KR102398880B1

KR102398880B1 - Heat treatment apparatus and method of manufacturing film using the same

Info

Publication number: KR102398880B1
Application number: KR1020170068854A
Authority: KR
Inventors: 카츠시 키시모토
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2017-06-02
Filing date: 2017-06-02
Publication date: 2022-05-17
Also published as: CN108987299A; CN108987299B; KR20180133007A

Abstract

열 처리 장치 및 이를 이용한 막 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 열 처리 장치는 챔버, 상기 챔버 내에 배치된 제1 히팅 플레이트, 상기 챔버 내에 배치되고, 상기 제1 히팅 플레이트의 일면 상에 배치되며, 복수의 슬릿을 갖는 제2 히팅 플레이트, 및 상기 제1 히팅 플레이트의 상기 일면 측으로 가스를 분사하도록 구성된 가스 분사 유닛을 포함하되, 상기 제2 히팅 플레이트의 중앙부에서의 단위 면적 당 상기 슬릿이 차지하는 평면상 면적은, 상기 제2 히팅 플레이트의 가장자리부에서의 단위 면적 당 상기 슬릿이 차지하는 평면상 면적보다 크다.A heat treatment apparatus and a film manufacturing method using the same are provided. Heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention is a chamber, a first heating plate disposed in the chamber, disposed in the chamber, disposed on one surface of the first heating plate, a second heating having a plurality of slits a plate, and a gas injection unit configured to inject gas toward the one surface side of the first heating plate, wherein the planar area occupied by the slit per unit area in the central portion of the second heating plate is, the second heating plate It is larger than the planar area occupied by the slit per unit area at the edge of the .

Description

열 처리 장치 및 이를 이용한 막 제조 방법{HEAT TREATMENT APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING FILM USING THE SAME}HEAT TREATMENT APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING FILM USING THE SAME

본 발명은 열 처리 장치 및 이를 이용한 막 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a heat treatment apparatus and a film manufacturing method using the same.

유기 발광 소자는 자발광형 소자로서 표시 장치에 적용될 경우 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답 속도, 휘도, 구동 전압 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.When applied to a display device as a self-luminous device, the organic light emitting diode has a wide viewing angle and excellent contrast, as well as excellent response speed, luminance, and driving voltage characteristics, and has the advantage of being able to multicolor.

유기 발광 소자(organic light emitting device)는 정공(hole)을 주입하는 애노드 전극과 전자(electron)를 주입하는 캐소드 전극 사이에 정공 주입층, 정공 수송층 및 발광층을 포함하는 유기막들이 개재된 구조를 갖는다. 상기 양 전극 사이에 전압을 인가하면 정공과 전자가 발광층에서 재결합하여 엑시톤을 형성하고, 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 변화함에 따라 발광한다.An organic light emitting device has a structure in which organic layers including a hole injection layer, a hole transport layer, and a light emitting layer are interposed between an anode electrode for injecting holes and a cathode electrode for injecting electrons . When a voltage is applied between the electrodes, holes and electrons recombine in the emission layer to form excitons, and light is emitted as the excitons change from an excited state to a ground state.

한편, 상기 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 유기막을 형성하기 위한 한 가지 방법으로 잉크젯 프린팅 또는 노즐 프린팅 등의 용액 도포 공정을 예시할 수 있다. 상기 용액 도포 공정은 유기 용액을 원하는 위치에 토출하고 상기 유기 용액을 고온의 불활성 기체와 접촉시켜 상기 유기 용액을 건조(curing) 및 베이크(baking) 함으로써 상기 유기막을 형성할 수 있다.Meanwhile, a solution application process such as inkjet printing or nozzle printing may be exemplified as one method for forming the organic film between the anode electrode and the cathode electrode. In the solution application process, the organic layer may be formed by discharging an organic solution to a desired position and contacting the organic solution with a high temperature inert gas to dry and bake the organic solution.

그러나 상기 건조 및 베이크 공정은 별도의 챔버에서 수행되기 때문에 공정이 복잡해지고 비용 상승의 원인이 될 수 있다. 또, 상기 건조 및 베이크 과정에서 상기 유기 용액의 토출 위치 별로 가열 경로가 상이하여 유기 용액이 균일하게 건조되지 않는 문제가 발생할 수 있고, 이러한 문제는 기판, 예컨대 유기 발광 표시 패널 기판이 대면적화 됨에 따라 더욱 심화될 수 있다.However, since the drying and baking processes are performed in separate chambers, the process becomes complicated and may cause an increase in cost. In addition, during the drying and baking process, the heating path is different for each discharge location of the organic solution, so that the organic solution is not dried uniformly. could be further aggravated.

이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 공정을 단순화하고 기판 상의 유기 용액 또는 유기막을 균일하게 열 처리하여 균일도(uniformity)가 향상된 막을 제조할 수 있는 열 처리 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus capable of manufacturing a film having improved uniformity by simplifying a process and uniformly heat-treating an organic solution or an organic film on a substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 기판 상의 유기 용액 또는 유기막을 균일하게 열 처리하여 균일도가 향상되고 불순물 함량이 최소화될 수 있는 막 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object to be solved by the present invention is to provide a film manufacturing method capable of uniformly heat-treating an organic solution or an organic film on a substrate to improve uniformity and minimize impurity content.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 열 처리 장치는, 챔버, 상기 챔버 내에 배치된 제1 히팅 플레이트, 상기 챔버 내에 배치되고, 상기 제1 히팅 플레이트의 일면 상에 배치되며, 복수의 슬릿을 갖는 제2 히팅 플레이트, 및 상기 제1 히팅 플레이트의 상기 일면 측으로 가스를 분사하도록 구성된 가스 분사 유닛을 포함하되, 상기 제2 히팅 플레이트의 중앙부에서의 단위 면적 당 상기 슬릿이 차지하는 평면상 면적은, 상기 제2 히팅 플레이트의 가장자리부에서의 단위 면적 당 상기 슬릿이 차지하는 평면상 면적보다 크다.Thermal processing apparatus according to an embodiment of the present invention for solving the above problems, a chamber, a first heating plate disposed in the chamber, disposed in the chamber, disposed on one surface of the first heating plate, a plurality of A second heating plate having a slit of , and a gas injection unit configured to inject gas toward the one surface side of the first heating plate, wherein the slit occupies a planar area per unit area in the central portion of the second heating plate is larger than the planar area occupied by the slit per unit area at the edge of the second heating plate.

상기 가스 분사 유닛은, 상기 제1 히팅 플레이트의 상기 일면과 평행한 제1 방향으로 연장되어 상기 제1 방향으로의 유로를 제공하고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격 배치된 복수의 제1 유로부를 포함할 수 있다.The gas injection unit extends in a first direction parallel to the one surface of the first heating plate to provide a flow path in the first direction, a plurality of spaced apart arrangement in a second direction intersecting the first direction It may include a first flow path part.

또, 상기 슬릿은 상기 제1 방향으로 연장된 형상이고, 상기 슬릿의 상기 제1 방향의 중앙부에서의 폭은, 상기 슬릿의 상기 제1 방향의 단부에서의 폭보다 클 수 있다.In addition, the slit may have a shape extending in the first direction, and a width of the slit at a central portion in the first direction may be greater than a width at an end portion of the slit in the first direction.

또한, 상기 복수의 슬릿은, 상기 제2 히팅 플레이트의 상기 제2 방향의 중앙부에 위치한 제1 슬릿, 및 상기 제1 슬릿에 비해 상기 제2 히팅 플레이트의 상기 제2 방향의 가장자리부에 위치한 제2 슬릿을 포함하되, 상기 제1 슬릿의 폭은 상기 제2 슬릿의 폭보다 클 수 있다.In addition, the plurality of slits, a first slit located at a central portion of the second heating plate in the second direction, and a second slit located at an edge portion of the second heating plate in the second direction compared to the first slit A slit may be included, but a width of the first slit may be greater than a width of the second slit.

상기 제1 히팅 플레이트와 상기 제2 히팅 플레이트 사이에는 열 처리 공간이 정의되고, 상기 열 처리 공간의 가장자리부에 비해 중앙부에 더 많은 열량을 가할 수 있도록 구성된 제1 서브 히터를 더 포함할 수 있다.A heat treatment space is defined between the first heating plate and the second heating plate, and a first sub-heater configured to apply more heat to a central portion than to an edge portion of the heat treatment space may be further included.

또, 상기 제1 히팅 플레이트와 상기 제2 히팅 플레이트 사이에 배치된 기판 안착 플레이트, 상기 제1 히팅 플레이트와 상기 제2 히팅 플레이트 사이에 배치되고, 상기 제2 히팅 플레이트의 가장자리를 따라 띠 형상으로 배치된 기류 차단 블록, 상기 기류 차단 블록을 둘러싸도록 상기 기류 차단 블록의 외측에 배치된 커튼 가스 분사부, 상기 기류 차단 블록을 둘러싸도록 상기 기류 차단 블록의 외측에 배치되어 상기 열 처리 공간 측으로 열을 제공하도록 구성된 제2 서브 히터, 및 상기 제2 히팅 플레이트 상부에 배치된 배기 후드를 더 포함하되, 상기 가스 분사 유닛은 상기 기판 안착 플레이트 측으로 가스를 분사하도록 구성될 수 있다.In addition, the substrate seating plate disposed between the first heating plate and the second heating plate, disposed between the first heating plate and the second heating plate, arranged in a band shape along the edge of the second heating plate airflow blocking block, a curtain gas injection unit disposed outside the airflow blocking block to surround the airflow blocking block, and disposed outside the airflow blocking block to surround the airflow blocking block to provide heat toward the heat treatment space It may further include a second sub-heater configured to do so, and an exhaust hood disposed on the second heating plate, wherein the gas injection unit is configured to inject gas toward the substrate seating plate.

상기 가스 분사 유닛은, 상기 가스를 공급하는 가스 공급원, 및 상기 가스 공급원과 상기 챔버 내부의 복수의 상기 제1 유로부들 사이에 유로를 제공하는 가스 공급관을 더 포함하되, 상기 제2 히팅 플레이트는 복수의 관통홀들을 가지고, 상기 제1 유로부는 상기 제1 히팅 플레이트와 상기 제2 히팅 플레이트 사이에 배치되며, 상기 가스 공급관의 적어도 일부는 상기 관통홀들을 통해 상기 제2 히팅 플레이트를 관통하여 상기 제1 유로부와 직접 연결될 수 있다.The gas injection unit may further include a gas supply supplying the gas, and a gas supply pipe providing a flow path between the gas supply source and the plurality of first flow passages inside the chamber, wherein the second heating plate includes a plurality of of the through-holes, the first flow path portion is disposed between the first heating plate and the second heating plate, and at least a portion of the gas supply pipe passes through the second heating plate through the through-holes to allow the first It can be directly connected to the flow path part.

또, 상기 제1 서브 히터는 상기 제2 히팅 플레이트와 상기 배기 후드 사이에 배치되고, 상기 제1 서브 히터는 상기 제1 방향으로 연장되고 상기 제2 방향으로 이격 배치되어 복수개이며, 상기 제1 서브 히터는 상기 제1 유로부와 중첩할 수 있다.In addition, the first sub-heaters are disposed between the second heating plate and the exhaust hood, and a plurality of the first sub-heaters extend in the first direction and are spaced apart from each other in the second direction. The heater may overlap the first flow path part.

상기 가스 분사 유닛은, 상기 가스를 공급하는 가스 공급원, 상기 가스 공급원과 상기 챔버 내부의 복수의 상기 제1 유로부들 사이에 유로를 제공하는 가스 공급관, 및 상기 제1 유로부로부터 돌출되어 상기 관통홀을 통해 상기 제2 히팅 플레이트를 관통하여 상기 기판 안착 플레이트 측으로 가스를 분사하도록 구성된 복수의 제2 유로부를 더 포함하되, 상기 제2 히팅 플레이트는 복수의 관통홀을 가지고, 상기 제1 유로부는 상기 제2 히팅 플레이트와 상기 배기 후드 사이에 배치되며, 상기 복수의 제1 유로부는 2ⁿ(여기서, n은 자연수)개이고, 상기 가스 공급관은, 일 방향으로 연장된 제1 가스 분배관, 및 상기 제1 가스 분배관으로부터 분기된 두 개의 제2 가스 분배관을 포함하고, 상기 가스 공급원으로부터 상기 각 제1 유로부까지의 유로 길이는 모두 동일할 수 있다.The gas injection unit may include a gas supply supplying the gas, a gas supply pipe providing a flow path between the gas supply source and the plurality of first flow passages inside the chamber, and the through hole protruding from the first flow passage part Further comprising a plurality of second flow passages configured to pass through the second heating plate and inject gas toward the substrate seating plate, wherein the second heating plate has a plurality of through holes, and the first flow passage portion 2 disposed between the heating plate and the exhaust hood, the number of the plurality of first flow passages is 2 ⁿ (where n is a natural number), and the gas supply pipe includes a first gas distribution pipe extending in one direction, and the first It may include two second gas distribution pipes branched from the gas distribution pipe, and the length of the flow path from the gas supply source to each of the first flow path parts may be the same.

또, 상기 제1 서브 히터는 상기 제1 방향으로 연장되고 상기 제2 방향으로 이격 배치되어 2ⁿ⁺¹개이고, 상기 제1 서브 히터는 상기 제1 유로부의 양측에 배치될 수 있다.Also, the number of the first sub-heaters may be 2 ⁿ⁺¹ , which extend in the first direction and are spaced apart from each other in the second direction, and the first sub-heaters may be disposed on both sides of the first flow path part.

상기 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 막 제조 방법은, 제1 히팅 플레이트와 복수의 슬릿을 갖는 제2 히팅 플레이트 사이에 유기 용액이 토출된 기판을 개재하는 단계, 및 상기 기판 측으로 가스를 분사하여 상기 가스와 상기 기판을 접촉시키고 상기 가스를 상기 슬릿을 통해 배출하는 단계를 포함하되, 상기 제2 히팅 플레이트의 중앙부에서의 단위 면적 당 상기 슬릿이 차지하는 평면상 면적은, 상기 제2 히팅 플레이트의 가장자리부에서의 단위 면적 당 상기 슬릿이 차지하는 평면상 면적보다 크다.In a film manufacturing method according to an embodiment of the present invention for solving the above another problem, interposing a substrate on which an organic solution is discharged is interposed between a first heating plate and a second heating plate having a plurality of slits, and the substrate and discharging the gas through the slit by injecting a gas toward the side to contact the gas and the substrate, wherein the planar area occupied by the slit per unit area in the center of the second heating plate is, 2 It is larger than the planar area occupied by the slit per unit area at the edge of the heating plate.

상기 기판을 개재하는 단계 후에, 막이 제조되는 공간의 압력을 제어하는 단계를 더 포함하되, 상기 압력을 제어하는 단계는, 제1 압력에서 상기 제1 압력보다 낮은 제2 압력으로 감압하는 제1 차 압력 제어 단계, 상기 제2 압력을 유지하는 제2 차 압력 제어 단계, 상기 제2 압력에서 상기 제2 압력보다 낮은 제3 압력으로 감압하는 제3 차 압력 제어 단계, 상기 제3 압력을 유지하는 제4 차 압력 제어 단계, 및 상기 제3 압력에서 상기 제3 압력보다 높은 제4 압력으로 가압하는 제5 차 압력 제어 단계를 포함하되, 상기 제1 차 압력 제어 단계 내지 상기 제5 차 압력 제어 단계는 하나의 챔버 내에서 순차적으로 수행될 수 있다.After the step of interposing the substrate, further comprising the step of controlling the pressure of the space in which the film is produced, wherein the step of controlling the pressure comprises a first pressure reducing the pressure from the first pressure to a second pressure lower than the first pressure. a pressure control step, a second pressure control step of maintaining the second pressure, a third pressure control step of reducing the pressure from the second pressure to a third pressure lower than the second pressure, a third pressure control step of maintaining the third pressure A fourth pressure control step, and a fifth pressure control step of pressurizing the third pressure to a fourth pressure higher than the third pressure, wherein the first pressure control step to the fifth pressure control step include: It may be performed sequentially in one chamber.

상기 가스를 분사하는 단계는, 제1 유량으로 가스를 분사하는 제1 차 가스 분사 단계, 상기 제1 유량에서 상기 제1 유량보다 작은 제2 유량으로 감소시키며 가스를 분사하는 제2 차 가스 분사 단계, 상기 제2 유량을 유지하며 가스를 분사하는 제3 차 가스 분사 단계, 상기 제2 유량에서 상기 제2 유량보다 작은 유량으로 감소시키며 가스를 분사하는 제4 차 가스 분사 단계, 가스를 분사하지 않는 상태를 유지하는 제5 차 가스 분사 단계, 가스 분사를 재개하여 제3 유량으로 증가시키며 가스를 분사하는 제6 차 가스 분사 단계, 상기 제3 유량을 유지하며 가스를 분사하는 제7 차 가스 분사 단계, 및 상기 제3 유량에서 상기 제3 유량보다 작은 유량으로 감소시키며 가스를 분사하는 제8 차 가스 분사 단계를 포함할 수 있다.In the spraying of the gas, a first gas spraying step of spraying gas at a first flow rate, a second gas spraying step of spraying gas while reducing the first flow rate to a second flow rate smaller than the first flow rate , a third gas injection step of spraying gas while maintaining the second flow rate, a fourth gas injection step of spraying gas while reducing the second flow rate to a flow rate smaller than the second flow rate, and not spraying gas 5th gas injection step of maintaining the state, 6th gas injection step of injecting gas while restarting gas injection to increase to a third flow rate, and 7th gas injection step of spraying gas while maintaining the third flow rate , and reducing the third flow rate from the third flow rate to a smaller flow rate than the third flow rate and injecting gas into the eighth gas injection step.

또, 상기 제5 차 가스 분사 단계는 적어도 부분적으로 상기 제3 차 압력 제어 단계와 동시에 수행되고, 상기 제6 차 가스 분사 단계는 적어도 부분적으로 상기 제4 차 압력 제어 단계와 동시에 수행될 수 있다.In addition, the fifth gas injection step may be performed at least partially simultaneously with the third pressure control step, and the sixth gas injection step may be performed at least partially simultaneously with the fourth pressure control step.

또한, 상기 제1 차 압력 제어 단계에서의 단위 시간 당 압력 변화율은, 상기 제3 차 압력 제어 단계에서의 단위 시간 당 압력 변화율보다 클 수 있다.In addition, the pressure change rate per unit time in the first primary pressure control step may be greater than the pressure change rate per unit time in the third pressure control step.

상기 제1 차 압력 제어 단계, 상기 제2 차 압력 제어 단계 및 제3 차 압력 제어 단계에서의 상기 기판의 온도는 35℃ 이상 60℃ 이하이고, 상기 제4 차 압력 제어 단계 및 상기 제5 차 압력 제어 단계에서의 상기 기판의 온도는 200℃ 이상 300℃ 이하이며, 상기 제3 차 가스 분사 단계는, 상기 가스와 상기 기판의 상기 유기 용액을 접촉시키는 단계이고, 상기 제7 차 가스 분사 단계는, 상기 가스와 상기 기판의 유기막을 접촉시키는 단계일 수 있다.The temperature of the substrate in the first pressure control step, the second pressure control step, and the third pressure control step is 35° C. or higher and 60° C. or lower, and the fourth pressure control step and the fifth pressure control step The temperature of the substrate in the control step is 200° C. or more and 300° C. or less, the third gas spraying step is a step of contacting the gas with the organic solution of the substrate, and the seventh gas spraying step includes: It may be a step of contacting the gas with the organic layer of the substrate.

상기 압력을 제어하는 단계는, 상기 제5 차 압력 제어 단계 후에, 상기 제4 압력을 유지하는 제6 차 압력 제어 단계를 더 포함하되, 상기 제7 차 가스 분사 단계는 적어도 부분적으로 상기 제6 차 압력 제어 단계와 동시에 수행되고, 상기 제8 차 가스 분사 단계는 적어도 부분적으로 상기 6 차 압력 제어 단계와 동시에 수행될 수 있다.The controlling the pressure further includes a sixth pressure control step of maintaining the fourth pressure after the fifth pressure controlling step, wherein the seventh gas injection step is at least partially performed by the sixth pressure control step The pressure control step may be performed simultaneously, and the eighth gas injection step may be performed at least partially simultaneously with the sixth pressure control step.

또, 상기 제1 차 압력 제어 단계, 상기 제2 차 압력 제어 단계 및 제3 차 압력 제어 단계는 5분 이상 10분 이하의 시간 동안 수행되고, 상기 제4 차 압력 제어 단계 및 상기 제5 차 압력 제어 단계는 15분 이상 25분 이하의 시간 동안 수행되며, 제6차 압력 제어 단계는 5분 이상 15분 이하의 시간 동안 수행될 수 있다.In addition, the first pressure control step, the second pressure control step, and the third pressure control step are performed for 5 minutes or more and 10 minutes or less, and the fourth pressure control step and the fifth pressure control step The control step may be performed for a time of 15 minutes or more and 25 minutes or less, and the sixth pressure control step may be performed for a time of 5 minutes or more and 15 minutes or less.

상기 제1 차 가스 분사 단계 내지 제8 차 가스 분사 단계는 상기 하나의 챔버 내에서 연속적으로 수행되고, 상기 제1 차 압력 제어 단계 내지 상기 제5 차 압력 제어 단계 및 상기 제1 차 가스 분사 단계 내지 제8 차 가스 분사 단계에서, 상기 기판과 상기 제2 히팅 플레이트 사이의 이격 거리는 1mm 이상 20mm 이하를 유지하며, 상기 제1 차 압력 제어 단계 내지 상기 제3 차 압력 제어 단계에서, 상기 유기 용액 전체 중량의 90 중량% 이상이 기화되어 상기 슬릿을 통해 배출되고, 상기 제2 압력은 0.1 torr 이상 10 torr 이하이고, 상기 제3 압력은 10^-4 torr 이상 10^-2 torr 이하이고, 상기 제4 압력은 700 torr 이상일 수 있다.The first gas injection step to the eighth gas injection step are continuously performed in the one chamber, and the first pressure control step to the fifth pressure control step and the first gas injection step to In the eighth gas injection step, the separation distance between the substrate and the second heating plate is maintained at 1 mm or more and 20 mm or less, and in the first pressure control step to the third pressure control step, the total weight of the organic solution 90% by weight or more of is vaporized and discharged through the slit, the second pressure is 0.1 torr or more and 10 torr or less, the third pressure is 10 ^-4 torr or more and 10 ^-2 torr or less, and the fourth pressure is It can be more than 700 torr.

또, 상기 기판과 상기 제2 히팅 플레이트 사이에는 열 처리 공간이 정의되고, 상기 제2 유량은, 1분 당 상기 열 처리 공간 부피의 1배 이상의 값을 갖는 유량이고, 상기 제3 유량은, 1분 당 상기 열 처리 공간 부피의 5배 이상의 값을 갖는 유량일 수 있다.In addition, a heat treatment space is defined between the substrate and the second heating plate, the second flow rate is a flow rate having a value of one or more times the volume of the heat treatment space per minute, and the third flow rate is 1 It may be a flow rate having a value of at least five times the volume of the heat treatment space per minute.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 일 실시예에 따른 열 처리 장치에 의하면 열 처리 대상인 기판의 상/하부에 히팅 플레이트를 배치함으로써 기화된 유기 용매 증기가 재응축되는 것을 방지하여 막 내 불순물 함량을 최소화할 수 있다. 또, 상부 히팅 플레이트의 중앙부와 가장자리부에서의 슬릿 배열 밀도를 상이하게 구성하여 건조 균일도를 향상시킬 수 있다.According to the heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, by disposing a heating plate on the upper and lower portions of the substrate to be heat treated, the vaporized organic solvent vapor is prevented from re-condensing, thereby minimizing the impurity content in the film. In addition, the drying uniformity can be improved by configuring different slit array densities in the central portion and the edge portion of the upper heating plate.

나아가 기판의 건조 공정과 베이크 공정을 하나의 챔버 내에서 연속적으로 수행하여 공정을 단순화하고 택트 타임을 감소시킬 수 있으며, 기판이 공정 챔버로 인입/인출되는 과정에서 발생할 수 있는 오염물의 부착을 방지할 수 있다.Furthermore, it is possible to simplify the process and reduce the tact time by continuously performing the drying process and the baking process in one chamber, and to prevent the adhesion of contaminants that may occur during the process of the substrate being drawn into/out of the process chamber. can

또, 본 발명의 일 실시예에 따른 막 제조 방법에 의하면 균일도가 향상되고 불순물 함량이 최소화된 막을 형성할 수 있다.In addition, according to the film manufacturing method according to an embodiment of the present invention, it is possible to form a film with improved uniformity and minimized impurity content.

본 발명의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.Effects according to the embodiments of the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 열 처리 장치의 분해사시도이다.
도 2는 도 1의 열 처리 장치의 측단면도이다.
도 3은 도 1의 열 처리 장치의 다른 위치에서의 측단면도이다.
도 4는 도 1의 제2 히팅 플레이트와 제1 서브 히터를 나타낸 사시도이다.
도 5는 도 4의 제2 히팅 플레이트의 평면도이다.
도 6은 도 1의 가스 분사 유닛을 나타낸 사시도이다.
도 7은 도 6의 제1 유로부 및 제2 유로부의 저면사시도이다.
도 8은 도 6의 A- A' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 열 처리 장치의 분해사시도이다.
도 10은 도 9의 열 처리 장치의 측단면도이다.
도 11은 도 9의 제2 히팅 플레이트와 제1 서브 히터를 나타낸 사시도이다.
도 12는 도 9의 가스 분사 유닛을 나타낸 사시도이다.
도 13은 도 12의 제1 유로부 및 제3 유로부의 저면사시도이다.
도 14는 도 12의 B-B' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 15 내지 도 21은 본 발명의 일 실시예에 따른 막 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 22 내지 도 25는 실험예들에 따른 결과를 나타낸 도면들이다.1 is an exploded perspective view of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a side cross-sectional view of the heat treatment apparatus of FIG. 1 ;
3 is a cross-sectional side view of the heat treatment apparatus of FIG. 1 in another position;
4 is a perspective view illustrating the second heating plate and the first sub-heater of FIG. 1 .
5 is a plan view of the second heating plate of FIG. 4 .
6 is a perspective view illustrating the gas injection unit of FIG. 1 .
7 is a bottom perspective view of the first flow path part and the second flow path part of FIG. 6 .
8 is a cross-sectional view taken along line A-A' of FIG. 6 .
9 is an exploded perspective view of a heat treatment apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a side cross-sectional view of the heat treatment apparatus of FIG. 9 ;
11 is a perspective view illustrating the second heating plate and the first sub-heater of FIG. 9 .
12 is a perspective view illustrating the gas injection unit of FIG. 9 .
13 is a bottom perspective view of the first flow path part and the third flow path part of FIG. 12 .
14 is a cross-sectional view taken along line BB′ of FIG. 12 .
15 to 21 are views for explaining a film manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
22 to 25 are views showing results according to experimental examples.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only the embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the person of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 '위(on)'로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 '직접 위(directly on)'로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. '및/또는'는 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.Reference to an element or layer 'on' of another element or layer includes any intervening layer or other element directly on or in the middle of the other element or layer. On the other hand, when an element is referred to as 'directly on', it indicates that no other element or layer is interposed therebetween. Like reference numerals refer to like elements throughout. 'and/or' includes each and every combination of one or more of the recited items.

공간적으로 상대적인 용어인 '아래(below)', '아래(beneath)', '하부(lower)', '위(above)', '상부(upper)' 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 '아래(below 또는 beneath)'로 기술된 소자는 다른 소자의 '위(above)'에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 '아래'는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.Spatially relative terms 'below', 'beneath', 'lower', 'above', 'upper', etc. It can be used to easily describe the correlation between an element or components and other elements or components. Spatially relative terms should be understood as terms including different orientations of the device when used in addition to the orientations shown in the drawings. For example, when an element shown in the drawing is turned over, an element described as 'below or beneath' of another element may be placed 'above' of the other element. Accordingly, the exemplary term 'down' may include both the direction of the bottom and the top.

본 명세서에서, 제1 방향(X)은 평면 내 임의의 일 방향을 의미하고 제2 방향(Y)은 상기 평면 내에서 제1 방향(X)과 교차하는 방향을 의미하며, 제3 방향(Z)은 상기 평면과 수직한 방향을 의미한다.In this specification, the first direction (X) means any one direction in the plane, the second direction (Y) means a direction crossing the first direction (X) in the plane, and the third direction (Z) ) means a direction perpendicular to the plane.

본 명세서에서, '열 처리'는 열 처리 대상에 대해 의도적인 온도 제어를 수행하는 것을 의미한다. 상기 열 처리는 약 0℃ 이상, 또는 약 35℃ 이상, 또는 약 50℃ 이상, 또는 약 60℃ 이상, 또는 약 100℃ 이상, 또는 약 150℃ 이상, 또는 약 200℃ 이상, 또는 약 300℃ 이상의 온도로 수행될 수 있다.In this specification, 'heat treatment' refers to intentionally controlling temperature on a subject to be heat treated. The heat treatment is at least about 0°C, or at least about 35°C, or at least about 50°C, or at least about 60°C, or at least about 100°C, or at least about 150°C, or at least about 200°C, or at least about 300°C. temperature can be performed.

이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 열 처리 장치의 분해사시도이다. 도 2는 도 1의 열 처리 장치를 제2 방향(Y)을 따라 절개한 측단면도로서, 가스 공급관(650)을 나타낼 수 있는 위치를 절개한 측단면도이다. 도 3은 도 1의 열 처리 장치를 제2 방향(Y)을 따라 절개한 측단면도로서, 제1 서브 히터(710)를 나타낼 수 있는 위치를 절개한 측단면도이다. 1 is an exploded perspective view of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a side cross-sectional view of the heat treatment apparatus of FIG. 1 taken along the second direction Y, and is a side cross-sectional view of a position at which the gas supply pipe 650 may be shown. FIG. 3 is a side cross-sectional view of the heat treatment apparatus of FIG. 1 taken along the second direction Y, and is a side cross-sectional view of the first sub-heater 710 .

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 열 처리 장치(1000)는 챔버(100), 챔버(100) 내에 배치된 제1 히팅 플레이트(200)와 제2 히팅 플레이트(300), 제1 히팅 플레이트(200)와 제2 히팅 플레이트(300) 사이에 배치된 기판 안착 플레이트(400) 및 가스를 분사하는 가스 분사 유닛(600)을 포함한다.1 to 3 , the heat treatment apparatus 1000 according to the present embodiment includes a chamber 100 , a first heating plate 200 and a second heating plate 300 disposed in the chamber 100 , and a second It includes a substrate seating plate 400 disposed between the first heating plate 200 and the second heating plate 300 and a gas injection unit 600 for spraying gas.

챔버(100)는 열 처리 공정이 이루어지는 공정 공간을 제공할 수 있다. 예를 들어, 공정이 이루어지는 동안에 챔버(100)는 그 내부를 외부로부터 고립시켜 공정 공간에서의 독립적인 압력 제어 및 온도 제어가 가능하도록 구성될 수 있다. 도면에 도시하지 않았으나 챔버(100)의 측벽에는 슬릿 형태의 기판 인입부 및/또는 기판 인출부가 형성될 수 있다.The chamber 100 may provide a process space in which a heat treatment process is performed. For example, during the process, the chamber 100 may be configured to isolate its interior from the outside to enable independent pressure control and temperature control in the process space. Although not shown in the drawings, a slit-shaped substrate inlet and/or a substrate withdrawing portion may be formed on the sidewall of the chamber 100 .

기판 안착 플레이트(400)는 챔버(100) 내부에 배치된다. 기판 안착 플레이트(400)는 열 처리 대상인 기판(미도시) 등이 안정적으로 안착될 수 있는 공간을 제공한다. 도 1 등은 기판 안착 플레이트(400)가 평면상 사각 형상인 경우를 예시하고 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며 평면상 원 형상 등일 수도 있다. 기판 안착 플레이트(400)는 승강 수단(450)에 의해 지지 및 승강될 수 있다. 승강 수단(450)은 리프트 핀 등일 수 있다.The substrate mounting plate 400 is disposed inside the chamber 100 . The substrate mounting plate 400 provides a space in which a substrate (not shown) to be subjected to heat treatment can be stably seated. 1 illustrates a case in which the substrate mounting plate 400 has a rectangular shape in plan view, but the present invention is not limited thereto, and may have a planar circular shape or the like. The substrate mounting plate 400 may be supported and lifted by the lifting means 450 . The lifting means 450 may be a lift pin or the like.

제1 히팅 플레이트(200)는 챔버(100) 내에서 기판 안착 플레이트(400)의 하부에 배치될 수 있다. 제1 히팅 플레이트(200)는 기판(미도시) 하측으로부터 열을 제공하는 하부 히팅 플레이트일 수 있다. 제1 히팅 플레이트(200)의 평면상 형상은 기판 안착 플레이트(400)에 상응하는 형상일 수 있다. 제1 히팅 플레이트(200)는 기판 안착 플레이트(400)와 함께 승강 수단(450)에 의해 고정 및 승강될 수 있다. 즉, 승강 수단(450)이 작동하는 경우에도 제1 히팅 플레이트(200)와 기판 안착 플레이트(400) 사이의 이격 거리는 일정한 거리를 유지할 수 있다.The first heating plate 200 may be disposed under the substrate mounting plate 400 in the chamber 100 . The first heating plate 200 may be a lower heating plate that provides heat from a lower side of the substrate (not shown). A planar shape of the first heating plate 200 may be a shape corresponding to the substrate seating plate 400 . The first heating plate 200 may be fixed and lifted by the elevating means 450 together with the substrate seating plate 400 . That is, even when the lifting means 450 operates, the separation distance between the first heating plate 200 and the substrate seating plate 400 may be maintained at a constant distance.

이하, 도 4 내지 도 8을 더욱 참조하여 열 처리 장치(1000)의 구성요소에 대해 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, components of the heat processing apparatus 1000 will be described in more detail with further reference to FIGS. 4 to 8 .

도 4는 도 1의 제2 히팅 플레이트(300)와 제1 서브 히터(710)를 나타낸 사시도이다. 도 5는 도 4의 제2 히팅 플레이트(300)의 평면도이다.4 is a perspective view illustrating the second heating plate 300 and the first sub-heater 710 of FIG. 1 . 5 is a plan view of the second heating plate 300 of FIG. 4 .

도 1 내지 도 5를 참조하면, 제2 히팅 플레이트(300)는 챔버(100) 내에서 기판 안착 플레이트(400)의 상부에 배치될 수 있다. 제2 히팅 플레이트(300)는 기판(미도시) 상측으로부터 열을 제공하는 상부 히팅 플레이트일 수 있다. 제2 히팅 플레이트(300)와 제1 히팅 플레이트(200) 사이의 공간은 열 처리 공간(500)으로 정의된다. 열 처리 공간(500) 내에 열 처리 대상인 기판(미도시) 등이 개재될 수 있다. 즉, 기판(미도시)은 제1 히팅 플레이트(200)와 제2 히팅 플레이트(300) 사이에 개재된 상태에서 열 처리될 수 있다. 이를 통해 상기 기판이 휘는 것을 억제할 수 있고, 기화된 용매 증기가 다시 응축되어 상기 기판을 오염시키는 것을 방지할 수 있다.1 to 5 , the second heating plate 300 may be disposed on the substrate mounting plate 400 in the chamber 100 . The second heating plate 300 may be an upper heating plate that provides heat from an upper side of the substrate (not shown). A space between the second heating plate 300 and the first heating plate 200 is defined as a heat treatment space 500 . A substrate (not shown) to be subjected to heat treatment may be interposed in the heat treatment space 500 . That is, the substrate (not shown) may be heat-treated in a state interposed between the first heating plate 200 and the second heating plate 300 . Through this, warping of the substrate may be suppressed, and the vaporized solvent vapor may be prevented from condensing again and contaminating the substrate.

제2 히팅 플레이트(300)의 평면상 형상은 기판 안착 플레이트(400)에 상응하는 형상일 수 있다. 제2 히팅 플레이트(300)는 복수의 관통홀(300h) 및 복수의 슬릿(310)을 가질 수 있다. 각 관통홀(300h)은 평면상 형상이 대략 원 형상일 수 있다. 각 관통홀(300h)에는 후술할 가스 분사 유닛(600)의 가스 공급관(650)이 삽입될 수 있다.The planar shape of the second heating plate 300 may be a shape corresponding to the substrate seating plate 400 . The second heating plate 300 may have a plurality of through-holes 300h and a plurality of slits 310 . Each of the through-holes 300h may have a substantially circular shape in plan view. A gas supply pipe 650 of a gas injection unit 600 to be described later may be inserted into each through hole 300h.

복수의 슬릿(310)은 제2 히팅 플레이트(300)의 일측으로부터 타측으로 흐르는 기류를 형성할 수 있다. 복수의 슬릿(310)을 갖는 제2 히팅 플레이트(300)는 배플 플레이트(baffle plate)와 같이 기능할 수 있다. 복수의 슬릿(310)은 제1 방향(X)으로 연장된 형상일 수 있다.The plurality of slits 310 may form an airflow flowing from one side to the other side of the second heating plate 300 . The second heating plate 300 having a plurality of slits 310 may function as a baffle plate. The plurality of slits 310 may have a shape extending in the first direction (X).

예시적인 실시예에서, 제2 히팅 플레이트(300)의 중앙부(300C)에서의 단위 면적 당 슬릿(310)이 차지하는 평면상 면적은 제2 히팅 플레이트(300)의 가장자리부(300E)에서의 단위 면적 당 슬릿(310)이 차지하는 평면상 면적보다 클 수 있다. 본 명세서에서, 어느 구성요소의 '가장자리부'는 상기 구성요소의 '중앙부'의 둘레에 위치하는 부분을 의미한다. 즉, 가장자리부는 중앙부를 외측에서 둘러싸는 영역을 지칭한다. In an exemplary embodiment, the planar area occupied by the slit 310 per unit area in the central portion 300C of the second heating plate 300 is a unit area in the edge portion 300E of the second heating plate 300 . It may be larger than the planar area occupied by the slit 310 . In the present specification, the 'edge portion' of a component means a portion positioned around the 'central portion' of the component. That is, the edge portion refers to a region surrounding the central portion from the outside.

제2 히팅 플레이트(300)의 중앙부(300C)는 기판 안착 플레이트(400) 상에 배치될 수 있는 기판(미도시)의 평면상 중앙부와 중첩하고, 제2 히팅 플레이트(300)의 가장자리부(300E)는 기판(미도시)의 평면상 가장자리부와 중첩하는 부분일 수 있다.The central portion 300C of the second heating plate 300 overlaps the planar central portion of a substrate (not shown) that may be disposed on the substrate seating plate 400 , and the edge portion 300E of the second heating plate 300 . ) may be a portion overlapping with the edge portion on a plane of the substrate (not shown).

예를 들어, 복수의 슬릿(310)들은 제2 히팅 플레이트(300)의 제2 방향(Y)의 중앙부에 위치한 제1 슬릿(311) 및 제1 슬릿(311)에 비해 제2 히팅 플레이트(300)의 제2 방향(Y)의 가장자리부에 위치한 제2 슬릿(312)을 포함하되, 제1 슬릿(311)의 폭(t_311a)은 제2 슬릿(312)의 폭(t₃₁₂)보다 클 수 있다. 본 명세서에서, '슬릿의 폭'은 슬릿의 연장 방향에 수직한 방향으로의 슬릿 너비를 의미한다. 예를 들어, 제1 슬릿(311)의 폭(t_311a)은 제2 슬릿(312)의 폭(t₃₁₂)의 두 배 이상일 수 있다.For example, the plurality of slits 310 are the second heating plate 300 compared to the first slit 311 and the first slit 311 located in the central portion of the second direction Y of the second heating plate 300 . ) including a second slit 312 positioned at the edge of the second direction Y, wherein the width t _311a of the first slit 311 is greater than the width t ₃₁₂ of the second slit 312 . can In this specification, the 'width of the slit' means the width of the slit in a direction perpendicular to the extending direction of the slit. For example, the width t _311a of the first slit 311 may be at least twice the width t ₃₁₂ of the second slit 312 .

열 처리 대상인 기판이 유기 용매를 포함하고 있는 경우 열 처리 과정에서 유기 용매의 적어도 일부는 기화되어 제2 히팅 플레이트(300)의 슬릿(310)을 통해 배출될 수 있다. 이 때 상기 기판의 중앙부의 상부, 즉 열 처리 공간(500)의 중앙부와 상기 기판의 가장자리부의 상부, 즉 열 처리 공간(500)의 가장자리부 간에 상기 유기 용매 증기의 포화 상태가 상이할 수 있다. 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 상기 기판(미도시)의 중앙부에서 유기 용매가 기화되는 양이 상기 기판의 가장자리부에서 유기 용매가 기화되는 양보다 클 수 있고, 상기 기판의 중앙부 영역에서의 상기 유기 용매의 증기압은 상기 기판의 가장자리부 영역에서의 상기 유기 용매의 증기압보다 클 수 있다. 즉, 열 처리 공간(500)의 중앙부 영역은 가장자리부 영역에 비해 기화된 유기 용매가 상대적으로 더 빨리 포화 상태에 도달하여 더 이상의 기화가 억제될 수 있다.When the substrate to be heat treated includes an organic solvent, at least a portion of the organic solvent may be vaporized and discharged through the slit 310 of the second heating plate 300 during the heat treatment process. In this case, the saturation state of the organic solvent vapor may be different between the upper portion of the central portion of the substrate, that is, the central portion of the heat treatment space 500 and the upper portion of the edge portion of the substrate, that is, the edge portion of the heat treatment space 500 . Although the present invention is not limited thereto, for example, the amount of vaporization of the organic solvent in the central portion of the substrate (not shown) may be greater than the amount of vaporization of the organic solvent in the edge portion of the substrate, and the central region of the substrate The vapor pressure of the organic solvent in the substrate may be greater than the vapor pressure of the organic solvent in the edge region of the substrate. That is, in the central region of the heat treatment space 500 , the vaporized organic solvent reaches the saturation state relatively faster than in the edge region, so that further vaporization can be suppressed.

본 실시예에 따른 열 처리 장치(1000)는 기판(미도시)의 중앙부에 해당하는 영역 내의 슬릿(310)이 차지하는 면적을 상기 기판의 가장자리부에 해당하는 영역 내의 슬릿(310)이 차지하는 면적보다 크게 함으로써 제2 히팅 플레이트(300)의 슬릿(310)을 통해 배출되는 유기 용매 증기의 양을 기판의 영역 별로 상이하게 구성할 수 있다. 예를 들어 상기 기판의 제2 방향(Y)의 중앙부에서 기화된 유기 용매는 상대적으로 넓은 면적을 갖는 제1 슬릿(311)을 통해 신속하게 배출되는 반면 상기 기판의 제2 방향(Y)의 가장자리부에서 기화된 유기 용매는 중앙부에 비해 배출되는 속도가 느리게 구성할 수 있다. 이를 통해 열 처리 대상인 기판의 전면적에 걸쳐서 유기 용매가 기화되는 정도, 즉 건조 균일도를 향상시킬 수 있다.In the thermal processing apparatus 1000 according to the present embodiment, the area occupied by the slit 310 in the region corresponding to the central portion of the substrate (not shown) is larger than the area occupied by the slit 310 in the region corresponding to the edge portion of the substrate. By increasing the amount, the amount of organic solvent vapor discharged through the slit 310 of the second heating plate 300 may be configured differently for each region of the substrate. For example, the organic solvent vaporized in the central portion of the second direction (Y) of the substrate is rapidly discharged through the first slit 311 having a relatively large area, while the edge of the substrate in the second direction (Y) The organic solvent vaporized in the part can be configured to be discharged at a slower rate compared to the central part. Through this, the degree to which the organic solvent is vaporized over the entire area of the substrate to be heat treated, that is, the drying uniformity can be improved.

또한 열 처리 대상인 기판이 유기 용매를 포함하고 있는 경우, 기판 전체 면적에 걸친 균일한 건조를 위해서는 기판의 중앙부에서와 가장자리부에서 요구되는 가스 분사량이 상이할 수 있다. 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 제2 히팅 플레이트(300)의 슬릿(310)이 중앙부와 가장자리부에서 균일한 폭을 갖는 경우 건조 균일도를 확보하기 위해서는 중앙부에 비해 가장자리부 측으로 더 많은 유량의 가스를 분사하는 것이 요구될 수 있다. 반면 본 실시예에 따른 열 처리 장치(1000)는 제2 히팅 플레이트(300)의 슬릿(310)이 중앙부에서 가장자리부보다 더 큰 폭을 가짐에 따라 가장자리부에 비해 중앙부 측으로 더 많은 유량의 가스를 분사함에도 불구하고 건조 균일도를 확보할 수 있는 효과가 있다. 따라서 유기 용매를 포함하는 유기 용액이 상대적으로 집중되어 있는 기판 중앙부 측에 더 많은 공정 가스를 분사할 수 있어 효율적인 열 처리가 가능하다.In addition, when the substrate to be heat treated includes an organic solvent, the gas injection amount required at the center portion and the edge portion of the substrate may be different for uniform drying over the entire area of the substrate. Although the present invention is not limited thereto, for example, when the slit 310 of the second heating plate 300 has a uniform width at the central portion and the edge portion, in order to secure drying uniformity, more It may be required to inject a flow rate of gas. On the other hand, in the heat treatment apparatus 1000 according to the present embodiment, as the slit 310 of the second heating plate 300 has a greater width than the edge in the central portion, a greater flow rate of gas toward the central portion than the edge portion There is an effect of ensuring uniformity of drying despite spraying. Accordingly, more process gas can be injected toward the central portion of the substrate where the organic solution including the organic solvent is relatively concentrated, so that efficient heat treatment is possible.

몇몇 실시예에서, 하나의 제1 슬릿(311)은 제1 방향(X)으로 연장된 형상이되, 슬릿(310)의 제1 방향(X)의 중앙부에서의 폭(t_311a)은 제1 슬릿(311)의 제1 방향(X)의 어느 단부에서의 폭(t_311b)보다 클 수 있다. 예를 들어, 중앙부에서의 폭(t_311a)은 단부에서의 폭(t_311b)의 두 배 이상일 수 있다.In some embodiments, one first slit 311 has a shape extending in the first direction (X), and the width t _311a of the slit 310 in the central portion of the first direction (X) is the first It may be greater than the width t _311b at any end of the slit 311 in the first direction X. For example, the width t _311a at the center may be at least twice the width t _311b at the ends.

본 실시예에 따른 열 처리 장치(1000)는 제2 히팅 플레이트(300)의 슬릿(310)을 통해 배출되는 유기 용매 증기의 양을 기판(미도시)의 영역 별로 상이하게 구성할 수 있다. 예를 들어 상기 기판의 제1 방향(X)의 중앙부에서 기화된 유기 용매는 상대적으로 넓은 면적을 갖는 슬릿(310)을 통해 신속하게 배출되는 반면 상기 기판의 제1 방향(X)의 가장자리부에서 기화된 유기 용매는 중앙부에 비해 배출되는 속도가 느리게 구성할 수 있다. 이를 통해 기판의 전면적에 걸쳐서 유기 용매의 건조 균일도를 향상시킬 수 있다. 도면에 도시된 것과 달리, 제1 슬릿(311)의 폭은 제1 방향(X)의 중앙부에서 단부로 갈수록 점진적으로 작아질 수도 있다.The heat treatment apparatus 1000 according to the present embodiment may configure the amount of the organic solvent vapor discharged through the slit 310 of the second heating plate 300 differently for each area of the substrate (not shown). For example, the organic solvent vaporized in the central portion of the first direction (X) of the substrate is rapidly discharged through the slit 310 having a relatively large area, while at the edge portion of the substrate in the first direction (X). The vaporized organic solvent may be configured to be discharged at a slower rate than the central portion. This can improve the drying uniformity of the organic solvent over the entire area of the substrate. Unlike the drawing, the width of the first slit 311 may be gradually decreased from the center portion to the end portion in the first direction (X).

또한, 열 처리 장치(1000)는 제1 서브 히터(710)를 포함하여 열 처리 공간(500)의 가장자리부에 비해 중앙부 측으로 상대적으로 더 많은 열량을 공급할 수 있도록 구성될 수 있다. In addition, the heat treatment apparatus 1000 may include the first sub-heater 710 to supply a relatively larger amount of heat to the central portion than the edge portion of the heat treatment space 500 .

예시적인 실시예에서, 제2 히팅 플레이트(300) 상에는 제1 서브 히터(710)가 배치될 수 있다. 제1 서브 히터(710)는 제2 히팅 플레이트(300)와 후술할 배기 후드(910) 사이에 배치될 수 있다. 제1 서브 히터(710)는 제2 히팅 플레이트(300)와 맞닿아 접하거나 소정 거리 이격된 상태일 수 있다. In an exemplary embodiment, the first sub-heater 710 may be disposed on the second heating plate 300 . The first sub-heater 710 may be disposed between the second heating plate 300 and an exhaust hood 910 to be described later. The first sub-heater 710 may be in contact with the second heating plate 300 or may be spaced apart from each other by a predetermined distance.

제1 서브 히터(710)는 제1 방향(X)으로 연장된 형상의 미세한 굵기를 갖는 마이크로 히터일 수 있다. 제1 서브 히터(710)는 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로 이격 배치되어 복수개일 수 있다.The first sub-heater 710 may be a micro-heater extending in the first direction (X) and having a fine thickness. A plurality of first sub-heaters 710 may be spaced apart from each other in the first direction (X) and the second direction (Y).

제1 서브 히터(710)에 의해 제공되는 열량은 열 처리 공간(500)의 영역별로 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 서브 히터(710)는 열 처리 공간(500)의 중앙부와 중첩하도록 배치되는 반면, 열 처리 공간(500)의 가장자리부에는 배치되지 않을 수 있다. 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 상기 기판의 중앙부 영역은 가장자리부 영역에 비해 기화된 유기 용매가 상대적으로 더 빨리 포화 상태에 도달하여 더 이상의 기화가 억제될 수 있다. The amount of heat provided by the first sub-heater 710 may be different for each area of the heat treatment space 500 . For example, the first sub-heater 710 may be disposed to overlap a central portion of the heat treatment space 500 , but may not be disposed at an edge portion of the heat treatment space 500 . Although the present invention is not limited thereto, for example, in the central region of the substrate, the vaporized organic solvent reaches the saturation state relatively faster than in the edge region, so that further vaporization can be suppressed.

본 실시예에 따른 열 처리 장치(1000)는 상기 기판의 중앙부에 해당하는 영역에 공급되는 열량을 상기 기판의 가장자리부에 해당하는 영역에 공급되는 열량에 비해 크게 구성함으로써 상기 기판으로부터 기화되는 유기 용매 증기의 양을 기판(미도시)의 영역 별로 상이하게 구성할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판의 중앙부에서는 더 많은 열이 제공되어 상대적으로 많은 양의 유기 용매 증기의 기화를 유도하는 반면 상기 기판의 가장자리부에서는 상대적으로 적은 양의 유기 용매 증기가 발생할 수 있다. 동시에 열 처리 영역(500) 내의 온도를 부분적으로 증가시킴으로써, 열 처리 영역(500) 중앙부에서의 포화 증기압을 열 처리 영역(500) 가장자리부에서의 포화 증기압에 비해 크게 할 수 있고, 유기 용매의 더 많은 기화를 유도할 수 있는 효과가 있다. 이를 통해 기판의 전면적에 걸쳐서 유기 용매의 건조 균일도를 향상시킬 수 있다.In the thermal processing apparatus 1000 according to the present embodiment, the amount of heat supplied to the region corresponding to the central portion of the substrate is larger than the amount of heat supplied to the region corresponding to the edge of the substrate, whereby the organic solvent vaporized from the substrate The amount of vapor may be configured differently for each area of the substrate (not shown). For example, more heat may be provided at the central portion of the substrate to induce vaporization of a relatively large amount of organic solvent vapor, while a relatively small amount of organic solvent vapor may be generated at the edge of the substrate. At the same time, by partially increasing the temperature in the heat treatment region 500 , the saturated vapor pressure at the central portion of the heat treatment area 500 can be made larger than the saturated vapor pressure at the edge portion of the heat treatment area 500 , and There is an effect that can induce a lot of vaporization. This can improve the drying uniformity of the organic solvent over the entire area of the substrate.

도 6은 도 1의 가스 분사 유닛을 나타낸 사시도이다. 도 7은 도 6의 제1 유로부(610) 및 제2 유로부(620)의 저면사시도이다. 도 8은 도 6의 A- A' 선을 따라 절개한 단면도이다.6 is a perspective view illustrating the gas injection unit of FIG. 1 . 7 is a bottom perspective view of the first flow path part 610 and the second flow path part 620 of FIG. 6 . 8 is a cross-sectional view taken along line A-A' of FIG. 6 .

도 1 내지 도 8을 참조하면, 가스 분사 유닛(600)은 챔버(100) 외부에 배치되는 가스 공급원(670), 챔버(100) 내에서 제1 히팅 플레이트(200)와 제2 히팅 플레이트(300) 사이에 배치되는 제1 유로부(610) 및 가스 공급원(670)과 제1 유로부(610) 사이의 유로를 제공하는 가스 공급관(650)을 포함할 수 있다.1 to 8 , the gas injection unit 600 includes a gas supply source 670 disposed outside the chamber 100 , and a first heating plate 200 and a second heating plate 300 in the chamber 100 . ) may include a gas supply pipe 650 providing a flow path between the first flow path unit 610 and the gas supply source 670 and the first flow path unit 610 .

가스 공급원(670)은 챔버(100) 외부에 배치되어 공정 가스를 저장하고 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급하도록 구성된다. 상기 공정 가스는 불활성 가스를 포함할 수 있다. 불활성 가스는 반응성이 낮고 안정한 물질이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 질소 가스(N₂) 또는 아르곤 가스(Ar)이거나, 질소 가스 또는 아르곤 가스에 수소 가스(H₂) 및/또는 일산화탄소 가스(CO)를 도핑한 가스일 수 있다.The gas supply source 670 is disposed outside the chamber 100 and is configured to store the process gas and supply the process gas into the chamber 100 . The process gas may include an inert gas. The inert gas is not particularly limited as long as it has a low reactivity and is a stable material, but for example, nitrogen gas (N ₂ ) or argon gas (Ar), or hydrogen gas (H ₂ ) and/or carbon monoxide gas (CO in nitrogen gas or argon gas) ) may be a gas doped.

가스 공급관(650)은 가스 공급원(670)으로부터 제공된 공정 가스를 복수의 제1 유로부(610)로 전달할 수 있는 유로를 제공한다. 가스 공급관(650)은 상술한 제2 히팅 플레이트(300)의 관통홀(300h)을 통해 제2 히팅 플레이트(300)를 관통할 수 있다.The gas supply pipe 650 provides a flow path through which the process gas provided from the gas supply source 670 can be delivered to the plurality of first flow path units 610 . The gas supply pipe 650 may pass through the second heating plate 300 through the through hole 300h of the second heating plate 300 described above.

예시적인 실시예에서, 가스 공급관(650)은 가스 공급원(670) 측에 연결된 하나의 관이 두 개의 관으로 분기되고, 상기 두 개로 분기된 관이 각각 다시 두 개의 관으로 분기되는 형태가 복수번 반복된 형태, 즉 다단폭포(cascade) 형태일 수 있다. 예를 들어, 가스 공급관(650)은 일 방향(예컨대, 제3 방향(Z))으로 연장된 제1 가스 분배관(651) 및 제1 가스 분배관(651)으로부터 분기되어 제1 유로부(610)와 직접 연결된 두 개의 제2 가스 분배관(652)을 포함할 수 있다. 이 경우 제2 가스 분배관(652)과 제1 유로부(610)는 각각 2ⁿ개이고, 제2 가스 분배관(652)은 제2 히팅 플레이트(300)의 관통홀(300h)을 관통할 수 있다. 여기서 n은 자연수이다. 가스 공급원(670)으로부터 제1 유로부(610)에 이르는 가스 공급관(650)의 배치를 다단폭포 형태와 같이 함으로써 가스 공급원(670)으로부터 2ⁿ개의 제2 가스 분배관(652)까지의 유로 길이가 모두 실질적으로 동일해질 수 있다. 이를 통해 제2 가스 분배관(652) 및 제1 유로부(610)에 공급되는 공정 가스의 유량과 공급되는 시점을 실질적으로 동일하게 할 수 있다. 본 명세서에서, '유로 길이'란 가스가 흐르는 경로의 길이를 의미한다.In an exemplary embodiment, in the gas supply pipe 650 , one pipe connected to the gas supply source 670 is branched into two pipes, and the two branched pipes are each branched back into two pipes a plurality of times. It may be a repeated form, that is, a cascade form. For example, the gas supply pipe 650 is branched from the first gas distribution pipe 651 extending in one direction (eg, the third direction Z) and the first gas distribution pipe 651 to the first flow path part ( It may include two second gas distribution pipes 652 directly connected to the 610 . In this case, the number of the second gas distribution pipe 652 and the first flow path part 610 is 2 ⁿ , respectively, and the second gas distribution pipe 652 may pass through the through hole 300h of the second heating plate 300 . there is. where n is a natural number. By disposing the gas supply pipe 650 from the gas supply source 670 to the first flow path part 610 like a multi-stage waterfall, the flow path length from the gas supply source 670 to 2 ⁿ second gas distribution pipes 652 may all be substantially the same. Through this, the flow rate of the process gas supplied to the second gas distribution pipe 652 and the first flow path part 610 and the supply timing may be substantially the same. As used herein, the term 'channel length' refers to the length of a path through which gas flows.

또, 제2 가스 분배관(652)과 제1 유로부(610)가 직접 연결되는 지점으로부터 제1 방향(X)으로 연장된 제1 유로부(610)의 제1 방향(X) 일단까지의 유로 길이와 제1 방향(X) 타단까지의 유로 길이는 서로 동일할 수 있다. 다만, 가스 공급관(650)의 형상 및 배치는 이에 제한되지 않으며 다양한 변형이 가능하다.In addition, from the point where the second gas distribution pipe 652 and the first flow path part 610 are directly connected to one end of the first flow path part 610 extending in the first direction (X) in the first direction (X). The flow path length and the flow path length to the other end in the first direction (X) may be the same. However, the shape and arrangement of the gas supply pipe 650 is not limited thereto, and various modifications are possible.

제1 유로부(610)는 제1 히팅 플레이트(200)의 일면(도면상 상면)과 평행한 제1 방향(X)으로 연장되어 제1 방향(X)으로의 유로를 제공한다. 제1 유로부(610)는 제2 방향(Y)으로 이격 배치되어 복수개일 수 있다. 제1 유로부(610)의 일단 및/또는 타단은 제2 방향(Y)으로 연장된 제2 유로부(620)에 의해 서로 유체 연통될 수 있다. 제1 유로부(610)는 제1 서브 히터(710)와 제3 방향(Z)으로 중첩 배치될 수 있다.The first flow path part 610 extends in a first direction (X) parallel to one surface (upper surface in the drawing) of the first heating plate 200 to provide a flow path in the first direction (X). There may be a plurality of first flow passages 610 spaced apart from each other in the second direction (Y). One end and/or the other end of the first flow path part 610 may be in fluid communication with each other by the second flow path part 620 extending in the second direction (Y). The first flow path part 610 may be overlapped with the first sub-heater 710 in the third direction (Z).

제1 유로부(610)는 가스 공급관(650)으로부터 전달받은 공정 가스를 제1 방향(X)으로 분배하고 상기 공정 가스를 열 처리 대상인 기판(미도시) 측으로 분사하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 유로부(610)는 제1 히팅 플레이트(200) 측 및/또는 기판 안착 플레이트(400) 측으로 가스를 분사하도록 구성되고, 제1 유로부(610)는 공정 가스를 그 외부로 분사하기 위한 분사구(610a)들을 가질 수 있다. 분사구(610a)는 제1 유로부(610)의 내부로부터 외부로 이어진 개구로서, 기판 안착 플레이트(400) 측으로의 가스 분사가 용이한 위치에 형성될 수 있다. 제1 유로부(610)의 단면 형상이 대략 원 형상인 경우 분사구(610a)는 제1 유로부(610)의 제1 히팅 플레이트(200) 측 반원, 즉 도면상 하측 반원 상에 위치할 수 있다.The first flow path part 610 may be configured to distribute the process gas received from the gas supply pipe 650 in the first direction (X) and inject the process gas toward a substrate (not shown) to be heat treated. For example, the first flow path part 610 is configured to inject gas toward the first heating plate 200 and/or the substrate seating plate 400 side, and the first flow path part 610 sends the process gas to the outside. It may have injection holes 610a for injection into the furnace. The injection hole 610a is an opening connected from the inside to the outside of the first flow path part 610 , and may be formed at a position where gas is easily injected toward the substrate mounting plate 400 . When the cross-sectional shape of the first flow path part 610 is approximately circular, the injection hole 610a may be located on a semicircle on the side of the first heating plate 200 of the first flow path part 610, that is, on the lower semicircle in the drawing. .

제1 유로부(610)로부터 분사되는 공정 가스는 약 35℃ 이상 300℃ 이하의 온도, 또는 약 35℃ 이상 60℃ 이하의 온도, 또는 약 200℃ 이상 300℃ 이하의 온도를 가질 수 있다. 기판의 열 처리 공정, 특히 건조 공정에서 기판 측으로 공정 가스를 분사함에 따라 상기 기판의 유기 용매의 기화 속도를 현저하게 향상시킬 수 있고 기화된 용매 증기가 다시 응축되어 상기 기판을 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어 기화된 용매 증기의 슬릿(310)을 통한 배출을 유도하여 기화 속도를 향상시키고 다시 응축되는 것을 방지할 수 있다. 또한 유기 용매가 충분히 기화된 후의 후속 열 처리 공정, 즉 베이크 공정에서 기판 측으로 공정 가스를 분사함에 따라 열 처리 공간(500) 내의 배출되지 않은 잔류 용매 증기의 배출을 용이하게 할 수 있다.The process gas injected from the first flow path part 610 may have a temperature of about 35°C or more and 300°C or less, or a temperature of about 35°C or more and 60°C or less, or a temperature of about 200°C or more and 300°C or less. By injecting the process gas toward the substrate in the heat treatment process of the substrate, especially in the drying process, the vaporization rate of the organic solvent of the substrate can be significantly improved, and the vaporized solvent vapor can be prevented from condensing again and contaminating the substrate. there is. For example, the vaporized solvent vapor may be directed to exit through the slit 310 to improve the vaporization rate and prevent re-condensation. In addition, as the process gas is sprayed toward the substrate in a subsequent heat treatment process after the organic solvent is sufficiently vaporized, that is, a bake process, it is possible to facilitate the discharge of residual solvent vapors that are not discharged in the heat treatment space 500 .

뿐만 아니라, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나 상기 유기 용액이 유기 발광 소자의 유기층을 형성하기 위한 용액이고 상기 기판이 유기 발광 소자 제조용 기판인 경우, 기판의 열 처리 공정, 특히 베이크 공정에서 기판 측으로 공정 가스를 분사함에 따라 화소 내 균일도(In Pixel Uniformity, IPU)를 향상시킬 수 있는 효과가 있다. In addition, although the present invention is not limited thereto, when the organic solution is a solution for forming an organic layer of an organic light emitting device and the substrate is a substrate for manufacturing an organic light emitting device, the heat treatment process of the substrate, particularly the baking process, is processed toward the substrate As the gas is injected, there is an effect of improving In Pixel Uniformity (IPU).

예를 들어 화소 영역에 유기 용액을 토출 및 건조하고 베이크 공정을 수행하는 경우, 하나의 화소의 가장자리부에서의 기화 속도는 하나의 화소의 중앙부에서의 기화 속도보다 빠를 수 있다. 하나의 화소 내에서 가장자리부와 중앙부에서 기화 속도 차이가 증가하면 화소 내에 형성된 유기막의 가장자리부에서의 두께와 중앙부에서의 두께 차이가 커지는 문제가 있다. 그러나 본 실시예에 따른 열 처리 장치(1000)는 열 처리 공정, 특히 베이크 공정에서 기판 측으로 공정 가스를 분사함에 따라 공정 가스에 의한 수평 방향의 기류를 형성할 수 있고 이를 통해 하나의 화소에서 가장자리부에서와 중앙부에서의 막 두께를 고르게 형성할 수 있다. 즉, 유기 발광층을 용액 도포 공정을 형성하는 경우에도 평탄한 표면을 갖는 유기 발광층을 형성할 수 있는 효과가 있다.For example, when the organic solution is discharged and dried to the pixel area and a baking process is performed, the vaporization rate at the edge of one pixel may be faster than the vaporization rate at the center of one pixel. When the difference in evaporation rate between the edge portion and the center portion in one pixel increases, there is a problem in that the thickness difference between the edge portion and the central portion of the organic layer formed in the pixel increases. However, in the thermal processing apparatus 1000 according to the present exemplary embodiment, as the process gas is injected toward the substrate in the thermal processing process, in particular, in the baking process, a horizontal airflow may be formed by the process gas, thereby forming an edge portion in one pixel. It is possible to form a uniform film thickness at and at the central portion. That is, even when the organic light emitting layer is formed in a solution coating process, there is an effect that an organic light emitting layer having a flat surface can be formed.

몇몇 실시예에서, 열 처리 장치(1000)는 기류 차단 유닛(800), 제2 서브 히터(720) 및/또는 배기 유닛(900)을 더 포함할 수 있다.In some embodiments, the thermal treatment apparatus 1000 may further include an airflow blocking unit 800 , a second sub-heater 720 , and/or an exhaust unit 900 .

기류 차단 유닛(800)은 열 처리 공정이 이루어지는 공간, 즉 열 처리 공간(500)과 챔버(100) 내 다른 공간을 상호 고립시키는 역할을 한다. 이를 통해 챔버(100) 내 불순물에 의한 기판(미도시)의 오염을 최소화할 수 있다. 예를 들어 기류 차단 유닛(800)은 기류 차단 블록(810) 및 커튼 가스 분사부(830)를 포함할 수 있다.The airflow blocking unit 800 serves to isolate the space in which the heat treatment process is performed, that is, the heat treatment space 500 and other spaces in the chamber 100 . Through this, contamination of the substrate (not shown) by impurities in the chamber 100 may be minimized. For example, the airflow blocking unit 800 may include an airflow blocking block 810 and a curtain gas injection unit 830 .

기류 차단 블록(810)은 제2 히팅 플레이트(300)의 가장자리를 따라 제1 히팅 플레이트(200)와 제2 히팅 플레이트(300) 사이에 배치될 수 있다. 기류 차단 블록(810)은 기판 안착 플레이트(400) 및 제2 히팅 플레이트(300)와 적어도 부분적으로 중첩할 수 있다. 기류 차단 블록(810)은 대략 사각 띠 형상으로 배치되어 열 처리 공간(500)을 둘러쌀 수 있다. 기류 차단 블록(810)은 열 처리 공간(500)의 측면을 물리적으로 블로킹하여 개구 공간을 최소화할 수 있다.The airflow blocking block 810 may be disposed between the first heating plate 200 and the second heating plate 300 along the edge of the second heating plate 300 . The airflow blocking block 810 may at least partially overlap the substrate seating plate 400 and the second heating plate 300 . The airflow blocking block 810 may be arranged in a substantially rectangular band shape to surround the heat treatment space 500 . The airflow blocking block 810 may physically block the side surface of the heat treatment space 500 to minimize the opening space.

커튼 가스 분사부(830)는 기류 차단 블록(810)을 둘러싸도록 기류 차단 블록(810)의 외측에 배치될 수 있다. 커튼 가스 분사부(830)는 기류 차단 블록(810) 측으로, 상세하게는 승강 수단(450)에 의해 기판 안착 플레이트(400)가 상승하는 경우에 기류 차단 블록(810)과 기판 안착 플레이트(400)가 맞닿는 영역 방향으로 커튼 가스(curtain gas)를 분사하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 커튼 가스 분사부(830)는 챔버(100) 외부의 커튼 가스 공급원(미도시)으로부터 커튼 가스를 제공받아 커튼 가스를 분사할 수 있다. 상기 커튼 가스는 불활성 가스일 수 있다. 커튼 가스 분사부(830)는 가스 커튼을 형성함으로써 열 처리 공간(500)의 내부와 외부 간에 연결되는 기류가 발생하는 것을 방지할 수 있다.The curtain gas injection unit 830 may be disposed outside the airflow blocking block 810 to surround the airflow blocking block 810 . The curtain gas injection unit 830 is directed toward the airflow blocking block 810 , specifically, when the substrate seating plate 400 is raised by the lifting means 450 , the airflow blocking block 810 and the substrate seating plate 400 . It may be configured to inject a curtain gas in the direction of the abutting area. For example, the curtain gas injector 830 may receive the curtain gas from a curtain gas supply source (not shown) outside the chamber 100 and inject the curtain gas. The curtain gas may be an inert gas. The curtain gas injector 830 may prevent an airflow connected between the inside and the outside of the heat treatment space 500 from being generated by forming a gas curtain.

제2 서브 히터(720)는 기류 차단 블록(810)을 둘러싸도록 기류 차단 블록(810)의 외측에 배치되어 열 처리 공간(500) 측으로 열을 제공하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제2 서브 히터(720)는 챔버(100) 내측벽 상에 배치되어 기판(미도시) 측면으로부터 열을 제공하는 측면 히터일 수 있다.The second sub-heater 720 may be disposed outside the airflow blocking block 810 to surround the airflow blocking block 810 to provide heat to the heat treatment space 500 . For example, the second sub-heater 720 may be a side heater disposed on the inner wall of the chamber 100 to provide heat from the side of the substrate (not shown).

배기 유닛(900)은 챔버(100) 내 기체를 배출하여 챔버(100) 내의 압력 제어를 용이하게 할 수 있다. 예를 들어 배기 유닛(900)은 배기 후드(910), 배기 펌프(920) 및 배기관(930)을 포함할 수 있다.The exhaust unit 900 may discharge gas in the chamber 100 to facilitate pressure control in the chamber 100 . For example, the exhaust unit 900 may include an exhaust hood 910 , an exhaust pump 920 , and an exhaust pipe 930 .

배기 펌프(920)는 챔버(100) 외부에 배치되어 배기관(930)을 통해 챔버(100) 내부와 연결될 수 있다. 배기관(930)은 챔버(100) 내부와 배기 펌프(920)를 연결하여 배기 후드(910)로부터 포집된 가스를 배기하는 통로를 제공한다. 배기 펌프(920)는 압력 작용을 통해 챔버(100) 내부의 기체를 챔버(100) 외부로 배기할 수 있고 이를 통해 챔버(100) 내부의 압력을 제어할 수 있다. 예를 들어, 배기 펌프(920)는 챔버(100) 내부의 기체를 챔버(100) 외부로 배기하여 챔버(100) 내부를 감압함으로써 챔버(100) 내부 분위기를 기화시키고자 하는 유기 용매의 포화 증기압과 같거나 더 낮게 형성할 수 있고 이를 통해 유기 용매의 기화를 용이하게 할 수 있다. 또한 배기 펌프(920)는 기화된 유기 용매의 배출을 유도할 수 있다. 배기 펌프(920)는 드라이 펌프 또는 터보 펌프 등을 예시할 수 있다.The exhaust pump 920 may be disposed outside the chamber 100 and may be connected to the inside of the chamber 100 through the exhaust pipe 930 . The exhaust pipe 930 connects the inside of the chamber 100 and the exhaust pump 920 to provide a passage for exhausting the gas collected from the exhaust hood 910 . The exhaust pump 920 may exhaust the gas inside the chamber 100 to the outside of the chamber 100 through a pressure action, thereby controlling the pressure inside the chamber 100 . For example, the exhaust pump 920 exhausts the gas inside the chamber 100 to the outside of the chamber 100 to depressurize the inside of the chamber 100 , so that the saturated vapor pressure of the organic solvent intended to vaporize the atmosphere inside the chamber 100 . It can be formed equal to or lower than , and this can facilitate vaporization of the organic solvent. Also, the exhaust pump 920 may induce the discharge of the vaporized organic solvent. The exhaust pump 920 may be a dry pump or a turbo pump.

배기 후드(910)는 챔버(100) 천정에 인접하여 배치될 수 있다. 예를 들어 제2 히팅 플레이트(300) 및 가스 공급관(650) 상부에 배치될 수 있다. 배기 후드(910)는 제2 히팅 플레이트(300)의 슬릿(310)을 통해 제2 히팅 플레이트(300)의 하측으로부터 상측으로 이동하는 가스를 효과적으로 포집할 수 있다. 예를 들어, 기판(미도시)으로부터 기화된 유기 용매 및 가스 분사 유닛(600)으로부터 분사된 공정 가스는 제2 히팅 플레이트(300)의 슬릿(310)을 통해 배출된 후 배기 후드(910)에 의해 포집 및 배기될 수 있다. 배기 후드(910)의 평면상 면적은 제2 히팅 플레이트(300)의 평면상 면적보다 더 클 수 있다. 즉, 배기 후드(910)는 제2 히팅 플레이트(300)를 완전히 커버할 수 있다. 또, 도 2 등에 도시된 것과 같이 배기 후드(910)가 경사면을 가질 경우 제2 히팅 플레이트(300)의 가장자리 측으로부터 상승하는 기류와 중앙 측으로부터 상승하는 기류 간의 경로 차이를 감소시킬 수 있다.The exhaust hood 910 may be disposed adjacent to the ceiling of the chamber 100 . For example, it may be disposed on the second heating plate 300 and the gas supply pipe 650 . The exhaust hood 910 may effectively collect the gas moving from the lower side to the upper side of the second heating plate 300 through the slit 310 of the second heating plate 300 . For example, the organic solvent vaporized from the substrate (not shown) and the process gas injected from the gas injection unit 600 are exhausted through the slit 310 of the second heating plate 300 and then in the exhaust hood 910 . It can be collected and exhausted by A planar area of the exhaust hood 910 may be larger than a planar area of the second heating plate 300 . That is, the exhaust hood 910 may completely cover the second heating plate 300 . In addition, as shown in FIG. 2 , when the exhaust hood 910 has an inclined surface, the path difference between the airflow rising from the edge side and the airflow rising from the center side of the second heating plate 300 can be reduced.

이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 열 처리 장치에 대해서 설명한다. 다만 도 1 등의 실시예에 따른 열 처리 장치와 동일한 구성에 대한 설명은 생략하며, 이는 첨부된 도면으로부터 본 기술분야에 속하는 통상의 기술자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Hereinafter, a heat treatment apparatus according to another embodiment of the present invention will be described. However, a description of the same configuration as that of the heat treatment apparatus according to the embodiment of FIG. 1 and the like will be omitted, which will be clearly understood by those skilled in the art from the accompanying drawings.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 열 처리 장치의 분해사시도이다. 도 10은 도 9의 열 처리 장치의 측단면도이다. 도 11은 도 9의 제2 히팅 플레이트와 제1 서브 히터를 나타낸 사시도이다. 9 is an exploded perspective view of a heat treatment apparatus according to another embodiment of the present invention. FIG. 10 is a side cross-sectional view of the heat treatment apparatus of FIG. 9 ; 11 is a perspective view illustrating the second heating plate and the first sub-heater of FIG. 9 .

도 9 내지 도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 열 처리 장치(1001)는 제1 유로부(611)가 제2 히팅 플레이트(301)의 상부에 배치된 점이 도 1 등의 실시예에 따른 열 처리 장치(1000)와 상이한 점이다.9 to 11 , in the heat treatment apparatus 1001 according to the present embodiment, the first flow path part 611 is disposed on the second heating plate 301 according to the embodiment of FIG. 1 . It is different from the heat processing apparatus 1000 .

제2 히팅 플레이트(301)는 복수의 관통홀(301h) 및 복수의 슬릿(330)을 가질 수 있다. 각 관통홀(301h)은 평면상 형상이 대략 원 형상일 수 있다. 복수의 관통홀(301h)들은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로 이격 배치되어 대략 매트릭스 배열로 형성될 수 있다. 각 관통홀(301h)에는 후술할 가스 분사 유닛(601)의 제3 유로부(630)가 삽입될 수 있다.The second heating plate 301 may have a plurality of through-holes 301h and a plurality of slits 330 . Each of the through-holes 301h may have a substantially circular shape in plan view. The plurality of through-holes 301h may be spaced apart from each other in the first direction (X) and the second direction (Y) to form a substantially matrix arrangement. A third flow path 630 of a gas injection unit 601, which will be described later, may be inserted into each through hole 301h.

복수의 슬릿(330)은 제2 히팅 플레이트(301)의 일측으로부터 타측으로 흐르는 기류를 형성할 수 있다. 복수의 슬릿(330)을 갖는 제2 히팅 플레이트(301)는 배플 플레이트와 같이 기능할 수 있다. 복수의 슬릿(330)은 제1 방향(X)으로 연장된 형상의 메인 슬릿(350) 및 제2 방향(Y)으로 연장된 형상의 서브 슬릿(360)을 포함할 수 있다. 메인 슬릿(350)과 서브 슬릿(360)은 대략 격자 형상의 슬릿을 이룰 수 있다.The plurality of slits 330 may form an airflow flowing from one side to the other side of the second heating plate 301 . The second heating plate 301 having a plurality of slits 330 may function as a baffle plate. The plurality of slits 330 may include a main slit 350 extending in the first direction (X) and sub-slits 360 extending in the second direction (Y). The main slit 350 and the sub slit 360 may form a substantially grid-shaped slit.

예시적인 실시예에서, 제2 히팅 플레이트(301)의 중앙부에서의 단위 면적 당 슬릿(330)이 차지하는 평면상 면적은 제2 히팅 플레이트(301)의 가장자리부에서의 단위 면적 당 슬릿(330)이 차지하는 평면상 면적보다 클 수 있다. In the exemplary embodiment, the planar area occupied by the slit 330 per unit area in the central portion of the second heating plate 301 is the slit 330 per unit area in the edge portion of the second heating plate 301 . It may be larger than the planar area it occupies.

예를 들어, 복수의 메인 슬릿(350)들은 제2 히팅 플레이트(301)의 제2 방향(Y)의 중앙부에 위치한 제1 메인 슬릿(351) 및 제1 메인 슬릿(351)에 비해 제2 히팅 플레이트(301)의 제2 방향(Y)의 가장자리부에 위치한 제2 메인 슬릿(352)을 포함하되, 제1 메인 슬릿(351)의 폭(t_351a)은 제2 메인 슬릿(352)의 폭(t₃₅₂)보다 클 수 있다. 예를 들어, 제1 메인 슬릿(351)의 폭(t_351a)은 제2 메인 슬릿(352)의 폭(t₃₅₂)의 두 배 이상일 수 있다. 이를 통해 기판의 전면적에 걸쳐서 유기 용매의 건조 균일도를 향상시킬 수 있다.For example, the plurality of main slits 350 are second heating compared to the first main slit 351 and the first main slit 351 located at the center of the second heating plate 301 in the second direction (Y). The plate 301 includes a second main slit 352 positioned at the edge of the second direction Y, and the width t _351a of the first main slit 351 is the width of the second main slit 352 . (t ₃₅₂ ). For example, the width t _351a of the first main slit 351 may be more than twice the width t ₃₅₂ of the second main slit 352 . This can improve the drying uniformity of the organic solvent over the entire area of the substrate.

몇몇 실시예에서, 하나의 제1 메인 슬릿(351)은 제1 방향(X)으로 연장된 형상이되, 제1 메인 슬릿(351)의 제1 방향(X)의 중앙부에서의 폭(t_351a)은 제1 메인 슬릿(351)의 제1 방향(X)의 어느 단부에서의 폭(t_351b)보다 클 수 있다. 예를 들어, 중앙부에서의 폭(t_351a)은 단부에서의 폭(t_351b)의 두 배 이상일 수 있다. 이를 통해 기판의 전면적에 걸쳐서 유기 용매의 건조 균일도를 향상시킬 수 있다. 도면에 도시된 것과 달리, 제1 메인 슬릿(351)의 폭은 제1 방향(X)의 중앙부에서 단부로 갈수록 점진적으로 작아질 수도 있다.In some embodiments, one first main slit 351 has a shape extending in the first direction (X), and the width t _351a of the first main slit 351 at the center of the first main slit 351 in the first direction (X) ) may be greater than the width t _351b at any end of the first main slit 351 in the first direction X. For example, the width t _351a at the center may be at least twice the width t _351b at the ends. This can improve the drying uniformity of the organic solvent over the entire area of the substrate. Unlike the drawing, the width of the first main slit 351 may gradually decrease from the center portion to the end portion in the first direction (X).

또한, 열 처리 장치(1001)는 제1 서브 히터(711)를 포함하여 열 처리 공간(500)의 가장자리부에 비해 중앙부에 상대적으로 더 많은 열량을 공급할 수 있도록 구성될 수 있다.In addition, the heat treatment apparatus 1001 may include the first sub-heater 711 to supply a relatively larger amount of heat to the central portion compared to the edge portion of the heat treatment space 500 .

예시적인 실시예에서, 제2 히팅 플레이트(301) 상에는 제1 서브 히터(711)가 배치될 수 있다. 제1 서브 히터(711)는 제2 히팅 플레이트(301)와 배기 후드(910) 사이에 배치될 수 있다. 제1 서브 히터(711)는 제2 히팅 플레이트(301)와 맞닿아 접하거나 소정 거리 이격된 상태일 수 있다. 제1 서브 히터(711)는 제1 방향(X)으로 연장된 형상이고 제2 방향(Y)으로 이격 배치되어 복수개일 수 있다.In an exemplary embodiment, the first sub-heater 711 may be disposed on the second heating plate 301 . The first sub-heater 711 may be disposed between the second heating plate 301 and the exhaust hood 910 . The first sub-heater 711 may be in a state of being in contact with the second heating plate 301 or being spaced apart from each other by a predetermined distance. The first sub-heaters 711 may have a shape extending in the first direction (X) and may be spaced apart from each other in the second direction (Y) to be spaced apart from each other in the second direction (Y).

제1 서브 히터(711)에 의해 제공되는 열량은 열 처리 공간(500)의 영역별로 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 서브 히터(711)는 열 처리 공간(500)의 중앙부와 중첩하도록 배치되는 반면, 열 처리 공간(500)의 가장자리부에는 배치되지 않을 수 있다. 이를 통해 기판의 가장자리부에 비해 중앙부에서 상대적으로 많은 양의 유기 용매 증기의 기화를 유도할 수 있고, 상기 기판의 전면적에 걸쳐서 유기 용매의 건조 균일도를 향상시킬 수 있다.The amount of heat provided by the first sub-heater 711 may be different for each area of the heat treatment space 500 . For example, the first sub-heater 711 may be disposed to overlap a central portion of the heat treatment space 500 , but may not be disposed at an edge portion of the heat treatment space 500 . Through this, it is possible to induce vaporization of a relatively large amount of organic solvent vapor in the central portion compared to the edge portion of the substrate, and to improve the drying uniformity of the organic solvent over the entire area of the substrate.

도 12는 도 9의 가스 분사 유닛을 나타낸 사시도이다. 도 13은 도 12의 제1 유로부(611) 및 제3 유로부(630)의 저면사시도이다. 도 14는 도 12의 B-B' 선을 따라 절개한 단면도이다.12 is a perspective view illustrating the gas injection unit of FIG. 9 . 13 is a bottom perspective view of the first flow path part 611 and the third flow path part 630 of FIG. 12 . 14 is a cross-sectional view taken along line B-B' of FIG. 12 .

도 9 내지 도 14를 참조하면, 가스 분사 유닛(601)은 공정 가스를 저장하고 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급하도록 구성된 가스 공급원(670), 챔버(100) 내에서 제2 히팅 플레이트(301) 상부에 배치되는 제1 유로부(611), 가스 공급원(670)과 제1 유로부(611) 사이의 유로를 제공하는 가스 공급관(650)을 포함하되, 제1 유로부(611)로부터 돌출된 제3 유로부(630)를 더 포함할 수 있다. 9 to 14 , the gas injection unit 601 includes a gas supply 670 configured to store a process gas and supply the process gas into the chamber 100 , and a second heating plate ( 301) A gas supply pipe 650 that provides a flow path between the first flow path part 611 and the gas supply source 670 and the first flow path part 611 disposed on the upper part, but from the first flow path part 611 It may further include a protruding third flow path part 630 .

가스 공급관(650)은 가스 공급원(670)으로부터 제공된 공정 가스를 복수의 제1 유로부(611)로 전달할 수 있는 유로를 제공한다. 예시적인 실시예에서, 가스 공급관(650)은 제1 가스 분배관(651)과 두 개의 제2 가스 분배관(652)을 포함하여 다단폭포 형태일 수 있다. 이 경우 제2 가스 분배관(652)과 제1 유로부(611)는 각각 2ⁿ개이고, 제2 가스 분배관(652)은 제2 히팅 플레이트(301)의 관통홀(301h)을 관통할 수 있다. 여기서 n은 자연수이다. 이를 통해 제2 가스 분배관(652) 및 제1 유로부(611)에 공급되는 공정 가스의 유량과 공급되는 시점을 실질적으로 동일하게 할 수 있다. The gas supply pipe 650 provides a flow path through which the process gas provided from the gas supply source 670 can be delivered to the plurality of first flow path units 611 . In an exemplary embodiment, the gas supply pipe 650 may have a multi-stage waterfall shape including a first gas distribution pipe 651 and two second gas distribution pipes 652 . In this case, the number of the second gas distribution pipe 652 and the first flow path part 611 is 2 ⁿ , respectively, and the second gas distribution pipe 652 may pass through the through hole 301h of the second heating plate 301 . there is. where n is a natural number. Through this, the flow rate of the process gas supplied to the second gas distribution pipe 652 and the first flow path part 611 may be substantially the same as the supply timing.

제1 유로부(611)가 2ⁿ개인 예시적인 실시예에서 제1 서브 히터(711)는 2ⁿ⁺¹개일 수 있다. 제1 서브 히터(711)는 제1 유로부(611)의 제2 방향(Y) 양측에 각각 하나씩 배치될 수 있다.In an exemplary embodiment in which the number of first flow passages 611 is 2 ⁿ , the number of first sub-heaters 711 may be 2 ⁿ⁺¹ . One first sub-heater 711 may be disposed on both sides of the first flow path part 611 in the second direction (Y).

가스 공급관(650)의 형상 및 배치에 대해서는 도 6 등과 함께 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.Since the shape and arrangement of the gas supply pipe 650 have been described together with FIG. 6 , the overlapping description will be omitted.

한편, 제1 유로부(611)는 제1 방향(X)으로 연장되어 제1 방향(X)으로의 유로를 제공한다. 제1 유로부(611)는 제2 방향(Y)으로 이격 배치되어 복수개일 수 있다. 복수의 제1 유로부(611)들은 제2 히팅 플레이트(301)의 상부에 배치될 수 있다. 즉, 복수의 제1 유로부(611)들은 제2 히팅 플레이트(301)와 배기 후드(910) 사이에 배치될 수 있다.Meanwhile, the first flow path part 611 extends in the first direction (X) to provide a flow path in the first direction (X). There may be a plurality of first flow passages 611 spaced apart from each other in the second direction (Y). The plurality of first flow passages 611 may be disposed on the second heating plate 301 . That is, the plurality of first flow passages 611 may be disposed between the second heating plate 301 and the exhaust hood 910 .

복수의 제3 유로부(630)들은 제1 유로부(611)로부터 제2 히팅 플레이트(301) 측으로 돌출될 수 있다. 제3 유로부(630)는 제1 유로부(611)로부터 분지되어 공정 가스를 제공받을 수 있다. 도 9에는 제2 히팅 플레이트(301)의 하면보다 제3 유로부(630)의 하측 단부가 아래로 더욱 돌출된 경우를 예시하고 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며 제3 유로부(630)의 하측 단부는 제2 히팅 플레이트(301)의 하면과 실질적으로 동일한 레벨에 위치할 수도 있다.The plurality of third flow passages 630 may protrude from the first flow passage 611 toward the second heating plate 301 . The third flow path part 630 may be branched from the first flow path part 611 to receive the process gas. 9 illustrates a case in which the lower end of the third flow passage 630 more protrudes downward than the lower surface of the second heating plate 301 , but the present invention is not limited thereto. The lower end may be located at substantially the same level as the lower surface of the second heating plate 301 .

제3 유로부(630)는 제1 유로부(611)로부터 전달받은 공정 가스의 흐름을 제3 방향(Z) 하측으로 유도하고 상기 공정 가스를 열 처리 대상인 기판(미도시) 측으로 분사하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제3 유로부(630)는 제1 히팅 플레이트(200) 측 및/또는 기판 안착 플레이트(400) 측으로 가스를 분사하도록 구성되고, 제3 유로부(630)는 공정 가스를 그 외부로 분사하기 위한 분사구(630h)들을 가질 수 있다. 분사구(630h)는 기판 안착 플레이트(400) 측으로의 가스 분사가 용이한 위치 및 형태로 형성될 수 있다. 예를 들어, 분사구(630h)는 제3 유로부(630)의 측벽에 위치하되 하측으로 기울어진 형태일 수 있다.The third flow path unit 630 is configured to guide the flow of the process gas received from the first flow path unit 611 downward in the third direction (Z) and inject the process gas toward the substrate (not shown) to be heat treated. can For example, the third flow path part 630 is configured to inject gas toward the first heating plate 200 and/or the substrate seating plate 400 side, and the third flow path part 630 sends the process gas to the outside. It may have injection holes 630h for injection into the furnace. The injection hole 630h may be formed in a position and shape to facilitate gas injection toward the substrate mounting plate 400 . For example, the injection hole 630h may be located on the side wall of the third flow path part 630 but inclined downward.

상대적으로 차지하는 공간 부피가 큰 가스 공급관(650) 및 제1 유로부(611)를 모두 제2 히팅 플레이트(301) 상부에 배치하고, 제1 유로부(611)로부터 돌출된 제3 유로부(630)가 제2 히팅 플레이트(301)를 관통하여 기판 안착 플레이트(400) 측으로 공정 가스를 분사하도록 구성함으로써 제1 히팅 플레이트(200)와 제2 히팅 플레이트(301) 사이에 정의되는 열 처리 공간(500) 내의 열 전도도(heat conductivity)를 실질적으로 균일하게 유지할 수 있다. 이를 통해 공정 가스의 열 손실을 억제하여 공정 가스가 갖는 열을 온전히 기판(미도시)에 전달할 수 있다. 또, 열 처리 공간(500) 내에 예컨대 금속 재질을 갖는 제1 유로부(611) 등의 별도의 관을 배치하지 않음으로써 의도치 않은 공정 가스의 난류 발생을 방지할 수 있어 상기 기판의 전면적에 걸쳐 유기 용매의 건조 균일도를 향상시킬 수 있으며, 배기 경로의 차이 또한 감소시킬 수 있다. 뿐만 아니라 열 처리 공간(500) 내에 예컨대 금속 재질을 갖는 제1 유로부(611) 등의 별도의 관을 배치하지 않음으로써 기화된 유기 용매 증기가 상기 관에 부착 및 다시 응축되어 기판을 오염시키는 것을 방지할 수 있다.Both the gas supply pipe 650 and the first flow path part 611 occupying a relatively large volume of space are disposed on the second heating plate 301 , and the third flow path part 630 protruding from the first flow path part 611 . ) penetrates the second heating plate 301 and injects the process gas toward the substrate seating plate 400 , so that the heat treatment space 500 defined between the first heating plate 200 and the second heating plate 301 . ) can be maintained substantially uniformly in heat conductivity. Through this, heat loss of the process gas may be suppressed, and heat of the process gas may be completely transferred to the substrate (not shown). In addition, by not arranging a separate pipe, such as the first flow path part 611 made of a metal material, in the heat treatment space 500 , it is possible to prevent unintentional turbulence of the process gas, so that it spans the entire area of the substrate. It is possible to improve the drying uniformity of the organic solvent, and also reduce the difference in the exhaust path. In addition, by not disposing a separate tube, such as the first flow path part 611 having a metal material, in the heat treatment space 500, the vaporized organic solvent vapor attaches to the tube and condenses again to contaminate the substrate. can be prevented

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 막 제조 방법에 대해서 설명한다.Hereinafter, a method for manufacturing a film according to an embodiment of the present invention will be described.

본 실시예에 따른 막 제조 방법은, 제1 히팅 플레이트와 제2 히팅 플레이트 사이에 유기 물질층이 토출된 기판을 개재하는 단계 및 상기 기판 측으로 가스를 분사하는 단계를 포함하고, 상기 기판을 개재하는 단계 후에 챔버 내 압력을 제어하는 단계를 더 포함할 수 있다.The film manufacturing method according to the present embodiment includes interposing a substrate on which an organic material layer is discharged between a first heating plate and a second heating plate and injecting a gas toward the substrate, and the substrate is interposed between the substrate It may further include the step of controlling the pressure in the chamber after the step.

우선 상기 기판을 개재하는 단계에 대해서 설명한다.First, the step of interposing the substrate will be described.

도 15는 기판을 개재하는 단계를 나타낸 열 처리 장치의 측단면도이다. 도 16은 도 15의 기판을 확대하여 나타낸 도면이다. 15 is a cross-sectional side view of the thermal processing apparatus showing the step of interposing the substrate. 16 is an enlarged view of the substrate of FIG. 15 .

도 15 및 도 16을 참조하면, 기판(10)을 개재하는 단계는 유기 용액(1)이 토출된 기판(10)을 준비하는 단계, 기판(10)을 챔버(100) 내에 인입하여 기판 안착 플레이트(400) 상에 기판(10)을 배치하는 단계 및 승강 수단(450)을 이용하여 기판 안착 플레이트(400), 제1 히팅 플레이트(200) 및 기판(10)을 상승시키는 단계를 포함할 수 있다.15 and 16 , the step of interposing the substrate 10 is a step of preparing the substrate 10 on which the organic solution 1 is discharged, and introducing the substrate 10 into the chamber 100 to receive the substrate mounting plate. It may include disposing the substrate 10 on the 400 and lifting the substrate mounting plate 400 , the first heating plate 200 and the substrate 10 using the lifting means 450 . .

기판(10)은 베이스 기판(3) 및 베이스 기판(3) 상에 토출된 유기 용액(1)을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 기판(10)은 베이스 기판(3) 상에 배치된 전극층(4) 및 화소 정의막(5)을 더 포함할 수 있다. 도면에 도시하지 않았으나, 몇몇 실시예에서 기판(10)은 전극층(4)과 유기 용액(1) 사이에 개재된 추가 유기층(미도시)을 더 포함할 수도 있다.The substrate 10 may include a base substrate 3 and an organic solution 1 discharged onto the base substrate 3 . In some embodiments, the substrate 10 may further include an electrode layer 4 and a pixel defining layer 5 disposed on the base substrate 3 . Although not shown in the drawings, in some embodiments, the substrate 10 may further include an additional organic layer (not shown) interposed between the electrode layer 4 and the organic solution 1 .

유기 용액(1)은 베이스 기판(3) 상에 유기 물질 용액을 토출하여 형성될 수 있다. 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나 상기 유기 용액은 유기 발광 소자의 유기층을 형성하기 위한 용액이고 상기 기판은 유기 발광 소자 제조용 기판인 경우, 유기 용액(1)은 정공 주입층 물질, 정공 수송층 물질 및/또는 발광층 물질 중 하나 이상을 포함하는 용액일 수 있다.The organic solution 1 may be formed by discharging an organic material solution onto the base substrate 3 . Although the present invention is not limited thereto, when the organic solution is a solution for forming an organic layer of an organic light emitting device and the substrate is a substrate for manufacturing an organic light emitting device, the organic solution 1 is a hole injection layer material, a hole transport layer material and / Alternatively, it may be a solution containing at least one of the light emitting layer materials.

기판 안착 플레이트(400)는 기류 차단 블록(810)과 맞닿는 위치까지 상승될 수 있고, 이 때 기판 안착 플레이트(400), 제2 히팅 플레이트(300) 및 기류 차단 블록(810)에 의해 둘러싸이는 공간은 열 처리 공간(500)을 정의한다. 열 처리 공간(500)은 실질적인 기판(10)의 열 처리가 수행되는 공간으로서, 챔버(100) 내부의 다른 공간과 구별되어 독립적으로 정밀한 온도 제어 또는 공정 가스의 기류 제어가 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기류 차단 블록(810)은 열 처리 공간(500)의 측면을 물리적으로 블로킹하여 개구 공간을 최소화하고 커튼 가스 분사부(830)는 가스 커튼을 이용하여 열 처리 공간(500)의 내부와 외부 간에 연결되는 기류가 발생하는 것을 방지할 수 있다. The substrate seating plate 400 may be raised to a position in contact with the airflow blocking block 810 , and at this time, a space surrounded by the substrate seating plate 400 , the second heating plate 300 and the airflow blocking block 810 . defines a heat treatment space 500 . The heat treatment space 500 is a space in which the actual heat treatment of the substrate 10 is performed, and is distinguished from other spaces inside the chamber 100 so that precise temperature control or airflow control of the process gas can be performed independently. For example, the airflow blocking block 810 physically blocks the side surface of the heat treatment space 500 to minimize the opening space, and the curtain gas injection unit 830 uses a gas curtain to enter the heat treatment space 500 . It is possible to prevent the occurrence of an airflow connected between the and the outside.

승강 수단(450)에 의해 기판(10)이 상승한 상태에서의 기판(10)의 상면과 제2 히팅 플레이트(300)의 하면 사이의 이격 거리는 약 1mm 이상 20mm 이하, 또는 약 10mm일 수 있다. 기판(10)과 제2 히팅 플레이트(300) 사이의 이격 거리가 1mm 이상이면 공정 가스의 분사 압력으로 인해 기판(10)이 손상되는 것을 방지할 수 있고 안정적인 기류를 형성하여 의도치 않은 난류의 발생을 억제할 수 있다. 또 이격 거리가 20mm 이하이면 제2 히팅 플레이트(300)로부터 제공된 열이 효과적으로 기판(10)에 전달될 수 있다. 이를 통해 제1 히팅 플레이트(200)와 제2 히팅 플레이트(300) 사이에 기판(10)을 개재할 수 있다.The separation distance between the upper surface of the substrate 10 and the lower surface of the second heating plate 300 in a state in which the substrate 10 is raised by the lifting means 450 may be about 1 mm or more and 20 mm or less, or about 10 mm. If the separation distance between the substrate 10 and the second heating plate 300 is 1 mm or more, it is possible to prevent the substrate 10 from being damaged due to the injection pressure of the process gas and to form a stable airflow to generate unintentional turbulence. can be suppressed. In addition, if the separation distance is 20 mm or less, the heat provided from the second heating plate 300 may be effectively transferred to the substrate 10 . Through this, the substrate 10 may be interposed between the first heating plate 200 and the second heating plate 300 .

본 실시예에서 사용되는 열 처리 장치는 도 1 또는 도 9 등의 실시예에 따른 열 처리 장치일 수 있는 바 중복되는 설명은 생략한다.The thermal processing apparatus used in the present embodiment may be the thermal processing apparatus according to the embodiment of FIG. 1 or FIG. 9 , and thus a redundant description will be omitted.

이어서 상기 기판 측으로 가스를 분사하는 단계에 대해서 설명한다. Next, the step of injecting the gas toward the substrate will be described.

도 17은 가스를 분사하는 단계에서의 공정 가스의 유량 및 챔버 내 압력 변화를 나타낸 그래프이다. 도 18은 가스를 분사하여 기판을 건조하는 단계(S200)를 나타낸 열 처리 장치의 측단면도이다. 도 19는 도 18의 기판을 확대하여 나타낸 도면이다.17 is a graph illustrating a flow rate of a process gas and a change in pressure in a chamber in the step of injecting the gas. 18 is a cross-sectional side view of a heat treatment apparatus illustrating a step ( S200 ) of drying a substrate by spraying a gas. 19 is an enlarged view of the substrate of FIG. 18 .

우선 도 17을 참조하면, 본 실시예에 따른 가스를 분사하는 단계는 가스를 분사하여 기판을 건조하는 단계(S200) 및 가스를 분사하여 기판을 베이크하는 단계(S300)를 포함할 수 있다.First, referring to FIG. 17 , the step of spraying the gas according to the present embodiment may include drying the substrate by spraying the gas ( S200 ) and baking the substrate by spraying the gas ( S300 ).

도 17 내지 도 19를 참조하면, 기판(10) 측으로 공정 가스를 분사하여 기판(10)을 건조(curing)한다(S200). 기판(10)을 건조하는 단계(S200)는 기판(10)의 유기 용액(1)을 기화시키는 단계일 수 있다. 본 단계(S200)에서 기판(10)은 약 35℃ 이상 60℃이하의 온도로 열 처리될 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 또, 유기 용액(1)을 건조하는 단계(S200)는 약 5분 이상 10분 이하의 시간 동안 수행될 수 있다. 본 단계(S200)에서 기판(10)의 유기 용액(1)은 전체 중량의 약 90 중량% 이상이 기화될 수 있다.17 to 19 , the substrate 10 is dried by spraying a process gas toward the substrate 10 ( S200 ). Drying the substrate 10 ( S200 ) may be a step of vaporizing the organic solution 1 of the substrate 10 . In this step (S200), the substrate 10 may be heat-treated at a temperature of about 35° C. or more and 60° C. or less, but the present invention is not limited thereto. Also, the drying of the organic solution 1 ( S200 ) may be performed for about 5 minutes or more and 10 minutes or less. In this step (S200), about 90 wt% or more of the organic solution 1 of the substrate 10 may be vaporized based on the total weight.

상기 공정 가스를 분사하여 유기 용액(1)을 건조하는 단계(S200)에서, 가스 공급원(670)으로부터 제공되는 공정 가스는 제1 가스 분배관(651)과 제2 가스 분배관(652)을 포함하는 가스 공급관(650) 및 제1 유로부(610)를 거쳐 제1 유로부(610)의 분사홀을 통해 기판(10) 측으로 분사될 수 있다. 분사된 상기 공정 가스는 기판(10)의 유기 용액(1)과 접촉할 수 있다. 이 경우 기판(10)과 제2 히팅 플레이트(300)의 하면 사이의 이격 거리는 약 1mm 이상 20mm 이하, 또는 약 10mm를 유지하고 있을 수 있다.In the step of drying the organic solution 1 by spraying the process gas ( S200 ), the process gas provided from the gas supply source 670 includes a first gas distribution pipe 651 and a second gas distribution pipe 652 . through the gas supply pipe 650 and the first flow path part 610 , and may be injected toward the substrate 10 through the injection hole of the first flow path part 610 . The injected process gas may contact the organic solution 1 of the substrate 10 . In this case, the separation distance between the substrate 10 and the lower surface of the second heating plate 300 may be maintained at about 1 mm or more and 20 mm or less, or about 10 mm.

도 18은 도 1 등의 실시예에 따른 열 처리 장치(1000)를 이용하는 경우를 예시하고 있으나, 다른 실시예에서 도 9 등의 실시예에 따른 열 처리 장치(1001)를 이용할 수도 있다. 이 경우 가스 공급원(670)으로부터 제공되는 공정 가스는 제1 가스 분배관(651)과 제2 가스 분배관(652)을 포함하는 가스 공급관(650), 제1 유로부(611) 및 제3 유로부(630)를 거쳐 기판(10) 측으로 분사될 수 있다.Although FIG. 18 exemplifies the case of using the thermal processing apparatus 1000 according to the embodiment of FIG. 1 , the thermal processing apparatus 1001 according to the embodiment of FIG. 9 may be used in another embodiment. In this case, the process gas provided from the gas supply source 670 includes a gas supply pipe 650 including a first gas distribution pipe 651 and a second gas distribution pipe 652 , a first flow path part 611 , and a third flow path. It may be sprayed toward the substrate 10 through the part 630 .

유기 용액(1)과 접촉한 후의 상기 공정 가스는 제2 히팅 플레이트(300)의 슬릿(310)들을 통해 열 처리 공간(500) 외부로 배출될 수 있다. 예를 들어, 상기 공정 가스는 제2 히팅 플레이트(300)의 하측으로부터 상측으로 이동할 수 있고 배기 후드(910)에 의해 포집될 수 있다.The process gas after contacting the organic solution 1 may be discharged to the outside of the heat treatment space 500 through the slits 310 of the second heating plate 300 . For example, the process gas may move from the lower side to the upper side of the second heating plate 300 and may be collected by the exhaust hood 910 .

또, 유기 용액(1)으로부터 기화된 유기 용매 증기는 제2 히팅 플레이트(300)의 슬릿(310)들을 통해 열 처리 공간(500) 외부로 배출될 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 용매 증기는 제2 히팅 플레이트(300) 하측으로부터 상측으로 이동할 수 있고 배기 후드(910)에 의해 포집될 수 있다.In addition, the organic solvent vapor vaporized from the organic solution 1 may be discharged to the outside of the heat treatment space 500 through the slits 310 of the second heating plate 300 . For example, the organic solvent vapor may move from the lower side to the upper side of the second heating plate 300 and may be collected by the exhaust hood 910 .

본 실시예에 따른 열 처리 장치의 제2 히팅 플레이트(300)의 복수의 슬릿(310)은 제2 히팅 플레이트(300)의 중앙부에서의 단위 면적 당 슬릿(310)이 차지하는 면적이 제2 히팅 플레이트(300)의 가장자리부에서의 단위 면적 당 슬릿(310)이 차지하는 면적보다 크도록 구성될 수 있다. 이를 통해 유기 용매 증기를 효과적으로 배출할 수 있으며 우수한 건조 특성을 가질 수 있다. In the plurality of slits 310 of the second heating plate 300 of the heat treatment apparatus according to the present embodiment, the area occupied by the slits 310 per unit area in the central portion of the second heating plate 300 is the second heating plate It may be configured to be larger than the area occupied by the slit 310 per unit area at the edge of 300 . Through this, the organic solvent vapor can be effectively discharged and it can have excellent drying properties.

또, 본 실시예에 따른 막 제조 방법은 후술할 유기층을 베이크하는 단계(S300)와 동일한 챔버 내에서 유기 용액을 건조하는 단계(S200)가 수행됨에도 불구하고 기판(10) 내의 유기 용액(1)에 대한 우수한 건조 균일도를 확보할 수 있어 공정을 단순화할 수 있다.In addition, in the film manufacturing method according to this embodiment, although the step (S200) of drying the organic solution in the same chamber as the step (S300) of baking the organic layer to be described later (S200) is performed, the organic solution (1) in the substrate (10) The process can be simplified by ensuring excellent drying uniformity.

예시적인 실시예에서, 기판(10)을 건조하는 단계(S200)는 순차적으로 수행되는 제1 차 가스 분사 단계(SF1), 제2 차 가스 분사 단계(SF2), 제3 차 가스 분사 단계(SF3), 제4 차 가스 분사 단계(SF4) 및 제5 차 가스 분사 단계(SF5)를 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment, the drying of the substrate 10 ( S200 ) may include a first gas spraying step SF1 , a second gas spraying step SF2 , and a third gas spraying step SF3 that are sequentially performed. ), a fourth gas injection step SF4 and a fifth gas injection step SF5 may be included.

제1 차 가스 분사 단계(SF1)는 제1 유량(F1)으로 공정 가스 분사를 개시하는 단계일 수 있다. '유량'은 단위 시간 동안 가스가 분사되는 양(체적)을 의미한다. 즉, '유량'은 단위 시간 동안 가스 분사 유닛(600)으로부터 기판 열 처리 공간 내로 유입되는 공정 가스의 총 양을 의미한다. 다시 말해서 '유량'은 단위 시간 동안 가스 공급원(670)으로부터 제공되는 가스의 양을 의미할 수 있다.The first gas injection step SF1 may be a step of starting the process gas injection at the first flow rate F1 . 'Flow' refers to the amount (volume) that gas is injected for a unit time. That is, the 'flow rate' refers to the total amount of the process gas introduced into the substrate heat treatment space from the gas injection unit 600 for a unit time. In other words, the 'flow rate' may mean an amount of gas provided from the gas supply source 670 for a unit time.

다음으로, 제2 차 가스 분사 단계(SF2)는 제1 유량(F1)에서 제2 유량(F2)으로 유량을 감소시키며 공정 가스를 분사하는 단계일 수 있다. 제2 유량(F2)은 제1 유량(F1)보다 작은 유량일 수 있다. 제2 차 가스 분사 단계(SF2)는 후술할 제1 차 압력 제어 단계(SP1)와 완전히 동시에 수행될 수 있다.Next, the second gas injection step SF2 may be a step of reducing the flow rate from the first flow rate F1 to the second flow rate F2 and injecting the process gas. The second flow rate F2 may be a smaller flow rate than the first flow rate F1 . The second gas injection step SF2 may be performed completely simultaneously with the first pressure control step SP1 to be described later.

다음으로, 제3 차 가스 분사 단계(SF3)는 제2 유량(F2)을 유지하며 공정 가스를 분사하는 단계일 수 있다. 본 명세서에서, '유량을 유지'한다는 의미는 유량을 나타내는 수치 값이 변화하지 않는 경우뿐만 아니라, 의도적인 유량 변화를 가하지 않고 해당 수치 값의 10% 범위 내에서 유량이 변동하는 경우를 포함하는 의미이다.Next, the third gas injection step SF3 may be a step of spraying the process gas while maintaining the second flow rate F2 . In this specification, the meaning of 'maintaining the flow rate' includes not only the case where the numerical value indicating the flow rate does not change, but also the case where the flow rate varies within 10% of the numerical value without intentionally changing the flow rate. am.

제3 차 가스 분사 단계(SF3)는 후술할 제2 차 압력 제어 단계(SP2)와 완전히 동시에 수행될 수 있다. 제2 차 압력 제어 단계(SP2)에 의해 챔버(100) 내부 분위기를 유기 용액(1)의 유기 용매의 기화가 용이한 상태로 형성될 수 있고, 충분한 유량(즉, 제2 유량(F2))으로 공정 가스를 분사하여 유기 용액(1)의 기화를 촉진하고 유기 용매 증기의 배출을 유도할 수 있다. 즉, 제3 차 가스 분사 단계(SF3) 및 제2 차 압력 제어 단계(SP2)는 건조 확산 단계로서, 유기 용액(1)의 실질적인 건조를 수행하는 단계일 수 있다. The third gas injection step SF3 may be performed completely simultaneously with the second pressure control step SP2 to be described later. By the second pressure control step SP2, the internal atmosphere of the chamber 100 can be formed in a state in which the organic solvent of the organic solution 1 is easily vaporized, and a sufficient flow rate (ie, the second flow rate F2) By injecting the process gas into the evaporator, it is possible to promote the vaporization of the organic solution 1 and induce the discharge of the organic solvent vapor. That is, the third gas injection step SF3 and the second pressure control step SP2 are dry diffusion steps, and may be steps of substantially drying the organic solution 1 .

예시적인 실시예에서, 제2 유량(F2)은, 1분 당 열 처리 공간(500) 부피의 약 1배 이상, 또는 약 2배 이상, 또는 약 20배 이상의 값을 갖는 유량일 수 있다. 기판을 건조하는 단계(S200)인 제3 차 가스 분사 단계(SF3)에서 제2 유량(F2)을 상기 범위 내에 있도록 하여 유기 용매 증기의 원활한 배출을 유도할 수 있다.In an exemplary embodiment, the second flow rate F2 may be a flow rate having a value of about 1 times or more, or about 2 times or more, or about 20 times or more of the volume of the heat treatment space 500 per minute. In the third gas injection step (SF3), which is the step of drying the substrate (S200), the second flow rate (F2) is set within the above range to induce smooth discharge of the organic solvent vapor.

다음으로, 제4 차 가스 분사 단계(SF4)는 제2 유량(F2)에서 유량을 점차 감소시키며 공정 가스를 분사하는 단계일 수 있다. 예를 들어, 제4 차 가스 분사 단계(SF4)는 제2 유량(F2)에서 유량을 점차 감소시키며 공정 가스 분사를 중단하는 단계일 수 있다. 이를 통해 챔버(100) 내의 고진공을 달성할 수 있다.Next, the fourth gas injection step SF4 may be a step in which the process gas is injected while gradually decreasing the flow rate from the second flow rate F2 . For example, the fourth gas injection step SF4 may be a step in which the process gas injection is stopped while gradually decreasing the flow rate from the second flow rate F2 . Through this, it is possible to achieve a high vacuum in the chamber 100 .

다음으로, 제5 차 가스 분사 단계(SF5)는 공정 가스를 분사하지 않는 상태를 유지하는 단계일 수 있다. 제4 차 가스 분사 단계(SF4) 및 제5 차 가스 분사 단계(SF5)를 통해 챔버(100) 내부를 고진공 상태로 만들 수 있다.Next, the fifth gas injection step SF5 may be a step of maintaining a state in which the process gas is not injected. The inside of the chamber 100 may be in a high vacuum state through the fourth gas injection step SF4 and the fifth gas injection step SF5 .

몇몇 실시예에서, 기판(10)을 건조하는 단계(S200)는 막이 제조되는 공간(즉, 챔버)의 압력을 제어하는 단계를 더 포함하되, 상기 압력을 제어하는 단계는 순차적으로 수행되는 제1 차 압력 제어 단계(SP1), 제2 차 압력 제어 단계(SP2) 및 제3 차 압력 제어 단계(SP3)를 더 포함할 수 있다. 압력 제어는 배기 펌프(920)의 조작을 통해 수행될 수 있다.In some embodiments, drying the substrate 10 ( S200 ) further includes controlling a pressure of a space (ie, a chamber) in which a film is manufactured, wherein the controlling of the pressure is a first sequentially performed step. The method may further include a differential pressure control step SP1 , a second differential pressure control step SP2 , and a third differential pressure control step SP3 . Pressure control may be performed through operation of the exhaust pump 920 .

제1 차 압력 제어 단계(SP1)는 제1 압력(P1)에서 제2 압력(P2)으로 감압하는 단계일 수 있다. 제1 압력(P1)은 기판(10)이 인입된 후의 챔버(100) 내 압력일 수 있다. 예를 들어, 제1 압력(P1)은 약 700torr 이상, 또는 약 760 torr 이상의 대기압일 수 있다. 또, 제2 압력(P2)은 제1 압력(P1)보다 작은 압력일 수 있다. 예를 들어, 제2 압력(P2)은 약 0.1 torr 이상 10 torr 이하, 또는 약 0.1 torr 이상 1 torr 이하일 수 있다. The first pressure control step SP1 may be a step of reducing the pressure from the first pressure P1 to the second pressure P2. The first pressure P1 may be the pressure in the chamber 100 after the substrate 10 is introduced. For example, the first pressure P1 may be an atmospheric pressure of about 700 torr or more, or about 760 torr or more. Also, the second pressure P2 may be less than the first pressure P1 . For example, the second pressure P2 may be about 0.1 torr or more and 10 torr or less, or about 0.1 torr or more and 1 torr or less.

제1 차 압력 제어 단계(SP1)는 초기 감압 단계로서, 챔버(100) 내 분위기를 감압하여 감압 건조 공정을 시작하는 단계일 수 있다. 제1 차 압력 제어 단계(SP1)는 약 30초 이상 90초 이하의 시간 동안 수행될 수 있다.The first pressure control step SP1 is an initial pressure reduction step, and may be a step of starting a reduced pressure drying process by depressurizing the atmosphere in the chamber 100 . The first pressure control step SP1 may be performed for about 30 seconds or more and 90 seconds or less.

다음으로, 제2 차 압력 제어 단계(SP2)는 제2 압력(P2)을 유지하는 단계일 수 있다. 본 명세서에서, '압력을 유지'한다는 의미는 압력을 나타내는 수치 값이 변화하지 않는 경우 뿐만 아니라 의도적인 압력 제어를 가하지 않고 해당 수치 값의 10% 범위 내에서 압력이 변화하는 경우를 포함하는 의미이다.Next, the second pressure control step SP2 may be a step of maintaining the second pressure P2 . In this specification, the meaning of 'maintaining pressure' includes not only a case in which a numerical value indicating pressure does not change, but also a case in which the pressure is changed within 10% of the numerical value without intentionally applying pressure control. .

제2 차 압력 제어 단계(SP2)에서 챔버(100) 내부는 감압된 실질적인 진공 상태(즉, 제2 압력(P2) 상태)를 유지할 수 있다. 이를 통해 챔버(100) 내부 분위기를 건조 대상인 유기 용액(1)의 유기 용매의 포화 증기압과 같거나 더 낮게 형성하여 이를 통해 유기 용매의 기화를 용이하게 할 수 있다.In the second pressure control step SP2 , the inside of the chamber 100 may maintain a substantially reduced vacuum state (ie, the second pressure P2 state). Through this, the internal atmosphere of the chamber 100 is formed to be equal to or lower than the saturated vapor pressure of the organic solvent of the organic solution 1 to be dried, thereby facilitating vaporization of the organic solvent.

다음으로, 제3 차 압력 제어 단계(SP3)는 제2 압력(P2)에서 제3 압력(P3)으로 감압하는 단계일 수 있다. 제3 압력(P3)은 제2 압력(P2)보다 작은 압력일 수 있다. 예를 들어, 제3 압력(P3)은 약 10^-4 torr 이상 10^-2 torr 이하, 또는 약 10^-3 torr일 수 있다. 제3 차 압력 제어 단계(SP3)에서 챔버(100) 내부는 고진공 상태에 이를 수 있다. 제3 차 압력 제어 단계(SP3)에서의 단위 시간 당 압력 변화율은 제1 차 압력 제어 단계(SP1)에서의 단위 시간 당 압력 변화율보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제3 차 압력 제어 단계(SP3)는 상술한 제4 차 가스 분사 단계(SF4) 및 제5 차 가스 분사 단계(SF5)와 적어도 부분적으로 동시에 수행될 수 있다.Next, the third pressure control step SP3 may be a step of reducing the pressure from the second pressure P2 to the third pressure P3 . The third pressure P3 may be less than the second pressure P2 . For example, the third pressure P3 may be about 10 ^-4 torr or more and 10 ^-2 torr or less, or about 10 ^-3 torr. In the third pressure control step SP3, the inside of the chamber 100 may reach a high vacuum state. The pressure change rate per unit time in the third pressure control step SP3 may be smaller than the pressure change rate per unit time in the first pressure control step SP1 . For example, the third pressure control step SP3 may be performed at least partially simultaneously with the fourth and fifth gas injection steps SF4 and SF5 described above.

제1 차 압력 제어 단계(SP1) 내지 제3 차 압력 제어 단계(SP3)에서, 기판(10)의 유기 용액(1)의 전체 중량의 약 90% 이상은 기화되어 유기 용매 증기 상태로 배출될 수 있다. 유기 용액(1) 중 기화되지 않고 잔존하는 고형분 및 잔여 유기 용매는 베이스 기판(3) 상에서 후술할 유기층(2)을 형성할 수 있다. 제1 차 압력 제어 단계(SP1) 내지 제3 차 압력 제어 단계(SP3)는 약 5분 이상 10분 이하의 시간에 걸쳐서 연속적으로 수행될 수 있다.In the first pressure control step SP1 to the third pressure control step SP3, about 90% or more of the total weight of the organic solution 1 of the substrate 10 is vaporized and discharged as an organic solvent vapor. there is. The solid content and residual organic solvent remaining without being vaporized in the organic solution 1 may form an organic layer 2 to be described later on the base substrate 3 . The first pressure control step SP1 to the third pressure control step SP3 may be continuously performed over a period of about 5 minutes or more and 10 minutes or less.

몇몇 실시예에서, 기판(10)을 개재하는 단계 후에 커튼 가스 분사부(830)를 이용하여 커튼 가스를 분사하는 단계를 더 포함할 수 있다. 커튼 가스 분사부(830)를 통해 분사되는 커튼 가스의 유량은 제1 유로부(610)를 통해 분사되는 공정 가스 유량의 30% 이상 100% 이하일 수 있다. 예를 들어, 커튼 가스의 유량은 공정 가스의 유량보다 작을 수 있다. 커튼 가스와 공정 가스의 유량을 상기 범위 내에서 조절하여 열 처리 공간(500)을 외부와 차단할 수 있고 이를 통해 기판(10)에 불순물이 부착되는 것을 방지할 수 있으며, 공정 가스가 손실되는 것을 막고 온전히 기판(10)의 열 처리에 사용할 수 있다.In some embodiments, after interposing the substrate 10 , the method may further include injecting the curtain gas using the curtain gas ejection unit 830 . The flow rate of the curtain gas injected through the curtain gas injection unit 830 may be 30% or more and 100% or less of the flow rate of the process gas injected through the first flow path unit 610 . For example, the flow rate of the curtain gas may be less than the flow rate of the process gas. By controlling the flow rates of the curtain gas and the process gas within the above range, it is possible to block the heat treatment space 500 from the outside, thereby preventing impurities from adhering to the substrate 10, and preventing process gas from being lost. It can be used for the heat treatment of the substrate 10 entirely.

도 20은 가스를 분사하여 기판을 베이크하는 단계를 나타낸 열 처리 장치의 측단면도이다. 도 21은 도 20의 기판을 확대하여 나타낸 단면도이다.20 is a side cross-sectional view of a thermal processing apparatus illustrating a step of baking a substrate by spraying a gas. 21 is an enlarged cross-sectional view of the substrate of FIG. 20 .

도 17, 도 20 및 도 21을 참조하면, 기판(11) 측으로 공정 가스를 분사하여 기판(11)을 베이크(baking)한다(S300). 기판(11)을 베이크하는 단계(S300)는 기판(11)의 유기층(2)의 막 특성을 제어하는 단계일 수 있다. 본 단계(S300)에서 유기층(2)은 도 19의 유기 용액(1)이 건조되어 약 90 중량% 이상이 기화된 후에 베이스 기판(3) 상에 잔존하는 유기막일 수 있다. 본 단계(S300)에서 기판(11)은 약 200℃ 이상 300℃ 이하의 온도로 열 처리될 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 또 유기층(2)을 베이크하는 단계(S300)는 약 20분 이상 40분 이하의 시간 동안 수행될 수 있다.17, 20, and 21 , the substrate 11 is baked by spraying a process gas toward the substrate 11 ( S300 ). The step of baking the substrate 11 ( S300 ) may be a step of controlling the film characteristics of the organic layer 2 of the substrate 11 . In this step ( S300 ), the organic layer 2 may be an organic layer remaining on the base substrate 3 after the organic solution 1 of FIG. 19 is dried and about 90 wt% or more is vaporized. In this step (S300), the substrate 11 may be heat-treated at a temperature of about 200° C. or more and 300° C. or less, but the present invention is not limited thereto. Also, the step of baking the organic layer 2 ( S300 ) may be performed for about 20 minutes or more and 40 minutes or less.

상기 공정 가스를 분사하여 유기층(2)을 베이크하는 단계(S300)에서, 가스 공급원(670)으로부터 제공되는 공정 가스는 가스 공급관(650) 및 제1 유로부(610)를 거쳐 제1 유로부(610)의 분사홀을 통해 기판(11) 측으로 분사될 수 있다. 분사된 상기 공정 가스는 기판(11)의 유기층(2)과 접촉할 수 있다. 이 경우 기판(11)과 제2 히팅 플레이트(300)의 하면 사이의 이격 거리는 약 1mm 이상 20mm 이하, 또는 약 10mm를 유지하고 있을 수 있다. 즉, 유기층(2)을 베이크하는 단계(S300)와 유기 용액(1)을 건조하는 단계(S200)는 하나의 챔버(100) 내에서 연속적으로 수행되며, 상승 수단(450)에 의해 상승된 기판(11)은 위치가 움직이지 않고 고정된 상태일 수 있다.In the step (S300) of baking the organic layer 2 by spraying the process gas, the process gas provided from the gas supply source 670 passes through the gas supply pipe 650 and the first flow path part 610 to the first flow path part ( It may be injected toward the substrate 11 through the injection hole of the 610 . The injected process gas may contact the organic layer 2 of the substrate 11 . In this case, the separation distance between the substrate 11 and the lower surface of the second heating plate 300 may be maintained at about 1 mm or more and 20 mm or less, or about 10 mm. That is, baking the organic layer 2 ( S300 ) and drying the organic solution 1 ( S200 ) are continuously performed in one chamber 100 , and the substrate raised by the lifting means 450 . (11) may be in a fixed state without moving the position.

본 단계(S300)에서 사용하는 공정 가스는 상술한 유기 용액을 건조하여 유기 용매를 기화시키는 단계(S200)에서 사용한 공정 가스와 동일하거나 상이할 수 있다. 도 20은 도 1 등의 실시예에 따른 열 처리 장치(1000)를 이용하는 경우를 예시하고 있으나, 다른 실시예에서 도 9 등의 실시예에 따른 열 처리 장치(1001)를 이용할 수도 있다.The process gas used in this step (S300) may be the same as or different from the process gas used in the step (S200) of vaporizing the organic solvent by drying the above-described organic solution. FIG. 20 exemplifies the case of using the thermal processing apparatus 1000 according to the embodiment of FIG. 1 , but in another embodiment, the thermal processing apparatus 1001 according to the embodiment of FIG. 9 and the like may be used.

유기층(2)과 접촉한 후의 상기 공정 가스는 제2 히팅 플레이트(300)의 슬릿(310)들을 통해 열 처리 공간(500) 외부로 배출될 수 있다. 예를 들어, 상기 공정 가스는 제2 히팅 플레이트(300)의 하측으로부터 상측으로 이동할 수 있고 배기 후드(910)에 의해 포집될 수 있다.The process gas after contacting the organic layer 2 may be discharged to the outside of the heat treatment space 500 through the slits 310 of the second heating plate 300 . For example, the process gas may move from the lower side to the upper side of the second heating plate 300 and may be collected by the exhaust hood 910 .

또, 유기층(2)으로부터 추가적으로 기화된 유기 용매 증기 및/또는 열 처리 공간(500) 내에 잔존하고 있던 잔류 용매 증기는 제2 히팅 플레이트(300)의 슬릿(310)들을 통해 열 처리 공간(500) 외부로 배출될 수 있다. 예를 들어, 상기 추가적으로 기화된 유기 용매 증기 및/또는 잔류 용매 증기는 제2 히팅 플레이트(300) 하측으로부터 상측으로 이동할 수 있고 배기 후드(910)에 의해 포집될 수 있다.In addition, the organic solvent vapor additionally vaporized from the organic layer 2 and/or the residual solvent vapor remaining in the heat treatment space 500 passes through the slits 310 of the second heating plate 300 in the heat treatment space 500 . can be discharged outside. For example, the additionally vaporized organic solvent vapor and/or residual solvent vapor may move from the lower side to the upper side of the second heating plate 300 and may be collected by the exhaust hood 910 .

본 실시예에 따른 막 제조 방법은 상술한 유기 용액을 건조하는 단계(S200)와 유기층을 베이크하는 단계(S300)가 동일한 챔버(100) 내에서 연속적으로 수행됨에도 불구하고 공정 가스에 의한 수평 방향의 기류를 형성할 수 있고, 이를 통해 하나의 화소에서 가장자리부에서와 중앙부에서의 막 두께 등의 막 특성을 용이하게 제어할 수 있어 공정을 단순화할 수 있다.In the film manufacturing method according to the present embodiment, although the above-described step of drying the organic solution (S200) and the step of baking the organic layer (S300) are continuously performed in the same chamber 100, the horizontal direction by the process gas An airflow can be formed, and through this, film characteristics such as film thickness at the edge and at the center can be easily controlled in one pixel, thereby simplifying the process.

예시적인 실시예에서, 기판(11)을 베이크하는 단계(S300)는 순차적으로 수행되는 제6 차 가스 분사 단계(SF6), 제7 차 가스 분사 단계(SF7) 및 제8 차 가스 분사 단계(SF8)를 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment, the step of baking the substrate 11 ( S300 ) may include a sixth gas spraying step SF6 , a seventh gas spraying step SF7 , and an eighth gas spraying step SF8 sequentially performed. ) may be included.

제6 차 가스 분사 단계(SF6)는 공정 가스의 분사를 재개하는 초기 베이크 단계일 수 있다. 제6 차 가스 분사 단계(SF6)는 유량을 점차 증가시키며 공정 가스를 분사하는 단계일 수 있다. 예를 들어, 제6 차 가스 분사 단계(SF6)는 제3 유량(F3)까지 공정 가스의 유량을 점차 증가시키며 공정 가스를 분사하는 단계일 수 있다.The sixth gas injection step SF6 may be an initial bake step in which injection of the process gas is resumed. The sixth gas injection step SF6 may be a step in which the process gas is injected while gradually increasing the flow rate. For example, the sixth gas injection step SF6 may be a step in which the process gas is injected while gradually increasing the flow rate of the process gas up to the third flow rate F3 .

다음으로, 제7 차 가스 분사 단계(SF7)는 제3 유량(F3)을 유지하며 공정 가스를 분사하는 단계일 수 있다.Next, the seventh gas injection step SF7 may be a step of spraying the process gas while maintaining the third flow rate F3 .

제7 차 가스 분사 단계(SF7)는 후술할 제6 차 압력 제어 단계(SP6)와 적어도 부분적으로 동시에 수행될 수 있다. 고온의 공정 가스를 충분한 유량(즉, 제3 유량(F3))으로 분사하여 유기층(2)을 베이크할 수 있고, 특히 상기 공정 가스에 의한 수평 방향 기류를 형성할 수 있다.The seventh gas injection step SF7 may be performed at least partially simultaneously with a sixth pressure control step SP6 to be described later. The organic layer 2 may be baked by spraying the high-temperature process gas at a sufficient flow rate (ie, the third flow rate F3), and in particular, a horizontal airflow may be formed by the process gas.

예시적인 실시예에서, 제3 유량(F3)은 1분 당 열 처리 공간(500) 부피의 약 5배 이상, 또는 약 10배 이상, 또는 약 100배 이상의 값을 갖는 유량일 수 있다. 기판을 베이크하는 단계(S300)인 제7 차 가스 분사 단계(SF7)에서 제3 유량(F3)을 상기 범위 내에 있도록 하여 하나의 화소 내에서 중앙부와 가장자리부에서의 막 두께를 보다 균일하게 형성할 수 있다.In an exemplary embodiment, the third flow rate F3 may be a flow rate having a value of about 5 times or more, or about 10 times or more, or about 100 times or more of the volume of the heat treatment space 500 per minute. In the seventh gas injection step (SF7), which is the step (S300) of baking the substrate, the third flow rate (F3) is set within the above range to form a more uniform film thickness at the center portion and the edge portion within one pixel. can

다음으로, 제8 차 가스 분사 단계(SF8)는 제3 유량(F3)에서 유량을 점차 감소시키며 공정 가스를 분사하는 단계일 수 있다. 예를 들어, 제8 차 가스 분사 단계(SF8)는 제3 유량(F3)에서 유량을 점차 감소시키며 공정 가스 분사를 중단하고, 기판(11)의 유기층(2) 표면을 안정화시키는 단계일 수 있다.Next, the eighth gas injection step SF8 may be a step in which the process gas is injected while gradually decreasing the flow rate from the third flow rate F3 . For example, the eighth gas spraying step SF8 may be a step of gradually decreasing the flow rate at the third flow rate F3 to stop spraying the process gas, and stabilizing the surface of the organic layer 2 of the substrate 11 . .

몇몇 실시예에서, 기판(11)을 베이크하는 단계(S300)는 막이 제조되는 공간의 압력을 제어하는 단계를 더 포함하되, 상기 압력을 제어하는 단계는 순차적으로 수행되는 제4 차 압력 제어 단계(SP4) 및 제5 차 압력 제어 단계(SP5)를 포함하고, 제6 차 압력 제어 단계(SP6)를 더 포함할 수 있다.In some embodiments, the step of baking the substrate 11 ( S300 ) further includes the step of controlling the pressure of the space in which the film is manufactured, and the step of controlling the pressure is a fourth pressure control step ( SP4) and a fifth pressure control step SP5, and may further include a sixth pressure control step SP6.

제4 차 압력 제어 단계(SP4)는 제3 압력(P3)을 유지하는 단계일 수 있다. 즉, 챔버(100) 내부의 고진공 상태를 유지하는 단계일 수 있다. 예를 들어, 제4 차 압력 제어 단계(SP4)는 적어도 부분적으로 상술한 제6 차 가스 분사 단계(SF6)와 동시에 수행될 수 있다.The fourth pressure control step SP4 may be a step of maintaining the third pressure P3 . That is, it may be a step of maintaining a high vacuum state inside the chamber 100 . For example, the fourth pressure control step SP4 may be at least partially performed simultaneously with the above-described sixth gas injection step SF6 .

제5 차 압력 제어 단계(SP5)는 제3 압력(P3)에서 제4 압력(P4)으로 가압하는 단계일 수 있다. 제4 압력(P4)은 제3 압력(P3)보다 큰 압력일 수 있다. 예를 들어, 제4 압력(P4)은 약 700 torr 이상, 또는 약 760 torr 이상의 대기압일 수 있다. 제4 압력(P4)은 제1 압력(P1)과 동일하거나 상이할 수 있다.The fifth pressure control step SP5 may be a step of pressurizing the third pressure P3 to the fourth pressure P4 . The fourth pressure P4 may be greater than the third pressure P3 . For example, the fourth pressure P4 may be an atmospheric pressure of about 700 torr or more, or about 760 torr or more. The fourth pressure P4 may be the same as or different from the first pressure P1 .

제4 차 압력 제어 단계(SP4) 및 제5 차 압력 제어 단계(SP5)는 약 15분 이상 25분 이하의 시간에 걸쳐서 연속적으로 수행될 수 있다.The fourth pressure control step SP4 and the fifth pressure control step SP5 may be continuously performed over a period of about 15 minutes or more and 25 minutes or less.

제6 차 압력 제어 단계(SP6)는 제4 압력(P4)을 유지하는 단계일 수 있다. 즉, 챔버(100) 내부를 대기압으로 유지하는 단계일 수 있다. 이 경우 제6 차 압력 제어 단계(SP6)는 상술한 제7 차 가스 분사 단계(SF7)와 적어도 부분적으로 동시에 수행될 수 있다. 나아가, 제6 차 압력 제어 단계(SP6)는 상술한 제8 차 가스 분사 단계(SF8)와 적어도 부분적으로 동시에 수행될 수 있다. 제6 차 압력 제어 단계(SP6)는 약 5분 이상 15분 이하의 시간 동안 수행될 수 있다.The sixth pressure control step SP6 may be a step of maintaining the fourth pressure P4 . That is, it may be a step of maintaining the inside of the chamber 100 at atmospheric pressure. In this case, the sixth pressure control step SP6 may be performed at least partially simultaneously with the above-described seventh gas injection step SF7. Furthermore, the sixth pressure control step SP6 may be performed at least partially simultaneously with the above-described eighth gas injection step SF8 . The sixth pressure control step SP6 may be performed for about 5 minutes or more and 15 minutes or less.

제4 차 압력 제어 단계(SP4) 내지 제6 차 압력 제어 단계(SP6)에서, 기판(11)의 유기층(2)의 막 두께 등의 막 특성이 제어될 수 있다. 예를 들어, 하나의 화소 내에 위치하는 유기층(2)의 중앙부에서의 두께와 가장자리부에서의 두께 차이가 감소되어 화소 내 균일도(IPU)가 향상될 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.In the fourth pressure control step SP4 to the sixth pressure control step SP6 , the film properties such as the film thickness of the organic layer 2 of the substrate 11 can be controlled. For example, the difference between the thickness at the center and the thickness at the edge of the organic layer 2 positioned in one pixel may be reduced to improve the uniformity (IPU) within the pixel, but the present invention is not limited thereto.

종래의 건조 공정은 기화된 다량의 유기 용매 증기를 원활히 배출할 수 있는 특성이 요구되고 베이크 공정은 온도 제어 특성이 요구되어 이들을 하나의 챔버 내에서 수행하기는 곤란한 문제가 있었다. 그러나 본 실시예에 따른 열 처리 장치 및 막 제조 방법에 따르면, 기화된 유기 용매 증기와 공정 가스의 배출 통로를 제공하는 제2 히팅 플레이트(상부 히팅 플레이트)의 슬릿의 배열 밀도를 중앙부에서 가장자리부에 비해 크게 구성함으로써 기화된 다량의 유기 용매 증기의 배출 특성을 나타냄과 동시에 고온의 공정 가스를 분사하여 막 특성의 제어가 용이한 효과가 있다. 이를 통해 종래의 건조 공정과 베이크 공정을 하나의 챔버 내에서 연속적으로 수행할 수 있어 챔버 외부로의 인출 및 재인입에 따른 택트 타임을 감소하고 기판의 오염 가능성을 최소화할 수 있다.The conventional drying process requires a characteristic capable of smoothly discharging a large amount of vaporized organic solvent vapor, and the bake process requires a temperature control characteristic, so it is difficult to perform them in one chamber. However, according to the heat treatment apparatus and the film manufacturing method according to the present embodiment, the arrangement density of the slits of the second heating plate (upper heating plate) providing a discharge passage for the vaporized organic solvent vapor and the process gas is increased from the central portion to the edge portion. By configuring it to be larger than that, it exhibits the discharge characteristics of a large amount of vaporized organic solvent vapor, and at the same time, there is an effect that it is easy to control the film characteristics by injecting a high-temperature process gas. Through this, the conventional drying process and the baking process can be continuously performed in one chamber, thereby reducing the tact time due to withdrawal and re-introduction to the outside of the chamber and minimizing the possibility of contamination of the substrate.

이하, 실험예를 통해 본 발명에 따른 열 처리 장치 및 막 제조 방법의 효과에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, the effects of the heat treatment apparatus and the film manufacturing method according to the present invention will be described in detail through experimental examples.

[[ 실험예Experimental example 1: 공정 가스 유량에 따른 건조 공정의 막 균일도 특성] 1: Characteristics of film uniformity in drying process according to process gas flow rate]

도 1에 따른 열 처리 장치에 3.7인치 유기 발광 소자 제조용 패널 두 개가 포함된 300mm×300mm 크기의 기판을 인입하였다. 상기 기판은 메틸벤조에이트 및 디에틸프탈레이트를 포함하는 유기 용액이 토출된 상태였다. 그리고 공정 가스의 유량을 바꾸어가며 유기 용액의 건조를 진행하였으며 화소 내 균일도(In Pixel Uniformity, IPU)를 측정한 결과를 도 22에 나타내었다. 제1 히팅 플레이트와 제2 히팅 플레이트의 온도는 모두 40℃였다. 실험 조건은 공정 가스를 분사하지 않은 경우, 및 0.2 L/min, 0.5 L/min, 1 L/min, 1.5 L/min, 2 L/min의 유량으로 분사한 경우였다. 공정 가스를 분사한 경우 40℃의 질소 가스를 60초 동안 분사하였다.A substrate having a size of 300 mm×300 mm including two 3.7-inch panels for manufacturing an organic light emitting diode was inserted into the heat treatment apparatus according to FIG. 1 . The substrate was in a state in which an organic solution containing methyl benzoate and diethyl phthalate was discharged. The organic solution was dried while changing the flow rate of the process gas, and the results of measuring In Pixel Uniformity (IPU) are shown in FIG. 22 . The temperature of both the first heating plate and the second heating plate was 40 ℃. Experimental conditions were a case in which the process gas was not sprayed and a case in which the process gas was sprayed at flow rates of 0.2 L/min, 0.5 L/min, 1 L/min, 1.5 L/min, and 2 L/min. When the process gas was sprayed, nitrogen gas at 40° C. was sprayed for 60 seconds.

화소 내 균일도는 하나의 화소 내에서 유기 용매가 기화된 후에 잔존하는 유기층의 중간 두께보다 큰 두께를 갖는 부분이 차지하는 평면상 면적의 비율을 의미한다. 즉, 화소 내 균일도가 100%에 가까울수록 막 두께가 고르고 평탄한 것을 의미한다.The uniformity within a pixel means a ratio of a planar area occupied by a portion having a thickness greater than the middle thickness of the organic layer remaining after the organic solvent is vaporized in one pixel. That is, the closer the uniformity within the pixel is to 100%, the more uniform and flat the film thickness is.

도 22는 각 실험 조건에서의 화소 내 균일도(In Pixel Uniformity, IPU)를 측정한 결과이다.22 is a result of measuring In Pixel Uniformity (IPU) in each experimental condition.

도 22를 참조하면, 공정 가스의 유량이 증가할수록 화소 내 균일도가 증가하는 것을 확인할 수 있다. 즉, 건조 단계에서 분사하는 공정 가스가 유기층의 화소 내 균일도 개선에 영향을 주는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 22 , as the flow rate of the process gas increases, it can be seen that the uniformity within the pixel increases. That is, it can be seen that the process gas injected in the drying step affects the improvement of the uniformity in the pixels of the organic layer.

[[ 실험예Experimental example 2: 공정 가스 유량에 따른 잔류 유기 용매 증기 함량] 2: Residual organic solvent vapor content as a function of process gas flow]

도 1에 따른 열 처리 장치에 3.7인치 유기 발광 소자 제조용 패널 두 개가 포함된 300mm×300mm 크기의 기판을 인입하였다. 상기 기판은 메틸벤조에이트 및 디에틸프탈레이트를 포함하는 유기 용액이 토출된 상태였다. 그리고 40℃의 질소 가스를 0.2 L/min 및 2 L/min의 유량으로 분사하며 챔버 내 잔류 유기 용매의 함량을 측정하여 그 결과를 도 23에 나타내었다. 그 외 실험 조건은 실험예 1과 동일하다. 잔류 유기 용매의 함량 측정은 잔류가스분석기(RGA)를 이용하여 수행하였다.A substrate having a size of 300 mm×300 mm including two 3.7-inch panels for manufacturing an organic light emitting diode was inserted into the heat treatment apparatus according to FIG. 1 . The substrate was in a state in which an organic solution containing methyl benzoate and diethyl phthalate was discharged. Then, nitrogen gas at 40° C. was sprayed at flow rates of 0.2 L/min and 2 L/min, and the content of the residual organic solvent in the chamber was measured, and the results are shown in FIG. 23 . Other experimental conditions are the same as in Experimental Example 1. The content of the residual organic solvent was measured using a residual gas analyzer (RGA).

도 23은 0.2 L/min 유량으로 공정 가스를 분사한 경우(좌)와 2 L/min 유량으로 공정 가스를 분사한 경우(우)의 시간에 따른 챔버 내 잔류 유기 용매 증기의 부분압력을 측정한 결과이다.23 is a measurement of partial pressure of residual organic solvent vapor in the chamber over time when the process gas is injected at a flow rate of 0.2 L/min (left) and when the process gas is injected at a flow rate of 2 L/min (right) It is the result.

도 23을 참조하면, 공정 가스의 유량이 2 L/min인 경우에 챔버 내 잔류 유기 용매의 각 성분의 함량이 더 작은 것을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 23 , it can be seen that the content of each component of the residual organic solvent in the chamber is smaller when the flow rate of the process gas is 2 L/min.

[[ 실험예Experimental example 3: 공정 가스 유량에 따른 3: Depending on the process gas flow 베이크bake 공정의 막 균일도 특성] Film uniformity characteristics of the process]

도 1에 따른 열 처리 장치에 3.7인치 유기 발광 소자 제조용 패널 두 개가 포함된 300mm×300mm 크기의 기판을 인입하였다. 상기 기판은 정공 주입 물질을 포함하는 유기 용액이 토출된 상태였다. 그리고 40℃의 질소 가스를 2 L/min의 유량으로 60초 동안 분사하여 유기 용액을 건조하였다. 그 외 건조 조건은 실험예 1과 동일하다. 그 다음 질소 가스의 온도, 분사 시간 및 분사 유량을 바꾸어가며 정공 주입층의 베이크를 진행하였다. A substrate having a size of 300 mm×300 mm including two 3.7-inch panels for manufacturing an organic light emitting diode was inserted into the heat treatment apparatus according to FIG. 1 . The substrate was in a state in which an organic solution containing a hole injection material was discharged. Then, nitrogen gas at 40° C. was sprayed at a flow rate of 2 L/min for 60 seconds to dry the organic solution. Other drying conditions are the same as in Experimental Example 1. Then, the hole injection layer was baked while changing the temperature, injection time, and injection flow rate of the nitrogen gas.

이어서 정공 주입층 상에 정공 수송 물질을 포함하는 유기 용액을 토출한 후 상기 건조 공정과 정공 수송층의 베이크 공정을 반복하였다. Then, after discharging the organic solution including the hole transport material on the hole injection layer, the drying process and the baking process of the hole transport layer were repeated.

상기 과정을 통해 형성된 정공 주입층 및 정공 수송층의 화소 내 균일도를 측정한 결과를 도 24에 나타내었다. 실험예 3에서 사용한 실험 조건을 표 1에 나타내었다.24 shows the results of measuring the uniformity in the pixel of the hole injection layer and the hole transport layer formed through the above process. The experimental conditions used in Experimental Example 3 are shown in Table 1.

가스 온도(℃)Gas temperature (℃) 분사 시간(min)Injection time (min) 분사 유량(L/min)Injection flow rate (L/min) Condition 1Condition 1 200200 1010 22 Condition 2Condition 2 200200 3030 22 Condition 3Condition 3 250250 1010 22 Condition 4Condition 4 250250 3030 22 Condition 5Condition 5 200200 1010 2020 Condition 6Condition 6 200200 3030 2020 Condition 7Condition 7 250250 1010 2020 Condition 8Condition 8 250250 3030 2020

도 24(a)는 각 실험 조건에서의 화소 내 균일도(In Pixel Uniformity, IPU)를 측정한 결과이다.24(a) is a result of measuring In Pixel Uniformity (IPU) in each experimental condition.

표 1 및 도 24(a)를 참조하면, 공정 가스의 온도와 공정 가스 분사 시간이 동일한 경우에도 공정 가스의 분사 유량이 큰 경우에 화소 내 균일도가 증가하는 것을 확인할 수 있다. 즉, 베이크 단계에서 분사하는 공정 가스가 유기층의 막 특성 제어에 기여하여 화소 내 두께 균일도 개선에 영향을 주는 것을 알 수 있다.Referring to Table 1 and FIG. 24A , even when the temperature of the process gas and the injection time of the process gas are the same, it can be seen that the uniformity in the pixel is increased when the injection flow rate of the process gas is large. That is, it can be seen that the process gas injected in the baking step contributes to the control of the film characteristics of the organic layer, thereby affecting the improvement of the thickness uniformity in the pixel.

도 24(b)는 2 L/min 유량으로 공정 가스를 분사한 경우(상)와 20 L/min 유량으로 공정 가스를 분사한 경우(하)의 유기막 단면 프로파일을 측정한 결과이다. 화소 내의 유기막의 단면 프로파일은 단변 방향과 장변 방향에서 모두 측정하였다. 단면 프로파일의 측정은 SNU를 이용하여 수행하였다.24(b) is a result of measuring the cross-sectional profile of the organic film when the process gas is sprayed at a flow rate of 2 L/min (top) and when the process gas is sprayed at a flow rate of 20 L/min (bottom). The cross-sectional profile of the organic layer in the pixel was measured in both the short side direction and the long side direction. The cross-sectional profile was measured using an SNU.

표 1 및 도 24(b)를 참조하면, 2 L/min 유량으로 공정 가스를 분사한 경우, 화소의 가장자리부에서 유기막 표면이 하측으로 볼록하게 형성되는 것을 확인할 수 있다. 즉, 화소의 가장자리부에서 유기막의 급격한 두께 감소가 발생하는 것을 확인할 수 있다. 반면 20 L/min 유량으로 공정 가스를 분사한 경우, 2 L/min인 경우에 비해 화소 가장자리부에서의 두께 감소가 상대적으로 적은 것을 확인할 수 있다. 즉, 베이크 단계에서 분사하는 공정 가스가 유기층의 막 특성 제어에 기여하여 화소 내 두께 균일도 개선에 영향을 주는 것을 알 수 있다.Referring to Table 1 and FIG. 24( b ), when the process gas is injected at a flow rate of 2 L/min, it can be seen that the surface of the organic layer is convex downward at the edge of the pixel. That is, it can be seen that a sharp decrease in the thickness of the organic layer occurs at the edge of the pixel. On the other hand, when the process gas is injected at a flow rate of 20 L/min, it can be seen that the thickness reduction at the edge of the pixel is relatively small compared to the case of 2 L/min. That is, it can be seen that the process gas injected in the baking step contributes to the control of the film characteristics of the organic layer, thereby affecting the improvement of the thickness uniformity in the pixel.

[[ 실험예Experimental example 4: 공정 가스 유량에 따른 수평 방향 기류 측정] 4: Measurement of horizontal airflow according to process gas flow]

3.7인치 유기 발광 소자 제조용 패널 두 개가 포함된 300mm×300mm 크기의 기판에 도 1의 실시예에 따른 열 처리 장치를 이용하여 질소 가스를 2 L/min으로 분사한 경우와 20 L/min으로 분사한 경우의 수평 방향 기류 속도를 시뮬레이션하였고, 그 결과를 도 25에 나타내었다.A case in which nitrogen gas was sprayed at 2 L/min and at 20 L/min using the heat treatment device according to the embodiment of FIG. The horizontal airflow velocity of the case was simulated, and the results are shown in FIG. 25 .

도 25는 2 L/min 유량으로 공정 가스를 분사한 경우(상)와 20 L/min 유량으로 공정 가스를 분사한 경우(하)의 3.7인치 패널 위치 별 기류 속도를 시뮬레이션한 결과이다. 패널 위치는 장변 방향으로 9개 영역 및 단변 방향으로 9개 영역으로 구획하여 총 81개 영역에 대한 시뮬레이션을 진행하였다.25 is a simulation result of airflow velocity for each position of the 3.7 inch panel in the case where the process gas is sprayed at a flow rate of 2 L/min (top) and when the process gas is sprayed at a flow rate of 20 L/min (bottom). The panel location was divided into 9 areas in the long side direction and 9 areas in the short side direction, and simulations were performed for a total of 81 areas.

도 25를 참조하면, 공정 가스의 유량에 따라 패널 내 동일한 위치에서 수평 기류 속도에 차이가 발생하는 것을 확인할 수 있다. 2 L/min의 유량으로 분사한 경우 수평 기류의 평균 속도는 0.028m/s였고, 20 L/min의 유량으로 분사한 경우 수평 기류의 평균 속도는 0.15 m/s였다. 즉, 공정 가스의 유량이 증가한 경우 패널 전체 면적에 걸쳐 약 5배 큰 정도의 수평 기류를 형성할 수 있음을 알 수 있다.Referring to FIG. 25 , it can be seen that a difference occurs in the horizontal airflow velocity at the same position in the panel according to the flow rate of the process gas. When spraying at a flow rate of 2 L/min, the average speed of the horizontal airflow was 0.028 m/s, and when spraying at a flow rate of 20 L/min, the average speed of the horizontal airflow was 0.15 m/s. That is, it can be seen that when the flow rate of the process gas is increased, it is possible to form a horizontal airflow that is about 5 times greater over the entire area of the panel.

이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the embodiment of the present invention has been mainly described, but this is only an example and does not limit the present invention. It will be appreciated that various modifications and applications not exemplified above are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment of the present invention may be implemented by modification. And differences related to such modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

100: 챔버
200: 제1 히팅 플레이트
300: 제2 히팅 플레이트
400: 기판 안착 플레이트
500: 가스 분사 유닛100: chamber
200: first heating plate
300: second heating plate
400: substrate mounting plate
500: gas injection unit

Claims

챔버;
상기 챔버 내에 배치된 제1 히팅 플레이트;
상기 챔버 내에 배치되고, 상기 제1 히팅 플레이트의 일면 상에 배치되며, 복수의 슬릿을 갖는 제2 히팅 플레이트; 및
상기 제1 히팅 플레이트의 상기 일면 측으로 가스를 분사하도록 구성된 가스 분사 유닛을 포함하되,
상기 제2 히팅 플레이트의 중앙부에서의 단위 면적 당 상기 슬릿이 차지하는 평면상 면적은,
상기 제2 히팅 플레이트의 가장자리부에서의 단위 면적 당 상기 슬릿이 차지하는 평면상 면적보다 크고,
상기 제1 히팅 플레이트와 상기 제2 히팅 플레이트 사이에는 열 처리 공간이 정의되고,
상기 열 처리 공간의 가장자리부에 비해 중앙부에 더 많은 열량을 가할 수 있도록 구성된 제1 서브 히터를 더 포함하는 열 처리 장치.chamber;
a first heating plate disposed in the chamber;
a second heating plate disposed in the chamber, disposed on one surface of the first heating plate, and having a plurality of slits; and
Including a gas injection unit configured to inject gas toward the one surface side of the first heating plate,
The planar area occupied by the slit per unit area in the central part of the second heating plate is,
It is larger than the planar area occupied by the slit per unit area at the edge of the second heating plate,
A heat treatment space is defined between the first heating plate and the second heating plate,
and a first sub-heater configured to apply a greater amount of heat to a central portion than to an edge portion of the heat treatment space.

제1항에 있어서,
상기 가스 분사 유닛은,
상기 제1 히팅 플레이트의 상기 일면과 평행한 제1 방향으로 연장되어 상기 제1 방향으로의 유로를 제공하고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격 배치된 복수의 제1 유로부를 포함하는 열 처리 장치.According to claim 1,
The gas injection unit,
It extends in a first direction parallel to the one surface of the first heating plate to provide a flow path in the first direction, and includes a plurality of first flow path parts spaced apart from each other in a second direction intersecting the first direction heat treatment unit.

제2항에 있어서,
상기 슬릿은 상기 제1 방향으로 연장된 형상이고,
상기 슬릿의 상기 제1 방향의 중앙부에서의 폭은,
상기 슬릿의 상기 제1 방향의 단부에서의 폭보다 큰 열 처리 장치.3. The method of claim 2,
The slit has a shape extending in the first direction,
The width of the slit in the central portion in the first direction is,
A heat treatment apparatus greater than a width at an end of the slit in the first direction.

제3항에 있어서,
상기 복수의 슬릿은,
상기 제2 히팅 플레이트의 상기 제2 방향의 중앙부에 위치한 제1 슬릿, 및
상기 제1 슬릿에 비해 상기 제2 히팅 플레이트의 상기 제2 방향의 가장자리부에 위치한 제2 슬릿을 포함하되,
상기 제1 슬릿의 폭은 상기 제2 슬릿의 폭보다 큰 열 처리 장치.4. The method of claim 3,
The plurality of slits,
a first slit located in the central portion of the second heating plate in the second direction, and
Comprising a second slit located at the edge portion of the second direction of the second heating plate compared to the first slit,
A width of the first slit is greater than a width of the second slit.

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제1항에 있어서,
상기 제1 히팅 플레이트와 상기 제2 히팅 플레이트 사이에 배치된 기판 안착 플레이트;
상기 제1 히팅 플레이트와 상기 제2 히팅 플레이트 사이에 배치되고, 상기 제2 히팅 플레이트의 가장자리를 따라 띠 형상으로 배치된 기류 차단 블록;
상기 기류 차단 블록을 둘러싸도록 상기 기류 차단 블록의 외측에 배치된 커튼 가스 분사부;
상기 기류 차단 블록을 둘러싸도록 상기 기류 차단 블록의 외측에 배치되어 상기 열 처리 공간 측으로 열을 제공하도록 구성된 제2 서브 히터; 및
상기 제2 히팅 플레이트 상부에 배치된 배기 후드를 더 포함하되,
상기 가스 분사 유닛은 상기 기판 안착 플레이트 측으로 가스를 분사하도록 구성된 열 처리 장치.According to claim 1,
a substrate seating plate disposed between the first heating plate and the second heating plate;
an airflow blocking block disposed between the first heating plate and the second heating plate and arranged in a band shape along an edge of the second heating plate;
a curtain gas injection unit disposed outside the airflow blocking block to surround the airflow blocking block;
a second sub-heater disposed outside the airflow blocking block to surround the airflow blocking block and configured to provide heat to the heat treatment space; and
Further comprising an exhaust hood disposed above the second heating plate,
The gas injection unit is configured to inject gas toward the substrate seating plate.

제6항에 있어서,
상기 가스 분사 유닛은,
상기 제1 히팅 플레이트의 상기 일면과 평행한 제1 방향으로 연장되어 상기 제1 방향으로의 유로를 제공하고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격 배치된 복수의 제1 유로부,
상기 가스를 공급하는 가스 공급원, 및
상기 가스 공급원과 상기 챔버 내부의 복수의 상기 제1 유로부들 사이에 유로를 제공하는 가스 공급관을 포함하되,
상기 제2 히팅 플레이트는 복수의 관통홀들을 가지고,
상기 제1 유로부는 상기 제1 히팅 플레이트와 상기 제2 히팅 플레이트 사이에 배치되며,
상기 가스 공급관의 적어도 일부는 상기 관통홀들을 통해 상기 제2 히팅 플레이트를 관통하여 상기 제1 유로부와 직접 연결되는 열 처리 장치.7. The method of claim 6,
The gas injection unit,
A plurality of first flow passages extending in a first direction parallel to the one surface of the first heating plate to provide a flow path in the first direction and spaced apart from each other in a second direction intersecting the first direction;
a gas supply supplying the gas; and
a gas supply pipe providing a flow path between the gas supply source and the plurality of first flow passage parts inside the chamber;
The second heating plate has a plurality of through-holes,
The first flow path portion is disposed between the first heating plate and the second heating plate,
At least a portion of the gas supply pipe passes through the second heating plate through the through-holes and is directly connected to the first flow path part.

제7항에 있어서,
상기 제1 서브 히터는 상기 제2 히팅 플레이트와 상기 배기 후드 사이에 배치되고,
상기 제1 서브 히터는 상기 상기 제1 히팅 플레이트의 상기 일면과 평행한 제1 방향으로 연장되고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격 배치되어 복수개이며,
상기 제1 서브 히터는 상기 제1 유로부와 중첩하는 열 처리 장치.8. The method of claim 7,
The first sub-heater is disposed between the second heating plate and the exhaust hood,
A plurality of the first sub-heaters extend in a first direction parallel to the one surface of the first heating plate and are spaced apart from each other in a second direction intersecting the first direction,
The first sub-heater overlaps the first flow path part.

제1항에 있어서,
상기 제1 히팅 플레이트와 상기 제2 히팅 플레이트 사이에 배치된 기판 안착 플레이트 및 상기 제2 히팅 플레이트 상부에 배치된 배기 후드를 더 포함하며,
상기 제2 히팅 플레이트는 복수의 관통홀들을 가지고,
상기 가스 분사 유닛은,
상기 제1 히팅 플레이트의 상기 일면과 평행한 제1 방향으로 연장되어 상기 제1 방향으로의 유로를 제공하고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격 배치된 복수의 제1 유로부,
상기 가스를 공급하는 가스 공급원,
상기 가스 공급원과 상기 챔버 내부의 복수의 상기 제1 유로부들 사이에 유로를 제공하는 가스 공급관, 및
상기 제1 유로부로부터 돌출되어 상기 관통홀들을 통해 상기 제2 히팅 플레이트를 관통하여 상기 기판 안착 플레이트 측으로 가스를 분사하도록 구성된 복수의 제2 유로부를 포함하되,
상기 제1 유로부는 상기 제2 히팅 플레이트와 상기 배기 후드 사이에 배치되며, 상기 복수의 제1 유로부는 2n(여기서, n은 자연수)개이고,
상기 가스 공급관은,
일 방향으로 연장된 제1 가스 분배관, 및
상기 제1 가스 분배관으로부터 분기된 두 개의 제2 가스 분배관을 포함하고,
상기 가스 공급원으로부터 상기 각 제1 유로부까지의 유로 길이는 모두 동일한 열 처리 장치.According to claim 1,
Further comprising a substrate seating plate disposed between the first heating plate and the second heating plate and an exhaust hood disposed above the second heating plate,
The second heating plate has a plurality of through-holes,
The gas injection unit,
A plurality of first flow passages extending in a first direction parallel to the one surface of the first heating plate to provide a flow path in the first direction and spaced apart from each other in a second direction intersecting the first direction;
a gas supply supplying the gas;
a gas supply pipe providing a flow path between the gas supply source and the plurality of first flow passage parts inside the chamber; and
A plurality of second flow passages protruding from the first flow passage and penetrating the second heating plate through the through holes and configured to inject gas toward the substrate seating plate,
The first flow path part is disposed between the second heating plate and the exhaust hood, and the number of the plurality of first flow path parts is 2n (where n is a natural number),
The gas supply pipe,
A first gas distribution pipe extending in one direction, and
and two second gas distribution pipes branched from the first gas distribution pipe,
The length of the flow path from the gas supply source to each of the first flow path portions is the same.

제9항에 있어서,
상기 제1 서브 히터는 상기 제1 방향으로 연장되고 상기 제2 방향으로 이격 배치되어 2n+1개이고,
상기 제1 서브 히터는 상기 제1 유로부의 양측에 배치되는 열 처리 장치.10. The method of claim 9,
2n+1 number of the first sub-heaters extend in the first direction and are spaced apart from each other in the second direction;
The first sub-heater is disposed on both sides of the first flow path part.

제1 히팅 플레이트와 복수의 슬릿을 갖는 제2 히팅 플레이트 사이에 유기 용액이 토출된 기판을 개재하는 단계; 및
상기 기판 측으로 가스를 분사하여 상기 가스와 상기 기판을 접촉시키고 상기 가스를 상기 슬릿을 통해 배출하는 단계를 포함하되,
상기 제2 히팅 플레이트의 중앙부에서의 단위 면적 당 상기 슬릿이 차지하는 평면상 면적은,
상기 제2 히팅 플레이트의 가장자리부에서의 단위 면적 당 상기 슬릿이 차지하는 평면상 면적보다 크며,
상기 기판과 상기 제2 히팅 플레이트 사이에는 열 처리 공간이 정의되고,
상기 기판 측으로 가스를 분사하여 상기 가스와 상기 기판을 접촉시키고 상기 가스를 상기 슬릿을 통해 배출하는 단계는, 상기 열 처리 공간의 가장자리부에 비해 중앙부에 더 많은 열량을 가하는 단계를 포함하는 막 제조 방법.interposing the substrate on which the organic solution is discharged between the first heating plate and the second heating plate having a plurality of slits; and
Including the step of injecting a gas toward the substrate to contact the gas and the substrate and discharging the gas through the slit,
The planar area occupied by the slit per unit area in the central part of the second heating plate is,
It is larger than the planar area occupied by the slit per unit area at the edge of the second heating plate,
A heat treatment space is defined between the substrate and the second heating plate,
The step of injecting a gas toward the substrate to bring the gas into contact with the substrate and discharging the gas through the slit includes applying a greater amount of heat to a central portion than to an edge portion of the heat treatment space. .

제11항에 있어서,
상기 기판을 개재하는 단계 후에,
막이 제조되는 공간의 압력을 제어하는 단계를 더 포함하되,
상기 압력을 제어하는 단계는,
제1 압력에서 상기 제1 압력보다 낮은 제2 압력으로 감압하는 제1 차 압력 제어 단계,
상기 제2 압력을 유지하는 제2 차 압력 제어 단계,
상기 제2 압력에서 상기 제2 압력보다 낮은 제3 압력으로 감압하는 제3 차 압력 제어 단계,
상기 제3 압력을 유지하는 제4 차 압력 제어 단계, 및
상기 제3 압력에서 상기 제3 압력보다 높은 제4 압력으로 가압하는 제5 차 압력 제어 단계를 포함하고,
상기 제1 차 압력 제어 단계 내지 상기 제5 차 압력 제어 단계는 하나의 챔버 내에서 순차적으로 수행되는 막 제조 방법.12. The method of claim 11,
After the step of interposing the substrate,
Further comprising the step of controlling the pressure of the space in which the membrane is manufactured,
The step of controlling the pressure,
a first pressure control step of reducing the pressure from the first pressure to a second pressure lower than the first pressure;
a second pressure control step of maintaining the second pressure;
a tertiary pressure control step of reducing the pressure from the second pressure to a third pressure lower than the second pressure;
a fourth pressure control step of maintaining the third pressure; and
a fifth pressure control step of pressurizing from the third pressure to a fourth pressure higher than the third pressure;
The first to fifth pressure control steps are sequentially performed in one chamber.

제12항에 있어서,
상기 가스를 분사하는 단계는,
제1 유량으로 가스를 분사하는 제1 차 가스 분사 단계,
상기 제1 유량에서 상기 제1 유량보다 작은 제2 유량으로 감소시키며 가스를 분사하는 제2 차 가스 분사 단계,
상기 제2 유량을 유지하며 가스를 분사하는 제3 차 가스 분사 단계,
상기 제2 유량에서 상기 제2 유량보다 작은 유량으로 감소시키며 가스를 분사하는 제4 차 가스 분사 단계,
가스를 분사하지 않는 상태를 유지하는 제5 차 가스 분사 단계,
가스 분사를 재개하여 제3 유량으로 증가시키며 가스를 분사하는 제6 차 가스 분사 단계,
상기 제3 유량을 유지하며 가스를 분사하는 제7 차 가스 분사 단계, 및
상기 제3 유량에서 상기 제3 유량보다 작은 유량으로 감소시키며 가스를 분사하는 제8 차 가스 분사 단계를 포함하는 막 제조 방법.13. The method of claim 12,
The step of injecting the gas,
a first gas injection step of injecting gas at a first flow rate;
A second gas injection step of reducing the first flow rate to a second flow rate smaller than the first flow rate and injecting gas;
A third gas injection step of spraying gas while maintaining the second flow rate;
A fourth gas injection step of reducing the second flow rate to a flow rate smaller than the second flow rate and injecting gas;
A fifth gas injection step of maintaining a state in which gas is not injected,
A sixth gas injection step of resuming gas injection to increase the flow rate to a third flow rate and injecting gas;
A seventh gas injection step of spraying gas while maintaining the third flow rate, and
and an eighth gas injection step of reducing the third flow rate to a flow rate smaller than the third flow rate and injecting gas.

제13항에 있어서,
상기 제5 차 가스 분사 단계는 적어도 부분적으로 상기 제3 차 압력 제어 단계와 동시에 수행되고,
상기 제6 차 가스 분사 단계는 적어도 부분적으로 상기 제4 차 압력 제어 단계와 동시에 수행되는 막 제조 방법. 14. The method of claim 13,
wherein the fifth gas injection step is performed at least partially concurrently with the third pressure control step;
wherein the sixth gas injection step is performed at least partially simultaneously with the fourth pressure control step.

제14항에 있어서,
상기 제1 차 압력 제어 단계에서의 단위 시간 당 압력 변화율은,
상기 제3 차 압력 제어 단계에서의 단위 시간 당 압력 변화율보다 큰 막 제조 방법.15. The method of claim 14,
The pressure change rate per unit time in the first pressure control step is,
A method for manufacturing a membrane greater than the rate of change of pressure per unit time in the third pressure control step.

제14항에 있어서,
상기 제1 차 압력 제어 단계, 상기 제2 차 압력 제어 단계 및 제3 차 압력 제어 단계에서의 상기 기판의 온도는 35℃ 이상 60℃ 이하이고,
상기 제4 차 압력 제어 단계 및 상기 제5 차 압력 제어 단계에서의 상기 기판의 온도는 200℃ 이상 300℃ 이하이며,
상기 제3 차 가스 분사 단계는, 상기 가스와 상기 기판의 상기 유기 용액을 접촉시키는 단계이고,
상기 제7 차 가스 분사 단계는, 상기 가스와 상기 기판의 유기막을 접촉시키는 단계인 막 제조 방법.15. The method of claim 14,
The temperature of the substrate in the first pressure control step, the second pressure control step, and the third pressure control step is 35° C. or more and 60° C. or less,
The temperature of the substrate in the fourth pressure control step and the fifth pressure control step is 200° C. or more and 300° C. or less,
The third gas injection step is a step of contacting the gas with the organic solution of the substrate,
The seventh gas spraying step is a film manufacturing method in which the gas and the organic layer of the substrate are brought into contact with each other.

제16항에 있어서,
상기 압력을 제어하는 단계는, 상기 제5 차 압력 제어 단계 후에, 상기 제4 압력을 유지하는 제6 차 압력 제어 단계를 더 포함하되,
상기 제7 차 가스 분사 단계는 적어도 부분적으로 상기 제6 차 압력 제어 단계와 동시에 수행되고,
상기 제8 차 가스 분사 단계는 적어도 부분적으로 상기 제6 차 압력 제어 단계와 동시에 수행되는 막 제조 방법.17. The method of claim 16,
The step of controlling the pressure further includes a sixth pressure control step of maintaining the fourth pressure after the fifth pressure control step,
the seventh gas injection step is at least partially performed simultaneously with the sixth pressure control step;
wherein the eighth gas injection step is performed at least partially simultaneously with the sixth pressure control step.

제17항에 있어서,
상기 제1 차 압력 제어 단계, 상기 제2 차 압력 제어 단계 및 제3 차 압력 제어 단계는 5분 이상 10분 이하의 시간 동안 수행되고,
상기 제4 차 압력 제어 단계 및 상기 제5 차 압력 제어 단계는 15분 이상 25분 이하의 시간 동안 수행되며,
상기 제6 차 압력 제어 단계는 5분 이상 15분 이하의 시간 동안 수행되는 막 제조 방법.18. The method of claim 17,
The first pressure control step, the second pressure control step, and the third pressure control step are performed for a time of 5 minutes or more and 10 minutes or less,
The fourth pressure control step and the fifth pressure control step are performed for a time of 15 minutes or more and 25 minutes or less,
The sixth pressure control step is a membrane manufacturing method that is performed for a time of 5 minutes or more and 15 minutes or less.

제14항에 있어서,
상기 제1 차 가스 분사 단계 내지 제8 차 가스 분사 단계는 상기 하나의 챔버 내에서 연속적으로 수행되고,
상기 제1 차 압력 제어 단계 내지 상기 제5 차 압력 제어 단계 및 상기 제1 차 가스 분사 단계 내지 제8 차 가스 분사 단계에서, 상기 기판과 상기 제2 히팅 플레이트 사이의 이격 거리는 1mm 이상 20mm 이하를 유지하며,
상기 제1 차 압력 제어 단계 내지 상기 제3 차 압력 제어 단계에서, 상기 유기 용액 전체 중량의 90 중량% 이상이 기화되어 상기 슬릿을 통해 배출되고,
상기 제2 압력은 0.1 torr 이상 10 torr 이하이고,
상기 제3 압력은 10-4 torr 이상 10-2 torr 이하이고,
상기 제4 압력은 700 torr 이상인 막 제조 방법.15. The method of claim 14,
The first gas injection step to the eighth gas injection step are continuously performed in the one chamber,
In the first pressure control step to the fifth pressure control step and the first gas injection step to the eighth gas injection step, the separation distance between the substrate and the second heating plate is maintained at 1 mm or more and 20 mm or less. and
In the first pressure control step to the third pressure control step, 90 wt% or more of the total weight of the organic solution is vaporized and discharged through the slit,
The second pressure is 0.1 torr or more and 10 torr or less,
The third pressure is 10-4 torr or more and 10-2 torr or less,
The fourth pressure is 700 torr or more membrane manufacturing method.

제19항에 있어서,
상기 제2 유량은, 1분 당 상기 열 처리 공간 부피의 1배 이상의 값을 갖는 유량이고,
상기 제3 유량은, 1분 당 상기 열 처리 공간 부피의 5배 이상의 값을 갖는 유량인 막 제조 방법.20. The method of claim 19,
The second flow rate is a flow rate having a value of one or more times the volume of the heat treatment space per minute,
The third flow rate is a flow rate having a value of 5 times or more of the volume of the heat treatment space per minute.