KR102398555B1 - 열전도율이 높은 봉지 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

열전도율이 높은 봉지 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102398555B1
KR102398555B1 KR1020170127392A KR20170127392A KR102398555B1 KR 102398555 B1 KR102398555 B1 KR 102398555B1 KR 1020170127392 A KR1020170127392 A KR 1020170127392A KR 20170127392 A KR20170127392 A KR 20170127392A KR 102398555 B1 KR102398555 B1 KR 102398555B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light emitting
encapsulation
substrate
organic light
Prior art date
Application number
KR1020170127392A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190037748A (ko
Inventor
김정묵
신영훈
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020170127392A priority Critical patent/KR102398555B1/ko
Priority to US16/134,057 priority patent/US11211591B2/en
Priority to JP2018175535A priority patent/JP6637134B2/ja
Priority to CN201811114993.XA priority patent/CN109599500B/zh
Publication of KR20190037748A publication Critical patent/KR20190037748A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102398555B1 publication Critical patent/KR102398555B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H01L51/5243—
    • H01L51/5246—
    • H01L51/5253—
    • H01L51/529—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8423—Metallic sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 발광 소자를 덮는 봉지층 및 상기 봉지층 상에 위치하는 봉지 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 높은 열전도율을 갖는 봉지 기판의 외측 표면에 금속 입자들이 도포하여 외부 충격에 의한 상기 발광 소자의 손상을 방지하되, 상기 금속 입자들을 캡핑층으로 덮음으로써, 상기 금속 입자들에 의한 표면 거칠기를 감소하는 것을 기술적 특징으로 한다.

Description

열전도율이 높은 봉지 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치{Organic Light-Emitting Display device having an encapsulating substrate of high thermal conductivity}
본 발명은 발광 소자 및/또는 구동 회로에서 발생한 열을 빠르게 외부로 방출하기 위하여 높은 열전도율의 봉지 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
일반적으로 모니터, TV, 노트북, 디지털 카메라와 같은 전자 기기는 영상을 구현하기 위하여 디스플레이 장치를 포함한다. 예를 들어, 상기 디스플레이 장치는 액정 표시 장치 및/또는 유기 발광 표시 장치를 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 표시 장치는 발광 소자를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자는 특정한 색을 나타내는 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자는 순서대로 적층된 제 1 전극, 발광층 및 제 2 전극을 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 표시 장치는 외부 수분이 상기 발광 소자로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 발광 소자를 덮는 봉지층 및 상기 봉지층 상에 위치하는 봉지 기판을 포함할 수 있다.
영상을 구현하는 동작에서 상기 발광 소자 및 상기 발광 소자를 제어하기 위한 구동 회로는 열이 발생할 수 있다. 상기 발광층은 열에 매우 취약할 수 있다. 이에 따라 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 발광 소자 및/또는 상기 구동 회로로부터 발생한 열을 외부로 빠르게 방출할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 발광 표시 장치는 알루미늄(Al)과 같은 열전도율이 상대적으로 높은 물질을 포함하는 봉지 기판을 포함할 수 있다.
그러나, 상기 열전도율이 높은 물질은 상대적으로 낮은 강성을 가지므로, 상기 유기 발광 표시 장치에서는 외부 충격에 의해 상기 발광 소자가 손상될 수 있다. 상기 유기 발광 표시 장치에서는 외부 충격에 의한 상기 발광 소자의 손상을 방지하기 위하여 상기 봉지 기판 상에 강성 보강을 위한 별도의 층을 추가할 수 있으나, 전체적인 두께가 크게 증가하는 문제점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 높은 방열 효율을 가지며, 외부 충격에 의한 발광 소자의 손상이 방지될 수 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 전체적인 두께의 증가를 최소화하며, 봉지 기판의 강성을 보강할 수 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 유기 발광 표시 장치는 소자 기판 상에 위치하는 발광 소자를 포함한다. 발광 소자 상에는 봉지층이 위치한다. 봉지층 상에는 봉지 기판이 위치한다. 봉지 기판 상에는 금속 코팅층을 포함한다. 금속 코팅층은 봉지 기판의 외측 표면에 도포된 금속 입자들을 포함한다. 금속 코팅층 상에는 캡핑층이 위치한다.
봉지 기판과 대향하는 캡핑층의 표면은 평평한 평면일 수 있다.
금속 입자들은 자성 물질을 포함할 수 있다.
자성 물질은 철(Fe), 니켈(Ni) 및 코발트(Co) 중 하나일 수 있다.
캡핑층은 봉지 기판의 측면 상으로 연장할 수 있다.
캡핑층은 봉지 기판의 측면과 직접 접촉하는 영역을 포함할 수 있다.
캡핑층은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
봉지 기판은 알루미늄을 포함할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 유기 발광 표시 장치는 봉지 기판의 외측 표면에 도포된 금속 입자들을 포함하는 금속 코팅층 및 상기 금속 코팅층 상에 위치하는 캡핑층을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 기술적 사상에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 금속 입자들에 의해 높은 열전도율을 갖는 봉지 기판의 강성이 보강될 수 있다. 또한, 본 발명의 기술적 사상에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 캡핑층에 의해 상기 금속 입자들에 의한 표면 거칠기가 저하될 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 방열 효율 및 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 P 영역을 확대한 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 이에 따른 작용 효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 더욱 명확하게 이해될 것이다. 여기서, 본 발명의 실시 예들은 당업자에게 본 발명의 기술적 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위하여 제공되는 것이므로, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않도록 다른 형태로 구체화될 수 있다.
또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호로 표시된 부분들은 동일한 구성 요소들을 의미하며, 도면들에 있어서 층 또는 영역의 길이와 두께는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 덧붙여, 제 1 구성 요소가 제 2 구성 요소 "상"에 있다고 기재되는 경우, 상기 제 1 구성 요소가 상기 제 2 구성 요소와 직접 접촉하는 상측에 위치하는 것뿐만 아니라, 상기 제 1 구성 요소와 상기 제 2 구성 요소 사이에 제 3 구성 요소가 위치하는 경우도 포함한다.
여기서, 상기 제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성 요소를 설명하기 위한 것으로, 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 다만, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서는 제 1 구성 요소와 제 2 구성 요소는 당업자의 편의에 따라 임의로 명명될 수 있다.
본 발명의 명세서에서 사용하는 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용되는 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 예를 들어, 단수로 표현된 구성 요소는 문맥상 명백하게 단수만을 의미하지 않는다면 복수의 구성 요소를 포함한다. 또한, 본 발명의 명세서에서, "포함하다"　또는 "가지다"등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
덧붙여, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미가 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미가 있는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명의 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
(실시 예)
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 2는 도 1의 P 영역을 확대한 도면이다.
도 1 및 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 소자 기판(100)을 포함할 수 있다. 상기 소자 기판(100)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 소자 기판(100)은 투명한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 소자 기판(100)은 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다.
상기 소자 기판(100)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)을 포함할 수 있다. 상기 비표시 영역(NA)은 상기 표시 영역(AA)의 외측에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 비표시 영역(NA)은 상기 소자 기판(100)의 가장 자리를 포함할 수 있다.
상기 소자 기판(100)의 상기 표시 영역(AA) 상에는 박막 트랜지스터(200)가 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 박막 트랜지스터(200)는 반도체 패턴(210), 게이트 절연막(220), 게이트 전극(230), 층간 절연막(240), 소스 전극(250) 및 드레인 전극(260)을 포함할 수 있다.
상기 반도체 패턴(210)은 상기 소자 기판(100)에 가까이 위치할 수 있다. 상기 반도체 패턴(210)은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(210)은 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 상기 반도체 패턴(210)은 산화물 반도체일 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(210)은 IGZO를 포함할 수 있다.
상기 반도체 패턴(210)은 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함할 수 있다. 상기 채널 영역은 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 위치할 수 있다. 상기 채널 영역의 전도율(conductivity)은 상기 소스 영역의 전도율 및 상기 드레인 영역의 전도율보다 낮을 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 도전성 불순물을 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연막(220)은 상기 반도체 패턴(210) 상에 위치할 수 있다. 상기 게이트 절연막(220)의 크기는 상기 반도체 패턴(210)의 크기보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(220)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 채널 영역과 중첩할 수 있다.
상기 게이트 절연막(220)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(220)은 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. 상기 게이트 절연막(220)은 High-K 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(220)은 하프늄 산화물(HfO) 또는 티타늄 산화물(TiO)을 포함할 수 있다. 상기 게이트 절연막(220)은 다중층 구조일 수 있다.
상기 게이트 전극(230)은 상기 게이트 절연막(220) 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(230)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 채널 영역과 중첩할 수 있다. 상기 게이트 전극(230)은 상기 게이트 절연막(220)에 의해 상기 반도체 패턴(210)과 절연될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(230)의 측면은 상기 게이트 절연막(220)의 측면과 수직 정렬될 수 있다.
상기 게이트 전극(230)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(230)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다.
상기 층간 절연막(240)은 상기 반도체 패턴(210) 및 상기 게이트 전극(230) 상에 위치할 수 있다. 상기 층간 절연막(240)은 상기 반도체 패턴(210)의 외측으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(210)의 측면은 상기 층간 절연막(240)에 의해 덮일 수 있다.
상기 층간 절연막(240)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 층간 절연막(240)은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
상기 소스 전극(250)은 상기 층간 절연막(240) 상에 위치할 수 있다. 상기 소스 전극(250)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 소스 영역과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(250)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 소스 영역과 중첩할 수 있다. 상기 층간 절연막(240)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 소스 영역을 부분적으로 노출하는 컨택홀을 포함할 수 있다.
상기 소스 전극(250)은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(250)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(250)은 상기 게이트 전극(230)과 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 드레인 전극(260)은 상기 층간 절연막(240) 상에 위치할 수 있다. 상기 드레인 전극(260)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 드레인 영역과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(260)은 상기 소스 전극(250)과 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 드레인 전극(260)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 드레인 영역과 중첩할 수 있다. 상기 층간 절연막(240)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 드레인 영역을 부분적으로 노출하는 컨택홀을 더 포함할 수 있다.
상기 드레인 전극(260)은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 드레인 전극(260)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(260)은 상기 게이트 전극(230)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(260)은 상기 소스 전극(250)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 소자 기판(100)과 상기 박막 트랜지스터(200) 사이에는 버퍼층(110)이 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층(110)은 상기 소자 기판(100)과 상기 반도체 패턴(210) 사이에 위치할 수 있다. 상기 버퍼층(110)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층(110)은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터(200) 상에는 하부 보호막(120)이 위치할 수 있다. 상기 하부 보호막(120)은 외부 충격 및 수분으로부터 상기 박막 트랜지스터(200)를 보호할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 보호막(120)은 상기 소스 전극(250) 및 상기 드레인 전극(260)의 외측으로 연장할 수 있다. 상기 하부 보호막(120)은 상기 소스 전극(250) 및 상기 드레인 전극(260)의 외측에서 상기 층간 절연막(240)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 하부 보호막(120)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 하부 보호막(120)은 상기 층간 절연막(240)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 보호막(120)은 실리콘 질화물을 포함할 수 있다.
상기 하부 보호막(120) 상에는 오버 코트층(130)이 위치할 수 있다. 상기 오버 코트층(130)은 상기 박막 트랜지스터(200)에 의한 단차를 제거할 수 있다. 예를 들어, 상기 소자 기판(100)과 대향하는 상기 오버 코트층(130)의 상부면은 평평한 평면(flat surface)일 수 있다.
상기 오버 코트층(130)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 오버 코트층(130)은 상기 하부 보호막(120)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 오버 코트층(130)은 상대적으로 유동성이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 오버 코트층(130)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 오버 코트층(130) 상에는 발광 소자(300)가 위치할 수 있다. 상기 발광 소자(300)는 특정한 색을 나타내는 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자(300)는 순서대로 적층된 제 1 전극(310), 발광층(320) 및 제 2 전극(330)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 전극(310)은 상기 오버 코트층(130)에 가까이 위치할 수 있다. 상기 발광 소자(300)는 상기 박막 트랜지스터(200)에 의해 제어될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 전극(310)은 상기 박막 트랜지스터(200)의 상기 드레인 전극(260)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 보호막(120)은 상기 드레인 전극(260)의 적어도 일부 영역을 노출하는 하부 컨택홀(120h)을 포함할 수 있다. 상기 오버 코트층(130)은 상기 하부 컨택홀(120h)과 중첩하는 상부 컨택홀(130h)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 전극(310)은 상기 하부 컨택홀(120h)의 측벽 및 상기 상부 컨택홀(130h)의 측벽을 따라 연장할 수 있다.
상기 제 1 전극(310)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 1 전극(310)은 투명한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 전극(310)은 ITO 또는 IZO와 같은 투명한 도전성 물질을 포함하는 투명 전극일 수 있다.
상기 발광층(320)은 상기 제 1 전극(310)과 상기 제 2 전극(330) 사이의 전압 차에 대응하는 휘도의 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광층(320)은 발광 물질을 포함하는 발광 물질층(Emission Material Layer; EML)을 포함할 수 있다. 상기 발광 물질은 유기 물질일 수 있다.
상기 발광층(320)은 발광 효율을 높이기 위하여, 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 발광층(320)은 정공 주입층(Hole Injection Layer; HIL), 정공 수송층(Hole Transporting Layer; HTL), 전자 수송층(Electron Transporting Layer; ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer; EIL) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
상기 제 2 전극(330)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 2 전극(330)은 상기 제 1 전극(310)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 전극(330)은 알루미늄(Al)과 같은 반사율이 높은 금속을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 상기 발광층(320)에 의해 생성된 빛이 상기 소자 기판(100)을 통해 외부로 방출될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 상기 소자 기판(100) 상에 다수의 발광 소자들(300)이 위치할 수 있다. 각 발광 소자(300)는 독립적으로 구동될 수 있다. 예를 들어, 각 발광 소자(300)의 상기 제 1 전극(310)은 인접한 발광 소자들(300)의 상기 제 1 전극들(310)과 분리될 수 있다. 인접한 발광 소자들(300)의 상기 제 1 전극들(310) 사이에는 뱅크 절연막(140)이 위치할 수 있다. 상기 뱅크 절연막(140)은 상기 제 1 전극(310)의 가장 자리를 덮을 수 있다. 상기 발광층(320) 및 상기 제 2 전극(330)은 상기 뱅크 절연막(140)에 의해 노출된 상기 제 1 전극(310)의 일부 영역 상에 적층될 수 있다.
상기 뱅크 절연막(140)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 뱅크 절연막(140)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 뱅크 절연막(140)은 상기 오버 코트층(130)과 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 뱅크 절연막(140)에 의해 노출된 상기 제 1 전극(310)의 상기 일부 영역은 상기 박막 트랜지스터(200)와 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 뱅크 절연막(140)은 상기 박막 트랜지스터(200)와 중첩할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 상기 발광 소자(300)로부터 상기 소자 기판(100) 방향으로 진행하는 빛이 상기 박막 트랜지스터(200)에 의해 차단되지 않을 수 있다.
상기 제 2 전극(330)은 상기 뱅크 절연막(140) 상으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 전극(330)은 상기 소자 기판(100)의 상기 비표시 영역(NA)을 향한 상기 뱅크 절연막(140)의 측면, 상기 오버 코트층(130)의 측면 및 상기 하부 보호막(120)의 측면 상으로 연장할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 외부 수분이 상기 소자 기판(100)과 상기 제 2 전극(330) 사이에 적층된 절연막 및 인접한 절연막들 사이의 경계면을 통해 침투하는 것이 방지될 수 있다.
상기 소자 기판(100)과 상기 발광 소자(300) 사이에는 컬러 필터(400)가 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 컬러 필터(400)는 상기 하부 보호막(120)과 상기 오버 코트층(130) 사이에 위치할 수 있다. 상기 컬러 필터(400)에 의한 단차는 상기 오버 코트층(130)에 의해 제거될 수 있다. 상기 컬러 필터(400)는 상기 발광 소자(300)로부터 방출된 빛이 나타내는 색을 변경할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광층(320)은 백색을 나타내는 빛을 생성하고, 상기 컬러 필터(400)는 상기 발광층(320)에 의해 생성된 빛을 이용하여 청색, 적색 또는 녹색을 구현할 수 있다. 상기 컬러 필터(400)의 수평 폭은 상기 뱅크 절연막(140)에 의해 노출된 상기 제 1 전극(310)의 일부 영역의 수평 폭 보다 클 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 빛샘이 방지될 수 있다.
상기 발광 소자(300) 상에는 봉지층(500)이 위치할 수 있다. 상기 봉지층(500)은 외부 충격 및 수분으로부터 상기 발광 소자(300)를 보호할 수 있다. 상기 봉지층(500)은 상기 소자 기판(100)의 상기 비표시 영역(NA) 상으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자(300)는 상기 봉지층(500)에 의해 완전히 덮일 수 있다.
상기 봉지층(500)은 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 봉지층(500)은 하부 봉지층(510) 및 상기 하부 봉지층(510) 상에 위치하는 상부 봉지층(520)을 포함하 수 있다. 상기 발광 소자(300)는 상기 하부 봉지층(510)에 의해 덮일 수 있다. 상기 상부 봉지층(520)은 흡습 입자들(500p)을 포함할 수 있다. 상기 흡습 입자들(500p)은 흡습 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 상기 흡습 입자들(500p)의 팽창에 의해 상기 발광 구조물(300)에 가해지는 응력(stress)이 상기 하부 봉지층(510)에 의해 완화될 수 있다.
상기 하부 봉지층(510) 및 상기 상부 봉지층(520)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 하부 봉지층(510) 및 상기 상부 봉지층(520)은 접착성 물질을 포함할 수 있다. 상기 하부 봉지층(510) 및 상기 상부 봉지층(520)은 경화 공정이 필요하지 않은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 봉지층(510) 및 상기 상부 봉지층(520)은 올레핀(olefin)계 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 상기 하부 봉지층(510) 및 상기 상부 봉지층(520)의 형성 공정에 의한 상기 발광층(320)의 열화가 방지될 수 있다. 상기 상부 봉지층(520)은 상기 하부 봉지층(510)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 상기 하부 봉지층(510)에 의한 응력 완화가 효과적으로 수행될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 상기 봉지층(500)이 상기 발광 소자(300)와 직접 접촉하는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 발광 소자(300)와 하부 봉지층(510) 사이에 위치하는 상부 보호막을 더 포함할 수 있다. 상기 상부 보호막은 외부 충격 및 수분으로부터 상기 발광 소자(300)를 보호할 수 있다. 상기 상부 보호막은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 상부 보호막은 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 보호막은 무기 절연 물질을 포함하는 무기막들 사이에 위치하는 유기 절연 물질을 포함하는 유기막이 위치하는 구조일 수 있다.
상기 봉지층(500) 상에는 봉지 기판(600)이 위치할 수 있다. 상기 봉지 기판(600)은 상기 봉지층(500)과 직접 접촉할 수 있다. 이에 따라, 상기 봉지 기판(600)은 상기 봉지층(500)에 의해 상기 박막 트랜지스터(200) 및 상기 발광 소자(300)가 형성된 상기 소자 기판(100)과 결합될 수 있다.
상기 봉지 기판(600)은 상기 소자 기판(100)의 상기 표시 영역(AA) 및 상기 비표시 영역(NA)과 중첩할 수 있다. 상기 봉지 기판(600)의 크기는 상기 봉지층(500)의 크기보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 소자 기판(100)을 향한 상기 봉지 기판(600)의 하부면의 가장 자리는 상기 봉지층(500)에 의해 노출될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 상기 상부 봉지층(520)의 오정렬에 의한 불량이 방지될 수 있다. 상기 봉지 기판(600)의 크기는 상기 소자 기판(100)의 크기보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 봉지 기판(600)의 측면은 상기 소자 기판(100)의 측면과 상기 봉지층(500)의 측면 사이에 위치할 수 있다.
상기 봉지 기판(600)은 상기 소자 기판(100)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 봉지 기판(600)은 영상을 구현하는 동작에서 상기 발광 소자(300) 및/또는 상기 박막 트랜지스터(200)로부터 발생한 열의 방출 경로를 제공할 수 있다. 예를 들어, 상기 봉지 기판(600)은 알루미늄(Al)과 같이 열전도율이 상대적으로 높은 금속을 포함할 수 있다.
상기 봉지층(500)과 대향하는 상기 봉지 기판(600)의 외측 표면 상에는 금속 코팅층(700)이 위치할 수 있다. 상기 금속 코팅층(700)은 상기 봉지 기판(600)의 외측 표면에 도포된 금속 입자들(700m)을 포함할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 상기 봉지 기판(600)의 외측 표면이 상기 금속 입자들(700m)에 의해 코팅될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 전체적인 두께의 증가를 최소화하며, 상기 봉지 기판(600)의 강성이 보강될 수 있다. 상기 금속 입자들(700m)에 의해 외측 표면이 코팅된 상기 봉지 기판(600)은 상기 봉지 기판(600) 상에 별도의 보강층이 형성되는 구조보다 단단해질 수 있다. 또한, 상기 봉지 기판(600)의 외측 표면에 도포된 상기 금속 입자들(700m)은 상기 봉지 기판(600) 상에 별도의 보강층보다 높은 열전도율을 가질 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 상기 봉지 기판(600)의 열전도율의 감소 폭을 최소화하며, 외부 충격에 의한 상기 발광 소자(300)의 손상이 방지될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 방열 효율 및 신뢰성이 향상될 수 있다.
상기 금속 코팅층(700) 상에는 캡핑층(800)이 위치할 수 있다. 상기 캡핑층(800)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 캡핑층(800)은 상기 금속 입자들(700b)을 덮을 수 있다. 예를 들어, 상기 캡핑층(800)은 상대적으로 유동성이 높은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 봉지 기판(600)과 대향하는 상기 캡핑층(800)의 표면은 평평한 평면일 수 있다. 예를 들어, 상기 캡핑층(800)의 상기 표면은 상기 봉지 기판(600)의 외측 표면과 평행할 수 있다. 상기 캡핑층(800)은 상대적으로 유동성이 큰 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 캡핑층(800)은 상기 오버 코트(130)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 금속 입자들(700m) 사이의 공간은 상기 캡핑층(800)에 의해 채워질 수 있다. 상기 캡핑층(800)은 접착 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 캡핑층(800)은 상기 하부 봉지층(510)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 캡핑층(800)은 올레핀계 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 상기 금속 입자들(700m)에 의한 표면 거칠기가 감소될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 거친 표면에 의한 손상이 방지될 수 있다.
상기 금속 입자들(700m)은 자성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속 입자들(700m)은 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co)와 같은 강자성 금속을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 상기 봉지 기판(600)이 자성 플레이트를 포함하는 지그(jig)에 의해 이동될 수 있다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 상기 소자 기판(100)과 상기 봉지 기판(600)의 결합 공정에서 상기 봉지 기판(600)의 위치 조절이 쉬워질 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 상기 캡핑층(800)에 의해 표면 거칠기가 감소되므로, 상기 이송 지그에 상기 봉지 기판(600)을 부착 또는 탈착하는 과정에서 발생하는 상기 봉지 기판(600) 및/또는 상기 소자 기판(100)의 손상이 방지될 수 있다. 덧붙여, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 상기 이송 지그에 의해 상기 봉지 기판(600)의 부착 및 탈착하는 공정이 단순화됨으로써, 상기 소자 기판(100)과 상기 봉지 기판(600)의 결합 공정에 소요되는 시간이 감소할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 외부 충격에 의한 발광 소자(300)의 손상이 방지되며, 제조 효율이 향상될 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 알루미늄(Al)과 같이 열전도율이 높은 금속을 포함하는 봉지 기판(600)의 외측 표면 상에 금속 코팅층(700) 및 캡핑층(800)이 순서대로 적층되되, 상기 금속 코팅층(700)이 상기 봉지 기판(600)의 외측 표면에 도포된 금속 입자들(700m)을 포함함으로써, 전체적인 두께의 증가 및 방열 효율의 저하를 최소화하며, 상기 봉지 기판(600)의 강성이 보강될 수 있다. 덧붙여, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 자성 물질을 포함하는 금속 입자들(700m) 및 캡핑층(800)에 의해 제조 효율이 향상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 방열 효율, 제조 효율 및 신뢰성이 향상될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 상기 캡핑층(800)이 상기 봉지 기판(600)의 외측 표면 상에만 위치하는 것으로 설명된다. 그러나, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 상기 캡핑층(800)이 상기 봉지 기판(600)의 측면(600s) 상으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 캡핑층(800)은 상기 봉지 기판(600)의 상기 측면(600s)과 직접 접촉하는 영역(801)을 포함할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 금속 입자들(700b)이 상기 봉지 기판(600)의 상기 측면(600s)에 부분적으로 도포될 수 있다. 즉, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 상기 봉지 기판(600)의 외측 표면에 상기 금속 입자들(700b)을 도포하는 공정에 대한 공정 마진이 증가될 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 방열 효율, 제조 효율 및 신뢰성이 효과적으로 향상될 수 있다.
100 : 소자 기판 300 : 발광 구조물
500 : 봉지층 500p : 흡습 입자
600 : 봉지 기판 700 : 금속 코팅층
800 : 캡핑층

Claims (8)

  1. 소자 기판 상에 위치하고, 상기 소자 기판과 대향하는 외측 표면을 포함하는 봉지 기판;
    상기 소자 기판과 상기 봉지 기판 사이에 위치하는 발광 소자;
    상기 발광 소자와 상기 봉지 기판 사이에 위치하는 봉지층;
    상기 봉지 기판의 상기 외측 표면에 도포된 금속 입자들; 및
    상기 봉지 기판의 상기 외측 표면 상에 위치하고, 상기 금속 입자들을 덮는 캡핑층을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 봉지 기판과 대향하는 상기 캡핑층의 표면은 평평한 평면인 유기 발광 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 입자들은 자성 물질을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 자성 물질은 철(Fe), 니켈(Ni) 및 코발트(Co) 중 하나인 유기 발광 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 캡핑층은 상기 봉지 기판의 측면 상으로 연장하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 캡핑층은 상기 봉지 기판의 상기 측면과 직접 접촉하는 영역을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 캡핑층은 유기 절연 물질을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 봉지 기판은 알루미늄을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
KR1020170127392A 2017-09-29 2017-09-29 열전도율이 높은 봉지 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치 KR102398555B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170127392A KR102398555B1 (ko) 2017-09-29 2017-09-29 열전도율이 높은 봉지 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치
US16/134,057 US11211591B2 (en) 2017-09-29 2018-09-18 Organic light-emitting display device having an encapsulating substrate of high thermal conductivity
JP2018175535A JP6637134B2 (ja) 2017-09-29 2018-09-20 高熱伝導率の封止基板を含む有機発光表示装置
CN201811114993.XA CN109599500B (zh) 2017-09-29 2018-09-25 包括具有高热导率的封装基板的有机发光显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170127392A KR102398555B1 (ko) 2017-09-29 2017-09-29 열전도율이 높은 봉지 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190037748A KR20190037748A (ko) 2019-04-08
KR102398555B1 true KR102398555B1 (ko) 2022-05-17

Family

ID=65896346

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170127392A KR102398555B1 (ko) 2017-09-29 2017-09-29 열전도율이 높은 봉지 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11211591B2 (ko)
JP (1) JP6637134B2 (ko)
KR (1) KR102398555B1 (ko)
CN (1) CN109599500B (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10834853B2 (en) 2018-03-02 2020-11-10 Micron Technology, Inc. Electronic device with a card-level thermal regulator mechanism and associated systems, devices, and methods
US10692793B2 (en) * 2018-03-02 2020-06-23 Micron Technology, Inc. Electronic device with a package-level thermal regulator mechanism and associated systems, devices, and methods
KR102656235B1 (ko) * 2018-08-17 2024-04-09 엘지디스플레이 주식회사 열전도도가 높은 봉지 기판을 포함하는 디스플레이 장치
CN109346622A (zh) * 2018-10-19 2019-02-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled阵列基板及其制作方法
CN109686856B (zh) * 2018-12-07 2020-04-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled器件及其制作方法
CN110416436B (zh) * 2019-08-29 2021-05-25 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜封装结构、显示装置及封装方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110175102A1 (en) 2010-01-20 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, lighting apparatus, and method of manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000040586A (ja) 1998-07-21 2000-02-08 Tdk Corp 有機ｅｌ素子モジュール
EP1145338B1 (en) * 1998-12-16 2012-12-05 Samsung Display Co., Ltd. Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
CN102860128A (zh) 2010-04-27 2013-01-02 日商路米欧技术股份有限公司 有机el照明装置
DE102012200485A1 (de) 2012-01-13 2013-07-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organische lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zum Prozessieren einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung
KR101990321B1 (ko) 2012-12-04 2019-06-18 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR20150031754A (ko) * 2013-09-16 2015-03-25 삼성디스플레이 주식회사 표시장치용 기판의 제조 방법, 표시장치용 기판 및 표시장치
KR101543888B1 (ko) 2013-12-20 2015-08-11 주식회사 포스코 방열성이 우수한 금속 봉지재, 그 제조방법 및 상기 금속 봉지재로 봉지된 유연전자소자
FR3023154B1 (fr) * 2014-07-03 2017-10-20 Cristel Recipient de cuisson et procede de fabrication d'un recipient de cuisson
KR102439040B1 (ko) 2014-12-01 2022-09-01 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 포함하는 롤러블 유기 발광 디스플레이 시스템
CN106463649B (zh) * 2015-02-17 2018-11-13 株式会社Lg化学 包封薄膜
KR102411420B1 (ko) 2015-10-31 2022-06-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102577001B1 (ko) * 2016-08-11 2023-09-12 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 기판, 플렉서블 기판의 제조방법, 및 플렉서블 기판을 포함하는 디스플레이 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110175102A1 (en) 2010-01-20 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, lighting apparatus, and method of manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
US11211591B2 (en) 2021-12-28
JP2019067755A (ja) 2019-04-25
KR20190037748A (ko) 2019-04-08
CN109599500B (zh) 2020-12-29
JP6637134B2 (ja) 2020-01-29
US20190103579A1 (en) 2019-04-04
CN109599500A (zh) 2019-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102398555B1 (ko) 열전도율이 높은 봉지 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102398554B1 (ko) 봉지층을 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102478676B1 (ko) 열전도율이 높은 봉지 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102448068B1 (ko) 블랙 뱅크 절연막을 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102631975B1 (ko) 하부 기판과 상부 기판 사이에 위치하는 접착층을 포함하는 유기 발광 표시 장치
US11309526B2 (en) Display apparatus having a light-emitting device
KR20240051899A (ko) 열전도도가 높은 봉지 기판을 포함하는 디스플레이 장치
KR102511044B1 (ko) 블랙 매트릭스를 포함하는 디스플레이 장치
US10580840B2 (en) Organic light-emitting display device having an organic emitting layer
KR102461393B1 (ko) 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치
US20210119173A1 (en) Organic light-emitting display device having an upper substrate formed by a metal and method of fabricating the same
US11171191B2 (en) Display apparatus having a light-emitting device on an over-coat layer, and method of forming the same
KR102423864B1 (ko) 발광 소자 및 컬러 필터를 포함하는 디스플레이 장치
US11239284B2 (en) Display device having a color filter
US20170345879A1 (en) Organic light-emitting display device having bank insulating layer
KR20200064656A (ko) 컬러 필터들 및 차광 부재를 포함하는 디스플레이 장치
KR102666875B1 (ko) 적어도 하나의 패드를 포함하는 디스플레이 장치
KR102390479B1 (ko) 발광층을 포함하는 디스플레이 장치
KR20210086345A (ko) 산화물 반도체 패턴을 포함하는 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant