KR102357723B1 - 신호 손실 방지용 테스트 소켓 - Google Patents

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KR102357723B1
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test socket
signal loss
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conductive plate
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KR1020210123009A
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백병선
김석민
박준철
주학재
김영진
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(주)새한마이크로텍
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Abstract

본 발명은 전기 소자의 전기적 특성 측정에 사용되는 테스트 소켓에 관한 것이다. 본 발명은, 마주보는 단자들 사이에 배치되어 단자들을 전기적으로 접속시키는 테스트 소켓으로서, 적어도 하나의 제1 관통 구멍과 적어도 하나의 제2 관통 구멍이 형성된 전도성 플레이트와; 적어도 일부가 상기 제1 관통 구멍의 내부에, 상기 전도성 플레이트와 전기적으로 연결되도록, 상기 제1 관통 구멍의 내벽에 접촉하게 배치되며, 그 양단부가 마주보는 접지 단자들과 접촉하는 제1 접촉 핀과; 적어도 일부가 상기 제2 관통 구멍의 내부에, 상기 제2 관통 구멍의 내벽으로부터 거리를 두고 배치되며, 그 양단부가 마주보는 파워 또는 신호 단자들과 접촉하는 제2 접촉 핀과; 상기 제2 접촉 핀을 지지하고, 상기 전도성 플레이트로부터 상기 제2 접촉 핀을 절연시키는 절연성 지지부를 포함하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다. 본 발명에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓은 신호 손실이 최소화된다. 따라서 검사 속도와 정확도가 향상된다.

Description

신호 손실 방지용 테스트 소켓{Signal Loss Prevented Test Socket}
본 발명은 전기 소자의 전기적 특성 측정에 사용되는 테스트 소켓에 관한 것이다.
반도체 소자가 제조되면, 제조된 반도체 소자에 대한 성능 검사가 필요하다. 반도체 소자의 검사에는 검사 장치의 접촉 패드와 반도체 소자의 단자를 전기적으로 연결하는 테스트 소켓이 필요하다.
테스트 소켓 중에서 전도성 입자들을 실리콘 고무의 두께 방향으로 배치한 접촉부와 인접한 접촉부들을 절연시키며 지지하는 절연부를 구비한 이방 전도성 시트를 구비한 테스트 소켓은 기계적인 충격이나 변형을 흡수하여 유연한 접속이 가능하며, 제조 비용이 저렴하다는 장점이 있다.
도 1은 종래 기술의 테스트 소켓을 나타내는 도면이다. 종래 기술의 테스트 소켓의 이방 전도성 시트(5)는 반도체 소자(1)의 단자(2)와 접촉하는 접촉부(6)와 인접한 접촉부(6)들을 절연시키며 지지하는 절연부(8)로 구성된다. 접촉부(6)의 상단부와 하단부는 각각 반도체 소자(1)의 단자(2)와 반도체 검사 장치(3)의 접촉 패드(4)와 접촉하여, 단자(2)와 접촉 패드(4)를 전기적으로 연결한다. 접촉부(6)는 실리콘 수지에 크기가 작은 구형의 전도성 입자(7)들을 혼합하여 굳힌 것으로서 전기가 흐르는 도체로 작용한다.
그런데 이러한 종래의 테스트 소켓은 절연부(8)가 절연성 소재만으로 이루어지므로, 고주파 신호 전달시 접촉부(6) 간 신호의 간섭을 피할 수 없어서, 고주파 신호 전송 특성이 저하된다는 문제가 있었다.
한국 공개실용신안 제2009-0006326호 한국 공개특허 제10-2017-0066981호 한국 등록특허 제10-0375117호 한국 등록특허 제10-2133675호
본 발명은 상술한 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 신호 손실을 최소화하여 검사 속도 및 정확도가 향상된 새로운 구조의 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 마주보는 단자들 사이에 배치되어 단자들을 전기적으로 접속시키는 테스트 소켓으로서, 적어도 하나의 제1 관통 구멍과 적어도 하나의 제2 관통 구멍이 형성된 전도성 플레이트와; 적어도 일부가 상기 제1 관통 구멍의 내부에, 상기 전도성 플레이트와 전기적으로 연결되도록, 상기 제1 관통 구멍의 내벽에 접촉하게 배치되며, 그 양단부가 마주보는 접지 단자들과 접촉하는 제1 접촉 핀과; 적어도 일부가 상기 제2 관통 구멍의 내부에, 상기 제2 관통 구멍의 내벽으로부터 거리를 두고 배치되며, 그 양단부가 마주보는 파워 또는 신호 단자들과 접촉하는 제2 접촉 핀과; 상기 제2 접촉 핀을 지지하고, 상기 전도성 플레이트로부터 상기 제2 접촉 핀을 절연시키는 절연성 지지부를 포함하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
여기서 상기 제1 접촉 핀은, 기둥 형태의 제1 탄성 매트릭스와, 상기 제1 탄성 매트릭스의 내부에 상기 제1 탄성 매트릭스의 길이방향으로 배열되는 다수의 제1 전도성 입자들을 구비한다.
그리고 상기 제2 접촉 핀은, 기둥 형태의 제2 탄성 매트릭스와, 상기 제2 탄성 매트릭스의 내부에 상기 제2 탄성 매트릭스의 길이방향으로 배열되는 다수의 제2 전도성 입자들을 구비한다.
본 발명은, 또한, 상기 전도성 플레이트의 외곽에 형성된 제1 관통 구멍 또는 제2 관통 구멍의 외측에는 제3 관통 구멍이 형성되는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
또한, 상기 제3 관통 구멍에는 더미 핀이 배치되는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
또한, 상기 전도성 플레이트는 비자성인 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
또한, 상기 전도성 플레이트는 구리 또는 구리 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
또한, 상기 전도성 플레이트는 적층된 복수의 서브 플레이트들을 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
또한, 상기 절연 지지부, 상기 제1 탄성 매트릭스, 상기 제2 탄성 매트릭스는 동일한 소재로 이루어진 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
또한, 상기 절연 지지부, 상기 제1 탄성 매트릭스, 상기 제2 탄성 매트릭스는 실리콘계 수지 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE)계 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
본 발명에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓은 신호 손실이 최소화된다. 따라서 검사 속도와 정확도가 향상된다.
도 1은 종래기술에 따른 테스트 소켓을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 신호 손실 방지용 테스트 소켓의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들에 의거하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 나타내는 도면이다.
신호 손실 방지용 테스트 소켓(100)은 마주보는 단자들 사이에 배치되어 단자들을 전기적으로 접속시키는 역할을 한다. 예를 들어, 신호 손실 방지용 테스트 소켓(100)은 검사 장치(3)의 단자(4)와 반도체 소자(1)의 단자(2)를 전기적으로 연결하는 역할을 한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓(100)은 전도성 플레이트(10)와, 복수의 제1 접촉 핀(20)들과, 복수의 제2 접촉 핀(30)들과, 절연성 지지부(40)를 포함한다.
전도성 플레이트(10)에는 복수의 제1 관통 구멍(12)들과 복수의 제2 관통 구멍(14)들이 형성된다. 도 2에는 2개의 제1 관통 구멍(12)들과 2개의 제2 관통 구멍(14)들이 도시되어 있으나, 더 많은 수의 제1 관통 구멍(12)들과 제2 관통 구멍(14)들이 형성될 수 있다.
전도성 플레이트(10)는 비자성체인 것이 바람직하다. 예를 들어, 전도성 플레이트(10)는 구리 또는 구리 합금으로 이루어질 수 있다.
전도성 플레이트(10)는 하나의 플레이트로 이루어질 수도 있으며, 복수의 서브 플레이트들을 적층하여 형성할 수도 있다. 제1 관통 구멍(12)들과 제2 관통 구멍(14)들은 레이저를 이용하여 형성하거나, 마이크로 드릴을 이용하여 형성할 수 있다.
도 2에는 두 개의 제1 접촉 핀(20)들과 두 개의 제2 접촉 핀(30)들이 도시되어 있으나, 제1 접촉 핀(20)과 제2 접촉 핀(30)의 합은 수십 내지 수천 개일 수도 있다.
제1 접촉 핀(20)은 서로 마주보는 접지 단자(2a, 4a)들을 연결한다.
제1 접촉 핀(20)의 대부분은 제1 관통 구멍(12)의 내부에 배치된다. 제1 접촉 핀(20)의 외측면은 제1 관통 구멍(12)의 내면에 접촉한다. 따라서 제1 접촉 핀(20)은 전도성 플레이트(10)와 전기적으로 연결된다. 모든 제1 접촉 핀(20)들은 전도성 플레이트(10)를 통해서 전기적으로 연결된다. 제1 접촉 핀(20)의 높이는 전도성 플레이트(10)의 두께와 동일하거나 그 이상일 수 있다.
제1 접촉 핀(20)은 제1 탄성 매트릭스(22)와 다수의 제1 전도성 입자(24)들을 구비한다.
제1 탄성 매트릭스(22)는 기둥 형태이다. 예를 들어, 원기둥이나 사각, 육각, 팔각 등의 다각 기둥 형태일 수 있다. 제1 탄성 매트릭스(22)는 제1 전도성 입자(24)들을 지지하는 역할을 한다. 또한, 측정시에 탄성 변형되면서 단자들(2a, 4a)에 가해지는 압력을 감소시키면서, 제1 접촉 핀(20)을 단자들(2a, 4a)에 밀착시키는 역할을 한다.
제1 탄성 매트릭스(22)는 다양한 종류의 고분자 물질로 형성할 수 있다. 예를 들어, 실리콘, 폴리부타디엔, 폴리이소프렌, SBR, NBR 등 및 그들의 수소화합물과 같은 디엔형 고무로 구현될 수 있다. 또한, 스티렌부타디엔 블럭코폴리머, 스티렌이소프렌 블럭코폴리머 등 및 그들의 수소 화합물과 같은 블럭코폴리머로 구현될 수도 있다. 또한, 클로로프렌, 우레탄 고무, 폴리에틸렌형 고무, 에피클로로히드린 고무, 에틸렌-프로필렌 코폴리머, 에틸렌프로필렌디엔 코폴리머 등으로 구현될 수도 있다. 또한, 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE) 수지로 구현될 수도 있다. 제1 탄성 매트릭스(22)는 실리콘계 수지 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE) 수지로 구현되는 것이 바람직하다.
제1 탄성 매트릭스(22)는 액상 수지를 경화하여 얻을 수 있다.
제1 전도성 입자(24)들은 제1 탄성 매트릭스(22)의 길이방향으로 배열된다. 제1 전도성 입자(24)들은 서로 접촉하여 제1 접촉 핀(20)의 길이방향으로 전도성을 부여한다. 반도체 소자(1)의 검사를 위해서 제1 접촉 핀(20)의 길이방향으로 압력이 가해지면, 제1 접촉 핀(20)이 길이방향으로 압축된다. 그리고 제1 전도성 입자(24)들이 서로 더욱 가까워지면서 제1 접촉 핀(20)의 길이방향 전기 전도도가 더욱 높아진다.
또한, 제1 접촉 핀(20)의 길이방향으로 압력이 가해지면, 제1 접촉 핀(20)의 중심부의 제1 전도성 입자(24)들이 제1 관통 구멍(12)의 내면 방향으로 눌리면서, 제1 접촉 핀(20)과 제1 관통 구멍(12)의 내면의 접촉 면적도 더욱 증가할 수 있다.
제1 전도성 입자(24)들은 철, 구리, 아연, 크롬, 니켈, 은, 코발트, 알루미늄 등과 같은 단일 도전성 금속재 또는 이들 금속재료 둘 이상의 합금으로 구현될 수 있다. 또한, 제1 전도성 입자(24)들은 코어 금속의 표면을 전도성이 뛰어난 금, 은, 로듐, 팔라듐, 백금 또는 은과 금, 은과 로듐, 은과 팔라듐 등과 같은 금속으로 코팅하는 방법으로 구현할 수도 있다.
제조방법을 단순화하기 위해서, 제1 전도성 입자(24)들은 자성을 가지는 입자들인 것이 바람직하다. 예를 들어, 자성을 가지는 금속으로 이루어진 코어의 표면을 전도성이 높은 금속으로 코팅하는 방법으로 구현할 수 있다.
제2 접촉 핀(30)은 서로 마주보는 전원 단자 또는 신호 단자들(2b, 4b)을 전기적으로 접속시키는 역할을 한다. 제2 접촉 핀(30)의 대부분은 제2 관통 구멍(14)의 내부에 배치된다. 제2 접촉 핀(30)은 제2 관통 구멍(14)의 내면과 간격을 두고 떨어져 있으며, 전기적으로 분리된다. 제2 관통 구멍(14)의 내면은 제2 접촉핀(30)과 함께 동축 케이블(coaxial cable)과 유사한 구조를 이루어, 고속 신호 전달 시에 제2 접촉 핀(30)의 신호 손실을 최소화하는 역할을 한다. 전도성 플레이트(10)는 제1 접촉 핀(20)을 통해서 접지 단자들(2a, 4a)과 연결되므로 전도성 플레이트(10)도 접지된 상태가 된다. 제2 접촉 핀(30)의 높이는 전도성 플레이트(10)의 두께와 동일하거나 그 이상일 수 있다.
제2 접촉 핀(30)은 제1 접촉 핀(20)과 마찬가지로 제2 탄성 매트릭스(32)와 다수의 제2 전도성 입자(34)들을 구비한다.
제2 탄성 매트릭스(32)는 제1 탄성 매트릭스(22)와 마찬가지로 다양한 종류의 고분자 물질로 형성할 수 있다. 예를 들어, 실리콘, 폴리부타디엔, 폴리이소프렌, SBR, NBR 등 및 그들의 수소화합물과 같은 디엔형 고무로 구현될 수 있다. 또한, 스티렌부타디엔 블럭코폴리머, 스티렌이소프렌 블럭코폴리머 등 및 그들의 수소 화합물과 같은 블럭코폴리머로 구현될 수도 있다. 또한, 클로로프렌, 우레탄 고무, 폴리에틸렌형 고무, 에피클로로히드린 고무, 에틸렌-프로필렌 코폴리머, 에틸렌프로필렌디엔 코폴리머 등으로 구현될 수도 있다. 또한, 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE) 수지로 구현될 수도 있다. 제2 탄성 매트릭스(32)도 실리콘계 수지 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE) 수지로 구현되는 것이 바람직하다. 제2 탄성 매트릭스(32)는 액상 수지를 경화하여 얻을 수 있다.
제2 탄성 매트릭스(32)는 제1 탄성 매트릭스(22)와 동일한 재질로 형성될 수 있다.
제2 전도성 입자(34)들은 제2 탄성 매트릭스(32)의 길이방향으로 배열된다. 제2 전도성 입자(34)들은 서로 접촉하여 제2 접촉 핀(30)의 길이방향으로 전도성을 부여한다. 반도체 소자(1)의 검사를 위해서 제2 접촉 핀(30)의 길이방향으로 압력이 가해지면, 제2 접촉 핀(30)이 길이방향으로 압축된다. 그리고 제2 전도성 입자(34)들이 서로 더욱 가까워지면서 제2 접촉 핀(30)의 길이방향 전기 전도도가 더욱 높아진다.
제2 전도성 입자(34)들은 제1 전도성 입자(24)들과 마찬가지로, 철, 구리, 아연, 크롬, 니켈, 은, 코발트, 알루미늄 등과 같은 단일 도전성 금속재 또는 이들 금속재료 둘 이상의 합금으로 구현될 수 있다. 또한, 제2 전도성 입자(34)들도 코어 금속의 표면을 전도성이 뛰어난 금, 은, 로듐, 팔라듐, 백금 또는 은과 금, 은과 로듐, 은과 팔라듐 등과 같은 금속으로 코팅하는 방법으로 구현할 수도 있다.
제조방법을 단순화하기 위해서, 제2 전도성 입자(34)들도 자성을 가지는 입자들인 것이 바람직하다. 예를 들어, 자성을 가지는 금속으로 이루어진 코어의 표면을 전도성이 높은 금속으로 코팅하는 방법으로 구현할 수 있다.
절연성 지지부(40)는 제2 접촉 핀(30)을 지지하고, 전도성 플레이트(10)로부터 제2 접촉 핀(20)을 절연시키는 역할을 한다.
절연성 지지부(40)는 제1 탄성 매트릭스(22)와 마찬가지로 다양한 종류의 고분자 물질로 형성할 수 있다. 예를 들어, 실리콘, 폴리부타디엔, 폴리이소프렌, SBR, NBR 등 및 그들의 수소화합물과 같은 디엔형 고무로 구현될 수 있다. 또한, 스티렌부타디엔 블럭코폴리머, 스티렌이소프렌 블럭코폴리머 등 및 그들의 수소 화합물과 같은 블럭코폴리머로 구현될 수도 있다. 또한, 클로로프렌, 우레탄 고무, 폴리에틸렌형 고무, 에피클로로히드린 고무, 에틸렌-프로필렌 코폴리머, 에틸렌프로필렌디엔 코폴리머 등으로 구현될 수도 있다. 또한, 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE) 수지로 구현될 수도 있다. 절연성 지지부(40)는 실리콘계 수지 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE) 수지로 구현되는 것이 바람직하다. 절연성 지지부(40)는 액상 수지를 경화하여 얻을 수 있다.
절연성 지지부(40)는 제1 탄성 매트릭스(22) 및 제2 탄성 매트릭스(32)와 동일한 재질로 형성될 수 있다.
도 2에서는 절연성 지지부(40)가 전도성 플레이트(10)의 제2 관통 구멍(14)을 채울 뿐 아니라, 전도성 플레이트(10)의 상면도 덮는 것으로 도시되어 있다. 그러나 절연성 지지부(40)는 전도성 플레이트(10)의 상면을 덮지 않을 수도 있다. 또한, 절연성 지지부(40)는 전도성 플레이트(10)의 상면과 하면을 모두 덮거나, 전도성 플레이트(10)의 하면만을 덮을 수도 있다.
이하, 상술한 신호 손실 방지용 테스트 소켓의 제조방법의 일 예를 설명한다.
먼저, 금형의 내부에 제1 관통 구멍(12)들과 제2 관통 구멍(14)들이 형성된 전도성 플레이트(10)를 배치한다. 전도성 플레이트(10)는 비자성인 것이 바람직하다.
다음, 금형에 액상 수지와 자성을 가진 전도성 입자들의 혼합물을 투입한다. 그러면 전도성 플레이트(10)의 제1 관통 구멍(12)들과 제2 관통 구멍(14)들에 액상 수지와 전도성 입자들의 혼합물이 채워진다. 혼합물을 계속 투입하면, 금형의 측면과 전도성 플레이트(10)의 상면에 의해서 둘러싸인 공간에도 혼합물이 채워진다.
다음, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 관통 구멍(12)들과 제2 관통 구멍(14)들에 자력선을 통과시켜서 전도성 입자들이 제1 관통 구멍(12)들과 제2 관통 구멍(14)들의 내부에 몰리도록 한다. 이때, 제1 관통 구멍(12)들을 통과하는 자력선을 조절하여, 전도성 입자들이 제1 관통 구멍(12)의 내부를 가득 채워 전도성 입자들이 제1 관통 구멍(12)의 내면과 접촉하도록 한다.
그리고 제2 관통 구멍(14)들을 통과하는 자력선을 조절하여, 전도성 입자들이 제2 관통 구멍(14)의 중심부에만 몰리도록 하여, 전도성 입자들이 제2 관통 구멍(14)의 내면으로부터 멀어지도록 한다.
전도성 플레이트(10)로 비자성체를 사용하면, 전도성 플레이트(10)에 의한 자력선의 왜곡이 발생하지 않아서 전도성 입자들이 안정한 접촉 핀 형상을 이루게 할 수 있다는 장점이 있다.
그리고 자력선의 형성과 동시에 액상 수지를 경화한다. 그러면 도 2에 도시된 바와 같이 전도성 입자들이 제1 관통 구멍(12)과 제2 관통 구멍(14)에 신호 손실 방지용 테스트 소켓(100)의 두께 방향으로 정렬된 상태로 액상 수지가 경화된다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 나타내는 도면이다.
도 4에 도시된 신호 손실 방지용 테스트 소켓(200)은 전도성 플레이트(110)의 외곽에 제3 관통 구멍(115)이 형성된다는 점에서 도 2에 도시된 실시예와 차이가 있다.
제3 관통 구멍(115)은 자력선을 형성하여 자성을 가지는 전도성 입자들을 정렬하여 제1 접촉 핀(20)과 제2 접촉 핀(30)을 형성하는 과정에서 위치별 불균일성을 최소화하기 위한 목적으로 형성된다.
제1 접촉 핀(20)과 제2 접촉 핀(30)을 형성하는 과정에서, 전도성 플레이트(110)의 중심부의 제1 관통 구멍(112) 또는 제2 관통 구멍(114)을 통과하는 자력선과 최외곽부의 제1 관통 구멍(112) 또는 제2 관통 구멍(114)을 통과하는 자력선에 차이가 생길 수 있다.
이를 방지하기 위해서 최외곽부의 제1 관통 구멍(112) 또는 제2 관통 구멍(114)의 외곽에도 자력선을 형성하여 중심부와 유사한 환경을 만든다. 그런데 제3 관통 구멍(115)을 형성하지 않고, 자력선을 형성한다면, 자력선이 전도성 플레이트(110)를 통과하는 과정에서, 자력선이 왜곡될 수 있다.
제3 관통 구멍(115)은 자력선이 왜곡되지 않고 지나갈 수 있는 통로 역할을 하여 자력선이 왜곡되는 현상을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시예는 제3 관통 구멍(115)에 더미 핀(50)이 배치된다는 점에서도, 도 2에 도시된 실시예와 차이가 있다.
더미 핀(50)의 대부분은 제3 관통 구멍(115)의 내부에 배치된다. 도 4에는 더미 핀(50)의 외측면이 제3 관통 구멍(115)의 내면에 접촉하는 것으로 도시되어 있으나, 더미 핀(50)의 외측면은 제3 관통 구멍(115)의 내면에 접촉하지 않을 수도 있다. 더미 핀(50)은 마주보는 단자들을 전기적으로 연결하는 역할을 수행하지 않는다.
더미 핀(50)은 제1 접촉 핀(20) 및 제2 접촉 핀(30)과 함께 형성된다. 더미 핀(50)은 전도성 플레이트(110)의 중심부의 제1 관통 구멍(112) 또는 제2 관통 구멍(114)을 통과하는 자력선과 최외곽부의 제1 관통 구멍(112) 또는 제2 관통 구멍(114)을 통과하는 자력선 사이의 불균일성을 추가적으로 감소시키는 역할을 한다.
더미 핀(50)은 제1 접촉 핀(20) 및 제2 접촉 핀(30)과 마찬가지로 제3 탄성 매트릭스(52)와 다수의 제3 전도성 입자(54)들을 구비한다.
제3 탄성 매트릭스(52)는 기둥 형태이다. 예를 들어, 원기둥이나 사각, 육각, 팔각 등의 다각 기둥 형태일 수 있다. 제3 탄성 매트릭스(52)는 제3 전도성 입자(54)들을 지지하는 역할을 한다.
제3 탄성 매트릭스(52)는 제1 및 제2 탄성 매트릭스(22, 32)와 마찬가지로 다양한 종류의 고분자 물질로 형성할 수 있다. 제3 전도성 입자(54)들은 제3 탄성 매트릭스(52)의 길이방향으로 배열된다. 제3 전도성 입자(54)들은 제1 및 제2 전도성 입자(24, 34)들과 마찬가지로 자성을 갖는 다양한 종류의 전도성 입자들로 이루어질 수 있다.
이상에서 설명된 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한 것에 불과하고, 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상과 특허청구범위 내에서 이 분야의 당업자에 의하여 다양한 변경, 변형 또는 치환이 가능할 것이며, 그와 같은 실시예들은 본 발명의 범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다.
100, 200: 신호 손실 방지용 테스트 소켓
10, 110: 전도성 플레이트
12, 112: 제1 관통 구멍
14, 114: 제2 관통 구멍
115: 제3 관통 구멍
20: 제1 접촉 핀
22: 제1 탄성 매트릭스
24: 제1 전도성 입자
30: 제2 접촉 핀
32: 제2 탄성 매트릭스
34: 제2 전도성 입자
40, 140: 절연성 지지부
50: 제3 접촉 핀
52: 제3 탄성 매트릭스
54: 제3 전도성 입자

Claims (8)

  1. 마주보는 단자들 사이에 배치되어 단자들을 전기적으로 접속시키는 신호 손실 방지용 테스트 소켓으로서,
    적어도 하나의 제1 관통 구멍과 적어도 하나의 제2 관통 구멍이 형성된 전도성 플레이트와,
    적어도 일부가 상기 제1 관통 구멍의 내부에, 상기 전도성 플레이트와 전기적으로 연결되도록, 상기 제1 관통 구멍의 내벽에 접촉하게 배치되며, 그 양단부가 마주보는 접지 단자들과 접촉하는 제1 접촉 핀과,
    적어도 일부가 상기 제2 관통 구멍의 내부에, 상기 제2 관통 구멍의 내벽으로부터 거리를 두고 배치되며, 그 양단부가 마주보는 파워 또는 신호 단자들과 접촉하는 제2 접촉 핀과,
    상기 제2 접촉 핀을 지지하고, 상기 전도성 플레이트로부터 상기 제2 접촉 핀을 절연시키는 절연성 지지부를 포함하며,
    상기 제1 접촉 핀은,
    기둥 형태의 제1 탄성 매트릭스와, 상기 제1 탄성 매트릭스의 내부에 상기 제1 탄성 매트릭스의 길이방향으로 배열되는 다수의 제1 전도성 입자들을 구비하며,
    상기 제2 접촉 핀은,
    기둥 형태의 제2 탄성 매트릭스와, 상기 제2 탄성 매트릭스의 내부에 상기 제2 탄성 매트릭스의 길이방향으로 배열되는 다수의 제2 전도성 입자들을 구비하며,
    상기 전도성 플레이트의 외곽에 형성된 제1 관통 구멍 또는 제2 관통 구멍의 외측에는 제3 관통 구멍이 형성되는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제3 관통 구멍에는 더미 핀이 배치되는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 플레이트는 비자성인 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 전도성 플레이트는 구리 또는 구리 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 플레이트는 적층된 복수의 서브 플레이트들을 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 절연성 지지부, 상기 제1 탄성 매트릭스, 상기 제2 탄성 매트릭스는 동일한 소재로 이루어진 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 절연성 지지부, 상기 제1 탄성 매트릭스, 상기 제2 탄성 매트릭스는 실리콘계 수지 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE)계 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102525559B1 (ko) 2023-01-02 2023-04-25 (주)새한마이크로텍 신호 손실 방지용 테스트 소켓
WO2023182722A1 (ko) * 2022-03-22 2023-09-28 주식회사 새한마이크로텍 신호 손실 방지용 테스트 소켓

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100375117B1 (ko) 1998-12-30 2003-08-19 제이에스알 가부시끼가이샤 위치 결정부를 구비한 이방 도전성 시트_
KR20070018005A (ko) * 2004-02-24 2007-02-13 제이에스알 가부시끼가이샤 회로 기판 검사용 어댑터 및 회로 기판 검사 장치
KR20090006326A (ko) 2007-07-11 2009-01-15 주식회사 포스코 강판 코팅용액의 이물 처리장치
KR100985500B1 (ko) * 2009-08-17 2010-10-26 리노공업주식회사 검사용 소켓
KR20120061815A (ko) * 2009-07-14 2012-06-13 가부시키가이샤 아드반테스트 전자부품 압압장치, 전자부품 시험장치 및 인터페이스 장치
KR20170066981A (ko) 2015-12-07 2017-06-15 주식회사 아이에스시 테스트용 소켓 및 테스트용 소켓 제조 방법
KR20170108522A (ko) * 2016-03-18 2017-09-27 주식회사 오킨스전자 도전성 파티클이 자화된 도전 와이어에 의하여 자성 배열되는 테스트 소켓 및 그 제조 방법
KR20190037621A (ko) * 2017-09-29 2019-04-08 주식회사 새한마이크로텍 전도성 접촉부 및 이를 포함하는 이방 전도성 시트
KR102133675B1 (ko) 2019-07-03 2020-07-13 주식회사 새한마이크로텍 테스트용 소켓
KR20210014051A (ko) * 2019-09-16 2021-02-08 주식회사 새한마이크로텍 이방 전도성 시트

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100375117B1 (ko) 1998-12-30 2003-08-19 제이에스알 가부시끼가이샤 위치 결정부를 구비한 이방 도전성 시트_
KR20070018005A (ko) * 2004-02-24 2007-02-13 제이에스알 가부시끼가이샤 회로 기판 검사용 어댑터 및 회로 기판 검사 장치
KR20090006326A (ko) 2007-07-11 2009-01-15 주식회사 포스코 강판 코팅용액의 이물 처리장치
KR20120061815A (ko) * 2009-07-14 2012-06-13 가부시키가이샤 아드반테스트 전자부품 압압장치, 전자부품 시험장치 및 인터페이스 장치
KR100985500B1 (ko) * 2009-08-17 2010-10-26 리노공업주식회사 검사용 소켓
KR20170066981A (ko) 2015-12-07 2017-06-15 주식회사 아이에스시 테스트용 소켓 및 테스트용 소켓 제조 방법
KR20170108522A (ko) * 2016-03-18 2017-09-27 주식회사 오킨스전자 도전성 파티클이 자화된 도전 와이어에 의하여 자성 배열되는 테스트 소켓 및 그 제조 방법
KR20190037621A (ko) * 2017-09-29 2019-04-08 주식회사 새한마이크로텍 전도성 접촉부 및 이를 포함하는 이방 전도성 시트
KR102133675B1 (ko) 2019-07-03 2020-07-13 주식회사 새한마이크로텍 테스트용 소켓
KR20210014051A (ko) * 2019-09-16 2021-02-08 주식회사 새한마이크로텍 이방 전도성 시트

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023182722A1 (ko) * 2022-03-22 2023-09-28 주식회사 새한마이크로텍 신호 손실 방지용 테스트 소켓
KR102525559B1 (ko) 2023-01-02 2023-04-25 (주)새한마이크로텍 신호 손실 방지용 테스트 소켓

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