, the first node N1 of the driving transistor DRT floats, so that the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT rises. After the length T1 of the first threshold voltage real-time sensing driving period PSD #1 has elapsed, the first threshold voltage real-time sensing driving period PSD #1 ends. The voltage of one node N1 becomes V1B(1).

이러한 1번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #1)이 끝난 후, 화상 구동 구간(VD)이 진행되고, 화상 구동 구간(VD)이 끝나면, 2번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #2)이 다시 시작된다. After the first threshold voltage real-time sensing driving period (PSD #1) ends, the image driving period (VD) proceeds, and when the image driving period (VD) ends, the second threshold voltage real-time sensing driving period (PSD #2) This starts again.

2번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #2)이 시작하면, 초기화 단계가 진행되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에는 V2(2)에 해당하는 정전압(Vdata+Vini)이 동일하게 인가된다. When the second threshold voltage real-time sensing driving period PSD #2 starts, an initialization step proceeds, and a constant voltage Vdata+Vini corresponding to V2(2) is applied to the second node N2 of the driving transistor DRT. equally authorized.

한편, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에는 초기화 전압 V1(2)이 인가되는데, 이 초기화 전압 V1(2)는 1번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #1)이 끝나는 시점에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압(V1B(1))과 동일하다(V1(2)=V1B(1)). Meanwhile, an initialization voltage V1(2) is applied to the first node N1 of the driving transistor DRT. The initialization voltage V1(2) is applied at the end of the first threshold voltage real-time sensing driving period PSD #1. It is equal to the voltage V1B(1) of the first node N1 of the driving transistor DRT (V1(2)=V1B(1)).

따라서, 1번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #1)이 끝나는 시점과 2번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #2)이 시작하는 시점에서는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 제1노드(N1) 간의 전위차(V21)가 유지된다. Accordingly, at the end of the first threshold voltage real-time sensing driving period PSD #1 and the beginning of the second threshold voltage real-time sensing driving period PSD #2, the second node N2 of the driving transistor DRT and the potential difference V21 between the first node N1 and the first node N1 is maintained.

이후, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)가 플로팅 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압 상승이 일어난다. 2번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #2)의 길이(T2)만큼 시간이 지난 후, 2번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #2)이 끝나게 되는데, 이때, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압은 V1B(2)이 된다. Thereafter, the first node N1 of the driving transistor DRT floats, so that the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT rises. After a period of time T2 of the second threshold voltage real-time sensing driving period PSD #2 has elapsed, the second threshold voltage real-time sensing driving period PSD #2 ends. The voltage of one node (N1) becomes V1B(2).

이러한 2번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #2)이 끝난 후, 화상 구동 구간(VD)이 진행되고, 화상 구동 구간(VD)이 끝나면, 3번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #3)이 다시 시작된다. After the second threshold voltage real-time sensing driving section (PSD #2) ends, the image driving section (VD) proceeds, and when the image driving section (VD) ends, the third threshold voltage real-time sensing driving section (PSD #3) This starts again.

3번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #3)이 시작하면, 초기화 단계가 진행되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에는 V2(3)에 해당하는 정전압(Vdata+Vini)이 동일하게 인가된다. When the third threshold voltage real-time sensing driving period (PSD #3) starts, an initialization step proceeds, and a constant voltage (Vdata+Vini) corresponding to V2(3) is applied to the second node N2 of the driving transistor DRT. equally authorized.

한편, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에는 초기화 전압 V1(3)이 인가되는데, 이 초기화 전압 V1(3)은 2번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #2)이 끝나는 시점에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압(V1B(2))과 동일하다(V1(3)=V1B(2)). On the other hand, the initialization voltage V1(3) is applied to the first node N1 of the driving transistor DRT. The initialization voltage V1(3) is applied at the end of the second threshold voltage real-time sensing driving period PSD #2. It is equal to the voltage V1B(2) of the first node N1 of the driving transistor DRT (V1(3)=V1B(2)).

따라서, 2번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #2)이 끝나는 시점과 3번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #3)이 시작하는 시점에서는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 제1노드(N1) 간의 전위차(V21)가 유지된다. Accordingly, at the end of the second threshold voltage real-time sensing driving period PSD #2 and the beginning of the third threshold voltage real-time sensing driving period PSD #3, the second node N2 of the driving transistor DRT and the potential difference V21 between the first node N1 and the first node N1 is maintained.

이후, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)가 플로팅 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압 상승이 일어난다. 3번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #3)의 길이(T3)만큼 시간이 지난 후, 3번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #3)이 끝나게 되는데, 이때, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압은 V1B(3)이 된다. Thereafter, the first node N1 of the driving transistor DRT floats, so that the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT rises. After a period of time T3 of the third threshold voltage real-time sensing driving period PSD #3 has elapsed, the third threshold voltage real-time sensing driving period PSD #3 ends. The voltage at node 1 (N1) becomes V1B (3).

이러한 3번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #3)이 끝난 후, 화상 구동 구간(VD)이 진행되고, 화상 구동 구간(VD)이 끝나면, 4번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #4)이 다시 시작된다. After the third threshold voltage real-time sensing driving period (PSD #3) ends, the image driving period (VD) proceeds, and when the image driving period (VD) ends, the fourth threshold voltage real-time sensing driving period (PSD #4) This starts again.

4번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #4)이 시작하면, 초기화 단계가 진행되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에는 V2(4)에 해당하는 정전압(Vdata+Vini)이 동일하게 인가된다. When the fourth threshold voltage real-time sensing driving period (PSD #4) starts, an initialization step proceeds, and a constant voltage (Vdata+Vini) corresponding to V2(4) is applied to the second node N2 of the driving transistor DRT. equally authorized.

한편, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에는 초기화 전압 V1(4)이 인가되는데, 이 초기화 전압 V1(4)은 3번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #3)이 끝나는 시점에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압(V1B(3))과 동일하다(V1(4)=V1B(3)). Meanwhile, an initialization voltage V1(4) is applied to the first node N1 of the driving transistor DRT. The initialization voltage V1(4) is applied at the end of the third threshold voltage real-time sensing driving period PSD #3. It is equal to the voltage V1B(3) of the first node N1 of the driving transistor DRT (V1(4)=V1B(3)).

따라서, 3번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #3)이 끝나는 시점과 4번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #4)이 시작하는 시점에서는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 제1노드(N1) 간의 전위차(V21)가 유지된다. Accordingly, at the end of the third threshold voltage real-time sensing driving period PSD #3 and the beginning of the fourth threshold voltage real-time sensing driving period PSD #4, the second node N2 of the driving transistor DRT and the potential difference V21 between the first node N1 and the first node N1 is maintained.

이후, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)가 플로팅 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압 상승이 일어난다. 4번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #4)의 길이(T4)만큼 시간이 지난 후, 4번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #4)이 끝나게 되는데, 이때, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압은 V1B(4)가 된다. Thereafter, the first node N1 of the driving transistor DRT floats, so that the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT rises. After a period of time T4 of the fourth threshold voltage real-time sensing driving period PSD #4 has elapsed, the fourth threshold voltage real-time sensing driving period PSD #4 ends. The voltage at node 1 (N1) becomes V1B (4).

마지막 4번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #4)이 끝나는 시점에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압에 해당하는 V1B(4)는, 포화 전압(Saturation Voltage)에 해당한다. At the end of the last fourth threshold voltage real-time sensing driving period (PSD #4), V1B(4) corresponding to the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT corresponds to the saturation voltage. do.

따라서, 센싱부(300)는 4번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #4)이 끝나는 시점에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 포화 전압에 해당하는 V1B(4)를 기준전압 라인(RVL) 또는 센싱 노드(Ns)를 통해 최종적으로 센싱한다. 이때 센싱된 전압(Vsen)은 문턱전압(Vth) 또는 문턱전압 변화량(△Vth, 문턱전압 편차)을 포함하는 전압형태로 표현될 수 있다. Accordingly, the sensing unit 300 at the end of the fourth threshold voltage real-time sensing driving period PSD #4 is based on V1B(4) corresponding to the saturation voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT. Finally, sensing is performed through the voltage line RVL or the sensing node Ns. In this case, the sensed voltage Vsen may be expressed in a voltage form including a threshold voltage Vth or a threshold voltage variation (ΔVth, threshold voltage deviation).

보상부(320)는, 센싱된 전압(Vsen)을 토대로 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 또는 문턱전압 변화량(문턱전압 편차)을 보상해줄 수 있다. The compensator 320 may compensate a threshold voltage or a threshold voltage variation (threshold voltage deviation) of the driving transistor DRT based on the sensed voltage Vsen.

이상에서는, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)가, 2차례 이상의 문턱전압 실시간 센싱 구동을 통해, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치(예: 문턱전압) 또는 특성치 변화량(예: 문턱전압 변화량)을 전원이 켜져 있는 동안에도 실시간으로 센싱할 수 있는 방법에 대하여 설명하였다. As described above, in the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments, a characteristic value (eg, a threshold voltage) or a change amount of a characteristic value (eg, a threshold voltage) of the driving transistor DRT through the threshold voltage real-time sensing driving two or more times A method that can sense the amount of change in real time even while the power is on has been described.

도 17은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 문턱전압 실시간 센싱 구동을 이용한 센싱 및 보상을 개념적으로 나타낸 도면이다. 17 is a diagram conceptually illustrating sensing and compensation using threshold voltage real-time sensing driving of the organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiments.

도 17을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 유기발광다이오드(OLED)와 구동 트랜지스터(DRT)를 각각 포함하는 다수의 서브픽셀이 배치된 유기발광표시패널(110)과, 블랭크 타임 구간 동안, 동일한 서브픽셀(SP)에 대한 두 차례 이상의 문턱전압 실시간 센싱 구동(PSD #1, PSD #2... , PSD #n, n은 2 이상의 자연수)을 통해, 동일한 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1, 예: 소스 노드 또는 드레인 노드)의 전압을 두 차례 이상 센싱하는 센싱부(300)를 포함한다. Referring to FIG. 17 , in the organic light emitting display device 100 according to the present exemplary embodiments, the organic light emitting display panel 110 in which a plurality of sub-pixels each including an organic light emitting diode (OLED) and a driving transistor (DRT) are disposed. ) and, during the blank time period, the threshold voltage real-time sensing operation (PSD #1, PSD #2..., PSD #n, n is a natural number greater than or equal to 2) for the same sub-pixel (SP) is performed two or more times. and a sensing unit 300 sensing the voltage of the first node N1 (eg, a source node or a drain node) of the driving transistor DRT in the subpixel SP twice or more.

센싱부(300)가 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 두 차례 이상 센싱하는 것은, 각 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #1, PSD #2... , PSD #n)의 끝 지점에 센싱하는 것을 의미한다. When the sensing unit 300 senses the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT twice or more, each threshold voltage real-time sensing driving period PSD #1, PSD #2... , PSD #n ) means to sense at the end point.

이때, 두 차례 이상의 센싱 중 마지막에 센싱된 전압이 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 또는 특성치 변화량을 센싱할 수 있는 최종 전압이 된다. In this case, the last sensed voltage among the two or more times of sensing becomes the final voltage capable of sensing the characteristic value or the change amount of the characteristic value of the driving transistor DRT.

센싱부(300)가 두 차례 이상의 센싱을 하는 구간(문턱전압 실시간 센싱 구간) 사이마다 화상 구동 구간(VD)이 존재할 수 있다. An image driving section VD may exist between each section in which the sensing unit 300 senses two or more times (a threshold voltage real-time sensing section).

전술한 바와 같이, 동일한 서브픽셀(SP)에 대하여 둘 이상의 블랭크 타임 구간 동안 2차례 이상의 센싱을 나누어 수행함으로써, 센싱 시간이 너무 길어서 하나의 블랭크 타임 구간 동안에 불가능했던 센싱을 가능하게 해줄 수 있다.As described above, by dividing the sensing twice or more during two or more blank time periods for the same subpixel SP, sensing that was impossible during one blank time period because the sensing time is too long may be enabled.

도 17을 참조하면, 보상부(320)는 두 차례 이상 센싱된 전압 중에서 마지막에 센싱된 전압을 토대로 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 또는 특성치 변화량을 보상할 수 있다. Referring to FIG. 17 , the compensator 320 may compensate for a characteristic value or a characteristic value change amount of the driving transistor DRT based on the last sensed voltage among voltages sensed two or more times.

전술한 바와 같이, 센싱 시간이 너무 길어서 화상 구동 중에는 불가능했던 센싱이 화상 구동 중에도 가능하게 됨에 따라, 보상 또한 실시간으로 보다 빠른 타이밍에 이루어질 수도 있을 것이다. As described above, as sensing, which was impossible during image driving because the sensing time is too long, becomes possible during image driving, compensation may also be performed at a faster timing in real time.

도 11을 참조하여 전술한 바와 같이, 블랭크 타임 구간 동안 동일한 서브픽셀(SP)에 대하여 둘 이상의 블랭크 타임 구간 동안 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 또는 특성치 변화량을 센싱하지 못할 경우 나머지 전원 오프 신호가 발생된 이후에 동일한 서브픽셀(SP)에 대하여 나머지 구동 트랜지스터의 특성치 또는 특성치 변화량을 센싱하고 다음 전원을 켰을 때 구동 트랜지스터의 특성치 또는 특성치 변화량을 보상할 수 있다.As described above with reference to FIG. 11 , when the characteristic value or the change amount of the driving transistor DRT cannot be sensed for two or more blank time periods for the same subpixel SP during the blank time period, the remaining power-off signal is generated. Thereafter, the characteristic value or the change amount of the other driving transistors is sensed with respect to the same subpixel SP, and the characteristic value or the change amount of the characteristic value of the driving transistor may be compensated when the next power is turned on.

도 19 내지 도 23은 유기발광표시패널의 전 영역의 문턱전압에 대해 블랭크 타임 구간 동안 문턱전압 실시간 센싱하는 순서들을 도시하고 있다.19 to 23 show the sequence of real-time sensing of the threshold voltage for the threshold voltage of the entire region of the organic light emitting display panel during the blank time period.

도 19에 도시한 바와 같이 유기발광표시패널(110)은 제1방향(열방향(row direction, 도 19에서 가로방향))으로 둘 이상의 기준전압 라인들(RVL)이 배치되고 각 기준전압 라인에 열방향으로 둘 이상의 구동 트랜지스터들의 제1노드가 연결되고 제2방향(행방향(column direction, 도 19에서 세로방향))으로 하나의 구동 트랜지스터의 제1노드가 연결될 수 있다. 이 경우에 열방향(row direction, 도 19에서 가로방향))으로 둘 이상의 기준전압 라인들(RVL)을 통해 기준전압(Vref)가 인가된다. 16에 도시한 바와 같이, 4차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #1, PSD #2, PSD #3, PSD #4) 동안 경우 순차적으로 각 기준전압 라인에 연결된 열방향의 구동 트랜지스터들의 제1노드에 대한 문턱전압을 시간상으로 분리하여 센싱할 수 있다. As shown in FIG. 19 , in the organic light emitting display panel 110 , two or more reference voltage lines RVL are disposed in a first direction (row direction, horizontal direction in FIG. 19 ), and are connected to each reference voltage line. A first node of the two or more driving transistors may be connected in a column direction, and a first node of one driving transistor may be connected in a second direction (a column direction (vertical direction in FIG. 19 )). In this case, the reference voltage Vref is applied through two or more reference voltage lines RVL in a row direction (horizontal direction in FIG. 19 ). As shown in Fig. 16, during the threshold voltage real-time sensing driving period (PSD #1, PSD #2, PSD #3, PSD #4) of the four times, the column direction driving transistors sequentially connected to each reference voltage line are sequentially removed. The threshold voltage for one node can be separated in time and sensed.

한편 블랭크 타임이 짧아서 16에 도시한 바와 같이 4차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #1, PSD #2, PSD #3, PSD #4) 동안 각 기준전압 라인에 연결된 열방향의 구동 트랜지스터들의 제1노드에 대한 문턱전압을 시간상으로 분리하여 센싱할 수 없을 수 있다. 이 경우 도 20에 도시한 바와 같이 n차례 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 일부, 예를 들어 4차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #1, PSD #2, PSD #3, PSD #4) 동안 각 기준전압 라인에 연결된 열방향의 구동 트랜지스터들의 일부의 제1노드에 대한 문턱전압을 시간상으로 분리하여 센싱하고 n차례 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 다른 일부, 예를 들어 4차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #5, PSD #6, PSD #7, PSD #8) 동안 각 기준전압 라인에 연결된 열방향의 구동 트랜지스터들의 다른 일부의 제1노드에 대한 문턱전압을 시간상으로 분리하여 센싱할 수 있다.On the other hand, since the blank time is short, as shown in Fig. 16, during the four threshold voltage real-time sensing driving periods (PSD #1, PSD #2, PSD #3, PSD #4), the column direction driving transistors connected to each reference voltage line It may not be possible to separate the threshold voltage for the first node in time and sense it. In this case, as shown in FIG. 20 , some of the n-time threshold voltage real-time sensing driving periods, for example, 4 threshold voltage real-time sensing driving periods (PSD #1, PSD #2, PSD #3, PSD #4) During the time period, the threshold voltage for the first node of some of the driving transistors in the column direction connected to each reference voltage line is separated and sensed, and another part of the n-time threshold voltage real-time sensing driving period, for example, the threshold voltage of 4 times During the real-time sensing driving period (PSD #5, PSD #6, PSD #7, PSD #8), the threshold voltages for the first nodes of other portions of the driving transistors in the column direction connected to each reference voltage line are separated in time for sensing. can do.

유기발광표시패널(110)은 열방향으로 둘 이상의 기준전압 라인들(RVL)이 배치되고 각 기준전압 라인에 열방향으로 둘 이상의 구동 트랜지스터들의 제1노드가 연결되고 행방향으로 둘 이상의 구동 트랜지스터들의 제1노드가 연결될 수 있다. 예를 들어 도 21에 도시한 바와 같이 각 기준전압 라인(RVL)의 양쪽에 둘 이상의 구동 트랜지스터들의 제1노드가 연결된 경우, n차례 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 일부 동안, 예를 들어 4차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #1, PSD #2, PSD #3, PSD #4) 동안 각 기준전압 라인(RVL)의 행방향의 한쪽(도 21에서 좌측)에 연결된 열방향의 구동 트랜지스터들의 일부의 제1노드에 대한 문턱전압을 시간상으로 분리하여 센싱할 수 있다. n차례 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 다른 일부 동안, 예를 들어 4차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #5, PSD #6, PSD #7, PSD #8) 동안 각 기준전압 라인(RVL)의 행방향의 다른 쪽(도 21에서 우측)에 연결된 열방향의 구동 트랜지스터들의 일부의 제1노드에 대한 문턱전압을 시간상으로 분리하여 센싱할 수 있다. In the organic light emitting display panel 110 , two or more reference voltage lines RVL are disposed in a column direction, a first node of two or more driving transistors is connected to each reference voltage line in a column direction, and two or more driving transistors are formed in a row direction. The first node may be connected. For example, as shown in FIG. 21 , when the first node of two or more driving transistors is connected to both sides of each reference voltage line RVL, during some of the n threshold voltage real-time sensing driving periods, for example, 4 times During the threshold voltage real-time sensing driving period (PSD #1, PSD #2, PSD #3, PSD #4) of each reference voltage line (RVL) in the row direction (left in FIG. 21), the driving transistor in the column direction is connected Threshold voltages for some of the first nodes may be separated in time and sensed. During other parts of the n-time threshold voltage real-time sensing driving periods, for example, during the 4 threshold voltage real-time sensing driving periods (PSD #5, PSD #6, PSD #7, PSD #8), each reference voltage line RVL ), the threshold voltages for the first nodes of some of the driving transistors in the column direction connected to the other side (the right side in FIG. 21 ) in the row direction may be separated in time to be sensed.

이때 도 22에 도시한 바와 같이 8차례 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #1 내지 PSD #8) 동안 각 기준전압 라인(RVL)의 행방향의 양쪽 서브픽셀들을 교번하여 시간상으로 분리하여 센싱할 수도 있다.At this time, as shown in FIG. 22, both sub-pixels in the row direction of each reference voltage line RVL are alternately separated in time during the threshold voltage real-time sensing driving period PSD #1 to PSD #8 eight times, and the sensing may be performed. there is.

블랭크 타임이 짧아서 4차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #1 내지 PSD #8) 동안 각 기준전압 라인의 행방향의 한쪽에 연결된 열방향의 구동 트랜지스터들의 제1노드에 대한 문턱전압을 시간상으로 분리하여 센싱할 수 없을 수 있다. 도 23에 도시한 바와 같이 n차례 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 일부 동안, 예를 들어 4차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #1, PSD #3, PSD #5, PSD #7) 동안 각 기준전압 라인의 행방향의 한쪽에 연결된 열방향의 구동 트랜지스터들의 일부의 제1노드에 대한 문턱전압을 시간상으로 분리하여 센싱할 수 있다. n차례 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 다른 일부 동안, 예를 들어 4차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #2, PSD #4, PSD #6, PSD #8) 동안 각 기준전압 라인의 행방향의 다른 쪽에 연결된 열방향의 구동 트랜지스터들의 일부의 제1노드에 대한 문턱전압을 시간상으로 분리하여 센싱할 수 있다. Since the blank time is short, the threshold voltage for the first node of the driving transistors in the column direction connected to one side of the row direction of each reference voltage line during the threshold voltage real-time sensing driving period (PSD #1 to PSD #8) is calculated in time. It may not be possible to separate and sense it. 23, during some of the n-time threshold voltage real-time sensing driving periods, for example, during the 4 threshold voltage real-time sensing driving periods (PSD #1, PSD #3, PSD #5, PSD #7) Threshold voltages of some of the driving transistors in the column direction connected to one side of the row direction of each reference voltage line may be separated in time to be sensed. Rows of each reference voltage line during another part of the n-time threshold voltage real-time sensing driving period, for example, during the 4 threshold voltage real-time sensing driving period (PSD #2, PSD #4, PSD #6, PSD #8) Threshold voltages of some of the driving transistors in the column direction connected to the other side of the direction may be separated in time to be sensed.

동일하게 n차례 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 다른 일부 동안, 4차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #9, PSD #11, PSD #13, PSD #15) 동안 각 기준전압 라인의 행방향의 한쪽에 연결된 열방향의 구동 트랜지스터들의 다른 일부의 제1노드에 대한 문턱전압을 시간상으로 분리하여 센싱할 수 있다. n차례 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 다른 일부 동안, 4차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간(PSD #10, PSD #12, PSD #14, PSD #16) 동안 각 기준전압 라인의 행방향의 다른 쪽에 연결된 열방향의 구동 트랜지스터들의 다른 일부의 제1노드에 대한 문턱전압을 시간상으로 분리하여 센싱할 수 있다.Similarly, the row direction of each reference voltage line during the other part of the n-time threshold voltage real-time sensing driving periods and during the 4 threshold voltage real-time sensing driving periods (PSD #9, PSD #11, PSD #13, PSD #15) Threshold voltages with respect to the first node of other portions of the driving transistors in the column direction connected to one side may be sensed by separating in time. During another part of the n-time threshold voltage real-time sensing driving period, the other in the row direction of each reference voltage line during the 4 threshold voltage real-time sensing driving period (PSD #10, PSD #12, PSD #14, PSD #16) Threshold voltages for the first nodes of other portions of the driving transistors in the column direction connected to the ?

도 19 내지 도 23을 참조하여 유기발광표시패널의 전 영역의 문턱전압에 대해 블랭크 타임 구간 동안 문턱전압 실시간 센싱하는 순서들을 설명하였으나, 이들의 다양한 조합이 가능하다. 아울러 도 19 내지 도 23을 참조하여 설명한 유기발광표시패널의 전 영역의 문턱전압에 대해 블랭크 타임 구간 동안 센싱하던 중 전원 오프 신호가 발생된 경우 도 11 및 도 18을 참조하여 설명한 바와 같이 나머지 센싱 동작을 전원 오프 신호가 발생된 이후에 진행할 수 있다.The sequence of sensing the threshold voltage in real time during the blank time period with respect to the threshold voltage of the entire region of the organic light emitting display panel has been described with reference to FIGS. 19 to 23 , but various combinations thereof are possible. In addition, when a power-off signal is generated while sensing the threshold voltage of the entire region of the organic light emitting display panel described with reference to FIGS. 19 to 23 during the blank time period, the remaining sensing operation is performed as described with reference to FIGS. 11 and 18 . may be performed after the power-off signal is generated.

도 21 내지 도 도 23에는 각 기준전압 라인(RVL)에 두개의 서브픽셀들이 연결된 경우를 도시하였으나, 각 기준전압 라인(RVL)에 연결된 서브픽셀이 3개 이상, 예를 들어 4개인 경우에 도 21 내지 도 23에 도시한 센싱 동작을 4번 수행될 수 있다.21 to 23 illustrate a case in which two sub-pixels are connected to each reference voltage line RVL, but 3 or more sub-pixels are connected to each reference voltage line RVL. The sensing operation shown in FIGS. 21 to 23 may be performed four times.

전술한 문턱전압 실시간 센싱 구동 방법에 따르면, 동일한 서브픽셀(SP)에 대하여 2차례 이상의 센싱을 나누어 수행함으로써, 센싱 시간이 너무 길어서 화상 구동 중에는 불가능했던 센싱을 화상 구동 중에도 가능하게 해줄 수 있다.According to the threshold voltage real-time sensing driving method described above, by performing the sensing two or more times for the same sub-pixel SP, sensing, which was impossible during image driving because the sensing time is too long, can be made possible even during image driving.

이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 전원이 켜져 있는 동안, 구동 트랜지스터 간의 특성치 센싱 동작을 실시간으로 진행할 수 있도록 해주는 유기발광표시장치(100) 및 그 구동방법을 제공할 수 있다. According to the present exemplary embodiments as described above, it is possible to provide the organic light emitting diode display 100 and a driving method thereof, which allow the characteristic value sensing operation between driving transistors to be performed in real time while the power is turned on.

또한, 본 실시예들에 의하면, 화상 구동이 되고 있는 동안, 구동 트랜지스터 간의 특성치 센싱 동작을 실시간으로 진행할 수 있도록 해주는 유기발광표시장치(100) 및 그 구동방법을 제공할 수 있다. Also, according to the present exemplary embodiments, it is possible to provide the organic light emitting display device 100 and a driving method thereof that allow a characteristic value sensing operation between driving transistors to be performed in real time while an image is being driven.

이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description and the accompanying drawings are merely illustrative of the technical spirit of the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can combine configurations within a range that does not depart from the essential characteristics of the present invention. , various modifications and variations such as separation, substitution and alteration will be possible. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 유기발광표시장치
110: 유기발광표시패널
120: 데이터 구동부
130: 게이트 구동부
140: 컨트롤러100: organic light emitting display device
110: organic light emitting display panel
120: data driving unit
130: gate driver
140: controller

Claims (15)

다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인이 배치되고, 다수의 서브픽셀이 배치된 유기발광표시패널;
상기 다수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 드라이버;
상기 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 드라이버; 및
상기 데이터 드라이버 및 상기 게이트 드라이버를 제어하는 컨트롤러를 포함하고,
상기 유기발광표시패널의 서브픽셀들 내 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하기 위하여 n(n≥2)차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들이 존재하고, 상기 n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 전부 또는 일부는 블랭크 타임 구간에 포함되되,
상기 n 차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간 동안, 상기 적어도 하나의 센싱 대상 서브픽셀 각각에서, 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터의 제1노드에서는 전압 상승이 이루어지고 상기 구동 트랜지스터의 게이트전극에 해당하는 제2노드에는 정전압이 인가되고,
상기 n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 n번째 문턱전압 실시간 센싱구간이 시작되는 시점에서 상기 제1노드에는 상기 n 차례의 문턱전압 실시간 센싱 구간들 중 n-1번째 문턱전압 실시간 센싱구간이 종료되는 시점에서 상기 제1노드에 인가되는 전압이 초기화 전압으로 인가되는 유기발광표시장치. an organic light emitting display panel in which a plurality of data lines and a plurality of gate lines are disposed, and a plurality of subpixels are disposed;
a data driver driving the plurality of data lines;
a gate driver driving the plurality of gate lines; and
a controller for controlling the data driver and the gate driver;
In order to sense the threshold voltage of a driving transistor in the subpixels of the organic light emitting display panel, n (n≥2) times of threshold voltage real-time sensing driving periods exist, and all of the n times of threshold voltage real-time sensing driving periods are Or part of it is included in the blank time period,
During the n-th threshold voltage real-time sensing driving period, in each of the at least one sensing target subpixel, a voltage rises at the first node of the driving transistor for driving the organic light emitting diode and corresponds to the gate electrode of the driving transistor A constant voltage is applied to the second node,
At the start of the nth threshold voltage real-time sensing period among the n-times of the threshold voltage real-time sensing driving periods, the n-1th threshold voltage real-time sensing period among the n-th real-time sensing periods of the threshold voltage is provided in the first node. An organic light emitting display device in which the voltage applied to the first node is applied as an initialization voltage at the time of termination. 제1항에 있어서,
상기 n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 일부가 블랭크 타임 구간에 포함되는 경우,
상기 n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 나머지는 전원 오프 신호가 발생된 이후에 존재하는 유기발광표시장치. According to claim 1,
When a part of the n-time threshold voltage real-time sensing driving period is included in the blank time period,
The remaining of the n-th threshold voltage real-time sensing driving sections exist after a power-off signal is generated. 제1항에 있어서,
상기 각 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간 동안, 상기 적어도 하나의 센싱 대상 서브픽셀 각각에서, 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터의 제1노드에서는 전압 상승이 이루어져 포화되는 유기발광표시장치. According to claim 1,
During each threshold voltage real-time sensing driving period, in each of the at least one sensing target subpixel, a voltage rises at the first node of the driving transistor for driving the organic light emitting diode to be saturated. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중에서 1번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간 내지 n-1 번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간 동안 상기 구동 트랜지스터의 제1노드의 전압은 전압 상승이 이루어지나 미 포화되고,
n번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간에서 상기 구동 트랜지스터의 제1노드의 전압은 포화되는 유기발광표시장치. According to claim 1,
During the first threshold voltage real-time sensing driving period to the n-1 th threshold voltage real-time sensing driving period among the n-th threshold voltage real-time sensing driving period, the voltage of the first node of the driving transistor is not saturated even though the voltage is increased. ,
In an nth threshold voltage real-time sensing driving period, the voltage of the first node of the driving transistor is saturated. 제1항에 있어서,
상기 각 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간이 끝나는 시점에서의 상기 구동 트랜지스터의 제1노드의 전압을 센싱하는 센싱부; 및
상기 각 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간이 끝나는 시점에서의 상기 구동 트랜지스터의 제1노드의 센싱된 전압에 대한 데이터를 저장하는 메모리를 더 포함하는 유기발광표시장치. According to claim 1,
a sensing unit configured to sense the voltage of the first node of the driving transistor at the end of each threshold voltage real-time sensing driving period; and
and a memory configured to store data on the voltage sensed at the first node of the driving transistor at the end of each threshold voltage real-time sensing driving period. 제1항에 있어서,
상기 n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중에서 마지막 번째 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간이 끝나는 시점에서 상기 구동 트랜지스터의 제1노드의 센싱된 전압을 토대로 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압 또는 문턱전압 변화량을 보상하는 보상부를 더 포함하는 유기발광표시장치. According to claim 1,
Compensating for the threshold voltage or threshold voltage variation of the driving transistor based on the sensed voltage of the first node of the driving transistor at the end of the last threshold voltage real-time sensing driving period among the n times of the threshold voltage real-time sensing driving periods The organic light emitting display device further comprising a compensator. 제1항에 있어서,
상기 유기발광표시패널은 제1방향으로 둘 이상의 기준전압 라인들이 배치되고 각 기준전압 라인에 제1방향으로 둘 이상의 구동 트랜지스터들의 제1노드가 연결되고 제2방향으로 하나의 구동 트랜지스터의 제1노드가 연결된 경우,
상기 n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간 동안 순차적으로 상기 각 기준전압 라인에 연결된 제1방향의 상기 구동 트랜지스터들의 제1노드에 대한 문턱전압을 시간상으로 분리하여 센싱하는 유기발광표시장치. According to claim 1,
In the organic light emitting display panel, two or more reference voltage lines are disposed in a first direction, a first node of two or more driving transistors is connected to each reference voltage line in a first direction, and a first node of one driving transistor is disposed in a second direction. is connected,
An organic light emitting diode display for time-segmenting and sensing threshold voltages for first nodes of the driving transistors sequentially connected to the respective reference voltage lines in a first direction during the n-th threshold voltage real-time sensing driving period. 제1항에 있어서,
상기 유기발광표시패널은 제1방향으로 둘 이상의 기준전압 라인들이 배치되고 각 기준전압 라인에 제1방향으로 둘 이상의 구동 트랜지스터들의 제1노드가 연결되고 제2방향으로 하나의 구동 트랜지스터의 제1노드가 연결된 경우,
상기 n차례 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 일부 동안 각 기준전압 라인에 연결된 제1방향의 구동 트랜지스터들의 일부의 제1노드에 대한 문턱전압을 시간상으로 분리하여 센싱하고, 상기 n차례 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 다른 일부 동안 각 기준전압 라인에 연결된 열방향의 구동 트랜지스터들의 다른 일부의 제1노드에 대한 문턱전압을 시간상으로 분리하여 센싱하는 유기발광표시장치.According to claim 1,
In the organic light emitting display panel, two or more reference voltage lines are disposed in a first direction, a first node of two or more driving transistors is connected to each reference voltage line in a first direction, and a first node of one driving transistor is disposed in a second direction. is connected,
During some of the nth threshold voltage real-time sensing driving periods, the threshold voltages for some first nodes of the driving transistors in the first direction connected to each reference voltage line are separated in time and sensed, and the nth threshold voltage real-time sensing is performed. An organic light emitting diode display for time-segmenting and sensing threshold voltages for first nodes of other portions of column-direction driving transistors connected to each reference voltage line during another part of driving periods. 제1항에 있어서,
상기 유기발광표시패널은 제1방향으로 둘 이상의 기준전압 라인들이 배치되고 각 기준전압 라인에 제1방향으로 둘 이상의 구동 트랜지스터들의 제1노드가 연결되고 제2방향으로 둘 이상의 구동 트랜지스터들의 제1노드가 연결된 경우,
상기 n차례 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 일부 동안 각 기준전압 라인의 제2방향의 한쪽에 연결된 제1방향의 구동 트랜지스터들의 일부의 제1노드에 대한 문턱전압을 시간상으로 분리하여 센싱하고, 상기 n차례 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 다른 일부 동안 각 기준전압 라인의 제2방향의 다른 한쪽에 연결된 제1방향의 구동 트랜지스터들의 다른 일부의 제1노드에 대한 문턱전압을 시간상으로 분리하여 센싱하는 유기발광표시장치.According to claim 1,
In the organic light emitting display panel, two or more reference voltage lines are disposed in a first direction, a first node of two or more driving transistors is connected to each reference voltage line in a first direction, and a first node of two or more driving transistors is disposed in a second direction. is connected,
During some of the n-th threshold voltage real-time sensing driving periods, a threshold voltage for a first node of a portion of the driving transistors in the first direction connected to one side of the second direction of each reference voltage line is temporally separated and sensed, and the n-th threshold voltage real-time sensing During another part of the driving period, the threshold voltage for the first node of the other part of the driving transistors in the first direction connected to the other side of the second direction of each reference voltage line is temporally separated and sensed organic light emitting display device. 제1항에 있어서,
상기 유기발광표시패널은 제1방향으로 둘 이상의 기준전압 라인들이 배치되고 각 기준전압 라인에 제1방향으로 둘 이상의 구동 트랜지스터들의 제1노드가 연결되고 제2방향으로 둘 이상의 구동 트랜지스터들의 제1노드가 연결된 경우,
상기 n차례 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 일부 동안 각 기준전압 라인의 제2방향의 한쪽에 연결된 제1방향의 구동 트랜지스터들의 일부의 제1노드에 대한 문턱전압을 시간상으로 분리하여 센싱하고,
상기 n차례 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 다른 일부 동안 각 기준전압 라인의 제2방향의 다른 쪽에 연결된 제1방향의 구동 트랜지스터들의 일부의 제1노드에 대한 문턱전압을 시간상으로 분리하여 센싱하고,
상기 n차례 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 다른 일부 동안 각 기준전압 라인의 제2방향의 한쪽에 연결된 제1방향의 구동 트랜지스터들의 다른 일부의 제1노드에 대한 문턱전압을 시간상으로 분리하여 센싱하고,
상기 n차례 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 다른 일부 동안 각 기준전압 라인의 제2방향의 다른 쪽에 연결된 제1방향의 구동 트랜지스터들의 다른 일부의 제1노드에 대한 문턱전압을 시간상으로 분리하여 센싱하는 유기발광표시장치. According to claim 1,
In the organic light emitting display panel, two or more reference voltage lines are disposed in a first direction, a first node of two or more driving transistors is connected to each reference voltage line in a first direction, and a first node of two or more driving transistors is disposed in a second direction. is connected,
During some of the n-th threshold voltage real-time sensing driving periods, the threshold voltages for the first nodes of some of the driving transistors in the first direction connected to one side of the second direction of each reference voltage line are separated in time and sensed,
During the other part of the n-time threshold voltage real-time sensing driving period, the threshold voltage for the first node of some of the driving transistors in the first direction connected to the other side of the second direction of each reference voltage line is separated in time and sensed,
During the other part of the n-th threshold voltage real-time sensing driving period, the threshold voltage for the first node of the other part of the driving transistors in the first direction connected to one side of the second direction of each reference voltage line is temporally separated and sensed, ,
The threshold voltage for the first node of the other part of the driving transistors in the first direction connected to the other side of the second direction of each reference voltage line during another part of the n-th threshold voltage real-time sensing driving period is separated in time for sensing organic light emitting display device. 유기발광다이오드와 구동 트랜지스터를 포함하는 복수의 서브픽셀이 배치된 유기발광표시패널; 및
전부 또는 일부가 블랭크 타임 구간에 포함되는 n(n≥2)차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 동안 상기 유기발광표시패널의 서브픽셀들 내 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하는 센싱부를 포함하되,
상기 n 차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간 동안, 상기 적어도 하나의 센싱 대상 서브픽셀 각각에서, 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터의 제1노드에서는 전압 상승이 이루어지고 상기 구동 트랜지스터의 게이트전극에 해당하는 제2노드에는 정전압이 인가되고,
상기 n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 n번째 문턱전압 실시간 센싱구간이 시작되는 시점에서 상기 제1노드에는 상기 n 차례의 문턱전압 실시간 센싱 구간들 중 n-1번째 문턱전압 실시간 센싱구간이 종료되는 시점에서 상기 제1노드에 인가되는 전압이 초기화 전압으로 인가되는 유기발광표시장치. an organic light emitting display panel in which a plurality of sub-pixels including an organic light emitting diode and a driving transistor are disposed; and
A sensing unit configured to sense a threshold voltage of a driving transistor in subpixels of the organic light emitting display panel during n (n≥2) times of threshold voltage real-time sensing driving periods, all or part of which is included in the blank time period,
During the n-th threshold voltage real-time sensing driving period, in each of the at least one sensing target subpixel, a voltage rises at the first node of the driving transistor for driving the organic light emitting diode and corresponds to the gate electrode of the driving transistor A constant voltage is applied to the second node,
At the start of the nth threshold voltage real-time sensing period among the n-times of the threshold voltage real-time sensing driving periods, the n-1th threshold voltage real-time sensing period among the n-th real-time sensing periods of the threshold voltage is provided in the first node. An organic light emitting display device in which the voltage applied to the first node is applied as an initialization voltage at the time of termination. 제12항에 있어서,
상기 n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 일부가 블랭크 타임 구간에 포함되는 경우,
상기 n차례의 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간들 중 나머지는 전원 오프 신호가 발생된 이후에 존재하는 유기발광표시장치. 13. The method of claim 12,
When a part of the n-time threshold voltage real-time sensing driving period is included in the blank time period,
The remaining of the n-th threshold voltage real-time sensing driving sections exist after a power-off signal is generated. 제12항에 있어서,
상기 각 문턱전압 실시간 센싱 구동 구간 동안, 상기 적어도 하나의 센싱 대상 서브픽셀 각각에서, 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터의 제1노드에서는 전압 상승이 이루어져 포화되는 유기발광표시장치. 13. The method of claim 12,
During each threshold voltage real-time sensing driving period, in each of the at least one sensing target subpixel, a voltage rises at the first node of the driving transistor for driving the organic light emitting diode to be saturated. 삭제delete
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