KR102398998B1 - 도전성 입자, 도전 재료 및 접속 구조체 - Google Patents

도전성 입자, 도전 재료 및 접속 구조체 Download PDF

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Abstract

비교적 저온에서 도전 접속을 행할 수 있고, 비교적 저온에서 도전 접속을 행하더라도 도통 신뢰성을 높일 수 있는 도전성 입자를 제공한다. 본 발명에 따른 도전성 입자는, 도전부를 갖는 도전성 입자 본체와, 상기 도전성 입자 본체의 표면 상에 배치된 절연성 입자를 구비하며, 상기 도전성 입자 본체가 상기 도전부의 외표면에 복수의 돌기를 갖고, 상기 절연성 입자의 유리 전이 온도가 100℃ 미만이고, 상기 절연성 입자가, 온도 100℃ 내지 160℃ 및 압력 60㎫ 내지 80㎫의 압축 조건을 만족시키는 적어도 하나의 압축 조건에서 압축되었을 때에, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향으로의 입자 직경의 최댓값의, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향과 직교하는 방향으로의 입자 직경의 최댓값에 대한 비가 0.7 이하가 되도록 변형 가능하다.

Description

도전성 입자, 도전 재료 및 접속 구조체
본 발명은, 예를 들어 전극 간의 전기적인 접속에 사용할 수 있는 도전성 입자에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 상기 도전성 입자를 사용한 도전 재료, 접속 구조체, 및 접속 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.
이방성 도전 페이스트 및 이방성 도전 필름 등의 이방성 도전 재료가 널리 알려져 있다. 이들 이방성 도전 재료에서는 결합제 수지 중에 도전성 입자가 분산되어 있다. 또한, 도전성 입자로서, 도전성 입자 본체의 표면에, 절연성 입자가 부착된 도전성 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자)가 사용되는 경우가 있다.
상기 이방성 도전 재료는 각종 접속 구조체를 얻기 위해, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판과 유리 기판의 접속(FOG(Film on Glass)), 반도체 칩과 플렉시블 프린트 기판의 접속(COF(Chip on Film)), 반도체 칩과 유리 기판의 접속(COG(Chip on Glass)), 및 플렉시블 프린트 기판과 유리 에폭시 기판의 접속(FOB(Film on Board)) 등에 사용되고 있다.
상기 도전성 입자의 일례로서 하기 특허문헌 1에는, 도전성 입자의 표면의 적어도 일부에 수지 입자가 존재하는 절연화 도전성 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자)가 개시되어 있다. 상기 수지 입자는 중합성 성분의 공중합물이며, 해당 중합성 성분은 적어도 알킬(메트)아크릴레이트와 다가(메트)아크릴레이트를 포함한다. 상기 다가(메트)아크릴레이트는, 각 (메트)아크릴로일기가 서로 3개 이상의 탄소 원자를 통해 결합한 화합물이다. 또한, 특허문헌 1에서는, 상기 수지 입자의 유리 전이 온도가 180℃ 이하여도 되는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 1의 실시예 및 비교예에서는, 유리 전이 온도가 108℃, 113℃, 115℃, 134℃ 및 200℃ 이상인 수지 입자가 기재되어 있다.
하기 특허문헌 2에는, 도전성 입자와, 상기 도전성 입자의 외측에 부착된 복수의 절연 입자를 구비하는 절연 피복 도전 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자)가 개시되어 있다. 상기 도전성 입자의 평균 입경은 1 내지 10㎛이다. 상기 절연 입자는, 제1 절연 입자와, 해당 제1 절연 입자보다도 유리 전이 온도가 낮은 제2 절연 입자를 포함한다. 특허문헌 2에서는, 제2 절연 입자의 유리 전이 온도는 80 내지 120℃여도 되는 것이 기재되어 있다.
일본 특허 공개 제2012-72324호 공보 일본 특허 공개 제2014-17213호 공보
상기 이방성 도전 재료에 의해, 예를 들어 반도체 칩의 전극과 유리 기판의 전극을 전기적으로 접속할 때는, 유리 기판 상에, 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 재료를 배치한다. 다음으로, 반도체 칩을 적층하고 가열 및 가압한다. 이것에 의해 이방성 도전 재료를 경화시키고, 도전성 입자를 통해 전극 간을 전기적으로 접속하여 접속 구조체를 얻는다.
이 접속 구조체의 제작에 있어서, 저온에서의 열 압착의 요망이 높아지고 있다. 그러나 종래의 도전성 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자)에서는, 저온에서 열 압착을 행했을 때에 접속 저항이 높아져 도통 신뢰성이 낮아지는 경우가 있다.
본 발명의 목적은, 비교적 저온에서 도전 접속을 행할 수 있고, 비교적 저온에서 도전 접속을 행하더라도 도통 신뢰성을 높일 수 있는 도전성 입자를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명은, 상기 도전성 입자를 사용하는 도전 재료, 접속 구조체, 및 접속 구조체의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 넓은 국면에 의하면, 도전부를 갖는 도전성 입자 본체와, 상기 도전성 입자 본체의 표면 상에 배치된 절연성 입자를 구비하며, 상기 도전성 입자 본체가 상기 도전부의 외표면에 복수의 돌기를 갖고, 상기 절연성 입자의 유리 전이 온도가 100℃ 미만이고, 상기 절연성 입자가, 온도 100℃ 내지 160℃ 및 압력 60㎫ 내지 80㎫의 압축 조건을 만족시키는 적어도 하나의 압축 조건에서 압축되었을 때에, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향으로의 입자 직경의 최댓값의, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향과 직교하는 방향으로의 입자 직경의 최댓값에 대한 비가 0.7 이하가 되도록 변형 가능한, 도전성 입자가 제공된다.
본 발명에 따른 도전성 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전성 입자 본체의 표면 상에 복수의 상기 절연성 입자가 배치되어 있다.
본 발명에 따른 도전성 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 절연성 입자의 평균 입자 직경의 상기 돌기의 평균 높이에 대한 비가 0.5를 초과한다.
본 발명에 따른 도전성 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 절연성 입자가, 온도 100℃ 및 압력 60㎫에서 압축되었을 때에, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향으로의 입자 직경의 최댓값의, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향과 직교하는 방향으로의 입자 직경의 최댓값에 대한 비가 0.7 이하가 되도록 변형 가능하다.
본 발명에 따른 도전성 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 절연성 입자가, 온도 100℃ 내지 160℃ 및 압력 60㎫ 내지 80㎫의 압축 조건을 만족시키는 적어도 하나의 압축 조건에서 압축되었을 때에, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향으로의 입자 직경의 최댓값이, 압축 전의 상기 돌기의 평균 높이 이하가 되도록 변형 가능하다.
본 발명에 따른 도전성 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 절연성 입자가, 온도 100℃ 및 압력 60㎫에서 압축되었을 때에, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향으로의 입자 직경의 최댓값이, 압축 전의 상기 돌기의 평균 높이 이하가 되도록 변형 가능하다.
본 발명에 따른 도전성 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전성 입자는, 120℃ 이하에서 열 압착함으로써 도전 접속하기 위하여 사용된다.
본 발명이 넓은 국면에 의하면, 상술한 도전성 입자와, 결합제 수지를 포함하는, 도전 재료가 제공된다.
본 발명에 따른 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전 재료의 100℃에서의 점도가 1000㎩·s 이상, 5000㎩·s 이하이다.
본 발명이 넓은 국면에 의하면, 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와, 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하며, 상기 접속부의 재료가 상술한 도전성 입자이거나, 또는 상기 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전 재료이고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 도전성 입자에서의 상기 도전성 입자 본체에 의해 전기적으로 접속되어 있는, 접속 구조체가 제공된다.
본 발명이 넓은 국면에 의하면, 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재 사이에 상술한 도전성 입자를 배치하거나, 또는 상기 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전 재료를 배치하는 공정과, 상기 절연성 입자의 유리 전이 온도 이상 160℃ 이하에서 열 압착함으로써 도전 접속하는 공정을 구비하는, 접속 구조체의 제조 방법이 제공된다.
본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법의 어느 특정한 국면에서는, 상기 절연성 입자의 유리 전이 온도 이상 120℃ 이하에서 열 압착한다.
본 발명에 따른 도전성 입자는, 도전부를 갖는 도전성 입자 본체와, 상기 도전성 입자 본체의 표면 상에 배치된 절연성 입자를 구비하며, 상기 도전성 입자 본체가 상기 도전부의 외표면에 복수의 돌기를 갖고, 상기 절연성 입자의 유리 전이 온도가 100℃ 미만이고, 상기 절연성 입자가, 온도 100℃ 내지 160℃ 및 압력 60㎫ 내지 80㎫의 압축 조건을 만족시키는 적어도 하나의 압축 조건에서 압축되었을 때에, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향으로의 입자 직경의 최댓값의, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향과 직교하는 방향으로의 입자 직경의 최댓값에 대한 비가 0.7 이하가 되도록 변형 가능하므로, 비교적 저온에서 도전 접속을 행할 수 있고, 비교적 저온에서 도전 접속을 행하더라도 도통 신뢰성을 높일 수 있다.
도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.
도 3은, 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.
도 4는, 절연부가 절연층인 경우의 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.
도 5는, 도 1에 도시하는 도전성 입자를 사용한 접속 구조체를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
(도전성 입자)
본 발명에 따른 도전성 입자는 도전성 입자 본체와 절연부를 구비한다. 상기 도전성 입자 본체는 도전부를 갖는다. 상기 절연부는 상기 도전성 입자 본체의 표면 상에 배치되어 있다. 본 발명에 따른 도전성 입자에서는, 상기 도전성 입자 본체가 상기 도전부의 외표면에 복수의 돌기를 갖는다. 본 발명에 따른 도전성 입자에서는, 상기 절연부의 유리 전이 온도가 100℃ 미만이다. 본 발명에 따른 도전성 입자에서는, 상기 절연부는 절연성 입자이다. 본 발명에 따른 도전성 입자에서는, 상기 절연성 입자가, 온도 100℃ 내지 160℃ 및 압력 60㎫ 내지 80㎫의 압축 조건을 만족시키는 적어도 하나의 압축 조건에서 압축되었을 때에, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향으로의 입자 직경의 최댓값의, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향과 직교하는 방향으로의 입자 직경의 최댓값에 대한 비가 0.7 이하가 되도록 변형 가능하다. 본 발명에 있어서, 도전성 입자 본체를 도전성 입자라 칭하는 경우에, 절연부를 구비하는 도전성 입자를 절연부를 갖는 도전성 입자라 칭할 수 있다. 절연부가 절연성 입자이므로, 절연부를 갖는 도전성 입자는 절연성 입자를 갖는 도전성 입자이다.
본 발명에서는 상기 구성이 구비되어 있으므로, 비교적 저온에서 도전 접속을 행하더라도 도통 신뢰성을 높일 수 있다.
본 발명에서는, 도전 접속 시에 도전성 입자 본체와 전극 사이에 위치하는 절연부를 배제하기 위해, 예를 들어 120℃ 이하에서 열 압착을 행했다고 하더라도 절연부를 양호하게 배제할 수 있다. 결과로서, 전극과 도전성 입자 본체를 양호하게 접촉시킬 수 있어 전극 간의 접속 저항을 낮게 할 수 있다. 본 발명에서는 전극 간의 도통 신뢰성을 높일 수 있다.
본 발명에서는, 절연부의 유리 전이 온도를 낮게 할 뿐 아니라, 도전성 입자 본체가 도전부의 외표면에 복수의 돌기를 갖는 것이 중요하다. 예를 들어 절연부의 유리 전이 온도가 100℃ 미만이더라도 도전성 입자 본체가 도전부의 외표면에 복수의 돌기를 갖고 있지 않으면, 도통 신뢰성을 충분히 높이는 것은 곤란하다. 이 이유로서는, 열 압착 시의 온도가 절연부의 유리 전이 온도 이하인 경우에는 절연부가 부드러워지기 어려우므로, 절연부가 도전성 입자 본체로부터 벗겨지기 어려워지기 때문이라고 생각된다. 한편, 도전성 입자 본체가 도전부의 외표면에 복수의 돌기를 갖고 있으면, 해당 돌기가 절연부를 배제할 수 있어 전극과 도전성 입자 본체를 양호하게 접촉시킬 수 있으므로, 도통 신뢰성을 충분히 높일 수 있다고 생각된다. 본 발명에서는, 절연부의 유리 전이 온도를 낮게 하는 구성과, 도전성 입자 본체가 도전부의 외표면에 복수의 돌기를 갖는 구성을 조합하는 것이 극히 중요한 것을 알아내었다.
저온에서의 열 압착에 의해 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 절연부의 유리 전이 온도는 바람직하게는 95℃ 미만, 보다 바람직하게는 90℃ 미만, 보다 한층 바람직하게는 85℃ 미만, 더욱 바람직하게는 80℃ 미만, 한층 더욱 바람직하게는 75℃ 미만, 특히 바람직하게는 70℃ 미만이다.
도전 접속 전의 절연부의 과도한 탈리 및 과도한 변형을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 절연부의 유리 전이 온도는 바람직하게는 30℃ 이상, 보다 바람직하게는 35℃ 이상, 보다 한층 바람직하게는 40℃ 이상, 더욱 바람직하게는 45℃ 이상, 한층 더욱 바람직하게는 50℃ 이상, 특히 바람직하게는 55℃ 이상이다.
또한, 본 명세서에 있어서, 상기 유리 전이 온도는 동적 점탄성 측정(티아이 인스트루먼츠사 제조의 「ARES-G2」) 등을 이용하여 측정할 수 있다.
본 발명에 따른 도전성 입자에서는, 상기 절연부는 절연성 입자이다. 상기 절연부는 절연층이어도 되고 절연성 입자여도 된다. 상기 도전성 입자 본체의 표면을 상기 절연층이 피복하고 있어도 된다. 상기 도전성 입자 본체의 표면에 상기 절연성 입자가 부착되어 있어도 된다. 도전 접속 시의 절연부의 배제성을 보다 한층 높여 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 절연부는 절연성 입자인 것이 바람직하다. 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 도전성 입자 본체의 표면 상에 복수의 상기 절연성 입자가 배치되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 도전성 입자 본체의 표면 상에서 상기 절연부는 단층이어도 되고 다층이어도 되며, 절연성 입자 본체의 표면 상에 배치된 절연성 입자의 외측에 다른 절연성 입자가 배치되어 있어도 된다.
상기 돌기의 평균 높이는 바람직하게는 0.001㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상이고, 바람직하게는 0.9㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.2㎛ 이하이다. 상기 돌기의 평균 높이가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 접속 저항이 효과적으로 낮아진다.
상기 돌기의 높이는, 도전성 입자 본체의 중심과 돌기의 선단부를 연결하는 선(도 1에 나타내는 파선 L1) 상에 있어서의, 돌기가 없다고 상정한 경우의 도전부의 가상선(도 1에 나타내는 파선 L2) 상(돌기가 없다고 상정한 경우의 구상의 도전성 입자 본체의 외표면 상)으로부터 돌기의 선단부까지의 거리를 나타낸다. 즉, 도 1에 있어서는, 파선 L1과 파선 L2의 교점으로부터 돌기의 선단부까지의 거리를 나타낸다.
도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 절연성 입자의 평균 입자 직경의 상기 돌기의 평균 높이에 대한 비(절연성 입자의 평균 입자 직경/돌기의 평균 높이)는 바람직하게는 0.5를 초과하고, 보다 바람직하게는 2.0을 초과한다. 절연성 입자의 의도치 않은 탈리를 억제하여 절연 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 비(절연성 입자의 평균 입자 직경/돌기의 평균 높이)는 바람직하게는 4.0 이하, 보다 바람직하게는 3.0 이하이다.
상기 절연성 입자의 평균 입자 직경은 수 평균 입자 직경을 나타낸다. 절연성 입자의 평균 입자 직경은, 임의의 절연성 입자 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하여 평균값을 산출함으로써 구해진다.
본 발명에 따른 도전성 입자에서는, 상기 절연성 입자가, 온도 100℃ 내지 160℃ 및 압력 60㎫ 내지 80㎫의 압축 조건을 만족시키는 적어도 하나의 압축 조건(바람직하게는 온도 100℃ 내지 120℃ 및 압력 60㎫ 내지 80㎫의 압축 조건을 만족시키는 적어도 하나의 압축 조건)에서 압축되었을 때에, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향(예를 들어 연직 방향)으로의 입자 직경의 최댓값(L1)의, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향과 직교하는 방향(예를 들어 수평 방향)으로의 입자 직경의 최댓값(L2)에 대한 비(L1/L2)가 0.7 이하가 되도록 변형 가능하다. 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 절연성 입자가, 온도 100℃ 내지 160℃ 및 압력 60㎫ 내지 80㎫의 압축 조건을 만족시키는 적어도 하나의 압축 조건(바람직하게는 온도 100℃ 내지 120℃ 및 압력 60㎫ 내지 80㎫의 압축 조건을 만족시키는 적어도 하나의 압축 조건)에서 압축되었을 때에, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향(예를 들어 연직 방향)으로의 입자 직경의 최댓값(L1)의, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향과 직교하는 방향(예를 들어 수평 방향)으로의 입자 직경의 최댓값(L2)에 대한 비(L1/L2)가 0.5 이하가 되도록 변형 가능한 것이 바람직하고, 0.3 이하가 되도록 변형 가능한 것이 보다 바람직하다. 상기 입자 직경의 최댓값은, 입자 직경이 최대가 되는 부분의 입자 직경이다.
본 발명에서는, 온도 100℃ 내지 160℃ 및 압력 60㎫ 내지 80㎫의 압축 조건의 전체에서 상기 비(L1/L2)가 상기 상한 이하이도록 변형 가능할 필요는 없다. 단, 온도 100℃ 내지 120℃ 및 압력 60㎫ 내지 80㎫의 압축 조건의 전체에서 상기 비(L1/L2)가 상기 상한 이하이도록 변형 가능한 것이 바람직하고, 온도 100℃ 내지 160℃ 및 압력 60㎫ 내지 80㎫의 압축 조건의 전체에서 상기 비(L1/L2)가 상기 상한 이하이도록 변형 가능한 것이 보다 바람직하다. 또한, 온도 100℃ 및 압력 60㎫의 압축 조건에서 압축되었을 때에, 상기 비(L1/L2)가 상기 상한 이하이도록 변형 가능한 것이 바람직하다.
또한, 본 명세서에 있어서 상기 「변형」이란, 절연성 입자가 붕괴되는 것도 포함된다.
도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 절연성 입자가, 온도 100℃ 내지 160℃ 및 압력 60㎫ 내지 80㎫의 압축 조건을 만족시키는 적어도 하나의 압축 조건(바람직하게는 온도 100℃ 내지 120℃ 및 압력 60㎫ 내지 80㎫의 압축 조건을 만족시키는 적어도 하나의 압축 조건)에서 압축되었을 때에, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향(예를 들어 연직 방향)으로의 입자 직경의 최댓값이, 압축 전의 상기 돌기의 평균 높이 이하가 되도록 변형 가능한 것이 바람직하고, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향(예를 들어 연직 방향)으로의 입자 직경의 최댓값이, 압축 전의 상기 돌기의 평균 높이에 1.0배 이하가 되도록 변형 가능한 것이 보다 바람직하다.
본 발명에서는, 온도 100℃ 내지 160℃ 및 압력 60㎫ 내지 80㎫의 압축 조건의 전체에서 상기 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향으로의 입자 직경의 최댓값이 상기 상한 이하이도록 변형 가능할 필요는 없다. 단, 온도 100℃ 내지 120℃ 및 압력 60㎫ 내지 80㎫의 압축 조건의 전체에서 상기 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향으로의 입자 직경의 최댓값이 상기 상한 이하이도록 변형 가능한 것이 바람직하고, 온도 100℃ 내지 160℃ 및 압력 60㎫ 내지 80㎫의 압축 조건의 전체에서 상기 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향으로의 입자 직경의 최댓값이 상기 상한 이하이도록 변형 가능한 것이 보다 바람직하다. 또한, 온도 100℃ 및 압력 60㎫의 압축 조건에서 압축되었을 때에, 상기 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향으로의 입자 직경의 최댓값이 상기 상한 이하이도록 변형 가능한 것이 바람직하다.
상기 절연성 입자를 압축할 때의 온도는 바람직하게는 100℃ 이상이고, 바람직하게는 160℃ 이하, 보다 바람직하게는 150℃ 이하, 더욱 바람직하게는 140℃ 이하, 특히 바람직하게는 120℃ 이하이다. 상기 절연성 입자를 압축할 때의 압력은 바람직하게는 60㎫ 이상이고, 바람직하게는 80㎫ 이하, 보다 바람직하게는 70㎫ 이하이다.
절연 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 도전성 입자 본체의 표면적 전체에서 차지하는 상기 절연부(절연층 또는 절연성 입자)에 의해 피복되어 있는 부분의 면적인 피복률은 바람직하게는 65% 이상, 보다 바람직하게는 70% 이상, 더욱 바람직하게는 70% 초과, 특히 바람직하게는 75% 이상, 가장 바람직하게는 80% 이상이다. 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 피복률은 바람직하게는 99% 이하, 보다 바람직하게는 98% 이하, 더욱 바람직하게는 95% 이하이다. 상기 피복률은 100% 이하여도 된다.
상기 도전성 입자 본체의 표면적 전체에서 차지하는 상기 절연성 입자에 의해 피복되어 있는 부분의 면적인 피복률은, 이하와 같이 하여 구해진다.
주사형 전자 현미경(SEM)에서의 관찰에 의해, 예를 들어 20개의 도전성 입자를 관찰하여, 도전성 입자에서의 도전성 입자 본체의 피복률(%)(부착율(%)이라고도 함)을 구한다. 상기 피복률은, 도전성 입자 본체의 표면적에서 차지하는 절연부에 의해 피복되어 있는 부분의 합계의 면적(투영 면적)이다.
구체적으로는, 절연부가 절연성 입자인 경우에 상기 피복률은, 도전성 입자를 일 방향으로부터 주사형 전자 현미경(SEM)으로 관찰한 경우, 관찰 화상에서의 도전성 입자 본체의 표면의 외주연 부분의 원 내의 면적 전체에서 차지하는, 도전성 입자 본체의 표면의 외주연 부분의 원 내에서의 절연부의 합계의 면적을 의미한다.
상기 도전성 입자의 평균 입자 직경은 바람직하게는 0.5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 3㎛ 이상이고, 바람직하게는 500㎛ 이하, 보다 바람직하게는 100㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하, 특히 바람직하게는 20㎛ 이하이다. 도전성 입자의 평균 입자 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전성 입자를 사용하여 전극 간을 접속한 경우에 도전성 입자 본체와 전극의 접촉 면적이 충분히 커지고, 또한 도전부를 형성할 때에 응집한 도전성 입자가 형성되기 어려워진다. 또한, 도전성 입자 본체를 통해 접속된 전극 간의 간격이 지나치게 커지지 않고, 또한 도전부가 기재 입자의 표면으로부터 박리되기 어려워진다. 또한, 상기 도전성 입자의 평균 입자 직경이 큰(10㎛ 초과 50㎛ 이하인) 경우에는, 상기 도전성 입자의 평균 입자 직경이 작은(1㎛ 이상 10㎛ 이하인) 경우보다도 저압 및 저온도에서 실장할 수 있기 때문에, 상기 도전성 입자를 카메라 모듈 등의 반도체 장치 모듈에 적합하게 사용할 수 있다.
상기 도전성 입자의 평균 입자 직경은 수 평균 입자 직경을 나타낸다. 도전성 입자의 평균 입자 직경은, 임의의 도전성 입자 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하여 평균값을 산출함으로써 구해진다.
상기 도전성 입자는, 160℃ 이하에서 열 압착함으로써 도전 접속하기 위하여 적합하게 사용되고, 120℃ 이하에서 열 압착함으로써 도전 접속하기 위하여 보다 적합하게 사용되고, 110℃ 이하에서 열 압착함으로써 도전 접속하기 위하여 더욱 적합하게 사용되고, 100℃ 이하에서 열 압착함으로써 도전 접속하기 위하여 특히 적합하게 사용된다.
상기 도전성 입자는 결합제 수지 중에 분산되어, 도전 재료를 얻기 위하여 적합하게 사용된다.
다음으로, 도면을 참조하면서 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명한다.
도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.
도 1에 도시하는 도전성 입자(1)는 도전성 입자 본체(2)와 복수의 절연성 입자(3)를 구비한다.
도전성 입자 본체(2)는, 기재 입자(11)와, 기재 입자(11)의 표면 상에 배치된 도전부(12)와, 복수의 코어 물질(13)을 갖는다. 도전부(12)는 도전층이다. 도전부(12)는 기재 입자(11)에 접해 있다. 도전부(12)는 기재 입자(11)의 표면을 덮고 있다. 도전성 입자 본체(2)는, 기재 입자(11)의 표면이 도전부(12)에 의해 피복된 피복 입자이다. 도전성 입자 본체(2)는 표면에 도전부(12)를 갖는다.
도전성 입자 본체(2)는 도전부(12)의 외표면에 복수의 돌기를 갖는다. 도전부(12)는 외표면에 복수의 돌기를 갖는다. 복수의 코어 물질(13)이 기재 입자(12)의 표면 상에 배치되어 있다. 복수의 코어 물질(13)은 도전부(12) 내에 매립되어 있다. 코어 물질(13)은 돌기의 내측에 배치되어 있다. 도전부(12)는 복수의 코어 물질(13)을 피복하고 있다. 복수의 코어 물질(13)에 의해 도전부(12)의 외표면이 융기되어 있으며, 돌기가 형성되어 있다.
절연성 입자(3)는 도전성 입자 본체(2)의 표면 상에 배치되어 있다. 복수의 절연성 입자(3)는 도전성 입자 본체(2)의 표면에 접촉되어 있으며, 도전성 입자 본체(2)의 표면에 부착되어 있다. 복수의 절연성 입자(3)는, 도전성 입자 본체(2)에 있어서의 도전부(12)의 외표면에 접촉되어 있으며, 도전부(12)의 외표면에 부착되어 있다.
도 2는, 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.
도 2에 도시하는 도전성 입자(1A)는 도전성 입자 본체(2A)와 복수의 절연성 입자(3)를 구비한다.
도전성 입자(1)와 도전성 입자(1A)에서는 도전성 입자 본체(2)와 도전성 입자 본체(2A)가 상이하다.
도전성 입자 본체(2A)는, 기재 입자(11)와, 기재 입자(11)의 표면 상에 배치된 도전부(12A)와, 복수의 코어 물질(13)을 갖는다.
도전성 입자(1)와 도전성 입자(1A)에서는 도전부(12)와 도전부(12A)가 상이하다. 도전부(12A)는 전체에서, 기재 입자(11)측에 제1 도전부(12AA)와, 기재 입자(11)측과는 반대측에 제2 도전부(12AB)를 갖는다. 도전성 입자(1)에서는, 1층 구조의 도전부(12)가 형성되어 있는 데 대해, 도전성 입자(1A)에서는, 제1 도전부(12AA) 및 제2 도전부(12AB)를 갖는 2층 구조의 도전부(12A)가 형성되어 있다. 제1 도전부(12AA)와 제2 도전부(12AB)는 별도의 도전부로서 형성되어 있다.
제1 도전부(12AA)는 기재 입자(11)의 표면 상에 배치되어 있다. 기재 입자(11)와 제2 도전부(12AB) 사이에 제1 도전부(12AA)가 배치되어 있다. 제1 도전부(12AA)는 기재 입자(11)에 접해 있다. 제2 도전부(12AB)는 제1 도전부(12AA)에 접해 있다. 따라서 기재 입자(11)의 표면 상에 제1 도전부(12AA)가 배치되어 있고, 제1 도전부(12AA)의 외표면 상에 제2 도전부(12AB)가 배치되어 있다.
도전성 입자 본체(2A)는 도전부(12A)의 외표면에 복수의 돌기를 갖는다. 도전부(12A)는 외표면에 복수의 돌기를 갖는다. 복수의 코어 물질(13)이 기재 입자(12)의 표면 상에 배치되어 있다. 복수의 코어 물질(13)은 도전부(12A) 및 제1 도전부(12AA) 내에 매립되어 있다. 도전부(12A) 및 제1 도전부(12AA)는 복수의 코어 물질(13)을 피복하고 있다. 복수의 코어 물질(13)에 의해 도전부(12A), 제1 도전부(12AA) 및 제2 도전부(12AB)의 외표면이 융기되어 있으며, 돌기가 형성되어 있다.
절연성 입자(3)는 도전성 입자 본체(2A)의 표면 상에 배치되어 있다.
코어 물질은 기재 입자에 접해 있지 않아도 된다. 코어 물질은 제1 도전부의 외표면 상에 배치되어 있어도 된다. 제1 도전부의 외표면의 형상은 구상이어도 된다.
도 3은, 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.
도 3에 도시하는 도전성 입자(1B)는 도전성 입자 본체(2B)와 복수의 절연성 입자(3)를 구비한다.
도전성 입자(1)와 도전성 입자(1B)에서는 도전성 입자 본체(2)와 도전성 입자 본체(2B)가 상이하다.
도전성 입자 본체(2B)는, 기재 입자(11)와, 기재 입자(11)의 표면 상에 배치된 도전부(12B)를 갖는다. 도전성 입자 본체(2B)는 코어 물질을 갖지 않는다.
도전성 입자 본체(2)와 도전성 입자 본체(2B)에서는 코어 물질의 유무가 상이하며, 결과로서 도전부가 상이하다. 도전성 입자(1)에서는 코어 물질(13)이 사용되고, 또한 코어 물질(13)을 피복하도록 도전부(12)가 형성되어 있는 데 대해, 도전성 입자(1B)에서는 코어 물질은 사용되고 있지 않으며, 도전부(12B)가 형성되어 있다.
도전부(12B)는, 제1 부분과, 해당 제1 부분보다도 두께가 두꺼운 제2 부분을 갖는다. 도전성 입자 본체(2B)는 도전부(12B)의 외표면에 복수의 돌기를 갖는다. 도전부(12B)는 외표면에 복수의 돌기를 갖는다. 복수의 돌기를 제외한 부분이 도전부(12B)의 상기 제1 부분이다. 복수의 돌기는, 도전부(12B)의 두께가 두꺼운 상기 제2 부분이다.
절연성 입자(3)는 도전성 입자 본체(2B)의 표면 상에 배치되어 있다.
도 4는, 절연부가 절연층인 경우의 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.
도 4에 도시하는 도전성 입자(1C)는 도전성 입자 본체(2)와 절연층(3C)을 구비한다.
도전성 입자(1)와 도전성 입자(1C)에서는 절연성 입자(3)이 절연층(3C)이 상이하다.
도전성 입자(1C)에서는, 절연층(3C)은 도전성 입자 본체(2)의 표면 상에 배치되어 있다. 절연층(3C)은 도전성 입자 본체(2)의 표면에 접촉되어 있으며, 도전성 입자 본체(2)의 표면을 피복하고 있다. 복수의 절연층(3C)은, 도전성 입자 본체(2)에 있어서의 도전부(12)의 외표면에 접촉되어 있으며, 도전부(12)의 외표면을 피복하고 있다. 도전부(12)의 돌기가 있는 부분의 표면 상에 절연층(3C)이 배치되어 있다. 도전부(12)의 돌기가 없는 부분의 표면 상에도 절연층(3C)이 배치되어 있다. 도전부(12)의 돌기가 있는 부분의 표면 상에 배치된 절연층(3C)과, 도전부(12)의 돌기가 없는 부분의 표면 상에 배치된 절연층(3C)은 이어져 있다.
도전성 입자(1C)에서는, 도전성 입자(1, 1A, 1B)에 비하여 도통 신뢰성이 낮아지는 경향이 있다.
절연부는 절연성 입자 또는 절연층인 것이 바람직하다. 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 절연부는 절연성 입자인 것이 바람직하다. 절연 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 절연부는 절연층인 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 도전성 입자에서는, 절연부는 절연성 입자이다.
이하, 도전성 입자 및 절연성 입자 등의 다른 상세를 설명한다. 또한, 이하의 설명에서 「(메트)아크릴」은 「아크릴」과 「메타크릴」 중 한쪽 또는 양쪽을 의미하고, 「(메트)아크릴레이트」는 「아크릴레이트」와 「메타크릴레이트」 중 한쪽 또는 양쪽을 의미한다.
[도전성 입자 본체]
상기 도전성 입자 본체는 도전부의 외표면에 돌기를 갖는다. 해당 돌기는 복수인 것이 바람직하다. 도전성 입자 본체에 의해 접속되는 전극의 표면에는 산화 피막이 형성되어 있는 경우가 많다. 도전부의 외표면에 돌기를 갖는 도전성 입자를 사용함으로써, 전극 간에 도전성 입자를 배치하고 압착시킴으로써 돌기에 의해 상기 산화 피막을 효과적으로 배제할 수 있다. 이 때문에, 전극과 도전부가 보다 한층 확실히 접촉되어 전극 간의 접속 저항이 보다 한층 낮아진다. 또한, 전극 간의 접속 시에, 도전성 입자 본체의 돌기에 의해 도전성 입자 본체와 전극 사이의 절연부를 효과적으로 배제할 수 있다. 또한, 본 발명에서는, 절연부의 유리 전이 온도가 낮으므로 절연부를 효과적으로 배제할 수 있다.
상기 도전성 입자 본체는 도전부를 갖는다. 상기 도전부는 도전층인 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자 본체는, 기재 입자와, 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전부를 갖는 도전성 입자여도 되고, 전체가 도전부인 금속 입자여도 된다. 비용을 저감하거나, 도전성 입자 본체의 유연성을 높게 하여 전극 간의 도통 신뢰성을 보다 한층 높이거나 하는 관점에서는, 기재 입자와, 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전부를 갖는 도전성 입자 본체가 바람직하다.
기재 입자:
상기 기재 입자로서는, 수지 입자, 금속 입자를 제외한 무기 입자, 유기 무기 하이브리드 입자 및 금속 입자 등을 들 수 있다. 상기 기재 입자는, 금속 입자를 제외한 기재 입자인 것이 바람직하고, 수지 입자, 금속 입자를 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 보다 바람직하다. 상기 기재 입자는 코어 셸 입자여도 된다.
상기 기재 입자는, 수지에 의해 형성된 수지 입자인 것이 바람직하다. 도전성 입자를 사용하여 전극 간을 접속할 때는, 도전성 입자를 전극 간에 배치한 후 압착함으로써 도전성 입자를 압축시킨다. 기재 입자가 수지 입자이면, 상기 압착 시에 도전성 입자 본체가 변형되기 쉬워 도전성 입자 본체와 전극의 접촉 면적이 커진다. 이 때문에 전극 간의 도통 신뢰성이 보다 한층 높아진다.
상기 수지 입자의 재료로서 다양한 수지가 적합하게 사용된다. 상기 수지 입자의 재료로서는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리이소부틸렌, 폴리부타디엔 등의 폴리올레핀 수지; 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리메틸아크릴레이트 등의 아크릴 수지; 폴리알킬레텔레프탈레이트, 폴리카르보네이트, 폴리아미드, 페놀포름알데히드 수지, 멜라민포름알데히드 수지, 벤조구아나민포름알데히드 수지, 요소포름알데히드 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 벤조구아나민 수지, 요소 수지, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 포화 폴리에스테르 수지, 폴리술폰, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리아세탈, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르술폰, 및 에틸렌성 불포화기를 갖는 다양한 중합성 단량체를 1종 또는 2종 이상 중합시켜 얻어지는 중합체 등을 들 수 있다.
도전 재료에 적합한 임의의 압축 시의 물성을 갖는 수지 입자를 설계 및 합성할 수 있고, 또한 기재 입자의 경도를 적합한 범위로 용이하게 제어할 수 있으므로, 상기 수지 입자의 재료는, 에틸렌성 불포화기를 복수 갖는 중합성 단량체를 1종 또는 2종 이상 중합시킨 중합체인 것이 바람직하다.
상기 수지 입자를, 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를 중합시켜 얻는 경우에는, 상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체로서는 비가교성의 단량체와 가교성의 단량체를 들 수 있다.
상기 비가교성의 단량체로서는, 예를 들어 스티렌, α-메틸스티렌 등의 스티렌계 단량체; (메트)아크릴산, 말레산, 무수 말레산 등의 카르복실기 함유 단량체; 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 세틸(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트 화합물; 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 글리세롤(메트)아크릴레이트, 폴리옥시에틸렌(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 산소 원자 함유 (메트)아크릴레이트 화합물; (메트)아크릴로니트릴 등의 니트릴 함유 단량체; 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르, 프로필비닐에테르 등의 비닐에테르 화합물; 아세트산비닐, 부티르산비닐, 라우르산비닐, 스테아르산비닐 등의 산비닐에스테르 화합물; 에틸렌, 프로필렌, 이소프렌, 부타디엔 등의 불포화 탄화수소; 트리플루오로메틸(메트)아크릴레이트, 펜타플루오로에틸(메트)아크릴레이트, 염화비닐, 불화비닐, 클로로스티렌 등의 할로겐 함유 단량체 등을 들 수 있다.
상기 가교성의 단량체로서는, 예를 들어 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, 글리세롤디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)테트라메틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등의 다관능(메트)아크릴레이트 화합물; 트리알릴(이소)시아누레이트, 트리알릴트리멜리테이트, 디비닐벤젠, 디알릴프탈레이트, 디알릴아크릴아미드, 디알릴에테르, γ-(메트)아크릴옥시프로필 트리메톡시실란, 트리메톡시실릴스티렌, 비닐트리메톡시실란 등의 실란 함유 단량체 등을 들 수 있다.
상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를 공지된 방법에 의해 중합 시킴으로써 상기 수지 입자를 얻을 수 있다. 이 방법으로서는, 예를 들어 라디칼 중합 개시제의 존재 하에서 현탁 중합하는 방법, 및 비가교의 종 입자를 사용하여 라디칼 중합 개시제와 함께 단량체를 팽윤시켜 중합하는 방법 등을 들 수 있다.
상기 기재 입자가 금속 입자를 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인 경우에, 상기 기재 입자의 재료인 무기물로서는 실리카, 알루미나, 티타늄산바륨, 지르코니아 및 카본 블랙 등을 들 수 있다. 상기 무기물은 금속은 아닌 것이 바람직하다. 상기 실리카에 의해 형성된 입자로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 가수 분해성의 알콕시실릴기를 2개 이상 갖는 규소 화합물을 가수 분해하여 가교 중합체 입자를 형성한 후에 필요에 따라 소성을 행함으로써 얻어지는 입자를 들 수 있다. 상기 유기 무기 하이브리드 입자로서는, 예를 들어 가교한 알콕시실릴 중합체와 아크릴 수지에 의해 형성된 유기 무기 하이브리드 입자 등을 들 수 있다.
상기 유기 무기 하이브리드 입자는, 코어와, 해당 코어의 표면 상에 배치된 셸을 갖는 코어 셸형의 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 바람직하다. 상기 코어가 유기 코어인 것이 바람직하다. 상기 셸이 무기 셸인 것이 바람직하다. 전극 간의 접속 저항을 효과적으로 낮게 하는 관점에서는, 상기 기재 입자는, 유기 코어와, 상기 유기 코어의 표면 상에 배치된 무기 셸을 갖는 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 바람직하다.
상기 유기 코어의 재료로서는 상술한 수지 입자의 재료 등을 들 수 있다.
상기 무기 셸의 재료로서는, 상술한 기재 입자의 재료로서 든 무기물을 들 수 있다. 상기 무기 셸의 재료는 실리카인 것이 바람직하다. 상기 무기 셸은, 상기 코어의 표면 상에서 금속 알콕시드를 졸겔법에 의해 셸상물로 한 후, 해당 셸상물을 소성시킴으로써 형성되고 있는 것이 바람직하다. 상기 금속 알콕시드는 실란 알콕시드인 것이 바람직하다. 상기 무기 셸은 실란 알콕시드에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다.
상기 기재 입자가 금속 입자인 경우에, 해당 금속 입자의 재료인 금속으로서는 은, 구리, 니켈, 규소, 금 및 티타늄 등을 들 수 있다. 단, 상기 기재 입자는 금속 입자는 아닌 것이 바람직하다.
도전부:
상기 도전부의 재료인 금속은 특별히 한정되지 않는다. 도전성 입자가, 전체가 도전부인 금속 입자인 경우, 해당 금속 입자의 재료인 금속은 특별히 한정되지 않는다. 상기 금속으로서는, 예를 들어 금, 은, 팔라듐, 구리, 백금, 아연, 철, 주석, 납, 알루미늄, 코발트, 인듐, 니켈, 크롬, 티타늄, 안티몬, 비스무트, 탈륨, 게르마늄, 카드뮴, 규소, 및 이들의 합금 등을 들 수 있다. 또한, 상기 금속으로서는 주석 도프 산화인듐(ITO) 및 땜납 등을 들 수 있다. 전극 간의 접속 저항이 보다 한층 낮아지므로, 주석을 포함하는 합금, 니켈, 팔라듐, 구리 또는 금이 바람직하고, 니켈 또는 팔라듐이 바람직하다.
또한, 도통 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있으므로, 상기 도전부, 및 상기 도전부의 외표면 부분은 니켈을 포함하는 것이 바람직하다. 니켈을 포함하는 도전부 100중량% 중의 니켈의 함유량은 바람직하게는 10중량% 이상, 보다 바람직하게는 50중량% 이상, 보다 한층 바람직하게는 60중량% 이상, 더욱 바람직하게는 70중량% 이상, 특히 바람직하게는 90중량% 이상이다. 상기 니켈을 포함하는 도전부 100중량% 중의 니켈의 함유량은 97중량% 이상이어도 되고, 97.5중량% 이상이어도 되고, 98중량% 이상이어도 된다.
또한, 도전부의 표면에는 산화에 의해 수산기가 존재하는 경우가 많다. 일반적으로 니켈에 의해 형성된 도전부의 표면에는 산화에 의해 수산기가 존재한다. 이와 같은 수산기를 갖는 도전부의 표면(도전성 입자 본체의 표면)에, 화학 결합을 통해 절연부를 배치할 수 있다.
상기 도전부는 하나의 층에 의해 형성되어 있어도 된다. 도전부는 복수의 층에 의해 형성되어 있어도 된다. 즉, 도전부는 2층 이상의 적층 구조를 갖고 있어도 된다. 도전부가 복수의 층에 의해 형성되어 있는 경우에는, 최외층은, 금층, 니켈층, 팔라듐층, 구리층, 또는 주석과 은을 포함하는 합금층인 것이 바람직하고, 금층인 것이 보다 바람직하다. 최외층이 이들 바람직한 도전부인 경우에는 전극 간의 접속 저항이 보다 한층 낮아진다. 또한, 최외층이 금층인 경우에는 내부식성이 보다 한층 높아진다.
상기 기재 입자의 표면에 도전부를 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 도전부를 형성하는 방법으로서는, 예를 들어 무전해 도금에 의한 방법, 전기 도금에 의한 방법, 물리적 증착에 의한 방법, 및 금속 분말 또는 금속 분말과 결합제를 포함하는 페이스트를 기재 입자의 표면에 코팅하는 방법 등을 들 수 있다. 도전부의 형성이 간편하므로 무전해 도금에 의한 방법이 바람직하다. 상기 물리적 증착에 의한 방법으로서는 진공 증착, 이온 플레이팅 및 이온 스퍼터링 등의 방법을 들 수 있다.
상기 도전부의 두께는 바람직하게는 0.005㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상이고, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.3㎛ 이하이다. 도전부의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면 충분한 도전성이 얻어지고, 또한 도전성 입자가 지나치게 단단해지지 않아 전극 간의 접속 시에 도전성 입자가 충분히 변형된다.
상기 도전부가 복수의 층에 의해 형성되어 있는 경우에, 최외층의 도전층 두께는 바람직하게는 0.001㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상이고, 바람직하게는 0.5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.1㎛ 이하이다. 상기 최외층의 도전층 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 최외층의 도전층에 의한 피복이 균일해져 내부식성이 충분히 높아지고, 또한 전극 간의 접속 저항이 충분히 낮아진다.
상기 도전부의 두께는, 예를 들어 투과형 전자 현미경(TEM)을 사용하여, 도전성 입자, 또는 절연성 입자를 갖는 도전성 입자의 단면을 관찰함으로써 측정할 수 있다.
코어 물질:
상기 돌기를 형성하는 방법으로서는, 기재 입자의 표면에 코어 물질을 부착시킨 후, 무전해 도금에 의해 도전부를 형성하는 방법, 및 기재 입자의 표면에 무전해 도금에 의해 도전부를 형성한 후, 코어 물질을 부착시키고, 나아가 무전해 도금에 의해 도전부를 형성하는 방법 등을 들 수 있다. 상기 돌기를 형성하는 다른 방법으로서는, 기재 입자의 표면 상에 제1 도전부를 형성한 후 해당 제1 도전부 상에 코어 물질을 배치하고, 다음으로 제2 도전부를 형성하는 방법, 및 기재 입자의 표면 상에 도전부(제1 도전부 또는 제2 도전부 등)를 형성하는 도중 단계에서 코어 물질을 첨가하는 방법 등을 들 수 있다. 또한, 돌기를 형성하기 위해, 상기 코어 물질을 사용하지 않고 기재 입자에 무전해 도금에 의해 도전부를 형성한 후, 도전부의 표면 상에 돌기 상에 도금을 석출시키고, 나아가 무전해 도금에 의해 도전부를 형성하는 방법 등을 사용해도 된다.
상기 기재 입자의 외표면 상에 코어 물질을 배치하는 방법으로서는, 예를 들어 기재 입자의 분산액 중에 코어 물질을 첨가하고, 기재 입자의 표면에 코어 물질을, 예를 들어 반 데르 발스 힘에 의해 집적시키고 부착시키는 방법, 및 기재 입자를 넣은 용기에 코어 물질을 첨가하고, 용기의 회전 등에 의한 기계적인 작용에 의해 기재 입자의 표면에 코어 물질을 부착시키는 방법 등을 들 수 있다. 부착시키는 코어 물질의 양을 제어하기 쉽기 때문에, 분산액 중의 기재 입자의 표면에 코어 물질을 집적시키고 부착시키는 방법이 바람직하다.
상기 코어 물질의 재료는 특별히 한정되지 않는다. 상기 코어 물질의 재료의 모스 경도는 높은 것이 바람직하다.
상기 코어 물질의 재료의 구체예로서는 티타늄산바륨(모스 경도 4.5), 니켈(모스 경도 5), 실리카(이산화규소, 모스 경도 6 내지 7), 산화티타늄(모스 경도 7), 지르코니아(모스 경도 8 내지 9), 알루미나(모스 경도 9), 탄화텅스텐(모스 경도 9) 및 다이아몬드(모스 경도 10) 등을 들 수 있다. 상기 무기 입자는 니켈, 실리카, 산화티타늄, 지르코니아, 알루미나, 탄화텅스텐, 또는 다이아몬드인 것이 바람직하고, 실리카, 산화티타늄, 지르코니아, 알루미나, 탄화텅스텐, 또는 다이아몬드인 것이 보다 바람직하고, 산화티타늄, 지르코니아, 알루미나, 탄화텅스텐, 또는 다이아몬드인 것이 더욱 바람직하고, 지르코니아, 알루미나, 탄화텅스텐, 또는 다이아몬드인 것이 특히 바람직하다. 상기 코어 물질의 재료의 모스 경도는 바람직하게는 4 이상, 보다 바람직하게는 5 이상, 보다 한층 바람직하게는 6 이상, 더욱 바람직하게는 7 이상, 특히 바람직하게는 7.5 이상이다.
상기 코어 물질의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 코어 물질의 형상은 덩어리상인 것이 바람직하다. 코어 물질로서는, 예를 들어 입자상의 덩어리, 복수의 미소 입자가 응집한 응집 덩어리, 및 부정형의 덩어리 등을 들 수 있다.
상기 코어 물질의 평균 직경(평균 입자 직경)은 바람직하게는 0.001㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상이고, 바람직하게는 0.9㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.2㎛ 이하이다. 상기 코어 물질의 평균 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 간의 접속 저항이 효과적으로 낮아진다.
상기 코어 물질의 「평균 직경(평균 입자 직경)」은 수 평균 직경(수 평균 입자 직경)을 나타낸다. 코어 물질의 평균 직경은, 임의의 코어 물질 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하여 평균값을 산출함으로써 구해진다.
(절연부)
본 발명에 따른 도전성 입자에서는, 상기 절연부는 절연성 입자이다. 상기 절연부의 재료로서는, 폴리올레핀 화합물, (메트)아크릴레이트 중합체, (메트)아크릴레이트 공중합체, 블록 중합체, 열가소성 수지, 열가소성 수지의 가교물, 열경화성 수지 및 수용성 수지 등을 들 수 있다. 상기 절연부의 재료는 1종만이 사용되어도 되고 2종 이상이 병용되어도 된다.
상기 폴리올레핀 화합물로서는 폴리에틸렌, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 및 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴레이트 중합체로서는 폴리메틸(메트)아크릴레이트, 폴리도데실(메트)아크릴레이트 및 폴리 스테아릴(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 블록 중합체로서는, 폴리스티렌, 스티렌-아크릴산에스테르 공중합체, SB형 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 및 SBS형 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 그리고 이들의 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지로서는 비닐 중합체 및 비닐 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 열경화성 수지로서는 에폭시 수지, 페놀 수지 및 멜라민 수지 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지의 가교로서는, 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트, 알콕시화트리메틸올프로판메타크릴레이트나 알콕시화펜타에리트리톨메타크릴레이트 등의 도입을 들 수 있다. 상기 수용성 수지로서는 폴리비닐알코올, 폴리아크릴산, 폴리아크릴아미드, 폴리비닐피롤리돈, 폴리에틸렌옥시드 및 메틸셀룰로오스 등을 들 수 있다. 또한, 중합도의 조정에는 연쇄 이동제를 사용해도 된다. 연쇄 이동제로서는 티올이나 사염화탄소 등을 들 수 있다.
상기 절연부의 재료는, 절연부의 유리 전이 온도가 100℃ 미만이 되도록 적절히 선택된다.
상기 도전부의 표면 및 절연부의 표면은 각각, 반응성 관능기를 갖는 화합물에 의해 피복되어 있어도 된다. 도전부의 표면과 절연부의 표면은 직접 화학 결합해 있지 않아도 되며, 반응성 관능기를 갖는 화합물에 의해 간접적으로 화학 결합해 있어도 된다. 도전부의 외표면에 카르복실기를 도입한 후, 해당 카르복실기가 폴리에틸렌이민 등의 고분자 전해질을 통해 절연부의 표면의 관능기와 화학 결합해 있어도 상관없다.
(도전 재료)
본 발명에 따른 도전 재료는, 상술한 도전성 입자와, 결합제 수지를 포함한다. 상기 도전성 입자는 결합제 수지 중에 분산되어 사용되는 것이 바람직하고, 결합제 수지 중에 분산되어 도전 재료로서 사용되는 것이 바람직하다. 상기 도전 재료는 이방성 도전 재료인 것이 바람직하다. 상기 도전 재료는 전극 간의 전기적인 접속에 사용되는 것이 바람직하다. 상기 도전 재료는 회로 접속용 도전 재료인 것이 바람직하다.
상기 결합제 수지는 특별히 한정되지 않는다. 상기 결합제 수지로서 공지된 절연성의 수지가 사용된다. 상기 결합제 수지는 열가소성 성분(열가소성 화합물) 또는 경화성 성분을 포함하는 것이 바람직하고, 경화성 성분을 포함하는 것이 보다 바람직하다. 상기 경화성 성분으로서는 광경화성 성분 및 열경화성 성분을 들 수 있다. 상기 광경화성 성분은 광경화성 화합물 및 광중합 개시제를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 열경화성 성분은 열경화성 화합물 및 열경화제를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 결합제 수지로서는, 예를 들어 비닐 수지, 열가소성 수지, 경화성 수지, 열가소성 블록 공중합체 및 엘라스토머 등을 들 수 있다. 상기 결합제 수지는 1종만이 사용되어도 되고 2종 이상이 병용되어도 된다.
상기 비닐 수지로서는, 예를 들어 아세트산비닐 수지, 아크릴 수지 및 스티렌 수지 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지로서는, 예를 들어 폴리올레핀 수지, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 및 폴리아미드 수지 등을 들 수 있다. 상기 경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 우레탄 수지, 폴리이미드 수지 및 불포화 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. 또한, 상기 경화성 수지는 상온 경화형 수지, 열경화형 수지, 광경화형 수지, 또는 습기 경화형 수지여도 된다. 상기 경화성 수지는 경화제와 병용되어도 된다. 상기 열가소성 블록 공중합체로서는, 예를 들어 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체의 수소 첨가물, 및 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체의 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 상기 엘라스토머로서는, 예를 들어 스티렌-부타디엔 공중합 고무 및 아크릴로니트릴-스티렌 블록 공중합 고무 등을 들 수 있다.
상기 도전 재료는 상기 도전성 입자 및 상기 결합제 수지 외에, 예를 들어 충전제, 증량제, 연화제, 가소제, 중합 촉매, 경화 촉매, 착색제, 산화 방지제, 열 안정제, 광 안정제, 자외선 흡수제, 활제, 대전 방지제 및 난연제 등의 각종 첨가제를 포함하고 있어도 된다.
도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 도전 재료의 100℃에서의 점도는 바람직하게는 1000㎩·s 이상, 보다 바람직하게는 2000㎩·s 이상이다. 절연 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 도전 재료의 100℃에서의 점도는 바람직하게는 5000㎩·s 이하, 보다 바람직하게는 4000㎩·s 이하이다.
상기 점도는, 예를 들어 E형 점도계(도키 산교사 제조의 「TVE22L」) 등을 사용하여 100℃ 및 5rpm의 조건에서 측정 가능하다.
본 발명에 따른 도전 재료는 도전 페이스트 및 도전 필름 등으로서 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 도전 재료가 도전 필름인 경우에는, 도전성 입자를 포함하는 도전 필름에, 도전성 입자를 포함하지 않는 필름이 적층되어 있어도 된다. 상기 도전 페이스트는 이방성 도전 페이스트인 것이 바람직하다. 상기 도전 필름은 이방성 도전 필름인 것이 바람직하다.
상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 결합제 수지의 함유량은 바람직하게는 10중량% 이상, 보다 바람직하게는 30중량% 이상, 더욱 바람직하게는 50중량% 이상, 특히 바람직하게는 70중량% 이상이고, 바람직하게는 99.99중량% 이하, 보다 바람직하게는 99.9중량% 이하이다. 상기 결합제 수지의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 간에 도전성 입자 본체가 효율적으로 배치되어, 도전 재료에 의해 접속된 접속 대상 부재의 접속 신뢰성이 보다 한층 높아진다.
상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 도전성 입자의 함유량은 바람직하게는 0.01중량% 이상, 보다 바람직하게는 0.1중량% 이상이고, 바람직하게는 80중량% 이하, 보다 바람직하게는 60중량% 이하, 더욱 바람직하게는 40중량% 이하, 특히 바람직하게는 20중량% 이하, 가장 바람직하게는 10중량% 이하이다. 상기 도전성 입자의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 간의 도통 신뢰성이 보다 한층 높아진다.
(접속 구조체)
상기 도전성 입자를 사용하거나, 또는 상기 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전 재료를 사용하여 접속 대상 부재를 접속함으로써, 접속 구조체를 얻을 수 있다.
상기 접속 구조체는, 제1 접속 대상 부재와, 제2 접속 대상 부재와, 제1, 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하며, 상기 접속부의 재료가 상술한 도전성 입자이거나, 또는 상술한 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전 재료인 것이 바람직하다. 상기 접속부가 상술한 도전성 입자에 의해 형성되어 있거나, 또는 상술한 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전 재료에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 도전성 입자가 사용된 경우에는 접속부 자체가 도전성 입자이다.
상기 제1 접속 대상 부재는 제1 전극을 표면에 갖는 것이 바람직하다. 상기 제2 접속 대상 부재는 제2 전극을 표면에 갖는 것이 바람직하다. 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 도전성 입자에서의 상기 도전성 입자 본체에 의해 전기적으로 접속되어 있는 것이 바람직하다.
상기 접속 구조체는, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재 사이에 상기 도전성 입자를 배치하거나 또는 상기 도전 재료를 배치하는 공정과, 열 압착함으로써 도전 접속하는 공정을 거쳐 얻을 수 있다. 상기 열 압착 시에 상기 절연부의 유리 전이 온도 이상으로 가열하는 것이 바람직하다.
도 5는, 도 1에 도시하는 도전성 입자를 사용한 접속 구조체를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 5에 도시하는 접속 구조체(51)는, 제1 접속 대상 부재(52)와, 제2 접속 대상 부재(53)와, 제1, 제2 접속 대상 부재(52, 53)를 접속하고 있는 접속부(54)를 구비한다. 접속부(54)는, 도전성 입자(1)를 포함하는 도전 재료에 의해 형성되어 있다. 상기 도전 재료가 열경화성을 갖고, 접속부(54)가 도전 재료를 열 경화시킴으로써 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 도 5에서는, 도전성 입자(1)는 도시의 편의상, 약도적으로 도시되어 있다. 도전성 입자(1) 대신 도전성 입자(1A, 1B)를 사용해도 된다.
제1 접속 대상 부재(52)는 표면(상면)에 복수의 제1 전극(52a)를 갖는다. 제2 접속 대상 부재(53)는 표면(하면)에 복수의 제2 전극(53a)를 갖는다. 제1 전극(52a)과 제2 전극(53a)이 하나 또는 복수의 도전성 입자(1)에서의 도전성 입자 본체(2)(도면에서는 부호를 나타내지 않음)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 따라서 제1, 제2 접속 대상 부재(52, 53)가 도전성 입자 본체(2)에 의해 전기적으로 접속되어 있다.
상기 접속 구조체의 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다. 접속 구조체의 제조 방법의 일례로서는, 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재 사이에 상기 도전 재료를 배치하여 적층체를 얻은 후, 해당 적층체를 가열 및 가압하는 방법 등을 들 수 있다. 상기 열 압착의 압력은 바람직하게는 40㎫ 이상, 보다 바람직하게는 60㎫ 이상이고, 바람직하게는 90㎫ 이하, 보다 바람직하게는 70㎫ 이하이다. 상기 열 압착의 가열 온도는 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 바람직하게는 100℃ 이상이고, 바람직하게는 140℃ 이하, 보다 바람직하게는 120℃ 이하이다.
상기 접속 대상 부재로서는, 구체적으로는 반도체 칩, 콘덴서 및 다이오드 등의 전자 부품, 그리고 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 유리 에폭시 기판 및 유리 기판 등의 회로 기판 등의 전자 부품 등을 들 수 있다. 상기 접속 대상 부재는 전자 부품인 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는, 전자 부품에 있어서의 전극의 전기적인 접속에 사용되는 것이 바람직하다.
상기 접속 대상 부재에 설치되어 있는 전극으로서는, 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 알루미늄 전극, 은 전극, SUS 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극 및 텅스텐 전극 등의 금속 전극을 들 수 있다. 상기 접속 대상 부재가 플렉시블 프린트 기판인 경우에는, 상기 전극은 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 또는 구리 전극인 것이 바람직하다. 상기 접속 대상 부재가 유리 기판인 경우에는, 상기 전극은 알루미늄 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극, 또는 텅스텐 전극인 것이 바람직하다. 또한, 상기 전극이 알루미늄 전극인 경우에는, 알루미늄만으로 형성된 전극이어도 되고, 금속 산화물층의 표면에 알루미늄층이 적층된 전극이어도 된다. 상기 금속 산화물층의 재료로서는, 3가의 금속 원소가 도프된 산화인듐 및 3가의 금속 원소가 도프된 산화아연 등을 들 수 있다. 상기 3가의 금속 원소로서는 Sn, Al 및 Ga 등을 들 수 있다.
이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명한다. 본 발명은 이하의 실시예만에 한정되지 않는다.
(실시예 1)
(1) 도전성 입자의 제작
입자 직경이 3.0㎛인 디비닐벤젠 공중합체 수지 입자(기재 입자 A, 세키스이 가가쿠 고교사 제조의 「마이크로펄 SP-203」)를 준비하였다. 팔라듐 촉매액을 5중량% 포함하는 알칼리 용액 100중량부에 상기 기재 입자 A 10중량부를 초음파 분산기를 사용하여 분산시킨 후, 용액을 여과함으로써 기재 입자 A를 취출하였다. 이어서, 기재 입자 A를 디메틸아민보란 1중량% 용액 100중량부에 첨가하여 기재 입자 A의 표면을 활성화시켰다. 표면이 활성화된 기재 입자 A를 충분히 수세한 후, 증류수 500중량부에 첨가하고 분산시킴으로써 분산액을 얻었다. 다음으로, 알루미나 입자 슬러리(평균 입자 직경 152㎚) 1g을 3분간에 걸쳐 상기 분산액에 첨가하여, 코어 물질이 부착된 기재 입자를 포함하는 현탁액을 얻었다.
또한, 황산니켈 0.35㏖/L, 디메틸아민보란 1.38㏖/L 및 시트르산나트륨 0.5㏖/L를 포함하는 니켈 도금액(pH8.5)을 준비하였다.
얻어진 현탁액을 60℃에서 교반하면서 상기 니켈 도금액을 현탁액에 서서히 적하하여 무전해 니켈 도금을 행하였다. 그 후, 현탁액을 여과함으로써 입자를 취출하여 수세하고 건조함으로써, 기재 입자 A의 표면에 니켈-보론 도전층(두께 0.15㎛)을 배치하여, 표면이 도전층인 도전성 입자 A를 얻었다. 도전부의 외표면의 전체 표면적 100% 중, 돌기가 있는 부분의 표면적은 70%였다.
(2) 절연성 입자의 제작
4구 세퍼러블 커버, 교반 날개, 3방 코크, 냉각관 및 온도 프로브를 설치한 5000mL 세퍼러블 플라스크에, 증류수 4000ml, 에탄올 900ml, 메타크릴산메틸 3.3㏖, 메타크릴산트리데실 4.1㏖, 애시드포스포옥시폴리옥시에틸렌글리콜메타크릴레이트 0.5m㏖, 및 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 0.3m㏖을 포함하는 단량체 조성물을 넣은 후, 250rpm으로 교반하고 질소 분위기 하 60℃에서 5시간 중합을 행하였다. 반응 종료 후 동결 건조하여, 애시드포스포옥시폴리옥시에틸렌글리콜메타크릴레이트에서 유래되는 P-OH기를 표면에 갖는 절연성 입자(평균 입자 직경 374㎚)를 얻었다.
(3) 절연성 입자를 갖는 도전성 입자의 제작
상기에서 얻어진 절연성 입자를 각각 초음파 조사 하에서 증류수에 분산시켜 절연성 입자의 10중량% 수분산액을 얻었다. 얻어진 도전성 입자 A 10g을 증류수 500mL에 분산시키고, 절연성 입자의 10중량% 수분산액 1g을 첨가하고 실온에서 8시간 교반하였다. 3㎛의 메쉬 필터로 여과한 후, 나아가 메탄올로 세정, 건조하여 도전성 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자)를 얻었다.
(4) 도전 재료(이방성 도전 페이스트)의 제작
얻어진 도전성 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자) 7중량부와, 비스페놀 A형 페녹시 수지 25중량부와, 플루오렌형 에폭시 수지 4중량부와, 페놀노볼락형 에폭시 수지 30중량부와, SI-60L(산신 가가쿠 고교사 제조)을 배합하고 3분간 탈포 및 교반함으로써, 이방성 도전 페이스트를 얻었다.
(5) 접속 구조체의 제작
L/S가 10㎛/20㎛인 IZO 전극 패턴(제1 전극, 전극 표면의 금속의 비커스 경도 100Hv)이 상면에 형성된 투명 유리 기판을 준비하였다. 또한, L/S가 10㎛/20㎛인 Au 전극 패턴(제2 전극, 전극 표면의 금속의 비커스 경도 50Hv)이 하면에 형성된 반도체 칩을 준비하였다.
상기 투명 유리 기판 상에 얻어진 이방성 도전 페이스트를 두께 30㎛가 되도록 도공하여 이방성 도전 페이스트층을 형성하였다. 다음으로, 이방성 도전 페이스트층 상에 상기 반도체 칩을, 전극끼리가 대향하도록 적층하였다. 그 후, 이방성 도전 페이스트층의 온도가 100℃가 되도록 헤드의 온도를 조정하면서, 반도체 칩의 상면에 가압 가열 헤드를 얹고 60㎫의 압력을 가하여 이방성 도전 페이스트층을 100℃로 경화시켜, 접속 구조체를 얻었다. 또한, 접속 구조체의 제작 시의 온도 및 압력을 하기 표 1에 나타낸 바와 같이 변경하여 접속 구조체를 얻었다.
(실시예 2)
절연성 입자의 제작 시에 사용하는 메타크릴산트리데실을 메타크릴산스테아릴로 변경한 것, 및 절연성 입자의 평균 입자 직경을 하기 표 1에 나타낸 바와 같이 설정한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자), 이방성 도전 페이스트 및 접속 구조체를 얻었다.
(실시예 3)
절연성 입자의 제작 시에 사용하는 메타크릴산트리데실을 메타크릴산도데실로 변경한 것, 및 절연성 입자의 평균 입자 직경을 하기 표 1에 나타낸 바와 같이 설정한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자), 이방성 도전 페이스트 및 접속 구조체를 얻었다.
(실시예 4)
절연성 입자의 제작 시에 사용하는 메타크릴산트리데실을 메타크릴산옥틸로 변경한 것, 및 절연성 입자의 평균 입자 직경을 하기 표 1에 나타낸 바와 같이 설정한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자), 이방성 도전 페이스트 및 접속 구조체를 얻었다.
(실시예 5)
절연성 입자의 제작 시에 사용하는 메타크릴산트리데실을 메타크릴산아밀로 변경한 것, 및 절연성 입자의 평균 입자 직경을 하기 표 1에 나타낸 바와 같이 설정한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자), 이방성 도전 페이스트 및 접속 구조체를 얻었다.
(실시예 6)
도전성 입자의 제작 시에 사용하는 알루미나 입자 슬러리의 평균 입자 직경을 102㎚로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전성 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자), 이방성 도전 페이스트 및 접속 구조체를 얻었다.
(실시예 7)
도전성 입자의 제작 시에 사용하는 알루미나 입자 슬러리의 평균 입자 직경을 308㎚로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전성 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자), 이방성 도전 페이스트 및 접속 구조체를 얻었다.
(실시예 8)
도전성 입자의 제작 시에 사용하는 알루미나 입자 슬러리를 니켈 입자 슬러리(평균 입자 직경 154㎚)로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전성 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자), 이방성 도전 페이스트 및 접속 구조체를 얻었다.
(실시예 9)
절연성 입자의 평균 입자 직경을 156㎚로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전성 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자), 이방성 도전 페이스트 및 접속 구조체를 얻었다.
(실시예 10)
절연성 입자의 평균 입자 직경을 511㎚로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전성 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자), 이방성 도전 페이스트 및 접속 구조체를 얻었다.
(실시예 11)
기재 입자 A의 평균 입자 직경을 10㎛로 변경한 것, 및 절연성 입자의 평균 입자 직경을 하기 표 2에 나타낸 바와 같이 설정한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자), 이방성 도전 페이스트 및 접속 구조체를 얻었다.
(실시예 12)
기재 입자 A의 평균 입자 직경을 10㎛로 변경한 것, 도전성 입자의 제작 시에 사용하는 알루미나 입자 슬러리를 니켈 입자 슬러리(평균 입자 직경 154㎚)로 변경한 것, 및 절연성 입자의 평균 입자 직경을 하기 표 2에 나타낸 바와 같이 설정한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자), 이방성 도전 페이스트 및 접속 구조체를 얻었다.
(실시예 13)
기재 입자 A의 평균 입자 직경을 20㎛로 변경한 것, 도전성 입자의 제작 시에 사용하는 알루미나 입자 슬러리의 평균 입자 직경을 457㎚로 변경한 것, 및 절연성 입자의 평균 입자 직경을 하기 표 2에 나타낸 바와 같이 설정한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자), 이방성 도전 페이스트 및 접속 구조체를 얻었다.
(실시예 14)
기재 입자 A의 평균 입자 직경을 20㎛로 변경한 것, 도전성 입자의 제작 시에 사용하는 알루미나 입자 슬러리를 니켈 입자 슬러리의 평균 입자 직경 461㎚로 변경한 것, 및 절연성 입자의 평균 입자 직경을 하기 표 2에 나타낸 바와 같이 설정한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자), 이방성 도전 페이스트 및 접속 구조체를 얻었다.
(비교예 1)
절연성 입자의 제작 시에 사용하는 메타크릴산에스테르를 모두 메타크릴산메틸로 변경한 것, 및 절연성 입자의 평균 입자 직경을 하기 표 2에 나타낸 바와 같이 설정한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자), 이방성 도전 페이스트 및 접속 구조체를 얻었다.
(비교예 2)
절연성 입자의 제작 시에 사용하는 메타크릴산트리데실을 메타크릴산부틸로 변경한 것, 및 절연성 입자의 평균 입자 직경을 하기 표 2에 나타낸 바와 같이 설정한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자), 이방성 도전 페이스트 및 접속 구조체를 얻었다.
(비교예 3)
도전성 입자의 제작 시에 알루미나 입자 슬러리를 사용하지 않은 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전성 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자), 이방성 도전 페이스트 및 접속 구조체를 얻었다.
(비교예 4)
기재 입자 A의 평균 입자 직경을 10㎛로 변경한 것, 도전성 입자의 제작 시에 알루미나 입자 슬러리를 사용하지 않은 것, 및 절연성 입자의 평균 입자 직경을 하기 표 2에 나타낸 바와 같이 설정한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자), 이방성 도전 페이스트 및 접속 구조체를 얻었다.
(비교예 5)
기재 입자 A의 평균 입자 직경을 20㎛로 변경한 것, 도전성 입자의 제작 시에 알루미나 입자 슬러리를 사용하지 않은 것, 및 절연성 입자의 평균 입자 직경을 하기 표 2에 나타낸 바와 같이 설정한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 입자(절연성 입자를 갖는 도전성 입자), 이방성 도전 페이스트 및 접속 구조체를 얻었다.
(평가)
(1) 도전 재료(이방성 도전 페이스트)의 점도
E형 점도계(도키 산교사 제조의 「TVE22L」)를 사용하여 이방성 도전 페이스트의 점도를 100℃ 및 5rpm의 조건에서 측정하였다.
(2) 압축 시의 절연성 입자의 변형량
FIB-SEM 복합 장치를 사용하여, 얻어진 접속 구조체의 박막 절편의 SEM 화상을 관찰하였다. 얻어진 접속 구조체에 있어서, 도전성 입자와 투명 유리 기판 사이에 끼워진 절연성 입자 10개의 변형량(상술한 비 L1/L2)을 측정하고, 측정값의 평균값을 구하였다.
(3) 도통 신뢰성(상하의 전극 간)
실시예 1과 마찬가지의 방법으로 제작된 20개의 접속 구조체의 상하의 전극 간의 접속 저항을 각각 4단자법에 의해 측정하였다. 또한, 전압=전류×저항의 관계로부터, 일정한 전류를 흐르게 했을 때의 전압을 측정함으로써 접속 저항을 구할 수 있다. 도통 신뢰성을 하기 기준으로 판정하였다.
[도통 신뢰성의 판정 기준]
○○: 접속 저항이 2.0Ω 이하
○: 접속 저항이 2.0Ω 초과 3.0Ω 이하
△: 접속 저항이 3.0Ω 초과 5.0Ω 이하
×: 접속 저항이 5.0Ω 초과
(4) 절연 신뢰성(가로 방향으로 인접하는 전극 간)
상기 (3) 도통 신뢰성의 평가에서 얻어진 20개의 접속 구조체에 있어서, 인접하는 전극 간의 누설의 유무를, 테스터로 저항을 측정함으로써 평가하였다. 절연성을 하기 기준으로 판정하였다.
[절연 신뢰성의 판정 기준]
○○: 저항값이 108Ω 이상인 접속 구조체의 개수의 비율이 80% 이상
○: 저항값이 108Ω 이상인 접속 구조체의 개수의 비율이 70% 이상 80% 미만
△: 저항값이 108Ω 이상인 접속 구조체의 개수의 비율이 60% 이상 70% 미만
×: 저항값이 108Ω 이상인 접속 구조체의 개수의 비율이 60% 미만
결과를 하기 표 1, 2에 나타낸다.
Figure 112018050776671-pct00001
Figure 112018050776671-pct00002
1, 1A, 1B, 1C: 도전성 입자
2, 2A, 2B: 도전성 입자 본체
3: 절연성 입자
3C: 절연층
11: 기재 입자
12, 12A, 12B: 도전부
12AA: 제1 도전부
12AB: 제2 도전부
13: 코어 물질
51: 접속 구조체
52: 제1 접속 대상 부재
52a: 제1 전극
53: 제2 접속 대상 부재
53a: 제2 전극
54: 접속부

Claims (12)

  1. 도전부를 갖는 도전성 입자 본체와, 상기 도전성 입자 본체의 표면 상에 배치된 절연성 입자를 구비하며,
    상기 도전성 입자 본체가 상기 도전부의 외표면에 복수의 돌기를 갖고,
    상기 절연성 입자의 유리 전이 온도가 100℃ 미만이고,
    상기 절연성 입자가, 온도 100℃ 내지 160℃ 및 압력 60㎫ 내지 80㎫의 압축 조건을 만족시키는 적어도 하나의 압축 조건에서 압축되었을 때에, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향으로의 입자 직경의 최댓값의, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향과 직교하는 방향으로의 입자 직경의 최댓값에 대한 비가 0.7 이하가 되도록 변형 가능한, 도전성 입자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 도전성 입자 본체의 표면 상에 복수의 상기 절연성 입자가 배치되어 있는, 도전성 입자.
  3. 제2항에 있어서, 상기 절연성 입자의 평균 입자 직경의 상기 돌기의 평균 높이에 대한 비가 0.5를 초과하는, 도전성 입자.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연성 입자가, 온도 100℃ 및 압력 60㎫에서 압축되었을 때에, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향으로의 입자 직경의 최댓값의, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향과 직교하는 방향으로의 입자 직경의 최댓값에 대한 비가 0.7 이하가 되도록 변형 가능한, 도전성 입자.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연성 입자가, 온도 100℃ 내지 160℃ 및 압력 60㎫ 내지 80㎫의 압축 조건을 만족시키는 적어도 하나의 압축 조건에서 압축되었을 때에, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향으로의 입자 직경의 최댓값이, 압축 전의 상기 돌기의 평균 높이 이하가 되도록 변형 가능한, 도전성 입자.
  6. 제5항에 있어서, 상기 절연성 입자가, 온도 100℃ 및 압력 60㎫에서 압축되었을 때에, 압축 후의 상기 절연성 입자의 압축 방향으로의 입자 직경의 최댓값이, 압축 전의 상기 돌기의 평균 높이 이하가 되도록 변형 가능한, 도전성 입자.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 120℃ 이하에서 열 압착함으로써 도전 접속하기 위하여 사용되는, 도전성 입자.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 입자와, 결합제 수지를 포함하는, 도전 재료.
  9. 제8항에 있어서, 도전 재료의 100℃에서의 점도가 1000㎩·s 이상 5000㎩·s 이하인, 도전 재료.
  10. 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와,
    제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와,
    상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하며,
    상기 접속부의 재료가, 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 입자이거나, 또는 상기 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전 재료이고,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 도전성 입자에서의 상기 도전성 입자 본체에 의해 전기적으로 접속되어 있는, 접속 구조체.
  11. 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재 사이에, 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 입자를 배치하거나, 또는 상기 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전 재료를 배치하는 공정과,
    상기 절연성 입자의 유리 전이 온도 이상 160℃ 이하에서 열 압착함으로써 도전 접속하는 공정을 구비하는, 접속 구조체의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 절연성 입자의 유리 전이 온도 이상 120℃ 이하에서 열 압착하는, 접속 구조체의 제조 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7312109B2 (ja) * 2018-04-04 2023-07-20 積水化学工業株式会社 絶縁性粒子付き導電性粒子、絶縁性粒子付き導電性粒子の製造方法、導電材料及び接続構造体

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005044773A (ja) * 2003-07-07 2005-02-17 Sekisui Chem Co Ltd 被覆導電性粒子、異方性導電材料及び導電接続構造体
JP2014017213A (ja) * 2012-07-11 2014-01-30 Hitachi Chemical Co Ltd 絶縁被覆導電粒子及びそれを用いた異方導電性接着剤
JP2015187984A (ja) * 2014-03-10 2015-10-29 積水化学工業株式会社 絶縁性粒子付き導電性粒子、導電材料及び接続構造体

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05334912A (ja) * 1992-06-01 1993-12-17 Casio Comput Co Ltd 異方性導電接着剤および導電接続構造
JP3904798B2 (ja) * 1999-04-01 2007-04-11 三井化学株式会社 異方導電性ペースト
CN100437838C (zh) * 2003-07-07 2008-11-26 积水化学工业株式会社 包覆导电性粒子、各向异性导电材料以及导电连接结构体
KR100637763B1 (ko) * 2004-05-12 2006-10-23 주식회사 마이크로글로브 이방성 도전접속용 절연 도전성 입자와 그 제조방법 및이를 이용한 이방성 도전접속재료
CN102474024B (zh) * 2009-07-02 2014-09-17 日立化成株式会社 导电粒子
JP5498907B2 (ja) 2010-09-29 2014-05-21 株式会社日本触媒 樹脂粒子およびこれを用いた絶縁化導電性粒子並びに異方性導電材料
JP5653737B2 (ja) * 2010-12-08 2015-01-14 株式会社日本触媒 樹脂粒子およびこれを用いた絶縁化導電性粒子並びに異方性導電材料
WO2012137335A1 (ja) * 2011-04-07 2012-10-11 日立化成工業株式会社 回路接続材料及びその使用並びに接続構造体及びその製造方法
WO2013015304A1 (ja) * 2011-07-28 2013-01-31 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP2013214417A (ja) * 2012-04-02 2013-10-17 Hitachi Chemical Co Ltd 回路接続材料、回路部材接続構造体及び回路部材接続構造体の製造方法
WO2014088095A1 (ja) * 2012-12-06 2014-06-12 積水化学工業株式会社 導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法
JP6114557B2 (ja) * 2013-01-10 2017-04-12 積水化学工業株式会社 導電材料及び接続構造体の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005044773A (ja) * 2003-07-07 2005-02-17 Sekisui Chem Co Ltd 被覆導電性粒子、異方性導電材料及び導電接続構造体
JP2014017213A (ja) * 2012-07-11 2014-01-30 Hitachi Chemical Co Ltd 絶縁被覆導電粒子及びそれを用いた異方導電性接着剤
JP2015187984A (ja) * 2014-03-10 2015-10-29 積水化学工業株式会社 絶縁性粒子付き導電性粒子、導電材料及び接続構造体

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