KR102423861B1 - 전류 센싱형 센싱 유닛과 그를 포함한 유기발광 표시장치 - Google Patents

전류 센싱형 센싱 유닛과 그를 포함한 유기발광 표시장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 전류 센싱형 센싱 유닛은 센싱 라인에 접속되어 상기 센싱 라인을 통해 입력되는 픽셀 전류를 싱크 전류만큼 줄이는 전류 싱크 회로와, 상기 센싱 라인에 접속되어 상기 픽셀 전류로부터 상기 싱크 전류만큼 줄어든 조정 전류를 축적하여 적분값을 출력하는 전류 적분기와, 상기 적분값을 샘플링 및 홀딩하는 샘플링부와, 상기 샘플링부로부터의 적분값을 아날로그-디지털 변환하여 디지털 센싱값을 출력하는 아날로그-디지털 변환기를 포함한다.

Description

전류 센싱형 센싱 유닛과 그를 포함한 유기발광 표시장치{Current Sensing Type Sensing Unit And Organic Light Emitting Display Including The Same}
본 발명은 전류 센싱형 센싱 유닛과 그를 포함한 유기발광 표시장치에 관한 것이다.
액티브 매트릭스 타입의 유기발광 표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode: 이하, "OLED"라 함)를 포함하며, 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.
자발광 소자인 OLED는 애노드전극 및 캐소드전극과, 이들 사이에 형성된 유기 화합물층을 포함한다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)으로 이루어진다. 애노드전극과 캐소드전극에 전원전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발생하게 된다.
유기발광 표시장치는 OLED와 구동 TFT(Thin Film Transistor)를 각각 포함한 화소들을 매트릭스 형태로 배열하고 비디오 데이터의 계조에 따라 화소들에서 구현되는 영상의 휘도를 조절한다. 구동 TFT는 자신의 게이트전극과 소스전극 사이에 걸리는 전압에 따라 OLED에 흐르는 구동전류를 제어한다. 구동전류에 따라 OLED의 발광량이 결정되며, OLED의 발광량에 따라 영상의 휘도가 결정된다.
일반적으로 구동 TFT가 포화 영역에서 동작할 때, 구동 TFT의 드레인-소스 사이에 흐르는 픽셀 전류(Ip)는 아래의 수학식 1과 같이 표현된다.
[수학식 1]
Ip = 1/2*(μ*C*W/L)*(Vgs-Vth)2
수학식 1에서, μ는 전자 이동도를, C는 게이트 산화막의 정전 용량을, W 는 구동 TFT의 채널 폭을, 그리고 L은 구동 TFT의 채널 길이를 각각 나타낸다. 그리고, Vgs는 구동 TFT의 게이트-소스 간 전압을 나타내고, Vth는 구동 TFT의 문턱전압(또는 임계전압)을 나타낸다.
문턱 전압, 전자 이동도 등과 같은 구동 TFT의 전기적 특성은 수학식 1에서와 같이 구동 전류(Ids)를 결정하는 팩터(factor)가 되므로 모든 화소들에서 동일해야 한다. 하지만, 공정 특성, 시변 특성 등 다양한 원인에 의해 구동 TFT의 전기적 특성은 화소들 간에 편차가 생긴다. 구동 TFT의 전기적 특성이 다른 화소들에는 동일한 데이터전압을 인가하더라도 휘도 편차가 생기므로, 이러한 특성 편차를 보상하지 않으면 원하는 화상 구현이 어렵다.
구동 TFT의 전기적 특성을 센싱하고, 그 센싱 결과를 기초로 입력 영상의 디지털 데이터를 보정하여 구동 TFT의 전기적 특성 편차를 보상하는 외부 보상 기술이 알려져 있다. 이 기술은 구동 TFT의 전기적 특성을 센싱하기 위해 소스 드라이버 IC(Integrated Circuit) 내에 전류 센싱형 센싱 유닛을 실장하고, 이 전류 센싱형 센싱 유닛을 통해 구동 TFT에 흐르는 픽셀 전류를 직접 센싱할 수 있다. 전류 센싱형 센싱 유닛은 센싱 라인에 연결된 적분기를 통해 특정 시간 동안 픽셀 전류를 누적하여 전압으로 변경한 후, 그 전압을 아날로그-디지털 변환기(Analog-Digital Converter, 이하, ADC)를 통해 디지털 센싱값을 얻는다.
ADC는 아날로그 신호를 디지털 신호 형태의 데이터로 변환하는 특수한 부호기로서, 그 입력 전압 범위 즉, 센싱 레인지가 정해져 있다. 표시패널의 사이즈가 증가할수록 전류 적분기로 입력되는 픽셀 전류는 증가할 수 있는데, 이 경우 ADC에 입력되는 아날로그 신호가 ADC의 센싱 레인지를 벗어날 수 있다. ADC에 입력되는 아날로그 신호가 ADC의 센싱 레인지를 벗어나면, ADC의 출력값이 입력 전압 범위의 하한값으로 언더 플로우(underflow)되거나 또는, 입력 전압 범위의 상한값으로 오버 플로우(overflow) 되어, 표시장치의 전류 센싱 능력이 저하될 수 있다. 이러한 문제는 대면적 표시장치에서 더욱 두드러진다.
대면적 표시장치에서 전류 센싱 능력을 높이기 위해, 전류 적분기에 포함된 피드백 커패시터의 사이즈를 증가시키는 방안을 고려할 수 있으나, 전류 적분기가 실장되는 소스 드라이버 IC의 사이즈 제약으로 인해 피드백 커패시터의 사이즈를 증가시키는 데에는 한계가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 전류 센싱 방식으로 구동 TFT의 전기적 특성을 센싱하는 유기발광 표시장치에서 전류 적분기 내의 피드백 커패시터의 사이즈를 증가시키지 않고 전류 센싱 능력을 높일 수 있도록 한 유기발광 표시장치를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 전류 센싱형 센싱 유닛은 센싱 라인에 접속되어 상기 센싱 라인을 통해 입력되는 픽셀 전류를 싱크 전류만큼 줄이는 전류 싱크 회로와, 상기 센싱 라인에 접속되어 상기 픽셀 전류로부터 상기 싱크 전류만큼 줄어든 조정 전류를 축적하여 적분값을 출력하는 전류 적분기와, 상기 적분값을 샘플링 및 홀딩하는 샘플링부와, 상기 샘플링부로부터의 적분값을 아날로그-디지털 변환하여 디지털 센싱값을 출력하는 아날로그-디지털 변환기를 포함한다.
본 발명의 전류 센싱형 센싱 유닛은 상기 싱크 전류의 크기를 제어하는 싱크전류 제어부를 더 포함한다.
상기 전류 싱크 회로는 전류 미러로 구현된다.
상기 전류 싱크 회로는, 상기 싱크전류 제어부에 드레인전극과 게이트전극이 접속되고 접지 전원에 소스전극이 접속되어 드레인-소스 간에 상기 싱크 전류가 흐르는 제1 싱크 스위치와, 상기 싱크전류 제어부에 게이트전극이 접속되고 상기 센싱 라인에 드레인전극이 접속되며 상기 접지 전원에 소스전극이 접속되어 드레인-소스 간에 상기 싱크 전류가 흐르며, 상기 제1 싱크 스위치와 전류 미러를 구성하는 제2 싱크 스위치를 포함한다.
상기 싱크전류 제어부는 상기 싱크 전류의 크기를 미리 정해진 값으로 고정한다.
상기 싱크전류 제어부는 상기 싱크 전류의 크기를 상기 디지털 센싱값에 따라 조정한다.
상기 싱크전류 제어부는, 콘트롤 전압원과, 상기 콘트롤 전압원과 상기 제1 싱크 스위치의 드레인전극 사이에 접속된 콘트롤 저항을 포함한다.
상기 싱크전류 제어부는, 콘트롤 전압원과, 상기 콘트롤 전압원에 연결된 오피 앰프를 포함하는데, 상기 오피 앰프는 상기 콘트롤 전압원에 연결된 비 반전 입력단자와, 상기 제1 싱크 스위치의 소스 전극에 연결된 반전 입력단자와, 상기 제1 싱크 스위치의 게이트전극에 연결된 출력단자를 갖는다.
또한, 본 발명의 유기발광 표시장치는 다수의 픽셀들이 구비된 표시패널과, 센싱 라인을 통해 상기 픽셀들 중 적어도 하나에 연결되는 전류 센싱형 센싱 유닛을 구비한다. 상기 전류 센싱형 센싱 유닛은, 상기 센싱 라인에 접속되어, 상기 센싱 라인을 통해 입력되는 픽셀 전류를 싱크 전류만큼 줄이는 전류 싱크 회로와, 상기 센싱 라인에 접속되어, 상기 픽셀 전류로부터 상기 싱크 전류만큼 줄어든 조정 전류를 누적하여 적분값을 출력하는 전류 적분기와, 상기 적분값을 샘플링 및 홀딩하는 샘플링부와, 상기 샘플링부로부터의 적분값을 아날로그-디지털 변환하여 디지털 센싱값을 출력하는 아날로그-디지털 변환기를 포함한다.
본 발명은 픽셀 전류를 싱크 전류만큼 줄임으로써, 픽셀 전류의 크기에 상관없이 적분기에 유입되는 전류를 일정하게 제한할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 픽셀 전류가 클 때 적분기 내의 피드백 커패시터의 사이즈를 증가시키지 않고서도 쉽게 최적의 센싱 능력을 확보할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 보여주는 도면.
도 2는 전류 센싱 방식을 구현하기 위한 픽셀 어레이와 소스 드라이버 IC의 일 구성을 보여주는 도면.
도 3은 전류 센싱 방식을 구현하기 위한 픽셀 어레이와 소스 드라이버 IC의 다른 구성을 보여주는 도면.
도 4 및 도 5는 전류 센싱 방식을 구현하기 위한 픽셀과 센싱 유닛의 접속 구조, 및 센싱 동작을 설명하기 위한 도면들.
도 6 및 도 7은 대면적 유기발광 표시장치에서 전류 센싱 능력을 높일 수 있는 일 구성을 보여주는 도면들.
도 8 및 도 9는 대면적 유기발광 표시장치에서 전류 센싱 능력을 높일 수 있는 다른 구성을 보여주는 도면들.
도 10은 싱크전류 제어부의 일 구성을 보여주는 도면.
도 11은 싱크전류 제어부의 다른 구성을 보여주는 도면.
도 12는 픽셀 전류(Ip)의 크기에 따라 싱크 전류(Is)의 크기를 다르게 설정 또는 조정하는 일 예를 보여주는 도면.
도 13은 대면적 표시장치에 대해 전류 센싱 능력 확보가 가능한 시뮬레이션 결과를 설명하기 위한 도면.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.
이하, 도 1 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 보여준다. 도 2및 도 3은 전류 센싱 방식을 구현하기 위한 픽셀 어레이와 소스 드라이버 IC의 구성 예들을 보여준다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 표시패널(10), 타이밍 콘트롤러(11), 데이터 구동회로(12), 게이트 구동회로(13), 및 메모리(16)를 구비한다.
표시패널(10)에는 다수의 데이터라인들(14A) 및 센싱라인들(14B)과, 다수의 게이트라인들(15)이 교차되고, 이 교차영역마다 픽셀들(P)이 매트릭스 형태로 배치된다.
각 픽셀(P)은 데이터라인들(14A) 중 어느 하나에, 센싱라인들(14B) 중 어느 하나에, 그리고 게이트라인들(15) 중 어느 하나에 접속된다. 각 픽셀(P)은 게이트라인(15)을 통해 입력되는 게이트펄스에 응답하여, 데이터라인(14A)과 전기적으로 연결됨과 동시에 센싱라인(14B)과 전기적으로 연결된다.
픽셀(P) 각각은 도시하지 않은 전원생성부로부터 고전위 구동전압(EVDD)과 저전위 구동전압(EVSS)을 공급받는다. 본 발명의 픽셀(P)은 OLED, 구동 TFT, 제1 및 제2 스위치 TFT, 및 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다. 픽셀(P)을 구성하는 TFT들은 p 타입으로 구현되거나 또는, n 타입으로 구현될 수 있다. 또한, 픽셀(P)을 구성하는 TFT들의 반도체층은, 아몰포스 실리콘 또는, 폴리 실리콘 또는, 산화물을 포함할 수 있다.
본 발명의 유기발광 표시장치는 외부 보상 기술을 채용할 수 있다. 외부 보상 기술은 화소들(P)에 구비된 구동 TFT의 전기적 특성을 센싱하고 그 센싱값에 따라 입력 영상의 디지털 데이터(DATA)를 보정하는 기술이다. 구동 TFT의 전기적 특성은 구동 TFT의 문턱전압과 구동 TFT의 전자 이동도를 포함한다.
타이밍 콘트롤러(11)는 구동 TFT의 전기적 특성을 센싱하고 그에 따른 보상값을 업데이트하기 위한 센싱 구동과, 보상값이 반영된 입력 영상을 표시하기 위한 디스플레이 구동을 정해진 제어 시퀀스에 따라 시간적으로 분리할 수 있다. 타이밍 콘트롤러(11)의 제어 동작에 의해, 센싱 구동은 디스플레이 구동 중의 수직 블랭크 기간에서 수행되거나, 또는 디스플레이 구동이 시작되기 전의 파워 온 시퀀스 기간에서 수행되거나, 또는 디스플레이 구동이 끝난 후의 파워 오프 시퀀스 기간에서 수행될 수 있다. 수직 블랭크 기간은 입력 영상 데이터(DATA)가 기입되지 않는 기간으로서, 1 프레임분의 입력 영상 데이터(DATA)가 기입되는 수직 액티브 구간들 사이마다 배치된다. 파워 온 시퀀스 기간은 구동 전원이 온 된 후부터 입력 영상이 표시될 때까지의 과도 기간을 의미한다. 파워 오프 시퀀스 기간은 입력 영상의 표시가 끝난 후부터 구동 전원이 오프 될 때까지의 과도 기간을 의미한다.
한편, 센싱 구동은 시스템 전원이 인가되고 있는 도중에 표시장치의 화면만 꺼진 상태, 예컨대, 대기모드, 슬립모드, 저전력모드 등에서 수행될 수도 있다. 타이밍 콘트롤러(11)는 미리 정해진 감지 프로세스에 따라 대기모드, 슬립모드, 저전력모드 등을 감지하고, 센싱 구동을 위한 제반 동작을 제어할 수 있다.
타이밍 콘트롤러(11)는 호스트 시스템으로부터 입력되는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 도트클럭신호(DCLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등의 타이밍 신호들에 기초하여 데이터 구동회로(12)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DDC)와, 게이트 구동회로(13)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호(GDC)를 생성할 수 있다. 타이밍 콘트롤러(11)는 디스플레이 구동을 위한 제어신호들(DDC,GDC)과 센싱 구동을 위한 제어신호들(DDC,GDC)을 서로 다르게 생성할 수 있다.
게이트 제어신호(GDC)는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock) 등을 포함한다. 게이트 스타트 펄스는 첫 번째 출력을 생성하는 게이트 스테이지에 인가되어 그 게이트 스테이지를 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭은 게이트 스테이지들에 공통으로 입력되는 클럭신호로써 게이트 스타트 펄스를 쉬프트시키기 위한 클럭신호이다.
데이터 제어신호(DDC)는 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock), 및 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable) 등을 포함한다. 소스 스타트 펄스는 데이터 구동회로(12)의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭은 라이징 또는 폴링 에지에 기준하여 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭신호이다. 소스 출력 인에이블신호는 데이터 구동회로(12)의 출력 타이밍을 제어한다.
센싱 구동시 타이밍 콘트롤러(11)는 데이터 구동회로(12)로부터 입력되는 디지털 센싱값들(SD)을 기초로 구동 TFT의 전기적 특성 변화를 보상할 수 있는 보상 파라미터를 계산하고, 이 보상 파라미터를 메모리(16)에 저장할 수 있다. 메모리(16)에 저장되는 보상 파라미터는 센싱 구동시마다 업데이트 될 수 있고, 그에 따라 구동 TFT의 시변 특성이 용이하게 보상될 수 있다.
디스플레이 구동시 타이밍 콘트롤러(11)는 메모리(16)로부터 보상 파라미터를 읽어 들이고, 이 보상 파라미터를 기초로 입력 영상의 디지털 데이터(DATA)를 보정하여 데이터 구동회로(12)에 공급한다.
데이터 구동회로(12)는 적어도 하나 이상의 소스 드라이버 IC(Intergrated Circuit)를 포함한다. 소스 드라이버 IC에는 데이터라인들(14A)에 연결된 다수의 디지털-아날로그 컨버터(이하, DAC)들과, 센싱라인들(14B)에 연결된 다수의 센싱 유닛들이 포함되어 있다. 각 센싱 유닛은 도 2와 같이 센싱 라인(14B)을 통해 1 픽셀 라인(예컨대, Li)에 배치된 각 픽셀(P)에 개별 접속되거나, 또는 도 3과 같이 센싱 라인(14B)을 통해 1 픽셀 라인(예컨대, Li)에 배치된 다수의 픽셀들(P)에 공통 접속될 수 있다. 도 3에는 4개의 픽셀들(P)로 이루어진 하나의 단위 픽셀(UPXL)이 하나의 센싱 라인(14B)을 공유하는 것으로 도시되어 있지만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 기술적 사상은 2개 이상의 픽셀들(P)이 하나의 센싱 라인(14B)을 통해 하나의 센싱 유닛에 연결되는 다양한 변형예들에 모두 적용될 수 있다.
소스 드라이버 IC의 DAC는 디스플레이 구동시 타이밍 콘트롤러(11)로부터 인가되는 데이터타이밍 제어신호(DDC)에 따라 입력 영상 데이터(DATA)를 디스플레이용 데이터전압으로 변환하여 데이터라인들(14A)에 공급한다. 디스플레이용 데이터전압은 입력 영상의 계조에 따라 달라지는 전압이다.
소스 드라이버 IC의 DAC는 센싱 구동시 타이밍 콘트롤러(11)로부터 인가되는 데이터타이밍 제어신호(DDC)에 따라 센싱용 데이터전압을 생성하여 데이터라인들(14A)에 공급한다. 센싱용 데이터전압은 센싱 구동시 픽셀(P)에 구비된 구동 TFT를 턴 온 시킬 수 있는 전압이다. 센싱용 데이터전압은 모든 픽셀들(P)에 대해 동일한 값으로 생성될 수 있다. 또한, 컬러별 픽셀 특성이 다름을 감안하여, 센싱용 데이터전압은 컬러별로 다른 값으로 생성될 수 있다. 예를 들어, 센싱용 데이터전압은 제1 컬러를 표시하는 제1 픽셀들(P)에 대해 제1 값으로 생성되고, 제2 컬러를 표시하는 제2 픽셀들(P)에 대해 제2 값으로 생성되며, 제3 컬러를 표시하는 제3 픽셀들(P)에 대해 제3 값으로 생성될 수 있다.
소스 드라이버 IC의 각 센싱 유닛은 전류 싱크 회로(SINK)와, 전류 적분기(CI)와, 샘플링부(SH)와, 아날로그-디지털 변환기(이하, ADC)를 포함한다. 전류 싱크 회로(SINK)는 센싱 라인(14B)에 접속되어, 센싱 라인(14B)을 통해 입력되는 픽셀 전류를 싱크 전류만큼 줄임으로써, ADC에 입력되는 적분값이 ADC의 센싱 레인지를 벗어나지 못하게 한다. 싱크 전류의 크기는 표시장치의 모델에 따라 미리 설정된 값으로 고정되거나 또는, ADC에서 출력되는 디지털 센싱값(SD)에 따라 적응적으로 조정될 수 있다. 전류 적분기(CI)는 센싱 라인(14B)에 접속되어, 픽셀 전류로부터 싱크 전류만큼 줄어든 조정 전류를 축적하여 적분값을 출력한다. 샘플링부(SH)는 전류 적분기(CI)로부터의 적분값을 샘플링 및 홀딩한다. ADC는 샘플링부(SH)로부터의 적분값을 아날로그-디지털 변환하여 디지털 센싱값(SD)을 출력한다. 디지털 센싱값(SD)은 타이밍 콘트롤러(11)에 전송된다.
게이트 구동회로(13)는 디스플레이 구동시 게이트 제어신호(GDC)를 기반으로 디스플레이용 게이트펄스를 생성한 후, 픽셀라인들(Li,Li+1,Li+2,Li+3...)에 연결된 게이트라인들(15)에 순차 공급한다. 픽셀라인들(Li,Li+1,Li+2,Li+3...)은 수평으로 이웃한 픽셀들(P)의 집합을 의미한다.
게이트 구동회로(13)는 센싱 구동시 게이트 제어신호(GDC)를 기반으로 센싱용 게이트펄스를 생성한 후, 픽셀라인들(Li,Li+1,Li+2,Li+3...)에 연결된 게이트라인들(15)에 순차 공급한다. 센싱용 게이트펄스는 디스플레이용 게이트펄스에 비해 온 펄스 구간이 넓을 수 있다. 센싱용 게이트펄스의 온 펄스 구간은 1 라인 센싱 온 타임 내에, 한 개 또는 다수 개 포함될 수 있다. 여기서, 1 라인 센싱 온 타임이란 1 픽셀라인(예를 들어, Li)의 픽셀들(P)을 동시에 센싱하는 데 할애되는 스캔 시간을 의미한다.
도 4 및 도 5는 전류 센싱 방식을 구현하기 위한 픽셀과 센싱 유닛의 접속 구조, 및 센싱 동작을 설명하기 위한 도면들이다. 도 4 및 도 5는 전류 센싱 방식의 구동 이해를 돕기 위한 일 예시에 불과하다. 본 발명의 전류 센싱이 적용되는 픽셀 구조 및 그 구동 타이밍은 다양한 변형이 가능하므로, 본 발명의 기술적 사상은 이 실시예에 한정되지 않는다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 픽셀(P)은 OLED, 구동 TFT(DT), 스토리지 커패시터(Cst), 제1 스위치 TFT(ST1), 및 제2 스위치 TFT(ST2)를 구비할 수 있다.
OLED는 소스 노드(Ns)에 접속된 애노드전극과, 저전위 구동전압(EVSS)의 입력단에 접속된 캐소드전극과, 애노드전극과 캐소드전극 사이에 위치하는 유기화합물층을 포함한다. 구동 TFT(DT)는 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 OLED에 입력되는 전류량을 제어한다. 구동 TFT(DT)는 게이트 노드(Ng)에 접속된 게이트전극, 고전위 구동전압(EVDD)의 입력단에 접속된 드레인전극, 및 소스 노드(Ns)에 접속된 소스전극을 구비한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 게이트 노드(Ng)와 소스 노드(Ns) 사이에 접속된다. 제1 스위치 TFT(ST1)는 게이트펄스(SCAN)에 응답하여 데이터라인(14A) 상의 데이터전압(Vdata)을 게이트 노드(Ng)에 인가한다. 제1 스위치 TFT(ST1)는 게이트라인(15)에 접속된 게이트전극, 데이터라인(14A)에 접속된 드레인전극, 및 게이트 노드(Ng)에 접속된 소스전극을 구비한다. 제2 스위치 TFT(ST2)는 게이트펄스(SCAN)에 응답하여 소스 노드(Ns)와 센싱 라인(14B) 간의 전류 흐름을 온/오프한다. 제2 스위치 TFT(ST2)는 게이트라인(15)에 접속된 게이트전극, 센싱 라인(14B)에 접속된 드레인전극, 및 소스 노드(Ns)에 접속된 소스전극을 구비한다.
본 발명의 센싱 유닛에 속하는 전류 싱크 회로(SINK)와 전류 적분기(CI)는 센싱 라인(14B)에 병렬로 접속된다. 전류 싱크 회로(SINK)는 전류 적분기(CI)에 유입되는 픽셀 전류(Ip)를 싱크 전류(Is)만큼 줄인다. 전류 싱크 회로(SINK)에 대해서는 도 6 내지 도 9를 통해 상세히 설명한다.
전류 적분기(CI)는 오피 앰프(AMP)와, 피드백 커패시터(Cfb)와, 제1 스위치(SW1)를 포함하며, 픽셀 전류(Ip)로부터 싱크 전류(Is)만큼 줄어든 조정 전류(Ip-Is)를 축적하여 적분값(Vsen)을 출력한다. 오피 앰프(AMP)는 센싱 라인(14B)에 접속되어 상기 조정 전류(Ip-Is)를 입력받는 반전 입력단자(-)와, 기준전압(Vpre)을 입력받는 비 반전 입력단자(+)와, 적분값(Vsen)을 출력하는 출력 단자를 포함한다. 피드백 커패시터(Cfb)는 앰프(AMP)의 반전 입력단자(-)와 출력 단자 사이에 접속되어 조정 전류(Ip-Is)를 축적한다. 제1 스위치(SW1)는 피드백 커패시터(Cfb)의 양단에 접속된다. 제1 스위치(SW1)가 턴 온 될 때 피드백 커패시터(Cfb)는 초기화된다.
본 발명의 센싱 유닛에 속하는 샘플링부(SH)는 샘플링 신호(SAM) 신호에 따라 스위칭되는 제2 스위치(SW2)와, 홀딩 신호(HOLD) 신호에 따라 스위칭되는 제3 스위치(SW3)와, 제2 및 제3 스위치(SW2, SW3) 사이에 일단이 접속되고 타단이 기저전압원(GND)에 접속된 홀딩 커패시터(Ch)를 포함하여, 전류 적분기(CI)로부터의 적분값(Vsen)을 샘플링 및 홀딩한다.
본 발명의 센싱 유닛에 속하는 ADC는 제3 스위치(SW3)를 통해 홀딩 커패시터(Ch)에 연결된다.
도 5에는 1 픽셀라인에 배치된 픽셀들을 센싱하기 위한 센싱용 게이트펄스(SCAN)의 온 펄스 구간(즉, 1라인 센싱 온 타임) 내에서, 픽셀들 각각에 대한 1회 센싱 파형이 도시되어 있다. 도 5를 참조하면, 센싱 구동은 초기화 기간(Tinit), 센싱 기간(Tsen), 및 샘플링 기간(Tsam)을 포함하여 이루어진다.
초기화 기간(Tinit)에서 제1 스위치(SW1)의 턴 온으로 인해 앰프(AMP)는 이득이 1인 유닛 게인 버퍼로 동작한다. 초기화 기간(Tinit)에서 앰프(AMP)의 입력 단자들(+,-)과 출력 단자, 센싱 라인(14B), 및 소스 노드(Ns)는 모두 기준전압(Vpre)으로 초기화된다.
초기화 기간(Tinit) 중에 소스 드라이버 IC의 DAC를 통해 센싱용 데이터전압이 픽셀(P)의 게이트 노드(Ng)에 인가된다. 그에 따라 구동 TFT(DT)에는 게이트 노드(Ng)와 소스 노드(Ns)의 전위차(Vdata-Vpre)에 상응하는 픽셀 전류(Ip)가 흐른다. 초기화 기간(Tinit) 중에 앰프(AMP)는 계속해서 유닛 게인 버퍼로 동작하므로, 전류 적분기(CI)의 출력값(Vout)은 기준전압(Vpre)을 유지한다.
센싱 기간(Tsen)에서 제1 스위치(SW1)의 턴 오프로 인해 앰프(AMP)는 전류 적분기(CI)로 동작하여 구동 TFT(DT)에 흐르는 픽셀 전류(Ip)를 적분한다. 이때, 전류 적분기(CI)는 픽셀 전류(Ip)로부터 싱크 전류(Is)만큼 줄어든 조정 전류(Ip-Is)를 축적하기 때문에, 픽셀 전류(Ip)가 큰 경우에도 안정적인 전류 센싱 능력을 발휘할 수 있다. 센싱 기간(Tsen)에서 앰프(AMP)의 반전 입력단자(-)에 유입되는 조정 전류(Ip-Is)에 의해 피드백 커패시터(Cfb)의 양단 전위차는 센싱 시간(ΔT)이 길어질수록, 즉 축적되는 전류량이 증가할수록 커진다. 그런데, 앰프(AMP)의 특성상 반전 입력단자(-) 및 비 반전 입력단자(+)는 가상 접지(Virtual Ground)를 통해 쇼트되어 서로 간에 전위차가 0이므로, 센싱 기간(Tsen)에서 반전 입력단자(-)의 전위는 피드백 커패시터(Cfb)의 전위차 증가에 상관없이 기준전압(Vpre)으로 유지된다. 그 대신, 피드백 커패시터(Cfb)의 양단 전위차에 대응하여 앰프(AMP)의 출력 단자 전위가 낮아진다. 이러한 원리로 센싱 기간(Tsen)에서 전류 적분기(CI)의 출력값(Vout)은 피드백 커패시터(Cfb)를 통해 전압값인 적분값(Vsen)으로 변한다. 센싱 라인(14B)을 통해 유입되는 조정 전류(Ip-Is)가 클수록 전류 적분기(CI)의 출력값(Vout)에 대한 하강 기울기가 증가하므로, 기준전압(Vpre)과 적분값(Vsen) 간의 전압차(ΔV)도 증가한다. 센싱 기간(Tsen)에서 적분값(Vsen)은 제2 스위치(SW2)를 경유하여 홀딩 커패시터(Ch)에 저장된다.
샘플링 기간(Tsam)에서 제3 스위치(SW3)가 턴 온 되면, 홀딩 커패시터(Ch)에 저장된 적분값(Vsen)이 제3 스위치(SW3)를 경유하여 ADC에 입력된다. 적분값(Vsen)은 ADC에서 디지털 센싱값(SD)으로 변환된 후 타이밍 콘트롤러(11)에 전송된다. 디지털 센싱값(SD)은 타이밍 콘트롤러(11)에서 구동 TFT의 문턱전압 편차(ΔVth)와 이동도 편차(ΔK)를 도출하는 데 사용된다. 타이밍 콘트롤러(11)에는 피드백 커패시터(Cfb)의 커패시턴스, 기준 전압값(Vpre), 센싱 시간값(ΔT)이 미리 디지털 코드로 저장되어 있다. 따라서, 타이밍 콘트롤러(11)는 적분값(Vsen)에 대한 디지털 코드인 디지털 센싱값(SD)으로부터 구동 TFT(DT)에 흐르는 소스-드레인 간 전류(Ids=Cfb*ΔV/ΔT, 여기서, ΔV=Vpre-Vsen)를 계산할 수 있다. 타이밍 콘트롤러(11)는 디지털 센싱값(SD)을 보상 알고리즘에 적용하여 편차값들(ΔVth, ΔK)과 편차 보상을 위한 보상 데이터를 도출한다. 보상 알고리즘은 룩업 테이블 또는, 연산 로직으로 구현될 수 있다.
도 6 및 도 7은 대면적 유기발광 표시장치에서 전류 센싱 능력을 높일 수 있는 일 구성을 보여주는 도면들이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 전류 적분기(CI) 내의 피드백 커패시터(Cfb)의 사이즈를 증가시키지 않고서도 전류 센싱 능력을 높이기 위해, 본 발명의 센싱 유닛은 센싱 라인(14B)을 통해 입력되는 픽셀 전류(Ip)를 싱크 전류(Is)만큼 줄이는 전류 싱크 회로(SINK)를 구비한다. 그리고, 본 발명의 센싱 유닛은 싱크 전류(Is)의 크기를 제어하는 싱크전류 제어부(CCB)를 더 포함할 수 있다.
전류 싱크 회로(SINK)는 전류 미러(Current Mirror)로 구현될 수 있다. 전류 싱크 회로(SINK)는 제1 싱크 스위치(Ta), 및 제1 싱크 스위치(Ta)와 전류 미러를 구성하는 다수의 제2 싱크 스위치들(Tb)를 구비한다.
제1 싱크 스위치(Ta)는 싱크전류 제어부(CCB)에 접속된 드레인전극과 게이트전극, 및 접지 전원(GND)에 접소된 소스전극을 포함하며, 그의 드레인-소스 간에는 싱크전류 제어부(CCB)에서 공급된 싱크 전류(Is)가 흐른다. 각각의 제2 싱크 스위치(Tb)는 싱크전류 제어부(CCB)에 접속된 게이트전극, 센싱라인(14B)에 접속된 드레인전극, 및 접지 전원(GND)에 접속된 소스전극을 포함하며, 그의 드레인-소스 간에는 싱크전류 제어부(CCB)에서 공급된 싱크 전류(Is)가 흐른다.
싱크전류 제어부(CCB)는 싱크 전류(Is)의 크기를 미리 설정된 값으로 고정할 수 있다. 이 경우, 싱크 전류(Is)의 크기는 표시장치의 모델, 스펙등에 따라 다르게 설정될 수 있다.
싱크전류 제어부(CCB)는 도 10과 같이 콘트롤 전압원(Vcon), 콘트롤 전압원(Vcon)과 제1 싱크 스위치(Ta)의 드레인전극 사이에 접속된 콘트롤 저항(Rcon)을 포함할 수 있다.
싱크전류 제어부(CCB)는 도 11과 같이 콘트롤 전압원(Vcon), 콘트롤 전압원(Vcon)에 연결된 비 반전 입력단자(+)와, 제1 싱크 스위치(Ta)의 소스 전극에 연결된 반전 입력단자(-)와, 제1 싱크 스위치(Ta)의 게이트전극에 연결된 출력단자를 갖는 오피 앰프(AP)를 포함할 수 있다. 도 11에서, Vx는 제1 싱크 스위치(Ta)에 연결된 고전위 전원을 나타내고, R은 제1 싱크 스위치(Ta)에 연결된 로드 저항을 나타낸다.
한편, 싱크전류 제어부(CCB)는 싱크 전류(Is)의 크기를 ADC에서 출력되는 디지털 센싱값(SD)에 따라 조정할 수도 있다. 디지털 센싱값(SD)이 ADC 센싱 레인지의 상한값 또는 하한값으로 세츄레이션되는 빈도수가 정해진 기준치를 초과하는 경우, 싱크전류 제어부(CCB)는 도 10 및 도 11의 콘트롤 전압원(Vcon)과 콘트롤 저항(Rcon) 중 적어도 어느 하나를 조정하여 싱크 전류(Is)의 크기를 제어할 수 있다.
도 8 및 도 9는 대면적 유기발광 표시장치에서 전류 센싱 능력을 높일 수 있는 다른 구성을 보여주는 도면들이다.
전류 적분기(CI)가 센싱 라인(14B)을 통해 1 픽셀 라인에 배치된 각 픽셀(P)에 개별 접속되는 도 6 및 도 7의 유기발광 표시장치와 달리, 도 8 및 도 9의 유기발광 표시장치는 그의 전류 적분기(CI)가 센싱 라인(14B)을 통해 1 픽셀 라인에 배치된 다수의 픽셀들(P)에 공통 접속되는 점에서 차이가 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 전류 적분기(CI) 내의 피드백 커패시터(Cfb)의 사이즈를 증가시키지 않고서도 전류 센싱 능력을 높이기 위해, 본 발명의 센싱 유닛은 센싱 라인(14B)을 통해 입력되는 픽셀 전류(Ip)를 싱크 전류(Is)만큼 줄이는 전류 싱크 회로(SINK)를 구비한다. 그리고, 본 발명의 센싱 유닛은 싱크 전류(Is)의 크기를 제어하는 싱크전류 제어부(CCB)를 더 포함할 수 있다.
전류 싱크 회로(SINK)는 전류 미러(Current Mirror)로 구현될 수 있다. 전류 싱크 회로(SINK)는 제1 싱크 스위치(Ta), 및 제1 싱크 스위치(Ta)와 전류 미러를 구성하는 제2 싱크 스위치(Tb)를 구비한다.
제1 싱크 스위치(Ta)는 싱크전류 제어부(CCB)에 접속된 드레인전극과 게이트전극, 및 접지 전원(GND)에 접소된 소스전극을 포함하며, 그의 드레인-소스 간에는 싱크전류 제어부(CCB)에서 공급된 싱크 전류(Is)가 흐른다. 제2 싱크 스위치(Tb)는 싱크전류 제어부(CCB)에 접속된 게이트전극, 센싱라인(14B)에 접속된 드레인전극, 및 접지 전원(GND)에 접속된 소스전극을 포함하며, 그의 드레인-소스 간에는 싱크전류 제어부(CCB)에서 공급된 싱크 전류(Is)가 흐른다.
싱크전류 제어부(CCB)는 싱크 전류(Is)의 크기를 미리 설정된 값으로 고정할 수 있다. 이 경우, 싱크 전류(Is)의 크기는 표시장치의 모델, 스펙등에 따라 다르게 설정될 수 있다.
싱크전류 제어부(CCB)는 도 10과 같이 콘트롤 전압원(Vcon), 콘트롤 전압원(Vcon)과 제1 싱크 스위치(Ta)의 드레인전극 사이에 접속된 콘트롤 저항(Rcon)을 포함할 수 있다.
싱크전류 제어부(CCB)는 도 11과 같이 콘트롤 전압원(Vcon), 콘트롤 전압원(Vcon)에 연결된 비 반전 입력단자(+)와, 제1 싱크 스위치(Ta)의 소스 전극에 연결된 반전 입력단자(-)와, 제1 싱크 스위치(Ta)의 게이트전극에 연결된 출력단자를 갖는 오피 앰프(AP)를 포함할 수 있다. 도 11에서, Vx는 제1 싱크 스위치(Ta)에 연결된 고전위 전원을 나타내고, R은 제1 싱크 스위치(Ta)에 연결된 로드 저항을 나타낸다.
한편, 싱크전류 제어부(CCB)는 싱크 전류(Is)의 크기를 ADC에서 출력되는 디지털 센싱값(SD)에 따라 조정할 수도 있다. 디지털 센싱값(SD)이 ADC 센싱 레인지의 상한값 또는 하한값으로 세츄레이션되는 빈도수가 정해진 기준치를 초과하는 경우, 싱크전류 제어부(CCB)는 도 10 및 도 11의 콘트롤 전압원(Vcon)과 콘트롤 저항(Rcon) 중 적어도 어느 하나를 조정하여 싱크 전류(Is)의 크기를 제어할 수 있다.
도 12는 픽셀 전류(Ip)의 크기에 따라 싱크 전류(Is)의 크기를 다르게 설정 또는 조정하는 일 예를 보여준다.
도 12를 참조하면, 본 발명은 픽셀 전류(Ip)의 크기가 증가할수록 싱크 전류(Is)의 크기를 증가시킨다. 즉, 본 발명은 픽셀 전류(Ip)가 2 uA일 경우 싱크 전류(Is)를 0 uA로 설정(또는 조정)하고, 픽셀 전류(Ip)가 4 uA일 경우 싱크 전류(Is)를 2 uA로 설정(또는 조정)하고, 픽셀 전류(Ip)가 6 uA일 경우 싱크 전류(Is)를 4 uA로 설정(또는 조정)함으로써, 적분기에 유입되는 조정 전류(Ip-Is)가 2 uA가 되도록 할 수 있다. 본 발명은 픽셀 전류(Ip)의 크기에 상관없이 적분기에 유입되는 조정 전류(Ip-Is)를 일정하게 제한할 수 있기 때문에, 적분기의 출력단 전위차 즉, 기준전압(Vpre)과 적분값(Vsen) 간의 전압차(ΔV)를 4V로 유지시킬 수 있다. 전압차(ΔV)가 너무 작거나 너무 크면(즉, 적분값(Vsen)이 너무 크거나 너무 작으면), ADC에 입력되는 적분값(Vsen)이 ADC의 센싱 레인지를 벗어날 수 있는데, 본 발명은 싱크 전류를 통해 적분값(Vsen)을 제어함으로써 이러한 문제를 해결한다.
이러한 과정을 통해, 본 발명은 픽셀 전류(Ip)가 클 때 적분기 내의 피드백 커패시터(Cfb)의 사이즈를 증가시키지 않고서도 쉽게 최적의 센싱 능력을 확보할 수 있다.
도 13은 대면적 표시장치에 대해 전류 센싱 능력 확보가 가능한 시뮬레이션 결과를 설명하기 위한 도면이다.
표 1에서, 시뮬레이션 조건은 피드백 커패시터의 용량은 6 pF, 센싱 시간(ΔT)은 20 usec, 기준전압(Vpre)은 4.5V이다.
케이스1은 픽셀 전류(Ip)를 600 nA, 싱크 전류(Is)를 0 A로 설정했을 때의 전류 적분기의 출력(ΔV)을 나타낸다. 그리고, 케이스2는 픽셀 전류(Ip)를 2.1 uA, 싱크 전류(Is)를 1.5 uA로 설정했을 때의 전류 적분기의 출력(ΔV)을 나타낸다.
[표1]
Figure 112016034140115-pat00001
케이스 2는 케이스 1에 비해 픽셀 전류(Ip)가 크다. 하지만 케이스2는 케이스1에 비해 싱크 전류(Is)를 크게 함으로써, 전류 적분기에 유입되는 조정 전류(Ip-Is)의 크기를 케이스1과 동일하게 할 수 있다. 따라서, 전류 적분기의 출력(ΔV)은 케이스 1 및 2에서 서로 동일해 진다. 이와 같이, 픽셀 전류(Ip)가 ADC 전류 센싱 레인지를 초과하는 모델에서도 전류 싱크 방법을 이용하면 센싱 유닛에서 정확한 센싱이 가능해짐을 알 수 있다. 본 발명은 전류 싱크 방법을 이용함으로써 픽셀 전류(Ip)가 큰 77인치, 100인치 등의 대면적 표시장치에 대한 전류 센싱 능력을 획기적으로 높일 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
10 : 표시패널 11 : 타이밍 콘트롤러
12 : 데이터 구동회로 13 : 게이트 구동회로
14B : 센싱 라인 16 : 메모리
SINK : 전류 싱크 회로 CI : 전류 적분기
SH : 샘플링부 ADC : 아날로그-디지털 변환기
CCB : 싱크전류 제어부

Claims (18)

  1. 센싱 라인에 접속되어, 상기 센싱 라인을 통해 입력되는 픽셀 전류를 싱크 전류만큼 줄이는 전류 싱크 회로와,
    상기 센싱 라인에 접속되어, 상기 픽셀 전류로부터 상기 싱크 전류만큼 줄어든 조정 전류를 축적하여 적분값을 출력하는 전류 적분기와,
    상기 적분값을 샘플링 및 홀딩하는 샘플링부와,
    상기 샘플링부로부터의 적분값을 아날로그-디지털 변환하여 디지털 센싱값을 출력하는 아날로그-디지털 변환기와,
    상기 아날로그-디지털 변환기로부터 출력된 상기 디지털 센싱값에 따라, 상기 디지털 센싱값이 상기 아날로그-디지털 변환기의 센싱 레인지 내에 포함되도록 상기 싱크 전류의 크기를 제어하는 싱크전류 제어부를 포함하는 전류 센싱형 센싱 유닛.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 전류 싱크 회로는 전류 미러로 구현되는 전류 센싱형 센싱 유닛.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 전류 싱크 회로는,
    상기 싱크전류 제어부에 드레인전극과 게이트전극이 접속되고 접지 전원에 소스전극이 접속되어 드레인-소스 간에 상기 싱크 전류가 흐르는 제1 싱크 스위치와,
    상기 싱크전류 제어부에 게이트전극이 접속되고 상기 센싱 라인에 드레인전극이 접속되며 상기 접지 전원에 소스전극이 접속되어 드레인-소스 간에 상기 싱크 전류가 흐르며, 상기 제1 싱크 스위치와 전류 미러를 구성하는 제2 싱크 스위치를 포함하는 전류 센싱형 센싱 유닛.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 싱크전류 제어부는,
    콘트롤 전압원과,
    상기 콘트롤 전압원과 상기 제1 싱크 스위치의 드레인전극 사이에 접속된 콘트롤 저항을 포함하는 전류 센싱형 센싱 유닛.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 싱크전류 제어부는,
    콘트롤 전압원과,
    상기 콘트롤 전압원에 연결된 비 반전 입력단자와, 상기 제1 싱크 스위치의 소스 전극에 연결된 반전 입력단자와, 상기 제1 싱크 스위치의 게이트전극에 연결된 출력단자를 갖는 오피 앰프를 포함한 전류 센싱형 센싱 유닛.
  9. 다수의 픽셀들이 구비된 표시패널; 및
    센싱 라인을 통해 상기 픽셀들 중 적어도 하나에 연결되는 전류 센싱형 센싱 유닛을 구비하고,
    상기 전류 센싱형 센싱 유닛은,
    상기 센싱 라인에 접속되어, 상기 센싱 라인을 통해 입력되는 픽셀 전류를 싱크 전류만큼 줄이는 전류 싱크 회로와,
    상기 센싱 라인에 접속되어, 상기 픽셀 전류로부터 상기 싱크 전류만큼 줄어든 조정 전류를 누적하여 적분값을 출력하는 전류 적분기와,
    상기 적분값을 샘플링 및 홀딩하는 샘플링부와,
    상기 샘플링부로부터의 적분값을 아날로그-디지털 변환하여 디지털 센싱값을 출력하는 아날로그-디지털 변환기와,
    상기 아날로그-디지털 변환기로부터 출력된 상기 디지털 센싱값에 따라, 상기 디지털 센싱값이 상기 아날로그-디지털 변환기의 센싱 레인지 내에 포함되도록 상기 싱크 전류의 크기를 제어하는 싱크전류 제어부를 포함하는 유기발광 표시장치.
  10. 삭제
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 전류 싱크 회로는 전류 미러로 구현되는 유기발광 표시장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 전류 싱크 회로는,
    상기 싱크전류 제어부에 드레인전극과 게이트전극이 접속되고 접지 전원에 소스전극이 접속되어 드레인-소스 간에 상기 싱크 전류가 흐르는 제1 싱크 스위치와,
    상기 싱크전류 제어부에 게이트전극이 접속되고 상기 센싱 라인에 드레인전극이 접속되며 상기 접지 전원에 소스전극이 접속되어 드레인-소스 간에 상기 싱크 전류가 흐르며, 상기 제1 싱크 스위치와 전류 미러를 구성하는 제2 싱크 스위치를 포함하는 유기발광 표시장치.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 싱크전류 제어부는,
    콘트롤 전압원과,
    상기 콘트롤 전압원과 상기 제1 싱크 스위치의 드레인전극 사이에 접속된 콘트롤 저항을 포함하는 유기발광 표시장치.
  16. 제 12 항에 있어서,
    상기 싱크전류 제어부는,
    콘트롤 전압원과,
    상기 콘트롤 전압원에 연결된 비 반전 입력단자와, 상기 제1 싱크 스위치의 소스 전극에 연결된 반전 입력단자와, 상기 제1 싱크 스위치의 게이트전극에 연결된 출력단자를 갖는 오피 앰프를 포함한 유기발광 표시장치.
  17. 제 9 항에 있어서,
    상기 전류 적분기는 상기 센싱 라인을 통해 1 픽셀 라인에 배치된 각 픽셀에 개별 접속되는 유기발광 표시장치.
  18. 제 9 항에 있어서,
    상기 전류 적분기는 상기 센싱 라인을 통해 1 픽셀 라인에 배치된 다수의 픽셀들에 공통 접속되는 유기발광 표시장치.
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