KR102378964B1 - Method and apparatus for separating adhesive tape - Google Patents

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Abstract

보유 지지 테이블에 설치된 환상 볼록부로 웨이퍼의 외주를 보유 지지하고, 그 웨이퍼에 의해 밀폐된 보유 지지 테이블의 공간에 에어를 공급하여 가압한다. 이 가압 상태에서 박리 부재에 의해 박리 테이프를 보호 테이프에 부착하여 접으면서 박리 테이프를 박리함으로써 보호 테이프를 일체로 하여 웨이퍼로부터 박리한다. 그 박리 과정에서, 보유 지지 테이블의 공간 압력의 변화를 압력계에 의해 검출한다. 검출된 압력의 실측값과 미리 정한 기준값을 비교하여 웨이퍼의 깨짐을 판별한다.The outer periphery of the wafer is held by an annular convex portion provided on the holding table, and air is supplied to pressurize the space of the holding table sealed by the wafer. In this pressurized state, the peeling tape is adhered to the protective tape by a peeling member and is peeled off while being folded, thereby integrating the protective tape and peeling it from the wafer. In the peeling process, a change in the spatial pressure of the holding table is detected with a pressure gauge. A crack of the wafer is determined by comparing the measured value of the detected pressure with a predetermined reference value.

Description

점착 테이프 박리 방법 및 점착 테이프 박리 장치{METHOD AND APPARATUS FOR SEPARATING ADHESIVE TAPE} Adhesive tape peeling method and adhesive tape peeling apparatus TECHNICAL FIELD

본 발명은 반도체 웨이퍼(이하, 적절히 「웨이퍼」라고 한다)의 회로 형성면에 부착된 보호 테이프 또는 양면 점착 테이프 등의 점착 테이프를 박리하는 점착 테이프 박리 방법 및 점착 테이프 박리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive tape peeling method and an adhesive tape peeling apparatus for peeling an adhesive tape such as a protective tape or double-sided adhesive tape adhered to a circuit formation surface of a semiconductor wafer (hereinafter, appropriately referred to as "wafer").

패턴 형성 처리가 끝난 웨이퍼의 표면에는 보호 테이프가 부착된 후, 이면 전체를 균일하게 백그라인드 처리한다. 보호 테이프 부착 웨이퍼는, 칩으로 세단 분리하는 다이싱 공정으로 반송되기 전에, 표면으로부터 보호 테이프가 박리된다.After a protective tape is attached to the surface of the wafer that has been patterned, the entire back surface is uniformly backgrinded. A protective tape peels from the surface before conveying a wafer with a protective tape to the dicing process of cutting into chips.

웨이퍼 표면으로부터 보호 테이프를 박리하는 방법으로서는, 예를 들어 다음과 같이 실시되고 있다. 보호 테이프가 부착된 표면을 상향으로 하여 웨이퍼를 보유 지지 테이블에 흡착 보유 지지한다. 부착 롤러를 구름이동시키면서 보호 테이프 상에 박리용의 점착 테이프를 부착한다. 그 후, 끝이 가늘어지는 판형의 에지 부재로 점착 테이프를 반전 박리해 가는 것에 의해, 점착 테이프에 접착된 보호 테이프를 웨이퍼 표면으로부터 일체로 하여 박리한다(일본 특허 공개 제2002―124494호 공보를 참조).As a method of peeling a protective tape from a wafer surface, it is implemented as follows, for example. The wafer is adsorbed and held on the holding table with the surface with the protective tape facing upward. The adhesive tape for peeling is affixed on the protective tape, rolling an adhesion roller. Thereafter, the adhesive tape is inverted and peeled with a tapered plate-shaped edge member, whereby the protective tape adhered to the adhesive tape is integrally peeled from the wafer surface (refer to Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-124494). ).

그러나, 상기 종래 방법에서는 다음과 같은 문제가 발생하고 있다.However, the conventional method has the following problems.

최근 들어, 애플리케이션의 급속한 진보에 수반하는 고밀도 실장을 가능하게 하기 위해서, 웨이퍼의 박형화가 요구되고 있다. 또한, 그 박형화와 동시에 웨이퍼의 사이즈가 커지는 경향이 있다. 이들 박형화 및 대형화에 따라 웨이퍼의 강성이 저하되므로, 웨이퍼의 깨짐이 발생하기 쉬워졌다.In recent years, in order to enable high-density packaging accompanying rapid advances in applications, thinning of wafers is required. Moreover, there is a tendency for the size of the wafer to increase simultaneously with the reduction in thickness. Since the rigidity of a wafer falls with these thinning and enlargement, it became easy to generate|occur|produce the crack of a wafer.

깨짐이 발생한 경우, 보유 지지 테이블에 형성된 복수개의 흡착 구멍의 흡인력의 변화에 의해 검출 가능하게 되어 있었다. 그러나, 깨짐이 발생한 부위와 흡착 구멍이 겹친 경우 밖에는 흡인력의 변화를 검출할 수 없다. 즉, 웨이퍼의 전체면에 걸쳐 깨짐의 발생을 검출할 수 없다.When a crack generate|occur|produced, it became detectable by the change of the attraction|suction force of the some suction hole formed in the holding table. However, the change in the suction force cannot be detected except when the cracked portion overlaps with the suction hole. That is, the occurrence of cracks over the entire surface of the wafer cannot be detected.

따라서, 깨짐이 발생된 상태의 웨이퍼 처리를 계속하면, 파편이 장치 내에 말려들어서 불필요하게 정지시키거나, 또는 다음 처리 대상의 웨이퍼를 오염시키거나 하는 문제가 발생하고 있다.Therefore, when processing of a wafer in a state in which cracks have occurred continues, there arises a problem that debris is caught in the apparatus, causing it to stop unnecessarily, or to contaminate the wafer to be processed next.

본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 이면 연삭 후의 반도체 웨이퍼에 발생된 깨짐 등을 고정밀도로 검출할 수 있는 점착 테이프 박리 방법 및 점착 테이프 박리 장치를 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.The present invention has been made in view of such circumstances, and its main object is to provide a method for peeling an adhesive tape and an apparatus for peeling an adhesive tape capable of detecting with high accuracy a crack or the like generated in a semiconductor wafer after backside grinding.

본 발명은 이와 같은 목적을 달성하기 위해서, 다음과 같은 구성을 취한다.In order to achieve the above object, the present invention has the following configuration.

즉, 반도체 웨이퍼에 부착된 점착 테이프를 박리하는 점착 테이프 박리 방법으로서,That is, as an adhesive tape peeling method for peeling an adhesive tape adhered to a semiconductor wafer,

보유 지지 테이블에 설치된 환상 볼록부로 상기 반도체 웨이퍼의 외주를 보유 지지하는 보유 지지 과정과,a holding process of holding the outer periphery of the semiconductor wafer with an annular convex portion provided on a holding table;

상기 반도체 웨이퍼에 의해 밀폐된 보유 지지 테이블의 중공 내부에 기체를 공급하여 가압하는 가압 과정과,a pressurizing process of supplying and pressurizing a gas to the hollow interior of the holding table sealed by the semiconductor wafer;

박리 부재에 의해 박리 테이프를 상기 점착 테이프에 부착하여 접으면서 그 박리 테이프를 박리함으로써 점착 테이프를 일체로 하여 반도체 웨이퍼로부터 박리하는 박리 과정과,A peeling process of attaching and folding a peeling tape to the adhesive tape with a peeling member and peeling the peeling tape, thereby integrating the adhesive tape and peeling it from the semiconductor wafer;

상기 박리 과정에서, 보유 지지 테이블의 중공 내부에의 기체의 공급 유량 또는 압력의 변화 중 적어도 한쪽을 검출기에 의해 검출하는 검출 과정과,a detection process of detecting, by a detector, at least one of a change in the supply flow rate or pressure of gas into the hollow inside of the holding table in the peeling process;

상기 검출된 실측값과 미리 정한 기준값의 비교로부터 반도체 웨이퍼의 깨짐을 판별하는 판별 과정A determination process of determining the crack of the semiconductor wafer from the comparison of the detected actual value with a predetermined reference value

을 구비한 것을 특징으로 한다.It is characterized in that it is provided.

상기 방법에 의하면, 표면을 피복하고 있던 점착 테이프를 박리함으로써, 웨이퍼의 깨짐 부분으로부터 기체가 누설된다. 그 누설에 의해 변화하는 기체의 공급 유량 및 중공 내부의 압력의 변화 중 적어도 한쪽을 검출기에 의해 검출함으로써 그 깨짐을 검출할 수 있다. 따라서, 깨짐이 발생한 웨이퍼가 다음 공정으로 반송되는 것을 미연에 방지할 수 있다. 또한, 깨짐을 검출한 경우, 웨이퍼의 파편을 빠르게 제거 또는 깨짐에 대하여 처치를 실시할 수 있다. 따라서, 보유 지지 테이블이나 다음 처리 대상의 웨이퍼 오염을 피할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 「깨짐」이란 「금이 감」 및 「절결」을 포함하는 이상 부위를 의미한다.According to the said method, gas leaks from the cracked part of a wafer by peeling the adhesive tape which has coat|covered the surface. The crack can be detected by detecting at least one of the change in the gas supply flow rate and the pressure inside the hollow, which changes due to the leak, with the detector. Accordingly, it is possible to prevent in advance that the cracked wafer is transferred to the next process. Further, when a crack is detected, it is possible to quickly remove the fragments of the wafer or to treat the crack. Therefore, it is possible to avoid contamination of the holding table or the wafer to be processed next. In addition, in this invention, a "crack" means an abnormal site|part including a "crack" and a "notch".

또한, 상기 방법에 있어서, 깨짐을 검출한 시점의 위치를 기억해도 된다.Moreover, in the said method, you may memorize|store the position at the time of the crack detection.

이 방법에 의하면, 깨짐의 위치를 빠르게 확인하여 처치를 실시할 수 있다. 또한, 다음 공정에서 그 위치 정보를 이용할 수 있다. 예를 들어, 다이싱 처리 과정에서, 세단된 칩으로부터 그 깨짐 부분의 칩을 폐기 또는 제거할 수 있다.According to this method, the location of a crack can be confirmed quickly and a treatment can be performed. In addition, the position information can be used in the next step. For example, in the dicing process, chips of the broken parts may be discarded or removed from the shredded chips.

본 발명은 이와 같은 목적을 달성하기 위해서, 다음과 같은 구성을 취한다.In order to achieve the above object, the present invention has the following configuration.

즉, 반도체 웨이퍼에 부착된 점착 테이프를 박리하는 점착 테이프 박리 장치로서,That is, as an adhesive tape peeling device for peeling an adhesive tape adhered to a semiconductor wafer,

환상 볼록부에 의해 상기 반도체 웨이퍼의 외주를 보유 지지하는 보유 지지 테이블과,a holding table for holding the outer periphery of the semiconductor wafer by an annular convex portion;

상기 반도체 웨이퍼에 의해 밀폐된 중공 내부에 기체를 공급하여 가압하는 가압기와,a pressurizer for supplying and pressurizing a gas to the hollow interior sealed by the semiconductor wafer;

상기 반도체 웨이퍼를 향하여 띠형의 박리 테이프를 공급하는 박리 테이프 공급 기구와,a release tape supply mechanism for supplying a strip-shaped release tape toward the semiconductor wafer;

상기 보유 지지 테이블 상의 반도체 웨이퍼에 박리 부재에 의해 박리 테이프를 부착한 후에, 그 박리 부재로 박리 테이프를 접어 박리함으로써 점착 테이프를 일체로 하여 반도체 웨이퍼로부터 박리하는 박리 기구와,a peeling mechanism for affixing the release tape to the semiconductor wafer on the holding table with a peeling member, then folding the peeling tape with the peeling member to peel the adhesive tape integrally and peeling it from the semiconductor wafer;

상기 보유 지지 테이블과 박리 부재가 교차하도록 상대적으로 수평 이동시키는 수평 구동 기구와,a horizontal drive mechanism for relatively horizontally moving the holding table and the peeling member to cross each other;

상기 보유 지지 테이블의 중공 내부의 압력을 조정하는 제어부와,a control unit for adjusting the pressure inside the hollow of the holding table;

상기 점착 테이프를 박리하는 과정에서, 기체의 공급 유량의 변화 및 중공 내부의 압력의 변화 중 적어도 한쪽을 검출하는 검출기와,a detector for detecting at least one of a change in gas supply flow rate and a change in pressure inside the hollow in the process of peeling the adhesive tape;

상기 검출기에 의해 검출된 실측값과 미리 정한 기준값의 비교로부터 반도체 웨이퍼의 깨짐을 판별하는 판별부와,a judging unit for discriminating the crack of the semiconductor wafer from the comparison of the actual measured value detected by the detector with a predetermined reference value;

상기 보호 테이프와 일체화된 박리 테이프를 권취 회수하는 테이프 회수 기구Tape recovery mechanism for winding and collecting the peeling tape integrated with the protective tape

를 구비한 것을 특징으로 한다.It is characterized in that it is provided.

이 구성에 의하면, 웨이퍼 표면을 피복하고 있던 점착 테이프를 박리함으로써 변화하는 중공 내부에의 기체 유량 및 압력의 변화 중 적어도 한쪽이 검출된다. 따라서, 그 변화로부터 웨이퍼에 발생된 깨짐을 검출할 수 있다. 즉, 상기 방법을 적절하게 실시할 수 있다.According to this structure, at least one of the change of the gas flow rate and pressure in the hollow which changes by peeling the adhesive tape which has coat|covered the wafer surface is detected. Accordingly, it is possible to detect a crack generated in the wafer from the change. That is, the method can be appropriately implemented.

또한, 그 구성에 있어서, 판별부에 의해 판별된 깨짐의 위치를 기억하는 기억부를 구비하도록 구성해도 된다.Moreover, in the structure, you may comprise so that the memory|storage part which memorizes the position of the crack discriminated by the discrimination|determination part may be provided.

이 구성에 의하면, 기억한 위치 정보로부터 빠르게 깨짐 부위를 확인할 수 있다. 또한, 그 위치 정보를 예를 들어 다이싱 공정 등의 나중의 공정에서도 이용할 수 있다.According to this configuration, the cracked portion can be quickly identified from the stored positional information. In addition, the positional information can be used also in a later process, such as a dicing process, for example.

본 발명의 점착 테이프 박리 방법 및 점착 테이프 박리 장치에 의하면, 이면 연삭 후의 반도체 웨이퍼에 발생된 깨짐을 고정밀도로 검출할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the adhesive tape peeling method and adhesive tape peeling apparatus of this invention, the crack which generate|occur|produced in the semiconductor wafer after back surface grinding can be detected with high precision.

도 1은 반도체 웨이퍼의 일부 파단 사시도이다.
도 2는 반도체 웨이퍼의 이면측의 사시도이다.
도 3은 반도체 웨이퍼의 부분 종단면도이다.
도 4는 보호 테이프 박리 장치의 정면도이다.
도 5는 보호 테이프 박리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시하는 평면도이다.
도 6은 보유 지지 테이블의 종단면도이다.
도 7은 보호 테이프의 박리 동작을 도시하는 도면이다.
도 8은 보호 테이프의 박리 동작을 도시하는 도면이다.
도 9는 보호 테이프의 박리 동작을 도시하는 도면이다.
도 10은 보호 테이프의 박리 동작을 도시하는 도면이다.1 is a partially cutaway perspective view of a semiconductor wafer.
2 is a perspective view of the back side of the semiconductor wafer.
3 is a partial longitudinal cross-sectional view of a semiconductor wafer.
It is a front view of a protective tape peeling apparatus.
It is a top view which shows schematic structure of the principal part of a masking tape peeling apparatus.
Fig. 6 is a longitudinal sectional view of the holding table;
It is a figure which shows the peeling operation|movement of a protective tape.
It is a figure which shows the peeling operation|movement of a protective tape.
It is a figure which shows the peeling operation|movement of a protective tape.
It is a figure which shows the peeling operation|movement of a protective tape.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 설명한다. 또한, 본 실시예에서는 점착 테이프 박리 장치로서 보호 테이프 박리 장치를 예로 들어서 설명한다. 또한, 본 실시예는, 이면 외주에 환상 볼록부에 의해 보강부가 형성된 반도체 웨이퍼(이하, 적절히 「웨이퍼」라고 한다)로 보호 테이프를 박리하는 경우를 예시하고 있다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, in this embodiment, a protective tape peeling apparatus is mentioned as an example as an adhesive tape peeling apparatus, and it demonstrates. In addition, this Example illustrates the case where the protective tape is peeled from the semiconductor wafer (henceforth a "wafer" suitably) in which the reinforcement part was formed by the annular convex part on the outer periphery of the back surface.

<웨이퍼><Wafer>

웨이퍼 W는, 도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 패턴이 형성된 표면에 보호 테이프 PT가 부착되어서 표면이 보호된 상태로 백그라인드 처리된 것이다. 그 이면은, 외주부를 직경 방향으로 약 2mm를 남기고 연삭(백그라인드)되어 있다. 즉, 이면에 편평 오목부 b가 형성됨과 함께, 그 외주를 따라서 환상 볼록부 r이 잔존된 형상으로 가공된 것이 사용된다. 예를 들어, 편평 오목부 b의 깊이 d가 수백㎛, 연삭 영역의 웨이퍼 두께 t가 수십㎛가 되도록 가공되어 있다. 따라서, 이면 외주에 형성된 환상 볼록부 r은, 웨이퍼 W의 강성을 높이는 환상 리브로서 기능하여, 핸들링이나 기타의 처리 공정에서의 웨이퍼 W의 휨 변형을 억제한다.As shown in FIGS. 1 to 3 , the wafer W is back-grinded with a protective tape PT attached to the pattern-formed surface and the surface is protected. The back surface is ground (background) leaving about 2 mm in the radial direction of the outer periphery. That is, while the flat recessed part b is formed in the back surface, what was processed into the shape which the annular convex part r remained along the outer periphery is used. For example, it is processed so that the depth d of the flat recessed part b may become several hundreds of micrometers, and the wafer thickness t of a grinding area may become several tens of micrometers. Accordingly, the annular convex portion r formed on the outer periphery of the back surface functions as an annular rib that increases the rigidity of the wafer W, and suppresses bending deformation of the wafer W in handling and other processing steps.

<보호 테이프 박리 장치><Protective tape peeling device>

도 4는, 본 발명의 일 실시예에 따라, 보호 테이프 박리 장치의 전체 구성을 도시한 정면도, 도 5는 보호 테이프 박리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시하는 평면도, 도 6은 보유 지지 테이블의 개략 구성을 도시하는 종단면이다. 또한, 본 실시예의 보호 테이프 박리 장치는, 본 발명의 점착 테이프 박리 장치에 상당한다.Fig. 4 is a front view showing the overall configuration of a masking tape peeling apparatus according to an embodiment of the present invention; It is a longitudinal cross-section which shows the schematic structure. In addition, the protective tape peeling apparatus of a present Example corresponds to the adhesive tape peeling apparatus of this invention.

보호 테이프 박리 장치는, 도 4에 도시한 바와 같이, 보유 지지 테이블(1), 테이프 공급부(2), 박리 기구(3) 및 테이프 회수부(4)로 구성되어 있다.The masking tape peeling apparatus is comprised from the holding table 1, the tape supply part 2, the peeling mechanism 3, and the tape collection|recovery part 4, as shown in FIG.

보유 지지 테이블(1)은 도 4 내지 도 6에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 W의 이면 연삭 영역의 직경에 가까운 직경으로 형성된 오목부(5)가 설치되어 있다. 그 오목부(5)의 외주부의 환상 볼록부(6)의 표면에는, 웨이퍼 W의 환상 볼록부 r에 작용하는 복수개의 흡착 홈(7)이 형성되어 있다. 그 흡착 홈(7)은 외부의 진공원(8)과 연통 접속되어 있다.As shown in Figs. 4 to 6 , the holding table 1 is provided with a concave portion 5 formed with a diameter close to the diameter of the back surface grinding region of the wafer W. As shown in Figs. A plurality of suction grooves 7 acting on the annular convex portion r of the wafer W are formed on the surface of the annular convex portion 6 of the outer periphery of the concave portion 5 . The suction groove (7) is in communication with an external vacuum source (8).

또한, 웨이퍼 W의 편평 오목부 b와 보유 지지 테이블(1)의 오목부(5)에 의해 형성되는 공간(9)을 가압하기 위한 복수개의 에어 공급 구멍(10)이 형성되어 있다. 그 에어 공급 구멍(10)은 유로(11)를 통하여 외부에 설치된 에어 공급 장치(12)와 연통 접속되어 있다. 또한, 유로(11)에는, 공간(9)의 압력의 변화를 검출하기 위한 압력계(13)가 구비되어 있다. 또한, 환상 볼록부(6)의 측벽에는, 공간(9)과 외부를 연통하는 압력 제어용의 니들밸브가 설치되어 있다. 또한, 에어 공급 장치(12)는 본 발명의 가압기에, 압력계(13)는 본 발명의 검출기에 각각 상당한다.Further, a plurality of air supply holes 10 for pressurizing the space 9 formed by the flat concave portion b of the wafer W and the concave portion 5 of the holding table 1 are formed. The air supply hole (10) is connected in communication with an air supply device (12) provided outside through a flow passage (11). In addition, the flow path 11 is provided with a pressure gauge 13 for detecting a change in pressure in the space 9 . In addition, a needle valve for pressure control communicating with the space 9 and the outside is provided on the side wall of the annular convex portion 6 . In addition, the air supply device 12 corresponds to the pressurizer of this invention, and the pressure gauge 13 corresponds to the detector of this invention, respectively.

또한, 보유 지지 테이블(1)은 도 4에 도시한 바와 같이, 전후 수평하게 배치된 좌우 한 쌍의 레일(14)을 따라 전후로 슬라이드 가능하게 지지된 가동대(15)에 지지되어 있다. 그리고, 가동대(15)는 펄스 모터(16)로 정역 구동되는 나사축(17)에 의해 나사 이송 구동되도록 되어 있다.Moreover, as shown in FIG. 4, the holding table 1 is supported by the movable table 15 supported by the front-back and left-right pair of rails 14 arrange|positioned horizontally in front and back slidably. And, the movable table 15 is screw-feed driven by the screw shaft 17 which is driven forward and reverse by the pulse motor 16. As shown in FIG.

테이프 공급부(2)는 원단 롤로부터 도출한 박리 테이프 Ts를 후술하는 박리 유닛(20)에 안내한다.The tape supply part 2 guides the peeling tape Ts derived|led-out from the raw material roll to the peeling unit 20 mentioned later.

박리 기구(3)는 박리 유닛(20)을 구비하고 있다. 장치 베이스에 세워 설치된 좌우 한 쌍의 세로 프레임(21)에 걸쳐서 알루미늄 인발재를 포함하는 지지 프레임(22)이 고정되어 있다. 이 지지 프레임(22)의 좌우 중앙 부위에 상자형의 베이스(23)가 연결되어 있다. 또한, 베이스(23)에 설치된 좌우 한 쌍의 세로 레일(24)을 통하여 슬라이드 승강 가능하게 지지된 승강대(25)가 모터(26)에 의해 연결 구동되는 볼 축에 의해 승강된다. 박리 유닛(20)은 승강대(25)에 장비되어 있다.The peeling mechanism 3 is equipped with the peeling unit 20 . A support frame 22 made of an aluminum drawing material is fixed over a pair of left and right vertical frames 21 erected on the base of the apparatus. A box-shaped base 23 is connected to the left and right central portions of the support frame 22 . In addition, the hoisting table 25 supported so as to be slidably elevating through a pair of left and right vertical rails 24 installed on the base 23 is elevated by a ball shaft connected and driven by a motor 26 . The peeling unit 20 is equipped on the lifting platform 25 .

승강대(25)는 상하로 관통한 속이 빈 프레임 형상으로 구성되어 있다. 박리 유닛(20)은 승강대(25)의 좌우로 구비된 측판(27)의 내측 하부에 설치되어 있다. 양측판(27)에 걸쳐서 지지 프레임(28)이 고정되어 있다. 지지 프레임(28)의 중앙에 박리 부재(29)가 장착되어 있다.The lifting platform 25 has a hollow frame shape penetrating vertically. The peeling unit 20 is installed on the lower inner side of the side plate 27 provided on the left and right sides of the elevator 25 . A support frame 28 is fixed across the side plates 27 . A peeling member 29 is attached to the center of the support frame 28 .

박리 부재(29)는 웨이퍼 W의 직경보다도 짧은 판형이며, 또한, 선단을 향하여 끝이 가늘어지는 테이퍼 형상으로 형성되어 있다. 그 박리 부재(29)는 비스듬히 내려가는 경사 자세로 고정되어 있다.The peeling member 29 has a plate shape shorter than the diameter of the wafer W, and is formed in a tapered shape tapering toward the tip. The peeling member 29 is being fixed in the oblique attitude|position which descends obliquely.

또한, 박리 기구(3)는 측판(27)의 후방에 공급용의 가이드 롤러(31)가 공회전 가능하게 축 지지되어 있다. 또한, 박리 유닛(20)의 상방에는 복수개의 회수용의 가이드 롤러(32), 닙 롤러(33) 및 텐션 롤러(34)가 배치되어 있다.Moreover, as for the peeling mechanism 3, the guide roller 31 for supply is pivotally supported behind the side plate 27 so that idling is possible. Moreover, above the peeling unit 20, the several guide roller 32 for collection|recovery, the nip roller 33, and the tension roller 34 are arrange|positioned.

회수용의 가이드 롤러(32)는 공회전 가능하게 축 지지되어 있다. 텐션 롤러(34)는 공회전 가능하게 지지 아암(35)에 설치되어 있고, 그 지지 아암(35)을 통하여 요동 가능하게 배치되어 있다. 따라서, 텐션 롤러(34)는 안내 권회된 박리 테이프 Ts에 적당한 장력을 부여한다.The guide roller 32 for collection|recovery is pivotally supported so that idling is possible. The tension roller 34 is attached to the support arm 35 so that idling is possible, and is arrange|positioned so that it can swing|fluctuate through the support arm 35. As shown in FIG. Accordingly, the tension roller 34 imparts an appropriate tension to the guide-wound release tape Ts.

이들 회수용의 가이드 롤러(32) 및 텐션 롤러(34)는 웨이퍼 W의 직경보다 긴 길이의 광폭 롤러로 구성됨과 함께, 그 외주면이 불소 수지 코팅된 난접착면으로 되어 있다.These recovery guide rollers 32 and tension rollers 34 are composed of wide rollers with a length longer than the diameter of the wafer W, and their outer peripheral surfaces are made of non-adhesive surfaces coated with fluororesin.

공급용의 가이드 롤러(31)는 박리 테이프 Ts의 폭보다도 길고, 또한, 웨이퍼 W의 직경보다도 짧은 협폭 롤러로 구성되어 있다.The guide roller 31 for supply is comprised from the narrow roller which is longer than the width|variety of the peeling tape Ts, and is shorter than the diameter of the wafer W.

테이프 회수부(4)는 박리 유닛(20)으로부터 송출된 박리 테이프 Ts를 권취 회수한다.The tape collection part 4 winds up and collects the peeling tape Ts sent out from the peeling unit 20 .

이어서, 상술한 실시예 장치의 일순의 동작에 대해서, 도 7부터 도 9에 기초하여 설명한다.Next, an operation in a sequence of the above-described embodiment apparatus will be described with reference to FIGS. 7 to 9 .

도시하지 않은 반송 로봇에 의해, 이면 연삭 후의 보호 테이프 PT가 부착된 웨이퍼 W가, 보유 지지 테이블(1)의 환상 볼록부(6) 상에 웨이퍼 이면의 환상 볼록부 r이 중첩되도록 적재된다.By a transfer robot (not shown), the wafer W to which the protective tape PT is adhered after the back surface grinding is mounted on the annular convex part 6 of the holding table 1 so that the annular convex part r on the back surface of the wafer overlaps.

보유 지지 테이블(1)은 웨이퍼 W가 적재되면, 환상 볼록부(6)에 형성된 흡착 홈(7)에 의해 웨이퍼 W의 환상 볼록부 r을 흡착 보유 지지한다. 그 후, 에어 공급 장치(12)를 작동시켜서 웨이퍼 W에 의해 밀폐된 보유 지지 테이블(1)의 공간(9)에 에어의 공급을 개시한다. 이때, 도 7에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 W의 표면이 상향으로 약간 팽출될 정도까지 공간(9)을 가압한다.When the wafer W is loaded, the holding table 1 adsorbs and holds the annular convex portion r of the wafer W by the suction grooves 7 formed in the annular convex portion 6 . Thereafter, the air supply device 12 is operated to start supplying air to the space 9 of the holding table 1 sealed by the wafer W. At this time, as shown in FIG. 7 , the space 9 is pressed until the surface of the wafer W slightly swells upward.

공간(9)이 소정 압력에 달하면, 웨이퍼 W를 흡착 보유 지지한 보유 지지 테이블(1)은 대기 위치로부터 박리 테이프 Ts의 부착 개시 위치로 이동한다. 이어서, 모터(26)가 작동하여 박리 유닛(20)을 소정 높이까지 하강시킨다. 즉, 도 8에 도시한 바와 같이, 박리 부재(29)에 감겨 있는 박리 테이프 Ts가, 웨이퍼 W 상의 보호 테이프 PT의 단부에 가압되어서 부착된다.When the space 9 reaches a predetermined pressure, the holding table 1 adsorbingly holding the wafer W moves from the standby position to the attachment start position of the release tape Ts. Then, the motor 26 is operated to lower the peeling unit 20 to a predetermined height. That is, as shown in FIG. 8, the peeling tape Ts wound around the peeling member 29 is pressed and adhered to the edge part of the protective tape PT on the wafer W.

그 후, 보유 지지 테이블(1)은 전진 이동한다. 이때, 박리 부재(29)에 의해 웨이퍼 W의 상향의 만곡을 평탄으로 되돌리도록 가압하면서 보호 테이프 PT에 박리 테이프 Ts가 부착된다. 동시에, 박리 부재(29)에 의해 박리 테이프 Ts를 접으면서 보호 테이프 PT를 일체로 하여 웨이퍼 W의 표면으로부터 박리해 간다. 또한, 그 박리 동작에 동기하여, 박리 테이프 Ts가 테이프 공급부(2)로부터 조출됨과 함께, 테이프 회수부(4)에 의해 사용 후의 보호 테이프 PT가 부착되어 있는 박리 테이프 Ts가 권취 회수되어 간다.After that, the holding table 1 moves forward. At this time, the peeling tape Ts is affixed to the protective tape PT, pressing by the peeling member 29 so that the upward curve of the wafer W may be returned to flatness. Simultaneously, while the peeling tape Ts is folded by the peeling member 29, the protective tape PT is integrated and peeled from the surface of the wafer W. Moreover, in synchronization with the peeling operation|movement, while the peeling tape Ts is fed out from the tape supply part 2, the peeling tape Ts to which the protective tape PT after use is affixed by the tape collection|recovery part 4 is wound up and collect|recovered.

이 보호 테이프 PT의 박리 과정에서, 제어부(36)에 의해 에어 공급 장치(12)로부터의 에어의 공급량을 일정하게 유지하면서 공간(9)의 압력을 일정하게 유지하고 있다. 즉, 압력계(13)에 의해 공간(9)의 압력을 순서대로 모니터하고 있다.In the peeling process of this protective tape PT, the pressure of the space 9 is kept constant, maintaining the supply amount of air from the air supply apparatus 12 constant by the control part 36. That is, the pressure in the space 9 is sequentially monitored by the pressure gauge 13 .

그러나, 도 9에 도시한 바와 같이, 보호 테이프 PT의 박리 과정에서 보호 테이프 PT가 박리되어서 표면이 노출된 웨이퍼 W에 깨짐이나 절결 등의 이상 부위(40)가 발생되었으면, 그 이상 부위로부터 에어가 누설되어서 공간(9)의 압력이 저하된다. 그 압력이 저하되는 변화를 압력계(13)가 검출하면, 그 검출 신호를 제어부(36)에 송신한다.However, as shown in FIG. 9 , when the protective tape PT is peeled off during the peeling process of the protective tape PT and an abnormal portion 40 such as a crack or notch occurs on the wafer W with the surface exposed, air is released from the abnormal portion. It leaks, and the pressure of the space 9 falls. When the pressure gauge 13 detects a change in the pressure, the detection signal is transmitted to the control unit 36 .

즉, 제어부(36)는 메모리 등의 기억 장치에 미리 기억되어 있는 압력의 기준 범위 내에 실측값이 들어가 있는지 여부를 판별부(37)로 판별한다. 실측값이 미리 정한 기준 범위 미만이면 절결, 깨짐 등의 이상 개소가 웨이퍼 W에 발생되었다고 판단한다. 그 이상 개소는, 인코더나 펄스 모터(16)의 펄스수 등을 이용하여, 박리 테이프 Ts를 부착하는 개시 위치로부터의 이동 거리에 의해 위치 좌표가 구해진다. 그 위치 좌표는 기억 장치에 기록된다. 위치 좌표는 기억 장치로부터 판독하여 모니터 등에 표시하여 확인할 수 있다.That is, the control unit 36 determines with the determination unit 37 whether or not the measured value falls within the reference range of the pressure previously stored in a storage device such as a memory. If the measured value is less than a predetermined reference range, it is determined that an abnormal location such as a notch or crack has occurred in the wafer W. Position coordinates are calculated|required by the movement distance from the starting position which affixes peeling tape Ts using an encoder, the pulse number of the pulse motor 16, etc. for a location beyond that. The position coordinates are recorded in the storage device. The position coordinates can be checked by reading them from the storage device and displaying them on a monitor or the like.

도 10에 도시한 바와 같이, 보호 테이프 PT가 웨이퍼 W의 표면으로부터 완전히 박리되면, 박리 유닛(20)은 상승하여 초기 위치로 복귀하고 다음 처리에 대비한다.As shown in Fig. 10, when the protective tape PT is completely peeled off from the surface of the wafer W, the peeling unit 20 rises to return to the initial position and prepares for the next processing.

또한, 보호 테이프 PT의 박리된 웨이퍼 W는, 보유 지지 테이블(1)에 의해 수수 위치까지 이동한다.Further, the peeled wafer W of the protective tape PT is moved to the transfer position by the holding table 1 .

이상으로 실시예 장치의 일순의 동작이 완료되고, 이후, 소정 매수에 도달할 때까지 동일한 동작이 반복된다.As described above, one sequence of operations of the device of the embodiment is completed, and thereafter, the same operation is repeated until a predetermined number is reached.

상기 실시예 장치에 의하면, 표면을 피복하고 있던 보호 테이프 PT를 박리함으로써, 웨이퍼 W의 표면에 발생된 이상 부위로부터 기체가 누설된다. 그 누설에 의해 변화하는 공간(9)의 압력의 변화를 압력계(13)에 의해 검출함으로써 이상 부위를 검출할 수 있다. 즉, 이상 부위를 검출한 경우, 검출한 위치 좌표로부터 이상 부위를 특정할 수 있으므로, 신속한 처치를 실시할 수 있다. 예를 들어, 파편 등을 빠르게 제거하는 것이 가능하다. 또한, 불량품인 웨이퍼 W를 제조 라인으로부터 제거할 수도 있다. 따라서, 장치 및 제조 라인이 불필요하게 정지되는 것을 피할 수 있다.According to the device of the above embodiment, when the protective tape PT covering the surface is peeled off, gas leaks from the abnormal portion generated on the surface of the wafer W. An abnormal part can be detected by detecting the change of the pressure of the space 9 which changes by the leak with the pressure gauge 13. As shown in FIG. That is, when an abnormal site is detected, the abnormal site can be identified from the detected positional coordinates, so that a prompt treatment can be performed. For example, it is possible to quickly remove debris and the like. In addition, the wafer W, which is a defective product, can be removed from the production line. Accordingly, unnecessary shutdown of the apparatus and manufacturing line can be avoided.

또한, 본 발명은 이하와 같은 형태로 실시하는 것도 가능하다.In addition, this invention can also be implemented in the form as follows.

(1) 상기 실시예에서는, 압력계(13) 대신에 유량계를 이용할 수 있다. 깨짐이 발생하는 경우, 공간(9)의 압력이 저하되므로, 제어부(36)는 공간(9)의 압력을 일정하게 유지하기 위해서 에어의 유량을 증가시키도록 에어 공급 장치(12)를 조작한다. 따라서, 에어의 유량 변화로부터 깨짐의 발생을 검출할 수 있다.(1) In the above embodiment, a flow meter can be used instead of the pressure gauge 13 . When cracking occurs, since the pressure in the space 9 is lowered, the control unit 36 operates the air supply device 12 to increase the flow rate of air in order to keep the pressure in the space 9 constant. Accordingly, it is possible to detect the occurrence of cracks from changes in the flow rate of air.

또한, 본 실시예에서는, 압력계와 유량계를 동시에 이용해도 된다.In addition, in this embodiment, a pressure gauge and a flow meter may be used simultaneously.

(2) 상기 실시예에서는, 박리 유닛(20)의 하강을 제어하여 박리 테이프 Ts를 보호 테이프 PT에 부착하였지만, 승강 작동하지 않는 박리 유닛(20)에 대하여 보유 지지 테이블(1)을 승강 작동시키는 형태로도 실시할 수도 있다. 또한, 보유 지지 테이블(1)을 고정하고, 박리 유닛(20)을 이동시키도록 구성해도 된다.(2) In the above embodiment, although the peeling tape Ts is attached to the protective tape PT by controlling the descent of the peeling unit 20, the holding table 1 is raised/lowered with respect to the peeling unit 20 that does not lift/lower operation. It can also be implemented in the form. Moreover, you may comprise so that the holding table 1 may be fixed and the peeling unit 20 may be moved.

(3) 상기 각 실시예에서는, 이상 부위를 검출해도 보호 테이프 PT를 웨이퍼 W로부터 완전히 박리하였지만, 이상 부위를 검출한 시점에서 박리 동작을 정지하여 파편 등을 제거해도 된다.(3) In each of the above embodiments, the protective tape PT was completely peeled off from the wafer W even when an abnormal portion was detected. However, when the abnormal portion is detected, the peeling operation may be stopped to remove debris and the like.

(4) 상기 각 실시예에서는, 예를 들어 웨이퍼 W와 대략 동일 형상의 스테인리스강 또는 유리 기판 등의 보강용의 지지판을 접합하고 있던 양면 점착 테이프를 웨이퍼 W로부터 박리하는 경우에도 적용할 수 있다.(4) In each of the above examples, for example, the double-sided pressure-sensitive adhesive tape that has been bonded to a support plate for reinforcement such as a stainless steel or glass substrate of substantially the same shape as the wafer W is also applicable when peeling from the wafer W.

(5) 상기 실시예 장치는, 이면 전체를 균일하게 연삭한 웨이퍼 W에 부착되어 있는 보호 테이프 PT 또는 양면 점착 테이프를 박리하는 것에도 이용할 수 있다.(5) The apparatus of the said embodiment can also be used for peeling the protective tape PT or double-sided adhesive tape adhered to the wafer W which grind|ground the whole back surface uniformly.

Claims (4)

반도체 웨이퍼에 부착된 점착 테이프를 박리하는 점착 테이프 박리 방법으로서, 상기 방법은,
보유 지지 테이블에 설치된 환상 볼록부로 상기 반도체 웨이퍼의 외주를 보유 지지하는 보유 지지 과정;
상기 반도체 웨이퍼에 의해 밀폐된 보유 지지 테이블의 중공 내부에 기체를 공급하여 가압하는 가압 과정;
박리 부재에 의해 박리 테이프를 상기 점착 테이프에 부착하여 접으면서 그 박리 테이프를 박리함으로써 점착 테이프를 일체로 하여 반도체 웨이퍼로부터 박리하는 박리 과정;
상기 박리 과정에서, 보유 지지 테이블의 중공 내부에의 기체의 공급 유량 또는 압력의 변화 중 적어도 한쪽을 검출기에 의해 검출하는 검출 과정; 및
상기 검출된 실측값과 미리 정한 기준값의 비교로부터 반도체 웨이퍼의 깨짐을 판별하는 판별 과정을 포함하는 점착 테이프 박리 방법.An adhesive tape peeling method for peeling an adhesive tape adhered to a semiconductor wafer, the method comprising:
a holding process of holding the outer periphery of the semiconductor wafer with an annular convex portion provided on a holding table;
a pressurizing process of supplying and pressurizing a gas into the hollow inside of the holding table sealed by the semiconductor wafer;
a peeling process of peeling the adhesive tape integrally from the semiconductor wafer by peeling the peeling tape while attaching and folding the peeling tape to the adhesive tape with a peeling member;
a detection process of detecting, by a detector, at least one of a change in pressure or a supply flow rate of gas into the hollow inside of the holding table in the peeling process; and
and a determination process of determining whether the semiconductor wafer is broken from the comparison of the detected actual value and a predetermined reference value. 제1항에 있어서,
상기 검출 과정에서, 깨짐을 검출한 시점의 위치를 기억하는 점착 테이프 박리 방법.The method of claim 1,
In the detection process, the adhesive tape peeling method of memorizing the position of the point of time when a crack was detected. 반도체 웨이퍼에 부착된 점착 테이프를 박리하는 점착 테이프 박리 장치로서, 상기 장치는,
환상 볼록부에 의해 상기 반도체 웨이퍼의 외주를 보유 지지하는 보유 지지 테이블;
상기 반도체 웨이퍼에 의해 밀폐된 중공 내부에 기체를 공급하여 가압하는 가압기;
상기 반도체 웨이퍼를 향하여 띠형의 박리 테이프를 공급하는 박리 테이프 공급 기구;
상기 보유 지지 테이블 상의 반도체 웨이퍼에 박리 부재에 의해 박리 테이프를 부착한 후에, 그 박리 부재로 박리 테이프를 접어 박리함으로써 점착 테이프를 일체로 하여 반도체 웨이퍼로부터 박리하는 박리 기구;
상기 보유 지지 테이블과 박리 부재가 교차하도록 상대적으로 수평 이동시키는 수평 구동 기구;
상기 보유 지지 테이블의 중공 내부의 압력을 조정하는 제어부;
상기 점착 테이프를 박리하는 과정에서, 기체의 공급 유량의 변화 및 중공 내부의 압력의 변화 중 적어도 한쪽을 검출하는 검출기;
상기 검출기에 의해 검출된 실측값과 미리 정한 기준값의 비교로부터 반도체 웨이퍼의 깨짐을 판별하는 판별부; 및
상기 점착 테이프와 일체화된 박리 테이프를 권취 회수하는 테이프 회수 기구를 포함하는 점착 테이프 박리 장치.An adhesive tape peeling device for peeling an adhesive tape adhered to a semiconductor wafer, the device comprising:
a holding table holding the outer periphery of the semiconductor wafer by an annular convex portion;
a pressurizer for supplying and pressurizing a gas into the hollow sealed by the semiconductor wafer;
a release tape supply mechanism for supplying a strip-shaped release tape toward the semiconductor wafer;
a peeling mechanism for attaching a peeling tape to the semiconductor wafer on the holding table with a peeling member, then folding the peeling tape with the peeling member to peel the adhesive tape integrally and peeling it from the semiconductor wafer;
a horizontal drive mechanism for relatively horizontally moving the holding table and the peeling member to intersect;
a control unit for adjusting the pressure inside the hollow of the holding table;
a detector for detecting at least one of a change in a gas supply flow rate and a change in pressure inside the hollow in the process of peeling the adhesive tape;
a discriminating unit for discriminating the crack of the semiconductor wafer from the comparison of the measured value detected by the detector with a predetermined reference value; and
and a tape recovery mechanism for winding and collecting the peeling tape integrated with the adhesive tape. 제3항에 있어서, 상기 장치는,
상기 판별부에 의해 판별된 깨짐의 위치를 기억하는 기억부를 더 포함하는 점착 테이프 박리 장치.According to claim 3, wherein the device,
The adhesive tape peeling device further comprising a storage unit for storing the position of the crack determined by the discrimination unit.
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