KR102399607B1 - 터치 센서 및 이를 구비한 표시 장치 - Google Patents
터치 센서 및 이를 구비한 표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102399607B1 KR102399607B1 KR1020170103982A KR20170103982A KR102399607B1 KR 102399607 B1 KR102399607 B1 KR 102399607B1 KR 1020170103982 A KR1020170103982 A KR 1020170103982A KR 20170103982 A KR20170103982 A KR 20170103982A KR 102399607 B1 KR102399607 B1 KR 102399607B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- sensing
- touch
- area
- sensing area
- layer
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 300
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 37
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 32
- 101150112120 BRL1 gene Proteins 0.000 description 26
- 101150056956 BRL2 gene Proteins 0.000 description 26
- 101100004664 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) brr6 gene Proteins 0.000 description 26
- 101150020073 cut-2 gene Proteins 0.000 description 22
- 101150080924 CNE1 gene Proteins 0.000 description 21
- 101100494218 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) BRP1 gene Proteins 0.000 description 19
- FWEOQOXTVHGIFQ-UHFFFAOYSA-N 8-anilinonaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C=12C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 FWEOQOXTVHGIFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 101001108716 Homo sapiens Ribosome biogenesis protein NSA2 homolog Proteins 0.000 description 15
- 101000666063 Homo sapiens WD repeat-containing protein 74 Proteins 0.000 description 15
- 102100021459 Ribosome biogenesis protein NSA2 homolog Human genes 0.000 description 15
- 102100038091 WD repeat-containing protein 74 Human genes 0.000 description 15
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 101100439738 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CIC1 gene Proteins 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 101100168695 Coffea arabica CS3 gene Proteins 0.000 description 9
- 101100329510 Coffea canephora MTL2 gene Proteins 0.000 description 9
- 102100031478 C-type natriuretic peptide Human genes 0.000 description 7
- 101500013676 Helix lucorum Peptide CNP1 Proteins 0.000 description 7
- 101500013677 Helix lucorum Peptide CNP2 Proteins 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- 101150049521 NDA1 gene Proteins 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 101150075681 SCL1 gene Proteins 0.000 description 6
- 101100290413 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) mcm2 gene Proteins 0.000 description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 101100168701 Coffea arabica CS4 gene Proteins 0.000 description 5
- 101150055479 MTL1 gene Proteins 0.000 description 5
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 102000004360 Cofilin 1 Human genes 0.000 description 3
- 108090000996 Cofilin 1 Proteins 0.000 description 3
- 102000011424 Cofilin 2 Human genes 0.000 description 3
- 108010023936 Cofilin 2 Proteins 0.000 description 3
- 101150104968 NDA2 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100536478 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) nda3 gene Proteins 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 101150074785 cut-3 gene Proteins 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 3
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101150069344 CUT1 gene Proteins 0.000 description 2
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000012905 input function Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000090 poly(aryl ether) Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920006218 cellulose propionate Polymers 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- OWOMRZKBDFBMHP-UHFFFAOYSA-N zinc antimony(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[Sb+3] OWOMRZKBDFBMHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
- G06F3/04164—Connections between sensors and controllers, e.g. routing lines between electrodes and connection pads
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/046—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by electromagnetic means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04111—Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Position Input By Displaying (AREA)
Abstract
터치 센서는 서로 상이한 면적을 갖는 제1 내지 제3 감지 영역 및 상기 제1 내지 제3 감지 영역을 둘러싸는 비감지 영역을 포함한 베이스 층; 상기 제1 내지 제3 감지 영역에 제공되며 제1 방향으로 연결되는 복수의 제1 터치 전극들을 포함한 복수의 터치 전극 행들; 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연결되는 복수의 제2 터치 전극들을 포함하는 복수의 터치 전극 열들; 상기 비감지 영역에 배치되며, 상기 제1 감지 영역의 일측, 상기 제2 감지 영역의 일측, 및 상기 제3 감지 영역의 일측에 인접한 부가 비감지 영역; 및 상기 부가 비감지 영역에 제공되며, 상기 제2 감지 영역의 상기 제1 터치 전극들과 상기 제3 감지 영역의 상기 제1 터치 전극들을 전기적으로 연결하는 브릿지 라인을 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 터치 센서 및 이를 구비한 표시 장치에 관한 것이다.
최근의 표시 장치는 영상 표시 기능과 더불어 정보 입력 기능을 구비하는 방향으로 개발되고 있다. 상기 표시 장치의 정보 입력 기능은 일반적으로 사용자의 터치를 입력 받기 위한 터치 센서로 구현될 수 있다.
상기 터치 센서는 영상을 표시하는 표시 패널의 일면에 부착되거나, 상기 표시 패널과 일체로 형성되어 사용될 수 있다. 사용자는 상기 표시 패널에서 구현되는 이미지를 시청하면서 상기 터치 센서를 누르거나 터치하여 정보를 입력할 수 있다.
본 발명은 균일한 터치 인식률을 구현할 수 있는 터치 센서를 제공하는 데 목적이 있다.
또한, 본 발명은 상기 터치 센서를 구비한 표시 장치를 제공하는 데 목적이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서는 서로 상이한 면적을 갖는 제1 내지 제3 감지 영역 및 상기 제1 내지 제3 감지 영역을 둘러싸는 비감지 영역을 포함한 베이스 층; 상기 제1 내지 제3 감지 영역에 제공되며 제1 방향으로 연결되는 복수의 제1 터치 전극들을 포함하는 복수의 터치 전극 행들; 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연결되는 복수의 제2 터치 전극들을 포함하는 복수의 터치 전극 열들; 상기 비감지 영역에 배치되며, 상기 제1 감지 영역의 일측, 상기 제2 감지 영역의 일측, 및 상기 제3 감지 영역의 일측에 인접한 부가 비감지 영역; 및 상기 부가 비감지 영역에 제공되며, 상기 제2 감지 영역의 상기 제1 터치 전극들과 상기 제3 감지 영역의 상기 제1 터치 전극들을 전기적으로 연결하는 브릿지 라인을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스 층은 상기 제2 방향을 따라 상기 제1 감지 영역에서 상기 제2 및 제3 감지 영역이 돌출되고, 상기 제2 및 제3 감지 영역의 사이가 함몰된 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 감지 영역은 상기 제2 및 제3 감지 영역보다 면적이 클 수 있다. 또한, 상기 제1 감지 영역은 상기 제2 및 제3 감지 영역보다 폭이 클 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 브릿지 라인은 상기 제2 및 제3 감지 영역 각각의 로드 값과 상기 제1 감지 영역의 로드 값 차이를 보상할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 브릿지 라인의 일측에 연결되는 상기 제2 감지 영역의 상기 제1 터치 전극들과 상기 브릿지 라인의 타측에 연결되는 상기 제3 감지 영역의 상기 제1 터치 전극들은 동일한 터치 전극 행에 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서는 상기 부가 비감지 영역에 제공되며, 상기 브릿지 라인의 일측과 상기 제2 감지 영역의 상기 제1 터치 전극들을 전기적으로 연결하는 제1 브릿지 패턴; 및 상기 부가 비감지 영역에 제공되며, 상기 브릿지 라인의 타측과 상기 제3 감지 영역의 상기 제1 터치 전극들을 전기적으로 연결하는 제2 브릿지 패턴을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 브릿지 패턴은 상기 제2 감지 영역의 상기 제1 터치 전극과 동일한 층에 제공되고, 상기 제2 브릿지 패턴은 상기 제3 감지 영역의 상기 제1 터치 전극과 동일한 층에 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서는 상기 비감지 영역에 제공되며, 상기 복수의 터치 전극 행들과 전기적으로 연결된 제1 센싱 라인들; 및 상기 비감지 영역에 제공되며, 상기 복수의 터치 전극 열들과 전기적으로 연결된 제2 센싱 라인들을 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 브릿지 라인은 상기 제1 및 제2 센싱 라인들과 동일한 층에 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서는 상기 베이스 층 상에 제공되며 적어도 하나 이상의 컨택 홀을 구비한 절연층; 및 상기 절연층 상에 제공되어 상기 컨택 홀을 통해 상기 브릿지 라인에 전기적으로 연결된 제1 컨택 전극을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 평면 상에서 볼 때, 상기 제1 컨택 전극은 상기 브릿지 라인에 중첩되고, 상기 제1 터치 전극들과 동일한 층에 제공되며 동일한 물질을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1 컨택 전극은 상기 브릿지 라인을 상기 제1 방향을 따라 인접하게 배치된 브릿지 라인에 전기적으로 연결할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서는 상기 브릿지 라인에 중첩하며 상기 제2 센싱 라인들 중 일부와 전기적으로 연결된 제2 컨택 전극 더 포함할 수 있다. 상기 제2 컨택 전극은 상기 제2 터치 전극들과 동일한 층에 제공되며 동일한 물질을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제2 컨택 전극은 대응하는 제2 터치 전극과 일체로 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서는 상기 비감지 영역에 제공되며, 상기 제1 내지 제3 감지 영역으로 그라운드 전압을 전달하는 그라운드 배선을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 평면 상에서 볼 때, 상기 그라운드 배선은 상기 제1 센싱 라인들 중 일부에 중첩되는 더미부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서 상기 그라운드 배선은, 상기 베이스 층 상에 제공된 제1 금속층; 및 상기 절연층을 사이에 두고 상기 제1 금속층 상에 제공된 제2 금속층을 포함할 수 있다. 상기 제2 금속층은 상기 더미부와 일체로 제공될 수 있다. 또한, 상기 더미부는 상기 제2 및 제3 감지 영역 각각에 제공된 상기 제1 터치 전극과 동일한 층에 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널; 및 상기 표시 패널의 적어도 일면 상에 배치되는 터치 센서를 포함할 수 있다. 상기 터치 센서는, 서로 상이한 면적을 갖는 제1 내지 제3 감지 영역 및 상기 제1 내지 제3 감지 영역을 둘러싸는 비감지 영역을 포함하는 베이스 층; 상기 제1 내지 제3 감지 영역에 제공되며 제1 방향으로 연결된 복수의 제1 터치 전극들을 포함하는 복수의 터치 전극 행들; 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연결되는 복수의 제2 터치 전극들을 포함하는 복수의 터치 전극 열들; 상기 비감지 영역에 배치되며, 상기 제1 감지 영역의 일측, 상기 제2 감지 영역의 일측, 및 상기 제3 감지 영역의 일측에 인접한 부가 비감지 영역; 및 상기 부가 비감지 영역에 제공되며, 상기 제2 감지 영역의 상기 제1 터치 전극들과 상기 제3 감지 영역의 상기 제1 터치 전극들을 전기적으로 연결하는 브릿지 라인을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 균일한 터치 인식률을 구현할 수 있는 터치 센서 및 이를 구비한 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서를 포함하는 표시 장치를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 표시 패널을 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 화소들 중 하나의 화소를 나타내는 등가회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 6은 도 2에 도시된 터치 센서 층을 설명하기 위한 평면도이다.
도 7은 도 6의 EA2 영역의 확대도이다.
도 8은 도 7의 Ⅰ ~Ⅰ'선에 따른 단면도이다.
도 9는 도 7의 EA4 영역의 확대도이다.
도 10은 도 6의 EA1 영역의 확대도이다.
도 11은 도 10의 EA5 영역의 확대도이다.
도 12는 도 11의 Ⅱ ~ Ⅱ' 선에 따른 단면도이다.
도 13은 다른 실시예에 따른 브릿지 라인을 도시한 것으로 도 10의 EA5 영역에 대응되는 평면도이다.
도 14는 도 13의 Ⅲ ~ Ⅲ'선에 따른 단면도이다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 센서 층을 설명하기 위한 평면도이다.
도 16은 도 15의 EA6 영역의 확대도이다.
도 17은 도 16의 EA7 영역의 확대도이다.
도 18은 도 17의 Ⅳ ~ Ⅳ'선에 따른 단면도이다.
도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 센서 층을 설명하기 위한 평면도이다.
도 20은 도 19의 EA8 영역의 확대도이다.
도 21은 도 20의 EA9 영역의 확대도이다.
도 22는 도 21의 Ⅴ ~ Ⅴ'선에 따른 단면도이다.
도 23은 도 6의 EA3 영역의 확대도이다.
도 24는 도 23의 Ⅵ ~ Ⅵ'선에 따른 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 표시 패널을 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 화소들 중 하나의 화소를 나타내는 등가회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 6은 도 2에 도시된 터치 센서 층을 설명하기 위한 평면도이다.
도 7은 도 6의 EA2 영역의 확대도이다.
도 8은 도 7의 Ⅰ ~Ⅰ'선에 따른 단면도이다.
도 9는 도 7의 EA4 영역의 확대도이다.
도 10은 도 6의 EA1 영역의 확대도이다.
도 11은 도 10의 EA5 영역의 확대도이다.
도 12는 도 11의 Ⅱ ~ Ⅱ' 선에 따른 단면도이다.
도 13은 다른 실시예에 따른 브릿지 라인을 도시한 것으로 도 10의 EA5 영역에 대응되는 평면도이다.
도 14는 도 13의 Ⅲ ~ Ⅲ'선에 따른 단면도이다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 센서 층을 설명하기 위한 평면도이다.
도 16은 도 15의 EA6 영역의 확대도이다.
도 17은 도 16의 EA7 영역의 확대도이다.
도 18은 도 17의 Ⅳ ~ Ⅳ'선에 따른 단면도이다.
도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 센서 층을 설명하기 위한 평면도이다.
도 20은 도 19의 EA8 영역의 확대도이다.
도 21은 도 20의 EA9 영역의 확대도이다.
도 22는 도 21의 Ⅴ ~ Ⅴ'선에 따른 단면도이다.
도 23은 도 6의 EA3 영역의 확대도이다.
도 24는 도 23의 Ⅵ ~ Ⅵ'선에 따른 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 어느 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 상(on)에 형성되었다고 할 경우, 상기 형성된 방향은 상부 방향만 한정되지 않으며 측면이나 하부 방향으로 형성된 것을 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서를 포함하는 표시 장치를 설명하기 위한 분해 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 개략적인 단면도이며, 도 3은 도 1에 도시된 표시 패널을 설명하기 위한 평면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널(100) 및 터치 센서(200)를 포함할 수 있다.
상기 표시 패널(100)은 영상을 표시할 수 있다. 상기 표시 패널(100)은 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 표시 패널(100)로는 유기 발광 표시 패널(Organic Light Emitting Display panel, OLED panel)과 같은 자발광이 가능한 표시 패널이 사용될 수 있다. 또한, 상기 표시 패널(100)로는 액정 표시 패널(Liquid Crystal Display panel, LCD panel), 전기영동 표시 패널(Electro-Phoretic Display panel, EPD panel), 및 일렉트로웨팅 표시 패널(Electro-Wetting Display panel, EWD panel)과 같은 비발광성 표시 패널이 사용될 수 있다. 상기 비발광성 표시 패널이 상기 표시 패널(100)로 사용되는 경우, 상기 표시 장치는 상기 표시 패널(100)로 광을 공급하는 백라이트 유닛(Back-light unit)을 구비할 수도 있다. 이하의 실시예에서는, 상기 유기 발광 표시 패널이 상기 표시 패널(100)로 사용된 것으로 설명한다.
상기 표시 패널(100)은 기판(SUB), 화소들(PXL), 구동부, 전원 공급부, 및 배선부 등을 포함할 수 있다.
상기 기판(SUB)은 복수 개의 영역들을 포함하며, 상기 영역들 중 적어도 2개는 서로 다른 면적을 가질 수 있다. 상기 기판(SUB)은 상기 터치 센서(200)의 형상에 대응하여 실질적으로 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 상기 기판(SUB)은 상기 터치 센서(200)와 같은 면적을 갖거나 상기 터치 센서(200) 보다 큰 면적을 갖도록 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 기판(SUB)은 서로 상이한 면적을 갖는 제1 내지 제3 영역(A1, A2, A3)을 가질 수 있다.
상기 제1 내지 제3 영역들(A1, A2, A3) 각각은 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 내지 제3 영역들(A1, A2, A3) 각각은 직선의 변을 포함하는 닫힌 형태의 다각형, 곡선으로 이루어진 변을 포함하는 원, 타원 등, 직선과 곡선으로 이루어진 변을 포함하는 반원, 반타원 등 다양한 형상으로 제공될 수 있다.
상기 제1 내지 제3 영역들(A1, A2, A3)은 표시 영역(DA1, DA2, DA3; 이하, 'DA'라 함)과 비표시 영역들(NDA1, NDA2, NDA3; 이하, 'NDA'라 함)을 포함할 수 있다. 상기 표시 영역(DA)은 영상을 표시하는 상기 화소들(PXL)이 제공되는 영역이다. 각 화소(PXL)에 대해서는 후술한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 각각의 제1 내지 제3 표시 영역(DA1, DA2, DA2)은 대체적으로 상기 제1 내지 제3 영역(A1, A2, A3)의 형상에 대응하는 형상을 가질 수 있다.
상기 비표시 영역(NDA)은 상기 화소들(PXL)이 제공되지 않는 영역으로서, 영상이 표시되지 않는 영역이다. 상기 비표시 영역(NDA)에는 상기 화소들(PXL)을 구동하기 위한 상기 구동부, 상기 화소들(PXL)에 전원을 인가하는 상기 전원 공급부, 및 상기 화소들(PXL)과 상기 구동부를 연결하는 배선(미도시)의 일부가 제공될 수 있다. 상기 비표시 영역(NDA)은 최종적인 표시 장치에서의 베젤에 대응하며, 상기 비표시 영역(NDA)의 폭에 따라 상기 베젤의 폭이 결정될 수 있다.
상기 제1 내지 제3 영역들(A1, A2, A3) 각각을 설명하면 다음과 같다.
상기 제1 영역(A1)은 상기 제1 내지 제3 영역들(A1, A2, A3) 중 가장 큰 면적을 가질 수 있다. 상기 제1 영역(A1)은 영상이 표시되는 제1 표시 영역(DA1)과, 상기 제1 표시 영역(DA1)의 적어도 일부를 둘러싸는 제1 비표시 영역(NDA1)을 포함할 수 있다.
상기 제2 영역(A2)은 상기 제1 영역(A1)보다 작은 면적을 가질 수 있다. 상기 제2 영역(A2)은 영상이 표시되는 제2 표시 영역(DA2)과, 상기 제2 표시 영역(DA2)의 적어도 일부를 감싸는 제2 비표시 영역(NDA2)을 포함할 수 있다.
상기 제3 영역(A3)은 상기 제1 영역(A1)보다 작은 면적을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제3 영역(A3)은 상기 제2 영역(A2)과 동일한 면적을 가질 수 있다. 상기 제3 영역(A3)은 영상이 표시되는 제3 표시 영역(DA3)과, 상기 제3 표시 영역(DA3)의 적어도 일부를 감싸는 제3 비표시 영역(NDA3)을 포함할 수 있다.
상기 기판(SUB)은 제2 방향(DR2)을 따라 상기 제2 및 제3 영역(A2, A3)이 상기 제1 영역(A1)에서 돌출된 형상을 가질 수 있다. 이때, 상기 기판(SUB)에서 상기 제2 및 제3 영역(A2, A3)은 일정 간격 이격될 수 있다. 따라서, 상기 기판(SUB)은 상기 제2 영역(A2) 및 상기 제3 영역(A3) 사이 영역이 함몰된 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 기판(SUB)은 상기 제2 영역(A2) 및 상기 제3 영역(A3) 사이에 노치(notch)를 구비할 수 있다. 상기 노치(notch)는 절단 공정 등을 통해 상기 기판(SUB)의 일부가 절단되어 제거된 제1 컷팅부(CUT1)일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 기판(SUB)은 부가 비표시 영역(ANDA)을 더 포함할 수 있다.
상기 부가 비표시 영역(ANDA)은 상기 제1 표시 영역(DA1), 상기 제2 표시 영역(DA2), 및 상기 제3 표시 영역(DA3)에 인접하여 제공될 수 있다. 또한, 상기 부가 비표시 영역(ANDA)은 상기 제2 비표시 영역(NDA2) 및 상기 제3 비표시 영역(NDA3)을 연결할 수 있다.
상기 화소들(PXL)은 상기 제1 내지 제3 표시 영역(DA1, DA2, DA3)에 제공될 수 있다. 각 화소(PXL)는 영상을 표시하는 최소 단위로서, 상기 제1 내지 제3 표시 영역(DA1, DA2, DA3)에 복수 개의 화소들(PXL)이 제공될 수 있다. 각 화소(PXL)는 광을 출사하는 표시 소자를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 표시 소자는 액정 표시 소자(liquid crystal display device, LCD device), 전기 영동 표시 소자(electrophoretic display device, EPD device), 전기 습윤 표시 소자(electrowetting display device, EWD device), 및 유기 발광 표시 소자(organic light emitting display device, OLED device) 중 어느 하나일 수 있다. 한편, 하기에서는 설명의 편의를 위하여 상기 표시 소자로 상기 유기 발광 표시 소자를 예로서 설명한다.
상기 화소들(PXL) 각각은 적색, 녹색, 및 청색 중 하나의 색을 출사할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 화소들(PXL) 각각은 시안, 마젠타, 옐로우, 화이트 등의 색을 출사할 수도 있다. 상기 화소들(PXL)은 제1 방향(DR1)으로 연장된 행과 상기 제2 방향(DR2)으로 연장된 열을 따라 매트릭스(matrix) 형태로 배열될 수 있다. 상기 화소들(PXL)의 배열 형태는 특별히 한정되는 것은 아니며 다양한 형태로 배열될 수 있다.
상기 구동부는 배선부를 통해 각 화소(PXL)에 신호를 제공하며, 이에 따라 상기 각 화소(PXL)의 구동을 제어할 수 있다.
상기 구동부는 스캔 배선을 따라 각 화소(PXL)에 스캔 신호를 제공하는 제1 내지 제3 스캔 구동부들(SDV1, SDV2, SDV3), 발광 제어 배선을 따라 각 화소(EXL)에 발광 제어 신호를 제공하는 제1 내지 제3 발광 구동부들(EDV1, EDV2, EDV3), 및 데이터 배선을 따라 각 화소(PXL)에 데이터 신호를 제공하는 데이터 구동부(DDV), 및 타이밍 제어부(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 타이밍 제어부는 상기 제1 내지 제3 스캔 구동부들(SDV1, SDV2, SDV3), 상기 제1 내지 제3 발광 구동부(EDV1, EDV2, EDV3), 및 상기 데이터 구동부(DDV)를 제어할 수 있다.
상기 데이터 구동부(DDV)는 상기 제1 비표시 영역(NDA1)에 배치될 수 있다. 특히 상기 데이터 구동부(DDV)는 상기 제1 비표시 영역(NDA1)의 가로부에 배치될 수 있다. 상기 데이터 구동부(DDV)는 상기 제1 비표시 영역(NDA1)의 폭 방향을 따라 길게 연장될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 내지 제3 스캔 구동부들(SDV1, SDV2, SDV3), 상기 제1 내지 제3 발광 구동부들(EDV1, EDV2, EDV3), 및/또는 상기 데이터 구동부(DDV)의 위치는 필요에 따라 서로 바뀔 수 있다.
상기 타이밍 제어부는 다양한 방식으로 상기 제1 내지 제3 스캔 구동부들(SDV1, SDV2, SDV3), 상기 제1 내지 제3 발광 구동부들(EDV1, EDV2, EDV3), 및 상기 데이터 구동부(DDV)에 배선을 통해 연결될 수 있다. 상기 타이밍 제어부가 배치되는 위치는 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 타이밍 제어부는 인쇄 회로 기판(미도시) 상에 실장되어, 가요성 인쇄 회로 기판(미도시)을 통해 상기 제1 내지 제3 스캔 구동부들(SDV1, SDV2, SDV3), 상기 제1 내지 제3 발광 구동부들(EDV1, EDV2, EDV3), 및 상기 데이터 구동부(DDV)와 연결될 수 있으며, 상기 인쇄 회로 기판은 상기 기판(SUB)의 일측, 또는 상기 기판(SUB)의 배면 등 다양한 위치에 배치될 수 있다.
상기 전원 공급부(미도시)는 적어도 하나의 전원 공급 배선을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 전원 공급부는 제1 전원 공급 배선(미도시) 및 제2 전원 공급 배선(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 전원 공급부는 상기 제1 내지 제3 표시 영역(DA1, DA2, DA3) 각각에 배치된 화소들(PXL)에 전원을 공급할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 전원 공급 배선에 인가되는 전압은 상기 제2 전원 공급 배선에 인가되는 전압보다 높을 수 있다.
상기 터치 센서(200)는 상기 표시 패널(100)의 양면 중 적어도 하나의 면 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 터치 센서(200)는 상기 표시 패널(100)의 영상이 출사되는 방향의 면 상에 배치되어 사용자의 터치 입력을 수신할 수 있다. 또한, 상기 터치 센서(200)는 상기 표시 패널(100)과 일체로 형성될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에서는, 상기 터치 센서(200)가 상기 표시 패널(100)의 상면에 제공된 경우를 일 예로서 설명하기로 한다.
상기 터치 센서(200)는 상기 표시 패널(100)의 상면 상에 배치되는 터치 센서 층(210) 및 상기 터치 센서 층(210) 상에 제공되는 절연층(230)을 포함할 수 있다.
상기 터치 센서 층(210)은 사용자의 손이나 별도의 입력 수단을 통해 상기 표시 장치로부터의 터치 이벤트를 인식할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서 층(210)은 상호 정전 용량(mutual capacitance) 방식으로 구동될 수 있다. 상기 상호 정전 용량(mutual capacitance) 방식은 인접하게 배치된 두 개의 터치 전극들 간의 상호 작용에 의한 정전 용량(capacitance) 변화를 감지하는 것이다. 또한, 상기 터치 센서 층(210)은 자기 정전 용량(self capacitance) 방식으로 구동될 수 있다. 상기 자기 정전 용량(self capacitance) 방식은 매트릭스 형상으로 배열된 터치 전극들과 상기 터치 전극들 각각에 연결된 센싱 라인들을 이용하여, 사용자의 터치가 있을 경우 터치된 영역의 터치 전극의 정전 용량(capacitance) 변화를 감지하는 것이다.
상기 터치 센서 층(210)은 상기 터치 전극, 상기 터치 전극에 연결된 상기 센싱 라인, 및 상기 센싱 라인의 일측에 연결된 패드부를 포함할 수 있다. 상기 터치 센서 층(210)에 대해서는 후술한다.
상기 절연층(230)은 상기 터치 센서 층(210)을 커버하며 상기 터치 센서 층(210)을 외부로부터 보호하는 역할을 할 수 있다. 실시예에 따라, 상기 절연층(230)은 탄성을 갖는 물질을 포함하여 사용자의 터치 압력에 의해 변형될 수 있다. 이러한 경우, 상기 터치 센서 층(210)은 상기 터치 전극과 함께 커패시터를 형성하는 압력 전극을 추가로 구비할 수 있다.
상기 터치 센서(200)는 상기 절연층(230) 상에 제공되는 윈도우(250)를 더 포함할 수 있다.
상기 윈도우(250)는 투명한 재질로 이루어질 수 있다. 상기 윈도우(250)는 상기 터치 센서(200)의 노출면을 보호할 수 있다. 상기 윈도우(250)는 상기 표시 패널(100)로부터의 영상을 투과시킴과 동시에 외부의 충격을 완화시킴으로써, 외부의 충격에 상기 표시 패널(100)이 파손되거나 오동작하는 것을 방지할 수 있다. 외부의 충격이라 함은 압력, 스트레스 등으로 표현할 수 있는 외부로부터의 힘으로써, 상기 표시 패널(100)에 결함을 야기하는 힘을 의미할 수 있다. 상기 윈도우(250)는 전체 또는 적어도 일부가 가요성(flexibility)을 가질 수 있다.
도 4는 도 3에 도시된 화소들 중 하나의 화소를 나타내는 등가회로도이다. 도 4에 있어서, 설명의 편의를 위해, 하나의 화소 및 상기 화소에 연결된 배선들을 위주로 도시하였다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 각 화소(PXL)는 배선들에 연결된 트랜지스터, 상기 트랜지스터에 연결된 발광 소자(OLED), 및 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(OLED)는 전면 발광형 유기 발광 소자이거나, 배면 발광형 유기 발광 소자일 수 있다. 상기 유기 발광 소자는 유기 발광 다이오드일 수 있다.
각 화소(PXL)는 상기 발광 소자(OLED)를 구동하기 위한 화소 구동회로로서, 제1 트랜지스터(T1, 또는 스위칭 트랜지스터), 제2 트랜지스터(T2, 또는 구동 트랜지스터), 및 상기 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 제1 전원 전압(ELVDD)은 전원 라인(PL)을 통해 상기 제2 트랜지스터(T2)에 제공되고, 제2 전원 전압(ELVSS)은 상기 발광 소자(OLED)에 제공될 수 있다. 상기 제2 전원 전압(ELVSS)은 상기 제1 전원 전압(ELVDD) 보다 낮은 전압으로 설정될 수 있다.
상기 제1 트랜지스터(T1)는 게이트 라인(GL)에 인가된 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인(DL)에 인가된 데이터 신호를 출력한다. 상기 커패시터(Cst)는 상기 제1 트랜지스터(T1)로부터 수신한 데이터 신호에 대응하는 전압을 충전한다. 상기 제2 트랜지스터(T2)는 상기 발광 소자(OLED)에 연결된다. 상기 제2 트랜지스터(T2)는 상기 커패시터(Cst)에 저장된 전하량에 대응하여 상기 발광 소자(OLED)에 흐르는 구동 전류를 제어한다.
본 발명의 일 실시예에서는, 하나의 화소(PXL)가 두 개의 트랜지스터(T1, T2)를 포함하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 하나의 화소(PXL)에 하나의 트랜지스터와 커패시터, 또는 하나의 화소(PXL)에 셋 이상의 트랜지스터와 둘 이상의 커패시터를 구비할 수 있다. 예를 들어, 하나의 화소(PXL)는 7개의 트랜지스터, 상기 발광 소자(OLED), 및 상기 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널은 기판(SUB), 화소 회로부(PCL), 표시 소자층(DPL), 및 박막 봉지 필름(TFE)을 포함할 수 있다.
상기 기판(SUB)은 유리, 수지(resin) 등과 같은 절연성 재료로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 기판(SUB)은 휘거나 접힘이 가능하도록 가요성(flexibility)을 갖는 재료로 이루어질 수 있고, 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 가요성을 갖는 재료로는 폴리스티렌(polystyrene), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 트리아세테이트 셀룰로오스(triacetate cellulose), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 상기 기판(SUB)을 구성하는 재료는 다양하게 변화될 수 있으며, 섬유 강화 플라스틱(FRP, Fiber glass Reinforced Plastic) 등으로도 이루어질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 기판(SUB)은 가요성(flexibility)을 갖는 재료로 이루어질 수 있다.
상기 화소 회로부(PCL)는 상기 기판(SUB) 상에 배치된 버퍼층(BFL), 상기 버퍼층(BFL) 상에 배치된 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)를 포함할 수 있다.
상기 버퍼층(BFL)은 상기 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)에 불순물이 확산되는 것을 방지할 수 있다. 상기 버퍼층(BFL)은 단일층으로 제공될 수 있으나, 적어도 2 중층 이상의 다중층으로 제공될 수도 있다. 상기 버퍼층(BFL)이 다중층으로 제공될 경우, 각 층은 동일한 재료로 형성되거나 또는 서로 다른 재료로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(BFL)은 상기 기판(SUB)의 재료 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
상기 제1 트랜지스터(T1)는 상기 제2 트랜지스터(T2)의 스위칭을 위한 스위칭 트랜지스터일 수 있다. 상기 제2 트랜지스터(T2)는 상기 표시 소자층(DPL)의 발광 소자(OLED)에 전기적으로 연결되어 상기 발광 소자(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터일 수 있다.
상기 제1 트랜지스터(T1)는 제1 반도체층(SCL1), 제1 게이트 전극(GE1), 제1 소스 전극(SE1), 및 제1 드레인 전극(DE1)을 포함할 수 있다. 상기 제2 트랜지스터(T2)는 제2 반도체층(SCL2), 제2 게이트 전극(GE2), 제2 소스 전극(SE2), 및 제2 드레인 전극(DE2)을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 반도체층(SCL1, SCL2)은 상기 버퍼층(BFL) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 반도체층(SCL1, SCL2) 각각은 상기 제1 및 제2 소스 전극(SE1, SE2)과 상기 제1 및 제2 드레인 전극(DE1, DE2) 각각에 접촉되는 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이의 영역은 채널 영역일 수 있다. 상기 제1 및 제2 반도체층(SCL1, SCL2) 각각은 폴리 실리콘, 아몰퍼스 실리콘, 산화물 반도체 등으로 이루어진 반도체 패턴일 수 있다. 상기 채널 영역은 불순물로 도핑되지 않는 반도체 패턴으로서, 진성 반도체일 수 있다. 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 상기 불순물이 도핑된 반도체 패턴일 수 있다. 상기 불순물로는 n형 불순물, p형 불순물, 기타 금속과 같은 불순물이 사용될 수 있다.
상기 제1 게이트 전극(GE1)은 게이트 절연층(GI)을 사이에 두고 상기 제1 반도체층(SCL1) 상에 제공될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(GE2)은 상기 게이트 절연층(GI)을 사이에 두고 상기 제2 반도체층(SCL2) 상에 제공될 수 있다. 여기서, 상기 게이트 절연층(GI)은 무기 재료를 포함하는 무기 절연막일 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연층(GI)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물 등으로 형성될 수 있다.
상기 제1 소스 전극(SE1)과 상기 제1 드레인 전극(DE1) 각각은 층간 절연층(ILD) 및 상기 게이트 절연층(GI)을 관통하는 컨택 홀을 통해 상기 제1 반도체층(SCL1)의 소스 영역 및 드레인 영역에 접촉될 수 있다. 상기 제2 소스 전극(SE2)과 상기 제2 드레인 전극(DE2) 각각은 상기 층간 절연층(ILD) 및 상기 게이트 절연층(GI)을 관통하는 컨택 홀을 통해 상기 제2 반도체층(SCL2)의 소스 영역 및 드레인 영역에 접촉될 수 있다. 상기 층간 절연층(ILD)은 무기 재료로 이루어진 무기 절연막 또는 유기 재료로 이루어진 유기 절연막일 수 있다.
상기 화소 회로부(PCL)는 상기 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2) 상에 배치되어 상기 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)를 커버하는 보호층(PSV)을 더 포함할 수 있다. 상기 보호층(PSV)은 무기 재료로 이루어진 무기 절연막 및 유기 재료로 이루어진 유기 절연막 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 보호층(PSV)은 상기 무기 절연막 및 상기 무기 절연막 상의 상기 유기 절연막을 포함할 수 있다.
상기 표시 소자층(DPL)은 상기 보호층(PSV) 상에 제공된 상기 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(OLED)는 제1 전극 및 제2 전극(AE, CE)과, 두 전극(AE, CE) 사이에 제공된 발광층(EML)을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1 전극 및 제2 전극(AE, CE) 중 어느 하나는 애노드(anode) 전극일 수 있으며, 다른 하나는 캐소드(cathode) 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(AE)이 애노드 전극일 수 있으며 상기 제2 전극(CE)이 캐소드 전극일 수 있다. 상기 발광 소자(OLED)가 전면 발광형 유기 발광 소자인 경우, 상기 제1 전극(AE)이 반사형 전극이고, 상기 제2 전극(CE)이 투과형 전극일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는, 상기 발광 소자(OLED)가 전면 발광형 유기 발광 소자이며, 상기 제1 전극(AE)이 애노드 전극인 경우를 예로서 설명한다.
상기 제1 전극(AE)은 상기 보호층(PSV)을 관통하는 컨택 홀을 통해 상기 제2 트랜지스터(T2)의 상기 제2 소스 전극(SE2)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 전극(AE)은 광을 반사시킬 수 있는 반사막(미도시) 및 상기 반사막의 상부 또는 하부에 배치되는 투명 도전막(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 투명 도전막 및 상기 반사막 중 적어도 하나는 상기 제2 소스 전극(SE2)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 표시 소자층(DPL)은 상기 제1 전극(AE)의 일부, 예를 들면, 상기 제1 전극(AE)의 상면을 노출시키는 개구부(OP)를 구비한 화소 정의막(PDL)을 더 포함할 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA, polymethylmethacrylate), 폴리아크릴로니트릴(PAN, polyacrylonitrile), 폴리아미드(PA, polyamide), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리아릴에테르(PAE, polyarylether), 헤테로사이클릭 폴리머(heterocyclic polymer), 파릴렌(parylene), 에폭시(epoxy), 벤조시클로부텐(BCB, benzocyclobutene), 실록산계 수지(siloxane based resin) 및 실란계 수지(silane based resin) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(AE)의 노출된 표면 상에 상기 발광층(EML)이 제공될 수 있다.
상기 발광층(EML)은 저분자 물질 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 저분자 물질로는 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB), 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 포함할 수 있다. 고분자 물질로는 PEDOT, PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등을 포함할 수 있다.
상기 발광층(EML)은 단일층으로 제공될 수 있으나, 다양한 기능층을 포함하는 다중층으로 제공될 수 있다. 상기 발광층(EML)이 다중층으로 제공되는 경우, 홀 주입층(Hole Injection Layer), 홀 수송층(Hole Transport Layer), 발광층(Emission Layer), 전자 수송층(Electron Transport Layer), 전자 주입층(Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층된 구조를 가질 수 있다. 물론 상기 발광층(EML)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 구조를 가질 수도 있음은 물론이다. 그리고 상기 발광층(EML)의 적어도 일부는 복수 개의 제1 전극(AE)들에 걸쳐서 일체로 형성될 수 있으며, 복수 개의 제1 전극(AE)들 각각에 대응하도록 개별적으로 제공될 수도 있다. 상기 발광층(EML)에서 생성되는 광의 색상은 적색(red), 녹색(green), 청색(blue) 및 백색(white) 중 하나일 수 있으나, 본 실시예에서 이를 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 발광층(EML)의 상기 광 생성층에서 생성되는 광의 색상은 마젠타(magenta), 시안(cyan), 옐로(yellow) 중 하나일 수도 있다.
상기 발광층(EML) 상에 상기 제2 전극(CE)이 제공될 수 있다. 상기 제2 전극(CE)은 반투과 반사막일 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극(CE)은 상기 발광층(EML)에서 출사된 광을 투과시킬 수 있을 정도의 두께를 가지는 박형 금속층일 수 있다. 상기 제2 전극(CE)은 상기 발광층(EML)에서 출사된 광의 일부는 투과시키고, 상기 발광층(EML)에서 출사된 광의 나머지는 반사시킬 수 있다.
상기 박막 봉지 필름(TFE)은 상기 발광 소자(OLED) 상에 제공될 수 있다.
상기 박막 봉지 필름(TFE)은 단일층으로 이루어질 수 있으나, 다중층으로 이루어질 수도 있다. 상기 박막 봉지 필름(TFE)은 상기 발광 소자(OLED)를 커버하는 복수의 절연막을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 박막 봉지 필름(TFE)은 복수의 무기막 및 복수의 유기막을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 박막 봉지 필름(TFE)은 상기 무기막 및 상기 유기막이 교번하여 적층된 구조를 가질 수 있다. 또한, 경우에 따라, 상기 박막 봉지 필름(TFE)은 상기 발광 소자(OLED) 상에 배치되고 실런트를 통해 상기 기판(SUB)과 합착되는 봉지 기판일 수 있다.
도 6은 도 2에 도시된 터치 센서 층을 설명하기 위한 평면도이고, 도 7은 도 6의 EA2 영역의 확대도이고, 도 8은 도 7의 Ⅰ ~ Ⅰ'선에 따른 단면도이며, 도 9는 도 7의 EA4 영역의 확대도이다.
도 2, 및 도 6 내지 도 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 층(210)은 감지 영역 및 비감지 영역을 포함한 베이스 층(BSL)을 포함할 수 있다.
상기 베이스 층(BSL)은 표시 패널(100)의 박막 봉지 필름(TFE)의 일부일 수 있다. 구체적으로, 상기 베이스 층(BSL)은 상기 박막 봉지 필름(TFE)의 최상부 층에 배치된 무기 절연 물질일 수 있다.
상기 베이스 층(BSL)은 복수 개의 영역들을 포함하며, 상기 영역들 중 적어도 2개는 서로 다른 면적을 가질 수 있다. 상기 베이스 층(BSL)은 상기 표시 패널(100)의 기판(도 3의 SUB 참고)의 형상에 대응하여 실질적으로 동일한 형상으로 제공되므로, 상기 기판(SUB)에 구비된 세 개의 영역들(도 3의 A1 ~ A3 참고)에 대응되는 제1 내지 제3 터치 영역(B1, B2, B3)을 포함할 수 있다.
상기 베이스 층(BSL)의 상기 제1 내지 제3 터치 영역(B1, B2, B3) 각각은 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 베이스 층(BSL)의 상기 제1 내지 제3 터치 영역들(B1, B2, B3) 각각은 직선의 변을 포함하는 닫힌 형태의 다각형, 곡선으로 이루어진 변을 포함하는 원, 타원 등, 직선과 곡선으로 이루어진 변을 포함하는 반원, 반타원 등 다양한 형상으로 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스 층(BSL)의 상기 제1 내지 제3 터치 영역(B1, B2, B3)은 각각 대략적으로 직사각 형상을 가질 수 있다.
상기 베이스 층(BSL)의 상기 제1 내지 제3 터치 영역들(B1, B2, B3) 각각은 감지 영역(SA1, SA2, SA3; 이하, 'SA'라 함)과 비감지 영역들(NSA1, NSA2, NSA3; 이하, 'NSA'라 함)을 포함할 수 있다. 상기 감지 영역(SA)은 상기 기판(SUB)의 표시 영역에 대응하고, 상기 비감지 영역(NSA)은 상기 기판(SUB)의 비표시 영역에 대응할 수 있다.
상기 감지 영역(SA)에는 복수의 터치 전극(TE)이 제공될 수 있고, 상기 비감지 영역(NSA)에는 상기 터치 전극들(TE)을 패드부(PD)에 연결하는 센싱 라인들(SL)이 제공될 수 있다.
상기 베이스 층(BSL)의 상기 제1 내지 제3 터치 영역들(B1, B2, B3)을 각각 설명하면 다음과 같다.
상기 제1 터치 영역(B1)은 상기 제1 내지 제3 터치 영역들(B1, B2, B3) 중 가장 큰 면적을 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 터치 영역(B1)은 상기 기판(SUB)의 제1 영역(A1)에 대응되는 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 터치 영역(B1)은 사용자의 터치를 인식하는 제1 감지 영역(SA1)과, 상기 제1 감지 영역(SA1)의 적어도 일부를 둘러싸는 제1 비감지 영역(NSA1)을 포함할 수 있다.
상기 제1 감지 영역(SA1)은 상기 제1 터치 영역(B1)의 형상에 대응하는 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 감지 영역(SA1)은 상기 기판(SUB)의 제1 영역(A1)의 제1 표시 영역(도 3의 DA1 참고)에 대응되는 형상으로 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 감지 영역(SA1)은 제1 방향(DR1)으로 제1 폭(W1)을 가지고, 상기 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)으로 제1 길이(L1)를 가질 수 있다.
상기 제1 비감지 영역(NSA1)은 상기 제1 감지 영역(SA1)의 일측에 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 비감지 영역(NSA1)은 상기 제1 감지 영역(SA1)의 둘레를 둘러싸되, 후술할 상기 제2 터치 영역(B2)과 상기 제3 터치 영역(B3)이 배치된 부분을 제외한 곳에 제공될 수 있다. 상기 제1 비감지 영역(NSA1)은 상기 제1 방향(DR1)으로 연장된 가로부와, 상기 제2 방향(DR2)으로 연장된 세로부를 포함할 수 있다. 상기 제1 비감지 영역(NDA1)의 세로부는 상기 제1 감지 영역(SA1)에서 상기 제1 방향(DR1)을 따라 서로 이격된 한 쌍으로 제공될 수 있다.
상기 제2 터치 영역(B2)은 상기 제1 터치 영역(B1)보다 작은 면적을 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 터치 영역(B2)은 상기 기판(SUB)의 제2 영역(A2)에 대응되는 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 터치 영역(B2)은 사용자의 터치를 인식하는 제2 감지 영역(SA2)과, 상기 제2 감지 영역(SA2)의 적어도 일부를 감싸는 제2 비감지 영역(NSA2)을 포함할 수 있다.
상기 제2 감지 영역(SA2)은 상기 제2 터치 영역(B2)의 형상에 대응하는 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 감지 영역(SA2)은 상기 기판(SUB)의 제2 영역(A2)의 제2 표시 영역(도 3의 DA2 참고)에 대응되는 형상으로 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 감지 영역(SA2)은 상기 제1 감지 영역(SA1)의 상기 제1 폭(W1)보다 작은 제2 폭(W2)을 가질 수 있다. 상기 제2 감지 영역(SA2)은 상기 제1 감지 영역(SA1)의 상기 제1 길이(L1)보다 작은 제2 길이(L2)를 가질 수 있다. 상기 제2 감지 영역(SA2)은 상기 제1 감지 영역(SA1)으로부터 상기 제2 방향(DR2)을 따라 돌출된 형태로 제공되며, 상기 제1 감지 영역(SA1)과 바로 연결될 수 있다. 다시 말해, 상기 제2 감지 영역(SA2)의 일측은 상기 제1 감지 영역(SA1)의 일측과 접할 수 있다.
상기 제2 비감지 영역(NSA2)은 상기 제2 감지 영역(SA2)의 적어도 일측에 제공될 수 있다. 상기 제2 비감지 영역(NSA2)은 상기 제1 방향(DR1)으로 연장된 가로부와, 상기 제2 방향(DR2)으로 연장된 세로부를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 비감지 영역(NSA2)은 상기 제2 감지 영역(SA2)을 둘러싸되, 상기 제1 감지 영역(SA1)과 상기 제2 감지 영역(SA2)이 연결되는 부분에는 제공되지 않을 수 있다.
상기 제3 터치 영역(B3)은 상기 제1 터치 영역(B1)보다 작은 면적을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제3 터치 영역(B3)은 상기 제2 터치 영역(B2)과 동일한 면적을 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제3 터치 영역(B3)은 상기 기판(SUB)의 제3 영역(A3)에 대응되는 형상을 가질 수 있다. 상기 제3 터치 영역(B3)은 사용자의 터치를 인식하는 제3 감지 영역(SA3)과, 상기 제3 감지 영역(SA3)의 적어도 일부를 감싸는 제3 비감지 영역(NSA3)을 포함할 수 있다.
상기 제3 감지 영역(SA3)은 상기 제3 터치 영역(B3)의 형상에 대응하는 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제3 감지 영역(SA3)은 상기 기판(SUB)의 제3 영역(A3)의 제3 표시 영역(도 3의 DA3 참고)에 대응되는 형상으로 제공될 수 있다.
상기 제3 감지 영역(SA3)은 상기 제1 감지 영역(SA1)의 상기 제1 폭(W1)보다 작은 제3 폭(W3)을 가질 수 있다. 상기 제3 감지 영역(SA3)은 상기 제1 감지 영역(SA1)의 상기 제1 길이(L1)보다 작은 제3 길이(L3)를 가질 수 있다. 상기 제2 폭(W2)과 상기 제3 폭(W3)은 서로 동일할 수 있다. 또한, 상기 제2 길이(L2)와 상기 제3 길이(L3)는 서로 동일할 수 있다.
상기 제3 감지 영역(SA3)은 상기 제1 감지 영역(SA1)으로부터 돌출된 형태로 제공되며, 상기 제1 감지 영역(SA1)과 바로 연결될 수 있다. 즉, 상기 제3 감지 영역(SA3)의 일측은 상기 제1 감지 영역(SA1)의 일측과 접할 수 있다.
상기 제3 비감지 영역(NSA3)은 상기 제3 감지 영역(SA3)의 적어도 일측에 제공될 수 있다. 상기 제3 비감지 영역(NSA3)은 상기 제1 방향(DR1)으로 연장된 가로부와, 상기 제2 방향(DR2)으로 연장된 세로부를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제3 비감지 영역(NSA3)은 상기 제3 감지 영역(SA3)을 둘러싸되, 상기 제1 감지 영역(SA1)과 상기 제3 감지 영역(SA3)이 연결되는 부분에는 제공되지 않을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 비감지 영역(NSA1)의 가로부의 중간 지점에서 상기 제2 방향(DR2)을 따라 연장되는 가상의 중심선을 기준으로, 상기 제3 터치 영역(B3)은 상기 제2 터치 영역(B2)과 선대칭되는 형상을 가질 수 있다. 이러한 경우, 상기 제3 터치 영역(B3)에 제공되는 각 구성 요소의 배치 관계는 일부 배선을 제외하고는 실질적으로 상기 제2 터치 영역(B2)에서와 동일할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 비감지 영역(NSA1)의 세로부들은 각각 상기 제2 비감지 영역(NSA2) 및 상기 제3 비감지 영역(NSA3)의 세로부들 중 일부와 연결될 수 있다.
상기 베이스 층(BSL)은 부가 비감지 영역(ANSA)을 더 포함할 수 있다. 상기 부가 비감지 영역(ANSA)은 상기 제1 감지 영역(SA1), 상기 제2 감지 영역(SA2), 및 상기 제3 감지 영역(SA3)에 인접하여 제공될 수 있다. 또한, 상기 부가 비감지 영역(ANSA)은 상기 제1 감지 영역(SA1), 상기 제2 및 제3 비감지 영역(NSA2, NSA3)에 인접할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 부가 비감지 영역(ANSA)은 상기 제2 감지 영역(SA2) 및 상기 제3 감지 영역(SA3) 사이의 상기 제1 감지 영역(SA1)의 일 변에 인접하게 제공될 수 있다. 상기 부가 비감지 영역(ANSA)은 제2 컷팅부(CUT2)의 형상에 대응되는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 부가 비감지 영역(ANSA)은 도면에 도시된 바와 같이 사각형상을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 내지 제3 감지 영역(SA1, SA2, SA3)에는 복수의 터치 전극들(TE)이 배치될 수 있고, 상기 제1 내지 제3 비감지 영역(NSA1, NSA2, NSA3)에는 상기 센싱 라인들(SL) 및 상기 패드부(PD)가 배치될 수 있다.
상기 터치 전극들(TE) 중 일부는 상기 제1 방향(DR1)으로 배열되고 전기적으로 연결되어, 서로 평행한 복수의 터치 전극 행들을 구성할 수 있다. 여기서, 상기 터치 전극 행들에 포함되는 터치 전극들(TE)은 제1 터치 전극들(TE1)일 수 있다. 상기 터치 전극 행들에서, 서로 인접한 제1 터치 전극들(TE1)은 제1 연결 패턴(CNP1)을 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 터치 전극들(TE) 중 나머지는 상기 제2 방향(DR2)으로 배열되고 전기적으로 연결되어, 서로 평행한 복수의 터치 전극 열들을 구성할 수 있다. 여기서, 상기 터치 전극 열들에 포함되는 터치 전극들(TE)은 제2 터치 전극들(TE2)일 수 있다. 상기 터치 전극 열들에서, 서로 인접하는 제2 터치 전극들(TE2)은 제2 연결 패턴(CNP2)을 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 터치 전극 행들 및 상기 터치 전극 열들 각각은 상기 센싱 라인들(SL)을 통하여 상기 패드부(PD)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 터치 전극들(TE1) 및 상기 제2 터치 전극들(TE2) 중 하나는 상기 센싱 라인들(SL) 중 일부를 통하여 터치 감지를 위한 구동 신호를 인가받고, 다른 하나는 상기 센싱 라인들(SL) 중 나머지를 통하여 터치 감지 신호를 전달할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 터치 전극들(TE1)은 상기 터치 감지 신호를 전달하며, 상기 제2 터치 전극들(TE2)은 상기 터치 구동 신호를 인가받을 수 있다. 상기 터치 센서 층(210)은 상기 제1 터치 전극들(TE1) 및 상기 제2 터치 전극들(TE2) 사이에 형성되는 정전 용량(mutual capacitance)의 변화량을 감지하여 사용자의 터치를 인식할 수 있다.
상기 터치 센서층(210)은 제1 절연층(IL1), 상기 제1 절연층(IL1) 상에 제공되는 제1 도전층, 상기 제1 도전층을 커버하는 제2 절연층(IL2), 상기 제2 절연층(IL2) 상에 제공되는 제2 도전층, 및 상기 제2 도전층을 커버하는 제3 절연층(IL3)을 포함할 수 있다.
상기 제1 절연층(IL1)은 상기 베이스 층(BSL) 상에 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스 층(BSL)은 상기 표시 패널(100)의 박막 봉지 필름(TFE)의 일부일 수 있다. 상기 제1 절연층(IL1)은 유기 절연 물질 및 무기 절연 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 절연층(IL1)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 및 실리콘 산질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에서는, 상기 제1 도전층이 상기 제1 절연층(IL1) 상에 제공됨을 예로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 박막 봉지 필름(TFE)의 최상부 층이 무기 절연 물질을 포함하는 경우, 상기 제1 절연층(IL1)이 생략되고, 상기 박막 봉지 필름(TFE) 상에 상기 제1 도전층이 제공될 수도 있다. 즉, 상기 제1 도전층은 상기 베이스 층(BSL) 상에 직접 배치될 수 있다.
상기 제1 도전층은 상기 제1 터치 전극들(TE1), 상기 제2 터치 전극들(TE2), 상기 제1 연결 패턴(CNP1), 및 상기 제2 연결 패턴(CNP2) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 도전층은 상기 제1 연결 패턴(CNP1)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 도전성 물질층은 투명 도전성 산화물, 또는 금속 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 도전층은 적층된 복수의 금속층들을 포함할 수 있다. 상기 투명 도전성 산화물로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Antimony Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), SnO2(Tin Oxide) 등을 들 수 있다. 상기 금속 물질로는 구리, 은, 금, 백금, 팔라듐, 니켈, 주석, 알루미늄, 코발트, 로듐, 이리듐, 철, 루테늄, 오스뮴, 망간, 몰리브덴, 텅스텐, 니오브, 탄탈, 타이타늄, 비스머스, 안티몬, 납 등을 들 수 있다.
상기 제2 절연층(IL2)은 상기 제1 도전층이 제공된 상기 제1 절연층(IL1) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(IL2)은 상기 제1 절연층(IL1)과 동일한 물질을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제2 도전층은 상기 제1 도전층과 같이 하나의 도전성 물질층을 포함하거나, 적층된 복수의 도전성 물질층들을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전층은 상기 제1 터치 전극들(TE1), 상기 제2 터치 전극들(TE2), 상기 제1 연결 패턴(CNP1), 및 상기 제2 연결 패턴(CNP2) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 도전층은 상기 제1 터치 전극들(TE1), 상기 제2 터치 전극들(TE2), 및 상기 제2 연결 패턴(CNP2)을 포함할 수 있다.
상기 제3 절연층(IL3)은 상기 제2 도전층이 제공된 상기 제2 절연층(IL2) 상에 제공될 수 있다. 상기 제3 절연층(IL3)은 상기 제2 도전층이 외부로 노출되는 것을 방지하여, 상기 제2 도전층의 부식을 방지할 수 있다.
상기 제3 절연층(IL3)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제3 절연층(IL3)은 아크릴(acryl), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리아미드(PA, polyamide) 및 벤조시클로부텐(BCB, benzocyclobutene) 중 하나를 포함할 수 있다. 또한, 제3 절연막(IL3)은 투명하고, 유동성이 있어 하부 구조의 굴곡을 완화시켜 평탄화시킬 수 있다.
본 실시예에서는, 상기 제1 연결 패턴(CNP1)이 상기 제1 도전층에 포함되고, 상기 제2 연결 패턴(CNP2)이 상기 제2 도전층에 포함됨을 예로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 제2 연결 패턴(CNP2)이 제1 도전층에 포함되고, 상기 제1 연결 패턴(CNP1)이 제2 도전층에 포함될 수도 있다.
또한, 본 실시예에서는, 상기 제1 도전층이 상기 제1 절연층(IL1) 상에 제공되고, 상기 제2 도전층이 상기 제2 절연층(IL2) 상에 제공됨을 예로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 제1 도전층이 상기 제2 절연층(IL2) 상에 제공되고, 상기 제2 도전층이 상기 제1 절연층(IL1) 상에 제공될 수도 있다.
또한, 본 실시예에서는 상기 제1 터치 전극들(TE1) 및 상기 제2 터치 전극들(TE2)이 동일한 층 상에 제공됨을 예로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 제1 터치 전극들(TE1) 및 상기 제2 터치 전극들(TE2)은 서로 다른 층 상에 제공될 수 있다.
상기 제2 터치 전극들(TE2)은 도 9에 도시된 바와 같이, 복수의 도전성 세선들(CFL)을 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 제2 터치 전극들(TE2)은 상기 제1 방향(DR1)으로 연장되고 서로 평행한 복수의 제1 도전성 세선들(CFL1) 및 상기 제2 방향(DR2)으로 연장되고 서로 평행한 복수의 제2 도전성 세선들(CFL2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전성 세선들(CFL1) 및 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)로 인해, 상기 제2 터치 전극들(TE2) 각각은 메쉬(mesh) 구조를 가질 수 있다. 상기 메쉬 구조는 복수의 개구부, 예를 들면, 상기 제1 도전성 세선들(CFL1) 및 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)이 교차하여 형성되는 영역들을 포함할 수 있다.
도면 상에서, 상기 제2 터치 전극들(TE2) 각각이 메쉬 구조를 가지는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 제1 터치 전극들(TE1), 상기 제1 연결 패턴(CNP1), 및 상기 제2 연결 패턴(CNP2) 각각도 상기 복수의 도전성 세선들(CFL)을 포함할 수 있다.
상기 제1 터치 전극들(TE1) 및 상기 제2 터치 전극들(TE2)이 메쉬 구조를 갖는 경우, 상기 제1 터치 전극들(TE1) 및 상기 제2 터치 전극들(TE2)이 중첩하는 면적이 상기 개구부에 의해 감소될 수 있다. 상기 제1 터치 전극들(TE1) 및 상기 제2 터치 전극들(TE2)이 상기 표시 패널(100)과 중첩하는 면적이 감소하면, 상기 제1 터치 전극들(TE1) 및 상기 제2 터치 전극들(TE1)과 상기 표시 패널(100) 사이의 전자기 간섭이 방지될 수 있다. 따라서, 상기 터치 센서 층(210)의 터치 인식률이 향상될 수 있다.
상기 센싱 라인들(SL)은 제1 센싱 라인(SL1) 및 제2 센싱 라인(SL2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 센싱 라인(SL1) 및 상기 제2 센싱 라인(SL2)은 상기 제1 터치 전극들(TE1) 및 상기 제2 터치 전극들(TE2)에서 감지된 정전 용량의 변화를 상기 패드부(PD)를 통해 외부 회로(미도시)로 전송할 수 있다.
상기 제1 센싱 라인(SL1)은 상기 제1 터치 전극 행들의 양단에 연결될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 상기 제1 센싱 라인(SL1)은 상기 제1 터치 전극 행들의 일단에만 연결될 수도 있다. 상기 제2 센싱 라인(SL2)은 상기 제2 터치 전극 열들의 일단에 연결될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 상기 제2 터치 전극 열들의 양단에 연결될 수 있다.
상기 패드부(PD)는 상기 제1 비감지 영역(NSA1)에 제공되며, 복수의 패드들(SL_P)을 포함할 수 있다. 상기 패드들(SL_P)은 상기 제1 센싱 라인(SL1) 및 상기 제2 센싱 라인(SL2)을 통해 대응하는 제1 터치 전극들(TE1) 및 대응하는 제2 터치 전극들(TE2)에 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서층(210)은 상기 제1 내지 제3 감지 영역(SA1, SA2, SA3) 각각에 그라운드 전압(GND)을 공급하는 그라운드 배선(GL)을 더 포함할 수 있다. 상기 그라운드 배선(GL)은 상기 제2 방향(DR2)을 따라 상기 제1 비감지 영역(NSA1)의 우측 세로부에서 상기 제3 비감지 영역(NSA3)의 우측 세로부까지 연장될 수 있다. 상기 그라운드 배선(GL)에 대한 상세한 설명은 후술한다.
한편, 상기 베이스 층(BSL)은 상기 표시 패널(100)의 상기 기판(SUB)에 대응되는 형상을 가질 수 있다. 따라서, 상기 베이스 층(BSL)은 상기 제1 감지 영역(SA1)에서 상기 제2 방향(DR2)을 따라 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3)이 돌출되고, 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3) 사이 영역이 함몰된 형상을 가질 수 있다. 이로 인해, 상기 베이스 층(BSL)은 상기 제2 터치 영역(B2) 및 상기 제3 터치 영역(B3) 사이에 노치(notch)를 구비할 수 있다.
상기 노치(notch)는 상기 베이스 층(BSL)이 상기 기판(SUB)에 대응되는 형상을 갖게 하는 상기 제2 컷팅부(CUT2)일 수 있다. 상기 제2 컷팅부(CUT2)은 상기 기판(SUB)의 제1 컷팅부(도 3의 CUT1 참고)에 대응할 수 있다. 상기 제2 컷팅부(CUT2)의 형상은 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이, 상기 제2 컷팅부(CUT2)는 세 개의 직선의 변을 포함하는 개구된 다각형으로 제공될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 제2 컷팅부(CUT2)는 곡선을 포함하는 변으로 이루어진 원, 타원 등, 직선과 곡선으로 이루어진 변을 포함하는 반원, 반타원 등 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 컷팅부(CUT2)의 세 개의 직선의 변은 컷팅 라인(CL)일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 감지 영역(SA2)과 상기 제3 감지 영역(SA3)은 상기 제2 컷팅부(CUT2)에 의해 일정 간격 이격될 수 있다. 일정 간격 이격된 상기 제2 감지 영역(SA2)과 상기 제3 감지 영역(SA3) 사이 영역에는 상기 부가 비감지 영역(ANSA)이 제공될 수 있다.
상기 제2 컷팅부(CUT2)에 의해, 상기 제1 내지 제3 감지 영역(SA1, SA2, SA3) 각각은 면적이 서로 상이하고, 그 형상 또한 서로 상이할 수 있다. 이로 인해, 상기 제1 내지 제3 감지 영역(SA1, SA2, SA3) 각각에 배치되는 상기 터치 전극들(TE)의 크기가 균일하지 않을 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3) 각각에서, 상기 제2 컷팅부(CUT2)의 상기 컷팅 라인(CL)에 인접하게 배치된 상기 터치 전극들(TE)은 그 일부가 잘라져 제거될 수 있다. 예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제2 감지 영역(SA2)과 상기 제3 감지 영역(SA3) 사이 영역에서 상기 컷팅 라인(CL)에 인접하게 배치된 상기 제1 터치 전극들(TE1)은 그 일부가 잘라져 크기가 작아질 수 있다.
상기 제2 컷팅부(CUT2)의 형상에 대응되도록 그 일부가 제거된 터치 전극(TE)들을 포함한 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3)에서의 정전 용량 값은 상기 제1 감지 영역(SA1)에서의 정전 용량 값과 상이할 수 있다. 즉, 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3)에서의 정전 용량 값과 상기 제1 감지 영역(SA1)에서의 정전 용량 값은 차이가 발생할 수 있다.
또한, 상기 제2 감지 영역(SA2)에 배치된 상기 터치 전극들(TE, 이하 “제2 감지 터치 전극”이라 함)의 개수는 상기 제1 감지 영역(SA1)에 배치된 상기 터치 전극들(TE, 이하 “제1 감지 터치 전극”이라 함)의 개수와 상이할 수 있다. 마찬가지로, 상기 제3 감지 영역(SA3)에 배치된 상기 터치 전극들(TE, 이하 “제3 감지 터치 전극”이라 함)의 개수는 상기 제1 감지 영역(SA1)에 배치된 상기 제1 감지 터치 전극(TE)의 개수와 상이할 수 있다. 상기 제2 감지 영역(SA2)이 상기 제1 감지 영역(SA1)에 비해 작은 면적, 특히, 폭을 가지므로, 상기 제2 감지 터치 전극(TE)은 상기 제1 감지 터치 전극(TE)에 비해 적은 개수로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제3 감지 영역(SA3)도 상기 제1 감지 영역(SA1)에 비해 작은 폭을 가지므로, 상기 제3 감지 터치 전극(TE)도 상기 제1 감지 터치 전극(TE)에 비해 적은 개수로 제공될 수 있다.
상기 제1 내지 제3 감지 영역(SA1, SA2, SA3) 각각에 제공된 상기 터치 전극들(TE)의 개수 차이는 상기 제1 내지 제3 감지 영역(SA1, SA2, SA3) 별로 로드(load) 값의 차이를 야기할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 감지 영역(SA1, SA2, SA3) 별로 발생한 로드 값의 차이는 상기 제1 내지 제3 영역(SA1, SA2, SA3) 별로 정전 용량 값의 차이를 야기할 수 있다. 이로 인해, 상기 터치 센서 층(210)은 균일한 터치 인식률을 구현할 수 없다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 내지 제3 감지 영역(SA1, SA2, SA3) 별로 상기 로드 값의 차이를 보상하기 위해, 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3)에서 일부가 제거되어 면적이 작은 터치 전극들(TE)을 전기적으로 연결하는 브릿지 라인(미도시)을 구비함으로써 저항 값이 다른 구조가 채용될 수 있다. 이러한 브릿지 라인에 대해서는 도 10을 참조하여 후술한다.
도 10은 도 6의 EA1 영역의 확대도이고, 도 11은 도 10의 EA5 영역의 확대도이며, 도 12는 도 11의 Ⅱ ~ Ⅱ'선에 따른 단면도이다.
도 6, 및 도 10 내지 도 12를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 층(210)은 각 감지 영역 별로 로드 값의 차이를 보상하기 위해 브릿지 라인(BRL)을 이용하여 각 감지 영역 별로 터치 전극들(TE)의 저항 값이 다른 구조가 적용될 수 있다. 이를 위해, 상기 브릿지 라인(BRL)은 부가 비감지 영역(ANSA)에만 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 층(210)은 베이스 층(BSL), 상기 터치 전극들(TE), 센싱 라인들(SL)을 포함할 수 있다.
상기 베이스 층(BSL)은 제1 내지 제3 터치 영역(B1, B2, B3), 상기 제2 터치 영역(B2)과 상기 제3 터치 영역(B3) 사이에 제공된 제2 컷팅부(CUT2)를 포함할 수 있다.
상기 제1 터치 영역(B1)은 제1 감지 영역(SA1) 및 제1 비감지 영역(NSA1)을 포함하고, 상기 제2 터치 영역(B2)은 제2 감지 영역(SA2) 및 제2 비감지 영역(NSA2)을 포함하며, 상기 제3 터치 영역(B3)은 제3 감지 영역(SA3) 및 제3 비감지 영역(NSA3)을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 감지 영역(SA1, SA2, SA3) 각각은 상기 제2 컷팅부(CUT2)에 의해 상기 베이스 층(BSL)에서 구분될 수 있으며 서로 상이한 면적, 특히, 폭을 가질 수 있다.
상기 제1 내지 제3 감지 영역(SA1, SA2, SA3) 각각에는 상기 터치 전극들(TE)이 제공될 수 있다. 상기 터치 전극들(TE)은 복수의 제1 터치 전극(TE1)과 복수의 제2 터치 전극(TE2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 터치 전극들(TE1)은 제1 방향(DR1)으로 배열되고 전기적으로 연결되며 서로 평행한 복수의 터치 전극 행들을 구성할 수 있다. 상기 제2 터치 전극들(TE2)은 제2 방향(DR2)으로 배열되고 전기적으로 연결되며 서로 평행한 복수의 터치 전극 열들을 구성할 수 있다.
상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3) 각각은 상기 제1 감지 영역(SA1)에 비해 면적, 특히, 폭이 작으므로, 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3) 각각에 배치된 상기 터치 전극들(TE)의 개수는 상기 제1 감지 영역(SA1)에 배치된 상기 터치 전극들(TE)의 개수보다 적을 수 있다. 상기 제1 감지 영역(SA1)에 배치된 상기 터치 전극들(TE)의 개수와 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3) 각각에 배치된 상기 터치 전극들(TE)의 개수 차이는 상기 제1 내지 제3 감지 영역(SA1, SA2, SA3) 별로 로드 차이를 야기할 수 있다.
상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3) 각각에서, 상기 제2 컷팅부(CUT2)의 컷팅 라인(CL)에 인접하게 배치된 상기 터치 전극들(TE)은 그 일부가 잘라져 크기가 작을 수 있다. 특히, 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3) 각각에는 일부가 잘라져 크기가 작은 제1 터치 전극들(TE1)이 배치될 수 있다. 이로 인해, 상기 제1 내지 제3 감지 영역(SA1, SA2, SA3) 각각에 배치되는 상기 터치 전극들(TE)의 크기가 균일하지 않을 수 있다. 상술한 바와 같이, 상기 제1 내지 제3 감지 영역(SA1, SA2, SA3) 각각에 배치된 상기 터치 전극들(TE)의 크기 차이도 상기 제1 내지 제3 감지 영역(SA1, SA2, SA3) 별로 로드 차이를 야기할 수 있다.
이하에서는, 편의를 위해, 상기 제2 감지 영역(SA2)에서 일부가 제거됨으로써 균일한 크기의 제1 터치 전극(TE1)에 비해 크기가 작은 제1 터치 전극(TE1)을 제2-1 터치 전극(TE1)이라 지칭하고, 상기 제3 감지 영역(SA3)에서 일부가 제거됨으로써 균일한 크기의 제1 터치 전극(TE1)에 비해 크기가 작은 제1 터치 전극(TE1)을 제3-1 터치 전극(TE1)이라 지칭한다.
상기 부가 비감지 영역(ANSA)에는 상기 제1 내지 제3 감지 영역(SA1, SA2, SA3) 별로 로드 값의 차이를 보상하기 위한 상기 브릿지 라인(BRL)이 제공될 수 있다.
상기 브릿지 라인(BRL)은 복수 개로 제공될 수 있으며 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3) 각각에 배치된 상기 터치 전극(TE) 중 일부를 전기적으로 연결할 수 있다. 구체적으로, 상기 브릿지 라인(BRL)은 동일한 터치 전극 행에 배치된 상기 제2-1 터치 전극(TE1)과 상기 제3-1 터치 전극(TE1)을 전기적으로 연결할 수 있다.
상기 브릿지 라인(BRL)은 제1 브릿지 라인(BRL1)과 제2 브릿지 라인(BRL2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 브릿지 라인(BRL1, BRL2) 각각은 제1 및 제2 브릿지 패턴(BRP1, BRP2)을 통해 대응하는 제2-1 터치 전극(TE1) 및 제3-1 터치 전극(TE1)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 브릿지 라인(BRL1)은 상기 베이스 층(BSL)에서 최상측에 위치한 제1 터치 전극 행의 상기 제2-1 터치 전극(TE1)과 상기 제3-1 터치 전극(TE1)을 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 제1 브릿지 라인(BRL1)의 일 단은 상기 제1 브릿지 패턴(BRP1)을 통해 상기 제1 터치 전극 행의 상기 제2-1 터치 전극(TE1)에 연결되고, 그 타단은 상기 제2 브릿지 패턴(BRP2)을 통해 상기 제1 터치 전극 행의 상기 제3-1 터치 전극(TE1)에 연결될 수 있다.
상기 제2 브릿지 라인(BRL2)은 상기 제1 터치 전극 행의 아래에 위치한 제2 터치 전극 행의 제2-1 터치 전극(TE1)과 제3-1 터치 전극(TE1)을 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 제2 브릿지 라인(BRL2)의 일 단은 상기 제1 브릿지 패턴(BRP1)을 통해 상기 제2 터치 전극 행의 상기 제2-1 터치 전극(TE1)에 연결되고, 그 타단은 상기 제2 브릿지 패턴(BRP2)을 통해 상기 제2 터치 전극 행의 상기 제3-1 터치 전극(TE1)에 연결될 수 있다.
상기 제1 브릿지 패턴(BRP1)의 일 단은 제2 절연층(IL2)을 관통하는 제1 관통 홀(TH1)을 통해 대응하는 브릿지 라인(BRL)에 연결되고, 그 타 단은 상기 제2-1 터치 전극(TE1)에 직접 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 브릿지 패턴(BRP2)의 일 단은 상기 제2 절연층(IL2)을 관통하는 제2 관통 홀(TH2)을 통해 대응하는 브릿지 라인(BRL)에 연결되고, 그 타 단은 상기 제3-1 터치 전극(TE1)에 직접 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 브릿지 패턴(BRP1)과 상기 제2 브릿지 패턴(BRP2)은 동일한 층에 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 브릿지 패턴(BRP1)은 상기 제2-1 터치 전극(TE1)과 동일한 층에 제공되고, 상기 제2-1 터치 전극(TE1)과 일체로 제공될 수 있고, 상기 제2 브릿지 패턴(BRP2)은 상기 제3-1 터치 전극(TE1)과 동일한 층에 제공되고, 상기 제3-1 터치 전극(TE1)과 일체로 제공될 수 있다. 결국, 상기 제1 브릿지 패턴(BRP1), 상기 제2 브릿지 패턴(BRP2), 상기 제2-1 터치 전극(TE1), 및 상기 제3-1 터치 전극(TE1)은 동일한 층에 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 브릿지 라인(BRL)은 단일층으로 제공될 수 있다. 상기 브릿지 라인(BRL)은 상기 센싱 라인(SL)과 동일한 층에 제공되며 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 브릿지 라인(BRL)은 몰리브덴을 포함한 금속 물질로 형성될 수 있다. 상기 브릿지 라인(BRL)은 상기 부가 비감지 영역(ANSA)의 제한된 면적 내에 배치되어야 하므로 매우 얇은 배선 폭을 가질 수 있다. 이러한 경우, 상기 브릿지 라인(BRL)은 재료적 특성으로 배선 저항 값이 낮을 수 있으나, 배선 폭이 매우 얇아 결과적으로 배선 저항 값이 커질 수 있다.
배선 저항 값이 큰 상기 브릿지 라인(BRL)을 이용하여 동일한 터치 전극 행에 연결된 상기 제2-1 터치 전극(TE1)과 상기 제3-1 터치 전극(TE1)을 전기적으로 연결할 경우, 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3) 각각에 배치된 터치 전극들(TE)의 로드 값이 커질 수 있다. 결국, 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3) 각각에 배치된 상기 터치 전극들(TE)의 로드 값은 상기 제1 감지 영역(SA1)에 배치된 터치 전극들(TE)의 로드 값과 동일하거나 유사해질 수 있다. 이와 같이, 상기 제1 내지 제3 감지 영역(SA1, SA2, SA3) 별로 상기 터치 전극들(TE)의 로드 값이 동일하거나 유사해질 경우, 상기 터치 센서층(210)은 전 영역에 걸쳐 균일한 터치 인식률을 구현할 수 있다.
상기 브릿지 라인(BRL)은 평면 상에서 볼 때 상기 센싱 라인들(SL) 중 제2 센싱 라인(SL2)에 중첩할 수 있다. 상기 브릿지 라인(BRL)에 중첩한 상기 제2 센싱 라인(SL2)은 상기 부가 비감지 영역(ANSA)에서 상기 제1 감지 영역(SA1)에 배치된 제2 터치 전극(TE2)에 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 센싱 라인(SL2)은 제1 컨택 전극(CNE1)에 의해 상기 제2 터치 전극(TE2)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 컨택 전극(CNE1)은 상기 제2 터치 전극(TE2)과 일체로 제공되어 상기 제2 터치 전극(TE2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 컨택 전극(CNE1)의 일단은 제2 절연층(IL2)을 관통하는 제1 컨택 홀(CH1)을 통해 상기 제2 센싱 라인(SL2)에 연결되고, 타 단은 상기 제2 터치 전극(TE2)에 연결될 수 있다. 이로 인해, 상기 제2 센싱 라인(SL2)은 상기 제2 터치 전극(TE2)에 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2-1 터치 전극(TE1) 및 상기 제3-1 터치 전극(TE1)은 상기 제2 터치 전극(TE2)과 동일한 층에 제공될 수 있다. 따라서, 상기 제1 컨택 전극(CNE1)은 상기 제2-1 터치 전극(TE1) 및 상기 제3-1 터치 전극(TE1)과 동일한 층에 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 브릿지 라인(BRL)의 배선 저항 값은 보상하고자 하는 상기 터치 전극들(TE)의 로드 값에 따라 달리 설정될 수 있다. 상기 브릿지 라인(BRL)의 선 폭을 조절하거나, 저항 값이 큰 금속 물질을 이용하여 상기 브릿지 라인(BRL)을 형성함으로써, 상기 브릿지 라인(BRL)의 배선 저항 값이 조절될 수 있다.
하기에서는, 도 11 및 도 12를 참조하여 상기 브릿지 라인(BRL), 상기 터치 전극(TE), 및 상기 제2 센싱 라인(SL2)을 적층 순서에 따라 설명한다.
먼저, 상기 베이스 층(BSL) 상에 제1 절연층(IL1)이 제공될 수 있다.
상기 제1 절연층(IL1) 상에 상기 제2 센싱 라인(SL), 상기 제1 및 제2 브릿지 라인(BRL1, BRL2)이 제공될 수 있다.
상기 제2 센싱 라인(SL) 등이 제공된 상기 제1 절연층(IL1) 상에 상기 제2 절연층(IL2)이 제공될 수 있다.
상기 제2 절연층(IL2) 상에 상기 제1 및 제2 브릿지 패턴(BRP1, BRP2), 상기 제1 컨택 전극(CNE1), 및 상기 제1 및 제2 터치 전극(TE1, TE2)이 제공될 수 있다.
상기 제1 컨택 전극(CNE1)은 상기 제2 절연층(IL2)을 관통하는 상기 제1 컨택 홀(CH1)을 통해 상기 제2 센싱 라인(SL2)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 컨택 전극(CNE1)과 상기 제1 및 제2 터치 전극(TE1, TE2)은 동일한 층에 제공되며, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 브릿지 패턴(BRP1, BRP2), 상기 제1 컨택 전극(CNE1), 상기 제1 및 제2 터치 전극(TE1, TE2)은 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
상기 제1 컨택 전극(CNE1) 등이 제공된 상기 제2 절연층(IL2) 상에 제3 절연층(IL3)이 제공될 수 있다. 상기 제3 절연층(IL3)은 상기 제1 컨택 전극(CNE1)이 외부로 노출되는 것을 방지하여, 상기 제1 컨택 전극(CNE1)의 부식을 방지할 수 있다.
도 13은 다른 실시예에 따른 브릿지 라인을 도시한 것으로, 도 10의 EA5 영역에 대응되는 평면도이며, 도 14는 도 13의 Ⅲ ~ Ⅲ'선에 따른 단면도이다. 본 발명의 다른 실시예에 있어서, 중복된 설명을 피하기 위하여 상술한 일 실시예와 상이한 점을 위주로 설명한다. 본 실시예에서 특별히 설명하지 않은 부분은 상술한 일 실시예에 따르며, 동일한 번호는 동일한 구성 요소를, 유사한 번호는 유사한 구성 요소를 나타낸다.
도 10, 도 13 및 도 14를 참조하면, 브릿지 라인(BRL)은 제1 및 제2 브릿지 라인(BRL1, BRL2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 브릿지 라인(BRL1, BRL2) 각각은 제1 및 제2 브릿지 패턴(BRP1, BRP2)을 통해 대응하는 제2-1 터치 전극(TE1) 및 제3-1 터치 전극(TE1)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 브릿지 라인(BRL1)은 베이스 층(도 6의 BSL 참고)에서 최상측에 위치한 제1 터치 전극 행의 제2-1 터치 전극(TE1)과 제3-1 터치 전극(TE1)을 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 제1 브릿지 라인(BRL1)의 일 단은 상기 제1 브릿지 패턴(BRP1)을 통해 상기 제1 터치 전극 행의 상기 제2-1 터치 전극(TE1)에 연결되고, 그 타 단은 상기 제2 브릿지 패턴(BRP2)을 통해 상기 제1 터치 전극 행의 상기 제3-1 터치 전극(TE1)에 연결될 수 있다.
상기 제2 브릿지 라인(BRL2)은 상기 제1 터치 전극 행의 아래에 위치한 제2 터치 전극 행의 제2-1 터치 전극(TE1)과 제3-1 터치 전극(TE1)을 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 제2 브릿지 라인(BRL2)의 일 단은 상기 제1 브릿지 패턴(BRP1)을 통해 상기 제2 터치 전극 행의 상기 제2-1 터치 전극(TE1)에 연결되고, 그 타 단은 상기 제2 브릿지 패턴(BRP2)을 통해 상기 제2 터치 전극 행의 상기 제3-1 터치 전극(TE1)에 연결될 수 있다.
상기 제1 및 제2 브릿지 라인(BRL1, BRL2) 각각은 평면 상에서 볼 때 제2 컨택 전극(CNE2)에 중첩될 수 있다. 상기 제1 및 제2 브릿지 라인(BRL1, BRL2) 각각은 상기 제2 컨택 전극(CNE2)에 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 브릿지 라인(BRL1)은 상기 제2 컨택 전극(CNE2)을 통해 제1 방향(DR1)을 따라 인접하게 배치된 제1 브릿지 라인(BRL1)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 브릿지 라인(BRL2)도 상기 제2 컨택 전극(CNE2)을 통해 상기 제1 방향(DR2)을 따라 인접하게 배치된 제2 브릿지 라인(BRL2)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 컨택 전극(CNE2)은 상기 제1 및 제2 브릿지 패턴(BRP1, BRP2)과 동일한 층에 제공되며 동일한 물질을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 컨택 전극(CNE2)은 저항 값이 큰 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 도전성 산화물로 이루어질 수 있다. 이러한 경우, 상기 제2 컨택 전극(CNE2)에 연결된 상기 제1 및 제2 브릿지 라인(BRL1, BRL2) 각각의 배선 저항 값이 커질 수 있다.
배선 저항 값이 큰 상기 제1 및 제2 브릿지 라인(BRL1, BRL2)을 이용하여 동일한 터치 행에 배치된 상기 제2-1 터치 전극(TE1)과 상기 제3-1 터치 전극(TE1)을 전기적으로 연결할 경우, 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3) 각각에 배치된 터치 전극들(TE)의 로드 값이 커질 수 있다. 결국, 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3) 각각에 배치된 상기 터치 전극들(TE)의 로드 값은 상기 제1 감지 영역(SA1)에 배치된 터치 전극들(TE)의 로드 값과 동일하거나 유사해질 수 있다.
하기에서는, 도 14를 참조하여 상기 브릿지 라인(BRL), 상기 제2 컨택 전극(CNE2), 상기 터치 전극(TE), 및 제2 센싱 라인(SL2)을 적층 순서에 따라 설명한다.
먼저, 상기 베이스 층(BSL) 상에 제1 절연층(IL1)이 제공될 수 있다.
상기 제1 절연층(IL1) 상에 상기 제2 센싱 라인(SL2), 상기 제1 및 제2 브릿지 라인(BRL1, BRL2)이 제공될 수 있다.
상기 제2 센싱 라인(SL2) 등이 제공된 상기 제1 절연층(IL1) 상에 제2 절연층(IL2)이 제공될 수 있다.
상기 제2 절연층(IL2) 상에 상기 제1 및 제2 브릿지 패턴(BRP1, BRP2), 상기 제2 컨택 전극(CNE2), 제1 컨택 전극(CNE1), 상기 제2-1 터치 전극(TE1), 상기 제3-1 터치 전극(TE1), 및 제2 터치 전극(TE2)이 제공될 수 있다.
상기 제2 컨택 전극(CNE2)은 상기 제2 절연층(IL2)을 관통하는 제2 컨택 홀(CH2)을 통해 상기 제1 및 제2 브릿지 라인(BRL1, BRL2) 각각에 연결될 수 있다.
상기 제1 컨택 전극(CNE1)은 상기 제2 절연층(IL2)을 관통하는 제1 컨택 홀(CH1)을 통해 상기 제2 센싱 라인(SL2)에 전기적으로 연결될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 컨택 전극(CNE1)은 상기 제2 터치 전극(TE2)과 일체로 제공될 수 있다.
상기 제1 브릿지 패턴(BRP1)은 상기 제2 절연층(IL2)을 관통하는 제1 관통 홀(TH1)을 통해 대응하는 브릿지 라인(BRL)에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제1 브릿지 패턴(BRP1)은 상기 제2-1 터치 전극(TE1)과 일체로 제공되어 상기 제2-1 터치 전극(TE1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 브릿지 패턴(BRP2)은 상기 제2 절연층(IL2)을 관통하는 제2 관통 홀(TH2)을 통해 상기 대응하는 브릿지 라인(BRL)에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 브릿지 패턴(BRP2)은 상기 제3-1 터치 전극(TE1)과 일체로 제공되어 상기 제3-1 터치 전극(TE1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 컨택 전극(CNE2) 등이 제공된 상기 제2 절연층(IL2) 상에 제3 절연층(IL3)이 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 컨택 전극(CNE2)은 대응하는 브릿지 라인(BRL)에 부분적으로 중첩되게 배치되는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 제2 컨택 전극(CNE2)은 상기 제1 컨택 전극(CNE1)과의 전기적 절연을 확보하면서 상기 브릿지 라인(BRL)의 배선 저항 값을 증가시킬 수 있는 범위 내에서 대응하는 브릿지 라인(BRL)의 대부분에 중첩되게 배치될 수 있다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 센서 층을 설명하기 위한 평면도이고, 도 16은 도 15의 EA6 영역의 확대도이고, 도 17은 도 16의 EA7 영역의 확대도이며, 도 18은 도 17의 Ⅳ ~ Ⅳ'선에 따른 단면도이다. 본 발명의 다른 실시예에 있어서, 중복된 설명을 피하기 위하여 상술한 일 실시예와 상이한 점을 위주로 설명한다. 본 실시예에서 특별히 설명하지 않은 부분은 상술한 일 실시예에 따르며, 동일한 번호는 동일한 구성 요소를, 유사한 번호는 유사한 구성 요소를 나타낸다.
도 15 내지 도 18을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 센서 층(210)은 서로 상이한 면적을 갖는 제1 내지 제3 터치 영역(B1, B2, B3)을 구비한 베이스 층(BSL)을 포함할 수 있다. 상기 베이스 층(BSL)은 표시 패널(도 3의 100 참고)의 기판(도 3의 SUB 참고)의 형상에 대응하여 실질적으로 동일한 형상으로 제공될 수 있다.
상기 제1 터치 영역(B1)은 제1 감지 영역(SA1) 및 제1 비감지 영역(NSA1)을 포함하고, 상기 제2 터치 영역(B2)은 제2 감지 영역(SA2) 및 제2 비감지 영역(NSA2)을 포함하며, 상기 제3 터치 영역(B3)은 제3 감지 영역(SA3) 및 제3 비감지 영역(NSA3)을 포함할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 터치 영역(B1, B2, B3) 각각은 다양한 형상을 가질 수 있다. 상기 베이스 층(BSL)은 상기 제1 감지 영역(SA1)에서 제2 방향(DR2)을 따라 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3)이 돌출되고, 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3) 사이 영역이 함몰된 형상을 가질 수 있다. 이로 인해, 상기 베이스 층(BSL)은 상기 제2 감지 영역(SA2) 및 상기 제3 감지 영역(SA3) 사이에 노치(notch)를 구비할 수 있다.
상기 노치(notch)는 상기 베이스 층(BSL)이 상기 기판(SUB)에 대응되는 형상을 가지는 제2 컷팅부(CUT2)일 수 있다. 상기 제2 컷팅부(CUT2)는 인접하는 세 개의 변을 포함하는 개구된 라운드 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제2 컷팅부(CUT2)의 세 개의 변은 소정 곡률을 갖는 곡선의 변일 수 있다. 상기 제2 컷팅부(CUT2)의 세 개의 변은 컷팅 라인(CL)일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3) 각각의 모서리부 중 일부는 상기 컷팅 라인(CL)에 대응하여 소정의 곡률을 갖는 곡선의 변을 포함할 수 있다. 특히, 상기 베이스 층(BSL)의 부가 비감지 영역(ANSA)에 인접한 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3) 각각의 모서리부는 곡선의 변을 포함할 수 있다.
상기 제2 감지 영역(SA2)과 상기 제3 감지 영역(SA3)은 상기 제2 컷팅부(CUT2)에 의해 일정 간격 이격될 수 있다. 일정 간격 이격된 상기 제2 감지 영역(SA2)과 상기 제3 감지 영역(SA3) 사이에는 상기 부가 비감지 영역(ANSA)이 제공될 수 있다. 상기 부가 비감지 영역(ANSA)은 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3)의 곡선의 변에 대응한 라운드 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 내지 제3 감지 영역(SA1, SA2, SA3) 각각에는 터치 전극들(TE)이 제공될 수 있다. 상기 터치 전극들(TE)은 복수의 제1 터치 전극(TE1)과 복수의 제2 터치 전극(TE2)을 포함할 수 있다.
상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3) 각각에서, 상기 제2 컷팅부(CUT2)의 상기 컷팅 라인(CL)에 인접하게 배치된 상기 터치 전극들(TE)은 그 일부가 잘라져 크기가 작을 수 있다. 특히, 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3) 각각에는 그 일부가 잘라져 크기가 작은 제1 터치 전극들(TE1)이 배치될 수 있다. 설명의 편의를 위해, 상기 제2 감지 영역(SA2)에서 일부가 제거되어 균일한 크기의 제1 터치 전극(TE1)에 비해 크기가 작은 제1 터치 전극(TE1)을 제2-1 터치 전극(TE1)이라 지칭하고, 상기 제3 감지 영역(SA3)에서 일부가 제거되어 균일한 크기의 제1 터치 전극(TE1)에 비해 크기가 작은 제1 터치 전극(TE1)을 제3-1 터치 전극(TE1)이라 지칭한다.
상기 부가 비감지 영역(ANSA)에는 상기 제1 내지 제3 감지 영역(SA1, SA2, SA3) 별로 로드 값의 차이를 보상하기 위한 상기 브릿지 라인(BRL)이 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 브릿지 라인(BRL)은 상기 부가 비감지 영역(ANSA)의 라운드 형상에 대응되게 소정의 곡률을 갖는 곡선으로 이루어질 수 있다.
상기 브릿지 라인(BRL)은 동일한 터치 전극 행에 배치된 상기 제2-1 터치 전극(TE1)과 상기 제3-1 터치 전극(TE1)을 전기적으로 연결할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 브릿지 라인(BRL)은 단일층 또는 다중층으로 제공될 수 있다. 상기 브릿지 라인(BRL)은 센싱 라인(SL)과 동일한 층에 제공되며 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 브릿지 라인(BRL)은 상기 부가 비감지 영역(ANSA)의 제한된 면적 내에 배치되어야 하므로 매우 얇은 배선 폭을 가질 수 있다. 이러한 경우, 상기 브릿지 라인(BRL)의 배선 저항 값이 커질 수 있다.
배선 저항 값이 큰 상기 브릿지 라인(BRL)을 이용하여 동일한 터치 행에 연결된 상기 제2-1 터치 전극(TE1)과 상기 제3-1 터치 전극(TE1)을 전기적으로 연결할 경우, 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3) 각각에 배치된 터치 전극들(TE)의 로드 값이 커질 수 있다. 결국, 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3) 각각에 배치된 상기 터치 전극들(TE)의 로드 값은 상기 제1 감지 영역(SA1)에 배치된 터치 전극들(TE)의 로드 값과 동일하거나 유사해질 수 있다.
상기 브릿지 라인(BRL)은 평면 상에서 볼 때 상기 센싱 라인들(SL) 중 제2 센싱 라인(SL2)에 중첩할 수 있다. 상기 브릿지 라인(BRL)에 중첩한 상기 제2 센싱 라인(SL2)은 상기 제1 감지 영역(SA1)에 배치된 제2 터치 전극(TE2)에 전기적으로 연결될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 센싱 라인(SL2)은 제1 컨택 전극(CNE1)에 의해 대응하는 제2 터치 전극(TE2)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 컨택 전극(CNE1)은 상기 제2 터치 전극(TE2)과 일체로 제공되어 상기 제2 터치 전극(TE2)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 터치 센서 층을 설명하기 위한 평면도이고, 도 20은 도 19의 EA8 영역의 확대도이고, 도 21은 도 20의 EA9 영역의 확대도이며, 도 22는 도 21의 Ⅴ ~ Ⅴ'선에 따른 단면도이다. 본 발명의 또 다른 실시예에 있어서, 중복된 설명을 피하기 위하여 상술한 일 실시예와 상이한 점을 위주로 설명한다. 본 실시예에서 특별히 설명하지 않은 부분은 상술한 일 실시예에 따르며, 동일한 번호는 동일한 구성 요소를, 유사한 번호는 유사한 구성 요소를 나타낸다.
도 19 내지 도 22를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 터치 센서 층(210)은 상이한 면적을 갖는 제1 및 제2 터치 영역(B1, B2)을 포함하는 베이스 층(BSL)을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 터치 영역(B1, B2) 각각은 다양한 형상을 가질 수 있으나, 도면에 도시된 바와 같이 대략적으로 직사각 형상을 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 베이스 층(BSL)은 상기 제1 터치 영역(B1)의 중앙부에서 제2 방향(DR2)을 따라 상기 제2 터치 영역(B2)이 돌출된 형상을 가질 수 있다. 이로 인해, 상기 베이스 층(BSL)은 상기 제2 터치 영역(B2)의 양단부에서 그 일부가 제거된 제3 컷팅부(CUT3)를 포함할 수 있다. 상기 제3 컷팅부(CUT3)는 상기 베이스 층(BSL)이 표시 패널(도 1의 100 참고)의 형상에 대응되도록 상기 베이스 층(BSL)에서 제거된 영역일 수 있다.
상기 제1 터치 영역(B1)은 제1 감지 영역(SA1) 및 제1 비감지 영역(NSA1)을 포함하고, 상기 제2 터치 영역(B2)은 제2 감지 영역(SA2) 및 제2 비감지 영역(NSA2)을 포함할 수 있다.
상기 제1 감지 영역(SA1) 및 상기 제2 감지 영역(SA2)에는 복수 개의 터치 전극(TE)이 제공될 수 있다. 상기 터치 전극들(TE)은 복수의 제1 터치 전극(TE1)과 복수의 제2 터치 전극(TE2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 터치 전극들(TE1)은 제1 방향(DR1)으로 배열되고 전기적으로 연결되며 서로 평행한 복수의 터치 전극 행들을 구성할 수 있다. 상기 제2 터치 전극들(TE2)은 상기 제2 방향(DR2)으로 배열되고 전기적으로 연결되며 서로 평행한 복수의 터치 전극 열들을 구성할 수 있다.
상기 제2 감지 영역(SA2)은 상기 제1 감지 영역(SA1)에 비해 면적, 특히, 폭이 작으므로, 상기 제2 감지 영역(SA2)에 배치된 상기 터치 전극들(TE)의 개수는 상기 제1 감지 영역(SA1)에 배치된 상기 터치 전극들(TE)의 개수보다 적을 수 있다. 상기 제1 감지 영역(SA1)에 배치된 상기 터치 전극들(TE)의 개수와 상기 제2 감지 영역(SA2)에 배치된 상기 터치 전극들(TE)의 개수 차이는 상기 제1 및 제2 감지 영역(SA1, SA2) 별로 로드 차이를 야기할 수 있다.
상기 제2 감지 영역(SA2)에서, 상기 제3 컷팅부(CUT3)의 컷팅 라인(CL)에 인접하게 배치된 상기 터치 전극들(TE)은 그 일부가 잘라져 제거될 수 있다. 특히, 상기 제2 감지 영역(SA2)에는 일부가 잘려서 크기가 작은 제1 터치 전극들(TE1)이 배치될 수 있다. 이로 인해, 상기 제1 및 제2 감지 영역(SA1, SA2) 각각에 배치된 상기 터치 전극들(TE)의 크기가 균일하지 않을 수 있다. 상술한 바와 같이, 상기 제1 및 제2 감지 영역(SA1, SA2)에 배치된 상기 터치 전극들(TE)의 크기 차이도 상기 제1 및 제2 감지 영역(SA1, SA2) 별로 로드 차이를 야기할 수 있다.
상기 제2 비감지 영역(NSA2)에는 상기 제1 및 제2 감지 영역(SA1, SA2) 별로 로드 값의 차이를 보상하기 위한 브릿지 라인(BRL)이 제공될 수 있다. 설명의 편의를 위해, 상기 제2 감지 영역(SA2)에서 일부가 제거되어 균일한 크기의 제1 터치 전극(TE1)에 비해 크기가 작은 제1 터치 전극(TE1)을 제2-1 터치 전극(TE1)이라 지칭한다.
상기 브릿지 라인(BRL)은 복수 개로 제공될 수 있으며 동일한 터치 전극 행에 배치된 상기 제2-1 터치 전극들(TE1)을 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 브릿지 라인(BRL)은 제1 브릿지 라인(BRL1)과 제2 브릿지 라인(BRL2)을 포함할 수 있다.
상기 제1 브릿지 라인(BRL1)은 상기 베이스 층(BSL)에서 최상측에 위치한 제1 터치 전극 행에서 서로 인접하게 배치된 제2-1 터치 전극들(TE1)을 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 제1 브릿지 라인(BRL1)은 제1 브릿지 패턴(BRP1)에 의해 상기 제1 터치 전극 행에서 인접하게 배치된 상기 제2-1 터치 전극들(TE1)에 전기적으로 연결될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 브릿지 패턴(BRP1)은 상기 제2-1 터치 전극(TE1)과 동일한 층에 제공되며 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제2 브릿지 라인(BRL2)은 상기 제1 터치 전극 행의 아래에 위치한 제2 터치 전극 행에서 인접하게 배치된 제2-1 터치 전극들(TE1)을 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 제2 브릿지 라인(BRL2)은 제2 브릿지 패턴(BRP2)에 의해 상기 제2 터치 전극 행에서 인접하게 배치된 상기 제2-1 터치 전극들(E1)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 및 제2 브릿지 라인(BRL1, BRL2)은 상기 제2 비감지 영역(NSA2) 내에서 일정 간격 이격되도록 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 브릿지 라인(BRL1, BRL2) 각각은 단일층 또는 다중층으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 브릿지 라인(BRL1, BRL2) 각각은 센싱 라인(SL)과 동일한 층에 제공되며 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 브릿지 라인(BRL1, BRL2) 각각은 상기 제2 비감지 영역(NSA2)의 제한된 면적 내에 배치되어야 하므로 매우 얇은 배선 폭을 가질 수 있다. 이러한 경우, 상기 제1 및 제2 브릿지 라인(BRL1, BRL2) 각각은 배선 폭이 얇아 배선 저항 값이 커질 수 있다.
배선 저항 값이 큰 상기 제1 및 제2 브릿지 라인(BRL1, BRL2)을 이용하여 동일한 터치 전극 행에서 인접하게 배치된 제2-1 터치 전극들(TE1)을 전기적으로 연결할 경우, 상기 제2 감지 영역(SA2)에 배치된 터치 전극들(TE)의 로드 값이 커질 수 있다. 결국, 상기 제2 감지 영역(SA2)에 배치된 상기 터치 전극들(TE)의 로드 값은 상기 제1 감지 영역(SA1)에 배치된 터치 전극들(TE)의 로드 값과 동일하거나 유사해질 수 있다. 이와 같이, 상기 제1 및 제2 감지 영역(SA1, SA2) 별로 상기 터치 전극들(TE)의 로드 값이 동일하거나 유사해질 경우, 상기 터치 센서층(210)은 전 영역에 걸쳐 균일한 터치 인식률을 구현할 수 있다.
상기 브릿지 라인(BRL)은 평면 상에서 볼 때 상기 센싱 라인들(SL) 중 제2 센싱 라인(SL2)에 중첩할 수 있다. 상기 브릿지 라인(BRL)에 중첩한 상기 제2 센싱 라인(SL2)은 상기 제2 감지 영역(SA2)에 배치된 상기 제2 터치 전극(TE2)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 센싱 라인(SL2)은 제1 컨택 전극(CNE1)에 의해 상기 제2 터치 전극(TE2)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 컨택 전극(CNE1)은 상기 제2 터치 전극(TE2)과 일체로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 컨택 전극(CNE1)은 상기 제1 및 제2 브릿지 패턴(BRP1, BRP2)과 동일한 층에 제공되며 동일한 물질을 포함할 수 있다.
도 23은 도 6의 EA3 영역의 확대도이며, 도 24는 도 23의 Ⅵ ~ Ⅵ'선에 따른 단면도이다.
도 6, 도 23 및 도 24를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 층(210)은 제2 컷팅부(CUT2)에 의해 서로 상이한 면적을 갖는 제1 내지 제3 터치 영역(B1, B2, B3)을 구비한 베이스 층(BSL)을 포함할 수 있다.
상기 제1 터치 영역(B1)은 제1 감지 영역(SA1) 및 제1 비감지 영역(NSA1)을 포함하고, 상기 제2 터치 영역(B2)은 제2 감지 영역(SA2) 및 제2 비감지 영역(NSA2)을 포함하며, 상기 제3 터치 영역(B3)은 제3 감지 영역(SA3) 및 제3 비감지 영역(NSA3)을 포함할 수 있다.
상기 터치 센서 층(210)은 상기 제1 내지 제3 감지 영역(SA1, SA2, SA3) 각각에 그라운드 전압(GND)을 공급하는 그라운드 배선(GL)을 포함할 수 있다.
상기 그라운드 배선(GL)은 제2 방향(DR2)을 따라 상기 제1 비감지 영역(NSA1)의 일측 세로부에서 상기 제3 비감지 영역(NSA3)의 일측 세로부까지 연장될 수 있다. 상기 그라운드 배선(GL)은 제1 금속층(MTL1)과, 제2 절연층(IL2)을 사이에 두고 상기 제1 금속층(MTL1) 상에 제공된 제2 금속층(MTL2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 금속층(MTL1)과 상기 제2 금속층(MTL2)은 상기 제2 절연층(IL2)을 관통하는 컨택 홀(CH)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 금속층(MTL)은 패드부(PD)에 구비된 복수의 패드들 중 그라운드 패드(GP)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 그라운드 배선(GL)은 상기 그라운드 패드(GP)를 통해 전원 공급부(미도시)로부터의 상기 그라운드 전압(GND)을 상기 제1 내지 제3 감지 영역(SA1, SA2, SA3)으로 공급할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 그라운드 배선(GL)은 상기 제1 내지 제3 감지 영역(SA1, SA2, SA3) 별로 터치 전극(TE)의 로드 값의 차이를 보상하기 위한 더미부(DMP)를 포함할 수 있다. 상기 더미부(DMP)는 상기 제2 금속층(MTL2)과 일체로 제공될 수 있다. 이로 인해, 상기 더미부(DMP)에는 상기 그라운드 전압(GND)과 동일한 전원이 인가될 수 있다.
상기 더미부(DMP)는 평면 상에서 볼 때 제1 방향(DR1)으로 연장된 가로부 및 상기 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)으로 연장된 세로부로 이루어질 수 있다.
이러한 더미부(DMP)는 상기 베이스 층(BSL) 상에 배치된 센싱 라인들(SL) 중 제1 센싱 라인(SL1)의 일부와 중첩될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 더미부(DMP)와 중첩되는 상기 제1 센싱 라인(SL1)의 일부는 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3)의 최상측에 배치된 제1 터치 전극 행과 상기 패드부(PD)를 전기적으로 연결하는 제1-1 센싱 라인(SL1_1)을 포함할 수 있다.
상기 제1 터치 전극 행에는 복수의 제1 터치 전극들(TE1)이 배치될 수 있다. 상기 제1 터치 전극 행에 배치된 상기 제1 터치 전극들(TE1) 중 일부는 상기 제2 감지 영역(SA2)과 상기 제3 감지 영역(SA3) 사이 영역에서 상기 제2 컷팅부(CUT2)에 대응되도록 그 일부가 잘라져 크기가 작은 제1 터치 전극(TE1)을 포함할 수 있다. 상기 더미부(DMP)는 균일한 크기를 갖지 않는 상기 제1 터치 전극(TE1)을 포함한 상기 제1 터치 전극 행에 연결된 상기 제1-1 센싱 라인(SL1_1)과 중첩될 수 있다.
상기 제1-1 센싱 라인(SL1_1)은 상기 제1 터치 전극 행에 배치된 제1 터치 전극들(TE1)로부터의 터치 감지 신호를 외부의 회로부(미도시)로 전달할 수 있다. 즉, 상기 제1-1 센싱 라인(SL1_1)에는 일정한 레벨 이상의 전원이 인가될 수 있다.
이로 인해, 상기 더미부(DMP)는 상기 제2 절연층(IL2)을 사이에 두고 상기 제1-1 센싱 라인(SL1_1)과 중첩되어 기생 커패시터를 형성할 수 있다. 상기 기생 커패시터의 기생 커패시턴스는 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3) 각각의 터치 전극들(TE)의 로드 값을 증가시킬 수 있다. 결국, 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3) 각각에 배치된 상기 터치 전극들(TE)의 로드 값은 상기 제1 감지 영역(SA1)에 배치된 터치 전극들(TE)의 로드 값과 동일하거나 유사해질 수 있다. 이와 같이, 상기 제1 내지 제3 감지 영역(SA1, SA2, SA3) 별로 상기 터치 전극들(TE)의 로드 값이 동일하거나 유사해질 경우, 상기 터치 센서층(210)은 전 영역에 걸쳐 균일한 터치 인식률을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 더미부(DMP)는 상기 제1-1 센싱 라인(SL1_1)과의 중첩 면적을 넓혀 상기 기생 커패시턴스를 증가시킬 수 있는 범위 내에서 다양한 형상으로 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 더미부(DMP)는 상기 제1-1 센싱 라인(SL1_1)에만 중첩되도록 표시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 더미부(DMP)는 상기 제2 및 제3 감지 영역(SA2, SA3)에서 균일한 크기를 갖지 않는 제1 터치 전극들(TE1)을 포함한 터치 전극 행에 연결된 복수 개의 제1 센싱 라인에 중첩될 수 있다.
하기에서는, 도 24를 참조하여 상기 더미부(DMP), 상기 제1 센싱 라인(SL1)을 적층 순서에 따라 설명한다.
먼저, 상기 베이스 층(BSL) 상에 제1 절연층(IL1)이 제공될 수 있다.
상기 제1 절연층(IL1) 상에 상기 제1-1 센싱 라인(SL1_1), 제1-2 센싱 라인(SL1_2), 및 상기 제1 금속층(MTL1)이 제공될 수 있다.
상기 제1-1 센싱 라인(SL1_1) 등이 제공된 상기 제1 절연층(IL1) 상에 상기 제2 절연층(IL2)이 제공될 수 있다.
상기 제2 절연층(IL2) 상에 상기 제2 금속층(MTL2) 및 상기 더미부(DMP)가 제공될 수 있다. 상기 제2 금속층(MTL2)과 상기 더미부(DMP)는 일체로 제공될 수 있다. 상기 제2 금속층(MTL2)은 상기 제2 절연층(IL2)을 관통하는 상기 컨택 홀(CH)을 통해 상기 제1 금속층(MTL1)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 금속층(MLT)은 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있으며 상기 제1 터치 전극(TE1)과 동일한 층에 제공될 수 있다.
상기 제2 금속층(MTL2) 및 상기 더미부(DMP)가 제공된 상기 제2 절연층(IL2) 상에 제3 절연층(IL3)이 제공될 수 있다. 상기 제3 절연층(IL3)은 상기 제2 금속층(MTL2) 및 상기 더미부(DMP)가 외부로 노출되는 것을 방지하여, 상기 제2 금속층(MTL2) 및 상기 더미부(DMP)의 부식을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 다양한 전자 기기에 채용될 수 있다. 예를 들어, 표시 장치는 텔레비젼, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드(PD), 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), 내비게이션, 스마트 워치와 같은 각종 웨어러블 기기, 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
100: 표시 패널 200: 터치 센서
210: 터치 센서 층 BSL: 베이스 층
TE: 터치 전극 SL: 센싱 라인
BRL: 브릿지 라인 CL: 컷팅 라인
ANSA: 부가 비감지 영역 TFE: 박막 봉지 필름
210: 터치 센서 층 BSL: 베이스 층
TE: 터치 전극 SL: 센싱 라인
BRL: 브릿지 라인 CL: 컷팅 라인
ANSA: 부가 비감지 영역 TFE: 박막 봉지 필름
Claims (32)
- 제1 감지 영역, 상기 제1 감지 영역보다 작은 면적을 갖는 제2 감지 영역, 상기 제1 감지 영역보다 작은 면적을 가지며 상기 제2 감지 영역으로부터 이격된 제3 감지 영역 및 상기 제1 내지 제3 감지 영역을 둘러싸는 비감지 영역을 포함한 베이스 층;
상기 제1 내지 제3 감지 영역에 제공되며 제1 방향으로 연결되는 복수의 제1 터치 전극들을 포함하는 복수의 터치 전극 행들;
상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연결되는 복수의 제2 터치 전극들을 포함하는 복수의 터치 전극 열들;
상기 비감지 영역에 배치되며, 상기 제1 감지 영역의 일측, 상기 제2 감지 영역의 일측, 및 상기 제3 감지 영역의 일측에 인접한 부가 비감지 영역; 및
상기 부가 비감지 영역에 제공되며, 상기 제2 감지 영역의 상기 제1 터치 전극들과 상기 제3 감지 영역의 상기 제1 터치 전극들을 전기적으로 연결하는 브릿지 라인을 포함하고,
상기 제2 감지 영역의 제1 터치 전극과 상기 제3 감지 영역의 제1 터치 전극은 동일 평면 상에 형성되며 동일한 터치 전극 행에 위치하는 터치 센서. - 제1 항에 있어서,
상기 베이스 층은 상기 제2 방향을 따라 상기 제1 감지 영역에서 상기 제2 및 제3 감지 영역이 돌출되고, 상기 제2 및 제3 감지 영역의 사이가 함몰된 형상을 갖는 터치 센서. - 삭제
- 제1 항에 있어서,
상기 제1 감지 영역은 상기 제2 및 제3 감지 영역보다 폭이 크고,
상기 브릿지 라인은 상기 제2 및 제3 감지 영역 각각의 로드 값과 상기 제1 감지 영역의 로드 값 차이를 보상하는 터치 센서. - 제4 항에 있어서,
평면 상에서 볼 때, 상기 제2 감지 영역의 상기 제1 터치 전극들은 상기 브릿지 라인의 일측에 연결되고, 상기 제3 감지 영역의 상기 제1 터치 전극들은 상기 브릿지 라인의 타측에 연결되는 터치 센서. - 제5 항에 있어서,
상기 부가 비감지 영역에 제공되며, 상기 브릿지 라인의 일측과 상기 제2 감지 영역의 상기 제1 터치 전극들을 전기적으로 연결하는 제1 브릿지 패턴; 및
상기 부가 비감지 영역에 제공되며, 상기 브릿지 라인의 타측과 상기 제3 감지 영역의 상기 제1 터치 전극들을 전기적으로 연결하는 제2 브릿지 패턴을 더 포함하는 터치 센서. - 제6 항에 있어서,
상기 제1 브릿지 패턴은 상기 제2 감지 영역의 상기 제1 터치 전극과 동일한 층에 제공되고, 상기 제2 브릿지 패턴은 상기 제3 감지 영역의 상기 제1 터치 전극과 동일한 층에 제공되는 터치 센서. - 제5 항에 있어서,
상기 비감지 영역에 제공되며, 상기 복수의 터치 전극 행들과 전기적으로 연결된 제1 센싱 라인들; 및
상기 비감지 영역에 제공되며, 상기 복수의 터치 전극 열들과 전기적으로 연결된 제2 센싱 라인들을 더 포함하고,
상기 브릿지 라인은 상기 제1 및 제2 센싱 라인들과 동일한 층에 제공되는 터치 센서. - 제8 항에 있어서,
상기 베이스 층 상에 제공되며 적어도 하나 이상의 컨택 홀을 구비한 절연층; 및
상기 절연층 상에 제공되어 상기 컨택 홀을 통해 상기 브릿지 라인에 전기적으로 연결된 제1 컨택 전극을 더 포함하는 터치 센서. - 제9 항에 있어서,
평면 상에서 볼 때, 상기 제1 컨택 전극은 상기 브릿지 라인에 중첩되고, 상기 제1 터치 전극들과 동일한 층에 제공되며 동일한 물질을 포함하는 터치 센서. - 제10 항에 있어서,
상기 제1 컨택 전극은 상기 브릿지 라인을 상기 제1 방향을 따라 인접하게 배치된 브릿지 라인에 전기적으로 연결하는 터치 센서. - 제8 항에 있어서,
상기 브릿지 라인에 중첩하며 상기 제2 센싱 라인들 중 일부와 전기적으로 연결된 제2 컨택 전극 더 포함하는 터치 센서. - 제12 항에 있어서,
상기 제2 컨택 전극은 상기 제2 터치 전극들과 동일한 층에 제공되며 동일한 물질을 포함하는 터치 센서. - 제9 항에 있어서,
상기 비감지 영역에 제공되며, 상기 제1 내지 제3 감지 영역으로 그라운드 전압을 전달하는 그라운드 배선을 더 포함하는 터치 센서. - 제14 항에 있어서,
평면 상에서 볼 때, 상기 그라운드 배선은 상기 제1 센싱 라인들 중 일부에 중첩되는 더미부를 포함하는 터치 센서. - 제15 항에 있어서,
상기 그라운드 배선은,
상기 베이스 층 상에 제공된 제1 금속층; 및
상기 절연층을 사이에 두고 상기 제1 금속층 상에 제공된 제2 금속층을 포함하고,
상기 제2 금속층은 상기 더미부와 일체로 제공되고,
상기 더미부는 상기 제2 및 제3 감지 영역 각각에 제공된 상기 제1 터치 전극과 동일한 층에 제공되는 터치 센서. - 표시 패널; 및
상기 표시 패널의 적어도 일면 상에 배치되는 터치 센서를 포함하며,
상기 터치 센서는,
제1 감지 영역, 상기 제1 감지 영역보다 작은 면적을 갖는 제2 감지 영역, 상기 제1 감지 영역보다 작은 면적을 가지며 상기 제2 감지 영역으로부터 이격된 제3 감지 영역 및 상기 제1 내지 제3 감지 영역을 둘러싸는 비감지 영역을 포함한 베이스 층;
상기 제1 내지 제3 감지 영역에 제공되며 제1 방향으로 연결되는 복수의 제1 터치 전극들을 포함하는 복수의 터치 전극 행들;
상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연결되는 복수의 제2 터치 전극들을 포함하는 복수의 터치 전극 열들;
상기 비감지 영역에 배치되며, 상기 제1 감지 영역의 일측, 상기 제2 감지 영역의 일측, 및 상기 제3 감지 영역의 일측에 인접한 부가 비감지 영역; 및
상기 부가 비감지 영역에 제공되며, 상기 제2 감지 영역의 상기 제1 터치 전극들과 상기 제3 감지 영역의 상기 제1 터치 전극들을 전기적으로 연결하는 브릿지 라인을 포함하고,
상기 제2 감지 영역의 제1 터치 전극과 상기 제3 감지 영역의 제1 터치 전극은 동일 평면 상에 형성되며 동일한 터치 전극 행에 위치하는 표시 장치. - 제17 항에 있어서,
상기 베이스 층은 상기 제2 방향을 따라 상기 제1 감지 영역에서 상기 제2 및 제3 감지 영역이 돌출되고, 상기 제2 및 제3 감지 영역의 사이가 함몰된 형상을 갖는 표시 장치. - 삭제
- 제17 항에 있어서,
상기 제1 감지 영역은 상기 제2 및 제3 감지 영역보다 폭이 크고,
상기 브릿지 라인은 상기 제2 및 제3 감지 영역 각각의 로드 값과 상기 제1 감지 영역의 로드 값 차이를 보상하는 표시 장치. - 제20 항에 있어서,
평면 상에서 볼 때, 상기 제2 감지 영역의 상기 제1 터치 전극들은 상기 브릿지 라인의 일측에 연결되고, 상기 제3 감지 영역의 상기 제1 터치 전극들은 상기 브릿지 라인의 타측에 연결되는 표시 장치. - 제21 항에 있어서,
상기 부가 비감지 영역에 제공되며, 상기 브릿지 라인의 일측과 상기 제2 감지 영역의 상기 제1 터치 전극들을 전기적으로 연결하는 제1 브릿지 패턴; 및
상기 부가 비감지 영역에 제공되며, 상기 브릿지 라인의 타측과 상기 제3 감지 영역의 상기 제1 터치 전극들을 전기적으로 연결하는 제2 브릿지 패턴을 더 포함하는 표시 장치. - 제22 항에 있어서,
상기 제1 브릿지 패턴은 상기 제2 감지 영역의 상기 제1 터치 전극과 동일한 층에 제공되고, 상기 제2 브릿지 패턴은 상기 제3 감지 영역의 상기 제1 터치 전극과 동일한 층에 제공되는 표시 장치. - 제21 항에 있어서,
상기 비감지 영역에 제공되며, 상기 복수의 터치 전극 행들과 전기적으로 연결된 제1 센싱 라인들; 및
상기 비감지 영역에 제공되며, 상기 복수의 터치 전극 열들과 전기적으로 연결된 제2 센싱 라인들을 더 포함하고,
상기 브릿지 라인은 상기 제1 및 제2 센싱 라인들과 동일한 층에 제공되는 표시 장치. - 제24 항에 있어서,
상기 베이스 층 상에 제공되며 적어도 하나 이상의 컨택 홀을 구비한 절연층; 및
상기 절연층 상에 제공되어 상기 컨택 홀을 통해 상기 브릿지 라인에 전기적으로 연결된 제1 컨택 전극을 더 포함하는 표시 장치. - 제25 항에 있어서,
평면 상에서 볼 때, 상기 제1 컨택 전극은 상기 브릿지 라인에 중첩되고, 상기 제1 터치 전극들과 동일한 층에 제공되며 동일한 물질을 포함하는 표시 장치. - 제26 항에 있어서,
상기 제1 컨택 전극은 상기 브릿지 라인을 상기 제1 방향을 따라 인접하게 배치된 브릿지 라인에 전기적으로 연결하는 표시 장치. - 제24 항에 있어서,
상기 브릿지 라인에 중첩하며 상기 제2 센싱 라인들 중 일부와 전기적으로 연결된 제2 컨택 전극을 더 포함하는 표시 장치. - 제28 항에 있어서,
상기 제2 컨택 전극은 상기 제2 터치 전극들과 동일한 층에 제공되며 동일한 물질을 포함하는 표시 장치. - 제25 항에 있어서,
상기 비감지 영역에 제공되며, 상기 제1 내지 제3 감지 영역으로 그라운드 전압을 전달하는 그라운드 배선을 더 포함하는 표시 장치. - 제30 항에 있어서,
평면 상에서 볼 때, 상기 그라운드 배선은 상기 제1 센싱 라인들 중 일부에 중첩되는 더미부를 포함하는 표시 장치. - 제31 항에 있어서,
상기 그라운드 배선은,
상기 베이스 층 상에 제공된 제1 금속층; 및
상기 절연층을 사이에 두고 상기 제1 금속층 상에 제공된 제2 금속층을 포함하고,
상기 제2 금속층은 상기 더미부와 일체로 일체로 제공되고,
상기 더미부는 상기 제2 및 제3 감지 영역 각각에 제공된 상기 제1 터치 전극과 동일한 층에 제공되는 표시 장치.
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170103982A KR102399607B1 (ko) | 2017-08-17 | 2017-08-17 | 터치 센서 및 이를 구비한 표시 장치 |
| US15/899,648 US10739919B2 (en) | 2017-08-17 | 2018-02-20 | Touch sensor and display device including the same |
| CN202310372869.8A CN116382527A (zh) | 2017-08-17 | 2018-06-12 | 触摸传感器及包括其的显示装置 |
| CN201810600207.0A CN109407905B (zh) | 2017-08-17 | 2018-06-12 | 触摸传感器及包括其的显示装置 |
| US16/989,809 US11340744B2 (en) | 2017-08-17 | 2020-08-10 | Touch sensor and display device including the same |
| KR1020220059197A KR102499360B1 (ko) | 2017-08-17 | 2022-05-13 | 터치 센서 및 이를 구비한 표시 장치 |
| US17/750,278 US11681404B2 (en) | 2017-08-17 | 2022-05-20 | Touch sensor and display device including the same |
| US18/143,495 US20230273701A1 (en) | 2017-08-17 | 2023-05-04 | Touch sensor and display device including the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170103982A KR102399607B1 (ko) | 2017-08-17 | 2017-08-17 | 터치 센서 및 이를 구비한 표시 장치 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020220059197A Division KR102499360B1 (ko) | 2017-08-17 | 2022-05-13 | 터치 센서 및 이를 구비한 표시 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190020213A KR20190020213A (ko) | 2019-02-28 |
| KR102399607B1 true KR102399607B1 (ko) | 2022-05-19 |
Family
ID=65360473
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170103982A KR102399607B1 (ko) | 2017-08-17 | 2017-08-17 | 터치 센서 및 이를 구비한 표시 장치 |
| KR1020220059197A KR102499360B1 (ko) | 2017-08-17 | 2022-05-13 | 터치 센서 및 이를 구비한 표시 장치 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020220059197A KR102499360B1 (ko) | 2017-08-17 | 2022-05-13 | 터치 센서 및 이를 구비한 표시 장치 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US10739919B2 (ko) |
| KR (2) | KR102399607B1 (ko) |
| CN (2) | CN109407905B (ko) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102399607B1 (ko) * | 2017-08-17 | 2022-05-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 센서 및 이를 구비한 표시 장치 |
| KR102509257B1 (ko) * | 2017-12-11 | 2023-03-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102393796B1 (ko) | 2018-02-12 | 2022-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 감지 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR102533131B1 (ko) | 2018-05-08 | 2023-05-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 입력 감지 유닛 및 이를 포함한 전자 장치 |
| JP2019211933A (ja) * | 2018-06-01 | 2019-12-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び近接検出方法 |
| KR102607494B1 (ko) | 2018-07-06 | 2023-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 입력 감지 유닛 및 이를 포함하는 표시장치 |
| KR102606925B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 센서 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR20200117084A (ko) * | 2019-04-02 | 2020-10-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 센서 및 표시장치 |
| KR20210008269A (ko) | 2019-07-12 | 2021-01-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 입력 감지 유닛 및 이를 포함하는 표시모듈 |
| KR20210032615A (ko) * | 2019-09-16 | 2021-03-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20210052623A (ko) | 2019-10-29 | 2021-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| US11449182B2 (en) | 2019-11-11 | 2022-09-20 | Apple Inc. | Active area routing for touch electrodes |
| CN112783365A (zh) | 2019-11-11 | 2021-05-11 | 苹果公司 | 触摸电极的有效区域布线 |
| KR20210070457A (ko) * | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 입력 감지 유닛 및 이를 포함한 표시장치 |
| US11556216B2 (en) | 2020-02-03 | 2023-01-17 | Apple Inc. | Touch electrodes with bar and stripe pattern |
| KR20210114140A (ko) * | 2020-03-10 | 2021-09-23 | 동우 화인켐 주식회사 | 터치 센서 및 그 제조 방법 |
| KR20220040577A (ko) * | 2020-09-23 | 2022-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20230035924A (ko) * | 2021-09-06 | 2023-03-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100073319A1 (en) * | 2008-09-25 | 2010-03-25 | Apple Inc. | Capacitive sensor having electrodes arranged on the substrate and the flex circuit |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101307962B1 (ko) * | 2010-03-19 | 2013-09-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치인식 횡전계형 액정표시장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101323033B1 (ko) * | 2010-10-20 | 2013-10-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 정전용량 방식 터치 스크린 패널 |
| TWI419029B (zh) * | 2010-12-30 | 2013-12-11 | Au Optronics Corp | 觸控面板 |
| KR101493556B1 (ko) * | 2011-10-27 | 2015-02-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 센서 내장형 유기발광 다이오드 표시장치 |
| US9582122B2 (en) * | 2012-11-12 | 2017-02-28 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Touch-sensitive bezel techniques |
| TWI498797B (zh) * | 2012-12-13 | 2015-09-01 | Au Optronics Corp | 觸控面板及觸控顯示面板 |
| TWI502427B (zh) | 2013-05-21 | 2015-10-01 | Elan Microelectronics Corp | 觸控裝置及其量測電壓動態調整方法 |
| US9304641B2 (en) * | 2013-09-18 | 2016-04-05 | Apple Inc. | Multiple bridges single sided touch sensor |
| KR101588975B1 (ko) * | 2014-06-24 | 2016-01-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 네로우 베젤을 갖는 표시장치의 패널 어레이 |
| US10062317B2 (en) * | 2014-10-16 | 2018-08-28 | Lg Display Co., Ltd. | Panel array for display device with narrow bezel |
| KR102312260B1 (ko) * | 2015-01-09 | 2021-10-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 터치 패널 및 플렉서블 표시 장치 |
| KR102429122B1 (ko) * | 2015-12-31 | 2022-08-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치스크린 내장형 표시장치 및 그 제조방법 |
| JP2019028095A (ja) * | 2017-07-25 | 2019-02-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR102399607B1 (ko) * | 2017-08-17 | 2022-05-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 센서 및 이를 구비한 표시 장치 |
-
2017
- 2017-08-17 KR KR1020170103982A patent/KR102399607B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-02-20 US US15/899,648 patent/US10739919B2/en active Active
- 2018-06-12 CN CN201810600207.0A patent/CN109407905B/zh active Active
- 2018-06-12 CN CN202310372869.8A patent/CN116382527A/zh active Pending
-
2020
- 2020-08-10 US US16/989,809 patent/US11340744B2/en active Active
-
2022
- 2022-05-13 KR KR1020220059197A patent/KR102499360B1/ko active IP Right Grant
- 2022-05-20 US US17/750,278 patent/US11681404B2/en active Active
-
2023
- 2023-05-04 US US18/143,495 patent/US20230273701A1/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100073319A1 (en) * | 2008-09-25 | 2010-03-25 | Apple Inc. | Capacitive sensor having electrodes arranged on the substrate and the flex circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190020213A (ko) | 2019-02-28 |
| CN109407905A (zh) | 2019-03-01 |
| CN109407905B (zh) | 2023-05-02 |
| US20190056819A1 (en) | 2019-02-21 |
| KR20220068210A (ko) | 2022-05-25 |
| US20220276747A1 (en) | 2022-09-01 |
| US11681404B2 (en) | 2023-06-20 |
| CN116382527A (zh) | 2023-07-04 |
| KR102499360B1 (ko) | 2023-02-14 |
| US20200371621A1 (en) | 2020-11-26 |
| US20230273701A1 (en) | 2023-08-31 |
| US11340744B2 (en) | 2022-05-24 |
| US10739919B2 (en) | 2020-08-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102399607B1 (ko) | 터치 센서 및 이를 구비한 표시 장치 | |
| KR102413058B1 (ko) | 표시 장치 | |
| KR102367724B1 (ko) | 터치 스크린 및 이를 구비한 표시 장치 | |
| KR102421678B1 (ko) | 터치 센서 및 이를 구비한 표시 장치 | |
| KR20180075784A (ko) | 터치 센서 및 이를 구비한 표시 장치 | |
| KR20190001977A (ko) | 터치 센서 및 이를 구비하는 표시 장치 | |
| KR20180092003A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20180038603A (ko) | 터치 스크린 및 이를 구비한 표시 장치 | |
| KR20190070381A (ko) | 표시 장치 | |
| KR102395221B1 (ko) | 표시 장치 | |
| KR20210099709A (ko) | 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
| US11941219B2 (en) | Touch sensor having improved sensing sensitivity and display device including the same | |
| CN110580109A (zh) | 触摸传感器和显示装置 | |
| KR102369337B1 (ko) | 입력 감지 유닛 및 이를 구비한 표시 장치 | |
| CN112860096A (zh) | 触摸传感器和包括该触摸传感器的显示装置 | |
| KR20210069779A (ko) | 터치 센서, 그의 제조 방법, 및 이를 구비한 표시 장치 | |
| KR20210045576A (ko) | 터치 센서 및 이를 구비한 표시 장치 | |
| US20230066997A1 (en) | Display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |