KR102417851B1 - 탄성 열-방출 구조 및 전자 장치 - Google Patents

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Abstract

탄성 열-방출 구조는 다공성 탄성 부재, 및 복수의 제1 열전도 부재들 및 복수의 제2 열전도 부재들을 포함한다. 상기 제1 열전도 부재들 및 제2 열전도 부재들은 상기 다공성 탄성 부재 내에 혼합된다. 상기 제1 열전도 부재들 각각은 5 ㎛ 내지 50 ㎛에 걸친 최대 폭을 가지고, 상기 제2 열전도 부재들 각각은 0 ㎛ 내지 5 ㎛에 걸친 최대 폭을 가지고, 상기 제1 열전도 부재들 각각 및 상기 제2 열전도 부재들 각각의 두께는 0.3 nm 내지 30 nm에 걸쳐 있다. 상기 탄성 열-방출 구조의 밀도가 0.1 g/cm3과 1.0 g/cm3 사이에 있을 때, 상기 제1 열전도 부재들 및 상기 제2 열전도 부재들의 함량은 0.01% 내지 20%에 걸쳐 있다. 상기의 탄성 열-방출 구조를 포함하는 전자 장치 역시 개시된다.

Description

탄성 열-방출 구조 및 전자 장치{ELASTIC HEAT-DISSIPATION STRUCTURE AND ELECTRONIC DEVICE}
이 가출원이 아닌 출원은 35 U.S.C. §119(a) 하에서 2019년 7월 1일에 대만에서 출원된 특허출원 제 201910583746.2 호의 우선의 이익을 주장하고, 그 전체 내용은 참조에 의해 여기에 반영된다.
본 개시는 탄성 열-방출 구조 및 이를 가지는 전자 장치에 관한 것이다.
기술의 발전과 함께, 디스플레이 패널들, 백라이트 모듈들, 또는 조명 모듈들과 같은 평판 전자 장치들의 설계 및 개발은, 더 얇고 더 큰 고성능 제품들에 대부분 집중된다. 하지만, 제품이 더 얇아지고 더 커지고 고성능이 될 때, 열은 불가피하게 종전보다 더 많이 생성된다. 그러므로 "열 방출(heat dissipation)" 기능은 이미 전자 장치의 필수적인 요구 기능이다.
보통, 생성되는 폐열은 장치 상에 히트싱크, 팬, 또는 열 방출 부재(열 파이프들과 같은)를 구성하는 것에 의해 방출된다. 히트싱크 또는 핀들은 일반적으로 소정의 두께를 가지고, 또한 높은 열전도를 갖는 금속 물질, 또는 질화붕소(boron nitride), 질화알루미늄(aluminum nitride) 등과 같이, 높은 열전도를 갖는 무기 물질로 도핑된 고분자 합성 물질로 만들어진다. 하지만, 높은 열전도를 갖는 금속 물질은 높은 밀도를 가지는데, 이것은 전체 중량 및 두께를 증가시킨다. 무기 물질들로 도핑된 고분자 합성 물질의 구조적 강도는 어떤 제품들에는 충분히 좋지 않다.
그러므로, 전자 장치들의 열 방출을 위한 구조를 제공하는 것이 중요한 주제이고, 이것은 얇고 크고 고성능의 조건들을 달성하도록 다양한 분야들에서 제품들에 적용될 수 있다.
본 개시의 목적은 탄성 열-방출 구조 및 이러한 탄성 열-방출 구조를 갖는 전자 장치를 제공하는 데 있다. 탄성 열-방출 구조는 열 방출 조건을 달성하고, 작동 장치에 의해 생성되는 진동을 흡수하며, 또한 얇고 큰 고성능의 요건들을 만족시킬 수 있다.
상기를 달성하기 위해, 본 개시는 탄성 열-방출 구조를 개시하는데, 이는 다공성 탄성 부재, 복수의 제1 열전도 부재들 및 복수의 제2 열전도 부재들을 포함한다. 상기 제1 열전도 부재들 및 상기 제2 열전도 부재들은 상기 다공성 탄성 부재 내에 혼합된다. 상기 제1 열전도 부재들 각각은 5 ㎛보다 크고 50 ㎛보다 작거나 또는 같은 최대 폭을 가지고, 상기 제2 열전도 부재들 각각은 0 ㎛보다 크고 5 ㎛보다 작거나 또는 같은 최대 폭을 가진다. 상기 제1 열전도 부재들 각각 및 상기 제2 열전도 부재들 각각의 두께는 0.3 nm보다 크거나 같고 30 nm보다 작거나 같다. 상기 탄성 열-방출 구조의 밀도가 0.1 g/cm3보다 크거나 같고 1.0 g/cm3보다 작거나 같을 때, 상기 제1 열전도 부재들 및 상기 제2 열전도 부재들의 함량은 0.01wt%보다 크거나 같고 20wt%보다 작거나 같다. 상기 탄성 열-방출 구조의 밀도가 2 g/cm3보다 크고 4 g/cm3보다 작거나 같을 때, 상기 제1 열전도 부재들 및 상기 제2 열전도 부재들의 함량은 40wt%보다 크고 50wt%보다 작거나 같다. 상기 탄성 열-방출 구조의 밀도가 4 g/cm3보다 크고 10 g/cm3보다 작거나 같을 때, 상기 제1 열전도 부재들 및 상기 제2 열전도 부재들의 함량은 50wt%보다 크고 60wt%보다 작거나 같다.
상기를 달성하기 위해, 본 개시는 또한 전자 장치를 제공하는데, 이것은 열원 및 탄성 열-방출 구조를 포함한다. 상기 탄성 열-방출 구조는 상기 열원의 표면 상에 배치되고, 다공성 탄성 부재, 복수의 제1 열전도 부재들 및 복수의 제2 열전도 부재들을 포함한다. 상기 제1 열전도 부재들 및 상기 제2 열전도 부재들은 상기 다공성 탄성 부재 내에 혼합된다. 상기 제1 열전도 부재들 각각은 5 ㎛보다 크고 50 ㎛보다 작거나 또는 같은 최대 폭을 가지고, 상기 제2 열전도 부재들 각각은 0 ㎛보다 크고 5 ㎛보다 작거나 또는 같은 최대 폭을 가진다. 상기 제1 열전도 부재들 각각 및 상기 제2 열전도 부재들 각각의 두께는 0.3 nm보다 크거나 같고 30 nm보다 작거나 같다. 상기 탄성 열-방출 구조의 밀도가 0.1 g/cm3보다 크거나 같고 1.0 g/cm3보다 작거나 같을 때, 상기 제1 열전도 부재들 및 상기 제2 열전도 부재들의 함량은 0.01wt%보다 크거나 같고 20wt%보다 작거나 같다. 상기 탄성 열-방출 구조의 밀도가 1 g/cm3보다 크고 2 g/cm3보다 작거나 같을 때, 상기 제1 열전도 부재들 및 상기 제2 열전도 부재들의 함량은 20wt%보다 크고 40wt%보다 작거나 같다. 상기 탄성 열-방출 구조의 밀도가 2 g/cm3보다 크고 4 g/cm3보다 작거나 같을 때, 상기 제1 열전도 부재들 및 상기 제2 열전도 부재들의 함량은 40wt%보다 크고 50wt%보다 작거나 같다. 상기 탄성 열-방출 구조의 밀도가 4 g/cm3보다 크고 10 g/cm3보다 작거나 같을 때, 상기 제1 열전도 부재들 및 상기 제2 열전도 부재들의 함량은 50wt%보다 크고 60wt%보다 작거나 같다.
일 실시예에 있어서, 상기 다공성 탄성 부재의 물질은 아크릴 수지, 폴리우레탄, 폴리에틸렌, 또는 폴리프로필렌, 또는 이들의 조합을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 열전도 부재 또는 상기 제2 열전도 부재의 물질은 그래핀, 그래파이트, 탄소 나노튜브, 산화알루미늄, 산화아연, 산화티타늄, 또는 질화붕소, 또는 이들의 조합을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 열전도 부재들 및 상기 제2 열전도 부재들의 총량이 100wt%일 때, 상기 총량 중 상기 제1 열전도 부재들의 비율은 5wt%와 95wt% 사이에 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 탄성 열-방출 구조는 제1 표면 및 상기 제1 표면에 대향하는 제2 표면을 더 포함하고, 상기 다공성 탄성 부재는 복수의 구멍들을 포함하고, 상기 구멍들의 일부는 상기 제1 표면 또는 상기 제2 표면 상에 배치되는 상기 구멍들을 통해 환경과 소통한다.
일 실시예에 있어서, 상기 탄성 열-방출 구조는 제1 표면 및 상기 제1 표면에 대향하는 제2 표면을 더 포함하고, 상기 다공성 탄성 부재는 복수의 구멍들을 포함하고, 상기 구멍들은 상기 제1 표면과 상기 제2 표면 사이에 배치되고 또한 환경과 소통하지 않고, 상기 구멍들의 일부는 서로 소통한다.
일 실시예에 있어서, 상기 탄성 열-방출 구조는 제1 표면 및 상기 제1 표면에 대향하는 제2 표면을 더 포함하고, 상기 다공성 탄성 부재는 복수의 구멍들을 포함하고, 상기 구멍들은 상기 제1 표면과 상기 제2 표면 사이에 배치되고 또한 환경과 소통하지 않고, 상기 구멍들은 서로로부터 격리된다.
일 실시예에 있어서, 상기 다공성 탄성 부재는 복수의 구멍들을 포함하고, 상기 제1 열전도 부재들 및 상기 제2 열전도 부재들은 상기 구멍들을 유지하기 위해 상기 구멍들 주위에 배치된다.
일 실시예에 있어서, 상기 전자 장치는 LED 디스플레이 장치, OLED 디스플레이 장치, LCD 장치, 백라이트 모듈, LED 조명 모듈, 또는 OLED 조명 모듈이다.
상기에서 언급된 바와 같이, 본 발명 개시의 탄성 열-방출 구조 및 전자 장치에 있어서, 상기 제1 열전도 부재들 및 상기 제2 열전도 부재들은 상기 다공성 탄성 부재 내부에 혼합되어 배치되고, 또한 상기 제1 열전도 부재들 및 상기 제2 열전도 부재들의 한계 특성은 상기 열원에 의해 생성되는 열을 환경으로 빠르게 방출할 수 있다. 게다가, 상기 탄성 열-방출 구조는 또한 한 점, 한 부분 영역 또는 한 평면에서 진동들을 흡수할 수 있고, 이로써 열 방출 및 댐핑 기능들을 달성한다. 이에 더하여, 이 본 발명 개시의 탄성 열-방출 구조는 전자 장치에 대한 얇고 크고 고성능의 조건들을 만족시킬 수 있다.
본 개시는 단지 설명을 위해 주어지고, 이로써 본 개시를 한정하지 않는, 상세한 설명 및 첨부된 도면들로부터 보다 더 잘 이해될 것이다.
도 1a는 본 개시의 일 실시예에 따른 탄성 열-방출 구조의 부분 단면도이다.
도 1b는 도 1a의 영역 A의 확대도이다.
도 2 및 도 3은 본 개시의 서로 다른 실시예들에 따른 탄성 열-방출 구조들의 부분 단면도들이다.
도 4는 본 개시의 일 실시예에 따른 탄성 열-방출 구조의 제1 열전도 부재 또는 제2 열전도 부재를 보여주는 대략도이다.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른 탄성 열-방출 구조의 제작 장비를 보여주는 대략도이다.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른 전자 장치를 보여주는 대략도이다.
도 7a 내지 도 7f는 디스플레이 장치의 열 방출 및 댐핑을 위해 본 개시의 탄성 열-방출 구조의 적용들을 보여주는 대략도이다.
본 개시는 첨부된 도면들을 참조하여 진행하는, 이하의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이고, 이때 동일한 참조부호들은 동일한 요소들과 관련 있다.
본 출원의 탄성 열-방출 구조는 예를 들어 이에 한정되지는 않지만, 모바일 폰, 노트북 컴퓨터, 태블릿 컴퓨터, 텔레비젼, 디스플레이 장치, 백라이트 모듈, 또는 조명 모듈, 또는 다른 분야의 전자 장치에 적용될 수 있고, 또한 본 개시는 한정되지 않는다. 높은 열전도 및 열방출 이점들에 더하여, 본 출원의 탄성 열-방출 구조는 작동 장치에 의해 생성되는 진동을 흡수할 수 있고, 또한 얇고 큰 고성능 전자 장치들의 조건들을 충족시키기 위해 다른 제품 분야들에 적용될 수 있다. 이에 더하여, 본 출원의 탄성 열-방출 구조는 탄성 열-방출 구조를 통해 열원에 의해 생성되는 열을 안내하고 전달하고, 그후 예를 들어 뒷판, 뒷 커버, 또는 전자 장치의 케이싱을 통해 또는 열원을 전달 또는 안내할 수 있는 다른 요소들을 통해 열을 방출하기 위해 열원의 표면 상에 배치될 수 있다.
도 1a는 본 개시의 일 실시예에 따른 탄성 열-방출 구조의 부분 단면도이고, 도 1b는 도 1a의 영역 A의 확대도이다. 도 2 및 도 3은 본 개시의 서로 다른 실시예들에 따른 탄성 열-방출 구조들의 부분 단면도들이고, 도 4는 본 개시의 일 실시예에 따른 탄성 열-방출 구조의 제1 열전도 부재 또는 제2 열전도 부재를 보여주는 대략도이다. 도 1a, 도 2 및 도 3에 도시된 다공성 탄성 부재들은 서로 다른 밀도들을 가지고, 도 1a 도 2 및 도 3 각각은 탄성 열-방출 구조 내에 가능한 단지 하나의 열-방출 경로(P)만 보여준다.
도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 탄성 열-방출 구조(1)는 다공성 탄성 부재(11), 복수의 열전도 부재들(12), 및 복수의 열 전도 부재들(13)을 포함한다.
다공성 탄성 부재(11)는 발포 물질이고 탄성을 가진다. 다공성 탄성 부재(11)는 복수의 구멍들(O1 및 O1)을 포함한다. 다공성 탄성 부재(1)의 물질은, 예를 들어 이에 한정되지는 않지만, 아크릴 수지, 폴리우레탄(PU), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 에틸렌-프로필렌-디엔 모노머(EPDM), EVA 수지, 또는 이들의 조합과 같은 흔한 발포 물질과 같을 수 있다. 상기에서 언급된 물질들 중에서, 아크릴 수지 및 폴리우레탄은 반밀폐형 셀들(semi-closed cells)의 버블 형태를 갖는 구멍을 형성할 수 있어, 제조되는 다공성 탄성 부재(11)는 더 나은 부드러움, 압축성, 진동 흡수력, 및 열 안정성을 가질 수 있다. 또는, 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌은 밀폐형 셀들의 버블 형태를 갖는 구멍들을 형성할 수 있어, 제조되는 다공성 탄성 부재(11)는 더 나은 습도 안정성을 가지지만 더 나쁜 압축성 및 진동 흡수력을 가질 수 있다.
제1 열전도 부재들(12) 및 제2 열전도 부재들(13)은 다공성 탄성 부재(11) 내에 혼합된다. 이 실시예에 있어서, 제1 열전도 부재들(12) 및 제2 열전도 부재들(13)은 높은 열전도 물질들로 만들어질 수 있고, 또한 입자, 분말, 또는 마이크로칩일 수 있다. 제1 열전도 물질들(12) 및 제2 열전도 물질들(13)의 물질은, 예를 들어 이에 한정되지는 않지만, 그래핀, 그래파이트, 탄소 나노튜브, 산화알루미늄, 산화아연, 산화티타늄, 또는 질화붕소, 또는 이들의 조합일 수 있다.
제1 열전도 부재들(12) 및 제2 열전도 부재들(13)을 위한 물질들은 이하의 표 1에 열거된 실험 비교 결과들을 참조하여 선택될 수 있다. 풀러렌, 탄소 나노튜브, 그래핀, 및 질화붕소를 포함하는 물질들은 결정 타입, 밀도, 비용 및 상세 표면적과 같은 특성들에 있어서 비교된다. 풀러렌은 구 형태 및 나쁜 열전도 효과를 가지는 것이 발견되었다. 탄소 나노튜브는 하나의 튜브 형태를 가지는데, 이것은 다공성 탄성 부재(11)의 발포 프로세스 동안 구멍들의 생성을 방해할 수 있다. 질화붕소는 구 형태를 가지고 단단하여, 진동 흡수력이 더 나쁘다. 그래핀 마이크로칩들은 저밀도, 저비용 및 더 나은 진동 흡수력을 가진다. 게다가, 그래핀 마이크로칩들 사이의 접촉 면적들은 다른 물질들보다 더 커서, 그래핀 마이크로칩들의 열전도 및 열방출 효과들은 더 낫다.
물질 풀러렌
(C60)		 탄소 나노튜브 그래핀 질화붕소
(BN)
결정 구조
Figure 112020066749569-pat00001
Figure 112020066749569-pat00002
Figure 112020066749569-pat00003
Figure 112020066749569-pat00004
혼성 오비탈 Sp2+sp3 Sp2+sp3 Sp2 --
결정 타입 면심입방쌓기(FCC Packing) 평면 삼각형 격자 육각형 평면 육각형 또는 입방
사슬 길이/nm 0.140(C=C)0.146(C-C) 0.1444(C=C) 0.142(C=C) 0.157(B-N)
밀도 (g/cm3) 1.72 1.5~2.0 1.2 2.18
비용 높음 중간 낮음 낮음
상세 표면적(m2/g) 1100~1400 120~500 1500~2600 300~1500
상세하게는, 그래핀 마이크로칩들은 이하의 5 가지 장점들을 가진다: (1) 얇고 (두께는 0.3 nm와 3 nm 사이임), 작고(길이는 수십 ㎛ 또는 그보다 작음), 그리고 접촉 면적을 최대화하고 구멍들의 형성에 영향을 주지 않고 열 전달을 용이하기 위해 최근접 쌓기를 형성하기에 용이하고; (2) 저밀도, 이로써 위쪽으로 발포하는 것은 용이하게 블럭들 없이 되고; (3) 높은 영률, 이로써 다공성 탄성 부재(11)의 강도는 증가될 수 있고; (4) 높은 열전도를 제공하기 위한 최대 상세 표면적; 및 (5) X 및 Y 방향들로의 2차원 구조를 가짐, 이것은 추가적인 수직 열 전달 경로를 증가시킬 수 있다. 따라서, 이 실시예의 탄성 열-방출 구조(1)의 제1 열전도 부재들(12) 및 제2 열전도 부재들(13)은 그래핀 마이크로칩들로 만들어진다.
이에 더하여, 탄성 열-방출 구조(1)는 제1 표면(S1) 및 제1 표면(S1)에 대향하는 제2 표면(S2)을 더 포함한다. 다공성 탄성 부재(11)는 복수의 구멍들(O1 및 O2)를 포함한다. 구멍들(O1)은 제1 표면(S1) 또는 제2 표면(S2) 상에 배치되고, 또한 환경과 직접 소통할 수 있다. 구멍들(O1)은 개방 구멍들로 명명될 수 있다. 구멍들(O2)은 제1 표면(S1) 또는 제2 표면(S2) 상 어디에도 배치되지 않는데, 이것은 구멍들(O2)은 다공성 탄성 부재(11) 내부에 배치됨을 의미한다. 이 실시예에 있어서, 구멍들(O2)의 일부는 제1 표면(S1) 또는 제2 표면(S2) 상에 배치되는 구멍들(O1)을 통해 환경과 소통한다. 이 구멍들(O2)은 반밀폐 구멍들로 명명되고, 그 폭은 5 ㎛와 40 ㎛ 사이에 있다. 다공성 탄성 부재(11)는 저밀도 구조이다. 유의해야 할 것은, "반밀폐 구멍들(semi-closed pores)"은 제1 표면(S1) 또는 제2 표면(S2) 상에 배치되는 구멍들(O1)과 소통하는 구멍들(O2)의 일부를 지칭한다.
다른 실시예에 있어서, 도 2에 도시된 바와 같이, 구멍들(O2) 모두는 제1 표면(S1)과 제2 표면(S2) 사이에 배치되고, 환경과 소통하지 않는다. 다시 말하면, 제1 표면(S1) 또는 제2 표면(S2) 상에 배치되는 구멍들(O1)은 없거나 또는 거의 없다. 이에 더하여, 구멍들(O2)의 일부는 서로 소통한다. 다공성 탄성 부재(11)에 있어서, 다공성 탄성 부재(11a)는 중간-밀도 구조이고, 소통되는 구멍들이 그 안에 배치된다. 다른 실시예에 있어서, 도 3에 도시된 바와 같이, 구멍들(O2) 모두는 제1 표면(S1)과 제2 표면(S2) 사이에 배치되고, 환경과 소통하지 않는다. 다시 말하면, 제1 표면(S1) 또는 제2 표면(S2) 상에 배치되는 구멍들(O1)은 없다. 이에 더하여, 이 구멍들(O2)은 밀폐 구멍들이다. 다공성 탄성 부재들(11 및 11a)에 있어서, 다공성 탄성 부재(11b)는 고-밀도 구조이다.
탄성 열-방출 구조들(1, 1a 및 1b)에 있어서, 다공성 탄성 부재들(11, 11a 및 11b)은 제1 열전도 부재들(12) 및 제2 열전도 부재들(13)(예. 그래핀 마이크로칩들)과 모두 혼합되어, 탄성 열-방출 구조들(1, 1a 및 1b)은 모두 좋은 열전도성을 가진다. 이에 더하여, 중간-밀도 및 고-밀도 다공성 탄성 부재들(11a 및 11b)은 제1 표면(S1) 또는 제2 표면(S2) 상에 배치되는 구멍들(O1)을 가지지 않기 때문에, 방수 기능이 저-밀도 다공성 탄성 부재(11)보다 더 낫다. 반면에, 저-밀도 다공성 탄성 부재(11)는 제1 표면(S1) 또는 제2 표면(S2) 상에 배치되는 복수의 구멍들(O1)을 가지고, 일부 구멍들(O2)은 이 구멍들(O1)과 소통하여, 다공성 탄성 부재(11)의 열 전달 효율은 다공성 탄성 부재(11a 또는 11b)보다 우수하다.
도 1a, 도 1b, 도 2 및 도 3의 탄성 열-방출 구조들(1, 1a 및 1b)에 있어서, 제1 열전도 부재들(12) 및 제2 열전도 부재들(13)(예. 그래핀 마이크로칩들)은 다공성 탄성 부재들(11, 11a 및 11b) 내에 균일하게 혼합된다. 실제로, 그래핀 마이크로칩들은 다공성 탄성 부재들(11, 11a 및 11b)의 발포 절차 동안 구멍 형성자로서 사용될 수 있다. 그래핀 마이크로칩들은 구멍들(O)의 구조들을 유지하기 위해 구멍들(O) 주위에 위치될 수 있고, 이로써 다공성 탄성 부재들(11, 11a 및 11b)의 탄성 및 완충력을 유지한다. 게다가, 열 안내 및 전달 동안, 구멍들(O1 또는 O2) 주위에 위치되는 그래핀 마이크로칩들(제1 열전도 부재들(12) 및 제2 열전도 부재들(13))은 열 방출 경로들(P)을 형성할 수 있다. 열원이 제1 표면(S1)에 접촉한다고 가정하면, 열은 탄성 열-방출 구조(1, 1a 또는 1b)의 일 측(열원 측, 예. 제1 표면(S1) 측)으로부터 타 측(예. 제2 표면(S2) 측))으로 전달될 수 있다.
상기의 실시예들에 있어서, 저-밀도, 중간-밀도 및 고-밀도 다공성 탄성 부재들(11, 11a 및 11b)에 관하여, 좋은 열 흡수, 열 전도 또는 열 방출 효과를 달성하기 위해, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 개시는 이하의 한정들을 더 개시한다. 제1 열전도 부재들(12) 각각은 5 ㎛보다 크고 50 ㎛보다 작거나 또는 같은 최대 폭을 가지고(5㎛<L≤50㎛), 제2 열전도 부재들(13) 각각은 0 ㎛보다 크고 5 ㎛보다 작거나 또는 같은 최대 폭을 가진다(0<L≤5㎛). 제1 열전도 부재들(12) 각각 및 제2 열전도 부재들(13) 각각의 두께(d)는 0.3 nm보다 크거나 같고 30 nm보다 작거나 같다(0.3nm<d≤30nm). 그래핀 마이크로칩들을 예로 들어 보면, 최대 폭(L)은 그래핀 마이크로칩의 길이이다. 탄소 나노튜브들을 예로 들어 보면, 최대 폭(L)은 탄소 나노튜브의 축상 길이이다. 산화알루미늄, 산화아연, 산화티타늄, 또는 질화붕소를 예로 들어 보면, 최대 폭(L)은 지름이다.
이에 더하여, 제1 열전도 부재들(12) 및 제2 열전도 부재들(13)의 총량이 100wt%일 때, 총량 중 제1 열전도 부재들(12)의 비율은 5wt%와 95wt% 사이에 있다(5wt%≤제1 열전도 부재들(12)의 비율≤95wt%, 나머지 부분은 제2 열전도 부재들(13)의 비율이다). 예를 들어, 만약 제1 열전도 부재들(12)의 비율이 90wt%라면, 제2 열전도 부재들(13)의 비율은 10wt%이다(전체 100wt%, 혼합비는 9:1). 만약 제1 열전도 부재들(12)의 비율이 80wt%라면, 제2 열전도 부재들(13)의 비율은 20wt%이다(전체 100wt%, 혼합비는 4:1). 상기에서 언급된 한정들에 기초하여, 제1 열전도 부재들(12) 및 제2 열전도 부재들(13)(그래핀 마이크로칩들)은 "최근접 쌓기(closest pack)" 방식으로 다공성 탄성 부재(11) 내에 혼합될 수 있다(도 1b 참조). "최근접 쌓기"에 있어서, 제1 열전도 부재들(12) 및 제2 열전도 부재들(13)은 최대 접촉면적을 가질 수 있고, 이로써 더 나은 열전달 효과를 달성하게 된다.
이에 더하여, 본 개시는 탄성 열-방출 구조의 밀도 및 제1 열전도 부재들과 제2 열전도 부재들의 비율들에 있어서 한정들을 더 가질 수 있다. 예를 들어, 탄성 열-방출 구조(1, 1a 또는 1b)의 밀도가 0.1 g/cm3보다 크거나 같고 1.0 g/cm3보다 작거나 같을 때(0.1 g/cm3≤밀도≤1.0 g/cm3), 제1 열전도 부재들(12) 및 제2 열전도 부재들(13)의 함량은 0.01wt%보다 크거나 같고 20wt%보다 작거나 같다(0.01%≤함량들≤20%). 탄성 열-방출 구조(1, 1a 또는 1b)의 밀도가 1 g/cm3보다 크고 2 g/cm3보다 작거나 같을 때(1.0 g/cm3<밀도≤2.0 g/cm3), 제1 열전도 부재들(12) 및 제2 열전도 부재들(13)의 함량은 20wt%보다 크고 40wt%보다 작거나 같다(20wt%<함량들≤40wt%). 탄성 열-방출 구조(1, 1a 또는 1b)의 밀도가 2 g/cm3보다 크고 4 g/cm3보다 작거나 같을 때(2.0 g/cm3<밀도≤4.0 g/cm3), 제1 열전도 부재들(12) 및 제2 열전도 부재들(13)의 함량은 40wt%보다 크고 50wt%보다 작거나 같다(40wt%<함량들≤50wt%). 탄성 열-방출 구조(1, 1a 또는 1b)의 밀도가 4 g/cm3보다 크고 10 g/cm3보다 작거나 같을 때(4.0 g/cm3<밀도≤10.0 g/cm3), 제1 열전도 부재들(12) 및 제2 열전도 부재들(13)의 함량은 50wt%보다 크고 60wt%보다 작거나 같다(50wt%<함량들≤60wt%).
상기에서 언급된 한정들에 따르면, 탄성 열-방출 구조(1, 1a 또는 1b)는 좋은 열 흡수, 열 전도 또는 열방출 효과를 가질 수 있고, 또한 장치가 작동할 때 진동을 흡수할 수 있다. 이에 더하여, 제1 열전도 부재들(12) 및 제2 열전도 부재들(13)이 그래핀 마이크로칩들로 만들어질 때, 탄성 열-방출 구조(1, 1a 또는 1b)는 그래핀 물질의 전자기파 흡수력 때문에 전자기파 차폐 기능을 더 가질 수 있다. 게다가, 본 개시는 장치의 열-방출 조건에 따라 고-밀도, 중간-밀도 또는 저-밀도 구조를 제공하기 위해 적용될 수 있다.
탄성 열-방출 구조의 제조 절차가 이하에서 설명될 것이다. 일부 실시예들에 있어서, 완전 가수분해된 PVA(폴리비닐 알코올, 예. 1700DP)는 반응기로서 선택되고 또한 상기에서 언급된 한정들(길이 및 두께)을 갖는 그래핀 마이크로칩들은 구멍 형성자로서 사용된다. 따라서, 서로 다른 밀도들을 갖는 탄성 열-방출 구조들은 반응기의 양 및 제조 조건들을 제어하는 것에 의해 제조될 수 있다. 이 실시예에 있어서, PVA는 반응액의 대략 6~7wt%이고, 이때 포름알데히드 및 황산이 대략 60℃에서 아세탈 반응을 수행하기 위해 추가된다. 따라서, 그래핀 열전도 물질들을 포함하는 다공성 열-방출 구조가 획득될 수 있다.
일 예에 있어서, 다공성 열-방출 구조를 제조하기 위해 6wt% 폴리비닐 알코올 및 5g 그래핀이 선택된다. 단계 1: 열풍 순환 오븐을 켜고, 60℃에서 온도를 제어하고, 몰드를 예열한다. 단계 2: 27g 폴리비닐 알코올 분말 및 5g 그래핀을 500mL 비이커에 넣는다. 단계 3: 190ml 탈이온수(정제수)을 단계 2의 비이커에 추가한다. 단계 4: 끓고 녹을 때까지 단계 3의 비이커 내의 반응 혼합물을 가열하고 젓는다. 단계 5: 20mL 탈이온수를 50mL 비이커에 추가한다. 단계 6: 27mL 포름알데히드 용액을 50mL 비이커에 추가한다. 단계 7: 단계 4의 비이커 내의 폴리비닐 알코올이 완전히 녹은 후, 계속 젓고, 실내 온도에서 85℃까지 용액을 식힌다. 단계 8: 단계 7 이후, 단계 5의 용액을 단계 7의 비이커에 추가하고, 혼합물을 완전히 섞고, 계속해서 젓고, 실내 온도에서 75℃까지 식힌다. 단계 9: 단계 6의 포름알데히드 용액을 단계 8의 비이커에 추가하고, 완전히 섞고, 용액이 280mL가 될 때까지 탈이온수를 추가한다. 단계 10: 계속해서 젓고, 실내 온도에서 60℃까지 용액을 식힌다. 단계 11: 15mL 황산 용액(50wt%) 및 5mL 탈이온수를 비이커에 추가한다. 단계 12: 단계 10 이후, 단계 11의 황산 용액을 단계 10의 비이커에 추가하고, 용액을 젓고 혼합한다. 단계 13: 단계 12 이후, 반응 용액을 예열된 몰드 내에 넣고, 이 몰드를 8 시간 동안 60℃ 열풍 순환 오븐에 넣어둔다. 단계 14: 단계 13 이후, 샘플이 실내 온도까지 냉각될 때까지 실내 온도에 샘플을 놔두고, 샘플의 pH 값이 6.0과 7.0 사이에 있을 때까지 탈이온수로 반복해서 샘플을 세정한다. 단계 15: 단계 14 이후, 다공성 폴리비닐 아세탈의 탄성 열-방출 구조를 획득하기 위해 샘플은 습식 조건 하에서 지퍼백 안에 밀봉된다.
다른 실시예들에 있어서, 다공성 탄성 부재는 아크릴 수지 물질들로 만들어질 수 있고, 제1 열전도 부재들 및 제2 열전도 부재들 또한 그래핀 마이크로칩들로 만들어진다. 도 5를 참조하면, 탄성 열-방출 구조의 제조 방법은, 탱크(31) 내에서 적절한 비율로 그래핀 마이크로칩들과 아크릴 수지 슬러리를 혼합하고 젓는 단계; 마이크로 버블들을 생성하기 위해 마이크로-버블 생성기(32)(펌프(321) 및 탱크(322)를 포함하는)를 작동시키고 또한 마이크로 버블들을 파이프(33) 및 노즐을 통해 탱크(31) 내의 슬러리로 보내는 단계, 이로써 탱크(31) 내의 슬러리는 많은 마이크로 버블들을 포함하게 되고; 탱크(31)를 기판 상에 슬러리(많은 마이크로 버블들을 포함하는)를 공급하기 위한 공급 장치에 연결하는 단계; 및 기판 상에 그래핀 물질을 포함하는 탄성 열-방출 구조를 형성하기 위해 건조 및 경화 프로세스들을 수행하는 단계를 포함한다.
일부 실시예들에 있어서, 탄성 열-방출 구조는 다양한 전자 장치들의 열 전도, 열 방출, 공간, 및/또는 진동 흡수에 대한 조건들에 기초하여 서로 다른 크기들(서로 다른 길이들, 폭들 및/또는 높이)로 제조될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 탄성 열-방출 구조는 매우 얇고 가벼울 수 있다. 이에 더하여, 본 개시의 탄성 열-방출 구조는 좋은 탄성을 가지고 압축가능하기 때문에, 전자 장치의 전체 두께에 맞도록 열원 상에서 탄성 열-방출 구조를 압박하기 위해 적절한 힘을 적용하는 것이 가능하다. 따라서, 탄성 열-방출 구조는 좋은 열 흡수, 열 전도 및 열 방출 효과들을 제공할 수 있고, 이로써 원하는 진동 흡수 및 열 방출 기능들을 달성하게 되고 또한 얇고 크고 고성능의 전자 장치에 대한 요구를 만족시키게 된다. 일부 실시예들에 있어서, 탄성 열-방출 구조는 플렉시블 구조여서, 열원의 프로파일에 맞도록 굽혀지거나 또는 구부러질 수 있다. 이 특성은 열원으로부터 열을 적절히 안내할 뿐만 아니라 작동 중 생성된 진동 또는 잡음을 흡수할 수 있게 한다.
일부 실시예들에 있어서, 탄성 열-방출 구조의 제1 표면(S1) 및 제2 표면(S2)은 접착제(예. 양면 접착제)를 통해 열원에 부착될 수 있어, 탄성 열-방출 구조는 열원과 케이싱, 뒷판 또는 뒷 커버 사이에 배치될 수 있다. 이 구성은 진동 흡수 효과를 제공할 수 있고, 열원에 의해 생성되는 열은 접착제 및 탄성 열-방출 구조를 통해 반대 면으로 빠르게 전달될 수 있고, 그후 케이싱, 뒷판 또는 뒷 커버를 통해 환경으로 방출될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 탄성 열-방출 구조는 열원에 직접 부착될 수 있고, 본 개시는 이에 한정되지 않는다. 이에 더하여, 이 실시예의 탄성 열-방출 구조는 예를 들어 이에 한정되지는 않지만, 모바일 폰, 노트북 컴퓨터, 태블릿 컴퓨터, 텔레비젼, 디스플레이 장치, 백라이트 모듈, 또는 조명 모듈, 또는 다른 분야의 전자 장치와 같은, 전자 장치의 열 방출 및 진동 흡수에 적용될 수 있다.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른 전자 장치를 보여주는 대략도이다. 전자 장치(2)는, 예를 들어 이에 한정되지는 않지만, 평판 디스플레이 장치 또는 평면 광원일 수 있다. 이 실시예에 있어서, 전자 장치(2)는 열원(21) 및 탄성 열-방출 구조(22)를 포함한다. 열원(21)은 2 개의 대향하는 표면들(211 및 212)을 가지고, 탄성 열-방출 구조(22)는 열원(21)의 표면(211) 상에 배치된다. 여기서, 탄성 열-방출 구조(22)는 상기에서 언급된 탄성 열-방출 구조들(1, 1a 및 1b, 또는 이들의 변형들) 중 어느 것이라도 될 수 있다. 그 기술적인 내용들은 상기의 실시예들을 참조할 수 있어, 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
일부 실시예들에 있어서, 전자 장치(2)는 예를 들어 이에 한정되지는 않지만, LED 디스플레이 장치, OLED 디스플레이 장치, 또는 LCD 장치와 같은 평판 디스플레이 장치이다. 열원(21)은 디스플레이 패널인데, 이것은 디스플레이 표면(즉, 표면(212)) 및 뒷 표면(즉, 제1 표면(211))을 가진다. 탄성 열-방출 구조(22)는 직접 또는 간접적으로(예. 접착제를 통해) 열원(21)의 표면(211)에 부착될 수 있어, 탄성 열-방출 구조(22)는 열원(21)에 의해 생성되는 열 및 진동을 흡수할 수 있다. 일부 경우들에 있어서, 디스플레이 패널의 압박 또는 접촉 작동은 진동을 생성할 수 있다. 일부 다른 실시예들에 있어서, 전자 장치(2)는, 예를 들어 이에 한정되지 않지만, 백라이트 모듈, LED 조명 모듈, 또는 OLED 조명 모듈과 같은 평판 광원이다. 열원(21)은 조명 요소이고, 이것은 광 출력 표면(즉, 표면(212)) 및 뒷 표면(즉, 제1 표면(211))을 가진다. 탄성 열-방출 구조(22)는 열원(21)의 표면(211)에 직접 또는 간접적으로(예. 접착제를 통해) 부착될 수 있다.
일 실시예의 전자 장치의 열 방출 테스트는 이하에서 설명될 것이다. 열원(21)은, 예를 들어 OLED 패널이고, 표면(211)(뒷 표면)의 온도는, 예를 들어 54.8℃이다. 표면(211) 상에 일반적인 폼(foam)을 부착할 때, 표면(211)으로부터 먼 폼의 표면의 온도(하부 표면의 온도)는 39.7℃이고, 이것은 일반적인 폼은 나쁜 열 전도성을 가짐을 의미한다. 하지만, 상기에서 언급된 탄성 열-방출 구조(22)의 제1 표면(S1)을 열원(21)의 표면(211)에 부착할 때, 탄성 열-방출 구조(22)의 제2 표면(S2)은 45.2℃까지 도달할 수 있다. 이 실험은 탄성 열-방출 구조(22)가 일반적인 폼보다 더 나은 열 전도 효과(5.5℃ 이상)를 가짐을 지시하여, 탄성 열-방출 구조(22)가 열원(21)에 의해 생성되는 열을 환경으로 더 효율적으로 방출할 수 있다.
일부 응용들에 있어서, 탄성 열-방출 구조(22)는 좋은 탄성 및 완충력을 가진다. 탄성 열-방출 구조(22)가 조건(예. 전자 장치의 두께에 맞도록 하기 위한 조건)에 따라 열원(21) 상에 압박될 때, 제1 탄성 열-방출 구조(22)의 열전도 부재들 및 제2 열전도 부재들은 더 큰 접촉면적을 제공하기 위해 그리고 열원(21)에 더 근접하도록 압박된다. 따라서, 열은 제1 표면(S1)으로부터 제2 표면(S2)으로 더 빠르게 전달되고 그후 환경으로 방출될 수 있다.
도 7a 내지 도 7f는 디스플레이 장치의 열 방출 및 댐핑을 위해 본 개시의 탄성 열-방출 구조의 적용들을 보여주는 대략도이다.
일부 응용들에 있어서, 도 7a에 도시된 바와 같이, 접착 층(4)(예. 양면 접착제), 열-방출 필름(5), 다른 접착 층(6)(예. 양면 접착제), 및 탄성 열-방출 구조(7)(상기에서 언급된 실시예들 또는 이들의 조합들 중 하나)가 순서대로 디스플레이 장치(3)의 뒷 표면 상에 쌓여 있다. 여기서, 디스플레이 장치(3)는 열원이고, 디스플레이 장치(3)의 뒷 표면은 디스플레이 장치(3)의 디스플레이 표면에 반대이다.
이에 더하여, 도 7b에 도시된 바와 같이, 탄성 열-방출 구조(7), 접착 층(4), 열-방출 필름(5), 및 다른 접착 층(6)이 순서대로 디스플레이 장치(3)의 뒷 표면 상에 쌓여 있다. 여기서, 디스플레이 장치(3)의 뒷 표면은 디스플레이 장치(3)의 디스플레이 표면에 반대이다.
이에 더하여, 도 7c에 도시된 바와 같이, 접착 층(4), 열-방출 필름(5), 다른 접착 층(6), 탄성 열-방출 구조(7), 및 다른 접착 층(8)이 순서대로 디스플레이 장치(3)의 뒷 표면 상에 쌓여 있다. 여기서, 디스플레이 장치(3)의 뒷 표면은 플레이 장치(3)의 디스플레이 표면에 반대이다.
이에 더하여, 도 7d에 도시된 바와 같이, 접착 층(4)(예. 양면 접착제), 열-방출 필름(5), 및 탄성 열-방출 구조(7)가 순서대로 디스플레이 장치(3)의 뒷 표면 상에 쌓여 있다. 여기서, 디스플레이 장치(3)의 뒷 표면은 디스플레이 장치(3)의 디스플레이 표면에 반대이다.
이에 더하여, 도 7e에 도시된 바와 같이, 접착 층(4)(예. 양면 접착제), 탄성 열-방출 구조(7), 및 열-방출 필름(5)이 순서대로 디스플레이 장치(3)의 뒷 표면 상에 쌓여 있다. 여기서, 디스플레이 장치(3)의 뒷 표면은 디스플레이 장치(3)의 디스플레이 표면에 반대이다.
이에 더하여, 도 7f에 도시된 바와 같이, 접착 층(4), 열-방출 필름(5), 탄성 열-방출 구조(7), 및 다른 접착 층(6)이 순서대로 디스플레이 장치(3)의 뒷 표면 상에 쌓여 있다. 여기서, 디스플레이 장치(3)의 뒷 표면은 디스플레이 장치(3)의 디스플레이 표면에 반대이다.
유의할 것은, 상기에서 언급된 측면들의 디스플레이 장치(3)(열원), 탄성 열-방출 구조(7), 열-방출 필름(5) 및 접착 층들(4, 6 및 8)을 포함하는 쌓여 있는 구조의 상대적 위치들은 단지 설명을 위한 것이다. 다른 응용들에 있어서, 이 구성요소들의 쌓기 배치는 열원의 열 방출 및 댐핑의 조건들에 기초하여 변경될 수 있고, 본 개시는 이에 한정되지 않는다.
요약하면, 본 발명의 탄성 열-방출 구조 및 전자 장치에 있어서, 제1 열전도 부재들 및 제2 열전도 부재들은 다공성 탄성 부재 내부에 혼합되어 배치되고; 제1 열전도 부재들 및 제2 열전도 부재들의 한계 특성은 열원에 의해 생성되는 열을 환경으로 빠르게 방출할 수 있다. 게다가, 탄성 열-방출 구조는 또한 한 점, 한 부분 영역 또는 한 평면에서 진동들을 흡수할 수 있고, 이로써 열 방출 및 댐핑 기능들을 달성한다. 이에 더하여, 본 발명의 탄성 열-방출 구조는 전자 장치에 대한 얇고 크고 고성능의 조건들을 만족시킬 수 있다.
본 개시는 특정 실시예들을 참조하여 설명되었지만, 이 설명은 한정하려는 의도로 해석되어서는 안된다. 개시된 실시예들의 다양한 변형들 뿐만 아니라 다른 실시예들은, 당업자들에게 명백할 것이다. 그러므로, 첨부된 청구항들은 본 개시의 범위 내 포함되는 모든 변형들을 커버할 것으로 예상된다.

Claims (12)

  1. 탄성 열-방출 구조에 있어서,
    다공성 탄성 부재; 및
    복수의 제1 열전도 부재들 및 복수의 제2 열전도 부재들을 포함하고, 이때 상기 제1 열전도 부재들 및 상기 제2 열전도 부재들은 상기 다공성 탄성 부재 내에 혼합되고, 상기 제1 열전도 부재들 각각은 5 ㎛보다 크고 50 ㎛보다 작거나 또는 같은 최대 폭을 가지고, 상기 제2 열전도 부재들 각각은 0 ㎛보다 크고 5 ㎛보다 작거나 또는 같은 최대 폭을 가지고, 상기 제1 열전도 부재들 각각 및 상기 제2 열전도 부재들 각각의 두께는 0.3 nm보다 크거나 같고 30 nm보다 작거나 같고;
    이때, 상기 탄성 열-방출 구조의 밀도가 0.1 g/cm3보다 크거나 같고 1.0 g/cm3보다 작거나 같을 때, 상기 제1 열전도 부재들 및 상기 제2 열전도 부재들의 함량은 0.01wt%보다 크거나 같고 20wt%보다 작거나 같고,
    상기 탄성 열-방출 구조의 밀도가 2 g/cm3보다 크고 4 g/cm3보다 작거나 같을 때, 상기 제1 열전도 부재들 및 상기 제2 열전도 부재들의 함량은 40wt%보다 크고 50wt%보다 작거나 같고, 상기 탄성 열-방출 구조의 밀도가 4 g/cm3보다 크고 10 g/cm3보다 작거나 같을 때, 상기 제1 열전도 부재들 및 상기 제2 열전도 부재들의 함량은 50wt%보다 크고 60wt%보다 작거나 같은, 탄성 열-방출 구조.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 열전도 부재들 및 상기 제2 열전도 부재들의 총량이 100wt%일 때, 상기 총량 중 상기 제1 열전도 부재들의 비율은 5wt%와 95wt% 사이에 있는, 탄성 열-방출 구조.
  3. 제 1 항에 있어서,
    제1 표면 및 상기 제1 표면에 대향하는 제2 표면을 더 포함하고;
    이때 상기 다공성 탄성 부재는 복수의 구멍들을 포함하고, 상기 구멍들의 일부는 상기 제1 표면 또는 상기 제2 표면 상에 배치되는 상기 구멍들을 통해 환경과 소통하는, 탄성 열-방출 구조.
  4. 제 1 항에 있어서,
    제1 표면 및 상기 제1 표면에 대향하는 제2 표면을 더 포함하고;
    이때 상기 다공성 탄성 부재는 복수의 구멍들을 포함하고, 상기 구멍들은 상기 제1 표면과 상기 제2 표면 사이에 배치되고 또한 환경과 소통하지 않고, 상기 구멍들의 일부는 서로 소통하는, 탄성 열-방출 구조.
  5. 제 1 항에 있어서,
    제1 표면 및 상기 제1 표면에 대향하는 제2 표면을 더 포함하고;
    이때 상기 다공성 탄성 부재는 복수의 구멍들을 포함하고, 상기 구멍들은 상기 제1 표면과 상기 제2 표면 사이에 배치되고 또한 환경과 소통하지 않고, 상기 구멍들은 서로로부터 격리되어 있는, 탄성 열-방출 구조.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 열전도 부재들과 상기 제2 열전도 부재들은 상기 상기 다공성 탄성 부재 내에 최근접 쌓기 방식으로 혼합되는 탄성 열-방출 구조.
  7. 전자 장치에 있어서,
    열원; 및
    상기 열원의 표면 상에 배치되는 탄성 열-방출 구조를 포함하고,
    상기 탄성 열-방출 구조는
    다공성 탄성 부재; 및
    복수의 제1 열전도 부재들 및 복수의 제2 열전도 부재들을 포함하고, 이때 상기 제1 열전도 부재들 및 제2 열전도 부재들은 상기 다공성 탄성 부재 내에 혼합되고, 상기 제1 열전도 부재들 각각은 5 ㎛보다 크고 50 ㎛보다 작거나 또는 같은 최대 폭을 가지고, 상기 제2 열전도 부재들 각각은 0 ㎛보다 크고 5 ㎛보다 작거나 또는 같은 최대 폭을 가지고, 상기 제1 열전도 부재들 각각 및 상기 제2 열전도 부재들 각각의 두께는 0.3 nm보다 크거나 같고 30 nm보다 작거나 같고;
    이때, 상기 탄성 열-방출 구조의 밀도가 0.1 g/cm3보다 크거나 같고 1.0 g/cm3보다 작거나 같을 때, 상기 제1 열전도 부재들 및 상기 제2 열전도 부재들의 함량은 0.01wt%보다 크거나 같고 20wt%보다 작거나 같고, 상기 탄성 열-방출 구조의 밀도가 2 g/cm3보다 크고 4 g/cm3보다 작거나 같을 때, 상기 제1 열전도 부재들 및 상기 제2 열전도 부재들의 함량은 40wt%보다 크고 50wt%보다 작거나 같고, 상기 탄성 열-방출 구조의 밀도가 4 g/cm3보다 크고 10 g/cm3보다 작거나 같을 때, 상기 제1 열전도 부재들 및 상기 제2 열전도 부재들의 함량은 50wt%보다 크고 60wt%보다 작거나 같은, 전자 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 열 방출 경로들은 상기 제1 열전도 부재들 및 상기 제2 열전도 부재들에 의해 형성되고, 상기 열원으로부터 생성되는 열은 상기 탄성 열-방출 구조의 일 측으로부터 타 측으로 전달되는, 전자 장치.
  9. 제 7 항에 있어서, 이때 상기 탄성 열-방출 구조는 제1 표면 및 상기 제1 표면에 대향하는 제2 표면을 더 포함하고, 상기 다공성 탄성 부재는 복수의 구멍들을 포함하고, 상기 구멍들의 일부는 상기 제1 표면 또는 상기 제2 표면 상에 배치되는 상기 구멍들을 통해 환경과 소통하는, 전자 장치.
  10. 제 7 항에 있어서, 이때 상기 탄성 열-방출 구조는 제1 표면 및 상기 제1 표면에 대향하는 제2 표면을 더 포함하고, 상기 다공성 탄성 부재는 복수의 구멍들을 포함하고, 상기 구멍들은 상기 제1 표면과 상기 제2 표면 사이에 배치되고 또한 환경과 소통하지 않고, 상기 구멍들의 일부는 서로 소통하는, 전자 장치.
  11. 제 7 항에 있어서, 이때 상기 탄성 열-방출 구조는 제1 표면 및 상기 제1 표면에 대향하는 제2 표면을 더 포함하고, 상기 다공성 탄성 부재는 복수의 구멍들을 포함하고, 상기 구멍들은 상기 제1 표면과 상기 제2 표면 사이에 배치되고 또한 환경과 소통하지 않고, 상기 구멍들은 서로로부터 격리되어 있는, 전자 장치.
  12. 제 7 항에 있어서, 상기 제1 열전도 부재들과 상기 제2 열전도 부재들은 상기 다공성 탄성 부재 내에 최근접 쌓기 방식 혼합되는 전자 장치.
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