KR102364243B1 - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 프로그램 기록 매체 - Google Patents
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Abstract
기판 처리 장치는, 기판의 브러쉬 세정을 실시한다. 기판 처리 장치는, 회전축선의 둘레에서 회전할 수 있게 형성된 스핀 베이스와, 상기 스핀 베이스를 회전시키는 스핀 베이스 회전 기구와, 열림 상태와 닫힘 상태로 전환할 수 있고, 닫힘 상태에 있어서 기판의 단부를 측면에서부터 협지할 수 있게 구성되어 있고, 상기 스핀 베이스에 형성된 복수의 제 1 척 핀을 구비하고 있다. 상기 복수의 제 1 척 핀의 각각은, 상기 기판의 단부를 협지한 닫힘 상태에 있어서 그 상면이 상기 기판의 상면과 동일하거나 또는 낮은 높이가 되도록 구성되어 있다.
Description
본 발명은, 처리 대상인 기판에 대하여 처리액을 사용한 처리를 실시하기 위한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 기판 처리 장치에 의해 기판 처리를 실행하기 위한 프로그램을 기록한 프로그램 기록 매체에 관한 것이다. 처리 대상인 기판에는, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 유리 기판, 플라즈마 디스플레이용 유리 기판, 포토마스크용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판 등의 각종 기판이 포함된다.
기판의 처리 공정의 하나로, 기판의 표면에 처리액을 공급함으로써 기판 표면을 세정하는 공정이 있다. 처리액 공급만으로는 충분히 세정 목적을 달성할 수 없는 경우, 브러쉬를 기판 표면에 적용하여 기판 표면을 세정하는 브러쉬 세정 공정이 행해진다.
기판을 수평으로 유지하면서 회전시킨 후에 기판 세정 처리를 실시하는 이른바 매엽 (枚葉) 세정 장치에 있어서는, 기판 표면에 처리액을 공급한 후에 브러쉬가 기판 표면에 적용되어, 브러쉬에 의한 세정 처리가 실시된다.
기판을 수평면에 평행하게 유지하며, 하나의 처리실에서 한 장씩 기판 처리를 실시하는 이른바 매엽 기판 처리 장치에 있어서 브러쉬 세정할 때에는, 기판을 스핀 베이스로 유지한 후에 기판과 스핀 베이스를 일체 회전시키고, 이것에 브러쉬를 맞닿게 함으로써 브러쉬 세정이 실시된다. 스핀 베이스에 기판을 유지시키는 방식으로는, 기판 주면의 일방을 흡인 유지하는 흡인 척 방식이나, 기판의 단부 (베벨 또는 에지 주변) 를 기판 측면에서부터 협지하는 에지 홀드 방식 등이 있다. 특허문헌 1 에 예시된 흡인 척 방식에서는, 기판의 단부를 자유롭게 브러쉬 세정할 수 있는 한편, 기판에 흡인 자국이 남는 것이나, 흡인 척과 기판이 접촉되어 있는 부분이 흡인시에 세정할 수 없는 등의 문제가 있다. 에지 홀드 방식은, 흡인 척 방식과 달리 기판 단부 이외의 부분을 세정할 수 있어 널리 사용된다.
특히 기판 이면 세정 공정에서는 그 공정의 성질상, 대부분의 경우에 에지 홀드 방식이 사용된다.
그러나, 에지 홀드 방식의 기판 유지에는, 척 핀이 기판의 단부를 유지하기 때문에, 기판 단부의 브러쉬 세정이 곤란해진다는 문제가 있다.
이 문제에 대처하기 위해, 기판의 단부를 유지하는 복수의 척 핀의 일부를 적절히 퇴피시키고, 기판의 단부 중 척 핀이 퇴피한 지점에 대해서 브러쉬를 진입시켜 브러쉬 세정을 실시한다는 방법이 제안되어 있다. 이와 같이 척 핀의 일부를 퇴피시키는 기술예가 특허문헌 2 에 기재되어 있다.
특허문헌 2 에서는, 에지 홀드 방식으로 기판이 유지되어 있지만, 브러쉬와 척 핀이 간섭되지 않게 척 핀을 퇴피시키고, 이것과 기판 주면의 브러쉬 세정을 동기시키고 있다. 척 핀이 퇴피한 지점에 대해서, 브러쉬는 기판의 에지를 넘은 위치까지 수평 이동하고, 이른바 브러쉬 오버 스캔이 이루어진다.
특허문헌 2 에 예시된 브러쉬 오버 스캔에 있어서는, 기판과 함께 회전하는 척 핀에 브러쉬가 간섭하지 않게 기판의 회전과 동기하여 척 핀을 순차적으로 개폐할 필요가 있다. 그래서, 세정 처리 중에 복잡한 동기 제어를 실시할 필요가 있고, 만일 동기 제어를 실패한 경우에는 처리 장치나 기판의 손상의 우려가 있다. 또한, 특허문헌 2 에 예시된 브러쉬 오버 스캔에 있어서는, 기판 세정 중에 적어도 일부의 척 핀은 기판보다 높은 위치에 돌출된 상태로 기판을 유지하고 있으므로, 이것에 세정액이 부딪쳐 액이 비산되어 파티클 발생의 원인이 된다.
그 때문에, 에지 홀드 방식으로 기판을 유지하면서 간편한 제어 방법 및/또는 장치 구성에서, 양호하게 기판의 표면 및 베벨부의 세정을 실시하는 장치 및/또는 방법이 필요해진다.
그래서, 본 발명의 일 실시형태는, 기판을 그 단부에서 협지하는 이른바 에지 홀드 방식에 의한 유지 방식을 채용하면서 간편한 제어 방법 및/또는 장치 구성에서, 양호하게 기판의 표면 및 베벨부를 브러쉬로 세정하는 장치 및/또는 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시형태는, 기판의 브러쉬 세정을 실시하는 기판 처리 장치를 제공한다. 이 기판 처리 장치는, 회전축선의 둘레에서 회전할 수 있게 형성된 스핀 베이스와, 상기 스핀 베이스를 회전시키는 스핀 베이스 회전 기구와, 열림 상태와 닫힘 상태로 전환할 수 있고, 닫힘 상태에 있어서 기판의 단부를 측면에서부터 협지할 수 있게 구성되어 있고, 상기 스핀 베이스에 형성된 복수의 제 1 척 핀을 구비하고 있다. 상기 복수의 제 1 척 핀의 각각은, 상기 기판의 단부를 협지한 닫힘 상태에 있어서 그 상면이 상기 기판의 상면과 동일하거나 또는 낮은 높이가 되도록 구성되어 있다.
이 구성에 따르면, 브러쉬와 척 핀이 간섭하지 않고, 브러쉬에 의한 에지 오버 스캔을 실시할 수 있게 된다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 장치는, 열림 상태와 닫힘 상태로 전환할 수 있고, 닫힘 상태에 있어서 기판의 단부를 측면에서부터 협지할 수 있게 구성되어 있고, 상기 스핀 베이스에 형성된 복수의 제 2 척 핀을 추가로 구비하고 있다. 그리고, 상기 복수의 제 2 척 핀의 각각은, 상기 기판의 단부를 협지한 닫힘 상태에 있어서 그 상면이 상기 기판의 상면보다 높은 높이가 되도록 구성되어 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 제 1 척 핀의 각각은, 닫힘 상태에 있어서 기판에 맞닿는 맞닿음면을 갖고 있고, 당해 맞닿음면이 적어도 기판의 주연부 (周緣部) 의 하면 및 측면에 맞닿을 수 있게 구성되어 있다.
본 발명의 일 실시형태는, 기판의 브러쉬 세정을 실시하는 기판 처리 방법을 제공한다. 이 기판 처리 방법은, 열림 상태와 닫힘 상태로 전환할 수 있고, 닫힘 상태에 있어서 기판의 단부를 측면에서부터 협지할 수 있게 구성되어 있고, 상기 스핀 베이스에 형성된 복수의 제 1 척 핀에 의해 상기 기판을 협지하는 제 1 협지 공정과, 열림 상태와 닫힘 상태로 전환할 수 있고, 닫힘 상태에 있어서 기판의 단부를 측면에서부터 협지할 수 있게 구성되어 있고, 상기 스핀 베이스에 형성된 복수의 제 2 척 핀에 의해 상기 기판을 협지하는 제 2 협지 공정을 포함한다. 상기 복수의 제 1 척 핀의 각각은, 상기 기판의 단부를 협지한 닫힘 상태에 있어서 그 상면이 상기 기판의 상면과 동일하거나 또는 낮은 높이가 되도록 구성되어 있다. 상기 복수의 제 2 척 핀의 각각은, 상기 기판의 단부를 협지한 닫힘 상태에 있어서 그 상면이 상기 기판의 상면보다 높은 높이가 되도록 구성되어 있다.
상기 기판 처리 방법의 일 실시형태에서는, 상기 제 1 협지 공정에 있어서 브러쉬에 의한 기판 세정이 실시된다.
상기 기판 처리 방법의 일 실시형태에서는, 상기 제 1 협지 공정에 있어서 상기 스핀 베이스가 제 1 회전수로 회전되고, 상기 제 2 협지 공정에 있어서 상기 스핀 베이스가 상기 제 1 회전수보다 높은 회전수로 회전한다.
본 발명의 일 실시형태는, 기판의 브러쉬 세정을 실시하는 기판 처리 방법을 실행하는 프로그램의 프로그램 기록 매체를 제공한다. 상기 기판 처리 방법은, 열림 상태와 닫힘 상태로 전환할 수 있고, 닫힘 상태에 있어서 기판의 단부를 측면에서부터 협지할 수 있게 구성되어 있고, 상기 스핀 베이스에 형성된 복수의 제 1 척 핀에 의해 상기 기판을 협지하는 제 1 협지 공정과, 열림 상태와 닫힘 상태로 전환할 수 있고, 닫힘 상태에 있어서 기판의 단부를 측면에서부터 협지할 수 있게 구성되어 있고, 상기 스핀 베이스에 형성된 복수의 제 2 척 핀에 의해 상기 기판을 협지하는 제 2 협지 공정을 포함한다. 상기 복수의 제 1 척 핀의 각각은, 상기 기판의 단부를 협지한 닫힘 상태에 있어서 그 상면이 상기 기판의 상면과 동일하거나 또는 낮은 높이가 되도록 구성되어 있다. 상기 복수의 제 2 척 핀의 각각은, 상기 기판의 단부를 협지한 닫힘 상태에 있어서 그 상면이 상기 기판의 상면보다 높은 높이가 되도록 구성되어 있다.
상기 프로그램 기록 매체의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 방법의 상기 제 1 협지 공정에 있어서 브러쉬에 의한 기판 세정이 실시된다.
상기 프로그램 기록 매체의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 방법의 상기 제 1 협지 공정에 있어서 상기 스핀 베이스가 제 1 회전수로 회전되고, 상기 제 2 협지 공정에 있어서 상기 스핀 베이스가 상기 제 1 회전수보다 높은 회전수로 회전한다.
본 발명에서의 상기 서술한, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 서술하는 실시형태의 설명에 의해 명확해진다.
도 1 은 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 2 는 실시형태에 관련된 처리액 공급 기구 (200) 의 구성을 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 3 은 실시형태에 관련된 컨트롤러 (100) 의 구성을 모식적으로 나타내는 블록도이다.
도 4 는 실시형태에 관련된 척 핀 (CA 및 CB) 의 구조를 설명하기 위한 모식적인 측면도이다.
도 5 은 실시형태에 관련된 척 핀 (CA 및 CB) 의 동작을 설명하기 위한 모식적인 평면도이다.
도 6 은 실시형태에 관련된 척 핀 (CA 및 CB) 의 동작을 설명하기 위한 모식적인 평면도이다.
도 7 은 실시형태에 관련된 척 핀 (CA 및 CB) 의 동작을 설명하기 위한 모식적인 평면도이다.
도 8 은 실시형태에 관련된 척 핀 (CA 및 CB) 의 동작을 설명하기 위한 모식적인 평면도이다.
도 9 은 실시형태에 관련된 처리의 플로우 차트이다.
도 2 는 실시형태에 관련된 처리액 공급 기구 (200) 의 구성을 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 3 은 실시형태에 관련된 컨트롤러 (100) 의 구성을 모식적으로 나타내는 블록도이다.
도 4 는 실시형태에 관련된 척 핀 (CA 및 CB) 의 구조를 설명하기 위한 모식적인 측면도이다.
도 5 은 실시형태에 관련된 척 핀 (CA 및 CB) 의 동작을 설명하기 위한 모식적인 평면도이다.
도 6 은 실시형태에 관련된 척 핀 (CA 및 CB) 의 동작을 설명하기 위한 모식적인 평면도이다.
도 7 은 실시형태에 관련된 척 핀 (CA 및 CB) 의 동작을 설명하기 위한 모식적인 평면도이다.
도 8 은 실시형태에 관련된 척 핀 (CA 및 CB) 의 동작을 설명하기 위한 모식적인 평면도이다.
도 9 은 실시형태에 관련된 처리의 플로우 차트이다.
이하, 기판 처리 장치 (1) 의 구성 및 동작을 도면에 의거하여 설명한다.
도면에서는 동일한 구성 및 기능을 갖는 부분에 동일한 부호가 붙여지고, 하기 설명에서는 중복 설명이 생략된다. 또한, 각 도면은 모식적으로 도시된 것이다.
<기판 처리 장치 (1) 의 구성>
도 1 은, 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 구성의 일례를 나타내는 모식도이다.
먼저, 기판 처리 장치 (1) 를 구성하는 각종 부재나 기구에 대해서 설명한다.
기판 처리 장치 (1) 는, 기판 (W) 을 유지 회전시키기 위한 스핀 척 (50) 을 포함한다. 스핀 척 (50) 은, 대략 원판 형상의 스핀 베이스 (70) 와, 스핀 베이스 (70) 의 하방에 연결된 원기둥 형상의 지지축 (52) 과, 지지축 (52) 과 연결되는 스핀 베이스 회전 기구 (53) 를 구비한다. 스핀 베이스 회전 기구 (53) 는, 지지축 (52) 을 회전시킴으로써, 스핀 베이스 (70) 를 스핀 베이스 회전축 (AX) 둘레로 회전시킨다.
스핀 베이스 (70) 의 상면의 주연부에는, 기판 (W) 을 그 주연에서부터 유지시키기 위한 복수의 척 핀 (CA) 과 복수의 척 핀 (CB) 이, 스핀 베이스 (70) 상면의 둘레 방향에 대해서 대략 등간격이 되도록 서로 번갈아 배치 형성되어 있다. 척 핀 (CA) 은, 그 상부가 기판 (W) 의 상면보다 높은 높이가 되도록 구성되어 있다. 척 핀 (CB) 은, 그 상부가 기판 (W) 의 상면과 동일하거나, 그보다 낮은 높이가 되도록 구성되어 있다.
스핀 베이스 (70) 의 내부에는, 점선으로 나타내는 척 핀 이동 기구 (75A 및 75B) 가 격납되어 있다. 척 핀 이동 기구 (75A) 는, 복수의 척 핀 (CA) 을 열림 상태와 닫힘 상태로 전환시키는 동작을 실현시킨다. 척 핀 이동 기구 (75B) 는, 복수의 척 핀 (CB) 을 열림 상태와 닫힘 상태로 전환시키는 동작을 실현시킨다. 이들 동작은, 컨트롤러 (100) 에 있어서의 아암 이동 기구 제어부 (122) (도 3 참조) 로부터의 제어 신호에 의해 실현된다.
스핀 척 (50) 의 측방에는, 아암 이동 기구 (60) 가 설치되어 있다. 아암 이동 기구 (60) 는, 아암 (64) 을 수평면 내에서 요동 이동시키기 위한 축 회전 기구 (61A) 와 아암 (64) 을 연직 방향으로 승강시키기 위한 승강 기구 (61B) 를 갖는 가동부 (61) 를 구비한다. 가동부 (61) 는, 가동부 (61) 로부터 발생하는 오염물을 차폐하기 위해서 가동부 (61) 주위를 덮기 위한 커버 (62) 를 구비하고 있다. 가동부 (61) 는, 헤드 (65) 및 브러쉬 (BR1) 를 아암 (64) 의 장축 방향으로 전후 (前後) 시키기 위한 도시되지 않은 전후 이동 기구를, 축 회전 기구 (61A) 대신에, 또는 축 회전 기구 (61A) 에 추가하여 구비하고 있는 구성으로 해도 된다.
가동부 (61) 는, 연직 방향으로 연장되는 지지축 (63) 에 연결되고, 지지축 (63) 은 또한 수평 방향으로 연장되는 아암 (64) 에 연결된다. 아암 (64) 의 일단은 헤드 (65) 에 연결된다. 헤드 (65) 상에는, 제 1 브러쉬 (BR1) 가 고정되어 있고, 아암 이동 기구 (60) 에 의해 헤드 (65) 를 이동시킴으로써, 제 1 브러쉬 (BR1) 의 위치를 이동시킬 수 있다. 헤드 (65) 는, 고정구 (25) 를 개재하여 도 1 에 나타내는 바와 같이 제 2 노즐 (20) 과 연결해도 된다.
기판 처리 장치 (1) 는 또한 스핀 척 (50) 에 의해 유지된 기판 (W) 에 처리액을 공급하기 위한 제 1 노즐 (10) 및 제 2 노즐 (20) 을 구비한다.
<처리액 공급 기구 (200) 의 구성에 대해서>
이하, 도 1 에 더하여 적절히 도 2 를 참조하여 제 1 노즐 및 제 2 노즐의 배치 구성 및 처리액 공급 기구 (200) 의 구성에 대해서 설명한다. 도 2 는, 실시형태에 관련된 처리액 공급 기구 (200) 의 구성을 모식적으로 나타내는 측면도이다.
제 1 노즐 (10) 은, 배관 (210) 을 통해 처리액 공급 기구 (200) 로부터 공급되는 처리액을 토출구 (10A) 로부터 토출할 수 있게 구성되어 있다. 본 실시형태에서는, 제 1 노즐 (10) 은, 기판 (W) 의 주면 (상면) 의 중심을 향하여 처리액을 토출하도록, 도시되지 않은 고정구에 의해 기판 (W) 의 상부에 고정된다.
제 1 노즐 (10) 의 고정 위치는, 제 2 노즐 (20) 이나 헤드 (65) 의 이동에 수반되어 이것들과 간섭되지 않는 높이로 설정된다.
제 1 노즐 (10) 의 상기 배치 구성은 어디까지나 일례이다. 기판 (W) 의 주면 (상면) 의 중심을 향하여 처리액을 토출하는 구성으로는, 기판 (W) 의 상방에 기판 (W) 의 주면과 대향된 이른바 차단판을 배치하고, 이 차단판의 중앙에 제 1 노즐 (10) 의 토출구를 배치하는 구성 등, 다양한 구성예를 생각할 수 있다. 또한, 제 1 노즐 (10) 은, 각종 이동 기구와 조합함으로써 기판 (W) 의 주면 (상면) 을 따라 이동할 수 있는 구성으로 하고, 기판 (W) 의 주면 (상면) 의 중심을 향하여 처리액을 토출할 때에 기판 (W) 의 회전축 상을 따라 배치되고, 그 이외일 때에 퇴피 위치로 퇴피하는 구성으로 해도 된다. 또한, 제 1 노즐 (10) 의 토출구가 기판 (W) 의 회전축 상 밖에 배치되고, 처리액이 기판 (W) 의 주면 (상면) 의 중심을 향하여 경사지게 토출되는 구성으로 해도 된다.
제 1 노즐 (10) 은, 배관 (210) 을 통해 도 2 에 상세함을 나타내는 처리액 공급 기구 (200) 에 접속된다. 처리액 공급 기구 (200) 는, 처리액 탱크 (250) 에 저류된 처리액을, 펌프 (P1) 에 의해 배관 (210) 을 통해 제 1 노즐 (10) 에 공급한다. 배관 (210) 에는 처리액의 유량을 조정하기 위한 유량 조정 밸브 (211) 와, 배관 (210) 을 개폐하는 개폐 밸브 (215) 가 개재 장착되어 있다. 제 1 노즐 (10) 로부터 토출되는 처리액의 유량은, 펌프 (P1) 의 출력 및 유량 조정 밸브 (211) 의 개도를 조정함으로써 조절되고, 처리액의 토출 개시/정지는 개폐 밸브 (215) 를 개폐함으로써 실행된다.
제 2 노즐 (20) 은, 배관 (220) 을 통해 처리액 공급 기구 (200) 로부터 공급되는 처리액을 토출구 (20A) 로부터 토출할 수 있게 구성되어 있다. 처리액 공급 기구 (200) 는, 처리액 탱크 (250) 에 저류된 처리액을, 펌프 (P2) 에 의해 배관 (220) 을 통해 제 2 노즐 (20) 에 공급한다. 배관 (220) 에는 배관 (220) 을 흐르는 처리액의 유량을 조정하기 위한 유량 조정 밸브 (221) 와, 배관 (220) 을 개폐하는 개폐 밸브 (225) 가 개재 장착되어 있다. 제 2 노즐 (20) 로부터 토출되는 처리액의 유량은, 펌프 (P2) 의 출력 및 유량 조정 밸브 (221) 의 개도를 조정함으로써 조절되고, 처리액의 토출의 개시/정지는 개폐 밸브 (225) 를 개폐함으로써 실행된다.
제 2 노즐 (20) 은, 고정구 (25) 를 개재하여 헤드 (65) 에 고정되어 있고, 헤드 (65), 나아가서는 브러쉬 (BR1) 와 함께 이동한다. 제 2 노즐 (20) 의 주된 역할은, 브러쉬 (BR1) 가 기판 (W) 에 맞닿았을 때, 요컨대 브러쉬 (BR1) 에 의해 기판 (W) 의 주면 (상면) 을 세정할 때에, 브러쉬 (BR1) 와 기판 (W) 이 맞닿는 맞닿음 영역에 대하여 기판 회전 하류측에 인접하는 회전 하류 인접 영역에 처리액을 보충하여, 회전 하류 인접 영역에 있어서의 처리액 막 끊김 또는 처리액 막두께 저하를 회피하는 것이다. 그래서, 제 2 노즐 (20) 은, 당해 회전 하류 인접 영역의 어느 위치를 향하여 토출구 (20A) 로부터 처리액이 토출되도록, 브러쉬 (BR1) 와 제 2 노즐 (20) 의 위치 관계, 제 2 노즐 (20) 의 각도 등을 조절한 후에 고정구 (25) 를 개재하여 헤드 (65) 에 고정된다.
보다 구체적으로 서술하면, 제 2 노즐 (20) 은, 처리액이 스핀 베이스 (70) 에 대하여 경사진 하방으로 토출되도록, 그 장축에 대해서 각도를 부여하고 (예를 들어, 스핀 베이스 (70) 의 회전축에 대하여 회전축 하방으로부터 45 도 ∼ 80 도), 헤드 (65) 의 측면에 고정된다. 처리액의 막두께가 작은 막두께 저하 영역은, 전형적으로는 브러쉬 (BR1) 와 기판 (W) 이 맞닿는 맞닿음 영역의 기판 회전 하류측에 발생한다. 보다 구체적으로는 막두께 저하 영역은, 브러쉬 (BR1) 하면의 에지 중 기판 회전 하류측의 에지 (브러쉬 (BR1) 의 하류측 에지) 에 단 (端) 을 발하고, 거기에서부터 기판 회전 하류측으로 약간 연장되는 형상이 된다. 따라서, 제 2 노즐 (20) 로부터 처리액을 토출하는 목표 위치는, 브러쉬 (BR1) 의 측면 근방이며 또한 회전 하류측에 설정하는 것이 바람직하고, 또한, 막두께 저하 영역의 전체 영역과 제 2 노즐 (20) 로부터 보충한 처리액이 흘러 가는 위치로 하는 것이 바람직하다.
맞닿음 영역의 기판 회전 하류측 중, 처리액 막두께가 가장 저하되는 것은, 맞닿음 영역의 경계선 근방이다. 따라서, 제 2 노즐 (20) 로부터의 처리액은, 맞닿음 영역의 경계선 근방에 그 일부가 흐르도록 제 2 노즐 (20) 을 헤드 (65) 에 고정시키는 것이 바람직하다.
배관 (210) 과 배관 (220) 은, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 독립적으로 공통된 처리액 탱크 (250) 에 연결되는 구성으로 해도 되고, 처리액 탱크 (250) 에 도달하는 바로 앞에서 공통 배관 (도시 생략) 에 합류한 후, 처리액 탱크 (250) 와 공통 배관이 접속되는 형태로 해도 된다. 또한, 각각 상이한 처리액 탱크 (도시 생략) 에 연결하는 구성으로 해도 된다.
<컨트롤러 (100) 에 대해서>
도 1 및 도 3 을 참조하여 컨트롤러 (100) 의 구성에 대해서 설명한다.
도 3 은, 실시형태에 관련된 컨트롤러 (100) 의 구성을 모식적으로 나타내는 블록도이다.
기판 처리 장치 (1) 는, 추가로 컨트롤러 (100) 를 갖고 있다. 컨트롤러 (100) 는, 척 핀 이동 기구 (75A 및 75B), 스핀 베이스 회전 기구 (53), 아암 이동 기구 (60) 의 가동부 (61), 처리액 공급 기구 (200) 에 있어서의 펌프 (P1 및 P2), 유량 조정 밸브 (211 및 221), 개폐 밸브 (215 및 225) 등의 동작을 제어한다.
컨트롤러 (100) 는, CPU, 처리액 공급 기구 제어부 (121), 아암 이동 기구 제어부 (122), 척 핀 이동 기구 제어부 (123), 스핀 베이스 회전 기구 제어부 (124), 기타 기구 제어부 (125) 를 구비한다 (도 3 참조).
컨트롤러 (100) 에 접속하는 기억부 (110) 는, 처리 공정의 순서나 공정 실시에 필요한 장치 제어 파라미터 등을 격납하는 레시피나, 조작자 지시 정보, 공정마다의 장치 제어 파라미터나 제어 신호의 값을 산출하기 위한 각종 알고리즘을 격납한다. 상기 각 제어부는, 기억부 (110) 와 연계하여 제어 신호의 값을 산출하고, 장치의 처리 공정의 진행 상황에 따라서 제어 신호를 접속처에 송신한다. 컨트롤러 (100) 는, 컴퓨터의 형태를 갖고 있다. 기억부 (110) 는, 컨트롤러 (100) 가 실행하는 프로그램을 기록한 프로그램 기록 매체의 일례이다.
컨트롤러 (100) 는, 기판 (W) 의 처리에 수반되는 처리액 비말이나 분위기 오염을 회피하기 위해, 스핀 척 (50) 과의 사이에 형성한 스핀 척 (50) 등을 덮는 도시되지 않은 격벽의 외부에 형성하고, 제어 신호를 송수신하기 위한 배선을 통해 상기 서술한 각종 기구에 대한 통신을 실시하는 구성으로 해도 된다.
<척 핀 (CA 및 CB) 의 구조>
도 4 는, 실시형태에 관련된 척 핀 (CA 및 CB) 의 구조를 설명하기 위한 모식적인 측면도이다. 도 4 에서는, 간단하게 하기 위해서 기억부 (110), 컨트롤러 (100), 처리액 공급 기구 (200), 제 1 노즐 (10), 제 2 노즐 (20), 아암 이동 기구 (60) 을 도면에서 생략하고 있다.
척 핀 (CA) 과 척 핀 (CB) 은, 기판 (W) 에 맞닿게 했을 때에 척 핀의 상면이 기판 (W) 의 상면보다 높은 위치에 있거나, 그렇지 않거나 하는 점에서 상이하다.
이하, 도 4 를 참조하여 척 핀 이동 기구 (75A 및 75B), 그리고 척 핀 (CA 및 CB) 의 구조에 대해서 상세하게 설명한다.
도 4 에서는, 스핀 척 (50) 중, 간단하게 하기 위해서 스핀 베이스 (70) 만을 도시하고 있다. 스핀 베이스 (70) 의 내부에는, 도 4 의 점선으로 나타내는 척 핀 이동 기구 (75) 가 내장되어 있다. 척 핀 이동 기구 (75) 는, 척 핀 이동 기구 (75A) 와 척 핀 이동 기구 (75B) 를 갖는다.
척 핀 이동 기구 (75A) 는, 스핀 베이스 (70) 내에 있어서 복수의 척 핀 (CA) 의 각각의 하방에 격납되어 있고, 컨트롤러 (100) 에 있어서의 척 핀 이동 기구 제어부 (123) 에 의한 제어 신호에 의해 작동한다.
척 핀 이동 기구 (75A) 는, 척 핀 (CA) 의 지지축 (CA3) 을 슬롯 (CA4) 을 따라 이동시킴으로써, 지지축 (CA3) 에 연결된 척 핀 본체 (CA1) 를 이동시킨다. 당해 이동에 따라, 척 핀 (CA) 의 맞닿음면 (CA2) 이 기판 (W) 의 에지 또는 베벨에 맞닿지 않는 상태인 「열림 상태」와, 맞닿음면 (CA2) 이 기판 (W) 의 에지 또는 베벨에 맞닿을 수 있는 상태인 「닫힘 상태」의 두 상태가 실현된다. 척 핀 이동 기구 (75A) 에 의한 당해 이동은, 예를 들어 스핀 베이스 (70) 의 상면 직경 방향을 따라 홈이 형성된 슬롯 (CA4) 을 따라 척 핀 이동 기구 (75A) 가 지지축 (CA3) 을 스핀 베이스 (70) 의 상면 직경 방향을 따라 수평 이동시킴으로써 실현된다.
척 핀 이동 기구 (75A) 에 의한 당해 이동은, 다른 양태, 예를 들어, 당해 지지축 (CA3) 이 그 하방에 있어서 기판 (W) 주위의 접선 방향을 따른 수평 방향으로 형성된 축 둘레로 회전함으로써, 맞닿음면 (CA2) 의 기판 (W) 에 대한 맞닿음 또는 이탈을 실현시키는 것이어도 된다. 지지축 (CA3) 을 이동시켜, 척 핀 (CB) 에 열림 상태와 닫힘 상태를 실현시키기 위한 척 핀 이동 기구 (75A) 의 기계 구성으로는, 종래부터 캠 기구에 의해 부재의 변위를 실현시키는 구성이나, 자석을 활용하여 비접촉으로 부재의 변위를 실현시키는 구성 등 다양한 구성이 공지되어 있어, 어느 구성을 사용해도 된다.
다음으로 척 핀 이동 기구 (75B) 에 대해서 설명한다. 척 핀 이동 기구 (75B) 는, 스핀 베이스 (70) 내에 있어서 복수의 척 핀 (CB) 의 각각의 하방에 격납되어 있고, 컨트롤러 (100) 에 있어서의 척 핀 이동 기구 제어부 (123) 에 의한 제어 신호에 의해 작동한다. 기타 구성에 대해서는, 척 핀 이동 기구 (75B) 는, 척 핀 이동 기구 (75A) 와 동일한 구성을 갖는다.
독립된 이동 기구인 척 핀 이동 기구 (75A, 75B) 가, 각각 복수의 척 핀 (CA, CB) 에 연결되어 있기 때문에, 복수의 척 핀 (CA 와 CB) 을 각각 독립적으로 이동시킬 수 있다.
계속해서 도 4 를 참조하여 척 핀 (CA 및 CB) 의 구성에 대해서 설명한다.
척 핀 (CA) 은, 척 핀 본체 (CA1) 와, 척 핀 본체 (CA1) 의 측면에서 기판 (W) 에 맞닿는 맞닿음면 (CA2) 과, 스핀 베이스 (70) 의 상면 주연부에 형성된 슬롯 (CA4) 과, 슬롯 (CA4) 과 척 핀 본체 (CA1) 의 하면을 접속시키는 지지축 (CA3) 을 갖는다.
도 4 에 모식적으로 나타내는 바와 같이, 척 핀 (CB) 을 기판 (W) 에 맞닿게 한 상태에 있어서 척 핀 (CA) 의 상면은, 기판 (W) 의 상면보다 높은 위치가 된다.
맞닿음면 (CA2) 은, 척 핀 본체 (CA1) 의 일부분을 구성해도 되고, 척 핀 본체 (CA1) 로부터 독립된 부재여도 된다. 즉, 척 핀 본체 (CA1) 와 맞닿음면 (CA2) 이 독립된 부재여도 되고, 일체적으로 성형된 부재여도 된다.
맞닿음면 (CA2) 은, 기판 (W) 의 단면과 직접 접촉되기 때문에, 오염의 발생 용이성, 내약성, 내구성 등을 고려하여 소재가 결정된다. 척 핀 (CA) 은, 맞닿음면 (CA2) 을 기판 (W) 의 단면에 맞닿게 함으로써, 기판 (W) 을 확실하게 유지시킬 필요가 있다. 그래서, 기판 (W) 에 맞닿게 했을 때에 그다지 마찰력이 작용하지 않는 재료나 표면 형상으로 하는 것은 바람직하지 않다. 맞닿음면 (CA2) 의 재료로서는, 예를 들어, PVA (폴리비닐알코올) 나 우레탄 등의 탄성 변형이 가능한 재료로 형성된 스펀지재 (다공질 부재) 등이 선택된다.
계속해서, 척 핀 (CB) 에 대해서 설명한다.
척 핀 (CB) 은, 척 핀 본체 (CB1) 와, 척 핀 본체 (CB1) 의 측면에서 기판 (W) 에 맞닿는 맞닿음면 (CB2) 과, 스핀 베이스 (70) 의 상면 주연부에 형성된 슬롯 (CB4) 과, 슬롯 (CB4) 과 척 핀 본체 (CB1) 의 하면을 접속시키는 지지축 (CB3) 을 갖는다.
도 4 에 모식적으로 나타내는 바와 같이, 척 핀 (CB) 을 기판 (W) 에 맞닿게 한 상태에서, 척 핀 (CB) 의 상면은, 기판 (W) 의 상면보다 낮은 위치가 된다.
맞닿음면 (CB2) 은, 척 핀 본체 (CB1) 의 일부분을 구성해도 되고, 척 핀 본체 (CB1) 로부터 독립된 부재여도 된다. 즉, 척 핀 본체 (CB1) 와 맞닿음면 (CB2) 이 독립된 부재여도 되고, 일체적으로 성형된 부재여도 된다.
맞닿음면 (CB2) 은, 기판 (W) 의 단면과 직접 접촉되기 때문에, 오염의 발생용이성, 내약성, 내구성 등을 고려하여 소재가 결정된다. 척 핀 (CB) 은, 맞닿음면 (CB2) 을 기판 (W) 의 단면에 맞닿게 함으로써, 기판 (W) 을 확실하게 유지시킬 필요가 있다. 그래서, 기판 (W) 에 맞닿게 했을 때에 그다지 마찰력이 작용하지 않는 재료나 표면 형상으로 하는 것은 바람직하지 않다. 맞닿음면 (CB2) 의 재료로서는, 예를 들어, PVA (폴리비닐알코올) 나 우레탄 등의 탄성 변형이 가능한 재료로 형성된 스펀지재 (다공질 부재) 등이 선택된다.
본 실시형태에서는, 맞닿음면 (CA2 나 CB2) 의 형상은, 도 4 에 나타내는 바와 같이 기판 (W) 의 단부 (베벨 또는 에지 주변) 에 대향되는 측면이 기판 직경 방향의 외측을 향하여 패임으로써 기판 (W) 단부의 거의 전부를 상하 및 측면에서부터 협지하도록 구성되어 있다.
맞닿음면 (CA2 나 CB2) 의 형상은, 이러한 형상에 한정되지 않고, 기판 (W) 의 유지 기능을 적절히 발휘할 수 있는 한에서 다양한 형태를 취할 수 있다. 예를 들어, 맞닿음면 (CA2) 은, 기판 (W) 의 단부를 하부로부터 지지하는 재치 (載置) 면과, 재치면으로부터 연직 방향으로 연장되는 평판 형상의 측면으로 이루어지고, 당해 재치면과 측면을 기판 (W) 의 단부에 맞닿게 하는 의자 형상의 형상이어도 된다. 또한, 맞닿음면 (CB2) 의 형상은, 기판 (W) 의 유지 기능을 발휘하고, 또한, 기판 (W) 단부의 브러쉬 세정에 적합한 이상, 다양한 형태를 취할 수 있다.
이상, 기판 처리 장치 (1) 의 장치 구성에 대해서 설명하였다.
다음으로, 도 5 ∼ 도 8 을 참조하여 척 핀 (CA 및 CB) 의 동작에 대해서 설명한다.
도 5 ∼ 도 8 은 모두 실시형태에 관련된 척 핀 (CA 및 CB) 의 동작을 설명하기 위한 모식적인 평면도이다.
<척 핀 (CA 와 CB) 이 모두 열림 상태로 되어 있는 경우>
도 5 는, 실시형태에 관련된 척 핀 (CA 및 CB) 의 동작을 설명하기 위한 모식적인 평면도이다. 도 5 는, 척 핀 (CA 와 CB) 이 모두 열림 상태로 되어 있는 경우의 모식도이다.
척 핀 (CA, CB) 은 각각 복수 개 있고, 스핀 베이스 (70) 의 상방에 있어서 도 5 에 예시된 바와 같이 둘레 방향으로 서로 번갈아 배치된다. 복수의 척 핀 (CA) 과 복수의 척 핀 (CB) 은, 어느 한쪽의 세트만으로도 기판 (W) 을 협지할 수 있을 필요가 있기 때문에, 최저 3 개씩의 척 핀이 필요하다. 그러나, 보다 많은 수, 예를 들어 척 핀 (CA) 을 6 개, 척 핀 (CB) 을 6 개로 하는 등으로 해도 된다.
이미 설명한 바와 같이, 척 핀 (CA) 은, 척 핀 이동 기구 (75A) 에 의해 척 핀 (CB) 은, 척 핀 이동 기구 (75B) 에 의해 각각 독립적으로 「열림 상태」 와 「닫힘 상태」의 사이에서 이동할 수 있다.
도 5 에서는, 복수의 척 핀 (CA) 이 「열림 상태」, 즉 스핀 베이스 (70) 의 직경 방향 외측으로 이동하고 있고, 또한, 복수의 척 핀 (CB) 도 또한 「열림 상태」, 즉 스핀 베이스 (70) 의 직경 방향 외측으로 이동하고 있는 상태가 도시되어 있다. 도 5 에서는, 기판 (W) 과 척 핀의 위치 관계를 나타낼 목적으로 기판 (W) 을 기재하고, 또한 명료화를 위해서 사선을 붙이고 있지만, 기판 (W) 의 기재는, 어디까지나 위치 관계를 나타내는 참고를 위함이다.
<척 핀 (CA 및 CB) 이 모두 닫힘 상태로 되어 있는 경우>
도 6 은, 도 5 와 동일한 모식적인 평면도이다. 도 6 에서는, 복수의 척 핀 (CA 및 CB) 전부가 「닫힘 상태」로 되어 있다.
<척 핀 (CA) 만이 닫힘 상태로 되어 있는 경우>
도 7 도 또한 도 5 와 동일한 모식적인 평면도이다. 도 7 에서는, 복수의 척 핀 (CA) 이 「닫힘 상태」인 한편, 복수의 척 핀 (CB) 이 「열림 상태」로 되어 있다.
이 때, 기판 (W) 은 복수의 척 핀 (CB) 만으로 협지된 상태로 되어 있다.
<척 핀 (CB) 만이 닫힘 상태로 되어 있는 경우>
도 8 도 또한 도 5 와 동일한 모식적인 평면도이다. 도 8 에서는, 복수의 척 핀 (CB) 이 「열림 상태」인 한편, 복수의 척 핀 (CB) 이 「닫힘 상태」로 되어 있다.
이 때, 기판 (W) 은 복수의 척 핀 (CB) 만으로 협지된 상태로 되어 있다.
이 상태에 있어서 척 핀 (CB) 의 상면의 높이는 기판 (W) 의 상면의 높이보다 낮기 때문에, 브러쉬 (BR1) 에 의해 기판 (W) 의 베벨을 세정할 때에 브러쉬 (BR1) 가 기판 (W) 의 베벨에 있어서 척 핀 (CB) 과 충돌하는 일이 없다. 따라서, 척 핀의 교체 제어 등의 복잡한 제어를 행하지 않고, 브러쉬 오버 스캔을 실행할 수 있다.
다음으로, 도 9 를 참조하여 기판 처리 장치 (1) 의 동작예에 대해서 설명한다.
도 9 는, 실시형태에 관련된 처리의 플로우 차트이다.
<STEP 1 기판의 반입>
먼저, 기판 (W) 에 소정의 처리를 부가하기 위해서, 기판 (W) 이 스핀 척 (50) 에 유지된다. 기판 (W) 이, 도시되지 않은 기판 반송 기구에 의해 기판 처리 장치 (1) 로 반송되어 온다.
이 때, 척 핀 (CA 및 CB) 은, 이미 설명한 열림 상태, 즉 도 5 에 나타내는 상태로 되어 있다.
기판 반송 기구는, 기억부 (110) 에 이미 격납되어 있는 위치 정보에 기초하여 기판 (W) 을 이동시킨다. 보다 구체적으로는 기판 반송 기구는, 기판 (W) 의 단면이 척 핀 (CA 및 CB) 에 의해 유지할 수 있는 위치, 바꿔 말하면, 기판 (W) 의 단면이 척 핀 (CA 및 CB) 의 맞닿음면 (CA2 및 CB2) 전부에 대향되는 위치로 기판 (W) 을 수평 이동시킨다.
이 단계에서는, 스핀 베이스 (70) 는 회전을 정지시키고 있다.
<STEP 2 기판의 유지>
STEP 2 에서는, 척 핀 (CA) 및 척 핀 (CB) 이 「닫힘 상태」가 된다. 요컨대, 도 6 에 모식적으로 나타내는 상태가 된다. 이 결과, 기판 (W) 의 단부(베벨 또는 에지) 가 척 핀 (CA 및 CB) 에 의해 유지된다. 모든 척 핀에 의해 기판 (W) 이 유지됨으로써, 기판 (W) 이 스핀 베이스 (70) 에 대하여 편심 편차가 적은 상태로 유지된다.
<STEP 3 브러쉬 세정 기판의 회전 개시>
다음으로, 척 핀 (CB) 만이 「열림 상태」가 된다. 요컨대, 도 8 에 모식적으로 나타내는 상태가 된다. 이 상태에서 스핀 베이스 (70) 가 회전 개시한다. 본 실시형태에서는, 스핀 베이스 (70) 는 적어도 「정지」 「저속」 「중속」 「고속」4 단계의 속도 전환이 가능하다. 예를 들어, 「저속」의 회전수는 수십 내지 수백 rpm, 「중속」의 회전수는 수백 내지 1000 rpm, 「고속」의 회전수는 1000 내지 3000 rpm 의 값을 취한다.
STEP 3 에서는, 스핀 베이스 (70) 는 저속 회전수에 도달하기까지 가속시킨다.
다음으로, 기판 (W) 의 중앙 상방 근방의 제 1 노즐 (10) 로부터 기판 (W) 의 주면 상으로 브러쉬 세정에 적합한 처리액이 토출된다. 처리액은, 기판 (W) 의 회전에 수반되는 원심력에 의해 기판 (W) 의 직경 방향 외측으로 퍼진다. 브러쉬 처리에서의 처리액으로는, 순수가 주로 사용되지만, 기판 처리의 요구 내용에 따라서는, 저농도의 탄산수나 약오존수, SC1, SC2, FOM 등의 세정액을 사용해도 된다.
다음으로, 도 1, 도 4 에 예시된 브러쉬 (BR1) 에 의한 브러쉬 세정이 실시된다. 브러쉬 (BR1) 는, 아암 이동 기구 (60) 에 의해 브러쉬 (BR1) 를 연결하는 헤드 (65) 를 기판 (W) 의 주면 상을 따라 수평 이동시킴으로써, 기판 (W) 의 주면 상에서 접동시킨다. 접동 범위는, 기판 (W) 의 주면 상의 기판 중심으로부터 기판 주연부 근방까지이다. 브러쉬 (BR1) 가 기판 주연부로 이동했을 때에도, 브러쉬 (BR1) 와 척 핀 (CB) 은 간섭되지 않는다. 따라서, 기판 (W) 의 상면 전역인 기판 중심으로부터 기판 주연부의 전체에 대해서 척 핀과의 간섭을 신경 쓰지 않고 브러쉬 세정을 실시할 수 있다.
기판 (W) 의 주면 상의 파티클이나 오염 등이, 브러쉬 (BR1) 에 의해 브러쉬 세정되고, 브러쉬 (BR1) 에 의해 기판 (W) 으로부터 제거된 파티클 등은 기판 (W) 상을 직경 방향 외측을 향하여 흐르는 처리액에 의해 기판 (W) 의 단면으로부터 밖으로 흘러 떨어진다.
브러쉬 (BR1) 의 주변은 브러쉬 (BR1) 에 의해 제거된 파티클을 최대한 대량의 처리액으로 씻어낼 필요가 있다. 그래서, 도 1 에 예시된 바와 같이 보조적인 제 2 노즐 (20) 을 헤드 (65) 에 고정시켜, 브러쉬 (BR1) 주변에 처리액을 토출하는 구성으로 해도 된다.
<STEP 4 린스 처리>
STEP 3 에 계속해서 린스 처리를 실시한다. 브러쉬에 의한 기판 세정에 있어서는, 통상적으로 브러쉬 세정과 린스 처리 모두 순수가 사용된다. 기판의 종류에 따라서는, 브러쉬 세정에 있어서, 저농도의 탄산수나 약오존수, SC1, SC2, FOM 등의 세정액을 사용하는 한편, 린스 처리에 있어서는 순수 또는 저농도의 탄산수 등을 사용해도 된다.
린스 처리에 있어서는, 브러쉬 (BR1) 가 스핀 베이스 (70) 의 주연에 있는 도시되지 않은 퇴피 위치로 이동하고, 제 1 노즐 (10) 로부터 린스액이 토출된다.
린스 처리액의 토출과 동시 또는 병행하여 기판 (W) 의 회전수가 「저속」 에서 「중속」으로 변화한다. 이상의 동작에 의해 기판 (W) 의 상면을 린스액이 기판 (W) 의 회전 중심으로부터 외주 방향으로 퍼지면서 브러쉬 세정에 의해 발생된 오염을 기판 (W) 의 외주로부터 씻어낸다.
<STEP 5 건조 처리>
STEP 4 에 계속해서 건조 처리가 실시된다.
STEP 5 의 건조 처리에 있어서는, 척 핀 (CB) 에 추가하여 척 핀 (CA) 이 기판 (W) 을 유지시킨다. 요컨대, 도 6 에 모식적으로 나타내는 상태가 된다. 기판 (W) 이 척 핀 (CA 및 CB) 의 양방에 의해 유지됨으로써, 기판 (W) 이 보다 안정적으로 유지된다.
다음으로, 스핀 베이스 (70) 의 회전수가 중속 회전에서 고속 회전으로 변화한다. 이로써 척 핀 (CA 및 CB) 에 유지된 기판 (W) 이 고속 회전하여, 기판 (W) 상에 잔존하는 린스액이 털어져 건조 (스핀 건조) 된다.
<STEP 6 기판을 해방>
STEP 5 의 건조 처리가 완료된 후, 스핀 베이스 (70) 의 회전은 서서히 감속되어, 최종적으로 스핀 베이스 (70) 의 회전은 정지된다.
스핀 베이스 (70) 의 회전이 정지한 후, 척 핀 (CA 및 CB) 은 모두 열림 상태가 된다. 요컨대, 도 5 에 모식적으로 나타내는 상태가 되고, 도시되지 않은 반송 수단에 의해 기판 (W) 을 반출할 수 있는 상태가 된다.
STEP 6 에 있어서 척 핀 (CA 및 CB) 이 열림 상태로 되는 것과 병행하여, 도시되지 않은 반송 수단이 기판 (W) 을 수취한다.
STEP 6 에 있어서, 도시되지 않은 반송 기구의 핸드부가 기판 (W) 의 하면과 스핀 베이스 (70) 의 상면의 사이에 침입하여, 기판 (W) 의 해방에 대비한다. 그 후, 척 핀 (CA 및 CB) 이 모두 「열림 상태」가 된다. 이로써 기판 (W) 은 척 핀으로부터 해방되고, 기판 (W) 의 하방에서 기다리던 반송 기구의 핸드부로 건네진다.
<STEP 7 기판의 반출>
STEP 6 이후, 기판 (W) 을 수취한 반송 기구는, 핸드부에 기판 (W) 을 재치한 상태에서, 기판 처리 장치 (1) 의 외부로 기판 (W) 을 반송한다. 이로써, 기판 (W) 을 브러쉬 세정하는 일련의 공정이 종료된다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명해 왔는데, 본 발명의 실시양태는, 청구 범위에 기재된 사항의 범위에서 다양한 설계 변경을 실시하는 것이 가능하다.
예를 들어, 전술한 실시형태에서는, 기판 처리 장치 (1) 는 척 핀 (CA 및 CB) 이라는 상이한 구조의 척 핀을 구비하는 것으로 하였지만, 척 핀 (CB) 만, 바꿔 말하면 척 핀이 기판 (W) 을 유지할 때에 척 핀의 상면의 높이가 기판 (W) 의 상면보다 낮은 척 핀만을 구비하는 구성으로 해도 된다.
또한, 예를 들어, 본 발명의 실시형태의 상기 설명에서의 아암 이동 기구, 척 회전 기구, 척 핀 컨트롤러, 자전 기구 등의 각종 이동 기구, 그리고 아암이나 헤드의 구조, 스핀 척의 구조, 척 핀의 구조 등에 대해서는, 다양한 실현 형태가 공지되어 있어, 당업자는 청구 범위에 기재된 사항의 범위 내에서 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, 척 핀의 개폐나 헤드의 상하 이동 및 수평 이동 등을 행하기 위한 제어 정보의 격납이나 제어의 구체적인 양태에 대해서도, 청구 범위에 기재된 사항의 범위에서 다양한 설계 변경을 실시하는 것이 가능하다.
그 밖에 청구 범위에 따른 한정 범위 내에서, 실시양태의 다양한 변경이 가능하다.
이 출원은, 2017년 3월 27일에 일본국 특허청에 제출된 일본 특허출원 2017-061401호에 대응되고, 이 출원의 전체 개시는 여기에 인용에 의해 편입되는 것으로 한다.
본 발명의 실시형태에 대해서 상세하게 설명해 왔는데, 이것들은 본 발명의 기술적 내용을 명확히 하기 위해서 사용된 구체예에 불과하고, 본 발명은 이들 구체예에 한정하여 해석되어야 하는 것이 아니고, 본 발명의 범위는 첨부한 청구 범위에 의해서만 한정된다.
W : 기판
1 : 기판 처리 장치
10 : 제 1 노즐
10A : 토출구
20 : 제 2 노즐
20A : 토출구
25 : 고정구
60 : 아암 이동 기구
61 : 가동부
61A : 축 회전 기구
61B : 승강 기구
62 : 커버
63 : 지지축
64 : 아암
65 : 헤드
BR1 : 브러쉬
50 : 스핀 척
52 : 지지축
53 : 스핀 베이스 회전 기구
AX : 스핀 베이스 회전축
70 : 스핀 베이스
75 : 척 핀 이동 기구
75A, 75B : 척 핀 이동 기구
CA, CB : 척 핀
CA1, CB1 : 척 핀 본체
CA2, CB2 : 맞닿음면
CA3, CB3 : 지지축
CA4, CB4 : 슬롯
100 : 컨트롤러
110 : 기억부
121 : 처리액 공급 기구 제어부
122 : 아암 이동 기구 제어부
123 : 척 핀 이동 기구 제어부
124 : 스핀 베이스 회전 기구 제어부
125 : 기타 기구 제어부
200 : 처리액 공급 기구
210, 220 : 배관
215, 225 : 개폐 밸브
211, 221 : 유량 조정 밸브
P1, P2 : 펌프
250 : 탱크
1 : 기판 처리 장치
10 : 제 1 노즐
10A : 토출구
20 : 제 2 노즐
20A : 토출구
25 : 고정구
60 : 아암 이동 기구
61 : 가동부
61A : 축 회전 기구
61B : 승강 기구
62 : 커버
63 : 지지축
64 : 아암
65 : 헤드
BR1 : 브러쉬
50 : 스핀 척
52 : 지지축
53 : 스핀 베이스 회전 기구
AX : 스핀 베이스 회전축
70 : 스핀 베이스
75 : 척 핀 이동 기구
75A, 75B : 척 핀 이동 기구
CA, CB : 척 핀
CA1, CB1 : 척 핀 본체
CA2, CB2 : 맞닿음면
CA3, CB3 : 지지축
CA4, CB4 : 슬롯
100 : 컨트롤러
110 : 기억부
121 : 처리액 공급 기구 제어부
122 : 아암 이동 기구 제어부
123 : 척 핀 이동 기구 제어부
124 : 스핀 베이스 회전 기구 제어부
125 : 기타 기구 제어부
200 : 처리액 공급 기구
210, 220 : 배관
215, 225 : 개폐 밸브
211, 221 : 유량 조정 밸브
P1, P2 : 펌프
250 : 탱크
Claims (9)
- 삭제
- 기판의 브러쉬 세정을 실시하는 기판 처리 장치로서,
회전축선의 둘레에서 회전할 수 있게 형성된 스핀 베이스와,
상기 스핀 베이스를 회전시키는 스핀 베이스 회전 기구와,
열림 상태와 닫힘 상태로 전환할 수 있고, 닫힘 상태에 있어서 기판의 단부를 측면에서부터 협지할 수 있게 구성되어 있고, 상기 스핀 베이스에 형성된 복수의 제 1 척 핀과,
열림 상태와 닫힘 상태로 전환할 수 있고, 닫힘 상태에 있어서 기판의 단부를 측면에서부터 협지할 수 있게 구성되어 있고, 상기 스핀 베이스에 형성된 복수의 제 2 척 핀을 구비하고 있고,
상기 복수의 제 1 척 핀의 각각은, 상기 기판의 단부를 협지한 닫힘 상태에 있어서 그 상면이 상기 기판의 상면과 동일하거나 또는 낮은 높이가 되도록 구성되어 있고,
상기 복수의 제 2 척 핀의 각각은, 상기 기판의 단부를 협지한 닫힘 상태에 있어서 그 상면이 상기 기판의 상면보다 높은 높이가 되도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 척 핀의 각각은, 닫힘 상태에 있어서 기판에 맞닿는 맞닿음면을 갖고 있고, 당해 맞닿음면이 적어도 기판의 주연부의 하면 및 측면에 맞닿을 수 있게 구성되어 있는, 기판 처리 장치. - 기판의 브러쉬 세정을 실시하는 기판 처리 방법으로서,
열림 상태와 닫힘 상태로 전환할 수 있고, 닫힘 상태에 있어서 기판의 단부를 측면에서부터 협지할 수 있게 구성되어 있고, 스핀 베이스에 형성된 복수의 제 1 척 핀에 의해 상기 기판을 협지하는 제 1 협지 공정과,
열림 상태와 닫힘 상태로 전환할 수 있고, 닫힘 상태에 있어서 기판의 단부를 측면에서부터 협지할 수 있게 구성되어 있고, 상기 스핀 베이스에 형성된 복수의 제 2 척 핀에 의해 상기 기판을 협지하는 제 2 협지 공정을 갖고 있고,
상기 복수의 제 1 척 핀의 각각은, 상기 기판의 단부를 협지한 닫힘 상태에 있어서 그 상면이 상기 기판의 상면과 동일하거나 또는 낮은 높이가 되도록 구성되어 있고,
상기 복수의 제 2 척 핀의 각각은, 상기 기판의 단부를 협지한 닫힘 상태에 있어서 그 상면이 상기 기판의 상면보다 높은 높이가 되도록 구성되어 있는, 기판 처리 방법. - 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 협지 공정에 있어서 브러쉬에 의한 기판 세정이 실시되는, 기판 처리 방법. - 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 협지 공정에 있어서 상기 스핀 베이스가 제 1 회전수로 회전되고,
상기 제 2 협지 공정에 있어서 상기 스핀 베이스가 상기 제 1 회전수보다 높은 회전수로 회전하는, 기판 처리 방법. - 기판의 브러쉬 세정을 실시하는 기판 처리 방법을 실행하는 프로그램의 프로그램 기록 매체로서, 상기 기판 처리 방법이,
열림 상태와 닫힘 상태로 전환할 수 있고, 닫힘 상태에 있어서 기판의 단부를 측면에서부터 협지할 수 있게 구성되어 있고, 스핀 베이스에 형성된 복수의 제 1 척 핀에 의해 상기 기판을 협지하는 제 1 협지 공정과,
열림 상태와 닫힘 상태로 전환할 수 있고, 닫힘 상태에 있어서 기판의 단부를 측면에서부터 협지할 수 있게 구성되어 있고, 상기 스핀 베이스에 형성된 복수의 제 2 척 핀에 의해 상기 기판을 협지하는 제 2 협지 공정을 갖고 있고,
상기 복수의 제 1 척 핀의 각각은, 상기 기판의 단부를 협지한 닫힘 상태에 있어서 그 상면이 상기 기판의 상면과 동일하거나 또는 낮은 높이가 되도록 구성되어 있고,
상기 복수의 제 2 척 핀의 각각은, 상기 기판의 단부를 협지한 닫힘 상태에 있어서 그 상면이 상기 기판의 상면보다 높은 높이가 되도록 구성되어 있는, 프로그램 기록 매체. - 제 7 항에 있어서,
상기 제 1 협지 공정에 있어서 브러쉬에 의한 기판 세정이 실시되는, 프로그램 기록 매체. - 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
상기 제 1 협지 공정에 있어서 상기 스핀 베이스가 제 1 회전수로 회전되고,
상기 제 2 협지 공정에 있어서 상기 스핀 베이스가 상기 제 1 회전수보다 높은 회전수로 회전하는, 프로그램 기록 매체.
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