KR102410979B1

KR102410979B1 - 멀티 빔 묘화 방법 및 멀티 빔 묘화 장치

Info

Publication number: KR102410979B1
Application number: KR1020200091600A
Authority: KR
Inventors: 히로시 마츠모토; 야스오 카토
Original assignee: 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
Priority date: 2019-07-25
Filing date: 2020-07-23
Publication date: 2022-06-20
Also published as: US20210027987A1; KR20210012951A; JP7484523B2; TW202111757A; CN112286004B; US11869746B2; JP2021022731A; TWI767279B; CN112286004A

Abstract

실시 형태는, 멀티 빔 묘화 방법 및 멀티 빔 묘화 장치에 관한 것이다. 실시 형태의 멀티 빔 묘화 방법은, 소정 방향으로 진행하는 스테이지에 재치된 기판 상에 정의한 화소마다 멀티 빔의 각 빔을 조사하여 패턴을 형성하는 것이다. 이 멀티 빔 묘화 방법은, 적어도 상기 소정 방향으로 상기 멀티 빔의 어레이를 분할한 복수의 서브 어레이마다의 각 빔의 위치 이탈량으로부터 서브 어레이마다의 패턴의 위치 보정량을 취득하고, 위치 보정량에 기초하여 상기 서브 어레이마다에 묘화되는 패턴의 위치를 시프트하기 위한, 각 화소에 조사되는 각 빔의 조사량을 산출하고, 산출된 상기 조사량으로 제어하여, 둘 이상의 상기 서브 어레이의 각각 적어도 일부를 이용하여 다중 묘화를 행한다.

Description

멀티 빔 묘화 방법 및 멀티 빔 묘화 장치 {MULTI-BEAM WRITING METHOD AND MULTI-BEAM WRITING APPARATUS}

본 발명은, 멀티 빔 묘화 방법 및 멀티 빔 묘화 장치에 관한 것이다.

LSI의 고집적화에 수반하여, 반도체 디바이스에 요구되는 회로 선 폭은 해마다 미세화되어 있다. 반도체 디바이스에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해서는, 축소 투영형 노광 장치를 이용하여, 글라스 기판 상의 차광막 등에 형성된 고정밀도의 원화 패턴(마스크, 혹은 특히 스테퍼 또는 스캐너로 이용되는 것은 레티클이라고도 함)을 웨이퍼 상에 축소 전사하는 수법이 채용되어 있다. 고정밀도의 원화 패턴의 작성에는, 전자 빔 묘화 장치에 의하여 레지스트 패턴을 형성하는, 소위, 전자 빔 리소그래피 기술이 이용되어 있다.

멀티 빔을 사용한 묘화 장치는, 1 개의 전자 빔으로 묘화하는 경우에 비하여, 한 번에 많은 빔을 조사할 수 있으므로, 스루풋을 대폭 향상시킬 수 있다. 멀티 빔 묘화 장치의 한 형태인 블랭킹 애퍼처 어레이를 사용한 멀티 빔 묘화 장치에서는, 예를 들면, 1 개의 전자 총으로부터 방출된 전자 빔을 복수의 개구를 가진 성형 애퍼처 어레이를 통하여 멀티 빔(복수의 전자 빔)을 형성한다. 멀티 빔은, 블랭킹 애퍼처 어레이의 각각에 대응하는 블랭커 내를 통과한다. 블랭킹 애퍼처 어레이는, 빔을 개별적으로 편향하기 위한 전극 쌍을 가지며, 전극 쌍의 사이에 빔 통과용의 개구가 형성되어 있다. 전극 쌍(블랭커)을 동 전위로 제어하거나, 또는 상이한 전위로 제어함으로써, 통과하는 전자 빔의 블랭킹 편향을 행한다. 블랭커에 의하여 편향된 전자 빔은 차폐되고, 편향되지 않은 전자 빔은 기판 상에 조사된다. 기판 상에는 일정한 피치로 화소가 정의되어 있고, 이 화소를 멀티 빔으로 노광함으로써 패턴을 묘화한다.

멀티 빔 묘화에서는, 전자 광학계의 렌즈의 왜곡 등에 의하여 조사 위치가 이탈하는 빔이 생길 수 있으나, 다수의 멀티 빔에 개별의 편향 기구를 설치하여 위치 이탈을 개별적으로 보정하는 것은 기술적으로 곤란하다. 그 때문에, 빔마다 조사량을 변조하여, 위치 이탈한 빔으로 조사한 경우에도 레지스트에 주는 도스 분포에 빔 위치 이탈의 영향이 나타나지 않게 하는 것이 가능하다. 이 방법을 인접 화소 간에서의 조사량 변조라고 부른다. 이 기술은, 예를 들면, 일본 특허 공개 공보 제2016-119423호에 개시되어 있다.

그러나, 이러한 인접 화소 간에서의 조사량 변조를 이용하면, 화소의 조사량의 최대값이 증가하여 멀티 빔의 조사 동작의 사이클이 길어지게 되어, 묘화 스루풋을 열화시킨다고 하는 문제가 있었다.

본 발명은, 상기 종래의 실상에 비추어보아 이루어진 것이며, 묘화 스루풋의 열화를 방지하면서, 묘화 정밀도를 향상시키는 멀티 빔 묘화 방법 및 멀티 빔 묘화 장치를 제공한다.

본 발명의 일 태양에 의한 멀티 빔 묘화 방법은, 소정 방향으로 진행하는 스테이지에 재치된 기판 상에 정의한 화소마다 멀티 빔의 각 빔을 조사하여 패턴을 형성하는 것이다. 이 멀티 빔 묘화 방법은, 적어도 소정 방향으로 멀티 빔의 어레이를 분할한 복수의 서브 어레이마다의 각 빔의 위치 이탈량으로부터 서브 어레이마다의 패턴의 위치 보정량을 취득하고, 위치 보정량에 기초하여 상기 서브 어레이마다 묘화되는 패턴의 위치를 시프트하기 위한, 각 화소에 조사되는 각 빔의 조사량을 산출하고, 산출된 상기 조사량으로, 둘 이상의 상기 서브 어레이의 각각 적어도 일부를 이용하여 다중 묘화를 행한다.

도 1은, 본 발명의 실시 형태에 의한 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치의 개략도이다.
도 2는, 성형 애퍼처 부재의 평면도이다.
도 3(a) 및 도 3(b)은, 묘화 동작의 일예를 설명하는 도면이다.
도 4는, 묘화 동작의 일예를 설명하는 도면이다.
도 5는, 묘화 동작의 일예를 설명하는 도면이다.
도 6은, 묘화 동작의 일예를 설명하는 도면이다.
도 7은, 빔 어레이 내의 각 빔의 빔 위치의 예를 도시한 도면이다.
도 8은, 빔 어레이 내의 빔 위치 이탈량을 도시한 그래프이다.
도 9는, 분할 영역 내의 빔 위치 이탈량을 도시한 그래프이다.
도 10은, 패턴 시프트의 예를 도시한 도면이다.
도 11은, 동일한 실시 형태에 따른 묘화 방법을 설명하는 도면이다.
도 12는, 다른 실시 형태에 의한 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치의 개략도이다.
도 13은, 다른 실시 형태에 따른 묘화 방법을 설명하는 도면이다.

이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 설명한다. 실시 형태에서는, 빔의 일예로서, 전자 빔을 이용한 구성에 대하여 설명한다. 단, 빔은 전자 빔에 한정되는 것이 아니라, 이온 빔 등의 하전 입자 빔 또는 레이저 광을 이용한 빔이여도 된다.

도 1은, 실시 형태에 따른 묘화 장치의 개략 구성도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 묘화 장치(100)는, 묘화부(150)와 제어부(160)를 구비하고 있다. 묘화 장치(100)는, 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치의 일예이다. 묘화부(150)는, 전자 경통(102)과 묘화실(103)을 구비하고 있다. 전자 경통(102) 내에는, 전자 총(201), 조명 렌즈(202), 성형 애퍼처 부재(203), 블랭킹 플레이트(204), 축소 렌즈(205), 제한 애퍼처 부재(206), 대물 렌즈(207), 편향기(208), 및 검출기(211)가 배치되어 있다.

묘화실(103) 내에는, XY 스테이지(105)가 배치된다. XY 스테이지(105) 상에는, 묘화 대상의 기판(101)이 배치된다. 기판(101)의 상면에는 하전 입자 빔으로 조사되는 레지스트가 도포되어 있고, 기판(101)은, 예를 들면, 마스크로서 가공되는 기판(마스크 블랭크스) 또는 반도체 장치로서 가공되는 반도체 기판(실리콘 웨이퍼)이다. 또한, 기판(101)은, 레지스트가 도포된, 아직 아무것도 묘화되어 있지 않은 마스크 블랭크스여도 된다.

XY 스테이지(105) 상에는, 마크(106) 및 스테이지의 위치 측정용의 미러(210)가 배치된다.

제어부(160)는, 제어 계산기(110), 편향 제어 회로(130), 검출 회로(132), 스테이지 위치 검출기(139), 및 기억부(140, 142, 144)를 가지고 있다. 기억부(140)에는, 묘화 데이터가 외부로부터 입력되어 저장되어 있다.

제어 계산기(110)는, 빔 위치 측정부(111), 분할부(112), 위치 이탈량 평균값 산출부(113), 위치 보정부(114), 조사량 산출부(115), 데이터 처리부(116), 및 묘화 제어부(117)를 가진다. 제어 계산기(110)의 각 부는, 전기 회로 등의 하드웨어로 구성되어도 되고, 이들 기능을 실행하는 프로그램 등의 소프트웨어로 구성되어도 된다. 혹은, 하드웨어와 소프트웨어의 조합에 의하여 구성되어도 된다.

스테이지 위치 검출기(139)는, 레이저를 조사하고, 미러(210)로부터의 반사광을 수광하여, 레이저 간섭법의 원리로 XY 스테이지(105)의 위치를 검출한다.

도 2는, 성형 애퍼처 부재(203)의 구성을 도시한 개념도이다. 도 2에 도시한 바와 같이, 성형 애퍼처 부재(203)에는, 세로(y 방향) m 행Х가로(x 방향) n 열(m, n≥2)의 개구(22)가 소정의 배열 피치로 형성되어 있다. 각 개구(22)는, 예를 들면, 모두 같은 치수 형상의 직사각형으로 형성된다. 각 개구(22)는, 대략 같은 지름의 원형이여도 상관없다.

전자 총(201)(방출부)으로부터 방출된 전자 빔(200)은, 조명 렌즈(202)에 의하여 예를 들면, 거의 수직으로 성형 애퍼처 부재(203) 전체를 조명한다. 전자 빔(200)은, 모든 개구(22)가 포함되는 영역을 조명한다. 전자 빔(200)의 일부가, 성형 애퍼처 부재(203)의 복수의 개구(22)를 통과하고, 나머지 빔이 성형 애퍼처 부재에서 멈춰진다. 전자 빔(200)이, 성형 애퍼처 부재(203)의 복수의 개구(22)를 통과함으로써, 예를 들면 직사각형 형상의 복수의 전자 빔(멀티 빔)(20a 내지 20e)이 형성된다.

조사량 제어부인 블랭킹 플레이트(204)에는, 성형 애퍼처 부재(203)의 각 개구(22)의 배치 위치에 맞추어 빔의 통과 홀이 형성되어 있다. 각 통과 홀에는, 쌍이 되는 2 개의 전극의 조(블랭커)가 각각 배치된다. 각 통과 홀을 통과하는 전자 빔은, 블랭커에 인가되는 전압에 의하여 빔 온 또는 빔 오프 상태로 빔마다 독립적으로 제어된다. 빔 온인 경우, 블랭커의 대향하는 전극은 동 전위로 제어되고, 블랭커는 빔을 편향하지 않는다. 빔 오프인 경우, 블랭커의 대향하는 전극은 서로 상이한 전위로 제어되고, 블랭커는 빔을 편향한다. 이와 같이, 복수의 블랭커가, 성형 애퍼처 부재(203)의 복수의 개구(22)를 통과한 멀티 빔 중, 각각에 대응하는 빔의 블랭킹 편향을 행함으로써 빔 오프 상태로 제어한다.

블랭킹 플레이트(204)를 통과한 멀티 빔(20a 내지 20e)은, 축소 렌즈(205)에 의하여 축소된다.

여기서, 빔 오프 상태로 제어되는 빔은 블랭킹 플레이트(204)의 블랭커에 의하여 편향되고, 제한 애퍼처 부재(206)의 개구의 밖을 지나는 궤도를 지나므로, 제한 애퍼처 부재(206)에 의하여 차폐된다. 한편, 빔 온 상태로 제어되는 빔은, 블랭커에 의하여 편향되지 않으므로, 제한 애퍼처 부재(206)의 개구를 통과한다. 이 때, 이상적으로는 동일한 점을 통과한다. 이 점이 제한 애퍼처 부재(206)의 중심의 개구 내에 위치하도록 도시하지 않은 얼라이먼트 코일로 빔의 궤도를 조정해 둔다. 이와 같이 블랭킹 플레이트(204)의 블랭킹 제어에 의하여, 빔의 온/오프가 제어된다. 즉, 블랭킹 플레이트(204)에 의하여 조사 시간이 제어됨으로써 조사량이 제어된다.

제한 애퍼처 부재(206)는, 복수의 블랭커에 의하여 빔 off의 상태가 되도록 편향된 각 빔을 차폐한다. 그리고, 빔 on이 되고 나서 빔 off가 될 때까지 형성된, 제한 애퍼처 부재(206)를 통과한 빔에 의하여 1 회분의 샷의 멀티 빔이 형성된다.

제한 애퍼처 부재(206)를 통과한 멀티 빔은, 대물 렌즈(207)에 의하여 초점이 맞추어져, 원하는 축소율로 기판(101)에 투영된다. 편향기(208)에 의하여 멀티 빔 전체가 동일한 방향으로 한꺼번에 편향되어, 기판(101) 상의 원하는 위치에 조사된다.

XY 스테이지(105)가 연속 이동하고 있는 경우, 빔의 기판(101) 상의 조사 위치가 XY 스테이지(105)의 이동에 추종하도록, 빔의 궤도가 편향기(208)에 의하여 제어된다. 조사되는 멀티 빔(20)은, 이상적으로는 성형 애퍼처 부재(203)의 복수의 개구의 배열 피치로 상술한 원하는 축소율을 곱한 피치로 기판(101) 상에 배열되게 된다. 예를 들면, 묘화 장치(100)는, 샷 빔을 연속하여 순서대로 조사해가는 래스터 스캔 방식으로 묘화 동작을 행하여, 원하는 패턴을 묘화할 때, 불필요한 빔은 블랭킹 제어에 의하여 빔 off로 제어된다.

도 3은, 실시 형태에서의 묘화 동작을 설명하기 위한 개념도이다. 도 3에 도시한 바와 같이, 기판(101)의 묘화 영역(30)은, 예를 들면, y 방향(제1 방향)을 향하여 소정의 폭으로 직사각형 형상의 복수의 스트라이프 영역(34)으로 분할된다. 우선, XY 스테이지(105)를 이동시켜, 제1 번째의 스트라이프 영역(34)의 좌단에 1 회의 멀티 빔의 조사로 조사 가능한 조사 영역(35)이 위치하도록 조정하여, 묘화가 개시된다.

제1 번째의 스트라이프 영역(34)을 묘화할 때에는, XY 스테이지(105)를 -x 방향으로 이동시킴으로써, 상대적으로 +x 방향으로 묘화를 진행시켜 나간다. XY 스테이지(105)는 소정의 속도로 연속 이동시킨다. 제1 번째의 스트라이프 영역(34)의 묘화 종료 후, 스테이지 위치를 -y 방향으로 이동시켜, 제2 번째의 스트라이프 영역(34)의 우단에 조사 영역(35)이 위치하도록 조정한다. 이어서, 도 3(b)에 도시한 바와 같이, XY 스테이지(105)를 +x 방향으로 이동시킴으로써, -x 방향을 향하여 묘화를 행한다.

제3 번째의 스트라이프 영역(34)에서는, +x 방향을 향하여 묘화하고, 제4 번째의 스트라이프 영역(34)에서는, -x 방향을 향하여 묘화한다. 교대로 방향을 바꾸면서 묘화함으로써 묘화 시간을 단축할 수 있다. 같은 방향을 향하여 각 스트라이프 영역(34)을 묘화해도 된다.

각 스트라이프 영역(34)에는 도시하지 않은 화소가 정의되어 있고, 멀티 빔을 이용하여 각 화소를 같은 회수 노광함으로써, 각 스트라이프 영역을 묘화한다. 각 스트라이프 영역(34)을 묘화할 때, x 방향을 향하여 XY 스테이지(105)가 연속 이동하는 것과 병행하여, 편향기(208)로 빔 위치를 제어하여 기판(101) 상의 화소를 조사한다. 이 때, 편향기(208)는, 1 회의 조사와 다음 회의 조사의 사이에 조사 화소의 전환을 행하는 편향 동작과, 조사 중에 기판(101) 상의 빔 위치가 고정되도록 스테이지 이동에 맞춘 연속적인 편향 동작을 행한다.

도 4 내지 도 6에서는, x 방향으로 4 개의 멀티 빔이 존재하고 빔 사이즈의 4 배의 간격으로 배열되어 있는 예를 나타낸다. 또한, y 방향으로 4 행 또는 상이한 행 수의 멀티 빔이 존재하고 있어도 되지만, 각 행의 멀티 빔은 빔 피치 폭의 높이의 영역을 묘화하므로, 복수 행으로 이루어지는 멀티 빔의 각 행의 묘화 동작의 예로서, 어느 한 행의 빔과, 이들이 조사해야 하는 화소가, 도 4 내지 도 6에 도시되어 있다.

도 4의 예에서는, y 방향으로 4 화소로 이루어진 1 열을 조사한 후, 빔을 +x 방향으로 이동하여 다른 열로 이동하는 공정의 반복이 도시되어 있다. 도면에서는, 빔 피치 폭의 영역에서 화소의 그룹이 구분되어 있으나, 빔이 다른 열로 이동할 때, 다른 피치 폭의 영역으로 빔이 이동하고 있다. 여기서 왼쪽으로부터 3 번째까지의 피치 폭의 영역은 일부의 화소 밖에 조사되지 않으나, 그보다 오른쪽의 피치 폭의 영역은 모든 화소가 조사된다. 즉, 조사 개시 직후는, 빔 피치 영역 3 개분은 불완전한 조사가 되므로, 실제의 묘화 영역이 이 부분으로 들어가지 않도록, 미리 묘화 영역보다 좌측의 영역으로부터 묘화 동작을 개시한다.

도 4의 예에서는, 화소는 y 방향으로 차례대로 조사되지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도 5에 도시한 바와 같이, x 방향으로 차례대로 조사하는 것도 가능하다. 그 이외의 순서로 차례대로 조사하는 것도 가능하다.

x 방향으로 배열된 빔의 일부만을 사용하여 모든 화소를 조사하는 것도 가능하다. 일예를 도 6에 도시한다. 여기에서는, 2 열을 조사한 후, 다른 빔 피치 폭의 영역을 반복하는 동작을 행함으로써, 2 개의 빔(c, d)으로 모든 화소를 조사하고 있다. 이 때, 다른 2 개의 빔(a, b)에 의한 조사를, 빔(c, d)에 의한 조사와 병행하여 행할 수 있다. 이 경우, 스테이지 진행 방향에 대하여 상류측에 있는 빔(a, b)으로 조사한 화소를 빔(c, d)으로 조사함으로써, 모든 화소가 2 회씩 조사되게 된다. 환언하면, 빔 어레이를 x 방향으로 2 분할하여 제어함으로써, 모든 화소가 2 회 조사된다. 일반적으로는, 빔 어레이를 N 분할하여 제어함으로써, 모든 화소가 N 회 또는 N 회 이상 조사된다.

묘화 처리를 행할 때, 설정된 샷 위치, 즉, 각 빔이 대응하는 화소의 위치에 각 빔이 조사되는 것이 이상적이지만, 전자 광학계의 렌즈의 왜곡 등에 의하여 각 샷의 빔 조사 위치가 설정된 샷 위치로부터 이탈되어 버린다. 도 7에, 기판(101)에 조사되는 빔 어레이 전면(全面)에서의 각 빔의 위치 이탈량의 X 좌표, Y 좌표에 대한 분포의 예를 나타낸다. 도 7에서는 멀티 빔 어레이 내의 대표점으로서 32Х32 점을 배치하고, 각 위치에서의 빔의 위치 이탈량을 나타내고 있다. 빔 어레이 중심에서는 위치 이탈량이 작지만, 빔 어레이 주변에서는 위치 이탈량이 증가하고 있다. 또한, 빔 어레이 내에서의 위치 이탈량의 범위 분포를 Y 좌표(Yindex：1 내지 32)마다 정리하면, 도 8에 도시한 바와 같은 것이 된다. x 방향의 부호가 붙은 위치 이탈량의 최대값을 xmax, 최소값을 xmin, y 방향의 부호가 붙은 위치 이탈량의 최대값을 ymax, 최소값을 ymin로 하고 있다.

도 8에 도시한 바와 같이, 빔 어레이 전면에서 보면, y 방향 중앙 부분(Yindex가 15 내지 17당)에서는, 빔 위치 이탈량의 편차(xmax와 xmin와의 차이, ymax와 ymin와의 차이)가 약간 작아지지만, 어느 한 Y 좌표에서도 빔 어레이 좌단과 우단의 위치 이탈량이 큰 부분의 값이 포함되므로, Y 좌표마다의 빔 위치 이탈량의 범위는, 빔 어레이 전체에서의 위치 이탈의 범위에 대하여 극단적으로 작다고 하는 것은 아니다.

도 7의 예에서는, 빔의 위치 이탈은 적어도 x 방향으로 계통적으로 완만하게 변화하고 있으므로, 도 9에 도시한 바와 같이, 빔 어레이(BA)를 x 방향(제2 방향)을 향하여 소정의 폭으로 복수의 영역, 예를 들면, 8 개의 영역(R1 내지 R8)으로 등분할한 경우, 각 분할 영역에서의 Y 좌표마다의 빔 위치 이탈의 분포 폭은, 어레이 전체에서의 Y 좌표마다의 빔 위치 이탈의 분포 폭보다 작아진다. 이 경향은, 빔 위치 이탈량이 큰 빔 어레이 상하에 대응하는 Y 좌표에서도 성립되어 있다.

본 실시 형태에서는, 렌즈의 왜곡에 의한 빔 위치 이탈 분포 등, 빔 어레이면 내에서 완만하게 변화하는 위치 이탈 분포가 있는 경우에, 빔 어레이의 일부의 영역에서의 빔 위치 이탈량의 범위는 빔 어레이 전체에서의 빔 위치 이탈량의 범위보다 작아지는 경향을 이용하여, 빔 어레이의 일부의 영역 내에서의 빔 위치 이탈량의 보정을, 그 영역 내에서의 평균적인 위치 이탈량으로 동일하게 치환하고, 환언하면 빔 어레이의 일부의 영역은 동일한 위치 이탈량을 가지고 있다고 근사하고, 그 평균적인 위치 이탈량을 보정량으로 하여 빔의 위치 이탈 보정을 행한다.

또한, 빔 어레이를 분할한 영역(서브 어레이)의 빔 위치 이탈량을, 그 영역의 빔이 묘화하는 묘화 데이터에 기재되는 패턴의 위치를 시프트함으로써 보정한다. 즉, 묘화 데이터 상의 패턴 위치를, 빔의 위치 이탈량과 역방향으로 같은 양의 위치 보정량으로 시프트한 후, 이러한 묘화 데이터를 이용하여, 위치 이탈된 빔으로 묘화하면, 묘화 패턴의 위치가 설계값에 가까워지도록 보정할 수 있다. 혹은, 묘화 데이터로부터 조사량을 산출하는 처리의 기준 위치를 위치 보정량으로 역방향으로 시프트해도 된다.

예를 들면, 도 10에 도시한 바와 같이, 묘화 데이터 상의 위치 (x0, y0)를 가지는 패턴(P0)은, 영역(R1)의 빔 위치 이탈량 및 위치 이탈 방향에 따라 묘화 데이터 상의 패턴 위치를 (x1, y1)로 시프트하고, 영역(R1)의 빔으로 묘화된다. 또한, 이 패턴(P0)은, 영역(R2)의 빔 위치 이탈량 및 위치 이탈 방향에 따라 묘화 데이터 상의 패턴 위치를 (x2, y2)로 시프트하고, 영역(R2)의 빔으로 묘화된다. 마찬가지로, 도시는 생략하지만, 패턴(P0)은, 영역(R3 내지 R7)의 각각의 빔 위치 이탈량 및 위치 이탈 방향에 따라 묘화 데이터 상의 패턴 위치를 시프트하고, 영역(R3 내지 R7)의 빔으로 묘화된다. 또한, 패턴(P0)은, 영역(R8)의 빔 위치 이탈량 및 위치 이탈 방향에 따라 묘화 데이터 상의 패턴 위치를 (x8, y8)로 시프트하고, 영역(R8)의 빔으로 묘화된다.

스테이지가 X 방향으로 이동하여 빔 어레이가 스테이지 상의 위치 (x0, y0)를 통과하는 동안에, 이 위치는 영역(R1 내지 R8)의 빔으로 다중 조사된다. 즉, 패턴(P0)은, 빔 어레이의 영역 분할 수와 같은 수의 다중도로 다중 묘화된다. 또한, 스테이지 속도를 늦춤으로써, 각 영역, 예를 들면, 영역(R1)의 오른쪽 반과 왼쪽 반의 빔으로 각각 1 회의 조사를 행하는 묘화도 가능하다. 이 경우, 패턴(P0)은, 빔 어레이의 영역 분할 수의 2 배의 수의 다중도로 다중 묘화된다. 일반적으로는, 패턴(P0)은, 빔 어레이의 영역 분할 수와 같거나 그 이상의 수의 다중도로 다중 묘화된다.

이어서, 본 실시 형태에 따른 묘화 방법을 도 11에 도시한 플로우차트에 따라 설명한다.

우선, 멀티 빔의 각 빔의 샷 위치의 위치 이탈량을 측정한다(스텝 S1). 예를 들면, 멀티 빔의 일부를 그룹화하고, XY 스테이지(105)에 설치된 마크(106)를 스캔하여, 마크(106)에서 반사된 전자를 검출기(211)로 검출한다. 검출 회로(132)는, 검출기(211)에서 검출된 전자량을 제어 계산기(110)로 통지한다. 빔 위치 측정부(111)는, 검출된 전자량으로부터 스캔 파형을 취득하고, XY 스테이지(105)의 위치를 기준으로, 그룹화한 빔의 위치를 산출한다. XY 스테이지(105)의 위치는, 스테이지 위치 검출기(139)에 의하여 검출되어 있다.

멀티 빔의 다른 빔을 그룹화하여, 같은 수법으로 빔의 위치를 산출한다. 이를 반복함으로써, 그룹화한 빔마다 빔 위치를 구할 수 있다. 산출된 빔 위치와, 이상(理想) 위치와의 차분이, 위치 이탈량이 된다. 취득된 위치 이탈 데이터(위치 이탈량의 맵)는 기억부(142)에 저장된다.

그룹화한 빔 그룹의 영역 내에서의 빔 위치 이탈량의 범위가, 빔 어레이 전체에서의 빔 위치 이탈량의 범위에 비하여 충분히 작아지도록, 그룹화하는 빔 영역의 크기를 선택하는 것이 필요하다. 즉, 빔 어레이 내의 위치 이탈량의 변화가 완만하다면 큼직한 빔 그룹 영역을 이용하는 것이 가능하지만, 상기 위치 이탈량의 변화가 급격하다면 충분히 작은 그룹 영역을 이용하는 것이 필요하다. 그룹화한 빔마다 위치 이탈량을 구한 후, 이 위치 이탈량을 각 그룹화한 빔의 영역의 중심에서의 위치 이탈량이라고 정의하여 빔 어레이 내의 위치 이탈량의 분포를 표현하고, 이를 보간하여, 각 빔 위치에서의 위치 이탈량을 산출한다.

분할부(112)가, 빔 어레이를 x 방향(묘화 진행 방향)을 향하여 균등한 폭으로 복수의 영역(서브 어레이)으로 분할한다(스텝 S2). 예를 들면, 도 9에 도시한 바와 같이, 빔 어레이를 8 개의 영역(R1 내지 R8)으로 분할한다.

위치 이탈량 평균값 산출부(113)가, 각 분할 영역에 대하여, 간격(△y)의 y 좌표마다, 각 분할 영역 내의 X 위치에 대한 위치 이탈량의 평균값(Xa, Ya)을 산출한다(스텝 S3). 간격(△y)은, Y 좌표 의존의 위치 이탈량의 변화가 묘화에 요구되는 패턴 치수 정밀도 및 위치 정밀도보다 충분히 작아지도록 선택한다. 예를 들면, 치수 정밀도 및 위치 정밀도의 요구 정밀도가 1.0nm인 경우, Y 좌표 의존의 위치 이탈량의 변화가 0.1nm이도록 간격(△y)을 설정하면 바람직하다. 예를 들면, 위치 이탈량의 Y 좌표에 대한 변화율이 Y 좌표 1um당 0.2nm인 경우, △y는 0.5um로 설정하면 된다. Xa는 x 방향의 위치 이탈량의 영역 내의 X 위치에 대한 평균값, Ya는 y 방향의 위치 이탈량의 영역 내의 Y 위치에 대한 평균값이다. 예를 들면, 영역(R1 내지 R8)의 각각에 대하여, 간격(△y)의 y 좌표마다의 위치 이탈량의 평균값(Xa, Ya)이 산출된다.

위치 보정부(114)가, y 좌표에 대한 함수(△X(y), △Y(y))를 산출한다(스텝 S4). 이 함수(△X(y), △Y(y))는, 위치 보정량을 나타내는 함수가 된다. 구체적으로는, 함수(△X(y), △Y(y))는, 평균값(Xa, Ya)의 음양을 반전한 값을 y 좌표에 대하여 보간하여 y 좌표의 함수로 한 것이다. 함수(△X(y), △Y(y))는, 빔 어레이를 분할한 영역마다 산출된다. 도 9의 예에서는, 영역(R1 내지 R8)의 각각에 대해, 함수(△X(y), △Y(y))가 산출된다. 함수 데이터는 기억부(144)에 저장된다.

위치 보정부(114)가, 기억부(140)로부터 묘화 데이터를 읽어내고, 묘화 데이터에 정의된 패턴의 위치를 함수(△X(y), △Y(y))의 값만큼 시프트한다(스텝 S5). 묘화 패턴의 Y 방향의 치수가 큰 경우, 예를 들면, 상기 △y보다 큰 경우에는, 패턴을 △y의 폭으로 분할하고 분할한 패턴마다, 분할 패턴의 좌표 x, y에 대응하는 △X(y), △Y(y)의 값으로 시프트를 행한다. 이와 같이 패턴이 y 방향에 대하여 △y보다 작게 분할되어 있으면, 패턴의 내부에서의 위치 이탈량은 대략 동일하다고 간주할 수 있으므로, 패턴의 위치(x, y)를 패턴의 중심의 위치로서 정의하고 있어도, 그 밖의 위치, 예를 들면, 패턴의 좌하의 위치로서 정의하고 있어도, 묘화 정밀도 상의 차이는 없으며, 패턴 위치의 정의의 방법이 묘화 정밀도의 열화를 일으키는 경우는 없다.

위치 보정부(114)가 위치 이탈량으로부터 구해진 위치 보정량에 기초하여 패턴을 시프트하고, 조사량 산출부(115)가, 각 스트라이프 영역(34)을 소정의 사이즈로 메쉬 형상으로 분할한다. 이 때, 패턴과 메쉬의 상대 위치를 시프트시키면 되며, 메쉬를 시프트해도 된다. 또한, 이 때, 기판 상에 정의한 화소의 위치는 서브 어레이마다에는 시프트하지 않는다. 분할한 각 메쉬에 중첩되는 패턴의 패턴 면적 밀도(ρ)와, 그 맵인 면적 밀도 맵(면적 밀도 분포)을 산출한다. 이 때, 메쉬 사이즈는, 예를 들면, 멀티 빔의 빔 1 개의 x 방향 및 y 방향에 대한 사이즈의 평균값이다. 조사량 산출부(115)가, 패턴 면적 밀도 맵으로부터 각 화소에 조사되는 빔의 조사량(ρD0)을 산출한다. 예를 들면, 패턴 면적 밀도(ρ)에 기준 조사량(D0)을 곱하여, 각 화소에 조사되는 빔의 조사량을 산출한다(스텝 S6). 조사량 산출부(115)는, 이 조사량을 더 변조해도 된다. 예를 들면, 근접 효과를 보정하기 위한 보정 계수를 곱한 값을 조사량으로 해도 된다. 조사량 산출부(115)는, 스트라이프 단위로 화소마다의 조사량을 정의한 조사량 맵을 작성한다.

또한, 메쉬와 패턴의 상대 위치를 시프트하지 않고 면적 밀도 맵을 제작한 후, 위치 보정량에 기초하여 면적 밀도 맵을 시프트하여, 조사량 맵을 작성해도 된다. 혹은, 면적 밀도 맵으로부터 조사량 맵을 작성한 후, 위치 보정량에 기초하여 조사량 맵을 시프트해도 된다. 혹은, 묘화 데이터가 면적 밀도 맵으로 정의되어 있는 경우, 면적 밀도 맵으로부터 조사량 맵을 작성한 후, 위치 보정량에 기초하여 조사량 맵을 시프트해도 된다. 혹은, 패턴 위치, 면적 밀도 맵, 조사량 맵의 2 개 이상의 시프트의 조합으로 위치 보정을 행해도 된다. 이 때, 묘화 데이터에 정의된 패턴의 패턴 면적 밀도(ρ)를 이용하여 면적 밀도 맵을 작성해도 된다.

스텝 S5의 패턴의 시프트 및 스텝 S6의 각 화소의 조사량의 산출은, 빔 어레이의 분할 영역마다 행해진다. 예를 들면, 영역(R1)의 함수(△X(y), △Y(y))를 이용하여 패턴을 시프트하여, R1에 대한 각 화소의 조사량을 스트라이프 단위로 산출하고, 영역(R1)의 빔용의 조사량 맵이 작성된다. 마찬가지로, 영역(R2 내지 R8)의 각각의 빔용의 조사량 맵이 스트라이프 단위로 작성된다. 즉, 각 스트라이프 영역(34)의 각각에 대해, R1 내지 R8에 대응하는 스트라이프 단위의 조사량 맵이 작성된다.

데이터 처리부(116)는, 조사량을 조사 시간으로 변환하여, 묘화 시퀀스에 따른 샷 순으로 재배열한다. 조사 시간은, 예를 들면, 상기 메쉬마다의 조사량을 빔의 전류 밀도로 나눈 값으로서 구해진다. 이 처리로 얻어지는 것은 스트라이프 단위의 조사 시간 맵이므로, 이 맵의 메쉬로부터 1 회의 멀티 빔의 샷으로 조사되는 메쉬의 조를 선택하여, 1 회의 샷의 조사 시간 배열 데이터를 작성한다. 재배열된 조사 시간 배열 데이터는, 편향 제어 회로(130)로 출력된다.

편향 제어 회로(130)는, 조사 시간 배열 데이터를 각 블랭커의 제어 회로로 출력한다. 묘화 제어부(117)는 묘화부(150)를 제어하여, 상술한 묘화 처리를 실행시킨다(스텝 S7). 예를 들면, 영역(R1)의 빔에 대응하는 블랭커의 제어 회로에는, 영역(R1)용의 조사량 맵에 기초하는 조사 시간 배열 데이터가 입력된다. 그 밖의 영역(R2 내지 R8)에 대해서도 마찬가지이다.

이와 같이, 본 실시 형태에 의하면, 빔 어레이를 x 방향을 향하여 소정의 균등 폭으로 복수의 영역으로 분할하고, 각 분할 영역에서 빔의 위치 이탈량의 범위는 빔 어레이 전체에서의 빔 위치 이탈량의 범위보다 작아지는 경향을 이용하여, 각 분할 영역에 대해, 위치 이탈량의 평균값을 도시한 함수를 산출한다. 그리고, 묘화 데이터에 정의된 패턴의 위치를, 이 함수로 산출한 값만큼 시프트해 둠으로써, 위치 이탈한 빔으로 묘화한 패턴의 묘화 위치를 설계값에 가까워지도록 보정할 수 있다. 또한, 빔 어레이의 영역 분할 수와 같은 수(또는 그 이상의 수)의 다중도로 다중 묘화를 행한다.

빔의 위치 이탈 보정을 패턴 시프트로 행하지만, 이 때, 화소의 조사량의 최대값은 거의 변화하지 않으므로, 묘화 스루풋의 열화를 방지하면서, 묘화 정밀도를 향상시킬 수 있다. 패턴 시프트 시에, 패턴 또는 패턴을 분할한 분할 패턴이 중첩되는 경우, 중첩이 발생하는 위치에서 상기 패턴 면적 밀도(ρ)가 증가하지만, 인접하는 패턴 또는 분할 패턴에서의 위치 이탈량의 차이는 충분히 작으므로, 중첩의 양은 작고, 중첩에 의한 빔의 조사 시간의 증가량은 미소(微小)하며, 이에 따른 묘화 스루풋의 열화도 미소하다.

상기 실시 형태에서는, 인접 화소 간에서의 조사량 변조를 행하지 않고 빔의 위치 이탈 보정을 행하고 있었으나, 패턴 시프트와 인접 화소 간에서의 조사량 변조를 조합하여, 빔의 위치 이탈 보정을 행해도 된다. 이 경우, 제어 계산기(110)는, 도 12에 도시한 바와 같이, 차분 산출부(120)를 더 가진다. 패턴 시프트와 인접 화소 간에서의 조사량 변조를 조합하여 빔의 위치 이탈 보정을 행하는 묘화 방법을, 도 13에 도시한 플로우차트에 따라 설명한다.

샷 위치의 위치 이탈량의 측정(스텝 S11) 및 영역 분할(스텝 S12)은, 도 11의 스텝 S1 및 S2와 같은 처리이므로 설명을 생략한다.

위치 이탈량 평균값 산출부(113)가, 각 분할 영역에 대하여, 상기 간격(△y)의 y 좌표마다, 각 분할 영역 내의 X 위치에 대한 위치 이탈량(XA, YA)의 평균값을 산출한다(스텝 S13).

차분 산출부(120)가, 각 빔의 위치 이탈량과, 대응하는 각 분할 영역의 y 좌표의 위치 이탈량(XA, YA)의 평균값과의 차분(X´, Y´)을 산출한다(스텝 S14). 즉, 위치(x, y)에 있는 빔이 분할 영역(R2)에 속하는 경우, 분할 영역(R2)에서의 위치(y)에서의 위치 이탈량(XA, YA)과, 해당 빔의 위치 이탈량의 x 성분, y 성분과의 차분으로부터 X´, Y´를 산출한다.

위치 보정부(114)가, 기억부(140)로부터 묘화 데이터를 읽어내어, 묘화 데이터에 정의된 패턴의 위치를 -XA, -YA만큼 시프트한다(스텝 S15).

조사량 산출부(115)가, 각 스트라이프 영역(34)을 소정의 사이즈(예를 들면, 1 개의 빔의 사이즈)로 메쉬 형상으로 분할하고, 분할한 각 화소에 배치되는 패턴의 패턴 면적 밀도(ρ)를 산출한다. 조사량 산출부(115)가, 패턴 면적 밀도(ρ)에 기준 조사량(D₀)을 곱하고, 각 화소에 조사되는 빔의 조사량(ρD₀)을 산출한다. 또한, 조사량 산출부(115)는, 각 빔에 대하여 산출한 상기의 차분 X´, Y´에 기초하여, 각 화소의 조사량(ρD₀)에 대하여, 인접 화소 간에서의 조사량 변조를 행하여, 보정 조사량(D)을 산출한다(스텝 S16). 조사량 산출부(115)는, 스트라이프 단위로 화소마다의 보정 조사량(D)을 정의한 조사량 맵을 작성한다.

또한, 이 때, 묘화 데이터에 정의된 패턴의 패턴 면적 밀도(ρ)를 산출하여 면적 밀도 맵을 작성한 후, 면적 밀도 맵을 시프트하여, 조사량 맵을 작성해도 된다. 혹은, 묘화 데이터에 정의된 패턴의 패턴 면적 밀도(ρ)로부터 조사량 맵을 작성한 후, 조사량 맵을 시프트해도 된다.

스텝 S15의 패턴의 시프트 및 스텝 S16의 각 화소의 조사량의 산출 및 변조는, 빔 어레이의 분할 영역마다 행해진다. 이에 의하여, 예를 들면, 영역(R1 내지 R8)의 각각의 빔용의 조사량 맵이 작성된다.

데이터 처리부(116)는, 조사량을 조사 시간으로 변환하여, 묘화 시퀀스에 따른 샷 순서대로 재배열한다. 재배열된 조사 시간 배열 데이터는, 편향 제어 회로(130)로 출력된다.

편향 제어 회로(130)는, 조사 시간 배열 데이터를 각 블랭커로 출력한다. 묘화 제어부(117)는 묘화부(150)를 제어하여, 상술한 묘화 처리를 실행시킨다(스텝 S17).

이와 같이, 패턴 시프트와 조사량 변조를 조합함으로써, 묘화 정밀도를 더 향상시킬 수 있다. 상기 실시 형태와 같이 조사량의 변조를 행하지 않는 경우보다도 묘화 시간은 길어지지만, 조사량의 변조만으로 빔의 위치 이탈 보정을 행하는 종래의 수법보다 빔 1 개당의 최대 조사량을 억제할 수 있으므로, 묘화 시간을 단축할 수 있다.

상기 실시 형태에서는, 빔 어레이의 분할 폭(영역(R1 내지 R8)의 폭)을 같게 하는 예에 대하여 설명하였으나, 분할 영역마다 폭이 상이해져 있어도 된다. 예를 들면, 빔 어레이의 x 방향 양단측의 분할 영역의 폭을, 중앙부의 분할 영역의 폭보다 작게 해도 된다. 중앙부는, 분할 영역을 넓게 해도, 위치 이탈량의 편차가 작기 때문이다.

또한, 본 발명은 상기 실시 형태 그대로 한정되는 것은 아니며, 실시 단계에서는 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성 요소를 변형하여 구체화할 수 있다. 또한, 상기 실시 형태에 개시되어 있는 복수의 구성 요소의 적절한 조합에 의하여, 다양한 발명을 형성할 수 있다. 예를 들면, 실시 형태에 나타낸 전체 구성 요소로부터 몇 가지 구성 요소를 삭제해도 된다. 또한, 상이한 실시 형태에 걸친 구성 요소를 적절히 조합해도 된다.

Claims

소정 방향으로 진행하는 스테이지에 재치된 기판 상에 정의한 화소마다 멀티 빔의 각 빔을 조사하여 패턴을 형성하는 멀티 빔 묘화 방법으로서,
적어도 상기 소정 방향으로 상기 멀티 빔의 어레이를 분할한 복수의 서브 어레이마다의 상기 각 빔의 위치 이탈량으로부터 상기 서브 어레이마다의 상기 패턴의 위치 보정량을 취득하고,
상기 위치 보정량에 기초하여 상기 서브 어레이마다 묘화되는 상기 패턴의 위치를 시프트하기 위한, 상기 각 화소에 조사되는 상기 각 빔의 조사량을 산출하고,
산출된 상기 조사량으로 제어하여, 둘 이상의 상기 서브 어레이의 각각 적어도 일부를 이용하여 다중 묘화를 행하는 멀티 빔 묘화 방법.
제1항에 있어서,
상기 서브 어레이마다의 상기 위치 보정량에 기초하여, 복수의 상기 서브 어레이마다, 상기 패턴의 묘화 데이터 상의 위치 또는 상기 묘화 데이터로부터 조사량을 산출하는 처리의 기준 위치를 시프트함으로써, 상기 묘화 데이터 상의 위치가 시프트한 상기 패턴에 대응하는 화소에 조사되는 상기 각 빔의 조사량을 산출하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 묘화 방법.
제1항에 있어서,
복수의 상기 서브 어레이의 각각에 대응하는 상기 패턴의 면적 밀도 분포를 구하고,
상기 면적 밀도 분포를, 상기 위치 보정량에 기초하여 시프트하고, 상기 패턴에 대응하는 화소에 조사되는 상기 각 빔의 조사량을 산출하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 묘화 방법.
제1항에 있어서,
복수의 상기 서브 어레이의 각각에 대응하는 상기 패턴의 면적 밀도 분포를 구하고,
상기 면적 밀도 분포로부터 상기 서브 어레이마다의 조사량 분포를 구하고,
상기 조사량 분포를 상기 위치 보정량에 기초하여 시프트하고, 상기 각 빔의 조사량을 산출하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 묘화 방법.
제1항에 있어서,
상기 위치 보정량은, 상기 서브 어레이 내에서 상기 소정 방향으로 수직인 방향의 위치에 의존하여 변화하는 함수를 이용하여 구해지는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 묘화 방법.
제1항에 있어서,
상기 위치 보정량은, 상기 서브 어레이 내에서 동일하게 하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 묘화 방법.
제1항에 있어서,
상기 서브 어레이 내의 상기 각 빔의 위치 이탈량 분포와, 상기 서브 어레이마다의 상기 위치 보정량의 차분으로부터, 위치 보정 잔여 분포를 구하고,
상기 위치 보정 잔여 분포에 기초하여 인접 빔 간에서 상기 조사량을 변조하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 묘화 방법.
제1항에 있어서,
상기 복수의 서브 어레이는, 상기 소정 방향의 폭이 균등한 것을 특징으로 하는 멀티 빔 묘화 방법.
제1항에 있어서,
상기 멀티 빔의 어레이에서, 상기 소정 방향의 양단측에 위치하는 서브 어레이의 상기 소정 방향의 폭은, 중앙부의 서브 어레이의 상기 소정 방향의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 멀티 빔 묘화 방법.
제1항에 있어서,
상기 소정 방향으로 배열하는 상기 멀티 빔의 어레이의 일부를 이용하여, 상기 화소를 조사하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 묘화 방법.
소정 방향으로 진행하는 스테이지에 재치된 기판 상에 멀티 빔을 주사하고, 상기 기판 상에 정의한 화소마다 상기 멀티 빔의 각 빔을 조사하여 패턴을 형성하는 멀티 빔 묘화 장치로서,
상기 멀티 빔의 어레이를 적어도 소정 방향으로 분할한 복수의 서브 어레이마다의 상기 각 빔의 위치 이탈량으로부터 상기 서브 어레이마다의 상기 패턴의 위치 보정량을 구하는 위치 보정부와,
상기 서브 어레이마다, 묘화되는 상기 패턴의 위치를 시프트하기 위한, 상기 각 빔의 조사량을 산출하는 조사량 산출부와,
멀티 빔의 각 빔이, 산출된 상기 조사량이 되도록 제어하는 조사량 제어부와,
제어된 상기 조사량에 의하여 둘 이상의 상기 서브 어레이의 각각 적어도 일부를 이용하여 상기 기판 상에 다중 묘화를 행하는 묘화부를 구비하는 멀티 빔 묘화 장치.
제11항에 있어서,
상기 위치 보정부는, 복수의 상기 서브 어레이의 각각에 대응하는 상기 패턴의 묘화 데이터 상의 위치를 상기 위치 보정량에 기초하여 시프트하고,
상기 조사량 산출부는, 시프트한 상기 패턴에 대응하는 화소에 조사되는 상기 각 빔의 조사량을 산출하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 묘화 장치.
제11항에 있어서,
상기 위치 보정부는, 상기 서브 어레이마다의 면적 밀도 분포를, 상기 위치 보정량만큼 시프트하고,
상기 조사량 산출부는, 시프트한 상기 서브 어레이마다의 상기 면적 밀도 분포에 기초하여, 상기 각 빔의 조사량을 구하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 묘화 장치.
제11항에 있어서,
상기 조사량 산출부는, 상기 서브 어레이마다의 조사량 분포를 구하고,
상기 위치 보정부는, 상기 조사량 분포를, 상기 위치 보정량에 기초하여 시프트하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 묘화 장치.
제11항에 있어서,
상기 위치 보정량은, 상기 서브 어레이 내에서 상기 소정 방향으로 수직인 방향의 위치에 의존하여 변화하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 묘화 장치.
제11항에 있어서,
상기 서브 어레이 내의 상기 각 빔의 위치 이탈량 분포와, 상기 서브 어레이마다의 상기 위치 보정량의 차분으로부터, 위치 보정 잔여 분포를 구하는 차분 산출부를 더 구비하고,
상기 조사량 산출부는, 상기 위치 보정 잔여 분포에 기초하여 인접 빔 간에서 상기 조사량을 변조하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 묘화 장치.
제11항에 있어서,
상기 복수의 서브 어레이는, 상기 소정 방향의 폭이 균등한 것을 특징으로 하는 멀티 빔 묘화 장치.
제11항에 있어서,
상기 멀티 빔의 어레이에서, 상기 소정 방향의 양단측에 위치하는 서브 어레이의 상기 소정 방향의 폭은, 중앙부의 서브 어레이의 상기 소정 방향의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 멀티 빔 묘화 장치.